KR20150136662A - Display device - Google Patents

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Abstract

According to an embodiment of the present invention, a display device comprises: a thin film transistor array substrate which comprises a front surface with display and non-display areas and a rear surface with a pad unit; an align key which is formed on the pad unit of the rear surface; and a light blocking layer which is formed on the non-display area of the front surface and comprises an opening exposing the align key.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}Display device {DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 베젤을 줄이고 외부광의 반사광을 방지하며 기판이나 칩들을 얼라인하기 용이한 표시장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a display device, and more particularly, to a display device capable of reducing a bezel, preventing reflection of external light, and facilitating alignment of a substrate or chips.

최근, 평판표시장치(FPD: Flat Panel Display)는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Display Device) 등과 같은 여러 가지의 평면형 디스플레이가 실용화되고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, the importance of flat panel displays (FPDs) has been increasing with the development of multimedia. In accordance with this, a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), a field emission display (FED), an organic light emitting display device Various flat-panel displays have been put into practical use.

이 중 액정표시장치는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용하여 구동된다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의해 상기 액정의 분자배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상정보를 표현할 수 있다. Among them, the liquid crystal display device is driven by using optical anisotropy and polarization properties of liquid crystal. Since the structure of the liquid crystal is narrow and long, it has a directionality in the arrangement of molecules, and the direction of the molecular arrangement can be controlled by artificially applying an electric field to the liquid crystal. The molecular arrangement is changed, and light is refracted in the direction of molecular arrangement of the liquid crystal due to optical anisotropy, so that image information can be expressed.

현재는 박막트랜지스터와 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소 전극이 행렬방식으로 배열된 능동행렬 액정표시장치(AM-LCD : Active Matrix LCD 이하, 액정표시장치로 약칭함)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다. 상기 액정표시장치는 공통 전극이 형성된 컬러필터 기판과 화소 전극이 형성된 어레이 기판과, 상기 두 기판 사이에 개재된 액정으로 이루어지는데, 이러한 액정표시장치에서는 공통 전극과 화소 전극이 상하로 걸리는 전기장에 의해 액정을 구동하는 방식으로 투과율과 개구율 등의 특성이 우수하다.Currently, an active matrix liquid crystal display (AM-LCD: hereinafter referred to as a liquid crystal display) in which a thin film transistor and a pixel electrode connected to the thin film transistor are arranged in a matrix manner has excellent resolution and video realization capability It is attracting attention. The liquid crystal display device includes a color filter substrate on which a common electrode is formed, an array substrate on which pixel electrodes are formed, and a liquid crystal interposed between the two substrates. In such a liquid crystal display device, The liquid crystal is driven to have excellent properties such as transmittance and aperture ratio.

도 1은 종래 액정표시장치를 나타낸 단면도이다. 도 1을 참조하면, 종래 액정표시장치(5)는 박막트랜지스터 어레이 기판(20)과 컬러필터 기판(10) 사이에 액정층(미도시)이 개재된 액정패널(25)을 포함한다. 광을 제공하는 백라이트 유닛(40)이 구비되어, 백라이트 유닛(40)에서 제공되는 광의 투과를 액정패널(25)에서 제어하여 컬러필터 기판(10)을 통해 영상을 구현한다. 박막트랜지스터 어레이 기판(20)에 광의 투과를 제어하기 위한 구동 신호를 인가하도록 일측에 인쇄회로기판(Printed Cercuit Board, PCB)(30)이 부착된다. 그리고, 전술한 박막트랜지스터 어레이 기판(20), 컬러필터 기판(10), 백라이트 유닛(40) 등은 케이스(50)에 의해 수납되어 액정표시장치(5)를 구성한다. 1 is a cross-sectional view showing a conventional liquid crystal display device. 1, a conventional liquid crystal display device 5 includes a liquid crystal panel 25 in which a liquid crystal layer (not shown) is interposed between a thin film transistor array substrate 20 and a color filter substrate 10. A backlight unit 40 for providing light is provided so that the transmission of the light provided by the backlight unit 40 is controlled by the liquid crystal panel 25 to implement an image through the color filter substrate 10. A printed circuit board (PCB) 30 is attached to one side of the thin film transistor array substrate 20 so as to apply a driving signal for controlling the transmission of light. The thin film transistor array substrate 20, the color filter substrate 10, the backlight unit 40, and the like are accommodated by the case 50 to constitute the liquid crystal display device 5.

그러나, 종래 액정표시장치(5)는 박막트랜지스터 어레이 기판(20)의 측부에 인쇄회로기판(30)이나 패드부의 존재로 인해 영상이 표시되지 않는 비표시영역이 존재한다. 이러한 비표시영역은 케이스(50)에 의해 덮여 베젤(bezzel)로 작용하고, 넓은 베젤의 존재는 제품성을 저하시키는 문제점이 있다.
However, in the conventional liquid crystal display device 5, there is a non-display area in which the image is not displayed due to the presence of the printed circuit board 30 or the pad part on the side of the thin film transistor array substrate 20. [ Such a non-display area is covered by the case 50 to serve as a bezel, and the presence of a large bezel deteriorates the productivity.

따라서, 본 발명은 베젤을 줄이고 외부광의 반사광을 방지하며 기판이나 칩들을 얼라인하기 용이한 표시장치를 제공한다.
Accordingly, the present invention provides a display device which can reduce a bezel, prevent reflection of external light, and easily align a substrate or chips.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 표시영역과 비표시영역이 구비된 전면 및 패드부가 구비된 후면을 포함하는 박막트랜지스터 어레이 기판, 상기 후면의 패드부에 형성된 얼라인 키, 및 상기 전면의 비표시영역에 형성되고, 상기 얼라인 키를 노출하는 개구부를 포함하는 차광층을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a display device comprising: a thin film transistor array substrate including a front surface having a display region and a non-display region, and a rear surface having a pad portion; And a light shielding layer formed on the non-display area of the front surface and including an opening for exposing the alignment key.

상기 얼라인 키는 상기 개구부 내에 위치하며, 상기 차광층과 중첩되지 않는 것을 특징으로 한다.The alignment key is located in the opening, and is not overlapped with the light-shielding layer.

상기 개구부는 상기 얼라인 키로부터 5㎛ 내지 100㎛ 내로 이격된 크기로 이루어지는 것을 특징으로 한다.And the opening is spaced apart from the alignment key by 5 to 100 탆.

상기 개구부는 150㎛ × 150㎛ 내지 300㎛ × 300㎛ 내의 크기로 이루어지는 것을 특징으로 한다.And the opening portion has a size within a range of 150 m x 150 m to 300 m x 300 m.

상기 표시장치는 상기 박막트랜지스터 어레이 기판과 대향하는 컬러필터 기판을 더 포함하는 액정표시장치인 것을 특징으로 한다.The display device is a liquid crystal display device further comprising a color filter substrate facing the thin film transistor array substrate.

상기 표시장치는 상기 박막트랜지스터 어레이 기판 상에 형성된 유기전계발광소자를 더 포함하는 유기전계발광표시장치인 것을 특징으로 한다.
The display device may further include an organic electroluminescent display device formed on the thin film transistor array substrate.

본 발명의 실시예들에 따른 표시장치는 광이 출사되는 박막트랜지스터 어레이 기판의 후면에 패드부가 구비됨으로써, 표시장치의 베젤을 줄일 수 있는 이점이 있다.The display device according to embodiments of the present invention is advantageous in that a bezel of a display device can be reduced by providing a pad portion on the rear surface of a thin film transistor array substrate on which light is emitted.

또한, 박막트랜지스터 어레이 기판의 전면의 비표시영역에 차광층을 형성함으로써, 외부광의 반사에 의한 반사광을 억제할 수 있는 이점이 있다. Further, by forming the light shielding layer in the non-display area of the front surface of the thin film transistor array substrate, reflected light due to reflection of external light can be suppressed.

또한, 차광층에 얼라인 키를 노출하는 개구부를 형성함으로써, 비전카메라를 통해 얼라인 키를 촬영하여 기판, 구동부 또는 연성회로기판을 부착할 수 있는 이점이 있다.
Further, by forming an opening for exposing the alignment key to the light-shielding layer, there is an advantage that the substrate, the driver, or the flexible circuit board can be attached by photographing the alignment key via the vision camera.

도 1은 종래 액정표시장치를 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 전면과 후면을 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 단면을 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 단면을 나타낸 도면.
도 5는 도 4의 A영역을 확대하여 나타낸 도면.
도 6은 본 발명의 박막트랜지스터 어레이 기판의 패드부를 나타낸 평면도.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 얼라인 키와 차광층의 개구부를 나타낸 도면.
도 10 및 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시장치를 나타낸 단면도.
도 12는 표시패널에 구동칩을 얼라인하는 공정을 나타낸 도면.
도 13은 본 발명의 실험예 1에 따라 표시패널의 얼라인 키와 구동칩의 얼라인 키를 얼라인하여 비전카메라로 촬영한 이미지.
도 14는 본 발명의 실험예 1에 따라 일반 카메라로 표시패널의 차광층의 개구부를 촬영한 이미지.
도 15는 본 발명의 실험예 2에 따라 제작된 표시패널에 구동칩을 각각 부착한 후, 일반 카메라로 표시패널의 차광층의 개구부들을 촬영한 이미지.
도 16은 본 발명의 실험예 3에 따라 각 표시패널의 얼라인 키와 구동칩의 얼라인 키를 비전카메라로 촬영한 이미지와, 얼라인 키로부터 10㎛ 및 300㎛ 이격된 차광층의 개구부를 형성한 표시패널의 구동칩의 압흔을 촬영한 이미지.
1 is a sectional view showing a conventional liquid crystal display device.
2 is a front view and a rear view of a display device according to a first embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of a display device according to the first embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a display device according to the first embodiment of the present invention.
5 is an enlarged view of region A in Fig.
6 is a plan view showing a pad portion of a thin film transistor array substrate according to the present invention.
7 to 9 are views showing openings of the alignment key and the light-shielding layer of the present invention.
10 and 11 are sectional views showing a display device according to a second embodiment of the present invention.
12 is a view showing a step of aligning a driving chip on a display panel;
13 is an image obtained by aligning the alignment key of the display panel and the alignment key of the driving chip according to Experimental Example 1 of the present invention and photographing with a vision camera.
14 is an image of an opening of a light-shielding layer of a display panel taken by a general camera according to Experimental Example 1 of the present invention.
15 is an image obtained by attaching a driving chip to a display panel manufactured according to Experimental Example 2 of the present invention, and then photographing the openings of the light shielding layer of the display panel using a general camera.
16 is a graph showing an image obtained by photographing an alignment key of each display panel and an alignment key of a driving chip by a vision camera according to Experimental Example 3 of the present invention and an image of an opening of a light shielding layer spaced apart by 10 [ An image of the indentation of the driving chip of the formed display panel.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 전면과 후면을 나타낸 도면이고, 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 단면을 나타낸 도면이며, 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 단면을 나타낸 도면이고, 도 5는 도 4의 A영역을 확대하여 나타낸 도면이다. 3 is a cross-sectional view of a display device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view of the display device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 5 is a cross-sectional view of the display device according to the first embodiment, and FIG. 5 is an enlarged view of the area A in FIG.

도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(100)는 박막트랜지스터 어레이 기판(110)과 컬러필터 기판(210)이 합착된 표시패널(DP)을 구비한다. 표시패널(DP) 중 박막트랜지스터 어레이 기판(110)은 영상이 표시되는 표시영역(DA)과 영상이 표시되지 않는 비표시영역(NDA)을 포함한다. 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 박막트랜지스터 어레이 기판(110) 전면(FS)에는 박막트랜지스터 어레이 기판(110)의 비표시영역(NDA)에 해당하는 영역에 빛을 차단하는 차광층(LS)이 위치한다. 또한, 차광층(LS)은 블랙(black)으로 표시되어 표시장치(100)가 구동되지 않을 때 표시영역처럼 보이게 된다. 그리고, 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 박막트랜지스터 어레이 기판(110)의 후면(BS)의 하단에 구동부(DIC)가 위치하고, 구동 신호, 전원 등의 각종 신호를 전달하는 연성회로기판(FPCB)가 위치한다. Referring to FIG. 2, a display device 100 according to the first embodiment of the present invention includes a display panel DP on which a thin film transistor array substrate 110 and a color filter substrate 210 are bonded. Among the display panels DP, the thin film transistor array substrate 110 includes a display area DA for displaying an image and a non-display area NDA for displaying no image. 2 (a), a light shielding layer (not shown) blocking light at a region corresponding to the non-display area NDA of the thin film transistor array substrate 110 is formed on the front surface FS of the thin film transistor array substrate 110 LS) is located. Further, the light-shielding layer LS is displayed in black so that it appears as a display area when the display device 100 is not driven. 2B, the driving unit DIC is positioned at the lower end of the rear surface BS of the thin film transistor array substrate 110, and a flexible circuit board (not shown) for transmitting various signals such as a driving signal and a power source, (FPCB) is located.

보다 자세하게, 도 3을 참조하여, 도 2에 도시된 표시장치(100)의 구조를 상세히 살펴보기로 한다. 본 실시예에서는 표시장치를 설명하기 위해 컬러필터 기판과 박막트랜지스터 어레이 기판을 구비한 액정표시장치를 일예로 설명한다. More specifically, the structure of the display device 100 shown in FIG. 2 will be described in detail with reference to FIG. In this embodiment, a liquid crystal display device having a color filter substrate and a thin film transistor array substrate for explaining a display device will be described as an example.

본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치는 박막트랜지스터 어레이 및 구동 전극들이 형성된 박막트랜지스터 어레이 기판(110)과, 컬러필터 어레이가 형성된 컬러필터 기판(210)이 합착된 표시패널(DP)을 포함한다. 표시패널(DP)에 광을 제공하기 위해 표시패널(DP)의 하부 즉 컬러필터 기판(210)의 배면과 마주보도록 백라이트 유닛(BLU)이 위치한다. The display device according to the first embodiment of the present invention includes a thin film transistor array substrate 110 on which a thin film transistor array and driving electrodes are formed and a display panel DP on which a color filter substrate 210 on which a color filter array is formed is adhered do. The backlight unit (BLU) is positioned so as to face the bottom of the display panel (DP), that is, the back surface of the color filter substrate 210, in order to provide light to the display panel (DP).

보다 자세하게, 박막트랜지스터 어레이 기판(110)은 박막트랜지스터 어레이가 형성된다. 박막트랜지스터 어레이는 R, G 및 B 데이터전압이 공급되는 다수의 데이터 라인들, 데이터 라인들과 교차되어 게이트 펄스(또는 스캔 펄스)가 공급되는 다수의 게이트 라인들(또는 스캔 라인들), 데이터 라인들과 게이트 라인들의 교차부들에 형성되는 다수의 박막트랜지스터들(Thin Film Transistor), 액정셀들에 데이터 전압을 충전시키기 위한 다수의 화소 전극, 및 화소 전극에 접속되어 액정셀의 전압을 유지시키기 위한 스토리지 커패시터(Storage Capacitor) 등을 포함한다. 화소 전극과 대향하여 전계를 형성하는 공통 전극은 TN(Twisted Nematic) 모드와 VA(Vertical Alignment) 모드와 같은 수직 또는 수평전계 구동방식에서 컬러필터 기판(130)에 형성되며, IPS(In Plane Switching) 모드와 FFS(Fringe Field Switching) 모드와 같은 수평전계 구동방식에서 화소 전극과 함께 박막트랜지스터 어레이 기판(110)에 형성된다. In more detail, the thin film transistor array substrate 110 is formed with a thin film transistor array. The thin film transistor array includes a plurality of data lines supplied with R, G and B data voltages, a plurality of gate lines (or scan lines) supplied with gate pulses (or scan pulses) intersecting with the data lines, A plurality of thin film transistors (TFTs) formed at intersections of the gate lines and the gate lines, a plurality of pixel electrodes for charging data voltages to the liquid crystal cells, and a plurality of pixel electrodes connected to the pixel electrodes, Storage capacitors, and the like. A common electrode for forming an electric field opposite to the pixel electrode is formed on the color filter substrate 130 in a vertical or horizontal electric field driving method such as a TN (Twisted Nematic) mode and a VA (Vertical Alignment) Mode and a FFS (Fringe Field Switching) mode in a horizontal electric field driving method.

컬러필터 기판(210)에는 R, G 및 B 컬러필터와 이들 사이에 복수의 블랙 매트릭스가 형성된다. 컬러필터는 백라이트 유닛(BLU)에서 출사된 광을 적색, 녹색 및 청색으로 변환하는 역할을 한다. 그리고, 박막트랜지스터 어레이 기판(110)과 컬러필터 기판(210)에는 액정층(LC)과 접하는 내면에 액정의 프리틸트각을 설정하기 위한 배향막(미도시)이 형성되고, 액정셀의 셀갭(Cell gap)을 유지하기 위한 컬럼 스페이서(미도시)가 형성된다. 박막트랜지스터 어레이 기판(110)과 컬러필터 기판(210)의 외면에 각각 편광판이 구비된다. 즉, 박막트랜지스터 어레이 기판(110)의 외면에는 상부 편광판(UP)이 구비되고 컬러필터 기판(210)의 외면에는 하부 편광판(LP)이 구비된다. 따라서, 백라이트(LP)로부터 표시패널(DP)에 입사되는 광을 편광시키고 액정을 통해 투과를 조절하여 화상이 구현된다.In the color filter substrate 210, R, G, and B color filters and a plurality of black matrices are formed therebetween. The color filter serves to convert the light emitted from the backlight unit (BLU) into red, green, and blue. An alignment film (not shown) is formed on the inner surface of the thin film transistor array substrate 110 and the color filter substrate 210 in contact with the liquid crystal layer LC to set the pretilt angle of the liquid crystal. a column spacer (not shown) is formed to maintain the gap. A polarizing plate is provided on the outer surfaces of the thin film transistor array substrate 110 and the color filter substrate 210, respectively. That is, the upper polarizer UP is provided on the outer surface of the thin film transistor array substrate 110 and the lower polarizer LP is provided on the outer surface of the color filter substrate 210. Thus, the image is realized by polarizing the light incident on the display panel DP from the backlight LP and adjusting the transmission through the liquid crystal.

상기 박막트랜지스터 어레이 기판(110)의 테두리에 해당하는 비표시영역(NDA)에는 표시영역(DA)에 신호를 인가하는 복수의 신호선들과, 인쇄회로기판으로부터 외부의 신호를 표시영역(DA)에 인가하기 위해 연성회로기판(FPCB)이 연결되는 패드부(Pad)가 구비된다. 연성회로기판(FPCB)은 플렉서블(flexible)한 재질로 이루어져 백라이트 유닛(BLU)의 배면으로 구부러져 구비된다. 도시하지 않았지만 연성회로기판(FPCB)은 백라이트 유닛(BLU)의 배면에 실장되는 메인보드에 연결된다. 또한 패드부(Pad)에는 표시영역(DA)에 구동 신호를 인가하는 구동부(DIC)가 구비된다. A plurality of signal lines for applying a signal to the display area DA are formed in a non-display area NDA corresponding to a rim of the thin film transistor array substrate 110 and a plurality of signal lines for applying signals to the display area DA A pad portion to which the flexible printed circuit board (FPCB) is connected is provided. The flexible printed circuit board (FPCB) is made of a flexible material and bent to the back surface of the backlight unit (BLU). Although not shown, the flexible printed circuit board (FPCB) is connected to a main board mounted on the back surface of the backlight unit (BLU). The pad unit Pad is provided with a driving unit DIC for applying a driving signal to the display area DA.

이하, 도 4를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 구조를 살펴보면 다음과 같다. 도 4를 참조하면, 박막트랜지스터 어레이 기판(110) 상에 게이트 전극(115)이 위치하고, 게이트 전극(115)과 연결되어 일 방향으로 연장된 게이트 배선(미도시)이 위치한다. 상기 게이트 전극(115)을 덮으며 이를 절연하는 게이트 절연막(120)이 위치한다. 상기 게이트 절연막(120)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 이들의 다층 구조로 이루어진다. 상기 게이트 절연막(120) 상에는 상기 게이트 전극(115)과 대응되는 영역에 반도체층(125)이 위치한다. 상기 반도체층(125)의 양측에 각각 소스 전극(130a) 및 드레인 전극(130b)이 위치하여 상기 반도체층(125)의 양측에 각각 접속된다. 따라서, 게이트 전극(115), 반도체층(125), 소스 전극(130a) 및 드레인 전극(130b)을 포함하는 박막 트랜지스터가 구성된다. 본 발명에서는 반도체층 하부에 게이트 전극이 위치하는 바텀 게이트형(bottom gate type) 박막트랜지스터를 예로 설명하였지만, 반도체층 상에 게이트 전극이 위치하는 탑 게이트형(top gate type) 박막트랜지스터도 적용할 수 있으며, 이들 이외에 다양한 형상의 박막트랜지스터가 구비될 수도 있다.Hereinafter, the structure of a display device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Referring to FIG. 4, a gate electrode 115 is located on a thin film transistor array substrate 110, and a gate wiring (not shown) extending in one direction is connected to the gate electrode 115. A gate insulating layer 120 covering the gate electrode 115 and insulating the gate electrode 115 is located. The gate insulating layer 120 may be formed of silicon oxide, silicon nitride, or a multilayer structure thereof. A semiconductor layer 125 is formed on the gate insulating layer 120 in a region corresponding to the gate electrode 115. A source electrode 130a and a drain electrode 130b are positioned on both sides of the semiconductor layer 125 and connected to both sides of the semiconductor layer 125, respectively. Therefore, a thin film transistor including the gate electrode 115, the semiconductor layer 125, the source electrode 130a, and the drain electrode 130b is formed. In the present invention, a bottom gate type thin film transistor in which a gate electrode is disposed under a semiconductor layer is described as an example, but a top gate type thin film transistor in which a gate electrode is located on a semiconductor layer In addition, thin film transistors of various shapes may be provided.

한편, 상기 박막트랜지스터가 구비된 박막트랜지스터 어레이 기판(110) 상에 제1 보호막(145)이 위치한다. 제1 보호막(145)은 전술한 게이트 절연막(120)과 동일한 물질로 이루어진다. 상기 제1 보호막(145) 상에는 유기절연물질 예를 들면 포토아크릴 또는 벤조사이클로부텐 등으로 이루어진 제2 보호막(150)이 위치한다. 제2 보호막(150)은 절연막의 역할을 함과 아울러 하부의 단차를 평탄화시키는 역할을 한다. 따라서, 추후 형성되는 전극이 제2 보호막(150) 상에 평평하게 형성된다. 상기 제2 보호막(150) 상에 투명도전물질 예를 들어 ITO, IZO, ITZO 등으로 이루어진 공통 전극(160)이 위치한다. 공통 전극(160)은 각 화소 별로 판 형상으로 패터닝되고 공통 배선(미도시)으로부터 공통 전압을 인가받게 된다. On the other hand, the first protective layer 145 is located on the thin film transistor array substrate 110 having the thin film transistor. The first protective film 145 is made of the same material as the gate insulating film 120 described above. A second protective layer 150 made of an organic insulating material such as photo-acryl or benzocyclobutene is disposed on the first protective layer 145. The second passivation layer 150 serves as an insulating layer and serves to planarize the lower step. Therefore, the electrode to be formed later is formed flat on the second protective film 150. A common electrode 160 made of a transparent conductive material such as ITO, IZO, or ITZO is disposed on the second protective layer 150. The common electrode 160 is patterned in a plate shape for each pixel and receives a common voltage from common wiring (not shown).

상기 공통 전극(160) 상에 제3 보호막(165)이 위치하여 상기 공통 전극(160)을 절연시킨다. 상기 제3 보호막(165)과 제2 보호막(150)은 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극(130b)을 노출시키는 비어홀(155)이 구비된다. 상기 제3 보호막(165) 상에 상기 드레인 전극(130b)과 접속되는 화소 전극(170)이 위치한다. 화소 전극(170)은 핑거(finger) 형상으로 이루어지거나 다수의 슬릿(slit)의 개구부를 구비하여, 드레인 전극(130b)으로부터 구동전압 인가 시 상기 공통 전극(160)과 더불어 프린지 필드를 발생시키게 된다. 상기 화소 전극(170) 상에 액정을 배향시키기 위한 하부 배향막(175)이 위치한다. 따라서, 박막트랜지스터, 화소 전극 및 공통 전극이 구비된 박막트랜지스터 어레이 기판(110)이 구성된다. A third protective layer 165 is disposed on the common electrode 160 to insulate the common electrode 160. The third passivation layer 165 and the second passivation layer 150 are provided with a via hole 155 for exposing the drain electrode 130b of the TFT. A pixel electrode 170 connected to the drain electrode 130b is positioned on the third passivation layer 165. [ The pixel electrode 170 is formed in a finger shape or has a plurality of slit openings to generate a fringe field together with the common electrode 160 when a driving voltage is applied from the drain electrode 130b . A lower alignment layer 175 for aligning the liquid crystal is disposed on the pixel electrode 170. Accordingly, a thin film transistor array substrate 110 provided with a thin film transistor, a pixel electrode, and a common electrode is formed.

한편, 박막트랜지스터 어레이 기판(110) 상에 컬러필터 기판(210)이 위치한다. 컬러필터 어레이 기판(210)의 내측면에는 각 화소의 경계와 박막트랜지스터에 대응하여 블랙 매트릭스(190)(black matrix)가 구비되고, 상기 블랙 매트릭스(190)에 의해 구획된 영역에는 각 화소에 대응하는 적, 녹, 청색의 컬러필터(195)가 위치한다. 블랙 매트릭스(190)와 컬러필터(195) 상에 오버코트층(200)이 위치하고, 오버코트층(200) 상에 액정을 배향시키기 위한 상부 배향막(177)이 위치한다. 이와 같이 구성된 박막트랜지스터 어레이 기판(110)과 컬러필터 기판(210) 사이에 액정층(180)이 개재되어, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(100)를 구성한다.On the other hand, the color filter substrate 210 is placed on the thin film transistor array substrate 110. A black matrix 190 is provided on the inner surface of the color filter array substrate 210 in correspondence with the boundaries of the respective pixels and the thin film transistor, and a region partitioned by the black matrix 190 corresponds to each pixel Green, and blue color filters 195 are disposed. The overcoat layer 200 is positioned on the black matrix 190 and the color filter 195 and the upper alignment layer 177 is disposed on the overcoat layer 200 to align the liquid crystal. The liquid crystal layer 180 is interposed between the thin film transistor array substrate 110 and the color filter substrate 210 thus configured to constitute the display device 100 according to the first embodiment of the present invention.

한편, 박막트랜지스터 어레이 기판(110)의 비표시영역(NDA)에 구비된 복수의 신호선들과 패드부(Pad)에는 다수의 금속 배선들이 위치하기 때문에 외부광이 금속 배선들에 의해 반사하는 반사광이 발생하여 표시품질을 떨어뜨린다. 또한, 백라이트 유닛(BLU)으로부터 출사되는 광이 비표시영역(NDA)의 금속 배선들 사이로 새어 빛샘이 발생할 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 박막트랜지스터 어레이 기판(110)의 전면(FS)의 비표시영역(NDA)에 차광층(LS)을 구비한다. On the other hand, since a plurality of metal wires are located in the plurality of signal lines and the pad portion Pad provided in the non-display area NDA of the thin film transistor array substrate 110, the reflected light reflected by the metal wires And the display quality is degraded. Also, light emitted from the backlight unit BLU may leak between the metal wirings of the non-display area NDA to generate light leakage. Therefore, in the present invention, the light shielding layer LS is provided in the non-display area NDA of the front surface FS of the thin film transistor array substrate 110. [

차광층(LS)은 전술한 도 2에 도시된 바와 같이, 박막트랜지스터 어레이 기판(110) 전면(FS)의 비표시영역(NDA)에 형성되되 표시영역(DA)을 둘러싸도록 위치한다. 차광층(LS)은 외부광 또는 하부광을 완전히 차단할 수 있도록 1 내지 100㎛의 두께로 이루어진다. 여기서 차광층(LS)의 두께가 1㎛ 이상이면 외부광과 하부광을 차단하여 표시품질을 향상시키고, 차광층(LS)의 두께가 100㎛ 이하이면 차광층(LS) 상에 부착되는 편광판의 단차를 줄이고 차광층(LS)의 제조 시간을 줄일 수 있는 이점이 있다. 또한, 차광층(LS)은 비표시영역(NDA)을 완전히 커버할 수 있도록 0.1 내지 15mm의 폭을 가진다. 차광층(LS)의 폭은 표시장치(100)의 사이즈에 따라 달라질 수 있으며, 최소한 표시장치(100)의 전면(front surface)에서의 비표시영역(NDA)을 완전히 커버할 수 있어야 한다.The light shielding layer LS is formed in the non-display area NDA of the front surface FS of the thin film transistor array substrate 110 and is disposed to surround the display area DA as shown in FIG. The light-shielding layer LS has a thickness of 1 to 100 mu m so as to completely block the external light or the lower light. If the thickness of the light-shielding layer LS is 1 mu m or more, the external light and the lower light are blocked to improve display quality. If the thickness of the light-shielding layer LS is 100 mu m or less, There is an advantage that the step can be reduced and the manufacturing time of the light shielding layer LS can be reduced. Further, the light shielding layer LS has a width of 0.1 to 15 mm so as to cover the non-display area NDA completely. The width of the light shielding layer LS may be varied depending on the size of the display device 100 and at least the non-display area NDA on the front surface of the display device 100 should be completely covered.

차광층(LS)은 광을 차단하기 위한 재료로 이루어지며, 광학 밀도가 낮은 유기 또는 무기물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 차광층(LS)은 블랙 매트릭스나 흑색안료를 포함하는 레진(resin)으로 이루어질 수 있다. 여기서, 차광층(LS)이 흑색안료를 포함하는 레진의 경우를 설명하면, 차광층(LS)은 흑색안료, 바인더 수지, 용매 및 분산제 등을 포함하는 잉크로 형성될 수 있다. 흑색안료로는 카본 블랙을 사용할 수 있으며, 차광성이 있는 안료이면 특별히 한정되지 않는다. 또한, 흑색안료들의 예로는 채널 블랙(channel black), 퍼니스 블랙(furnace black), 서멀 블랙(thermal black), 램프 블랙(lamp black) 등을 사용할 수 있다. 흑색안료는 전체 차광패턴 잉크에 대해 6 내지 11 vol%로 포함될 수 있다. 차광패턴 잉크에 대해 흑색안료가 6 vol% 이상이면 차광성이 향상되고 11 vol% 이하이면 잉크젯 인쇄가 용이한 이점이 있다.The light-shielding layer LS is made of a material for blocking light, and may be made of an organic or inorganic material having a low optical density. For example, the light-shielding layer LS may be made of a resin containing black matrix or black pigment. The light-shielding layer LS may be formed of an ink including a black pigment, a binder resin, a solvent, a dispersing agent and the like, in the case where the light-shielding layer LS is a resin containing a black pigment. Carbon black can be used as the black pigment, and it is not particularly limited as long as it is a light-shielding pigment. Examples of the black pigments include channel black, furnace black, thermal black, lamp black, and the like. The black pigment may be contained in an amount of 6 to 11 vol% relative to the total light-shielding pattern ink. When the black pigment is 6 vol% or more with respect to the light-shielding pattern ink, the light shielding property is improved, and when it is less than 11 vol%, the ink-jet printing is advantageous.

상기 바인더 수지는 경화 방법에 따라 달라질 수 있는데 UV 경화의 경우 아크릴레이트계 모노머일 수 있다. 예를 들어, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,4-시클로헥산디올디아크릴레이트, 트리메틸롤트리아크릴레이트, 트리메틸롤 프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 솔비톨트리아크릴레이트, 솔비톨테트라크릴레이트, 비닐아세테이트, 트리알릴시아누레이트 등을 사용할 수 있다. 바인더 수지가 UV 경화되는 경우 광개시제를 더 포함할 수 있다. 광개시제는 광에 의해 라디칼을 발생시켜 중합을 촉발시키는 재료로서, 아세토페논계 화합물, 비이미다졸계 화합물, 트리아진계 화합물 및 옥심계 화합물 중 선택된 하나 이상을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 옥심계 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 바인더 수지가 열 경화되는 경우 폴리에스테르계, 폴리우레탄계, 에폭시계 수지 등을 사용할 수 있다. The binder resin may vary depending on the curing method, and in the case of UV curing, it may be an acrylate-based monomer. For example, there may be mentioned ethylene glycol diacrylate, 1,4-cyclohexanediol diacrylate, trimethylol triacrylate, trimethylol propane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, dipenta Erythritol triacrylate, dipentaerythritol tetraacrylate, sorbitol triacrylate, sorbitol tetracrylate, vinyl acetate, triallyl cyanurate and the like can be used. If the binder resin is UV-cured, it may further comprise a photoinitiator. The photoinitiator is a material that triggers polymerization by generating radicals by light, and may use at least one selected from an acetophenone-based compound, a nonimidazole-based compound, a triazine-based compound, and a oxime-based compound, Can be used. When the binder resin is thermally cured, a polyester type, a polyurethane type, an epoxy type resin, or the like can be used.

상기 용매는 에틸아세테이트, n-부틸아세테이트, 이소부틸아세테이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜 n-부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸 에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜 n-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 n-프로필에테르, 트리프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜디아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 시클로헥사논, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 및 3-에톡시프로피온산에틸 등을 사용할 수 있다. The solvent is selected from the group consisting of ethyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol n-butyl ether acetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether acetate , Diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol ethyl ether acetate, dipropylene glycol n-butyl ether, tripropylene glycol n-propyl ether, tripropylene glycol methyl ether, propylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol diacetate, Monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether acetate, cyclohexanone, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate and ethyl 3-ethoxypropionate can be used.

상기 분산제는 안료 성분이 용출되는 것을 방지하기 위한 것으로, 계면 활성제를 사용할 수 있다. 분산제는 예를 들어, 실리콘계, 불소계, 에스테르계, 양이온계, 음이온계, 비이온계, 양성 등의 계면 활성제 등을 사용할 수 있다. 추가적으로, 필요에 따라 첨가될 수 있는 것으로, 충진제, 경화제, 산화 방지제, 자외선 흡수제 등을 사용할 수 있다. 전술한 차광층(LS)은 잉크젯법 등의 통상적인 레진의 도포 방법으로 기판 상에 인쇄될 수 있다. The dispersant is used to prevent the pigment component from being eluted, and a surfactant can be used. As the dispersing agent, for example, a surfactant such as silicone, fluorine, ester, cationic, anionic, nonionic or amphoteric surfactant can be used. In addition, fillers, curing agents, antioxidants, ultraviolet absorbers and the like which can be added as needed can be used. The light-shielding layer LS described above can be printed on a substrate by a common resin coating method such as an ink-jet method.

전술한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치는 광이 출사되는 박막트랜지스터 어레이 기판(110)의 배면 즉, 광이 출사되는 반대면에 패드부(Pad)가 구비됨으로써, 베젤을 줄일 수 있는 이점이 있다. 또한, 표시장치의 비표시영역에 차광층을 형성함으로써, 외부광의 반사에 의한 반사광을 억제하고 내부에서 출사되는 빛이 새어나오는 빛샘을 방지할 수 있는 이점이 있다. As described above, in the display device according to the first embodiment of the present invention, the pad portion is provided on the back surface of the thin film transistor array substrate 110 on which light is emitted, that is, on the opposite side from which light is emitted, There is an advantage to reduce. Further, by forming the light shielding layer in the non-display area of the display device, it is possible to suppress the reflected light due to the reflection of the external light and to prevent the light leakage which leaks out from the inside.

한편, 박막트랜지스터 어레이 기판(110) 후면(BS)의 패드부(Pad)에는 구동부(DIC), 연성회로기판(FPCB) 등을 부착시키기 위한 얼라인 키(AK)가 위치한다. 상기 얼라인 키(AK)를 통해 외부에서 비전카메라(CA)를 통해 얼라인 키(AK)와 부착하고자 하는 구동부(DIC) 등을 얼라인하여 부착한다. 이때, 비전카메라(CA)는 차광층(LS)이 형성된 박막트랜지스터 어레이 기판(110)의 상부에서 얼라인 키(AK)를 촬영하기 때문에, 도 4 및 도 5의 (a)에 도시된 것처럼 차광층(LS)에 광이 투과할 수 있는 개구부(OP)가 형성된다. 만약, 차광층(LS)에 개구부(OP)가 형성되지 않으면, 도 5의 (b)에 도시된 것처럼 비전카메라(CA)의 광이 차광층(LS)에 흡수되어 얼라인 키(AK)를 촬영할 수 없다.On the other hand, an alignment key AK for attaching a driving unit DIC, a flexible circuit board (FPCB), and the like is placed on a pad Pad of the rear surface BS of the thin film transistor array substrate 110. The alignment key AK and the driving unit DIC to be attached are aligned and attached through the alignment key AK from the outside through the vision camera CA. At this time, since the vision camera CA photographs the alignment key AK on the upper portion of the thin film transistor array substrate 110 on which the light shielding layer LS is formed, An opening OP through which light can pass through the layer LS is formed. If the opening OP is not formed in the light-shielding layer LS, light of the vision camera CA is absorbed by the light-shielding layer LS as shown in FIG. 5B, Can not shoot.

이하, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 얼라인 키와 차광층에 대해 자세히 설명하면 다음과 같다. 도 6은 본 발명의 박막트랜지스터 어레이 기판의 패드부를 나타낸 평면도이고, 도 7 내지 도 9는 본 발명의 얼라인 키와 차광층의 개구부를 나타낸 도면이다.Hereinafter, the alignment key and the light-shielding layer of the display apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described in detail. FIG. 6 is a plan view showing a pad portion of a thin film transistor array substrate according to the present invention, and FIGS. 7 to 9 are views showing openings of the alignment key and the light shielding layer of the present invention.

본 실시예에서는 COG(chip on glass)로 부착되는 구동부 영역을 예로 도시하고 설명한다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 얼라인 키를 이용한 FOG(film on glass) 또는 TAB 공정에 의해 부착되는 영역에도 적용될 수 있다. 도 6을 참조하면, 본 발명의 박막트랜지스터 어레이 기판(110)의 패드부(Pad)에는 복수의 신호선(SL)과 복수의 범프 패드(BP)들이 위치하고 패드부(Pad)의 일측에 얼라인 키(AK)가 위치한다. 상기 복수의 신호선(SL)들은 구동부(미도시)로부터 구동 신호를 인가받아 표시영역(DA)으로 신호를 전달하는 것이고, 복수의 범프 패드(BP)들은 연성회로기판(미도시)으로부터 표시영역(DA) 또는 구동부(미도시)로 구동 신호를 전달하는 역할을 한다. 본 발명의 얼라인 키(AK)는 구동부 또는 연성회로기판에 형성된 얼라인 키와 정렬되어, 구동부 또는 연성회로기판을 원하는 정확한 위치에 부착되는데 이용된다. In this embodiment, a driver region attached by COG (chip on glass) is illustrated and described as an example. However, the present invention is not limited to this, and may be applied to a region to be attached by FOG (film on glass) or TAB process using an alignment key. 6, a plurality of signal lines SL and a plurality of bump pads BP are located on a pad of a thin film transistor array substrate 110 of the present invention, (AK). The plurality of signal lines SL transmit a signal to the display area DA by receiving a driving signal from a driving unit (not shown), and the plurality of bump pads BP are connected to a display area (not shown) DA) or a driving unit (not shown). The alignment key (AK) of the present invention is used to attach the driver or the flexible circuit board to a desired precise position by being aligned with the alignment key formed on the driver or the flexible circuit board.

도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 얼라인 키(AK)는 가운데가 비어있는 오픈부(AKO)가 형성된 액자틀 형상으로 이루어진다. 오픈부(AKO)는 얼라인 키(AK)와 얼라인 되는 구동부 또는 연성회로기판의 얼라인 키가 정렬되는 영역으로 오픈부(AKO)의 형상은 구동부 또는 연성회로기판의 얼라인 키의 형상과 대응되도록 이루어지는 것으로 특별히 한정되지 않는다. 얼라인 키(AK)는 전술한 박막트랜지스터 어레이 기판의 게이트 전극, 소스 전극 또는 드레인 전극을 형성할 때 동시에 형성될 수 있으며, 이들과 동일한 재료로 이루어진다. 얼라인 키(AK)는 도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 삼각형, 사각형 등의 다각형 또는 원형의 다양한 형상으로 이루어질 수 있으며, 얼라인에 영향을 미치지 않는 한 어떠한 형상으로도 이루어질 수 있다. Referring to FIG. 7, the alignment key AK according to an exemplary embodiment of the present invention is formed into a frame shape in which an open portion AKO having a hollow center is formed. The open portion AKO is the area where the alignment key of the driving part or the flexible circuit board is aligned with the alignment key AK and the shape of the opening part AKO is the shape of the alignment part of the driving part or the flexible circuit board And is not particularly limited. The alignment key AK can be formed at the same time when forming the gate electrode, the source electrode, or the drain electrode of the above-described thin film transistor array substrate, and is made of the same material as these. As shown in FIGS. 7 to 9, the alignment key AK may have various shapes such as a polygonal shape or a circular shape such as a triangle, a square, and the like, and may have any shape as long as it does not affect the alignment.

한편, 전술한 바와 같이, 본 발명의 차광층(LS)은 비전카메라(CA)로 얼라인 키(AK)를 촬영하기 위한 개구부(OP)를 구비한다. 도 7 내지 도 9에 도시된 도면은 비전카메라로 차광층(LS)의 개구부(OP)를 통해 얼라인 키(AK)를 촬영한 것을 모식화하여 나타낸 것이다. 차광층(LS)의 개구부(OP)는 비전카메라로 얼라인 키(AK)를 촬영하기 위해, 얼라인 키(AK)를 노출하고 있다. 구체적으로, 얼라인 키(AK)는 개구부(OP) 내에 위치하게 되고 차광층(LS)과 중첩되지 않게 위치한다. 따라서, 차광층(LS)의 개구부(OP)를 통해 얼라인 키(AK)를 비전카메라로 촬영할 수 있게 된다.Meanwhile, as described above, the light-shielding layer LS of the present invention has the opening OP for photographing the alignment key AK by the vision camera CA. 7 to 9 are schematic representations of photographing of the alignment key AK through the opening OP of the light shielding layer LS by the vision camera. The opening OP of the light shielding layer LS exposes the alignment key AK in order to photograph the alignment key AK by the vision camera. Specifically, the alignment key AK is positioned in the opening OP and is not overlapped with the light-shielding layer LS. Therefore, the alignment key AK can be photographed by the vision camera through the opening OP of the light shielding layer LS.

상기 개구부(OP)는 얼라인 키(AK)로부터 일정 거리(D1, D2)만큼 이격된 크기로 이루어진다. 보다 자세하게, 얼라인 키(AK)의 일측으로부터 차광층(LS)의 개구부(OP)는 제1 거리(D1)만큼 이격되고, 얼라인 키(AK)의 타측으로부터 차광층(LS)의 개구부(OP)는 제2 거리(D2)만큼 이격된다. 이때, 제1 거리(D1) 및 제2 거리(D2)는 서로 같거나 다를 수 있으며 바람직하게는 같을 수 있다. 그리고, 제1 거리(D1) 및 제2 거리(D2)가 같을 경우, 제1 거리(D1) 및 제2 거리(D2)는 5 내지 100㎛일 수 있다. 여기서, 제1 거리(D1) 및 제2 거리(D2)가 5㎛ 이상이면, 차광층(LS)의 개구부(OP)를 통해 비전카메라가 얼라인 키(AK)를 촬영하기 용이하고, 제1 거리(D1) 및 제2 거리(D2)가 100㎛ 이하이면 차광층(LS)의 개구부(OP)가 너무 커져 사용자에게 시인되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다. 반면, 제1 거리(D1) 및 제2 거리(D2)가 서로 다를 경우, 제1 거리(D1) 및 제2 거리(D2) 중 상대적으로 작은 거리가 5 내지 100㎛일 수 있다. The opening OP is spaced apart from the alignment key AK by a predetermined distance D1 and D2. The opening OP of the light shielding layer LS is spaced from the one side of the alignment key AK by the first distance D1 and the opening OP of the light shielding layer LS from the other side of the alignment key AK OP are separated by the second distance D2. At this time, the first distance D1 and the second distance D2 may be equal to or different from each other, and preferably equal to each other. When the first distance D1 and the second distance D2 are the same, the first distance D1 and the second distance D2 may be 5 to 100 mu m. Here, if the first distance D1 and the second distance D2 are 5 占 퐉 or more, it is easy for the vision camera to photograph the alignment key AK through the opening OP of the light shielding layer LS, When the distance D1 and the second distance D2 are 100 mu m or less, there is an advantage that the opening OP of the light-shielding layer LS becomes too large to be viewed by the user. On the other hand, when the first distance D1 and the second distance D2 are different from each other, a relatively small distance between the first distance D1 and the second distance D2 may be 5 to 100 mu m.

다시 말해서, 개구부(OP)의 크기는 얼라인 키(AK)로부터 5 내지 100㎛ 내로 이격된 크기로 이루어진다. 여기서, 얼라인 키(AK)의 크기가 더 커질 경우, 개구부(OP)의 크기는 얼라인 키(AK)로부터 100㎛ 보다 작은 간격으로 이격되야 한다. 왜냐하면, 차광층(LS)의 개구부(OP)의 크기가 일정 크기 이상으로 커지면 사용자에게 시인되어 제품성을 저하시킬 수 있기 때문이다. 따라서, 개구부(OP)의 크기는 150㎛ × 150㎛ 내지 300㎛ × 300㎛ 내로 이루어질 수 있다. 개구부(OP)의 크기에 대한 실험은 실험예 2에서 후술하고 있으므로 자세한 설명을 생략한다. In other words, the size of the opening OP is made to be a size separated from the alignment key AK by 5 to 100 mu m. Here, when the size of the alignment key AK is larger, the size of the opening OP must be spaced apart from the alignment key AK by less than 100 mu m. This is because, if the size of the opening OP of the light-shielding layer LS becomes larger than a certain size, the product can be visually impaired by the user. Therefore, the size of the opening OP may be within 150 mu m x 150 mu m to 300 mu m x 300 mu m. Experiments on the size of the opening (OP) are described later in Experimental Example 2, and a detailed description thereof will be omitted.

한편, 본 발명의 차광층(LS)의 개구부(OP)와 얼라인 키(AK)는 서로 유사하거나 다른 형상으로 이루어질 수 있다. 도 7 및 8에 도시된 것처럼, 얼라인 키(AK)의 형상이 사각형일 경우 차광층(LS)의 개구부(OP)의 형상도 사각형으로 이루어질 수 있다. 또한, 얼라인 키(AK)의 형상이 원형일 경우 차광층(LS)의 개구부(OP)의 형상도 원형으로 이루어질 수 있고, 얼라인 키(AK)의 형상이 삼각형일 경우 차광층(LS)의 개구부(OP)의 형상도 삼각형으로 이루어질 수 있다. 반면, 도 9에 도시된 것처럼, 얼라인 키(AK)의 형상이 사각형일 경우 차광층(LS)의 개구부(OP)의 형상은 원형으로 서로 다르게 이루어질 수 있다. 또한, 얼라인 키(AK)의 형상이 원형일 경우 차광층(LS)의 개구부(OP)의 형상은 사각형으로 이루어질 수 있고, 얼라인 키(AK)의 형상이 삼각형일 경우 차광층(LS)의 개구부(OP)의 형상은 원형으로 이루어질 수 있다. 전술한 차광층(LS)의 개구부(OP)와 얼라인 키(AK)의 형상은 비전카메라에 의해 얼라인 키(AK)를 촬영하기에 용이한 형상이면 어떠한 형상으로도 이루어질 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다.Meanwhile, the opening OP and the alignment key AK of the light-shielding layer LS of the present invention may be similar or different from each other. 7 and 8, when the shape of the alignment key AK is rectangular, the shape of the opening OP of the light-shielding layer LS may also be a rectangle. When the shape of the alignment key AK is circular, the shape of the opening OP of the light-shielding layer LS may be circular, and when the shape of the alignment key AK is triangular, The shape of the opening portion OP of the light guide plate may also be triangular. On the other hand, as shown in FIG. 9, when the shape of the alignment key AK is rectangular, the shape of the opening OP of the light shielding layer LS may be circular and different. When the shape of the alignment key AK is circular, the shape of the opening OP of the light-shielding layer LS may be quadrilateral, and when the shape of the alignment key AK is triangular, The shape of the openings OP of the first and second openings may be circular. The shape of the opening OP and the alignment key AK of the light shielding layer LS may be any shape as long as the shape can be easily photographed by the vision camera, It does not.

상기와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치는 광이 출사되는 박막트랜지스터 어레이 기판(110)의 배면 즉, 광이 출사되는 반대면에 패드부(Pad)가 구비됨으로써, 베젤을 줄일 수 있는 이점이 있다. 또한, 표시장치의 비표시영역에 차광층을 형성함으로써, 외부광의 반사에 의한 반사광을 억제하고 내부에서 출사되는 빛이 새어나오는 빛샘을 방지할 수 있는 이점이 있다. 더욱이 차광층에 개구부를 형성함으로써, 비전카메라를 통해 얼라인 키를 촬영하여 구동부나 연성회로기판을 부착할 수 있는 이점이 있다.As described above, in the display device according to the first embodiment of the present invention, the pad portion is provided on the back surface of the thin film transistor array substrate 110 on which light is emitted, that is, on the opposite side from which light is emitted, There is an advantage to be able to. Further, by forming the light shielding layer in the non-display area of the display device, it is possible to suppress the reflected light due to the reflection of the external light and to prevent the light leakage which leaks out from the inside. Further, by forming the opening in the light-shielding layer, there is an advantage that the driver and the flexible circuit board can be attached by photographing the alignment key via the vision camera.

도 10 및 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시장치를 나타낸 단면도이다. 본 발명의 제2 실시예에서는 표시장치를 설명하기 위해 유기전계발광소자를 포함하는 유기전계발광표시장치를 일예로 설명한다. 10 and 11 are sectional views showing a display device according to a second embodiment of the present invention. In the second embodiment of the present invention, an organic electroluminescent display device including an organic electroluminescent device for explaining a display device will be described as an example.

도 10을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시장치(300)는 박막트랜지스터 어레이가 형성된 박막트랜지스터 어레이 기판(310)과, 박막트랜지스터 어레이 기판(310) 상에 형성된 유기전계발광소자(EL), 및 유기전계발광소자(EL)를 밀봉하는 밀봉부재(410)로 구성된 표시패널(DP)을 포함한다.10, a display device 300 according to a second embodiment of the present invention includes a thin film transistor array substrate 310 on which a thin film transistor array is formed, an organic electroluminescence device 310 on the thin film transistor array substrate 310, EL), and a sealing member 410 for sealing the organic electroluminescence element EL.

보다 자세하게, 박막트랜지스터 어레이 기판(310)은 박막트랜지스터 어레이가 형성된다. 박막트랜지스터 어레이는 R, G 및 B 데이터전압이 공급되는 다수의 데이터 라인들, 데이터 라인들과 교차되어 게이트 펄스(또는 스캔 펄스)가 공급되는 다수의 게이트 라인들(또는 스캔 라인들), 데이터 라인들과 나란하게 배열되어 공통전압을 공급하는 공통라인들, 데이터 라인들과 게이트 라인들의 교차부들에 형성되는 다수의 스위칭 박막트랜지스터들(Switching Thin Film Transistor), 스위칭 박막트랜지스터들과 공통라인들 사이에 형성되는 다수의 구동 박막트랜지스터들(Driving Thin Film Transistor), 및 구동 전압을 유지시키 위한 스토리지 커패시터(Storage Capacitor) 등을 포함한다.In more detail, the thin film transistor array substrate 310 is formed with a thin film transistor array. The thin film transistor array includes a plurality of data lines supplied with R, G and B data voltages, a plurality of gate lines (or scan lines) supplied with gate pulses (or scan pulses) intersecting with the data lines, A plurality of switching thin film transistors (TFTs) formed at intersections of the data lines and the gate lines, a plurality of switching thin film transistors arranged between the switching thin film transistors and the common lines, (Driving Thin Film Transistor), a storage capacitor for maintaining a driving voltage, and the like.

유기전계발광소자(EL)는 박막트랜지스터 어레이 기판(310)의 구동 박막트랜지스터들로부터 구동전류를 인가받는 화소 전극, 화소 전극과 대향하는 대향 전극, 및 화소 전극과 대향 전극 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함한다. 따라서, 화소 전극으로부터 공급받는 정공과 대향 전극으로부터 공급받은 전자가 유기 발광층 내에서 결합하여 정공-전자 쌍인 여기자(exciton)를 형성하고 다시 여기자가 바닥상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 자발광하게 된다.The organic electroluminescent device EL includes a pixel electrode receiving a driving current from the driving thin film transistors of the thin film transistor array substrate 310, a counter electrode facing the pixel electrode, and an organic light emitting layer disposed between the pixel electrode and the counter electrode . Accordingly, the holes supplied from the pixel electrode and the electrons supplied from the counter electrode combine in the organic light-emitting layer to form an exciton, which is a pair of electron-hole pairs, and self-luminescence is generated by energy generated when the exciton returns to the ground state .

박막트랜지스터 어레이 기판(310)의 외면에는 편광판(FP)이 구비되어 외부광에 의해 시인성이 저하되는 것을 방지한다. 그리고, 박막트랜지스터 어레이 기판(310)은 전술한 제1 실시예의 액정표시장치와 마찬가지로 테두리에 해당하는 비표시영역(NDA)에 표시영역(DA)에 신호를 인가하는 복수의 신호선들과, 인쇄회로기판(FPCB)으로부터 외부의 신호를 표시영역(DA)에 인가하는 패드부(Pad)가 구비된다. 인쇄회로기판(FPCB)은 플렉서블(flexible)한 특성을 가져 밀봉부재(410)의 배면으로 구부러져 구비된다. 도시하지 않았지만 인쇄회로기판(FPCB)은 밀봉부재(410)의 배면에 실장되는 메인보드에 연결된다.A polarizing plate (FP) is provided on the outer surface of the thin film transistor array substrate 310 to prevent deterioration of visibility due to external light. The thin film transistor array substrate 310 has a plurality of signal lines for applying signals to the display area DA in a non-display area NDA corresponding to the frame similarly to the liquid crystal display of the first embodiment described above, And a pad pad for applying an external signal from the substrate FPCB to the display area DA is provided. The printed circuit board (FPCB) has a flexible characteristic and is bent to the back surface of the sealing member (410). Although not shown, the printed circuit board (FPCB) is connected to the main board mounted on the back surface of the sealing member 410. [

보다 자세하게, 도 11을 참조하면, 박막트랜지스터 어레이 기판(310) 상에 게이트 전극(315)이 위치하고, 게이트 전극(315)과 연결되어 일 방향으로 연장된 게이트 배선(미도시)이 위치한다. 상기 게이트 전극(315)을 덮으며 이를 절연하는 게이트 절연막(320)이 위치한다. 상기 게이트 절연막(320)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 이들의 다층 구조로 이루어진다. 상기 게이트 절연막(320) 상에는 상기 게이트 전극(315)과 대응되는 영역에 반도체층(325)이 위치한다. 상기 반도체층(325)의 양측에 각각 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)이 위치하여 상기 반도체층(325)의 양측에 각각 접속된다. 따라서, 게이트 전극(315), 반도체층(325), 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)을 포함하는 박막 트랜지스터가 구성된다. 본 발명에서는 반도체층 하부에 게이트 전극이 위치하는 바텀 게이트형(bottom gate type) 박막트랜지스터를 예로 설명하였지만, 반도체층 상에 게이트 전극이 위치하는 탑 게이트형(top gate type) 박막트랜지스터도 적용할 수 있으며, 이들 이외에 다양한 형상의 박막트랜지스터가 구비될 수도 있다.11, a gate electrode 315 is located on the thin film transistor array substrate 310, and a gate wiring (not shown) extending in one direction is connected to the gate electrode 315. A gate insulating layer 320 for covering the gate electrode 315 and insulating the gate electrode 315 is located. The gate insulating layer 320 may be formed of silicon oxide, silicon nitride, or a multilayer structure thereof. A semiconductor layer 325 is formed on the gate insulating layer 320 in a region corresponding to the gate electrode 315. A source electrode 330a and a drain electrode 330b are positioned on both sides of the semiconductor layer 325 and connected to both sides of the semiconductor layer 325, respectively. Therefore, a thin film transistor including the gate electrode 315, the semiconductor layer 325, the source electrode 330a, and the drain electrode 330b is formed. In the present invention, a bottom gate type thin film transistor in which a gate electrode is disposed under a semiconductor layer is described as an example, but a top gate type thin film transistor in which a gate electrode is located on a semiconductor layer In addition, thin film transistors of various shapes may be provided.

한편, 상기 박막트랜지스터가 구비된 박막트랜지스터 어레이 기판(310) 상에 보호막(345)이 위치한다. 보호막(345)은 전술한 게이트 절연막(320)과 동일한 물질로 이루어지거나 유기절연물질 예를 들면 포토아크릴 또는 벤조사이클로부텐 등으로 이루어질 수 있다. 또한 보호막(345)은 절연막의 역할을 함과 아울러 하부의 단차를 평탄화시키는 역할을 할 수 있다. 상기 보호막(345) 상에 투명도전물질 예를 들어 ITO, IZO, ITZO 등으로 이루어진 화소 전극(360)이 위치한다. 화소 전극(360)은 각 화소 별로 판 형상으로 패터닝되어 형성되고, 보호막(345)에 형성된 비어홀(350)을 통해 드레인 전극(330b)과 연결되어 구동전류를 인가받게 된다. On the other hand, a protective layer 345 is disposed on the thin film transistor array substrate 310 having the thin film transistor. The protective film 345 may be formed of the same material as the gate insulating film 320 or may be formed of an organic insulating material such as photo-acrylic or benzocyclobutene. In addition, the protective layer 345 may serve as an insulating layer and planarize the lower step. A pixel electrode 360 made of a transparent conductive material such as ITO, IZO, or ITZO is disposed on the passivation layer 345. The pixel electrode 360 is patterned in a plate shape for each pixel and connected to the drain electrode 330b through a via hole 350 formed in the passivation layer 345 to receive a driving current.

상기 화소 전극(360) 상에 뱅크층(365)이 위치하고 뱅크층(365)의 개구영역(370)을 통해 화소 전극(360)의 일부를 노출시킨다. 상기 화소 전극(360) 상에 유기 발광층(370)이 위치하고, 유기 발광층(370) 상에 대향 전극(380)이 위치한다. 따라서, 화소 전극(360), 유기 발광층(370) 및 대향 전극(380)을 포함하는 유기전계발광소자(EL)가 구성되고, 박막트랜지스터와 유기전계발광소자(EL)가 구비된 박막트랜지스터 어레이 기판(310)이 구성된다. 박막트랜지스터 어레이 기판(310) 상에 유기전계발광소자(EL)를 밀봉하는 밀봉부재(410)가 위치하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시장치(300)를 구성한다.The bank layer 365 is positioned on the pixel electrode 360 and a portion of the pixel electrode 360 is exposed through the opening region 370 of the bank layer 365. [ An organic light emitting layer 370 is disposed on the pixel electrode 360 and a counter electrode 380 is disposed on the organic light emitting layer 370. A thin film transistor array substrate (TFT) in which an organic electroluminescent device (EL) including a pixel electrode 360, an organic light emitting layer 370 and an opposite electrode 380 is constituted, and a thin film transistor and an organic electroluminescent device (310). A sealing member 410 for sealing the organic electroluminescence element EL is disposed on the thin film transistor array substrate 310 to constitute the display device 300 according to the second embodiment of the present invention.

한편, 박막트랜지스터 어레이 기판(310)의 비표시영역(NDA)에 구비된 복수의 신호선들과 패드부(Pad)에는 다수의 금속 배선들이 위치하기 때문에 외부광이 금속 배선들에 의해 반사하는 반사광이 발생하여 표시품질을 떨어뜨린다. 따라서, 본 발명의 제2 실시예에서는 전술한 제1 실시예와 동일하게 박막트랜지스터 어레이 기판(310)의 비표시영역(NDA)에 차광층(LS)을 구비한다. 또한, 표시장치(300)의 박막트랜지스터 어레이 기판(310)의 패드부(Pad)에 구동부(DIC), 연성회로기판(FPCB) 등을 부착시키기 위한 얼라인 키(AK)가 위치한다. 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시장치(300)는 전술한 제1 실시예와 마찬가지로 개구부(OP)를 구비한 차광층(LS)과 얼라인 키(AK)를 구비한다. 차광층(LS)과 얼라인 키(AK)에 대한 자세한 설명은 전술하였으므로 그 설명을 생략한다. On the other hand, since a plurality of metal wires are located in the plurality of signal lines and the pad portion Pad provided in the non-display area NDA of the thin film transistor array substrate 310, the reflected light reflected by the metal wires And the display quality is degraded. Accordingly, in the second embodiment of the present invention, the light shielding layer LS is provided in the non-display area NDA of the thin film transistor array substrate 310 in the same manner as the first embodiment described above. An alignment key AK for attaching a driver DIC, a flexible circuit board (FPCB), and the like to the pad portion Pad of the thin film transistor array substrate 310 of the display device 300 is positioned. The display device 300 according to the second embodiment of the present invention includes the light shield layer LS having the opening OP and the alignment key AK as in the first embodiment described above. The detailed description of the light-shielding layer LS and the alignment key AK has been described above, and thus the description thereof will be omitted.

상기와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시장치는 광이 출사되는 박막트랜지스터 어레이 기판의 배면 즉, 광이 출사되는 반대면에 패드부가 구비됨으로써, 베젤을 줄일 수 있는 이점이 있다. 또한, 표시장치의 비표시영역에 차광층을 형성함으로써, 외부광의 반사에 의한 반사광을 억제할 수 있는 이점이 있다. 더욱이 차광층에 개구부를 형성함으로써, 비전카메라를 통해 얼라인 키를 촬영하여 구동부나 연성회로기판을 부착할 수 있는 이점이 있다.As described above, the display device according to the second embodiment of the present invention is advantageous in that the bezel can be reduced by providing the pad portion on the back surface of the thin film transistor array substrate on which light is emitted, that is, on the opposite surface from which light is emitted. Further, by forming the light shielding layer in the non-display area of the display device, there is an advantage that reflected light due to reflection of external light can be suppressed. Further, by forming the opening in the light-shielding layer, there is an advantage that the driver and the flexible circuit board can be attached by photographing the alignment key via the vision camera.

이하, 전술한 차광층 및 얼라인 키를 구비한 표시패널에 구동칩을 얼라인 하는 공정에 대해 설명한다. 하기에서는 구동칩을 예로 설명하지만 연성회로기판 등 표시패널에 얼라인할 수 있는 어떠한 구성요소에도 적용할 수 있다.Hereinafter, the process of aligning the driving chip on the display panel having the light-shielding layer and the alignment key will be described. Although a driving chip is described below as an example, the present invention can be applied to any component that can be aligned on a display panel such as a flexible circuit board.

도 12는 표시패널에 구동칩을 얼라인하는 공정을 나타낸 도면이다. 도 12를 참조하면, 표시패널(DP)에 구동칩(DIC)을 얼라인하는데 이용되는 얼라인 장치(AD)는 프리본딩툴(PBT), 스테이지(ST) 및 비전카메라(CA)로 구성된다. 프리본딩툴(PBT)은 구동칩(DIC)이 장착되어 스테이지(ST) 상에 구동칩(DIC)을 로딩하는 기능을 하고, 스테이지(ST)는 표시패널(DP)을 로딩하는 기능을 한다. 그리고, 비전카메라(CA)는 프리본딩툴(PBT)에 의해 로딩된 구동칩(DIC)과 스테이지(ST)에 로딩된 표시패널(DP)의 각 얼라인 키들을 촬영하여 얼라인 시키는 기능을 한다. 12 is a view showing a step of aligning a driving chip on a display panel. 12, the alignment device AD used to align the driving chip DIC on the display panel DP is composed of a pre-bonding tool PBT, a stage ST and a vision camera CA . The prebonding tool PBT has a function to load the driving chip DIC on the stage ST with the driving chip DIC mounted thereon and the stage ST functions to load the display panel DP. The vision camera CA functions to photograph and align the driving chip DIC loaded by the pre-bonding tool PBT and the respective alignment keys of the display panel DP loaded on the stage ST .

이와 같이 구성된 얼라인 장치(AD)를 이용하여 표시패널(DP)에 구동칩(DIC)을 얼라인하는 공정을 설명한다. 표시패널(DP)에 부착하고자 하는 구동칩(DIC)을 로딩하기 위해 프리본딩툴(PBT)을 작동하여 구동칩(DIC)을 로딩한다. 구동칩(DIC)이 얼라인되는 표시패널(DP)을 준비하여 스테이지(ST) 상에 로딩한다. 스테이지(ST)의 하부에 위치한 비전카메라(CA)로 스테이지(ST)에 로딩된 표시패널(DP)의 얼라인 키와 프리본딩툴(PBT)에 로딩된 구동칩(DIC)의 얼라인 키를 촬영한다. 비전카메라(CA)에 의해 촬영된 각 얼라인 키들의 이미지들을 실시간으로 확인하여 구동칩(DIC)과 표시패널(DP)을 얼라인한다. 마지막으로 구동칩(DIC)과 표시패널(DP)의 얼라인이 완료된 후 스테이지(ST)의 표시패널(DP)에 프리본딩툴(PBT)의 구동칩(DIC)을 가압하여 부착을 완료한다.The step of aligning the driving chip DIC on the display panel DP using the alignment device AD thus configured will be described. The pre-bonding tool PBT is operated to load the driving chip DIC to load the driving chip DIC to be attached to the display panel DP. The display panel DP on which the driving chips DIC are aligned is prepared and loaded onto the stage ST. The alignment key of the display panel DP loaded on the stage ST by the vision camera CA located at the lower portion of the stage ST and the alignment key of the driving chip DIC loaded in the pre- I shoot. The image of each of the aligned keys captured by the vision camera CA is checked in real time to align the driving chip DIC and the display panel DP. Finally, after alignment of the driving chip DIC and the display panel DP is completed, the driving chip DIC of the pre-bonding tool PBT is pressed on the display panel DP of the stage ST to complete the attachment.

이하, 전술한 구동칩과 표시패널의 얼라인 공정을 이용하여 차광층의 개구부의 시인 여부 및 구동칩의 압흔을 관찰하여 얼라인 신뢰성에 대해 살펴보기로 한다.Hereinafter, the reliability of alignment will be described by observing the visibility of the opening of the light-shielding layer and the indentation of the driving chip by using the above-described alignment process of the driving chip and the display panel.

<실험예 1><Experimental Example 1>

기판 상에 가운데가 비어있는 130㎛ × 130㎛의 얼라인 키를 형성하였고, 얼라인 키로부터 10㎛ 이격된 크기를 가지는 차광층의 개구부를 형성하여 표시패널을 제작하였다. 제작된 표시패널을 스테이지에 로딩하고 프리본딩툴에 구동칩을 로딩한 후, 비전카메라로 표시패널의 얼라인 키와 구동칩의 얼라인 키를 얼라인하였다. 이때, 표시패널의 얼라인 키와 구동칩의 얼라인 키를 얼라인하여 비전카메라로 촬영한 이미지를 도 13에 나타내었고, 일반 카메라로 표시패널의 차광층의 개구부를 촬영한 이미지를 도 14에 나타내었다. An alignment key having a size of 130 mu m x 130 mu m having an empty center was formed on the substrate, and an opening of the light-shielding layer having a size of 10 mu m from the alignment key was formed to fabricate a display panel. After the manufactured display panel was loaded on the stage and the driving chip was loaded on the prebonding tool, the alignment key of the display panel and the alignment key of the driving chip were aligned with a vision camera. 13 shows an image taken by a vision camera by aligning the alignment key of the display panel and the alignment key of the driving chip, and FIG. 14 shows an image of the opening of the light- .

도 13을 참조하면, 가운데 노란색을 띄는 사각형이 구동칩의 얼라인 키가 반사되어 나타나고, 구동칩의 얼라인 키를 둘러싸는 검정색이 표시패널의 얼라인 키이며, 표시패널의 얼라인 키로부터 10㎛ 이격된 부분이 차광층의 개구부이다. 도면에 나타난 바와 같이, 구동칩의 얼라인 키와 표시패널의 얼라인 키가 정확하게 얼라인되었고, 차광층의 개구부를 통해 표시패널의 얼라인 키가 잘 보이는 것을 확인하였다. 또한, 도 14를 참조하면, 표시패널의 얼라인 키가 형성된 차광층의 개구부를 약 30cm 떨어져서 일반카메라로 촬영해본 바, 차광층의 개구부가 시인되지 않은 것을 확인하였다.13, a quadrangle having a middle yellow color is displayed by reflecting the alignment key of the driving chip, and the black color surrounding the alignment key of the driving chip is an alignment key of the display panel. And the part spaced apart by 탆 is the opening of the light shielding layer. As shown in the figure, the alignment key of the driving chip and the alignment key of the display panel were correctly aligned, and the alignment key of the display panel was clearly visible through the opening of the light-shielding layer. 14, when the opening of the light shielding layer having the alignment key of the display panel formed was photographed with a general camera at a distance of about 30 cm, it was confirmed that the opening of the light shielding layer was not visually recognized.

<실험예 2> <Experimental Example 2>

하나의 기판 상에 가운데가 비어있는 130㎛ × 130㎛의 얼라인 키를 5개의 영역 별로 하나씩 형성하였다. 그리고, 제1 영역에 얼라인 키로부터 10㎛ 이격되도록 150㎛ × 150㎛ 크기의 차광층의 개구부를 형성하였고, 제2 영역에 얼라인 키로부터 50㎛ 이격되도록 230㎛ × 230㎛ 크기의차광층의 개구부를 형성하였고, 제3 영역에 얼라인 키로부터 100㎛ 이격되도록 330㎛ × 330㎛ 크기의 차광층의 개구부를 형성하였고, 제4 영역에 얼라인 키로부터 200㎛ 이격되도록 530㎛ × 530㎛ 크기의 차광층의 개구부를 형성하였고, 제5 영역에 얼라인 키로부터 300㎛ 이격되도록 730㎛ × 730㎛ 크기의 차광층의 개구부를 형성하여 표시패널을 제작하였다. 제작된 표시패널에 구동칩을 각각 부착한 후, 일반 카메라로 표시패널의 차광층의 개구부들을 촬영한 이미지를 도 15에 나타내었다. Aligning keys 130 占 퐉 占 130 占 퐉 in which the center is empty on one substrate were formed for each of five areas. The opening of the light shielding layer having a size of 150 mu m x 150 mu m was formed so as to be 10 mu m away from the alignment mark in the first region and a 230 mu m x 230 mu m shielding layer having a size of 50 mu m spaced from the alignment key in the second region. The opening of the light shielding layer having a size of 330 mu m x 330 mu m was formed so as to be spaced apart from the alignment key by 100 mu m from the alignment mark in the third region and 530 mu m x 530 mu m Shielding layer having a size of 730 mu m x 730 mu m was formed in the fifth region so as to be spaced 300 mu m from the alignment mark. FIG. 15 shows an image obtained by photographing the opening portions of the light shielding layer of the display panel with the general camera after attaching the driving chip to the manufactured display panel.

도 15를 참조하면, 150㎛ × 150㎛ 크기의 차광층의 개구부를 형성한 제1 영역과, 230㎛ × 230㎛ 크기의 차광층의 개구부를 형성한 제2 영역에서는 차광층의 개구부가 시인되지 않았다. 그리고, 얼라인 키로부터 100㎛ 이격되도록 330㎛ × 330㎛ 크기의 차광층의 개구부를 형성한 제3 영역에서는 차광층의 개구부가 약간 시인되었다. 반면, 530㎛ × 530㎛ 크기의 차광층의 개구부를 형성한 제4 영역 및 730㎛ × 730㎛ 크기의 차광층의 개구부를 형성한 제5 영역에서는 차광층의 개구부가 시인되었다. 따라서, 본 발명에서는 차광층의 개구부가 시인되지 않도록 하기 위해, 얼라인 키로부터 100㎛ 내로 이격되도록 차광층을 형성하고, 300㎛ × 300㎛ 내의 크기를 가지는 차광층의 개구부를 형성할 수 있다.15, the opening of the light-shielding layer is not visible in the first region where the opening of the light-shielding layer of 150 μm × 150 μm size is formed and the second region where the opening of the light-shielding layer of the size of 230 μm × 230 μm is formed I did. The opening of the light-shielding layer was slightly visually observed in the third region where the opening of the light-shielding layer having a size of 330 mu m x 330 mu m was formed so as to be separated by 100 mu m from the alignment key. On the other hand, in the fifth region where the opening of the light-shielding layer of the size of 530 mu m x 530 mu m was formed and the opening of the light-shielding layer of the size of 730 mu m x 730 mu m were formed, the opening of the light- Therefore, in the present invention, in order to prevent the opening of the light-shielding layer from being visible, the light-shielding layer may be formed so as to be spaced apart from the key by 100 mu m to form an opening of the light-shielding layer having a size within 300 mu m x 300 mu m.

<실험예 3><Experimental Example 3>

각 기판 상에 가운데가 비어있는 130㎛ × 130㎛의 얼라인 키를 형성하고, 얼라인 키로부터 각각 10㎛, 50㎛, 100㎛, 200㎛, 300㎛ 이격된 크기를 가지는 차광층의 개구부를 형성하여 표시패널들을 제작하였다. 제작된 표시패널들에 각각 구동칩을 얼라인하여 장착하였다. 각 표시패널의 얼라인 키와 구동칩의 얼라인 키를 비전카메라로 촬영한 이미지와, 얼라인 키로부터 10㎛ 및 300㎛ 이격된 크기를 가지는 차광층의 개구부를 형성한 표시패널의 구동칩의 압흔을 촬영한 이미지를 도 16에 나타내었다. An alignment key having a size of 130 mu m x 130 mu m having an empty center was formed on each substrate and an opening portion of the light shielding layer having a size of 10 mu m, 50 mu m, 100 mu m, 200 mu m, To produce display panels. The driving chips were aligned and mounted on the manufactured display panels. An image of the alignment key of each display panel and the alignment key of the driving chip is photographed by a vision camera and an opening of the light shielding layer having a size of 10 mu m and 300 mu m apart from the alignment key is formed, An image of indentation is shown in Fig.

도 16을 참조하면, 얼라인 키로부터 각각 10㎛, 50㎛, 100㎛, 200㎛, 300㎛ 이격된 크기를 가지는 차광층의 개구부는 얼라인 키를 명확하게 노출하였다. 그리고, 구동칩의 부착을 검사하는 압흔을 관찰해 본 바, 차광층이 있어도 구동칩의 압흔이 명확하게 나타나는 것을 확인하였다. Referring to FIG. 16, the opening portions of the light shielding layer having a size of 10 .mu.m, 50 .mu.m, 100 .mu.m, 200 .mu.m and 300 .mu.m respectively from the alignment keys clearly exposed the alignment keys. The indentations for inspecting the adhesion of the driving chip were observed, and it was confirmed that the indentation of the driving chip clearly appeared even with the light-shielding layer.

본 발명의 실시예들에 따른 표시장치는 광이 출사되는 박막트랜지스터 어레이 기판의 후면에 패드부가 구비됨으로써, 표시장치의 베젤을 줄일 수 있는 이점이 있다. 또한, 박막트랜지스터 어레이 기판의 전면의 비표시영역에 차광층을 형성함으로써, 외부광의 반사에 의한 반사광을 억제할 수 있는 이점이 있다. 또한, 차광층에 얼라인 키를 노출하는 개구부를 형성함으로써, 비전카메라를 통해 얼라인 키를 촬영하여 기판, 구동부 또는 연성회로기판을 부착할 수 있는 이점이 있다.The display device according to embodiments of the present invention is advantageous in that a bezel of a display device can be reduced by providing a pad portion on the rear surface of a thin film transistor array substrate on which light is emitted. Further, by forming the light shielding layer in the non-display area of the front surface of the thin film transistor array substrate, reflected light due to reflection of external light can be suppressed. Further, by forming an opening for exposing the alignment key to the light-shielding layer, there is an advantage that the substrate, the driver, or the flexible circuit board can be attached by photographing the alignment key via the vision camera.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. It is therefore to be understood that the embodiments described above are to be considered in all respects only as illustrative and not restrictive. In addition, the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description. Also, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

100 : 표시장치 110 : 박막트랜지스터 어레이 기판
115 : 게이트 전극 120 : 게이트 절연막
125 : 반도체층 130a, 130b : 소스/드레이 전극
145 : 제1 보호막 150 : 제2 보호막
160 : 공통 전극 165 : 제3 보호막
170 : 화소 전극 175 : 하부 배향막
177 : 상부 배향막 180 : 액정층
190 : 블랙 매트릭스 195 : 컬러필터
200 : 오버코트층 210 : 컬러필터 기판
DA : 표시영역 NDA : 비표시영역
AK : 얼라인 키 Pad : 패드부
LS : 차광층 UP : 상부 편광판
LP : 하부 편광판 OP : 개구부
100: display device 110: thin film transistor array substrate
115: gate electrode 120: gate insulating film
125: semiconductor layer 130a, 130b: source / drain electrode
145: first protective film 150: second protective film
160: common electrode 165: third protective film
170: pixel electrode 175: lower alignment film
177: upper alignment layer 180: liquid crystal layer
190: Black Matrix 195: Color filter
200: overcoat layer 210: color filter substrate
DA: display area NDA: non-display area
AK: Align key Pad: Pad part
LS: Shading layer UP: Upper polarizer plate
LP: lower polarizer OP: opening

Claims (6)

표시영역과 비표시영역이 구비된 전면 및 패드부가 구비된 후면을 포함하는 박막트랜지스터 어레이 기판;
상기 후면의 패드부에 형성된 얼라인 키; 및
상기 전면의 비표시영역에 형성되고, 상기 얼라인 키를 노출하는 개구부를 포함하는 차광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
A thin film transistor array substrate including a front surface provided with a display region and a non-display region, and a rear surface provided with a pad portion;
An alignment key formed on the back pad; And
And a light shielding layer formed on the non-display area of the front surface and including an opening for exposing the alignment key.
제1 항에 있어서,
상기 얼라인 키는 상기 개구부 내에 위치하며, 상기 차광층과 중첩되지 않는 것을 특징으로 하는 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the alignment key is located within the opening, and does not overlap with the light-shielding layer.
제2 항에 있어서,
상기 개구부는 상기 얼라인 키로부터 5㎛ 내지 100㎛ 내로 이격된 크기로 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the opening portion has a size spaced from 5 占 퐉 to 100 占 퐉 from the alignment key.
제3 항에 있어서,
상기 개구부는 150㎛ × 150㎛ 내지 300㎛ × 300㎛ 내의 크기로 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시장치.
The method of claim 3,
Wherein the opening has a size within a range of from 150 占 퐉 to 150 占 퐉 to 300 占 퐉 占 300 占 퐉.
제1 항에 있어서,
상기 표시장치는 상기 박막트랜지스터 어레이 기판과 대향하는 컬러필터 기판을 더 포함하는 액정표시장치인 것을 특징으로 하는 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the display device is a liquid crystal display device further comprising a color filter substrate facing the thin film transistor array substrate.
제1 항에 있어서,
상기 표시장치는 상기 박막트랜지스터 어레이 기판 상에 형성된 유기전계발광소자를 더 포함하는 유기전계발광표시장치인 것을 특징으로 하는 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the display device is an organic light emitting display device further comprising an organic electroluminescent device formed on the thin film transistor array substrate.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170079859A (en) * 2015-12-31 2017-07-10 엘지디스플레이 주식회사 Display Device
CN107290893A (en) * 2017-07-19 2017-10-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Liquid crystal display panel
US9935159B2 (en) 2015-12-29 2018-04-03 Lg Display Co., Ltd. Display panel and display device comprising the same
KR20190070489A (en) * 2017-12-13 2019-06-21 엘지디스플레이 주식회사 Display device
CN111244135A (en) * 2018-11-28 2020-06-05 三星显示有限公司 Flexible display device having alignment mark and method of assembling the same
WO2020228425A1 (en) * 2019-05-15 2020-11-19 京东方科技集团股份有限公司 Array substrate, manufacturing method therefor, display panel, and display device
CN113284412A (en) * 2020-02-19 2021-08-20 三星显示有限公司 Electronic device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120066542A (en) * 2010-12-14 2012-06-22 엘지디스플레이 주식회사 Touch type image display device and method of fabricating the same
KR20130131692A (en) * 2012-05-24 2013-12-04 엘지디스플레이 주식회사 Liquid crystal display device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120066542A (en) * 2010-12-14 2012-06-22 엘지디스플레이 주식회사 Touch type image display device and method of fabricating the same
KR20130131692A (en) * 2012-05-24 2013-12-04 엘지디스플레이 주식회사 Liquid crystal display device

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9935159B2 (en) 2015-12-29 2018-04-03 Lg Display Co., Ltd. Display panel and display device comprising the same
KR20170079859A (en) * 2015-12-31 2017-07-10 엘지디스플레이 주식회사 Display Device
CN107290893A (en) * 2017-07-19 2017-10-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Liquid crystal display panel
KR20190070489A (en) * 2017-12-13 2019-06-21 엘지디스플레이 주식회사 Display device
CN111244135A (en) * 2018-11-28 2020-06-05 三星显示有限公司 Flexible display device having alignment mark and method of assembling the same
KR20200064217A (en) * 2018-11-28 2020-06-08 삼성디스플레이 주식회사 Flexible display apparatus and method of assembling the same
US11711962B2 (en) 2018-11-28 2023-07-25 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display apparatus having alignment mark and method of assembling the same
US12063844B2 (en) 2018-11-28 2024-08-13 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display apparatus having alignment mark and method of assembling the same
WO2020228425A1 (en) * 2019-05-15 2020-11-19 京东方科技集团股份有限公司 Array substrate, manufacturing method therefor, display panel, and display device
CN113284412A (en) * 2020-02-19 2021-08-20 三星显示有限公司 Electronic device

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