KR20150135336A - 전기 접촉자 및 전기 부품용 소켓 - Google Patents

전기 접촉자 및 전기 부품용 소켓 Download PDF

Info

Publication number
KR20150135336A
KR20150135336A KR1020157027479A KR20157027479A KR20150135336A KR 20150135336 A KR20150135336 A KR 20150135336A KR 1020157027479 A KR1020157027479 A KR 1020157027479A KR 20157027479 A KR20157027479 A KR 20157027479A KR 20150135336 A KR20150135336 A KR 20150135336A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
alloy
socket
contact
package
Prior art date
Application number
KR1020157027479A
Other languages
English (en)
Inventor
타카히로 오다
Original Assignee
가부시키가이샤 엔프라스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 엔프라스 filed Critical 가부시키가이샤 엔프라스
Publication of KR20150135336A publication Critical patent/KR20150135336A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/03—Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/04—Alloys based on a platinum group metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/06—Alloys based on silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165—Multilayered product
    • C23C18/1651—Two or more layers only obtained by electroless plating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165—Multilayered product
    • C23C18/1653—Two or more layers with at least one layer obtained by electroless plating and one layer obtained by electroplating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/70—Coupling devices
    • H01R12/71—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures
    • H01R12/712—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures co-operating with the surface of the printed circuit or with a coupling device exclusively provided on the surface of the printed circuit
    • H01R12/716—Coupling device provided on the PCB
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/20—Pins, blades, or sockets shaped, or provided with separate member, to retain co-operating parts together
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/70—Coupling devices
    • H01R12/7076—Coupling devices for connection between PCB and component, e.g. display

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Connecting Device With Holders (AREA)

Abstract

IC 패키지가 수용되는 소켓 본체에는 콘택트 핀이 설치되고, 수용된 IC 패키지의 접속 단자와 전기적으로 접촉한다. 콘택트 핀은 도전성을 갖는 기재에 대하여 기재로부터 순차적으로 Ni를 포함하는 하지층과, 표층이 적층된 복수층을 형성해서 이루어진다. 또한, 표층은 하지층측의 제 1 층과, IC 패키지의 접속 단자와 접촉하는 제 2 층으로 구성되어 있다. 제 1 층은 열을 가함으로써 Sn이 용해되어 확산하는 재료 중, Sn의 확산 속도가 Pd보다 느린 재료인 Pd-Ni 합금을 주성분으로 하는 도금층으로 형성된다. 제 2 층은 Sn의 확산 속도가 제 1 층보다 느린 재료인 Ag를 주성분으로 하는 도금층으로 형성된다.

Description

전기 접촉자 및 전기 부품용 소켓{ELECTRICAL CONNECTOR, AND SOCKET FOR ELECTRIC COMPONENT}
본 발명은 반도체 장치(이하, 「IC 패키지」라고 함) 등의 전기 부품에 전기적으로 접속되는 전기 접촉자, 및 이 전기 접촉자가 설치된 전기 부품용 소켓에 관한 것이다.
종래부터, IC 패키지 등의 전기 부품에 전기적으로 접속되는 전기 접촉자에는 외부의 도통시험 회로 상에 배치되는 전기 부품용 소켓으로서의 IC 소켓에 설치된 콘택트 핀이 있다. IC 패키지는 IC 소켓에 수용됨으로써 IC 패키지의 접속 단자와 도통시험 회로의 전극이 콘택트 핀을 통해서 전기적으로 접속되고, 이 상태에서 열을 가해서 번인(burn-in) 시험이 행하여진다.
여기에서, IC 패키지의 접속 단자로서 주성분이 주석(Sn)이고, 납(Pb)을 함유하지 않는, 소위 납 프리 땜납에 의해 형성되는 것이 있지만, 이러한 IC 패키지의 접속 단자와 전기적으로 접속되는 콘택트 핀이 금(Au) 도금(극미량의 Co가 첨가되어 있다)층을 최표층으로 하고, 니켈(Ni)을 하지층으로 해서 형성되어 있을 경우에는 다음과 같은 문제가 생긴다.
즉, 번인 시험을 행하면 IC 패키지의 접속 단자에 포함되는 Sn이 콘택트 핀의 Au에 용해되어 확산함으로써 Au-Sn 합금을 형성하여 콘택트 핀에 IC 패키지의 접속 단자가 부착되어 버린다. 그리고, 번인 시험 완료 후, 콘택트 핀으로부터 IC 패키지의 접속 단자를 떼면, Au-Sn 합금의 무른 성질에 의해 Au-Sn의 층간에서 파단이 일어나 콘택트 핀의 Au의 일부가 IC 패키지의 접속 단자측에 빼앗겨 버리기 때문에, 번인 시험을 반복함으로써 콘택트 핀의 Au가 거의 빼앗겨서 하지층의 Ni가 노출되어 버린다. 이 때문에, IC 패키지의 접속 단자에 포함되는 Sn이 콘택트 핀의 재료 중에 확산하지 않게 되고, 콘택트 핀에 부착된 Sn은 산화해서 절연체를 구성하기 쉬워진다. 따라서, 시험 횟수가 많아짐에 따라서 콘택트 핀과 IC 패키지의 접속 단자 사이에서 전기저항값이 급격하게 상승해서 전기적으로 접속할 수 없어져서, 번인 시험에 있어서 양품 패키지를 잘못해서 불량이라고 판단할 우려가 있다.
이 때문에, 종래의 콘택트 핀에는 하지층의 Ni의 외측에 팔라듐(Pd) 도금층을 겹쳐서 형성함과 아울러, 또한 그 외측에 Pd 도금층보다 Sn의 확산 속도가 느린 은(Ag) 도금층을 최표층으로 해서 형성하여 콘택트 핀과 IC 패키지의 접속 단자가 부착된 경우에도, 이 계면에 형성된 극히 얇은 Ag-Sn 합금층간에서 파단시켜서 콘택트 핀의 Ag이 빼앗기는 양을 최소한으로 한 것이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
국제공개 제2007/034921호 공보
그런데, IC 패키지에 요구되는 사용 온도 환경은, 예를 들면 IC 패키지가 자동차의 엔진룸 내에 설치된 컨트롤 유닛에 사용될 경우 등과 같이 고온화되는 경향이 있고, 이것에 따라 번인 시험에 있어서의 시험 온도도 높게(예를 들면, 150℃ 이상으로) 할 필요가 있다.
그러나, 상기 종래의 콘택트 핀에서는 번인 시험의 시험 온도를 높게 하면, 합금 형성의 촉진 등의 이유에 의해 콘택트 핀에 있어서의 Ag 도금층 및 Pd 도금층의 감소 속도가 상승하여 하지층의 노출이 조기화되고 있었다. 이 때문에, 콘택트 핀과 IC 패키지의 접속 단자 사이에 있어서의 전기저항값이 급격하게 상승할 때까지의 시험 횟수가 감소해 버려 IC 소켓의 수명이 저하할 우려가 있었다.
그래서, 이러한 문제점에 대처하여 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 번인 시험의 시험 온도를 높게 했을 경우에 전기저항값의 급격한 상승이 발생할 때까지의 시험 횟수가 감소하는 것을 억제하는 전기 접촉자, 및 이 전기 접촉자를 설치한 전기 부품용 소켓을 제공하는 것에 있다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 의한 전기 접촉자는 기재에 복수층이 적층되어서 구성되고, 이러한 복수층은 열을 가함으로써 주석이 용해되어 확산하는 재료 중, 주석의 확산 속도가 팔라듐보다 느린 재료로 형성되는 제 1 층과, 제 1 층 중 기재와 반대측에 있어서 주석의 확산 속도가 제 1 층보다 느린 재료로 형성되는 제 2 층을 구비한 것이다.
이러한 전기 접촉자에 있어서, 제 1 층은 팔라듐 및 니켈을 주성분으로 하는 Pd-Ni 합금, 또는 팔라듐 및 코발트를 주성분으로 하는 Pd-Co 합금으로 형성되어도 좋다.
제 1 층을 Pd-Ni 합금으로 형성할 경우, Pd-Ni 합금에 있어서 팔라듐의 중량 비율은 니켈의 중량 비율보다 높아도 좋다. 이 경우, 팔라듐의 중량 비율은 60∼90중량%이며, 니켈의 중량 비율은 10∼40중량%라도 좋다.
제 1 층을 Pd-Co 합금으로 형성할 경우, Pd-Co 합금에 있어서 팔라듐의 중량 비율은 코발트의 중량 비율보다 높아도 좋다.
또한 제 2 층은 은 또는 은을 주성분으로 하는 Ag 합금으로 형성되어도 좋다. 이 Ag 합금에는 니켈, 구리, 철, 또는 안티몬 중 어느 하나가 첨가되어도 좋다.
또한, 제 2 층은 은, 또는 은을 주성분으로 하는 Ag 합금으로 형성되어도 좋다. 또는, 제 2 층은 제 1 층에 대한 도금에 의해 형성되어도 좋다.
또한, 기재와 제 1 층 사이에 형성되고, 니켈을 포함해서 이루어지는 하지층을 더 포함해서 구성되며, 제 1 층은 하지층에 대한 도금에 의해 형성되어도 좋다.
한편, 본 발명에 의한 전기 부품용 소켓은 주석을 포함해서 이루어지는 접속 단자를 구비한 전기 부품이 수용되는 소켓 본체와, 소켓 본체에 설치되고 수용된 전기 부품의 접속 단자에 접촉되는 상기 전기 접촉자를 구비한 것이다.
(발명의 효과)
본 발명의 전기 접촉자 및 전기 부품용 소켓에 의하면, 번인 시험의 시험 온도를 높게 했을 경우 전기저항값의 급격한 상승이 발생할 때까지의 시험 횟수가 감소하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 종래의 전기 접촉자가 설치된 전기 부품용 소켓에 비교하면 전기 부품용 소켓의 수명을 연장시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 의한 전기 부품용 소켓(IC 소켓)을 정면으로부터 보았을 경우의 부분 단면도이다.
도 2는 동 IC 소켓의 평면도이다.
도 3은 동 IC 소켓에 설치된 콘택트 핀의 부분 확대도이다.
도 4는 동 IC 소켓을 측면으로부터 보았을 경우의 부분 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시형태에 의한 콘택트 핀의 제 1 작동 상태를 나타내는 설명도이다.
도 6은 본 발명의 실시형태에 의한 콘택트 핀의 제 2 작동 상태를 나타내는 설명도이다.
도 7은 콘택트 핀의 접촉부를 나타내는 설명도이다.
도 8은 번인 시험 후의 콘택트 핀에 있어서의 제 1 접촉부를 나타내고, (A)부분은 제 1 접촉부를 나타내는 측면도이며, (B)부분은 종래의 콘택트 핀에 대한 단면도이며, (C)부분은 본 발명의 실시형태에 의한 콘택트 핀에 대한 단면도이다.
도 9는 번인 시험에 있어서의 콘택트 핀의 제 1 접촉부에 상당하는 부분에 있어서의 전기저항값의 변화를 나타내는 그래프이며, (A)부분은 종래 콘택트 핀에 대해서 나타내고, (B)부분은 본 발명의 실시형태에 의한 콘택트 핀에 대해서 나타낸다.
이하, 본 발명의 실시형태를 첨부 도면에 의거하여 설명한다. 도 1∼도 8은 본 발명에 의한 전기 접촉자 및 전기 부품용 소켓의 실시형태를 나타내는 도면이다.
도 1에 있어서, 전기 부품인 IC 패키지(10)가 장착되는 전기 부품용 소켓으로서의 IC 소켓(12)은 소켓 본체(14)와, 커버(16)를 구비하여 이루어진다.
소켓 본체(14)에는 커버(16)가 상하동할 수 있게 장착되어 있다. 상세하게는, 소켓 본체(14)에 커버 가이드(18)가 형성되고, 이 커버 가이드(18)에 슬라이딩 가능하게 맞물리는 가이드 홈(20)이 커버(16)에 형성되어 있으며, 커버(16)가 소켓 본체(14)의 커버 가이드(18)에 안내되어서 상하동하게 되어 있다. 또한, 소켓 본체(14)와 커버(16)는 절연성의 수지 재료로 형성되어 있다.
커버(16)는 소켓 본체(14)와 커버(16)의 사이에 설치된 코일 스프링(22)을 소정량 압축하도록 소켓 본체(14)에 장착되고, 코일 스프링(22)으로 소켓 본체(14)의 상방을 향해서 항상 바이어싱되도록 되어 있으며, 스토퍼 수단(24)에 의해 그 상방 위치가 위치 결정되도록 되어 있다. 또한, 코일 스프링(22)은 도 4에 있어서의 좌우 방향으로 적어도 한쌍 배치되어 있다.
스토퍼 수단(24)은 커버(16)의 네모서리에 형성된 클로(26)와, 이들 클로(26)에 맞물리는 소켓 본체(14)의 클로(28)에 의해 구성되어 있다. 여기에서, 커버(16)측의 클로(26)는 소켓 본체(14)에 형성된 홈(29) 내에 슬라이딩할 수 있게 맞물리고, 커버(16)가 도 4에 있어서의 하방으로 밀어 내려지면 소켓 본체(14)의 클로(28)의 사면(28a)을 따라서 탄성적으로 확대되어 소켓 본체(14)의 클로(28)를 타고 넘고, 그 후 소켓 본체(14)의 클로(28)에 맞물린다. 이것에 의해, 커버(16)가 소켓 본체(14)에 장착되게 된다.
소켓 본체(14)에는 주성분이 주석(Sn)이고, 납(Pb)을 함유하지 않는, 소위 납 프리 땜납을 포함해서 형성되는 IC 패키지(10)의 접속 단자(30)와 외부의 도통시험 회로(도시생략)를 접속하는 전기 접촉자로서 콘택트 핀(32)이 복수 부착되어 있다.
콘택트 핀(32)은 그 베이스부(34)에 있어서 압입 등에 의해 소켓 본체(14)에 고정되고, 인접하는 다른 콘택트 핀(32)에 접촉하지 않도록 소켓 본체(14)에 형성된 리브(36)에 의해 칸막이된다. 또한, 콘택트 핀(32)은 도 1 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 베이스부(34)로부터 소켓 본체(14)의 아랫쪽으로 돌출되는 접속 암(38)을 갖고, 이 접속 암(38)이 도시생략의 도통시험 회로에 접속된다.
콘택트 핀(32)은, 도 1 및 도 5에 나타내는 바와 같이 제 1 스프링부(40)를 통해서 베이스부(34)에 접속된 제 1 접촉부(42)와, 제 2 스프링부(44)를 통해서 베이스부(34)에 접속된 제 2 접촉부(46)를 갖고 있다.
제 1 스프링부(40)는, 도 5에 나타내는 2점 쇄선 위치로부터 실선 위치까지 탄성 변형시켜진 상태에서 소켓 본체(14)의 핀 지지 블록(48)의 맞물림 홈(50)에 장착된다. 그리고, 제 1 접촉부(42)에는 위치 결정 단차부(52)가 형성되어 있다. 이 위치 결정 단차부(52)는, 도 3에 나타내는 바와 같이 소켓 본체(14)의 핀 지지 블록(48)에 형성된 위치 결정 맞물림부(54)에 제 1 스프링부(40)의 탄성력에 의해 압박되어 있고, 제 1 접촉부(42)가 상하 방향으로 위치 결정되게 되어 있다. 또한, 이 때 제 1 스프링부(40)에는 인장력이 발생되어 있고, 이 제 1 스프링부(40)에 발생되는 인장력에 의해 위치 결정 단차부(52)가 위치 결정 맞물림부(54)에 압박된다. 또한, 제 1 접촉부(42)의 하단부 측면(42a)이 핀 지지 블록(48)의 측단면(48a)에 제 1 스프링부(40)의 탄성력에 의해 압박되어 있고, 제 1 접촉부(42)가 좌우 방향으로 위치 결정된다.
제 2 스프링부(44)는 그 상단부에 있어서, 도 1 및 도 5에 나타내는 바와 같이 도면 중 상방을 향해서 돌출 형성된 암(56)을 갖고 있다. 이 암(56)은 커버(16)가 코일 스프링(22)의 스프링력에 저항해서 밀어 내려지면 커버(16)에 형성된 원호상의 압박부 사면(58)에 의해 밀리고, 도 1 및 도 5의 2점 쇄선 위치까지 변위한다. 이 때, 제 2 스프링부(44)가 도 5에 있어서의 반시계 방향으로 굴곡 변형한다. 그 결과, 제 2 접촉부(46)가 제 1 접촉부(42)의 상면으로부터 퇴피하여 제 1 접촉부(42)의 상면이 해방된다.
커버(16)가 코일 스프링(22)의 스프링력에 저항해서 밀어 내려진 상태에 있어서, IC 패키지(10)는 커버(16)에 형성된 IC 패키지 삽입구(60)로부터 커버(16)의 내부에 삽입되어서 소켓 본체(14)에 수용되고, IC 패키지(10)의 접속 단자(30)는 각각, 제 1 접촉부(42)의 상면에 1 대 1로 접촉한다. 그 후에 커버(16)에 작용시켜 있었던 압하력을 해제하면 커버(16)가 코일 스프링(22)의 스프링력에 의해 원래의 위치로 복귀한다. 그 결과, 제 2 스프링부(44)가 도 5의 2점 쇄선 위치로부터 시계방향으로 변위하고, 도 6에 나타내는 바와 같이 제 2 접촉부(46)가 제 2 스프링부(44)의 탄성력에 의해 IC 패키지(10)의 접속 단자(30)를 제 1 접촉부(42)의 상면을 향해서 압박한다. 따라서, IC 패키지(10)의 접속 단자(30)는 제 1 접촉부(42)와 제 2 접촉부(46)에 의해 소정의 접촉압으로 확실하게 협지되어, 도시 생략의 도통시험 회로와 IC 패키지(10)가 콘택트 핀(32)을 통해서 전기적으로 접속된다. 이것에 의해, IC 패키지(10)가 IC 소켓(12)에 장착되고, 이 장착 상태에 있어서 IC 패키지(10)에 대한 번인 시험 등의 도통시험이 행하여진다.
도통시험이 종료되면, 커버(16)를 코일 스프링(22)의 스프링력에 저항해서 밀어 내리고, 커버(16)의 압박부 사면(58)으로 암(56)을 압박하여 제 2 스프링부(44)를 굴곡 변형시켜, 도 1 및 도 5의 2점 쇄선 위치까지 제 2 접촉부(46)를 접속 단자(30) 상면으로부터 퇴피시킨 후, IC 패키지(10)를 IC 패키지 삽입구(60)로부터 커버(16)의 외부에 인출하고, 다음 IC 패키지(10)의 도통시험으로 이행한다.
이어서, 콘택트 핀(32)의 재료에 대하여 설명한다. 콘택트 핀(32)은 도 7에 나타내는 바와 같이, 기재(62)와, 기재(62) 중 IC 패키지(10)의 접속 단자(30)와 접촉하는 측(이하, 「접촉측」이라고 함)에 형성되는 하지층(64)과, 하지층(64) 중 접촉측에 형성되는 표층(66)이 적층된 복수층으로 구성되어서 이루어진다. 즉, 표층(66)은 콘택트 핀(32)의 접촉측에 위치한다.
기재(62)는 도전성을 갖는 재료로 형성되고, 본 실시형태에서는 콘택트 핀(32)에 탄성이 필요로 되는 것을 고려하여, 예를 들면 베릴륨구리(Be-Cu) 합금이 사용된다. 또한 하지층(64)은, 예를 들면 2×10-6∼3×10-6m의 니켈(Ni) 도금에 의해 형성되어 있다. 또한, 기재(62) 및 하지층(64)은 이러한 것에 한정되지 않고, 다른 재료로부터 적당하게 선택되어서 형성되어도 좋다.
표층(66)은 적어도 2개의 층으로 구성되고, 본 실시형태에서는 하지층(64)의 접촉측에 형성되는 제 1 층(68)과, 제 1 층(68)의 접촉측에 형성되는 제 2 층(70)이 적층된 2층으로 구성된다. 또한, 제 2 층(70)의 접촉측, 및 제 1 층(68)의 기재(62)측 중 적어도 한쪽에 1개 이상의 층이 형성되어도 좋다. 예를 들면, 번인 시험에 의한 콘택트 핀(32)과 IC 패키지(10)의 접속 단자(30)의 부착을 억제하기 위해서, 제 2 층(70)의 접촉측에 최표층으로서 Sn, 금(Au), 팔라듐(Pd) 또는 아연(Zn) 중 어느 하나를 포함해서 이루어지는 층을 형성해도 좋다. 또한, 제 1 층(68)과 제 2 층(70) 사이에 1개 이상의 층이 형성되어도 좋다.
제 1 층(68)은 열을 가함으로써 Sn이 용해되어 확산하는 재료 중, Sn의 확산 속도가 Pd보다 느린 재료로 형성된다. 본 실시형태에서는 제 1 층(68)은 Pd와 Ni을 주성분으로 하는 Pd-Ni 합금으로 형성되어 있다. 이 Pd-Ni 합금에 있어서의 Pd와 Ni의 중량 비율은 Ni보다 Pd 쪽이 높고, 예를 들면 Pd가 60∼90중량%인 것에 대해 Ni가 40∼10중량%이다.
제 1 층(68)의 두께는 Sn이 용해되어 확산하는 기능을 얻기 위해서, 0.1×10-6m 이상일 필요가 있지만, Sn이 확산하는 시간을 길게 하기 위해서 0.2×10-6m 이상으로 해도 된다. 한편, 제 1 층(68)의 두께는 크랙의 발생을 억제하기 위해서 5×10-6m 이하로 해도 된다.
또한, 제 1 층(68)은 열을 가함으로써 Sn이 용해되어 확산하는 재료 중, Sn의 확산 속도가 Pd보다 느린 재료로 형성되어 있으면 Pd-Ni 합금에 한정되지 않고, 예를 들면 Pd와 코발트(Co)를 포함해서 이루어지는 Pd-Co 합금이라도 된다. 이 Pd-Co 합금에 있어서도 Pd와 Co의 중량 비율은 Pd 쪽이 높고, 예를 들면 Pd가 90중량%인 것에 대해 Co가 10중량%이다.
이 제 1 층(68)은, 예를 들면 도금에 의한 제법, 또는 이온플레이팅에 의한 제법에 의해 형성된다. 도금에 의한 제법은 하지층(64)으로서 Ni 도금을 실시하고, 그 위에 밀착층으로서 스트라이크 Au 도금을 한 뒤에, 제 1 층(68)으로서 Pd-Ni 합금 도금을 겹친 것이다. 또한, 이온플레이팅에 의한 제법은 하지층(64)으로서 Ni 도금을 실시하고, 그 위에 제 1 층(68)으로서 Pd-Ni 합금을 이온플레이팅에 의해 부착시킨 것이다.
제 2 층(70)은 열을 가함으로써 Sn이 용해되어 확산하지만, Sn의 확산 속도가 제 1 층(68)보다 느린 재료로 형성된다. 본 실시형태에서는 제 2 층(70)은 은(Ag)으로 형성되어 있다. 제 2 층(70)의 두께는 제 1 층(68)으로의 Sn의 확산을 지연시키기 위해서 0.1×10-6m 이상일 필요가 있다. 제 1 층(68)에 확산하는 Sn의 확산 속도는 콘택트 핀(32) 주위의 분위기 온도에 따라 다르기 때문에, 150℃ 이상에서는 제 1 층(68)으로의 Sn의 확산을 지연시키기 위해 0.3×10-6m 이상으로 해도 되고, 180℃ 이상에서는 같은 목적에서 1×10-6m 이상으로 해도 된다.
이 제 2 층(70)은 제 1 층(68)의 위로부터, 상술의 제 1 층(68)의 제법과 마찬가지로, 예를 들면 도금에 의한 제법, 또는 이온플레이팅에 의한 제법에 의해 형성된다.
또한, 제 2 층(70)은 열을 가함으로써 Sn이 용해되어 확산하지만, Sn의 확산 속도가 제 1 층(68)보다 느린 재료로 형성되어 있으면 Ag에 한정되지 않고, 예를 들면 Ag와, Ni, 구리(Cu), 철(Fe), 및 안티몬(Sb)의 4원소 중 어느 하나를 주성분으로 하는 은 합금이어도 좋다. 이들 원소는 은 합금 중의 Ag과 IC 패키지(10)의 접속 단자(30)의 Sn의 합금화를 저해한다고 생각된다. 또한, 제 2 층(70)은 Ag에 대하여, 상술의 4원소 이외에 Sn 또는 Au 등을 첨가한 은 합금이라도 좋다.
이러한 콘택트 핀(32) 및 IC 소켓(12)에 의하면, 번인 시험의 시험 온도를 높게 했을 경우에 콘택트 핀(32)과 IC 패키지(10)의 접속 단자(30) 사이에 있어서의 전기저항값의 급격한 상승을 발생시킬 때까지의 시험 횟수가 감소하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 종래의 콘택트 핀이 설치된 IC 소켓에 비하면 IC 소켓(12)의 수명을 연장시킬 수 있다. 그 이유에 대하여 설명한다.
종래의 콘택트 핀에서는 열을 가함으로써 Sn이 용해되어 확산하는 재료 중, Sn의 확산 속도, 및 Sn의 흡수량이 Au와 나란히 매우 높지만, Sn과의 합금의 기계적 강도가 Au보다 훨씬 높은 Pd의 도금층으로 형성된 제 1 층의 접촉측에 열을 가함으로써 Sn이 용해되어 확산하지만, 그 확산의 속도가 제 1 층보다 느린 재료인 Ag의 도금층으로 형성된 제 2 층을 더 형성하고 있었다. 이 때문에, IC 패키지(10)의 접속 단자(30)에 포함되는 Sn이 콘택트 핀측에 용해되는 속도가 느려지고, 그 결과, Ag-Sn 합금이나 Sn-Pd 합금이 급격하게 형성되지 않고 서서히 형성된다. 이것에 의해, 번인 시험의 뒤, 형성된 Ag-Sn 합금이나 Sn-Pd 합금을 통한 IC 패키지(10)의 접속 단자(30)와 콘택트 핀을 부착하기 어렵게 하여 제 1 층 및 제 2 층의 감소 속도를 억제하고 있었다.
그러나, 번인 시험의 시험 온도를 높게 하면(예를 들면, 150℃ 이상으로 하면), IC 패키지(10)의 접속 단자(30)에 포함되는 Sn이 제 2 층의 Ag와의 사이에서 Ag-Sn 합금을 형성하는 속도가 상승하고, 콘택트 핀의 제 2 층과 IC 패키지(10)의 접속 단자(30)가 부착되기 쉬워진다. Ag-Sn 합금의 두께도 증가하기 때문에 콘택트 핀으로부터 IC 패키지(10)의 접속 단자(30)를 분리하면 시험 온도를 높게 하지 않고 있을 경우와 비교하여 제 2 층의 Ag는 감소하기 쉬워진다. 또한, 제 2 층의 Ag 도금층이 결핍되어 오면, IC 패키지(10)의 접속 단자(30)에 포함되는 Sn은 제 1 층의 Pd와의 사이에서 제 2 층의 Ag보다 더욱 빠른 속도로 Sn-Pb 합금을 형성하고, 콘택트 핀의 제 1 층과 IC 패키지(10)의 접속 단자(30)가 부착되기 쉬워진다. 이 때문에, 시험 온도를 높게 하고 있지 않을 경우와 비교하면 제 1 층의 Pd도 감소하기 쉬워진다. 따라서, 시험 온도를 높게 하고 있지 않을 경우와 비교하면 하지층인 Ni의 노출은 조기화한다. 그리고, IC 패키지(10)의 접속 단자(30)에 포함되는 Sn은 콘택트 핀의 재료 중에 확산하지 않고 하지층의 계면에 축적되기 때문에, 콘택트 핀에 부착된 Sn은 산화해서 절연체를 구성하기 쉬워진다. 이 때문에, 콘택트 핀과 IC 패키지(10)의 접속 단자(30) 사이에 있어서의 전기저항값이 급격하게 상승할 때 까지의 시험 횟수가 감소하여 IC 소켓의 수명이 저하할 우려가 있었다.
이것에 대하여, 본 실시형태에 있어서의 콘택트 핀(32)에서는 열을 가함으로써 Sn이 용해되어 확산하는 재료 중, Sn의 확산 속도가 Pd보다 느린 Pd-Ni 합금의 도금층을 제 1 층(68)으로서 형성하고 있다.
이 때문에, Sn과 Pd-Ni 합금의 합금화의 속도는 Sn과 Pd의 합금화의 속도보다 느려지므로, 제 2 층(70)의 Ag 도금층이 결핍되어 온 경우에도 종래의 콘택트 핀에 비교하면, 본 실시형태의 콘택트 핀(32)의 제 1 층(68)은 IC 패키지(10)의 접속 단자(30)와 부착하기 어려워져 제 1 층(68)은 감소하기 어려워진다.
또한, Pd-Ni 합금의 도금층은 Pd 단체의 도금층과 마찬가지로 Sn을 대량으로 흡수할 수 있지만, Pd 단체의 도금층보다 기계적 강도가 우수하기 때문에 제 1 층(68)의 Pd-Ni 합금이 IC 패키지(10)의 접속 단자(30)의 Sn과의 사이에서 합금화했을 경우에, 콘택트 핀(32)으로부터 IC 패키지(10)를 분리해도 제 1 층(68)의 Pd-Ni 합금은 박리하기 어려워 감소하기 어렵다.
따라서, 종래의 콘택트 핀에 비교하면 하지층(64)인 Ni의 노출은 느려지고, 콘택트 핀(32)과 IC 패키지(10)의 접속 단자(30) 사이에 있어서의 전기저항값의 급격한 상승을 발생시킬 때까지의 시험 횟수는 증대한다. 때문에, 종래의 콘택트 핀이 설치된 IC 소켓에 비교하면 IC 소켓(12)의 수명을 연장시킬 수 있다.
다음에, 본 발명의 효과를 뒷받침하는 평가 시험에 대하여 설명한다. 이 시험에서는 제 1 층에 Pd 도금층을 갖고, 제 2 층에 Ag 도금층을 갖는 종래의 콘택트 핀(이하, 「종래 콘택트 핀」이라고 함)과, 제 1 층에 Pd-Ni 합금 도금층을 갖고, 제 2 층에 Ag 도금층을 갖는 본 실시형태에 의한 콘택트 핀(이하, 「개량 콘택트 핀」이라고 함) 사이에서, 도 3 등에 나타내는 제 1 접촉부(42)에 상당하는 부분에 있어서의 합금 형성의 상태 및 전기저항값 변화를 비교했다.
(1) 시험에 제공된 IC 소켓의 사양
종래 콘택트 핀이 부착되어 있는 IC 소켓(이하, 「종래 IC 소켓」이라고 함)과, 개량 콘택트 핀이 부착되어 있는 IC 소켓(이하, 「개량 IC 소켓」이라고 함)을 각각 4대씩 준비했다. IC 소켓의 구성은 공통이었다.
종래 콘택트 핀 및 개량 콘택트 핀 모두, 기재에 Be-Cu 합금을 사용했다. 종래 콘택트 핀은 기재 상에 하지층으로서 Ni 도금을 2×10-6∼3×10-6m 실시하고, 하지층 상에 제 1 층으로서 Pd 도금층을 0.5×10-6m 실시하고, 제 1 층 상에 제 2 층으로서 Ag 도금층을 2×10-6m 실시해서 형성했다.
또한, 개량 콘택트 핀은 기재 상에 하지층으로서 Ni 도금을 2×10-6∼3×10-6m 실시하고, 하지층 상에 제 1 층으로서 Pd-Ni 합금 도금층을 0.5×10-6m 실시하고, 제 1 층 상에 제 2 층으로서 Ag 도금층을 1×10-6m 실시해서 형성했다.
(2) 시험에 제공된 IC 패키지의 단자 사양
접속 단자가 Sn-3Ag-0.5Cu 합금으로 형성되어 있는 IC 패키지를 사용했다.
(3) 시험 방법
시험 순서로서는 종래 IC 소켓 4대 및 개량 IC 소켓 4대의 합계 8대의 IC 소켓에, 각각 미사용의 IC 패키지를 장착한 상태에서 IC 소켓의 주위 온도를 200℃까지 승온시키고, 이 온도를 유지해서 24시간 경과한 후 실온까지 강온시켜서 IC 소켓으로부터 IC 패키지를 분리했다. 이것을 1사이클로 해서, 순차적으로 15사이클을 실시했다.
콘택트 핀 중 IC 패키지의 접속 단자와 접촉하는 접촉부의 전기저항값에 대해서는 1사이클, 5사이클, 10사이클, 및 15사이클이 종료한 각 단계에서, 각 IC 소켓의 콘택트 핀에 대하여 측정을 행했다.
또한, 합금 형성의 상태에 대해서는 15사이클이 종료한 단계에서 제 1 접촉부(42)에 상당하는 부분의 단면을 현미경을 이용하여 관찰했다.
(4) 결과
번인 시험 종료 후의 종래 콘택트 핀에 있어서의 합금 형성의 상태에 대해서는, 도 8(B)에 나타내는 바와 같이 제 2 층의 Ag 도금층이 소실되고, 또한 제 1 층의 Pd 도금층에 Sn이 확산해서 합금화한 Pd-Sn 합금층도 국소적으로는 거의 소실되어, 하지층의 Ni가 노출되어 있는 상태이다, 라고 하는 결과가 얻어졌다. 또한, 종래 콘택트 핀 중에는 번인 시험이 10사이클 종료한 단계에서 하지층의 Ni가 노출된 것도 있었다.
한편, 번인 시험 종료 후의 개량 콘택트 핀에 있어서의 합금 형성의 상태에 대해서는, 도 8(C)에 나타내는 바와 같이 제 2 층의 Ag 도금층이 소실되어 있지만, 제 1 층의 Pd-Ni 합금 도금층에 Sn이 확산해서 합금화한 Pd-Ni-Sn 합금층이 제 1 접촉부(42)에 상당하는 부분의 전역에서 잔존하고, 하지층의 Ni가 노출되어 있지 않은 상태이다, 라고 하는 결과가 얻어졌다. 또한, 개량 콘택트 핀에 있어서의 제 2 층의 Ag 도금층의 두께는 종래 콘택트 핀에 있어서의 제 2 층의 Ag 도금층의 2분의 1임에도 불구하고, 제 1 층의 잔존량은 개량 콘택트 핀 쪽이 많기 때문에, 제 2 층의 Ag 도금층을 종래 콘택트 핀과 동등의 두께로 하면 개량 콘택트 핀에 있어서의 제 1 층의 잔존량은 더욱 증가한다, 라고 하는 예측이 얻어졌다.
번인 시험의 소정 사이클수 종료 후에 있어서의 종래 콘택트 핀의 전기저항값 변화에 대해서는, 도 9(A)에 나타내는 바와 같이 10사이클 종료한 단계에서 전기저항값의 현저한 상승이 관찰되고, 15사이클 종료한 단계에서는 더욱 상승하는 경향이 있다, 라고 하는 결과가 얻어졌다.
한편, 번인 시험의 소정 사이클수 종료 후에 있어서의 개량 콘택트 핀의 전기저항값 변화에 대해서는, 도 9(B)에 나타내는 바와 같이 전기저항값이 현저하게 상승하고 있다고는 말할 수 없다, 라고 하는 결과가 얻어졌다.
이상의 결과로부터, 번인 시험의 시험 온도를 높게 했을 경우, 콘택트 핀과 IC 패키지의 접속 단자 사이에 있어서 전기저항값의 급격한 상승을 발생시킬 때까지의 시험 횟수가 감소하는 것을 억제할 수 있는 것이 밝혀졌다. 이것에 의해, 종래의 콘택트 핀이 설치된 IC 소켓과 비교하면, 개량 콘택트 핀이 설치된 IC 소켓(12)의 수명을 연장시킬 수 있는 것이 밝혀졌다.
또한, IC 패키지(10)가 장착되는 전기 부품용 소켓으로서 오픈 톱형의 IC 소켓(12)을 일례로서 설명했지만, 이것에 한정하는 것은 아니다. IC 패키지(10)가 수용되는 소켓 본체와, 소켓 본체에 설치되고 수용된 IC 패키지(10)의 접속 단자(30)와 접촉하는, 상술의 실시형태에 따른 콘택트 핀(32)과 같은 층 구조를 갖고 있는 전기 접촉자를 구비하고 있는 IC 소켓이면, 예를 들면 클램셸형 등 다른 형태의 소켓이어도 좋다.
또한, 전기 접촉자로서의 콘택트 핀(32)을 IC 소켓(12)에 적용했지만, IC 소켓 이외의 용도에 적용해도 좋다.
10 : IC 패키지 12 : IC 소켓
14 : 소켓 본체 30 : 접속 단자
32 : 콘택트 핀 42 : 제 1 접촉부
46 : 제 2 접촉부 62 : 기재
64 : 하지층 66 : 표층
68 : 제 1 층 70 : 제 2 층

Claims (14)

  1. 기재에 대하여 복수층이 적층되어서 구성되는 전기 접촉자로서,
    상기 복수층은,
    열을 가함으로써 주석이 용해되어 확산하는 재료 중, 주석의 확산 속도가 팔라듐보다 느린 재료로 형성는 제 1 층과,
    상기 제 1 층 중 상기 기재와 반대측에 있어서 상기 확산 속도가 상기 제 1 층보다 느린 재료로 형성되는 제 2 층을 포함해서 구성되는 것을 특징으로 하는 전기 접촉자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 층은 팔라듐 및 니켈을 주성분으로 하는 Pd-Ni 합금으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 접촉자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 층은 팔라듐 및 코발트를 주성분으로 하는 Pd-Co 합금으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 접촉자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 층은 은으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 접촉자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 층은 은을 주성분으로 하는 Ag 합금으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 접촉자.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 Pd-Ni 합금에 있어서 팔라듐의 중량 비율은 니켈의 중량 비율보다 높은 것을 특징으로 하는 전기 접촉자.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 팔라듐의 중량 비율은 60∼90중량%이며, 상기 니켈의 중량 비율은 10∼40중량%인 것을 특징으로 하는 전기 접촉자.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 Pd-Co 합금에 있어서 팔라듐의 중량 비율은 코발트의 중량 비율보다 높은 것을 특징으로 하는 전기 접촉자.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 Ag 합금에는 니켈이 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 접촉자.
  10. 제 5 항에 있어서,
    상기 Ag 합금에는 구리가 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 접촉자.
  11. 제 5 항에 있어서,
    상기 Ag 합금에는 철이 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 접촉자.
  12. 제 5 항에 있어서,
    상기 Ag 합금에는 안티몬이 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 접촉자.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재와 상기 제 1 층 사이에 형성되고, 니켈을 포함해서 이루어지는 하지층을 더 포함해서 구성되며,
    상기 제 1 층은 상기 하지층에 대한 도금에 의해 형성되고,
    상기 제 2 층은 상기 제 1 층에 대한 도금에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 접촉자.
  14. 주석을 포함해서 이루어지는 접속 단자를 구비한 전기 부품이 수용되는 소켓 본체와,
    상기 소켓 본체에 설치되고, 수용된 상기 전기 부품의 상기 접속 단자에 접촉하는 제 1 항에 기재된 전기 접촉자를 포함해서 구성되는 것을 특징으로 하는 전기 부품용 소켓.
KR1020157027479A 2013-03-21 2014-03-13 전기 접촉자 및 전기 부품용 소켓 KR20150135336A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2013-057696 2013-03-21
JP2013057696A JP2014182976A (ja) 2013-03-21 2013-03-21 電気接触子及び電気部品用ソケット
PCT/JP2014/056788 WO2014148365A1 (ja) 2013-03-21 2014-03-13 電気接触子及び電気部品用ソケット

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150135336A true KR20150135336A (ko) 2015-12-02

Family

ID=51580051

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157027479A KR20150135336A (ko) 2013-03-21 2014-03-13 전기 접촉자 및 전기 부품용 소켓

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20160285186A1 (ko)
EP (1) EP2978076B1 (ko)
JP (1) JP2014182976A (ko)
KR (1) KR20150135336A (ko)
CN (1) CN105051982B (ko)
TW (1) TWI620380B (ko)
WO (1) WO2014148365A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101723975B1 (ko) * 2016-12-15 2017-04-07 주식회사 제이미크론 휴대폰 방수용 충전단자 및 이의 제조방법

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101558256B1 (ko) * 2015-05-18 2015-10-12 주식회사 기가레인 고정 가능한 프로브 핀 및 프로브 핀 고정 어셈블리
JP6655325B2 (ja) * 2015-08-25 2020-02-26 株式会社エンプラス 電気接触子及び電気部品用ソケット
JP6755096B2 (ja) * 2016-01-22 2020-09-16 日立オートモティブシステムズ株式会社 車載用電子モジュール、カードエッジコネクタ、およびコネクタ
JP6733491B2 (ja) * 2016-10-20 2020-07-29 株式会社オートネットワーク技術研究所 接続端子および接続端子の製造方法
JP6653340B2 (ja) * 2018-02-01 2020-02-26 Ｊｘ金属株式会社 バーンインテストソケット用表面処理金属材料、それを用いたバーンインテストソケット用コネクタ及びバーンインテストソケット

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3951872A (en) * 1973-12-03 1976-04-20 P. R. Mallory & Co., Inc. Electrical contact material
JPS59180908A (ja) * 1983-03-30 1984-10-15 古河電気工業株式会社 銀被覆導体とその製造方法
JPS6037605A (ja) * 1983-08-11 1985-02-27 古河電気工業株式会社 Ａｇ被覆Ｃｕ系電子部品材料
US4628165A (en) * 1985-09-11 1986-12-09 Learonal, Inc. Electrical contacts and methods of making contacts by electrodeposition
US4911798A (en) * 1988-12-20 1990-03-27 At&T Bell Laboratories Palladium alloy plating process
GB9102062D0 (en) * 1991-01-31 1991-03-13 Otter Controls Ltd Improvements relating to conductors for switching applications
DE19543223C1 (de) * 1995-11-20 1997-02-20 Degussa Silber-Eisen-Werkstoff für elektrische Schaltkontakte (III)
MY118571A (en) * 1998-06-10 2004-12-31 Heraeus Gmbh W C Method for the manufacture of a leadless substrate especially a solder layer
US20020185716A1 (en) * 2001-05-11 2002-12-12 Abys Joseph Anthony Metal article coated with multilayer finish inhibiting whisker growth
US7391116B2 (en) * 2003-10-14 2008-06-24 Gbc Metals, Llc Fretting and whisker resistant coating system and method
JP4728571B2 (ja) * 2003-10-31 2011-07-20 古河電気工業株式会社 可動接点用銀被覆ステンレス条の製造方法
USRE45924E1 (en) 2005-09-22 2016-03-15 Enplas Corporation Electric contact and socket for electrical part
JP4834023B2 (ja) * 2007-03-27 2011-12-07 古河電気工業株式会社 可動接点部品用銀被覆材およびその製造方法
WO2011112939A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Xtalic Corporation Coated articles and methods
WO2013183484A1 (ja) * 2012-06-06 2013-12-12 株式会社エンプラス 電気接触子及び電気部品用ソケット
JP6006793B2 (ja) * 2012-06-25 2016-10-12 山一電機株式会社 電気テスト用コンタクトおよびそれを用いた電気テスト用ソケット

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101723975B1 (ko) * 2016-12-15 2017-04-07 주식회사 제이미크론 휴대폰 방수용 충전단자 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014182976A (ja) 2014-09-29
TW201503492A (zh) 2015-01-16
EP2978076A1 (en) 2016-01-27
CN105051982B (zh) 2018-09-14
WO2014148365A1 (ja) 2014-09-25
EP2978076A4 (en) 2016-11-02
CN105051982A (zh) 2015-11-11
EP2978076B1 (en) 2019-01-02
TWI620380B (zh) 2018-04-01
US20160285186A1 (en) 2016-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20150135336A (ko) 전기 접촉자 및 전기 부품용 소켓
JP5334416B2 (ja) 電気接触子及び電気部品用ソケット
JP6241502B2 (ja) 電気テスト用コンタクトおよびそれを用いた電気テスト用ソケット
JP6502667B2 (ja) 電気接触子及び電気部品用ソケット
JP2008064754A (ja) ポゴピン及びそのポゴピンを備える半導体素子テスト用コンタクター
US11183787B2 (en) Electrical connector and connector system having plated ground shields
FI113912B (fi) Lisäaineellisella pinnoitteella varustettu yhdysterminaali
CN108140970B (zh) 电触头以及电气部件用插座
KR102211658B1 (ko) 테이프형 접점재 및 그 제조 방법
JP2005268090A (ja) コンタクトピン及び電気部品用ソケット
KR20090069142A (ko) 전기 커넥터와 이에 구비된 전도성 단자
JP6639209B2 (ja) 電気部品用ソケット
Johler Impact of lead-free soldering processes on the performance of signal relay contacts
KR101446429B1 (ko) 클래드 메탈을 이용한 콘택터 및 이를 이용한 소켓
JP3463872B2 (ja) 電気部品用ソケット

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X601 Decision of rejection after re-examination