KR20150132022A - 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 - Google Patents

신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20150132022A
KR20150132022A KR1020150068031A KR20150068031A KR20150132022A KR 20150132022 A KR20150132022 A KR 20150132022A KR 1020150068031 A KR1020150068031 A KR 1020150068031A KR 20150068031 A KR20150068031 A KR 20150068031A KR 20150132022 A KR20150132022 A KR 20150132022A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
layer
compound
substituted
halogen
Prior art date
Application number
KR1020150068031A
Other languages
English (en)
Inventor
함호완
김봉기
안현철
김성훈
김동준
배유진
조지은
이형진
임동환
안자은
Original Assignee
주식회사 동진쎄미켐
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 동진쎄미켐 filed Critical 주식회사 동진쎄미켐
Priority to PCT/KR2015/004921 priority Critical patent/WO2015174792A1/ko
Publication of KR20150132022A publication Critical patent/KR20150132022A/ko
Priority to KR1020220124623A priority patent/KR102630946B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B57/00—Other synthetic dyes of known constitution
    • C09B57/008—Triarylamine dyes containing no other chromophores
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/80—[b, c]- or [b, d]-condensed
    • C07D209/94—[b, c]- or [b, d]-condensed containing carbocyclic rings other than six-membered
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/58—[b]- or [c]-condensed
    • C07D209/70—[b]- or [c]-condensed containing carbocyclic rings other than six-membered
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/80—[b, c]- or [b, d]-condensed
    • C07D209/82—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H01L51/50—
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/20—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the material in which the electroluminescent material is embedded
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers

Abstract

본 발명의 신규한 화합물은 정공주입이 용이한 HOMO 에너지 레벨을 가지며, 전자를 차단할 수 있는 높은 LUMO 에너지 레벨을 가지며, 정공수송 특성이 우수하고, 유기발광소자에 정공주입층, 정공수송층 또는 정공수송보조층에 적용시 우수한 저전압, 고효율, 높은 Tg로 인한 안정성 및 장수명을 가지게 할 수 있다.

Description

신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 {NOVEL COMPOUND AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE COMPRISING SAME}
본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것으로, 특히 정공주입, 정공수송물질, 또는 정공수송보조물질로 유용한 화합물에 관한 것이다.
최근, 자체 발광형으로 저전압 구동이 가능한 유기발광소자는, 평판 표시소자의 주류인 액정디스플레이(LCD, liquid crystal display)에 비해, 시야각, 대조비 등이 우수하고 백라이트가 불필요하여 경량 및 박형이 가능하며 소비전력 측면에서도 유리하고 색 재현 범위가 넓어, 차세대 표시소자로서 주목을 받고 있다.
유기발광소자에서 유기물 층으로 사용되는 재료는 크게 기능에 따라, 발광 재료, 정공주입 재료, 정공수송 재료, 정공수송보조재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다.
현재까지 이러한 유기발광소자에 사용되는 정공주입·정공수송 재료에는 카바졸 골격을 가지는 아민 유도체가 많이 연구되었으나 보다 높은 구동전압, 낮은 효율 및 짧은 수명으로 인해 실용화하는 데에 많은 어려움이 있었다. 따라서 우수한 특성을 갖는 물질을 이용하여 저전압 구동, 고휘도 및 장수명을 갖는 유기발광소자를 개발하려는 노력이 지속되어 왔다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 정공주입이 용이한 HOMO 에너지 레벨을 가지며, 전자를 차단할 수 있는 높은 LUMO 에너지 레벨을 가지며, 정공수송 특성이 우수하고, 유기발광소자의 정공주입층, 정공수송층 또는 정공수송보조층에 적용시 우수한 저전압, 고효율, 높은 Tg로 인한 안정성 및 장수명을 가지게 할 수 있는 신규한 화합물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 또한 상기 화합물을 포함하여 정공주입 및 정공수송 특성이 향상되고, 동시에 전자차단 특성을 가지며, 우수한 저전압, 고효율, 높은 Tg로 인한 안정성 및 장수명을 가지는 유기발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다:
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서,
Ar은 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C6-50의 아릴기; 또는 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C2-50의 헤테로아릴기이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C1-30의 알킬기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C2-30의 알케닐기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C2-30의 알키닐기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C1-30의 알콕시기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C6-30의 아릴옥시기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C6-50의 아릴기; 또는 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C2-50의 헤테로아릴기이며, R1 및 R2는 서로 고리를 형성할 수 있으며,
o는 0 내지 3의 정수이고,
p, q는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이다.
또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기발광소자를 제공한다.
본 발명의 화합물은 정공주입이 용이한 HOMO 에너지 레벨을 가지며, 전자를 차단할 수 있는 높은 LUMO 에너지 레벨을 가지며, 정공수송 특성이 우수하고, 유기발광소자의 정공주입층, 정공수송층 또는 정공수송보조층에 적용시 우수한 저전압, 고효율, 높은 Tg로 인한 안정성 및 장수명을 가지게 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED의 단면을 개략적으로 도시한 것이다.
도면의 부호
10 : 기판
11 : 양극
12 : 정공주입층
13 : 정공수송층
14 : 발광층
15 : 전자전달층
16: 음극
본 발명의 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 한다.
[화학식 1]
Figure pat00002
상기 화학식 1에서,
Ar은 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C6-50의 아릴기; 또는 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C2-50의 헤테로아릴기이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C1 -30의 알킬기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C2 -30의 알케닐기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C2-30의 알키닐기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C1-30의 알콕시기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C6-30의 아릴옥시기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C6-50의 아릴기; 또는 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C2-50의 헤테로아릴기이며, R1 및 R2는 서로 고리를 형성할 수 있으며,
o는 0 내지 3의 정수이고,
p, q는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이다.
본 발명에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 바람직한 예는 다음과 같다:
Figure pat00003
Figure pat00004
Figure pat00005
Figure pat00006
Figure pat00007
Figure pat00008
Figure pat00009
Figure pat00010
Figure pat00011
Figure pat00012
Figure pat00013
Figure pat00014
Figure pat00015
Figure pat00016
Figure pat00017
Figure pat00018
Figure pat00019
Figure pat00020
Figure pat00021
Figure pat00022
Figure pat00023
Figure pat00024
Figure pat00025
Figure pat00026
Figure pat00027
Figure pat00028
Figure pat00029
Figure pat00030
Figure pat00031
Figure pat00032
Figure pat00033
Figure pat00034
Figure pat00035
Figure pat00036
Figure pat00037
Figure pat00038
Figure pat00039
Figure pat00040
Figure pat00041
Figure pat00042
Figure pat00043
Figure pat00044
Figure pat00045
Figure pat00046
Figure pat00047
Figure pat00048
Figure pat00049
Figure pat00050
Figure pat00051
Figure pat00052
Figure pat00053
Figure pat00054
Figure pat00055
Figure pat00056
Figure pat00057
Figure pat00058
Figure pat00059
Figure pat00060
Figure pat00061
Figure pat00062
Figure pat00063
Figure pat00064
Figure pat00065
Figure pat00066
Figure pat00067
Figure pat00068
Figure pat00069
Figure pat00070
Figure pat00071
Figure pat00072
Figure pat00073
Figure pat00074
Figure pat00075
Figure pat00076
Figure pat00077
Figure pat00078
Figure pat00079
Figure pat00080
Figure pat00081
Figure pat00082
Figure pat00083
Figure pat00084
Figure pat00085

본 발명에 따른 화학식 1의 화합물은 정공주입이 용이한 HOMO 에너지 레벨을 가지며, 전자를 차단할 수 있는 높은 LUMO 에너지 레벨을 가지며, 정공수송 특성이 우수하고, 유기발광소자의 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공수송보조층에 적용시 우수한 저전압, 고효율, 높은 Tg로 인한 안정성 및 장수명을 가지게 할 수 있다.
또한 본 발명의 화합물은 다음과 같은 과정을 거쳐 제조될 수 있다.
[반응식 1]
Figure pat00086
상기 반응식에서, 목적화합물은 화학식 1로 표시되는 화합물이며, Ar, R1, R2, o, p, q는 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 유기물층에 포함하는 유기발광소자를 제공한다. 이때, 본 발명의 화합물은 바람직하기로는 정공주입물질, 정공수송물질, 또는 정공수송보조물질로 단독으로 사용되거나 또는 공지의 정공주입, 정공수송물질, 또는 정공수송보조물질과 함께 사용될 수 있다.
또한 본 발명의 유기발광소자는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 바, 일예로 상기 유기발광소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
상기 유기발광소자는 애노드(anode)와 캐소드(cathod) 사이에 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL) 등의 유기물층을 1 개 이상 포함할 수 있다. 또한 상기 정공수송층과 발광층 사이에 정공수송보조층을 더욱 포함할 수 있다.
먼저, 기판 상부에 높은 일함수를 갖는 애노드 전극용 물질을 증착시켜 애노드를 형성한다. 이때, 상기 기판은 통상의 유기발광소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있으며, 특히 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면평활성, 취급용이성, 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용하는 것이 좋다. 또한, 애노드 전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 사용할 수 있다. 상기 애노드 전극용 물질은 통상의 애노드 형성방법에 의해 증착할 수 있으며, 구체적으로 증착법 또는 스퍼터링법에 의해 증착할 수 있다.
그 다음, 상기 애노드 전극 상부에 정공주입층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB(Langmuir-Blodgett)법 등과 같은 방법에 의해 형성할 수 있지만, 균일한 막질을 얻기 쉽고, 또한 핀정공이 발생하기 어렵다는 등의 점에서 진공증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 상기 진공증착법에 의해 정공주입층을 형성하는 경우 그 증착조건은 정공주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 정공주입층의 구조 및 열적특성 등에 따라 다르지만, 일반적으로 50-500 ℃의 증착온도, 10-8 내지 10-3 torr의 진공도, 0.01 내지 100 Å/sec의 증착속도, 10 Å 내지 5 ㎛의 층 두께 범위에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.
상기 정공주입층 물질은 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물이 단독으로 사용되거나 또는 공지의 정공주입층 물질이 사용될 수 있으며, 일예로 미국특허 제4,356,429호에 개시된 구리 프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 스타버스트형 아민 유도체류인 TCTA(4,4',4"-트리(N-카바졸릴)트리페닐아민), m-MTDATA(4,4',4"-트리스(3-메틸페닐아미노)트리페닐아민), m-MTDAPB(4,4',4"-트리스(3-메틸페닐아미노)페녹시벤젠), HI-406(N1,N1'-(비페닐-4,4'-디일)비스(N1-(나프탈렌-1-일)-N4,N4-디페닐벤젠-1,4-디아민) 등을 정공주입층 물질로 사용할 수 있다.
다음으로 상기 정공주입층 상부에 정공수송층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법에 의해 형성할 수 있지만, 균일한 막질을 얻기 쉽고, 핀정공이 발생하기 어렵다는 점에서 진공증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 상기 진공증착법에 의해 정공수송층을 형성하는 경우 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다.
또한, 상기 정공수송층 물질은 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물이 단독으로 사용되거나 또는 공지의 정공수송층 물질이 혼합되어 사용될 수 있다. 구체적으로, 상기 공지의 정공수송층 물질로는 N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸 유도체, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N.N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD) 등의 방향족 축합환을 가지는 통상의 아민 유도체 등이 사용될 수 있다.
그 후, 상기 정공수송층 상부에 발광층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법에 의해 형성할 수 있지만, 균일한 막질을 얻기 쉽고, 핀정공이 발생하기 어렵다는 점에서 진공증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 상기 진공증착법에 의해 발광층을 형성하는 경우 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다. 또한, 상기 발광층 재료는 공지의 호스트 또는 도펀트로 사용할 수 있다. 일예로 형광 도펀트로는 이데미츠사(Idemitsu사)에서 구입 가능한 IDE102 또는 IDE105, 또는 BD142(N6,N12-비스(3,4-디메틸페닐)-N6,N12-디메시틸크리센-6,12-디아민)를 사용할 수 있으며, 인광 도펀트로는 녹색 인광 도펀트 Ir(ppy)3(트리스(2-페닐피리딘) 이리듐), 청색 인광 도펀트인 F2Irpic(이리듐(Ⅲ) 비스[4,6-다이플루오로페닐)-피리디나토-N,C2'] 피콜린산염), UDC사의 적색 인광 도펀트 RD61 등이 공동 진공증착(도핑)될 수 있다. 도펀트의 도핑농도는 특별히 제한되지 않으나, 호스트 100 중량부 대비 도펀트가 0.01 내지 15 중량부로 도핑되는 것이 바람직하다.
또한, 발광층에 인광 도펀트와 함께 사용할 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자수송층으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여 정공억제재료(HBL)를 추가로 진공증착법 또는 스핀코팅법에 의해 적층시키는 것이 바람직하다. 이때 사용할 수 있는 정공억제물질은 특별히 제한되지는 않으나, 정공억제재료로 사용되고 있는 공지의 것에서 임의의 것을 선택해서 이용할 수 있다. 예를 들면, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 또는 일본특개평 11-329734(A1)에 기재되어 있는 정공억제재료 등을 들 수 있으며, 대표적으로 Balq(비스(8-하이드록시-2-메틸퀴놀리놀나토)-알루미늄 비페녹사이드), 페난트롤린(phenanthrolines)계 화합물(예: UDC사 BCP(바쏘쿠프로인)) 등을 사용할 수 있다.
상기와 같이 형성된 발광층 상부에는 전자수송층이 형성되는데, 이때 상기 전자수송층은 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 등의 방법으로 형성되며, 특히 진공증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다.
상기 전자수송층 재료는 전자주입전극으로부터 주입된 전자를 안정하게 수송하는 기능을 하는 것으로서 그 종류가 특별히 제한되지는 않으며, 예를 들어 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(Alq3), 또는 ET4(6,6'-(3,4-디메시틸-1,1-디메틸-1H-실올-2,5-디일)디-2,2'-비피리딘)을 사용할 수 있다. 또한, 전자수송층 상부에 캐소드로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 가지는 물질인 전자주입층(EIL)이 적층될 수 있으며, 전자주입층 물질로는 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등의 물질을 이용할 수 있다.
또한, 상기 전자수송층의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다.
그 뒤, 상기 전자수송층 상부에 전자주입층 물질을 형성할 수 있으며, 이때 상기 전자수송층은 통상의 전자주입층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 등의 방법으로 형성되며, 특히 진공증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다.
마지막으로 전자주입층 상부에 캐소드 형성용 금속을 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법에 의해 형성하고 캐소드로 사용한다. 여기서 캐소드 형성용 금속으로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물, 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등이 있다. 또한, 전면 발광소자를 얻기 위하여 ITO, IZO를 사용한 투과형 캐소드를 사용할 수도 있다.
또한 본 발명의 유기발광소자는 상기 정공수송층과 발광층 사이에 정공수송보조층을 더욱 포함할 수 있다. 상기 정공수송보조층은 대한민국공허공개 제10-2010-0015029호에 기재된 것과 같은 공지의 방법을 통하여 형성될 수 있으며, 바람직하게는 본 발명의 화합물 1을 정공수송보조물질로 사용하여 정공수송보조층을 형성할 수 있다.
본 발명의 유기발광소자는 애노드, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 캐소드 구조의 유기발광소자 뿐만 아니라, 다양한 구조의 유기발광소자의 구조가 가능하며, 필요에 따라 1층 또는 2층의 중간층을 더 형성하는 것도 가능하다. 바람직하기로 본 발명의 유기발광소자는 정공수송보조층을 더욱 포함한다.
상기와 같이 본 발명에 따라 형성되는 각 유기물층의 두께는 요구되는 정도에 따라 조절할 수 있으며, 바람직하게는 10 내지 1,000 ㎚이며, 더욱 바람직하게는 20 내지 150 ㎚인 것이 좋다.
또한 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 유기물층의 두께를 분자 단위로 조절할 수 있기 때문에 표면이 균일하며, 형태안정성이 뛰어난 장점이 있다.
본 발명의 유기발광소자는 정공주입 및 정공수송 특성이 향상되고, 동시에 전자차단 특성을 가지며, 우수한 저전압, 고효율, 높은 Tg로 인한 안정성 및 장수명 등의 우수한 소자 특성을 가진다.
이하 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 쉽게 이해하기 위하여 제공되는 것일 뿐, 실시예에 의하여 본 발명의 내용이 한정되는 것은 아니다.
중간체 1-1의 합성
Figure pat00087
질소 기류 하에서 (4-bromophenyl)hydrazine hydrochloride 25 g을 아세트산 700 ml으로 녹인 후, 여기에 3,3-dimethyl-2,3-dihydro-1H-inden-1-one 25 g을 넣은 후 실온에서 1시간 교반 후 12시간동안 환류 교반하였다. 실온으로 냉각시킨 후, 아세트산을 농축하여 생성된 고체를 필터링한 후 MC와 헥산으로 재결정하여 중간체 1-1 31.53 g (수율 52%)을 얻었다.
중간체 1-2의 합성
Figure pat00088
질소 기류 하에서 (3-bromophenyl)hydrazine hydrochloride 25 g을 아세트산 700 ml으로 녹인 후, 여기에 3,3-dimethyl-2,3-dihydro-1H-inden-1-one 25 g을 넣은 후 실온에서 1시간 교반 후 12시간동안 환류 교반하였다. 실온으로 냉각시킨 후, 아세트산을 농축하여 생성된 고체를 필터링한 후 MC와 헥산으로 재결정하여 중간체 1-1 29.71 g (수율 49%)을 얻었다.
목적 화합물 합성을 위해 OP의 준비는 상기 단계를 거쳐 합성하였다.
일례로 아래 OP1의 합성법을 제시한다.
Figure pat00089
둥근바닥플라스크에 N-phenylnaphthalen-1-amine 10 g, 1-bromo-4-iodobenzene 18.0 g, t-BuONa 6.5 g, Pd2(dba)3 1.7 g, (t-Bu)3P 2.6 ml를 톨루엔 100 ml에 녹인 후 50 ℃로 교반하였다. TLC로 반응을 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결하였다. 유기층을 EA로 추출하고 감압여과한 후 컬럼정제하여 중간체 OP1 7.6 g (수율 45%)를 얻었다.
상기 OP1 7.5 g bis(pinacolato)diboron 6.62 g, Pd(dppf)Cl2 0.07 g, KOAc 5.9 g을 톨루엔 80 ml에 녹인 후 환류 교반하였다. TLC로 반응을 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결하였다. 유기층을 EA로 추출하고 감압여과한 후 컬럼정제하여 중간체 OP2 6.8 g (수율 81%)을 얻었다.
하기 OP1부터 OP9 중간체는 상기 OP1과 같은 방법으로 합성하였다.
Figure pat00090
Figure pat00091
Figure pat00092
Figure pat00093
Figure pat00094
Figure pat00095
Figure pat00096
Figure pat00097

화합물 1의 합성
Figure pat00098
둥근바닥플라스크에 중간체 1-1 2.0 g, di([1,1'-biphenyl]-4-yl)amine 2.0 g, t-BuONa 0.74 g, Pd2(dba)3 0.20 g, (t-Bu)3P 0.25 ml를 톨루엔 30 ml에 녹인 후 환류 교반하였다. TLC로 반응을 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결하였다. 유기층을 EA로 추출하고 감압여과한 후 컬럼정제하여 화합물1 1.90g (수율 59%)를 얻었다.
m/z: 628.29 (100.0%), 629.29 (51.2%), 630.29 (13.0%), 631.30 (2.1%)
화합물 2의 합성
Figure pat00099
di([1,1'-biphenyl]-4-yl)amine을 N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-amine으로 반응한 것을 제외하고는 화합물 1과 동일한 방법으로 화합물 2를 합성하였다. (수율 63%)
m/z: 668.32 (100.0%), 669.32 (54.8%), 670.33 (14.6%), 671.33 (2.5%)
화합물 3의 합성
Figure pat00100
둥근바닥플라스크에 중간체 1-1 2.0 g, OP1 2.60 g, 1,4-dioxan 30 ml에 녹이고 K2CO3(2M) 7.7 ml와 Pd(PPh3)4 0.18 g을 넣은 후 환류 교반하였다. TLC로 반응을 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결시켰다. 유기층을 MC로 추출하고 감압여과한 후 컬럼정제하여 화합물 3 1.83 g (수율 59%)를 얻었다.
m/z: 602.27 (100.0%), 603.28 (49.1%), 604.28 (11.8%), 605.28 (1.9%)
화합물 4의 합성
Figure pat00101
OP1을 OP2로 반응한 것을 제외하고는 화합물 3과 동일한 방법으로 화합물 4를 합성하였다. (수율 60%)
m/z: 704.32 (100.0%), 705.32 (58.1%), 706.33 (16.4%), 707.33 (3.0%)
화합물 5의 합성
Figure pat00102
OP1을 OP3로 반응한 것을 제외하고는 화합물 3과 동일한 방법으로 화합물 5를 합성하였다. (수율 65%)
m/z: 744.35 (100.0%), 745.35 (61.3%), 746.36 (18.3%), 747.36 (3.6%)
화합물 6의 합성
Figure pat00103
OP1을 OP6으로 반응한 것을 제외하고는 화합물 3과 동일한 방법으로 화합물 6을 합성하였다. (수율 58%)
m/z: 780.35 (100.0%), 781.35 (64.6%), 782.36 (20.3%), 783.36 (4.2%)
화합물 7의 합성
Figure pat00104
OP1을 OP7로 반응한 것을 제외하고는 화합물 3과 동일한 방법으로 화합물 7을 합성하였다. (수율 58%)
m/z: 820.38 (100.0%), 821.39 (67.6%), 822.39 (22.5%), 823.39 (5.1%)
화합물 8의 합성
Figure pat00105
OP1을 OP8로 반응한 것을 제외하고는 화합물 3과 동일한 방법으로 화합물 8을 합성하였다. (수율 52%)
m/z: 704.32 (100.0%), 705.32 (58.1%), 706.33 (16.4%), 707.33 (3.0%)
화합물 9의 합성
Figure pat00106
OP1을 OP9로 반응한 것을 제외하고는 화합물 3과 동일한 방법으로 화합물 9를 합성하였다. (수율 50%)
m/z: 744.35 (100.0%), 745.35 (61.3%), 746.36 (18.3%), 747.36 (3.6%)
화합물 10의 합성
Figure pat00107
둥근바닥플라스크에 중간체 1-2 2.0 g, di([1,1'-biphenyl]-4-yl)amine 2.0 g, t-BuONa 0.74 g, Pd2(dba)3 0.20 g, (t-Bu)3P 0.25 ml를 톨루엔 30 ml에 녹인 후 환류 교반하였다. TLC로 반응을 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결하였다. 유기층을 EA로 추출하고 감압여과한 후 컬럼정제하여 화합물 10을 1.78 g (수율 55%)를 얻었다.
화합물 11의 합성
Figure pat00108
di([1,1'-biphenyl]-4-yl)amine을 N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-amine으로 반응한 것을 제외하고는 화합물 10과 동일한 방법으로 화합물 11을 합성하였다. (수율 55%)
m/z: 668.32 (100.0%), 669.32 (54.8%), 670.33 (14.6%), 671.33 (2.5%)
화합물 12의 합성
Figure pat00109
둥근바닥플라스크에 중간체 1-2 2.0 g, OP2 3.08 g, 1,4-dioxan 30 ml에 녹이고 K2CO3(2M) 7.7 ml와 Pd(PPh3)4 0.18 g을 넣은 후 환류 교반하였다. TLC로 반응을 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결시켰다. 유기층을 MC로 추출하고 감압여과한 후 컬럼정제하여 화합물 12를 2.0 g (수율 55%)을 얻었다.
m/z: 704.32 (100.0%), 705.32 (58.1%), 706.33 (16.4%), 707.33 (3.0%)
화합물 13의 합성
Figure pat00110
OP2를 OP3으로 반응한 것을 제외하고는 화합물 12와 동일한 방법으로 화합물 13을 합성하였다. (수율 52%)
m/z: 744.35 (100.0%), 745.35 (61.3%), 746.36 (18.3%), 747.36 (3.6%)
화합물 14의 합성
Figure pat00111
OP2를 OP6으로 반응한 것을 제외하고는 화합물 12와 동일한 방법으로 화합물 14를 합성하였다. (수율 50%)
m/z: 780.35 (100.0%), 781.35 (64.6%), 782.36 (20.3%), 783.36 (4.2%)
화합물 15의 합성
Figure pat00112
OP2를 OP7로 반응한 것을 제외하고는 화합물 12와 동일한 방법으로 화합물 15를 합성하였다. (수율 53%)
m/z: 820.38 (100.0%), 821.39 (67.6%), 822.39 (22.5%), 823.39 (5.1%)
유기발광소자의 제조
도 1에 기재된 구조에 따라 유기발광소자를 제조하였다. 유기발광소자는 아래로부터 정공주입전극(11)/정공주입층(12)/정공수송층(13)/발광층(14)/전자전달층(15)/전자주입전극(16) 순으로 적층되어 있다.
실시예 및 비교예의 정공주입층(12), 정공전달층(13), 발광층(14), 전자전달층(15)는 아래과 같은 물질을 사용하였다.
Figure pat00113
Figure pat00114
Figure pat00115
Figure pat00116
Figure pat00117
Figure pat00118
Figure pat00119
Figure pat00120
Figure pat00121
Figure pat00122

유기발광소자의 제조
실시예 1
인듐틴옥사이드(ITO)가 1500 Å 두께가 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송 시킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정 한 후 ITO 기판 상부에 열 진공 증착기(thermal evaporator)를 이용하여 정공주입층 HT01 600 Å, 정공수송층으로 화합물 1 250 Å를 제막하였다. 다음으로 상기 발광층으로 BH01:BD01 5%로 도핑하여 300 Å 제막하였다. 다음으로 전자전달층으로 ET01 : Liq(1:1) 300 Å 제막한 후 Liq 10 Å, 알루미늄(Al) 1000 Å 제막하고, 이 소자를 글로브 박스에서 밀봉(Encapsulation)함으로써 유기발광소자를 제작하였다.
실시예 2 내지 실시예 15
실시예 1과 같은 방법으로 정공주입층 및 정공전달층을 각각 화합물 2 내지 15를 사용하여 제막한 유기발광소자를 제작하였다.
비교예 1
상기 실시예 1의 정공전달층을 NPB로 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 소자를 제작하였다.
비교예 2
상기 실시예 1의 정공전달층을 Ref.1로 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 소자를 제작하였다.
비교예 3
상기 실시예 1의 정공전달층을 Ref.2로 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 소자를 제작하였다.
비교예 4
상기 실시예 1의 정공전달층을 Ref.3으로 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 소자를 제작하였다.
유기발광소자의 성능평가
키슬리 2400 소스 메져먼트 유닛(Kiethley 2400 source measurement unit) 으로 전압을 인가하여 전자 및 정공을 주입하고 코니카 미놀타(Konica Minolta) 분광복사계(CS-2000)를 이용하여 빛이 방출될 때의 휘도를 측정함으로써, 실시예 및 비교예의 유기발광소자의 성능을 인가전압에 대한 전류 밀도 및 휘도를 대기압 조건하에 측정하여 평가하였으며, 그 결과를 표 1에 나타내었다.
Op. V mA/cm2 Cd/A lm/w CIEx CIEy LT95
(hr)
실시예1 4.10 10 6.09 5.02 0.141 0.112 34
실시예2 4.05 10 6.05 5.00 0.141 0.112 35
실시예3 4.04 10 6.25 5.25 0.142 0.111 38
실시예4 4.00 10 6.22 5.30 0.139 0.111 39
실시예5 3.89 10 6.83 5.95 0.138 0.110 47
실시예6 4.00 10 6.30 5.40 0.140 0.111 38
실시예7 3.92 10 6.80 5.90 0.140 0.110 45
실시예8 4.01 10 6.30 5.27 0.140 0.110 42
실시예9 4.02 10 6.33 5.40 0.138 0.112 41
실시예10 4.00 10 6.29 5.29 0.141 0.111 42
실시예11 4.00 10 6.35 5.35 0.142 0.111 40
실시예12 4.01 10 6.40 5.35 0.141 0.111 45
실시예13 3.88 10 6.88 5.90 0.140 0.111 48
실시예14 4.04 10 6.31 5.42 0.140 0.110 44
실시예15 3.90 10 6.82 5.85 0.140 0.110 50
비교예1 5.03 10 5.35 4.24 0.143 0.120 13
비교예2 5.12 10 5.18 4.11 0.145 0.121 7
비교예3 4.41 10 5.68 4.70 0.141 0.113 25
비교예4 4.50 10 5.59 4.62 0.142 0.114 21
상기 표 1에 나타나는 바와 같이 본 발명의 실시예 1 내지 15는 비교예 1 내지 4에 비하여 모든 면에서 물성이 우수함을 확인할 수 있었다. 이는 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물이 발광층내 전자를 효과적으로 차단할 수 있도록 높은 LUMO를 가지며, 정공주입층으로부터 정공 주입이 원활한 HOMO를 형성하고, 또한 우수한 홀 모빌리티로 인해 효율 및 수명 향상에 큰 영향을 준 것으로 파악된다.

Claims (5)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00123

    상기 화학식 1에서,
    Ar은 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C6-50의 아릴기; 또는 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C2 -50의 헤테로아릴기이고,
    R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C1-30의 알킬기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C2-30의 알케닐기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C2-30의 알키닐기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C1-30의 알콕시기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C6-30의 아릴옥시기; 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C6-50의 아릴기; 또는 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기로 치환되거나 치환되지 않은 C2-50의 헤테로아릴기이며, R1 및 R2는 서로 고리를 형성할 수 있으며,
    o는 0 내지 3의 정수이고,
    p, q는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서,
    하기 화학식들 중 어느 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    Figure pat00124
    Figure pat00125
    Figure pat00126
    Figure pat00127
    Figure pat00128
    Figure pat00129
    Figure pat00130
    Figure pat00131
    Figure pat00132
    Figure pat00133
    Figure pat00134
    Figure pat00135
    Figure pat00136
    Figure pat00137
    Figure pat00138
    Figure pat00139
    Figure pat00140
    Figure pat00141
    Figure pat00142
    Figure pat00143
    Figure pat00144
    Figure pat00145

    Figure pat00146
    Figure pat00147
    Figure pat00148
    Figure pat00149
    Figure pat00150
    Figure pat00151
    Figure pat00152
    Figure pat00153
    Figure pat00154
    Figure pat00155
    Figure pat00156
    Figure pat00157
    Figure pat00158
    Figure pat00159
    Figure pat00160
    Figure pat00161
    Figure pat00162
    Figure pat00163
    Figure pat00164
    Figure pat00165
    Figure pat00166

    Figure pat00167
    Figure pat00168
    Figure pat00169
    Figure pat00170
    Figure pat00171
    Figure pat00172
    Figure pat00173
    Figure pat00174
    Figure pat00175
    Figure pat00176
    Figure pat00177
    Figure pat00178
    Figure pat00179
    Figure pat00180
    Figure pat00181
    Figure pat00182
    Figure pat00183
    Figure pat00184
    Figure pat00185
    Figure pat00186
    Figure pat00187
    Figure pat00188
    Figure pat00189
    Figure pat00190
    Figure pat00191
    Figure pat00192
    Figure pat00193
    Figure pat00194
    Figure pat00195
    Figure pat00196
    Figure pat00197
    Figure pat00198
    Figure pat00199
    Figure pat00200
    Figure pat00201
    Figure pat00202
    Figure pat00203
    Figure pat00204
    Figure pat00205
    Figure pat00206
  3. 하기 반응식 1로 표시되는 화학식 1의 제조방법:
    [반응식 1]
    Figure pat00207

    상기 반응식에서, 목적화합물은 화학식 1로 표시되는 화합물이며, Ar, R1, R2, o, p, q는 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
  4. 애노드(anode), 캐소드(cathode) 및 두 전극 사이에 제1항 기재의 화합물을 함유하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기발광소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 유기물층이 정공주입층, 정공수송층 또는 정공수송보조층인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
KR1020150068031A 2014-05-16 2015-05-15 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 KR20150132022A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/KR2015/004921 WO2015174792A1 (ko) 2014-05-16 2015-05-15 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR1020220124623A KR102630946B1 (ko) 2014-05-16 2022-09-29 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20140059262 2014-05-16
KR1020140059262 2014-05-16

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220124623A Division KR102630946B1 (ko) 2014-05-16 2022-09-29 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150132022A true KR20150132022A (ko) 2015-11-25

Family

ID=54845686

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150068031A KR20150132022A (ko) 2014-05-16 2015-05-15 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20150132022A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021206305A1 (ko) * 2020-04-08 2021-10-14 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021206305A1 (ko) * 2020-04-08 2021-10-14 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20210125639A (ko) * 2020-04-08 2021-10-19 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102160946B1 (ko) 아크리딘 유도체를 포함하는 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102559622B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20230164634A (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20160080090A (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102169273B1 (ko) 아크리딘 유도체를 포함하는 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102585105B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20170031614A (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102402220B1 (ko) 신규한 청색 형광 호스트 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102387855B1 (ko) 신규한 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102630946B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20150058082A (ko) 신규한 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102448875B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102447718B1 (ko) 신규한 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102423699B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102394380B1 (ko) 신규한 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20140086880A (ko) 신규한 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102437956B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102429520B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20150058083A (ko) 신규한 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102390954B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102394381B1 (ko) 신규한 정공주입·정공수송 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20160045019A (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20150095208A (ko) 신규한 정공주입·정공수송 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20170052777A (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20140091496A (ko) 중수소로 치환된 신규한 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X601 Decision of rejection after re-examination
A107 Divisional application of patent