KR20150121736A - 전구체 기화기 - Google Patents

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Abstract

본 개시는 반응 챔버에 대량의 전구체(Precusor)를 안정적이고 균일하게 기화하여 공급하기 위한 전구체 기화기에 관한 것으로서, 본 개시의 일 태양에 따르면(According to one aspect of the present disclosure), 소스 물질이 수용되는 내부 공간을 갖는 용기; 상기 용기의 내부 공간에서 형성된 소스 가스가 외부로 배출되는 배기 포트; 상기 용기의 내부에 구비되며, 상기 소스 가스가 상기 배기 포트로 배출되는 경로 상에 설정된 간격을 가지며 적층 배치되는 복수의 배출 가이드 플레이트;로서, 상기 소스 가스가 상기 설정된 간격을 통과하여 배출되도록 안내하는 복수의 배출 가이드 플레이트; 및 상기 복수의 배출 가이드 플레이트를 동시에 가열하는 플레이트 히터;를 포함하는 전구체 기화기가 제공된다.

Description

전구체 기화기{VAPORIZER FOR PRECUSORS}
본 개시(Disclosure)는, 전구체 기화기에 관한 것으로서, 특히 반응 챔버에 대량의 전구체(Precusor)를 안정적이고 균일하게 기화하여 공급하기 위한 전구체 기화기에 관한 것이다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
유기발광소자를 포함하는 반도체 제조는 박막의 형성을 위한 증착 공정이 반드시 요구되는데, 그 형성하는 방법에는 통상적으로 화학 기상 증착(CVD), 저압 화학 기상 증착(LPCVD), 플라즈마 증대 화학 기상 증착(PECVD), 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD)과 같은 방법들이 있으며, 최근에는 원자층 증착(ALD), 사이클릭 화학 기상 증착(CCVD), 디지털 화학 기상 증착(DCVD), 어드번스드 화학 기상 증착(ACVD)이 소개되고 있다.
막 형성 기술들에서는 막의 재료로서 필요한 원소를 기체 상태로 기판상에 공급한다. 따라서, 기판상에 필요한 요소만을 공급하는 것이 아니라 유기금속 전구체(metalorganic precursor), 금속 할로겐화물(metalhalides) 등과 같은 반응물을 소스 가스 형태로 기판상에 공급한다.
일반적으로, 소스 가스는 액체 또는 고체 상태의 소스 물질로부터 기화되며, 캐리어 가스에 의해 공정 챔버로 공급된다. 막 형성 기술에서 주요 제어 변수는 증착 온도, 증착 압력, 소스 가스 공급 시간, 퍼지 가스 공급 시간, 소스 가스의 불순물 함 유 정도 및 농도 등이며, 최근 반도체 장치의 집적도가 증가 됨에 따라 소스 가스의 안정적인 공급 및 농도 등이 박막의 질을 결정하는 주요한 요인이 되고 있다.
소스 가스 공급 방법에는 소스 물질 내에서 캐리어 가스를 버블링시켜 소스 가스를 형성하는 방법이 있다. 도 1은 종래의 기화기를 보인 도면이다.
도 1을 참조하면, 밀폐된 용기(30) 내부에 액체 상태의 소스 물질이 수용되어 있으며, 용기(30)의 하부에 액체 소스(10)를 가열하기 위한 히터(미도시)가 배치된다.
캐리어 가스 공급관(32)은 용기(30)의 상부를 관통하여 설치되어 있고, 캐리어 가스 공급관(32)의 단부는 용기(30)에 수용된 액체 소스(10)에 잠겨 있다.
액체 소스(10)는 캐리어 가스 공급관(32)으로부터 공급된 캐리어 가스의 버블링 및 히터에 의한 온도 상승에 의해 기화된다. 그리고 용기(30) 내부에서 형성된 기체 소스(vapor source)는 운반구 가스와 함께 소스 가스 공급관(34)을 통해 공정 챔버(미도시)로 공급된다.
그러나, 기존의 버블러는 기포의 크기가 크고 불규칙하기 때문에 액체 소스의 기화 효율이 현저하게 낮고, 기화 발생이 안정적이지 못하고 불균일하다.
특히, 버블링 시 액체 소스 표면으로 기포에 의한 액체 소스의 산란 현상이 발생하여 버블링이 균일하지 못하며, 용기의 캐리어 가스 공급관(유입단)과 소스 가스 공급관(유출단)의 압력 변동이 심하면 용기 내부에서 버블링된 소스 가스의 흐름이 불균일해지는 헌팅이 발생 된다.
또한, 액상 소스가 버블링되는 과정에서 버블상태의 일부 액상 소스가 소스 가스 공급관(34) 내부로 침투하게 되고, 침투한 액상 소스는 가스 라인을 타고 반응챔버로 전달되어 액체 상태로 기판상에 분사됨으로써 박막의 품질을 크게 저하시키는 문제가 있다.
또한, 소스 가스 공급관(34) 내부로 침투한 액상 소스의 일부는, 가스 라인의 내벽에 파우더 형태로 잔존하게 된다. 이와 같이 파우더 형태의 소스 물질은 상기 용기 내부의 기화량을 감소시킬 뿐만 아니라, 반응챔버 내부로 전달되는 파티클의 원인이 되는 문제점이 있었다.
본 개시는 안정적이고 균일한 소스 가스의 공급이 가능한 전구체 기화기의 제공을 일 목적으로 한다.
본 개시는 대량의 전구체를 안정적이고 균일하게 기화하여 반응 챔버로 공급할 수 있는 전구체 기화기의 제공을 일 목적으로 한다.
본 개시는 고농도의 소스 가스 공급이 가능한 전구체 기화기의 제공을 일 목적으로 한다.
본 개시는 소스 가스(vapor source)의 미립자 크기 및 양을 제어할 수 있는 전구체 기화기의 제공을 일 목적으로 한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시의 일 태양에 따르면(According to one aspect of the present disclosure), 소스 물질이 수용되는 내부 공간을 갖는 용기; 상기 용기의 내부 공간에서 형성된 소스 가스가 외부로 배출되는 배기 포트; 상기 용기의 내부에 구비되며, 상기 소스 가스가 상기 배기 포트로 배출되는 경로 상에 설정된 간격을 가지며 적층 배치되는 복수의 배출 가이드 플레이트;로서, 상기 소스 가스가 상기 설정된 간격을 통과하여 배출되도록 안내하는 복수의 배출 가이드 플레이트; 및 상기 복수의 배출 가이드 플레이트를 동시에 가열하는 플레이트 히터;를 포함하는 전구체 기화기가 제공된다.
본 개시의 일 태양에 있어서, 상기 용기의 내부 공간으로 캐리어 가스가 주입되는 공급 포트;를 더 포함하여 구성될 수 있다.
이에 의하면, 복수의 배출 가이드 플레이트에 의해 소스 물질의 기화 시 발생 되는 액체 상태의 미스트(Mist)를 제거할 수 있게 된다. 또한 플레이트 히터에 의해 복수의 배출 가이드 플레이트의 냉각에 의해 소스 가스가 액화되는 것을 방지할 수 있게 된다.
본 개시의 일 태양에 있어서, 상기 용기는 개방된 상면을 가지며, 상기 개방된 상면을 선택적으로 차폐하는 커버;로서, 상기 배기 포트와 상기 공급 포트가 결합 되는 커버;를 가지는 것을 특징으로 한다.
본 개시의 일 태양에 있어서, 상기 복수의 배출 가이드 플레이트는 상기 커버와 평행하게 배치되며, 상기 플레이트 히터는 상기 커버와 상기 복수의 배출 가이드 플레이트를 두께방향으로 관통하여 설치되며, 상기 배출 가이드 플레이트에 접촉되어 직접 열을 가하도록 구비되는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 플레이트 히터는 상기 커버에 균일하게 분포되는 복수 개로 구비되며, 상기 플레이트 히터 중 적어도 하나는 상기 복수의 배출 가이드 플레이트의 온도를 측정하는 온도 센서를 가지는 것을 특징으로 한다.
이에 의하면, 플레이트 히터에 의해 복수의 배출 가이드 플레이트의 온도 분포를 균일하게 제어할 수 있으며, 온도 센서에 의해 복수의 배출 가이드 플레이트의 온도를 원하는 범위 내로 제어할 수 있게 된다.
본 개시의 일 태양에 있어서, 상기 복수의 배출 가이드 플레이트는, 상기 용기의 개방된 상면보다 작은 면적으로 구비되며, 서로 이웃하는 배출 가이드 플레이트는 적층 되는 방향으로 일부가 겹쳐지도록 배치되는 것을 특징으로 한다.
이와 달리, 본 개시의 일 태양에 있어서, 상기 복수의 배출 가이드 플레이트는, 각각 상기 소스 가스가 통과하는 적어도 하나의 가스 배출 홀을 가지며, 서로 이웃하는 배출 가이드 플레이트는 상기 가스 배출 홀의 위치를 달리하는 것을 특징으로 한다.
이에 의하면, 소스 가스가 배출되는 동안 복수의 배출 가이드 플레이트 사이에 형성된 간격을 통과하게 되므로, 복수의 배출 가이드 플레이트에 의해 소스 물질의 기화 시 발생 되는 액체 상태의 미스트(Mist)를 제거할 수 있게 된다.
본 개시의 일 태양에 있어서, 상기 소스 물질에 접촉되어 구비되는 망상의 표면적 확대 부재;로서, 와이어매시(Wire mesh)로 구비되는 망상의 표면적 확대 부재;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의하면, 표면적 확대 부재는 균일한 크기의 기포가 발생 되도록 필터 기능을 하고, 소스 물질이 기화될 수 있는 표면적의 증가로 소스 가스의 양이 향상되는 이점을 가지며, 서로 접촉된 소스 물질과 표면적 확대 부재 사이에 열 전도가 가능해지므로 양자의 온도 차로 인한 문제를 방지할 수 있다.
본 개시의 일 태양에 있어서, 상기 소스 물질에 접촉되어 구비되는 망상의 표면적 확대 부재;로서, 상기 표면적 확대 부재는, 복수의 원반형 다공성 부재;로서, 상기 용기의 상하방향으로 세워져 구비되며, 상기 복수의 원반형 다공성 부재의 중심을 두께 방향으로 잇는 축의 회전에 의해 일부는 상기 소스 물질에 잠기고 나머지 부분은 상기 소스 물질의 밖에 배치되는 복수의 원반형 다공성 부재;로 구비되는 것을 특징으로 한다.
이에 의하면, 복수의 원반형 다공성 부재에 의해 소스 물질이 기화될 수 있는 표면적이 증가 되므로, 소스 가스의 발생량이 향상되는 이점을 가진다.
본 개시의 일 태양에 있어서, 상기 소스 물질을 설정된 온도 범위 내로 가열하는 소스 히터;가 더 구비되는 것을 특징으로 한다.
이에 의하면, 소스 히터에 의해 소스 물질의 온도 조절이 가능해지므로, 소스 가스의 발생량을 조절할 수 있게 된다.
본 개시의 일 태양에 있어서, 상기 소스 물질은 액상의 헥사메틸다이사이레인(HMDS)으로 구비되는 것을 특징으로 한다.
본 개시의 일 태양에 따른 전구체 기화기에 의하면, 복수의 배출 가이드 플레이트에 의해 소스 물질의 기화 시 발생 되는 액체 상태의 미스트(Mist)를 제거할 수 있게 된다. 또한 플레이트 히터에 의해 복수의 배출 가이드 플레이트의 냉각에 의해 소스 가스가 액화되는 것을 방지할 수 있는 이점을 가지게 된다.
본 개시의 일 태양에 따른 전구체 기화기에 의하면, 표면적 확대 부재에 의하여 균일한 크기의 기포가 발생 되고, 소스 물질이 기화될 수 있는 표면적의 증가로 소스 가스의 양이 향상되는 이점을 가지며, 서로 접촉된 소스 물질과 표면적 확대 부재 사이에 열 전도가 가능해지므로 양자의 온도 차로 인한 문제를 방지할 수 있는 이점을 가지게 된다.
본 개시의 일 태양에 따른 전구체 기화기에 의하면, 플레이트 히터에 의해 복수의 배출 가이드 플레이트의 온도 분포를 균일하게 제어할 수 있으며, 온도 센서에 의해 복수의 배출 가이드 플레이트의 온도를 원하는 범위 내로 제어할 수 있는 이점을 가지게 된다.
도 1은 종래의 기회기를 보인 도면,
도 2는 본 개시의 일 실시형태에 따른 기화기의 단면을 모식적으로 보인 도면,
도 3은 도 2에서 배출 가이드 플레이트의 일 예를 보인 도면,
도 4는 도 4의 다른 예를 보인 도면,
도 5는 도 2의 기화기에 의한 유량 변동을 종래의 것과 비교한 선도,
도 6은 본 개시의 다른 일 실시형태에 따른 기화기의 단면을 모식적으로 보인 도면 및
도 7은 본 개시의 또 다른 일 실시형태에 따른 기화기의 단면을 모식적으로 보인 도면이다.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
다만, 이하에서 개시되는 기술적 사상의 명료한 이해를 위해 제한된 실시형태를 예로서 설명하였으나, 이에 한정되지는 아니하고, 개시되는 기술적 사상이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자가 본 개시로부터 유추할 수 있는 다양한 실시형태도 포함됨을 밝혀둔다.
또한, 본 명세서 또는 청구범위에서 사용되는 용어는 설명의 편의를 위하여 선택한 개념으로, 그 의미를 파악함에 있어서 사전적 의미에 한정되지 않고 본 개시의 기술적 사상에 부합되도록 적절히 해석되어야 할 것이다.
도 2는 본 개시의 일 실시형태에 따른 기화기의 단면을 모식적으로 보인 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 개시의 일 실시형태에 따른 전구체 기화기(100)는 용기(110), 배기 포트(120), 복수의 배출 가이드 플레이트(130) 및 플레이트 히터(140)를 포함한다.
용기(110)는 밀폐된 용기로써, 그 내부에는 기판상에 막을 형성하기 위한 소스 물질(S)이 수용된다.
본 실시형태에 있어서, 소스 물질은 액상의 헥사메틸다이사이레인(HMDS)으로 마련되는 것을 예로 하였으나, 이에 한정되지 않고 반도체 공정에 따라 선택적으로 변경될 수 있음은 물론이다.
용기(110)에는 용기(110) 내부에서 만들어진 소스 가스가 배출되고 소스 라인(123)이 연결되는 배기 포트(120)를 구비된다.
배기 포트(120)에는 작은 입자의 미립자(소스 가스)만 통과시키고, 큰 입자의 소스 가스는 응축시켜 다시 용기로 떨어지도록 하기 위하여 필터가 구비될 수 있다.
용기(110)는 개방된 상면을 가지며, 개방된 상면을 선택적으로 차폐하는 커버(113)에 의해 밀폐되도록 구비될 수 있고, 이 경우 배기 포트(120)는 커버(113)에 결합 되어 구비된다.
여기서, 배기 포트(120)를 통한 소스 가스의 배출은 용기(110)의 내부가 진공으로 구비됨으로써 이루어지게 된다.
배출 가이드 플레이트(130)는 발생 된 소스 가스가 배기 포트(120)로 배출되는 경로 상에 소스 가스가 지나가도록 용기(110) 내부의 상부에 구비되며, 복수의 판 부재로 구비된다. 일 예로서 용기(110)의 상하방향으로 설정된 간격을 가지고 적층 배치되는 복수의 판 부재로 구비된다. 복수의 판 부재는 소스 가스가 배기 포트(120)에 이를 수 있는 배출 통로를 형성하도록 배치되는 것은 물론이다.
여기서, 설정된 간격은 기화기의 설계 조건에 따라 최적화될 수 있다.
발생 된 소스 가스는 복수의 판 부재 사이에 형성된 간격과 배출 통로를 따라 이동하여 최종적으로 배기 포트(120)에 이르게 된다.
이에 의하면, 배출 가이드 플레이트(130)를 구성하는 복수의 판 부재와 소스 가스의 접촉을 통하여 소스 물질의 기화 시 발생 되는 액체 상태의 미스트(Mist)가 제거될 수 있게 된다.
한편, 미스트 제거 효과에도 불구하고, 배출 가이드 플레이트(130)의 설정된 온도 이하로 유지되는 경우 소스 가스가 응축되어 배기 포트(120)에 이르는 소스 가스의 양이 감소하게 되는 문제가 있다. 플레이트 히터(140)는 이를 방지하게 된다.
플레이트 히터(140)는 배출 가이드 플레이트(130)에 열의 가하도록 구비되는데, 복수의 판 부재에 동시에 열을 가하도록 구비된다.
일 예로서, 플레이트 히터(140)는, 커버(113)와 평행하게 용기(110)의 상하방향으로 적층 배치 복수의 판 부재로 구성되는 배출 가이드 플레이트(130)를 용기(110)의 상하방향으로 관통하여 설치되며, 복수의 판 부재에 동시에 열을 가할 수 있도록 복수의 판 부재와 접촉되도록 설치된다. 또한, 플레이트 히터(140)는 커버(113) 전체에 균일하게 분포되는 복수 개로 구비된다.
더하여, 커버(113)에 복수 개로 구비되는 플레이트 히터(140) 중 적어도 하나는 배출 가이드 플레이트의 온도를 측정하는 온도 센서(143)를 가지는 것이 바람직하다.
온도 센서(143)는 Thermocouple로 구비될 수 있다.
온도 센서(143)에 의하면, 배출 가이드 플레이트(130) 및 그것을 구성하는 복수의 판 부재 각각의 온도 분포를 균일하게 제어할 수 있으며, 배출 가이드 플레이트(130)의 온도를 원하는 범위 내로 제어할 수 있게 된다.
다음으로, 본 실시형태에 따른 전구체 기화기(100)는 망상의 표면적 확대 부재(150)가 더 구비되는 것이 바람직하다.
망상의 표면적 확대 부재(150)는 와이어 매시(Wire mesh)로 구비될 수 있다. 또한 소스 물질에 접촉되거나 일부가 소스 물질에 잠겨 구비된다.
이에 의하면, 표면적 확대 부재는 소스 물질이 기화될 수 있는 표면적의 증가로 소스 가스의 양이 향상되는 이점을 가지며, 균일한 크기의 기포 발생이 가능하게 하는 필터의 기능을 하며, 서로 접촉된 소스 물질과 표면적 확대 부재 사이에 열 전도가 가능해지므로 양자의 온도 차로 인한 문제를 방지할 수 있다.
한편, 본 실시형태에 따른 전구체 기화기(100)는, 소스 물질을 설정된 온도 범위 내로 가열하는 소스 히터(160)를 더 포함하는 것이 바람직하다.
소스 히터(160)는 소스 물질의 온도를 조절하기 위한 것으로서, 소스 물질에 잠겨져 구비되는 다수 회 절곡된 열선으로 구비될 수 있다.
이에 의하면, 소스 물질의 온도를 조절하여 기포의 발생량을 조절할 수 있고, 궁극적으로 소스 가스의 발생량을 조절할 수 있게 된다.
도 3은 도 2에서 배출 가이드 플레이트의 일 예를 보인 도면, 도 4는 도 3의 다른 예를 보인 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 실시형태에 따른 전구체 기화기(100)에 있어서, 배출 가이드 플레이트(130)를 구성하는 복수의 판 부재는, 용기(110)의 개방된 상면보다 작은 면적으로 구비되며, 서로 이웃하는 판 부재는 적층 되는 방향으로 일부가 겹쳐지도록 배치된다.
여기서, 복수의 판 부재는 용기(110)의 개방된 상면의 1/2보다 크게 구비되는 것이 바람직하다.
겹쳐지는 면적이 클수록 소스 가스가 배출되는 과정에서 배출 가이드 플레이트(130)에 접촉되는 시간이 늘어나므로 미스트 또는 파티클의 제거에 효과적이며, 배출 유량의 헌팅이 방지될 수 있다. 그러나 겹쳐지는 면적이 클수록 배출 과정의 유동 저항이 커지는 단점이 있다. 따라서 설계조건에 따른 최적화가 필요하다.
도 4를 참조하면, 본 실시형태에 따른 전구체 기화기(100)에 있어서, 배출 가이드 플레이트(130)를 구성하는 복수의 판 부재는 각각 소스 가스가 통과하는 적어도 하나의 가스 배출 홀(130a)을 가지며, 서로 이웃하는 판 부재는 가스 배출 홀(130a)의 위치를 달리하도록 배치된다.
여기서, 가스 배출 홀(130a)은 복수의 판 부재의 내부에 형성되는 것이 일반적일 것이나, 용기(110)의 내면과 복수의 판 부재의 가장자리에 의해서도 형성될 수 있음은 물론이다.
도 5는 도 2의 기화기에 의한 유량 변동을 종래의 것과 비교한 선도이다.
도 5를 참조하면, 특정의 시간 간격 동안 일정 유량의 소스 가스를 공급하는 경우, 배출 가이드 플레이트와 표면적 확대 부재가 없는 종래의 경우 공급 초기에 유량의 오버슈팅이 발생함을 확인할 수 있으며, 이는 유량제어기(MFC)의 동작오류를 일으키는 원인이 되었다.
그러나, 본 실시형태와 같이 배출 가이드 플레이트와 표면적 확대 부재를 구비하는 경우, 종전과 같은 유량의 오버슈팅은 제거됨을 확인할 수 있다.
또한 공급시간 동안 발생 되는 공급유량의 편차가 감소 되는 것을 확인할 수 있다.
도 6은 본 개시의 다른 일 실시형태에 따른 기화기의 단면을 모식적으로 보인 도면이다.
도 6을 참조하면, 본 실시형태에 따른 전구체 기화기(200)는 앞서 설명한 도 2 내지 도 4의 실시형태에 공급 포트(220)가 더 구비되는 점에서 차이가 있다.
공급 포트(220)는 용기(110)에 구비되며, 캐리어 가스의 공급 라인(223)과 연결된다.
이 경우, 공급 라인(223)은 그 말단이 소스 물질에 잠겨지도록 구비되는 것이 바람직하다.
도 7은 본 개시의 다른 일 실시형태에 따른 기화기의 단면을 모식적으로 보인 도면이다.
도 7을 참조하면, 본 실시형태에 따른 전구체 기화기(300)는 표면적 확대 부재(350)의 변형 예를 제외한 구성에 있어서 도 2 내지 도 4의 실시형태와 동일하다. 따라서 이하에서는 변형된 표면적 확대 부재에 대해서만 설명한다.
본 실시형태에 있어서, 표면적 확대 부재(350)는 복수의 원반형 다공성 부재(351)로 구비된다.
복수의 원반형 다공성 부재(351)는 용기(110)의 상하방향으로 세워져 구비되며, 용기(110)의 횡 방향으로 설정된 간격을 두고 평행하게 배치된다.
또한, 복수의 원반형 다공성 부재(351)는 일부는 상기 소스 물질에 잠기고 나머지 부분은 상기 소스 물질의 밖에 배치되도록 구비된다.
또한, 복수의 원반형 다공성 부재(351)는 각각의 중심을 두께 방향으로 잇는 축(353)을 중심으로 회전되도록 구비된다.
이에 의하면, 복수의 원반형 다공성 부재의 회전에 의해 소스 물질이 기화될 수 있는 표면적이 증가 되므로, 소스 가스의 발생량이 향상되는 이점을 가진다.
한편, 도 7에 있어서, 도 2와 같이 배기 포트(120)만 구성된 예를 도시하였으나, 도 6과 같이 공급 포트가 함께 구비될 수 있음은 물론이다.

Claims (10)

  1. 소스 물질이 수용되는 내부 공간을 갖는 용기;
    상기 용기의 내부 공간에서 형성된 소스 가스가 외부로 배출되는 배기 포트;
    상기 용기의 내부에 구비되며, 상기 소스 가스가 상기 배기 포트로 배출되는 경로 상에 설정된 간격을 가지며 적층 배치되는 복수의 배출 가이드 플레이트;로서, 상기 소스 가스가 상기 설정된 간격을 통과하여 배출되도록 안내하는 복수의 배출 가이드 플레이트; 및
    상기 복수의 배출 가이드 플레이트를 동시에 가열하는 플레이트 히터;를 포함하는 전구체 기화기.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 용기의 내부 공간으로 캐리어 가스가 주입되는 공급 포트;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전구체 기화기.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 용기는 개방된 상면을 가지며, 상기 개방된 상면을 선택적으로 차폐하는 커버;를 가지는 것을 특징으로 하는 전구체 기화기.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 복수의 배출 가이드 플레이트는 상기 커버와 평행하게 배치되며,
    상기 플레이트 히터는 상기 커버와 상기 복수의 배출 가이드 플레이트를 두께방향으로 관통하여 설치되며, 상기 배출 가이드 플레이트에 접촉되어 직접 열을 가하도록 구비되는 것을 특징으로 하는 전구체 기화기.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 플레이트 히터는 상기 커버에 균일하게 분포되는 복수 개로 구비되며,
    상기 플레이트 히터 중 적어도 하나는 상기 복수의 배출 가이드 플레이트의 온도를 측정하는 온도 센서를 가지는 것을 특징으로 하는 전구체 기화기.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 복수의 배출 가이드 플레이트는, 상기 용기의 개방된 상면보다 작은 면적으로 구비되며, 서로 이웃하는 배출 가이드 플레이트는 적층 되는 방향으로 일부가 겹쳐지도록 배치되는 것을 특징으로 하는 전구체 기화기.
  7. 청구항 4에 있어서,
    상기 복수의 배출 가이드 플레이트는, 각각 상기 소스 가스가 통과하는 적어도 하나의 가스 배출 홀을 가지며, 서로 이웃하는 배출 가이드 플레이트는 상기 가스 배출 홀의 위치를 달리하는 것을 특징으로 하는 전구체 기화기.
  8. 청구항 4에 있어서,
    상기 소스 물질에 접촉되어 구비되는 망상의 표면적 확대 부재;로서, 와이어매시(Wire mesh)로 구비되는 망상의 표면적 확대 부재;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전구체 기화기.
  9. 청구항 4에 있어서,
    상기 소스 물질에 접촉되어 구비되는 망상의 표면적 확대 부재;로서,
    상기 표면적 확대 부재는, 복수의 원반형 다공성 부재;로서, 상기 용기의 상하방향으로 세워져 구비되며, 상기 복수의 원반형 다공성 부재의 중심을 두께 방향으로 잇는 축의 회전에 의해 일부는 상기 소스 물질에 잠기고 나머지 부분은 상기 소스 물질의 밖에 배치되는 복수의 원반형 다공성 부재;로 구비되는 것을 특징으로 하는 전구체 기화기.
  10. 청구항 3에 있어서,
    상기 소스 물질을 설정된 온도 범위 내로 가열하는 소스 히터;가 더 구비되며,
    상기 소스 물질은 액상의 헥사메틸다이사이레인(HMDS)으로 구비되는 것을 특징으로 하는 전구체 기화기.










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