KR20150117856A - A light emitting device package - Google Patents

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KR20150117856A
KR20150117856A KR1020140043494A KR20140043494A KR20150117856A KR 20150117856 A KR20150117856 A KR 20150117856A KR 1020140043494 A KR1020140043494 A KR 1020140043494A KR 20140043494 A KR20140043494 A KR 20140043494A KR 20150117856 A KR20150117856 A KR 20150117856A
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문영민
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

The embodiment of the present invention relates to a light emitting device package which includes a substrate; a light emitting device which is arranged on the substrate; a wavelength conversion layer which is arranged on the upper side of the light emitting device, and converts the wavelength of light emitted from the light emitting device; and a barrier layer which is arranged on the lateral sides of the light emitting device and the wavelength conversion layer, and blocks the light emitted from the light emitting device. The barrier layer is formed by mixing silicon with an addictive, or is made of white silicon. The addictive includes at least one of TiO_2, SiO_2, and Al_2O_3.

Description

발광 소자 패키지{A LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}[0001] A LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE [0002]

실시 예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package.

반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)나 레이저 다이오드(Laser Diode:LD)와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하다.BACKGROUND ART Light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LD) using semiconducting Group 3-5 or Group 2-6 compound semiconductor materials have been developed with thin film growth technology and device materials, Green, blue, and ultraviolet rays. By using fluorescent materials or combining colors, it is possible to realize a white light beam having high efficiency.

또한 백열 전구, 형광등, 네온등과 비교할 때, LED는 전력 소비가 적고, 높은 색온도로 인하여 시인성이 우수하고 눈부심이 적은 장점이 있다. LED가 사용되는 램프는 그 용도에 따라 백라이트(backlight), 표시 장치, 조명등, 차량용 표시등, 또는 해드 램프(head lamp) 등에 사용될 수 있다.Compared with incandescent bulbs, fluorescent lamps, and neon lights, LEDs have low power consumption, high color temperature, and excellent visibility and less glare. The lamp in which the LED is used can be used for a backlight, a display device, a lighting lamp, a vehicle display lamp, a head lamp or the like depending on its use.

실시 예는 색 순도를 개선할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of improving color purity.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 발광 소자; 상기 발광 소자의 상부면 상에 배치되고, 상기 발광 소자로부터 조사되는 빛의 파장을 변환하는 파장 변환층; 및 상기 발광 소자의 측면과 상기 파장 변환층의 측면 상에 배치되고, 상기 발광 소자로부터 조사되는 빛을 차단하는 배리어층을 포함하며, 상기 배리어층은 실리콘 및 첨가제가 혼합된 형태이거나, 또는 화이트 실리콘으로 이루어지고, 상기 첨가제는 TiO2, SiO2, Al2O3 중 적어도 하나를 포함한다.A light emitting device package according to an embodiment includes a substrate; A light emitting element disposed on the substrate; A wavelength conversion layer disposed on an upper surface of the light emitting device and converting a wavelength of light emitted from the light emitting device; And a barrier layer disposed on a side surface of the light emitting device and on a side surface of the wavelength conversion layer and shielding light emitted from the light emitting device, wherein the barrier layer is a mixture of silicon and an additive, And the additive includes at least one of TiO 2 , SiO 2 , and Al 2 O 3 .

상기 배리어층의 광투과율은 10% 이하일 수 있다.The light transmittance of the barrier layer may be 10% or less.

상기 배리어층의 점도는 3000cps ~ 8000cps일 수 있다.The viscosity of the barrier layer may range from 3000 cps to 8000 cps.

상기 배리어층은 380nm ~ 490nm의 파장을 갖는 빛을 차단할 수 있다.The barrier layer may block light having a wavelength of 380 nm to 490 nm.

상기 배리어층은 상기 발광 소자에 인접하는 상기 기판의 상부면과 접하고, 상기 발광 소자의 측면 전체와 상기 파장 변환층의 측면 전체를 밀봉할 수 있다.The barrier layer may be in contact with the upper surface of the substrate adjacent to the light emitting device and may seal the entire side surface of the light emitting device and the entire side surface of the wavelength conversion layer.

상기 발광 소자 패키지는 상기 기판 상에 배치되고, 상기 파장 변환층과 상기 배리어층을 밀봉하며, 상기 발광 소자로부터 조사되는 빛을 굴절시키는 렌즈를 더 포함할 수 있다.The light emitting device package may further include a lens disposed on the substrate, sealing the wavelength conversion layer and the barrier layer, and refracting light emitted from the light emitting device.

상기 배리어층의 두께는 상기 파장 변환층의 두께 대비 50% 이상일 수 있다.The thickness of the barrier layer may be 50% or more of the thickness of the wavelength conversion layer.

실시 예는 색 순도를 개선할 수 있다.Embodiments can improve color purity.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 3은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지가 발생하는 빛의 파장을 나타낸다.
도 4는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 색 좌표를 나타낸다.
도 5는 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 색 좌표를 나타낸다.
도 6은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 나타낸다.
도 7은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 8은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프를 나타낸다1 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view along the AB direction of the light emitting device package shown in Fig.
FIG. 3 shows the wavelength of light generated by the light emitting device package according to the embodiment.
4 shows color coordinates of the light emitting device package according to the embodiment.
5 shows color coordinates of a light emitting device package according to another embodiment.
6 shows a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment.
7 shows a display device including a light emitting device package according to an embodiment.
8 shows a head lamp including the light emitting device package according to the embodiment

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" a substrate, each layer It is to be understood that the terms " on "and " under" include both " directly "or" indirectly " do. In addition, the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.In the drawings, dimensions are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of illustration. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size. The same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)의 평면도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100)의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.FIG. 1 is a plan view of a light emitting device package 100 according to an embodiment. FIG. 2 is a sectional view of the light emitting device package 100 taken along line AB in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 소자 패키지(100)는 기판(110), 제1 및 제2 리드 프레임들(예컨대, 121,122), 발광 소자(130), 제너 다이오드(135), 파장 변환층(140), 배리어층(barrier layer, 150), 렌즈(160), 방열 전극(180), 및 비아(via, 191, 192)를 포함한다1 and 2, a light emitting device package 100 includes a substrate 110, first and second lead frames 121 and 122, a light emitting device 130, a zener diode 135, A barrier layer 150, a lens 160, a radiation electrode 180, and vias 191 and 192

기판(110)은 실리콘 기판, 실리콘 카바이드(SiC), 질화알루미늄(aluminum nitride, AlN), 또는 세라믹 기판(예컨대, Al2O3) 등과 같이 절연성 또는 열전도도가 좋은 기판일 수 있다. 또한 기판(110)은 반사도가 높은 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 또한 기판(110)은 단층 구조 또는 복수 개의 층들이 적층되는 구조일 수 있다.The substrate 110 may be insulating or thermal conductivity are good substrates, such as silicon substrate, silicon carbide (SiC), aluminum nitride (aluminum nitride, AlN), or a ceramic substrate (e.g., Al 2 O 3). The substrate 110 may be formed of a resin material such as polyphthalamide (PPA) having high reflectivity. The substrate 110 may be a single-layer structure or a structure in which a plurality of layers are stacked.

제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(122)은 기판(110) 상에 서로 전기적으로 분리되도록 이격하여 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(122)은 기판(110)의 상부면 상에 서로 이격하여 배치될 수 있다.The first lead frame 121 and the second lead frame 122 may be spaced apart from each other on the substrate 110 so as to be electrically separated from each other. For example, the first lead frame 121 and the second lead frame 122 may be spaced apart from each other on the upper surface of the substrate 110.

제1 리드 프레임(121)과 제2 리드 프레임(122)은 발광 소자(130)에서 방출된 빛을 반사시킬 수 있다.The first lead frame 121 and the second lead frame 122 may reflect the light emitted from the light emitting device 130.

예컨대, 제1 및 제2 리드 프레임들(121,122)은 도전성 물질, 예컨대, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 하나, 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층 구조일 수 있다.For example, the first and second lead frames 121 and 122 may be formed of a conductive material such as titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum And may be formed of one of platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), or an alloy thereof and may be a single layer or a multilayer structure.

발광 소자(130)는 제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 발광 소자(130)는 제1 및 제2 리드 프레임들(121,122) 중 적어도 하나의 상부에 배치될 수 있다. 예컨대, 발광 소자(130)는 발광 다이오드(light emitting diode)일 수 있으며, 380nm ~ 490nm의 파장을 갖는 광(예컨대, 청색광)을 발생할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The light emitting device 130 may be electrically connected to the first lead frame 121 and the second lead frame 122. For example, the light emitting device 130 may be disposed on at least one of the first and second lead frames 121 and 122. For example, the light emitting device 130 may be a light emitting diode, and may generate light (e.g., blue light) having a wavelength of 380 nm to 490 nm, but is not limited thereto.

발광 소자(130)는 접착제(예컨대, Ag paste, silicone)를 이용하여 기판에 칩을 부착시키는 페이스트 본딩(paste bonding), 칩 패드에 금속(예컨대, Au/Sn)을 형성하고 금속(예컨대, Au/Sn)을 고온으로 기판에 부착하는 유테틱 본딩(eutetic bonding), 및 솔더(solder)를 이용하여 칩 패드(chip pad)와 기판의 패드를 직접 연결하는 플립 칩 본딩(flip chip bonding)을 포함하는 다이 본딩(die bonding)에 의하여 제1 및 제2 리드 프레임들(121,122) 중 적어도 하나와 본딩될 수 있다.The light emitting device 130 may be formed by paste bonding that attaches a chip to a substrate using an adhesive (e.g., Ag paste or silicone), a metal (e.g., Au / Sn) Eutectic bonding for attaching the substrate to the substrate at a high temperature and flip chip bonding for directly connecting the chip pad to the substrate pad using a solder 122 may be bonded to at least one of the first and second lead frames 121, 122 by die bonding.

제너 다이오드(135)는 발광 소자(130)에 정전압을 제공하기 위하여 제1 및 제2 리드 프레임(121,122) 중 어느 하나에 배치된다. 예컨대, 제너 다이오드(135)는 제1 리드 프레임(121)의 상부면 상에 배치될 수 있다.The Zener diode 135 is disposed on either the first or second lead frame 121 or 122 to provide a constant voltage to the light emitting device 130. For example, the zener diode 135 may be disposed on the upper surface of the first lead frame 121.

파장 변환층(140)은 발광 소자(130) 상에 배치되며, 발광 소자(130)로부터 발생하는 빛의 파장을 변환시킨다. 예컨대, 파장 변환층(140)은 발광 소자(130)의 상부면 상에 배치될 수 있다.The wavelength conversion layer 140 is disposed on the light emitting device 130 and converts the wavelength of light generated from the light emitting device 130. For example, the wavelength conversion layer 140 may be disposed on the upper surface of the light emitting device 130. [

파장 변환층(140)은 형광체(phosphor)와 수지(resin)이 혼합된 형태일 수 있다. 파장 변환층(140)의 수지는 경도가 높고, 신뢰성이 좋은 투명성의 열경화성 수지, 예컨대, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 글래스(glass), 글래스 세라믹(glass ceramic), 폴리에스테르 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 나일론 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 염화비닐 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에틸렌 수지, 테프론 수지, 폴리스틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리올레핀 수지 등일 수 있다.The wavelength conversion layer 140 may be a mixture of a phosphor and a resin. The resin of the wavelength conversion layer 140 is preferably a thermosetting resin having high hardness and high transparency such as a silicone resin, an epoxy resin, a glass, a glass ceramic, a polyester resin, an acrylic resin, a urethane resin , Nylon resin, polyamide resin, polyimide resin, vinyl chloride resin, polycarbonate resin, polyethylene resin, Teflon resin, polystyrene resin, polypropylene resin, polyolefin resin and the like.

파장 변환층(140)의 형광체는 종류가 하나 이상일 수 있으며, 실리케이트(silicate)계 형광체, YAG계 형광체 또는 나이트라이드(Nitride)계 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The phosphor of the wavelength conversion layer 140 may be at least one kind of phosphor, and may include at least one of a silicate-based phosphor, a YAG-based phosphor, and a nitride-based phosphor.

예컨대, 파장 변환층(140)의 형광체는 황색 형광체(amber phosphor)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 청색 형광체, 녹색 형광체, 적색 형광체, 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.For example, the phosphor of the wavelength conversion layer 140 may be an amber phosphor, but is not limited thereto. The phosphor may include at least one of a blue phosphor, a green phosphor, a red phosphor, and a yellow phosphor.

파장 변환층(140)은 코팅(coating),예컨대, 컨포멀 코팅(conformal coating) 또는 디스펜싱(dispensing) 등의 방법을 통하여 발광 소자(130)의 상부면 상에 형성될 수 있다.The wavelength conversion layer 140 may be formed on the upper surface of the light emitting device 130 by a method such as coating, for example, conformal coating or dispensing.

배리어층(150)은 발광 소자(130)의 측면과 파장 변환층(140)의 측면 상에 배치되며, 발광 소자(130)로부터 발생하는 빛을 차단하거나, 발광 소자(130)의 측면 방향으로 빠져나가는 것을 방해할 수 있다.The barrier layer 150 is disposed on the side surface of the light emitting device 130 and on the side surface of the wavelength conversion layer 140 so as to block light generated from the light emitting device 130, It can interfere with going out.

예컨대, 배리어층(150)은 발광 소자(130)에 인접하는 제1 및 제2 리드 프레임들(121,122)의 상부면, 및 기판(110)의 상부면에 접할 수 있고, 발광 소자(130)의 측면과 파장 변환층(140)의 측면을 덮거나, 밀봉할 수 있다.The barrier layer 150 may be in contact with the upper surface of the first and second lead frames 121 and 122 adjacent to the light emitting element 130 and the upper surface of the substrate 110, Side surfaces of the wavelength conversion layer 140 can be covered or sealed.

예컨대, 배리어층(150)은 발광 소자(130)의 측면 전부와 파장 변환층(140)의 측면 전부를 밀봉하거나 덮을 수 있다.For example, the barrier layer 150 may seal or cover all of the side surfaces of the light emitting device 130 and the side surfaces of the wavelength conversion layer 140.

배리어층(150)은 발광 소자(130)로부터 발생하는 빛 중에서 특정 파장의 빛을 차단하거나, 또는 발광 소자(130)의 측면 방향으로 방출되는 것을 방해할 수 있다.The barrier layer 150 may prevent light of a specific wavelength from being emitted from the light emitting device 130 or may be prevented from being emitted in a lateral direction of the light emitting device 130.

예컨대, 배리어층(150)은 380nm ~ 490nm의 파장을 갖는 빛을 차단할 수 있다.For example, the barrier layer 150 may block light having a wavelength of 380 nm to 490 nm.

배리어층(150)은 실리콘(silicon)과 첨가제의 혼합물, 또는 화이트 실리콘(white silicon)로 이루어질 수 있다. 여기서 첨가제는 TiO2, SiO2, Al2O3 중 적어도 하나일 수 있다.The barrier layer 150 may be a mixture of silicon and an additive, or white silicon. Wherein the additive may be at least one of TiO 2 , SiO 2 , and Al 2 O 3 .

배리어층(150)의 광 투과율은 10% 이하일 수 있다. 광 투과율이 10%를 초과할 경우에는 특정 파장(예컨대, 380nm ~ 490nm)을 갖는 광(예컨대, 청색광)의 차단 효과가 감소하기 때문이다.The light transmittance of the barrier layer 150 may be 10% or less. When the light transmittance exceeds 10%, the blocking effect of light having a specific wavelength (for example, 380 nm to 490 nm) (for example, blue light) decreases.

배리어층(150)의 점도는 3000cps ~ 8000cps일 수 있다. 여기서 cps는 점도(viscosity)의 단위일 수 있다.The viscosity of the barrier layer 150 may be 3000 cps to 8000 cps. Where cps can be a unit of viscosity.

배리어층(150)의 점도가 3000cps 미만일 경우에는 배리어층(150)이 발광 소자(130)의 측면 전부와 파장 변환층(140)의 측면으로부터 흘러내려 무너질 수 있다. 또한 배리어층(150)의 점도가 8000cps 초과일 경우에는 직소성이 강하여 균일한 도포가 어려울 수 있다.When the viscosity of the barrier layer 150 is less than 3000 cps, the barrier layer 150 may flow down from the side surface of the light emitting device 130 and the side surface of the wavelength conversion layer 140. Also, when the viscosity of the barrier layer 150 is more than 8000 cps, the uniformity of coating may be difficult due to the high degree of jam.

예컨대, 배리어층(150)의 외주면은 하단(예컨대, 리드 프레임들(121,122)과 접촉하는 배리어층(150)의 하면)으로부터 상단(예컨대, 파장 변환층(140)과 인접하는 배리어층(150)의 상단)으로 갈수록 직경(R)이 증가하는 곡면일 수 있다.For example, the outer circumferential surface of the barrier layer 150 may extend from the bottom (e.g., the lower surface of the barrier layer 150 in contact with the lead frames 121 and 122) to the top (e.g., the barrier layer 150 adjacent to the wavelength conversion layer 140) And the radius R increases toward the upper end of the second end portion

여기서 직경(R)은 발광 소자(130)의 측면 및 파장 변환층(140)의 측면으로부터 배리어층(150)의 외주면까지의 거리일 수 있다. 그러나 배리어층(150)의 형상은 이에 한정되는 것은 아니며, 발광 소자(130)의 측면 및 파장 변환층(140)의 측면을 밀봉하는 다양한 형상으로 구현 가능한다.The diameter R may be a distance from the side surface of the light emitting device 130 and the side surface of the wavelength conversion layer 140 to the outer peripheral surface of the barrier layer 150. However, the shape of the barrier layer 150 is not limited to this, and may be variously shaped to seal the side surface of the light emitting device 130 and the side surface of the wavelength conversion layer 140.

도 3은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지가 발생하는 빛의 파장을 나타낸다.FIG. 3 shows the wavelength of light generated by the light emitting device package according to the embodiment.

f1은 도 3의 배리어층(150)이 생략된 발광 소자 패키지로부터 조사되는 빛의 파장을 나타내고, f2는 TiO2 첨가제를 포함하는 배리어층(150)을 포함하는 발광 소자 패키지(100)로부터 조사되는 빛의 파장을 나타낸다. f1 denotes a wavelength of light emitted from the light emitting device is omitted, the barrier layer 150 of Figure 3, f2 is emitted from the light emitting device package 100 that includes a barrier layer 150 including the TiO 2 additive Represents the wavelength of light.

도 3을 참조하면, f1의 경우 발광 소자(130)의 측면으로 빛이 빠져나가는 현상(빛샘 현상) 때문에, 420nm ~ 490nm의 파장을 갖는 빛(예컨대, blue peak)이 존재하는 것을 알 수 있다. 이러한 블루 피크(blue peak)의 존재는 발광 소자 패키지의 색 순도를 저하시킬 수 있다.Referring to FIG. 3, it can be seen that a light having a wavelength of 420 nm to 490 nm (for example, a blue peak) exists due to a phenomenon (light leakage phenomenon) in which light escapes to the side of the light emitting device 130 in the case of f1. The presence of such a blue peak may lower the color purity of the light emitting device package.

반면에, f2의 경우 배리어층(150)에 의하여 발광 소자(130)의 측면 방향으로 조사되는 빛이 차단되기 때문에, 실시 예는 빛샘 현상을 방지할 수 있다.On the other hand, in the case of f2, the light emitted in the lateral direction of the light emitting device 130 is blocked by the barrier layer 150, so that the embodiment can prevent the light leakage phenomenon.

도 4는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 색 좌표를 나타낸다.4 shows color coordinates of the light emitting device package according to the embodiment.

401은 배리어층(150)이 생략된 발광 소자 패키지의 색 좌표를 나타내고, 402는 TiO2 첨가제를 포함하는 배리어층(150)을 포함하는 발광 소자 패키지의 색 좌표를 나타낸다.401 indicates the color coordinates of the light emitting device package in which the barrier layer 150 is omitted, and 402 indicates the color coordinates of the light emitting device package including the barrier layer 150 including the TiO 2 additive.

도 4를 참조하면, 배리어층(150)이 생략된 경우(401)와 비교할 때, 배리어층(150)에 의하여 실시 예는 색 좌표를 변경할 수 있다.Referring to FIG. 4, an embodiment may change color coordinates by the barrier layer 150, as compared to the case where the barrier layer 150 is omitted (401).

도 5는 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 색 좌표를 나타낸다.5 shows color coordinates of a light emitting device package according to another embodiment.

도 5의 실시 예는 화이트 실리콘으로 이루어지는 배리어층(150)을 포함하며, 배리어층(150)의 두께를 변경함에 따라 얻은 색 좌표를 나타낸다.The embodiment of FIG. 5 includes the barrier layer 150 made of white silicon and shows the color coordinates obtained by changing the thickness of the barrier layer 150.

case 1은 화이트 실리콘으로 이루어지는 배리어층(150)을 포함하는 발광 소자 패키지의 색 좌표들을 나타내고, case2는 배리어층(150)이 생략된 발광 소자 패키지의 색 좌표들을 나타낸다.Case 1 shows the color coordinates of the light emitting device package including the barrier layer 150 made of white silicon and case 2 shows the color coordinates of the light emitting device package in which the barrier layer 150 is omitted.

도 5를 참조하면, case 1의 색 좌표(Cx1, Cy1)는 (0.546, 0.398) ~ (0.554, 0.406)인 반면에, case 2의 색 좌표(Cx2,Cy2)는 (0.566, 0.414) ~ (0.575, 0.420)인 것을 알 수 있다.5, the color coordinates (Cx1, Cy1) of case 1 are (0.546, 0.398) to (0.554, 0.406) 0.575, 0.420).

case 1의 색 좌표(Cx1, Cy1)는 사용자(예컨대, 미국 자동차 협회(SAE))가 요구하는 색 좌표의 범위(405) 밖에 존재하는 것을 알 수 있다.it can be seen that the color coordinates (Cx1, Cy1) of the case 1 exist outside the range (405) of the color coordinate required by the user (for example, the American Automobile Association (SAE)).

반면에 실시 예는 배리어층(150)의 의하여 색 좌표를 사용자(예컨대, 미국 자동차 협회(SAE))가 요구하는 색 좌표의 범위(405) 내로 이동하도록 색 순도를 개선할 수 있다.The embodiment can improve the color purity to move the color coordinates by the barrier layer 150 into the range of color coordinates 405 required by the user (e.g., the American Automobile Association (SAE)).

도 5에서 "501"은 파장 변환층(150)의 두께 대비 배리어층(150)의 두께가 50% 미만일 경우의 색 좌표들을 나타내고, "502"는 파장 변환층(150)의 두께 대비 배리어층(150)의 두께가 50% 미만일 경우의 색 좌표들을 나타낸다.5, reference numeral 501 denotes color coordinates when the thickness of the barrier layer 150 is less than 50% of the thickness of the wavelength conversion layer 150 and reference numeral 502 denotes a barrier layer (thickness) of the wavelength conversion layer 150 150) is less than 50%.

case 1의 "501" 및 "502"모두 사용자(예컨대, 미국 자동차 협회(SAE))가 요구하는 색 좌표의 범위(405) 내에 존재하지만, "501"은 사용자(예컨대, 미국 자동차 협회(SAE))가 요구하는 색 좌표의 범위(405)의 경계선에 매우 인접하여 위치함을 알 수 있다. 따라서 사용자(예컨대, 미국 자동차 협회(SAE))가 요구하는 색 좌표의 범위(405) 내의 색 좌표를 안정적으로 확보하기 위하여 실시 예에 따른 배리어층(150)의 두께는 파장 변환층(150)의 두께 대비 50% 이상일 수 있다.501 " and "502" in case 1 all fall within the range of color coordinates 405 required by the user (e.g., the American Automobile Association (SAE) Is located very close to the boundary line of the color coordinate range 405 required by the color coordinate system. Therefore, in order to stably secure the color coordinates within the color coordinate range 405 required by the user (for example, the American Automobile Association (SAE)), the thickness of the barrier layer 150 according to the embodiment is set to be It can be more than 50% of the thickness.

렌즈(160)는 기판(110) 상에 배치되며, 파장 변환층(140)과 배리어층(150)을 밀봉할 수 있으며, 발광 소자(130)로부터 조사되는 빛을 굴절시킬 수 있다.The lens 160 is disposed on the substrate 110 and is capable of sealing the wavelength conversion layer 140 and the barrier layer 150 and refracting light emitted from the light emitting device 130.

예컨대, 렌즈(160)는 파장 변환층(140)에 의해서 파장이 변환된 빛을 굴절시키고, 빛의 경로를 변경시킬 수 있다.For example, the lens 160 can refract the wavelength-converted light by the wavelength conversion layer 140 and change the path of the light.

렌즈(160)는 반구 형상 또는 돔 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The lens 160 may be hemispherical or dome-shaped, but is not limited thereto.

렌즈(160)는 발광 소자(130)에 의하여 발생하는 열에 내성이 강한 실리콘, 예컨대, 벤젠 고리를 갖는 실리콘으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이는 렌즈(160)가 발광 소자(140)의 열에 의하여 형상이 변형되거나 손상될 경우 원하는 광출사각을 얻지 못할 수 있기 때문이다. The lens 160 may be made of silicon having a high resistance to heat generated by the light emitting device 130, for example, silicon having a benzene ring, but is not limited thereto. This is because if the lens 160 is deformed or damaged by the heat of the light emitting element 140, a desired light output angle may not be obtained.

렌즈(160)의 하면은 기판(110)의 상부면, 제1 및 제2 리드 프레임들(121,122)의 상부면, 배리어층(150)의 외주면, 및 파장 변환층(140)의 상부면과 접할 수 있다.The lower surface of the lens 160 is in contact with the upper surface of the substrate 110, the upper surface of the first and second lead frames 121 and 122, the outer surface of the barrier layer 150, and the upper surface of the wavelength conversion layer 140 .

방열 전극(180)은 기판(110)의 뒷면에는 배치될 수 있다.The heat radiating electrode 180 may be disposed on the back surface of the substrate 110.

방열 전극(180)은 열전도성이 우수한 물질로 이루어질 수 있고, 발광 소자 패키지(100)로부터 발생하는 열을 방출시키는 경로 역할을 할 수 있다.The heat radiating electrode 180 may be made of a material having a high thermal conductivity and may serve as a path for emitting heat generated from the light emitting device package 100.

방열 전극(180)의 수는 복수 개일 수 있고, 복수의 방열 전극들(예컨대, 182, 184)은 기판(110)의 뒷면에 서로 이격하여 배치될 수 있다.The number of the heat dissipating electrodes 180 may be a plurality and the plurality of heat dissipating electrodes 182 and 184 may be spaced apart from each other on the back surface of the substrate 110.

비아(191, 192)는 기판(110)을 관통하여 제1 및 제2 리드 프레임들(121, 122)과 방열 전극(182, 184)을 연결할 수 있다. 예컨대, 비아(191, 192)는 기판(110)에 마련되는 비아 홀 내에 도전 물질이 채워진 관통 전극일 수 있다.The vias 191 and 192 may connect the first and second lead frames 121 and 122 and the heat dissipating electrodes 182 and 184 through the substrate 110. [ For example, the vias 191 and 192 may be penetrating electrodes filled with a conductive material in via holes provided in the substrate 110.

예컨대, 제1 비아(191)는 기판(110)을 관통하여 제1 리드 프레임(121)과 제1 방열 전극(182)을 연결할 수 있고, 제2 비아(192)는 제2 리드 프레임(122)과 제2 방열 전극(184)을 연결할 수 있다.For example, the first via 191 may connect the first lead frame 121 and the first heat radiating electrode 182 through the substrate 110, the second via 192 may connect the second lead frame 122, And the second radiation electrode 184 can be connected to each other.

이때 제1 및 제2 리드 프레임들(121,122)은 기판(110)의 상부에 위치하는 상부 전극으로 작용할 수 있고, 제1 및 제2 방열 전극들(182, 184)은 기판(110)의 하부에 위치하는 하부 전극으로 작용할 수 있고, 비아들(191,192)은 양자를 서로 전기적으로 연결할 수 있다. 다른 실시 예에서는 기판(110)을 관통하지 않고, 기판(110)의 외주면 상에 배치되는 연결 전극들(미도시)을 통하여 제1 및 제2 리드 프레임들(121,122)과 방열 전극들(182,184)을 서로 연결할 수 있다.The first and second lead frames 121 and 122 may serve as upper electrodes located on the upper side of the substrate 110 and the first and second radiation electrodes 182 and 184 may be formed on the lower side of the substrate 110 And the vias 191, 192 can electrically connect the two to each other. In another embodiment, the first and second lead frames 121 and 122 and the heat dissipation electrodes 182 and 184 are electrically connected to each other through connection electrodes (not shown) disposed on the outer circumferential surface of the substrate 110, Can be connected to each other.

도 6은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 나타낸다.6 shows a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment.

도 6을 참조하면, 조명 장치는 커버(1100), 광원 모듈(1200), 방열체(1400), 전원 제공부(1600), 내부 케이스(1700), 및 소켓(1800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(1300)와 홀더(1500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다.6, the illumination device may include a cover 1100, a light source module 1200, a heat discharger 1400, a power supply unit 1600, an inner case 1700, and a socket 1800. In addition, the illumination device according to the embodiment may further include at least one of the member 1300 and the holder 1500.

커버(1100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상일 수 있으며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상일 수 있다. 커버(1100)는 광원 모듈(1200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 커버(1100)는 광원 모듈(1200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기시킬 수 있다. 커버(1100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 커버(1100)는 방열체(1400)와 결합될 수 있다. 커버(1100)는 방열체(1400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.The cover 1100 may be in the form of a bulb or a hemisphere, and may be hollow in shape and partially open. The cover 1100 may be optically coupled to the light source module 1200. For example, the cover 1100 may diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 1200. The cover 1100 may be a kind of optical member. The cover 1100 can be coupled to the heat discharging body 1400. The cover 1100 may have an engaging portion that engages with the heat discharging body 1400.

커버(1100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 커버(1100)의 내면의 표면 거칠기는 커버(1100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 광원 모듈(1200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.The inner surface of the cover 1100 may be coated with a milky white paint. Milky white paints may contain a diffusing agent to diffuse light. The surface roughness of the inner surface of the cover 1100 may be formed larger than the surface roughness of the outer surface of the cover 1100. [ This is because light from the light source module 1200 is sufficiently scattered and diffused to be emitted to the outside.

커버(1100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 커버(1100)는 외부에서 광원 모듈(1200)이 보이도록 투명할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고 불투명할 수 있다. 커버(1100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The cover 1100 may be made of glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance and strength. The cover 1100 may be transparent so that the light source module 1200 is visible from the outside, but it is not limited thereto and may be opaque. The cover 1100 may be formed by blow molding.

광원 모듈(1200)은 방열체(1400)의 일 면에 배치될 수 있으며, 광원 모듈(1200)로부터 발생한 열은 방열체(1400)로 전도될 수 있다. 광원 모듈(1200)은 광원부(1210), 연결 플레이트(1230), 및 커넥터(1250)를 포함할 수 있다.The light source module 1200 may be disposed on one side of the heat discharger 1400 and the heat generated from the light source module 1200 may be conducted to the heat discharger 1400. The light source module 1200 may include a light source 1210, a connection plate 1230, and a connector 1250.

광원부(1210)는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)를 포함할 수 있다.The light source unit 1210 may include the light emitting device package 100 according to the embodiment.

부재(1300)는 방열체(1400)의 상면 위에 배치될 수 있고, 복수의 광원부(1210)들과 커넥터(1250)가 삽입되는 가이드홈(1310)을 갖는다. 가이드홈(1310)은 광원부(1210)의 기판 및 커넥터(1250)와 대응 또는 정렬될 수 있다.The member 1300 may be disposed on the upper surface of the heat discharging body 1400 and has a guide groove 1310 into which the plurality of light source portions 1210 and the connector 1250 are inserted. The guide groove 1310 may correspond to or align with the substrate and connector 1250 of the light source 1210.

부재(1300)의 표면은 광 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다.The surface of the member 1300 may be coated or coated with a light reflecting material.

예를 들면, 부재(1300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 부재(1300)는 커버(1100)의 내면에 반사되어 광원 모듈(1200)을 향하여 되돌아오는 빛을 다시 커버(1100) 방향으로 반사할 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.For example, the surface of the member 1300 may be coated or coated with a white paint. The member 1300 may be reflected by the inner surface of the cover 1100 and may reflect the light returning toward the light source module 1200 toward the cover 1100 again. Therefore, the light efficiency of the illumination device according to the embodiment can be improved.

부재(1300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 광원 모듈(1200)의 연결 플레이트(1230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 방열체(1400)와 연결 플레이트(1230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 부재(1300)는 절연 물질로 구성되어 연결 플레이트(1230)와 방열체(1400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 방열체(1400)는 광원 모듈(1200)로부터의 열과 전원 제공부(1600)로부터의 열을 전달받아 방열할 수 있다.The member 1300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 1230 of the light source module 1200 may include an electrically conductive material. Therefore, electrical contact can be made between the heat discharging body 1400 and the connecting plate 1230. The member 1300 may be formed of an insulating material so as to prevent an electrical short circuit between the connection plate 1230 and the heat discharger 1400. The heat dissipation member 1400 can dissipate heat by receiving heat from the light source module 1200 and heat from the power supply unit 1600.

홀더(1500)는 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)의 수납홈(1719)을 막는다. 따라서, 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)에 수납되는 전원 제공부(1600)는 밀폐될 수 있다. 홀더(1500)는 가이드 돌출부(1510)를 가질 수 있으며, 가이드 돌출부(1510)는 전원 제공부(1600)의 돌출부(1610)가 관통하는 홀을 가질 수 있다.The holder 1500 closes the receiving groove 1719 of the insulating portion 1710 of the inner case 1700. Therefore, the power supply unit 1600 housed in the insulating portion 1710 of the inner case 1700 can be hermetically sealed. The holder 1500 may have a guide protrusion 1510 and the guide protrusion 1510 may have a hole through which the protrusion 1610 of the power supply unit 1600 penetrates.

전원 제공부(1600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈(1200)로 제공한다. 전원 제공부(1600)는 내부 케이스(1700)의 수납홈(1719)에 수납될 수 있고, 홀더(1500)에 의해 내부 케이스(1700)의 내부에 밀폐될 수 있다. 전원 제공부(1600)는 돌출부(1610), 가이드부(1630), 베이스(1650), 연장부(1670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 1600 processes or converts electrical signals provided from the outside and provides the electrical signals to the light source module 1200. The power supply unit 1600 may be housed in the receiving groove 1719 of the inner case 1700 and may be sealed inside the inner case 1700 by the holder 1500. [ The power supply unit 1600 may include a protrusion 1610, a guide portion 1630, a base 1650, and an extension portion 1670.

가이드부(1630)는 베이스(1650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 가이드부(1630)는 홀더(1500)에 삽입될 수 있다. 베이스(1650)의 일 면 위에는 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 광원 모듈(1200)의 구동을 제어하는 구동칩, 광원 모듈(1200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide portion 1630 may have a shape protruding outward from one side of the base 1650. The guide portion 1630 can be inserted into the holder 1500. A plurality of components can be disposed on one side of the base 1650. The plurality of components may include, for example, a DC converter for converting an AC power supplied from an external power source into a DC power source, a driving chip for controlling driving of the light source module 1200, an ESD (ElectroStatic discharge protection device, but are not limited thereto.

연장부(1670)는 베이스(1650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 연장부(1670)는 내부 케이스(1700)의 연결부(1750) 내부에 삽입될 수 있고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받을 수 있다. 예컨대, 연장부(1670)는 내부 케이스(1700)의 연결부(1750)와 폭이 같거나 작을 수 있다. 연장부(1670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결될 수 있고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(1800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension 1670 may have a shape protruding outward from the other side of the base 1650. The extension portion 1670 can be inserted into the connection portion 1750 of the inner case 1700 and can receive an external electrical signal. For example, the extension portion 1670 may be equal to or less than the width of the connection portion 1750 of the inner case 1700. Each of the "+ wire" and the "wire" may be electrically connected to the extension portion 1670 and the other end of the "wire" and the "wire" may be electrically connected to the socket 1800 .

내부 케이스(1700)는 내부에 전원 제공부(1600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 전원 제공부(1600)가 내부 케이스(1700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 1700 may include a molding part together with the power supply part 1600 therein. The molding part is a part where the molding liquid is hardened, so that the power supply providing part 1600 can be fixed inside the inner case 1700.

도 7은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.7 shows a display device including a light emitting device package according to an embodiment.

도 7을 참조하면, 표시 장치(800)는 바텀 커버(810)와, 바텀 커버(810) 상에 배치되는 반사판(820)과, 광을 방출하는 발광 모듈(830, 835)과, 반사판(820)의 전방에 배치되며 상기 발광 모듈(830,835)에서 발산되는 빛을 표시 장치 전방으로 안내하는 도광판(840)과, 도광판(840)의 전방에 배치되는 프리즘 시트들(850,860)을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널(870)과, 디스플레이 패널(870)과 연결되고 디스플레이 패널(870)에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로(872)와, 디스플레이 패널(870)의 전방에 배치되는 컬러 필터(880)를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버(810), 반사판(820), 발광 모듈(830,835), 도광판(840), 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.7, the display device 800 includes a bottom cover 810, a reflection plate 820 disposed on the bottom cover 810, light emitting modules 830 and 835 for emitting light, a reflection plate 820 A light guide plate 840 disposed in front of the light emitting module 830 and guiding the light emitted from the light emitting modules 830 and 835 to the front of the display device and prism sheets 850 and 860 disposed in front of the light guide plate 840, An image signal output circuit 872 connected to the display panel 870 and supplying an image signal to the display panel 870 and a display panel 870 disposed in front of the display panel 870, And a color filter 880 disposed therein. Here, the bottom cover 810, the reflection plate 820, the light emitting modules 830 and 835, the light guide plate 840, and the optical sheet may form a backlight unit.

발광 모듈은 기판(830) 상에 실장되는 발광 소자 패키지들(835)을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있으며, 발광 소자 패키지(835)는 실시 예(100)일 수 있다.The light emitting module may include light emitting device packages 835 mounted on the substrate 830. Here, the substrate 830 may be a PCB or the like, and the light emitting device package 835 may be the embodiment 100. FIG.

바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 그리고, 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있으며, 도광판(840)의 후면이나, 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 810 can house components within the display device 800. [ Also, the reflection plate 820 may be formed as a separate component as shown in the drawing, or may be provided on the rear surface of the light guide plate 840 or on the front surface of the bottom cover 810 in a state of being coated with a highly reflective material .

여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.Here, the reflection plate 820 can be made of a material having a high reflectance and can be used in an ultra-thin shape, and polyethylene terephthalate (PET) can be used.

그리고, 도광판(830)은 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다.The light guide plate 830 may be formed of polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PE).

그리고, 제1 프리즘 시트(850)는 지지 필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성될 수 있으며, 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 850 may be formed of a light-transmissive and elastic polymeric material on one side of the support film, and the polymer may have a prism layer in which a plurality of three-dimensional structures are repeatedly formed. Here, as shown in the drawings, the plurality of patterns may be provided with a floor and a valley repeatedly as stripes.

그리고, 제2 프리즘 시트(860)에서 지지 필름 일면의 마루와 골의 방향은, 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사 시트로부터 전달된 빛을 디스플레이 패널(1870)의 전면으로 고르게 분산하기 위함이다.In the second prism sheet 860, the direction of the floor and the valley on one side of the supporting film may be perpendicular to the direction of the floor and the valley on one side of the supporting film in the first prism sheet 850. This is for evenly distributing the light transmitted from the light emitting module and the reflective sheet to the front surface of the display panel 1870.

그리고, 도시되지는 않았으나, 도광판(840)과 제1 프리즘 시트(850) 사이에 확산 시트가 배치될 수 있다. 확산 시트는 폴리에스터와 폴리카보네이트 계열의 재료로 이루어질 수 있으며, 백라이트 유닛으로부터 입사된 빛을 굴절과 산란을 통하여 광 투사각을 최대로 넓힐 수 있다. 그리고, 확산 시트는 광확산제를 포함하는 지지층과, 광출사면(제1 프리즘 시트 방향)과 광입사면(반사시트 방향)에 형성되며 광확산제를 포함하지 않는 제1 레이어와 제2 레이어를 포함할 수 있다.Although not shown, a diffusion sheet may be disposed between the light guide plate 840 and the first prism sheet 850. The diffusion sheet may be made of polyester and polycarbonate-based materials, and the light incidence angle can be maximized by refracting and scattering light incident from the backlight unit. The diffusion sheet includes a support layer including a light diffusing agent, a first layer formed on the light exit surface (first prism sheet direction) and a light incidence surface (reflection sheet direction) . ≪ / RTI >

실시 예에서 확산 시트, 제1 프리즘시트(850), 및 제2 프리즘시트(860)가 광학 시트를 이루는데, 광학 시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In an embodiment, the diffusion sheet, the first prism sheet 850, and the second prism sheet 860 make up an optical sheet, which may be made of other combinations, for example a microlens array, A combination of one prism sheet and a microlens array, or the like.

디스플레이 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 표시 장치가 구비될 수 있다.The display panel 870 may include a liquid crystal display (LCD) panel, and may include other types of display devices that require a light source in addition to the liquid crystal display panel 860.

도 8은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프(head lamp, 900)를 나타낸다. 도 8을 참조하면, 해드 램프(900)는 발광 모듈(901), 리플렉터(reflector, 902), 쉐이드(903), 및 렌즈(904)를 포함한다.8 shows a head lamp 900 including the light emitting device package according to the embodiment. 8, the head lamp 900 includes a light emitting module 901, a reflector 902, a shade 903, and a lens 904.

발광 모듈(901)은 기판(미도시) 상에 배치되는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)를 포함할 수 있다.The light emitting module 901 may include a light emitting device package 100 according to an embodiment disposed on a substrate (not shown).

리플렉터(902)는 발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛(911)을 일정 방향, 예컨대, 전방(912)으로 반사시킨다.The reflector 902 reflects the light 911 emitted from the light emitting module 901 in a predetermined direction, for example, toward the front 912.

쉐이드(903)는 리플렉터(902)와 렌즈(904) 사이에 배치되며, 리플렉터(902)에 의하여 반사되어 렌즈(904)로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 부재로서, 쉐이드(903)의 일측부(903-1)와 타측부(903-2)는 서로 높이가 다를 수 있다.The shade 903 is disposed between the reflector 902 and the lens 904 and reflects off or reflects a part of the light reflected by the reflector 902 toward the lens 904 to form a light distribution pattern desired by the designer. The one side portion 903-1 and the other side portion 903-2 of the shade 903 may have different heights from each other.

발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛은 리플렉터(902) 및 쉐이드(903)에서 반사된 후 렌즈(904)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다. 렌즈(904)는 리플렉터(902)에 의하여 반사된 빛을 전방으로 굴절시킬 수 있다.The light emitted from the light emitting module 901 can be reflected by the reflector 902 and the shade 903 and then transmitted through the lens 904 and directed toward the front of the vehicle body. The lens 904 can refract the light reflected by the reflector 902 forward.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

110: 기판 121,122: 리드 프레임들
130: 발광 소자 135: 제너 다이오드
140: 파장 변환층 150: 배리어층
160: 렌즈 180: 방열 전극
191,192: 비아.110: substrates 121 and 122: lead frames
130: light emitting device 135: zener diode
140: Wavelength conversion layer 150: Barrier layer
160: lens 180: radiation electrode
191,192: Via.

Claims (7)

기판:
상기 기판 상에 배치되는 발광 소자;
상기 발광 소자의 상부면 상에 배치되고, 상기 발광 소자로부터 조사되는 빛의 파장을 변환하는 파장 변환층; 및
상기 발광 소자의 측면과 상기 파장 변환층의 측면 상에 배치되고, 상기 발광 소자로부터 조사되는 빛을 차단하는 배리어층을 포함하며,
상기 배리어층은 실리콘 및 첨가제가 혼합된 형태이거나, 또는 화이트 실리콘으로 이루어지고, 상기 첨가제는 TiO2, SiO2, Al2O3 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자 패키지.Board:
A light emitting element disposed on the substrate;
A wavelength conversion layer disposed on an upper surface of the light emitting device and converting a wavelength of light emitted from the light emitting device; And
And a barrier layer disposed on a side surface of the light emitting device and on a side surface of the wavelength conversion layer and shielding light emitted from the light emitting device,
Wherein the barrier layer is a mixture of silicon and an additive or is made of white silicon, and the additive includes at least one of TiO 2 , SiO 2 , and Al 2 O 3 . 제1항에 있어서,
상기 배리어층의 광투과율은 10% 이하인 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
And the light transmittance of the barrier layer is 10% or less. 제1항에 있어서,
상기 배리어층의 점도는 3000cps ~ 8000cps인 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
And the viscosity of the barrier layer is 3000 cps to 8000 cps. 제1항에 있어서,
상기 배리어층은 380nm ~ 490nm의 파장을 갖는 빛을 차단하는 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the barrier layer blocks light having a wavelength of 380 nm to 490 nm. 제1항에 있어서,
상기 배리어층은 상기 발광 소자에 인접하는 상기 기판의 상부면과 접하고, 상기 발광 소자의 측면 전체와 상기 파장 변환층의 측면 전체를 밀봉하는 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the barrier layer is in contact with an upper surface of the substrate adjacent to the light emitting device and seals the entire side surface of the light emitting device and the entire side surface of the wavelength conversion layer. 제1항에 있어서,
상기 기판 상에 배치되고, 상기 파장 변환층과 상기 배리어층을 밀봉하며, 상기 발광 소자로부터 조사되는 빛을 굴절시키는 렌즈를 더 포함하는 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
And a lens disposed on the substrate and sealing the wavelength conversion layer and the barrier layer and refracting light emitted from the light emitting element. 제1항에 있어서,
상기 배리어층의 두께는 상기 파장 변환층의 두께 대비 50% 이상인 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein a thickness of the barrier layer is 50% or more of a thickness of the wavelength conversion layer.
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