KR20150115363A - Ci(g)s 광흡수층을 구비하는 태양전지의 제조 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 title claims abstract description 19
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims abstract description 71
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 62
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 23
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 60
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 60
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 3
- 238000000277 atomic layer chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 148
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 27
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 17
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 11
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical class [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 239000005078 molybdenum compound Substances 0.000 description 3
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 241001101998 Galium Species 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002752 molybdenum compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000011197 physicochemical method Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 1
- DORQJBTVNDGTEY-UHFFFAOYSA-N selanylidenemolybdenum Chemical compound [Se].[Mo] DORQJBTVNDGTEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 selenide molybdenum compound Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
일 실시 예에 따르는 태양전지의 제조 방법이 제공된다. 상기 태양전지의 제조 방법에 있어서, 기판 상에 후면전극을 형성한다. 상기 후면전극 상에 CI(G)S 전구체 박막을 형성한다. 상기 CI(G)S 전구체 박막을 셀렌화 열처리하여 광흡수층을 형성한다. 이때, 상기 후면전극을 형성하는 공정은 상기 기판 상에 전극물질층을 형성하는 단계, 상기 전극물질층 상에 셀레늄확산방지층을 형성하는 단계 및 상기 셀레늄확산방지층 상에 셀레늄반응층을 형성하는 단계를 포함하여 진행된다.
Description
본 발명은 화합물 태양전지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 CI(G)S 광흡수층을 구비하는 태양전지의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 천연 자원의 연소로부터 기인하는 환경 오염에 대한 우려가 점증하고 있으며, 또한, 향후 천연 자원의 고갈 문제도 대두되면서, 보다 깨끗하면서도 에너지 효율이 높은 대체 에너지를 찾으려는 노력이 계속되고 있다. 이러한 대체 에너지 중 하나가 태양 전지를 이용한 태양광에너지이다.
태양전지는 크게 실리콘 반도체 태양전지, 화합물 태양전지, 그외 신소재 채용 태양전지로 분류되며, 이중 CI(G)S(Cu, Indium (Galium) Selenium)계 광흡수층을 포함하는 태양전지는 찰코파이라이트(Chalcopyrite)계 화합물 태양전지의 분류에 속한다. 찰코파이라이트형 화합물은 구성 성분에 따라 1-3-6족인 CuSe, CuInSe2, CuGaSe2, Cu(In,Ga)Se2, CuInS2, CuGaS2, Cu(In,Ga)S2, CuIn(Se,S)2, CuGa(Se,S)2, Cu(In,Ga)(Se,S)2와 1-2-(4)-6족인 CuAlSe2, CuFeSe2, Cu2CdSe4, Cu2CdSnSe4, Cu2ZnSnSe4 등으로 나뉜다. CI(G)S는 대표적인 1-3-6족 찰코파이라이트형 화합물 반도체로서, 1 eV 이상의 직접 천이형 에너지 밴드갭을 가지고 있고, 높은 광흡수계수(1E5/cm)를 가지고 있으며, 전기 광학적으로 매우 안정하여 태양전지의 광흡수층으로 이상적인 소재에 해당된다.
화합물 태양전지에서 CI(G)S 광흡수층을 제조하는 방법으로는 다양한 물리화학적 방법이 보고되고 있다. 대표적인 방법으로서, 미국 특허등록 제4,523,051호에 개시되어 있는 바와 같이 진공 하에서 Cu, In, Ga 및 Se를 공증착(co-evaporation)하는 방법에 의해 고효율의 광흡수층을 제조하는 방법이 있다. 다른 방법으로서, Solar Energy 2004, Vol 77, pp749-756 에 개시된 바와 같이, 스퍼터링(sputtering) 또는 증착 등의 방법으로 Cu, In, Ga 막을 형성한 후, 이를 Se이나 H2Se 분위기 하에서 셀렌화(Selenization)하여 대면적의 흡수층을 균일하게 제조하는 방법이 있다. 최근에는 미국 특허공개번호 제2009-0280598호에 개시되는 바와 같이, 제조 원가를 줄이기 위해 비진공 방법으로 Cu2Se와 In2Se3 전구체를 제작하여 열처리하여 CIS 박막을 제조하거나, 미국 특허등록 제6,127,202호에 개시되는 바와 같이, 프린팅(printing) 방식을 사용해서 CI(G)S 박막을 형성시키는 방법이 제안되고 있다.
본 발명의 실시 예는 CI(G)S 전구체 박막을 셀렌화 열처리 진행하여 CI(G)S 광흡수층을 형성할 때, 후면전극과 CI(G)S 광흡수층 사이 계면의 전기적 신뢰성 또는 계면의 구조적 신뢰성을 향상시키는 방법을 제공한다.
일 측면에 따르는 태양전지의 제조 방법이 제공된다. 상기 태양전지의 제조 방법에 있어서, 기판 상에 후면전극을 형성한다. 상기 후면전극 상에 CI(G)S 전구체 박막을 형성한다. 상기 CI(G)S 전구체 박막을 셀렌화 열처리하여 광흡수층을 형성한다. 이때, 상기 후면전극을 형성하는 공정은 상기 기판 상에 전극물질층을 형성하는 단계, 상기 전극물질층 상에 셀레늄확산방지층을 형성하는 단계 및 상기 셀레늄확산방지층 상에 셀레늄반응층을 형성하는 단계를 포함하여 진행된다.
일 실시 예에 있어서, 상기 후면전극을 형성하는 공정은 상기 기판 상에 제1 몰리브덴층을 형성하는 단계, 상기 제1 몰리브덴층 상에 질화티타늄층을 형성하는 단계, 및 상기 질화티타늄층 상에 제2 몰리브덴층을 형성하는 단계를 포함하여 진행될 수 있다.
다른 실시 예에 있어서, 상기 CI(G)S 전구체 박막을 형성하는 공정은 동시 증발법, 스퍼터링법, 코팅법 및 인쇄법으로 이루어지는 그룹에서 선택되는 어느 하나를 포함하여 진행될 수 있다.
또다른 실시 예에 있어서, 상기 셀렌화 열처리 공정은 상기 CI(G)S 전구체 박막을 결정화하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 상기 셀렌화 열처리 공정은 셀렌 분위기에서 400 내지 600℃ 온도에서 진행될 수 있다.
또다른 실시 예에 있어서, 상기 셀렌화 열처리 공정은 상기 셀레늄반응층을 셀렌화시켜, 상기 전극물질층과 상기 광흡수층 사이의 저항성 접합을 형성하거나 접합력을 증가시킬 수 있다.
다른 측면에 따르는 태양전지의 제조 방법이 제공된다. 상기 태양전지의 제조 방법에 있어서, 유리기판 상에 전극물질층으로 기능하는 제1 몰리브덴층을 형성한다. 상기 제1 몰리브덴층 상에 셀레늄확산방지층으로 기능하는 질화티타늄층을 형성한다. 상기 질화티타늄층 상에 셀레늄반응층으로 기능하는 제2 몰리브덴층을 형성한다. 상기 제2 몰리브덴층 상에 CI(G)S 전구체 박막을 형성한다. 상기 CI(G)S 전구체 박막을 셀렌화 열처리하여 광흡수층을 형성한다. 이때, 상기 셀렌화 열처리 공정은 상기 제2 몰리브덴층을 셀렌화시켜, 상기 전극물질층과 상기 광흡수층 사이의 저항성 접합을 형성하거나 접합력을 증가시킨다.
또다른 측면에 따르는 태양전지가 개시된다. 상기 태양전지는 유리기판 상에 배치되고 전극물질층으로 기능하는 몰리브덴층, 상기 몰리브덴층 상에 배치되는 셀레니드몰리브덴층, 상기 셀레니드몰리브덴층 상에 배치되는 CI(G)S 광흡수층, 및 상기 몰리브덴층과 상기 셀레니드몰리브덴층 사이에 배치되어 셀레늄확산방지층으로 기능하는 질화티타늄층을 포함한다.
상기 셀레니드몰리브덴층은 상기 몰리브덴층과 상기 CI(G)S 광흡수층의 저항성 접합을 형성하도록 도와주는 역할을 수행하여 태양전지의 전기적 특성을 향상시킬수 있다. 상기 셀레니드몰리브덴층의 두께는 200nm이하의 얇은 두께를 가질 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 셀레늄확산방지층을 포함하도록 후면전극을 형성함으로써, CI(G)S 전구체 박막의 셀렌화 열처리 진행시, 과량의 셀렌이 상기 후면전극과 반응하여 과도한 반응생성물이 생성되는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 후면전극이 손상되는 것을 방지하여 태양전지의 전기적 특성 또는 구조적 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상술한 발명의 효과는 본 발명의 일 실시 예의 구성으로부터 도출되는 다양한 효과 중 어느 하나를 예시하는 것이며, 제시하는 실시예의 구성으로부터 자명하게 도출될 수 있는 다른 다양한 효과를 배제하는 것은 아니다.
도 1a는 본 발명의 일 실시 예에 따르는 태양전지의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 순서도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시 예에 따르는 태양전지의 후면전극 제조 방법을 개략적으로 나타내는 순서도이다.
도 1c는 본 발명의 일 실시 예에 따르는 태양전지의 후면전극 구조를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따르는 셀레늄화 열처리 후의 후면전극과 광흡수층의 계면 특성을 나타내는 전자현미경 사진이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시 예에 따르는 태양전지의 후면전극 제조 방법을 개략적으로 나타내는 순서도이다.
도 1c는 본 발명의 일 실시 예에 따르는 태양전지의 후면전극 구조를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따르는 셀레늄화 열처리 후의 후면전극과 광흡수층의 계면 특성을 나타내는 전자현미경 사진이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 개시의 실시 예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 본 개시에 개시된 기술은 여기서 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 도면에서 각 구성요소를 명확하게 표현하기 위하여 상기 구성요소의 폭이나 두께 등의 크기를 다소 확대하여 나타내었다.
본 명세서에서 일 요소가 다른 요소 '위' 또는 '아래'에 위치하는 것으로 언급되는 경우, 이는 상기 일 요소가 다른 요소 '위' 또는 '아래'에 바로 위치하거나 또는 그들 요소들 사이에 추가적인 요소가 개재될 수 있다는 의미를 모두 포함한다. 본 명세서에서, '상부' 또는 '하부' 라는 용어는 관찰자의 시점에서 설정된 상대적인 개념으로, 관찰자의 시점이 달라지면, '상부' 가 '하부'를 의미할 수도 있고, '하부'가 '상부'를 의미할 수도 있다.
복수의 도면들 상에서 동일 부호는 실질적으로 서로 동일한 요소를 지칭한다. 또, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, '포함하다' 또는 '가지다' 등의 용어는 기술되는 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에 있어서, 'CI(G)S'라 하면, 'CIS' 또는 'CIGS' 계 화합물 반도체를 통칭하는 개념으로서, 구리(Cu), 인듐(Indium) 및 셀레늄(Selenium)을 구성원소로 하는 찰코파이라이트(Chalcopyrite)계 화합물 반도체 또는 구리(Cu), 인듐(Indium), 갈륨(Gallium) 및 셀레늄(Selenium)을 구성원소로 하는 찰코파이라이트(Chalcopyrite)계 화합물 반도체를 의미할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시 예에 따르는 태양전지의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 순서도이다. 도 1b는 본 발명의 일 실시 예에 따르는 태양전지의 후면전극 제조 방법을 개략적으로 나타내는 순서도이다. 도 1c는 본 발명의 일 실시 예에 따르는 태양전지의 후면전극 구조를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 1a의 S110 단계를 참조하면, 기판 상에 후면전극을 형성한다. 기판은 일 예로서, 유리 기판일 수 있다. 상기 유리 기판은 소다회 유리로 제조될 수 있다. 다른 예로서, 기판은 세라믹 기판, 금속 기판 또는 고분자 기판일 수 있다. 상기 세라믹 기판은 알루미나 등을 포함할 수 있고, 상기 금속 기판은 스테인레스 스틸, 구리 등의 금속 재질을 포함할 수 있다. 고분자 기판은 일 예로서 폴리이미드 등과 같은 유연성 재질을 포함할 수 있다.
상기 후면전극은 상기 기판과의 열팽창률 계수가 유사하며, 상기 기판과의 점착성이 우수한 전도성 재질로 제조될 수 있다. 또한, 상기 후면전극은 낮은 비저항 및 CI(G)S 광흡수층과의 저항성 접합(ohmic contact)을 이루는 재질로 이루어질 수 있다. 상기 후면전극의 형성방법은 이하의 도 1b의 순서도를 통해 보다 구체적으로 설명하도록 한다.
도 1a의 S120 단계를 참조하면, 상기 후면전극 상에 CI(G)S 전구체 박막을 형성한다. 상기 CI(G)S 전구체 박막은 동시 증발법, 스퍼터링법, 코팅법, 인쇄법, 전기도금법 등에 의해 형성될 수 있다.
일 실시 예로서, 동시 증발법에 의해, 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga), 셀레늄(Se)을 열증발원으로 이용하여 증발시켜 상기 후면전극 상에 CIGS 전구체 박막을 형성할 수 있다. 또는, 셀레늄(Se)이 제외된 CIG 전구체 박막을 형성할 수도 있다. 다른 실시 예로서, 스퍼터링법에 의해, 구리(Cu), 인듐(In) 및 갈륨(Ga)의 CIG 전구체 박막을 형성하거나, 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga), 셀레늄(Se)의 CIGS 전구체 박막을 형성할 수 있다. 또다른 실시 예로서, 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se)이 용매에 분산된 잉크 또는 페이스트를 제조하고, 이를 이용하는 코팅법 또는 인쇄법을 수행하여 상기 후면전극 상에 CIGS 전구체 박막으로 형성할 수 있다. 또다른 실시 예로서, 인듐(In), 갈륨(Ga), 셀레늄(Se)을 포함하는 잉크 또는 페이스트를 제조하고 이를 이용하는 코팅법 또는 인쇄법을 수행하여 IGS 전구체 박막을 먼저 형성한다. 이어서, 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga), 셀레늄(Se)을 포함하는 잉크를 이용하는 코팅법 또는 인쇄법에 의해 CIGS 전구체 박막을 상기 IGS 전구체 박막 상에 형성함으로써, IGS 전구체 박막 및 CIGS 전구체 박막이 적층된 전구체 박막 구조를 형성할 수도 있다. 또다른 실시 예로서, 공지의 전기도금법을 진행하여, 상기 후면전극 상에 CIGS 전구체 박막을 형성할 수도 있다.
도 1a의 S130 단계를 참조하면, 상기 CI(G)S 전구체 박막을 셀렌화 열처리하여 CI(G)S 광흡수층을 형성한다. 일 실시 예에 있어서, 셀렌화 열처리는 하이드라이드 가스(H2Se) 분위기 또는 셀레늄(Se) 증기 분위기에서, 약 400 ℃ 내지 600℃의 온도에서 진행될 수 있다. 일 예로서, 공정 시간은 약 1분 내지 약 30분으로 진행될 수 있다. 셀렌화 열처리는 CI(G)S 전구체 박막을 결정화시키며, CI(G)S 광흡수층의 구성원소간 조성을 제어할 수 있다. 일 예로서, CIGS 광흡수층의 생성 공정의 경우, 상기 셀렌화 열처리는 광흡수 효율을 증가시키는 조성으로서, Cu/(Ga+In) 비가 1.0 미만 및 Ga/(Ga+In) 비가 0.3으로 CIGS 흡수층의 조성을 제어할 수 있다.
도 1a의 순서도에 도시되지는 않았지만, 상기 광흡수층의 형성 이후에, 황화카드늄(CdS) 버퍼층, 윈도우층을 형성할 수 있다. 황화카드늄(CdS) 버퍼층은 공지의 화학적 용액 성장법(Chemical Bath Deposition)으로 형성할 수 있으며, 윈도우층은 일 예로서, 도핑된 산화아연(ZnO)층, 또는 ITO층 등을 공지의 스퍼터링 또는 화학기상증착법 등으로 형성할 수 있다.
상기 윈도우층 상에 반사방지층을 추가로 형성할 수 있다. 상기 반사방지층은 일 예로서, 전자선 증착법(E-beam deposition)을 이용하여 플루오르화마그네슘(MgF2) 등으로부터 형성될 수 있다. 또한, 상기 윈도우층 상에는 그리드 전극층이 형성될 수 있다. 상기 그리드 전극층은 일 예로서, 전자선 증착법을 이용하여, 알루니늄(Al)의 단일층 또는 니켈(Ni)/알루미늄(Al)의 이중층으로 형성될 수 있다.
한편, 발명자는 상술한 셀렌화 열처리 시에 CI(G)S 전구체 박막으로 과량의 셀렌이 공급되는 경우, 상기 셀렌이 상기 후면전극과 반응하여 과도한 반응생성물이 생성될 수 있음을 발견하였다. 구체적인 일 예로서, 유리 기판 상에 후면전극으로서 단일층의 몰리브덴층이 형성되는 경우, 셀렌화 열처리시에 몰리브덴과 셀레늄의 반응에 의해 이셀레니드몰리브덴(MoSe2)층이 과도하게 형성되는 현상이 발생할 수 있다. 상술한 현상이 발생하는 경우, CI(G)S 광흡수층과 인접하는 상기 후면전극이 손상되고 태양전지의 구조적 신뢰성이 저하될 수 있다.
본 발명의 발명자는 상술한 문제점을 극복하기 위해서, 후술하는 바와 같이, 전극물질층, 셀레늄확산방지층 및 셀레늄반응층이 순차적으로 적층되는 후면전극 및 이의 제조 방법을 제안한다.
도 1b의 S121 단계 및 도 1c를 참조하면, 기판(110) 상에 전극물질층(122)을 형성한다. 전극물질층(122)은 일 예로서, 몰리브덴(Mo)을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 기판(110)이 유리기판일 때, 전극물질층(122)은 제1 몰리브덴층일 수 있다. 상기 제1 몰리브덴층은, 상기 유리 기판과의 관계에서 접착성이 우수한 특징을 구비하고, 또한, 전극물질층으로서의 저저항을 가지도록 형성될 수 있다. 상기 제1 몰리브덴층을 형성하는 공정은 일 예로서, 스퍼터링법에 의해 수행될 수 있다. 상기 제1 몰리브덴층은 약 100 내지 약 1000 nm의 두께를 가지도록 형성될 수 있다. 상기 제1 몰리브덴층의 두께가 100nm보다 얇을 경우, 전극물질층으로서의 낮은 저항값을 가지기가 힘들며, 1000nm보다 두꺼울 경우, 기판(110)과의 접착성이 약화될 우려가 있다.
도 1b의 S122 단계 및 도 1c를 참조하면, 전극물질층(122) 상에 셀레늄확산방지층(124)을 형성한다. 셀레늄확산방지층(124)은 일 예로서, 질화티타늄(TiN)을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 셀레늄확산방지층(124)은 질화티타늄층일 수 있다. 상기 질화티타늄층을 형성하는 공정은 일 예로서, 원자층 증착법 또는 화학기상증착법에 의해 수행될 수 있다. 상기 질화티타늄층은 셀레늄 열처리시에, CI(G)S 전구체 박막층을 통과하여 유입되는 셀레늄이 하부의 제1 몰리브덴층으로 확산되는 것을 억제하는 기능을 수행한다. 상기 질화티타늄은 셀레늄 원소의 확산을 억제할 수 있는 정도의 조밀한 조직 구조를 가질 수 있다.
상기 질화티타늄층은 일 예로서 약 1 내지 50 nm의 두께를 가질 수 있다. 상기 질화티타늄층의 두께가 1 nm 보다 얇을 경우, 셀렌 확산 방지 기능을 실질적으로 수행하기 힘들고, 상기 질화티타늄층의 두께가 50 nm보다 두꺼울 경우, 전기적 저항이 높아져서 소자의 전기적 특성을 확보하는데 어려움이 있다.
도 1b의 S123 단계 및 도 1c를 참조하면, 셀레늄확산방지층(124) 상에 셀레늄반응층(126)을 형성한다. 셀레늄반응층(126)은 일 예로서, 몰리브덴(Mo)을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 셀레늄반응층(126)은 제2 몰리브덴층일 수 있다. 상기 제2 몰리브덴층을 형성하는 공정은 일 예로서, 스퍼터링법에 의해 수행될 수 있다. 상기 셀렌화 열처리 과정에서 제공되는 셀렌에 의해 셀레늄 반응층(126)으로부터 적절한 두께의 셀렌화층이 형성되도록 할 수 있다. 이때, 형성된 상기 셀렌화층은 전극물질층(122)과 CI(G)S 광흡수층 사이의 접합력을 증가시키는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 셀렌화층은 전극물질층(122)과 상기 CI(G)S 광흡수층이 저항성 접합(ohmic contact)을 형성하도록 도와주는 역할을 수행할 수 있다.
상기 제2 몰리브덴층의 저항은 전극물질층(122)으로서의 상기 제1 몰리브덴층의 저항보다 클 수 있다. 다시 말하면, 전극물질층(122)으로서 기능을 담보하기 위해, 상기 제1 몰리브덴층의 저항은 상기 제2 몰리브덴층의 저항과 같거나, 또는 상기 제2 몰리브덴층의 저항보다 작도록 형성될 수 있다.
상기 제2 몰리브덴층은 0 초과 100 nm 이하의 두께를 가지도록 형성될 수 있다. 상기 제2 몰리브덴층의 두께가 100 nm를 초과할 경우, 상기 제2 몰리브덴층으로부터 상기 셀렌화층이 과도하게 형성될 수 있다. 이 경우에는 과도하게 형성된 상기 셀렌화층이 오히려 전극물질층(122)과 상기 CI(G)S 광흡수층 사이의 저항성 접합을 저해할 수 있다.
구체적인 일 실시 예에 따르면, 셀레늄반응층(126)으로서의 제2 몰리브덴층은 셀렌화 열처리 과정에서, 일 예로서, 이셀레니드몰리브덴(MoSe2) 화합물층과 같은 셀렌화층을 생성할 수 있다. 적정한 두께로 형성된 상기 셀렌화층은 상기 제1 몰리브덴층과 상기 CI(G)S 광흡수층 사이의 접합력을 증가시키거나, 상기 제1 몰리브덴층과 상기 CI(G)S 광흡수층이 저항성 접합을 형성하도록 할 수 있다.
후면전극(120) 상에는 도 1a 및 도 1b와 관련하여 상술한 CI(G)S 전구체 박막(130)이 형성될 수 있다. CI(G)S 전구체 박막(130)에 대해 셀렌화 열처리가 진행됨으로써, CI(G)S 광흡수층이 형성될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따르는 셀레늄화 열처리 후의 후면전극과 광흡수층의 계면 특성을 나타내는 전자현미경 사진이다. 구체적으로, 도 2의 (a)는 일 비교예로서, 후면 전극으로 몰리브덴 단일층을 적용한 경우, CIGS 전구체 박막의 셀레늄화 열처리후의 조직을 나타내는 사진이며, 도 2의 (b)는 본 발명의 일 실시 예에 있어서, 후면 전극으로 제1 몰리브덴층, 질화티타늄층 및 제2 몰리브덴층을 적용한 경우, CIGS 전구체 박막의 셀레늄화 열처리후의 조직을 나타내는 사진이다. 양쪽 모두의 경우에 있어서, 동일한 공정 조건으로 CIGS 전구체 박막에 대해, 도 1a의 130 단계의 셀레늄화 열처리가 진행되었다.
도 2의 (a)를 참조하면, 셀레늄화 열처리에 의해 CIGS 광흡수층(50)이 형성될 때, 유입되는 셀렌에 의해 기판(20) 상의 후면전극인 몰리브덴층이 과도하게 셀렌화됨으로써, 잔존하는 몰리브덴층(30)의 약 2.6배에 해당되는 두께의 이셀레니드몰리브덴 화합물층(40)이 형성되는 것을 관찰할 수 있다. 도 2의 (b)를 참조하면, 질화티타늄층(미도시)에 의해 셀렌의 과도한 확산이 차단되고, 제2 몰리브덴층의 셀렌화 반응에 의해 적절한 두께의 이셀레니드몰리브덴 화합물층(45)이 제1 몰리브덴층(35) 상에 형성된 것을 확인할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따르면, 종래의 구조에서 야기되는 과도한 반응생성물에 의해 후면전극이 손상되는 것을 방지할 수 있고, 후면전극과 CI(G)S 광흡수층 사이의 저항성 접합을 조절할 수 있으므로 태양전지의 성능을 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이 본 출원의 실시 형태들을 도면들을 예시하며 설명하지만, 이는 본 출원에서 제시하고자 하는 바를 설명하기 위한 것이며, 세밀하게 제시된 형상으로 본 출원에서 제시하고자 하는 바를 한정하고자 한 것은 아니다. 본 출원에서 제시한 기술적 사상이 반영되는 한 다양한 다른 변형예들이 가능할 것이다.
20: 기판, 30: 잔존하는 몰리브덴층,
35: 제1 몰리브덴층, 40 45: 이셀레니드몰리브덴 화합물층,
50: CIGS 광흡수층.
35: 제1 몰리브덴층, 40 45: 이셀레니드몰리브덴 화합물층,
50: CIGS 광흡수층.
Claims (13)
- 기판 상에 후면전극을 형성하는 단계;
상기 후면전극 상에 CI(G)S 전구체 박막을 형성하는 단계; 및
상기 CI(G)S 전구체 박막을 셀렌화 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 후면전극을 형성하는 단계는
상기 기판 상에 전극물질층을 형성하는 단계;
상기 전극물질층 상에 셀레늄확산방지층을 형성하는 단계; 및
상기 셀레늄확산방지층 상에 셀레늄반응층을 형성하는 단계를 포함하는
태양전지의 제조 방법.
- 제1 항에 있어서,
상기 전극물질층을 형성하는 단계는 제1 몰리브덴층을 형성하는 단계이고;
상기 셀레늄확산방지층을 형성하는 단계는 제1 몰리브덴층 상에 질화티타늄층을 형성하는 단계이며,
상기 셀레늄반응층을 형성하는 단계는 제2 몰리브덴층을 형성하는 단계인
태양전지의 제조 방법.
- 제2 항에 있어서,
상기 제1 몰리브덴층은 상기 제2 몰리브덴층과 동일하거나 또는 상기 제2 몰리브덴층 보다 낮은 저항값을 가지는
태양전지의 제조 방법.
- 제2 항에 있어서,
상기 제1 몰리브덴층과 상기 제2 몰리브덴층은
스퍼터링법에 의해, 증착되는
태양전지의 제조 방법.
- 제2 항에 있어서,
상기 제1 몰리브덴층은 100 내지 1000 nm의 두께, 상기 질화티타늄층은 1 내지 50 nm의 두께, 및 상기 제2 몰리브덴층은 0 초과 100 nm 이하의 두께를 가지도록 형성되는
태양전지의 제조 방법.
- 제1 항에 있어서,
상기 셀레늄확산방지층을 형성하는 단계는
원자층 증착법 또는 화학기상증착법에 의해 수행되는
태양전지의 제조 방법.
- 제1 항에 있어서,
상기 CI(G)S 전구체 박막을 형성하는 단계는
동시 증발법, 스퍼터링법, 코팅법, 인쇄법, 전기도금법으로 이루어지는 그룹에서 선택되는 어느 하나를 포함하는
태양전지의 제조 방법.
- 제1 항에 있어서,
상기 셀렌화 열처리 단계는
상기 CI(G)S 전구체 박막을 결정화하는 단계를 포함하고,
셀렌 분위기에서 400 내지 600℃ 온도에서 진행되는
태양전지의 제조 방법.
- 제8 항에 있어서,
상기 셀렌화 열처리 단계는
상기 셀레늄반응층을 셀렌화시켜 셀렌화층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 셀렌화층은 상기 전극물질층과 상기 광흡수층 사이에 저항성 접합을 형성하거나 접합력을 증가시키는
태양전지의 제조 방법.
- 기판 상에 형성된 후면 전극층; 및
상기 후면 전극층 상에 형성된 CI(G)S 광흡수층을 포함하되,
상기 후면 전극층은 전극물질층, 상기 전극물질층 상에 형성된 질화티타늄 셀레늄확산방지층을 포함하는 태양전지.
- 제10 항에 있어서,
상기 전극물질층은 몰리브덴층을 포함하는
태양전지.
- 제10 항에 있어서,
상기 질화티타늄셀레늄확산방지층 상에 배치되는 셀렌화층을 더 포함하는
태양전지.
- 제10 항에 있어서,상기 전극물질층은 100 내지 1000 nm의 두께를 가지며,
상기 질화티타늄셀레늄확산방지층은 1 내지 50 nm의 두께의 두께를 가지는
태양전지.
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN111276563A (zh) * | 2018-12-03 | 2020-06-12 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 一种铜铟镓硒吸收层的制备方法 |
| KR20200097118A (ko) * | 2019-02-07 | 2020-08-18 | (주)제이비에이치 | Ｃｉｇｓ 박막 태양전지 제조방법 |
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2014
- 2014-04-04 KR KR1020140040273A patent/KR20150115363A/ko not_active Application Discontinuation
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