KR20150114371A - The exposure mask for liquid crystal display device and exposure method of liquid crystal display device using thereof - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an exposure mask for a liquid crystal display device and an exposure method of a liquid crystal display device using the same wherein, particularly, stitch defects in a COT-type liquid crystal display device are mitigated. According to the present invention, during a process of manufacturing the COT type liquid crystal display device, R, G, B color filter patterns are formed by using the exposure mask including a shift exposure unit to reduce reflection visual sensation around a boundary of an exposure area and to make cell gap defects less obvious. Consequently, visual recognition capability of a person is confused on the boundary of the exposure area, and consequently the person less recognizes stitch defects such as strip stains. An exposure process using the exposure mask of the present invention is performed by only two shots to expose a first exposure area and a second exposure area while stitch defects on the boundary of the exposure areas are mitigated. Therefore, the number of shots can be reduced when compared to an existing a LEGO exposure; process time can be reduced; and process efficiency can be increased.

Description

액정표시장치용 노광마스크와 이를 이용한 액정표시장치의 노광방법{The exposure mask for liquid crystal display device and exposure method of liquid crystal display device using thereof}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure mask for a liquid crystal display device and an exposure method for a liquid crystal display device using the same,

본 발명은 액정표시장치용 노광마스크와 이를 이용한 액정표시장치의 노광방법에 관한 것으로, 특히 COT형 액정표시장치에서 스티치 불량이 개선되는 액정표시장치용 노광마스크와 이를 이용한 액정표시장치의 노광방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure mask for a liquid crystal display and an exposure method for a liquid crystal display using the same, and more particularly to an exposure mask for a liquid crystal display device in which stitch defect is improved in a COT type liquid crystal display, .

최근 정보화 시대에 발맞추어 디스플레이(display) 분야 또한 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응해서 박형화, 경량화, 저소비전력화 장점을 지닌 평판표시장치(flat panel display device : FPD)로서 액정표시장치(liquid crystal display device : LCD), 플라즈마표시장치(plasma display panel device : PDP), 전기발광표시장치(electroluminescence display device : ELD), 전계방출표시장치(field emission display device : FED) 등이 소개되어 기존의 브라운관(cathode ray tube : CRT)을 빠르게 대체하며 각광받고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, the display field has rapidly developed in line with the information age. In response to this trend, a flat panel display device (FPD) having a thinness, light weight, A plasma display panel (PDP), an electroluminescence display device (ELD), and a field emission display device (FED) : CRT).

이중에서도 액정표시장치는 동화상 표시에 우수하고 높은 콘트라스트비(contrast ratio)로 인해 노트북, 모니터, TV 등의 분야에서 가장 활발하게 사용되고 있다. Among these, liquid crystal display devices are excellent in moving picture display and are most actively used in the fields of notebook computers, monitors, TVs and the like due to their high contrast ratios.

액정표시장치는 스위칭소자, 화소전극 등이 형성된 제 1 기판과, 컬러필터, 공통전극 등이 형성된 제 2 기판 그리고, 두 기판 사이에 개재된 액정으로 이루어지는데, 이러한 액정표시장치에서는 공통전극과 화소전극 사이에 상하로 걸리는 전기장에 의해 액정을 구동하는 방식으로 투과율과 개구율 등의 특성이 우수하다.The liquid crystal display device includes a first substrate on which a switching element, a pixel electrode, and the like are formed, a second substrate on which a color filter, a common electrode, and the like are formed, and a liquid crystal interposed between the two substrates. The liquid crystal is driven by an electric field that is vertically applied between the electrodes, and the characteristics such as the transmittance and the aperture ratio are excellent.

이러한 액정표시장치는 기판 상에 순차적으로 마스크 공정을 진행하여, 스위칭소자를 형성하거나, R, G, B 컬러필터층을 형성하는데, 마스크 공정은 크게 증착(deposition)공정, 포토리소그라피(photo lithography)공정, 식각(etching)공정으로 이루어진다. In such a liquid crystal display device, a mask process is sequentially performed on a substrate to form switching elements or R, G, and B color filter layers. The mask process is roughly classified into a deposition process, a photolithography process , And an etching process.

이때, 포토리소그라피 공정은 포토레지스트를 기판의 전면에 도포하고, 마스크를 기판 상에 배치한 후 노광(exposure)공정을 거치게 된다. At this time, in the photolithography process, the photoresist is applied to the entire surface of the substrate, the mask is disposed on the substrate, and then an exposure process is performed.

여기서, 1번의 노광공정의 단위를 샷(shot)이라 하는데, 일반적으로 액정표시장치는 하나의 단위패널에 대해 한번의 샷으로 노광을 진행하게 된다. Here, the unit of the single exposure process is referred to as a shot. In general, the liquid crystal display device performs exposure in one shot with respect to one unit panel.

그러나, 최근에는 개발하고자 하는 액정표시장치가 점차 대면적화됨에 따라 액정표시장치를 이루는 단위패널의 크기가 기존의 마스크에 비하여 커지게 됨에 따라, 한번의 샷으로 액티브영역을 노광하지 못하고 액티브영역을 다시 복수개의 영역으로 구분하여 각 영역에 해당 샷으로 분할노광하게 된다. However, in recent years, as a liquid crystal display device to be developed gradually becomes larger, the size of a unit panel constituting a liquid crystal display becomes larger than that of a conventional mask. Therefore, an active area can not be exposed with a single shot, Divided into a plurality of regions and divided into corresponding shots in each region.

도 1은 일반적인 분할노광공정을 개략적으로 도시한 도면으로, 제 1 및 제 2 노광영역으로 분할된 기판에 대한 노광공정을 개략적으로 도시한 도면이다. 1 is a view schematically showing a general divided exposure process, which schematically shows an exposure process for a substrate divided into first and second exposure areas.

도시한 바와 같이, 액티브영역(AA)이 제 1 및 제 2 노광영역(13, 15)으로 분할되어 정의된 기판(1) 상부로, 마스크(20)를 위치시키는데, 이때 마스크(20)는 노광하고자 하는 제 1 노광영역(13)에 대응되어 위치한다. As shown, the active area AA is divided into first and second exposure areas 13 and 15 to position the mask 20 on top of the defined substrate 1, The first exposure area 13 is located corresponding to the first exposure area 13 to be exposed.

다음으로 마스크(20)의 상부에 빛을 조사하여 노광하게 된다. Next, light is irradiated onto the upper portion of the mask 20 to expose it.

이때, 마스크(20)에는 기판(1)의 제 1 노광영역(13)과 대응되는 노광부(21)가 구성되어 있으며, 노광부(21) 내에는 차단부(미도시)와 투과부(미도시)가 구성되어 있어 원하는 패턴의 모양에 따라 선택적으로 빛을 투과 또는 차단하여 기판(1)의 노광영역(13, 15) 내에 여러 패턴을 형성한다. At this time, the mask 20 is formed with an exposure section 21 corresponding to the first exposure region 13 of the substrate 1, and a blocking section (not shown) and a transmitting section (not shown) And selectively transmit or block light according to the shape of a desired pattern to form various patterns in the exposure regions 13 and 15 of the substrate 1. [

이로 인하여, 제 1 노광영역(13)의 노광공정이 완료된 후, 마스크(20)를 이동시켜 제 1 노광영역(13)에 이웃하는 제 2 노광영역(15)을 노광하여, 단위패널의 액티브영역(AA)을 모두 분할노광하게 된다. Thus, after the exposure process of the first exposure area 13 is completed, the mask 20 is moved to expose the second exposure area 15 adjacent to the first exposure area 13 to expose the active area of the unit panel (AA).

이때, 하나의 노광영역(13)을 노광한 후 순차적으로 다른 노광영역(15)을 노광하는 분할노광공정에 있어서, 마스크(20)의 오정렬로 인하여 이웃하는 노광영역(13, 15) 간의 경계면부근에서 패턴들간의 오정렬이 발생하게 되고, 이로 인하여 각 노광영역(13, 15)의 경계면에서 휘도 불균일이 발생됨으로써, 육안으로 노광영역(13, 15)의 경계면부분이 띠처럼 보이는 스티치(stitch) 불량을 발생시키게 된다. At this time, in the divisional exposure process for exposing one exposure region 13 sequentially and then exposing another exposure region 15, the vicinity of the boundary between the neighboring exposure regions 13 and 15 due to the misalignment of the mask 20 The unevenness occurs between the patterns in the exposure areas 13 and 15. This causes unevenness in brightness at the interface between the exposure areas 13 and 15 so that the stitch defect .

특히, 최근 제안되고 있는 상부 및 하부기판 각각에 형성되었던 컬러필터와 스위칭소자를 동일한 기판에 형성하는, 이른바 COT (Color filter On TFT)형 액정표시장치에 있어서는 액티브영역(AA) 내에 정의된 화소(P)의 가장자리를 두르는 블랙매트릭스가 생략됨에 따라, 스티치 불량이 보다 큰 문제점으로 야기되고 있다. Particularly, in a so-called COT (Color Filter On TFT) type liquid crystal display device in which a color filter and a switching element formed on each of the recently proposed upper and lower substrates are formed on the same substrate, P is omitted, a stitch defect is caused to be a big problem.

여기서, COT형 액정표시장치에서의 스티치 불량은 이웃하는 노광영역(13, 15) 간의 경계면 부근에서의 R, G, B 컬러필터패턴 간의 중첩(overlay) 정도에 따른 차이에 기인하여, 외부로부터 입사되는 빛의 반사각의 차이에 의해 발생하게 된다. The stitch defect in the COT type liquid crystal display device is caused by the difference in the degree of overlay between the R, G and B color filter patterns in the vicinity of the interface between the adjacent exposure areas 13 and 15, Which is caused by the difference in the reflection angle of light.

도 2는 COT형 액정표시장치에서 스티치 불량이 발생하는 것을 설명하기 위한 개략도이다. 2 is a schematic view for explaining stitch defect occurrence in the COT type liquid crystal display device.

도시한 바와 같이, 기판(1) 상의 액티브영역(도 1의 AA)에 분할노광공정을 통해 컬러필터패턴(17a, 17b, 17c)을 형성하게 되면, 제 1 노광영역(13)의 R 컬러필터패턴(17a)과 G 컬러필터패턴(17b)은 제 1 샷에 의한 노광공정에 의해 R컬러필터패턴(17a)과 G 컬러필터패턴(17b) 사이가 일정간격 이격된 오픈(open)영역이 발생할 수 있으며, 제 1 노광영역(13)에 이웃한 제 2 노광영역(15)의 R컬러필터패턴(17a)과 G 컬러필터패턴(17b)은 제 2 샷에 의한 노광공정에 의해 R컬러필터패턴(17a)과 G 컬러필터패턴(17b)이 서로 중첩(overlap)되어 형성될 수 있다. As shown in the figure, when the color filter patterns 17a, 17b and 17c are formed in the active region (AA in FIG. 1) on the substrate 1 through the divisional exposure process, The pattern 17a and the G color filter pattern 17b are formed in such a manner that an open area where a gap between the R color filter pattern 17a and the G color filter pattern 17b is spaced apart by an exposure process by the first shot The R color filter pattern 17a and the G color filter pattern 17b of the second exposure area 15 adjacent to the first exposure area 13 are exposed by the exposure process by the second shot, The G color filter pattern 17a and the G color filter pattern 17b overlap each other.

이와 같이 제 1 노광영역(13)과 제 2 노광영역(15)의 컬러필터패턴(17) 사이의 영역이 오픈(open) 또는 중첩(overlap)되는 것과 같이 서로 다르게 노광될 경우, 이의 영역을 통해 외부로부터 입사되는 빛은 서로 다른 반사각(ⓐ, ⓑ)을 갖도록 반사되게 되고, 이를 통해 제 1 노광영역(13)과 제 2 노광영역(15) 사이의 경계면에서 반사시감에 따른 휘도 불균일에 의한 스티치 불량이 발생하게 되는 것이다. As described above, when the areas between the color filter patterns 17 of the first exposure area 13 and the second exposure area 15 are exposed differently, such as open or overlap, The light incident from the outside is reflected so as to have different reflection angles (a) and (b), and through the boundary between the first exposure region 13 and the second exposure region 15, Defects will occur.

따라서, 최근에는 이와 같은 스티치 불량을 보상하고자, 노광되는 각 노광영역(13, 15)들 간의 경계면을 이중 노광하는 레고(lego)노광방법이 제공되고 있는데, 레고노광방법은 제 1 샷을 진행할 때 제 1 노광영역(13)과 제 2 노광영역(15) 사이의 경계면부근 일부에서 R, G, B 화소 단위로 레고패턴 노광방식을 적용하여 어느 부분은 노광을 진행하고, 어느 부분은 노광을 진행하지 않게 한 다음, 제 2 샷을 진행할 때 제 1 샷에서 노광되지 않은 화소는 노광을 진행하고, 노광이 진행된 화소에 대해서는 노광을 진행하지 않도록 하는 것이다. Therefore, in recent years, there has been provided a method of exposing a boundary between two exposed regions 13 and 15 to compensate for such a stitch defect. The lego exposure method includes a step A part of the vicinity of the interface between the first exposure area 13 and the second exposure area 15 is subjected to the Lego pattern exposure method in units of R, G, and B pixels to expose the part, Then, when proceeding to the second shot, the pixels not exposed in the first shot proceed to the exposure, and the exposure does not proceed to the exposed pixels.

이와 같이, 노광영역(13, 15)이 중첩되는 영역에서 화소 단위로 제 1 샷에 의해 노광될 영역과 제 2 샷에 의해 노광될 영역을 구분하여 노광함으로써, 인접한 노광영역(13, 15)의 경계에서 사용자가 느끼는 띠처럼 보이는 스티치 불량이 저감되도록 할 수 있다. As described above, by separately exposing the area to be exposed by the first shot and the area to be exposed by the second shot in the area where the exposure areas 13 and 15 overlap each other, It is possible to reduce the stitch defect that appears as a band felt by the user at the boundary.

하지만, 이와 같은 레고노광방법은 많은 수의 샷을 필요로 하게 된다. However, such a lego exposure method requires a large number of shots.

즉, 하나의 단위패널에 분할된 노광영역(13, 15)이 2개일 경우, 기존에는 2번의 샷을 통해 노광공정이 완료되나, 레고노광방법은 4번의 샷을 통해 노광공정이 완료되게 된다. 이와 같은 샷 수 증가로 인하여 레고노광방법은 공정시간이 증가하게 되므로 공정의 효율성이 낮은 문제점을 야기하게 된다.
That is, when there are two exposure regions 13 and 15 divided in one unit panel, the exposure process is completed through two shots in the past, but the exposure process is completed through four shots in the Lego exposure method. Due to the increase in the number of shots, the process time of the Lego exposure method is increased, which results in a low process efficiency.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 노광영역 경계에 형성되는 스티치 불량을 개선하고자 하는 것을 제 1 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION It is a first object of the present invention to improve stitch defect formed on the boundary of an exposure area to solve the above problems.

이를 통해, 액정표시장치의 화질을 개선하는 것을 제 2 목적으로 한다. A second object of the present invention is to improve the image quality of a liquid crystal display device.

또한, 공정의 효율성을 향상시키고자 하는 것을 제 3 목적으로 한다.
The third object is to improve the efficiency of the process.

전술한 바와 같이 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 액정표시장치를 제조하기 위한 노광공정에 사용되는 노광마스크에 있어서, 기판 상에 정의된 화소와 정확하게 얼라인되는 얼라인노광부와 상기 기판 상에 정의된 화소로부터 행방향 또는 열방향으로 쉬프트간격을 가지며 램덤(random)하게 이동되어진 쉬프트노광부를 포함하는 액정표시장치용 노광마스크를 제공한다. In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided an exposure mask for use in an exposure process for manufacturing a liquid crystal display, comprising: an alignment exposure unit accurately aligned with a pixel defined on a substrate; There is provided an exposure mask for a liquid crystal display including a shift exposure unit randomly moved with a shift interval in a row direction or a column direction from a defined pixel.

이때, 상기 행방향으로 이동되어진 상기 쉬프트노광부는 상기 노광마스크의 행방향의 좌측 및 우측 가장자리에 정의된 쉬프트영역에 램덤하게 형성되며, 상기 행방향으로 이동되어진 상기 쉬프트노광부는 상기 노광마스크의 전면에 걸쳐 램덤하게 형성된다. At this time, the shift exposure unit moved in the row direction is randomly formed in a shift region defined by the left and right edges of the exposure mask in the row direction, and the shift exposure unit moved in the row direction is formed on the entire surface of the exposure mask .

그리고, 상기 행방향으로 이동되어진 상기 쉬프트노광부는 행방향의 가장자리로 갈수록 개수에 따른 비율이 증가하며, 상기 행방향으로 이동되어진 상기 쉬프트노광부는 행방향의 가장자리로 갈수록 상기 쉬프트간격이 커지게 된다. The shift exposing unit moved in the row direction increases in proportion to the number in the row direction, and the shift exposing unit moved in the row direction increases the shift distance toward the edge in the row direction.

또한, 상기 쉬프트간격은 ±1 ~ ±5㎛이다. Further, the shift interval is ± 1 to ± 5 μm.

또한 본 발명은 n개의 노광영역으로 정의된 기판의 각 영역을 노광하는 방법에 있어서, 상기 n번째 노광영역에 상기 기판 상에 정의된 화소와 정확하게 얼라인되는 얼라인노광부와, 상기 기판 상에 정의된 화소로부터 행방향 또는 열방향으로 쉬프트간격을 가지며 램덤(random)하게 이동되어진 쉬프트노광부를 포함하는 노광마스크를 통해 제 1 노광공정을 진행하는 단계와 상기 노광마스크를 이동시켜, n+1번째 노광영역에 제 2 노광공정을 진행하는 단계를 포함하며, 상기 쉬프트노광부에 의해 형성되는 R, G, B 컬러필터패턴은 이웃하는 화소에 형성되는 R, G, B 컬러필터패턴과 가장자리가 서로 중첩되어 형성되거나, 서로 일정간격 이격하여 형성되는 액정표시장치의 노광방법을 제공한다. The present invention also provides a method of exposing each region of a substrate defined as n exposure regions, comprising: aligning an exposure region precisely aligned with a pixel defined on the substrate in the nth exposure region; A step of performing a first exposure process through an exposure mask including a shift exposure unit randomly moved with a shift interval in a row direction or a column direction from a defined pixel and moving the exposure mask, Wherein the R, G, and B color filter patterns formed by the shift exposure unit are arranged such that the R, G, and B color filter patterns formed on neighboring pixels and the edges of the R, The present invention also provides an exposure method for a liquid crystal display device formed to be superimposed or spaced apart from each other by a predetermined distance.

이때, 상기 쉬프트노광부가 상기 열방향으로 이동되어지면, 상기 R, G, B 컬러필터패턴은 각 열방향으로 이웃하는 화소 사이의 영역에서 높낮이 차를 갖게 된다. At this time, if the shift exposure portion is moved in the column direction, the R, G, and B color filter patterns have a height difference in a region between neighboring pixels in each column direction.

또한 본 발명은 액정표시장치를 제조하기 위한 노광공정에 사용되는 노광마스크에 있어서, 기판 상에 정의된 화소와 얼라인되는 얼라인노광부와 상기 기판 상에 정의된 화소로부터 행방향으로 쉬프트간격을 가지며 랜덤하게 이동되어진 제 1 쉬프트노광부와 상기 기판 상에 정의된 화소로부터 열방향으로 쉬프트간격을 가지며 랜덤하게 이동되어진 제 2 쉬프트노광부를 포함하는 액정표시장치용 노광마스크를 포함한다. The present invention also provides an exposure mask for use in an exposure process for manufacturing a liquid crystal display device, the exposure mask comprising an alignment exposure portion aligned with a pixel defined on a substrate, and a shift interval in the row direction from a pixel defined on the substrate And an exposure mask for a liquid crystal display including a first shift exposure unit moved randomly and a second shift exposure unit shifted randomly from a pixel defined on the substrate in a column direction with a shift interval.

여기서, 상기 제 1 및 제 2 쉬프트노광부는 상기 노광마스크의 행방향의 좌측 및 우측 가장자리에 정의된 쉬프트영역에 랜덤하게 형성되며, 상기 제1 및 제 2 쉬프트노광부는 행방향의 가장자리로 갈수록 개수가 증가한다. Here, the first and second shift exposures are randomly formed in a shift region defined by the left and right edges of the exposure mask in the row direction, and the first and second shift exposures are arranged in the order of .

또한, 상기 쉬프트간격은 ±1 ~ ±5㎛이다.
Further, the shift interval is ± 1 to ± 5 μm.

위에 상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 COT형 액정표시장치를 제조하는 과정에서 쉬프트노광부를 포함하는 노광마스크를 사용하여 R, G, B 컬러필터패턴을 형성함으로써, 노광영역의 경계 부근에서 반사시감과 셀갭불량에 둔화되도록 함으로써, 분할노광공정에서 노광영역의 경계에서 사람의 시각인식성은 애매함을 느끼게 되어 띠 얼룩과 같은 스티치불량을 덜 느끼게 하는 효과가 있다. As described above, in the process of manufacturing the COT type liquid crystal display device according to the present invention, the R, G, and B color filter patterns are formed using the exposure mask including the shift exposure unit, By making the cell gap defect to be slow, the human visual perception at the border of the exposure area in the divisional exposure process becomes ambiguous, and there is an effect that the stitch defect such as banding stain is less noticeable.

또한, 본 발명의 노광마스크를 사용한 노광공정은 노광영역의 경계에서의 스티치불량을 개선하면서도 제 1 및 제 2 노광영역을 노광하는데 2번의 샷에 의한 노광공정만을 필요로하게 되므로, 기존의 레고노광방법에 비해 샷 수를 줄일 수 있고, 공정 시간을 줄일 수 있어 공정의 효율성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
In addition, since the exposure process using the exposure mask of the present invention requires only an exposure process with two shots in order to expose the first and second exposure areas while improving stitch defect at the boundary of the exposure area, The number of shots can be reduced compared with the method, and the process time can be reduced, so that the efficiency of the process can be improved.

도 1은 일반적인 분할노광공정을 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 COT형 액정표시장치에서 스티치 불량이 발생하는 것을 설명하기 위한 개략도.
도 3a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 분할노광공정을 개략적으로 도시한 도면.
도 3b는 도 3a의 쉬프트영역과 이에 대응되는 제 1 노광영역을 확대 도시한 도면.
도 4a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 노광마스크를 통해 형성된 컬러필터패턴을 각 화소 별로 개략적으로 도시한 개략도.
도 4b는 각 화소로부터 반사되는 반사각을 개략적으로 나타낸 개략도.
도 5a ~ 5b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 COT형 액정표시장치에서 스티치 불량이 개선되는 것을 설명하기 위한 비교 개략도.
도 6a ~ 6f는 노광영역 경계에 대응하여 형성되는 쉬프트노광부의 쉬프트간격을 나타낸 개략도.
도 7a는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 COT형 액정표시장치의 노광영역을 개략적으로 도시한 평면도.
도 7b는 도 7a의 Ⅶ-Ⅶ선을 따라 자른 단면도.
도 7c는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 노광마스크를 통해 형성된 컬러필터패턴을 각 화소 별로 개략적으로 도시한 개략도.
도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 액정표시장치의 분할노광공정을 개략적으로 도시한 도면.
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 노광마스크를 통해 형성된 컬러필터패턴을 각 화소 별로 개략적으로 도시한 개략도.
도 10은 스티치불량이 개선되는 것을 설명하기 위한 개략도.
도 11은 노광영역 경계에 대응하여 형성되는 쉬프트노광부의 쉬프트간격을 나타낸 개략도.
도 12a ~ 12b은 본 발명의 실시예에 따른 노광마스크를 통해 반사시감이 개선되는 것을 나타낸 시뮬레이션결과.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a view schematically showing a general divided exposure process. Fig.
Fig. 2 is a schematic view for explaining stitch failure in a COT type liquid crystal display device. Fig.
3A is a schematic view showing a divided exposure process of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 3B is an enlarged view of the shift area of FIG. 3A and the corresponding first exposure area; FIG.
FIG. 4A is a schematic view schematically showing a color filter pattern formed through an exposure mask according to the first embodiment of the present invention, for each pixel. FIG.
4B is a schematic view schematically showing a reflection angle reflected from each pixel;
5A to 5B are comparative schematic views for explaining improvement of stitch defect in the COT type liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
6A to 6F are schematic views showing shift intervals of a shift exposure unit formed corresponding to an exposure region boundary;
7A is a plan view schematically showing an exposure area of a COT type liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 7B is a sectional view taken along the line VII-VII of FIG. 7A. FIG.
FIG. 7C is a schematic view schematically showing a color filter pattern formed through an exposure mask according to a second embodiment of the present invention, for each pixel. FIG.
8 is a view schematically showing a divided exposure process of a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a schematic view schematically showing a color filter pattern formed through an exposure mask according to a third embodiment of the present invention. FIG.
Fig. 10 is a schematic view for explaining improvement in stitch defect. Fig.
11 is a schematic view showing a shift interval of a shift exposure unit formed corresponding to an exposure region boundary;
12A to 12B are simulation results showing that the reflection feeling is improved through the exposure mask according to the embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

-제 1 실시예-- First Embodiment -

도 3a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 분할노광공정을 개략적으로 도시한 도면으로, 제 1 및 제 2 노광영역으로 분할된 기판에 대한 노광공정을 개략적으로 도시한 도면이다. 3A is a view schematically showing a divided exposure process of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, and schematically shows an exposure process for a substrate divided into first and second exposure areas.

그리고 도 3b는 도 3a의 쉬프트영역과 이에 대응되는 제 1 노광영역을 확대 도시한 도면이다. And FIG. 3B is an enlarged view of the shift area of FIG. 3A and the corresponding first exposure area.

도시한 바와 같이, 다수의 화소(P)가 정의되어 있는 액티브영역(AA)이 제 1 및 제 2 노광영역(113, 115)으로 분할되어 정의된 기판(111) 상부로 노광마스크(120)가 위치하는데, 노광마스크(120)는 노광하고자 하는 제 1 노광영역(113)에 대응하여 위치한다. As shown in the drawing, an active mask pattern is formed on the substrate 111 defined by dividing the active area AA in which a plurality of pixels P are defined into first and second exposure areas 113 and 115, Where the exposure mask 120 is located corresponding to the first exposure area 113 to be exposed.

즉, 액정표시장치의 상부 및 하부기판을 제작하기 위해서는 여러 개의 노광마스크(120)를 사용하여 동일 횟수의 노광공정을 거치게 되고, 기판이 대형화됨에 따라 하나의 층을 패터닝할때도 기판(111)을 일정부분 나누어 노광하게 된다. That is, in order to manufacture the upper and lower substrates of the liquid crystal display device, the same number of exposing steps are performed using the plurality of exposure masks 120, and when the one substrate is enlarged, A certain portion of exposure is performed.

여기서, 노광공정은 일예로 기판(111) 상에 R, G, B 컬러필터패턴을 형성하고자 할 경우, 기판(111) 상에 R, G, B 컬러안료를 각각 순차적으로 도포하고, 이후 형성하고자 하는 R, G, B 컬러필터패턴에 대응하는 패턴이 형성되어 있는 노광마스크(120)를 R, G, B 컬러안료가 도포된 기판(111)의 상부에 정렬하고, 노광마스크(120)를 통하여 기판(111) 상에 빛을 조사하여 안료에 선택적으로 빛이 조사되도록 하는 것이다. Here, in the exposure process, for example, when R, G, and B color filter patterns are to be formed on the substrate 111, R, G, and B color pigments are successively applied on the substrate 111, An exposure mask 120 on which a pattern corresponding to the R, G, and B color filter patterns is formed is aligned on the upper side of the substrate 111 on which the R, G, and B color pigments are coated, Light is irradiated onto the substrate 111 to selectively irradiate the pigment with light.

따라서, 기판(111) 상에 R, G, B 컬러필터패턴을 형성하게 되는데, 최근 개발하고자 하는 액정표시장치가 점차 대면적화됨에 따라, 이와 같은 노광마스크(120)는 그 크기가 기판(111) 면적에 비하여 상당히 작아, 기판(111)의 전면에 패턴들을 형성하기 위해서는 기판(111)의 액티브영역(AA)을 다수개의 영역(113, 115)으로 분할한 후, 각 영역(113, 115)을 차례로 다수의 샷을 통해 노광하는 분할노광을 진행해야 한다. Accordingly, the R, G, and B color filter patterns are formed on the substrate 111. As the liquid crystal display device to be developed recently becomes larger, the size of the exposure mask 120 is reduced, The active area AA of the substrate 111 is divided into a plurality of areas 113 and 115 and then the areas 113 and 115 are divided into a plurality of areas 113 and 115 in order to form patterns on the entire surface of the substrate 111, It is necessary to proceed with a divided exposure in which a plurality of shots are successively exposed.

따라서, 기판(111) 상의 액티브영역(AA)은 분할노광을 진행하기 위하여 제 1 및 제 2 노광영역(113, 115)으로 분할되어 정의되며, 노광마스크(120)는 먼저 제 1 노광영역(113)에 대응하여 위치하는 것이다. Accordingly, the active area AA on the substrate 111 is divided into first and second exposure areas 113 and 115 to define a divided exposure, and the exposure mask 120 is first divided into a first exposure area 113 As shown in Fig.

제 1 노광영역(113)에 대응하여 형성된 노광마스크(120)를 사용하여 제 1 노광영역(113)의 제 1 샷에 의한 노광공정이 완료되면, 노광마스크(120)는 제 2 노광영역(115)에 대응하도록 이동되어져 제 2 노광영역(115)의 제 2 샷에 의한 노광공정을 진행하게 된다. When the exposure process by the first shot of the first exposure area 113 is completed using the exposure mask 120 formed corresponding to the first exposure area 113, the exposure mask 120 exposes the second exposure area 115 , And the exposure process by the second shot of the second exposure area 115 proceeds.

여기서, 노광마스크(120)에는 기판(111) 상의 액티브영역(AA)에 정의된 화소(P)에 대응하여 빛이 조사되는 다수의 노광부(121)가 구성되며, 다수의 노광부(121) 각각의 내에는 차단부(미도시)와 투과부(미도시)가 구성되어 있어 원하는 패턴의 모양에 따라 선택적으로 빛을 투과 또는 차단하여 기판(111)의 노광영역(113, 115) 내에 여러 패턴을 형성한다.The exposure mask 120 includes a plurality of exposure units 121 that are irradiated with light corresponding to the pixels P defined in the active area AA on the substrate 111. The exposure unit 120 includes a plurality of exposure units 121, (Not shown) and a transparent portion (not shown) are formed in each of the substrates 111 and 112 to selectively transmit or block light according to the shape of a desired pattern to form various patterns in the exposure regions 113 and 115 of the substrate 111 .

이때, 본 발명의 노광마스크(120)는 제 1 노광영역(113)과 제 2 노광영역(115) 간의 경계면에 대응하는 영역에 쉬프트영역(123)이 형성되는 것을 특징으로 한다. Here, the exposure mask 120 of the present invention is characterized in that the shift region 123 is formed in a region corresponding to the interface between the first exposure region 113 and the second exposure region 115.

여기서, 도 3b를 참조하면 쉬프트영역(123)은 다수의 노광부(121) 중 일부 노광부(이하, 쉬프트노광부라 함)(125)가 램덤하게 행방향(도면상으로 정의한 ±X축방향)으로 일정간격 이동되어져 형성됨에 따라, 쉬프트노광부(125)는 기판(111) 상의 액티브영역(AA)에 정의된 화소(P)와 정확하게 얼라인되지 않도록 형성된다. Referring to FIG. 3B, the shift region 123 is formed by randomly exposing a plurality of exposed portions (hereinafter referred to as shift exposure portions) 125 of a plurality of exposed portions 121 in the row direction (± X axis direction defined by the drawing) The shift exposing portion 125 is formed so as not to be precisely aligned with the pixel P defined in the active region AA on the substrate 111. [

따라서, 이러한 노광마스크(120)를 이용하여 제 1 노광영역(113)을 노광하면, 제 1 노광영역(113)과 제 2 노광영역(115) 간의 경계면 부근에는 쉬프트노광부(125)에 의해 패턴되어 기판(111) 상에 형성되는 패턴이 기판(111) 상에 정의된 화소(P)로부터 행방향(도면상으로 정의한 ±X축방향)으로 일정간격 이동되어져 형성되게 된다. Therefore, when the first exposure area 113 is exposed using the exposure mask 120, the shift exposure part 125 forms a pattern (not shown) near the interface between the first exposure area 113 and the second exposure area 115, A pattern formed on the substrate 111 is formed by being moved at regular intervals in the row direction (± X-axis direction defined by the drawing) from the pixel P defined on the substrate 111. [

따라서, 쉬프트노광부(125)에 의해 패턴되어 형성되는 패턴은 행방향으로 이웃하는 화소(P)에 형성된 패턴과 중첩(overlap)되어 형성되거나, 사이간격이 오픈(open)되어 형성되게 된다. Therefore, the pattern formed by the shift exposing unit 125 is overlapped with the pattern formed in the neighboring pixel P in the row direction, or is formed by opening the gap therebetween.

그리고, 제 2 노광영역(115)을 노광하면, 제 1 노광영역(113)과 제 2 노광영역(115) 간의 경계면 부근 또한 쉬프트노광부(125)에 의해 패턴되어 기판(111) 상에 형성되는 패턴이 기판(111) 상에 정의된 화소(P)로부터 행방향(도면상으로 정의한 ±X축방향)으로 일정간격 이동되어져 형성되게 된다.When the second exposure area 115 is exposed, the vicinity of the interface between the first exposure area 113 and the second exposure area 115 is also patterned by the shift exposure part 125 and formed on the substrate 111 The pattern is formed by being moved at regular intervals in the row direction (the ± X-axis direction defined by the drawing) from the pixel P defined on the substrate 111.

이를 통해, 제 1 노광영역(113)과 제 2 노광영역(115) 사이의 경계면 부근에서 스티치 불량이 개선되어, 액정표시장치의 화질이 개선되게 된다. This improves the stitch defect in the vicinity of the interface between the first exposure area 113 and the second exposure area 115, thereby improving the image quality of the liquid crystal display device.

특히, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 쉬프트노광부(125)를 포함하는 노광마스크(120)를 사용하여 블랙매트릭스가 형성되지 않는 COT형 액정표시장치에서 R, G, B 컬러필터패턴을 형성하게 되면, 액정패널을 구동하지 않는 무구동상태에서도 제 1 및 제 2 노광영역(113, 115) 사이의 경계면 부근에서 발생하는 스티치 불량을 보다 개선할 수 있다.
In particular, an R, G, B color filter pattern is formed in a COT type liquid crystal display device in which a black matrix is not formed using the exposure mask 120 including the shift exposure section 125 according to the first embodiment of the present invention It is possible to further improve the stitch defect occurring in the vicinity of the interface between the first and second exposure areas 113 and 115 even in the non-driving state in which the liquid crystal panel is not driven.

이에 대해 도 4a ~ 4b를 참조하여 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다. This will be described in more detail with reference to FIGS. 4A to 4B.

도 4a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 노광마스크를 통해 형성된 컬러필터패턴을 각 화소 별로 개략적으로 도시한 개략도이며 도 4b는 각 화소로부터 반사되는 반사각을 개략적으로 나타낸 개략도이다. FIG. 4A is a schematic view schematically showing a color filter pattern formed through an exposure mask according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a schematic view schematically showing a reflection angle reflected from each pixel.

도 4a 에 도시한 바와 같이, 쉬프트노광부(도 3 b의 125)를 포함하는 노광마스크(도 3 b의 120)를 사용하여 기판(111) 상에 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c)을 형성하면, 제 1 노광영역(113)과 제 2 노광영역(115) 사이의 경계 부근에 형성되는 일부 R, G, B 컬러필터패턴(119a, 119b, 119c)은 쉬프트노광부(도 3 b의 125)에 의해 화소(P)로부터 행방향(도면상으로 정의한 ±X축방향)으로 일정간격 이동되어져 형성되게 된다. As shown in FIG. 4A, R, G, and B color filter patterns 117a and 117b are formed on a substrate 111 using an exposure mask (120 in FIG. 3B) including a shift exposure portion (125 in FIG. 3B) G, and B color filter patterns 119a, 119b, and 119c formed near the boundary between the first exposure area 113 and the second exposure area 115, (± X-axis direction defined by the drawing) from the pixel P by a predetermined interval (125 in FIG. 3B).

따라서, 쉬프트노광부(도 3 b의 125)에 의해 형성되는 R, G, B 컬러필터패턴(119a, 119b, 119c)은 이동되어진 행방향에 위치하는 이웃하는 화소(P)에 형성된 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c)과 중첩되어 형성되거나, 사이간격이 오픈되어 형성되게 된다. Therefore, the R, G, and B color filter patterns 119a, 119b, and 119c formed by the shift exposure portion (125 in FIG. 3B) are formed in the R, G And B color filter patterns 117a, 117b, and 117c, or may be formed with an interval between them.

이를 통해, 제 1 노광영역(113)과 제 2 노광영역(115) 사이의 경계면 부근에서는 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c, 119a, 119b, 119c)이 중첩(overlap)되어 형성되는 영역과, 중첩되지 않고 오픈(open)영역을 갖는 영역이 혼재하여 존재하게 되므로, 다양한 반사각을 갖는 빛이 반사되게 되어, 제 1 노광영역(113)과 제 2 노광영역(115) 사이의 경계면 부근에서 발생하는 스티치 불량이 개선되게 된다. As a result, the R, G, and B color filter patterns 117a, 117b, 117c, 119a, 119b, and 119c are overlapped in the vicinity of the interface between the first exposure area 113 and the second exposure area 115 Light having a variety of reflection angles is reflected, and the area between the first exposure area 113 and the second exposure area 115 is reduced, The stitch defect occurring near the interface is improved.

이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 사람 눈의 시각인식성은 규칙적인 패턴 배치와 휘도차를 인식하는데 있어서는 매우 민감한데, 하나의 노광영역(113, 115)에서 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c) 중 하나의 컬러필터패턴을 한번의 샷에 의해 노광할 경우 노광영역(113, 115)에 형성되는 하나의 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c)은 모두 이웃하는 컬러필터패턴과 중첩되어 형성되거나 모두 동일하게 오픈영역을 갖도록 형성되게 된다. G, and B color filter patterns 117a, 117b, and 117c in one exposure area 113 and 115, respectively, in the case of recognizing the regular pattern arrangement and luminance difference. The color filter patterns 117a, 117b and 117c formed in the exposure areas 113 and 115 are overlapped with the neighboring color filter patterns to form one color filter pattern Or both have the same open area.

이와 같이 하나의 컬러필터패턴이 모두 이웃하는 컬러필터패턴과 중첩되거나, 오픈영역을 갖도록 형성될 경우 이외의 다른 컬러필터패턴들 또한 이웃하는 컬러필터패턴과 모두 중첩되거나 오픈영역을 갖도록 형성되게 된다. As described above, the color filter patterns other than when one color filter pattern is overlapped with the neighboring color filter pattern or are formed to have an open area are also formed so as to overlap with each other or to have an open area with the neighboring color filter pattern.

따라서, 제 1 노광영역(113)에 위치하는 다수의 화소(P)에 형성되는 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c)이 각 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c) 간의 사이가 모두 동일하게 오픈영역을 갖거나 중첩되어 형성될 경우에는 제 1 노광영역(113)으로부터 외부로부터 입사되는 빛은 R, G, B 컬러에 따른 평균적인 반사각만을 갖도록 반사되게 되고, 제 2 노광영역(115)에 위치하는 다수의 화소(P)에 형성되는 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c)의 각 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c) 간의 사이가 모두 중첩되거나 오픈되어 형성될 경우에는 제 2 노광영역(115)으로부터 외부로부터 입사되는 빛은 제 1 노광영역(113)의 평균적인 반사각과는 또다른 R, G, B 컬러에 따른 평균적인 반사각을 가지며 반사되게 된다. The R, G, and B color filter patterns 117a, 117b, and 117c formed on the plurality of pixels P located in the first exposure area 113 are formed in the respective R, G, and B color filter patterns 117a and 117b And 117c, the light incident from the outside through the first exposure area 113 is reflected so as to have only an average reflection angle corresponding to R, G, and B colors G and B color filter patterns 117a, 117b and 117c of the R, G and B color filter patterns 117a, 117b and 117c formed in the plurality of pixels P located in the second exposure area 115, 117c of the first exposure area 113 are overlapped or open, the light incident from the outside through the second exposure area 115 is reflected by the R, G, and B colors different from the average reflection angle of the first exposure area 113 And reflects with an average reflection angle according to the above.

즉, 제 1 노광영역(113)으로부터는 R-ⓐ 반사각과 G-ⓑ 반사각과 B-ⓑ 반사각만이 반사되게 되고, 제 2 노광영역(115)으로부터는 R-ⓑ 반사각과 G-ⓐ 반사각과 B-ⓐ 반사각만이 반사되게 되는 것이다.That is, only the R-, G-, and B- reflection angles are reflected from the first exposure area 113, and the R- and B-reflection angles are reflected from the second exposure area 115, B-ⓐ Only the reflection angle will be reflected.

(여기서, ⓐ는 서로 이웃하는 R, G, B컬러필터패턴이 중첩된 경우에 반사되는 반사각을 나타내며, ⓑ는 서로 이웃하는 R, G, B 컬러필터패턴의 사이영역에 오픈영역을 갖는 경우에 반사되는 반사각을 나타낸다.) (Where a represents a reflection angle reflected when neighboring R, G, B color filter patterns are superimposed, and b represents an open area between adjacent R, G, B color filter patterns) Reflected angle of reflection.)

따라서, 사람의 시각인식성은 제 1 노광영역(113)과 제 2 노광영역(115) 사이의 경계면에서 확연하게 다른 R, G, B 컬러에 따른 서로 다른 반사각의 빛을 인식하게 되므로, 규칙적인 패턴배치와 휘도차에 의해 사람 눈의 시각인식성은 제 1 및 제 2 노광영역(113, 115) 사이의 경계면에서 띠 얼룩과 같은 스티치불량을 매우 민감하게 느끼게 된다. Therefore, human visual perception recognizes light of different reflection angles according to R, G, and B colors that are distinctly different from each other at the interface between the first exposure area 113 and the second exposure area 115, The visual perception of the human eye due to the arrangement and the luminance difference makes the stitch defect such as banding on the interface between the first and second exposure areas 113 and 115 very sensitive.

그러나, 사람 눈의 시각인식성은 광범위한 범위에 걸쳐 서서히 변화하는 패턴의 인식에 있어서는 비교적 낮다, 따라서, 이러한 사람 눈의 시각인식성의 애매함을 이용하여 표시얼룩에 의한 불량을 덜 두드러지게 함으로써, 액정표시장치의 품질을 향상시키실 수 있다. However, the visual perception of the human eye is relatively low in the recognition of a pattern that changes gradually over a wide range. Therefore, by using the ambiguity of the visual perception of such human eyes to make the defects due to display unevenness less noticeable, Can be improved.

즉, 본 발명의 제 1 실시예와 같이 쉬프트노광부(도 3 b의 125)를 갖는 노광마스크(도 3 b의 120)를 사용하여 기판(111) 상에 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c)을 형성하게 되면, 하나의 노광영역(113, 115)을 한번의 샷에 의해 노광하더라도 각 노광영역(113, 115)에 형성되는 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c, 119a, 119b, 119c) 중 하나의 컬러필터패턴은 이웃하는 컬러필터패턴과의 사이영역이 오픈되거나 중첩되도록 혼재되어 형성되게 된다. That is, as in the first embodiment of the present invention, the R, G, and B color filter patterns (FIG. 3B) are formed on the substrate 111 using the exposure mask G, and B color filter patterns 117a, 117b, and 117c formed in the exposure regions 113 and 115, even when one exposure region 113 and 115 are exposed by one shot, 117b, 117c, 119a, 119b, and 119c are formed in a mixed manner so that the area between adjacent color filter patterns is opened or overlapped.

그리고 이와 같이, 하나의 컬러필터패턴이 이웃하는 컬러필터패턴과의 사이영역이 오픈되거나 중첩되도록 형성됨에 따라, 다른 컬러필터패턴들 또한 이웃하는 컬러필터패턴과 중첩되거나 오픈영역을 갖도록 혼재되어 형성되게 된다.In this way, since one color filter pattern is formed so as to open or overlap the area between the neighboring color filter patterns, other color filter patterns may also be formed in such a manner as to overlap with the neighboring color filter patterns or to have an open area do.

따라서, 제 1 및 제 2 노광영역(113, 115)의 경계면 부근에 형성되는 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c, 119a, 119b, 119c)은 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c) 간의 사이영역이 오픈되거나 중첩되어 형성되면서도 또한 쉬프트노광부(도 3b의 125)에 대응하여 형성되는 R, G, B 컬러필터패턴(119a, 119b, 119c)이 행방향(도면상으로 정의한 ±X축방향)으로 이동되어져 형성됨에 따라, 일부 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c, 119a, 119b, 119c) 또한 사이영역이 중첩되어 형성되거나 오픈되어 형성되게 된다. Therefore, the R, G, and B color filter patterns 117a, 117b, 117c, 119a, 119b, and 119c formed in the vicinity of the interface between the first and second exposure areas 113 and 115, G, and B color filter patterns 119a, 119b, and 119c formed corresponding to the shift exposure portion (125 in FIG. 3B) are formed in the row direction The color filter patterns 117a, 117b, 117c, 119a, 119b, and 119c of the R, G, and B color filters are formed in an overlapping relationship with each other, .

즉, 제 1 및 제 2 노광영역(113, 115)의 경계면 부근에는 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c, 119a, 119b, 119c) 간의 사이영역이 오픈되거나, R, G, B 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c, 119a, 119b, 119c)이 서로 중첩되어 형성되는 영역이 서로 다수개가 발생하고, 랜덤하게 배치되게 된다. That is, an area between the R, G, and B color filter patterns 117a, 117b, 117c, 119a, 119b, and 119c is opened in the vicinity of the interface between the first and second exposure areas 113 and 115, A large number of areas where the B color filter patterns 117a, 117b, 117c, 119a, 119b, and 119c overlap each other are generated, and are randomly arranged.

따라서, 도 4b에 도시한 바와 같이 제 1 및 제 2 노광영역(113, 115)의 경계면 부근에서는 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c, 119a, 119b, 119c) 간의 사이영역이 오픈되거나 중첩되어 형성되는 영역에 의해 제 1 노광영역으로부터는 R-ⓐ 반사각과 G-ⓑ 반사각과 B-ⓑ 반사각만의 평균적인 반사각 외에도, R-ⓑ 반사각과 G-ⓐ 반사각과 B-ⓐ 반사각을 갖는 빛이 함께 반사되고, 제 2 노광영역으로부터도 R-ⓐ 반사각과 R-ⓑ 반사각, G-ⓐ 반사각, G-ⓑ 반사각, B-ⓐ 반사각, B-ⓑ 반사각을 갖는 빛이 함께 반사되게 된다. Therefore, as shown in FIG. 4B, the area between the R, G, and B color filter patterns 117a, 117b, 117c, 119a, 119b, and 119c is near the boundary between the first and second exposure areas 113 and 115 In addition to the average reflection angles of the R-, G-, and B-reflection angles from the first exposure area by the open or overlapping formed regions, the R-b reflection angle and the B- Light having a reflection angle of R-a, reflection angle of R-b, reflection angle of G-a, reflection of G-b, reflection of b-a and reflection of b-b are reflected together from the second exposure area do.

따라서, 제 1 및 제 2 노광영역(113, 115)의 경계면 부근에서는 반사각의 수가 증가되어 반사시감을 둔화시키게 되므로, 사람의 시각인식성은 애매함을 느끼게 되어 띠 얼룩과 같은 스티치불량을 덜 느끼게 된다. Therefore, in the vicinity of the interface between the first and second exposure areas 113 and 115, the number of the reflection angles is increased and the sense of reflection is slowed, so that the visual perception of the human being becomes ambiguous and the stitch defect such as banding is less felt.

따라서, 사람은 액정표시장치의 표시품질이 향상되었다 느끼게 되므로, 액정표시장치의 화질이 개선되게 되는 것이다.
Therefore, a person feels that the display quality of the liquid crystal display device is improved, and thus the image quality of the liquid crystal display device is improved.

이에 대해 도 5a ~ 5b를 참조하여 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다. This will be described in more detail with reference to FIGS. 5A to 5B.

도 5a ~ 5b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 COT형 액정표시장치에서 스티치 불량이 개선되는 것을 설명하기 위한 비교 개략도이다. 5A to 5B are comparative schematic views for explaining improvement in stitch defect in the COT type liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.

먼저 일반적인 노광마스크(도1의 20)를 사용하여 기판(도 1의 11) 상에 컬러필터패턴(17a, 17b, 17c)을 형성하게 되면, 도 5a에 도시한 바와 같이, R, G, B 컬러필터패턴(17a, 17b, 17c)은 데이터배선(DL)을 기준으로 정의되는 각 화소 (P)별로 형성되는데, 이때 기판(11) 상의 액티브영역에 분할노광공정을 통해 컬러필터패턴을 형성하게 되면, 제 1 노광영역(13)의 R, G, B 컬러필터패턴(17a, 17b, 17c)은 제 1 샷에 의한 노광공정에 의해 모든 R컬러필터패턴(17a)과 G 컬러필터패턴(17b) 사이는 일정간격 이격된 오픈영역을 갖도록 형성되고, 이와 같이 R 컬러필터패턴(17a)과 G 컬러필터패턴(17b) 사이가 오픈영역을 갖도록 형성됨에 따라, 모든 G 컬러필터패턴(17b)과 B 컬러필터패턴(17c)과 B 컬러필터패턴(17c)과 R 컬러필터패턴(17a) 사이는 모두 중첩(overlap)되어 형성된다. First, color filter patterns 17a, 17b and 17c are formed on a substrate (11 in Fig. 1) using a general exposure mask (20 in Fig. 1) The color filter patterns 17a, 17b and 17c are formed for each pixel P defined on the basis of the data line DL. At this time, a color filter pattern is formed in the active region on the substrate 11 through a division exposure process The color filter patterns 17a, 17b and 17c of the R, G and B colors in the first exposure area 13 are formed in such a manner that all the R color filter patterns 17a and the G color filter patterns 17b And the G color filter pattern 17b is formed to have an open area between the R color filter pattern 17a and the G color filter pattern 17b, The B color filter pattern 17c, the B color filter pattern 17c, and the R color filter pattern 17a are overlapped with each other.

따라서, 제 1 노광영역(13)으로부터는 R컬러필터패턴(17a)과 G 컬러필터패턴(17b) 사이의 오픈영역으로부터 R-ⓐ 반사각을 갖는 빛만이 반사되게 되고, G 컬러필터패턴(17b)과 B 컬러필터패턴(17c) 사이 그리고 B 컬러필터패턴(17c)과R 컬러필터패턴(17a) 사이의 중첩영역으로부터 각각 G-ⓑ 반사각과 B-ⓑ 반사각을 갖는 빛만이 반사되게 된다. Therefore, only the light having the R-a reflection angle is reflected from the open area between the R color filter pattern 17a and the G color filter pattern 17b from the first exposure area 13, and the G color filter pattern 17b, Only the light having the G-b reflection angle and the B-b reflection angle from the overlapping area between the B color filter pattern 17c and the B color filter pattern 17c and the R color filter pattern 17a is reflected.

그리고, 제 1 노광영역(13)에 이웃한 제 2 노광영역(15)의 R, G, B 컬러필터패턴(17a, 17b, 17c)은 제 2 샷에 의한 노광공정에 의해 R컬러필터패턴(17a)과 G 컬러필터패턴(17b) 사이는 모두 중첩되어 형성되게 되고, G 컬러필터패턴(17b)과 B 컬러필터패턴(17c) 사이와 B 컬러필터패턴(17c) 사이와 R 컬러필터패턴(17a) 사이는 모두 오픈영역을 갖도록 형성되게 된다. The R, G, and B color filter patterns 17a, 17b, and 17c of the second exposure region 15 adjacent to the first exposure region 13 are exposed to the R color filter pattern Color filter pattern 17b and the G color filter pattern 17b and between the G color filter pattern 17b and the B color filter pattern 17c and between the B color filter pattern 17c and the R color filter pattern 17b, 17a are formed to have open areas.

따라서, 제 2 노광영역(15)으로부터는 R컬러필터패턴(17a)과 G 컬러필터패턴(17b) 사이의 중첩영역으로부터 R-ⓑ 반사각을 갖는 빛만이 반사되게 되고, G 컬러필터패턴(17b)과 B 컬러필터패턴(17c) 사이 그리고 B 컬러필터패턴(17c)과R 컬러필터패턴(17a) 사이의 중첩영역으로부터 각각 G-ⓐ 반사각과 B-ⓐ 반사각을 갖는 빛만이 반사되게 된다.Therefore, only the light having the R-? Reflection angle from the overlapping area between the R color filter pattern 17a and the G color filter pattern 17b is reflected from the second exposure area 15 and the G color filter pattern 17b And the B color filter pattern 17c and between the B color filter pattern 17c and the R color filter pattern 17a, only the light having the G-a reflection angle and the B-a reflection angle are reflected.

즉, 제 1 노광영역(13)으로부터는 R-ⓐ 반사각과, G-ⓑ 반사각, B-ⓑ 반사각을 갖는 빛만이 반사되게 되고, 제 2 노광영역(15)으로부터는 R-ⓑ 반사각과, G-ⓐ 반사각, B-ⓐ 반사각을 갖는 빛만이 반사되게 되는 것이다. That is, only the light having the R-, G-, and B- reflection angles is reflected from the first exposure area 13, the R-? Reflection angle and the G Only light having a reflection angle and a reflection angle is reflected.

따라서, 제 1 노광영역(13)과 제 2 노광영역(15)으로부터 같은 R 컬러라 할지라도 다른 반사각을 갖는 빛이 반사되게 되므로, 제 1 노광영역(13)과 제 2 노광영역(15) 간의 경계면 부근에서는 사람 눈의 시각인식성이 서로 다른 반사각(R-ⓐ, G-ⓑ, B-ⓑ, R-ⓑ, G-ⓐ, B-ⓐ)을 매우 민감하게 느끼게 된다.Accordingly, light having a different reflection angle is reflected from the first exposure area 13 and the second exposure area 15 even if the same R color is used. Therefore, the light having a different reflection angle is reflected from the first exposure area 13 and the second exposure area 15, (R-a, G-b, B-b, R-b, G-b, and B-a) which are different in visual perception of the human eye in the vicinity of the interface.

따라서, 사람은 제 1 및 제 2 노광영역(13, 15) 사이의 경계면에서 띠 얼룩과 같은 스티치불량을 느끼게 되는 것이다. Accordingly, the person feels stitch defect such as banding streak on the interface between the first and second exposure areas 13, 15.

이에 반해, 본 발명의 제1 실시예와 같이 쉬프트노광부(도 3b의 125)를 포함하는 노광마스크(도 3b의 120)를 사용하여 기판(111) 상의 액티브영역(도 3b의 AA)에 분할노광공정을 통해 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c)을 형성하게 되면, 쉬프트노광부(도 3b의 125)에 의해 노광되어지는 컬러필터패턴(119a, 119b, 119c)은 행방향(도면상으로 정의한 ±X축방향)으로 일정간격 이동되어져 형성됨에 따라, 일부 컬러필터패턴(119a, 119b, 119c)은 이웃하는 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c)과 중첩되어 형성되거나, 사이영역이 오픈되어 형성되게 된다. On the other hand, as in the first embodiment of the present invention, an active region (AA in FIG. 3B) on the substrate 111 is divided by using an exposure mask (120 in FIG. 3B) including a shift exposure portion When the color filter patterns 117a, 117b, and 117c are formed through the exposure process, the color filter patterns 119a, 119b, and 119c exposed by the shift exposure portion 125 (FIG. 3B) The color filter patterns 119a, 119b, and 119c are overlapped with the neighboring color filter patterns 117a, 117b, and 117c, or the inter-area is opened .

따라서, 제 1 노광영역(113)의 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c, 119a, 119b, 119c)은 제 1 샷에 의한 노광공정에 의해 R컬러필터패턴(117a)과 G 컬러필터패턴(117b) 사이는 일정간격 이격된 오픈(open)영역을 갖도록 형성될 수도 있으며, 쉬프트노광부(도 3b의 125)에 의해 R컬러필터패턴(119a)과 G 컬러필터패턴(117b) 사이는 서로 중첩되어 형성될 수도 있다. Therefore, the R, G, and B color filter patterns 117a, 117b, 117c, 119a, 119b, and 119c of the first exposure area 113 are exposed to the G color filter pattern 117a and G The R color filter pattern 119a and the G color filter pattern 117b may be formed to have an open area spaced apart from the color filter pattern 117b by a shift exposure part 125 in FIG. May be formed to overlap with each other.

여기서, R컬러필터패턴(117a)과 G 컬러필터패턴(117b) 사이는 일정간격 이격된 오픈(open)영역을 갖도록 형성될 경우, G 컬러필터패턴(117b)과 B 컬러필터패턴(117c) 사이와 B 컬러필터패턴(117c)과 R 컬러필터패턴(117a) 사이는 중첩(overlap)되어 형성되게 되며, R컬러필터패턴(119a)과 G 컬러필터패턴(117b) 사이가 중첩되어 형성될 경우, G 컬러필터패턴(117b)과 B 컬러필터패턴(117c) 사이와 B 컬러필터패턴(117c)과 R 컬러필터패턴(117a) 사이는 일정간격 이격되어 형성되게 된다. When the R color filter pattern 117a and the G color filter pattern 117b are formed to have an open area spaced apart from each other by a predetermined distance, a gap between the G color filter pattern 117b and the B color filter pattern 117b The B color filter pattern 117c and the R color filter pattern 117a are overlapped with each other and when the R color filter pattern 119a and the G color filter pattern 117b are formed to overlap each other, The G color filter pattern 117b and the B color filter pattern 117c and the B color filter pattern 117c and the R color filter pattern 117a are spaced apart from each other by a predetermined distance.

따라서, 제 1 노광영역(113)으로부터는 R-ⓐ 반사각과, G-ⓑ 반사각, B-ⓑ 반사각을 갖는 빛과 함께 R-ⓑ 반사각과 G-ⓐ 반사각, B-ⓐ 반사각을 갖는 빛이 모두 혼재되어 반사되게 된다. Therefore, from the first exposure area 113, light having the R-b reflection angle, the G-b reflection angle, and the B-b reflection angle together with the R-a reflection angle, the G-b reflection angle and the B- They are mixed and reflected.

또한, 제 2 노광영역역(115)의 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c, 119a, 119b, 119c)은 제 2 샷에 의한 노광공정에 의해 R컬러필터패턴(117a)과 G 컬러필터패턴(117b) 사이가 중첩되어 형성될 수도 있으며, 쉬프트노광부(도 3b의 125)에 의해 R컬러필터패턴(117a)과 G 컬러필터패턴(119b) 사이는 서로 오픈되어 형성될 수도 있으며, R컬러필터패턴(117a)과 G 컬러필터패턴(117b) 사이가 중첩되어 형성될 경우, G 컬러필터패턴(119b)과 B 컬러필터패턴(117c) 사이와 B 컬러필터패턴(117c)과 R 컬러필터패턴(117a) 사이는 일정간격 오픈되어 형성되게 되며, R컬러필터패턴(117a)과 G 컬러필터패턴(119b) 사이가 오픈되어 형성될 경우, G 컬러필터패턴(119b)과 B 컬러필터패턴(117c) 사이와 B 컬러필터패턴(117c)과 R 컬러필터패턴(117a) 사이는 중첩되어 형성되게 된다. The R, G, and B color filter patterns 117a, 117b, 117c, 119a, 119b, and 119c of the second exposure area area 115 are exposed by the second shot in the R color filter pattern 117a The G color filter pattern 117b may be formed by overlapping between the G color filter pattern 117b and the R color filter pattern 117a and the G color filter pattern 119b by the shift exposure portion 125 When the R color filter pattern 117a and the G color filter pattern 117b are formed to overlap with each other, a gap between the G color filter pattern 119b and the B color filter pattern 117c, a B color filter pattern 117c, The G color filter pattern 119a and the B color filter pattern 117a are formed to be spaced apart from each other at a predetermined interval and when the gap between the R color filter pattern 117a and the G color filter pattern 119b is opened, The filter pattern 117c and the B color filter pattern 117c and the R color filter pattern 117a are overlapped with each other.

따라서, 제 2 노광영역(115)으로부터는 R-ⓐ 반사각과, G-ⓑ 반사각, B-ⓑ 반사각을 갖는 빛과 함께 R-ⓑ 반사각과 G-ⓐ 반사각, B-ⓐ 반사각을 갖는 빛이 모두 혼재되어 반사되게 된다. Accordingly, from the second exposure area 115, light having an R-b reflection angle, a G-b reflection angle, and a B-b reflection angle together with a R-a reflection angle, a G-b reflection angle and a B- They are mixed and reflected.

따라서, 사람 눈의 시각인식성은 제 1 노광영역(113)과 제 2 노광영역(115)으로부터 다양한 컬러의 반사각을 갖는 빛이 반사됨에 따라, 반사각에 의한 반사시감이 둔화되게 되는 것이다. Accordingly, the visual perception of the human eye is caused by the reflection of light having a reflection angle of various colors from the first exposure area 113 and the second exposure area 115, and the reflection feeling by the reflection angle is slowed.

즉, 제 1 노광영역(113)과 제 2 노광영역(115)으로부터 반사되는 빛이 구분되지 않게 되므로, 사람의 시각인식성은 애매함을 느끼게 되어 띠 얼룩과 같은 스티치불량을 덜 느끼게 되는 것이다. That is, since the light reflected from the first exposure area 113 and the second exposure area 115 is not distinguished from each other, the visual perception of the person is perceived to be ambiguous and the stitch defect such as banding is less felt.

따라서, 사람은 액정표시장치의 표시품질이 향상되었다 느끼게 되므로, 액정표시장치의 화질이 개선되게 되는 것이다.Therefore, a person feels that the display quality of the liquid crystal display device is improved, and thus the image quality of the liquid crystal display device is improved.

여기서, 노광마스크(도 3b의 120)의 쉬프트노광부(도 3b의 125)는 기판(111) 상에 정의된 화소(도 4a의 P)로부터 ±1 ~ ±5㎛의 쉬프트간격을 갖도록 이동되어져 형성되어, 쉬프트노광부(도 3b의 125)에 의해 형성된 컬러필터패턴(119a, 119b, 119c)이 데이터배선(DL) 상부에서 이웃하는 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c, 119a, 119b, 119c)과 이격되거나, 중첩되도록 형성되도록 하는 것이 바람직하다. 3B) of the exposure mask (120 in FIG. 3B) is shifted to have a shift interval of ± 1 to ± 5 μm from the pixel (P in FIG. 4A) defined on the substrate 111 And the color filter patterns 119a, 119b and 119c formed by the shift exposure portion 125 in Fig. 3B correspond to the adjacent color filter patterns 117a, 117b, 117c, 119a, 119b and 119c Or spaced apart from each other.

그리고, 노광영역(113, 115)의 경계에 다가갈수록 쉬프트노광부(도 3b의 125)의 쉬프트간격이 커지거나, 쉬프트노광부(도 3b의 125)의 비율이 커지도록 형성하는 것이 바람직하다.
It is preferable that the shift interval of the shift exposure section (125 in FIG. 3B) becomes larger or the ratio of the shift exposure section (125 in FIG. 3B) increases toward the boundary of the exposure areas 113 and 115.

도 6a ~ 6f는 노광영역 경계에 대응하여 형성되는 쉬프트노광부의 쉬프트간격을 나타낸 개략도이다. 6A to 6F are schematic views showing the shift intervals of the shift exposure unit formed corresponding to the boundary of the exposure area.

도 6a에 도시한 바와 같이, 노광마스크(도 3b의 120)는 쉬프트노광부(도 3b의 125)를 포함하는 쉬프트영역(123)이 구비되는데, 쉬프트영역(123)은 노광마스크(도 3b의 120)의 양측으로 5개씩 분할하여 정의할 수 있다. As shown in FIG. 6A, the exposure mask (120 in FIG. 3B) is provided with a shift region 123 including a shift exposure portion (125 in FIG. 3B) 120) on both sides.

이때, 쉬프트영역(123)에는 기판(도 5b의 111) 상에 정의된 화소(도 4a의 P)와 정확하게 얼라인되는 노광부(이하, 얼라인노광부라 함)(도 3b의 121)와, 화소(도 4a의 P)로부터 ±1 ~ ±5㎛의 쉬프트간격을 갖도록 이동되어져 형성되는 쉬프트노광부(도 3b의 125)를 포함하는데, 얼라인노광부(도 3b의 121)를 0㎛라 표기하면, 얼라인노광부(도 3b의 121)는 노광영역(113, 115)의 경계에 가까워질수록 비율이 점차 줄어들게 하고, 쉬프트노광부(도 3b의 125)는 노광영역(113, 115)의 경계에 가까워질수록 쉬프트간격과 비율이 점차 늘어나도록 하는 것이 바람직하다. At this time, in the shift region 123, an exposure portion (hereinafter referred to as an aligned exposure portion) (121 in Fig. 3B) which is accurately aligned with the pixel (P in Fig. 4A) defined on the substrate (125 in Fig. 3B) formed so as to have a shift distance of +/- 1 to +/- 5 mu m from the pixel (P in Fig. 4A). The alignment exposure section (121 in Fig. 3B) 3B) of the exposure area 113 and 115 and the shift exposure part (125 of FIG. 3B) of the exposure area 113 and 115 are gradually decreased as the area near the boundary of the exposure areas 113 and 115 is gradually decreased. It is preferable to gradually increase the shift interval and the ratio.

즉, 노광영역(113, 115)의 경계로부터 가장 멀리 위치하는 제 1 쉬프트영역(123a)에는 얼라인노광부(도 3b의 121)가 90%의 비율을 갖도록 형성되면, ±1㎛의 쉬프트간격을 갖는 쉬프트노광부(도 3b의 125)가 10%의 비율을 갖도록 형성하는 것이다. 이때, 쉬프트노광부(도 3b의 125)와 얼라인노광부(도 3b의 121)는 위의 비율 내에서 서로 랜덤하게 위치하도록 한다. That is, when the alignment area 121 (in FIG. 3B) is formed so as to have a 90% ratio in the first shift area 123a located farthest from the boundary between the exposure areas 113 and 115, (125 in Fig. 3B) is formed so as to have a ratio of 10%. At this time, the shift exposure section (125 in FIG. 3B) and the alignment exposure section (121 in FIG. 3B) are randomly positioned within the above ratio.

그리고, 제 1 쉬프트영역(123a)에 이웃하는 제 2 쉬프트영역(123b)에는 얼라인노광부(도 3b의 121)가 80%, ±1㎛의 쉬프트간격을 갖는 쉬프트노광부(도 3b의 125)는 10%, ±2㎛의 쉬프트간격을 갖는 쉬프트노광부(도 3b의 125)가 10% 형성되록하고, 제 3 쉬프트영역(123c)에는 얼라인노광부(도 3b의 121)가 70%, ±1㎛, ±2㎛, ±3㎛의 쉬프트간격을 갖는 쉬프트노광부(도 3b의 125)가 각각 10%씩 형성되도록 하고, 제 4 쉬프트영역(123d)에는 얼라인노광부(도 3b의 121)가 60%, ±1㎛, ±2㎛, ±3㎛, ±4㎛의 쉬프트간격을 갖는 쉬프트노광부(도 3b의 125)가 각각 10%씩 형성되도록 하고, 제 5 쉬프트영역(123e)에는 얼라인노광부(도 3b의 121)가 50%, ±1㎛, ±2㎛, ±3㎛, ±4㎛, ±5㎛의 쉬프트간격을 갖는 쉬프트노광부(도 3b의 125)가 각각 10%씩 형성되도록 하는 것이다. In the second shift area 123b adjacent to the first shift area 123a, the alignment exposure section 121 (FIG. 3B) is shifted by 80%, shift exposure section with a shift distance of +/- 1 mu m (125 in FIG. 3B) is formed by 10%, and the third shift area 123c is formed by 70% of the alignment exposure portion (121 in FIG. 3B) (125 in Fig. 3B) having a shift distance of +/- 1 mu m, +/- 1 mu m, +/- 2 mu m, and +/- 3 mu m are formed in the fourth shift area 123d, (125 in Fig. 3B) of 10% each having a shift distance of 60%, +/- 1 mu m, +/- 2 mu m, +/- 3 mu m, and +/- 4 mu m are formed in the fifth shift region The alignment exposure section 121 of FIG. 3B has a shift distance of 50%, ± 1 μm, ± 2 μm, ± 3 μm, ± 4 μm and ± 5 μm in the alignment exposure section Are formed by 10% each.

또는 도 6b와 도 6c에 도시한 바와 같이 배열되도록 형성할 수도 있으며, 도 6d에 도시한 바와 같이 쉬프트영역(123)을 3분할하여 각 영역별 동일 비율을 갖도록 형성할 수도 있다. 6B or 6C. Alternatively, as shown in FIG. 6D, the shift region 123 may be divided into three regions so as to have the same ratio for each region.

또한, 쉬프트영역(123)은 노광영역의 경계로부터 15mm ~ 50mm의 폭을 갖도록 형성할 수 있으며, 또는 도 6e와 도 6f에 도시한 바와 같이 노광마스크(120)가 전체가 쉬프트영역(123)이 되어, 쉬프트노광부(도 3b의 125)가 노광마스크(120)의 전면에 걸쳐 램덤하게 위치하도록 할 수도 있다. The shift region 123 may be formed to have a width of 15 mm to 50 mm from the boundary of the exposure region. Alternatively, as shown in FIGS. 6E and 6F, the exposure mask 120 may be formed so that the entire shift region 123 (125 in FIG. 3B) may be randomly positioned over the entire surface of the exposure mask 120. In this case, as shown in FIG.

여기서, 쉬프트노광부(도 3b의 125)가 노광마스크(120)의 전면에 걸쳐 램덤하게 위치할 경우, 쉬프트노광부(도 3b의 125)와 얼라인노광부(도 3b의 121)는 서로 동일한 비율을 갖도록 배열될 수 있으며, 쉬프트노광부(도 3b의 125)가 얼라인노광부(도 3b의 121)에 비해 적은 비율을 갖도록 배열될 수도 있다. When the shift exposure portion 125 (FIG. 3B) is randomly positioned over the entire surface of the exposure mask 120, the shift exposure portion 125 (FIG. 3B) and the aligning exposure portion 121 And the shift exposure portion 125 (Fig. 3B) may be arranged to have a smaller ratio with respect to the aligning exposure portion (121 in Fig. 3B).

여기서, 쉬프트영역(123)의 폭과, 분할개수, 그리고 쉬프트노광부(도 3b의 125)와 얼라인노광부(도 3b의 121)의 비율 등은 쉬프트노광부(도 3b의 125)를 포함하는 노광마스크(120)의 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 설계가능하다. Here, the width of the shift region 123, the number of the divided portions, and the ratio of the shift exposure portion (125 in FIG. 3B) to the alignment exposure portion (121 in FIG. 3B) The present invention can be variously designed within the scope of the present invention.

전술한 바와 같이, 본 발명의 COT형 액정표시장치는 쉬프트노광부(도 3b의 125)를 포함하는 노광마스크(120)를 사용하여 R, G, B 컬러필터패턴(도 5b의 117a, 117b, 117c, 119a, 119b, 119c)을 형성함으로써, 노광영역(113, 115)의 경계 부근에서 다양한 반사각을 갖는 빛이 반사되도록 할 수 있어, 분할노광공정에서 노광영역(113, 115)의 경계에서 사람의 시각인식성이 반사시감에 둔화되도록 함으로써, 사람의 시각인식성은 애매함을 느끼게 되어 띠 얼룩과 같은 스티치불량을 덜 느끼게 된다. As described above, in the COT type liquid crystal display device of the present invention, the R, G, and B color filter patterns (117a, 117b, and 117b in FIG. 5B) are formed using the exposure mask 120 including the shift exposure portion (125 in FIG. It is possible to reflect light having various reflection angles in the vicinity of the boundary between the exposure areas 113 and 115 so that the exposure can be performed at the boundary of the exposure areas 113 and 115 So that the visual perception of the person is perceived to be ambiguous and the stitch defect such as banding stain is less felt.

따라서, 사람은 액정표시장치의 표시품질이 향상되었다 느끼게 된다. Therefore, a person feels that the display quality of the liquid crystal display device has improved.

또한, 본 발명의 노광마스크(120)를 사용한 노광공정은 노광영역(113, 115)의 경계에서의 스티치불량을 개선하면서도 제 1 및 제 2 노광영역(113, 115)을 노광하는데 2번의 샷에 의한 노광공정만을 필요로하게 되므로, 기존의 레고노광방법에 비해 샷 수를 줄일 수 있어, 공정 시간을 줄일 수 있어 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다. The exposure process using the exposure mask 120 of the present invention exposes the first and second exposure areas 113 and 115 while improving the stitch defect at the boundary of the exposure areas 113 and 115, It is possible to reduce the number of shots as compared with the existing lego exposure method, thereby reducing the processing time and improving the efficiency of the process.

또한, 노광마스크(120)의 쉬프트노광부(도 3b의 125)는 램덤하게 기판(도 5b의 111) 상에 정의된 화소(도 4a의 P)로부터 열방향(도면상으로 정의한 Y축방향)으로 일정간격 이동되어져 형성될 수도 있다. 3B) 125 of the exposure mask 120 is randomly shifted from the pixel (P in FIG. 4A) defined on the substrate (111 in FIG. 5B) in the column direction (Y-axis direction defined in the figure) As shown in FIG.

이를 통해, 노광영역(113, 115) 사이의 경계에서의 셀갭 불균일에 의한 스티치불량 또한 개선할 수 있다. As a result, the stitch defect due to cell gap irregularity at the boundary between the exposure areas 113 and 115 can be improved.

한편, R 컬러필터패턴(117a)과 G 컬러필터패턴(117b) 사이가 오픈영역을 갖도록 형성될 경우, G 컬러필터패턴(117b)과 B 컬러필터패턴(117c)과 B 컬러필터패턴(117c)과 R 컬러필터패턴(117a) 사이는 모두 중첩(overlap)되어 형성됨을 일예로 하였으나, B 컬러필터패턴(117c)과 R 컬러필터패턴(117a) 사이는 오픈영역을 갖도록 형성될 수도 있다. On the other hand, when the G color filter pattern 117b, the B color filter pattern 117c, and the B color filter pattern 117c are formed so as to have an open area between the R color filter pattern 117a and the G color filter pattern 117b, And the R color filter pattern 117a are formed to overlap with each other. However, the B color filter pattern 117c and the R color filter pattern 117a may be formed to have an open area.

또한, R컬러필터패턴(119a)과 G 컬러필터패턴(117b) 사이가 중첩되어 형성될 경우, G 컬러필터패턴(117b)과 B 컬러필터패턴(117c) 사이와 B 컬러필터패턴(117c)과 R 컬러필터패턴(117a) 사이는 일정간격 이격되어 형성됨을 일예로 설명하였으나, B 컬러필터패턴(117c)과 R 컬러필터패턴(117a) 사이가 중첩되어 형성될 수도 있다.
When the R color filter pattern 119a and the G color filter pattern 117b are formed to overlap each other, a gap between the G color filter pattern 117b and the B color filter pattern 117c, a B color filter pattern 117c, The R color filter patterns 117a are formed to be spaced apart from each other by a predetermined distance. However, the B color filter patterns 117c and the R color filter patterns 117a may overlap each other.

-제 2 실시예-- Second Embodiment -

도 7a는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 COT형 액정표시장치의 노광영역을 개략적으로 도시한 평면도이며, 도 7b는 도 7a의 Ⅶ-Ⅶ선을 따라 자른 단면도이다. FIG. 7A is a plan view schematically showing an exposure area of a COT type liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 7B is a sectional view taken along the line VII-VII in FIG. 7A.

그리고, 도 7c는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 노광마스크를 통해 형성된 컬러필터패턴을 각 화소 별로 개략적으로 도시한 개략도이다. 7C is a schematic view schematically showing a color filter pattern formed through an exposure mask according to a second embodiment of the present invention.

도 7a와 도 7b에 도시한 바와 같이 COT형 액정표시장치의 다수의 화소(P)가 정의되어 있는 액티브영역(AA)은 제 1 및 제 2 노광영역(113, 115)으로 분할되어 정의된다. As shown in Figs. 7A and 7B, the active area AA in which a plurality of pixels P of the COT type liquid crystal display device are defined is divided into first and second exposure areas 113 and 115 and defined.

이때, 열방향(도면상으로 정의한 ±Y축방향)으로 서로 이웃하는 화소(P) 사이의 영역에는 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c)이 서로 중첩되어 형성되며, 이의 영역에 대응하는 상부기판(미도시)에는 하부기판(111)과 상부기판 사이의 간격을 유지하기 위한 기둥형상의 컬럼스페이서(118)가 구성된다. At this time, R, G, and B color filter patterns 117a, 117b, and 117c are formed to overlap each other in a region between adjacent pixels P in the column direction (± Y axis direction defined in the drawing) A columnar column spacer 118 for maintaining a gap between the lower substrate 111 and the upper substrate is formed on an upper substrate (not shown) corresponding to the lower substrate 111.

여기서, 제 1 및 제 2 노광영역(113, 115)에 서로 다른 샷에 의한 노광공정이 진행됨에 따라, 제 1 노광영역(113)과 제 2 노광영역(115)에 형성되는 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 미도시, 117c)의 높낮이 차이가 발생하게 된다. As the exposure process by the different shots proceeds in the first and second exposure areas 113 and 115, the R, G, and B formed in the first exposure area 113 and the second exposure area 115 A height difference of the color filter pattern 117a (not shown) and 117c is generated.

R, G, B 컬러필터패턴(117a, 미도시, 117c)의 높낮이 차가 발생할 경우, 상부기판에 형성된 컬럼스페이서(118)와 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 미도시, 117c) 사이에 이격영역(D)이 존재하게 되고, 제1노광영역(113)의 하부기판(111) 단차와 제2 노광영역(115)의 하부기판(111) 단차 차이(이격영역(D))가 발생하여 제1및 2노광영역(113, 115) 사이에 존재하는 액정량이 달라지게 되므로, 전계구동시 액정량 차이에 따른 휘도차에 따른 셀갭불량이 발생하게 된다. When the height difference of the R, G, and B color filter patterns 117a (not shown) is generated, the color filter pattern 117a (not shown) is formed between the column spacer 118 formed on the upper substrate and the R, A step difference of the lower substrate 111 of the first exposure region 113 and a step difference (spacing D) of the lower substrate 111 of the second exposure region 115 are generated The amounts of liquid crystals present between the first and second exposure regions 113 and 115 are different from each other. Thus, a cell gap defect occurs depending on the difference in luminance depending on the difference in liquid crystal quantity during the field driving.

여기서, 하나의 노광영역(113, 115) 내에서의 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c)의 높낮이 차이는 모두 동일하게 형성됨에 따라, 이와 같은 셀갭불량은 노광영역(113, 115) 별로 차이를 갖게 되고, 이를 통해 사람 눈은 이에 대해 규칙적인 패턴배치와 휘도차로 인식하게 된다. Since the height differences of the R, G, and B color filter patterns 117a, 117b, and 117c in one exposure area 113 and 115 are all the same, such a cell gap defect is caused by the exposure area 113, 115). As a result, human eyes perceive this as a regular pattern arrangement and luminance difference.

즉, 제 1 노광영역(113)에서는 셀갭불량이 발생하지 않고 제 2 노광영역(115)에서 셀갭불량이 발생할 경우 사람 눈의 시각인식성은 이를 매우 민감하게 느끼게 되어, 노광영역(113, 115) 사이의 경계에서 셀갭 불균일에 의한 스티치불량을 느끼게 된다. That is, when the cell gap defect occurs in the first exposure area 113 and the cell gap defect occurs in the second exposure area 115, the visual perception of the human eye becomes very sensitive to this, so that the exposure between the exposure areas 113 and 115 The stitch defect due to the cell gap unevenness is felt at the boundary of the stitches.

이에 본 발명의 제 2 실시예에 따른 노광마스크(도 6f의 120)는 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c)을 형성하는 과정에서 컬럼스페이서(118)가 형성되는 위치에 대응하여 다수의 노광부(도 3b의 121) 중 일부 노광부(이하, 쉬프트노광부)(도 3b의 125)가 램덤하게 열방향(도면상으로 정의한 ±Y축방향)으로 일정간격 이동되어져 형성되도록 하는 것을 특징으로 한다.6F) according to the second embodiment of the present invention corresponds to the position where the column spacer 118 is formed in the process of forming the R, G, and B color filter patterns 117a, 117b, and 117c (Hereinafter referred to as a shift exposure section) (125 in FIG. 3B) among the plurality of exposure sections (121 in FIG. 3B) is randomly moved in the column direction .

이를 통해, 도 7c에 도시한 바와 같이 제 1 노광영역(113)과 제 2 노광영역(115)에는 모두 쉬프트노광부(도 3b의 125)에 의해 기판(111) 상에 정의된 화소(P)와 정확하게 얼라인되지 않고 열방향(도면상으로 정의한 ±Y축방향)으로 일정간격 이동되어진 R, G, B 컬러필터패턴(119a, 119b, 119c)이 형성되게 된다. 7C, the pixel P defined on the substrate 111 by the shift exposure portion (125 in FIG. 3B) is formed in both the first exposure region 113 and the second exposure region 115, G, and B color filter patterns 119a, 119b, and 119c, which are not exactly aligned with each other but are shifted in the column direction (± Y-axis direction defined in the drawing) at regular intervals.

이를 통해, 열방향으로 이웃하는 화소(P)의 사이영역에 형성되는 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c) 중 일부 R, G, B 컬러필터패턴(119a, 119b, 119c)은 하부에 위치하는 컬러필터패턴과의 중첩정도가 틀어지게 되면서, 컬러필터패턴 상부에 위치하는 보호층(116)의 두께 차이를 발생시키게 된다. G, and B color filter patterns 119a, 119b, and 119c among the R, G, and B color filter patterns 117a, 117b, and 117c formed in the region between adjacent pixels P in the column direction, The thickness of the protective layer 116 located above the color filter pattern is different from that of the color filter pattern located below.

즉, 제 1 및 제 2 노광영역(113, 115) 간에 컬럼스페이서(118)와 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 미도시, 117c) 사이에 이격영역(D)이 존재하는 셀갭 차이가 발생하는 영역을 다수개 형성, Random배치하는 것이다. That is, the cell gap difference between the first and second exposure areas 113 and 115 where the spacing D exists between the column spacer 118 and the R, G, B color filter pattern 117a (not shown) A plurality of regions to be generated are randomly arranged.

이를 통해, 컬럼스페이서(118)와 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c, 119a, 119b, 119c) 사이의 이격영역(D)에 의한 셀갭불량이 제 1 노광영역(113)과 제 2 노광영역(115)에 걸쳐 여러 영역에서 발생되도록 함으로써, 사람 눈에 셀갭불량이 둔화되므로, 사람의 시각인식성은 애매함을 느끼게 되어 셀갭불량을 덜 느끼게 된다.The cell gap defect caused by the spacing 118 between the column spacer 118 and the R, G, and B color filter patterns 117a, 117b, 117c, 119a, 119b, Since the cell gap defect is slowed to the human eye by being generated in various areas over the second exposure area 115, human visual perception becomes ambiguous and the cell gap defect is less felt.

따라서, 노광영역(113, 115) 사이의 경계에서 셀갭 불균일에 의한 스티치불량을 덜 느끼게 되어, 사람은 액정표시장치의 표시품질이 향상되었다 느끼게 되므로, 액정표시장치의 화질이 개선되게 된다. Therefore, the stitch defect due to the cell gap unevenness is less felt at the boundary between the exposure areas 113 and 115, and the person feels that the display quality of the liquid crystal display device is improved, so that the image quality of the liquid crystal display device is improved.

전술한 바와 같이, 본 발명의 COT형 액정표시장치는 쉬프트노광부(도 3b의 125)를 포함하는 노광마스크(도 6f의 120)를 사용하여 R, G, B 컬러필터패턴(117a, 117b, 117c, 119a, 119b, 119c)을 형성함으로써, 노광영역(113, 115)의 경계 부근에서 반사시감과 셀갭불량에 둔화되도록 함으로써, 분할노광공정에서 노광영역(113, 115)의 경계에서 사람의 시각인식성은 애매함을 느끼게 되어 띠 얼룩과 같은 스티치 얼룩 불량을 덜 느끼게 된다. As described above, the COT type liquid crystal display device of the present invention uses the exposure mask (120 in FIG. 6F) including the shift exposure portion (125 in FIG. 3B) to form R, G, and B color filter patterns 117a, 117b, 117c, 119a, 119b, 119c are formed so as to be reduced to reflectivity and cell gap defect in the vicinity of the boundary of the exposure areas 113, 115, The castle feels ambiguity, which makes it less susceptible to stitch unevenness such as banding stains.

따라서, 사람은 액정표시장치의 표시품질이 향상되었다 느끼게 된다. Therefore, a person feels that the display quality of the liquid crystal display device has improved.

또한, 본 발명의 노광마스크(도 6f의 120)를 사용한 노광공정은 노광영역(113, 115)의 경계에서의 스티치불량을 개선하면서도 제 1 및 제 2 노광영역(113, 115)을 노광하는데 2번의 샷에 의한 노광공정만을 필요로하게 되므로, 기존의 레고노광방법에 비해 샷 수를 줄일 수 있어, 공정 시간을 줄일 수 있어 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다.
Further, the exposure process using the exposure mask (120 of FIG. 6F) of the present invention exposes the first and second exposure areas 113 and 115 while improving the stitch defect at the boundary of the exposure areas 113 and 115 It is possible to reduce the number of shots as compared with the conventional leg exposure method, thereby reducing the processing time and improving the efficiency of the process.

-제 3 실시예-- Third Embodiment -

도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 액정표시장치의 분할노광공정을 개략적으로 도시한 도면으로, 제 1 및 제 2 노광영역으로 분할된 기판에 대한 노광공정을 개략적으로 도시한 도면이다. FIG. 8 is a view schematically showing a divided exposure process of a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention, and schematically shows an exposure process for a substrate divided into first and second exposure areas.

도시한 바와 같이, 다수의 화소(P)가 정의되어 있는 액티브영역(AA)이 제 1 및 제 2 노광영역(213, 215)으로 분할되어 정의된 기판(211) 상부로 노광마스크(220)가 위치하는데, 노광마스크(220)는 노광하고자 하는 제 1 노광영역(213)에 대응하여 위치한다. As shown in the drawing, an active mask pattern is formed on the substrate 211 defined by dividing the active area AA in which a plurality of pixels P are defined into first and second exposure areas 213 and 215, Where the exposure mask 220 is located corresponding to the first exposure area 213 to be exposed.

즉, 액정표시장치의 상부 및 하부기판을 제작하기 위해서는 여러 개의 노광마스크(220)를 사용하여 동일 횟수의 노광공정을 거치게 되고, 기판이 대형화됨에 따라 하나의 층을 패터닝할때도 기판(211)을 일정부분 나누어 노광하게 된다. That is, in order to manufacture the upper and lower substrates of the liquid crystal display, several exposure masks 220 are used to expose the same number of times, and when a single layer is patterned as the substrate is enlarged, A certain portion of exposure is performed.

여기서, 노광공정은 일예로 기판(211) 상에 R, G, B 컬러필터패턴을 형성하고자 할 경우, 기판(211) 상에 R, G, B 컬러안료를 각각 순차적으로 도포하고, 이후 형성하고자 하는 R, G, B 컬러필터패턴에 대응하는 패턴이 형성되어 있는 노광마스크(220)를 R, G, B 컬러안료가 도포된 기판(211)의 상부에 정렬하고, 노광마스크(220)를 통하여 기판(211) 상에 빛을 조사하여 안료에 선택적으로 빛이 조사되도록 하는 것이다. Here, in the case of forming the R, G, and B color filter patterns on the substrate 211, for example, the R, G, and B color pigments are successively coated on the substrate 211, An exposure mask 220 on which a pattern corresponding to the R, G, and B color filter patterns is formed is aligned on the top of the substrate 211 to which R, G, B color pigment is applied, And light is irradiated onto the substrate 211 to selectively irradiate the pigment with light.

따라서, 기판(211) 상에 R, G, B 컬러필터패턴을 형성하게 되는데, 최근 개발하고자 하는 액정표시장치가 점차 대면적화됨에 따라, 이와 같은 노광마스크(220)는 그 크기가 기판(211) 면적에 비하여 상당히 작아, 기판(211)의 전면에 패턴들을 형성하기 위해서는 기판(211)의 액티브영역(AA)을 다수개의 영역(213, 215)으로 분할한 후, 각 영역(213, 215)을 차례로 다수의 샷을 통해 노광하는 분할노광을 진행해야 한다. Accordingly, the R, G, and B color filter patterns are formed on the substrate 211. As a liquid crystal display device to be developed recently becomes larger, the size of the exposure mask 220 is reduced, The active region AA of the substrate 211 is divided into the plurality of regions 213 and 215 and the regions 213 and 215 are formed in the same direction It is necessary to proceed with a divided exposure in which a plurality of shots are successively exposed.

따라서, 기판(211) 상의 액티브영역(AA)은 분할노광을 진행하기 위하여 제 1 및 제 2 노광영역(213, 215)으로 분할되어 정의되며, 노광마스크(220)는 먼저 제 1 노광영역(213)에 대응하여 위치하는 것이다. Thus, the active area AA on the substrate 211 is divided into first and second exposure areas 213 and 215 in order to proceed with the divided exposure, and the exposure mask 220 is first defined in the first exposure area 213 As shown in Fig.

제 1 노광영역(213)에 대응하여 형성된 노광마스크(220)를 사용하여 제 1 노광영역(213)의 제 1 샷에 의한 노광공정이 완료되면, 노광마스크(220)는 제 2 노광영역(215)에 대응하도록 이동되어져 제 2 노광영역(215)의 제 2 샷에 의한 노광공정을 진행하게 된다. When the exposure process by the first shot of the first exposure area 213 is completed using the exposure mask 220 formed corresponding to the first exposure area 213, the exposure mask 220 is exposed to the second exposure area 215 And the exposure process by the second shot of the second exposure area 215 proceeds.

여기서, 노광마스크(220)에는 기판(211) 상의 액티브영역(AA)에 정의된 화소(P)에 대응하여 빛이 조사되는 다수의 노광부(221)가 구성되며, 다수의 노광부(221) 각각의 내에는 차단부(미도시)와 투과부(미도시)가 구성되어 있어 원하는 패턴의 모양에 따라 선택적으로 빛을 투과 또는 차단하여 기판(211)의 노광영역(213, 215) 내에 여러 패턴을 형성한다.The exposure mask 220 includes a plurality of exposure units 221 that are irradiated with light corresponding to the pixels P defined in the active area AA on the substrate 211, (Not shown) and a transparent portion (not shown) are formed in each of the substrate 211 to selectively transmit or block light in accordance with the shape of a desired pattern to form various patterns in the exposure regions 213 and 215 of the substrate 211 .

이때, 본 발명의 노광마스크(220)는 제 1 노광영역(213)과 제 2 노광영역(215) 간의 경계면에 대응하는 영역에 쉬프트영역(223)이 형성되는 것을 특징으로 한다. The exposure mask 220 of the present invention is characterized in that a shift region 223 is formed in a region corresponding to the interface between the first exposure region 213 and the second exposure region 215.

여기서, 쉬프트영역(223)은 다수의 노광부(221) 중 일부 노광부(이하, 쉬프트노광부라 함)(225a)가 램덤하게 행방향(도면상으로 정의한 ±X축방향)으로 일정간격 이동되어져 형성되며, 또한 일부 쉬프트노광부(225b)는 램덤하게 열방향(도면상으로 정의한 ±Y축방향)으로 일정간격 이동되어져 형성된다.Here, the shift region 223 is formed by shifting a part of the exposed portions (hereinafter referred to as shift exposure portions) 225a of the plurality of exposed portions 221 at regular intervals in the row direction (the ± X axis direction defined in the drawing) And some of the shift exposing portions 225b are randomly formed in a predetermined distance in the column direction (± Y-axis direction defined in the figure).

여기서, 행방향(도면상으로 정의한 ±X축방향)으로 일정간격 이동되어져 형성되는 쉬프트노광부를 제 1 쉬프트노광부(225a)라 정의하고, 열방향(도면상으로 정의한 ±Y축방향)으로 일정간격 이동되어져 형성되는 쉬프트노광부를 제 2 쉬프트노광부(225b)라 정의하도록 하겠다. Here, the shift exposure unit formed by being moved at regular intervals in the row direction (the ± X-axis direction defined in the figure) is defined as a first shift exposure unit 225a, and a shift The shift exposure unit formed by being spaced apart will be defined as a second shift exposing unit 225b.

따라서, 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(225a, 225b)는 기판(211) 상의 액티브영역(AA)에 정의된 화소(P)와 정확하게 얼라인되지 않도록 형성된다. The first and second shift exposure parts 225a and 225b are formed not to be accurately aligned with the pixel P defined in the active area AA on the substrate 211. [

이를 통해, 이러한 노광마스크(220)를 이용하여 제 1 노광영역(213)을 노광하면, 제 1 노광영역(213)과 제 2 노광영역(215) 간의 경계면 부근에는 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(225a, 225b)에 의해 패턴되어 기판(211) 상에 형성되는 패턴 중 일부는 기판(211) 상에 정의된 화소(P)로부터 행방향(도면상으로 정의한 ±X축방향)으로 일정간격 이동되어져 형성되게 되며, 또한 일부 패턴은 기판 상에 정의된 화소로부터 열방향(도면상으로 정의한 ±Y축방향)으로 일정간격 이동되어져 형성되게 된다. Thus, when the first exposure area 213 is exposed using the exposure mask 220, near the interface between the first exposure area 213 and the second exposure area 215, the first and second shift exposure parts 213, A part of the pattern formed on the substrate 211 by patterning by the patterns 225a and 225b is moved at regular intervals in the row direction (the + - X axis direction defined by the drawing) from the pixel P defined on the substrate 211 And a part of the pattern is formed by being moved at regular intervals in the column direction (± Y-axis direction defined in the figure) from the pixel defined on the substrate.

따라서, 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(225a, 225b)에 의해 패턴되어 형성되는 패턴들은 행방향 또는 열방향으로 이웃하는 화소(P)에 형성된 패턴과 중첩(overlap)되어 형성되거나, 사이간격이 오픈(open)되어 형성되게 된다. Therefore, the patterns formed by the first and second shift exposures 225a and 225b may be formed overlapping with the pattern formed in the pixels P adjacent in the row direction or the column direction, And is formed to be open.

그리고, 제 2 노광영역(215)을 노광하면, 제 1 노광영역(213)과 제 2 노광영역(215) 간의 경계면 부근 또한 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(225a, 225b)에 의해 패턴되어 기판(211) 상에 형성되는 패턴이 기판(211) 상에 정의된 화소(P)로부터 행방향(도면상으로 정의한 ±X축방향) 또는 열방향(도면상으로 정의한 ±Y축방향)으로 일정간격 이동되어져 형성되게 된다.When the second exposure area 215 is exposed, the vicinity of the interface between the first exposure area 213 and the second exposure area 215 is also patterned by the first and second shift exposure parts 225a and 225b, The pattern formed on the substrate 211 is separated from the pixel P defined on the substrate 211 in the row direction (± X-axis direction defined in the figure) or the column direction (± Y-axis direction defined in the drawing) And is formed.

이를 통해, 제 1 노광영역(213)과 제 2 노광영역(215) 사이의 경계면 부근에서 스티치 불량이 개선되어, 액정표시장치의 화질이 개선되게 된다. This improves the stitch defect in the vicinity of the interface between the first exposure area 213 and the second exposure area 215, thereby improving the image quality of the liquid crystal display device.

특히, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(225a, 225b)를 포함하는 노광마스크(120)를 사용하여 블랙매트릭스가 형성되지 않는 COT형 액정표시장치에서 R, G, B 컬러필터패턴을 형성하게 되면, 액정패널을 구동하지 않는 무구동상태에서도 제 1 및 제 2 노광영역(213, 215) 사이의 경계면 부근에서 발생하는 스티치 불량을 보다 개선할 수 있다. Particularly, in the COT type liquid crystal display device in which the black matrix is not formed using the exposure mask 120 including the first and second shift exposing portions 225a and 225b according to the third embodiment of the present invention, It is possible to further improve the stitch defect occurring in the vicinity of the interface between the first and second exposure areas 213 and 215 even in the non-driving state in which the liquid crystal panel is not driven.

이에 대해 도 9를 참조하여 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다.
This will be described in more detail with reference to FIG.

도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 노광마스크를 통해 형성된 컬러필터패턴을 각 화소 별로 개략적으로 도시한 개략도이며, 도 10은 스티치불량이 개선되는 것을 설명하기 위한 개략도이다. FIG. 9 is a schematic view schematically showing a color filter pattern formed through an exposure mask according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a schematic view for explaining an improvement in stitch defect.

도 9에 도시한 바와 같이, 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)를 포함하는 노광마스크(도 8의 220)를 사용하여 기판(211) 상에 R, G, B 컬러필터패턴(216a, 216b, 216c)을 형성하면, 제 1 노광영역(213)과 제 2 노광영역(215) 사이의 경계 부근에 형성되는 일부 R, G, B 컬러필터패턴(217a, 217b, 217c)은 제 1 쉬프트노광부(도 8의 225a)에 의해 화소(P)로부터 행방향(도면상으로 정의한 ±X축방향)으로 일정간격 이동되어져 형성되게 된다. As shown in Fig. 9, an R, G, B color (not shown) is formed on a substrate 211 using an exposure mask (220 in Fig. 8) including first and second shift exposure portions G, and B color filter patterns 217a, 217b, and 217c (217a, 217b, and 217c) formed in the vicinity of the boundary between the first exposure area 213 and the second exposure area 215 Are formed by being moved at regular intervals in the row direction (± X-axis direction defined by the drawing) from the pixel P by the first shift exposure portion (225a in FIG. 8).

또한, 일부 R, G, B 컬러필터패턴(218a, 218b, 218c)은 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225b)에 의해 화소(P)로부터 열방향(도면상으로 정의한 ±Y축방향)으로 일정간격 이동되어져 형성되게 된다. In addition, some of the R, G, and B color filter patterns 218a, 218b, and 218c are shifted from the pixel P in the column direction (± Y axis direction defined in the drawing) by the second shift exposure portion And are formed by being moved at regular intervals.

따라서, 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)에 의해 형성되는 R, G, B 컬러필터패턴(217a, 217b, 217c, 218a, 218b, 218c)은 이동되어진 행방향 또는 열방향에 위치하는 이웃하는 화소(P)에 형성된 R, G, B 컬러필터패턴(216a, 216b, 216c)과 중첩되어 형성되거나, 사이간격이 오픈되어 형성되게 된다. Therefore, the R, G, and B color filter patterns 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, and 218c formed by the first and second shift exposures (225a and 225b in FIG. 8) And B color filter patterns 216a, 216b, and 216c formed in the neighboring pixels P positioned in the X direction.

이를 통해, 제 1 노광영역(213)과 제 2 노광영역(215) 사이의 경계면 부근에서는 R, G, B 컬러필터패턴(216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, 218c)이 중첩(overlap)되어 형성되는 영역과, 중첩되지 않고 오픈(open)영역을 갖는 영역이 혼재하여 존재하게 되므로, 다양한 반사각을 갖는 빛이 반사되게 된다. The color filter patterns 216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, and 218c are formed in the vicinity of the interface between the first exposure area 213 and the second exposure area 215, Is overlapped and a region having no open area is present in a mixed manner, so that light having various reflection angles is reflected.

따라서, 제 1 노광영역(213)과 제 2 노광영역(215) 사이의 경계면 부근에서 발생하는 스티치 불량이 개선되게 된다. Therefore, the stitch defect occurring near the interface between the first exposure area 213 and the second exposure area 215 is improved.

이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 사람 눈의 시각인식성은 규칙적인 패턴 배치와 휘도차를 인식하는데 있어서는 매우 민감하다. Looking more closely at this, the visual perception of the human eye is very sensitive to the recognition of regular pattern placement and luminance difference.

이때, 하나의 노광영역(213, 215)에서 R, G, B 컬러필터패턴(216a, 216b, 216c) 중 하나의 컬러필터패턴을 한번의 샷에 의해 노광할 경우 노광영역(213, 215)에 형성되는 하나의 컬러필터패턴(216a, 216b, 216c)은 횡방향(도면상으로 정의한 ±X축방향)으로 모두 이웃하는 컬러필터패턴과 모두 중첩되어 형성되거나 모두 동일하게 오픈영역을 갖도록 형성되게 된다. At this time, when one color filter pattern of the R, G, and B color filter patterns 216a, 216b, and 216c is exposed by one shot in one exposure area 213 and 215, The formed color filter patterns 216a, 216b, and 216c are formed so as to overlap with the neighboring color filter patterns in the lateral direction (the + - axis direction defined by the drawing) .

이와 같이 하나의 컬러필터패턴이 모두 이웃하는 컬러필터패턴과 중첩되거나, 오픈영역을 갖도록 형성될 경우 이외의 다른 컬러필터패턴들 또한 이웃하는 컬러필터패턴과 모두 중첩되거나 오픈영역을 갖도록 형성되게 된다. As described above, the color filter patterns other than when one color filter pattern is overlapped with the neighboring color filter pattern or are formed to have an open area are also formed so as to overlap with each other or to have an open area with the neighboring color filter pattern.

따라서, 제 1 노광영역(213)에 위치하는 다수의 화소(P)에 형성되는 R, G, B 컬러필터패턴(216a, 216b, 216c)이 각 R, G, B 컬러필터패턴(216a, 216b, 216c) 간의 사이가 모두 동일하게 오픈영역을 갖거나 중첩되어 형성될 경우에는 제 1 노광영역(213)으로부터 외부로부터 입사되는 빛은 R, G, B 컬러에 따른 평균적인 반사각만을 갖도록 반사되게 된다. The R, G, and B color filter patterns 216a, 216b, and 216c formed on the plurality of pixels P located in the first exposure area 213 correspond to the R, G, and B color filter patterns 216a and 216b And 216c are formed to have the same open area or overlapped with each other, the light incident from the outside through the first exposure area 213 is reflected so as to have only an average reflection angle according to R, G, and B colors .

그리고, 제 2 노광영역(215)에 위치하는 다수의 화소(P)에 형성되는 R, G, B 컬러필터패턴(216a, 216b, 216c)의 각 R, G, B 컬러필터패턴(216a, 216b, 216c) 간의 사이가 모두 중첩되거나 오픈되어 형성될 경우에는 제 2 노광영역(215)으로부터 외부로부터 입사되는 빛은 제 1 노광영역(213)의 평균적인 반사각과는 또다른 R, G, B 컬러에 따른 평균적인 반사각을 가지며 반사되게 된다. The R, G and B color filter patterns 216a and 216b of the R, G and B color filter patterns 216a, 216b and 216c formed in the plurality of pixels P located in the second exposure region 215 , And 216c, the light incident from the outside through the second exposure area 215 is divided into R, G, and B colors different from the average reflection angle of the first exposure area 213 And is reflected with an average reflection angle according to the angle.

즉, 제 1 노광영역(213)으로부터는 R-ⓐ 반사각과 G-ⓑ 반사각과 B-ⓑ 반사각만이 반사되게 되고, 제 2 노광영역(215)으로부터는 R-ⓑ 반사각과 G-ⓐ 반사각과 B-ⓐ 반사각만이 반사되게 되는 것이다.That is, only the R-, G-, and B- reflection angles are reflected from the first exposure area 213, and the R- and B- reflection angles are reflected from the second exposure area 215, B-ⓐ Only the reflection angle will be reflected.

(여기서, ⓐ는 서로 이웃하는 R, G, B컬러필터패턴이 중첩된 경우에 반사되는 반사각을 나타내며, ⓑ는 서로 이웃하는 R, G, B 컬러필터패턴의 사이영역에 오픈영역을 갖는 경우에 반사되는 반사각을 나타낸다.) (Where a represents a reflection angle reflected when neighboring R, G, B color filter patterns are superimposed, and b represents an open area between adjacent R, G, B color filter patterns) Reflected angle of reflection.)

따라서, 사람의 시각인식성은 제 1 노광영역(213)과 제 2 노광영역(215) 사이의 경계면에서 확연하게 다른 R, G, B 컬러에 따른 서로 다른 반사각을 갖는 빛을 인식하게 되므로, 규칙적인 패턴배치와 휘도차에 의해 사람 눈의 시각인식성은 제 1 및 제 2 노광영역(213, 215) 사이의 경계면에서 띠 얼룩과 같은 스티치불량을 매우 민감하게 느끼게 되는 것이다. Therefore, human visual perception recognizes light having different reflection angles according to R, G, and B colors that are distinctly different from each other at the interface between the first exposure area 213 and the second exposure area 215, The visual perception of the human eye due to the pattern arrangement and the luminance difference makes the stitch defect such as banding on the interface between the first and second exposure areas 213 and 215 very sensitive.

또한, 열방향(도면상으로 정의한 ±Y축방향)으로 서로 이웃하는 화소(P)사이의 영역에는 R, G, B 컬러필터패턴(216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, 218c)이 서로 중첩되어 형성되며, 이의 영역에 대응하는 상부기판(미도시)에는 하부기판(111)과 상부기판(미도시) 사이의 간격을 유지하기 위한 기둥형상의 컬럼스페이서(도 7b의 118)가 구성된다. In addition, R, G, and B color filter patterns 216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b (in the Y- And columnar column spacers (not shown) for maintaining a gap between the lower substrate 111 and the upper substrate (not shown) are formed in an upper substrate (not shown) corresponding to the upper and lower substrates 111 and 218c 118).

여기서, 제 1 및 제 2 노광영역(213, 215)에 서로 다른 샷에 의한 노광공정이 진행됨에 따라, 제 1 노광영역(213)과 제 2 노광영역(215)에 형성되는 R, G, B 컬러필터패턴(216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, 218c)의 높낮이 차이가 발생하게 된다. As the exposure process by the different shots proceeds in the first and second exposure regions 213 and 215, the R, G, and B formed in the first exposure region 213 and the second exposure region 215 The height difference of the color filter patterns 216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, 218c is generated.

R, G, B 컬러필터패턴(216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, 218c)의 높낮이 차가 발생할 경우, 상부기판(미도시)에 형성된 컬럼스페이서(도 7b의 118)와 R, G, B 컬러필터패턴(216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, 218c) 사이에 이격영역이 존재하게 되고, 이격영역(도 7b의 D)에 존재한 영역과 이외의 영역 사이에 액정량이 달라지게 되므로, 전계구동시 액정량 차이에 따른 휘도차에 따른 셀갭불량이 발생하게 된다. When the height difference of the R, G and B color filter patterns 216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b and 218c occurs, the column spacer (118 in Fig. There is a spacing region between the R, G and B color filter patterns 216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b and 218c, and a region existing in the spacing region (D in Fig. The cell gap defect occurs due to the difference in brightness due to the difference in the amount of liquid crystal during the driving of the electric field.

여기서, 하나의 노광영역(213, 215) 내에서 R, G, B 컬러필터패턴(216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, 218c)의 높낮이 차이는 모두 동일하게 형성됨에 따라, 이와 같은 갭성불량은 노광영역(213, 215) 별로 차이를 갖게 되고, 이를 통해 사람 눈은 이에 대해 규칙적인 패턴배치와 휘도차로 인식하게 된다. Since the height differences of the R, G, and B color filter patterns 216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, and 218c are uniformly formed in one exposure area 213 and 215 Such a gap defect is different for each of the exposure regions 213 and 215, and the human eye recognizes this as a regular pattern arrangement and luminance difference therebetween.

즉, 제 1 노광영역(213)에서는 셀갭불량이 발생하지 않고 제 2 노광영역(215)에서 셀갭불량이 발생할 경우 사람 눈의 시각인식성은 이를 매우 민감하게 느끼게 되어, 노광영역(213, 215) 사이의 경계에서 셀갭 불균일에 의한 스티치불량을 느끼게 된다. That is, when cell gap defect occurs in the first exposure area 213 and a cell gap defect occurs in the second exposure area 215, the visual perception of the human eye becomes very sensitive to this, so that the exposure between the exposure areas 213 and 215 The stitch defect due to the cell gap unevenness is felt at the boundary of the stitches.

한편, 사람 눈의 시각인식성은 규칙적인 패턴배치와 휘도차에 의해서는 매우 민감하게 느끼지만, 광범위한 범위에 걸쳐 서서히 변화하는 패턴의 인식에 있어서는 비교적 낮게 느끼게 된다, 따라서, 이러한 사람 눈의 시각인식성의 애매함을 이용하여 표시얼룩에 의한 불량을 덜 두드러지게 함으로써, 액정표시장치의 품질을 향상시키실 수 있다. On the other hand, although the visual perception of the human eye is very sensitive to the regular pattern arrangement and the luminance difference, it is relatively low in the recognition of patterns that gradually change over a wide range. Therefore, The quality of the liquid crystal display device can be improved by making the defects due to display unevenness less noticeable.

즉, 본 발명의 제 3 실시예와 같이 도 10에 도시한 바와 같이 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)를 갖는 노광마스크(도 8의 220)를 사용하여 기판(211) 상에 R, G, B 컬러필터패턴(216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, 218c)을 형성하게 되면, 하나의 노광영역(213, 215)을 한번의 샷에 의해 노광하더라도, 제 1 쉬프트노광부(도 8의 225a)에 의해 각 노광영역(213, 215)에 형성되는 R, G, B 컬러필터패턴(216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, 218c) 중 하나의 컬러필터패턴은 이웃하는 컬러필터패턴과의 사이영역이 오픈되거나 중첩되도록 혼재되어 형성되게 된다.10, by using an exposure mask (220 in FIG. 8) having first and second shift exposure portions (225a and 225b in FIG. 8) as in the third embodiment of the present invention, When the R, G, and B color filter patterns 216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, and 218c are formed on one exposure area 213 and 215 G and B color filter patterns 216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, and 218b formed in the respective exposure regions 213 and 215 by the first shift exposure portion (225a in Fig. 8) 218b, and 218c are formed in a mixed manner so that the area between adjacent color filter patterns is opened or overlapped.

또한, 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225b)에 의해 하나의 노광영역(213, 215) 내에서 R, G, B 컬러필터패턴(216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, 218c)의 중첩정도가 틀어지게 되면서, 각 노광영역(213, 215) 내에 R, G, B 컬러필터패턴(216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, 218c) 사이에 이격영역(도 7b의 D)이 존재하거나 존재하지 않는 셀갭 차이가 발생하는 영역을 다수개 형성하게 된다. The R, G, and B color filter patterns 216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, and 218b (see FIG. And B color filter patterns 216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, 218c in the respective exposure areas 213, 215, (D in FIG. 7B) exists or a cell gap difference which does not exist exists.

따라서, 횡방향으로 제 1 및 제 2 노광영역(213, 215)의 경계면 부근에 형성되는 R, G, B 컬러필터패턴(216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, 218c)은 R, G, B 컬러필터패턴(216a, 216b, 216c) 간의 사이영역이 오픈되거나 중첩되어 형성되면서도 또한 제 1 쉬프트노광부(도 8의 225a)에 대응하여 형성되는 R, G, B 컬러필터패턴(217a, 217b, 217c)이 행방향(도면상으로 정의한 ±X축방향)으로 이동되어 형성됨으로써, 일부 R, G, B 컬러필터패턴(217a, 217b, 217c) 또한 사이영역이 중첩되어 형성되거나 오픈되어 서로 혼재되어 형성되게 된다.Therefore, the R, G, and B color filter patterns 216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, and 218c formed in the lateral direction near the interface between the first and second exposure areas 213, G and B color filters 216a, 216b, and 216c formed in correspondence with the first shift exposure portion (225a in FIG. 8) while the region between the R, G, and B color filter patterns 216a, 216b, The color filter patterns 217a, 217b and 217c are formed by shifting the patterns 217a, 217b and 217c in the row direction (+ - axis direction defined by the drawing) Or they are opened and formed together with each other.

즉, 제 1 및 제 2 노광영역(213, 215)의 경계면 부근에는 R, G, B 컬러필터패턴(216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c) 간의 사이영역이 오픈되거나, R, G, B 컬러필터패턴(216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c)이 서로 중첩되어 형성되는 영역이 서로 다수개가 발생하고, 랜덤하게 배치되게 된다. That is, a region between the R, G, and B color filter patterns 216a, 216b, 216c, 217a, 217b, and 217c is opened in the vicinity of the interface between the first and second exposure regions 213 and 215, A plurality of regions in which the B color filter patterns 216a, 216b, 216c, 217a, 217b, and 217c are overlapped with each other are generated and randomly arranged.

따라서, 제 1 및 제 2 노광영역(213, 215)의 경계면 부근에서는 R, G, B 컬러필터패턴(216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c) 간의 사이영역이 오픈되거나 중첩되어 형성되는 영역에 의해 제 1 노광영역(213)으로부터는 R-ⓐ 반사각과 G-ⓑ 반사각과 B-ⓑ 반사각만의 평균적인 반사각 외에도, R-ⓑ 반사각과 G-ⓐ 반사각과 B-ⓐ 반사각을 갖는 빛이 함께 반사되고, 제 2 노광영역(215)으로부터도 R-ⓐ 반사각과 R-ⓑ 반사각, G-ⓐ 반사각, G-ⓑ 반사각, B-ⓐ 반사각, B-ⓑ 반사각을 갖는 빛이 함께 반사되게 된다. Therefore, in the vicinity of the interface between the first and second exposure areas 213 and 215, a region where the area between the R, G, and B color filter patterns 216a, 216b, 216c, 217a, 217b, and 217c is opened or overlapped In addition to the average reflection angles of the R-, G-, and B-reflection angles from the first exposure area 213 by the first exposure area 213, the light having the reflection angles R-, G-, and B- The second exposure area 215 reflects the light having the reflection angle R-a, the reflection angle R-b, the reflection angle G-a, the reflection angle G-b, the reflection angle b-a, .

따라서, 제 1 및 제 2 노광영역(213, 215)의 경계면 부근에서는 반사각의 수가 증가되어 반사시감을 둔화시키게 되므로, 사람의 시각인식성은 애매함을 느끼게 되어 띠 얼룩과 같은 스티치불량을 덜 느끼게 된다. Therefore, in the vicinity of the interface between the first and second exposure areas 213 and 215, the number of reflection angles is increased and the sense of reflection is slowed, so that the visual perception of a person is perceived as ambiguous, and the stitch defect such as banding is less felt.

따라서, 사람은 액정표시장치의 표시품질이 향상되었다 느끼게 되므로, 액정표시장치의 화질이 개선되게 되는 것이다.Therefore, a person feels that the display quality of the liquid crystal display device is improved, and thus the image quality of the liquid crystal display device is improved.

또한, 열방향(도면상으로 정의한 ±Y축방향)으로 제 1 및 제 2 노광영역(213, 215)의 경계면 부근에 형성되는 R, G, B컬러필터패턴(218a, 218b, 218c)은 컬럼스페이서(도 7b의 118)와 이격영역(도 7b의 118)이 존재하거나, 열방향(도면상으로 정의한 ±Y축방향)으로 이동되어 형성됨으로써, 컬럼스페이서(도 7b의 118)와 이격영역(도 7b의 D)이 존재하지 않는 영역이 혼재되어 형성되게 된다. The R, G, and B color filter patterns 218a, 218b, and 218c formed in the vicinity of the interface between the first and second exposure areas 213 and 215 in the column direction (± Y-axis direction defined in the drawing) The spacer (118 in FIG. 7B) and the spacing region (118 in FIG. 7B) are present or moved in the column direction (± Y-axis direction defined in the drawing) (D in FIG. 7B) do not exist.

따라서, 컬럼스페이서(도 7b의 118)와 R, G, B 컬러필터패턴(218a, 218b, 218c) 사이의 이격영역(도 7b의 D)에 의한 셀갭불량이 제 1 노광영역(213)과 제 2 노광영역(215)에 걸쳐 여러 영역에서 발생되도록 함으로써, 사람의 눈에는 셀갭불량이 둔화되어 사람의 시각인식성은 애매함을 느끼게 되어 띠 얼룩과 같은 스티치불량을 덜 느끼게 된다. 7B) between the column spacer (118 in FIG. 7B) and the R, G, and B color filter patterns 218a, 218b, and 218c is smaller than the cell gap defect in the first exposure area 213 and the 2 exposure region 215, the cell gap defect is slowed in the human eye, and the visual perception of the human being becomes ambiguous, so that the stitch defect such as banding is less felt.

따라서, 사람은 액정표시장치의 표시품질이 향상되었다 느끼게 되므로, 액정표시장치의 화질이 개선되게 되는 것이다.Therefore, a person feels that the display quality of the liquid crystal display device is improved, and thus the image quality of the liquid crystal display device is improved.

여기서, 노광마스크(도 8의 220)의 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)는 기판(211) 상에 정의된 화소(P)로부터 ±1 ~ ±5㎛의 쉬프트간격을 갖도록 이동되어져 형성되어, 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)에 의해 형성된 컬러필터패턴(217a, 217b, 217c, 218a, 218b, 218c)이 데이터배선(DL) 상부에서 이웃하는 컬러필터패턴(216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, 218c)과 이격되거나, 중첩되도록 형성되도록 하는 것이 바람직하다. Here, the first and second shift exposures (225a and 225b in FIG. 8) of the exposure mask (220 in FIG. 8) are shifted from the pixel P defined on the substrate 211 by +/- 1 And the color filter patterns 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, and 218c formed by the first and second shift exposures (225a and 225b in FIG. 8) are formed on the data line DL 218b, 218c, 218a, 218b, and 218c adjacent to the adjacent color filter patterns 216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 218c.

그리고, 노광영역(213, 215)의 경계에 다가갈수록 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)의 쉬프트간격이 커지거나, 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)의 비율이 커지도록 형성하는 것이 바람직하다.
The shift distance of the first and second shift exposures (225a and 225b in FIG. 8) increases as they approach the boundaries of the exposure areas 213 and 215, and the shift distance of the first and second shift exposures , And 225b is increased.

도 11은 노광영역 경계에 대응하여 형성되는 쉬프트노광부의 쉬프트간격을 나타낸 개략도이다. 11 is a schematic view showing a shift interval of the shift exposure unit formed corresponding to the boundary of the exposure area.

도시한 바와 같이, 노광마스크(도 8의 220)는 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)를 포함하는 쉬프트영역(123)이 구비되는데, 쉬프트영역(123)은 노광마스크(도 8의 220)의 양측으로 5개씩 분할하여 정의할 수 있다. 8, a shift region 123 including first and second shift exposures (225a and 225b in FIG. 8) is provided. The shift region 123 includes a shift mask 123, (220 in FIG. 8).

이때, 쉬프트영역(123)에는 기판(도 10의 211) 상에 정의된 화소(도 10의 P)와 정확하게 얼라인되는 노광부(이하, 얼라인노광부라 함)(도 8의 221)와, 화소(도 10의 P)로부터 횡방향(도면상으로 정의한 ±X축방향)으로 ±1 ~ ±5㎛의 쉬프트간격을 갖도록 이동되어져 형성되는 제 1 쉬프트노광부(도 8의 225a)와 화소(도 10의 P)로부터 열방향(도면상으로 정의한 ±Y축방향)으로 ±1 ~ ±5㎛의 쉬프트간격을 갖도록 이동되어져 형성되는 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225b)를 포함한다. At this time, in the shift area 123, an exposure part (hereinafter referred to as an align exposure part) (221 in FIG. 8) which is accurately aligned with the pixel (P in FIG. 10) defined on the substrate A first shift exposure portion (225a in Fig. 8) formed by being shifted so as to have a shift distance of +/- 1 to +/- 5 mu m in the lateral direction (+/- X axis direction defined in the drawing) from the pixel (P in Fig. 10) And a second shift exposure portion (225b in Fig. 8) formed so as to have a shift distance of +/- 1 to +/- 5 mu m in the column direction (+/- Y-axis direction defined in the drawing)

여기서, 얼라인노광부(도 8의 221)를 0㎛라 표기하면, 얼라인노광부(도 8의 221)는 노광영역(213, 215)의 경계에 가까워질수록 비율이 점차 줄어들게 하고, 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)는 노광영역(213, 215)의 경계에 가까워질수록 쉬프트간격과 비율이 점차 늘어나도록 하는 것이 바람직하다. Here, if the alignment exposure section (221 of FIG. 8) is denoted by 0 mu m, the alignment exposure section (221 of FIG. 8) causes the ratio to gradually decrease as it approaches the boundary of the exposure areas 213 and 215, 1 and the second shift exposure section (225a, 225b in FIG. 8) is preferably such that the shift interval and the ratio gradually increase as the boundary is closer to the boundary between the exposure areas 213, 215.

즉, 하나의 노광영역(213, 215)에 540개의 화소(도 10의 P)가 정의되면, 노광영역(213, 215)의 경계로부터 가장 멀리 위치하는 제 1 쉬프트영역(223a)에는 108개의 얼라인노광부(도 8의 221)를 형성하면 횡방향과 열방향의 ±1㎛의 쉬프트간격을 갖는 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)는 각각 216개씩 갖도록 형성하는 것이다. That is, when 540 pixels (P in FIG. 10) are defined in one of the exposure areas 213 and 215, the first shift area 223a located farthest from the boundary of the exposure areas 213 and 215 has 108 alignments When the innermost portion (221 of FIG. 8) is formed, the first and second shift exposure portions (225a and 225b of FIG. 8) having shift intervals of ± 1 μm between the lateral direction and the column direction are formed to have 216 .

이때, 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)에서 108씩은 횡방향과 열방향의 +1㎛의 쉬프트간격을 갖도록 형성하고, 108개씩은 횡방향과 열방향의 -1㎛의 쉬프트간격을 갖도록 형성한다. In this case, the first and second shift exposures (225a and 225b in FIG. 8) are formed so as to have a shifting distance of + 1 mu m in the lateral direction and in the column direction by 108, Respectively.

그리고, 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)와 얼라인노광부(도 8의 221)는 위의 개수 내에서 서로 랜덤하게 위치하도록 한다. The first and second shift exposure parts (225a and 225b in Fig. 8) and the alignment exposure part (221 in Fig. 8) are positioned randomly in the above numbers.

그리고 제 1 쉬프트영역(223a)에 이웃하는 제 2 쉬프트영역(223b)에는 얼라인노광부(도 8의 221)를 60개 형성하면, 횡방향과 열방향의 ±1㎛의 쉬프트간격을 갖는 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)는 각각 120개씩 형성하고, 횡방향과 열방향의 ±2㎛의 쉬프트간격을 갖는 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)는 120개씩 형성한다. When 60 alignment films (221 in FIG. 8) are formed in the second shift region 223b adjacent to the first shift region 223a, The first and second shift exposure parts (225a and 225b in FIG. 8) are formed by 120 pieces, and the first and second shift exposure parts (225a and 225b in FIG. 8) 225b are formed by 120 pieces.

또한, 제 3 쉬프트영역(223c)에는 얼라인노광부(도 8의 221)를 44개 형성하면, 횡방향과 열방향의 ±1㎛, ±2㎛, ±3㎛의 쉬프트간격을 갖는 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)는 82 ~ 84개씩 형성하고, 제 4 쉬프트영역(223d)에는 얼라인노광부(도 8의 221)를 32개 형성하면, 횡방향과 열방향의 ±1㎛, ±2㎛, ±3㎛, ±4㎛ 의 쉬프트간격을 갖는 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)는 62 ~ 64개씩 형성한다. In the third shift area 223c, 44 aligning exposure sections (221 in FIG. 8) are formed, and the first shift areas 223c having the shift intervals of ± 1 μm, ± 2 μm and ± 3 μm in the transverse direction and the column direction And the second shift exposure portion (225a, 225b in FIG. 8) are formed by 82 to 84 and the fourth shift region 223d is formed by 32 alignment exposure portions (221 in FIG. 8) The first and second shift exposure sections (225a and 225b in FIG. 8) having shift intervals of ± 1 μm, ± 2 μm, ± 3 μm, and ± 4 μm in the direction are formed by 62 to 64, respectively.

그리고 노광영역(213, 215)의 경계에 가장 인접하여 위치하는 제 5 쉬프트영역(223e)에는 얼라인노광부(도 8의 221)를 28개 형성하면, 횡방향과 열방향의 ±1㎛, ±2㎛, ±3㎛, ±4㎛, ±5㎛ 의 쉬프트간격을 갖는 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)는 50 ~ 52개씩 형성한다.When 28 alignment films (221 in FIG. 8) are formed in the fifth shift region 223e located closest to the boundary between the exposure regions 213 and 215, The first and second shift exposure portions (225a and 225b in FIG. 8) having shift intervals of ± 2 μm, ± 3 μm, ± 4 μm and ± 5 μm are formed by 50 to 52 pixels.

여기서, 쉬프트영역(223)의 폭과, 분할개수, 그리고 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)와 얼라인노광부(도 8의 221)의 갯수 및 비율 등은 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)를 포함하는 노광마스크(도 8의 220)의 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 설계 가능하다.
The width and the number of the shift regions 223 and the numbers and ratios of the first and second shift exposure portions 225a and 225b and the alignment exposure portion 221 of FIG. And the second shift exposure portion (225a, 225b in Fig. 8) of the exposure mask (220 in Fig. 8) without departing from the gist of the present invention.

도 12a ~ 12b은 본 발명의 실시예에 따른 노광마스크를 통해 반사시감이 개선되는 것을 나타낸 시뮬레이션결과이다. 12A to 12B are simulation results showing that the reflection feeling is improved through the exposure mask according to the embodiment of the present invention.

여기서, 도 12a는 ±1㎛, ±2㎛, ±3㎛의 쉬프트간격을 갖는 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)를 포함하는 노광마스크(도 8의 220)를 통해, 기판(도 9의 211) 상에 R, G, B컬러필터패턴(도 9의 216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, 218c)을 형성한 후 반사시감수준을 측정한 시뮬레이션결과이며, 도 12b는 ±1㎛, ±2㎛, ±3㎛, ±4㎛, ±5㎛의 쉬프트간격을 갖는 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)를 포함하는 노광마스크(도 8의 220)를 통해, 기판(도 9의 211) 상에 R, G, B컬러필터패턴(도 9의 216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, 218c)을 형성한 후 반사시감수준을 측정한 시뮬레이션결과이다. Here, FIG. 12A is a view showing an example in which the exposure mask (220 in FIG. 8) including the first and second shift exposure portions (225a and 225b in FIG. 8) having the shift intervals of ± 1 μm, ± 2 μm and ± 3 μm , And R, G, and B color filter patterns (216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, and 218c in FIG. 9) are formed on the substrate 12B is a graph showing the results of simulation including the first and second shift exposure portions (225a and 225b in FIG. 8) having shifts of ± 1 μm, ± 2 μm, ± 3 μm, ± 4 μm and ± 5 μm The color filter pattern (216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, 218c in Fig. 9) of R, G, B is formed on the substrate (211 in Fig. 9) The results of the simulation are as follows.

도 12a와 도 12b를 참조하면, 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)를 갖는 노광마스크(도 8의 220)를 사용하여 기판(도 9의 211) 상에 R, G, B컬러필터패턴(도 9의 216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, 218c)을 형성할 경우가 일반적인 노광마스크를 사용하여 기판 상에 R, G, B 컬러필터패턴을 형성하는 경우에 비해 반사시감수준이 현저하게 개선되는 것을 확인할 수 있다. 12A and 12B, R, G, and B are formed on a substrate (211 in FIG. 9) using an exposure mask (220 in FIG. 8) having first and second shift exposure portions , B color filter patterns (216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, and 218c in FIG. 9) are formed on the substrate using a general exposure mask. It can be confirmed that the level of reflection visibility is remarkably improved as compared with the case of forming.

도 12a의 ±1㎛, ±2㎛, ±3㎛의 쉬프트간격을 갖는 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)를 포함하는 노광마스크(도 8의 220)를 사용할 경우 반사시감수준은 기존의 반사시감수준인 Lv2.7에 비해 약 Lv0.3이 개선되어 Lv2.4를 갖게 되며, 도 12b의 ±1㎛, ±2㎛, ±3㎛, ±4㎛, ±5㎛의 쉬프트간격을 갖는 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)를 포함하는 노광마스크(도 8의 220)를 사용할 경우 반사시감수준은 기존의 반사시감수준인 Lv3.5에 비해 약 Lv0.7이 개선되어 Lv2.5를 갖게 되는데, 이는 반사시감수준이 한단계(ΔLv1)나 개선됨을 의미한다. When an exposure mask (220 in Fig. 8) including the first and second shift exposure portions (225a and 225b in Fig. 8) having the shift intervals of ± 1 μm, ± 2 μm and ± 3 μm in FIG. 12A is used, Lv2.4 is improved by about Lv0.3 compared with Lv2.7, which is the conventional reflectivity level, and the luminosity level is Lv2.4 as shown in Fig. 12b. The luminosity level is ± 1 占 퐉, 占 2 占 퐉, 占 3 占 퐉, 占 4 占 퐉, 占 5 占 퐉 (220 in FIG. 8) including the first and second shift exposure sections (225a and 225b in FIG. 8) having the shift distance of Lv3.5 Lv0.7 is improved by about Lv2.5, which means that the reflection visual level is improved by one step (ΔLv1).

특히, 노광마스크(도 8의 220)를 사용하여 제 1 노광영역(도 11의 213)을 노광 한 후 노광마스크(도 8의 220)를 이동시켜 제 2 노광영역(도 11의 215)을 노광하는 과정에서, 제 2 노광영역(도 11의 215)에 대응하여 노광마스크(도 8의 220)의 틀어짐(overlay 차)이 발생하게 되는데, 본 발명의 제 3 실시예에 따라 노광마스크(도 8의 220)가 횡방향 또는 열방향으로 일정간격 이동되는 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)를 포함함으로써, 노광마스크(도 8의 220)의 틀어짐이 발생하더라도 반사시감수준을 낮출 수 있게 된다. 11) is exposed using the exposure mask (220 in FIG. 8) and then the exposure mask (220 in FIG. 8) is moved to expose the second exposure area (215 in FIG. 11) (Overlay difference) of the exposure mask (220 in FIG. 8) corresponding to the second exposure region (215 in FIG. 11) is generated in the process of FIG. (220 in FIG. 8) are included in the first and second shift exposure portions (225a, 225b in FIG. 8) .

전술한 바와 같이, 본 발명의 COT형 액정표시장치는 제 1 및 제 2 쉬프트노광부(도 8의 225a, 225b)를 포함하는 노광마스크(도 8의 220)를 사용하여 R, G, B 컬러필터패턴(도 9의 216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, 218c)을 형성함으로써, 노광영역(도 11의 213, 215)의 경계 부근에서 다양한 반사각을 갖는 빛이 반사되도록 하거나, 다양한 셀갭을 갖도록 형성할 수 있어, 분할노광공정에서 노광영역(도 11의 213, 215)의 경계에서 사람의 시각인식성이 반사시감에 둔화되도록 함으로써, 사람의 시각인식성은 애매함을 느끼게 되어 띠 얼룩과 같은 스티치불량을 덜 느끼게 된다. As described above, the COT type liquid crystal display device of the present invention is a COT type liquid crystal display device in which R, G, and B colors are formed by using an exposure mask (220 in FIG. 8) including first and second shift exposure portions (225a and 225b in FIG. 8) By forming the filter pattern (216a, 216b, 216c, 217a, 217b, 217c, 218a, 218b, 218c in Fig. 9), light having various reflection angles is reflected near the boundary of the exposure area Or a variety of cell gaps, so that the visual perception of a person is reduced to a reflection perception at the boundary of the exposure area (213, 215 in FIG. 11) in the divided exposure process, The stitch defect such as a banding stain is less felt.

따라서, 사람은 액정표시장치의 표시품질이 향상되었다 느끼게 된다. Therefore, a person feels that the display quality of the liquid crystal display device has improved.

또한, 본 발명의 노광마스크(도 8의 220)를 사용한 노광공정은 노광영역(도 11의 213, 215)의 경계에서의 스티치불량을 개선하면서도 제 1 및 제 2 노광영역(도 11의 213, 215)을 노광하는데 2번의 샷에 의한 노광공정만을 필요로하게 되므로, 기존의 레고노광방법에 비해 샷 수를 줄일 수 있어, 공정 시간을 줄일 수 있어 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다. The exposure process using the exposure mask (220 in FIG. 8) of the present invention can improve the stitch defect at the boundary of the exposure area (213 and 215 in FIG. 11) 215, it is possible to reduce the number of shots compared with the conventional leg exposure method, thereby reducing the process time and improving the process efficiency.

본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications may be made without departing from the spirit of the present invention.

111 : 기판
113, 115 : 제 1 및 제 2 노광영역
117a, 117b, 117c, 119a, 119b, 119c : R, G, B 컬러필터패턴
P : 화소
111: substrate
113 and 115: first and second exposure regions
117a, 117b, 117c, 119a, 119b, 119c: R, G, B color filter patterns
P: pixel

Claims (12)

액정표시장치를 제조하기 위한 노광공정에 사용되는 노광마스크에 있어서,
기판 상에 정의된 화소와 정확하게 얼라인되는 얼라인노광부와;
상기 기판 상에 정의된 화소로부터 행방향 또는 열방향으로 쉬프트간격을 가지며 램덤(random)하게 이동되어진 쉬프트노광부를 포함하는 액정표시장치용 노광마스크.
In an exposure mask used in an exposure process for manufacturing a liquid crystal display device,
An aligning exposure section which is accurately aligned with the pixel defined on the substrate;
And a shift exposure unit randomly shifted from the pixel defined on the substrate at a shift interval in the row direction or the column direction.
제 1 항에 있어서,
상기 행방향으로 이동되어진 상기 쉬프트노광부는 상기 노광마스크의 행방향의 좌측 및 우측 가장자리에 정의된 쉬프트영역에 램덤하게 형성되는 액정표시장치용 노광마스크.
The method according to claim 1,
Wherein the shift exposure unit moved in the row direction is randomly formed in a shift region defined by left and right edges in the row direction of the exposure mask.
제 1 항에 있어서,
상기 행방향으로 이동되어진 상기 쉬프트노광부는 상기 노광마스크의 전면에 걸쳐 램덤하게 형성되는 액정표시장치용 노광마스크.
The method according to claim 1,
Wherein the shift exposure unit moved in the row direction is randomly formed over the entire surface of the exposure mask.
제 1 항에 있어서,
상기 행방향으로 이동되어진 상기 쉬프트노광부는 행방향의 가장자리로 갈수록 개수에 따른 비율이 증가하는 액정표시장치용 노광마스크.
The method according to claim 1,
Wherein the shift exposing unit moved in the row direction increases in proportion to the number of the shift exposures toward the edge in the row direction.
제 1 항에 있어서,
상기 행방향으로 이동되어진 상기 쉬프트노광부는 행방향의 가장자리로 갈수록 상기 쉬프트간격이 커지는 액정표시장치용 노광마스크.
The method according to claim 1,
Wherein the shift exposure unit moved in the row direction increases the shift distance toward the edge in the row direction.
제 5 항에 있어서,
상기 쉬프트간격은 ±1 ~ ±5㎛인 액정표시장치용 노광마스크.
6. The method of claim 5,
Wherein said shift interval is from +/- 1 to +/- 5 mu m.
n개의 노광영역으로 정의된 기판의 각 영역을 노광하는 방법에 있어서,
상기 n번째 노광영역에 상기 기판 상에 정의된 화소와 정확하게 얼라인되는 얼라인노광부와, 상기 기판 상에 정의된 화소로부터 행방향 또는 열방향으로 쉬프트간격을 가지며 램덤(random)하게 이동되어진 쉬프트노광부를 포함하는 노광마스크를 통해 제 1 노광공정을 진행하는 단계와;
상기 노광마스크를 이동시켜, n+1번째 노광영역에 제 2 노광공정을 진행하는 단계
를 포함하며, 상기 쉬프트노광부에 의해 형성되는 R, G, B 컬러필터패턴은 이웃하는 화소에 형성되는 R, G, B 컬러필터패턴과 가장자리가 서로 중첩되어 형성되거나, 서로 일정간격 이격하여 형성되는 액정표시장치의 노광방법.
A method of exposing each area of a substrate defined by n exposure areas,
An alignment exposure section which is accurately aligned with a pixel defined on the substrate in the n-th exposure region; a shift register which is randomly shifted in a row direction or in a column direction from a pixel defined on the substrate, The method comprising: advancing a first exposure process through an exposure mask including an exposure unit;
Moving the exposure mask, and performing a second exposure process on the (n + 1) -th exposure area
Wherein the R, G, and B color filter patterns formed by the shift exposure unit are formed by overlapping R, G, and B color filter patterns and edges formed in neighboring pixels, Of the liquid crystal display device.
제 7 항에 있어서,
상기 쉬프트노광부가 상기 열방향으로 이동되어지면, 상기 R, G, B 컬러필터패턴은 각 열방향으로 이웃하는 화소 사이의 영역에서 높낮이 차를 갖게 되는 액정표시장치의 노광방법.
8. The method of claim 7,
Wherein the R, G, and B color filter patterns have a height difference in an area between neighboring pixels in each column direction when the shift exposure part is moved in the column direction.
액정표시장치를 제조하기 위한 노광공정에 사용되는 노광마스크에 있어서,
기판 상에 정의된 화소와 얼라인되는 얼라인노광부와;
상기 기판 상에 정의된 화소로부터 행방향으로 쉬프트간격을 가지며 랜덤하게 이동되어진 제 1 쉬프트노광부와;
상기 기판 상에 정의된 화소로부터 열방향으로 쉬프트간격을 가지며 랜덤하게 이동되어진 제 2 쉬프트노광부
를 포함하는 액정표시장치용 노광마스크.
In an exposure mask used in an exposure process for manufacturing a liquid crystal display device,
An aligning exposure section aligned with a pixel defined on the substrate;
A first shift exposing unit that is randomly shifted from a pixel defined on the substrate at a shift interval in a row direction;
And a second shift exposure unit that shifts randomly from the pixel defined on the substrate at a shift interval in the column direction,
And an exposure mask for a liquid crystal display device.
제 9 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 쉬프트노광부는 상기 노광마스크의 행방향의 좌측 및 우측 가장자리에 정의된 쉬프트영역에 랜덤하게 형성되는 액정표시장치용 노광마스크.
10. The method of claim 9,
Wherein the first and second shift exposures are randomly formed in a shift region defined by the left and right edges of the exposure mask in the row direction.
제 9 항에 있어서,
상기 제1 및 제 2 쉬프트노광부는 행방향의 가장자리로 갈수록 개수가 증가하는 액정표시장치용 노광마스크.
10. The method of claim 9,
Wherein the number of the first and second shift exposures is increased toward the edge in the row direction.
제 9 항에 있어서,
상기 쉬프트간격은 ±1 ~ ±5㎛인 액정표시장치용 노광마스크.
10. The method of claim 9,
Wherein said shift interval is from +/- 1 to +/- 5 mu m.
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