KR20150113620A - Gas distributing unit for apparatus treating substrate - Google Patents

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KR20150113620A
KR20150113620A KR1020140037833A KR20140037833A KR20150113620A KR 20150113620 A KR20150113620 A KR 20150113620A KR 1020140037833 A KR1020140037833 A KR 1020140037833A KR 20140037833 A KR20140037833 A KR 20140037833A KR 20150113620 A KR20150113620 A KR 20150113620A
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김경민
양승용
오웅교
이용현
최원조
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주성엔지니어링(주)
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Abstract

The present invention relates to a gas distribution unit for a substrate treatment apparatus. The gas distribution unit of the present invention includes: a gas diffusion part comprising a gas diffusion space in an inside thereof; a gas supply part which is connected to an upper part of the gas diffusion part through an interconnection method, and includes a main supply pipe for supplying a process gas into a process gas diffusion space from a process gas storage part; a first plate which is comprised on a bottom of the gas diffusion part, and comprises a plurality of injection holes which is formed as penetrating up and down; and a second plate which is comprised between the gas supply part and the first plate in order to divide the process gas diffusion space into an upper diffusion space and a lower diffusion space in the process gas diffusion space. The second plate includes: a plurality of through-holes which penetrates laterally in order to link the upper diffusion space and the lower diffusion space; a partition wall part which divides the upper diffusion space into five upper diffusion zones; a center baffle which is partitioned by the partition wall part and is arranged in a center of the center baffle; and four edge baffles which are partitioned by the partition wall part, and are arranged radially to surround the center baffle. The gas supply part further includes five gas supply pipes which comprise a supply hole located at a vertical upper side of each center of the center baffle and the four edge baffles and supply the process gas to each upper diffusion zone by being branched at the bottom of the main supply pipe. Each supply hole is located at a vertical upper side of a geometrical center of the center baffle and the four edge baffles.

Description

기판처리장치용 가스분배유닛{GAS DISTRIBUTING UNIT FOR APPARATUS TREATING SUBSTRATE}[0001] DESCRIPTION [0002] GAS DISTRIBUTING UNIT FOR APPARATUS TREATING SUBSTRATE [0003]

본 발명은 기판처리장치용 가스분배유닛에 관한 것으로서, 기판 상에 증착되는 증착박막의 두께 균일성(uniformity)을 향상시키는 가스확산부에 관한 것이다.The present invention relates to a gas distribution unit for a substrate processing apparatus, and more particularly to a gas diffusion unit for improving the thickness uniformity of a deposited thin film deposited on a substrate.

일반적으로, 반도체소자나 평면표시장치를 제조하기 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝하는 식각(etching) 공정 등을 거치게 되며, 이들 각 공정은 해당공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판처리장치의 내부에서 진행된다.In general, in order to manufacture a semiconductor device or a flat panel display device, a thin film deposition process for depositing a thin film of a specific material on a substrate, a photolithography process for exposing or concealing a selected one of the thin films using a photosensitive material, And an etching process in which the substrate is patterned as desired. Each of these processes proceeds inside a substrate processing apparatus designed as an optimal environment for the process.

특히, 증착공정에서 중요한 제어요소 중에 하나는 기판 상에 증착되는 증착박막이 기판의 표면적 전체에 걸쳐 균일하게 형성되도록 하는 증착박막 균일성 여부이다. 기판의 표면적 전체에 걸쳐 증착박막의 두께가 균일하지 못한 경우 이는 제품성이 떨어지거나 또는 반도체소자나 평면표시장치의 성능을 저해하는 요인이 되기 때문이다.In particular, one of the important control elements in the deposition process is the uniformity of the deposited film so that the deposited thin film deposited on the substrate is uniformly formed throughout the surface area of the substrate. This is because if the thickness of the deposited thin film is not uniform over the entire surface area of the substrate, the productivity is deteriorated or the performance of the semiconductor device or the flat display device is deteriorated.

도 1a는 종래기술에 따른 기판처리장치에 대한 개략도이고, 도 1b는 도 1a의 기판처리장치를 이용하여 증착공정이 완료된 기판에 대한 개략적인 단면도이다.FIG. 1A is a schematic view of a substrate processing apparatus according to the prior art, and FIG. 1B is a schematic cross-sectional view of a substrate on which a deposition process is completed using the substrate processing apparatus of FIG. 1A.

도 1a에 도시된 바와 같이, 종래기술에 따른 반응챔버(10)는, 소스물질 저장부로부터 소스가스가 공급되는 가스공급관(1)과, 상기 가스공급관(1)에서 토출된 소스가스를 기판안치부(7)의 상부로 분사하는 가스분배판(3)과, 상기 가스공급관(1)의 유출구(1a)와 상기 가스분배판(3)의 상부에 형성되어 상기 소스가스를 확산시키는 확산공간(5)을 포함한다.1A, the reaction chamber 10 according to the related art includes a gas supply pipe 1 through which a source gas is supplied from a source material storage portion, a source gas exhausted from the gas supply pipe 1, A diffusion plate 3 formed at an upper portion of the gas distribution plate 3 to diffuse the source gas and an outlet 1a of the gas supply line 1, 5).

이러한 종래기술에 따른 가스분배판(3)은 상기 가스분배판의 일면 및 타면을 관통하는 복수 개의 분사홀(4)을 포함한다.The gas distribution plate 3 according to the related art includes a plurality of injection holes 4 passing through one surface and the other surface of the gas distribution plate.

도 1a를 참고하면 가스공급관의 유출구에서부터 각각의 분사홀까지의 거리가 서로 상이하며, 이로 인해 가스공급관의 유출구에서 토출된 소스가스가 확산공간 내에서 확산하여 분사홀의 유입부까지 도달하는 소스가스의 확산경로의 길이가 각각의 분사홀의 위치에 따라 상이함을 알 수 있다. 그 결과, 가스분배판의 분사홀들 중에서 소스가스의 확산경로가 긴 가장자리 부분의 분사홀의 유출구에서는 소스가스의 확산경로의 길이가 짧은 가스분배판의 중앙부분의 분사홀의 유출구에서보다 가스 분압이 낮으므로, 상기 가스분배판의 가장자리 부분의 분사홀에서의 소스가스의 토출유량은 상기 가스분배판의 중앙부분의 분사홀에서의 소스가스의 토출유량보다 작을 수 밖에 없어, 최종적으로 도 1b에 도시된 바와 같이 기판의 중앙부분에서의 증착박막의 두께(t2)가 기판의 가장자리부분에서의 증착박막의 두께(t1)보다 상당히 커질 수 밖에 없다. 즉, 종래기술에서는, 가스분배판에 구비되는 분사홀들의 위치에 따라 상이한 토출유량으로 소스가스가 분사되므로 기판의 표면적 전체에 걸쳐 증착박막의 두께 균일성을 보장하지 못하는 문제점이 존재하여 왔다.1A, the distances from the outlets of the gas supply pipes to the respective injection holes are different from each other. As a result, the source gas discharged from the outflow port of the gas supply pipe diffuses in the diffusion space and reaches the inflow port of the injection hole. It can be seen that the length of the diffusion path varies depending on the positions of the respective injection holes. As a result, at the outlet of the injection hole at the long edge portion of the diffusion path of the source gas among the injection holes of the gas distribution plate, the gas partial pressure is lower than that at the outlet of the injection hole at the center portion of the gas distribution plate, The discharge flow rate of the source gas at the injection hole at the edge portion of the gas distribution plate must be smaller than the discharge flow rate of the source gas at the injection hole at the central portion of the gas distribution plate, The thickness t2 of the deposited thin film at the central portion of the substrate must be significantly larger than the thickness t1 of the deposited thin film at the edge portion of the substrate. That is, in the conventional technique, since the source gas is injected at a different discharge flow rate depending on the position of the injection holes provided in the gas distribution plate, there is a problem that the thickness uniformity of the deposited thin film can not be guaranteed over the entire surface area of the substrate.

따라서, 본 발명의 목적은 종래기술에 따른 문제점을 해결하는 기판처리장치용 가스분배유닛을 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a gas distribution unit for a substrate processing apparatus which solves the problems in the prior art.

구체적으로, 본 발명의 목적은 기판의 표면적 전체에 걸쳐 증착박막의 두께 균일성을 향상시킬 수 있는 기판처리장치용 가스분배유닛을 제공하는 것이다.Specifically, it is an object of the present invention to provide a gas distribution unit for a substrate processing apparatus capable of improving the thickness uniformity of the deposited thin film over the entire surface area of the substrate.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명은, 내부에 공정가스 확산공간을 구비하는 가스확산부와; 상기 가스확산부의 상부에 연통방식으로 연결되며, 공정가스 저장부로부터 상기 공정가스 확산공간의 내부로 상기 공정가스를 공급하는 메인공급관을 포함하는 가스공급부와; 상기 가스확산부의 하부에 구비되고, 상하로 관통하여 형성되는 복수 개의 분사홀을 구비하는 제1 플레이트와; 상기 공정가스 확산공간의 내부에서 상기 공정가스 확산공간을 상부 확산공간과 하부 확산공간으로 분할하도록 상기 가스공급부와 상기 제1 플레이트 사이에 구비되는 제2 플레이트;를 포함하고, 상기 제2 플레이트는, 상기 상부 확산공간과 상기 하부 확산공간을 연통시키도록 두께방향으로 관통하는 복수 개의 관통구와, 상기 상부 확산공간을 5개의 상부 확산영역으로 분할하는 격벽부와, 상기 격벽부에 의해 구획되고 상기 제2 플레이트의 중앙에 배치되는 중앙배플과, 상기 격벽부에 의해 구획되고 상기 중앙배플을 둘러싸도록 방사 배열로 배치되는 4개의 가장자리 배플을 포함하며, 상기 가스공급부는, 상기 중앙배플 및 상기 4개의 가장자리 배플 각각의 중앙의 연직 상방에 위치하는 각각의 공급구를 구비하며 상기 메인공급관의 하부에서 분기되어 상기 5개의 상부 확산영역 각각에 상기 공정가스를 공급하는 5개의 가스공급관을 더 포함하며, 상기 5개의 공급구 각각은, 상기 중앙배플 및 상기 4개의 가장자리 배플의 기하학적 중심의 연직 상방에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치용 가스분배유닛을 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a gas processing apparatus comprising: a gas diffusion portion having a process gas diffusion space therein; A gas supply part connected to the upper part of the gas diffusion part in a communicating manner and including a main supply pipe for supplying the process gas from the process gas storage part into the process gas diffusion space; A first plate provided at a lower portion of the gas diffusion portion and having a plurality of injection holes formed vertically through; And a second plate provided between the gas supply unit and the first plate to divide the process gas diffusion space into an upper diffusion space and a lower diffusion space within the process gas diffusion space, A plurality of through-holes penetrating the upper diffusion space and the lower diffusion space in the thickness direction, a partition part dividing the upper diffusion space into five upper diffusion areas, and a second diffusion part partitioned by the partition part, A central baffle disposed in the center of the plate and four edge baffles delimited by the septum and disposed in radial arrangement to surround the central baffle, the gas supply including a central baffle and a four- Each supply port located at the center vertically above each of the branch pipes, Further comprising five gas supply pipes for supplying the process gas to each of the five upper diffusion regions, wherein each of the five supply ports is located vertically above the central baffle and the geometric center of the four edge baffles And a gas supply unit for supplying a gas to the substrate processing apparatus.

게다가, 본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 본 발명은, 내부에 공정가스 확산공간을 구비하는 가스확산부와; 상기 가스확산부의 상부에 연통방식으로 연결되며, 공정가스 저장부로부터 상기 공정가스 확산공간의 내부로 상기 공정가스를 공급하는 메인공급관을 포함하는 가스공급부와; 상기 가스확산부의 하부에 구비되고, 상하로 관통하여 형성되는 복수 개의 분사홀을 구비하는 제1 플레이트와; 상기 공정가스 확산공간의 내부에서 상기 공정가스 확산공간을 상부 확산공간과 하부 확산공간으로 분할하도록 상기 가스공급부와 상기 제1 플레이트 사이에 구비되는 제2 플레이트;를 포함하고, 상기 제2 플레이트는, 상기 상부 확산공간과 상기 하부 확산공간을 연통시키도록 두께방향으로 관통하는 복수 개의 관통구와, 상기 상부 확산공간을 5개의 상부 확산영역으로 분할하는 격벽부와, 상기 격벽부에 의해 구획되고 상기 제2 플레이트의 중앙에 배치되는 중앙배플과, 상기 격벽부에 의해 구획되고 상기 중앙배플을 둘러싸도록 방사 배열로 배치되는 4개의 가장자리 배플을 포함하며, 상기 가스공급부는, 상기 중앙배플 및 상기 4개의 가장자리 배플 각각의 중앙의 연직 상방에 위치하는 각각의 공급구를 구비하며 상기 메인공급관의 하부에서 분기되어 상기 5개의 상부 확산영역 각각에 상기 공정가스를 공급하는 5개의 가스공급관을 더 포함하며, 상기 5개의 가스공급관은, 상기 메인공급관의 하부에서부터 상기 가스확산부의 상부까지의 길이가 모두 동일하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치용 가스분배유닛을 제공할 수 있다.Further, according to another embodiment of the present invention, the present invention provides a gas processing apparatus comprising: a gas diffusion portion having a process gas diffusion space therein; A gas supply part connected to the upper part of the gas diffusion part in a communicating manner and including a main supply pipe for supplying the process gas from the process gas storage part into the process gas diffusion space; A first plate provided at a lower portion of the gas diffusion portion and having a plurality of injection holes formed vertically through; And a second plate provided between the gas supply unit and the first plate to divide the process gas diffusion space into an upper diffusion space and a lower diffusion space within the process gas diffusion space, A plurality of through-holes penetrating the upper diffusion space and the lower diffusion space in the thickness direction, a partition part dividing the upper diffusion space into five upper diffusion areas, and a second diffusion part partitioned by the partition part, A central baffle disposed in the center of the plate and four edge baffles delimited by the septum and disposed in radial arrangement to surround the central baffle, the gas supply including a central baffle and a four- Each supply port located at the center vertically above each of the branch pipes, And five gas supply pipes for supplying the process gas to each of the five upper diffusion regions, wherein the five gas supply pipes are configured such that the lengths from the lower part of the main supply pipe to the upper part of the gas diffusion part are all the same The gas distribution unit for a substrate processing apparatus can be provided.

또한, 바람직하게는, 상기 5개의 공급구 각각은, 상기 중앙배플 및 상기 4개의 가장자리 배플의 기하학적 중심의 연직 상방에 위치하는 것을 특징으로 한다.Preferably, each of the five supply ports is located vertically above the central baffle and the geometric center of the four edge baffles.

또한, 바람직하게는, 상기 5개의 가스공급관은, 상기 메인공급관의 하부에서부터 상기 가스확산부의 상부까지의 길이가 모두 동일하도록 구성되는 것을 특징으로 한다.Preferably, the five gas supply pipes are configured such that the lengths from the lower portion of the main supply pipe to the upper portion of the gas diffusion portion are all the same.

또한, 바람직하게는, 상기 5개의 가스공급관은, 상기 메인 공급관의 하부에서 중앙에 형성되는 제1 연통구와 상기 가스확산부의 상부 덮개부에의 중앙에 관통 형성된 제1 공급구를 연결하는 제1 가스공급관과, 상기 메인 공급관의 하부에서 상기 제1 연통구를 둘러싸도록 형성되는 4개의 제2 연통구와 상기 상부 덮개부에서 상기 제1 공급구를 둘러싸도록 배치되어 관통 형성되는 4개의 제2 공급구를 연결하는 4개의 제2 가스공급관;을 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the five gas supply pipes include a first gas communication port formed at the center of the lower portion of the main supply pipe and a first gas communication port connecting a first supply port formed at the center of the upper cover portion of the gas diffusion portion, Four second communication ports formed at the lower portion of the main supply pipe so as to surround the first communication port and four second ports formed so as to surround and surround the first port at the upper lid unit, And four second gas supply pipes connecting the first gas supply pipe and the second gas supply pipe.

또한, 바람직하게는, 상기 4개의 제2 가스공급관은 서로 동일한 형상 및 동일한 관길이를 구비하고, 상기 제1 가스공급관은 상기 제2 가스공급관과 상이한 형상 및 동일한 관길이를 가지는 것을 특징으로 한다.Preferably, the four second gas supply pipes have the same shape and the same pipe length, and the first gas supply pipe has a different shape and a same pipe length from the second gas supply pipe.

또한, 바람직하게는, 상기 제2 가스공급관은, 상기 제2 연통구에서부터 상기 제2 공급구의 연직 상부까지 또는 상기 제2 공급구까지 하부방향으로 경사진 경사관부를 구비하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the second gas supply pipe has an inclined tube portion inclined downward from the second communication hole to the vertical upper portion of the second supply hole or down to the second supply hole.

또한, 바람직하게는, 상기 제1 가스공급관은, 상기 제1 연통구에서부터 상기 제1 공급구의 연직 상부까지 또는 상기 제2 공급구까지 적어도 하나 이상의 절곡형상의 관부를 구비하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the first gas supply pipe has at least one bend-shaped tube portion extending from the first communication hole to the vertical upper portion of the first supply hole or to the second supply hole.

또한, 바람직하게는, 상기 제1 가스공급관은, 상기 제1 연통구에서부터 상기 제1 공급구의 연직 상부까지 또는 상기 제2 공급구까지 일정한 곡률을 가지는 적어도 하나 이상의 곡선관부를 구비하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the first gas supply pipe is provided with at least one curved pipe portion having a constant curvature from the first communication hole to the vertical upper portion of the first supply hole or to the second supply hole .

또한, 바람직하게는, 상기 제1 가스공급관은, 상기 제1 연통구에서부터 상기 제1 공급구의 연직 상부까지 또는 상기 제2 공급구까지 나선형상을 이루는 나선형관부를 구비하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the first gas supply pipe has a helical pipe portion formed in a spiral shape from the first communication hole to the vertical upper portion of the first supply hole or to the second supply hole.

또한, 바람직하게는, 상기 제1 가스공급관의 관길이는, 상기 제1 연통구와 상기 제1 공급구를 직선으로 연결한 길이보다 크고 상기 제2 가스공급관의 길이보다 작은 것을 특징으로 한다.Preferably, the length of the first gas supply pipe is larger than the length of the first connection port and the first supply port which are connected by a straight line, and is smaller than the length of the second gas supply pipe.

또한, 바람직하게는, 상기 격벽부는, 상기 중앙배플을 둘러싸는 폐회로 형상의 중앙 격벽과, 상기 중앙 격벽으로부터 상기 제2 플레이트의 테두리를 향하여 방사 방향으로 연장되는 4개의 방사방향 격벽을 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the partition wall portion includes a closed center-shaped partition wall surrounding the central baffle, and four radial partition walls extending in the radial direction from the central partition wall toward the rim of the second plate .

그리고, 본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 본 발명은, 내부에 공정가스 확산공간을 구비하는 가스확산부와; 상기 가스확산부의 상부에 연통방식으로 연결되며, 상기 공정가스 확산공간의 내부로 상기 공정가스를 공급하는 가스공급부와; 상기 가스확산부의 하부에 구비되고, 상하로 관통하여 형성되는 복수 개의 분사홀을 구비하는 제1 플레이트와; 상기 공정가스 확산공간의 내부에서 상기 공정가스 확산공간을 상부 확산공간과 하부 확산공간으로 분할하도록 상기 가스공급부와 상기 제1 플레이트 사이에 구비되는 제2 플레이트;를 포함하고, 상기 제2 플레이트는, 상기 상부 확산공간과 상기 하부 확산공간을 연통시키도록 두께방향으로 관통하는 복수 개의 관통구와, 상기 상부 확산공간을 3개의 상부 확산영역으로 분할하는 격벽부와, 상기 격벽부에 의해 구획되고 상기 제2 플레이트의 중앙에 배치되는 중앙배플과, 상기 격벽부에 의해 구획되고 상기 중앙배플을 둘러싸도록 상기 중앙배플을 중심으로 서로 대칭되게 배치되는 2개의 가장자리 배플을 포함하며, 상기 2개의 가장자리 배플 각각은 좌우대칭된 형상인 좌측 배플과 우측 배플을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치용 가스분배유닛을 제공할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a gas processing apparatus including: a gas diffusion unit having a process gas diffusion space therein; A gas supply part connected to the upper part of the gas diffusion part in a communicating manner and supplying the process gas into the process gas diffusion space; A first plate provided at a lower portion of the gas diffusion portion and having a plurality of injection holes formed vertically through; And a second plate provided between the gas supply unit and the first plate to divide the process gas diffusion space into an upper diffusion space and a lower diffusion space within the process gas diffusion space, A plurality of through holes penetrating the upper diffusion space and the lower diffusion space in a thickness direction so as to communicate the upper diffusion space and the lower diffusion space; a partition part dividing the upper diffusion space into three upper diffusion areas; A central baffle disposed in the center of the plate and two edge baffles delimited by the partition and symmetrically disposed about the central baffle to surround the central baffle, Characterized in that it comprises a left baffle and a right baffle which are symmetrical shapes It can provide the units.

또한, 바람직하게는, 상기 좌측 배플의 상부 확산영역과 상기 우측 배플의 상부 확산영역은 서로 연통되어 있는 것을 특징으로 한다.Preferably, the upper diffusion region of the left baffle and the upper diffusion region of the right baffle are communicated with each other.

또한, 바람직하게는, 상기 제2 플레이트는, 상기 3개의 상부 확산영역 중 상기 중앙 배플에 의해 한정되는 제1 상부 확산영역의 넓이가 상기 3개의 상부 확산영역 중 상기 2개의 가장자리 배플에 의해 한정되는 2개의 제2 상부 확산영역 각각의 넓이의 1/2이 되도록 상기 격벽부에 의해 분할되는 것을 특징으로 한다.Also preferably, the second plate is configured such that the width of the first upper diffusion region defined by the central baffle among the three upper diffusion regions is defined by the two edge baffles of the three upper diffusion regions Is divided by the partition wall portion to be 1/2 of the width of each of the two second upper diffusion regions.

또한, 바람직하게는, 상기 3개의 상부 확산영역은, 상기 격벽부 및 상기 가스확산부의 내측면에 의해 상부방향 및 측면방향으로 서로 격리 및 기밀되어 있는 것을 특징으로 한다.Preferably, the three upper diffusion regions are isolated from each other and hermetically sealed in the upper direction and the lateral direction by the partition wall portion and the inner surface of the gas diffusion portion.

또한, 바람직하게는, 상기 제2 플레이트는, 상기 2개의 가장자리 배플 각각의 내부에 구비되는 상기 관통구의 수량이 상기 중앙배플의 내부에 구비되는 상기 관통구의 수량의 2배가 되도록 상기 격벽부에 의해 구획되는 것을 특징으로 한다.Preferably, the second plate is divided by the partition wall portion so that the number of the through-holes provided in each of the two edge baffles is twice the number of the through-holes provided in the central baffle. .

또한, 바람직하게는, 상기 격벽부는, 상기 중앙배플을 둘러싸는 폐회로 형상의 중앙 격벽과, 상기 중앙 격벽으로부터 상기 제2 플레이트의 테두리를 향하여 방사 방향으로 연장되는 2개의 방사방향 격벽을 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the partition wall portion includes a central wall part in the form of a closed loop surrounding the central baffle, and two radial partition walls extending in the radial direction toward the rim of the second plate from the central partition wall .

또한, 바람직하게는, 상기 중앙 격벽과 상기 2개의 방사방향 격벽 각각은 상기 2개의 가장자리 배플 각각의 넓이를 상기 중앙배플의 넓이의 2배가 되도록 균등하게 분할하는 것을 특징으로 한다.Preferably, each of the central partition and the two radial partition walls is divided equally so that the width of each of the two edge baffles is twice the width of the central baffle.

또한, 바람직하게는, 상기 제2 플레이트는 사각 판형 형상을 구비하고, 상기 중앙배플은 마름모 형상의 횡단면을 구비하며, 상기 2개의 가장자리 배플 각각은, 마름모 형상의 상기 중앙배플의 이웃하는 두 면과, 상기 중앙배플의 대향하는 두 개의 꼭지점에서부터 상기 제2 플레이트의 테두리까지 방사방향으로 연장되는 2개의 방사방향 격벽과, 상기 제2 플레이트의 테두리에 의해 한정되는 것을 특징으로 한다.Preferably, the second plate has a rectangular plate shape, and the central baffle has a rhomboidal cross-section, each of the two edge baffles having two rhombic baffles, , Two radial partition walls extending radially from the two opposite vertexes of the central baffle to the rim of the second plate, and the rim of the second plate.

전술한 과제해결수단에 의하면, 본 발명은 제2 플레이트에서 상부 확산공간을 복수 개의 상부 확산영역으로 분할하는 격벽부를 구비하고 상기 복수 개의 상부 확산영역 각각에 공정가스를 공급하는 복수 개의 가스공급관을 포함함으로써, 상부 확산공간에서 공정가스의 수평방향 확산경로의 길이를 상기 상부 확산공간 전체가 아닌 각각의 상부 확산영역으로 한정시킬 수 있다. 이로 인해, 본 발명은 상부 확산공간에서 공정가스의 수평방향 확산경로의 길이를 상당히 감소시킬 수 있고, 이로 제2 플레이트의 수평방향의 위치차이에 따른 상부 확산공간에서 하부 확산공간으로 토출되는 공정가스 토출유량의 차이를 상당히 감소시킬 수 있으므로, 최종적으로 제1 플레이트의 수평방향의 위치차이에 따른 하부 확산공간에서 기판안착부로 토출되는 공정가스 토출유량의 차이를 상당히 감소시킬 수 있어 증착박막의 두께 균일성을 향상시킬 수 있다.According to the above-mentioned problem solving means, the present invention includes a plurality of gas supply pipes provided with partition walls dividing the upper diffusion space into a plurality of upper diffusion regions in the second plate and supplying the process gas to each of the plurality of upper diffusion regions , The length of the horizontal diffusion path of the process gas in the upper diffusion space can be limited to the upper diffusion area of each of the upper diffusion spaces and not to the entire upper diffusion space. Thus, the present invention can significantly reduce the length of the horizontal diffusion path of the process gas in the upper diffusion space, which allows the process gas discharged from the upper diffusion space to the lower diffusion space in accordance with the positional difference in the horizontal direction of the second plate It is possible to considerably reduce the difference in the flow rate of the process gas discharged to the substrate mount portion in the lower diffusion space according to the positional difference in the horizontal direction of the first plate, It is possible to improve the property.

또한, 본 발명은 제2 플레이트를 중앙배플과 다수 개의 가장자리 배플로 구획함으로써, 완성된 기판의 품질을 결정적으로 좌우하는 기판의 중앙영역에서의 증착박막의 두께 균일성을 보다 더 향상시킬 수 있다.In addition, the present invention can further improve the thickness uniformity of the deposited thin film in the central region of the substrate, which critically determines the quality of the finished substrate, by partitioning the second plate into a central baffle and a plurality of edge baffles.

또한, 본 발명은 중앙배플과 다수 개의 가장자리 배플 각각의 표면적 및/또는 넓이를 균등하게 구성함으로써, 중앙배플을 통하여 하부 확산공간으로 공급되는 공정가스의 토출유량과 다수 개의 가장자리 배플 각각을 통하여 하부 확산공간으로 공급되는 공정가스의 토출유량을 균일화할 수 있으므로, 최종적으로 하나의 기판에 대해 증착박막의 두께 균일성을 향상시킬 수 있다.The present invention also provides a method of controlling a flow rate of a process gas supplied to a lower diffusion space through a central baffle and a lower flow rate of a process gas through a plurality of edge baffles, respectively, by uniformly configuring the surface area and / The discharge flow rate of the process gas supplied to the space can be equalized, so that the thickness uniformity of the deposited thin film can be improved finally with respect to one substrate.

또한, 본 발명은 중앙배플에 구비되는 관통구의 수량과 다수 개의 가장자리 배플 각각에 구비되는 관통구의 수량을 동일하게 구성함으로써, 중앙배플을 통하여 하부 확산공간으로 공급되는 공정가스의 토출유량과 다수 개의 가장자리 배플 각각을 통하여 하부 확산공간으로 공급되는 공정가스의 토출유량을 균일화할 수 있으므로, 최종적으로 하나의 기판에 대해 증착박막의 두께 균일성을 향상시킬 수 있다.In addition, the present invention is configured such that the number of through-holes provided in the central baffle and the number of through-holes provided in each of the plurality of edge baffles are made the same, whereby the discharge flow rate of the process gas supplied to the lower diffusion space through the central baffle, The discharge flow rate of the process gas supplied to the lower diffusion space through each of the baffles can be made uniform, so that the thickness uniformity of the deposited thin film can be improved finally with respect to one substrate.

게다가, 본 발명은 격벽부의 형상에 대응되는 형상을 구비하는 삽입홈 및/또는 패킹부재를 상부 덮개부에 포함함으로써, 중앙배플과 다수 개의 가장자리 배플 각각에 포함되는 복수 개의 상부 확산영역 사이를 개별적으로 밀봉할 수 있고, 이로 인해 중앙배플과 다수 개의 가장자리 배플 각각에 공급되는 공정가스가 이웃하는 다른 배플의 상부 확산영역으로 누설되지 않도록 함과 동시에 상기 공정가스가 배플 하부의 관통구를 통해서만 유동하도록 할 수 있다. 그 결과, 본 발명은 제2 플레이트에 포함되는 각각의 상부 확산영역에서 하부 확산공간으로 토출되는 공정가스들의 토출유량을 보다 더 균일화할 수 있다.In addition, the present invention includes an upper lid portion with an insertion groove and / or a packing member having a shape corresponding to the shape of the partition wall portion, so that a plurality of upper diffusion regions included in each of the central baffle and the plurality of edge baffles are individually So that the process gas supplied to each of the central baffle and the plurality of edge baffles is prevented from leaking to the upper diffusion region of the neighboring other baffle while allowing the process gas to flow only through the through hole at the bottom of the baffle . As a result, the present invention can further equalize the discharge flow rate of the process gases discharged into the lower diffusion space in each of the upper diffusion regions included in the second plate.

뿐만 아니라, 본 발명은, 제1 공급구를 중앙배플의 중앙부의 연직 상부에 위치시키고, 상기 다수 개의 제2 공급구 각각을 상기 다수 개의 가장자리 배플의 기하학적 중심의 연직 상부에 위치시킴으로서, 각각의 공급구를 통하여 중앙배플 및 다수 개의 가장자리 배플 각각으로 공정가스가 공급되는 경우, 각각의 배플에서 공정가스가 부딪혀 수평방향으로 큰 유동경로 편차 없이 확산될 수 있으므로 각각의 배플에 구비되는 복수 개의 관통구를 통하여 공정가스가 상부 확산공간(즉, 상부 확산공간의 상부 확산영역)에서 하부 확산공간으로의 토출유량 편차가 최소화되어 공급될 수 있다. In addition, the present invention is characterized in that the first supply port is located at the vertical upper portion of the central portion of the central baffle, and each of the plurality of second supply ports is positioned at the vertical upper portion of the geometric center of the plurality of edge baffles, When the process gas is supplied to each of the central baffle and the plurality of edge baffles through the sphere, the process gas in each baffle can be diffused in a horizontal direction without a large flow path deviation, so that a plurality of through holes The process gas can be supplied through the upper diffusing space (that is, the upper diffusing area of the upper diffusing space) while minimizing the discharge flow rate deviation to the lower diffusing space.

또한, 본 발명은, 복수 개의 가스공급관의 길이를 모두 동일하게 구성함으로써, 메인공급관에서 상부 확산공간까지 공정가스의 유동경로의 길이가 상기 복수 개의 가스공급관 전체에서 동일해 질 수 있으므로, 메인공급관에서 복수 개의 가스공급관으로 공정가스를 공급할 때 공정가스가 복수 개의 공급구를 통해 동일한 시점에 복수 개의 상부 확산영역 전체에 도달할 수 있을 뿐만 아니라, 공정가스의 유동경로의 길이의 균일화로 인해 복수 개의 공급구 각각에서 복수 개의 상부 확산영역 각각으로 토출되는 공정가스의 토출유랑 및/또는 가스분압을 균일화할 수 있다. 그 결과, 최종적으로 가스분배유닛 전체에서 균일한 토출유량 및/또는 가스분압의 공정가스가 기판안착부로 분사될 수 있어, 증착박막의 박막두께 균일성을 보다 더 향상시킬 수 있다.In addition, since the length of the flow path of the process gas from the main supply pipe to the upper diffusion space can be the same throughout the plurality of gas supply pipes, by configuring the plurality of gas supply pipes to have the same length, Not only can a process gas be supplied to a plurality of gas supply pipes through a plurality of supply openings at the same time, but also the entire length of a plurality of upper diffusion regions can be reached, It is possible to equalize the discharge wastage and / or the gas partial pressure of the process gas discharged to each of the plurality of upper diffusion regions in each of the sphere. As a result, the process gas of a uniform discharge flow rate and / or gas partial pressure can be finally injected into the substrate seating portion throughout the gas distribution unit, and the uniformity of the thin film thickness of the deposited thin film can be further improved.

또한, 본 발명은 중앙 배플을 둘러싸도록 상기 중앙배플을 중심으로 서로 대칭되게 배치되는 2개의 가장자리 배플 각각에 좌우대칭된 형상인 좌측 배플과 우측 배플에 구비되는 각각의 상부 확산영역이 서로 연통되도록 격벽부를 구성함으로써, 가스공급관을 통하여 좌측 배플 및 우측 배플 각각의 상부 확산영역으로 공급되어 관통구를 통과하는 공급가스의 유동경로들 중 최장 유동경로를 이루는 부분인 좌측 배플과 우측 배플의 연결부분을 연통시켜(즉, 격벽부를 형성하지 않음) 공정가스의 최장 유동경로 부분에서 좌측 배플의 상부 확산영역의 상부에서 공급되는 공정가스와 우측 배플의 상부 확산영역의 상부에서 공급되는 공정가스가 서로 중첩되어 관통공을 통과하는 부분을 형성할 수 있다. 이로 인해, 본 발명은 최장 유동경로 인해 좌측 배플과 우측 배플의 연결부분에서 좌측 배플 중앙 및 우측 배플의 중앙에 비해 일정 부분 감소된 공정가스의 분압을 좌측 배플의 공정가스와 우측 배플의 공정가스의 (유동경로) 중첩으로 보상할 수 있으므로, 결과적으로 상부 확산영역에서 하부 확산공간으로 토출되는 공정가스들의 토출유량을 보다 더 균일화할 수 있다.Further, the present invention is characterized in that the left baffle, which is symmetrically symmetrical to each of the two edge baffles disposed symmetrically with respect to each other about the central baffle so as to surround the central baffle, and the upper diffusion area provided to the right baffle, The connecting portion of the left baffle and the right baffle, which are the portions of the flow paths of the supply gas that are supplied to the upper diffusion regions of the left baffle and the right baffle through the gas supply pipe and pass through the through- The process gas supplied from above the upper diffusion region of the left baffle and the process gas supplied from above the upper diffusion region of the right baffle overlap in the longest flow path portion of the process gas, A portion passing through the hole can be formed. Thus, the present invention is based on the fact that the partial pressure of the process gas, which is reduced by a certain amount compared to the center of the left baffle center and the right baffle at the junction of the left baffle and the right baffle due to the longest flow path, (Flow path) overlap. As a result, the discharge flow rate of process gases discharged to the lower diffusion space in the upper diffusion region can be more uniform.

도 1a는 종래기술에 따른 기판처리장치에 대한 개략도이고,
도 1b는 도 1a의 기판처리장치를 이용하여 증착공정이 완료된 기판에 대한 개략적인 단면도이고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 개략도이고,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스분배유닛의 개략적인 사시도이고,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스분배유닛의 개략적인 분해 사시도이고,
도 5는 도 3의 A-A선에 따른 본 발명의 일 실시예에 따른 가스분배유닛의 개략적인 종단면도이고,
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 플레이트의 개략적인 사시도이고,
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 플레이트의 개략적인 평면도이고,
도 8은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 제2 플레이트의 개략적인 사시도이고,
도 9는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 제2 플레이트의 개략적인 평면도이고,
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스공급부에 대한 개략적인 사시도이고,
도 11은 도 10의 상부 덮개부의 개략적인 저면도이고,
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 플레이트와 제1 공급구 및 제2 공급구 사이의 위치관계에 대한 개략적인 평면도이고,
도 13은 도 10의 메인공급관의 개략적인 저면도이고,
도 14는 도 10의 제2 가스공급관에 대한 개략적인 사시도이고,
도 15는 도 10에 도시된 제1 가스공급관의 제1 실시예에 대한 개략적인 사시도이고,
도 16은 도 10에 도시된 제1 가스공급관의 제2 실시예에 대한 개략적인 사시도이고,
도 17은 도 10에 도시된 제1 가스공급관의 제3 실시예에 대한 개략적인 사시도이다.FIG. 1A is a schematic view of a conventional substrate processing apparatus,
FIG. 1B is a schematic cross-sectional view of a substrate on which a deposition process is completed using the substrate processing apparatus of FIG. 1A,
2 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention,
Figure 3 is a schematic perspective view of a gas distribution unit according to one embodiment of the present invention,
Figure 4 is a schematic exploded perspective view of a gas distribution unit according to one embodiment of the present invention,
5 is a schematic longitudinal sectional view of a gas distribution unit according to an embodiment of the present invention, taken along the line AA of FIG. 3,
Figure 6 is a schematic perspective view of a second plate according to an embodiment of the present invention,
7 is a schematic plan view of a second plate according to an embodiment of the present invention,
8 is a schematic perspective view of a second plate according to another embodiment of the present invention,
9 is a schematic plan view of a second plate according to another embodiment of the present invention,
10 is a schematic perspective view of a gas supply unit according to an embodiment of the present invention,
Figure 11 is a schematic bottom view of the top lid of Figure 10,
12 is a schematic plan view of a positional relationship between a second plate and a first supply port and a second supply port according to an embodiment of the present invention,
Figure 13 is a schematic bottom view of the main supply line of Figure 10,
Fig. 14 is a schematic perspective view of the second gas supply pipe of Fig. 10,
Fig. 15 is a schematic perspective view of the first embodiment of the first gas supply pipe shown in Fig. 10,
Fig. 16 is a schematic perspective view of a second embodiment of the first gas supply pipe shown in Fig. 10,
17 is a schematic perspective view of a third embodiment of the first gas supply pipe shown in Fig.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 설명하기로 한다. 첨부된 도면들에서 구성에 표기된 도면번호는 다른 도면에서도 동일한 구성을 표기할 때에 가능한 한 동일한 도면번호를 사용하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지의 기능 또는 공지의 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 그리고 도면에 제시된 어떤 특징들은 설명의 용이함을 위해 확대 또는 축소 또는 단순화된 것이고, 도면 및 그 구성요소들이 반드시 적절한 비율로 도시되어 있지는 않다. 그러나 당업자라면 이러한 상세 사항들을 쉽게 이해할 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. It should be noted that the drawings denoted by the same reference numerals in the drawings denote the same reference numerals whenever possible, in other drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. And certain features shown in the drawings are to be enlarged or reduced or simplified for ease of explanation, and the drawings and their components are not necessarily drawn to scale. However, those skilled in the art will readily understand these details.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(1000)의 개략도이다.2 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(1000)는, 공정챔버(100)와, 기판안착부(200)와, 가열부(300)와, 가스분배유닛(500)과, 배기수단(400)을 포함한다.2, a substrate processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention includes a process chamber 100, a substrate seating unit 200, a heating unit 300, a gas distribution unit 500, and an exhaust means 400.

상기 공정챔버(100)는 기판(S)의 증착공정이 실행되는 공간을 한정한다. 구체적으로, 상기 공정챔버(100)는 하부몸체(110)와, 상기 하부몸체(110)의 상부를 선택적으로 개폐하는 챔버리드(120)를 포함한다.The process chamber 100 defines a space in which the deposition process of the substrate S is performed. Specifically, the process chamber 100 includes a lower body 110 and a chamber lid 120 for selectively opening and closing an upper portion of the lower body 110.

상기 하부몸체(110)부의 일측면에는, 상기 공정챔버(100)의 내부에 대해 상기 기판이 유출입할 수 있도록 하는 게이트밸브(130)가 구비된다.A gate valve 130 is provided on one side of the lower body 110 to allow the substrate to flow in and out of the process chamber 100.

그리고, 상기 하부몸체(110)부의 다른 일측면 또는 하부에는, 배기수단(400)이 구비된다. 상기 배기수단(400)은 증착공정 완료 후 상기 공정챔버(100) 내부에 잔존하는 잔류 공정가스 및 증착잔여물(예를 들어, 파티클 등)을 상기 공정챔버(100) 외부로 배출하도록 구성된다. 구체적으로, 상기 배기수단(400)은 상기 공정챔버(100)에 연통되는 배기관(410)과, 상기 배기관(410)에 진공흡입력을 가하는 진공펌프(420)를 포함한다.An exhaust means 400 is provided on the other side or lower portion of the lower body 110. The exhaust means 400 is configured to discharge residual process gas and deposition residue (for example, particles) remaining in the process chamber 100 after the deposition process is completed, to the outside of the process chamber 100. Specifically, the exhaust means 400 includes an exhaust pipe 410 communicating with the process chamber 100 and a vacuum pump 420 applying a vacuum suction force to the exhaust pipe 410.

상기 가스분배유닛(500)은 상기 공정챔버(100)의 내부에서 기판안착부(200)의 상부로 공정가스를 공급 및 분배하도록 구성된다. 이를 위하여, 상기 가스분배유닛(500)은, 가스확산부(600)와, 가스공급부(700)와, 제1 플레이트(800)와, 제2 플레이트(900)를 포함한다.The gas distribution unit 500 is configured to supply and dispense process gases to the top of the substrate seating 200 within the process chamber 100. The gas distribution unit 500 includes a gas diffusion unit 600, a gas supply unit 700, a first plate 800, and a second plate 900.

상기 가스확산부(600)는 상기 공정챔버(100)의 내부에서 상기 공정챔버(100)의 챔버리드(120)의 하부에 배치되며, 상기 가스공급부(700)로부터 상기 가스확산부(600)의 내부로 공급된 공정가스를 상기 공정챔버(100) 내부로(즉, 상기 기판안착부(200)의 상부로) 분사 및 공급하도록 구성된다.The gas diffusion portion 600 is disposed inside the process chamber 100 at a lower portion of the chamber lead 120 of the process chamber 100 and extends from the gas supply portion 700 to the gas diffusion portion 600 And is configured to inject and supply process gases supplied therein into the process chamber 100 (i.e., above the substrate seating portion 200).

상기 가스공급부(700)는 공정가스 저장부로부터 상기 가스확산부(600)로 공정가스를 공급하도록 구성된다. 상기 가스공급부(700)는 일부가 상기 공정챔버(100)의 챔버리드(120)를 관통하도록 구성되며, 전체적으로 상기 공정챔버(100)의 챔버리드(120)의 상부에 구비된다.The gas supply unit 700 is configured to supply the process gas from the process gas storage unit to the gas diffusion unit 600. The gas supply part 700 is configured to partially penetrate the chamber lid 120 of the process chamber 100 and is provided on the upper part of the chamber lid 120 of the process chamber 100 as a whole.

상기 제1 플레이트(800)는, 상기 가스확산부(600)의 내부로 공급된 공정가스를 분사방식으로 상기 공정챔버(100) 내부로 공급하도록 구성된다.The first plate 800 is configured to supply the process gas supplied into the gas diffusion unit 600 into the process chamber 100 by an injection method.

가스분배유닛(500) 및 상기 가스분배유닛(500)에 포함되는 구성요소에 대해서는 이하에서 도면을 참고하여 보다 구체적으로 기술하기로 한다.Components included in the gas distribution unit 500 and the gas distribution unit 500 will be described in more detail below with reference to the drawings.

상기 기판안착부(200)는 상기 공정챔버(100) 내부에서 상기 가스공급부(700)의 하부에 구비되고, 상부에 기판(S)을 안착한다. 상기 기판안착부(200)는 상기 공정챔버(100) 내부에서 증착공정 실행시 회전가능하도록 구비된다. The substrate seating part 200 is provided in the lower part of the gas supply part 700 in the process chamber 100 and seats the substrate S on the upper part. The substrate seating part 200 is rotatably installed in the process chamber 100 during the deposition process.

바람직하게는, 상기 기판안착부(200)는 상부에 기판(S)을 안정적으로 안착 및 고정하기 위하여 복수 개의 진공홀을 구비할 수 있다.Preferably, the substrate seating part 200 may include a plurality of vacuum holes for stably holding and fixing the substrate S on the upper part.

상기 가열부(300)는, 상기 기판안착부(200)의 하부에 구비되고 상기 공정챔버(100) 내부의 온도를 조절하도록 구성된다. 상기 가열부(300)는 상기 기판안착부(200)를 직접 가열하는 방식으로 구성될 수 있고, 상기 기판안착부(200)를 간접 가열하는 방식으로도 구성될 수 있다.The heating unit 300 is disposed below the substrate seating unit 200 and is configured to control a temperature inside the process chamber 100. The heating unit 300 may be configured to directly heat the substrate seating unit 200 and the substrate seating unit 200 may be indirectly heated.

도 2에서는 상기 가열부(300)가 상기 기판안착부(200)를 간접 가열하는 방식으로 구성되는 예에 대해 도시하고 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 가열부(300)는 상기 기판안착부(200)의 하부에 구비되는 유도가열코일부(310)와, 상기 기판안착부(200)와 상기 유도가열코일부(310) 사이에 구비되어 상기 유도가열코일부(310)로부터 발생된 열을 복사열로 전환하는 복사열전환부(320)를 포함한다. 상기 유도가열코일부(310)에서 발생된 열은 복사열전환부(320)로 열전달된 후, 상기 복사열전환부(320)에서 복사열로 전환되어 상기 복사열전환부(320)의 상부에 위치하는 기판안착부(200)에 상기 복사열을 공급한다.FIG. 2 shows an example in which the heating unit 300 is configured to indirectly heat the substrate seating unit 200. 2, the heating unit 300 includes an induction heating coil part 310 provided at a lower portion of the substrate seating part 200, 310 for converting heat generated from the induction heating coil part 310 into radiant heat. The heat generated in the induction heating coil part 310 is transferred to the radiant heat exchanger 320 and then is converted into radiant heat in the radiant heat exchanger 320 to be transferred to the upper surface of the radiant heat exchanger 320, (200).

예를 들어, 상기 복사열전환부(320)는 흑연(graphite)으로 구성될 수 있다.For example, the radiant heat exchanger 320 may be formed of graphite.

이하에서는, 도면을 참고하여 본 발명에 따른 가스분배유닛(500)에 대해 보다 구체적으로 기술하기로 한다.Hereinafter, the gas distribution unit 500 according to the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스분배유닛(500)의 개략적인 사시도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스분배유닛(500)의 개략적인 분해 사시도이고, 도 5는 도 3의 A-A선에 따른 본 발명의 일 실시예에 따른 가스분배유닛(500)의 개략적인 종단면도이다.FIG. 3 is a schematic perspective view of a gas distribution unit 500 according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is a schematic exploded perspective view of a gas distribution unit 500 according to an embodiment of the present invention, 3 is a schematic longitudinal cross-sectional view of a gas distribution unit 500 according to an embodiment of the present invention, taken along line AA of FIG. 3;

도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스분배유닛(500)은, 가스확산부(600)와, 가스공급부(700)와, 제1 플레이트(800)와, 제2 플레이트(900)를 포함한다.3 to 5, a gas distribution unit 500 according to an embodiment of the present invention includes a gas diffusion portion 600, a gas supply portion 700, a first plate 800, And a second plate (900).

우선, 상기 가스확산부(600)는 가스공급부(700)를 통하여 공급되는 공정가스가 상기 가스확산부(600)의 내부에서 확산될 수 있도록 구성된다. 이를 위하여, 상기 가스확산부(600)는 내부에 공정가스 확산공간을 포함한다.First, the gas diffusion unit 600 is configured so that the process gas supplied through the gas supply unit 700 can be diffused in the gas diffusion unit 600. To this end, the gas diffusion portion 600 includes a process gas diffusion space therein.

구체적으로, 상기 가스확산부(600)는, 본체부(620)와, 상기 본체부(620)의 상부를 덮는 상부 덮개부(610)를 포함한다. 여기서, 예를 들어, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(1000)에서 증착가공되는 기판이 사각형 패널형상을 구비하는 경우, 상기 가스확산부(600)는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 상기 기판의 형상에 대응되게 전체적으로 사각형 패널형상을 이루는 사각기둥형상을 구비한다.Specifically, the gas diffusion portion 600 includes a body portion 620 and an upper lid portion 610 covering the upper portion of the body portion 620. 3 and 4, when the substrate to be vapor-deposited in the substrate processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention has a rectangular panel shape, And has a quadrangular prism shape having a rectangular panel as a whole corresponding to the shape of the substrate.

상기 상부 덮개부(610)는, 후술하는 바와 같이 가스공급부(700)에 포함되는 복수 개의 가스공급관(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 5개의 가스공급관)이 연통방식으로 연결된다. 그리고, 도 12를 참고하면, 상기 상부 덮개부(610)는 상기 복수 개의 가스공급관(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 5개의 가스공급관)이 연통되는 복수 개의 공급구(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 5개의 공급구)를 포함한다.The upper cover portion 610 is connected to a plurality of gas supply pipes (for example, five gas supply pipes as shown in the figure) included in the gas supply portion 700 in a communication manner as described later. 12, the upper lid portion 610 may include a plurality of gas supply pipes (for example, two gas supply pipes, for example, as shown in the drawing) through which the plurality of gas supply pipes As shown in FIG.

그리고, 상기 상부 덮개부(610)는 상기 공정챔버(100) 내부에서 상기 챔버리드(120)의 하부에 구비된다.The upper lid part 610 is provided in the lower part of the chamber lid 120 in the process chamber 100.

상부 덮개부(610)에 대해서는, 이하에서 도면을 참고하여 가스공급부(700)에 대해 구체적으로 설명할 때 보다 더 구체적으로 기술하기로 한다.The upper lid portion 610 will be described in more detail than the gas supply portion 700 will be described below with reference to the drawings.

상기 본체부(620)는 공정가스 확산공간이 형성되도록 전체적으로 중공 사각 기둥 형상을 구비한다.The body portion 620 is formed as a hollow square column so as to form a process gas diffusion space.

구체적으로, 상기 본체부(620)는 상기 상부 덮개부(610)의 하부에 구비되고 상기 본체부(620)의 하부에 상기 제1 플레이트(800)가 결합된다. 즉, 상기 본체부(620)의 상부는 상기 상부 덮개부(610)에 의해 덮히고, 상기 본체부(620)의 하부는 상기 제1 플레이트(800)에 의해 덮히며, 상기 공정가스 확산공간은 상기 상부 덮개부(610)의 하부면, 상기 제1 플레이트(800)의 상부면 그리고 상기 본체부(620)의 내측벽에 의해 한정된다. Specifically, the body portion 620 is provided below the upper cover portion 610, and the first plate 800 is coupled to a lower portion of the body portion 620. That is, the upper part of the main body part 620 is covered by the upper lid part 610, the lower part of the main body part 620 is covered by the first plate 800, A lower surface of the upper lid 610, an upper surface of the first plate 800, and an inner wall of the body 620. [

그리고, 상기 본체부(620)는 상기 본체부(620)의 내측벽에서부터 내부 방향으로 연장되는 걸림턱(621)을 구비하고, 상기 걸림턱(621)은 상기 제2 플레이트(900)의 가장자리 하부면이 상기 본체부(620)의 내부에 지지될 수 있도록 한다.The main body 620 includes a locking protrusion 621 extending inward from an inner wall of the main body 620. The locking protrusion 621 is formed at a lower portion of the edge of the second plate 900 So that the surface can be supported inside the body portion 620.

바람직하게는, 도면에 도시되진 않았지만, 상기 본체부(620)는, 상기 본체부(620)의 내측면에서 후술할 격벽부의 방사방향 격벽(913)의 측면이 소정 깊이 삽입되는 홈을 구비하는 패킹부재를 포함할 수 있다. 상기 패킹부재는 상기 본체부(620)의 내측벽 중에서 상기 걸림턱(621)이 형성된 높이로부터 상부 방향으로 길게 구비될 수 있다. Preferably, although not shown in the drawings, the body portion 620 includes a packing having a groove into which a side surface of a radial partition wall 913 of a partition wall portion, which will be described later, is inserted at a predetermined depth from an inner surface of the body portion 620 Member. The packing member may be provided in the inner side wall of the body portion 620 in a lengthwise direction from a height at which the latching protrusion 621 is formed.

이렇게 상기 패킹부재의 홈에 후술할 제2 플레이트(900)의 격벽부의 방사방향 격벽(913)의 측면이 삽입됨으로써, 후술할 중앙배플(905)과 다수 개의 가장자리 배플(907)(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 4개의 가장자리 배플) 각각에 포함되는 복수 개의 상부 확산영역(631)(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 5개의 상부 확산영역) 사이를 개별적으로 밀봉할 수 있고, 이로 인해 중앙배플(905)과 다수 개의 가장자리 배플(907)(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 4개의 가장자리 배플) 각각에 공급되는 공정가스가 이웃하는 다른 배플의 상부 확산영역(631)으로 누설되지 않도록 함과 동시에 상기 공정가스가 배플 하부의 관통구(901)를 통해서만 유동하도록 할 수 있다. 그 결과, 본 발명은 제2 플레이트(900)에 포함되는 각각의 상부 확산영역(631)에서 하부 확산공간(640)으로 토출되는 공정가스들의 토출유량을 보다 더 균일화할 수 있다.The lateral side of the radial partition wall 913 of the partition wall of the second plate 900 to be described later is inserted into the groove of the packing member so that a central baffle 905 and a plurality of edge baffles 907 (for example, (E.g., four edge baffles as shown in the figure), each of which can be individually sealed between a plurality of upper diffusion regions 631 (e.g., five upper diffusion regions as shown in the figure) The process gas supplied to each of the central baffle 905 and the plurality of edge baffles 907 (e.g., four edge baffles as shown in the figure) leaks into the upper diffusion region 631 of another neighboring baffle So that the process gas can flow only through the through hole 901 under the baffle. As a result, the present invention can further equalize the discharge flow rates of the process gases discharged from the upper diffusion region 631 included in the second plate 900 to the lower diffusion space 640.

상기 가스공급부(700)는, 상기 가스확산부(600)의 상부(즉, 상부 덮개부(610))에 연통방식으로 연결되며, 상기 공정가스 확산공간의 내부로 상기 공정가스를 공급하도록 구성된다. 즉, 상기 가스공급부(700)는 공정가스 저장부와 상기 가스확산부(600)의 상부 덮개부(610)를 연통방식으로 연결하도록 구성된다. The gas supply unit 700 is connected to the upper portion of the gas diffusion unit 600 (i.e., the upper lid unit 610) in a communicative manner and is configured to supply the process gas into the process gas diffusion space . That is, the gas supply unit 700 is configured to connect the process gas storage unit and the upper lid unit 610 of the gas diffusion unit 600 in a communication manner.

상기 가스공급부(700)는 후술하는 바와 같이 메인공급관(710)과, 상기 메인공급관(710)의 하부에서 분기되는 복수 개의 가스공급관(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 5개의 가스공급관)을 포함한다. 상기 메인공급관(710)은 상류에서 공정가스 저장부에 연결되고, 상기 복수 개의 가스공급관(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 5개의 가스공급관)은 상기 가스확산부(600)의 내부에 형성되는 후술할 복수 개의 상부 확산영역 각각에 연결된다.The gas supply unit 700 includes a main supply pipe 710 and a plurality of gas supply pipes (for example, five gas supply pipes as shown in the drawing) branched from the bottom of the main supply pipe 710 . The main supply pipe 710 is connected to the process gas storage unit at an upstream side, and the plurality of gas supply pipes (for example, five gas supply pipes as shown in the drawing) are formed inside the gas diffusion part 600 To be described later.

가스공급부(700)에 대해서는, 이하에서 관련 도면을 참고하여 보다 구체적으로 기술하기로 한다.The gas supply unit 700 will be described in more detail below with reference to the related drawings.

상기 제1 플레이트(800)는, 상기 가스확산부(600)의 하부(즉, 상기 본체부(620)의 하부)에 구비되고, 상하로(즉, 상기 제1 플레이트(800)의 두께방향으로) 관통하여 형성되는 복수 개의 분사홀(801)을 구비한다. 상기 분사홀(801)은 상기 가스확산부(600)의 표면적 전체에 걸쳐 균일하게 분포되어 배치도고, 도면에 구체적으로 도시되진 않았지만 상기 분사홀(801)은 상부에 형성되는 유입부와, 공정가스가 분사되는 분사부와, 상기 유입부와 상기 분사부를 연결하는 오리피스부를 포함한다. The first plate 800 is provided at a lower portion of the gas diffusion portion 600 (that is, at a lower portion of the main body portion 620) And a plurality of spray holes 801 formed through the spray holes. The injection holes 801 are uniformly distributed over the entire surface area of the gas diffusion part 600 and are not specifically shown in the figure, but the injection holes 801 have an inlet formed on the upper part thereof, And an orifice portion connecting the inflow portion and the injection portion.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 플레이트(900)의 개략적인 사시도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 플레이트(900)의 개략적인 평면도이다.FIG. 6 is a schematic perspective view of a second plate 900 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a schematic plan view of a second plate 900 according to an embodiment of the present invention.

도 4 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 플레이트(900)는 상기 가스공급부(700)(즉, 가스공급관)를 통하여 공정가스 확산공간 내부로 공급된 공정가스를 수평방향으로 균일하게 확산시킨 후 균일하게 확산된 공정가스가 후술할 제2 플레이트(900)의 관통구(901)를 경유하여 제1 플레이트(800)의 복수 개의 분사홀(801)을 통하여 분사되도록 구성된다. 4 to 7, a second plate 900 according to an embodiment of the present invention includes a process gas (not shown) supplied into the process gas diffusion space through the gas supply unit 700 The uniformly diffused process gas is injected through the plurality of injection holes 801 of the first plate 800 via the through holes 901 of the second plate 900 to be described later, .

이를 위하여, 상기 제2 플레이트(900)는 상기 공정가스 확산공간의 내부에서 상기 공정가스 확산공간을 상부 확산공간(630)과 하부 확산공간(640)으로 분할하도록 상기 가스공급부(700)와 상기 제1 플레이트(800) 사이에 구비된다.The second plate 900 may be divided into an upper diffusion space 630 and a lower diffusion space 640 in the process gas diffusion space to divide the process gas diffusion space into an upper diffusion space 630 and a lower diffusion space 640, 1 plate 800 as shown in FIG.

즉, 상기 제2 플레이트(900)는 상기 가스공급부(700)와 상기 제1 플레이트(800) 사이에서 상기 공정가스 확산공간을 수평방향으로 가로지르도록 배치되어 상기 본체부(620)의 걸림턱(621)에 지지된다.That is, the second plate 900 is disposed horizontally across the process gas diffusion space between the gas supply unit 700 and the first plate 800, 621, respectively.

그리고, 상기 제2 플레이트(900)는, 상기 상부 확산공간(630)과 상기 하부 확산공간(640)을 연통시키도록 두께방향으로 관통하는 복수 개의 관통구(901)와, 상기 상부 확산공간(630)을 복수 개의 상부 확산영역(631)으로 분할하는 격벽부를 포함한다.The second plate 900 includes a plurality of through holes 901 that penetrate the upper diffusion space 630 and the lower diffusion space 640 in the thickness direction and an upper diffusion space 630 ) Into a plurality of upper diffusion regions (631).

상기 복수 개의 관통구(901)는 상기 제2 플레이트(900)의 표면에 걸쳐 전체적으로 균일하게 분포되도록 위치된다. 그리고, 상기 복수 개의 관통구(901)는 상기 제1 플레이트(800)의 복수 개의 분사홀(801)에 비해 상대적으로 매우 큰 직경을 구비한다.The plurality of through-holes 901 are positioned so as to be uniformly distributed over the entire surface of the second plate 900. The plurality of through-holes 901 have a relatively large diameter relative to the plurality of injection holes 801 of the first plate 800.

후술하겠지만, 상기 복수 개의 관통구(901) 각각은, 도 13에 도시된 바와 같이 상기 복수 개의 가스공급관(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 5개의 가스공급관) 각각의 공급구가 상기 제2 플레이트(900)에 투영(投影)된 위치의 둘레에 배치되는 것이 바람직하다. 즉, 상기 복수 개의 관통구(901) 중 어느 하나의 관통구(901)도 상기 상부 덮개부(610)의 공급구들과 상하로 일직선 상에 배치되지 않는다. 이로 인해, 복수 개의 가스공급관(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 5개의 가스공급관)으로부터 상부 덮개부(610)의 공급부를 통하여 상부 확산영역(631)으로 공급되는 공정가스는 각각의 상부 확산영역(631)들 내에 위치하는 제2 플레이트(900)의 면에 부딪혀 수평방향으로 확산된 후 하부 상부 확산영역으로 유동할 수 있도록 할 수 있으므로, 상기 공정가스가 공급구에서 제2 플레이트(900)의 면에 부딪히지 않고 관통구(901)를 바로 통과하여 하부 상부 확산영역으로 공급됨으로써 하부 상부 확산영역의 중앙영역에 가스분압 및/또는 토출유량이 집중되는 것을 방지할 수 있어, 제1 플레이트(800)에서 복수 개의 분사홀(801)에서의 균등한 분사유량 및/또는 토출유량을 확보할 수 있다.As shown in FIG. 13, each of the plurality of through-holes 901 may be formed so that a supply port of each of the plurality of gas supply pipes (for example, five gas supply pipes as shown in the figure) It is preferable to be disposed around the position projected on the plate 900. That is, any one of the through-holes 901 of the plurality of through-holes 901 is not vertically aligned with the supply ports of the upper lid 610. As a result, the process gas supplied from the plurality of gas supply pipes (for example, five gas supply pipes as shown in the drawing) to the upper diffusion area 631 through the supply part of the upper lid part 610, The process gas may be diffused in the second plate 900 in the region 631 to diffuse in the horizontal direction and flow to the lower upper diffusion region, It is possible to prevent the gas partial pressure and / or the discharge flow rate from being concentrated in the central region of the lower upper diffusion region by being supplied directly to the lower upper diffusion region through the through hole 901 without colliding with the surface of the first plate 800 It is possible to secure an equal injection flow rate and / or a discharge flow rate in the plurality of injection holes 801.

상기 격벽부는 상기 제2 플레이트(900)의 상부면에서부터 상기 상부 덮개부(610)의 하부면까지 또는 상기 상부 덮개부(610)의 하부면에 맞닿도록 연장된다. 즉, 상기 격벽부는 제2 플레이트(900)에 의해 한정되는 상부 확산공간(630)을 유동적으로 완전히 격리된 복수 개의 상부 확산영역(631)으로 구획하면서 동시에 상기 제2 플레이트(900)의 상부면을 복수 개의 배플로 구획하도록 구성된다.The partition wall portion extends from an upper surface of the second plate 900 to a lower surface of the upper lid portion 610 or a lower surface of the upper lid portion 610. That is, the partition wall divides the upper diffusion space 630 defined by the second plate 900 into a plurality of upper diffusion regions 631 completely isolated from each other, and at the same time, the upper surface of the second plate 900 And is configured to be divided into a plurality of baffles.

상기 제2 플레이트(900)는, 중앙배플(905)과, 상기 중앙배플을 둘러싸도록 배치되는 다수 개의 가장자리 배플(907)(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 4개의 가장자리 배플)을 포함한다. The second plate 900 includes a central baffle 905 and a plurality of edge baffles 907 (e.g., four edge baffles as shown in the figure) disposed to surround the central baffle .

그리고, 상기 격벽부는, 상기 중앙배플(905)을 둘러싸는(즉, 중앙배플(905)을 한정하는) 폐회로 형상의 중앙 격벽(911)과, 상기 중앙 격벽(911)으로부터 상기 제2 플레이트(900)의 테두리(903)를 향하여 방사 방향으로 연장되는 다수 개의 방사방향 격벽(913)(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 4개의 방사방향 격벽)을 포함한다.The partition wall portion includes a closed central wall 911 that surrounds the central baffle 905 (that is, defines a central baffle 905) and a second central wall 911 that extends from the central wall 911 to the second plate 900 A plurality of radial partition walls 913 (for example, four radial partition walls as shown in the figure) extending in the radial direction toward the rim 903.

상기 중앙배플(905)과 상기 중앙 격벽(911)은 폐회로 형상을 구비하며, 예를 들어 원형 또는 타원형 또는 마름모 형상을 구비할 수 있다.The central baffle 905 and the central partition 911 have a closed circuit shape and may have, for example, a circular, elliptical or rhombic shape.

상기 중앙 격벽(911)과 상기 다수 개의 방사방향 격벽(913)(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 4개의 방사방향 격벽) 각각은 상기 다수 개의 가장자리 배플(907)(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 4개의 가장자리 배플) 각각의 넓이를 상기 중앙배플(905)의 넓이와 동일하도록 균등하게 분할한다. Each of the central partition 911 and the plurality of radial partitioning walls 913 (for example, four radial partitioning walls as shown in the figure) is formed by the plurality of edge baffles 907 (see, for example, (Four edge baffles as shown) are equally divided to equal the width of the central baffle 905.

또한, 상기 다수 개의 가장자리 배플(907)은 서로 모두 동일한 형상 및 동일한 넓이 및/또는 동일한 수량의 관통구(901)를 가지도록 분할된다.Further, the plurality of edge baffles 907 are divided so as to have the through-holes 901 having the same shape, the same width, and / or the same quantity as each other.

또한, 바람직하게는, 상기 중앙 격벽(911)과 상기 다수 개의 방사방향 격벽(913)(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 4개의 방사방향 격벽) 각각은, 상기 다수 개의 가장자리 배플(907) 각각의 내부에 구비되는 상기 관통구(901)의 수량과 상기 중앙배플(905)의 내부에 구비되는 상기 관통구(901)의 수량이 모두 동일하도록 상기 제2 플레이트(900) 및 상부 확산공간(630)을 분할할 수 있다.It is also preferable that each of the central partition 911 and the plurality of radial partition walls 913 (for example, four radial partition walls as shown in the figure) The second plate 900 and the upper diffusing space 901 are formed such that the number of the through-holes 901 provided in the central baffle 905 and the number of the through- 630).

예를 들어, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제2 플레이트(900)는 사각 판형 형상을 구비하고, 상기 중앙배플(905) 및 상기 중앙 격벽(911)은 마름모 형상의 횡단면을 구비한다. 그리고, 상기 다수 개의 가장자리 배플(907) 각각은, 마름모 형상의 상기 중앙배플(905)의 일면과, 상기 제2 플레이트(900)의 테두리(903)에 위치하는 이웃하는 두 면과, 상기 중앙배플(905)의 꼭지점에서부터 상기 제2 플레이트(900)의 테두리(903)까지 방사방향으로 연장되는 두 개의 방사방향 격벽(913)을 포함하는 오각형 형상의 횡단면을 구비한다. For example, as shown in FIGS. 6 and 7, the second plate 900 has a rectangular plate shape, and the central baffle 905 and the central partition 911 have rhombic cross-sections do. Each of the plurality of edge baffles 907 includes one side of the central baffle 905 in the shape of a rhombus and two adjacent sides located at the edge 903 of the second plate 900, Shaped cross section including two radial partition walls 913 extending radially from the vertex of the first plate 905 to the rim 903 of the second plate 900.

즉, 상기 방사방향 격벽(913)은 상기 중앙 격별의 꼭지점에서부터 상기 제2 플레이트(900)의 테두리(903)까지 연장되며, 총 4 개가 구비된다. 이로 인해, 오각형 형상의 가장자리 배플(907)은 모 형상의 상기 중앙배플(905)의 일면과, 상기 제2 플레이트(900)의 테두리(903)에 위치하는 이웃하는 두 면(즉, 서로 직각으로 형성된 두 면)과, 상기 중앙배플(905)의 꼭지점 중 두 개에서 연장되는 두 개의 방사방향 격벽(913)에 의해 상부 확산영역(631) 및 배플을 한정한다.That is, the radial partition 913 extends from the vertex of the central part to the rim 903 of the second plate 900, and a total of four radial partition walls 913 are provided. This allows the pentagonal edge baffle 907 to be positioned on one side of the central baffle 905 in the shape of a bevel and two adjacent sides located at the edge 903 of the second plate 900 And two radial partitioning walls 913 extending from two of the vertices of the central baffle 905. The baffle 902 is formed by two radial partition walls 913,

이때, 마름모 형상의 중앙배플(905)에 형성되는 관통구(901)의 수량 및 상기 중앙배플(905)의 넓이와, 오각형 형상의 가장자리 배플(907) 각각에 형성되는 관통구(901)의 수량 및 가장자리 배플(907) 각각의 넓이는 서로 동일하다. 이는, 상기 중앙 격벽(911)과 네 개의 방사방향 격벽(913)에 의해 한정되는 복수 개의 상부 확산영역(631)에서 공정가스가 가능한 균일한 길이 또는 넓이의 수평방향 확산경로를 통하여 확산되도록 함으로써, 제2 플레이트(900)의 복수 개의 관통구(901) 전체에서 하부 확산공간(640)으로 전체적으로 균일한 토출유량 및/또는 가스분압으로 확산되도록 하기 위함이다.At this time, the number of through-holes 901 formed in the rhombic central baffle 905, the width of the central baffle 905, and the number of through-holes 901 formed in each of the pentagonal edge baffles 907 And the edge baffle 907 are equal to each other. This allows the process gas to diffuse through a horizontal diffusion path of a uniform length or width in a plurality of upper diffusion regions 631 defined by the central partition 911 and the four radial partition walls 913, So that the entirety of the plurality of through-holes 901 of the second plate 900 is uniformly diffused into the lower diffusion space 640 with a uniform discharge flow rate and / or gas partial pressure.

도 8은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 제2 플레이트(900)의 개략적인 사시도이고, 도 9은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 제2 플레이트(900)의 개략적인 평면도이다.FIG. 8 is a schematic perspective view of a second plate 900 according to another embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a schematic plan view of a second plate 900 according to another embodiment of the present invention.

도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 제2 플레이트(900)는 상기 가스공급부(700)(즉, 가스공급관)를 통하여 공정가스 확산공간 내부로 공급된 공정가스를 수평방향으로 균일하게 확산시킨 후 균일하게 확산된 공정가스가 후술할 제2 플레이트(900)의 관통구(901)를 경유하여 제1 플레이트(800)의 복수 개의 분사홀(801)을 통하여 분사되도록 구성된다. 8 and 9, the second plate 900 according to another embodiment of the present invention may be manufactured by a process that is supplied into the process gas diffusion space through the gas supply unit 700 (i.e., the gas supply pipe) The uniformly diffused process gas is diffused through the plurality of injection holes 801 of the first plate 800 via the through holes 901 of the second plate 900 to be described later .

이를 위하여, 상기 제2 플레이트(900)는 상기 공정가스 확산공간의 내부에서 상기 공정가스 확산공간을 상부 확산공간(630)과 하부 확산공간(640)으로 분할하도록 상기 가스공급부(700)와 상기 제1 플레이트(800) 사이에 구비된다.The second plate 900 may be divided into an upper diffusion space 630 and a lower diffusion space 640 in the process gas diffusion space to divide the process gas diffusion space into an upper diffusion space 630 and a lower diffusion space 640, 1 plate 800 as shown in FIG.

즉, 상기 제2 플레이트(900)는 상기 가스공급부(700)와 상기 제1 플레이트(800) 사이에서 상기 공정가스 확산공간을 수평방향으로 가로지르도록 배치되어 상기 본체부(620)의 걸림턱(621)에 지지된다.That is, the second plate 900 is disposed horizontally across the process gas diffusion space between the gas supply unit 700 and the first plate 800, 621, respectively.

그리고, 상기 제2 플레이트(900)는, 상기 상부 확산공간(630)과 상기 하부 확산공간(640)을 연통시키도록 두께방향으로 관통하는 복수 개의 관통구(901)와, 상기 상부 확산공간(630)을 3 개의 상부 확산영역(631)으로 분할하는 격벽부를 포함한다.The second plate 900 includes a plurality of through holes 901 that penetrate the upper diffusion space 630 and the lower diffusion space 640 in the thickness direction and an upper diffusion space 630 ) Into three upper diffusion regions 631. The upper diffusion region 631 is divided into three upper diffusion regions 631.

상기 복수 개의 관통구(901)는 상기 제2 플레이트(900)의 표면에 걸쳐 전체적으로 균일하게 분포되도록 위치된다. 그리고, 상기 복수 개의 관통구(901)는 상기 제1 플레이트(800)의 복수 개의 분사홀(801)에 비해 상대적으로 매우 큰 직경을 구비한다.The plurality of through-holes 901 are positioned so as to be uniformly distributed over the entire surface of the second plate 900. The plurality of through-holes 901 have a relatively large diameter relative to the plurality of injection holes 801 of the first plate 800.

후술하겠지만, 상기 복수 개의 관통구(901) 각각은, 도 13을 참고하면 상기 복수 개의 가스공급관(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 5개의 가스공급관) 각각의 공급구가 상기 제2 플레이트(900)에 투영(投影)된 위치의 둘레에 배치되는 것이 바람직하다. 즉, 상기 복수 개의 관통구(901) 중 어느 하나의 관통구(901)도 상기 상부 덮개부(610)의 공급구들과 상하로 일직선 상에 배치되지 않는다. 이로 인해, 복수 개의 가스공급관(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 5개의 가스공급관)으로부터 상부 덮개부(610)의 공급부를 통하여 상부 확산영역(631)으로 공급되는 공정가스는 각각의 상부 확산영역(631)들 내에 위치하는 제2 플레이트(900)의 면에 부딪혀 수평방향으로 확산된 후 하부 상부 확산영역으로 유동할 수 있도록 할 수 있으므로, 상기 공정가스가 공급구에서 제2 플레이트(900)의 면에 부딪히지 않고 관통구(901)를 바로 통과하여 하부 상부 확산영역으로 공급됨으로써 하부 상부 확산영역의 중앙영역에 가스분압 및/또는 토출유량이 집중되는 것을 방지할 수 있어, 제1 플레이트(800)에서 복수 개의 분사홀(801)에서의 균등한 분사유량 및/또는 토출유량을 확보할 수 있다.As shown in FIG. 13, each of the plurality of through-holes 901 may include a plurality of gas supply pipes (for example, five gas supply pipes as shown in the drawing) 900, as shown in FIG. That is, any one of the through-holes 901 of the plurality of through-holes 901 is not vertically aligned with the supply ports of the upper lid 610. As a result, the process gas supplied from the plurality of gas supply pipes (for example, five gas supply pipes as shown in the drawing) to the upper diffusion area 631 through the supply part of the upper lid part 610, The process gas may be diffused in the second plate 900 in the region 631 to diffuse in the horizontal direction and flow to the lower upper diffusion region, It is possible to prevent the gas partial pressure and / or the discharge flow rate from being concentrated in the central region of the lower upper diffusion region by being supplied directly to the lower upper diffusion region through the through hole 901 without colliding with the surface of the first plate 800 It is possible to secure an equal injection flow rate and / or a discharge flow rate in the plurality of injection holes 801.

상기 격벽부는 상기 제2 플레이트(900)의 상부면에서부터 상기 상부 덮개부(610)의 하부면까지 또는 상기 상부 덮개부(610)의 하부면에 맞닿도록 연장된다. 즉, 상기 격벽부는 제2 플레이트(900)에 의해 한정되는 상부 확산공간(630)을 유동적으로 완전히 격리된 3 개의 상부 확산영역(631)으로 구획하면서 동시에 상기 제2 플레이트(900)의 상부면을 복수 개의 배플(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 3개의 배플)로 구획하도록 구성된다.The partition wall portion extends from an upper surface of the second plate 900 to a lower surface of the upper lid portion 610 or a lower surface of the upper lid portion 610. That is, the partition wall divides the upper diffusion space 630 defined by the second plate 900 into three upper diffusion regions 631 which are completely isolated from each other, and the upper surface of the second plate 900 And is configured to partition into a plurality of baffles (e.g., three baffles as shown in the figure).

상기 제2 플레이트(900)는, 중앙배플(905)과, 상기 중앙배플을 둘러싸도록 배치되는 2 개의 가장자리 배플(907)을 포함한다. The second plate 900 includes a central baffle 905 and two edge baffles 907 disposed to surround the central baffle.

이때, 상기 2개의 가장자리 배플은 상기 중앙배플을 둘러싸도록 상기 중앙배플을 중심으로 서로 대칭되게 배치된다. 그리고, 상기 2개의 가장자리 배플 각각은 좌우대칭된 형상인 좌측 배플과 우측 배플을 포함한다. 여기서, 상기 하나의 가장자리 배플 내에서 좌측 배플과 우측 배플은 연결되는 부분이 연통되어 있다. 즉, 좌측 배플과 우측 배플은 연결되는 부분에는 격벽부가 구비되어 있지 않고, 이로 인해 상기 하나의 가장자리 배플 내에서 상기 좌측 배플의 상부 확산영역과 상기 우측 배플의 상부 확산영역은 서로 연통되어 있다.Wherein the two edge baffles are symmetrically disposed about the central baffle so as to surround the central baffle. And each of the two edge baffles includes a left baffle and a right baffle that are symmetrical in shape. Here, the left baffle and the right baffle are connected to each other in the one edge baffle. In other words, the partition between the left baffle and the right baffle is not provided, so that the upper diffusion region of the left baffle and the upper diffusion region of the right baffle are in communication with each other in the one edge baffle.

따라서, 가스공급관을 통하여 좌측 배플 및 우측 배플 각각의 상부 확산영역으로 공급되어 관통구를 통과하는 공급가스의 유동경로들 중 최장 유동경로를 이루는 부분인 좌측 배플과 우측 배플의 연결부분을 연통시켜(즉, 격벽부를 형성하지 않음) 공정가스의 최장 유동경로 부분에서 좌측 배플의 상부 확산영역의 상부에서 공급되는 공정가스와 우측 배플의 상부 확산영역의 상부에서 공급되는 공정가스가 서로 중첩되어 관통공을 통과하는 부분을 형성할 수 있다. 이로 인해, 본 발명은 최장 유동경로 인해 좌측 배플과 우측 배플의 연결부분에서 좌측 배플 중앙 및 우측 배플의 중앙에 비해 일정 부분 감소된 공정가스의 분압을 좌측 배플의 공정가스와 우측 배플의 공정가스의 (유동경로) 중첩으로 보상할 수 있으므로, 결과적으로 상부 확산영역에서 하부 확산공간으로 토출되는 공정가스들의 토출유량을 보다 더 균일화할 수 있다.Accordingly, the gas is supplied to the upper diffusion region of each of the left baffle and the right baffle through the gas supply pipe to communicate the connection portion of the left baffle and the right baffle, which is the portion constituting the longest flow path among the flow paths of the supply gas passing through the through- That is, the process gas supplied from above the upper diffusion region of the left baffle and the process gas supplied from above the upper diffusion region of the right baffle overlap each other in the longest flow path portion of the process gas, It is possible to form a passing portion. Thus, the present invention is based on the fact that the partial pressure of the process gas, which is reduced by a certain amount compared to the center of the left baffle center and the right baffle at the junction of the left baffle and the right baffle due to the longest flow path, (Flow path) overlap. As a result, the discharge flow rate of process gases discharged to the lower diffusion space in the upper diffusion region can be more uniform.

그리고, 상기 격벽부는, 상기 중앙배플(905)을 둘러싸는(즉, 중앙배플(905)을 한정하는) 폐회로 형상의 중앙 격벽(911)과, 상기 중앙 격벽(911)으로부터 상기 제2 플레이트(900)의 테두리(903)를 향하여 방사 방향으로 연장되는 2 개의 방사방향 격벽(913)을 포함한다.The partition wall portion includes a closed central wall 911 that surrounds the central baffle 905 (that is, defines a central baffle 905) and a second central wall 911 that extends from the central wall 911 to the second plate 900 And two radial partition walls 913 extending in the radial direction toward the rim 903.

상기 중앙배플(905)과 상기 중앙 격벽(911)은 폐회로 형상을 구비하며, 예를 들어 원형 또는 타원형 또는 마름모 형상을 구비할 수 있다.The central baffle 905 and the central partition 911 have a closed circuit shape and may have, for example, a circular, elliptical or rhombic shape.

상기 중앙 격벽(911)과 상기 2 개의 방사방향 격벽(913) 각각은 상기 2 개의 가장자리 배플(907) 각각의 넓이가 상기 중앙배플(905)의 넓이의 2개가 되도록 균등하게 분할한다. 즉, 상기 제2 플레이트는, 상기 3개의 상부 확산영역 중 상기 중앙 배플에 의해 한정되는 제1 상부 확산영역의 넓이가 상기 3개의 상부 확산영역 중 상기 2개의 가장자리 배플에 의해 한정되는 2개의 제2 상부 확산영역 각각의 넓이의 1/2이 되도록 상기 격벽부에 의해 분할된다. Each of the central partition wall 911 and the two radial partition walls 913 is divided equally so that the width of each of the two edge baffles 907 is equal to two of the widths of the central baffle 905. That is, the second plate may be configured such that the width of the first upper diffusion region defined by the central baffle among the three upper diffusion regions is defined by two of the three upper diffusion regions, And is divided by the partition wall portion to be one half of the width of each of the upper diffusion regions.

또한, 상기 2 개의 가장자리 배플(907)은 서로 모두 동일한 형상 및 동일한 넓이 및/또는 동일한 수량의 관통구(901)를 가지도록 분할된다.Further, the two edge baffles 907 are divided so as to have through holes 901 having the same shape, the same width, and / or the same quantity as each other.

또한, 바람직하게는, 상기 중앙 격벽(911)과 상기 2 개의 방사방향 격벽(913) 각각은, 상기 2 개의 가장자리 배플(907) 각각의 내부에 구비되는 상기 관통구(901)의 수량이 상기 중앙배플(905)의 내부에 구비되는 상기 관통구(901)의 수량의 2배가 되도록 상기 제2 플레이트(900) 및 상부 확산공간(630)을 분할할 수 있다.Preferably, the central partition wall 911 and the two radial partition walls 913 are formed such that the number of the through-holes 901 provided in each of the two edge baffles 907 is larger than the center The second plate 900 and the upper diffusion space 630 may be divided such that the number of the through holes 901 provided in the baffle 905 is twice as large as the number of the through holes 901 provided in the baffle 905.

예를 들어, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 제2 플레이트(900)는 사각 판형 형상을 구비하고, 상기 중앙배플(905) 및 상기 중앙 격벽(911)은 마름모 형상의 횡단면을 구비한다. 그리고, 상기 2 개의 가장자리 배플(907) 각각은, 마름모 형상의 상기 중앙배플의 이웃하는 두 면과, 상기 중앙배플의 대향하는 두 개의 꼭지점에서부터 상기 제2 플레이트의 테두리까지 방사방향으로 연장되는 2개의 방사방향 격벽과, 상기 제2 플레이트의 테두리에 의해 한정된다.For example, as shown in FIGS. 8 and 9, the second plate 900 has a rectangular plate shape, and the central baffle 905 and the central partition 911 have a rhombic cross section do. And each of the two edge baffles 907 includes two adjacent sides of the central baffle in the form of a rhombus and two extending radially from the opposite two vertexes of the central baffle to the edge of the second plate The radial bulkhead, and the rim of the second plate.

이때, 마름모 형상의 중앙배플(905)에 형성되는 관통구(901)의 수량 및 상기 중앙배플(905)의 넓이는, 가장자리 배플(907) 각각에 형성되는 관통구(901)의 수량 및 가장자리 배플(907) 각각의 넓이의 1/2이다. At this time, the number of the through-holes 901 formed in the rhombic central baffle 905 and the width of the central baffle 905 are determined by the number of the through-holes 901 formed in each of the edge baffles 907, Lt; RTI ID = 0.0 > 907 < / RTI >

이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스공급부(700)와 가스확산부(600)의 상부 덮개부(610)에 대하여 도면을 참고하여 보다 구체적으로 기술하기로 한다.Hereinafter, the gas supply unit 700 and the upper lid unit 610 of the gas diffusion unit 600 according to an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스공급부(700)에 대한 개략적인 사시도이고, 도 11는 도 10의 상부 덮개부(610)의 개략적인 저면도이고, 도 12은 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 플레이트(900)와 제1 공급구(611) 및 제2 공급구(613) 사이의 위치관계에 대한 개략적인 평면도이고, 도 13은 도 10의 메인공급관(710)의 개략적인 저면도이고, 도 14는 도 10의 제2 가스공급관(730)에 대한 개략적인 사시도이고, 도 15은 도 10에 도시된 제1 가스공급관(720)의 제1 실시예에 대한 개략적인 사시도이고, 도 16는 도 10에 도시된 제1 가스공급관(720)의 제2 실시예에 대한 개략적인 사시도이고, 도 17는 도 10에 도시된 제1 가스공급관(720)의 제3 실시예에 대한 개략적인 사시도이다.FIG. 10 is a schematic perspective view of a gas supply unit 700 according to an embodiment of the present invention, FIG. 11 is a schematic bottom view of the upper lid unit 610 of FIG. 10, and FIG. 13 is a schematic plan view of the positional relationship between the second plate 900 according to the example and the first supply port 611 and the second supply port 613, and FIG. 13 is a schematic plan view of the main supply pipe 710 Fig. 14 is a schematic perspective view of the second gas supply pipe 730 of Fig. 10, Fig. 15 is a schematic perspective view of the first gas supply pipe 720 of the first embodiment shown in Fig. 10 , Fig. 16 is a schematic perspective view of a second embodiment of the first gas supply pipe 720 shown in Fig. 10, and Fig. 17 is a schematic perspective view of the third gas supply pipe 720 shown in Fig. It is a schematic perspective view.

도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스확산부(600)는 전술한 바와 같이 상부 덮개부(610)와 본체부(620)를 포함하고, 상기 상부 덮개부(610)는 상기 본체부(620)의 상부를 밀폐하면서 동시에 가스공급부(700)에 연결되어 공정가스가 공정가스 확산공간 내부로 안내될 수 있도록 하는 역할을 한다.10, the gas diffusion part 600 according to an embodiment of the present invention includes the upper lid part 610 and the body part 620 as described above, and the upper lid part 610, Is connected to the gas supply unit 700 while sealing the upper portion of the main body 620, so that the process gas can be guided into the process gas diffusion space.

도 11에 도시된 바와 같이, 상기 상부 덮개부(610)는 상기 상부 덮개부(610)를 두께방향으로 관통하는 복수 개의 공급구를 포함하고, 상기 복수 개의 공급구 각각은 후술하는 가스공급부(700)에 포함되는 복수 개의 가스공급관에 연통되도록 연결되어 상기 상부 확산공간(630) 내부로 공정가스를 토출한다. 상기 복수 개의 공급구(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 5개의 공급구)는 상부 덮개부(610)에 형성되어 있으나, 후술하는 바와 같이 가스공급부(700)의 관점에서 보면 가스공급부(700)에 포함되는 복수 개의 가스공급관(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 5개의 가스공급관)의 일부를 형성하는 역할을 할 수도 있다.11, the upper lid part 610 includes a plurality of supply holes that penetrate the upper lid part 610 in the thickness direction, and each of the plurality of supply holes has a gas supply part 700 (Not shown) to discharge the process gas into the upper diffusion space 630. Although the plurality of supply ports (for example, five supply ports as shown in the figure) are formed in the upper lid portion 610, as will be described later, from the viewpoint of the gas supply portion 700, (For example, five gas supply pipes as shown in the drawing) included in the gas supply pipe (not shown).

도 11 및 도 12를 참고하면, 상기 복수 개의 공급구(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 5개의 공급구)는 복수 개의 상부 확산영역(631)의 상부에 하나씩 대응되게 위치된다. 상기 복수 개의 공급구는 중앙배플(905)과 다수 개의 가장자리 배플(907) 각각의 상부에 하나씩 대응되게 위치된다. Referring to FIGS. 11 and 12, the plurality of supply ports (for example, five supply ports as shown in the figure) are correspondingly positioned one above the plurality of upper diffusion areas 631. [ The plurality of feed ports are positioned one on top of each of the central baffle 905 and the plurality of edge baffles 907, respectively.

구체적으로, 상기 복수 개의 공급구는, 상기 상부 덮개부(610)에서 상기 중앙배플(905)의 중앙부의 연직 상부의 위치에 형성되는 제1 공급구(611)와, 상기 상부 덮개부(610)에서 상기 다수 개의 가장자리 배플(907) 각각의 상부에 형성되는 다수 개의 제2 공급구(613)를 포함한다.Specifically, the plurality of supply ports include a first supply port 611 formed at a vertically upper portion of a central portion of the central baffle 905 in the upper lid unit 610, And a plurality of second supply ports 613 formed on each of the plurality of edge baffles 907.

도 12를 참고하여, 복수 개의 공급구 각각과 제2 플레이트(900)의 복수 개의 관통구(901) 사이의 위치관계를 구체적으로 설명하면, 상기 제2 플레이트(900)의 상기 복수 개의 관통구(901) 각각은, 상기 복수 개의 공급구 각각이 상기 제2 플레이트(900)에 투영(投影)된 위치의 둘레에 배치되는 것이 바람직하다. 12, the positional relationship between each of the plurality of supply ports and the plurality of through holes 901 of the second plate 900 will be described in detail. The plurality of through holes (not shown) of the second plate 900 901 are preferably disposed around a position where each of the plurality of supply ports is projected on the second plate 900. [

즉, 상기 복수 개의 관통구(901) 중 어느 하나의 관통구(901)도 상기 상부 덮개부(610)의 공급구들과 상하로 일직선 상에 배치되지 않는다. 이로 인해, 복수 개의 가스공급관으로부터 상부 덮개부(610)의 공급부를 통하여 상부 확산영역(631)으로 공급되는 공정가스는 각각의 상부 확산영역(631)들 내에 위치하는 제2 플레이트(900)의 면에 부딪혀 수평방향으로 확산된 후 하부 상부 확산영역으로 유동할 수 있도록 할 수 있으므로, 상기 공정가스가 공급구에서 제2 플레이트(900)의 면에 부딪히지 않고 관통구(901)를 바로 통과하여 하부 상부 확산영역으로 공급됨으로써 하부 상부 확산영역의 중앙영역에 가스분압 및/또는 토출유량이 집중되는 것을 방지할 수 있어, 제1 플레이트(800)에서 복수 개의 분사홀(801)에서의 균등한 분사유량 및/또는 토출유량을 확보할 수 있다.That is, any one of the through-holes 901 of the plurality of through-holes 901 is not vertically aligned with the supply ports of the upper lid 610. The process gas supplied from the plurality of gas supply pipes to the upper diffusion region 631 through the supply portion of the upper lid portion 610 is supplied to the upper surface of the second plate 900 located in each upper diffusion region 631, So that the process gas does not hit the surface of the second plate 900 in the supply port but passes through the through hole 901 and flows into the lower upper diffusion region, It is possible to prevent the gas partial pressure and / or the discharge flow rate from being concentrated in the central region of the lower upper diffusion region by being supplied to the diffusion region, so that the uniform discharge flow rate in the plurality of injection holes 801 in the first plate 800 and / And / or the discharge flow rate can be ensured.

또한, 도 11 및 도 12를 참고하면, 상기 다수 개의 제2 공급구(613) 각각은, 상기 다수 개의 가장자리 배플(907)(예를 들어, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 4개의 가장자리 배플 또는 도 8 및 도 9의 2개의 가장자리 배플 각각의 좌측배플 및 우측배플) 각각의 기하학적 중심(도 8 및 도 9의 경우 좌측배플 및 우측배플 각각의 기하학적 중심)의 연직 상방에 위치하는 것이 바람직하다. 즉, 격벽부를 제외한 상기 가장자리 배플(907)은 판형 부재이고, 상기 기하학적 중심은 상기 가장자리 배플(907)의 기하학적 중심 및/또는 무게중심이다.11 and 12, each of the plurality of second supply ports 613 includes a plurality of edge baffles 907 (for example, four edges as shown in FIGS. 6 and 7) (The left baffle and the right baffle of the baffle or the two edge baffles of Figs. 8 and 9, respectively) of the respective baffles (preferably the geometric center of each of the left and right baffles in Figs. 8 and 9) Do. That is, the edge baffle 907, excluding the partitions, is a plate-like member, and the geometric center is the geometric center and / or the center of gravity of the edge baffle 907.

이렇게, 제1 공급구(611)를 중앙배플(905)의 중앙부의 연직 상부에 위치시키고, 상기 다수 개의 제2 공급구(613) 각각을 상기 다수 개의 가장자리 배플(907)의 기하학적 중심의 연직 상부에 위치시킴으로서, 각각의 공급구를 통하여 중앙배플(905) 및 다수 개의 가장자리 배플(907) 각각으로 공정가스가 공급되는 경우, 각각의 배플에서 공정가스가 부딪혀 수평방향으로 큰 유동경로 편차 없이 확산될 수 있으므로 각각의 배플에 구비되는 복수 개의 관통구(901)를 통하여 공정가스가 상부 확산공간(630)(즉, 상부 확산공간(630)의 상부 확산영역(631))에서 하부 확산공간(640)으로의 토출유량 편차가 최소화되어 공급될 수 있다. 반대로, 제2 공급구(613)가 가장자리 배플(907)의 연직 상부에서 일측에 치우쳐서 상부 덮개부(610)에 구비되는 경우, 일측에 치우친 관통구(901)를 통과하는 공정가스들은 타측에 치우친 관통구(901)를 통과하는 공정가스들에 비해 확산경로 및/또는 유동경로가 길어져 관통구(901)를 통한 하부 확산공간(640)으로의 토출유량 편차가 일측과 타측에서 크게 발생할 수 밖에 없기 때문이다.The first supply port 611 is positioned at a vertically upper portion of the central portion of the central baffle 905 and each of the plurality of second supply ports 613 is connected to the vertical upper portion of the geometric center of the plurality of edge baffles 907 So that process gas is supplied to each of the central baffle 905 and each of the plurality of edge baffles 907 via the respective supply ports so that the process gas in each baffle is diffused without large flow path variations in the horizontal direction The process gas is supplied to the lower diffusion space 640 from the upper diffusion space 630 (i.e., the upper diffusion area 631 of the upper diffusion space 630) through the plurality of through holes 901 provided in each baffle, Can be supplied with minimized deviation of the discharge flow rate. On the other hand, when the second supply port 613 is provided on the upper lid portion 610 at one side of the vertical upper portion of the edge baffle 907, the process gases passing through the through hole 901, The diffusion path and / or the flow path is longer than the process gases passing through the through-hole 901, and the discharge flow rate deviation into the lower diffusion space 640 through the through-hole 901 is large at one side and the other side Because.

그리고, 도 11을 참고하면, 상기 상부 덮개부(610)는 상기 상부 덮개부(610)의 하부면에서, 상기 격벽부가 소정 깊이 삽입되도록 상기 격벽부의 형상에 대응되는 형상을 구비하는 삽입홈(615)과, 상기 삽입홈(615) 내부에 소정 깊이 삽입되는 패킹부재를 포함한다.11, the upper lid part 610 has an insertion groove 615 having a shape corresponding to the shape of the partition wall part so that the partition wall part is inserted to a predetermined depth on the lower surface of the upper lid part 610, And a packing member inserted into the insertion groove 615 to a predetermined depth.

이렇게 격벽부의 형상에 대응되는 형상을 구비하는 삽입홈(615) 및/또는 패킹부재를 상부 덮개부(610)에 포함함으로써, 중앙배플(905)과 다수 개의 가장자리 배플(907) 각각에 포함되는 복수 개의 상부 확산영역(631) 사이를 개별적으로 밀봉할 수 있고, 이로 인해 중앙배플(905)과 다수 개의 가장자리 배플(907) 각각에 공급되는 공정가스가 이웃하는 다른 배플의 상부 확산영역(631)으로 누설되지 않도록 함과 동시에 상기 공정가스가 배플 하부의 관통구(901)를 통해서만 유동하도록 할 수 있다. 그 결과, 본 발명은 제2 플레이트(900)에 포함되는 각각의 상부 확산영역(631)에서 하부 확산공간(640)으로 토출되는 공정가스들의 토출유량을 보다 더 균일화할 수 있다.By including the insertion groove 615 having a shape corresponding to the shape of the partition portion and / or the packing member in the upper lid portion 610, a plurality of The upper diffusion regions 631 can be sealed separately so that the process gas supplied to each of the central baffle 905 and the plurality of edge baffles 907 is directed to the upper diffusion region 631 of another neighboring baffle So that the process gas can flow only through the through hole 901 under the baffle. As a result, the present invention can further equalize the discharge flow rates of the process gases discharged from the upper diffusion region 631 included in the second plate 900 to the lower diffusion space 640.

도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스공급부(700)는, 가스확산부(600)의 상부 덮개부(610)에 연통방식으로 연결된다. 즉, 후술하겠지만, 가스공급부(700)에 포함되는 복수 개의 가스공급관(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 5개의 가스공급관)은 상기 상부 덮개부(610)를 두께방향으로 관통하며 자유단 단부에서 가스확산부(600)의 공정가스 확산공간 내부로 공정가스가 토출되는 복수 개의 공급구를 구비한다. 상부 덮개부(610)의 관점에서 보면, 상기 복수 개의 공급구는 상부 덮개부(610)에 형성될 수도 있다.10, the gas supply unit 700 according to an embodiment of the present invention is connected to the upper cover unit 610 of the gas diffusion unit 600 in a communicative manner. That is, as will be described later, a plurality of gas supply pipes (for example, five gas supply pipes as shown in the figure) included in the gas supply part 700 penetrate the upper lid part 610 in the thickness direction, And a plurality of supply ports through which the process gas is discharged into the process gas diffusion space of the gas diffusion portion 600. In view of the upper lid portion 610, the plurality of supply ports may be formed in the upper lid portion 610.

상기 가스공급부(700)는, 메인공급관(710)과, 상기 메인공급관(710)의 하부에서 분기되는 복수 개의 가스공급관을 포함한다. 상기 메인공급관(710)은 상류에서 공정가스 저장부에 연결되고, 상기 복수 개의 가스공급관은 상류에서 상기 메인공급관(710)에 연결되고, 하류에서 상기 복수 개의 공급구 각각에 연결된다. 즉, 상기 복수 개의 가스공급관은 메인공급관(710)과 가스확산부(600)의 내부에 형성되는 복수 개의 상부 확산영역 각각을 연결한다.The gas supply unit 700 includes a main supply pipe 710 and a plurality of gas supply pipes branched from the lower portion of the main supply pipe 710. The main supply pipe 710 is connected to the process gas storage unit at an upstream side and the plurality of gas supply pipes are connected to the main supply pipe 710 at an upstream side and to each of the plurality of supply ports at a downstream side. That is, the plurality of gas supply pipes connect the main supply pipe 710 and the plurality of upper diffusion regions formed in the gas diffusion portion 600, respectively.

도 10 및 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 메인공급관(710)은 상기 가스확산부(600)의 상부 덮개부(610)의 중앙부의 연직 상부에서 소정 높이 이격되어 배치된다. As shown in FIGS. 10 and 13, the main supply pipe 710 is disposed at a predetermined height apart from the vertical portion of the central portion of the upper lid portion 610 of the gas diffusion portion 600.

그리고, 상기 메인공급관(710)은 하부 또는 하부면에서 복수 개의 가스공급관에 연결되는 복수 개의 연통구(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 5개의 연통구)를 포함한다. The main supply pipe 710 includes a plurality of communication holes (for example, five communication holes as shown in the drawing) connected to the plurality of gas supply pipes on the lower or lower surface.

구체적으로, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 복수 개의 연통구(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 5개의 연통구)는 상기 메인 공급관의 하부에서 중앙에 형성되는 제1 연통구(711)와, 상기 메인 공급관의 하부에서 상기 제1 연통구(711)를 둘러싸도록 형성 또는 배치되는 다수 개의 제2 연통구(713)를 포함한다. 여기서, 상기 다수 개의 제2 연통구(713)의 배치방향은 상기 다수 개의 제2 공급구(613)의 배치방향에 대응된다.11, the plurality of communication ports (for example, five communication ports as shown in FIG. 11) include a first communication port 711 formed at the center of the lower portion of the main supply pipe, And a plurality of second communication holes 713 formed or arranged to surround the first communication hole 711 at a lower portion of the main supply pipe. Here, the arrangement direction of the plurality of second communication ports 713 corresponds to the arrangement direction of the plurality of second supply ports 613.

도 10에 도시된 바와 같이, 상기 복수 개의 가스공급관은 상기 메인공급관(710)의 하부 또는 하부면에서 분기된 분기관들로 구성되고, 상기 복수 개의 가스공급관은 상기 복수 개의 연통구 각각과 상기 복수 개의 공급구 각각을 연통방식으로 연결한다. 10, the plurality of gas supply pipes may be constituted by branch pipes branched from the lower or the lower surface of the main supply pipe 710, and the plurality of gas supply pipes may include a plurality of gas communication pipes, Connect each of the four supply ports in a communicating manner.

구체적으로, 상기 복수 개의 가스공급관은, 상기 복수 개의 가스공급관의 중앙에 배치되는 제1 가스공급관(720)과, 상기 제1 가스공급관(720)의 둘레에 방사배열 방식으로 배치되는 다수 개의 제2 가스공급관(730)을 포함한다.Specifically, the plurality of gas supply pipes include a first gas supply pipe 720 disposed at the center of the plurality of gas supply pipes, and a plurality of second gas supply pipes 720 arranged in a radially arrayed manner around the first gas supply pipe 720. And a gas supply pipe 730.

상기 제1 가스공급관(720)은, 상기 메인 공급관의 하부에서 중앙에 형성되는 제1 연통구(711)와 상기 가스확산부(600)의 상부 덮개부(610)에의 중앙에 관통 형성된 제1 공급구(611)를 연결하도록 구성된다. The first gas supply pipe 720 includes a first communication hole 711 formed at the center of the lower portion of the main supply pipe and a first supply hole 711 formed at the center of the upper cover portion 610 of the gas diffusion portion 600, Hole 611. [0050]

상기 다수 개의 제2 가스공급관(730) 각각은, 상기 메인 공급관의 하부에서 상기 제1 연통구(711)를 둘러싸도록 형성되는 다수 개의 제2 연통구(713) 각각과, 상기 상부 덮개부(610)에서 상기 제1 공급구(611)를 둘러싸도록 배치되어 관통 형성되는 다수 개의 제2 공급구(613) 각각을 연결하도록 구성된다. Each of the plurality of second gas supply pipes 730 includes a plurality of second communication holes 713 formed to surround the first communication hole 711 at a lower portion of the main supply pipe, And a plurality of second supply ports 613, which are arranged to surround the first supply port 611 and are formed through the first and second supply ports 613 and 613, respectively.

상기 다수 개의 제2 가스공급관(730)은 서로 동일한 형상 및 동일한 관길이를 가진다. 그리고, 상기 제1 가스공급관(720)은 상기 제2 가스공급관(730)과 동일한 관길이를 가진다. 즉, 상기 복수 개의 가스공급관은, 상기 메인공급관(710)의 하부에서부터 상기 가스확산부(600)의 상부까지의 길이가 모두 동일하도록 구성된다.The plurality of second gas supply pipes 730 have the same shape and the same pipe length. The first gas supply pipe 720 has the same length as the second gas supply pipe 730. That is, the plurality of gas supply pipes are configured so that the lengths from the lower portion of the main supply pipe 710 to the upper portion of the gas diffusion portion 600 are all the same.

이렇게, 복수 개의 가스공급관의 길이를 모두 동일하게 구성함으로써, 메인공급관(710)에서 상부 확산공간(630)까지 공정가스의 유동경로의 길이가 상기 복수 개의 가스공급관 전체에서 동일해 질 수 있으므로, 메인공급관(710)에서 복수 개의 가스공급관으로 공정가스를 공급할 때 공정가스가 복수 개의 공급구를 통해 동일한 시점에 복수 개의 상부 확산영역(631) 전체에 도달할 수 있을 뿐만 아니라, 공정가스의 유동경로의 길이의 균일화로 인해 복수 개의 공급구 각각에서 복수 개의 상부 확산영역(631) 각각으로 토출되는 공정가스의 토출유랑 및/또는 가스분압을 균일화할 수 있다. 그 결과, 최종적으로 가스분배유닛(500) 전체에서 균일한 토출유량 및/또는 가스분압의 공정가스가 기판안착부(200)로 분사될 수 있어, 증착박막의 박막두께 균일성을 보다 더 향상시킬 수 있다. Since the lengths of the flow paths of the process gases from the main supply pipe 710 to the upper diffusion space 630 can be the same throughout the plurality of gas supply pipes by configuring the same lengths of the plurality of gas supply pipes, When the process gas is supplied to the plurality of gas supply pipes at the supply pipe 710, not only can the process gas reach the entire plurality of upper diffusion regions 631 at the same time through the plurality of supply ports, The uniformity of the lengths makes it possible to equalize the discharge wastage and / or the gas partial pressure of the process gas discharged to each of the plurality of upper diffusion regions 631 in each of the plurality of supply ports. As a result, the process gas having a uniform discharge flow rate and / or gas partial pressure can be finally injected into the substrate seating portion 200 throughout the gas distribution unit 500, thereby further improving the uniformity of the thin film thickness of the deposited thin film .

여기서, 상기 제1 가스공급관(720)과 상기 제2 가스공급관(730)의 배치관계를 고려해 볼 때, 상기 제1 가스공급관(720)이 상기 제2 가스공급관(730)과 동일한 관길이를 가지기 위해서는, 상기 제1 가스공급관(720)은 상기 제2 가스공급관(730)과 상이한 형상을 가지는 것이 바람직하다.Considering the arrangement relationship of the first gas supply pipe 720 and the second gas supply pipe 730, the first gas supply pipe 720 has the same tube length as the second gas supply pipe 730 The first gas supply pipe 720 may have a shape different from that of the second gas supply pipe 730.

이하에서는, 도면을 참고하여 상기 제2 가스공급관(730)의 형상 및 상기 제1 가스공급관(720)의 형상에 대하여 보다 구체적으로 기술하기로 한다. 그러나, 이하에서 기술하는 형상들은 제1 가스공급관(720) 및 제2 가스공급관(730)의 여러형상들 중에서 출원인이 공정가스의 유동특성을 저해시키지 않는 최적의 형상의 예시일 뿐, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. Hereinafter, the shape of the second gas supply pipe 730 and the shape of the first gas supply pipe 720 will be described in more detail with reference to the drawings. However, the shapes described below are only examples of the optimal shape in which the applicant does not hinder the flow characteristics of the process gas among various shapes of the first gas supply pipe 720 and the second gas supply pipe 730, But is not limited thereto.

도 14에 도시된 바와 같이, 상기 제2 가스공급관(730)은, 상기 메인공급관(710)의 제2 연통구(713)에서부터 상부 덮개부(610)의 제2 공급구(613)의 연직 상부까지 또는 상기 제2 공급구(613)까지 하부방향으로 경사진 경사관부(731)를 포함한다.14, the second gas supply pipe 730 extends from the second communication hole 713 of the main supply pipe 710 to the vertical upper portion of the second supply port 613 of the upper lid unit 610, And an inclined tube portion 731 inclined downward to the second supply port 613.

즉, 상기 제2 가스공급관(730)은 도 14에 도시된 바와 같이 상기 제2 공급구(613)의 수직 상부 방향으로 연장되는 수직관부(733)와, 상기 수직관부(733)의 상부와 상기 제2 연통구(713)를 경사지게 직선으로 연결하는 경사관부(731)로 구성되거나, 또는 상기 제2 가스공급관(730)은 상기 제2 연통구(713)에서부터 상기 상부 덮개부(610)의 제2 공급구(613)를 직선으로 경사지게 연결하는 경사관부(731)로만 구성될 수 있다.14, the second gas supply pipe 730 includes a vertical pipe portion 733 extending in the vertical direction of the second supply port 613, an upper portion of the vertical pipe portion 733, Or the inclined tube portion 731 that connects the second communication hole 713 in a straight line or the second gas supply pipe 730 is connected to the second communicating hole 713 2 feed port 613 with a straight line inclinedly.

상기 제2 가스공급관(730)이 경사관부(731)를 구비함으로써, 메인공급관(710)의 직경과 상부 덮개부(610)의 표면적 차이로 인한 제2 연통구(713)와 제2 공급구(613) 사이의 수평 이격거리를 보상할 수 있고, 동시에 메인공급관(710)에서 수직 하부방향으로 공급되는 공정가스가 제2 가스공급관(730)와 메인공급관(710)의 연결부분에서 유동방향의 전환으로 인한 유동에너지 손실량을 최소화시킬 수 있다.Since the second gas supply pipe 730 includes the inclined pipe portion 731, the second communication hole 713 and the second supply port 710 due to the difference in the diameter of the main supply pipe 710 and the surface area of the upper lid portion 610, The process gas supplied in the vertical downward direction from the main supply pipe 710 can be supplied to the second gas supply pipe 730 and the main supply pipe 710 at the connection portion of the second gas supply pipe 730 and the main supply pipe 710, Thereby minimizing the amount of flow energy loss due to the heat transfer.

그리고, 도 15 내지 도 17에 도시된 바와 같이, 상기 제1 가스공급관(720)은, 상기 제1 연통구(711)에서부터 상기 제1 공급구(611)의 연직 상부까지 또는 상기 제1 공급구(611)까지 적어도 하나 이상의 절곡형상 관부를 구비한다. 이는, 메인공급관(710)의 하부면 중앙에 위치하는 제1 연통구(711)와 가스분배부의 상부 덮개부(610)의 중앙에 위치하는 제1 공급구(611)는 서로 상하로 일직선 상에 위치하므로, 상기 제1 연통구(711)와 상기 제1 공급구(611)를 연결하는 상기 제1 가스공급관(720)은 직선관 형상으로 구성되는 경우 제2 가스공급관(730)의 관길이보다 현저히 짧아지게 되는데, 이러한 관길이 편차를 보상하기 위함이다.15 to 17, the first gas supply pipe 720 is connected to the first supply port 611 from the first communication port 711 to the vertical upper portion of the first supply port 611, (611). This is because the first communication hole 711 located at the center of the lower surface of the main supply pipe 710 and the first supply hole 611 located at the center of the upper lid portion 610 of the gas distribution portion are vertically aligned The first gas supply pipe 720 connecting the first communication hole 711 and the first supply hole 611 may be formed in a straight tube shape so that the length of the second gas supply pipe 730 is longer than the length of the second gas supply pipe 730 This is to compensate for such pipe length deviation.

이때, 상기 제1 가스공급관(720)의 전체 관길이는 상기 제2 가스공급관(730)의 전체 관길이와 동일하다.At this time, the total length of the first gas supply pipe 720 is equal to the total length of the second gas supply pipe 730.

추가 실시예로서, 상기 제1 가스공급관(720)의 전체 관길이는, 상기 제1 연통구(711)와 상기 제1 공급구(611)를 직선으로 연결한 길이보다 크고 상기 제2 가스공급관(730)의 길이보다 작은 것이 바람직하다. 이는, 유체역학적으로 유체가 유동할 때 유동방향이 전환되는 부분에서 유동 에너지 손실이 발생하므로, 제1 가스공급관(720)이 유동방향 전환부분인 절곡관부를 포함함으로 이러한 절곡관부로 인한 공정가스의 유동에너지 손실을 관길이 감소로 보상하기 위함이다. 즉, 이렇게 제1 가스공급관(720)의 전체 관길이를 제2 가스공급관(730)의 전체 관길이보다 작게 구성함으로써, 제1 공급구(611)에서의 공정가스의 가스분압 및/또는 토출유량과 제2 공급구(613)에서의 공정가스의 가스분압 및/또는 토출유량을 균등화시킬 수 있다. 물론, 상기 제1 가스공급관(720)의 전체 관길이는 절곡관부의 수량 및 형상에 따라 조정될 수 있다. The total length of the first gas supply pipe 720 is larger than the length of the first connection port 711 and the first supply port 611 that are connected by a straight line, 730). This is because the flow energy loss occurs in the portion where the flow direction is switched when the fluid flows hydrodynamically, so that the first gas supply pipe 720 includes the bent portion, which is the flow direction switching portion, To compensate for flow energy loss by reducing tube length. That is, by configuring the entire length of the first gas supply pipe 720 to be smaller than the total length of the second gas supply pipe 730, the gas partial pressure of the process gas and / or the discharge flow rate of the process gas in the first supply port 611 The gas partial pressure of the process gas and / or the discharge flow rate in the second supply port 613 can be equalized. Of course, the entire length of the first gas supply pipe 720 can be adjusted according to the quantity and shape of the bent tube portion.

도 15에 도시된 바와 같이, 제1 실시예에 따른 제1 가스공급관(720)은 제1 연통구(711)에 연결되는 상부 수직관부(721a)와, 상부 수평관부(721b)와, 중간 수직관부(721c)와, 하부 수평관부(721d)와, 제1 공급구(611)에 연결되는 하부 수직관부(721e)를 포함한다. 15, the first gas supply pipe 720 according to the first embodiment includes an upper vertical pipe portion 721a connected to the first communication hole 711, an upper horizontal pipe portion 721b, A lower horizontal tube portion 721d, and a lower vertical tube portion 721e connected to the first supply opening 611. [

이때, 상기 상부 수직관부(721a)와 상기 상부 수평관부(721b)는 제1 절곡관부(722a)로 연결되고, 상기 상부 수평관부(721b)와 상기 중간 수직관부(721c)는 제2 절곡관부(722b)로 연결되고, 상기 중간 수직관부(721c)와 상기 하부 수평관부(721d)는 제3 절곡관부(722c)로 연결되며, 상기 하부 수평관부(721d)와 상기 하부 수직관부(721e)는 제4 절곡관부(722d)로 연결된다.The upper horizontal tube portion 721a and the upper horizontal tube portion 721b are connected by a first bending tube portion 722a and the upper horizontal tube portion 721b and the middle vertical tube portion 721c are connected to a second bending tube portion And the lower vertical pipe portion 721d is connected to the lower vertical pipe portion 721c by a third bending pipe portion 722c and the lower vertical pipe portion 721d is connected to the lower horizontal pipe portion 721e by a third bending pipe portion 722c, 4 bending tube portion 722d.

도 16에 도시된 바와 같이, 제2 실시에에 따른 제1 가스공급관(720)은, 상기 제1 연통구(711)에서부터 상기 제1 공급구(611)의 연직 상부까지 또는 상기 제1 공급구(611)까지 일정한 곡률을 가지는 적어도 하나 이상의 곡선관부(722)를 구비한다. 16, the first gas supply pipe 720 according to the second embodiment is connected from the first communication port 711 to the vertical upper portion of the first supply port 611, And at least one curved tube portion 722 having a constant curvature up to the curved tube portion 611.

즉, 상기 제1 가스공급관(720)은 도 16에 도시된 바와 같이 상기 제1 공급구(611)의 수직 상부 방향으로 연장되는 수직관부(724)와, 상기 수직관부(724)의 상부와 상기 제1 연통구(711)를 연결하는 일정한 곡률의 곡선관부(723)로 구성되거나, 또는 상기 제1 가스공급관(720)은 상기 제1 연통구(711)에서부터 상기 상부 덮개부(610)의 제1 공급구(611)를 연결하는 일정한 곡률의 곡선관부(723)로만 구성될 수 있다.16, the first gas supply pipe 720 includes a vertical pipe portion 724 extending in the vertical upper direction of the first supply pipe 611, an upper portion of the vertical pipe portion 724, Or the curved pipe portion 723 having a constant curvature connecting the first communication hole 711 or the first gas supply pipe 720 may be formed from the first communication hole 711 to the upper end of the upper cover portion 610 1 supply port 611. The curved tube portion 723 may have a constant curvature.

상기 제1 가스공급관(720)이 곡선관부를 구비함으로써, 메인공급관(710)에서 수직 하부방향으로 공급되는 공정가스가 제1 가스공급관(720)와 메인공급관(710)의 연결부분에서 유동방향의 전환으로 인한 유동에너지 손실량 및 절곡관부의 형상으로 인한 제1 가스공급관(720) 내부에서의 유동방향의 전환으로 인한 유동에너지 손실량을 제1 실시예에 따른 제1 가스공급관(720)에 비해 현저히 감소시킬 수 있다.Since the first gas supply pipe 720 has the curved pipe portion, the process gas supplied vertically downward from the main supply pipe 710 flows in the flow direction at the connection portion between the first gas supply pipe 720 and the main supply pipe 710 The amount of flow energy loss due to the switching and the amount of flow energy loss due to the switching of the flow direction inside the first gas supply pipe 720 due to the shape of the bent tube portion is significantly reduced compared to the first gas supply pipe 720 according to the first embodiment .

변형 실시예로서, 상기 절곡관부는, 상기 제1 연통구(711)에서 외측방향으로 하부 경사지게 연장되는 제1 경사관부와, 상기 제1 경사관부의 하부단부에서부터 상기 제1 공급구(611)까지 내측방향으로 하부 경사지게 연장되는 제2 경사관부로 형성될 수도 있다.The bending tube portion may include a first inclined pipe portion extending downwardly in an outward direction from the first communication hole 711 and a second inclined pipe portion extending from the lower end of the first inclined pipe portion to the first supply port 611 And may be formed as a second slanting tube portion extending downwardly in an inward direction.

도 17에 도시된 바와 같이, 제3 실시예에 따른 제1 가스공급관(720)은, 상기 제1 연통구(711)에서부터 상기 제1 공급구(611)의 연직 상부까지 또는 상기 제2 공급구(613)까지 나선형상을 이루는 나선형관부(725)를 구비한다.17, the first gas supply pipe 720 according to the third embodiment is connected from the first communication hole 711 to the vertical upper portion of the first supply hole 611, And a helical tubular portion 725 having a spiral shape up to the center portion 613.

이렇게, 상기 제1 가스공급관(720)이 나선형관부를 구비함으로써, 메인공급관(710)에서 수직 하부방향으로 공급되는 공정가스가 유동방향의 변화를 최소화하면서 제1 가스공급관(720) 내부를 유동할 수 있으므로, 제1 가스공급관(720)와 메인공급관(710)의 연결부분에서 유동방향의 전환으로 인한 유동에너지 손실량 및 절곡관부의 형상으로 인한 제1 가스공급관(720) 내부에서의 유동방향의 전환으로 인한 유동에너지 손실량을 최소화할 수 있으므로, 제1 실시예 및 제2 실시예에 따른 제1 가스공급관(720)에 비해 총 유동에너지 손실량을 현저히 감소시킬 수 있다.Since the first gas supply pipe 720 has the spiral pipe portion, the process gas supplied vertically downward from the main supply pipe 710 flows inside the first gas supply pipe 720 while minimizing the change in the flow direction The flow energy loss due to the switching of the flow direction at the connection portion between the first gas supply pipe 720 and the main supply pipe 710 and the change in the flow direction inside the first gas supply pipe 720 due to the shape of the bent pipe portion It is possible to significantly reduce the total flow energy loss amount as compared with the first gas supply pipe 720 according to the first embodiment and the second embodiment.

전술한 바에 의하면, 본 발명은 제2 플레이트에서 상부 확산공간을 복수 개의 상부 확산영역으로 분할하는 격벽부를 구비하고 상기 복수 개의 상부 확산영역 각각에 공정가스를 공급하는 복수 개의 가스공급관을 포함함으로써, 상부 확산공간에서 공정가스의 수평방향 확산경로의 길이를 상기 상부 확산공간 전체가 아닌 각각의 상부 확산영역으로 한정시킬 수 있다. 이로 인해, 본 발명은 상부 확산공간에서 공정가스의 수평방향 확산경로의 길이를 상당히 감소시킬 수 있고, 이로 제2 플레이트의 수평방향의 위치차이에 따른 상부 확산공간에서 하부 확산공간으로 토출되는 공정가스 토출유량의 차이를 상당히 감소시킬 수 있으므로, 최종적으로 제1 플레이트의 수평방향의 위치차이에 따른 하부 확산공간에서 기판안착부로 토출되는 공정가스 토출유량의 차이를 상당히 감소시킬 수 있어 증착박막의 두께 균일성을 향상시킬 수 있다.According to the above-described aspect, the present invention includes a plurality of gas supply pipes for supplying a process gas to each of the plurality of upper diffusion regions, each of which includes a partition wall dividing an upper diffusion space into a plurality of upper diffusion regions in a second plate, The length of the horizontal diffusion path of the process gas in the diffusion space may be limited to the respective upper diffusion region rather than the entire upper diffusion space. Thus, the present invention can significantly reduce the length of the horizontal diffusion path of the process gas in the upper diffusion space, which allows the process gas discharged from the upper diffusion space to the lower diffusion space in accordance with the positional difference in the horizontal direction of the second plate It is possible to considerably reduce the difference in the flow rate of the process gas discharged to the substrate mount portion in the lower diffusion space according to the positional difference in the horizontal direction of the first plate, It is possible to improve the property.

또한, 본 발명은 제2 플레이트를 중앙배플과 다수 개의 가장자리 배플로 구획함으로써, 완성된 기판의 품질을 결정적으로 좌우하는 기판의 중앙영역에서의 증착박막의 두께 균일성을 보다 더 향상시킬 수 있다. In addition, the present invention can further improve the thickness uniformity of the deposited thin film in the central region of the substrate, which critically determines the quality of the finished substrate, by partitioning the second plate into a central baffle and a plurality of edge baffles.

또한, 본 발명은 중앙배플과 다수 개의 가장자리 배플 각각의 표면적 및/또는 넓이를 균등하게 구성함으로써, 중앙배플을 통하여 하부 확산공간으로 공급되는 공정가스의 토출유량과 다수 개의 가장자리 배플 각각을 통하여 하부 확산공간으로 공급되는 공정가스의 토출유량을 균일화할 수 있으므로, 최종적으로 하나의 기판에 대해 증착박막의 두께 균일성을 향상시킬 수 있다.The present invention also provides a method of controlling a flow rate of a process gas supplied to a lower diffusion space through a central baffle and a lower flow rate of a process gas through a plurality of edge baffles, respectively, by uniformly configuring the surface area and / The discharge flow rate of the process gas supplied to the space can be equalized, so that the thickness uniformity of the deposited thin film can be improved finally with respect to one substrate.

또한, 본 발명은 중앙배플에 구비되는 관통구의 수량과 다수 개의 가장자리 배플 각각에 구비되는 관통구의 수량을 동일하게 구성함으로써, 중앙배플을 통하여 하부 확산공간으로 공급되는 공정가스의 토출유량과 다수 개의 가장자리 배플 각각을 통하여 하부 확산공간으로 공급되는 공정가스의 토출유량을 균일화할 수 있으므로, 최종적으로 하나의 기판에 대해 증착박막의 두께 균일성을 향상시킬 수 있다.In addition, the present invention is configured such that the number of through-holes provided in the central baffle and the number of through-holes provided in each of the plurality of edge baffles are made the same, whereby the discharge flow rate of the process gas supplied to the lower diffusion space through the central baffle, The discharge flow rate of the process gas supplied to the lower diffusion space through each of the baffles can be made uniform, so that the thickness uniformity of the deposited thin film can be improved finally with respect to one substrate.

게다가, 본 발명은 격벽부의 형상에 대응되는 형상을 구비하는 삽입홈 및/또는 패킹부재를 상부 덮개부에 포함함으로써, 중앙배플과 다수 개의 가장자리 배플 각각에 포함되는 복수 개의 상부 확산영역 사이를 개별적으로 밀봉할 수 있고, 이로 인해 중앙배플과 다수 개의 가장자리 배플 각각에 공급되는 공정가스가 이웃하는 다른 배플의 상부 확산영역으로 누설되지 않도록 함과 동시에 상기 공정가스가 배플 하부의 관통구를 통해서만 유동하도록 할 수 있다. 그 결과, 본 발명은 제2 플레이트에 포함되는 각각의 상부 확산영역에서 하부 확산공간으로 토출되는 공정가스들의 토출유량을 보다 더 균일화할 수 있다.In addition, the present invention includes an upper lid portion with an insertion groove and / or a packing member having a shape corresponding to the shape of the partition wall portion, so that a plurality of upper diffusion regions included in each of the central baffle and the plurality of edge baffles are individually So that the process gas supplied to each of the central baffle and the plurality of edge baffles is prevented from leaking to the upper diffusion region of the neighboring other baffle while allowing the process gas to flow only through the through hole at the bottom of the baffle . As a result, the present invention can further equalize the discharge flow rate of the process gases discharged into the lower diffusion space in each of the upper diffusion regions included in the second plate.

뿐만 아니라, 본 발명은, 제1 공급구를 중앙배플의 중앙부의 연직 상부에 위치시키고, 상기 다수 개의 제2 공급구 각각을 상기 다수 개의 가장자리 배플의 기하학적 중심의 연직 상부에 위치시킴으로서, 각각의 공급구를 통하여 중앙배플 및 다수 개의 가장자리 배플 각각으로 공정가스가 공급되는 경우, 각각의 배플에서 공정가스가 부딪혀 수평방향으로 큰 유동경로 편차 없이 확산될 수 있으므로 각각의 배플에 구비되는 복수 개의 관통구를 통하여 공정가스가 상부 확산공간(즉, 상부 확산공간의 상부 확산영역)에서 하부 확산공간으로의 토출유량 편차가 최소화되어 공급될 수 있다. In addition, the present invention is characterized in that the first supply port is located at the vertical upper portion of the central portion of the central baffle, and each of the plurality of second supply ports is positioned at the vertical upper portion of the geometric center of the plurality of edge baffles, When the process gas is supplied to each of the central baffle and the plurality of edge baffles through the sphere, the process gas in each baffle can be diffused in a horizontal direction without a large flow path deviation, so that a plurality of through holes The process gas can be supplied through the upper diffusing space (that is, the upper diffusing area of the upper diffusing space) while minimizing the discharge flow rate deviation to the lower diffusing space.

또한, 본 발명은, 복수 개의 가스공급관의 길이를 모두 동일하게 구성함으로써, 메인공급관에서 상부 확산공간까지 공정가스의 유동경로의 길이가 상기 복수 개의 가스공급관 전체에서 동일해 질 수 있으므로, 메인공급관에서 복수 개의 가스공급관으로 공정가스를 공급할 때 공정가스가 복수 개의 공급구를 통해 동일한 시점에 복수 개의 상부 확산영역 전체에 도달할 수 있을 뿐만 아니라, 공정가스의 유동경로의 길이의 균일화로 인해 복수 개의 공급구 각각에서 복수 개의 상부 확산영역 각각으로 토출되는 공정가스의 토출유랑 및/또는 가스분압을 균일화할 수 있다. 그 결과, 최종적으로 가스분배유닛 전체에서 균일한 토출유량 및/또는 가스분압의 공정가스가 기판안착부로 분사될 수 있어, 증착박막의 박막두께 균일성을 보다 더 향상시킬 수 있다. In addition, since the length of the flow path of the process gas from the main supply pipe to the upper diffusion space can be the same throughout the plurality of gas supply pipes, by configuring the plurality of gas supply pipes to have the same length, Not only can a process gas be supplied to a plurality of gas supply pipes through a plurality of supply openings at the same time, but also the entire length of a plurality of upper diffusion regions can be reached, It is possible to equalize the discharge wastage and / or the gas partial pressure of the process gas discharged to each of the plurality of upper diffusion regions in each of the sphere. As a result, the process gas of a uniform discharge flow rate and / or gas partial pressure can be finally injected into the substrate seating portion throughout the gas distribution unit, and the uniformity of the thin film thickness of the deposited thin film can be further improved.

또한, 본 발명은 중앙 배플을 둘러싸도록 상기 중앙배플을 중심으로 서로 대칭되게 배치되는 2개의 가장자리 배플 각각에 좌우대칭된 형상인 좌측 배플과 우측 배플에 구비되는 각각의 상부 확산영역이 서로 연통되도록 격벽부를 구성함으로써, 가스공급관을 통하여 좌측 배플 및 우측 배플 각각의 상부 확산영역으로 공급되어 관통구를 통과하는 공급가스의 유동경로들 중 최장 유동경로를 이루는 부분인 좌측 배플과 우측 배플의 연결부분을 연통시켜(즉, 격벽부를 형성하지 않음) 공정가스의 최장 유동경로 부분에서 좌측 배플의 상부 확산영역의 상부에서 공급되는 공정가스와 우측 배플의 상부 확산영역의 상부에서 공급되는 공정가스가 서로 중첩되어 관통공을 통과하는 부분을 형성할 수 있다. 이로 인해, 본 발명은 최장 유동경로 인해 좌측 배플과 우측 배플의 연결부분에서 좌측 배플 중앙 및 우측 배플의 중앙에 비해 일정 부분 감소된 공정가스의 분압을 좌측 배플의 공정가스와 우측 배플의 공정가스의 (유동경로) 중첩으로 보상할 수 있으므로, 결과적으로 상부 확산영역에서 하부 확산공간으로 토출되는 공정가스들의 토출유량을 보다 더 균일화할 수 있다.Further, the present invention is characterized in that the left baffle, which is symmetrically symmetrical to each of the two edge baffles disposed symmetrically with respect to each other about the central baffle so as to surround the central baffle, and the upper diffusion area provided to the right baffle, The connecting portion of the left baffle and the right baffle, which are the portions of the flow paths of the supply gas that are supplied to the upper diffusion regions of the left baffle and the right baffle through the gas supply pipe and pass through the through- The process gas supplied from above the upper diffusion region of the left baffle and the process gas supplied from above the upper diffusion region of the right baffle overlap in the longest flow path portion of the process gas, A portion passing through the hole can be formed. Thus, the present invention is based on the fact that the partial pressure of the process gas, which is reduced by a certain amount compared to the center of the left baffle center and the right baffle at the junction of the left baffle and the right baffle due to the longest flow path, (Flow path) overlap. As a result, the discharge flow rate of process gases discharged to the lower diffusion space in the upper diffusion region can be more uniform.

이상에서 본 발명의 기술적 사상을 예시하기 위해 구체적인 실시 예로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기와 같이 구체적인 실시 예와 동일한 구성 및 작용에만 국한되지 않고, 여러가지 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 실시될 수 있다. 따라서, 그와 같은 변형도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주해야 하며, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의해 결정되어야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, . ≪ / RTI > Accordingly, such modifications are deemed to be within the scope of the present invention, and the scope of the present invention should be determined by the following claims.

1000 : 기판처리장치
100 : 공정챔버
200 : 기판안착부
300 : 가열부
400 : 배기수단
500 : 가스분배유닛
600 : 가스확산부
700 : 가스공급부
800 : 제1 플레이트
900 : 제2 플레이트
901 : 관통구
903 : 테두리
905 : 중앙배플
907 : 가장자리 배플
910 : 격벽부
911 : 중앙 격벽
913 : 방사방향 격벽1000: substrate processing apparatus
100: Process chamber
200:
300: heating part
400: exhaust means
500: gas distribution unit
600: gas diffusion portion
700: gas supply part
800: first plate
900: second plate
901: Through hole
903: Border
905: Central baffle
907: Edge Baffle
910:
911: central bulkhead
913: Radial bulkhead

Claims (18)

내부에 공정가스 확산공간을 구비하는 가스확산부와;
상기 가스확산부의 상부에 연통방식으로 연결되며, 공정가스 저장부로부터 상기 공정가스 확산공간의 내부로 상기 공정가스를 공급하는 메인공급관을 포함하는 가스공급부와;
상기 가스확산부의 하부에 구비되고, 상하로 관통하여 형성되는 복수 개의 분사홀을 구비하는 제1 플레이트와;
상기 공정가스 확산공간의 내부에서 상기 공정가스 확산공간을 상부 확산공간과 하부 확산공간으로 분할하도록 상기 가스공급부와 상기 제1 플레이트 사이에 구비되는 제2 플레이트;를 포함하고,
상기 제2 플레이트는, 상기 상부 확산공간과 상기 하부 확산공간을 연통시키도록 두께방향으로 관통하는 복수 개의 관통구와, 상기 상부 확산공간을 5개의 상부 확산영역으로 분할하는 격벽부와, 상기 격벽부에 의해 구획되고 상기 제2 플레이트의 중앙에 배치되는 중앙배플과, 상기 격벽부에 의해 구획되고 상기 중앙배플을 둘러싸도록 방사 배열로 배치되는 4개의 가장자리 배플을 포함하며,
상기 가스공급부는, 상기 중앙배플 및 상기 4개의 가장자리 배플 각각의 중앙의 연직 상방에 위치하는 각각의 공급구를 구비하며 상기 메인공급관의 하부에서 분기되어 상기 5개의 상부 확산영역 각각에 상기 공정가스를 공급하는 5개의 가스공급관을 더 포함하며,
상기 5개의 공급구 각각은, 상기 중앙배플 및 상기 4개의 가장자리 배플의 기하학적 중심의 연직 상방에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치용 가스분배유닛.A gas diffusion portion having a process gas diffusion space therein;
A gas supply part connected to the upper part of the gas diffusion part in a communicating manner and including a main supply pipe for supplying the process gas from the process gas storage part into the process gas diffusion space;
A first plate provided at a lower portion of the gas diffusion portion and having a plurality of injection holes formed vertically through;
And a second plate provided between the gas supply unit and the first plate to divide the process gas diffusion space into an upper diffusion space and a lower diffusion space inside the process gas diffusion space,
Wherein the second plate includes a plurality of through holes penetrating in the thickness direction to communicate the upper diffusion space and the lower diffusion space, a partition wall part dividing the upper diffusion space into five upper diffusion areas, A central baffle partitioned by said partition wall and disposed in the middle of said second plate and four edge baffles delimited by said partition wall portion and arranged in radial arrangement to surround said central baffle,
Wherein the gas supply unit has respective supply openings positioned vertically above the center of each of the central baffle and the four edge baffles and is branched at a lower portion of the main supply pipe to supply the process gas to each of the five upper diffusion regions And further comprising five gas supply pipes,
Wherein each of the five supply ports is located vertically above a geometric center of the central baffle and the four edge baffles. 내부에 공정가스 확산공간을 구비하는 가스확산부와;
상기 가스확산부의 상부에 연통방식으로 연결되며, 공정가스 저장부로부터 상기 공정가스 확산공간의 내부로 상기 공정가스를 공급하는 메인공급관을 포함하는 가스공급부와;
상기 가스확산부의 하부에 구비되고, 상하로 관통하여 형성되는 복수 개의 분사홀을 구비하는 제1 플레이트와;
상기 공정가스 확산공간의 내부에서 상기 공정가스 확산공간을 상부 확산공간과 하부 확산공간으로 분할하도록 상기 가스공급부와 상기 제1 플레이트 사이에 구비되는 제2 플레이트;를 포함하고,
상기 제2 플레이트는, 상기 상부 확산공간과 상기 하부 확산공간을 연통시키도록 두께방향으로 관통하는 복수 개의 관통구와, 상기 상부 확산공간을 5개의 상부 확산영역으로 분할하는 격벽부와, 상기 격벽부에 의해 구획되고 상기 제2 플레이트의 중앙에 배치되는 중앙배플과, 상기 격벽부에 의해 구획되고 상기 중앙배플을 둘러싸도록 방사 배열로 배치되는 4개의 가장자리 배플을 포함하며,
상기 가스공급부는, 상기 중앙배플 및 상기 4개의 가장자리 배플 각각의 중앙의 연직 상방에 위치하는 각각의 공급구를 구비하며 상기 메인공급관의 하부에서 분기되어 상기 5개의 상부 확산영역 각각에 상기 공정가스를 공급하는 5개의 가스공급관을 더 포함하며,
상기 5개의 가스공급관은, 상기 메인공급관의 하부에서부터 상기 가스확산부의 상부까지의 길이가 모두 동일하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치용 가스분배유닛.A gas diffusion portion having a process gas diffusion space therein;
A gas supply part connected to the upper part of the gas diffusion part in a communicating manner and including a main supply pipe for supplying the process gas from the process gas storage part into the process gas diffusion space;
A first plate provided at a lower portion of the gas diffusion portion and having a plurality of injection holes formed vertically through;
And a second plate provided between the gas supply unit and the first plate to divide the process gas diffusion space into an upper diffusion space and a lower diffusion space inside the process gas diffusion space,
Wherein the second plate includes a plurality of through holes penetrating in the thickness direction to communicate the upper diffusion space and the lower diffusion space, a partition wall part dividing the upper diffusion space into five upper diffusion areas, A central baffle partitioned by said partition wall and disposed in the middle of said second plate and four edge baffles delimited by said partition wall portion and arranged in radial arrangement to surround said central baffle,
Wherein the gas supply unit has respective supply openings positioned vertically above the center of each of the central baffle and the four edge baffles and is branched at a lower portion of the main supply pipe to supply the process gas to each of the five upper diffusion regions And further comprising five gas supply pipes,
Wherein the five gas supply pipes are configured so that the lengths from the lower portion of the main supply pipe to the upper portion of the gas diffusion portion are all the same. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 5개의 가스공급관은,
상기 메인 공급관의 하부에서 중앙에 형성되는 제1 연통구와 상기 가스확산부의 상부 덮개부에의 중앙에 관통 형성된 제1 공급구를 연결하는 제1 가스공급관과,
상기 메인 공급관의 하부에서 상기 제1 연통구를 둘러싸도록 형성되는 4개의 제2 연통구와 상기 상부 덮개부에서 상기 제1 공급구를 둘러싸도록 배치되어 관통 형성되는 4개의 제2 공급구를 연결하는 4개의 제2 가스공급관;을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치용 가스분배유닛. 3. The method according to claim 1 or 2,
The five gas supply pipes,
A first gas supply pipe connecting a first communication port formed at the center of the lower portion of the main supply pipe and a first supply port formed at the center of the upper cover portion of the gas diffusion portion,
Four second communication holes formed to surround the first communication hole at a lower portion of the main supply pipe and four second supply holes formed to surround the first supply hole at the upper cover portion and connected to each other And a second gas supply pipe connected to the gas supply pipe. 제3항에 있어서,
상기 4개의 제2 가스공급관은 서로 동일한 형상 및 동일한 관길이를 구비하고,
상기 제1 가스공급관은 상기 제2 가스공급관과 상이한 형상 및 동일한 관길이를 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치용 가스분배유닛.The method of claim 3,
The four second gas supply pipes have the same shape and the same pipe length,
Wherein the first gas supply pipe has a different shape and the same pipe length as the second gas supply pipe. 제3항에 있어서,
상기 제2 가스공급관은, 상기 제2 연통구에서부터 상기 제2 공급구의 연직 상부까지 또는 상기 제2 공급구까지 하부방향으로 경사진 경사관부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치용 가스분배유닛.The method of claim 3,
Wherein the second gas supply pipe has an inclined tube portion inclined downward from the second communication hole to the vertical upper portion of the second supply hole or down to the second supply hole. 제3항에 있어서,
상기 제1 가스공급관은, 상기 제1 연통구에서부터 상기 제1 공급구의 연직 상부까지 또는 상기 제2 공급구까지 적어도 하나 이상의 절곡형상의 관부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치용 가스분배유닛.The method of claim 3,
Wherein the first gas supply pipe has at least one bend-shaped tube portion from the first communication port to the vertical upper portion of the first supply port or to the second supply port. 제3항에 있어서,
상기 제1 가스공급관은, 상기 제1 연통구에서부터 상기 제1 공급구의 연직 상부까지 또는 상기 제2 공급구까지 일정한 곡률을 가지는 적어도 하나 이상의 곡선관부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치용 가스분배유닛.The method of claim 3,
Wherein the first gas supply pipe has at least one curved pipe portion having a constant curvature from the first communication port to the vertical upper portion of the first supply port or to the second supply port. unit. 제3항에 있어서,
상기 제1 가스공급관은, 상기 제1 연통구에서부터 상기 제1 공급구의 연직 상부까지 또는 상기 제2 공급구까지 나선형상을 이루는 나선형관부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치용 가스분배유닛.The method of claim 3,
Wherein the first gas supply pipe has a helical tubular portion spirally extending from the first communication port to the vertical upper portion of the first supply port or to the second supply port. 제6항에 있어서,
상기 제1 가스공급관의 관길이는, 상기 제1 연통구와 상기 제1 공급구를 직선으로 연결한 길이보다 크고 상기 제2 가스공급관의 길이보다 작은 것을 특징으로 하는 기판처리장치용 가스분배유닛.The method according to claim 6,
Wherein a length of the first gas supply pipe is larger than a length of a straight line connecting the first communication port and the first supply port and smaller than a length of the second gas supply pipe. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 격벽부는, 상기 중앙배플을 둘러싸는 폐회로 형상의 중앙 격벽과, 상기 중앙 격벽으로부터 상기 제2 플레이트의 테두리를 향하여 방사 방향으로 연장되는 4개의 방사방향 격벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치용 가스분배유닛.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the partition wall portion includes a closed center bulkhead surrounding the central baffle and four radial bulkheads extending radially from the central bulkhead toward the rim of the second plate. Gas distribution unit. 내부에 공정가스 확산공간을 구비하는 가스확산부와;
상기 가스확산부의 상부에 연통방식으로 연결되며, 상기 공정가스 확산공간의 내부로 상기 공정가스를 공급하는 가스공급부와;
상기 가스확산부의 하부에 구비되고, 상하로 관통하여 형성되는 복수 개의 분사홀을 구비하는 제1 플레이트와;
상기 공정가스 확산공간의 내부에서 상기 공정가스 확산공간을 상부 확산공간과 하부 확산공간으로 분할하도록 상기 가스공급부와 상기 제1 플레이트 사이에 구비되는 제2 플레이트;를 포함하고,
상기 제2 플레이트는, 상기 상부 확산공간과 상기 하부 확산공간을 연통시키도록 두께방향으로 관통하는 복수 개의 관통구와, 상기 상부 확산공간을 3개의 상부 확산영역으로 분할하는 격벽부와, 상기 격벽부에 의해 구획되고 상기 제2 플레이트의 중앙에 배치되는 중앙배플과, 상기 격벽부에 의해 구획되고 상기 중앙배플을 둘러싸도록 상기 중앙배플을 중심으로 서로 대칭되게 배치되는 2개의 가장자리 배플을 포함하며,
상기 2개의 가장자리 배플 각각은 좌우대칭된 형상인 좌측 배플과 우측 배플을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치용 가스분배유닛.A gas diffusion portion having a process gas diffusion space therein;
A gas supply part connected to the upper part of the gas diffusion part in a communicating manner and supplying the process gas into the process gas diffusion space;
A first plate provided at a lower portion of the gas diffusion portion and having a plurality of injection holes formed vertically through;
And a second plate provided between the gas supply unit and the first plate to divide the process gas diffusion space into an upper diffusion space and a lower diffusion space inside the process gas diffusion space,
Wherein the second plate includes a plurality of through holes penetrating the upper diffusion space and the lower diffusion space in the thickness direction, a partition wall part dividing the upper diffusion space into three upper diffusion areas, And two edge baffles delimited by the partition and symmetrically disposed about the central baffle so as to surround the central baffle, wherein the central baffle is disposed in the center of the second plate,
Wherein each of the two edge baffles comprises a left baffle and a right baffle that are bilaterally symmetrical shapes. 제11항에 있어서,
상기 좌측 배플의 상부 확산영역과 상기 우측 배플의 상부 확산영역은 서로 연통되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치용 가스분배유닛.12. The method of claim 11,
Wherein the upper diffusion region of the left baffle and the upper diffusion region of the right baffle are in communication with each other. 제11항에 있어서,
상기 제2 플레이트는, 상기 3개의 상부 확산영역 중 상기 중앙 배플에 의해 한정되는 제1 상부 확산영역의 넓이가 상기 3개의 상부 확산영역 중 상기 2개의 가장자리 배플에 의해 한정되는 2개의 제2 상부 확산영역 각각의 넓이의 1/2이 되도록 상기 격벽부에 의해 분할되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치용 가스분배유닛.12. The method of claim 11,
Wherein the second plate has a first upper diffusion region defined by the central baffle of the three upper diffusion regions and a second upper diffusion region defined by the two of the three upper diffusion regions, Is divided by the partition wall portion so as to be 1/2 of the width of each of the regions. 제11항에 있어서,
상기 3개의 상부 확산영역은, 상기 격벽부 및 상기 가스확산부의 내측면에 의해 상부방향 및 측면방향으로 서로 격리 및 기밀되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치용 가스분배유닛. 12. The method of claim 11,
Wherein the three upper diffusion regions are isolated and hermetically sealed to each other in the upward direction and the lateral direction by the partition wall portion and the inner surface of the gas diffusion portion. 제11항에 있어서,
상기 제2 플레이트는, 상기 2개의 가장자리 배플 각각의 내부에 구비되는 상기 관통구의 수량이 상기 중앙배플의 내부에 구비되는 상기 관통구의 수량의 2배가 되도록 상기 격벽부에 의해 구획되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치용 가스분배유닛.12. The method of claim 11,
Wherein the second plate is partitioned by the partition wall portion such that the number of the through holes provided in each of the two edge baffles is twice the number of the through holes provided in the central baffle. Gas distribution unit for processing device. 제11항에 있어서,
상기 격벽부는, 상기 중앙배플을 둘러싸는 폐회로 형상의 중앙 격벽과, 상기 중앙 격벽으로부터 상기 제2 플레이트의 테두리를 향하여 방사 방향으로 연장되는 2개의 방사방향 격벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치용 가스분배유닛.12. The method of claim 11,
Wherein the partition wall portion includes a closed center bulkhead surrounding the central baffle and two radial partition walls extending radially from the central bulkhead toward the rim of the second plate. Gas distribution unit. 제16항에 있어서,
상기 중앙 격벽과 상기 2개의 방사방향 격벽 각각은 상기 2개의 가장자리 배플 각각의 넓이를 상기 중앙배플의 넓이의 2배가 되도록 균등하게 분할하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치용 가스분배유닛.17. The method of claim 16,
Wherein each of the central partition and the two radial partition walls is divided equally so that the width of each of the two edge baffles is twice the width of the central baffle. 제11항에 있어서,
상기 제2 플레이트는 사각 판형 형상을 구비하고,
상기 중앙배플은 마름모 형상의 횡단면을 구비하며,
상기 2개의 가장자리 배플 각각은, 마름모 형상의 상기 중앙배플의 이웃하는 두 면과, 상기 중앙배플의 대향하는 두 개의 꼭지점에서부터 상기 제2 플레이트의 테두리까지 방사방향으로 연장되는 2개의 방사방향 격벽과, 상기 제2 플레이트의 테두리에 의해 한정되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치용 가스분배유닛.12. The method of claim 11,
Wherein the second plate has a rectangular plate shape,
Said central baffle having a rhombic cross-section,
Each of the two edge baffles includes two radial bulkheads extending in a radial direction from neighboring two sides of the central baffle in the form of a rhombus and two opposite vertexes of the central baffle to the rim of the second plate, And the second plate is defined by the rim of the second plate.
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