KR20150108812A - Polyamic acid solution - Google Patents

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KR20150108812A
KR20150108812A KR1020150129425A KR20150129425A KR20150108812A KR 20150108812 A KR20150108812 A KR 20150108812A KR 1020150129425 A KR1020150129425 A KR 1020150129425A KR 20150129425 A KR20150129425 A KR 20150129425A KR 20150108812 A KR20150108812 A KR 20150108812A
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polyamic acid
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홍기일
민웅기
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코오롱인더스트리 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a polyamic acid solution and a display device and, more specifically, to a polyamic acid solution which can be used for a base layer or a protective layer of a display device, and to a display device including a film formed by the imidization of the polyamic acid solution. The polyamic acid solution has excellent thermal properties such as a low rate of thermal expansion and a high pyrolysis temperature, and can thus be applied to a base layer or a protective layer of the display device.

Description

폴리아믹산 용액{Polyamic acid solution}Polyamic acid solution < RTI ID = 0.0 >

본 발명은 폴리아믹산 용액 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 각종 표시소자의 기재층 또는 보호층으로 사용할 수 있는 폴리아믹산 용액에 관한 것이다.The present invention relates to a polyamic acid solution and a method for producing the same, and more particularly, to a polyamic acid solution which can be used as a substrate layer or a protective layer of various display devices.

언제 어디서나 정보를 접할 수 있는 유비쿼터스(ubiquitous) 시대로 접어들고 있고, 컴퓨터, 통신, 정보가전기기가 융합 또는 복합되고 있는 디지털 컨버전스(digital convergence)가 급속히 진행되고 있다. 이에 따라 전자 정보 기기와 인간의 인터페이스 역할을 하는 디스플레이(display)의 중요성이 더욱 커지고 있다. 이와 아울러 고해상도를 가지면서도 고휘도, 고선명한 화상정보에 대한 요구가 더욱 강해지고 있고 이에 부합되는 대화면의 액정디스플레이(Liquid crystal display), 플라즈마 디스플레이(plasma display), 유기발광다이오드(OLED) 등이 경쟁하고 있다.Digital convergence, which is a convergence or combination of computer, communication, and information appliances, is rapidly proceeding, as it is entering the ubiquitous era where information can be accessed anytime and anywhere. Accordingly, the importance of a display serving as an interface between an electronic information device and a human is increasing. In addition, demands for high brightness and high definition image information are becoming stronger while having a high resolution, and a large-size liquid crystal display, a plasma display, and an organic light emitting diode (OLED) have.

최근에는 휴대를 목적으로 하는 차세대 디스플레이 중 하나로 휘거나 구부릴 수 있는 디스플레이(Flexible Display)가 주목을 받고 있다. 이러한 구부리거나 휘는 타입의 디스플레이가 가능하기 위해서는 기존의 유리 기판을 대신하여 유연성을 지닌 새로운 소재의 기판이 요구되고 있다.In recent years, a flexible display that can be bent or bent into one of the next generation displays for the purpose of carrying is attracting attention. In order to enable such a bending or bending type display, a substrate of a new material having flexibility in place of the existing glass substrate is required.

현재 개발된 플렉서블 디스플레이의 형태는 수동형 또는 능동형 구동소자를 기반으로 하여 LCD, OLED, EPD와 같은 방식으로 발전되고 있다. 이들은 플렉서블(flexible)한 고분자 소재 기판 상에 수동형 또는 능동형 구동소자를 구조물로 얹어서 디스플레이가 구동되는 방식이며 점차 수동형 보다는 화소구현이 정밀한 능동형으로 관심이 옮겨가고 있는 중이다. 특히 능동형 플렉서블 디스플레이는 고분자 소재 기판 상에 게이트, 절연막, 소스, 드레인을 구조화시키고 최종적으로 전극과 표시소자를 장착함으로써 디스플레이의 단위 소자를 구성한다. 그러나 상기의 능동형 디스플레이 소자를 제작하기 위해서는 대부분의 제조 공정이 고온에서 수행되는 경우가 많으므로 내열성이 없는 고분자 기판 소재를 사용한다면 소자 제작시 고분자 소재 기판의 치수가 변형되기 쉽고 열적 변성을 일으키므로 회로 패턴의 얼라인먼트가 맞지 않는다거나, 고분자 기판의 표면 특성에 변화를 일으키므로 디스플레이용 기판으로 사용하기에 문제가 있었다. The currently developed flexible display type is developed in the same way as LCD, OLED, EPD based on passive or active type driving device. These are driven by a passive or active driving device on a flexible polymer substrate to drive the display, and more and more attention is being paid to the active type of pixel implementation rather than passive type. Particularly, the active flexible display forms a unit element of a display by structuring a gate, an insulating film, a source and a drain on a polymer material substrate and finally attaching an electrode and a display element. However, most of the manufacturing processes are performed at a high temperature in order to manufacture the above-mentioned active type display device. Therefore, if a polymer substrate material having no heat resistance is used, the dimensions of the polymer material substrate tends to be deformed, Alignment of the pattern is not matched, or the surface characteristics of the polymer substrate are changed, which poses a problem in use as a display substrate.

따라서, 플렉서블 디스플레이용으로 여러 가지 고내열 플라스틱 소재의 개발이 시도되고 있고, 대표적인 내열성 플라스틱 소재로서 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에테르술폰(PES) 폴리카보네이트(PC)등이 있으나, 이들 플라스틱 소재도 역시 유리전이온도(Tg)가 300℃ 미만 수준이며 Tg까지 열팽창율(Coefficient of Thermal Expansion)이 20??60ppm/℃이므로 300℃이상의 고온에서 치수 안정성이 좋지 않고, 이를 바탕으로 소자를 제작할 시에는 디스플레이 품질에 좋지 않은 영향을 끼칠 가능성이 있다 (John Scheirs and Timothy E. Long, Modern Polyesters: Chemistry and Technology of Polyesters and Copolyesters, 2004); 및 Sumiliteㄾ FS-1300, Sumitomo Bakelite Catalogue).Therefore, various high heat-resistant plastic materials for flexible displays have been developed. Representative heat-resistant plastic materials include polyethylene naphthalate (PEN), polyether sulfone (PES) polycarbonate (PC) Also, since the glass transition temperature (Tg) is less than 300 ° C and the coefficient of thermal expansion (Tg) is 20 to 60 ppm / ° C, the dimensional stability is not good at 300 ° C or higher. There is a possibility of adversely affecting display quality (John Scheirs and Timothy E. Long, Modern Polyesters: Chemistry and Technology of Polyesters and Copolyesters, 2004); And Sumilite 占 FS-1300, Sumitomo Bakelite Catalog).

또한 상기 소재의 플라스틱 필름을 사용할 경우 자체에 지지력이 없으므로 금속박 또는 유리판 위에 접착시켜서 디스플레이 소자를 제작하여야 하며 이 경우 접착제를 이용하여 플라스틱 필름과 금속박 또는 유리판과의 접착을 접착 및 박리공정이 추가로 발생하는 단점이 있고 접착이 원만하게 되지 않을 경우 평활도에 문제가 생길 수도 있다. In addition, when the plastic film of the above material is used, there is no supporting force. Therefore, a display device should be manufactured by adhering on a metal foil or a glass plate. In this case, the adhesion between the plastic film and the metal foil or the glass plate is further adhered There is a drawback in that the smoothness of the adhesion may not be satisfactory.

이러한 점을 고려하여 본 출원인은 낮은 열팽창율을 가지며 강성도와 탄성률이 우수하여 표시소자의 기재층 또는 보호층으로 적용될 수 있는 폴리아믹산 용액에 대하여 기 특허출원한바 있다(국내특허공개 10-2010-0080301호). 그런데 여기서는 충분히 낮은 정도의 열팽창율과 고온에서의 치수안정성을 충족하지는 못하였다.In consideration of this point, Applicant has filed a patent application for a polyamic acid solution which has a low thermal expansion coefficient and is excellent in stiffness and elastic modulus and can be applied as a substrate layer or a protective layer of a display device (Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2010-0080301 number). However, the thermal expansion rate is not sufficiently low and the dimensional stability at a high temperature is not satisfied.

본 발명은 500℃ 이상의 고온에서도 치수안정성이 우수한 플렉서블 디스플레이용 고분자 소재로서, 내열성이 우수하고 낮은 열팽창율을 가지는 표시소자의 기재층 또는 보호층에 사용될 수 있는 고분자 소재를 제공하고자 한다.Disclosed is a polymer material for a flexible display which is excellent in dimensional stability even at a high temperature of 500 ° C or higher. The polymer material can be used for a substrate layer or a protective layer of a display device having excellent heat resistance and a low thermal expansion coefficient.

또한 본 발명에서 제공하고자 하는 폴리아믹산은 액상형태로 제공되는데, 이것은 필름 형태로 제공 될 경우 필름 자체에는 형태를 유지할 수 있는 지지력이 없으므로 금속박 또는 유리판 위에 접착시켜서 디스플레이 소자를 제작하여야 하며 이 경우 접착제를 이용하여 고분자 필름과 금속박 또는 유리판과의 접착 및 박리 공정이 추가로 발생하는 단점이 있고 접착이 원만치 않을 경우 평활도에 문제가 생길 수 있기 때문이다. 그리고 현재의 디스플레이 소자 제작 공정은 그 공정 온도가 450℃ 수준으로 고온 공정으로 이뤄진다. 그런데 이때 상기와 같은 금속박 또는 유리판과 접착하는 방식을 할 경우 그 접착제가 상기의 고온에 접합한 접착제가 존재 하지 않으므로 상기와 같은 방식은 실공정에 적합하지 않다. In addition, the polyamic acid to be provided in the present invention is provided in the form of a liquid, and if it is provided in the form of a film, there is no supporting force for maintaining the shape of the film itself. Therefore, a display device should be manufactured by adhering on a metal foil or a glass plate. There is a disadvantage in that the polymer film and the metal foil or the glass plate are further adhered to and peeled from each other, and if the adhesion is not smooth, there is a problem in smoothness. The current display device fabrication process is a high temperature process with a process temperature of 450 ° C. However, when the adhesive is bonded to the metal foil or the glass plate, the adhesive does not exist at the high temperature, so that the above method is not suitable for the actual process.

따라서 본 발명에서 제공하고자 하는 폴리아믹산은 필름형태가 아닌 액상 형태로 제공되어 전처리된 세라믹 지지체상 혹은 유리판 등(기타 다른 지지체라도 상관 없음은 물론이다.)에 도포되어 건조된 후 이미드화 막을 형성하게 되고, 이것은 전처리된 세라믹 지지체상 혹은 유리판 등(기타 다른 지지체라도 상관 없음은 물론이다.)에서 형태를 유지하고 표시소자를 제조하기 위한 공정을 용이하게 하기 위해서이다.Accordingly, the polyamic acid to be provided in the present invention may be provided in liquid form rather than in the form of a film, and may be applied to a pretreated ceramic support or a glass plate (or any other support, of course) and dried to form an imidized film This is to facilitate the process for maintaining the shape and manufacturing the display device on the pretreated ceramic support or a glass plate or the like (although it may be any other support, of course).

또한 본 발명은 높은 열분해 온도와 낮은 열팽창율을 갖는 플라스틱 소재로부터 제공되기 위해 그 소재의 상용화를 위한 제조 방법을 제공하고자 한다.The present invention also provides a manufacturing method for commercialization of a plastic material having a high thermal decomposition temperature and a low thermal expansion rate.

상용화를 위한 제조 방법이라 함은 실험실 스케일에서의 제조가 아닌 실제 디스플레이 소자 제작 공정에 적용가능한 스케일에서의 제조 방법을 말하며, 본 발명에서는 50L(용액 기준)의 스케일을 사용하였으나, 그 스케일의 기준은 5L(용액 기준)이상이면 특별히 한정되지는 않는다.The manufacturing method for commercialization refers to a manufacturing method in a scale applicable to an actual display device manufacturing process, not a production on a laboratory scale. In the present invention, a scale of 50 L (solution basis) is used, 5 L (solution basis) or more.

상용화를 위해서는 폴리아믹산 제조 공정 등에서 발생할 수 있는 이물 등 역시 특화 되어야 한다. 그 이유로는 디스플레이 소자 제작 공정상 이물의 존재는 제작 실패 또는 불량의 발생 원인으로 작용하여 그 제작 수율 등에 막대한 영향을 미치기 때문이다. For commercialization, foreign matters such as polyamic acid manufacturing process should also be specialized. The reason for this is that the presence of the foreign substance in the display device manufacturing process acts as a cause of the failure or defect of the fabrication, which greatly affects the production yield.

이에 본 발명은 바람직한 제1구현예로서 방향족 디안하이드라이드류와 방향족 디아민류의 반응 생성물이고, 이미드화막 형성시 50~450℃의 온도범위에서의 열팽창율(Thermal Expansion Coefficient)이 5ppm/℃ 이하이고, 열중량분석기에 의해 열분해 측정시 중량감소비율이 1%에 도달되는 시점의 온도로 정의되는 열분해온도가 500℃ 이상인, 표시소자의 기재층 또는 보호층 형성용 폴리아믹산 용액을 제공한다.As a first preferred embodiment, the present invention is a reaction product of an aromatic dianhydride and an aromatic diamine as a first preferred embodiment, and has a thermal expansion coefficient at a temperature range of 50 to 450 DEG C of 5 ppm / DEG C or less , And a pyrolysis temperature defined by a temperature at which the weight consumption rate reaches 1% in pyrolysis measurement by a thermogravimetric analyzer is at least 500 ° C. The base layer or the polyamic acid solution for forming the protective layer is provided.

상기 구현예에 의한 폴리아믹산 용액은 점도가 50∼5,000 poise인 것일 수 있다.The polyamic acid solution according to this embodiment may have a viscosity of 50 to 5000 poise.

상기 구현예에서, 반응 생성물은 방향족 환 사이에 -O-, -CO-, -NHCO-, -S-, -SO2-, -CO-O-, -CH2- 및 -C(CH3)2- 사슬을 포함하지 않는 경성 방향족 디안하이드라이드류와 경성 방향족 디아민류의 반응 생성물인 것이 바람지하다.In this embodiment, the reaction product between the aromatic rings, -O-, -CO-, -NHCO-, -S-, -SO 2 -, -CO-O-, -CH 2 - and -C (CH 3) It is desirable that the reaction product of a hard aromatic diaanhydride containing no 2 - chain and a hard aromatic diamine is used.

구체적인 일 구현예에서, 반응 생성물은 방향족 디아민류로 파라-페닐렌디아민, 방향족 디안하이드라이드류로 피로멜리트산무수물과 비페닐테트라카르복실산무수물과의 반응 생성물이며, 바람직한 일 구현예에서 반응 생성물은 비페닐테트라카르복실산무수물을 방향족 디안하이드라이드류 중 최대 40몰%로 포함하는 것이다.In a specific embodiment, the reaction product is a reaction product of para-phenylenediamine as the aromatic diamine, pyromellitic anhydride as the aromatic dianhydride and biphenyl tetracarboxylic acid anhydride, and in a preferred embodiment the reaction product Contains up to 40 mol% of biphenyltetracarboxylic anhydride in aromatic dianhydride.

본 발명의 일 구현예에서 반응 생성물은 제조 스케일이 한번 중합 시 5L 이상인 상업적인 고려를 수반한다.In one embodiment of the present invention, the reaction product involves commercial considerations in which the production scale is at least 5 L per polymerization.

제조방법적 고려에 있어서 본 발명의 일 구현예에서, 반응 생성물은 반응 용매의 필요량을 분할 투입하여, 분말형태의 방향족 디안하이드라이드류 및 방향족 디아민류 원료 투입 후에 반응기 벽면 및 교반기 등에 잔존해 있는 미용해 분말형태의 원료를 씻어 내리며 용액에 용해시키는 샤워링 공정을 포함하여 얻어진 것일 수 있다. In one embodiment of the present invention, the reaction product is prepared by adding the required amount of the reaction solvent to the aromatic dianhydride and the aromatic diamine in the powder form, And a showering process in which the raw material in the form of a powder is washed out and dissolved in a solution.

추가적으로, 반응 생성물은 샤워링 공정 이후로 반응기의 온도를 40~80℃가량으로 승온하여 교반하는 공정을 포함하여 얻어진 것인일 수 있다.In addition, the reaction product may be obtained by including a step of raising the temperature of the reactor to about 40 to 80 DEG C after the showering step and stirring.

또한 별도로 또는 추가적으로, 반응 생성물은 원료 투입 후 용해과정 중에 반응기 최하단에 불활성 가스를 불어 넣어 버블링하는 공정을 포함하여 얻어진 것일 수 있다.Additionally or alternatively, the reaction product may be obtained by blowing an inert gas into the bottom of the reactor during the dissolution process after the feedstock is charged.

본 발명의 일 구현예에서는 상기한 일 구현예들로부터 얻어진 폴리아믹산 용액으로부터 형성된 폴리이미드 코팅층을 제공한다.An embodiment of the present invention provides a polyimide coating layer formed from a polyamic acid solution obtained from the above embodiments.

본 발명의 예시적인 일 구현예에서는 이러한 폴리이미드 코팅층을 보호층으로 포함하는 표시소자 또는 이러한 폴리이미드 코팅층을 기재층으로 포함하는 표시소자를 제공한다.In one exemplary embodiment of the present invention, there is provided a display device comprising such a polyimide coating layer as a protective layer or a display device comprising such a polyimide coating layer as a base layer.

이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명은 바람직한 일구현예로서 방향족 디안하이드라이드와 방향족 디아민의 반응생성물이며, 이미드화막 형성후 50~450℃의 온도범위에서 열팽창율(Thermal Expansion Coefficient)이 5ppm/℃ 이하이며, 열분해 온도가 500℃이상인 폴리아믹산 용액을 제공한다. 여기서, 열분해 온도는 열중량분석기에 의해 열분해 측정시 중량감소비율이 1%에 도달되는 시점의 온도, 즉 Td 1%로 정의된다.The present invention is a reaction product of an aromatic dianhydride and an aromatic diamine as a preferred embodiment and has a thermal expansion coefficient of 5 ppm / ° C or less and a pyrolysis temperature of 50 to 450 ° C Thereby providing a polyamic acid solution having a temperature of 500 ° C or higher. Here, the pyrolysis temperature is defined as the temperature at which the weight consumption rate reaches 1% at the time of pyrolysis measurement by a thermogravimetric analyzer, that is, Td 1%.

상기 온도범위 내에서의 열팽창율 및 열분해온도는 폴리아믹산 용액을 도포한 후 이미드화한 이미드화막을 표시소자의 기재층이나 보호층으로 적용할 때 표시소자의 제조 공정을 거치면서 겪게 되는 열적 환경변화를 모사한 것으로 고온에서의 치수안정성 및 열분해 안정성을 고려한 것이다.The thermal expansion rate and the thermal decomposition temperature within the above-mentioned temperature range can be controlled by changing the thermal environment experienced during the manufacturing process of the display device when the imidized film imidized after the polyamic acid solution is applied as the substrate layer or the protective layer of the display device And the dimensional stability and pyrolysis stability at high temperature are taken into consideration.

표시소자에 있어서 기재층은 표시소자 제조공정 과정상 고온 환경에 반복 노출되는데, 이 때 열팽창이 작을수록 표시소자를 제조하는데 유리하고 또한 제조공정을 용이하게 설계하기 위해서는 공정온도 범위 내에서 휘발성 분해 물질을 유발하지 않아야 한다. In the display device, the substrate layer is repeatedly exposed to a high-temperature environment during the manufacturing process of the display device. In this case, the smaller the thermal expansion, the more advantageous to manufacture the display device, and in order to easily design the manufacturing process, .

즉, 전극 및 구동소자 등을 제조하는 공정에 있어서 고분자 소재의 열팽창이 세라믹 지지체 및 구동소자의 열팽창에 비해 클 경우 회로 작업이 불가능하게 되고, 표시 장치가 휘게 되며 구동 소자 등과 미스얼라인먼트(Misalignment)가 발생 되는 점을 고려할 때, 폴리아믹산 용액은 이미드화 막을 형성하였을 때 50∼450℃에서 측정된 열팽창율이 5ppm/℃ 이하인 것이 바람직하다. 또한 고온 공정을 겪으면서 고분자 소재가 열분해에 의한 휘발성 유기물을 생성시킨다면 제조 설비 등을 오염시키게 되므로 제조 공정 자체가 실시 불가능하게 될 수 있다. 따라서 열분해 온도, 특히 소량의 중량감소를 전제로하는 열분해온도가 높은 고분자 소재를 사용해야만 고온에서 소자 제작이 가능하다.That is, when the thermal expansion of the polymer material is larger than the thermal expansion of the ceramic substrate and the driving element in the process of manufacturing the electrode and the driving element, the circuit operation becomes impossible and the display device is warped and misalignment with the driving element It is preferable that the polyamic acid solution has a coefficient of thermal expansion of 5 ppm / 占 폚 or less measured at 50 to 450 占 폚 when an imidized film is formed. In addition, if a polymer material generates volatile organic compounds by pyrolysis while undergoing a high-temperature process, the production process itself may become impossible due to contamination of production facilities. Therefore, it is possible to fabricate a device at a high temperature only by using a polymer material having a high pyrolysis temperature, which is based on pyrolysis temperature, especially a small amount of weight reduction.

그리고 고분자 소재 자체에 이물이 다량 존재한다면 표시 소자 제조 공정 중 회로 작업이 불가능해 질 수도 있고, 작업이 가능하더라도 그 이물 부위가 불량으로 작용하여 최종 디스플레이의 불량으로 발생될 수 있다.If a large amount of foreign matters exist in the polymer material itself, circuit operation during the display device manufacturing process may become impossible, and even if the operation is possible, the foreign matter may be defective and may be caused by defective display.

따라서 고분자 소재 자체에 제조 공정 중에 이물을 줄이거나 없앨 수 있는 특별한 조성, 조건 및 공정이 반드시 수반되어야 한다.Therefore, the polymer material itself must be accompanied by a special composition, conditions and process that can reduce or eliminate foreign matter during the manufacturing process.

이러한 폴리아믹산 용액을 제공하기 위하여, 폴리아믹산 용액은 방향족 환 사이에 연성 사슬(flexible chain)이 존재하지 않는 디안하이드라이드 및 디아민 단량체(이하 경성 단량체)의 중합으로부터 얻어진 것일 수 있다. 여기서, 경성 단량체라 함은 구체적으로는 방향족 환의 사이에 -O-, -CO-, -NHCO-, -S-, -SO2-, -CO-O-, -CH2-, -C(CH3)2- 사슬, 즉 연성 사슬이 존재하지 않은 단량체로서 정의되어질 수 있다. In order to provide such a polyamic acid solution, the polyamic acid solution may be obtained from the polymerization of a dianhydride and a diamine monomer (hereinafter, a hard monomer) in which there is no flexible chain between aromatic rings. The term "hard monomer" specifically refers to an aromatic ring having between -O-, -CO-, -NHCO-, -S-, -SO 2 -, -CO-O-, -CH 2 -, -C 3 ) a 2 -chain, that is, a monomer without a soft chain.

예를 들면, 디안하이드라이드로서 비페닐테트라카르복실산 이무수물(3,3′,4,4′-Biphenyltetracarboxylic Dianhydride, BPDA), 파이로멜리트산 이무수물(Pyromellitic dianhydride; 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic dianhydride, PMDA) 등이 있고, 디아민으로는 p-페닐렌디아민(para-Phenylene Diamine, pPDA), 아미노페닐아미노벤족사졸(2-(4-aminophenyl)-5-aminobenzoxazole, APAB) 등이 있는데, 이중 바람직하기로는 p-페닐렌디아민이다. For example, as the dianhydride, there may be used 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), pyromellitic dianhydride (1,2,4,5 -benzenetetracarboxylic dianhydride (PMDA), and the like. Examples of the diamine include para-phenylene diamine (pPDA), 2- (4-aminophenyl) -5-aminobenzoxazole , And more preferably p-phenylenediamine.

통상 디아민과 디안하이드라이드는 1:0.9 내지 0.9:1 몰비로 사용될 수 있으며, 이상 설명한 목적을 충족시키기 위한 단량체 몰비 범위 내에서라면 디안하이드라이드와 디아민을 각각 1종 사용하거나, 디안하이드라이드를 2종 이상 사용하고 디아민을 1종 이상 사용하거나, 디아민을 2종 이상 사용하고 디안하이드라이드를 1종 이상 사용하여도 무방하다. 특히 열팽창계수를 낮추고 열분해온도를 높이는 측면에서 좋기로는 비페닐테트라카르복실산 이무수물을 방향족 디안하이드라이드류 중 최대 40몰%로 포함하는 것이 바람직하다.In general, the diamine and dianhydride may be used in a molar ratio of 1: 0.9 to 0.9: 1. If the molar ratio of the monomers is within the range of the molar ratio of the monomers to satisfy the above-described object, one dianhydride and one diamine may be used respectively, More than one species may be used, one or more diamines may be used, two or more diamines may be used, and one or more dianhydrides may be used. Particularly in terms of lowering the thermal expansion coefficient and increasing the thermal decomposition temperature, it is preferred that the biphenyltetracarboxylic acid dianhydride is contained in an amount of up to 40 mol% in the aromatic dianhydride.

폴리이미드의 전구체인 폴리아믹산 용액을 중합할 때 유기용매 중에 디안하이드라이드 성분과 디아민 성분을 거의 등몰량이 되도록 하여 용해하여 반응시켜 폴리아믹산 용액을 제조할 수 있다.When the polyamic acid solution, which is a precursor of polyimide, is polymerized, the polyamic acid solution can be prepared by dissolving and reacting the dianhydride component and the diamine component in an equimolar amount in an organic solvent.

반응시의 조건은 특별히 한정되지 않지만 반응 온도는 -20~80℃가 바람직하고, 반응시간은 2~48시간이 바람직하다. 또한 반응시 아르곤이나 질소 등의 불활성 분위기인 것이 보다 바람직하다.The reaction conditions are not particularly limited, but the reaction temperature is preferably -20 to 80 占 폚, and the reaction time is preferably 2 to 48 hours. It is more preferable that the reaction atmosphere is an inert atmosphere such as argon or nitrogen.

상기 폴리아믹산 용액의 중합반응을 위한 유기용매는 폴리아믹산을 용해하는 용매이면 특별히 한정되지 않는다. 공지된 반응용매로서 m-크레졸, N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 디메틸포름아미드(DMF), 디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸설폭사이드(DMSO), 아세톤, 디에틸아세테이트 중에서 선택된 하나 이상의 극성용매를 사용한다. 이외에도 테트라하이드로퓨란(THF), 클로로포름과 같은 저비점 용액 또는 γ-부티로락톤과 같은 저흡수성 용매를 사용할 수 있다.The organic solvent for the polymerization reaction of the polyamic acid solution is not particularly limited as long as it is a solvent dissolving the polyamic acid. As the known reaction solvent, there may be used, for example, m-cresol, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), dimethylformamide (DMF), dimethylacetamide (DMAc), dimethylsulfoxide (DMSO) One or more polar solvents are used. In addition, a low boiling point solution such as tetrahydrofuran (THF), chloroform or a low-absorbency solvent such as? -Butyrolactone may be used.

상기 유기용매의 함량에 대하여 특별히 한정되지는 않으나, 적절한 폴리아믹산 용액의 분자량과 점도를 얻기 위하여 유기용매는 전체 폴리아믹산 용액 중 50~95중량%가 바람직하고, 더욱 좋게는 70~90중량%인 것이 보다 바람직하다. In order to obtain the molecular weight and viscosity of the appropriate polyamic acid solution, the organic solvent is preferably 50 to 95% by weight, more preferably 70 to 90% by weight, based on the total amount of the polyamic acid solution, Is more preferable.

이와 같이 제조된 폴리아믹산 용액을 이미드화하여 제조된 폴리이미드 수지는 열안정성을 고려하여 유리전이온도가 300℃이상인 것이 바람직하다. The polyimide resin prepared by imidizing the polyamic acid solution thus prepared preferably has a glass transition temperature of 300 ° C or higher in consideration of thermal stability.

즉, 폴리이미드계 고분자는 잘 알려진 고내열 소재로써 높은 Tg와 낮은 열팽창율을 보이므로 400℃ 이상의 온도에서 TFT등을 제작할 수 있으므로 폴리아믹산 용액을 도포 및 경화한다면 패턴형성에 유리하고, 접착제를 사용하지 않고도 지지체 상에 고정시킬 수 있으므로 쉽게 평활도를 유지할 수 있으며 결국 플렉서블 디스플레이 구현에 매우 유리한 소재일 수 있다.That is, the polyimide-based polymer is a well-known high-temperature-resistant material exhibiting a high Tg and a low coefficient of thermal expansion, so that TFTs and the like can be manufactured at a temperature of 400 ° C. or more. Therefore, if a polyamic acid solution is applied and cured, It can be easily fixed on a support and therefore can maintain flatness easily, and as a result, it can be a very advantageous material for realizing a flexible display.

아울러 폴리아믹산 용액을 이용하여 폴리이미드 코팅층으로 제조시, 폴리이미드 코팅층의 표면특성, 열전도성과 같은 여러 가지 특성을 개선시킬 목적으로 폴리아믹산 용액에 충전제를 첨가하는 기존 발명의 경우 이런 충전제가 디스플레이소자 공정 중 불량으로 작용할 수 있고, 최종적으로 디스플레이의 불량 혹은 수율 저하를 불러 올 수 있으므로 본 발명에서는 그 어떤 충전제도 첨가하지 않는 것으로 한정한다.In the case of the present invention in which a filler is added to a polyamic acid solution for the purpose of improving various characteristics such as a surface property and a thermal conductivity of the polyimide coating layer when the polyimide coating layer is formed using the polyamic acid solution, It may act as a defect in the final display, which may lead to defective displays or a reduction in yield. Therefore, the present invention is limited to not adding any filler.

그리고 상기와 같이 충전제를 첨가하지 않더라도 폴리아믹산 제조 공정 중 등에서 이물 등이 발생 혹은 침입할 수 있으므로, 그 이물의 해결 방안으로는 필터링 공정을 거치는 것 등이 될 수 있다.Even if the filler is not added as described above, foreign matter may be generated or invaded during the production process of the polyamic acid. Therefore, the foreign matter may be filtered through a solution.

그 필터링 공정은 통상의 공정으로 사용가능해 지고 특별히 한정되어지지 않는다. 단, 그 필터의 포어 크기는 반드시 10㎛이하의 것을 사용하여야 하며 좋기로는 1㎛이하를 사용하는 것이 유리 할 것이다.The filtering process can be used in ordinary processes and is not particularly limited. However, the pore size of the filter must be 10 μm or less, preferably 1 μm or less.

폴리아믹산 용액으로부터 이미드화막을 제조하는 방법은 플렉시블 디스플레이 제조공정을 모사한 방법을 사용할 수 있는데, 폴리아믹산 용액을 지지체에 균일하게 도포한 후 이미드화하는 방법을 들 수 있다. 즉, 디스플레이 소자 제조공정은 일반적으로 기재층 윗면에 전극 및 표시부 등이 순차적으로 적층되는 순서로 진행되는바 폴리아믹산 용액을 기재층으로 적용하는 일 방법으로는 별도의 지지체 위에 폴리아믹산 용액을 코팅하고 이미드화하여 이미드화막을 제조하고 이미드화막 상에 통상의 방법에 따른 표시소자 적층 공정을 수행한 후 최종적으로 지지체를 박리해내는 방법을 들 수 있다. 이러한 경우라면 필름형태의 플라스틱 소재를 기판을 적용한 것에 비해 기재층의 평탄성을 높일 수 있는 측면에서 유리할 수 있다.As a method for producing an imidized film from a polyamic acid solution, a method in which a flexible display manufacturing process is simulated can be used, and a method in which a polyamic acid solution is uniformly applied to a substrate and imidized. That is, in the display device manufacturing process, a method of applying a barium polyamic acid solution as a substrate layer, in which an electrode and a display portion are sequentially stacked on the upper surface of a substrate layer, is coated with a polyamic acid solution on a separate support Imidization is carried out to prepare an imidized film, a display element laminating process is performed on the imide film in accordance with a conventional method, and finally the support is peeled off. In this case, the film-shaped plastic material may be advantageous in that the flatness of the base layer can be enhanced as compared with the case where the substrate is applied.

거기에 필름형태라면 지지체와 추가의 접착층이 존재하여야 하는데 현 디스플레이 소자 공정의 고온에서 사용가능한 접착층은 현재까지는 존재하지 않으므로 본 발명에서 제시하는 지지체에 폴리아믹산 용액을 도포하는 방식이 유일한 방법일 것이다.If there is a film type, a support and an additional adhesive layer should be present. However, since there is no adhesive layer usable at the high temperature of the present display device process, the method of applying the polyamic acid solution to the support proposed in the present invention will be the only method.

또한 상기 폴리아믹산 용액을 표시소자에 적층된 부품상에 도포하여 이미드화한 폴리이미드 코팅층을 보호층으로 적용할 수도 있다.The polyamic acid solution may be coated on a component stacked on a display device to imidize the polyimide coating layer as a protective layer.

이때 도포작업성과 코팅균일성을 고려하여 폴리아믹산 용액의 점도는 50~5,000 poise인 것이 바람직할 수 있다.In this case, the viscosity of the polyamic acid solution may preferably be in the range of 50 to 5,000 poise in consideration of the coating workability and coating uniformity.

이 점도의 경우 도포방식 및 요구되는 이미드화막 두께 등에 의해 결정되어 질 수 있다.This viscosity can be determined by the coating method and the required imide film thickness.

또한 본 발명은 상용화가 가능한 스케일의 제조 방법으로 Batch Type으로 5L(용액 기준)이상을 한번에 중합할 수 있는 스케일의 제조 방법을 제시한다.The present invention also provides a method of producing scales capable of polymerizing more than 5 L (solution basis) in a batch type at a time, which can be commercialized.

이와 같은 큰 스케일(5L 이상)의 경우 그 이하의 실험실 스케일일 때와 다르게 반응기 및 반응 방법에서 특별한 방식이 요구된다. 가장 차이가 큰 부분이 바로 분말형태의 원료용해이다. 큰 스케일의 반응기에서는 통상 그 교반 능력의 한계로 인해 원료의 용해가 원할지 않다. 따라서 본 발명에서는 이와 같은 부분에 대한 해결책 역시 제시한다.Such large scales (> 5L) require special methods in reactors and reaction methods, unlike at laboratory scales below. The most significant difference is the dissolution of raw materials in powder form. In a large-scale reactor, the dissolution of the raw material is not desirable due to the limit of the stirring ability. Accordingly, the present invention also provides a solution to such a problem.

본 발명에서는 반응 용매의 필요량을 초기 투입시 모두 투입하지 않고 일정양을 제외한 량만 초기에 투입한다. 그리고 모든 분말형태의 원료 투입 후에 용액의 원활하고 확실한 용해를 위해 각 분말형태의 원료 투입 후 이용하여 반응기 벽면 및 교반기 등에 잔존해 있는 미용해 분말형태의 원료를 씻어 내리며 용액에 용해 시킨다. 이 과정을 샤워링 공정이라고 칭한다. 그리고 각 샤워링 공정 후에 추가의 방법으로 상기의 반응기의 온도를 40~80℃가량으로 승온하여 교반한다. 또 본 발명과 같은 상용화를 위한 큰 스케일의 반응기의 경우 그 교반 성능의 한계로 인해 반응기 최저 부위에 미용해물이 존재할 가능성이 많으므로 부가적인 방법으로 반응기 최하단에 아르곤이나 질소 등의 불활성 가스를 불어 넣어 반응기 내부의 용액에 버블과 같이 투입되게 하여 교반 성능의 사각지대인 반응기의 최하단의 교반 성능을 추가한다. 이를 버블링 공정이라 한다.In the present invention, the required amount of the reaction solvent is initially supplied only when a certain amount is excluded, not all of the initial amount is supplied. In order to smoothly and reliably dissolve the solution after the introduction of all the powdered raw materials, the raw materials in the form of unsalted powder remaining on the wall of the reactor and the agitator are washed out and dissolved in the solution by using each powder type of the raw materials. This process is called a showering process. After each showering step, the temperature of the reactor is raised to about 40 to 80 DEG C by an additional method and stirred. Also, in the case of a large-scale reactor for commercialization as in the present invention, there is a high possibility that an undissolved product exists in the lowest portion of the reactor due to the limitation of the stirring performance thereof. Therefore, an inert gas such as argon or nitrogen is blown into the bottom of the reactor by an additional method It is added into the solution in the reactor together with the bubbles to add the lowermost stirring performance of the reactor which is a blind spot of the stirring performance. This is called bubbling process.

이때의 불활성 가스의 투입량은 그 투입 밸브 형태 및 용액의 점도에 따라 다양하게 사용될 수 있다.At this time, the amount of the inert gas may be varied depending on the type of the inlet valve and the viscosity of the solution.

상기와 같은 반응기 승온, 샤워링 공정 및 불활성 가스 버블링 공정 등의 용해 방법은 용액의 용해 상태에 따라 모두 진행 될 수도 있고, 1개 이상의 방법만 사용될 수도 있고, 모두 사용될 수도 있다.The dissolving method such as the temperature raising of the reactor, the showering process, and the inert gas bubbling process may be performed according to the dissolution state of the solution, or may be carried out by one or more methods or all of them.

그러나 좋기로는 반응기 승온, 샤워링 과정 및 불활성 가스 버블 투입 등의 용해 방법을 모두 사용하는 것이 유리하다.However, it is advantageous to use all the dissolving methods such as reactor temperature elevation, showering process and inert gas bubble input.

이와 같이 얻어진 폴리아믹산 용액은 용액 40g을 기준할 때 0.5㎛ 이상의 이물이 30개 이하로, 이물이 거의 없다. 여기서 이물이라 함은 광학현미경(배율 약 50~500배)을 통해 육안으로 측정된 이물들이다. The polyamic acid solution thus obtained has 30 or fewer foreign particles of 0.5 탆 or more based on 40 g of the solution, and has few foreign matters. Here, the foreign objects are visually measured objects through an optical microscope (magnification: about 50 to 500 times).

이러한 폴리아믹산 용액을 코팅하여 이미드화함으로써 폴리이미드 코팅층을 형성할 수 있는데, 이미드화막 형성시 적용가능한 이미드화법으로는 열이미드화법, 화학이미드화법, 또는 열이미드화법과 화학이미드화법을 병용하여 적용할 수 있다. 화학이미드화법은 폴리아믹산 용액에 아세트산무수물 등의 산무수물로 대표되는 탈수제와 이소퀴놀린, β-피콜린, 피리딘 등의 3급 아민류 등으로 대표되는 이미드화 촉매를 투입하여 이미드화하는 방법이다. 열이미드화법 또는 열이미드화법과 화학이미드화법을 병용하는 경우 폴리아믹산 용액의 가열 조건은 폴리아믹산 용액의 종류, 요구되는 이미드화막 두께 등에 의하여 변동될 수 있다.The polyimide coating layer can be formed by coating and imidizing the polyamic acid solution. Examples of the imidation method applicable to the formation of the imide film include a thermal imidation method, a chemical imidation method, a thermal imidation method, Can be applied in combination with other methods. In the chemical imidation method, a dehydrating agent represented by an acid anhydride such as acetic anhydride or the like and a imidation catalyst represented by isoquinoline, β-picoline, or tertiary amines such as pyridine are added to the polyamic acid solution to imidize the imidation. When the thermal imidation method or the thermal imidation method and the chemical imidization method are used in combination, the heating conditions of the polyamic acid solution may be varied depending on the type of the polyamic acid solution, the required imide film thickness, and the like.

열이미드화법과 화학이미드화법을 병용하는 경우 이미드화막 형성방법의 예를 보다 구체적으로 설명하면, 폴리아믹산 용액에 탈수제 및 이미드화 촉매를 투입하여 별도의 지지체상에 캐스팅한 후 80~200℃, 바람직하게는 100~180℃에서 가열하여 탈수제 및 이미드화 촉매를 활성화함으로써 부분적으로 경화 및 건조한 후 200∼400℃에서 1∼120분간 가열함으로써 이미드화막을 얻을 수 있다. When a thermal imidization method and a chemical imidization method are used in combination, an example of the imidized film formation method will be described in more detail. The dehydrating agent and the imidization catalyst are put into a polyamic acid solution, cast on a separate support, Deg.] C, preferably 100 to 180 [deg.] C, activating the dehydrating agent and the imidization catalyst, partially curing and drying, and then heating at 200 to 400 [deg.] C for 1 to 120 minutes to obtain an imidized film.

이와 같은 이미드화막 상에 전술한 방법으로 표시소자 부품 등을 순차적으로 적층할 수도 있고, 폴리아믹산 용액에 탈수제 및 이미드화 촉매를 투입한 용액을 표시소자 부품상에 도포한 다음 이미드화막을 형성하여 보호층으로 적용할 수 있다.Display element parts and the like may be sequentially laminated on the imide film as described above. Alternatively, a solution in which a dehydrating agent and an imidation catalyst are put in a polyamic acid solution may be coated on a display element part and an imidized film may be formed It can be applied as a protective layer.

이상 설명한 바와 같이 폴리아믹산 용액을 표시소자에 적용함으로써 열적 안정성이 우수하며 적절한 유연성과 기계적 강도를 지닌 표시소자를 제공할 수 있다.As described above, by applying the polyamic acid solution to the display element, a display element having excellent thermal stability and appropriate flexibility and mechanical strength can be provided.

이하, 본 발명을 실시예를 통하여 보다 상세히 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 실시예로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the scope of the present invention is not limited to the following Examples.

<실시예 1> &Lt; Example 1 >

반응기로써 교반기, 질소주입장치, 미분 주입 장치, 온도조절기, 냉각기 및 필터링 시스템를 부착한 50L 반응기에 질소를 통과시키면서 N,N-디메틸아세트아미드(DMAc) 39,000g을 채운 후, 반응기의 온도를 25℃로 맞추고 p-PDA [para-Phenylene Diamine] 2,013.55g (18.62mol)을 미분 주입장치를 이용해 투입한다. 이 후 교반을 실시하며 용해하여 이 용액을 25℃로 유지하였다. 그리고 N,N-디메틸아세트아미드(DMAc) 1,000g을 이용하여 반응기 벽면 및 교반기 등에 잔존해 있는 미용해 p-PDA를 씻어 내리며 용액에 용해시켰다. 이때 용액의 원활하고 확실한 용해를 위해 반응기의 온도를 40~80℃가량으로 승온하여 교반한다. 또 부가적인 방법으로 본 발명과 같은 상용화를 위한 큰 스케일의 반응기의 경우 그 교반 성능의 한계로 인해 반응기 최저 부위에 미용해물이 존재할 가능성이 많으므로 반응기 최하단에 아르곤이나 질소 등의 불활성 가스를 불어 넣어 반응기 내부의 용액에 버블과 같이 투입되게 하여 교반 성능의 사각지대인 반응기의 최하단의 교반 성능을 추가한다.N, N-dimethylacetamide (DMAc) (39,000 g) was charged into a 50 L reactor equipped with a stirrer, a nitrogen injection device, a differential injection device, a temperature controller, a condenser and a filtering system, And 2,013.55 g (18.62 mol) of p-PDA [para-Phenylene Diamine] is injected using a differential injection device. This was followed by stirring and dissolution to maintain the solution at 25 占 폚. Then, 1,000 g of N, N-dimethylacetamide (DMAc) was used to wash off the undissolved p-PDA remaining on the reactor wall surface and the stirrer and dissolve in the solution. At this time, the temperature of the reactor is raised to 40 to 80 ° C and stirred for smooth and reliable dissolution of the solution. In addition, in the case of a large-scale reactor for commercialization such as the present invention as an additional method, there is a high possibility that an undissolved matter exists in the lowest portion of the reactor due to the limit of the stirring performance thereof. Therefore, an inert gas such as argon or nitrogen is blown into the bottom of the reactor It is added into the solution in the reactor together with the bubbles to add the lowermost stirring performance of the reactor which is a blind spot of the stirring performance.

이후 상기의 p-PDA 완전 용해를 확인 한 후 다시 반응기의 온도를 25℃로 맞추고 BPDA [3,3',4,4' -Biphenyltetracarboxylic Dianhydride] 1,627.06g(5.53mol)을 미분 주입장치를 이용해 투입한다. 이 후 교반을 실시하며 용해하여 이 용액을 25℃로 유지하였다. 그리고 N,N-디메틸아세트아미드(DMAc) 2,000g을 이용하여 반응기 벽면 및 교반기 등에 잔존해 있는 미용해 BPDA를 씻어 내리며 용액에 용해시킨다. 반응기의 온도는 40~80℃가량으로 승온하여 교반한다. 또 반응기 최하단에 아르곤이나 질소 등의 불활성 가스를 불어 넣어 반응기 내부의 용액에 버블과 같이 투입되게 한다. After confirming the complete dissolution of the p-PDA, the temperature of the reactor was adjusted to 25 ° C and 1,627.06 g (5.53 mol) of BPDA [3,3 ', 4,4'-Biphenyltetracarboxylic Dianhydride] . This was followed by stirring and dissolution to maintain the solution at 25 占 폚. Then, 2,000 g of N, N-dimethylacetamide (DMAc) is used to wash off the un-dissolved BPDA remaining on the reactor wall surface and the agitator, etc., and dissolve in the solution. The temperature of the reactor is raised to about 40 to 80 DEG C and stirred. In addition, an inert gas such as argon or nitrogen is blown into the bottom of the reactor so as to be injected into the solution in the reactor together with the bubbles.

이후 상기의 BPDA 완전 용해를 확인 한 후 다시 반응기의 온도를 25℃로 맞추고 PMDA [Pyromellitic Dianhydride] 2,814.52g(12.90mol)을 미분 주입장치를 이용해 투입한다. 이때 PMDA의 경우 상기의 량을 한번에 투입하여도 되고 일정 시간 간격(10분~3시간)을 두고 2~5번에 나눠서 투입하여도 된다.After confirming the complete dissolution of BPDA, the temperature of the reactor is adjusted to 25 ° C. and 2,814.52 g (12.90 mol) of PMDA [Pyromellitic Dianhydride] is introduced into the reactor using a differential powder injector. At this time, the amount of the PMDA may be supplied at once or may be divided into 2 to 5 times at a predetermined time interval (10 minutes to 3 hours).

*좋기로는 최종 투입량의 약 99wt%를 먼저 투입하고 일정 시간(30분에서 1시간) 반응 후 그 점도등을 통해 반응진행 정도 혹은 중합도를 간접적으로 테스트 후 잉여량을 0.5wt%씩 단계별로 투입하는 방법이 유리하다.* It is recommended to inject about 99 wt% of the final charge first, and after a certain period of time (30 min to 1 hour), test the degree of reaction or degree of polymerization indirectly through the viscosity etc., and then add the amount of step by step of 0.5 wt% Is advantageous.

각 투입 단계 별로 N,N-디메틸아세트아미드(DMAc)을 이용하여 반응기 벽면 및 교반기 등에 잔존해 있는 미용해 PMDA를 씻어내리며 용액에 용해시킨다. 이 샤워링 과정의 경우 PMDA의 단계가 2~5번에 해당하므로 매 단계의 샤워링 과정 시에 소요 N,N-디메틸아세트아미드(DMAc) 량의 총량은 1,500g으로 한다.By using N, N-dimethylacetamide (DMAc) for each charging step, undissolved PMDA remaining on the wall of the reactor and the stirrer is washed away and dissolved in the solution. The amount of N, N-dimethylacetamide (DMAc) required in each step of the showering process is 1,500 g, since the step of PMDA corresponds to 2 to 5 times in this showering process.

반응기의 온도는 40~80℃가량으로 승온하여 교반한다. 또 반응기 최하단에 아르곤이나 질소 등의 불활성 가스를 불어 넣어 반응기 내부의 용액에 버블과 같이 투입되게 한다. The temperature of the reactor is raised to about 40 to 80 DEG C and stirred. In addition, an inert gas such as argon or nitrogen is blown into the bottom of the reactor so as to be injected into the solution in the reactor together with the bubbles.

마지막으로 상기와 같은 방법으로 중합된 용액을 포어 크기가 1㎛인 필터를 통해 이물제거 공정인 필터링 공정을 거친다. 본 필터링 공정의 필터 타입, 재질 및 형태는 특별히 한정받지 않는다.Finally, the polymerized solution is filtered through a filter having a pore size of 1 mu m to remove impurities. The filter type, material and shape of the filtering process are not particularly limited.

이후 24시간동안 교반하여 점도 100 poise의 폴리아믹산 용액(Mw = 110,000)을 얻었다. 이때 폴리아믹산 용액의 점도측정은 브룩필드 비스코미터를 이용하여 측정한 값이다.Thereafter, the solution was stirred for 24 hours to obtain a polyamic acid solution having a viscosity of 100 poise (Mw = 110,000). The viscosity of the polyamic acid solution was measured using a Brookfield viscometer.

플렉시블 디스플레이용 기재층 또는 보호층으로 사용됨을 모사하고 평가하기 위하여, 얻어진 폴리아믹산 용액을 진공 탈포한 후 상온으로 냉각하고 스테인레스판에 60~100㎛의 두께로 캐스팅하여 150℃의 열풍으로 10분간 건조한 후, 450℃까지 승온하여 30분간 가열한 다음 서서히 냉각해 지지체로부터 분리하여 두께 10~15㎛의 폴리이미드 막을 수득하였다.In order to simulate and evaluate the use as a substrate layer or a protective layer for a flexible display, the obtained polyamic acid solution was defoamed in vacuo, cooled to room temperature, cast on a stainless steel plate to a thickness of 60 to 100 탆 and dried in hot air at 150 캜 for 10 minutes Thereafter, the temperature was raised to 450 占 폚, and the mixture was heated for 30 minutes, then slowly cooled and separated from the support to obtain a polyimide film having a thickness of 10 to 15 占 퐉.

<실시예 2> &Lt; Example 2 >

상기의 실시예 1과 동일하되 PMDA [Pyromellitic Dianhydride] 3,288.28g(15.07mol)와 BPDA [3,3',4,4' -Biphenyltetracarboxylic Dianhydride] 1,108.88g(3.77mol)로 조성을 변경하여 실시하였다.The composition was changed to 3,288.28 g (15.07 mol) of PMDA [Pyromellitic Dianhydride] and 1,108.88 g (3.77 mol) of BPDA [3,3 ', 4,4'-Biphenyltetracarboxylic Dianhydride] in the same manner as in Example 1 above.

<실시예 3> &Lt; Example 3 >

상기의 실시예 1과 동일하되 PMDA [Pyromellitic Dianhydride] 3,783.63g(17.35mol)와 BPDA [3,3',4,4' -Biphenyltetracarboxylic Dianhydride] 567.08g(1.93mol)로 조성을 변경하여 실시하였다. (17.35 mol) of PMDA [Pyromellitic Dianhydride] and 567.08 g (1.93 mol) of BPDA [3,3 ', 4,4'-Biphenyltetracarboxylic Dianhydride] in the same manner as in Example 1 above.

<실시예 4> <Example 4>

상기의 실시예 1과 동일하되 동일 스펙의 필터로 필터링을 2회 변경 실시하였다.Filtering was performed twice in the same manner as in Example 1, except that the filter was the same specification.

<실시예 5> &Lt; Example 5 >

상기의 실시예 1과 동일하되 필터 사이즈를 0.5㎛ 스펙의 필터로 필터링을 변경 실시하였다.Filtering was performed in the same manner as in Example 1 except that the filter size was changed to a filter having a specification of 0.5 mu m.

<실시예 6> &Lt; Example 6 >

상기의 실시예 1과 동일하되 PMDA [Pyromellitic Dianhydride] 2,360.98g(10.82mol)와 BPDA [3,3',4,4' -Biphenyltetracarboxylic Dianhydride] 2,123.14g(7.22mol)로 조성을 변경하여 실시하였다.The same procedure as in Example 1 was carried out except that 2,360.98 g (10.82 mol) of PMDA [Pyromellitic Dianhydride] and 2,123.14 g (7.22 mol) of BPDA [3,3 ', 4,4'-Biphenyltetracarboxylic Dianhydride] were changed.

<참고예 1>&Lt; Reference Example 1 &

반응기로써 교반기, 질소주입장치, 미분 주입 장치, 온도조절기, 냉각기 및 필터링 시스템를 부착한 50L 반응기에 질소를 통과시키면서 N,N-디메틸아세트아미드(DMAc) 39,000g을 채운 후, 반응기의 온도를 25℃로 맞추고 p-PDA [para-Phenylene Diamine] 2,013.55g (18.62mol)을 미분 주입장치를 이용해 투입한다. 이 후 교반을 실시하며 용해하여 이 용액을 25℃로 유지하였다. 그리고 N,N-디메틸아세트아미드(DMAc) 1,000g을 이용하여 반응기 벽면 및 교반기 등에 잔존해 있는 미용해 p-PDA를 씻어 내리며 용액에 용해시킨다. 이때 용액의 원활하고 확실한 용해를 위해 반응기의 온도를 40~80℃가량으로 승온하여 교반한다. 또 부가적인 방법으로 본 발명과 같은 상용화를 위한 큰 스케일의 반응기의 경우 그 교반 성능의 한계로 인해 반응기 최저 부위에 미용해물이 존재할 가능성이 많으므로 반응기 최하단에 아르곤이나 질소 등의 불활성 가스를 불어 넣어 반응기 내부의 용액에 버블과 같이 투입되게 하여 교반 성능의 사각지대인 반응기의 최하단의 교반 성능을 추가한다.N, N-dimethylacetamide (DMAc) (39,000 g) was charged into a 50 L reactor equipped with a stirrer, a nitrogen injection device, a differential injection device, a temperature controller, a condenser and a filtering system, And 2,013.55 g (18.62 mol) of p-PDA [para-Phenylene Diamine] is injected using a differential injection device. This was followed by stirring and dissolution to maintain the solution at 25 占 폚. Then, 1,000 g of N, N-dimethylacetamide (DMAc) is used to wash off undissolved p-PDA remaining in the reactor wall and stirrer, etc. and dissolve in the solution. At this time, the temperature of the reactor is raised to 40 to 80 ° C and stirred for smooth and reliable dissolution of the solution. In addition, in the case of a large-scale reactor for commercialization such as the present invention as an additional method, there is a high possibility that an undissolved matter exists in the lowest portion of the reactor due to the limit of the stirring performance thereof. Therefore, an inert gas such as argon or nitrogen is blown into the bottom of the reactor It is added into the solution in the reactor together with the bubbles to add the lowermost stirring performance of the reactor which is a blind spot of the stirring performance.

이후 상기의 p-PDA 완전 용해를 확인 한 후 다시 반응기의 온도를 25℃로 맞추고 BPDA [3,3',4,4' -Biphenyltetracarboxylic Dianhydride] 2,598.48g(8.83mol)을 미분 주입장치를 이용해 투입한다. 이 후 교반을 실시하며 용해하여 이 용액을 25℃로 유지하였다. 그리고 N,N-디메틸아세트아미드(DMAc) 2,000g을 이용하여 반응기 벽면 및 교반기 등에 잔존해 있는 미용해 BPDA를 씻어내리며 용액에 용해 시킨다. 반응기의 온도는 40~80℃가량으로 승온하여 교반한다. 또 반응기 최하단에 아르곤이나 질소 등의 불활성 가스를 불어 넣어 반응기 내부의 용액에 버블과 같이 투입되게 한다. After confirming the complete dissolution of the p-PDA, the temperature of the reactor was adjusted to 25 ° C and 2,598.48 g (8.83 mol) of BPDA [3,3 ', 4,4'-Biphenyltetracarboxylic Dianhydride] . This was followed by stirring and dissolution to maintain the solution at 25 占 폚. Then, 2,000 g of N, N-dimethylacetamide (DMAc) is used to wash off the un-dissolved BPDA remaining on the reactor wall surface and the agitator, etc., and dissolve in the solution. The temperature of the reactor is raised to about 40 to 80 DEG C and stirred. In addition, an inert gas such as argon or nitrogen is blown into the bottom of the reactor so as to be injected into the solution in the reactor together with the bubbles.

이후 상기의 BPDA 완전 용해를 확인 한 수 다시 반응기의 온도를 25℃로 맞추고 PMDA [Pyromellitic Dianhydride] 1,926.38g(8.83mol)을 미분 주입장치를 이용해 투입한다. 이때 PMDA의 경우 상기의 량을 한번에 투입하여도 되고 일정 시간 간격(10분~3시간)을 두고 2~5번에 나눠서 투입하여도 된다.After the complete dissolution of BPDA was confirmed, the temperature of the reactor was adjusted to 25 ° C and 1,926.38 g (8.83 mol) of PMDA [Pyromellitic Dianhydride] was added using a differential powder injector. At this time, the amount of the PMDA may be supplied at once or may be divided into 2 to 5 times at a predetermined time interval (10 minutes to 3 hours).

좋기로는 최종 투입량의 약 99wt%를 먼저 투입하고 일정 시간(30분에서 1시간) 반응 후 그 점도등을 통해 반응진행 정도 혹은 중합도를 간접적으로 테스트 후 잉여량을 0.5wt%씩 단계별로 투입하는 방법이 유리하다.It is recommended to inject about 99 wt% of the final charge first, and after a certain period of time (30 minutes to 1 hour), test the degree of reaction or degree of polymerization indirectly through the viscosity, etc., and then add the remaining amount by 0.5 wt% The method is advantageous.

각 투입 단계 별로 N,N-디메틸아세트아미드(DMAc)을 이용하여 반응기 벽면 및 교반기 등에 잔존해 있는 미용해 PMDA를 씻어내리며 용액에 용해 시킨다. 이 샤워링 과정의 경우 PMDA의 단계가 2~5번에 해당하므로 매 단계의 샤워링 과정 시에 소요 N,N-디메틸아세트아미드(DMAc) 량의 총량은 1,500g으로 한다. By using N, N-dimethylacetamide (DMAc) for each charging step, undissolved PMDA remaining on the wall of the reactor and the stirrer is washed away and dissolved in the solution. The amount of N, N-dimethylacetamide (DMAc) required in each step of the showering process is 1,500 g, since the step of PMDA corresponds to 2 to 5 times in this showering process.

반응기의 온도는 40~80℃가량으로 승온하여 교반한다. 또 반응기 최하단에 아르곤이나 질소 등의 불활성 가스를 불어 넣어 반응기 내부의 용액에 버블과 같이 투입되게 한다. The temperature of the reactor is raised to about 40 to 80 DEG C and stirred. In addition, an inert gas such as argon or nitrogen is blown into the bottom of the reactor so as to be injected into the solution in the reactor together with the bubbles.

마지막으로 상기와 같은 방법으로 중합된 용액을 포어 크기가 1㎛인 필터를 통해 이물제거 공정인 필터링 공정을 거친다.Finally, the polymerized solution is filtered through a filter having a pore size of 1 mu m to remove impurities.

본 필터링 공정의 필터 타입, 재질 및 형태는 특별히 한정받지 않는다.The filter type, material and shape of the filtering process are not particularly limited.

이후 24시간동안 교반하여 점도 100 poise의 폴리아믹산 용액(Mw=110,000)을 얻었다. 이때 폴리아믹산 용액의 점도측정은 브룩필드 비스코미터를 이용하여 측정한 값이다.Thereafter, the solution was stirred for 24 hours to obtain a polyamic acid solution having a viscosity of 100 poise (Mw = 110,000). The viscosity of the polyamic acid solution was measured using a Brookfield viscometer.

플렉시블 디스플레이용 기재층 또는 보호층으로 사용됨을 모사하고 평가하기 위하여, 얻어진 폴리아믹산 용액을 진공 탈포한 후 상온으로 냉각하고 스테인레스판에 60~100㎛의 두께로 캐스팅하여 150℃의 열풍으로 10분간 건조한 후, 450℃까지 승온하여 30분간 가열한 다음 서서히 냉각해 지지체로부터 분리하여 두께 10~15㎛의 폴리이미드 막을 수득하였다.In order to simulate and evaluate the use as a substrate layer or a protective layer for a flexible display, the obtained polyamic acid solution was defoamed in vacuo, cooled to room temperature, cast on a stainless steel plate to a thickness of 60 to 100 탆 and dried in hot air at 150 캜 for 10 minutes Thereafter, the temperature was raised to 450 占 폚, and the mixture was heated for 30 minutes, then slowly cooled and separated from the support to obtain a polyimide film having a thickness of 10 to 15 占 퐉.

<참고예 2><Reference Example 2>

상기의 참고예 1과 동일하되 PMDA [Pyromellitic Dianhydride] 1,509.57g(6.92mol)와 BPDA [3,3',4,4' -Biphenyltetracarboxylic Dianhydride] 3,054.38g(10.38mol)로 조성을 변경하여 실시하였다.The same procedure as in Reference Example 1 was carried out except that the composition was changed to 1,509.57 g (6.92 mol) of PMDA [Pyromellitic Dianhydride] and 3,054.38 g (10.38 mol) of BPDA [3,3 ', 4,4'-Biphenyltetracarboxylic Dianhydride].

<참고예 3><Reference Example 3>

상기의 참고예 1과 동일하되 PMDA [Pyromellitic Dianhydride] 1,109.48g(5.09mol)와 BPDA [3,3' ,4,4' -Biphenyltetracarboxylic Dianhydride] 3,491.99g(11.87mol)로 조성을 변경하여 실시하였다.(5.09 mol) of PMDA [Pyromellitic Dianhydride] and 3,491.99 g (11.87 mol) of BPDA [3,3 ', 4,4'-Biphenyltetracarboxylic Dianhydride] in the same manner as in Reference Example 1,

<참고예 4><Reference Example 4>

상기의 참고예 1과 동일하되 PMDA [Pyromellitic Dianhydride] 725.11g(3.32mol)와 BPDA [3,3',4,4' -Biphenyltetracarboxylic Dianhydride] 3,912.39g(13.30mol)로 조성을 변경하여 실시하였다.The same procedure as in Reference Example 1 was carried out except that 725.11 g (3.32 mol) of PMDA [Pyromellitic Dianhydride] and 3,912.39 g (13.30 mol) of BPDA [3,3 ', 4,4'-Biphenyltetracarboxylic Dianhydride] were changed.

<참고예 5><Reference Example 5>

상기의 참고예 1과 동일하되 PMDA [Pyromellitic Dianhydride] 355.57g(1.63mol)와 BPDA [3,3',4,4' -Biphenyltetracarboxylic Dianhydride] 4,316.59g(14.67mol)로 조성을 변경하여 실시하였다.The same procedure as in Reference Example 1 was carried out except that 355.57 g (1.63 mol) of PMDA [Pyromellitic Dianhydride] and 4,316.59 g (14.67 mol) of BPDA [3,3 ', 4,4'-Biphenyltetracarboxylic Dianhydride] were changed.

<참고예 6><Reference Example 6>

상기의 실시예 1과 동일하되 필터링을 실시하지 않았다.The same as Example 1, but no filtering was performed.

<참고예 7><Reference Example 7>

상기의 실시예 1과 동일하되 필터 사이즈를 3㎛ 스펙의 필터로 필터링을 변경 실시하였다.Filtering was performed in the same manner as in Example 1 except that the filter size was changed to a filter having a specification of 3 mu m.

<참고예 8><Reference Example 8>

상기의 실시예 1과 동일하되 p-PDA [para-Phenylene Diamine] 대신에, APAB [2-(4-aminophenyl)-5-aminobenzoxazole] 4,194.12g(18.62mol)로 투입 조성을 변경하여 실시하였다.The same procedure as in Example 1 was carried out except that 4,194.12 g (18.62 mol) of APAB [2- (4-aminophenyl) -5-aminobenzoxazole] was used instead of p-PDA [para-phenylene diamine].

<참고예 9><Reference Example 9>

상기의 실시예 1과 동일하되 p-PDA [para-Phenylene Diamine] 대신에, ODA [3,3-Oxydianilne] 2,013.55g(18.62mol)로 투입 조성을 변경하여 실시하였다The same procedure as in Example 1 was carried out except that 2,013.55 g (18.62 mol) of ODA [3,3-Oxydianilne] was used instead of p-PDA [para-Phenylene Diamine]

<참고예 10><Reference Example 10>

상기의 실시예 1과 동일하되 원료 투입 후 샤워링 공정을 실시하지 않았다.The procedure of Example 1 was the same as that of Example 1 except that the showering step was not performed after the feedstock was charged.

<참고예 11><Reference Example 11>

상기의 실시예 1과 동일하되 원료 투입 후 용해 과정 중 불활성 가스 버블 과정을 실시하지 않았다.The same procedure as in Example 1 was performed except that the inert gas bubbling process was not performed during the dissolution process after the feedstock was charged.

(1) 열팽창율(Coefficient of Thermal Expansion)(1) Coefficient of Thermal Expansion

열팽창율의 측정에 앞서서 해당샘플은 450℃에서 10분간 어닐링을 실시하였다. 열팽창율의 측정방법은 폴리이미드 코팅층 샘플의 일부를 폭 4mm × 길 24mm로 잘라 TA사의 열기계 분석장치(Thermal Mechanical Apparatus)를 이용해 열팽창계수값(Coefficient of thermal expansion)을 측정함으로써 실시하였다. 샘플을 지지대에 걸고 50mN의 힘을 가한 뒤에 질소분위기에서 50℃에서 450℃까지 승온속도 5℃/min으로 가열하여 열팽창율을 측정하였다. 열팽창율은 50℃에서 450℃ 범위 내에서 소수점 첫째자리까지 구하였으며 단위는 [℃/ppm] 으로 표현된다.Prior to the measurement of the thermal expansion rate, the sample was annealed at 450 占 폚 for 10 minutes. The thermal expansion rate was measured by cutting a part of the polyimide coating layer into a width of 4 mm × a length of 24 mm and measuring the coefficient of thermal expansion using a TA mechanical thermo-mechanical analyzer. The sample was placed on a support and subjected to a force of 50 mN, and then the thermal expansion rate was measured by heating at 50 DEG C to 450 DEG C in a nitrogen atmosphere at a heating rate of 5 DEG C / min. The coefficient of thermal expansion ranges from 50 ° C to 450 ° C to the first decimal place and is expressed in [° C / ppm].

(2) 열분해온도(2) Pyrolysis temperature

열분해온도는 퍼킨엘머사의 TGA 측정장치를 사용하여 열분해온도를 측정하였다. 3mm×3mm의 크기로 이미드막을 잘게 자르고 전처리 및 칭량된 Fan에 얹은 후 110℃에서 30분간 단열처리하고 상온으로 냉각한 뒤, 다시 600도까지 분당 5℃의 속도로 가열하여 중량감소를 측정하였다. 열분해온도는 중량감소비율이 최초 로딩한 이미드막의 무게대비 1%로 정하여 계산하였다. The pyrolysis temperature was measured using a TGA measuring apparatus of Perkin Elmer. The imide film was finely cut into a size of 3 mm x 3 mm, placed on a pre-treated and weighed fan, heat-treated at 110 ° C for 30 minutes, cooled to room temperature and then heated to 600 ° C at a rate of 5 ° C per minute to measure weight loss . The pyrolysis temperature was calculated by setting the weight consumption rate to 1% of the weight of the imide membrane loaded first.

(3) 이물(3) Foreign body

이물 분석은 제작된 제품 40g(370mm * 470mm 크기의 디스플레이 제조시 사용되는 량)을 NMP[N-메틸-2-피롤리돈] 희석시킨다(제품 40g + 용매 360g = 총 400g).For the foreign material analysis, 40 g of the manufactured product (the amount used in the manufacture of the display of the size of 370 mm * 470 mm) is diluted with NMP [N-methyl-2-pyrrolidone] (40 g of product + 360 g of solvent = 400 g in total).

희석된 400g의 용액을 진공을 더하여 0.5㎛ 필터로 필터링을 실시한다. 상기의 필터를 약 80℃오븐에서 건조시킨다. 단, 이때 이물이 추가 유입되지 않도록 밀봉을 최대한 실시한다. 건조된 필터를 광학 현미경등을 사용하여 그 이물의 개수를 센다.400 g of the diluted solution was added with a vacuum and filtered with a 0.5 탆 filter. The above filter is dried in an oven at about 80 캜. However, at this time, the sealing should be performed as much as possible so as to prevent further inflow of foreign matter. The dried filter is counted by using an optical microscope or the like.

구분division 조성(몰비%)Composition (molar ratio%) 필터링Filtering 열팽창율
[ppm/]
Thermal expansion rate
[ppm /]
열분해온도
[]
Pyrolysis temperature
[]
두께
[]
thickness
[]
이물
[ea]
bow
[ea]
디안하이드라이드Dianhydride 디아민Diamine PMDAPMDA BPDABPDA p-PDAp-PDA APABAPAB ODAROOM 실시예 1Example 1 7070 3030 100100 00 00 1, 1회1, 1 time 0.980.98 525525 1212 2121 실시예 2Example 2 8080 2020 100100 00 00 1, 1회1, 1 time 1.581.58 533533 1212 2424 실시예 3Example 3 9090 1010 100100 00 00 1, 1회1, 1 time -2.50-2.50 535535 1010 1717 실시예 4Example 4 7070 3030 100100 00 00 1, 2회1, 2 times 0.980.98 525525 1111 99 실시예 5Example 5 7070 3030 100100 00 00 0.5, 1회0.5, 1 time 0.980.98 525525 1212 55 실시예 6Example 6 6060 4040 100100 00 00 1, 1회1, 1 time 2.542.54 522522 1111 2020 참고예 1Reference Example 1 5050 5050 100100 00 00 1, 1회1, 1 time 6.356.35 520520 1111 1818 참고예 2Reference Example 2 4040 6060 100100 00 00 1, 1회1, 1 time 13.613.6 515515 1010 2121 참고예 3Reference Example 3 3030 7070 100100 00 00 1, 1회1, 1 time 16.6916.69 513513 1111 1010 참고예 4Reference Example 4 2020 8080 100100 00 00 1, 1회1, 1 time 17.6817.68 505505 1111 2727 참고예 5Reference Example 5 1010 9090 100100 00 00 1, 1회1, 1 time 17.7317.73 495495 1111 1313 참고예 6Reference Example 6 7070 3030 100100 00 00 XX 0.980.98 525525 1212 50개 이상More than 50 참고예 7Reference Example 7 7070 3030 100100 00 00 3, 1회3, 1 time 0.980.98 525525 1212 50개이상More than 50 참고예 8Reference Example 8 7070 3030 00 100100 00 1, 1회1, 1 time 9.889.88 540540 1111 2525 참고예 9Reference Example 9 7070 3030 00 00 100100 1, 1회1, 1 time 50.3350.33 525525 1212 1919 참고예 10Reference Example 10 7070 3030 100100 00 00 샤워링 과정 X
중합 X (50 poise 이하)
Showering process X
Polymerization X (less than 50 poise)
참고예 11Reference Example 11 7070 3030 100100 00 00 불활성 가스 버블 과정 X
중합 X (50 poise 이하)
Inert gas bubble process X
Polymerization X (less than 50 poise)

상기 물성 평가 결과, 본 발명의 실시예에 의한 폴리아믹산 용액은 이미드화 및 코팅하는 데는 문제가 없었다. 실시예 1 ~ 6에 의한 폴리아믹산 용액으로부터 얻어지는 폴리이미드 코팅층은 50~450℃ 온도범위에서 열팽창율 측정 결과가 5ppm/℃이하이면서 열분해온도가 500℃이상이므로 고온공정에서 우수한 치수안정성을 확보하면서도 휘발 물질을 유발하지 않음을 기대할 수 있다.As a result of the physical property evaluation, the polyamic acid solution according to the embodiment of the present invention had no problem in imidation and coating. The polyimide coating layer obtained from the polyamic acid solution according to Examples 1 to 6 has a thermal expansion coefficient of 5 ppm / ° C or less and a pyrolysis temperature of 500 ° C or higher at a temperature range of 50 to 450 ° C, It can be expected that it does not induce the substance.

거기에 실시예 1 ~ 6에 의한 폴리이미드 코팅층은 그 이물의 개수 역시 30개 이하로 디스플레이 제조시 그 디스플레이 물성저하나 불량 발생 등을 야기 하지 않음을 기대할 수 있다. It is expected that the polyimide coating layer according to Examples 1 to 6 has not more than 30 foreign particles, thereby causing no deterioration of the display properties of the display or occurrence of defects during the display production.

이에 비하여 참고예1 ~ 5 내지는 참고예 8~9에 의한 폴리아믹산 용액으로 형성된 폴리이미드 코팅층은 열분해온도는 만족스러우나 열팽창율이 5ppm/℃을 초과하므로 실시예들에 의한 폴리아믹산 용액에 비해 표시소자의 기재층이나 보호층 형성에 사용시 덜 최적할 것임을 알 수 있다.On the other hand, the polyimide coating layer formed of the polyamic acid solution according to Reference Examples 1 to 5 and Reference Examples 8 to 9 is satisfactory in thermal decomposition temperature but has a thermal expansion rate exceeding 5 ppm / It can be understood that it is less optimal when used for forming the base layer or the protective layer of the substrate.

그리고 참고예 6~7에 의한 폴리이미드 코팅층은 그 이물의 개수가 30개 초과로 디스플레이 제조시 그 디스플레이 물성 저하나 불량 발생등을 야기 시킬 가능성이 매우 커 디스플레이 표시 소자의 기재층이나 보호층 형성에 사용시 덜 최적할 것임을 알 수 있다.The polyimide coating layer according to Reference Examples 6 to 7 has a number of foreign particles of more than 30, which is very likely to cause poor display properties or defects in the display manufacturing process, It can be seen that it is less optimal when used.

따라서 폴리아믹산 용액은 유연성이 요구되는 표시소자용 기재층 또는 보호층에도 적용이 가능하며, 특히 실시예들에 의한 폴리아믹산 용액이 최적한 것임을 알 수 있다.Therefore, the polyamic acid solution can be applied to a substrate layer or a protective layer for a display device requiring flexibility, and the polyamic acid solution according to the embodiments is particularly optimal.

또한, 폴리아믹산 용액으로 형성된 폴리이미드 코팅층은 고정을 위하여 사용되는 지지판(금속박, 유리판 등)에 접착제를 사용할 필요가 없으므로 접착을 위한 추가공정이 발생하지 않아 공정이 간소화될 수 있음을 알 수 있다.In addition, since the polyimide coating layer formed of the polyamic acid solution does not require the use of an adhesive for the supporting plate (metal foil, glass plate, etc.) used for fixing, it can be seen that the additional process for bonding does not occur and the process can be simplified.

또한, 실시예에 의한 폴리아믹산 용액을 적용하여 표시소자를 제조하는 경우 온도에 크게 구애받지 않으므로, 표시소자 제조공정 설계가 용이함을 알 수 있다.In addition, when the display device is manufactured by applying the polyamic acid solution according to the embodiment, the display device manufacturing process can be easily designed since the temperature is not significantly affected.

Claims (9)

방향족 디안하이드라이드류와 방향족 디아민류의 반응 생성물이고,
이미드화막 형성시 50~450℃의 온도범위에서의 열팽창율(Thermal Expansion Coefficient)이 5ppm/℃ 이하이고, 열중량분석기에 의해 열분해 측정시 중량감소비율이 1%에 도달되는 시점의 온도로 정의되는 열분해온도가 500℃ 이상인,
표시소자의 기재층 또는 보호층 형성용 폴리아믹산 용액.
A reaction product of an aromatic dianhydride and an aromatic diamine,
Is defined as the temperature at which the thermal expansion coefficient at a temperature range of 50 to 450 ° C is 5 ppm / ° C or less in the formation of the imide film and the weight consumption rate at the time of pyrolysis measurement reaches 1% A thermal decomposition temperature of 500 ° C or higher,
A polyamic acid solution for forming a substrate layer or a protective layer of a display element.
제1항에 있어서, 반응 생성물은 방향족 환 사이에 -O-, -CO-, -NHCO-, -S-, -SO2-, -CO-O-, -CH2- 및 -C(CH3)2- 사슬을 포함하지 않는 경성 방향족 디안하이드라이드류와 경성 방향족 디아민류의 반응 생성물인, 표시소자의 기재층 또는 보호층 형성용 폴리아믹산 용액.
The method of claim 1 wherein the reaction product is -O- in the aromatic ring, -CO-, -NHCO-, -S-, -SO 2 -, -CO-O-, -CH 2 - and -C (CH 3 ) Polyamic acid solution for forming a base layer or a protective layer of a display element which is a reaction product of a hard aromatic diallyl high hydride containing no 2 - chain and a hard aromatic diamine.
제1항 또는 제2항에 있어서, 반응 생성물은 방향족 디아민류로 파라-페닐렌디아민, 방향족 디안하이드라이드류로 파이로멜리트산 이무수물과 비페닐테트라카르복실산 이무수물과의 반응 생성물인, 표시소자의 기재층 또는 보호층 형성용 폴리아믹산 용액.
3. The process according to claim 1 or 2, wherein the reaction product is a reaction product of para-phenylenediamine as an aromatic diamine, pyromellitic dianhydride as an aromatic dianhydride and biphenyl tetracarboxylic dianhydride, A polyamic acid solution for forming a substrate layer or a protective layer of a display element.
제3항에 있어서, 반응 생성물은 비페닐테트라카르복실산 이무수물을 방향족 디안하이드라이드류 중 최대 40몰%로 포함하는 것인, 표시소자의 기재층 또는 보호층 형성용 폴리아믹산 용액.
4. The polyamic acid solution for forming a base layer or protective layer of a display element according to claim 3, wherein the reaction product comprises biphenyltetracarboxylic dianhydride in a maximum of 40 mol% in aromatic dianhydride.
제1항에 있어서, 점도가 50~5,000 poise인, 표시소자의 기재층 또는 보호층 형성용 폴리아믹산 용액.
The polyamic acid solution for forming a base layer or a protective layer of a display element according to claim 1, having a viscosity of 50 to 5000 poise.
제1항에 있어서, 반응 생성물은 제조 스케일이 한번 중합 시 5L 이상인, 표시소자의 기재층 또는 보호층 형성용 폴리아믹산 용액.
The polyamic acid solution for forming a base layer or protective layer of a display element according to claim 1, wherein the reaction product has a production scale of 5 L or more at the time of polymerization.
제1항의 폴리아믹산 용액으로부터 형성된 폴리이미드 코팅층.
A polyimide coating layer formed from the polyamic acid solution of claim 1.
제7항의 폴리이미드 코팅층을 보호층으로 포함하는 표시소자.
A display device comprising the polyimide coating layer of claim 7 as a protective layer.
제7항의 폴리이미드 코팅층을 기재층으로 포함하는 표시소자.
A display element comprising the polyimide coating layer of claim 7 as a substrate layer.
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WO2018216853A1 (en) * 2017-05-23 2018-11-29 주식회사 대림코퍼레이션 Method for manufacturing polyamic acid resin having easy laser separation property and high heat resistance and polyimide film manufactured using same

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WO2018216853A1 (en) * 2017-05-23 2018-11-29 주식회사 대림코퍼레이션 Method for manufacturing polyamic acid resin having easy laser separation property and high heat resistance and polyimide film manufactured using same

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