KR20150101563A - Linear source for OLED deposition apparatus - Google Patents

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Abstract

The present invention aims to provide a source for an OLED deposition apparatus, wherein an evaporation rate measurement sensor for measuring an evaporation rate can accurately measure an evaporation rate without affecting a deposition process. The source for an OLED deposition apparatus according to the present invention including a deposition chamber (10) inside which a substrate (S) for deposition is loaded and one or more sources (20) which heat and evaporate a deposition material so as for the deposition material to be evaporated from the substrate (S) installed inside the deposition chamber (10) includes: a source body (110) wherein a plurality of nozzles (111) are linearly arranged and discharge the deposition material; and an assistance nozzle (120) which is installed on at least one of both ends in the longitudinal direction of the source body (110) and has a discharge hole (122) in the same direction as a discharge hole (112) of the nozzles (111). The discharge hole (122) communicates with the inside of the source body (110) and the evaporation rate measurement sensor (210) for measuring an evaporate rate of a deposition material is installed adjacent to the discharge hole (122), thereby accurately measuring an evaporation rate without the evaporation rate measurement sensor for measuring an evaporation rate of a source affecting a deposition process.

Description

OLED 증착기 소스 {Linear source for OLED deposition apparatus}[0001] The present invention relates to an OLED deposition source,

본 발명은 OLED 증착기에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 증착물질를 증발시켜 OLED 기판표면에 박막을 형성하는 OLED 증착기 소스에 관한 것이다.The present invention relates to an OLED deposition apparatus, and more particularly, to an OLED deposition source that forms a thin film on an OLED substrate surface by evaporating deposition materials.

증착기란, 반도체 제조용 웨이퍼, LCD 제조용 기판, AMOLED 제조용 기판 등 기판의 표면에 CVD, PVD, 증발증착 등 박막을 형성하는 장치를 말한다.An evaporator is a device for forming a thin film such as CVD, PVD, or evaporation on the surface of a substrate, such as a wafer for semiconductor manufacturing, a substrate for LCD manufacturing, or a substrate for AMOLED production.

그리고 AMOLED 제조용 기판의 경우 증착물질의 증착에 있어 유기물, 무기물, 금속 등을 증발시켜 기판 표면에 박막을 형성하는 공정이 많이 사용되고 있다.In the case of an AMOLED manufacturing substrate, a process of evaporating organic materials, inorganic substances, metals, and the like to form a thin film on the surface of a substrate is widely used in deposition of a deposition material.

증착물질을 증발시켜 박막을 형성하는 증착기는 증착용 기판이 로딩되는 증착챔버와, 증착챔버 내부에 설치되어 기판에 대하여 증착물질을 증발하도록 증착물질을 가열하여 증발시키는 소스를 포함하여, 증착물질이 증발되어 기판표면에 박막을 형성하는 기판처리를 수행한다.A deposition apparatus for forming a thin film by evaporating a deposition material includes a deposition chamber in which a deposition substrate is loaded, and a source disposed inside the deposition chamber for heating and evaporating the deposition material to evaporate the deposition material to the substrate, And the substrate is evaporated to form a thin film on the substrate surface.

또한 OLED 증착기에 사용되는 소스는 증착챔버 내부에 설치되어 기판에 대하여 증착물질을 증발하도록 증착물질을 가열하여 증발시키는 구성으로 그 증발방식에 따라서 한국공개특허 제10-20009-0015324호, 한국공개특허 제10-2004-0110718호 등 다양한 구조가 가능하다.In addition, the source used in the OLED evaporator is provided in the deposition chamber to evaporate the evaporation material to evaporate the evaporation material on the substrate. In accordance with the evaporation method, Korean Patent Laid-Open Nos. 10-20009-0015324, 10-2004-0110718, and the like.

한편 종래의 OLED 증착기는 균일한 박막형성을 위하여 증착챔버 내에 증발률측정센서를 설치하여 증착물질의 증발률을 측정하여 소스의 증발률을 제어한다.Meanwhile, in a conventional OLED deposition apparatus, an evaporation rate measuring sensor is installed in a deposition chamber to form a uniform thin film, and the evaporation rate of the evaporation material is measured to control the evaporation rate of the source.

그런데 종래의 OLED 증착기는 증발률측정센서가 설치됨에 따라 증발률측정센서가 설치된 부근에서의 증발물질의 유동 및 균일도에 영향을 미쳐 균일한 박막증착공정 수행을 방해하는 문제가 있다.However, the conventional OLED evaporator has a problem that the evaporation rate measuring sensor affects the flow and uniformity of the evaporation material in the vicinity of the evaporation rate measuring sensor, thereby hindering the uniform thin film deposition process.

또한 종래의 OLED 증착기는 박막증착공정에 영향을 미치지 않도록 챔버 쪽으로 설치되는 경우 정확한 증발률 측정이 어려우며 증착챔버의 크기가 커지는 문제가 있다.In addition, the conventional OLED evaporator has a problem in that it is difficult to accurately measure the evaporation rate and the size of the deposition chamber increases when the OLED deposition apparatus is installed on the chamber side so as not to affect the thin film deposition process.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 소스의 증발률 측정을 위한 증발률측정센서가 증착공정에 영향을 미치지 않고 정확한 증발률을 측정할 수 있는 OLED 증착기 소스를 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve such a problem, an object of the present invention is to provide a source of an evaporator for measuring the evaporation rate of a source, which can accurately measure the evaporation rate without affecting a deposition process.

상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 따른 OLED 증착기 소스는 증착용 기판(S)이 로딩되는 증착챔버(10)와, 증착챔버(10) 내부에 설치되어 기판(S)에 대하여 증착물질을 증발하도록 증착물질을 가열하여 증발시키는 하나 이상의 소스(20)를 포함하는 OLED 증착기 소스로서, 선형으로 배열되어 증착물질을 배출하는 복수의 노즐들(111)이 형성된 소스본체(110)와, 상기 소스본체(110)의 길이방향으로 양단 중 적어도 일단에 설치되며 상기 노즐들(111)의 토출구(112)와 같은 방향으로 형성된 토출구(122)를 가지는 보조노즐(120)을 포함하며, 상기 토출구(122)는 상기 소스본체(110)의 내부와 연통되며, 상기 토출구(122)에 인접하여 증착물질의 증발률 측정을 위한 증발률측정센서(210)가 설치된 것을 특징으로 하는 OLED 증착기 소스가 제공된다.In order to solve the above problems, an OLED deposition source according to the present invention includes a deposition chamber 10 in which a deposition substrate S is loaded, a deposition chamber 10 installed inside the deposition chamber 10 to evaporate the deposition material An OLED deposition source comprising at least one source (20) for heating and evaporating a deposition material, said source body (110) having a plurality of nozzles (111) arranged in a linear array to discharge deposition material, And an auxiliary nozzle 120 installed at at least one end of both ends in the longitudinal direction of the nozzle array 110 and having a discharge port 122 formed in the same direction as the discharge port 112 of the nozzles 111, An evaporation rate measuring sensor 210 is provided for communicating with the inside of the source main body 110 and adjacent to the discharge port 122 for measuring the evaporation rate of the evaporation material.

상기 증발률측정센서(210)는 상기 소스본체(110)에 지지되어 설치될 수 있다.The evaporation rate measuring sensor 210 may be supported by the source body 110.

보조노즐(120)의 토출구(121)는 소스본체(110)에 형성된 복수의 노즐들(111)의 증착물질의 배출방향과 동일한 방향으로 형성될 수 있다.The discharge port 121 of the auxiliary nozzle 120 may be formed in the same direction as the discharge direction of the deposition material of the plurality of nozzles 111 formed in the source body 110.

상기 보조노즐(120)은 상기 소스본체(110)의 내부와 연통되도록 일단이 상기 소스본체(110)의 길이방향으로 양단 중 적어도 일단에 결합되고 타단에 상기 소스본체(110) 내부에서 증발되는 증착물질이 배출되는 상기 토출구(121)가 형성된 배관으로 이루어질 수 있다.The auxiliary nozzle 120 is connected to at least one end of the source body 110 in the longitudinal direction of the source main body 110 so as to communicate with the inside of the source main body 110, And a pipe having the discharge port 121 through which the material is discharged.

상기 보조노즐(120)은 상기 소스본체(110)의 길이방향으로 양단 중 적어도 일단에서 길이방향으로 돌출된 돌출부(140)와, 일단이 상기 돌출부(140)와 결합되고 타단에 상기 소스본체(110) 내부에서 증발되는 증착물질이 배출되는 상기 토출구(121)가 형성된 배관이며, 상기 돌출부(140)는 상기 소스본체(110)의 저면으로부터의 높이가 상기 복수의 노즐부들(110)이 형성된 부분보다 작은 것이 바람직하다.The auxiliary nozzle 120 includes a protrusion 140 protruding in a longitudinal direction from at least one end of both ends in the longitudinal direction of the source body 110 and a protrusion 140 having one end coupled to the protrusion 140 and the other end connected to the source body 110 The height of the projecting portion 140 from the bottom surface of the source body 110 is greater than the height of the portion where the plurality of nozzle portions 110 are formed Small is preferable.

상기 소스(20)는 상기 증착챔버(10)의 상측에 위치된 기판(S)에 대하여 증착물질을 증발시킬 수 있도록 상기 기판(S)의 하측에 위치될 수 있다.The source 20 may be positioned below the substrate S to evaporate the deposition material with respect to the substrate S positioned above the deposition chamber 10.

상기 소스(20)는 상기 증착챔버(100) 내부에 수직으로 로딩된 기판(S)에 대하여 증착물질을 증발시킬 수 있도록 기판(S)을 향하여 수직으로 배치될 수 있다.The source 20 may be vertically disposed toward the substrate S so as to evaporate the deposition material with respect to the substrate S vertically loaded in the deposition chamber 100.

상기 소스(20)는 기판(S)에 대하여 상대이동될 수 있다.The source 20 can be moved relative to the substrate S.

본 발명에 따른 OLED 증착기 소스는 기판을 향하여 증발된 증착물질을 배출하는 노즐과 별도로 소스의 양끝단 중 적어도 하나에 증착물질이 배출되는 보조노즐을 추가로 설치하여 소스의 증발률 측정을 위한 증발률측정센서가 증착공정에 영향을 미치지 않고 정확한 증발률을 측정할 수 있다.The OLED deposition source according to the present invention may further include an auxiliary nozzle for discharging a deposition material to at least one of both ends of the source separately from the nozzle for discharging evaporated deposition material toward the substrate, The measurement sensor can accurately measure the evaporation rate without affecting the deposition process.

또한 소스에 추가로 설치된 보조노즐에 인접되어 증발률 측정을 위한 증발률측정센서가 소스에 지지되어 설치됨으로써 소스의 증발률 측정을 위한 증발률측정센서가 증착공정에 영향을 미치지 않고 정확한 증발률을 측정할 수 있다.Also, since the evaporation rate measuring sensor for measuring the evaporation rate is installed adjacent to the supplementary nozzle installed at the source, the evaporation rate measuring sensor for measuring the evaporation rate of the source does not affect the evaporation rate and the accurate evaporation rate Can be measured.

도 1은 본 발명에 따른 OLED 증착기 소스가 설치되는 증착기의 단면도,
도 2는 본 발명에 따른 OLED 증착기 소스의 제1실시예를 보여주는 측면도,
도 3은 본 발명에 따른 OLED 증착기 소스의 제2실시예를 보여주는 측면도,
도 4는 본 발명에 따른 OLED 증착기 소스의 제1실시예를 보여주는 측면도이다.1 is a cross-sectional view of an evaporator in which an OLED evaporator source according to the present invention is installed,
2 is a side view showing a first embodiment of an OLED deposition source according to the present invention,
Figure 3 is a side view showing a second embodiment of an OLED evaporator source according to the present invention,
4 is a side view showing a first embodiment of an OLED evaporator source according to the present invention.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명에 따른 OLED 증착기 소스가 설치되는 증착기의 단면도, 도 2는 본 발명에 따른 OLED 증착기 소스의 제1실시예를 보여주는 측면도, 도 3은 본 발명에 따른 OLED 증착기 소스의 제2실시예를 보여주는 측면도, 도 4는 본 발명에 따른 OLED 증착기 소스의 제1실시예를 보여주는 측면도이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Figure 2 is a side view of a first embodiment of an OLED evaporator source according to the present invention; Figure 3 is a side view of a second embodiment of an OLED evaporator source according to the present invention; 4 is a side view showing a first embodiment of an OLED deposition source according to the present invention.

본 발명에 따른 OLED 증착기는 도 1에 도시된 바와 같이 증착용 기판(S)이 로딩되는 증착챔버(10)와, 증착챔버(10) 내부에 설치되어 기판(S)에 대하여 증착물질을 증발하도록 증착물질을 가열하여 증발시키는 하나 이상의 소스(20)를 포함한다.The OLED deposition apparatus according to the present invention includes a deposition chamber 10 in which an evaporation deposition substrate S is loaded as shown in FIG. 1, a deposition chamber 10 installed inside the deposition chamber 10 to evaporate the deposition material And one or more sources 20 for heating and evaporating the deposition material.

여기서 기판(S)은 단독으로 이송되거나 캐리어(미도시) 등에 안착되어 이송될 수 있다.Here, the substrate S can be transported alone or transported on a carrier (not shown) or the like.

또한 도시되지 않았지만 증착챔버(10) 내부에는 증착공정의 수행을 위하여 기판(S)을 지지하는 기판지지구성이 별도로 설치됨이 바람직하다.Although not shown, it is preferable that a substrate supporting structure for supporting the substrate S is separately provided in the deposition chamber 10 for performing the deposition process.

증착챔버(10)는 박막증착공정 수행을 위한 처리환경을 제공하는 구성요소로서 어떠한 구성도 가능하다.The deposition chamber 10 may be any component that provides a processing environment for performing a thin film deposition process.

증착챔버(10)는 소정의 내부공간을 형성하며 기판(S)이 통과할 수 있는 게이트(11)가 형성되는 용기로 이루어질 수 있다.The deposition chamber 10 may comprise a container forming a predetermined internal space and formed with a gate 11 through which the substrate S can pass.

그리고 용기에는 내부공간에 대한 소정의 압력을 유지하기 위한 배기수단을 구비할 수 있다.The container may have an exhaust means for maintaining a predetermined pressure on the inner space.

소스(20)는 증착챔버(10) 내부에 하나 이상 설치되어 기판(S)에 대하여 증착물질을 증발하도록 증착물질을 가열하여 증발시키는 구성요소로서 어떠한 구성도 가능하다.The source 20 may be any one of a constituent element that is installed in the deposition chamber 10 to heat and evaporate the deposition material to evaporate the deposition material with respect to the substrate S.

특히 본 발명에 따른 OLED 증착기 소스(20)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 선형으로 배열되어 증착물질을 배출하는 복수의 노즐들(111)이 형성된 소스본체(110)와, 소스본체(110)의 길이방향으로 양단 중 적어도 일단에 설치되며 노즐들(111)의 토출구(112)와 같은 방향으로 형성된 토출구(122)를 가지는 보조노즐(120)을 포함한다.1 and 2, the OLED deposition source 20 according to the present invention includes a source body 110 having a plurality of nozzles 111 arranged in a linear array to discharge a deposition material, And an auxiliary nozzle 120 installed at at least one end of both ends in the longitudinal direction of the nozzle 110 and having a discharge port 122 formed in the same direction as the discharge port 112 of the nozzles 111.

소스본체(110)는 선형으로 배열되어 증착물질을 배출하는 복수의 노즐들(111)이 형성되며 내부에는 가열되어 증발될 증착물질이 담겨지는 증발용기로서 다양한 구조를 가질 수 있다.The source main body 110 may have a variety of structures as a vaporizing container in which a plurality of nozzles 111 are arranged linearly to discharge a deposition material and a deposition material to be heated is evaporated therein.

소스본체(110)에 담기는 증착물질은 기판에 형성된 박막의 물성에 따라서 유기물, 무기물, 금속 등이 될 수 있으며 액상 또는 고체상으로 이루어질 수 있다.The deposition material contained in the source body 110 may be an organic material, an inorganic material, a metal, or the like depending on the physical properties of the thin film formed on the substrate, and may be a liquid or a solid.

소스본체(110)는 복수의 노즐들(111)이 선형으로 배열되어 형성될 수 있도록 기판(S)의 폭방향에 대응되는 방향으로 길게 형성되며 증발될 증착물질이 담겨지는 증발용기부 및 복수의 노즐들(111)이 선형으로 배열되어 형성된 복개부로 구성될 수 있다.The source main body 110 includes an evaporation vessel portion which is elongated in a direction corresponding to the width direction of the substrate S so as to be formed by linearly arranging the plurality of nozzles 111 and in which evaporation material to be evaporated is contained, The nozzles 111 may be constituted by a capping portion formed by linearly arranging the nozzles 111.

보조노즐(120)은 소스본체(110)의 길이방향으로 양단 중 적어도 일단에 설치되며 노즐들(111)의 토출구(112)와 같은 방향으로 형성된 토출구(122)를 가지는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The auxiliary nozzle 120 may have a variety of configurations including at least one of both ends in the longitudinal direction of the source main body 110 and a discharge port 122 formed in the same direction as the discharge port 112 of the nozzles 111 .

일 실시예로서, 보조노즐(120)은 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 소스본체(110)의 내부와 연통되도록 일단이 소스본체(110)의 길이방향으로 양단 중 적어도 일단에 결합되고 타단에 소스본체(110) 내부에서 증발되는 증착물질이 배출되는 토출구(121)가 형성된 배관으로 이루어질 수 있다.1 to 3, one end is coupled to at least one end of both ends in the longitudinal direction of the source main body 110 so as to communicate with the inside of the source main body 110 And a discharge port 121 through which the evaporation material evaporated in the source body 110 is formed at the other end.

다른 실시예로서, 보조노즐(120)은 소스본체(110)의 길이방향으로 양단 중 적어도 일단에서 길이방향으로 돌출된 돌출부(140)와, 일단이 돌출부(140)와 결합되고 타단에 소스본체(110) 내부에서 증발되는 증착물질이 배출되는 토출구(121)가 형성된 배관이며, 돌출부(140)는 소스본체(110)의 저면으로부터의 높이가 복수의 노즐부들(110)이 형성된 부분보다 작게 형성될 수 있다.The auxiliary nozzle 120 includes a protrusion 140 protruding longitudinally at at least one end of both ends in the longitudinal direction of the source main body 110 and a protrusion 140 having one end coupled to the protrusion 140 and the other end connected to the source main body 110. [ The height of the projecting portion 140 from the bottom surface of the source body 110 is smaller than that of the portion where the plurality of nozzle portions 110 are formed .

돌출부(140)는 소스본체(110)의 저면으로부터의 높이가 복수의 노즐부들(110)이 형성된 부분보다 작게 형성됨으로써 그 상부에 보조노즐(120)의 설치가 가능하고 더 나아가 보조노즐(120)의 상측에 증발률측정센서(210)의 설치가 가능하여 증발률의 센싱구조를 간소화할 수 있게 한다.The protrusion 140 is formed so that the height from the bottom surface of the source main body 110 is smaller than the portion where the plurality of nozzle parts 110 are formed so that the auxiliary nozzle 120 can be installed thereon, It is possible to install the evaporation rate measuring sensor 210 on the upper side of the evaporation rate sensor 210, thereby simplifying the sensing structure of the evaporation rate.

한편 보조노즐(120)의 토출구(121)는 소스본체(110)에 형성된 복수의 노즐들(111)의 증착물질의 배출방향과 동일한 방향으로 형성됨이 바람직하다.It is preferable that the discharge port 121 of the auxiliary nozzle 120 is formed in the same direction as the discharge direction of the deposition material of the plurality of nozzles 111 formed in the source body 110.

도 1에 도시된 바와 같이, 기판(S)이 증착챔버(10)의 상측에 설치되고 소스(20)가 하측에 설치될 때 소스본체(110)에 형성된 복수의 노즐들(111)이 증착물질을 상측으로 배출하는바 이때 보조노즐(120)의 토출구(121) 또한 증착물질을 상측으로 배출하도록 구성됨이 바람직하다.A plurality of nozzles 111 formed on the source body 110 when the substrate S is installed on the upper side of the deposition chamber 10 and the source 20 is installed on the lower side, It is preferable that the discharge port 121 of the auxiliary nozzle 120 also discharges the deposition material upward.

또한 기판(S)이 증착챔버(10) 내에 수직을 이루어 도입되고 소스(20)가 수직으로 도입된 기판(S)을 향하도록 배치될 때 소스본체(110)에 형성된 복수의 노즐들(111)이 기판(S)을 향하도록 증착물질을 수평으로 배출하는바 이때 보조노즐(120)의 토출구(121) 또한 증착물질을 수평으로 배출하도록 구성됨이 바람직하다.A plurality of nozzles 111 formed in the source body 110 when the substrate S is vertically introduced into the deposition chamber 10 and the source 20 is arranged to face the vertically introduced substrate S, The deposition material is horizontally discharged toward the substrate S, and the discharge port 121 of the auxiliary nozzle 120 is also configured to discharge the deposition material horizontally.

보조노즐(120)은 길이방향으로 양단 중 적어도 일단에 설치됨으로써 그 토출구(122)에 인접하여 증착물질의 증발률 측정을 위한 증발률측정센서(210)를 설치하여 증발률을 측정함으로써 증발률측정센서(210)가 증착공정에 영향을 미치지 않고 증발률을 측정하게 된다.The auxiliary nozzle 120 is installed at at least one end of the both ends in the longitudinal direction so that an evaporation rate measuring sensor 210 for measuring the evaporation rate of the evaporation material is provided adjacent to the discharge port 122 to measure the evaporation rate The sensor 210 measures the evaporation rate without affecting the deposition process.

특히 토출구(122)는 상기 소스본체(110)의 내부와 연통되며, 상기 토출구(122)에 인접하여 증착물질의 증발률 측정을 위한 증발률측정센서(210)가 설치됨으로써 노즐들(111)의 토출구(112)로 배출되는 동일 또는 근사한 환경을 제공함으로써 증착물질의 증발률을 정확하게 측정할 수 있게 된다.Particularly, the discharge port 122 communicates with the inside of the source main body 110 and the evaporation rate measuring sensor 210 for measuring the evaporation rate of the evaporation material is provided adjacent to the discharge port 122, It is possible to accurately measure the evaporation rate of the evaporation material by providing the same or approximate environment to be discharged to the discharge port 112. [

증발률측정센서(210)는 증착챔버(10) 내에 설치되어 증착물질의 증발률 측정을 위한 센서이다.The evaporation rate measuring sensor 210 is installed in the deposition chamber 10 to measure the evaporation rate of the evaporation material.

특히 증발률측정센서(210)의 설치형태에 따라서 본 발명에 따른 OLED 증착기 소스(20)는 다양한 실시예가 가능하다.In particular, according to the installation type of the evaporation rate measuring sensor 210, the OLED evaporator source 20 according to the present invention can be various embodiments.

증발률측정센서(210)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 지지부재(211)에 의하여 증착챔버(10)에 지지되어 설치될 수 있다.The evaporation rate measuring sensor 210 may be installed in the deposition chamber 10 by a supporting member 211 as shown in FIGS.

또한, 증발률측정센서(210)는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 지지부재(211)에 의하여 소스본체(110)에 지지되어 설치될 수 있다.3 and 4, the evaporation rate measuring sensor 210 may be supported by the source body 110 by a support member 211. [

특히 증발률측정센서(210)가 소스본체(110)에 지지되어 설치되면 노즐들(111)의 토출구(112)로 배출되는 동일 또는 근사한 환경을 제공함으로써 증착물질의 증발률을 정확하게 측정할 수 있게 된다.Particularly, when the evaporation rate measuring sensor 210 is installed to be supported by the source body 110, it is possible to accurately measure the evaporation rate of the evaporation material by providing the same or near environment to be discharged to the discharge port 112 of the nozzles 111 do.

또한 OLED 증착기 소스(20)가 증착챔버(10) 내에서 이동될 때 OLED 증착기 소스(20)와 함께 이동됨으로써 노즐들(111)의 토출구(112)로 배출되는 동일 또는 근사한 환경을 제공함으로써 증착물질의 증발률을 정확하게 측정할 수 있게 된다.By providing a uniform or near environment in which the OLED deposition source 20 is moved with the OLED deposition source 20 as it is moved within the deposition chamber 10 to the discharge port 112 of the nozzles 111, It is possible to accurately measure the evaporation rate of the evaporator.

상기와 같은 OLED 증착기 소스(20)는 도 1에 도시된 바와 같이 증착챔버(10)의 상측에 위치된 기판(S)에 대하여 증착물질을 증발시킬 수 있도록 기판(S)의 하측에 위치될 수 있다.The OLED deposition source 20 may be positioned below the substrate S to evaporate the deposition material with respect to the substrate S positioned on the upper side of the deposition chamber 10 as shown in FIG. have.

또한 상기와 같은 OLED 증착기 소스(20)는 도시되지 않았지만 증착챔버(100) 내부에서 수직으로 배치된 기판(S)에 대하여 증착물질을 증발시킬 수 있도록 기판(S)을 향하여 수직으로 배치될 수 있다.The OLED deposition source 20 as described above may also be vertically disposed toward the substrate S so as to evaporate the deposition material with respect to the substrate S not vertically disposed within the deposition chamber 100 .

또한 상기와 같은 OLED 증착기 소스(20)는 기판(S)에 대하여 고정된 상태로 증착물질을 기판(S)을 향하여 증발시키거나, 선형이동, 회전이동 등 기판(S)에 대하여 상대이동되면서 증착물질을 기판(S)을 향하여 증발시킬 수 있다.The OLED deposition source 20 may be formed by evaporating the evaporation material toward the substrate S in a fixed state with respect to the substrate S or by evaporating the evaporation material toward the substrate S while moving relative to the substrate S such as linear movement, The material can be evaporated toward the substrate S.

여기서 OLED 증착기 소스(20)가 기판(S)에 대하여 상대이동될 때 그 이동을 구동하기 위한 구동부가 증착챔버(10)에 설치된다.Wherein a driving portion for driving the movement of the OLED evaporator source 20 relative to the substrate S is installed in the deposition chamber 10. [

S... 기판 10... 증착챔버
20... 소스
100... 증착모듈 110... 증발용기
120... 히터S ... Substrate 10 ... Deposition chamber
20 ... sauce
100 ... deposition module 110 ... evaporation container
120 ... heater

Claims (8)

증착용 기판(S)이 로딩되는 증착챔버(10)와, 증착챔버(10) 내부에 설치되어 기판(S)에 대하여 증착물질을 증발하도록 증착물질을 가열하여 증발시키는 하나 이상의 소스(20)를 포함하는 OLED 증착기 소스로서,
선형으로 배열되어 증착물질을 배출하는 복수의 노즐들(111)이 형성된 소스본체(110)와,
상기 소스본체(110)의 길이방향으로 양단 중 적어도 일단에 설치되며 상기 노즐들(111)의 토출구(112)와 같은 방향으로 형성된 토출구(122)를 가지는 보조노즐(120)을 포함하며,
상기 토출구(122)는 상기 소스본체(110)의 내부와 연통되며, 상기 토출구(122)에 인접하여 증착물질의 증발률 측정을 위한 증발률측정센서(210)가 설치된 것을 특징으로 하는 OLED 증착기 소스.A deposition chamber 10 in which the deposition substrate 10 is loaded and at least one source 20 disposed in the deposition chamber 10 for heating and evaporating the deposition material to evaporate the deposition material with respect to the substrate S, As an OLED deposition source comprising,
A source body 110 having a plurality of nozzles 111 linearly arranged to discharge a deposition material,
And an auxiliary nozzle 120 installed at at least one end of both ends in the longitudinal direction of the source main body 110 and having a discharge port 122 formed in the same direction as the discharge port 112 of the nozzles 111,
The evaporation rate measuring sensor (210) for measuring the evaporation rate of the evaporation material is provided adjacent to the discharge port (122), and the discharge port (122) is communicated with the inside of the source main body (110) . 제1항에 있어서,
상기 증발률측정센서(210)는 상기 소스본체(110)에 지지되어 설치된 것을 특징으로 하는 OLED 증착기 소스.The method according to claim 1,
Wherein the evaporation rate measuring sensor (210) is mounted on the source body (110). 제1항에 있어서,
보조노즐(120)의 토출구(121)는 소스본체(110)에 형성된 복수의 노즐들(111)의 증착물질의 배출방향과 동일한 방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 OLED 증착기 소스.The method according to claim 1,
Wherein the discharge port (121) of the auxiliary nozzle (120) is formed in the same direction as the discharge direction of the deposition material of the plurality of nozzles (111) formed in the source main body (110). 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 보조노즐(120)은 상기 소스본체(110)의 내부와 연통되도록 일단이 상기 소스본체(110)의 길이방향으로 양단 중 적어도 일단에 결합되고 타단에 상기 소스본체(110) 내부에서 증발되는 증착물질이 배출되는 상기 토출구(121)가 형성된 배관인 것을 특징으로 하는 하는 OLED 증착기 소스.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The auxiliary nozzle 120 is connected to at least one end of the source body 110 in the longitudinal direction of the source main body 110 so as to communicate with the inside of the source main body 110, And the discharge port (121) through which the material is discharged is formed. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 보조노즐(120)은 상기 소스본체(110)의 길이방향으로 양단 중 적어도 일단에서 길이방향으로 돌출된 돌출부(140)와, 일단이 상기 돌출부(140)와 결합되고 타단에 상기 소스본체(110) 내부에서 증발되는 증착물질이 배출되는 상기 토출구(121)가 형성된 배관이며,
상기 돌출부(140)는 상기 소스본체(110)의 저면으로부터의 높이가 상기 복수의 노즐부들(110)이 형성된 부분보다 작은 것을 특징으로 하는 하는 OLED 증착기 소스.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The auxiliary nozzle 120 includes a protrusion 140 protruding in a longitudinal direction from at least one end of both ends in the longitudinal direction of the source body 110 and a protrusion 140 having one end coupled to the protrusion 140 and the other end connected to the source body 110 And a discharge port 121 for discharging the evaporated material,
Wherein the projecting portion (140) is smaller in height from the bottom surface of the source body (110) than the portion where the plurality of nozzle portions (110) are formed. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 소스(20)는 상기 증착챔버(10)의 상측에 위치된 기판(S)에 대하여 증착물질을 증발시킬 수 있도록 상기 기판(S)의 하측에 위치된 것을 특징으로 하는 OLED 증착기 소스.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the source (20) is positioned below the substrate (S) so as to evaporate the deposition material with respect to the substrate (S) positioned above the deposition chamber (10). 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 소스(20)는 상기 증착챔버(100) 내부에 수직으로 로딩된 기판(S)에 대하여 증착물질을 증발시킬 수 있도록 기판(S)을 향하여 수직으로 배치된 것을 특징으로 하는 OLED 증착기 소스.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the source (20) is vertically disposed toward the substrate (S) so as to evaporate the deposition material relative to the vertically loaded substrate (S) within the deposition chamber (100). 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 소스(20)는 기판(S)에 대하여 상대이동되는 것을 특징으로 하는 OLED 증착기 소스.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the source (20) is moved relative to the substrate (S).
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