KR20150097341A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 대상물의 주변에 플라즈마 환경을 조성할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 공정이 이루어지는 반응기; 상기 반응기 내부로 적어도 한 종류 이상의 공정 가스를 공급하는 가스 공급부; 적어도 하나 이상의 대상물이 안착되고, 회전 방향에 따라 상기 공정 가스가 공간분할적으로 대상물에 공급될 수 있도록 상기 반응기 내부에 회전이 가능하게 설치되는 대상물 지지부; 및 상기 대상물 지지부에 안착된 대상물과 대향되도록 상기 반응기 내부에 설치되고, 플라즈마 전원이 인가되는 전극 플레이트;를 포함하고, 상기 전극 플레이트는, 길이 방향이 상기 대상물 지지부의 회전축을 향하도록 배치되는 몸체; 및 상기 대상물 지지부에 안착된 대상물에 제 1 플라즈마 환경, 제 2 플라즈마 환경 및 제 3 플라즈마 환경이 각각 형성되도록, 상기 몸체의 길이 방향을 따라서 상기 몸체의 상기 회전축으로부터 가까운 부분에서 먼 부분에 순차 설치되는, 제 1 대응부, 제 2 대응부 및 제 3 대응부;를 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 장치{Substrate processing apparatus}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 대상물의 주변에 플라즈마 환경을 조성할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 기판 처리 장치들 중에서 웨이퍼 표면에 원자층 두께의 초미세 층간 증착하기 위한 원자층 증착 장치는, 분자의 흡착과 치환을 번갈아가면서 신속하게 진행하여야 양질의 막을 형성할 수 있다.
웨이퍼 등의 대상물에 플라즈마 환경을 조성하기 위해서 종래의 원자층 증착 장치는 기판 처리 장치가 적용될 수 있다.
그러나, 종래의 기판 처리 장치는 전극의 가운데 부분에 전자기적 환경과 전극의 테두리 부분의 전자기적 환경이 서로 달라서 웨이퍼 등의 대상물에 형성되는 막의 두께가 균일하지 못했던 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 대상물의 가운데 부분의 플라즈마 환경과 테두리 부분의 플라즈마 환경을 별도 제어할 수 있어서 대상물에 균일한 두께의 막을 형성할 수 있게 하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 기판 처리 장치는, 공정이 이루어지는 반응기; 상기 반응기 내부로 적어도 한 종류 이상의 공정 가스를 공급하는 가스 공급부; 적어도 하나 이상의 대상물이 안착되고, 회전 방향에 따라 상기 공정 가스가 공간분할적으로 대상물에 공급될 수 있도록 상기 반응기 내부에 회전이 가능하게 설치되는 대상물 지지부; 및 상기 대상물 지지부에 안착된 대상물과 대향되도록 상기 반응기 내부에 설치되고, 플라즈마 전원이 인가되는 전극 플레이트;를 포함하고, 상기 전극 플레이트는, 길이 방향이 상기 대상물 지지부의 회전축을 향하도록 배치되는 몸체; 및 상기 대상물 지지부에 안착된 대상물에 제 1 플라즈마 환경, 제 2 플라즈마 환경 및 제 3 플라즈마 환경이 각각 형성되도록, 상기 몸체의 길이 방향을 따라서 상기 몸체의 상기 회전축으로부터 가까운 부분에서 먼 부분에 순차 설치되는, 제 1 대응부, 제 2 대응부 및 제 3 대응부;를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제 2 대응부와 상기 제 1 대응부 사이 및/또는 상기 제 2 대응부와 상기 제 3 대응부 사이에 단차가 형성되도록 상기 대상물로부터 상기 제 2 대응부의 하면 높이가 상기 대상물로부터 상기 제 1 대응부 및/또는 상기 제 3 대응부의 하면 높이 보다 높은 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제 2 대응부와 상기 제 1 대응부 사이 및/또는 상기 제 2 대응부와 상기 제 3 대응부 사이에 단차가 형성되도록 상기 대상물로부터 상기 제 2 대응부의 하면 높이가 상기 대상물로부터 상기 제 1 대응부 및/또는 상기 제 3 대응부의 하면 높이 보다 낮은 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 몸체와, 상기 제 1 대응부와, 상기 제 2 대응부 및 상기 제 3 대응부는, 일체 형상이고, 상기 제 1 대응부는, 상기 회전축으로부터 가까운 상기 몸체의 일단부를 포함하고, 상기 제 2 대응부는, 상기 몸체의 중간 부분을 포함하고, 상기 제 3 대응부는, 상기 회전축으로부터 먼 상기 몸체의 타단부를 포함하는 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 대상물은 대상물 지지부에 안착되어 상기 회전축을 중심으로 일정한 반경의 궤도를 따라 공전되고, 상기 몸체는, 상기 궤도의 상방 일측에 설치되는 부채꼴 판 형상일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제 2 대응부와 상기 제 1 대응부 사이에 제 1 경계선이 형성되고, 상기 제 2 대응부와 상기 제 3 대응부 사이에 제 2 경계선이 형성되는 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제 1 경계선과 상기 제 2 경계선은, 그 곡률 반경이 서로 다른 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 대상물의 센터축과 대응되는 상기 몸체의 일부분으로부터 제 1 경계선까지의 거리는 상기 대상물의 센터축과 대응되는 상기 몸체의 일부분으로부터 제 2 경계선까지의 거리보다 더 먼 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제 1 대응부 및/또는 제 3 대응부에 제 1 가스홀이 형성되며, 상기 제 2 대응부에 제 2 가스홀이 형성되는 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제 1 가스홀과 상기 제 2 가스홀의 직경 및/또는 배치 밀도가 서로 다른 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제 2 대응부와 상기 제 1 대응부 및/또는 제 3 대응부 사이의 모서리부 및/또는 홈부는 둥글게 라운딩 처리된 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 몸체의 폭방향으로 상기 제 2 대응부의 양측면으로부터 상기 제 2 대응부의 내측으로 오목하게 형성되는 측면홈부가 설치되는 것일 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 제 1 대응부와, 제 2 대응부 및 제 3 대응부를 이용하여 대상물의 중심 부분에 형성되는 플라즈마 환경과 테두리 부분에 형성되는 플라즈마 환경을 정밀하게 제어하여 대상물에 균일한 막을 형성할 수 있는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 전극 플레이트를 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 2의 전극 플레이트의 III-III 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 3의 전극 플레이트의 A부분 확대도이다.
도 5는 도 4의 다른 일례에 따른 확대도이다.
도 6은 도 4의 또 다른 일례에 따른 확대도이다.
도 7은 도 1의 전극 플레이트의 일례를 나타내는 저면도이다.
도 8은 도 7의 전극 플레이트의 다른 일례를 나타내는 저면도이다.
도 9는 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 전극 플레이트를 나타내는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 전극 플레이트를 나타내는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 전극 플레이트를 나타내는 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 전극 플레이트를 나타내는 저면도이다.
도 13은 도 12의 전극 플레이트의 XIII-XIII 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 14는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 전극 플레이트를 나타내는 저면도이다.
도 15는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 전극 플레이트를 나타내는 저면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.
명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접 연결되어", 또는 "직접 커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 명세서에서 제 1, 제 2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제 1 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제 2 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.
또한, "상의" 또는 "위의" 및 "하의" 또는 "아래의"와 같은 상대적인 용어들은 도면들에서 도해되는 것처럼 다른 요소들에 대한 어떤 요소들의 관계를 기술하기 위해 여기에서 사용될 수 있다. 상대적 용어들은 도면들에서 묘사되는 방향에 추가하여 소자의 다른 방향들을 포함하는 것을 의도한다고 이해될 수 있다. 예를 들어, 도면들에서 소자가 뒤집어 진다면(turned over), 다른 요소들의 상부의 면 상에 존재하는 것으로 묘사되는 요소들은 상기 다른 요소들의 하부의 면 상에 방향을 가지게 된다. 그러므로, 예로써 든 "상의"라는 용어는, 도면의 특정한 방향에 의존하여 "하의" 및 "상의" 방향 모두를 포함할 수 있다. 소자가 다른 방향으로 향한다면(다른 방향에 대하여 90도 회전), 본 명세서에 사용되는 상대적인 설명들은 이에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 장치(1000) 및 전극 플레이트(100)를 나타내는 단면도이다. 그리고, 도 2는 도 1의 전극 플레이트(100)를 나타내는 사시도이고, 도 3은 도 2의 전극 플레이트(100)의 III-III 절단면을 나타내는 단면도이고, 도 4는 도 3의 A 부분의 확대도이다.
먼저, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 장치(1000)는, 크게 반응기(C)와, 가스 공급부(S)와, 대상물 지지부(T) 및 전극 플레이트(100)를 포함할 수 있다.
여기서, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 반응기(C)는, 내부에 기판 처리 환경을 조성할 수 있는 것으로서, 각종 게이트나 진공 라인 등이 설치될 수 있다.
또한, 상기 반응기(C)는 화학 기상 증착 장비나 각종 증착 장비나 원자층 증착 장비 등에 적용될 수 있는 각종 챔버 등을 포함할 수 있다.
한편, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 가스 공급부(S)는 상기 반응기(C) 내부로 적어도 한 종류 이상의 공정 가스를 공급하는 장치로서, 공간적으로 소스 가스, 반응 가스, 퍼지 가스 등 다양한 가스들을 공급할 수 있는 장치일 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 가스 공급부(S)는 별도의 소스 가스 공부, 반응 가스 공급부 및 퍼지 가스 공급부가 상기 대상물(W)의 회전 경로를 따라 배치될 수 있다.
이외에도, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 가스 공급부(S)의 다른 형태로 가스 공급관(S1)을 통해서 공급받은 가스들을 복수개의 가스 분사홀(S3)이 형성된 가스 분사판(S2)을 이용하여 상기 대상물(W)에 골고루 분산시킬 수 있는 샤워 헤드 형태의 가스 공급부가 설치될 수 있다. 여기서, 상기 가스 분사판(S2)은 부채꼴 형상으로 나누어진 복수개의 조각 형태로도 설치될 수 있고, 상기 가스 분사판(S2)이 플라즈마 환경을 조성하기 위한 일종의 전극의 역할을 할 수도 있다. 이외에도 상기 가스 공급부(S)는 매우 다양한 형태와 종류로 적용될 수 있다.
한편, 상기 대상물 지지부(T)는, 적어도 하나 이상의 대상물(W)이 안착되고, 회전 방향에 따라 상기 공정 가스가 공간분할적으로 웨이퍼나 기판 등의 대상물(W)에 공급될 수 있도록 상기 반응기(C) 내부에 회전이 가능하게 설치되는 일종의 턴테이블일 수 있다.
한편, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 전극 플레이트(100)는, 상기 대상물 지지부(T)에 안착된 대상물(W)과 대향되도록 상기 반응기(C) 내부에 설치되고, 상기 대상물(W)에 플라즈마 환경이 형성되도록 플라즈마 전원이 인가되는 금속 재질이나 세라믹 재질의 전극 구조물일 수 있다.
여기서, 플라즈마 환경이란, 상기 공정 가스가 음전하를 가진 전자와 양전하를 띤 이온 상태로 여기된 기체 상태를 말하고, 에너지 밀도와 전하 분리도가 상당히 높아서 물리적 화학적 반응을 용이하게 할 수 있다.
또한, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 전극 플레이트(100)는, 플라즈마 환경을 조성하기 위한 전기장을 형성하는 것으로서, 몸체(10)와, 제 1 대응부(20)와, 제 2 대응부(30) 및 제 3 대응부(40)를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 몸체(10)는, 웨이퍼 등의 대상물(W)과 대향하게 설치되는 부재로서, 길이 방향이 대상물 지지부(T)의 회전축(Ta)을 향하도록 배치될 수 있다. 예를 들면, 도 1에 도시된 바와 같이, 대상물(W)은 대상물 지지부(T)에 안착되어 회전축(Ta)을 중심으로 일정한 반경의 궤도를 따라 공전되고, 상기 몸체(10)는, 상기 궤도의 상방 일측에 설치되는 판 형상일 수 있다. 더욱 구체적으로, 몸체(10)는 부채꼴 판 형상일 수 있고, 더 나아가 위에서 볼 때, 전체적으로 모서리가 둥근 부채꼴 형상일 수 있다.
또한, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 제 1 대응부(20)와, 제 2 대응부(30) 및 제 3 대응부(40)는 몸체(10)의 길이 방향을 따라서 몸체(10)의 대상물 지지부(T)의 회전축(Ta)으로부터 가까운 부분에서 먼 부분에 순차 설치될 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 대응부(20)는 상기 대상물(W)에 제 1 플라즈마 환경(E1)이 형성되도록 상기 회전축(Ta)으로부터 가까운 상기 몸체(10)의 일부분에 설치될 수 있다.
또한, 상기 제 2 대응부(30)는, 상기 대상물(W)에 제 2 플라즈마 환경(E2)이 형성되도록 상기 제 1 대응부(20) 보다 상기 회전축(Ta)에서 먼 상기 몸체(10)의 다른 부분에 설치될 수 있다.
또한, 상기 제 3 대응부(40)는, 상기 대상물(W)에 제 3 플라즈마 환경(E3)이 형성되도록 상기 제 2 대응부(30) 보다 상기 회전축(Ta)에서 먼 상기 몸체(10)의 또 다른 부분에 설치될 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 몸체(10)와, 상기 제 1 대응부(20)와, 상기 제 2 대응부(30) 및 상기 제 3 대응부(40)는, 일체 형상일 수 있다.
또한, 상기 제 1 대응부(20)는, 상기 몸체(10)의 상기 회전축(Ta)으로부터 가까운 상기 몸체(10)의 일단부를 포함하고, 상기 제 2 대응부(30)는, 상기 몸체(10)의 중간 부분을 포함하고, 상기 제 3 대응부(40)는, 상기 회전축(Ta)으로부터 먼 상기 몸체(10)의 타단부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 몸체(10)는 실리콘 재질 또는 금속 재질로 형성될 수 있다.
또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 대응부(30)와 상기 제 1 대응부(20) 사이 및 상기 제 2 대응부(30)와 상기 제 3 대응부(40) 사이에 단차(D1)가 형성되도록 대상물(W)로부터 상기 제 2 대응부의 하면 높이(H1)가 상기 제 1 대응부(20) 및 제 3 대응부(40)의 하면 높이(H2) 보다 높은 것일 수 있다. 즉, 상기 전극 플레이트(100)는 제 2 대응부(30)가 제 1 대응부(20) 및 제 3 대응부(40)에 비해서 오목하게 들어간 형상일 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 대응부(30)로부터 대상물(W)까지의 거리가 제 1 대응부(20) 및 제 3 대응부(40)로부터 대상물(W)까지의 거리보다 멀어질 수 있다.
여기서, 상기 단차(D1)의 크기는 상기 대상물(W)에 균일한 두께의 막이 형성될 수 있도록 상기 대상물(W)의 종류나, 가공 환경이나, 공정 가스의 종류나, 상기 몸체(10)의 크기나 형상 등에 따라 최적화 설계될 수 있다.
한편, 이 실시예의 변형된 예에서, 상기 제 2 대응부(30)와 상기 제 1 대응부(20) 사이 또는 상기 제 2 대응부(30)와 상기 제 3 대응부(40) 사이에 단차(D1)가 형성되도록 대상물(W)로부터 상기 제 2 대응부의 하면 높이(H1)가 상기 제 1 대응부(20) 또는 제 3 대응부(40)의 하면 높이(H2) 보다 높은 것일 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 대응부(30)로부터 대상물(W)까지의 거리가 제 1 대응부(20) 또는 제 3 대응부(40)로부터 대상물(W)까지의 거리보다 멀어질 수 있다.
따라서, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 대응부(30)를 이용하여 상기 대상물(W)의 도 8의 중심 영역(A1)에 제 2 플라즈마 환경(E2)이 형성되게 하고, 상기 제 1 대응부(20) 및 제 3 대응부(40)를 이용하여 상기 대상물(W)의 도 7의 테두리 영역(A2)에 각각 상기 제 2 플라즈마 환경(E2)과 다른 상기 제 1 플라즈마 환경(E1) 및 상기 제 3 플라즈마 환경(E3)이 형성되게 할 수 있다.
그러므로, 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 등 상기 대상물(W)의 중심 부분에 형성되는 제 2 플라즈마 환경(E2)과 테두리 부분에 형성되는 상기 제 1 플라즈마 환경(E1) 및 상기 제 3 플라즈마 환경(E3)을 정밀하게 제어하여 상기 대상물(W)에 균일한 막을 형성할 수 있다.
예를 들면, 상기 제 2 대응부(30)의 하면 높이(H1)가 상기 제 1 대응부(20) 및 제 3 대응부(40)의 하면 높이(H2) 보다 높게 하면, 제 2 대응부(30)로부터 대상물(W)까지의 거리가 제 1 대응부(20) 및 제 3 대응부(40)로부터 대상물(W)까지의 거리보다 멀어질 수 있다. 이에 따르면, 상기 제 2 플라즈마 환경(E2) 내 플라즈마 밀도가 상기 제 1 플라즈마 환경(E1) 또는 상기 제 3 플라즈마 환경(E3) 내 플라즈마 밀도보다 낮게 할 수 있다. 따라서, 상기 제 1 대응부(20) 및 상기 제 3 대응부(40)에 대응하는 상기 대상물(W)의 테두리부에 비해서 제 2 대응부(30)에 대응하는 중심 부분의 막 두께를 증착시에는 더 얇게 할 수 있고, 식각 시에는 더 두께를 더 두껍게 제어 할 수 있다.
따라서, 상황에 맞추어 상기 제 2 대응부(30)의 하면 높이(H1)나 상기 제 1 대응부(20) 및 제 3 대응부(40)의 하면 높이(H2)를 조정하여 상기 대상물(W) 전반에 걸쳐서 균일한 두께의 막을 형성할 수 있다.
또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 전극 플레이트(100)의 상기 제 2 대응부(30)와 상기 제 1 대응부(20) 및 제 3 대응부(40) 사이의 모서리부(M1) 및 홈부(M2)는 각각 날카롭게 단면이 직각 형상으로 형성될 수 있다.
도 5는 도 4의 다른 일례에 따른 확대도이고, 도 6은 도 4의 또 다른 일례에 따른 확대도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 대응부(30)와 상기 제 1 대응부(20) 및 상기 제 3 대응부(40) 사이의 모서리부(M3) 및 홈부(M2)는 각각 둥글게 라운딩 처리될 수 있다. 따라서, 상기 모서리부(M3) 및 상기 홈부(M2)에서 발생될 수 있는 아크 현상을 방지할 수 있다.
한편, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 대응부(30)와 상기 제 1 대응부(20) 및 제 3 대응부(40) 사이의 모서리부(M3)에만 둥글게 라운딩 처리될 수 있다. 따라서, 상기 모서리부(M3)에서 발생될 수 있는 아크 현상을 방지할 수 있다.
도 7은 도 1의 전극 플레이트의 일례를 나타내는 저면도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 대응부(30)와 상기 제 1 대응부(20) 또는 상기 제 2 대응부(30)와 상기 제 3 대응부(40) 사이의 경계선(L)은, 상기 제 2 대응부(30)의 상기 회전축(Ta)과 가까운 측에 형성되는 제 1 경계선(L1) 및 상기 제 2 대응부(30)의 상기 회전축(Ta)과 먼 측에 형성되는 제 2 경계선(L2)을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 대상물(W)의 센터축(WC)과 대응되는 상기 몸체(10)의 일부분으로부터 상기 제 2 경계선(L2)까지의 제 1 거리(N1) 및 상기 대상물(W)의 센터축(WC)과 대응되는 상기 몸체(10)의 상기 일부분으로부터 상기 제 1 경계선(L1)까지의 제 2 거리(N2)는 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 도 7에서 예시된 바와 같이, 제 1 거리(N1)는 제 2 거리(N2) 보다 작을 수 있다. 즉, 상기 대상물(W)의 센터축(WC)으로부터 제 1 경계선(L1)까지의 거리는 대상물(W)의 센터축(WC)으로부터 제 2 경계선(L2)까지의 거리보다 더 멀 수 있다.
예를 들어, 제 2 거리(N2)는 제 1 거리(N1)보다 2 내지 4배의 범위에서 더 클 수 있다.
여기서, 상기 센터축이란 상기 대상물(W)의 무게 중심이나 외관 모양의 중심점을 지나고, 상기 대상물(W)의 일측 표면에 수직인 축을 의미할 수 있다.
예를 들어서 상기 대상물(W)이 웨이퍼일 경우, 웨이퍼의 센터축이란 상기 웨이퍼의 무게 중심점 또는 외관인 웨이퍼의 외관 원형의 중심점을 지나고, 상기 웨이퍼의 상면 및 하면과 수직인 축을 의미할 수 있다.
따라서, 상기 대상물(W)이 궤도를 따라 회동되는 경우, 상기 대상물(W)의 중심 부분에 형성되는 제 2 플라즈마 환경(E2)이 원심력에 의해 상기 대상물 지지부(T)의 외측으로 벗어나려는 현상을 보상할 수 있다.
여기서, 도 7의 상기 경계선(L)은 도 7에 국한되지 않고, 공정 환경에 따라 상기 제 1 거리(N1)와 상기 제 2 거리(N2)가 서로 동일하거나 제 1 거리(N1)가 제 2 거리(N2) 보다 클 수도 있다.
도 8, 도 10 및 도 11은 도 7의 전극 플레이트의 다른 일례들을 나타내는 저면도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 대응부(30)와 상기 제 1 대응부(20) 및 상기 제 2 대응부(30)와 상기 제 3 대응부(40) 사이의 경계선(L1)(L2)은 각각 직선일 수 있다. 따라서, 상기 제 2 대응부(30)와 상기 제 1 대응부(20) 또는 상기 제 2 대응부(30)와 상기 제 3 대응부(40)의 가공이 용이할 수 있다.
여기서, 점선 부분은 상기 대상물(W)의 중심 영역(A1) 및 테두리 영역(A2)이 지나는 궤적들을 나타내고, 십자 표시는 상기 대상물(W)의 센터축(WC)을 나타낸다.
이외에도, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 대응부(30)와 상기 제 1 대응부(20) 및 상기 제 2 대응부(30)와 상기 제 3 대응부(40) 사이의 경계선(L3)(L4)는 도 1의 상기 궤적과 동일한 곡률 반경(r1)을 갖는 곡선일 수 있다. 따라서, 상기 제 2 대응부(30)와 상기 제 1 대응부(20) 및 상기 제 2 대응부(30)와 상기 제 3 대응부(40)의 경계 영역을 상기 궤적에 맞추어 정확하게 일치시킬 수 있다.
이외에도, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 대응부(30)와 상기 제 1 대응부(20) 및 상기 제 2 대응부(30)와 상기 제 3 대응부(40) 사이의 경계선(L5)(L6)은, 그 곡률 반경(r2)(r3)가 서로 다르고, 상기 궤적의 곡률 반경(r1)과도 다른 것일 수 있다.
따라서, 상기 제 2 대응부(30)의 센터 영역으로 갈수록 단차진 영역을 더욱 축소시켜서 연속적으로 플라즈마 환경(E1)(E2)(E3)들을 제어할 수 있다.
도 9은 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 전극 플레이트(200)를 나타내는 단면도이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 기판 처리 장치(200)는, 상기 제 2 대응부(30)와 상기 제 1 대응부(20) 및 상기 제 2 대응부(30)와 상기 제 3 대응부(40)에 각각 단차(D2)가 형성되도록 상기 제 2 대응부(30)의 하면 높이(H3)가 상기 제 1 대응부(20) 및 제 3 대응부(40)의 하면 높이(H4) 보다 낮은 것일 수 있다.
따라서, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 대응부(30)를 이용하여 상기 대상물(W)의 도 8의 중심 영역(A1)에 제 2 플라즈마 환경(E2)이 형성되게 하고, 상기 제 1 대응부(20) 및 상기 제 3 대응부(40)를 이용하여 상기 대상물(W)의 도 7의 테두리 영역(A2)에 상기 제 2 플라즈마 환경(E2)과 다른 상기 제 1 플라즈마 환경(E1) 및 상기 제 2 플라즈마 환경(E2)이 형성되게 할 수 있다.
그러므로, 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 등 상기 대상물(W)의 중심 부분에 형성되는 제 2 플라즈마 환경(E2)과 테두리 부분에 형성되는 제 1 플라즈마 환경(E1) 및 제 3 플라즈마 환경(E3)을 정밀하게 제어하여 상기 대상물(W)에 균일한 막을 형성할 수 있다.
예를 들면, 상기 제 2 대응부(30)의 하면 높이(H1)가 상기 제 1 대응부(20) 및 제 3 대응부(40)의 하면 높이(H2) 보다 낮게 하면, 상기 대상물(W)의 중심 부분에 형성되는 제 2 플라즈마 환경(E2)이 강화되어 상기 대상물(W)의 중심 부분의 막 두께를 얇게 하거나 또는 두껍게 할 수 있고, 상기 대상물(W)의 테두리 부분에 형성되는 제 1 플라즈마 환경(E1) 또는 제 3 플라즈마 환경(E3)이 약화되어 상기 대상물(W)의 테두리 부분의 막 두께를 두껍게 하거나 또는 얇게 할 수 있다.
따라서, 상황에 맞추어 상기 제 2 대응부(30)의 하면 높이(H1)나 상기 제 1 대응부(20) 및 제 3 대응부(40)의 하면 높이(H2)를 조정하여 상기 대상물(W) 전반에 걸쳐서 균일한 두께의 막을 형성할 수 있다.
도 12은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 전극 플레이트(700)를 나타내는 저면도이고, 도 13은 도 11의 전극 플레이트(700)의 XIII-XIII 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 12 및 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 대응부(30)의 일측면 또는 양측면에 곡률(r4)(r5)을 갖는 측면홈부(G1)(G2)가 설치될 수 있다.
이러한 상기 측면홈부(G1)(G2) 역시, 웨이퍼 등 상기 대상물(W)의 중심 부분에 형성되는 제 2 플라즈마 환경(E2)과 테두리 부분에 형성되는 제 1 플라즈마 환경(E1) 또는 제 3 플라즈마 환경(E3)을 정밀하게 제어하여 상기 대상물(W)에 균일한 막을 형성할 수 있다.
여기서, 상기 곡률(r4)(r5) 역시, 상기 대상물(W)에 균일한 두께의 막이 형성될 수 있도록 상기 대상물(W)의 종류나, 가공 환경이나, 공정 가스의 종류나, 상기 몸체(10)의 크기나 형상 등에 따라 최적화 설계될 수 있다.
도 14은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 전극 플레이트(800)의 다른 일례를 나타내는 저면도이다.
도 14에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 전극 플레이트(800)는, 상기 측면홈부(G1)(G2)과 함께 상술된 단차가 형성되도록 경계선(L1)(L2)를 형성할 수 있다.
이외에도, 상기 제 2 대응부(30) 및 상기 제 1 대응부(20) 또는 상기 제 2 대응부(30) 및 상기 제 3 대응부(40)는 거칠기나 광택 등 표면 처리를 다르게 하여 상기 대상물(W)의 중심 부분에 형성되는 제 1 플라즈마 환경(E1)과 테두리 부분에 형성되는 제 1 플라즈마 환경(E1) 또는 제 3 플라즈마 환경(E3)을 정밀하게 제어할 수 있다.
도 15는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 기판 처리 장치(900)를 나타내는 저면도이다.
도 15에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 기판 처리 장치(900)는, 상기 제 1 대응부(20) 및 제 3 대응부(40) 또는 상기 제 1 대응부(20)와 제 3 대응부(40) 중 어느 하나에 제 1 가스홀(S3-1)이 형성되며, 상기 제 2 대응부(30)에 제 2 가스홀(S3-2)이 형성되고, 상기 제 1 가스홀(S3-1)과 상기 제 2 가스홀(S3-2)의 직경(D1)(D2) 및/또는 배치 밀도를 나타내는 피치 거리(P1)(P2)가 같거나 또는 서로 다른 것일 수 있다.
즉, 이러한 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 기판 처리 장치(900)의 상기 몸체(10)는 상기 제 1 가스홀(S3-1) 및 상기 제 2 가스홀(S3-2)가 형성되는 것으로서, 예컨데, 도 1의 가스 공급관(S1)을 통해서 공급받은 가스들을 복수개의 가스 분사홀(S3)이 형성된 샤워 헤드형 가스 분사판(S2)의 역할을 하는 동시에, 전극의 역할을 할 수 있다. 따라서, 상기 몸체(10)는 부채꼴 형상으로 나누어진 전극 플레이트(100)들의 일부분일 수 있다.
따라서, 상술된 요소들을 차별화하여 상기 대상물(W)의 중심 부분에 형성되는 제 2 플라즈마 환경(E2)과 테두리 부분에 형성되는 제 1 플라즈마 환경(E1) 또는 제 3 플라즈마 환경(E3)을 정밀하게 제어할 수 있다.
여기서, 상술된 상기 제 1 플라즈마 환경(E1)과, 상기 제 3 플라즈마 환경(E3)은 서로 같을 수도 있고, 서로 다를 수도 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
W: 대상물
L: 경계선
10: 몸체
20: 제 1 대응부
30: 제 2 대응부
40: 제 3 대응부
100: 전극 플레이트
1000: 기판 처리 장치

Claims (12)

  1. 공정이 이루어지는 반응기;
    상기 반응기 내부로 적어도 한 종류 이상의 공정 가스를 공급하는 가스 공급부;
    적어도 하나 이상의 대상물이 안착되고, 회전 방향에 따라 상기 공정 가스가 공간분할적으로 대상물에 공급될 수 있도록 상기 반응기 내부에 회전이 가능하게 설치되는 대상물 지지부; 및
    상기 대상물 지지부에 안착된 대상물과 대향되도록 상기 반응기 내부에 설치되고, 플라즈마 전원이 인가되는 전극 플레이트;를 포함하고,
    상기 전극 플레이트는,
    길이 방향이 상기 대상물 지지부의 회전축을 향하도록 배치되는 몸체; 및
    상기 대상물 지지부에 안착된 대상물에 제 1 플라즈마 환경, 제 2 플라즈마 환경 및 제 3 플라즈마 환경이 각각 형성되도록, 상기 몸체의 길이 방향을 따라서 상기 몸체의 상기 회전축으로부터 가까운 부분에서 먼 부분에 순차 설치되는, 제 1 대응부, 제 2 대응부 및 제 3 대응부;
    를 포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 대응부와 상기 제 1 대응부 사이 및/또는 상기 제 2 대응부와 상기 제 3 대응부 사이에 단차가 형성되도록 상기 대상물로부터 상기 제 2 대응부의 하면 높이가 상기 대상물로부터 상기 제 1 대응부 및/또는 상기 제 3 대응부의 하면 높이 보다 높은 것인, 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 대응부와 상기 제 1 대응부 및/또는 상기 제 3 대응부에 단차가 형성되도록 상기 대상물로부터 상기 제 2 대응부의 하면 높이가 상기 대상물로부터 상기 제 1 대응부 및/또는 상기 제 3 대응부의 하면 높이 보다 낮은 것인, 기판 처리 장치.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 몸체와, 상기 제 1 대응부와, 상기 제 2 대응부 및 상기 제 3 대응부는, 일체 형상이고,
    상기 제 1 대응부는, 상기 회전축으로부터 가까운 상기 몸체의 일단부를 포함하고,
    상기 제 2 대응부는, 상기 몸체의 중간 부분을 포함하고,
    상기 제 3 대응부는, 상기 회전축으로부터 먼 상기 몸체의 타단부를 포함하는 것인, 기판 처리 장치.
  5. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 대상물은 대상물 지지부에 안착되어 상기 회전축을 중심으로 일정한 반경의 궤도를 따라 공전되고,
    상기 몸체는, 상기 궤도의 상방 일측에 설치되는 부채꼴 판 형상인, 기판 처리 장치.
  6. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 대응부와 상기 제 1 대응부 사이에 제 1 경계선이 형성되고,
    상기 제 2 대응부와 상기 제 3 대응부 사이에 제 2 경계선이 형성되는 것인, 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 경계선과 상기 제 2 경계선은, 그 곡률 반경이 서로 다른 것인, 기판 처리 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 대상물의 센터축과 대응되는 상기 몸체의 일부분으로부터 제 1 경계선까지의 거리는 상기 대상물의 센터축과 대응되는 상기 몸체의 일부분으로부터 제 2 경계선까지의 거리보다 더 먼, 기판 처리 장치.
  9. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 대응부 및/또는 제 3 대응부에 제 1 가스홀이 형성되며,
    상기 제 2 대응부에 제 2 가스홀이 형성되는 것인, 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 가스홀과 상기 제 2 가스홀의 직경 및/또는 배치 밀도가 서로 다른 것인, 기판 처리 장치.
  11. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 대응부와 상기 제 1 대응부 및/또는 제 3 대응부 사이의 모서리부 및/또는 홈부는 둥글게 라운딩 처리된 것인, 기판 처리 장치.
  12. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 몸체의 폭방향으로 상기 제 2 대응부의 양측면으로부터 상기 제 2 대응부의 내측으로 오목하게 형성되는 측면홈부가 설치되는 것인, 기판 처리 장치.

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2005112072A2 (en) * 2004-04-30 2005-11-24 Axcelis Technologies, Inc. Segmented baffle plate assembly for a plasma processing system
KR20110090132A (ko) * 2010-02-02 2011-08-10 위순임 가변형 용량 결합 전극을 구비한 플라즈마 반응기
KR20120082282A (ko) * 2011-01-13 2012-07-23 국제엘렉트릭코리아 주식회사 반도체 제조에 사용되는 분사부재 및 그것을 갖는 플라즈마 처리 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005112072A2 (en) * 2004-04-30 2005-11-24 Axcelis Technologies, Inc. Segmented baffle plate assembly for a plasma processing system
KR20110090132A (ko) * 2010-02-02 2011-08-10 위순임 가변형 용량 결합 전극을 구비한 플라즈마 반응기
KR20120082282A (ko) * 2011-01-13 2012-07-23 국제엘렉트릭코리아 주식회사 반도체 제조에 사용되는 분사부재 및 그것을 갖는 플라즈마 처리 장치

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