KR20150097101A - 자외선 발광소자 및 이를 구비하는 발광소자 패키지 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 89
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 12
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 10
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 InN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910018229 Al—Ga Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
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Abstract
실시예에 따른 자외선 발광소자는 기판과, 상기 기판 상에 배치된 제1 도전형 반도체층과, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 활성층과, 상기 활성층 상에 배치된 제2 도전형 반도체층과, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치된 제2 전극과, 상기 제2 전극의 외측에 배치되도록 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 제1 전극과, 상기 제2 도전형 반도체층과 제2 전극 사이의 가장자리 영역에 배치된 절연층을 포함할 수 있다.
실시예는 제1 전극과 인접하는 제2 전극의 아래에 절연층을 배치시킴으로써, 전류가 가장자리로 집중되어 테두리에서 발광이 집중되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
실시예는 제1 전극과 인접하는 제2 전극의 아래에 절연층을 배치시킴으로써, 전류가 가장자리로 집중되어 테두리에서 발광이 집중되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
Description
실시예는 자외선 발광소자에 관한 것이다.
일반적으로, 발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 화합물 반도체로서, 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 생성될 수 있고 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.
발광소자는 순방향전압 인가 시 n층의 전자와 p층의 정공(hole)이 결합하여 전도대(Conduction band)와 가전대(Valance band)의 밴드갭 에너지에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 이 에너지는 주로 열이나 빛의 형태로 방출되며, 빛의 형태로 발산되면 발광소자가 된다.
최근에는 자외선을 이용한 자외선 발광소자가 개발되고 있으며, 이러한 자외선 발광소자는 치료, 살균 등의 목적으로 다양한 분야에서 사용되고 있다.
종래 자외선 발광소자는 제1 도전형 반도체층과, 활성층과, 제2 도전형 반도체층으로 이루어져 있으나, 제1 도전형 반도체층과 가까운 제2 도전형 반도체층 영역에서 국부적으로 발광하게 되어 수명저하, 외부양자효율 저하 등 발광 효율이 떨어지게 되어 살균력을 저하시키는 문제점이 발생된다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 실시예는 발광 효율을 향상시키기 위한 자외선 발광소자 및 이를 구비하는 플립칩 발광소자 패키지를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 실시예에 따른 자외선 발광소자는 기판과, 상기 기판 상에 배치된 제1 도전형 반도체층과, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 활성층과, 상기 활성층 상에 배치된 제2 도전형 반도체층과, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치된 제2 전극과, 상기 제2 전극의 외측에 배치되도록 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 제1 전극과, 상기 제2 도전형 반도체층과 제2 전극 사이의 가장자리 영역에 배치된 절연층을 포함할 수 있다.
실시예는 제1 전극과 인접하는 제2 전극의 아래에 절연층을 배치시킴으로써, 전류가 가장자리로 집중되어 테두리에서 발광이 집중되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 실시예는 테두리에서 발광이 집중되는 것을 방지함으로써, 수명, 외부양자효율 등의 발광 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 제1 실시예에 따른 자외선 발광소자를 나타낸 단면도이다.
도 2는 제1 실시예에 따른 자외선 발광소자의 전류의 이동을 나타낸 단면도이다.
도 3은 제2 실시예에 따른 자외선 발광소자를 나타낸 단면도이다.
도 4는 제2 실시예에 따른 자외선 발광소자의 전류의 이동을 나타낸 단면도이다.
도 5는 실시예들에 따른 자외선 발광소자가 구비된 플립칩 발광소자의 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 2는 제1 실시예에 따른 자외선 발광소자의 전류의 이동을 나타낸 단면도이다.
도 3은 제2 실시예에 따른 자외선 발광소자를 나타낸 단면도이다.
도 4는 제2 실시예에 따른 자외선 발광소자의 전류의 이동을 나타낸 단면도이다.
도 5는 실시예들에 따른 자외선 발광소자가 구비된 플립칩 발광소자의 패키지를 나타낸 단면도이다.
이하, 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 제1 실시예에 따른 자외선 발광소자를 나타낸 단면도이고, 도 2는 제1 실시예에 따른 자외선 발광소자의 전류의 이동을 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 제1 실시예에 따른 자외선 발광소자는 기판(110)과, 상기 기판(110) 상에 배치된 버퍼층(181)과, 상기 버퍼층(181) 상에 배치된 제1 도전형 반도체층(120)과, 상기 제1 도전형 반도체층(120) 상에 배치된 전류 확산층(182)과, 상기 전류 확산층(182) 상에 배치된 스트레인 제어층(183)과, 상기 스트레인 제어층(183) 상에 배치된 활성층(130)과, 상기 활성층(130) 상에 배치된 전자 차단층(184)과, 상기 전자 차단층(184) 상에 배치된 제2 도전형 반도체층(140)과, 상기 제2 도전형 반도체층(140) 상에 배치된 투광성 전극층(185)과, 상기 제1 도전형 반도체층(120) 상에 배치된 제1 전극(150)과, 상기 투광성 전극층(185) 상에 배치된 제2 전극(160)과, 상기 제1 전극과 인접하는 제2 전극의 아래에 배치되는 절연층을 포함한다.
기판(110)은 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(110)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, and Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.
상기 기판(110) 상에는 버퍼층(181)이 배치될 수 있다.
버퍼층(181)은 상기 발광구조물의 재료와 기판(110)의 격자 부정합을 완화시켜 주는 역할을 한다. 버퍼층(181)으로는 3족-5족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 버퍼층(181)은 다수의 패턴부를 이루도록 기판(110) 상에 일정 간격으로 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(181) 상에는 제1 도전형 반도체층(120)이 배치될 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(120)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(120)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(120)은 예로서 II족-VI족 화합물 반도체 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(120)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(120)은, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 전류 확산층(182)은 내부 양자 효율을 향상시켜 광 효율을 증대시킬 수 있으며, 언도프트 질화갈륨층(undoped GaN layer)일 수 있다. 전류 확산층(182) 상에는 전자 주입층(미도시)이 더 형성될 수도 있다. 상기 전자 주입층은 도전형 질화갈륨층일 수 있다. 예를 들어, 상기 전자 주입층은 n형 도핑원소가 6.0x1018atoms/cm3~3.0x1019atoms/cm3의 농도로 도핑 됨으로써 효율적으로 전자주입을 할 수 있다.
상기 전자 확산층(182) 상에는 스트레인 제어층(183)이 형성될 수 있다.
스트레인 제어층(183)은 제1 도전형 반도체층(120)과 활성층(130) 사이의 격자 불일치에 기이한 응력을 효과적으로 완화시키는 역할을 한다.
상기 스트레인 제어층(183)의 격자상수는 상기 제1 도전형 반도체층(120)의 격자 상수보다는 크되, 상기 활성층(130)의 격자 상수보다는 작을 수 있다. 이에 따라 활성층(130)과 제1 도전형 반도체층(120) 사이에 격자상수 차이에 의한 스트레스를 최소화할 수 있다.
상기 스트레인 제어층(183)은 다층(multi-layer)으로 형성될 수 있으며, 예컨대, 스트레인 제어층(183)은 AlxInyGa1 -x- yN 및 GaN을 복수의 쌍(pair)으로 구비할 수 있다.
상기 스트레인 제어층(183) 상에는 활성층(130)이 배치될 수 있다.
활성층(130)은 상기 제1 도전형 반도체층(120)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(140)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(130)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층(130)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 활성층(130)은 자외선을 생성하는 층일 수 있다. 활성층(130)은 170nm 내지 210nm 파장의 심 자외선 광을 생성할 수 있다. 이에 대해서는 한정하지 않는다.
상기 활성층(130)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층(130)은 예로서 II족-VI족 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층(130)은 예로서 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 활성층(130)이 상기 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층(130)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 구현될 수 있으며, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기로 구현될 수 있다.
상기 활성층(130) 상에는 전자 차단층(184)이 배치될 수 있다.
전자 차단층(184)은 전자 차단(electron blocking) 및 활성층의 클래딩(MQW cladding) 역할을 하며, 이로 인해 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 전자 차단층(184)은 AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1,0≤y≤1)계 반도체로 형성될 수 있으며, 상기 활성층(130)의 에너지 밴드 갭보다는 높은 에너지 밴드 갭을 가질 수 있으며, 약 100Å~ 약 600Å의 두께로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 이와 달리, 상기 전자 차단층(184)은 AlzGa(1-z)N/GaN(0≤z≤1) 초격자(superlattice)로 형성될 수 있다.
상기 전자 차단층(184) 상에는 제2 도전형 반도체층(140)이 배치될 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(140)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(140)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(140)은 예로서 II족-VI족 화합물 반도체 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(140)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(140)은, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
한편, 상기 제1 도전형 반도체층(120)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형 반도체층(140)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(140) 아래에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수도 있다. 이에 따라, 상기 발광 구조물은 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(120) 및 상기 제2 도전형 반도체층(140) 내의 불순물의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광 구조물의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
제2 도전형 반도체층(140) 상에는 투광성 전극층(185)이 배치될 수 있다.
투광성 전극층(185)은 캐리어 주입을 효율적으로 할 수 있도록 단일 금속 또는 금속합금, 금속 산화물 등을 다중으로 적층할 수도 있다. 예컨대, 투광성 전극층(185)은 반도체와 전기적인 접촉이 우수한 물질로 형성될 수 있으며, 투광성 전극층(185)으로는 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.
투광성 전극층(185) 상에는 제2 전극(160)이 배치되며, 상부 일부가 노출된 제1 도전형 반도체층(120) 상에는 제1 전극(150)이 형성된다. 제1 전극(150)은 제2 전극(160)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 이후, 최종적으로 제1 전극(160) 및 제2 전극(160)이 서로 연결됨으로써 발광 소자의 제작이 완료될 수 있다.
제1 전극(150) 및 제2 전극(160)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
상기 투광성 전극층(185)과 제2 전극(160) 사이에는 절연층(170)이 배치될 수 있다.
상기 절연층(170)은 제1 전극(150)과 인접하는 제2 전극(160)의 아래에 배치될 수 있다. 절연층(170)은 제2 전극(160)의 하부 가장자리를 따라 배치될 수 있다. 절연층(170)은 제2 전극(160)의 하부 가장자리와 접하도록 배치될 수 있다. 제2 전극(160)은 절연층(170)을 덮은 구조일 수 있다. 절연층(170)은 투광성 전극층(185) 상의 가장자리를 따라 배치될 수 있다. 제2 전극(160)의 하부 중앙 영역은 투광성 전극층(185)에 접하도록 배치될 수 있다.
이와 다르게, 절연층(170)은 투광성 전극층(185) 아래에 배치될 수 있다. 절연층(170)은 제2 도전형 반도체층(140) 상에 배치될 수 있다. 절연층(170)은 제2 도전형 반도체층(140) 상의 가장자리를 따라 배치될 수 있다.
또한, 투광성 전극층(185)은 생략될 수 있다. 투광성 전극층(185)이 생략되면, 절연층(170)은 제2 도전형 반도체층(140) 상에 배치될 수 있다. 절연층(170)은 제2 도전형 반도체층(140) 상의 가장자리를 따라 배치될 수 있다.
절연층(170)은 SiO2, Al2O3를 포함할 수 있다. 절연층(170)은 열전도성이 있는 재료를 포함할 수 있다. 절연층(170)은 밴드갭이 5eV 이상의 재료를 포함할 수 있다. 절연층(170)의 두께는 제2 전극(160) 두께의 1/10 내지 1/2의 두께로 형성될 수 있다. 절연층(170)은 전류가 흐르지 않도록 최대한 얇게 형성할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 전류는 제2 전극(160)으로부터 하부로 이동하게 된다. 전류는 제2 전극(160)의 하부 가장자리에 절연층(170)이 배치되었기 때문에 제2 전극(160)의 가장자리로 집중되지 않고, 제2 전극(160) 내에서 고르게 확산된다. 제2 전극(160) 내에서 고르게 확산된 전류는 활성층(130)에 고르게 전달되어 전체 발광을 하게 된다.
상기와 같이, 제1 전극(150)과 인접하는 제2 전극(160)의 하부에 절연층(170)을 형성함으로써, 제1 전극(150)과 인접하는 제2 전극(160)의 가장자리에 전류가 국부적으로 집중되는 것을 방지할 수 있으며, 이로부터 가장자리만 집중적으로 발광되는 현상을 줄일 수 있다.
따라서, 상기와 같은 절연층 구조는 소자 수명을 늘릴 수 있는 효과가 있다. 또한, 광량을 10% 이상 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 3은 제2 실시예에 따른 자외선 발광소자를 나타낸 단면도이고, 도 4는 제2 실시예에 따른 자외선 발광소자의 전류의 이동을 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면, 제2 실시예에 따른 자외선 발광소자는 기판(210)과, 상기 기판(210) 상에 배치된 버퍼층(281)과, 상기 버퍼층(281) 상에 배치된 제1 도전형 반도체층(220)과, 상기 제1 도전형 반도체층(220) 상에 배치된 전류 확산층(282)과, 상기 전류 확산층(282) 상에 배치된 스트레인 제어층(283)과, 상기 스트레인 제어층(283) 상에 배치된 활성층(230)과, 상기 활성층(230) 상에 배치된 전자 차단층(284)과, 상기 전자 차단층(284) 상에 배치된 제2 도전형 반도체층(240)과, 상기 제2 도전형 반도체층(240) 상에 배치된 투광성 전극층(285)과, 상기 제1 도전형 반도체층(220) 상에 배치된 제1 전극(250)과, 상기 투광성 전극층(285) 상에 배치된 제2 전극(260)과, 상기 제1 전극(250)과 인접하는 제2 전극(260)의 아래에 배치되는 절연층(270)을 포함한다. 여기서, 제1 전극(250)과 절연층(170)의 구조를 제외한 구성요소는 제1 실시예에 따른 발광소자와 동일하므로 생략한다.
제1 전극(250)은 상부 일부가 노출된 제1 도전형 반도체층(220) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(250)은 제2 전극(260)의 일측에 배치될 수 있다.
상기 절연층(270)은 제1 전극(250)과 인접하는 제2 전극(260)의 아래에 배치될 수 있다. 절연층(270)은 제1 전극(250)과 인접하는 제2 전극(260)의 하부 일측과 접하도록 배치될 수 있다. 절연층(270)은 투광성 전극층(285) 상의 일측에 배치될 수 있다. 제2 전극(260)의 타측은 투광성 전극층(285)에 접하도록 배치될 수 있다. 투광성 전극층(285)이 생략될 경우, 절연층(270)은 제2 도전형 반도체층(240)과 접하도록 배치될 수 있다.
절연층(270)은 SiO2, Al2O3를 포함할 수 있다. 절연층(270)은 열전도성이 있는 재료를 포함할 수 있다. 절연층(270)은 밴드갭이 5eV 이상의 재료를 포함할 수 있다. 절연층(270)의 두께는 제2 전극(260)의 1/10 내지 1/2의 두께로 형성될 수 있다. 절연층(270)은 전류가 흐르지 않도록 최대한 얇게 형성할 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 전류는 제2 전극(260)으로부터 하부로 이동하게 된다. 전류는 제2 전극(260)의 하부 가장자리 일측에 절연층(270)이 배치되었기 때문에 제2 전극(260)의 가장자리로 집중되지 않고, 제2 전극(260) 내에서 고르게 확산된다. 제2 전극(260) 내에서 고르게 확산된 전류는 제2 전극(260)의 하부 타측면을 통해 활성층(230)에 고르게 전달되어 전체 발광을 하게 된다.
도 5는 실시예들에 따른 발광소자가 구비된 플립칩 발광소자의 패키지를 나타낸 단면도이다. 여기서, 발광소자 패키지는 플립칩 방식의 발광소자 패키지일 수 있다.
발광소자 패키지(300)는 서브마운트 기판(310)과, 상기 서브마운트 기판(310) 상에 배치된 본딩 패드(320,330)와, 상기 서브 마운트 기판(310) 상에 범프(340,350)에 의해 플립칩 본딩되는 발광소자를 포함할 수 있다.
발광소자(100)는 실시예들에 따른 발광소자가 사용될 수 있으며, 발광소자(100)가 뒤집어진 상태로 서브마운틴 기판(310)에 배치될 수 있다.
서브마운틴 기판(310)은 열전도성이 우수한 SiC, Si, Ge, SiGe, AlN, 금속 등이 사용될 수 있다. 서브마운틴 기판(310) 상에는 본딩 패드(320,330)가 배치될 수 있다. 본딩 패드(320,330)는 발광소자(110)에 전원을 공급한다.
본딩 패드(320,330)는 전기 전도성이 우수한 금속을 사용할 수 있으며, 스크린 인쇄법 또는 마스크 패턴을 이용한 증착 공정을 통해 형성될 수 있다. 본딩 패드(320,330)는 제1 본딩패드(320)와 제2 본딩패드(330)를 포함할 수 있다. 제1 본딩 패드(320)와 제2 본딩 패드(330)는 전기적으로 분리시킬 수 있다. 제1 본딩패드(320)는 서브마운틴 기판(310) 상의 중심 영역에 배치될 수 있다. 제2 본딩패드(330)는 서브마운틴 기판(310) 상의 가장자리를 따라 배치될 수 있다. 제2 본딩 패드(330)는 제1 본딩 패드(320)를 둘러싸도록 배치될 수 있다.
본딩 패드(320,330) 상에는 범프(340,350)가 배치될 수 있다. 상기 범프(340,350)는 Pb, Sn, Au, Ge, Cu, Bi, Cd, Zn, Ag, Ni 및 Ti 중 적어도 어느 하나를 사용할 수 있으며, 이들의 합금을 사용할 수 있다. 상기 범프(340,350)는 제1 범프(340)와 제2 범프(350)를 포함할 수 있다.
제1 범프(340)와 제2 범프(350)는 본딩 패드(320,330) 상에 배치되어 발광소자(100)의 제1 전극과 제2 전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 실시예의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 실시예는 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음은 이해할 수 있을 것이다.
110: 기판
120: 제1 도전형 반도체층
130: 활성층 140: 제2 도전형 반도체층
150: 제1 전극 160: 제2 전극
170: 절연층 181: 버퍼층
130: 활성층 140: 제2 도전형 반도체층
150: 제1 전극 160: 제2 전극
170: 절연층 181: 버퍼층
Claims (9)
- 기판;
상기 기판 상에 배치된 제1 도전형 반도체층;
상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 활성층;
상기 활성층 상에 배치된 제2 도전형 반도체층;
상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치된 제2 전극;
상기 제2 전극의 외측에 배치되도록 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 제1 전극; 및
상기 제2 도전형 반도체층과 제2 전극 사이의 가장자리 영역에 배치된 절연층;을 포함하는 자외선 발광소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 절연층은 제2 전극의 하부 가장자리 영역을 따라 배치된 자외선 발광소자. - 제 2 항에 있어서,
상기 제2 전극의 중앙 영역은 제2 도전형 반도체층과 접하는 자외선 발광소자. - 제 3 항에 있어서,
상기 제1 도전형 반도체층 상에는 제2 전극의 외측을 둘러싸도록 제1 전극이 더 배치되는 자외선 발광소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 절연층은 제2 전극의 하부 일측에 배치되는 자외선 발광소자. - 제 5 항에 있어서,
상기 제2 전극의 하부 타측은 제2 도전형 반도체층과 접하는 발광소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 절연층은 SiO2, Al2O3 를 포함하는 자외선 발광소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 절연층은 에너지 밴드갭이 5eV 이상인 재료를 포함하는 자외선 발광소자. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 자외선 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150097101A true KR20150097101A (ko) | 2015-08-26 |
| KR102158576B1 KR102158576B1 (ko) | 2020-09-22 |
Family
ID=54059152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020140018267A KR102158576B1 (ko) | 2014-02-18 | 2014-02-18 | 자외선 발광소자 및 이를 구비하는 발광소자 패키지 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102158576B1 (ko) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2014
- 2014-02-18 KR KR1020140018267A patent/KR102158576B1/ko active IP Right Grant
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