KR20150090483A - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

Provided in an embodiment of the present invention are a method and an apparatus for exhausting byproducts of a process in a chamber. The substrate treating apparatus comprises a chamber having a treatment space inside; a substrate support unit supporting a substrate in the treatment space; a gas supply unit supplying a process gas to the treatment space; and an exhausting unit exhausting the process gas supplied to the treatment space, wherein the exhausting unit comprises a main exhausting line connected to the lower wall of the chamber; multiple exhausting ports formed on the side wall of the chamber; multiple auxiliary exhausting lines connected to the exhausting ports respectively; and a pressure reducing member providing a negative pressure to each of the main exhausting line and the auxiliary exhausting lines. The auxiliary exhausting lines connected to the exhausting ports formed on the side wall of the chamber can be adjusted to independently exhaust, thereby uniformly exhausting whole area by more exhausting an area not being smoothly exhausted in the chamber.

Description

기판처리장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공정부산물을 배기하는 장치 및 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus and a method for processing a substrate, and more particularly, to an apparatus and a method for exhausting a process by-product.

반도체 소자를 제조하는 공정에 있어서 사진, 식각, 박막 증착, 이온주입, 그리고 세정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 식각, 박막 증착, 그리고 세정 공정에는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치가 사용된다.In the process of manufacturing a semiconductor device, various processes such as photolithography, etching, thin film deposition, ion implantation, and cleaning are performed. Among these processes, a substrate processing apparatus using plasma is used for etching, thin film deposition, and cleaning processes.

일반적으로 플라즈마 처리 장치는 챔버 내에서 공정이 진행되며, 챔버의 하부벽을 통해 그 내부를 배기한다. 챔버의 하부벽을 통해 제공되는 배기압은 챔버 내에는 하강기류가 발생된다. 도1은 일반적인 플라즈마 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도1을 참조하면, 챔버 내에 발생된 하강기류는 챔버의 상부벽에 부착된 파티클을 낙하시키고, 이는 기판을 처리하는 과정에서 기판 상에 부착되어 공정 불량을 발생시킨다.In general, the plasma processing apparatus proceeds in the chamber and exhausts its interior through the lower wall of the chamber. The exhaust pressure provided through the lower wall of the chamber generates a downward flow in the chamber. 1 is a cross-sectional view showing a general plasma processing apparatus. Referring to FIG. 1, the downward flow generated in the chamber drops particles adhered to the upper wall of the chamber, which adheres to the substrate in the course of processing the substrate, thereby causing a process failure.

또한 챔버 내에 배기압을 제공하는 펌프는 그 위치에 따라 영역별 배기압의 세기가 상이해진다. 이로 인해 챔버 내부 공간은 펌프와 상대적으로 가까운 영역에 강한 배기압이 제공되고, 상대적으로 먼 영역에는 그보다 약한 배기압이 제공된다. 이로 인해 챔버 내에는 영역별 배기 차가 발생되며, 이는 챔버 내에 잔류하는 가스의 시간이 영역별로 상이해질 뿐만 아니라, 기판에 대한 식각률 및 증착률이 영역별로 상이해진다. 또한 챔버 내의 환경에 따라 기판의 영역 별 식각률 및 증착률은 상이해진다.In addition, the pump providing the exhaust pressure in the chamber is different in intensity of the exhaust pressure of each zone depending on the position thereof. As a result, the chamber interior space is provided with a strong exhaust pressure in a region relatively close to the pump and a lower exhaust pressure in a relatively far region. As a result, an exhaust difference is generated in each chamber in the chamber, which causes not only the time of the gas remaining in the chamber to be different in each region but also the etching rate and the deposition rate for the substrate are different for each region. In addition, the etch rate and the deposition rate of the substrate are different depending on the environment in the chamber.

한국 공개 특허 번호: 제2003-0096412호Korean Patent Publication No. 2003-0096412

본 발명은 기판의 전체영역에 플라즈마를 균일하게 제공할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention seeks to provide an apparatus and method that can uniformly provide a plasma over the entire area of a substrate.

또한 본 발명은 챔버의 상부벽 또는 측벽에 부착된 파티클이 낙하되어 공정 불량을 발생시키는 것을 최소화하고자 한다.The present invention also minimizes the occurrence of process defects by falling particles adhering to the upper wall or side wall of the chamber.

본 발명의 실시예는 챔버 내의 공정부산물을 배기하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 처리공간에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 그리고 상기 처리공간에 제공된 공정 가스를 배기하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은 상기 챔버의 하부벽에 연결된 메인 배기 라인, 상기 챔버의 측벽에 형성된 복수의 배기포트들, 상기 배기포트들 각각에 연결되는 복수의 보조 배기 라인들, 그리고 상기 메인 배기 라인 및 상기 보조 배기 라인들 각각에 음압을 제공하는 감압부재를 포함한다. Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for evacuating process by-products in a chamber. The substrate processing apparatus includes a chamber having a processing space therein, a substrate support unit for supporting the substrate in the processing space, a gas supply unit for supplying the processing gas to the processing space, and an exhaust unit Wherein the exhaust unit includes a main exhaust line connected to a lower wall of the chamber, a plurality of exhaust ports formed in a side wall of the chamber, a plurality of auxiliary exhaust lines connected to each of the exhaust ports, And a pressure-reducing member for providing a negative pressure to each of the line and the auxiliary exhaust lines.

상기 배기포트들 각각은 상기 기판 지지 유닛의 둘레를 감싸며, 동일 높이에 형성될 수 있다. 상기 보조 배기 라인들의 개구율을 독립적으로 조절하도록 상기 보조 배기 라인들 각각에 설치되는 밸브를 포함할 수 있다. 상기 밸브는 상기 보조 배기 라인의 통로보다 큰 면적을 가지는 플레이트 및 상기 플레이트를 차단위치 및 개방위치로 이동시키는 판 구동기를 포함하되, 상기 차단위치는 상기 플레이트의 중심축과 상기 보조 배기라인의 중심축이 일치하는 위치이고, 개방위치는 상기 플레이트가 상기 차단위치를 벗어난 위치로 제공될 수 있다. 상기 배기포트를 정면에서 바라볼 때, 상기 판 구동기는 상기 플레이트를 좌우방향으로 이동시킬 수 있다. 상기 배기포트를 정면에서 바라볼 때, 상기 판 구동기는 상기 플레이트는 상하방향으로 이동시킬 수 있다. 상기 밸브는 상기 배기포트와 인접하게 위치될 수 있다. 복수의 상기 보조 배기 라인들 각각은 상기 메인 배기 라인에 연결되되, 상기 감압부재는 상기 메인 배기 라인에 복수의 상기 보조 배기 라인들 각각이 연결되는 지점보다 하류에 설치될 수 있다.Each of the exhaust ports surrounds the periphery of the substrate support unit and may be formed at the same height. And a valve installed in each of the auxiliary exhaust lines to independently adjust an opening ratio of the auxiliary exhaust lines. Wherein the valve comprises a plate having a larger area than the passage of the auxiliary exhaust line and a plate driver for moving the plate to a shutoff position and an open position, the shutoff position being established between a central axis of the plate and a central axis of the auxiliary exhaust line And the open position can be provided to a position where the plate is out of the cut-off position. When the exhaust port is viewed from the front, the plate driver can move the plate in the left and right directions. When the exhaust port is viewed from the front, the plate driver can move the plate in the vertical direction. The valve may be located adjacent the exhaust port. Each of the plurality of auxiliary exhaust lines may be connected to the main exhaust line, and the pressure reducing member may be installed downstream of a point where each of the plurality of auxiliary exhaust lines is connected to the main exhaust line.

기판을 처리하는 방법으로서 챔버 내에 공정 가스를 공급하여 기판을 처리하고, 기판 처리 시 발생된 공정 부산물은 상기 챔버의 하부벽에 연결되는 메인 배기 라인 및 상기 챔버의 측벽에 연결되는 복수의 보조 배기 라인들을 통해 배기된다.A method of processing a substrate, the method comprising: supplying a process gas into a chamber to process the substrate; process byproducts generated during substrate processing include a main exhaust line connected to a lower wall of the chamber and a plurality of auxiliary exhaust lines Lt; / RTI >

상기 메인 배기 라인 및 상기 보조 배기 라인들은 하나의 펌프에 의해 배기가 이루어질 수 있다. 상기 보조 배기 라인들 각각의 개구율은 서로 간에 독립적으로 조절되게 제공될 수 있다.The main exhaust line and the auxiliary exhaust lines may be exhausted by a single pump. The aperture ratios of each of the auxiliary exhaust lines may be provided to be adjusted independently of each other.

본 발명의 실시예에 의하면, 챔버의 측벽에 형성된 배기포트들에 연결된 보조 배기라인은 독립 배기되도록 조절 가능하다. 이로 인해 챔버 내에 배기가 원활치 않는 영역을 더 배기하여 전체 영역을 균일하게 배기할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the auxiliary exhaust line connected to the exhaust ports formed in the side wall of the chamber is adjustable to be independently exhausted. As a result, it is possible to further exhaust the region where the exhaust is not smooth in the chamber, and to exhaust the entire region uniformly.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 챔버의 상부벽 또는 측벽으로부터 파티클이 낙하될지라도, 챔버의 측벽으로부터 제공된 음압으로 인해 파티클은 그 측벽을 향하는 방향으로 배기될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, even if the particles fall from the upper wall or the side wall of the chamber, the particles can be exhausted in the direction toward the side wall due to the negative pressure provided from the side wall of the chamber.

도1은 일반적인 플라즈마 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도3은 도3의 배플을 보여주는 평면도이다.
도4는 도2의 복수 개의 보조 배기 라인들을 보여주는 사시도이다.
도5는 도2의 보조 배기 라인을 보여주는 수직 단면도이다.
도6은 도5의 보조 배기 라인의 다른 실시예를 보여주는 수직 단면도이다.
도7은 도5의 보조 배기 라인의 또 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a general plasma processing apparatus.
2 is a sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view showing the baffle of Fig.
FIG. 4 is a perspective view showing the plurality of auxiliary exhaust lines of FIG. 2. FIG.
5 is a vertical sectional view showing the auxiliary exhaust line of FIG.
6 is a vertical cross-sectional view showing another embodiment of the auxiliary exhaust line of FIG.
FIG. 7 is a cross-sectional view showing another embodiment of the auxiliary exhaust line of FIG. 5; FIG.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

본 발명의 실시예에서는 처리가스로부터 발생된 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 기판처리장치 및 방법에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 처리 가스를 이용하여 공정을 수행하는 장치라면 다양하게 적용 가능하다.In an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and method for etching a substrate using plasma generated from a process gas will be described. However, the present invention is not limited to this, and various apparatuses can be applied as long as the apparatus is a device that performs a process using a process gas.

이하, 도2 내지 도7을 참조하여 본 발명을 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to Figs. 2 to 7. Fig.

도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도2를을 참조하면, 기판처리장치(10)는 챔버(100), 기판지지유닛(200), 가스공급유닛(300), 플라즈마소스(400), 배플(500), 그리고 배기유닛을 포함한다.2 is a sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 2, the substrate processing apparatus 10 includes a chamber 100, a substrate support unit 200, a gas supply unit 300, a plasma source 400, a baffle 500, and an exhaust unit .

챔버(100)는 내부에 기판(W)이 처리되는 처리공간을 제공한다. 챔버(100)는 원통 형상으로 제공된다. 챔버(100)의 일측벽에는 개구(130)가 형성된다. 개구(130)는 기판(W)이 반입 또는 반출되는 통로로서 기능한다. 챔버(100)는 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)의 하부면에는 하부홀(170)이 형성된다. 하부홀(170)은 챔버(100)의 하부면 중앙영역에 형성된다. The chamber 100 provides a processing space in which the substrate W is processed. The chamber 100 is provided in a cylindrical shape. An opening 130 is formed in one side wall of the chamber 100. The opening 130 functions as a passage through which the substrate W is carried in or out. The chamber 100 is made of a metal material. For example, the chamber 100 may be provided with an aluminum material. A lower hole 170 is formed in the lower surface of the chamber 100. A lower hole 170 is formed in the central area of the lower surface of the chamber 100.

기판지지유닛(200)은 처리공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판지지유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(200)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판지지유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.The substrate supporting unit 200 supports the substrate W in the processing space. The substrate support unit 200 may be provided with an electrostatic chuck 200 that supports the substrate W using electrostatic force. Optionally, the substrate support unit 200 can support the substrate W in a variety of ways, such as mechanical clamping.

정전척(200)은 유전판(210), 포커스링(250), 그리고 베이스(230)를 포함한다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 유전판(210)의 내부에는 하부전극(212)이 설치된다. 하부전극(212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력을 인가받는다. 하부전극(212)은 인가된 전력(미도시)으로부터 기판(W)이 유전판(210)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 유전판(210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(214)가 설치된다. 히터(214)는 하부전극(212)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. 예컨대, 유전판(210)은 세라믹 재질로 제공될 수 있다. The electrostatic chuck 200 includes a dielectric plate 210, a focus ring 250, and a base 230. The substrate W is directly placed on the upper surface of the dielectric plate 210. The dielectric plate 210 is provided in a disc shape. The dielectric plate 210 may have a smaller radius than the substrate W. [ A lower electrode 212 is provided inside the dielectric plate 210. A power source (not shown) is connected to the lower electrode 212, and receives power from a power source (not shown). The lower electrode 212 provides an electrostatic force such that the substrate W is attracted to the dielectric plate 210 from the applied power (not shown). Inside the dielectric plate 210, a heater 214 for heating the substrate W is provided. The heater 214 may be positioned below the lower electrode 212. The heater 214 may be provided as a helical coil. For example, the dielectric plate 210 may be provided in a ceramic material.

베이스(230)는 유전판(210)을 지지한다. 베이스(230)는 유전판(210)의 아래에 위치되며, 유전판(210)과 고정결합된다. 베이스(230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(230)의 내부에는 냉각유로(232)가 형성된다. 냉각유로(232)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각유로(232)는 베이스(230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. 베이스에는 외부에 위치된 고주파 전원(234)과 연결된다. 고주파 전원(234)은 베이스(230)에 전력을 인가한다. 베이스(230)에 인가된 전력은 챔버(100) 내에 발생된 플라즈마가 베이스(230)를 향해 이동되도록 안내한다. 베이스(230)는 금속 재질로 제공될 수 있다.The base 230 supports the dielectric plate 210. The base 230 is positioned below the dielectric plate 210 and is fixedly coupled to the dielectric plate 210. The upper surface of the base 230 has a stepped shape such that its central region is higher than the edge region. The central portion of the upper surface of the base 230 has an area corresponding to the bottom surface of the dielectric plate 210. A cooling passage 232 is formed in the base 230. The cooling channel 232 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The cooling channel 232 may be provided in a spiral shape inside the base 230. And is connected to a high-frequency power supply 234 located outside the base. The high frequency power supply 234 applies power to the base 230. The power applied to the base 230 guides the plasma generated in the chamber 100 to be moved toward the base 230. The base 230 may be made of a metal material.

포커스링(250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(250)은 내측링(252) 및 외측링(254)을 포함한다. 내측링(252)은 유전판(210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측링(252)을 베이스(230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측링(252)의 상면은 유전판(210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측링(252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 예컨대, 내측링(252)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 외측링(254)은 내측링(252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측링(254)은 베이스(230)의 가장자리영역에서 내측링(252)과 인접하게 위치된다. 외측링(254)의 상면은 내측링(252)의 상면에 비해 그 높이가 높게 제공된다. 외측링(254)은 절연 물질로 제공될 수 있다.The focus ring 250 focuses the plasma onto the substrate W. [ The focus ring 250 includes an inner ring 252 and an outer ring 254. The inner ring 252 is provided in an annular ring shape surrounding the dielectric plate 210. The inner ring 252 is located in the edge region of the base 230. [ The upper surface of the inner ring 252 is provided so as to have the same height as the upper surface of the dielectric plate 210. The inner surface of the upper surface of the inner ring 252 supports the bottom edge region of the substrate W. [ For example, the inner ring 252 may be provided with a conductive material. The outer ring 254 is provided in an annular ring shape surrounding the inner ring 252. The outer ring 254 is positioned adjacent to the inner ring 252 in the edge region of the base 230. The upper surface of the outer ring 254 is provided with a higher height than the upper surface of the inner ring 252. The outer ring 254 may be provided with an insulating material.

가스공급유닛(300)은 기판지지유닛(200)에 지지된 기판(W) 상으로 척킹용 가스 및 공정가스를 공급한다. 가스공급유닛(300)은 가스 저장부(353), 가스공급라인(330), 그리고 가스유입포트(310)를 포함한다. 가스공급라인(330)은 가스 저장부(350)를 가스유입포트(310)에 연결한다. 가스 저장부(350)에 저장된 공정 가스는 가스공급라인(330)을 통해 가스유입포트(310)으로 공급한다. 가스공급라인(330)에는 밸브가 설치된다. 밸브는 공정 가스의 공급통로를 개폐한다. 일 예에 의하면, 공정가스는 식각 가스일 수 있다.The gas supply unit 300 supplies the chucking gas and the process gas onto the substrate W supported by the substrate supporting unit 200. The gas supply unit 300 includes a gas reservoir 353, a gas supply line 330, and a gas inlet port 310. The gas supply line 330 connects the gas reservoir 350 to the gas inlet port 310. The process gas stored in the gas storage unit 350 is supplied to the gas inlet port 310 through the gas supply line 330. The gas supply line 330 is provided with a valve. The valve opens and closes the supply passage of the process gas. According to one example, the process gas may be an etch gas.

플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나(410) 및 외부전원(430)을 포함한다. 안테나(410)는 챔버(100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(410)는 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공되고, 외부전원(430)과 연결된다. 안테나(410)는 외부전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(410)는 챔버(100)의 처리공간에 방전공간을 형성한다. 방전공간 내에 머무르는 공정가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.The plasma source 400 excites the process gas into the plasma state within the chamber 100. As the plasma source 400, an inductively coupled plasma (ICP) source may be used. The plasma source 400 includes an antenna 410 and an external power source 430. An antenna 410 is disposed on the outer side of the chamber 100. The antenna 410 is provided in a spiral shape in multiple turns and is connected to an external power supply 430. The antenna 410 receives power from the external power supply 430. The powered antenna 410 forms a discharge space in the processing space of the chamber 100. The process gas staying in the discharge space can be excited into a plasma state.

배플(500)은 처리공간에서 플라즈마가 영역 별로 균일하게 배기되게 한다. 도4는 도3의 배플을 보여주는 평면도이다. 배플(500)은 처리공간에서 챔버(100)의 내측벽과 지지유닛(400)의 사이에 위치된다. 배플(500)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배플(500)에는 복수의 관통홀들(502)이 형성된다. 관통홀들(502)은 상하방향으로 제공된다. 관통홀들(502)은 배플(500)의 원주방향을 따라 제공된다. 관통홀(502)은 슬릿 형상을 가지도록 제공된다. 관통홀(502)은 배플(500)의 반경방향을 향하는 길이방향을 가지도록 제공된다.The baffle 500 allows the plasma to be evenly exhausted in the processing space. 4 is a plan view showing the baffle of Fig. The baffle 500 is positioned between the inner wall of the chamber 100 and the support unit 400 in the process space. The baffle 500 is provided in an annular ring shape. A plurality of through holes 502 are formed in the baffle 500. The through holes 502 are provided in the vertical direction. The through holes 502 are provided along the circumferential direction of the baffle 500. The through hole 502 is provided to have a slit shape. The through hole 502 is provided so as to have a radial direction lengthwise direction of the baffle 500.

배기유닛(600)은 처리공간에서 발생된 공정 부산물을 챔버(100)의 외부로 배기한다. 도4는 도2의 복수 개의 보조 배기 라인들을 보여주는 사시도이고, 도5는 도2의 보조 배기 라인을 보여주는 수직 단면도이다. 도4 및 도5를 참조하면, 배기유닛(600)은 메인 배기 라인(610), 감압부재(620), 배기포트(630), 보조 배기 라인(640), 밸브(650), 그리고 제어기를 포함한다. 메인 배기 라인(610)은 챔버(100)의 하부홀에 연결된다. 감압부재(620)는 메인 배기 라인(610)에 설치된다. 감압부재(620)로부터 발생된 진공압은 처리공간의 공정 부산물을 메인 배기 라인(610)으로 배기한다. 감압부재(620)로부터 발생된 진공압은 처리공간에 하향기류를 형성한다. 예컨대, 감압부재(620)는 펌프일 수 있다.The exhaust unit 600 exhausts processing by-products generated in the processing space to the outside of the chamber 100. FIG. 4 is a perspective view illustrating the plurality of auxiliary exhaust lines of FIG. 2, and FIG. 5 is a vertical sectional view of the auxiliary exhaust line of FIG. 4 and 5, the exhaust unit 600 includes a main exhaust line 610, a pressure reducing member 620, an exhaust port 630, an auxiliary exhaust line 640, a valve 650, and a controller do. The main exhaust line 610 is connected to the lower hole of the chamber 100. The pressure-reducing member 620 is installed in the main exhaust line 610. The vacuum pressure generated from the pressure-reducing member 620 evacuates the process by-products of the process space to the main exhaust line 610. The vacuum pressure generated from the pressure-reducing member 620 forms a downward flow in the processing space. For example, the pressure-reducing member 620 may be a pump.

배기포트(630)는 챔버(100)의 측벽에 제공된다. 배기포트(630)는 복수 개로 형성된다. 배기포트(630)들은 정전척(200)의 둘레를 감싸도록 챔버(100)의 원주방향을 따라 순차적으로 배열된다. 배기포트(630)들은 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 각각의 배기포트(630)은 동일 높이에 위치된다. 각각의 배기포트(630)는 정전척(200)과 대향되게 위치된다. 선택적으로 배기포트(630)는 정전척(200)보다 위에 위치될 수 있다. 배기포트(630)들은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 배기포트(630)의 길이방향을 챔버(100)의 원주방향을 향하도록 길게 제공되는 슬릿으로 제공된다. 보조 배기 라인(640)은 배기포트(630)와 메인 배기 라인(610)을 서로 연결된다. 보조 배기 라인(640)은 복수 개로 제공된다. 보조 배기 라인(640)은 배기포트(630)와 일대일 대응되는 개수로 제공된다. 각각의 보조 배기 라인(640)은 메인 배기 라인(610)에서 동일 지점에 연결된다. 보조 배기 라인(640)이 연결되는 메인 배기 라인(610)에서 그 연결지점은 감압부재(620)보다 상류에 위치된다. 각각의 보조 배기 라인(640)에는 통로영역과 개폐영역을 가진다. 통로영역과 개폐영역은 서로 통하도록 제공된다. 통로영역은 가스가 배기되는 영역이고, 개폐영역은 통로영역을 개폐하는 영역으로 제공된다. 개폐영역의 수직 단면은 통로영역의 수직 단면에 비해 크게 제공된다. 개폐영역의 수직 단면은 통로영역의 수직단면으로부터 좌우로 연장된 형상을 가진다. 개폐영역은 배기포트(630)와 인접하게 위치된다. An exhaust port 630 is provided in the side wall of the chamber 100. The plurality of exhaust ports 630 are formed. The exhaust ports 630 are sequentially arranged along the circumferential direction of the chamber 100 so as to surround the periphery of the electrostatic chuck 200. The exhaust ports 630 are provided so as to have an annular ring shape in combination with each other. Each exhaust port 630 is located at the same height. Each exhaust port 630 is positioned opposite to the electrostatic chuck 200. Optionally, the exhaust port 630 may be located above the electrostatic chuck 200. The exhaust ports 630 are spaced at equal intervals from each other. And is provided with a slit provided so as to extend in the longitudinal direction of the exhaust port 630 toward the circumferential direction of the chamber 100. The auxiliary exhaust line 640 is connected to the exhaust port 630 and the main exhaust line 610 to each other. A plurality of auxiliary exhaust lines 640 are provided. The auxiliary exhaust line 640 is provided in a number corresponding one-to-one with the exhaust port 630. Each auxiliary exhaust line 640 is connected to the same point in the main exhaust line 610. The connection point of the main exhaust line 610 to which the auxiliary exhaust line 640 is connected is located upstream of the pressure-reducing member 620. [ Each auxiliary exhaust line 640 has a passage area and an open / close area. The passage area and the open / close area are provided to communicate with each other. The passage area is an area where gas is exhausted, and the opening and closing area is provided as an area for opening and closing the passage area. The vertical cross section of the opening / closing region is provided larger than the vertical cross section of the passage region. The vertical cross section of the open / close area has a shape extending laterally from the vertical cross section of the passage area. The open / close area is located adjacent to the exhaust port 630.

밸브(650)는 각각의 보조 배기 라인(640)에 설치되어 그 보조 배기 라인(640)을 개폐한다. 밸브(650)는 보조 배기 라인(640)의 개폐영역에 설치된다. 밸브(650)는 보조 배기 라인(640)의 개구율을 조절한다. 밸브(650)는 플레이트(652) 및 판 구동기(654)를 포함한다. 플레이트(652)는 개폐영역에 위치된다. 플레이트(652)는 보조 배기 라인(640)의 통로영역과 대응되는 크기로 제공된다. 플레이트(652)는 개폐영역과 대응되는 폭을 가지도록 제공된다. 판 구동기(654)는 보조 배기 라인(640)의 길이방향과 수직한 방향으로 플레이트(652)를 이동시킨다. 판 구동기(654)는 플레이트(652)를 차단위치와 개방위치 간에 이동시킨다. 여기서 차단위치는 플레이트(652)가 통로영역과 대향되는 위치이고, 개방위치는 플레이트(652)가 차단위치를 벗어난 위치이다. 플레이트(652)가 차단위치로 이동되는 경우에는 감압부재(620)로부터 배기압이 처리공간에 전달되는 것을 차단한다. 일 예에 의하면, 개방위치는 통로영역을 정면에서 바라볼 때, 플레이트(652)의 차단위치를 중심으로 하여 이의 좌방향 또는 우방향으로 이동시킨 위치일 수 있다.Valve 650 is installed in each auxiliary exhaust line 640 to open and close its auxiliary exhaust line 640. The valve 650 is installed in the open / close region of the auxiliary exhaust line 640. The valve 650 regulates the opening ratio of the auxiliary exhaust line 640. The valve 650 includes a plate 652 and a plate driver 654. The plate 652 is located in the open / close region. The plate 652 is provided in a size corresponding to the passage area of the auxiliary exhaust line 640. The plate 652 is provided so as to have a width corresponding to the open / close area. The plate actuator 654 moves the plate 652 in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the auxiliary exhaust line 640. The plate actuator 654 moves the plate 652 between the blocking position and the open position. Where the blocking position is the position at which the plate 652 is opposite the passage area and the open position is the position at which the plate 652 is out of the blocking position. When the plate 652 is moved to the shutting position, the exhaust pressure from the pressure-reducing member 620 is blocked from being transferred to the processing space. According to one example, the open position may be a position shifted in the left or right direction with respect to the stop position of the plate 652 when viewed from the front of the passage area.

제어기는 각각의 밸브(650)를 독립 구동한다. 제어기는 처리공간에 균일한 기류가 형성되도록 밸브(650)를 제어한다. 일 예에 의하면, 처리공간에서 제1공간에 흐르는 기류가 제2공간에 흐르는 기류에 비해 배기가 원활하지 않을 경우, 제1공간에 대응되는 플레이트(652)를 차단위치에서 개방위치로 이동시킬 수 있다. 또한 제어기는 제1공간과 더 가까운 개폐영역이 개방되도록 플레이트(652)를 좌방향 또는 우방향으로 이동시킬 수 있다.The controller independently drives each valve 650. The controller controls the valve 650 so that a uniform airflow is formed in the processing space. According to an example, when the airflow flowing in the first space in the processing space is not smooth as compared with the airflow flowing in the second space, the plate 652 corresponding to the first space can be moved from the blocking position to the open position have. In addition, the controller can move the plate 652 leftward or rightward to open the opening / closing area closer to the first space.

상술한 실시예에는 개폐영역의 수직 단면은 통로영역의 수직단면으로부터 좌우로 연장된 형상을 가지는 것으로 설명하였다. 그러나 도6과 같이, 개폐영역의 수직단면은 통로영역의 수직단면으로부터 상하방향으로 연장된 형상을 가질 수 있다.In the above-described embodiment, the vertical cross section of the open / close region has been described as having a shape extending laterally from the vertical cross section of the passage region. However, as shown in FIG. 6, the vertical cross section of the open / close region may have a shape extending vertically from the vertical cross section of the passage region.

또한 개폐영역의 수직단면은 통로영역의 수직단면과 동일한 모양을 가지며, 그 크기가 통로영역의 수직단면보다 크게 제공될 수 있다. 개폐영역의 수직단면 및 통로영역의 수직단면은 원 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 플레이트(652)는 통로영역의 수직단면과 대응되는 크기의 원판 형상으로 제공될 수 있다. 플레이트(652)는 개폐영역의 중심축을 중심으로 스윙 이동하여 개방위치로 이동될 수 있다.Also, the vertical cross section of the opening / closing region has the same shape as that of the vertical cross section of the passage region, and the size thereof can be provided larger than the vertical cross section of the passage region. The vertical cross section of the opening / closing region and the vertical cross section of the passage region may be provided so as to have a circular shape. The plate 652 may be provided in the shape of a disk having a size corresponding to the vertical cross section of the passage area. The plate 652 can be moved to the open position by swinging about the center axis of the opening / closing area.

또한 상술한 실시예에는 보조 배기 라인(640)이 메인 배기 라인(610)에 연결되는 것으로 설명하였다. 그러나 도7과 같이, 보조 배기 라인(640)과 메인 배기 라인(610)은 각각 분리되게 제공될 수 있다. 펌프(620,622,624)는 보조 배기 라인(640) 및 메인 배기 라인(610) 각각에 설치될 수 있다.Also, in the above-described embodiment, the auxiliary exhaust line 640 is described as being connected to the main exhaust line 610. However, as shown in FIG. 7, the auxiliary exhaust line 640 and the main exhaust line 610 may be provided separately. The pumps 620, 622, 624 may be installed in the auxiliary exhaust line 640 and the main exhaust line 610, respectively.

600: 배기유닛 610: 메인배기라인
620: 감압부재 640: 보조배기라인
630: 배기포트 650: 밸브
652: 플레이트600: exhaust unit 610: main exhaust line
620: pressure reducing member 640: auxiliary exhaust line
630: exhaust port 650: valve
652: Plate

Claims (11)

내부에 처리 공간을 가지는 챔버와;
상기 처리공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 처리공간에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
상기 처리공간에 제공된 공정 가스를 배기하는 배기 유닛을 포함하되,
상기 배기 유닛은,
상기 챔버의 하부벽에 연결된 메인 배기 라인과;
상기 챔버의 측벽에 형성된 복수의 배기포트들과;
상기 배기포트들 각각에 연결되는 복수의 보조 배기 라인들과;
상기 메인 배기 라인 및 상기 보조 배기 라인들 각각에 음압을 제공하는 감압부재를 포함하는 기판 처리 장치.A chamber having a processing space therein;
A substrate supporting unit for supporting the substrate in the processing space;
A gas supply unit for supplying a process gas to the process space;
And an exhaust unit for exhausting the process gas provided in the process space,
The exhaust unit includes:
A main exhaust line connected to a lower wall of the chamber;
A plurality of exhaust ports formed in a side wall of the chamber;
A plurality of auxiliary exhaust lines connected to each of the exhaust ports;
And a pressure-reducing member for providing a negative pressure to each of the main exhaust line and the auxiliary exhaust lines. 제1항에 있어서,
상기 배기포트들 각각은 상기 기판 지지 유닛의 둘레를 감싸며, 동일 높이에 형성되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein each of the exhaust ports surrounds the periphery of the substrate supporting unit and is formed at the same height. 제1항에 있어서,
상기 보조 배기 라인들의 개구율을 독립적으로 조절하도록 상기 보조 배기 라인들 각각에 설치되는 밸브를 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
And a valve installed in each of the auxiliary exhaust lines for independently controlling an opening ratio of the auxiliary exhaust lines. 제3항에 있어서,
상기 밸브는,
상기 보조 배기 라인의 통로보다 큰 면적을 가지는 플레이트와;
상기 플레이트를 차단위치 및 개방위치로 이동시키는 판 구동기를 포함하되,
상기 차단위치는 상기 플레이트의 중심축과 상기 보조 배기라인의 중심축이 일치하는 위치이고,
개방위치는 상기 플레이트가 상기 차단위치를 벗어난 위치로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein the valve comprises:
A plate having an area larger than the passage of the auxiliary exhaust line;
And a plate driver for moving the plate to a cutoff position and an open position,
Wherein the cutoff position is a position where a central axis of the plate coincides with a center axis of the auxiliary exhaust line,
Wherein the open position is such that the plate is provided in a position out of the cut-off position. 제4항에 있어서,
상기 배기포트를 정면에서 바라볼 때, 상기 판 구동기는 상기 플레이트를 좌우방향으로 이동시키는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
And the plate driver moves the plate in the left-right direction when the exhaust port is viewed from the front. 제4항에 있어서,
상기 배기포트를 정면에서 바라볼 때, 상기 판 구동기는 상기 플레이트는 상하방향으로 이동시키는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
And the plate driver moves the plate in a vertical direction when the exhaust port is viewed from the front. 제4항에 있어서,
상기 밸브는 상기 배기포트와 인접하게 위치되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the valve is positioned adjacent to the exhaust port. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
복수의 상기 보조 배기 라인들 각각은 상기 메인 배기 라인에 연결되되,
상기 감압부재는 상기 메인 배기 라인에 복수의 상기 보조 배기 라인들 각각이 연결되는 지점보다 하류에 설치되는 기판 처리 장치.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein each of the plurality of auxiliary exhaust lines is connected to the main exhaust line,
Wherein the pressure reducing member is installed downstream of a point where each of the plurality of auxiliary exhaust lines is connected to the main exhaust line. 챔버 내에 공정 가스를 공급하여 기판을 처리하고, 기판 처리 시 발생된 공정 부산물은 상기 챔버의 하부벽에 연결되는 메인 배기 라인 및 상기 챔버의 측벽에 연결되는 복수의 보조 배기 라인들을 통해 배기되는 기판 처리 방법.The process byproducts generated during substrate processing include a main exhaust line connected to the lower wall of the chamber and a plurality of auxiliary exhaust lines connected to the side walls of the chamber, Way. 제9항에 있어서,
상기 메인 배기 라인 및 상기 보조 배기 라인들은 하나의 펌프에 의해 배기가 이루어지는 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the main exhaust line and the auxiliary exhaust lines are exhausted by one pump. 제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 보조 배기 라인들 각각의 개구율은 서로 간에 독립적으로 조절되게 제공되는 기판 처리 방법. 11. The method according to claim 9 or 10,
Wherein the aperture ratios of each of the auxiliary exhaust lines are provided to be adjusted independently of each other.
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