KR102171514B1 - Apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 배플에 형성된 관통홀들 중 일부를 차단하여 공정가스의 흐름을 조절한다. 이로 인해 기판의 전체 영역으로 공정가스를 균일하게 공급할 수 있다.The present invention controls the flow of the process gas by blocking some of the through holes formed in the baffle. Accordingly, the process gas can be uniformly supplied to the entire area of the substrate.

Description

기판처리장치{Apparatus for treating substrate}Substrate processing device {Apparatus for treating substrate}

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공정가스를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate, and more particularly, to an apparatus for processing a substrate using a process gas.

반도체 소자의 제조 공정은 식각, 증착, 그리고 세정 등 다양한 공정들을 포함한다. 이들 중 식각 및 증착 공정들은 공정가스를 챔버 내에 공급하여 진행되며, 이때 공정 균일도를 위해 공정가스는 기판의 전체 영역으로 균일하게 공급되어야 한다.The manufacturing process of the semiconductor device includes various processes such as etching, deposition, and cleaning. Among them, etching and deposition processes are performed by supplying a process gas into the chamber, and at this time, the process gas must be uniformly supplied to the entire area of the substrate for process uniformity.

도1은 일반적인 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도1을 참조하면, 공정가스를 이용하는 공정들은 복수 개의 챔버(1) 내에서 각각 진행되며, 챔버(1)의 내부 압력을 일정하게 유지시키고자, 그 내부에 진공압을 제공한다. 이때 공간 효율을 향상시키고자, 배기라인(5)은 하나의 메인라인(5a)으로부터 복수 개로 분기된 분기라인(5b,5c)을 가지며, 각각의 분기라인(5b,5c)은 각각의 챔버(1a,1b)에 연결된다. 메인라인(5a)으로부터 제공된 진공압은 각각의 챔버(1a,b) 내에 제공되어 그 챔버들(1)의 내부 압력을 조절한다.1 is a cross-sectional view showing a general substrate processing apparatus. Referring to FIG. 1, processes using a process gas are respectively performed in a plurality of chambers 1, and a vacuum pressure is provided therein to maintain a constant internal pressure of the chamber 1. At this time, in order to improve the space efficiency, the exhaust line 5 has branch lines 5b and 5c branched from one main line 5a in a plurality, and each branch line 5b and 5c has a respective chamber ( 1a, 1b). The vacuum pressure provided from the main line 5a is provided in each of the chambers 1a and b to regulate the internal pressure of the chambers 1.

그러나 메인라인(5)과 챔버(1) 간의 위치에 따라 챔버(1)의 내부공간에는 그 영역별로 제공되는 진공압이 상이해진다. 특히 상부에서 바라볼 때, 메인라인(5a)과 가까운 영역은 이보다 먼 영역에 비해 진공압이 세게 제공된다. 이로 인해 챔버(1) 내에 공급된 공정가스는 영역에 따라 상이한 흐름을 보이며, 기판 상에 불균일하게 공급된다.However, depending on the position between the main line 5 and the chamber 1, the vacuum pressure provided for each area in the interior space of the chamber 1 is different. Particularly, when viewed from above, a region close to the main line 5a provides a stronger vacuum pressure than a region farther than this. For this reason, the process gas supplied into the chamber 1 shows a different flow depending on the region, and is supplied unevenly on the substrate.

한국 등록 특허번호: 10-0749545호Korean registered patent number: 10-0749545

본 발명은 기판의 전체 영역으로 공정가스를 균일하게 공급할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus capable of uniformly supplying a process gas to the entire area of a substrate.

본 발명의 실시예는 공정가스를 이용하여 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판처리장치는 내부에 기판을 처리하는 제1처리공간을 제공하는 제1챔버, 내부에 기판을 처리하는 제2처리공간을 제공하는 제2챔버, 상기 제1처리공간 및 상기 제2처리공간 각각에서 기판을 지지하는 기판지지부재들, 상기 기판지지부재들에 놓인 기판으로 공정가스를 공급하는 가스공급부재, 그리고 상기 제1챔버 및 상기 제2챔버 각각에 결합되어 상기 처리공간에 발생된 공정부산물을 배기하는 배기 어셈블리를 포함하되, 상기 배기어셈블리는 메인라인으로부터 상기 챔버들 각각에 연결되도록 분기되는 분기라인을 가지는 배기라인, 상기 메인라인에 진공압을 제공하는 감압부재, 그리고 상기 제1처리공간 및 상기 제2처리공간 각각에 위치되며, 상기 제1처리공간에 제공된 공정가스의 흐름과 상기 제2처리공간에 제공된 공정가스의 흐름을 각각 제어하는 조절 플레이트를 포함한다. An embodiment of the present invention provides an apparatus for processing a substrate using a process gas. The substrate processing apparatus includes a first chamber providing a first processing space for processing a substrate therein, a second chamber providing a second processing space for processing a substrate therein, the first processing space and the second processing space, respectively. Substrate support members supporting a substrate in, a gas supply member supplying a process gas to a substrate placed on the substrate support members, and a process by-product generated in the processing space by being coupled to each of the first and second chambers An exhaust assembly comprising an exhaust assembly, wherein the exhaust assembly includes an exhaust line having a branch line branched from the main line to be connected to each of the chambers, a decompression member providing vacuum pressure to the main line, and the first processing space. And a control plate positioned in each of the second processing spaces and respectively controlling a flow of a process gas provided to the first treatment space and a flow of the process gas provided to the second treatment space.

상기 조절 플레이트는 각각의 상기 기판지지부재를 감싸도록 환형의 링 형상으로 제공되며 복수 개의 관통홀들이 형성되는 배플 및 상기 배플의 일부영역에 위치된 관통홀들을 차단하는 차단판을 더 포함하되, 상기 차단판은 호 형상을 가지도록 제공될 수 있다.The control plate is provided in an annular ring shape to surround each of the substrate support members, and further includes a baffle in which a plurality of through holes are formed, and a blocking plate blocking through holes located in a partial region of the baffle, the The blocking plate may be provided to have an arc shape.

상기 조절플레이트는 상기 차단판이 수평이동되도록 상기 차단판의 이동을 안내하도록 상기 배플의 저면에 설치되는 가이드를 더 포함할 수 있다. 상부에서 바라볼 때, 상기 메인라인은 상기 제1챔버 및 상기 제2챔버 사이에 위치되고, 상기 가이드는 상기 배플에서 상기 메인라인과 가까운 영역에 설치될 수 있다. 상기 가이드 및 상기 차단판은 복수 개로 제공되며, 상기 가이드는 상기 배플에서 상기 메인라인과 가까운 영역 및 상기 배플의 중심축을 기준으로 이와 반대되는 영역에 각각 설치될 수 있다. 상기 차단판은 상기 관통홀과 대향되는 위치에서 상하방향으로 이동 가능하도록 제공될 수 있다.The adjustment plate may further include a guide installed on the bottom of the baffle to guide the movement of the blocking plate so that the blocking plate is horizontally moved. When viewed from above, the main line is located between the first chamber and the second chamber, and the guide may be installed in a region of the baffle close to the main line. The guide and the blocking plate may be provided in plural, and the guides may be installed in a region of the baffle close to the main line and a region opposite to the baffle with respect to a central axis thereof. The blocking plate may be provided to be movable in a vertical direction at a position opposite to the through hole.

본 발명의 실시예에 의하면, 배플의 일부영역에 위치된 관통홀들을 차단하여 공정가스의 흐름을 조절하고, 기판의 전체 영역으로 공정가스를 균일하게 공급할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the flow of the process gas can be controlled by blocking the through holes located in the partial area of the baffle, and the process gas can be uniformly supplied to the entire area of the substrate.

도1은 일반적인 기판처리장치를 보여주는 도면이다.
도2는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 도면이다.
도3은 도2의 제1공정유닛을 보여주는 단면도이다.
도4는 도3의 조절플레이트를 보여주는 평면도이다.
도5는 도4의 조절플레이트를 보여주는 사시도이다.
도6은 도5의 조절플레이트의 제2실시예를 보여주는 사시도이다.
도7은 도5의 조절플레이트의 제3실시예를 보여주는 단면도이다.
도8은 도5의 조절플레이트의 제4실시예를 보여주는 단면도이다.
도9는 도5의 조절플레이트의 제5실시예를 보여주는 단면도이다.1 is a view showing a general substrate processing apparatus.
2 is a view showing a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing a first process unit of FIG. 2.
Figure 4 is a plan view showing the adjustment plate of Figure 3;
Figure 5 is a perspective view showing the adjustment plate of Figure 4;
Fig. 6 is a perspective view showing a second embodiment of the adjustment plate of Fig. 5;
Figure 7 is a cross-sectional view showing a third embodiment of the adjustment plate of Figure 5;
Figure 8 is a cross-sectional view showing a fourth embodiment of the adjustment plate of Figure 5;
9 is a cross-sectional view showing a fifth embodiment of the adjustment plate of FIG. 5.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Therefore, the shape of the constituent elements in the drawings is exaggerated to emphasize a more clear description.

본 발명의 실시예에서는 공정가스를 이용하여 기판을 식각하는 기판처리장치 에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 챔버 내에 공정가스를 공급하여 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.In an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus for etching a substrate using a process gas will be described. However, the present invention is not limited thereto, and can be applied to various types of devices that perform a process by supplying a process gas into a chamber.

도3은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이고, 도4는 도3의 공정유닛을 보여주는 단면도이다. 도3 및 도4를 참조하면, 기판처리장치는 공정유닛(10,20) 및 배기어셈블리(500)를 포함한다. 공정유닛(10,20)은 기판(W)에 대해 식각 공정을 수행한다. 공정유닛(10,20)은 복수 개로 제공된다. 일 예에 의하면, 공정유닛은 제1공정유닛(10) 및 제2공정유닛(20)으로 제공될 수 있다. 제1공정유닛(10) 및 제2공정유닛(20)은 일방향을 따라 순차적으로 나열될 수 있다. 제1공정유닛(10) 및 제2공정유닛(20)은 서로 인접하게 위치된다. 제1공정유닛(10)은 챔버(100), 가스공급부재(200), 기판지지부재(400) 그리고 플라즈마소스(300)를 포함한다.3 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view showing the processing unit of FIG. 3. 3 and 4, the substrate processing apparatus includes processing units 10 and 20 and an exhaust assembly 500. The processing units 10 and 20 perform an etching process on the substrate W. The process units 10 and 20 are provided in plural. According to an example, the processing unit may be provided as the first processing unit 10 and the second processing unit 20. The first processing unit 10 and the second processing unit 20 may be sequentially arranged in one direction. The first process unit 10 and the second process unit 20 are positioned adjacent to each other. The first process unit 10 includes a chamber 100, a gas supply member 200, a substrate support member 400, and a plasma source 300.

챔버(100)는 내부에 공정이 진행되는 처리공간을 제공한다. 챔버(100)는 원통 형상으로 제공된다. 챔버(100)는 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(170)이 형성된다. 공정 진행 중에 발생되는 부산물 및 챔버(100) 내에 머무르는 공정가스는 배기홀(170)을 통해 챔버(100)의 외부로 배출된다. 챔버(100)의 일측면에는 개구(130)가 형성된다. 개구(130)는 기판(W)이 반입 또는 반출되는 통로로서 기능한다. 개구(130)에는 도어(150)가 설치되고, 도어(150)는 개구(130)를 개폐할 수 있다.The chamber 100 provides a processing space in which a process is performed. The chamber 100 is provided in a cylindrical shape. The chamber 100 is made of a metal material. For example, the chamber 100 may be made of aluminum. An exhaust hole 170 is formed on the bottom surface of the chamber 100. By-products generated during the process and the process gas remaining in the chamber 100 are discharged to the outside of the chamber 100 through the exhaust hole 170. An opening 130 is formed on one side of the chamber 100. The opening 130 functions as a passage through which the substrate W is carried in or taken out. A door 150 is installed in the opening 130, and the door 150 may open and close the opening 130.

기판지지부재(400)는 챔버(100)의 내부에서 기판(W)을 지지한다. 기판지지부재(400)는 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(400)으로 제공된다. 선택적으로 기판지지부재(400)는 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.The substrate support member 400 supports the substrate W in the chamber 100. The substrate support member 400 is provided as an electrostatic chuck 400 that supports the substrate W using electrostatic force. Optionally, the substrate support member 400 may support the substrate W in various ways such as mechanical clamping.

정전척(400)은 유전판(410), 베이스(430), 그리고 포커스링(450)을 포함한다. The electrostatic chuck 400 includes a dielectric plate 410, a base 430, and a focus ring 450.

유전판(410)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 유전판(410)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(410)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 유전판(410)의 내부에는 하부전극(412)이 설치된다. 하부전극(412)에는 전원이 연결되고, 전원으로부터 전력을 인가받는다. 하부전극(412)은 인가된 전력으로부터 기판(W)이 유전판(410)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 유전판(410)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(416)가 설치된다. 히터(416)는 하부전극(412)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(416)는 나선 형상의 열선으로 제공될 수 있다. A substrate W is placed on the upper surface of the dielectric plate 410. The dielectric plate 410 is provided in a disk shape. The dielectric plate 410 may have a radius smaller than that of the substrate W. A lower electrode 412 is installed inside the dielectric plate 410. Power is connected to the lower electrode 412 and receives power from the power source. The lower electrode 412 provides electrostatic force so that the substrate W is adsorbed to the dielectric plate 410 from the applied power. A heater 416 for heating the substrate W is installed inside the dielectric plate 410. The heater 416 may be located under the lower electrode 412. The heater 416 may be provided as a spiral-shaped heating wire.

베이스(430)는 유전판(410)을 지지한다. 베이스(430)는 유전판(410)의 아래에 위치되며, 유전판(410)에 고정결합된다. 베이스(430)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(430)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(410)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(430)의 내부에는 냉각유로(432)가 형성된다. 냉각유로(432)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각유로(432)는 베이스(430)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. The base 430 supports the dielectric plate 410. The base 430 is located under the dielectric plate 410 and is fixedly coupled to the dielectric plate 410. The upper surface of the base 430 has a stepped shape such that the central region thereof is higher than the edge region. The base 430 has an area in which the central region of the upper surface corresponds to the lower surface of the dielectric plate 410. A cooling passage 432 is formed inside the base 430. The cooling passage 432 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The cooling passage 432 may be provided in a spiral shape inside the base 430.

포커스링(450)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(450)은 내측링(452) 및 외측링(454)을 포함한다. 내측링(452)은 유전판(410)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측링(452)을 베이스(430)의 가장자리영역에 위치된다. 내측링(452)의 상면은 유전판(410)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측링(452)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 예컨대, 내측링(452)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 외측링(454)은 내측링(452)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측링(454)은 베이스(430)의 가장자리영역에서 내측링(452)과 인접하게 위치된다. 외측링(454)의 상면은 내측링(452)의 상면에 비해 그 높이가 높게 제공된다. 예컨대, 외측링(454)은 절연 물질로 제공될 수 있다.The focus ring 450 concentrates the plasma onto the substrate W. The focus ring 450 includes an inner ring 452 and an outer ring 454. The inner ring 452 is provided in an annular ring shape surrounding the dielectric plate 410. The inner ring 452 is located in the edge region of the base 430. The upper surface of the inner ring 452 is provided to have the same height as the upper surface of the dielectric plate 410. The inner portion of the upper surface of the inner ring 452 supports an edge region of the bottom surface of the substrate W. For example, the inner ring 452 may be made of a conductive material. The outer ring 454 is provided in an annular ring shape surrounding the inner ring 452. The outer ring 454 is located adjacent to the inner ring 452 in the edge region of the base 430. The upper surface of the outer ring 454 is provided with a height higher than that of the inner ring 452. For example, the outer ring 454 may be provided with an insulating material.

가스공급부재(200)는 챔버(100)의 내부에 공정가스를 공급한다. 가스공급부재(200)는 가스저장부(250), 가스공급라인(230), 그리고 가스유입포트(210)를 포함한다. 가스공급라인(230)은 가스저장부(250)와 가스유입포트(210)를 연결한다. 가스저장부(250)에 저장된 공정가스는 가스공급라인(230)을 통해 가스유입포트(210)로 공급한다. 가스공급라인(230)에는 밸브(미도시)가 설치되어 그 통로를 개폐하거나, 그 통로에 흐르는 공정가스의 유량을 조절할 수 있다.The gas supply member 200 supplies process gas into the chamber 100. The gas supply member 200 includes a gas storage unit 250, a gas supply line 230, and a gas inlet port 210. The gas supply line 230 connects the gas storage unit 250 and the gas inlet port 210. The process gas stored in the gas storage unit 250 is supplied to the gas inlet port 210 through the gas supply line 230. A valve (not shown) is installed in the gas supply line 230 to open or close the passage or to adjust the flow rate of the process gas flowing through the passage.

플라즈마소스(300)는 챔버(100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마소스(300)로는 유도결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마소스(300)는 안테나(310) 및 외부전원(330)을 포함한다. 안테나(310)는 챔버(100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(310)는 복수 회 감기는 나선 형상의 코일로 제공되고, 외부전원(330)과 연결된다. 안테나(310)는 외부전원(330)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(310)는 챔버(100)의 내부공간에 전자기장을 형성할 수 있다. 공정가스는 전자기장에 의해 플라즈마 상태로 여기된다.The plasma source 300 excites the process gas in the chamber 100 into a plasma state. As the plasma source 300, an inductively coupled plasma (ICP) source may be used. The plasma source 300 includes an antenna 310 and an external power source 330. The antenna 310 is disposed on the outside of the chamber 100. The antenna 310 is provided as a spiral coil wound a plurality of times, and is connected to an external power source 330. The antenna 310 receives power from an external power source 330. The antenna 310 to which power is applied may form an electromagnetic field in the interior space of the chamber 100. The process gas is excited in a plasma state by an electromagnetic field.

배기어셈블리(500)는 각각의 공정유닛(10,20)의 처리공간에 머무르는 공정가스를 외부로 배기한다. 배기어셈블리(500)는 배기라인(510), 감압부재(530), 밸브(550), 그리고 조절플레이트(570)를 포함한다.The exhaust assembly 500 exhausts process gas remaining in the processing space of each of the process units 10 and 20 to the outside. The exhaust assembly 500 includes an exhaust line 510, a pressure reducing member 530, a valve 550, and an adjustment plate 570.

배기라인(510)은 메인라인(512) 및 분기라인(514,516)을 포함한다. 메인라인(512)은 공정유닛들(10,20)의 아래에 위치된다. 상부에서 바라볼 때, 메인라인(512)은 공정유닛들(10,20)의 중앙부에 위치된다. 일 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때 메인라인(512)은 제1공정유닛(10)과 제2공정유닛(20) 사이에 위치될 수 있다. 분기라인(514,516)은 메인라인(512)으로부터 복수 개로 분기되어 각각의 챔버(100)에 제공된 배기홀(170)에 연결된다. 감압부재(530)는 배기라인(510)에 진공압을 제공한다. 감압부재(530)는 메인라인(512)에 설치된다. 메인라인(512)에서 발생된 진공압은 각각의 분기라인(514,516)을 따라 각각의 처리공간에 제공된다. 예컨대, 감압부재(530)는 펌프일 수 있다. 밸브(550)는 메인라인(512)을 개폐한다. 밸브(550)는 메인라인(512)에서 감압부재(530)와 챔버들(100) 사이에 위치된다. 일 예에 의하면, 메인라인(512)의 개방률을 조절하여 진공압의 세기를 조절할 수 있다. The exhaust line 510 includes a main line 512 and branch lines 514 and 516. The main line 512 is located below the processing units 10 and 20. When viewed from the top, the main line 512 is located at the center of the processing units 10 and 20. According to an example, when viewed from above, the main line 512 may be located between the first processing unit 10 and the second processing unit 20. A plurality of branch lines 514 and 516 are branched from the main line 512 and are connected to the exhaust holes 170 provided in each chamber 100. The pressure reducing member 530 provides vacuum pressure to the exhaust line 510. The pressure reducing member 530 is installed on the main line 512. The vacuum pressure generated in the main line 512 is provided to each processing space along each of the branch lines 514 and 516. For example, the pressure reducing member 530 may be a pump. The valve 550 opens and closes the main line 512. The valve 550 is located between the pressure reducing member 530 and the chambers 100 in the main line 512. According to an example, the intensity of vacuum pressure may be adjusted by adjusting the opening rate of the main line 512.

조절플레이트(570)는 각각의 처리공간에 위치되어 공정가스의 흐름을 조절한다. 조절플레이트(570)는 제1공정유닛(10)의 제1처리공간의 영역별 배기량과 제2공정유닛(20)의 제2처리공간의 영역별 배기량이 서로 상이하도록 공정가스의 흐름을 조절한다. 도5는 도3의 조절플레이트를 보여주는 평면도이고, 도6은 조절플레이트를 보여주는 사시도이다. 도5 및 도6을 참조하면, 조절플레이트(570)는 배플(572), 차단판(574), 그리고 가이드(576)를 포함한다. 배플(572)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배플(572)은 챔버(100)의 내측벽과 기판지지부재(400) 사이에 위치된다. 배플(572)에는 복수의 관통홀(573)들이 형성된다. 관통홀들(573)은 배플(572)의 원주방향을 따라 순차적으로 형성된다. 각각의 관통홀(573)은 서로 동일간격으로 이격되게 위치된다. 일 예에 의하면, 관통홀(573)은 슬릿형상을 가지도록 제공될 수 있다. 관통홀(573)은 배플(572)의 반경방향과 평행한 방향을 향하는 길이방향을 가지도록 제공될 수 있다. 처리공간에 머무르는 공정가스는 관통홀들(573)을 통과하여 배기홀(170)로 배기된다. 선택적으로 관통홀(573)은 원 형상으로 제공될 수 있다.The control plate 570 is located in each processing space to control the flow of the process gas. The control plate 570 adjusts the flow of the process gas so that the amount of exhaust for each area of the first processing space of the first processing unit 10 and the amount of exhaust for each area of the second processing space of the second processing unit 20 are different from each other. . Figure 5 is a plan view showing the adjustment plate of Figure 3, Figure 6 is a perspective view showing the adjustment plate. 5 and 6, the adjustment plate 570 includes a baffle 572, a blocking plate 574, and a guide 576. The baffle 572 is provided in an annular ring shape. The baffle 572 is located between the inner wall of the chamber 100 and the substrate support member 400. A plurality of through holes 573 are formed in the baffle 572. The through holes 573 are sequentially formed along the circumferential direction of the baffle 572. Each of the through holes 573 are positioned to be spaced apart from each other at the same interval. According to an example, the through hole 573 may be provided to have a slit shape. The through hole 573 may be provided to have a longitudinal direction facing a direction parallel to the radial direction of the baffle 572. The process gas remaining in the processing space passes through the through holes 573 and is exhausted to the exhaust hole 170. Optionally, the through hole 573 may be provided in a circular shape.

차단판(574)은 배플(572)의 일부영역에 위치되는 관통홀(573)을 차단한다. 차단판(574)은 배플(572)의 아래에서 위치된다. 차단판(574)은 호 형상을 가지도록 제공된다. 차단판(574)은 배플(572)의 아래에서 수평 방향으로 왕복 이동 가능하도록 제공된다. 차단판(574)은 왕복 이동되어 관통홀들(573)을 개폐할 수 있다.The blocking plate 574 blocks the through hole 573 positioned in a partial area of the baffle 572. The blocking plate 574 is located under the baffle 572. The blocking plate 574 is provided to have an arc shape. The blocking plate 574 is provided to be reciprocally moved in the horizontal direction under the baffle 572. The blocking plate 574 may reciprocate to open and close the through holes 573.

가이드(576)는 차단판(574)의 이동을 안내한다. 가이드(576)는 배플(572)의 저면 외측부에 설치된다. 가이드(576)는 차단판(574)의 양측을 각각 지지하도록 제공된다. 일 예에 의하면. 차단판(574)은 가이드(576)에 설치되어 배플(572)의 반경방향과 평행한 방향 또는 그 반대방향으로 왕복 이동될 수 있다. 상부에서 바라볼 때, 가이드(576)는 메인라인(512)과 가까운 배플(572)의 외측부에 설치될 수 있다.The guide 576 guides the movement of the blocking plate 574. The guide 576 is installed on the outer side of the bottom surface of the baffle 572. Guides 576 are provided to support both sides of the blocking plate 574, respectively. According to one example. The blocking plate 574 is installed on the guide 576 and may be reciprocated in a direction parallel to or opposite to the radial direction of the baffle 572. When viewed from the top, the guide 576 may be installed on the outside of the baffle 572 close to the main line 512.

상술한 실시예에 의하면, 진공압은 메인라인(512)으로부터 제1공정유닛(10)의 제1처리공간 및 제2공정유닛(20)의 제2처리공간에 진공압을 동시 제공된다. 상부에서 바라볼 때, 메인라인(512)과 가까운 배플(572)의 영역은 이보다 먼 배플(572)의 영역에 비해 진공압이 집중될 수 있다. 차단판(574)은 상기 가까운 영역에 대응되는 관통홀들(573)을 일부 차단함에 따라 제1처리공간 및 제2처리공간에 제공되는 진공압을 영역 별로 조절할 수 있고, 공정가스의 흐름은 전체 영역에 균일하게 제공될 수 있다.According to the above-described embodiment, vacuum pressure is simultaneously applied from the main line 512 to the first processing space of the first processing unit 10 and the second processing space of the second processing unit 20. When viewed from above, the area of the baffle 572 close to the main line 512 may be concentrated in vacuum compared to the area of the baffle 572 farther than this. As the blocking plate 574 partially blocks the through holes 573 corresponding to the nearby area, the vacuum pressure provided to the first processing space and the second processing space can be adjusted for each area, and the flow of the process gas is It can be uniformly provided in the area.

상술한 실시예와 달리 도6의 조절플레이트는 배플 및 차단판만을 포함할 수 있다. 차단판(574a)은 복수 개의 몸체를 가지며, 각각의 몸체는 자이로스코프 방식으로 그 길이가 조절될 수 있다.Unlike the above-described embodiment, the adjustment plate of FIG. 6 may include only a baffle and a blocking plate. The blocking plate 574a has a plurality of bodies, and the length of each body may be adjusted by a gyroscope method.

또한 도7과 같이 차단판(574)은 배플(572)의 저면 내측부에 대응되는 관통홀들(573)을 차단할 수 있다. 가이드(576)는 메인라인(512)과 인접한 배플(572)의 내측부에 설치되고, 차단판(574)은 배플(572)의 반경 방향과 평행한 방향으로 수평이동되어 관통홀들(573)을 차단할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 7, the blocking plate 574 may block through holes 573 corresponding to the inner portion of the bottom of the baffle 572. The guide 576 is installed on the inner side of the baffle 572 adjacent to the main line 512, and the blocking plate 574 is horizontally moved in a direction parallel to the radial direction of the baffle 572 to penetrate the through holes 573. Can be blocked.

또한 도8과 같이 차단판(574)은 처리공간 각각에 복수 개로 제공될 수 있다. 각각의 차단판(574)은 서로 상이한 배플(572)의 영역을 차단하도록 제공될 수 있다. 차단판(574)은 배플(572)의 중심축을 기준으로 이와 대칭되는 배플(572)의 양측부에 각각 설치될 수 있다. In addition, as shown in FIG. 8, a plurality of blocking plates 574 may be provided in each processing space. Each blocking plate 574 may be provided to block regions of the baffles 572 that are different from each other. The blocking plate 574 may be installed on both sides of the baffle 572 which are symmetrical with respect to the central axis of the baffle 572.

또한 도9와 같이 차단판(574)은 배플(572)의 일부 관통홀들(573)을 차단한 상태에서 상하방향으로 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 가이드(576)는 그 길이방향이 상하방향을 향하며, 차단판(574)은 가이드(576)에 설치되어 상하로 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 차단판(574)은 배플(572)과 접촉되는 차단위치 및 배플(572)과 이격되는 개방위치로 이동될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 9, the blocking plate 574 may be provided to be movable in the vertical direction while blocking some of the through holes 573 of the baffle 572. The guide 576 may be provided so that its longitudinal direction faces up and down, and the blocking plate 574 is installed on the guide 576 so as to be movable up and down. The blocking plate 574 may be moved to a blocking position in contact with the baffle 572 and an open position spaced apart from the baffle 572.

또한 플라즈마소스(300)는 용량결합형 플라즈마(CCP: capacitively coupled plasma)가 사용될 수 있다. 용량결합형 플라즈마는 공정챔버(100)의 내부에 위치하는 제1전극 및 제2전극을 포함할 수 있다. 제1전극 및 제2전극은 공정챔버(100)의 내부에서 상부와 하부에 각각 배치되고, 각각의 전극은 서로 평행하게 상하로 배치될 수 있다. 양 전극 중 어느 하나의 전극은 고주파전력을 인가하고, 다른 전극은 접지될 수 있다. 양 전극 간의 공간에는 전자기장이 형성되고, 이 공간에 공급되는 공정가스는 여기되어 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.In addition, the plasma source 300 may be a capacitively coupled plasma (CCP). The capacitively coupled plasma may include a first electrode and a second electrode located inside the process chamber 100. The first electrode and the second electrode may be disposed above and below the process chamber 100, respectively, and each electrode may be disposed vertically in parallel with each other. One of the electrodes may apply high frequency power and the other electrode may be grounded. An electromagnetic field is formed in the space between the electrodes, and the process gas supplied to the space may be excited and excited in a plasma state.

상술한 실시예에는 플라즈마 처리장치의 내부 분위기를 제어하여 배기유량을 영역 별로 균일하도록 조절하는 것으로 설명하였다. 그러나 본 실시예는 플라즈마 처리장치 뿐만 아니라, 내부 분위기를 감압하는 건조 장치 및 로드락 챔버 등 다양하게 적용 가능하다. In the above-described embodiment, it has been described that the internal atmosphere of the plasma processing apparatus is controlled so that the exhaust flow rate is uniformly adjusted for each area. However, the present embodiment can be applied not only to a plasma processing apparatus, but also to a drying apparatus and a load lock chamber for decompressing an internal atmosphere.

10,20: 공정유닛 100: 챔버
400: 기판지지부재 500: 배기어셈블리
510: 배기라인 570: 조절플레이트10, 20: process unit 100: chamber
400: substrate support member 500: exhaust assembly
510: exhaust line 570: control plate

Claims (6)

내부에 기판을 처리하는 제1처리공간을 제공하는 제1챔버와;
내부에 기판을 처리하는 제2처리공간을 제공하는 제2챔버와;
상기 제1처리공간 및 상기 제2처리공간 각각에서 기판을 지지하는 기판지지부재들과;
상기 기판지지부재들에 놓인 기판으로 공정가스를 공급하는 가스공급부재와;
상기 제1챔버 및 상기 제2챔버 각각에 결합되어 상기 제1처리공간과 상기 제2처리공간에 발생된 공정부산물을 배기하는 배기 어셈블리를 포함하되,
상기 배기 어셈블리는,
메인라인으로부터 상기 챔버들 각각에 연결되도록 분기되는 분기라인을 가지는 배기라인과;
상기 메인라인에 진공압을 제공하는 감압부재와;
상기 제1처리공간 및 상기 제2처리공간 각각에 위치되며, 상기 제1처리공간에 제공된 공정가스의 흐름과 상기 제2처리공간에 제공된 공정가스의 흐름을 각각 제어하는 조절 플레이트를 포함하고,
상기 조절 플레이트는
각각의 상기 기판지지부재를 감싸도록 환형의 링 형상으로 제공되며 복수 개의 관통홀들이 형성되는 배플과;
상기 배플의 일부영역에 위치된 관통홀들을 차단하는 차단판을 더 포함하되,
상기 차단판은 상기 관통홀과 대향되는 위치에서 상하방향으로 이동을 안내하도록 상기 배플의 저면에 설치되는 가이드를 포함하고,
상기 차단판은 상기 관통홀과 대향되는 위치에서 상하방향으로 이동 가능하도록 제공되는 기판처리장치.A first chamber providing a first processing space for processing a substrate therein;
A second chamber providing a second processing space for processing a substrate therein;
Substrate support members supporting a substrate in each of the first processing space and the second processing space;
A gas supply member for supplying a process gas to a substrate placed on the substrate support members;
An exhaust assembly coupled to each of the first chamber and the second chamber to exhaust process by-products generated in the first processing space and the second processing space,
The exhaust assembly,
An exhaust line having a branch line branched from the main line to be connected to each of the chambers;
A decompression member providing a vacuum pressure to the main line;
It is located in each of the first processing space and the second processing space, and comprises a control plate for respectively controlling the flow of the process gas provided to the first treatment space and the flow of the process gas provided to the second treatment space,
The adjustment plate is
A baffle provided in an annular ring shape to surround each of the substrate support members and having a plurality of through holes formed therein;
Further comprising a blocking plate blocking the through-holes located in a partial region of the baffle,
The blocking plate includes a guide installed on the bottom surface of the baffle to guide movement in the vertical direction at a position opposite to the through hole,
The blocking plate is provided to be movable in a vertical direction at a position opposite to the through hole. 제1항에 있어서,
상기 차단판은 호 형상을 가지도록 제공되는 기판처리장치.The method of claim 1,
The blocking plate is a substrate processing apparatus provided to have an arc shape. 삭제delete 제1항에 있어서,
상부에서 바라볼 때, 상기 메인라인은 상기 제1챔버 및 상기 제2챔버 사이에 위치되고, 상기 가이드는 상기 배플에서 상기 메인라인과 가까운 영역에 설치되는 기판처리장치.The method of claim 1,
When viewed from above, the main line is positioned between the first chamber and the second chamber, and the guide is installed in a region of the baffle close to the main line. 제4항에 있어서,
상기 가이드 및 상기 차단판은 복수 개로 제공되며,
상기 가이드는 상기 배플에서 상기 메인라인과 가까운 영역 및 상기 배플의 중심축을 기준으로 이와 반대되는 영역에 각각 설치되는 기판처리장치.The method of claim 4,
The guide and the blocking plate are provided in plurality,
The guides are installed in a region of the baffle close to the main line and a region opposite to the baffle based on a central axis of the baffle. 삭제delete
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