KR20150090474A - Display panel and method of manufacturing the same - Google Patents

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KR20150090474A
KR20150090474A KR1020140011153A KR20140011153A KR20150090474A KR 20150090474 A KR20150090474 A KR 20150090474A KR 1020140011153 A KR1020140011153 A KR 1020140011153A KR 20140011153 A KR20140011153 A KR 20140011153A KR 20150090474 A KR20150090474 A KR 20150090474A
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Abstract

A display panel divided a light emitting area, a circuit area surrounding the light emitting area, and a surrounding area surrounding the circuit area comprises a first substrate; a second substrate arranged to face the first substrate; multiple organic light emitting devices formed on the first substrate, and arranged in the light emitting area; a sealing member arranged over a part of the circuit area and a part of the surrounding area, while sealing a space between the first substrate and the second substrate; a multiple detection cells formed on the second substrate, and arranged in the light emitting area; multiple conductive patterns formed on the second substrate, and arranged on the upper part of the sealing member; a first protective membrane arranged on the second substrate to cover the detection cells and conductive patterns; and a second protective membrane arranged on the first protective membrane to cover edge part conducting patterns located on the edge part of the display panel among conductive patterns.

Description

표시 패널 및 이의 제조 방법{DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME [0002]

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 표시 장치에 구비되는 표시 패널 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly, to a display panel provided in a display device and a method of manufacturing the same.

유기 발광 표시(organic light emitting display: OLED) 장치는 넓은 시야각, 빠른 응답 속도, 얇은 두께, 낮은 소비 전력 등의 여러 가지 장점들을 가져 유망한 차세대 디스플레이 장치로 각광받고 있다. 이러한 유기 발광 표시 장치에 구비되는 표시 패널은 발광 영역과 비발광 영역으로 구분될 수 있다. 일반적으로, 발광 영역에는 유기 발광 소자가 배치되고, 비발광 영역의 회로 영역에는 유기 발광 소자를 제어하기 위한 주변 회로가 배치되며, 비발광 영역의 주변 영역에는 유기 발광 소자를 밀봉하기 위한 실링 부재가 배치된다. 최근, 디자인적인 관점에서 유기 발광 소자가 배치되지 않는 비발광 영역을 감소시키기 위한 연구가 진행되고 있다. 예를 들어, 실링 부재를 주변 회로와 중첩되게 배치시켜 비발광 영역을 감소시키고 있다. 그러나, 레이저 빔 조사를 통한 밀봉 공정(또는, 실링 공정) 시, 고온의 레이저 빔에 의해 실링 부재와 중첩되어 배치된 회로들이 열적 손상을 입어 불량이 발생하고 있다.Organic light emitting display (OLED) devices are emerging as promising next generation display devices with various advantages such as wide viewing angle, fast response speed, thin thickness and low power consumption. The display panel of the organic light emitting display may be divided into a light emitting region and a non-emitting region. In general, a peripheral circuit for controlling the organic light emitting element is disposed in the circuit region of the non-emitting region, and a sealing member for sealing the organic light emitting element is formed in the peripheral region of the non- . In recent years, studies have been made to reduce non-emission regions in which organic light emitting elements are not disposed from a design standpoint. For example, the sealing member is arranged so as to overlap the peripheral circuit to reduce the non-emission region. However, during the sealing process (or the sealing process) through the laser beam irradiation, the circuits placed over the sealing member by the high-temperature laser beam are thermally damaged and defective.

본 발명의 일 목적은 실링 부재와 중첩하여 배치되는 주변 회로들의 열적 손상을 방지하는 구조를 포함하는 표시 패널을 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a display panel including a structure for preventing thermal damage of peripheral circuits superimposed on a sealing member.

본 발명의 다른 목적은 밀봉 공정에서 실링 부재와 중첩하여 배치되는 주변 회로들의 열적 손상을 방지하는 표시 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing a display panel that prevents thermal damage to peripheral circuits disposed over a sealing member in a sealing process.

다만, 본 발명의 목적은 상술한 목적들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.It should be understood, however, that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention.

본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 패널은 발광 영역, 상기 발광 영역을 둘러싸는 회로 영역 및 상기 회로 영역을 둘러싸는 주변 영역으로 구분되고, 제 1 기판, 상기 제 1 기판에 대향하도록 배치되는 제 2 기판, 상기 제 1 기판 상에 형성되고, 상기 발광 영역 내에 배치되는 복수의 유기 발광 소자들, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이의 공간을 밀봉하되, 상기 회로 영역의 일부와 상기 주변 영역의 일부에 걸쳐 배치되는 실링 부재, 상기 제 2 기판 상에 형성되고, 상기 발광 영역 내에 배치되는 복수의 감지 셀들, 상기 제 2 기판 상에 형성되고, 상기 실링 부재의 상부에 배치되는 복수의 도전 패턴들, 상기 제 2 기판 상에 상기 감지 셀들 및 상기 도전 패턴들을 커버(cover)하도록 배치되는 제 1 보호막 및 상기 도전 패턴들 중에서 상기 표시 패널의 모서리부에 위치하는 모서리부 도전 패턴들을 커버하도록 상기 제 1 보호막 상에 배치되는 제 2 보호막을 포함할 수 있다.In order to accomplish one object of the present invention, a display panel according to embodiments of the present invention is divided into a light emitting region, a circuit region surrounding the light emitting region, and a peripheral region surrounding the circuit region, A second substrate disposed to face the first substrate, a plurality of organic light emitting elements formed on the first substrate and disposed in the light emitting region, a space between the first substrate and the second substrate, A sealing member disposed over a part of the circuit region and a part of the peripheral region; a plurality of sensing cells formed on the second substrate and disposed in the light emitting region; A first protective layer disposed on the second substrate to cover the sensing cells and the conductive patterns, and a second protective layer disposed on the second protective layer, Among can include a second protective layer disposed on the first protective film to cover the conductive pattern edge portion which is located at a corner of the display panel.

일 실시예에 의하면, 상기 제 1 보호막은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the first passivation layer may include silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx).

일 실시예에 의하면, 상기 제 2 보호막은 광 투과성을 갖는 도전층을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the second passivation layer may include a conductive layer having light transmittance.

일 실시예에 의하면, 상기 도전층은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide; ITO), 인듐 산화물(indium oxide), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide; IZO), 주석 산화물(tin oxide) 또는 아연 산화물(zinc oxide)을 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment, the conductive layer may include at least one of indium tin oxide (ITO), indium oxide, indium zinc oxide (IZO), tin oxide, or zinc oxide oxide).

일 실시예에 의하면, 상기 제 2 보호막은 광 투과성을 갖는 무기층을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the second protective film may include an inorganic layer having light transmittance.

일 실시예에 의하면, 상기 무기층은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the inorganic layer may comprise silicon oxide or silicon nitride.

일 실시예에 의하면, 상기 제 2 보호막은 광 투과성을 갖는 도전층 위에 광 투과성을 갖는 무기층이 적층된 구조를 가질 수 있다.According to an embodiment, the second protective film may have a structure in which an inorganic layer having light transmission properties is laminated on a conductive layer having light transmittance.

일 실시예에 의하면, 상기 제 2 보호막은 광 투과성을 갖는 무기층 위에 광 투과성을 갖는 도전층이 적층된 구조를 가질 수 있다.According to an embodiment, the second protective film may have a structure in which a light-transmitting conductive layer is laminated on an inorganic light-transmitting inorganic layer.

일 실시예에 의하면, 상기 제 2 보호막은 광 투과성을 갖는 제 1 도전층 위에 절연층이 적층되고, 상기 절연층 위에 광 투과성을 갖는 제 2 도전층이 적층된 구조를 가질 수 있다.According to an embodiment, the second protective layer may have a structure in which an insulating layer is laminated on a first conductive layer having light transmittance, and a second conductive layer having light transmittance is laminated on the insulating layer.

본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 패널의 제조 방법은, 발광 영역, 상기 발광 영역을 둘러싸는 회로 영역 및 상기 회로 영역을 둘러싸는 주변 영역으로 구분된 영역을 갖는 표시 패널을 제조함에 있어서, 제 1 기판을 준비하고, 상기 제 1 기판 상에 상기 발광 영역 내에 위치하는 복수의 유기 발광 소자들을 형성하며, 제 2 기판 상에 상기 발광 영역 내에 위치하는 복수의 감지 셀들을 형성하고, 상기 제 2 기판 상에 상기 회로 영역의 일부와 상기 주변 영역의 일부에 걸쳐 복수의 도전 패턴들을 형성하며, 상기 제 2 기판 상에 상기 감지 셀들 및 상기 도전 패턴들을 커버(cover)하도록 제 1 보호막을 형성하고, 상기 제 1 보호막 상에 상기 도전 패턴들 중에서 상기 표시 패널의 모서리부에 위치하는 모서리부 도전 패턴들을 커버하도록 제 2 보호막을 형성할 수 있다. 이 후, 상기 제 2 기판 하면의 상기 회로 영역의 일부와 상기 주변 영역의 일부에 걸쳐 실링 부재를 배치하고, 상기 제 1 기판에 대향하도록 제 2 기판을 배치한 후, 상기 실링 부재에 레이저 빔을 조사하여 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이의 공간을 밀봉할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a display panel including a light emitting region, a circuit region surrounding the light emitting region, and a peripheral region surrounding the circuit region, The method comprising the steps of: preparing a first substrate; forming a plurality of organic light emitting elements located in the light emitting region on the first substrate; forming a plurality of sensing Forming a plurality of conductive patterns over a portion of the circuit region and a portion of the peripheral region on the second substrate; covering the sensing cells and the conductive patterns on the second substrate; And the first protective film is formed on the first protective film and the corner portion conductive patterns located at the corner portion of the display panel among the conductive patterns It is possible to form the second protective film. Thereafter, a sealing member is disposed over a part of the circuit region on the bottom surface of the second substrate and a part of the peripheral region, a second substrate is disposed so as to face the first substrate, and a laser beam So that the space between the first substrate and the second substrate can be sealed.

일 실시예에 의하면, 상기 제 1 보호막은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the first passivation layer may include silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx).

일 실시예에 의하면, 상기 제 2 보호막은 광 투과성을 갖는 도전층을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the second passivation layer may include a conductive layer having light transmittance.

일 실시예에 의하면, 상기 도전층은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide; ITO), 인듐 산화물(indium oxide), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide; IZO), 주석 산화물(tin oxide) 또는 아연 산화물(zinc oxide)을 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment, the conductive layer may include at least one of indium tin oxide (ITO), indium oxide, indium zinc oxide (IZO), tin oxide, or zinc oxide oxide).

일 실시예에 의하면, 상기 제 2 보호막은 광 투과성을 갖는 무기층을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the second protective film may include an inorganic layer having light transmittance.

일 실시예에 의하면, 상기 무기층은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the inorganic layer may comprise silicon oxide or silicon nitride.

일 실시예에 의하면, 상기 제 2 보호막은, 상기 제 1 보호막 상에 상기 모서리부 도전 패턴들을 커버하도록 광 투과성을 갖는 도전층을 형성하고, 상기 도전층 상에 광 투과성을 갖는 무기층을 형성함으로써 형성될 수 있다.According to an embodiment, the second protective film may be formed by forming a light-transmitting conductive layer on the first protective film so as to cover the corner conductive patterns, and forming an inorganic light-transmitting layer on the conductive layer .

일 실시예에 의하면, 상기 제 2 보호막은, 상기 제 1 보호막 상에 상기 모서리부 도전 패턴들을 커버하도록 광 투과성을 갖는 무기층을 형성하고, 상기 무기층 상에 광 투과성을 갖는 도전층을 형성함으로써 형성될 수 있다.According to an embodiment, the second protective film may be formed by forming an inorganic light-transmitting inorganic layer on the first protective film so as to cover the corner conductive patterns, and forming a light-transmitting conductive layer on the inorganic layer .

일 실시예에 의하면, 상기 제 2 보호막은, 상기 제 1 보호막 상에 상기 모서리부 도전 패턴들을 커버하도록 광 투과성을 갖는 제 1 도전층을 형성하고, 상기 제 1 도전층 상에 절연층을 형성하며, 상기 절연층 상에 광 투과성을 갖는 제 2 도전층을 형성함으로써 형성될 수 있다.According to an embodiment, the second protective film may be formed by forming a first conductive layer having light transmittance so as to cover the edge conductive patterns on the first protective film, forming an insulating layer on the first conductive layer , And forming a second conductive layer having light transmittance on the insulating layer.

본 발명의 실시예들에 따른 표시 패널은 모서리부 도전 패턴들을 커버하는 제 1 보호막 및 제 1 보호막 상에 배치되는 제 2 보호막(즉, 다중 보호막)을 가질 수 있다. 특히, 제 2 보호막은 표시 패널의 밀봉 공정 시 발생하는 모서리부 도전 패턴들의 레이저 빔 반사를 억제할 수 있고, 표시 패널의 모서리부로 레이저 빔이 집중되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 상기 표시 패널에서 레이저 빔이 조사되는 실링 영역은 전 영역에 걸쳐 균일한 열온도 특성을 유지할 수 있고, 실링 부재와 중첩하여 배치되는 주변 회로들의 열적 손상이 방지될 수 있다. 또한, 레이저 빔의 강도가 증가될 수 있어 밀봉 구조의 신뢰성이 향상될 수 있다.The display panel according to embodiments of the present invention may have a first protective film covering the edge conductive patterns and a second protective film (i.e., multiple protective films) disposed on the first protective film. Particularly, the second protective film can suppress the reflection of the laser beam of the corner portion conductive patterns generated during the sealing process of the display panel, and can prevent the laser beam from concentrating at the corner of the display panel. As a result, the sealing region irradiated with the laser beam in the display panel can maintain a uniform heat-temperature characteristic over the entire region, and thermal damage of peripheral circuits superimposed on the sealing member can be prevented. Further, the intensity of the laser beam can be increased, and the reliability of the sealing structure can be improved.

본 발명의 실시예들에 따른 표시 패널의 제조 방법은 모서리부 도전 패턴들을 커버하는 다중 보호막 구조를 가진 표시 패널을 제조할 수 있다. 결과적으로, 표시 패널의 밀봉 과정에서 레이저 빔에 의해 모서리부 도전 패턴들 하부에 위치한 제2 전극 또는 주변 회로 등에 발생되는 열적 손상이 방지될 수 있다. The manufacturing method of the display panel according to the embodiments of the present invention can manufacture a display panel having a multiple protection film structure covering the corner conductive patterns. As a result, in the sealing process of the display panel, thermal damage caused by the laser beam or the like generated at the second electrode or the peripheral circuit located under the edge portion conductive patterns can be prevented.

다만, 본 발명의 효과는 상술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.It should be understood, however, that the effects of the present invention are not limited to the above-described effects, but may be variously modified without departing from the spirit and scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 패널을 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 표시 패널을 부분적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1의 표시 패널에 포함된 제 2 보호막의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 1의 표시 패널에 포함된 제 2 보호막의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 패널을 나타내는 평면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 패널의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 7 내지 도 10은 도 6의 표시 패널의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
1 is a plan view showing a display panel according to embodiments of the present invention.
2 is a sectional view partially showing the display panel of Fig.
3 is a cross-sectional view showing an example of a second protective film included in the display panel of FIG.
4 is a cross-sectional view showing another example of the second protective film included in the display panel of FIG.
5 is a plan view showing a display panel according to embodiments of the present invention.
6 is a flowchart showing a method of manufacturing a display panel according to embodiments of the present invention.
Figs. 7 to 10 are cross-sectional views showing a manufacturing method of the display panel of Fig.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The same reference numerals are used for the same constituent elements in the drawings and redundant explanations for the same constituent elements are omitted.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 패널을 나타내는 평면도이고, 도 2는 도 1의 표시 패널을 부분적으로 나타내는 단면도이다.FIG. 1 is a plan view showing a display panel according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view partially showing the display panel of FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 패널(100)은 발광 영역(I), 발광 영역(I)을 둘러싸는 회로 영역(II) 및 회로 영역(II)을 둘러싸는 주변 영역(III)으로 구분될 수 있다. 또한, 표시 패널(100)은 회로 영역(II)의 일부와 주변 영역(III)의 일부에 걸쳐 위치하는 실링 영역(IV)을 포함할 수 있다. 한편, 표시 패널(100)은 유기 발광 표시 패널일 수 있으나, 표시 패널(100)의 종류가 그에 한정되는 것은 아니다. 이하, 표시 패널(100)이 유기 발광 표시 패널인 것으로 가정하여 설명하기로 한다. 1 and 2, the display panel 100 is divided into a light emitting region I, a circuit region II surrounding the light emitting region I, and a peripheral region III surrounding the circuit region II. . In addition, the display panel 100 may include a sealing region IV located over a part of the circuit region II and a portion of the peripheral region III. On the other hand, the display panel 100 may be an organic light emitting display panel, but the type of the display panel 100 is not limited thereto. Hereinafter, it is assumed that the display panel 100 is an organic light emitting display panel.

발광 영역(I)은 다수의 화소들이 형성되는 표시 영역으로, 표시 패널(100)의 중앙부에 위치하며, 상대적으로 큰 면적을 가질 수 있다. 각각의 화소들은 제1 전극, 제2 전극 및 유기 발광 구조물을 포함하는 유기 발광 소자들(130)을 구비할 수 있다.The light emitting region I is a display region in which a plurality of pixels are formed, and is located at a central portion of the display panel 100, and may have a relatively large area. Each of the pixels may include a first electrode, a second electrode, and organic light emitting devices 130 including an organic light emitting structure.

회로 영역(II)는 상기 화소들에 전기적 신호 및 전력을 공급하기 위한 배선들 및 주변 회로들(134)이 배치되는 영역일 수 있다. 회로 영역(II)은 발광 영역(I)의 적어도 3개 이상의 측면을 둘러쌀 수 있고, 발광 영역(I)의 측면과 접촉할 수 있으나, 발광 영역(I)과 중첩되어 배치되지 않는다.The circuit region II may be an area where wirings and peripheral circuits 134 for supplying electrical signals and power to the pixels are disposed. The circuit region II may surround at least three sides of the luminescent region I and may contact the side of the luminescent region I but is not overlapped with the luminescent region I.

실링 영역(IV)은 발광 영역(I)에 배치되는 유기 발광 소자 및 화소 회로를 밀봉하기 위한 실링 부재(sealing member)가 배치되는 셀 실링(cell sealing) 영역일 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 실링 영역(IV)은 회로 영역(II)의 일부와 주변 영역(III)의 일부에 걸쳐진 영역일 수 있다. 실링 영역(IV)은 발광 영역(I)으로부터 일정한 거리로 이격될 수 있으며, 발광 영역(I)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다. 즉, 실링 영역(IV)은 발광 영역(I)의 4개의 측면을 감싸는 닫힌 루프(closed loop)를 형성할 수 있다. 따라서, 실링 영역(IV)은 복수의 모서리부들을 형성할 수 있다. 한편, 회로 영역(II)은 실링 영역(IV)과 부분적으로 중첩될 수 있다. 따라서, 비표시 영역(즉, 비발광 영역)인 회로 영역(II)과 실링 영역(IV)의 면적의 합이 감소될 수 있다.The sealing region IV may be a cell sealing region in which a sealing member for sealing the organic light emitting element and the pixel circuit disposed in the light emitting region I is disposed. As shown in Fig. 2, the sealing region IV may be a region spanning a part of the circuit region II and a portion of the peripheral region III. The sealing region IV may be spaced apart from the luminescent region I by a certain distance and may entirely surround the luminescent region I. [ That is, the sealing region IV may form a closed loop surrounding four sides of the light-emitting region I. Therefore, the sealing region IV can form a plurality of corners. On the other hand, the circuit region II may partially overlap with the sealing region IV. Therefore, the sum of the areas of the circuit region II and the sealing region IV which are non-display regions (i.e., non-emission regions) can be reduced.

표시 패널(100)은 발광 영역(I), 회로 영역(II) 및 주변 영역(III)을 포함하는 제 1 기판(120) 및 제 1 기판(120)과 대향하도록 배치되는 제 2 기판(140)을 포함할 수 있다. 제 2 기판(140) 상에 감지 셀들(150) 및 감지 셀들(150)과 전기적으로 연결되는 복수의 도전 패턴들(160)로 구성된 터치 패널이 포함될 수 있다. 제 2 기판(140) 상의 발광 영역(I) 내에는 감지 셀들(150)이 포함되며, 감지 셀들(150)은 저항 또는 커패시턴스의 변화에 따라 터치 위치를 감지할 수 있다. 도전 패턴들(160)은 제 2 기판(140) 상의 실링 영역(IV) 내에 배치될 수 있으며, 감지 셀들(150)로부터 전기적 신호를 전달하는 역할을 수행할 수 있다. 따라서, 도전 패턴들(160)은 발광 영역(I)의 4개의 측면을 감싸는 닫힌 루프를 형성할 수 있다. 즉, 도전 패턴들(160)은 실링 영역(IV)을 따라 형성될 수 있다. 이하, 모서리부 도전 패턴들은 표시 패널(100)의 모서리부에 배치되는 도전 패턴들의 집합을 의미한다. 예를 들면, 도전 패턴들(160)이 사각 형태의 루프를 형성한다면, 4개의 모서리부가 형성될 수 있고, 표시 패널(100)은 4개의 모서리 도전 패턴들을 포함할 수 있다.The display panel 100 includes a first substrate 120 including a light emitting region I, a circuit region II and a peripheral region III and a second substrate 140 disposed to face the first substrate 120. [ . ≪ / RTI > And a touch panel including a plurality of conductive patterns 160 electrically connected to the sensing cells 150 and the sensing cells 150 on the second substrate 140. The sensing cells 150 are included in the light emitting region I on the second substrate 140 and the sensing cells 150 can sense the touch position according to a change in resistance or capacitance. The conductive patterns 160 may be disposed in the sealing region IV on the second substrate 140 and may serve to transfer electrical signals from the sensing cells 150. [ Accordingly, the conductive patterns 160 may form a closed loop surrounding four sides of the luminescent region I. That is, the conductive patterns 160 may be formed along the sealing region IV. Hereinafter, the edge portion conductive patterns refer to a set of conductive patterns arranged at corner portions of the display panel 100. For example, if the conductive patterns 160 form a square-shaped loop, four corner portions may be formed, and the display panel 100 may include four corner conductive patterns.

한편, 감지 셀들(150) 및 도전 패턴들(160)을 덮도록 제 2 기판(140) 상에 전체적으로 제 1 보호막(170)이 형성될 수 있다. The first protective layer 170 may be formed entirely on the second substrate 140 to cover the sensing cells 150 and the conductive patterns 160.

실링 부재(190)는 제 2 기판(140) 상에 조사되는 레이저 빔에 의해 녹은 후 경화되면서 제 1 기판(120)과 제 2 기판(140) 사이를 밀봉(즉, 실링)할 수 있다. 레이저 빔의 강도는 실링 부재(190)를 충분히 녹일 수 있을 정도로 조절될 수 있다. 이 때, 실링 부재(190) 상부에 배치되는 도전 패턴들(160)에 의해 레이저 빔이 반사되어 실링 부재(190)에 레이저 빔이 불균일하게 조사된다. 이에 따라, 제 1 기판(120)과 제2 기판(140) 사이의 실링 상태가 불량해질 수 있다. 이를 개선하기 위해 레이저 빔의 출력을 높여 실링 공정을 진행할 수 있다. 하지만, 실링 영역(IV)에 조사되는 레이저 빔의 출력을 높이는 경우, 레이저 빔에 의해 실링 부재(190) 하부에 배치되는 회로의 열적 손상이 발생할 수 있다. 특히, 표시 패널(100)의 모서리부에 레이저 빔이 집중적으로 조사되어 모서리부 도전 패턴들 하부에 배치되는 회로에 대한 손상이 크게 발생된다. 따라서, 본 발명에서는 제 1 보호막(170) 상에 모서리부 도전 패턴을 커버하는 제 2 보호막(200)을 배치함으로써 레이저 빔에 의해 모서리부에 배치되는 회로들의 손상을 방지할 수 있다. 제 2 보호막(200)은 모서리부로 레이저 빔이 집중되는 것을 방지할 수 있다. The sealing member 190 may be sealed (i.e., sealed) between the first substrate 120 and the second substrate 140 while being melted by the laser beam irradiated on the second substrate 140 and then cured. The intensity of the laser beam can be adjusted to such an extent that the sealing member 190 can be sufficiently melted. At this time, the laser beam is reflected by the conductive patterns 160 disposed on the sealing member 190, and the laser beam is irradiated unevenly on the sealing member 190. Accordingly, the sealing state between the first substrate 120 and the second substrate 140 may be poor. To improve this, the output of the laser beam can be increased to perform the sealing process. However, when the output of the laser beam irradiated on the sealing region IV is increased, thermal damage of the circuit disposed under the sealing member 190 by the laser beam may occur. Particularly, the laser beam is intensively irradiated to the corner portion of the display panel 100, and damage to the circuit disposed under the edge portion conductive patterns is largely generated. Therefore, in the present invention, by disposing the second protective film 200 covering the corner portion conductive pattern on the first protective film 170, it is possible to prevent damage to the circuits arranged at the corner portion by the laser beam. The second protective film 200 can prevent the laser beam from concentrating on the edge portion.

도 2에 도시된 바와 같이, 표시 패널(100)은 서로 대향하여 배치되는 제 1 기판(120)과 제 2 기판(140), 제 1 기판(120)과 제 2 기판(140) 사이에 배치되는 유기 발광 소자들(130) 및 실링 부재(190)를 포함할 수 있다. 또한, 표시 패널(100)은 제 2 기판(140) 상에 배치되는 복수의 감지 셀들(150), 복수의 도전 패턴들(160), 제 1 보호막(230) 및 제 2 보호막(200)을 포함할 수 있다. 구체적으로, 도 2는 도 1의 V-V'라인을 따라 자른 부분적인 단면을 보여주고 있다. 따라서, 실링 부재(190)는 표시 패널(100)의 모서리부에 배치되는 실링 부재(190)이고, 도전 패턴들(160)은 표시 패널(100)의 모서리부에 배치되는 모서리부 도전 패턴들을 의미한다.2, the display panel 100 includes a first substrate 120 and a second substrate 140 disposed to face each other, and a second substrate 140 disposed between the first substrate 120 and the second substrate 140 And may include organic light emitting devices 130 and a sealing member 190. The display panel 100 includes a plurality of sensing cells 150, a plurality of conductive patterns 160, a first protective layer 230, and a second protective layer 200 disposed on a second substrate 140 can do. Specifically, FIG. 2 shows a partial cross-sectional view taken along the line V-V 'of FIG. The sealing member 190 is a sealing member 190 disposed at a corner of the display panel 100 and the conductive patterns 160 are corner conductive patterns disposed at the corner of the display panel 100 do.

한편, 표시 패널(100)은 제 1 기판(120)과 제 2 기판(140) 사이에 배치되는 복수의 박막 트랜지스터들 및 신호 배선 패턴들을 더 포함할 수 있다. 표시 패널(100)은 발광 영역(I), 회로 영역(II) 및 주변 영역(III)으로 구분될 수 있다.The display panel 100 may further include a plurality of thin film transistors and signal wiring patterns disposed between the first substrate 120 and the second substrate 140. The display panel 100 may be divided into a light emitting region I, a circuit region II and a peripheral region III.

제 1 기판(120)은 투명 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제 1 기판(120)은 유리 기판, 투명 플라스틱 기판, 투명 세라믹 기판 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제 1 기판(120)은 연성을 갖는 기판(flexible substrate)으로 이루어질 수도 있다.The first substrate 120 may include a transparent substrate. For example, the first substrate 120 may include a glass substrate, a transparent plastic substrate, a transparent ceramic substrate, and the like. In one embodiment, the first substrate 120 may be a flexible substrate.

제 1 기판(120) 상의 발광 영역(I) 내에는 제 1 박막 트랜지스터(T1), 제 2 박막 트랜지스터(T2) 및 제 1 커패시터(C1)를 포함하는 화소 회로(132) 및 복수의 유기 발광 소자들(130)이 배치될 수 있다. 제 1 기판(120) 상의 회로 영역(II) 내에는 제 3 박막 트랜지스터(T3) 및 신호 배선 패턴들을 포함하는 주변 회로들(134)이 배치될 수 있다. A pixel circuit 132 including a first thin film transistor T1, a second thin film transistor T2 and a first capacitor C1 and a plurality of organic light emitting elements 130 may be disposed. In the circuit region II on the first substrate 120, a third thin film transistor T3 and peripheral circuits 134 including signal wiring patterns may be disposed.

일 실시예에서, 제 1 내지 제 3 박막 트랜지스터들(T1, T2, T3)은 각각 액티브 패턴, 게이트 절연층, 게이트 전극, 층간 절연층 및 소스/드레인 전극이 적층된 탑 게이트(top gate) 구조를 가질 수 있다. 다만, 제 1 내지 제 3 박막 트랜지스터들(T1, T2, T3)의 구성이 여기에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 제 1 내지 제 3 박막 트랜지스터들(T1, T2, T3)은 액티브 패턴들 아래에 게이트 전극들이 위치하는 바텀 게이트(bottom-gate) 구조를 가질 수도 있다. 또한, 일 실시예에서, 제 1 및 제 2 커패시터들(C1, C2)은 각각 하부 전극, 상부 전극 및 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이에 배치되는 층간 절연막을 포함할 수 있다.In one embodiment, the first through third thin film transistors T1, T2, and T3 each have a top gate structure in which an active pattern, a gate insulating layer, a gate electrode, an interlayer insulating layer, and a source / Lt; / RTI > However, the configurations of the first through third thin film transistors T1, T2, and T3 are not limited thereto. For example, the first to third thin film transistors T1, T2, and T3 may have a bottom-gate structure in which the gate electrodes are located under the active patterns. Further, in one embodiment, the first and second capacitors C1 and C2 may include a lower electrode, an upper electrode, and an interlayer insulating film disposed between the lower electrode and the upper electrode, respectively.

주변 영역(III)은 회로 영역(II) 외곽에 회로 영역(II)을 둘러싸는 영역일 수 있다. 주변 영역(III)에는 반사 패턴(195)이 포함될 수 있다. 반사 패턴(195)은 알루미늄, 마그네슘, 은, 백금, 금, 크롬, 텅스텐, 몰리브데늄, 티타늄, 팔라듐, 이들의 합금과 같은 금속 또는 도핑된 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 실링 부재(190)가 배치되는 실링 영역(IV)은 회로 영역(II)의 일부와 주변 영역(III)의 일부에 걸쳐 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 실링 부재(250)는 주변 회로들(134)과 제 2 전극의 적어도 일부에 중첩되어 배치되어 제 1 기판(120)과 제 2 기판(140) 사이의 공간을 밀봉할 수 있다. The peripheral region III may be an area surrounding the circuit region II outside the circuit region II. A reflection pattern 195 may be included in the peripheral region III. The reflective pattern 195 may comprise a metal such as aluminum, magnesium, silver, platinum, gold, chromium, tungsten, molybdenum, titanium, palladium, alloys thereof or doped polysilicon. The sealing region IV in which the sealing member 190 is disposed may be formed over a part of the circuit region II and a part of the peripheral region III. In one embodiment, the sealing member 250 may be disposed superimposed on at least a portion of the peripheral circuits 134 and the second electrode to seal the space between the first substrate 120 and the second substrate 140 .

한편, 유기 발광 소자들(130)은 발광 영역(I) 내에서 화소 회로(132) 상부에 배치될 수 있다. 유기 발광 소자들(130)은 화소 회로(132) 및 주변 회로들(134)로부터 전기적 신호들을 공급받아 다양한 화소들을 구현할 수 있다. 유기 발광 소자들(130)은 제 1 전극들, 유기 발광 구조물들 및 제 2 전극을 포함할 수 있다.On the other hand, the organic light emitting elements 130 may be disposed on the pixel circuit 132 in the light emitting region I. The organic light emitting devices 130 may receive various signals from the pixel circuits 132 and the peripheral circuits 134 to implement various pixels. The organic light emitting devices 130 may include first electrodes, organic light emitting structures, and a second electrode.

제 2 기판(140)은 제1 기판(120)과 대향하도록 배치될 수 있다. 제 2 기판(140)은 제 1 기판(120)과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제 2 기판(140)은 제1 기판(120) 상에 배치된 유기 발광 소자들(130)을 밀봉하기 위한 밀봉 기판(encapsulation substrate)으로 역할을 할 수 있다.The second substrate 140 may be disposed to face the first substrate 120. The second substrate 140 may comprise a material that is substantially the same as or similar to the first substrate 120. In one embodiment, the second substrate 140 may serve as an encapsulation substrate for sealing the organic light emitting elements 130 disposed on the first substrate 120.

실링 부재(190)는 회로 영역(II)의 일부와 주변 영역(III)의 일부에 걸쳐 제1 기판(120)과 제2 기판(140) 사이에 배치될 수 있다. 실링 부재(190)는 닫힌 루프를 형성하며, 발광 영역(I) 내에 배치된 유기 발광 소자들(130)을 밀봉할 수 있다. 즉, 실링 부재(250)는 레이저 빔 조사를 받아 가열되고, 그 후 경화되는 밀봉 공정을 거쳐서 유기 발광 소자들(130)을 밀봉할 수 있다. 실링 부재(190)는 글래스 프릿(glass frit) 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 실링 부재(190)는 제 2 전극 또는 주변 회로들(134)의 적어도 일부와 중첩되어 배치될 수 있다. 따라서, 비표시 영역의 면적이 감소될 수 있다. The sealing member 190 may be disposed between the first substrate 120 and the second substrate 140 over a portion of the circuit region II and a portion of the peripheral region III. The sealing member 190 forms a closed loop and can seal the organic light emitting elements 130 disposed in the light emitting region I. [ That is, the sealing member 250 may be heated by the laser beam irradiation, and then may be sealed through the sealing process, which is then cured, to seal the organic light emitting elements 130. The sealing member 190 may include a glass frit or the like. In one embodiment, the sealing member 190 may be disposed superimposed with at least a portion of the second electrode or peripheral circuits 134. Therefore, the area of the non-display area can be reduced.

제2 기판(140) 상에는 복수의 감지 셀들(150) 및 복수의 도전 패턴들(160)들이 배치될 수 있다. 감지 셀들(150) 및 도전 패턴들(160)들은 터치 패널을 구성할 수 있다.A plurality of sensing cells 150 and a plurality of conductive patterns 160 may be disposed on the second substrate 140. The sensing cells 150 and the conductive patterns 160 may constitute a touch panel.

일 실시예에서, 감지 셀들(150)은 발광 영역(I) 내에 배치될 수 있으며, 도전 패턴들(160)은 비발광 영역 내에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 도전 패턴들(160)은 실링 부재(190)의 상부, 즉, 회로 영역(II)의 일부와 주변 영역(III)의 일부에 걸쳐 형성된 영역인 실링 영역(IV) 상부에 배치될 수 있다.In one embodiment, the sensing cells 150 may be disposed within the luminescent region I, and the conductive patterns 160 may be disposed within the non-luminescent region. In one embodiment, the conductive patterns 160 are disposed over the top of the sealing member 190, that is, above the sealing region IV, which is a region formed over a portion of the circuit region II and a portion of the peripheral region III. .

감지 셀들(150)은 발광 영역(I) 상에 다수 분산되어 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 감지 셀들(150)은 하부에 배치되는 유기 발광 소자들(130)로부터 빛이 투과될 수 있도록 투명 전극 물질로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 감지 셀들(150)은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide; ITO), 인듐 산화물(indium oxide), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide; IZO), 주석 산화물(tin oxide), 아연 산화물(zinc oxide) 등의 투명 전극 물질을 포함할 수 있다.The sensing cells 150 may be formed in a dispersed manner on the light-emitting region I. In one embodiment, the sensing cells 150 may be formed of a transparent electrode material so that light can be transmitted from the organic light emitting devices 130 disposed below. In one embodiment, the sensing cells 150 are formed of indium tin oxide (ITO), indium oxide, indium zinc oxide (IZO), tin oxide, zinc oxide zinc oxide, and the like.

감지 셀들(150)은 제 2 기판(140) 상에 제 1 도전막을 형성한 후 상기 제 1 도전막을 패터닝 함으로써 형성될 수 있다. 한편, 상기 제 1 도전막은 스퍼터링 공정, 원자층 증착(Atomic Layer Deposition: ALD) 공정, 펄스 레이저 증착(Pulse Laser Deposition: PLD) 공정, 진공 증착 공정 등을 수행하여 수득할 수 있다.The sensing cells 150 may be formed by forming a first conductive film on the second substrate 140 and then patterning the first conductive film. The first conductive layer may be formed by performing a sputtering process, an atomic layer deposition (ALD) process, a pulsed laser deposition (PLD) process, a vacuum deposition process, or the like.

도전 패턴들(160)은 실링 부재(190)의 상부에 배치될 수 있다. 다만 이것은 예시적인 것으로서, 도전 패턴들(160)이 배치되는 위치가 이에 한정되는 것은 아니다. 도전 패턴들(160)은 제 2 기판(140) 상에 발광 영역(I)을 피한 비발광 영역 내에 어디든 배치될 수 있다. 도전 패턴들(160)은 감지 셀들(150)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 패드부 등을 통해 위치 검출 회로와 같은 외부의 구동 회로와 전기적으로 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 도전 패턴들(160)은 전기적 신호 전달에 유리한 저저항 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 도전 패턴들(160)은 몰리브데늄(Mo), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브데늄/알루미늄/몰리브데늄(Mo/Al/Mo) 등을 포함할 수 있다.The conductive patterns 160 may be disposed on the top of the sealing member 190. However, this is merely an example, and the positions at which the conductive patterns 160 are disposed are not limited thereto. The conductive patterns 160 may be disposed anywhere on the second substrate 140 in the non-emission region avoiding the emission region I. [ The conductive patterns 160 may be electrically connected to the sensing cells 150. Further, it can be electrically connected to an external driving circuit such as a position detecting circuit through a pad portion or the like. In one embodiment, the conductive patterns 160 may comprise a low resistance metal material that is beneficial for electrical signal transmission. For example, the conductive patterns 160 may include at least one of molybdenum (Mo), silver (Ag), titanium (Ti), copper (Cu), aluminum (Al), molybdenum / aluminum / molybdenum Al / Mo) and the like.

도전 패턴들(160)은 제 2 기판(140) 상에 제 2 도전막을 형성한 후 상기 제 2 도전막을 패터닝 함으로써 형성될 수 있다. 한편, 상기 제 2 도전막은 스퍼터링 공정, ALD 공정, PLD 공정, 진공 증착 공정 등을 수행하여 수득할 수 있다.The conductive patterns 160 may be formed by forming a second conductive film on the second substrate 140 and then patterning the second conductive film. Meanwhile, the second conductive layer can be obtained by performing a sputtering process, an ALD process, a PLD process, a vacuum deposition process, or the like.

한편, 제 2 기판(140) 상에 감지 셀들(150)과 도전 패턴들(160)을 커버하도록 제 1 보호막(170)이 배치될 수 있다. 제 1 보호막(170)은 외부 요인에 기인한 물리적, 화학적 손상으로부터 감지 셀들(150) 및 도전 패턴들(160)을 보호하는 역할을 할 수 있다. 일 실시예에서, 제 1 보호막(170)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. The first protective layer 170 may be disposed on the second substrate 140 to cover the sensing cells 150 and the conductive patterns 160. The first protective layer 170 may serve to protect the sensing cells 150 and the conductive patterns 160 from physical and chemical damage due to external factors. In one embodiment, the first passivation layer 170 may comprise silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx).

제 1 보호막(170)은 제 2 기판(140) 상에 예를 들어, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물과 같은 실리콘 화합물을 사용하여 화학 기상 증착(chemical vapor deposition: CVD) 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition: PECVD) 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착(high density plasma-chemical vapor deposition: HDP-CVD) 공정 등을 통해 형성될 수 있다.The first passivation layer 170 may be formed on the second substrate 140 by using a silicon compound such as silicon oxide, silicon nitride or silicon oxynitride and performing a chemical vapor deposition (CVD) A plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process, a high density plasma-chemical vapor deposition (HDP-CVD) process, or the like.

제 2 보호막(200)은 표시 패널(100)의 모서리부에 위치하는 모서리부 도전 패턴들을 커버하도록 제 1 보호막(170)의 일부 상에 배치될 수 있다. 제 2 보호막(200)은 모서리부 도전 패턴들이 레이저 빔을 반사하여 발생되는 주변 회로들(134) 및 제 2 전극의 열적 손상을 방지하는 역할을 할 수 있다. 일 실시예에서, 제 2 보호막(200)은 광 투과성을 갖는 도전층(202) 위에 광 투과성을 갖는 무기층(204)이 적층된 구조를 가질 수 있다. 도전층(202)은 인듐 주석 산화물, 인듐 산화물, 인듐 아연 산화물, 주석 산화물, 아연 산화물 등의 투명 전극 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 무기층(204)은 광 투과성을 갖는 물질로서 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. 다만, 이것은 예시적인 것으로서, 도전층(202) 및 무기층(204)을 구성하는 물질이 광 투과성을 갖는 물질에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 도전층(202)은 모서리부 도전 패턴들의 레이저 빔 반사를 저감할 수 있는 다양한 금속 물질을 포함할 수 있다.The second passivation layer 200 may be disposed on a portion of the first passivation layer 170 to cover the edge conductive patterns located at the corners of the display panel 100. The second protective layer 200 may serve to prevent thermal damage of the peripheral circuits 134 and the second electrode, which are generated by the edge conductive patterns reflecting the laser beam. In one embodiment, the second protective film 200 may have a structure in which a light-transmitting inorganic layer 204 is laminated on a conductive layer 202 having light transmission properties. The conductive layer 202 may include a transparent electrode material such as indium tin oxide, indium oxide, indium zinc oxide, tin oxide, and zinc oxide. In one embodiment, the inorganic layer 204 may comprise silicon oxide or silicon nitride as a light-transmissive material. However, this is only an illustrative example, and the material constituting the conductive layer 202 and the inorganic layer 204 is not limited to a material having a light-transmitting property. For example, the conductive layer 202 may comprise a variety of metallic materials capable of reducing laser beam reflection of edge conductive patterns.

또한, 제 2 보호막(200)을 구성하는 구조가 이에 한정되는 것은 아니며, 제 2 보호막(200)은 모서리부 도전 패턴들의 레이저 빔 반사를 저감할 수 있는 다양한 적층 구조로 형성되는 것을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제 2 보호막(200)은 광 투과성을 갖는 도전층(202) 또는 광 투과성을 갖는 무기층(204)만이 단일막으로 형성된 구조를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 제 2 보호막(200)은 광 투과성을 갖는 무기층 위에 광 투과성을 갖는 도전층이 적층된 구조를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제 2 보호막(200)은 광 투과성을 갖는 제 1 도전층 위에 절연층이 적층되고, 상기 절연층 위에 광투과성을 갖는 제 2 도전층이 적층된 구조를 포함할 수 있다. 상기 절연층은 제 1 및 제 2 도전층들이 전기적으로 단락되는 것을 방지하는 역할을 하며, 유기 절연층 또는 무기 절연층일 수 있다.The structure of the second passivation layer 200 is not limited thereto. The second passivation layer 200 may include various lamination structures that can reduce the reflection of the laser beams of the corner conductive patterns . In one embodiment, the second protective film 200 may include a structure in which only a conductive layer 202 having a light-transmitting property or an inorganic layer 204 having a light-transmitting property is formed as a single film. In another embodiment, the second protective film 200 may include a structure in which a light-transmitting conductive layer is laminated on an inorganic light-transmitting layer. In another embodiment, the second protective film 200 may include a structure in which an insulating layer is laminated on a first conductive layer having light transmittance, and a second conductive layer having light transmittance is laminated on the insulating layer. The insulating layer serves to prevent the first and second conductive layers from being electrically short-circuited, and may be an organic insulating layer or an inorganic insulating layer.

제 2 보호막(204)에 포함되는 도전층(202) 및 유기층(204)은 마스크를 이용한 패터닝 등의 공정에 의해 형성될 수 있다.The conductive layer 202 and the organic layer 204 included in the second protective film 204 may be formed by a process such as patterning using a mask.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 패널(100)은 모서리부 도전 패턴들을 하는 제 1 보호막(170) 및 제 1 보호막(170) 상에 배치되는 제 2 보호막(200)을 더 포함할 수 있다. 특히, 제 2 보호막(200)은 표시 패널(100)의 밀봉 공정 시 발생하는 모서리부 도전 패턴들의 레이저 빔 반사를 억제할 수 있고, 표시 패널(100)의 모서리부로 레이저 빔이 집중되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 표시 패널(100)에서 레이저 빔이 조사되는 실링 영역(IV)은 전 영역에 걸쳐 균일한 열온도 특성을 유지할 수 있고, 실링 부재(190)와 중첩하여 배치되는 주변 회로들(134)의 열적 손상이 방지될 수 있다. 또한, 레이저 빔의 강도가 증가될 수 있어 밀봉 구조의 신뢰성이 향상될 수 있다.As described above, the display panel 100 according to the embodiments of the present invention includes a first protective layer 170 that forms corner conductive patterns and a second protective layer 200 that is disposed on the first protective layer 170 . Particularly, the second protective film 200 can suppress the laser beam reflection of the corner portion conductive patterns generated during the sealing process of the display panel 100, and prevent the laser beam from concentrating at the corner of the display panel 100 . As a result, the sealing region IV to which the laser beam is irradiated on the display panel 100 can maintain the uniform heat-temperature characteristic over the entire region, and the peripheral circuits 134, which overlap with the sealing member 190, Can be prevented. Further, the intensity of the laser beam can be increased, and the reliability of the sealing structure can be improved.

도 3은 도 1의 표시 패널에 포함된 제 2 보호막의 일 예를 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing an example of a second protective film included in the display panel of FIG.

도 3을 참조하면, 표시 패널(100)은 제 2 기판(140) 상에 모서리부 도전 패턴들(165), 제 1 보호막(170) 및 제 2 보호막(300)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the display panel 100 may include corner conductive patterns 165, a first passivation layer 170, and a second passivation layer 300 on a second substrate 140.

모서리부 도전 패턴들(165)은 제 2 기판(140) 하부 에 배치된 실링 부재와 중첩되어 배치될 수 있다. 모서리부 도전 패턴들(165)은 감지 셀들과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 패드부 등을 통해 위치 검출 회로와 같은 외부의 구동 회로와 전기적으로 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 모서리부 도전 패턴들(165)은 전기적 신호 전달에 유리한 저저항 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 모서리부 도전 패턴들(165)은 몰리브데늄, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 몰리브데늄/알루미늄/몰리브데늄 등을 포함할 수 있다.The corner portion conductive patterns 165 may be disposed overlapping with the sealing member disposed under the second substrate 140. The corner portion conductive patterns 165 may be electrically connected to the sensing cells. Further, it can be electrically connected to an external driving circuit such as a position detecting circuit through a pad portion or the like. In one embodiment, the corner conductive patterns 165 may comprise a low resistance metal material that is beneficial for electrical signal transmission. For example, the corner portion conductive patterns 165 may include molybdenum, silver, titanium, copper, aluminum, molybdenum / aluminum / molybdenum, and the like.

한편, 제 2 기판(140) 상에는 감지 셀들과 모서리부 도전 패턴들(165)을 포함하는 도전 패턴들을 커버하도록 제 1 보호막(170)이 배치될 수 있다. 제 1 보호막(170)은 외부 요인에 기인한 물리적, 화학적 손상으로부터 감지 셀들 및 도전 패턴들을 보호하는 역할을 할 수 있다. 일 실시예에서, 제 1 보호막(170)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다.On the other hand, the first protective layer 170 may be disposed on the second substrate 140 to cover the conductive patterns including the sensing cells and the corner conductive patterns 165. The first protective film 170 may serve to protect the sensing cells and the conductive patterns from physical and chemical damage due to external factors. In one embodiment, the first passivation layer 170 may comprise silicon oxide or silicon nitride.

제 2 보호막(300)은 모서리부 도전 패턴들(165)을 커버하도록 제 1 보호막(170)의 일부 상에 배치될 수 있다. 제 2 보호막(300)은 모서리부 도전 패턴들(165)이 레이저 빔을 반사함으로써 발생되는 주변 회로들 및 제 2 전극의 열적 손상을 방지하는 역할을 할 수 있다. The second passivation layer 300 may be disposed on a portion of the first passivation layer 170 to cover the edge conductive patterns 165. The second protective film 300 may prevent the thermal damage of the peripheral circuits and the second electrode, which are generated by the edge conductive patterns 165 reflecting the laser beam.

일 실시예에서, 제 2 보호막(300)은 광 투과성을 갖는 도전층일 수 있다. 따라서, 제 2 보호막(300)은 인듐 주석 산화물, 인듐 산화물, 인듐 아연 산화물, 주석 산화물, 아연 산화물 등의 투명 전극 물질을 포함할 수 있다. 다만, 이것은 예시적인 것으로서, 제 2 보호막(300)을 구성하는 도전층에 포함되는 물질은 광 투과성을 갖는 물질에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 제 2 보호막(300)은 모서리부 도전 패턴들(165)의 레이저 빔 반사를 저감할 수 있는 다양한 금속 물질을 포함할 수 있다. 제 2 보호막(300)은 제 1 보호막(170) 상에 도전층을 형성한 후 상기 도전층을 패터닝 함으로써 형성될 수 있다. 한편, 상기 도전층은 스퍼터링 공정, ALD 공정, PLD 공정, 진공 증착 공정 등을 수행하여 수득할 수 있다.In one embodiment, the second protective film 300 may be a light-transmitting conductive layer. Accordingly, the second protective layer 300 may include a transparent electrode material such as indium tin oxide, indium oxide, indium zinc oxide, tin oxide, and zinc oxide. However, this is merely an example, and the material included in the conductive layer constituting the second protective film 300 is not limited to a material having light transmittance. For example, the second protective film 300 may include various metal materials capable of reducing the laser beam reflection of the corner conductive patterns 165. The second passivation layer 300 may be formed by forming a conductive layer on the first passivation layer 170 and then patterning the conductive layer. Meanwhile, the conductive layer can be obtained by performing a sputtering process, an ALD process, a PLD process, a vacuum deposition process, or the like.

다른 실시예에서, 제 2 보호막(300)은 광 투과성을 갖는 무기층일 수 있다. 예를 들어, 제 2 보호막(300)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. 제 2 보호막(300)은 제 1 보호막(170) 상에 무기층을 형성한 후 상기 무기층을 패터닝 함으로써 형성될 수 있다.In another embodiment, the second protective film 300 may be an inorganic light-transmitting layer. For example, the second protective film 300 may include silicon oxide or silicon nitride. The second passivation layer 300 may be formed by forming an inorganic layer on the first passivation layer 170 and then patterning the inorganic layer.

도 4는 도 1의 표시 패널에 포함된 제 2 보호막의 다른 예를 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing another example of the second protective film included in the display panel of FIG.

도 4를 참조하면, 표시 패널(100)은 제 2 기판(140) 상에 모서리부 도전 패턴들(165), 제 1 보호막(170) 및 제 2 보호막(400)을 포함할 수 있다. 4, the display panel 100 may include corner conductive patterns 165, a first passivation layer 170, and a second passivation layer 400 on a second substrate 140.

모서리부 도전 패턴들(165)은 제 2 기판(140) 하부 에 배치된 실링 부재와 중첩되어 배치될 수 있다. 한편, 제 2 기판(140) 상에는 감지 셀들과 모서리부 도전 패턴들(165)을 포함하는 도전 패턴들을 커버하도록 제 1 보호막(170)이 배치될 수 있다. 다만, 모서리부 도전 패턴들(165) 및 제 1 보호막(170)에 대해서는 상술한 바 있으므로, 그에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.The corner portion conductive patterns 165 may be disposed overlapping with the sealing member disposed under the second substrate 140. On the other hand, the first protective layer 170 may be disposed on the second substrate 140 to cover the conductive patterns including the sensing cells and the corner conductive patterns 165. However, since the corner portion conductive patterns 165 and the first protective film 170 have been described above, a duplicate description thereof will be omitted.

제 2 보호막(400)은 모서리부 도전 패턴들(165)을 커버하도록 제 1 보호막(170)의 일부 상에 배치될 수 있다. 제 2 보호막(400)은 모서리부 도전 패턴들(165)이 레이저 빔을 반사함으로써 발생되는 주변 회로들 및 제 2 전극의 열적 손상을 방지하는 역할을 할 수 있다.The second protective film 400 may be disposed on a part of the first protective film 170 to cover the edge conductive patterns 165. [ The second protective film 400 may serve to prevent thermal damage of the peripheral circuits and the second electrode generated by the edge conductive patterns 165 reflecting the laser beam.

일 실시예에서, 제 2 보호막(400)은 광 투과성을 갖는 제 1 도전층(402) 위에 절연층(404)이 적층되고, 절연층(404) 위에 광 투과성을 갖는 제 2 도전층(406)이 적층된 구조를 가질 수 있다.The second protective layer 400 may be formed by stacking an insulating layer 404 on a first conductive layer 402 having light transmittance and a second conductive layer 406 having light transmittance on the insulating layer 404, May have a laminated structure.

제 1 도전층(402) 및 제 2 도전층(406)은 광 투과성을 갖는 물질로서 인듐 주석 산화물, 인듐 산화물, 인듐 아연 산화물, 주석 산화물, 아연 산화물 등의 투명 전극 물질을 포함할 수 있다. The first conductive layer 402 and the second conductive layer 406 may include a transparent electrode material such as indium tin oxide, indium oxide, indium zinc oxide, tin oxide, zinc oxide, or the like as a light-transmitting material.

절연층(404)은 광 투과성을 갖는 물질로서 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. 또는, 절연층(404)은 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 실록산계 수지, 벤조사이클로부텐(Benzo Cyclobutene: BCB) 등과 같은 투명성을 갖는 유기 물질을 포함할 수 있다. 절연층(404)은 제 1 도전층(402)과 제 2 도전층(406)의 전기적 연결을 차단함으로써 표시 패널의 불량을 방지할 수 있다.The insulating layer 404 may include silicon oxide or silicon nitride as a light-transmitting material. Alternatively, the insulating layer 404 may include an organic material having transparency such as an acrylic resin, a polyimide resin, a siloxane resin, Benzo Cyclobutene (BCB), or the like. The insulating layer 404 can prevent the display panel from being defective by blocking the electrical connection between the first conductive layer 402 and the second conductive layer 406.

도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 패널을 나타내는 평면도이다.5 is a plan view showing a display panel according to embodiments of the present invention.

도 5를 참조하면, 표시 패널(100)은 발광 영역(I), 발광 영역(I)을 둘러싸는 회로 영역(II) 및 회로 영역(II)을 둘러싸는 주변 영역(III)으로 구분될 수 있다. 또한, 표시 패널(100)은 회로 영역(II)의 일부와 주변 영역(III)의 일부에 걸쳐 위치하는 실링 영역(IV)을 포함할 수 있다.5, the display panel 100 may be divided into a light emitting region I, a circuit region II surrounding the light emitting region I, and a peripheral region III surrounding the circuit region II . In addition, the display panel 100 may include a sealing region IV located over a part of the circuit region II and a portion of the peripheral region III.

실링 영역(IV)은 발광 영역(I)에 배치되는 상기 유기 발광 소자 및 상기 화소 회로를 밀봉하기 위한 실링 부재(sealing member)가 배치되는 셀 실링(cell sealing) 영역일 수 있다. 실링 영역(IV)은 회로 영역(II)의 일부와 주변 영역(III)의 일부에 걸쳐진 영역일 수 있다. 실링 영역(IV)은 발광 영역(I)으로부터 일정한 거리로 이격될 수 있으며, 발광 영역(I)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다. 즉, 실링 영역(IV)은 발광 영역(I)의 4개의 측면을 감싸는 닫힌 루프를 형성할 수 있다. 따라서, 실링 영역(IV)은 복수의 모서리 부분들을 형성할 수 있다. 한편, 회로 영역(II)은 실링 영역(IV)과 부분적으로 중첩될 수 있다. 따라서, 비표시 영역(즉, 비발광 영역)인 회로 영역(II)과 실링 영역(IV)의 면적의 합이 감소될 수 있다.The sealing region IV may be a cell sealing region in which a sealing member for sealing the organic light emitting device and the pixel circuit disposed in the light emitting region I is disposed. The sealing region IV may be a region spanning a part of the circuit region II and a portion of the peripheral region III. The sealing region IV may be spaced apart from the luminescent region I by a certain distance and may entirely surround the luminescent region I. [ That is, the sealing region IV may form a closed loop surrounding four sides of the luminescent region I. Thus, the sealing region IV can form a plurality of corner portions. On the other hand, the circuit region II may partially overlap with the sealing region IV. Therefore, the sum of the areas of the circuit region II and the sealing region IV which are non-display regions (i.e., non-emission regions) can be reduced.

도 5에 도시된 바와 같이, 밀봉 공정에서, 레이저 빔 조사에 의한 표시 패널(500)의 모서리부에 배치된 주변 회로들의 열적 손상을 방지하기 위해 제 2 보호막들(520, 540, 560, 580)이 각각의 모서리부에 배치될 수 있다. 제 2 보호막들(520, 540, 560, 580)은 표시 패널(100)의 모서리부로 레이저 빔이 집중되는 것을 방지할 수 있다.As shown in Fig. 5, in the sealing process, the second protective films 520, 540, 560, and 580 are formed to prevent thermal damage to the peripheral circuits disposed at the corners of the display panel 500 by laser beam irradiation. May be disposed at the respective corner portions. The second protective films 520, 540, 560, and 580 can prevent the laser beam from being focused on the corner portions of the display panel 100.

도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 패널의 제조 방법을 나타내는 순서도이고, 도 7 내지 도 10은 도 6의 표시 패널의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다. 6 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a display panel according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 7 to 10 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the display panel of FIG.

도 6 내지 도 10을 참조하면, 도 6의 표시 패널의 제조 방법은 제 1 기판(120)을 준비(S110)하고, 제 1 기판(120) 상에 발광 영역(I) 내에 위치하는 복수의 유기 발광 소자들(130)을 형성(S120)하며, 제 2 기판(140) 상에 감지 셀들(150) 및 도전 패턴들을 형성(S130)하고, 제 2 기판(140) 상에 감지 셀들(150) 및 도전 패턴들을 커버하도록 제 1 보호막(170)을 형성(S140)하며, 제 1 보호막(170) 상에 모서리부 도전 패턴들(165)을 커버하도록 제 2 보호막을 형성(S150)할 수 있다. 이후, 도 6의 표시 패널의 제조 방법은 제 2 기판(140)의 하면의 회로 영역(I)과 주변 영역(III)의 일부에 걸쳐 실링 부재(190)를 배치(S160)하고, 제 1 기판(120)에 대향하도록 제 2 기판(140)을 배치(S170)하며, 실링 부재(190)에 레이저 빔을 조사하여 제 1 기판(120)과 제 2 기판(140) 사이의 공간을 밀봉(S180)할 수 있다.6 to 10, the method of manufacturing the display panel of FIG. 6 includes preparing a first substrate 120 (S110), forming a plurality of organic layers (not shown) disposed in the light emitting region I on the first substrate 120, The sensing cells 150 and the conductive patterns are formed on the second substrate 140 at step S130 and the sensing cells 150 and the sensing cells 150 are formed at the second substrate 140, A first passivation layer 170 may be formed to cover the conductive patterns S140 and a second passivation layer may be formed on the first passivation layer 170 to cover the edge conductive patterns 165 S150. 6, the sealing member 190 is disposed (S160) over the circuit area I and the peripheral area III of the lower surface of the second substrate 140, The space between the first substrate 120 and the second substrate 140 is sealed S180 by irradiating the sealing member 190 with a laser beam so that the second substrate 140 is opposed to the first substrate 120 )can do.

도 7에 도시된 바와 같이, 제 1 기판(120)이 준비(S110)되고, 제 1 기판(120) 상에 유기 발광 소자들(130)이 형성(S120)될 수 있다. 제 1 기판(120)은 발광 영역(I), 회로 영역(II) 및 주변 영역(III)을 포함할 수 있다. 제 1 기판(120)은 투명 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제 1 기판(120)은 유리 기판, 투명 플라스틱 기판, 투명 세라믹 기판 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제 1 기판(120)은 연성을 갖는 기판으로 이루어질 수도 있다.7, the first substrate 120 is prepared (S110), and the organic light emitting devices 130 are formed on the first substrate 120 (S120). The first substrate 120 may include a light emitting region I, a circuit region II, and a peripheral region III. The first substrate 120 may include a transparent substrate. For example, the first substrate 120 may include a glass substrate, a transparent plastic substrate, a transparent ceramic substrate, and the like. In one embodiment, the first substrate 120 may be made of a flexible substrate.

제 1 기판(120) 상의 발광 영역(I) 내에 제 1 트랜지스터(T1), 제 2 트랜지스터(T2) 및 제 1 커패시터(C1)를 포함하는 화소 회로(132)가 형성될 수 있다. 화소 회로(132)는 유기 발광 소자들(130)이 화소를 구현하도록 전기적 신호들을 공급할 수 있다.The pixel circuit 132 including the first transistor T1, the second transistor T2 and the first capacitor C1 may be formed in the light emitting region I on the first substrate 120. [ The pixel circuit 132 may supply the electrical signals such that the organic light emitting elements 130 implement the pixel.

또한, 제 1 기판(120) 상의 회로 영역(II) 내에 제 3 트랜지스터(T3) 및 신호 배선 패턴들을 포함하는 주변 회로들(134)이 형성될 수 있다.In addition, peripheral circuits 134 including the third transistor T3 and the signal wiring patterns may be formed in the circuit region II on the first substrate 120. [

한편, 제 1 기판(120) 상의 주변 영역(III)에는 반사 패턴(195)이 형성될 수 있다. 반사 패턴(195)은 알루미늄, 마그네슘, 은, 백금, 금, 크롬, 텅스텐, 몰리브데늄, 티타늄, 팔라듐, 이들의 합금과 같은 금속 또는 도핑된 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 주변 영역(III)은 회로 영역(II) 외곽에서 회로 영역(II)을 둘러싸는 영역일 수 있다.On the other hand, a reflection pattern 195 may be formed in the peripheral region III on the first substrate 120. The reflective pattern 195 may comprise a metal such as aluminum, magnesium, silver, platinum, gold, chromium, tungsten, molybdenum, titanium, palladium, alloys thereof or doped polysilicon. The peripheral region III may be an area surrounding the circuit region II outside the circuit region II.

이 후, 발광 영역(I) 내의 화소 회로(132) 상부에 유기 발광 소자들(130)이 형성될 수 있다. 유기 발광 소자들(130)은 화소 회로(132) 및 주변 회로들(134)로부터 전기적 신호들을 공급받아 다양한 화소들을 구현할 수 있다. 유기 발광 소자들(130)은 제 1 전극들, 유기 발광 구조물들 및 제 2 전극을 포함할 수 있다. Thereafter, the organic light emitting elements 130 may be formed on the pixel circuits 132 in the luminescent region I. The organic light emitting devices 130 may receive various signals from the pixel circuits 132 and the peripheral circuits 134 to implement various pixels. The organic light emitting devices 130 may include first electrodes, organic light emitting structures, and a second electrode.

도 8에 도시된 바와 같이, 제 2 기판(140) 상에 복수의 감지 셀들(150) 및 복수의 도전 패턴들(160)이 형성(S130)되고, 제 1 보호막(170)이 형성(S140)될 수 있다. 제 2 기판(140)은 제 1 기판(120)과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제 2 기판(140)은 제1 기판(120) 상에 배치된 유기 발광 소자들(130)을 밀봉하기 위한 밀봉 기판으로 역할을 할 수 있다.8, a plurality of sensing cells 150 and a plurality of conductive patterns 160 are formed on a second substrate 140 (S130), a first protective film 170 is formed (S140) . The second substrate 140 may comprise a material that is substantially the same as or similar to the first substrate 120. In one embodiment, the second substrate 140 may serve as a sealing substrate for sealing the organic light emitting elements 130 disposed on the first substrate 120.

일 실시예에서, 제 2 기판(140) 상에 발광 영역(I) 내에 위치하는 복수의 감지 셀들(150)이 형성될 수 있으며, 제 2 기판(140) 상에 비발광 영역 내에 위치하는 복수의 도전 패턴들(160)이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 도전 패턴들(160)은 실링 부재의 상부, 즉, 회로 영역의 일부와 주변 영역의 일부에 걸쳐 형성된 영역인 실링 영역(IV) 상부에 배치될 수 있다.In one embodiment, a plurality of sensing cells 150 may be formed on the second substrate 140 within the light emitting region I, and a plurality of sensing cells 150 may be formed on the second substrate 140, The conductive patterns 160 may be formed. In one embodiment, the conductive patterns 160 may be disposed on the top of the sealing member, that is, above the sealing region IV, which is a region formed over a portion of the circuit region and a portion of the peripheral region.

감지 셀들(150)은 발광 영역(I) 상에 다수 분산되어 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 감지 셀들(150)은 하부에 배치되는 유기 발광 소자들(130)로부터 빛이 투과될 수 있도록 투명 전극 물질로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 감지셀들(150)은 ITO, IZO, 인듐 산화물, 주석 산화물, 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 감지 셀들(150)은 제 2 기판(140) 상에 제 1 도전막을 형성한 후 상기 제 1 도전막을 패터닝 함으로써 형성될 수 있다. 한편, 상기 제 1 도전막은 스퍼터링 공정, ALD 공정, PLD 공정, 진공 증착 공정 등을 수행하여 수득할 수 있다.The sensing cells 150 may be formed in a dispersed manner on the light-emitting region I. In one embodiment, the sensing cells 150 may be formed of a transparent electrode material so that light can be transmitted from the organic light emitting devices 130 disposed below. In one embodiment, the sensing cells 150 may include ITO, IZO, indium oxide, tin oxide, zinc oxide, and the like. The sensing cells 150 may be formed by forming a first conductive film on the second substrate 140 and then patterning the first conductive film. Meanwhile, the first conductive layer can be obtained by performing a sputtering process, an ALD process, a PLD process, a vacuum deposition process, or the like.

도전 패턴들(160)은 감지 셀들(150)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 패드부 등을 통해 위치 검출 회로와 같은 외부의 구동 회로와 전기적으로 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 도전 패턴들(160)은 전기적 신호 전달에 유리한 저저항 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 도전 패턴들(160)은 몰리브데늄, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 몰리브데늄/알루미늄/몰리브데늄 등을 포함할 수 있다. 도전 패턴들(160)은 제 2 기판(140) 상에 제 2 도전막을 형성한 후 상기 제 2 도전막을 패터닝 함으로써 형성될 수 있다. 한편, 상기 제 2 도전막은 스퍼터링 공정, ALD 공정, PLD 공정, 진공 증착 공정 등을 수행하여 수득할 수 있다.The conductive patterns 160 may be electrically connected to the sensing cells 150. Further, it can be electrically connected to an external driving circuit such as a position detecting circuit through a pad portion or the like. In one embodiment, the conductive patterns 160 may comprise a low resistance metal material that is beneficial for electrical signal transmission. For example, the conductive patterns 160 may include molybdenum, silver, titanium, copper, aluminum, molybdenum / aluminum / molybdenum, and the like. The conductive patterns 160 may be formed by forming a second conductive film on the second substrate 140 and then patterning the second conductive film. Meanwhile, the second conductive layer can be obtained by performing a sputtering process, an ALD process, a PLD process, a vacuum deposition process, or the like.

한편, 제 2 기판(140) 상에 감지 셀들(150) 및 도전 패턴들(160)을 커버하도록 제 1 보호막(170)이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 제 1 보호막(170)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 보호막(170)은 제 2 기판(140) 상에 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물과 같은 실리콘 화합물을 사용하여 CVD 공정, PECVD 공정, HDP-CVD 공정 등을 통해 형성될 수 있다.The first protective layer 170 may be formed on the second substrate 140 to cover the sensing cells 150 and the conductive patterns 160. In one embodiment, the first passivation layer 170 may comprise silicon oxide or silicon nitride. For example, the first protective film 170 may be formed on the second substrate 140 through a CVD process, a PECVD process, an HDP-CVD process, or the like using a silicon compound such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride .

도 9에 도시된 바와 같이, 제 1 보호막(170) 상에 제 2 보호막(200)이 형성(S150)될 수 있다. 제 2 보호막(200)은 표시 패널(100)의 모서리부에 위치하는 모서리부 도전 패턴들(165)을 커버하도록 제 1 보호막(140)의 일부 상에 형성될 수 있다. 제 2 보호막(200)은 밀봉 공정에서 모서리부에 배치되는 주변 회로들(134) 및 제 2 전극의 열적 손상이 발생하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 일 실시예에서, 제 1 보호막(175) 상에 모서리부 도전 패턴들(165)을 커버하도록 광 투과성을 갖는 도전층(202)을 형성하고, 도전층(202) 상에 광 투과성을 갖는 무기층(204)을 형성함으로써 제 2 보호막(200)이 형성될 수 있다. 도전층(202)은 인듐 주석 산화물, 인듐 산화물, 인듐 아연 산화물, 주석 산화물, 아연 산화물 등의 투명 전극 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 무기층(204)은 광 투과성을 갖는 물질로서 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로서, 도전층(202) 및 무기층(204)을 구성하는 물질이 광 투과성을 갖는 물질에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 도전층(202)은 모서리부 도전 패턴들(165)의 레이저 빔 반사를 저감할 수 있는 다양한 금속 물질을 포함할 수 있다. 또한, 제 2 보호막(200)을 구성하는 구조가 이에 한정되는 것은 아니며, 제 2 보호막(200)은 모서리부 도전 패턴들(165)의 레이저 빔 반사를 저감할 수 있는 다양한 적층 구조로 형성되는 것을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 9, the second protective layer 200 may be formed on the first protective layer 170 (S150). The second passivation layer 200 may be formed on a portion of the first passivation layer 140 to cover the corner conductive patterns 165 located at the corners of the display panel 100. The second protective layer 200 may prevent thermal damage to the peripheral circuits 134 and the second electrode disposed at the corner portions in the sealing process. In one embodiment, a light-transmissive conductive layer 202 is formed on the first protective film 175 to cover the corner conductive patterns 165, and on the conductive layer 202, a light- The second protective film 200 may be formed by forming the first protective film 204. The conductive layer 202 may include a transparent electrode material such as indium tin oxide, indium oxide, indium zinc oxide, tin oxide, and zinc oxide. In one embodiment, the inorganic layer 204 may comprise silicon oxide or silicon nitride as a light-transmissive material. However, this is merely an example, and the material constituting the conductive layer 202 and the inorganic layer 204 is not limited to a material having a light-transmitting property. For example, the conductive layer 202 may include various metallic materials capable of reducing the laser beam reflection of the edge conductive patterns 165. The structure of the second protective layer 200 is not limited thereto. The second protective layer 200 may be formed in various lamination structures capable of reducing laser beam reflection of the corner conductive patterns 165 .

일 실시예에서, 제 2 보호막(200)은 광 투과성을 갖는 도전층(202) 또는 광 투과성을 갖는 무기층(204)만이 단일막으로 형성된 구조를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 제 1 보호막(170) 상에 모서리부 도전 패턴들(165)을 커버하도록 광 투과성을 갖는 무기층이 형성되고, 상기 무기층 상에 광 투과성을 갖는 도전층이 형성될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제 1 보호막(170) 상에 모서리부 도전 패턴들(165)을 커버하도록 광 투과성을 갖는 제 1 도전층이 형성되고, 상기 제 1 도전층 상에 절연층이 형성된 후, 상기 절연층 상에 광 투과성을 갖는 제 2 도전층이 형성될 수 있다. 상기 절연층은 제 1 및 제 2 도전층들이 전기적으로 단락되는 것을 방지하는 역할을 하며, 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다.In one embodiment, the second protective film 200 may include a structure in which only a conductive layer 202 having a light-transmitting property or an inorganic layer 204 having a light-transmitting property is formed as a single film. In another embodiment, a light-transmissive inorganic layer is formed on the first protective film 170 to cover the corner portion conductive patterns 165, and a light-transmissive conductive layer may be formed on the inorganic layer . In another embodiment, a first conductive layer having light transmittance is formed on the first protective layer 170 to cover the corner conductive patterns 165, an insulating layer is formed on the first conductive layer, And a second conductive layer having light transmittance may be formed on the insulating layer. The insulating layer serves to prevent the first and second conductive layers from being electrically short-circuited, and may include an organic material or an inorganic material.

제 2 보호막(200)에 포함되는 도전층(202) 및 유기층(204)은 마스크를 이용한 패터닝 등의 공정에 의해 형성될 수 있다.The conductive layer 202 and the organic layer 204 included in the second protective film 200 may be formed by a process such as patterning using a mask.

도 10에 도시된 바와 같이, 제 2 기판(140) 하면에 실링 부재(190)가 배치(S160)되고, 제 1 기판(120)에 대향하도록 제 2 기판(140)이 배치(S170)되며, 제 1 기판(120)과 제 2 기판(140) 사이가 밀봉(S180)될 수 있다. 구체적으로, 제 2 기판(140)의 하부 면 중, 회로 영역(II)의 일부와 주변 영역(III)의 일부에 걸친 영역(즉, 실링 영역(IV))에 실링 부재(190)가 배치될 수 있다. 실링 부재(190)는 글래스 프릿 등을 포함할 수 있다.10, the sealing member 190 is disposed on the lower surface of the second substrate 140 (S160), the second substrate 140 is disposed to face the first substrate 120 (S170) The first substrate 120 and the second substrate 140 may be sealed (S180). Specifically, a sealing member 190 is disposed in a region extending from a portion of the circuit region II and a portion of the peripheral region III (that is, the sealing region IV) in the lower surface of the second substrate 140 . The sealing member 190 may include a glass frit or the like.

한편, 제 1 기판(120)의 스페이서 및 제 2 전극이 제 2 기판(140)의 후면과 접촉하도록 배치될 수 있다. 즉, 스페이서의 높이에 의해서 제 1 기판(120)과 제2 기판(140) 사이의 간격이 조절될 수 있다. 따라서, 유기 발광 소자들(130)을 포함하는 발광 영역(I) 상부에 감지 셀들(150)이 배치될 수 있고, 회로 영역(II)의 일부와 주변 영역(III)의 일부에 걸쳐 형성된 실링 영역(IV)의 모서리부 상부에는 모서리부 도전 패턴들(165)이 배치될 수 있다.Meanwhile, the spacer and the second electrode of the first substrate 120 may be arranged to contact the rear surface of the second substrate 140. That is, the distance between the first substrate 120 and the second substrate 140 can be adjusted by the height of the spacer. Therefore, the sensing cells 150 can be disposed on the light emitting region I including the organic light emitting elements 130 and the sealing cells 150 formed on the sealing region 150 formed on a part of the circuit region II and a part of the peripheral region III. The corner portion conductive patterns 165 may be disposed on the upper portion of the corner portion of the semiconductor substrate IV.

이후, 실링 영역(IV)에 레이저 빔을 조사함으로써 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이의 공간이 밀봉될 수 있다. 상기 레이저 빔은 실링 부재(190)를 녹일 수 있고, 이에 따라 실링 부재(190)의 형상이 변형되어 제 1 기판(120) 및 제 2 기판(140) 사이의 공간을 채우며, 실링 부재(190)가 경화되면서 제 1 기판(120)과 제 2 기판(140)이 적절하게 밀봉될 수 있다.Thereafter, the space between the first substrate 100 and the second substrate 200 can be sealed by irradiating the sealing region IV with a laser beam. The laser beam can melt the sealing member 190 so that the shape of the sealing member 190 is deformed to fill the space between the first and second substrates 120 and 140, The first substrate 120 and the second substrate 140 can be properly sealed.

상기 레이저 빔은 도전 패턴들에 의해서 부분적으로 반사될 수 있다. 따라서, 상기 레이저 빔의 강도는 도전 패턴들을 고려하여 실링 부재(190)를 충분히 녹일 수 있을 정도로 조절될 수 있다.The laser beam may be partially reflected by the conductive patterns. Therefore, the strength of the laser beam can be adjusted to such a degree that the sealing member 190 can be sufficiently melted in consideration of the conductive patterns.

한편, 상기 레이저 빔은 주변 영역(III)에 배치된 반사 패턴(195)에 의해서 반사될 수 있다. 반사 패턴(195)은 실링 부재(250) 하부에 배치되므로, 반사 패턴(195)에 의해서 반사된 레이저 빔은 실링 부재(190)을 하부를 효과적으로 녹일 수 있다.On the other hand, the laser beam can be reflected by the reflection pattern 195 disposed in the peripheral region III. Since the reflection pattern 195 is disposed under the sealing member 250, the laser beam reflected by the reflection pattern 195 can effectively melt the lower portion of the sealing member 190.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 패널의 제조 방법은 모서리부 도전 패턴들(165)을 커버하도록 제 1 보호막(170) 상에 제 2 보호막(200)을 형성하는 공정을 포함할 수 있다. 결과적으로, 표시 패널의 밀봉 과정에서 레이저 빔에 의해 모서리부 도전 패턴들(165) 하부에 위치한 제2 전극 또는 주변 회로 등에 발생되는 열적 손상이 방지될 수 있다.As described above, the manufacturing method of the display panel according to the embodiments of the present invention includes the step of forming the second protective film 200 on the first protective film 170 to cover the corner conductive patterns 165 can do. As a result, in the sealing process of the display panel, thermal damage caused by the laser beam or the like generated at the second electrode or the peripheral circuit located under the edge portion conductive patterns 165 can be prevented.

본 발명은 터치 패널을 구비한 모든 표시 장치에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 텔레비전, 개인용 컴퓨터, 노트북, 태블릿 PC, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피디에이(PDA), 피엠피(PMP), 디지털 카메라, 휴대용 게임 콘솔, 차량용 네비게이션 등에 적용될 수 있다.The present invention can be applied to all display devices having a touch panel. For example, the present invention can be applied to a television, a personal computer, a notebook, a tablet PC, a mobile phone, a smart phone, a smart pad, a PDA, a PMP, a digital camera, a portable game console,

이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the following claims. It can be understood that it is possible.

100: 표시 패널 120: 제 1 기판
130: 유기 발광 소자들 132: 화소 회로
134: 주변 회로 140: 제 2 기판
150: 감지 셀 160: 도전 패턴
165: 모서리부 도전 패턴 170: 제 1 보호막
190: 실링 부재 195: 반사 패턴
200: 제 2 보호막
100: display panel 120: first substrate
130: organic light emitting devices 132: pixel circuit
134: peripheral circuit 140: second substrate
150: sensing cell 160: conductive pattern
165: edge portion conductive pattern 170: first protective film
190: sealing member 195: reflection pattern
200: Second protective film

Claims (18)

발광 영역, 상기 발광 영역을 둘러싸는 회로 영역 및 상기 회로 영역을 둘러싸는 주변 영역으로 구분된 표시 패널에 있어서,
제 1 기판;
상기 제 1 기판에 대향하도록 배치되는 제 2 기판;
상기 제 1 기판 상에 형성되고, 상기 발광 영역 내에 배치되는 복수의 유기 발광 소자들;
상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이의 공간을 밀봉하되, 상기 회로 영역의 일부와 상기 주변 영역의 일부에 걸쳐 배치되는 실링 부재;
상기 제 2 기판 상에 형성되고, 상기 발광 영역 내에 배치되는 복수의 감지 셀들;
상기 제 2 기판 상에 형성되고, 상기 실링 부재의 상부에 배치되는 복수의 도전 패턴들;
상기 제 2 기판 상에 상기 감지 셀들 및 상기 도전 패턴들을 커버(cover)하도록 배치되는 제 1 보호막; 및
상기 도전 패턴들 중에서 상기 표시 패널의 모서리부에 위치하는 모서리부 도전 패턴들을 커버하도록 상기 제 1 보호막 상에 배치되는 제 2 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
A display panel divided into a light emitting region, a circuit region surrounding the light emitting region, and a peripheral region surrounding the circuit region,
A first substrate;
A second substrate disposed to face the first substrate;
A plurality of organic light emitting elements formed on the first substrate and disposed in the light emitting region;
A sealing member sealing a space between the first substrate and the second substrate, the sealing member being disposed over a portion of the circuit region and a portion of the peripheral region;
A plurality of sensing cells formed on the second substrate and disposed in the light emitting region;
A plurality of conductive patterns formed on the second substrate and disposed on the sealing member;
A first protective layer disposed on the second substrate to cover the sensing cells and the conductive patterns; And
And a second protective layer disposed on the first protective layer to cover corner conductive patterns located at corners of the display panel among the conductive patterns.
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 보호막은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.The display panel according to claim 1, wherein the first protective film comprises silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx). 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 보호막은 광 투과성을 갖는 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.The display panel according to claim 1, wherein the second protective film comprises a conductive layer having light transmittance. 제 3 항에 있어서, 상기 도전층은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide; ITO), 인듐 산화물(indium oxide), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide; IZO), 주석 산화물(tin oxide) 또는 아연 산화물(zinc oxide)을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.The method of claim 3, wherein the conductive layer is formed of a material selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO), indium oxide, indium zinc oxide (IZO), tin oxide, oxide. < / RTI > 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 보호막은 광 투과성을 갖는 무기층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.The display panel according to claim 1, wherein the second protective film comprises a light-transmitting inorganic layer. 제 5 항에 있어서, 상기 무기층은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.The display panel according to claim 5, wherein the inorganic layer comprises silicon oxide or silicon nitride. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 보호막은 광 투과성을 갖는 도전층 위에 광 투과성을 갖는 무기층이 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 패널.The display panel according to claim 1, wherein the second protective film has a structure in which a light-transmitting inorganic layer is laminated on a light-transmitting conductive layer. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 보호막은 광 투과성을 갖는 무기층 위에 광 투과성을 갖는 도전층이 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 패널.The display panel according to claim 1, wherein the second protective film has a structure in which a light-transmitting conductive layer is laminated on a light-transmitting inorganic layer. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 보호막은 광 투과성을 갖는 제 1 도전층 위에 절연층이 적층되고, 상기 절연층 위에 광 투과성을 갖는 제 2 도전층이 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 패널.The display device according to claim 1, wherein the second protective film has a structure in which an insulating layer is laminated on a first conductive layer having light transmittance, and a second conductive layer having light transmittance is laminated on the insulating layer. . 발광 영역, 상기 발광 영역을 둘러싸는 회로 영역 및 상기 회로 영역을 둘러싸는 주변 영역으로 구분된 표시 패널을 제조하는 표시 패널의 제조 방법에 있어서,
제 1 기판을 준비하는 단계;
상기 제 1 기판 상에 상기 발광 영역 내에 위치하는 복수의 유기 발광 소자들을 형성하는 단계;
제 2 기판 상에 상기 발광 영역 내에 위치하는 복수의 감지 셀들을 형성하는 단계;
상기 제 2 기판 상에 상기 회로 영역의 일부와 상기 주변 영역의 일부에 걸쳐 복수의 도전 패턴들을 형성하는 단계;
상기 제 2 기판 상에 상기 감지 셀들 및 상기 도전 패턴들을 커버(cover)하도록 제 1 보호막을 형성하는 단계;
상기 제 1 보호막 상에 상기 도전 패턴들 중에서 상기 표시 패널의 모서리부에 위치하는 모서리부 도전 패턴들을 커버하도록 제 2 보호막을 형성하는 단계;
상기 제 2 기판 하면의 상기 회로 영역의 일부와 상기 주변 영역의 일부에 걸쳐 실링 부재를 배치하는 단계;
상기 제 1 기판에 대향하도록 제 2 기판을 배치하는 단계; 및
상기 실링 부재에 레이저 빔을 조사하여 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이의 공간을 밀봉하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
A manufacturing method of a display panel for manufacturing a display panel divided into a light emitting region, a circuit region surrounding the light emitting region, and a peripheral region surrounding the circuit region,
Preparing a first substrate;
Forming a plurality of organic light emitting elements located in the light emitting region on the first substrate;
Forming a plurality of sensing cells located in the light emitting region on a second substrate;
Forming a plurality of conductive patterns over a portion of the circuit region and a portion of the peripheral region on the second substrate;
Forming a first protective layer on the second substrate to cover the sensing cells and the conductive patterns;
Forming a second protective film on the first protective film to cover corner conductive patterns located at corner portions of the display panel among the conductive patterns;
Disposing a sealing member over a portion of the circuit region and a portion of the peripheral region on the second substrate bottom surface;
Disposing a second substrate to face the first substrate; And
And sealing the space between the first substrate and the second substrate by irradiating the sealing member with a laser beam.
제 10 항에 있어서, 상기 제 1 보호막은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.11. The method of claim 10, wherein the first passivation layer comprises silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx). 제 10 항에 있어서, 상기 제 2 보호막은 광 투과성을 갖는 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.The display panel manufacturing method according to claim 10, wherein the second protective film comprises a conductive layer having light transmittance. 제 12 항에 있어서, 상기 도전층은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide; ITO), 인듐 산화물(indium oxide), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide; IZO), 주석 산화물(tin oxide) 또는 아연 산화물(zinc oxide)을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.13. The method of claim 12, wherein the conductive layer is formed of indium tin oxide (ITO), indium oxide, indium zinc oxide (IZO), tin oxide, or zinc oxide oxide). < / RTI > 제 10 항에 있어서, 상기 제 2 보호막은 광 투과성을 갖는 무기층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법. The method of manufacturing a display panel according to claim 10, wherein the second protective film comprises a light-transmitting inorganic layer. 제 14 항에 있어서, 상기 무기층은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.15. The method of claim 14, wherein the inorganic layer comprises silicon oxide or silicon nitride. 제 10 항에 있어서, 상기 제 2 보호막을 형성하는 단계는,
상기 제 1 보호막 상에 상기 모서리부 도전 패턴들을 커버하도록 광 투과성을 갖는 도전층을 형성하는 단계; 및
상기 도전층 상에 광 투과성을 갖는 무기층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
The method of claim 10, wherein forming the second passivation layer comprises:
Forming a conductive layer having light transmittance to cover the corner portion conductive patterns on the first protective film; And
And forming an inorganic layer having light transmittance on the conductive layer.
제 10 항에 있어서, 상기 제 2 보호막을 형성하는 단계는,
상기 제 1 보호막 상에 상기 모서리부 도전 패턴들을 커버하도록 광 투과성을 갖는 무기층을 형성하는 단계; 및
상기 무기층 상에 광 투과성을 갖는 도전층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
The method of claim 10, wherein forming the second passivation layer comprises:
Forming an inorganic light-transmitting layer on the first protective film to cover the edge conductive patterns; And
And forming a conductive layer having light transmittance on the inorganic layer.
제 10 항에 있어서, 상기 제 2 보호막을 형성하는 단계는,
상기 제 1 보호막 상에 상기 모서리부 도전 패턴들을 커버하도록 광 투과성을 갖는 제 1 도전층을 형성하는 단계;
상기 제 1 도전층 상에 절연층을 형성하는 단계; 및
상기 절연층 상에 광 투과성을 갖는 제 2 도전층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
The method of claim 10, wherein forming the second passivation layer comprises:
Forming a first conductive layer having light transmittance on the first protective film to cover the edge conductive patterns;
Forming an insulating layer on the first conductive layer; And
And forming a second conductive layer having light transmittance on the insulating layer.
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