KR20150078818A - Organic light emitting display and driving method thereof - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a display device comprising: a display panel arranged on each cross domain of data lines and gate lines, including pixels having organic light emitting diodes; a data driving unit supplying data voltage through the data lines; a gate driving unit supplying a gate signal formed by gate-on and gate-off voltages through the gate lines; and a power supply unit generating high potential voltage and supplying one of the first gate-on voltages generated by the input voltage and the second gate-on voltage by using the high potential voltage as the gate-on voltage for the gate driving unit.

Description

유기발광 표시장치와, 그 구동방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY AND DRIVING METHOD THEREOF}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic light emitting display, and a method of driving the organic light emitting display.

본 발명은 영상을 표시하는 유기발광 표시장치에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting display for displaying an image.

최근, 표시장치로서 각광받고 있는 유기발광 표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 큰 장점이 있다. 2. Description of the Related Art In recent years, an organic light emitting diode (OLED) display device that has been spotlighted as a display device has advantages of high response speed, high luminous efficiency, high luminance and wide viewing angle by using an organic light emitting diode (OLED)

그런데 이러한 유기발광 표시장치는 다수의 트랜지스터들을 포함하기 때문에 초기 구동시 트랜지스터를 활성화하는 과정이 필요하다. 그러나 유기발광 표시장치에 포함된 트랜지스터들을 활성화하는 과정에서 유기발광 표시장치에 포함된 유기발광 다이오드에 전류가 흘러 깜빡임이 발생하는 문제점이 있었다.However, since the OLED display includes a plurality of transistors, it is necessary to activate the transistors during the initial operation. However, in the process of activating the transistors included in the organic light emitting diode display, a current flows into the organic light emitting diode included in the organic light emitting diode display, causing flickering.

또한 유기발광 다이오드에 전류를 인가하는 구동 트랜지스터를 구동하는 고전위전압이 온도와 무관하게 일정하게 유지하고 있다. 그런데, 온도 변화에 따른 유기발광 다이오드 구동 특성이 변화하여 고전위전압을 일정하게 유지할 경우 저온이나 고온에서 구동 신뢰성을 저하시키는 문제점이 있었다.Also, the high-potential voltage for driving the driving transistor for applying the current to the organic light-emitting diode is kept constant regardless of the temperature. However, when the driving voltage of the organic light emitting diode changes according to the temperature change and the high voltage is kept constant, the driving reliability at low temperature or high temperature is lowered.

이러한 배경에서, 본 발명의 목적은, 초기 구동시 트랜지스터를 활성화하는 과정에서 깜빡임이 발생하지 않는 유기발광 표시장치 및 그 구동방법을 제공하는 데 있다. In view of the foregoing, an object of the present invention is to provide an organic light emitting display device and a driving method thereof, in which flicker does not occur in the process of activating a transistor during initial driving.

또한 본 발명의 다른 목적은, 온도 변화에 무관하게 구동 신뢰성을 유지하는 유기발광 표시장치 및 그 구동방법을 제공한다. Another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device and driving method thereof that maintains driving reliability irrespective of a temperature change.

전술한 목적을 달성하기 위하여, 일 측면에서, 본 발명은, 데이터 라인과 게이트 라인의 교차 영역마다 배치되며 각각 유기발광 다이오드를 포함하는 다수의 화소를 포함하는 표시패널, 데이터 라인을 통해 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부, 게이트 라인을 통해 게이트 온 전압과 게이트 오프 전압으로 구성된 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부 및 표시패널을 구동하는 사용되는 고전위전압을 생성하고 입력전압을 이용하여 생성된 제1게이트 온 전압과 고전위전압을 이용하여 생성된 제2게이트 온 전압 중 하나를 게이트 온 전압으로 게이트 구동부에 공급하는 전원공급부를 포함하는 표시장치를 제공한다.In order to achieve the above object, in one aspect, the present invention provides a display panel including a plurality of pixels arranged at intersecting regions of a data line and a gate line, each pixel including an organic light emitting diode, A gate driver configured to supply a gate signal composed of a gate-on voltage and a gate-off voltage through a gate line, a gate driver configured to generate a high potential voltage used to drive the display panel, And a power supply for supplying one of the second gate-on voltages generated using the high voltage and the high potential voltage to the gate driver with the gate-on voltage.

다른 측면에서 본 발명은 입력전압을 이용하여 생성된 제1게이트 온 전압과 표시패널을 구동하는 고전위전압을 이용하여 생성된 제2게이트 온 전압 중 제1게이트 온 전압을 출력하는 단계, 표시장치의 전원이 온되면 표시패널의 화소의 유기발광 다이오드의 전류를 차단한 상태에서 출력된 제1게이트 온 전압과 게이트 오프 전압으로 구성된 게이트 신호를 표시패널에 공급하는 단계, 고전위전압 전압을 표시패널에 공급하는 단계, 유기발광 다이오드의 전류가 흐를 수 있는 상태에서 제2게이트 온 전압을 표시패널에 공급하는 단계를 포함하는 표시장치의 구동방법을 제공한다.In another aspect, the present invention provides a method of driving a display panel, comprising: outputting a first gate-on voltage of a second gate-on voltage generated using a first gate-on voltage generated using an input voltage and a high- Supplying a gate signal constituted by a first gate-on voltage and a gate-off voltage outputted in a state in which the current of the organic light emitting diode of the pixel of the display panel is cut off to the display panel when the power source of the display panel is turned on, And supplying a second gate-on voltage to the display panel in a state where a current of the organic light emitting diode can flow.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 유기발광 표시장치는 초기 구동시 트랜지스터를 활성화하는 과정에서 깜빡임이 발생하지 않을 수 있는 효과가 있다. As described above, according to the present invention, the organic light emitting display device has the effect of preventing flicker in the process of activating the transistor during the initial driving.

또한 본 발명에 의하면, 유기발광 표시장치는 온도 변화에 무관하게 구동 신뢰성을 유지할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, the organic light emitting display has the effect of maintaining the driving reliability irrespective of the temperature change.

도 1은 일 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 보여주는 시스템 구성도이다.
도 2는 도 1의 표시장치에서 하나의 화소의 일예를 나타내는 회로도이다.
도 3은 도 2의 표시장치의 구동 타이밍도이다.
도 4는 도 1의 전원공급부의 개념도이다.
도 5a는 도 4의 가변 고전위전압(VDD)을 생성하기 위한 고전위전압 생성부의 회로도이다.
도 5b는 온도에 따라 가변하는 가변 고전위전압을 나타낸 도면이다.
도 5c는 도 4의 전원공급부에 포함되는 게이트전압 생성부의 회로도이다.
도 6은 도 1의 표시장치에서 깜빡임을 개선한 하나의 화소의 다른 예를 나타내는 회로도이다.
도 7은 도 6의 표시장치의 구동 타이밍도이다.
도 8은 도 1의 표시장치에서 깜빡임을 개선한 하나의 화소의 다른 예를 나타내는 회로도이다.
도 9는 도 8의 표시장치의 구동 타이밍도이다.
도 10은 도 1의 표시장치에서 깜빡임을 개선한 하나의 화소의 다른 예를 나타내는 회로도이다.
도 11은 도 10의 표시장치의 구동 타이밍도이다.
도 12는 다른 실시예에 따른 표시장치의 구동방법의 흐름도이다.
1 is a system configuration diagram schematically showing a display device according to an embodiment.
2 is a circuit diagram showing an example of one pixel in the display device of FIG.
3 is a driving timing diagram of the display device of Fig.
4 is a conceptual diagram of the power supply unit of FIG.
5A is a circuit diagram of a high-potential voltage generating section for generating the variable high-potential voltage VDD of FIG.
5B is a diagram showing a variable high-potential voltage varying with temperature.
5C is a circuit diagram of a gate voltage generator included in the power supply unit of FIG.
6 is a circuit diagram showing another example of one pixel in which flicker is improved in the display device of FIG.
7 is a driving timing chart of the display device of Fig.
8 is a circuit diagram showing another example of one pixel in which flicker is improved in the display device of FIG.
Fig. 9 is a driving timing diagram of the display device of Fig. 8. Fig.
10 is a circuit diagram showing another example of one pixel in which flickering is improved in the display device of FIG.
11 is a driving timing chart of the display device of Fig.
12 is a flowchart of a method of driving a display device according to another embodiment.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In the drawings, like reference numerals are used to denote like elements throughout the drawings, even if they are shown on different drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are intended to distinguish the components from other components, and the terms do not limit the nature, order, order, or number of the components. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, Quot; intervening "or that each component may be" connected, "" coupled, "or " connected" through other components.

도 1은 일 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 보여주는 시스템 구성도이다. 1 is a system configuration diagram schematically showing a display device according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시장치는 표시패널(10), 타이밍 콘트롤러(11), 데이터 구동부(12), 게이트 구동부(14), 및, 전원공급부(16) 등을 구비한다. Referring to FIG. 1, a display device according to an exemplary embodiment includes a display panel 10, a timing controller 11, a data driver 12, a gate driver 14, a power supply unit 16, and the like.

표시패널(10)에는 데이터 라인들(DL)과 게이트 라인들(GL)이 서로 교차되도록 형성된다. 표시패널(10)은 데이터 라인들(DL)과 게이트 라인들(GL)에 의해 정의된 셀 영역들에 화소들이 매트릭스 형태로 배치된 화소들을 포함한다. 각 화소는 두개의 전극들과 이 전극들 사이에 위치하는 발광층을 포함하는 유기발광 다이오드와 이 유기발광 다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터, 이 구동 트랜지스터를 스캔하는 스위칭 트랜지스터를 포함할 수 있다. The display panel 10 is formed so that the data lines DL and the gate lines GL intersect with each other. The display panel 10 includes pixels in which pixels are arranged in a matrix in cell regions defined by data lines DL and gate lines GL. Each pixel may include an organic light emitting diode including two electrodes and a light emitting layer positioned between the electrodes, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, and a switching transistor for scanning the driving transistor.

데이터 구동부(12)는 다수의 소스 드라이브 집적회로들로 구현할 수 있다. 데이터 구동부(12)는 타이밍 콘트롤러(11)로부터 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 입력 받는다. 데이터 구동부(12)는 타이밍 콘트롤러(11)로부터의 소스 타이밍 제어신호에 응답하여 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 감마보상전압으로 변환하여 데이터 전압을 생성하고, 그 데이터 전압을 게이트 신호에 동기되도록 표시패널(10)의 데이터 라인들(DL)에 공급한다. 데이터 구동부(12)는 COG(Chip On Glass) 공정이나 TAB(Tape Automated Bonding) 공정으로 표시패널(10)의 데이터 라인들(DL)에 접속될 수 있다.The data driver 12 may be implemented with a plurality of source drive integrated circuits. The data driver 12 receives the digital video data RGB from the timing controller 11. The data driver 12 converts the digital video data RGB into a gamma compensation voltage in response to a source timing control signal from the timing controller 11 to generate a data voltage and displays the data voltage in synchronization with the gate signal To the data lines (DL) of the panel (10). The data driver 12 may be connected to the data lines DL of the display panel 10 by a COG (Chip On Glass) process or a TAB (Tape Automated Bonding) process.

게이트 구동부(14)는 표시패널(10)의 게이트 라인들(GL)에 연결되어 게이트 라인들(GL)에 게이트 신호를 순차적으로 출력한다. 한편, 게이트 구동부(14)는 발광 라인(EL)들과 연결되어 유기발광 다이오드(OLED)의 발광을 제어하는 발광 신호(EM)를 출력할 수 있으나 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 이 경우에 표시패널(10)의 각 화소(P)는 발광 신호(EM)에 의해 제어되는 인에이블 트랜지스터를 추가로 포함한다. 발광 신호(EM)에 의해 제어되는 인에이블 트랜지스터를 추가로 포함한 표시패널(10)의 각 화소(P)의 일 예를 도 2를 참조하여 이하에서 보다 자세히 설명한다.The gate driver 14 is connected to the gate lines GL of the display panel 10 and sequentially outputs gate signals to the gate lines GL. The gate driver 14 may be connected to the light emitting lines EL to output the light emitting signal EM for controlling the light emission of the organic light emitting diode OLED. However, the present invention is not limited thereto. In this case, each pixel P of the display panel 10 further includes an enable transistor controlled by the emission signal EM. An example of each pixel P of the display panel 10 further including an enable transistor controlled by the emission signal EM will be described in more detail below with reference to FIG.

게이트 구동부(14)는 GIP(Gate Drive-IC In Panel) 방식으로 표시패널(10)의 기판 상에 직접 형성될 수 있다. 또한, 게이트 구동부(14)는 TAB 방식으로 표시패널(10)과 타이밍 콘트롤러(11) 사이에 연결될 수도 있다.The gate driver 14 may be formed directly on the substrate of the display panel 10 using a GIP (Gate Drive-IC In Panel) method. Also, the gate driver 14 may be connected between the display panel 10 and the timing controller 11 in a TAB manner.

타이밍 콘트롤러(11)는 LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 인터페이스, TMDS(Transition Minimized Differential Signaling) 인터페이스, MIPI(Mobile Industrial Processor Interface) 등의 인터페이스를 통해 외부의 호스트 시스템으로부터 디지털 비디오 데이터(RGB)를 입력받는다. 타이밍 콘트롤러(11)는 호스트 시스템으로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 데이터 구동부(12)로 전송한다.The timing controller 11 receives digital video data RGB from an external host system through an interface such as a Low Voltage Differential Signaling (LVDS) interface, a Transition Minimized Differential Signaling (TMDS) interface, and a Mobile Industrial Processor Interface (MIPI) . The timing controller 11 transmits digital video data (RGB) input from the host system to the data driver 12.

타이밍 콘트롤러(11)는 LVDS 또는 TMDS 인터페이스 수신회로를 통해 호스트 시스템으로부터 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 메인 클럭(MCLK) 등의 타이밍 신호를 입력받는다. 타이밍 콘트롤러(11)는 호스트 시스템으로부터의 타이밍 신호를 기준으로 데이터 구동부(12)와 게이트 구동부(14)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들을 발생한다. 타이밍 제어신호들은 게이트 구동부(14)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(gate control signal(GCS)), 데이터 구동부(12)의 동작 타이밍과 데이터 전압의 극성을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(data control signal(DCS)), 전원공급부(16)의 전원 생성 및 공급을 제어하기 위한 전원 타이밍 제어신호(power control signal(PCS))를 포함할 수 있다.The timing controller 11 receives timing signals such as a vertical synchronizing signal Vsync, a horizontal synchronizing signal Hsync, a data enable signal DE and a main clock MCLK from the host system through an LVDS or TMDS interface receiving circuit And receives a signal. The timing controller 11 generates timing control signals for controlling the operation timing of the data driver 12 and the gate driver 14 based on the timing signal from the host system. The timing control signals include a gate timing control signal (GCS) for controlling the operation timing of the gate driver 14, a data timing control signal for controlling the operation timing of the data driver 12 and the polarity of the data voltage, a power control signal (PCS) for controlling power generation and supply of the power supply unit 16, and a power control signal (PCS)

전원공급부(16)는 데이터 구동부(12), 게이트 구동부(14), 표시패널(16)에 사용되는 전원 또는 전압, 전류를 공급한다.The power supply unit 16 supplies power, voltage, and current to the data driver 12, the gate driver 14, and the display panel 16.

전술할 바와 같이 표시장치는 유기발광 다이오드(OLED)에 전류를 공급하는 구동 트랜지스터(DT) 및 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압(Vth)를 내부 보상하는 보상회로를 포함하여, 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압을 회로 내부에서 보상할 수 있다.The display device includes a driving transistor DT for supplying a current to the organic light emitting diode OLED and a compensation circuit for internally compensating the threshold voltage Vth of the driving transistor DT, Can be compensated within the circuit.

이하 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압(Vth)를 내부 보상하는 내부 보상회로를 포함하는 표시장치에서 하나의 화소의 일예를 도 2 및 도 3을 참조하여 설명하나 본 발명은 이에 제한되지 않고 다양한 화소에 다양한 내부 보상회로를 포함하여 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압(Vth)을 보상할 수 있다.One example of a pixel in a display device including an internal compensation circuit for internally compensating a threshold voltage Vth of the driving transistor DT will be described with reference to FIGS. 2 and 3. However, the present invention is not limited to this, The threshold voltage Vth of the driving transistor DT can be compensated for by including various internal compensation circuits.

도 2는 도 1의 표시장치에서 하나의 화소의 일예를 나타내는 회로도이다. 도 2에서는 표시장치의 전체 화소 중 하나의 화소의 일예를 도시하고 있다.2 is a circuit diagram showing an example of one pixel in the display device of FIG. 2 shows an example of one pixel of all the pixels of the display device.

도 2를 참조하면, 표시장치는 게이트 라인(102, GL), EM 라인(104), 데이터 라인(106, DL), 고전위전압 라인(108, VDD), 기준 전원 라인(109), 복수의 트랜지스터(ST1 ~ ST5, DT1), 복수의 캐패시터(Cst1, Cst2), 및 유기발광 다이오드(OLED), 저전위전압(VSS)를 포함할 수 있다. 2, the display device includes a plurality of gate lines 102, GL, an EM line 104, a data line 106, DL, a high potential voltage line 108, VDD, a reference power source line 109, Transistors ST1 to ST5 and DT1, a plurality of capacitors Cst1 and Cst2, an organic light emitting diode OLED and a low potential voltage VSS.

게이트 라인(102)은 게이트 신호가 인가되는 배선으로서, 게이트 라인(102)에 인가되는 게이트 신호를 통해 제1 트랜지스터(110), 제3 트랜지스터(130), 제5 트랜지스터(130)를 구동시킨다.The gate line 102 is a wiring to which a gate signal is applied and drives the first transistor 110, the third transistor 130 and the fifth transistor 130 through a gate signal applied to the gate line 102.

데이터 라인(106)은 구동 트랜지스터(160)를 구동시키기 위한 데이터 전압(Vdata)을 제1 노드(a node)에 인가되는 배선으로서, 데이터 라인(106)은 화소 내에서 게이트 라인(102) 및 EM 라인(104)과 교차하도록 배열되어 있다.The data line 106 is a wiring to which a data voltage Vdata for driving the driving transistor 160 is applied to a first node and the data line 106 is a wiring to be applied to the gate line 102 and the EM Line 104. In this embodiment,

여기서, 상기 제1 노드(a node)는 제1 스위칭 트랜지스터(110)의 드레인과 제2 스위칭 트랜지스터(120)의 드레인 사이에 형성되고, 스토리지 캐패시터(170)의 일측 단자와 접속된다.The first node a is formed between the drain of the first switching transistor 110 and the drain of the second switching transistor 120 and is connected to one terminal of the storage capacitor 170.

EM 라인(104)은 발광 신호(EM)가 인가되는 배선으로서, 발광 신호(EM)를 통해 제2 트랜지스터(120), 제4트랜지스터(102)를 구동시킨다. The EM line 104 drives the second transistor 120 and the fourth transistor 102 through the emission signal EM as a wiring to which the emission signal EM is applied.

기준 전원 라인(109) 및 고전위전압 라인(108, VDD)은 각각 기준 전압(Vref) 및 고전위전압(VDD)이 인가되는 배선으로서, 화소 내에서 데이터 라인(106)과 나란히 배열되어 있다.The reference power supply line 109 and the high potential voltage lines 108 and VDD are wirings to which the reference voltage Vref and the high potential voltage VDD are applied and are arranged in parallel with the data line 106 in the pixel.

복수의 트랜지스터(ST1 ~ ST5, D1)는 제1 내지 제6 트랜지스터(110 ~ 160)로 구성되며, 이하, 제1 내지 제5 트랜지스터(110 ~ 150)를 스위칭 트랜지스터, 제6 트랜지스터(160)를 구동 트랜지스터로 약칭하기로 한다. 여기서, 복수의 트랜지스터(110 ~ 160)는 PMOSFET로 형성될 수 있으나 NMOSFET로 형성될 수도 있다.The plurality of transistors ST1 to ST5 and D1 are formed of first to sixth transistors 110 to 160. Hereinafter the first to fifth transistors 110 to 150 are referred to as a switching transistor and the sixth transistor 160 is referred to as a &Quot; driving transistor " Here, the plurality of transistors 110 to 160 may be formed of PMOSFETs, but may be formed of NMOSFETs.

제1 스위칭 트랜지스터(110)는 게이트 라인(102)으로부터 인가되는 게이트 신호에 따라 스위칭되어 데이터 전압(Vdata)을 제1 노드(a node)로 공급한다.The first switching transistor 110 is switched according to a gate signal applied from the gate line 102 to supply a data voltage Vdata to a first node.

제2 스위칭 트랜지스터(120)는 EM 라인(104)으로부터 인가되는 발광 신호(EM)에 따라 스위칭되어, 기준 전원 라인(109)에 인가되는 기준 전압(Vref)을 제1 노드(a node)로 공급한다. 즉, 기준 전압(Vref)을 스토리지 캐패시터(170)의 일측 단자에 공급한다.The second switching transistor 120 is switched according to the emission signal EM applied from the EM line 104 to supply the reference voltage Vref applied to the reference power source line 109 to the first node a do. That is, the reference voltage Vref is supplied to one terminal of the storage capacitor 170.

제3 스위칭 트랜지스터(130)는 게이트 라인(102)으로부터 인가되는 게이트 신호에 따라 스위칭되어, 후술되는 구동 트랜지스터(160)를 다이오드 커넥션 시킨다. 이때, 구동 트랜지스터(160)는 고전위전압 라인(108)으로부터의 고전위전압(VDD)을 제3 노드(mdtd node)로 공급한다.The third switching transistor 130 is switched according to a gate signal applied from the gate line 102 to diode-connect the driving transistor 160, which will be described later. At this time, the driving transistor 160 supplies the high potential voltage VDD from the high potential voltage line 108 to the third node (mdtd node).

즉, 제3 스위칭 트랜지스터(130)는 구동 트랜지스터(160)가 다이오드 커넥션되고 제4 스위칭 트랜지스터(140)가 오프 구동될 때 고전위전압 라인(108)로부터의 고전위전압(VDD)을 제2 노드(b node)에 공급하게 된다. 제4 스위칭 트랜지스터(140)는 인에이블 트랜지스터로 유기발광 다이오드(OLED)의 인에이블 여부를 제어한다.That is, the third switching transistor 130 is turned on when the driving transistor 160 is diode-connected and the fourth switching transistor 140 is turned off, the high-potential voltage VDD from the high- (b node). The fourth switching transistor 140 is an enable transistor and controls whether the organic light emitting diode OLED is enabled.

이때, 제3 노드(mdtd node)에 공급된 고전위전압(VDD)은 제3 스위칭 트랜지스터(130)를 경유하여 제2 노드(b node)에 공급되어 제2 노드(b node)의 전압을 구동 트랜지스터(160)의 문턱 전압(Vth)으로 높인다.At this time, the high potential voltage VDD supplied to the third node (mdtd node) is supplied to the second node (b node) via the third switching transistor 130 to drive the voltage of the second node The threshold voltage Vth of the transistor 160 is increased.

여기서, 제3 스위칭 트랜지스터(130)의 소스 및 구동 트랜지스터(160)의 드레인은 제3 노드(mdtd node)에 접속되고, 제3스위칭 트랜지스터(130)의 드레인은 제2 노드(b node)에 접속된다.The source of the third switching transistor 130 and the drain of the driving transistor 160 are connected to the third node mdtd node and the drain of the third switching transistor 130 is connected to the second node b node do.

제4 스위칭 트랜지스터(140)는 EM 라인(104)에 인가되는 발광 신호(EM)에 따라 스위칭되어, 구동 전류를 유기 발광다이오드(OLED)에 공급한다.The fourth switching transistor 140 is switched according to the emission signal EM applied to the EM line 104 to supply the driving current to the organic light emitting diode OLED.

여기서, 제4 스위칭 트랜지스터(140)의 소스는 상기 제3 노드(mdtd node)에 접속되고, 드레인은 유기발광 다이오드(190, OLED)에 접속된다.Here, the source of the fourth switching transistor 140 is connected to the third node (mdtd node), and the drain thereof is connected to the organic light emitting diode 190 (OLED).

제5 스위칭 트랜지스터(150)는 게이트 라인(102)으로부터의 게이트 신호에 따라 스위칭되어, 기준 전원 라인(109)으로부터의 기준 전압(Vref)을 제4 스위칭 트랜지스터(140)의 드레인과 유기발광 다이오드(OLED) 사이에 형성된 제4 노드(c node)에 공급한다.The fifth switching transistor 150 is switched in accordance with the gate signal from the gate line 102 so that the reference voltage Vref from the reference power source line 109 is supplied to the drain of the fourth switching transistor 140 and the drain of the organic light emitting diode OLED) to the fourth node (c node).

여기서, 제5 스위칭 트랜지스터(150)는 1 프레임 기간 중 초기화 기간에 유기발광 다이오드(OLED)를 초기화 시키는 역할을 한다.Here, the fifth switching transistor 150 functions to initialize the organic light emitting diode OLED in the initialization period of one frame period.

스토리지 캐패시터(170) 및 가변 캐패시터(180)는 구동 트랜지스터(160)의 게이트 전압 즉, 구동 트랜지스터(160)의 문턱 전압(Vth)를 일정 기간 동안 유지시키는 역할을 한다.The storage capacitor 170 and the variable capacitor 180 maintain the gate voltage of the driving transistor 160, that is, the threshold voltage Vth of the driving transistor 160, for a predetermined period of time.

스토리지 캐패시터(170)는 제1 노드(a node)와 제2 노드(b node) 사이에 형성된다. 이러한, 스토리지 캐패시터(170)의 일측 단자는 제1 노드(a node)에 접속되고, 타측 단자는 제2 노드(b node)에 접속된다.The storage capacitor 170 is formed between a first node (node) and a second node (b node). One terminal of the storage capacitor 170 is connected to a node and the other terminal is connected to a second node (b node).

스토리지 캐패시터(170)는 가변 캐패시터(180)와의 커플링에 의해 문턱 전압(Vth)이 보상된 데이터 전압(Vdata)을 제2 노드(b node) 즉, 구동 트랜지스터(160)의 게이트에 공급한다.The storage capacitor 170 supplies a data voltage Vdata compensated for the threshold voltage Vth to the second node b node, that is, the gate of the driving transistor 160, by coupling with the variable capacitor 180.

가변 캐패시터(180)는 제2 노드(b node)와 고전위전압(VDD) 사이 즉, 구동 트랜지스터(160)의 게이트와 소스 사이에 형성된다. 이러한, 가변 캐패시터(180)의 일측 단자는 고전위전압 라인(108)과 접속되고, 타측 단자는 스토리지 캐패시터(170)의 타측 단자와 구동 트랜지스터(160)의 게이트 사이에 형성된 제2 노드(b node)에 접속된다.The variable capacitor 180 is formed between the second node (b node) and the high-potential voltage (VDD), that is, between the gate and the source of the driving transistor 160. One terminal of the variable capacitor 180 is connected to the high potential voltage line 108 and the other terminal of the variable capacitor 180 is connected to the second node formed between the other terminal of the storage capacitor 170 and the gate of the driving transistor 160 .

가변 캐패시터(180)는 초기화 기간 이후 게이트 신호의 오프(off) 시, 캡(cap)이 형성되어 상기 제2 노드(bnode)의 전압이 급격하게 상승 또는 하강하는 것을 방지시키고 일정 전압으로 유지(holding)되도록 한다.The variable capacitor 180 prevents the voltage of the second node bnode from rapidly rising or falling when the gate signal is turned off after the initialization period, ).

이러한, 가변 캐패시터(180)는 후술되는 구동 트랜지스터(160)의 게이트와 소스 간에 형성되는 전압(Vgs)이 고전위전압(VDD) + 문턱 전압(Vth) 이상인 경우에 캡(cap)이 형성되다. 한편, 고전위전압(VDD) + 문턱 전압(Vth) 미만인 경우에는 가변 캐패시터(180)의 캡(cap)이 형성이 형성되지 않는다. 즉, 가변 캐패시터(180)는 인가되는 전압에 따라 캡(cap)이 가변적으로 형성(variable capacitance)된다.The variable capacitor 180 has a cap formed when a voltage Vgs formed between a gate and a source of a driving transistor 160 to be described later is equal to or higher than a high potential (VDD) + a threshold voltage (Vth). On the other hand, if the voltage is less than the high potential (VDD) + the threshold voltage (Vth), the cap of the variable capacitor 180 is not formed. That is, the variable capacitor 180 has a variable capacitance according to a voltage applied thereto.

유기발광 다이오드(190, OLED)는 상기 제4 스위칭 트랜지스터(140)의 턴-온에 의해 공급되는 구동 전류를 통해 발광하고, 유기 발광장치는 각 화소에 형성된 유기발광 다이오드(190, OLED)의 발광을 이용하여 화상을 구현하게 된다.The organic light emitting diode 190 emits light through the driving current supplied by the turn-on of the fourth switching transistor 140, and the organic light emitting diode emits light of the organic light emitting diode 190 (OLED) So that an image is realized.

도 3은 도 2의 표시장치의 구동 타이밍을 나타내는 도면이다.Fig. 3 is a diagram showing drive timings of the display device of Fig. 2;

도 3에 도시된 바와 같이, 표지장치(10)는 1 프레임 기간을 복수의 구간으로 나누어 유기발광 다이오드(190, OLED)의 발광을 제어한다.As shown in FIG. 3, the labeling device 10 divides one frame period into a plurality of sections to control the light emission of the organic light emitting diode 190 (OLED).

제1 구간(①)은 초기화(Initializing) 구간으로, EM 라인(104)의 발광 신호(EM)가 공급(On)되어 제2 스위칭 트랜지스터(120) 및 제4 스위칭 트랜지스터(140)가 턴-온된다.The first period (1) is an initializing period in which the emission signal EM of the EM line 104 is supplied (On) so that the second switching transistor 120 and the fourth switching transistor 140 are turned on do.

이때, 게이트 라인(120)의 게이트 신호는 초기 일정 기간 동안에는 공급되지 않다가, 이후 초기화 기간에 게이트 신호가 공급(On)되어 제1 스위칭 트랜지스터(110), 제3 스위칭 트랜지스터(130) 및 제5 스위칭 트랜지스터(150)가 턴-온된다.At this time, the gate signal of the gate line 120 is not supplied for an initial predetermined period, and then the gate signal is supplied (On) in the initialization period, so that the first switching transistor 110, the third switching transistor 130, The switching transistor 150 is turned on.

발광 신호(EM) 및 게이트 신호가 공급되어 제1 스위칭 트랜지스터 내지 제5 스위칭 트랜지스터(110 ~ 150)가 턴온 되면, 기준 전원 라인(109)으로부터의 기준 전압(Vref)이 제4 스위칭 트랜지스터(140)의 드레인과 유기발광 다이오드(OLED) 사이에 형성된 제4 노드(c node)에 공급된다. 이를 통해, 이전 프레임 기간에 유기발광 다이오드(OLED)에 형성되어 있던 전압을 초기화(reset) 시킨다.The reference voltage Vref from the reference power supply line 109 is supplied to the fourth switching transistor 140 when the first to fifth switching transistors 110 to 150 are turned on by the emission signal EM and the gate signal, And a fourth node (c node) formed between the drain of the organic light emitting diode OLED and the drain of the organic light emitting diode OLED. Thus, the voltage that was formed in the organic light emitting diode OLED in the previous frame period is reset.

제2 구간(②)은 프로그래밍(programming) 및 센싱(sensing) 구간으로, 유기발광 다이오드(190)의 발광을 위한 고전위전압을 화소에 프로그래밍하고, 구동 트랜지스터(160)의 문턱 전압(Vth)을 센싱 한다.The second period (2) is a programming and sensing period in which a high potential voltage for light emission of the organic light emitting diode 190 is programmed into the pixel and a threshold voltage Vth of the driving transistor 160 is set to Sensing.

제3 구간(③)은 플로팅(floating) 구간으로, 데이터 전압(Vdata)을 유지(holding)시키고, 문턱 전압(Vth)을 보상시키는 구간이다. 발광 신호(EM) 및 스캔 신호(scan)가 오프(Off)되어 스토리지 캐패시터(170) 및 가변 캐패시터(180)에 의해 제2 노드(b node)의 전압이 유지됨과 아울러, 문턱 전압(Vth)이 보상된다.The third period (3) is a floating period in which the data voltage (Vdata) is held and the threshold voltage (Vth) is compensated. The emission signal EM and the scan signal SCAN are turned off so that the voltage of the second node b is maintained by the storage capacitor 170 and the variable capacitor 180 and the threshold voltage Vth is maintained at Is compensated.

이어서, 제4 구간(④)은 발광 구간으로, EM 라인(104)으로 발광 신호(EM)가 인가되어 제2 스위칭 TFT(120) 및 제4 스위칭 TFT(140)가 온(On) 상태가 된다.The fourth period (4) is a light emission period, and the emission signal EM is applied to the EM line 104 to turn on the second switching TFT 120 and the fourth switching TFT 140 .

여기서, 상술한 제3 구간(③)에서 제3 노드(mdtd node)에서 제2 노드(b node)로 유입된 전류(i)에 의해 드라이빙 TFT(160)의 문턱 전압(Vth)의 보상이 높아져 유기 발광 다이오드(190)의 발광 효율이 향상되게 된다.Here, the compensation of the threshold voltage Vth of the driving TFT 160 is increased by the current i flowing from the third node (mdtd node) to the second node (b node) in the third period (3) The luminous efficiency of the organic light emitting diode 190 is improved.

도 4는 도 1의 전원공급부의 개념도이다.4 is a conceptual diagram of the power supply unit of FIG.

전원공급부(16)는 시스템으로부터 공급되는 전압을 이용하여 고전위전압(VDD), 저전위전압(VSS 또는 Vcom), 게이트 온(또는 하이)전압(VGH), 게이트 오프(또는 로우)전압(VGL) 등을 생성한다.The power supply unit 16 uses a voltage supplied from the system to supply a high voltage VDD, a low voltage VSS or Vcom, a gate on (or high) voltage VGH, a gate off (or low) voltage VGL And so on.

전원공급부(16)는 생성한 고전위전압(VDD), 저전위전압(VSS), 게이트 온 전압(VGH), 게이트 오프 전압(VGL) 등을 데이터 구동부(12), 게이트 구동부(14), 표시패널(10)에 공급한다.The power supply unit 16 supplies the generated high potential voltage VDD, low potential voltage VSS, gate on voltage VGH and gate off voltage VGL to the data driver 12, the gate driver 14, To the panel (10).

전원공급부(16)는 입력전압 생성부(410), 제어부(420), 전압생성부(430)를 포함한다.The power supply unit 16 includes an input voltage generation unit 410, a control unit 420, and a voltage generation unit 430.

입력전압 생성부(410)는 시스템으로부터 공급받은 전압(Vin 또는 VCI)을 이용하여 전압생성부(430)에서 사용되는 둘 이상의 입력전압들(예를 들어 Vin1 내지 Vin3)을 생성한다. 입력전압 생성부(410)는 전압생성부(430)에서 사용되는 둘 이상의 입력전압들을 저항 분배기로 생성할 수 있다. The input voltage generating unit 410 generates two or more input voltages (for example, Vin1 to Vin3) used in the voltage generating unit 430 using the voltage (Vin or VCI) supplied from the system. The input voltage generating unit 410 may generate two or more input voltages used in the voltage generating unit 430 as a resistor divider.

제어부(420)는 전원공급부(16)의 딥 스탠바이 모드(Deep standby mode, 사용하지 않은 상태) 동작을 제어하고 전압생성부(430)에 필요한 클럭을 생성하는 회로이다.The control unit 420 is a circuit for controlling the operation of the power supply unit 16 in a deep standby mode (unused state) and generating a clock necessary for the voltage generation unit 430.

전압생성부(430)는 크게 계조생성전압 생성부(432), 고전위전압 생성부(434), 게이트전압 생성부(436)를 포함한다. 각 생성부는 출력전압이 입력전압보다 낮게 나타나는 벅 컨버터(Buck converter) 또는 스텝다운 회로(step-down circuit)와, 출력 전압이 입력전압보다 높게 나타나는 부스트 컨버터(Boost converter) 또는 스텝업 회로(step-up circuit)와, 이들의 혼합형인 벅-부스트 컨버터(upboost converter) 중 하나를 포함할 수 있다. The voltage generating unit 430 mainly includes a gradation generating voltage generating unit 432, a high potential generating unit 434, and a gate voltage generating unit 436. Each generator includes a buck converter or a step-down circuit in which the output voltage is lower than the input voltage, a boost converter or a step-up circuit in which the output voltage is higher than the input voltage, up converter, and a mix-up buck-boost converter thereof.

계조생성전압 생성부(432)은 데이터 구동부(12)에서 안정된 계조 전압을 만들 수 있도록 계조생성전압(예를 들어 DDVDH = 4.5V ~ 6V)을 생성한다. 계조생성전압 생성부(432)은 생성한 계조생성전압(DDVDH)를 데이터 구동부(12) 또는 별도로 구성된 계조전압생성부에 공급한다. 또한 계조생성전압 생성부(432)는 생성한 계조생성전압(DDVDH)를 다른 구성요소에 공급할 수도 있다. 예를 들어 계조생성전압 생성부(432)은 생성한 계조생성전압(DDVDH)를 게이트전압 생성부(436)에 공급할 수 있다.The gradation generating voltage generating unit 432 generates a gradation generating voltage (e.g., DDVDH = 4.5V to 6V) so that the data driver 12 can generate a stable gradation voltage. The grayscale generation voltage generation section 432 supplies the generated grayscale generation voltage DDVDH to the data driving section 12 or the separately configured grayscale voltage generation section. The gradation generation voltage generation section 432 may also supply the generated gradation generation voltage DDVDH to other components. For example, the gradation generation voltage generation section 432 can supply the generated gradation generation voltage DDVDH to the gate voltage generation section 436. [

고전위전압 생성부(434)은 표시패널(10)에 형성된 화소들의 구동 트랜지스터의 구동에 사용되는 고전위전압(VDD)을 생성한다. 이때 고전위전압 생성부(434)은 도 5a를 참조하여 후술하는 바와 같이 온도에 따라 가변되는 고전위전압(VDD)을 생성한다. The high-potential-voltage generating unit 434 generates a high-potential voltage (VDD) used for driving the driving transistor of the pixels formed in the display panel 10. [ At this time, the high-potential voltage generating unit 434 generates a high-potential voltage VDD which varies according to the temperature as described later with reference to FIG. 5A.

고전위전압 생성부(434)은 생성된 고전위전압(VDD)을 표시패널(10)에 형성된 화소들의 구동 트랜지스터에 공급한다. 또한 고전위전압 생성부(434)은 생성된 고전위전압(VDD)을 다른 구성요소에 공급할 수도 있다. 예를 들어 고전위전압 생성부(434)은 생성한 고전위전압(VDD)을 게이트전압 생성부(436)에 공급할 수 있다.The high potential voltage generating unit 434 supplies the generated high potential voltage VDD to the driving transistors of the pixels formed on the display panel 10. [ The high-potential voltage generating unit 434 may also supply the generated high-potential voltage VDD to other components. For example, the high-potential-voltage generating unit 434 can supply the generated high-potential voltage VDD to the gate-voltage generating unit 436.

게이트전압 생성부(436)는 게이트 구동부(14)에 사용되는 게이트 온 전압(예를 들어 VGH = 10V ~ 15V)을 생성한다. 이때 게이트전압 생성부(436)는 도 5c 및 도 5d를 참조하여 설명하는 바와 같이 계조생성전압 생성부(432)에서 생성된 계조생성전압(DDVDH)를 이용하여 게이트 온 전압(VGH)을 생성하거나 도 5c 및 도 5e를 참조하여 설명하는 바와 같이 고전위전압 생성부(434)에서 생성된 온도에 따라 가변된 고전위전압(VDD)을 이용하여 게이트 온 전압(VGH)을 생성할 수 있다. 게이트전압 생성부(436)는 생성된 게이트 온 전압(VGH)을 게이트 구동부(14)에 공급한다. The gate voltage generator 436 generates a gate-on voltage (for example, VGH = 10 V to 15 V) used in the gate driver 14. At this time, the gate voltage generator 436 generates the gate-on voltage VGH using the gradation generation voltage DDVDH generated by the gradation generation voltage generator 432 as described with reference to FIGS. 5C and 5D The gate-on voltage VGH can be generated using the high-potential voltage VDD that varies according to the temperature generated by the high-potential voltage generator 434, as described with reference to FIGS. 5C and 5E. The gate voltage generator 436 supplies the generated gate-on voltage VGH to the gate driver 14.

도 5a는 도 4의 가변 고전위전압(VDD)을 생성하기 위한 고전위전압 생성부(424)의 회로도이다. 5A is a circuit diagram of a high potential voltage generating section 424 for generating the variable high potential voltage VDD of FIG.

도 5a를 참조하면, 고전위전압 생성부(424)은 스위치 IC(510), 인덕터(L), 다이오드(D), 써미스터 저항부(512), 출력 저항(514) 를 구비한다. 이러한 고전위전압 생성부(424)은 써미스터를 갖는 부스터 컨버터(Booster Converter)로 구현될 수 있다.5A, the high-potential voltage generating unit 424 includes a switch IC 510, an inductor L, a diode D, a thermistor resistor 512, and an output resistor 514. The high potential voltage generator 424 may be implemented as a booster converter having a thermistor.

스위치 IC(510)는 입력 노드(ni)에 접속된 입력 단자(IN), 제1 노드(n1)에 접속된 스위치 단자(SW), 제2 노드(n2)에 접속된 피드백 단자(FB), 출력단자(no)에 접속된 출력단자(Out)를 포함한다. The switch IC 510 includes an input terminal IN connected to the input node ni, a switch terminal SW connected to the first node n1, a feedback terminal FB connected to the second node n2, And an output terminal Out connected to the output terminal no.

스위치 단자(SW)에 인가되는 제어 신호에 응답하여 턴 온 됨으로써 제1 노드(n1)와 저전위전압(VSS) 사이의 전류 패스를 형성하여 입력 노드(ni)로부터 제1 노드(n1)로 흐르는 전류 에너지를 인덕터(L)에 저장시키는 반면, 스위치 단자(SW)에 인가되는 제어 신호에 응답하여 턴 오프 됨으로써 제1 노드(n1)와 저전위전압(VSS) 사이의 전류 패스를 차단하여 제1 노드(n1)에 인가되는 인덕터(L)의 저장에너지를 다이오드(D)로 공급한다.And is turned on in response to a control signal applied to the switch terminal SW to form a current path between the first node n1 and the low potential voltage VSS to flow from the input node ni to the first node n1 Current energy is stored in the inductor L while the current path between the first node n1 and the low potential voltage VSS is blocked by being turned off in response to the control signal applied to the switch terminal SW, And supplies the stored energy of the inductor L applied to the node n1 to the diode D. [

써미스터(512)는 온도의 증가에 비례하여 그 저항값(Rth)이 감소하는 NTC 저항부(Negative Temperature Coefficient of Resistor)로 구현될 수 있다. 출력 저항(514)의 저항값은 Ro일 수 있다. 제2 노드(n2)와 출력 노드(no) 사이에 접속된 써미스터(512)와, 제2 노드(n2)와 저전위전압(VSS) 사이에 접속된 출력 저항(514)은 아래의 수학식 1에 따라 제2 노드(n2)에 인가되는 포지티브 기준전압(PVref)을 참조하여 출력 노드(no)로 출력되는 인덕터(L) 에너지의 레벨을 가변시킨 후, 이 가변된 레벨의 에너지를 고전위전압(VDD)으로 하여 표시패널(10)의 고전위전압라인(108)에 공급한다.
The thermistor 512 may be implemented with a negative temperature coefficient (RTC) resistor whose resistance value Rth decreases in proportion to an increase in temperature. The resistance value of the output resistor 514 may be Ro. A thermistor 512 connected between the second node n2 and the output node no and an output resistor 514 connected between the second node n2 and the low potential voltage VSS are expressed by the following Equation 1 The voltage of the inductor L output to the output node no is changed by referring to the positive reference voltage PVref applied to the second node n2 according to the voltage Vref, (VDD) and supplies it to the high potential voltage line 108 of the display panel 10.

[수학식 1][Equation 1]

VDD = PVref * {1 + (Rth/Ro)} VDD = PVref * {1 + (Rth / Ro)}

도 5b에 도시한 바와 같이 온도가 상온보다 높아지면 질수록 써미스터 저항부(Rth)의 전체 저항값은 상온 대비 감소하므로, 출력되는 가변 고전위전압(VDD)은 상온일 때와 비교하여 낮아지게 된다. 반면, 온도가 상온보다 낮아지면 질수록 써미스터 저항부(Rth)의 전체 저항값은 상온 대비 증가하므로, 출력되는 가변 고전위전압(VDD)은 상온일 때와 비교하여 높아지게 된다.As shown in FIG. 5B, since the total resistance value of the thermistor resistance Rth decreases as the temperature rises above room temperature, the variable high-potential voltage VDD output becomes lower than that at room temperature . On the other hand, since the total resistance value of the thermistor resistance Rth increases with the room temperature as the temperature decreases from room temperature, the output variable high-potential voltage VDD becomes higher than that at room temperature.

도 5c는 도 4의 전원공급부에 포함되는 게이트전압 생성부의 회로도이다.5C is a circuit diagram of a gate voltage generator included in the power supply unit of FIG.

도 5c를 참조하면, 게이트전압 생성부(436)는 계조생성전압 생성부(432)에서 생성된 계조생성전압(DDVDH)를 이용하여 생성된 제1게이트 온 전압(제1VGH)와 고전위전압 생성부(434)에서 생성된 온도에 따라 가변된 고전위전압(VDD)을 이용하여 생성된 제2게이트 온 전압(제2VGH)을 선택적으로 게이트 구동부(14)에 공급한다.5C, the gate voltage generating unit 436 generates a gate voltage (first VGH) generated by using the gradation generating voltage DDVDH generated by the gradation generating voltage generating unit 432 and a first gate- On voltage (second VGH) generated using the high-potential voltage VDD varying according to the temperature generated by the gate driver 434.

이때 게이트전압 생성부(436)는 도 5d에 도시한 바와 같이 계조생성전압 생성부(432)에서 생성된 계조생성전압(DDVDH)를 사용하여 제1게이트 온 전압(제1VGH)을 생성하는 제1스텝업 회로(516)를 포함한다. 제1스텝업 회로(516)는 입력노드와 P노드 사이 제1트랜지스터 및 N노드와 저전위 전압(VSS) 사이 제2트랜지스터를 온상태가 되도록 제어하므로 입력전압(Vin2)을 P노드와 N노드 사이 충전한다. 다음으로 제1스텝업 회로(516)는 제1, 2트랜지스터(T1, T2)를 오프상태로 변경하고 게이트 온 전압(VGH) 출력단자와 P노드 사이 제3트랜지스터 및 N노드와 계조생성전압(DDVDH) 입력노드 사이 제4트랜지스터를 온상태가 되도록 제어하므로 출력단자의 출력전압을 DDVDH+DDVDH으로 출력한다. 5D, the gate voltage generating unit 436 generates a first gate-on voltage (first VGH) by using the gradation generating voltage DDVDH generated by the gradation generating voltage generating unit 432, And a step-up circuit 516. The first step-up circuit 516 controls the first transistor between the input node and the P node and the second transistor between the N node and the low potential voltage VSS to be in the ON state, so that the input voltage Vin2 is supplied to the P node and the N node Charge in between. Next, the first step-up circuit 516 changes the first and second transistors T1 and T2 to the off state and turns off the third transistor and the N-node and the gray-level generating voltage (VGH) between the gate- DDVDH) input node to the ON state, so that the output voltage of the output terminal is output to DDVDH + DDVDH.

또한 게이트전압 생성부(436)는 도 5e에 도시한 바와 같이 고전위전압 생성부(434)으로부터 공급된 온도에 따라 가변된 고전위전압(VDD)을 입력전압으로 사용하여 제2게이트 온 전압(제2VGH)을 생성하는 제2스텝업 회로(518)를 포함한다. 제2스텝업 회로(518)도 계조생성전압(DDVDH) 입력단자에 대응하는 입력단자에 고전위전압(VDD) 입력단자로 구성된 점을 제외하고 제1스텝업 회로(516)와 동일한 회로구조 및 동작에 의해 출력단자의 출력전압을 Vin2+VDD로 출력한다.5E, the gate voltage generating unit 436 generates a second gate-on voltage (Vdd) using the high-potential voltage VDD varied according to the temperature supplied from the high-potential voltage generating unit 434 as an input voltage And a second step-up circuit 518 for generating a second voltage VGH. The second step-up circuit 518 has the same circuit structure as that of the first step-up circuit 516 except that it is constituted by a high-potential voltage (VDD) input terminal at the input terminal corresponding to the gradation generation voltage DDVDH input terminal And outputs the output voltage of the output terminal to Vin2 + VDD by the operation.

게이트전압 생성부(436)는 고전위전압(VDD)을 입력전압으로 제2스텝업 회로를 사용하여 제2게이트 온 전압(VGH)을 생성한다. 왜냐하면, 고전위전압(예를 들어 VDD=8.5V)가 커서 조금만 스텝업하면 제2게이트 온 전압(예를 들어 제2VGH=10.5V)를 생성할 수 있다. 또한 전술한 바와 같이 고전위전압 생성부(426)의 써미스터를 이용하여 온도에 따라서 고전위전압(VDD)가 변경되게 설계되어 있어, 고전위전압(VDD)의 변경시 게이트 온 전압(VGH)도 같이 변경될 수 있다. 그렇지 않으면, 고전위전압(VDD)은 올라갔는데 게이트 온 전압(VGH)이 그대이거나 고전위전압(VDD)이 내려갔는데 게이트 온 전압(VGH)이 그대로일 경우, 초기화 트랜지스터(예를 들어 도 2의 제5스위칭 트랜지스터(ST5))에 오프 스트레스(Off Stress)가 커져서 누설전류가 발생하여 구동 트랜지스터(예를 들어 도 2의 DT1)의 게이트 전압이 낮아질 수 있다. 이러면 영상데이터의 계조값이 0계조인 블랙일 경우, 휘도가 점점 밝아져서 대조비가 떨어지는 경우가 발생할 수 있다.The gate voltage generator 436 generates the second gate-on voltage VGH using the second step-up circuit with the high-potential voltage VDD as the input voltage. This is because the high gate voltage (e.g., VDD = 8.5V) is large and can only be stepped up to generate a second gate on voltage (e.g., second VGH = 10.5V). Also, as described above, the high-potential voltage VDD is designed to be changed according to the temperature by using the thermistor of the high-potential voltage generator 426, and the gate-on voltage VGH is also changed when the high- Can be changed as well. On the other hand, if the high-potential voltage VDD rises but the gate-on voltage VGH is equal to or higher than the high-potential voltage VDD but the gate-on voltage VGH remains the same, The off-stress is increased in the fifth switching transistor ST5, and a leakage current is generated, so that the gate voltage of the driving transistor (e.g., DT1 in Fig. 2) can be lowered. In this case, when the gradation value of the image data is black with 0 gradation, the brightness gradually becomes bright and the contrast ratio may decrease.

게이트전압 생성부(436)는 스위치부(518)를 제어하여 제1, 2스텝업 회로(516, 518)에 의해 별도로 생성된 제1게이트 온 전압(제1VGH)와 제2게이트 온 전압(제2VGH) 중 하나로 외부, 예를 들어 게이트 구동부(14)에 출력할 수 있다. 스위치부(518)는 예를 들어 P타입 트랜지스터와 N타입 트랜지스터가 직렬로 연결되고 두개의 트랜지스터의 게이트가 공통의 제어라인에 연결된 인버터(Inverter) 또는 내부 레지스터(register)를 포함할 수 있다. 따라서, 게이트전압 생성부(436)는 스위치부(518)에 포함된 인버터(Inverter)의 게이트에 인가되는 제어신호(GPO)를 통해 제1, 2스텝업 회로(516, 518)에 의해 별도로 생성된 제1게이트 온 전압(제1VGH)와 제2게이트 온 전압(제2VGH) 중 하나로 외부, 예를 들어 게이트 구동부(14)에 출력할 수 있다.The gate voltage generating unit 436 controls the switch unit 518 so that the first gate on voltage (first VGH) and the second gate on voltage (second gate on voltage) generated separately by the first and second step-up circuits 516 and 518 2VGH) to the outside, for example, to the gate driver 14. The switch portion 518 may include, for example, an inverter or an internal register, in which a P-type transistor and an N-type transistor are connected in series and the gates of the two transistors are connected to a common control line. Therefore, the gate voltage generator 436 is separately generated by the first and second step-up circuits 516 and 518 through the control signal GPO applied to the gate of the inverter included in the switch unit 518 For example, to the gate driver 14 in one of the first gate-on voltage (first VGH) and the second gate-on voltage (second VGH).

전술한 바와 같이 고전위전압 생성부(434)는 온도에 따라 가변된 고전위전압(VDD)을 생성하고, 이 가변된 고전위전압(VDD)을 게이트전압 생성부(436)에 공급한다. 따라서 온도에 따라 고전위전압(VDD)이 가변하는데, 게이트전압 생성부(436)의 제2스텝업 회로(518)에서 생성한 게이트 온 전압(VGH)도 가변하므로 디스플레이 온된 경우 저온 또는 고온에서 가변된 고전위전압(VDD)과 게이트 온 전압(VGH)에 따른 블랙 휘도를 안정적으로 낮게 설정할 수 있다.As described above, the high-potential-voltage generating unit 434 generates a high-potential voltage VDD that varies according to the temperature, and supplies the variable high-potential voltage VDD to the gate-voltage generating unit 436. Therefore, the high-level voltage VDD varies depending on the temperature, and the gate-on voltage VGH generated by the second step-up circuit 518 of the gate voltage generator 436 also varies. Therefore, The black brightness according to the high-potential voltage VDD and the gate-on voltage VGH can be set stably low.

도 6은 도 1의 표시장치에서 깜빡임을 개선한 하나의 화소의 다른 예를 나타내는 회로도이다. 도 7은 도 6의 표시장치의 구동 타이밍도이다.6 is a circuit diagram showing another example of one pixel in which flicker is improved in the display device of FIG. 7 is a driving timing chart of the display device of Fig.

도 6를 참조하여 설명한 화소의 다른 예의 회로 구조는 도 2를 참조하여 설명한 화소의 일 예를 나타내는 회로구조와 동일한 부분의 구체적인 설명을 생략하나 도 6를 참조하여 설명한 화소의 다른 예의 회로 구조는 도 2를 참조하여 설명한 구체적인 설명에 해당할 수 있다. The circuit structure of another example of the pixel described with reference to FIG. 6 is the same as the circuit structure showing one example of the pixel described with reference to FIG. 2, but the circuit structure of another example of the pixel described with reference to FIG. 2 < / RTI >

도 6을 참조하면, 하나의 화소의 다른 예는 유기발광 다이오드(OLED)의 공통전극과 저전위전압(VSS), 예를 들어 그라운드(GND) 사이에 제어회로(610)를 포함하고 있다. 이 제어회로(610)는 유기발광 다이오드(OLED)의 공통전극과 저전위전압(VSS), 예를 들어 그라운드(GND) 사이에 타이밍 콘트롤러(11)가 실장된 PCB에 NMOSFET을 추가하므로 구현될 수 있다. Referring to FIG. 6, another example of one pixel includes a control circuit 610 between a common electrode of the organic light emitting diode OLED and a low potential voltage VSS, for example, ground (GND). This control circuit 610 can be realized by adding an NMOSFET to the PCB on which the timing controller 11 is mounted between the common electrode of the organic light emitting diode OLED and the low potential voltage VSS, for example, the ground GND have.

이 제어회로(610)는 PCB에 유기발광 다이오드(OLDED)와 저전위전압(VSS) 사이에 추가된 제어회로(610)를 오프시키므로, 디스플레이 온 시점까지 화소를 오프 상태로 유지할 수 있다.This control circuit 610 turns off the control circuit 610 added between the organic light emitting diode OLDED and the low potential voltage VSS on the PCB, so that the pixel can be kept off until the display-on time.

도 6 및 도 7을 참조하면, 표시장치의 전원이 온되면, 게이트전압 생성부(436)은 도 5d에 도시한 바와 같이 제1스텝업 회로(516)를 이용하여 계조생성전압 생성부(432)에서 생성된 계조생성전압(DDVDH)를 사용하여 제1게이트 온 전압(제1VGH)을 생성한다. 이때 게이트전압 생성부(436)은 스위치부(518)를 제어하여 제1스텝업 회로(516)에 의해 생성된 제1게이트 온 전압(제1VGH)을 게이트 구동부(14)에 출력할 수 있다. 스위치부(518)에 포함된 인버터의 게이트에 인가되는 제어신호(GPO)를 통해 제1스텝업 회로(516)에 의해 생성된 제1게이트 온 전압(제1VGH)을 게이트 구동부(14)에 출력할 수 있다.6 and 7, when the power supply of the display device is turned on, the gate voltage generating unit 436 generates the gray voltage generating unit 432 (see FIG. 5D) using the first step-up circuit 516, On voltage (first VGH) by using the gradation generation voltage DDVDH generated in the first gate-on voltage generating circuit (not shown). At this time, the gate voltage generator 436 controls the switch unit 518 to output the first gate-on voltage (first VGH) generated by the first step-up circuit 516 to the gate driver 14. The first gate-on voltage (first VGH) generated by the first step-up circuit 516 is output to the gate driver 14 via the control signal GPO applied to the gate of the inverter included in the switch unit 518 can do.

이후에 게이트 구동부(14)를 통해 제1게이트 온 전압(제1VGH)와 게이트 오프 전압(VGL)로 구성된 게이트 신호를 표시패널(10)에 공급하여 표시패널(10) 내 화소의 내부 트랜지스터를 활성화시켜 미인식(Un인식(Known)) 상태에서 인식(Known) 상태로 바꿔준다. 화소의 내부 트랜지스터 활성화가 끝나는 특정 개수의 프레임 이후에 도 5a에 도시한 고전위전압 생성부(424)은 고전위전압 전압을 생성한 후 표시패널(10)에 공급한다. 이 때, 제어회로(610)는 오프 상태로 유지한다. 이때, 각 화소의 데이터 전압은 블랙 전압으로 유지한다.Then, a gate signal composed of the first gate-on voltage (first VGH) and the gate-off voltage VGL is supplied to the display panel 10 through the gate driver 14 to activate the internal transistor of the pixel in the display panel 10 (Unknown) state to a known state. After a certain number of frames in which the internal transistor activation of the pixel ends, the high potential voltage generating unit 424 shown in FIG. 5A generates a high potential voltage and supplies it to the display panel 10. At this time, the control circuit 610 maintains the off state. At this time, the data voltage of each pixel is maintained at the black voltage.

다음으로 특정 개수의 프레임 이후에 게이트전압 생성부(436)는 도 5e에 도시한 제2스텝업 회로(518)를 이용하여 고전위전압 생성부(434)로부터 공급된 고전위전압(VDD)을 사용하여 제2게이트 온 전압(제2VGH)을 생성한다. 이때 게이트전압 생성부(436)은 인버터(Inverter, 518)의 게이트에 인가되는 제어신호(GPO)를 통해 제2스텝업 회로(518)에 의해 생성된 제2게이트 온 전압(제2VGH)을 게이트 구동부(14)에 출력할 수 있다.Next, after a certain number of frames, the gate voltage generator 436 generates the high-potential voltage VDD supplied from the high-potential voltage generator 434 using the second step-up circuit 518 shown in FIG. To generate a second gate-on voltage (second VGH). At this time, the gate voltage generator 436 generates a second gate-on voltage (second VGH) generated by the second step-up circuit 518 through the control signal GPO applied to the gate of the inverter 518, And outputs it to the driving unit 14.

마지막으로 제어회로(610)를 온시켜 유기발광 다이오드(OLED)를 발광시키므로 표시장치를 온상태로 변경한다. Finally, the control circuit 610 is turned on to emit the organic light emitting diode (OLED), thereby changing the display device to the on state.

다시 말해, 표시장치의 전원이 온되면, 제어회로(610)의 오프상태에서 독립적으로 생성된 제1게이트 온 전압(제1VGH)와 게이트 오프 전압(VGL)로 구성된 게이트 신호를 표시패널(10)에 공급하여 표시패널의 트랜지스터를 활성화시킨 후 고전위전압 전압을 표시패널에 공급한다. 이후 온도에 따라 가변된 고전위전압(VDD)을 사용하여 제2게이트 온 전압(제2VGH)와 게이트 오프 전압(VGL)로 구성된 게이트 신호를 표시패널에 공급하면서 제어회로(610)를 온시켜 표시장치를 온시킨다.In other words, when the power supply of the display device is turned on, a gate signal composed of the first gate-on voltage (first VGH) and the gate-off voltage VGL independently generated in the off state of the control circuit 610 is applied to the display panel 10 To activate the transistors of the display panel, and then supply the high-potential voltage to the display panel. Then, the control circuit 610 is turned on by supplying a gate signal composed of the second gate-on voltage (second VGH) and the gate-off voltage VGL to the display panel by using the high-potential voltage VDD which varies according to the temperature Turn on the device.

이와 같이 표시장치의 전원을 온시킬 때 유기발광 다이오드(OLED)와 저전위전압(VSS) 사이 제어회로(610)의 오프 상태에서 유기발광 다이오드의 전류를 완전히 차단시킨 후 표시패널의 트랜지스터를 활성화시켜 깜박임을 개선함과 동시에 온도에 따라 가변하는 고전위전압과 가변된 게이트 온 전압(VGH)을 표시패널(10)에 공급하므로 온도의 변화와 무관하게 블랙 휘도를 안정적으로 낮게 설정할 수 있다.When the display device is turned on, the current of the organic light emitting diode is completely cut off in the off state of the control circuit 610 between the organic light emitting diode OLED and the low potential voltage VSS, It is possible to improve the flicker and at the same time supply the display panel 10 with a high potential voltage and a variable gate-on voltage VGH which vary according to the temperature, so that the black luminance can be set stably low regardless of the temperature change.

도 8은 도 1의 표시장치에서 깜빡임을 개선한 하나의 화소의 다른 예를 나타내는 회로도이다. 도 9는 도 8의 표시장치의 구동 타이밍도이다.8 is a circuit diagram showing another example of one pixel in which flicker is improved in the display device of FIG. Fig. 9 is a driving timing diagram of the display device of Fig. 8. Fig.

도 8을 참조하여 설명한 화소의 다른 예의 회로 구조는 도 2를 참조하여 설명한 화소의 일 예를 나타내는 회로구조와 동일하다.The circuit structure of another example of the pixel described with reference to Fig. 8 is the same as the circuit structure showing an example of the pixel described with reference to Fig.

도 8 및 도 9를 참조하면, 표시장치의 전원이 온되면, 게이트전압 생성부(436)은 도 5d에 도시한 바와 같이 제1스텝업 회로(516)를 이용하여 계조생성전압 생성부(432)에서 생성된 계조생성전압(DDVDH)를 사용하여 제1게이트 온 전압(제1VGH)을 생성한다. 이때 게이트전압 생성부(436)은 인버터(Inverter, 518) 의 게이트에 인가되는 제어신호(GPO)를 통해 제1스텝업 회로(516)에 의해 생성된 제1게이트 온 전압(제1VGH)을 게이트 구동부(14)에 출력할 수 있다. Referring to FIGS. 8 and 9, when the display device is powered on, the gate voltage generating unit 436 generates a gray level voltage by using the first step-up circuit 516 as shown in FIG. On voltage (first VGH) by using the gradation generation voltage DDVDH generated in the first gate-on voltage generating circuit (not shown). The gate voltage generator 436 generates a first gate-on voltage (first VGH) generated by the first step-up circuit 516 through a control signal GPO applied to the gate of the inverter 518, And outputs it to the driving unit 14.

이후에 게이트 구동부(14)를 통해 제1게이트 온 전압(제1VGH)와 게이트 오프 전압(VGL)로 구성된 게이트 신호를 표시패널(10)에 공급하여 표시패널(10) 내 화소의 내부 트랜지스터를 활성화시켜 미인식(Un인식(Known)) 상태에서 인식(Known) 상태로 바꿔준다. 화소의 내부 트랜지스터 활성화가 끝나는 특정 개수의 프레임 이후에 도 5a에 도시한 고전위전압 생성부(424)은 고전위전압 전압을 생성한 후 표시패널(10)에 공급한다. Then, a gate signal composed of the first gate-on voltage (first VGH) and the gate-off voltage VGL is supplied to the display panel 10 through the gate driver 14 to activate the internal transistor of the pixel in the display panel 10 (Unknown) state to a known state. After a certain number of frames in which the internal transistor activation of the pixel ends, the high potential voltage generating unit 424 shown in FIG. 5A generates a high potential voltage and supplies it to the display panel 10.

이 때 게이트 온 전압(VGH)을 이용하여 인에이블 트랜지스터를 강제로 오프상태를 유지한다. 인에이블 트랜지스터인 제4스위칭 트랜지스터(SW4, 140)를 강제로 오프상태를 유지하기 위해 게이트 구동부(14)에 스위치들을 추가하여 유기발광 다이오드의 전류를 차단해야 할 기간 동안 인에이블 트랜지스터를 강제로 오프상태로 유지한다. 이때, 각 화소의 데이터 전압은 블랙 전압으로 유지한다. At this time, the enable transistor is forcibly kept off using the gate-on voltage VGH. The switches are added to the gate driver 14 to forcibly turn off the fourth switching transistors SW4 and 140 as the enable transistors to forcibly turn off the enable transistors during the period in which the current of the organic light emitting diode is to be cut off State. At this time, the data voltage of each pixel is maintained at the black voltage.

다음으로 특정 개수의 프레임 이후에 게이트전압 생성부(436)는 도 5e에 도시한 제2스텝업 회로(518)를 이용하여 고전위전압 생성부(434)로부터 공급된 고전위전압(VDD)을 사용하여 제2게이트 온 전압(제2VGH)을 생성한다. 이때 게이트전압 생성부(436)은 인버터(Inverter, 518)의 게이트에 인가되는 제어신호(GPO)를 통해 제2스텝업 회로(518)에 의해 생성된 제2게이트 온 전압(제2VGH)을 게이트 구동부(14)에 출력할 수 있다.Next, after a certain number of frames, the gate voltage generator 436 generates the high-potential voltage VDD supplied from the high-potential voltage generator 434 using the second step-up circuit 518 shown in FIG. To generate a second gate-on voltage (second VGH). At this time, the gate voltage generator 436 generates a second gate-on voltage (second VGH) generated by the second step-up circuit 518 through the control signal GPO applied to the gate of the inverter 518, And outputs it to the driving unit 14.

마지막으로 인에이블 트랜지스터를 온시켜 유기발광 다이오드(OLED)를 발광시키므로 표시장치를 온상태로 변경할 수 있다. Finally, the enable transistor is turned on to emit the organic light emitting diode (OLED), so that the display device can be turned on.

도 10은 도 1의 표시장치에서 깜빡임을 개선한 하나의 화소의 다른 예를 나타내는 회로도이다. 도 11은 도 10의 표시장치의 구동 타이밍도이다.10 is a circuit diagram showing another example of one pixel in which flickering is improved in the display device of FIG. 11 is a driving timing chart of the display device of Fig.

도 10을 참조하여 설명한 화소의 다른 예의 회로 구조는 도 2를 참조하여 설명한 화소의 일 예를 나타내는 회로구조와 동일하다.The circuit structure of another example of the pixel described with reference to FIG. 10 is the same as the circuit structure showing one example of the pixel described with reference to FIG.

아울러 도 10에 도시한 화소의 동작도 도 8을 참조하여 설명한 화소의 동작과 동일하다. The operation of the pixel shown in Fig. 10 is also the same as the operation of the pixel described with reference to Fig.

다만, 게이트 구동부(14)에 두개의 트랜지스터들을 추가하여 인에이블 트랜지스터의 게이트에 게이트 온 전압(VGH)을 입력하여 유기발광 다이오드의 전류를 차단해야 할 기간 동안 인에이블 트랜지스터를 강제로 오프상태로 유지한다. 이때 게이트 구동부(14)에 추가된 두개의 트랜지스터들을 제어신호(SOC)를 이용하여 오프상태로 유지할 수 있다.However, when two transistors are added to the gate driver 14 to input the gate-on voltage VGH to the gate of the enable transistor to forcibly turn off the enable transistor during a period in which the current of the organic light emitting diode is to be cut off do. At this time, the two transistors added to the gate driver 14 can be kept off by using the control signal SOC.

도 8 내지 도 10을 참조하여 설명한 바와 같이 인에이블 트랜지스터의 오프 상태에서 유기발광 다이오드의 전류를 차단하면서 표시패널의 트랜지스터를 활성화시킨 후에 온도에 따라 가변하는 고전위전압과 가변된 게이트 온 전압(VGH)을 표시패널에 공급하므로 유기발광 다이오드의 전류를 완전히 차단시켜 표시장치의 전원을 온시킬 때 깜박임을 개선함과 동시에 온도 변화와 무관하게 블랙 휘도를 안정적으로 낮게 설정할 수 있다.As described with reference to FIGS. 8 to 10, after the transistors of the display panel are activated while blocking the current of the organic light emitting diode in the OFF state of the enable transistor, the high-potential voltage varying according to the temperature and the variable gate- Is supplied to the display panel, the current of the organic light emitting diode is completely cut off, thereby improving the flicker when turning on the power of the display device and setting the black luminance to be low stably regardless of the temperature change.

도 12는 다른 실시예에 따른 표시장치의 구동방법의 흐름도이다.12 is a flowchart of a method of driving a display device according to another embodiment.

다른 실시예에 따른 표시장치의 구동방법(1200)은 입력전압을 이용하여 생성된 제1게이트 온 전압과 표시패널을 구동하는 고전위전압을 이용하여 생성된 제2게이트 온 전압 중 제1게이트 온 전압을 출력하는 단계(S1210), 표시장치의 전원이 온되면, 표시패널의 화소의 유기발광 다이오드의 전류를 차단한 상태에서, 출력된 제1게이트 온 전압과 게이트 오프 전압으로 구성된 게이트 신호를 표시패널에 공급하는 단계(S1220), 고전위전압을 표시패널에 공급하는 단계(S1230), 유기발광 다이오드의 전류가 흐를 수 있는 상태에서, 제2게이트 온 전압과 게이트 오프전압으로 구성된 게이트 신호를 표시패널에 공급하는 단계(S1240)를 포함한다.A method 1200 of driving a display according to another embodiment of the present invention includes a first gate-on voltage of a second gate-on voltage generated by using a first gate-on voltage generated using an input voltage and a high- (S1210). When the display device is powered on, a gate signal composed of the first gate-on voltage and the gate-off voltage outputted is displayed in a state in which the current of the organic light emitting diode of the pixel of the display panel is shut off (S1220); supplying a high-potential voltage to the display panel (S1230); displaying a gate signal composed of a second gate-on voltage and a gate-off voltage in a state where a current of the organic light emitting diode can flow To the panel (S1240).

S1210단계와 S1220단계에서 표시장치는 도 5c 및 도 5d를 참조하여 전술한 바와 같이 입력전압, 예를 들어 계조생성전압(DDVDH)을 이용하여 제1스텝업 회로에서 생성된 제1게이트 온 전압 및 도 5c 및 도 5e를 참조하여 전술한 바와 같이 고전위전압을 이용하여 제2스텝업 회로에서 생성된 제2게이트 온 전압 중 하나를 스위치부의 선택에 의해 게이트 신호를 구성하는 게이트 온 전압으로 출력할 수 있다.In steps S1210 and S1220, the display device displays the first gate-on voltage generated in the first step-up circuit using the input voltage, for example, the gradation generation voltage DDVDH, and the first gate- One of the second gate-on voltages generated in the second step-up circuit using the high-potential voltage as described above with reference to Figs. 5C and 5E is output to the gate-on voltage constituting the gate signal by selection of the switch section .

한편 고전위전압은 온도에 따라 가변할 수 있다. 도 5a를 참조하여 설명한 바와 같이 표시장치, 예를 들어 전원공급부(16)는 온도의 증가에 비례하여 저항값이 감소하는 저항부를 이용하여 온도에 따라 가변하는 고전위전압을 생성할 수 있다.On the other hand, the high-potential voltage can vary depending on the temperature. As described with reference to FIG. 5A, the display device, for example, the power supply unit 16 can generate a high-potential voltage that varies with temperature using a resistance portion whose resistance value decreases in proportion to an increase in temperature.

또한 화소의 유기발광 다이오드(OLED)와 저전위전압 공급부 사이에 위치하는 제어회로를 이용하여, 화소의 유기발광 다이오드(OLED)의 전류를 차단하거나 흐르게 할 수 있다. 예를 들어 도 6 및 도 7을 참조하여 설명한 바와 같이, 표시장치는 화소의 유기발광 다이오드(OLED)와 저전위전압 공급부 사이에 위치하는 제어회로(610)를 이용하여 화소의 유기발광 다이오드(OLED)의 전류를 차단하거나 흐르게 할 수 있다.Further, the current of the organic light emitting diode (OLED) of the pixel can be cut off or flowed by using a control circuit located between the organic light emitting diode (OLED) of the pixel and the low potential supply portion. For example, as described with reference to FIGS. 6 and 7, the display device includes a control circuit 610 located between the organic light emitting diode OLED of the pixel and the low potential supply part, The current of the current source can be blocked or flowed.

또한 화소에 포함된 유기발광 다이오드에 전류를 공급하는 구동 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터와 유기발광 다이오드 사이에 위치하는 인에이블 트랜지스터를 제어하여, 화소의 상기 유기발광 다이오드의 전류를 차단하거나 흐르게 할 수 있다. 예를 들어 도 8 및 도 9를 참조하여 전술한 바와 같이 게이트 온 전압(VGH)을 이용하여 인에이블 트랜지스터를 오프시키거나 도 10 및 도 11을 참조하여 전술한 바와 같이 게이트 구동부, 예를 들어 GIP에 추가된 두개의 트랜지스터들에 제어신호(SOC)를 이용하여 인에이블 트랜지스터를 오프시킬 수 있다.The driving transistor for supplying a current to the organic light emitting diode included in the pixel and the enable transistor located between the driving transistor and the organic light emitting diode may be controlled to block or flow the current of the organic light emitting diode of the pixel. For example, the gate-on voltage VGH may be used to turn off the enable transistor, as described above with reference to FIGS. 8 and 9, or the gate driver, for example, GIP The enable transistor can be turned off by using the control signal SOC for the two transistors added to the control signal SOC.

전술한 실시예들에 의하면, 표시장치는 전원을 온시킬 때 유기발광 다이오드의 전류를 완전히 차단하면서 표시패널의 트랜지스터를 활성화시켜 깜박임을 개선함과 동시에 온도에 따라 가변하는 고전위전압과 가변된 게이트 온 전압(VGH)을 표시패널에 공급하므로 온도와 무관하게 블랙 휘도를 안정적으로 낮게 설정할 수 있다.According to the above-described embodiments, when the power is turned on, the display device completely blocks the current of the organic light emitting diode while activating the transistors of the display panel to improve the flicker, and at the same time, Since the on-voltage (VGH) is supplied to the display panel, the black luminance can be stably set lower regardless of the temperature.

다시 말해 전술한 실시예들에 따른 유기발광 표시장치는 초기 구동시 트랜지스터를 활성화하는 과정에서 깜빡임이 발생하지 않을 수 있는 효과가 있다. In other words, the organic light emitting diode display according to the above-described embodiments has an effect of preventing flicker in the process of activating the transistor in the initial driving.

또한 전술한 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 온도 변화에 무관하게 구동 신뢰성을 유지할 수 있는 효과가 있다.In addition, the organic light emitting display according to the above-described embodiment has the effect of maintaining the driving reliability irrespective of the temperature change.

이상 도면을 참조하여 설명하였으나 본 발명은 이에 제한되지 않는다.Although the present invention has been described with reference to the drawings, the present invention is not limited thereto.

이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. , Separation, substitution, and alteration of the invention will be apparent to those skilled in the art. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

Claims (10)

데이터 라인과 게이트 라인의 교차 영역마다 배치되며, 각각 유기발광 다이오드를 포함하는 다수의 화소를 포함하는 표시패널;
상기 데이터 라인을 통해 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부;
상기 게이트 라인을 통해 게이트 온 전압과 게이트 오프 전압으로 구성된 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부; 및
상기 표시패널을 구동하는 사용되는 고전위전압을 생성하고, 입력전압을 이용하여 생성된 제1게이트 온 전압과 상기 고전위전압을 이용하여 생성된 제2게이트 온 전압 중 하나를 상기 게이트 온 전압으로 상기 게이트 구동부에 공급하는 전원공급부를 포함하는 표시장치.
A display panel disposed at every intersection of the data line and the gate line, the display panel including a plurality of pixels each including an organic light emitting diode;
A data driver for supplying a data voltage through the data line;
A gate driver for supplying a gate signal configured by a gate-on voltage and a gate-off voltage through the gate line; And
On voltage generated by using the input voltage and the second gate-on voltage generated by using the high-potential voltage to the gate-on voltage And a power supply unit supplying the gate driving unit.
제1항에 있어서,
상기 전원공급부는 온도의 증가에 비례하여 저항값이 감소하는 저항부를 이용하여 온도에 따라 가변하는 상기 고전위전압을 생성하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the power supply unit generates the high potential voltage varying with temperature using a resistance part whose resistance value decreases in proportion to an increase in temperature.
제2항에 있어서,
상기 전원공급부는,
상기 입력전압을 이용하여 상기 제1게이트 온 전압을 생성하는 제1스텝업 회로 및 상기 고전위전압을 이용하여 상기 제2게이트 온 전압을 생성하는 제2스텝업 회로, 상기 제1스텝업 회로에서 생성된 상기 제1게이트 온 전압 및 상기 제2스텝업 회로에서 생성된 상기 제2게이트 온 전압 중 하나를 상기 게이트 온 전압으로 출력하는 스위치부를 포함하는 표시장치.
3. The method of claim 2,
The power supply unit,
A first step-up circuit for generating the first gate-on voltage using the input voltage and a second step-up circuit for generating the second gate-on voltage using the high-potential voltage, And a switch section for outputting one of the generated first gate-on voltage and the second gate-on voltage generated by the second step-up circuit as the gate-on voltage.
제2항에 있어서,
상기 표시장치의 전원이 온되면, 상기 화소의 상기 유기발광 다이오드의 전류를 차단한 상태에서 상기 게이트 구동부는 제1게이트 온 전압과 게이트 오프 전압으로 구성된 게이트 신호를 상기 표시패널에 공급하고 상기 전원공급부는 상기 표시패널에 상기 고전위전압 전압을 공급하고,
상기 화소의 상기 유기발광 다이오드의 전류가 흐를 수 있는 상태에서, 상기 게이트 구동부는 상기 제2게이트 온 전압과 게이트 오프 전압으로 구성된 게이트 신호를 상기 표시패널에 공급하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
3. The method of claim 2,
The gate driver supplies a gate signal constituted by a first gate-on voltage and a gate-off voltage to the display panel in a state in which the current of the organic light emitting diode of the pixel is cut off when the display device is powered on, Wherein the display panel supplies the high-potential voltage to the display panel,
Wherein the gate driver supplies a gate signal composed of the second gate-on voltage and a gate-off voltage to the display panel in a state in which a current of the organic light emitting diode of the pixel can flow.
제3항에 있어서,
상기 화소의 상기 유기발광 다이오드의 공통전극과 저전위전압 공급부 사이에 위치하는 제어회로를 추가로 포함하며,
상기 제어회로를 이용하여 상기 화소의 상기 유기발광 다이오드의 전류를 차단하거나 흐르게 하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
The method of claim 3,
Further comprising a control circuit located between a common electrode of the organic light emitting diode of the pixel and a low potential voltage supply,
Wherein the control circuit is used to cut off or flow the current of the organic light emitting diode of the pixel.
제3항에 있어서,
상기 화소는 상기 유기발광 다이오드에 전류를 공급하는 구동 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터와 상기 유기발광 다이오드 사이에 위치하는 인에이블 트랜지스터를 추가로 포함하며,
상기 인에이블 트랜지스터를 제어하여 상기 화소의 상기 유기발광 다이오드의 전류를 차단하거나 흐르게 하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
The method of claim 3,
The pixel further comprises a driving transistor for supplying a current to the organic light emitting diode and an enable transistor located between the driving transistor and the organic light emitting diode,
And controls the enable transistor to cut off or flow the current of the organic light emitting diode of the pixel.
제2항에 있어서,
상기 화소는 상기 유기발광 다이오드에 전류를 공급하는 구동 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 내부 보상하는 내부 보상회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the pixel includes a driving transistor for supplying a current to the organic light emitting diode and an internal compensation circuit for internally compensating a threshold voltage of the driving transistor.
입력전압을 이용하여 생성된 제1게이트 온 전압과 표시패널을 구동하는 고전위전압을 이용하여 생성된 제2게이트 온 전압 중 상기 제1게이트 온 전압을 출력하는 단계;
상기 표시장치의 전원이 온되면, 표시패널의 화소의 유기발광 다이오드의 전류를 차단한 상태에서, 출력된 상기 제1게이트 온 전압과 게이트 오프 전압으로 구성된 게이트 신호를 상기 표시패널에 공급하는 단계;
상기 고전위전압 전압을 상기 표시패널에 공급하는 단계;
상기 유기발광 다이오드의 전류가 흐를 수 있는 상태에서, 상기 제2게이트 온 전압을 상기 표시패널에 공급하는 단계를 포함하는 표시장치의 구동방법.
The method comprising: outputting the first gate-on voltage among a second gate-on voltage generated using a first gate-on voltage generated using an input voltage and a high-voltage voltage used to drive a display panel;
Supplying a gate signal composed of the first gate-on voltage and the gate-off voltage to the display panel in a state in which the current of the organic light emitting diode of the pixel of the display panel is shut off when the display device is powered on;
Supplying the high potential voltage to the display panel;
And supplying the second gate-on voltage to the display panel in a state where a current of the organic light emitting diode can flow.
제8항에 있어서,
상기 고전위전압은 온도에 따라 가변하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 구동방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the high-potential voltage is variable depending on the temperature.
제8항에 있어서,
상기 화소의 상기 유기발광 다이오드의 공통전극과 저전위전압 공급부 사이에 위치하는 제어회로를 이용하거나, 상기 화소에 포함된 상기 유기발광 다이오드에 전류를 공급하는 구동 트랜지스터와 상기 유기발광 다이오드 사이에 위치하는 인에이블 트랜지스터를 제어하여, 상기 화소의 상기 유기발광 다이오드의 전류를 차단하거나 흐르게 하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 표시장치의 구동방법.
9. The method of claim 8,
A driving transistor for supplying a current to the organic light emitting diode included in the pixel and a driving transistor for supplying a current to the organic light emitting diode, the driving transistor being located between the common electrode of the organic light emitting diode of the pixel and the low potential voltage supplying unit, And controlling an enable transistor to cut off or flow a current of the organic light emitting diode of the pixel.
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