KR20150077523A - Unit for supplying chemical - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판을 액처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 처리액을 공급하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for liquid-treating a substrate, and more particularly to an apparatus and a method for supplying a processing liquid.
반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 같은 공정이 진행되기 전 또는 후에는 각각의 공정에서 생성된 오염물 및 파티클을 제거하기 위해 기판을 세정하는 세정공정이 실시된다. In order to manufacture semiconductor devices or liquid crystal displays, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition are performed on the substrate. Before or after such a process, a cleaning process is performed to clean the substrate to remove contaminants and particles generated in each process.
세정공정은 기판 상에 케미칼을 공급하여 기판 상에 부착된 오염물 및 파티클을 제거하는 공정이다. 이러한 공정은 케미칼 및 기판의 종류에 따라, 그리고 세정 목적에 따라 그 케미칼의 온도가 상이하게 제공된다. 따라서 케미칼은 그 온도에 따른 부피가 열팽창에 의해 상이하게 변화되고, 그 밀도가 온도에 따라 상이하게 제공된다. 도1은 일반적인 처리액공급장치를 보여 주는 단면도이다. 도1을 참조하면, 처리액공급원으로부터 제공된 처리액은 유량측정기(2)에 의해 그 유량이 측정되고, 기설정유량으로 공급되도록 유량조절밸브(4)가 조절된다.The cleaning process is a process for removing contaminants and particles adhered on a substrate by supplying a chemical on the substrate. These processes are provided differently depending on the type of the chemical and the substrate, and the temperature of the chemical depending on the cleaning purpose. Therefore, the volume of the chemical according to the temperature is changed differently by the thermal expansion, and the density is provided differently depending on the temperature. 1 is a cross-sectional view showing a general treatment liquid supply apparatus. Referring to Fig. 1, the flow rate control valve 4 is adjusted so that the flow rate of the process liquid supplied from the process liquid supply source is measured by the
그러나 처리액이 고온일수록 측정유량과 실제유량은 차이가 발생된다. 이는 처리액이 열팽창됨에 따라 그 부피가 커지고, 측정유량과 실제유량 간에 오차가 발생된다. 또한 유량 측정기(2)는 고온의 케미칼에 의해 열변형이 발생되며, 측정 오차가 발생된다. However, the higher the temperature of the treatment liquid, the greater the difference between the measured flow rate and the actual flow rate. This is because the volume of the processing liquid increases as the processing liquid is thermally expanded, and an error occurs between the measured flow rate and the actual flow rate. In addition, the
본 발명은 처리액의 유량을 보다 정확하게 공급할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.The present invention seeks to provide an apparatus and a method that can more accurately supply a flow rate of a treatment liquid.
또한 본 발명은 처리액의 온도에 따라 그 유량의 측정 오차가 발생되는 것을 최소화할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of minimizing the occurrence of a measurement error of the flow rate depending on the temperature of the treatment liquid.
또한 본 발명은 고온의 처리액에 의해 유량 측정기가 열변형되고, 이에 따라 처리액의 유량 측정에 오차가 발생되는 것을 최소화할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and a method for minimizing the occurrence of errors in the measurement of the flow rate of the treatment liquid due to the thermal deformation of the flow rate measuring apparatus by the treatment liquid at a high temperature.
본 발명의 실시예는 기판 상에 처리액을 공급하는 장치 및 방법을 제공한다. 처리액공급유닛은 노즐, 처리탱크에 제공된 처리액을 상기 노즐에 공급하도록 상기 처리탱크 및 상기 노즐을 연결하는 처리액공급라인, 그리고 상기 처리액공급라인 상에 설치되며, 상기 처리액의 유량이 기설정유량값과 일치하도록 상기 처리액의 유량을 조절하는 유량조절부재를 포함하되, 상기 유량조절부재는 상기 처리액의 온도를 측정하는 온도측정센서, 상기 처리액의 유량을 조절하는 유량조절밸브, 그리고 상기 유량조절밸브의 개방율을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 개방율이 상기 온도측정센서로부터 제공된 온도측정값에 대해 상이하게 제공한다.An embodiment of the present invention provides an apparatus and a method for supplying a treatment liquid onto a substrate. Wherein the processing liquid supply unit includes a nozzle, a processing liquid supply line connecting the processing tank and the nozzle to supply the processing liquid supplied to the processing tank to the nozzle, and a processing liquid supply line provided on the processing liquid supply line, And a flow rate regulating member for regulating a flow rate of the process liquid so as to match a predetermined flow rate value, wherein the flow rate regulating member includes a temperature measuring sensor for measuring a temperature of the process liquid, a flow rate regulating valve And a controller for controlling an opening rate of the flow control valve, wherein the controller provides the opening rate differently for the temperature measurement value provided from the temperature measurement sensor.
상기 제어기는 복수의 기준온도값들 각각에 대응하는 복수의 유량설정값들에 대한 데이터들이 저장된 데이터저장부 및 상기 복수의 기준온도값들 중 상기 온도측정값과 대응되는 기준온도값에 대한 데이터를 근거로 하여 상기 개방율을 조절하는 데이터처리부를 포함할 수 있다.Wherein the controller comprises: a data storage unit for storing data on a plurality of flow set values corresponding to each of the plurality of reference temperature values; and a data storage unit for storing data on a reference temperature value corresponding to the temperature measurement value among the plurality of reference temperature values And a data processing unit for adjusting the opening ratio based on the received data.
선택적으로 상기 유량조절부재는 상기 처리액의 유량을 측정하는 유량측정센서를 더 포함하되, 상기 제어기는 기준온도값과 상기 온도측정값 간의 차이값을 근거로 상기 처리액의 유량에 관한 데이터를 산출하는 데이터산출부 및 상기 유량측정센서로부터 제공된 유량측정값이 상기 데이터를 근거로 가감되도록 상기 개방율을 조절하는 데이터처리부를 포함할 수 있다.Alternatively, the flow rate regulating member may further include a flow rate measuring sensor for measuring a flow rate of the process liquid, wherein the controller calculates data on the flow rate of the process liquid based on a difference value between the reference temperature value and the temperature measurement value And a data processor for controlling the opening rate so that the flow rate measurement value provided from the flow rate sensor is added or subtracted based on the data.
상기 제어기는 상기 처리액의 온도가 상온에 비해 높을수록 상기 개방율을 크게할 수 있다.The controller can increase the opening ratio as the temperature of the processing liquid is higher than the room temperature.
상기 유량조절부재는 상기 처리액공급라인 상에서 상기 유량조절밸브 및 상기 노즐 사이에 위치되도록 상기 처리액공급라인을 개폐하는 개폐밸브 및 상기 유량조절밸브의 이상을 측정하는 감지센서를 더 포함하되, 상기 제어부는 상기 감지센서로부터 감지정보를 제공받으면, 상기 처리액공급라인이 닫히도록 상기 개폐밸브를 조절할 수 있다.Wherein the flow rate regulating member further comprises an open / close valve for opening / closing the process liquid supply line so as to be positioned between the flow rate regulating valve and the nozzle on the process liquid supply line, and a sensor for measuring an abnormality of the flow rate regulating valve, The control unit may adjust the open / close valve so that the process liquid supply line is closed when the detection information is received from the detection sensor.
기판처리장치는 기판을 지지하는 기판지지유닛 및 상기 기판지지유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액공급유닛을 포함하되, 상기 처리액공급유닛은 노즐, 처리탱크에 제공된 처리액을 상기 노즐에 공급하도록 상기 처리탱크 및 상기 노즐을 연결하는 처리액공급라인, 그리고 상기 처리액공급라인 상에 설치되며, 상기 처리액의 유량이 기설정유량값과 일치하도록 상기 처리액의 유량을 조절하는 유량조절부재를 포함하되, 상기 유량조절부재는 상기 처리액의 온도를 측정하는 온도측정센서, 상기 처리액의 유량을 조절하는 유량조절밸브, 그리고 상기 유량조절밸브의 개방율을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 개방율이 상기 온도측정센서로부터 제공된 온도측정값에 대해 상이하게 제공한다. The substrate processing apparatus includes a substrate holding unit for holding a substrate, and a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid onto a substrate supported by the substrate holding unit, wherein the processing liquid supply unit includes a nozzle, a processing liquid supplied to the processing tank A processing liquid supply line that connects the processing tank and the nozzle to supply the processing liquid to the nozzle and a processing liquid supply line which is provided on the processing liquid supply line and controls the flow rate of the processing liquid so that the flow rate of the processing liquid coincides with the predetermined flow rate value Wherein the flow rate regulating member includes a temperature measuring sensor for measuring a temperature of the process liquid, a flow rate control valve for controlling a flow rate of the process liquid, and a controller for controlling an opening rate of the flow rate control valve Wherein the controller provides the opening rate differently for a temperature measurement value provided from the temperature measurement sensor.
상기 제어기는 복수의 기준온도값들 각각에 대응하는 복수의 유량설정값들에 대한 데이터들이 저장된 데이터저장부 및 상기 복수의 기준온도값들 중 상기 온도측정값과 대응되는 기준온도값에 대한 데이터를 근거로 하여 상기 개방율을 조절하는 데이터처리부를 포함할 수 있다. Wherein the controller comprises: a data storage unit for storing data on a plurality of flow set values corresponding to each of the plurality of reference temperature values; and a data storage unit for storing data on a reference temperature value corresponding to the temperature measurement value among the plurality of reference temperature values And a data processing unit for adjusting the opening ratio based on the received data.
선택적으로 유량조절부재는 상기 처리액의 유량을 측정하는 유량측정센서를 더 포함하고, 상기 제어기는 기준온도값과 상기 온도측정값 간의 차이값을 근거로 상기 처리액의 유량에 관한 데이터를 산출하는 데이터산출부 및 상기 유량측정센서로부터 제공된 유량측정값이 상기 데이터를 근거로 가감되도록 상기 개방율을 조절하는 데이터처리부를 포함할 수 있다.The flow rate control member may further include a flow rate measuring sensor for measuring a flow rate of the process liquid, and the controller calculates data on the flow rate of the process liquid based on a difference value between the reference temperature value and the temperature measurement value And a data processing unit for adjusting the opening rate so that the flow rate measurement value provided from the flow rate measuring sensor is added or subtracted based on the data.
기판 상에 공급되는 처리액의 유량을 조절하는 방법은 유량조절밸브가 설치된 처리액공급라인을 통해 처리액을 공급하되, 상기 처리액의 온도와 상기 유량조절밸브의 개방율에 따른 데이터를 근거로 상기 처리액의 유량을 조절한다.A method for controlling a flow rate of a process liquid supplied to a substrate includes supplying a process liquid through a process liquid supply line provided with a flow rate control valve, based on data of the temperature of the process liquid and an opening rate of the flow rate control valve The flow rate of the treatment liquid is adjusted.
상기 데이터는 복수의 기준온도값들 각각에 대응하는 복수의 유량설정값들이고, 상기 처리액의 유량을 조절하는 것은 상기 기준온도값들 중 상기 처리액의 온도와 대응되는 유량설정값을 근거로 상기 개방율을 조절할 수 있다. 상기 데이터는 기준온도와 상기 처리액의 온도 간의 차이를 근거로 하는 추가유량값이고, 상기 처리액의 유량을 조절하는 것은 측정된 상기 처리액의 유량의 측정값에 상기 추가유량값이 가감되도록 상기 개방율을 조절할 수 있다.Wherein the data is a plurality of flow rate setting values corresponding to each of a plurality of reference temperature values, and the adjustment of the flow rate of the process liquid is based on a flow rate setting value corresponding to a temperature of the process liquid among the reference temperature values. The opening rate can be adjusted. Wherein the data is an additional flow rate value based on a difference between the reference temperature and the temperature of the treatment liquid, and the adjustment of the flow rate of the treatment liquid is performed by adjusting the flow rate of the treatment liquid, The opening rate can be adjusted.
상기 처리액의 온도는 상온보다 높게 제공될 수 있다. 상기 처리액의 온도는 높을수록 상기 개방율이 크게 제공될 수 있다.The temperature of the treatment liquid may be higher than the normal temperature. The higher the temperature of the treatment liquid is, the larger the opening rate can be provided.
본 발명의 실시예에 의하면, 고온의 처리액을 사용 시 처리액의 측정유량보다 더 많은 유량을 공급하여 공급유량이 기설정유량에 일치하도록 조절할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, when the high-temperature treatment liquid is used, the supply flow rate can be adjusted to a predetermined flow rate by supplying more flow rate than the measurement flow rate of the treatment liquid.
또한 본 발명의 실시예에의 하면, 고온의 처리액을 사용 시 의해 유량측정센서가 열변형됨에 따라 발생되는 오차범위를 처리액의 측정온도 및 기설정온도 간의 차이로 계산하여 그 처리액의 유량을 보다 정확하게 측정할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, the error range generated by thermal deformation of the flow measurement sensor when using the high-temperature treatment liquid is calculated as the difference between the measurement temperature of the treatment liquid and the preset temperature, Can be measured more accurately.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 고온의 처리액을 사용 시 처리액의 측정온도에 대응되는 데이터를 근거로 하여 유량조절밸브의 개방율을 조절하여 처리액의 유량을 정확하게 공급할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, when the high-temperature treatment liquid is used, the flow rate of the treatment liquid can be accurately supplied by controlling the opening rate of the flow control valve based on the data corresponding to the measurement temperature of the treatment liquid.
도1은 일반적인 처리액공급장치를 보여주는 단면도이다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다.
도3은 도2의 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도4는 도3의 처리액공급부재를 보여주는 단면도이다.
도5는 도4의 유량조절부재를 보여주는 단면도이다.
도6은 도4의 데이터 저장부를 보여주는 도면이다.
도7은 도5의 유량조절부재를 이용하여 처리액을 공급하는 과정을 보여주는 블록도이다.1 is a cross-sectional view showing a general treatment liquid supply apparatus.
2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG.
Fig. 4 is a sectional view showing the treatment liquid supply member of Fig. 3; Fig.
5 is a sectional view showing the flow rate adjusting member of FIG.
6 is a view showing the data storage unit of FIG.
7 is a block diagram showing a process of supplying a process liquid using the flow rate control member of FIG.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.
본 실시예에는 기판 상을 고온의 처리액으로 세정 처리하는 장치에 대해 설명한다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않으며, 고온의 처리액을 사용하는 식각공정 등 다양하게 적용 가능하다.In this embodiment, an apparatus for cleaning a substrate with a high-temperature treatment liquid will be described. However, the present embodiment is not limited to this, and can be applied to various processes such as an etching process using a high-temperature treatment liquid.
이하, 도2 내지 도7을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2 to FIG.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다. 도2를 참조하면, 기판처리설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가진다. 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the
로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is seated in the
공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송챔버(240)의 양측에는 각각 기판처리부(300a)(260)들이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측 및 타측에서 기판처리부(300a)(260)들은 이송챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송챔버(240)의 일측에는 복수 개의 기판처리부(300a)(260)들이 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The
버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 마주보는 면 및 이송챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The
이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The
이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The
공정처리챔버(260)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판처리장치(300)가 제공된다. 기판처리장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정처리챔버(260) 내의 기판처리장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.The
도3은 도2의 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도3을 참조하면, 기판처리장치(300)는 기판처리장치(300)는 하우징(320), 스핀헤드(340), 승강유닛(360), 그리고 처리액공급유닛(380)를 포함한다. 하우징(320)은 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 하우징(320)은 내부회수통(322) 및 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 약액들 중 서로 상이한 약액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 내부회수통(326)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a) 및 내부회수통(322)과 외부회수통(326)의 사이공간(326a)은 각각 내부회수통(322) 및 외부회수통(326)으로 약액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(322,326)의 저면 아래에는 회수라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수통(322,326)에 유입된 약액들은 회수라인(322b,326b)을 통해 외부의 약액재생시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.3 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 3, the
스핀헤드(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 구동부(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다.The
지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are spaced apart from the edge of the upper surface of the
척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.A plurality of the chuck pins 346 are provided. The
승강유닛(360)은 하우징(320)을 상하 방향으로 직선이동시킨다. 하우징(320)이 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 하우징(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 약액의 종류에 따라 약액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 스핀헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The
처리액 공급유닛(380,400)은 분사부재(380) 및 처리액공급부재(400)를 포함한다. 분사부재(380)는 기판(W) 상으로 처리액들을 분사한다. 분사부재(380)는 복수 개로 제공될 수 있다. 각각의 분사부재(380)는 지지축(386), 지지대(382), 그리고 노즐(390)을 포함한다. 지지축(386)은 하우징(320)의 일측에 배치된다. 지지축(386)은 그 길이방향이 상하방향으로 제공되는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동부재(388)에 의해 회전 및 승강운동이 가능하다. 이와 달리 지지축(386)은 구동부재(388)에 의해 수평방향으로 직선이동 및 승강운동할 수 있다. 지지대(382)는 노즐(390)을 지지한다. 지지대(382)는 지지축(386)에 결합되고, 끝단 저면에는 노즐(390)이 고정 결합된다. 노즐(390)은 지지축(386)의 회전에 의해 스윙이동될 수 있다. 일 예에 의하면, 처리액은 케미칼일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO3)을 포함할 수 있다. The treatment
처리액공급부재(400)는 기설정 유량의 처리액을 노즐(390)에 공급한다. 도4는 도3의 처리액공급부재를 보여주는 단면도이다. 도4를 참조하면, 처리액공급부재(400)는 처리탱크, 처리액공급라인(420), 그리고 유량조절부재(430)를 포함한다. 처리탱크에 제공된 처리액은 처리액공급라인(420)을 통해 노즐(390)로 공급된다. 유량조절부재(430)는 처리액의 유량이 기설정 유량으로 공급되도록 처리액의 유량을 조절한다.The treatment
처리탱크는 제1탱크(411), 제2탱크(412), 순환라인(414), 그리고 히터(416)를 포함한다. 제1탱크(411) 및 제2탱크(412) 각각은 서로 동일한 형상을 가지도록 제공된다. 제1탱크(411) 및 제2탱크(412) 각각에는 내부에 처리액이 저장되는 저장공간을 제공한다. 순환라인(414)은 제1탱크(411) 및 제2탱크(412) 각각에 제공된 처리액을 순환시킨다. 일 예에 의하면, 제1탱크(411)에 제공된 처리액 및 제2탱크(412)에 제공된 처리액은 모두 동일한 케미칼로 제공될 수 있다. 제1탱크(411)에 제공된 처리액은 순환라인(414)을 통해 제1탱크(411) 또는 제2탱크(412)로 순환되고, 제2탱크(412)에 제공된 처리액은 순환라인(414)을 통해 제1탱크(411) 또는 제2탱크(412)로 순환될 수 있다. 순환라인(414) 상에는 히터(416) 및 펌프(418)가 설치된다. 히터(416)는 순환라인(414)을 통해 순환되는 처리액을 기설정 온도로 가열한다. 펌프(418)는 순환라인(414)에 제공된 처리액이 순환되도록 그 처리액을 펌핑한다. The treatment tank includes a
처리액공급라인(420)은 제1탱크(411) 및 제2탱크(412) 각각을 노즐(390)과 연결한다. 제1탱크(411) 또는 제2탱크(412)에 제공된 처리액은 처리액공급라인(420)을 통해 노즐(390)로 공급된다. The treatment
유량조절부재(430)는 노즐(390)로 공급되는 처리액의 유량을 조절한다. 유량조절부재(430)는 처리액공급라인(420)에서 처리탱크 및 노즐(390) 사이에 위치된다. 도5는 도4의 유량조절부재를 보여주는 단면도이다. 도5를 참조하면, 유량조절부재(430)는 온도측정센서(432), 유량측정센서(434), 유량조절밸브(436), 감지센서, 개폐밸브(438) 그리고 제어기를 포함한다. 온도측정센서(432), 유량측정센서(434), 유량조절밸브(436), 그리고 개폐밸브(438)는 처리액공급라인(420) 상에 순차적으로 설치된다. 온도측정센서(432), 유량측정센서(434), 유량조절밸브(436), 그리고 개폐밸브(438)는 처리액공급라인(420)의 상류에서 하류를 향하는 방향을 따라 순차적으로 위치된다.The flow
온도측정센서(432)는 처리액공급라인(420)을 통해 공급되는 처리액의 온도를 측정한다. 온도측정센서(432)는 처리액의 온도측정값을 측정한다. 유량측정센서(434)는 노즐(390)로 공급된 처리액의 유량을 측정한다. 유량측정센서(434)는 단면적을 일정시간동안 통과하는 처리액을 측정하여 그 유량을 측정한다. 유량측정센서(434)는 처리액의 유량측정값을 측정한다. 유량조절밸브(436)는 처리액공급라인(420)을 통해 공급된 처리액의 유량을 조절한다. 개폐밸브(438)는 처리액공급라인(420)을 개폐한다. The
제어기는 유량조절밸브(436)의 개방율을 제어한다. 제어기는 온도측정센서(432)로부터 제공된 온도측정값에 대해 그 개방율이 상이하도록 유량조절밸브(436)를 제어한다. 제어기는 데이터저장부(454) 및 데이터처리부(452)를 포함한다. 도6은 도4의 데이터저장부(454)를 보여주는 도면이고, 도7은 도5의 유량조절부재를 이용하여 처리액을 공급하는 과정을 보여주는 블록도이다. 도6 및 도7을 참조하면, 데이터저장부(454)는 복수의 데이터들을 가진다. 데이터는 기준온도값(Tn)에 대응하는 유량설정값(Mn)으로 제공된다. 각각의 데이터는 서로 상이한 기준온도값들(Tn)에 대응하는 서로 상이한 유량설정값들(Mn)로 제공된다. 일 예에 의하면, 제1데이터는 제1기준온도값(T1)에 대응하는 제1유량설정값(M1)을 포함하고, 제2데이터는 제2기준온도값(T2)에 대응하는 제2유량설정값(M2)을 포함할 수 있다. The controller controls the opening rate of the
데이터처리부(452)는 온도측정센서(432)로부터 제공된 온도측정값(Tn)과 대응되는 데이터를 근거로 하여 유량조절밸브(436)의 개방율을 조절한다. 데이터처리부(452)는 기준온도값(Tn) 중 온도측정값과 대응되는 데이터의 유량설정값(Mn)으로 유량조절밸브(436)의 개방율을 조절한다. 일 예에 의하면, 처리액의 온도는 상온에 비해 높게 제공될 수 있다. 제어기는 처리액의 온도가 높을수록 그 개방율을 크게 할 수 있다.The
또한 제어기는 공정이 진행되지 않은 대기상태에서 다음 공정에 대한 처리액의 공급유량을 판단하고, 처리액을 예비 대기 상태로 제공할 수 있다. 제어기는 공정이 진행되기 전에, 처리액이 처리액 공급라인(420)에 미리 채워지도록 한다. 일 예에 의하면, 처리액공급라인(420)은 개폐밸브(438)에 의해 닫힌 상태로 제공되고, 유량조절밸브(436)에 의해 그 유량이 조절된 상태에서 처리액이 채워질 수 있다. 이로 인해 처리액의 공급이 초기에 설정 유량보다 적게 공급되는 것을 방지할 수 있다.Further, the controller can determine the supply flow rate of the process liquid to the next process in the standby state in which the process is not performed, and can provide the process liquid to the standby standby state. The controller causes the process liquid to be pre-filled in the process
또한 감지센서는 유량조절밸브(436)의 이상을 감지한다. 감지센서는 유량조절밸브(436)의 동작을 감지하고, 이에 대한 동작신호를 제어기에 발신한다. 유량조절밸브(436)의 오작동범위에 따라 각각 센서가 제공될 수 있다. 감지센서는 제1센서 및 제2센서를 포함할 수 있다. 제1센서는 유량조절밸브(436)의 제1동작을 감지할 수 있다, 제2센서는 제1동작을 포함하는 제2동작을 감지할 수 있다. 제1동작은 유량조절밸브(436)의 허용 동작 범위 내에 속하고, 제1동작을 제외한 제2동작은 오차 동작범위 내에 속하도록 제공될 수 있다. 제어기는 제2센서로부터 감지신호를 수신하면, 처리액공급라인(420)이 닫히도록 개폐밸브(438)를 제어할 수 있다.Further, the detection sensor senses an abnormality of the
본 실시예에는 제어기가 데이터저장부(454) 및 데이터처리부(452)를 가지며, 데이터처리부(452)는 데이터저장부(454)에 제공된 데이터 및 이에 대응되는 온도측정값을 통해 그 개방율을 조절하는 것으로 설명하였다. The controller has a
이와 달리 다른 실시예에는 제어기가 데이터 산출부 및 데이터처리부(452)를 포함할 수 있다. 데이터 산출부는 데이터저장부와 달리 저장된 데이터를 사용하지 않고, 실시간으로 데이터를 산출할 수 있다. 데이터 산출부는 기준온도값과 온도측정값 간의 차이값을 근거로 하는 처리액의 유량에 관한 데이터를 산출할 수 있다. 일 예에 의하면, 기준온도값과 온도측정값 간의 차이가 클수록 데이터에 대한 처리액의 유량을 크게 제공될 수 있다. Alternatively, in another embodiment, the controller may include a data calculator and a
데이터처리부(452)는 유량측정센서(434)로부터 제공된 유량측정값과 데이터 산출부로부터 제공된 데이터를 통해 유량조절밸브(436)의 개방율을 조절한다. 데이터처리부(452)는 데이터를 근거로 하여 유량측정값이 가감되도록 그 개방율을 조절한다. 일 예에 의하면, 데이터처리부(452)는 처리액의 온도가 높을수록 개방율을 크게 할 수 있다.The
다음은 상술한 다른 실시예의 제어기를 통해 처리액의 유량을 조절하는 과정을 설명한다. 과정을 설명하기 앞서, 본 발명은 실제유량과 측정유량 간에 발생되는 오차를 해결하기 위한 것으로, 다음에 설명될 각각의 유량에 대해 보다 명확하게 정의하고자 한다. 측정유량값은 유량측정센서(434)로부터 처리액의 유량을 측정한 측정값이다. 실제유량은 처리액공급라인(420)에 제공되는 처리액의 실제 유량이다. 기설정유량값은 작업자가 희망하는 처리액의 유량값이다.Next, a process of controlling the flow rate of the process liquid through the controller of the other embodiment described above will be described. Prior to describing the process, the present invention is intended to solve the error between the actual flow rate and the measured flow rate, and the flow rate to be described next will be more clearly defined. The measured flow rate value is a measurement value obtained by measuring the flow rate of the process liquid from the flow
온도측정센서(432) 및 유량측정센서(434)로부터 측정된 정보를 제공받아 유량조절밸브(436)를 제어한다. 제어기는 온도측정센서(432)로부터 온도측정값을 제공받고, 유량측정센서(434)로부터 측정유량값을 제공받는다. 제어기는 온도측정값 및 측정유량값을 각각 제공받아 처리액의 실제유량이 기설정유량값과 일치하도록 유량조절밸브(436)를 제어한다. 제어기는 처리액의 온도가 높아질수록 그 밀도가 작아지는 특징을 통해 온도측정값과 기설정온도값 간의 차이값을 산출한다. 예컨대, 기설정온도값은 온도측정값보다 낮게 제공될 수 있다. 제어기는 그 차이값만큼의 추가유량이 측정유량과 함께 공급되도록 유량조절밸브(436)를 제어한다. 즉, 제어기는 처리액의 기설정유량값이 측정유량값에 추가유량값을 더한 값으로 판단하며, 실제유량값이 기설정유량값과 일치되어야 한다. 일 예에 의하면, 온도측정값과 기설정온도값 간의 차이값에 따른 추가유량이 차등되게 제공되고, 제어기는 그 차이값에 대응되는 추가유량이 측정유량값에 더 공급되도록 유량조절밸브(436)를 제어할 수 있다. And receives the measured information from the
이와 반대로 처리액의 온도측정값이 기설정온도값보다 낮게 제공되면, 그 차이값의 추가유량만큼 측정유량에 대해 덜 공급되도록 유량조절밸브(436)를 제어한다.On the contrary, if the temperature measurement value of the treatment liquid is provided lower than the predetermined temperature value, the
380: 분사부재
390: 노즐
400: 처리액공급유닛
430: 유량조절부재
432: 온도측정센서
434: 유량조절센서
436: 유량조절밸브
452: 데이터처리부
454: 데이터저장부380: injection member 390: nozzle
400: process liquid supply unit 430: flow rate regulating member
432: Temperature measurement sensor 434: Flow rate adjustment sensor
436: Flow control valve 452: Data processing section
454: Data storage unit
Claims (2)
처리탱크에 제공된 처리액을 상기 노즐에 공급하도록 상기 처리탱크 및 상기 노즐을 연결하는 처리액공급라인과;
상기 처리액공급라인 상에 설치되며, 상기 처리액의 유량이 기설정유량값과 일치하도록 상기 처리액의 유량을 조절하는 유량조절부재를 포함하되,
상기 유량조절부재는,
상기 처리액의 온도를 측정하는 온도측정센서와;
상기 처리액의 유량을 조절하는 유량조절밸브와;
상기 유량조절밸브의 개방율을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 제어기는 상기 개방율이 상기 온도측정센서로부터 제공된 온도측정값에 대해 상이하게 제공하는 처리액공급유닛.A nozzle;
A processing liquid supply line connecting the processing tank and the nozzle to supply the processing liquid supplied to the processing tank to the nozzle;
And a flow control member provided on the treatment liquid supply line and adjusting the flow rate of the treatment liquid so that the flow rate of the treatment liquid coincides with the predetermined flow rate value,
Wherein the flow rate control member comprises:
A temperature measurement sensor for measuring the temperature of the treatment liquid;
A flow control valve for controlling the flow rate of the treatment liquid;
And a controller for controlling an opening rate of the flow rate control valve,
Wherein the controller provides the opening rate differently for a temperature measurement value provided from the temperature measurement sensor.
상기 제어기는,
복수의 기준온도값들 각각에 대응하는 복수의 유량설정값들에 대한 데이터들이 저장된 데이터저장부와;
상기 복수의 기준온도값들 중 상기 온도측정값과 대응되는 기준온도값에 대한 데이터를 근거로 하여 상기 개방율을 조절하는 데이터처리부를 포함하는 처리액공급유닛.The method according to claim 1,
The controller comprising:
A data storage unit for storing data on a plurality of flow rate setting values corresponding to each of a plurality of reference temperature values;
And a data processing unit for adjusting the opening ratio based on data on a reference temperature value corresponding to the temperature measurement value among the plurality of reference temperature values.
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108511366A (en) * | 2017-02-24 | 2018-09-07 | 株式会社斯库林集团 | Handle liquid supplying device, substrate board treatment and treatment fluid supply method |
CN110998227A (en) * | 2017-08-09 | 2020-04-10 | 先进电气工业株式会社 | Liquid micrometer |
KR20210035956A (en) * | 2019-09-24 | 2021-04-02 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrate |
KR102316834B1 (en) * | 2020-07-24 | 2021-10-26 | 무진전자 주식회사 | Fluid supply apparatus of semiconductor having integrated bypass function |
KR20220167428A (en) * | 2021-06-11 | 2022-12-21 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrate |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1070101A (en) * | 1996-08-27 | 1998-03-10 | Hitachi Ltd | Manufacturing method and device, washing method and device, processing device, liquid mixing piping and washing liquid feeding member for semiconductor device |
JP2002093773A (en) * | 2000-09-12 | 2002-03-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | System for treating substrate |
KR100648198B1 (en) * | 2005-05-03 | 2006-11-23 | 삼성전자주식회사 | Valve system and apparatus for manufacturing a semiconductor substrate having the same |
-
2013
- 2013-12-27 KR KR1020130165378A patent/KR102222456B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1070101A (en) * | 1996-08-27 | 1998-03-10 | Hitachi Ltd | Manufacturing method and device, washing method and device, processing device, liquid mixing piping and washing liquid feeding member for semiconductor device |
JP2002093773A (en) * | 2000-09-12 | 2002-03-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | System for treating substrate |
KR100648198B1 (en) * | 2005-05-03 | 2006-11-23 | 삼성전자주식회사 | Valve system and apparatus for manufacturing a semiconductor substrate having the same |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108511366A (en) * | 2017-02-24 | 2018-09-07 | 株式会社斯库林集团 | Handle liquid supplying device, substrate board treatment and treatment fluid supply method |
CN108511366B (en) * | 2017-02-24 | 2022-03-15 | 株式会社斯库林集团 | Processing liquid supply device, substrate processing device, and processing liquid supply method |
CN110998227A (en) * | 2017-08-09 | 2020-04-10 | 先进电气工业株式会社 | Liquid micrometer |
CN110998227B (en) * | 2017-08-09 | 2023-08-22 | 先进电气工业株式会社 | liquid micrometer |
KR20210035956A (en) * | 2019-09-24 | 2021-04-02 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrate |
KR102316834B1 (en) * | 2020-07-24 | 2021-10-26 | 무진전자 주식회사 | Fluid supply apparatus of semiconductor having integrated bypass function |
KR20220167428A (en) * | 2021-06-11 | 2022-12-21 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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