KR20150077145A - Organic light emitting device - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an organic light emitting device which forms dummy pixels outside an OLED panel and improves the performance of preventing the penetration of moisture and hydrogen. According to an embodiment of the present invention, the organic light emitting device comprises: a plurality of pixels formed on a display area of the panel; an organic light emitting diode formed on the pixels on the display area; a pixel circuit and a storage capacitor formed on the pixels; a plurality of dummy pixels formed on a non-display area outside the display area; a pixel circuit and a storage capacitor formed on the dummy pixels; a plurality of signal lines formed on the display area and the non-display area to provide a driving signal to the light emitting diode; and an oxide semiconductor pattern formed on the non-display area.

Description

유기 발광 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}[0001] ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE [0002]

본 발명은 OLED 패널의 외곽에 더미 픽셀들을 형성하여 수분 및 수소 침투 방지 성능을 높인 유기 발광 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting device in which dummy pixels are formed on an outer surface of an OLED panel to enhance water and hydrogen permeation prevention performance.

최근에 들어 발광효율, 휘도, 시야각이 뛰어나며 응답속도가 빠른 발광 표시장치가 주목 받고 있다. 평판표시장치로서 현재까지는 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device)가 널리 이용되었지만, 액정표시장치는 별도의 광원으로 백라이트가 필요하고, 밝기, 명암비 및 시야각 등에서 기술적 한계가 있다.In recent years, a light emitting display device excellent in luminous efficiency, luminance, viewing angle and response speed has been attracting attention. As a flat panel display device, a liquid crystal display device has been widely used. However, a liquid crystal display device requires a backlight as a separate light source and has technical limitations in terms of brightness, contrast ratio, and viewing angle.

최근 자체발광이 가능하여 별도의 광원이 필요하지 않고, 밝기, 명암비 및 시야각 등에서 상대적으로 우수한 유기 발광 장치(Organic Light Emitting Device)가 개발되어 상용화 되었다.In recent years, an organic light emitting device (Organic Light Emitting Device) has been developed and commercialized because it can self-emit light and does not require a separate light source and has relatively excellent brightness, contrast ratio and viewing angle.

이와 같은 유기 발광 장치는 구동방식에 따라 수동 매트릭스(Passive Matrix) 방식과 능동 매트릭스(Active Matrix) 방식으로 나눌 수 있다.Such an organic light emitting device can be divided into a passive matrix method and an active matrix method according to a driving method.

수동 매트릭스 방식은 별도의 TFT(thin film transistor)를 구비하지 않으면서 매트릭스 형태로 화소가 배열된 구성으로서, 주사선의 순차적 구동에 의해 각각의 화소를 구동하기 때문에 라인이 많아질수록 더 높은 전압과 전류를 순간적으로 인가해주어야 한다. 따라서, 소비전력이 높아지게 되고 해상도 면에서도 한계가 있다.In the passive matrix method, pixels are arranged in a matrix form without a separate thin film transistor (TFT), and each pixel is driven by sequential driving of the scanning lines, so that the higher the voltage and the current Should be applied momentarily. Therefore, power consumption is increased and resolution is also limited.

반면에, 능동 매트릭스 방식은 매트릭스 형태로 배열된 화소 각각에 TFT가 형성된 구성으로서, TFT의 스위칭 구동과 스토리지 커패시터(Cst)의 전압 충전에 의해 각각의 화소를 구동한다.On the other hand, in the active matrix method, TFTs are formed in each of the pixels arranged in a matrix form, and each pixel is driven by the switching operation of the TFT and the voltage charging of the storage capacitor Cst.

능동 매트릭스 방식은 소비전력이 낮고 해상도 면에서도 수동 매트릭스 방식과 대비하여 이점이 있어, 고해상도 및 대면적을 요구하는 표시소자에는 능동 매트릭스 방식의 유기 발광소자가 적합하다.The active matrix method has advantages such as low power consumption and resolution compared to the passive matrix method, and an active matrix type organic light emitting element is suitable for a display element requiring a high resolution and a large area.

이하에서는, 도면을 참조로 종래 기술에 따른 능동 매트릭스 방식의 유기 발광 장치에 대해서 설명하기로 한다. 참고로, 이하 본 명세서에서는 능동 매트릭스 방식의 유기 발광 장치를 간략하게 유기 발광 장치로 칭하도록 한다.Hereinafter, an active matrix type organic light emitting device according to the related art will be described with reference to the drawings. For reference, hereinafter, the active matrix type organic light emitting device is simply referred to as an organic light emitting device.

도 1은 종래 기술에 따른 유기 발광 장치를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 2는 표시 영역의 외곽에 형성된 픽셀들을 나타내는 도면이다.FIG. 1 is a view schematically showing an organic light emitting device according to a related art, and FIG. 2 is a view showing pixels formed outside the display area.

도 1 및 도 2를 참조하면, 유기 발광 장치는 복수의 픽셀이 매트릭스 형태로 형성태로 배열되어 화상을 표시하는 표시 영역과 표시 영역에 신호 및 전원을 공급하기 위한 구동 회로부가 연결되는 비 표시 영역을 포함한다.1 and 2, an organic light emitting device includes a display region in which a plurality of pixels are arranged in a matrix form and displays an image, a non-display region to which a driving circuit for supplying a signal and power to the display region is connected, .

하나의 단위 화소는 4색(레드, 화이트, 그린 및 블루)의 픽셀들로 구성될 수 있다.One unit pixel may be composed of four color (red, white, green, and blue) pixels.

복수의 화소에 데이터 전압을 공급하기 위한 복수의 데이터 라인이 세로 방향으로 형성되어 있다. 그리고, 스캔 신호를 공급하기 위한 게이트 라인, 센싱 신호를 공급하기 위한 센싱 신호 라인 및 고전압 전원(VDD)을 공급하기 위한 VDD 라인이 가로 방향으로 형성되어 있다.A plurality of data lines for supplying data voltages to the plurality of pixels are formed in the longitudinal direction. A gate line for supplying a scan signal, a sensing signal line for supplying a sensing signal, and a VDD line for supplying a high voltage power supply (VDD) are formed in the horizontal direction.

그러나, 이에 한정되지 않고 구동 방식에 따라서 다른 신호 라인들이 더 형성될 수 있으며, 라인들이 형성되는 방향도 설계에 따라 달라질 수 있다.However, the present invention is not limited to this, and other signal lines may be formed according to the driving method, and the direction in which the lines are formed may also vary depending on the design.

각 픽셀에는 발광을 위한 유기 발광 다이오드(OLED)가 형성되어 있으며, 유기 발광 다이오드(OLED)의 구동을 위한 복수의 TFT를 포함하는 픽셀 회로 및 스토리지 커패시터(Cst)가 형성되어 있다. 여기서, 복수의 TFT의 반도체층의 재료로 IZO(Indium Zinc Oxide), IGZO(Indium gallium zinc oxide)와 같은 산화물 반도체가 이용된다.In each pixel, an organic light emitting diode (OLED) for light emission is formed, and a pixel circuit including a plurality of TFTs for driving the organic light emitting diode (OLED) and a storage capacitor Cst are formed. Here, an oxide semiconductor such as IZO (Indium Zinc Oxide) or IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide) is used as the material of the semiconductor layers of the plurality of TFTs.

픽셀에서 발광된 빛의 색상을 변화시키기 위해서, 레드 픽셀에는 레드 컬러필터, 그린 픽셀에는 그린 컬러필터, 블루 픽셀에는 블루컬러필터가 형성되고, 화이트 픽셀에는 투명 레진(resin)이 형성되어 각 픽셀에서 색광이 출사되게 된다.In order to change the color of the light emitted from the pixels, a red color filter is formed on the red pixel, a green color filter is formed on the green pixel, a blue color filter is formed on the blue pixel, a transparent resin is formed on the white pixel, The color light is emitted.

산화물 반도체는 수소 및 수분에 매우 취약한 특성을 가지고 있어 각 픽셀을 멀티 보호막으로 감싸 외부 요인으로부터 보호하고 있다. 그러나, 표시 영역의 외곽부에 형성된 픽셀들은 외부와의 거리가 가깝게 위치하고 있고, 측면 방향에서 유입되는 수소 및 수분을 모두 차단할 수 없어 TFT의 문턱전압(Vth)의 편차가 발생하게 되는 문제점이 있다.Oxide semiconductors are very susceptible to hydrogen and moisture, and each pixel is surrounded by a multi-protective film to protect it from external factors. However, since the pixels formed in the outer portion of the display region are located close to the outside, hydrogen and moisture flowing in the lateral direction can not be blocked, and the threshold voltage (Vth) of the TFT is varied.

특히, 게이트 레이어에 형성된 스토리지 커패시터의 전극, 게이트 라인, 센싱 신호 라인 및 고전압 전원(VDD)을 경로로 이용하여 수소가 침투하게 되어 표시 영역에 형성된 TFT들의 특성이 변화될 수 있다. 수소 침투에 의해서 드라이빙 TFT의 특성이 심하게 변화되면, 드라이빙 TFT의 문턱전압 쉬프트를 모두 보상할 수 없어 표시 품질이 저하되는 문제점이 있다.In particular, the characteristics of the TFTs formed in the display region can be changed by allowing the hydrogen to permeate through the electrodes of the storage capacitor formed in the gate layer, the gate line, the sensing signal line, and the high voltage power supply (VDD) as a path. If the characteristics of the driving TFT are drastically changed due to the hydrogen permeation, the threshold voltage shift of the driving TFT can not be compensated for all, and the display quality is degraded.

또한, 수소 및 수분이 픽셀에 침투하면 TFT 및 유기 발광 다이오드(OLED)의 특성이 변화되어 발광 불량이 발생되고, 유기 발광 장치의 구동 신뢰성이 떨어지는 문제점이 있다.In addition, when hydrogen and moisture penetrate the pixels, characteristics of the TFT and the organic light emitting diode (OLED) are changed to cause a defective emission, and the driving reliability of the organic light emitting device is deteriorated.

본 발명은 앞에서 설명한 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 표시 영역의 픽셀들에 수소 및 수분이 침투하는 것을 방지한 유기 발광 장치를 제공하는 것을 기술적 특징으로 한다.The present invention is directed to solving the above-mentioned problems and provides an organic light emitting device in which hydrogen and moisture are prevented from penetrating into pixels of a display area.

본 발명은 앞에서 설명한 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 신뢰성이 높은 유기 발광 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is a technical object to provide an organic light emitting device having high reliability.

본 발명은 앞에서 설명한 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 유기 발광 장치의 표시 품질을 향상시키는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is a technical object to improve display quality of an organic light emitting device.

위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Other features and advantages of the invention will be set forth in the description which follows, or may be obvious to those skilled in the art from the description and the claims.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 장치는 패널의 표시 영역에 형성된 복수의 픽셀; 상기 표시 영역의 복수의 픽셀에 형성된 유기 발광 다이오드; 상기 복수의 픽셀에 형성된 픽셀 회로 및 스토리지 커패시터; 상기 표시 영역의 외곽의 비 표시 영역에 형성된 복수의 더미 픽셀; 상기 복수의 더미 픽셀에 형성된 픽셀 회로 및 스토리지 커패시터; 상기 유기 발광 다이오드에 구동 신호를 공급하기 위해 상기 표시 영역 및 상기 비 표시 영역에 형성된 복수의 신호 라인; 및 상기 비 표시 영역에 형성된 산화물 반도체 패턴;을 포함하는 것을 특징으로 한다.An organic light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a plurality of pixels formed in a display region of a panel; An organic light emitting diode formed on a plurality of pixels of the display region; A pixel circuit and a storage capacitor formed in the plurality of pixels; A plurality of dummy pixels formed in a non-display area outside the display area; A pixel circuit and a storage capacitor formed in the plurality of dummy pixels; A plurality of signal lines formed in the display region and the non-display region to supply a driving signal to the organic light emitting diode; And an oxide semiconductor pattern formed in the non-display region.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 장치의 상기 산화물 반도체 패턴은 상기 복수의 더미 픽셀의 스토리지 커패시터를 덮도록 형성된 것을 특징으로 한다.The oxide semiconductor pattern of the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention is formed so as to cover the storage capacitors of the plurality of dummy pixels.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 장치의 상기 산화물 반도체 패턴은 상기 비 표시 영역에 형성된 복수의 신호 라인을 덮도록 형성된 것을 특징으로 한다.The oxide semiconductor pattern of the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention is formed so as to cover a plurality of signal lines formed in the non-display region.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 장치의 상기 산화물 반도체 패턴은 상기 비 표시 영역의 게이트 레이어에 형성된 메탈을 덮도록 형성된 것을 특징으로 한다.The oxide semiconductor pattern of the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention is formed so as to cover the metal formed in the gate layer of the non-display region.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 장치는 상기 복수의 더미 픽셀의 개구 영역을 덮도록 형성된 뱅크를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The organic light emitting device according to an embodiment of the present invention may further include a bank formed to cover the opening regions of the plurality of dummy pixels.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 장치의 상기 복수의 더미 픽셀은 상기 표시 영역을 둘러싸도록 형성된 것을 특징으로 한다.The plurality of dummy pixels of the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention are formed so as to surround the display area.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 장치의 상기 산화물 반도체 패턴은 IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 IGZO(Indium gallium zinc oxide)로 형성되어 수소 및 수분 침투를 차단하는 것을 특징으로 한다.The oxide semiconductor pattern of the organic light emitting device according to the exemplary embodiment of the present invention is formed of IZO (Indium Zinc Oxide) or IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide) to block hydrogen and moisture penetration.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 장치는 비 표시 영역에 더미 픽셀들을 형성하여 표시 영역의 픽셀들에 수소 및 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있다.The organic light emitting device according to the embodiment of the present invention may form dummy pixels in the non-display region to prevent hydrogen and moisture from penetrating into the pixels of the display region.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 장치는 비 표시 영역에 더미 픽셀들을 형성하여 수소 및 수분에 의해 TFT 및 유기 발광 다이오드(OLED)의 특성이 변화하는 것을 방지할 수 있다.The organic light emitting device according to the embodiment of the present invention may form dummy pixels in the non-display region to prevent the characteristics of the TFT and the organic light emitting diode (OLED) from being changed by hydrogen and moisture.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 장치는 구동 신뢰성을 높일 수 있다.The organic light emitting device according to the embodiment of the present invention can improve the driving reliability.

본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 장치는 표시 영역의 TFT 및 유기 발광 다이오드(OLED)의 특성 변화를 방지하여 표시 품질을 향상시킬 수 있다.The organic light emitting device according to the embodiment of the present invention can prevent the characteristics of the TFT and the organic light emitting diode (OLED) in the display area from being changed to improve the display quality.

위에서 언급된 본 발명의 특징 및 효과들 이외에도 본 발명의 실시 예들을 통해 본 발명의 또 다른 특징 및 효과들이 새롭게 파악 될 수도 있을 것이다.Other features and effects of the present invention may be newly understood through the embodiments of the present invention in addition to the features and effects of the present invention mentioned above.

도 1은 종래 기술에 따른 유기 발광 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 표시 영역의 외곽에 형성된 픽셀들을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 장치를 나타내는 것으로, 표시 영역의 외곽에 형성된 픽셀들 및 비 표시 영역에 형성된 더미 픽셀들을 나타내는 도면이다.
도 5는 유기 발광 장치의 단면 구조를 나타내는 도면이다.
도 6은 유기 발광 다이오드(OLED)의 구조를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 장치를 나타내는 것으로, 표시 영역의 외곽에 형성된 픽셀들 및 비 표시 영역에 형성된 더미 픽셀들을 나타내는 도면이다.
도 8은 도 7에 도시된 A1-A2선 및 A3-A4 선에 따른 단면도이다.
도 9는 도 7에 도시된 B1-B2선 및 B3-B4선에 따른 단면도이다.1 is a schematic view of an organic light emitting device according to the prior art.
Fig. 2 is a diagram showing pixels formed on the periphery of the display area.
3 is a view schematically showing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 illustrates an organic light emitting device according to a first embodiment of the present invention, in which pixels formed on the periphery of a display region and dummy pixels formed on a non-display region are illustrated.
5 is a diagram showing a cross-sectional structure of an organic light emitting device.
6 is a view showing a structure of an organic light emitting diode (OLED).
7 is a view illustrating an organic light emitting device according to a second embodiment of the present invention, in which pixels formed on the periphery of a display region and dummy pixels formed on a non-display region are illustrated.
Fig. 8 is a cross-sectional view taken along line A1-A2 and line A3-A4 shown in Fig. 7;
Fig. 9 is a cross-sectional view taken along lines B1-B2 and lines B3-B4 shown in Fig. 7;

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 장치에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되지 않는다.The meaning of the terms described herein should be understood as follows. The word " first, "" second," and the like, used to distinguish one element from another, are to be understood to include plural representations unless the context clearly dictates otherwise. The scope of the rights is not limited by these terms.

본 명세서에서 기술되는 "상에 또는 상부에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면(상부) 또는 바로 하면(하부)에 형성되는 경우뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다. The term "above or above" as used herein is intended to encompass not only the case where a configuration is formed directly on top (top) or directly below (bottom) of another configuration, Means to include up to the occasion.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the terms "comprises" or "having" does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 장치를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 4는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 장치를 나타내는 것으로, 표시 영역의 외곽에 형성된 픽셀들 및 비 표시 영역에 형성된 더미 픽셀들을 나타내는 도면이다.FIG. 3 is a view schematically showing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 shows an organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention, Lt; RTI ID = 0.0 > region. ≪ / RTI >

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 장치는 복수의 픽셀이 매트릭스 형태로 배열되어 화상을 표시하는 표시 영역(100)과 표시 영역에 신호 및 전원을 공급하기 위한 구동 회로부가 연결되는 비 표시 영역(200)을 포함한다.Referring to FIGS. 3 and 4, the organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention includes a display region 100 in which a plurality of pixels are arranged in a matrix form to display an image, And a non-display area 200 to which a driving circuit for driving the display device is connected.

표시 영역(100)에는 복수의 단위 화소가 형성되어 있으며, 하나의 단위 화소는 4색(레드, 화이트, 그린 및 블루)의 픽셀들로 구성될 수 있다.In the display area 100, a plurality of unit pixels are formed, and one unit pixel may be composed of four colors (red, white, green, and blue).

본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 장치의 표시 영역에 형성된 각 픽셀에는 입력된 구동 전류에 의해 발광하는 유기 발광 다이오드(OLED)가 형성되어 있다. 그리고, 유기 발광 다이오드(OLED)에 구동 전류를 공급하기 위한 픽셀 회로(130) 및 스토리지 커패시터(120)가 형성되어 있다. 픽셀 회로는 복수의 스위칭 TFT 및 드라이빙 TFT를 포함한다. 여기서, 복수의 TFT의 반도체층의 재료로 IZO(Indium Zinc Oxide), IGZO(Indium gallium zinc oxide)와 같은 산화물 반도체가 이용된다.In each pixel formed in the display region of the organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention, an organic light emitting diode (OLED) that emits light by an input driving current is formed. A pixel circuit 130 and a storage capacitor 120 for supplying a driving current to the organic light emitting diode (OLED) are formed. The pixel circuit includes a plurality of switching TFTs and a driving TFT. Here, an oxide semiconductor such as IZO (Indium Zinc Oxide) or IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide) is used as the material of the semiconductor layers of the plurality of TFTs.

또한, 복수의 픽셀을 구동시키기 위해서 데이터 라인(data line), 게이트 라인(gate line), 센싱 신호 라인(sense signal), 고전압 전원 라인(VDD line)이 형성되어 있다. 도면에 도시하지 않았지만, 발광 신호 라인(미도시)과 기준 전원 라인(미도시)이 더 형성될 수 있다.In addition, a data line, a gate line, a sense signal, and a high-voltage power supply line (VDD line) are formed to drive a plurality of pixels. Although not shown in the figure, an emission signal line (not shown) and a reference power supply line (not shown) may be further formed.

여기서, 복수의 화소에 데이터 전압을 공급하기 위한 복수의 데이터 라인이 세로 방향으로 형성되어 있다. 그리고, 스캔 신호를 공급하기 위한 게이트 라인, 센싱 신호를 공급하기 위한 센싱 신호 라인 및 고전압 전원(VDD)을 공급하기 위한 VDD 라인이 가로 방향으로 형성되어 있다.Here, a plurality of data lines for supplying data voltages to the plurality of pixels are formed in the longitudinal direction. A gate line for supplying a scan signal, a sensing signal line for supplying a sensing signal, and a VDD line for supplying a high voltage power supply (VDD) are formed in the horizontal direction.

그러나, 이에 한정되지 않고 구동 방식에 따라서 라인들이 형성되는 방향도 설계에 따라 달라질 수 있다.However, the present invention is not limited to this, and the direction in which the lines are formed according to the driving method may also vary depending on the design.

표시 영역의 픽셀에는 유기 발광 다이오드(OLED)에서 발광된 빛의 색상을 변화시키기 위해서, 레드 픽셀에는 레드 컬러필터, 그린 픽셀에는 그린 컬러필터, 블루 픽셀에는 블루컬러필터가 형성되고, 화이트 픽셀에는 투명 레진(resin)이 형성되어 각 픽셀에서 색광이 출사되게 된다.In order to change the color of the light emitted from the organic light emitting diode (OLED), the red pixel has a red color filter, the green pixel has a green color filter, the blue pixel has a blue color filter, A resin is formed and color light is emitted from each pixel.

도 5는 유기 발광 장치의 단면 구조를 나타내는 도면이고, 도 6은 유기 발광 다이오드(OLED)의 구조를 나타내는 도면이다.5 is a cross-sectional view of an organic light emitting device, and FIG. 6 is a view showing the structure of an organic light emitting diode (OLED).

도 5 및 도 6을 참조하면, 기판 상에는 TFT 레이어가 형성되어 있고, TFT 레이어 상에 유기 발광 다이오드(OLED)가 형성되어 있다. 유기 발광 다이오드(OLED)를 외부 요인으로부터 보호하기 위해서 캡슐화층(encapsulation layer)이 형성되어 있고, 캡슐화층 상에 접착층(adhesive layer)이 형성되어 있다. 접착층을 이용하여 캡슐화 글라스(encapsulation glass)가 부착되어 표시 영역의 픽셀들을 보호한다. 캡슐화 글라스는 상기 접착층에 의해 패널 전면에 부착되어 OLED 패널에 형성된 전체 픽셀을 밀봉한다.5 and 6, a TFT layer is formed on a substrate, and an organic light emitting diode (OLED) is formed on a TFT layer. In order to protect the organic light emitting diode (OLED) from external factors, an encapsulation layer is formed, and an adhesive layer is formed on the encapsulation layer. An encapsulation glass is attached using an adhesive layer to protect the pixels of the display area. An encapsulating glass is attached to the entire surface of the panel by the adhesive layer to seal the entire pixel formed on the OLED panel.

기판은 플레이트 형상을 가지는 투명 유리 기판 또는 투명 재질의 플렉서블 기판이 적용될 수도 있다.The substrate may be a transparent glass substrate having a plate shape or a flexible substrate made of a transparent material.

유기 발광 다이오드(OLED)의 하부에는 애노드 전극(anode electrode)이 형성되어 있고, 유기 발광 다이오드(OLED)의 상부에는 캐소드 전극(cathod electrode)이 형성되어 있다.An anode electrode is formed under the organic light emitting diode (OLED), and a cathode electrode is formed on the organic light emitting diode (OLED).

유기 발광 다이오드(OLED)는 정공주입층(41, hole injection layer: HIL), 정공수송층(42, hole transport layer: HTL), 발광 물질층(43, emission material layer: EML), 전자수송층(44, electron transport layer: ETL) 및 전자주입층(45, electron injection layer: EIL)을 포함한다. 발광 물질층(EML)은 정공수송층(HTL)과 전자 수송층(ETL) 사이에 개재된다.The organic light emitting diode OLED includes a hole injection layer (HIL) 41, a hole transport layer (HTL) 42, an emission material layer (EML) 43, an electron transport layer 44, electron transport layer (ETL), and electron injection layer (EIL) 45. The light emitting material layer (EML) is interposed between the hole transporting layer (HTL) and the electron transporting layer (ETL).

이러한, 유기 발광 다이오드(OLED)는 표시 영역의 복수의 화소에 형성되며, 드라이빙 TFT(미도시)를 통해 인가되는 전류에 의해 발광하여 화상을 표시하게 된다.The organic light emitting diode OLED is formed on a plurality of pixels of the display region and emits light by a current applied through a driving TFT (not shown) to display an image.

다시, 도 4를 참조하면, 산화물 반도체로 표시 영역에 형성된 TFT들을 형성함으로 수소가 표시 영역에 침투하면 TFT의 특성이 변화될 수 있다. 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 장치는 표시 영역에 수소가 침투하는 것을 방지하기 위해서, 비 표시 영역에 복수의 더미 픽셀(210)을 형성하였다. 또한, 더미 픽셀(210)마다 픽셀 회로(230) 및 스토리지 커패시터(220)를 형성하였다. 더미 픽셀(210)의 픽셀 회로(230)는 복수의 스위칭 TFT 및 드라이빙 TFT를 포함한다.Referring again to FIG. 4, by forming the TFTs formed in the display region with the oxide semiconductor, when the hydrogen penetrates into the display region, the characteristics of the TFTs can be changed. The organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention has a plurality of dummy pixels 210 formed in a non-display area in order to prevent hydrogen from penetrating into the display area. In addition, a pixel circuit 230 and a storage capacitor 220 are formed for each dummy pixel 210. The pixel circuit 230 of the dummy pixel 210 includes a plurality of switching TFTs and a driving TFT.

여기서, 표시 영역의 각 픽셀에 유기 발광 다이오드(OLED), 픽셀 회로(130) 및 스토리지 커패시터(120)를 형성할 때, 동일한 제조 공정을 통해 비 표시 영역에도 더미 픽셀(210)의 유기 발광 다이오드(OLED), 픽셀 회로(230) 및 스토리지 커패시터(220)를 형성한다.When the organic light emitting diode OLED, the pixel circuit 130, and the storage capacitor 120 are formed in each pixel of the display region, the organic light emitting diodes of the dummy pixel 210 OLED, pixel circuit 230, and storage capacitor 220.

또한, 표시 영역 픽셀들 및 비 표시 영역의 더미 픽셀들을 동일 공정으로 형성함으로, 비 표시 영역의 더미 픽셀에도 컬러 필터가 형성될 수 있다.Further, by forming the display area pixels and the dummy pixels in the non-display area in the same process, the color filter can be formed in the dummy pixels in the non-display area.

또한, 표시 영역에 형성된 데이터 라인(data line), 게이트 라인(gate line), 센싱 신호 라인(sense signal), 고전압 전원 라인(VDD line)이 비 표시 영역에도 연장되어 형성되어 있다.In addition, a data line, a gate line, a sense signal, and a high-voltage power supply line (VDD line) formed in the display region are formed extending to the non-display region.

복수의 화소에 데이터 전압을 공급하기 위한 복수의 데이터 라인이 세로 방향으로 형성되어 있다. 그리고, 스캔 신호를 공급하기 위한 게이트 라인, 센싱 신호를 공급하기 위한 센싱 신호 라인 및 고전압 전원(VDD)을 공급하기 위한 VDD 라인이 가로 방향으로 형성되어 있다.A plurality of data lines for supplying data voltages to the plurality of pixels are formed in the longitudinal direction. A gate line for supplying a scan signal, a sensing signal line for supplying a sensing signal, and a VDD line for supplying a high voltage power supply (VDD) are formed in the horizontal direction.

여기서, 비 표시 영역에 형성된 더미 픽셀 영역에는 외부로부터 침투하는 수소를 차단하기 위한 블로킹 물질이 형성되어 있다.A blocking material for blocking hydrogen permeating from the outside is formed in the dummy pixel region formed in the non-display region.

구체적으로, 비 표시 영역에 형성된 더미 픽셀 영역의 스토리지 커패시터(220) 및 게이트 라인, 센싱 신호 라인 및 VDD 라인 상부에 액티브 패턴(240, 산화물 반도체 패턴)을 형성한다. 즉, 게이트 라인을 형성할 때, 게이트 메탈로 함께 형성되는 스토리지 커패시터의 전극 및 게이트 라인, 센싱 신호 라인 및 VDD 라인을 IZO(Indium Zinc Oxide), IGZO(Indium gallium zinc oxide)와 같은 산화물 반도체 물질로 덮는다. 이때, 표시 영역을 둘러싸도록 복수의 더미 픽셀이 형성되어 패널의 4면에서 수소 및 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있다.Specifically, an active pattern 240 (oxide semiconductor pattern) is formed on the storage capacitor 220 of the dummy pixel region formed in the non-display region and the gate line, the sensing signal line, and the VDD line. That is, when the gate line is formed, the electrode and gate line of the storage capacitor formed together with the gate metal, the sensing signal line, and the VDD line are formed of an oxide semiconductor material such as IZO (Indium Zinc Oxide) or IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide) Cover. At this time, a plurality of dummy pixels are formed so as to surround the display area, so that hydrogen and moisture can be prevented from penetrating the four sides of the panel.

비 표시 영역에 더미 픽셀들을 형성하면, 1차적으로 표시 영역의 픽셀들이 외부와의 거리가 멀어져 표시 영역의 픽셀들에 수소 및 수분의 침투를 줄일 수 있다.When the dummy pixels are formed in the non-display area, the pixels of the display area are spaced apart from the outside, and hydrogen and moisture penetration into the pixels of the display area can be reduced.

또한, 2차적으로 외부에서 OLED 패널에 침투한 수소가 게이트 레이어에 형성된 스토리지 커패시터의 전극, 게이트 라인, 센싱 신호 라인 및 고전압 전원(VDD)을 경로로 이용하여 표시 영역으로 향하던 수소가 더미 픽셀에 형성된 액티브 패턴(240, 산화물 반도체 패턴)에 흡수된다. 이와 같이, 산화물 반도체 물질의 액티브 패턴(240, 산화물 반도체 패턴)을 더미 픽셀 영역에 형성하여 표시 영역의 픽셀들로 수소가 침투하는 것을 방지할 수 있다.In addition, hydrogen, which is secondarily injected from the outside into the OLED panel, is directed to the display region using the electrode of the storage capacitor, the gate line, the sensing signal line, and the high voltage power supply (VDD) Is absorbed by the active pattern 240 (oxide semiconductor pattern). As described above, the active pattern 240 (oxide semiconductor pattern) of the oxide semiconductor material may be formed in the dummy pixel region to prevent hydrogen from penetrating into the pixels of the display region.

비 표시 영역 형성된 복수의 더미 픽셀은 실제로 구동하지 않음으로 침투된 수소에 의해서 특성이 변화되더라도 화상을 표시하는 것에 지장이 없다.The plurality of dummy pixels formed in the non-display area do not actually operate, so that even if the characteristics are changed by the infiltrated hydrogen, there is no problem in displaying an image.

도 7은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 장치를 나타내는 것으로, 표시 영역의 외곽에 형성된 픽셀들 및 비 표시 영역에 형성된 더미 픽셀들을 나타내는 도면이다.7 is a view illustrating an organic light emitting device according to a second embodiment of the present invention, in which pixels formed on the periphery of a display region and dummy pixels formed on a non-display region are illustrated.

도 7을 참조하면, 표시 영역에 형성된 복수의 픽셀에는 입력된 구동 전류에 의해 발광하는 유기 발광 다이오드(OLED)가 형성되어 있다. 그리고, 유기 발광 다이오드(OLED)에 구동 전류를 공급하기 위한 픽셀 회로(130) 및 스토리지 커패시터(120)가 형성되어 있다. 픽셀 회로는 복수의 스위칭 TFT 및 드라이빙 TFT를 포함한다. 여기서, 복수의 TFT의 반도체층의 재료로 IZO(Indium Zinc Oxide), IGZO(Indium gallium zinc oxide)와 같은 산화물 반도체가 이용된다.Referring to FIG. 7, an organic light emitting diode (OLED) is formed in a plurality of pixels formed in a display region to emit light by an input driving current. A pixel circuit 130 and a storage capacitor 120 for supplying a driving current to the organic light emitting diode (OLED) are formed. The pixel circuit includes a plurality of switching TFTs and a driving TFT. Here, an oxide semiconductor such as IZO (Indium Zinc Oxide) or IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide) is used as the material of the semiconductor layers of the plurality of TFTs.

또한, 복수의 픽셀을 구동시키기 위해서 데이터 라인(data line), 게이트 라인(gate line), 센싱 신호 라인(sense signal), 고전압 전원 라인(VDD line)이 형성되어 있다.In addition, a data line, a gate line, a sense signal, and a high-voltage power supply line (VDD line) are formed to drive a plurality of pixels.

여기서, 복수의 화소에 데이터 전압을 공급하기 위한 복수의 데이터 라인이 세로 방향으로 형성되어 있다. 그리고, 스캔 신호를 공급하기 위한 게이트 라인, 센싱 신호를 공급하기 위한 센싱 신호 라인 및 고전압 전원(VDD)을 공급하기 위한 VDD 라인이 가로 방향으로 형성되어 있다.Here, a plurality of data lines for supplying data voltages to the plurality of pixels are formed in the longitudinal direction. A gate line for supplying a scan signal, a sensing signal line for supplying a sensing signal, and a VDD line for supplying a high voltage power supply (VDD) are formed in the horizontal direction.

표시 영역의 픽셀에는 유기 발광 다이오드(OLED)에서 발광된 빛의 색상을 변화시키기 위해서, 레드 픽셀에는 레드 컬러필터, 그린 픽셀에는 그린 컬러필터, 블루 픽셀에는 블루컬러필터가 형성되고, 화이트 픽셀에는 투명 레진(resin)이 형성되어 각 픽셀에서 색광이 출사되게 된다.In order to change the color of the light emitted from the organic light emitting diode (OLED), the red pixel has a red color filter, the green pixel has a green color filter, the blue pixel has a blue color filter, A resin is formed and color light is emitted from each pixel.

본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 장치는 표시 영역에 수소가 침투하는 것을 방지하기 위해서, 비 표시 영역에 복수의 더미 픽셀(210)을 형성하였다. 또한, 더미 픽셀(210)마다 픽셀 회로(230) 및 스토리지 커패시터(220)를 형성하였다. 더미 픽셀(210)의 픽셀 회로(230)는 복수의 스위칭 TFT 및 드라이빙 TFT를 포함한다.The organic light emitting device according to the second embodiment of the present invention has a plurality of dummy pixels 210 formed in a non-display area in order to prevent hydrogen from penetrating into the display area. In addition, a pixel circuit 230 and a storage capacitor 220 are formed for each dummy pixel 210. The pixel circuit 230 of the dummy pixel 210 includes a plurality of switching TFTs and a driving TFT.

여기서, 표시 영역의 각 픽셀에 유기 발광 다이오드(OLED), 픽셀 회로(130) 및 스토리지 커패시터(120)를 형성할 때, 동일한 제조 공정을 통해 비 표시 영역에도 더미 픽셀(210)의 유기 발광 다이오드(OLED), 픽셀 회로(230) 및 스토리지 커패시터(220)를 형성한다.When the organic light emitting diode OLED, the pixel circuit 130, and the storage capacitor 120 are formed in each pixel of the display region, the organic light emitting diodes of the dummy pixel 210 OLED, pixel circuit 230, and storage capacitor 220.

또한, 표시 영역 픽셀들 및 비 표시 영역의 더미 픽셀(210)들을 동일 공정으로 형성함으로, 비 표시 영역의 더미 픽셀(210)에도 컬러 필터가 형성될 수 있다.In addition, by forming the display area pixels and the dummy pixels 210 in the non-display area in the same process, a color filter can be formed in the dummy pixel 210 in the non-display area.

또한, 표시 영역에 형성된 데이터 라인(data line), 게이트 라인(gate line), 센싱 신호 라인(sense signal), 고전압 전원 라인(VDD line)이 비 표시 영역에도 연장되어 형성되어 있다.In addition, a data line, a gate line, a sense signal, and a high-voltage power supply line (VDD line) formed in the display region are formed extending to the non-display region.

복수의 화소에 데이터 전압을 공급하기 위한 복수의 데이터 라인이 세로 방향으로 형성되어 있다. 그리고, 스캔 신호를 공급하기 위한 게이트 라인, 센싱 신호를 공급하기 위한 센싱 신호 라인 및 고전압 전원(VDD)을 공급하기 위한 VDD 라인이 가로 방향으로 형성되어 있다.A plurality of data lines for supplying data voltages to the plurality of pixels are formed in the longitudinal direction. A gate line for supplying a scan signal, a sensing signal line for supplying a sensing signal, and a VDD line for supplying a high voltage power supply (VDD) are formed in the horizontal direction.

여기서, 여기서, 비 표시 영역에 형성된 더미 픽셀 영역에는 외부로부터 침투하는 수소를 차단하기 위한 블로킹 물질이 형성되어 있다.Here, in the dummy pixel region formed in the non-display region, a blocking material for blocking hydrogen permeating from the outside is formed.

구체적으로, 비 표시 영역에 형성된 더미 픽셀 영역의 스토리지 커패시터(220) 및 게이트 라인, 센싱 신호 라인 및 VDD 라인 상부에 액티브 패턴(240, 산화물 반도체 패턴)을 형성한다. 즉, 게이트 라인을 형성할 때, 게이트 메탈로 함께 형성되는 스토리지 커패시터의 전극 및 게이트 라인, 센싱 신호 라인 및 VDD 라인을 IZO(Indium Zinc Oxide), IGZO(Indium gallium zinc oxide)와 같은 산화물 반도체 물질로 덮는다. 이때, 표시 영역을 둘러싸도록 복수의 더미 픽셀이 형성되어 패널의 4면에서 수소 및 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있다.Specifically, an active pattern 240 (oxide semiconductor pattern) is formed on the storage capacitor 220 of the dummy pixel region formed in the non-display region and the gate line, the sensing signal line, and the VDD line. That is, when the gate line is formed, the electrode and gate line of the storage capacitor formed together with the gate metal, the sensing signal line, and the VDD line are formed of an oxide semiconductor material such as IZO (Indium Zinc Oxide) or IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide) Cover. At this time, a plurality of dummy pixels are formed so as to surround the display area, so that hydrogen and moisture can be prevented from penetrating the four sides of the panel.

또한, 더미 픽셀(210)에 형성된 유기 발광 다이오드(OLED)가 발광하여 빛 샘이 발생하거나, 외부 광이 더미 픽셀(210)에서 반사되어 시인성이 떨어지는 것을 방지하기 위해 더미 픽셀(210)의 개구 영역을 덮도록 뱅크(250)를 형성하였다.In order to prevent the organic light emitting diode (OLED) formed in the dummy pixel 210 from emitting light and generating a light leak or the external light being reflected by the dummy pixel 210 to reduce the visibility, The bank 250 is formed.

도 8은 도 7에 도시된 A1-A2선 및 A3-A4 선에 따른 단면도이고, 도 9는 도 7에 도시된 B1-B2선 및 B3-B4선에 따른 단면도이다. 도 8 및 도 9에서 A1-A2선 및 B1-B2선에 따른 단면은 비 표시 영역의 더미 픽셀의 단면 구조를 도시한 것이고, A3-A4선 및 B3-B4선에 따른 단면은 표시 영역의 픽셀의 단면 구조를 도시한 것이다.FIG. 8 is a cross-sectional view taken along lines A1-A2 and A3-A4 shown in FIG. 7, and FIG. 9 is a cross-sectional view taken along lines B1-B2 and line B3-B4 shown in FIG. 8 and 9 show cross-sectional structures of the dummy pixels in the non-display area, and cross-sectional views along the lines A3-A4 and B3-B4 show the cross- Fig.

도 8 및 도 9를 참조하면, 글라스 기판 상에는 TFT 레이어가 형성되어 있다. 도 8 및 도 9에서는 TFT 레이어에 형성된 복수의 TFT들 중에서 하나의 TFT 만을 도시하고 있다.8 and 9, a TFT layer is formed on a glass substrate. 8 and 9 show only one TFT among a plurality of TFTs formed in the TFT layer.

글라스 기판 상의 픽셀 영역(표시 영역의 픽셀이 형성된 부분을 픽셀 영역이라 명칭 한다)에 TFT의 게이트 전극이 형성되어 있다.A gate electrode of a TFT is formed in a pixel region (a portion where a pixel in the display region is formed is called a pixel region) on a glass substrate.

그리고, 더미 픽셀 영역(비 표시 영역의 더미 픽셀이 형성된 부분을 더미 픽셀 영역이라 명칭 한다)에 TFT의 게이트 전극이 형성되어 있다. 여기서, 게이트 전극은 게이트 라인을 형성할 때, 게이트 메탈을 이용하여 형성한다.A gate electrode of the TFT is formed in the dummy pixel region (the portion where the dummy pixel in the non-display region is formed is called the dummy pixel region). Here, the gate electrode is formed by using a gate metal when forming the gate line.

또한, 게이트 전극을 형성하는 게이트 메탈을 이용하여 스토리지 커패시터(120, 220)의 전극을 형성한다. 그리고, 게이트 메탈을 이용하여 센싱 신호 라인 및 VDD 라인을 형성할 수 있다.In addition, an electrode of the storage capacitor 120 or 220 is formed by using a gate metal forming a gate electrode. A sensing signal line and a VDD line can be formed using a gate metal.

픽셀 영역 및 더미 픽셀 영역에 형성된 게이트 전극 및 게이트 메탈로 형성된 라인들을 덮도록 게이트 절연막(GI)이 형성되어 있다.A gate insulating film GI is formed to cover the gate electrode formed in the pixel region and the dummy pixel region and the lines formed of the gate metal.

픽셀 영역의 게이트 절연막(GI) 상에 IZO(Indium Zinc Oxide), IGZO(Indium gallium zinc oxide)와 같은 산화물 반도체 물질로 액티브(ACT)가 형성되어 있다.Active (ACT) is formed on the gate insulating film GI in the pixel region as an oxide semiconductor material such as IZO (Indium Zinc Oxide) or IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide).

또한, 더미 픽셀 영역의 게이트 절연막(GI) 상에 IZO(Indium Zinc Oxide), IGZO(Indium gallium zinc oxide)와 같은 산화물 반도체 물질로 액티브 패턴(240, 산화물 반도체 패턴)이 형성되어 있다.An active pattern 240 (an oxide semiconductor pattern) is formed of an oxide semiconductor material such as IZO (Indium Zinc Oxide) or IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide) on the gate insulating film GI in the dummy pixel region.

픽셀 영역의 액티브(ACT) 및 더미 픽셀 영역의 액티브 패턴(240, 산화물 반도체 패턴)을 덮도록 식각 방지층(ESL)이 형성되어 있다.An etching prevention layer ESL is formed to cover the active region ACT of the pixel region and the active pattern 240 (oxide semiconductor pattern) of the dummy pixel region.

픽셀 영역 및 더미 픽셀 영역의 식각 방지층(ESL) 상부의 일측에는 소스 전극(S)이 형성되고, 타측에는 드레인 전극(D)이 형성되어 있다. 이와 같이, 픽셀 영역에는 게이트 전극, 게이트 절연막, 액티브(ACT), 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)으로 TFT가 구성된다. 또한, 더미 픽셀 영역에도 TFT가 형성된다.A source electrode S is formed on one side of the upper portion of the etch stop layer ESL of the pixel region and the dummy pixel region and a drain electrode D is formed on the other side. As described above, the TFT is constituted by the gate electrode, the gate insulating film, the active (ACT), the source electrode S and the drain electrode D in the pixel region. In addition, a TFT is also formed in the dummy pixel region.

픽셀 영역 및 더미 픽셀 영역의 TFT를 덮도록 보호막(PAS)이 형성되어 있고, 보호막(PAS)의 상부 중에서 유기 발광 다이오드(OLED)가 형성되는 개구 영역에 컬러 필터(CF)가 형성되어 있다.A protective film PAS is formed to cover the TFTs in the pixel region and the dummy pixel region and a color filter CF is formed in the opening region in which the organic light emitting diode OLED is formed in the upper portion of the protective film PAS.

보호막(PAS) 및 컬러 필터(CF)를 덮도록 평탄화층(OC)이 형성되어 있고, 평탄화층(OC) 상에 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(PXL)이 형성되어 있다.A planarization layer OC is formed to cover the passivation layer PAS and the color filter CF and an anode electrode PXL of the organic light emitting diode OLED is formed on the planarization layer OC.

또한, 표시 영역의 픽셀들의 개구 영역을 정의하기 위해서 뱅크(bank)가 형성되어 있다. 그리고, 더미 픽셀(210)의 개구 영역을 덮도록 뱅크(250)가 형성되어 있다. 더미 픽셀(210)의 개구 영역을 뱅크(210)로 덮어서 더미 픽셀 영역에서의 빛 샘이 발생하거나, 외부 광이 반사되어 시인성이 떨어지는 것을 방지할 수 있다.In addition, a bank is formed to define an opening area of the pixels in the display area. The bank 250 is formed so as to cover the opening area of the dummy pixel 210. [ It is possible to prevent the opening region of the dummy pixel 210 from being covered with the bank 210 to generate light spots in the dummy pixel region or deteriorate visibility due to reflection of external light.

비 표시 영역에 더미 픽셀들을 형성하면, 1차적으로 표시 영역의 픽셀들이 외부와의 거리가 멀어져 표시 영역의 픽셀들에 수소 및 수분의 침투를 줄일 수 있다.When the dummy pixels are formed in the non-display area, the pixels of the display area are spaced apart from the outside, and hydrogen and moisture penetration into the pixels of the display area can be reduced.

또한, 2차적으로 외부에서 OLED 패널에 침투한 수소가 게이트 레이어에 형성된 스토리지 커패시터의 전극, 게이트 라인, 센싱 신호 라인 및 고전압 전원(VDD)을 경로로 이용하여 표시 영역으로 향하던 수소가 더미 픽셀에 형성된 액티브 패턴(산화물 반도체)에 흡수된다. 이와 같이, 산화물 반도체 물질의 액티브 패턴을 더미 픽셀 영역에 형성하여 표시 영역의 픽셀들로 수소가 침투하는 것을 방지할 수 있다.In addition, hydrogen, which is secondarily injected from the outside into the OLED panel, is directed to the display region using the electrode of the storage capacitor, the gate line, the sensing signal line, and the high voltage power supply (VDD) And is absorbed by the active pattern (oxide semiconductor). Thus, an active pattern of the oxide semiconductor material may be formed in the dummy pixel region to prevent hydrogen from penetrating into the pixels of the display region.

또한, 더미 픽셀(210)을 덮도록 뱅크(250)를 형성하여 더미 픽셀에서 빛 샘 및 빛의 반사를 방지할 수 있다.In addition, the bank 250 may be formed to cover the dummy pixel 210 to prevent reflection of light and light in the dummy pixel.

비 표시 영역 형성된 복수의 더미 픽셀은 실제로 구동하지 않음으로 침투된 수소에 의해서 특성이 변화되더라도 화상을 표시하는 것에 지장이 없다. 그리고, 더미 픽셀이 구동되더라도 뱅크(250)에 의해서 빛이 가려짐으로 화상을 표시하는 것에 지장이 없다.The plurality of dummy pixels formed in the non-display area do not actually operate, so that even if the characteristics are changed by the infiltrated hydrogen, there is no problem in displaying an image. Even if the dummy pixel is driven, the image is displayed because the light is blocked by the bank 250.

본 발명이 속하는 기술분야의 당 업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

41: 정공 주입층(HIL) 32: 정공 수송층(HTL)
33: 발광층(EML) 34: 전자 수송층(ETL)
35: 정자 주입층(EIL) 120, 220: 스토리지 커패시터
130, 230: 픽셀 회로 210: 더미 픽셀
240: 액티브 패턴 250: 뱅크41: hole injecting layer (HIL) 32: hole transporting layer (HTL)
33 Emission layer (EML) 34 Electron transport layer (ETL)
35: sperm injection layer (EIL) 120, 220: storage capacitor
130, 230: pixel circuit 210: dummy pixel
240: active pattern 250: bank

Claims (7)

패널의 표시 영역에 형성된 복수의 픽셀;
상기 표시 영역의 복수의 픽셀에 형성된 유기 발광 다이오드;
상기 복수의 픽셀에 형성된 픽셀 회로 및 스토리지 커패시터;
상기 표시 영역의 외곽의 비 표시 영역에 형성된 복수의 더미 픽셀;
상기 복수의 더미 픽셀에 형성된 픽셀 회로 및 스토리지 커패시터;
상기 유기 발광 다이오드에 구동 신호를 공급하기 위해 상기 표시 영역 및 상기 비 표시 영역에 형성된 복수의 신호 라인; 및
상기 비 표시 영역에 형성된 산화물 반도체 패턴;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.A plurality of pixels formed in a display area of the panel;
An organic light emitting diode formed on a plurality of pixels of the display region;
A pixel circuit and a storage capacitor formed in the plurality of pixels;
A plurality of dummy pixels formed in a non-display area outside the display area;
A pixel circuit and a storage capacitor formed in the plurality of dummy pixels;
A plurality of signal lines formed in the display region and the non-display region to supply a driving signal to the organic light emitting diode; And
And an oxide semiconductor pattern formed in the non-display region. 제1 항에 있어서,
상기 산화물 반도체 패턴은 상기 복수의 더미 픽셀의 스토리지 커패시터를 덮도록 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.The method according to claim 1,
Wherein the oxide semiconductor pattern is formed to cover the storage capacitors of the plurality of dummy pixels. 제1 항에 있어서,
상기 산화물 반도체 패턴은 상기 비 표시 영역에 형성된 복수의 신호 라인을 덮도록 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.The method according to claim 1,
Wherein the oxide semiconductor pattern is formed to cover a plurality of signal lines formed in the non-display region. 제1 항에 있어서,
상기 산화물 반도체 패턴은 상기 비 표시 영역의 게이트 레이어에 형성된 메탈을 덮도록 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.The method according to claim 1,
Wherein the oxide semiconductor pattern is formed so as to cover a metal formed on a gate layer of the non-display region. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 더미 픽셀의 개구 영역을 덮도록 형성된 뱅크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a bank formed to cover an opening region of the plurality of dummy pixels. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 더미 픽셀은 상기 표시 영역을 둘러싸도록 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of dummy pixels are formed so as to surround the display region. 제1 항에 있어서,
상기 산화물 반도체 패턴은 IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 IGZO(Indium gallium zinc oxide)로 형성되어 수소 및 수분 침투를 차단하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.The method according to claim 1,
Wherein the oxide semiconductor pattern is formed of IZO (Indium Zinc Oxide) or IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide) to block hydrogen and moisture penetration.
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