JP2005148335A - Display device - Google Patents

Display device

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JP2005148335A
JP2005148335A JP2003384583A JP2003384583A JP2005148335A JP 2005148335 A JP2005148335 A JP 2005148335A JP 2003384583 A JP2003384583 A JP 2003384583A JP 2003384583 A JP2003384583 A JP 2003384583A JP 2005148335 A JP2005148335 A JP 2005148335A
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Noriharu Matsudate
法治 松舘
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Hitachi Displays Ltd
株式会社 日立ディスプレイズ
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device capable of displaying image of high definition and high quality by eliminating a decrease in position precision of an organic EL light emitting element due to deformation of the aperture shape of a mask. <P>SOLUTION: This display device is provide with an aperture pattern NAR for dummy pixels, which has a drawing stress absorption hole suppressing pattern precision deterioration due to deformation of an aperture pattern by absorbing stress in a process wherein a mask part MSS is fixed to a frame FLM by applying tension, outside an aperture pattern DRA for pixels. This mask is used to form a display area where many pixels contributing to display are arrayed in two dimensions and a non-display area composed of a plurality of dummy pixels which are formed around the display area and do not contribute to the display, and the same light emission layer is vapor-deposited on both the pixels and dummy pixels. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、自発光型の表示装置に関するが、特に蒸着マスクを用いて形成した有機発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス型の表示装置に好適なものである。 The present invention is directed to self-luminous display device is suitable especially organic electroluminescence type display apparatus having an organic light-emitting layer formed using the deposition mask.

ノート型コンピユータやディスプレイモニター用の高精細かつカラー表示が可能な表示装置として液晶パネルを用いた表示装置が実用化されているが、この外に有機発光材料あるいは無機発光材料を発光層とした表示装置が実用化または実用化のための研究がなされている。 Display display device using a liquid crystal panel has been put into practical use, in which the organic light emitting material or inorganic light emitting material and the light emitting layer to the outside as a notebook computer or high definition and color display capable display device for display monitor device have been made studies for practical use or commercialization. 本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(有機EL)や無機ELの発光層を有する表示装置の当該発光層の形成に限らず、電界放出型表示装置(FED)やプラズマ型表示装置(PDP)などの自発光型表示装置における蛍光体形成にも同様に適用できるが、以下では、有機EL表示装置を例として説明する。 The present invention is not limited to the formation of the light-emitting layer of the display device having a light emitting layer of an organic electroluminescence (organic EL) or inorganic EL, self such as field emission display (FED) and plasma display device (PDP) equally applicable to the phosphor formed in the light emitting display device, but in the following, a description will be given of an organic EL display device as an example.

有機ELは下層電極と上層電極で有機発光層を挟み、上下の電極から供給される電流で該有機発光層が発光する現象である。 Organic EL is sandwiched an organic light emitting layer in the lower electrode and the upper electrode, the organic light emitting layer by the current supplied from the upper and lower electrodes is a phenomenon that emits light. この発光現象を利用した有機EL表示装置は、多数の画素をマトリクス状に配置して2次元画像を表示するものであり、駆動方式により単純マトリクス型とアクティブ・マトリクス型とに分類される。 The organic EL display device using the light emission phenomenon is to display a two-dimensional image by arranging a large number of pixels in a matrix, are classified into a simple matrix type and active matrix type by driving method. 単純マトリクス型は、絶縁基板の主面の一方向に延在してほぼ平行に並設された多数の走査線と、該一方向と交叉する他方向に延在してほぼ平行に並設された多数の信号線との各交叉部に有機発光層を介在させて画素を形成したものである。 Simple matrix type, a large number of scanning lines which are arranged substantially in parallel to extend in one direction of the main surface of the insulating substrate, is arranged substantially in parallel to extend in another direction intersecting with the one direction and the organic light-emitting layer is interposed at each intersection of a number of signal lines is obtained by forming the pixel.

一方、アクティブ・マトリクス型の表示装置は、絶縁基板の主面の一方向に延在して並設された多数の走査線と、該一方向と交叉する他方向に延在して並設された多数の信号線、および電源線を備え、走査線と信号線との各交叉部に薄膜トランジスタ等のアクティブ素子(スイッチング素子、以下薄膜トランジスタと言う)を有し、この薄膜トランジスタで駆動される下層電極(画素電極)と前記信号線から供給される表示信号に応じた電流を供給する前記電源線に接続した上層電極との間に有機発光層(以下、OLEDとも称する)を介在させて構成される。 On the other hand, the active matrix display device includes a plurality of scanning lines arranged in parallel to extend in one direction of the main surface of the insulating substrate, it is arranged to extend in another direction intersecting with the one direction a large number of signal lines, and a power supply line, an active element such as a thin film transistor is each intersection of the scanning line and the signal line (the switching element, hereinafter a thin film transistor referred to) has a lower electrode driven by the thin film transistor ( the organic light-emitting layer between an upper electrode connected a current corresponding to the display signal supplied from the pixel electrode) and the signal lines to the power supply line for supplying (hereinafter, composed also referred) is interposed between OLED. アクティブ・マトリクス型の有機EL表示装置は、画素間のクロストークがなく、高精細で多階調表示が可能である。 Active matrix type organic EL display device, there is no cross-talk between pixels, it is possible to multi-gradation display with high definition.

図11は有機EL表示装置の一画素付近の構成例を模式的に説明する断面図である。 Figure 11 is a sectional view for explaining a configuration example of a near one pixel of an organic EL display device schematically. 図11に示した有機EL表示装置はアクティブ・マトリクス型であり、ガラスを好適とする透明なメイン基板SUB1の主面(内面)に薄膜トランジスタTFTを有し、この薄膜トランジスタTFTで駆動される一方の電極(ここでは陽極)ADと、他方の電極(ここでは陰極)CDの間に有機発光層OLEを挟んで発光部を構成している。 The organic EL display device shown in FIG. 11 is an active matrix type, the main surface (inner surface) of the transparent main substrate SUB1 which is preferably a glass having a thin film transistor TFT, one of the electrodes driven by the thin film transistor TFT constitute a light emitting portion (here the anode) and AD, (in this case the cathode) and the other electrode across the organic light emitting layer OLE during CD. なお、薄膜トランジスタTFTは、ポリシリコン半導体層PSI、ゲート絶縁層ISI、ゲート線(ゲート電極)GL、ソース・ドレイン電極SD、層間絶縁層IS2、IS3で構成される。 Incidentally, the thin film transistor TFT is polysilicon semiconductor layer PSI, a gate insulating layer ISI, the gate line (gate electrode) GL, a source-drain electrode SD, composed of the interlayer insulating layer IS2, IS3.

画素電極である陽極ADは、パッシベーション層PSVの上層に成膜された透明導電層ITOで構成され、パッシベーション層PSVと層間絶縁層IS3に開けたコンタクトホールでソース・ドレイン電極SDに電気的に接続されている。 Anode AD is a pixel electrode is formed of a transparent conductive layer ITO which is formed on the upper layer of the passivation layer PSV, electrically connected to the source and drain electrodes SD contact hole opened in the passivation layer PSV and the interlayer insulating layer IS3 It is. また、有機発光層OLEは陽極AD上に塗布した絶縁層で構成されたバンクBNKで囲まれた凹部に蒸着、あるいはインクジェット等の塗布手段で形成される。 The organic light emitting layer OLE is formed by a coating means to the deposition, or jet like recess surrounded by the bank BNK made of an insulating layer coated on the anode AD. そして、この有機発光層OLEとバンクBNKを覆って陰極CDがアルミニウム薄膜やクロム薄膜などの導電性のベタ膜で形成されている。 Then, the cathode CD is formed of a conductive solid film such as an aluminum thin film or a chromium thin film covers the organic light emitting layer OLE and the bank BNK.

この有機EL表示装置は、所謂ボトムエミッション型と称するものであり、発光層からの発光光Lはメイン基板SUB1の表面から外部に矢印で示したように出射される。 The organic EL display device, which is referred to as a so-called bottom emission type, the light emitting light L from the light-emitting layer is emitted as indicated by the arrow to the outside from the surface of the main substrate SUB1. したがって、陰極CDは光反射能を有するものとされる。 Therefore, the cathode CD is to have a light reflectivity. メイン基板SUB1の主面側には、封止缶とも称される封止ガラス基板SUB2が貼り合わされ、図示しない周辺部を周回するシール内部を真空状態に封止される。 The main surface of the main substrate SUB1 is referred sealing glass substrate SUB2 with the sealing can is bonded and sealed to seal internal orbiting the periphery (not shown) to a vacuum state.

図12は有機EL表示装置の全体構成例の説明図である。 Figure 12 is an explanatory diagram of the overall configuration example of an organic EL display device. 図11で説明した構成を有する画素PXをマトリクス状に配置して2次元の表示装置を構成している。 The pixels PX having the configuration described in FIG. 11 arranged in a matrix to constitute the two-dimensional display device. 各画素は第1の薄膜トランジスタTFT1と第2の薄膜トランジスタTFT2およびコンデンサCs並びに有機EL素子OLEDで構成される。 Each pixel is composed of a first thin film transistor TFT1 second thin film transistor TFT2 and the capacitor Cs and the organic EL element OLED. 有機EL素子OLEDは図11で説明した構造の画素を構成する。 The organic EL element OLED in a pixel of the structure described in FIG. 表示領域AR内には、各画素に駆動信号を供給するためのドレイン線DLとゲート線GLとが交差配置されている。 In the display region AR, and the drain lines DL and the gate lines GL for supplying a driving signal to each pixel is crossed configuration. メイン基板SUB1の一部は封止ガラス基板SUB2よりサイズが大きく、封止ガラス基板SUB2からはみ出している。 Some of the main substrate SUB1 is larger in size than the sealing glass substrate SUB2, it protrudes from the sealing glass substrate SUB2. このはみ出し部分にドレインドライバDDRが搭載され、ドレイン線DLに表示信号を供給する。 Drain driver DDR to this protruding portion is mounted, and supplies the display signal to the drain line DL.

一方、ゲートドライバGDRは封止ガラス基板SUB2で覆われるメイン基板SUB1上に、所謂システム・オン・グラスと称する形態で直接形成されている。 On the other hand, the gate driver GDR is formed on the main substrate SUB1 is covered with the sealing glass substrate SUB2, and is directly formed in a form that is referred to as a so-called system-on-glass. このゲートドライバGDRにゲート線GLが接続されている。 Gate line GL is connected to the gate driver GDR. なお、表示領域ARには電源線CLが配置されている。 The power supply line CL is arranged in the display region AR. この電源線CLは電源線バス線を介して図示しない端子で外部電源に接続している。 The power supply line CL is connected to an external power source terminal (not shown) via a power line bus line.

ゲート線GLは画素PXを構成する第1の薄膜トランジスタTFT1のソース・ドレイン電極の一方(ここではゲート電極)に接続し、ドレイン線DLはソース・ドレイン電極の一方(ここではソース電極)に接続している。 The gate line GL is connected to one of the source and drain electrodes of the first thin film transistor TFT1 which constitute the pixel PX (the gate electrode in this case), the drain line DL is connected to one (source electrode in this case) of the source and drain electrodes ing. この第1の薄膜トランジスタTFT1は、画素PXに表示信号を取り込むためのスイッチであり、ゲート線GLで選択されてオンとなったときドレイン線DLから供給される表示信号に応じた電荷を容量Csに蓄積する。 The first thin film transistor TFT1 is a switch for taking a display signal to the pixels PX, a charge corresponding to a display signal supplied from the drain line DL when turned on is selected by the gate line GL to the capacitance Cs accumulate. 第2の薄膜トランジスタTFT2は、第1の薄膜トランジスタTFT1がオフした時点でオンとなり、容量Csに蓄積された表示信号の大きさに応じた電流を電源線CLから有機EL素子OLEDに供給する。 Second thin film transistor TFT2 includes a first thin film transistor TFT1 is turned on at the time of off, supplies a current corresponding to the size of the display signal stored in the capacitor Cs from a power supply line CL to the organic EL element OLED. 有機EL素子OLEDは供給された電流量に応じて発光する。 The organic EL element OLED emits light corresponding to the amount of current supplied.

この有機EL表示装置の画素を構成する有機EL素子OLEDの形成方法には、様々な方法があるが、その一つに蒸着を用いる方法が知られている。 This method of forming the organic EL element OLED included in the pixel of the organic EL display device, there are various methods, the method is known to use evaporation to one of them. この蒸着は、画素毎に開孔を有する蒸着マスク(以下、単にマスクとも称する)を用いてOLEDを画素領域に蒸着するものである。 This deposition, deposition mask (hereinafter, simply referred to as a mask) having an opening for each pixel is to depositing the OLED in a pixel region with. ここでは、有機EL表示装置が大サイズの一枚のガラス母基板から比較的小サイズの複数枚の表示用基板(以下パネルとも称する)を製作する場合について説明するが、一枚のガラス母基板から一枚のパネルを製作するものにも同様に適用される。 Here, there will be described a case where the organic EL display device is fabricated a plurality of display substrate of relatively small size from one glass mother substrates of large size (also referred to hereinafter panel), one glass mother substrates It applies equally to those of fabricating a single panel from.

なお、OLEDの形成とその蒸着マスクを開示したものとしては、例えば特許文献1を挙げることができる。 As the one disclosed the deposition mask with the formation of the OLED, it can be cited for example the Patent Document 1.
特開2002−299051号公報 JP 2002-299051 JP

大サイズの一枚のガラス母基板から複数枚の小サイズのパネルを製作する場合に、各パネルの画素領域にOLEDを蒸着する蒸着マスク(以下、単にマスクとも称する)はガラス母基板全体を覆う大きさのマスク部と、マスク部の周囲を固定して保持する枠体(フレームとも称する)とから構成される。 When fabricating a panel of a plurality of small size from one glass mother substrate having a large size, the deposition mask for depositing the OLED in a pixel area of ​​each panel (hereinafter, simply referred to as mask) covers the whole glass base substrate the size of the mask portion, from a frame which fixes and holds the periphery of the mask portion (also referred to as frame) constructed. マスク部には上記した複数枚のパネル毎の開孔領域が配列され、各開孔領域には各パネルに形成される多数の画素に相当した多数の開孔パターン(マスクパターンとも称する)を有している。 The mask portion aperture area of ​​each panel of a plurality of the above are arranged, in each opening area have a large number of apertures pattern corresponding to a large number of pixels formed in each panel (also mask pattern referred to) are doing. そして、この開孔を有して複数の領域を持つマスク部は、テンションをかけてフレームに固定される。 Then, the mask portion having a plurality of regions having the aperture is fixed to the frame over the tension. このテンションの印加が各開孔領域に有する開孔の形状を変形させる場合がある。 Application of the tension which may deform the shape of the apertures having in each aperture region.

画素領域にOLEDを蒸着するプロセスでは、このマスクのマスク部をガラス母基板に密着させて蒸着源(OLED材料の蒸着源)からのOLED蒸気を開孔を通して所定の画素領域の画素毎に蒸着する。 The process of depositing the OLED in the pixel region, depositing a mask portion of the mask for each pixel in a predetermined pixel region through opening the OLED vapor from the deposition source in close contact with the glass base substrate (evaporation source OLED material) . したがって、蒸着プロセス中では、このマスクは蒸着源から常に加熱されている。 Thus, during the deposition process, the mask is always heated from the deposition source. その結果、各領域に有する開孔の形状が変形する場合がある。 As a result, there is a case where the shape of the apertures having in each area is deformed.

さらに、蒸着対象であるガラス母基板を交換する毎に、常温等、蒸着雰囲気とは相対的に低温である当該ガラス母基板によりマスク部が冷却(接触冷却)される。 Further, each time exchanging glass base substrate is a deposition target, ambient temperature, etc., the mask portion is cooled (contact cooling) by the glass base substrate is relatively low temperature and the vapor deposition atmosphere. その結果、各領域に有する開孔の形状が変形する場合がある。 As a result, there is a case where the shape of the apertures having in each area is deformed.

このように、フレームでマスク部を固定した蒸着用のマスクにおいて、当該マスク部には常にテンションが印加された状態で熱膨張と熱収縮による応力が繰り返し印加される。 Thus, in the mask for the deposition of fixing the mask portion in the frame is always tension on the mask portion is stress due to thermal expansion and thermal contraction is repeatedly applied in a state of being applied. その結果として、開孔の形状に変形が生じる。 As a result, deformation in the shape of the aperture. 開孔の形状が変形すれば、画素に蒸着されるOLEDの蒸着位置あるいは形状も変形を受ける。 If the shape of the opening is deformed, the deposition position or shape of the OLED to be deposited on the pixel also undergo deformation.

これらの変形は、特に各領域内の外側に位置する開孔において大きい。 These variations are large particularly in apertures located outside in each region. 開孔形状の変形は蒸着されるOLEDの位置精度の低下をもたらし、画素の配置精度が劣化し、品質低下の原因となる。 Deformation of the aperture geometry results in a reduction in the positional accuracy of the OLED to be deposited, placement accuracy of the pixels is deteriorated, causing degradation. これを解消するのが課題の一つとなっている。 To solve this problem is one of the challenges.

本発明は、上記した課題を解消して高品質の画像表示を可能とした表示装置を実現することにある。 The present invention is to realize a display device capable of high-quality image display by eliminating the problems described above.

マスク部をテンションを印加してフレームに固定する工程で生じる応力(引っ張り応力)を吸収し、開孔パターン(マスクパターン)の変形によるパターン精度劣化を抑制する引っ張り応力吸収孔を設ける。 The mask portion absorbs the stress (tensile stress) caused by the step of fixing to the frame by applying a tension, providing an opening pattern (a mask pattern) to suppress tensile stress-absorbing hole pattern accuracy deterioration due to deformation of the. このマスクを用いて、表示に寄与する多数の画素を二次元配列した表示領域と、この表示領域の外周に形成されて表示に寄与しない複数のダミー画素からなる非表示領域とを形成する。 Using this mask, to form a display region in which multiple pixels are arranged two-dimensionally contribute to display, and a non-display region comprising a plurality of dummy pixels that do not contribute to the display is formed on the outer periphery of the display area. 画素と前記ダミー画素には、共に同一の発光層が蒸着されている。 The dummy pixel and pixel are both the same light-emitting layer is deposited.

マスク部に形成する開孔の形状を画素とダミー画素とで異ならせることで、画素を配置した表示領域の回りに形成するダミー画素列を画素と異なる形状とすることもできる。 By varying the shape of the apertures formed in the mask portion in the pixel and the dummy pixel can be different from the pixel shape dummy pixel row formed around the display area arranged pixels. なお、ダミー画素の下層に所謂システム・オン・グラス(チップ・オン・グラス)で形成した駆動回路があってもよい。 Incidentally, a so-called system-on-glass under the dummy pixels may be a driver circuit which is formed by (chip on glass). また、このような駆動回路がないものでは、画素と同じような薄膜トランジスタや下層の電極をダミー画素として形成してもよい(この場合、上層の電極を形成しないことでダミー画素は発光に寄与しないようにする。 Further, the one not such a driving circuit, similar to the thin film transistor and the lower electrode may be formed as a dummy pixel (in this case the pixel, the dummy pixel by not forming the upper electrode does not contribute to light emission so as to.

なお、本発明は上記の構成および後述する実施例の構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく種々の変更が可能である。 The present invention is not limited to the structure of the embodiment of the above structure and below, and various modifications are possible without departing from the spirit of the invention.

本発明によれば、蒸着用のマスク部に有する画素用の開孔は、該マスク部をフレームに固定する際に印加するテンションによって変形し難くなり、表示領域の画素に蒸着されるOLEDの位置精度が向上し、高品質の画像表示が可能な表示装置を得ることができる。 According to the present invention, apertures of pixels having the mask portion for deposition hardly deformed by tension applied when fixing the mask portion to the frame, the position of the OLED to be deposited to the pixels of the display area improved accuracy can be high-quality image display can obtain a display device capable.

以下、本発明の表示装置の実施の形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the display device of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. なお、以下では本発明を有機EL表示装置に適用したものについて説明する。 In the following is described the present invention is applied to an organic EL display device.

図1は本発明による有機EL表示装置の発光層を製作するための蒸着用のマスクの構成例を説明する模式図である。 Figure 1 is a schematic diagram for explaining a configuration example of a mask for vapor deposition for fabricating the light-emitting layer of the organic EL display device according to the present invention. 図1(a)は平面図、図1(b)は図1(a)のA−A'線に沿った断面図である。 1 (a) is a plan view, FIG. 1 (b) is a sectional view taken along line A-A 'in FIG. 1 (a). なお、図1(c)は有機EL表示装置を構成するガラス母基板MGPを示す。 Incidentally, FIG. 1 (c) shows the glass base substrate MGP constituting the organic EL display device. このマスクMSKはマスク部MSSとフレームFLMで構成される。 The mask MSK is composed of a mask portion MSS and the frame FLM. マスク部MSSとフレームFLMは共に鉄系金属で形成される。 Mask portion MSS and the frame FLM are both formed of a ferrous metal.

マスク部MSSは板厚が、例えば10μm〜100μm程度の薄板に複数枚の小サイズのパネルを製作するための複数の開孔領域ARが配置されている。 Mask portion MSS sheet thickness is, for example, a plurality of apertures area AR for fabricating panels of a plurality of small size sheet of about 10μm~100μm are arranged. このマスク部MSSはテンションをかけてフレームFLMに固定される。 The mask portion MSS is fixed to the frame FLM over tension. フレームFLMの板厚は、例えば5mm〜10mmである。 The thickness of the frame FLM is, for example, 5 mm to 10 mm. このマスクMSKはガラス母基板MGP全体を覆う大きさを有している。 The mask MSK has a size to cover the entire glass mother substrate MGP. そして、マスク部MSSの内側の蒸着領域MRには、ブリッジBRGで連結された複数枚のパネル毎の開孔領域ARを有し、各開孔領域ARには各パネルに形成される多数の画素に相当した画素用開孔パターンDARが形成されている。 Then, inside the deposition region MR of the mask portion MSS, has an opening area AR of a plurality of each panel connected by a bridge BRG, number of pixels in each aperture area AR is formed on each panel opening pattern DAR for corresponding the pixel is formed in. そしてさらに、この画素に相当した多数の画素用開孔パターンDARの周囲には、表示に寄与しないダミー画素に対応したダミー画素用開口パターンNARが形成されている。 And further, on the periphery of the large number of pixels for opening pattern DAR which corresponds to this pixel, the dummy pixel opening pattern NAR corresponding to the dummy pixels that do not contribute to display is formed.

画素領域に3色のOLE材料を蒸着するプロセスでは、それぞれの色毎に用意したマスクMSKのマスク部MSSをガラス母基板MGPに密着させて蒸着源(OLED材料の蒸着源)からの3色のOLE蒸気をそれぞれのマスクの開孔パターンDAR、NARの開孔を通して所定の画素領域の画素およびダミー画素に蒸着する。 In the process of depositing the OLE material three colors in the pixel region, the three colors of the mask portion MSS of the mask MSK which is prepared for each color from the evaporation source in close contact to the glass base substrate MGP (evaporation source OLED material) depositing OLE vapor opening pattern DAR each mask, the pixel and the dummy pixels in a predetermined pixel region through openings of the NAR. なお、色毎にマスクを用意せずに、1枚のマスクを色毎にずらして蒸着する方法もある。 It should be noted, without providing a mask for each color, there is also a method of depositing by shifting a single mask for each color.

マスクMSKは、テンションを加えてフレームFLMに固定される。 Mask MSK is fixed to the frame FLM added tension. そして、前記したように、OLEの蒸着プロセスで加熱と冷却が繰り返される。 Then, as described above, the heating and cooling in OLE the deposition process is repeated. その結果、開孔領域ARの外側に位置する開孔部分に応力が集中し、開孔に変形が発生する。 As a result, stress is concentrated on the opening portion located outside of the opening region AR, deformation occurs in the opening. この応力による開孔形状の変形は開孔領域ARの最外周から内側に行く程少なくなる。 Deformation of the aperture shape by the stress is reduced enough to go to the inside from the outermost periphery of the aperture region AR. したがって、開孔領域ARの最外周から十分な距離の開孔では、この変形を無視することが可能となる。 Accordingly, in opening a sufficient distance from the outermost periphery of the aperture region AR, it is possible to ignore the variations.

このような多数の開孔を形成した3色のOLE蒸着用マスクにおいて、上記した変形を無視できる十分な距離は下記のように解析できる。 In such a large number of three-color OLE deposition mask formed with openings, sufficient distance negligible deformation described above can be analyzed as follows. すなわち、 That is,
L1=DP/Th ・・・・・(1) L1 = DP / Th ····· (1)
L2=3×DP ・・・・・(2) L2 = 3 × DP ····· (2)
L2≦L0≦L1 ・・・・・(3) L2 ≦ L0 ≦ L1 ····· (3)
但し、L1:マスク精度確保に必要な第1距離 L2:マスク精度確保に必要な第2距離 L0:マスク精度確保に必要な距離の最適値 DP:マスクの開孔ピッチ(mm) However, L1: first distance required mask accuracy ensured L2: mask accuracy second distance required to ensure L0: optimum value of the distance required to mask accuracy ensured DP: mask aperture pitch (mm)
Th:マスク板厚である。 Th: it is the mask thickness.

上記式(3)によれば、開孔ピッチの3倍程度の距離を確保すれば、マスク開孔のピッチ精度を確保することが可能な領域になることが分る。 According to the equation (3), if secure the distance of 3 times the aperture pitch, it is understood to be a region capable of ensuring a pitch accuracy of the mask apertures. すなわち、図1に示したダミー画素の最低必要な領域は各色について3個ずつ必要となる。 That is, a minimum necessary area of ​​the dummy pixel shown in FIG. 1 is required in triplicate for each color. このダミー画素領域(ダミー蒸着領域)を少なくすると開孔精度が低下し、大サイズのパネルのマスクでは開孔の変形がより大きくなる。 When this dummy pixel regions (dummy deposition region) is less reduces the aperture accuracy, deformation of the apertures is greater in the mask of large size panels.

図2は本発明の有機EL表示装置のパネルとなるメイン基板の平面図である。 Figure 2 is a plan view of a main board which is a panel of the organic EL display device of the present invention. 以下の各実施例の説明では、蒸着マスクの構成を、この蒸着マスクで蒸着されたメイン基板上の画素およびダミー画素で説明する。 In the following description of each embodiment, the configuration of the deposition mask, described in pixels and dummy pixels on the main substrate deposited at the deposition mask. ここで、画素とは表示に寄与する発光画素、ダミー画素は表示には寄与しない非発光画素を意味する。 Here, contributing light emitting pixels on the display from the pixel, the dummy pixel means a non-light-emitting pixels which does not contribute to display. 以下、蒸着マスクの画素用開孔パターンとダミー画素用開孔パターンを、メイン基板上に蒸着された各対応する画素およびダミー画素で説明する。 Hereinafter, the opening pattern and a dummy pixel for opening pattern pixel of the deposition mask, described in the corresponding pixels and the dummy pixels deposited on a main substrate.

図3は本発明の実施例1を説明するための図2のBで示した隅部におけるOLE蒸着パターンの平面図である。 Figure 3 is a plan view of the OLE deposition pattern in the corner portion shown in B of FIG. 2 for the first embodiment will be described of the present invention. 本実施例の表示装置は、その3色(R,G,B)の画素がX方向とY方向に整列した画素パターンを有する。 Display device of the present embodiment has a pixel pattern pixel are aligned in the X and Y directions of the three colors (R, G, B). 図3において、DARRは図1に示したマスクの画素用開孔パターンでOLE材料が蒸着された画素からなる有効表示領域、NARRは同じくダミー画素用開孔パターンNARでOLE材料が蒸着されたダミー画素からなる非発光領域である。 In FIG. 3, darr the effective display area formed of pixels OLE material is deposited at a pixel for opening pattern of the mask shown in FIG. 1, NARR was also OLE material deposited in opening pattern NAR dummy pixel dummy it is a non-emitting region made of pixels. 有効表示領域DARRは3色の画素R,G,Bで1カラー画素が構成されている。 Effective display region DARR three color pixels R, G, 1 color pixel is composed of a B.

本実施例では、非発光領域NARRはX方向とY方向の両方に各色が3個宛に形成されている。 In this embodiment, the non-emission region NARR each color in both the X and Y directions are formed in three addressed. すなわち、X方向に各色毎に3個すなわち3つのカラーダミー画素の領域(X−1,X−2,X−3)が配列され、Y方向にも各色毎に3個のダミー画素の領域(Y−1,Y−2,Y−3)が配置されている。 That is, the region of three i.e. three colors dummy pixel for each color (X-1, X-2, X-3) are arranged in the X direction but also in the Y-direction region of three dummy pixel for each color ( Y-1, Y-2, Y-3) is disposed. この有効表示領域および非発光領域の画素およびダミー画素に対応した開孔が蒸着マスクに形成されている。 The effective display area and apertures corresponding to the pixels and the dummy pixels of the non-light-emitting region is formed in the deposition mask.

ここで、領域X−1および領域Y−1に対応する開孔は、(1)マスク原板製作精度の向上のための予備開孔と(2)マスクをフレームに固定する時のテンション印加による画素用開孔パターンの開孔精度の劣化抑制のための開孔との2つの役割を持つ。 Here, opening corresponding to the region X-1 and regions Y-1, the pixels by tension applied when fixing the frame to preliminary opening and (2) a mask for the improvement of (1) a mask original plate manufacturing accuracy It has two roles of the openings for the apertures accuracy deterioration suppression of use opening pattern. また、領域X−2および領域Y−2に対応する開孔は、領域X−1,Y−1と組み合わせてマスク部をフレームに固定する際のテンションによる画素用開孔パターンの開孔精度の劣化を抑制する。 Further, openings corresponding to the region X-2 and the area Y-2, the area X-1, Y-1 and the aperture pixel accuracy for opening pattern by the tension in fixing the mask portion to the frame in combination to suppress the deterioration.

領域X−1,X−2および領域Y−1,Y−2に対応する開孔は、当該領域内のダミー画素用開孔を積極的に変形させることにより、有効表示領域DARR内の画素R,G,BにOLEを蒸着するための画素用開孔パターンDAR(図1)に過大な応力が伝播するのを抑制し、有効表示領域DARR内の画素用開孔パターンDARの開孔精度を維持させる役割を持つ。 Apertures corresponding to the region X-1, X-2 and the area Y-1, Y-2 is that by actively deforming the dummy pixel for opening of the region, the pixel R in the effective display area DARR , G, excessive stress on the pixels for opening pattern DAR for depositing OLE (Figure 1) is prevented from propagating to B, and apertures pixel accuracy for opening pattern DAR in the effective display region DARR It has a role to maintain.

そして、領域X−3および領域Y−3に対応する開孔は、マスクの熱容量の比較的小さい部分(有効表示領域DARR)と熱容量の比較的大きい部分(ダミー画素用開孔パターンの領域X−2,X−1、Y−2,Y−2、およびその外側に対応)の間に位置して、上記領域X−2および領域Y−2に対応する開孔よる効果と併せて、蒸着プロセス中の温度変化でマスクMSKに発生する応力を吸収し、有効表示領域DARRの画素に対応する画素用開孔の形状精度劣化を抑制して、所謂動的精度を向上する。 Then, opening corresponding to the region X-3 and region Y-3 is a relatively large portion (dummy pixel for opening pattern of relatively small portion (the effective display area darr) heat capacity of the heat capacity of the mask area X- 2, X-1, Y-2, Y-2, and located between the support) on the outside thereof, in conjunction with the opening by effect corresponding to the region X-2 and the area Y-2, the deposition process absorb stress generated in the mask MSK temperature change during suppresses the shape accuracy deterioration of the pixel for apertures corresponding to the pixels of the effective display area darr, to improve the so-called dynamic accuracy.

本実施例により、(1)有機ELの画素にOLEを蒸着するための蒸着マスクの動的精度が向上し、開孔の形状や面積の変形ばらつきが向上する(ダミー画素用開孔パターンを有しない場合の変形ばらつきが例えば±10μmであったものが、本実施例では±5μmとなった)。 According to this embodiment, (1) the pixel of the organic EL improves the dynamic accuracy of the deposition mask for depositing the OLE, deformation variations in the shape and area of ​​the opening is increased (the opening pattern for dummy pixels Yes those modified variation when no was for example ± 10 [mu] m has a ± 5 [mu] m in this embodiment). また、蒸着マスクの開孔パターンを、製品に必要な領域とマスク精度確保に必要な領域に分類して設計し、製作することができるため、特に量産用の蒸着マスク固体差を縮小できる。 Furthermore, the opening pattern of the deposition mask, and classified to the space required for the area and the mask accuracy ensuring required product design, it is possible to manufacture, in particular reducing the deposition mask individual differences for mass-production.

この蒸着マスクを用いることにより、表示装置の有効表示領域の最外周の画素に多く発生するOLEの蒸着精度劣化が回避され、歩留りが向上し、高精細、大画面の表示装置を実現できる。 By using this deposition mask, it avoids effective display OLE deposition accuracy deterioration often occurs to the pixel of the outermost peripheral area of ​​the display device, the yield is improved, and it is possible to realize a high-definition, large-screen display device.

図4は本発明の実施例2を説明するための図2のBで示した隅部におけるOLE蒸着パターンの平面図である。 Figure 4 is a plan view of the OLE deposition pattern in the corner portion shown in B of FIG. 2 for the second embodiment will be described of the present invention. 図4において、図3と同一参照符号は同一機能部分に対応する。 4, the same reference numerals as Figure 3 correspond to identical functional parts. ここでは、本実施例が実施例1と異なる構成とその効果についてのみ説明する。 Here, the description structure present embodiment is different from example 1 and its effect only. 本実施例の表示装置は、その3色(R,G,B)の画素のそれぞれがX方向とY方向に千鳥状に配列した画素パターンを有する。 Display device of this embodiment has the three colors (R, G, B) pixel patterns, each pixel of the are arranged in a zigzag pattern in the X and Y directions. この実施例でも、有効表示領域DARRの外側に非発光領域NARRを有する。 Also in this embodiment, it has a non-light-emitting region NARR outside the effective display region darr. すなわち、蒸着マスクには、図4に示したような画素を蒸着する画素用開孔パターンおよびダミー画素を蒸着するダミー画素用開孔パターンを有する。 That is, the deposition mask has an aperture pattern for dummy pixels depositing a pixel opening pattern and the dummy pixel pixel depositing as shown in FIG.

図4の画素およびダミー画素を蒸着する蒸着マスクの非発光領域NARRに対応する開孔パターンは、図3と同様に領域X−1,Y−1、領域X−2,Y−2、領域X−3,Y−3で構成されている。 FIG opening pattern corresponding to the non-light-emitting region NARR the deposition mask for depositing the pixels and the dummy pixels 4, 3 as well as area X-1, Y-1, area X-2, Y-2, the area X -3, and a Y-3. これらの各領域の役割と効果は実施例1と同様であるので、繰り返しの説明はしない。 Since the role and effect of each of these areas is the same as the first embodiment, no repetitive description of.

本実施例によっても、実施例1と同様に、有機ELの画素にOLEを蒸着するための蒸着マスクの動的精度が向上し、開孔の形状や面積の変形ばらつきが向上する。 Also with this embodiment, in the same manner as in Example 1, it improves the dynamic accuracy of the deposition mask for depositing the OLE to pixels of an organic EL, is improved deformation variations in the shape and area of ​​the opening. また、蒸着マスクの開孔パターンを、製品に必要な領域とマスク精度確保に必要な領域に分類して設計し、製作することができるため、特に量産用の蒸着マスク固体差を縮小できる。 Furthermore, the opening pattern of the deposition mask, and classified to the space required for the area and the mask accuracy ensuring required product design, it is possible to manufacture, in particular reducing the deposition mask individual differences for mass-production. そして、この蒸着マスクを用いることにより、表示装置の有効表示領域の最外周の画素に多く発生するOLEの蒸着精度劣化が回避され、歩留りが向上し、高精細、大画面の表示装置を実現できる。 Then, by using the evaporation mask, is avoided OLE deposition accuracy deterioration often occurs to the pixel of the outermost periphery of the effective display area of ​​the display device, the yield is improved, and it is possible to realize a high-definition, large-screen display device .

図5は本発明の実施例3を説明するための図2のBで示した隅部におけるOLE蒸着パターンの平面図である。 Figure 5 is a plan view of the OLE deposition pattern in the corner portion shown in B of FIG. 2 for the third embodiment will be described of the present invention. 図5において、図3〜図4と同一参照符号は同一機能部分に対応する。 5, the same reference numerals as FIGS. 3-4 indicate identical functional parts. 本実施例では、画素およびダミー画素はY方向に延在し、X方向に並設されたストライプ状である。 In this embodiment, pixels and dummy pixels extending in the Y direction, a stripe shape are arranged in parallel in the X direction. そして、X方向では、それぞれ3色のストライプで構成される領域X−1,X−2,X−3を有し、Y方向には前記した実施例1および実施例2におけるY−1,Y−2,Y−3の全領域に相当する長さの領域Y−1のみを有する。 Then, in the X direction, each having a region formed of X-1, X-2, X-3 in 3-color stripes, in Examples 1 and 2 mentioned above in the Y direction Y-1, Y -2, with only regions Y-1 of a length corresponding to the entire region of the Y-3. この領域Y−1のY方向長さは、前記実施例1で説明した応力の全てを吸収するのに十分な長さ(例えば、画素ストライプのピッチの3倍程度)があればよい。 Y-direction length of the region Y-1 may if there is sufficient length (e.g., about three times the pixel pitch stripes) to absorb all the stresses described in the embodiment 1. 以下、これについて説明する。 This will be explained.

図5において、 In FIG. 5,
画素ストライプのX方向ピッチ(例えば、Gストライプから次のGストライプまでの距離)をPx、画素ストライプのY方向ピッチをPy、有機EL表示装置の対角サイズを公称Dインチとしたとき、 Pixel stripe X-direction pitch (e.g., distance from the G stripe to the next G stripe) when the Px, a Y-direction pitch of the pixel stripes Py, nominal D inches diagonal size of the organic EL display device,
Px=210μm Px = 210μm
Py=70μm Py = 70μm
D=3.5インチ(8.89mm) D = 3.5 inch (8.89mm)
の設計に対し、下記A,B2つの仕様の蒸着マスクで表示装置を試作し、これを検証したところ、同表1に示す効果が確認された。 The relative design, a prototype display device in the deposition mask below A, B2 single specification was verify this, the effect shown in Table 1 was confirmed.

A仕様 (領域X−1)+(領域X−2)+(領域X−3)=630μm・・・有効表示領域DARRから非発光領域NARRに3ピッチ分 (Y−1)=200μm・・・Y方向の画素ピッチの約3倍 B仕様 (領域X−1)+(領域X−2)+(領域X−3)=210μm・・・有効表示領域DARRから非発光領域NARRに1ピッチ分 (Y−1)=100μm A Specifications (area X-1) + (area X-2) + (area X-3) = 630μm ··· 3 pitches from the effective display region DARR the non-emission region NARR (Y-1) = 200μm ··· Y three times B specifications in the direction of the pixel pitch (area X-1) + (area X-2) + (area X-3) = 210μm 1 pitch ... from the effective display region DARR the non-emission region NARR ( Y-1) = 100μm

本実施例では、マスクMSKのマスク部MSSはフレームFLMのY方向にタンションを加えて固定される。 In this embodiment, the mask portion MSS of the mask MSK is fixed by adding Tanshon in the Y direction of the frame FLM. 実施例1〜実施例2と同様に、有機ELの画素にOLEを蒸着するための蒸着マスクの動的精度が向上し、開孔の形状や面積の変形ばらつきが向上する。 In the same manner as in Example 1 to Example 2, to improve the dynamic accuracy of the deposition mask for depositing the OLE to pixels of an organic EL, it is improved deformation variations in the shape and area of ​​the opening. また、蒸着マスクの開孔パターンを、製品に必要な領域とマスク精度確保に必要な領域に分類して設計し、製作することができるため、特に量産用の蒸着マスク固体差を縮小できる。 Furthermore, the opening pattern of the deposition mask, and classified to the space required for the area and the mask accuracy ensuring required product design, it is possible to manufacture, in particular reducing the deposition mask individual differences for mass-production. そして、この蒸着マスクを用いることにより、表示装置の有効表示領域の最外周の画素に多く発生するOLEの蒸着精度劣化が回避され、歩留りが向上し、高精細、大画面の表示装置を実現できる。 Then, by using the evaporation mask, is avoided OLE deposition accuracy deterioration often occurs to the pixel of the outermost periphery of the effective display area of ​​the display device, the yield is improved, and it is possible to realize a high-definition, large-screen display device .

図6は本発明の実施例4を説明するための図2のBで示した隅部におけるOLE蒸着パターンの平面図である。 6 is a plan view of the OLE deposition pattern in the corner portion shown in B of FIG. 2 for a fourth embodiment will be described of the present invention. 図6において、前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に対応する。 6, the same reference numerals and drawings of the embodiment corresponds to the same functional portions. 本実施例は、前記した実施例1の変形に相当し、蒸着マスクの精度劣化の要因の多くがマスク部をフレームに固定する際に印加されるテンションである場合の構成例である。 This embodiment corresponds to a modification of the first embodiment described above, a number of factors accuracy deterioration of the deposition mask is a configuration example of a case where the tension applied when fixing the mask portion to the frame. この場合、非発光領域NARRの最外周の領域X−1と領域Y−1を大きく設計し、当該領域X−1と領域Y−1の前記実施例1で説明した効果を強調する。 In this case, the area X-1 and the region Y-1 of the outermost periphery of the non-light-emitting region NARR large design emphasize the effect described in Example 1 of the region X-1 and the region Y-1. 領域X−2,X−3と領域Y−2,Y−3は実施例1と同様とする。 Area X-2, X-3 and the region Y-2, Y-3 is the same as in Example 1. これにより、有効表示領域DARRの画素の蒸着精度が向上する。 This improves the deposition accuracy of the pixels of the effective display area darr.

この場合、非発光領域への蒸着面積が広くなり、有効表示領域の外周に広い蒸着面積が必要となる。 In this case, the deposition area of ​​the non-light-emitting region is widened, it is necessary to large deposition area on the outer periphery of the effective display area. このような広い蒸着面積を有効表示領域の外周に確保することが困難な場合は、領域X−1と領域Y−1の各ダミー画素に対応する開孔を細くして数を増加する等、実質的な蒸着面積を少なくする設計も考えられる。 When it is difficult to secure the outer periphery of the effective display area of ​​such a wide deposition areas, etc. to increase the number by narrowing the opening corresponding to the dummy pixel regions X-1 and the region Y-1, designed to reduce the substantial deposition area is also conceivable.

図7は本発明の実施例5を説明するための図2のBで示した隅部におけるOLE蒸着パターンの平面図である。 Figure 7 is a plan view of the OLE deposition pattern in the corner portion shown in B of FIG. 2 for Example 5 illustrating the present invention. 図7において、前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に対応する。 7, the same reference numerals and drawings of the embodiment corresponds to the same functional portions. 本実施例は、前記した実施例3の変形に相当し、Y方向の領域Y−1はY方向の画素ピッチPyの2倍以上とする。 This embodiment corresponds to a modification of the third embodiment described above, the region Y-1 in the Y direction is at least twice the Y direction of the pixel pitch Py. 図5におけるX方向の領域X−1,X−2,X−3はストライプ幅を縮小(マスクのスリット幅を縮小)して、領域X−4を増設したものである。 FIG area X-1 in the X direction in 5, X-2, X-3 is reduced stripe width (reduced slit width of the mask), is obtained by adding the area X-4.

これにより、マスク部をフレームに固定する際の印加されるテンションに起因する大きな応力を領域X−1,X−2,X−3によって吸収し、その他の応力を領域X−4から外側の領域(X−1,X−2,X−3,X−4)で吸収する。 Accordingly, the region outside the large stress due to the tension is absorbed by the region X-1, X-2, X-3, and other stresses from the area X-4 the applied when fixing the mask portion to the frame absorb in (X-1, X-2, X-3, X-4). その結果、有効表示領域DARR内の画素に蒸着されるOLEの蒸着精度を確保する。 As a result, to ensure the OLE deposition accuracy to be deposited on the pixel in the effective display region darr. この場合、応力吸収を行う領域が狭くなるため、領域X−1,X−2,X−3,X−4に渡るストライプに対応するスリットの幅、形状変形(応力を吸収したことによる作用)入力よる影響を有効表示領域DARR内の画素に対応する開孔パターンは受けないように設計する。 In this case, since the region for stress absorption is reduced, (action by absorbing the stress) area X-1, X-2, X-3, X-4-standing slit having a width corresponding to the stripe shape deformation opening pattern corresponding to the pixels in the effective display region DARR input by impact is designed to be received.

図8は本発明の実施例6を説明するための図2のBで示した隅部におけるOLE蒸着パターンの平面図である。 Figure 8 is a plan view of the OLE deposition pattern in the corner portion shown in B of FIG. 2 for Example 6 illustrating the present invention. 図8において、前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に対応する。 8, the same reference numerals and drawings of the embodiment corresponds to the same functional portions. 本実施例は、メイン基板にダミー画素の蒸着面積が十分に確保できない場合に有効であり、また実施例2の変形に相当する。 This embodiment is effective when the deposition area of ​​the dummy pixel in the main substrate can not be sufficiently secured, also corresponds to the modification of Example 2. 本実施例における蒸着マスクは、表示装置の非発光領域NARRに設けるダミー画素を蒸着するための領域X−3とX−2は図4と同じである。 Deposition mask in this example, the region X-3 and X-2 for depositing a dummy pixels provided in a non-light-emitting region NARR display device is the same as FIG. そして、領域X−3は領域X−2とは間隔を開けて、かつ図7の領域X−1と同様のパターンとしている。 A region X-3 is spaced from the region X-2, and has the same pattern as the region X-1 of FIG. Y方向では、領域Y−3とY−2は図4と同様で、領域Y−1はY方向の1画素ピッチ分となっている。 The Y-direction, a region Y-3 and Y-2 is similar to FIG. 4, region Y-1 has a 1 pixel pitch in the Y direction.

本実施例では、有効表示領域DARRと表示発光領域の領域X−3,X−2の一部に対応する開孔の領域X−1を領域X−3,X−2に対して該有効表示領域DARRから離れた場所に形成した。 In this embodiment, the effective display area X-1 of the aperture corresponding to a portion of the effective area of ​​the display area DARR the display light-emitting region X-3, X-2 for the area X-3, X-2 It was formed in a location away from the area DARR. なお、領域X−1を隣接するパネルの非発光領域NARRに設けるダミー画素の同じ領域X−1の蒸着マスクの開孔に共用することもできる。 It is also possible to share the region X-1 to the opening of the same region X-1 of the deposition mask of the dummy pixels provided in a non-light-emitting region NARR of adjacent panels.

本実施例によっても、有機ELの画素にOLEを蒸着するための蒸着マスクの動的精度が向上し、開孔の形状や面積の変形ばらつきが向上する。 This embodiment also improves the dynamic accuracy of the deposition mask for depositing the OLE to pixels of an organic EL, is improved deformation variations in the shape and area of ​​the opening. また、蒸着マスクの開孔パターンを、製品に必要な領域とマスク精度確保に必要な領域に分類して設計し、製作することができるため、特に量産用の蒸着マスク固体差を縮小できる。 Furthermore, the opening pattern of the deposition mask, and classified to the space required for the area and the mask accuracy ensuring required product design, it is possible to manufacture, in particular reducing the deposition mask individual differences for mass-production. そして、この蒸着マスクを用いることにより、表示装置の有効表示領域の最外周の画素に多く発生するOLEの蒸着精度劣化が回避され、歩留りが向上し、高精細、大画面の表示装置を実現できる。 Then, by using the evaporation mask, is avoided OLE deposition accuracy deterioration often occurs to the pixel of the outermost periphery of the effective display area of ​​the display device, the yield is improved, and it is possible to realize a high-definition, large-screen display device .

図9は本発明による表示装置の要部構造例を模式的に説明する平面図である。 Figure 9 is a plan view illustrating a main structure of a display module according to the present invention. この表示装置は、画素に有機EL素子を用いた有機EL表示装置であり、メイン基板SUB1の主面の一方向に多数の走査線が延在して並設され、該一方向と交叉する他方向に多数の信号線が延在して並設されている。 The display device is an organic EL display device using an organic EL element in a pixel, a number of scan lines are arranged to extend in one direction of the main surface of the main substrate SUB1, other crossing the said one direction large number of signal lines are arranged to extend in direction. なお、図12で説明した電源線は図示を省略してある。 The power lines described in FIG. 12 are omitted. 走査線GLと信号線DLとの各交叉部には薄膜トランジスタを有する画素(R,G,B)が配置されている。 Pixels having a thin film transistor in each intersection of the scanning lines GL and the signal line DL (R, G, B) are arranged. そして、メイン基板SUB1は、その一部を残してガラス製の封止缶SUB2で覆われて外部環境からの水分等の侵入を遮断するように封止剤SLで密封封止されている。 The main substrate SUB1 is hermetically sealed by a sealant SL to block entry of moisture or the like from the part left covered with glass sealing can SUB2 with the external environment.

各画素は薄膜トランジスタで駆動される画素電極と信号線DLから供給される表示信号に応じた電流を供給する前記電源線に接続した上層電極との間に有機発光層(OLE)を介在させて発光素子を構成している。 Emitting the organic light emitting layer (OLE) is interposed between the upper electrode each pixel which connect the current corresponding to the display signal supplied from the pixel electrode and the signal line DL is driven by the thin film transistor to the power supply line for supplying constitute an element. メイン基板SUB1の封止缶SUB2で覆われていない部分にはドレインドライバDDR(半導体チップ)が搭載され、ドレイン線DLに表示信号を供給する。 Drain driver DDR (semiconductor chip) is mounted on the portion not covered with the sealing can SUB2 of the main substrate SUB1, and supplies a display signal to the drain line DL.

一方、ゲートドライバGDRは封止ガラス基板SUB2で覆われるメイン基板SUB1上の非発光領域NARRに、所謂システム・オン・グラスと称する形態で直接形成されている。 On the other hand, the gate driver GDR is the non-emission region NARR on the main substrate SUB1 is covered with the sealing glass substrate SUB2, and is directly formed in a form that is referred to as a so-called system-on-glass. このゲートドライバGDRにゲート線GLが接続されている。 Gate line GL is connected to the gate driver GDR. また、有効表示領域DARRに配設された電源線(図示せず)は選択された画素の有機EL素子を発光させるための電流を供給する。 Furthermore, (not shown) effective display arranged in a region DARR been power supply line for supplying a current for emitting an organic EL element of the selected pixel.

図10は図9のB−B'線に沿った断面図である。 Figure 10 is a sectional view taken along the line B-B 'in FIG. メイン基板SUB1の有効表示領域DARRには表示用の画素が形成されている。 Pixels for display is formed in the effective display area DARR of the main substrate SUB1. この画素は薄膜トランジスタTFTで駆動される一方の電極である陽極ADと有機EL層OLE、および他方の電極である陰極CDの積層で構成された発光層を有する。 The pixel having a light emitting layer composed of a laminated cathode CD as the anode AD and the organic EL layer OLE, and the other electrode is one electrode to be driven by the thin film transistor TFT. そして、非発光領域NARRにはダミー画素が形成されている。 Then, the dummy pixels are formed in the non-light-emitting region NARR. このダミー画素は、ゲート駆動回路GDRの上層に形成されており、単にバンクBNKのみをダミー画素位置に有している。 The dummy pixels are formed on the upper layer of the gate driving circuit GDR, and merely has only bank BNK the dummy pixel position.

なお、ダミー画素の部分にも陽極があってもよい。 Incidentally, there may be an anode in portions of the dummy pixels. また、ゲート駆動回路をドレイン駆動回路と同様の半導体チップとして搭載するものいでは、ダミー画素の位置にも画素と同等の薄膜トランジスタや陽極を形成し、陰極のみを形成しないようにすることでも非発光とすることができる。 Further, in the stomach as mounting the gate drive circuit as the same semiconductor chip and the drain drive circuit also forms the equivalent of a thin film transistor and the anode and the pixel at the position of the dummy pixel, even non-emission is possible not to form a cathode only it can be.

画素およびダミー画素のそれぞれは、隣接する画素あるいはダミー画素の間をバンクBNKで区画されている。 Each of the pixels and the dummy pixels are partitioned between the adjacent pixels or dummy pixels by the banks BNK. 図10の例では、バンクBNKは陽極ADと陰極CDの間を絶縁する絶縁層で形成されている。 In the example of FIG. 10, the bank BNK is formed in an insulating layer for insulating between the anode AD and the cathode CD. 前記した各実施例において、蒸着マスクによりOLEを画素とダミー画素に蒸着する際、当該蒸着されたOLE材料が隣接する画素あるいはダミー画素に流れ出すのをこのバンクBNKが阻止する。 In each embodiment described above, when depositing OLE to pixels and dummy pixels by evaporation mask, an OLE material that is the deposition flowing out to the pixels or dummy pixels adjacent the bank BNK is prevented. これにより、有効表示領域DARRでの色同士の混じり合いが防止され、色純度が確保される。 This prevents mutual mixed between colors in the effective display region DARR is, the color purity is ensured. また、非発光領域NARRでは、蒸着されたOLE材料がダミー画素から周囲に漏れ出して不所望な発光源となるのが防止される。 Further, in the non-light-emitting region NARR, OLE material deposited is prevented from an undesired emission sources leaks around the dummy pixels.

本発明は、有機ELを発光層としたものに限らず、無機EL材料の発光層を有するエレクトロルミネッセンス表示装置にも適用でき、また、電界放出型表示装置(FED)やプラズマ型表示装置(PDP)などの自発光型表示装置における蛍光体形成にも同様に適用できる。 The present invention is not limited to an organic EL as a light-emitting layer, can be applied to an electroluminescent display device having a light emitting layer of an inorganic EL material, The field emission display (FED) and plasma display device (PDP ) it can be similarly applied to a phosphor formation in the self-luminous display device such as a.

本発明による有機EL表示装置の発光層を製作するための蒸着用のマスクの構成例を説明する模式図である。 It is a schematic view for explaining a configuration example of a mask for vapor deposition for fabricating the light-emitting layer of the organic EL display device according to the present invention. 本発明の有機EL表示装置のパネルとなるメイン基板の平面図である。 It is a plan view of a main board which is a panel of the organic EL display device of the present invention. 本発明の実施例1を説明するための図2のBで示した隅部におけるOLE蒸着パターンの平面図である。 Is a plan view of the OLE deposition pattern in the corner portion shown in B of FIG. 2 for the first embodiment will be described of the present invention. 本発明の実施例2を説明するための図2のBで示した隅部におけるOLE蒸着パターンの平面図である。 Is a plan view of the OLE deposition pattern in the corner portion shown in B of FIG. 2 for the second embodiment will be described of the present invention. 本発明の実施例3を説明するための図2のBで示した隅部におけるOLE蒸着パターンの平面図である。 Is a plan view of the OLE deposition pattern in the corner portion shown in B of FIG. 2 for the third embodiment will be described of the present invention. 本発明の実施例4を説明するための図2のBで示した隅部におけるOLE蒸着パターンの平面図である。 Is a plan view of the OLE deposition pattern in the corner portion shown in B of FIG. 2 for a fourth embodiment will be described of the present invention. 本発明の実施例5を説明するための図2のBで示した隅部におけるOLE蒸着パターンの平面図である。 It is a plan view of the OLE deposition pattern in the corner portion shown in B of FIG. 2 for Example 5 illustrating the present invention. 本発明の実施例6を説明するための図2のBで示した隅部におけるOLE蒸着パターンの平面図である。 It is a plan view of the OLE deposition pattern in the corner portion shown in B of FIG. 2 for Example 6 illustrating the present invention. 本発明による表示装置の要部構造例を模式的に説明する平面図である。 The main structure of a display device according to the present invention is a plan view for schematically explaining. 図9のB−B'線に沿った断面図である。 It is a sectional view taken along the line B-B 'in FIG. 有機EL表示装置の一画素付近の構成例を模式的に説明する断面図である。 An example of the configuration of the vicinity of one pixel of an organic EL display device is a cross-sectional view illustrating schematically. 有機EL表示装置の全体構成例の説明図である。 It is an explanatory view of the entire configuration example of the organic EL display device.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

MGP・・・ガラス母基板、MSK・・・マスク(蒸着マスク)、MSS・・・マスク部、FLM・・・フレーム、AR・・・開孔領域、DAR・・・画素用開孔パターン、NAR・・・ダミー画素用開孔パターン、MR・・・蒸着領域、SUB1・・・メイン基板、SUB2・・・封止缶(封止ガラス基板)、PX・・・画素、DARR・・・有効表示領域、NARR・・・非発光領域。 MGP · · · glass base substrate, MSK · · · mask (a deposition mask), MSS · · · mask portion, FLM · · · frames, AR · · · aperture region, the aperture pattern DAR · · · pixels, NAR ... dummy pixel for opening pattern, MR ... deposition region, SUB1 ... main board, SUB2 ... sealing can (sealing glass substrate), PX ... pixel, darr ... effective display area, NARR ··· non-light-emitting region.

Claims (10)

  1. 表示に寄与する多数の画素を二次元配列した表示領域と、この表示領域の外周に形成されて表示に寄与しない複数のダミー画素からなる非表示領域とを有し、 It has a display area and arranged two-dimensionally a plurality of pixels contributing to display, and a non-display region comprising a plurality of dummy pixels that do not contribute to the display is formed on the outer periphery of the display area,
    前記画素と前記ダミー画素は、共に同一の発光層を有することを特徴とする表示装置。 Wherein said pixel dummy pixels, the display apparatus characterized by having both the same light emitting layer.
  2. 前記画素は、前記発光層を下層電極と上層電極とで挟んで構成され、前記下層電極と上層電極を通して前記発光層に流れる電流により発光することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 The pixel is configured to sandwich the light emitting layer between the lower electrode and the upper electrode, the display device according to claim 1, characterized in that emits light by a current flowing in the light emitting layer through the lower electrode and the upper electrode.
  3. 前記画素は、前記発光層を下層電極と上層電極とで挟んで構成され、前記下層電極と上層電極を通して前記発光層に流れる電流により発光し、 The pixel is configured to sandwich the light emitting layer between the lower electrode and the upper electrode, emits light by a current flowing in the light emitting layer through the lower electrode and the upper electrode,
    前記ダミー画素は、前記発光層と前記下層電極とで構成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 The dummy pixels, the display device according to claim 1, characterized in that it is constituted by said lower electrode and the light emitting layer.
  4. 前記画素は、前記発光層を下層電極と上層電極とで挟んで構成され、前記下層電極と上層電極を通して前記発光層に流れる電流により発光し、 The pixel is configured to sandwich the light emitting layer between the lower electrode and the upper electrode, emits light by a current flowing in the light emitting layer through the lower electrode and the upper electrode,
    前記ダミー画素は、前記発光層のみで構成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 The dummy pixels, the display device according to claim 1, characterized in that it consists only of the light-emitting layer.
  5. 絶縁基板と、 And the insulating substrate,
    前記絶縁基板の主面の一方向に延在して並設された多数の走査線と、 Numerous scan lines are arranged in parallel to extend in one direction of the main surface of the insulating substrate,
    前記一方向と交叉する他方向に延在して並設された多数の信号線と、 A plurality of signal lines arranged to extend in another direction crossing the one direction,
    前記走査線と前記信号線の各交叉部に形成されて表示領域を構成する多数の画素と、該表示領域の外側に形成されたダミー画素とを有する表示装置であって、 Said scanning lines and a plurality of pixels constituting a display region is formed on each intersection of the signal lines, a display device having a dummy pixel formed outside of the display area,
    前記画素は前記絶縁基板の主面に画素毎に形成された下層電極と、該下層電極の上に塗布された有機発光層と、前記表示領域の全域において前記有機発光層を覆って形成された上層電極とで構成され、 The pixels and the lower electrodes formed for each pixel on the main surface of the insulating substrate, an organic light-emitting layer coated on the lower layer electrode, formed over the organic light-emitting layer in the entire of the display region is composed of an upper electrode,
    前記ダミー画素は前記絶縁基板の主面に画素毎に形成された下層電極と、該下層電極の上に塗布された有機発光層とで構成されていることを特徴とする表示装置。 Display the dummy pixels, characterized in that it is constituted by the a lower electrode formed for each pixel on the main surface of the insulating substrate, an organic light-emitting layer coated on the lower layer electrode.
  6. 前記走査線で選択され、前記信号線から供給される表示信号で前記下層電極を駆動する薄膜トランジスタを前記画素毎および前記ダミー画素毎に有することを特徴とする請求項5に記載の表示装置。 Wherein is selected by the scanning line, the display device according to claim 5, characterized in that it comprises a thin film transistor for driving the lower electrode by the display signal supplied to each pixel and for each dummy pixel from the signal line.
  7. 前記走査線で選択され、前記信号線から供給される表示信号で前記下層電極を駆動する薄膜トランジスタを前記画素毎にのみ有することを特徴とする請求項5に記載の表示装置。 Wherein is selected by the scanning line, the display device according to a thin film transistor for driving the lower electrode by the display signal supplied from the signal line to claim 5, characterized in that it has only to each pixel.
  8. 絶縁基板と、 And the insulating substrate,
    前記絶縁基板の主面の一方向に延在してほぼ平行に並設された多数の走査線と、 Numerous scan lines are juxtaposed substantially parallel to extend in one direction of the main surface of the insulating substrate,
    前記一方向と交叉する他方向に延在してほぼ平行に並設された多数の信号線と、 A plurality of signal lines arranged substantially in parallel to extend in another direction intersecting with the one direction,
    前記走査線と前記信号線の各交叉部に形成されて表示領域を構成する多数の画素と、該表示領域の外側に形成されたダミー画素とを有する表示装置であって、 Said scanning lines and a plurality of pixels constituting a display region is formed on each intersection of the signal lines, a display device having a dummy pixel formed outside of the display area,
    前記画素は前記絶縁基板の主面に画素毎に形成された下層電極と、該下層電極の上に塗布された有機発光層と、前記表示領域の全域において前記有機発光層を覆って形成された上層電極とで構成され、 The pixels and the lower electrodes formed for each pixel on the main surface of the insulating substrate, an organic light-emitting layer coated on the lower layer electrode, formed over the organic light-emitting layer in the entire of the display region is composed of an upper electrode,
    前記ダミー画素は前記絶縁基板の主面に画素対応で形成された有機発光層のみで構成されたことを特徴とする表示装置。 The dummy pixels display apparatus characterized by consisting only of an organic light-emitting layer comprising the pixel corresponding to the main surface of the insulating substrate.
  9. 前記走査線で選択され、前記信号線から供給される表示信号で前記下層電極を駆動する薄膜トランジスタを前記画素毎および前記ダミー画素毎に有することを特徴とする請求項7に記載の表示装置。 Wherein is selected by the scanning line, the display device according to claim 7, characterized in that it comprises a thin film transistor for driving the lower electrode by the display signal supplied to each pixel and for each dummy pixel from the signal line.
  10. 前記走査線で選択され、前記信号線から供給される表示信号で前記下層電極を駆動する薄膜トランジスタを前記画素毎にのみ有することを特徴とする請求項7に記載の表示装置。 Wherein is selected by the scanning line, the display device according to a thin film transistor for driving the lower electrode by the display signal supplied from the signal line to claim 7, characterized in that it has only to each pixel.

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