KR20150071510A - Method For Manufacturing Orgaic Light Emitting Diode Display And Organic Light Emitting Diode Display Thereby - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법 및 그 방법에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 유기발광 층과 캐소드 전극을 형성하기 위한 마스크를 동일한 마스크를 사용함으로써 제조 공정을 단순화하고 제조 비용을 절감하는 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법 및 이에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing an organic light emitting diode display device and an organic light emitting diode display device using the method. In particular, the present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting diode display device that simplifies a manufacturing process and reduces manufacturing cost by using the same mask for forming an organic light emitting layer and a cathode electrode, and an organic light emitting diode display device therefor .
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계발광장치(Electro-Luminescence device, EL) 등이 있다.2. Description of the Related Art Recently, various flat panel display devices capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes (CRTs), have been developed. Such flat panel display devices include a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), a plasma display panel (PDP), and an electro-luminescence device (EL) .
도 1은 종래 기술에 의한 능동소자인 박막 트랜지스터를 이용한 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode Display: OLED)의 한 화소 영역의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 2는 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 전반적인 구조를 나타내는 평면 확대도이다. 도 3은 도 2에서 절취선 I-I'으로 자른 도면으로 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.FIG. 1 is a plan view showing the structure of one pixel region of an organic light emitting diode display (OLED) using a thin film transistor which is an active device according to the related art. 2 is an enlarged plan view showing an overall structure of an organic light emitting diode display device according to the related art. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a structure of an organic light emitting diode display device according to a related art, cut by a cutting line I-I 'in FIG.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 유기발광 다이오드 표시장치는 박막 트랜지스터(ST, DT) 및 박막 트랜지스터(ST, DT)와 연결되어 구동되는 유기발광 다이오드(OLED)가 형성된 박막 트랜지스터 기판, 박막 트랜지스터 기판과 대향하여 유기 접합층(FS)을 사이에 두고 접합하는 캡(TS)을 포함한다. 박막 트랜지스터 기판은 스위칭 TFT(ST), 스위칭 TFT(ST)와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다.1 to 3, the organic light emitting diode display device includes a thin film transistor (TFT) substrate having a thin film transistor (ST) and a thin film transistor (DT) and an organic light emitting diode (OLED) And a cap (TS) for bonding the organic bonding layer (FS) therebetween. The thin film transistor substrate includes a switching TFT ST, a driving TFT DT connected to the switching TFT ST, and an organic light emitting diode OLED connected to the driving TFT DT.
유리 기판(SUB) 위에 스위칭 TFT(ST)는 게이트 배선(GL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 게이트 배선(GL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다. 그리고, 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 애노드 전극(ANO)을 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체 층(DA), 구동 전류 전송 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다.On the glass substrate SUB, the switching TFT ST is formed at a portion where the gate wiring GL and the data wiring DL cross each other. The switching TFT ST functions to select a pixel. The switching TFT ST includes a gate electrode SG, a semiconductor layer SA, a source electrode SS, and a drain electrode SD which branch off from the gate line GL. The driving TFT DT serves to drive the anode electrode ANO of the pixel selected by the switching TFT ST. The driving TFT DT includes a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching TFT ST, a source electrode DS connected to the semiconductor layer DA, the driving current transfer wiring VDD, (DD). The drain electrode DD of the driving TFT DT is connected to the anode electrode ANO of the organic light emitting diode.
여기서는 일례로, 탑 게이트(Top Gate) 구조의 박막 트랜지스터를 도시하였다. 이 경우, 스위칭 TFT(ST)의 반도체 층(SA) 및 구동 TFT(DT)의 반도체 층(DA)들이 기판(SUB) 위에 먼저 형성되고, 그 위를 덮는 게이트 절연막(GI) 위에 게이트 전극들(SG, DG)이 반도체 층들(SA, DA)의 중심부에 중첩되어 형성된다. 그리고, 반도체 층들(SA, DA)의 양 측면에는 콘택홀을 통해 소스 전극들(SS, DS) 및 드레인 전극들(SD, DD)이 연결된다. 소스 전극(SS, DS) 및 드레인 전극(SD, DD)들은 게이트 전극들(SG, DG)을 덮는 절연막(IN) 위에 형성된다.Here, for example, a thin film transistor having a top gate structure is shown. In this case, the semiconductor layer DA of the switching TFT ST and the semiconductor layer DA of the driving TFT DT are formed first on the substrate SUB, and the gate electrodes G1 and G2 are formed on the gate insulating film GI, SG, and DG are formed overlapping the center portions of the semiconductor layers SA and DA. Source electrodes SS and DS and drain electrodes SD and DD are connected to both sides of the semiconductor layers SA and DA through a contact hole. The source electrodes SS and DS and the drain electrodes SD and DD are formed on the insulating film IN covering the gate electrodes SG and DG.
또한, 화소 영역이 배치되는 표시 영역의 외주부에는, 각 게이트 배선(GL)의 일측 단부에 형성된 게이트 패드(GP), 각 데이터 배선(DL)의 일측 단부에 형성된 데이터 패드(DP), 그리고 각 구동 전류 전송 배선(VDD)의 일측 단부에 형성된 구동 전류 패드(VDP)가 배치된다. 스위칭 TFT(ST)와 구동 TFT(DT)가 형성된 기판(SUB) 위에 보호막(PAS)이 전면 도포된다. 그리고, 게이트 패드(GP), 데이터 패드(DP), 구동 전류 패드(VDP), 그리고, 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)을 노출하는 콘택홀들이 형성된다. 그리고, 기판(SUB) 중에서 표시 영역 위에는 평탄화 막(PL)이 도포된다. 평탄화 막(PL)은 유기발광 다이오드를 구성하는 유기물질을 매끈한 평면 상태에서 도포하기 위해 기판 표면의 거칠기를 균일하게 하는 기능을 한다.A gate pad GP formed at one end of each gate line GL and a data pad DP formed at one end of each data line DL are formed in the outer periphery of the display region where the pixel region is disposed, A driving current pad VDP formed at one end of the current transfer wiring VDD is disposed. The protective film PAS is entirely coated on the substrate SUB on which the switching TFT ST and the driving TFT DT are formed. Contact holes exposing the gate pad GP, the data pad DP, the driving current pad VDP, and the drain electrode DD of the driving TFT DT are formed. Then, a flattening film PL is applied onto the display area of the substrate SUB. The planarization layer PL serves to uniformize the roughness of the substrate surface in order to apply the organic material constituting the organic light emitting diode in a smooth planar state.
평탄화 막(PL) 위에는 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 접촉하는 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 또한, 평탄화 막(PL)이 형성되지 않은 표시 영역의 외주부에서도, 보호막(PAS)에 형성된 콘택홀들을 통해 노출된 게이트 패드(GP), 데이터 패드(DP) 그리고 구동 전류 패드(VDP) 위에 형성된 게이트 패드 단자(GPT), 데이터 패드 단자(DPT) 그리고 구동 전류 패드 단자(VDPT)가 각각 형성된다. 표시 영역 내에서 특히 화소 영역을 제외한 기판(SUB) 위에 뱅크(BA)가 형성된다.An anode electrode ANO is formed on the planarizing film PL in contact with the drain electrode DD of the driving TFT DT through the contact hole. The gate pad GP, the data pad DP, and the gate formed on the driving current pad VDP, which are exposed through the contact holes formed in the passivation film PAS, are formed on the outer peripheral portion of the display region where the planarization film PL is not formed. A pad terminal GPT, a data pad terminal DPT, and a driving current pad terminal VDPT, respectively. The bank BA is formed on the substrate SUB except for the pixel region in the display region.
뱅크(BA) 및 뱅크(BA)를 통해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에 유기발광 층(OL)이 도포된다. 그리고, 유기발광 층(OL) 위에는 캐소드 전극(CAT)이 도포된다. 이로써 애노드 전극(ANO), 유기발광 층(OL) 그리고 캐소드 전극(CAT)이 적층된 구조를 갖는 유기발광 다이오드(OLED)가 완성된다.The organic light emitting layer OL is applied on the exposed anode electrode ANO through the bank BA and the bank BA. A cathode electrode (CAT) is coated on the organic light emitting layer (OL). Thus, an organic light emitting diode (OLED) having a structure in which an anode electrode ANO, an organic light emitting layer OL, and a cathode electrode CAT are stacked is completed.
도 2를 더 참조하여, 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 전체적인 평면 구조를 다시 살펴본다. 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 영상 정보를 표시하는 표시 영역(AA)과, 표시 영역(AA)을 구동하기 위한 여러 소자들이 배치되는 비 표시 영역(NA)으로 구분된 기판(SUB)을 포함한다. 표시 영역(AA)에는 매트릭스 방식으로 배열된 복수 개의 화소 영역(PA)들이 정의된다. 도 2에서 점선으로 화소 영역(PA)들을 표시하였다.Referring to FIG. 2, the overall planar structure of the organic light emitting diode display device according to the related art will be described again. The conventional organic light emitting diode display device includes a display area AA for displaying image information and a substrate SUB divided into a non-display area NA where various elements for driving the display area AA are arranged. . A plurality of pixel areas PA arranged in a matrix manner are defined in the display area AA. In FIG. 2, the pixel areas PA are indicated by dotted lines.
예를 들어, NxM 방식의 장방형으로 화소 영역(PA)들이 정의될 수 있다. 하지만, 반드시 이러한 방식에만 국한되는 것이 아니고, 다양한 방식으로 배열될 수도 있다. 각 화소 영역들이 동일한 크기를 가질 수도 있고, 서로 다른 크기를 가질 수도 있다. 또한, RGB(적녹청) 색상을 나타내는 세 개의 서브 화소를 하나의 단위로 하여, 규칙적으로 배열될 수도 있다. 가장 단순한 구조로 설명하면, 화소 영역(PA)들은 가로 방향으로 진행하는 복수 개의 게이트 배선(GL)들과 세로 방향으로 진행하는 복수 개의 데이터 배선(DL)들 및 구동 전류 배선(VDD)들의 교차 구조로 정의할 수 있다.For example, pixel regions PA can be defined in a rectangle of the NxM system. However, it is not necessarily limited to this method, but may be arranged in various ways. Each pixel region may have the same size or different sizes. In addition, three subpixels representing RGB (red-green) colors may be regularly arranged as one unit. In the simplest structure, the pixel regions PA include a plurality of gate lines GL extending in the horizontal direction, a plurality of data lines DL and a plurality of driving current lines VDD extending in the vertical direction, .
화소 영역(PA)의 외주부에 정의된, 비 표시 영역(NA)에는 데이터 배선(DL)들에 화상 정보에 해당하는 신호를 공급하기 위한 데이터 구동부(혹은, Data Driving Integrated Circuit)(DIC)와, 게이트 배선(GL)들에 스캔 신호를 공급하기 위한 게이트 구동부(혹은, Gate Driving Integrated Circuit)(GIP)가 배치될 수 있다. 데이터 배선(DL)들 및 구동 전류 배선(VDD)들의 개수가 많아지는, VGA급보다 더 높은 고 해상도의 경우에는, 데이터 구동부(DIC)는 기판(SUB)의 외부에 실장하고, 데이터 구동부(DIC) 대신에 데이터 접속 패드들이 배치될 수도 있다.A data driving unit (DIC) for supplying a signal corresponding to image information to the data lines DL is formed in the non-display area NA defined in the outer periphery of the pixel area PA, A gate driving unit (GIP) for supplying a scan signal to the gate lines GL may be disposed. The data driver DIC is mounted outside the substrate SUB in the case of a high resolution higher than the VGA level in which the number of the data wirings DL and the driving current wirings VDD increases, ) May be arranged instead of the data connection pads.
표시장치의 구조를 단순하게 하기 위해, 게이트 구동부(GIP)는, 기판(SUB)의 일측 부에 직접 형성하는 것이 바람직하다. 그리고, 기판(SUB)의 최 외곽부에는 기저 전압을 공급하는 기저 배선(Vss)이 배치된다. 기저 배선(Vss)은 기판(SUB)의 외부에서 공급되는 기저 전압(Ground Voltage)을 인가받아, 데이터 구동부(DIC) 및 게이트 구동부(GIP)에 모두 기저 전압을 공급하도록 배치하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 기전 배선(Vss)은 기판(SUB)의 상부 측변에 배치된 데이터 구동부(DIC)에 연결되고, 기판(SUB)의 좌측 및/또는 우측 변에 배치된 게이트 구동부(GIP)의 외측에서 기판을 감싸듯이 배치될 수 있다.In order to simplify the structure of the display device, the gate driver GIP is preferably formed directly on one side of the substrate SUB. A base wire (Vss) for supplying a base voltage is disposed at the outermost portion of the substrate (SUB). It is preferable that the ground wiring Vss is arranged to receive a ground voltage supplied from the outside of the substrate SUB and to supply a base voltage to both the data driving unit DIC and the gate driving unit GIP. For example, the induced wiring Vss is connected to the data driver DIC disposed on the upper side of the substrate SUB, and the gate driver GIP disposed on the left and / or right side of the substrate SUB As shown in FIG.
각 화소 영역(PA)에는 유기발광 다이오드 표시장치의 핵심 구성 요소들인 유기발광 다이오드와 유기발광 다이오드를 구동하기 위한 박막 트랜지스터들이 배치된다. 박막 트랜지스터들은 화소 영역(PA)의 일측 부에 정의된 박막 트랜지스터 영역(TA)에 형성될 수 있다. 유기발광 다이오드는 애노드 전극(ANO)과 캐소드 전극(CAT) 그리고, 두 전극들 사이에 개재된 유기발광 층(OL)을 포함한다. 실제로 발광하는 영역은 애노드 전극(ANO)과 중첩하는 유기발광 층(OL)의 면적에 의해 결정된다.In each pixel region PA, organic light emitting diodes (OLEDs), which are core components of the organic light emitting diode display device, and thin film transistors for driving the organic light emitting diodes are disposed. The thin film transistors may be formed in the thin film transistor region TA defined at one side of the pixel region PA. The organic light emitting diode includes an anode electrode ANO, a cathode electrode CAT, and an organic light emitting layer OL interposed between the two electrodes. The region where light is actually emitted is determined by the area of the organic light emitting layer OL overlapping with the anode electrode ANO.
애노드 전극(ANO)은 화소 영역(PA) 내에서 일부 영역을 차지하도록 형성되며, 박막 트랜지스터 영역(TA)에 형성된 박막 트랜지스터와 연결된다. 애노드 전극(ANO) 위에 유기발광 층(OL)을 도포하는데, 애노드 전극(ANO)과 유기발광 층(OL)이 중첩된 영역이 실제 발광 영역으로 결정된다. 캐소드 전극(CAT)은 유기발광 층(OL) 위에서 적어도 화소 영역(PA)들이 배치된 표시 영역(NA)의 면적을 모두 덮도록 하나의 몸체로 형성한다.The anode electrode ANO is formed to occupy a part of the pixel region PA and is connected to a thin film transistor formed in the thin film transistor region TA. The organic light emitting layer OL is applied on the anode electrode ANO. The region where the anode electrode ANO and the organic light emitting layer OL overlap is determined as the actual light emitting region. The cathode electrode CAT is formed as a single body so as to cover the entire area of the display area NA where at least the pixel areas PA are arranged on the organic light emitting layer OL.
캐소드 전극(CAT)은 게이트 구동부(GIP)를 넘어 기판(SUB)의 외측부에 배치된 기저 배선(Vss)와 접촉한다. 즉, 기저 배선(Vss)을 통해 캐소드 전극(CAT)에 기저 전압을 인가한다. 캐소드 전극(CAT)은 기저 전압을 인가받고, 애노드 전극(ANO)은 화상 전압을 인가받아, 그 사이의 전압차이에 의해 유기발광 층(OL)에서 빛이 발광하여 화상 정보를 표시한다.The cathode electrode CAT contacts the base wiring Vss disposed on the outer side of the substrate SUB beyond the gate driver GIP. That is, the base voltage is applied to the cathode electrode CAT through the base wire Vss. The cathode electrode CAT receives a base voltage, the anode electrode ANO receives an image voltage, and light is emitted from the organic light emitting layer OL due to a voltage difference therebetween to display image information.
이와 같이, 캐소드 전극(CAT)은 기저 배선(Vss)을 노출하는 콘택홀(CHC)를 통해 기저 배선(Vss)과 접촉하도록 표시 영역(AA) 전체를 덮으면서, 비 표시 영역(NA)에까지 연장된 구조를 갖는다. 반면에, 유기발광 층(OL)은 캐소드 전극(CAT)보다는 작은 면적을 갖는다. 특히 캐소드 전극(CAT)이 기저 배선(Vss)과 접촉하는 콘택홀(CHC) 부분에는 유기발광 층(OL)이 형성되지 않아야 한다. 따라서, 유기발광 층(OL)은 표시 영역(AA)에만 국한된 크기로 형성하는 것이 보통이다.Thus, the cathode electrode CAT extends to the non-display area NA while covering the entire display area AA so as to be in contact with the base wiring Vss through the contact hole CHC exposing the base wiring Vss. . On the other hand, the organic light emitting layer OL has a smaller area than the cathode electrode CAT. In particular, the organic light emitting layer OL should not be formed in the contact hole CHC where the cathode electrode CAT is in contact with the base wiring Vss. Therefore, the organic light emitting layer OL is usually formed in a size limited to the display area AA.
유기발광 층(OL)과 캐소드 전극(CAT)이 기판 전체 면에 한 몸체로 도포되어 형성되지만, 유기발광 층(OL)이 캐소드 전극(CAT)보다 작은 면적을 갖도록 형성된다. 따라서, 유기발광 층(OL)을 형성하기 위한 스크린 마스크와 캐소드 전극(CAT)을 형성하기 위한 스크린 마스크가 별도로 필요하다. 또한, 제조 공정적인 측면에서도 유기발광 층(OL)을 형성하는 증착 라인과 캐소드 전극(CAT)을 형성하기 위한 증착 라인을 별도로 구성해야 하므로, 제조 공정이 복잡해지고 공정 설비 비용이 증가할 수 밖에 없다.The organic light emitting layer OL is formed to have a smaller area than the cathode electrode CAT although the organic light emitting layer OL and the cathode electrode CAT are formed as one body on the entire surface of the substrate. Therefore, a screen mask for forming the organic light emitting layer OL and a screen mask for forming the cathode electrode (CAT) are separately required. In addition, since the deposition line for forming the organic light emitting layer OL and the deposition line for forming the cathode electrode (CAT) must be separately formed from the viewpoint of the manufacturing process, the manufacturing process is complicated and the cost of the process equipment is increased .
본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출 된 발명으로서, 유기발광 층과 캐소드 전극을 하나의 스크린 마스크를 이용하여 형성하는 유기발광 다이오드 표시장치의 제조 방법과 그 방법에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은, 단일 증착 라인과 단일 스크린 마스크를 이용하여, 유기발광 층과 유기발광 층을 관통하는 캐소드 전극을 형성하는 유기발광 다이오드 표시장치의 제조 방법과 그 방법에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an organic light emitting diode display device in which an organic light emitting layer and a cathode electrode are formed by using a single screen mask and an organic light emitting diode And a display device. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing an organic light emitting diode display device which forms a cathode electrode through an organic light emitting layer and an organic light emitting layer by using a single deposition line and a single screen mask and an organic light emitting diode display Device.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법은, 기판 위에 기저 배선을 포함하는 박막 트랜지스터 기판을 형성하는 단계; 상기 기판 전체를 덮되 상기 기저 배선의 일부분을 노출하는 캐소드 콘택홀을 구비하는 평탄화 막을 형성하는 단계; 상기 평탄화 막 위에 애노드 전극을 형성하는 단계; 스크린 마스크를 이용하여, 상기 애노드 전극 및 상기 기저 배선 상부 표면 위에 유기발광 층을 증착하는 단계; 상기 유기발광 층 중에서 상기 캐소드 콘택홀을 덮는 부분을 제거하는 단계; 그리고 상기 스크린 마스크를 이용하여, 상기 유기발광 층 위에 캐소드 전극을 증착하는 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting diode display device, including: forming a thin film transistor substrate including a base wire on a substrate; Forming a planarization film covering the whole substrate and having a cathode contact hole exposing a portion of the base wiring; Forming an anode electrode on the planarization layer; Depositing an organic light emitting layer on the anode electrode and the upper surface of the base wiring using a screen mask; Removing a portion of the organic light emitting layer covering the cathode contact hole; And depositing a cathode electrode on the organic light emitting layer using the screen mask.
상기 박막 트랜지스터 기판을 형성하는 단계는, 상기 기판 위에 표시 영역과 비 표시 영역을 구획하고, 상기 표시 영역에는 박막 트랜지스터를 배치하고, 상기 비 표시 영역에 상기 기저 배선을 배치하며; 상기 평탄화 막을 형성하는 단계는, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극을 노출하는 화소 콘택홀을 더 구비하고; 상기 애노드 전극을 형성하는 단계는, 상기 애노드 전극을 상기 화소 콘택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터의 상기 드레인 전극과 연결하는 것을 특징으로 한다.Wherein forming the thin film transistor substrate comprises: dividing a display region and a non-display region on the substrate, disposing a thin film transistor in the display region, and disposing the base wiring in the non-display region; Wherein the step of forming the planarization layer further comprises a pixel contact hole exposing a drain electrode of the thin film transistor; The step of forming the anode electrode connects the anode electrode to the drain electrode of the thin film transistor through the pixel contact hole.
상기 캐소드 콘택홀을 덮는 부분을 제거하는 단계는, 레이저 증발기를 이용하여 상기 유기발광 층에서 상기 캐소드 콘택홀을 덮는 부분을 선택적으로 제거하는 것을 특징으로 한다.The step of removing the portion covering the cathode contact hole may include selectively removing a portion covering the cathode contact hole in the organic light emitting layer using a laser evaporator.
또한, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외부에 배치된 비 표시 영역을 포함하는 기판; 상기 비 표시 영역에 배치된 기저 배선; 상기 표시 영역 및 상기 비 표시 영역을 모두 덮는 평탄화 막; 상기 평탄화 막에 형성되어 상기 기저 배선의 일부를 노출하는 캐소드 콘택홀; 상기 평탄화 막 위의 상기 표시 영역 내에 형성된 애노드 전극; 상기 애노드 전극과 중첩하며, 상기 기저 배선과 중첩하되, 상기 캐소드 콘택홀을 노출하는 유기발광 층; 그리고 상기 애노드 전극 및 상기 유기발광 층 위에 적층되며, 상기 캐소드 콘택홀을 통해 상기 기저 배선과 접촉하는 캐소드 전극을 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display comprising: a substrate including a display region and a non-display region disposed outside the display region; A base wire arranged in the non-display area; A planarizing film covering both the display region and the non-display region; A cathode contact hole formed in the planarization film and exposing a part of the base wiring; An anode electrode formed in the display region on the planarizing film; An organic light emitting layer overlapping the anode electrode and overlapping the base wiring, the organic light emitting layer exposing the cathode contact hole; And a cathode electrode which is laminated on the anode electrode and the organic light emitting layer and contacts the base wire through the cathode contact hole.
상기 표시 영역에서 상기 평탄화 막 하부에 형성된 박막 트랜지스터; 상기 평탄화 막에 형성되어 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극 일부를 노출하여, 상기 애노드 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 화소 콘택홀; 그리고 상기 애노드 전극 위에 형성되어 발광 영역을 정의하는 뱅크를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.A thin film transistor formed under the planarizing film in the display region; A pixel contact hole formed in the planarization layer to expose a portion of a drain electrode of the thin film transistor and connect the anode electrode and the drain electrode; And a bank formed on the anode electrode to define a light emitting region.
상기 유기발광 층과 상기 캐소드 전극은 차지하는 외곽 면적과 형태가 동일한 것을 특징으로 한다.And the organic light emitting layer and the cathode electrode have the same shape as the surrounding area.
상기 애노드 전극, 상기 유기발광 층 그리고 상기 캐소드 전극이 적층되어 유기발광 다이오드를 형성하는 것을 특징으로 한다.And the anode, the organic light emitting layer, and the cathode are stacked to form an organic light emitting diode.
본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법은, 단일 스크린 마스크를 이용하여 유기발광 층을 형성한 후, 레이저를 이용하여 캐소드 콘택홀에 대응하는 유기발광 층의 일부를 증발하고, 동일한 단일 스크린 마스크로 캐소드 전극을 형성한다. 따라서, 단일 증착 라인에서 동일한 스크린 마스크를 이용하여 유기발광 층과 캐소드 전극을 형성함으로써, 제조 공정 및 제조 설비가 단순해지고, 제조 비용 및 설비 구축 비용이 절감되는 효과가 있다.A method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to the present invention includes forming an organic light emitting layer using a single screen mask, evaporating a portion of the organic light emitting layer corresponding to the cathode contact hole using a laser, Thereby forming a cathode electrode. Therefore, by forming the organic light emitting layer and the cathode electrode using the same screen mask in a single deposition line, the manufacturing process and the manufacturing facility are simplified, and the manufacturing cost and the facility construction cost are reduced.
도 1은 종래 기술에 의한 능동소자인 박막 트랜지스터를 이용한 유기발광 다이오드 표시장치의 한 화소 영역의 구조를 나타내는 평면도.
도 2는 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 전반적인 구조를 나타내는 평면 확대도.
도 3은 도 2에서 절취선 I-I'으로 자른 도면으로 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 4는 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 전반적인 구조를 나타내는 평면 확대도.
도 5는 도 4에서 절취선 II-II'으로 자른 도면으로 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 6a 내지 6e는 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법을 나타내는 단면도들.1 is a plan view showing a structure of one pixel region of an organic light emitting diode display device using a thin film transistor which is an active device according to the related art.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a structure of an organic light emitting diode display device according to a related art, cut in a cutting line I-I 'in FIG.
FIG. 4 is a plan enlarged view showing an overall structure of an organic light emitting diode display device according to the present invention. FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the cutting line II-II 'in FIG. 4, showing a structure of a conventional organic light emitting diode display device.
6A to 6E are sectional views showing a method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to the present invention.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. Like reference numerals throughout the specification denote substantially identical components. In the following description, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. In addition, the component names used in the following description may be selected in consideration of easiness of specification, and may be different from the parts names of actual products.
도 4는 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 전반적인 구조를 나타내는 평면 확대도이다. 도 5는 도 4에서 절취선 II-II'으로 자른 도면으로 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다. 본 발명에서, 화소 영역의 구조는 기본적으로 종래 기술에 의한 것과 유사하다. 그러므로, 여기서는 화소 영역의 상세한 설명은 생략한다.4 is an enlarged plan view showing an overall structure of an organic light emitting diode display device according to the present invention. FIG. 5 is a cross-sectional view showing a structure of an organic light emitting diode display device according to a related art, cut in a cutting line II-II 'in FIG. In the present invention, the structure of the pixel region is basically similar to that of the prior art. Therefore, detailed description of the pixel region is omitted here.
본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 영상 정보를 표시하는 표시 영역(AA)과, 표시 영역(AA)을 구동하기 위한 여러 소자들이 배치되는 비 표시 영역(NA)으로 구분된 기판(SUB)을 포함한다. 표시 영역(AA)에는 매트릭스 방식으로 배열된 복수 개의 화소 영역(PA)들이 정의된다. 도 4에서 점선으로 화소 영역(PA)들을 표시하였다.An organic light emitting diode display device according to the present invention includes a display area AA for displaying image information and a substrate SUB divided into a non-display area NA in which various devices for driving the display area AA are arranged. . A plurality of pixel areas PA arranged in a matrix manner are defined in the display area AA. In FIG. 4, the pixel areas PA are indicated by dotted lines.
예를 들어, NxM 방식의 장방형으로 화소 영역(PA)들이 정의될 수 있다. 하지만, 반드시 이러한 방식에만 국한되는 것이 아니고, 다양한 방식으로 배열될 수도 있다. 각 화소 영역들이 동일한 크기를 가질 수도 있고, 서로 다른 크기를 가질 수도 있다. 또한, RGB(적녹청) 색상을 나타내는 세 개의 서브 화소를 하나의 단위로 하여, 규칙적으로 배열될 수도 있다. 가장 단순한 구조로 설명하면, 화소 영역(PA)들은 가로 방향으로 진행하는 복수 개의 게이트 배선(GL)들과 세로 방향으로 진행하는 복수 개의 데이터 배선(DL)들 및 구동 전류 배선(VDD)들의 교차 구조로 정의할 수 있다.For example, pixel regions PA can be defined in a rectangle of the NxM system. However, it is not necessarily limited to this method, but may be arranged in various ways. Each pixel region may have the same size or different sizes. In addition, three subpixels representing RGB (red-green) colors may be regularly arranged as one unit. In the simplest structure, the pixel regions PA include a plurality of gate lines GL extending in the horizontal direction, a plurality of data lines DL and a plurality of driving current lines VDD extending in the vertical direction, .
화소 영역(PA)의 외주부에 정의된, 비 표시 영역(NA)에는 데이터 배선(DL)들에 화상 정보에 해당하는 신호를 공급하기 위한 데이터 구동부(혹은, Data Driving Integrated Circuit)(DIC)와, 게이트 배선(GL)들에 스캔 신호를 공급하기 위한 게이트 구동부(혹은, Gate Driving Integrated Circuit)(GIP)가 배치될 수 있다. 데이터 배선(DL)들 및 구동 전류 배선(VDD)들의 개수가 많아지는, VGA급보다 더 높은 고 해상도의 경우에는, 데이터 구동부(DIC)는 기판(SUB)의 외부에 실장하고, 데이터 구동부(DIC) 대신에 데이터 접속 패드들이 배치될 수도 있다.A data driving unit (DIC) for supplying a signal corresponding to image information to the data lines DL is formed in the non-display area NA defined in the outer periphery of the pixel area PA, A gate driving unit (GIP) for supplying a scan signal to the gate lines GL may be disposed. The data driver DIC is mounted outside the substrate SUB in the case of a high resolution higher than the VGA level in which the number of the data wirings DL and the driving current wirings VDD increases, ) May be arranged instead of the data connection pads.
표시장치의 구조를 단순하게 하기 위해, 게이트 구동부(GIP)는, 기판(SUB)의 일측 부에 직접 형성하는 것이 바람직하다. 그리고, 기판(SUB)의 최 외곽부에는 기저 전압을 공급하는 기저 배선(Vss)이 배치된다. 기저 배선(Vss)은 기판(SUB)의 외부에서 공급되는 기저 전압(Ground Voltage)을 인가받아, 데이터 구동부(DIC) 및 게이트 구동부(GIP)에 모두 기저 전압을 공급하도록 배치하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 기전 배선(Vss)은 기판(SUB)의 상부 측변에 배치된 데이터 구동부(DIC)에 연결되고, 기판(SUB)의 좌측 및/또는 우측 변에 배치된 게이트 구동부(GIP)의 외측에서 기판을 감싸듯이 배치될 수 있다.In order to simplify the structure of the display device, the gate driver GIP is preferably formed directly on one side of the substrate SUB. A base wire (Vss) for supplying a base voltage is disposed at the outermost portion of the substrate (SUB). It is preferable that the ground wiring Vss is arranged to receive a ground voltage supplied from the outside of the substrate SUB and to supply a base voltage to both the data driving unit DIC and the gate driving unit GIP. For example, the induced wiring Vss is connected to the data driver DIC disposed on the upper side of the substrate SUB, and the gate driver GIP disposed on the left and / or right side of the substrate SUB As shown in FIG.
각 화소 영역(PA)에는 유기발광 다이오드 표시장치의 핵심 구성 요소들인 유기발광 다이오드와 유기발광 다이오드를 구동하기 위한 박막 트랜지스터들이 배치된다. 박막 트랜지스터들은 화소 영역(PA)의 일측 부에 정의된 박막 트랜지스터 영역(TA)에 형성될 수 있다. 유기발광 다이오드는 애노드 전극(ANO)과 캐소드 전극(CAT) 그리고, 두 전극들 사이에 개재된 유기발광 층(OL)을 포함한다. 실제로 발광하는 영역은 애노드 전극(ANO)과 중첩하는 유기발광 층(OL)의 면적에 의해 결정된다.In each pixel region PA, organic light emitting diodes (OLEDs), which are core components of the organic light emitting diode display device, and thin film transistors for driving the organic light emitting diodes are disposed. The thin film transistors may be formed in the thin film transistor region TA defined at one side of the pixel region PA. The organic light emitting diode includes an anode electrode ANO, a cathode electrode CAT, and an organic light emitting layer OL interposed between the two electrodes. The region where light is actually emitted is determined by the area of the organic light emitting layer OL overlapping with the anode electrode ANO.
애노드 전극(ANO)은 화소 영역(PA) 내에서 일부 영역을 차지하도록 형성되며, 박막 트랜지스터 영역(TA)에 형성된 박막 트랜지스터와 연결된다. 애노드 전극(ANO) 위에 유기발광 층(OL)을 도포하는데, 애노드 전극(ANO)과 유기발광 층(OL)이 중첩된 영역이 실제 발광 영역으로 결정된다. 캐소드 전극(CAT)은 유기발광 층(OL) 위에서 적어도 화소 영역(PA)들이 배치된 표시 영역(NA)의 면적을 모두 덮도록 하나의 몸체로 형성한다.The anode electrode ANO is formed to occupy a part of the pixel region PA and is connected to a thin film transistor formed in the thin film transistor region TA. The organic light emitting layer OL is applied on the anode electrode ANO. The region where the anode electrode ANO and the organic light emitting layer OL overlap is determined as the actual light emitting region. The cathode electrode CAT is formed as a single body so as to cover the entire area of the display area NA where at least the pixel areas PA are arranged on the organic light emitting layer OL.
캐소드 전극(CAT)은 게이트 구동부(GIP)를 넘어 기판(SUB)의 외측부에 배치된 기저 배선(Vss)와 접촉한다. 즉, 기저 배선(Vss)을 통해 캐소드 전극(CAT)에 기저 전압을 인가한다. 캐소드 전극(CAT)은 기저 전압을 인가받고, 애노드 전극(ANO)은 화상 전압을 인가받아, 그 사이의 전압차이에 의해 유기발광 층(OL)에서 빛이 발광하여 화상 정보를 표시한다.The cathode electrode CAT contacts the base wiring Vss disposed on the outer side of the substrate SUB beyond the gate driver GIP. That is, the base voltage is applied to the cathode electrode CAT through the base wire Vss. The cathode electrode CAT receives a base voltage, the anode electrode ANO receives an image voltage, and light is emitted from the organic light emitting layer OL due to a voltage difference therebetween to display image information.
특히, 본 발명에서 유기발광 층(OL)과 캐소드 전극(CAT)은 동일한 스크린 마스크를 사용하여 형성하므로, 동일한 외곽선의 형태와 모양을 갖는다. 단, 캐소드 콘택홀(CHC)이 형성된 부분에는 유기발광 층(OL)이 제거되어 있는 것이 특징이다.In particular, since the organic light emitting layer OL and the cathode electrode CAT are formed using the same screen mask in the present invention, they have the same outline shape and shape. However, the organic light emitting layer OL is removed at a portion where the cathode contact hole CHC is formed.
좀 더 구체적으로 설명하면, 본 발명에 의한 유기발광 층(OL)은 애노드 전극(ANO)이 형성된 기판(SUB) 표면 위에서 표시 영역(AA) 전체를 덮으며, 비 표시 영역(NA)까지 연장된 형상으로 도포된다. 특히, 기저 배선(Vss)을 노출하는 캐소드 콘택홀(CHC)을 덮도록 형성된다. 다만, 추후 공정으로 캐소드 콘택홀(CHC)에 대응하는 유기발광 층(OL)의 부분은 제거되어, 캐소드 콘택홀(CHC)을 통해 기저 배선(Vss)의 일부분이 노출된다.More specifically, the organic light emitting layer OL according to the present invention covers the entire display area AA on the surface of the substrate SUB on which the anode electrode ANO is formed, and extends to the non-display area NA . In particular, it is formed so as to cover the cathode contact hole CHC exposing the base wiring Vss. However, a portion of the organic light emitting layer OL corresponding to the cathode contact hole CHC is removed in a later process, and a portion of the base wiring Vss is exposed through the cathode contact hole CHC.
그리고, 유기발광 층(OL) 바로 위에는 유기발광 층(OL)과 동일한 외곽 면적 및 형태를 갖도록 캐소드 전극(CAT)이 형성된다. 도 4에서는, 유기발광 층(OL)과 캐소드 전극(CAT)을 동일한 것으로 도시하였다. 실제로는 적층되어 있으며, 캐소드 콘택홀(CHC) 부분에는 유기발광 층(OL)이 제거된 상태이다. 특히, 캐소드 전극(CAT)은 캐소드 콘택홀(CHC)을 통해 기저 배선(Vss)과 접촉하도록 형성된다.
A cathode electrode (CAT) is formed directly on the organic light emitting layer OL so as to have the same area and shape as the organic light emitting layer OL. In FIG. 4, the organic light emitting layer OL and the cathode electrode CAT are shown as being the same. And the organic light emitting layer OL is removed from the cathode contact hole CHC. In particular, the cathode electrode CAT is formed in contact with the base wiring Vss through the cathode contact hole CHC.
이하, 도 6a 내지 6e를 참조하여, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 제조 방법을 설명한다. 도 6a 내지 6e는 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법을 나타내는 단면도들이다. 편의상, 박막 트랜지스터들(ST, DT)을 형성하는 방법은 종래에 공개된 일반적인 방법을 사용할 수 있으므로, 박막 트랜지스터 제조 공정에 대한 설명은 생략한다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to the present invention will be described with reference to FIGS. 6A to 6E. FIG. 6A to 6E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to the present invention. For the sake of convenience, the method of forming the thin film transistors ST and DT can use a general method disclosed in the prior art, so that a description of the thin film transistor manufacturing process is omitted.
기판(SUB) 위에 박막 트랜지스터들 및 각종 배선들을 형성한다. 박막 트랜지스터들에는 스위칭 TFT(ST), 구동 TFT(DT) 및 게이트 구동용 박막 트랜지스터(GIP)를 포함할 수 있다. 배선들에는 게이트 배선(GL), 데이터 배선(DL), 구동 전류 배선(VDD) 및 기저 배선(Vss) 등을 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터들 및 배선들이 형성된 기판(SUB) 위에 보호막(PAS)을 도포한다. 보호막(PAS)을 패턴하여, 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)의 일부를 노출하는 화소 콘택홀(PH)과 기저 배선(Vss)의 일부를 노출하는 캐소드 콘택홀(CHC)을 형성한다. 다시 기판(SUB)의 표면 위에 평탄화 막(PL)을 도포한다. 평탄화 막(PL)을 패턴하여, 화소 콘택홀(PH)과 캐소드 콘택홀(CHC)을 노출 시킨다. (도 6a)And thin film transistors and various wirings are formed on the substrate SUB. The thin film transistors may include a switching TFT (ST), a driving TFT (DT), and a gate driving thin film transistor (GIP). The wirings may include a gate wiring GL, a data wiring DL, a driving current wiring VDD and a base wiring Vss. A protective film PAS is applied on the substrate SUB on which the thin film transistors and the wirings are formed. The passivation film PAS is patterned to form a pixel contact hole PH for exposing a part of the drain electrode DD of the driving TFT DT and a cathode contact hole CHC for exposing a part of the base wiring Vss . And the planarizing film PL is further coated on the surface of the substrate SUB. The planarizing film PL is patterned to expose the pixel contact holes PH and the cathode contact holes CHC. (Fig. 6A)
평탄화 막(PL) 위에 인듐-주석 산화물(Indium-Tin Oxide; ITO) 혹은 인듐-아연 산화물(Indium-Zinc Oxide; IZO)와 같은 투명 도전 물질을 도포한다. 투명 도전 물질을 패턴하여, 화소 콘택홀(PH)을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 접촉하는 애노드 전극(ANO)을 화소 영역 내에 형성한다. (도 6b)A transparent conductive material such as indium-tin oxide (ITO) or indium-zinc oxide (IZO) is applied on the planarizing film PL. A transparent conductive material is patterned to form an anode electrode ANO in the pixel region in contact with the drain electrode DD of the driving TFT DT through the pixel contact hole PH. (Fig. 6B)
애노드 전극(ANO)이 형성된 기판(SUB) 전체 표면 위에 유기 물질을 도포한다. 유기물질을 패턴하여, 애노드 전극(ANO)에서 발광 영역을 정의하는 뱅크(BA)를 형성한다. (도 6c)An organic material is applied over the entire surface of the substrate SUB on which the anode electrode ANO is formed. The organic material is patterned to form a bank BA defining the light emitting region in the anode electrode ANO. (Fig. 6C)
뱅크(BA)가 형성된 기판(SUB) 전체 표면 위에 스크린 마스크를 배치하고, 유기 발광 물질을 증착하여 유기발광 층(OL)을 형성한다. 이때, 유기발광 층(OL)은 표시 영역(AA)을 모두 덮고, 비 표시 영역(NA)까지 연장되어 캐소드 콘택홀(CHC)을 포함하도록 형성한다. 그 후, 레이저 증발 장치를 이용하여, 캐소드 콘택홀(CHC)을 덮는 유기발광 층(OL)의 일부를 선택적으로 제거한다. 이로써, 캐소드 콘택홀(CHC)을 통해 기저 배선(Vss)의 일부분이 노출된다. 이어서, 동일한 스크린 마스크를 다시 배치하고, 투명 도전 물질을 증착하여 캐소드 전극(CAT)을 형성한다. 캐소드 전극(CAT)은 유기발광 층(OL)과 동일한 형상과 동일한 면적을 가지고 적층된다. 하지만, 캐소드 콘택홀(CHC) 부분에는 유기발광 층(OL)이 제거되어 있어서, 캐소드 전극(CAT)은 캐소드 콘택홀(CHC)을 통해 기저 배선(Vss)과 직접적으로 접촉한다. 한편, 화소 영역(PA) 내에서는 애노드 전극(ANO), 유기발광 층(OL) 및 캐소드 전극(CAT)이 적층된 유기발광 다이오드(OLED)가 완성된다. (도 6e)A screen mask is disposed on the entire surface of the substrate SUB on which the bank BA is formed, and an organic light emitting material is deposited to form the organic light emitting layer OL. At this time, the organic light emitting layer OL covers the display area AA and extends to the non-display area NA to form the cathode contact hole CHC. Thereafter, a part of the organic light emitting layer OL covering the cathode contact hole CHC is selectively removed using a laser evaporation apparatus. Thereby, a part of the base wiring Vss is exposed through the cathode contact hole CHC. Subsequently, the same screen mask is disposed again, and a transparent conductive material is deposited to form the cathode electrode (CAT). The cathode electrode (CAT) is stacked with the same shape and the same area as the organic light emitting layer (OL). However, since the organic light emitting layer OL is removed from the cathode contact hole CHC, the cathode electrode CAT directly contacts the base wiring Vss through the cathode contact hole CHC. Meanwhile, the organic light emitting diode OLED in which the anode electrode ANO, the organic light emitting layer OL, and the cathode electrode CAT are stacked is completed in the pixel region PA. (Fig. 6E)
본 발명에서는, 유기발광 다이오드(OLED)를 구성하는 유기발광 층(OL)과 캐소드 전극(CAT)을 동일한 스크린 마스크를 이용하여 형성한다. 따라서, 유기발광 층(OL)용 스크린 마스크와 캐소드 전극(CAT)용 스크린 마스크를 따로 구비하지 않아도 되므로, 제조 비용이 절감된다. 또한, 제조 공정이 단순하고, 제조 라인도 레이저 증발 장치를 구비한 하나의 증착 라인을 이용하여 증착 공정을 2번 반복 수행하는 것으로 충분하다. 제조 비용을 절감할 수 있으며, 제조 방법이 단순해 진다.In the present invention, the organic light emitting layer OL and the cathode electrode CAT constituting the organic light emitting diode OLED are formed using the same screen mask. Therefore, it is not necessary to separately provide a screen mask for the organic light emitting layer OL and a screen mask for the cathode electrode (CAT), thereby reducing the manufacturing cost. In addition, it is sufficient that the manufacturing process is simple, and the production line is repeatedly subjected to the deposition process twice using one vapor deposition line equipped with the laser evaporation apparatus. The manufacturing cost can be reduced, and the manufacturing method becomes simple.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the present invention should not be limited to the details described in the detailed description, but should be defined by the claims.
ST: 스위칭 TFT
DT: 구동 TFT
SG: 스위칭 TFT 게이트 전극
DG: 구동 TFT 게이트 전극
SS: 스위칭 TFT 소스 전극
DS: 구동 TFT 소스 전극
SD: 스위칭 TFT 드레인 전극
DD: 구동 TFT 드레인 전극
SA: 스위칭 TFT 반도체 층
DA: 구동 TFT 반도체 층
GL: 게이트 배선
DL: 데이터 배선
VDD: 구동 전류 배선
GP: 게이트 패드
DP: 데이터 패드
GPT: 게이트 패드 단자
DPT: 데이터 패드 단자
VDP: 구동 전류 패드
VDPT: 구동 전류 패드 단자
GPH: 게이트 패드 콘택홀
GI: 게이트 절연막
IN: 절연막
PAS: 보호막
PL: 평탄화 막
OL: 유기발광층
OLED: 유기발광 다이오드
CHC: 캐소드 콘택홀ST: switching TFT DT: driving TFT
SG: switching TFT gate electrode DG: driving TFT gate electrode
SS: switching TFT source electrode DS: driving TFT source electrode
SD: switching TFT drain electrode DD: driving TFT drain electrode
SA: switching TFT semiconductor layer DA: driving TFT semiconductor layer
GL: gate wiring DL: data wiring
VDD: Drive current wiring GP: Gate pad
DP: Data pad GPT: Gate pad terminal
DPT: Data pad terminal VDP: Drive current pad
VDPT: driving current pad terminal GPH: gate pad contact hole
GI: Gate insulating film IN: Insulating film
PAS: protective film PL: planarization film
OL: organic light emitting layer OLED: organic light emitting diode
CHC: cathode contact hole
Claims (7)
상기 기판 전체를 덮되 상기 기저 배선의 일부분을 노출하는 캐소드 콘택홀을 구비하는 평탄화 막을 형성하는 단계;
상기 평탄화 막 위에 애노드 전극을 형성하는 단계;
스크린 마스크를 이용하여, 상기 애노드 전극 및 상기 기저 배선 상부 표면 위에 유기발광 층을 증착하는 단계;
상기 유기발광 층 중에서 상기 캐소드 콘택홀을 덮는 부분을 제거하는 단계; 그리고
상기 스크린 마스크를 이용하여, 상기 유기발광 층 위에 캐소드 전극을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법.
Forming a thin film transistor substrate including a base wiring on a substrate;
Forming a planarization film covering the whole substrate and having a cathode contact hole exposing a portion of the base wiring;
Forming an anode electrode on the planarization layer;
Depositing an organic light emitting layer on the anode electrode and the upper surface of the base wiring using a screen mask;
Removing a portion of the organic light emitting layer covering the cathode contact hole; And
And depositing a cathode electrode on the organic light emitting layer using the screen mask.
상기 박막 트랜지스터 기판을 형성하는 단계는, 상기 기판 위에 표시 영역과 비 표시 영역을 구획하고, 상기 표시 영역에는 박막 트랜지스터를 배치하고, 상기 비 표시 영역에 상기 기저 배선을 배치하며;
상기 평탄화 막을 형성하는 단계는, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극을 노출하는 화소 콘택홀을 더 구비하고;
상기 애노드 전극을 형성하는 단계는, 상기 애노드 전극을 상기 화소 콘택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터의 상기 드레인 전극과 연결하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein forming the thin film transistor substrate comprises: dividing a display region and a non-display region on the substrate, disposing a thin film transistor in the display region, and disposing the base wiring in the non-display region;
Wherein the step of forming the planarization layer further comprises a pixel contact hole exposing a drain electrode of the thin film transistor;
Wherein the step of forming the anode electrode connects the anode electrode with the drain electrode of the thin film transistor through the pixel contact hole.
상기 캐소드 콘택홀을 덮는 부분을 제거하는 단계는, 레이저 증발기를 이용하여 상기 유기발광 층에서 상기 캐소드 콘택홀을 덮는 부분을 선택적으로 제거하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of removing the portion covering the cathode contact hole selectively removes a portion covering the cathode contact hole in the organic light emitting layer using a laser evaporator.
상기 비 표시 영역에 배치된 기저 배선;
상기 표시 영역 및 상기 비 표시 영역을 모두 덮는 평탄화 막;
상기 평탄화 막에 형성되어 상기 기저 배선의 일부를 노출하는 캐소드 콘택홀;
상기 평탄화 막 위의 상기 표시 영역 내에 형성된 애노드 전극;
상기 애노드 전극과 중첩하며, 상기 기저 배선과 중첩하되, 상기 캐소드 콘택홀을 노출하는 유기발광 층; 그리고
상기 애노드 전극 및 상기 유기발광 층 위에 적층되며, 상기 캐소드 콘택홀을 통해 상기 기저 배선과 접촉하는 캐소드 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
A substrate including a display region and a non-display region disposed outside the display region;
A base wire arranged in the non-display area;
A planarizing film covering both the display region and the non-display region;
A cathode contact hole formed in the planarization film and exposing a part of the base wiring;
An anode electrode formed in the display region on the planarizing film;
An organic light emitting layer overlapping the anode electrode and overlapping the base wiring, the organic light emitting layer exposing the cathode contact hole; And
And a cathode electrode which is stacked on the anode electrode and the organic light emitting layer and is in contact with the base wire through the cathode contact hole.
상기 표시 영역에서 상기 평탄화 막 하부에 형성된 박막 트랜지스터;
상기 평탄화 막에 형성되어 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극 일부를 노출하여, 상기 애노드 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 화소 콘택홀; 그리고
상기 애노드 전극 위에 형성되어 발광 영역을 정의하는 뱅크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
5. The method of claim 4,
A thin film transistor formed under the planarizing film in the display region;
A pixel contact hole formed in the planarization layer to expose a portion of a drain electrode of the thin film transistor and connect the anode electrode and the drain electrode; And
And a bank formed on the anode electrode to define a light emitting region.
상기 유기발광 층과 상기 캐소드 전극은 차지하는 외곽 면적과 형태가 동일한 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the organic light emitting layer and the cathode electrode have the same shape and shape as the surrounding area.
상기 애노드 전극, 상기 유기발광 층 그리고 상기 캐소드 전극이 적층되어 유기발광 다이오드를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.5. The method of claim 4,
Wherein the anode electrode, the organic light emitting layer, and the cathode electrode are laminated to form an organic light emitting diode.
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