KR20150067587A - 광추출 효율이 향상된 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

광추출 효율이 향상된 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예는 외부로 광을 방출하는 화소부 및 상기 화소부 주변에 위치하고 광을 방출하지 않는 비화소부로 구획된 표시부를 구비하는 제1기판; 상기 화소부에 대응하여 아일랜드 타입으로 구비되는 제1전극; 상기 제1전극과 대향되며 상기 화소부 및 상기 비화소부에 걸쳐 구비되는 제2전극; 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고 상기 제2전극의 방향으로 상기 광을 방출하는 유기 발광층; 및 상기 제2전극과 대향되도록 배치되고 상기 제1기판과 접합되며, 상기 화소부에 대응하는 부분에 배치되는 광추출부 및 상기 비화소부에 대응하는 부분에 배치되는 광반사부를 포함하고 상기 광추출부 및 상기 광반사부를 상기 제2전극을 향하는 내면에 구비하는 제2기판; 을 포함하는, 유기 발광 표시 장치를 개시한다.

Description

광추출 효율이 향상된 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 {Organic light emitting display device and method of manufacturing thereof}
본 발명의 실시예들은 광추출 효율이 향상된 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 대한 것이다.
유기 발광 소자를 이용한 유기 발광 표시 장치는 현재 널리 상용화되어 있는 액정 표시 장치에 비하여 빠른 응답 속도를 가지고 있어 동영상의 구현이 가능하고, 자체적으로 발광하여 시야각이 넓으며 높은 휘도를 낼 수 있어 차세대 표시 장치로 각광을 받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 화상이 표시되는 표시 영역과 화상이 표시되지 않는 데드 스페이스인 비표시 영역을 포함한다. 표시 영역은 광을 방출하는 화소부와 광을 방출하지 않는 비화소부를 포함하는데, 화소부에서 방출되는 광을 외부로 보다 효율적으로 추출하기 위한 연구가 활발하다.
본 발명의 실시예들은 광추출 효율이 향상된 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 외부로 광을 방출하는 화소부 및 상기 화소부 주변에 위치하고 광을 방출하지 않는 비화소부로 구획된 표시부를 구비하는 제1기판; 상기 화소부에 대응하여 아일랜드 타입으로 구비되는 제1전극; 상기 제1전극과 대향되며 상기 화소부 및 상기 비화소부에 걸쳐 구비되는 제2전극; 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고 상기 제2전극의 방향으로 상기 광을 방출하는 유기 발광층; 및 상기 제2전극과 대향되도록 배치되고 상기 제1기판과 접합되며, 상기 화소부에 대응하는 부분에 배치되는 광추출부 및 상기 비화소부에 대응하는 부분에 배치되는 광반사부를 포함하고 상기 광추출부 및 상기 광반사부를 상기 제2전극을 향하는 내면에 구비하는 제2기판; 을 포함하는, 유기 발광 표시 장치를 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 광반사부는 상기 제2기판의 내면으로부터 상기 제2전극의 방향으로 순차적으로 복수개의 층을 포함하며 상기 복수개의 층은 상기 제2기판에 내면의 표면에 구비되며 외광이 상기 제2기판의 외면으로 반사되는 것을 방지하는 제1외광반사방지층; 및 상기 제1외광반사층의 표면에 구비되며 상기 유기 발광층에서 상기 제2기판의 방향으로 방출되는 상기 광을 상기 제2전극의 방향으로 반사시키는 제1광반사층; 을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 광추출부는 상기 제2기판의 내면으로부터 상기 제2전극의 방향으로 순차적으로 상기 제1외광반사방지층과 일체로 구비된 제2외광반사방지층 및 상기 제1광반사층과 일체로 구비된 제2광반사층을 포함하며, 상기 제2외광반사방지층 및 상기 제2광반사층에는 상기 유기 발광층에서 방출되는 상기 광이 외부로 진행할 수 있는 복수개의 슬릿 패턴들이 구비될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2광반사층의 표면에 구비되며 투명하고 상기 복수개의 슬릿 패턴이 구비되는 보호층을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1외광반사방지층은 블랙매트릭스, 금속질화물 및 금속산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1광반사층은 알루미늄을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1광반사층의 표면은 평탄할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1광반사층의 표면에 상기 유기 발광층으로부터 방출된 상기 광의 난반사를 유발하는 난반사층이 더 구비될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1기판 상에 구비되고 상기 제1전극과 전기적으로 연결되고 상기 제1전극과 중첩되어 상기 제1전극에 가리도록 배치되는 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2전극의 표면과 상기 광추출부 및 상기 광반사부의 표면은 이격될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는 외부로 광을 방출하는 화소부 및 상기 화소부 주변에 위치하고 광을 방출하지 않는 비화소부로 구획된 표시부가 위치될 제1기판을 준비하는 단계; 상기 화소부에 대응하여 아일랜드 타입으로 제1전극을 형성하는 단계; 상기 제1전극과 대향되며 상기 화소부 및 상기 비화소부에 걸쳐 제2전극을 형성하는 단계; 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고 상기 제2전극의 방향으로 상기 광을 방출하는 유기 발광층을 형성하는 단계; 제2기판의 상기 제2전극을 향하는 내면 중 상기 비화소부에 대응하는 부분에 광반사부를 형성하고, 상기 화소부에 대응하는 부분에 광추출부를 형성하는 단계; 및 상기 제2기판의 내면을 상기 제2전극과 대향되도록 배치하고 상기 제2기판과 상기 제1기판을 접합하는 단계; 를 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 실시예에 있어서, 상기 광반사부 및 상기 광추출부를 형성하는 단계는 상기 제2기판에 내면의 표면 중 상기 광반사부에 대응하는 부분에 제1외광반사방지층을 형성하고, 동시에 상기 광추출부에 대응하는 부분에 상기 제1외광반사방지층과 일체로 제2외광반사방지층을 형성하는 단계; 상기 제1외광반사층의 표면에 제1광반사층을 형성하고, 동시에 상기 광추출부에 대응하는 부분에 상기 제1광반사층과 일체로 제2광반사층을 형성하는 단계; 적어도 상기 제2광반사층의 표면에 보호층을 형성하는 단계; 및 상기 제2외광반사방지층, 상기 제2광반사층 및 상기 보호층에 복수개의 슬릿 패턴들을 형성하는 단계; 를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1외광반사방지층 및 상기 제2외광반사방지층은 블랙매트릭스, 금속질화물 및 금속산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1광반사층 및 제2광반사층은 알루미늄을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1광반사층의 표면에 상기 유기 발광층으로부터 방출된 상기 광의 난반사를 유발하는 난반사층을 더 형성할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1기판 상에 구비되고 상기 제1전극과 전기적으로 연결되고 상기 제1전극과 중첩되어 상기 제1전극에 가리도록 배치되는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예들에 의한 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 의하면 유기 발광 소자에서 방출되는 광 추출 효율이 향상되는 특징이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도를 도시한 것이다.
도 2는 도 1의 표시부의 일부분을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ’선을 따라 절단한 개략적인 단면도를 도시한 것이다.
도 4 내지 도 9 는 도 3의 유기 발광 장치의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다.
도 10은 본 발명의 비교예에 의한 유기 발광 표시 장치의 광추출 효율을 나타낸 것이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치의 광추출 효율을 나타낸 것이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치의 휘도 게인을 나타낸 그래프이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치의 표시부의 단면도이다.
도 14a 내지 도 14c는 본 발명의 일 실시예에 의한 난반사 구조물의 다양한 예시를 도시한 것이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도를 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치는 제1기판(100) 상에 표시부(110)를 구비한다. 표시부(110)는 화상을 표시하는 영역이고, 표시부(110)에는 복수개의 화소부(115)가 포함되며 각각의 화소부(115)는 광을 방출한다. 이렇게 광을 방출하는 화소부(115)에 의해 표시부(110)가 화상을 표시하게 되는 것이다.
표시부(110) 주변영역은 비표시영역(NDA)으로 정의된다. 비표시영역(NDA)에는 예를 들어 제1기판(100)과 제2기판(200)을 접합하는 접합부재(300)가 구비될 수 있다. 도시되지 않았으나 비표시영역(NDA)에는 화소부(115)를 구동하기 위한 각종 드라이버들이 구비될 수도 있다.
제2기판(200)은 제1기판(100) 상에 구비된 표시부(110)에 외기 및 수분이 침투하는 것을 차단하기 위한 구비된다. 제2기판(200)은 제1기판(100)의 가장자리에 구비된 접합부재(300)를 통해 제1기판(100)과 접합하며 표시부(110)를 밀봉한다. 제1기판(100)과 제2기판(200) 사이의 공간에는 흡습재나 충진재가 위치할 수 있다. 제2기판(200)은 투명한 부재로 형성되어 제2기판(200)의 외측에 위치한 사용자가 표시부(110)에서 구현되는 화상을 볼 수 있도록 한다.
제2기판(200)의 내면(200a)에는 표시부(110)의 화소부(115)에 대응하는 부분에 광추출부(215)가 배치되고, 표시부(110)의 비화소부(116)에 대응하는 부분에 광반사부(216)가 구비된다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 이와 같이 화소부(115)에 대응하는 제2기판(200)의 부분과 비화소부(116)에 대응하는 제2기판(200)의 부분에 서로 다른 광학 구성이 배치됨으로써, 화소부(115)에서 방출되는 광을 보다 효율적으로 제2기판(200)의 외면(200b)으로 추출할 수 있다.
도 2는 도 1의 표시부(110)의 일부분을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2를 참조하면, 표시부(110)는 제2기판(200)의 방향으로 광을 방출하는 화소부(115)와 화소부(115) 주변에 배치되고 광을 방출하지 않는 비화소부(116)로 구획된다. 표시부(110)에는 복수개의 화소부(115)가 구비될 수 있다. 예를 들어, 표시부(110)는 적색광을 방출하는 적색화소부(115R), 녹색광을 방출하는 녹색화소부(115G) 및 청색광을 방출하는 청색화소부(115B)를 포함할 수 있다. 이렇게 적색화소부(115R), 녹색화소부(115G) 및 청색화소부(115B)의 그룹은 하나의 단위화소를 형성할 수 있다. 적색화소부(115R), 녹색화소부(115G) 및 청색화소부(115B)는 도 2에 도시된 바와 같이 배치될 수 있다. 그러나 도 2의 배치는 예시적인 것이며, 세개의 화소부(115)가 x축방향 또는 y축방향으로 일렬로 배치될 수도 있다. 또한, 단위화소를 구성하는 화소부(115)의 개수나 구성은 도 2에 도시된 바에 한정되지 않는다. 예를 들어, 단위화소는 네개의 화소부(115)를 포함할 수도 있고, 단위화소에 포함되는 화소부(115)는 적색, 녹색, 청색 이외에 백색, 주황색 또는 보라색 등을 더 포함할 수도 있다.
비화소부(116)는 화소부(115) 주변의 영역이며, 예를 들어 서로 다른 색의 화소부(115) 사이에 구비될 수도 있고, 단위화소들 사이에 구비될 수도 있다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ’선을 따라 절단한 개략적인 단면도를 도시한 것이다. 도 4 내지 도 9 는 도 3의 유기 발광 장치의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다. 이하에서는 도 3과 도 4 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치의 표시부(110)의 단면 구성 및 이의 구체적인 제조 방법을 상세히 설명한다.
도 4를 참조하면, 먼저 제1기판(100)을 준비한다. 제1기판(100)은 유기 발광 표시 장치 전체를 지지하고 강성을 유지시키는 역할을 한다. 기판은 제1상면(上面) 평탄하며 투명한 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어 제1기판(100)은, 유리(glass)로 이루어질 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예는 이에 한정되지 않고 제1기판(100)은 예컨대, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리이미드(plyimide)와 같은 플라스틱 재질로 이루어질 수도 있다. 한편, 제1기판(100)은 예컨대 금속, 탄소 섬유와 같은 불투명한 재질로 이루어 질 수도 있다.
제1기판(100) 상에는 버퍼막(101)이 형성된다. 버퍼막(101)(buffer layer)은 상면을 평활하게 하며 불순물의 침투를 차단한다. 버퍼막(101)은 실리콘산화물(SiOx) 및/또는 실리콘질화물(SiNx) 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있으며, 다양한 증착 방법을 통해 형성할 수 있다. 버퍼막(101)은 필요에 따라 생략할 수 있다.
버퍼막(101) 상에는 화소 회로부가 형성된다. 화소 회로부는 적어도 하나의 박막 트랜지스터(TFT)를 포함한다. 하지만 이에 한정되지 않고 화소 회로부는 적어도 하나의 커패시터를 더 포함할 수 있다. 도 3에서는 설명의 편의를 위하여 하나의 화소부(115)에 대응하여 하나의 박막 트랜지스터(TFT)를 도시하였다. 그러나 이는 예시적인 것일 뿐, 하나의 화소부(115)에 대응하는 화소 회로는 적어도 두 개의 박막 트랜지스터(TFT)와 적어도 하나의 커패시터를 포함할 수 있다. 한편, 도 3에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 활성층(102), 게이트 전극(104) 및 소스/드레인 전극(106a,b)을 제1기판(100)으로부터 순차적으로 포함하는 탑 게이트 타입(top gate type)인 경우를 도시하였다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고 바텀 게이트 타입(bottom gate type) 등 다양한 타입의 박막 트랜지스터(TFT)가 채용될 수 있다.
활성층(102)(active layer)은 버퍼막(101) 상에 형성된다. 활성층(102)은 반도체 물질을 포함하며, 예컨대 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)을 포함할 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고 활성층(102)이 예컨대, G-I-Z-O[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c](a, b, c는 각각 a≥0, b≥0, c＞0의 조건을 만족시키는 실수)와 같은 산화물 반도체 물질을 포함할 수 있다. 활성층(102)은 GIZO 외에도 예를 들어, 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 또는 하프늄(Hf) 과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 활성층(102)은 소스 전극(106a) 및 드레인 전극(106b)이 각각 접촉하는 소스 영역 및 드레인 영역과, 그 사이에 위치하는 채널 영역을 포함한다. 활성층(102)이 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘을 포함하는 경우, 필요에 따라 소스 영역 및 드레인 영역에는 불순물이 도핑될 수 있다.
게이트 절연막(103)(gate insulating layer)은 활성층(102) 상에 형성되며, 실리콘산화물 및/또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 게이트 절연막(103)은 활성층(102) 및 게이트 전극(104)을 절연하는 역할을 한다.
게이트 전극(104)은 게이트 절연막(103)의 상부에 형성된다. 게이트 전극(104)은 박막 트랜지스터에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)와 연결되어 있다. 게이트 전극(104)은 저저항 금속 물질로 이루어질 수 있으며, 예컨대 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(104) 상에는 층간 절연막(105)(inter layer dielectric)이 형성된다. 층간 절연막(105)은 소스 전극(106a) 및 드레인 전극(106b)과 게이트 전극(104)을 절연하는 역할을 한다. 층간 절연막(105)은 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 예컨대 무기 물질은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다.
소스 전극(106a) 및 드레인 전극(106b)은 층간 절연막(105) 상에 형성된다. 예컨대 소스 전극(106a) 및 드레인 전극(106b)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 소스 전극(106a) 및 드레인 전극(106b)은 층간 절연막(105)과 게이트 절연막(103)에 형성된 컨택홀을 통해 활성층(102)의 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 접촉한다.
다음으로, 이러한 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 평탄화막(107)이 형성된다. 평탄화막(107)은 박막 트랜지스터(TFT)로부터 비롯된 단차를 해소하고 상면을 평탄하게 하여, 하부 요철에 의해 유기 발광 소자(OLED)에 불량이 발생하는 것을 방지한다. 이러한 평탄화막(107)은 무기 물질 및/또는 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 예컨대 무기 물질은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다. 한편, 유기 물질은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 또한, 평탄화막(107)은 무기 절연막과 유기 절연막의 복합 적층체로 형성될 수도 있다.
다음으로 평탄화막(107) 상에 유기 발광 소자(OLED)를 형성한다. 상세히, 유기 발광 소자(OLED)는 화소 전극(111), 이에 대향되는 대향 전극(112) 및 양 전극 사이에 개재되는 중간층(113)을 포함한다. 유기 발광 소자(OLED)의 발광 방향에 따라, 표시 장치는 배면 발광 타입(bottom emission type), 전면 발광 타입(top emission type) 및 양면 발광 타입(dual emission type) 등으로 구별되는데, 배면 발광 타입에서는 화소 전극(111)이 광투과 전극으로 구비되고 대향 전극(112)은 반사 전극으로 구비된다. 전면 발광 타입에서는 화소 전극(111)이 반사 전극으로 구비되고 대향 전극(112)이 반투과 전극으로 구비된다. 양면 발광 타입에서는 화소 전극(111) 및 대향 전극(112)이 모두 광을 투과하는 전극으로 구비된다. 도 3에서는 유기 발광 표시 장치가 전면 발광 타입인 것을 도시하였다.
화소 전극(111)은 각 화소부(115)에 대응하는 아일랜드 형태로 패터닝되어 형성될 수 있다. 또한 화소 전극(111)은 화소 회로에 포함된 박막 트랜지스터(TFT)와 평탄화막(107)의 홀을 통해 컨택하도록 형성한다. 한편, 화소 전극(111)은 하부의 화소 회로를 가리도록 박막 트랜지스터(TFT)와 중첩되도록 배치될 수 있다.
화소 전극(111)은 대향 전극(112)의 방향으로 광의 반사가 가능하도록 투명 전극층 외에도 반사 전극층을 포함한다. 화소 전극(111)이 애노드로 기능하는 경우, 투명 전극층은 일함수가 높은 인듐틴옥사이드(indium tin oxide: ITO), 인듐징크옥사이드(indium zinc oxide: IZO), 징크옥사이드(zinc oxide: ZnO), 인듐옥사이드(indium oxide: In2O3), 인듐갈륨옥사이드(indium galium oxide: IGO), 및 알루미늄징크옥사이드(aluminium zinc oxide: AZO)과 같은 투명도전성산화물을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 반사 전극층은 은(Ag)과 같이 반사율이 높은 금속을 포함할 수 있다.
다음으로 도 5를 참조하면, 평탄화막(107) 상에 화소 정의막(109)이 형성된다. 화소 정의막(109)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유기 절연 물질로 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 화소 정의막(109)은 화소 전극(111)의 가장자리를 덮고 적어도 중앙부를 개방하는 개구부(109a)를 포함한다. 이 개구부(109a)로 한정된 영역은 화소부(115)에 대응되며 중간층(113)이 형성된다.
중간층(113)은 적색, 녹색 또는 청색 광을 방출하는 유기 발광층을 포함하며, 유기 발광층은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물을 사용할 수 있다. 유기 발광층이 저분자 유기물로 형성된 저분자 유기층인 경우에는 유기 발광층을 중심으로 화소 전극(111)의 방향으로 홀 수송층(hole transport layer: HTL) 및 홀 주입층(hole injection layer:HIL)등이 위치하고, 대향 전극(112)의 방향으로 전자 수송층(electron transport layer: ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer:EIL) 등이 적층된다. 물론, 이들 홀 주입층, 홀 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층 외에도 다양한 층들이 필요에 따라 적층되어 형성될 수 있다.
한편, 상술한 실시예에서는 각 화소부(115) 별로 별도의 유기 발광층이 형성된 경우를 예로 도시하였다. 이 경우에는 화소부(115) 별로 적색, 녹색 및 청색의 광을 각각 방출할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유기 발광층이 화소부(115) 전체에 공통으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 적색, 녹색, 및 청색의 광을 방출하는 복수의 유기 발광층이 수직으로 적층되거나 혼합되어 형성되어 백색광을 방출할 수 있다. 물론, 백색광을 방출하기 위한 색의 조합은 상술한 바에 한정되지 않는다. 한편, 이 경우 방출된 백색광을 소정의 컬러로 변환하는 색변환층이나 컬러필터가 별도로 구비될 수 있다.
다음으로 도 6을 참조하면, 화소부(115) 및 비화소부(116) 전체를 덮도록 대향 전극(112)이 형성된다. 대향 전극(112)은 도전성 무기 물질로 이루어질 수 있다. 대향 전극(112)이 캐소드로 기능하는 경우, 일함수가 작은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, Ag 등으로 형성할 수 있으며, 광투과가 가능하도록 상기 금속들을 박막으로 형성할 수 있다. 대향 전극(112)은 화상이 구현되는 표시부(110) 전체에 걸쳐 공통 전극으로 형성될 수 있다. 이 때, 대향 전극(112)은 중간층(113)에 손상을 가하지 않는 증발(evaporation) 공정으로 형성할 수 있다. 한편, 화소 전극(111)과 대향 전극(112)은 그 극성이 서로 반대가 되어도 무방하다.
대향 전극(112) 상에는 절연성 캡핑층(114)이 더 형성될 수 있다. 절연성 캡핑층(114)은 스퍼터링(sputtering) 공정이나 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정을 이용하여 봉지 박막을 형성할 때 대향 전극(112)의 일함수(work function)를 유지시켜 주고, 중간층(113)에 포함된 유기물이 손상을 막아줄 수 있다. 절연성 캡핑층(114)은 선택적인 구성이며 구비되지 않을 수도 있다.
상술한 과정을 통해 제1기판(100)상에 표시부(110)를 제조할 수 있다. 이하에서는 도 7 및 도 8을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 광추출부(215) 및 광반사부(216)를 구비하는 제2기판(200)의 구조 및 이의 제조 방법에 대하여 알아본다.
도 7을 참조하면, 먼저 제2기판(200)을 준비한다. 제2기판(200)은 유기 발광 소자로부터 방출되는 광을 투과할 수 있도록 투명한 투명한 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어 제2기판(200)은, 유리(glass)로 이루어질 수 있다. 제2기판(200)은 제1기판(100)과 접합될 경우 표시부(110)의 화소부(115)에 대응하는 광추출부(215)가 배치될 부분과 표시부(110)의 비화소부(116)에 대응하는 광반사부(216)가 배치될 부분으로 구획될 수 있다.
다음으로, 제2기판(200)의 내면(200a) 상에 전체적으로 외광반사방지층(201)을 형성한다. 외광반사방지층(201)은 제2기판(200)의 내면(200a)의 반대쪽에 위치하는 외면(200b) 쪽에서 사용자가 유기 발광 표시 장치를 관찰할 때, 외광이 제2기판(200)의 외면(200b)의 사용자측으로 반사되어 표시부(110)의 화상이 선명하게 관찰되지 않는 것을 방지한다. 외광반사방지층(201)은 외광의 반사를 방지하기 위하여 반사율이 낮은 물질로 이루어진다. 예를 들어 외광반사방지층(201)은 블랙매트릭스(black matrix), 금속질화물 및 금속산화물 중 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. 금속질화물의 경우 예컨대 티타늄질화물(TiNx), 몰리브덴질화물(MoNx), 구리질화물(CuNx) 등을 채용할 수 있고, 특히 티타늄 질화물의 경우 그 두께가 약 30nm 내지 70nm 인 경우 외광의 반사율이 10% 미만이 되는 것을 실험적으로 확인할 수 있다. 그 밖에도 금속산화물로는 티타늄산화물(TiOx), 인듐징크옥사이드(IZO) 등을 채용할 수 있다. 외광반사방지층(201)은 상술한 물질들을 단일층으로 형성할 수도 있고, 복합층으로 형성할 수도 있다.
다음으로 외광반사방지층(201)의 표면에 광반사층(202)을 형성한다. 광반사층(202)은 유기 발광 소자(OLED)에서 제2기판(200)의 방향으로 방출되는 광을 대향 전극(112)의 방향으로 반사하고 반사된 광이 다시 대향 전극(112)에 의해 반사되어 광추출부(215)로 빠져나갈 수 있도록 유도하는 역할을 한다. 광반사층(202)의 역할에 대해서는 추후에 상세히 설명한다. 광반사층(202)은 유기 발광 표시장치에서 방출된 광을 효과적으로 반사시키도록 반사율이 높은 물질로 이루어진다. 예를 들어 광반사층(202)은 알루미늄(Al)으로 이루어질 수 있다. 알루미늄은 소광계수 (extinction coefficient)가 타 금속에 비하여 월등히 크므로 광을 보다 효율적으로 반사시킬 수 있다.
다음으로, 광반사층(202)의 표면에 보호층(203)을 형성한다. 보호층(203)은 광반사층(202)을 보호하고 추후 광반사층(202) 중 광추출부(215)에 대응하는 부분에 복수개의 슬릿 패턴을 형성할 때 마스크 역할을 하는 층이다. 보호층(203)은 광의 반사에 영향을 주지 않기 위하여 투명한 물질로 형성한다. 예를 들어 보호층(203)은 실리콘산화물(SiOx)로 형성할 수 있다.
다음으로 도 8을 참조하면, 광반사부(216) 및 광추출부(215)를 형성한다. 상술한 바와 같이 광반사부(216)는 표시부(110)의 비화소부(116)에 대응하는 부분에 형성되고, 광추출부(215)는 표시부(110)의 화소부(115)에 대응하는 부분에 형성된다. 광반사부(216)의 경우 유기 발광 소자에서 방출되는 광을 대향 전극(112)의 방향으로 반사시키키 위한 부분이므로, 광반사부(216)에서는 제2기판(200)의 방향으로 광이 투과되는 부분이 요구되지 않는다. 그런데, 광추출부(215)의 경우는 유기 발광 소자(OLED)에서 방출되는 광 및 광반사부(216)에서 반사된 광을 모두 제2기판(200)의 외부로 진행할 수 있도록 하는 부분인 바, 광반사부(216)에는 광이 진행할 수 있는 경로가 필요하다. 따라서 광추출부(215)에는 광이 외부로 진행할 수 있는 복수개의 슬릿 패턴(s)이 구비된다. 이러한 슬릿 패턴(s)은 외광반사방지층(201), 광반사층(202) 및 보호층(203)에 일괄적으로 형성되며, 관통형으로 형성된다.
광추출부(215) 및 광반사부(216)를 형성하기 위한 구체적인 방법은 다음과 같다. 먼저, 광추출부(215)가 형성된 부분에 구비된 보호층(203)을 복수개의 슬릿 패턴(s)으로 패터닝한다. 보호층(203)을 패터닝하는 방법은 공지된 다양한 방법을 사용할 수 있다. 일 예로, 보호층(203) 상에 PET, PC, PEN 등으로 이루어진 폴리머층을 보호층(203)보다 약 2-4 배 정도 두껍게 형성한 후, 복수개의 슬릿의 역패턴에 대응하는 마스터 몰드로 누른 후 폴리머층을 경화시켜 복수개의 슬릿 패턴을 가진 경화된 폴리머층을 형성한다. 그 후 경화된 폴리머층을 마스크로 하여 보호층(203)을 패터닝힌다. 그리고, 패터닝된 보호층을 마스크로 하여 광반사층(202) 및 외광반사방지층(201)을 패터닝한다. 한편 이 때, 광반사부(216)에는 복수개의 슬릿 패턴이 형성되면 안되므로 광반사부(216)가 형성될 부분에 구비된 보호층(203)상에는 포토레지스트(PR)와 같은 물질로 미리 마스킹을 해둔다. 그 결과 광반사부(216)에 위치하는 외광반사방지층(201), 광반사층(202) 및 보호층(203)은 표면이 평탄한 상태로 유지되나, 반면 광추출부(215)에 위치하는 외광반사방지층(201), 광반사층(202) 및 보호층(203)에는 광을 외부로 전달할 수 있는 복수개의 슬릿 패턴(s)이 형성된다. 여기서 복수개의 슬릿 패턴(s)의 높이는 약 50-200nm 정도이고, 폭은 약 100-150nm 이며, 슬릿 패턴(s)간의 간격은 약 10-100nm 일 수 있으나 이는 예시적인 것이다.
한편, 광반사부(216)에 위치하는 외광반사방지층(201), 광반사층(202) 및 보호층(203)은 제1외광반사방지층(201a), 제1광반사층(202a) 및 제1보호층(203a)으로 지칭하고, 광추출부(215)에 위치하는 외광반사방지층(201), 광반사층(202) 및 보호층(203)은 제2외광반사방지층(201b), 제2광반사층(202b) 및 제2보호층(203b)으로 지칭하여 서로 구조가 다른 양 부재를 각각을 구별한다.
도 9를 참조하면, 광추출부(215) 및 광반사부(216)를 구비하는 제2기판(200)을 제1기판(100)과 접합한다. 이 때 광추출부(215) 및 광반사부(216)가 구비된 제2기판(200)의 내면(200a)이 제2전극을 향하도록 배치하고 도 1에 도시된 바와 같이 제1기판(100) 가장자리에 구비된 접합 부재(300)를 통해 양 기판을 접합한다.
이하에서는 광반사부(216)를 구비하지 않고 광추출부(215)만 구비하는 제2기판(200)을 사용한 유기 발광 표시 장치를 비교예로 하여 도 3에 의한 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치의 광추출 효율이 얼마나 개선되었는지 알아본다.
도 10은 본 발명의 비교예에 의한 유기 발광 표시 장치의 광추출 효율을 나타낸 것이다.
도 10을 참조하면, 비교예의 경우 유기 발광 표시 장치에서 방출되는 광의 총 투과율은 다음 수(1)과 같다.
수(1)
Ttotal(1)=T+αRT+ α2R2T+…=T/(1- α R)
상기 수(1)에서 T는 광추출부의 P편광의 투과율이며, R은 광추출부의 S편광의 반사율이고 α는 대향 전극의 리사이클링 효율이다. 여기서 리사이클링 효율이란 일단 유기 발광 소자로부터 방출된 광이 다시 대향 전극의 방향으로 입사되어 대향 전극으로부터 반사되어 제2기판의 방향으로 향하는 비율을 의미할 수 있다.
수(1)로부터 비교예의 광추출부에 의한 휘도 게인(gain)을 도출하면 다음의 수(2)와 같다. 여기서 휘도 게인이란, 휘도 이득이라 볼 수 있다.
수(2)
E(1)= Ttotal(1)/T=(1- α R)
도 11은 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치의 광추출 효율을 나타낸 것이다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 실시예의 경우 유기 발광 표시 장치에서 방출되는 광의 총 투과율은 다음 수(3)와 같다.
수(3)
Ttotal(3)=AT/[1- {αAR+α(1-A)R’}]
상기 수(3)에서 T는 광추출부의 P편광의 투과율이며, R은 광추출부의 S편광의 반사율이고, R’은 광반사부의 반사율이고, α는 대향 전극의 리사이클링 효율이며, A는 광추출부에 형성된 복수개의 슬릿 패턴에 의한 개구율이다. 본 발명의 실시예의 경우 비교예와 달리 광반사부가 구비되므로 광반사부에 의한 반사율값이 더 고려된다.
수(3)으로부터 본 실시예의 광추출부 및 광반사부에 의한 휘도 게인을 도출하면 다음의 수(4)와 같다.
수(4)
E(2)= Ttotal(1)/AT=1- {αAR+α(1-A)R’}
한편, 이상과 같이 도출된 수(2)에 의한 비교예에서 대향 전극의 리사이클링 효율을 몇가지 경우로 제한할 경우의 휘도 게인을 추출해 보면 다음의 표 1과 같다.
대향 전극의 리사이클링 효율 (α) 0.7 0.6 0.5
휘도 게인 1.45 1.36 1.29
그리고 수(4)에 의한 실시예에서 대향 전극의 리사이클링 효율 및 개구율을 표 1에 나타난 몇 가지 경우로 제한할 경우의 휘도 게인을 추출해 보면 도 12와 같다. 도 12를 참조하면, 실시예의 개구율A가 30% 내지 60% 범위일 때 비교예와 실시예의 대향 전극이 동일한 경우 실시예의 휘도 게인이 항상 좋음을 알 수 있다. 즉, 광추출부 및 광반사부를 동시에 포함하는 실시예가 광추출부만을 포함하는 비교예에 비하여 광추출 효율이 높음을 확인할 수 있다. 왜냐하면, 반사부의 전반사를 이용하여 비화소부에서 반사된 빛을 리사이클링 할 수 있으므로, 반사부가 구비되지 않은 비교예에 비하여 광추출 효율이 좋아지는 것이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치의 표시부(110)의 단면도이다.
도 12를 참조하면, 도 3의 실시예에서 제1광반사층(202a)의 표면이 평탄한 것이 비하여, 도 12의 실시예는 제1광반사층(202a)의 표면에 난반사 구조물(204a)이 더 형성된 점이 상이하다. 그 외의 구성은 도 3의 실시예와 동일하므로 도 12에서는 난반사 구조물(204a)에 대해서만 상세히 설명하기로 하고 도 3의 실시예와 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 3의 실시예의 경우 비화소부에 대응하여 배치된 광반사부(216)에 의하여 유기 발광 소자에서 방출된 광이 일부 갇혀 빠져 나오지 못할 수 있다. 예를 들어, 유기 발광 소자에서 방출된 광의 일부가 광반사부(216)에 의해 비화소부에 대응하는 대향 전극의 방향으로 반사되고, 그 광이 다시 광반사부(216)로 반사되는 것을 반복하면 광이 광추출부(215)를 통해 외부로 빠져 나가지 못하는 경우도 발생할 수 있는 것이다. 이러한 광을 외부로 보다 효율적으로 추출하기 위하여, 비화소부에 대응하는 제1광반사층(202a)의 표면에 난반사 구조물을 형성한다.
난반사 구조물(204a)은 미세한 요철 패턴으로 이루어질 수 있으며, 광이 사방으로 난반사될 수 있도록 하는 구조물을 통칭할 수 있다.
도 13a 내지 도 13c는 본 발명의 일 실시예에 의한 난반사 구조물(204a)의 다양한 예시를 도시한 것이다.
도 13a를 참조하면, 난반사 구조물(204a)이 제1광반사층(202a)과 동일한 물질로 이루어진 것을 특징으로 한다. 이 경우 제1광반사층(202a)을 두껍게 형성한 이후에 두거운 제1광반사층(202a)의 표면에 포토레지스트를 도포하고 열처리를 통해 포토레지스트가 흘러내리게 한다. 이후 식각 공정을 진행하여 제1광반사층(202a)의 상부에 미세한 요철 구조가 형성되게 한다.
도 13b를 참조하면, 난반사 구조물(204a)이 제1광반사층(202a) 상에 형성된 나노 파티클인 것을 특징으로 한다. 이 경우 제1광반사층(202a) 상에 반사율이 높은 금속으로 이루어진 나노 파티클을 쌓는 방식으로 난반사 구조물을 형성한다.
도 13c를 참조하면, 난반사 구조물(204a)이 제1광반사층(202a) 상에 형성된 고분자 패턴인 것을 특징으로 한다. 이 경우 제1광반사층(202a) 상에 고분자 물질을 도포하고 나노 임프린트 등과 같은 방법을 사용하여 미세한 요철 패턴을 형성한다.
이와 같이 본 발명의 일 실시예에 의하면, 유기 발광 표시 장치에 포함된 제2기판의 내면 중 표시부의 화소부에 대응하는 부분에는 광추출부를 형성하고, 비화소부에 대응하는 부분에는 광반사부를 형성함으로써, 광추출 효율을 향상 시키는 것을 특징으로 한다. 한편, 광반사부는 비화소부에 대응하는 부분에 포함되기만 하면 되고, 유기 발광 소자의 시야각에 따라 광반사부의 면적은 비화소부에 대응하는 부분의 면적보다 작거나 같을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 실험적으로 유기 발광 소자의 시야각이 약 70도 이하인 경우에는 제2기판 중 비화소부에 대응하는 전체 영역에 광반사부를 배치할 수 있다. 그러나, 시야각이 약 80도 이상인 경우에는 제2기판 중 비화소부에 대응하는 영역 중 일부에만 광반사부를 배치하여도, 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 유기 발광 소자(OELD)의 시야각 및 제2기판과 유기 발광 소자 사이의 간격이 결정되면 광추출부와 광반사부의 간격을 결정할 수 있다. 이는 제2기판의 외면에 편광판이 배치되거나 배치되지 않은 경우에도 유사하게 결정될 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 제1기판
101: 버퍼막
102: 활성층
103: 게이트 절연막
104: 게이트 전극
105: 층간 절연막
106b: 드레인 전극
106a: 소스 전극
107: 평탄화막
109a: 개구부
109: 화소 정의막
110: 표시부
111: 화소 전극
112: 대향 전극
113: 중간층
114: 절연성 캡핑층
115G: 녹색화소부
115R: 적색화소부
115B: 청색화소부
115: 화소부
116: 비화소부
200a: 내면
200b: 외면
200: 제2기판
201: 외광반사방지층
201a: 제1외광반사방지층
201b: 제2외광반사방지층
202: 광반사층
202a: 제1광반사층
202b: 제2광반사층
203a: 제1보호층
203b: 제2보호층
203: 보호층
204a: 난반사 구조물
215: 광추출부
216: 광반사부
300: 접합부재

Claims (16)

  1. 외부로 광을 방출하는 화소부 및 상기 화소부 주변에 위치하고 광을 방출하지 않는 비화소부로 구획된 표시부를 구비하는 제1기판;
    상기 화소부에 대응하여 아일랜드 타입으로 구비되는 제1전극;
    상기 제1전극과 대향되며 상기 화소부 및 상기 비화소부에 걸쳐 구비되는 제2전극;
    상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고 상기 제2전극의 방향으로 상기 광을 방출하는 유기 발광층; 및
    상기 제2전극과 대향되도록 배치되고 상기 제1기판과 접합되며, 상기 화소부에 대응하는 부분에 배치되는 광추출부 및 상기 비화소부에 대응하는 부분에 배치되는 광반사부를 포함하고 상기 광추출부 및 상기 광반사부를 상기 제2전극을 향하는 내면에 구비하는 제2기판;
    을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광반사부는 상기 제2기판의 내면으로부터 상기 제2전극의 방향으로 순차적으로 복수개의 층을 포함하며
    상기 복수개의 층은 상기 제2기판에 내면의 표면에 구비되며 외광이 상기 제2기판의 외면으로 반사되는 것을 방지하는 제1외광반사방지층; 및
    상기 제1외광반사층의 표면에 구비되며 상기 유기 발광층에서 상기 제2기판의 방향으로 방출되는 상기 광을 상기 제2전극의 방향으로 반사시키는 제1광반사층;
    을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 광추출부는 상기 제2기판의 내면으로부터 상기 제2전극의 방향으로 순차적으로 상기 제1외광반사방지층과 일체로 구비된 제2외광반사방지층 및 상기 제1광반사층과 일체로 구비된 제2광반사층을 포함하며,
    상기 제2외광반사방지층 및 상기 제2광반사층에는 상기 유기 발광층에서 방출되는 상기 광이 외부로 진행할 수 있는 복수개의 슬릿 패턴들이 구비되는, 유기 발광 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2광반사층의 표면에 구비되며 투명하고 상기 복수개의 슬릿 패턴이 구비되는 보호층을 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제1외광반사방지층은 블랙매트릭스, 금속질화물 및 금속산화물 중 적어도 하나를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 제1광반사층은 알루미늄을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 제1광반사층의 표면은 평탄한, 유기 발광 표시 장치..
  8. 제2항에 있어서,
    상기 제1광반사층의 표면에 상기 유기 발광층으로부터 방출된 상기 광의 난반사를 유발하는 난반사층이 더 구비되는, 유기 발광 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1기판 상에 구비되고 상기 제1전극과 전기적으로 연결되고 상기 제1전극과 중첩되어 상기 제1전극에 가리도록 배치되는 박막 트랜지스터를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2전극의 표면과 상기 광추출부 및 상기 광반사부의 표면은 이격된, 유기 발광 표시 장치.
  11. 외부로 광을 방출하는 화소부 및 상기 화소부 주변에 위치하고 광을 방출하지 않는 비화소부로 구획된 표시부가 위치될 제1기판을 준비하는 단계;
    상기 화소부에 대응하여 아일랜드 타입으로 제1전극을 형성하는 단계;
    상기 제1전극과 대향되며 상기 화소부 및 상기 비화소부에 걸쳐 제2전극을 형성하는 단계;
    상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고 상기 제2전극의 방향으로 상기 광을 방출하는 유기 발광층을 형성하는 단계;
    제2기판의 상기 제2전극을 향하는 내면 중 상기 비화소부에 대응하는 부분에 광반사부를 형성하고, 상기 화소부에 대응하는 부분에 광추출부를 형성하는 단계; 및
    상기 제2기판의 내면을 상기 제2전극과 대향되도록 배치하고 상기 제2기판과 상기 제1기판을 접합하는 단계;
    를 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 광반사부 및 상기 광추출부를 형성하는 단계는
    상기 제2기판에 내면의 표면 중 상기 광반사부에 대응하는 부분에 제1외광반사방지층을 형성하고, 동시에 상기 광추출부에 대응하는 부분에 상기 제1외광반사방지층과 일체로 제2외광반사방지층을 형성하는 단계;
    상기 제1외광반사층의 표면에 제1광반사층을 형성하고, 동시에 상기 광추출부에 대응하는 부분에 상기 제1광반사층과 일체로 제2광반사층을 형성하는 단계;
    적어도 상기 제2광반사층의 표면에 보호층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2외광반사방지층, 상기 제2광반사층 및 상기 보호층에 복수개의 슬릿 패턴들을 형성하는 단계;
    를 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1외광반사방지층 및 상기 제2외광반사방지층은 블랙매트릭스, 금속질화물 및 금속산화물 중 적어도 하나를 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제1광반사층 및 제2광반사층은 알루미늄을 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 제1광반사층의 표면에 상기 유기 발광층으로부터 방출된 상기 광의 난반사를 유발하는 난반사층을 더 형성하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 제1기판 상에 구비되고 상기 제1전극과 전기적으로 연결되고 상기 제1전극과 중첩되어 상기 제1전극에 가리도록 배치되는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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