KR20150065136A - 나노 임프린팅 공법을 통한 유-무기 복합소재로 전극 패턴이 형성되어 있는 터치패널 및 이의 제조방법. - Google Patents

Abstract

본 발명은 암색화하기 위한 탄소나노튜뷰(CNT: Carbon NanoTube)와 은 페이스트(Silver paste)가 각각 9:1 비율로 혼합하여 면저항이 8Ω이하이고 550nm 파장에서 87%이상의 투과율을 전극물질을 음각패턴 안쪽에 충시시켜 전극패턴을 형성하면서 별도의 암색화 작업을 수행할 필요가 없는 가격 경쟁력 및 공정 단순화로 생산성을 확보할 수 있는 터치패널에 관한 것이다.

Description

나노 임프린팅 공법을 통한 유-무기 복합소재로 전극 패턴이 형성되어 있는 터치패널 및 이의 제조방법.{Touch panel}

본 발명은 터치패널에 관한 것으로 좀더 자세히 설명하면 유-무기 복합소재를 나노 임프린팅 방법으로 형성된 음각 패턴 안쪽에 전극물질을 충진할 때 단차 차이로 음영이 발생하면서 미세하게 보여지는 전극패턴이 암색화되면서 가격 경쟁력 및 생산성을 향상시킨 것이다

일반적으로 터치패널은 PET 필름 혹은 유리나 아크릴 위에 투명 도전성 물질을 도포하여 터치된 사실을 감지할 수 있는 터치부와, 상기 터치부를 중심으로 테두리에 복수 개의 전극 라인이 형성되어 있는 전극부와, 상기 메탈 라인의 끝에 연성보드(FPCB: Flexible Printed Circuit Board)가 본딩(Bonding)되어 지는 태그부를 포함하여 이루어지게 된다.

참고로, 상기 터치부는 ITO 물질을 일정한 간격으로 도포하여 포토리소그래피 방법으로 ITO 패턴을 형성하여 주었으나,

이의 제조공정이 복잡하고, 특히 상기 터치패널이 구부러지거나 휘어질 경우 증착되어 있는 상기 ITO 패턴이 깨지는 등의 문제점이 있었을 뿐만 아니라, 이의 비용이 터치 패널의 제조비용 중 25%의 해당할 만큼 고가이었던 문제점이 있었다.

따라서 이러한 ITO 물질을 대신할 수 있는 전극 물질이 요구되었고, 최근에는 전도성 우수하면서 투과율이 좋은 탄소나노튜브나, 은 페이스트, 산화구리, 혹은 금속 화합물들이 개발되게 되었던 것이며,

특히 이를 이용해 제조공정을 단순화하고 생산성을 높이기 위하여, PET필름 위에 미세패턴을 구현하고 상기 패턴에 전극 물질을 충진시켜 메탈 메쉬를 형성하는 임프린팅(Imprinting) 공법도 제시되게 되었던 것이다.

그러나 상기 임프린팅(Imprinting) 공법은, 먼저 일정한 길이와 두께로 제단된 PET필름 위에 UV resin을 도포하여 균일한 두께를 가진 수지층을 형성하고, 이렇게 형성된 수지층 위에 미세 패턴이 구현되어 있는 스탬프(Stamp)를 가압한 후, 상기 스탬프와 수지층이 밀착되어 있는 상태로 경화시켜, 스탬프 분리시 안쪽에 미세 패턴에 대응하는 음각 패턴를 형성하여 주고,

이렇게 형성된 음각 패턴 안쪽에 전극물질을 충진시켜 줌으로써, 경화시 PET필름 위에 터치 사실을 감지할 수 있는 전극 패턴을 형성하여 주게 된 것이다.

이때 전극 물질은 높은 반사도를 가지고 있어 주위가 밝을 경우 화면이 잘 보이지 않았고,

특히, 터치부를 가까이서 살펴보면, 도 1에 도시된 바와 같이 단차 차이로 인해 음각 패턴 안쪽에 충진되어 있는 전극 물질이 흐릿하게 보여져 버리게 된다는 문제점이 있었던 것이다.

따라서 임프린팅 공법으로 터치패널을 형성할 때에는, 반드시 상기 터치패널 위에 윈도우를 접합할 ?, 상기 전극패턴을 은페하기 위한 별도의 암색화 패턴층을 형성하여 주어야지만 하였던 것이다.

이에 본 발명은 암색화 패턴을 구현하기 위한 탄소나노튜뷰(CNT: Carbon NanoTube)와 은 페이스트(Silver paste)를 일정한 비율로 혼합하여 최적의 투과율과 전기전도도를 가지는 유-무기 복합소재를 구비하고,

이렇게 구비된 유-무기 복합소재를 나노 임프린트 공법으로 형성된 음각패턴 안쪽에 매립하여 전극 패턴을 형성하여 주면서 동시에 암색화 작업이 이루어지는 터치패널을 제공하고자 하는 것이다.

이를 위해 본 발명에서는, 투명기판과, 상기 투명기판 위로 UV resin 혹은 투명한 열 경화성 수지가 일정한 간격으로 도포되어 형성된 수지층과, 상기 수지층에 미세 패턴이 형성되어 있는 스탬프가 찍혀지고 경화시 상기 미세 패턴에 대응하는 패턴이 형성되어 있는 음각 패턴과, 상기 수지층 위로 전극물질이 도포된 전극물질이 음각 패턴 안쪽에 충진되면서 형성된 전극 패턴을 포함하여 이루어지는 터치패널에 있어서,

상기 전극패턴은 암색화하기 위하여 탄소나노튜뷰(CNT: Carbon NanoTube)와 은 페이스트(Silver paste)가 각각 9:1의 비율로 혼합되어 있는 전극 물질을 음각 패턴 안쪽으로 매립하여 고착화 되면서 형성된 것을 특징으로 하는 것이다.

또한 본 발명에서는, 상기 전극패턴이 탄소나노튜뷰(CNT: Carbon NanoTube)와 은 페이스트(Silver paste)가 각각 9:1의 비율로 혼합되어져, 8Ω이하의 면 저항과 550nm 파장에서 87%이상의 투과율을 가지는 암색화패턴인 것을 특징으로 하는 것이다.

본 발명은 종래의 ITO물질을 대신하여 탄소나노튜뷰(CNT: Carbon NanoTube)와 은 페이스트(Silver paste)를 혼합한 유-무기 복합소재로 전극 패턴을 형성하면서 저렴한 비용으로 터채패널 제작이 가능하게 되어 가? 경제력을 확보할 수 있게 되었다.

또한, 본 발명에서는 탄소나노튜뷰(CNT: Carbon NanoTube)와 은 페이스트(Silver paste)가 각각 9:1로 혼합되어져 8Ω이하의 면 저항을 가지면서 550nm 파장에서 87%이상의 투과율을 가지는 전극패턴을 형성하면서, 별도로 암색화 패턴을 구현할 필요가 없게 되면서 공정이 단순화되어 보다 더 높은 생산성을 확보할 수 있게 되었다.

도 1은 종래의 전극 패턴의 모습을 보여주는 단면도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 터치패널의 확대 단면도.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 터치패널의 그래프
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 터치패널의 결정 사진 및 그래프
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 터치패널의 SEM 사진
도 6은 본 발명의 실시 에에 따른 터치패널의 그래프
도 7은 본 발명의 실시 에에 따른 터치패널의 그래프
도 8은 본 발명의 실시 에에 따른 터치패널의 순서도.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용은 첨부된 도면을 참조하여 자세히 설명하기로 한다.

먼저, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 터치패널의 구성을 간략하게 보여주는 확대 단면도로서, 도시된 바와 같이 본 발명은, 투명 기판(10)을 중심으로 일측에는 UV resin 혹은 투명한 열 경화성 수지를 도포하여, 일정한 높이와 두께를 가지는 수지층(11)을 형성하고,

동시에 상기 수증층의 일면에 돌출된 미세 패턴이 형성되어 있는 스탬프(20)를 가압하여 경화시 상기 미세 패턴에 대응하는 음각패턴(11a)을 형성하는 한편,

이렇게 형성된 음각 패턴 안쪽으로 일정 이상의 투과도와 점도를 가지고 있는 전극 물질을 도포하여, 닥터 블레이드로 전극 물질을 매립하였을 때, 내측에 전극 물질이 충진되어 있는 전극 패턴(12)을 형성하여 주는 것이다.

이때 전극패턴은 탁색의 탄소나노튜브와 실버를 일정한 비율로 혼합한 전극물질(이하, 복합소재라고도 함)로, 단차 차이로 보여지는 패턴을 은폐하기 위한 암색화패턴이기도 하다.

참고로, 투명기판(10)은 25~250㎛ 두께를 유지하고 있고, 투과율은 적어도 80%이상 확보하고 있는 박막 유리이거나 혹은 수지성 필름이며, 실시 예에 따라서는 윈도우일 수도 있다. 그리고 이러한 투명기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA), 폴리이미드(Polyimide; PI),아크릴(Acryl), 폴리에칠렌나프탈레이트(Polyethylene Naphthalate; PEN), 트리아세테이트 셀룰로즈(Triacetate Cellulose; TAC), 폴리에테르설폰(Polyether sulfone; PES) 등의 수지가 사용될 수 있다.

또한, 수지층(11)은 소정의 점도를 가지는 UV resin이나 열 경화성 수지를 투명 기판 위에 도포하고, 닥터 블레이드로 밀어내 경화시 2.5 ~ 3㎛의 균일한 두께를 가지는 층을 형성하여 준 것으로, 그 두께는 실시 예에 따라 다양하게 변형하여 실시할 수 있다.

또한, 음각패턴(11a)은 미세 패턴이 형성되어 있는 스탬프가 밀착되면서 경화시 내측에 오목한 음각 패턴을 형성하여 준 것이며, 실시 예에 따라서는 이송라인을 따라 투명기판을 운반하여 줄 때 상기 이송라인의 일측에 가압롤러를 배치하고, 상기 가압롤러의 외주면에 일정한 깊이와 폭을 가지고 산과 골을 형성하여, 상기 가압롤러가 투명기판을 감아 이송하여 줄 때 내측에 음각 패턴을 형성하여 줄 수도 있다.

그리고 이러한 수지층(11)의 음각 패턴은, 다양하게 형성할 수 있으나, 본 발명에서는 1 ~ 3㎛ 두께와 1 ~ 3㎛의 선폭을 가지는 복수개의 라인들이 일정한 간격으로 배열되어 있는 것이다. 참고로, 이때 두께와 선폭이 3㎛를 초과할 경우에는 전극패턴 형성시 빛의 산란에 의해 음각패턴이 보여져 버리게 되고, 반대로 1㎛ 미만일 경우에는 음각 패턴 형성시 하단 모서리 부분에 전극 물질이 충분히 충진되지 않게 됨으로, 1 ~ 3㎛ 사이의 선폭을 유지하도록 한다.

또한, 상기 스탬프(20)는 일정한 형상을 유지하고 있는 금형일 수도 있으나, 본 발명에서는 투명도와 접착이 잘 일어나지 않는 PDMS일 수도 있다. 즉, 원판을 PDMS 틀에 고정한 후에 UV 경화성 고분자를 틀에 붓고 PDMS 뚜껑을 덮는다. UV (~365 nm) 램프를 30분가량 조사한 후에 부드러워진 NOA 복제 몰드를 원판으로부터 떼어낸다. 이때 쓰인 UV 경화성 고분자는 적절한 온도이상이 되면 급격하게 Si과의 접착성이 작아지는 특징을 가지고 있다. 이를 적절히 이용하면 쉽게 Si master 원판으로부터 고분자 복제 몰드를 얻을 수 있다. 또한, 고분자 복제몰드는 이용한 미세패턴 기술은 다양성이라는 면에 있어서 기존의 SiO2나 Si, Quartz 등의 무기물로 제작하던 Hard mold의 제한요인을 극복할 수 있다는 장점이 있고, 하나의 원판에서 다수의 고분자 mold를 만들 수 있음으로, 경제성을 확보할 수 있는 것이다.

또한, 본 발명의 전극 패턴(12)은 은(Ag)를 적용한 그리드 메탈을 적용하여 휴대폰에 사용할 경우, 나노 은 패턴의 반사 현상과 신인성 문제가 발생을 하게 된다. 따라서 시인성의 문제 및 은 나노 패턴 제작시 문제점을 극복하기 위해서, CNT와 Ag의 재료를 혼합하여 나노 패턴의 암색화의 최적 조건의 공정을 잡으려고 하였다. 99%의 silver oxide 와 99.5%의 Mutiwall CNT를 각각 9:1 , 8;2, 7;3, 6;4, 5;5. 4;6, 3;7, 2:8, 1;9의 비율로 혼합하였고, 균일한 두께의 수지층에 1 ~ 3㎛ 두께 및 1 ~ 3㎛폭을 가진 음각 패턴을 형성하고 닥터 블레이드(Doctor Blade)로 충진시킨 후, 소성로에서 80 ~ 130℃에서 20 ~ 30분간 열처리 작업을 수행을 하였다.

그러한 뒤 CNT와 Ag의 복합 재료에 관해서 XRD 분석을 수행을 하였고, 후막의 두께는 ∂-STEP을 이용하여 측정을 하였으며, 미세 구조 분석은 광학현미경과 SEM 분석을 통해 분석을 하였다. 그리고 투과율 분석은 UV-Visble spectrometer를 적용하여 사용을 하였다. 그리고 경화된 필름의 전기적인 특성은 4 point probe로 면저항을 측정하여 최적의 투과율과 면저항을 가지는 전극 물질을 확보하였다.

도 3은 본 발명의 전극 패턴(12)은 투명기판(10) 위에 닥터 블레이드 코팅을 한 뒤, 80 ~ 130℃에서 20 ~ 30분간 소성을 한 뒤 ∂-step으로 5회 측정한 뒤, 박막의 두께에 따른 결과를 보여주는 것이다. 평균적으로 박막의 두께는 2.8㎛ 두께이며, 박막의 결정성 분석을 하기 위하여 X선 회절 분석기 (XRD : Rigaku Rint 200 )를 통해서 0-90도 범위 내에서 측정한 결과를 보여주는 것이다.

참고로, 나노 임플린팅 공정 후에 1㎛에서 5㎛의 음각 패턴을 가진 터치패널을 제작한 후 CNT/Ag 페이스트를 이용하여 1㎛ ~ 5㎛ 음각 패턴을 충진시켜 준 후, 80 ~ 130℃의 조건 범위에서 열 처리 작업을 20 ~ 30분 동안 수행하였을 ?, 30도 부근에서 강한 peak를 가진 CNT Peak가 나타났고, 작은 피크가 약 45도 부근에서 나타났다. 특히 Ag 함유량이 많을수록 peak의 강도가 증가 되었고, 이는 입자 사이즈의 증가에 따른 결함 등의 감소로 인한 것이다. 또한, 본 발명에서는 CNT/Ag 박막의 입자 사이즈에 따른 열 처리 시간의 변화에 대한 AFM의 사진을 촬영하였다. 실험 결과 130도 에서의 열처리하고 20nm 이하인 경우, CNT나노 파티클이 우세한 것처럼 보이나, 20nm 이상인 경우 Ag 파티클의 성장이 CNT 나노 파티클 보다 우수한 결과를 보여주었다.

이때의 CNT 나노파티클이 성장한 것은 Ag의 입자가 점차적으로 성장되어진 것으로 판단되며, 일반적으로 나노 패턴을 적용을 한 샘플의 경우, 표면 거칠기가 수 나노 범위에서 제어되어야 한다. 더불어 표면 거칠기가 거칠어질 경우, 표면 단차의 현상에 의하여, 전압의 집중현상이 발생하고, 이러한 현상에 의하여 흑점이 발생을 할 수가 있다. 따라서 본 발명에서는 20분 이상의 열처리를 통해서 표면의 거칠기를 제어하였다.

또한 본 발명에서는 나노 임프린팅 한 후에, 3㎛의 패터닝을 한 뒤, CNT/Ag를 섞은 박막을 각각 9:1, 8;2, 7;3, 6;4, 5;5, 4;6, 3:7, 2:8, 1:9의 비율로 음각패턴을 충진하여 준 뒤 80 ~ 130℃에서 20분이상 열 처리작업을 수행하였다.

이때 80 ~ 130℃의 온도 범위에서 두 번 반복하여 열처리 작업이 이루어지면서 수지성 필름으로 이루어진 투명기판이 수축/팽창 후에 다시 팽창/수축이 일어나 원상태로 복귀되었으나, 80℃ 미만에서 열처리 작업을 수행하였을 때에는 변형된 상태를 계속유지 하였고, 130℃를 초과하여 열처리 작업을 수행하였을 때에는 변형이 심화되었다.

또한, 얇은 두께의 Ag 박막이 Bulk 특성에 가까운 전기적인 특성을 얻기 위해서는 homogeneous parallel -sided layer의 구조를 가져야하는데, 얇은 두께의 박막이 이러한 구조를 가지기에는 어려운 구조이다.

따라서 본 발명에서는 CNT/Ag를 섞어서 이러한 문제점이 발생하는 것을 극복하려고 하였고, 그 결과 본 발명에서는 박막이 두꺼워 지면 연속된 구조의 박막을 얻을 수 있지만, 빛의 흡수가 광 투과율은 감소를 초래하게 되었다.

참고로, 도 6은 CNT 와 Ag 복합 재료를 PET 기판위에 닥터 블레이드로 코팅을 한 뒤, 두께에 따른 Ag/CNT 박막 패턴의 투과도를 보여주는 그래프로, 일반적으로 터치패널에 적용시 도포된 전극 물질이 무색을 나타내기 위해서는 인간의 눈에 가장 예민한 파장인 550nm에서 최대 투과율을 보여주여야 하였며, Ag 비율이 높고 CNT 비율이 적을수록 암색화 및 전기전도도, 투과율의 향상되는 조건의 값을 나타내었다.

이는 다층 구조막에서 Ag의 비 저항이 CNT 보다 수십배 정도 낮으므로 다층막의 전기 전도도는 주로 Ag층에 의해서 이루어지기 때문이다.

참고로 도 7는 Ag/CNT 비율에 따라 면저항 값을 보여주는 그래프로, 함량 비율에 따라 면 저항이 상당히 큰 폭으로 변화하는 결과를 보여주었다.

즉, Ag/CNT의 충진 비율에 따라 Ag/CNT 면 저항이 변화하였고, 특히 전극 패턴에 있어서 A/CNT막의 충진과 소성의 조건은 다층막의 광학적인 특성과 전기적인 특성이 서로 달랐다.

본 발명에서는 Ag/CNT 막의 경우 CNT의 함량이 낮을 수록 암색화정도가 낮아지는 특성을 보였지만 면저항값이 낮아져 전기적 특성이 좋아지는 특성을 보였고,반대로 Ag의 함량이 낮을 수록 암색화 정도는 높아졌지만, 면저항값은 높아져 전기적 특성을 보였다.

그러나 Ag/CNT가 각각 9:1의 조건에서 있을 때 완전히 연속적이면서 평행한 막이 이루어져 이후의 공정조건에서도 산화, 변형, 그리고 확산 등이 일어나지 않았고, 충진이 고르게 형성되었다.

즉, 나노 임프린팅 공정을 이용하여 1 ~ 3㎛이하의 전극 패턴을 형성한 뒤 CNT와 Ag 페이스트를 음각 패턴 안쪽에 충진시켜 준 후, 소성 건조한 후, 시인성을 극복하기 위하여 암색화 고정을 수행하였을 때, CNT와 Ag이 각각 9;1의 비율일 경우 8Ω이하의 면 저항과 550nm 파장에서 87%이상의 투과율을 가지는 최적의 전극패턴인 동시에 암색화패턴을 형성할 수 있게 되었다.

이하, 도 8을 참조하여 본 발명의 실시 예에 터치패널의 제조과정을 살펴보면,

먼저, 투명기판 위로 일정 이상의 투과율와 점도를 가지는 UV resin이나 투명한 수지를 도포한다.

그리고 이러한 투명기판 위로 블레이드를 이격된 상태로 위치시킨 후 상기 블레이드를 이동시키면, 투명기판 위에 2.5 ~ 3㎛의 균일한 두께를 가지는 수지층을 형성하게 된다.

그리고 상기 수지층 위로 미세 패턴이 돌출되게 형성되어 있는 스탬프를 가압한 후,

소성로 안쪽에서 80 ~ 130℃ 온도에서 20 ~ 30분 동안 열처리 작업을 수행하고, 상기 스탬프를 분리하여 주게 되면, 상기 수지층에는 두께가 1 ~ 3㎛이고 선폭이 1 ~ 3㎛인 음각 패턴을 형성하여 주게 된다.

그리고 이렇게 음각패턴이 형성된 수지층 위로 탄소나노튜브와 은 페이스트가 각각 9:1비율로 혼합되어 있는 전극물질을 도포하여 준 후, 블레이드를 이동시켜 전극물질을 음각패턴 안쪽에 충진시켜 주도록 한다.

그리고 이후 다시 소성로 안쪽에서 80 ~ 130℃에서 20분 내지 30분 동안 열처리 작업을 수행하여 경화하여 주게 되면, 고착되게 되면서 두께가 1 ~ 3㎛이고 선폭이 1 ~ 3㎛인 전극 패턴을 형성하게 된다.

이때 형성된 전극패턴은 8Ω이하의 면 저항과 550nm 파장에서 87%이상의 투과율을 가지는 전극 패턴이면서 암색화패턴인 것이다.

즉, 본 발명은 탄소나노튜뷰(CNT: Carbon NanoTube)와 은 페이스트(Silver paste)를 혼합한 유-무기 복합소재로 전극 패턴을 형성하면서 저렴한 비용으로 터채패널 제작이 가능하게 되었고, 특히 별도로 암색화 패턴을 구현할 필요가 없게 되면서 공정의 단순화되어 보다 더 높은 생산성을 확보할 수 있게 되었다.

10:투명기판 11:수지층
11a:음각 패턴 12:전극물질
13:윈도우
20:스탬프

Claims (5)

1. 투명기판과, 상기 투명기판 위로 UV resin 혹은 투명한 열 경화성 수지가 일정한 간격으로 도포되어 형성된 수지층과, 상기 수지층에 미세 패턴이 형성되어 있는 스탬프가 찍혀지고 경화시 상기 미세 패턴에 대응하는 패턴이 형성되어 있는 음각 패턴과, 상기 수지층 위로 전극물질이 도포된 전극물질이 음각 패턴 안쪽에 충진되면서 형성된 전극 패턴이 형성되어 있는 터치패널에 있어서,
   상기 전극패턴은 암색화하기 위한 탄소나노튜뷰(CNT: Carbon NanoTube)와 은 페이스트(Silver paste)가 각각 9:1비율로 혼합되어져 8Ω이하의 면 저항과 550nm 파장에서 87%이상의 투과율을 보이는 전극 물질이 음각 패턴 안쪽으로 매립되어 고착화되면서 형성된 것임을 특징으로 하는 나노 임프린팅 공법을 통한 유-무기 복합소재로 전극 패턴이 형성되어 있는 터치패널
2. 제1항에 있어서,
   상기 전극 패턴은 두께가 1 ~ 3㎛이고 선폭이 1 ~ 3㎛인 것을 특징으로 하는 나노 임프린팅 공법을 통한 유-무기 복합소재로 전극 패턴이 형성되어 있는 터치패널
3. 제1항에 있어서,
   상기 수지층과 전극 패턴은 동일하게 80 ~ 130℃에서 20 ~ 30분 동안 열처리 작업을 수행하여 경화된 것임을 특징으로 하는 나노 임프린팅 공법을 통한 유-무기 복합소재로 전극 패턴이 형성되어 있는 터치패널
4. 제1항에 있어서,
   상기 스탬프는 PDMS로 만들어진 것임을 특징으로 하는 나노 임프린팅 공법을 통한 유-무기 복합소재로 전극 패턴이 형성되어 있는 터치패널
5. 투명기판 위로 일정 이상의 투과율와 점도를 가지는 UV resin이나 투명한 수지를 도포하여 2.5 ~ 3㎛ 이내의 두께를 가지는 수지층을 형성하는 단계와,
   상기 수지층 위로 미세 패턴이 형성되어 있는 스탬프를 가압하는 단계 및,
   소성로 안쪽에서 80 ~ 130℃의 온도 범위에서 20분 내지 30분 동안 열처리 작업을 수행하여 경화하여 주는 단계와,
   상기 스탬프를 분리한 후, 음각패턴 안쪽으로 탄소나노튜브와 은 페이스트가 각각 9:1비율로 혼합되어 있는 전극물질을 도포하는 단계와,
   닥터 블레이드를 이동시켜 전극물질을 음각패턴 안쪽으로 충진시켜 주는 단계 및,
   소성로 안쪽에서 투명기판을 이송시켜 80 ~ 130℃의 온도 범위에서 20분 내지 30분 동안 열처리 작업을 반복 수행하여 충진된 전극 물질을 경화하여 주는 단계와,
   상기 전극물질이 고착화되면서 면저하이 8Ω이하이고 550nm 파장에서 87%이상의 투과율을 보이는 전극패턴인 동시에 암색화 패턴을 형성하여 주는 단계로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 나노 임프린팅 공법을 통한 유-무기 복합소재로 전극 패턴을 형성하는 터치패널의 제조방법.

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