KR20150061851A

KR20150061851A - 표시 장치

Info

Publication number: KR20150061851A
Application number: KR1020130146083A
Authority: KR
Inventors: 조현욱; 김상국; 김태준
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2013-11-28
Filing date: 2013-11-28
Publication date: 2015-06-05
Also published as: US20150145808A1; US10732744B2; KR102189313B1

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 서로 마주보는 하부 기판 및 상부 기판; 상기 하부 기판 위에 제1 전극, 전기 광학 활성층 및 제2 전극; 상기 상부 기판 아래에 위치하는 복수의 터치 전극; 및 상기 제2 전극과 상기 터치 전극 사이에 위치하며, 도전 물질을 포함하는 차폐층;을 포함한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 좀더 자세하게는 터치 센서를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.

유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED), 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 전기영동 표시 장치(electrophoretic display, EPD) 등의 평판 표시 장치(flat panel display, FPD)는 전기장 생성 전극과 전기 광학 활성층(electro-optical active layer)을 포함한다. 전기 광학 활성층으로서, 유기 발광 표시 장치는 유기 발광층을 포함하고, 액정 표시 장치는 액정층을 포함하고, 전기 영동 표시 장치는 전하를 띤 입자를 포함한다. 전기장 생성 전극은 박막 트랜지스터 등의 스위칭 소자에 연결되어 데이터 신호를 인가받을 수 있고, 전기 광학 활성층은 이러한 데이터 신호를 광학 신호로 변환함으로써 영상을 표시한다.

최근 이러한 평판 표시 장치는 영상을 표시하는 기능 이외에 사용자와의 상호 작용이 가능한 터치 감지 기능을 포함할 수 있다. 터치 감지 기능은 사용자가 화면 위에 손가락이나 터치 펜(touch pen) 등을 터치하면 표시 장치가 화면에 가한 압력, 전하, 빛 등의 변화를 감지함으로써 물체가 화면에 터치되었는지 여부 및 그 터치 위치 등의 터치 정보를 알아내는 것이다. 표시 장치는 이러한 터치 정보에 기초하여 영상 신호를 입력받을 수 있다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 터치 센서를 포함하는 표시 장치의 두께를 줄이는 것이다.

본 발명은 또한 기생 커패시턴스(parasitic capacitance)를 최소화하여 신호 감도 성능이 우수한 터치 센서를 포함하는 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 서로 마주보는 하부 기판 및 상부 기판; 상기 하부 기판 위에 제1 전극, 전기 광학 활성층 및 제2 전극; 상기 상부 기판 아래에 위치하는 복수의 터치 전극; 및 상기 제2 전극과 상기 터치 전극 사이에 위치하며, 도전 물질을 포함하는 차폐층;을 포함한다.

상기 차폐층과 상기 터치 전극에 동일한 신호가 인가될 수 있다.

상기 차폐층은 절연층을 사이에 두고 상기 터치 전극 아래에 위치할 수 있다.

상기 차폐층은 투명 도전 물질로 이루어질 수 있다.

상기 제1 전극은 화소 전극이고 상기 제2 전극은 공통 전극일 수 있다.

상기 복수의 터치 전극은 복수의 제1 터치 전극 및 복수의 제2 터치 전극을 포함할 수 있고, 제1 터치 전극과 제2 터치 전극 중 하나는 감지 입력 전극이고 다른 하나는 감지 출력 전극일 수 있다.

상기 차폐층에는 상기 감지 입력 전극 및 상기 감지 출력 전극 중 어느 하나에 인가되는 신호와 동일한 신호가 인가될 수 있다.

상기 복수의 제1 터치 전극과 상기 복수의 제2 터치 전극은 서로 분리되어 있으며 서로 중첩하지 않을 수 있다.

제1 방향으로 배열된 복수의 제1 터치 전극은 복수의 제1 연결부에 의해 연결되어 있을 수 있고, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 배열된 복수의 제2 터치 전극은 복수의 제2 연결부에 의해 연결되어 있을 수 있다.

상기 표시 장치는 상기 제1 연결부와 상기 제2 연결부 사이에 위치하며 이들을 절연시키는 절연층을 더 포함할 수 있다.

상기 제1 연결부는 상기 제1 터치 전극과 동일한 층에 위치하고 상기 제1 터치 전극과 일체로 형성되어 있을 수 있다.

상기 상부 기판은 유리로 이루어질 수 있다.

상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이에 이들을 결합시키는 밀봉체가 위치할 수 있다.

상기 전기 광학 활성층은 발광 부재이고, 상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 제2 전극은 캐소드일 수 있다.

본 발명에 따라서, 기판의 터치 전극층이 형성되지 않은 면이 외부로 노출되므로 식각 등을 통해 기판의 두께를 얇게 할 수 있고, 따라서 표시 장치의 두께를 줄일 수 있다.

또한, 화소에 인가되는 전압에 의한 영향이 차폐층에 의해 차단됨으로써 기생 커패시턴스가 차단되거나 최소화되고, 그 결과 터치 센서의 양호한 신호 감도를 얻을 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 터치 센서를 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 터치 센서의 일부의 확대도이다.
도 5는 도 4에 도시된 터치 센서를 A-A' 선을 따라 자른 단면의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 4에 도시된 터치 센서를 A-A' 선을 따라 자른 단면의 다른 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에서 하부 기판 측에 형성된 한 화소에 대한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서에 인가되는 신호를 예시한 파형도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치가 포함하는 터치 센서 및 감지 신호 처리부의 회로도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에서 터치 센서에 관련된 커패시턴스를 나타내는 개략도이다.

첨부한 도면을 참고로 하여, 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.

본 발명의 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다. 이하에서는 주로 유기 발광 표시 장치와 관련하여 설명할지라도, 본 발명은 액정 표시 장치, 전기영동 표시 장치, 플라즈마 표시 장치 같은 다른 표시 장치에도 적용될 수 있다.

먼저, 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서를 포함하는 표시 장치에 대하여 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 블록도이고, 도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 터치 센서를 나타낸 평면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 터치 센서의 일부의 확대도이고, 도 5는 도 4에 도시된 터치 센서를 A-A' 선을 따라 자른 단면의 일 예를 나타내는 단면도이고, 도 6은 도 4에 도시된 터치 센서를 A-A' 선을 따라 자른 단면의 다른 일 예를 나타내는 단면도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널(display panel)(300), 표시 패널(300) 연결된 표시 제어부(display controller)(600) 및 터치 센서 제어부(touch controller)(700)를 포함한다.

표시 패널(300)은 영상을 표시하고 터치를 감지한다. 표시 패널(300)은 평면 구조로 볼 때 실제영상이 표시되는 표시 영역(display area)(DA)과 표시 영역(DA) 주변의 주변 영역(peripheral area)(PA)을 포함한다.

표시 패널(300)의 일부 또는 전체 영역은 터치를 감지할 수 있는 터치 활성 영역(touch active area)(TA)일 수 있다. 터치 활성 영역(TA)은 실제로 물체가 터치 표시 패널(300)에 접근하거나 표시 패널(300)에 접촉하면 터치로서 감지할 수 있는 영역이다. 여기서 접촉(contact)이란 사용자의 손과 같은 외부 물체가 표시 패널(300)에 직접적으로 닿는 경우뿐만 아니라 외부 물체가 표시 패널(300)에 접근하거나 접근한 상태에서 움직이는(hovering) 경우도 포함한다.

표시 영역(DA)과 터치 활성 영역(TA)은 도 3에 도시된 바와 같이 대략 일치할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 주변 영역(PA)의 일부에도 터치 활성 영역(TA)이 존재할 수 있고, 표시 영역(DA)의 일부에만 터치 활성 영역(TA)이 존재할 수도 있다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 패널(300)은 서로 마주보는 하부 기판(110)과 상부 기판(210)을 포함하고, 하부 기판(110) 위에 형성된 활성 어레이(active array)(AA)와 상부 기판(210) 위에 형성된 터치 센서를 포함할 수 있다. 활성 어레이(AA)와 터치 센서는 모두 하부 기판(110)과 상부 기판(210) 사이에 형성되어 있고, 하부 기판(110)과 상부 기판(210)의 주변 영역(PA)은 밀봉체(sealant)(310)에 의해 봉지되어 있다.

유기 발광 표시 장치의 경우, 상부 기판(210)은 밀봉 기판(encapsulation substrate)으로서 기능할 수 있다. 즉, 상부 기판(210)은 후술할 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)을 밀봉하여 외부로부터 수분 및/또는 산소가 침투하는 것을 방지할 수 있다. 상부 기판(210)에서 터치 센서가 형성되지 않은 면에는 외부광의 반사를 줄일 수 있는 반사 방지층(도시되지 않음)이 위치할 수도 있다.

유리 기판 같은 투명 절연체로 이루어진 하부 기판(110) 위에 위치하는 활성 어레이(AA)는 복수의 화소 및 화소와 연결되어 구동 신호를 전달하는 복수의 표시 신호선(도시되지 않음)을 포함하고, 주로 표시 영역(DA)에 위치한다.

표시 신호선은 주사 신호를 전달하는 복수의 주사 신호선(도시되지 않음) 및 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(도시되지 않음)을 포함한다. 주사 신호선과 데이터선은 서로 교차하며 뻗을 수 있다. 표시 신호선은 주변 영역(PA)으로 연장되어 패드부(도시되지 않음)를 형성할 수 있다.

복수의 화소는 대략 행렬 형태로 배열되어 있을 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 각 화소는 게이트선 및 데이터선과 연결된 스위칭 소자(도시되지 않음) 및 이에 연결된 화소 전극(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 스위칭 소자는 표시 패널(300)에 집적되어 있는 박막 트랜지스터 등의 삼단자 소자일 수 있다. 스위칭 소자는 게이트선이 전달하는 게이트 신호에 따라 턴온(turn on) 또는 턴오프(turn off)되어 데이터선이 전달하는 데이터 신호를 선택적으로 화소 전극에 전달할 수 있다. 화소는 화소 전극과 이에 대향하는 공통 전극(도시되지 않음)을 더 포함할 수 있다. 유기 발광 표시 장치의 경우 화소 전극과 공통 전극 사이에는 발광층이 위치하여 발광 소자를 형성할 수 있다. 공통 전극은 공통 전압을 전달할 수 있다.

색 표시를 구현하기 위해서는 각 화소는 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있으며, 이들 기본색의 합으로 원하는 색상이 인식되도록 한다. 기본색의 예로는 적색, 녹색, 청색 등의 삼원색 또는 사원색을 들 수 있다. 각 화소는 각 화소 전극에 대응하는 곳에 위치하며 기본색 중 하나를 나타내는 색필터를 더 포함할 수도 있고, 발광 소자가 포함하는 발광층이 유색의 빛을 발광할 수도 있다.

유리 같은 투명 절연체로 이루어진 상부 기판(210) 위에 형성되어 있는 터치 센서는 터치 전극층을 포함하고, 터치 전극층은 복수의 터치 전극(410, 420)을 포함할 수 있다. 터치 센서는 주로 터치 활성 영역(TA)에 위치한다.

터치 전극층이 상부 기판(210)의 내면 즉, 상부 기판(210)의 양면 중 하부 기판(110)을 향하는 면에 형성되어 있으므로, 상부 기판(210)이 유리 기판인 경우 상부 기판(210)의 외면을 식각하여 상부 기판(210)의 두께를 얇게 할 수 있다.

터치 센서는 다양한 방식으로 접촉을 감지할 수 있다. 터치 센서는 저항막 방식(resistive type), 정전 용량 방식(capacitive type), 전자기 유도 방식(electro-magnetic type), 광 감지 방식(optical type) 등 다양한 방식으로 분류될 수 있다. 본 실시예에서는 정전 용량 방식의 터치 센서를 예로 들어 설명한다.

터치 전극층 위에는 제2 절연층(440)을 사이에 두고 차폐층(shield layer)(500)이 형성되어 있다. 차폐층(500)은 터치 전극층이 형성된 영역 즉, 터치 전극(410, 420)이 형성된 영역에 대응하는 영역에 형성될 수 있고, 예컨대 터치 활성 영역(TA)에 형성될 수 있다. 차폐층(500)은 하부 기판(110) 측에 위치하는 활성 어레이(AA)의 표시 신호선, 전극 등에 인가되는 전압의 영향으로부터 터치 센서를 실질적으로 격리시키는 역할을 한다. 실시예에 따라서는 차폐층(500)은 하부 기판(110) 측의 활성 어레이(AA) 위에 위치할 수도 있다.

차폐층(500)은 도전성 물질로 이루어진 도전층일 수 있다. 차폐층(500)에는 터치 센서의 구동 전압과 실질적으로 동일한 전압이 인가될 수 있다. 즉, 차폐층(500)에는 터치 전극층에 인가되는 전압이 인가될 수 있다. 예컨대, 차폐층(500)에는 제1 터치 전극(410)에 인가되는 전압이 인가되거나 제2 터치 전극(420)에 인가되는 전압이 인가될 수 있다. 이에 의해 터치 전극(410, 420)과 화소의 화소 전극 또는 공통 전극 간의 전위 차로 인한 기생 커패시턴스의 발생이 억제될 수 있다.

하부 기판(110)과 상부 기판(210)이 서로 마주하는 주변 영역(PA)에는 밀봉체(310)가 위치한다. 밀봉체(310)는 표시 영역(DA)의 둘러 폐곡선을 형성할 수 있다. 밀봉체(310)는 하부 기판(110)과 상부 기판(210)을 결합시키며, 수분, 산소 등의 불순물이 외부에서 하부 기판(110)과 상부 기판(210) 사이로 침투하는 것을 차단하여 발광 부재 등의 전기 광학 활성층을 밀봉한다. 이때 상부 기판(210)은 봉지 기판으로서 발광 소자 등의 전기 광학 활성층이 외부의 수분이나 산소에 노출되는 것을 막아 그 특성이 변하지 않도록 보호한다.

도 2 및 도 3를 참조하면, 상부 기판(210) 위에 형성되는 터치 센서는 복수의 터치 전극(410, 420)을 포함한다. 복수의 터치 전극은 복수의 제1 터치 전극(410) 및 복수의 제2 터치 전극(420)을 포함할 수 있다. 제1 터치 전극(410)과 제2 터치 전극(420)은 서로 분리되어 있다.

복수의 제1 터치 전극(410) 및 복수의 제2 터치 전극(420)은 터치 활성 영역(TA)에서 서로 중첩되지 않도록 교호적으로 분산되어 배치될 수 있다. 복수의 제1 터치 전극(410)은 열 방향 및 행 방향을 따라 각각 복수 개씩 배치되고, 복수의 제2 터치 전극(420)도 열 방향 및 행 방향을 따라 각각 복수 개씩 배치될 수 있다.

제1 터치 전극(410)과 제2 터치 전극(420)은 서로 동일한 층에 위치할 수 있고, 서로 다른 층에 위치할 수도 있다. 제1 터치 전극(410)과 제2 터치 전극(420) 각각은 사각형일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고 터치 센서의 감도 향상을 위해 돌출부를 가지는 등 다양한 형태를 가질 수 있다.

동일한 행 또는 열에 배열된 복수의 제1 터치 전극(410)의 적어도 일부는 터치 활성 영역(TA) 내부 또는 외부에서 서로 연결되어 있을 수도 있고 분리되어 있을 수도 있다. 마찬가지로, 동일한 열 또는 행에 배열된 복수의 제2 터치 전극(420)의 적어도 일부는 터치 활성 영역(TA) 내부 또는 외부에서 서로 연결되어 있을 수도 있고 분리되어 있을 수도 있다. 예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이, 동일한 행에 배치된 복수의 제1 터치 전극(410)이 터치 활성 영역(TA) 내부에서 서로 연결되어 있는 경우 동일한 열에 배치된 복수의 제2 터치 전극(420)이 터치 활성 영역(TA) 내부에서 서로 연결되어 있을 수 있다. 더 구체적으로, 각 행에 위치하는 복수의 제1 터치 전극(410)은 제1 연결부(412)를 통해 서로 연결되어 있고, 각 열에 위치하는 복수의 제2 터치 전극(420)은 제2 연결부(422)를 통해 서로 연결되어 있을 수 있다.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 서로 이웃하는 제1 터치 전극(410) 사이를 연결하는 제1 연결부(412)는 제1 터치 전극(410)과 동일한 층에 위치하고 제1 터치 전극(410)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 즉, 제1 터치 전극(410)과 제1 연결부(412)는 서로 일체화되어 있을 수 있으며 동시에 패터닝될 수 있다.

서로 이웃한 제2 터치 전극(420) 사이를 연결하는 제2 연결부(422)는 제2 터치 전극(420)과 다른 층에 위치할 수 있다. 즉, 제2 터치 전극(420)과 제1 연결부(412)는 서로 분리되어 있을 수 있으며 별도로 패터닝될 수 있다. 제2 터치 전극(420)과 제2 연결부(422)는 직접적인 접촉을 통해 서로 연결될 수 있다.

제1 연결부(412)와 제2 연결부(422) 사이에는 제1 절연층(430)이 위치하여 제1 연결부(412)와 제2 연결부(422)를 서로 절연시킨다. 제1 절연층(430)은 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이 제1 연결부(412)와 제2 연결부(422)의 교차부마다 배치된 복수의 독립된 섬형의 절연체일 수 있다. 제1 절연층(430)은 제2 연결부(422)가 제2 터치 전극(420)과 연결될 수 있도록 제2 터치 전극(420)의 적어도 일부를 드러낼 수 있다. 제1 절연층(430)은 SiOx, SiNx 및/또는 SiOxNy으로 형성될 수 있다.

제1 및 제2 터치 전극(410, 420), 제1 및 제2 연결부(412, 422), 제1 절연층(430) 등을 포함하는 터치 전극층의 평면 구조는 도 5의 실시예와 도 6의 실시예 모두 도 4에 도시된 것과 실질적으로 동일하다. 하지만 도 5와 도 6은 서로 다른 터치 전극층의 단면 구조를 예시한다.

도 5의 실시예에서, 제2 터치 전극(420)과 제1 연결부(412)는 상부 기판(210) 위에 동일한 층에 위치하고 제1 절연층(430)을 사이에 두고 제2 터치 전극(420) 및 제1 연결부(412) 위로 제2 연결부(422)가 형성되어 있다. 이와 달리, 도 6에서는 제2 연결부(422)가 상부 기판(210) 위에 위치하고, 그 위로 제1 절연층(430)이 형성되어 있다. 제1 절연층(430) 위에 제1 연결부(412)가 제2 연결부(422)와 중첩하지만 절연되게 위치하고, 제1 절연층(430)이 제거되어 노출되어 있는 제1 연결부(412)에 제2 터치 전극(420)이 연결되어 있다.

한편, 도 5의 실시예의 변형 예로서, 제1 절연층(430)은 전면적으로 형성되고, 열 방향으로 이웃한 제2 터치 전극(420)의 연결을 위해 제2 터치 전극(420)의 일부 위에 위치하는 제1 절연층(430)이 제거되어 있을 수도 있다.

도 4 내지 도 6에 도시된 것과 달리, 서로 이웃하는 제2 터치 전극(420) 사이를 연결하는 제2 연결부(422)가 제1 터치 전극(410)과 동일한 층에 위치하며 제1 터치 전극(410)과 일체화되어 있고, 서로 이웃한 제1 터치 전극(410) 사이를 연결하는 제1 연결부(412)는 제1 터치 전극(410)과 다른 층에 위치할 수도 있다.

제1 터치 전극(410) 및 제2 터치 전극(420)을 포함하는 터치 전극층 위에는 예컨대 터치 활성 영역(TA)에 걸쳐 형성되어 있는 제2 절연층(440)이 위치한다. 제2 절연층(440)은 SiOx, SiNx 및/또는 SiOxNy으로 형성될 수 있다. 제2 절연층(440) 위에는 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO) 같은 투명 도전성 물질로 형성된 차폐층(500)이 위치한다. 차폐층(500)은 터치 전극층을 실질적으로 덮도록 형성될 수 있다. 차폐층(500) 위에는 절연층(도시되지 않음)이 위치할 수도 있다

도 3을 참조하면, 각 행의 서로 연결된 제1 터치 전극(410)은 제1 터치 배선(411)을 통해 터치 센서 제어부(700)와 연결되고, 각 열의 서로 연결된 제2 터치 전극(420)은 제2 터치 배선(421)을 통해 터치 센서 제어부(700)와 연결될 수 있다. 제1 터치 배선(411)과 제2 터치 배선(421)은 도시된 바와 같이 표시 패널(300)의 주변 영역(PA)에 위치할 수 있으나, 이와 달리 터치 활성 영역(TA)에 위치할 수도 있다.

제1 터치 배선(411)과 제2 터치 배선(421)의 끝부분은 표시 패널(300)의 주변 영역(PA)에서 패드부(460)를 형성한다.

제1 터치 전극(410) 및 제2 터치 전극(420)은 표시 패널(300)으로부터의 빛이 투과될 수 있도록 소정의 투과도 이상을 가질 수 있다. 예를 들어 제1 터치 전극(410) 및 제2 터치 전극(420)은 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 은 나노 와이어(AgNW) 등의 얇은 금속층, 메탈 메쉬(metal mesh), 탄소 나노 튜브(CNT) 등의 투명한 도전 물질로 만들어질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 연결부(412) 및 제2 연결부(422)의 재료도 마찬가지다.

제1 터치 배선(411)과 제2 터치 배선(421)은 제1 터치 전극(410) 및 제2 터치 전극(420)을 형성하는 투명한 도전 물질, 또는 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Ti), 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴(Mo/Al/Mo) 등의 저저항 물질을 포함할 수 있다.

서로 이웃하는 제1 터치 전극(410)과 제2 터치 전극(420)은 터치 센서로서 기능하는 상호 감지 커패시터(mutual sensing capacitor)를 형성한다. 상호 감지 커패시터는 제1 터치 전극(410)과 제2 터치 전극(420) 중 하나를 통해 감지 입력 신호를 입력 받고 외부 물체의 접촉에 의한 전하량 변화를 감지 출력 신호로서 나머지 터치 전극을 통해 출력할 수 있다.

도 2 내지 도 6에 도시된 것과 달리, 복수의 제1 터치 전극(410)이 서로 분리되고 복수의 제2 터치 전극(420)도 서로 분리되어 독립적인 터치 전극을 형성하고 각자의 터치 배선(도시되지 않음)을 통해 터치 센서 제어부(700)와 연결될 수도 있다. 이 경우 각 터치 전극은 터치 센서로서 자기 감지 커패시터(self sensing capacitance)를 형성할 수 있다. 자기 감지 커패시터는 감지 입력 신호를 입력받아 소정 전하량으로 충전될 수 있고, 손가락 등의 외부 물체의 접촉이 있으면 충전 전하량에 변화가 생겨 입력된 감지 입력 신호와 다른 감지 출력 신호를 출력할 수 있다.

다시 도 1을 참조하면, 표시 제어부(600)는 표시 패널(300)의 영상 표시 동작을 제어한다. 더 구체적으로, 신호 제어부(600)는 외부로부터 각 화소의 휘도 정보를 담고 있는 입력 영상 신호 및 이의 표시를 제어하는 입력 제어 신호를 수신한다. 신호 제어부(600)는 입력 영상 신호와 입력 제어 신호를 기초로 입력 영상 신호를 처리하여 출력 영상 신호로 변환하고 게이트 제어 신호 및 데이터 제어 신호 등의 제어 신호를 생성한다. 신호 제어부(600)는 게이트 제어 신호를 게이트 구동부(도시되지 않음)로 내보내고 데이터 제어 신호와 출력 영상 신호를 데이터 구동부(도시되지 않음)로 내보낸다.

도시되지 않았지만, 데이터 구동부는 데이터 제어 신호에 따라 한 행의 화소에 대한 출력 영상 신호를 수신하고, 각 출력 영상 신호에 대응하는 계조 전압을 선택함으로써 출력 영상 신호를 데이터 전압으로 변환한 다음, 이를 해당 데이터선에 인가한다. 게이트 구동부는 게이트 제어 신호에 따라 게이트 온 전압을 게이트선에 인가하여 게이트선에 연결된 스위칭 소자를 턴온시킨다. 그러면, 데이터선에 인가된 데이터 전압이 턴온된 스위칭 소자를 통하여 해당 화소에 인가된다. 화소에 데이터 전압이 인가되면 화소는 발광 소자 등의 다양한 광학 변환 소자를 통해 데이터 전압에 대응하는 휘도를 표시할 수 있다.

터치 센서 제어부(700)는 터치 활성 영역(TA)에 위치할 수 있는 터치 센서와 연결되어 터치 센서의 동작을 제어한다. 터치 센서 제어부(700)는 터치 전극층에 감지 입력 신호를 전달하거나 감지 출력 신호를 입력받아 처리할 수 있다. 터치 센서 제어부(700)는 또한 터치 전극층(제1 터치 전극(410) 및 또는 제2 터치 전극(420))에 인가되는 신호와 동일한 신호를 차폐층(500)에 인가할 수 있다. 터치 센서 제어부(700)는 감지 출력 신호를 처리하여 터치 여부 및 터치 위치 등의 터치 정보를 생성할 수 있다.

데이터 구동부, 게이트 구동부 및 표시 제어부(600) 등의 구동 장치는 적어도 하나의 집적회로 칩의 형태로 표시 패널(300) 위에 직접 장착되거나, 연성회로기판(flexible printed circuit board, FPCB)(도시되지 않음) 위에 장착되어 테이프 캐리어 패키지(tape carrier package, TCP)의 형태로 표시 패널(300)에 부착되거나, 별도의 인쇄회로기판(도시되지 않음) 위에 장착될 수도 있다. 이와 달리 구동 장치는 표시 신호선 및 스위칭 소자 등과 함께 표시 패널(300)에 집적될 수도 있다.

터치 센서 제어부(700)도 적어도 하나의 집적회로 칩의 형태로 표시 패널(300) 위에 직접 장착되거나, FPCB 위에 장착되어 TCP의 형태로 표시 패널(300)에 부착되거나, 별도의 인쇄회로기판 위에 장착될 수도 있다. 터치 센서 제어부(700)는 표시 패널(300)의 패드부(460)를 통해 제1 터치 배선(411) 및 제2 터치 배선(421)과 연결될 수 있다.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에서 하부 기판 측에 형성된 한 화소에 대한 단면도이다.

표시 장치는 하부 기판(110) 및 그 위에 다수의 층을 포함한다. 하부 기판(110)의 바로 위에는 차단층(blocking layer)(111)이 위치할 수 있다.

하부 기판(110)은 유리, 플라스틱 같은 투명한 절연성 물질로 이루어진다. 예컨대, 하부 기판(110)은 내열 온도 600℃ 이상의 붕규산계 유리로 이루어질 수 있다. 하부 기판(110)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리이미드(polyimide, PI) 같은 플라스틱으로 이루어질 수 있고, 플라스틱 기판은 플렉서블(flexible) 기판으로서 적용될 수도 있다.

차단층(111)은 반도체의 특성을 열화시키는 불순물이 확산되는 것을 방지하고, 아울러 수분이나 외기의 침투를 방지하고 표면을 평탄화하기 위해 형성될 수 있다. 차단층(111)은 장벽층(barrier layer) 또는 버퍼층(buffer layer)으로 불리기도 한다. 차단층(111)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 산질화규소(SiOxNy) 등을 포함할 수 있고, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 차단층(111)은 기판의 종류나 공정 조건에 따라 생략될 수 있다.

차단층(111) 위에는 다수의 박막을 포함하는 표시 소자가 위치한다. 표시 소자는 앞에서 설명한 여러 신호선 및 배선, 그리고 복수의 화소를 포함한다. 신호선은 주사 신호를 전달하는 복수의 주사 신호선과 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선을 포함할 수 있다.

도 7을 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 소자의 구조의 한 예에 대해 설명하면, 차단층(111) 위에 복수의 반도체(154)가 위치한다. 반도체(154)는 채널 영역(152)과 채널 영역(152)의 양 옆에 위치하며 도핑되어 형성된 소스 영역(153) 및 드레인 영역(155)을 포함할 수 있다. 반도체(154)는 비정질 규소, 다결정 규소, 또는 산화물 반도체를 포함할 수 있다.

반도체(154) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 등으로 이루어질 수 있는 게이트 절연층(140)이 위치한다. 게이트 절연층(140)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있고, 예컨대, 게이트 절연층(140)은 SiOx, SiNx 및/또는 SiOxNy로 이루어진 층을 포함할 수 있다.

게이트 절연층(140) 위에는 복수의 주사 신호선(도시되지 않음) 및 제어 전극(124)을 포함하는 복수의 게이트 도전체(gate conductor)가 위치한다. 제어 전극(124)은 반도체(154)의 일부, 특히 채널 영역(152)과 중첩할 수 있다.

게이트 절연층(140) 및 게이트 도전체 위에는 제1 보호막(180a)이 위치한다. 제1 보호막(180a) 및 게이트 절연층(140)은 반도체(154)의 소스 영역(153)을 드러내는 접촉 구멍(183), 그리고 드레인 영역(155)을 드러내는 접촉 구멍(185)을 포함할 수 있다.

제1 보호막(180a) 위에는 복수의 데이터선(171), 복수의 입력 전극(173) 및 복수의 출력 전극(175)을 포함하는 복수의 데이터 도전체(data conductor)가 위치한다. 데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주사 신호선과 교차할 수 있다. 입력 전극(173)은 데이터선(171)과 연결되어 있다. 출력 전극(175)은 데이터선(171)과 분리되어 있다. 입력 전극(173)과 출력 전극(175)은 반도체(154) 위에서 마주한다.

입력 전극(173)과 출력 전극(175)은 각각 접촉 구멍(183, 185)을 통해 반도체(154)의 소스 영역(153) 및 드레인 영역(155)과 연결될 수 있다.

제어 전극(124), 입력 전극(173) 및 출력 전극(175)은 반도체(154)와 함께 구동 박막 트랜지스터(Qd)를 이룬다. 그러나 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 구조는 이에 한정되는 것은 아니고 다양하게 바뀔 수 있다.

데이터 도전체 위에는 질화규소 또는 산화규소 따위의 무기 절연물로 만들어질 수 있는 제2 보호막(180b)이 위치할 수 있다. 제2 보호막(180b)은 그 위에 형성될 발광 부재의 발광 효율을 높이기 위해 단차를 없애고 평탄한 표면을 가질 수 있다. 제2 보호막(180b)은 출력 전극(175)을 드러내는 접촉 구멍(187)을 가질 수 있다.

제2 보호막(180b) 위에는 복수의 화소 전극(191)이 위치한다. 각 화소의 화소 전극(191)은 제2 보호막(180b)의 접촉 구멍(187)을 통해 출력 전극(175)과 물리적, 전기적으로 연결되어 있다. 화소 전극(191)은 반투과성 도전 물질 또는 반사성 도전 물질을 포함할 수 있다.

제2 보호막(180b) 위에는 화소 전극(191)을 드러내는 복수의 개구부를 가지는 화소 정의막(격벽이라고도 함)(360)이 위치할 수 있다. 화소 전극(191)을 드러내는 화소 정의막(360)의 개구부는 각 화소 영역을 정의할 수 있다. 화소 정의막(360)은 생략될 수도 있다.

화소 정의막(360) 및 화소 전극(191) 위에는 발광 부재(370)가 위치한다. 발광 부재(370)는 차례대로 적층된 제1 유기 공통층(371), 복수의 발광층(373), 그리고 제2 유기 공통층(375)을 포함할 수 있다.

제1 유기 공통층(371)은 정공 주입층(hole injecting layer, HIL) 및 정공 수송층(hole transport layer, HTL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이들 층을 모두 포함할 경우, 정공 주입층과 정공 수송층이 차례대로 적층될 수 있다. 제1 유기 공통층(371)은 화소가 배치되어 있는 표시 영역 전면에 걸쳐 형성될 수도 있고 각 화소 영역에만 형성될 수도 있다.

발광층(373)은 각각 대응하는 화소의 화소 전극(191) 위에 위치할 수 있다. 발광층(373)은 적색, 녹색 및 청색 등의 기본색의 빛을 고유하게 내는 유기 물질로 만들어질 수도 있고, 서로 다른 색의 빛을 내는 복수의 유기 물질층이 적층된 구조를 가질 수도 있다.

제2 유기 공통층(375)은 예를 들어 전자 수송층(electron transport layer, ETL) 및 전자 주입층(electron injecting layer, EIL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 이들을 모두 포함할 경우 전자 수송층과 전자 주입층이 차례대로 적층되어 있을 수 있다.

제1 및 제2 유기 공통층(371, 375)은 발광층(373)의 발광 효율을 향상하기 위한 것으로서 제1 및 제2 유기 공통층(371, 375) 중 어느 하나는 생략될 수도 있다.

발광 부재(370) 위에는 공통 전압을 전달하는 공통 전극(270)이 위치한다. 공통 전극(270)은 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어 공통 전극(270)은 ITO, IZO 같은 투명한 도전성 물질로 이루어지거나 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 은(Ag) 등의 금속을 얇게 적층하여 형성함으로써 광 투과성을 가지도록 할 수 있다. 공통 전극(270)은 금속층과 투명 도전성 물질층의 이중층 구조를 가질 수 있다.

각 화소의 화소 전극(191), 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)은 발광 소자를 이루며, 화소 전극(191) 및 공통 전극(270) 중 하나가 캐소드(cathode)가 되고 나머지 하나가 애노드(anode)가 된다. 예컨대, 화소 전극(191)은 애노드이고 공통 전극(270)은 캐소드일 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 발광 부재(370)로부터의 내부 광을 위쪽으로 발광하여 영상을 표시하는 전면 발광 방식(top emission type)일 수 있다.

공통 전극(270) 위에는 절연층(도시되지 않음)이 위치할 수 있다. 실시예에 따라서는 공통 전극(270) 위에 위치하는 절연층 위에 차폐층(도시되지 않음)이 위치할 수 있다. 이 경우 상부 기판(210) 측에는 차폐층(500)이 위치하지 않는다.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서에 인가되는 신호를 예시한 파형도이고, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치가 포함하는 터치 센서 및 감지 신호 처리부의 회로도이다.

도 8과 도 2를 교차 참조하면, 제1 터치 전극(410)은 감지 입력 전극(Tx)일 수 있고 제2 터치 전극(420)은 감지 출력 전극(Rx)일 수 있고, 실시예에 따라서는 그 반대일 수 있다. 감지 입력 전극(Tx)에는 감지 입력 신호가 입력된다. 감지 입력 신호는 다양한 파형 및 전압 레벨을 가질 수 있고, 예컨대 주기적으로 출력되는 펄스를 포함할 있고, 적어도 두 개의 서로 다른 전압 레벨을 포함할 수도 있다. 감지 출력 전극(Rx)에 직류 전압이 인가될 수 있다. 예컨대 감지 입력 전극(Tx)는 약 0 V와 약 3 V 로 스윙하는(swing) 구형파가 인가될 수 있고, 감지 출력 전극(Rx)에는 약 1.5 V의 직류 전압이 인가될 수 있다. 감지 출력 전극(Rx)에 직류 전압이 인가될지라도, 스윙하는 감지 입력 신호와 커플링에 의해 전압이 변동한다. 감지 입력 전극(Tx)과 감지 출력 전극(Rx) 사이에는 전위 차로 인한 커패시턴스가 형성되는데, 손가락, 터치펜 등의 접촉에 의해 커패시턴스가 변하면 감지 출력 전극(Rx)의 전압 변동의 폭이 변하므로, 이러한 변화를 감지하여 터치를 감지할 수 있다.

한편, 화소의 공통 전극(Vcom)에는 직류 전압, 예컨대 약 -3 V의 전압이 인가될 수 있다. 터치 전극층이 상부 기판(210)의 내면에 위치함에 따라 감지 입력 전극(Tx) 및 감지 출력 전극(Rx)과 공통 전극(Vcom)이 가까워지면, 이들 간의 전위 차에 따른 기생 커패시턴스가 크게 증가할 수 있다. 기생 커패시턴스는 터치 센서의 베이스 커패시턴스(base capacitance)를 증가시켜 터치 센서의 감도를 떨어뜨린다. 본 발명의 실시예에 따라서, 터치 전극층과 공통 전극 사이에 차폐층이 위치하고, 터치 전극층의 구동 전압과 실질적으로 동일한 전압을 차폐층에 인가함으로써 기생 커패시턴스를 최소화 또는 제거할 수 있다.

도 9를 참조하여, 회로 관점에서 터치 센서의 동작을 설명한다. 예컨대 도 3에 도시된 하나의 제1 터치 전극(410)과 하나의 제2 터치 전극(420)의 조합일 수 있는 하나의 터치 센서 유닛(TSU)는 제1 터치 전극(410)일 수 있는 감지 입력 신호선(SLi)과 제2 터치 전극(420)일 수 있는 감지 출력 신호선(PLj)에 의해 이루어지는 감지 커패시터(sensing capacitor)(Cm)를 포함한다. 감지 커패시터(Cm)는 감지 입력 신호선(SLi)과 감지 출력 신호선(PLj)의 중첩에 의해 이루어지는 중첩 감지 커패시터(overlap sensing capacitor) 또는 감지 입력 신호선(SLi)과 감지 출력 신호선(PLj)이 중첩하지 않으면서 서로 이웃하여 이루어지는 프린지 감지 커패시터(fringe sensing capacitor)를 포함할 수 있다.

터치 센서 유닛(TSU)은 감지 입력 신호선(SLi)이 전달하는 감지 입력 신호를 입력받아 외부 물체의 접촉에 의한 감지 커패시터(Cm)의 전하량 변화를 감지 출력 신호로서 출력할 수 있다. 구체적으로, 터치 센서 유닛(TSU)에 감지 입력 신호가 입력되면 감지 커패시터(Cm)는 소정의 전하량으로 충전되고, 접촉 여부에 따라 변화된 전하량이 감지 출력 신호로서 감지 출력 신호선(PLj)으로 출력된다. 즉, 외부 물체의 접촉이 있으면 감지 커패시터(Cm)에 충전된 전하량이 변화하고 그에 따른 감지 출력 신호가 감지 출력 신호선(PLj)으로 출력된다. 표시 패널(300)에 물체가 접촉한 경우의 감지 출력 신호의 전압 레벨은 물체가 접촉하지 않은 경우의 감지 출력 신호의 전압 레벨보다 작을 수 있다.

표시 패널(300)에 물체가 접촉한 경우와 접촉하지 않은 경우의 감지 출력 신호의 차이는 감지 커패시터(Cm)의 전하의 변화량에 대략 비례할 수 있다. 예컨대, 접촉에 의해 감소된 감지 커패시터(Cm)의 전하 변화량이 클수록 감소된 감지 출력 신호의 변화량도 커질 수 있고, 터치 센서 유닛(TSU)의 감도도 커질 수 있다. 따라서 접촉 정보의 정확도가 높아질 수 있다.

터치 센서 제어부(700)는 감지 출력 신호를 입력받아 처리하여, 터치 여부 및 터치 위치 등의 터치 정보를 생성할 수 있다. 이를 위해, 터치 센서 제어부(700)는 감지 출력 신호선(PLj)과 연결되어 있는 복수의 증폭기(amplifier)(AP)를 포함할 수 있다. 증폭기(AP)는 반전 단자(-)와 출력 단자 사이에 연결되어 있는 커패시터(Cv)를 포함할 수 있다. 증폭기(AP)의 비반전 단자(+)는 접지 전압 등의 일정 전압과 연결되어 있고, 증폭기(AP)의 반전 단자(-)는 감지 출력 신호선(PLj)에 연결되어 있다. 증폭기(AP)는 전류 적분기로서 감지 출력 신호선(PLj)으로부터의 감지 출력 신호의 전류를 소정 시간(예를 들어 한 프레임) 동안 적분하여 감지 신호(Vout)를 생성할 수 있다.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에서 터치 센서에 관련된 커패시터를 나타내는 개략도이다.

감지 입력 전극(Tx)일 수 있는 제1 터치 전극(410)과 감지 출력 전극(Rx)일 수 있는 제2 터치 전극(420)은 감지 커패시터(Cm)를 이룬다. 본 발명의 실시예에 있어서, 이러한 제1 및 제2 터치 전극(410, 420)을 포함하는 터치 전극층은 상부 기판(210)의 양면 중 하부 기판(110)을 향하는 내면에 형성되어 있다. 따라서 터치 전극층은 하부 기판(110) 위의 활성 어레이(AA)에 형성된 예컨대, 캐소드일 수 있는 공통 전극(270)과 아주 가까운 거리에 위치하게 된다. 커패시턴스는 거리에 반비례하므로 터치 전극층과 공통 전극(270)이 가까워짐에 따라 이들에 의해 이루어지는 기생 커패시터(Cp)의 커패시턴스 또한 커지게 된다. 그 결과 터치 전극층과 공통 전극(270) 사이에 상당한 크기의 기생 커패시턴스가 형성될 수 있다.

이러한 기생 커패시턴스가 커질수록 베이스 커패시턴스를 증가시키므로 터치 센서의 감도는 감소한다. 본 발명의 실시예에서 터치 센서층과 공통 전극(270) 사이에 차폐층(500)이 위치한다. 그 결과 터치 센서층 예컨대, 감지 출력 전극(Rx)과 차폐층(500)에 의해 커패시터(Cb)가 이루어질 수 있다. 차폐층(500)에 터치 전극층에 인가되는 전압과 실질적으로 동일한 전압을 인가하면, 터치 전극층과 차폐층(500) 간에 전위 차가 발생하지 않으므로 이들 간에 커패시턴스가 생성되지 않는다. 또한 터치 센서층과 공통 전극(270) 간의 전위 차가 차폐층(500)에 의해 차폐되므로, 터치 센서층과 공통 전극(270) 사이에 기생 커패시턴스가 제거된다. 그 결과, 터치 전극층이 상부 기판(210)의 내면에 형성되어 하부 기판(110) 측의 전극층에 매우 가깝게 위치함에도 터치 센서의 감도 성능을 얻을 수 있다.

터치 전극층은 감지 입력 전극(Tx)과 감지 출력 전극(Rx)을 포함하고, 각각에 서로 다른 전압이 인가되므로, 차폐층(500)에 인가되는 전압은 감지 입력 전극(Tx)에 인가되는 전압과 실질적으로 동일하거나 감지 출력 전극(Rx)에 인가되는 전압과 실질적으로 동일할 수 있다.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 통상의 기술자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다.

110: 하부 기판 191: 화소 전극
210: 상부 기판 270: 공통층
280: 밀봉층 370: 발광 부재
410: 제1 터치 전극 411: 제1 터치 배선
412: 제1 연결부 420: 제2 터치 전극
421: 제2 터치 배선 422: 제2 연결부
430: 제1 절연층 440: 제2 절연층
500: 차폐층 600: 표시 제어부
700: 터치 센서 제어부 AA: 활성 어레이
Cb, Cm, Cv: 커패시터 DA: 표시 영역
PA: 주변 영역 PLi: 감지 출력 신호선
SLi: 감지 입력 신호선 Tx: 감지 입력 전극
Rx: 감지 출력 전극 TSU: 터치 센서 유닛

Claims

서로 마주보는 하부 기판 및 상부 기판;
상기 하부 기판 위에 제1 전극, 전기 광학 활성층 및 제2 전극;
상기 상부 기판 아래에 위치하는 복수의 터치 전극; 및
상기 제2 전극과 상기 터치 전극 사이에 위치하며, 도전 물질을 포함하는 차폐층;
을 포함하는 표시 장치.
제1항에서,
상기 차폐층과 상기 터치 전극에 동일한 신호가 인가되는 표시 장치.
제2항에서,
상기 차폐층은 절연층을 사이에 두고 상기 터치 전극 아래에 위치하는 표시 장치.
제3항에서,
상기 차폐층은 투명 도전 물질로 이루어진 표시 장치.
제3항에서,
상기 제1 전극은 화소 전극이고 상기 제2 전극은 공통 전극인 표시 장치.
제5항에서,
상기 복수의 터치 전극은 복수의 제1 터치 전극 및 복수의 제2 터치 전극을 포함하고, 제1 터치 전극과 제2 터치 전극 중 하나는 감지 입력 전극이고 다른 하나는 감지 출력 전극인 표시 장치.
제6항에서,
상기 차폐층에는 상기 감지 입력 전극 및 상기 감지 출력 전극 중 어느 하나에 인가되는 신호와 동일한 신호가 인가되는 표시 장치.
제6항에서,
상기 차폐층과 상기 감지 출력 전극에 동일한 신호가 인가되는 표시 장치.
제6항에서,
상기 복수의 제1 터치 전극과 상기 복수의 제2 터치 전극은 서로 분리되어 있으며 서로 중첩하지 않는 표시 장치.
제9항에서,
제1 방향으로 배열된 복수의 제1 터치 전극은 복수의 제1 연결부에 의해 연결되어 있고, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 배열된 복수의 제2 터치 전극은 복수의 제2 연결부에 의해 연결되어 있는 표시 장치.
제10항에서,
상기 제1 연결부와 상기 제2 연결부 사이에 위치하며 이들을 절연시키는 절연층을 더 포함하는 표시 장치.
제11항에서,
상기 제1 연결부는 상기 제1 터치 전극과 동일한 층에 위치하고 상기 제1 터치 전극과 일체로 형성되어 있는 표시 장치.
제1항에서,
상기 상부 기판은 유리로 이루어진 표시 장치.
제13항에서,
상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이에 이들을 결합시키는 밀봉체가 위치하는 표시 장치.
제14항에서,
상기 전기 광학 활성층은 발광 부재이고, 상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 제2 전극은 캐소드인 표시 장치.