KR20150057304A

KR20150057304A - Apparatus for processing an object

Info

Publication number: KR20150057304A
Application number: KR1020130140476A
Authority: KR
Inventors: 김도근; 이승훈; 김종국; 정성훈
Original assignee: 한국기계연구원
Priority date: 2013-11-19
Filing date: 2013-11-19
Publication date: 2015-05-28

Abstract

An apparatus for processing an object comprises: a vacuum chamber; a support member to support an object to form a film; a target for containing substances to form a film; an ion beam source which separately irradiates an ion beam to the target and the object, activates the substances of the target to make the substances of the target face the object to form a film on the object, and pre-treats the object before the formation of the film or post-treats the object after the formation of the film. The apparatus for processing an object is capable of carrying out pre-treatment or post-treatment at the same time as the formation of the film, thereby improving the object processing efficiency.

Description

[0001] Apparatus for processing an object [

본 발명은 대상물 가공 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 이온 빔을 이용하여 대상물을 가공하는 대상물 가공 장치에 관한 것이다. .The present invention relates to an object machining apparatus, and more particularly to an object machining apparatus for machining an object using an ion beam. .

일반적으로 이온 빔은 대상물을 가공하기 위해 많이 사용된다. 예를 들면, 상기 이온 빔은 불순물 주입 공정, 밀링 공정, 막 형성 공정 등에 사용될 수 있다. In general, the ion beam is often used to process objects. For example, the ion beam can be used for an impurity implantation process, a milling process, a film formation process, and the like.

상기 이온 빔이 상기 막 형성 공정에 사용되는 경우, 상기 이온 빔은 타겟과 충돌하여 상기 타겟으로부터 물질을 이탈시키고, 상기 이탈된 물질이 상기 대상물에 막을 형성한다. 상기와 같이 이온 빔을 이용하여 막을 형성하는 기술은 한국공개특허 2000-0005676호에 개시되어 있다. When the ion beam is used in the film forming process, the ion beam collides with a target to cause a material to be released from the target, and the released material forms a film on the object. A technique for forming a film using an ion beam as described above is disclosed in Korean Patent Publication No. 2000-0005676.

상기 대상물에 형성된 막이 박리되는 것을 방지하기 위해 상기 대상물의 표면으로부터 유기물을 제거하는 전처리 공정이 별도로 수행될 수 있다. 또한, 상기 대상물에 형성된 막의 조성을 변경하기 위해 상기 대상물에 대한 후처리 공정이 별도로 수행될 수 있다. 상기 대상물에 대한 상기 전처리 공정 또는 상기 후처리 공정은 별도의 장치에서 수행된다. 따라서, 상기 대상물을 가공하는데 많은 시간이 소요된다. 또한, 상기 대상물의 가공을 위해 별도의 전처리 장치 또는 후처리 장치를 구비해야 하므로, 상기 대상물 가공 설비를 구비하는데 많은 비용이 소요된다.A pretreatment step of removing organic matter from the surface of the object may be separately performed to prevent peeling of the film formed on the object. Further, a post-treatment process for the object may be separately performed to change the composition of the film formed on the object. The pre-processing step or the post-processing step for the object is performed in a separate apparatus. Therefore, it takes a lot of time to process the object. In addition, since a separate pretreatment device or a post-treatment device is required for processing the object, it takes a lot of cost to provide the object processing facility.

본 발명은 대상물에 대한 막 형성 공정과 전처리 공정 또는 후처리 공정을 수행할 수 있는 대상물 가공 장치를 제공한다. The present invention provides an object processing apparatus capable of performing a film forming process and a pre-process or post-process for an object.

본 발명에 따른 대상물 가공 장치는 진공 챔버와, 막을 형성하기 위한 대상물을 지지하는 지지부재와, 상기 막을 형성하기 위한 물질을 포함하는 타겟 및 상기 타겟과 상기 대상물을 향해 이온빔을 각각 조사하며, 상기 대상물에 상기 막을 형성하기 위해 상기 타겟의 물질이 상기 대상물을 향하도록 상기 타겟의 물질을 활성화하고, 상기 막이 형성되기 전에 상기 대상물을 전처리하거나 상기 막이 형성된 후 상기 대상물을 후처리하는 이온 빔 소스를 포함할 수 있다. An object machining apparatus according to the present invention includes a vacuum chamber, a support member for supporting an object for forming a film, a target including a material for forming the film, and an ion beam toward the target and the object, And an ion beam source for activating the material of the target such that the material of the target faces the object to form the film, pretreat the object before the film is formed, or post-process the object after the film is formed .

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 타겟은 다각형 기둥 또는 원기둥 형태를 가지며, 상기 다각형 기둥의 측면들 또는 상기 원기둥의 측면에 서로 다른 물질들을 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the target has a polygonal column or a cylindrical shape, and may include different materials on the sides of the polygonal column or the side of the column.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 타겟은 상기 진공 챔버 내부에서 이동 및 상기 다각형 기둥 또는 원기둥의 축을 중심으로 회전이 가능하도록 구비될 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the target may be provided so as to be movable within the vacuum chamber and rotatable about the axis of the polygonal column or cylinder.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 타겟에 포함된 물질은 전도체, 유전체, 비전도체일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the material included in the target may be a conductor, a dielectric, or a nonconductive material.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 이온 빔은 아르곤, 헬륨, 산소, 질소, 수소, 탄소 중 적어도 하나의 원소를 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the ion beam may include at least one element of argon, helium, oxygen, nitrogen, hydrogen, and carbon.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 지지부재는 필름 형상의 대상물을 권취하여 이송하기 위한 한 쌍의 롤러일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the support member may be a pair of rollers for winding and conveying a film-like object.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 진공 챔버는 내부를 다수의 영역으로 구분하는 격벽을 가지며, 상기 영역마다 상기 타겟과 상기 이온 빔 소스가 구비될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the vacuum chamber has a partition dividing the inside into a plurality of regions, and the target and the ion beam source may be provided for each region.

본 발명에 따른 대상물 가공 장치는 대상물에 대한 막 형성 공정과 전처리 공정 또는 후처리 공정을 동시에 수행할 수 있다. 따라서, 상기 대상물 가공에 소요되는 시간을 줄일 수 있어 상기 대상물 가공 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다. The object processing apparatus according to the present invention can simultaneously perform the film forming process and the pre-process or post-process for the object. Therefore, the time required for machining the object can be reduced, and the efficiency of the object machining process can be improved.

또한, 상기 대상물 가공 장치는 상기 대상물을 회전 또는 이동할 수 있고, 타겟을 회전, 각도 조절 및 이동할 수 있어 상기 대상물에 상기 막을 균일하게 형성할 수 있다. In addition, the object processing apparatus can rotate or move the object, rotate, adjust the angle, and move the target, thereby uniformly forming the film on the object.

그리고, 상기 대상물 가공 장치는 상대적으로 낮은 압력 상태에서 상기 막 형성 공정을 수행할 수 있으므로, 중성 입자와 상기 막 형성을 위한 물질 입자 간의 충돌에 의한 에너지 손실을 줄일 수 있다. 따라서, 상기 막의 결정성과 부착력을 향상시킬 수 있다. Further, the object processing apparatus can perform the film forming process at a relatively low pressure, so that energy loss due to collision between the neutral particles and the material particles for film formation can be reduced. Therefore, the crystallinity and adhesion of the film can be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 대상물 가공 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 이온 빔 소스를 설명하기 위한 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 이온 빔 소스를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 대상물 가공 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 대상물 가공 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 대상물 가공 장치를 설명하기 위한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view illustrating an object processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view for explaining the ion beam source shown in FIG.
3 is a cross-sectional view illustrating the ion beam source shown in FIG. 2. FIG.
4 is a cross-sectional view illustrating an object processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating an object processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view illustrating an object processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 대상물 가공 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, an object processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are enlarged to illustrate the present invention in order to clarify the present invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, the terms "comprises", "having", and the like are used to specify that a feature, a number, a step, an operation, an element, a part or a combination thereof is described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 대상물 가공 장치를 설명하기 위한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view illustrating an object processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 대상물 가공 장치(1000)는 진공 챔버(100), 지지부재(200), 타겟(300) 및 이온 빔 소스(400)를 포함한다. 1, an object processing apparatus 1000 includes a vacuum chamber 100, a support member 200, a target 300, and an ion beam source 400. [

진공 챔버(100)는 대상물(10)에 대한 가공 공정이 수행되기 위한 공간을 제공한다. 지지부재(200), 타겟(300) 및 이온 빔 소스(400)는 진공 챔버(100)의 내부에 구비될 수 있다. The vacuum chamber 100 provides a space for the processing of the object 10 to be performed. The support member 200, the target 300, and the ion beam source 400 may be provided inside the vacuum chamber 100.

진공 챔버(100)는 내부를 진공으로 형성하기 위한 배기 펌프(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 배기 펌프를 이용하여 진공 챔버(100)의 내부를 상대적으로 낮은 압력의 진공 상태로 형성할 수 있다. 이때의 압력은 약 10^-5내지 10^-3 Torr 일 수 있다. The vacuum chamber 100 may include an exhaust pump (not shown) for forming the interior of the vacuum chamber 100 in vacuum. The inside of the vacuum chamber 100 can be formed into a vacuum state at a relatively low pressure by using the exhaust pump. The pressure at this time may be about 10 ^-5 to 10 ^-3 Torr.

지지부재(200)는 막을 형성하기 위한 대상물(10)을 고정한다. 대상물(10)은 원판 형상, 사각 평판 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 대상물(10)의 재질로는 유리, 실리콘, 금속, 폴리머 소재 등을 들 수 있다. 상기 금속의 예로는 스테인리스 스틸, 알루미늄 등을 들 수 있다. 상기 폴리머 소재의 예로는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리이미드(PI) 등을 들 수 있다.The support member 200 fixes the object 10 for forming a film. The object 10 may have various shapes such as a disk shape, a rectangular plate shape, and the like. Examples of the material of the object 10 include glass, silicon, metal, and polymer materials. Examples of the metal include stainless steel and aluminum. Examples of the polymer material include polyethylene terephthalate (PET), polyimide (PI), and the like.

한편, 지지부재(200)는 유기물 증착용 마스크를 고정할 수도 있다. On the other hand, the support member 200 may fix the organic substance vapor deposition mask.

지지부재(200)는 대상물(10)을 회전시키기 위한 회전 척일 수 있다. 지지부재(200)가 대상물(10)을 회전시킴으로써 대상물(10)에 대한 처리가 균일하게 이루어질 수 있다. 예를 들면, 대상물(10)에 상기 막이 균일하게 형성될 수 있고, 대상물(10)에 대한 전처리 또는 후처리가 균일하게 이루어질 수 있다. The support member 200 may be a rotary chuck for rotating the object 10. The support member 200 rotates the object 10 so that the object 10 can be uniformly processed. For example, the film can be uniformly formed on the object 10, and the pre-processing or post-processing on the object 10 can be made uniform.

타겟(300)은 상기 막을 형성하기 위한 물질을 포함한다. 상기 물질로는 전도체, 유전체, 비전도체 등을 들 수 있다. 상기 전도체는 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 철(Fe), 코발트(Co), 실리콘(Si), 아연(Zn), 몰리브덴(Mo), 주석(Sn), 팔라듐(Pd), 타이타늄 (Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 지르코늄(Zr), 인듐(In), 금 (Au), 그래파이트 (C), ITO, FTO, IZO, AZO 또는 이들의 조합일 수 있다. 상기 유전체 및 비전도체는 알루미나(Al2O3), 실리콘 산화물(SiO2) 등이 될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. 타겟(300)에 포함되는 물질은 대상물(10)에 형성하고자 하는 막의 종류에 따라 달라진다. The target 300 comprises a material for forming the film. Examples of the material include a conductor, a dielectric, and a nonconductive material. The conductors may be selected from the group consisting of Ag, Cu, Ni, Al, Fe, Co, Si, Zn, Sn, Pd, Ti, V, Cr, Zr, In, Au, Graphite, ITO, FTO, IZO, AZO Or a combination thereof. The dielectric and the nonconductive material may be alumina (Al 2 O 3), silicon oxide (SiO 2), or the like. However, the present invention is not limited thereto. The material contained in the target 300 depends on the type of the film to be formed on the object 10.

타겟(300)은 삼각 기둥, 사각 기둥, 육각 기둥 등 다각 기둥 형태를 갖거나, 원기둥 형태를 가질 수 있다. 타겟(300)이 상기 다각 기둥 형태를 갖는 경우, 상기 다각 기둥의 각 측면들은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 또한, 타겟(300)이 상기 원기둥 형태를 갖는 경우, 상기 원기둥의 측면은 서로 다른 물질을 교대로 포함할 수 있다. 한편, 타겟(300)은 상기 다각 기둥의 각 측면들에 동일한 물질을 포함하거나, 상기 원기둥의 측면 전체에 동일한 물질을 포함할 수 있다. The target 300 may have a polygonal column shape such as a triangular column, a square column, a hexagonal column, or a cylindrical shape. When the target 300 has the polygonal column shape, each side of the polygonal column may include different materials. Further, when the target 300 has the cylindrical shape, the side surface of the cylindrical shape may alternately include different materials. Meanwhile, the target 300 may include the same material on each side of the polygonal column, or may include the same material on the entire side of the cylinder.

타겟(300)은 상기 다각 기둥 또는 상기 원기둥의 축을 중심으로 회전 가능하다. 타겟(300)의 회전축은 이온 빔 소스(400)의 연장 방향과 평행하도록 하여 타겟(300)과 이온 빔 소스(400)를 서로 평행하도록 배치할 수 있다. 타겟(300)의 길이는 이온 빔 소스(400)의 길이와 거의 같을 수 있다. 따라서, 이온 빔 소스(400)에서 조사된 이온 빔이 타겟(300)에 모두 조사될 수 있다. The target 300 is rotatable about the axis of the polygonal column or the cylinder. The rotation axis of the target 300 may be parallel to the extending direction of the ion beam source 400 so that the target 300 and the ion beam source 400 are parallel to each other. The length of the target 300 may be approximately equal to the length of the ion beam source 400. Therefore, the ion beam irradiated from the ion beam source 400 can be all irradiated to the target 300. [

타겟(300)을 회전시킬 수 있으므로, 이온 빔 소스(400)로부터 조사된 이온 빔이 타겟(300)에 조사되는 부위를 조절할 수 있다. 타겟(300)에 서로 다른 물질이 포함된 경우, 상기 이온 빔 소스가 조사되는 물질을 달리함으로써 상기 서로 다른 물질을 교대로 또는 순차적으로 활성화시켜 대상물(10) 상에 서로 다른 물질의 막들, 즉 다층막을 형성할 수 있다. 타겟(300)에 동일한 물질이 포함된 경우, 타겟(300)을 회전시킴으로써 타겟(300)의 여러 부위에 상기 이온 빔이 균일하게 조사될 수 있다. 따라서, 타겟(300)으로부터 상기 물질이 균일하게 활성화될 수 있다. The target 300 can be rotated so that the portion irradiated with the ion beam irradiated from the ion beam source 400 can be adjusted. When different materials are contained in the target 300, the different materials are alternately or sequentially activated by varying the materials to which the ion beam source is irradiated to form films of different materials on the object 10, that is, Can be formed. When the same material is contained in the target 300, the ion beam can be uniformly irradiated to various portions of the target 300 by rotating the target 300. Thus, the material from the target 300 can be activated uniformly.

또한, 타겟(300)은 진공 챔버(100) 내에서 이동이 가능하도록 구비될 수 있다. 타겟(300)을 회전하거나 이동시켜 상기 이온 빔이 입사되는 각도를 조절할 수 있다. 따라서, 타겟(300)으로부터 활성화된 물질이 대상물(10)로 향하는 방향을 용이하게 조절할 수 있다. 그러므로, 타겟(300)의 회전 및 이동을 조절하여 대상물(10)에 막을 균일하게 형성할 수 있다. In addition, the target 300 may be provided so as to be movable in the vacuum chamber 100. The angle of incidence of the ion beam can be adjusted by rotating or moving the target 300. Therefore, the direction from the target 300 to the object 10 that is activated can be easily adjusted. Therefore, it is possible to uniformly form the film on the object 10 by controlling the rotation and movement of the target 300. [

한편, 타겟(300)은 평판 형태를 가지며, 회전, 각도 조절 및 이동이 가능하도록 구비될 수도 있다.On the other hand, the target 300 has a flat plate shape and may be provided so as to be capable of rotation, angle adjustment, and movement.

이온 빔 소스(400)는 상기 이온 빔을 생성하며, 두 방향으로 상기 이온 빔을 조사한다. An ion beam source 400 generates the ion beam and irradiates the ion beam in two directions.

도 2는 도 1에 도시된 이온 빔 소스를 설명하기 위한 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 이온 빔 소스를 설명하기 위한 단면도이다. FIG. 2 is a perspective view for explaining the ion beam source shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a sectional view for explaining the ion beam source shown in FIG.

도 2 및 도 3을 참조하면, 이온 빔 소스(400)는 몸체(410), 음극(420), 양극(430), 양극 지지부(440), 보조 지지부(450) 및 자성체(460)를 포함한다.2 and 3, the ion beam source 400 includes a body 410, a cathode 420, a cathode 430, an anode support 440, an auxiliary support 450, and a magnetic body 460 .

몸체(410)는 내부 공간(412)을 가지며 상면이 개방된 대략 직육면체 형상을 갖는다. 몸체(410)는 금속 재질로 이루어진다. 내부 공간(412)은 몸체(410)의 연장 방향을 따라 연장한다. 일 예로, 내부 공간(412)은 몸체(410)의 연장 방향을 따라 연장된 링 형상을 가질 수 있다.The body 410 has a substantially rectangular parallelepiped shape having an inner space 412 and an open upper surface. The body 410 is made of a metal material. The inner space 412 extends along the extending direction of the body 410. In one example, the inner space 412 may have a ring shape extending along the extending direction of the body 410.

몸체(410)는 가스 공급홀(414)을 갖는다. 가스 공급홀(414)은 몸체(410)의 하부면에서부터 몸체(410)를 관통하여 구비되며, 몸체(410)의 내부 공간(412)으로 가스를 공급한다. 가스 공급홀(414)은 몸체(410)의 연장 방향을 따라 다수개가 일정 간격만큼 이격되도록 배치된다. 따라서, 가스 공급홀들(414)을 통해 상기 가스를 내부 공간(412)으로 균일하게 공급할 수 있다.The body 410 has a gas supply hole 414. The gas supply hole 414 is provided through the body 410 from the lower surface of the body 410 and supplies gas to the internal space 412 of the body 410. A plurality of gas supply holes 414 are spaced apart from each other by a predetermined distance along the extending direction of the body 410. Therefore, it is possible to uniformly supply the gas into the inner space 412 through the gas supply holes 414.

또한, 몸체(410)는 양극 지지부(440)와의 체결을 위한 관통홀(416)들을 갖는다. 관통홀(416)들은 몸체(410)의 저면 또는 측면에 구비될 수 있다. In addition, the body 410 has through holes 416 for fastening with the anode support portion 440. The through holes 416 may be provided on the bottom surface or the side surface of the body 410.

음극(420)은 몸체(410)의 상면에 내부 공간(412)을 노출하도록 구비된다. 음극(420)은 제1 음극(422) 및 제2 음극(424)을 포함한다.The cathode 420 is provided to expose the internal space 412 on the upper surface of the body 410. The cathode 420 includes a first cathode 422 and a second cathode 424.

제1 음극(422)은 몸체(410)의 상면 가장자리를 따라 구비된다. 예를 들면, 제1 음극(422)은 링(ring) 형상을 갖는다.The first cathode 422 is provided along the top edge of the body 410. For example, the first cathode 422 has a ring shape.

제2 음극(424)은 몸체(410)의 상면 중앙에 구비된다. 예를 들면, 제2 음극(424)은 바(bar) 형상을 갖는다.The second cathode 424 is provided at the center of the upper surface of the body 410. For example, the second cathode 424 has a bar shape.

제1 음극(422)과 제2 음극(424)은 서로 일정한 간격만큼 이격된다. 제1 음극(422)과 제2 음극(424) 사이의 개구(426)를 통해 몸체(410)의 내부 공간(412)이 노출된다. 이때, 개구(426)는 상기 일 방향으로 연장된 링 형상을 갖는다. The first negative electrode 422 and the second negative electrode 424 are spaced apart from each other by a predetermined distance. The inner space 412 of the body 410 is exposed through the opening 426 between the first cathode 422 and the second cathode 424. At this time, the opening 426 has a ring shape extending in the one direction.

제1 음극(422)과 제2 음극(424)의 저면에는 몸체(410)와의 결합을 위한 제1 체결홈(422a) 및 제2 체결홈(424a)이 구비된다. 제1 체결홈(422a) 및 제2 체결홈(424a)은 각각 한 개의 홈이 연장된 형태를 가질 수 있다. 구체적으로, 제1 체결홈(422a)은 링 형상을 가지며, 제2 체결홈(424a)은 바 형상을 갖는다. A first fastening groove 422a and a second fastening groove 424a are formed on the bottom surfaces of the first negative electrode 422 and the second negative electrode 424 for coupling with the body 410. The first fastening groove 422a and the second fastening groove 424a may each have a shape in which one groove is extended. Specifically, the first fastening groove 422a has a ring shape, and the second fastening groove 424a has a bar shape.

다른 예로, 제1 체결홈(422a) 및 제2 체결홈(424a)은 각각 다수 개의 홈이 일정 간격으로 배열된 형태를 가질 수 있다. 구체적으로, 제1 체결홈(422a)은 다수개의 홈들이 링 형상을 가지도록 배열되며, 제2 체결홈(424a)은 다수개의 홈들이 바 형상을 갖도록 배열된다. 이 경우, 몸체(410)의 상면도 제1 체결홈(422a) 및 제2 체결홈(424a)의 형태와 대응하는 형상을 갖는다. As another example, the first fastening groove 422a and the second fastening groove 424a may have a plurality of grooves arranged at regular intervals. Specifically, the first fastening groove 422a has a plurality of grooves arranged in a ring shape, and the second fastening groove 424a has a plurality of grooves arranged in a bar shape. In this case, the upper surface of the body 410 also has a shape corresponding to the shapes of the first engagement groove 422a and the second engagement groove 424a.

제1 체결홈(422a) 및 제2 체결홈(424a)은 몸체(410)의 상면을 수용한다. 제1 체결홈(422a) 및 제2 체결홈(424a)의 공차는 약 0.3 mm 이하인 것이 바람직하다. 제1 체결홈(422a) 및 제2 체결홈(424a)을 이용하여 제1 음극(422)과 제2 음극(424)을 몸체(410)의 상면에 정확하게 위치시킬 수 있다. 제1 음극(422) 및 제2 음극(424)의 길이가 약 2000 mm 이상으로 길더라도 제1 체결홈(422a) 및 제2 체결홈(424a)이 몸체(410)의 상면을 수용함으로써 음극(420)을 몸체(410)에 정확하게 위치시킬 수 있다.The first fastening groove 422a and the second fastening groove 424a receive the upper surface of the body 410. The tolerance of the first fastening groove 422a and the second fastening groove 424a is preferably about 0.3 mm or less. The first negative electrode 422 and the second negative electrode 424 can be precisely positioned on the upper surface of the body 410 by using the first engagement groove 422a and the second engagement groove 424a. The first fastening groove 422a and the second fastening groove 424a may receive the upper surface of the body 410 so that the length of the first cathode 422 and the second cathode 424 is longer than about 2000 mm, Can be accurately positioned on the body 410.

또한, 몸체(410)에 자성체(460)가 내장되는 경우, 자성체(460)의 자력으로 인해 금속 재질의 제1 음극(422)과 제2 음극(424)을 몸체(410)의 상면에 정확하게 위치시키기 어렵다. 그러나, 제1 체결홈(422a) 및 제2 체결홈(424a)을 이용하면 몸체(410)에 자성체(460)가 내장되더라도 제1 음극(422)과 제2 음극(424)을 몸체(410)의 상면에 정확하게 위치시킬 수 있다. When the magnetic body 460 is embedded in the body 410, the first negative electrode 422 and the second negative electrode 424 made of metal are precisely positioned on the upper surface of the body 410 due to the magnetic force of the magnetic body 460 It is difficult to make. However, even if the magnetic substance 460 is embedded in the body 410 by using the first and second coupling grooves 422a and 424a, the first and second cathodes 422 and 424 are connected to the body 410, As shown in FIG.

제1 음극(422)과 제2 음극(424)을 몸체(410)의 상면에 정확하게 위치시킬 수 있으므로, 제1 음극(422)과 제2 음극(424) 사이의 간격을 일정하게 유지할 수 있다. 또한, 음극(420)과 양극 사이의 간격도 일정하게 유지할 수 있다. The distance between the first negative electrode 422 and the second negative electrode 424 can be kept constant since the first negative electrode 422 and the second negative electrode 424 can be accurately positioned on the upper surface of the body 410. In addition, the interval between the cathode 420 and the anode can be kept constant.

한편, 음극(420)은 외부로부터 전원과 연결되지 않고, 접지되지도 않은 부유(floating) 상태를 유지한다. 몸체(410)는 음극(420)과 결합되므로 몸체(410)도 음극(420)으로 작용한다. 따라서, 음극(420)과 연결된 몸체(420)도 마찬가지로 부유 상태를 유지한다. On the other hand, the cathode 420 is not connected to the power source from the outside, and maintains a floating state which is not grounded. Since the body 410 is coupled with the cathode 420, the body 410 also functions as the cathode 420. Accordingly, the body 420 connected to the cathode 420 also maintains a floating state.

양극(430)은 몸체(410)의 내부 공간(412)에 구비된다. 양극(430)은 몸체(410) 및 음극(420)과 이격되도록 배치된다. 이때, 양극(430)과 몸체(410) 사이의 간격과 양극(430)과 음극(420) 사이의 간격은 동일할 수 있다. 양극(430)은 몸체(410)의 연장 방향과 동일한 방향으로 연장된 링 형상을 갖는다. The anode 430 is provided in the inner space 412 of the body 410. The anode 430 is disposed to be spaced apart from the body 410 and the cathode 420. At this time, the distance between the anode 430 and the body 410 and the distance between the anode 430 and the cathode 420 may be the same. The anode 430 has a ring shape extending in the same direction as the extending direction of the body 410.

또한, 양극(430)은 내부에 냉매를 순환시키기 위한 제1 유로(432)를 갖는다. 제1 유로(432)는 단수 또는 복수로 구비되며, 직선, 곡선, 지그재그 등 다양한 형태를 가질 수 있다. 그리고, 양극 지지부(440)와의 체결을 위해 체결홈(434)을 갖는다. 체결홈(434)들은 양극(430)의 저면 또는 측면에 구비될 수 있다. Further, the anode 430 has a first flow path 432 for circulating the refrigerant therein. The first flow path 432 may be a single or a plurality of types, and may have various shapes such as a straight line, a curved line, and a zigzag line. And has a coupling groove 434 for coupling with the anode supporting portion 440. The fastening grooves 434 may be provided on the bottom surface or the side surface of the anode 430.

양극(430)은 외부의 전원과 연결된다. 따라서, 양극(430)은 외부로부터 인가되는 구동 전원과 연동하여 음극(420)과 양극(430) 사이의 공간에서 전기장을 발생한다. 상기 전기장에 의해 가스 공급홀(414)을 통해 공급된 가스가 플라즈마 상태의 이온 빔으로 여기된다. The anode 430 is connected to an external power source. Accordingly, the anode 430 generates an electric field in a space between the cathode 420 and the anode 430 in conjunction with the driving power applied from the outside. The gas supplied through the gas supply hole 414 by the electric field is excited into the ion beam in the plasma state.

음극(420)이 부유 상태이므로 양극(430)에 구동 전원이 인가되더라도 음극(420)과 양극(430)은 부위 전위 상태를 유지한다. 따라서, 이온 빔 소스(400)의 표면, 예를 들면 몸체(410), 음극(420) 및 양극(430)의 표면에 도전성 물질이 부착되어 상기 이온 빔에 의해 상기 도전성 물질에 전하가 축적되더라도 상기 이온 빔 소스(400)와 상기 도전성 물질 사이의 전위차가 크지 않아 아킹 발생을 줄일 수 있다.Since the cathode 420 is in a floating state, even when driving power is applied to the anode 430, the cathode 420 and the anode 430 maintain the site potential state. Therefore, even if the conductive material is attached to the surface of the ion beam source 400, for example, the body 410, the cathode 420, and the anode 430, and charges are accumulated in the conductive material by the ion beam, The potential difference between the ion beam source 400 and the conductive material is not large, so that occurrence of arcing can be reduced.

양극 지지부(440)는 양극(430)이 몸체(410) 및 음극(420)과 이격되도록 양극(430)을 지지한다. 일 예로, 양극 지지부(440)는 몸체(410)의 저면을 관통하여 양극(430)의 하부면을 지지할 수 있다. 다른 예로, 양극 지지부(440)는 몸체(410)의 측면을 관통하여 양극(430)의 측면을 지지할 수 있다. The anode support part 440 supports the anode 430 so that the anode 430 is separated from the body 410 and the cathode 420. For example, the anode support portion 440 may support the lower surface of the anode 430 through the bottom surface of the body 410. As another example, the anode support 440 may support the side of the anode 430 through the side of the body 410.

양극 지지부(440)는 제1 구조물(442), 제2 구조물(444) 및 밀봉 부재(446)를 포함한다. The anode support 440 includes a first structure 442, a second structure 444, and a sealing member 446.

제1 구조물(442)은 대략 기둥 형태를 가지며, 몸체(410)에 고정되어 양극(430)을 지지한다. 일 예로, 제1 구조물(442)은 몸체(410)의 저면을 관통하여 양극(430)의 하부면을 지지할 수 있다. 다른 예로, 제1 구조물(442)은 몸체(410)의 측면을 관통하여 양극(430)의 측면을 지지할 수 있다. The first structure 442 has a substantially columnar shape and is fixed to the body 410 to support the anode 430. In one example, the first structure 442 may support the lower surface of the anode 430 through the bottom surface of the body 410. As another example, the first structure 442 may support the side of the anode 430 through the side of the body 410.

제1 구조물(442)에 의해 양극(430)이 몸체(410) 및 음극(420)과 일정 간격 이격될 수 있다. 예를 들면, 제1 구조물(442)은 몸체(410)의 관통홀(416)을 지나 일단부가 양극(430)의 체결홈(416)에 삽입되어 양극(430)을 고정한다. The anode 430 may be spaced apart from the body 410 and the cathode 420 by the first structure 442. For example, the first structure 442 passes through the through hole 416 of the body 410, and one end thereof is inserted into the engagement groove 416 of the anode 430 to fix the anode 430.

제1 구조물(442)은 양극(430)과 나사 체결될 수 있다. 예를 들면, 제1 구조물(442)은 상기 일단부 외측면에 나사산이 형성되고, 체결홈(434)의 내측면에도 나사산이 형성될 수 있다.The first structure 442 may be screwed to the anode 430. For example, the first structure 442 may be threaded on the outer surface of the one end portion, and may be formed on the inner surface of the coupling groove 434.

제1 구조물(442)은 금속 재질로 이루어진다. 따라서, 상기 외부 전원이 제1 구조물(442)을 통해 양극(430)과 연결될 수 있다. 상기 전원이 공급되면 양극(430)은 음극(420)과 사이에서 전기장을 형성한다. The first structure 442 is made of a metal material. Accordingly, the external power source may be connected to the anode 430 through the first structure 442. When the power source is supplied, the anode 430 forms an electric field with the cathode 420.

제1 구조물(442)은 내부에 제2 유로(443)를 갖는다. 제2 유로(443)는 양극(430)의 내부에 형성된 제1 유로(432)와 연결된다. 제2 유로(443)를 통해 양극(430) 내부로 냉매를 공급 및 배출할 수 있다. 냉매의 예로는 냉각수, 냉각 가스 등을 들 수 있다. 제1 유로(432) 및 제2 유로(443)를 이용하여 양극(430) 내부에서 상기 냉매를 순환시킬 수 있으므로, 상기 전기장 형성시 양극(430)에서 발생하는 열을 냉각시킬 수 있다. The first structure 442 has a second flow path 443 therein. The second flow path 443 is connected to the first flow path 432 formed inside the anode 430. And the refrigerant can be supplied into and discharged from the anode 430 through the second flow path 443. Examples of the refrigerant include cooling water and cooling gas. The refrigerant can be circulated inside the anode 430 using the first flow path 432 and the second flow path 443 so that the heat generated in the anode 430 can be cooled during the formation of the electric field.

제1 유로(432) 및 제2 유로(443)는 절연성 물질로 코팅될 수 있다. 따라서, 양극(430) 및 제1 구조물(442)과 연결되는 전원이 상기 냉매, 특히 냉각수로 전달되는 것을 방지할 수 있다. The first flow path 432 and the second flow path 443 may be coated with an insulating material. Therefore, it is possible to prevent a power source connected to the anode 430 and the first structure 442 from being transferred to the refrigerant, particularly, the cooling water.

제2 구조물(444)은 제1 구조물(442)의 측면을 둘러싸도록 구비된다. 예를 들면, 제2 구조물(444)은 제1 구조물(442)에서 몸체(410)와 접촉하는 부위 및 몸체(410)와 양극(430) 사이에서 노출되는 부위를 감싸도록 구비될 수 있다. 따라서, 제2 구조물(444)은 제1 구조물(442)과 일체로 형성될 수 있다. The second structure 444 is provided to surround the side surface of the first structure 442. For example, the second structure 444 may be provided to surround a portion of the first structure 442 that is in contact with the body 410 and a portion of the first structure 442 that is exposed between the body 410 and the anode 430. Thus, the second structure 444 may be integrally formed with the first structure 442.

제2 구조물(444)은 몸체(410)와 나사 체결될 수 있다. 예를 들면, 제2 구조물(444)의 외측면에 나사산이 형성되고, 관통홀(416)의 내측면에도 나사산이 형성될 수 있다.The second structure 444 may be screwed to the body 410. For example, a thread may be formed on the outer surface of the second structure 444, and a thread may be formed on the inner surface of the through hole 416.

제1 구조물(442)이 양극(430)과 나사 체결되고, 제2 구조물(444)이 몸체(410)와 나사 체결되므로, 양극 지지부(440)가 몸체(410) 및 양극(430)과 용이하게 조립될 수 있다. 또한, 양극 지지부(440)의 분리도 용이하므로, 이온 빔 소스(400)의 유지 보수시 편리성을 향상시킬 수 있다.The first structure 442 is screwed to the anode 430 and the second structure 444 is screwed to the body 410 so that the anode support part 440 can be easily connected to the body 410 and the anode 430 Can be assembled. In addition, since the separation of the anode support portion 440 is easy, the convenience of maintenance of the ion beam source 400 can be improved.

한편, 제2 구조물(444)은 단순히 몸체(410)를 관통하도록 구비될 수도 있다. Meanwhile, the second structure 444 may be provided simply to penetrate the body 410.

제2 구조물(444)은 절연 재질로 이루어질 수 있다. 상기 절연 재질의 예로는 세라믹, PEEK(Poly-Ether Ether Ketone) 등을 들 수 있다. 제2 구조물(444)은 제1 구조물(442)과 몸체(410)가 전기적으로 연결되는 것을 방지한다. The second structure 444 may be made of an insulating material. Examples of the insulating material include ceramics, PEEK (Poly-Ether Ether Ketone), and the like. The second structure 444 prevents the first structure 442 and the body 410 from being electrically connected.

제2 구조물(444)이 절연 재질로 이루어지더라도 이온 빔 소스(400)에서 이온 빔 생성시 내부에서 발생하거나 외부로부터 유입된 전도성 물질이 제2 구조물(444)에서 몸체(410)와 양극(430) 사이의 노출 부위 전체에 코팅될 수 있다. 따라서, 상기 전도성 물질에 의해 몸체(410)와 양극(430)이 전기적으로 연결될 수 있다.Even if the second structure 444 is made of an insulating material, a conductive material generated inside or generated from the outside when the ion beam is generated in the ion beam source 400 is transferred from the second structure 444 to the body 410 and the anode 430 Lt; RTI ID = 0.0 > a < / RTI > Therefore, the body 410 and the anode 430 can be electrically connected by the conductive material.

그러므로, 상기 전도성 물질이 상기 노출 부위 전체에 코팅되는 것을 방지하기 위해 제2 구조물(444)은 상기 노출 부위에 단차(445)를 갖는다. 단차(445)는 제2 구조물(444)의 둘레를 따라 형성된 홈일 수 있다. 이때, 상기 홈은 제2 구조물(444) 전체에 걸쳐 다수개가 형성될 수 있다. 또한, 단차(445)는 제2 구조물(444)의 둘레를 따라 형성되며 단면적이 증가하는 걸림턱 형태의 단차 또는 단면적이 감소하는 걸림턱 형태의 단차일 수 있다. Therefore, in order to prevent the conductive material from being coated on the entire exposed portion, the second structure 444 has a step 445 at the exposed portion. The step 445 may be a groove formed along the periphery of the second structure 444. At this time, a plurality of grooves may be formed over the entire second structure 444. The stepped portion 445 may be formed along the circumference of the second structure 444 and may have a stepped shape in which the cross sectional area increases or a stepped shape in which the cross sectional area decreases.

단차(445)는 제2 구조물(444)의 표면 프로파일을 급격하게 변화시키므로, 상기 전도성 물질이 제2 구조물(444)의 노출 부위 전체에 코팅되기 어렵다. 따라서, 상기 전도성 물질에 의해 몸체(410)와 양극(430)이 전기적으로 연결되는 것을 방지할 수 있다. Since the step difference 445 rapidly changes the surface profile of the second structure 444, it is difficult for the conductive material to be coated over the entire exposed portion of the second structure 444. Therefore, the body 410 and the anode 430 can be prevented from being electrically connected by the conductive material.

한편, 제1 구조물(442)은 몸체(410)의 저면을 관통하여 양극(430)의 하부면을 지지하는 경우, 제2 구조물(444)의 노출 부위가 몸체(410)의 저면에 위치하므로 상기 전도성 물질이 제2 구조물(444)의 노출 부위까지 도달하기까지 경로가 길다. 따라서, 제2 구조물(444)의 노출 부위 전체에 상기 전도성 물질이 코팅되는 것을 방지하거나 지연시킬 수 있다. When the first structure 442 penetrates the bottom surface of the body 410 and supports the lower surface of the anode 430, since the exposed portion of the second structure 444 is located on the bottom surface of the body 410, The path is long until the conductive material reaches the exposed portion of the second structure 444. Thus, it is possible to prevent or delay the coating of the conductive material over the entire exposed portion of the second structure 444. [

밀봉 부재(446)는 제1 구조물(442)과 제2 구조물(444) 사이, 제2 구조물(444)과 몸체(410) 사이 및 제1 구조물(442)과 양극(430) 사이에 각각 구비되어, 이온 빔 소스(400)의 진공이 누설되는 것을 방지한다. 또한, 밀봉 부재(446)는 제1 구조물(442)과 양극(430) 사이를 통해 상기 냉매가 누설되는 것을 방지할 수 있다. 밀봉 부재(446)의 예로는 오링을 들 수 있다. The sealing member 446 is provided between the first structure 442 and the second structure 444 and between the second structure 444 and the body 410 and between the first structure 442 and the anode 430 , Thereby preventing the vacuum of the ion beam source 400 from leaking. In addition, the sealing member 446 can prevent the refrigerant from leaking through the space between the first structure 442 and the anode 430. An example of the sealing member 446 is O-ring.

보조 지지부(450)는 대략 원판 또는 사각판 형태를 가지며, 몸체(410)와 양극(430) 사이에 배치된다. 구체적으로, 보조 지지부(450)는 몸체(410)의 내부 저면에 고정되어 양극(430)의 하부면을 지지할 수 있다. 양극(430)의 길이가 긴 경우, 양극 지지부(440)가 양극(430)을 지지하더라도 양극 지지부(450)들 사이의 양극(430) 부위가 자중에 의해 처짐이 발생할 수 있다. 보조 지지부(450)가 양극(430)을 지지함으로써 양극(430)의 처짐을 방지할 수 있다. 따라서, 양극(430)이 몸체(410) 및 음극(420)과 일정한 간격을 유지할 수 있다. The auxiliary support 450 has a substantially disk or rectangular plate shape and is disposed between the body 410 and the anode 430. Specifically, the auxiliary support 450 may be fixed to the inner bottom surface of the body 410 to support the lower surface of the anode 430. When the length of the anode 430 is long, even if the anode support part 440 supports the anode 430, the part of the anode 430 between the anode supporting parts 450 may be deflected due to its own weight. The auxiliary support 450 supports the anode 430 to prevent the anode 430 from sagging. Therefore, the anode 430 can maintain a constant gap with the body 410 and the cathode 420.

또한, 보조 지지부(450)는 몸체(410)와 양극(430)을 일정한 간격만큼 이격된 상태로 유지하므로, 몸체(410)와 양극(430)이 상기 간격과 동일한 간격을 유지하도록 양극 지지부(440)가 양극(430)과 체결된다. 따라서, 보조 지지부(450)는 양극 지지부(440)가 양극(430)과 체결되는 정도를 한정하는 역할을 수행한다. The auxiliary support part 450 maintains the body 410 and the anode 430 spaced apart from each other by a predetermined distance so that the anode support part 440 Is fastened to the anode (430). Accordingly, the auxiliary supporting portion 450 serves to limit the degree to which the anode supporting portion 440 is fastened to the anode 430.

보조 지지부(450)는 절연 재질로 이루어질 수 있다. 상기 절연 재질의 예로는 세라믹, PEEK 등을 들 수 있다. 따라서, 보조 지지부(450)를 통해 몸체(410)와 양극(430)이 전기적으로 연결되지 않는다. The auxiliary support 450 may be made of an insulating material. Examples of the insulating material include ceramics, PEEK, and the like. Therefore, the body 410 and the anode 430 are not electrically connected through the auxiliary support 450. [

보조 지지부(450)는 몸체(410)의 저면에 배치되므로, 상기 전도성 물질이 보조 지지부(450)까지 도달하기까지 경로가 길다. 따라서, 보조 지지부(450) 전체에 상기 전도성 물질이 코팅되지 않거나, 상기 전도성 물질이 코팅되는 것이 지연될 수 있다. Since the auxiliary supporting portion 450 is disposed on the bottom surface of the body 410, the path is long until the conductive material reaches the auxiliary supporting portion 450. Therefore, the conductive material may not be coated on the entirety of the auxiliary supporting portion 450, or the conductive material may be coated on the auxiliary supporting portion 450.

이온 빔 소스(400)를 장시간 사용하는 경우, 보조 지지부(450)가 몸체(410)의 저면에 배치되더라도 상기 전도성 물질이 보조 지지부(450) 표면 전체에 코팅될 수 있다. 이를 방지하기 위해, 보조 지지부(450)는 단차(452)를 갖는다. 단차(452)는 보조 지지부(450)의 측면 둘레를 따라 형성된 홈일 수 있다. 이때, 상기 홈은 보조 지지부(450) 측면 전체에 걸쳐 하나 또는 여러 개가 형성될 수 있다. 또한, 단차(452)는 보조 지지부(450)의 측면 둘레를 따라 형성되며 단면적이 증가하는 걸림턱 형태의 단차 또는 단면적이 감소하는 걸림턱 형태의 단차일 수 있다. The conductive material may be coated on the entire surface of the auxiliary supporting part 450 even if the auxiliary supporting part 450 is disposed on the bottom surface of the body 410. [ To prevent this, the auxiliary support portion 450 has a step 452. The step 452 may be a groove formed along the side surface of the auxiliary support 450. At this time, one or more grooves may be formed over the entire side surface of the auxiliary support 450. The stepped portion 452 may be a stepped portion in the form of a stepped protrusion or a stepped portion in the form of a stepped portion in which the cross-sectional area of the protruding portion 452 is reduced along the side surface of the auxiliary support portion 450.

단차(452)는 보조 지지부(450)의 표면 프로파일을 급격하게 변화시키므로, 상기 전도성 물질이 보조 지지부(450)의 측면 전체에 코팅되기 어렵다. 따라서, 상기 전도성 물질에 의해 몸체(410)와 양극(430)이 전기적으로 연결되는 것을 방지할 수 있다. Since the step 452 abruptly changes the surface profile of the auxiliary supporting portion 450, it is difficult for the conductive material to be coated on the entire side surface of the auxiliary supporting portion 450. Therefore, the body 410 and the anode 430 can be prevented from being electrically connected by the conductive material.

몸체(410)는 내측면에 양극 지지부(440)가 고정된 부위의 둘레를 따라 홈(418)을 갖는다. 즉, 홈(418)은 몸체(410)의 내측면에서 관통홀(416)의 입구 둘레를 따라 형성될 수 있다. 홈(418)에 의해 노출된 양극 지지부(440)의 제2 구조물(444)은 몸체(410)에 의해 커버될 수 있다. 그러므로, 홈(418)에 의해 노출된 제2 구조물(444)의 부위에 상기 전도성 물질이 표면 전체에 코팅되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 전도성 물질에 의해 몸체(410)와 양극(430)이 전기적으로 연결되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. The body 410 has a groove 418 along the periphery of the portion where the anode support portion 440 is fixed on the inner surface. That is, the groove 418 may be formed along the periphery of the inlet of the through hole 416 from the inner side of the body 410. The second structure 444 of the anode support portion 440 exposed by the groove 418 may be covered by the body 410. Therefore, it is possible to prevent the conductive material from being coated on the entire surface of the second structure 444 exposed by the groove 418. [ Therefore, it is possible to effectively prevent the body 410 and the anode 430 from being electrically connected by the conductive material.

홈(418)과 단차(445)는 모두 구비될 수도 있지만, 필요에 따라 홈(418)과 단차(445) 중 어느 하나만 구비될 수도 있다. Both the groove 418 and the step 445 may be provided, but only one of the groove 418 and the step 445 may be provided if necessary.

한편, 몸체(410)는 내측면에 보조 지지부(450)가 고정된 부위의 둘레를 따라 홈(미도시)을 가질 수도 있다. 상기 홈으로 인해 보조 지지부(450)의 측면 전체에 상기 전도성 물질이 코팅되는 것을 방지할 수 있다. Meanwhile, the body 410 may have a groove (not shown) along the periphery of a portion where the auxiliary supporting portion 450 is fixed to the inner side. It is possible to prevent the conductive material from being coated on the entire side surface of the auxiliary support 450 due to the groove.

자성체(460)는 몸체(410) 내부에 몸체(410)의 연장 방향을 따라 구비된다. 자성체(460)는 다수개의 영구 자석이 상기 연장 방향을 따라 접합될 수 있다. 다른 예로, 자성체(460)는 상기 연장 방향을 따라 연장된 하나의 영구 자석일 수 있다. The magnetic body 460 is provided inside the body 410 along the extending direction of the body 410. A plurality of permanent magnets may be bonded to the magnetic body 460 along the extending direction. As another example, the magnetic body 460 may be one permanent magnet extending along the extending direction.

플라즈마 상태에 있는 전자와 이온 빔들에 자기장이 인가되면 전자와 이온 빔들의 운동방향이 자기방향과 직각으로 원 운동하게 되어 전자의 구속으로 플라즈마를 일부분에 형성되게 할 수 있고, 이를 통해 플라즈마의 밀도를 원하는 곳에 집중시킬 수 있게 된다. 따라서, 자성체(460)를 통해 몸체(410)의 내부 공간(412)으로 공급된 가스의 입자들이 클로즈드 드리프트(closed drift)에 의해 효과적으로 방전될 수 있도록 자기장을 형성함으로써 플라즈마의 밀도를 원하는 곳으로 집중시킬 수 있게 되며, 이를 통해 플라즈마가 의도되지 않은 영역에서 발생하는 것을 방지할 수 있다.When a magnetic field is applied to the electrons and the ion beams in the plasma state, the direction of movement of the electrons and the ion beams is circular motion at a right angle to the magnetic direction, so that the plasma can be partially formed by the restraint of electrons, You can concentrate where you want. Therefore, by forming a magnetic field so that the particles of the gas supplied to the inner space 412 of the body 410 through the magnetic body 460 can be effectively discharged by closed drift, So that it is possible to prevent the plasma from occurring in an unintended region.

상기와 같이 이온 빔 소스(400)는 개구(426)를 통해 몸체(410)의 연장 방향을 따라 연장되는 한 쌍의 선형 이온 빔, 즉 제1 이온 빔 및 제2 이온 빔을 조사할 수 있다. 상기 이온 빔은 아르곤, 헬륨, 네온, 크세논, 산소, 질소, 수소, 탄소 등의 원소를 포함할 수 있다. 상기 이온 빔은 상기 원소들을 단독으로 포함하거나 복수개를 포함할 수 있다. 상기 이온 빔에 포함되는 상기 원소는 상기 가스의 종류에 따라 달라질 수 있다. As described above, the ion beam source 400 can irradiate a pair of linear ion beams, that is, a first ion beam and a second ion beam, which extend along the extending direction of the body 410 through the opening 426. The ion beam may include elements such as argon, helium, neon, xenon, oxygen, nitrogen, hydrogen, carbon, and the like. The ion beam may include the elements alone or may include a plurality of the elements. The element included in the ion beam may vary depending on the kind of the gas.

상기 이온 빔이 아르곤, 헬륨, 네온, 크세논 등의 원소를 포함하는 경우, 상기 이온 빔은 타겟(300)으로 조사되어 대상물(10)에 막을 형성하는데 사용될 수 있다. 상기 이온 빔이 산소, 질소, 수소, 탄소 등의 원소를 포함하는 경우, 상기 이온 빔은 대상물(10)을 전처리 또는 후처리하는데 사용될 수 있다. 상기 이온 빔을 이용하여 대상물(10) 상에 막을 형성하고, 대상물(10)의 전처리 또는 후처리를 수행하기 위해서는 상기 이온 빔은 아르곤, 헬륨, 네온, 크세논 등의 원소 중 적어도 하나 및 산소, 질소, 수소, 탄소 등의 원소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. When the ion beam includes elements such as argon, helium, neon, xenon, etc., the ion beam may be irradiated to the target 300 and used to form a film on the object 10. When the ion beam contains elements such as oxygen, nitrogen, hydrogen, carbon, etc., the ion beam may be used to pretreat or post-treat the object 10. In order to form a film on the object 10 using the ion beam, and to perform the pretreatment or post-treatment of the object 10, the ion beam is irradiated with at least one element of argon, helium, neon, , Hydrogen, carbon, and the like.

이온 빔 소스(400)는 몸체(410), 음극(420) 및 양극(430)의 형상을 변경하거나, 자성체(460)의 위치를 조절함으로써 상기 이온 빔의 조사 방향을 조절할 수 있다. The ion beam source 400 can adjust the irradiation direction of the ion beam by changing the shape of the body 410, the cathode 420 and the anode 430 or adjusting the position of the magnetic body 460.

일 예로, 상기 제1 이온 빔 및 제2 이온 빔이 타겟(300)과 대상물(10)을 향해 각각 조사될 수 있다. In one example, the first ion beam and the second ion beam can be irradiated toward the target 300 and the object 10, respectively.

구체적으로, 상기 제1 이온 빔은 타겟(300)을 향해 조사될 수 있다. 제1 이온 빔은 타겟(300)과 충돌하여 타겟(300)의 물질을 활성화한다. 활성화된 물질은 고체 상태 또는 기체 상태로 진공 챔버(100)의 내부에서 대상물(10)을 향하도록 분산되어 상기 막을 형성한다. Specifically, the first ion beam may be irradiated toward the target 300. The first ion beam collides with the target 300 to activate the material of the target 300. The activated material is dispersed toward the object 10 in the vacuum chamber 100 in a solid state or a gaseous state to form the film.

상기 제2 이온 빔은 지지부재(200)에 지지된 대상물(10)로 조사될 수 있다. 대상물(10)로 조사된 상기 제2 이온 빔은 대상물(10)을 전처리할 수 있다. 상기 제2 이온 빔이 대상물(10)의 표면에 존재하는 유기물을 제거할 수 있다. 따라서, 대상물(10) 상에 형성되는 막의 접착성을 향상시킬 수 있고, 상기 막이 대상물(10)로부터 박리되는 것을 방지할 수 있다. 대상물(10)이 유기물 증착용 마스크인 경우, 상기 제2 이온 빔은 상기 마스크의 세정 공정에도 사용될 수 있다. The second ion beam may be irradiated to the object 10 supported by the support member 200. The second ion beam irradiated with the object 10 can pre-process the object 10. The second ion beam can remove the organic matter present on the surface of the object 10. Therefore, the adhesiveness of the film formed on the object 10 can be improved, and the film can be prevented from being peeled off the object 10. If the object 10 is an organic vapor deposition mask, the second ion beam may also be used in the cleaning process of the mask.

또한, 대상물(10)로 조사된 상기 제2 이온 빔은 대상물(10)을 후처리할 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 이온 빔이 대상물(10) 상에 형성된 막으로 주입되거나 상기 막의 성분과 반응함으로써 상기 막의 조성을 변화시킬 수 있다. Further, the second ion beam irradiated to the object 10 can post-process the object 10. Specifically, the composition of the film can be changed by injecting the second ion beam into the film formed on the object 10 or reacting with the components of the film.

다른 예로, 상기 제1 이온 빔 및 제2 이온 빔이 타겟(300)과 대상물(10)을 향해 각각 선택적으로 조사될 수 있다. 즉, 상기 제1 이온 빔 및 제2 이온 빔이 상기 막의 형성을 위해 타겟(300)을 향해 조사되거나 상기 전처리 또는 후처리를 위해 대상물(10)을 향해 조사될 수 있다. As another example, the first ion beam and the second ion beam may be selectively irradiated toward the target 300 and the object 10, respectively. That is, the first ion beam and the second ion beam may be irradiated toward the target 300 for the formation of the film or toward the object 10 for the pre-treatment or post-treatment.

한편, 진공 챔버(100)의 내부 압력이 상대적으로 낮으므로, 타겟(300)에서 활성화된 막 형성을 위한 물질이 중성 입자와 충돌하는 빈도가 낮다. 따라서, 상기 물질 입자가 상기 중성 입자와 충돌하여 발생하는 에너지 손실을 줄일 수 있다. 따라서, 상기 막의 결정성과 부착력을 향상시킬 수 있다.
On the other hand, since the internal pressure of the vacuum chamber 100 is relatively low, the frequency at which the material for film formation activated in the target 300 collides with the neutral particles is low. Therefore, it is possible to reduce the energy loss caused by the collision of the material particles with the neutral particles. Therefore, the crystallinity and adhesion of the film can be improved.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 대상물 가공 장치를 설명하기 위한 단면도이다. 4 is a cross-sectional view illustrating an object processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 대상물 가공 장치(2000)는 진공 챔버(1100), 지지부재(1200), 타겟(1300) 및 이온 빔 소스(1400)를 포함한다. 4, the object processing apparatus 2000 includes a vacuum chamber 1100, a support member 1200, a target 1300, and an ion beam source 1400.

지지 부재(1200)를 제외한 진공 챔버(1100), 타겟(1300) 및 이온 빔 소스(1400)에 대한 설명은 도 1 내지 도 3을 참조한 진공 챔버(100), 타겟(300) 및 이온 빔 소스(400)에 대한 설명과 동일하므로 생략한다. A description of the vacuum chamber 1100, the target 1300 and the ion beam source 1400 excluding the supporting member 1200 will be omitted for the vacuum chamber 100, the target 300 and the ion beam source 1400, 400, and therefore will be omitted.

지지 부재(1200)는 한 쌍의 롤러들로 이루어질 수 있다. 상기 롤러들은 서로 일정 간격 이격되며, 필름 형상을 갖는 대상물(20)을 하나의 롤러에 권취하고 상기 롤러들의 회전에 따라 나머지 하나의 롤러로 대상물(20)을 이송한다. The support member 1200 may be formed of a pair of rollers. The rollers are spaced apart from each other and take up a film-shaped object 20 on one roller and transfer the object 20 to the other roller in accordance with the rotation of the rollers.

타겟(1300) 및 이온 빔 소스(1400)를 이용하여 상기 롤러들에 의해 이송되는 대상물(20)에 막을 형성하거나, 대상물(20)에 대한 전처리 공정 또는 후처리 공정을 수행한다. A film is formed on the object 20 to be conveyed by the rollers using the target 1300 and the ion beam source 1400 or a pretreatment process or a posttreatment process is performed on the object 20.

이온 빔 소스(1400)에서 발생되는 이온 빔이 일 방향으로 연장된 선형을 가지며, 타겟(1300)도 상기 일 방향으로 연장된 형태를 가질 수 있다, 그러므로, 넓은 폭을 갖는 대상물(20)에 상기 막을 균일하게 연속적으로 형성할 수 있으며, 대상물(20)에 대한 전처리 공정 또는 후처리 공정도 연속적으로 수행할 수 있다.
The ion beam generated from the ion beam source 1400 has a linear shape extending in one direction and the target 1300 may have a shape extending in the one direction. The film can be uniformly and continuously formed, and the pretreatment process or posttreatment process for the object 20 can be continuously performed.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 대상물 가공 장치를 설명하기 위한 단면도이다. 5 is a cross-sectional view illustrating an object processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 대상물 가공 장치(3000)는 진공 챔버(2100), 지지부재(2200), 다수의 타겟(2300)들 및 다수의 이온 빔 소스(2400)들을 포함한다.5, the object processing apparatus 3000 includes a vacuum chamber 2100, a support member 2200, a plurality of targets 2300, and a plurality of ion beam sources 2400.

진공 챔버(2100)는 대상물(30)에 대한 가공 공정이 수행되기 위한 공간을 제공하며, 내부를 진공으로 형성하기 위한 배기 펌프(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 배기 펌프를 이용하여 진공 챔버(2100)의 내부를 상대적으로 낮은 압력의 진공 상태로 형성할 수 있다. 이때의 압력은 약 10^-5내지 10^-3 Torr 일 수 있다. The vacuum chamber 2100 may include an exhaust pump (not shown) for providing a space for the processing of the object 30 to be performed, and for forming the interior of the vacuum in the vacuum. The inside of the vacuum chamber 2100 can be formed in a vacuum state with a relatively low pressure by using the exhaust pump. The pressure at this time may be about 10 ^-5 to 10 ^-3 Torr.

진공 챔버(2100)는 상기 내부를 다수의 영역으로 구분하는 격벽(2110)을 갖는다. 격벽(2110)에 의해 구분되는 상기 영역들은 서로 연결될 수 있다. The vacuum chamber 2100 has a partition 2110 dividing the interior into a plurality of regions. The regions defined by the barrier ribs 2110 may be connected to each other.

지지 부재(2200)는 한 쌍의 롤러들로 이루어질 수 있다. 상기 롤러들은 서로 일정 간격 이격되며, 필름 형상을 갖는 대상물(30)을 하나의 롤러에 권취하고 상기 롤러들의 회전에 따라 나머지 하나의 롤러로 대상물(30)을 이송한다. 이때, 대상물(30)은 상기 영역들을 통과한다. The support member 2200 may be formed of a pair of rollers. The rollers are spaced apart from each other and take up a film-shaped object 30 on one roller and transfer the object 30 to the other roller in accordance with rotation of the rollers. At this time, the object 30 passes through the regions.

지지 부재(2200)는 드럼(2210)을 더 포함할 수 있다. 드럼(2210)은 상기 롤러들 사이에 배치되며, 대상물(30)을 지지한 상태로 회전하여 대상물(30)의 이송을 돕는다. The support member 2200 may further include a drum 2210. The drum 2210 is disposed between the rollers, and rotates while supporting the object 30, thereby assisting the conveyance of the object 30.

타겟(2300)들 및 이온 빔 소스(2400)들은 상기 영역들에 각각 구비되어 상기 영역들을 지나는 대상물(30)에 막을 형성하거나 대상물(30)에 대한 전처리 또는 후처리를 수행한다. The targets 2300 and the ion beam sources 2400 are respectively provided in the regions to form a film on the object 30 passing through the regions or to perform pre-processing or post-processing on the object 30.

타겟(2300) 및 이온 빔 소스(2400)에 대한 설명은 도 1 내지 도 3을 참조한 타겟(300) 및 이온 빔 소스(400)에 대한 설명과 실질적으로 동일하므로 생략한다. The description of the target 2300 and the ion beam source 2400 is omitted because it is substantially the same as the description of the target 300 and the ion beam source 400 with reference to FIGS.

이온 빔 소스(2400)에서 발생되는 이온 빔이 일 방향으로 연장된 선형을 가지며, 타겟(2300)도 상기 일 방향으로 연장된 형태를 가질 수 있다, 그러므로, 넓은 폭을 갖는 대상물(30)에 상기 막을 균일하게 연속적으로 형성할 수 있으며, 대상물(20)에 대한 전처리 공정 또는 후처리 공정도 연속적으로 수행할 수 있다. The ion beam generated from the ion beam source 2400 has a linear shape extending in one direction and the target 2300 may have a shape extended in the one direction. The film can be uniformly and continuously formed, and the pretreatment process or posttreatment process for the object 20 can be continuously performed.

한편, 상기 각 영역에 구비되는 타겟(2300)들은 동일한 물질일 수도 있고 서로 다른 물질일 수도 있다. 상기 각 영역에 동일한 물질의 타겟(2300)들이 배치되는 경우, 대상물(30)에 막을 두껍게 형성할 수 있다. Meanwhile, the targets 2300 provided in the respective regions may be the same material or different materials. When the targets 2300 of the same material are arranged in the respective regions, the film 30 can be formed thick on the object 30.

또한, 상기 각 영역에 서로 다른 물질의 타겟(2300)들이 배치되는 경우, 대상물(30)에 서로 다른 막을 연속적으로 형성할 수 있다. 즉, 대상물(30)에 다층 막을 용이하게 형성할 수 있다.
In addition, when the targets 2300 of different materials are disposed in the respective regions, different films can be continuously formed on the object 30. That is, the multilayer film can be easily formed on the object 30.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 대상물 가공 장치를 설명하기 위한 단면도이다. 6 is a cross-sectional view illustrating an object processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 대상물 가공 장치(4000)는 진공 챔버(3100), 지지부재(3200), 가공 유닛(3300) 및 이온 빔 소스(3400)를 포함한다.6, the object processing apparatus 4000 includes a vacuum chamber 3100, a support member 3200, a processing unit 3300, and an ion beam source 3400. [

진공 챔버(3100)는 대상물(40)에 대한 가공 공정이 수행되기 위한 공간을 제공하며, 내부를 진공으로 형성하기 위한 배기 펌프(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 배기 펌프를 이용하여 진공 챔버(3100)의 내부를 상대적으로 낮은 압력의 진공 상태로 형성할 수 있다. 이때의 압력은 약 10^-5내지 10^-3 Torr 일 수 있다. The vacuum chamber 3100 may include an exhaust pump (not shown) for providing a space for the work process to be performed on the object 40, and for forming the vacuum inside the vacuum chamber 3100. The inside of the vacuum chamber 3100 can be formed into a vacuum state at a relatively low pressure by using the exhaust pump. The pressure at this time may be about 10 ^-5 to 10 ^-3 Torr.

진공 챔버(3100)는 상기 내부를 다수의 영역으로 구분하는 격벽(3110)을 갖는다. 격벽(3110)에 의해 구분되는 상기 영역들은 서로 연결될 수 있다. The vacuum chamber 3100 has partition walls 3110 dividing the interior into a plurality of regions. The regions defined by the barrier ribs 3110 can be connected to each other.

지지 부재(3200)는 한 쌍의 롤러들로 이루어질 수 있다. 상기 롤러들은 서로 일정 간격 이격되며, 필름 형상을 갖는 대상물(40)을 하나의 롤러에 권취하고 상기 롤러들의 회전에 따라 나머지 하나의 롤러로 대상물(40)을 이송한다. 이때, 대상물(40)은 상기 영역들을 통과한다. The support member 3200 may be formed of a pair of rollers. The rollers are spaced apart from each other and take up a film-shaped object 40 on one roller and transfer the object 40 to the other roller in accordance with the rotation of the rollers. At this time, the object 40 passes through the areas.

지지 부재(3200)는 드럼(3210)을 더 포함할 수 있다. 드럼(3210)은 상기 롤러들 사이에 배치되며, 대상물(40)을 지지한 상태로 회전하여 대상물(40)의 이송을 돕는다. The support member 3200 may further include a drum 3210. The drum 3210 is disposed between the rollers and rotates while supporting the object 40 to help convey the object 40.

가공 유닛(3300)은 상기 영역에 구비되며, 상기 영역들을 지나는 대상물(40)을 가공한다. 예를 들면, 가공 유닛(3300)은 대상물(40)에 막을 형성할 수 있다. A processing unit 3300 is provided in the region and processes the object 40 passing through the regions. For example, the processing unit 3300 can form a film on the object 40. [

가공 유닛(3300)은 단수 혹은 복수로 구비될 수 있다. 가공 유닛(3300)이 복수로 구비되는 경우, 가공 유닛(3300)은 대상물(40)에 서로 다른 막을 순차적으로 형성할 수 있다. 즉, 가공 유닛(3300)은 대상물(40)에 다층막을 형성할 수 있다. 한편, 가공 유닛(3300)이 복수로 구비되더라도 가공 유닛(3300)이 대상물(40)에 동일한 막을 형성할 수 있다. 따라서, 가공 유닛(3300)은 대상물(40)에 막을 두껍게 형성할 수 있다. The processing unit 3300 may be provided in a single unit or a plurality of units. When a plurality of processing units 3300 are provided, the processing unit 3300 can sequentially form different films on the object 40. [ That is, the processing unit 3300 can form a multi-layered film on the object 40. [ On the other hand, even if a plurality of processing units 3300 are provided, the processing unit 3300 can form the same film on the object 40. [ Therefore, the processing unit 3300 can form a film on the object 40 to be thick.

이온 빔 소스(3400)는 상기 영역들 중 최전방 영역 및 최후방 영역에 각각 구비될 수 있다. 경우에 따라, 이온 빔 소스(3400)는 상기 최전방 영역 및 최후방 영역 중 어느 하나에만 구비될 수도 있다. The ion beam source 3400 may be provided in the foremost region and the rearmost region, respectively. In some cases, the ion beam source 3400 may be provided only in one of the foremost region and the rearmost region.

상기 최전방 영역에 구비된 이온 빔 소스(3400)는 대상물(40)에 대한 전처리를 수행한다. 이온 빔 소스(3400)에서 조사된 이온 빔이 대상물(40)의 표면에 존재하는 유기물을 제거할 수 있다. 따라서, 대상물(40) 상에 형성되는 막의 접착성을 향상시킬 수 있고, 상기 막이 대상물(40)로부터 박리되는 것을 방지할 수 있다. The ion beam source 3400 provided in the foremost region performs a pre-processing on the object 40. [ The ion beam irradiated from the ion beam source 3400 can remove the organic matter present on the surface of the object 40. [ Therefore, the adhesiveness of the film formed on the object 40 can be improved, and the film can be prevented from being peeled off from the object 40.

상기 최후방 영역에 구비된 이온 빔 소스(3400)는 대상물(40)에 대한 후처리를 수행한다. 이온 빔 소스(3400)에서 조사된 이온 빔이 대상물(40) 상에 형성된 막으로 주입되거나 상기 막의 성분과 반응함으로써 상기 막의 조성을 변화시킬 수 있다. The ion beam source 3400 provided in the rearmost region performs post-processing on the object 40. [ The composition of the film can be changed by injecting the ion beam irradiated from the ion beam source 3400 into the film formed on the object 40 or by reacting with the constituent of the film.

이온 빔 소스(3400)에 대한 설명은 도 1 내지 도 3을 참조한 이온 빔 소스(400)에 대한 설명과 실질적으로 동일하므로 생략한다. The description of the ion beam source 3400 is substantially the same as the description of the ion beam source 400 with reference to FIGS.

이온 빔 소스(3400)에서 발생되는 이온 빔이 일 방향으로 연장된 선형을 가지므로, 넓은 폭을 갖는 대상물(40)에 대한 전처리 공정 또는 후처리 공정도 연속적으로 수행할 수 있다. Since the ion beam generated from the ion beam source 3400 has a linear shape extending in one direction, the pre-treatment process or the post-treatment process for the object 40 having a wide width can be continuously performed.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 대상물 가공 장치는 대상물에 대해서 막 형성 공정 뿐만 아니라 전처리 공정 또는 후처리 공정을 동시에 수행할 수 있으므로, 상기 대상물의 가공 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.As described above, the object machining apparatus according to the present invention can simultaneously perform the pretreatment process or the post-treatment process as well as the film forming process for the object, thereby improving the efficiency of the processing of the object.

또한, 상기 대상물 가공 장치는 필름 형태를 갖는 광폭의 대상물에 대해서 연속적인 가공이 가능하므로, 상기 대상물의 가공 효율을 더욱 향상시킬 수 있다. In addition, since the object processing apparatus can continuously process a wide object having a film form, the processing efficiency of the object can be further improved.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims. It can be understood that it is possible.

1000 : 대상물 가공 장치 100 : 진공 챔버
200 : 지지부재 300 : 타겟
400 : 이온 빔 소스 10 : 대상물1000: object processing apparatus 100: vacuum chamber
200: support member 300: target
400: ion beam source 10: object

Claims

A vacuum chamber;
A support member for supporting an object for forming a film;
A target comprising a material for forming said film; And
Irradiating an ion beam toward the target and the object, respectively, activating the target material so that the target material faces the object to form the film on the object, and before the film is formed, And an ion beam source for post-processing the object after the film is formed.

The object processing apparatus according to claim 1, wherein the target has a polygonal column or a cylindrical shape, and includes different materials on side surfaces of the polygonal column or sides of the column.

The object processing apparatus according to claim 2, wherein the target is movable in the vacuum chamber and is rotatable about an axis of the polygonal column or cylinder.

The object processing apparatus according to claim 1, wherein the material included in the target is a conductor, a dielectric, or a non-conductive material.

The object processing apparatus according to claim 1, wherein the ion beam includes at least one of argon, helium, oxygen, nitrogen, hydrogen, and carbon.

The object processing apparatus according to claim 1, wherein the support member is a pair of rollers for winding and conveying a film-like object.

7. The object processing apparatus according to claim 6, wherein the chamber has a partition dividing the inside into a plurality of regions, and the target and the ion beam source are provided for each of the regions.