KR20150053745A - Method for polishing glass substrate - Google Patents

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KR20150053745A
KR20150053745A KR1020157000095A KR20157000095A KR20150053745A KR 20150053745 A KR20150053745 A KR 20150053745A KR 1020157000095 A KR1020157000095 A KR 1020157000095A KR 20157000095 A KR20157000095 A KR 20157000095A KR 20150053745 A KR20150053745 A KR 20150053745A
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glass
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히데하루 도리이
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아사히 가라스 가부시키가이샤
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Abstract

유리 기판을 제1 연마 지석을 사용하여 연마하는 제1 연마 공정과, 상기 제1 연마 지석보다 평균 입경이 작은 제2 연마 지석을 사용하여 상기 유리 기판을 연마하는 제2 연마 공정을 가지며, 상기 제2 연마 지석은, 입경이 0.5 내지 10㎛인 산화세륨 지립 및 입경이 0.5 내지 10㎛인 다이아몬드 지립을 포함하는 연마 지립과, 탄성률이 2.5 내지 3GPa인 폴리이미드 수지를 포함하는 본드를 포함하는, 유리 기판의 연마 방법이다.A first polishing step of polishing the glass substrate using a first polishing grindstone and a second polishing step of polishing the glass substrate using a second polishing grindstone having an average particle diameter smaller than that of the first polishing grindstone, 2 abrasive grinding stone comprises abrasive grains comprising abrasive grains comprising cerium oxide abrasive grains having a grain size of 0.5 to 10 占 퐉 and diamond abrasive grains having a grain size of 0.5 to 10 占 퐉 and a bond comprising a polyimide resin having a modulus of elasticity of 2.5 to 3 GPa A method of polishing a substrate.

Description

유리 기판의 연마 방법{METHOD FOR POLISHING GLASS SUBSTRATE}[0001] METHOD FOR POLISHING GLASS SUBSTRATE [0002]

본 발명은 유리 기판의 연마 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a polishing method for a glass substrate.

최근, 자기 디스크의 고밀도 기록화에 수반하여, 자기 기록 매체용 유리 기판에 대한 요구 특성이 엄격해져 오고 있다. 특히, 중심부에 원형 구멍을 갖는 원반 형상의 자기 기록 매체용 유리 기판의 주표면이나 단부면을 연마하는 경우의, 유리 기판의 단부면 형상이나 치수의 품질에 대한 요구 정밀도 및 유리 기판의 요구 강도가 높아지고 있다.In recent years, with the high-density recording of magnetic disks, required characteristics for a glass substrate for a magnetic recording medium have become strict. Particularly, in the case of polishing a main surface or an end surface of a disc-shaped glass substrate for a magnetic recording medium having a circular hole in the central portion, the required accuracy with respect to the quality of the end surface shape and dimensions of the glass substrate and the required strength of the glass substrate are It is getting higher.

또한, 스마트폰 등의 휴대 전화나 휴대 정보 단말기(PDA) 등의 휴대 기기에 있어서의, 디스플레이를 보호하기 위한 커버 유리를 비롯한 디스플레이용 유리의 수요가 커지고 있다. 특히, 휴대 기기의 박형화ㆍ경량화로의 기술이 요구되어, 디스플레이용 유리의 경량화 및 박판화가 진행되고 있다. 일반적으로, 유리판이 얇아지면 강도가 저하되기 때문에, 종래보다 강도가 높은 디스플레이용 유리가 요구된다.In addition, there is a growing demand for a display glass including a cover glass for protecting a display in a mobile phone such as a smart phone or a portable device such as a PDA. Particularly, techniques for thinning and lightening portable devices have been demanded, and weight reduction and thinning of display glass have been progressing. In general, when the glass plate is thin, the strength is lowered, and therefore, a display glass having a higher strength than the conventional one is required.

유리 기판이나 디스플레이용 유리의 강도를 확보하기 위하여, 예를 들어 특허문헌 1과 같이 모따기기를 사용한 연마와, 브러시 연마를 조합한 연마 방법이 채용되고 있다.In order to secure the strength of the glass substrate or the glass for display, for example, as in Patent Document 1, a polishing method combining polishing using a chamfer and brush polishing is employed.

또한, 유리의 연마에 사용되는 지석으로서 특허문헌 2, 특허문헌 3, 특허문헌 4에 예시한 지석이 개시되어 있다.Further, grindstones exemplified in Patent Document 2, Patent Document 3, and Patent Document 4 are disclosed as grinding wheels used for glass polishing.

일본 특허 공개 제2010-131679호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-131679 일본 특허 공개 소62-130179호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-130179 일본 특허 공개 제2008-274293호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-274293 일본 특허 공개 제2010-131679호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-131679

그러나, 특허문헌 1의 방법에서는 복수의 공정을 조합하고 있기 때문에, 공정이 복잡해지고, 또한 비용이 든다고 하는 문제점을 갖고 있었다.However, in the method of Patent Document 1, since a plurality of processes are combined, the process is complicated and the cost is increased.

따라서, 본 실시 형태에서는, 처리 공정이 간략하고, 또한 유리 기판에 충분한 강도를 갖게 할 수 있는, 유리 기판의 연마 방법을 제공한다. Therefore, the present embodiment provides a polishing method of a glass substrate, which can simplify the processing steps and have sufficient strength to the glass substrate.

유리 기판을 제1 연마 지석을 사용하여 연마하는 제1 연마 공정과,A first polishing step of polishing the glass substrate using a first polishing grindstone;

상기 제1 연마 지석보다 평균 입경이 작은 제2 연마 지석을 사용하여 상기 유리 기판을 연마하는 제2 연마 공정을 가지며,And a second polishing step of polishing the glass substrate by using a second polishing stone having an average particle diameter smaller than that of the first polishing stone,

상기 제2 연마 지석은, 입경이 0.5 내지 10㎛인 산화세륨 지립 및 입경이 0.5 내지 10㎛인 다이아몬드 지립을 포함하는 연마 지립과, 탄성률이 2.5 내지 3GPa인 폴리이미드 수지를 포함하는 본드를 포함하는, 유리 기판의 연마 방법이 제공된다.The second abrasive wheel comprises abrasive abrasive comprising abrasive abrasive grains having a diameter of 0.5 to 10 占 퐉 and abrasive abrasive grains having a diameter of 0.5 to 10 占 퐉 and a polyimide resin having a modulus of elasticity of 2.5 to 3 GPa , A polishing method of a glass substrate is provided.

본 실시 형태에 따르면, 처리 공정이 간략하고, 또한 유리 기판에 충분한 강도를 갖게 할 수 있는, 유리 기판의 연마 방법을 제공할 수 있다.According to the present embodiment, it is possible to provide a polishing method for a glass substrate, which can simplify the processing steps and can provide sufficient strength to the glass substrate.

도 1은 화학 강화 후의 유리판의 잔류 응력 S의 두께 방향 분포를 나타내는 모식도이다.
도 2는 화학 강화 후의 유리판을 절단한 후의 모식도이다.
도 3은 본 실시 형태의 연마 장치의 연마 유닛의 일례의 개략도이다.
도 4는 본 실시 형태의 연마 방법을 설명하기 위한 개략도이다.
1 is a schematic view showing a thickness direction distribution of a residual stress S of a glass plate after chemical strengthening.
Fig. 2 is a schematic diagram after cutting the glass plate after chemical strengthening. Fig.
3 is a schematic view of an example of a polishing unit of the polishing apparatus of the present embodiment.
4 is a schematic view for explaining the polishing method of the present embodiment.

이하, 도면을 참조함으로써, 본 실시 형태를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present embodiment will be described in more detail with reference to the drawings.

(유리 기판)(Glass substrate)

본 실시 형태의 유리 기판의 연마 방법을 적용할 수 있는 유리 기판으로서는 특별히 제한은 없으며, 예를 들어 TFT(Thin Film Transistor)용 기판, PDP(Plasma Display Panel)용 유리 기판, FED(Field Emission Display)용 유리 기판, 자기 기록 매체용 유리 기판, 커버 유리 등의 각종 유리 기판에 적용할 수 있다.The glass substrate to which the polishing method of the present embodiment can be applied is not particularly limited, and examples thereof include a substrate for a TFT (Thin Film Transistor), a glass substrate for a PDP (Plasma Display Panel), a field emission display (FED) A glass substrate for a magnetic recording medium, a cover glass, and the like.

또한, 본 실시 형태의 유리 기판의 연마 방법을 적용할 수 있는 유리 기판의 유리 미가공(素) 기판은, 플로트법, 퓨전법, 리드로우법, 프레스 성형법 등의 방법에 의해 제작되는데, 본 실시 형태는 이 점에 있어서도 한정되지 않는다.In addition, the glass-unfired substrate of the glass substrate to which the polishing method of the glass substrate of the present embodiment can be applied is produced by a method such as a float method, a fusion method, a reedrow method, a press molding method, Is not limited in this respect.

또한, 본 실시 형태의 유리 기판의 연마 방법은, 유리 기판을 화학 강화한 화학 강화 유리에도 적용할 수 있다. 이 경우에 있어서, 유리 미가공판을 화학 강화한 후, 원하는 용도용으로 소정의 치수로 절단한 화학 강화 유리에 적용하여도 되고, 유리 미가공판을 원하는 용도용으로 소정의 치수로 절단한 후, 화학 강화한 화학 강화 유리에 적용하여도 된다. 유리 미가공판을 화학 강화한 후, 원하는 용도용으로 소정의 치수로 절단하는 방법은, 유리 미가공판을 원하는 용도용으로 소정의 치수로 절단한 후, 화학 강화하는 방법과 비교하여 통상적으로 생산성은 높지만, 절단이 기술적으로 곤란하다고 하는 특징을 갖는다.The polishing method of the glass substrate of the present embodiment can also be applied to chemically tempered glass in which the glass substrate is chemically strengthened. In this case, it may be applied to chemically tempered glass which is chemically reinforced with a glass-unavoidable plate and cut to a predetermined dimension for a desired use, or may be cut into a predetermined size for a desired use, It may be applied to chemically tempered glass. The method of chemically reinforcing the glass-unoccupied sintered plate and then cutting the glass-unoccupied sintered plate to a predetermined size for a desired application is generally higher than the method of chemical-strengthening after cutting the glass-unoccupied sintered plate to a predetermined dimension for a desired use, It has a feature that cutting is technically difficult.

본 명세서에서는, 일례로서 유리 미가공판을 화학 강화한 후, 원하는 용도용으로 소정의 치수로 절단한 화학 강화 유리의 예에 대하여 설명한다.In the present specification, as an example, an example of chemically tempered glass obtained by chemically reinforcing a glass-unperturbed plate and then cutting it into a predetermined dimension for a desired use will be described.

화학 강화 유리란, 유리의 표면을 이온 교환하여 압축 응력이 잔류하는 표면층을 형성시킨 유리이다. 구체적으로는, 유리의 표면을 이온 교환함으로써, 유리에 포함되는 작은 이온 반경의 이온(예를 들어, Li 이온, Na 이온)이 큰 이온 반경의 이온(예를 들어, K 이온)으로 치환된다. 이에 의해, 유리의 표면에 압축 응력이 잔류하여 유리의 강도가 향상된다.The chemical tempered glass is a glass in which the surface of the glass is ion-exchanged to form a surface layer in which a compressive stress remains. Specifically, ions of a small ionic radius (for example, Li ion and Na ion) contained in the glass are replaced with ions of a large ionic radius (for example, K ion) by ion-exchanging the surface of the glass. As a result, compressive stress remains on the surface of the glass, and the strength of the glass is improved.

도 1에 화학 강화 후의 유리판의 잔류 응력 S의 두께 방향 분포를 나타내는 모식도를 도시한다. 도 1에 있어서, S1은 유리판의 한쪽의 면층(표면층이라고 칭함)의 최대 잔류 압축 응력, S2는 다른쪽의 면층(이면층이라고 칭함)의 최대 잔류 압축 응력(통상, S1=S2임), D1은 표면층의 두께, D2는 이면층의 두께, D는 유리판의 두께, T는 표면층과 이면층의 사이에 존재하는 중간층의 평균 잔류 인장 응력을 각각 나타낸다. 또한, 도 1에서의 수평축은, 표면층을 기준점(=0)으로 한 경우의 판 두께 방향의 거리를 나타내고 있다.Fig. 1 is a schematic view showing the thickness direction distribution of the residual stress S of the glass plate after chemical strengthening. S1 is the maximum residual compressive stress of one surface layer (referred to as a surface layer) of the glass sheet, S2 is the maximum residual compressive stress (usually S1 = S2) of the other surface layer D is the thickness of the backside layer, D is the thickness of the glass plate, and T is the average residual tensile stress of the intermediate layer present between the surface layer and the backside layer. The horizontal axis in Fig. 1 indicates the distance in the plate thickness direction when the surface layer is set as a reference point (= 0).

도 1에 도시한 바와 같이, 표면층이나 이면층에 잔류하는 압축 응력은, 표면 및 이면으로부터 내부를 향하여 서서히 작아지는 경향이 있다. 한편, 압축 응력이 잔류하는 표면층 및 이면층 등을 형성하는 반작용으로서, 표면층과 이면층의 사이에는 인장 응력이 잔류하는 중간층이 형성된다. 이때, 중간층에 잔류하는 인장 응력은 거의 일정하게 된다.As shown in Fig. 1, the compressive stress remaining in the surface layer or the backside layer tends to gradually decrease from the front surface and back surface toward the inside. On the other hand, as a reaction for forming a surface layer and a back layer on which compressive stress remains, an intermediate layer in which tensile stress remains remains between the surface layer and the back layer. At this time, the tensile stress remaining in the intermediate layer is almost constant.

또한, 도 2에 화학 강화 후의 유리판을 설명하기 위한 개략도를 도시한다. 보다 구체적으로는, 도 2의 (a)는 화학 강화 후의 유리판의 절단 전의 개략도이고, 도 2의 (b)는 화학 강화 후의 유리판의 절단 후의 개략도이다.Fig. 2 is a schematic view for explaining a glass plate after chemical strengthening. More specifically, Fig. 2 (a) is a schematic view before cutting the glass plate after chemical strengthening, and Fig. 2 (b) is a schematic view after cutting the glass plate after chemical strengthening.

전술한 도 1의 설명 및 도 2의 (a)로부터 명확한 바와 같이, 화학 강화 후의 유리판은 표면층 및 이면층이 압축 응력층으로 되어 있고, 표면층과 이면층의 사이에 존재하는 중간층이 인장 응력층으로 되어 있다.As apparent from the description of FIG. 1 and FIG. 2 (a), the glass plate after chemical strengthening has a surface layer and a back layer as compression stress layers and an intermediate layer existing between the surface layer and the back layer as a tensile stress layer .

도 2의 (b)에 도시한 화학 강화 후의 유리판의 절단 후의 개략도로부터 명확한 바와 같이, 화학 강화 후의 유리판을 절단한 경우, 인장 응력층이 절단면의 표면에 드러나게 된다. 절단 후의 유리판의 인장 응력층에 응력이 작용하는 경우, 통상보다 작은 힘으로도 깨지는 경우가 있다. 그로 인해, 화학 강화 후의 유리판을 절단하는 실시 형태의 경우에는, 특히 후술하는 본 실시 형태의 유리 기판의 연마 방법에 의해 연마를 실시하여 충분한 강도를 갖게 하는 것이 바람직하다.As is clear from the schematic diagram after cutting the glass plate after chemical strengthening shown in FIG. 2 (b), when the glass plate after chemical strengthening is cut, the tensile stress layer is exposed on the surface of the cut surface. When stress acts on the tensile stress layer of the glass sheet after cutting, it may be broken even by a force smaller than usual. Therefore, in the case of the embodiment in which the glass plate after chemical strengthening is cut, it is preferable that the polishing is carried out by the polishing method of the glass substrate of this embodiment, which will be described later, to have sufficient strength.

(제1 연마 공정)(First polishing step)

연마 지석은, 통상적으로 연마 지립과 상기 연마 지립을 고정하는 본드를 갖는다. 제1 연마 공정에서는, 후술하는 제2 연마 공정에서 사용하는 연마 지석의 연마 지립보다 평균 입경이 큰 연마 지립을 갖는 연마 지석을 사용하여 연마한다. 통상, 제1 연마 공정에서 사용하는 연마 지석의 지립의 평균 입경은 5 내지 10㎛(지석 번수에 있어서 #2000) 이상이다.The abrasive grinding stone usually has abrasive grains and a bond for fixing the abrasive grains. In the first polishing step, the abrasive grains having abrasive grains larger in average particle diameter than the abrasive grains of the abrasive grains used in the second polishing step to be described later are polished. Normally, the average grain size of the abrasive grains used in the first polishing step is 5 to 10 占 퐉 (# 2000 in the number of grinding wheels).

제1 연마 공정에서 사용할 수 있는 연마 지석의 지립의 종류로서는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 산화세륨, 산화실리콘, 다이아몬드, 산화크롬, 산화알루미늄, 지르코늄, 실리콘 카바이드 등을 사용할 수 있다.The kind of abrasive grains that can be used in the first polishing step is not particularly limited, and for example, cerium oxide, silicon oxide, diamond, chromium oxide, aluminum oxide, zirconium, silicon carbide and the like can be used.

또한, 제1 연마 공정에서 사용할 수 있는 본드의 종류로서는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 비트리파이드 본드, 메탈 본드, 레진 본드, 지립을 고착하여 형성된 전착 지석 등을 사용할 수 있다.The kind of the bond that can be used in the first polishing step is not particularly limited, and for example, a non-tripide bond, a metal bond, a resin bond, and an electrodeposited grindstone formed by fixing abrasive grains can be used.

제1 연마 공정에 있어서는, 상술한 제1 연마 지석을 유리 기판의 주표면 또는 단부면(외주 측면부, 외주 모따기부 등)의 형상에 따라 가압하는 힘을 변화시키면서 연마를 행하는 표준 치수 연마 공정인 것이 바람직하다. 후술하는 제2 연마 공정에서 사용하는 연마 지석의 연마 지립보다, 평균 입경이 큰 연마 지립을 갖는 연마 지석을 사용하는 제1 연마 공정에서, 표준 치수 연마에 의해 유리의 치수를 정확하게 연마해 둠으로써, 그 후의 제2 연마 공정의 연마에 있어서 정밀한 치수 제어가 필요하지 않게 되므로 바람직하다. 또한, 여기에서 말하는 외주 측면부 및 외주 모따기부란, 유리판의 외주 측에 있는, 유리판의 주표면과는 평행하지 않은 모든 면을 가리키며, 그 형상은 만곡면이어도 된다. 또한, 제1 연마 공정에 있어서 모따기와 연마를 동시에 실시하여도 상관없다.In the first polishing step, a standard size grinding process in which the above-described first grinding stone is polished while changing the force of pressing the first grinding stone according to the shape of the main surface or the end surface (the outer peripheral side surface portion, the outer peripheral chamfer portion, etc.) desirable. By accurately grinding the dimensions of the glass by the standard size grinding in the first grinding step using the grinding stone having the abrasive grains larger in average particle diameter than the abrasive grains of the abrasive grinding stone used in the second grinding step which will be described later, It is not necessary to perform precise dimensional control in the subsequent polishing of the second polishing step. Here, the outer circumferential side surface portion and the outer circumferential chamfer portion refer to all the surfaces on the outer circumferential side of the glass plate which are not parallel to the main surface of the glass plate, and the shape thereof may be a curved surface. The chamfering and polishing may be performed simultaneously in the first polishing step.

(제2 연마 공정)(Second polishing step)

상기 제1 연마 공정에 이어서, 마무리 공정으로서 제2 연마 공정을 실시한다.Following the first polishing step, a second polishing step is performed as a finishing step.

제2 연마 공정에서 사용할 수 있는 연마 지립의 종류로서는, 평균 입경이 0.5 내지 10㎛인 산화세륨 지립과, 평균 입경이 0.5 내지 10㎛인 다이아몬드 지립을 혼합한 연마 지립을 혼합한 지립을 들 수 있다. 또한, 연마 지립의 평균 입경은, 예를 들어 레이저 회절식 입도 측정 장치 등을 사용하여 측정할 수 있다. 각 지립의 평균 입경을 상기 범위로 함으로써, 제1 연마 공정에서 실시한 모따기부 및 유리 기판의 단부면의 흠집을 제거하여 충분한 강도가 되도록 연마할 수 있다.Examples of abrasive grains that can be used in the second polishing step include abrasive grains mixed with abrasive grains obtained by mixing cerium oxide abrasive grains having an average grain diameter of 0.5 to 10 탆 and diamond abrasive grains having an average grain diameter of 0.5 to 10 탆 . The average particle diameter of the abrasive grains can be measured by using, for example, a laser diffraction particle size measuring apparatus or the like. By setting the average grain size of the abrasive grains in the above range, it is possible to remove the scratches on the chamfered portions and the end faces of the glass substrate in the first polishing step and polish them to have sufficient strength.

또한, 제2 연마 공정에서 사용할 수 있는 본드로서는, 탄성률이 20℃에 있어서 2.5 내지 3GPa가 되는 폴리이미드 수지를 들 수 있다. 또한, 본드의 탄성률은, 예를 들어 동적 점탄성률 측정 장치 등을 사용하여 측정할 수 있다.The bond that can be used in the second polishing step is a polyimide resin having a modulus of elasticity of 2.5 to 3 GPa at 20 캜. The elastic modulus of the bond can be measured by using, for example, a dynamic viscoelasticity measurement device or the like.

종래, 제1 공정의 모따기 공정이나 조연마 공정 후, 더 강도를 향상시키기 위하여 브러시 연마법이나 지석을 사용하여 더 연마하는 방법 등이 채용되어 왔다. 그러나, 브러시 연마법에서는 유리 기판의 반송 등이 번잡하다고 하는 문제점이 있었다. 한편, 지석을 사용하여 더 연마하는 방법은, 제1 공정 후에 지석을 교환하는 것만으로 실시 가능하지만, 처리 시간이 길어져 실용적이지 않다고 하는 문제점을 갖고 있었다. 또한, 제1 연마 공정이 실시되지 않은 유리에 제2 연마 공정을 행하면, 지석의 수명이 극단적으로 짧아져 버리기 때문에 바람직하지 않다.Conventionally, after the chamfering step or the rough polishing step of the first step, a method of further polishing using brush polishing or a grinding stone has been employed in order to further improve the strength. However, there has been a problem in that, in brush drawing, conveyance of the glass substrate is troublesome. On the other hand, a method of further grinding using a grinding stone can be carried out only by exchanging the grinding stone after the first grinding process, but has a problem that the treatment time becomes long and is not practical. Further, if the second polishing step is performed on the glass on which the first polishing step is not performed, the lifetime of the grinding stone is extremely shortened, which is not preferable.

본 발명의 발명자는, 탄성률이 2.5 내지 3GPa가 되는 폴리이미드 수지를 본드로서 사용한 연마 지석을 사용함으로써, 지석을 사용한 연마 방법에 있어서, 단시간에 유리 기판의 강도가 향상되는 것을 발견하였다. 구체적으로는, 전술한 연마 지석을 사용하여 연마함으로써, 굽힘 강도가 500MPa 이상인 강도를 갖는 유리 기판을 마무리할 수 있다. 탄성률이 전술한 범위보다 커지면, 처리 시간이 길어져 버리고, 전술한 범위보다 작아지면, 연마 지석의 수명이 짧아져 버려 실용적이지 않기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 연마 후에 충분한 강도를 갖는 유리 기판을 얻지 못할 가능성도 있다.The inventors of the present invention have found that the strength of a glass substrate is improved in a short period of time in a polishing method using a grinding stone by using a polishing grindstone using a polyimide resin having a modulus of elasticity of 2.5 to 3 GPa as a bond. Concretely, the glass substrate having the bending strength of 500 MPa or more can be finished by polishing using the abrasive wheel described above. If the elastic modulus is larger than the above-mentioned range, the treatment time becomes long. If the elastic modulus is smaller than the above-mentioned range, the life of the abrasive wheel is shortened, which is not practical. Further, there is a possibility that a glass substrate having sufficient strength after polishing may not be obtained.

본드 중에서의 다이아몬드 지립의 함유량(V1)은 10vol% 내지 20vol%인 것이 바람직하고, 본드 중에서의 산화세륨 지립의 함유량(V2)은 5vol% 내지 30vol%인 것이 바람직하다. V1이 10vol% 미만인 경우나, V2가 5vol% 미만인 경우, 충분한 연마량을 확보하지 못하는 경우가 있기 때문에, 화학적인 반응으로 연마를 행하는 산화세륨 지립과 기계적으로 연마를 행하는 다이아몬드 지립을 각각 상기 소정의 범위로 함유하는 것이 바람직하다. 또한, V1과 V2의 합이 30vol%를 초과하는 경우, 연마 지석으로서의 연마 성능이 저하되는 경우가 있으므로 V1+V2≤30%로 하는 것이 보다 바람직하다.The content (V1) of the diamond abrasive grains in the bond is preferably 10 vol% to 20 vol%, and the content (V2) of the cerium oxide abrasive grains in the bond is preferably 5 vol% to 30 vol%. When V1 is less than 10 vol% or when V2 is less than 5 vol%, a sufficient amount of polishing may not be ensured. Therefore, cerium oxide abrasive to be polished by chemical reaction and diamond abrasive to mechanically polish are referred to as By weight. Further, when the sum of V1 and V2 exceeds 30 vol%, the polishing performance as a polishing grinding stone may be lowered, and therefore, it is more preferable to set V1 + V2 to 30%.

제2 연마 공정에 있어서는, 상술한 제2 연마 지석을 유리 기판의 주표면 또는 단부면의 형상에 따라 가압하는 힘을 변화시키면서 연마를 행하는 표준 치수 연마 공정이어도 되고, 상술한 제2 연마 지석을 일정한 힘으로 유리 기판의 주표면 또는 단부면에 가압하여 연마를 행하는 정압 연마 공정이어도 된다.In the second polishing step, there may be a standard size polishing step in which the above-described second polishing stone is polished while changing the pressing force according to the shape of the main surface or the end surface of the glass substrate, and the above- Or may be a static pressure polishing step in which the main surface or the end surface of the glass substrate is pressed to perform polishing.

또한, 제2 연마 공정에서는 사용하는 유리 기판의 종류에도 따르지만, 유리 기판의 주표면 또는 단부면의 표면 거칠기 Ra가 8nm 이하가 될 때까지 연마를 실시하는 것이 바람직하다.In the second polishing step, it is preferable to carry out the polishing until the surface roughness Ra of the main surface or end face of the glass substrate becomes 8 nm or less, depending on the type of the glass substrate to be used.

(연마 유닛)(Polishing unit)

이어서, 본 실시 형태의 연마 방법을 실시할 수 있는 연마 유닛의 예에 대하여 설명한다. 그러나, 본 실시 형태에서는, 유리 기판을 제1 연마 지석을 사용하여 연마하는 제1 연마 공정과, 상기 제1 연마 지석보다 평균 입경이 작은 제2 연마 지석을 사용하여 상기 유리 기판을 연마하는 제2 연마 공정을 가지며, 상기 제2 연마 지석은, 평균 입경이 0.5 내지 10㎛인 산화세륨 지립 및 평균 입경이 0.5 내지 10㎛인 다이아몬드 지립을 포함하는 연마 지립과, 탄성률이 2.5 내지 3GPa인 폴리이미드 수지를 포함하는 본드를 포함하는 것이면, 하기 구성의 연마 유닛에 한정되지 않는다.Next, an example of a polishing unit capable of carrying out the polishing method of the present embodiment will be described. However, in the present embodiment, the first polishing step of polishing the glass substrate with the first polishing grindstone, the second polishing step of polishing the glass substrate by using the second polishing grindstone having an average particle diameter smaller than that of the first polishing grindstone, Wherein the second abrasive grains have abrasive grains including cerium oxide abrasive grains having an average grain diameter of 0.5 to 10 占 퐉 and diamond abrasive grains having an average grain diameter of 0.5 to 10 占 퐉 and abrasive grains having a modulus of elasticity of 2.5 to 3 GPa The present invention is not limited to the polishing unit having the following constitution.

또한, 제1 연마 공정과 제2 연마 공정에서 별도의 연마 장치를 사용하여 연마를 실시하여도 되고, 제1 연마 공정 후, 제1 연마 지석을 제2 연마 지석으로 변경하여 동일한 연마 장치로 연마를 실시하여도 된다.Alternatively, the first polishing step and the second polishing step may be performed by using a different polishing apparatus. After the first polishing step, the first polishing stone is changed to the second polishing stone, and polishing is performed by the same polishing apparatus .

도 3에 본 실시 형태의 연마 장치의 연마 유닛의 일례의 개략도를 도시한다. 연마 유닛(100)은, 도시하지 않은 연마 장치 본체의 도시하지 않은 수평 회동 아암 등을 통하여 축(1)에 설치되어 있다. 축(1)은 서보 모터(2)에 의해 회전 구동된다.Fig. 3 shows a schematic view of an example of a polishing unit of the polishing apparatus of the present embodiment. The polishing unit 100 is provided on the shaft 1 through a horizontal rotating arm or the like (not shown) of a polishing apparatus body (not shown). The shaft (1) is rotationally driven by the servo motor (2).

연마 유닛(100)의 하우징(3) 내에는 베어링(4)이 수직 방향으로 배치되고, 스핀들(5)이 축 지지되어 있다.In the housing 3 of the polishing unit 100, a bearing 4 is arranged in the vertical direction and the spindle 5 is pivotally supported.

스핀들(5)의 선단에는 지석(6)이 설치되고, 또한 후단에는 하우징의 외측에 설치된 구동 모터(7)의 축에 풀리(8a, 8b) 및 벨트(9)를 통하여 결합되어 있다.A grindstone 6 is provided at the front end of the spindle 5 and at the rear end thereof is coupled to the shaft of a drive motor 7 provided outside the housing via pulleys 8a and 8b and a belt 9.

베어링(4)은, 슬라이드 가이드(10)를 통하여 수평 방향으로 미끄럼 이동 가능하게 하우징(3) 내에 설치된다. 또한, 베어링(4)은, 도시하지 않은 공압 실린더의 신축 등에 의해 수평 방향으로 변위 가능한 구성이어도 된다. 벨트(9)의 측면에는, 이 측면을 가압하는 텐셔너(11)가 설치되어 있다. 베어링(4)의 변위에 수반하여, 텐셔너(11)는 벨트(9)의 건너지르는 길이의 변동분을 흡수하는 구성으로 되어 있다.The bearing (4) is installed in the housing (3) so as to be slidable in the horizontal direction through the slide guide (10). The bearing 4 may be configured to be displaceable in the horizontal direction by expansion or contraction of a pneumatic cylinder (not shown). On the side surface of the belt 9, a tensioner 11 for pressing the side surface is provided. With the displacement of the bearing 4, the tensioner 11 absorbs a variation in the length of the belt 9 to be crossed.

(예 1 내지 예 8)(Examples 1 to 8)

이어서, 유리판의 외주 모따기부를 연마하는 실시 형태에 대하여, 실시예를 참조하여 설명한다. 또한, 본 실시예에 있어서는 유리판의 외주 모따기부를 연마하는 방법에 대하여 설명하지만, 본 실시 형태는 이 점에 있어서 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 실시 형태의 연마 방법은, 유리 기판의 주표면이나 외주 측면부 등을 연마하는 방법 등에 응용할 수 있다.Next, embodiments in which the peripheral chamfered portion of the glass plate is polished will be described with reference to examples. In this embodiment, a method of polishing the peripheral chamfered portion of the glass plate will be described, but the present embodiment is not limited in this respect. For example, the polishing method of this embodiment can be applied to a method of polishing a main surface or an outer peripheral side surface of a glass substrate or the like.

예 1 내지 예 8에서의 제2 연마 공정에서 사용한 연마 지석의 조건을 표 1에 나타낸다. 표 1에서의 예 1이 본 실시 형태의 연마 방법의 조건이고, 예 2 내지 예 7은 참고예의 연마 방법의 조건이다. 또한, 표 1에서의 지석 번수에 있어서, #3000은 평균 입경 4 내지 8㎛이고, #2000은 평균 입경 5 내지 10㎛이고, #1000은 평균 입경 14 내지 22㎛이며, 본드의 탄성률은 21℃에서 측정을 행하였다.Table 1 shows the conditions of the polishing grindstone used in the second polishing process in Examples 1 to 8. Example 1 in Table 1 is a condition of the polishing method of the present embodiment, and Examples 2 to 7 are conditions of a polishing method of the reference example. The # 3000 has an average particle diameter of 4 to 8 占 퐉, the # 2000 has an average particle diameter of 5 to 10 占 퐉, the # 1000 has an average particle diameter of 14 to 22 占 퐉, the elastic modulus of the bond is 21 占 폚 .

또한, 표 1에 있어서, 예 1 내지 예 3의 지석은 연마 지립 1의 함유량을 20wt%, 연마 지립 2의 함유량을 5wt%로 하고, 예 4 내지 예 8의 지석은 연마 지립 1의 함유량을 25wt%로 하고 있다.In Table 1, the grindstones of Examples 1 to 3 have a content of abrasive grains 1 of 20 wt%, a content of abrasive grains 2 of 5 wt%, grits of Examples 4 to 8 have a content of abrasive grains 1 of 25 wt% %.

Figure pct00001
Figure pct00001

도 4에 본 실시 형태의 연마 방법을 설명하기 위한 개략도를 도시한다. 보다 구체적으로는, 도 4는 미가공판인 유리판(20)의 외주 모따기부를 연마하는 방법을 설명하기 위한 도면이며, 도 3의 연마 지석(6) 주변의 개략도이다.Fig. 4 is a schematic view for explaining the polishing method of the present embodiment. More specifically, Fig. 4 is a schematic view of the periphery of the abrasive wheel 6 of Fig. 3 for explaining a method of polishing the outer chamfered portion of the glass plate 20 which is an untreated plate.

연마 지석(6)의 외주면(31)에는 주위 방향으로 연장되는 환상의 연삭 홈(32)이 형성되어 있다. 연삭 홈(32)의 벽면부는 지립 부분에 상당한다.An annular grinding groove 32 extending in the peripheral direction is formed on the outer peripheral surface 31 of the abrasive grindstone 6. The wall surface portion of the grinding groove 32 corresponds to the abrasive portion.

본 실시 형태에서는, 우선, 제1 연마 공정에서 사용하는 연마 지석(6)으로서, 이후의 제2 연마 공정에서 사용하는 연마 지석의 연마 지립보다 평균 입경이 큰 연마 지립을 갖는 연마 지석(6)을 장착하여 유리판(20)의 외주 모따기부를 연마하였다. 구체적으로는, 예 1 내지 예 8에 있어서는, 평균 입경이 14 내지 22㎛인 다이아몬드의 연마 지립과, 폴리이미드 및 메탈의 본드를 갖는 연마 지석을 장착하여, 유리판(20)의 외주 모따기부를 연마하였다.In this embodiment, first, as the abrasive wheel 6 used in the first abrasion step, the abrasive wheel 6 having abrasive abrasive grains larger in average particle diameter than the abrasive abrasive grains used in the subsequent second abrasive step And the peripheral chamfered portion of the glass plate 20 was polished. Specifically, in Examples 1 to 8, the abrasive grains of diamond having an average particle diameter of 14 to 22 占 퐉 and the abrasive grindstone having a polyimide and metal bond were mounted, and the peripheral chamfered portion of the glass plate 20 was polished .

연마 지석(6)은 연마 지석(6)의 중심선을 중심으로 회전되면서, 유리판(20)의 외측 테두리를 따라 상대적으로 이동되어, 유리판(20)의 외주 모따기부를 연삭 홈(32)의 벽면에서 연마한다. 이때, 연마 지석(6)을 상기 유리 기판의 형상에 따라 가압하는 힘을 변화시키면서 연마를 행하는 표준 치수 연마로 연마를 진행시키는 것이 바람직하다. 또한, 연마시에는 물 등의 냉각제가 사용되어도 된다.The abrasive grindstone 6 is relatively moved along the outer edge of the glass plate 20 while being rotated around the center line of the abrasive grindstone 6 so that the peripheral chamfered portion of the glass plate 20 is polished from the wall surface of the grinding groove 32 do. At this time, it is preferable that the polishing is proceeded by the standard size polishing in which the polishing grindstone 6 is polished while changing the pressing force according to the shape of the glass substrate. In polishing, a coolant such as water may be used.

그 후, 연마 지석(6)을 표 1에 나타낸 연마 지립과 본드를 포함하는 제2 연마 지석(6)으로 변경하였다.Thereafter, the grinding wheel 6 was changed to the second grinding wheel 6 including the abrasive grains shown in Table 1 and the bond.

제2 연마 공정에서도, 연마 지석(6)은 연마 지석(6)의 중심선을 중심으로 회전되면서, 유리판(20)의 외측 테두리를 따라 상대적으로 이동되어, 유리판(20)의 외주 모따기부를 연삭 홈(32)의 벽면에서 연마한다. 이때, 연마 지석(6)을 상기 유리 기판의 형상에 따라 가압하는 힘을 변화시키면서 연마를 행하는 표준 치수 연마로 연마를 진행시켜도 되고, 상기 제2 연마 지석을 일정한 힘으로 상기 유리 기판에 가압하여 연마를 행하는 정압 연마로 연마를 진행시켜도 된다. 또한, 제2 연마 공정에 있어서도, 연마시에는 물 등의 냉각제가 사용되어도 된다.The abrasive grinding wheel 6 is relatively moved along the outer edge of the glass plate 20 while being rotated around the center line of the abrasive grinding wheel 6 so that the outer peripheral chamfered portion of the glass plate 20 is grinded 32). At this time, the polishing may be advanced by a standard size grinding in which the grinding stone 6 is polished while varying the force of pressing the grinding stone 6 according to the shape of the glass substrate. The second grinding stone is pressed to the glass substrate by a constant force, Polishing may be performed by static pressure polishing. Also in the second polishing step, a coolant such as water may be used at the time of polishing.

제2 연마 공정에서는, 유리 기판의 표면 거칠기 Ra가 바람직하게는 8nm 이하가 될 때까지 연마를 진행시키고 연마를 종료한다.In the second polishing step, the polishing is continued until the surface roughness Ra of the glass substrate is preferably 8 nm or less, and the polishing is terminated.

(평가)(evaluation)

ㆍ굽힘 강도ㆍ Bending strength

본 실시 형태에 있어서 굽힘 강도는 4점 굽힘 시험에 의해 측정하였다. 구체적으로는 두께 0.7mm, 폭 50mm, 길이 100mm의 시험편의 중앙부에 셰브론형 노치를 형성하였다. 텐실론형 강도 시험 장치를 사용하여 스판 30mm로 지지한 시험편의 노치 선단으로부터 안정 파괴가 일어나도록 크로스 헤드 속도 1mm/분으로 굽힘 시험을 행하였다. 또한, 4점 굽힘 시험에서의 상부 스판은 10mm로 하였다.In the present embodiment, the bending strength was measured by a four-point bending test. Specifically, a chevron-shaped notch was formed at the center of a test piece having a thickness of 0.7 mm, a width of 50 mm, and a length of 100 mm. A bending test was carried out at a crosshead speed of 1 mm / min so that stable fracture occurred from the tip of the notch of a test piece supported with a span of 30 mm using a tensile-type strength tester. The upper span in the four-point bending test was 10 mm.

ㆍ산술 평균 표면 거칠기 RaArithmetic mean surface roughness Ra

유리 기판의 표면 거칠기는 촉침식 표면 조도계(비코(Veeco)사제 Multimode V SPM-Nanoscope V controller)를 사용하여 측정하였다. 또한, 측정값은 유리판으로부터 임의의 6군데의 표면 거칠기를 측정하여, 그 평균값으로 나타내었다.The surface roughness of the glass substrate was measured using a contact type surface roughness meter (Multimode V SPM-Nanoscope V controller manufactured by Veeco). In addition, the measurement values were measured by measuring the surface roughness of any six points from the glass plate and representing the average value thereof.

예 1 내지 예 8에 의해 얻어진 유리 기판에서의 상술한 평가 방법으로 평가한 결과도 표 1에 나타내고 있다.Table 1 also shows the evaluation results of the glass substrates obtained in Examples 1 to 8 by the evaluation method described above.

표 1로부터 명확한 바와 같이, 본 실시 형태의 연마 방법(예 1)에 의해, 짧은 처리 시간(연마 시간)으로 충분한 굽힘 강도를 갖는 유리 기판이 얻어졌다.As is clear from Table 1, a glass substrate having sufficient bending strength at a short processing time (polishing time) was obtained by the polishing method (Example 1) of the present embodiment.

한편, 예 2 내지 예 5의 참고예의 연마 방법에서는, 충분한 굽힘 강도를 얻기 위하여 필요한 처리 시간(연마 시간)이 길어 실용적이지 않은 것을 알 수 있다. 또한, 예 6 내지 예 8의 연마 방법으로 얻어지는 유리 기판은, 표면 거칠기가 거칠고 굽힘 강도도 부족하다.On the other hand, in the polishing methods of the reference examples of Examples 2 to 5, it is found that the treatment time (polishing time) necessary for obtaining a sufficient bending strength is long, which is not practical. Further, the glass substrates obtained by the polishing methods of Examples 6 to 8 are rough in surface roughness and lack bending strength.

이상, 본 실시 형태에 따르면, 유리 기판을 제1 연마 지석을 사용하여 연마하는 제1 연마 공정과, 상기 제1 연마 지석보다 평균 입경이 작은 제2 연마 지석을 사용하여 상기 유리 기판을 연마하는 제2 연마 공정을 가지며, 상기 제2 연마 지석은, 평균 입경이 0.5 내지 10㎛인 산화세륨 지립 및 평균 입경이 0.5 내지 10㎛인 다이아몬드 지립을 포함하는 연마 지립과, 탄성률이 2.5 내지 3GPa인 폴리이미드 수지를 포함하는 본드를 포함하는 연마 방법에 의해 유리 기판을 연마함으로써, 간략한 처리 공정으로 유리 기판에 충분한 강도를 갖게 할 수 있다.As described above, according to the present embodiment, the first polishing step of polishing the glass substrate with the first polishing grindstone, the second polishing grindstone having the smaller average particle diameter than the first polishing grindstone, Wherein the second abrasive grains have abrasive grains including cerium oxide abrasive grains having an average grain diameter of 0.5 to 10 占 퐉 and diamond abrasive grains having an average grain diameter of 0.5 to 10 占 퐉 and abrasive grains having a modulus of elasticity of 2.5 to 3 GPa By polishing the glass substrate by the polishing method including the bond including the resin, the glass substrate can have sufficient strength by a simple processing step.

본 출원은 2012년 9월 7일에 일본 특허청에 출원된 일본 특허 출원 제2012-197742호에 기초하는 우선권을 주장하는 것이며, 일본 특허 출원 제2012-197742호의 전체 내용을 본 출원에 원용한다.The present application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2012-197742 filed on September 7, 2012, and the entire contents of Japanese Patent Application No. 2012-197742 are hereby incorporated by reference into the present application.

1: 축
2: 서보 모터
3: 하우징
4: 베어링
5: 스핀들
6: 지석
7: 구동 모터
8: 풀리
9: 벨트
10: 슬라이드 가이드
11: 텐셔너
20: 유리판
100: 연마 유닛
1: Axis
2: Servo motor
3: Housing
4: Bearings
5: Spindle
6: Grinding wheel
7: Driving motor
8: Pulley
9: Belt
10: Slide guides
11: Tensioner
20: Glass plate
100: polishing unit

Claims (6)

유리 기판을 제1 연마 지석을 사용하여 연마하는 제1 연마 공정과,
상기 제1 연마 지석보다 평균 입경이 작은 제2 연마 지석을 사용하여 상기 유리 기판을 연마하는 제2 연마 공정을 가지며,
상기 제2 연마 지석은, 평균 입경이 0.5 내지 10㎛인 산화세륨 지립 및 평균 입경이 0.5 내지 10㎛인 다이아몬드 지립을 포함하는 연마 지립과, 탄성률이 2.5 내지 3GPa인 폴리이미드 수지를 포함하는 본드를 포함하는, 유리 기판의 연마 방법.
A first polishing step of polishing the glass substrate using a first polishing grindstone,
And a second polishing step of polishing the glass substrate by using a second polishing stone having an average particle diameter smaller than that of the first polishing stone,
Wherein the second abrasive wheel comprises abrasive grains comprising abrasive grains comprising cerium oxide abrasive grains having an average particle diameter of 0.5 to 10 占 퐉 and diamond abrasive grains having an average grain diameter of 0.5 to 10 占 퐉 and a polyimide resin having a modulus of elasticity of 2.5 to 3 GPa ≪ / RTI >
제1항에 있어서, 상기 본드 중에서의 상기 다이아몬드 지립의 함유량은 10vol% 내지 20vol%이고, 상기 산화세륨 지립의 함유량은 5vol% 내지 30vol%인, 유리 기판의 연마 방법.The glass substrate polishing method according to claim 1, wherein the content of the diamond abrasive grains in the bond is 10 vol% to 20 vol%, and the content of the cerium oxide abrasive grains is 5 vol% to 30 vol%. 제2항에 있어서, 상기 본드 중에서의 상기 다이아몬드 지립의 함유량과 상기 산화세륨 지립의 함유량의 합이 30vol% 이하인, 유리 기판의 연마 방법.The glass substrate polishing method according to claim 2, wherein the sum of the content of the diamond abrasive grains and the content of the cerium oxide abrasive grains in the bond is 30 vol% or less. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 연마 공정은, 상기 제1 연마 지석을 상기 유리 기판의 형상에 따라 가압하는 힘을 변화시키면서 연마를 행하는 표준 치수 연마 공정이고,
상기 제2 연마 공정은, 상기 제2 연마 지석을 일정한 힘으로 상기 유리 기판에 가압하여 연마를 행하는 정압 연마 공정인, 유리 기판의 연마 방법.
The method according to any one of claims 1 to 3, wherein the first polishing step is a standard size polishing step of performing polishing while changing a force for pressing the first grinding stone according to the shape of the glass substrate,
Wherein the second polishing step is a hydrostatic polishing step of pressing the second abrasive wheel with the constant force to the glass substrate to perform polishing.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 연마 공정은, 상기 제1 연마 지석을 상기 유리 기판의 형상에 따라 가압하는 힘을 변화시키면서 연마를 행하는 표준 치수 연마 공정이고,
상기 제2 연마 공정도, 상기 제2 연마 지석을 상기 유리 기판의 형상에 따라 가압하는 힘을 변화시키면서 연마를 행하는 표준 치수 연마 공정인, 유리 기판의 연마 방법.
The method according to any one of claims 1 to 3, wherein the first polishing step is a standard size polishing step of performing polishing while changing a force for pressing the first grinding stone according to the shape of the glass substrate,
Wherein the second polishing step is a standard size polishing step of performing polishing while changing the force for pressing the second grinding stone according to the shape of the glass substrate.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 연마 공정에 의해 상기 유리 기판의 표면 거칠기 Ra를 8nm 이하로 하는, 유리 기판의 연마 방법.The method for polishing a glass substrate according to any one of claims 1 to 5, wherein the surface roughness Ra of the glass substrate is set to 8 nm or less by the second polishing step.
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