KR20150053586A - 발광소자 패키지 - Google Patents

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KR20150053586A
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light
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윤미정
손중곤
요이치 쿠로카와
황경욱
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명의 일 측면은, 패키지 기판과, 상기 패키지 기판 상에 실장되며 복수의 나노 발광구조물을 포함하는 발광소자와, 상기 패키지 기판 상에 형성되어 상기 발광소자를 봉지하는 수지부 및 상기 수지부 내에 분산되며 상기 수지부를 이루는 물질보다 큰 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 광산란제를 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다. 본 실시형태에 따르면, 나노 발광구조물을 갖는 발광소자가 채용된 발광소자 패키지에 있어서, 광추출 효율의 향상을 기대할 수 있다.

Description

발광소자 패키지 {LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}
본 발명은 발광소자 패키지에 대한 것이다.
반도체 발광소자는 전류가 가해지면 전자와 정공의 재결합 원리를 이용하여 광을 방출하며, 낮은 소비전력과 고휘도, 소형화 등의 여러 장점 때문에 광원으로서 널리 사용되고 있다. 특히, 질화물 발광소자가 개발된 후에는 활용범위가 더욱 확대되어 디스플레이에 사용되는 백라이트 유닛이나 일반 조명 및 전장용 광원 등으로도 채용되고 있다. 이에, 당 기술분야에서는 반도체 발광소자를 이용한 발광소자 패키지의 특성을 개선하기 위한 다양한 시도가 이루어지고 있으며, 특히, 광효율을 개선하기 위한 발광소자 패키지의 개발이 요구되고 있다.
본 발명의 일 목적은 나노 발광구조물을 갖는 발광소자가 채용된 발광소자 패키지에 있어서, 상기 발광소자 패키지의 광추출 효율을 개선하는 것에 있다.
다만, 본 발명의 목적은 이에만 제한되는 것은 아니며, 명시적으로 언급하지 않더라도 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 이에 포함된다고 할 것이다.
본 발명의 일 측면은, 패키지 기판과, 상기 패키지 기판 상에 실장되며 복수의 나노 발광구조물을 포함하는 발광소자와, 상기 패키지 기판 상에 형성되어 상기 발광소자를 봉지하는 수지부 및 상기 수지부 내에 분산되며 상기 수지부를 이루는 물질보다 큰 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 광산란제를 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.
상기 광산란제는 Al2O3 및 TiO2 및 이들의 조합으로부터 선택된 물질일 수 있다.
상기 수지부 대비 상기 광산란제의 중량비는 1% 내지 50%일 수 있다.
상기 발광소자에서 방출된 광은 청색광, 적색광, 녹색광 또는 백색광이며, 상기 수지부는 파장변환물질을 포함하지 않을 수 있다.
상기 발광소자는 상기 발광소자의 수직방향에서 적어도 40°이격된 위치에서 최대 발광강도를 가질 수 있다.
상기 발광소자는 제1 도전형 반도체로 이루어진 베이스층과, 상기 베이스층 상에 형성되며 상기 베이스층의 일부 영역이 노출된 복수의 개구를 갖는 절연막 및 상기 베이스층의 노출된 영역 각각에 형성되며 제1 도전형 반도체로 이루어진 나노 코어와, 상기 나노 코어의 측면에 순차적으로 형성된 활성층과 제2 도전형 반도체층을 갖는 복수의 나노 발광구조물을 포함할 수 있다.
상기 나노 발광구조물은 다각기둥 및 피라미드 중 적어도 하나의 형상을 포함할 수 있다.
상기 발광소자 패키지는 상기 수지부 상면에 형성되고, 원뿔 및 돔 중 적어도 하나의 형상을 포함하는 복수의 돌출부를 더 구비할 수 있다.
여기서, 상기 복수의 돌출부는 원뿔 형상을 포함하고, 상기 원뿔 형상의 밑면과 옆면이 이루는 예각의 범위는 (90°- θc) - 20°내지 (90°- θc) + 20°일 수 있다. (여기서, 상기 θc 는 상기 발광소자에서 방출된 광이 상기 수지부를 지나 외부로 방출되지 못하고 전반사되는 임계각임)
이 경우, 상기 원뿔 형상의 밑면과 옆면이 이루는 예각의 범위는 28.2° 내지 68.2°일 수 있다.
또한, 상기 복수의 돌출부는 돔 형상을 포함하고, 상기 돔 형상의 종횡비는 0.5 이상일 수 있다.
상기 패키지 기판은 제1 및 제2 리드 프레임을 구비하며, 상기 제1 및 제2 리드 프레임 중 적어도 하나는 상면에 형성된 복수의 돌출부를 구비할 수 있다.
이 경우, 복수의 돌출부는 원뿔 및 돔 중 적어도 하나의 형상을 포함할 수 있다.
이때, 상기 복수의 돌출부는 원뿔 형상을 포함하고, 상기 원뿔 형상의 밑면과 옆면이 이루는 예각의 범위는 50°이하에서 결정될 수 있다.
이 경우, 상기 원뿔 형상의 밑면과 옆면이 이루는 예각의 범위는 20°내지 40°일 수 있다.
본 발명의 일 측면은, 패키지 기판과, 상기 패키지 기판 상에 실장되며 복수의 나노 발광구조물을 포함하는 발광소자와, 상기 패키지 기판 상에 형성되어 상기 발광소자를 봉지하는 수지부 및 상기 수지부 상면에 형성되고 원뿔 및 돔 중 적어도 하나의 형상을 포함하는 복수의 돌출부를 구비하는 발광소자 패키지를 제공한다.
여기서, 상기 복수의 돌출부는 원뿔 형상을 포함하고, 상기 원뿔 형상의 밑면과 옆면이 이루는 예각의 범위는 (90°- θc) - 20°내지 (90°- θc) + 20°일 수 있다. (여기서, 상기 θc 는 상기 발광소자에서 방출된 광이 상기 수지부를 지나 외부로 방출되지 못하고 전반사되는 임계각임)
이 경우, 상기 원뿔 형상의 밑면과 옆면이 이루는 예각의 범위는 28.2° 내지 68.2°일 수 있다.
또한, 상기 복수의 돌출부는 돔 형상을 포함하고, 상기 돔 형상의 종횡비는 0.5 이상일 수 있다.
상기 패키지 기판은 제1 및 제2 리드 프레임을 구비하며, 상기 제1 및 제2 리드 프레임 중 적어도 하나는 상면에 형성된 복수의 돌출부를 구비할 수 있다.
이 경우, 상기 발광소자 패키지는 상기 수지부 내에 분산되며 상기 수지부를 이루는 물질보다 큰 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 광산란제를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 측면은, 제1 및 제2 리드 프레임을 구비하는 패키지 기판과, 상기 패키지 기판 상에 실장되며, 복수의 나노 발광구조물을 포함하는 발광소자 및 상기 패키지 기판 상에 형성되어 상기 발광소자를 봉지하는 수지부를 포함하고, 상기 제1 및 제2 리드 프레임 중 적어도 하나는 상면에 형성된 복수의 돌출부를 구비하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지를 제공한다.
상기 복수의 돌출부는 원뿔 및 돔 중 적어도 하나의 형상을 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 복수의 돌출부는 원뿔 형상을 포함하고, 상기 원뿔 형상의 밑면과 옆면이 이루는 예각의 범위는 50°이하에서 결정될 수 있다.
여기서, 상기 원뿔 형상의 밑면과 옆면이 이루는 예각의 범위는 20°내지 40°일 수 있다.
덧붙여, 상기한 과제의 해결 수단은 본 발명의 특징을 모두 열거한 것은 아니다. 본 발명의 다양한 특징과 그에 따른 장점과 효과는 아래의 구체적인 실시형태를 참조하여 보다 상세하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 나노 발광구조물을 갖는 발광소자가 채용된 발광소자 패키지에 있어서, 상기 발광소자 패키지의 광추출 효율의 개선을 기대할 수 있다.
다만, 본 발명의 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 언급되지 않은 다른 기술적 효과는 아래의 기재로부터 당업자에게 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 실시형태에 따른 발광소자 패키지에 채용될 수 있는 발광소자를 예시적으로 도시한 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 실시형태에 따른 발광소자의 배광특성을 설명하기 위한 그래프이다.
도 4는 광산란제의 농도와 광 추출 효율간의 관계를 설명하기 위한 실험 결과 그래프이다.
도 5a 및 도 5b는 본 실시형태에 따른 발광소자 패키지와, 광산란제를 구비하지 않은 경우의 발광소자 패키지의 지향각 특성을 비교한 그래프이다.
도 6은 다른 실시형태에 따른 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 7은 도 6의 변형된 실시형태를 설명하기 위한 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 사시도이다.
도 9a 및 도 9b는 도 8a의 실시형태에 따른 발광소자 패키지를 상부에서 바라보았을 때 나타날 수 있는 상태를 도시한 것이다.
도 10a 및 도 10b는 각각 도 8a 및 도 8b의 실시형태에 따른 발광소자 패키지에서, 돌출부의 형상 변화에 따른 광 추출 효율간의 관계를 설명하기 위한 그래프이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시형태를 설명하기 위한 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시형태를 설명하기 위한 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 13은 도 12에 따른 발광소자 패키지에서, 돌출부의 형상 변화에 따른 광 추출 효율간의 관계를 설명하기 위한 그래프이다.
도 14는 도 12의 발광소자 패키지에서 변형된 실시형태를 설명하기 위한 단면도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광소자 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광소자 패키지를 채용한 조명장치를 예시적으로 나타낸 분해사시도이다.
도 18 및 도 19는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광소자 패키지를 백라이트 유닛에 적용한 예를 나타낸 도면이다.
도 20은 본 발명의 실시 형태에 의한 발광소자 패키지를 헤드램프에 적용한 예를 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다. 또한, 본 명세서에서 '상', '상부', '상면', '하', '하부', '하면', '측면' 등의 용어는 도면을 기준으로 한 것이며, 실제로는 발광소자(100-2)나 발광소자 패키지가 배치되는 방향에 따라 달라질 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광소자 패키지(10-1)를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시형태에 따른 발광소자 패키지(10-1)는 패키지 기판(10)과, 상기 패키지 기판(10) 상에 실장된 발광소자(100-2) 및 상기 패키지 기판(10) 상에 형성되어 상기 발광소자(100-2)를 봉지하는 수지부(11)를 포함한다.
상기 패키지 기판(10)은 발광소자(100-2)가 실장되는 기판으로 제공되는 것으로, 본 실시형태에서 상기 패키지 기판(10)은 발광소자(100-2)를 수용하는 캐비티(g)를 포함할 수 있다. 상기 패키지 기판(10)은 불투명 또는 반사율이 큰 수지로 성형될 수 있으며, 사출공정이 용이한 폴리머 수지를 이용하여 제공될 수 있다. 그러나, 이에 한정하는 것은 아니므로 다양한 비전도성 재질로 형성될 수 있다. 즉, 세라믹과 같은 비전도성 재질로 형성될 수 있고, 이 경우 열방출이 용이하다는 장점이 있다. 또한, 상기 패키지 기판(10)은 배선패턴이 형성된 인쇄회로기판(PCB)일 수 있다.
본 실시형태에서, 상기 패키지 기판(10)은 상기 발광소자(100-2)에 구동전원을 인가하기 위하여 상기 발광소자(100-2)와 전기적으로 연결되는 한 쌍의 리드 프레임(10a, 10b)을 포함할 수 있다. 상기 한 쌍의 리드 프레임(10a, 10b)은 도전성 와이어(W)를 이용하거나 상기 리드 프레임(10a, 10b)과 접촉을 통하여 상기 발광소자(100-2)와 전기적으로 연결될 수 있으며, 외부 전기신호를 인가하기 위한 단자로서 이용될 수 있다. 이를 위하여, 상기 리드 프레임(10a, 10b)은 전기전도성이 우수한 금속물질로 이루어질 수 있다.
상기 패키지 기판(10) 상에 형성된 수지부(11)는 상기 패키지 기판(10) 상에 실장된 발광소자(100-2)를 봉지하는 것으로, 에폭시, 실리콘, 변형 실리콘, 우레탄수지, 옥세탄수지, 아크릴, 폴리카보네이트, 폴리이미드 및 이들의 조합으로부터 선택된 물질일 수 있다.
상기 발광소자(100-2)는 발광소자 패키지(10-1)에서 광원으로 채용되는 것으로, 복수의 나노 발광구조물을 포함하는 반도체 발광소자(100-2)일 수 있다. 즉, 본 실시형태에 따른 발광소자(100-2)는 돌출구조를 갖는 활성층을 포함하며, 이에 따라 상기 발광소자(100-2)에서 방출되는 광은 상기 발광소자(100-2)가 실장된 면에 대해 수직방향보다, 수평방향 또는 상기 수직방향에서 적어도 40°이격된 위치에서 최대 발광강도를 가질 수 있다.
또한, 상기 발광소자(100-2)는 별도의 파장변환물질에 의한 파장 변화 없이 소자 단위에서 백색광을 방출하는 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 발광소자(100-2)의 제1 그룹(G1)은 적색광을 방출하고, 제2 그룹은 녹색광(G2)을 방출하고, 제3 그룹(G3)은 청색광을 방출하도록 형성하여, 이들 간의 색혼합 작용에 의해 발광소자(100-2) 자체로서 백색광을 방출하도록 구현된 것일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니므로 상기 발광소자(100-2)는 청색광, 녹색광 또는 적색광을 방출하는 것일 수도 있다. 이하에서는, 도 2 및 도 3을 함께 참조하여 본 실시형태에 따른 발광소자(100-2)의 특징에 대해 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
도 2a 및 도 2b는 본 실시형태에 따른 발광소자 패키지(10-1)에 채용될 수 있는 발광소자(100-1, 100-2)를 예시적으로 도시한 단면도이다.
도 2a를 참조하면, 본 실시형태에 따른 발광소자(100-1)는 제1 도전형 반도체로 이루어진 베이스층(110)과, 상기 베이스층(110) 상에 형성되며 상기 베이스층(110)의 일부 영역이 노출된 복수의 개구를 갖는 절연막(160) 및 복수의 나노 발광구조물(N)을 포함한다.
상기 베이스층(110)은 기판(101) 상에 형성된 것일 수 있다. 상기 기판(101)은 반도체 성장용 기판으로 제공될 수 있으며, 사파이어, SiC, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN 등과 같이 절연성, 도전성, 반도체 물질을 이용할 수 있다. 여기서, 사파이어는 전기 절연성을 가지며, 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a축 방향의 격자상수가 각각 13.001Å과 4.758Å이며, C(0001)면, A(1120)면, R(1102)면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다.
또한, 상기 기판(101)으로 사용하기에 적합한 다른 물질로는 예를 들면 Si 기판을 들 수 있다. 상기 Si 기판은 대구경화에 적합하고 상대적으로 가격이 낮아 양산성을 향상시킬 수 있다. Si 기판을 이용하는 경우, 기판 상에 AlxGa1 - xN과 같은 물질로 이루어진 핵생성층을 형성한 후 그 위에 원하는 구조의 질화물 반도체를 성장할 수 있을 것이다.
상기 베이스층(110)은 제1 도전형 반도체로 이루어질 수 있으며, 기판(101) 상에 유기 금속 화학 증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD), 수소화 기상 에피택시(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE), 분자선 에피택시(Molecular Beam Epitaxy, MBE) 등과 같은 반도체 성장 공정을 이용하여 성장될 수 있다.
상기 베이스층(110) 상에는 절연막(160)이 형성될 수 있다. 상기 절연막(160)은 상기 베이스층(110)의 일부 영역을 노출시키는 복수의 개구를 포함할 수 있다. 상기 절연막(160)은 나노 코어(110c)를 성장하기 위한 마스크로서 사용된다. 상기 절연막(160)은 반도체 공정에 사용될 수 있는 SiO2 또는 SiNx와 같은 절연물질일 수 있다.
본 실시형태에서, 상기 발광소자(100-1)는 복수의 나노 발광구조물(N)을 포함할 수 있다. 상기 나노 발광구조물(N)은 상기 절연막(160)의 개구를 통해 노출된 베이스층(110)의 노출 영역 각각에 형성된 제1 도전형 반도체로 이루어진 나노 코어(110c)와, 상기 나노 코어(110c)를 둘러싸는 활성층(130)과, 상기 활성층(130)을 둘러싸는 제2 도전형 반도체층(120)을 포함한다. 이에 제한되는 것은 아니지만, 본 실시형태의 경우 제1 및 제2 도전형은 각각 n형 및 p형이 될 수 있다. 상기 베이스층(110), 나노 코어(110c) 및 제2 도전형 반도체층(120)은 각각 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖는 GaN, AlGaN, InGaN 등의 물질을 포함할 수 있다.
또한, 상기 활성층(130)은 전자와 정공의 재결합에 의해 소정 파장을 갖는 광을 방출하며, 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중양자우물구조(MQW), 예를 들면 InGaN/GaN 구조가 사용될 수 있다.
본 실시형태에서, 상기 복수의 나노 발광구조물(N) 사이를 메우는 충진층(140)이 형성될 수 있다. 상기 충진층(140) 상에는 투명전극층(150)이 형성될 수 있으며, 상기 투명전극층(150) 상에는 상기 제2 도전형 반도체층(120)과 전기적으로 접속되도록 제2 전극(120a)이 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(120a)과 상기 제2 도전형 반도체층(120) 사이의 전기적 접속이 가능하도록, 상기 충진층(140)은 도전성 물질일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니므로, 상기 충진층(140)을 절연성 물질로 구현하되, 상기 충진층(140)이 상기 나노 발광구조물(N)의 상부를 완전히 덮지 않도록 형성하여, 상기 투명전극층(150)과 제2 도전형 반도체층(120)이 직접 접촉하는 영역을 갖도록 구비할 수도 있을 것이다. 상기 베이스층(110)에서, 상기 나노 발광구조물(N)이 배치되지 않은 영역 상에는 상기 베이스층(110)에 전기신호를 인가하기 위한 제1 전극(110a)이 형성될 수 있다.
한편, 전술한 바와 같이 상기 발광소자(100-1)는 소자 단위에서 백색광을 방출하는 것일 수 있다. 예를 들어, 상기 복수의 나노 발광구조물(N)은 제1 내지 제3 그룹(G1~G3)으로 구분되며, 상기 제1 내지 제3 그룹(G1~G3)에 게재되는 활성층(130)의 인듐(In) 농도가 다를 수 있다. 이는 도 2a에 도시된 바와 같이 나노 코어(110c)의 직경(a1, a2, a3)을 달리 설정함으로써 구현되는 것일 수 있다. 즉, 제1 그룹(G1)에 속하는 나노 발광구조물(N)은 직경(a1)이 가장 크고, 방출되는 광의 파장은 가장 장파장인 적색광일 수 있다. 마찬가지로, 제2 그룹(G2)에 속하는 나노 발광구조물(N)은 직경(a2)이 제1 그룹(G1)에 속하는 나노 발광구조물(N)의 직경(a1)보다는 작되, 제3 그룹(G3)에 속하는 나노 발광구조물(N)의 직경(a3)보다 크고, 방출되는 광의 파장은 예컨대 녹색광일 수 있다. 제3 그룹(G3)에 속하는 나노 발광구조물(N)은 직경(a3)이 가장 작고, 방출되는 광의 파장은 가장 단파장인 청색광일 수 있다. 이와 같은 제1 내지 제3 그룹(G1~G3)의 나노 코어(110c) 직경(a1, a2, a3)은 상기 베이스층(110) 상에 형성된 절연막(160)의 개구 크기를 변경시킴으로써 제어될 수 있다.
이와 달리, 상기 제1 내지 제3 그룹(G1~G3)에 게재되는 활성층(130)의 인듐(In) 농도는 도 2b에 도시된 발광소자(100-2)와 같이 나노 코어(110c)의 간격(b1, b2, b3)을 달리 설정함으로써 구현될 수도 있다. 예를 들어, 제1 그룹(G1)에 속하는 나노 발광구조물(N2) 간의 간격(b1)은 가장 좁고, 제2 그룹(G2)에 속하는 나노 발광구조물(N2) 간의 간격(b2)은 제1 그룹(G1)에 속하는 나노 발광구조물(N2) 간의 간격(b1)보다는 크되, 상기 제3 그룹(G3)에 속하는 나노 발광구조물(N2) 간의 간격(b3)보다는 작고, 제3 그룹(G3)에 속하는 나노 발광구조물(N2) 간의 간격(b3)은 가장 넓을 수 있다. 이와 같은 제1 내지 제3 그룹(G1~G3)에 속하는 나노 발광구조물(N2) 간의 간격(b1, b2, b3)은 상기 베이스층(110) 상에 형성된 절연막(160)의 개구 사이 간격을 변경시킴으로써 제어될 수 있다.
제1 내지 제3 그룹(G1~G3)의 나노 발광구조물(N, N2)에 포함된 활성층(130)의 인듐(In) 농도의 차이에 따라, 상기 제1 내지 제3 그룹(G1~G3)의 나노 발광구조물(N, N2)이 방출하는 광의 파장은 서로 다를 수 있으며, 예를 들어 제1 그룹(G1)은 적색광을 방출하고, 제2 그룹(G2)은 녹색광을 방출하고, 제3 그룹(G3)은 청색광을 방출하여, 이들 간의 색혼합 작용에 의해 발광소자(100-1, 100-2) 자체에서 백색광이 방출되는 것일 수 있다.
이와 같은 발광소자(100-1, 100-2)를 사용할 경우, 발광소자 패키지(10-1)는 별도의 파장변환물질을 구비할 필요가 없으며, 보다 구체적으로, 상기 수지부(11)는 파장변환물질, 예컨대 형광체 및 양자점을 구비하지 않을 수 있다.
한편, 일반적으로 수지부(11)에 파장변환물질이 구비되는 경우, 상기 파장변환물질은 발광소자(100-1, 100-2)에서 방출되는 광을 산란시키는 역할도 함께 수행할 수 있는데, 본 실시형태에 따른 발광소자 패키지(10-1)는 수지부가 파장변환물질을 포함하지 않으므로, 광 산란 효과가 감소하여 광 추출 효율이 낮아지는 문제가 있을 수 있다.
또한, 상기 발광소자(100-1, 100-2)가 백색광을 직접 방출하는 것이 아니라도, 상기 발광소자(100-1, 100-2)는 그 활성층(130)의 구조상 수직방향으로 방출되는 광보다 수평방향 또는 상기 수직방향에서 적어도 소정 각도(θa) 이격된 위치에서 최대 발광강도를 갖게 된다.
이는 상기 발광소자(100-1, 100-2)의 활성층(130)이 갖는 돌출구조에 기인한 것으로 이해될 수 있다. 구체적으로, 상기 나노 발광구조물(N, N2)은 도 2a에 도시된 바와 같은 피라미드 형상이거나, 도 2b에 도시된 바와 같은 다각기둥, 예컨대 육각기둥 형상일 수 있다. 이처럼, 상기 발광소자(100-1, 100-2)는 활성층(130)이 돌출구조를 가지므로 상기 발광소자(100-1, 100-2)에서 방출되는 광은 상대적으로 발광소자(100-1, 100-2)의 수직방향보다는 측면방향으로 추출되는 비율이 높을 수 있다. 구체적으로, 도 3a에 도시된 바와 같이, 본 실시형태에 따른 발광소자(100-1, 100-2)는 발광소자(100-1)의 수직방향에서 적어도 40° 이격된 위치에서 최대 발광강도를 갖게 될 수 있다. 이는, 발광소자(100-1, 100-2)에서 방출된 대부분의 광이 수직방향 내지는 수직방향에서 40°이내로 이격된 위치에서 출사되는 일반적인 발광소자(도 3b)에 비해 불리한 효과를 나타낼 수 있다.
즉, 다시 도 1을 참조하면, 상기 발광소자(100-2)에서 방출된 광은 수지부(11)를 지나 발광소자 패키지(10-1)의 외부로 출사됨에 있어서, 상기 수지부(11)가 갖는 굴절률과 외부물질(예컨대, 공기)의 굴절률 간의 차이에 기해 전반사 임계각(θc) 이상으로 입사되는 광은 외부로 추출되지 못하고 전반사될 수 있는데, 수지부의 굴절률(nA)이 약 1.5에 해당하고, 공기의 굴절률(nB)은 1에 해당할 때, 전반사 임계각은 arcsin(nB/nA)으로서 약 41.8°에 해당한다. 이는 본 실시형태에 따른 발광소자(100-2)가 최대 발광강도를 나타내는 각도와 유사한 수치에 해당한다. 즉, 본 실시형태에 따른 발광소자(100-2)를 패키지에 실장할 경우, 광 추출 효율이 낮아지는 문제가 제기될 수 있다.
이에, 본 실시형태에 따른 발광소자 패키지(10-1)는 상기 수지부(11) 내에 분산되며, 상기 수지부(11)를 이루는 물질보다 큰 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 광산란제(12)를 더 포함할 수 있다.
상기 광산란제(12)의 굴절률은 상기 수지부(11)의 굴절률보다 큰 굴절률, 예를 들면 굴절률이 약 1.78인 Al2O3, 굴절률이 약 2.8인 TiO2 및 이들의 조합으로부터 선택된 물질일 수 있다. 이와 같은 굴절률의 차이에 기초하여, 상기 발광소자(100-2)에서 방출된 광은 상기 수지부 내에서 광산란제(12)에 의해 산란되며, 발광소자 패키지(10-1)의 광 추출 효율을 증대시킬 수 있다.
본 실시형태에서, 상기 광산란제(12)의 크기(반경: d1/2)는 1um 내지 10um의 범위에서 결정될 수 있으며, 상기 발광소자 패키지(10-1)의 광 추출 효율은 광산란제(12)의 크기(반경: d1/2)와 농도에 따라 달라질 수 있다. 이에 제한되는 것은 아니지만, 상기 광산란제(12)의 크기(반경: d1/2)가 증가할수록 상기 광산란제(12)의 농도도 커지도록 설계할 수 있다.
도 4는 광산란제(12)의 농도와 광 추출 효율간의 관계를 설명하기 위한 실험 결과 그래프이다.
본 실험에서, 광산란제(12)는 크기(반경: d1/2)가 1.5um인 Al2O3를 사용하였으며, 상기 수지부(11)의 중량 대비 상기 광산란제(12)의 중량비를 변화시키면서 발광소자 패키지(10-1)의 광강도를 측정하였다. 여기서, 상기 광강도는 수지부(11)에 광산란제(12)가 구비되지 않은 상태를 기준(0%)으로 하였다.
도 4에 도시된 실험 그래프와 함께 실험결과를 참조하면, 상기 광산란제(12)는 수지부(11)의 중량 대비 광산란제(12)의 중량비가 1% 내지 5%일 때 발광소자 패키지(10-1)의 광강도는 광산란제(12)를 구비하지 않은 발광소자 패키지(10-1) 보다 광강도가 우수해짐을 확인할 수 있다. 특히, 상기 수지부(11)에 상기 광산란제(12)가 상기 수지부(11)의 중량 대비 2.5%로 구비될 경우, 발광소자 패키지(10-1)의 광강도는 광산란제(12)가 구비되지 않은 경우에 비해 약 11.5% 증대되었음을 확인할 수 있었다. 물론, 전술한 바와 같이 상기 광산란제의 바람직한 중량비는 광산란제의 크기(반경:d1/2)에 의해 달라질 수 있는 것이므로, 이에 제한되는 것은 아니라고 할 것이다. 예를 들어, 상기 광산란제의 중량비는 수지부의 중량 대비 1% 내지 50% 이내에서 결정될 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 본 실시형태에 따른 발광소자 패키지(10-1)와, 광산란제(12)를 구비하지 않은 경우의 발광소자 패키지(10-1)의 지향각 특성을 비교한 그래프이다.
도 5a와 함께 도 5b를 참조하면, 본 실시형태에 따른 발광소자 패키지(10-1)(도 5a)는 광산란제(12)를 구비하지 않은 경우(도 5b)에 비해 발광소자 패키지(10-1)에서 방출되는 광의 지향각이 134°에서 120°로 감소하였음을 확인할 수 있다. 이는, 발광소자(100-2)에서 방출된 광이 광산란제(12)에 의해 산란됨으로써, 상기 수지부(11)와 외부물질(공기)간의 계면에 전반사 임계각 보다 작은 각도로 입사되는 비율이 상대적으로 증가된 것으로 이해될 수 있다.
도 6은 다른 실시형태에 따른 발광소자 패키지(10-2)를 도시한 단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 실시형태에 따른 발광소자 패키지(10-2)는 패키지 기판(10)과, 상기 패키지 기판(10) 상에 실장된 발광소자(100-3) 및 상기 패키지 기판(10) 상에 형성되어 상기 발광소자(100-3)를 봉지하는 수지부(11)를 포함한다. 이하, 도 1의 실시형태와 동일하게 적용될 수 있는 사항은 제외하고, 달라진 구성만을 설명하기로 한다.
본 실시형태에서, 상기 발광소자 패키지(10-2)는 수지부(11) 상면에 형성된 복수의 돌출부(13)를 구비할 수 있다. 상기 돌출부(13)는 원뿔 형상일 수 있다. 이 경우, 상기 발광소자(100-3)에서 방출된 광이 수지부(11)와 외부물질 간의 계면에서 다양한 각도를 가지면서 입사될 수 있으므로, 보다 용이하게 광 추출이 일어날 수 있다.
이에 제한되는 것은 아니지만, 상기 복수의 돌출부(13)가 갖는 원뿔 형상의 밑면 지름(d2)은 10um 내지 20um일 수 있다. 상기 원뿔 형상의 밑면과 옆면이 이루는 예각(θb)의 범위는 (90°- θc) - 20°내지 (90°- θc) + 20°일 수 있다. 여기서, 상기 θc 는 전반사 임계각을 의미한다. 예컨대, 상기 수지부(11)의 굴절률이 1.5이고, 외부물질인 공기의 굴절률이 1이라 하면, 전반사 임계각은 41.8°가 되며, 이 경우, 상기 원뿔 형상의 밑면과 옆면이 이루는 예각(θb)은 28.2° 내지 68.2°에서 결정될 수 있다.
본 실시형태에서, 상기 발광소자(100-3)는 복수의 나노 발광구조물(N3)을 포함하며, 앞선 도 2a 및 도 2b의 실시형태와 달리, 상기 나노 발광구조물(N3)은 다각기둥 및 피라미드 형상을 모두 포함하는 것으로 도시되었다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니므로, 본 실시형태에 따른 발광소자 패키지(10-2)에는 도 2a 및 도 2b에 도시된 형태의 발광소자(100-1, 100-2)가 채용될 수 있음은 자명할 것이다.
본 실시형태에 따르면, 활성층(130)이 돌출구조를 갖는 나노 발광구조물(N3)과 대응되어, 수지부(11)의 상면이 돌출된 구조, 즉, 복수의 돌출부(13)를 수지부(11) 상면에 형성함으로써 발광소자 패키지(10-2)의 보다 높은 광 추출 효율의 증대를 기대할 수 있다.
한편, 본 실시형태에 따른 복수의 돌출부는 원뿔 형상에 제한되는 것은 아니라 할 것이다. 구체적으로, 도 7에 도시된 발광소자 패키지(10-3)와 같이, 상기 복수의 돌출부(14)는 돔 형상을 포함할 수 있다.
여기서, 돔 형상이라 함은 아래의 비구면 방정식에서, conic 계수 k가 -1일때 나타나는 단면이 포물선 형상인 돌출부를 의미한다. (Z는 돔 형상의 정점으로부터 공축방향으로의 거리, R은 곡률반경, H는 광축기준 높이, k는 conic 계수, a1, a2, a3은 비구면 계수임)
Figure pat00001

도 7의 실시형태에서, 상기 돔 형상의 종횡비(aspect ratio: h/r)는 0.5 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 돔 형상의 종횡비(h/r)는 1일 수 있다. 또한, 상기 돔 형상의 돌출부(14)는 그 밑면의 지름(d3)이 10um 내지 20um일 수 있다. 상술한 도 6 및 도 7의 복수의 돌출부는 스탬프 임프린트(stamp imprint) 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 복수의 돌출부의 형상은 반드시 원뿔 또는 돔 형상으로 제한하는 것은 아니다. 따라서, 상기 복수의 돌출부는 원형의 형상을 갖는 돌출부로 구현될 수도 있으며, 볼록 형상의 요철을 포함할 수도 있다고 할 것이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 발광소자 패키지(10-4, 10-5)를 나타내는 사시도이다.
도 8a 및 도 8b의 경우, 수지부가 광산란제를 구비하지 않는 점을 제외하고는 도 6 및 도 7에 도시된 실시형태와 동일하다. 즉, 본 실시형태에서, 상기 복수의 돌출부(13, 14)는 반드시 광산란제가 분산된 수지부의 상면에 적용될 필요는 없으며, 광산란제가 분산되지 않은 상태의 수지부 상면에도 형성될 수 있을 것이다.
도 9a 및 도 9b는 도 8a의 실시형태에 따른 발광소자 패키지(10-4)와 유사한 형태의 패키지를 상부에서 바라보았을 때 나타날 수 있는 상태를 도시한 것이다. 구체적으로, 상기 원뿔 형상의 돌출부(13)의 꼭지점을 P라고 할 때, 상기 복수의 돌출부(13)는 도 9a에 도시된 바와 같이 행과 열을 이루면서 배치될 수 있다. 다만, 이와 달리, 도 9b에 도시된 바와 같이 지그재그 형태를 이루면서 배치될 수도 있을 것이다.
도 10a는 도 8a의 실시형태에 따른 발광소자 패키지(10-4)에서, 원뿔 형상의 돌출부(13)의 각도 변화에 따른 광 추출 효율간의 관계를 설명하기 위한 그래프이다.
구체적으로, 상기 원뿔 형상의 밑면 지름(d2)은 20um를 적용하였으며, 상기 원뿔 형상의 밑면과 옆면이 이루는 예각(θb)의 범위를 변경시키면서 광 추출 효율의 변화를 측정한 것이다.
도 10a의 결과를 참조하면, 상기 원뿔 형상의 밑면과 옆면이 이루는 예각(θb)이 50°인 경우, 복수의 돌출부(13)를 구비하지 않은 발광소자 패키지에 비하여 광강도가 약 17.6% 증가했음을 확인할 수 있엇다.
도 10b는 도 8b의 실시형태에 따른 발광소자 패키지(10-5)에서, 돔 형상의 돌출부의 종횡비(h/r) 변화에 따른 광 추출 효율간의 관계를 설명하기 위한 그래프이다.
상기 돔 형상의 밑면 지름(d3)은 20um를 적용하였으며, 상기 돔 형상의 종횡비(h/r)를 변경시키면서 광 추출 효율의 변화를 측정하였다.
도 10b의 결과를 참조하면, 상기 돔 형상의 종횡비가 1.0인 경우, 상기 복수의 돌출부(14)를 구비하지 않은 발광소자 패키지에 비하여 광강도가 약 17.1% 증가했음을 확인할 수 있었다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시형태를 설명하기 위한 발광소자 패키지(10-6)의 단면도이다.
본 실시형태는 복수의 돌출부(13)가 형성된 수지부(11)의 상면을 덮는 덮개부(15)를 더 포함하는 점을 제외하고는 도 6의 실시형태와 동일한 것으로 이해될 수 있다.
경우에 따라, 복수의 돌출부(13)가 형성된 발광소자 패키지(10-6)는 사용 중 복수의 돌출부(13) 사이에 먼지 등의 이물질이 축적되어 결과적으로 광 효율이 감소되는 문제가 제기될 수 있다. 그러나 본 실시형태에 따르면, 상기 복수의 돌출부(13)를 덮는 덮개부(15)에 의해 상기 복수의 돌출부(13) 사이에 이물질이 축적되는 현상이 방지될 수 있다. 이 경우, 상기 덮개부(15)는 투광성 물질로 이루어지며, 상기 복수의 돌출부(13)와 소정 거리 이격되도록 리모트 형식으로 배치될 수 있다.
도 12는 다른 실시형태에 따른 발광소자 패키지(10-7)를 도시한 단면도이다.
도 12를 참조하면, 본 실시형태에 따른 발광소자 패키지(10-7)는 패키지 기판(10)과, 상기 패키지 기판(10) 상에 실장된 발광소자(100-2) 및 상기 패키지 기판(10) 상에 형성되어 상기 발광소자(100-2)를 봉지하는 수지부(11)를 포함한다. 이하, 도 1의 실시형태와 동일하게 적용될 수 있는 사항은 제외하고, 달라진 구성만을 중심으로 설명하기로 한다.
본 실시형태에서, 상기 패키지 기판(10)은 제1 및 제2 리드 프레임(10a-1, 10b-1)을 구비할 수 있다. 이에 제한되는 것은 아니지만, 상기 발광소자(100-2)는 상기 제1 및 제2 리드 프레임(10a-1, 10b-1) 중 어느 하나의 상면에 실장될 수 있다. 도 12에서는 상기 발광소자(100-2)가 제2 리드 프레임(10b-1)의 상면에 실장된 것으로 도시하였다. 이 경우, 상기 발광소자(100-2)와 상기 발광소자(100-2)가 실장된 리드 프레임(제2 리드 프레임(10b-1)) 사이에는 상기 발광소자(100-2)를 고정시키기 위한 접착부(18)가 형성될 수 있다. 상기 접착부(18)는 발광소자 패키지의 제조공정 및 사용 중 발광소자(100-2)가 실장된 위치에서 이탈하지 않도록 고정시킬 수 있는 물질이라면 특별히 제한될 필요는 없다고 할 것이다. 예를 들어, 상기 접착부(18)는 도전성 및/또는 절연성 물질일 수 있으며, 아울러 광반사성 물질 및/또는 투명물질로도 이루어질 수 있다고 할 것이다.
본 실시형태에서, 상기 제1 및 제2 리드 프레임(10a-1, 10b-1) 중 적어도 하나는 상면에 형성된 복수의 돌출부(16)를 구비할 수 있다. 이에 따라, 발광소자(100-2)에서 방출된 광이 제1 및 제2 리드 프레임(10a-1, 10b-1)에 형성된 복수의 돌출부(16)에 의해 산란되어 광경로가 다양해 질 수 있으며, 발광소자 패키지(10-7)의 광추출 효율의 향상을 기대할 수 있다. 보다 우수한 효과를 위해, 상기 제1 및 제2 리드 프레임(10a-1, 10b-1)은 전기전도성이 우수하되, 광 반사성이 높은 금속물질로 이루어질 수 있다. 아울러, 본 실시형태에 따르면, 리드 프레임(10a-1, 10b-1)에 형성된 돌출부(16)에 의해 리드 프레임(10a-1, 10b-1)과 수지부(11)간의 접착력이 개선되며, 이에 따라 상기 수지부(11)가 박리되는 현상(delamination)을 효과적으로 방지할 수 있다.
본 실시형태에서, 상기 복수의 돌출부(16)는 도 12에 도시된 바와 같이, 원뿔 형상을 포함할 수 있다.
도 13은 도 12에 따른 발광소자 패키지(10-7)에서, 돌출부의 형상 변화에 따른 광 추출 효율간의 관계를 설명하기 위한 그래프이다.
구체적으로, 도 13은 상기 원뿔 형상의 밑면 지름(d4)으로 20um를 적용하였으며, 상기 원뿔 형상의 밑면과 옆면이 이루는 예각(θd)의 범위를 변경시키면서 광 추출 효율의 변화를 측정한 것이다.
도 13의 결과를 참조하면, 상기 원뿔 형상의 밑면과 옆면이 이루는 예각(θd)이 50°이하인 경우, 리드 프레임(10a-1, 10b-1)에 돌출부(16)가 형성되지 않은 경우를 기준으로 할 때 광강도가 증가했음을 확인할 수 있다. 특히, 상기 예각(θd)이 20°내지 40°인 경우 광강도가 약 6% 이상 증가하며, 예각이 30°일 때 약 7.7% 까지 증가했음을 확인할 수 있었다.
도 14는 도 12의 발광소자 패키지에서 변형된 실시형태를 설명하기 위한 도면이다.
본 실시형태에 따른 제1 및 제2 리드 프레임(10a-1, 10b-1)에 형성된 복수의 돌출부(17)는 도 14에 도시된 바와 같이, 돔 형상을 포함할 수 있다. 여기서, 돔 형상이라 함은 전술한 바와 같이 아래의 비구면 방정식에서, conic 계수 k가 -1일때 나타나는 단면이 포물선 형상인 돌출부를 의미한다. (Z는 돔 형상의 정점으로부터 공축방향으로의 거리, R은 곡률반경, H는 광축기준 높이, k는 conic 계수, a1, a2, a3은 비구면 계수임)
Figure pat00002

본 실시형태에 따르면, 발광소자(100-2)에서 방출된 광이 리드 프레임(10a-1, 10b-1)에서 반사될 때, 복수의 돌출부(17)에 의한 산란으로 광경로가 다양해 짐에 따라 발광소자 패키지(10-8)의 추출 효율이 증가할 수 있다.
도 15는 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광소자 패키지(10-9)를 설명하기 위한 도면이다. 본 실시형태에서, 상기 발광소자 패키지(10-9)는 제1 및 제2 리드 프레임(10a-1, 10b-a)을 구비하는 패키지 기판(10)과, 상기 패키지 기판(10) 상에 실장되며 복수의 나노 발광구조물을 포함하는 발광소자(100-2) 및 상기 패키지 기판(10) 상에 형성되어 상기 발광소자(100-2)를 봉지하는 수지부(11)를 포함한다.
여기서, 상기 발광소자 패키지(10-9)는 상기 수지부(11) 내에 분산되며 상기 수지부(11)를 이루는 물질보다 큰 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 광산란제(12)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 수지부(11) 상면에는 원뿔 및 돔 중 적어도 하나의 형상을 포함하는 복수의 돌출부(13)가 구비될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 리드 프레임(10a-1, 10b-1) 중 적어도 하나의 상면에는 복수의 돌출부(16)가 구비될 수 있다.
즉, 앞선 실시형태에 따른 발광소자 패키지의 구성요소인 광산란제(12)와, 수지부(11) 상면에 형성된 복수의 돌출부(13, 14)와, 리드 프레임(10a-1, 10b-1)의 상면에 구비된 복수의 돌출부(16, 17)는 각각 배타적으로 적용될 필요는 없으므로, 하나의 발광소자 패키지(10-9) 내에서 모두 구비되도록 구현될 수 있다고 할 것이다.
본 실시형태에 따르면, 나노 발광구조물을 갖는 발광소자가 채용된 발광소자 패키지에 있어서, 발광소자 패키지의 광추출 효율이 효과적으로 증대될 수 있다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광소자 패키지(10-1 내지 10-9)를 채용한 조명장치(1000, 2000)를 예시적으로 나타낸 분해사시도이다.
상기 조명장치(1000)는 도 16에 도시된 바와 같은 벌브형 램프일 수 있다. 이에 제한되는 것은 아니지만, 상기 조명장치(1000)는 종래 백열등을 대체할 수 있도록 백열등과 유사한 형상을 가질 수 있으며, 백열등과 유사한 광특성(색상, 색온도)을 갖는 광을 출사할 수 있다.
도 16의 분해사시도를 참조하면, 조명장치(1000)는 광원모듈(1003)과 구동부(1006)와 외부접속부(1009)를 포함한다. 또한, 외부 및 내부 하우징(1005, 1008)과 커버부(1007)와 같은 외형구조물을 추가적으로 포함할 수 있다. 광원모듈(1003)은 광원(1001)과 그 광원(1001)이 탑재된 회로기판(1002)을 가질 수 있다. 본 실시형태에서는, 1개의 광원(1001)이 회로기판(1002) 상에 실장된 형태로 예시되어 있으나, 필요에 따라 복수 개로 장착될 수 있다. 여기서, 상기 광원(1001)은 앞선 실시형태에서 설명한 발광소자 패키지(10-1 내지 10-9)일 수 있다.
또한, 상기 조명장치(1000)에서, 광원모듈(1003)은 열방출부로 작용하는 외부 하우징(1005)을 포함할 수 있으며, 외부 하우징(1005)은 광원모듈(1003)과 직접 접촉되어 방열효과를 향상시키는 열방출판(1004)을 포함할 수 있다. 또한, 조명장치(1000)는 광원모듈(1003) 상에 장착되며 볼록한 렌즈형상을 갖는 커버부(1007)를 포함할 수 있다. 구동부(1006)는 내부 하우징(1008)에 장착되어 소켓구조와 같은 외부접속부(1009)에서 전원을 제공받을 수 있다. 또한, 구동부(1006)는 광원모듈(1003)의 광원(1001)을 구동시킬 수 있는 적정한 전류원으로 변환시켜 제공하는 역할을 한다. 이러한 구동부(1006)는 정류부와 DC/DC 컨버터를 포함할 수 있다.
상기 조명장치(2000)는 도 17에 도시된 바와 같은 바(bar)-타입 램프일 수 있다. 이에 제한되는 것은 아니지만, 상기 조명장치(2000)는 종래 형광등을 대체할 수 있도록 형광등과 유사한 형상을 가질 수 있으며, 형광등과 유사한 광특성을 갖는 광을 출사할 수 있다.
도 17의 분해사시도를 참조하면, 본 실시형태에 따른 조명장치(2000)는 광원모듈(2003), 몸체부(2004), 단자부(2009)를 포함할 수 있으며, 상기 광원모듈(2003)을 커버하는 커버부(2007)를 더 포함할 수 있다.
광원모듈(2003)은 기판(2002)과, 상기 기판(2002) 상에 장착되는 복수의 광원(2001)을 포함할 수 있다. 상기 광원(2001)는 앞선 실시형태에서 설명한 발광소자 패키지(10-1 내지 10-9)일 수 있다.
몸체부(2004)는 상기 광원모듈(2003)을 일면에 장착하여 고정시킬 수 있다. 상기 몸체부(2004)는 지지 구조물의 일종으로 히트 싱크를 포함할 수 있다. 상기 몸체부(2004)는 상기 광원모듈(2003)에서 발생되는 열을 외부로 방출할 수 있도록 열전도율이 우수한 재질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 금속 재질로 이루어질 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다.
상기 몸체부(2004)는 상기 광원모듈(2003)의 기판(2002) 형상과 대응하여 전체적으로 길이가 긴 막대 형상을 가질 수 있다. 상기 광원모듈(2003)이 장착되는 일면에는 상기 광원모듈(2003)을 수용할 수 있는 리세스(2014)가 형성될 수 있다.
상기 몸체부(2004)의 양 외측면에는 각각 방열을 위한 복수의 방열 핀(2024)이 돌출되어 형성될 수 있다. 그리고, 상기 리세스(2014)의 상부에 위치하는 상기 외측면의 양 끝단에는 각각 상기 몸체부(2004)의 길이 방향을 따라서 연장된 걸림 홈(2034)이 형성될 수 있다. 상기 걸림 홈(2034)에는 추후 설명하는 커버부(2007)가 체결될 수 있다.
상기 몸체부(2004)의 길이 방향의 양 끝단부는 개방되어 있어 상기 몸체부(2004)는 양 끝단부가 개방된 파이프 형태의 구조를 가질 수 있다. 본 실시 형태에서는 상기 몸체부(2004)의 양 끝단부가 모두 개방된 구조를 예시하고 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 몸체부(2004)의 양 끝단부 중 어느 일측만 개방되는 것도 가능하다.
단자부(2009)는 상기 몸체부(2004)의 길이 방향의 양 끝단부 중 개방된 적어도 일측에 구비되어 상기 광원모듈(2003)에 전원을 공급할 수 있다. 본 실시형태에서는 상기 몸체부(2004)의 양 끝단부가 모두 개방되어 있어 상기 단자부(2009)가 상기 몸체부(2004)의 양 끝단부에 각각 구비되는 것으로 예시하고 있다. 그러나, 이에 한정하는 것은 아니며, 예를 들어, 일측만 개방된 구조에서는 상기 양 끝단부 중 개방된 일측에만 상기 단자부(2009)가 구비될 수 있다.
상기 단자부(2009)는 상기 몸체부(2004)의 개방된 양 끝단부에 각각 체결되어 상기 개방된 양 끝단부를 커버할 수 있다. 상기 단자부(2009)에는 외부로 돌출된 전극 핀(2019)을 포함할 수 있다.
커버부(2007)는 상기 몸체부(2004)에 체결되어 상기 광원모듈(2003)을 커버한다. 상기 커버부(2007)는 광이 투과될 수 있는 재질로 이루어질 수 있다.
상기 커버부(2007)는 광이 외부로 전체적으로 균일하게 조사될 수 있도록 반원 형태의 곡면을 가질 수 있다. 그리고, 상기 커버부(2007)의 상기 몸체부(2004)와 체결되는 바닥면에는 상기 몸체부(2004)의 걸림 홈(2034)에 맞물리는 돌기(2017)가 상기 커버부(2007)의 길이 방향을 따라서 형성될 수 있다.
본 실시 형태에서는 상기 커버부(2007)가 반원 형태의 구조를 가지는 것으로 예시하고 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 커버부(2007)는 평평한 사각 형태의 구조를 가지는 것도 가능하며, 기타 다각 형태의 구조를 가지는 것도 가능하다. 이러한 커버부(2007)의 형태는 광이 조사되는 조명 설계에 따라서 다양하게 변경될 수 있다.
도 18 및 도 19는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광소자 패키지(10-1 내지 10-9)를 백라이트 유닛에 적용한 예를 나타낸다.
도 18을 참조하면, 백라이트 유닛(3000)은 기판(3002) 상에 광원(3001)이 실장되며, 그 상부에 배치된 하나 이상의 광학 시트(3003)를 구비한다. 광원(3001)은 상술한 구조 또는 그와 유사한 구조를 갖는 발광소자 패키지(10-1 내지 10-9)를 이용할 수 있다.
도 18의 백라이트 유닛(3000)에서 광원(3001)은 액정표시장치가 배치된 상부를 향하여 빛을 방사하는 것과 달리, 도 19에 도시된 다른 예의 백라이트 유닛(4000)은 기판(4002) 위에 실장된 광원(4001)이 측 방향으로 빛을 방사하며, 이렇게 방시된 빛은 도광판(4003)에 입사되어 면광원의 형태로 전환될 수 있다. 도광판(4003)을 거친 빛은 상부로 방출되며, 광 추출 효율을 향상시키기 위하여 도광판(4003)의 하면에는 반사층(4004)이 배치될 수 있다. 상기 광원(4001)은 상술한 구조 또는 그와 유사한 구조를 갖는 발광소자 패키지(10-1 내지 10-9)를 이용할 수 있다.
도 20은 본 발명의 실시 형태에 의한 발광소자 패키지(10-1 내지 10-9)를 헤드램프에 적용한 예를 나타낸다. 도 20을 참조하면, 차량용 라이트 등으로 이용되는 헤드램프(5000)는 광원(5001), 반사부(5005), 렌즈 커버부(5004)를 포함하며, 렌즈 커버부(5004)는 중공형의 가이드(5003) 및 렌즈(5002)를 포함할 수 있다. 또한, 헤드램프(5000)는 광원(5001)에서 발생된 열을 외부로 방출하는 방열부(5012)를 더 포함할 수 있으며, 방열부(5012)는 효과적인 방열이 수행되도록 히트싱크(5010)와 냉각팬(5011)을 포함할 수 있다. 또한, 헤드램프(5000)는 방열부(5012) 및 반사부(5005)를 고정시켜 지지하는 하우징(5009)을 더 포함할 수 있으며, 하우징(5009)은 일면에 방열부(5012)가 결합하여 장착되기 위한 중앙홀(5008)을 구비할 수 있다. 또한, 하우징(5009)은 상기 일면과 일체로 연결되어 직각방향으로 절곡되는 타면에 반사부(5005)가 광원(5001)의 상부측에 위치하도록 고정시키는 전방홀(5007)을 구비할 수 있다. 이에 따라, 반사부(5005)에 의하여 전방측은 개방되며, 개방된 전방이 전방홀(5007)과 대응되도록 반사부(5005)가 하우징(5009)에 고정되어 반사부(5005)를 통해 반사된 빛이 전방홀(5007)을 통과하여 외부로 출사될 수 있다. 본 실시 형태에서, 광원(5001)은 앞선 실시형태에서 설명한 발광소자 패키지(10-1 내지 10-9)를 포함할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
10-1, 10-2, 10-3, 10-4, 10-5, 10-6, 10-7, 10-8, 10-9: 발광소자 패키지
100-1, 100-2, 100-3: 발광소자
10: 패키지 기판 11: 수지부
12: 광산란제 13, 14, 16, 17: 복수의 돌출부
15: 덮개부 10a, 10b: 리드 프레임
W: 와이어 N1, N2, N3: 나노 발광구조물
101: 기판 110: 베이스층
110c: 나노 코어 120: 제2 도전형 반도체층
130: 활성층 140: 충진층
150: 투명전극층 110a, 120a: 제1 및 제2 전극
18: 접착부

Claims (20)

  1. 패키지 기판;
    상기 패키지 기판 상에 실장되며, 복수의 나노 발광구조물을 포함하는 발광소자;
    상기 패키지 기판 상에 형성되어 상기 발광소자를 봉지하는 수지부; 및
    상기 수지부 내에 분산되며, 상기 수지부를 이루는 물질보다 큰 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 광산란제를 포함하는 발광소자 패키지.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 수지부 대비 상기 광산란제의 중량비는 1% 내지 50%인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 발광소자는 상기 발광소자의 수직방향에서 적어도 40°이격된 위치에서 최대 발광강도를 갖는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 발광소자는 제1 도전형 반도체로 이루어진 베이스층;
    상기 베이스층 상에 형성되며, 상기 베이스층의 일부 영역이 노출된 복수의 개구를 갖는 절연막; 및
    상기 베이스층의 노출된 영역 각각에 형성되며, 제1 도전형 반도체로 이루어진 나노 코어와, 상기 나노 코어의 측면에 순차적으로 형성된 활성층과 제2 도전형 반도체층을 갖는 복수의 나노 발광구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 수지부 상면에 형성되고, 원뿔 및 돔 중 적어도 하나의 형상을 포함하는 복수의 돌출부를 구비하는 발광소자 패키지.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 복수의 돌출부는 원뿔 형상을 포함하고,
    상기 원뿔 형상의 밑면과 옆면이 이루는 예각의 범위는 (90°- θc) - 20°내지 (90°- θc) + 20°인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
    (여기서, 상기 θc 는 상기 발광소자에서 방출된 광이 상기 수지부를 지나 외부로 방출되지 못하고 전반사되는 임계각임)
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 복수의 돌출부는 돔 형상을 포함하고,
    상기 돔 형상의 종횡비는 0.5 이상인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 패키지 기판은 제1 및 제2 리드 프레임을 구비하며,
    상기 제1 및 제2 리드 프레임 중 적어도 하나는 상면에 형성된 복수의 돌출부를 구비하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 복수의 돌출부는 원뿔 및 돔 중 적어도 하나의 형상을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  10. 제9 항에 있어서
    상기 복수의 돌출부는 원뿔 형상을 포함하고,
    상기 원뿔 형상의 밑면과 옆면이 이루는 예각의 범위는 50°이하에서 결정되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  11. 패키지 기판;
    상기 패키지 기판 상에 실장되며, 복수의 나노 발광구조물을 포함하는 발광소자;
    상기 패키지 기판 상에 형성되어 상기 발광소자를 봉지하는 수지부; 및
    상기 수지부 상면에 형성되고, 원뿔 및 돔 중 적어도 하나의 형상을 포함하는 복수의 돌출부를 구비하는 발광소자 패키지.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 복수의 돌출부는 원뿔 형상을 포함하고,
    상기 원뿔 형상의 밑면과 옆면이 이루는 예각의 범위는 (90°- θc) - 20°내지 (90°- θc) + 20°인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
    (여기서, 상기 θc 는 상기 발광소자에서 방출된 광이 상기 수지부를 지나 외부로 방출되지 못하고 전반사되는 임계각임)
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 원뿔 형상의 밑면과 옆면이 이루는 예각의 범위는 28.2° 내지 68.2°인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  14. 제11 항에 있어서,
    상기 복수의 돌출부는 돔 형상을 포함하고,
    상기 돔 형상의 종횡비는 0.5 이상인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  15. 제11 항에 있어서,
    상기 패키지 기판은 제1 및 제2 리드 프레임을 구비하며,
    상기 제1 및 제2 리드 프레임 중 적어도 하나는 상면에 형성된 복수의 돌출부를 구비하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 수지부 내에 분산되며, 상기 수지부를 이루는 물질보다 큰 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 광산란제를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  17. 제1 및 제2 리드 프레임을 구비하는 패키지 기판;
    상기 패키지 기판 상에 실장되며, 복수의 나노 발광구조물을 포함하는 발광소자; 및
    상기 패키지 기판 상에 형성되어 상기 발광소자를 봉지하는 수지부를 포함하고,
    상기 제1 및 제2 리드 프레임 중 적어도 하나는 상면에 형성된 복수의 돌출부를 구비하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 복수의 돌출부는 원뿔 및 돔 중 적어도 하나의 형상을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  19. 제18 항에 있어서
    상기 복수의 돌출부는 원뿔 형상을 포함하고,
    상기 원뿔 형상의 밑면과 옆면이 이루는 예각의 범위는 50°이하에서 결정되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 원뿔 형상의 밑면과 옆면이 이루는 예각의 범위는 20°내지 40°인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102252994B1 (ko) * 2014-12-18 2021-05-20 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지용 파장 변환 필름
JP6863835B2 (ja) * 2017-06-26 2021-04-21 日機装株式会社 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI241038B (en) * 2004-09-14 2005-10-01 Ind Tech Res Inst Light emitting diode structure and fabrication method thereof
US8030674B2 (en) * 2008-04-28 2011-10-04 Lextar Electronics Corp. Light-emitting diode package with roughened surface portions of the lead-frame
TW201128808A (en) * 2010-02-03 2011-08-16 Advanced Optoelectronic Tech Package of semiconductor light emitting device
TWI561770B (en) * 2010-04-30 2016-12-11 Samsung Electronics Co Ltd Light emitting device package, light source module, backlight unit, display apparatus, television set, and illumination apparatus
US9035278B2 (en) * 2011-09-26 2015-05-19 Glo Ab Coalesced nanowire structures with interstitial voids and method for manufacturing the same
CN103094267B (zh) * 2011-11-01 2018-05-25 日亚化学工业株式会社 发光装置，照明器具
JP2014099584A (ja) * 2012-10-18 2014-05-29 Denso Corp 半導体装置及びその製造方法
WO2014197799A1 (en) * 2013-06-07 2014-12-11 Glo-Usa, Inc. Multicolor led and method of fabricating thereof

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