KR20150051834A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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신형섭
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Abstract

The present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving the layer quality of a thin film deposited on a substrate. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a process chamber of preparing a process space; a chamber lid which covers the upper part of the process chamber; a substrate support part which is installed in the process chamber and supports at least one substrate; a thin film deposition module part which is installed to the chamber lid to face the substrate support part and deposits a thin film on the substrate; and a plasma treatment module part which is installed to the chamber lid to be spatially separated from a gas injection module, generates plasma for the plasma treatment of the thin film, and provides it to the substrate. The plasma provided to the substrate is different according to the region of the substrate.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}[0001] SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS [0002]

본 발명은 기판에 대한 박막을 증착하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for depositing a thin film on a substrate.

일반적으로, 태양 전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 반도체 웨이퍼나 글라스 등의 기판에 소정의 회로 패턴 또는 광학적 패턴을 형성하여야 하며, 이를 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토 공정, 선택적으로 노출된 영역의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각 공정 등의 반도체 제조 공정을 수행하게 된다.Generally, in order to manufacture a solar cell, a semiconductor device, a flat panel display, etc., a predetermined circuit pattern or an optical pattern must be formed on a substrate such as a semiconductor wafer or glass. To this end, A photolithography process for selectively exposing a thin film using a photosensitive material, and an etching process for forming a pattern by selectively removing a thin film in an exposed region.

이러한 반도체 제조 공정들 중에서 박막 증착 공정은 물리 기상 증착(physical vapor deposition)법, 화학 기상 증착(chemical vapor deposition)법, 또는 원자층 증착(atomic layer deposition)법 등이 사용되고 있다.Among these semiconductor manufacturing processes, physical vapor deposition, chemical vapor deposition, atomic layer deposition, or the like is used for the thin film deposition process.

한편, 본 출원인에 의해 제안된 대한민국 특허공개공보 제10-2013-0080370호(이하, "특허 문헌"이라 함)에는 복수의 기판에 박막을 증착할 수 있는 세미 배치(semi-batch) 타입의 기판 처리 장치가 개시되어 있다. 특히, 특허 문헌의 기판 처리 장치는 복수의 기판을 지지하는 기판 지지부 상에 국부적으로 대향되도록 배치되어 공급되는 공정 가스를 플라즈마화하여 분사하는 복수의 전극 모듈을 포함한다. 이러한 특허 문헌의 기판 처리 장치는 기판 지지부를 회전시키면서 복수의 전극 모듈 각각을 통해 박막 증착을 위한 공정 가스를 플라즈마화하여 기판 지지부 상에 국부적으로 분사함으로써 기판 지지부의 회전에 의해 복수의 기판 각각이 플라즈마에 노출되고, 이로 인해 기판의 표면에서는 소정의 박막이 증착되게 된다.On the other hand, Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2013-0080370 (hereinafter referred to as " Patent Document ") proposed by the present applicant discloses a semi-batch type substrate on which a thin film can be deposited on a plurality of substrates A processing device is disclosed. Particularly, the substrate processing apparatus of the patent document includes a plurality of electrode modules arranged so as to be locally opposed to each other on a substrate supporter for supporting a plurality of substrates, and injecting the supplied process gas into plasma. The substrate processing apparatus of this patent document is a plasma processing apparatus in which a process gas for thin film deposition is plasmaized through each of a plurality of electrode modules while locally spraying on a substrate supporter while rotating the substrate supporter, So that a predetermined thin film is deposited on the surface of the substrate.

그러나, 특허 문헌의 기판 처리 장치에서는 기판이 고정된 상태에서 회전하는 기판 지지부의 회전 각속도로 인하여 기판 지지부의 중심부를 기준으로 기판의 내측 대비 외측의 반지름 및 원주율이 길기 때문에 기판의 외측에 대한 플라즈마 노출 시간이 기판의 내측에 비해 상대적으로 감소하게 된다. 이에 따라, 특허 문헌의 기판 처리 장치에서는 기판 지지부의 회전 각속도에 따른 기판의 내측과 외측의 플라즈마 노출 편차로 인하여 플라즈마 효율이 저하됨으로써 기판에 형성되는 박막의 균일도가 저하되고, 이로 인해 박막의 막질이 저하되는 문제점이 발생되었다.However, in the substrate processing apparatus of the patent document, due to the rotation angular velocity of the substrate supporting part rotating in a fixed state, the radius and the circumferential ratio of the substrate outside the substrate are long with respect to the center of the substrate supporting part, The time is reduced relative to the inside of the substrate. Accordingly, in the substrate processing apparatus of the patent document, the plasma efficiency is lowered due to the plasma exposure deviation between the inside and the outside of the substrate depending on the rotational angular velocity of the substrate supporting portion, so that the uniformity of the thin film formed on the substrate is lowered, A problem of lowering occurred.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 기판에 증착되는 박막의 막질을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.Disclosure of Invention Technical Problem [8] The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of improving film quality of a thin film deposited on a substrate.

위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Other features and advantages of the invention will be set forth in the description which follows, or may be obvious to those skilled in the art from the description and the claims.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 공간을 마련하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 설치되어 적어도 하나의 기판을 지지하는 기판 지지부; 및 상기 기판 지지부 위에 배치되어 상기 기판에 플라즈마를 제공하는 플라즈마 모듈부를 포함하며, 상기 플라즈마 모듈부는 상기 기판으로부터 서로 마주보게 배치되어 전위차에 따라 상기 플라즈마를 형성하는 제 1 전극과 제 2 전극; 및 상기 제 1 및 제 2 전극 중 적어도 하나의 전극과 상기 기판 지지부 사이에 배치되어 상기 기판에 제공되는 상기 플라즈마를 국부적으로 감쇠시키는 플라즈마 감쇠 부재를 포함하여 구성될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a process chamber for providing a process space; A substrate support disposed within the process chamber to support at least one substrate; And a plasma module disposed on the substrate support to provide a plasma to the substrate, wherein the plasma module includes a first electrode and a second electrode arranged opposite to each other from the substrate to form the plasma according to a potential difference; And a plasma attenuation member disposed between the at least one of the first and second electrodes and the substrate support to locally attenuate the plasma provided to the substrate.

상기 플라즈마 감쇠 부재는 상기 제 2 전극의 하면과 이격되도록 상기 제 1 전극의 하면에 결합되어 상기 기판의 일부 영역에 제공되는 플라즈마를 국부적으로 감쇠시키는 절연 플레이트일 수 있다.The plasma attenuation member may be an insulating plate coupled to a lower surface of the first electrode so as to be spaced apart from a lower surface of the second electrode to locally attenuate plasma provided in a partial region of the substrate.

상기 기판 처리 장치는 상기 기판 지지부에 마주보도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 플라즈마 모듈부와 공간적으로 분리되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 상기 기판에 박막을 증착하는 박막 증착 모듈부를 더 포함하여 구성될 수 있다.The substrate processing apparatus comprising: a chamber lid that covers an upper portion of the process chamber to face the substrate support; And a thin film deposition module unit installed in the chamber lead to spatially separate the plasma module unit from the plasma module unit and depositing a thin film on the substrate.

상기 박막 증착 모듈부는 상기 챔버 리드에 설치되어 상기 기판 상에 소스 가스를 분사하는 적어도 하나의 제 1 가스 분사 모듈; 및 상기 제 1 가스 분사 모듈과 공간적으로 분리되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 상기 기판 상에 반응 가스를 분사하는 적어도 하나의 제 2 가스 분사 모듈을 포함하여 구성될 수 있다.Wherein the thin film deposition module includes: at least one first gas injection module installed in the chamber lid and injecting a source gas onto the substrate; And at least one second gas injection module installed in the chamber lid so as to be spatially separated from the first gas injection module and injecting a reactive gas onto the substrate.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 공간을 마련하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 설치되어 적어도 하나의 기판을 지지하는 기판 지지부; 및 상기 기판 지지부 위에 배치되어 상기 기판에 플라즈마를 제공하는 플라즈마 모듈부를 포함하며, 상기 플라즈마 모듈부로부터 기판에 제공되는 플라즈마는 상기 기판의 영역별로 상이할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a process chamber for providing a process space; A substrate support disposed within the process chamber to support at least one substrate; And a plasma module disposed on the substrate support to provide plasma to the substrate, wherein the plasma provided from the plasma module to the substrate may be different for each region of the substrate.

상기 플라즈마 모듈부는 상기 기판으로부터 이격되면서 서로 나란한 플라즈마 전극과 접지 전극; 및 상기 플라즈마 전극과 이격되도록 상기 접지 전극의 하면에 결합되어 상기 기판의 일부 영역에 제공되는 플라즈마를 국부적으로 감쇠시키는 플라즈마 감쇠 부재를 포함하여 구성될 수 있다.The plasma module part includes a plasma electrode and a ground electrode spaced apart from the substrate and parallel to each other; And a plasma attenuating member coupled to a lower surface of the ground electrode so as to be spaced apart from the plasma electrode to locally attenuate a plasma provided in a partial area of the substrate.

상기 과제의 해결 수단에 의하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 절연 플레이트를 통해 기판의 일부 영역에 제공되는 플라즈마를 국부적으로 감소시킴으로써 기판 지지부의 회전 각속도에 따른 기판의 전영역에 대한 플라즈마 노출 시간 편차를 최소화하고, 이를 통해 기판의 전영역에 걸쳐 균일한 플라즈마 트리트먼트 공정을 수행해 기판에 증착된 박막의 막질을 향상시킬 수 있다.According to the solution of the above problem, the substrate processing apparatus according to the present invention is capable of locally reducing the plasma provided on a part of the substrate through the insulating plate, thereby reducing the plasma exposure time variation Thereby enabling a uniform plasma treatment process to be performed over the entire area of the substrate to improve the film quality of the thin film deposited on the substrate.

도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 도 1의 I-I'선의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 플라즈마 모듈부를 개략적으로 나타내는 분해 사시도이다.
도 4는 도 3의 Ⅱ-Ⅱ'선의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 3의 Ⅲ-Ⅲ'선의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 플라즈마 감쇠 부재의 배치 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명에 있어서, 기판 지지부의 회전 각속도에 따른 플라즈마 노출 편차를 설명하기 위한 도면이다.
도 8 내지 도 12는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 감쇠 부재의 다양한 변형 실시 예를 설명하기 위한 도면들이다.
도 13은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 14는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 15는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 16은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 17은 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 18은 본 발명의 제 1 내지 제 5 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 가스 분사 모듈의 변형 실시 예를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a view for explaining a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing a cross section taken along the line I-I 'in Fig.
3 is an exploded perspective view schematically showing the plasma module portion shown in FIG.
4 is a cross-sectional view taken along the line II-II 'in Fig. 3;
5 is a cross-sectional view taken along line III-III 'of FIG. 3;
6 is a view for explaining an arrangement structure of a plasma attenuating member according to the present invention.
7 is a view for explaining a plasma exposure deviation according to a rotational angular velocity of a substrate supporting part in the present invention.
8 to 12 are views for explaining various modified embodiments of the plasma attenuating member according to the embodiment of the present invention.
13 is a plan view for explaining a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
14 is a perspective view for explaining a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
15 is a plan view for explaining a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
16 is a plan view for explaining a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
17 is a plan view for explaining a substrate processing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
18 is a cross-sectional view for explaining a modified embodiment of the gas injection module in the substrate processing apparatus according to the first to fifth embodiments of the present invention.

본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다. The meaning of the terms described herein should be understood as follows.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제 1", "제 2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.The word " first, "" second," and the like, used to distinguish one element from another, are to be understood to include plural representations unless the context clearly dictates otherwise. The scope of the right should not be limited by these terms.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the terms "comprises" or "having" does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.It should be understood that the term "at least one" includes all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of "at least one of the first item, the second item and the third item" means not only the first item, the second item or the third item, but also the second item and the second item among the first item, Means any combination of items that can be presented from more than one.

"상에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면에 형성되는 경우 뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다.The term "on" means not only when a configuration is formed directly on top of another configuration, but also when a third configuration is interposed between these configurations.

이하에서는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of a substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버(110), 기판 지지부(120), 챔버 리드(Chamber Lid; 130), 박막 증착 모듈부(140), 및 플라즈마 모듈부(150)를 포함한다.1, a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention includes a process chamber 110, a substrate support 120, a chamber lid 130, a thin film deposition module unit 140, And a module unit 150.

상기 공정 챔버(110)는 기판 처리 공정을 위한 공정 공간을 제공한다. 이를 위해, 공정 챔버(110)는 바닥면과 바닥면으로부터 수직하게 형성되어 공정 공간을 정의하는 챔버 측벽을 포함하여 이루어진다.The process chamber 110 provides a process space for the substrate processing process. To this end, the process chamber 110 comprises a chamber side wall that is formed vertically from the bottom and bottom surfaces to define a process space.

상기 공정 챔버(110)의 바닥면 및/또는 측면은 반응 공간의 가스 등을 배기시키기 위한 배기 장치(미도시)에 연통될 수 있다. 그리고, 상기 공정 챔버(110)의 적어도 일측 챔버 측벽에는 기판(10)이 반입되거나 반출되는 기판 출입구(미도시)가 설치되어 있다. 상기 기판 출입구(미도시)는 상기 공정 공간의 내부를 밀폐시키는 챔버 밀폐 수단(미도시)을 포함하여 이루어진다.The bottom surface and / or the side surface of the process chamber 110 may communicate with an exhaust device (not shown) for evacuating gas or the like in the reaction space. At least one side wall of the chamber of the process chamber 110 is provided with a substrate entrance (not shown) through which the substrate 10 is introduced or unloaded. The substrate inlet (not shown) includes chamber sealing means (not shown) for sealing the inside of the process space.

상기 기판 지지부(120)는 공정 챔버(110)의 내부 바닥면에 회전 가능하게 설치된다. 이러한, 기판 지지부(120)는 공정 챔버(110)의 중앙 바닥면을 관통하는 회전축(미도시)에 의해 지지되며, 전기적으로 접지되거나, 일정한 전위(예를 들어, 양전위, 음전위 또는 플로팅(floating)될 수 있다. 이때, 공정 챔버(110)의 하면 외부로 노출되는 회전축은 공정 챔버(110)의 하면에 설치되는 벨로우즈(미도시)에 의해 밀폐된다.The substrate support 120 is rotatably installed on the inner bottom surface of the process chamber 110. The substrate support 120 is supported by a rotation axis (not shown) through a central bottom surface of the process chamber 110 and may be electrically grounded or may have a constant potential (e.g., a positive potential, a negative potential, or a floating The rotary shaft exposed to the outside of the lower surface of the process chamber 110 is sealed by a bellows (not shown) provided on the lower surface of the process chamber 110.

상기 기판 지지부(120)는 외부의 기판 로딩 장치(미도시)로부터 로딩되는 적어도 하나의 기판(10)을 지지한다. 여기서, 상기 기판(10)은 반도체 기판 또는 웨이퍼가 될 수 있으며, 기판 지지부(120)의 상면에는 복수의 기판(10)이 일정한 간격으로 배치된다. 이러한 상기 기판 지지부(120)는 회전축의 회전에 따라 소정 방향(예를 들어, 시계 방향)으로 회전됨으로써 기판 지지부(120)의 회전 및 회전 속도에 따라 복수의 기판(10) 각각이 박막 증착 모듈부(140)와 플라즈마 모듈부(150) 각각의 하부를 지나가도록 한다. 이에 따라, 박막 증착 모듈부(140)의 하부를 지나가는 기판(10)은 박막 증착 모듈부(140)로부터 분사되는 공정 가스에 노출되고, 이로 인해 상기 기판(10) 상에서는 소정의 박막 증착을 위한 박막 증착 공정, 즉 ALD(Atomic Layer Deposition) 공정이 수행된다. 그리고, 플라즈마 모듈부(150)의 하부를 지나가는 기판(10)은 플라즈마 모듈부(150)에서 제공되는 플라즈마에 노출되고, 이로 인해 기판(10) 상에서는 박막의 막질 개선을 위한 플라즈마 트리트먼트 공정(plasma treatment process)이 수행된다.The substrate support 120 supports at least one substrate 10 loaded from an external substrate loading device (not shown). Here, the substrate 10 may be a semiconductor substrate or a wafer, and a plurality of substrates 10 are disposed on the upper surface of the substrate support 120 at regular intervals. The substrate supporting portion 120 is rotated in a predetermined direction (for example, clockwise) in accordance with the rotation of the rotating shaft so that the plurality of substrates 10 are moved in accordance with the rotation and rotation speed of the substrate supporting portion 120, The plasma module unit 150 and the plasma module unit 150, respectively. The substrate 10 passing under the thin film deposition module unit 140 is exposed to the process gas injected from the thin film deposition module unit 140 so that the thin film deposition module unit 140, A deposition process, that is, an ALD (Atomic Layer Deposition) process is performed. The substrate 10 passing under the plasma module unit 150 is exposed to the plasma provided by the plasma module unit 150 so that a plasma treatment process for improving the film quality of the thin film treatment process is performed.

상기 챔버 리드(130)는 공정 챔버(110)의 상부에 설치되어 상기 공정 챔버(110)에 의해 마련되는 상기 공정 공간을 밀폐한다. 여기서, 상기 챔버 리드(130)와 상기 공정 챔버(110) 사이에는 기밀 부재(미도시)가 설치될 수 있다.The chamber lid 130 is installed at an upper portion of the process chamber 110 to seal the process space provided by the process chamber 110. Here, a hermetic member (not shown) may be installed between the chamber lid 130 and the process chamber 110.

그리고, 상기 챔버 리드(130)는 박막 증착 모듈부(140)와 플라즈마 모듈부(150) 각각을 지지한다. 이를 위해, 상기 챔버 리드(130)에는 복수의 모듈 설치부(130a, 130b, 130c, 130d)가 형성되어 있다.The chamber lid 130 supports the thin film deposition module unit 140 and the plasma module unit 150, respectively. To this end, a plurality of module installation portions 130a, 130b, 130c, and 130d are formed in the chamber lid 130. [

상기 복수의 모듈 설치부(130a, 130b, 130c, 130d)는 챔버 리드(130)의 중심점을 기준으로 산개, 즉 상기 중심점을 기준으로 균일한 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 중심점을 기준으로 소정의 각도로 각기 같거나 다른 각도로 이격되어 배치될 수 있다. 도 1에는 챔버 리드(130)에 4개의 모듈 설치부(130a, 130b, 130c, 130d)가 형성되어 있는 것으로 도시되어 있지만, 이에 한정되지 않고, 챔버 리드(130)는 중심점을 기준으로 산개하여 형성된 2N(단, N은 자연수)개 또는 2N+1개의 모듈 설치부를 포함하여 이루어질 수 있다. 이하의 설명에서는 챔버 리드(130)가 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(130a, 130b, 130c, 130d)를 포함하여 이루어지는 것으로 가정하기로 한다.The plurality of module mounting portions 130a, 130b, 130c, and 130d may be spaced apart from each other with reference to the center point of the chamber lid 130, that is, with reference to the center point. In addition, they may be disposed at the same or different angles with respect to the center point at predetermined angles. 1, four module mounting portions 130a, 130b, 130c, and 130d are formed in the chamber lid 130. However, the present invention is not limited thereto. The chamber lid 130 may be formed by spreading 2N (where N is a natural number) or 2N + 1 module mounting portions. In the following description, it is assumed that the chamber lid 130 includes the first through fourth module mounting portions 130a, 130b, 130c, and 130d.

상기 박막 증착 모듈부(140)는 상기 기판 지지부(120)에 국부적으로 마주보도록 상기 챔버 리드(130)의 제 1 내지 제 3 모듈 설치부(130a, 130b, 130c)에 분리 가능하게 설치되어, 외부로부터 공급되는 공정 가스를 상기 기판 지지부(120) 상에 국부적으로 하향 분사함으로써 기판(10) 상에 소정의 박막이 증착되도록 한다. 이를 위해, 상기 박막 증착 모듈부(140)는 제 1 내지 제 3 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c)을 포함하여 구성될 수 있다.The thin film deposition module unit 140 is detachably installed on the first to third module installation parts 130a, 130b and 130c of the chamber lid 130 so as to locally face the substrate supporting part 120, A predetermined thin film is deposited on the substrate 10 by locally spraying down the process gas supplied from the substrate supporting part 120. [ For this, the thin film deposition module unit 140 may include first to third gas injection modules 140a, 140b, and 140c.

상기 제 1 가스 분사 모듈(140a)은 상기 기판 지지부(120) 상에 정의된 제 1 가스 분사 영역과 마주보도록 상기 챔버 리드(130)에 분리 가능하게 설치되어, 외부의 소스 가스 공급부(미도시)로부터 공급되는 소스 가스를 상기 제 1 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 여기서, 상기 소스 가스는 기판(10) 상에 증착될 박막의 주요 재질을 포함하여 이루어지는 가스로서, 산화막, HQ(hydroquinone) 산화막, High-K 물질의 박막, 실리콘(Si), 티탄족 원소(Ti, Zr, Hf 등), 또는 알루미늄(Al) 물질을 포함하는 가스로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 티타늄(Ti)을 포함하여 이루어지는 소스 가스는 사염화티타늄(TiCl4) 가스 등이 될 수 있으며, 실리콘(Si) 물질을 포함하는 소스 가스로는 실란(Silane; SiH4), 디실란(Disilane; Si2H6), 트리실란(Trisilane; Si3H8), TEOS(Tetraethylorthosilicate), DCS(Dichlorosilane), HCD(Hexachlorosilane), TriDMAS(Tri-dimethylaminosilane) 및 TSA(Trisilylamine) 등이 될 수 있다.The first gas injection module 140a is detachably installed in the chamber lid 130 so as to face the first gas injection region defined on the substrate support 120 and includes an external source gas supply unit To the first gas injection area. Here, the source gas is a gas containing a main material of a thin film to be deposited on the substrate 10, and may be an oxide film, a HQ (hydroquinone) oxide film, a thin film of a high-K material, a silicon (Si) , Zr, Hf, etc.), or an aluminum (Al) material. For example, the source gas including titanium (Ti) may be titanium tetrachloride (TiCl 4 ) gas and the source gas containing silicon (Si) may include silane (SiH 4 ), disilane Disilane; Si 2 H 6), trisilane (trisilane; may be a Si 3 H 8), TEOS ( Tetraethylorthosilicate), DCS (Dichlorosilane), HCD (Hexachlorosilane), TriDMAS (Tri-dimethylaminosilane) and TSA (Trisilylamine) .

상기 제 1 가스 분사 모듈(140a)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 하우징(210), 및 복수의 가스 공급 홀(220)을 포함하여 구성된다. 상기 하우징(210)은 하면이 개구되어 마련되는 가스 분사 공간(212)을 가지도록 사각 상자 형태로 형성되어 챔버 리드(130)에 마련된 제 1 모듈 설치부(130a)에 분리 가능하게 삽입 설치된다. 일 실시 예에 따른 하우징(210)은 챔버 리드(130)의 상면에 결합되어 챔버 리드(130)에 전기적으로 접지되는 접지 플레이트(210a), 및 접지 플레이트(210a)의 하면 가장자리 부분으로부터 소정 높이를 가지도록 돌출되어 가스 분사 공간(212)을 마련하는 접지 측벽(210b)을 포함하여 구성된다. 상기 복수의 가스 공급 홀(220)은 상기 접지 플레이트(210a)를 적어도 1열로 수직 관통하도록 형성되어 상기 가스 분사 공간(212)에 연통된다. 이러한 복수의 가스 공급 홀(220)은 가스 공급관(미도시)을 통해 소스 가스 공급부로부터 공급되는 소스 가스(SG)를 가스 분사 공간(212)에 공급한다. 이에 따라, 상기 가스 분사 공간(212)에 공급되는 소스 가스(SG)는 기판 지지부(120)의 회전에 따라 이동되어 상기 제 1 가스 분사 모듈(140a)의 하부, 즉 제 1 가스 분사 영역을 통과하는 기판(10)의 전영역에 분사되게 된다.The first gas injection module 140a includes a housing 210 and a plurality of gas supply holes 220 as shown in FIG. The housing 210 is formed in a rectangular box shape so as to have a gas injection space 212 opened at a lower surface thereof and detachably inserted into a first module installation part 130a provided in the chamber lid 130. [ The housing 210 according to one embodiment includes a ground plate 210a coupled to an upper surface of the chamber lid 130 and electrically grounded to the chamber lid 130 and a ground plate 210b having a predetermined height from the bottom edge of the ground plate 210a And a ground sidewall 210b protruding so as to have a gas injection space 212 therebetween. The plurality of gas supply holes 220 are formed to vertically penetrate the ground plate 210a in at least one row and communicate with the gas injection space 212. The plurality of gas supply holes 220 supply the source gas SG supplied from the source gas supply unit through a gas supply pipe (not shown) to the gas injection space 212. The source gas SG supplied to the gas injection space 212 is moved in accordance with the rotation of the substrate supporter 120 and passes through the lower portion of the first gas injection module 140a, The entire area of the substrate 10 is sprayed.

상기 제 1 가스 분사 모듈(140a)은 상기 챔버 리드(130)에 일정한 간격을 가지도록 복수로 설치될 수 있다. 즉, 상기 챔버 리드(130)에는 적어도 하나의 제 1 가스 분사 모듈(140a)이 설치될 수 있다.The first gas injection module 140a may be installed in the chamber lid 130 at a predetermined interval. That is, the chamber lid 130 may be provided with at least one first gas injection module 140a.

다시 도 1에서, 상기 제 2 및 제 3 가스 분사 모듈(140b, 140c) 각각은 상기 제 1 가스 분사 영역과 공간적으로 분리되면서 상기 기판 지지부(120) 상에 정의된 제 2 및 제 3 가스 분사 영역에 각각 마주보도록 상기 챔버 리드(130)에 마련된 제 2 및 제 3 모듈 설치부(130b, 130c)에 각각 분리 가능하게 설치되어, 외부의 반응 가스 공급부(미도시)로부터 공급되는 반응 가스를 상기 제 2 및 제 3 가스 분사 영역 각각에 하향 분사한다. 여기서, 상기 반응 가스는 기판(10) 상에 증착될 박막의 일부 재질을 포함하도록 이루어져 상기 소스 가스와 반응하여 최종적인 박막을 형성하는 가스로서, 수소(H2), 질소(N2), 산소(O2), 수소(H2)/질소(N2), 이산화질소(NO2) 가스, 아산화질소(N2O), 암모니아(NH3), 증기(H2O), 또는 오존(O3) 등이 될 수 있다. 이러한 상기 반응 가스는 아르곤(Ar), 제논(Ze), 헬륨(He), 또는 아르곤(Ar)/헬륨(He) 등의 가스와 함께 분사될 수 있다.Referring again to FIG. 1, each of the second and third gas injection modules 140b and 140c includes a first gas injection region and a second gas injection region, which are spatially separated from the first gas injection region, 130c provided in the chamber lid 130 so as to face the first and second module mounting portions 130a, 130b, respectively, so that the reaction gas supplied from an external reaction gas supply portion (not shown) 2 and the third gas injection area, respectively. The reactive gas includes a part of the thin film to be deposited on the substrate 10 and reacts with the source gas to form a final thin film. The reactive gas includes hydrogen (H 2 ), nitrogen (N 2 ), oxygen (O 2), hydrogen (H 2) / nitrogen (N 2), nitrogen dioxide (NO 2) gas, nitrous oxide (N 2 O), ammonia (NH 3), steam (H 2 O), or ozone (O 3 ) And the like. Such a reactive gas may be injected together with a gas such as argon (Ar), xenon (Ze), helium (He), or argon (Ar) / helium (He).

상기 제 2 및 제 3 가스 분사 모듈(140b, 140c) 각각은, 도 2에 도시된 바와 같이, 하우징(210), 및 가스 공급 홀(220)을 포함하여 구성되는 것으로, 이는 전술한 제 1 가스 분사 모듈(140a)과 동일하므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다. 이러한 상기 제 2 및 제 3 가스 분사 모듈(140b, 140c) 각각은 가스 공급 홀(220)을 통해 외부의 반응 가스 공급부로부터 가스 분사 공간(212)에 공급되는 반응 가스(RG)를, 기판 지지부(120)의 회전에 따라 이동되어 상기 제 2 및 제 3 가스 분사 영역을 각각 통과하는 기판(10)의 전영역에 분사한다.Each of the second and third gas injection modules 140b and 140c includes a housing 210 and a gas supply hole 220 as shown in FIG. The same as the injection module 140a, and thus a duplicate description thereof will be omitted. Each of the second and third gas injection modules 140b and 140c may supply the reaction gas RG supplied from the external reaction gas supply part to the gas injection space 212 through the gas supply hole 220, 120 and is sprayed to the entire area of the substrate 10 passing through the second and third gas injection areas.

상기 플라즈마 모듈부(150)는 상기 제 1 내지 제 3 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c) 각각과 공간적으로 분리되면서 상기 기판 지지부(120) 상에 정의된 플라즈마 트리트먼트 영역에 마주보도록 상기 챔버 리드(130)에 마련된 제 4 모듈 설치부(130d)에 분리 가능하게 설치된다. 이러한 상기 플라즈마 모듈부(150)는 외부의 트리트먼트 가스 공급부(미도시)로부터 공급되는 트리트먼트 가스와 외부의 플라즈마 전원 공급부(미도시)로부터 공급되는 플라즈마 전원에 따라 플라즈마를 형성하여 기판(10)에 제공한다. 여기서, 상기 트리트먼트 가스는 수소(H2), 질소(N2), 수소(H2)/질소(N2), 암모니아(NH3), 염소(Cl), 또는 산소(O2) 등이 될 수 있다. 이러한 상기 트리트먼트 가스는 아르곤(Ar), 제논(Ze), 헬륨(He), 또는 아르곤(Ar)/헬륨(He) 등의 가스와 함께 상기 플라즈마 모듈부(150)에 공급될 수 있다.The plasma module unit 150 is spatially separated from each of the first to third gas injection modules 140a, 140b and 140c, and is arranged to face the plasma treatment area defined on the substrate support unit 120, And a fourth module installation part 130d provided in the first module installation part 130. [ The plasma module 150 forms a plasma according to a treatment gas supplied from an external treatment gas supply unit (not shown) and a plasma power source supplied from an external plasma power supply unit (not shown) . Here, the treatment gas may include hydrogen (H 2), nitrogen (N 2), hydrogen (H 2) / nitrogen (N 2), ammonia (NH 3), chlorine (Cl), or oxygen (O 2) . Such a treatment gas may be supplied to the plasma module unit 150 together with a gas such as argon (Ar), xenon (Ze), helium (He), or argon (Ar) / helium (He).

상기 플라즈마 모듈부(150)는 상기 기판 지지부(120)의 회전에 따라 상기 플라즈마 트리트먼트 영역을 통과하는 기판(10)에 플라즈마를 제공함으로써 상기 박막 증착 모듈부(140)에 의해 기판(10) 상에 증착된 박막의 표면 및 내부에 존재하는 불순물 등을 제거하여 상기 박막의 막질, 계면 특성, 접착력, 내식성, 저항성 등을 개선시킨다. 이를 위해, 상기 플라즈마 모듈부(150)는, 도 3 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 상부 플레이트(311), 제 1 전극(312), 한 쌍의 제 2 전극(313a, 313b), 제 1 절연체(314), 전원 전달 부재(315), 제 2 절연체(316), 트리트먼트 가스 공급 홀(317), 및 플라즈마 감쇠 부재(318)를 포함하여 구성될 수 있다.The plasma module unit 150 may apply plasma to the substrate 10 passing through the plasma treatment area in accordance with the rotation of the substrate support unit 120 so that the plasma is irradiated on the substrate 10 by the thin film deposition module unit 140 The interface property, the adhesive strength, the corrosion resistance, the resistance and the like of the thin film are removed by removing impurities existing on the surface and inside of the thin film deposited on the substrate. 3 to 6, the plasma module unit 150 includes an upper plate 311, a first electrode 312, a pair of second electrodes 313a and 313b, And may include an insulator 314, a power supply transmitting member 315, a second insulator 316, a treatment gas supply hole 317, and a plasma attenuation member 318.

상기 상부 플레이트(311)는 상기 챔버 리드(130)에 마련된 제 4 모듈 설치부(130d)를 덮도록 챔버 리드(130)의 상면에 결합되어 제 1 전극(312)과 한 쌍의 제 2 전극(313a, 313b)을 지지한다.The upper plate 311 is coupled to the upper surface of the chamber lid 130 to cover the fourth module mounting portion 130d provided in the chamber lid 130 and includes a first electrode 312 and a pair of second electrodes 313a, and 313b.

상기 제 1 전극(312)은 상기 상부 플레이트(311)의 하면에 결합되어 제 4 모듈 설치부(130d)에 삽입 배치됨으로써 제 4 모듈 설치부(130d)를 정의하는 챔버 리드(130)의 각 측벽에 의해 둘러싸인다. 여기서, 일 실시 예에 따른 제 1 전극(312)은 서로 나란한 내측 격벽(312a)과 외측 격벽(312b), 및 내측 격벽(312a)과 외측 격벽(312b) 사이에 결합된 중간 격벽(312c)을 포함하도록 평면적으로 "I"자 형태를 가지도록 형성될 수 있다. 상기 내측 격벽(312a)과 외측 격벽(312b)은 기판(10)의 직경보다 큰 거리로 이격된다. 이러한 제 1 전극(312)은 상부 플레이트(311)를 통해 챔버 리드(130)에 전기적으로 연결되어 전기적으로 접지 상태이므로, 이하의 설명에서는 제 1 전극(312)을 접지 전극(312)이라 정의하기로 한다.The first electrode 312 is coupled to the lower surface of the upper plate 311 and inserted into the fourth module mounting portion 130d so that the first electrode 312 can be inserted into the chamber lid 130 of the chamber lid 130 defining the fourth module mounting portion 130d, . The first electrode 312 according to an embodiment includes an inner barrier 312a and an outer barrier 312b and a middle barrier 312c coupled between the inner barrier 312a and the outer barrier 312b. May be formed to have an "I" The inner partitions 312a and the outer partitions 312b are spaced apart from each other by a distance greater than the diameter of the substrate 10. Since the first electrode 312 is electrically connected to the chamber lead 130 through the upper plate 311 and is electrically grounded, the first electrode 312 is defined as the ground electrode 312 .

상기 제 1 전극(312)의 내측 격벽(312a)은 상기 기판 지지부(120)에 지지된 기판(10)의 탑(top) 부분(TA)에 중첩되도록 배치되고, 상기 제 1 전극(312)의 외측 격벽(312b)은 상기 기판 지지부(120)에 지지된 기판(10)의 버텀(bottom) 부분(BA)에 중첩되도록 배치될 수 있다. 여기서, 기판(10)의 탑 부분(TA)은 기판 지지부(120)의 중심부에 인접한 기판(10)의 내측 영역으로 정의될 수 있고, 기판(10)의 버텀 부분(BA)은 기판 지지부(120)의 가장자리 부분에 인접한 기판(10)의 외측 영역으로 정의될 수 있다.The inner partitions 312a of the first electrode 312 are arranged to overlap the top part TA of the substrate 10 supported by the substrate supporting part 120, The outer barrier ribs 312b may be disposed to overlap the bottom portion BA of the substrate 10 supported by the substrate support 120. The top portion TA of the substrate 10 may be defined as an inner region of the substrate 10 adjacent to the central portion of the substrate supporting portion 120 and the bottom portion BA of the substrate 10 may be defined by the substrate supporting portion 120 The outer region of the substrate 10 adjacent to the edge portion of the substrate 10 can be defined.

상기 한 쌍의 제 2 전극(313a, 313b) 각각은 소정의 갭 공간(GS1, GS2)을 사이에 두고 상기 제 1 전극(312), 보다 구체적으로는 중간 격벽(312c)과 나란하도록 배치됨으로써 상기 제 1 전극(312)과 제 4 모듈 설치부(130d)를 정의하는 챔버 리드(130)의 각 측벽에 의해 둘러싸인다. 여기서, 상기 한 쌍의 제 2 전극(313a, 313b) 각각은 상기 중간 격벽(312c)의 장변과 나란한 직사각 형태의 단면을 가지도록 형성될 수 있다. 이러한 상기 한 쌍의 제 2 전극(313a, 313b) 각각의 상면에는 일정한 높이로 형성된 급전봉(313c)이 형성되어 있으며, 상기 급전봉(313c)은 상기 제 1 절연체(314)를 관통하여 상기 상부 플레이트(311)에 형성된 전극 설치 홀(311a)에 삽입된다. 여기서, 상기 한 쌍의 제 2 전극(313a, 313b)에는 상기 급전봉(313c)으로부터 플라즈마 전원이 공급되므로 이하의 설명에서는 상기 한 쌍의 제 2 전극(313a, 313b)을 제 1 및 제 2 플라즈마 전극(313a, 313b)이라 각각 정의하기로 한다.Each of the pair of second electrodes 313a and 313b is disposed to be parallel to the first electrode 312 and more specifically to the intermediate partition 312c with a predetermined gap space GS1 and GS2 interposed therebetween, And is surrounded by the respective side walls of the chamber lid 130 defining the first electrode 312 and the fourth module mounting portion 130d. Here, each of the pair of second electrodes 313a and 313b may be formed to have a rectangular cross section parallel to the long side of the intermediate partition 312c. A power feed rod 313c formed at a predetermined height is formed on the upper surface of each of the pair of second electrodes 313a and 313b and the power feed rod 313c penetrates the first insulator 314, And is inserted into the electrode mounting hole 311a formed in the plate 311. [ Since the pair of second electrodes 313a and 313b are supplied with plasma power from the power supply rod 313c in the following description, the pair of second electrodes 313a and 313b are connected to the first and second plasma Electrodes 313a and 313b, respectively.

상기 제 1 플라즈마 전극(313a)과 상기 중간 격벽(312c)의 일측면 사이에는 제 1 갭 공간(GS1)이 마련되고, 상기 제 2 플라즈마 전극(313b)과 상기 중간 격벽(312c)의 타측면 사이에는 제 2 갭 공간(GS2)이 마련된다.A first gap space GS1 is provided between one side of the first plasma electrode 313a and one side of the middle partition wall 312c and between the other side of the middle partition wall 312c and the second plasma electrode 313b. A second gap space GS2 is provided.

상기 제 1 절연체(314)는 상기 한 쌍의 제 2 전극(313a, 313b) 각각과 상기 상부 플레이트(311) 사이에 형성되어 상기 플라즈마 전극(313a, 313b)을 전기적으로 절연시킴으로써 전기적으로 접지 상태인 상부 플레이트(311)와 상기 플라즈마 전극(313a, 313b) 간의 전기적인 접속을 방지한다. 여기서, 상기 제 1 절연체(314a)는 상기 플라즈마 전극(313a, 313b)의 상부 면적보다 상대적으로 넓은 면적을 가지도록 형성될 수도 있는데, 이 경우 상기 제 1 절연체(314a)는 상기 플라즈마 전극(313a, 313b)의 각 측면과 상부 플레이트(311) 사이에 전기장이 형성되는 것을 방지할 수 있다.The first insulator 314 is formed between each of the pair of second electrodes 313a and 313b and the top plate 311 to electrically isolate the plasma electrodes 313a and 313b, Thereby preventing electrical connection between the upper plate 311 and the plasma electrodes 313a and 313b. In this case, the first insulator 314a may be formed to have a relatively larger area than the upper area of the plasma electrodes 313a and 313b. In this case, the first insulator 314a may be formed of the plasma electrodes 313a, It is possible to prevent an electric field from being formed between each side surface of the lower plate 313a and the upper plate 311. [

상기 전원 전달 부재(315)는 상기 상부 플레이트(311)에 형성된 전극 설치 홀(311a)을 덮도록 상기 상부 플레이트(311)에 설치된다. 이러한 상기 전원 전달 부재(315)는 상기 전극 설치 홀(311a) 내부에서 상기 플라즈마 전극(313a, 313b)의 급전봉(313b)과 전기적으로 접속되도록 결합됨으로써 외부의 플라즈마 전원 공급부(160)로부터 공급되는 플라즈마 전원을 상기 플라즈마 전극(313a, 313b)에 공급한다. 또한, 상기 전원 전달 부재(315)는 상기 플라즈마 전극(313a, 313b)을 지지하는 역할도 한다.The power transmitting member 315 is installed on the upper plate 311 to cover the electrode mounting hole 311a formed in the upper plate 311. [ The power transmission member 315 is connected to the power supply rod 313b of the plasma electrodes 313a and 313b in the electrode mounting hole 311a to be supplied from an external plasma power supply unit 160 And supplies the plasma power to the plasma electrodes 313a and 313b. Further, the power transmission member 315 also serves to support the plasma electrodes 313a and 313b.

상기 제 2 절연체(316)는 상기 전원 전달 부재(315)와 상기 플라즈마 전극(313a, 313b)의 급전봉(313b) 각각과 상기 상부 플레이트(311) 사이에 형성되어 상기 전원 전달 부재(315)와 상기 플라즈마 전극(313a, 313b)의 급전봉(313b) 각각을 전기적으로 절연시키는 역할을 한다.The second insulator 316 is formed between the power supply member 315 and each of the power supply rods 313b of the plasma electrodes 313a and 313b and the upper plate 311, And electrically insulates each of the feed rods 313b of the plasma electrodes 313a and 313b.

상기 트리트먼트 가스 공급 홀(317)은 상기 갭 공간(GS1, GS2)과 중첩되도록 상기 상부 플레이트(311)를 수직 관통하여 형성된다. 이러한 상기 트리트먼트 가스 공급 홀(317)은 외부의 트리트먼트 가스 공급부로부터 공급되는 트리트먼트 가스(TG)를 상기 갭 공간(GS1, GS2)에 공급한다. 이때, 상기 트리트먼트 가스 공급 홀(317)은 상기 갭 공간(GS1, GS2)과 중첩되도록 상기 상부 플레이트(311)에 복수로 형성될 수 있으며, 이 경우 복수의 트리트먼트 가스 공급 홀(317)은 적어도 1열로 배열될 수 있다.The treatment gas supply hole 317 is vertically formed through the upper plate 311 so as to overlap with the gap spaces GS1 and GS2. The treatment gas supply hole 317 supplies a treatment gas TG supplied from an external treatment gas supply unit to the gap spaces GS1 and GS2. At this time, the treatment gas supply holes 317 may be formed in the upper plate 311 so as to overlap with the gap spaces GS1 and GS2. In this case, a plurality of treatment gas supply holes 317 And may be arranged in at least one row.

상기 플라즈마 감쇠 부재(318)는 상기 플라즈마 전극(313a, 313b)의 하면으로부터 이격되면서 상기 갭 공간(GS1, GS2)의 하면 일부를 덮도록 상기 접지 전극(312)의 하면에 결합된 절연 플레이트를 포함하여 구성될 수 있다. 여기서, 상기 플라즈마 감쇠 부재(318)는 스크류 또는 볼트에 의해 상기 접지 전극(312)의 하면에 결합되어 상기 플라즈마 전극(313a, 313b)의 하면과 일정한 거리로 이격된다. 이러한 상기 플라즈마 감쇠 부재(318)는 갭 공간(GS1, GS2)으로부터 기판(10)에 제공되는 플라즈마 중 기판(10)의 일부에 제공되는 플라즈마를 국부적으로 감쇠시킴으로써 기판 지지부(120)의 회전 각속도에 따라 기판(10)에 제공되는 플라즈마의 편차를 최소화하고, 기판(10)의 전영역에 균일한 플라즈마가 제공되도록 하여 기판(10)의 전영역에 대해 균일한 플라즈마 트리트먼트 공정이 수행되도록 한다.The plasma damping member 318 includes an insulating plate coupled to a lower surface of the ground electrode 312 so as to cover a part of a lower surface of the gap spaces GS1 and GS2 while being spaced apart from a lower surface of the plasma electrodes 313a and 313b . The plasma attenuation member 318 is coupled to the lower surface of the ground electrode 312 by a screw or bolt and is spaced apart from the lower surface of the plasma electrodes 313a and 313b by a predetermined distance. The plasma attenuating member 318 locally attenuates the plasma supplied to the portion of the substrate 10 among the plasma provided to the substrate 10 from the gap spaces GS1 and GS2 to thereby reduce the rotational angular velocity of the substrate supporter 120 Thereby minimizing the deviation of the plasma provided to the substrate 10 and providing a uniform plasma over the entire area of the substrate 10 so that a uniform plasma treatment process is performed over the entire area of the substrate 10. [

구체적으로, 상기 플라즈마 트리트먼트 공정을 위해 상기 갭 공간(GS1, GS2)에 형성되는 플라즈마는 기판(10)에 제공되는데, 이때, 기판(10)의 영역마다 플라즈마 노출 시간은 기판 지지부(120)의 회전 각속도에 따라 달라지게 된다. 예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 기판 지지부(120)의 중심부(CNT)에 대한 기판(10)의 버텀 부분(BA)의 반지름(r2)이 기판(10)의 탑 부분(TA)의 반지름(r1)보다 길기 때문에, 기판(10)이 기판 지지부(120)에 고정된 상태에서 기판 지지부(120)가 회전하게 되면, 상기 버텀 부분(BA)의 원주율(2πr2)이 상기 탑 부분(TA)의 원주율(2πr1)보다 길게 된다. 이러한 원주율(2πr1, 2πr2)의 편차에 의해 상기 기판(10)의 탑 부분(TA)과 상기 버텀 부분(BA) 간의 플라즈마 노출 편차(2π(r2-r1))가 발생하고, 이로 인해 상기 기판(10)의 탑 부분(TA) 대비 상기 버텀 부분(BA)의 플라즈마 노출 시간이 감쇠하게 된다.Plasma formed in the gap spaces GS1 and GS2 for the plasma treatment process is provided to the substrate 10. At this time, the plasma exposure time for each region of the substrate 10 is set to be longer than the plasma exposure time Depending on the rotational angular velocity. 7, the radius r2 of the bottom portion BA of the substrate 10 with respect to the center portion CNT of the substrate supporting portion 120 is set to be smaller than the radius of the top portion TA of the substrate 10, The radius r1 of the bottom portion BA is longer than the radius r1 of the bottom portion BA so that the substrate supporting portion 120 rotates while the substrate 10 is fixed to the substrate supporting portion 120, TA is greater than the circumferential ratio 2? The deviation of the circularity ratios 2πr1 and 2πr2 causes a plasma exposure deviation 2π (r2-r1) between the top portion TA and the bottom portion BA of the substrate 10, The plasma exposure time of the bottom portion BA with respect to the top portion TA of the plasma display panel 10 is attenuated.

위와 같은 기판 지지부(120)의 회전 각속도에 따라 기판(10)의 플라즈마 노출 편차를 최소화하기 위해, 상기 플라즈마 감쇠 부재(318)는 기판(10)의 탑 부분(TA)에 중첩되도록 평면적으로 사각 형태로 형성되어 상기 제 1 전극(312)의 하면에 결합될 수 있다. 이때, 상기 플라즈마 감쇠 부재(318)는 세라믹 등의 절연 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 기판(10)의 탑 부분(TA)에 제공되는 플라즈마를 감소 내지 차폐시키기 위한 재질로 이루어질 수 있다. 따라서, 상기 플라즈마 감쇠 부재(318)는 상기 기판 지지부(120)에 지지된 각 기판(10)의 탑 부분(TA)에 중첩되도록 상기 제 1 전극(312)의 하면에 결합되어 기판(10)의 탑 부분(TA)으로 제공되는 플라즈마를 감쇠(또는 차폐)시킴으로써 기판 지지부(120)의 회전 각속도에 따라 기판(10)에 제공되는 플라즈마의 편차를 최소화한다.The plasma attenuating member 318 may be formed in a rectangular shape so as to overlap with the top portion TA of the substrate 10 in order to minimize the plasma exposure variation of the substrate 10 in accordance with the rotational angular velocity of the substrate supporting portion 120. [ And may be coupled to the lower surface of the first electrode 312. At this time, the plasma attenuating member 318 may be made of an insulating material such as ceramics, but it is not limited thereto and may be made of a material for reducing or shielding the plasma provided to the top portion TA of the substrate 10 . The plasma attenuating member 318 is coupled to the lower surface of the first electrode 312 so as to overlap the top portion TA of each substrate 10 supported by the substrate supporter 120, The plasma provided to the top portion TA is attenuated (or shielded) to minimize the deviation of the plasma provided to the substrate 10 according to the rotational angular velocity of the substrate supporting portion 120.

이와 같은, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 박막 증착 공정을 설명하면 다음과 같다.The thin film deposition process using the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention will now be described.

먼저, 복수의 기판(10)을 기판 지지부(120)에 일정한 간격으로 로딩시켜 안착시킨다.First, a plurality of substrates 10 are loaded on the substrate support 120 at regular intervals to be placed thereon.

그런 다음, 복수의 기판(10)이 로딩되어 안착된 기판 지지부(120)를 소정 방향(예를 들어, 시계 방향)으로 회전시킨다.Then, the plurality of substrates 10 are loaded and rotated to rotate the substrate support 120 in a predetermined direction (e.g., clockwise).

이어서, 상기 박막 증착 모듈부(140)를 통해 공간적으로 분리되는 소스 가스(SG)와 반응 가스(RG)를 기판 지지부(120) 상에 분사한다. 이와 동시에 상기 플라즈마 모듈부(150)를 통해 상기 갭 공간에 플라즈마를 형성한다. 이때, 소스 가스(SG)와 반응 가스(RG) 각각은 공정 챔버(110)의 공정 공간 내에서 ALD 공정과 플라즈마 트리트먼트 공정이 1 싸이클 내에서 순차적으로 수행되거나 1 싸이클 마다 순차적(또는 교번적)으로 수행되도록 동시에 분사되거나 순차적으로 분사될 수 있다. 여기서, 상기 1 싸이클은 상기 기판 지지부(120)의 1 회전으로 정의될 수 있다.A source gas SG and a reactive gas RG spatially separated through the thin film deposition module unit 140 are sprayed onto the substrate supporting unit 120. At the same time, a plasma is formed in the gap space through the plasma module unit 150. At this time, each of the source gas SG and the reactive gas RG may be sequentially performed in one cycle in the ALD process and the plasma treatment process in the process space of the process chamber 110 or sequentially (or alternately) Or may be injected sequentially. Here, the one cycle may be defined as one rotation of the substrate supporting unit 120.

이에 따라, 복수의 기판(10) 각각은 기판 지지부(120)의 회전에 따라 상기 제 1 내지 제 3 가스 분사 영역 각각을 통과함으로써 상기 제 1 내지 제 3 가스 분사 영역에 분사되는 소스 가스(SG)와 반응 가스(RG)에 순차적으로 노출되고, 이로 인해 복수의 기판(10) 각각에는 소스 가스(SG)와 반응 가스(RG)의 상호 반응에 의해 소정의 박막이 증착된다. 그리고, 소정의 박막이 증착된 기판(10)은 기판 지지부(120)의 회전에 따라 상기 플라즈마 트리트먼트 영역을 통과하면서 상기 플라즈마 모듈부(150)에서 제공되는 플라즈마에 노출되고, 이로 인해 기판(10)에 증착된 박막에 대한 플라즈마 트리트먼트 공정에 의해 박막의 표면 및 내부에 존재하는 불순물 등이 제거되어 박막의 막질이 개선되게 된다. 이때, 각 기판(10)에 제공되는 플라즈마의 일부가 상기 플라즈마 모듈부(150)의 하면에 설치된 플라즈마 감쇠 부재(318)에 의해 감쇠되어 상기 기판 지지부(120)의 회전 각속도에 따른 플라즈마 노출 시간의 편차가 보상됨으로써 각 기판(10)의 전영역에 걸쳐 균일한 플라즈마 트리트먼트 공정이 수행되게 된다.Accordingly, each of the plurality of substrates 10 passes through each of the first to third gas injection regions according to the rotation of the substrate support 120, thereby forming a source gas SG injected into the first to third gas injection regions, And the reactive gas RG are sequentially exposed to the substrate 10 so that a predetermined thin film is deposited on each of the plurality of substrates 10 by mutual reaction of the source gas SG and the reactive gas RG. The substrate 10 on which a predetermined thin film is deposited is exposed to the plasma provided in the plasma module unit 150 while passing through the plasma treatment region in accordance with the rotation of the substrate supporting unit 120, The impurities existing on the surface and inside of the thin film are removed by the plasma treatment process to improve the film quality of the thin film. At this time, a part of the plasma supplied to each substrate 10 is attenuated by the plasma attenuating member 318 installed on the lower surface of the plasma module unit 150, and the plasma exposure time corresponding to the rotational angular velocity of the substrate supporting unit 120 A uniform plasma treatment process is performed over the entire area of each substrate 10 by compensating for the deviation.

일 예로서, 기판(10) 상에 질화티타늄(TiN) 박막을 증착할 경우, 상기 박막 증착 모듈부(140)의 제 1 가스 분사 모듈(140a)은 사염화티타늄(TiCl4) 가스를 포함하는 소스 가스(SG)를 분사하고, 상기 박막 증착 모듈부(140)의 제 2 및 제 3 가스 분사 모듈(140b, 140c) 각각은 암모니아(NH3) 가스로 이루어진 반응 가스(RG)를 분사하며, 상기 플라즈마 모듈부(150)는 수소(H2)/질소(N2) 가스로 이루어진 트리트먼트 가스에 따른 플라즈마를 기판(10)에 제공한다. 이에 따라, 기판 지지부(120)의 회전에 따라 상기 제 1 내지 제 3 가스 분사 영역 각각을 통과하는 기판(10) 상에는 상기 소스 가스(SG)와 상기 반응 가스(RG)의 상호 반응에 의해 질화티타늄(TiN) 박막이 증착된다. 그리고, 질화티타늄(TiN) 박막이 증착된 기판(10)은 상기 기판 지지부(120)의 회전에 따라 상기 플라즈마 트리트먼트 영역을 통과하면서 상기 플라즈마 모듈부(150)에서 제공되는 플라즈마에 노출되고, 이로 인해 기판(10)에 증착된 상기 질화티타늄(TiN) 박막의 표면 및 내부에 존재하는 염소(chlorine) 성분은 플라즈마화된 트리트먼트 가스와 결합하여 염화수소(HCl) 가스와 질소(N2) 가스로 되어 제거됨으로써 상기 질화티타늄(TiN) 박막의 계면 특성 등의 막질이 개선되게 된다. 이러한 플라즈마 트리트먼트 공정에서는 기판 지지부(120)의 회전 각속도에 따라 상대적으로 많은 시간 동안 플라즈마에 노출되는 기판(10)의 탑 부분(TA)에 제공되는 플라즈마가 상기 플라즈마 감쇠 부재(318)에 의해 감쇠됨으로써 박막의 막질 개선을 위한 플라즈마 트리트먼트 공정이 기판(10)의 전영역에 걸쳐 균일하게 수행되게 된다.As an example, the sources when depositing a titanium nitride (TiN) thin film on a substrate 10, a first gas injection module (140a) of the thin film deposition module 140 comprises titanium tetrachloride (TiCl 4) gas And the second and third gas injection modules 140b and 140c of the thin film deposition module unit 140 inject the reactive gas RG made of ammonia (NH 3 ) gas, The plasma module unit 150 provides a plasma to the substrate 10 in accordance with a treatment gas consisting of hydrogen (H 2 ) / nitrogen (N 2 ) gas. Accordingly, on the substrate 10 passing through each of the first to third gas injection regions in accordance with the rotation of the substrate supporter 120, the source gas SG and the reactive gas RG react with each other to form a titanium nitride (TiN) thin film is deposited. The substrate 10 on which the titanium nitride (TiN) thin film is deposited is exposed to the plasma provided in the plasma module unit 150 while passing through the plasma treatment region in accordance with the rotation of the substrate supporting unit 120, The chlorine component present on the surface and inside of the titanium nitride (TiN) thin film deposited on the substrate 10 is combined with the plasma treatment gas to form hydrogen chloride (HCl) gas and nitrogen (N 2) gas The film quality such as the interface characteristics of the titanium nitride (TiN) thin film is improved. In this plasma treatment process, the plasma provided to the top portion TA of the substrate 10 exposed to the plasma for a relatively long time in accordance with the rotational angular velocity of the substrate support 120 is attenuated by the plasma attenuating member 318 So that the plasma treatment process for improving the film quality of the thin film is uniformly performed over the entire area of the substrate 10.

도 8 내지 도 12는 도 1 및 도 3 내지 도 6에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 감쇠 부재의 다양한 변형 실시 예를 설명하기 위한 도면들이다.FIGS. 8 to 12 are views for explaining various modified embodiments of the plasma attenuating member according to the embodiment of the present invention shown in FIGS. 1 and 3 to 6.

먼저, 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 플라즈마 감쇠 부재(318)는 복수의 블랭크(blank, 318a)를 포함하도록 평면적으로 사각 형태로 형성되어 기판(10)의 탑 부분(TA)에 중첩되는 상기 제 1 전극(312)의 하면에 결합될 수 있다.8, a plasma attenuating member 318 according to the first embodiment of the present invention is formed in a square shape in a planar manner so as to include a plurality of blanks 318a, May be coupled to the lower surface of the first electrode 312 overlapping the portion TA.

상기 복수의 블랭크 영역(318a) 각각은 상기 갭 공간(GS1, GS2)에 중첩되는 상기 플라즈마 감쇠 부재(318)를 관통하도록 형성될 수 있다. 이러한 상기 복수의 블랭크 영역(318a) 각각은 상기 갭 공간(GS1, GS2)에 형성되는 플라즈마의 일부가 기판(10)으로 제공되는 통로 역할을 함으로써 기판(10)의 전영역에 걸쳐 전술한 플라즈마 트리트먼트 공정이 균일하게 수행되도록 한다. 이와 같은, 상기 복수의 블랭크 영역(318a) 각각은 사각 또는 원형 등의 단면을 가지도록 형성될 수 있다. 여기서, 도 7에서는 상기 복수의 블랭크 영역(318a) 각각이 상기 갭 공간(GS1, GS2)에 중첩되도록 형성된 것으로 도시하였지만, 이에 한정되지 않고 상기 복수의 블랭크 영역(318a) 각각은 상기 갭 공간(GS1, GS2)과 제 1 전극(312) 및 상기 플라즈마 전극(313a, 313b) 중 적어도 하나에 중첩되도록 형성될 수 있다.Each of the plurality of blank areas 318a may be formed to penetrate the plasma attenuating member 318 overlapping the gap spaces GS1 and GS2. Each of the plurality of blank areas 318a serves as a passage through which a part of the plasma formed in the gap spaces GS1 and GS2 is provided to the substrate 10, So that the process is uniformly performed. Each of the plurality of blank areas 318a may have a rectangular or circular cross-section. 7, each of the plurality of blank areas 318a is formed to overlap the gap spaces GS1 and GS2. However, the present invention is not limited thereto, and each of the plurality of blank areas 318a may be formed in the gap space GS1 , And GS2, the first electrode 312, and the plasma electrodes 313a and 313b.

다음으로, 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 플라즈마 감쇠 부재(318)는 평면적으로 삼각 형태로 형성되어 기판(10)의 내측 가장자리(또는 탑 부분(TA))에서부터 중심부(CNT)까지의 영역에 중첩되는 상기 제 1 전극(312)의 하면에 결합될 수 있다. 즉, 상기 플라즈마 감쇠 부재(318)는 상기 접지 전극(132)의 내측 격벽에 중첩되는 밑변, 및 기판(10)의 중심부에 중첩되는 꼭지점을 포함하는 삼각 형태로 형성될 수 있다.9, the plasma attenuating member 318 according to the second embodiment of the present invention is formed in a planar triangular shape so as to extend from the inner edge (or the top portion TA) of the substrate 10 And may be coupled to a lower surface of the first electrode 312 overlapping an area up to the central portion CNT. That is, the plasma attenuation member 318 may be formed in a triangular shape including a base portion overlapping the inner partition wall of the ground electrode 132, and a vertex superimposed on the center portion of the substrate 10.

다음으로, 도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 플라즈마 감쇠 부재(318)는 평면적으로 사다리꼴 형태를 가지도록 형성되어 기판(10)의 내측 가장자리(또는 탑 부분(TA))에서부터 기판(10)의 중심부(CNT)와 기판(10)의 외측 가장자리 부분(또는 버텀 부분(BA)) 사이의 중간까지의 영역에 중첩되는 상기 제 1 전극(312)의 하면에 결합될 수 있다. 즉, 상기 플라즈마 감쇠 부재(318)는 상기 접지 전극(132)의 내측 격벽에 중첩되는 밑변, 기판(10)의 중심부(CNT)와 버텀 부분(BA) 사이의 중간에 중첩되는 윗변, 및 상기 밑변과 윗변 사이의 경사면을 포함하는 사다리꼴 형태로 형성될 수 있다.10, the plasma attenuating member 318 according to the third embodiment of the present invention is formed to have a trapezoidal shape in a planar shape so that the inner edge of the substrate 10 (or the top portion TA) To an intermediate area between the central portion CNT of the substrate 10 and the outer edge portion (or the bottom portion BA) of the substrate 10 from the bottom surface of the first electrode 312 have. That is, the plasma damping member 318 has a base which overlaps the inner side wall of the ground electrode 132, an upper side that overlaps the middle between the center portion CNT of the substrate 10 and the bottom portion BA, And a slope between the upper side and the upper side.

다음으로, 도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 플라즈마 감쇠 부재(318)는 평면적으로 삼각 형태를 가지도록 형성되어 기판(10)의 내측 가장자리(또는 탑 부분(TA))에서부터 기판(10)의 외측 가장자리 부분(또는 버텀 부분(BA))까지의 영역에 중첩되는 상기 제 1 전극(312)의 하면에 결합될 수 있다. 즉, 상기 플라즈마 감쇠 부재(318)는 상기 접지 전극(132)의 내측 격벽에 중첩되는 밑변, 및 상기 접지 전극(132)의 외측 격벽 중심부에 중첩되는 꼭지점을 포함하는 삼각 형태로 형성될 수 있다.11, the plasma attenuating member 318 according to the fourth embodiment of the present invention is formed so as to have a triangular shape in a plan view so that the inner edge of the substrate 10 (or the top portion TA) (Or the bottom portion BA) of the substrate 10 to the outer edge portion of the substrate 10 (or the bottom portion BA). That is, the plasma attenuation member 318 may be formed in a triangular shape including a base overlapped with the inner partition wall of the ground electrode 132, and a vertex superimposed on the center of the outer partition wall of the ground electrode 132.

다음으로, 도 12에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 플라즈마 감쇠 부재(318)는 평면적으로 사각 형태와 삼각 형태가 조합된 형태를 가지도록 형성되어 기판(10)의 내측 가장자리(또는 탑 부분(TA))에서부터 기판(10)의 외측 가장자리 부분(또는 버텀 부분(BA))까지의 영역에 중첩되는 상기 제 1 전극(312)의 하면에 결합될 수 있다. 즉, 상기 플라즈마 감쇠 부재(318)는 상기 접지 전극(132)의 내측 격벽과 기판(10)의 탑 부분(TA)에 중첩되는 사각 형태, 및 상기 사각 형태에 접하는 밑변과 상기 접지 전극(132)의 외측 격벽 중심부에 중첩되는 꼭지점을 포함하는 삼각 형태로 형성될 수 있다.12, the plasma attenuating member 318 according to the fifth embodiment of the present invention is formed so as to have a combination of a square shape and a triangular shape in a plan view, (Or top portion TA) to the outer edge portion (or bottom portion BA) of the substrate 10, as shown in FIG. That is, the plasma damping member 318 has a square shape overlapping the inner partition wall of the ground electrode 132 and the top portion TA of the substrate 10, and the ground electrode 132, And a vertex superimposed on the center of the outer side wall of the partition wall.

한편, 본 발명의 제 2 내지 제 5 실시 예에 따른 플라즈마 감쇠 부재(318)는, 도 8에 도시된 복수의 블랭크(318a)를 더 포함하여 이루어질 수도 있다. 이 경우, 상기 복수의 블랭크(318a)는 일정한 간격으로 형성되거나, 상기 플라즈마 감쇠 부재(318)의 형태에 따라 다양한 간격으로 형성될 수도 있다.On the other hand, the plasma attenuating member 318 according to the second to fifth embodiments of the present invention may further comprise a plurality of blanks 318a shown in Fig. In this case, the plurality of blanks 318a may be formed at regular intervals or may be formed at various intervals depending on the shape of the plasma attenuating member 318. [

이와 같은, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 플라즈마 감쇠 부재(318)를 통해 기판(10)의 일부 영역에 제공되는 플라즈마를 국부적으로 감쇠시킴으로써 기판 지지부(120)의 회전 각속도에 따른 기판(10)의 전영역에 대한 플라즈마 노출 시간 편차를 최소화하여 기판(10)의 전영역에 걸쳐 균일한 플라즈마 트리트먼트 공정을 수행할 수 있으며, 상기 플라즈마 감쇠 부재(318)의 교체를 통해 기판(10)에 제공되는 플라즈마를 조절할 수 있다.The substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention is configured to locally attenuate the plasma provided in a partial region of the substrate 10 through the plasma attenuation member 318, It is possible to perform a uniform plasma treatment process over the entire area of the substrate 10 by minimizing plasma exposure time deviations with respect to the entire region of the substrate 10 in accordance with the plasma attenuating member 318, The plasma supplied to the plasma display panel 10 can be controlled.

도 13은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도로서, 이는 박막 증착 모듈을 변경하여 구성한 것이다. 이에 따라, 이하에서는 박막 증착 모듈에 대해서만 설명하기로 한다.FIG. 13 is a plan view for explaining a substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention, which is constructed by modifying the thin film deposition module. Accordingly, only the thin film deposition module will be described below.

본 발명의 제 2 실시 예의 기판 처리 장치의 박막 증착 모듈(140)은 퍼지 가스(purge gas)를 분사하기 위한 제 1 및 제 2 퍼지 가스 분사 모듈(140d, 140e)을 더 포함하여 구성된다. 여기서, 상기 퍼지 가스는 질소(N2), 아르곤(Ar), 제논(Ze), 헬륨(He), 또는 아르곤(Ar)/헬륨(He) 등의 가스로 이루어질 수 있다.The thin film deposition module 140 of the substrate processing apparatus of the second embodiment of the present invention further comprises first and second purge gas injection modules 140d and 140e for injecting purge gas. Here, the purge gas may be a gas such as nitrogen (N 2), argon (Ar), xenon (Ze), helium (He), or argon (Ar)

상기 제 1 퍼지 가스 분사 모듈(140d)은 전술한 제 1 가스 분사 모듈(140a)과 제 2 가스 분사 모듈(140b) 사이에 배치되도록 전술한 상기 챔버 리드(130)에 마련된 제 4 모듈 설치부(미도시)에 분리 가능하게 설치된다. 이러한 상기 제 1 퍼지 가스 분사 모듈(140d)은 외부의 퍼지 가스 공급부(미도시)로부터 공급되는 상기 퍼지 가스를 기판(10) 상에 분사함으로써 기판(10)에 증착되지 않고 남은 소스 가스 및/또는 반응 가스와 반응하지 않고 잔존하는 소스 가스를 제거하여 박막의 막질을 향상시킨다. 이와 동시에, 상기 제 1 퍼지 가스 분사 모듈(140d)은 상기 제 1 가스 분사 모듈(140a)로부터 소스 가스가 분사되는 제 1 가스 분사 영역과 상기 제 2 가스 분사 모듈(140b)로부터 반응 가스가 분사되는 제 2 가스 분사 영역 사이에 가스 장벽을 형성함으로써 제 1 및 제 2 가스 분사 영역을 공간적으로 분리한다.The first purge gas injection module 140d may include a fourth module installation part (not shown) provided in the chamber lid 130 to be disposed between the first gas injection module 140a and the second gas injection module 140b (Not shown). The first purge gas injection module 140d injects the purge gas supplied from an external purge gas supply unit (not shown) onto the substrate 10 to purge the source gas remaining without being deposited on the substrate 10 and / The remaining source gas is removed without reacting with the reaction gas to improve the film quality of the thin film. At the same time, the first purge gas injection module 140d includes a first gas injection area through which the source gas is injected from the first gas injection module 140a and a second gas injection area through which the reaction gas is injected from the second gas injection module 140b The first and second gas injection regions are spatially separated by forming a gas barrier between the second gas injection regions.

상기 제 2 퍼지 가스 분사 모듈(140e)은 전술한 제 1 가스 분사 모듈(140a)과 플라즈마 모듈부(150) 사이에 배치되도록 전술한 상기 챔버 리드(130)에 마련된 제 5 모듈 설치부(미도시)에 분리 가능하게 설치된다. 이러한 상기 제 2 퍼지 가스 분사 모듈(140e)은 상기 퍼지 가스 공급부로부터 공급되는 상기 퍼지 가스를 기판(10) 상에 분사함으로써 기판(10)에 증착되지 않고 남은 소스 가스 및/또는 반응 가스와 반응하지 않고 잔존하는 소스 가스를 제거하여 박막의 막질을 향상시킨다. 이와 동시에, 상기 제 2 퍼지 가스 분사 모듈(140e)은 상기 제 1 가스 분사 모듈(140a)로부터 소스 가스가 분사되는 제 1 가스 분사 영역과 상기 제 2 퍼지 가스 분사 모듈(140e)에 형성되는 플라즈마 트리트먼트 영역 사이에 가스 장벽을 형성함으로써 상기 제 1 가스 분사 영역과 상기 플라즈마 트리트먼트 영역을 공간적으로 분리한다.The second purge gas injection module 140e includes a fifth module installation part (not shown) provided in the chamber lid 130 to be disposed between the first gas injection module 140a and the plasma module part 150, As shown in Fig. The second purge gas injection module 140e reacts with the source gas and / or the reactive gas remaining on the substrate 10 without being deposited on the substrate 10 by injecting the purge gas supplied from the purge gas supply unit onto the substrate 10 The remaining source gas is removed to improve the film quality of the thin film. At the same time, the second purge gas injection module 140e includes a first gas injection area in which the source gas is injected from the first gas injection module 140a and a second gas injection area in which the plasma treatment Thereby forming a gas barrier between the first gas injection area and the plasma treatment area to spatially separate the first gas injection area and the plasma treatment area.

상기 제 1 및 제 2 퍼지 가스 분사 모듈(140d, 140e) 각각은, 도 2에 도시된 바와 같이, 하우징(210), 및 가스 공급 홀(220)을 포함하여 구성되는 것으로, 이는 전술한 제 1 가스 분사 모듈(140a)과 동일하므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다. 이러한 상기 제 1 및 제 2 퍼지 가스 분사 모듈(140d, 140e) 각각은 가스 공급 홀(220)을 통해 외부의 퍼지 가스 공급부로부터 가스 분사 공간(212)에 공급되는 퍼지 가스를 기판(10) 상에 분사할 수 있다.Each of the first and second purge gas injection modules 140d and 140e includes a housing 210 and a gas supply hole 220 as shown in FIG. The gas injection module 140a is the same as that of the gas injection module 140a. Each of the first and second purge gas injection modules 140d and 140e is provided with a purge gas supplied from an external purge gas supply part through a gas supply hole 220 to a gas injection space 212, It can be sprayed.

이와 같은, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치와 동일한 효과를 제공하면서, 퍼지 가스 분사 모듈(140d, 140e)을 통해 기판(10) 상에 퍼지 가스를 분사하여 기판(10)에 증착되지 않은 소스 가스 및/또는 소스 가스와 반응하지 않고 잔존하는 반응 가스를 퍼지시킴으로써 기판(10)에 증착되는 박막의 막질을 더욱 향상시킬 수 있다.The substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention provides the same effects as those of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention and is provided with the purge gas injection modules 140d and 140e, The film quality of the thin film deposited on the substrate 10 can be further improved by purging the remaining reactive gas without reacting with the source gas and / or the source gas not deposited on the substrate 10 by spraying the purge gas on the substrate 10.

도 14는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 사시도이며, 도 15는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도로서, 이는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 퍼지 가스 분사부를 추가로 구성한 것이다. 이하, 본 발명의 제 3 실시 예를 설명함에 있어 제 2 실시 예와 동일 또는 대응되는 구성에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.FIG. 14 is a perspective view for explaining a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention, FIG. 15 is a plan view for explaining a substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention, The substrate processing apparatus according to the embodiment further comprises a purge gas injection unit. Hereinafter, in explaining the third embodiment of the present invention, the description of the same or corresponding structure as that of the second embodiment will be omitted.

상기 퍼지 가스 분사부(170)는 전술한 제 1 내지 제 3 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c)과 상기 플라즈마 모듈부(150) 사이사이에 대응되는 기판 지지부(120) 상에 정의된 복수의 퍼지 가스 분사 영역 각각에 중첩되도록 챔버 리드(130)에 설치된다. 여기서, 상기 퍼지 가스 분사부(170)는 상기 제 1 내지 제 3 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c)과 상기 플라즈마 모듈부(150)의 배치 구조에 따라 "+"자, "×"자, "＊"자, 또는 "Y"자 형태로 형성되어 챔버 리드(130)에 형성되어 있는 퍼지 가스 분사 모듈 설치부(130e)에 분리 가능하게 삽입 설치된다.The purge gas spraying unit 170 includes a plurality of purge gas spraying units 170 that are defined on the substrate supporting unit 120 between the first to third gas injection modules 140a, 140b, 140c and the plasma module unit 150, And is installed in the chamber lid 130 so as to overlap with each of the purge gas injection regions. Here, the purge gas injection unit 170 has the first to third gas injection module (140a, 140b, 140c) and the plasma module unit characters "+" in accordance with the arrangement of the (150), "×" character, And is detachably inserted into the purge gas injection module installation part 130e formed in the chamber lid 130 in the shape of " * " or "Y".

상기 퍼지 가스 분사부(170)는 외부의 퍼지 가스 공급부로부터 공급되는 상기 퍼지 가스를 복수의 퍼지 가스 분사 영역 각각에 하향 분사함으로써 기판(10)에 증착되지 않은 소스 가스 및/또는 소스 가스와 반응하지 않고 잔존하는 반응 가스를 퍼지(purge)시키는 역할을 한다. 또한, 상기 퍼지 가스 분사부(170)는 제 1 내지 제 3 가스 분사 영역과 상기 플라즈마 트리트먼트 영역 사이사이에 퍼지 가스를 분사하여 가스 장벽을 형성함으로써 각 영역을 공간적으로 분리하는 역할도 함께 수행한다.The purge gas spraying part 170 reacts with a source gas and / or a source gas not deposited on the substrate 10 by spraying the purge gas supplied from the outside purge gas supply part downward into each of the plurality of purge gas injection areas And purge the remaining reaction gas. The purge gas spraying unit 170 also sprays a purge gas between the first to third gas injection areas and the plasma treatment area to form a gas barrier to spatially separate the respective areas .

이와 같은, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치와 동일한 효과를 제공하면서, 상기 퍼지 가스 분사부(170)에서 분사되는 퍼지 가스를 이용하여 기판(10) 상에 분사되는 소스 가스와 반응 가스를 공간적으로 분리함으로써 기판(10)에 증착되는 박막의 막질을 향상시킬 수 있다.The apparatus for treating a substrate according to the third embodiment of the present invention provides the same effect as the apparatus for treating a substrate according to the first embodiment of the present invention while using the purge gas injected from the purge gas spraying unit 170 The film quality of the thin film deposited on the substrate 10 can be improved by spatially separating the source gas injected onto the substrate 10 and the reactive gas.

한편, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치에서, 상기 퍼지 가스 분사부(170)의 하면은 상기 챔버 리드(130)의 하면으로부터 일정한 높이를 가지도록 기판 지지부(120) 쪽으로 돌출될 수 있는데, 이 경우, 상기 퍼지 가스는 상기 소스 가스 및 상기 반응 가스보다 상대적으로 가까운 거리에서 기판(10) 상으로 분사되게 된다. 이에 따라, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 퍼지 가스를 이용하여 소스 가스와 반응 가스가 기판 지지부(120) 상에 분사되는 도중에 서로 혼합되는 것을 방지할 수 있으며, 특히 기판 지지부(120)의 고속 회전에 따라 기판(10)의 이동 속도가 빠르더라도 소스 가스와 반응 가스의 혼합이 방지되므로 기판에 대한 ALD 공정을 고속으로 수행할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention, the lower surface of the purge gas spraying unit 170 may protrude toward the substrate supporting unit 120 with a predetermined height from the lower surface of the chamber lid 130 In this case, the purge gas is injected onto the substrate 10 at a relatively short distance from the source gas and the reactive gas. Accordingly, the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention can prevent the source gas and the reactive gas from being mixed with each other while being sprayed onto the substrate supporting unit 120 by using the purge gas, The ALD process for the substrate can be performed at a high speed because the mixing of the source gas and the reaction gas is prevented even if the substrate 10 is moved at a high speed according to the high rotation speed of the substrate.

도 16은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도로서, 이는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치에서 박막 증착 모듈부와 플라즈마 모듈부의 구성을 변경하여 구성한 것이다. 이하, 본 발명의 제 4 실시 예를 설명함에 있어 제 3 실시 예와 동일 또는 대응되는 구성에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.FIG. 16 is a plan view for explaining a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention, which is constructed by changing the configuration of the thin film deposition module unit and the plasma module unit in the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention . Hereinafter, in explaining the fourth embodiment of the present invention, the description of the same or corresponding components as those of the third embodiment will be omitted.

먼저, 상기 박막 증착 모듈부(140)는 제 1 및 제 2 가스 분사 모듈(440a, 440b)을 포함하여 구성된다.First, the thin film deposition module unit 140 includes first and second gas injection modules 440a and 440b.

상기 제 1 가스 분사 모듈(440a)은 전술한 바와 같이 챔버 리드(130)에 마련된 제 1 모듈 설치부(130a, 도 14 참조)에 분리 가능하게 삽입 설치되어, 외부의 소스 가스 공급부로부터 공급되는 소스 가스를 전술한 제 1 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이러한 상기 제 1 가스 분사 모듈(440a)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 하우징(210), 및 가스 공급 홀(220)을 포함하여 구성되는 것으로, 이는 전술한 제 1 가스 분사 모듈(140a)과 동일하므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.The first gas injection module 440a is detachably inserted into the first module installation part 130a (see FIG. 14) provided in the chamber lid 130 as described above, The gas is injected downward into the above-described first gas injection region. 2, the first gas injection module 440a includes a housing 210 and a gas supply hole 220. The first gas injection module 440a includes a first gas injection module 140a, And thus a duplicate description thereof will be omitted.

상기 제 2 가스 분사 모듈(440b)은 전술한 바와 같이 챔버 리드(130)에 마련된 제 2 모듈 설치부(130b, 도 14 참조)에 분리 가능하게 삽입 설치되어, 외부의 반응 가스 공급부로부터 공급되는 반응 가스를 전술한 제 2 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이러한 상기 제 2 가스 분사 모듈(440b)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 하우징(210), 및 가스 공급 홀(220)을 포함하여 구성되는 것으로, 이는 전술한 제 2 가스 분사 모듈(140b)과 동일하므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.The second gas injection module 440b is detachably inserted into the second module installation part 130b (see FIG. 14) provided in the chamber lid 130 as described above, and the reaction gas supplied from the external reaction gas supply part The gas is injected downward into the above-described second gas injection region. 2, the second gas injection module 440b includes a housing 210 and a gas supply hole 220. The second gas injection module 440b includes the second gas injection module 140b, And thus a duplicate description thereof will be omitted.

상기 제 1 및 제 2 가스 분사 모듈(440a, 440b)은 전술한 퍼지 가스 분사 모듈부(170)에 의해 공간적으로 분리된다. 그리고, 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 영역 사이에는 상기 퍼지 가스 분사 모듈부(170)로부터 분사되는 퍼지 가스에 의한 가스 장벽에 의해 공간적으로 분리된다.The first and second gas injection modules 440a and 440b are spatially separated by the purge gas injection module unit 170 described above. The space between the first and second gas injection regions is separated by the gas barrier formed by the purge gas injected from the purge gas injection module unit 170.

상기 플라즈마 모듈부(150)는 제 1 및 제 2 플라즈마 모듈(450a, 450b)을 포함하여 구성된다.The plasma module unit 150 includes first and second plasma modules 450a and 450b.

상기 제 1 플라즈마 모듈(450a)은 전술한 바와 같이 챔버 리드(130)에 마련된 제 3 모듈 설치부(130c, 도 14 참조)에 분리 가능하게 삽입 설치되어, 외부의 트리트먼트 가스 공급부(미도시)로부터 공급되는 트리트먼트 가스와 외부의 플라즈마 전원 공급부(미도시)로부터 공급되는 플라즈마 전원에 따라 플라즈마를 형성하여 기판(10)에 제공한다. 여기서, 상기 제 1 플라즈마 모듈(450a)에서 형성되는 플라즈마는 기판 지지부(120)의 회전에 따라 제 1 플라즈마 트리트먼트 영역을 지나가는 기판(10)에 제공된다.The first plasma module 450a is detachably inserted into a third module installation part 130c (see FIG. 14) provided in the chamber lid 130 as described above, and an external treatment gas supply part (not shown) (Not shown) and an external plasma power supply (not shown), and supplies the plasma to the substrate 10. The plasma is supplied to the substrate 10 through the plasma. Here, the plasma formed in the first plasma module 450a is provided to the substrate 10 passing through the first plasma treatment region in accordance with the rotation of the substrate supporting unit 120. [

상기 제 2 플라즈마 모듈(450b)은 전술한 바와 같이 챔버 리드(130)에 마련된 제 4 모듈 설치부(130d, 도 14 참조)에 분리 가능하게 삽입 설치되어, 상기 트리트먼트 가스 공급부로부터 공급되는 트리트먼트 가스와 상기 플라즈마 전원 공급부로부터 공급되는 플라즈마 전원에 따라 플라즈마를 형성하여 기판(10)에 제공한다. 여기서, 상기 제 2 플라즈마 모듈(450b)에서 형성되는 플라즈마는 기판 지지부(120)의 회전에 따라, 상기 퍼지 가스 분사 모듈부(170)를 사이에 두고 인접한 제 2 플라즈마 트리트먼트 영역을 지나가는 기판(10)에 제공된다.The second plasma module 450b is detachably inserted into a fourth module installation part 130d (see FIG. 14) provided in the chamber lid 130 as described above, And a plasma is generated according to the plasma power supplied from the plasma power supply unit. The plasma generated in the second plasma module 450b is supplied to the substrate 10 passing through the second plasma treatment region adjacent to the purge gas injection module unit 170 in accordance with the rotation of the substrate support unit 120 ).

상기 제 1 및 제 2 플라즈마 모듈(450a, 450b) 각각은, 도 3 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 상부 플레이트(311), 제 1 전극(312), 플라즈마 전극(313a, 313b), 제 1 절연체(314), 전원 전달 부재(315), 제 2 절연체(316), 트리트먼트 가스 공급 홀(317), 및 플라즈마 감쇠 부재(318)를 포함하여 구성되는 것으로, 이는 전술한 플라즈마 모듈부(150)와 동일하므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.Each of the first and second plasma modules 450a and 450b includes an upper plate 311, a first electrode 312, a plasma electrode 313a and 313b, And a plasma attenuation member 318. The plasma module unit 150 includes the plasma module unit 150, the plasma processing unit 150, the plasma processing unit 150, ), So a duplicate description thereof will be omitted.

상기 제 1 및 제 2 플라즈마 모듈(450a, 450b)은 전술한 퍼지 가스 분사 모듈부(170)에 의해 공간적으로 분리된다. 그리고, 상기 제 1 및 제 2 플라즈마 트리트먼트 영역 사이에는 상기 퍼지 가스 분사 모듈부(170)로부터 분사되는 퍼지 가스에 의한 가스 장벽에 의해 공간적으로 분리된다.The first and second plasma modules 450a and 450b are spatially separated by the purge gas injection module unit 170 described above. A space between the first and second plasma treatment regions is separated by a gas barrier formed by the purge gas injected from the purge gas injection module unit 170.

이와 같은, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치와 동일한 효과를 제공하면서, 서로 인접하게 배치된 2개의 플라즈마 모듈(450a, 450b)을 통해 기판 지지부(120)의 회전에 따라 각 기판(10)에 대해 2회의 플라즈마 트리트먼트 공정을 수행함으로써 기판(10)에 증착되는 박막의 막질을 더욱 향상시킬 수 있다.The substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention provides the same effects as those of the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention and includes two plasma modules 450a and 450b disposed adjacent to each other It is possible to further improve the film quality of the thin film deposited on the substrate 10 by performing the plasma treatment process twice for each substrate 10 according to the rotation of the substrate supporting unit 120 through the substrate supporting unit 120.

도 17은 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도로서, 이는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치에서 박막 증착 모듈부의 구성을 변경하여 구성한 것이다. 이하, 본 발명의 제 5 실시 예를 설명함에 있어 제 3 실시 예와 동일 또는 대응되는 구성에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.FIG. 17 is a plan view for explaining a substrate processing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention, which is constructed by changing the configuration of the thin film deposition module unit in the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention. Hereinafter, in describing the fifth embodiment of the present invention, duplicate descriptions of the same or corresponding components to those of the third embodiment will be omitted.

상기 박막 증착 모듈부(140)는 제 1 내지 제 3 가스 분사 모듈(540a, 540b, 540c)을 포함하여 구성된다.The thin film deposition module unit 140 includes first to third gas injection modules 540a, 540b, and 540c.

상기 제 1 가스 분사 모듈(540a)은 전술한 바와 같이 챔버 리드(130)에 마련된 제 1 모듈 설치부(130a, 도 14 참조)에 분리 가능하게 삽입 설치되어, 외부의 소스 가스 공급부로부터 공급되는 상기 소스 가스를 전술한 제 1 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이러한 상기 제 1 가스 분사 모듈(540a)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 하우징(210), 및 가스 공급 홀(220)을 포함하여 구성되는 것으로, 이는 전술한 제 1 가스 분사 모듈(140a)과 동일하므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.The first gas injection module 540a is detachably inserted into the first module installation part 130a (refer to FIG. 14) provided in the chamber lid 130 as described above, The source gas is injected downward into the above-described first gas injection region. 2, the first gas injection module 540a includes a housing 210 and a gas supply hole 220. The first gas injection module 540a includes a first gas injection module 140a, And thus a duplicate description thereof will be omitted.

상기 제 2 가스 분사 모듈(540b)은 전술한 바와 같이 챔버 리드(130)에 마련된 제 3 모듈 설치부(130c, 도 14 참조)에 분리 가능하게 삽입 설치되어, 외부의 반응 가스 공급부로부터 공급되는 상기 반응 가스를 전술한 제 3 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이러한 상기 제 3 가스 분사 모듈(540b)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 하우징(210), 및 가스 공급 홀(220)을 포함하여 구성되는 것으로, 이는 전술한 제 2 가스 분사 모듈(140b)과 동일하므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.The second gas injection module 540b is detachably inserted into a third module installation part 130c (see FIG. 14) provided in the chamber lid 130 as described above, The reaction gas is injected downward into the above-described third gas injection region. 2, the third gas injection module 540b includes a housing 210 and a gas supply hole 220. The third gas injection module 540b includes the second gas injection module 140b, And thus a duplicate description thereof will be omitted.

상기 제 3 가스 분사 모듈(540c)은 전술한 바와 같이 챔버 리드(130)에 마련된 제 2 모듈 설치부(130b, 도 14 참조)에 분리 가능하게 삽입 설치되어, 외부의 퍼지 가스 공급부로부터 공급되는 상기 퍼지 가스를 전술한 제 2 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이러한 상기 제 2 가스 분사 모듈(540b)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 하우징(210), 및 가스 공급 홀(220)을 포함하여 구성되는 것으로, 이는 전술한 제 1 가스 분사 모듈(140a)과 동일하므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.The third gas injection module 540c is detachably inserted into a second module installation part 130b (see FIG. 14) provided in the chamber lid 130 as described above, The purge gas is injected downward into the above-described second gas injection region. 2, the second gas injection module 540b includes a housing 210 and a gas supply hole 220. The first gas injection module 540b includes a first gas injection module 140a, And thus a duplicate description thereof will be omitted.

상기 제 1 내지 제 3 가스 분사 모듈(540a, 540b, 540c)은 전술한 퍼지 가스 분사 모듈부(170)에 의해 공간적으로 분리된다. 그리고, 상기 제 1 내지 제 3 가스 분사 영역 사이에는 상기 퍼지 가스 분사 모듈부(170)로부터 분사되는 퍼지 가스에 의한 가스 장벽에 의해 공간적으로 분리된다.The first to third gas injection modules 540a, 540b, and 540c are spatially separated by the purge gas injection module unit 170 described above. The space between the first to third gas injection regions is separated by the gas barrier formed by the purge gas injected from the purge gas injection module unit 170.

이와 같은, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치와 동일한 효과를 제공하면서, 제 2 가스 분사 모듈(540b)을 통해 기판(10) 상에 퍼지 가스를 분사하여 기판(10)에 증착되지 않은 소스 가스 및/또는 소스 가스와 반응하지 않고 잔존하는 반응 가스를 퍼지시킴으로써 기판(10)에 증착되는 박막의 막질을 더욱 향상시킬 수 있다.
The substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention is provided with the same effect as the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention and is provided on the substrate 10 through the second gas injection module 540b It is possible to further improve the film quality of the thin film deposited on the substrate 10 by purging the remaining reactive gas without reacting with the source gas and / or the source gas not deposited on the substrate 10 by injecting the purge gas.

이상과 같은, 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치에서는, 박막 증착 모듈부(140)를 구성하는 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 140d, 140e, 440a, 440b, 540a, 540b, 540c) 각각이, 도 2에 도시된 바와 같이, 하우징(210), 및 복수의 가스 공급 홀(220)을 포함하여 구성되는 것으로 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 상기 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 140d, 140e, 440a, 440b, 540a, 540b, 540c) 각각은, 도 3 내지 도 6에 도시된 상기 플라즈마 모듈부(150)와 동일하게 구성될 수 있다. 또한, 기판(10) 상에 증착하고자 하는 박막의 재질에 따라 소스 가스, 반응 가스, 및 퍼지 가스 중 적어도 하나를 활성화시켜 기판(10) 상에 분사할 경우, 해당 가스를 분사하는 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 140d, 140e, 440a, 440b, 540a, 540b, 540c)의 플라즈마 전극(313a, 313b)에 상기 플라즈마 전원이 인가되도록 구성할 수도 있다. 그리고, 상기 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 140d, 140e, 440a, 440b, 540a, 540b, 540c)의 플라즈마 감쇠 부재(318)는 기판 지지부(120)의 회전에 따른 기판(10)의 가스 노출 시간에 따라 생략되거나 생략되지 않을 수도 있다.The gas injection modules 140a, 140b, 140c, 140d, 140e, 440a, 440b, 540a, 540b, 540c constituting the thin film deposition module unit 140, Each of the gas injection modules 140a, 140b, 140c, 140c, 140d, 140c, 140d, 140d, 140d, 140d, 140d, 140d, 140e, 440a, 440b, 540a, 540b, and 540c may be configured in the same manner as the plasma module unit 150 shown in FIGS. In addition, when at least one of the source gas, the reactive gas, and the purge gas is activated on the substrate 10 according to the material of the thin film to be deposited, the gas injection module The plasma power may be applied to the plasma electrodes 313a and 313b of the plasma display panels 140a, 140b, 140c, 140d, 140e, 440a, 440b, 540a, 540b, and 540c. The plasma attenuation member 318 of the gas injection modules 140a, 140b, 140c, 140d, 140e, 440a, 440b, 540a, 540b, It may not be omitted or omitted depending on the exposure time.

또한, 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치에서는, 기판 지지부(120)의 회전에 따른 ALD 공정에 통해 기판(10) 상에 박막을 증착하는 것으로 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치는 기판 지지부(120)의 회전에 따라 복수의 기판(10)을 이동시키면서 이동되는 각 기판(10)에 상기 소스 가스와 상기 반응 가스를 동시에 도달시키는 CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정을 통해 기판(10) 상에 소정의 박막을 증착할 수도 있다. 이 경우, 전술한 박막 증착 모듈부(140)를 구성하는 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 440a, 440b, 540a, 540b) 각각은, 도 3 내지 도 6에 도시된 상기 플라즈마 모듈부(150)와 동일하게 구성되되, 도 18에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 갭 공간(GS2)에 소스 가스(SG)가 공급되고, 상기 제 2 갭 공간(GS2)에 반응 가스(RG)가 공급되도록 구성될 수 있다. 이에 따라, 기판 지지부(120)의 회전에 따라 이동되는 기판(10)은 가스 분사 모듈(140a, 140b, 140c, 440a, 440b, 540a, 540b)의 하부를 통과하여 소스 가스(SG)와 반응 가스(RG)를 동시에 노출됨으로써 상기 기판(10)에는 소스 가스(SG)와 반응 가스(RG)의 상호 반응에 의한 CVD 공정에 의해 소정의 박막이 증착된다. 여기서, 기판(10) 상에 증착하고자 하는 박막의 재질에 따라 소스 가스 및/또는 반응 가스를 활성화시켜 기판(10) 상에 분사할 경우, 상기 제 1 및/또는 제 2 플라즈마 전극(313a, 313b)에 상기 플라즈마 전원이 인가되도록 구성할 수도 있다.In addition, in the substrate processing apparatus according to the embodiments of the present invention, the thin film is deposited on the substrate 10 through the ALD process according to the rotation of the substrate supporter 120, but the present invention is not limited thereto. Examples of the substrate processing apparatus according to the present invention include a CVD (Chemical Vapor Deposition) system for simultaneously reaching the source gas and the reactive gas on the moving substrate 10 while moving the plurality of substrates 10 according to the rotation of the substrate supporting unit 120, A predetermined thin film may be deposited on the substrate 10 by a process. In this case, each of the gas injection modules 140a, 140b, 140c, 440a, 440b, 540a, and 540b constituting the thin film deposition module unit 140 may include the plasma module unit 150 The source gas SG is supplied to the first gap space GS2 and the reaction gas RG is supplied to the second gap space GS2 as shown in FIG. Lt; / RTI > The substrate 10 moved in accordance with the rotation of the substrate supporter 120 passes through the lower portions of the gas injection modules 140a, 140b, 140c, 440a, 440b, 540a, and 540b, A predetermined thin film is deposited on the substrate 10 by the CVD process by mutual reaction of the source gas SG and the reaction gas RG. When the source gas and / or the reactive gas are activated and sprayed onto the substrate 10 according to the material of the thin film to be deposited on the substrate 10, the first and / or second plasma electrodes 313a and 313b The plasma power may be applied to the plasma display panel.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents. Will be clear to those who have knowledge of. Therefore, the scope of the present invention is defined by the appended claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

110: 공정 챔버 120: 기판 지지부
130: 챔버 리드 140: 박막 증착 모듈부
150: 플라즈마 모듈부 160: 플라즈마 전원 공급부
170: 퍼지 가스 분사부 311: 상부 플레이트
312: 접지 전극 313: 플라즈마 전극
314, 316: 절연체 315: 전원 전달 부재
317: 트리트먼트 가스 공급 홀 318: 플라즈마 감쇠 부재110: process chamber 120: substrate support
130: chamber lead 140: thin film deposition module part
150: Plasma module part 160: Plasma power supply part
170: purge gas injection part 311: upper plate
312: ground electrode 313: plasma electrode
314, 316: insulator 315: power supply member
317: Treatment gas supply hole 318: Plasma damping member

Claims (22)

공정 공간을 마련하는 공정 챔버;
상기 공정 챔버 내부에 설치되어 적어도 하나의 기판을 지지하는 기판 지지부; 및
상기 기판 지지부 위에 배치되어 상기 기판에 플라즈마를 제공하는 플라즈마 모듈부를 포함하며,
상기 플라즈마 모듈부는,
상기 기판으로부터 서로 마주보게 배치되어 전위차에 따라 상기 플라즈마를 형성하는 제 1 전극과 제 2 전극; 및
상기 제 1 및 제 2 전극 중 적어도 하나의 전극과 상기 기판 지지부 사이에 배치되어 상기 기판에 제공되는 상기 플라즈마를 국부적으로 감쇠시키는 플라즈마 감쇠 부재를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A process chamber for providing a process space;
A substrate support disposed within the process chamber to support at least one substrate; And
And a plasma module disposed on the substrate support to provide plasma to the substrate,
The plasma module unit includes:
A first electrode and a second electrode which are disposed facing each other from the substrate and form the plasma according to a potential difference; And
And a plasma attenuation member disposed between the at least one of the first and second electrodes and the substrate supporter for locally attenuating the plasma provided to the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 플라즈마 감쇠 부재는 상기 제 2 전극의 하면과 이격되도록 상기 제 1 전극의 하면에 결합되어 상기 기판의 일부 영역에 제공되는 플라즈마를 국부적으로 감쇠시키는 절연 플레이트인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the plasma attenuating member is an insulating plate coupled to a lower surface of the first electrode so as to be spaced apart from a lower surface of the second electrode to locally attenuate plasma provided in a partial area of the substrate. 제 2 항에 있어서,
상기 플라즈마 감쇠 부재는 상기 기판 지지부의 중심부에 인접한 기판의 내측 영역에 중첩되도록 평면적으로 사각 형태로 형성되어 상기 제 1 전극의 하면에 결합된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the plasma attenuation member is formed in a rectangular shape in a plan view so as to overlap the inner region of the substrate adjacent to the central portion of the substrate supporting portion and is coupled to the lower surface of the first electrode. 제 2 항에 있어서,
상기 플라즈마 감쇠 부재는 상기 기판 지지부의 중심부에 인접한 기판의 내측 가장자리에서부터 상기 기판의 중심부까지의 영역에 중첩되도록 평면적으로 삼각 형태로 형성되어 상기 제 1 전극의 하면에 결합된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the plasma attenuation member is formed in a triangular shape in a plan view so as to overlap with an area from an inner edge of the substrate adjacent to the central portion of the substrate supporter to a central portion of the substrate and is coupled to the lower surface of the first electrode. . 제 2 항에 있어서,
상기 플라즈마 감쇠 부재는 상기 기판 지지부의 중심부에 인접한 기판의 내측 가장자리에서부터 상기 기판의 중심부와 기판의 외측 가장자리 사이까지의 영역에 중첩되도록 평면적으로 사다리꼴 형태로 형성되어 상기 제 1 전극의 하면에 결합된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The plasma attenuating member is formed in a trapezoidal shape in a planar shape so as to overlap the inner edge of the substrate adjacent to the central portion of the substrate support portion and the region between the central portion of the substrate and the outer edge of the substrate, And the substrate processing apparatus. 제 2 항에 있어서,
상기 플라즈마 감쇠 부재는 상기 기판 지지부의 중심부에 인접한 기판의 내측 가장자리에서부터 상기 기판의 외측 가장자리까지의 영역에 중첩되도록 평면적으로 삼각 형태 또는 사각 형태와 삼각 형태가 조합된 형태로 형성되어 상기 제 1 전극의 하면에 결합된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the plasma attenuation member is formed in a triangular shape or a combination of a rectangular shape and a triangular shape so as to overlap with an area from an inner edge of the substrate adjacent to the central portion of the substrate support to an outer edge of the substrate, Wherein the substrate processing apparatus is coupled to a lower surface of the substrate processing apparatus. 제 2 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 플라즈마 감쇠 부재는 상기 플라즈마가 기판으로 제공되는 통로 역할을 하는 복수의 블랭크(blank)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.7. The method according to any one of claims 2 to 6,
Wherein the plasma attenuation member comprises a plurality of blanks serving as passages through which the plasma is provided to the substrate. 제 2 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 지지부에 마주보도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및
상기 플라즈마 모듈부와 공간적으로 분리되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 상기 기판에 박막을 증착하는 박막 증착 모듈부를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.7. The method according to any one of claims 2 to 6,
A chamber lid covering the top of the process chamber to face the substrate support; And
Further comprising a thin film deposition module unit installed on the chamber lead to spatially deposit the thin film on the substrate so as to be spatially separated from the plasma module unit. 제 8 항에 있어서,
상기 박막 증착 모듈부는,
상기 챔버 리드에 설치되어 상기 기판 상에 소스 가스를 분사하는 적어도 하나의 제 1 가스 분사 모듈; 및
상기 제 1 가스 분사 모듈과 공간적으로 분리되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 상기 기판 상에 반응 가스를 분사하는 적어도 하나의 제 2 가스 분사 모듈을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
The thin-
At least one first gas injection module installed in the chamber lid and injecting a source gas onto the substrate; And
And at least one second gas injection module installed in the chamber lid so as to be spatially separated from the first gas injection module and injecting a reaction gas onto the substrate. 제 9 항에 있어서,
상기 박막 증착 모듈부는 상기 제 1 가스 분사 모듈과 상기 제 2 가스 분사 모듈 및 상기 플라즈마 모듈부 각각과 공간적으로 분리되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 상기 기판 상에 퍼지 가스를 분사하는 복수의 퍼지 가스 분사 모듈을 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the thin film deposition module unit includes a plurality of purge gas injection modules installed in the chamber lid so as to be spatially separated from the first gas injection module, the second gas injection module, and the plasma module unit, The substrate processing apparatus further comprising: 제 9 항에 있어서,
상기 제 1 가스 분사 모듈과 상기 제 2 가스 분사 모듈 및 상기 플라즈마 모듈부 사이사이에 배치되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 상기 기판 상에 퍼지 가스를 분사하는 퍼지 가스 분사부를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
Further comprising a purge gas injection unit installed in the chamber lid so as to be disposed between the first gas injection module, the second gas injection module, and the plasma module unit and injecting purge gas onto the substrate. / RTI > 제 11 항에 있어서,
상기 퍼지 가스 분사부는 상기 소스 가스와 상기 반응 가스보다 상대적으로 가까운 거리에서 상기 기판 상에 퍼지 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the purge gas injector injects a purge gas onto the substrate at a relatively close distance relative to the source gas and the reactive gas. 제 11 항에 있어서,
상기 플라즈마 모듈부는 상기 제 1 가스 분사 모듈과 상기 제 2 가스 분사 모듈 각각과 공간적으로 분리되면서 상기 퍼지 가스 분사부에 의해 공간적으로 분리되도록 상기 챔버 리드에 설치된 제 1 및 제 2 플라즈마 모듈을 포함하고,
상기 제 1 및 제 2 플라즈마 모듈 각각은 상기 플라즈마 전극과 상기 접지 전극 및 상기 플라즈마 감쇠 부재를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the plasma module part includes first and second plasma modules installed in the chamber lid so as to be spatially separated from the first gas injection module and the second gas injection module and spatially separated by the purge gas injection part,
Wherein each of the first and second plasma modules comprises the plasma electrode, the ground electrode, and the plasma attenuation member. 제 11 항에 있어서,
상기 박막 증착 모듈부는 상기 제 1 가스 분사 모듈과 상기 제 2 가스 분사 모듈 사이에 배치되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 상기 기판 상에 퍼지 가스를 분사하는 제 3 가스 분사 모듈을 더 포함하고,
상기 퍼지 가스 분사부는 상기 제 1 내지 제 3 가스 분사 모듈과 상기 플라즈마 모듈부 사이사이에 대응되는 상기 기판 지지부 상에 퍼지 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the thin film deposition module further comprises a third gas injection module installed in the chamber lid so as to be disposed between the first gas injection module and the second gas injection module and injecting purge gas onto the substrate,
Wherein the purge gas injecting unit injects purge gas onto the substrate supporting portions corresponding to between the first to third gas injection modules and the plasma module portion. 제 2 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 지지부에 마주보도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및
상기 플라즈마 모듈부와 공간적으로 분리되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 상기 기판에 박막을 증착하는 박막 증착 모듈부를 더 포함하며,
상기 박막 증착 모듈부는 공간적으로 분리되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 소스 가스와 반응 가스를 공간적으로 분리하여 상기 기판 상에 함께 분사하는 복수의 가스 분사 모듈을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.7. The method according to any one of claims 2 to 6,
A chamber lid covering the top of the process chamber to face the substrate support; And
Further comprising a thin film deposition module unit installed on the chamber lead to spatially deposit the thin film on the substrate so as to be spatially separated from the plasma module unit,
Wherein the thin film deposition module part comprises a plurality of gas injection modules installed in the chamber lid so as to be spatially separated so as to spatially separate a source gas and a reactive gas and to spray the substrate on the substrate. 제 15 항에 있어서,
상기 복수의 가스 분사 모듈 각각은,
상기 기판으로부터 이격되면서 서로 나란한 제 1 및 제 2 플라즈마 전극과 접지 전극;
상기 제 1 플라즈마 전극과 상기 접지 전극 사이에 마련되어 상기 소스 가스가 공급되는 제 1 갭 공간; 및
상기 제 2 플라즈마 전극과 상기 접지 전극 사이에 마련되어 상기 반응 가스가 공급되는 제 2 갭 공간을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.16. The method of claim 15,
Wherein each of the plurality of gas injection modules includes:
First and second plasma electrodes and ground electrodes spaced apart from the substrate;
A first gap space provided between the first plasma electrode and the ground electrode to supply the source gas; And
And a second gap space provided between the second plasma electrode and the ground electrode to supply the reaction gas. 제 16 항에 있어서,
상기 복수의 가스 분사 모듈 각각의 제 1 및 제 2 플라즈마 전극 중 적어도 하나에는 플라즈마 전원이 인가되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.17. The method of claim 16,
Wherein plasma power is applied to at least one of the first and second plasma electrodes of each of the plurality of gas injection modules. 제 15 항에 있어서,
상기 박막 증착 모듈부는 상기 복수의 가스 분사 모듈 사이에 배치되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 상기 기판 상에 퍼지 가스를 분사하는 적어도 하나의 퍼지 가스 분사 모듈을 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.16. The method of claim 15,
Wherein the thin film deposition module further comprises at least one purge gas injection module installed in the chamber lid so as to be disposed between the plurality of gas injection modules and injecting purge gas onto the substrate. 제 15 항에 있어서,
상기 복수의 가스 분사 모듈과 상기 플라즈마 모듈부 사이사이에 배치되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 상기 기판 상에 퍼지 가스를 분사하는 퍼지 가스 분사부를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.16. The method of claim 15,
Further comprising a purge gas injection unit installed in the chamber lid so as to be disposed between the plurality of gas injection modules and the plasma module unit and injecting purge gas onto the substrate. 제 19 항에 있어서,
상기 퍼지 가스 분사부는 상기 소스 가스와 상기 반응 가스보다 상대적으로 가까운 거리에서 상기 기판 상에 퍼지 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.20. The method of claim 19,
Wherein the purge gas injector injects a purge gas onto the substrate at a relatively close distance relative to the source gas and the reactive gas. 공정 공간을 마련하는 공정 챔버;
상기 공정 챔버 내부에 설치되어 적어도 하나의 기판을 지지하는 기판 지지부; 및
상기 기판 지지부 위에 배치되어 상기 기판에 플라즈마를 제공하는 플라즈마 모듈부를 포함하며,
상기 플라즈마 모듈부로부터 기판에 제공되는 플라즈마는 상기 기판의 영역별로 상이한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A process chamber for providing a process space;
A substrate support disposed within the process chamber to support at least one substrate; And
And a plasma module disposed on the substrate support to provide plasma to the substrate,
Wherein the plasma provided to the substrate from the plasma module portion is different for each region of the substrate. 제 21 항에 있어서,
상기 플라즈마 모듈부는,
상기 기판으로부터 이격되면서 서로 나란한 플라즈마 전극과 접지 전극; 및
상기 플라즈마 전극과 이격되도록 상기 접지 전극의 하면에 결합되어 상기 기판의 일부 영역에 제공되는 플라즈마를 국부적으로 감쇠시키는 플라즈마 감쇠 부재를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.22. The method of claim 21,
The plasma module unit includes:
A plasma electrode and a ground electrode spaced apart from the substrate; And
And a plasma attenuation member coupled to a lower surface of the ground electrode so as to be spaced apart from the plasma electrode to locally attenuate plasma provided in a partial area of the substrate.
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