KR20150049674A - Stripper and method for manufacturing display device using the same - Google Patents
Stripper and method for manufacturing display device using the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20150049674A KR20150049674A KR1020130130513A KR20130130513A KR20150049674A KR 20150049674 A KR20150049674 A KR 20150049674A KR 1020130130513 A KR1020130130513 A KR 1020130130513A KR 20130130513 A KR20130130513 A KR 20130130513A KR 20150049674 A KR20150049674 A KR 20150049674A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polar solvent
- ether
- photoresist
- weight
- group
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1306—Details
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1326—Liquid crystal optical waveguides or liquid crystal cells specially adapted for gating or modulating between optical waveguides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 박리액 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 포토 레지스트 제거용 박리액 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a peeling liquid and a method of manufacturing a display using the same, and more particularly, to a peeling liquid for removing a photoresist and a method of manufacturing a display using the peeling liquid.
최근 기존의 브라운관을 대체하여 액정 표시 장치, 전기 영동 표시 장치 등의 표시 장치가 많이 사용되고 있다. Recently, display devices such as liquid crystal display devices and electrophoretic display devices have been widely used instead of conventional CRTs.
상기 표시 장치는 서로 대향하는 두 기판과 상기 두 기판 사이에 개재된 액정층이나 전기 영동층과 같은 영상 표시층을 포함한다. 상기 표시 장치에서는 두 기판이 서로 대향하여 접착되며 두 기판 사이에 상기 영상 표시층이 구비되도록 상기 두 기판 사이의 간격이 유지된다.The display device includes two substrates facing each other and an image display layer such as a liquid crystal layer or an electrophoretic layer interposed between the two substrates. In the display device, the two substrates are adhered to each other and the gap between the two substrates is maintained such that the image display layer is provided between the two substrates.
상기 영상 표시층이 제1 전극 및 제2 전극에 의해 정의된 터널 상 공동 내에 형성될 때, 상기 터널 상 공동은 희생층을 박리액으로 박리하여 형성된다. 이 때 상기 희생층은 박리액과 전면에 직접 닿을 수 없으므로, 상기 희생층을 박리하기 위해서는, 보다 박리 효과가 우수한 박리액을 필요로 한다.When the image display layer is formed in a tunnel-like cavity defined by the first electrode and the second electrode, the tunnel-shaped cavity is formed by peeling the sacrificial layer with a peeling liquid. At this time, since the sacrificial layer can not directly contact with the peeling liquid, the peeling liquid having a more excellent peeling effect is required for peeling off the sacrificial layer.
본 발명의 목적은 단시간에 포토 레지스트를 박리할 수 있고, 배선 및 컬러 필터 등에 가해지는 손상을 줄일 수 있는 박리액을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a peeling liquid which can peel off photoresist in a short time and can reduce damage to wirings, color filters and the like.
본 발명의 다른 목적은 단시간에 포토 레지스트를 박리할 수 있고, 배선 및 컬러 필터 등에 가해지는 손상을 줄일 수 있는 표시 장치 제조방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a display device capable of peeling a photoresist in a short period of time and reducing damage to wirings, color filters and the like.
본 발명의 제1 실시예에 따른 박리액은 비양자성 극성용매, 아민계 화합물 및 양자성 극성용제를 포함한다.The exfoliation solution according to the first embodiment of the present invention includes an aprotic polar solvent, an amine compound, and a protonic polar solvent.
상기 박리액은 상기 비양자성 극성용매 1 내지 90 중량부; 상기 아민계 화합물 1 내지 10 중량부; 및 상기 양자성 극성용제 1 내지 30 중량부를 포함할 수 있다.Wherein the peeling liquid comprises 1 to 90 parts by weight of the aprotic polar solvent; 1 to 10 parts by weight of the amine compound; And 1 to 30 parts by weight of the protonic polar solvent.
상기 비양자성 극성용매는 디메틸설폭사이드, N-메틸프롬아미드(NMF), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), N,N-디메틸아세트아마이드, N,N-디메틸포름아마이드, N,N-디메틸이미다졸, γ-부티로락톤, 설포란, 테트라퍼푸릴알콜(Tetrahydrofurfuryl alcohol), N,N-디메틸 프로피온아미드로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.The aprotic polar solvent may be selected from the group consisting of dimethylsulfoxide, N-methylformamide (NMF), N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), N, N-dimethylacetamide, N-dimethylimidazole, gamma -butyrolactone, sulfolane, tetrahydrofurfuryl alcohol, N, N-dimethylpropionamide, and the like.
또한 상기 아민계 화합물은 1-(2-하이드록시에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-하이드록시에틸)메틸피페라진, 2-메틸피페라진, 1-메틸피페라진 및 1-아미노-4-메틸피페라진으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.Also, the amine compound may be at least one selected from the group consisting of 1- (2-hydroxyethyl) piperazine, 1- (2-aminoethyl) piperazine, 1- (2-hydroxyethyl) methylpiperazine, 2- Methylpiperazine, 1-amino-4-methylpiperazine, and the like.
또한 상기 양자성 극성용제는 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜메틸에테르, 에틸렌글리콜에틸에테르, 에틸렌글리콜부틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸에테르, 트리에틸렌글리콜메틸에테르, 트리에틸렌글리콜에틸에테르, 트리에틸렌글리콜부틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸에테르 및 디에틸렌글리콜디메틸에테르로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.The protonic polar solvent may be at least one selected from the group consisting of ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, tetraethylene glycol, ethylene glycol methyl ether, ethylene glycol ethyl ether, ethylene glycol butyl ether, diethylene glycol methyl ether, diethylene glycol ethyl ether, di Ethylene glycol butyl ether, ethylene glycol butyl ether, triethylene glycol methyl ether, triethylene glycol ethyl ether, triethylene glycol butyl ether, dipropylene glycol methyl ether, and diethylene glycol dimethyl ether.
상기 포토 레지스트 제거용 박리액은 부식 방지제 또는 표면 친수화제를 더 포함할 수 있다.The removing solution for removing the photoresist may further include a corrosion inhibitor or a surface hydrophilic agent.
본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치 제조방법은 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 제1 방향으로 연장된 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2방향으로 제2 전극을 형성하는 단계; 및 상기 희생층을 박리액으로 박리하여 터널 상 공동을 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a display device according to a first embodiment of the present invention includes: forming a first electrode on a substrate; Forming a sacrificial layer extending in a first direction on the first electrode; Forming a second electrode on the sacrificial layer in a second direction that intersects the first direction; And peeling the sacrificial layer with a peeling liquid to form a tunnel-like cavity.
상기 박리액은 비양자성 극성용매, 아민계 화합물 및 양자성 극성용제를 포함한다.The exfoliation solution includes an aprotic polar solvent, an amine compound, and a protonic polar solvent.
상기 희생층은 포토 레지스트로 형성될 수 있다.The sacrificial layer may be formed of a photoresist.
상기 표시 장치 제조방법은 상기 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있고, 상기 기판 상에 컬러 필터를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또한 상기 기판 상에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또한 상기 터널 상 공동에 영상 표시층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing a display device may further include forming a thin film transistor on the substrate, and forming a color filter on the substrate. The method may further include forming a black matrix on the substrate. The method may further include forming an image display layer in the cavity of the tunnel.
한편 상기 박리액은 상기 비양자성 극성용매 1 내지 90 중량부; 상기 아민계 화합물 1 내지 10 중량부; 및 상기 양자성 극성용제 1 내지 30 중량부를 포함할 수 있다.On the other hand, the exfoliating liquid contains 1 to 90 parts by weight of the aprotic polar solvent; 1 to 10 parts by weight of the amine compound; And 1 to 30 parts by weight of the protonic polar solvent.
상기 비양자성 극성용매는 디메틸설폭사이드, N-메틸프롬아미드(NMF), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), N,N-디메틸아세트아마이드, N,N-디메틸포름아마이드, N,N-디메틸이미다졸, γ-부티로락톤, 설포란, 테트라퍼푸릴알콜(Tetrahydrofurfuryl alcohol), N,N-디메틸 프로피온아미드로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.The aprotic polar solvent may be selected from the group consisting of dimethylsulfoxide, N-methylformamide (NMF), N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), N, N-dimethylacetamide, N-dimethylimidazole, gamma -butyrolactone, sulfolane, tetrahydrofurfuryl alcohol, N, N-dimethylpropionamide, and the like.
또한 상기 아민계 화합물은 1-(2-하이드록시에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-하이드록시에틸)메틸피페라진, 2-메틸피페라진, 1-메틸피페라진 및 1-아미노-4-메틸피페라진으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.Also, the amine compound may be at least one selected from the group consisting of 1- (2-hydroxyethyl) piperazine, 1- (2-aminoethyl) piperazine, 1- (2-hydroxyethyl) methylpiperazine, 2- Methylpiperazine, 1-amino-4-methylpiperazine, and the like.
또한 상기 양자성 극성용제는 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜메틸에테르, 에틸렌글리콜에틸에테르, 에틸렌글리콜부틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸에테르, 트리에틸렌글리콜메틸에테르, 트리에틸렌글리콜에틸에테르, 트리에틸렌글리콜부틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸에테르 및 디에틸렌글리콜디메틸에테르로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.The protonic polar solvent may be at least one selected from the group consisting of ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, tetraethylene glycol, ethylene glycol methyl ether, ethylene glycol ethyl ether, ethylene glycol butyl ether, diethylene glycol methyl ether, diethylene glycol ethyl ether, di Ethylene glycol butyl ether, ethylene glycol butyl ether, triethylene glycol methyl ether, triethylene glycol ethyl ether, triethylene glycol butyl ether, dipropylene glycol methyl ether, and diethylene glycol dimethyl ether.
상기 박리액은 부식 방지제 또는 표면 친수화제를 더 포함할 수 있다.The peeling liquid may further include a corrosion inhibitor or a surface hydrophilic agent.
본 발명의 제1 실시예에 따른 박리액에 의하면, 단시간에 포토 레지스트를 박리할 수 있고, 배선 및 컬러 필터 등에 가해지는 손상을 줄일 수 있다.According to the peeling liquid according to the first embodiment of the present invention, the photoresist can be peeled off in a short time, and the damage to the wiring and the color filter can be reduced.
본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치 제조방법에 의하면, 단시간에 포토 레지스트를 박리할 수 있고, 배선 및 컬러 필터 등에 가해지는 손상을 줄인 표시 장치를 제조할 수 있다.According to the display device manufacturing method of the first embodiment of the present invention, the photoresist can be peeled off in a short period of time, and a display device with reduced damage to wiring, color filters, and the like can be manufactured.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 2a 내지 도 6a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치 제조방법을 순차적으로 나타낸 평면도이다.
도 2b 내지 도 6b는 각각 도 2a 내지 도 6a의 I-I'선에 대응되는 단면도이다.
도 2c 내지 도 6c는 각각 도 2a 내지 도 6a의 Ⅱ-Ⅱ' 선에 대응되는 단면도이다.1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a display device according to a first embodiment of the present invention.
2A to 6A are plan views sequentially illustrating a method of manufacturing a display device according to a first embodiment of the present invention.
Figs. 2B to 6B are cross-sectional views corresponding to line I-I 'in Figs. 2A to 6A, respectively.
Figs. 2C to 6C are cross-sectional views corresponding to the line II-II 'in Figs. 2A to 6A, respectively.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features, and advantages of the present invention will become more readily apparent from the following description of preferred embodiments with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. Like parts are designated with like reference numerals throughout the specification. Whenever a part such as a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another part, it includes not only the case where it is "directly on" another part but also the case where there is another part in the middle.
이하에서는 본 발명의 제1 실시예에 따른 박리액에 대하여 설명한다.Hereinafter, the peeling solution according to the first embodiment of the present invention will be described.
본 발명의 제1 실시예에 따른 박리액은 비양자성 극성용매, 아민계 화합물 및 양자성 극성용제를 포함한다.The exfoliation solution according to the first embodiment of the present invention includes an aprotic polar solvent, an amine compound, and a protonic polar solvent.
상기 박리액은 상기 비양자성 극성용매 1 내지 90 중량부; 상기 아민계 화합물 1 내지 10 중량부; 및 상기 양자성 극성용제 1 내지 30 중량부를 포함할 수 있다.Wherein the peeling liquid comprises 1 to 90 parts by weight of the aprotic polar solvent; 1 to 10 parts by weight of the amine compound; And 1 to 30 parts by weight of the protonic polar solvent.
본 발명의 비양자성 극성용매는 포토 레지스트가 형성된 층과 상기 포토 레지스트가 형성된 층 및 상기 포토 레지스트 간의 결합력을 약화시켜, 상기 포토 레지스트가 형성된 층으로부터 상기 포토 레지스트가 용이하게 박리되도록 한다. 상기 비양자성 극성용매는 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 디메틸설폭사이드, N-메틸프롬아미드(NMF), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), N,N-디메틸아세트아마이드, N,N-디메틸포름아마이드, N,N-디메틸이미다졸, γ-부티로락톤, 설포란, 테트라퍼푸릴알콜(Tetrahydrofurfuryl alcohol), N,N-디메틸 프로피온아미드로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 보다 바람직하게는 상기 비양자성 극성용매는 박리력이 강한 N,N-디메틸 프로피온아미드를 포함하는 것이 바람직하다.The aprotic polar solvent of the present invention weakens the bonding force between the layer on which the photoresist is formed and the layer on which the photoresist is formed and the photoresist so that the photoresist can be easily peeled off from the layer on which the photoresist is formed. The aprotic polar solvent is not particularly limited as long as it is ordinarily used, and examples thereof include dimethylsulfoxide, N-methylformamide (NMF), N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), N, At least one member selected from the group consisting of N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylimidazole,? -Butyrolactone, sulfolane, tetrahydrofurfuryl alcohol and N, N-dimethylpropionamide . ≪ / RTI > More preferably, the aprotic polar solvent includes N, N-dimethylpropionamide having strong peeling force.
본 발명의 제1 실시예에 따른 박리액은 박리력이 강한 상기 비양자성 극성용매를 포함함으로써, 단시간에 포토 레지스트를 박리할 수 있다.The peeling liquid according to the first embodiment of the present invention includes the aprotic polar solvent having a strong peeling force, so that the photoresist can be peeled off in a short time.
상기 비양자성 극성 용매는 1 내지 90 중량부 포함되는 것이 바람직하다. 상기 비양자성 극성 용매가 1 중량부 미만이면, 포토 레지스트 박리 성능이 저하될 수 있고, 90 중량부를 초과하면 포토 레지스트 잔사가 발생할 수 있고, 박리액 제조 원가가 상승하여 생산성이 떨어진다.The amount of the aprotic polar solvent is preferably 1 to 90 parts by weight. If the amount of the aprotic polar solvent is less than 1 part by weight, the photoresist peeling performance may deteriorate. If the amount exceeds 90 parts by weight, a photoresist residue may be generated, and the production cost of the peeling liquid may increase.
본 발명의 아민계 화합물은 포토 레지스트의 내부에 침투하여 포토 레지스트 간의 결합을 깨는 역할을 한다. 상기 아민계 화합물은 1 내지 10 중량부 포함되는 것이 바람직하다. 상기 아민계 화합물이 1 중량부 미만이면, 포토 레지스트 박리 성능이 저하될 수 있고, 10 중량부를 초과하면 포토 레지스트 잔사가 발생할 수 있다.The amine compound of the present invention penetrates the inside of the photoresist and breaks the bond between the photoresists. The amine compound is preferably contained in an amount of 1 to 10 parts by weight. If the amount of the amine compound is less than 1 part by weight, the photoresist peeling performance may deteriorate, and if it exceeds 10 parts by weight, a photoresist residue may be generated.
상기 아민계 화합물은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 1-(2-하이드록시에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-하이드록시에틸)메틸피페라진, 2-메틸피페라진, 1-메틸피페라진 및 1-아미노-4-메틸피페라진으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.The amine compound is not particularly limited as long as it is ordinarily used, and examples thereof include 1- (2-hydroxyethyl) piperazine, 1- (2-aminoethyl) piperazine, 1- , 2-methylpiperazine, 1-methylpiperazine, and 1-amino-4-methylpiperazine.
또한 본 발명의 양자성 극성용제는 포토 레지스트의 용해력을 증가시키며, 높은 온도에서 박리액을 사용할 때 휘발에 의한 박리액의 손실을 최소화하는 역할을 한다. 상기 양자성 극성용제는 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜메틸에테르, 에틸렌글리콜에틸에테르, 에틸렌글리콜부틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸에테르, 트리에틸렌글리콜메틸에테르, 트리에틸렌글리콜에틸에테르, 트리에틸렌글리콜부틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸에테르 및 디에틸렌글리콜디메틸에테르로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.Further, the protonic polar solvent of the present invention increases the solubility of the photoresist and serves to minimize the loss of the peeling solution due to volatilization when the peeling solution is used at a high temperature. The protonic polar solvent is not particularly limited as long as it is ordinarily used, and examples thereof include ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, tetraethylene glycol, ethylene glycol methyl ether, ethylene glycol ethyl ether, ethylene glycol butyl ether, diethylene glycol methyl One kind selected from the group consisting of ether, diethylene glycol ethyl ether, diethylene glycol butyl ether, triethylene glycol methyl ether, triethylene glycol ethyl ether, triethylene glycol butyl ether, dipropylene glycol methyl ether and diethylene glycol dimethyl ether Or more.
상기 양자성 극성용제는 1 내지 30 중량부 포함되는 것이 바람직하다. 상기 양자성 극성용제가 1 중량부 미만이면 고분자를 용해시키는 능력이 부족해 포토 레지스트의 박리 성능이 저하될 수도 있고, 30 중량부를 초과하면 포토 레지스트의 잔사 제거 능력이 저하될 수 있다.The amount of the protonic polar solvent is preferably 1 to 30 parts by weight. If the amount of the protonic solvent is less than 1 part by weight, the ability to dissolve the polymer may be insufficient and the peeling performance of the photoresist may be deteriorated. If the amount exceeds 30 parts by weight, the photoresist residue removal capability may be deteriorated.
또한 본 발명의 제1 실시예에 따른 박리액은 물을 더 포함할 수 있다. 상기 물은 탈이온수인 것이 바람직하며, 본 발명의 제1 실시예에 따른 박리액을 제조할 때 투입되는 수용성 고체 화합물을 용해한다. The stripping solution according to the first embodiment of the present invention may further comprise water. The water is preferably deionized water, and dissolves the water-soluble solid compound to be added when preparing the peeling solution according to the first embodiment of the present invention.
이하에서는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치 제조방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a display device according to a first embodiment of the present invention will be described.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치 제조방법을 나타낸 흐름도이다.1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a display device according to a first embodiment of the present invention.
본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치 제조방법은 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계(s10); 상기 제1 전극 상에 제1 방향으로 연장된 희생층을 형성하는 단계(s20); 상기 희생층 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2방향으로 제2 전극을 형성하는 단계(s30); 및 상기 희생층을 박리액으로 박리하여 터널 상 공동을 형성하는 단계(s40)를 포함한다.A method of manufacturing a display device according to a first embodiment of the present invention includes: forming (s10) a first electrode on a substrate; Forming a sacrificial layer extending in a first direction on the first electrode (s20); Forming a second electrode on the sacrificial layer in a second direction intersecting with the first direction (s30); And peeling the sacrificial layer with a peeling liquid to form a tunnel-like cavity (s40).
상기 박리액은 비양자성 극성용매, 아민계 화합물 및 양자성 극성용제를 포함한다. 상기 박리액은 상기 박리액의 총 중량을 기준으로, 상기 비양자성 극성용매 1 내지 90 중량부; 상기 아민계 화합물 1 내지 10 중량부; 및 상기 양자성 극성용제 1 내지 30 중량부를 포함할 수 있다.The exfoliation solution includes an aprotic polar solvent, an amine compound, and a protonic polar solvent. Wherein the peeling liquid comprises, based on the total weight of the peeling liquid, 1 to 90 parts by weight of the aprotic polar solvent; 1 to 10 parts by weight of the amine compound; And 1 to 30 parts by weight of the protonic polar solvent.
도 2a 내지 도 6a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치 제조방법을 순차적으로 나타낸 평면도이다. 또한 도 2b 내지 도 6b는 각각 도 2a 내지 도 6a의 I-I'선에 대응되는 단면도이고, 도 2c 내지 도 6c는 각각 도 2a 내지 도 6a의 Ⅱ-Ⅱ' 선에 대응되는 단면도이다.2A to 6A are plan views sequentially illustrating a method of manufacturing a display device according to a first embodiment of the present invention. 2B to 6B are cross-sectional views corresponding to line I-I 'in FIGS. 2A to 6A, and FIGS. 2C to 6C are cross-sectional views corresponding to lines II-II' in FIGS. 2A to 6A, respectively.
먼저 도 1, 도 2a, 도 2b 및 도 2c를 참조하면, 기판(1000) 상에 제1 전극(1100)을 형성한다(s10). 상기 제1 전극(1100)은 영상 표시층을 제어하는 역할을 수행하는 것으로써, 포토리소그래피 공정을 이용하여 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(1100)은 ITO나 IZO와 같은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 이 때 상기 기판(1000)은 투명 또는 불투명한 절연 기판으로, 실리콘 기판, 유리 기판, 플라스틱 기판 등일 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다. First, referring to FIGS. 1, 2A, 2B, and 2C, a
다음으로, 도 1, 도 2a, 도 2b 및 도 2c를 참조하면, 상기 제1 전극(1100) 상에 절연막(1200)을 형성한다. 상기 절연막(1200)은 제1 전극(1100)을 보호한다.Next, referring to FIGS. 1, 2A, 2B, and 2C, an insulating
다음으로, 도 1, 도 3a, 도 3b 및 도 3c를 참조하면, 상기 제1 전극(1100) 상에, 보다 구체적으로는 상기 제1 전극(1100) 상에 형성된 상기 절연막(1200) 상에 제1 방향(예를 들어, DR1 방향)으로 연장된 희생층(1300)을 형성한다(s20). 상기 희생층(1300)은 포토 레지스트로 형성될 수 있으며, 포토리소그래피 공정을 이용하여 패터닝함으로써 형성할 수 있다. 상기 포토 레지스트는 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 유기 고분자 물질을 사용할 수 있다.Next, referring to FIGS. 1, 3A, 3B, and 3C, an insulating
상기 희생층(1300)은 이후 제거되어 상기 터널 상 공동을 형성하기 위한 것으로서, 이후 영상 표시층이 형성될 위치에 상기 터널 상 공동의 폭과 높이에 대응하는 폭과 높이로 형성된다.The
다음으로, 도 1, 도 4a, 도 4b 및 도 4c를 참조하면, 상기 희생층(1300) 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2방향(예를 들어, DR2 방향)으로 제2 전극(1400)을 형성한다(s30). 상기 제2 전극(1400)은 평면상에서 볼 때 상기 제1 전극(1100)과 중첩된다. 상기 제2 전극(1400)은 포토리소그래피 공정을 이용하여 패터닝함으로써 형성할 수 있다. 상기 제2 전극(1400)은 ITO나 IZO와 같은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다.Next, referring to FIGS. 1, 4A, 4B and 4C, a second electrode 1400 (for example, a second electrode) 1400 is formed on the
다음으로, 도 1, 도 5a, 도 5b 및 도 5c를 참조하면, 도 4a 내지 도 4c의 상기 희생층(1300)을 박리액으로 박리하여 터널 상 공동(TSC)을 형성한다(s40). 상기 희생층(1300)은 상기 박리액에 의해 상기 희생층(1300)의 노출된 상면으로부터 상기 희생층(1300)의 내부까지 순차적으로 박리된다. 이에 따라 상기 제1 전극(1100)의 상면 및 상기 제2 전극(1400)의 하면에 의해 정의되는 터널 상 공동(TSC)이 형성된다. Next, referring to FIGS. 1, 5A, 5B and 5C, the
이 때 상기 박리액은 비양자성 극성용매, 아민계 화합물 및 양자성 극성용제를 포함한다. 상기 박리액은 상기 박리액의 총 중량을 기준으로, 상기 비양자성 극성용매 1 내지 90 중량부; 상기 아민계 화합물 1 내지 10 중량부; 및 상기 양자성 극성용제 1 내지 30 중량부를 포함할 수 있다. 상기 비양자성 극성용매, 상기 아민계 화합물, 상기 양자성 극성용제의 구체적인 예는 앞서 언급한 바, 이하에서는 구체적인 설명은 생략한다.At this time, the peeling liquid includes aprotic polar solvent, amine compound and protonic polar solvent. Wherein the peeling liquid comprises, based on the total weight of the peeling liquid, 1 to 90 parts by weight of the aprotic polar solvent; 1 to 10 parts by weight of the amine compound; And 1 to 30 parts by weight of the protonic polar solvent. Specific examples of the aprotic polar solvent, the amine compound, and the protonic polar solvent have been described above, and a detailed description thereof will be omitted.
상기 박리액에 포함되는 상기 비양자성 극성용매는 포토 레지스트가 형성된 층과 상기 포토 레지스트가 형성된 층 및 상기 포토 레지스트 간의 결합력을 약화시켜, 상기 포토 레지스트가 형성된 층으로부터 상기 포토 레지스트가 용이하게 박리되도록 한다. 또한 상기 박리액에 포함되는 상기 아민계 화합물은 포토 레지스트의 내부에 침투하여 포토 레지스트 간의 결합을 깨는 역할을 하고, 상기 박리액에 포함되는 상기 양자성 극성용제는 포토 레지스트의 용해력을 증가시키며, 높은 온도에서 박리액을 사용할 때 휘발에 의한 박리액의 손실을 최소화하는 역할을 한다.The aprotic polar solvent contained in the peeling liquid weakens the bonding force between the layer on which the photoresist is formed and the layer on which the photoresist is formed and the photoresist so that the photoresist can be easily peeled off from the layer on which the photoresist is formed . In addition, the amine compound contained in the peeling solution penetrates into the inside of the photoresist to break the bond between the photoresists, and the quantum-polar solvent contained in the peeling solution increases the solubility of the photoresist, And serves to minimize the loss of the peeling liquid due to volatilization when the peeling liquid is used at a temperature.
상기 희생층(1300)은 상기 제1 전극(1100) 및 상기 제2 전극(1400)에 의해 둘러싸여, 박리액과 전면에 직접 닿을 수 없으므로, 상기 희생층(1300)을 박리하기 위해서는 보다 박리효과가 뛰어난 박리액을 요한다. 본 발명의 제1 실시예에 따른 박리액은 상기 비양자성 극성용매, 보다 구체적으로는 박리력이 강한 N,N-디메틸 프로피온아미드를 포함함으로써, 상기 희생층(1300)을 단시간에 박리할 수 있다. 상기 희생층(1300)을 상기 박리액으로 박리함으로써, 상기 터널 상 공동(TSC)을 형성한다.Since the
한편, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치 제조방법은 상기 기판(1000) 상에 박막 트랜지스터(미도시)를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(미도시)는 도시하지 않았으나, 게이트 라인, 데이터 라인, 게이트 전극, 반도체 패턴, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함할 수 있다.Meanwhile, the method of manufacturing a display device according to the first embodiment of the present invention may further include the step of forming a thin film transistor (not shown) on the
또한 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치 제조방법은 상기 기판(1000) 상에 컬러 필터(미도시)를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 컬러 필터(미도시)는 상기 박막 트랜지스터(미도시) 상에 형성될 수 있다. 상기 컬러 필터(미도시)는 상기 기판(1000) 상에 적색, 녹색, 청색, 또는 기타 색을 나타내는 컬러층을 형성하고, 상기 컬러층을 포토리소그래피를 이용하여 패터닝함으로써 형성할 수 있다. 상기 컬러 필터(미도시)의 형성 방법은 이에 한정되는 것은 아니며, 잉크젯 방법 등으로 형성할 수 있음은 물론이다.In addition, the method of manufacturing a display device according to the first embodiment of the present invention may further include the step of forming a color filter (not shown) on the
또한 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치 제조방법은 상기 기판(1000) 상에 블랙 매트릭스(미도시)를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(미도시)는 상기 박막 트랜지스터(미도시) 상에 형성될 수 있고, 상기 컬러 필터(미도시)를 형성하는 단계 이전, 이후 또는 동시에 형성될 수 있다. 상기 블랙매트릭스는 상기 기판(1000) 상에 광을 흡수하는 차광층을 형성하고 상기 차광층을 포토리고스래피를 이용하여 패터닝함으로써 형성할 수 있으며, 선택적으로 다른 방법, 예를 들어 잉크젯 방법 등으로도 형성할 수 있다.The method of manufacturing a display device according to the first embodiment of the present invention may further include the step of forming a black matrix (not shown) on the
또한 도 6a 내지 도 6c를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치 제조방법은 상기 터널 상 공동(TSC)에 영상 표시층(DSP)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 영상 표시층(DSP)은 서로 대향하는 상기 제1 전극(1100)과 상기 제2 전극(1400) 사이에 제공되며, 영상 표시층(DSP)는 상기 전계에 의해 제어되어 영상을 표시한다. 상기 영상 표시층(DSP)은 전계에 따라 영상을 표시할 수 있는 것으로서, 액상을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 상기 영상 표시층(DSP)은 전기 영동층이나 액정층일 수 있다.6A to 6C, the method of manufacturing a display device according to the first embodiment of the present invention may further include the step of forming an image display layer (DSP) in the tunnel-like cavity TSC. The image display layer DSP is provided between the
이하, 구체적인 실시예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 예시에 불과하며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described more specifically by way of specific examples. The following examples are provided to aid understanding of the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto.
<실시예 1>≪ Example 1 >
비양자성 극성용매로 N,N-디메틸 프로피온아미드 60 중량부 및 N-메틸-2-피롤리돈 20 중량부, 아민계 화합물로 1-(2-하이드록시에틸)피페라진 2 중량부 , 양자성 극성용제로 디에틸렌글리콜을 18 중량부 포함하는 박리액을 제조하였다.60 parts by weight of N, N-dimethylpropionamide and 20 parts by weight of N-methyl-2-pyrrolidone as an aprotic polar solvent, 2 parts by weight of 1- (2-hydroxyethyl) piperazine as an amine compound, A stripping solution containing 18 parts by weight of diethylene glycol as a polar solvent was prepared.
<비교예 1>≪ Comparative Example 1 &
비양자성 극성용매 N-메틸-2-피롤리돈 10 중량부, 양자성 극성용제로 디에틸렌글리콜을 38 중량부 포함하는 박리액을 제조하였다.10 parts by weight of aprotic polar solvent N-methyl-2-pyrrolidone, and 38 parts by weight of diethylene glycol as a protonic polar solvent.
<박리 속도 측정><Peeling speed measurement>
유리 기판 상에 포토 레지스트가 도포된 기판을 다이아몬드 칼을 이용하여 300×400㎜로 잘라 시편을 제조하였다.The substrate coated with the photoresist on the glass substrate was cut into 300 × 400 mm using a diamond knife to prepare specimens.
상기 시편의 포토 레지스트를 실시예 1 및 비교예 1의 박리액을 사용하여 박리하였다.The photoresist of the specimen was peeled off using the peeling solution of Example 1 and Comparative Example 1.
상기 실시예 1의 박리액을 사용할 경우, 박리 속도가 129.8μm/min 로 측정되었으나, 상기 비교예 1의 박리액을 사용할 경우, 박리 속도가 34.0μm/min 로 측정되었다.When the peeling solution of Example 1 was used, the peeling rate was measured at 129.8 占 퐉 / min. When the peeling solution of Comparative Example 1 was used, the peeling rate was measured at 34.0 占 퐉 / min.
<컬러 필터의 스웰링(swelling) 측정>≪ Swelling Measurement of Color Filter >
유리 기판 상에 컬러 필터 및 블랙 매트릭스를 형성하였고, 상기 컬리 필터 및 블랙 매트릭스 상에 포토 레지스트를 도포하였다. 상기 포토 레지스트를 도포한 기판을 다이아몬드 칼을 이용하여 300×400㎜로 잘라 시편을 제조하였다.A color filter and a black matrix were formed on a glass substrate, and photoresist was applied on the collinear filter and the black matrix. The substrate coated with the photoresist was cut into 300 × 400 mm using a diamond knife to prepare specimens.
상기 시편의 포토 레지스트를 실시예 1 및 비교예 1의 박리액을 사용하여 박리하였고, 30분 후에 컬러 필터 RGB의 스웰링 정도를 측정하였다.The photoresist of the specimen was peeled off using the peeling solution of Example 1 and Comparative Example 1, and the degree of swelling of the color filter RGB was measured after 30 minutes.
실시예 1의 박리액을 사용할 경우, R: 0.06%, G: 0.79%, B: 0.88%의 스웰링이 각각 발생하였으나, 비교예 1의 박리액을 사용할 경우, R: 1.23%, G: 1.95%, B: 1.35%의 스웰링이 발생하였다.When the release agent of Example 1 was used, swelling of 0.06% of R, 0.79% of G and 0.88% of B occurred respectively. When the release agent of Comparative Example 1 was used, 1.23% of R and 1.95% %, And B: 1.35%.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징으로 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative and non-restrictive in every respect.
1000: 기판
1100: 제1 전극
1200: 절연막
1300: 희생층
1400: 제2 전극
TSC: 터널 상 공동
DSP: 영상 표시층1000: substrate 1100: first electrode
1200: insulating film 1300: sacrificial layer
1400: second electrode TSC:
DSP: Video display layer
Claims (17)
상기 비양자성 극성용매 1 내지 90 중량부;
상기 아민계 화합물 1 내지 10 중량부; 및
상기 양자성 극성용제 1 내지 30 중량부를 포함하는 포토 레지스트 제거용 박리액.The method according to claim 1,
1 to 90 parts by weight of the aprotic polar solvent;
1 to 10 parts by weight of the amine compound; And
And 1 to 30 parts by weight of the protonic polar solvent.
상기 제1 전극 상에 제1 방향으로 연장된 희생층을 형성하는 단계;
상기 희생층 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2방향으로 제2 전극을 형성하는 단계; 및
상기 희생층을 박리액으로 박리하여 터널 상 공동을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 박리액은 비양자성 극성용매, 아민계 화합물 및 양자성 극성용제를 포함하는 표시 장치 제조방법.Forming a first electrode on the substrate;
Forming a sacrificial layer extending in a first direction on the first electrode;
Forming a second electrode on the sacrificial layer in a second direction that intersects the first direction; And
And peeling the sacrificial layer with a peeling liquid to form a tunnel-like cavity,
Wherein the peeling liquid comprises an aprotic polar solvent, an amine compound, and a protonic polar solvent.
상기 박리액은
상기 비양자성 극성용매 1 내지 90 중량부;
상기 아민계 화합물 1 내지 10 중량부; 및
상기 양자성 극성용제 1 내지 30 중량부를 포함하는 표시 장치 제조방법.8. The method of claim 7,
The peeling liquid
1 to 90 parts by weight of the aprotic polar solvent;
1 to 10 parts by weight of the amine compound; And
And 1 to 30 parts by weight of the protonic polar solvent.
The display device manufacturing method according to claim 7, wherein the peeling liquid further comprises a corrosion inhibitor or a surface hydrophilic agent.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130130513A KR102119438B1 (en) | 2013-10-30 | 2013-10-30 | Stripper and method for manufacturing display device using the same |
CN201410592323.4A CN104597728B (en) | 2013-10-30 | 2014-10-29 | Stripping liquid and method for manufacturing display device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130130513A KR102119438B1 (en) | 2013-10-30 | 2013-10-30 | Stripper and method for manufacturing display device using the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150049674A true KR20150049674A (en) | 2015-05-08 |
KR102119438B1 KR102119438B1 (en) | 2020-06-08 |
Family
ID=53123603
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130130513A KR102119438B1 (en) | 2013-10-30 | 2013-10-30 | Stripper and method for manufacturing display device using the same |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102119438B1 (en) |
CN (1) | CN104597728B (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170070871A (en) * | 2015-12-14 | 2017-06-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | Composition for photoresist stripper and method of manufacturing thin film transistor array using the composition |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102414295B1 (en) * | 2016-01-22 | 2022-06-30 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | Photoresist stripper composition |
CN105676603A (en) * | 2016-04-13 | 2016-06-15 | 深圳市松柏实业发展有限公司 | Printed circuit board film removal liquid and preparation method and use method thereof |
US10866518B2 (en) | 2016-09-28 | 2020-12-15 | Dow Global Technologies Llc | Solvents for use in the electronics industry |
WO2018058341A1 (en) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | Dow Global Technologies Llc | Sulfoxide/glycol ether based solvents for use in the electronics industry |
CN106410030A (en) * | 2016-11-08 | 2017-02-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Manufacturing method of organic thin-film transistor |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040098751A (en) * | 2003-05-15 | 2004-11-26 | 주식회사 엘지화학 | Photoresist stripper composition |
KR20100039119A (en) * | 2008-10-07 | 2010-04-15 | 덕산약품공업주식회사 | Recovery method of organic solvent from photoresist waste |
KR20110016418A (en) * | 2009-08-11 | 2011-02-17 | 동우 화인켐 주식회사 | Resist stripper composition and a method of stripping resist using the same |
KR20130104862A (en) * | 2012-03-15 | 2013-09-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060024478A (en) * | 2004-09-13 | 2006-03-17 | 주식회사 동진쎄미켐 | Composition for removing a photoresist |
US7553684B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-06-30 | Idc, Llc | Method of fabricating interferometric devices using lift-off processing techniques |
KR101323408B1 (en) * | 2009-12-07 | 2013-10-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | Method for fabricating liquid crystal display device |
KR20140024625A (en) * | 2012-08-20 | 2014-03-03 | 주식회사 동진쎄미켐 | Composition for removing photoresist |
-
2013
- 2013-10-30 KR KR1020130130513A patent/KR102119438B1/en active IP Right Grant
-
2014
- 2014-10-29 CN CN201410592323.4A patent/CN104597728B/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040098751A (en) * | 2003-05-15 | 2004-11-26 | 주식회사 엘지화학 | Photoresist stripper composition |
KR20100039119A (en) * | 2008-10-07 | 2010-04-15 | 덕산약품공업주식회사 | Recovery method of organic solvent from photoresist waste |
KR20110016418A (en) * | 2009-08-11 | 2011-02-17 | 동우 화인켐 주식회사 | Resist stripper composition and a method of stripping resist using the same |
KR20130104862A (en) * | 2012-03-15 | 2013-09-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170070871A (en) * | 2015-12-14 | 2017-06-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | Composition for photoresist stripper and method of manufacturing thin film transistor array using the composition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102119438B1 (en) | 2020-06-08 |
CN104597728A (en) | 2015-05-06 |
CN104597728B (en) | 2020-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20150049674A (en) | Stripper and method for manufacturing display device using the same | |
US10139680B2 (en) | Method of manufacturing display panel, display panel, and display device | |
KR20130052581A (en) | Touch panel | |
WO2014187105A1 (en) | Method for cutting display panel, and display apparatus | |
WO2010143878A2 (en) | Method for cutting liquid crystal panel and method for manufacturing liquid crystal panel using same | |
CN105182625A (en) | Display substrate, manufacturing method thereof and display device | |
CN104900589A (en) | Array substrate, manufacturing method thereof, and display device | |
JP2007183638A (en) | Display substrate and method for manufacturing the same | |
JP4846301B2 (en) | Thin film transistor substrate manufacturing method and stripping composition | |
US20140071553A1 (en) | Color filter substrate, tft array substrate, manufacturing method of the same, and liquid crystal display panel | |
KR20110042899A (en) | Manufacturing method of flexible display device | |
CN105097990A (en) | Method for manufacturing semiconductor structure | |
KR20160128088A (en) | Display panel and the manufacturing methode thereof | |
KR101129433B1 (en) | Method of manufacturing thin film transistor substrate and stripping composition | |
JP2011169984A (en) | Method of manufacturing liquid crystal display panel | |
KR101358385B1 (en) | Manufacturing method of flexible display device | |
KR101141688B1 (en) | Substrate cutting method by chemical wet etching | |
CN104810312B (en) | The preparation method of alignment mark on grid layer | |
CN103700672A (en) | Flexible assembly substrate and manufacturing method thereof | |
US10205049B2 (en) | Manufacturing method for light barrier substrate | |
KR101998616B1 (en) | Etching method for liquid crystal panel | |
KR100997975B1 (en) | Cutting method of substrate for liquid crystal display | |
KR101502172B1 (en) | Method of manufacturing a flexible display device | |
KR101285590B1 (en) | Method for separating and recycling substrate of TFT-LCD | |
US9436030B2 (en) | Mother substrate for display substrates, display panel and display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |