KR20150048979A - 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지 제작 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 18
- 238000005286 illumination Methods 0.000 title description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 129
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 139
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 10
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 3
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 7
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 6
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 6
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 239000007977 PBT buffer Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- ODPYDILFQYARBK-UHFFFAOYSA-N 7-thiabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-triene Chemical compound C1=CC=C2SC2=C1 ODPYDILFQYARBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003862 HfB2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004542 HfN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010093 LiAlO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007948 ZrB2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008322 ZrN Inorganic materials 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUBKMWFYVHYZAI-UHFFFAOYSA-N [Al].[Cu].[Zn] Chemical compound [Al].[Cu].[Zn] MUBKMWFYVHYZAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- VWZIXVXBCBBRGP-UHFFFAOYSA-N boron;zirconium Chemical compound B#[Zr]#B VWZIXVXBCBBRGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical group [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- 239000012209 synthetic fiber Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
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- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
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- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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Abstract
본 발명은 금속 기판에 펀치 프레스로 컵홈부를 형성하여 공정을 단순화함으로써 제품의 단가를 낮추고, 두께를 축소하며, 고출력이 가능하고, 내구성이 우수하며, 방열특성이나 광학특성을 크게 향상시킬 수 있게 하는 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지 제작 방법에 관한 것으로서, 기판; 상기 기판의 일면에 오목하게 형성되는 컵형상의 컵홈부; 상기 기판의 일면에서 상기 컵홈부의 내면까지 연장되고, 구리 성분을 포함하는 전도성 시트인 배선층; 상기 컵홈부에 안착되고, 상기 배선층과 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 발광 소자; 및 상기 발광 소자의 빛의 경로에 배치되고, 상기 컵홈부에 충진되는 충진물;을 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지 제작 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 금속 기판에 펀치 프레스로 컵홈부를 형성하여 공정을 단순화함으로써 제품의 단가를 낮추고, 두께를 축소하며, 고출력이 가능하고, 내구성이 우수하며, 방열특성이나 광학특성을 크게 향상시킬 수 있게 하는 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지 제작 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 화합물 반도체(compound semiconductor)의 PN 다이오드 형성을 통해 발광원을 구성함으로써, 다양한 색의 광을 구현할 수 있는 일종의 반도체 소자를 말한다. 이러한 발광 소자는 수명이 길고, 소형화 및 경량화가 가능하며, 광의 지향성이 강하여 저전압 구동이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 이러한 LED는 충격 및 진동에 강하고, 예열시간과 복잡한 구동이 불필요하며, 다양한 형태로 기판이나 리드프레임에 실장한 후, 패키징할 수 있어서 여러 가지 용도로 모듈화하여 각종 조명 장치나 디스플레이 장치 등에 적용할 수 있다.
그러나, 종래의 기판 또는 메탈 기판의 적용시 발광 소자 패키지의 구조가 복잡하고 가공 공정 역시 복잡해져서 단가가 크게 상승하고, 방열 문제로 인하여 저출력의 두께가 두꺼운 제품만 생산할 수 있었으며, 고방열로 인하여 신뢰성이 크게 저하되고, 수명이 단축되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 금속 기판에 펀치 프레스로 컵홈부를 형성하여 구조 및 공정을 크게 단순화함으로써 제품의 단가를 낮추고, 두께를 축소하며, 고출력이 가능하고, 내구성이 우수하며, 방열특성이나 광학특성을 크게 향상시킬 수 있는 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지 제작 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지는, 기판; 상기 기판의 일면에 오목하게 형성되는 컵형상의 컵홈부; 상기 기판의 일면에서 상기 컵홈부의 내면까지 연장되고, 구리 성분을 포함하는 전도성 시트인 배선층; 상기 컵홈부에 안착되고, 상기 배선층과 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 발광 소자; 및 상기 발광 소자의 빛의 경로에 배치되고, 상기 컵홈부에 충진되는 충진물;을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 컵홈부는, 상기 기판을 부분적으로 가압하는 펀치 프레스에 의해 가공되고, 상기 배선층은, 상기 컵홈부의 저면에서 분리되고, 상기 기판은, 알루미늄 또는 철 성분을 포함하는 금속 기판이고, 상기 기판과 상기 배선층 사이에 절연층이 설치되는 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 배선층과 상기 기판 사이에 핫 프레스에 의해 상기 배선층과 상기 기판을 서로 접착시키는 열전도성 접착층이 설치되는 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 발광 소자는 플립칩일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 컵홈부는 내부에 경사면이 형성되고, 상기 경사면에 설치된 상기 배선층의 상면에 설치되는 반사층;을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 반사층은, 적어도 은, 백금, 금, 수은, 크롬 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 성분을 포함하는 도금층일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 충진물은, 형광체 또는 투광성 봉지재이고, 상기 충진물을 제외한 상기 기판 또는 배선층의 표면에 설치되는 절연성 보호층;을 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지의 제작 방법은, 기판의 일면에 전도성 재질의 배선층을 설치하는 단계; 상기 기판에 오목하게 컵형상의 컵홈부를 형성하고, 상기 컵홈부의 내부에 상기 배선층이 연장될 수 있도록 상기 기판 및 상기 배선층을 동시에 프레스 가공하는 단계; 상기 컵홈부 내부의 상기 배선층에 발광 소자를 안착시키고, 상기 배선층과 상기 발광 소자를 전기적으로 연결시키는 단계; 및 상기 발광 소자를 덮을 수 있도록 상기 컵홈부에 충진물을 충진시키는 단계;를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 기판의 일면에 전도성 재질의 배선층을 설치하는 단계는, 상기 배선층과 상기 기판 사이에 설치된 열전도성 접착층이 상기 배선층과 상기 기판을 서로 접착시키도록 상기 배선층과 상기 기판을 핫 프레스로 가압하는 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 컵홈부 내부의 상기 배선층에 상기 발광 소자를 안착시키고, 상기 배선층과 상기 발광 소자를 전기적으로 연결시키는 단계 이전에, 상기 컵홈부 내부의 상기 배선층 상면에 반사층을 도금하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 백라이트 유닛은, 기판; 상기 기판의 일면에 오목하게 형성되는 컵형상의 컵홈부; 상기 기판의 일면에서 상기 컵홈부의 내면까지 연장되고, 구리 또는 알루미늄 성분을 포함하는 전도성 시트인 배선층; 상기 컵홈부에 안착되고, 상기 배선층과 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 발광 소자; 및 상기 발광 소자의 빛의 경로에 배치되고, 상기 컵홈부에 충진되는 충진물;을 포함할 수 있다.
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 조명 장치는, 기판; 상기 기판의 일면에 오목하게 형성되는 컵형상의 컵홈부; 상기 기판의 일면에서 상기 컵홈부의 내면까지 연장되고, 구리 또는 알루미늄 성분을 포함하는 전도성 시트인 배선층; 상기 컵홈부에 안착되고, 상기 배선층과 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 발광 소자; 및 상기 발광 소자의 빛의 경로에 배치되고, 상기 컵홈부에 충진되는 충진물;을 포함할 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 제품의 단가를 낮추고, 두께를 축소하며, 고출력이 가능하고, 내구성이 우수하며, 방열특성이나 광학특성을 크게 향상시킬 수 있는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제작 과정을 단계적으로 나타내는 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 제작 방법을 나타나는 순서도이다.
도 9는 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 제작 방법을 나타나는 순서도이다.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제작 과정을 단계적으로 나타내는 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 제작 방법을 나타나는 순서도이다.
도 9는 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 제작 방법을 나타나는 순서도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.
명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접 연결되어", 또는 "직접 커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 명세서에서 제 1, 제 2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제 1 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제 2 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.
또한, "상의" 또는 "위의" 및 "하의" 또는 "아래의"와 같은 상대적인 용어들은 도면들에서 도해되는 것처럼 다른 요소들에 대한 어떤 요소들의 관계를 기술하기 위해 여기에서 사용될 수 있다. 상대적 용어들은 도면들에서 묘사되는 방향에 추가하여 소자의 다른 방향들을 포함하는 것을 의도한다고 이해될 수 있다. 예를 들어, 도면들에서 소자가 뒤집어 진다면, 다른 요소들의 상부의 면 상에 존재하는 것으로 묘사되는 요소들은 상기 다른 요소들의 하부의 면 상에 방향을 가지게 된다. 그러므로, 예로써 든 "상의"라는 용어는, 도면의 특정한 방향에 의존하여 "하의" 및 "상의" 방향 모두를 포함할 수 있다. 소자가 다른 방향으로 향한다면(다른 방향에 대하여 90도 회전), 본 명세서에 사용되는 상대적인 설명들은 이에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)를 나타내는 단면도이다. 그리고, 도 2 내지 도 7은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제작 과정을 단계적으로 나타내는 단면도들이다.
먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자용 기판(100)은, 크게 기판(10)과, 컵홈부(11)와, 배선층(20)과, 발광 소자(30) 및 충진물(50)을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 기판(10)은, 상기 발광 소자(30)를 지지할 수 있도록 적당한 기계적 강도와 절연성을 갖는 재료나 전도성 재료로 제작될 수 있다.
예를 들어서, 상기 기판(10)은, 에폭시계 수지 시트를 다층 형성시킨 인쇄 회로 기판(PCB: Printed Circuit Board)일 수 있다. 또한, 상기 기판(10)은, 연성 재질의 플랙서블 인쇄 회로 기판(FPCB: Flexible Printed Circuit Board)일 수 있다.
이외에도, 상기 기판(10)은, 레진, 글래스 에폭시 등의 합성 수지 기판이나, 열전도율을 고려하여 세라믹(ceramic) 기판이 적용될 수 있고, 이외에도 절연 처리된 알루미늄, 구리, 아연, 주석, 납, 금, 은 등의 금속 기판 등이 적용될 수 있으며, 플레이트 형태나 리드 프레임 형태의 기판들이 적용될 수 있다.
더욱 구체적으로 예시하면, 상기 기판(10)은, 비교적 저렴한 재질인 알루미늄, 철, 또는 구리 성분을 포함하는 바(bar) 타입의 금속 기판일 수 있고, 상기 기판(10)의 표면에는 각종 산화 공정을 수행하여 각종 절연층(12)을 형성할 수 있다.
이외에도, 상기 기판(10)은, 가공성을 향상시키기 위해서 적어도 EMC(Epoxy Mold Compound), PI(polyimide), 세라믹, 그래핀, 유리합성섬유 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 것일 수 있다.
또한, 상기 컵홈부(11)는, 상기 기판(10)의 일면을 부분적으로 가압할 수 있는 도 3의 펀치 프레스(PP)에 의해서 오목하게 형성되는 전체적으로 컵형상인 부분이다.
또한, 상기 컵홈부(11)는 내부에 경사면(11a)이 형성될 수 있다. 이를 위해서 상기 도 3의 펀치 프레스(PP)에는 상기 컵홈부(11)의 형상과 대응되는 돌출 부분이 형성될 수 있고, 상기 돌출 부분에는 상기 컵홈부(11)의 경사면(11a)과 대응되는 경사면이 형성될 수 있다.
또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 배선층(20)은, 상기 기판(10)의 일면에서 상기 컵홈부(11)의 내면까지 연장되고, 구리 또는 알루미늄 성분을 포함하는 전도성 시트일 수 있다.
여기서, 상기 배선층(20)은, 상기 컵홈부(11)의 저면에서 전극분리선(L)에 의해 분리되고, 상기 기판(10)과 상기 배선층(20) 사이에 절연층(12)이 설치될 수 있다.
또한, 도 1의 A 부분 및 도 2의 B 부분을 확대하여 도시된 바와 같이, 상기 배선층(20)과 상기 기판(10) 사이에 도 2의 핫 프레스(HP)에 의해 상기 배선층(20)과 상기 기판(10)을 서로 접착시키는 열전도성 접착층(21)이 설치될 수 있다.
이러한 상기 열전도성 접착층(21)은 시트 형상의 상기 배선층(20)의 후면에 설치되어, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 핫 프레스(HP)의 가압력에 의해서 상기 기판(1)과 열접착될 수 있다.
또한, 상기 발광 소자(30)는, 복수개가 상기 컵홈부(11)에 안착되는 것으로 상기 배선층(20)과 전기적으로 연결될 수 있다.
여기서, 상기 발광 소자(30)는, 상기 기판(10)의 상기 컵홈부(11)에 안착될 수 있는 것으로서, 상기 기판(10)에는 복수개의 발광 소자(30)들이 안착될 수 있다.
이러한, 상기 발광 소자(30)는, 반도체로 이루어질 수 있다. 예를 들어서, 질화물 반도체로 이루어지는 청색, 녹색, 적색, 황색 발광의 LED, 자외 발광의 LED 등이 적용될 수 있다. 질화물 반도체는, 일반식이 AlxGayInzN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, x+y+z=1)으로 나타내진다.
또한, 상기 발광 소자(30)는, 예를 들면, MOCVD법 등의 기상성장법에 의해, 성장용 사파이어 기판이나 실리콘 카바이드 기판 상에 InN, AlN, InGaN, AlGaN, InGaAlN 등의 질화물 반도체를 에피택셜 성장시켜 구성할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(30)는, 질화물 반도체 이외에도 ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlInGaP 등의 반도체를 이용해서 형성할 수 있다. 이들 반도체는, n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층의 순으로 형성한 적층체를 이용할 수 있다. 상기 발광층(활성층)은, 다중 양자웰 구조나 단일 양자웰 구조를 한 적층 반도체 또는 더블 헤테로 구조의 적층 반도체를 이용할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(30)는, 디스플레이 용도나 조명 용도 등 용도에 따라 임의의 파장의 것을 선택할 수 있다.
여기서, 상기 성장용 기판으로는 필요에 따라 절연성, 도전성 또는 반도체 기판이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 성장용 기판은 사파이어, SiC, Si, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN일 수 있다. GaN 물질의 에피성장을 위해서는 동종 기판인 GaN 기판이 좋으나, GaN 기판은 그 제조상의 어려움으로 생산단가가 높은 문제가 있다.
이종 기판으로는 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC) 기판 등이 주로 사용되고 있으며. 가격이 비싼 실리콘 카바이드 기판에 비해 사파이어 기판이 더 많이 활용되고 있다. 이종 기판을 사용할 때는 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자상수의 차이로 인해 전위(dislocation) 등 결함이 증가한다. 또한, 기판 물질과 박막 물질 사이의 열팽창계수의 차이로 인해 온도 변화시 휨이 발생하고, 휨은 박막의 균열(crack)의 원인이 된다. 기판과 GaN계인 발광 적층체 사이의 버퍼층을 이용해 이러한 문제를 감소시킬 수도 있다.
또한, 상기 성장용 기판은 LED 구조 성장 전 또는 후에 LED 칩의 광 또는 전기적 특성을 향상시키기 위해 칩 제조 과정에서 완전히 또는 부분적으로 제거되거나 패터닝하는 경우도 있다.
예를 들어, 사파이어 기판인 경우는 레이저를 기판을 통해 반도체층과의 계면에 조사하여 기판을 분리할 수 있으며, 실리콘이나 실리콘 카바이드 기판은 연마/에칭 등의 방법에 의해 제거할 수 있다.
또한, 상기 성장용 기판 제거 시에는 다른 지지 기판을 사용하는 경우가 있으며 지지 기판은 원 성장 기판의 반대쪽에 LED 칩의 광효율을 향상시키게 위해서, 반사 금속을 사용하여 접합하거나 반사구조를 접합층의 중간에 삽입할 수 있다.
또한, 상기 성장용 기판 패터닝은 기판의 주면(표면 또는 양쪽면) 또는 측면에 LED 구조 성장 전 또는 후에 요철 또는 경사면을 형성하여 광 추출 효율을 향상시킨다. 패턴의 크기는 5nm ~ 500㎛ 범위에서 선택될 수 있으며 규칙 또는 불규칙적인 패턴으로 광 추출 효율을 좋게 하기 위한 구조면 가능하다. 모양도 기둥, 산, 반구형, 다각형 등의 다양한 형태를 채용할 수 있다.
상기 사파이어 기판의 경우, 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001과 4.758 이며, C면, A면, R면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다.
또한, 상기 성장용 기판의 다른 물질로는 Si 기판을 들 수 있으며, 대구경화에 보다 적합하고 상대적으로 가격이 낮아 양산성이 향상될 수 있다.
또한, 상기 실리콘(Si) 기판은 GaN계 반도체에서 발생하는 빛을 흡수하여 발광소자의 외부 양자 효율이 낮아지므로, 필요에 따라 상기 기판을 제거하고 반사층이 포함된 Si, Ge, SiAl, 세라믹, 또는 금속 기판 등의 지지기판을 추가로 형성하여 사용한다.
상기 Si 기판과 같이 이종 기판상에 GaN 박막을 성장시킬 때, 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자 상수의 불일치로 인해 전위(dislocation) 밀도가 증가하고, 열팽창 계수 차이로 인해 균열(crack) 및 휨이 발생할 수 있다. 발광 적층체의 전위 및 균열을 방지하기 위한 목적으로 성장용 기판과 발광적층체 사이에 버퍼층을 배치시킬 수 있다. 상기 버퍼층은 활성층 성장시 기판의 휘는 정도를 조절해 웨이퍼의 파장 산포를 줄이는 기능도 한다.
여기서, 상기 버퍼층은 AlxInyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1), 특히 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, 또는 InGaNAlN를 사용할 수 있으며, 필요에 따라 ZrB2, HfB2, ZrN, HfN, TiN 등의 물질도 사용할 수 있다. 또한, 복수의 층을 조합하거나, 조성을 점진적으로 변화시켜 사용할 수도 있다.
또한, 도시하지는 않았으나, 상기 발광 소자(30)는, 범프나 패드나 솔더 등의 신호전달매체를 갖는 플립칩 형태의 발광 소자들일 수 있고, 이외에도 와이어 등의 신호전달매체를 갖는 수직형 및 수평형 등 다양한 형태의 발광 소자들이 적용될 수 있다.
한편, 상기 충진물(50)은, 상기 발광 소자(30)의 빛의 경로에 배치되고, 상기 컵홈부(11)에 충진되는 물질로서, 형광체나 투광성 봉지재 또는 이들의 혼합물일 수 있다.
여기서, 상기 형광체는 아래와 같은 조성식 및 컬러를 가질 수 있다.
산화물계: 황색 및 녹색 Y3Al5O12:Ce, Tb3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:Ce
실리케이트계: 황색 및 녹색 (Ba,Sr)2SiO4:Eu, 황색 및 등색 (Ba,Sr)3SiO5:Ce
질화물계: 녹색 β-SiAlON:Eu, 황색 L3Si6O11:Ce, 등색 α-SiAlON:Eu, 적색 CaAlSiN3:Eu, Sr2Si5N8:Eu, SrSiAl4N7:Eu
이러한, 상기 형광체의 조성은 기본적으로 화학양론(Stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들 내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어 Sr은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y은 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다, 또한 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제등이 추가로 적용될 수 있다.
또한, 상기 형광체의 대체 물질로 양자점(Quantum Dot) 등의 물질들이 적용될 수 있으며, LED에 형광체와 QD를 혼합 또는 단독으로 사용될 수 있다.
QD는 CdSe, InP 등의 코어(3 ~ 10nm)와 ZnS, ZnSe 등의 쉘(0.5 ~ 2nm)및 코어, 쉘의 안정화를 위한 리간드(Regand)의 구조로 구성될 수 있으며, 크기에 따라 다양한 칼라를 구현할 수 있다.
또한, 상기 형광체 또는 양자점(Quantum Dot)의 도포 방식은 크게 LED 칩 또는 발광소자에 뿌리는 방식, 또는 막 형태로 덮는 방식, 필름 또는 세라믹 형광체 등의 시트 형태를 부착하는 방식 중 적어도 하나를 사용 할 수 있다.
뿌리는 방식으로는 디스펜싱, 스프레이 코팅 등이 일반적이며 디스펜싱은 공압방식과 스크류(Screw), 리니어 타입(Linear type) 등의 기계적 방식을 포함한다. 제팅(Jetting) 방식으로 미량 토출을 통한 도팅량 제어 및 이를 통한 색좌표 제어도 가능하다. 웨이퍼 레벨 또는 발광 소자 기판상에 스프레이 방식으로 형광체를 일괄 도포하는 방식은 생산성 및 두께 제어가 용이할 수 있다.
발광 소자 또는 LED 칩 위에 막 형태로 직접 덮는 방식은 전기영동, 스크린 프린팅 또는 형광체의 몰딩 방식으로 적용될 수 있으며 LED 칩 측면의 도포 유무 필요에 따라 해당 방식의 차이점을 가질 수 있다.
발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체 중 단파장에서 발광하는 광을 재 흡수하는 장파장 발광 형광체의 효율을 제어하기 위하여 발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체층을 구분할 수 있으며, LED 칩과 형광체 2종 이상의 파장 재흡수 및 간섭을 최소화하기 위하여 각 층 사이에 DBR(ODR)층을 포함 할 수 있다.
균일 도포막을 형성하기 위하여 형광체를 필름 또는 세라믹 형태로 제작 후 LED 칩 또는 발광 소자 위에 부착할 수 있다.
광 효율, 배광 특성에 차이점을 주기 위하여 리모트 형식으로 광변환 물질을 위치할 수 있으며, 이 때 광변환 물질은 내구성, 내열성에 따라 투광성 고분자, 유리등의 물질 등과 함께 위치한다.
이러한, 상기 형광체 도포 기술은 발광 소자에서 광특성을 결정하는 가장 큰 역할을 하게 되므로, 형광체 도포층의 두께, 형광체 균일 분산 등의 제어 기술들이 다양하게 연구되고 있다. QD 또한 형광체와 동일한 방식으로 LED 칩 또는 발광 소자에 위치할 수 있으며, 유리 또는 투광성 고분자 물질 사이에 위치하여 광 변환을 할 수 있다.
또한, 투광성 봉지재는, 적어도 EMC, 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 변성 에폭시 수지 조성물, 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지, 브래그(bragg) 반사층, 에어갭(air gap), 전반사층, 금속층 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.
또한, 상기 투광성 봉지재는, 패이스트의 형태로 상기 컵홈부(11)에 도포되거나, 별도의 적층 공정을 이용하여 적층되거나, 시트 재질을 가압하여 이루어질 수 있다.
한편, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 경사면(11a)에 설치된 상기 배선층(20)의 상면에 설치되는 반사층(40) 및 상기 충진물(50)을 제외한 상기 기판(10) 또는 배선층(20)의 표면에 설치되는 절연성 보호층(60)을 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 반사층(40)은, 상기 발광 소자(30)로부터 방출되는 빛을 상방으로 반사시킬 수 있도록 반사율이 높은 적어도 은, 백금, 금, 수은, 크롬 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 성분을 포함할 수 있다.
이외에도, 상기 반사층(40)은, 적어도 EMC, 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 변성 에폭시 수지 조성물, 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지, 브래그(bragg) 반사층, 에어갭(air gap), 전반사층, 금속층 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.
따라서, 상기 반사층(40)은 빛을 상방으로 반사하기 위하여 최대한 얇은 두께로 제작될 수 있고, 빛을 반사시키는 역할 이외에도 상기 배선층(20)의 산화나 변형을 보호할 수 있는 역할을 할 수 있다.
또한, 상기 절연성 보호층(60)은, 상기 배선층(20)의 표면에 설치되어 상기 배선층(20)의 산화나 변형을 보호하고, 외부의 충격으로부터 보호할 수 있는 역할을 할 수 있다.
이러한, 상기 절연성 보호층(60)은, EMC, 적어도 반사물질이 포함된 EMC, 반사물질이 포함된 화이트 실리콘, PSR(Photo Solder Resister) 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.
또한, 더욱 구체적으로는, 예를 들어서, 상기 절연성 보호층(60)은, 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 실리콘 변성 에폭시 수지 등의 변성 에폭시 수지 조성물, 에폭시 변성 실리콘 수지 등의 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지 등의 수지 등이 적용될 수 있다.
또한, 이들 수지 중에, 산화 티타늄, 이산화규소, 이산화티탄, 이산화지르코늄, 티타늄산 칼륨, 알루미나, 질화알루미늄, 질화붕소, 멀라이트, 크롬, 화이트 계열이나 금속 계열의 성분 등 광 반사성 물질을 함유시킬 수 있다.
그러므로, 상술된 바와 같이, 본 발명에 의하면, 금속 재질의 기판(10)에 펀치 프레스(PP)로 컵홈부(11)를 형성하여 구조 및 공정을 크게 단순화함으로써 제품의 단가를 낮추고, 두께를 축소하며, 고출력이 가능하고, 내구성이 우수하며, 방열특성이나 광학특성을 크게 향상시킬 수 있다
따라서, 도 2 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제작 과정을 설명하면, 먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 기판(10)의 일면에 전도성 재질의 배선층(20)을 설치할 수 있다.
이 때, 상기 배선층(20)과 상기 기판(10) 사이에 설치된 열전도성 접착층(21)이 상기 배선층(20)과 상기 기판(10)을 서로 접착시키도록 상기 배선층(20)과 상기 기판(10)을 핫 프레스(HP)로 가압할 수 있다.
이어서, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 기판(10)에 오목하게 컵형상의 컵홈부(11)를 형성하면서 동시에 상기 컵홈부(11)의 내부에 상기 배선층(20)이 연장될 수 있도록 상기 기판(10) 및 상기 배선층(20)을 동시에 펀치 프레스(PP)로 가공할 수 있다.
이어서, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 컵홈부(11) 내부의 상기 배선층(20) 상면에 반사층(40)을 도금할 수 있다.
이어서, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 컵홈부(11) 내부의 상기 배선층(20)에 발광 소자(30)를 안착시키고, 범프나 솔더나 와이어 등을 이용하여 상기 배선층(20)과 상기 발광 소자(30)를 전기적으로 연결시킬 수 있다.
이어서, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 발광 소자(30)를 덮을 수 있도록 상기 컵홈부(11)에 충진물(50)을 충진시킬 수 있다.
도 8은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제작 방법을 나타나는 순서도이다.
도 1 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제작 방법은, 기판(10)의 일면에 전도성 재질의 배선층(20)을 설치하는 단계(S1)와, 상기 기판(10)에 오목하게 컵형상의 컵홈부(11)를 형성하고, 상기 컵홈부(11)의 내부에 상기 배선층(20)이 연장될 수 있도록 상기 기판(10) 및 상기 배선층(20)을 동시에 펀치 프레스(PP)로 가공하는 단계(S2)와, 상기 컵홈부(11) 내부의 상기 배선층(20)에 발광 소자(30)를 안착시키고, 상기 배선층(20)과 상기 발광 소자(30)를 전기적으로 연결시키는 단계(S4) 및 상기 발광 소자(30)를 덮을 수 있도록 상기 컵홈부(11)에 충진물(50)을 충진시키는 단계(S5)를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 배선층 설치 단계(S1)는, 상기 배선층(20)과 상기 기판(10) 사이에 설치된 열전도성 접착층(21)이 상기 배선층(20)과 상기 기판(10)을 서로 접착시키도록 상기 배선층(20)과 상기 기판(10)을 핫 프레스(HP)로 가압하는 단계일 수 있다.
도 9는 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제작 방법을 나타나는 순서도이다.
도 1 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제작 방법은, 기판(10)의 일면에 전도성 재질의 배선층(20)을 설치하는 단계(S1)와, 상기 기판(10)에 오목하게 컵형상의 컵홈부(11)를 형성하고, 상기 컵홈부(11)의 내부에 상기 배선층(20)이 연장될 수 있도록 상기 기판(10) 및 상기 배선층(20)을 동시에 펀치 프레스(PP)로 가공하는 단계(S2)와, 상기 컵홈부(11) 내부의 상기 배선층(20) 상면에 반사층(40)을 도금하는 단계(S3)와, 상기 컵홈부(11) 내부의 상기 배선층(20)에 발광 소자(30)를 안착시키고, 상기 배선층(20)과 상기 발광 소자(30)를 전기적으로 연결시키는 단계(S4) 및 상기 발광 소자(30)를 덮을 수 있도록 상기 컵홈부(11)에 충진물(50)을 충진시키는 단계(S5)를 포함할 수 있다.
한편, 도시하지 않았지만, 본 발명은 상술된 발광 소자 패키지들을 포함하는 백라이트 유닛 및 조명 장치를 포함할 수 있다. 여기서, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛은 상기 발광 소자의 광 경로에 설치되는 도광판을 더 포함할 수 있고, 상기 백라이트 유닛 및 상기 조명 장치의 구성 요소들은 상술된 본 발명의 발광 소자 패키지의 그것들과 구성과 역할이 동일할 수 있다. 따라서, 상세한 설명은 생략한다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10: 기판
11: 컵홈부
11a: 경사면
12: 절연층
20: 배선층
21: 열전도성 접착층
30: 발광 소자
40: 반사층
50: 충진물
60: 절연성 보호층
100: 발광 소자 패키지
PP: 펀치 프레스
L: 전극분리선
HP: 핫 프레스
11: 컵홈부
11a: 경사면
12: 절연층
20: 배선층
21: 열전도성 접착층
30: 발광 소자
40: 반사층
50: 충진물
60: 절연성 보호층
100: 발광 소자 패키지
PP: 펀치 프레스
L: 전극분리선
HP: 핫 프레스
Claims (12)
- 기판;
상기 기판의 일면에 오목하게 형성되는 컵형상의 컵홈부;
상기 기판의 일면에서 상기 컵홈부의 내면까지 연장되고, 구리 또는 알루미늄 성분을 포함하는 전도성 시트인 배선층;
상기 컵홈부에 안착되고, 상기 배선층과 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 발광 소자; 및
상기 발광 소자의 빛의 경로에 배치되고, 상기 컵홈부에 충진되는 충진물;
을 포함하는, 발광 소자 패키지. - 제 1 항에 있어서,
상기 컵홈부는, 상기 기판을 부분적으로 가압하는 펀치 프레스에 의해 가공되고,
상기 배선층은, 상기 컵홈부의 저면에서 분리되고,
상기 기판은, 알루미늄 또는 철 성분을 포함하는 금속 기판이고,
상기 기판과 상기 배선층 사이에 절연층이 설치되는 것인, 발광 소자 패키지. - 제 1 항에 있어서,
상기 배선층과 상기 기판 사이에 핫 프레스에 의해 상기 배선층과 상기 기판을 서로 접착시키는 열전도성 접착층이 설치되는 것인, 발광 소자 패키지. - 제 1 항에 있어서,
상기 발광 소자는 플립칩인, 발광 소자 패키지. - 제 1 항에 있어서,
상기 컵홈부는 내부에 경사면이 형성되고,
상기 경사면에 설치된 상기 배선층의 상면에 설치되는 반사층;
을 더 포함하는, 발광 소자 패키지. - 제 5 항에 있어서,
상기 반사층은, 적어도 은, 백금, 금, 수은, 크롬 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 성분을 포함하는 도금층인, 발광 소자 패키지. - 제 1 항에 있어서,
상기 충진물은, 형광체 또는 투광성 봉지재이고,
상기 충진물을 제외한 상기 기판 또는 배선층의 표면에 설치되는 절연성 보호층;
을 더 포함하는, 발광 소자 패키지. - 기판의 일면에 전도성 재질의 배선층을 설치하는 단계;
상기 기판에 오목하게 컵형상의 컵홈부를 형성하고, 상기 컵홈부의 내부에 상기 배선층이 연장될 수 있도록 상기 기판 및 상기 배선층을 동시에 프레스 가공하는 단계;
상기 컵홈부 내부의 상기 배선층에 발광 소자를 안착시키고, 상기 배선층과 상기 발광 소자를 전기적으로 연결시키는 단계; 및
상기 발광 소자를 덮을 수 있도록 상기 컵홈부에 충진물을 충진시키는 단계;
를 포함하는, 발광 소자 패키지의 제작 방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 기판의 일면에 전도성 재질의 배선층을 설치하는 단계는,
상기 배선층과 상기 기판 사이에 설치된 열전도성 접착층이 상기 배선층과 상기 기판을 서로 접착시키도록 상기 배선층과 상기 기판을 핫 프레스로 가압하는 것인, 발광 소자 패키지의 제작 방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 컵홈부 내부의 상기 배선층에 상기 발광 소자를 안착시키고, 상기 배선층과 상기 발광 소자를 전기적으로 연결시키는 단계 이전에,
상기 컵홈부 내부의 상기 배선층 상면에 반사층을 도금하는 단계;
를 더 포함하는, 발광 소자 패키지의 제작 방법. - 기판;
상기 기판의 일면에 오목하게 형성되는 컵형상의 컵홈부;
상기 기판의 일면에서 상기 컵홈부의 내면까지 연장되고, 구리 또는 알루미늄 성분을 포함하는 전도성 시트인 배선층;
상기 컵홈부에 안착되고, 상기 배선층과 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 발광 소자; 및
상기 발광 소자의 빛의 경로에 배치되고, 상기 컵홈부에 충진되는 충진물;
을 포함하는, 백라이트 유닛. - 기판;
상기 기판의 일면에 오목하게 형성되는 컵형상의 컵홈부;
상기 기판의 일면에서 상기 컵홈부의 내면까지 연장되고, 구리 또는 알루미늄 성분을 포함하는 전도성 시트인 배선층;
상기 컵홈부에 안착되고, 상기 배선층과 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 발광 소자; 및
상기 발광 소자의 빛의 경로에 배치되고, 상기 컵홈부에 충진되는 충진물;
을 포함하는, 조명 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130128824A KR101607139B1 (ko) | 2013-10-28 | 2013-10-28 | 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지 제작 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR20150048979A true KR20150048979A (ko) | 2015-05-11 |
KR101607139B1 KR101607139B1 (ko) | 2016-03-30 |
Family
ID=53387155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101607139B1 (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2013-10-28 KR KR1020130128824A patent/KR101607139B1/ko active IP Right Grant
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---|---|
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