KR20150042780A - Light-permeable electrically-conductive film, and touch panel equipped with light-permeable electrically-conductive film - Google Patents

Light-permeable electrically-conductive film, and touch panel equipped with light-permeable electrically-conductive film Download PDF

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가츠노리 무토
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Abstract

우수한 에칭성을 갖는, (A) 광투과성 지지층 및 (B) 산화인듐을 함유하는 광투과성 도전층을 함유하는 광투과성 도전성 필름을 제공하는 것을 과제로 한다. 그 해결 수단으로서, (A) 고분자 수지를 함유하는 광투과성 지지층 ; 및 (B) 산화인듐을 함유하는 광투과성 도전층을 함유하고, 상기 광투과성 도전층 (B) 가, 상기 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에, 직접 또는 1 이상의 다른 층을 개재하여 배치되어 있는 광투과성 도전성 필름으로서, (Ibα － Ibα－0.025°)/(Iaα － Iaα－0.025°) 로 나타내는 함수 f(α) 의 평균값이 0.08 ∼ 5.00 인 것을 특징으로 하는 광투과성 도전성 필름을 제공한다.(EN) Disclosed is a light - transmitting conductive film containing a light - transmitting conductive layer containing (A) a light - transmitting support layer and (B) indium oxide. (A) a light-transmitting supporting layer containing a polymer resin; And a light-transmitting conductive layer containing indium oxide (B), wherein the light-transmitting conductive layer (B) is provided on at least one side of the light-transmitting supporting layer (A) directly or via at least one other layer Wherein the average value of a function f (?) Represented by (Ib ? - Ib ? -0.025 ) / (Ia ? -Ia ? -0.025 ) is 0.08 to 5.00 in the disposed light transmitting conductive film Thereby providing a conductive film.

Description

광투과성 도전성 필름 및 광투과성 도전성 필름을 함유하는 터치 패널{LIGHT-PERMEABLE ELECTRICALLY-CONDUCTIVE FILM, AND TOUCH PANEL EQUIPPED WITH LIGHT-PERMEABLE ELECTRICALLY-CONDUCTIVE FILM}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a touch panel including a light-transmitting conductive film and a light-permeable conductive film,

본 발명은 광투과성 도전성 필름, 그 제조 방법 및 그 용도에 관한 것이다.The present invention relates to a light-transmissive conductive film, a method for producing the same, and a use thereof.

터치 패널에 탑재되는 광투과성 도전성 필름으로서, 폴리에스테르 등으로 이루어지는 광투과성 지지층의 적어도 일방의 면에, 직접 또는 다른 층을 개재하여, 산화인듐을 함유하는 광투과성 도전층을 배치한 광투과성 도전성 필름이 많이 사용되고 있다.1. A light-transmissive conductive film to be mounted on a touch panel, comprising: a light-transmissive conductive film having a light-transmissive conductive layer containing indium oxide disposed on at least one surface of a light-transmissive support layer made of polyester or the like, Is widely used.

광투과성 도전성 필름을, 예를 들어 격자상 등의 전극으로서 성형 (이른바 패터닝) 할 때에, 광투과성 도전성 필름을 일단 배치한 후, 약품 처리에 의해 소정 영역에 대해서만 필름을 제거하는, 이른바 에칭 처리를 실시하여, 결과적으로 원하는 형상의 전극을 형성하는 것이 행해지고 있다. 따라서, 에칭 처리에 의해 에칭되기 어렵거나, 혹은 과도하게 에칭되기 쉬운 광투과성 도전성 필름은, 원하는 형상으로 패터닝하는 것이 곤란하다는 등의 문제가 있다.A so-called etching treatment in which the light-transmitting conductive film is formed once (for example, in the form of a lattice) or the like (so-called patterning), the film is removed only in a predetermined region by chemical treatment after the light- As a result, an electrode having a desired shape is formed. Therefore, there is a problem that it is difficult to pattern the light-transmitting conductive film which is difficult to be etched by the etching treatment or is excessively etched, into a desired shape.

이와 같이, 터치 패널에 탑재되는 광투과성 도전성 필름으로는, 에칭 처리에 의해 원하는 형상으로 성형하는 것이 용이하다는 특성 (이른바 에칭성) 이 우수한 광투과성 도전성 필름이 요구되고 있다.As described above, a light transmissive conductive film to be mounted on a touch panel requires a light transmissive conductive film having excellent characteristics (so-called etchability) that it is easy to form a desired shape by etching.

지금까지 산화인듐을 함유하는 광투과성 도전층의 결정성을 제어함으로써, 에칭성이 우수한 광투과성 도전성 필름을 제공하고자 하는 시도가 이루어지고 있다 (특허문헌 1 및 2).An attempt has been made to provide a light-transmitting conductive film excellent in etching property by controlling the crystallinity of the light-transmitting conductive layer containing indium oxide (Patent Documents 1 and 2).

일본 공개특허공보 2000-129427호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-129427 일본 특허공보 4269587호Japanese Patent Publication No. 4269587

본 발명은, 우수한 에칭성을 갖는, (A) 고분자 수지를 함유하는 광투과성 지지층 및 (B) 산화인듐을 함유하는 광투과성 도전층을 함유하는 광투과성 도전성 필름을 제공하는 것을 과제로 한다.Disclosure of the Invention An object of the present invention is to provide a light-transmissive conductive film containing a light-permeable support layer containing (A) a polymer resin and (B) a light-transmissive conductive layer containing indium oxide, which has excellent etchability.

본 발명자들은 예의 검토를 거듭하여, 박막법에 의한 XRD 측정에 있어서, 폴리에스테르의 회절 강도와 산화인듐의 회절 강도가 소정의 관계를 나타내는 광투과성 도전성 필름이 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 새롭게 알아냈다. 본 발명은, 이 새로운 지견에 기초하여 더욱 다양한 검토를 거듭함으로써 완성된 것으로, 다음에 언급하는 것이다.The inventors of the present invention have repeatedly studied to find that the above-mentioned problems can be solved by a light-transmitting conductive film in which a diffraction intensity of polyester and a diffraction intensity of indium oxide show a predetermined relationship in XRD measurement by a thin film method . The present invention has been completed by repeatedly carrying out various further studies on the basis of this new knowledge, and will be described next.

항 1Item 1

(A) 고분자 수지를 함유하는 광투과성 지지층 ; 및(A) a light-transmitting supporting layer containing a polymer resin; And

(B) 산화인듐을 함유하는 광투과성 도전층(B) a light-transmitting conductive layer containing indium oxide

을 함유하고,≪ / RTI >

상기 광투과성 도전층 (B) 가, 상기 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에, 직접 또는 1 이상의 다른 층을 개재하여 배치되어 있는 광투과성 도전성 필름으로서, Wherein the light-transmitting conductive layer (B) is disposed on at least one side of the light-transmitting supporting layer (A) directly or via at least one other layer,

(Ibα － Ibα－0.025°)/(Iaα － Iaα－0.025°) (Ib ? - Ib ? -0.025 ) / (Ia ? -Ia ? -0.025 )

로 나타내는 함수 f(α) 의 평균값이 0.08 ∼ 5.00 인 것을 특징으로 하는 광투과성 도전성 필름.Wherein the average value of the function f (?) Represented by the following formula is 0.08 to 5.00.

(단, α 는, (Where,

αmin ＋ n × 0.025°(n = 1, 2, 3, …)α min + n × 0.025 ° (n = 1, 2, 3, ...)

(단, αmin 은, 0.100°이상의 범위 내에 있어서, 박막법 XRD 측정에 있어서 (222) 면의 피크를 확인할 수 있는 최소의 입사각이다) (Where? Min is a minimum incident angle within a range of 0.100 占 or more and capable of confirming the peak of the (222) face in the thin film method XRD measurement)

로 나타내는 변수이고,Lt; / RTI >

다음 식 (Ⅰ) 및 (Ⅱ) 를 만족시키고,Satisfy the following formulas (I) and (II)

α ≤ 0.600° ‥‥ (Ⅰ) alpha ≤ 0.600 DEG (I)

f(α) ≥ 0.7 × f(α － 0.025°) ‥‥ (Ⅱ)f (?) 0.7? f (? - 0.025)? (II)

Iaα 는, 입사각 α 의 박막법 XRD 측정에 있어서의 고분자 수지 유래의 2θ = 26°부근의 피크 강도이고, 또한 Ia alpha is the peak intensity near 2? = 26 from the polymer resin in the thin film method XRD measurement of the incident angle?

Ibα 는, 입사각 α 의 박막법 XRD 측정에 있어서의 산화인듐 유래의 (222) 면의 피크 강도이다.)Ib ? Is the peak intensity of the (222) plane derived from indium oxide in the thin film method XRD measurement of the incident angle?).

항 2Item 2

상기 광투과성 지지층 (A) 의 두께가, 20 ∼ 200 ㎛ 인, 항 1 에 기재된 광투과성 도전성 필름.The light-transmitting conductive film according to item 1, wherein the thickness of the light-transmitting supporting layer (A) is 20 to 200 m.

항 3Item 3

상기 고분자 수지가, 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리카보네이트인, 항 1 또는 2 에 기재된 광투과성 도전성 필름.The light-transmitting conductive film according to item 1 or 2, wherein the polymer resin is polyethylene terephthalate or polycarbonate.

항 4Item 4

광투과성 도전층 (B) 의 두께가, 15 ∼ 30 ㎚ 인, 항 1 ∼ 3 중 어느 한 항에 기재된 광투과성 도전성 필름.The light-transmitting conductive film according to any one of items 1 to 3, wherein the thickness of the light-transmitting conductive layer (B) is 15 to 30 nm.

항 5 Item 5

대기 중 90 ∼ 160 ℃ 에서 10 ∼ 120 분간 가열함으로써 얻어질 수 있는, 항 1 ∼ 4 중 어느 한 항에 기재된 광투과성 도전성 필름.The light-transmitting conductive film according to any one of items 1 to 4, which can be obtained by heating at 90 to 160 ° C in the atmosphere for 10 to 120 minutes.

항 6Item 6

광투과성 도전층 (B) 가, 3 ∼ 10 ％ 의 SnO2 를 산화인듐에 첨가하여 얻어질 수 있는 산화인듐주석을 함유하는, 항 1 ∼ 5 중 어느 한 항에 기재된 광투과성 도전성 필름.The light-transmitting conductive film according to any one of items 1 to 5, wherein the light-transmitting conductive layer (B) contains indium tin oxide that can be obtained by adding 3 to 10% SnO 2 to indium oxide.

항 7Item 7

항 1 ∼ 6 중 어느 한 항에 기재된 광투과성 도전성 필름을 함유하는, 터치 패널.A touch panel comprising the light-transmitting conductive film according to any one of items 1 to 6.

본 발명에 의하면, 우수한 에칭성을 갖는, (A) 광투과성 지지층 및 (B) 산화인듐을 함유하는 광투과성 도전층을 함유하는 광투과성 도전성 필름을 제공할 수 있다. According to the present invention, it is possible to provide a light-transmitting conductive film containing a light-transmitting conductive layer containing (A) a light-transmitting support layer and (B) indium oxide and having excellent etching properties.

도 1 은 광투과성 지지층 (A) 의 편면에 광투과성 도전층 (B) 가 인접하여 배치되어 있는, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 나타내는 단면도이다.
도 2 는 광투과성 지지층 (A) 의 양면에 광투과성 도전층 (B) 가 인접하여 배치되어 있는, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 나타내는 단면도이다.
도 3 은 서로 0.025°차이의 연속되는 3 종의 X 선 입사각 (α－0.025°, α°, α＋0.025°) 에서 각각 측정한 고분자 수지 유래의 회절 강도 Ia 및 산화인듐 유래의 회절 강도 Ib 를, 고분자 수지 유래의 회절 강도를 횡축, 또한 산화인듐 유래의 회절 강도를 종축으로 하여 각각 플롯하여 얻어진 그래프의 일례이다.
도 4 는 함수 f(α) 의 그래프의 일례이다.
도 5 는 광투과성 지지층 (A) 의 편면에 언더코트층 (C) 및 광투과성 도전층 (B) 가 이 순서로 서로 인접하여 배치되어 있는, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 나타내는 단면도이다.
도 6 은 광투과성 지지층 (A) 의 양면에 언더코트층 (C) 및 광투과성 도전층 (B) 가 이 순서로 서로 인접하여 배치되어 있는, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 나타내는 단면도이다.
도 7 은 광투과성 지지층 (A) 의 편면에 하드 코트층 (D), 언더코트층 (C) 및 광투과성 도전층 (B) 가 이 순서로 서로 인접하여 배치되어 있는, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 나타내는 단면도이다.
도 8 은 광투과성 지지층 (A) 의 일방의 면에 하드 코트층 (D), 언더코트층 (C) 및 광투과성 도전층 (B) 가 이 순서로 서로 인접하여 배치되어 있고, 타방의 면에 다른 하드 코트층 (D) 가 직접 배치되어 있는, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 나타내는 단면도이다.
도 9 는 광투과성 지지층 (A) 의 양면에 하드 코트층 (D), 언더코트층 (C) 및 광투과성 도전층 (B) 가 이 순서로 서로 인접하여 배치되어 있는, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a light-transmitting conductive film of the present invention in which a light-transmitting conductive layer (B) is disposed adjacent to one side of a light-transmitting supporting layer (A).
2 is a cross-sectional view showing a light-transmitting conductive film of the present invention in which a light-transmitting conductive layer (B) is disposed adjacent to both sides of a light-transmitting supporting layer (A).
Fig. 3 shows the diffraction intensity Ia derived from the polymer resin and the diffraction intensity Ib derived from indium oxide measured at three successive X-ray incident angles (? -0.025 °,? °,? +0.025 °) , A graph obtained by plotting the diffraction intensity derived from the polymer resin as a horizontal axis and the diffraction intensity derived from indium oxide as a vertical axis, respectively.
4 is an example of a graph of the function f (?).
5 is a cross-sectional view showing a light-transmitting conductive film of the present invention in which an undercoat layer C and a light-transmitting conductive layer B are disposed adjacent to each other in this order on one side of a light-transmitting supporting layer (A).
6 is a cross-sectional view showing a light-transmitting conductive film of the present invention in which an undercoat layer C and a light-transmitting conductive layer B are disposed adjacent to each other in this order on both sides of a light-transmitting supporting layer (A).
7 is a graph showing the relationship between the transmittance of the light transmitting conductive layer (A) of the present invention and the transmittance of the light transmitting conductive layer (B) of the present invention in which the hard coat layer (D), the undercoat layer Fig.
8 shows a case where a hard coat layer D, an undercoat layer C and a light transmitting conductive layer B are arranged adjacent to each other in this order on one surface of the light-transmitting supporting layer A, Sectional view showing a light-transmitting conductive film of the present invention in which another hard coat layer (D) is directly disposed.
Fig. 9 is a graph showing the relationship between the light transmittance of the present invention and the light transmittance of the present invention, in which the hard coat layer D, the undercoat layer C and the light transmissive conductive layer B are disposed adjacent to each other on both sides of the light- Fig.

1. 광투과성 도전성 필름 1. Transparent conductive film

본 발명의 광투과성 도전성 필름은,In the light-transmitting conductive film of the present invention,

(A) 고분자 수지를 함유하는 광투과성 지지층 ; 및(A) a light-transmitting supporting layer containing a polymer resin; And

(B) 산화인듐을 함유하는 광투과성 도전층(B) a light-transmitting conductive layer containing indium oxide

을 함유하고,≪ / RTI >

상기 광투과성 도전층 (B) 가, 상기 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에, 직접 또는 1 이상의 다른 층을 개재하여 배치되어 있는 광투과성 도전성 필름으로서, Wherein the light-transmitting conductive layer (B) is disposed on at least one side of the light-transmitting supporting layer (A) directly or via at least one other layer,

(Ibα － Ibα－0.025°)/(Iaα － Iaα－0.025°) (Ib ? - Ib ? -0.025 ) / (Ia ? -Ia ? -0.025 )

로 나타내는 함수 f(α) 의 평균값이 0.08 ∼ 5.00 인 것을 특징으로 하는 광투과성 도전성 필름Wherein the average value of the function f (?) Represented by the following formula is 0.08 to 5.00:

(단, α 는, (Where,

αmin ＋ n × 0.025°(n = 1, 2, 3, …)α min + n × 0.025 ° (n = 1, 2, 3, ...)

(단, αmin 은, 0.100°이상의 범위 내에 있어서, 박막법 XRD 측정에 있어서 (222) 면의 피크를 확인할 수 있는 최소의 입사각이다) (Where? Min is a minimum incident angle within a range of 0.100 占 or more and capable of confirming the peak of the (222) face in the thin film method XRD measurement)

로 나타내는 변수이고,Lt; / RTI >

다음 식 (Ⅰ) 및 (Ⅱ) 를 만족시키고,Satisfy the following formulas (I) and (II)

α ≤ 0.600° ‥‥ (Ⅰ) alpha ≤ 0.600 DEG (I)

f(α) ≥ 0.7 × f(α － 0.025°) ‥‥ (Ⅱ)f (?) 0.7? f (? - 0.025)? (II)

Iaα 는, 입사각 α 의 박막법 XRD 측정에 있어서의 고분자 수지 유래의 2θ = 26°부근의 피크 강도이고, 또한 Ia alpha is the peak intensity near 2? = 26 from the polymer resin in the thin film method XRD measurement of the incident angle?

Ibα 는, 입사각 α 의 박막법 XRD 측정에 있어서의 산화인듐 유래의 (222) 면의 피크 강도이다.)Ib ? Is the peak intensity of the (222) plane derived from indium oxide in the thin film method XRD measurement of the incident angle?).

이다.to be.

본 발명에 있어서 「광투과성」이란, 광을 투과시키는 성질을 갖는 (translucent) 것을 의미한다. 「광투과성」에는 투명 (transparent) 이 포함된다. 「광투과성」이란, 예를 들어, 전광선 투과율이 80 ％ 이상, 바람직하게는 85 ％ 이상, 보다 바람직하게는 87 ％ 이상인 성질을 말한다. 본 발명에 있어서 전광선 투과율은, 헤이즈미터 (닛폰 전색사 제조, 상품명 : NDH-2000 또는 그 동등품) 를 사용하여 JIS-K-7105 에 기초하여 측정한다.In the present invention, the term " light transmissive " means translucent. &Quot; Transparent " includes " transparent ". The term " light transmittance " means, for example, a property that the total light transmittance is 80% or more, preferably 85% or more, more preferably 87% or more. In the present invention, the total light transmittance is measured based on JIS-K-7105 using a haze meter (trade name: NDH-2000 manufactured by Nippon Telegraph and Telephone Corp. or its equivalent).

본 명세서에 있어서, 광투과성 지지층 (A) 의 일방의 면에 배치되는 복수의 층 중 2 개의 층의 상대적인 위치 관계에 대해서 언급하는 경우, 광투과성 지지층 (A) 를 기준으로 하여, 광투과성 지지층 (A) 로부터의 거리가 큰 일방의 층을 「상층」 또는 「상방에 위치한다」등이라고 하고, 광투과성 지지층 (A) 로부터의 거리가 작은 타방의 층을 「하층」 또는 「하방에 위치한다」등이라고 하는 경우가 있다.In the present specification, when referring to the relative positional relationship between two of the plurality of layers disposed on one surface of the light-transmitting supporting layer (A), the light-transmitting supporting layer (A) A ") is referred to as" upper layer "or" positioned above ", and the other layer having a smaller distance from the light-transmitting supporting layer (A) is referred to as" lower layer " And so on.

도 1 에, 본 발명의 광투과성 도전성 필름의 일 양태를 나타낸다. 이 양태에서는, 광투과성 지지층 (A) 의 편면에 광투과성 도전층 (B) 가 서로 인접하여 배치되어 있다. 이와 같은 광투과성 도전성 필름의 것을 「편면 광투과성 도전성 필름」이라고 하는 경우가 있다.Fig. 1 shows an embodiment of the light-transmitting conductive film of the present invention. In this embodiment, the light-transmitting conductive layer (B) is disposed adjacent to one side of one side of the light-transmitting supporting layer (A). One of such a light-transmitting conductive film is sometimes referred to as a " one-side light-transmitting conductive film ".

도 2 에, 본 발명의 광투과성 도전성 필름의 다른 양태를 나타낸다. 이 양태에서는, 광투과성 지지층 (A) 의 양면에 광투과성 도전층 (B) 가 서로 인접하여 배치되어 있다. 이와 같은 광투과성 도전성 필름의 것을 「양면 광투과성 도전성 필름」이라고 하는 경우가 있다.Fig. 2 shows another embodiment of the light-transmissive conductive film of the present invention. In this embodiment, the light-transmitting conductive layer (B) is disposed on both sides of the light-transmitting supporting layer (A) adjacent to each other. Such a light-transmitting conductive film may be referred to as a " double-sided light-transmitting conductive film ".

1.1 광투과성 지지층 (A) 1.1 light-permeable support layer (A)

본 발명에 있어서 광투과성 지지층이란, 광투과성 도전층을 함유하는 광투과성 도전성 필름에 있어서, 광투과성 도전층을 함유하는 층을 지지하는 역할을 하는 것을 말한다. 광투과성 지지층 (A) 로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 터치 패널용 광투과성 도전성 필름에 있어서, 광투과성 지지층으로서 통상적으로 사용되는 것을 사용할 수 있다.In the present invention, the light-transmitting supporting layer means a layer that supports the layer containing the light-transmitting conductive layer in the light-transmitting conductive film containing the light-transmitting conductive layer. The light-permeable support layer (A) is not particularly limited, and for example, in a light-transmissive conductive film for a touch panel, a material commonly used as a light-permeable support layer can be used.

광투과성 지지층 (A) 는, 고분자 수지를 함유한다. 고분자 수지로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 폴리에스테르 및 폴리카보네이트 (PC) 등을 들 수 있다. 고분자 수지로는, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN) 및 PC 등을 들 수 있다. 고분자 수지로는, 특히 PET 및 PC 가 바람직하다. 광투과성 지지층 (A) 는, 2 종 이상의 고분자 수지를 함유하고 있어도 된다.The light-transmitting supporting layer (A) contains a polymer resin. The polymer resin is not particularly limited, and examples thereof include polyester and polycarbonate (PC). Preferable examples of the polymer resin include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), PC and the like. As the polymer resin, PET and PC are particularly preferable. The light-transmitting supporting layer (A) may contain two or more kinds of polymer resins.

광투과성 지지층 (A) 는, 추가로 그 밖의 성분을 함유하고 있어도 된다. 광투과성 지지층 (A) 는, 1 종 이상의 고분자 수지에 더하여, 추가로 2 종 이상의 그 밖의 성분을 함유하고 있어도 된다.The light-transmitting support layer (A) may further contain other components. The light-transmitting support layer (A) may contain, in addition to one or more kinds of polymer resins, two or more other components.

광투과성 지지층 (A) 의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 20 ∼ 200 ㎛ 이면 바람직하고, 25 ∼ 200 ㎛ 이면 보다 바람직하고, 30 ∼ 190 ㎛ 이면 보다 바람직하고, 50 ∼ 150 ㎛ 이면 더욱 바람직하다. 광투과성 지지층의 두께는, 두께 측정기 (주식회사 니콘사 제조, DIGIMICRO MF501+MFC-101 또는 그 동등품) 를 사용하여 계측한다.The thickness of the light-permeable support layer (A) is not particularly limited, but is preferably 20 to 200 占 퐉, more preferably 25 to 200 占 퐉, more preferably 30 to 190 占 퐉, still more preferably 50 to 150 占 퐉. The thickness of the light-transmitting supporting layer is measured using a thickness measuring instrument (DIGIMICRO MF501 + MFC-101 manufactured by Nikon Corporation or its equivalent).

1.2 광투과성 도전층 (B) 1.2 Light transmissive conductive layer (B)

광투과성 도전층 (B) 는 산화인듐을 함유하고, 도펀트로서 주석 산화물 및/또는 아연 산화물 등을 함유하고 있어도 된다. 광투과성 도전층 (B) 로는, 산화인듐주석 (tin-doped indium oxide (ITO)) 이 바람직하다.The light-transmitting conductive layer (B) may contain indium oxide, and may contain tin oxide and / or zinc oxide as a dopant. As the light-transmitting conductive layer (B), tin-doped indium oxide (ITO) is preferable.

광투과성 도전층 (B) 의 소재는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 산화인듐, 산화아연, 산화주석 및 산화티탄 등을 들 수 있다. 광투과성 도전층 (B) 로는, 투명성과 도전성을 양립시키는 점에서, 산화인듐에 도펀트를 도프한 것을 함유하는 광투과성 도전층이 바람직하다. 광투과성 도전층 (B) 는, 산화인듐에 도펀트를 도프한 것으로 이루어지는 광투과성 도전층이어도 된다. 도펀트로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 산화주석 및 산화아연, 그리고 그들의 혼합물 등을 들 수 있다.The material of the light-transmitting conductive layer (B) is not particularly limited, and examples thereof include indium oxide, zinc oxide, tin oxide and titanium oxide. As the light-transmissive conductive layer (B), a light-transmitting conductive layer containing indium oxide doped with a dopant is preferable in terms of both transparency and conductivity. The light-transmitting conductive layer (B) may be a light-transmitting conductive layer formed by doping indium oxide with a dopant. The dopant is not particularly limited, and examples thereof include tin oxide and zinc oxide, and mixtures thereof.

광투과성 도전층 (B) 의 소재로서 산화인듐에 산화주석을 도프한 것을 사용하는 경우에는, 산화인듐(Ⅲ) (In2O3) 에 산화주석(Ⅳ) (SnO2) 를 도프한 것 (tin-doped indium oxide ; ITO) 이 바람직하다. 이 경우, SnO2 의 첨가량으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 1 ∼ 15 중량％, 바람직하게는 2 ∼ 10 중량％, 보다 바람직하게는 3 ∼ 8 중량％ 등을 들 수 있다. 또, 도펀트의 총량이 상기에 기재한 수치 범위를 넘지 않는 범위에서, 산화인듐주석에 추가로 다른 도펀트가 첨가된 것을 광투과성 도전층 (B) 의 소재로서 사용해도 된다. 상기 기재에 있어서 다른 도펀트로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 셀렌 등을 들 수 있다.When indium oxide doped with tin oxide is used as the material of the light-transmitting conductive layer (B), indium (III) oxide (In 2 O 3 ) doped with tin oxide (IV) (SnO 2 ) tin-doped indium oxide (ITO). In this case, the amount of SnO 2 to be added is not particularly limited, but may be, for example, 1 to 15% by weight, preferably 2 to 10% by weight, more preferably 3 to 8% by weight. In addition to indium tin oxide, other dopants may be added to the light-transmitting conductive layer (B) as long as the total amount of the dopant does not exceed the numerical range described above. In the above description, other dopants are not particularly limited, and for example, selenium and the like can be given.

광투과성 도전층 (B) 는, 상기의 각종 소재 중 어느 것 단독으로 이루어지는 것이어도 되고, 복수 종으로 이루어지는 것이어도 된다.The light-transmitting conductive layer (B) may be composed of any of the above-mentioned various materials, or may be composed of a plurality of kinds.

광투과성 도전층 (B) 는, 특별히 한정되지 않지만, 결정체 혹은 비정질체, 또는 그들의 혼합체여도 된다.The light-transmitting conductive layer (B) is not particularly limited, but may be a crystal, an amorphous substance, or a mixture thereof.

광투과성 도전층 (B) 는, 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에, 직접 또는 1 이상의 다른 층을 개재하여 배치되어 있다.The light-transmitting conductive layer (B) is disposed directly on at least one surface of the light-transmitting supporting layer (A) or via one or more other layers.

광투과성 도전층 (B) 는, 가열 처리에 의해 결정화되어 있다. 결정화의 정도가 진행됨에 따라 함수 f(α) 의 값을 증가시킬 수 있다. 바꾸어 말하면, 가열 처리 전에 미리 함수 f(α) 의 평균값을 구해 두고, 필요에 따라 가열 처리를 실시함으로써 결정화의 정도를 조정함으로써 함수 f(α) 의 값을 조정할 수 있다.The light-transmitting conductive layer (B) is crystallized by heat treatment. As the degree of crystallization progresses, the value of the function f (?) Can be increased. In other words, the value of the function f (?) Can be adjusted by obtaining the average value of the function f (?) Before the heat treatment and adjusting the degree of crystallization by performing heat treatment if necessary.

광투과성 도전층 (B) 는, 바람직하게는 박막법 XRD 측정에 있어서, (222) 면의 피크가 다른 피크에 비해 가장 강하다.In the thin film method XRD measurement, the peak of the (222) plane is the strongest in the light-transmitting conductive layer (B) compared with other peaks.

광투과성 도전층 (B) 의 두께는 15 ∼ 30 ㎚, 바람직하게는 16 ∼ 28 ㎚, 보다 바람직하게는 17 ∼ 25 ㎚ 이다.The thickness of the light-transmitting conductive layer (B) is 15 to 30 nm, preferably 16 to 28 nm, more preferably 17 to 25 nm.

광투과성 도전층 (B) 의 두께는, 다음과 같이 하여 측정한다. 투과형 전자 현미경 관찰에 의해 측정한다. 구체적으로는, 마이크로톰 또는 포커스 이온 빔 등을 사용하여 광투과성 도전성 필름을 필름면에 대해 수직 방향으로 얇게 절단하고, 그 단면을 관찰한다.The thickness of the light-transmitting conductive layer (B) is measured in the following manner. It is measured by transmission electron microscope observation. Specifically, the light transmitting conductive film is cut thinly in a direction perpendicular to the film surface using a microtome or a focused ion beam, and the cross section is observed.

광투과성 도전층 (B) 를 형성하는 방법은, 습식 및 건식 중 어느 것이어도 된다.The method of forming the light-transmitting conductive layer (B) may be either wet or dry.

광투과성 도전층 (B) 를 형성하는 방법으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 이온 플레이팅법, 스퍼터링법, 진공 증착법, CVD 법 및 펄스 레이저 디포지션법 등을 들 수 있다. 광투과성 도전층 (B) 를 형성하는 방법으로는, 스퍼터링법이 바람직하다.The method of forming the light-transmitting conductive layer (B) is not particularly limited, and examples thereof include an ion plating method, a sputtering method, a vacuum deposition method, a CVD method, and a pulse laser deposition method. As a method of forming the light-transmitting conductive layer (B), a sputtering method is preferable.

박막법에 의한 입사각 α 의 XRD 측정에 있어서, 고분자 수지의 회절 강도와 산화인듐의 회절 강도가 소정의 관계를 나타내는 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻기 위해서는, 특별히 한정되지 않지만, 스퍼터링법에 의해 광투과성 도전층 (B) 를 형성하는 경우에는, 예를 들어 산소 분압, 하지 (下地) 가 되는 층의 평균 표면 조도 (Ra), 물 도입의 분압, 성막 온도 및 광투과성 도전층 (B) 두께의 밸런스를 적절히 조정하면 된다.In order to obtain the light-transmitting conductive film of the present invention in which the diffraction intensity of the polymer resin and the diffraction intensity of indium oxide have a predetermined relationship in the XRD measurement of the incident angle? By the thin film method, the sputtering method is not particularly limited, When the transparent conductive layer (B) is formed, the oxygen partial pressure, the average surface roughness (Ra) of the underlying layer, the partial pressure of water introduction, the film forming temperature, and the thickness of the light- You can adjust the balance appropriately.

1.3 함수 f(α) 1.3 Function f (α)

본 발명의 광투과성 도전성 필름은, 함수 f(α) 의 평균값이 0.08 ∼ 5.00 인 것을 특징으로 한다.The light-transmitting conductive film of the present invention is characterized in that the average value of the function f (?) Is 0.08 to 5.00.

함수 f(α) 는,The function f (alpha)

(Ibα － Ibα－0.025°)/(Iaα － Iaα－0.025°)(Ib ? - Ib ? -0.025 ) / (Ia ? -Ia ? -0.025 )

로 나타내어진다. Lt; / RTI >

단,only,

Iaα 는, 입사각 α 의 박막법 XRD 측정에 있어서의 고분자 수지 유래의 2θ = 26°부근의 피크 강도이고, 또한 Ia alpha is the peak intensity near 2? = 26 from the polymer resin in the thin film method XRD measurement of the incident angle?

Ibα 는, 입사각 α 의 박막법 XRD 측정에 있어서의 산화인듐 유래의 (222) 면의 피크 강도이다.Ib ? Is the peak intensity of the (222) plane derived from indium oxide in the thin film method XRD measurement of the incident angle?.

Iaα －0.025°는, 입사각 α 보다 0.025°작은 X 선 입사각의 박막법 XRD 측정에 있어서의 고분자 수지 유래의 2θ = 26°부근의 피크 강도이고, 또한 Ia ? -0.025 占 is the peak intensity near 2? = 26 占 derived from the polymer resin in the XRD measurement of the X-ray incident angle smaller by 0.025 占 than the incident angle?

Ibα－0.025°는, 입사각 α 보다 0.025°작은 X 선 입사각의 박막법 XRD 측정에 있어서의 산화인듐 유래의 (222) 면의 피크 강도이다.Ib ? -0.025 占 is the peak intensity of the (222) plane derived from indium oxide in the XRD measurement of the X-ray incident angle smaller by 0.025 占 than the incident angle?.

즉, 함수 f(α) 는, 이하와 같이 하여 얻어진다. 0.025°차이의 2 개의 X 선 입사각으로 측정한 2 개의 X 선 회절 패턴으로부터, 2 개의 고분자 수지 유래의 회절 강도 및 2 개의 산화인듐 유래의 회절 강도를 얻는다. 고분자 수지 유래의 회절 강도를 횡축, 또한 산화인듐 유래의 회절 강도를 종축으로 하여 0.025°차이의 2 개의 X 선 입사각으로 각각 측정한 고분자 수지 유래의 회절 강도 및 산화인듐 유래의 회절 강도로부터 정해지는 2 개의 좌표를 각각 플롯한다. 함수 f(α) 는, 당해 2 점을 연결한 직선의 기울기이다 (도 3).That is, the function f (?) Is obtained as follows. The diffraction intensity from the two polymer resins and the diffraction intensity from the two indium oxides are obtained from the two X-ray diffraction patterns measured at two X-ray incident angles with a difference of 0.025 °. The diffraction intensity derived from the polymer resin and the diffraction intensity derived from the indium oxide measured by two X-ray incident angles of 0.025 degree difference with respect to the diffraction intensity derived from the polymer resin as the abscissa and the diffraction intensity derived from the indium oxide as the ordinate, Respectively. The function f (?) Is a slope of a straight line connecting the two points (Fig. 3).

단, α 는,However,

αmin ＋ n × 0.025°(n = 1, 2, 3, …)α min + n × 0.025 ° (n = 1, 2, 3, ...)

(단, αmin 은, 0.100°이상의 범위 내에 있어서, 박막법 XRD 측정에 있어서 (222) 면의 피크를 확인할 수 있는 최소의 입사각이다)(Where? Min is a minimum incident angle within a range of 0.100 占 or more and capable of confirming the peak of the (222) face in the thin film method XRD measurement)

으로 나타내는 변수이고,Lt; / RTI >

다음 식 (Ⅰ) 및 (Ⅱ) 를 만족시키는 것이다. Satisfy the following formulas (I) and (II).

α ≤ 0.600° ‥‥ (Ⅰ) alpha ≤ 0.600 DEG (I)

f(α) ≥ 0.7 × f(α － 0.025°) ‥‥ (Ⅱ)f (?) 0.7? f (? - 0.025)? (II)

요컨대, 함수 f(α) 의 평균값이란, α 가 αmin ＋ 1 × 0.025°, αmin ＋ 2 × 0.025°, αmin ＋ 3 × 0.025°, … 일 때에 각각 f(α) 가 취할 수 있는 각 수치의 평균값이다.In other words, the average value of the function f (?) Is defined as? Min + 1 占 0.025 占? Min + 2 占 0.025 占? Min + 3 占 0.025 占 ... Is an average value of each value that f (?) Can take.

또한, α 의 최소값은, 0.100°이상의 범위 내에 있어서, 박막법 XRD 측정에 있어서 (222) 면의 피크를 확인할 수 있는 최소의 입사각 αmin 에 1 × 0.025°를 더한 것이다.Further, the minimum value of α is, within 0.100 ° over a range, the thin film method will be at least the angle of incidence α min to check the peak in (222) plane in the XRD measurement plus the 1 × 0.025 °.

본 발명에 있어서, 「(222) 면의 피크를 확인할 수 있는」이란, 일반적인 방법으로 확인할 수 있는 것을 의미하고, 즉, 백그라운드 처리에 의해 백그라운드를 공제했을 때에 피크를 확인할 수 있는 것을 나타내고 있다. 예를 들어, 2θ 가 28°내지 34°의 회절 패턴에 있어서, 28°∼ 29°및 32°∼ 34°의 프로파일을 베이스로 하여 백그라운드 처리를 했을 때에, (222) 면에서 유래하는 회절 강도가, 백그라운드보다 강한 것 등이 해당한다. 상기 범위에 있어서, 다른 물질로부터의 회절이 나타나는 경우에는, 그 회절을 피하도록 베이스가 되는 범위를 적절히 변경하여, 백그라운드 처리하면 된다. 「(222) 면의 피크를 확인할 수 있는」이란, 보다 구체적으로는, 상기에 있어서, 회절 패턴에 있어서의 전후의 회절 패턴의 경향과 비교하여 (222) 면의 회절 강도가 강한 것을 나타내고 있다. 상기에 있어서, 예를 들어, 전후 2.0°의 회절 패턴의 경향과의 비교를 실시해도 된다. 상기에 있어서, 바람직하게는 전후 1.5°의 회절 패턴의 경향과의 비교를 실시하고, 보다 바람직하게는 전후 1°의 회절 패턴의 경향과의 비교를 실시한다.In the present invention, " the peak of (222) plane can be confirmed " means that it can be confirmed by a general method, that is, the peak can be confirmed when background is subtracted by background processing. For example, when background processing is performed on the basis of the profile of 28 ° to 29 ° and 32 ° to 34 ° in the diffraction pattern of 2θ of 28 ° to 34 °, the diffraction intensity derived from the (222) plane is , And stronger than the background. In the above-mentioned range, when diffraction from other materials appears, background processing can be performed by appropriately changing the range of the base to avoid the diffraction. More specifically, in the above, it is shown that the diffraction intensity of the (222) plane is stronger than the tendency of the diffraction patterns before and after in the diffraction pattern. In the above, for example, comparison may be made with the tendency of the diffraction pattern at the front and back 2.0 degrees. In the above, a comparison with a tendency of a diffraction pattern at a forward and a backward direction of 1.5 degrees is preferably made, and more preferably, a comparison with a tendency of a diffraction pattern at a forward and backward degrees is performed.

또, α 의 최대값은, f(α) ≥ 0.7 × f(α － 0.025°) 를 만족시키는 최대값 및 0.600°중 어느 작은 값이다. 단, 양자가 동일한 경우에는, 그 값을 α 의 최대값으로 한다. 이 범위 내에 있는 각각의 입사각으로 측정한 각각의 X 선 회절 패턴으로부터 얻어진 고분자 수지 유래의 회절 강도 및 산화인듐 유래의 회절 강도로부터 정해지는 각각의 좌표를, 고분자 수지 유래의 회절 강도를 횡축, 또한 산화인듐 유래의 회절 강도를 종축으로 하여 플롯한 각각의 점은, 선형성을 거의 유지하고 있다 (도 3).The maximum value of? Is a small value, which is the maximum value satisfying f (?)? 0.7 x f (? - 0.025 占 and 0.600 占. However, when they are the same, the value is made the maximum value of?. The coordinates determined from the diffraction intensity derived from the polymer resin and the diffraction intensity derived from the indium oxide obtained from each X-ray diffraction pattern measured at each incident angle within this range are represented by the following formula: Each point plotted with indium-derived diffraction intensity as a vertical axis maintains almost linearity (Fig. 3).

또한, 도 4 는, 점선 테두리로 둘러싸여 있는 점끼리가 상기 식 (Ⅰ) 및 (Ⅱ) 를 만족시키고 있으며, 왼쪽에서 4 번째로 플롯된 점이 왼쪽에서 3 번째로 플롯한 점에 대해 f(α) ≥ 0.7 × f(α － 0.025°) 의 관계를 만족시키고 있지 않은 경우의 일례이다.4 shows a case where the points enclosed by the dotted line frame satisfy the above-mentioned expressions (I) and (II), and the point plotted fourth from the left is plotted as f ≫ 0.7 x f (alpha - 0.025 deg.) Is not satisfied.

또한, 상기에 있어서 모든 계산에 있어서는, 소수점 이하 3 자릿수까지 계산을 실시하고, 소수점 이하 3 자릿수를 사사오입하는 것으로 한다.In addition, in the above calculation, calculation is performed up to three digits after the decimal point, and three digits after the decimal point are rounded off.

X 선 회절은, 주식회사 리가쿠 제조의 박막 평가용 자료 수평형 X 선 회절 장치 SmartLab 또는 그 동등품을 사용하여 박막법으로 측정한다. 평행빔 광학 배치를 이용하고, 광원에는 CuKα 선 (파장 : 1.5418 Å) 을 40 ㎸, 30 ㎃ 의 파워로 사용한다. 입사측 슬릿계는 솔러 슬릿 5.0°, 높이 제어 슬릿 10 ㎜, 입사 슬릿 0.1 ㎜ 를 사용하고, 수광측 슬릿에는 패러렐 슬릿 애널라이저 (PSA) 0.114 deg. 를 사용한다. 검출기는 신틸레이션 카운터를 사용한다. 시료 스테이지는 다공질 흡착 시료 홀더를 사용하여, 시료에 요철이 생기지 않을 정도로 시료를 흡착 고정시킨다. 컬이 강하여 흡착 고정시킬 수 없는 경우에는, 시료 끝을 점착 테이프 등으로 보조적으로 고정하여, 흡착 고정시킨다. 스텝 간격 및 측정 스피드는, X 선 회절 패턴을 인식할 수 있을 정도로 적절히 조정한다. 일례로는, 스텝 간격 및 측정 스피드는, 스텝 간격 0.02°, 측정 스피드 1.5°/min 이 바람직하다. 측정 범위는 20°∼ 35°에서 측정한다.X-ray diffraction is measured by a thin film method using a thin film evaluation data Horizontal X-ray diffraction apparatus SmartLab manufactured by Rigaku Corporation or its equivalent. A parallel beam optical arrangement is used, and a CuK? Line (wavelength: 1.5418 占) is used as a light source at a power of 40 kV and 30 mA. The incident side slit system uses a solar slit 5.0 deg., A height control slit 10mm, and an incident slit 0.1mm. On the light receiving side slit, a parallel slit analyzer (PSA) 0.114 deg. Lt; / RTI > The detector uses a scintillation counter. The sample stage uses a porous adsorption sample holder to adsorb and fix the sample to such an extent that unevenness does not occur on the sample. When the curl is strong and can not be adsorbed and fixed, the end of the sample is supplementarily fixed with an adhesive tape or the like and adsorbed and fixed. The step interval and the measurement speed are appropriately adjusted so as to recognize the X-ray diffraction pattern. For example, the step interval and the measurement speed are preferably 0.02 deg. In step interval and 1.5 deg. / Min in measurement speed. The measurement range is 20 ° to 35 °.

측정은 X 선의 입사각 0.1 ∼ 0.6°의 범위에서 저각측에서부터 순서대로 0.025°단위로 변경시켜 각각 측정한다. 또한, 시료의 고정 상태에 따라 회절선의 강도가 상이하기 때문에, 일련의 측정이 종료될 때까지 시료는 시료대에 고정시킨 채로 둔다. 얻어진 X 선 회절 패턴에 대하여 단색화할 필요는 없으며, 각 피크 강도는 백그라운드를 공제한 값을 사용해도 된다. 시료는 송풍 건조기 등으로 대기 분위기 중 150 ℃ 에서 1 시간 가열 처리한 것을 사용한다.Measurements were made by changing the angle of incidence of X-rays from 0.1 to 0.6 ° in 0.025 ° increments in order from the lower angle side. Further, since the intensity of the diffraction line varies depending on the fixed state of the sample, the sample is kept fixed on the sample table until a series of measurements is completed. It is not necessary to monochromize the obtained X-ray diffraction pattern, and a value obtained by subtracting the background may be used for each peak intensity. The sample is heated in an air atmosphere at 150 ° C for 1 hour using an air blow dryer or the like.

본 발명에 있어서, 각 층의 두께는 투과형 전자 현미경 관찰에 의해 구한다. 구체적으로는, 마이크로톰 또는 포커스 이온 빔 등을 사용하여 광투과성 도전성 필름을 필름면에 대해 수직 방향으로 얇게 절단하고, 그 단면을 관찰한다.In the present invention, the thickness of each layer is determined by transmission electron microscope observation. Specifically, the light transmitting conductive film is cut thinly in a direction perpendicular to the film surface using a microtome or a focused ion beam, and the cross section is observed.

1.4 언더코트층 (C ) 1.4 Undercoat layer (C )

본 발명의 광투과성 도전성 필름은, 추가로 언더코트층 (C) 를 함유하고, 또한 적어도 일방의 광투과성 도전층 (B) 가 적어도 언더코트층 (C) 를 개재하여 광투과성 지지층 (A) 의 면에 배치되어 있어도 된다.The light-transmitting conductive film of the present invention further contains an undercoat layer (C) and at least one light-transmissive conductive layer (B) comprises at least an undercoat layer (C) Or may be disposed on the surface.

광투과성 도전층 (B) 는, 언더코트층 (C) 에 인접하여 배치되어 있어도 된다.The light-transmitting conductive layer (B) may be disposed adjacent to the undercoat layer (C).

도 5 에, 본 발명의 편면 광투과성 도전성 필름의 일 양태를 나타낸다. 이 양태에서는, 광투과성 지지층 (A) 의 일방의 면에, 언더코트층 (C) 및 광투과성 도전층 (B) 가 이 순서로 서로 인접하여 배치되어 있다.Fig. 5 shows an embodiment of the one-sided light-transmissive conductive film of the present invention. In this embodiment, the undercoat layer C and the light-transmitting conductive layer B are disposed adjacent to each other on one surface of the light-transmitting supporting layer A in this order.

도 6 에, 본 발명의 양면 광투과성 도전성 필름의 일 양태를 나타낸다. 이 양태에서는, 광투과성 지지층 (A) 의 양방의 면에, 언더코트층 (C) 및 광투과성 도전층 (B) 가 이 순서로 서로 인접하여 배치되어 있다.6 shows an embodiment of a double-side light-transmitting conductive film of the present invention. In this embodiment, the undercoat layer C and the light-transmitting conductive layer B are disposed adjacent to each other in this order on both surfaces of the light-transmitting supporting layer (A).

언더코트층 (C) 의 소재는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 유전성을 갖는 것이어도 된다. 언더코트층 (C) 의 소재로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 산화규소, 질화규소, 산질화규소, 탄화규소, 실리콘알콕사이드, 알킬실록산 및 그 축합물, 폴리실록산, 실세스퀴옥산, 폴리실라잔, 산화니오브(V) 등을 들 수 있다. 언더코트층 (C) 는, 이들 중 어느 것 단독으로 이루어지는 것이어도 되고, 복수 종으로 이루어지는 것이어도 된다.The material of the undercoat layer (C) is not particularly limited, and for example, it may have a dielectric property. The material of the undercoat layer (C) is not particularly limited, and examples thereof include silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon carbide, silicon alkoxide, alkylsiloxane and condensates thereof, polysiloxane, silsesquioxane, Niobium oxide (V), and the like. The undercoat layer (C) may be composed of either one of these, or may be of a plurality of kinds.

언더코트층 (C) 로는, SiOx (x = 1.0 ∼ 2.0) 를 함유하는 층이 바람직하다. 언더코트층 (C) 는, SiOx (x = 1.0 ∼ 2.0) 로 이루어지는 층이어도 된다.As the undercoat layer (C), a layer containing SiO x (x = 1.0 to 2.0) is preferable. The undercoat layer C may be a layer made of SiO x (x = 1.0 to 2.0).

언더코트층 (C) 는, 1 층이 배치되어 있어도 된다. 혹은 2 층 이상이 서로 인접하거나, 또는 다른 층을 개재하여 서로 이간되어 배치되어 있어도 된다. 언더코트층 (C) 가 2 층 이상 서로 인접하여 배치되어 있는 것이 바람직하다. 예를 들어, 3 층이 서로 인접하여 배치되어 있는 경우, 중간에 SiO2 로 이루어지는 언더코트층 (d-2), 그것을 사이에 오도록 하여 모두 SiOx (x = 1.0 ∼ 2.0) 로 이루어지는 언더코트층 (d-1) 및 (d-3) 을 배치시키는 것이 바람직하다.One layer of the undercoat layer C may be disposed. Or two or more layers may be adjacent to each other or disposed apart from each other with another layer interposed therebetween. It is preferable that the undercoat layer C is disposed adjacent to two or more layers. For example, when three layers are disposed adjacent to each other, an undercoat layer (d-2) made of SiO 2 in the middle and an undercoat layer (SiO 2) having SiO x (x = 1.0 to 2.0) (d-1) and (d-3).

언더코트층 (C) 의 1 층당 두께로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 5 ∼ 50 ㎚ 등을 들 수 있다. 2 층 이상이 서로 인접하여 배치되어 있는 경우에는, 서로 인접하고 있는 모든 언더코트층 (C) 의 합계 두께가 상기 범위 내이면 된다.The thickness per layer of the undercoat layer (C) is not particularly limited, but may be 5 to 50 nm, for example. In the case where two or more layers are disposed adjacent to each other, the total thickness of all the undercoat layers C adjacent to each other may be within the above range.

언더코트층 (C) 의 두께는, 다음과 같이 하여 측정한다. 투과형 전자 현미경 관찰에 의해 구한다. 구체적으로는, 마이크로톰 또는 포커스 이온 빔 등을 사용하여 광투과성 도전성 필름을 필름면에 대해 수직으로 얇게 절단하고, 그 단면을 관찰한다.The thickness of the undercoat layer C is measured in the following manner. Transmission electron microscope observation. Specifically, the light transmitting conductive film is cut thinly perpendicularly to the film surface using a microtome or a focused ion beam, and the cross section is observed.

또, 언더코트층 (C) 에는 언더코트층의 하측의 층과 상측의 층의 밀착성을 부여하거나 하기 위해, 단위 면적당 부착량이 적고, 투과형 전자 현미경 관찰에 의해서는 층으로 되어 있는 것을 확인할 수 없는 것도 포함된다. 이와 같은 경우에는, 언더코트층 (C) 의 두께는, 형광 X 선 분석 (XRF) 장치를 사용하여 언더코트층을 구성하는 물질에 기초하는 강도를 측정하고, 미리 작성한 검량선에 기초하여 부착량을 산출하고, 벌크의 밀도를 이용하여 구한다.It is also possible to confirm that the undercoating layer (C) has a small adhesion amount per unit area and is formed of a layer by observing by a transmission electron microscope in order to provide adhesion between the lower layer and the upper layer of the undercoat layer . In such a case, the thickness of the undercoat layer (C) is measured by using a fluorescent X-ray analysis (XRF) apparatus to measure the strength based on the material constituting the undercoat layer and calculating the deposition amount based on the previously prepared calibration curve And is obtained by using density of the bulk.

언더코트층 (C) 의 굴절률은, 본 발명의 광투과성 도전성 필름이 터치 패널용 광투과성 도전성 필름으로서 사용할 수 있는 한 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 1.4 ∼ 1.5 가 바람직하다.The refractive index of the undercoat layer (C) is not particularly limited as long as the light-transmissive conductive film of the present invention can be used as a light-transmissive conductive film for a touch panel, and is preferably 1.4 to 1.5, for example.

언더코트층 (C) 를 배치하는 방법은, 습식 및 건식 중 어느 것이어도 되고, 특별히 한정되지 않지만, 습식으로는 예를 들어, 졸-겔법, 미립자 분산액, 콜로이드 용액을 도포하는 방법 등을 들 수 있다.The method of disposing the undercoat layer (C) may be either wet or dry, and is not particularly limited. Examples of the wet method include a sol-gel method, a fine particle dispersion, and a method of applying a colloidal solution have.

언더코트층 (C) 를 배치하는 방법으로서, 건식으로는, 예를 들어, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 진공 증착법, 화학 기상 퇴적법 및 펄스 레이저 디포지션법에 의해 인접하는 층 상에 적층하는 방법 등을 들 수 있다.Examples of the method of disposing the undercoat layer C include a method of laminating on the adjacent layer by a sputtering method, an ion plating method, a vacuum vapor deposition method, a chemical vapor deposition method, and a pulse laser deposition method And the like.

1.5 하드 코트층 (D) 1.5 Hard coat layer (D)

본 발명의 광투과성 도전성 필름은, 추가로, 하드 코트층 (D) 를 함유하고 있어도 된다.The light-transmitting conductive film of the present invention may further contain a hard coat layer (D).

본 발명의 광투과성 도전성 필름이 하드 코트층 (D) 를 함유하고 있는 경우, 적어도 일방의 광투과성 도전층 (B) 가 적어도 하드 코트층 (D) 를 개재하여 광투과성 지지층 (A) 의 면에 배치되어 있다.When the light-transmitting conductive film of the invention contains the hard coat layer (D), at least one light-transmitting conductive layer (B) is provided on at least the surface of the light-transmitting supporting layer (A) via the hard coat layer Respectively.

도 7 에 하드 코트층 (D) 를 함유하는 본 발명의 편면 광투과성 도전성 필름의 일 양태를 나타낸다. 이 양태에서는, 광투과성 지지층 (A) 의 일방의 면에 하드 코트층 (D), 언더코트층 (C) 및 광투과성 도전층 (B) 가 이 순서로 서로 인접하여 배치되어 있다.7 shows an embodiment of the one-sided light-transmitting conductive film of the present invention containing the hard coat layer (D). In this embodiment, a hard coat layer (D), an undercoat layer (C), and a light-transmitting conductive layer (B) are disposed adjacent to each other in this order on one surface of the light-

도 8 에, 하드 코트층 (D) 를 함유하는 본 발명의 편면 광투과성 도전성 필름의 다른 양태를 나타낸다. 이 양태에서는, 광투과성 지지층 (A) 의 일방의 면에 하드 코트층 (D), 언더코트층 (C) 및 광투과성 도전층 (B) 가 이 순서로 서로 인접하여 배치되어 있고, 광투과성 지지층 (A) 의 타방의 면에 다른 하드 코트층 (D) 가 직접 배치되어 있다.Fig. 8 shows another embodiment of the one-side light-transmitting conductive film of the present invention containing the hard coat layer (D). In this embodiment, the hard coat layer (D), the undercoat layer (C), and the light-transmitting conductive layer (B) are arranged adjacent to each other in this order on one surface of the light- And the other hard coat layer D is directly disposed on the other surface of the substrate A.

도 9 에, 하드 코트층 (D) 를 함유하는 본 발명의 양면 광투과성 도전성 필름의 일 양태를 나타낸다. 이 양태에서는, 광투과성 지지층 (A) 의 양방의 면에 하드 코트층 (D), 언더코트층 (C) 및 광투과성 도전층 (B) 가 이 순서로 서로 인접하여 배치되어 있다.9 shows an embodiment of a double-side light-transmitting conductive film of the present invention containing a hard coat layer (D). In this embodiment, the hard coat layer (D), the undercoat layer (C), and the light-transmitting conductive layer (B) are disposed adjacent to each other in this order on both sides of the light-

하드 코트층 (D) 로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 터치 패널용 광투과성 도전성 필름에 있어서 하드 코트층으로서 통상적으로 사용되는 것을 사용할 수 있다.The hard coat layer (D) is not particularly limited, and for example, a material commonly used as a hard coat layer in a light transmitting conductive film for a touch panel can be used.

하드 코트층 (D) 의 소재는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 아크릴계 수지, 실리콘계 수지, 우레탄계 수지, 멜라민계 수지 및 알키드계 수지 등을 들 수 있다. 또, 하드 코트층은 예시한 상기 소재에 더하여, 실리콘, 니오브 또는 지르코니아 등을 포함하는 필러를 함유하고 있어도 된다. The material of the hard coat layer (D) is not particularly limited, and examples thereof include an acrylic resin, a silicone resin, a urethane resin, a melamine resin and an alkyd resin. The hard coat layer may contain a filler including silicon, niobium or zirconia in addition to the above-mentioned materials.

하드 코트층 (D) 의 1 층당 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 0.1 ∼ 3 ㎛, 0.2 ∼ 2 ㎛ 및 0.3 ∼ 1 ㎛ 등을 들 수 있다. 2 층 이상이 서로 인접하여 배치되어 있는 경우에는, 서로 인접하고 있는 모든 하드 코트층 (D) 의 합계 두께가 상기 범위 내이면 된다. 상기에 기재된 예시 열거에 있어서는, 나중에 기재된 것이 먼저 기재된 것보다 바람직하다. 하드 코트층 (D) 의 두께는, 다음과 같이 하여 측정한다. 투과형 전자 현미경 관찰에 의해 구한다. 구체적으로는, 마이크로톰 또는 포커스 이온 빔 등을 사용하여 광투과성 도전성 필름을 필름면에 대해 수직으로 얇게 절단하고, 그 단면을 관찰한다.Thickness per layer of the hard coat layer (D) is not particularly limited, but may be 0.1 to 3 占 퐉, 0.2 to 2 占 퐉, and 0.3 to 1 占 퐉, for example. In the case where two or more layers are disposed adjacent to each other, the total thickness of all the hard coat layers D adjacent to each other may be within the above range. In the exemplary enumeration described above, what is described later is preferable to that described earlier. The thickness of the hard coat layer D is measured in the following manner. Transmission electron microscope observation. Specifically, the light transmitting conductive film is cut thinly perpendicularly to the film surface using a microtome or a focused ion beam, and the cross section is observed.

하드 코트층 (D) 를 배치하는 방법으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 필름에 도포하고, 열로 경화시키는 방법, 자외선이나 전자선 등의 활성 에너지선으로 경화시키는 방법 등을 들 수 있다. 생산성 면에서, 자외선에 의해 경화시키는 방법이 바람직하다.The method for disposing the hard coat layer (D) is not particularly limited, and examples thereof include a method of applying the hard coat layer (D) to a film and curing it with heat, and a method of curing with an active energy ray such as ultraviolet rays or electron rays. From the viewpoint of productivity, a method of curing by ultraviolet rays is preferred.

본 발명의 광투과성 도전성 필름은, 하드 코트층 (D) 를 함유하지 않거나, 혹은 함유했다고 하더라도 그 두께가 0.3 ∼ 1 ㎛ 정도인 것이 바람직하다.The light-transmitting conductive film of the present invention preferably does not contain the hard coat layer (D) or has a thickness of about 0.3 to 1 mu m even if it contains the hard coat layer (D).

1.6 그 밖의 층 (E) 1.6 the other layer (E)

본 발명의 광투과성 도전성 필름은, 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에, 광투과성 도전층 (B) 에 더하여, 언더코트층 (C), 하드 코트층 (D) 및 그것들과 상이한 적어도 1 종의 그 밖의 층 (E) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 층이 추가로 배치되어 있어도 된다.The light-transmitting conductive film of the present invention is characterized in that the undercoat layer (C), the hard coat layer (D) and at least one of them are different from the light-transmitting conductive layer And at least one layer selected from the group consisting of one kind of other layer (E) may be additionally disposed.

그 밖의 층 (E) 로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 접착층 등을 들 수 있다.The other layer (E) is not particularly limited, and examples thereof include an adhesive layer and the like.

접착층이란, 2 층 사이에 당해 2 층과 서로 인접하여 배치되고, 당해 2 층 사이를 서로 접착시키기 위해 배치되는 층이다. 접착층으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 터치 패널용 광투과성 도전성 필름에 있어서 접착층으로서 통상적으로 사용되는 것을 사용할 수 있다. 접착층은, 이들 중 어느 것 단독으로 이루어지는 것이어도 되고, 복수 종으로 이루어지는 것이어도 된다.The adhesive layer is a layer disposed between two layers adjacent to the two layers and arranged to bond the two layers to each other. The adhesive layer is not particularly limited, and for example, those commonly used as an adhesive layer in a light-transmissive conductive film for a touch panel can be used. The adhesive layer may be either a single layer or a plurality of layers.

또, 광투과성 도전층 상에 구리, 니켈, 은 또는 크롬 등을 함유하는 무기물층을 형성해도 된다. 이 때, 상기 무기물층의 존재로 인하여 XRD 측정을 할 수 없게 되는 경우가 있지만, 이 경우에는 황산염, 염화물, 암모늄염 또는 수산화물 등을 함유하는 산 수용액 또는 알칼리 수용액에 의해 무기물층을 제거하고, 적절히 세정한 후에 XRD 측정을 실시해도 된다.In addition, an inorganic material layer containing copper, nickel, silver, chromium or the like may be formed on the light-transmitting conductive layer. In this case, the XRD measurement can not be performed due to the presence of the inorganic material layer. In this case, the inorganic material layer is removed by an aqueous acid solution or an aqueous alkaline solution containing a sulfate, chloride, ammonium salt or hydroxide, The XRD measurement may be performed.

1.7 본 발명의 광투과성 도전성 필름의 용도 1.7 Use of the light-transmitting conductive film of the present invention

본 발명의 광투과성 도전성 필름은, 에칭성이 우수하고, 이 때문에 광투과성 도전층 (B) 의 패터닝이 용이하다.The light-transmitting conductive film of the present invention is excellent in the etching property, and therefore, the patterning of the light-transmitting conductive layer (B) is easy.

따라서, 본 발명의 광투과성 도전성 필름은, 광투과성 도전층 (B) 를 패터닝한 다음에 사용하는 용도에 적합하다.Therefore, the light-transmitting conductive film of the present invention is suitable for use after being patterned in the light-transmitting conductive layer (B).

패터닝의 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 다음과 같이 하여 실시한다. 먼저, 레지스트 (에칭액으로부터 층을 보호하기 위한 보호막) 를, 광투과성 도전층 상의 남기고자 하는 영역에 도포한다. 도포의 수단은 레지스트의 종류에 따라 다르기도 하지만, 스크린 인쇄에 의해 실시해도 되고, 포토레지스트를 사용하는 경우라면, 다음과 같이 하여 실시한다. 광투과성 도전층 상의 남기고자 하는 영역에 스핀 코터 또는 슬릿 코터 등을 사용하여 포토레지스트를 도포하고, 광 또는 전자선을 부분적으로 조사하여 포토레지스트의 용해성을 그 부분에서만 변화시키고, 그 후에 용해성이 상대적으로 낮게 되어 있는 부분을 제거한다 (이것을 현상이라고 한다). 이와 같이 하여 레지스트가 광투과성 도전층 상의 남기고자 하는 영역에서만 존재하고 있는 상태로 한다. 계속해서, 에칭액을 광투과성 도전층에 작용시켜, 광투과성 도전층 중 레지스트에 의해 보호되고 있지 않은 영역을 선택적으로 용해시키고, 이 용해물을 최종적으로 제거함으로써 패턴을 형성한다.The method of patterning is not particularly limited, but is performed as follows, for example. First, a resist (protective film for protecting the layer from the etchant) is applied to a region to be left on the light-transmitting conductive layer. The means for applying may be different depending on the type of the resist, but may be performed by screen printing. In the case of using a photoresist, the following procedure is carried out. A photoresist is applied to a region to be left on the light-transmitting conductive layer using a spin coater, a slit coater or the like, and the light or electron beam is partially irradiated to change the solubility of the photoresist only in that portion, Remove the lower part (this is called the phenomenon). In this way, the resist is present only in a region intended to remain on the light-transmitting conductive layer. Subsequently, an etchant is applied to the light-transmitting conductive layer to selectively dissolve the area of the light-transmitting conductive layer that is not protected by the resist, and finally the pattern is formed by removing the melt.

패터닝에 의해 형성되는 패턴의 형상은, 특별히 한정되지 않지만, 통상적으로, 줄무늬상 또는 다이아몬드상이다. 줄무늬상으로 패터닝된 광투과성 도전성 필름을 줄무늬 방향이 직교하도록 2 장 중첩함으로써 격자상의 패턴을 형성할 수 있다.The shape of the pattern formed by the patterning is not particularly limited, but is usually in a stripe shape or a diamond shape. A lattice-like pattern can be formed by superposing two light-permeable conductive films patterned in stripes so that stripe direction is orthogonal to each other.

광투과성 도전층 (B) 를 패터닝한 다음에 사용하는 용도로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 터치 패널, 전자 페이퍼 및 태양 전지 등을 들 수 있다. 터치 패널에 대해서 자세한 내용은, 2 에서 설명하는 바와 같다.The application for use after patterning the light-transmitting conductive layer (B) is not particularly limited, and examples thereof include a touch panel, an electronic paper, and a solar cell. For more information on the touch panel, please refer to 2.

2. 본 발명의 터치 패널 2. The touch panel of the present invention

본 발명의 터치 패널은, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 포함하고, 추가로 필요에 따라 그 밖의 부재를 포함하여 이루어진다.The touch panel of the present invention includes the light-transmitting conductive film of the present invention, and further includes other members as necessary.

본 발명의 터치 패널의 구체적인 구성예로는, 다음과 같은 구성을 들 수 있다. 또한, 보호층 (1) 측이 조작 화면측을, 유리 (5) 측이 조작 화면과는 반대측을 향하도록 하여 사용된다.A specific example of the configuration of the touch panel of the present invention is as follows. The protection layer 1 side is used with the operation screen side and the glass 5 side with the operation side facing away from the operation screen.

(1) 보호층(1) Protective layer

(2) 본 발명의 광투과성 도전성 필름 (Y 축 방향)(2) The light-transmitting conductive film (Y-axis direction)

(3) 절연층(3) Insulating layer

(4) 본 발명의 광투과성 도전성 필름 (X 축 방향)(4) The light-transmitting conductive film (X-axis direction)

(5) 유리(5) Glass

본 발명의 터치 패널은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 상기 (1) ∼ (5), 및 필요에 따라 그 밖의 부재를 통상적인 방법에 따라 조합함으로써 제조할 수 있다.The touch panel of the present invention is not particularly limited, but can be produced by combining the above-mentioned components (1) to (5) and other members as necessary according to a conventional method.

3. 본 발명의 광투과성 도전성 필름의 제조 방법 3. Method for producing the light-transmitting conductive film of the present invention

본 발명의 광투과성 도전성 필름의 제조 방법은, 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에, 광투과성 도전층 (B) 를 배치하는 공정을 각각 포함한다.The method for producing a light-transmitting conductive film of the present invention includes a step of disposing a light-transmitting conductive layer (B) on at least one surface of a light-transmitting supporting layer (A).

본 발명의 광투과성 도전성 필름의 제조 방법은, 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에, 광투과성 도전층 (B) 에 더하여, 언더코트층 (C), 하드 코트층 (D) 및 그것들과 상이한 적어도 1 종의 그 밖의 층 (E) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 층을 각각 배치하는 공정을 각각 포함하고 있어도 된다.The method for manufacturing a light-transmitting conductive film of the present invention is characterized in that an undercoat layer (C), a hard coat layer (D), and an undercoat layer (D) are formed on at least one surface of a light- And at least one layer selected from the group consisting of at least one other layer (E) different from the first layer.

상기에 있어서, 각각의 층을 배치하는 공정은, 각각의 층에 대해서 설명한 바와 같다. 각각의 층을 배치하는 순서에 대해서는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에 광투과성 지지층 (A) 측에서부터 순차적으로 배치시켜도 된다.In the above, the process of arranging the respective layers is as described for each layer. The order of arranging the respective layers is not particularly limited. For example, at least one surface of the light-transmitting supporting layer (A) may be arranged sequentially from the side of the light-transmitting supporting layer (A).

혹은, 예를 들어, 맨 처음에 광투과성 지지층 (A) 가 아닌 층 (예를 들어, 광투과성 도전층 (B)) 의 일방의 면에 다른 층을 배치시켜도 된다. 혹은, 일방에서 2 종 이상의 층을 서로 인접하도록 배치시킴으로써 1 종의 복합층을 얻고 나서, 또는 그것과 동시에 타방에서 마찬가지로 2 종 이상의 층을 서로 인접하도록 배치시킴으로써 1 종의 복합층을 얻고, 이들 2 종의 복합층을 서로 더욱 인접하도록 배치시켜도 된다.Alternatively, for example, another layer may be disposed on one side of the first layer (for example, the light-transmitting conductive layer (B)) other than the light-transmitting supporting layer (A). Alternatively, two or more kinds of layers may be arranged adjacent to each other to obtain one kind of composite layer, or two or more kinds of layers may be arranged adjacent to each other in the same manner to obtain one kind of composite layer. The multiple layers of species may be arranged so as to be adjacent to each other.

실시예Example

이하에 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에만 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

실시예Example 1 One

두께 125 ㎛ 의 PET 수지 기재 상에 SiO2 층을 20 ㎚ 형성하고, 추가로 산화인듐주석을 16 ㎚ 성막하였다. 구체적으로는, 타깃재로서 산화인듐 : 95 중량％ 및 산화주석 : 5 중량％ 로 이루어지는 소결체 재료를 사용하여, DC 마그네트론 스퍼터링법에 의해 SiO2 층을 형성하고, 그 위에 광투과성 도전층을 형성하였다. 대기 중에서 가열 처리하여, 최종적으로 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다.An SiO 2 layer of 20 nm was formed on a PET resin substrate having a thickness of 125 탆, and indium tin oxide was further formed to a thickness of 16 nm. Specifically, a SiO 2 layer was formed by a DC magnetron sputtering method using a sintered material composed of indium oxide: 95 wt% and tin oxide: 5 wt% as a target material, and a light transmitting conductive layer was formed thereon . And then heat-treated in air to finally obtain the light-transmitting conductive film of the present invention.

광투과성 도전층은 이하와 같이 형성하였다. 챔버 내를 3.0 × 10-4 ㎩ 이하가 될 때까지 진공 배기한 후에, 이러한 챔버 내에 산소 분압이 4.5 × 10-3 ㎩ 가 되도록 산소 가스와 아르곤 가스를 도입하고, 챔버 내 압력을 0.2 ∼ 0.3 ㎩ 로 하고, 성막 온도는 50 ℃ 로 하여 스퍼터링 처리하였다.The light-transmitting conductive layer was formed as follows. After the inside of the chamber by the vacuum evacuation until a 3.0 × 10 -4 ㎩ below, the oxygen partial pressure is introduced into the oxygen gas and the argon gas to be 4.5 × 10 -3 ㎩ within such chamber, and the chamber pressure 0.2 ~ 0.3 ㎩ , And the film forming temperature was set to 50 占 폚.

그 후, 대기 중, 150 ℃ 에서 60 분 가열 처리한 것을 XRD 로 평가하였다. 함수 f(α) 의 평균값은 1.07 이었다. 또, 하지층의 표면 조도 (Ra) 는 1.4 ㎚ 였다.Thereafter, heat treatment at 150 캜 for 60 minutes in the atmosphere was evaluated by XRD. The average value of the function f (?) Was 1.07. The surface roughness (Ra) of the ground layer was 1.4 nm.

또한, 모든 실시예 및 비교예에 있어서, 박막법에 의한 XRD 측정 및 하지층의 표면 조도 (Ra) 는, 다음과 같이 하여 실시하였다. X 선 회절은, 주식회사 리가쿠 제조의 박막 평가용 자료 수평형 X 선 회절 장치 SmartLab 을 사용하여 박막법으로 측정하였다. 평행빔 광학 배치를 이용하고, 광원에는 CuKα 선 (파장 : 1.5418 Å) 을 40 ㎸, 30 ㎃ 의 파워로 사용한다. 입사측 슬릿계는 솔러 슬릿 5.0°, 높이 제어 슬릿 10 ㎜, 입사 슬릿 0.1 ㎜ 를 사용하고, 수광측 슬릿에는 패러렐 슬릿 애널라이저 (PSA) 0.114 deg. 를 사용하였다. 검출기는 신틸레이션 카운터를 사용하였다. 시료 스테이지는 다공질 흡착 시료 홀더를 사용하여, 시료에 요철이 생기지 않을 정도로 시료를 흡착 고정시켰다. 스텝 간격 및 측정 스피드는, 스텝 간격 0.02°, 측정 스피드 1.5°/min 으로 하고, 측정 범위는 20°∼ 35°에서 측정하였다.In all the examples and comparative examples, the XRD measurement by the thin film method and the surface roughness (Ra) of the ground layer were carried out as follows. X-ray diffraction was measured by a thin film method using SmartLab, a horizontal X-ray diffraction device for evaluation of thin films manufactured by Rigaku Corporation. A parallel beam optical arrangement is used, and a CuK? Line (wavelength: 1.5418 占) is used as a light source at a power of 40 kV and 30 mA. The incident side slit system uses a solar slit 5.0 deg., A height control slit 10mm, and an incident slit 0.1mm. On the light receiving side slit, a parallel slit analyzer (PSA) 0.114 deg. Were used. The detector used a scintillation counter. The sample stage used a porous adsorption sample holder to adsorb and fix the sample to such an extent that unevenness did not occur in the sample. The step interval and the measurement speed were measured at a step interval of 0.02 ° and a measurement speed of 1.5 ° / min and a measurement range of 20 ° to 35 °.

XRD 측정은, X 선의 입사각 0.1 ∼ 0.6°의 범위에서 저각측에서부터 순서대로 0.025°단위로 변경시켜 각각 측정하였다. 또한, 시료의 고정 상태에 따라 회절선의 강도가 상이하기 때문에, 일련의 측정이 종료될 때까지 시료는 시료대에 고정시킨 채로 하였다. 또, 얻어진 X 선 회절 패턴은 단색화되어 있지 않다.The XRD measurement was carried out by changing the angle of the X-ray in the range of 0.1 to 0.6 占 in the order of 0.025 占 from the lower angle side. Further, since the intensity of the diffracted ray differs depending on the fixed state of the sample, the sample was kept fixed on the sample table until the series of measurements was completed. The obtained X-ray diffraction pattern is not monochromatic.

X 선 회절 패턴보다 입사각 α 에 있어서의 PET 수지 유래의 2θ = 26°부근의 피크 강도와 산화인듐주석 유래의 (222) 면의 피크 강도를 구하여, 본 발명의 함수 f(α) 의 평균값을 구하였다.The peak intensity of 2θ = 26 ° and the peak intensity of the (222) plane derived from indium tin oxide were determined from the PET resin at an incident angle α rather than the X-ray diffraction pattern, and the average value of the function f Respectively.

하지층의 표면 조도 (Ra) 는, 광투과성 도전층을 성막하지 않은 시료를 준비하고, 원자간력 현미경 (주식회사 시마즈 제작소, SPM-9700) 을 사용하여, 소정의 콘택트 모드로 1 ㎛ 평방의 측정면을 탐침 (OLYMPUS 사 제조, OMCL-TR800-PSA-1 스프링 정수 (定數) 0.15 N/m) 으로 주사하여 얻어지는, 평균선으로부터의 절대 편차를 평균한 값이다.The surface roughness (Ra) of the ground layer was measured with a predetermined contact mode using a atomic force microscope (SPM-9700, Shimadzu Corporation, Inc.) Plane is obtained by averaging the absolute deviations from the average line obtained by scanning with a probe (OMCL-TR800-PSA-1 spring constant 0.15 N / m, manufactured by OLYMPUS).

실시예Example 2 2

두께 125 ㎛ 의 PET 수지 기재 상에 SiO2 층을 20 ㎚ 형성하고, 산화인듐주석을 22 ㎚ 성막하였다. 그 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 2.86 이었다.An SiO 2 layer of 20 nm was formed on a PET resin substrate having a thickness of 125 탆, and indium tin oxide was deposited to a thickness of 22 nm. A light-transmitting conductive film of the present invention was obtained in the same manner as in Example 1 except for the above. As a result of the evaluation by XRD, the average value of the function f (?) Was 2.86.

실시예 3Example 3

두께 125 ㎛ 의 PET 수지 기재 상에 SiO2 층을 20 ㎚ 형성하고, 산화인듐주석을 28 ㎚ 성막하였다. 그 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 4.15 였다.An SiO 2 layer of 20 nm was formed on a PET resin substrate having a thickness of 125 탆, and a 28 nm film of indium tin oxide was formed. A light-transmitting conductive film of the present invention was obtained in the same manner as in Example 1 except for the above. As a result of the evaluation by XRD, the average value of the function f (?) Was 4.15.

비교예Comparative Example 1 One

두께 125 ㎛ 의 PET 수지 기재 상에 SiO2 층을 20 ㎚ 형성하고, 산화인듐주석을 34 ㎚ 성막하였다. 그 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 5.26 이었다.A SiO 2 layer of 20 nm was formed on a PET resin substrate having a thickness of 125 탆, and indium tin oxide was formed to a thickness of 34 nm. A light-transmitting conductive film of the present invention was obtained in the same manner as in Example 1 except for the above. As a result of the evaluation by XRD, the average value of the function f (?) Was 5.26.

실시예 4Example 4

두께 125 ㎛ 의 PET 수지 기재 상에 SiO2 층을 10 ㎚ 형성하고, 추가로 산화인듐주석을 22 ㎚ 성막하였다. 구체적으로는, 타깃재로서 산화인듐 : 95 중량％ 및 산화주석 : 5 중량％ 로 이루어지는 소결체 재료를 사용하여, DC 마그네트론 스퍼터링법에 의해 SiO2 층을 형성하고, 그 위에 광투과성 도전층을 형성하였다. 대기 중에서 가열 처리하여, 최종적으로 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다.A SiO 2 layer of 10 nm was formed on a PET resin substrate having a thickness of 125 탆, and further, a film of indium tin oxide of 22 nm was formed. Specifically, a SiO 2 layer was formed by a DC magnetron sputtering method using a sintered material composed of indium oxide: 95 wt% and tin oxide: 5 wt% as a target material, and a light transmitting conductive layer was formed thereon . And then heat-treated in air to finally obtain the light-transmitting conductive film of the present invention.

광투과성 도전층은 이하와 같이 형성하였다. 챔버 내를 3.0 × 10-4 ㎩ 이하가 될 때까지 진공 배기한 후에, 이러한 챔버 내에 산소 분압이 4.5 × 10-3 ㎩ 및 물 분압이 2.0 × 10-4 ㎩ 가 되도록 산소 가스, 물 및 아르곤 가스를 도입하고, 챔버 내 압력을 0.2 ∼ 0.3 ㎩ 로 하고, 성막 온도는 50 ℃ 로 하여 스퍼터링 처리하였다. 그 후, 대기 중, 150 ℃ 에서 60 분 가열 처리한 것을 XRD 로 평가하였다. 함수 f(α) 의 평균값은 1.54 였다. 또, 하지층의 Ra 는 1.4 ㎚ 였다.The light-transmitting conductive layer was formed as follows. After the inside of the chamber by the vacuum evacuation until a 3.0 × 10 -4 ㎩ below, the oxygen partial pressure within this chamber 4.5 × 10 -3 ㎩ and water partial pressure is 2.0 × 10 -4 ㎩ oxygen gas such that, water and argon gas , The pressure in the chamber was set to 0.2 to 0.3 Pa, and the film forming temperature was set to 50 占 폚. Thereafter, heat treatment at 150 캜 for 60 minutes in the atmosphere was evaluated by XRD. The average value of the function f (?) Was 1.54. The Ra of the ground layer was 1.4 nm.

실시예 5Example 5

광투과성 도전층은 이하와 같이 형성하였다. 챔버 내를 3.0 × 10-4 ㎩ 이하가 될 때까지 진공 배기한 후에, 이러한 챔버 내에 산소 분압이 4.5 × 10-3 ㎩ 및 물 분압이 3.0 × 10-3 ㎩ 가 되도록 산소 가스, 물 및 아르곤 가스를 도입하고, 챔버 내 압력을 0.2 ∼ 0.3 ㎩ 로 하고, 성막 온도는 50 ℃ 로 하여 스퍼터링 처리하였다. 그 이외에는, 실시예 4 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 0.25 였다.The light-transmitting conductive layer was formed as follows. After evacuating the chamber until 3.0 × 10 -4 ㎩ hereinafter in this chamber an oxygen partial pressure of 4.5 × 10 -3 ㎩ and oxygen such that the water partial pressure of 3.0 × 10 -3 ㎩ gas, argon gas and water , The pressure in the chamber was set to 0.2 to 0.3 Pa, and the film forming temperature was set to 50 占 폚. A light-transmitting conductive film of the present invention was obtained in the same manner as in Example 4 except for the above. As a result of the evaluation by XRD, the average value of the function f (?) Was 0.25.

실시예 6Example 6

광투과성 도전층의 성막 온도를 80 ℃ 로 하였다. 그 이외에는, 실시예 5 와 동일한 제법에 의해, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 0.87 이었다.The film-forming temperature of the light-transmitting conductive layer was set at 80 캜. A light-transmitting conductive film of the present invention was obtained in the same manner as in Example 5 except for the above. As a result of the evaluation by XRD, the average value of the function f (?) Was 0.87.

실시예 7Example 7

광투과성 도전층의 성막시, 기재의 가열은 실시하지 않았다. 그 이외에는, 실시예 5 와 동일한 제법에 의해, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 0.15 였다.The substrate was not heated at the time of forming the light-transmitting conductive layer. A light-transmitting conductive film of the present invention was obtained in the same manner as in Example 5 except for the above. As a result of the evaluation by XRD, the average value of the function f (?) Was 0.15.

비교예Comparative Example 2 2

광투과성 도전층은 이하와 같이 형성하였다. 챔버 내를 3.0 × 10-4 ㎩ 이하가 될 때까지 진공 배기한 후에, 이러한 챔버 내에 산소 분압이 4.5 × 10-3 ㎩ 및 물 분압이 2.0 × 10-2 ㎩ 가 되도록 산소 가스, 물 및 아르곤 가스를 도입하고, 챔버 내 압력을 0.2 ∼ 0.3 ㎩ 로 하고, 성막 온도는 50 ℃ 로 하여 스퍼터링 처리하였다. 그 이외에는, 실시예 4 와 동일한 제법에 의해, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다.The light-transmitting conductive layer was formed as follows. After evacuating the chamber until 3.0 × 10 -4 ㎩ hereinafter in this chamber an oxygen partial pressure of 4.5 × 10 -3 ㎩ and oxygen such that the water partial pressure of 2.0 × 10 -2 ㎩ gas, argon gas and water , The pressure in the chamber was set to 0.2 to 0.3 Pa, and the film forming temperature was set to 50 占 폚. A light-transmitting conductive film of the present invention was obtained in the same manner as in Example 4 except for the above.

XRD 에 의한 평가의 결과, 산화인듐에서 유래하는 (222) 면의 회절이 관찰되지 않았다.As a result of the evaluation by XRD, diffraction of the (222) plane derived from indium oxide was not observed.

실시예 8Example 8

두께 100 ㎛ 의 PET 수지 기재 상에 SiO2 층을 20 ㎚ 형성하고, 추가로 산화인듐주석을 22 ㎚ 성막하였다. 구체적으로는, 타깃재로서 산화인듐 : 95 중량％ 및 산화주석 : 5 중량％ 로 이루어지는 소결체 재료를 사용하여, DC 마그네트론 스퍼터링법에 의해 SiO2 층을 형성하고, 그 위에 광투과성 도전층을 형성하였다. 대기 중에서 가열 처리하여, 최종적으로 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다.An SiO 2 layer of 20 nm was formed on a PET resin substrate having a thickness of 100 탆, and further, a film of indium tin oxide of 22 nm was formed. Specifically, a SiO 2 layer was formed by a DC magnetron sputtering method using a sintered material composed of indium oxide: 95 wt% and tin oxide: 5 wt% as a target material, and a light transmitting conductive layer was formed thereon . And then heat-treated in air to finally obtain the light-transmitting conductive film of the present invention.

이 때, SiO2 성막시의 스퍼터 전력을 조정하고, 하지층의 표면 조도 (Ra) 를 0.7 ㎚ 로 하였다. 그 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 1.63 이었다.At this time, the sputter power at the time of SiO 2 film formation was adjusted, and the surface roughness (Ra) of the base layer was set to 0.7 nm. A light-transmitting conductive film of the present invention was obtained in the same manner as in Example 2 except for the above. As a result of the evaluation by XRD, the average value of the function f (?) Was 1.63.

실시예 9Example 9

SiO2 성막시의 스퍼터 전력을 조정하고, 하지층의 표면 조도 (Ra) 를 2.5 ㎚ 로 하였다. 그 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 3.65 였다.The sputter power at the time of SiO 2 film formation was adjusted, and the surface roughness (Ra) of the base layer was set to 2.5 nm. A light-transmitting conductive film of the present invention was obtained in the same manner as in Example 2 except for the above. As a result of the evaluation by XRD, the average value of the function f (?) Was 3.65.

실시예 10Example 10

SiO2 성막시의 스퍼터 전력을 조정하고, 하지층의 표면 조도 (Ra) 를 3.6 ㎚ 로 하였다. 또, 광투과성 도전층의 성막시, 기재의 가열은 실시하지 않았다. 그 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 3.78 이었다.The sputter power at the time of SiO 2 film formation was adjusted, and the surface roughness (Ra) of the base layer was set to 3.6 nm. Further, at the time of forming the light-transmitting conductive layer, the substrate was not heated. A light-transmitting conductive film of the present invention was obtained in the same manner as in Example 2 except for the above. As a result of the evaluation by XRD, the average value of the function f (?) Was 3.78.

실시예 11Example 11

SiO2 성막시의 스퍼터 전력을 조정하고, 하지층의 표면 조도 (Ra) 를 3.6 ㎚ 로 하였다. 그 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 4.55 였다.The sputter power at the time of SiO 2 film formation was adjusted, and the surface roughness (Ra) of the base layer was set to 3.6 nm. A light-transmitting conductive film of the present invention was obtained in the same manner as in Example 2 except for the above. As a result of the evaluation by XRD, the average value of the function f (?) Was 4.55.

실시예 12Example 12

SiO2 성막시의 스퍼터 전력을 조정하고, 하지층의 표면 조도 (Ra) 를 4.2 ㎚ 로 하였다. 또, 타깃재로서 산화인듐 : 91 중량％ 및 산화주석 : 9 중량％ 로 이루어지는 소결체 재료를 사용하였다. 그 이외에는, 실시예 10 과 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 4.77 이었다.The sputter power at the time of SiO 2 film formation was adjusted, and the surface roughness (Ra) of the base layer was set to 4.2 nm. In addition, a sintered material composed of indium oxide: 91 wt% and tin oxide: 9 wt% was used as a target material. A light-transmitting conductive film of the present invention was obtained in the same manner as in Example 10 except for the above. As a result of the evaluation by XRD, the average value of the function f (?) Was 4.77.

비교예Comparative Example 3 3

SiO2 성막시의 스퍼터 전력을 조정하고, 하지층의 표면 조도 (Ra) 를 4.2 ㎚ 로 하였다. 그 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 8.46 이었다.The sputter power at the time of SiO 2 film formation was adjusted, and the surface roughness (Ra) of the base layer was set to 4.2 nm. A light-transmitting conductive film of the present invention was obtained in the same manner as in Example 2 except for the above. As a result of the evaluation by XRD, the average value of the function f (?) Was 8.46.

실시예 13Example 13

광투과성 도전층의 성막시에 챔버 내의 산소 분압이 3.2 × 10-3 ㎩ 가 되도록 산소 가스와 아르곤 가스를 도입하였다. 그 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 1.39 였다.Oxygen gas and argon gas were introduced so that the oxygen partial pressure in the chamber was 3.2 x 10 < -3 > Pa at the time of forming the light-transmitting conductive layer. A light-transmitting conductive film of the present invention was obtained in the same manner as in Example 2 except for the above. As a result of the evaluation by XRD, the average value of the function f (?) Was 1.39.

실시예 14Example 14

광투과성 도전층의 성막시에 챔버 내의 산소 분압이 5.4 × 10-3 ㎩ 가 되도록 산소 가스와 아르곤 가스를 도입하였다. 그 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 3.82 였다.Oxygen gas and argon gas were introduced so that the oxygen partial pressure in the chamber was 5.4 x 10 < -3 > Pa at the time of forming the light-transmitting conductive layer. A light-transmitting conductive film of the present invention was obtained in the same manner as in Example 2 except for the above. As a result of the evaluation by XRD, the average value of the function f (?) Was 3.82.

실시예 15Example 15

타깃재로서, 산화인듐 : 92 중량％ 및 산화주석 : 8 중량％ 로 이루어지는 소결체 재료를 사용하였다. 그 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 2.38 이었다.As the target material, a sintered material composed of indium oxide: 92 wt% and tin oxide: 8 wt% was used. A light-transmitting conductive film of the present invention was obtained in the same manner as in Example 2 except for the above. As a result of the evaluation by XRD, the average value of the function f (?) Was 2.38.

실시예 16Example 16

광투과성 도전층은 이하와 같이 형성하였다. 챔버 내를 3.0 × 10-4 ㎩ 이하가 될 때까지 진공 배기한 후에, 이러한 챔버 내에 산소 분압이 4.5 × 10-3 ㎩ 및 물 분압이 1.0 × 10-4 ㎩ 가 되도록 산소 가스, 물 및 아르곤 가스를 도입하고, 챔버 내 압력을 0.2 ∼ 0.3 ㎩ 로 하고, 성막 온도는 50 ℃ 로 하여 스퍼터링 처리하였다. 그 이외에는, 실시예 4 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 1.86 이었다.The light-transmitting conductive layer was formed as follows. After the inside of the chamber by the vacuum evacuation until a 3.0 × 10 -4 ㎩ below, the oxygen partial pressure within this chamber 4.5 × 10 -3 ㎩ and oxygen such that the water partial pressure of 1.0 × 10 -4 ㎩ gas, argon gas and water , The pressure in the chamber was set to 0.2 to 0.3 Pa, and the film forming temperature was set to 50 占 폚. A light-transmitting conductive film of the present invention was obtained in the same manner as in Example 4 except for the above. As a result of the evaluation by XRD, the average value of the function f (?) Was 1.86.

실시예 17Example 17

물 분압을 7.0 × 10-4 ㎩ 로 한 것 이외에는, 실시예 16 과 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 1.02 였다.A light-transmitting conductive film of the present invention was obtained in the same manner as in Example 16 except that the water partial pressure was 7.0 × 10 -4 Pa. As a result of the evaluation by XRD, the average value of the function f (?) Was 1.02.

실시예 18Example 18

SiO2 성막시의 스퍼터 전력을 조정하고, 하지층의 표면 조도 (Ra) 를 0.3 ㎚ 로 한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 1.40 이었다.A light-transmitting conductive film of the present invention was obtained in the same manner as in Example 2 except that the sputter power at the time of SiO 2 film formation was adjusted and the surface roughness (Ra) of the ground layer was 0.3 nm. As a result of the evaluation by XRD, the average value of the function f (?) Was 1.40.

실시예 19Example 19

SiO2 성막시의 스퍼터 전력을 조정하고, 하지층의 표면 조도 (Ra) 를 0.5 ㎚ 로 한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 1.46 이었다.A light-transmitting conductive film of the present invention was obtained in the same manner as in Example 2 except that the sputtering power at the time of SiO 2 film formation was adjusted and the surface roughness (Ra) of the ground layer was 0.5 nm. As a result of the evaluation by XRD, the average value of the function f (?) Was 1.46.

실시예 20Example 20

SiO2 성막시의 스퍼터 전력을 조정하고, 하지층의 표면 조도 (Ra) 를 2.5 ㎚ 로 하고, 추가로 PET 수지 기재 상에 SiO2 를 20 ㎚ 형성한 것 이외에는, 실시예 16 과 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 3.65 였다.Except that the sputtering power at the time of SiO 2 film formation was adjusted so that the surface roughness Ra of the base layer was 2.5 nm and the SiO 2 was further formed to 20 nm on the PET resin base material, Thereby obtaining the light-transmitting conductive film of the present invention. As a result of the evaluation by XRD, the average value of the function f (?) Was 3.65.

실시예 21Example 21

산소 분압을 4.0 × 10-3 ㎩ 로 한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 2.33 이었다.A light-transmitting conductive film of the present invention was obtained in the same manner as in Example 2 except that the oxygen partial pressure was 4.0 × 10 -3 Pa. As a result of the evaluation by XRD, the average value of the function f (?) Was 2.33.

실시예 22Example 22

산소 분압을 4.9 × 10-3 ㎩ 로 한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 2.98 이었다.A light-transmitting conductive film of the present invention was obtained in the same manner as in Example 2 except that the oxygen partial pressure was 4.9 × 10 -3 Pa. As a result of the evaluation by XRD, the average value of the function f (?) Was 2.98.

비교예 4Comparative Example 4

광투과성 도전층의 성막시에 챔버 내의 산소 분압이 6.6 × 10-3 ㎩ 가 되도록 산소 가스와 아르곤 가스를 도입하였다. 그 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 6.16 이었다.Oxygen gas and argon gas were introduced so that the oxygen partial pressure in the chamber was 6.6 x 10 < -3 > Pa at the time of forming the light-transmitting conductive layer. A light-transmitting conductive film of the present invention was obtained in the same manner as in Example 2 except for the above. As a result of the evaluation by XRD, the average value of the function f (?) Was 6.16.

비교예Comparative Example 5 5

두께 125 ㎛ 의 PET 수지 기재 상에 SiO2 층을 20 ㎚ 형성하고, 산화인듐주석을 10 ㎚ 성막하였다. 그 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 산화인듐에서 유래하는 (222) 면의 회절이 관찰되지 않았다.An SiO 2 layer of 20 nm was formed on a PET resin substrate having a thickness of 125 탆, and indium tin oxide was deposited to a thickness of 10 nm. A light-transmitting conductive film of the present invention was obtained in the same manner as in Example 1 except for the above. As a result of the evaluation by XRD, diffraction of the (222) plane derived from indium oxide was not observed.

에칭 특성의 평가는, 다음과 같이 하여 실시하였다. 광투과성 도전성 필름을 20 ％ 염산에 침지시키고, 표면 저항이 계측 불능이 될 때까지의 시간을 구하였다. 광투과성 도전성 필름은 10 초 ∼ 90 초까지의 10 초 간격으로 침지 시간을 설정하고, 표면 저항이 계측 불능이 된 시간을 에칭 처리 완료 시간으로 하였다.The evaluation of the etching characteristics was carried out as follows. The light-transmitting conductive film was immersed in 20% hydrochloric acid, and the time until the surface resistance became impossible to measure was determined. The immersing time was set at intervals of 10 seconds from 10 seconds to 90 seconds, and the time when the surface resistance was unable to measure was regarded as the etching completion time.

에칭 처리 완료 시간이 40 초, 50 초일 때를 「◎」, 30 초, 60 초, 70 초일 때를 「○」, 20 초, 80 초일 때를 「△」, 10 초, 90 초 및 그 이상을 「×」로서 평가하였다.10 seconds, 90 seconds and more when the etching completion time is 40 seconds and 50 seconds is " ", 30 seconds, 60 seconds and 70 seconds are "Quot; x ".

모든 실시예 및 비교예 각각에 대하여, 함수 f(α) 의 평균값 및 에칭 특성의 평가 결과 등을 함께 표 1 에 나타낸다. 또한, 표 중 「222 NG」라고 되어 있는 것은, 0.100°이상의 범위에 있어서 0.025°간격으로 입사각을 바꾸면서 측정을 실시해도, 산화인듐에서 유래하는 (222) 면의 회절이 관찰되지 않은 경우를 나타내고 있다.For each of the examples and comparative examples, the average value of the function f (?) And the evaluation results of the etching characteristics are shown in Table 1. In the table, " 222 NG " indicates that the diffraction of the (222) plane derived from indium oxide is not observed even when the measurement is performed while changing the angle of incidence at intervals of 0.025 degrees in the range of 0.100 DEG or more .

Figure pct00001
Figure pct00001

표 1 의 결과로부터, 에칭 특성의 평가 결과는, 함수 f(α) 의 평균값이 0.08 ∼ 5.00 에 있을 때에 「△」 또는 보다 좋은 결과가 되고, 0.2 ∼ 4.00 에 있을 때에 「○」 또는 보다 좋은 결과가 되고, 1.5 ∼ 3.00 에 있을 때에 「◎」가 되는 것을 알 수 있다.From the results shown in Table 1, the evaluation result of the etching characteristic is "?" Or a better result when the average value of the function f (?) Is 0.08 to 5.00 or "?" Quot; & cir & & cir & when it is in the range of 1.5 to 3.00.

또한, 「ITO (％)」는, 타깃 중에 함유되는 산화인듐 이외의 불순물인 산화주석의 농도를 나타내고 있다. 예를 들어, 「5 ％」라고 되어 있는 것은, 산화인듐 : 95 중량％ 및 산화주석 : 5 중량％ 인 타깃을 사용한 것을 나타내고 있다."ITO (%)" represents the concentration of tin oxide, which is an impurity other than indium oxide contained in the target. For example, "5%" indicates that a target of indium oxide: 95% by weight and tin oxide: 5% by weight is used.

ITO 의 막두께는, 투과형 전자 현미경 관찰에 의해 구하였다. 구체적으로는, 포커스 이온 빔을 사용하여 광투과성 도전성 필름을 필름면에 대해 수직 방향으로 얇게 절단하고, 그 단면의 관찰로부터 구하였다.The film thickness of ITO was determined by transmission electron microscope observation. Specifically, a light-transmissive conductive film was cut thinly in a direction perpendicular to the film surface using a focus ion beam, and the cross-section was observed.

1 : 광투과성 도전성 필름
11 : 광투과성 지지층 (A)
12 : 광투과성 도전층 (B)
13 : 언더코트층 (C)
14 : 하드 코트층 (D)1: light transmissive conductive film
11: light-transmitting supporting layer (A)
12: light-permeable conductive layer (B)
13: undercoat layer (C)
14: Hard coat layer (D)

Claims (7)

(A) 고분자 수지를 함유하는 광투과성 지지층 ; 및
(B) 산화인듐을 함유하는 광투과성 도전층
을 함유하고,
상기 광투과성 도전층 (B) 가, 상기 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에, 직접 또는 1 이상의 다른 층을 개재하여 배치되어 있는 광투과성 도전성 필름으로서,
(Ibα － Ibα－0.025°)/(Iaα － Iaα－0.025°)
로 나타내는 함수 f(α) 의 평균값이 0.08 ∼ 5.00 인 것을 특징으로 하는 광투과성 도전성 필름.
(단, α 는,
αmin ＋ n × 0.025°(n = 1, 2, 3, …)
(단, αmin 은, 0.100°이상의 범위 내에 있어서, 박막법 XRD 측정에 있어서 (222) 면의 피크를 확인할 수 있는 최소의 입사각이다)
로 나타내는 변수이고,
다음 식 (Ⅰ) 및 (Ⅱ) 를 만족시키고,
α ≤ 0.600° ‥‥ (Ⅰ)
f(α) ≥ 0.7 × f(α － 0.025°) ‥‥ (Ⅱ)
Iaα 는, 입사각 α 의 박막법 XRD 측정에 있어서의 폴리에스테르 유래의 2θ = 26°부근의 피크 강도이고, 또한
Ibα 는, 입사각 α 의 박막법 XRD 측정에 있어서의 산화인듐 유래의 (222) 면의 피크 강도이다.)(A) a light-transmitting supporting layer containing a polymer resin; And
(B) a light-transmitting conductive layer containing indium oxide
≪ / RTI >
Wherein the light-transmitting conductive layer (B) is disposed on at least one side of the light-transmitting supporting layer (A) directly or via at least one other layer,
(Ib ? - Ib ? -0.025 ) / (Ia ? -Ia ? -0.025 )
Wherein the average value of the function f (?) Represented by the following formula is 0.08 to 5.00.
(Where,
α min + n × 0.025 ° (n = 1, 2, 3, ...)
(Where? Min is a minimum incident angle within a range of 0.100 占 or more and capable of confirming the peak of the (222) face in the thin film method XRD measurement)
Lt; / RTI >
Satisfy the following formulas (I) and (II)
alpha ≤ 0.600 DEG (I)
f (?) 0.7? f (? - 0.025)? (II)
Ia alpha is the peak intensity near 2? = 26 of polyester derived from the XRD measurement by the thin film method of incident angle?
Ib ? Is the peak intensity of the (222) plane derived from indium oxide in the thin film method XRD measurement of the incident angle?). 제 1 항에 있어서,
상기 광투과성 지지층 (A) 의 두께가, 20 ∼ 200 ㎛ 인, 광투과성 도전성 필름.The method according to claim 1,
Wherein the light-transmitting supporting layer (A) has a thickness of 20 to 200 占 퐉. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 고분자 수지가, 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리카보네이트인, 광투과성 도전성 필름.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the polymer resin is polyethylene terephthalate or polycarbonate. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
광투과성 도전층 (B) 의 두께가, 15 ∼ 30 ㎚ 인, 광투과성 도전성 필름.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
And the thickness of the light-transmitting conductive layer (B) is 15 to 30 nm. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
대기 중 90 ∼ 160 ℃ 에서 10 ∼ 120 분간 가열함으로써 얻어질 수 있는, 광투과성 도전성 필름.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Which can be obtained by heating at 90 to 160 占 폚 in the air for 10 to 120 minutes. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
광투과성 도전층 (B) 가, 3 ∼ 10 ％ 의 SnO2 를 산화인듐에 첨가하여 얻어질 수 있는 산화인듐주석을 함유하는, 광투과성 도전성 필름.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The light-transmitting conductive film (B) contains indium tin oxide, which can be obtained by adding 3 to 10% of SnO 2 to indium oxide. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 광투과성 도전성 필름을 함유하는, 터치 패널.A touch panel comprising the light-transmitting conductive film according to any one of claims 1 to 6.
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