KR20150034665A - 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 - Google Patents

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KR20150034665A
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Abstract

본 명세서는 헤테로환 화합물 및 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 발광층을 비롯한 1층 이상으로 이루어진 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.

Description

헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자{HETEROCYCLIC COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME}
본 명세서는 2013년 9월 26일에 한국 특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2013-0114660호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용은 전부 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 현상은 특정 유기 분자의 내부 프로세스에 의하여 전류가 가시광으로 전환되는 예의 하나이다. 유기 발광 현상의 원리는 다음과 같다.
양극과 음극 사이에 유기물층을 위치시켰을 때 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 음극과 양극으로부터 각각 전자와 정공이 유기물층으로 주입된다. 유기물층으로 주입된 전자와 정공은 재결합하여 엑시톤(exciton)을 형성하고, 이 엑시톤이 다시 바닥 상태로 떨어지면서 빛이 나게 된다. 이러한 원리를 이용하는 유기 발광 소자는 일반적으로 음극과 양극 및 그 사이에 위치한 유기물층, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층을 포함하는 유기물층으로 구성될 수 있다.
유기 발광 소자에서 사용되는 물질로는 순수 유기 물질 또는 유기 물질과 금속이 착물을 이루는 착화합물이 대부분을 차지하고 있으며, 용도에 따라 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질 등으로 구분될 수 있다. 여기서, 정공주입 물질이나 정공수송 물질로는 p-타입의 성질을 가지는 유기물질, 즉 쉽게 산화가 되고 산화시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 한편, 전자주입 물질이나 전자수송 물질로는 n-타입 성질을 가지는 유기 물질, 즉 쉽게 환원이 되고 환원시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 발광층 물질로는 p-타입 성질과 n-타입 성질을 동시에 가진 물질, 즉 산화와 환원 상태에서 모두 안정한 형태를 갖는 물질이 사용될 수 있으며, 엑시톤이 형성되었을 때 이를 빛으로 전환하는 발광 효율이 높은 물질이 바람직하다.
따라서, 당 기술분야에서는 새로운 유기물의 개발이 요구되고 있다.
한국 공개 특허공보 제 2006-0023046호
본 명세서의 목적은 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자를 제공하는 데 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
화학식 1에 있어서,
A 는 벤젠 고리이고, B는 나프탈렌 고리이며,
X 및 Y중 적어도 하나는 시아노기이고, 나머지는 수소이며,
L은 직접결합; 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아릴아민기, 아릴기, 아릴알킬기, 아릴알케닐기, 헤테로고리기, 카바졸기, 플루오레닐기 및 니트릴기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아릴아민기, 아릴기, 아릴알킬기, 아릴알케닐기, 헤테로고리기, 카바졸기, 플루오레닐기 및 니트릴기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 2가의 헤테로 고리기이며,
a는 0 내지 4의 정수이고, c는 0 내지 6의 정수이며,
a+c는 적어도 1 이상이고,
a가 2이상인 경우 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하고,
c가 2이상인 경우 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하며,
Ar은 하기 화학식 2 또는 하기 화학식 3이고,
[화학식 2]
Figure pat00002
[화학식 3]
Figure pat00003
화학식 2에 있어서,
Ar1은 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아릴아민기, 아릴기, 아릴알킬기, 아릴알케닐기, 헤테로고리기, 카바졸기, 플루오레닐기 및 니트릴기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아릴아민기, 아릴기, 아릴알킬기, 아릴알케닐기, 헤테로고리기, 카바졸기, 플루오레닐기 및 니트릴기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기이다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층을 비롯한 1층 이상으로 이루어진 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서,
상기 유기물층은 전자수송층, 전자주입층 또는 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층을 포함하고, 상기 전자수송층, 전자주입층 또는 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로환 화합물을 포함한다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층을 비롯한 1층 이상으로 이루어진 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서,
상기 유기물층은 전자 수송층을 포함하고, 상기 전자 수송층은 상기 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층을 비롯한 1층 이상으로 이루어진 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서,
상기 유기물층은 정공 저지층을 포함하고, 상기 정공 저지층은 상기 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 헤테로환 화합물은 전자 수송 물질 및/또는 정공 저지 물질로 사용될 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따른 헤테로환 화합물은 전자 수송 물질 및/또는 전자 주입 물질로 사용될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 적절한 에너지 준위를 갖고, 전기 화학적 안정성 및 열적 안정성이 우수하다. 따라서, 상기 화합물을 포함하는 유기 발광 소자는 높은 효율 및/또는 높은 구동 안정성을 제공한다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 발광층 (6), 정공저지층(7), 전자수송층(8) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
이하 발명을 구체적으로 설명한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X 및 Y 중 적어도 하나는 시아노기이고, 나머지는 수소이다.
이 경우, 시아노기의 도입에 따른 디벤조카바졸의 전자 이동도(electron mobility)를 증가시키는 작용 원리로 인해 유기 발광 소자의 구동 전압을 하강시키는 효과가 있다.
X 및 Y에 수소 및 시아노기 외에 다른 치환기가 오는 경우에 비하여, 최소한의 분자량 증가로 디벤조카바졸의 성질을 전자 전달이 가능한 유닛으로 변화시킬 수 있는 효과가 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 Ar은 상기 화학식 2 또는 상기 화학식 3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 카바졸기 또는 벤조카바졸기가 하기 안트라센기의 구조의 9번 위치와 L을 통하여 연결되는 구조를 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 카바졸기 또는 벤조카바졸기가 안트라센기의 10번 위치에 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 치환된 안트라센기의 9번 위치와 L을 통하여 연결되는 구조를 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 안트라센기와 시아노기로 치환된 디벤조카바졸이 연결된 구조의 경우, 카바졸 자체가 전자 수송(electron transporting) 가능한 유닛이 될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 안트라센기는 하기의 구조식으로 표시될 수 있다.
Figure pat00004
본 명세서에서 L은 직접결합; 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아릴아민기, 아릴기, 아릴알킬기, 아릴알케닐기, 헤테로고리기, 카바졸기, 플루오레닐기 및 니트릴기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아릴아민기, 아릴기, 아릴알킬기, 아릴알케닐기, 헤테로고리기, 카바졸기, 플루오레닐기 및 니트릴기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 2가의 헤테로 고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 B는 하기 카바졸기의 1번 및 2번 위치에 벤젠 고리가 축합고리를 형성한 형태의 나프탈렌 고리이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 B는 하기 카바졸기의 3번 및 4번 위치에 벤젠 고리가 축합고리를 형성한 형태의 나프탈렌 고리이다.
Figure pat00005
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 4로 표시될 수 있다.
[화학식 4]
Figure pat00006
화학식 4에 있어서,
L, a 및 c는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
Ar1은 화학식 2에서 정의한 바와 동일하며,
X2 및 Y2 중 적어도 하나는 시아노기이고, 나머지는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 5로 표시될 수 있다.
[화학식 5]
Figure pat00007
화학식 5에 있어서,
L, a 및 c는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
Ar1은 화학식 2에서 정의한 바와 동일하며,
X3 및 Y3 중 적어도 하나는 시아노기이고, 나머지는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 6으로 표시될 수 있다.
[화학식 6]
Figure pat00008
화학식 6에 있어서,
L, a 및 c는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
X5 및 Y5는 중 적어도 하나는 시아노기이고, 나머지는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 7로 표시될 수 있다.
[화학식 7]
Figure pat00009
화학식 7에 있어서,
L, a 및 c는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
X6 및 Y6 중 적어도 하나는 시아노기이고, 나머지는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 8 또는 9로 표시될 수 있다.
[화학식 8]
Figure pat00010
[화학식 9]
Figure pat00011
화학식 8 및 9에 있어서,
L, a 및 c는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
Ar1은 화학식 2에서 정의한 바와 동일하며,
X8, X9, Y8 및 Y9는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 시아노기이고,
a1은 0 내지 3의 정수이고, c1은 0 내지 5의 정수이고,
a1이 2이상인 경우에는 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하고,
c1이 2이상인 경우에는 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 10 또는 11로 표시될 수 있다.
[화학식 10]
Figure pat00012
[화학식 11]
Figure pat00013
화학식 10 및 11에 있어서,
L, a 및 c는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
Ar1은 화학식 2에서 정의한 바와 동일하며,
X10, X11, Y10및 Y11는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 시아노기이고,
a1은 0 내지 3의 정수이고, c1은 0 내지 5의 정수이고,
a1이 2이상인 경우에는 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하고,
c1이 2이상인 경우에는 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 12 또는 13로 표시될 수 있다.
[화학식 12]
Figure pat00014
[화학식 13]
Figure pat00015
화학식 12 및 13에 있어서,
L, a 및 c는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
X12, X13, Y12 및 Y13은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 시아노기이고,
a1은 0 내지 3의 정수이고, c1은 0 내지 5의 정수이고,
a1이 2이상인 경우에는 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하고,
c1이 2이상인 경우에는 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 14 또는 15로 표시될 수 있다.
[화학식 14]
Figure pat00016
[화학식 15]
Figure pat00017
화학식 14 및 15에 있어서,
L, a 및 c는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
X14, X15, Y14 및 Y15는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 시아노기이고,
a1은 0 내지 3의 정수이고, c1은 0 내지 5의 정수이고,
a1이 2이상인 경우에는 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하고,
c1이 2이상인 경우에는 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하다.
상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, "치환 또는 비치환"은 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아릴아민기, 아릴기, 아릴알킬기, 아릴알케닐기, 헤테로고리기, 카바졸기, 플루오레닐기 및 니트릴기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 비페닐기일 수 있다. 즉, 비페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥틸메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실, 시클로헥실, 시클로펜틸 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있으며, 탄소수 1 내지 25의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 25의 알콕시기가 치환되는 경우를 포함한다. 또한, 본 명세서 내에서의 아릴기는 방향족고리를 의미할 수 있다.
상기 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 스틸베닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 24인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure pat00018
,
Figure pat00019
,
Figure pat00020
및
Figure pat00021
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아릴 아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기가 2 이상을 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다.
아릴 아민기의 구체적인 예로는 페닐아민, 나프틸아민, 비페닐아민, 안트라세닐아민, 3-메틸-페닐아민, 4-메틸-나프틸아민, 2-메틸-비페닐아민, 9-메틸-안트라세닐아민, 디페닐 아민기, 페닐 나프틸 아민기, 디톨릴 아민기, 페닐 톨릴 아민기, 카바졸 및 트리페닐 아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 아릴알킬기는 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 아릴알킬기의 탄소수는 7 내지 50이다. 구체적으로 아릴부분은 탄소수 6 내지 49이고, 알킬 부분은 탄소수 1 내지 44이다. 구체적인 예로는 벤질기기, p-메틸벤질기, m-메틸벤질기, p-에틸벤질기, m-에틸벤질기, 3,5-디메틸벤질기, α-메틸벤질기, α,α-디메틸벤질기, α,α-메틸페닐벤질기, 1-나프틸벤질기, 2-나프틸벤질기, p-플루오르벤질기, 3,5-디플루오르벤질기, α,α-디트리플루오로메틸벤질기, p-메톡시벤질기, m-메톡시벤질기, α-페녹시벤질기, α-벤질기옥시벤질기, 나프틸메틸기, 나프틸에틸기, 나프틸이소프로필기, 피롤릴메틸기, 피롤렐에틸기, 아미노벤질기, 니트로벤질기, 시아노벤질기, 1-히드록시-2-페닐이소프로필기, 1-클로로-2-페닐이소프로필기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 아릴알케닐기는 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 아릴알케닐기의 탄소수는 8 내지 50이다. 구체적으로 아릴부분은 탄소수 6 내지 49이고, 알케닐기 부분은 탄소수 2 내지 44이다.
본 명세서에 있어서, 헤테로 고리기는 이종원자로 O, N, S, Se 또는 Si를 포함하는 헤테로 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로 고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으며, 하기 구조식과 같은 화합물들이 바람직하나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
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본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합위치가 두 개 있는 것 즉, 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는, 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 2가의 헤테로고리기는 헤테로고리기에 결합위치가 두 개 있는 것, 즉 2가기인 것을 제외하고는, 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 탄소수 6 내지 20의 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 1환 내지 3환의 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 1환 또는 2환의 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 치환 또는 비치환된 페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 치환 또는 비치환된 하기 구조들에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
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본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar은 화학식 2이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar은 화학식 3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1은 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1은 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1은 탄소수 6 내지 20의 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1은 1환 내지 3환의 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1은 1환 또는 2환의 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1은 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 치환 또는 비치환된 스틸베닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 안트릴기; 치환 또는 비치환된 페난트릴기; 치환 또는 비치환된 파이레닐기; 치환 또는 비치환된 페릴레닐기; 치환 또는 비치환된 크라이세닐기 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1은 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 스틸베닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기 또는 플루오레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1은 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 바이페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1은 페닐기; 또는 바이페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1은 바이페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1은 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-10 중 어느 하나로 표시된다.
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Figure pat00049
Figure pat00050
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2-1 내지 2-6 중 어느 하나로 표시된다.
Figure pat00051
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 벤조 카바졸기가 L을 통하여 안트라센기와 연결된 코어를 갖는다. 본 명세서의 일 실시상태에 따른 코어 구조는 벤조 카바졸기를 포함하고 있다. 따라서, 질소 원자가 아릴기 사이에 위치함으로써, 상기 헤테로환 화합물의 코어 구조는 제한된 컨쥬게이션을 포함하고 있다.
화합물의 컨쥬게이션 길이와 에너지 밴드갭은 밀접한 관계가 있다. 구체적으로 화합물의 컨쥬게이션 길이가 길수록 에너지 밴드갭은 작아진다. 전술한 바와 같이, 상기 화학식 1의 화합물의 코어는 제한된 컨쥬게이션을 포함하고 있으므로, 에너지 밴드갭이 큰 성질을 갖는다.
본 명세서에서 상기와 같이 에너지 밴드갭이 큰 코어 구조에 Ar 및 L에 다양한 치환기를 도입함으로써 다양한 에너지 밴드갭을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따른 상기 헤테로환 화합물은 에너지 밴드갭이 커서, 에너지 밴드갭이 작은 경우에 비하여 치환기를 도입하여 에너지 밴드갭을 조절하는 것이 용이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 상기 화학식 1의 헤테로환 화합물은 적절한 전자 이동도를 갖는다. 따라서, 상기 헤테로환 화합물을 유기 발광 소자에 적용하는 경우, 발광층에서 정공과 전자의 밀도가 균형을 이루도록 하여 엑시톤 형성을 극대화할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 에너지 밴드갭을 미세하게 조절이 가능하게 하여, 유기물사이에서의 계면에서의 특성을 향상되게 하여 물질의 용도를 다양하게 할 수 있다.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유리 전이 온도(Tg)가 높아 열적 안정성이 우수하다. 이러한 열적 안정성의 증가는 소자에 구동 안정성을 제공하는 중요한 요인이 된다.
본 명세서는 또한 상기 화학식 1의 화합물을 이용하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 발광층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자수송층, 전자주입층 또는 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층을 포함하고, 상기 전자수송층, 전자주입층 또는 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로환 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층을 비롯한 1층 이상으로 이루어진 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층은 전자 수송층을 포함하고, 상기 전자 수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층을 비롯한 1층 이상으로 이루어진 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층은 정공 저지층을 포함하고, 상기 정공 저지층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다. 또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이다.
본 명세서의 유기 발광 소자의 구조를 도 1 및 도 2에 예시하였으나, 이들 구조로만 한정되는 것은 아니다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 발광층(3)에 포함될 수 있다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 발광층 (6), 정공저지층(7), 전자수송층(8) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서 상기 화합물은 상기 정공저지층 (7) 및 전자 수송층(8) 중 1층 이상에 포함될 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 본 명세서의 화합물, 즉 상기 헤테로환 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다.
또한, 상기 헤테로환 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
상기 기판은 필요에 따라 광학적 성질 및 물리적 성질을 고려하여 선택될 수 있다. 예컨대, 상기 기판은 투명한 것이 바람직하다. 상기 기판은 단단한 재료가 사용될 수도 있으나, 플라스틱과 같은 유연한 재료로 이루어질 수도 있다.
상기 기판의 재료로는 유리 및 석영판 이외에 PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene naphthalate), PP (polypropylene), PI(polyimide), PC(polycarbonate), PS(polystyrene), POM(polyoxymethylene), AS 수지(acrylonitrile styrene copolymer), ABS 수지(acrylonitrile butadiene styrene copolymer), TAC(Triacetyl cellulose) 및 PAR(polyarylate) 등을 들 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 명세서에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SNO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질은 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 프탈로사이아닌 유도체, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공저지층은 삼중항 여기자 또는 정공이 전자 수송층으로 확산되는 현상을 방지하는 층으로, 넓은 의미로 전자 수송 능력을 가질 수 있다. 상기 정공저지층은 전자를 수송하는 기능을 가지면서, 정공을 수송하는 능력이 현저하게 작은 물질이 적합하다. 전자를 수송하면서 정공을 저지함으로써 전자와 정공의 재결합 확률을 향상시킬 수 있다. 정공 저지층의 재료는 전자 수송층의 재료를 필요에 따라 사용할 수 있다.
본 명세서에 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
상기 화학식 1로 대표되는 유기 화합물의 합성방법과 이를 이용한 유기발광소자의 제조는 이하의 실시예 및 비교예에 의하여 더욱 구체적으로 설명된다. 그러나, 이들 실시예는 본 명세서를 예시하기 위한 것이지 본 명세서의 범위가 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
< 제조예 1> 화학식 1-1의 합성
Figure pat00052
7H-벤조(c)카바졸 3.32g(15.3mmol), 1-브로모-3-아이오도벤젠 4.31g(15.3mmol), 구리분말 1.93g(30.6mmol), 18-크라운-6 0.79g(3.06mmol) 그리고 포타슘 카보네이트 6.34g(45.9mmol)을 순서대로 넣고 1,2-디클로로벤젠 200ml을 가한 후 180°C에서 24시간 환류 및 교반시켰다. 반응이 종료되면 고온 필터 후 용액을 농축하고 컬럼 정제하여 3.71g의 중간체A를 수득했다.
MS: [M+H]+ = 372
10-페닐안트라세닐-9-보론산 3g(10mmol)과 중간체 A 3.71g(10mmol)을 테트라하이드로퓨란 50ml에 녹인 후 포타슘 카보네이트 4.15g(30mmol)을 넣은 물 30ml을 섞어주었다. 이 용액은 온도를 높여 교반해주고, 환류되기 시작하면 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 0.23g(0.2mmol)을 넣고 24시간 반응시켰다. 냉각 후, 물과 유기층을 분리하고 유기층만 받아내어 무수 황산마그네슘으로 건조시킨 후 셀라이트 여과시켰다. 이것을 감압 하에서 농축하여 컬럼 정제하였고 건조 후 5.18g의 1-A을 수득했다.
MS: [M+H]+ = 546
1-A 5.18g(9.5mmol)과 다이메틸포름아마이드를 넣은 후 얼음배스에서 N-브로모석신이미드 3.36g(19mmol)을 천천히 떨어뜨리고 3시간동안 교반했다. 증류수로 담금하고 메틸렌 클로라이드로 추출한 후 감압 하에서 농축하고 컬럼 정제하여 건조 후 3.33g의 1-B를 수득했다.
MS: [M+H]+ = 702
1-B 3.3(4.7mmol)과 cuprous cyanide 0.92g(10.34mmol)을 N-메틸 피롤리돈(NMP) 30ml 에 녹인 용액을 200°C 에서 5 시간 가열하여 교반했다. 반응이 완료된 용액은 상온으로 식힌 후 물 60ml 에 부어준 후 필터하고 에틸 아세테이트로 씻어주었다. 여과액은 에틸아세테이트로 추출하여 물과 염화나트륨 수용액으로 층분리한 후 유기층만 받아내어 무수 황산마그네슘으로 건조시킨 후 셀라이트 여과시켰다. 이것을 감압 하에서 농축하여 컬럼 정제하였고 건조 후 1.4g 의 1-1을 수득했다.
MS: [M+H]+ = 596
< 제조예 2> 화학식 1-3의 합성
Figure pat00053
10-바이페닐안트라세닐-9-보론산 3g(8mmol)과 중간체 A 2.96g(8mmol)을 이용한 것 외에는 1-A 합성과 동일한 반응을 진행하고 정제하여 4.47g 의 3-A 를 수득했다.
MS: [M+H]+ = 622
3-A 4.47g(7.2mmol)과 N-브로모석신이미드 2.55g(14.4mmol)을 이용한 것 외에는 1-B 합성과 동일한 반응을 진행하고 정제하여 4.48g 의 3-B 를 수득했다.
MS: [M+H]+ = 778
3-B 4.48g(5.7mmol)과 cuprous cyanide 1.01g(11.4mmol)을 이용한 것 외에는 1-1 합성과 동일한 반응을 진행하고 정제하여 1.72g 의 1-3 을 수득했다.
MS: [M+H]+ = 672
< 제조예 3> 화학식 1-5의 합성
Figure pat00054
7H-벤조(c)카바졸 3.32g(15.3mmol), 1-브로모-4-아이오도벤젠 4.31g(15.3mmol), 구리분말 1.93g(30.6mmol), 18-크라운-6 0.79g(3.06mmol) 그리고 포타슘 카보네이트 6.34g(45.9mmol)을 순서대로 넣고 1,2-디클로로벤젠 200ml 을 가한 후 180°C 에서 24 시간 환류 및 교반시켰다. 반응이 종료되면 고온 필터 후 용액을 농축하고 컬럼 정제하여 4.54g 의 중간체 B 를 수득했다.
MS: [M+H]+ = 372
10-페닐안트라세닐-9-보론산 4.54g(15.2mmol)과 중간체 B 5.64g(15.2mmol)을 넣은 것을 제외하고는 1-A 의 합성과 동일한 반응을 진행하고 정제하여 7.46g 의 5-A 를 수득했다.
MS: [M+H]+ = 546
5-A 7.46g(10.6mmol)과 N-브로모석신이미드 3.75g(21.2mmol)을 이용한 것 외에는 1-B 합성과 동일한 반응을 진행하고 정제하여 5.94g 의 5-B 를 수득했다.
MS: [M+H]+ = 702
5-B 5.94g(8.5mmol) cuprous cyanide 1.51g(17mmol)을 이용한 것 외에는 1-1 합성과 동일한 반응을 진행하고 정제하여 2.28g 의 1-5 를 수득했다.
MS: [M+H]+ = 596
< 제조예 4> 화학식 1-8의 합성
Figure pat00055
11H-벤조(a)카바졸 3.32g(15.3mmol), 1-브로모-4-아이오도벤젠 4.31g(15.3mmol)을 이용한 것 외에는 중간체 A 의 합성과 동일한 반응을 진행하고 정제하여 2.96g 의 중간체 C 를 수득했다.
MS: [M+H]+ = 372
10-바이페닐안트라세닐-9-보론산 3g(8mmol)과 중간체 C 2.96g(8mmol)을 이용한 것 외에는 1-A 합성과 동일한 반응을 진행하고 정제하여 4.12g 의 8-A 를 수득했다.
MS: [M+H]+ = 622
8-A 4.12g(6.6mmol)과 N-브로모석신이미드 2.34g(13.2mmol)을 이용한 것 외에는 1-B 합성과 동일한 반응을 진행하고 정제하여 4.02g 의 8-B 를 수득했다.
MS: [M+H]+ = 778
8-B 4.02g(5.2mmol)과 cuprous cyanide 0.92g(10.4mmol)을 이용한 것 외에는 1-1 합성과 동일한 반응을 진행하고 정제하여 1.63g 의 1-8을 수득했다.
MS: [M+H]+ = 672
< 제조예 5> 화학식 2-2의 합성
Figure pat00056
9,10-디페닐안트라센-2-보론산 3.74g(10mmol)과 중간체 A 3.71g(10mmol)을 이용한 것 외에는 1-A 합성과 동일한 반응을 진행하고 정제하여 5.28g 의 2-C 를 수득했다.
MS: [M+H]+ = 622
2-C 5.28g(8.5mmol)과 N-브로모석신이미드 1.5g(8.5mmol)을 이용한 것 외에는 1-B 합성과 동일한 반응을 진행하고 정제하여 4.75g 의 2-D 를 수득했다.
MS: [M+H]+ = 700
2-D 4.75g(6.8mmol)과 cuprous cyanide 0.67g(7.48mmol)을 이용한 것 외에는 1-1 합성과 동일한 반응을 진행하고 정제하여 1.98g 의 2-2 를 수득했다.
MS: [M+H]+ = 647
< 제조예 6> 화학식 2-4의 합성
Figure pat00057
11H-벤조(a)카바졸 3.32g(15.3mmol), 1-브로모-3-아이오도벤젠 4.31g(15.3mmol)을 이용한 것 외에는 중간체 A 의 합성과 동일한 반응을 진행하고 정제하여 4.8g 의 중간체 D 를 수득했다.
MS: [M+H]+ = 372
9,10-디페닐안트라센-2-보론산 3.74g(10mmol)과 중간체 D 3.71g(10mmol)을 이용한 것 외에는 1-A 합성과 동일한 반응을 진행하고 정제하여 5.02g 의 4-C 를 수득했다.
MS: [M+H]+ = 622
4-C 5.02g(8.08mmol)과 N-브로모석신이미드 2.85g(16.1mmol)을 이용한 것 외에는 1-B 합성과 동일한 반응을 진행하고 정제하여 5.02g 의 4-D 를 수득했다.
MS: [M+H]+ = 778
4-D 5.02g(6.5mmol)과 cuprous cyanide 1.27g(14.3mmol)을 이용한 것 외에는 1-1 합성과 동일한 반응을 진행하고 정제하여 1.96g 의 2-4 를 수득했다.
MS: [M+H]+ = 672
< 제조예 7> 화학식 2-5의 합성
Figure pat00058
9,10-디페닐안트라센-2-보론산 3.74g(10mmol)과 중간체 B 3.71g(10mmol)을 이용한 것 외에는 1-A 합성과 동일한 반응을 진행하고 정제하여 4.97g 의 5-C 를 수득했다.
MS: [M+H]+ = 622
5-C 4.97g(8mmol)과 N-브로모석신이미드 2.83g(16mmol)을 이용한 것 외에는 1-B 의 합성과 동일한 반응을 진행하고 정제하여 3.11g 의 5-D 를 수득했다.
MS: [M+H]+ = 778
5-D 3.11g(4.63mmol)과 cuprous cyanide 0.89g(10.2mmol)을 이용한 것 외에는 1-1 합성과 동일한 반응을 진행하고 정제하여 1.55g 의 2-5 를 수득했다.
MS: [M+H]+ = 672
< 제조예 8> 화학식 2-6의 합성
Figure pat00059
9,10-디페닐안트라센-2-보론산 3.74g(10mmol)과 중간체 C 3.71g(10mmol)을 이용한 것 외에는 1-A 합성과 동일한 반응을 진행하고 정제하여 4.83g 의 6-C 를 수득했다.
MS: [M+H]+ = 622
6-C 4.83g(7.77mmol)과 N-브로모석신이미드 2.74g(15.5mmol)을 이용한 것 외에는 1-B 의 합성과 동일한 반응을 진행하고 정제하여 4.83g 의 6-D 를 수득했다.
MS: [M+H]+ = 778
6-D 4.83g(7.2mmol)과 cuprous cyanide 1.41g(15.8mmol)을 이용한 것 외에는 1-1 합성과 동일한 반응을 진행하고 정제하여 2.17g 의 2-6 을 수득했다.
MS: [M+H]+ = 672
< 실험예 1>
ITO(indium tin oxide)가 1500 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이?, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사 (Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화학식의 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌(hexanitrile hexaazatriphenylene: HAT)를 500 Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다.
Figure pat00060
상기 정공주입층 위에 정공을 수송하는 물질인 하기 화학식 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB) (400 Å)를 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다.
이어서, 상기 정공수송층 위에 막 두께 300 Å으로 아래와 같은 GH와 GD를 20:1의 막 두께비로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다.
Figure pat00062
상기 발광층 위에 제조예 1에서 제조된 화학식 1-1의 화합물을 200 Å의 두께로 진공 증착하여 전자주입 및 수송층을 형성하였다.
상기 전자주입 및 수송층 위에 순차적으로 12 Å 두께로 리튬 플루라이드(LiF)와 2000 Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4~0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 × 10-7 ~ 5 × 10-8 torr를 유지하였다.
상기에서 제조된 유기발광소자에 4.5 V의 순방향 전계를 가한 결과, 5 mA/㎠의 전류밀도에서 녹색 빛이 20.8 cd/A로 관찰되었다.
< 실험예 2>
실험예 1에서 화학식 1-1의 화합물 대신 화학식 1-3의 화합물을 사용한 것 이외에는 똑같이 하고 유기 발광 소자를 제작했다.
상기에서 제조된 유기발광소자에 4.6 V의 순방향 전계를 가한 결과, 5 mA/㎠의 전류밀도에서 녹색 빛이 21.3 cd/A로 관찰되었다.
< 실험예 3>
실험예 1에서 화학식 1-1의 화합물 대신 화학식 1-5의 화합물을 사용한 것 이외에는 똑같이 하고 유기 발광 소자를 제작했다.
상기에서 제조된 유기발광소자에 4.4 V의 순방향 전계를 가한 결과, 5 mA/㎠의 전류밀도에서 녹색 빛이 20.9 cd/A로 관찰되었다.
< 실험예 4>
실험예 1에서 화학식 1-1의 화합물 대신 화학식 1-8의 화합물을 사용한 것 이외에는 똑같이 하고 유기 발광 소자를 제작했다.
상기에서 제조된 유기발광소자에 4.5 V의 순방향 전계를 가한 결과, 5 mA/㎠의 전류밀도에서 녹색 빛이 21.2 cd/A로 관찰되었다.
< 실험예 5>
실험예 1에서 화학식 1-1의 화합물 대신 화학식 2-2의 화합물을 사용한 것 이외에는 똑같이 하고 유기 발광 소자를 제작했다.
상기에서 제조된 유기발광소자에 4.6 V의 순방향 전계를 가한 결과, 5 mA/㎠의 전류밀도에서 녹색 빛이 22.0 cd/A로 관찰되었다.
< 실험예 6>
실험예 1에서 화학식 1-1의 화합물 대신 화학식 2-4의 화합물을 사용한 것 이외에는 똑같이 하고 유기 발광 소자를 제작했다.
상기에서 제조된 유기발광소자에 4.4 V의 순방향 전계를 가한 결과, 5 mA/㎠의 전류밀도에서 녹색 빛이 21.6 cd/A로 관찰되었다.
< 실험예 7>
실험예 1에서 화학식 1-1의 화합물 대신 화학식 2-5의 화합물을 사용한 것 이외에는 똑같이 하고 유기 발광 소자를 제작했다.
상기에서 제조된 유기발광소자에 4.5 V의 순방향 전계를 가한 결과, 5 mA/㎠의 전류밀도에서 녹색 빛이 20.7 cd/A로 관찰되었다.
< 실험예 8>
실험예 1에서 화학식 1-1의 화합물 대신 화학식 2-6의 화합물을 사용한 것 이외에는 똑같이 하고 유기 발광 소자를 제작했다.
상기에서 제조된 유기발광소자에 4.4 V의 순방향 전계를 가한 결과, 5 mA/㎠의 전류밀도에서 녹색 빛이 21.2 cd/A로 관찰되었다.
< 비교예 1>
실험예 1 과 같은 방법으로 제조된 ITO 전극 위에 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌(500 Å), 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)(400 Å), GH : GD (막 두께비 20 : 1) (300 Å) 및 한국 공개 특허 2003-0067773 호에 기재된 하기 화학식으로 표시되는 전자수송물질(200 Å), 리튬 플루오라이드(LiF) 12 Å을 순차적으로 열 진공 증착하여 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 차례로 형성시켰다. 그 위에 2000 Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하고 유기발광소자를 제조하였다.
Figure pat00063
상기 제조된 유기발광소자에 4.6 V 의 순방향 전계를 가한 결과, 5 mA/㎠의 전류밀도에서 녹색 빛이 19.2 cd/A 로 관찰되었다.
1: 기판
2: 양극
3: 발광층
4: 음극
5: 정공주입층
6: 발광층
7: 정공저지층
8: 전자수송층

Claims (15)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로환 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00064

    화학식 1에 있어서,
    A 는 벤젠 고리이고, B는 나프탈렌 고리이며,
    X 및 Y중 적어도 하나는 시아노기이고, 나머지는 수소이며,
    L은 직접결합; 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아릴아민기, 아릴기, 아릴알킬기, 아릴알케닐기, 헤테로고리기, 카바졸기, 플루오레닐기 및 니트릴기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아릴아민기, 아릴기, 아릴알킬기, 아릴알케닐기, 헤테로고리기, 카바졸기, 플루오레닐기 및 니트릴기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 2가의 헤테로 고리기이며,
    a는 0 내지 4의 정수이고, c는 0 내지 6의 정수이며,
    a+c는 적어도 1 이상이고,
    a가 2이상인 경우 X는 서로 같거나 상이하고,
    c가 2이상인 경우 Y는 서로 같거나 상이하며,
    Ar은 하기 화학식 2 또는 하기 화학식 3이고,
    [화학식 2]
    Figure pat00065

    [화학식 3]
    Figure pat00066

    화학식 2에 있어서,
    Ar1은 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아릴아민기, 아릴기, 아릴알킬기, 아릴알케닐기, 헤테로고리기, 카바졸기, 플루오레닐기 및 니트릴기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아릴아민기, 아릴기, 아릴알킬기, 아릴알케닐기, 헤테로고리기, 카바졸기, 플루오레닐기 및 니트릴기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기이다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 4로 표시되는 것인 헤테로환 화합물:
    [화학식 4]
    Figure pat00067

    화학식 4에 있어서,
    L, a 및 c는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
    Ar1은 화학식 2에서 정의한 바와 동일하며,
    X2 및 Y2 중 적어도 하나는 시아노기이고, 나머지는 수소이다.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 5로 표시되는 것인 헤테로환 화합물:
    [화학식 5]
    Figure pat00068

    화학식 5에 있어서,
    L, a 및 c는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
    Ar1은 화학식 2에서 정의한 바와 동일하며,
    X3 및 Y3 중 적어도 하나는 시아노기이고, 나머지는 수소이다.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 6으로 표시되는 것인 헤테로환 화합물:
    [화학식 6]
    Figure pat00069

    화학식 6에 있어서,
    L, a 및 c는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
    X5 및 Y5는 중 적어도 하나는 시아노기이고, 나머지는 수소이다.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 7로 표시되는 것인 헤테로환 화합물:
    [화학식 7]
    Figure pat00070

    화학식 7에 있어서,
    L, a 및 c는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
    X6 및 Y6 중 적어도 하나는 시아노기이고, 나머지는 수소이다.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 8 또는 9로 표시되는 것인 헤테로환 화합물:
    [화학식 8]
    Figure pat00071

    [화학식 9]
    Figure pat00072

    화학식 8 및 9에 있어서,
    L, a 및 c는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
    Ar1은 화학식 2에서 정의한 바와 동일하며,
    X8, X9, Y8 및 Y9는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 시아노기이고,
    a1은 0 내지 3의 정수이고, c1은 0 내지 5의 정수이고,
    a1이 2이상인 경우에는 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하고,
    c1이 2이상인 경우에는 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하다.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 10 또는 11로 표시되는 것인 헤테로환 화합물:
    [화학식 10]
    Figure pat00073

    [화학식 11]
    Figure pat00074

    화학식 10 및 11에 있어서,
    L, a 및 c는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
    Ar1은 화학식 2에서 정의한 바와 동일하며,
    X10, X11, Y10및 Y11는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 시아노기이고,
    a1은 0 내지 3의 정수이고, c1은 0 내지 5의 정수이고,
    a1이 2이상인 경우에는 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하고,
    c1이 2이상인 경우에는 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하다.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 12 또는 13로 표시되는 것인 헤테로환 화합물:
    [화학식 12]
    Figure pat00075

    [화학식 13]
    Figure pat00076

    화학식 12 및 13에 있어서,
    L, a 및 c는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
    X12, X13, Y12 및 Y13은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 시아노기이고,
    a1은 0 내지 3의 정수이고, c1은 0 내지 5의 정수이고,
    a1이 2이상인 경우에는 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하고,
    c1이 2이상인 경우에는 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하다.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 14 또는 15로 표시되는 것인 헤테로환 화합물:
    [화학식 14]
    Figure pat00077

    [화학식 15]

    화학식 14 및 15에 있어서,
    L, a 및 c는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
    X14, X15, Y14 및 Y15는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 시아노기이고,
    a1은 0 내지 3의 정수이고, c1은 0 내지 5의 정수이고,
    a1이 2이상인 경우에는 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하고,
    c1이 2이상인 경우에는 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하다.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-10 중 어느 하나로 표시되는 것인 헤테로환 화합물.

    Figure pat00079

    Figure pat00080

    Figure pat00081
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2-1 내지 2-6 중 어느 하나로 표시되는 것인 헤테로환 화합물.
    Figure pat00082
  12. 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 발광층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서,
    상기 유기물층 중 1층 이상이 청구항 1 내지 11 중 어느 한 항에 따른 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 유기물층은 전자수송층, 전자주입층 또는 전자수송과 전자주입을 동시에 하는 층을 포함하고,
    상기 전자수송층, 전자주입층 또는 전자수송과 전자주입을 동시에 하는 층은 상기 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  14. 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층을 비롯한 1층 이상으로 이루어진 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서,
    상기 유기물층은 전자 수송층을 포함하고, 상기 전자 수송층은 청구항 1 내지 11 중 어느 한 항에 따른 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  15. 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층을 비롯한 1층 이상으로 이루어진 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서,
    상기 유기물층은 정공 저지층을 포함하고, 상기 정공 저지층은 청구항 1 내지 11 중 어느 한 항에 따른 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
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