KR20150026903A - Chemical mechanical polishing pad - Google Patents

Chemical mechanical polishing pad Download PDF

Info

Publication number
KR20150026903A
KR20150026903A KR20140112165A KR20140112165A KR20150026903A KR 20150026903 A KR20150026903 A KR 20150026903A KR 20140112165 A KR20140112165 A KR 20140112165A KR 20140112165 A KR20140112165 A KR 20140112165A KR 20150026903 A KR20150026903 A KR 20150026903A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
polishing
abrasive
chemical mechanical
curing agent
Prior art date
Application number
KR20140112165A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
케이 젠센 미쉘
치안 바이니안
예 펭지
드그루트 마티
티 이슬람 모함매드
리처드 반하네헴 매튜
스트링 다렐
머네인 제임스
제임스 헨드론 제프리
지 나우랜드 존
Original Assignee
롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드
다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드, 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 filed Critical 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드
Publication of KR20150026903A publication Critical patent/KR20150026903A/en

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/205Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/22Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/40High-molecular-weight compounds
    • C08G18/48Polyethers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/65Low-molecular-weight compounds having active hydrogen with high-molecular-weight compounds having active hydrogen
    • C08G18/66Compounds of groups C08G18/42, C08G18/48, or C08G18/52
    • C08G18/6666Compounds of group C08G18/48 or C08G18/52
    • C08G18/667Compounds of group C08G18/48 or C08G18/52 with compounds of group C08G18/32 or polyamines of C08G18/38
    • C08G18/6681Compounds of group C08G18/48 or C08G18/52 with compounds of group C08G18/32 or polyamines of C08G18/38 with compounds of group C08G18/32 or C08G18/3271 and/or polyamines of C08G18/38
    • C08G18/6685Compounds of group C08G18/48 or C08G18/52 with compounds of group C08G18/32 or polyamines of C08G18/38 with compounds of group C08G18/32 or C08G18/3271 and/or polyamines of C08G18/38 with compounds of group C08G18/3225 or polyamines of C08G18/38
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/08Processes
    • C08G18/10Prepolymer processes involving reaction of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen in a first reaction step
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/30Low-molecular-weight compounds
    • C08G18/38Low-molecular-weight compounds having heteroatoms other than oxygen
    • C08G18/3802Low-molecular-weight compounds having heteroatoms other than oxygen having halogens
    • C08G18/3814Polyamines

Abstract

Provided is a chemical mechanical polishing pad which includes a polishing layer; a hardened layer; and includes a hot melt adhesive of combining the polishing layer and the hardened layer. Here, the polishing layer includes specific gravity of more than 0.6; a shore D hardness of 60 to 90; fracture elongation of 100 to 300%; and shows specific combination of initial hydrolysis stability and long-term hydrolysis instability.

Description

화학적 기계적 연마 패드 {CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PAD}CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PAD [0002]

본 발명은 화학적 기계적 연마 패드 및 그의 제조 방법 및 사용 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 연마층; 경질층; 및 연마층을 경질층에 결합시키는 핫멜트(hot melt) 접착제를 포함하고; 여기서 연마층은 0.6 초과의 비중; 60 내지 90의 쇼어(Shore) D 경도; 100 내지 300%의 파단 연신율; 및 초기 가수분해 안정성과 장기 가수분해 불안정성(sustained hydrolytic instability)의 특별한 조합을 나타내고; 또한 연마층은 기판의 연마에 적합화된 연마 표면을 갖는 것인 화학적 기계적 연마 패드에 관한 것이다.The present invention relates to chemical mechanical polishing pads and methods of making and using the same. More specifically, the present invention relates to a polishing pad comprising: an abrasive layer; Hard layer; And a hot melt adhesive to bond the polishing layer to the hard layer; Wherein the abrasive layer has a specific gravity greater than 0.6; A Shore D hardness of 60 to 90; A fracture elongation of 100 to 300%; And a unique combination of initial hydrolysis stability and sustained hydrolytic instability; And wherein the polishing layer has a polishing surface adapted to polishing the substrate.

반도체의 제조는 전형적으로 다수의 화학적 기계적 평탄화 (CMP) 공정을 포함한다. 각각의 CMP 공정에서는, 연마액, 예컨대 연마제-함유 연마 슬러리 또는 연마제-무함유 반응성 액체와 조합된 연마 패드가 후속 층을 수용하도록 평탄화하거나 편평도를 유지하는 방식으로 과잉의 물질을 제거한다. 이들 층의 적층은 집적 회로를 형성하는 방식으로 조합된다. 신속한 작동 속도, 낮은 누설 전류 및 낮은 전력 소비를 갖는 소자가 요구되기 때문에 이러한 반도체 소자의 가공은 계속해서 점점 더 복잡해지고 있다. 소자 구조의 측면에서, 이는 보다 미세한 특징부(feature) 기하구조 및 증가한 금속화 수준으로 해석된다. 이러한 점점 더 엄격해지고 있는 소자 디자인 요건은 보다 낮은 유전 상수를 갖는 신규한 유전체와 함께 구리 금속화의 채택을 유도하고 있다. 소자의 증가한 복잡성과 함께, 저 유전율(low k) 및 초저 유전율(ultra-low k) 물질과 흔히 관련있는 열등한 물리적 성질은 CMP 소모품, 예컨대 연마 패드 및 연마액에 대한 수요의 증가를 유도하였다.The fabrication of semiconductors typically involves a number of chemical mechanical planarization (CMP) processes. In each CMP process, the abrasive pad, such as an abrasive-containing polishing slurry or a polishing pad in combination with the abrasive-free reactive liquid, is planarized to remove the excess material or removed to remove excess material in a manner to maintain the flatness. The stacking of these layers is combined in such a way as to form an integrated circuit. Processing of such semiconductor devices continues to become increasingly complex because devices with fast operating speeds, low leakage currents and low power consumption are required. In terms of device structure, this is interpreted as a finer feature geometry and increased metallization level. This increasingly stringent device design requirement has led to the adoption of copper metallization with novel dielectric materials having lower dielectric constants. With the increased complexity of the device, poor physical properties often associated with low k and ultra-low k materials have led to increased demand for CMP consumables such as polishing pads and abrasive liquids.

특히, 저 유전율 및 초저 유전율 유전체는 통상의 유전체와 비교하여 보다 낮은 기계적 강도 및 불량한 접착력을 갖는 경향이 있어, 평탄화를 더욱 어렵게 만든다. 또한, 집적 회로의 특징부 크기가 감소할수록, CMP-유도 결함, 예컨대 스크래칭(scratching)이 보다 심각한 문제가 된다. 추가로, 집적 회로의 필름 두께 감소는 결함의 개선과 동시에, 웨이퍼 기판에 허용되는 위상(topography)을 제공할 필요가 있고 - 이러한 위상 요건은 보다 더 엄격한 평탄도, 디싱(dishing) 및 부식 사양을 요구한다.In particular, low dielectric constant and ultra low dielectric constant dielectrics tend to have lower mechanical strength and poorer adhesion than conventional dielectrics, making planarization more difficult. Also, as the feature size of the integrated circuit is reduced, CMP-induced defects, such as scratching, become a more serious problem. In addition, the reduction in film thickness of the integrated circuit needs to provide acceptable topography to the wafer substrate, along with improvements in defects - such phase requirements require more rigorous flatness, dishing and corrosion specifications Demand.

폴리우레탄 연마 패드는 다양한 까다로운 정밀 연마 적용을 위해 사용되는 주요 패드 화학이다. 폴리우레탄 연마 패드는 실리콘 웨이퍼, 패턴 웨이퍼, 평판 디스플레이 및 자기 저장 디스크의 연마에 효과적이다. 특히, 폴리우레탄 연마 패드는 집적 회로의 가공에 사용되는 대부분의 연마 작업에 있어서 기계적 무결성 및 내화학성을 제공한다. 예를 들어, 폴리우레탄 연마 패드는 내인열성을 위한 고 강도; 연마 동안에 마모 문제를 피하기 위한 내마모성; 및 강산성 및 강한 부식성 연마액에 의한 공격에 대하여 내성을 갖기 위한 안정성을 갖는다.Polyurethane polishing pads are the main pad chemistry used for a variety of demanding precision polishing applications. Polyurethane polishing pads are effective for polishing silicon wafers, pattern wafers, flat panel displays and magnetic storage disks. In particular, polyurethane polishing pads provide mechanical integrity and chemical resistance in most polishing operations used in the fabrication of integrated circuits. For example, polyurethane polishing pads have high strength for durability; Abrasion resistance to avoid wear problems during polishing; And stability for resistance to attack by strongly acidic and strong corrosive polishing liquids.

폴리우레탄 연마층 부류는 미국 특허 8,288,448 (컬프(Kulp))에 개시되어 있다. 예비중합체 폴리올 및 다관능성 이소시아네이트의 예비중합체 반응으로부터 형성된 이소시아네이트-종결 반응 생성물로 형성된 주조 폴리우레탄 중합체 물질을 포함하는 연마 패드가 컬프에 의해 개시되었다. 이소시아네이트-종결 반응 생성물은 4.5 내지 8.7 중량%의 미반응 NCO를 가지며; 이소시아네이트-종결 반응 생성물은 경화제 폴리아민, 경화제 폴리올, 경화제 알콜아민 및 이들의 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택된 경화제에 의해 경화된다. A class of polyurethane polishing layers is disclosed in U.S. Patent No. 8,288,448 (Kulp). An abrasive pad comprising a cast polyurethane polymer material formed from an isocyanate-terminated reaction product formed from a prepolymer polyol and a prepolymeric reaction of a polyfunctional isocyanate was disclosed by Culp. The isocyanate-terminated reaction product has an unreacted NCO of 4.5 to 8.7% by weight; The isocyanate-terminated reaction product is cured by a curing agent selected from the group consisting of a curing agent polyamine, a curing agent polyol, a curing agent, an alcohol amine, and mixtures thereof.

그러나, 결함 생성을 최소화하면서 평탄도를 제공하는, 성질들이 적절하게 균형을 이루고 있는 것을 나타내는 화학적 기계적 연마 패드가 계속해서 요구되고 있다.However, there continues to be a need for chemical and mechanical polishing pads that show that properties are adequately balanced, providing flatness while minimizing defect creation.

본 발명은 연마 표면, 베이스 표면 및 연마 표면부터 베이스 표면까지 연마 표면에 대하여 수직 방향으로 측정된 평균 두께 (T P - avg )를 갖는 연마층 [여기서, 연마층은 주조 폴리우레탄이고, 주조 폴리우레탄은 (a) (i) 다관능성 이소시아네이트; 및 (ii) 폴리에테르 기재의 폴리올의 반응에 의해 수득되고, 8 내지 9.5 중량%의 미반응 NCO를 갖는 이소시아네이트 종결 예비중합체; (b) 경화제 폴리아민, 경화제 폴리올, 경화제 알콜아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 경화제; 및 임의로 (c) 다수의 미량요소를 포함하는 성분들의 반응 생성물이고; 연마층은 0.6 초과의 비중; 60 내지 90의 쇼어 D 경도; 및 100 내지 300%의 파단 연신율을 나타내고; 연마층은 25℃에서 24시간 동안 탈이온수에의 침지 후에 연마층 샘플의 선형 치수가 1% 미만만큼 변화하는 초기 가수분해 안정성을 나타내고; 연마층은 25℃에서 7일 동안 탈이온수에의 침지 후에 연마층 샘플의 선형 치수가 1.75% 이상만큼 변화하는 장기 가수분해 불안정성을 나타냄]; 상면 및 하면을 갖는 경질층; 연마층의 베이스 표면과 경질층의 상면 사이에 개재된 핫멜트 접착제 [여기서, 핫멜트 접착제는 연마층을 경질층에 결합시킴]; 적층면 및 정반면(platen side)을 갖는 감압성(pressure sensitive) 정반 접착제 층 [여기서, 감압성 정반 접착제 층의 적층면은 경질층의 하면에 인접해 있음]; 및 임의로 박리 라이너 [여기서, 임의적인 박리 라이너는 감압성 정반 접착제 층의 정반면 상에 배치됨]를 포함하는 화학적 기계적 연마 패드를 제공한다.The present invention relates to a polishing layer having a polishing surface, a base surface and an average thickness ( T P - avg ) measured in a direction perpendicular to the polishing surface from the polishing surface to the base surface, wherein the polishing layer is a cast polyurethane, (A) (i) a multifunctional isocyanate; And (ii) an isocyanate terminated prepolymer obtained by reaction of a polyether-based polyol, having an unreacted NCO of 8 to 9.5% by weight; (b) a curing agent selected from the group consisting of a curing agent polyamine, a curing agent polyol, a curing agent alcohol amine, and mixtures thereof; And optionally (c) a plurality of trace elements; The abrasive layer has a specific gravity of greater than 0.6; A Shore D hardness of 60 to 90; And a breaking elongation of 100 to 300%; The abrasive layer exhibits an initial hydrolytic stability at which the linear dimension of the abrasive layer sample changes by less than 1% after immersion in deionized water at 25 占 폚 for 24 hours; The abrasive layer exhibits long term hydrolytic instability wherein the linear dimension of the abrasive layer sample changes by at least 1.75% after immersion in deionized water for 7 days at 25 占 폚; A hard layer having an upper surface and a lower surface; A hot melt adhesive interposed between the base surface of the abrasive layer and the upper surface of the hard layer, wherein the hot melt adhesive bonds the abrasive layer to the hard layer; A pressure sensitive facing adhesive layer having a laminated surface and a platen side wherein the laminated side of the pressure sensitive facing adhesive layer is adjacent to a lower surface of the hard layer; And optionally a release liner, wherein the optional release liner is disposed on the positive side of the pressure sensitive platen adhesive layer.

본 발명은 연마 표면, 베이스 표면 및 연마 표면부터 베이스 표면까지 연마 표면에 대하여 수직 방향으로 측정된 평균 두께 (T P - avg )를 갖는 연마층 [여기서, 연마층은 주조 폴리우레탄이고, 주조 폴리우레탄은 (a) (i) 다관능성 이소시아네이트; 및 (ii) 폴리에테르 기재의 폴리올의 반응에 의해 수득되고, 8 내지 9.5 중량%의 미반응 NCO를 갖는 이소시아네이트 종결 예비중합체; (b) 경화제 폴리아민, 경화제 폴리올, 경화제 알콜아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 경화제; 및 임의로 (c) 다수의 미량요소를 포함하는 성분들의 반응 생성물이고; 경화제 및 이소시아네이트 종결 예비중합체는 80 내지 95% 미만의 OH 또는 NH2 대 미반응 NCO의 화학량론비를 가지고; 연마층은 0.6 초과의 비중; 60 내지 90의 쇼어 D 경도; 및 100 내지 300%의 파단 연신율을 나타내고; 연마층은 25℃에서 24시간 동안 탈이온수에의 침지 후에 연마층 샘플의 선형 치수가 1% 미만만큼 변화하는 초기 가수분해 안정성을 나타내고; 연마층은 25℃에서 7일 동안 탈이온수에의 침지 후에 연마층 샘플의 선형 치수가 1.75 내지 3.5%만큼 변화하는 장기 가수분해 불안정성을 나타냄]; 상면 및 하면을 갖는 경질층; 연마층의 베이스 표면과 경질층의 상면 사이에 개재된 핫멜트 접착제 [여기서, 핫멜트 접착제는 연마층을 경질층에 결합시킴]; 적층면 및 정반면을 갖는 감압성 정반 접착제 층 [여기서, 감압성 정반 접착제 층의 적층면은 경질층의 하면에 인접해 있음]; 및 임의로 박리 라이너 [여기서, 임의적인 박리 라이너는 감압성 정반 접착제 층의 정반면 상에 배치됨]를 포함하는 화학적 기계적 연마 패드를 제공한다.The present invention relates to a polishing layer having a polishing surface, a base surface and an average thickness ( T P - avg ) measured in a direction perpendicular to the polishing surface from the polishing surface to the base surface, wherein the polishing layer is a cast polyurethane, (A) (i) a multifunctional isocyanate; And (ii) an isocyanate terminated prepolymer obtained by reaction of a polyether-based polyol, having an unreacted NCO of 8 to 9.5% by weight; (b) a curing agent selected from the group consisting of a curing agent polyamine, a curing agent polyol, a curing agent alcohol amine, and mixtures thereof; And optionally (c) a plurality of trace elements; The curing agent and the isocyanate terminated prepolymer have a stoichiometric ratio of OH or NH 2 to unreacted NCO of less than 80 to 95%; The abrasive layer has a specific gravity of greater than 0.6; A Shore D hardness of 60 to 90; And a breaking elongation of 100 to 300%; The abrasive layer exhibits an initial hydrolytic stability at which the linear dimension of the abrasive layer sample changes by less than 1% after immersion in deionized water at 25 占 폚 for 24 hours; The abrasive layer exhibits long term hydrolytic instability with linear dimensions of the abrasive layer sample varying from 1.75 to 3.5% after immersion in deionized water at 25 占 폚 for 7 days; A hard layer having an upper surface and a lower surface; A hot melt adhesive interposed between the base surface of the abrasive layer and the upper surface of the hard layer, wherein the hot melt adhesive bonds the abrasive layer to the hard layer; A pressure-sensitive platen layer having a laminated surface and a regular surface, wherein the laminated surface of the pressure-sensitive platen-facing adhesive layer is adjacent to a lower surface of the hard layer; And optionally a release liner, wherein the optional release liner is disposed on the positive side of the pressure sensitive platen adhesive layer.

본 발명은 연마 표면, 베이스 표면 및 연마 표면부터 베이스 표면까지 연마 표면에 대하여 수직 방향으로 측정된 평균 두께 (T P - avg )를 갖는 연마층 [여기서, 연마층은 주조 폴리우레탄이고, 주조 폴리우레탄은 (a) (i) 다관능성 이소시아네이트; 및 (ii) 폴리에테르 기재의 폴리올의 반응에 의해 수득되고, 8 내지 9.5 중량%의 미반응 NCO를 갖는 이소시아네이트 종결 예비중합체; (b) 경화제 폴리아민, 경화제 폴리올, 경화제 알콜아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 경화제; 및 임의로 (c) 다수의 미량요소를 포함하는 성분들의 반응 생성물이고; 연마층은 0.6 초과의 비중; 60 내지 90의 쇼어 D 경도; 및 100 내지 300%의 파단 연신율을 나타내고; 연마층은 25℃에서 24시간 동안 탈이온수에의 침지 후에 연마층 샘플의 선형 치수가 1% 미만만큼 변화하는 초기 가수분해 안정성을 나타내고; 연마층은 25℃에서 7일 동안 탈이온수에의 침지 후에 연마층 샘플의 선형 치수가 1.75 내지 3.5%만큼 변화하는 장기 가수분해 불안정성을 나타냄]; 상면 및 하면을 갖는 경질층 [여기서, 경질층은 이축 연신 폴리에틸렌 테레프탈레이트로 제조되고; 경질층은 6 내지 15 밀(mil)의 평균 두께를 가지고; 경질층은 3,000 내지 7,000 MPa의 영률(Young's Modulus)을 나타냄]; 연마층의 베이스 표면과 경질층의 상면 사이에 개재된 핫멜트 접착제 [여기서, 핫멜트 접착제는 연마층을 경질층에 결합시킴]; 적층면 및 정반면을 갖는 감압성 정반 접착제 층 [여기서, 감압성 정반 접착제 층의 적층면은 경질층의 하면에 인접해 있음]; 및 임의로 박리 라이너 [여기서, 임의적인 박리 라이너는 감압성 정반 접착제 층의 정반면 상에 배치됨]를 포함하는 화학적 기계적 연마 패드를 제공한다.The present invention relates to a polishing layer having a polishing surface, a base surface and an average thickness ( T P - avg ) measured in a direction perpendicular to the polishing surface from the polishing surface to the base surface, wherein the polishing layer is a cast polyurethane, (A) (i) a multifunctional isocyanate; And (ii) an isocyanate terminated prepolymer obtained by reaction of a polyether-based polyol, having an unreacted NCO of 8 to 9.5% by weight; (b) a curing agent selected from the group consisting of a curing agent polyamine, a curing agent polyol, a curing agent alcohol amine, and mixtures thereof; And optionally (c) a plurality of trace elements; The abrasive layer has a specific gravity of greater than 0.6; A Shore D hardness of 60 to 90; And a breaking elongation of 100 to 300%; The abrasive layer exhibits an initial hydrolytic stability at which the linear dimension of the abrasive layer sample changes by less than 1% after immersion in deionized water at 25 占 폚 for 24 hours; The abrasive layer exhibits long term hydrolytic instability with linear dimensions of the abrasive layer sample varying from 1.75 to 3.5% after immersion in deionized water at 25 占 폚 for 7 days; A hard layer having an upper surface and a lower surface, wherein the hard layer is made of biaxially stretched polyethylene terephthalate; The hard layer has an average thickness of 6 to 15 mils; The hard layer exhibiting a Young's Modulus of 3,000 to 7,000 MPa; A hot melt adhesive interposed between the base surface of the abrasive layer and the upper surface of the hard layer, wherein the hot melt adhesive bonds the abrasive layer to the hard layer; A pressure-sensitive platen layer having a laminated surface and a regular surface, wherein the laminated surface of the pressure-sensitive platen-facing adhesive layer is adjacent to a lower surface of the hard layer; And optionally a release liner, wherein the optional release liner is disposed on the positive side of the pressure sensitive platen adhesive layer.

본 발명은 연마 표면, 베이스 표면 및 연마 표면부터 베이스 표면까지 연마 표면에 대하여 수직 방향으로 측정된 평균 두께 (T P - avg )를 갖는 연마층 [여기서, 연마층은 주조 폴리우레탄이고, 주조 폴리우레탄은 (a) (i) 다관능성 이소시아네이트; 및 (ii) 폴리에테르 기재의 폴리올의 반응에 의해 수득되고 8.7 중량% 초과 내지 9 중량%의 미반응 NCO를 갖는 이소시아네이트 종결 예비중합체; (b) 경화제 폴리아민, 경화제 폴리올, 경화제 알콜아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 경화제; 및 임의로 (c) 다수의 미량요소를 포함하는 성분들의 반응 생성물이고; 연마층은 0.6 초과의 비중; 60 내지 90의 쇼어 D 경도; 및 100 내지 300%의 파단 연신율을 나타내고; 연마층은 25℃에서 24시간 동안 탈이온수에의 침지 후에 연마층 샘플의 선형 치수가 1% 미만만큼 변화하는 초기 가수분해 안정성을 나타내고; 연마층은 25℃에서 7일 동안 탈이온수에의 침지 후에 연마층 샘플의 선형 치수가 1.75 내지 3.5%만큼 변화하는 장기 가수분해 불안정성을 나타냄]; 상면 및 하면을 갖는 경질층; 연마층의 베이스 표면과 경질층의 상면 사이에 개재된 핫멜트 접착제 [여기서, 핫멜트 접착제는 연마층을 경질층에 결합시킴]; 적층면 및 정반면을 갖는 감압성 정반 접착제 층 [여기서, 감압성 정반 접착제 층의 적층면은 경질층의 하면에 인접해 있음]; 임의로 박리 라이너 [여기서, 임의적인 박리 라이너는 감압성 정반 접착제 층의 정반면 상에 배치됨]; 및 종점 검출창(endpoint detection window)을 포함하는 화학적 기계적 연마 패드를 제공한다.The present invention relates to a polishing layer having a polishing surface, a base surface and an average thickness ( T P - avg ) measured in a direction perpendicular to the polishing surface from the polishing surface to the base surface, wherein the polishing layer is a cast polyurethane, (A) (i) a multifunctional isocyanate; And (ii) an isocyanate terminated prepolymer obtained by reaction of a polyether-based polyol and having an unreacted NCO greater than 8.7 wt% to 9 wt%; (b) a curing agent selected from the group consisting of a curing agent polyamine, a curing agent polyol, a curing agent alcohol amine, and mixtures thereof; And optionally (c) a plurality of trace elements; The abrasive layer has a specific gravity of greater than 0.6; A Shore D hardness of 60 to 90; And a breaking elongation of 100 to 300%; The abrasive layer exhibits an initial hydrolytic stability at which the linear dimension of the abrasive layer sample changes by less than 1% after immersion in deionized water at 25 占 폚 for 24 hours; The abrasive layer exhibits long term hydrolytic instability with linear dimensions of the abrasive layer sample varying from 1.75 to 3.5% after immersion in deionized water at 25 占 폚 for 7 days; A hard layer having an upper surface and a lower surface; A hot melt adhesive interposed between the base surface of the abrasive layer and the upper surface of the hard layer, wherein the hot melt adhesive bonds the abrasive layer to the hard layer; A pressure-sensitive platen layer having a laminated surface and a regular surface, wherein the laminated surface of the pressure-sensitive platen-facing adhesive layer is adjacent to a lower surface of the hard layer; Optionally a release liner, wherein the optional release liner is disposed on the positive side of the pressure sensitive platen adhesive layer; And an endpoint detection window. ≪ Desc / Clms Page number 2 >

본 발명은 자기 기판, 광학 기판 및 반도체 기판 중 하나 이상으로부터 선택된 기판을 제공하고; 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 패드를 제공하고; 연마층의 연마 표면과 기판 사이에 동적 접촉을 초래하여 기판의 표면을 연마하고; 연마 컨디셔너(abrasive conditioner)로 연마 표면을 컨디셔닝하는 것을 포함하는, 기판의 연마 방법을 제공한다.The present invention provides a substrate selected from one or more of a magnetic substrate, an optical substrate, and a semiconductor substrate; Providing a chemical mechanical polishing pad according to the present invention; Polishing the surface of the substrate by causing dynamic contact between the polishing surface of the polishing layer and the substrate; A method of polishing a substrate, comprising conditioning the polishing surface with an abrasive conditioner.

도 1은 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드의 투시도이다.
도 2는 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드의 단면 절단 정면도이다.
도 3은 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드의 상면도이다.
도 4는 본 발명의 연마층의 측면 투시도이다.
도 5는 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드의 단면 절단 정면도이다.
도 6은 본 발명의 플러그 인 플레이스(plug in place) 창 블록의 정면도이다.
도 7은 플러그 인 플레이스 창 블록을 갖는 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드의 단면 절단 정면도이다.
도 8은 플러그 인 플레이스 창 블록을 갖는 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드의 단면 절단 정면도이다.
도 9는 플러그 인 플레이스 창 블록을 갖는 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드의 단면 절단 정면도이다.
도 10은 일체형 창을 갖는 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드의 단면 절단 정면도이다.
1 is a perspective view of a chemical mechanical polishing pad of the present invention.
2 is a cross-sectional cutaway front view of the chemical mechanical polishing pad of the present invention.
3 is a top view of the chemical mechanical polishing pad of the present invention.
4 is a side perspective view of an abrasive layer of the present invention.
5 is a cross-sectional cutaway front view of the chemical mechanical polishing pad of the present invention.
6 is a front view of a plug-in place window block of the present invention.
7 is a cross-sectional cutaway front view of a chemical mechanical polishing pad of the present invention having a plug-in place window block.
8 is a cross-sectional cutaway front view of a chemical mechanical polishing pad of the present invention having a plug-in place window block.
9 is a cross-sectional cutaway front view of a chemical mechanical polishing pad of the present invention having a plug-in place window block.
10 is a cross-sectional cutaway front view of a chemical mechanical polishing pad of the present invention having an integral window.

통상의 폴리우레탄 연마층은 가수분해 안정성 및 장기간에 걸친 가수분해 안정성(extended hydrolytic stability)을 나타내는 폴리우레탄 물질을 사용하여 디자인되어 왔다. 화학적 기계적 연마층에 사용하기 위해서는 수중에 장기간 동안 침지시켰을 때 치수 안정성을 유지하는 폴리우레탄 물질이 필요하다는 것이 일반적인 통념이다. 본 출원인은 놀랍게도 0.6 초과의 비중; 60 내지 90의 쇼어 D 경도; 100 내지 300%의 파단 연신율; 및 초기 가수분해 안정성과 장기 가수분해 불안정성의 특별한 조합을 나타내는 연마층을 갖는 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드가 낮은 소자 수율을 유도할 수 있는 결함, 특히 스크래치 결함을 최소화하면서 개선된 평탄화 성능을 제공한다는 것을 발견하였다. 본 발명의 연마층에 의해 나타나는 성질들의 특별한 균형은, 예를 들어 결함 생성을 최소화하면서 노출된 구리 특징부를 갖는 반도체 웨이퍼의 효과적인 평탄화를 가능하게 한다.Conventional polyurethane polishing layers have been designed using polyurethane materials that exhibit hydrolytic stability and prolonged hydrolytic stability. It is common practice to use polyurethane materials that maintain dimensional stability when immersed in water for a long period of time for use in chemical mechanical polishing layers. Applicant has surprisingly found a specific gravity of greater than 0.6; A Shore D hardness of 60 to 90; A fracture elongation of 100 to 300%; And the chemical mechanical polishing pad of the present invention having an abrasive layer that exhibits a particular combination of initial hydrolysis stability and long term hydrolytic instability provides defects that can lead to low device yields and in particular improved planarization performance while minimizing scratch defects . A particular balance of properties exhibited by the abrasive layer of the present invention enables effective planarization of semiconductor wafers with exposed copper features, for example, with minimal defect generation.

본원 및 첨부된 특허청구범위에서 연마 표면 (14)을 갖는 화학적 기계적 연마 패드 (10)와 관련하여 사용된 용어 "평균 전체 두께 ( T T - avg )"는 연마 표면 (14)부터 경질층 (25)의 하면 (27)까지 연마 표면 (14)에 대하여 법선 방향으로 측정된 화학적 기계적 연마 패드의 평균 두께 (T T )를 의미한다 (도 1, 2, 57-10 참조).The term " average total thickness ( T T - avg ) " used in connection with the chemical mechanical polishing pad 10 having the polishing surface 14 in the present application and the appended claims refers to the distance from the polishing surface 14 to the hard layer 25 ( T T ) of the chemical mechanical polishing pad measured in the normal direction with respect to the polishing surface 14 to the lower surface 27 of the polishing pad 14 (see FIGS. 1 , 2 , 5 and 7-10 ).

본원 및 첨부된 특허청구범위에서 연마층과 관련하여 사용된 용어 "초기 가수분해 안정성"은 실시예에 상술된 절차에 따라 측정하였을 때, 25℃에서 24시간 동안 탈이온수에의 침지 후에 연마층 샘플의 선형 치수가 1% 미만만큼 변화하는 것을 의미한다.When present, and is used by the patent in connection with the polishing layer in the appended claims, the term "initial hydrolytic stability" is measured according to the procedure described for Example, the polishing layer sample at 25 ℃ after immersion in deionized water for 24 hours Means that the linear dimension of < RTI ID = 0.0 >

본원 및 첨부된 특허청구범위에서 연마층과 관련하여 사용된 용어 "장기간에 걸친 가수분해 안정성"은 실시예에 상술된 절차에 따라 측정하였을 때, 25℃에서 7일 동안 탈이온수에의 침지 후에 연마층 샘플의 선형 치수가 1.75% 미만만큼 변화하는 것을 의미한다.Herein and used in the patent in connection with the polishing layer in the appended claims, the term "hydrolytic stability over a long period of time" is polished after immersion in deionized water, while, at 25 7 il as measured according to the procedure described for Example Means that the linear dimension of the layer sample varies by less than 1.75%.

본원 및 첨부된 특허청구범위에서 연마층과 관련하여 사용된 용어 "장기 가수분해 불안정성( sustained hydrolytic instability )"실시예에 상술된 절차에 따라 측정하였을 때, 25℃에서 7일 동안 탈이온수에의 침지 후에 연마층 샘플의 선형 치수가 1.75% 이상만큼 변화하는 것을 의미한다.Herein and used in the patent in connection with the polishing layer in the appended claims, the term "long-term hydrolytic instability (sustained hidrolytic instability) "is meant to change in 25 ℃ as above after immersion in deionized water and the linear dimension of the abrasive layer sample of 1.75% in 7 days when measured according to the procedure described for Example.

본원 및 첨부된 특허청구범위에서 화학적 기계적 연마 패드 (10)와 관련하여 사용된 용어 "실질적으로 원형인 횡단면"은 연마층 (20)의 연마 표면 (14)의 중심축 (12)부터 외주 (15)까지의 횡단면의 최장 반경 (r)이 연마 표면 (14)의 중심축 (12)부터 외주 (15)까지의 횡단면의 최단 반경 (r)보다 20% 이하 더 긴 것을 의미한다 (도 1 참조).The term " substantially circular cross section " as used herein in connection with the chemical mechanical polishing pad 10 in this application and the appended claims refers to the distance from the central axis 12 of the polishing surface 14 of the polishing layer 20 to the outer periphery 15 Means that the longest radius r of the cross section from the center axis 12 of the polishing surface 14 to the outer periphery 15 is 20% or more shorter than the shortest radius r of the cross section of the cross section from the central axis 12 to the outer periphery 15 (see Fig. 1 ) .

본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 바람직하게는 중심축 (12) 둘레를 회전하는 것에 적합화된다 (도 1 참조). 바람직하게는, 연마층 (20)의 연마 표면 (14)은 중심축 (12)에 대하여 수직인 평면 (28)이다. 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 바람직하게는 중심축 (12)에 대하여 85 내지 95°, 바람직하게는 중심축 (12)에 대하여 90°의 각도 (γ)로 있는 평면 (28)에서의 회전에 적합화된다. 바람직하게는, 연마층 (20)은 중심축 (12)에 대하여 수직으로, 실질적으로 원형인 횡단면을 갖는 연마 표면 (14)을 갖는다. 바람직하게는, 중심축 (12)에 대하여 수직인 연마 표면 (14)의 횡단면의 반경 (r)은 횡단면에 있어서 20% 이하만큼, 보다 바람직하게는 횡단면에 있어서 10% 이하만큼 달라진다.The chemical mechanical polishing pad 10 of the present invention is preferably adapted to rotate about the central axis 12 (see FIG. 1 ). Preferably, the polishing surface 14 of the polishing layer 20 is a plane 28 perpendicular to the central axis 12 . The rotation of the chemical mechanical polishing pad 10 is preferably in the center 85 to 95 ° with respect to the shaft 12, preferably a central axis plane (28) at an angle (γ) of 90 ° with respect to 12 Lt; / RTI > Preferably, the polishing layer 20 has a polishing surface 14 that is substantially perpendicular to the central axis 12 and has a substantially circular cross-section. Preferably, the radius r of the cross-section of the polishing surface 14 perpendicular to the central axis 12 is less than 20% in the cross-section, more preferably less than 10% in the cross-section.

본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 특히 자기 기판, 광학 기판 및 반도체 기판 중 하나 이상으로부터 선택된 기판의 연마를 용이하게 하도록 디자인된다. 바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 반도체 기판의 연마를 용이하게 하도록 디자인된다. 보다 바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 반도체 웨이퍼 기판 표면 상의 노출된 구리 특징부의 연마를 용이하게 하도록 디자인된다.The chemical mechanical polishing pad 10 of the present invention is specifically designed to facilitate polishing of a substrate selected from one or more of a magnetic substrate, an optical substrate, and a semiconductor substrate. Preferably, the chemical mechanical polishing pad 10 of the present invention is designed to facilitate polishing of semiconductor substrates. More preferably, the chemical mechanical polishing pad 10 of the present invention is designed to facilitate polishing of exposed copper features on a semiconductor wafer substrate surface.

본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 연마 표면 (14), 베이스 표면 (17) 및 연마 표면 (14)부터 베이스 표면 (17)까지 연마 표면 (14)에 대하여 수직 방향으로 측정된 평균 두께 (T P - avg )를 갖는 연마층 (20); 상면 (26) 및 하면 (27)을 갖는 경질층 (25); 연마층 (20)의 베이스 표면 (17)과 경질층 (25)의 상면 (26) 사이에 개재된 핫멜트 접착제 (23) [여기서, 핫멜트 접착제 (23)는 연마층 (20)을 경질층 (25)에 결합시킴]; 임의로 감압성 정반 접착제 층 (70) [여기서, 감압성 정반 접착제 층 (70)은 경질층 (25)의 하면 (27) 상에 배치됨] (바람직하게는, 임의적인 감압성 정반 접착제 층은 화학적 기계적 연마 패드의 연마기에의 고정을 용이하게 함); 임의로 박리 라이너 (75) [여기서, 감압성 정반 접착제 층 (70)은 경질층 (25)의 하면 (27)과 임의적인 박리 라이너 (75) 사이에 개재됨]; 및 임의로 종점 검출창 (30) (바람직하게는, 종점 검출창은 원위치(in situ) 연마 종점 검출을 용이하게 함)을 포함하고; 여기서 연마층 (20)은 주조 폴리우레탄이고, 주조 폴리우레탄은 (a) (i) 다관능성 이소시아네이트; 및 (ii) 폴리에테르 기재의 폴리올의 반응에 의해 수득되고, 8 내지 9.5 중량% (바람직하게는, 8.65 내지 9.05 중량%; 보다 바람직하게는 8.7 중량% 초과 내지 9 중량%)의 미반응 NCO를 갖는 이소시아네이트 종결 예비중합체; (b) 경화제 폴리아민, 경화제 폴리올, 경화제 알콜아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 경화제; 및 (c) 임의로 다수의 미량요소를 포함하는 성분들의 반응 생성물이고; 연마층 (20)은 0.6 초과의 비중; 60 내지 90 (바람직하게는, 60 초과 내지 75; 보다 바람직하게는 61 내지 75; 가장 바람직하게는 65 초과 내지 70)의 쇼어 D 경도; 및 100 내지 300% (바람직하게는, 100 내지 200%; 보다 바람직하게는 125 내지 175%; 가장 바람직하게는 150 내지 160%)의 파단 연신율을 나타내고; 연마층 (20)은 25℃에서 24시간 동안 탈이온수에의 침지 후에 연마층 샘플의 선형 치수가 1% 미만만큼 변화하는 초기 가수분해 안정성을 나타내고 (실시예에 기재된 방법에 따라 측정됨); 연마층 (20)은 25℃에서 7일 동안 탈이온수에의 침지 후에 연마층 샘플의 선형 치수가 1.75% 이상만큼 (바람직하게는, 1.75 내지 5%; 보다 바람직하게는 1.75 내지 3.5%; 가장 바람직하게는 2 내지 3%) 변화하는 장기 가수분해 불안정성을 나타낸다 (실시예에 기재된 방법에 따라 측정됨) (도 1-10 참조).The chemical mechanical polishing pad 10 of the present invention, the polishing surface 14, base surface 17 and the grinding surface (14) from the base surface (17) with respect to the grinding surface 14 to the mean thickness measured in the vertical direction ( abrasive layer 20 having avg) - T P; A hard layer 25 having an upper surface 26 and a lower surface 27 ; Base surface 17 and the hot-melt adhesive (23) interposed between the upper surface 26 of the rigid layer (25) wherein a hot-melt adhesive 23 of the polishing layer 20 has a polishing layer 20, the hard layer (25 ); Optionally a pressure-sensitive platen adhesive layer 70 is preferably - wherein the pressure-sensitive platen adhesive layer 70 is disposed on when 27 of the hard layer (25)] (, an optional pressure sensitive platen adhesive layer is chemical-mechanical Facilitating fixation of the polishing pad to the polishing machine); Optionally a release liner 75 wherein the pressure sensitive platen adhesive layer 70 is interposed between the lower surface 27 of the hard layer 25 and an optional release liner 75 ; And optionally an endpoint detection window 30 (preferably, the endpoint detection window facilitates in situ polishing endpoint detection); Wherein the abrasive layer ( 20 ) is cast polyurethane and the cast polyurethane comprises (a) (i) a multifunctional isocyanate; (Preferably from 8.65 to 9.05% by weight, more preferably from 8.7 to 9% by weight) of unreacted NCO obtained by the reaction of the polyether-based polyol and (ii) An isocyanate terminated prepolymer; (b) a curing agent selected from the group consisting of a curing agent polyamine, a curing agent polyol, a curing agent alcohol amine, and mixtures thereof; And (c) optionally a reaction product of components comprising a plurality of trace elements; The abrasive layer 20 has a specific gravity of greater than 0.6; Shore D hardness of from 60 to 90 (preferably greater than 60 to 75; more preferably 61 to 75; most preferably greater than 65 to 70); And 100 to 300% (preferably 100 to 200%; more preferably 125 to 175%; most preferably 150 to 160%) of the elongation at break; The abrasive layer 20 exhibits an initial hydrolytic stability (measured according to the method described in the Examples ) wherein the linear dimension of the abrasive layer sample after immersion in deionized water at 25 占 폚 for 24 hours varies by less than 1%; The abrasive layer 20 has a linear dimension of at least 1.75% (preferably 1.75 to 5%; more preferably 1.75 to 3.5%; most preferably, (Measured by the method described in the Examples ) (see Figs. 1-10 ).

바람직하게는, 연마층 (20)의 형성에 사용되는 다관능성 이소시아네이트는 지방족 다관능성 이소시아네이트, 방향족 다관능성 이소시아네이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 바람직하게는, 연마층 (20)의 형성에 사용되는 다관능성 이소시아네이트는 2개의 반응성 이소시아네이트 기 (즉, NCO)를 함유한다. 보다 바람직하게는, 연마층 (20)의 형성에 사용되는 다관능성 이소시아네이트는 2,4-톨루엔 디이소시아네이트; 2,6-톨루엔 디이소시아네이트; 4,4'-디페닐메탄 디이소시아네이트; 나프탈렌-1,5-디이소시아네이트; 톨리딘 디이소시아네이트; para-페닐렌 디이소시아네이트; 크실릴렌 디이소시아네이트; 이소포론 디이소시아네이트; 헥사메틸렌 디이소시아네이트; 4,4'-디시클로헥실메탄 디이소시아네이트; 시클로헥산디이소시아네이트; 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 디이소시아네이트이다. 가장 바람직하게는, 연마층 (20)의 형성에 사용되는 다관능성 이소시아네이트는 톨루엔 디이소시아네이트 (바람직하게는, 2,4-톨루엔 디이소시아네이트; 2,6-톨루엔 디이소시아네이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 톨루엔 디이소시아네이트)이다.Preferably, the multifunctional isocyanate used to form the abrasive layer 20 is selected from the group consisting of aliphatic polyfunctional isocyanates, aromatic polyfunctional isocyanates, and mixtures thereof. Preferably, the multifunctional isocyanate used in the formation of the abrasive layer 20 contains two reactive isocyanate groups (i.e., NCO). More preferably, the multifunctional isocyanate used in the formation of the abrasive layer 20 is 2,4-toluene diisocyanate; 2,6-toluene diisocyanate; 4,4'-diphenylmethane diisocyanate; Naphthalene-1,5-diisocyanate; Tolidine diisocyanate; para-phenylene diisocyanate; Xylylene diisocyanate; Isophorone diisocyanate; Hexamethylene diisocyanate; 4,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate; Cyclohexane diisocyanate; ≪ / RTI > and mixtures thereof. Most preferably, the multifunctional isocyanate used in the formation of the abrasive layer 20 is selected from the group consisting of toluene diisocyanate (preferably 2,4-toluene diisocyanate, 2,6-toluene diisocyanate and mixtures thereof) Selected toluene diisocyanate).

바람직하게는, 연마층 (20)의 형성에 사용되는 이소시아네이트 종결 예비중합체는 8 내지 9.5 중량%의 미반응 이소시아네이트 (NCO) 기를 갖는다. 보다 바람직하게는, 연마층 (20)의 형성에 사용되는 이소시아네이트 종결 예비중합체는 8.65 내지 9.05 중량% (가장 바람직하게는, 8.7 중량% 초과 내지 9 중량%)의 미반응 이소시아네이트 (NCO) 기를 갖는다.Preferably, the isocyanate terminated prepolymer used in the formation of the abrasive layer 20 has 8 to 9.5% by weight of unreacted isocyanate (NCO) groups. More preferably, the isocyanate terminated prepolymer used in the formation of the abrasive layer 20 has 8.65 to 9.05 wt% (most preferably, greater than 8.7 wt% to 9 wt%) unreacted isocyanate (NCO) groups.

바람직하게는, 폴리에테르 기재의 폴리올은 폴리프로필렌 글리콜 기재의 폴리올이며 8 내지 9.5 중량% (보다 바람직하게는, 8.65 내지 9.05 중량%; 가장 바람직하게는 8.7 중량% 초과 내지 9 중량%)의 미반응 이소시아네이트 (NCO) 농도를 갖는다. 시판되는 폴리프로필렌 글리콜 기재의 이소시아네이트 종결 우레탄 예비중합체의 예는 이뮤탄(Imuthane)® 예비중합체 (코임 유에스에이, 인크.(COIM USA, Inc.)로부터 입수가능한 것, 예컨대 PPT-80A, PPT-90A, PPT-95A, PPT-65D, PPT-75D); 아디프렌(Adiprene)® 예비중합체 (켐투라(Chemtura)로부터 입수가능한 것, 예컨대 LFG 963A, LFG 964A, LFG 740D); 및 안두르(Andur)® 예비중합체 (안데르슨 디벌롭먼트 캄파니(Anderson Development Company)로부터 입수가능한 것, 예컨대 8000APLF, 9500APLF, 6500DPLF, 7501DPLF)를 포함한다.Preferably, the polyether-based polyol is a polypropylene glycol-based polyol and is present in an amount of from 8 to 9.5 wt% (more preferably from 8.65 to 9.05 wt%; most preferably from greater than 8.7 wt% to 9 wt%) of unreacted And has an isocyanate (NCO) concentration. Examples of commercially available polypropylene glycol based isocyanate terminated urethane prepolymers are available from the Imuthane prepolymer (available from COIM USA, Inc., such as PPT-80A, PPT-90A, PPT-95A, PPT-65D, PPT-75D); Adiprene 占 prepolymer (available from Chemtura, such as LFG 963A, LFG 964A, LFG 740D); And the Andur® prepolymer (available from the Anderson Development Company, such as 8000APLF, 9500APLF, 6500DPLF, 7501DPLF).

바람직하게는, 연마층 (20)의 형성에 사용되는 이소시아네이트 종결 예비중합체는 0.1 중량% 미만의 자유 톨루엔 디이소시아네이트 (TDI) 단량체 함량을 갖는 낮은 자유도의 이소시아네이트 종결 우레탄 예비중합체이다.Preferably, the isocyanate terminated prepolymer used in the formation of the abrasive layer 20 comprises less than 0.1 wt% free toluene diisocyanate (TDI) Is an isocyanate terminated urethane prepolymer having a low degree of freedom having a monomer content.

바람직하게는, 연마층 (20)의 형성에 사용되는 경화제는 폴리아민, 경화제 폴리올, 경화제 알콜아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 보다 바람직하게는, 연마층 (20)의 형성에 사용되는 경화제는 폴리올 및 폴리아민으로부터 선택된다. 보다 더욱 바람직하게는, 연마층 (20)의 형성에 사용되는 경화제는 1급 아민 및 2급 아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 2관능성 경화제이다. 보다 바람직하게는, 2관능성 경화제는 디에틸톨루엔디아민 (DETDA); 3,5-디메틸티오-2,4-톨루엔디아민 및 그의 이성질체; 3,5-디에틸톨루엔-2,4-디아민 및 그의 이성질체 (예를 들어, 3,5-디에틸톨루엔-2,6-디아민); 4,4'-비스-(sec-부틸아미노)-디페닐메탄; 1,4-비스-(sec-부틸아미노)-벤젠; 4,4'-메틸렌-비스-(2-클로로아닐린); 4,4'-메틸렌-비스-(3-클로로-2,6-디에틸아닐린) (MCDEA); 폴리테트라메틸렌옥시드-디-p-아미노벤조에이트; N,N'-디알킬디아미노 디페닐 메탄; p,p'-메틸렌 디아닐린 (MDA); m-페닐렌디아민 (MPDA); 4,4'-메틸렌-비스-(2-클로로아닐린) (MBOCA); 4,4'-메틸렌-비스-(2,6-디에틸아닐린) (MDEA); 4,4'-메틸렌-비스-(2,3-디클로로아닐린) (MDCA); 4,4'-디아미노-3,3'-디에틸-5,5'-디메틸 디페닐메탄, 2,2',3,3'-테트라클로로 디아미노 디페닐메탄; 트리메틸렌 글리콜 디-p-아미노벤조에이트; 이들의 이성질체; 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 가장 바람직하게는, 경화제는 4,4'-메틸렌-비스-(2-클로로아닐린) (MBOCA)이다.Preferably, the curing agent used to form the polishing layer 20 is selected from the group consisting of polyamines, curing agent polyols, curing agent alcohol amines, and mixtures thereof. More preferably, the curing agent used to form the polishing layer 20 is selected from polyols and polyamines. Even more preferably, the curing agent used to form the polishing layer 20 is a bifunctional curing agent selected from the group consisting of primary amines and secondary amines. More preferably, the bifunctional curing agent is diethyltoluenediamine (DETDA); 3,5-dimethylthio-2,4-toluenediamine and its isomers; 3,5-diethyltoluene-2,4-diamine and its isomers (for example, 3,5-diethyltoluene-2,6-diamine); 4,4'-bis- (sec-butylamino) -diphenylmethane; 1,4-bis- (sec-butylamino) -benzene; 4,4'-methylene-bis- (2-chloroaniline); 4,4'-methylene-bis- (3-chloro-2,6-diethylaniline) (MCDEA); Polytetramethylene oxide-di-p-aminobenzoate; N, N'-dialkyldiaminodiphenylmethane; p, p'-methylene dianiline (MDA); m-phenylenediamine (MPDA); 4,4'-methylene-bis- (2-chloroaniline) (MBOCA); 4,4'-methylene-bis- (2,6-diethylaniline) (MDEA); 4,4'-methylene-bis- (2,3-dichloroaniline) (MDCA); 4,4'-diamino-3,3'-diethyl-5,5'-dimethyldiphenylmethane, 2,2 ', 3,3'-tetrachlorodiaminodiphenylmethane; Trimethylene glycol di-p-aminobenzoate; Isomers thereof; And mixtures thereof. Most preferably, the curing agent is 4,4'-methylene-bis- (2-chloroaniline) (MBOCA).

바람직하게는, 경화제의 반응성 수소 기 (즉, 아민 (NH2) 기와 히드록실 (OH) 기의 총합) 대 이소시아네이트 종결 예비중합체의 미반응 이소시아네이트 (NCO) 기의 화학량론비는 80 내지 95% 미만 (보다 바람직하게는, 85 내지 95% 미만; 보다 더욱 바람직하게는 87 내지 94%; 가장 바람직하게는 89 내지 92%)이다.Preferably, the stoichiometric ratio of the reactive hydrogen groups of the curing agent (i.e., the sum of amine (NH 2 ) and hydroxyl (OH) groups) to the unreacted isocyanate (NCO) group of the isocyanate terminated prepolymer is less than 80 to 95% , More preferably from 85 to less than 95%, even more preferably from 87 to 94%, most preferably from 89 to 92%).

연마층 (20)은 임의로 다수의 미량요소를 추가로 포함한다. 바람직하게는, 다수의 미량요소는 연마층 (20) 전체에 걸쳐서 균일하게 분산된다. 바람직하게는, 다수의 미량요소는 포획된 기포, 중공형 코어 중합체 물질, 액체 충전된 중공형 코어 중합체 물질, 수용성 물질, 불용성 상 물질 (예를 들어, 광유) 및 이들의 조합으로부터 선택된다. 보다 바람직하게는, 다수의 미량요소는 연마층 (20) 전체에 걸쳐서 균일하게 분포된 포획 기포 및 중공형 코어 중합체 물질로부터 선택된다. 바람직하게는, 다수의 미량요소는 150 ㎛ 미만 (보다 바람직하게는, 50 ㎛ 미만; 가장 바람직하게는 10 내지 50 ㎛)의 중량 평균 직경을 갖는다. 바람직하게는, 다수의 미량요소는 폴리아크릴로니트릴 또는 폴리아크릴로니트릴 공중합체의 외벽을 갖는 중합체 미소구체 (예를 들어, 악조 노벨(Akzo Nobel) 제조의 익스판셀(Expancel)®)를 포함한다. 바람직하게는, 다수의 미량요소는 0 내지 35 부피%의 다공성 (보다 바람직하게는, 10 내지 25 부피%의 다공성)으로 연마층 (20)에 혼입된다.The polishing layer 20 optionally further comprises a plurality of trace elements. Preferably, a plurality of trace elements are uniformly dispersed throughout the polishing layer 20 . Preferably, the plurality of trace elements is selected from entrapped bubbles, hollow core polymer material, liquid filled hollow core polymer material, water soluble material, insoluble phase material (e.g., mineral oil), and combinations thereof. More preferably, a plurality of trace elements are selected from trapped bubbles and hollow core polymer materials that are uniformly distributed throughout the polishing layer 20 . Preferably, the majority of trace elements have a weight average diameter of less than 150 microns (more preferably less than 50 microns, most preferably 10 to 50 microns). Preferably, the plurality of trace elements include polymeric microspheres having an outer wall of a polyacrylonitrile or polyacrylonitrile copolymer (e.g., Expancel < (R) > manufactured by Akzo Nobel) . Preferably, the majority of trace elements are incorporated into the polishing layer 20 with a porosity of 0 to 35 vol% (more preferably 10 to 25 vol% porosity).

연마층 (20)은 다공성 및 비다공성 (즉, 비충전) 구조로 제공될 수 있다. 바람직하게는, 연마층 (20)은 ASTM D1622에 따라 측정하였을 때, 0.6 초과의 비중을 나타낸다. 보다 바람직하게는, 연마층 (20)은 ASTM D1622에 따라 측정하였을 때, 0.6 내지 1.5 (보다 더욱 바람직하게는, 0.7 내지 1.2; 가장 바람직하게는 0.95 내지 1.2)의 비중을 나타낸다.The abrasive layer 20 may be provided in a porous and non-porous (i.e., non-filled) structure. Preferably, the abrasive layer 20 has a specific gravity of greater than 0.6 as measured according to ASTM D1622. More preferably, the abrasive layer 20 has a specific gravity of from 0.6 to 1.5 (even more preferably from 0.7 to 1.2, most preferably from 0.95 to 1.2) as measured according to ASTM D1622.

바람직하게는, 연마층 (20)은 ASTM D2240에 따라 측정하였을 때, 60 내지 90의 쇼어 D 경도를 나타낸다. 보다 바람직하게는, 연마층 (20)은 ASTM D2240에 따라 측정하였을 때, 60 초과 내지 75 (보다 바람직하게는, 61 내지 75; 가장 바람직하게는, 65 초과 내지 70)의 쇼어 D 경도를 나타낸다.Preferably, the abrasive layer 20 exhibits a Shore D hardness of 60 to 90, as measured according to ASTM D2240. More preferably, the abrasive layer 20 exhibits a Shore D hardness of greater than 60 to 75 (more preferably 61 to 75; most preferably, greater than 65 to 70) as measured according to ASTM D2240.

바람직하게는, 연마층 (20)은 ASTM D412에 따라 측정하였을 때, 100 내지 300%의 파단 연신율을 나타낸다. 바람직하게는, 연마층 (20)은 ASTM D412에 따라 측정하였을 때, 100 내지 200% (보다 더욱 바람직하게는, 125 내지 175%; 가장 바람직하게는 150 내지 160%)의 파단 연신율을 나타낸다.Preferably, the abrasive layer 20 exhibits a fracture elongation of 100 to 300% as measured according to ASTM D412. Preferably, the abrasive layer 20 exhibits a fracture elongation of 100 to 200% (even more preferably 125 to 175%, most preferably 150 to 160%) as measured according to ASTM D412.

당업자라면 주어진 연마 작업을 위한 화학적 기계적 연마 패드 (10)에 사용하기에 적합한 두께 (T P )를 갖는 연마층 (20)의 선택을 이해할 것이다. 바람직하게는, 연마층 (20)은 연마 표면 (14)의 평면 (28)에 대하여 수직인 축 (A)을 따라 평균 두께 (T P - avg )를 나타낸다. 보다 바람직하게는, 평균 두께 (T P - avg )는 20 내지 150 밀 (보다 바람직하게는, 30 내지 130 밀; 가장 바람직하게는 70 내지 90 밀)이다 (도 2, 5 및 7-10 참조). Those skilled in the art will appreciate the choice of polishing layer 20 having a thickness ( T P ) suitable for use in a chemical mechanical polishing pad 10 for a given polishing operation. Preferably, the polishing layer 20 exhibits an average thickness ( T P - avg ) along an axis A perpendicular to the plane 28 of the polishing surface 14 . Is (2, 5, and 7 - Reference 10); - (avg T P) are (most preferably 70 to 90 mil preferably 30 to 130 mil than) 20 to 150 mil and more preferably, the average thickness .

바람직하게는, 연마층 (20)의 연마 표면 (14)은 자기 기판, 광학 기판 및 반도체 기판 중 하나 이상으로부터 선택된 기판 (보다 바람직하게는, 반도체 기판; 보다 더욱 바람직하게는 반도체 웨이퍼; 가장 바람직하게는 노출된 구리 특징부가 있는 표면을 갖는 반도체 웨이퍼)의 연마에 적합화된다. 연마층 (20)의 연마 표면 (14)은 기판의 연마를 용이하게 하는 마크로텍스쳐(macrotexture) 및 마이크로텍스쳐(microtexture) 중 하나 이상을 나타낸다. 바람직하게는, 연마 표면 (14)은 마크로텍스쳐를 나타내고, 여기서 마크로텍스쳐는 (i) 수막현상을 완화시키는 것; (ii) 연마 매체 흐름에 영향을 주는 것; (iii) 연마층의 강성도를 변화시키는 것; (iv) 에지 효과(edge effect)를 감소시키는 것; 및 (v) 연마 파편의 연마 표면 (14)과 연마되는 기판 사이의 영역으로부터의 전달을 용이하게 하는 것 중 하나 이상을 수행하도록 디자인된다. Preferably, the polishing surface 14 of the polishing layer 20 is a substrate (more preferably a semiconductor substrate, even more preferably a semiconductor wafer, most preferably a substrate) selected from at least one of a magnetic substrate, Is adapted to the polishing of a semiconductor wafer having a surface with exposed copper features. The polishing surface 14 of the polishing layer 20 represents one or more of macrotexture and microtexture that facilitate polishing of the substrate. Preferably, the abrasive surface 14 represents a macrotexture, wherein the macrotexture comprises (i) relieving the hydration phenomenon; (ii) affecting the polishing medium flow; (iii) varying the stiffness of the abrasive layer; (iv) reducing the edge effect; And (v) facilitating transfer from the area between the polishing surface 14 of the abrasive debris and the substrate being abraded.

연마 표면 (14)은 바람직하게는 천공부 및 그루브(groove) 중 하나 이상으로부터 선택된 마크로텍스쳐를 나타낸다. 바람직하게는, 천공부는 연마 표면 (14)으로부터 연마층 (20)의 두께를 따라 부분적으로 또는 완전히 연장될 수 있다. 바람직하게는, 그루브는 연마 동안에 패드 (10)가 회전할 때, 하나 이상의 그루브가 기판 위를 미끄러져 지나가도록 연마 표면 (14) 상에서 배열된다. 바람직하게는, 그루브는 만곡형 그루브, 선형 그루브 및 이들의 조합으로부터 선택된다. 그루브는 10 밀 이상 (바람직하게는, 10 내지 120 밀)의 깊이를 나타낸다. 바람직하게는, 그루브는 10 밀 이상, 15 밀 이상 및 15 내지 120 밀로부터 선택된 깊이; 10 밀 이상 및 10 내지 100 밀로부터 선택된 너비; 및 30 밀 이상, 50 밀 이상, 50 내지 200 밀, 70 내지 200 밀, 및 90 내지 200 밀로부터 선택된 피치(pitch)의 조합을 갖는 2개 이상의 그루브를 포함하는 그루브 패턴을 형성한다. The abrasive surface 14 preferably exhibits a macrotexture selected from one or more of a perforation and a groove. Preferably, the perforations may extend partially or completely along the thickness of the abrasive layer 20 from the abrasive surface 14 . Preferably, the grooves are arranged on the polishing surface 14 such that one or more grooves slip over the substrate as the pad 10 rotates during polishing. Preferably, the grooves are selected from curved grooves, linear grooves, and combinations thereof. The groove represents a depth of 10 mils or more (preferably 10 to 120 mils). Preferably, the groove has a depth selected from at least 10 mils, at least 15 mils and from 15 to 120 mils; A width selected from more than 10 mils and 10 to 100 mils; And a pitch of at least 30 mils, more than 50 mils, 50 to 200 mils, 70 to 200 mils, and 90 to 200 mils.

바람직하게는, 연마층 (20)은 그에 혼입된, 1 ppm 미만의 연마제 입자를 함유한다.Preferably, the polishing layer 20 contains less than 1 ppm of abrasive particles incorporated therein.

바람직하게는, 경질층 (25)은 중합체, 금속, 강화 중합체 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 물질로 제조된다. 보다 바람직하게는, 경질층 (25)은 중합체로 제조된다. 가장 바람직하게는, 경질층 (25)은 폴리에스테르, 나일론, 에폭시, 섬유유리 강화 에폭시; 및 폴리카르보네이트로 이루어진 군으로부터 선택된 중합체 (보다 바람직하게는, 폴리에스테르; 보다 더욱 바람직하게는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 폴리에스테르; 가장 바람직하게는 이축 연신 폴리에틸렌 테레프탈레이트 폴리에스테르)로 제조된다.Preferably, the hard layer 25 is made of a material selected from the group consisting of polymers, metals, reinforcing polymers, and combinations thereof. More preferably, the hard layer 25 is made of a polymer. Most preferably, the rigid layer 25 is made of polyester, nylon, epoxy, fiberglass reinforced epoxy; (More preferably, a polyester, more preferably a polyethylene terephthalate polyester, and most preferably a biaxially stretched polyethylene terephthalate polyester) selected from the group consisting of a polycarbonate and a polycarbonate.

바람직하게는, 경질층 (25)은 5 밀 초과 내지 60 밀 (보다 바람직하게는, 6 내지 15 밀; 가장 바람직하게는 6 내지 8 밀)의 평균 두께 (T R - avg )를 갖는다.Preferably, the hard layer 25 has an average thickness ( T R - avg ) of more than 5 to 60 mils (more preferably 6 to 15 mils, most preferably 6 to 8 mils).

바람직하게는, 경질층 (25)의 상면 (26) 및 하면 (27)은 모두 그루브를 갖지 않는다. 보다 바람직하게는, 상면 (26) 및 하면 (27)은 모두 활면이다. 가장 바람직하게는, 상면 (26) 및 하면 (27)은 광학 조면계를 사용하여 측정하였을 때, 1 내지 500 nm (바람직하게는, 1 내지 100 nm; 보다 바람직하게는 10 내지 50 nm; 가장 바람직하게는 20 내지 40 nm)의 조도 (Ra)를 갖는다.Preferably, both the upper surface 26 and the lower surface 27 of the rigid layer 25 have no grooves. More preferably, the upper surface 26 and the lower surface 27 are both active surfaces. Most preferably, the top surface 26 and the bottom surface 27 have a thickness of 1 to 500 nm (preferably 1 to 100 nm; more preferably 10 to 50 nm; most preferably, ( Ra ) of 20 to 40 nm).

바람직하게는, 경질층 (25)의 상면 (26)은 경질층 (25)과 반응성 핫멜트 접착제 (23) 사이의 접착력을 향상시키기 위해 접착력 향상제로 처리된다. 당업자라면 경질층 (25)의 구성 물질 및 핫멜트 접착제 (23)의 조성을 고려하여 적절한 접착력 향상제를 선택하는 방법을 알 것이다.Preferably, the upper surface 26 of the rigid layer 25 has adhesive strength is improved treatment agent to improve the adhesion between the hard layer 25 and the reactive hot-melt adhesive (23). Those skilled in the art will know how to select the appropriate adhesion promoting agent in view of the composition of the hard layer 25 and the composition of the hot melt adhesive 23 .

바람직하게는, 경질층 (25)은 ASTM D882-12에 따라 측정하였을 때, 100 MPa 이상 (보다 바람직하게는, 1,000 내지 10,000 MPa; 보다 더욱 바람직하게는 2,500 내지 7,500 MPa; 가장 바람직하게는 3,000 내지 7,000 MPa)의 영률을 나타낸다.Preferably, the hard layer 25 has a hardness of at least 100 MPa (more preferably 1,000 to 10,000 MPa; even more preferably 2,500 to 7,500 MPa; most preferably 3,000 to 10,000 MPa, 7,000 MPa).

바람직하게는, 경질층 (25)은 0.1 부피% 미만 (보다 바람직하게는, 0.01 부피% 미만)의 공극률을 나타낸다.Preferably, the hard layer 25 exhibits a porosity of less than 0.1% by volume (more preferably less than 0.01% by volume).

바람직하게는, 경질층 (25)은 6 내지 15 밀의 평균 두께; 및 2,500 내지 7,500 MPa (가장 바람직하게는, 3,000 내지 7,000 MPa)의 ASTM D882-12에 따라 측정된 영률을 갖는 이축 연신 폴리에틸렌 테레프탈레이트로 제조된다.Preferably, the hard layer 25 has an average thickness of 6 to 15 mils; And a biaxially stretched polyethylene terephthalate having a Young's modulus measured according to ASTM D882-12 of 2,500 to 7,500 MPa (most preferably 3,000 to 7,000 MPa).

당업자라면 화학적 기계적 연마 패드 (10)에 사용하기에 적절한 핫멜트 접착제 (23)를 선택하는 방법을 알 것이다. 바람직하게는, 핫멜트 접착제 (23)는 경화된 반응성 핫멜트 접착제이다. 보다 바람직하게는, 핫멜트 접착제 (23)는 그의 비경화 상태에서 50 내지 150℃, 바람직하게는 115 내지 135℃의 용융 온도를 나타내고, 또한 용융 후에 90분 이하의 가사 시간(pot life)을 나타내는, 경화된 반응성 핫멜트 접착제이다. 가장 바람직하게는, 핫멜트 접착제 (23)는 그의 비경화 상태에서 폴리우레탄 수지 (예를 들어, 롬 앤드 하스(Rohm and Haas)로부터 입수가능한 모르-멜트(Mor-Melt)™ R5003)를 포함한다.Those skilled in the art will know how to select a hot melt adhesive 23 suitable for use in the chemical mechanical polishing pad 10 . Preferably, the hot melt adhesive 23 is a cured reactive hot melt adhesive. More preferably, the hot-melt adhesive 23 exhibits a melting temperature of from 50 to 150 ° C, preferably from 115 to 135 ° C in its uncured state and exhibits a pot life of 90 minutes or less after melting, It is a cured reactive hot melt adhesive. Most preferably, the hot melt adhesive 23 comprises a polyurethane resin (for example Mor-Melt R5003 available from Rohm and Haas) in its uncured state.

화학적 기계적 연마 패드 (10)는 바람직하게는 연마기 정반과 계면을 이루도록(interfaced) 적합화된다. 바람직하게는, 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 연마기 정반에 부착되도록 적합화된다. 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 감압성 접착제 및 진공 중 하나 이상을 사용하여 정반에 부착될 수 있다. The chemical mechanical polishing pad 10 is preferably adapted to be interfaced with the polishing platen. Preferably, the chemical mechanical polishing pad 10 is adapted to adhere to the abrasive platen. The chemical mechanical polishing pad 10 may be attached to a platen using one or more of a pressure sensitive adhesive and a vacuum.

바람직하게는, 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 경질층 (25)의 하면 (27)에 적용된 감압성 정반 접착제 층 (70)을 포함한다. 당업자라면 감압성 정반 접착제 층 (70)으로서 사용하기에 적절한 감압성 접착제를 선택하는 방법을 알 것이다. 바람직하게는, 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 또한 감압성 정반 접착제 층 (70) 위에 적용된 박리 라이너 (75)를 포함할 것이고, 여기서 감압성 정반 접착제 층 (70)은 경질층 (25)의 하면 (27)과 박리 라이너 (75) 사이에 개재된다 (도 2 및 7-10 참조).Preferably, the chemical mechanical polishing pad 10 comprises a pressure sensitive platen adhesive layer 70 applied to the lower surface 27 of the hard layer 25 . Those skilled in the art will know how to choose a pressure sensitive adhesive suitable for use as the pressure sensitive platen layer 70 . Preferably, the chemical mechanical polishing pad 10 also will include a release liner 75 applied over the pressure sensitive platen adhesive layer 70, wherein the pressure sensitive platen adhesive layer 70 when the hard layer (25) It is interposed between 27 and release liner 75 (Figs. 2 and 7 - reference 10).

기판 연마 작업에서 중요한 단계는 공정의 종점을 결정하는 것이다. 종점을 원위치 검출하는 한 대중적인 방법은 광의 선택 파장에 대하여 투과성인 창을 연마 패드에 제공하는 것을 포함한다. 연마 동안에, 광선이 창을 관통해 웨이퍼 표면으로 인도되고, 웨이퍼 표면이 광을 반사하여 다시 창을 관통해 검출기 (예를 들어, 분광광도계)로 통과시킨다. 복귀 신호에 기초하여, 종점 검출을 위한 기판 표면의 성질 (예를 들어, 표면 상의 필름 두께)을 결정할 수 있다. 이러한 광 기반의 종점 방법을 용이하게 하기 위해, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 임의로 종점 검출창 (30)을 추가로 포함한다. 바람직하게는, 종점 검출창은 연마층 (20)에 혼입된 일체형 창 (34); 및 화학적 기계적 연마 패드 (10)에 혼입된 플러그 인 플레이스 창 블록 (32)으로부터 선택된다 (도 1-10 참조). 당업자라면 의도하는 연마 공정에 사용하기에 적절한 종점 검출창 구성 물질을 선택하는 방법을 알 것이다.An important step in the substrate polishing operation is to determine the end point of the process. One popular method of in situ detection of an endpoint involves providing a window to the polishing pad that is transmissive to a selected wavelength of light. During polishing, a light beam is directed through the window to the wafer surface and the wafer surface reflects the light back through the window and into a detector (e.g., a spectrophotometer). Based on the return signal, the nature of the substrate surface (e.g., film thickness on the surface) for endpoint detection can be determined. To facilitate this light based endpoint method, the chemical mechanical polishing pad 10 of the present invention optionally further comprises an endpoint detection window 30 . Preferably, the endpoint detection window comprises an integral window 34 incorporated into the polishing layer 20 ; And a plug-in place window block 32 incorporated in the chemical mechanical polishing pad 10 (see FIG. 1-10 ). Those skilled in the art will know how to select endpoint detection windowing materials suitable for use in an intended polishing process.

바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)에 사용되는 종점 검출창은 연마층 (20)에 혼입된 일체형 창 (34)이다. 바람직하게는, 일체형 창 (34)을 함유하는 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 연마 표면 (14), 베이스 표면 (17) 및 연마 표면 (14)부터 베이스 표면 (17)까지 연마 표면 (14)에 대하여 수직 방향으로 측정된 평균 두께 (T P - avg )를 갖는 연마층 (20); 상면 (26) 및 하면 (27)을 갖는 경질층 (25); 연마층 (20)의 베이스 표면 (17)과 경질층 (25)의 상면 (26) 사이에 개재된 핫멜트 접착제 (23) [여기서, 핫멜트 접착제 (23)는 연마층 (20)을 경질층 (25)에 결합시킴]; 감압성 정반 접착제 (70); 박리 라이너 (75) [여기서, 감압성 정반 접착제 (70)는 경질층 (25)의 하면 (27)과 박리 라이너 (75) 사이에 개재됨]; 및 연마층 (20)에 혼입된 일체형 창 (34)을 포함하고; 여기서 연마층 (20)은 주조 폴리우레탄이고, 주조 폴리우레탄은 (a) (i) 다관능성 이소시아네이트; 및 (ii) 폴리에테르 기재의 폴리올의 반응에 의해 수득되고, 8 내지 9.5 중량% (보다 바람직하게는, 8.65 내지 9.05 중량%; 가장 바람직하게는 8.7 중량% 초과 내지 9 중량%)의 미반응 NCO를 갖는 이소시아네이트 종결 예비중합체; (b) 경화제 폴리아민, 경화제 폴리올, 경화제 알콜아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 경화제; 및 (c) 임의로 다수의 미량요소를 포함하는 성분들의 반응 생성물이고; 연마층 (20)은 0.6 초과의 비중; 60 내지 90 (바람직하게는, 60 초과 내지 75; 보다 바람직하게는 61 내지 75; 가장 바람직하게는 65 초과 내지 70)의 쇼어 D 경도; 및 100 내지 300% (바람직하게는, 100 내지 200%; 보다 바람직하게는 125 내지 175%; 가장 바람직하게는 150 내지 160%)의 파단 연신율을 나타내고; 연마층 (20)은 25℃에서 24시간 동안 탈이온수에의 침지 후에 연마층 샘플의 선형 치수가 1% 미만만큼 변화하는 초기 가수분해 안정성을 나타내고 (실시예에 기재된 방법에 따라 측정됨); 연마층 (20)은 25℃에서 7일 동안 탈이온수에의 침지 후에 연마층 샘플의 선형 치수가 1.75% 이상만큼 (바람직하게는, 1.75 내지 5%; 보다 바람직하게는 1.75 내지 3.5%; 가장 바람직하게는 2 내지 3%) 변화하는 장기 가수분해 불안정성을 나타내고 (실시예에 기재된 방법에 따라 측정됨); 연마층 (20)은 기판의 연마에 적합화된 연마 표면 (14)을 갖는다. 일체형 창 (34)은 바람직하게는 연마 표면 (14)의 평면 (28)에 대하여 수직인 축 (B)를 따라 측정된 두께 (T W )를 갖는다 (도 10 참조). 바람직하게는, 일체형 창 (34)은 연마 표면 (25)의 평면 (28)에 대하여 수직인 축 (B)를 따라서 평균 두께 (T W - avg )를 가지고, 여기서 평균 창 두께 (T W - avg )는 연마층 (20)의 평균 두께 (T P - avg )와 동일하다 (도 10 참조). Preferably, the endpoint detection window used in the chemical mechanical polishing pad 10 of the present invention is an integral window 34 incorporated into the polishing layer 20 . Preferably, the integration window 34 is a chemical mechanical polishing pad (10) containing the grinding surface 14, base surface 17 and the grinding surface of the abrasive surface (14) from (14) to the base surface (17) An abrasive layer ( 20 ) having an average thickness ( T P - avg ) measured in the vertical direction with respect to the abrasive layer ( 20 ); A hard layer 25 having an upper surface 26 and a lower surface 27 ; Base surface 17 and the hot-melt adhesive (23) interposed between the upper surface 26 of the rigid layer (25) wherein a hot-melt adhesive 23 of the polishing layer 20 has a polishing layer 20, the hard layer (25 ); A pressure-sensitive platen base adhesive 70 ; A release liner 75 wherein the pressure sensitive platen adhesive 70 is interposed between the lower surface 27 of the hard layer 25 and the release liner 75 ; And an integral window ( 34 ) immersed in the polishing layer ( 20 ); Wherein the abrasive layer ( 20 ) is cast polyurethane and the cast polyurethane comprises (a) (i) a multifunctional isocyanate; And (ii) from 8 to 9.5 wt% (more preferably from 8.65 to 9.05 wt%; most preferably from greater than 8.7 wt% to 9 wt%) of unreacted NCO An isocyanate terminated prepolymer having an isocyanate terminated prepolymer; (b) a curing agent selected from the group consisting of a curing agent polyamine, a curing agent polyol, a curing agent alcohol amine, and mixtures thereof; And (c) optionally a reaction product of components comprising a plurality of trace elements; The abrasive layer 20 has a specific gravity of greater than 0.6; Shore D hardness of from 60 to 90 (preferably greater than 60 to 75; more preferably 61 to 75; most preferably greater than 65 to 70); And 100 to 300% (preferably 100 to 200%; more preferably 125 to 175%; most preferably 150 to 160%) of the elongation at break; The abrasive layer 20 exhibits an initial hydrolytic stability (measured according to the method described in the Examples ) wherein the linear dimension of the abrasive layer sample after immersion in deionized water at 25 占 폚 for 24 hours varies by less than 1%; The abrasive layer 20 (Preferably 1.75 to 5%; more preferably 1.75 to 3.5%; most preferably 2 to 3%) of the abrasive layer sample after immersion in deionized water for 7 days at < RTI ID = 0.0 & ) Exhibiting varying long term hydrolytic instability (measured according to the methods described in the Examples ); The polishing layer 20 has a polishing surface 14 adapted to polishing the substrate. The integral window 34 preferably has a thickness T W measured along an axis B perpendicular to the plane 28 of the polishing surface 14 (see FIG. 10 ). Preferably, the one-piece window 34 is the polishing surface 25 of the plane 28, the vertical axis (B) Therefore, the average thickness with respect to - have the (T W avg), where the average window thickness (T W - avg Is equal to the average thickness ( T P - avg ) of the polishing layer 20 (see FIG. 10 ).

바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)에 사용되는 종점 검출창은 플러그 인 플레이스 창 블록 (32)이다. 바람직하게는, 플러그 인 플레이스 창 블록 (32)을 함유하는 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 연마 표면 (14), 베이스 표면 (17) 및 연마 표면 (14)부터 베이스 표면 (17)까지 연마 표면 (14)에 대하여 수직 방향으로 측정된 평균 두께 (T P - avg )를 갖는 연마층 (20); 상면 (26) 및 하면 (27)을 갖는 경질층 (25); 연마층 (20)의 베이스 표면 (17)과 경질층 (25)의 상면 (26) 사이에 개재된 핫멜트 접착제 (23) [여기서, 핫멜트 접착제 (23)는 연마층 (20)을 경질층 (25)에 결합시킴]; 감압성 정반 접착제 (70); 박리 라이너 (75) [여기서, 감압성 정반 접착제 (70)는 경질층 (25)의 하면 (27)과 박리 라이너 (75) 사이에 개재됨]; 및 화학적 기계적 연마 패드 (10)에 혼입된 플러그 인 플레이스 창 (32)을 포함하고; 여기서 연마층 (20)은 주조 폴리우레탄이고, 주조 폴리우레탄은 (a) (i) 다관능성 이소시아네이트; 및 (ii) 폴리에테르 기재의 폴리올의 반응에 의해 수득되고 8 내지 9.5 중량% (바람직하게는, 8.65 내지 9.05 중량%; 보다 바람직하게는 8.7 중량% 초과 내지 9.00 중량%)의 미반응 NCO를 갖는 이소시아네이트 종결 예비중합체; (b) 경화제 폴리아민, 경화제 폴리올, 경화제 알콜아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 경화제; 및 (c) 임의로, 다수의 미량요소를 포함하는 성분들의 반응 생성물이고; 연마층 (20)은 0.6 초과의 비중; 60 내지 90 (바람직하게는, 60 초과 내지 75; 보다 바람직하게는 61 내지 75; 가장 바람직하게는 65 초과 내지 70)의 쇼어 D 경도; 및 100 내지 300% (바람직하게는, 100 내지 200%; 보다 바람직하게는 125 내지 175%; 가장 바람직하게는, 150 내지 160%)의 파단 연신율을 나타내고; 연마층 (20)은 25℃에서 24시간 동안 탈이온수에의 침지 후에 연마층 샘플의 선형 치수가 1% 미만만큼 변화하는 초기 가수분해 안정성을 나타내고 (실시예에 기재된 방법에 따라 측정됨); 연마층 (20)은 25℃에서 7일 동안 탈이온수에의 침지 후에 연마층 샘플의 선형 치수가 1.75% 이상만큼 (바람직하게는, 1.75 내지 5%; 보다 바람직하게는 1.75 내지 3.5%; 가장 바람직하게는 2 내지 3%) 변화하는 장기 가수분해 불안정성을 나타내고 (실시예에 기재된 방법에 따라 측정됨); 연마층 (20)은 기판의 연마에 적합화된 연마 표면 (14)을 가지고; 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 연마층 (20)의 연마 표면 (14)부터 경질층 (25)의 하면 (27)까지 화학적 기계적 연마 패드 (10)를 통해 연장되는 관통 개구부 (35)를 가지고; 플러그 인 플레이스 창 블록 (30)은 관통 개구부 (35) 내에 배치되고; 플러그 인 플레이스 창 블록 (30)은 감압성 정반 접착제 (70)에 고정된다. 플러그 인 플레이스 창 블록 (30)은 연마 표면 (14)의 평면 (28)에 대하여 수직인 축 (B)를 따라 측정된 두께 (T W )를 갖는다 (도 5-7 참조). 바람직하게는, 플러그 인 플레이스 창 블록 (30)은 연마 표면 (25)의 평면 (28)에 대하여 수직인 축 (B)를 따라서 평균 창 두께 (T W - avg )를 가지고, 여기서 평균 창 두께 (T W - avg )는 5 밀 내지 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 평균 전체 두께 (T T - avg )이다 (도 7 참조). 보다 바람직하게는, 플러그 인 플레이스 창 블록 (30)은 5 밀 내지 T T - avg 미만의 평균 창 두께 (T W -avg )를 갖는다. 보다 더욱 바람직하게는, 플러그 인 플레이스 창 블록 (30)은 5 밀 내지 75 밀 (보다 더욱 바람직하게는, 15 내지 50 밀; 가장 바람직하게는 20 내지 40 밀)의 평균 창 두께 (T W - avg )를 갖는다 (도 5-7 참조).Preferably, the endpoint detection window used in the chemical mechanical polishing pad 10 of the present invention is a plug-in place window block 32 . Preferably, the chemical mechanical polishing pad 10 containing the plug-in place window block 32 comprises a polishing surface 14 , a base surface 17 and a polishing surface 14 from the polishing surface 14 to the base surface 17 An abrasive layer ( 20 ) having an average thickness ( T P - avg ) measured in a direction perpendicular to the substrate ( 14 ); A hard layer 25 having an upper surface 26 and a lower surface 27 ; Base surface 17 and the hot-melt adhesive (23) interposed between the upper surface 26 of the rigid layer (25) wherein a hot-melt adhesive 23 of the polishing layer 20 has a polishing layer 20, the hard layer (25 ); A pressure-sensitive platen base adhesive 70 ; A release liner 75 wherein the pressure sensitive platen adhesive 70 is interposed between the lower surface 27 of the hard layer 25 and the release liner 75 ; And a plug-in place window ( 32 ) immersed in the chemical mechanical polishing pad ( 10 ); Wherein the abrasive layer ( 20 ) is cast polyurethane and the cast polyurethane comprises (a) (i) a multifunctional isocyanate; And (ii) an unreacted NCO obtained by the reaction of a polyether-based polyol and having 8 to 9.5 wt% (preferably, 8.65 to 9.05 wt%; more preferably, greater than 8.7 wt% to 9.00 wt% An isocyanate terminated prepolymer; (b) a curing agent selected from the group consisting of a curing agent polyamine, a curing agent polyol, a curing agent alcohol amine, and mixtures thereof; And (c) optionally, a reaction product of components comprising a plurality of trace elements; The abrasive layer 20 has a specific gravity of greater than 0.6; Shore D hardness of from 60 to 90 (preferably greater than 60 to 75; more preferably 61 to 75; most preferably greater than 65 to 70); And 100 to 300% (preferably 100 to 200%; more preferably 125 to 175%; most preferably, 150 to 160%) elongation elongation; The abrasive layer 20 exhibits an initial hydrolytic stability (measured according to the method described in the Examples ) wherein the linear dimension of the abrasive layer sample after immersion in deionized water at 25 占 폚 for 24 hours varies by less than 1%; The abrasive layer 20 has a linear dimension of at least 1.75% (preferably 1.75 to 5%; more preferably 1.75 to 3.5%; most preferably, (2 to 3% as determined by the method described in the Examples) and exhibiting varying organoleptic hydrolytic instability (measured according to the methods described in the Examples ); The polishing layer ( 20 ) has a polishing surface ( 14 ) adapted to polishing the substrate; The chemical mechanical polishing pad 10 has a through opening 35 extending through the chemical mechanical polishing pad 10 from the polishing surface 14 of the polishing layer 20 to the bottom surface 27 of the hard layer 25 ; The plug-in place window block 30 is disposed within the through opening 35 ; The plug-in place window block 30 is fixed to the pressure sensitive platen adhesive 70 . The plug-in place window block 30 has a thickness T W measured along an axis B perpendicular to the plane 28 of the polishing surface 14 (see FIGS . 5-7 ). Preferably, plug-in-place window block 30, the average window thickness along a perpendicular axis (B) with respect to the plane 28 of the polishing surface (25) have a (T W avg), where the average window thickness ( T W - avg ) is the average overall thickness ( T T - avg ) of the chemical mechanical polishing pad 10 from 5 mils (see FIG. 7 ). More preferably, the plug-in place window block 30 has an average window thickness ( T W -avg ) of less than 5 millimeters to less than T T - avg . Still more preferably, a plug-in-place window block 30 (more preferably, 15 to 50 mil more; most preferably 20 to 40 mils) mil 5 mil to 75 average window thickness (T W - avg ) (See Figs. 5-7 ).

바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)에 사용되는 종점 검출창은 플러그 인 플레이스 창 블록 (32)이다. 바람직하게는, 플러그 인 플레이스 창 블록 (32)을 함유하는 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 연마 표면 (14), 베이스 표면 (17), 연마 표면 (14)부터 베이스 표면 (17)까지 연마 표면 (14)에 대하여 수직 방향으로 측정된 평균 두께 (T P - avg )를 갖는 연마층 (20), 및 연마층 (20)의 두께 (T P )를 통해 연장되는 관통 통로 (35)를 확장시키는 카운터보어(counterbore) 개구부 (40)를 포함하고, 여기서 카운터보어 개구부 (40)는 연마 표면 (14) 상에서 개방되어 카운터보어 개구부 (40)와 관통 통로 (35) 사이의 계면에서, 축 (A)와 평행하고 연마 표면 (14)의 평면 (28)에 대하여 수직인 축 (B)를 따라서 깊이 (D O )의 레지 (ledge; 45)를 형성한다 (도 1, 4, 6 및 8 참조). 바람직하게는, 레지 (45)는 연마 표면 (14)과 평행하다. 바람직하게는, 카운터보어 개구부는 축 (A)에 평행한 축과 함께 원통형 체적을 한정한다. 바람직하게는, 카운터보어 개구부는 비-원통형 체적을 한정한다. 바람직하게는, 플러그 인 플레이스 창 블록 (32)은 카운터보어 개구부 (40) 내에 배치된다. 바람직하게는, 플러그 인 플레이스 창 블록 (32)은 카운터보어 개구부 (40) 내에 배치되고 연마층 (20)에 부착된다. 바람직하게는, 플러그 인 플레이스 창 블록 (32)은 초음파 용접 및 접착제 중 하나 이상을 사용하여 연마층 (20)에 부착된다. 바람직하게는, 축 (A)와 평행하고 연마 표면 (14)의 평면 (28)에 대하여 수직인 축 (B)를 따라서 카운터보어 개구부의 평균 깊이 (D O - avg )는 5 내지 75 밀 (바람직하게는, 10 내지 60 밀; 보다 바람직하게는 15 내지 50 밀; 가장 바람직하게는 20 내지 40 밀)이다. 바람직하게는, 카운터보어 개구부의 평균 깊이 (D O - avg )는 플러그 인 플레이스 창 블록 (32)의 평균 두께 (T W - avg ) 이하이다 (도 6 및 8 참조). 보다 바람직하게는, 카운터보어 개구부의 평균 깊이 (D O - avg )는 하기의 관계를 만족시킨다.Preferably, the endpoint detection window used in the chemical mechanical polishing pad 10 of the present invention is a plug-in place window block 32 . Preferably, the polishing surface to the plug-in-place window chemical mechanical polishing pad 10 containing the block 32 is the polishing surface 14, base surface 17, a polishing surface 14 from the base surface 17 ( counter to extend the through-passage 35 extending through the thickness (T P) of the abrasive layer 20 and the polishing layer 20 having avg) - the average thickness (T P measured in a direction perpendicular to 14) at the interface between including a bore (counterbore) opening 40, wherein the counterbore opening 40 is open on the grinding surface 14 counterbore opening 40 and the through-passage (35), the axis (a) and to form; (ledge 45) (see FIGS. 1, 4, 6 and 8) parallel to and along the axis (B) perpendicular to the plane 28 of the polishing surface 14 of the ledge depth (D O). Preferably, the ledge 45 is parallel to the polishing surface 14 . Preferably, the counterbore opening defines a cylindrical volume with an axis parallel to the axis A. Preferably, the counterbore openings define a non-cylindrical volume. Preferably, the plug-in place window block 32 is disposed within the counterbore opening 40 . Preferably, the plug-in place window block 32 is disposed within the counterbore opening 40 and is attached to the polishing layer 20 . Preferably, the plug-in place window block 32 is attached to the polishing layer 20 using at least one of ultrasonic welding and adhesive. Preferably, the average depth ( D O - avg ) of the counterbore openings along the axis B parallel to the axis A and perpendicular to the plane 28 of the polishing surface 14 is between 5 and 75 millimeters (Preferably 10 to 60 mils, more preferably 15 to 50 mils, most preferably 20 to 40 mils). Preferably, the average depth ( D O - avg ) of the counterbore openings is less than or equal to the average thickness ( T W - avg ) of the plug-in place window block 32 (see Figures 6 and 8 ). More preferably, the average depth ( D O - avg ) of the counterbore openings satisfies the following relationship.

0.90*T W - avg D O - avg T W - avg 0.90 * T W - avg D O - avg T W - avg

보다 바람직하게는, 카운터보어 개구부의 평균 깊이 (D O - avg )는 하기의 관계를 만족시킨다.More preferably, the average depth ( D O - avg ) of the counterbore openings satisfies the following relationship.

0.95*T W - avg D O - avg < T W - avg 0.95 * T W - avg D O - avg < T W - avg

바람직하게는, 본 발명의 화학적 기계적 연마 패드 (10)에 사용되는 종점 검출창은 플러그 인 플레이스 창 블록 (32)이다. 바람직하게는, 플러그 인 플레이스 창 블록 (32)을 함유하는 화학적 기계적 연마 패드 (10)는 연마 표면 (14), 베이스 표면 (17), 연마 표면 (14)부터 베이스 표면 (17)까지 연마 표면 (14)에 대하여 수직 방향으로 측정된 평균 두께 (T P - avg )를 갖는 연마층 (20), 및 화학적 기계적 연마 패드 (10)의 전체 두께 (T T )를 통해 연장되는 관통 통로 (35)를 확장시키는 연마층 개구부 (37)를 포함하고, 여기서 연마층 개구부 (37)는 연마 표면 (14) 상에서 개방되어 경질층 (25)의 상면 (26)에서, 연마층 개구부 (37)와 관통 통로 (35) 사이의 계면에서, 축 (A)와 평행하고 연마 표면 (14)의 평면 (28)에 대하여 수직인 축 (B)를 따라서 깊이 (D O )의 셸프 (shelf; 55)를 형성한다 (도 1, 4, 6 및 9 참조). 바람직하게는, 셸프 (55)는 연마 표면 (14)과 평행하다. 바람직하게는, 연마층 개구부 (37)는 축 (A)에 평행한 축과 함께 원통형 체적을 한정한다. 바람직하게는, 연마층 개구부 (37)는 비-원통형 체적을 한정한다. 바람직하게는, 플러그 인 플레이스 창 블록 (32)은 연마층 개구부 (37) 내에 배치된다. 바람직하게는, 플러그 인 플레이스 창 블록 (32)은 연마층 개구부 (37) 내에 배치되고 경질층 (25)의 상면 (26)에 부착된다. 바람직하게는, 플러그 인 플레이스 창 블록 (32)은 초음파 용접 및 접착제 중 하나 이상을 하용하여 경질층 (25)의 상면 (26)에 부착된다. 바람직하게는, 축 (A)와 평행하고 연마 표면 (14)의 평면 (28)에 대하여 수직인 축 (B)를 따라서 카운터보어 개구부의 평균 깊이 (D O - avg )는 5 내지 75 밀 (바람직하게는, 10 내지 60 밀; 보다 바람직하게는 15 내지 50 밀; 가장 바람직하게는 20 내지 40 밀)이다. 바람직하게는, 카운터보어 개구부의 평균 깊이 (D O - avg )는 플러그 인 플레이스 창 블록 (32)의 평균 두께 (T W - avg ) 이하이다 (도 6 및 9 참조). 보다 바람직하게는, 카운터보어 개구부의 평균 깊이 (D O - avg )는 하기의 관계를 만족시킨다.Preferably, the endpoint detection window used in the chemical mechanical polishing pad 10 of the present invention is a plug-in place window block 32 . Preferably, the polishing surface to the plug-in-place window chemical mechanical polishing pad 10 containing the block 32 is the polishing surface 14, base surface 17, a polishing surface 14 from the base surface 17 ( an abrasive layer (20), and a chemical mechanical through-passage 35 extending through the entire thickness (T T) of the polishing pad 10 having an avg) - 14), the average thickness (T P measured in a direction perpendicular to the comprising, wherein the polishing layer opening 37 is open on the grinding surface 14 on the upper surface 26 of the hard layer 25, the polishing layer openings 37 and the through-passage to the polishing layer opening 37 to extend ( to form 55,; 35), the shelf (shelf of the plane 28, the depth (D O) along a perpendicular axis (B) with respect to at the interface, the axis (a) and parallel to the polishing surface 14 between 1, 4, 6 and 9 ). Preferably, the shelf 55 is parallel to the polishing surface 14 . Preferably, the abrasive layer opening 37 defines a cylindrical volume with an axis parallel to the axis A. Preferably, the abrasive layer opening 37 defines a non-cylindrical volume. Preferably, the plug-in place window block 32 is disposed within the polishing layer opening 37 . Preferably, the plug-in place window block 32 is disposed in the polishing layer opening 37 and attached to the upper surface 26 of the hard layer 25 . Preferably, the plug-in place window block 32 is attached to the upper surface 26 of the hard layer 25 using at least one of ultrasonic welding and adhesive. Preferably, the average depth ( D O - avg ) of the counterbore openings along the axis B parallel to the axis A and perpendicular to the plane 28 of the polishing surface 14 is between 5 and 75 millimeters (Preferably 10 to 60 mils, more preferably 15 to 50 mils, most preferably 20 to 40 mils). Preferably, the average depth ( D O - avg ) of the counterbore openings is less than or equal to the average thickness ( T W - avg ) of the plug-in place window block 32 (see Figures 6 and 9 ). More preferably, the average depth ( D O - avg ) of the counterbore openings satisfies the following relationship.

0.90*T W - avg D O - avg T W - avg 0.90 * T W - avg D O - avg T W - avg

보다 바람직하게는, 카운터보어 개구부의 평균 깊이 (D O - avg )는 하기의 관계를 만족시킨다.More preferably, the average depth ( D O - avg ) of the counterbore openings satisfies the following relationship.

0.95*T W - avg D O - avg < T W - avg 0.95 * T W - avg D O - avg < T W - avg

본 발명의 일부 실시양태가 이제부터 하기 실시예에서 상세히 설명될 것이다. Some embodiments of the present invention will now be described in detail in the following examples .

실시예Example 1:  One: 연마층의Of the abrasive layer 제조 Produce

주조 폴리우레탄 케이크를 (a) 다관능성 이소시아네이트 (즉, 톨루엔 디이소시아네이트)와 폴리에테르 기재의 폴리올 (즉, 켐투라 코포레이션으로부터 시판되는 아디프렌® LFG740D)의 반응에 의해 수득된 51℃의 이소시아네이트 종결 예비중합체; (b) 116℃의 경화제 (즉, 4,4'-메틸렌-비스-(2-클로로아닐린)); 및 (c) 0.3 중량%의 다수의 미량요소 (즉, 악조 노벨로부터 시판되는 551DE40d42 익스판셀® 미소구체)의 조절 혼합에 의해 제조하였다. 이소시아네이트 종결 예비중합체와 경화제의 비율은, 경화제의 활성 수소 기 (즉, -OH 기와 -NH2 기의 총합) 대 이소시아네이트 종결 예비중합체의 미반응 이소시아네이트 (NCO) 기의 비율로서 정의된 화학량론이 91%이도록 설정하였다. 다수의 미량요소는 경화제의 첨가 전에 이소시아네이트 종결 예비중합체로 혼합 첨가하였다. 그 후에, 다수의 미량요소 및 경화제가 혼입된 이소시아네이트 종결 예비중합체를 고 전단 혼합 헤드를 사용하여 함께 혼합하였다. 혼합 헤드에서 배출된 후에, 조합물을 5분에 걸쳐서, 대략 8 cm (3 인치)의 전체 주입(pour) 두께를 제공하도록, 86.4 cm (34 인치) 직경의 원형 몰드에 분배하였다. 분배된 조합물을 15분 동안 겔화한 후에, 몰드를 경화 오븐에 넣었다. 그 후에, 몰드를 하기 사이클을 이용하여 경화 오븐에서 경화시켰다: 주위 온도부터 104℃까지 30분 구배의 오븐 설정 온도, 이어서 104℃의 오븐 설정 온도에서 15.5시간 동안 유지, 이어서 104℃부터 21℃까지 2시간 구배의 오븐 설정 온도.A cast polyurethane cake was prepared by mixing (a) an isocyanate termination reserve at 51 DEG C obtained by the reaction of a polyfunctional isocyanate (i.e., toluene diisocyanate) with a polyether-based polyol (i.e. Adiprene® LFG740D available from Kemtura Corporation) polymer; (b) a curing agent at 116 占 폚 (i.e., 4,4'-methylene-bis- (2-chloroaniline)); And (c) 0.3% by weight of trace elements (i. E., 551 DE40d42Excelcel microspheres available from Akzo Nobel). The ratio of the isocyanate terminated prepolymer to the curing agent is such that the stoichiometry defined as the ratio of the active hydrogen group of the curing agent (i.e., the sum of the -OH group and the -NH 2 group) to the unreacted isocyanate (NCO) group of the isocyanate terminated prepolymer is 91 %. A number of trace elements were mixed with an isocyanate terminated prepolymer prior to addition of the curing agent. Thereafter, the isocyanate terminated prepolymers incorporating a large number of trace elements and curing agents were mixed together using a high shear mixing head. After being discharged from the mixing head, the combination was dispensed over a period of 5 minutes into a circular mold having a diameter of 86.4 cm (34 inches) to provide a total pour thickness of approximately 8 cm (3 inches). After the dispensed combination was gelled for 15 minutes, the mold was placed in a curing oven. The mold was then cured in a curing oven using the following cycle: oven set temperature of 30 minutes gradient from ambient temperature to 104 캜, followed by 15.5 hours at an oven set temperature of 104 캜, then from 104 캜 to 21 캜 Oven setting temperature of 2 hour gradient.

후속적으로, 경화된 폴리우레탄 케이크를 몰드로부터 제거하고 30 내지 80℃의 온도에서 2.0 mm (80 밀)의 평균 두께 (T P - avg )를 갖는 복수 개의 연마층으로 스카이빙(skived) 가공 (회전 블레이드를 사용하여 절삭)하였다. 스카이빙 가공은 각 케이크의 상단에서부터 개시하였다. Subsequently, the cured polyurethane cake was removed from the mold and skived with a plurality of abrasive layers having an average thickness ( T P - avg ) of 2.0 mm (80 mils) at a temperature of 30 to 80 ° C Cutting with a rotating blade). The skiving process was started from the top of each cake.

연마층Abrasive layer 성질의 분석 Analysis of properties

실시예 1에 따라 제조된, 그루브를 갖지 않는 연마층 물질을 분석하여 표 1에 보고된 물리적 성질을 측정하였다. 보고된 비중은 ASTM D1622에 따라 순수한 물과 비교하여 측정된 것이고; 보고된 쇼어 D 경도는 ASTM D2240에 따라 측정된 것임을 주목한다. The abrasive layer material having no grooves prepared according to Example 1 was analyzed and the physical properties reported in Table 1 were measured. The reported specific gravity was measured in comparison with pure water according to ASTM D1622; Note that the reported Shore D hardness is measured in accordance with ASTM D2240.

연마층의 인장 성질 (즉, 인장 강도 중앙값, 파단 연신율 중앙값, 탄성률 중앙값, 인성)을 ASTM D412에 따라, 엠티에스 시스템즈 코포레이션(MTS Systems Corporation)으로부터 입수가능한 얼라이언스(Alliance) RT/5 기계 테스트기를 사용하여, 50.8 cm/분의 크로스헤드 속도로 측정하였다. 모든 테스트를 23℃ 및 50%의 상대 습도로 설정된 온도 및 습도 제어 실험실에서 수행하였다. 모든 테스트 샘플을 언급된 실험실 조건하에서 5일 동안 컨디셔닝한 후에, 테스트를 수행하였다. 연마층 물질의 보고된 인장 강도 중앙값 (MPa) 및 파단 연신율 중앙값 (%)은 5개의 복제 샘플의 응력-변형 곡선으로부터 결정되었다.The tensile properties of the abrasive layer (i.e., median tensile strength, median elongation at break, median modulus, toughness) were measured using an Alliance RT / 5 mechanical tester, available from MTS Systems Corporation, according to ASTM D412 And measured at a crosshead speed of 50.8 cm / min. All tests were performed in a temperature and humidity controlled laboratory set at 23 &lt; 0 &gt; C and 50% relative humidity. After all the test samples were conditioned for 5 days under the mentioned laboratory conditions, the tests were performed. The reported tensile strength median (MPa) and fracture elongation median (%) of the abrasive layer material were determined from the stress-strain curves of the five replicate samples.

연마층 물질의 저장 탄성률 (G') 및 손실 탄성률 (G")을 ASTM D5279-08에 따라 비틀림 고정구를 갖는 티에이 인스트루먼츠(TA Instruments) ARES 레오미터(Rheometer)를 사용하여 측정하였다. 저온 온도 제어를 위해 장치에 연결된 액체 질소를 사용하였다. 샘플의 선형 점탄성 반응을 10 rad/초 (1.59 Hz)의 테스트 빈도로, -100℃부터 200℃까지 3℃/분의 온도 구배로 측정하였다. 테스트 샘플을 인두스코(Indusco) 유압식 스윙암(swing arm) 절삭기에서 47.5 mm x 7 mm의 다이를 사용하여 연마층으로부터 스탬핑(stamped)하고, 이어서 가위를 사용하여 대략 35 mm의 길이로 절단하였다.The storage modulus (G ') and loss modulus (G ") of the abrasive layer materials were measured using a TA Instruments ARES Rheometer with a torsion fastener according to ASTM D5279-08. The linear viscoelastic response of the sample was measured at a test frequency of 10 rad / s (1.59 Hz) and at a temperature gradient of 3 DEG C / min from -100 DEG C to 200 DEG C. The test sample Was stamped from the abrasive layer using a 47.5 mm x 7 mm die on an Indusco hydraulic swing arm cutter and then cut to length of approximately 35 mm using scissors.

Figure pat00001
Figure pat00001

가수분해 안정성 분석Analysis of Hydrolysis Stability

다음으로, 실시예 1에 따라 제조된, 그루브를 갖지 않는 연마층 물질을 분석하여 상기 물질이 초기 가수분해 안정성 및 장기 가수분해 불안정성을 나타내는지를 측정하였다. 3개의 시판되는 연마층 물질 또한 분석하였다 (즉, 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼즈 씨엠피 인크.로부터 입수가능한, IC1000™ 연마층 물질; 비젼패드(VisionPad)™ 3100 연마층 물질 및 비젼패드™ 연마층 물질). 시판되는 연마층 물질에 대한 상업적 패드 규격은 표 2에 제공되어 있다. 구체적으로, 각각 2 mm 두께의 연마층 물질의 1.5" x 1.5" 샘플을 초기에 캘리퍼(caliper)를 사용하여 1.5"의 양쪽 치수 (즉, x 및 y 치수)를 따라 측정하였다. 그 후에, 샘플을 25℃의 탈이온수에 침지시켰다. 샘플을 24시간의 침지 및 7일의 침지 후에, 캘리퍼를 사용하여 x 및 y 치수를 따라 다시 측정하였다. 상기 측정의 결과가 표 3에 제공되어 있다. Next, the abrasive layer material having no grooves prepared according to Example 1 was analyzed to determine whether the material exhibited initial hydrolysis stability and organ hydrolysis instability. Three commercially available abrasive layer materials were also analyzed (i. E., IC1000 ™ abrasive layer material available from Rohm and Haas Electronic Materials, Inc., Cincinnati, Ohio; VisionPad ™ 3100 abrasive layer material and VisionPad ™ abrasive layer material). Commercial pad specifications for commercially available abrasive layer materials are provided in Table 2 . Specifically, a 1.5 "x 1.5" sample of each 2 mm thick abrasive layer material was initially measured along both dimensions (ie, x and y dimensions) of 1.5 "using a caliper. was immersed in the deionized water of 25 ℃. after the sample was immersed for 24 hours and 7 days of immersion, it was again measured along the x and y dimensions using calipers. the results of the measurements are given in Table 3.

Figure pat00002
Figure pat00002

Figure pat00003
Figure pat00003

Claims (10)

연마 표면, 베이스 표면 및 연마 표면부터 베이스 표면까지 연마 표면에 대하여 수직 방향으로 측정된 평균 두께 (T P-avg )를 갖는 연마층;
상면 및 하면을 갖는 경질층;
연마층의 베이스 표면과 경질층의 상면 사이에 개재되고, 연마층을 경질층에 결합시키는 핫멜트(hot melt) 접착제;
적층면 및 정반면(platen side)을 갖는 감압성(pressure sensitive) 정반 접착제 층 - 감압성 정반 접착제 층의 적층면은 경질층의 하면에 인접해 있음 - ; 및
임의로, 감압성 정반 접착제 층의 정반면 상에 배치되는 박리 라이너
를 포함하고,
여기서, 연마층은 주조 폴리우레탄이고, 주조 폴리우레탄은
(a) (i) 다관능성 이소시아네이트; 및
(ii) 폴리에테르 기재의 폴리올
의 반응에 의해 수득되고, 8 내지 9.5 중량%의 미반응 NCO를 갖는 이소시아네이트 종결 예비중합체;
(b) 경화제 폴리아민, 경화제 폴리올, 경화제 알콜아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 경화제; 및
임의로 (c) 다수의 미량요소
를 포함하는 성분들의 반응 생성물이고;
연마층은 0.6 초과의 비중; 60 내지 90의 쇼어(Shore) D 경도; 및 100 내지 300%의 파단 연신율을 나타내고;
연마층은 25℃에서 24시간 동안 탈이온수에의 침지 후에 연마층 샘플의 선형 치수가 1% 미만만큼 변화하는 초기 가수분해 안정성을 나타내고;
연마층은 25℃에서 7일 동안 탈이온수에의 침지 후에 연마층 샘플의 선형 치수가 1.75% 이상만큼 변화하는 장기 가수분해 불안정성(sustained hydrolytic instability)을 나타내는, 화학적 기계적 연마 패드.
An abrasive layer having an average thickness ( T P-avg ) measured in a direction perpendicular to the polishing surface from the polishing surface, the base surface and the polishing surface to the base surface;
A hard layer having an upper surface and a lower surface;
A hot melt adhesive interposed between the base surface of the abrasive layer and the upper surface of the hard layer and bonding the abrasive layer to the hard layer;
A pressure sensitive platen layer having a laminate surface and a platen side, the laminate surface of the pressure-sensitive platen adhesive layer being adjacent to a lower surface of the hard layer; And
Optionally, the release liner disposed on the positive side of the pressure-
Lt; / RTI &gt;
Here, the abrasive layer is a cast polyurethane, and the cast polyurethane
(a) (i) a multifunctional isocyanate; And
(ii) a polyether-based polyol
An isocyanate terminated prepolymer obtained by reaction of 8 to 9.5% by weight of unreacted NCO;
(b) a curing agent selected from the group consisting of a curing agent polyamine, a curing agent polyol, a curing agent alcohol amine, and mixtures thereof; And
Optionally (c) a plurality of trace elements
The reaction product of the components comprising;
The abrasive layer has a specific gravity of greater than 0.6; A Shore D hardness of 60 to 90; And a breaking elongation of 100 to 300%;
The abrasive layer exhibits an initial hydrolytic stability at which the linear dimension of the abrasive layer sample changes by less than 1% after immersion in deionized water at 25 占 폚 for 24 hours;
Wherein the abrasive layer exhibits sustained hydrolytic instability with linear dimensions of the abrasive layer sample varying by greater than or equal to 1.75% after immersion in deionized water for 7 days at &lt; RTI ID = 0.0 &gt; 25 C. &lt; / RTI &gt;
제1항에 있어서, 경화제 및 이소시아네이트 종결 예비중합체가 80 내지 95% 미만의 OH 또는 NH2 대 미반응 NCO의 화학량론비를 갖는 화학적 기계적 연마 패드.The chemical mechanical polishing pad of claim 1, wherein the curing agent and the isocyanate terminated prepolymer have a stoichiometric ratio of OH or NH 2 to unreacted NCO of less than 80 to 95%. 제1항에 있어서, 경질층의 상면 및 하면이 그루브를 갖지 않는(ungrooved) 화학적 기계적 연마 패드.The chemical mechanical polishing pad of claim 1, wherein the upper and lower surfaces of the hard layer are ungrooved. 제1항에 있어서, 경질층이 2,500 내지 7,500 MPa의 영률(Young's Modulus)을 갖는 화학적 기계적 연마 패드.The chemical mechanical polishing pad of claim 1, wherein the hard layer has a Young's Modulus of 2,500 to 7,500 MPa. 제2항에 있어서, 경질층이 이축 연신 폴리에틸렌 테레프탈레이트로 제조되고; 경질층이 6 내지 15 밀(mil)의 평균 두께를 가지며; 경질층이 3,000 내지 7,000 MPa의 영률을 나타내는 화학적 기계적 연마 패드.3. The method of claim 2, wherein the hard layer is made of biaxially stretched polyethylene terephthalate; The hard layer has an average thickness of 6 to 15 mils; Wherein the hard layer exhibits a Young's modulus of from 3,000 to 7,000 MPa. 제5항에 있어서, 주조 폴리우레탄이 (a) (i) 다관능성 이소시아네이트; 및 (ii) 폴리에테르 기재의 폴리올의 반응에 의해 수득되고; 8.7 중량% 초과 내지 9 중량%의 미반응 NCO를 갖는 이소시아네이트 종결 예비중합체; (b) 경화제 폴리아민인 경화제; 및 (c) 다수의 미량요소를 포함하는 성분들의 반응 생성물이고; 연마층이 0.6 초과의 비중; 61 내지 75의 쇼어 D 경도; 및 100 내지 200%의 파단 연신율을 나타내는 화학적 기계적 연마 패드.6. The composition of claim 5, wherein the cast polyurethane comprises: (a) (i) a multifunctional isocyanate; And (ii) a polyether-based polyol; An isocyanate terminated prepolymer having greater than 8.7 wt% to 9 wt% unreacted NCO; (b) a curing agent which is a curing agent polyamine; And (c) a reaction product of components comprising a plurality of trace elements; The specific gravity of the abrasive layer exceeding 0.6; A Shore D hardness of 61 to 75; And a fracture elongation of 100 to 200%. 제6항에 있어서, 종점 검출창(endpoint detection window)을 추가로 포함하는 화학적 기계적 연마 패드.7. The chemical mechanical polishing pad of claim 6, further comprising an endpoint detection window. 제7항에 있어서, 종점 검출창이 일체형 창인 화학적 기계적 연마 패드.The chemical mechanical polishing pad according to claim 7, wherein the end point detection window is an integral window. 제7항에 있어서, 종점 검출창이 플러그 인 플레이스 창(plug in place window)인 화학적 기계적 연마 패드.8. The chemical mechanical polishing pad of claim 7, wherein the endpoint detection window is a plug in place window. 자기 기판, 광학 기판 및 반도체 기판 중 하나 이상으로부터 선택된 기판을 제공하고;
제1항에 따른 화학적 기계적 연마 패드를 제공하고;
연마층의 연마 표면과 기판 사이에 동적 접촉을 초래하여 기판의 표면을 연마하고;
연마 표면을 연마 컨디셔너(abrasive conditioner)로 컨디셔닝하는 것
을 포함하는, 기판의 연마 방법.
Providing a substrate selected from one or more of a magnetic substrate, an optical substrate, and a semiconductor substrate;
Providing a chemical mechanical polishing pad according to claim 1;
Polishing the surface of the substrate by causing dynamic contact between the polishing surface of the polishing layer and the substrate;
Conditioning the abrasive surface with an abrasive conditioner
And polishing the substrate.
KR20140112165A 2013-08-30 2014-08-27 Chemical mechanical polishing pad KR20150026903A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/014,468 US20150065013A1 (en) 2013-08-30 2013-08-30 Chemical mechanical polishing pad
US14/014,468 2013-08-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150026903A true KR20150026903A (en) 2015-03-11

Family

ID=52470533

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20140112165A KR20150026903A (en) 2013-08-30 2014-08-27 Chemical mechanical polishing pad

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20150065013A1 (en)
JP (1) JP2015047691A (en)
KR (1) KR20150026903A (en)
CN (1) CN104416452B (en)
DE (1) DE102014012353A1 (en)
FR (1) FR3009988A1 (en)
TW (1) TW201522406A (en)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9421666B2 (en) * 2013-11-04 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad having abrasives therein
US9216489B2 (en) * 2014-03-28 2015-12-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window
US20150306731A1 (en) * 2014-04-25 2015-10-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US9314897B2 (en) * 2014-04-29 2016-04-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window
TWI626117B (en) * 2017-01-19 2018-06-11 智勝科技股份有限公司 Polishing pad and polishing method
KR101835090B1 (en) * 2017-05-29 2018-03-06 에스케이씨 주식회사 Porous polyurethane polishing pad and method preparing semiconductor device by using the same
KR101945878B1 (en) * 2017-07-11 2019-02-11 에스케이씨 주식회사 Polishing pad comprising window having similar hardness with polishing layer
US10464187B2 (en) * 2017-12-01 2019-11-05 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. High removal rate chemical mechanical polishing pads from amine initiated polyol containing curatives
KR102345784B1 (en) * 2019-07-10 2022-01-03 에프엔에스테크 주식회사 High-hardness polishing pad for polishing the backside of wafer
KR102526513B1 (en) * 2021-05-26 2023-04-26 에스케이엔펄스 주식회사 Adhesive film for polishing pad, laminated polishing pad comprising the same and method of polishing a wafer
WO2023190428A1 (en) * 2022-03-29 2023-10-05 富士紡ホールディングス株式会社 Polishing pad, method for producing polishing pad, and method for polishing surface of optical material or semiconductor material
US20230390970A1 (en) * 2022-06-02 2023-12-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of making low specific gravity polishing pads

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7101275B2 (en) * 2003-09-26 2006-09-05 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Resilient polishing pad for chemical mechanical polishing
US20050171224A1 (en) * 2004-02-03 2005-08-04 Kulp Mary J. Polyurethane polishing pad
US20060089095A1 (en) * 2004-10-27 2006-04-27 Swisher Robert G Polyurethane urea polishing pad
US7569268B2 (en) * 2007-01-29 2009-08-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US8083570B2 (en) * 2008-10-17 2011-12-27 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad having sealed window
US8512427B2 (en) * 2011-09-29 2013-08-20 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Acrylate polyurethane chemical mechanical polishing layer

Also Published As

Publication number Publication date
FR3009988A1 (en) 2015-03-06
JP2015047691A (en) 2015-03-16
US20150065013A1 (en) 2015-03-05
CN104416452B (en) 2017-07-07
DE102014012353A1 (en) 2015-03-05
TW201522406A (en) 2015-06-16
CN104416452A (en) 2015-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20150026903A (en) Chemical mechanical polishing pad
TWI630066B (en) A method of chemical mechanical polishing a substrate
KR102449539B1 (en) Chemical mechanical polishing layer formulation with conditioning tolerance
JP6487249B2 (en) Chemical mechanical polishing pad having polishing layer and window
KR102195526B1 (en) Soft and conditionable chemical mechanical window polishing pad
KR102208278B1 (en) Multilayer chemical mechanical polishing pad stack with soft and conditionable polishing layer
KR20160000855A (en) Chemical mechanical polishing method
JP6538397B2 (en) Soft and conditioned windowed chemical mechanical polishing pad
TW201605919A (en) Chemical mechanical polishing pad
KR101092944B1 (en) polishing pad
KR20140141490A (en) Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad stack
TWI480942B (en) Polishing pad
JP5797981B2 (en) Polishing pad
JP2004297061A (en) Polishing pad and method of manufacturing semiconductor device
JP2004297062A (en) Polishing pad and method of manufacturing semiconductor device
WO2016052155A1 (en) Abrasive pad
WO2023182392A1 (en) Polishing pad and method for manufacturing polished workpiece
WO2022210264A1 (en) Polishing pad and method for manufacturing polished workpiece
JP2022155532A (en) Abrasive pad and polished product manufacturing method
CN117120213A (en) Polishing pad and method for producing polished product

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid