KR102345784B1 - High-hardness polishing pad for polishing the backside of wafer - Google Patents
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Abstract
본원은, 연마층을 포함하는 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드에 관한 것이다.The present application relates to a high hardness polishing pad for polishing the rear surface of a wafer including a polishing layer.
Description
본원은, 연마층을 포함하는 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드에 관한 것이다.The present application relates to a high hardness polishing pad for polishing the rear surface of a wafer including a polishing layer.
반도체 제조공정은 초기 웨이퍼 제조-회로설계-마스크 제작-웨이퍼 가공-칩조립의 순서로 이루어 진다. 이 중 웨이퍼 가공은 웨이퍼에 회로를 구성하기 위한 일련의 공정으로서 확산, 포토, 식각, 증착, 이온주입, 연마 등의 세부공정으로 구성된다. 상기 증착(deposition) 공정은 화학적 반응 또는 물리적인 방법으로 전도성 또는 절연성 박막을 형성시키는 공정으로서, 웨이퍼의 전면뿐만 아니라 후면에서도 수행되며 이 때 미세입자 또는 기타 불순물이 웨이퍼 후면에 발생할 수 있으며, 발생된 미세입자 기타 불순물은 상기 포토 공정 및/또는 칩 조립 공정에서의 증착 공정에서 불량을 야기할 수 있다. 구체적으로, 웨이퍼 후면에 존재하는 미세입자를 비롯한 불순물이 존재하면 이후 웨이퍼를 노광 장비의 척(churk) 상에 장착할 때 국부적인 높이 차이가 발생하여 연마 공정에서 패터닝 디포커스(patterning defocus)가 발생할 수 있고, 불량 웨이퍼가 제조될 수 있다.The semiconductor manufacturing process consists of initial wafer manufacturing - circuit design - mask manufacturing - wafer processing - chip assembly. Among them, wafer processing is a series of processes for forming circuits on the wafer, and consists of detailed processes such as diffusion, photo, etching, deposition, ion implantation, and polishing. The deposition process is a process of forming a conductive or insulating thin film by a chemical reaction or a physical method, and is performed not only on the front surface of the wafer but also on the rear surface. Fine particles and other impurities may cause defects in the deposition process in the photo process and/or the chip assembly process. Specifically, if impurities including fine particles present on the back side of the wafer are present, a local height difference occurs when the wafer is subsequently mounted on the chuck of the exposure equipment, resulting in patterning defocus in the polishing process. and defective wafers may be manufactured.
따라서, 포토 공정 이후에 후면 연마공정이 필요한 실정이나, 종래 기술의 후면 연마용 연마패드는 웨이퍼 전면 연마용 연마패도와 구분없이 사용되어 경도가 비교적 작으므로 불순물과의 마찰에 의해 내구성이 떨어지고 불순물 제거율이 떨어지는 문제가 있으며, 불순물 제거에 최적화된 그루브 간격을 개시하지 않아서 불순물 제거에 효율적이지 않았다. Therefore, the rear surface polishing process is required after the photo process, but the prior art rear surface polishing pad is used regardless of the wafer front polishing pad and has a relatively small hardness, so durability is reduced due to friction with impurities and the impurity removal rate is reduced There is a problem of this drop, and the groove interval optimized for removing impurities is not disclosed, so it is not efficient for removing impurities.
본원은, 연마층을 포함하는 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드로서, 상기 연마층은 연마면 내에 요철 단위 격자를 갖는 것이고, 상기 연마층의 경도는 60 쇼어D 내지 90 쇼어D인, 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드을 제공하고자 한다.The present application provides a high hardness polishing pad for polishing the rear surface of a wafer including a polishing layer, wherein the polishing layer has an uneven unit lattice in the polishing surface, and the hardness of the polishing layer is 60 Shore D to 90 Shore D, Wafer rear polishing An object of the present invention is to provide a high hardness polishing pad for use.
그러나, 본원이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the problems to be solved by the present application are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본원의 제 1 측면은, 연마층을 포함하는 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드로서, 상기 연마층은 연마면 내에 요철 단위 격자를 갖는 것이고, 상기 연마층의 경도는 60 쇼어D 내지 90 쇼어D인, 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드를 제공한다.A first aspect of the present application is a high hardness polishing pad for polishing the rear surface of a wafer including a polishing layer, wherein the polishing layer has an uneven unit grid in the polishing surface, and the hardness of the polishing layer is 60 Shore D to 90 Shore D , To provide a high hardness polishing pad for polishing the back side of the wafer.
본원의 제 2 측면은, 우레탄계 프리폴리머 및 경화제을 포함하는 혼합물을 몰드 내에 주입하여 성형하고, 상기 성형된 혼합물을 경화시켜 패드를 형성하고, 상기 패드상에 요철 단위 격자를 형성하는 것을 포함하는, 제 1 측면에 따른 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드의 제조 방법을 제공한다.A second aspect of the present application comprises injecting a mixture including a urethane-based prepolymer and a curing agent into a mold to form a pad, curing the molded mixture to form a pad, and forming an uneven unit grid on the pad, the first There is provided a method for manufacturing a high hardness polishing pad for polishing a wafer rear surface according to a side surface.
본원의 구현예들에 따른 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드는, 웨이퍼 후면 연마에 최적화되도록 설계된 요철 단위 격자를 포함함에 따라 볼록부와 웨이퍼 후면에 부착된 불순물의 마찰 빈도가 증가되고, 슬러리의 유입과 배출이 원활할 뿐만 아니라 오목부 및 볼록부에 슬러리를 균일하게 공급하여 불순물의 제거 효과가 우수하다.The high hardness polishing pad for polishing the back side of the wafer according to the embodiments of the present application includes the concave-convex unit grid designed to be optimized for polishing the back side of the wafer, so that the friction frequency between the convex part and the impurities attached to the back side of the wafer is increased, and the inflow of the slurry Not only is the excess discharge smooth, but the slurry is uniformly supplied to the concave and convex parts, so the effect of removing impurities is excellent.
웨이퍼 전면 연마용 연마패드는 40 쇼어D 내지 65 쇼어D의 경도를 가지므로 웨이퍼 후면 연마에 부적합한 문제가 있으나, 본원의 구현예들에 따른 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드의 경도는 웨이퍼 전면 연마용 연마패드의 경도에 비해 크므로, 웨이퍼 후면에 부착된 불순물의 제거에 효과적이고 내구성이 우수하여 장기간 사용에 유리한 효과가 있다. 또한, 본원의 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드는 불순물과의 마찰에 의한 연마층 파괴를 예방할 수 있는 이점이 있으므로, 웨이퍼 전면 연마용 연마패드가 웨이퍼 후면 연마에 사용되어 불량 웨이퍼가 발생되었던 종래 기술의 문제점을 개선할 수 있는 효과가 있다.The polishing pad for wafer front polishing has a hardness of 40 Shore D to 65 Shore D, so there is a problem that is unsuitable for polishing the back side of the wafer. Since it is large compared to the hardness of the polishing pad, it is effective in removing impurities attached to the back side of the wafer and has excellent durability, which is advantageous for long-term use. In addition, since the high hardness polishing pad for polishing the rear surface of the wafer of the present application has the advantage of preventing the destruction of the polishing layer due to friction with impurities, the polishing pad for polishing the front surface of the wafer is used for polishing the rear surface of the wafer, resulting in defective wafers. has the effect of ameliorating the problems of
본원의 구현예들에 따른 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드는, 연마층의 표면 및 내부에 기공을 포함하지 않으므로 경도가 크고 불순물 제거에 유리하며 연마 공정 이후 컨디셔닝(conditioning) 공정을 추가 수행할 필요가 없어 공정 단계를 줄이고 제조 비용을 절약할 수 있는 이점이 있다. 구체적으로, 웨이퍼 전면 연마용 연마패드는 웨이퍼 전면에 스크래치를 발생시키지 않기 위해 경도를 작게하고, 대신 연마 효율을 높이기 위해 기공이 포함되도록 한다. 다만, 연마패드에 기공이 포함되는 경우 연마 공정 이후 기공 사이에 존재하는 연마 잔여물을 제거하기 위해 컨디셔닝 공정을 추가로 수행하여야 한다. 또한, 기공을 포함하는 경우에는 경도가 추가적으로 작아질 수 있으므로 웨이퍼 후면에 부착된 불순물을 제거에 비효율적이다. 따라서 본원의 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드는 연마층의 표면 및 내부에 기공을 포함하지 않으므로 경도가 크고 불순물 제거에 유리하며, 컨디셔닝 공정을 추가로 수행할 필요가 없어 공정 단계를 줄이고 제조 비용을 절약할 수 있는 이점이 있다. 아울러, 본원의 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드는 컨디셔닝 공정을 추가로 수행해도 무방하므로, 컨디셔닝 공정의 유무를 자유롭게 조절할 수 있는 추가의 이점이 있다.The high hardness polishing pad for polishing the rear surface of the wafer according to the embodiments of the present application does not include pores on the surface and inside of the polishing layer, so it has a high hardness and is advantageous for removing impurities. This has the advantage of reducing process steps and saving manufacturing costs. Specifically, the polishing pad for polishing the front surface of the wafer has a small hardness so as not to cause scratches on the front surface of the wafer, and instead, pores are included to increase polishing efficiency. However, when the polishing pad includes pores, a conditioning process must be additionally performed to remove the polishing residue existing between the pores after the polishing process. In addition, in the case of including pores, the hardness may be further reduced, so it is inefficient to remove impurities attached to the back surface of the wafer. Therefore, the high hardness polishing pad for polishing the back side of the wafer of the present application does not contain pores on the surface and inside of the polishing layer, so it has a high hardness and is advantageous for removing impurities. There are benefits to saving. In addition, since the high hardness polishing pad for polishing the rear surface of the wafer of the present application may additionally perform a conditioning process, there is an additional advantage of freely controlling the presence or absence of the conditioning process.
도 1은, 본원의 일 구현예에 따른 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드의 요철 단위 격자를 나타내는 사진이다.
도 2는, 본원의 일 구현예에 따른 동심을 갖는 육각형의 볼록부를 포함하는 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드(도 2의 a) 및 육각형의 섬 형태의 볼록부를 포함하는 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드(도 2의 b)를 나타내는 개략도이다.
도 3은, 본원의 일 구현예에 따른 동심을 갖는 삼각형의 볼록부를 포함하는 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드(도 3의 a) 및 삼각형의 섬 형태의 볼록부를 포함하는 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드(도 3의 b)를 나타내는 개략도이다.
도 4는, 본원의 일 구현예에 따른 동심을 갖는 사각형의 볼록부를 포함하는 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드(도 4의 a) 및 사각형의 섬 형태의 볼록부를 포함하는 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드(도 4의 b)를 나타내는 개략도이다.1 is a photograph showing an uneven unit lattice of a high hardness polishing pad for polishing the rear surface of a wafer according to an exemplary embodiment of the present application.
2 is a high hardness polishing pad for polishing the rear surface of a wafer including a concentric hexagonal convex portion according to an embodiment of the present application (FIG. 2a) and a wafer rear polishing including a hexagonal island-shaped convex portion. It is a schematic diagram showing a polishing pad (FIG. 2b).
3 is a high hardness polishing pad for polishing the rear surface of a wafer including a concentric triangular convex portion according to an embodiment of the present application (FIG. 3 a) and a high hardness for wafer rear polishing including a triangular island-shaped convex portion It is a schematic diagram showing a polishing pad (FIG. 3b).
4 is a high hardness polishing pad for polishing the rear surface of a wafer including a concentric rectangular convex portion according to an embodiment of the present application (FIG. 4 a) and a high hardness for wafer rear polishing including a rectangular island-shaped convex portion It is a schematic diagram showing a polishing pad (FIG. 4b).
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 구현예 및 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예 및 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments and examples of the present invention will be described in detail so that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily carry out. However, the present application may be embodied in several different forms and is not limited to the embodiments and examples described herein. And in order to clearly explain the present invention in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and similar reference numerals are attached to similar parts throughout the specification.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. Throughout this specification, when a part is "connected" with another part, this includes not only the case where it is "directly connected" but also the case where it is "electrically connected" with another element interposed therebetween. do.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when a member is said to be located “on” another member, this includes not only a case in which a member is in contact with another member but also a case in which another member is present between the two members.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout this specification, when a part "includes" a certain element, it means that other elements may be further included, rather than excluding other elements, unless otherwise stated.
본 명세서에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. As used herein, the terms "about," "substantially," and the like are used in a sense at or close to the numerical value when the manufacturing and material tolerances inherent in the stated meaning are presented, and to aid in the understanding of the present application. It is used to prevent an unconscionable infringer from using the mentioned disclosure in an unreasonable way.
본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 “~ 하는 단계” 또는 “~의 단계”는 “~를 위한 단계”를 의미하지 않는다.As used throughout this specification, the term “step of doing” or “step of” does not mean “step for”.
본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 "이들의 조합(들)"의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.Throughout this specification, the term "combination(s) of these" included in the expression of the Markush form means one or more mixtures or combinations selected from the group consisting of the components described in the expression of the Markush form, It means to include one or more selected from the group consisting of the above components.
본원 명세서 전체에서, "A 및/또는 B"의 기재는, "A 또는 B, 또는 A 및 B"를 의미한다.Throughout this specification, reference to “A and/or B” means “A or B, or A and B”.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본원의 구현예 및 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본원이 이러한 구현예 및 실시예와 도면에 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments and examples of the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present application is not limited to these embodiments and examples and drawings.
본원의 제 1 측면은, 연마층을 포함하는 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드로서, 상기 연마층은 연마면 내에 요철 단위 격자를 갖는 것이고, 상기 연마층의 경도는 60 쇼어D 내지 90 쇼어D인, 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드를 제공한다.A first aspect of the present application is a high hardness polishing pad for polishing the rear surface of a wafer including a polishing layer, wherein the polishing layer has an uneven unit grid in the polishing surface, and the hardness of the polishing layer is 60 Shore D to 90 Shore D , To provide a high hardness polishing pad for polishing the back side of the wafer.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 연마층의 경도는 약 60 쇼어D 내지 약 90 쇼어D, 약 65 쇼어D 내지 약 90 쇼어D, 약 70 쇼어D 내지 약 90 쇼어D, 약 75 쇼어D 내지 약 90 쇼어D 또는 약 80 쇼어D 내지 9약 0 쇼어D일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 구체적으로, 본원의 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드의 경도는 웨이퍼 전면 연마용 연마패드의 경도(약 40 쇼어D 내지 약 65 쇼어D)에 비해 크므로, 웨이퍼 후면에 부착된 불순물의 제거에 효과적이고 내구성이 우수하여 장기간 사용에 유리한 효과가 있다. 또한, 본원의 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드는 불순물과의 마찰에 의한 연마층 파괴를 예방할 수 있는 이점이 있으므로, 웨이퍼 전면 연마용 연마패드가 웨이퍼 후면 연마에 사용되어 불량 웨이퍼가 발생되었던 종래 기술의 문제점을 개선할 수 있는 효과가 있다.In one embodiment of the present application, the hardness of the abrasive layer is from about 60 shore D to about 90 shore D, from about 65 shore D to about 90 shore D, from about 70 shore D to about 90 shore D, from about 75 shore D to about 90 Shore D or about 80 Shore D to 9 about 0 Shore D, but is not limited thereto. Specifically, since the hardness of the high hardness polishing pad for polishing the rear surface of the wafer of the present application is greater than the hardness (about 40 shore D to about 65 shore D) of the polishing pad for polishing the front surface of the wafer, it is effective in removing impurities attached to the rear surface of the wafer It is durable and has a beneficial effect for long-term use. In addition, since the high hardness polishing pad for polishing the rear surface of the wafer of the present application has the advantage of preventing the destruction of the polishing layer due to friction with impurities, the polishing pad for polishing the front surface of the wafer is used for polishing the rear surface of the wafer, resulting in defective wafers. has the effect of ameliorating the problems of
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 요철 단위 격자는 복수 개이고, 상기 요철 단위 격자의 폭은 약 2 mm 이하일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 구체적으로, 상기 요철 단위 격자의 폭은 약 2 mm 이하, 약 1.5 mm 이하, 약 1.0 mm 이하 또는 약 0.5 mm 이하일 수 있다. 종래 기술의 연마패드는 그루브의 간격이 약 2 mm 내지 약 3 mm 정도이므로 웨이퍼 후면 연마용으로 사용시 불순물 제거 효과가 미미하였다. 반면 본원의 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드는 웨이퍼 후면 연마에 최적화되도록 2 mm 이하의 폭으로 촘촘한 요철 단위 격자로 설계되므로, 볼록부와 웨이퍼 후면에 부착된 불순물의 마찰 빈도가 증가하고, 슬러리의 유입과 배출을 원활하게 할 뿐만 아니라 오목부 및 볼록부에 균일하게 슬러리를 공급하여 불순물의 제거 효과가 우수하다.In the exemplary embodiment of the present disclosure, the number of the concave-convex unit grids may be plural, and the width of the concave-convex unit grids may be about 2 mm or less, but is not limited thereto. Specifically, the width of the concave-convex unit grid may be about 2 mm or less, about 1.5 mm or less, about 1.0 mm or less, or about 0.5 mm or less. Since the prior art polishing pad has a groove interval of about 2 mm to about 3 mm, the impurity removal effect is insignificant when used for polishing the rear surface of a wafer. On the other hand, the high hardness polishing pad for polishing the back side of the wafer of the present application is designed as a dense concave-convex unit grid with a width of 2 mm or less to optimize for polishing the back side of the wafer. It not only facilitates inflow and discharge, but also supplies the slurry uniformly to the concave and convex parts, so that the effect of removing impurities is excellent.
도 1을 참조하면, 본원의 일 구현예에 따른 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드의 연마면에서 상기 요철 단위 격자는 오목부와 볼록부를 포함하도록 설계되고, 상기 오목부와 볼록부를 포함한 요철 단위 격자의 폭은 2 mm일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 또한, 상기 요철 단위 격자가 연마면 상에 복수 개가 존재할 수 있다.Referring to FIG. 1 , in the polishing surface of the high hardness polishing pad for polishing the rear surface of a wafer according to an embodiment of the present application, the concave-convex unit grid is designed to include concave and convex portions, and the concave-convex unit grid including the concave and convex portions may have a width of 2 mm, but is not limited thereto. In addition, a plurality of the concave-convex unit grids may be present on the polishing surface.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 요철 단위 격자에서 오목부의 폭이 약 1 mm 이하일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 구체적으로, 상기 요철 단위 격자에서 오목부의 폭이 약 1 mm 이하, 약 0.8 mm 이하, 약 0.6 mm 이하 또는 약 0.4 mm 이하일 수 있다.In one embodiment of the present application, the width of the concave portion in the concave-convex unit grid may be about 1 mm or less, but is not limited thereto. Specifically, the width of the concave portion in the concave-convex unit grid may be about 1 mm or less, about 0.8 mm or less, about 0.6 mm or less, or about 0.4 mm or less.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 요철 단위 격자에서 볼록부의 모양이 격자형, 동심원, 나선형, 다각형(삼각형, 사각형, 오각형, 육각형 등), 줄무늬형 또는 사선형일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.In one embodiment of the present application, the shape of the convex portion in the concave-convex unit grid may be a lattice shape, concentric circles, spiral, polygonal (triangle, square, pentagonal, hexagonal, etc.), stripe shape, or oblique shape, but is not limited thereto.
도 2 내지 4를 참조하면, 본원의 일 구현예에 따른 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드의 연마면에서 볼록부의 모양이 육각형, 삼각형 또는 사각형일 수 있다. 구체적으로, 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드 상에서 검은선들의 오목부를 형성함에 따라 흰색 부분의 볼록부를 형성할 수 있다. 상기 볼록부는 연마면 상에 동심을 갖는 육각형, 삼각형 또는 사각형(도 2의 a, 도 3의 a 및 도 4의 a); 또는 육각형, 삼각형 또는 사각형의 섬 형태(도 2의 b, 도 3의 b 및 도 4의 b)일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 2 to 4, the shape of the convex portion on the polishing surface of the high hardness polishing pad for polishing the rear surface of the wafer according to the embodiment of the present application may be a hexagon, a triangle, or a square. Specifically, as the concave portions of the black lines are formed on the high hardness polishing pad for polishing the rear surface of the wafer, the convex portions of the white portions may be formed. The convex portion has a concentric hexagonal, triangular or quadrangular shape on the polishing surface (FIG. 2a, FIG. 3a, and FIG. 4a); Alternatively, it may be in the form of a hexagonal, triangular, or quadrangular island ( FIG. 2 b , FIG. 3 b , and FIG. 4 b ), but is not limited thereto.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 요철 단위 격자의 볼록부는 섬(Island) 형태이고, 상기 볼록부의 가장자리에 의해 상기 웨이퍼 후면 상의 불순물이 제거되는 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 요철 단위 격자가 격자형인 경우 상기 볼록부는 사각형의 섬 형태이며 볼록부의 가장자리는 총 4개의 면으로 구성될 수 있다. 또한, 상기 연마층은 복수의 요철 단위 격자로 구성될 수 있으므로 상기 연마층은 무수히 많은 가장자리를 가질 수 있다. 따라서, 상기 가장자리가 증가함에 따라 웨이퍼 후면에 부착된 불순물과의 마찰 빈도가 증가될 수 있으므로 본원의 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드는 불순물의 제거 효과가 우수하다.In one embodiment of the present application, the convex portion of the concave-convex unit lattice may have an island shape, and impurities on the rear surface of the wafer may be removed by an edge of the convex portion. Specifically, when the concave-convex unit grid is a grid type, the convex portion may have a quadrangular island shape, and the edge of the convex portion may include a total of four surfaces. In addition, since the abrasive layer may be composed of a plurality of concave-convex unit grids, the abrasive layer may have innumerable edges. Therefore, as the edge increases, the frequency of friction with impurities attached to the rear surface of the wafer may increase.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 요철 단위 격자의 오목부의 깊이는 약 0.001 mm 내지 약 5 mm일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 구체적으로 상기 요철 단위 격자의 오목부의 깊이는 약 0.001 mm 내지 약 5 mm, 약 0.01 mm 내지 약 4 mm, 약 0.1 mm 내지 약 3 mm 또는 약 0.3 mm 내지 약 2 mm일 수 있다.In one embodiment of the present application, the depth of the concave portion of the concave-convex unit grid may be about 0.001 mm to about 5 mm, but is not limited thereto. Specifically, the concave portion of the concave-convex unit grid may have a depth of about 0.001 mm to about 5 mm, about 0.01 mm to about 4 mm, about 0.1 mm to about 3 mm, or about 0.3 mm to about 2 mm.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 연마층의 표면 및 내부는 기공을 포함하지 않는 것일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 구체적으로, 웨이퍼 전면 연마용 연마패드는 웨이퍼 전면에 스크래치를 발생시키지 않기 위해 경도를 작게하고, 대신 연마 효율을 높이기 위해 기공이 포함되도록 한다. 다만, 연마패드에 기공이 포함되는 경우 연마 공정 이후 기공 사이에 존재하는 연마 잔여물을 제거하기 위해 컨디셔닝(conditioning) 공정을 추가로 수행하여야 한다. 또한, 기공을 포함하는 경우에는 경도가 추가적으로 작아질 수 있으므로 웨이퍼 후면에 부착된 불순물을 제거에 비효율적이다. 따라서 본원의 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드는 연마층의 표면 및 내부에 기공을 포함하지 않으므로 경도가 크고 불순물 제거에 유리하다. 또한 컨디셔닝 공정을 추가로 수행할 필요가 없으므로 공정 단계를 줄이고 제조 비용을 절약할 수 있는 이점이 있다. 아울러, 본원의 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드는 컨디셔닝 공정을 추가로 수행해도 무방하므로, 컨디셔닝 공정의 유무를 자유롭게 조절할 수 있는 추가의 이점이 있다.In one embodiment of the present application, the surface and the inside of the polishing layer may not include pores, but is not limited thereto. Specifically, the polishing pad for polishing the front surface of the wafer has a small hardness so as not to cause scratches on the front surface of the wafer, and instead, pores are included to increase polishing efficiency. However, when the polishing pad includes pores, a conditioning process must be additionally performed to remove the polishing residue existing between the pores after the polishing process. In addition, in the case of including pores, the hardness may be further reduced, so it is inefficient to remove impurities attached to the back surface of the wafer. Therefore, the high hardness polishing pad for polishing the rear surface of the wafer of the present application does not include pores on the surface and inside of the polishing layer, so it has high hardness and is advantageous for removing impurities. In addition, there is no need to perform an additional conditioning process, which has the advantage of reducing process steps and reducing manufacturing costs. In addition, since the high hardness polishing pad for polishing the rear surface of the wafer of the present application may additionally perform a conditioning process, there is an additional advantage of freely controlling the presence or absence of the conditioning process.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 연마면의 단위 면적 당 상기 요철 단위 격자의 수가 증가할수록, 상기 웨이퍼 후면 상의 불순물의 제거율이 향상되는 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 연마면의 단위 면적 당 상기 요철 단위 격자의 수가 증가하여 상기 볼록부와 웨이퍼 후면에 부착된 불순물의 마찰 빈도가 증가되고 상기 오목부와 볼록부에 균일하게 슬러리가 공급되어 불순물의 제거 효과가 향상될 수 있다.In one embodiment of the present application, as the number of the concave-convex unit lattices per unit area of the polishing surface increases, the removal rate of impurities on the rear surface of the wafer may be improved. Specifically, as the number of the concave-convex unit grids per unit area of the polishing surface increases, the friction frequency between the convex portion and the impurities adhering to the back surface of the wafer increases, and the slurry is uniformly supplied to the concave and convex portions to remove impurities The effect can be improved.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 연마층의 두께는 약 0.1 mm 내지 약 5 mm일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 구체적으로, 상기 연마층의 두께는 약 0.1 mm 내지 약 5 mm, 약 0.5 mm 내지 약 4.5 mm, 약 1.0 mm 내지 약 4.0 mm 또는 약 1.5 mm 내지 약 3.5 mm일 수 있다.In one embodiment of the present application, the thickness of the polishing layer may be about 0.1 mm to about 5 mm, but is not limited thereto. Specifically, the thickness of the polishing layer may be about 0.1 mm to about 5 mm, about 0.5 mm to about 4.5 mm, about 1.0 mm to about 4.0 mm, or about 1.5 mm to about 3.5 mm.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 연마층의 비중은 약 0.5 g/cm3 내지 약 2.0 g/cm3일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 구체적으로, 상기 연마층의 비중은 약 0.5 g/cm3 내지 약 2.0 g/cm3, 약 0.8 g/cm3 내지 약 1.8 g/cm3 또는 약 1.0 g/cm3 내지 약 1.5 g/cm3일 수 있다.In one embodiment of the present application, the specific gravity of the polishing layer may be from about 0.5 g/cm 3 to about 2.0 g/cm 3 , but is not limited thereto. Specifically, the specific gravity of the polishing layer is about 0.5 g/cm 3 to about 2.0 g/cm 3 , about 0.8 g/cm 3 to about 1.8 g/cm 3 or about 1.0 g/cm 3 to about 1.5 g/cm 3 can be
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 연마층의 신율은 약 10% 내지 약 450%일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 구체적으로, 상기 연마층의 신율은 약 10% 내지 약 450%, 약 50% 내지 약 400%, 약 100% 내지 약 350% 또는 약 150% 내지 약 300%일 수 있다.In one embodiment of the present application, the elongation of the polishing layer may be about 10% to about 450%, but is not limited thereto. Specifically, the elongation of the polishing layer may be about 10% to about 450%, about 50% to about 400%, about 100% to about 350%, or about 150% to about 300%.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 연마층의 압축률은 약 0.1 % 내지 약 20%일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 구체적으로, 상기 연마층의 압축률은 약 0.1% 내지 약 20%, 약 0.1% 내지 약 10%, 약 0.2% 내지 약 8%, 약 0.3% 내지 약 5%, 또는 약 0.4% 내지 약 1%일 수 있다.In one embodiment of the present application, the compressibility of the polishing layer may be about 0.1% to about 20%, but is not limited thereto. Specifically, the compressibility of the polishing layer is about 0.1% to about 20%, about 0.1% to about 10%, about 0.2% to about 8%, about 0.3% to about 5%, or about 0.4% to about 1%. can
본원의 일 구현예에 따른 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드는, 서브패드를 추가 포함하는 것일 수 있다.The high hardness polishing pad for polishing the rear surface of the wafer according to the exemplary embodiment of the present application may further include a sub-pad.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 서브패드는 상기 연마층에 비해 경도가 작은 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 서브패드의 경도는 약 40 쇼어A 내지 약 60 쇼어A일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 구체적으로, 상기 서브패드의 경도는 약 40 쇼어A 내지 약 60 쇼어A, 약 45 쇼어A 내지 약 60 쇼어A 또는 약 50 쇼어A 내지 약 60 쇼어A일 수 있다.In one embodiment of the present application, the sub-pad may have a smaller hardness than that of the polishing layer. Specifically, the hardness of the sub pad may be about 40 Shore A to about 60 Shore A, but is not limited thereto. Specifically, the hardness of the subpad may be from about 40 shore A to about 60 shore A, from about 45 shore A to about 60 shore A, or from about 50 shore A to about 60 shore A.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 서브패드의 두께는 약 0.001 mm 내지 약 3 mm이고, 비중은 약 0.1 g/cm3 내지 약 1.2 g/cm3이고, 압축률은 약 0.1% 내지 약 30%일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. In one embodiment of the present application, the thickness of the sub-pad is about 0.001 mm to about 3 mm, and the specific gravity is about 0.1 g/cm 3 to about 1.2 g/cm 3 , and the compressibility may be from about 0.1% to about 30%, but is not limited thereto.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 서브패드는 연마층을 지지하고 완충 역할을 할 수 있다. 상기 서브패드는 임의의 적절한 서브패드일 수 있다. 적절한 서브패드로는, 폴리우레탄폼 서브패드, 함침된 펠트 서브패드, 미세다공성 폴리우레탄 서브패드, 소결된 우레탄 서브패드, 또는 폴리 올레핀폼 서브패드가 포함될 수 있다. 상기 서브패드는 통상적으로 연마층 보다 더 연성 및 압축성을 가질 수 있다. 서브패드는 임의의 적절한 수단에 의해 연마층에 고정될 수 있다. 구체적으로, 상기 연마층과 상기 서브패드는 접착제를 통해 고정되거나 용접 또는 유사한 기술을 통해 부착될 수 있다. In one embodiment of the present application, the sub-pad may support the polishing layer and serve as a buffer. The subpad may be any suitable subpad. Suitable subpads may include polyurethane foam subpads, impregnated felt subpads, microporous polyurethane subpads, sintered urethane subpads, or poly olefin foam subpads. The subpad may typically be softer and more compressible than the abrasive layer. The subpad may be secured to the polishing layer by any suitable means. Specifically, the polishing layer and the sub-pad may be fixed through an adhesive or attached through welding or similar techniques.
본원의 일 구현예에 따른 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드는, 이형 필름층을 추가 포함할 수 있다.The high hardness polishing pad for polishing the rear surface of the wafer according to the exemplary embodiment of the present application may further include a release film layer.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 이형 필름층은 저밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초고분자량 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌으로 구성된 폴리올레핀; 폴리테트라메틸렌에테르글리콜(Poly(tetramethylene ether)glycol, PTMG), 폴리프로필렌글리콜(Polypropylene glycol, PPG) 및 폴리에틸렌글리콜(Polyethylene glycol , PEG)으로 구성된 글리콜류; 미반응 NCO기를 갖는 중합체로 구성된 폴리우레탄; 폴리비닐클로라이드; 셀룰로오스 아세테이트 및 셀룰로오스 부티레이트로 구성된 셀룰로오스계 중합체; 아크릴; PET 및 PETG 로 구성된 폴리에스터 및 코-폴리에스터; 폴리카보네이트; 나일론 6/6 및 나일론 6/12으로 구성된 폴리아미드, 및 폴리에테르에테르케톤, 폴리페닐렌 옥사이드, 폴리술폰, 폴리이미드 및 폴리에테르이미드으로 구성된 고성능 플라스틱 중에서 선택되는 1 개 이상의 물질을 포함하는 것일 수 있다.In one embodiment of the present application, the release film layer is a polyolefin composed of low-density polyethylene, high-density polyethylene, ultra-high molecular weight polyethylene, and polypropylene; glycols composed of poly(tetramethylene ether)glycol (PTMG), polypropylene glycol (PPG) and polyethylene glycol (PEG); polyurethane composed of a polymer having unreacted NCO groups; polyvinyl chloride; a cellulosic polymer composed of cellulose acetate and cellulose butyrate; acryl; polyesters and co-polyesters composed of PET and PETG; polycarbonate; Polyamide composed of nylon 6/6 and nylon 6/12, and one or more materials selected from high-performance plastics composed of polyetheretherketone, polyphenylene oxide, polysulfone, polyimide and polyetherimide have.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 연마층, 상기 서브패드 및/또는 상기 기재 각각의 사이는 접착제를 통해 고정되거나 용접 또는 유사한 기술을 통해 부착될 수 있다. 통상적으로, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름과 같은 중간 백킹층이 각 패드 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제는 감압 접착제(Pressure sensitive adhesive, PSA) 또는 핫멜트 접착제일 수 있다. 상기 감압 접착제는 접착면과 접착시키기 위한 압력이 가해질 때 접착물질이 작용하는 접착제로서, 패드를 정반에 고정시키거나 각 패드 사이를 접착시키기 위한 것이다. 상기 감압 접착제는 당해 분야의 통상적인 폴리아크릴 성분, 에폭시 성분 또는 고무 성분 등의 접착제를 사용할 수 있으며, 점착, 접착 물질을 이용하여 이형 필름층 (PET 필름 또는 펠트) 양면에 도포되어진 양면 가압성 접착 테이프를 이용할 수도 있다. 상기 핫멜트 접착제는 비경화 상태에서 약 50 ℃ 내지 약 150 ℃, 구체적으로 약 115 ℃ 내지 약 135 ℃의 용융 온도를 나타내고, 또한 용융 후에 90분 이하의 가사 시간을 나타내는, 경화된 반응성 핫멜트 접착제이다. 보다 구체적으로는, 상기 핫멜트 접착제는 예를 들어, 롬 앤드 하스(Rohm and Haas)로부터 입수가능한 모르-멜트(Mor-Melt™ R5003)를 포함하는 것일 수 있다.In one embodiment of the present application, the abrasive layer, the sub-pad, and/or between each of the substrate may be fixed through an adhesive or may be attached through welding or similar techniques. Typically, an intermediate backing layer, such as a polyethylene terephthalate film, may be disposed between each pad. The adhesive may be a pressure sensitive adhesive (PSA) or a hot melt adhesive. The pressure-sensitive adhesive is an adhesive in which an adhesive material acts when a pressure is applied to adhere to an adhesive surface, and is for fixing the pads to a surface plate or bonding between the pads. As the pressure-sensitive adhesive, an adhesive such as polyacrylic component, epoxy component or rubber component can be used in the art, and double-sided pressure-sensitive adhesive applied to both sides of the release film layer (PET film or felt) using an adhesive and an adhesive material You can also use tape. The hot melt adhesive exhibits a melting temperature of about 50 ° C. to about 150 ° C., specifically about 115 ° C. to about 135 ° C. in an uncured state, and also shows a pot life of 90 minutes or less after melting. It is a cured reactive hot melt adhesive. More specifically, the hot melt adhesive may include, for example, Mor-Melt™ R5003 available from Rohm and Haas.
본원의 제 2 측면은, 우레탄계 프리폴리머 및 경화제을 포함하는 혼합물을 몰드 내에 주입하여 성형하고, 상기 혼합물을 경화시켜 패드를 형성하고, 상기 패드 상에 요철 단위 격자를 형성하는 것을 포함하는, 제 1 측면에 따른 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드의 제조 방법을 제공한다.The second aspect of the present application includes molding by injecting a mixture comprising a urethane-based prepolymer and a curing agent into a mold, curing the mixture to form a pad, and forming a concave-convex unit grid on the pad, on the first side It provides a method of manufacturing a high-hardness polishing pad for polishing the rear surface of the wafer according to the present invention.
제 1 측면 및 제 2 측면에 있어서, 서로 공통될 수 있는 내용은 그 기재가 생략되었더라도 모두 적용될 수 있다.In the first aspect and the second aspect, content that may be common to each other may be applied even if the description thereof is omitted.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 패드는 폴리우레탄 폼(폴리우레탄 케이크)일 수 있으며, 상기 폴리우레탄 폼을 형성하는 혼합물은 우레탄계 프리폴리머 및 경화제를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 프리폴리머(prepolymer)란 일반적으로 일종의 최종 성형품을 제조함에 있어서, 성형하기 쉽도록 중합도를 중간 단계에서 중지시킨 비교적 낮은 분자량을 갖는 고분자를 의미한다. 프리폴리머는 그 자체로 또는 다른 중합성 화합물과 반응시킨 후 성형할 수 있고, 예를 들어 이소시아네이트 화합물과 폴리올을 반응시켜 프리폴리머를 제조할 수 있다. 상기 우레탄계 프리폴리머로부터 제조되는 폴리우레탄 수지는 약 500 내지 약 3,000 g/mol의 중량평균분자량(Mw)을 가질 수 있으나 이에 제한되지는 않는다. 구체적으로, 상기 폴리우레탄 수지는 약 600 g/mol 내지 약 2,000 g/mol 또는 약 700 내지 약 1,500 g/mol의 중량평균분자량을 가질 수 있다.In one embodiment of the present application, the pad may be a polyurethane foam (polyurethane cake), and the mixture forming the polyurethane foam may include a urethane-based prepolymer and a curing agent, but is not limited thereto. A prepolymer generally refers to a polymer having a relatively low molecular weight in which the polymerization degree is stopped at an intermediate stage for easy molding in manufacturing a kind of final molded article. The prepolymer may be molded by itself or after reaction with another polymerizable compound, for example, the prepolymer may be prepared by reacting an isocyanate compound with a polyol. The polyurethane resin prepared from the urethane-based prepolymer may have a weight average molecular weight (Mw) of about 500 to about 3,000 g/mol, but is not limited thereto. Specifically, the polyurethane resin may have a weight average molecular weight of about 600 g/mol to about 2,000 g/mol or about 700 to about 1,500 g/mol.
상기 우레탄계 프리폴리머의 제조에 사용되는 이소시아네이트 화합물은, 예를 들어, 톨루엔 디이소시아네이트 (toluene diisocyanate, TDI), 나프탈렌-1,5-디이소시아네이트(naphthalene-1,5-diisocyanate), 파라-페닐렌 디이소시아네이트(p-phenylene diisocyanate), 토리딘 디이소시아네이트(tolidine diisocyanate), 4,4'-디페닐 메탄 디이소시아네이트(4,4'-diphenyl methane diisocyanate), 헥사메틸렌 디이소시아네이트(hexamethylene diisocyanate), 디시클로헥실메탄 디이소시아네이트(dicyclohexylmethane diisocyanate) 및 이소포론 디이소시 아네이트(isoporone diisocyanate)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 이소시아네이트일 수 있다.The isocyanate compound used in the preparation of the urethane-based prepolymer is, for example, toluene diisocyanate (TDI), naphthalene-1,5-diisocyanate, and para-phenylene diisocyanate. (p-phenylene diisocyanate), toridine diisocyanate, 4,4'-diphenyl methane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, dicyclohexylmethane It may be at least one isocyanate selected from the group consisting of dicyclohexylmethane diisocyanate and isophorone diisocyanate.
상기 우레탄계 프리폴리머의 제조에 사용되는 폴리올은, 폴리에테르계 폴리올(polyether polyol), 폴리에스테르계 폴리올(polyester polyol), 폴리카보네이트계 폴리올(polycarbonate polyol) 및 아크릴계 폴리올(acryl polyol)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 폴리올일 수 있다.The polyol used in the preparation of the urethane-based prepolymer is selected from the group consisting of polyether polyol, polyester polyol, polycarbonate polyol, and acryl polyol. It may be one or more polyols.
상기 경화제는 아민 화합물 및 알콜 화합물 중 1종 이상일 수 있다. 구체적으로, 상기 경화제는 방향족 아민, 지방족 아민, 방향족 알콜, 및 지방족 알콜로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물일 수 있다. 예를 들어, 상기 경화제는 4,4'-메틸렌비스(2-클로로아닐린)(MOCA), 디에틸톨루엔디아민 (diethyltoluenediamine), 디아미노디페닐 메탄(diaminodiphenyl methane), 디아미노디페닐 설폰(diaminodiphenyl sulphone), m-자일릴렌 디아민(m-xylylene diamine), 이소포론디아민(isophoronediamine), 에틸렌디아민(ethylenediamine), 디에틸렌트리아민(diethylenetriamine), 트리에틸렌테트라아민 (triethylenetetramine), 폴리프로필렌디아민 (polypropylenediamine), 폴리프로필렌트리아민 (polypropylenetriamine), 에틸렌글리콜(ethyleneglycol), 디에틸렌글리콜(diethyleneglycol), 디프로필렌글리콜(dipropyleneglycol), 부탄디올(butanediol), 헥산디올(hexanediol), 글리세린(glycerine), 트리메틸올프로판 (trimethylolpropane) 및 비스(4-아미노-3-클로로페닐)메탄(bis(4-amino-3-chlorophenyl)methane)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.The curing agent may be at least one of an amine compound and an alcohol compound. Specifically, the curing agent may be at least one compound selected from the group consisting of aromatic amines, aliphatic amines, aromatic alcohols, and aliphatic alcohols. For example, the curing agent is 4,4'-methylenebis (2-chloroaniline) (MOCA), diethyltoluenediamine, diaminodiphenyl methane (diaminodiphenyl methane), diaminodiphenyl sulfone (diaminodiphenyl sulphone) ), m-xylylene diamine, isophoronediamine, ethylenediamine, diethylenetriamine, triethylenetetramine, polypropylenediamine, Polypropylenetriamine, ethyleneglycol, diethyleneglycol, dipropyleneglycol, butanediol, hexanediol, glycerine, trimethylolpropane And it may be at least one selected from the group consisting of bis (4-amino-3-chlorophenyl) methane (bis (4-amino-3-chlorophenyl) methane).
구체적으로, 상기 우레탄계 프리폴리머와 경화제는 혼합 후 반응하여 고상의 폴리우레탄을 형성하여 시트 등으로 제조된다. 상기 우레탄계 프리폴리머의 이소시아네이트 말단기는, 상기 경화제의 아민기, 알콜기 등과 반응할 수 있다. 우레탄계 프리폴리머와 경화제 간의 반응은 몰드 내에서 완료되어, 몰드의 형상대로 고상화된 케이크 형태의 성형체를 수득할 수 있다. 이후, 수득한 성형체를 적절히 슬라이싱 또는 절삭하여 연마패드의 제조를 위한 시트로 가공할 수 있다.Specifically, the urethane-based prepolymer and the curing agent are mixed and then reacted to form a solid polyurethane to be manufactured into a sheet or the like. The isocyanate terminal group of the urethane-based prepolymer may react with an amine group, an alcohol group, or the like of the curing agent. The reaction between the urethane-based prepolymer and the curing agent is completed in the mold to obtain a molded article in the form of a cake solidified according to the shape of the mold. Thereafter, the obtained molded body may be appropriately sliced or cut to be processed into a sheet for manufacturing a polishing pad.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 패드 표면에 요철 단위 격자의 형성 방법은 소정 사이즈의 바이트와 같은 지그를 이용하여 기계 절삭하는 방법, 소정의 표면 형상을 갖는 금형에 수지를 따라 넣어 경화시키는 방법, 소정의 표면 형상을 갖는 프레스판으로 수지를 프레스하여 형성하는 방법, 포토리소그래피를 이용하여 형성하는 방법, 인쇄수법을 이용하여 형성하는 방법, 탄산가스 레이저를 이용한 레이저광에 의해 형성하는 방법 또는 엠보스 열성형을 사용할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. In one embodiment of the present application, the method of forming the concave-convex unit grid on the surface of the pad includes a method of machine cutting using a jig such as a bite of a predetermined size, a method of hardening by pouring resin into a mold having a predetermined surface shape, A method of forming by pressing a resin with a press plate having a predetermined surface shape, a method of forming using photolithography, a method of forming using a printing method, a method of forming by laser light using a carbon dioxide laser, or embossing Thermoforming may be used, but is not limited thereto.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 요철 단위 격자에서 볼록부의 모양이 다각형(삼각형, 사각형, 오각형, 육각형 등), 원형, 줄무늬형, 나선형, 사선형, 원뿔형 또는 각뿔형일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.In one embodiment of the present application, the shape of the convex portion in the concave-convex unit grid may be polygonal (triangle, square, pentagonal, hexagonal, etc.), circular, striped, spiral, oblique, conical or pyramidal shape, but is not limited thereto. does not
전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수도 있다.The foregoing description of the present application is for illustration, and those of ordinary skill in the art to which the present application pertains will understand that it can be easily modified into other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present application. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and likewise components described as distributed may also be implemented in a combined form.
본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위, 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present application is indicated by the following claims rather than the above detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims, and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present application. .
Claims (11)
상기 연마층은 연마면 내에 요철 단위 격자를 갖는 것이고,
상기 연마층의 경도는 70 쇼어D 내지 90 쇼어D이고,
상기 요철 단위 격자는 복수 개이고,
상기 요철 단위 격자의 폭은 2 mm 이하, 상기 요철 단위 격자에서 오목부의 폭은 1 mm 이하이고, 상기 요철 단위 격자의 폭은 상기 오목부의 폭에 비해 큰 것이며,
상기 요철 단위 격자의 볼록부는 섬(island) 형태이고, 상기 볼록부의 가장자리에 의해 상기 웨이퍼 후면 상의 불순물이 제거되는 것인,
웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드.
A high hardness polishing pad for polishing the rear surface of a wafer comprising a polishing layer,
The polishing layer has an uneven unit grid in the polishing surface,
The hardness of the abrasive layer is 70 Shore D to 90 Shore D,
The concave-convex unit grid is plural,
The width of the concave-convex unit grid is 2 mm or less, the width of the concave portion in the concave-convex unit grid is 1 mm or less, and the width of the concave-convex unit grid is greater than the width of the concave portion,
The convex portion of the concave-convex unit grid has an island shape, and impurities on the rear surface of the wafer are removed by the edge of the convex portion,
High hardness polishing pad for polishing the back side of wafer.
상기 요철 단위 격자에서 볼록부의 모양이 다각형, 원형, 줄무늬형, 나선형, 사선형, 원뿔형 또는 각뿔형인 것인, 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드.
The method of claim 1,
The shape of the convex portion in the concave-convex unit grid is polygonal, circular, striped, spiral, oblique, conical or pyramidal, high hardness polishing pad for polishing the back side of the wafer.
상기 요철 단위 격자의 오목부의 깊이는 0.001 mm 내지 5 mm인 것인, 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드.
The method of claim 1,
The depth of the concave portion of the concave-convex unit grid is 0.001 mm to 5 mm, a high hardness polishing pad for polishing the rear surface of the wafer.
상기 연마층의 표면 및 내부는 기공을 포함하지 않는 것인, 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드.
The method of claim 1,
The surface and the inside of the polishing layer will not include pores, a high hardness polishing pad for polishing the rear surface of the wafer.
상기 연마면의 단위 면적 당 상기 요철 단위 격자의 수가 증가할수록, 상기 웨이퍼 후면 상의 불순물의 제거율이 향상되는 것인, 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드.
The method of claim 1,
As the number of the concave-convex unit grids per unit area of the polishing surface increases, the removal rate of impurities on the wafer rear surface is improved.
상기 연마층은,
두께가 0.1 mm 내지 5 mm이고,
비중이 0.3 g/cm3 내지 1.5 g/cm3이고,
신율이 10% 내지 450%이고,
압축률이 0.1 % 내지 20%인 것인, 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드.
The method of claim 1,
The polishing layer is
a thickness of 0.1 mm to 5 mm;
The specific gravity is 0.3 g/cm 3 to 1.5 g/cm 3 ,
an elongation of 10% to 450%,
A high hardness polishing pad for polishing the back side of the wafer, which has a compressibility of 0.1% to 20%.
상기 성형된 혼합물을 경화시켜 패드를 형성하고,
상기 패드 상에 요철 단위 격자를 형성하는 것
을 포함하는, 제 1 항에 따른 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드의 제조 방법.
Molding by injecting a mixture containing a urethane-based prepolymer and a curing agent into a mold,
curing the molded mixture to form a pad,
Forming a concave-convex unit grid on the pad
A method of manufacturing a high hardness polishing pad for polishing the rear surface of the wafer according to claim 1, comprising a.
상기 요철 단위 격자의 볼록부의 모양이 다각형, 원형, 줄무늬형, 나선형, 사선형, 원뿔형 또는 각뿔형인 것인, 웨이퍼 후면 연마용 고경도 연마패드의 제조 방법.
11. The method of claim 10,
The shape of the convex portion of the concave-convex unit grid is polygonal, circular, striped, spiral, oblique, conical or pyramidal, the method of manufacturing a high hardness polishing pad for polishing the back side of the wafer.
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