KR20150025478A - Method for forming piezoelectric vibrator electrode - Google Patents

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박태준
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Abstract

Disclosed is a method for forming a piezoelectric vibrator electrode. The method for forming a piezoelectric vibrator electrode includes a step of providing a piezoelectric body which has an electrode layer on its surface; a step of forming a resist pattern on an insulating region which is removed to form a positive electrode and a negative electrode which are electrically insulated in the electrode layer; a step of forming a mask on the electrode layer which excludes the resist pattern region; a step of removing the resist pattern to expose the insulating region of the electrode layer; and a step of forming the positive electrode and the negative electrode by removing the insulating region of the exposed electrode layer.

Description

압전 진동자 전극 형성 방법{METHOD FOR FORMING PIEZOELECTRIC VIBRATOR ELECTRODE}METHOD FOR FORMING PIEZOELECTRIC VIBRATOR ELECTRODE [0002]

본 발명은 압전 진동자 전극 형성 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method of forming a piezoelectric vibrator electrode.

압전 진동자는 외부에서 전압이 가해지면 압전현상에 의해 진동하고, 그 진동을 통해서 주파수를 발생시키는 장치이다. 압전 진동자에 의하면 안정된 주파수 획득이 가능하므로 압전 진동자는 주파수 발진기, 주파수 조정기, 주파수 변환기 등의 여러 용도로 사용될 수 있다. A piezoelectric vibrator vibrates due to a piezoelectric phenomenon when a voltage is applied from the outside, and generates a frequency through the vibration. Since a stable frequency can be obtained by a piezoelectric vibrator, a piezoelectric vibrator can be used for various purposes such as a frequency oscillator, a frequency adjuster, and a frequency converter.

압전 진동자의 압전소재로는 뛰어난 압전특성을 갖는 수정(crystal)이 사용될 수 있으며, 수정은 안정적인 기계적 진동 발생기의 역할을 할 수 있다.As the piezoelectric material of the piezoelectric vibrator, a crystal having excellent piezoelectric characteristics can be used, and the crystal can serve as a stable mechanical vibration generator.

다양한 종류의 압전 진동자 중 소리굽쇠(tuning fork)형의 압전 진동편은, 평행하게 배치되는 한 쌍의 진동부와, 한 쌍의 진동부를 고정하는 기부로 형성될 수 있다. Among various types of piezoelectric vibrators, a tuning fork type piezoelectric vibrating reed can be formed of a pair of vibrating portions arranged in parallel and a base portion fixing the pair of vibrating portions.

한편, 진동부와 기부의 외주면에 전극이 형성된다. 압전 진동자에 전압이 인가되면, 한 쌍의 진동부가 가까워지거나 멀어지는 방향으로 공진 주파수가 발생한다.On the other hand, electrodes are formed on the outer peripheral surface of the vibration portion and the base portion. When a voltage is applied to the piezoelectric vibrator, a resonance frequency is generated in a direction in which a pair of vibrating portions are moved toward or away from each other.

본 발명의 배경기술은 대한민국 공개특허공보 제10-2013-0061262호(2013.06.11, 압전 진동자 및 그 제조 방법)에 개시되어 있다.
BACKGROUND ART [0002] The background art of the present invention is disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2013-0061262 (2013.06.11, Piezoelectric vibrator and its manufacturing method).

본 발명의 목적은 절연영역에 레지스트 패턴을 형성하고 마스크를 이용하여 레지스트 패턴을 제거함으로써 압전 진동자의 전극을 형성하는 압전 진동자 전극 형성 방법을 제공하는 것이다.
An object of the present invention is to provide a method of forming a piezoelectric vibrator electrode in which a resist pattern is formed in an insulating region and a resist pattern is removed using a mask to form electrodes of the piezoelectric vibrator.

본 발명의 일 측면에 따르면, 표면에 전극층이 형성된 압전체를 제공하는 단계; 상기 전극층 중 서로 전기적으로 절연된 양전극과 음전극을 형성하기 위해 제거되는 절연영역 상에 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 레지스트 패턴이 형성된 영역 이외의 상기 전극층 상에 마스크를 형성하는 단계; 상기 전극층의 상기 절연영역이 노출되도록 상기 레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및 노출된 상기 전극층의 절연영역을 제거하여 상기 양전극과 상기 음전극을 형성하는 단계를 포함하는 압전 진동자 전극 형성 방법이 제공된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a piezoelectric element, comprising: providing a piezoelectric body having an electrode layer on a surface thereof; Forming a resist pattern on an insulating region that is removed to form a positive electrode and a negative electrode electrically insulated from each other in the electrode layer; Forming a mask on the electrode layer other than the region where the resist pattern is formed; Removing the resist pattern so that the insulating region of the electrode layer is exposed; And removing the exposed insulating region of the electrode layer to form the positive electrode and the negative electrode.

상기 마스크는 상기 전극층을 시드로 전해도금하여 형성될 수 있다.The mask may be formed by electrolytically plating the electrode layer with a seed.

상기 전극층 상에 레지스트 패턴을 형성하는 단계는, 상기 전극층 상에 포토 레지스트를 도포하는 단계; 상기 포토 레지스트 상에 포토마스크를 배치하여 노광하는 단계; 및 노광된 상기 포토 레지스트를 현상하여 상기 레지스트 패턴 외의 상기 포토 레지스트를 제거하는 단계를 포함할 수 있다. The step of forming a resist pattern on the electrode layer may include: applying a photoresist on the electrode layer; Disposing a photomask on the photoresist to expose the photomask; And developing the exposed photoresist to remove the photoresist outside the resist pattern.

상기 포토 레지스트는 네거티브(negative)형일 수 있다.The photoresist may be of a negative type.

상기 레지스트 패턴의 단면은 상기 전극층으로 갈수록 폭이 좁아지게 형성될 수 있다. The cross section of the resist pattern may be formed to have a narrower width toward the electrode layer.

상기 압전체와 상기 전극층 사이에는 상기 압전체와 상기 전극층을 밀착시키는 금속막이 개재될 수 있다.A metal film that closely contacts the piezoelectric body and the electrode layer may be interposed between the piezoelectric body and the electrode layer.

상기 양전극과 상기 음전극을 형성하는 단계 이후에, 상기 마스크를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.After the step of forming the positive electrode and the negative electrode, removing the mask may be further included.

상기 압전체는, 베이스; 및 상기 베이스로부터 분기되는 한 쌍의 진동암을 포함할 수 있다.The piezoelectric body includes a base; And a pair of vibrating arms branched from the base.

상기 진동암에는 그루브(groove)가 형성될 수 있다.A groove may be formed in the vibration arm.

상기 그루브는 복수로 이루어질 수 있다.The grooves may be formed of a plurality of grooves.

표면에 전극층이 형성된 압전체를 제공하는 단계는, 상기 압전체에 상기 전극층을 스퍼터링(sputtering)하는 단계를 포함할 수 있다.
The step of providing a piezoelectric body having an electrode layer on its surface may include sputtering the electrode layer on the piezoelectric body.

본 발명의 실시예에 따르면 미세 전극 패턴을 용이하게 형성할 수 있다.
According to the embodiment of the present invention, a fine electrode pattern can be easily formed.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 압전 진동자 전극 형성 방법에 사용되는 압전 진동자를 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 압전 진동자 전극 형성 방법의 순서도.
도 3 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 압전 진동자 전극 형성 방법의 공정도.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 압전 진동자 전극 형성 방법에 의하여 형성되는 레지스트 패턴의 단면을 나타낸 도면.1 is a view showing a piezoelectric vibrator used in a method of forming a piezoelectric vibrator electrode according to an embodiment of the present invention.
2 is a flowchart of a method of forming a piezoelectric vibrator electrode according to an embodiment of the present invention.
3 to 10 are process drawings of a method of forming a piezoelectric vibrator electrode according to an embodiment of the present invention.
11 is a cross-sectional view of a resist pattern formed by a method of forming a piezoelectric vibrator electrode according to an embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 압전 진동자 전극 형성 방법의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a method of forming a piezoelectric vibrator electrode according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components are denoted by the same reference numerals, A description thereof will be omitted.

또한, 이하 사용되는 제1, 제2 등과 같은 용어는 동일 또는 상응하는 구성 요소들을 구별하기 위한 식별 기호에 불과하며, 동일 또는 상응하는 구성 요소들이 제1, 제2 등의 용어에 의하여 한정되는 것은 아니다.It is also to be understood that the terms first, second, etc. used hereinafter are merely reference numerals for distinguishing between identical or corresponding components, and the same or corresponding components are defined by terms such as first, second, no.

또한, 결합이라 함은, 각 구성 요소 간의 접촉 관계에 있어, 각 구성 요소 간에 물리적으로 직접 접촉되는 경우만을 뜻하는 것이 아니라, 다른 구성이 각 구성 요소 사이에 개재되어, 그 다른 구성에 구성 요소가 각각 접촉되어 있는 경우까지 포괄하는 개념으로 사용하도록 한다.In addition, the term " coupled " is used not only in the case of direct physical contact between the respective constituent elements in the contact relation between the constituent elements, but also means that other constituent elements are interposed between the constituent elements, Use them as a concept to cover each contact.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 압전 진동자 전극 형성 방법에 사용되는 압전 진동자를 나타낸 도면이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 압전 진동자 전극 형성 방법의 순서도이고, 도 3 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 압전 진동자 전극 형성 방법의 공정도이다. 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 압전 진동자 전극 형성 방법에 의하여 형성되는 레지스트 패턴의 단면을 나타낸 도면이다.1 is a view showing a piezoelectric vibrator used in a method of forming a piezoelectric vibrator electrode according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a flow chart of a method of forming a piezoelectric vibrator electrode according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 3 to 10 are process diagrams of a piezoelectric vibrator electrode forming method according to an embodiment of the present invention. 11 is a cross-sectional view of a resist pattern formed by a method of forming a piezoelectric vibrator electrode according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 압전 진동자(100) 전극 형성 방법에 사용되는 압전 진동자(100)는 압전소자를 이용한 진동자이며, 도 1에 도시된 바와 같이 튜닝포크(tuning fork)일 수 있다. Referring to FIG. 1, a piezoelectric vibrator 100 used in a method of forming a piezoelectric vibrator 100 according to an embodiment of the present invention is a vibrator using a piezoelectric element. As shown in FIG. 1, a tuning fork ).

압전 진동자(100)는 압전체(110)와 압전체(110) 상에 형성되는 전극으로 이루어질 수 있다. 또한, 압전체(110)는 베이스와 베이스로부터 분기되는 한 쌍의 진동암을 포함할 수 있다. 전극은 베이스와 진동암 상에 형성되며, 양전극(111)과 음전극(112)으로 나누어질 수 있다.The piezoelectric vibrator 100 may include a piezoelectric body 110 and an electrode formed on the piezoelectric body 110. Further, the piezoelectric body 110 may include a base and a pair of vibrating arms branched from the base. The electrode is formed on the base and the vibrating arm, and can be divided into the positive electrode 111 and the negative electrode 112.

진동암에는 그루브(groove)가 형성될 수 있다. 그루브가 형성되는 경우, 그루브가 없는 경우보다 전극 간 거리가 작아지므로 ESR(Equivalent Series Resistance, 등가직렬저항)이 작아질 수 있다. 한편, 그루브는 복수로 형성될 수 있다. 복수로 형성되는 그루브에 의하면, 그루브와 그루브 사이에 벽(wall)이 형성될 수 있다. 이는 중량체의 역할을 할 수 있다.A groove may be formed in the vibrating arm. When a groove is formed, the distance between electrodes is smaller than in the case where there is no groove, so that Equivalent Series Resistance (ESR) can be reduced. On the other hand, a plurality of grooves can be formed. According to a plurality of grooves, a wall may be formed between the grooves and the grooves. This can act as a weight.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 압전 진동자(100) 전극 형성 방법은, 표면에 전극층(120)이 형성된 압전체(110)를 제공하는 단계(S110), 레지스트 패턴(130)을 형성하는 단계(S120), 전극층(120) 상에 마스크(140)를 형성하는 단계(S130), 상기 레지스트 패턴(130)을 제거하는 단계(S140), 양전극(111)과 음전극(112)을 형성하는 단계(S150) 및 마스크(140)를 제거하는 단계(S160)를 포함할 수 있다.A method of forming a piezoelectric vibrator 100 according to an embodiment of the present invention includes providing a piezoelectric body 110 having an electrode layer 120 formed on its surface S110, A step S140 of forming a mask 140 on the electrode layer 120, a step S140 of removing the resist pattern 130, a step of forming a positive electrode 111 and a negative electrode 112 (Step S150), and removing the mask 140 (step S160).

도 3을 참조하면, 표면에 전극층(120)이 형성된 압전체(110)를 제공하는 단계(S110)는 압전 진동자(100)의 압전체(110)를 준비하는 단계이다. 압전체(110)는 수정(quartz)으로 형성될 수 있다. 한편, 전극층(120)은 전극이 될 부분이며 저항이 낮은 금(Au)이 사용될 수 있다.Referring to FIG. 3, step S110 of providing a piezoelectric body 110 having an electrode layer 120 on a surface thereof is a step of preparing a piezoelectric body 110 of the piezoelectric vibrator 100. Referring to FIG. The piezoelectric body 110 may be formed by quartz. On the other hand, the electrode layer 120 may be an electrode and gold (Au) having low resistance may be used.

전극층(120)은 압전체(110) 상에 증착되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 전극층(120)은 압전체(110) 상에 스퍼터링(sputtering)될 수 있다. 스퍼터링은 진공증착법의 일종으로 비교적 낮은 진공도에서, 플라즈마를 발생시켜 이온화한 아르곤(Ar) 등의 가스를 가속하여 타켓에 충돌시켜 막을 만드는 방법이다.The electrode layer 120 may be formed on the piezoelectric body 110 by vapor deposition. For example, the electrode layer 120 may be sputtered on the piezoelectric body 110. Sputtering is a type of vacuum vapor deposition, which generates a plasma at a relatively low degree of vacuum and accelerates ions such as argon (Ar) to collide with a target to form a film.

압전체(110)와 전극층(120) 사이에는 압전체(110)와 전극층(120)을 밀착시키는 금속막(115)이 개재될 수 있다. 즉, 금속막(115)에 의하여 압전체(110)와 전극층(120)이 밀착될 수 있다. 압전체(110)가 수정이고 전극층(120)이 금인 경우, 금속막(115)은 티타늄(Ti)일 수 있다.A metal film 115 that closely contacts the piezoelectric body 110 and the electrode layer 120 may be interposed between the piezoelectric body 110 and the electrode layer 120. That is, the piezoelectric film 110 and the electrode layer 120 can be closely contacted by the metal film 115. When the piezoelectric body 110 is a crystal and the electrode layer 120 is gold, the metal film 115 may be titanium (Ti).

레지스트 패턴(130)을 형성하는 단계(S120)는 전극층(120) 중 절연영역(A) 상에 레지스트 패턴(130)을 형성하는 단계이다. 절연영역(A)은 서로 전기적으로 절연된 양전극(111)과 음전극(112)을 형성하기 위해 전극층(120)이 제거되는 영역을 의미한다. 즉, 전극층(120)의 제거에 의하여 전극층(120)이 양전극(111)과 음전극(112)으로 나누어질 수 있다.The step of forming the resist pattern 130 (S120) is a step of forming the resist pattern 130 on the insulating region A of the electrode layer 120. The insulating region A refers to a region where the electrode layer 120 is removed to form the positive electrode 111 and the negative electrode 112 electrically insulated from each other. That is, by the removal of the electrode layer 120, the electrode layer 120 can be divided into the positive electrode 111 and the negative electrode 112.

레지스트 패턴(130)을 형성하는 단계(S120)는, 전극층(120) 상에 포토 레지스트(131)를 도포하는 단계(S121), 포토 레지스트(131) 상에 포토마스크(132)를 배치하여 노광하는 단계(S122), 및 노광된 포토 레지스트(131)를 현상하여 레지스트 패턴(130) 외의 포토 레지스트(131)를 제거하는 단계(S123)를 포함할 수 있다.The step of forming the resist pattern 130 (S120) includes a step of applying a photoresist 131 on the electrode layer 120 (S121), a step of exposing the photoresist 131 by placing a photomask 132 on the photoresist 131 Step S122 of developing the exposed photoresist 131 and removing the photoresist 131 outside the resist pattern 130 (S123).

도 4을 참조하면, 전극층(120) 상에 포토 레지스트(131)를 도포하는 단계(S121)는 레지스트 패턴(130)을 만들기 위하여 레지스트 패턴(130)이 되는 재료인 포토 레지스트(131)를 전극층(120) 상 전체에 도포하는 단계이다. 포토 레지스트(131)는 스프레이 방식으로 전극층(120) 상에 도포될 수 있다.4, step S121 of applying a photoresist 131 on the electrode layer 120 is performed by forming a photoresist 131, which is a material for forming the resist pattern 130, on the electrode layer 120). The photoresist 131 may be applied on the electrode layer 120 in a spray manner.

도 5를 참조하면, 포토 레지스트(131) 상에 포토마스크(132)를 배치하여 노광하는 단계(S122)는 전극층(120) 상에 도포된 포토 레지스트(131) 상에 포토마스크(132)를 배치하고 UV를 조사하는 단계이다. 이 경우, 포토마스크(132)는 UV를 차단하되 일부에 홀이 형성되어 있음으로써, UV가 조사되어야 할 일부분에만 UV가 조사될 수 있도록 한다. 5, a photomask 132 is disposed on a photoresist 131 and exposed (S122). A photomask 132 is disposed on the photoresist 131 coated on the electrode layer 120 And irradiating UV light. In this case, the photomask 132 blocks the UV, but a hole is formed in a part thereof, so that the UV can be irradiated only to a part where the UV is to be irradiated.

도 6을 참조하면, 노광된 포토 레지스트(131)를 현상하여 레지스트 패턴(130) 외의 포토 레지스트(131)를 제거하는 단계(S123)는 UV가 조사된 포토 레지스트(131)의 영역을 제외한 나머지 영역을 제거하는 단계이다. 이 경우, 현상액에 의하여 레지스트 패턴(130) 외의 포토 레지스트(131)를 제거할 수 있다.6, the step of developing the exposed photoresist 131 to remove the photoresist 131 other than the resist pattern 130 (S123) may include the step of removing the photoresist 131, . In this case, the photoresist 131 other than the resist pattern 130 can be removed by the developer.

포토 레지스트(131)는 네거티브(negative)형일 수 있다. 즉, UV가 조사된 영역의 포토 레지스트(131)가 잔류하게 된다. 이와 같이, 네거티브형의 포토 레지스트(131)를 사용하게 되면, 파지티브(positive)형의 포토 레지스트(131)보다 필요한 UV 조사량이 적어질 수 있다.The photoresist 131 may be of a negative type. That is, the photoresist 131 in the UV irradiated region remains. As described above, if the negative type photoresist 131 is used, the required amount of UV irradiation can be smaller than that of the positive type photoresist 131.

이 경우, 도 11에 도시된 바와 같이, 레지스트 패턴(130)의 단면은 전극층(120)으로 갈수록 폭이 좁아지게 형성될 수 있다. 이는 포토 레지스트(131)의 두께 방향으로 UV 조사량이 낮아지기 때문이다. 이와 같이 역사다리꼴 모양으로 레지스트 패턴(130)이 형성되면 미세 전극 패턴의 형성이 가능해진다. In this case, as shown in FIG. 11, the end face of the resist pattern 130 may be formed to have a narrower width toward the electrode layer 120. This is because the UV irradiation amount in the thickness direction of the photoresist 131 is lowered. When the resist pattern 130 is formed in a reverse trapezoidal shape as described above, it becomes possible to form a fine electrode pattern.

파지티브형의 포토 레지스트(131)를 사용하는 경우에 사다리꼴 모양으로 레지스트 패턴(130)이 형성된다면, 레지스트 패턴(130)의 가장 하부층의 폭은 8㎛ 이상이 되어 전극 패턴 폭이 10㎛ 이상이 된다. 그러나, 같은 조건 하에서 네거티브형의 포토 레지스트(131)를 사용하는 경우에 역사다리꼴 모양으로 레지스트 패턴(130)이 형성된다면, 레지스트 패턴(130)의 가장 하부층의 폭은 5㎛ 이하가 될 수 있으며, 전극 패턴 폭은 7㎛ 이하가 될 수 있다. If the resist pattern 130 is formed in a trapezoidal shape when the photovoltaic photoresist 131 is used, the width of the lowermost layer of the resist pattern 130 becomes 8 μm or more and the width of the electrode pattern is 10 μm or more do. However, if the resist pattern 130 is formed in an inverted trapezoidal shape when the negative type photoresist 131 is used under the same conditions, the width of the lowermost layer of the resist pattern 130 may be 5 μm or less, The width of the electrode pattern may be 7 占 퐉 or less.

따라서, 네거티브형의 포토 레지스트(131)를 사용하는 경우에 역사다리꼴 모양으로 레지스트 패턴(130)이 형성되면, 보다 미세한 전극 패턴 형성이 가능할 수 있다.Therefore, when the negative type photoresist 131 is used, if the resist pattern 130 is formed in an inverted trapezoidal shape, a finer electrode pattern can be formed.

튜닝포크 형의 압전소자의 주요 성능 중 ESR은 전극 간의 거리에 의하여 영향을 받으며, 전극 간의 거리가 작아질수록 ESR이 낮아지는 경향이 있다. 즉, 전극 패턴이 미세해질수록 ESR이 낮아진다. Among the main performances of the tuning fork type piezoelectric element, the ESR is affected by the distance between the electrodes, and the smaller the distance between the electrodes, the lower the ESR is. That is, as the electrode pattern becomes finer, the ESR becomes lower.

상술한 바와 같이, 네거티브형의 포토 레지스트(131)를 사용하는 경우에 역사다리꼴 모양으로 레지스트 패턴(130)이 형성되면, 보다 미세한 전극 패턴 형성이 가능할 수 있으므로 ESR도 낮아질 수 있다.As described above, when the negative type photoresist 131 is used, if the resist pattern 130 is formed in an inverted trapezoidal shape, finer electrode patterns can be formed, and the ESR can also be lowered.

도 7을 참조하면, 전극층(120) 상에 마스크(140)를 형성하는 단계(S130)는 레지스트 패턴(130)이 형성된 영역 이외의 전극층(120) 상에 마스크(140)를 형성하는 단계이다. 마스크(140)는 제거되지 않아야 할 영역을 보호하는 역할을 할 수 있다. 마스크(140)는 금속일 수 있으며, 도금 방식으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 마스크(140)는 니켈(Ni)일 수 있다. Referring to FIG. 7, the step of forming a mask 140 on the electrode layer 120 (S130) is a step of forming a mask 140 on the electrode layer 120 other than the region where the resist pattern 130 is formed. The mask 140 may serve to protect the area that should not be removed. The mask 140 may be a metal and may be formed by a plating method. For example, the mask 140 may be nickel (Ni).

전극층(120) 상에는 레지스트 패턴(130)이 형성되어 있으므로, 마스크(140)는 포토 레지스트(131)를 회피하여 전극층(120)을 커버할 수 있다.Since the resist pattern 130 is formed on the electrode layer 120, the mask 140 can cover the electrode layer 120 by avoiding the photoresist 131.

마스크(140)는 최종적으로 전극층(120)과 함께 전극의 역할을 할 수 있으며, 이에 따라 전체적인 전극의 두께가 증가하게 되므로 저항이 작아질 수 있다.The mask 140 may function as an electrode together with the electrode layer 120, and the overall thickness of the electrode 140 may increase, so that the resistance may be reduced.

도 8을 참조하면, 상기 레지스트 패턴(130)을 제거하는 단계(S140)는 전극층(120)의 절연영역(A)이 노출되도록 레지스트 패턴(130)을 제거하는 단계이다. 레지스트 패턴(130)은 박리액에 의하여 박리될 수 있다. 이에 따라, 절연영역(A)이 외부로 노출될 수 있다.Referring to FIG. 8, the step of removing the resist pattern 130 (S140) is a step of removing the resist pattern 130 such that the insulating region A of the electrode layer 120 is exposed. The resist pattern 130 can be peeled off by the peeling liquid. Thus, the insulating region A can be exposed to the outside.

도 9를 참조하면, 양전극(111)과 음전극(112)을 형성하는 단계(S150)는, 노출된 상기 전극층(120)의 절연영역(A)을 제거하여 양전극(111)과 음전극(112)을 형성하는 단계이다. 즉, 레지스트 패턴(130) 제거에 의하여 외부로 노출되는 전극층(120)의 절연영역(A)이 제거될 수 있다.9, forming the positive electrode 111 and the negative electrode 112 may be performed by removing the insulating region A of the exposed electrode layer 120 to form the positive electrode 111 and the negative electrode 112, . That is, by removing the resist pattern 130, the insulating region A of the electrode layer 120 exposed to the outside can be removed.

양전극(111)과 음전극(112)을 형성하는 단계 이후에, 양전극(111)과 음전극(112) 상에 금도금을 할 수 있다. 금은 저항이 작은 금속이므로 금도금에 의하여 전극의 기능이 향상될 수 있다.After the step of forming the positive electrode 111 and the negative electrode 112, the positive electrode 111 and the negative electrode 112 can be plated with gold. Since gold has a small resistance, the function of the electrode can be improved by gold plating.

도 10을 참조하면, 마스크(140)를 제거하는 단계(S160)는, 양전극(111)과 음전극(112)을 형성하는 단계 이후에 마스크(140)를 제거하는 단계이다. 전극층(120)이 금이고 마스크(140)가 니켈인 경우, 금이 니켈보다 산화에 대하여 더 강하므로, 금속의 산화가 잘 일어나는 환경에서는 니켈을 제거하는 것이 바람직할 수 있다.Referring to FIG. 10, the step of removing the mask 140 (S160) is a step of removing the mask 140 after the step of forming the positive electrode 111 and the negative electrode 112. In the case where the electrode layer 120 is gold and the mask 140 is nickel, it is preferable that nickel is removed in an environment where the oxidation of the metal occurs well, since gold is stronger than oxidation with respect to nickel.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 압전 진동자(100) 전극 형성 방법에 의하면, 전극층(120) 상에서 마스크(140)가 일정한 두께로 형성될 수 있으므로 전극층(120) 에칭 시 에칭되지 않아야 할 부분이 마스크(140)에 의하여 충분히 보호될 수 있다. 이에 따라 전극의 데미지가 감소될 수 있으며 유효전극 면적의 손실이 없어진다. 궁극적으로는 ESR의 기능이 향상될 수 있다. As described above, according to the method of forming the piezoelectric vibrator 100 according to an embodiment of the present invention, since the mask 140 may be formed on the electrode layer 120 to a predetermined thickness, the electrode layer 120 should not be etched when the electrode layer 120 is etched. The portion to be protected can be sufficiently protected by the mask 140. [ Thus, the damage of the electrode can be reduced and the loss of the effective electrode area is eliminated. Ultimately, the function of ESR can be improved.

이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit of the invention as set forth in the appended claims. The present invention can be variously modified and changed by those skilled in the art, and it is also within the scope of the present invention.

100: 압전 진동자
110: 압전체
111: 양전극
112: 음전극
110: 압전체
115: 금속막
120: 전극층
130: 레지스트 패턴
131: 포토 레지스트
132: 포토마스크
140: 마스크
A: 절연영역100: piezoelectric vibrator
110:
111: positive polarity
112: negative polarity
110:
115: metal film
120: electrode layer
130: resist pattern
131: Photoresist
132: Photomask
140: mask
A: Insulation area

Claims (11)

표면에 전극층이 형성된 압전체를 제공하는 단계;
상기 전극층 중 서로 전기적으로 절연된 양전극과 음전극을 형성하기 위해 제거되는 절연영역 상에 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
상기 레지스트 패턴이 형성된 영역 이외의 상기 전극층 상에 마스크를 형성하는 단계;
상기 전극층의 상기 절연영역이 노출되도록 상기 레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및
노출된 상기 전극층의 절연영역을 제거하여 상기 양전극과 상기 음전극을 형성하는 단계를 포함하는 압전 진동자 전극 형성 방법.
Providing a piezoelectric body having an electrode layer on its surface;
Forming a resist pattern on an insulating region that is removed to form a positive electrode and a negative electrode electrically insulated from each other in the electrode layer;
Forming a mask on the electrode layer other than the region where the resist pattern is formed;
Removing the resist pattern so that the insulating region of the electrode layer is exposed; And
And removing the insulating region of the exposed electrode layer to form the positive electrode and the negative electrode.
제1항에 있어서,
상기 마스크는 상기 전극층을 시드로 전해도금하여 형성되는 것을 특징으로 하는 압전 진동자 전극 형성 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the mask is formed by electroplating the electrode layer with a seed.
제1항에 있어서,
상기 전극층 상에 레지스트 패턴을 형성하는 단계는,
상기 전극층 상에 포토 레지스트를 도포하는 단계;
상기 포토 레지스트 상에 포토마스크를 배치하여 노광하는 단계; 및
노광된 상기 포토 레지스트를 현상하여 상기 레지스트 패턴 외의 상기 포토 레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 압전 진동자 전극 형성 방법.
The method according to claim 1,
Wherein forming the resist pattern on the electrode layer comprises:
Applying a photoresist on the electrode layer;
Disposing a photomask on the photoresist to expose the photomask; And
And developing the exposed photoresist to remove the photoresist outside the resist pattern.
제2항에 있어서,
상기 포토 레지스트는 네거티브(negative)형인 것을 특징으로 하는 압전 진동자 전극 형성 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the photoresist is of a negative type.
제1항에 있어서,
상기 레지스트 패턴의 단면은 상기 전극층으로 갈수록 폭이 좁아지게 형성되는 것을 특징으로 하는 압전 진동자 전극 형성 방법.
The method according to claim 1,
Wherein a cross section of the resist pattern is formed to be narrower toward the electrode layer.
제1항에 있어서,
상기 압전체와 상기 전극층 사이에는 상기 압전체와 상기 전극층을 밀착시키는 금속막이 개재되는 것을 특징으로 하는 압전 진동자 전극 형성 방법.
The method according to claim 1,
Wherein a metal film which closely contacts the piezoelectric body and the electrode layer is interposed between the piezoelectric body and the electrode layer.
제1항에 있어서,
상기 양전극과 상기 음전극을 형성하는 단계 이후에,
상기 마스크를 제거하는 단계를 더 포함하는 압전 진동자 전극 형성 방법.
The method according to claim 1,
After the step of forming the positive electrode and the negative electrode,
Further comprising the step of removing the mask.
제1항에 있어서,
상기 압전체는,
베이스; 및
상기 베이스로부터 분기되는 한 쌍의 진동암을 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 진동자 전극 형성 방법.
The method according to claim 1,
The piezoelectric body may include:
Base; And
And a pair of vibration arms branched from the base.
제8항에 있어서,
상기 진동암에는 그루브(groove)가 형성되는 것을 특징으로 하는 압전 진동자 전극 형성 방법.
9. The method of claim 8,
Wherein a groove is formed in the vibration arm.
제9항에 있어서,
상기 그루브는 복수로 이루어지는 것을 특징으로 하는 압전 진동자 전극 형성 방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the groove is made of a plurality of grooves.
제1항에 있어서,
표면에 전극층이 형성된 압전체를 제공하는 단계는,
상기 압전체에 상기 전극층을 스퍼터링(sputtering)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 진동자 전극 형성 방법.The method according to claim 1,
Providing a piezoelectric body having an electrode layer on its surface,
And sputtering the electrode layer on the piezoelectric body.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002261577A (en) * 2001-03-02 2002-09-13 Seiko Epson Corp Vibrating reed, vibrator, oscillator and portable telephone
KR20030025204A (en) * 2001-09-19 2003-03-28 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 Method of forming electrode pattern of surface acoustic wave device
JP2013034055A (en) * 2011-08-01 2013-02-14 Murata Mfg Co Ltd Acoustic wave device and method of manufacturing the same
KR20130061262A (en) * 2011-12-01 2013-06-11 삼성전기주식회사 Piezo vibrator and method for manufacturing the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002261577A (en) * 2001-03-02 2002-09-13 Seiko Epson Corp Vibrating reed, vibrator, oscillator and portable telephone
KR20030025204A (en) * 2001-09-19 2003-03-28 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 Method of forming electrode pattern of surface acoustic wave device
JP2013034055A (en) * 2011-08-01 2013-02-14 Murata Mfg Co Ltd Acoustic wave device and method of manufacturing the same
KR20130061262A (en) * 2011-12-01 2013-06-11 삼성전기주식회사 Piezo vibrator and method for manufacturing the same

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