KR20150012584A - 스퍼터링 타겟 제조 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 실시예는 기판상에 제1 전극, 제2 전극 및 적어도 유기 발광층을 구비하는 중간층을 포함하는 유기 발광 소자를 형성하는 단계 및 상기 유기 발광 소자 상에 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물 및 산화물을 포함한 적어도 하나의 무기막을 포함한 박막 봉지층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 산화물은 지르코늄-텅스텐 산화물 또는 리튬-알루미늄-실리콘 산화물을 함유하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 제공한다.
Description
본 실시예는 스퍼터링 타겟 제조 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 특히, 표시 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다. 그 중 유기 발광 표시 장치는 소비전력 특성, 시야각 특성 또는 화질 특성 등이 우수한 자발광형 표시 장치이다.
유기 발광 표시 장치는 제1 전극, 제2 전극 및 그 사이에 배치되고 적어도 유기 발광층을 구비하는 유기 발광 소자를 구비한다.
한편, 이러한 유기 발광 소자는 외부의 수분 및 열에 약하여 유기 발광 소자를 봉지하는 봉지 구조가 필요하다.
그러나 이런 봉지 구조를 형성하는 방법 중 스퍼터링 방법은 스퍼터링 타겟을 이용하는데 스퍼터링을 이용하여 봉지 구조를 형성하기 용이하지 않아 유기 발광 표시 장치의 내구성 및 봉지 특성을 향상하는데 한계가 있다.
본 실시예는 밀봉 특성 및 내구성을 향상하는 스퍼터링 타겟 제조 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 박막 봉지층을 형성하기 위한 스퍼터링 시 이용되는 스퍼터링 타겟을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 상기 박막 봉지층은 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물을 구비하고, 지르코늄-텅스텐 산화물 또는 리튬-알루미늄-실리콘 산화물을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 제조 방법을 개시한다.
본 실시예에 있어서 상기 스퍼터링 타겟은 상기 LVT 무기물을 형성하기 위한 재료로서 주석 산화물을 함유할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 스퍼터링 타겟은 상기 지르코늄-텅스텐 산화물을 형성하기 위한 재료로서, 지르코늄 산화물 및 텅스텐 또는 지르코늄 산화물 및 텅스텐 산화물을 함유할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 스퍼터링 타겟은 상기 리튬-알루미늄-실리콘 산화물을 형성하기 위한 재료로서, 실리콘 산화물, 리튬 및 알루미늄을 포함하거나, 실리콘 산화물, 리튬 산화물 및 알루미늄을 포함하거나, 실리콘 산화물, 리튬 및 알루미늄 산화물을 포함하거나, 실리콘 산화물, 리튬 산화물 및 알루미늄 산화물을 함유할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는 기판, 상기 기판상에 형성되고 제1 전극, 제2 전극 및 적어도 유기 발광층을 구비하는 중간층을 포함하는 유기 발광 소자 및 상기 유기 발광 소자 상에 형성되고 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물 및 산화물을 포함한 적어도 하나의 무기막을 포함하는 박막 봉지층을 포함하고, 상기 산화물은 지르코늄-텅스텐 산화물 또는 리튬-알루미늄-실리콘 산화물을 함유하는 유기 발광 표시 장치를 개시한다.
본 실시예에 있어서 상기 지르코늄-텅스텐 산화물은 ZrW2O8 또는 Zr2WP2O12 를 함유할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 리튬-알루미늄-실리콘 산화물은 LiAlSiO4를 함유할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 LVT 무기물은 주석 산화물을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 LVT 무기물은 인 산화물, 보론 포스페이트, 주석 불화물, 니오브 산화물 및 텅스텐 산화물 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도는 상기 LVT 무기물에 유동성을 제공할 수 있는 최소 온도일 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도는 상기 유기 발광 소자의 중간층에 포함된 물질의 변성 온도보다 작을 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 박막 봉지층은 상기 유기 발광 소자의 상면 및 측면을 덮도록 형성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예는 기판상에 제1 전극, 제2 전극 및 적어도 유기 발광층을 구비하는 중간층을 포함하는 유기 발광 소자를 형성하는 단계 및 상기 유기 발광 소자 상에 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물 및 산화물을 포함한 적어도 하나의 무기막을 포함한 박막 봉지층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 산화물은 지르코늄-텅스텐 산화물 또는 리튬-알루미늄-실리콘 산화물을 함유하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 개시한다.
본 실시예에 있어서 상기 박막 봉지층을 형성하는 단계는 스퍼터링 공정을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 스퍼터링 공정은 스퍼터링 타겟을 이용하여 진행하고, 상기 스퍼터링 타겟은 상기 LVT 무기물을 형성하기 위한 재료로서 주석 산화물을 함유할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 스퍼터링 타겟은, 지르코늄 산화물 및 텅스텐 또는 지르코늄 산화물 및 텅스텐 산화물을 함유할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 스퍼터링 타겟이 지르코늄 산화물 및 텅스텐을 함유하는 경우, 상기 스퍼터링 공정은 산소 분위기에서 진행될 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 스퍼터링 타겟은, 실리콘 산화물, 리튬 및 알루미늄을 포함하거나, 실리콘 산화물, 리튬 산화물 및 알루미늄을 포함하거나, 실리콘 산화물, 리튬 및 알루미늄 산화물을 포함하거나, 실리콘 산화물, 리튬 산화물 및 알루미늄 산화물을 함유할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 스퍼터링 타겟이 실리콘 산화물, 리튬 및 알루미늄을 포함하거나, 실리콘 산화물, 리튬 산화물 및 알루미늄을 포함하거나, 실리콘 산화물, 리튬 및 알루미늄 산화물을 포함하는 경우, 상기 스퍼터링 공정은 산소 분위기에서 진행될 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 박막 봉지층을 형성하는 단계는, 상기 LVT 무기물을 함유하는 예비 박막 봉지층을 형성하는 단계 및 상기 예비 박막 봉지층을 힐링하는 단계를 구비하고, 상기 예비 박막 봉지층을 힐링하는 단계는 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도 이상 내지 상기 유기 발광 소자의 중간층의 물질의 변성 온도 미만에서 진행할 수 있다.
본 실시예에 관한 스퍼터링 타겟 제조 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법은 봉지 특성 및 내구성을 용이하게 향상할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 방법으로 제조된 스퍼터링 타겟을 도시한 개략적인 사시도이다.
도 2는 도 1의 스퍼터링 타겟을 이용하여 스퍼터링 방법으로 형성된 재료의 열팽창계수를 도시한 그래프이다.
도 3은 도 1의 스퍼터링 타겟을 이용하여 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법을 도시한 도면이다.
도 4는 도 3의 방법으로 제조된 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 5는 도 4의 K의 확대도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 스퍼터링 타겟을 이용하여 스퍼터링 방법으로 형성된 재료의 열팽창계수를 도시한 그래프이다.
도 3은 도 1의 스퍼터링 타겟을 이용하여 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법을 도시한 도면이다.
도 4는 도 3의 방법으로 제조된 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 5는 도 4의 K의 확대도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 개략적인 단면도이다.
본 실시예들은 다양한 변환을 가할 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 실시예들의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 내용들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 실시예들은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하의 실시예에서 "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 이하의 실시예는 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 이하의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 방법으로 제조된 스퍼터링 타겟을 도시한 개략적인 사시도이다.
도 1을 참조하면 스퍼터링 타겟(10)은 원형 플레이트와 유사한 형태이나, 이는 하나의 예시로서 스퍼터링 타겟(10)은 각형일 수 있고, 기둥 형태일 수도 있다.
스퍼터링 타겟(10)은 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, 지르코늄 산화물 및 텅스텐 산화물을 함유한다. 예를들면 스퍼터링 타겟(10)은 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, ZrO2 및 WO3를 함유한다.
선택적인 다른 실시예로서 스퍼터링 타겟(10)은 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, 실리콘 산화물, 리튬 산화물 및 알루미늄 산화물을 함유한다. 예를들면 스퍼터링 타겟(10)은 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, SiO2, Li2O 및 Al2O3를 함유한다.
선택적인 또 다른 실시예로서 스퍼터링 타겟(10)은 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, 지르코늄 산화물, 텅스텐 산화물, 실리콘 산화물, 리튬 산화물 및 알루미늄 산화물을 함유한다. 예를들면 스퍼터링 타겟(10)은 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, ZrO2, WO3, SiO2, Li2O 및 Al2O3를 함유한다.
선택적인 또 다른 실시예로서 스퍼터링 타겟(10)은 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, 지르코늄 산화물 및 텅스텐을 함유한다. 예를들면 스퍼터링 타겟(10)은 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, ZrO2 및 W를 함유한다. 전술한 실시예와 다르게 스퍼터링 타겟(10)은 텅스텐 산화물, 즉 절연물이 아닌 금속 텅스텐을 함유한다. 이를 통하여 스퍼터링 타겟(10)을 이용한 스퍼터링 공정 진행 시 스퍼터링 타겟(10)의 전기적 저항을 감소하여 스퍼터링 공정의 효율을 향상한다.
선택적인 또 다른 실시예로서 스퍼터링 타겟(10)은 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, 실리콘 산화물, 리튬 및 알루미늄 산화물을 함유하거나, 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, 실리콘 산화물, 리튬 산화물 및 알루미늄을 함유하거나, 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, 실리콘 산화물, 리튬 및 알루미늄을 함유할 수 있다. 예를들면 스퍼터링 타겟(10)은 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, SiO2, Li2O 및 Al을 함유한다. 즉 스퍼터링 타겟(10)에서 리튬 및 알루미늄 중 적어도 어느 하나는 절연물인 산화물 상태가 아닌 금속 형태로 존재한다. 이를 통하여 스퍼터링 타겟(10)을 이용한 스퍼터링 공정 진행 시 스퍼터링 타겟(10)의 전기적 저항을 감소하여 스퍼터링 공정의 효율을 향상한다.
선택적인 또 다른 실시예로서 스퍼터링 타겟(10)은 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, 지르코늄 산화물, 텅스텐, 실리콘 산화물, 리튬 및 알루미늄을 함유하고, 텅스텐, 리튬 및 알루미늄 중 적어도 어느 하나는 산소와 결합한 산화물 형태가 아닌 금속 형태로 존재할 수 있다. 예를들면 스퍼터링 타겟(10)은 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, ZrO2, W, SiO2, Li2O 및 Al을 함유한다. 즉 스퍼터링 타겟(10)에서 텅스텐, 리튬, 알루미늄 중 적어도 어느 하나는 절연물인 산화물 상태가 아닌 금속 형태로 존재한다. 이를 통하여 스퍼터링 타겟(10)을 이용한 스퍼터링 공정 진행 시 스퍼터링 타겟(10)의 전기적 저항을 감소하여 스퍼터링 공정의 효율을 향상한다.
본 명세서 중, "점도 변화 온도"는 상기 LVT 무기물이 고체에서 액체로 완전히 변하는 온도를 의미하는 것은 아니라, 상기 LVT 무기물에 유동성(fluidity)을 제공할 수 있는 최소 온도, 즉, 상기 LVT 무기물의 점도가 변화하는 최소 온도를 의미한다. 상기 LVT 무기물의 "점도 변화 온도"에 대한 구체적인 내용은 후술한다.
예를 들어, 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도는, 80℃ 이상, 예를 들면, 80℃ 이상 및 132℃ 미만의 범위일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도는 예를 들면, 80℃ 내지 120℃ 또는 100℃ 내지 120℃일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도는 110℃일 수 있다.
상기 LVT 무기물은 1종의 화합물로 이루어지거나, 2종 이상의 화합물로 이루어진 혼합물일 수 있다.
상기 LVT 무기물은 주석 산화물(예를 들면, SnO 또는 SnO2)을 포함할 수 있다. 상기 LVT 무기물이 SnO를 포함할 경우, 상기 SnO의 함량은 20중량% 내지 100중량%일 수 있다.
상기 LVT 무기물은 상기 주석 산화물에 더하여, 인 산화물(예를 들면, P2O5), 보론 포스페이트(BPO4), 주석 불화물(예를 들면, SnF2), 니오브 산화물(예를 들면, NbO) 및 텅스텐 산화물(예를 들면, WO3) 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 LVT 무기물은,
- SnO;
- SnO 및 P2O5;
- SnO 및 BPO4;
- SnO, SnF2 및 P2O5;
- SnO, SnF2, P2O5 및 NbO; 또는
- SnO, SnF2, P2O5 및 WO3;
를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 실시예의 스퍼터링 타겟(10)은 다양한 방법을 이용하여 제조할 수 있다. 예를들면 스퍼터링 타겟(10)은 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, ZrO2 및 WO3를 함유하는 파우더를 준비하는 단계, 상기 파우더를 균일하게 혼합하는 단계, 상기 혼합된 파우더를 고온 고압으로 용융하는 단계, 용융된 재료를 가압하는 단계, 가압된 재료를 냉각하는 단계 및 냉각된 재료를 절단하는 단계를 통하여 형성될 수 있다.
그러나 이는 하나의 예시로서 본 실시예의 스퍼터링 타겟(10)은 상기의 재료를 함유하기만 한다면 다양한 방법으로 제조될 수 있음은 물론이다.
도 2는 도 1의 스퍼터링 타겟을 이용하여 스퍼터링 방법으로 형성된 재료의 열팽창계수를 도시한 그래프이다.
예를들면 도 2는 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, 지르코늄 산화물 및 텅스텐 산화물을 함유하는 스퍼터링 타겟(10)을 스퍼터링을 진행하거나 또는 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, 지르코늄 산화물 및 텅스텐을 함유하는 스퍼터링 타겟(10)을 이용하여 산소를 포함하는 분위기에서 스퍼터링을 진행하여 형성된 ZrW2O8의 열팽창 계수를 나타낸다.
도 2를 참조하면 X축은 온도, Y축은 열팽창계수이다. 도 2의 (a)는 에폭시 재료, (b)는 얼음, (c)는 알루미늄, (d)는 Invar, (e)는 실리콘, (z)는 ZrW2O8의 열팽창 계수를 나타낸다.
도 2에 도시한 것과 같이 (z)는 음(-)의 열팽창계수를 나타낸다. 이러한 낮은 값의 열팽창계수는 LVT 무기물의 높은 열팽창계수에 비하여 현저하게 낮으므로 스퍼터링 타겟(10)을 이용하여 형성할 박막 봉지층(미도시, 후술함)의 형성 시 LVT 무기물의 높은 열팽창계수의 높음으로 발생하는 박막 봉지층(미도시)의 손상을 원천적으로 차단한다.
도 3은 도 1의 스퍼터링 타겟을 이용하여 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법을 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면 전술한 스퍼터링 타겟(10) 및 기판(101)이 챔버(CA)내에 배치된다. 기판(101)은 스테이지부(SU)에 배치되고, 스퍼터링 타겟(10)은 기판(101)과 대향하도록 배치된다. 스퍼터링 타겟(10)을 이용한 스퍼터링 방법을 진행하여 스퍼터링 타겟(10)을 구성하는 재료를 포함하는 박막을 기판(101)에 형성할 수 있다. 구체적으로 박막 봉지층을 기판(101)상에 형성할 수 있다.
도 3에 도시된 구조는 스퍼터링 방법의 일 예를 도시한 것에 불과하고, 본 실시예는 이에 한정되지 아니한다. 즉, 스퍼터링 타겟(10)을 이용한 다양한 스퍼터링 방법을 진행하여 유기 발광 표시 장치를 제조할 수 있다.
도 3에 도시된 것과 다른 예로서, 2개의 스퍼터링 타겟(10)을 대향하도록 배치하여 2개의 스퍼터링 타겟(10)의 사이의 공간에 플라즈마가 발생하도록 하고, 이러한 플라즈마와 대향하도록 기판(101)을 배치한 후 스퍼터링 방법을 수행하여 기판(101)에 대한 입자 충돌로 인한 손상을 방지하는 것도 가능함은 물론이다.
도 4는 도 3의 방법으로 제조된 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이고, 도 5는 도 4의 K의 확대도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(101), 유기 발광 소자(120) 및 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물을 포함한 적어도 하나의 무기막을 포함한 박막 봉지층(150)를 포함한다.
유기 발광 표시 장치(100)는 기판(101), 유기 발광 소자(120) 및 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물을 포함한 적어도 하나의 무기막을 포함한 박막 봉지층(150)를 포함한다.
기판(101)는 다양한 소재를 이용하여 형성할 수 있다. 예를들면 기판(101)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 또한 기판(101)은 투명한 플라스틱 재질로 형성할 수도 있다.
유기 발광 소자(120)는 기판(101)상에 형성되고, 제1 전극(121), 제2 전극(122) 및 중간층(123)을 포함한다. 구체적으로 제1 전극(121)은 기판(101)상에 형성되고, 제2 전극(122)은 제1 전극(121)상에 형성되고, 중간층(123)은 제1 전극(121)과 제2 전극(122)사이에 형성된다.
도시하지 않았으나, 제1 전극(121)과 기판(101)상에 버퍼층(미도시)을 더 형성할 수도 있다. 버퍼층(미도시)은 기판(101)상에 평탄면을 제공하고, 기판(101)을 통하여 침투하는 수분 또는 기체를 차단할 수 있다.
제1 전극(121)은 애노드 기능을 하고, 제2 전극(122)은 캐소드 기능을 할 수 있는 데, 물론, 이러한 극성의 순서는 서로 반대로 되어도 무방하다.
제1 전극(121)이 애노드 기능을 할 경우, 제1 전극(121)은 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 포함하여 구비될 수 있다. 또한 목적 및 설계 조건에 따라서 제1 전극(121)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Yb 또는 Ca 등으로 형성된 반사막을 더 포함할 수 있다.
제2 전극(122)이 캐소드 기능을 할 경우 제2 전극(122)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, 또는 Ca의 금속으로 형성될 수 있다. 또한 제2 전극(122)은 광투과가 가능하도록 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 포함할 수도 있다.
중간층(123)은 적어도 유기 발광층을 구비한다. 또한 중간층(123)은 유기 발광층외에 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나 이상을 선택적으로 구비할 수 있다.
제1 전극(121) 및 제2 전극(122)에 전압이 인가되면 중간층(123), 특히 중간층(123)의 유기 발광층에서 가시 광선이 발생한다.
도시하지 않았으나 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(100)는 유기 발광 소자(120)에 전기적으로 연결되는 하나 이상의 박막 트랜지스터(미도시)를 구비할 수 있다. 유기 발광 표시 장치(100)는 유기 발광 소자(120)에 전기적으로 연결되는 하나 이상의 캐패시터를 구비할 수 있다.
도시하지 않았으나 유기 발광 소자(120)와 박막 봉지층(150)사이에 하나 이상의 평탄화층 또는 보호층이 형성될 수 있다. 평탄화층 또는 보호층은 유기 발광 소자(120)상에 평탄한 면을 제공하고, 유기 발광 소자(120)를 1차적으로 보호한다. 평탄화층 또는 보호층은 다양한 절연 물질을 이용하여 형성할 수 있는데, 예를들면 평탄화층 또는 보호층은 유기 물질을 이용하여 형성할 수 있다.
박막 봉지층(150)은 유기 발광 소자(120)상에 형성된다.
박막 봉지층(150)은 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물(151) 및 산화물(152)을 구비한다.
산화물(152)은 지르코늄-텅스텐 산화물을 함유한다. 지르코늄-텅스텐 산화물은 예를들면 ZrW2O8를 함유한다. 또 다른 예로서 지르코늄-텅스텐 산화물은 Zr2WP2O12를 함유한다. LVT 무기물(151)과 산화물(152)은 도 5에서와 같이 섞여 있게 된다.
선택적인 다른 실시예로서 산화물(152)은 리튬-알루미늄-실리콘 산화물을 함유한다. 리튬-알루미늄-실리콘 산화물은 예를들면 LiAlSiO4를 함유한다.
또 다른 실시예로서 산화물(152)은 지르코늄-텅스텐 산화물 및 리튬-알루미늄-실리콘 산화물을 함유한다.
이러한 박막 봉지층(150)은 도 3에 도시한 것과 같이 스퍼터링 타겟(10)을 이용한 스퍼터링 방법으로 형성할 수 있다. 박막 봉지층(150)을 형성하는 방법을 설명하기로 한다.
먼저 기판(101)을 스퍼터링 타겟(10)이 배치된 챔버(CA)에 배치한다. 이 때 기판(101)상에는 유기 발광 소자(120)가 형성되어 있고, 추가적으로 유기 발광 소자(120)상에는 및 평탄화층(미도시) 또는 보호층(미도시)이 형성되어 있을 수 있다.
그리고 나서 스퍼터링 타겟(10)을 이용하여 스퍼터링을 진행하여 박막 봉지층(150)을 형성하기 위한 예비 박막 봉지층(미도시)을 형성한다.
전술한 대로 스퍼터링 타겟(10)이 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, 지르코늄 산화물 및 텅스텐 산화물을 함유하고, 예를들면 스퍼터링 타겟(10)이 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, ZrO2 및 WO3를 함유하는 경우, 스퍼터링 타겟(10)을 이용한 스퍼터링을 진행하여 형성된 예비 박막 봉지층(미도시)은 LVT 무기물 및 지르코늄-텅스텐 산화물을 함유한다. 지르코늄-텅스텐 산화물은 예를들면 ZrW2O8를 함유한다. 또 다른 예로서 지르코늄-텅스텐 산화물은 Zr2WP2O12를 함유한다. Zr2WP2O12 은 LVT 무기물에 함유된 인산화물과 지르코늄-텅스텐 산화물의 반응으로 형성된다.
선택적인 다른 예로서 스퍼터링 타겟(10)이 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, 실리콘 산화물, 리튬 산화물 및 알루미늄 산화물을 함유하고, 예를들면 스퍼터링 타겟(10)이 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, SiO2, Li2O 및 Al2O3를 함유하는 경우, 스퍼터링 타겟(10)을 이용한 스퍼터링을 진행하여 형성된 예비 박막 봉지층(미도시)은 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물 및 리튬-알루미늄-실리콘 산화물을 함유한다. 리튬-알루미늄-실리콘 산화물은 예를들면 LiAlSiO4를 함유한다.
선택적인 또 다른 실시예로서 스퍼터링 타겟(10)이 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, 지르코늄 산화물, 텅스텐 산화물, 실리콘 산화물, 리튬 산화물 및 알루미늄 산화물을 함유하고, 예를들면 스퍼터링 타겟(10)이 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, ZrO2, WO3, SiO2, Li2O 및 Al2O3를 함유하는 경우, 스퍼터링 타겟(10)을 이용한 스퍼터링을 진행하여 형성된 예비 박막 봉지층(미도시)은 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, 리튬-알루미늄-실리콘 산화물 및 지르코늄-텅스텐 산화물을 함유한다. 리튬-알루미늄-실리콘 산화물은 예를들면 LiAlSiO4를 함유한다. 지르코늄-텅스텐 산화물은 예를들면 ZrW2O8 또는 Zr2WP2O12를 함유한다.
선택적인 또 다른 실시예로서 스퍼터링 타겟(10)이 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, 지르코늄 산화물 및 텅스텐을 함유하고, 예를들면 스퍼터링 타겟(10)이 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, ZrO2 및 W를 함유하는 경우, 산소 분위기에서 스퍼터링 타겟(10)을 이용한 스퍼터링을 진행하여 형성된 예비 박막 봉지층(미도시)은 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, 지르코늄-텅스텐 산화물을 함유한다. 지르코늄-텅스텐 산화물은 예를들면 ZrW2O8 또는 Zr2WP2O12를 함유한다. 스퍼터링 공정 시 금속의 텅스텐의 산화를 위하여 산소 분위기에서 공정이 진행되고, 금속의 텅스텐을 함유하는 스퍼터링 타겟(10)의 전기적 저항이 감소되어 스퍼터링 공정의 속도가 증가한다.
선택적인 또 다른 실시예로서 스퍼터링 타겟(10)이 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, 실리콘 산화물, 리튬 및 알루미늄 산화물을 함유하거나, 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, 실리콘 산화물, 리튬 산화물 및 알루미늄을 함유하거나, 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, 실리콘 산화물, 리튬 및 알루미늄을 함유하는 경우, 예를들면 스퍼터링 타겟(10)이 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, SiO2, Li2O 및 Al을 함유하는 경우, 산소 분위기에서 스퍼터링 타겟(10)을 이용한 스퍼터링을 진행하여 형성된 예비 박막 봉지층(미도시)은 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물 및 리튬-알루미늄-실리콘 산화물을 함유한다. 리튬-알루미늄-실리콘 산화물은 예를들면 LiAlSiO4를 함유한다. 스퍼터링 공정 시 금속의 리튬 또는 알루미늄의 산화를 위하여 산소 분위기에서 공정이 진행되고, 금속을 함유하는 스퍼터링 타겟(10)의 전기적 저항이 감소되어 스퍼터링 공정의 속도가 증가한다.
선택적인 또 다른 실시예로서 스퍼터링 타겟(10)은 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, 지르코늄 산화물, 텅스텐, 실리콘 산화물, 리튬 및 알루미늄을 함유하고, 텅스텐, 리튬 및 알루미늄 중 적어도 어느 하나는 산소와 결합한 산화물 형태가 아닌 금속 형태로 존재할 수 있다. 예를들면 스퍼터링 타겟(10)이 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, ZrO2, W, SiO2, Li2O 및 Al을 함유하는 경우, 산소 분위기에서 스퍼터링 타겟(10)을 이용한 스퍼터링을 진행하여 형성된 예비 박막 봉지층(미도시)은 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물, 리튬-알루미늄-실리콘 산화물 및 지르코늄-텅스텐 산화물을 함유한다. 리튬-알루미늄-실리콘 산화물은 예를들면 LiAlSiO4를 함유한다. 지르코늄-텅스텐 산화물은 예를들면 ZrW2O8 또는 Zr2WP2O12를 함유한다. 스퍼터링 공정 시 금속의 텅스텐, 리튬 또는 알루미늄의 산화를 위하여 산소 분위기에서 공정이 진행되고, 금속을 함유하는 스퍼터링 타겟(10)의 전기적 저항이 감소되어 스퍼터링 공정의 속도가 증가한다.
상기 스퍼터링을 통하여 형성된 예비 박막 봉지층(미도시)은 다양한 결함을 포함하는데, 예를들면 성막성 요소, 핀홀 및 환경성 요소를 포함할 수 있다. 환경성 요소는 유기물 또는 무기물로서 유기 발광 표시 장치의 형성을 위한 복수의 공정 중 일 공정에서 부착된 입자일 수 있다. 또한 예비 박막 봉지층(미도시)와 유기 발광 소자(120) 사이의 빈 공간과 같은 결함이 발생할 수 있다. 성막성 요소는 예비 박막 봉지층(미도시) 형성 시 성막에 기여하지 못한 LVT 무기물 응집 입자를 의미하고, 핀홀은 LVT 무기물이 제공되지 못한 영역이다.
상술한 예비 박막 봉지층(미도시)의 결함은, 외부 환경 물질, 예를 들면, 수분, 산소 등의 이동 통로가 될 수 있어, 진행성 암점 형성의 원인이 될 수 있는 바, 유기 발광 표시 장치(100) 수명 저하의 원인이 될 수 있다.
따라서, 예비 박막 봉지층(미도시)을 형성한 다음, 힐링 단계를 수행하여 최종적으로 도 4 및 도 5에 도시한 것과 같이 박막 봉지층(150)을 형성한다.
상기 힐링 단계는 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도 이상의 온도에서 수행된다. 예를 들어, 상기 힐링 단계는, 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도 이상 내지 상기 유기 발광 소자(120)에 포함된 중간층의 물질의 변성 온도 미만의 범위에서 상기 예비 박막 봉지층(미도시)을 열처리함으로써 수행될 수 있다. 다른 예로서, 상기 힐링 단계는, 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도 이상 내지 상기 유기 발광 소자(120)의 중간층(123)에 포함된 물질의 변성 온도들 중 최소값 미만의 범위에서 상기 예비 박막 봉지층(미도시)을 열처리함으로써 수행될 수 있다. 또 다른 예로서, 상기 힐링 단계는, LVT 무기물의 점도변화 온도에서 수행될 수 있다. 예를 들어, 상기 힐링 단계는, 80℃ 이상 및 132℃ 미만의 범위(예를 들면, 80℃ 내지 120℃ 또는 100℃ 내지 120℃의 범위)에서 1시간 내지 3시간 동안(예를 들면, 110℃에서 2시간 동안) 상기 예비 박막 봉지층(미도시)을 열처리함으로써 수행될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 힐링 단계의 온도가 상술한 바와 같은 범위를 만족함으로써, 상기 예비 박막 봉지층(미도시)의 LVT 무기물의 유동화가 가능해 지고, 유기 발광 소자(120)의 중간층의 변성이 방지된다. 상기 힐링 단계는, 예비 박막 봉지층(미도시)의 핀홀을 통한 외부 환경 노출을 방지하기 위하여, 진공 분위기 또는 불활성 가스 분위기(예를 들면, N2 분위기, Ar 분위기 등) 하의 IR 오븐에서 수행될 수 있다.
상기 힐링 단계에 의하여, 예비 박막 봉지층(미도시) 에 포함된 LVT 무기물은 유동화(fluidized)될 수 있다. 유동화된 LVT 무기물은 흐름성(flowability)을 가질 수 있다. 따라서, 상기 힐링 단계시, i) 상기 환경성 요소로 인하여 발생한 틈에 상기 유동화된 LVT 무기물이 흘러 충진될 수 있고, ii) 상기 핀홀에 상기 유동화된 LVT 무기물이 흘러 충진될 수 있고, iii) 상기 성막성 요소가 유동화되어 핀홀을 충진할 수 있다.
LVT 무기물(151) 및 상기의 산화물(152)을 함유하는 박막 봉지층(150)의 형성을 통하여 최종적으로 유기 발광 표시 장치(100)가 완성된다.
또한, 선택적인 실시예로서 추가적인 힐링 단계를 더 수행할 수 있다. 즉, 2회의 힐링 단계를 수행하여 박막 봉지층(150)의 내열성 및 기계적 강도를 향상할 수 있다.
박막 봉지층(150)은 전술하는 바와 같이 녹은 후 응고되는 과정을 거쳐 형성되는 데, 박막 봉지층(150)의 점도 변화 온도는 중간층(123)의 변성 온도보다 낮다.
본 명세서 중, "점도 변화 온도"는 상기 LVT 무기물(151)이 고체에서 액체로 완전히 변하는 온도를 의미하는 것은 아니라, 상기 LVT 무기물(151)에 유동성(fluidity)을 제공할 수 있는 최소 온도, 즉, 상기 LVT 무기물(151)의 점도가 변화하는 최소 온도를 의미한다.
LVT 무기물(151)의 점도변화 온도는, 상기 중간층(123)에 포함된 물질의 변성 온도보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 LVT 무기물(151)의 점도변화 온도는, 상기 중간층(123)에 포함된 물질의 변성 온도들 중 최소값보다 작을 수 있다.
중간층(123)의 변성 온도란 중간층(123)에 포함된 물질의 물리적 변성 및/또는 화학적 변성을 초래할 수 있는 온도를 의미하는 것으로서, 중간층(123)에 포함된 물질의 종류 및 갯수에 따라, 복수개 존재할 수 있다. 예를 들어, 상기 LVT 무기물(151)의 점도변화 온도 및 중간층(123)의 변성 온도는 LVT 무기물의 유리 전이 온도(Tg) 및 중간층(123)에 포함된 유기물의 유리 전이 온도(Tg)를 의미할 수 있다.
상기 유리 전이 온도는, LVT 무기물(151) 및 중간층(123)에 포함된 유기물에 대하여 열중량분석법(Thermo Gravimetric Analysis: TGA)를 수행함으로써, 측정될 수 있다.
유리 전이 온도는, 예를 들면, 중간층(123)에 포함된 물질에 대하여 TGA(Thermo Gravimetric Analysis) 및 DSC(Differential Scanning Calorimetry)를 이용한 열분석(N2 분위기, 온도구간: 상온~ 600℃ (10℃/min)-TGA, 상온에서 400℃까지-DSC, Pan Type: Pt Pan in 일회용 Al Pan(TGA), 일회용 Al pan(DSC))을 수행한 결과로부터 도출될 수 있으며, 이는 당업자가 용이하게 인식할 수 있는 것이다.
상기 중간층(123)에 포함된 물질의 변성 온도는 예를 들면, 130℃를 초과할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 중간층(123)에 포함된 물질에 대하여 상술한 바와 같은 TGA 분석을 통하여 용이하게 측정할 수 있는 것이다.
상기 중간층(123)에 포함된 물질의 변성 온도들 중 최소값은 예를 들면, 130℃ 내지 140℃일 수 있다. 예를 들면, 상기 중간층(123)에 포함된 물질의 변성 온도들 중 최소값은 132℃일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 중간층(123)에 포함된 물질의 변성 온도들 중 최소값은, 중간층(123)에 포함된 물질에 대하여 상술한 바와 같은 TGA 분석을 통하여 Tg를 구한 다음, 다양한 Tg 중 최소값을 선택함으로써, 결정될 수 있다.
예를 들어, 상기 LVT 무기물(151)의 점도변화 온도는, 80℃ 이상, 예를 들면, 80℃ 이상 및 132℃ 미만의 범위일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 LVT 무기물(151)의 점도변화 온도는 예를 들면, 80℃ 내지 120℃ 또는 100℃ 내지 120℃일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 LVT 무기물(151)의 점도변화 온도는 110℃일 수 있다.
상기 LVT 무기물(151)은 주석 산화물(예를 들면, SnO 또는 SnO2)을 포함할 수 있다. 상기 LVT 무기물(151)이 SnO를 포함할 경우, 상기 SnO의 함량은 20중량% 내지 100중량%일 수 있다.
예를 들어, 상기 LVT 무기물(151)은 주석 산화물을 구비하고 추가적으로, 인 산화물(예를 들면, P2O5), 보론 포스페이트(BPO4), 주석 불화물(예를 들면, SnF2), 니오브 산화물(예를 들면, NbO) 및 텅스텐 산화물(예를 들면, WO3) 중 1종 이상을 더 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 LVT 무기물(151)은,
- SnO;
- SnO 및 P2O5;
- SnO 및 BPO4;
- SnO, SnF2 및 P2O5;
- SnO, SnF2, P2O5 및 NbO; 또는
- SnO, SnF2, P2O5 및 WO3;
를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 LVT 무기물(151)은 하기 조성을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
1) SnO(100wt%);
2) SnO(80wt%) 및 P2O5(20wt%);
3) SnO(90wt%) 및 BPO4(10wt%);
4) SnO(20-50wt%), SnF2(30-60wt%) 및 P2O5(10-30wt%) (여기서, SnO, SnF2 및 P2O5의 중량 합은 100wt%임);
5) SnO(20-50wt%), SnF2(30-60wt%), P2O5(10-30wt%) 및 NbO(1-5wt%) (여기서, SnO, SnF2, P2O5 및 NbO의 중량 합은 100wt%임); 또는
6) SnO(20-50wt%), SnF2(30-60wt%), P2O5(10-30wt%) 및 WO3(1-5wt%) (여기서, SnO, SnF2, P2O5 및 WO3의 중량 합은 100wt%임).
예를 들어, 상기 LVT 무기물(151)은, SnO(42.5wt%), SnF2 (40wt%), P2O5(15wt%) 및 WO3(2.5wt%)을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. LVT 무기물(151)의 다양한 조성은 상기 스퍼터링 타겟(10)에 함유되는 무기물의 조성 및 스퍼터링 공정시의 압력, 온도 및 공정시의 분위기를 조성하는 기체의 종류를 제어하여 조절할 수 있다.
본 실시예의 유기 발광 표시 장치(100)는 박막 봉지층(150)을 형성하여 유기 발광 소자(120)를 용이하게 봉지한다. 또한, 박막 봉지층(150)의 두께를 최소화하여 벤딩 특성이 우수한 유기 발광 표시 장치(100)를 용이하게 구현할 수 있다.
박막 봉지층(150)은 LVT 무기물(151)과 함께 산화물(152)을 함유하고, 산화물(152)은 지르코늄-텅스텐 산화물 또는 리튬-알루미늄-실리콘 산화물을 함유한다. LVT 무기물(151)은 비교적 낮은 온도에서 유동성을 가져 상기 힐링 단계에서 성막성 요소, 환경성 요소등을 용이하게 덮고, 유기 발광 소자(120)를 용이하게 봉지한다. LVT 무기물(151)은 비교적 높은 열팽창 계수를 가지므로 힐링과 같은 열처리 과정에서 급격한 팽창 및 수축으로 스트레스가 발생의 여지가 있다. 산화물(152)에 함유된 지르코늄-텅스텐 산화물 또는 리튬-알루미늄-실리콘 산화물은 낮은 열팽창 계수 또는 음(-)의 값의 열팽창 계수를 가지므로 LVT 무기물(151)의 급격한 팽창 및 수축을 감소하여 스트레스 발생을 억제하고 결과적으로 박막 봉지층(150)의 내구성을 향상하고 유기 발광 표시 장치(100)의 봉지 특성을 향상한다. 특히, 산화물(152)의 예시로서 ZrW2O8, Zr2WP2O12 또는 LiAlSiO4은 매우 낮은 열팽창 계수를 가지므로, 이러한 재료로 산화물(152)을 형성하면 LVT 무기물(151)에서 발생하는 응력을 최소화하여 박막 봉지층(150)의 내구성 향상 효과를 증대한다.
한편, 지르코늄-텅스텐 산화물 또는 리튬-알루미늄-실리콘 산화물이 함유된 산화물(152)을 형성하기 위한 재료들을 LVT 무기물(151)을 형성하기 위한 재료들과 함께 스퍼터링 타겟(10)을 제조한 후 1개의 스퍼터링 타겟(10)을 통한 스퍼터링 공정을 진행하므로 복잡한 공정의 진행이 없이도 원하는 특성의 박막 봉지층(150)을 용이하게 제조할 수 있다.
또한, 선택적인 실시예로서 스퍼터링 타겟(10) 제조 시 산화물이 아닌 금속 형태의 재료를 포함하는 경우, 즉 전술한 바와 같이 텅스텐 산화물 대신 텅스텐, 리튬 산화물 대신 리튬, 알루미늄 산화물 대신 알루미늄 등이 함유되도록 한 경우 스퍼터링 타겟(10)의 전기적 저항을 감소하여 스퍼터링 공정 시 공정 시간을 감소할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다. 도 3을 참조하면 유기 발광 표시 장치(200)는 기판(201), 유기 발광 소자(220) 및 박막 봉지층(250)를 포함한다.
유기 발광 소자(220)는 제1 전극(221), 제2 전극(222) 및 중간층(223)을 구비한다.
설명의 편의를 위하여 전술할 실시예와 다른 점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 3의 실시예는 전술한 실시예와 비교할 때 박막 봉지층(250)의 구조가 상이하다. 박막 봉지층(250)은 유기 발광 소자(220)의 상면 및 측면을 덮는 구조이다. 이를 통하여 유기 발광 소자(220)가 수분, 외부 기체 및 이물로부터 손상되는 것을 방지한다. 또한 박막 봉지층(250)은 기판(201)과 접한다. 이를 통하여 박막 봉지층(250)은 유기 발광 소자(220)를 효과적으로 봉지한다. 박막 봉지층(250)과 기판(201)이 접하여 박막 봉지층(250)이 유기 발광 표시 장치(200)로부터 박리되는 것을 방지하고 박막 봉지층(250)의 내구성이 향상된다. 도시하지 않았으나 박막 봉지층(250)은 기판(201)의 상면에 형성된 추가적인 절연막 또는 도전막과 접할 수도 있다.
유기 발광 소자(220) 및 박막 봉지층(250)을 형성하는 재료는 전술한 실시예와 동일하므로 구체적인 설명은 생략한다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 7을 참조하면 유기 발광 표시 장치(200')는 기판(201'), 유기 발광 소자(220'), 및 박막 봉지층(250')를 포함한다. 유기 발광 소자(220')는 제1 전극(221'), 제2 전극(222') 및 중간층(223')을 구비한다.
설명의 편의를 위하여 전술할 실시예와 다른 점을 중심으로 설명하기로 한다.
박막 봉지층(250')의 가장자리는 돌출되도록 형성된다. 구체적으로 박막 봉지층(250')의 영역 중 기판(201')과 접한 영역이 돌출되도록 하여 박막 봉지층(250')과 기판(201')의 접촉 면적이 증가된다. 박막 봉지층(250')과 기판(201')의 접촉 면적이 증가되어 박막 봉지층(250')과 기판(201')의 사이를 통하여 수분, 기체 및 이물이 침투하는 것을 효과적을 방지하고, 박막 봉지층(250')이 기판(201')에 안정적으로 결합되어 박막 봉지층(250') 및 유기 발광 표시 장치(200')의 내구성이 향상된다.
유기 발광 소자(220') 및 박막 봉지층(250')을 형성하는 재료는 전술한 실시예와 동일하므로 구체적인 설명은 생략한다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100, 200, 200': 유기 발광 표시 장치
101, 201, 201': 기판
120, 220, 220': 유기 발광 소자
150, 250, 250': 박막 봉지층
101, 201, 201': 기판
120, 220, 220': 유기 발광 소자
150, 250, 250': 박막 봉지층
Claims (20)
- 박막 봉지층을 형성하기 위한 스퍼터링 시 이용되는 스퍼터링 타겟을 제조하는 방법에 관한 것으로서,
상기 박막 봉지층은 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물을 구비하고, 지르코늄-텅스텐 산화물 또는 리튬-알루미늄-실리콘 산화물을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 스퍼터링 타겟은 상기 LVT 무기물을 형성하기 위한 재료로서 주석 산화물을 함유하는 스퍼터링 타겟 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 스퍼터링 타겟은 상기 지르코늄-텅스텐 산화물을 형성하기 위한 재료로서,
지르코늄 산화물 및 텅스텐 또는 지르코늄 산화물 및 텅스텐 산화물을 함유하는 스퍼터링 타겟 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 스퍼터링 타겟은 상기 리튬-알루미늄-실리콘 산화물을 형성하기 위한 재료로서,
실리콘 산화물, 리튬 및 알루미늄을 포함하거나, 실리콘 산화물, 리튬 산화물 및 알루미늄을 포함하거나, 실리콘 산화물, 리튬 및 알루미늄 산화물을 포함하거나, 실리콘 산화물, 리튬 산화물 및 알루미늄 산화물을 함유하는 스퍼터링 타겟 제조 방법. - 기판;
상기 기판상에 형성되고 제1 전극, 제2 전극 및 적어도 유기 발광층을 구비하는 중간층을 포함하는 유기 발광 소자; 및
상기 유기 발광 소자 상에 형성되고 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물 및 산화물을 포함한 적어도 하나의 무기막을 포함하는 박막 봉지층을 포함하고,
상기 산화물은 지르코늄-텅스텐 산화물 또는 리튬-알루미늄-실리콘 산화물을 함유하는 유기 발광 표시 장치. - 제5 항에 있어서,
상기 지르코늄-텅스텐 산화물은 ZrW2O8 또는 Zr2WP2O12 를 함유하는 유기 발광 표시 장치. - 제5 항에 있어서,
상기 리튬-알루미늄-실리콘 산화물은 LiAlSiO4를 함유하는 유기 발광 표시 장치. - 제5 항에 있어서,
상기 LVT 무기물은 주석 산화물을 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제8 항에 있어서,
상기 LVT 무기물은 인 산화물, 보론 포스페이트, 주석 불화물, 니오브 산화물 및 텅스텐 산화물 중 1종 이상을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제5 항에 있어서,
상기 LVT 무기물의 점도변화 온도는 상기 LVT 무기물에 유동성을 제공할 수 있는 최소 온도인 유기 발광 표시 장치. - 제5 항에 있어서,
상기 LVT 무기물의 점도변화 온도는 상기 유기 발광 소자의 중간층에 포함된 물질의 변성 온도보다 작은 유기 발광 표시 장치. - 제5 항에 있어서,
상기 박막 봉지층은 상기 유기 발광 소자의 상면 및 측면을 덮도록 형성된 유기 발광 표시 장치. - 기판상에 제1 전극, 제2 전극 및 적어도 유기 발광층을 구비하는 중간층을 포함하는 유기 발광 소자를 형성하는 단계; 및
상기 유기 발광 소자 상에 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물 및 산화물을 포함한 적어도 하나의 무기막을 포함한 박막 봉지층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 산화물은 지르코늄-텅스텐 산화물 또는 리튬-알루미늄-실리콘 산화물을 함유하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법. - 제13 항에 있어서,
상기 박막 봉지층을 형성하는 단계는 스퍼터링 공정을 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법. - 제14 항에 있어서,
상기 스퍼터링 공정은 스퍼터링 타겟을 이용하여 진행하고,
상기 스퍼터링 타겟은 상기 LVT 무기물을 형성하기 위한 재료로서 주석 산화물을 함유하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법. - 제15 항에 있어서,
상기 스퍼터링 타겟은, 지르코늄 산화물 및 텅스텐 또는 지르코늄 산화물 및 텅스텐 산화물을 함유하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법. - 제16 항에 있어서,
상기 스퍼터링 타겟이 지르코늄 산화물 및 텅스텐을 함유하는 경우, 상기 스퍼터링 공정은 산소 분위기에서 진행되는 유기 발광 표시 장치 제조 방법. - 제15 항에 있어서,
상기 스퍼터링 타겟은, 실리콘 산화물, 리튬 및 알루미늄을 포함하거나, 실리콘 산화물, 리튬 산화물 및 알루미늄을 포함하거나, 실리콘 산화물, 리튬 및 알루미늄 산화물을 포함하거나, 실리콘 산화물, 리튬 산화물 및 알루미늄 산화물을 함유하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법. - 제18 항에 있어서,
상기 스퍼터링 타겟이 실리콘 산화물, 리튬 및 알루미늄을 포함하거나, 실리콘 산화물, 리튬 산화물 및 알루미늄을 포함하거나, 실리콘 산화물, 리튬 및 알루미늄 산화물을 포함하는 경우, 상기 스퍼터링 공정은 산소 분위기에서 진행되는 유기 발광 표시 장치 제조 방법. - 제13 항에 있어서,
상기 박막 봉지층을 형성하는 단계는,
상기 LVT 무기물을 함유하는 예비 박막 봉지층을 형성하는 단계 및 상기 예비 박막 봉지층을 힐링하는 단계를 구비하고, 상기 예비 박막 봉지층을 힐링하는 단계는 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도 이상 내지 상기 유기 발광 소자의 중간층의 물질의 변성 온도 미만에서 진행하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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