KR20150011311A - Positive type photosensitive resin composition - Google Patents

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아키라 메구로
마나부 곤도
유키 오카모토
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Abstract

The present invention relates to a positive type photosensitive resin composition, which comprises (A) a polymer manufactured by radical-co-polymerizing (a1) a radical polymerizable monomer represented by formula (I), (a2) a radical polymerizable monomer having an acidic group, (a3) a radical polymerizable monomer having alkoxysilyl, and (a4) a radical polymerizable monomer other than (a1), (a2) and (a3); (B) a photo acid generator; and (C) an organic solvent. The positive type photosensitive resin composition of the present invention is high sensitive, and does not require sintering after exposure. By using the positive type photosensitive resin composition, a patterned transparent film with excellent pattern adhesion in development, and post exposure delay stability can be formed. In formula I, R1 is hydrogen, or C1-5 alkyl having any hydrogen possibly substituted with fluorine; R2 is hydrogen or a functional group with 1-3-dioxopropane-1,3-diyl (-COCH2CO-); and n is an integer of 1-6.

Description

포지티브형 감광성 조성물 {POSITIVE TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION}[0001] POSITIVE TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION [0002]

본 발명은 레지스트 분야 등에서 이용 가능한 포지티브형 감광성 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a positive photosensitive composition usable in the field of resists and the like.

패터닝된 투명막은 스페이서, 절연막, 보호막 등 표시 소자가 많은 분야에서 사용되고 있으며, 지금까지 많은 포지티브형 감광성 조성물이 이 용도로 제안되어 왔다 (예를 들어, 특허문헌 1 ∼ 3 참조).A patterned transparent film has been used in many fields such as spacers, insulating films, and protective films, and many positive photosensitive compositions have heretofore been proposed for this application (see, for example, Patent Documents 1 to 3).

일반적으로, 박막 트랜지스터형 액정 표시 소자나 고체 촬상 소자 등의 전자 부품이나, 액정 디스플레이 등의 표시 소자에는, 배선 사이를 절연하기 위해서 절연막이 형성되어 있다. 절연막을 형성하는 재료로는, 필요로 하는 패턴 형상의 절연막을 얻기 위한 공정 수가 적은 포지티브형 감광성 조성물이 폭넓게 사용되고 있다. 포지티브형 감광성 조성물은 절연막을 형성하는 과정에 있어서 넓은 프로세스 마진을 갖는 것이 필요하다.2. Description of the Related Art In general, an insulating film is formed in an electronic part such as a thin film transistor liquid crystal display element or a solid-state imaging element or a display element such as a liquid crystal display in order to insulate wirings. As a material for forming the insulating film, a positive photosensitive composition having few steps for obtaining an insulating film having a required pattern shape is widely used. It is necessary for the positive photosensitive composition to have a wide process margin in the process of forming the insulating film.

또, 최근 액정 디스플레이 등의 표시 소자에 사용되는 감광성 절연막의 용도에 있어서는, 마더 유리 치수가 한층 더 거대화됨에 따라, 생산성을 확보하기 위해서, 공정 중의 감광성 재료를 취급하는 일련의 프로세스에 걸리는 시간 (택 타임) 을 단축하는 것이 필요해지고 있다.In recent years, in the use of a photosensitive insulating film used in a display device such as a liquid crystal display or the like, as the size of the mother glass becomes even larger, in order to secure productivity, the time taken for a series of processes Time is required to be shortened.

이들 용도에 제공하는 고감도인 포지티브형 감광성 조성물의 제안이 이루어져 있으며, 예를 들어, 특허문헌 4 는, 카르복실산의 t-부틸에스테르기 또는 페놀의 t-부틸탄산기를 갖는 폴리머와 광 산발생제를 함유한 레지스트를 개시하고 있다. 폴리머 중의 t-부틸에스테르기 또는 t-부틸탄산기는 노광시에 발생한 산과 노광 후의 소성 (PEB;Post Exposure Bake) 에 의해 탈보호되어, 카르복실기 또는 페놀성 OH 등의 산성기로 변환된다. 그 결과적으로, 레지스트막의 노광 부분은 알칼리 현상액 중에서 용해되게 된다. 그러나, 이와 같은 계에서는 노광 후에 PEB 공정을 필요로 하고, 고감도이기 때문에 노광량은 적어도 되지만, 결과적으로 프로세스의 전체적인 택 타임이 짧아지지 않는다는 문제가 있었다. 또한, 상기 방법을 사용하는 경우, 노광으로부터 PEB, 현상까지의 방치 시간이 길어지면, 노광 후 지연 (Post Exposure Delay) 안정성이 떨어지기 때문에, 패턴 형상이나 사이즈가 변화되어 버린다는 문제도 있었다.For example, Patent Document 4 discloses a positive photosensitive composition which is provided with a high sensitivity for these uses. The following Patent Document 4 discloses a positive photosensitive composition comprising a polymer having a t-butyl ester group of a carboxylic acid or a t- And a resist composition containing the same. The t-butyl ester group or t-butyl carbonic acid group in the polymer is deprotected by post-exposure baking (PEB) with an acid generated at the time of exposure, and converted into an acid group such as a carboxyl group or phenolic OH. As a result, the exposed portion of the resist film is dissolved in the alkali developing solution. However, in such a system, a PEB process is required after exposure, and the exposure amount is low because of high sensitivity, but there is a problem that the overall process time is not shortened. Further, in the case of using the above-described method, there is a problem that the pattern shape and size are changed because the post exposure delay stability becomes poor if the time from exposure to PEB to development becomes long.

일본 공개특허공보 소51-34711호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 51-34711 일본 공개특허공보 소56-122031호Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-122031 일본 공개특허공보 평5-165214호Japanese Unexamined Patent Publication No. 5-165214 일본 특허공보 평2-27660호Japanese Patent Publication No. 2-27660

본 발명은 고감도이고 또한 노광 후 소성을 필요로 하지 않는 것, 그리고 현상시의 패턴 밀착성 또한 노광 후 지연 (Post Exposure Delay) 안정성이 우수한 패턴상 투명막을 형성할 수 있는 포지티브형 감광성 조성물을 제공한다.The present invention provides a positive photosensitive composition capable of forming a patterned transparent film having high sensitivity and not requiring post-exposure baking, pattern adhesion at the time of development, and post-exposure delay stability.

본 발명자는 상기 과제를 달성하기 위해서 예의 검토한 결과, 라디칼 공중합하여 이루어지는 폴리머 (A), 광 산발생제 (B), 및 유기 용제 (C) 를 함유하는 포지티브형 감광성 조성물에 의해 상기 과제를 해결 가능한 것을 알아내어, 이 지견에 기초하여 본 발명을 완성하였다. 본 발명은 이하의 항을 포함한다.The present inventors have intensively studied in order to achieve the above object and as a result have found that a positive photosensitive composition containing a polymer (A), a photo acid generator (B) and an organic solvent (C) The present invention has been completed on the basis of this finding. The present invention includes the following items.

[1] 하기 식 (I) 로 나타내는 라디칼 중합성 모노머 (a1), [1] A thermoplastic resin composition comprising a radically polymerizable monomer (a1) represented by the following formula (I)

산성기를 갖는 라디칼 중합성 모노머 (a2), The radically polymerizable monomer (a2) having an acidic group,

알콕시실릴을 갖는 라디칼 중합성 모노머 (a3), 및A radically polymerizable monomer (a3) having alkoxysilyl, and

(a1), (a2) 및 (a3) 이외의 라디칼 중합성 모노머 (a4) 를 라디칼 공중합하여 이루어지는 폴리머 (A), 광 산발생제 (B) 및 유기 용제 (C) 를 함유하는 포지티브형 감광성 조성물:(A) containing a radically polymerizable monomer (a4) other than (a1), (a2) and (a3), a photoacid generator (B) and an organic solvent (C) :

Figure pat00001
Figure pat00001

식 중, R1 은 수소, 또는 임의의 수소가 불소로 치환되어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬이고, R2 는 수소 또는 1,3-디옥소프로판-1,3-디일 (-COCH2CO-) 을 갖는 기이며, 그리고, n 은 1 ∼ 6 의 정수이다.Wherein R 1 is hydrogen or alkyl having 1 to 5 carbon atoms in which arbitrary hydrogen may be substituted with fluorine and R 2 is hydrogen or 1,3-dioxopropane-1,3-diyl (-COCH 2 CO- ), And n is an integer of 1 to 6.

[2] 라디칼 중합성 모노머 (a1) 이 하기 식 (II) 로 나타내는 화합물 및 (III) 으로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나인, [1] 항에 기재된 포지티브형 감광성 조성물:[2] The positive photosensitive composition according to [1], wherein the radically polymerizable monomer (a1) is at least one selected from the group consisting of a compound represented by the following formula (II)

Figure pat00002
Figure pat00002

식 중, R1 은 수소, 또는 임의의 수소가 불소로 치환되어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬이고;Wherein R 1 is hydrogen or alkyl having 1 to 5 carbon atoms in which arbitrary hydrogen may be substituted with fluorine;

R3 은 임의의 수소가 불소로 치환되어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬이며;그리고, R 3 is alkyl having 1 to 6 carbon atoms in which arbitrary hydrogen may be substituted with fluorine;

n 은 1 ∼ 6 의 정수이다.n is an integer of 1 to 6;

[3] 산성기를 갖는 라디칼 중합성 모노머 (a2) 가 페놀성 OH 를 갖는 라디칼 중합성 모노머, 불포화 카르복실산을 갖는 라디칼 중합성 모노머 및 불포화 카르복실산 무수물을 갖는 라디칼 중합성 모노머로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나인, [1] 항 또는 [2] 항에 기재된 포지티브형 감광성 조성물.[3] The method according to any one of [1] to [3], wherein the radically polymerizable monomer (a2) having an acidic group is selected from the group consisting of a radically polymerizable monomer having a phenolic OH, a radically polymerizable monomer having an unsaturated carboxylic acid and a radically polymerizable monomer having an unsaturated carboxylic acid anhydride The positive photosensitive composition according to [1] or [2], which is at least one selected.

[4] 산성기를 갖는 라디칼 중합성 모노머 (a2) 가 하기 식 (IV) 로 나타내는 페놀성 OH 를 갖는 라디칼 중합성 모노머의 적어도 하나를 포함하는, [1] ∼ [3] 중 어느 한 항에 기재된 포지티브형 감광성 조성물:[4] The thermosetting resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the radically polymerizable monomer (a2) having an acidic group comprises at least one radically polymerizable monomer having a phenolic OH represented by the following formula (IV) Positive type photosensitive composition:

Figure pat00003
Figure pat00003

식 중, R4, R5 및 R6 은 각각 독립적으로 수소, 또는 임의의 수소가 불소로 치환되어도 되는 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬이고;Wherein R 4 , R 5 And R < 6 > are each independently hydrogen or alkyl having 1 to 3 carbon atoms in which arbitrary hydrogen may be substituted with fluorine;

R7, R8, R9, R10, 및 R11 은 각각 수소, 할로겐, -CN, -CF3, -OCF3, -OH, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬, 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시이지만, R7, R8, R9, R10, 및 R11 중 적어도 하나는 -OH 이며, R 7 , R 8 , R 9 , R 10 and R 11 are each independently selected from the group consisting of hydrogen, halogen, -CN, -CF 3 , -OCF 3 , -OH, alkyl of 1 to 5 carbon atoms or alkoxy of 1 to 5 carbon atoms , At least one of R 7 , R 8 , R 9 , R 10 , and R 11 is -OH,

R7, R8, R9, R10, 및 R11 에 있어서의 알킬은 임의의 -CH2- 가 -COO-, -OCO-, 또는 -CO- 로 치환되어도 되고, 그리고, R7, R8, R9, R10, 및 R11 에 있어서의 알킬 및 알콕시는 임의의 수소가 할로겐으로 치환되어도 된다. R 7, R 8, R 9 , R 10, and R 11 is alkyl in any of the -CH 2 - is optionally substituted by -COO-, -OCO-, or -CO-, and, R 7, R 8 , R 9 , R 10 , and R 11 , alkyl and alkoxy may be substituted with any hydrogen by halogen.

[5] 알콕시실릴을 갖는 라디칼 중합성 모노머 (a3) 이 하기 식 (V) 로 나타내는 화합물 및 (VI) 으로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나인, [1] ∼ [4] 중 어느 한 항에 기재된 포지티브형 감광성 조성물:[5] Any one of [1] to [4], wherein the radically polymerizable monomer (a3) having an alkoxysilyl is at least one selected from the group consisting of a compound represented by the following formula (V) The positive photosensitive composition described in item

Figure pat00004
Figure pat00004

식 중, R1 은 수소, 또는 임의의 수소가 불소로 치환되어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬이고;Wherein R 1 is hydrogen or alkyl having 1 to 5 carbon atoms in which arbitrary hydrogen may be substituted with fluorine;

n 은 1 ∼ 6 의 정수이고;n is an integer from 1 to 6;

R12 ∼ R17 은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, -CN, -CF3, -OCF3, -OH, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시이지만, R 12 to R 17 each independently represent hydrogen, halogen, -CN, -CF 3 , -OCF 3 , -OH, alkyl having 1 to 20 carbon atoms or alkoxy having 1 to 5 carbon atoms,

R12 ∼ R14 중 적어도 하나는 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시이고, At least one of R 12 to R 14 is alkoxy of 1 to 5 carbon atoms,

R15 ∼ R17 중 적어도 하나는 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시이고, 그리고, At least one of R 15 to R 17 is alkoxy having 1 to 5 carbon atoms,

R12 ∼ R17 에 있어서의 알킬은 규소에 연결하는 -CH2- 및 말단의 -CH2- 를 제외한 임의의 -CH2- 가 -COO-, -OCO-, -CO-, 또는 -O- 로 치환되어도 되고, 또, 임의의 수소가 할로겐으로 치환되어도 된다.R 12 ~ R 17 is alkyl in the -CH 2 that connects to the silicon-arbitrary -CH 2 except - - -CH 2 and the terminal is -COO-, -OCO-, -CO-, or -O- , And any hydrogen may be substituted with halogen.

[6] 라디칼 중합성 모노머 (a4) 가 에폭시를 갖는 라디칼 중합성 모노머의 적어도 하나를 포함하는, [1] ∼ [5] 중 어느 한 항에 기재된 포지티브형 감광성 조성물.[6] The positive photosensitive composition according to any one of [1] to [5], wherein the radically polymerizable monomer (a4) comprises at least one radically polymerizable monomer having an epoxy.

[7] 유기 용제 (C) 가 수산기 (-OH) 를 갖는 화합물인, [1] ∼ [6] 중 어느 한 항에 기재된 포지티브형 감광성 조성물.[7] The positive photosensitive composition as described in any one of [1] to [6], wherein the organic solvent (C) is a compound having a hydroxyl group (-OH).

[8] [1] ∼ [7] 중 어느 한 항에 기재된 포지티브형 감광성 조성물의 도포막을 노광, 현상, 및 소성함으로써 형성되는 패턴상 투명막.[8] A patterned transparent film formed by exposing, developing, and firing a coating film of the positive photosensitive composition described in any one of [1] to [7].

[9] [8] 항에 기재된 패턴상 투명막을 사용한 절연막.[9] An insulating film using the patterned transparent film according to [8].

본 발명에는 또한 상기 패턴상 투명막을 갖는 표시 소자, 예를 들어 액정 표시 소자도 포함된다.The present invention also includes a display element having a patterned transparent film, for example, a liquid crystal display element.

본 발명은 전술한 특정한 폴리머 (A), 광 산발생제 (B) 및 유기 용제 (C) 를 함유하는 포지티브형 감광성 조성물이다. 본 발명의 포지티브형 감광성 조성물을 사용함으로써, 고감도이고 또한 노광 후 소성을 필요로 하지 않으며, 또한, 현상시의 패턴 밀착성 그리고 노광 후 지연 (Post Exposure Delay) 안정성이 우수한 패턴상 투명막을 형성할 수 있다.The present invention is a positive photosensitive composition containing the above-mentioned specific polymer (A), photo acid generator (B) and organic solvent (C). By using the positive photosensitive composition of the present invention, it is possible to form a patterned transparent film having high sensitivity, which does not require post-exposure baking, and which is excellent in pattern adhesion upon development and post exposure delay stability .

<1. 본 발명의 감광성 조성물><1. Photosensitive composition of the present invention>

본 발명의 감광성 조성물은 하기 식 (I) 로 나타내는 라디칼 중합성 모노머 (a1), 산성기를 갖는 라디칼 중합성 모노머 (a2) 와 알콕시실릴을 갖는 라디칼 중합성 모노머 (a3), 및 (a1), (a2) 및 (a3) 이외의 라디칼 중합성 모노머 (a4) 를 라디칼 공중합하여 이루어지는 폴리머 (A), 광 산발생제 (B), 및 유기 용제 (C) 를 함유한다. 폴리머 (A) 는 1 종류이어도 되고, 2 종류 이상의 폴리머를 혼합하여 사용해도 된다. 광 산발생제 (B) 도 1 종류이어도 되고, 2 종류 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 또, 유기 용제 (C) 도 1 종류이어도 되고, 2 종류 이상을 혼합하여 사용해도 된다.The photosensitive composition of the present invention comprises a radically polymerizable monomer (a1) represented by the following formula (I), a radically polymerizable monomer (a2) having an acidic group, a radically polymerizable monomer (a3) (A), photoacid generator (B), and organic solvent (C) obtained by radical copolymerization of the radical polymerizable monomer (a4) other than the monomer (a2) The polymer (A) may be one type, or two or more kinds of polymers may be used in combination. The photo acid generator (B) may be a single type or a mixture of two or more types. The organic solvent (C) may be one type or a mixture of two or more kinds.

Figure pat00005
Figure pat00005

식 중, R1 은 수소, 또는 임의의 수소가 불소로 치환되어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬이고, R2 는 수소 또는 1,3-디옥소프로판-1,3-디일 (-COCH2CO-) 을 갖는 기이며, 그리고, n 은 1 ∼ 6 의 정수이다.Wherein R 1 is hydrogen or alkyl having 1 to 5 carbon atoms in which arbitrary hydrogen may be substituted with fluorine and R 2 is hydrogen or 1,3-dioxopropane-1,3-diyl (-COCH 2 CO- ), And n is an integer of 1 to 6.

<1-1. 본 발명의 폴리머 (A)><1-1. The polymer (A) of the present invention>

본 발명의 폴리머 (A) 는 상기 식 (I) 로 나타내는 라디칼 중합성 모노머 (a1), 산성기를 갖는 라디칼 중합성 모노머 (a2), 알콕시실릴을 갖는 라디칼 중합성 모노머 (a3), 및, (a1), (a2) 및 (a3) 이외의 라디칼 중합성 모노머 (a4) 를 라디칼 공중합하여 얻어지는 공중합체이다.The polymer (A) of the present invention can be obtained by copolymerizing the radical polymerizable monomer (a1) represented by the above formula (I), the radically polymerizable monomer (a2) having an acidic group, the radically polymerizable monomer (a3) ), (a2), and (a3) other than the above-mentioned radical polymerizable monomer (a4).

폴리머 (A) 의 원료인 라디칼 중합성 모노머 (a1), (a2), (a3), 및 (a4) 는 각각 1 개의 화합물을 단독으로 사용해도 되고, 2 개 이상의 화합물을 사용해도 된다.Each of the radically polymerizable monomers (a1), (a2), (a3) and (a4) which are raw materials of the polymer (A) may be used alone or in combination of two or more.

<1-1-1. 식 (I) 로 나타내는 라디칼 중합성 모노머 (a1)><1-1-1. The radically polymerizable monomer (a1) represented by the formula (I)

식 (I) 로 나타내는 라디칼 중합성 모노머 (a1) 은 하기 식 (II) 및 (III) 으로 나타내는 화합물 중에서 선택할 수 있다.The radically polymerizable monomer (a1) represented by the formula (I) can be selected from the compounds represented by the following formulas (II) and (III).

Figure pat00006
Figure pat00006

식 (II) 및 (III) 중, R1 은 수소, 또는 임의의 수소가 불소로 치환되어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬이고, n 은 1 ∼ 6 의 정수이다. 식 (III) 중, R3 은 임의의 수소가 불소로 치환되어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬이다.In the formulas (II) and (III), R 1 is hydrogen or alkyl having 1 to 5 carbon atoms in which arbitrary hydrogen may be substituted with fluorine, and n is an integer of 1 to 6. In the formula (III), R 3 is alkyl having 1 to 6 carbon atoms in which arbitrary hydrogen may be substituted with fluorine.

상기 R1 에 있어서의 알킬은 내열성, 투명성의 관점에서 메틸인 것이 바람직하다. 또, 상기 R3 의 알킬은 알칼리 현상성과 막의 내열성 (유리 전이점) 의 관점에서 탄소수가 1 ∼ 6 인 것이 바람직하다.The alkyl in R 1 is preferably methyl in view of heat resistance and transparency. The alkyl of R 3 preferably has 1 to 6 carbon atoms in view of alkali developability and heat resistance (glass transition point) of the film.

라디칼 중합성 모노머 (a1) 은, 기판 밀착성, 노광 후 지연 (Post Exposure Delay) 안정성, 용액으로서의 보존 안정성의 관점에서, 전체 모노머의 합계 중량에 대해 0.1 ∼ 10 중량% 의 비율로 사용되는 것이 바람직하고, 0.1 ∼ 5 중량% 의 비율로 사용되는 것이 보다 바람직하다. 현상 잔막률의 저하를 억제하기 위해서는, 라디칼 중합성 모노머 (a1) 은 0.1 ∼ 3 중량부가 더욱 바람직하다. 단, 이것은 라디칼 중합성 모노머 (a1) 을 3 중량% 를 초과하여 사용하면 문제가 있는 것을 의미하는 것은 아니다.The radical polymerizable monomer (a1) is preferably used in a proportion of 0.1 to 10% by weight based on the total weight of the total monomers from the viewpoints of substrate adhesion, stability of post exposure delay, and storage stability as a solution , And more preferably 0.1 to 5 wt%. In order to suppress the decrease of the residual film ratio, the amount of the radical polymerizable monomer (a1) is more preferably 0.1 to 3 parts by weight. However, this does not mean that use of more than 3% by weight of the radical polymerizable monomer (a1) is not problematic.

일반식 (II) 및 (III) 으로 나타내는 화합물의 구체예는 하이드록시메틸아크릴레이트, 하이드록시에틸메타크릴레이트, 하이드록시프로필아크릴레이트, 하이드록시프로필메타크릴레이트, 하이드록시부틸아크릴레이트, 아세토아세톡시에틸아크릴레이트, 아세토아세톡시에틸메타크릴레이트, 아세토아세톡시프로필아크릴레이트, 아세토아세톡시프로필메타크릴레이트, 아세토아세톡시부틸아크릴레이트이다. 이들 라디칼 중합성 모노머를 사용한 공중합체를 사용하면, 고감도인 포지티브형 특성을 갖고, 하지 밀착성 및 노광 후 지연 (Post Exposure Delay) 안정성이 높아진다. Specific examples of the compounds represented by the general formulas (II) and (III) include hydroxymethyl acrylate, hydroxyethyl methacrylate, hydroxypropyl acrylate, hydroxypropyl methacrylate, hydroxybutyl acrylate, Ethoxyethyl acrylate, acetoacetoxyethyl methacrylate, acetoacetoxypropyl acrylate, acetoacetoxypropyl methacrylate, and acetoacetoxybutyl acrylate. When a copolymer using these radical polymerizable monomers is used, it has a positive characteristic of high sensitivity, and the base adhesion and the post exposure delay stability are improved.

<1-1-2. 라디칼 중합성 모노머 (a2)><1-1-2. Radical polymerizable monomer (a2) &gt;

본 발명에서 사용할 수 있는 산성기를 갖는 라디칼 중합성 모노머 (a2) 는 페놀성 OH 를 갖는 라디칼 중합성 모노머, 불포화 카르복실산을 갖는 라디칼 중합성 모노머, 불포화 카르복실산 무수물을 갖는 라디칼 중합성 모노머, 인산기를 갖는 라디칼 중합성 모노머, 및 술폰산기를 갖는 라디칼 중합성 모노머를 예시할 수 있다. 공중합체 (A) 의 원료로서 라디칼 중합성 모노머 (a2) 를 사용하는 것은 알칼리 가용성의 관점에서 바람직하다. 이들 라디칼 중합성 모노머 (a2) 는 단독으로 사용해도 되고, 복수를 혼합하여 사용해도 된다.The radically polymerizable monomer (a2) having an acidic group which can be used in the present invention may be a radically polymerizable monomer having a phenolic OH, a radically polymerizable monomer having an unsaturated carboxylic acid, a radically polymerizable monomer having an unsaturated carboxylic acid anhydride, A radically polymerizable monomer having a phosphoric acid group, and a radically polymerizable monomer having a sulfonic acid group. Use of the radically polymerizable monomer (a2) as a raw material of the copolymer (A) is preferable from the viewpoint of alkali solubility. These radically polymerizable monomers (a2) may be used alone or in combination of two or more.

페놀성 OH 를 갖는 라디칼 중합성 모노머의 예는, 하이드록시스티렌 및 하기 식 (IV) 로 나타내는 페놀성 OH 를 갖는 라디칼 중합성 모노머이다.Examples of radically polymerizable monomers having phenolic OH are hydroxystyrene and radically polymerizable monomers having a phenolic OH represented by the following formula (IV).

Figure pat00007
Figure pat00007

식 (IV) 중, R4, R5 및 R6 은 각각 독립적으로 수소, 또는 임의의 수소가 불소로 치환되어도 되는 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬이다. R7, R8, R9, R10 및 R11 은 각각 수소, 할로겐, -CN, -CF3, -OCF3, -OH, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬, 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시이지만, R7, R8, R9, R10 및 R11 중 적어도 하나는 -OH 이다. R7, R8, R9, R10 및 R11 에 있어서의 알킬은 임의의 -CH2- 가 -COO-, -OCO-, 또는 -CO- 로 치환되어도 된다. R7, R8, R9, R10 및 R11 에 있어서의 알킬 및 알콕시는 임의의 수소가 할로겐으로 치환되어도 된다.In formula (IV), R 4 , R 5 and R 6 are each independently hydrogen or alkyl having 1 to 3 carbon atoms in which arbitrary hydrogen may be substituted with fluorine. R 7 , R 8 , R 9 , R 10 and R 11 are each independently hydrogen, halogen, -CN, -CF 3 , -OCF 3 , -OH, alkyl of 1 to 5 carbon atoms, or alkoxy of 1 to 5 carbon atoms, At least one of R 7 , R 8 , R 9 , R 10 and R 11 is -OH. R 7, R 8, R 9 , R 10 and R 11 are alkyl in any of the -CH 2 - that may be substituted by -COO-, -OCO-, or -CO-. The alkyl and alkoxy in R 7 , R 8 , R 9 , R 10 and R 11 may be substituted with any hydrogen by halogen.

식 (IV) 로 나타내는 페놀성 OH 를 갖는 라디칼 중합성 모노머의 구체예는 4-하이드록시페닐비닐케톤이다.A specific example of a radically polymerizable monomer having a phenolic OH represented by the formula (IV) is 4-hydroxyphenylvinyl ketone.

불포화 카르복실산을 갖는 라디칼 중합성 모노머의 구체예는 아크릴산, 메타크릴산이다. 불포화 카르복실산 무수물을 갖는 라디칼 중합성 모노머의 구체예는 무수 말레산이다.Specific examples of the radically polymerizable monomer having an unsaturated carboxylic acid are acrylic acid and methacrylic acid. A specific example of a radically polymerizable monomer having an unsaturated carboxylic acid anhydride is maleic anhydride.

인산기를 갖는 라디칼 중합성 모노머의 구체예는 2-하이드록시에틸메타크릴레이트포스페이트, 2-하이드록시프로필메타크릴레이트포스페이트, 비스(2-하이드록시에틸메타크릴레이트)포스페이트이다.Specific examples of the radically polymerizable monomer having a phosphoric acid group are 2-hydroxyethyl methacrylate phosphate, 2-hydroxypropyl methacrylate phosphate, and bis (2-hydroxyethyl methacrylate) phosphate.

술폰산기를 갖는 라디칼 중합성 모노머의 구체예는 비닐술폰산, 아크릴아미드-tert-부틸술폰산이다.Specific examples of the radically polymerizable monomer having a sulfonic acid group are vinylsulfonic acid and acrylamide-tert-butylsulfonic acid.

라디칼 중합성 모노머 (a2) 는 상기 구체예 중에서도, 메타크릴산, 하이드록시스티렌, 또는 4-하이드록시페닐비닐케톤이 바람직하다. 메타크릴산 및 하이드록시스티렌은 입수가 용이하다. 4-하이드록시페닐비닐케톤은 조성물의 보존 안정성의 점에서 양호한 특성을 얻을 수 있다.Among the above-mentioned specific examples, the radical polymerizable monomer (a2) is preferably methacrylic acid, hydroxystyrene, or 4-hydroxyphenyl vinyl ketone. Methacrylic acid and hydroxystyrene are readily available. 4-hydroxyphenylvinyl ketone can obtain good properties in terms of storage stability of the composition.

폴리머 (A) 에 있어서, 라디칼 중합성 모노머 (a2) 는 전체 모노머의 합계 중량에 대해 1 ∼ 20 중량% 의 비율로 사용되는 것이 바람직하고, 5 ∼ 15 중량% 의 비율로 사용되는 것이 더욱 바람직하다. 이와 같은 범위에서 모노머 (a2) 를 함유시키는 것은 알칼리 현상액에 대한 용해성의 관점에서 바람직하다.In the polymer (A), the radical polymerizable monomer (a2) is preferably used in a proportion of 1 to 20% by weight, more preferably 5 to 15% by weight, based on the total weight of all monomers . Including the monomer (a2) in such a range is preferable from the viewpoint of solubility in an alkali developing solution.

<1-1-3. 라디칼 중합성 모노머 (a3)><1-1-3. Radical Polymerizable Monomer (a3) &gt;

본 발명에서 사용할 수 있는 알콕시실릴을 갖는 라디칼 중합성 모노머 (a3) 은 하기 식 (V) 및 (VI) 으로 나타내는 화합물을 예시할 수 있다. 이들 화합물을 사용하면, 고감도인 포지티브형 특성이 얻어진다.Examples of the radically polymerizable monomer (a3) having an alkoxysilyl which can be used in the present invention include the compounds represented by the following formulas (V) and (VI). When these compounds are used, positive characteristics with high sensitivity can be obtained.

Figure pat00008
Figure pat00008

식 (V) 및 (VI) 중, R1 은 수소, 또는 임의의 수소가 불소로 치환되어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬이고, n 은 1 ∼ 6 의 정수이다. R12 ∼ R17 은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, -CN, -CF3, -OCF3, -OH, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬, 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시이지만, R12 ∼ R14 중 적어도 하나는 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시이고, R15 ∼ R17 중 적어도 하나는 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시이다. 알킬 및 알콕시는 직사슬이어도 되고, 분기사슬이어도 된다. 단, R12 ∼ R17 에 있어서의 알킬은 규소에 연결하는 -CH2- 및 말단의 -CH2- 를 제외한 임의의 -CH2- 가 -COO-, -OCO-, -CO-, 또는 -O- 로 치환되어도 되고, 또 임의의 수소가 할로겐으로 치환되어도 된다.In the formulas (V) and (VI), R 1 is hydrogen or alkyl having 1 to 5 carbon atoms in which arbitrary hydrogen may be substituted with fluorine, and n is an integer of 1 to 6. R 12 ~ R 17 are each independently hydrogen, halogen, -CN, -CF 3, -OCF 3 , -OH, alkoxy of 1 to 20 carbon atoms but alkyl, or 1 to 5 carbon atoms of, R 12 ~ R of at least 14 One is an alkoxy of 1 to 5 carbon atoms, and at least one of R 15 to R 17 is an alkoxy of 1 to 5 carbon atoms. Alkyl and alkoxy may be linear or branched. However, R 12 ~ R 17 the alkyl is -CH 2 connecting to the silicon in the - and ends of the -CH 2 - -CH 2 except any - is -COO-, -OCO-, -CO-, or - O-, and arbitrary hydrogen may be substituted with halogen.

상기 R1 에 있어서의 알킬은, 내열성, 투명성의 관점에서, 메틸인 것이 바람직하다. 또, 상기 R12 ∼ R14 에 있어서의 알킬은, 알칼리 현상성과 막의 내열성 (유리 전이점) 의 관점에서, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하다. 상기 R15 ∼ R17 에 있어서의 알킬 (임의의 수소가 할로겐으로 치환되어도 된다) 도 동일한 이유에서, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하다. 또, R12 ∼ R14 에 있어서의 적어도 하나의 알콕시, 및 R15 ∼ R17 에 있어서의 적어도 하나의 알콕시의 탄소수는 각각 1 ∼ 5 이지만, 가수 분해성의 이유에서 각각 1 ∼ 3 인 것이 바람직하다.The alkyl in R 1 is preferably methyl in view of heat resistance and transparency. The alkyl group in R 12 to R 14 preferably has 1 to 10 carbon atoms in view of alkali developability and heat resistance (glass transition point) of the film. The alkyl (any hydrogen may be substituted with halogen) in the above-mentioned R 15 to R 17 also preferably has 1 to 10 carbon atoms for the same reason. At least one alkoxy of R 12 to R 14 and at least one alkoxy of R 15 to R 17 each have 1 to 5 carbon atoms, but for reasons of hydrolysis, it is preferably 1 to 3 .

라디칼 중합성 모노머 (a3) 은 전체 모노머의 합계 중량에 대해 5 ∼ 50 중량% 의 비율로 사용되는 것이 바람직하고, 10 ∼ 40 중량% 의 비율로 사용되는 것이 보다 바람직하다. 이와 같은 범위로 모노머 (a3) 을 함유시키는 것은 감도, 투명성의 관점에서 바람직하다.The radical polymerizable monomer (a3) is preferably used in a proportion of 5 to 50% by weight, more preferably 10 to 40% by weight, based on the total weight of all the monomers. The incorporation of the monomer (a3) in such a range is preferable from the viewpoints of sensitivity and transparency.

식 (V) 및 (VI) 으로 나타내는 화합물의 구체예는 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리에톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란, p-스티릴트리에톡시실란, 및 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란이다.Specific examples of the compounds represented by the formulas (V) and (VI) include 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3- P-styryltrimethoxysilane, p-styryltriethoxysilane, and vinyltrimethoxysilane, and vinyltriethoxysilane.

<1-1-4. 라디칼 중합성 모노머 (a4)><1-1-4. Radical Polymerizable Monomer (a4) &gt;

본 발명에서 사용할 수 있는 (a1), (a2) 및 (a3) 이외의 라디칼 중합성 모노머 (a4) 는 에폭시를 갖는 라디칼 중합성 모노머, 디시클로펜타닐을 갖는 라디칼 중합성 모노머, N 치환 말레이미드를 갖는 라디칼 중합성 모노머, 실록산을 갖는 라디칼 중합성 모노머 등을 사용할 수 있다. 사용하는 모노머는 1 개이어도 되고, 복수이어도 된다. 이들 라디칼 중합성 모노머를 사용한 본 발명의 공중합체를 이용하면, 내스퍼터성이 양호하고, 또 내약품성이 높아진다.The radically polymerizable monomers (a4) other than (a1), (a2) and (a3) which can be used in the present invention include radically polymerizable monomers having epoxy, radically polymerizable monomers having dicyclopentanyl, A radically polymerizable monomer having a siloxane, and the like can be used. The number of the monomers to be used may be one or plural. By using the copolymer of the present invention using these radical polymerizable monomers, the sputtering resistance is good and the chemical resistance is high.

에폭시를 갖는 라디칼 중합성 모노머의 구체예는 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트, 및 4-하이드록시부틸아크릴레이트글리시딜에테르이다. 이들 라디칼 중합성 모노머를 사용하면, 내스퍼터성이 양호하고, 또 내약품성이 높아진다.Specific examples of radically polymerizable monomers having an epoxy include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, and 4- Hydroxybutyl acrylate glycidyl ether. When these radically polymerizable monomers are used, the sputtering resistance is good and the chemical resistance is high.

디시클로펜타닐을 갖는 라디칼 중합성 모노머의 구체예는 디시클로펜타닐아크릴레이트 및 디시클로펜타닐메타크릴레이트이다. N 치환 말레이미드를 갖는 라디칼 중합성 모노머의 구체예는 N-메틸말레이미드, N-에틸말레이미드, N-부틸말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드, N-페닐말레이미드, N-(4-아세틸페닐)말레이미드, N-(2,6-디에틸페닐)말레이미드, N-(4-디메틸아미노-3,5-디니트로페닐)말레이미드, 및 N-[4-(2-벤즈옥사졸릴)페닐]말레이미드이다. 이들 라디칼 중합성 모노머를 사용하는 것은 내열성, 저유전율성의 관점에서 바람직하다.Specific examples of radically polymerizable monomers having dicyclopentanyl are dicyclopentanyl acrylate and dicyclopentanyl methacrylate. Specific examples of the radically polymerizable monomer having an N-substituted maleimide include N-methylmaleimide, N-ethylmaleimide, N-butylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, , N- (4-acetylphenyl) maleimide, N- (2,6-diethylphenyl) maleimide, N- (4-dimethylamino- - (2-benzoxazolyl) phenyl] maleimide. Use of these radically polymerizable monomers is preferable from the standpoint of heat resistance and low dielectric constant.

실록산을 갖는 라디칼 중합성 모노머의 구체예는 아크릴옥시프로필-트리스-트리메틸실록시실란 및 메타크릴로일옥시프로필-트리스-트리메틸실록시실란이다. 이들 라디칼 중합성 모노머를 사용한 공중합체를 이용하면, 고감도인 포지티브형 특성을 갖고, 투명성이 높고, 또한 고온에서의 소성에 의한 투명성의 열화가 거의 없고, 또 노광 후, 소성 (노광 후 소성) 을 실시할 필요가 없이 현상이 가능하고, 즉 용이하게 패턴상 투명막이 얻어지고, 또한 내용제성, 고내수성, 내산성, 내알칼리성, 내열성을 나타내며, 나아가서는 하지와의 밀착성이 높아진다.Specific examples of radically polymerizable monomers having siloxane are acryloxypropyl-tris-trimethylsiloxysilane and methacryloyloxypropyl-tris-trimethylsiloxysilane. When a copolymer using these radical polymerizable monomers is used, it has a high sensitivity, a positive property, a high transparency, a little deterioration of transparency due to firing at a high temperature, and a post-exposure baking (post-exposure baking) It is possible to carry out the development without needing to carry out, that is, a patterned transparent film can be easily obtained, and also exhibits a solvent resistance, a high water resistance, an acid resistance, an alkali resistance and a heat resistance,

본 발명의 폴리머 (A) 는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 상기 이외의 라디칼 중합성 모노머를 추가로 사용해도 된다. 그와 같은 라디칼 중합성 모노머의 구체예는 벤질메타크릴레이트, 시클로헥실메타크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 부틸메타크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸아크릴레이트, 디시클로펜테닐메타크릴레이트, 및 디시클로펜테닐옥시에틸메타크릴레이트이다.The polymer (A) of the present invention may further contain a radically polymerizable monomer other than the above insofar as the effect of the present invention is not impaired. Specific examples of such radically polymerizable monomers include benzyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, methyl methacrylate, butyl methacrylate, dicyclopentenyl acrylate, dicyclopentenyloxyethyl acrylate, dicyclopentyl acrylate, Pentenyl methacrylate, and dicyclopentenyl oxyethyl methacrylate.

<1-1-5. 폴리머 (A)><1-1-5. Polymer (A)>

폴리머 (A) 는 적당한 알칼리 가용성을 갖는다. 본 발명에 있어서, 알칼리 가용성이란, 라디칼 중합하여 이루어지는 폴리머 (A) 의 용액을 스핀 코트에 의해 기판에 도포하고, 90 ℃ 에서 2 분간 가열하여 형성되는 두께 0.01 ∼ 100 ㎛ 의 피막을 25 ℃ 의 2.38 중량% 의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액에서 5 분간 담근 후에 순수로 씻었을 때에, 상기 피막이 남지 않을 정도로 알칼리에 용해되는 성질을 말한다.Polymer (A) has suitable alkali solubility. In the present invention, alkali solubility refers to the alkali solubility, which means that a solution of the polymer (A) obtained by radical polymerization is applied to a substrate by a spin coat, and a coating having a thickness of 0.01 to 100 탆 formed by heating at 90 캜 for 2 minutes is coated at 2.38 Refers to a property of dissolving in alkaline to such an extent that the coating does not remain when immersed in an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide in weight% for 5 minutes and then washed with pure water.

폴리머 (A) 의 알칼리 가용성은 라디칼 중합성 모노머 (a2) 에 사용하는 페놀성 OH 를 갖는 라디칼 중합성 모노머, 불포화 카르복실산을 갖는 라디칼 중합성 모노머, 혹은 불포화 카르복실산 무수물을 갖는 라디칼 중합성 모노머의 양에 따라 조정할 수 있다. 즉, 폴리머 (A) 의 알칼리 가용성은 페놀성 OH 를 갖는 라디칼 중합성 모노머, 불포화 카르복실산을 갖는 라디칼 중합성 모노머, 혹은 불포화 카르복실산 무수물을 갖는 라디칼 중합성 모노머의 양을 늘림으로써 높일 수 있다.The alkali solubility of the polymer (A) is preferably selected from the group consisting of radical polymerizable monomers having a phenolic OH, radically polymerizable monomers having an unsaturated carboxylic acid, or radical polymerizable monomers having an unsaturated carboxylic acid anhydride, which are used for the radical polymerizable monomer (a2) It can be adjusted according to the amount of monomer. That is, the alkali solubility of the polymer (A) can be increased by increasing the amount of a radically polymerizable monomer having a phenolic OH, a radically polymerizable monomer having an unsaturated carboxylic acid, or a radically polymerizable monomer having an unsaturated carboxylic acid anhydride have.

폴리머 (A) 의 합성 방법은 특별히 제한되지 않지만, 라디칼 중합성 모노머를 라디칼 공중합시켜 만드는 것이 가능하다. 구체적으로는, 라디칼 중합성 모노머 (a1), (a2), (a3), 및 (a4) 의 혼합물을 중합시켜 얻을 수 있으며, 용제를 사용한 용액 중에서의 라디칼 중합이 바람직하다. 이 라디칼 중합시에, 중합 개시제를 사용할 수도 있다.The method of synthesizing the polymer (A) is not particularly limited, but it is possible to make the radical polymerizable monomer by radical copolymerization. Specifically, it can be obtained by polymerizing a mixture of the radically polymerizable monomers (a1), (a2), (a3) and (a4), and radical polymerization in a solution using a solvent is preferable. In this radical polymerization, a polymerization initiator may be used.

중합 개시제를 사용하는 경우, 중합 온도는 사용하는 중합 개시제로부터 라디칼이 충분히 발생하는 온도이면 특별히 한정되지 않지만, 통상적으로 50 ℃ ∼ 150 ℃ 의 범위이다. 중합 시간도 특별히 한정되지 않지만, 통상적으로 1 ∼ 24 시간의 범위이다. 또, 당해 중합은 가압, 감압 또는 대기압 중 어느 압력하에서도 실시할 수 있다.In the case of using a polymerization initiator, the polymerization temperature is not particularly limited as long as radicals are sufficiently generated from the polymerization initiator to be used, but is usually in the range of 50 to 150 ° C. The polymerization time is not particularly limited, but is usually in the range of 1 to 24 hours. The polymerization can be carried out under any pressure of pressure, reduced pressure or atmospheric pressure.

상기 중합 반응에 사용하는 용제는 사용하는 라디칼 중합성 모노머 및 생성되는 폴리머 (A) 를 용해하는 용제가 바람직하다. 하이드록실을 갖는 용제가 중합한 폴리머의 보존 안정성의 점에서 바람직하다. 다른 용제로 중합을 실시한 후에, 하이드록실을 갖는 용제를 폴리머 (A) 의 희석 용제로서 사용해도 된다. 당해 용제의 구체예는 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 아세톤, 2-부타논, 아세트산에틸, 아세트산프로필, 테트라하이드로푸란, 아세토니트릴, 디옥산, 톨루엔, 자일렌, 시클로헥사논, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 및 N,N-디메틸포름아미드이다. 용제는 이들 1 종을 사용해도 되고, 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.The solvent to be used in the polymerization reaction is preferably a solvent which dissolves the radical polymerizable monomer to be used and the polymer (A) to be produced. A solvent having a hydroxyl group is preferable in terms of storage stability of the polymerized polymer. After polymerization with another solvent, a solvent having hydroxyl may be used as a diluting solvent for the polymer (A). Specific examples of the solvent include alcohols such as methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, acetone, 2-butanone, ethyl acetate, propyl acetate, tetrahydrofuran, acetonitrile, dioxane, toluene, Ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, methyl 3-methoxypropionate, 3- Ethyl propionate, and N, N-dimethylformamide. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

폴리머 (A) 를 합성할 때에 사용할 수 있는 중합 개시제는 열에 의해 라디칼을 발생하는 화합물, 아조비스이소부티로니트릴이나 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 등의 아조계 개시제나, 과산화벤조일 등의 과산화물계 개시제를 사용할 수 있다. 분자량을 조절하기 위해서, 티오글리콜산 등의 연쇄 이동제를 적당량 첨가해도 된다.Polymerization initiators which can be used in the synthesis of the polymer (A) include compounds which generate radicals by heat, azo compounds such as azobisisobutyronitrile and 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) Peroxide initiators such as initiators and benzoyl peroxide can be used. To adjust the molecular weight, a chain transfer agent such as thioglycolic acid may be added in an appropriate amount.

폴리머 (A) 는, 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 분석으로 구한 중량 평균 분자량이 1,000 ∼ 100,000 의 범위이면, 노광 부분이 알칼리 현상액으로 용해될 때까지의 현상 시간이 적정이며, 또한, 현상시에 막의 표면이 잘 거칠어지지 않으므로 바람직하다. 또한, 중량 평균 분자량이 1,500 ∼ 50,000 의 범위이면, 미노광 부분이 알칼리 현상액으로 용해될 때까지의 현상 시간이 적정이며, 또한, 현상시에 막의 표면이 잘 거칠어지지 않고, 현상 잔사도 매우 적어지므로, 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량이 2,000 ∼ 20,000 의 범위이면, 더욱 바람직하다.When the weight average molecular weight of the polymer (A) determined by GPC analysis using polystyrene as a standard is in the range of 1,000 to 100,000, the developing time until the exposed portion is dissolved in the alkaline developing solution is appropriate, Is not well roughened. When the weight average molecular weight is in the range of 1,500 to 50,000, the developing time until the unexposed portion is dissolved in the alkaline developing solution is appropriate. Further, the surface of the film is not well roughened at the time of development, , More preferable. It is more preferable that the weight average molecular weight is in the range of 2,000 to 20,000.

중량 평균 분자량의 측정에 있어서는, 표준 폴리스티렌에는 분자량이 645 ∼ 132,900 인 폴리스티렌 (예를 들어, VARIAN 사 제조의 폴리스티렌 캘리브레이션 키트 PL2010-0102) 을, 칼럼에는 PLgel MIXED-D (VARIAN 사 제조) 를 사용하고, 이동상으로서 THF 를 사용할 수 있다.In the measurement of the weight average molecular weight, polystyrene having a molecular weight of 645 to 132,900 (for example, polystyrene calibration kit PL2010-0102 manufactured by VARIAN) and PLgel MIXED-D (manufactured by VARIAN) were used as standard polystyrene , And THF may be used as the mobile phase.

본 발명의 폴리머 (A) 는 중합시의 모노머 농도, 중합 개시제의 양, 중합 온도에 따라 바람직한 분자량으로 조정하는 것이 가능하다. 예를 들어, 중합시의 모노머 농도 (중합에 사용하는 용제의 중량 및 모노머의 전체 중량의 합에 대한 모노머 중량의 비율) 는, 제조 시간, 중합 재현성 및 제품의 핸들링의 관점에서, 5 ∼ 60 중량% 인 것이 바람직하고, 15 ∼ 50 중량% 인 것이 보다 바람직하다.The polymer (A) of the present invention can be adjusted to a preferable molecular weight according to the monomer concentration at the time of polymerization, the amount of the polymerization initiator, and the polymerization temperature. For example, from the viewpoints of production time, polymerization reproducibility and handling of the product, the monomer concentration at the time of polymerization (the weight of the solvent used in the polymerization and the total weight of the monomers) %, More preferably 15 to 50 wt%.

또, 본 발명의 포지티브형 감광성 조성물에 있어서, 상기 폴리머 (A) 의 함유량은, 포지티브형 감광성 조성물의 도포성과 보존성의 관점에서, 당해 조성물 전체량에 대해 1 ∼ 60 중량% 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 40 중량% 인 것이 보다 바람직하며, 5 ∼ 35 중량% 인 것이 특히 바람직하다. 또, 상기 폴리머 (A) 의 함유량은, 본 발명의 포지티브형 감광성 조성물의 도포 방법에 따라, 상기 범위에 있어서 적절히 조정할 수 있다. 예를 들어, 스핀 코트이면 폴리머 (A) 의 함유량을 많이 하여 조성물의 점도를 높게 한다. 한편, 예를 들어 슬릿 코트에서는 폴리머 (A) 의 함유량을 적게 하여 조성물의 점도를 낮게 한다.In the positive photosensitive composition of the present invention, the content of the polymer (A) is preferably 1 to 60% by weight, more preferably 3 to 5% by weight based on the total amount of the positive photosensitive composition, By weight to 40% by weight, and particularly preferably 5 to 35% by weight. The content of the polymer (A) can be appropriately adjusted within the above range according to the application method of the positive photosensitive composition of the present invention. For example, in the case of spin coating, the content of the polymer (A) is increased to increase the viscosity of the composition. On the other hand, for example, in the slit coat, the content of the polymer (A) is decreased to lower the viscosity of the composition.

<2. 본 발명의 광 산발생제 (B)><2. The photoacid generator (B) of the present invention>

본 발명에 사용하는 광 산발생제는 디페닐요오드늄염, 트리페닐술포늄염 등의 오늄염계의 광 산발생제, 술포닐이미드 화합물계의 광 산발생제 등이 예시된다.Examples of the photoacid generator used in the present invention include photoacid generators based on onium salts such as diphenyliodonium salts and triphenylsulfonium salts, photo acid generators based on sulfonylimide compounds, and the like.

디페닐요오드늄염의 구체예는 디페닐요오드늄테트라플루오로보레이트, 디페닐요오드늄헥사플루오로포스페이트, 디페닐요오드늄헥사플루오로알세네이트, 디페닐요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 디페닐요오드늄트리플루오로아세테이트, 디페닐요오드늄-p-톨루엔술포네이트, 디페닐요오드늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄테트라플루오로보레이트, (4-메틸페닐)[4-(2-메틸프로필)페닐]요오드늄헥사플루오로포스페이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오드늄테트라플루오로보레이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오드늄헥사플루오로알세네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오드늄트리플루오로아세테이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오드늄-p-톨루엔술포네이트, 및 비스(4-t-부틸페닐)요오드늄캠퍼술폰산이다.Specific examples of the diphenyliodonium salt include diphenyl iodonium tetrafluoroborate, diphenyliodonium hexafluorophosphate, diphenyliodonium hexafluoroarsenate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyl iodide Diphenyl iodonium butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, 4-methoxyphenylphenyliodonium tetrafluoroborate, (4-methoxyphenylphenyliodonium tetrafluoroborate), diphenyl iodonium (4-t-butylphenyl) iodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium hexafluorophosphate, bis Iodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoroacetate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium- p-toluenesulfonate, and bis (4-t-butylphenyl) Eau titanium is camphor sulfonic acid.

트리페닐술포늄염의 구체예는 트리페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 트리페닐술포늄캠퍼술폰산, 트리페닐술포늄테트라플루오로보레이트, 트리페닐술포늄트리플루오로아세테이트, 트리페닐술포늄-p-톨루엔술포네이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로포스페이트, 및 트리페닐술포늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트이다.Specific examples of the triphenylsulfonium salt include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonic acid, triphenylsulfonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, triphenylsulfonium-p -Toluenesulfonate, triphenylsulfonium hexafluorophosphate, and triphenylsulfonium butyltris (2,6-difluorophenyl) borate.

술포닐이미드 화합물의 구체예는 N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)숙신이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)숙신이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)숙신이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)숙신이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)숙신이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)프탈이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)프탈이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)프탈이미드, N-(2-플루오로페닐술포닐옥시)프탈이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)디페닐말레이미드, (4-메틸페닐술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(페닐술포닐옥시)비시클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카르복실이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)비시클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카르복실이미드, N-(트리플루오로메탄술포닐옥시)비시클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카르복실이미드, N-(노나플루오로부탄술포닐옥시)비시클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카르복실이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)비시클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카르복실이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)-7-옥사비시클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카르복실이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)-7-옥사비시클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카르복실이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)비시클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카르복실이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)-7-옥사비시클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카르복실이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)비시클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카르복실이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)-7-옥사비시클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카르복실이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)비시클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카르복실이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)-7-옥사비시클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카르복실이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)비시클로[2.2.1]헵탄-5,6-옥시-2,3-디카르복실이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)비시클로[2.2.1]헵탄-5,6-옥시-2,3-디카르복실이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)비시클로[2.2.1]헵탄-5,6-옥시-2,3-디카르복실이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)비시클로[2.2.1]헵탄-5,6-옥시-2,3-디카르복실이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)비시클로[2.2.1]헵탄-5,6-옥시-2,3-디카르복실이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(페닐술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(펜타플루오로에틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(헵타플루오로프로필술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(노나플루오로부틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(에틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(프로필술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(부틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(펜틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(헥실술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(헵틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(옥틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, 및 N-(노닐술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드이다.Specific examples of the sulfonylimide compound include N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (camphorsulfonyloxy) succinimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) succinimide, N- (2-trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- (Camphorsulfonyloxy) phthalimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) phthalimide, N- (2-fluorophenylsulfonyloxy) phthalimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- Maleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (phenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2 -2,1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept- , N - (nonafluorobutanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] -2,3-dicarboxylimide, N- (camphorsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hepto-5- (Trifluoromethylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2. 1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) ) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- 2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1 ] Hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide 2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane- Heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxyimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] (4-fluorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) ), Naphthyldicarboxylate, N- (camphorsulfonyloxy) naphthyldicarboxylide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide, N- Dicarboxylic imide, N- (2-tert (4-fluorophenylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylic acid, N- (pentafluoroethylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylic acid, N- (Heptafluoropropylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylide, N- (nonafluorobutylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide, N- (ethylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylate, N- (Butylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylide, N- (pentylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide, N- (propylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylate, N- (Hexylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylic imide, N- (heptylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide, N- (octylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide and N- (nonylsulfonyl) Oxy) naphthyl dicarboxylic imide.

특히 투명막을 제조할 목적으로 본 발명의 포지티브형 감광성 조성물을 사용하는 경우에는, 상기와 같은 광 산발생제를 사용하면, 현상 후에 잔존하는 광 산발생제를 모두 광 분해시키기 위한 후 노광 공정을 거칠 필요가 없어지므로 바람직하다.In particular, when the positive photosensitive composition of the present invention is used for the purpose of producing a transparent film, if the above-described photo acid generator is used, a post exposure process for photodecomposing all of the photo acid generator remaining after development is performed So that it is unnecessary.

본 발명의 포지티브형 감광성 조성물에 있어서, 상기 광 산발생제 (B) 의 함유량은 폴리머 (A) 에 대해 0.1 ∼ 10 중량% 인 것이 바람직하고, 0.3 ∼ 5 중량% 인 것이 보다 바람직하다.In the positive photosensitive composition of the present invention, the content of the photoacid generator (B) is preferably from 0.1 to 10% by weight, more preferably from 0.3 to 5% by weight, based on the polymer (A).

<3. 본 발명의 유기 용제 (C)><3. The organic solvent (C) of the present invention>

본 발명의 포지티브형 감광성 조성물은, 당해 조성물에 포함되는 폴리머 (A) 와 광 산발생제 (B) 외에, 추가로 유기 용제 (C) 를 포함한다. 본 발명에 사용되는 유기 용제는 폴리머 (A) 및 광 산발생제 (B) 를 용해하는 유기 용제가 바람직하고, 또, 조성물로서의 보존 안정성이나, 패턴상 투명막의 제조 프로세스 중에 트러블 등으로 공정 사이에 시간이 빈 경우의 도포막의 시간 경과적 안정성의 면에서, 유기 용제는 하이드록실을 갖는 유기 용제인 것이 보다 바람직하다.The positive photosensitive composition of the present invention further contains an organic solvent (C) in addition to the polymer (A) and the photo acid generator (B) contained in the composition. The organic solvent used in the present invention is preferably an organic solvent which dissolves the polymer (A) and the photoacid generator (B), and furthermore, the stability of the composition as a composition or the trouble during the manufacturing process of the patterned transparent film It is more preferable that the organic solvent is an organic solvent having hydroxyl in view of the time-course stability of the coated film when the time is short.

유기 용제는 비점이 100 ℃ ∼ 300 ℃ 인 화합물이 바람직하다. 비점이 100 ℃ ∼ 300 ℃ 인 유기 용제의 구체예는 아세트산부틸, 프로피온산부틸, 락트산에틸, 하이드록시아세트산메틸, 하이드록시아세트산에틸, 하이드록시아세트산부틸, 메톡시아세트산메틸, 메톡시아세트산에틸, 메톡시아세트산부틸, 에톡시아세트산메틸, 에톡시아세트산에틸, 3-옥시프로피온산메틸, 3-하이드록시프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 2-하이드록시프로피온산메틸, 2-하이드록시프로피온산프로필, 2-메톡시프로피온산메틸, 2-메톡시프로피온산에틸, 2-메톡시프로피온산프로필, 2-에톡시프로피온산메틸, 2-에톡시프로피온산에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산메틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산에틸, 2-메톡시-2-메틸프로피온산메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산에틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 피루브산프로필, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 2-옥소부탄산메틸, 2-옥소부탄산에틸, 디옥산, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리프로필렌글리콜, 1,4-부탄디올, 에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 시클로헥사논, 시클로펜타논, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 톨루엔, 자일렌, γ-부티로락톤, 및 N,N-디메틸아세트아미드이다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The organic solvent preferably has a boiling point of 100 占 폚 to 300 占 폚. Specific examples of the organic solvent having a boiling point of 100 占 폚 to 300 占 폚 include butyl acetate, butyl propionate, ethyl lactate, methyl hydroxyacetate, ethyl hydroxyacetate, butyl hydroxyacetate, methyl methoxyacetate, methoxyacetate, methoxy Ethoxyacetonate, methyl 3-oxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, 3- Ethoxypropionate, methyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxypropionate, propyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, Ethyl propionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl 2-methoxy- And examples thereof include ethyl lactate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, methyl acetoacetate, methyl acetoacetate, methyl 2-oxobutanoate, ethyl 2-oxobutanoate, dioxane, ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, Propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, Propylene glycol monopropyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, cyclohexanone, cyclopentanone, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether Acetate, diethylene glycol Propylene glycol monomethyl ether, recoloxyl monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, toluene, xylene,? -Butyrolactone, Lt; / RTI &gt; These may be used alone or in combination of two or more.

본 발명의 포지티브형 감광성 조성물에 있어서, 상기 유기 용제 (C) 의 함유량은 당해 조성물 전체량에 대해 40 ∼ 99 중량% 인 것이 바람직하고, 50 ∼ 90 중량% 인 것이 보다 바람직하며, 60 ∼ 80 중량% 인 것이 더욱 바람직하다.In the positive photosensitive composition of the present invention, the content of the organic solvent (C) is preferably 40 to 99% by weight, more preferably 50 to 90% by weight, and more preferably 60 to 80% %.

<4. 그 밖의 성분><4. Other components>

본 발명의 포지티브형 감광성 조성물에는, 해상도, 도포 균일성, 현상성, 접착성을 향상시키기 위해서 각종 첨가제를 첨가할 수 있다. 첨가제는 아니온 계, 카티온계, 논이온계, 불소계 또는 실리콘계의 레벨링제·계면 활성제, 실란 커플링제 등의 밀착성 향상제, 알콕시벤조페논류 등의 자외선 흡수제, 에폭시 화합물, 멜라민 화합물 또는 비스아지드 화합물 등의 가교제, 다가 카르복실산, 페놀 화합물 등의 알칼리 용해성 촉진제, 힌다드페놀계, 힌다드아민계, 인계, 황계 화합물 등의 산화 방지제 등이다.To the positive photosensitive composition of the present invention, various additives may be added to improve resolution, uniformity of coating, developability, and adhesion. The additive may be an adhesion promoter such as an anionic, cationic, nonionic, fluorine or silicon leveling agent / surfactant or a silane coupling agent, an ultraviolet absorber such as an alkoxybenzophenone, an epoxy compound, a melamine compound or a bisazide compound , Alkali-solubility accelerators such as polycarboxylic acids and phenol compounds, antioxidants such as hindered phenol-based compounds, hindered amine-based compounds, phosphorus-based compounds and sulfur-based compounds.

<4-1. 레벨링제, 계면 활성제><4-1. Leveling agents, Surfactants>

본 발명의 포지티브형 감광성 조성물에 사용할 수 있는 레벨링제, 계면 활성제는 폴리플로우 No. 45, 폴리플로우 KL-245, 폴리플로우 No. 75, 폴리플로우 No. 90, 폴리플로우 No. 95 (이상 모두 상품명, 쿄에이샤 화학 공업 주식회사), BYK300, BYK306, BYK310, BYK320, BYK330, BYK342, BYK346 (이상 모두 상품명, 빅크케미·재팬 주식회사), KP-341, KP-358, KP-368, KF-96-50CS, KF-50-100CS (이상 모두 상품명, 신에츠 화학 공업 주식회사), 서플론 S-611, 서플론 SC-101, 서플론 KH-40 (이상 모두 상품명, AGC 세이미 케미칼 주식회사), 프타젠트 222F, 프타젠트 251, FTX-218 (이상 모두 상품명, 주식회사 네오스), EFTOP EF-351, EFTOP EF-352, EFTOP EF-601, EFTOP EF-801, EFTOP EF-802 (이상 모두 상품명, 미츠비시 머테리얼주식회사), 메가팍 F-171, 메가팍 F-177, 메가팍 F-475, 메가팍 F-556, 메가팍 R-30 (이상 모두 상품명, DIC 주식회사), 플루오로알킬벤젠술폰산염, 플루오로알킬카르복실산염, 플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르, 플루오로알킬암모늄요오디드, 플루오로알킬베타인, 플루오로알킬술폰산염, 디글리세린테트라키스(플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르), 플루오로알킬트리메틸암모늄염, 플루오로알킬아미노술폰산염, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르, 폴리옥시에틸렌트리데실에테르, 폴리옥시에틸렌세틸에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌라우레이트, 폴리옥시에틸렌올레레이트, 폴리옥시에틸렌스테아레이트, 폴리옥시에틸렌라우릴아민, 소르비탄라우레이트, 소르비탄팔미테이트, 소르비탄스테아레이트, 소르비탄올레이트, 소르비탄 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비탄라우레이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄팔미테이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄스테아레이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄올레에이트, 폴리옥시에틸렌나프틸에테르, 알킬벤젠술폰산염, 및 알킬디페닐에테르디술폰산염 등이다. 이들에서 선택되는 적어도 하나를 첨가제로서 사용하는 것이 바람직하다.The leveling agent and the surfactant that can be used in the positive photosensitive composition of the present invention include polyphosphoric acid, 45, Polyflow KL-245, Polyflow No. 35, 75, Polyflow No. &quot; 90, poly flow No. BYK300, BYK306, BYK310, BYK320, BYK330, BYK342 and BYK346 (all trade names, Vick Chemical Japan Co., Ltd.), KP-341, KP-358 and KP-368 (all trade names, all trade names, all trade names, Kyocera Chemical Industries, , KF-96-50CS, KF-50-100CS (all trade names, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Surfron S-611, Surfron SC-101 and Surfron KH-40 EFTOP EF-351, EFTOP EF-601, EFTOP EF-801 and EFTOP EF-802 (all of which are trade names, all of which are incorporated herein by reference in their entirety), phthalate 222F, phytagent 251 and FTX- (All trade names, manufactured by DIC Corporation), fluoroalkylbenzenesulfonic acid (manufactured by Mitsubishi Materials Corporation), Megafac F-171, Megafac F-177, Megafac F-475, Megafac F- Salts, fluoroalkylcarboxylic acid salts, fluoroalkyl polyoxyethylene ethers, fluoroalkylammonium iodides, fluoroalkyl betaines, fluoroalkyl sulfonic acids (Fluoroalkylpolyoxyethylene ether), fluoroalkyltrimethylammonium salt, fluoroalkylaminosulfonic acid salt, polyoxyethylene nonylphenyl ether, polyoxyethylene octylphenyl ether, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene Polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene laurate, polyoxyethylene oleate, polyoxyethylene stearate, polyoxyethylene stearate, polyoxyethylene stearyl ether, Polyoxyethylene laurylamine, sorbitan laurate, sorbitan palmitate, sorbitan stearate, sorbitan oleate, sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitan palaurate, polyoxyethylene sorbitan palmitate, polyoxyethylene Ethylene sorbitan stearate, polyoxyethylene sorbitan Les benzoate, a polyoxyethylene naphthyl ether, alkyl benzene sulfonate, and alkyl diphenyl ether disulfonic acid salts. At least one selected from these is preferably used as an additive.

이들 첨가제 중에서도, 플루오로알킬벤젠술폰산염, 플루오로알킬카르복실산염, 플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르, 플루오로알킬암모늄요오디드, 플루오로알킬베타인, 플루오로알킬술폰산염, 디글리세린테트라키스(플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르), 플루오로알킬트리메틸암모늄염, 플루오로알킬아미노술폰산염, 서플론 S-611 등의 불소계의 계면 활성제, BYK306, BYK346, KP-341, KP-358, KP-368 등의 실리콘계 계면 활성제 중에서 선택되는 적어도 1 종이 첨가되면, 감광성 조성물의 도포 균일성이 높아지므로 바람직하다.Among these additives, preferred are fluoroalkylbenzenesulfonic acid salts, fluoroalkylcarboxylic acid salts, fluoroalkyl polyoxyethylene ethers, fluoroalkylammonium iodides, fluoroalkyl betaines, fluoroalkylsulfonic acid salts, diglycerin tetrakis ( BYK306, BYK346, KP-341, KP-358, KP-368, etc., which are fluorine-based surfactants such as fluoroalkyltrimethylammonium salts, fluoroalkylaminosulfonate salts and Surplon S- Based silicone surfactant is added, it is preferable that the coating uniformity of the photosensitive composition is increased.

본 발명의 감광성 조성물에 있어서의 상기 레벨링제, 계면 활성제의 함유량은 각각 조성물의 전체량에 대해 0.001 ∼ 0.1 중량% 인 것이 바람직하다.The content of the leveling agent and the surfactant in the photosensitive composition of the present invention is preferably 0.001 to 0.1% by weight based on the total amount of the composition.

<4-2. 유기 카르복실산><4-2. Organic carboxylic acid>

알칼리 용해성 촉진제에는, 유기 카르복실산을 사용할 수 있다. 유기 카르복실산은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 유기 카르복실산은 다가 카르복실산이 바람직하다. 다가 카르복실산의 구체예는 무수 트리멜리트산, 무수 프탈산, 및 4-메틸시클로헥산-1,2-디카르복실산 무수물이다. 이들 다가 카르복실산 중에서는 무수 트리멜리트산이 바람직하다.As the alkali solubility promoter, an organic carboxylic acid can be used. The organic carboxylic acid may be used singly or in combination of two or more kinds. The organic carboxylic acid is preferably a polycarboxylic acid. Specific examples of the polycarboxylic acid are anhydrous trimellitic acid, phthalic anhydride, and 4-methylcyclohexane-1,2-dicarboxylic acid anhydride. Among these polycarboxylic acids, trimellitic anhydride is preferred.

본 발명의 포지티브형 감광성 조성물에 다가 카르복실산이 첨가되면, 당해 조성물을 사용하여 형성한 유기막의 알칼리 가용성을 높일 수 있다. 또, 다가 카르복실산의 카르복실은, 감광성 조성물에 에폭시가 포함되는 경우에, 이들과 반응하여, 형성한 유기막을 노광하고, 현상, 소성을 한 경화막의 내열성, 내약품성을 더욱 향상시킬 수 있다.When the polycarboxylic acid is added to the positive photosensitive composition of the present invention, the alkali solubility of the organic film formed using the composition can be increased. The carboxyl group of the polyvalent carboxylic acid can further improve the heat resistance and chemical resistance of the cured film obtained by reacting with the epoxy resin in the photosensitive composition and exposing the formed organic film to exposure and development and firing .

본 발명의 감광성 조성물에 있어서의 상기 유기 카르복실산의 함유량은 폴리머 (A) 100 중량부에 대해 1 ∼ 30 중량부인 것이 바람직하고, 2 ∼ 20 중량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the organic carboxylic acid in the photosensitive composition of the present invention is preferably 1 to 30 parts by weight, more preferably 2 to 20 parts by weight, per 100 parts by weight of the polymer (A).

<4-3. 페놀 화합물><4-3. Phenol compounds>

알칼리 용해성 촉진제에는, 페놀 화합물을 사용할 수 있다. 페놀 화합물은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 페놀 화합물의 구체예는 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,4,6-트리하이드록시벤조페논, 2,2',4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,3,3',4-테트라하이드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 비스(2,4-디하이드록시페닐)메탄, 비스(p-하이드록시페닐)메탄, 트리(p-하이드록시페닐)메탄, 1,1,1-트리(p-하이드록시페닐)에탄, 비스(2,3,4-트리하이드록시페닐)메탄, 2,2-비스(2,3,4-트리하이드록시페닐)프로판, 1,1,3-트리스(2,5-디메틸-4-하이드록시페닐)-3-페닐프로판, 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀, 비스(2,5-디메틸-4-하이드록시페닐)-2-하이드록시페닐메탄, 3,3,3',3'-테트라메틸-1,1'-스피로비인덴-5,6,7,5',6',7'-헥산올, 및 2,2,4-트리메틸-7,2',4'-트리하이드록시플라반이다. 이들 페놀 화합물 중에서는, 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀이 바람직하다.As the alkali solubility promoter, a phenol compound can be used. The phenol compounds may be used singly or in a mixture of two or more. Specific examples of the phenol compound include 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,4,6-trihydroxybenzophenone, 2,2 ', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3, (2,4-dihydroxyphenyl) methane, bis (p-hydroxyphenyl) methane, tri (4-hydroxybenzophenone) (p-hydroxyphenyl) methane, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2,2- 4-trihydroxyphenyl) propane, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) Hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol, bis (2,5-dimethyl- -Tetramethyl-1,1'-spirobindene-5,6,7,5 ', 6', 7'-hexanol, and 2,2,4-trimethyl-7,2 ', 4'- It is Roxy Flambana. Among these phenol compounds, 4,4 '- [1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol is preferred.

본 발명의 감광성 조성물에 페놀 화합물이 첨가되면, 당해 조성물을 사용하여 형성한 유기막의 알칼리 가용성을 높일 수 있다. 또, 페놀 화합물의 페놀은, 감광성 조성물에 에폭시가 포함되는 경우에, 이들과 반응하여, 형성한 유기막을 노광하고, 현상, 소성을 한 경화막의 내열성, 내약품성을 더욱 향상시킬 수 있다.When the phenolic compound is added to the photosensitive composition of the present invention, the alkali solubility of the organic film formed using the composition can be increased. Further, phenol as the phenolic compound can further improve the heat resistance and chemical resistance of the cured film obtained by reacting with the photosensitive organic compound when the photosensitive composition contains epoxy and exposing the formed organic film to development and firing.

본 발명의 포지티브형 감광성 조성물에 있어서의 페놀 화합물의 함유량은 폴리머 (A) 100 중량부에 대해 1 ∼ 50 중량부인 것이 바람직하고, 5 ∼ 20 중량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the phenolic compound in the positive photosensitive composition of the present invention is preferably 1 to 50 parts by weight, more preferably 5 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the polymer (A).

<4-4. 산화 방지제><4-4. Antioxidants>

산화 방지제는 힌다드페놀계, 힌다드아민계, 인계, 및 황계 화합물의 산화 방지제를 바람직하게 사용할 수 있다. 산화 방지제는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 산화 방지제는 힌다드페놀계 화합물의 산화 방지제인 것이 내후성의 관점에서 바람직하다. 이와 같은 산화 방지제의 구체예는 예를 들어 Irganox1010, IrganoxFF, Irganox1035, Irganox1035FF, Irganox1076, Irganox1076FD, Irganox1076DWJ, Irganox1098, Irganox1135, Irganox1330, Irganox1726, Irganox1425WL, Irganox1520L, Irganox245, Irganox245FF, Irganox245DWJ, Irganox259, Irganox3114, Irganox565, Irganox565DD, Irganox295 (상품명;BASF 재팬 (주)), ADK STAB AO-20, ADK STAB AO-30, ADK STAB AO-50, ADK STAB AO-60, ADK STAB AO-70, 및 ADK STAB AO-80 (상품명;ADEKA (주)) 이다. 이 중에서는, Irganox1010 이 보다 바람직하다.As the antioxidant, antioxidants of hindered phenol-based, hindered amine-based, phosphorus-based, and sulfur-based compounds can be preferably used. The antioxidant may be used alone or in combination of two or more. The antioxidant is preferably an antioxidant of a hindered phenol-based compound from the viewpoint of weather resistance. Specific examples of such antioxidants include, but are not limited to, Irganox 1010, Irganox FF, Irganox 1035, Irganox 1035FF, Irganox 1076, Irganox 1066D, Irganox 1076DWJ, Irganox 1076, Irganox 1098, Irganox 1135, Irganox 1330, Irganox 1726, Irganox 1425WL, Irganox 1520L, Irganox 245, Irganox 245FF, Irganox 245DWJ, Irganox 259, Irganox 3114, , ADK STAB AO-20, ADK STAB AO-30, ADK STAB AO-50, ADK STAB AO-60, ADK STAB AO-70 and ADK STAB AO-80 (product name: BASF Japan) ; ADEKA Co., Ltd.). Of these, Irganox 1010 is more preferable.

본 발명의 감광성 조성물에 있어서의 산화 방지제의 함유량은 폴리머 (A) 100 중량부에 대해 0.1 ∼ 15 중량부인 것이 바람직하고, 1 ∼ 10 중량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the antioxidant in the photosensitive composition of the present invention is preferably 0.1 to 15 parts by weight, more preferably 1 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polymer (A).

<4-5. 밀착성 향상제><4-5. Adhesion improving agent>

본 발명의 감광성 조성물은, 전술한 바와 같이, 폴리머 (A) 의 원료로서 식 (I) 로 나타내는 라디칼 중합성 모노머를 사용함으로써 기판과의 밀착성을 향상시킬 수 있다는 특징을 갖는다. 그러나, 밀착성 향상제를 추가로 사용하는 것도 무방하다. 밀착성 향상제는 커플링제를 바람직하게 사용할 수 있다. 밀착성 향상제는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 커플링제에는, 실란계, 알루미늄계 또는 티타네이트계의 화합물을 사용할 수 있다. 커플링제의 구체예는 3-글리시독시프로필디메틸에톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 아세토알콕시알루미늄디이소프로필레이트, 및 테트라이소프로필비스(디옥틸포스파이트)티타네이트이다. 이들 중에서는, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란이 밀착성을 향상시키는 효과가 크기 때문에 바람직하다.As described above, the photosensitive composition of the present invention is characterized by being able to improve adhesion with a substrate by using a radically polymerizable monomer represented by the formula (I) as a raw material of the polymer (A). However, it is also possible to further use an adhesion improver. As the adhesion improver, a coupling agent can be preferably used. One kind of the adhesion improver may be used alone, or two or more kinds may be mixed and used. As the coupling agent, a silane-based, aluminum-based or titanate-based compound may be used. Specific examples of the coupling agent include 3-glycidoxypropyldimethylethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, acetoalkoxyaluminum diisopropylate, and tetraisobutyl Propyl bis (dioctylphosphite) titanate. Among these, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane is preferable because it has a large effect of improving adhesion.

본 발명의 감광성 조성물에 있어서의 밀착성 향상제의 함유량은 폴리머 (A) 100 중량부에 대해 10 중량부 이하인 것이 바람직하다.The content of the adhesion improver in the photosensitive composition of the present invention is preferably 10 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the polymer (A).

<4-6. 자외선 흡수제><4-6. UV absorbers>

자외선 흡수제에는, 알콕시벤조페논류 등의, 감광성 조성물에 있어서 자외선 흡수제로서 이용되는 성분을 사용할 수 있다. 자외선 흡수제는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 이와 같은 자외선 흡수제의 구체예는 티누빈 P, 티누빈 120, 티누빈 144, 티누빈 213, 티누빈 234, 티누빈 326, 티누빈 571, 및 티누빈 765 (이상 모두 상품명, BASF 재팬 (주)) 이다.As the ultraviolet absorber, a component used as an ultraviolet absorber in a photosensitive composition, such as alkoxybenzophenones, can be used. The ultraviolet absorber may be used singly or in combination of two or more. Specific examples of such ultraviolet absorbers are Tinuvin P, Tinuvin 120, Tinuvin 144, Tinuvin 213, Tinuvin 234, Tinuvin 326, Tinuvin 571 and Tinuvin 765 (all trade names, ) to be.

본 발명의 감광성 조성물에 있어서의 자외선 흡수제의 함유량은 폴리머 (A) 100 중량부에 대해 0.01 ∼ 10 중량부인 것이 바람직하고, 0.1 ∼ 5 중량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the ultraviolet absorber in the photosensitive composition of the present invention is preferably 0.01 to 10 parts by weight, more preferably 0.1 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the polymer (A).

<4-7. 가교제><4-7. Cross-linking agent>

열 가교제에는, 감광성 조성물을 재료로 하는 막형성에 있어서의 가열 조건하에서 가교 반응을 일으키는 성분을 사용할 수 있다. 열 가교제는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 열 가교제에는 에폭시 화합물 등의 열 가교제를 사용할 수 있다. 이와 같은 열 가교제의 구체예는 jER807, jER815, jER825, jER827, jER828, jER190P 및 jER191P (상품명;유카 쉘 에폭시 (주)), jER1004, jER1256, YX8000 (상품명;미츠비시 화학 (주)), 아랄다이트 CY177, 아랄다이트 CY184 (상품명;헌츠만·재팬 (주)), 셀록사이드 2021P, EHPE-3150 (상품명;다이셀 화학 공업 (주)), 테크모아 VG3101L (상품명;(주) 프린텍), EPICLON HP-4700, 및 EPICLON HP-7200 (상품명;DIC 주식회사) 이다.As the thermal cross-linking agent, a component which causes a cross-linking reaction under the heating condition in the film formation using the photosensitive composition may be used. The thermal crosslinking agent may be used alone or in combination of two or more. As the thermal crosslinking agent, a thermal crosslinking agent such as an epoxy compound can be used. Specific examples of such a thermal cross-linking agent are jER 807, jER 815, jER 825, jER 827, jER 828, jER 190P and jER 191P (trade name; Yuka Shell Epoxy Co.), jER1004, jER1256, YX8000 (trade name, Mitsubishi Chemical Corporation) CY177, Araldite CY184 (trade name: Huntsman 占 Japan Co.), Celloxide 2021P, EHPE-3150 (trade name; manufactured by Daicel Chemical Industries Ltd.), Techmoa VG3101L (trade name, HP-4700, and EPICLON HP-7200 (trade name, DIC Co., Ltd.).

본 발명의 포지티브형 감광성 조성물에 있어서의 열 가교제의 함유량은 폴리머 (A) 100 중량부에 대해 1 ∼ 50 중량부인 것이 바람직하고, 5 ∼ 30 중량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the heat crosslinking agent in the positive photosensitive composition of the present invention is preferably 1 to 50 parts by weight, more preferably 5 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the polymer (A).

본 발명의 포지티브형 감광성 조성물은 온도 -30 ℃ ∼ 25 ℃ 의 범위에서 차광하여 보존하는 것이 포지티브형 감광성 조성물의 시간 경과적 안정성의 관점에서 바람직하다. 보존 온도가 -20 ℃ ∼ 10 ℃ 이면, 포지티브형 감광성 조성물로부터의 석출물의 발생을 방지하는 관점에서 보다 한층 바람직하다.The positive photosensitive composition of the present invention is preferably shielded from light in the range of -30 캜 to 25 캜 from the viewpoint of stability over time of the positive photosensitive composition. A storage temperature of -20 캜 to 10 캜 is more preferable from the viewpoint of preventing the generation of precipitates from the positive photosensitive composition.

본 발명의 포지티브형 감광성 조성물은 투명한 막을 형성하는 데에 적합하고, 패터닝시의 해상도가 비교적 높기 때문에 10 ㎛ 이하의 작은 구멍이 뚫린 절연막을 형성하는 데에 최적이다. 여기서, 절연막이란, 예를 들어, 층 상으로 배치되는 배선 사이를 절연하기 위해서 형성하는 막 (층간 절연막) 등을 말한다.The positive photosensitive composition of the present invention is suitable for forming a transparent film and is optimal for forming an insulating film having a small pore size of 10 占 퐉 or less because of a relatively high resolution at the time of patterning. Here, the insulating film is, for example, a film (interlayer insulating film) or the like formed to insulate between wirings arranged in layers.

본 발명의 패턴상 투명막은 감광성 조성물의 도포막의 노광, 현상, 및 소성에 의해 형성된다. 예를 들어, 상기 투명막 및 절연막 등의 본 발명의 패턴상 투명막은 레지스트 분야에 있어서 막을 형성하는 통상적인 방법으로 형성할 수 있으며, 예를 들어 이하와 같이 하여 형성된다.The patterned transparent film of the present invention is formed by exposure, development, and firing of a coating film of the photosensitive composition. For example, the patterned transparent film of the present invention such as the transparent film and the insulating film can be formed by a conventional method for forming a film in the field of resist, and is formed, for example, as follows.

먼저, 본 발명의 포지티브형 감광성 조성물을 스핀 코트, 롤 코트, 슬릿 코트 등의 공지된 방법에 의해 유리 등의 기판 상에 도포한다. 본 발명의 포지티브형 감광성 조성물을 사용할 수 있는 기판은 백판 유리, 청판 유리, 실리카 코트 청판 유리 등의 투명 유리 기판, 폴리카보네이트, 폴리에테르술폰, 폴리에스테르, 아크릴, 염화비닐, 방향족 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리이미드 등의 합성 수지제 시트, 필름 또는 기판, 알루미늄판, 구리판, 니켈판, 스테인리스판 등의 금속 기판, 그 외 세라믹판, 및 광전 변환 소자를 갖는 반도체 기판 등을 예시할 수 있다. 이들 기판에는, 원하는 바에 따라, 실란 커플링제 등의 약품 처리, 플라즈마 처리, 이온 플레이팅, 스퍼터링, 기상 반응법, 진공 증착 등의 전처리를 실시할 수 있다.First, the positive photosensitive composition of the present invention is applied to a substrate such as glass by a known method such as spin coating, roll coating, slit coating or the like. The substrate on which the positive photosensitive composition of the present invention can be used is a transparent glass substrate such as a white plate glass, a chelate glass or a silica-coated chelate glass, a polycarbonate, a polyether sulfone, a polyester, an acryl, a vinyl chloride, an aromatic polyamide, Film or substrate, a metal plate such as an aluminum plate, a copper plate, a nickel plate, or a stainless steel plate, a ceramic plate, and a semiconductor substrate having a photoelectric conversion element. These substrates can be subjected to pretreatment such as chemical treatment such as a silane coupling agent, plasma treatment, ion plating, sputtering, gas phase reaction, vacuum deposition, etc., as desired.

다음으로, 기판 상의 포지티브형 감광성 조성물의 도포막을 핫 플레이트 또는 오븐으로 건조시킨다. 통상적으로 60 ∼ 120 ℃ 에서 1 ∼ 5 분간 건조시킨다. 건조시킨 기판 상의 유기막에, 원하는 패턴 형상의 개구부를 갖는 마스크를 개재하여 자외선 등의 방사선을 조사한다. 조사 조건은 i 선으로 5 ∼ 50 mJ/㎠ 가 적당하다.Next, the coating film of the positive photosensitive composition on the substrate is dried by a hot plate or an oven. It is usually dried at 60 to 120 ° C for 1 to 5 minutes. The organic film on the dried substrate is irradiated with radiation such as ultraviolet rays through a mask having an opening with a desired pattern shape. The irradiation conditions are suitably 5 to 50 mJ / cm 2 by i-line.

방사선 조사 후의 유기막은 노광 후 소성 (PEB:노광 후, 폴리머에 존재하는 보호기를 제거하기 위해서 현상을 실시하기 전에 소성을 실시하는 것) 을 필요로 하지 않고, 알칼리 용액 등의 현상액을 사용하여 현상된다. 현상에 의해 유기막에 있어서의 방사선이 조사된 부분은 신속하게 현상액에 용해된다. 현상 방법은 특별히 한정되지 않고, 딥 현상, 패들 현상, 샤워 현상 모두 이용할 수 있다.The organic film after irradiation is developed by using a developer such as an alkali solution without the need of post-exposure baking (PEB: after baking, baking is carried out before development to remove a protecting group present in the polymer) . The portion irradiated with the radiation in the organic film by the development is quickly dissolved in the developer. The developing method is not particularly limited, and a dip phenomenon, a puddle phenomenon, and a shower phenomenon can all be used.

현상액은 알칼리 용액이 바람직하다. 알칼리 용액에 포함되는 알칼리의 구체예는 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 2-하이드록시에틸트리메틸암모늄하이드로옥사이드, 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소칼륨, 수산화나트륨, 및 수산화칼륨이다. 현상액은 이들 알칼리의 수용액이 바람직하게 사용된다. 즉, 현상액의 구체예는 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 또는 2-하이드록시에틸트리메틸암모늄하이드로옥사이드 등의 유기 알칼리류나, 탄산나트륨, 수산화나트륨, 또는 수산화칼륨 등의 무기 알칼리류의 수용액이다.The developer is preferably an alkali solution. Specific examples of the alkali included in the alkali solution include tetramethyl ammonium hydroxide, tetraethyl ammonium hydroxide, 2-hydroxyethyl trimethyl ammonium hydroxide, sodium carbonate, sodium hydrogen carbonate, potassium carbonate, And potassium hydroxide. An aqueous solution of these alkalis is preferably used as the developer. Specifically, examples of the developer include organic alkalis such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, or 2-hydroxyethyltrimethylammonium hydroxide, inorganic alkalis such as sodium carbonate, sodium hydroxide, or potassium hydroxide &Lt; / RTI &gt;

현상액에는 현상 잔사의 저감이나 패턴 형상의 적성화를 목적으로 하여, 메탄올, 에탄올이나 계면 활성제를 첨가해도 된다. 계면 활성제에는, 예를 들어 아니온계, 카티온계, 및 논이온계에서 선택되는 계면 활성제를 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 특히, 논이온계의 폴리옥시에틸렌알킬에테르를 첨가하면, 해상도를 높이는 관점에서 바람직하다.Methanol, ethanol, or a surfactant may be added to the developer for the purpose of reducing the development residue and improving the pattern shape. As the surfactant, for example, a surfactant selected from anionic, cationic, and nonionic surfactants can be used. Among them, it is particularly preferable to add a nonionic type polyoxyethylene alkyl ether from the viewpoint of increasing the resolution.

현상된 막은 순수로 충분히 세정된다. 그 후, 150 ∼ 250 ℃ 에서 10 ∼ 120 분간 소성된다. 이렇게 하여, 원하는 패터닝된 투명막을 얻을 수 있다.The developed film is sufficiently cleaned with pure water. Thereafter, it is baked at 150 to 250 DEG C for 10 to 120 minutes. Thus, a desired patterned transparent film can be obtained.

이와 같이 하여 얻어진 패턴상 투명막은 패턴상 절연막으로서 사용할 수도 있다. 또한, 그 절연막 상에 투명 전극을 형성하고, 에칭에 의해 패터닝을 실시한 후, 배향 처리를 실시하는 막을 형성시켜도 된다. 그 절연막은, 내스퍼터성이 높기 때문에, 투명 전극을 형성해도 절연막에 주름이 발생하지 않고, 높은 투명성을 유지할 수 있다.The patterned transparent film thus obtained may be used as a patterned insulating film. Further, a transparent electrode may be formed on the insulating film, patterned by etching, and then a film to be subjected to the alignment treatment may be formed. Since the insulating film has high sputtering resistance, wrinkles do not occur in the insulating film even if a transparent electrode is formed, and high transparency can be maintained.

본 발명의 패턴상 투명막은 액정 표시 소자 등의 표시 소자에 있어서의 원하는 용도에 따른 통상적인 두께로 형성할 수 있다. 본 발명의 패턴상 투명막의 막두께는 1 ㎛ ∼ 10 ㎛ 인 것이 바람직하고, 패턴상 투명막의 막두께는 본 발명의 포지티브형 감광성 조성물의 점도나 본 발명의 포지티브형 감광성 조성물에 있어서의 고형물의 농도에 따라 조정할 수 있다.The patterned transparent film of the present invention can be formed to have a usual thickness in accordance with a desired use in a display device such as a liquid crystal display device. The film thickness of the patterned transparent film is preferably in the range of 1 m to 10 m, and the film thickness of the patterned transparent film of the present invention is preferably in the range of 1 m to 10 m, and the film thickness of the patterned transparent film is preferably set in accordance with the viscosity of the positive photosensitive composition of the present invention, .

본 발명의 패턴상 투명막은 액정 등을 사용하는 표시 소자에 사용된다. 예를 들어 액정 표시 소자는, 상기와 같이 하여 본 발명의 패턴상 투명막이 형성된 소자 기판과, 대향 기판인 컬러 필터 기판을, 위치를 맞추어 압착하고, 그 후 열 처리하여 조합하고, 대향하는 기판 사이에 액정을 투입하고, 주입구를 밀봉함으로써 제조된다.The patterned transparent film of the present invention is used in a display device using liquid crystal or the like. For example, the liquid crystal display element may be manufactured by pressing the element substrate on which the patterned transparent film of the present invention is formed and the color filter substrate serving as the counter substrate in such a manner as described above, , And sealing the injection port.

또는, 상기 소자 기판 상에 액정을 살포한 후, 소자 기판을 중첩하고, 액정이 새지 않도록 밀봉함으로써도 제조할 수 있으며, 상기 표시 소자는 이와 같이 제조된 표시 소자이어도 된다.Alternatively, liquid crystal may be sprayed on the element substrate, then the element substrate may be overlapped and the liquid crystal may be sealed so as not to leak. The display element may be a display element manufactured in this way.

이와 같이 하여, 본 발명의 포지티브형 감광성 조성물로 형성된, 우수한 내열성과 투명성을 갖는 절연막을 액정 표시 소자에 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 표시 소자에 사용되는 액정, 즉 액정 화합물 및 액정 조성물에 대해서는 특별히 한정되지 않고, 어느 액정 화합물 및 액정 조성물도 사용할 수 있다.In this way, an insulating film formed from the positive photosensitive composition of the present invention and having excellent heat resistance and transparency can be used for the liquid crystal display element. The liquid crystal used in the display device of the present invention, that is, the liquid crystal compound and the liquid crystal composition, is not particularly limited, and any liquid crystal compound and liquid crystal composition can be used.

본 발명의 포지티브형 감광성 조성물의 도포막을 노광하고, 현상 후 소성하여 형성된 경화막은, 예를 들어, 패터닝 투명막 및 절연막에 대해 일반적으로 요구되고 있는 고내용제성, 고내수성, 고내산성, 고내알칼리성, 고내열성, 고투명성, 하지와의 밀착성 등의 각종 특성을 추가로 갖는다.The cured film formed by exposing a coating film of the positive photosensitive composition of the present invention and then baking after development can be used as a film having a high solvent resistance, high water resistance, high acid resistance, high alkali resistance, High heat resistance, high transparency, adhesion to the base, and the like.

또, 본 발명의 포지티브형 감광성 조성물의 도포막을 노광하고, 현상 후 소성하여 형성된 경화막은, 내용제성, 내산성, 내알칼리성, 내열성, 투명성이 우수하기 때문에, 당해 감광성 조성물을 사용한 투명막, 절연막, 및 표시 소자 등은 그 절연막 형성 후의 후공정에 있어서 150 ∼ 250 ℃ 의 고온하에 노출되어도, 혹은 용제, 산, 알칼리 용액 등에 침지, 접촉, 열처리 등이 되어도, 막에 표면 거침이 잘 발생하지 않는다. 그 결과, 본 발명의 바람직한 양태에 관련된 감광성 조성물을 사용한 투명막 등의 광의 투과율이 높아져, 그것을 사용한 표시 소자 등의 제품의 표시 품위를 높일 수 있다.Since the cured film formed by exposing the coating film of the positive photosensitive composition of the present invention and baking after development is excellent in solvent resistance, acid resistance, alkali resistance, heat resistance and transparency, the transparent film, The surface roughness of the film does not occur even when the display element is exposed to a high temperature of 150 to 250 ° C. in a post-process after the formation of the insulating film, or when it is immersed in a solvent, an acid, or an alkali solution or the like. As a result, the transmittance of light such as a transparent film using the photosensitive composition according to the preferred embodiment of the present invention is increased, and the display quality of a product such as a display device using the same can be increased.

실시예Example

이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 설명하는데, 본 발명은 이들에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be further described by way of examples, but the present invention is not limited thereto.

[중합예 1] 폴리머 (A1) 의 합성[Polymerization Example 1] Synthesis of polymer (A1)

교반기가 부착된 4 구 플라스크에 질소를 버블링하면서 중합 용제로서 1-메톡시-2-프로필 아세테이트를, 모노머로서 2-아세토아세톡시에틸 메타크릴레이트 (a1), 4-하이드록시페닐비닐케톤 (a2), 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 (a3), 벤질 메타크릴레이트 (a4), 글리시딜 메타크릴레이트 (a4), 및 메타크릴옥시프로필-트리스-트리메틸실록시실란 (a4) 를 하기 중량으로 투입하고, 추가로 중합 개시제 (이하, 개시제라고 약기한다) 로서 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 을 하기 중량으로 투입하고, 90 ℃ 의 온도에서 2 시간 가열하여 중합을 실시하였다.In a four-necked flask equipped with a stirrer, 1-methoxy-2-propyl acetate was used as a polymerization solvent while 2-acetoacetoxyethyl methacrylate (a1) and 4-hydroxyphenyl vinyl ketone (a4), glycidyl methacrylate (a4), and methacryloxypropyl-tris-trimethylsiloxysilane (a4), as well as methacryloxypropyltrimethoxysilane (a3) Azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) was added as a polymerization initiator (hereinafter abbreviated as an initiator) at the following weights, and 2 g of 2,2'-azobis The polymerization was carried out by heating for a time.

1-메톡시-2-프로필 아세테이트 (용제) 22.5 g22.5 g of 1-methoxy-2-propyl acetate (solvent)

2-아세토아세톡시에틸 메타크릴레이트 (a1) 0.2 g0.2 g of 2-acetoacetoxyethyl methacrylate (a1)

4-하이드록시페닐비닐케톤 (a2) 1.8 g1.8 g of 4-hydroxyphenyl vinyl ketone (a2)

3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 (a3) 2.3 g 2.3 g of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane (a3)

벤질 메타크릴레이트 (a4) 0.6 g Benzyl methacrylate (a4) 0.6 g

글리시딜 메타크릴레이트 (a4) 6.0 g6.0 g of glycidyl methacrylate (a4)

메타크릴옥시프로필-트리스-트리메틸실록시실란 (a4) 4.2 g4.2 g of methacryloxypropyl-tris-trimethylsiloxysilane (a4)

2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) (개시제) 1.5 gAzobis (2,4-dimethylvaleronitrile) (initiator) 1.5 g

용액을 실온까지 냉각시키고, 폴리머 (A1) 용액을 얻었다. 용액의 일부를 샘플링하고, GPC 분석 (폴리스티렌 표준) 에 의해 중량 평균 분자량을 측정하였다. 폴리머 (A1) 의 중량 평균 분자량은, 분자량이 645 ∼ 132,900 인 폴리스티렌 (VARIAN 사 제조의 폴리스티렌 캘리브레이션 키트 PL2010-0102) 을 표준 폴리스티렌에 사용하고, 칼럼에는 PLgel MIXED-D (VARIAN 사 제조) 를 사용하고, 이동상으로서 THF 를 사용하고, 칼럼 온도를 35 ℃ 로 하고, 시차 굴절률 검출기를 사용하여 측정하였다. 그 결과, 폴리머 (A1) 의 중량 평균 분자량은 7,600 이었다.The solution was cooled to room temperature to obtain a polymer (A1) solution. A portion of the solution was sampled and the weight average molecular weight was determined by GPC analysis (polystyrene standard). The polystyrene (PL2010-0102 manufactured by VARIAN) having a molecular weight of 645 to 132,900 was used as the standard polystyrene and the PLgel MIXED-D (manufactured by VARIAN) was used as the weight average molecular weight of the polymer (A1) , THF was used as the mobile phase, the column temperature was set to 35 占 폚, and the measurement was carried out using a differential refractive index detector. As a result, the weight average molecular weight of the polymer (A1) was 7,600.

[중합예 2] 폴리머 (A2) 의 합성[Polymerization Example 2] Synthesis of polymer (A2)

중합예 1 과 동일하게 하여, 하기 성분을 하기 중량으로 투입하고, 87 ℃ 의 온도에서 2 시간 가열하여 중합을 실시하였다.In the same manner as in Polymerization Example 1, the following components were added in the following weights and polymerization was carried out by heating at a temperature of 87 캜 for 2 hours.

1-메톡시-2-프로필 아세테이트 (용제) 22.5 g22.5 g of 1-methoxy-2-propyl acetate (solvent)

2-아세토아세톡시에틸 메타크릴레이트 (a1) 0.2 g0.2 g of 2-acetoacetoxyethyl methacrylate (a1)

4-하이드록시페닐비닐케톤 (a2) 1.8 g1.8 g of 4-hydroxyphenyl vinyl ketone (a2)

3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 (a3) 2.3 g 2.3 g of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane (a3)

벤질 메타크릴레이트 (a4) 0.6 g Benzyl methacrylate (a4) 0.6 g

글리시딜 메타크릴레이트 (a4) 6.0 g6.0 g of glycidyl methacrylate (a4)

메타크릴옥시프로필-트리스-트리메틸실록시실란 (a4) 4.2 g4.2 g of methacryloxypropyl-tris-trimethylsiloxysilane (a4)

2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) (개시제) 1.5 gAzobis (2,4-dimethylvaleronitrile) (initiator) 1.5 g

얻어진 폴리머 (A2) 의 GPC 분석 (폴리스티렌 표준) 에 의해 구한 중량 평균 분자량은 8,100 이었다.The polymer (A2) thus obtained had a weight average molecular weight determined by GPC analysis (polystyrene standard) of 8,100.

[중합예 3] 폴리머 (A3) 의 합성 [Polymerization Example 3] Synthesis of polymer (A3)

중합예 1 과 동일하게 하여, 하기 성분을 하기 중량으로 투입하고, 90 ℃ 의 온도에서 2 시간 가열하여 중합을 실시하였다.In the same manner as in Polymerization Example 1, the following components were added in the following weights and polymerization was carried out by heating at 90 DEG C for 2 hours.

1-메톡시-2-프로필 아세테이트 (용제) 22.5 g22.5 g of 1-methoxy-2-propyl acetate (solvent)

2-아세토아세톡시에틸메타크릴레이트 (a1) 0.5 g0.5 g of 2-acetoacetoxyethyl methacrylate (a1)

4-하이드록시페닐비닐케톤 (a2) 1.8 g1.8 g of 4-hydroxyphenyl vinyl ketone (a2)

3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 (a3) 2.3 g 2.3 g of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane (a3)

벤질 메타크릴레이트 (a4) 0.3 g Benzyl methacrylate (a4) 0.3 g

글리시딜 메타크릴레이트 (a4) 6.0 g6.0 g of glycidyl methacrylate (a4)

메타크릴옥시프로필-트리스-트리메틸실록시실란 (a4) 4.2 g4.2 g of methacryloxypropyl-tris-trimethylsiloxysilane (a4)

2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) (개시제) 1.5 gAzobis (2,4-dimethylvaleronitrile) (initiator) 1.5 g

얻어진 폴리머 (A3) 의 GPC 분석 (폴리스티렌 표준) 에 의해 구한 중량 평균 분자량은 10,500 이었다.The polymer (A3) obtained had a weight average molecular weight determined by GPC analysis (polystyrene standard) of 10,500.

[중합예 4] 폴리머 (A4) 의 합성[Polymerization Example 4] Synthesis of polymer (A4)

중합예 1 과 동일하게 하여, 하기 성분을 하기 중량으로 투입하고, 90 ℃ 의 온도에서 2 시간 가열하여 중합을 실시하였다.In the same manner as in Polymerization Example 1, the following components were added in the following weights and polymerization was carried out by heating at 90 DEG C for 2 hours.

1-메톡시-2-프로필 아세테이트 (용제) 22.5 g22.5 g of 1-methoxy-2-propyl acetate (solvent)

2-아세토아세톡시에틸 메타크릴레이트 (a1) 0.8 g2-Acetoacetoxyethyl methacrylate (a1) 0.8 g

4-하이드록시페닐비닐케톤 (a2) 1.8 g1.8 g of 4-hydroxyphenyl vinyl ketone (a2)

3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 (a3) 2.3 g 2.3 g of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane (a3)

글리시딜 메타크릴레이트 (a4) 6.0 g6.0 g of glycidyl methacrylate (a4)

메타크릴옥시프로필-트리스-트리메틸실록시실란 (a4) 4.2 g4.2 g of methacryloxypropyl-tris-trimethylsiloxysilane (a4)

2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) (개시제) 1.5 gAzobis (2,4-dimethylvaleronitrile) (initiator) 1.5 g

얻어진 폴리머 (A4) 의 GPC 분석 (폴리스티렌 표준) 에 의해 구한 중량 평균 분자량은 10,200 이었다.The polymer (A4) thus obtained had a weight average molecular weight determined by GPC analysis (polystyrene standard) of 10,200.

[중합예 5] 폴리머 (A5) 의 합성[Polymerization Example 5] Synthesis of polymer (A5)

중합예 1 과 동일하게 하여, 하기 성분을 하기 중량으로 투입하고, 90 ℃ 의 온도에서 2 시간 가열하여 중합을 실시하였다.In the same manner as in Polymerization Example 1, the following components were added in the following weights and polymerization was carried out by heating at 90 DEG C for 2 hours.

1-메톡시-2-프로필 아세테이트 (용제) 22.5 g22.5 g of 1-methoxy-2-propyl acetate (solvent)

2-아세토아세톡시에틸메타크릴레이트 (a1) 0.3 g2-Acetoacetoxyethyl methacrylate (a1) 0.3 g

4-하이드록시페닐비닐케톤 (a2) 1.8 g1.8 g of 4-hydroxyphenyl vinyl ketone (a2)

3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 (a3) 2.3 g 2.3 g of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane (a3)

벤질 메타크릴레이트 (a4) 0.6 g Benzyl methacrylate (a4) 0.6 g

글리시딜 메타크릴레이트 (a4) 6.0 g6.0 g of glycidyl methacrylate (a4)

메타크릴옥시프로필-트리스-트리메틸실록시실란 (a4) 4.1 gMethacryloxypropyl-tris-trimethylsiloxysilane (a4) 4.1 g

2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) (개시제) 1.5 gAzobis (2,4-dimethylvaleronitrile) (initiator) 1.5 g

얻어진 폴리머 (A5) 의 GPC 분석 (폴리스티렌 표준) 에 의해 구한 중량 평균 분자량은 9,700 이었다.The polymer (A5) obtained had a weight average molecular weight determined by GPC analysis (polystyrene standard) of 9,700.

[중합예 6] 폴리머 (A6) 의 합성[Polymerization Example 6] Synthesis of polymer (A6)

중합예 1 과 동일하게 하여, 하기 성분을 하기 중량으로 투입하고, 90 ℃ 의 온도에서 2 시간 가열하여 중합을 실시하였다.In the same manner as in Polymerization Example 1, the following components were added in the following weights and polymerization was carried out by heating at 90 DEG C for 2 hours.

1-메톡시-2-프로필 아세테이트 (용제) 22.5 g22.5 g of 1-methoxy-2-propyl acetate (solvent)

하이드록시에틸 메타크릴레이트 (a1) 0.02 g0.02 g of hydroxyethyl methacrylate (a1)

4-하이드록시페닐비닐케톤 (a2) 1.8 g1.8 g of 4-hydroxyphenyl vinyl ketone (a2)

3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 (a3) 2.3 g 2.3 g of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane (a3)

벤질 메타크릴레이트 (a4) 0.6 g Benzyl methacrylate (a4) 0.6 g

글리시딜 메타크릴레이트 (a4) 6.0 g6.0 g of glycidyl methacrylate (a4)

메타크릴옥시프로필-트리스-트리메틸실록시실란 (a4) 4.2 g4.2 g of methacryloxypropyl-tris-trimethylsiloxysilane (a4)

2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) (개시제) 1.5 gAzobis (2,4-dimethylvaleronitrile) (initiator) 1.5 g

얻어진 폴리머 (A6) 의 GPC 분석 (폴리스티렌 표준) 에 의해 구한 중량 평균 분자량은 8,800 이었다.The polymer (A6) obtained had a weight average molecular weight determined by GPC analysis (polystyrene standard) of 8,800.

[비교 중합예 1] 폴리머 (B1) 의 합성[Comparative Polymerization Example 1] Synthesis of polymer (B1)

중합예 1 과 동일하게 하여, 하기 성분을 하기 중량으로 투입하고, 90 ℃ 의 온도에서 2 시간 가열하여 중합을 실시하였다.In the same manner as in Polymerization Example 1, the following components were added in the following weights and polymerization was carried out by heating at 90 DEG C for 2 hours.

1-메톡시-2-프로필 아세테이트 (용제) 22.5 g22.5 g of 1-methoxy-2-propyl acetate (solvent)

4-하이드록시페닐비닐케톤 (a2) 1.8 g1.8 g of 4-hydroxyphenyl vinyl ketone (a2)

3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 (a3) 2.3 g 2.3 g of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane (a3)

벤질 메타크릴레이트 (a4) 0.8 g Benzyl methacrylate (a4) 0.8 g

글리시딜 메타크릴레이트 (a4) 6.0 g6.0 g of glycidyl methacrylate (a4)

메타크릴옥시프로필-트리스-트리메틸실록시실란 (a4) 4.2 g4.2 g of methacryloxypropyl-tris-trimethylsiloxysilane (a4)

2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) (개시제) 1.5 gAzobis (2,4-dimethylvaleronitrile) (initiator) 1.5 g

얻어진 폴리머 (B1) 의 GPC 분석 (폴리스티렌 표준) 에 의해 구한 중량 평균 분자량은 8,100 이었다.The weight average molecular weight of the obtained polymer (B1) determined by GPC analysis (polystyrene standard) was 8,100.

[비교 중합예 2] 폴리머 (B2) 의 합성[Comparative Polymerization Example 2] Synthesis of polymer (B2)

중합예 1 과 동일하게 하여, 하기 성분을 하기 중량으로 투입하고, 90 ℃ 의 온도에서 2 시간 가열하여 중합을 실시하였다.In the same manner as in Polymerization Example 1, the following components were added in the following weights and polymerization was carried out by heating at 90 DEG C for 2 hours.

1-메톡시-2-프로필 아세테이트 (용제) 22.5 g22.5 g of 1-methoxy-2-propyl acetate (solvent)

2-아세토아세톡시에틸메타크릴레이트 (a1) 0.2 g0.2 g of 2-acetoacetoxyethyl methacrylate (a1)

메타크릴산 (a2) 1.8 g1.8 g of methacrylic acid (a2)

3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 (a3) 2.3 g 2.3 g of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane (a3)

벤질 메타크릴레이트 (a4) 0.6 g Benzyl methacrylate (a4) 0.6 g

글리시딜 메타크릴레이트 (a4) 6.0 g6.0 g of glycidyl methacrylate (a4)

메타크릴옥시프로필-트리스-트리메틸실록시실란 (a4) 4.2 g4.2 g of methacryloxypropyl-tris-trimethylsiloxysilane (a4)

2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) (개시제) 1.5 gAzobis (2,4-dimethylvaleronitrile) (initiator) 1.5 g

얻어진 폴리머 (B2) 의 GPC 분석 (폴리스티렌 표준) 에 의해 구한 중량 평균 분자량은 88,300 이었다.The weight average molecular weight of the polymer (B2) obtained by GPC analysis (polystyrene standard) was 88,300.

[비교 중합예 3] 폴리머 (B3) 의 합성[Comparative Polymerization Example 3] Synthesis of polymer (B3)

중합예 1 과 동일하게 하여, 하기 성분을 하기 중량으로 투입하고, 90 ℃ 의 온도에서 2 시간 가열하여 중합을 실시하였다.In the same manner as in Polymerization Example 1, the following components were added in the following weights and polymerization was carried out by heating at 90 DEG C for 2 hours.

1-메톡시-2-프로필 아세테이트 (용제) 22.5 g22.5 g of 1-methoxy-2-propyl acetate (solvent)

2-아세토아세톡시에틸 메타크릴레이트 (a1) 0.2 g0.2 g of 2-acetoacetoxyethyl methacrylate (a1)

4-하이드록시페닐비닐케톤 (a2) 1.8 g1.8 g of 4-hydroxyphenyl vinyl ketone (a2)

벤질 메타크릴레이트 (a4) 2.8 g Benzyl methacrylate (a4) in an amount of 2.8 g

글리시딜 메타크릴레이트 (a4) 6.0 g6.0 g of glycidyl methacrylate (a4)

메타크릴옥시프로필-트리스-트리메틸실록시실란 (a4) 4.2 g4.2 g of methacryloxypropyl-tris-trimethylsiloxysilane (a4)

2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) (개시제) 1.5 gAzobis (2,4-dimethylvaleronitrile) (initiator) 1.5 g

얻어진 폴리머 (B3) 의 GPC 분석 (폴리스티렌 표준) 에 의해 구한 중량 평균 분자량은 9,750 이었다.The weight average molecular weight of the polymer (B3) obtained by GPC analysis (polystyrene standard) was 9,750.

[실시예 1][Example 1]

[포지티브형 감광성 조성물의 조제][Preparation of positive photosensitive composition]

중합예 1 에서 얻어진 폴리머 (A1), 광 산발생제로서 BASF 재팬 주식회사 제조 Irgacure250 (이하 「Irg250」 라고 약기한다), 증감제로서 가와사키 화성 공업 주식회사 제조 Anthracure UVS-1331 (이하 「DBA」 라고 약기한다), 가교제로서 DIC 주식회사 EPICLON HP-4700 (이하 「HP-4700」) 을 표 1 에 나타낸 중량부로 혼합 용해하고, 추가로 주식회사 다이셀사 제조 에틸디글리콜 (이하 「ECa」 라고 약기한다) 을 희석 용제로 하여 조성물의 고형분 농도가 35 중량% 가 되도록 희석하였다. 마지막으로 첨가제로서 불소계 계면 활성제인 AGC 세이미 케미컬 주식회사 서플론 S-611 을 조성물 중량에 대해 1100 ppm 첨가하고, 포지티브형 감광성 조성물을 얻었다. 또한, 중합예 1 에서 얻어진 폴리머 (A1) 용액의 고형분 농도는 40 중량% 로서 계산하였다. 또, 하기 표 1 에 있어서의 폴리머의 중량부는 고형분으로서의 중량부를 나타낸다.Irgacure 250 (hereinafter abbreviated as "Irg250" hereinafter) manufactured by BASF Japan Co., Ltd. as a photo acid generator and Anthracure UVS-1331 (hereinafter abbreviated as "DBA" hereinafter) manufactured by Kawasaki Kasei Kogyo Co., ) And EPICLON HP-4700 (hereinafter referred to as &quot; HP-4700 &quot;) as a crosslinking agent were mixed and dissolved in the parts by weight shown in Table 1, and further ethyldiglycol (hereinafter abbreviated as "ECa" And diluted so that the solid content concentration of the composition became 35% by weight. Lastly, 1100 ppm of Surfron S-611, a fluorine-based surfactant, AGC Semi-Chemical Co., Ltd., was added as an additive to obtain a positive photosensitive composition. The solid content concentration of the polymer (A1) solution obtained in Polymerization Example 1 was calculated as 40% by weight. The parts by weight of the polymer in Table 1 are parts by weight as solids.

Figure pat00009
Figure pat00009

[포지티브형 감광성 조성물의 평가 방법][Evaluation method of positive photosensitive composition]

1) 패턴상 투명막의 형성1) Formation of a transparent film on a pattern

유리 기판 상에 실시예 1 에서 조제한 포지티브형 감광성 조성물을 스핀 코트하고, 90 ℃ 의 핫 플레이트 상에서 2 분간 건조시켜 막두께 3 ㎛ 의 유기막을 얻었다. 이 기판을 공기 중, 홀/도트 패턴 형성용 마스크를 개재하여, 주식회사 탑콘 제조 프록시미티 노광기 TME-150PRC (광원은 초고압 수은등) 를 사용하여, 파장 커트 필터를 통과시켜 350 ㎚ 이하의 광을 커트하여 g, h, i 선을 취출하고, 노광 갭 100 ㎛ 로 노광하였다. 노광량은 우시오 전기 주식회사 제조 적산 광량계 UIT-102, 수광기 UVD-365PD 로 측정하였다. 노광 후의 유리 기판을 2.38 중량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액으로 70 초간 딥 현상하고, 노광부의 유기막을 제거하였다. 현상 후의 기판을 순수로 60 초간 씻고 나서 에어 블로우로 기판을 건조시켰다. 이 기판을 오븐 중 230 ℃ 에서 30 분간 포스트베이크하여, 패턴상 투명막을 형성하였다. 막두께는 KLA-Tencor Japan 주식회사 제조 촉침식 막두께 합계 α 단계 P15 로 측정하였다.The positive photosensitive composition prepared in Example 1 was spin-coated on a glass substrate and dried on a hot plate at 90 占 폚 for 2 minutes to obtain an organic film having a thickness of 3 占 퐉. This substrate was passed through a wavelength cut filter using a TME-150PRC (light source: ultra-high pressure mercury lamp) manufactured by Topcon manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., through a hole / dot pattern formation mask to cut light of 350 nm or less g, h and i lines were taken out and exposed at an exposure gap of 100 mu m. The exposure dose was measured by UIT-102 manufactured by Ushio Electric Co., Ltd., and UVD-365PD using a photoreceptor. The exposed glass substrate was subjected to dip development with a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 70 seconds to remove the organic film from the exposed portion. The developed substrate was washed with pure water for 60 seconds, and then the substrate was dried with air blow. The substrate was post-baked in an oven at 230 캜 for 30 minutes to form a patterned transparent film. The film thickness was measured by a total of the contact-assisted film thickness alpha phase P15 manufactured by KLA-Tencor Japan Co.,

2) 감도2) Sensitivity

포토마스크의 사이즈와 동일한 크기의 홀상 패턴이 해상하는 최소 노광량을 감도로 하였다.The minimum exposure amount at which a holographic pattern having the same size as the size of the photomask resolves is taken as sensitivity.

3) PED3) PED

상기 1) 에서 핫 플레이트 건조 후, 노광까지 소정의 갭 시간을 취하여 현상했을 때에 15 ㎛ 홀 패턴을 해상할 수 있는 최대 갭 시간After drying the hot plate in the above step 1), when a predetermined gap time is taken from exposure to development, the maximum gap time

4) 현상 전후의 막두께 및 현상 후의 잔막률4) Film thickness before and after development and residual film ratio after development

현상 전후로 막두께를 측정하였다. 현상 후의 잔막률은 다음 식으로부터 계산하였다.The film thickness was measured before and after development. The residual film ratio after development was calculated from the following formula.

(현상 후 막두께 / 현상 전 막두께) × 100 (%) (Film thickness after development / film thickness before development) x 100 (%)

5) 현상 밀착성5) Developing adhesion

상기 1) 에서 딥 현상 후에 에어 블로우했을 때에, 도트 패턴의 결락을 확인하고, 패턴의 유무로 현상 밀착성을 평가하였다. ○:박리 없음, △ 일부 박리, × 도트 패턴 없음.When the air blow was performed after the dip development in 1) above, the dot pattern was confirmed to be missing, and the developing adhesion was evaluated by the presence or absence of the pattern. ?: No peeling,? Partial peeling, x no dot pattern.

실시예 1 에서 조제한 포지티브형 감광성 조성물을 사용하여 형성한 패턴상 투명막에 대해, 상기 평가 방법에 의해 얻어진 결과를 표 2 에 나타낸다.Table 2 shows the results obtained by the above evaluation method for the patterned transparent film formed using the positive photosensitive composition prepared in Example 1.

[실시예 2 ∼ 6][Examples 2 to 6]

표 1 에 기재한 바와 같이 각 성분을 혼합하여 실시예 1 에 준한 방법으로 포지티브형 감광성 조성물을 조제하고, 패턴상 투명막을 형성하여, 평가하였다. 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.A positive photosensitive composition was prepared in the same manner as in Example 1 by mixing each component as shown in Table 1, and a patterned transparent film was formed and evaluated. The evaluation results are shown in Table 2.

[비교예 1][Comparative Example 1]

표 1 에 기재한 바와 같이 각 성분을 혼합하여 실시예 1 과 동일하게 포지티브형 감광성 조성물을 조제하여 평가했지만, 패턴은 전혀 해상되지 않거나, 혹은 패턴이 해상되어도 PED 가 매우 나쁘고, 현상 밀착성도 없었다. 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.A positive photosensitive composition was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the components were mixed as described in Table 1, but the pattern did not completely resolve or the pattern deteriorated, and the PED was very poor and there was no development adhesion. The evaluation results are shown in Table 2.

[비교예 2 및 3][Comparative Examples 2 and 3]

패턴상 투명막의 형성 과정에서, 비교예 2 에서는 미노광부의 유기막이 완전 용해되고, 비교예 3 에서는 노광부의 유기막이 알칼리 현상액에 용해되지 않아, 즉 패터닝할 수 없었다.In the process of forming the patterned transparent film, the organic film of the unexposed portion was completely dissolved in Comparative Example 2, and the organic film of the exposed portion in Comparative Example 3 was not dissolved in the alkaline developer, that is, patterning could not be performed.

Figure pat00010
Figure pat00010

비교예 2 및 3 에서 감도가 「NG」 라고 있는 것은 평가 불능이었던 것을 나타낸다. 또, 비교예 2 및 3 의 현상 잔막률의 수치는 참고로 기록하였다.In Comparative Examples 2 and 3, the fact that the sensitivity was &quot; NG &quot; indicates that the evaluation was impossible. In addition, the numerical values of the residual film ratios of Comparative Examples 2 and 3 were recorded for reference.

일반적으로, 감도가 높은 포지티브형 감광성 조성물을 사용하여 형성한 유기막에서는 현상 후의 잔막률이 낮아져, PED 가 매우 나빠지는 경향이 있지만, 상기 실시예의 결과로부터, 본원 발명의 포지티브형 감광성 조성물을 사용한 경우에는, 고감도이고 또한 현상 후의 잔막률이 높고, PED 및 현상 밀착성이 높은 막이 얻어지는 것을 알 수 있다.In general, the residual film ratio after development in an organic film formed using a positive photosensitive composition having a high sensitivity tends to be poor and the PED tends to be very bad. From the results of the above examples, it can be seen that when the positive photosensitive composition of the present invention is used , It can be seen that a film having high sensitivity, high residual film ratio after development, and high PED and developing adhesion can be obtained.

산업상 이용가능성Industrial availability

본 발명의 감광성 조성물을 사용한 패턴상 투명막은 예를 들어 액정 표시 소자에 사용할 수 있다.The patterned transparent film using the photosensitive composition of the present invention can be used, for example, in a liquid crystal display device.

Claims (9)

하기 식 (I) 로 나타내는 라디칼 중합성 모노머 (a1),
산성기를 갖는 라디칼 중합성 모노머 (a2),
알콕시실릴을 갖는 라디칼 중합성 모노머 (a3), 및
(a1), (a2) 및 (a3) 이외의 라디칼 중합성 모노머 (a4) 를 라디칼 공중합하여 이루어지는 폴리머 (A), 광 산발생제 (B) 및 유기 용제 (C) 를 함유하는 포지티브형 감광성 조성물:
Figure pat00011

식 중, R1 은 수소, 또는 임의의 수소가 불소로 치환되어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬이고, R2 는 수소 또는 1,3-디옥소프로판-1,3-디일 (-COCH2CO-) 을 갖는 기이며, 그리고, n 은 1 ∼ 6 의 정수이다.
The radically polymerizable monomer (a1) represented by the following formula (I)
The radically polymerizable monomer (a2) having an acidic group,
A radically polymerizable monomer (a3) having alkoxysilyl, and
(A) containing a radically polymerizable monomer (a4) other than (a1), (a2) and (a3), a photoacid generator (B) and an organic solvent (C) :
Figure pat00011

Wherein R 1 is hydrogen or alkyl having 1 to 5 carbon atoms in which arbitrary hydrogen may be substituted with fluorine and R 2 is hydrogen or 1,3-dioxopropane-1,3-diyl (-COCH 2 CO- ), And n is an integer of 1 to 6.
제 1 항에 있어서,
라디칼 중합성 모노머 (a1) 이 하기 식 (II) 로 나타내는 화합물 및 (III) 으로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나인 포지티브형 감광성 조성물:
Figure pat00012

식 중, R1 은 수소, 또는 임의의 수소가 불소로 치환되어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬이고;
R3 은 임의의 수소가 불소로 치환되어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬이고;그리고,
n 은 1 ∼ 6 의 정수이다.
The method according to claim 1,
Wherein the radical polymerizable monomer (a1) is at least one selected from the group consisting of a compound represented by the following formula (II) and a compound represented by the following formula (III):
Figure pat00012

Wherein R 1 is hydrogen or alkyl having 1 to 5 carbon atoms in which arbitrary hydrogen may be substituted with fluorine;
R 3 is alkyl having 1 to 6 carbon atoms in which arbitrary hydrogen may be substituted with fluorine;
n is an integer of 1 to 6;
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
산성기를 갖는 라디칼 중합성 모노머 (a2) 가 페놀성 OH 를 갖는 라디칼 중합성 모노머, 불포화 카르복실산을 갖는 라디칼 중합성 모노머 및 불포화 카르복실산 무수물을 갖는 라디칼 중합성 모노머로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나인 포지티브형 감광성 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the radically polymerizable monomer (a2) having an acidic group is at least one selected from the group consisting of a radically polymerizable monomer having a phenolic OH, a radically polymerizable monomer having an unsaturated carboxylic acid and a radically polymerizable monomer having an unsaturated carboxylic acid anhydride Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 1, &lt; / RTI &gt;
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
산성기를 갖는 라디칼 중합성 모노머 (a2) 가 하기 식 (IV) 로 나타내는 페놀성 OH 를 갖는 라디칼 중합성 모노머의 적어도 하나를 포함하는 포지티브형 감광성 조성물:
Figure pat00013

식 중, R4, R5 및 R6 은 각각 독립적으로 수소, 또는 임의의 수소가 불소로 치환되어도 되는 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬이고;
R7, R8, R9, R10, 및 R11 은 각각 수소, 할로겐, -CN, -CF3, -OCF3, -OH, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬, 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시이지만, R7, R8, R9, R10, 및 R11 중 적어도 하나는 -OH 이고,
R7, R8, R9, R10, 및 R11 에 있어서의 알킬은 임의의 -CH2- 가 -COO-, -OCO-, 또는 -CO- 로 치환되어도 되고, 그리고, R7, R8, R9, R10, 및 R11 에 있어서의 알킬 및 알콕시는 임의의 수소가 할로겐으로 치환되어도 된다.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
A positive photosensitive composition comprising a radically polymerizable monomer (a2) having an acidic group and at least one of radically polymerizable monomers having a phenolic OH represented by the following formula (IV): &lt; EMI ID =
Figure pat00013

Wherein R 4 , R 5 and R 6 are each independently hydrogen or alkyl having 1 to 3 carbon atoms in which arbitrary hydrogen may be substituted with fluorine;
R 7 , R 8 , R 9 , R 10 and R 11 are each independently selected from the group consisting of hydrogen, halogen, -CN, -CF 3 , -OCF 3 , -OH, alkyl of 1 to 5 carbon atoms or alkoxy of 1 to 5 carbon atoms , At least one of R 7 , R 8 , R 9 , R 10 , and R 11 is -OH,
R 7, R 8, R 9 , R 10, and R 11 is alkyl in any of the -CH 2 - is optionally substituted by -COO-, -OCO-, or -CO-, and, R 7, R 8 , R 9 , R 10 , and R 11 , alkyl and alkoxy may be substituted with any hydrogen by halogen.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
알콕시실릴을 갖는 라디칼 중합성 모노머 (a3) 이 하기 식 (V) 로 나타내는 화합물 및 (VI) 으로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나인 포지티브형 감광성 조성물:
Figure pat00014

식 중, R1 은 수소, 또는 임의의 수소가 불소로 치환되어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬이고;
n 은 1 ∼ 6 의 정수이고;
R12 ∼ R17 은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, -CN, -CF3, -OCF3, -OH, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시이지만,
R12 ∼ R14 중 적어도 하나는 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시이고,
R15 ∼ R17 중 적어도 하나는 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시이고, 그리고,
R12 ∼ R17 에 있어서의 알킬은 규소에 연결하는 -CH2- 및 말단의 -CH2- 를 제외한 임의의 -CH2- 가 -COO-, -OCO-, -CO-, 또는 -O- 로 치환되어도 되고, 또, 임의의 수소가 할로겐으로 치환되어도 된다.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the radical polymerizable monomer (a3) having alkoxysilyl is at least one selected from the group consisting of a compound represented by the following formula (V) and a compound represented by the following formula (VI):
Figure pat00014

Wherein R 1 is hydrogen or alkyl having 1 to 5 carbon atoms in which arbitrary hydrogen may be substituted with fluorine;
n is an integer from 1 to 6;
R 12 to R 17 each independently represent hydrogen, halogen, -CN, -CF 3 , -OCF 3 , -OH, alkyl having 1 to 20 carbon atoms or alkoxy having 1 to 5 carbon atoms,
At least one of R 12 to R 14 is alkoxy of 1 to 5 carbon atoms,
At least one of R 15 to R 17 is alkoxy having 1 to 5 carbon atoms,
R 12 ~ R 17 is alkyl in the -CH 2 that connects to the silicon-arbitrary -CH 2 except - - -CH 2 and the terminal is -COO-, -OCO-, -CO-, or -O- , And any hydrogen may be substituted with halogen.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
라디칼 중합성 모노머 (a4) 가 에폭시를 갖는 라디칼 중합성 모노머의 적어도 하나를 포함하는 포지티브형 감광성 조성물.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the radical polymerizable monomer (a4) comprises at least one of radically polymerizable monomers having an epoxy.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
유기 용제 (C) 가 수산기 (-OH) 를 갖는 화합물인 포지티브형 감광성 조성물.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the organic solvent (C) is a compound having a hydroxyl group (-OH).
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 포지티브형 감광성 조성물의 도포막을 노광, 현상, 및 소성함으로써 형성되는 패턴상 투명막.A patterned transparent film formed by exposure, development, and firing of a coating film of the positive photosensitive composition according to any one of claims 1 to 7. 제 8 항에 기재된 패턴상 투명막을 사용한 절연막.An insulating film using the patterned transparent film according to claim 8.
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