KR20150003189U - Susceptor for chemical of vapor deposition apparatus - Google Patents
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Abstract
본 고안은 화학기상증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)을 위한 공정챔버용 서셉터에 관한 것으로,
공정챔버 내부에 배치되어 상부에 증착대상체가 놓이게 되는 디스크;
상기 디스크를 위한 승강수단; 및
상기 공정챔버 내부바닥면에 지지되며 상기 디스크를 관통하여 상기 증착대상체와 접하게 되는 로드, 상기 로드가 내장되고 상기 로드를 따라 상하 슬라이딩 되며 상기 디스크 하부에 고정 결합되는 바디, 그리고 상기 바디의 승강 동작을 안내하는 가이드로 이루어진 서포터;를 포함하여 이루어지되,
상기 로드의 상단부에는 탈착형 팁헤드가 구비되어 있고,
상기 팁헤드는 SIC코팅된 그라파이트(Graphite)로 이루어진 것을 특징으로 하는 서셉터를 개시한다.
본 고안에 의한 화학기상증착을 위한 공정챔버용 서셉터는,
상기 승강수단에 의해 상기 디스크 하강 시 이와 함께 하강하는 상기 서포터의 바디 내부에서 상기 로드가 수직상태를 유지함으로써 상기 증착대상체의 수평 상태 유지가 가능하여 증착대상체의 파손을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
또한, 상기 로드의 팁헤드가 SIC코팅된 그라파이트로 이루어짐에 따라, 상기 증착대상체와의 온도 차를 최소화하여 증착대상체의 표면에 자국이 발생하는 것을 최소화할 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a susceptor for a process chamber for CVD (Chemical Vapor Deposition)
A disk disposed in the process chamber and having an object to be deposited thereon;
Elevating means for the disc; And
A rod which is supported on the bottom surface of the process chamber and passes through the disk to be in contact with the deposition target object, a body that is embedded in the rod and slides up and down along the rod and is fixedly coupled to the lower portion of the disk, And a supporter made of a guiding guide,
Wherein a tip of a removable tip is provided at an upper end of the rod,
Wherein the tip head is made of SIC coated graphite.
The process chamber susceptor for chemical vapor deposition according to the present invention comprises:
And the load is maintained in a vertical state within the body of the supporter that descends together with the disk when the disk is lowered by the lifting means. Thus, it is possible to maintain the horizontal state of the deposition subject, thereby minimizing the damage of the deposition subject.
In addition, since the tip of the rod is made of SIC-coated graphite, the temperature difference between the tip head and the deposition target object is minimized, and the occurrence of marks on the surface of the deposition target object can be minimized.
Description
본 고안은 화학기상증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)을 위한 공정챔버용 서셉터에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 증착대상체에 대한 파손을 방지하고, 증착대상체의 표면에 자국이 발생하는 것을 최소화하는 화학기상증착을 위한 공정챔버용 서셉터에 관한 것이다.
The present invention relates to a susceptor for a process chamber for CVD (Chemical Vapor Deposition), and more particularly, to a susceptor for a chemical vapor deposition (CVD), which is capable of preventing breakage of a deposition target and minimizing the occurrence of marks on the surface of the deposition target To susceptors for process chambers for vapor deposition.
신소재 개발을 위해 반도체 또는 글래스(Glass) 등의 기판 표면에 박막을 증착하기 위한 기상증착법(VD:Vapor Deposition) 중 화학기상증착법이 많이 사용되고 있다.In order to develop new materials, chemical vapor deposition (CVD) is widely used in vapor deposition (VD) for depositing a thin film on the surface of a substrate such as a semiconductor or glass.
이러한 화학기상증착을 실시할 때에 사용되는 공정챔버용 서셉터에 관한 기술로는 대한민국실용신안등록 제10-2006-0023021호(2006.3.13.공개, 이하 '선행기술'이라고 함) 『리프팅 장치』가 제시되어 있다.
As a technology related to a susceptor for a process chamber used in the chemical vapor deposition, there is disclosed a technique of using the lifting device of the Korean Utility Model Registration No. 10-2006-0023021 (referred to as "prior art" .
상기 선행기술은, In the prior art,
증착공정이 이루어지는 공정챔버, 상기 공정챔버 내부에 배치되고 가스공급부로부터 공급받은 공정가스를 기판에 분사하는 샤워헤드, 상기 샤워헤드의 하부에 일정간격 이격배치되는 서셉터, 상기 서셉터 내부에 수직방향으로 형성된 다수의 홀에 배치되는 리프트핀, 상기 리프트핀의 하단부에 배치되며 리프트핀의 하단부와 결합 되어있는 플레이트, 상부는 상기 플레이트를 지지하고 하부는 상기 공정챔버를 관통하여 외부로 노출되는 구동축, 상기 구동축의 하부에 연결된 구동부로 구성된다.A showerhead arranged in the process chamber and injecting a process gas supplied from the gas supply unit onto the substrate, a susceptor arranged at a predetermined distance apart from the showerhead, a susceptor arranged vertically in the susceptor, A lift pin disposed at a plurality of holes formed in the lift pin, a plate coupled to a lower end of the lift pin, an upper portion supporting the plate, a lower portion driving shaft exposed through the process chamber, And a driving unit connected to a lower portion of the driving shaft.
이때 상기 서셉터는 상기 공정챔버 내부에 고정배치되며, 상부에 기판이 놓이게 된다.At this time, the susceptor is fixedly disposed inside the process chamber, and a substrate is placed on the susceptor.
그리고 일반적으로 서셉터 내부에는 증착 공정이 진행되는 동안 균일한 두께의 박막을 형성하도록 기판을 적정한 온도로 유지하기 위한 히터가 설치되어 외부 전원과 연결된다.
Generally, a heater for maintaining the substrate at a proper temperature is formed in the susceptor so as to form a thin film having a uniform thickness during the deposition process, and is connected to an external power source.
증착공정을 살펴보면,Looking at the deposition process,
공정챔버의 내부공간부를 진공상태로 형성한 후, 외부전원을 통해 서셉터 내부의 히터를 가열시켜 증착을 위한 적정한 온도로 기판을 가열시킨다.After the internal space of the process chamber is formed in a vacuum state, the heater inside the susceptor is heated through an external power source to heat the substrate to a proper temperature for deposition.
그리고 샤워헤드를 통해 공정가스를 분사하면, 공정챔버의 내부공간부에서 화학반응을 일으켜 기판에 박막을 형성하게 된다.
When the process gas is injected through the showerhead, a chemical reaction occurs in the inner space of the process chamber to form a thin film on the substrate.
상기와 같은 과정을 통해 증착공정이 완료되면 공정챔버의 외부에 배치된 구동부에서 동력을 전달받은 구동축이 상승을 시작한다. When the deposition process is completed through the above process, the driving shaft, which receives the power from the driving unit disposed outside the process chamber, starts rising.
그리고 구동축이 상승함에 따라 구동축과 연결된 플레이트가 동시에 상승하고, 플레이트의 상부에 결합된 리프트핀이 상승하게 된다.As the drive shaft rises, the plate connected to the drive shaft rises simultaneously, and the lift pin coupled to the upper portion of the plate rises.
이때 공정챔버의 내부에 고정배치되어 있는 서셉터는 유동하지 않는다.At this time, the susceptor fixedly disposed inside the process chamber does not flow.
따라서 서셉터의 상부에 놓여있던 기판은 리프트핀에 의해 상승한다.
Therefore, the substrate placed on top of the susceptor rises by the lift pins.
이에 의하면, 기판과 서셉터 사이에 공간부가 형성된다.According to this, a space portion is formed between the substrate and the susceptor.
이때 공정챔버가 개방되고, 외부로부터 로봇암이 기판과 서셉터 사이의 공간부로 진입하여 기판을 외부로 인출하게 된다.At this time, the process chamber is opened, and the robot arm enters the space portion between the substrate and the susceptor from the outside, thereby drawing out the substrate to the outside.
기판이 인출되면 구동부에 의해 플레이트와 리프트핀이 다시 하강하게 된다.
When the substrate is pulled out, the plate and the lift pin are lowered again by the driving unit.
상기와 같은 과정을 통해 일반적인 증착공정이 진행되는데, 반복적인 승강동작으로 인한 리프팅핀의 마모 및 변형을 방지하기 위해서, 일반적으로 서셉터와 리프트핀 사이에 부싱을 배치한다.A general deposition process is performed through the above process. In order to prevent abrasion and deformation of the lifting pin due to repetitive lifting and lowering operations, a bushing is generally disposed between the susceptor and the lift pin.
도 1 및 도2에 도시된 바와 같이, 부싱(2)은 공정챔버(C) 내부에 배치된 디스크(1)의 하부에 결합되는데, 그 내부에 리프트핀(4)이 배치되는 관통공(5)이 형성되며, 상기 관통공(5)을 기준으로하여 방사상으로 둘 이상의 롤러(3)가 배치된다.1 and 2, the
따라서 디스크(1)가 승강시 부싱(2) 내부에 배치된 롤러(3)가 리프트핀(4)을 따라 슬라이딩하는 회전동작에 의해 디스크(1)의 원할한 승강을 가이드 하게 된다.The
즉 리프트핀(4)에 발생하는 마찰을 최소화한다.
That is, the friction generated in the
그런데 일반적인 부싱(1) 내부에는 롤러(3)가 일측에만 배치되어 있다.However, in the
따라서 도 2에 도시된 바와 같이, 부싱(1)의 승강을 가이드하는 롤러(3)가 부싱(1) 내부의 상부에만 배치되어 있는 경우, 부싱(1)의 승강동작이 반복됨에 따라 리프트핀(4)의 하부가 좌우로 유동하게 된다.2, when the
즉, 리프트핀(4)의 중심축이 수직상태를 유지하기가 어려워지고, 리프트핀(4)의 기울기를 나타내는 틸트(Tilt)각이 증가하게 된다.That is, it is difficult for the center axis of the
리프트핀(4)의 틸트각이 증가하면 롤러(3)와 리프트핀(4) 사이의 마찰이 증가하고 리프트핀(4)이 부싱(1) 내부에서 승강 동작을 멈추는 잼(Jam)현상이 발생하게 된다.As the tilt angle of the
결국 리프트핀(4)이 수직상태를 유지하지 못하고 기울면서 리프트핀(4)에 의해 수평으로 지지되는 기판(G)이 유동되어 변형되거나 파손되는 경우가 발생하게 된다.
As a result, when the
또한 공정챔버(C) 내부에서의 증착 방법에 따라 기판(G)을 다양한 온도로 가열하는데, 기판(G)과 접하고 있는 리프트핀(4)과 기판(G)의 온도차로 인하여, 리프트핀(4)과 기판(G)이 접하는 면에 자국이 발생하게 된다.
The substrate G is heated to various temperatures according to the deposition method in the process chamber C. Due to the temperature difference between the substrate G and the
본 고안은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서,The present invention has been made to solve the above problems,
화학기상증착 공정 시 증착대상체에 대한 파손을 방지하고, 증착대상체의 표면에 자국이 발생하는 것을 최소화하는 화학기상증착을 위한 공정챔버용 서셉터를 제공하는 것을 목적으로 한다.
It is an object of the present invention to provide a susceptor for chemical vapor deposition for chemical vapor deposition, which prevents breakage of a deposition target during a chemical vapor deposition process and minimizes occurrence of marks on the surface of a deposition target.
상기와 같은 해결 과제를 해결하기 위하여 본 고안에 의한 화학기상증착을 위한 공정챔버용 서셉터는,According to an aspect of the present invention, there is provided a process chamber susceptor for chemical vapor deposition,
상기 공정챔버 내부에 배치되어 상부에 증착대상체가 놓이게 되는 디스크;A disk disposed in the process chamber and having an object to be deposited thereon;
상기 디스크를 위한 승강수단; 및Elevating means for the disc; And
상기 공정챔버 내부바닥면에 지지되며 상기 디스크를 관통하여 상기 증착대상체와 접하게 되는 로드, 상기 로드가 내장되고 상기 로드를 따라 상하 슬라이딩 되며 상기 디스크 하부에 고정 결합되는 바디, 그리고 상기 바디의 승강 동작을 안내하는 가이드로 이루어진 서포터;를 포함하여 이루어지되,A rod which is supported on the bottom surface of the process chamber and passes through the disk to be in contact with the deposition target object, a body that is embedded in the rod and slides up and down along the rod and is fixedly coupled to the lower portion of the disk, And a supporter made of a guiding guide,
상기 로드의 상단부에는 탈착형 팁헤드가 구비되어 있고,Wherein a tip of a removable tip is provided at an upper end of the rod,
상기 팁헤드는 SIC코팅된 그라파이트(Graphite)로 이루어진 것을 특징으로 한다.
The tip head is characterized by being made of SIC coated graphite.
본 고안에 의한 화학기상증착을 위한 공정챔버용 서셉터는,The process chamber susceptor for chemical vapor deposition according to the present invention comprises:
상기 승강수단에 의해 상기 디스크 하강 시 이와 함께 하강하는 상기 서포터의 바디 내부에서 상기 로드가 수직상태를 유지함으로써 상기 증착대상체의 수평 상태 유지가 가능하여 증착대상체의 파손을 최소화할 수 있는 효과가 있다.And the load is maintained in a vertical state within the body of the supporter that descends together with the disk when the disk is lowered by the lifting means. Thus, it is possible to maintain the horizontal state of the deposition subject, thereby minimizing the damage of the deposition subject.
또한, 상기 로드의 팁헤드가 SIC코팅된 그라파이트(Graphite)로 이루어짐에 따라, 상기 증착대상체와의 온도 차를 최소화하여 증착대상체의 표면에 자국이 발생하는 것을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
In addition, since the tip of the rod is made of SIC coated graphite, the temperature difference between the tip head and the deposition target is minimized, and the occurrence of marks on the surface of the deposition target can be minimized.
도 1은 종래기술에 따른 화학기상증착을 위한 공정챔버용 서셉터의 단면도.
도 2는 종래기술에 따른 서셉터용 부싱의 단면도.
도 3은 본 고안의 실시예에 의한 화학기상증착을 위한 공정챔버용 서셉터의 단면도.
도 4는 본 고안의 실시예에 의한 화학기상증착을 위한 공정챔버용 서셉터에서 디스크와 서포터의 결합관계를 도시한 분해단면도.
도 5는 본 고안의 실시예에 의한 화학기상증착을 위한 공정챔버용 서셉터의 작동상태를 도시한 단면도.
도 6은 본 고안의 실시예에 의한 화학기상증착을 위한 공정챔버용 서셉터에서 디스크와 서포터의 결합관계를 도시한 결합단면도.1 is a cross-sectional view of a susceptor for a process chamber for chemical vapor deposition in accordance with the prior art;
2 is a cross-sectional view of a bushing for a susceptor according to the prior art;
3 is a cross-sectional view of a susceptor for a process chamber for chemical vapor deposition according to an embodiment of the present invention;
4 is a cross-sectional view illustrating a coupling relationship between a disk and a supporter in a process chamber susceptor for chemical vapor deposition according to an embodiment of the present invention;
5 is a cross-sectional view illustrating an operating state of a susceptor for a process chamber for chemical vapor deposition according to an embodiment of the present invention;
6 is a cross-sectional view showing a coupling relationship between a disk and a supporter in a process chamber susceptor for chemical vapor deposition according to an embodiment of the present invention;
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
'도 3' 내지 '도 6'에 도시된 바와 같이, 본 고안의 실시예에 의한 화학기상증착을 위한 공정챔버용 서셉터는 크게 디스크(10), 승강수단(20) 및 서포터(30)로 이루어진다.
As shown in FIGS. 3 'to 6', a susceptor for a process chamber for chemical vapor deposition according to an embodiment of the present invention is roughly divided into a
각 구성에 대해 살펴보면,
Looking at each configuration,
디스크(10)는 The
'도 3' 및 '도 4'에 도시된 바와 같이,As shown in FIGS. 3 and 4,
상기 화학기상증착용 공정챔버(C)의 내부에 배치되는데, 상부면의 양측단부에 지지부(14)가 각각 형성되고 상기 지지부(14)에 증착대상체(O)가 놓이게 된다.The
그리고 상기 디스크(10)의 하부에는 상방으로 요입된 다수의 결합공간부(S)가 형성되는데 이때 상기 결합공간부(S)는 상기 디스크(10)의 중심을 기준으로 상하 또는 좌우 대칭으로 배열되는 것이 바람직하다.A plurality of coupling spaces S that are upwardly recessed are formed in the lower portion of the
그리고 상기 결합공간부(S)는 결합공간부(S) 내부에 형성된 스토퍼(11)에 의해 제1공간부(S1)와 제2공간부(S2)로 나누어진다.The coupling space S is divided into a first space S1 and a second space S2 by a
한편, 상기 디스크(10)의 하부에는 상기 결합공간부(S)의 주변 영역에 볼트(12)가 결합되는 둘 이상의 체결부(13)가 방사상(放射狀)으로 형성된다.
At least two fastening
승강수단(20)은The elevating means 20
'도 3' 및 '도 4'에 도시된 바와 같이,As shown in FIGS. 3 and 4,
샤프트(21)와 구동부(22)로 이루어진다.
And a
상기 샤프트(21)는 상기 디스크(10)의 저면에 수직방향으로 일체로 형성되되, 그 하단부는 상기 공정챔버(C) 하부를 관통하여 공정챔버(C)의 외부로 연장형성된다.The
그리고 상기 구동부(22)는 상기 공정챔버(C)의 외부에 배치되어 공정챔버(C)의 외부로 노출된 상기 샤프트(21)의 하단부와 연결되어 샤프트(21)에 동력을 전달하게 된다.
The
서포터(30)는The
'도 4' 내지 '도 6'에 도시된 바와 같이,As shown in FIGS. 4 to 6,
로드(31), 바디(32) 및 가이드(33)로 이루어진다.
A
상기 로드(31)는 바(Bar)형상으로 이루어지는데 상단부에 탈착 가능하도록 형성된 팁헤드(311)가 구비되어 있다.The
그리고 상기 로드(31)는 디스크(10)의 상부로부터 디스크(10)에 형성된 상기 결합공간부(S)로 삽입되어, 상기 팁헤드(311)가 상기 스토퍼(11)에 걸리도록 배치되며, 로드(31)의 하단부는 디스크(10)를 관통하여 공정챔버(C)의 내부바닥면과 접하게 배치된다.The
이때 상기 로드(31)는 상기 결합공간부(S)에 각각 배치되도록 다수 개가 구비된다.
At this time, a plurality of the
상기 바디(32)는 '도 4'에 도시된 바와 같이, 그 상단부가 상기 디스크(10)에 형성된 제1공간부(S1)에 수직결합된다.4, the upper end of the
그리고 상기 바디(32)의 상단부에는 그 둘레를 따라 환형걸림부(321)가 형성된다.An annular engaging
상기 환형걸림부(321)는 상기 바디(32)가 상기 결합공간부(S)에 삽입된 상태에서, 상기 각 체결부(13)에 체결되는 볼트(12)의 헤드에 의해 지지되어 상기 바디(32)가 상기 디스크(10)에 고정결합될 수 있게 한다.The annular
다시 말해, 상기 각 체결부(13)에는 볼트(12)의 헤드가 상기 결합공간부(S)에 삽입된 상기 바디(32)의 환형걸림부(321)를 지지함으로써 상기 바디(32)를 상기 디스크(10)에 고정하게 된다.
The head of the
그리고 상기 바디(32)는 그 내부에 관통공(322)이 형성되는데 상기 관통공(322)에 상기 로드(31)가 내장되며, 로드(31)를 따라 상하 슬라이딩 된다.A through
또한 상기 바디(32)의 상단부 및 하단부에는 각각 그 둘레를 따라 제1수용홀(323a)과 제2수용홀(323b)이 형성된다.A
이때 상기 제1수용홀(323a) 및 상기 제2수용홀(323b)은 상기 로드(31)를 기준으로하여, 각각 둘 이상이 방사상으로 형성되는 것이 바람직하며, 상기 각 수용홀(323)은 상기 관통공(322)과 연결된다.
At least two of the first receiving
상기 가이드(33)는The guide (33)
'도 4' 및 '도 6'에 도시된 바와 같이, 상기 바디(32)의 상하 단부에 각각 배치되는데, 상기 제1수용홀(323a)에 배치되는 제1가이드(331)와 상기 제2수용홀(323b)에 배치되는 제2가이드(332)로 이루어진다.Are disposed at the upper and lower ends of the
그리고 상기 제1가이드(331) 및 상기 제2가이드(332)는 각각 롤러(331a, 332a)와 지지축(331b, 332b)으로 이루어지는데, 상기 지지축(331b, 332b)이 상기 롤러(331a, 332a)의 내부를 관통하여 배치되고, 지지축(331b, 332b)의 양측단부가 상기 수용홀(323a, 323b)의 양측내벽에 각각 고정결합된다.The
이때 상기 가이드(33)는 아이들롤러(A)이며, 둘 이상이 구비되고 상기 로드(31)를 기준으로 상기 바디(32) 내부에 방사상으로 배열된다.At this time, the guide 33 is an idle roller A, and two or more of the idle rollers A are arranged radially in the
따라서 상기 가이드(33)는 상기 로드(31)와 접하게 되어 상기 바디(32)의 상하 직선 운동에 의해 회전운동을 하게 된다.
Therefore, the guide 33 is brought into contact with the
상기 구성에 의한 본 고안의 작용을 살펴보면,[0033] In the operation of the present invention with the above configuration,
'도 5' 및 '도 6'에 도시된 바와 같이, 일반적으로 상기 공정챔버(C) 내부에서 증착공정이 완료되면 증착대상체(O)를 공정챔버(C)의 외부로 인출하기 위한 작업이 시작된다.As shown in FIGS. 5 and 6, when the deposition process is completed in the process chamber C, a process for withdrawing the deposition target O from the process chamber C is started do.
상기 구동부(22)에 의해 상기 샤프트(21)로 동력이 전달되면 상기 샤프트(21)가 하강을 시작한다.When the driving force is transmitted to the
그리고 상기 샤프트(21)와 결합된 상기 디스크(10)가 하강하게 되고 상기 디스크(10)의 결합공간부(S)에 수직결합된 상기 서포터(30)가 하강하게 된다.The
상기 서포터(30)가 하강하면, 바디(32)의 상부에 배치되어 있는 제1가이드(331)와 바디(32)의 하부에 배치되어 있는 제2가이드(332)가 상기 로드(31)을 따라 각각 슬라이딩 되면서 하강하기 시작한다.
When the
한편, 하부가 상기 공정챔버(C)의 내부 바닥면과 접하고 팁헤드(311)의 하부가 상기 결합공간부(S)에 형성된 스토퍼(11)의 상부면에 접하고 있는 로드(31)는 하강하지 않는다.The lower portion of the
따라서 상기 디스크(10)의 지지부(14)에 놓여져 있던 증착대상체(O)는 디스크(10)를 따라 하강하다가 상기 로드(31)의 팁헤드(311)에 접하게 되고, 더 이상 하강하지 않는다.The deposition object O placed on the
그리고 상기 로드(31)는 상기 증착대상체(O)를 수직상태로 지지하게 된다.
The
이때 상기 제1가이드(331)와 상기 제2가이드(332)가 상기 바디(32)내부에서 상기 로드(31)의 임의의 두 지점을 지지하며 수직방향으로 슬라이딩 하기 때문에 로드(31)의 중심축이 좌우방향으로 흔들리지 않게 된다.Since the
여기서 임의의 두 지점이란, 상기 제1가이드(331)와 상기 제2가이드(332)가 하강하면서 상기 로드(31)와 접하게 되는 부분이며, 항상 일정한 간격을 유지하게 된다.Here, the arbitrary two points are portions where the
따라서 상기 승강수단(20)에 의해 상기 디스크(10)의 하강 시 이와 함께 하강하는 상기 서포터(30)의 바디(32) 내부에서 상기 로드(31)가 항상 수직상태를 유지하게 된다.Therefore, the
즉 상기 로드(31) 중심축의 틸트(Tilt)각을 최소화 하기때문에 로드(31)가 항상 수직상태를 유지하면서 받치고 있는 증착대상체(O)의 수평상태유지를 가능하게 한다.
In other words, since the tilt angle of the central axis of the
결국 상기 증착대상체(O)가 상기 로드(31)의 상부에서 유동하거나 낙하하지 않도록 하여 증착대상체(O)가 변형되거나 파손되는 것을 방지하는 효과가 있다.As a result, the evaporation object O is prevented from flowing or falling from the upper portion of the
따라서 증착대상체(O)의 변형 및 파손 저하에 따른 생산성 향상 및 원가 절감에도 기여할 수 있다.Therefore, it is possible to contribute to productivity improvement and cost reduction due to deformation and breakage of the evaporation object O.
그리고 상기와 같은 경우, 로봇암이 인출작업을 원할 하게 할 수 있는 범위내에서, 상기 제1가이드(331)와 제2가이드(332)의 간격을 증가시킴에 따라 상기 로드(31) 중심축의 틸트각을 더욱 최소화 할 수 있다.
In such a case, the distance between the
'도 5'에 도시된 바와 같이, 상기 디스크(10)가 하강하면 상기 증착대상체(O)와 상기 디스크(10) 사이에 공간부가 형성된다.As shown in FIG. 5, when the
상기 공간부가 형성되면 상기 공정챔버(C)의 측면에 형성된 인출구(D)가 개방되고 외부로부터 로봇암이 공정챔버(C)의 내부로 진입한다.When the space portion is formed, the outflow opening D formed on the side surface of the process chamber C is opened and the robot arm enters the inside of the process chamber C from the outside.
그리고 로봇암은 상기 증착대상체(O)와 상기 디스크(10) 사이의 공간부로 진입하여 증착대상체(O)를 공정챔버(C)의 외부로 인출한다.The robot arm moves into the space between the deposition target O and the
증착대상체(O)가 외부로 인출되면 승강수단(20)에 의해 상기 디스크(10)는 다시 상승하게 된다.
When the evaporation object O is drawn out, the
한편, 증착공정 시 증착대상체(O)의 표면에 일정한 두께로 박막을 형성하기 위해 증착대상체(O)에 따라 적정한 온도로 상기 증착대상물(O)을 가열시키게 된다.Meanwhile, in order to form a thin film with a constant thickness on the surface of the deposition object O in the deposition process, the deposition object O is heated at a proper temperature according to the deposition object O.
그리고 증착대상물(O)을 직접적으로 받치고 있는 상기 로드(31)의 상단부는 일반적으로 그 표면이 알루미늄 아노다이징(Anodizing)으로 이루어진다.The upper end of the
상기와 같이 알루미늄 아노다이징으로 이루어진 상기 로드(31)의 상단부는 내마모성이 향상되는 등 장점이 있지만, 상기 증착대상체(O)와의 온도 차로 인하여, 상기 로드(31)의 상단부와 상기 증착대상체(O)의 접면(接面)에 자국이 생기는 경우가 발생한다.
The upper end of the
본 고안에서는 상기 로드(31)의 상단부에 탈착가능한 형태로 팁헤드(311)가 구비되는데, 상기 팁헤드(311)는 SIC(탄화규소 : Silicon Carbide) 코팅된 그라파이트(Graphite)로 이루어진다.The
여기서 SIC코팅이란, 화학기상반응법(CVR : Chemical Vapor Reaction)을 이용하여, 그라파이트 표면의 탄소를 반응원으로 하고 규소 성분과 반응시킴으로써 그라파이트 표면에 SIC를 형성하는 공법을 가리킨다.Here, SIC coating refers to a method of forming SIC on a graphite surface by reacting carbon on the graphite surface with a silicon component using a chemical vapor reaction (CVR) method.
상기의 과정으로 형성된 팁헤드(311)는 일반적인 알루미늄 아노다이징 이나 단순한 그라파이트 보다 열전도율이 향상된다.The
따라서 상기 증착대상체(O)와의 온도 차를 신속하게 감소시킴으로써 증착대상체(O)에 자국이 발생하는 것을 최소화하는 효과가 있다.Therefore, the temperature difference between the deposition target O and the deposition target O is rapidly reduced, thereby minimizing the occurrence of marks on the deposition target O.
또한 우수한 내열성, 내산화성 및 교체의 용이함으로 인하여 생산성 향상에도 기여할 수 있다.
Also, it can contribute to productivity improvement because of excellent heat resistance, oxidation resistance and easy replacement.
이상에서 본 고안을 설명함에 있어 첨부된 도면을 참조하여 특정 형상과 구조를 갖는 "화학기상증착을 위한 공정챔버용 서셉터"를 위주로 설명하였으나 본 고안은 당업자에 의하여 다양한 변형 및 변경이 가능하고, 이러한 변형 및 변경은 본 고안의 보호범위에 속하는 것으로 해석되어야 한다.
Although the present invention has been described with reference to the accompanying drawings, a susceptor for a process chamber for chemical vapor deposition having a specific shape and structure has been described. However, the present invention can be modified and changed variously by those skilled in the art, Such variations and modifications are to be construed as falling within the scope of protection of the present invention.
C : 공정챔버
10 : 디스크
11 : 스토퍼 12 : 볼트
13 : 체결부 14 : 지지부
S : 결합공간부
S1 : 제1공간부 S2 : 제2공간부
20 : 승강수단
21 : 샤프트 22 : 구동부
30 : 서포터
31 : 로드
311 : 팁헤드
32 : 바디
321 : 환형걸림부 322 : 관통공
323 : 수용홀
323a : 제1수용홀 323b : 제2수용홀
33 : 가이드
331 : 제1가이드
331a : 롤러 331b : 지지축
332 : 제2가이드
332a : 롤러 332b : 지지축C: Process chamber
10: Disc
11: Stopper 12: Bolt
13: fastening part 14: support part
S:
S1: first space portion S2: second space portion
20:
21: shaft 22:
30: Supporters
31: Load
311: Tip Head
32: Body
321: annular engaging portion 322: through hole
323: receiving hole
323a: first receiving
33: Guide
331: First guide
331a:
332: Second Guide
332a:
Claims (1)
상기 공정챔버(C) 내부에 배치되어 상부에 증착대상체(O)가 놓이게 되는 디스크(10);
상기 디스크(10)를 위한 승강수단(20); 및
상기 공정챔버(C) 내부바닥면에 지지되며 상기 디스크(10)를 관통하여 상기 증착대상체(O)와 접하게 되는 로드(31), 상기 로드(31)가 내장되고 상기 로드(31)를 따라 상하 슬라이딩 되며 상기 디스크(10) 하부에 고정 결합되는 바디(32), 그리고 상기 바디(32)의 상하 단부에 각각 구비되어 바디(32)의 승강 동작을 안내하는 가이드(33)로 이루어진 서포터(30);를 포함하되,
상기 가이드(33)는 상기 로드(31)와 접하도록 로드(31)를 기준으로 방사상으로 배열된 둘 이상의 아이들롤러로 이루어지고,
상기 로드(31)의 상단부에는 SIC코팅된 그라파이트로 이루어진 팁헤드(311)가 탈착 가능하게 구비되며,
상기 디스크(10)의 하부에는 상기 바디(32)의 상단부가 삽입되도록 상방 요입된 결합공간부(S), 그리고 상기 결합공간부(S)의 주변 영역에 방사상으로 배열된 둘 이상의 체결부(13)가 형성되고,
상기 바디(32)의 상단부에는 둘레를 따라 돌출된 환형걸림부(321)가 형성되며,
상기 각 체결부(13)에는 볼트(12)가 체결되되, 상기 볼트(12)의 헤드가 상기 결합공간부(S)에 삽입된 상기 바디(32)의 환형걸림부(321)를 지지하게 되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착을 위한 공정챔버용 서셉터.
A susceptor disposed in a chemical vapor deposition process chamber and being moved up and down by a driving device,
A disk 10 disposed inside the process chamber C and having a deposition object O placed thereon;
A lifting means (20) for the disc (10); And
A rod 31 which is supported on the inner bottom surface of the process chamber C and is in contact with the evaporation object O through the disk 10; A supporter 30 which is slid and fixed to the lower portion of the disk 10 and a guide 33 which is provided at the upper and lower ends of the body 32 to guide the lifting operation of the body 32, ; ≪ / RTI >
The guide (33) comprises two or more idle rollers arranged radially with respect to the rod (31) in contact with the rod (31)
At the upper end of the rod 31, a tip head 311 made of SIC-coated graphite is detachably provided,
A coupling space S which is upwardly recessed to insert the upper end of the body 32 and a coupling space S which is radially arranged in the peripheral region of the coupling space S, Is formed,
An annular engaging portion 321 protruding along the circumference is formed at the upper end of the body 32,
The bolts 12 are fastened to the fastening portions 13 so that the heads of the bolts 12 support the annular fastening portions 321 of the body 32 inserted into the engagement space S ≪ / RTI > wherein the susceptor is for chemical vapor deposition.
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