KR20150002996A - Method for fabricating Organic Electroluminescence Device and the Organic Electroluminescence Device fabricated by the method - Google Patents
Method for fabricating Organic Electroluminescence Device and the Organic Electroluminescence Device fabricated by the method Download PDFInfo
- Publication number
- KR20150002996A KR20150002996A KR1020130075358A KR20130075358A KR20150002996A KR 20150002996 A KR20150002996 A KR 20150002996A KR 1020130075358 A KR1020130075358 A KR 1020130075358A KR 20130075358 A KR20130075358 A KR 20130075358A KR 20150002996 A KR20150002996 A KR 20150002996A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- forming
- organic
- layer
- film
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 70
- 239000010408 film Substances 0.000 description 57
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020091 MgCa Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016048 MoW Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100003996 Mus musculus Atrn gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 유기전계 발광소자에 관한 것으로, 구체적으로는 휘도의 균일성 및 패널의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 유기전계 발광소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기전계 발광소자에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE
유기전계 발광소자(Organic Electroluminescence Device: OLED)는 유기 발광층 내부로 주입된 전자와 정공의 결합으로 형성된 엑시톤이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다.
An organic electroluminescence device (OLED) is a device that emits light when an exciton formed by the combination of electrons injected into the organic light emitting layer and holes is dropped from the excited state to the ground state.
도 1은 일반적인 유기전계 발광소자의 발광원리를 설명하기 위한 밴드 다이어그램을 나타낸 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a diagram showing a band diagram for explaining the principle of light emission of a general organic electroluminescent device. FIG.
도 1을 참조하면, 일반적인 유기전계 발광소자는 양극(anode)(1)과 음극(cathode)(7) 및 그 사이에 위치된 정공수송층(3), 유기발광층(4), 및 전자수송층(5)을 포함한다. 1, a typical organic electroluminescent device includes an
그리고, 정공과 전자를 좀 더 효율적으로 주입하기 위해 양극(1)과 정공수송층(3) 사이에 위치된 정공주입층(2) 및 전자수송층(5)과 음극(7) 사이에 위치된 전자주입층(6)을 더 포함할 수 있다.In order to more efficiently inject holes and electrons, a
이때, 상기 양극(1)으로부터 정공주입층(2)과 정공수송층(3)을 통해 유기발광층(4)으로 주입된 정공과, 음극(7)으로부터 전자주입층(6) 및 전자수송층(5)을 통해 유기발광층(4)으로 주입된 전자는 엑시톤(8)을 형성한다. 이러한 엑시톤(8)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하게 된다.At this time, the holes injected from the
이러한 원리로 유기전계 발광소자는 자발광 특성을 가지며, 따라서 액정 표시장치와 비교하여 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기전계 발광소자는 낮은 소비전력, 높은 휘도 및 높은 반응속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 모바일 전자 기기의 차세대 표시장치로 여겨지고 있다. 그리고 또한 유기전계 발광소자는 제조 공정이 단순하기 때문에 생산원가를 기존의 액정 표시장치보다 많이 줄일 수 있는 장점도 있다.
With this principle, the organic electroluminescent device has a self-luminescent characteristic, and thus can be reduced in thickness and weight as compared with a liquid crystal display device. In addition, organic electroluminescent devices are considered to be the next generation display devices for mobile electronic devices because they exhibit high-quality characteristics such as low power consumption, high luminance, and high reaction speed. Further, since the manufacturing process of the organic electroluminescent device is simple, the production cost can be further reduced as compared with the conventional liquid crystal display device.
이러한 유기전계 발광소자의 발광 영역 상에 유기발광층을 형성함에 있어서,최근에 공정이 간단하고 제조 비용이 저렴한 잉크젯 프린팅 방식이 이용되고 있다. 구체적으로는 잉크타입의 유기발광 용액이 발광 영역별로 직접 드롭핑(dropping)된다. In forming an organic light emitting layer on a light emitting region of such an organic electroluminescent device, an inkjet printing method having a simple process and low manufacturing cost has recently been used. Specifically, the organic light emitting solution of the ink type is directly dropped by the light emitting region.
도 2는 종래기술에 따른 유기전계 발광소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기전계 발광소자를 설명하기 위한 단면도이다. 구체적으로는 잉크젯 프린팅 방식을 이용한 유기전계 발광소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기전계 발광소자를 설명하기 위한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating an organic electroluminescent device manufactured by a conventional method and an organic electroluminescent device manufactured by the method. More particularly, the present invention relates to a method for manufacturing an organic electroluminescent device using an ink-jet printing method and a cross-sectional view for explaining an organic electroluminescent device manufactured by the method.
도 2를 참조하면, 종래기술에 따른 유기전계 발광소자(100)의 제조방법은 제1 기판(101)상에 박막트랜지스터(T)를 포함하는 어레이부를 형성하는 단계, 상기 어레이부를 덮는 평탄화막(121)을 형성하는 단계, 상기 평탄화막(121) 상에 화소별로 제1 전극(131)을 형성하는 단계, 상기 각 제1 전극(131)의 가장자리를 덮는 무기 절연막(132)을 형성하는 단계 및 상기 무기 절연막(132)상에 위치되는 유기 뱅크막(133)을 형성하는 단계를 포함한다. 이후 상기 유기뱅크막(133)에 의해 구획된 영역별로 잉크가 공급되어 유기발광층(134)이 형성된다. Referring to FIG. 2, a conventional method of fabricating an organic
그런데 상기 유기 뱅크막(133)을 형성하는 단계에서 미확인 잔막(150)이 발생하는 경우가 많으며, 이로 인해 잉크의 미퍼짐 불량이 유발된다.
However, in the step of forming the
도 3a 및 도 3b는 종래기술에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법 중 유기뱅크층 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 구체적으로는 종래기술에 따른 유기뱅크막(133) 형성시 미확인 잔막(150)이 형성되는 원인을 설명하기 위한 단면도들이다.3A and 3B are cross-sectional views illustrating a method of forming an organic bank layer in a conventional method of manufacturing an organic electroluminescent device according to the related art. Sectional views for explaining the reason why an unconfirmed
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 종래기술에 따른 유기뱅크막(133) 형성방법은 포지티브형 또는 네가티브형의 감광성 수지막을 제1 전극(131) 및 무기절연막(132)의 상부 전면에 형성하는 단계와 상기 감광성 수지막 중 소정의 부위를 노광 및 현상하는 단계를 포함한다. 3A and 3B, a conventional method of forming the
도 3a를 참조하면, 포지티브형의 감광성 수지막을 형성한 경우, 제 1 전극(131)의 일부 영역에 대응되는 개구부를 갖는 마스크(160a)를 상기 감광성 수지막 상에 위치시킨 후 노광한다. 3A, when a positive photosensitive resin film is formed, a
그런데 상기 마스크(160a) 개구부의 가장자리영역은 중심 영역보다 상대적으로 노광량이 부족하다. 이에 따라 상기 개구부의 가장자리 영역에서는 미확인 잔막(150)이 발생하게 된다.
However, the edge region of the opening portion of the
도 3b를 참조하면, 네가티브형의 감광성 수지막을 형성한 경우, 유기뱅크막(133) 영역에 대응되는 개구부를 갖는 마스크(160b)를 상기 감광성 수지막 상에 위치시킨 후 노광한다. 3B, when a negative type photosensitive resin film is formed, a
그런데 이때 상기 개구부의 가장자리영역은 노광기 스테이지(미도시)로부터 배면노광을 받는다. 따라서 중심 영역보다 상대적으로 노광량이 많게 된다. 그결과 상기 개구부의 가장자리 영역에서는 미확인 잔막(150)이 발생하게 된다.
At this time, the edge region of the opening receives back exposure from the exposure system stage (not shown). Therefore, the exposure amount is relatively larger than the central area. As a result, an undetermined
이러한 미확인 잔막(150)들은 잉크재료의 미퍼짐 불량을 유발하여, 그에 따라 휘도의 균일성 저하 및 패널의 신뢰성 저하를 초래하게 된다.
These unidentified
본 발명의 하나의 과제는 휘도의 균일성 및 패널의 신뢰성이 개선된 유기전계 발광소자의 제조방법 및 그에 의해 제조된 유기전계 발광소자를 제공함에 있다.
A further object of the present invention is to provide a method of manufacturing an organic electroluminescent device with improved brightness uniformity and panel reliability, and an organic electroluminescent device manufactured by the method.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 유기전계 발광소자의 제조방법을 제공한다. 상기 유기전계 발광소자의 제조방법은 제1 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 드레인 전극과 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상에 감광성 수지막을 형성하는 단계, 상기 감광성 수지막 상에 마스크를 위치시키는 단계 및 상기 감광성 수지막을 노광 및 현상하여 상기 제1 전극의 일부를 노출시키는 유기 뱅크막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 게이트 전극을 형성하는 단계 또는 상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계에서 반사패턴이 동시에 형성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic electroluminescent device. The method of fabricating an organic electroluminescent device includes the steps of forming a gate electrode on a first substrate, forming source and drain electrodes on the gate electrode, forming a first electrode connected to the drain electrode, Forming a photosensitive resin film on the first electrode, positioning a mask on the photosensitive resin film, and exposing and developing the photosensitive resin film to form an organic bank film exposing a part of the first electrode, , A step of forming the gate electrode, or a step of forming the source and drain electrodes.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 일 측면은 유기전계 발광소자를 제공한다. 상기 유기전계 발광소자는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 형성되는 소스 및 드레인 전극, 상기 드레인 전극과 연결되는 제1 전극, 상기 제1 전극상에 형성된 유기뱅크막, 상기 유기뱅크막에 의해 구획된 영역에 형성된 유기발광층, 상기 유기발광층 상에 형성된 제2 전극을 포함하며, 상기 게이트 전극 또는 상기 소스 및 드레인 전극과 동일 층에 형성된 반사패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided an organic electroluminescent device. The organic electroluminescent device includes a gate electrode, a source and a drain electrode formed on the gate electrode, a first electrode connected to the drain electrode, an organic bank film formed on the first electrode, And a second electrode formed on the organic light emitting layer. The organic light emitting device further includes a reflection pattern formed on the same layer as the gate electrode or the source and drain electrodes.
본 발명은 잉크재료의 퍼짐성 개선을 통해 유기전계 발광소자의 휘도의 균일성 및 패널의 신뢰성을 확보할 수 있다.The present invention improves the spreadability of the ink material to ensure the uniformity of the brightness of the organic electroluminescent device and the reliability of the panel.
또한 본 발명은 기존 공정을 이용하여 유기전계 발광소자제조공정의 비용 효율성을 꾀할 수 있다.
In addition, the present invention can improve the cost efficiency of the organic electroluminescent device manufacturing process by using the existing process.
도 1은 일반적인 유기전계 발광소자의 발광원리를 설명하기 위한 밴드 다이어그램을 나타낸 도면이다.
도 2는 종래기술에 따른 유기전계 발광소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기전계 발광소자를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 종래기술에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법 중 유기뱅크층 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4 내지 도 10는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 방법을 단계적으로 설명하기 위한 단면도들이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법 중 유기뱅크막 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a diagram showing a band diagram for explaining the principle of light emission of a general organic electroluminescent device. FIG.
2 is a cross-sectional view illustrating an organic electroluminescent device manufactured by a conventional method and an organic electroluminescent device manufactured by the method.
3A and 3B are cross-sectional views illustrating a method of forming an organic bank layer in a conventional method of manufacturing an organic electroluminescent device according to the related art.
FIGS. 4 to 10 are cross-sectional views for explaining a method of fabricating an organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention.
7A and 7B are cross-sectional views illustrating a method of forming an organic bank film in a method of manufacturing an organic electroluminescent device according to the present invention.
이하, 본 발명의 실시예를 유기전계 발광소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기전계 발광소자를 도시한 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings showing a method of manufacturing an organic electroluminescent device and an organic electroluminescent device manufactured by the method. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the size and thickness of an apparatus may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.
도 4 내지 도 10는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 방법을 단계적으로 설명하기 위한 단면도들이다.
FIGS. 4 to 10 are cross-sectional views for explaining a method of fabricating an organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 우선 제1 기판(201) 전면에 버퍼층(202)이 형성된다. 상기 제1 기판(201)은 통상의 글래스, 플라스틱, 폴리머 등으로부터 선택된 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 최근 주목받고 있는 플렉서블 기판인 경우, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌술폰(PES), 투명형 폴리이미드(PI), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리싸이클릭올레핀(PCO), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 가교형 에폭시(crosslinking type epoxy), 가교형 우레탄 필름(crosslinking type urethane)등으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 이용한다.
Referring to FIG. 4, a
상기 버퍼층(202)은 이후 액티브층(210)이나 유기발광층(234, 도 8 참조) 형성시, 제1 기판(201)의 불순물들이 확산되는 것을 방지한다. 상기 버퍼층(202)의 일례로는 실리콘 질화물층 또는 실리콘 질화물과 실리콘 산화물이 적층된 층 등이 있다. 물론, 이러한 버퍼층(202)은 필요에 따라 생략될 수도 있다.
The
상기 버퍼층(202) 상에는 박막 트랜지스터(T)가 형성된다. 상기 박막 트랜지스터(T)는 상기 버퍼층(202) 위에 형성된 액티브층(210), 게이트 전극(215) 및 소스/드레인 전극(217,218, 도 5참조)을 포함한다. A thin film transistor T is formed on the
상기 액티브층(210)은 소스 영역(211) 및 드레인 영역(213)과 이들 사이를 연결하는 채널 영역(212)을 포함한다. 상기 액티브층(210)이 형성된 제1 기판(201) 상의 전면에 게이트 절연막(214)이 형성된다. 상기 게이트 절연막(214) 상에는 상기 액티브층(210)의 채널 영역(212)에 대응되는 위치에 게이트 전극(215)이 형성된다. The
본 발명의 경우, 상기 게이트 전극(215) 형성시 반사패턴(215', 215'')을 아울러 형성한다. 따라서 반사패턴(215', 215'')은 상기 게이트 전극(215)과 동일층에 동일 물질로 형성된다. 상기 게이트 전극(215)은 보통 금속, 예를 들면 MoW, Al, Cr 및 Al/Cr 등으로부터 선택된 금속이 이용된다. 그런데 본 발명의 경우, Mo/Al/Mo, Mo/Al, Al, 및 Cu 등의 반사 특성을 가지는 금속들을 이용함이 바람직하다.
In the case of the present invention, the reflection patterns 215 'and 215''are formed together when the
또한 상기 반사패턴(215', 215'')이 형성되는 위치는 추후 형성될 유기 뱅크막(233, 도 7a 및 도 7b 참조)막의 가장자리 영역에 대응되는 위치다. 구체적으로는 추후 형성될 유기 뱅크막(233, 도 7a 및 도 7b 참조)의 가장자리로부터 개구부 내측으로 5~10μm 정도의 폭으로 형성한다.The positions where the reflection patterns 215 'and 215' 'are formed correspond to the edge regions of the organic bank film 233 (see FIGS. 7A and 7B) to be formed later. Specifically, it is formed with a width of about 5 to 10 mu m inward from the edge of the organic bank film 233 (see Figs. 7A and 7B) to be formed later.
상기 반사패턴(215', 215'')은 유기 뱅크막(233, 도 7a 및 도 7b 참조) 형성 단계에서 빛을 반사 또는 차단시켜 노광량의 불균형으로 인한 미확인 잔막 발생을 방지한다.The reflective patterns 215 'and 215' 'reflect or block the light in the organic bank layer 233 (see FIGS. 7A and 7B) to prevent the occurrence of an unidentified residual film due to an unbalanced amount of exposure.
한편, 상기 반사패턴(215', 215'')은 게이트 전극(215) 형성단계가 아니라 추후 소스/드레인 전극(217,218, 도 5참조)형성단계에서 형성될 수도 있다. 이경우 반사패턴은 상기 소스/드레인 전극(217,218, 도 5참조)과 동일층에 동일 물질로 형성된다. 다만 앞서 설명하였듯이 Mo/Al/Mo, Mo/Al, Al, 및 Cu 등의 반사 특성을 가지는 금속들을 이용함이 바람직하다. The reflective patterns 215 'and 215' 'may be formed at the later step of forming the source /
본 발명은 이처럼 상기 반사패턴(215', 215'') 형성을 위한 추가적인 마스크 공정 없이 기존의 게이트 전극(215) 형성 공정 또는 소스/드레인 전극(217,218, 도 5참조) 형성공정을 이용한다.
The present invention utilizes the
도 5를 참조하면, 게이트 절연막(214) 상에 게이트 전극(215) 및 반사패턴(215', 215'')을 형성한 후 층간 절연막(216)을 형성한다. 상기 층간 절연막(216)은 상기 게이트 전극(215) 및 반사패턴(215', 215'')을 덮으며 제1 기판(201) 상의 전면에 형성된다. Referring to FIG. 5, a
상기 게이트 절연막(214) 및 층간 절연막(216)에는 제1 콘택홀이 형성된다. 상기 제1 콘택홀을 통해 액티브층(210)의 소스 영역(211) 및 드레인 영역(213)이 노출된다. 노출된 소스 영역(211) 및 드레인 영역(213)에는 각각 소스 전극(217) 및 드레인 전극(218)이 전기적으로 연결된다. 상기 소스 전극(217) 및 드레인 전극(218)은 금속, 예를 들면 Ti/Al 또는 Ti/Al/Ti으로 이루어질 수 있다. 상기 소스 전극(217) 및 드레인 전극(218) 형성으로 박막트랜지스터(T)가 완성된다.A first contact hole is formed in the
이상 박막트랜지스터(T)의 경우로 코플레너(Coplanar)구조를 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니며, 지금까지 알려진 모든 박막 트랜지스터의 구조 예를 들면, 반전 동일 평면 구조(inverted coplanar structure), 지그재그형 구조(staggered structure), 반전 지그재그형 구조(inverted staggered structure) 및 그 등가 구조 등 어느 것이라도 가능하다. However, the present invention is not limited to this. The structure of all thin film transistors known so far, for example, an inverted coplanar structure, a zigzag structure (see, for example, a staggered structure, an inverted staggered structure, or an equivalent structure thereof.
박막 트랜지스터(T)가 완성된 후 , 제1 기판(201)상의 전면에 보호막(220) 및 평탄화막(221)이 순차적으로 형성된다.
After the thin film transistor T is completed, a
도 6을 참조하면, 상기 제1 기판(201)상의 전면에 형성된 보호막(220) 및 평탄화막(221)에는 드레인 전극(218)의 일부를 노출시키는 제2 콘택홀(222)이 형성된다. Referring to FIG. 6, a
상기 평탄화막(221) 상에는 상기 제2 콘택홀(222)을 통해 상기 드레인 전극(218)과 연결되는 제1 전극(231)이 형성된다. A
상기 제1 전극(231)이 양극(anode)일 경우, ITO(Indium Tin Oxide), ITO(Indium Tin Oxide)/Ag, ITO(Indium Tin Oxide)/Ag/ITO, ITO(Indium Tin Oxide)/Ag/IZO(Indium Zinc Oxide) 등으로부터 선택된 어느 하나일 수 있다. 그러나 본 발명에서 상기 제1 전극(231)의 재질을 한정하는 것은 아니다. 상기 ITO(Indium Tin Oxide)는 유기 발광층(234, 도 8참조)에 정공 주입 장벽이 작은 투명 도전막이다.
When the
이후 상기 제1 전극(231)의 가장자리부를 덮는 무기 절연막(232)이 형성된다. 상기 무기 절연막(232)의 개구부를 통해 상기 제1 전극(231)의 일부가 노출된다. 상기 개구부의 형상은 평면에서 볼 때 직사각형, 타원형, 원형 및 타원형 등이 될 수 있다. 상기 무기절연막(232)은 상기 제1 전극(231)의 가장자리에 전계가 집중되는 것을 막는다. 이러한 무기 절연막(232)은 경우에 따라 생략이 가능하다.
Then, an inorganic
도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법 중 유기뱅크막 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 7A and 7B are cross-sectional views illustrating a method of forming an organic bank film in a method of manufacturing an organic electroluminescent device according to the present invention.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 유기뱅크막(233) 형성방법은 포지티브형 또는 네가티브형의 감광성 수지막을 제1 전극(231) 및 무기절연막(232)의 상부 전면에 형성하는 단계와 상기 감광성 수지막 중 소정의 부위를 노광 및 현상하는 단계를 포함한다. 7A and 7B, the
도 7a를 참조하면, 포지티브형의 감광성 수지막을 형성한 경우, 상기 제 1 전극(231)의 일부 영역에 대응되는 개구부를 갖는 마스크(260a)를 상기 감광성 수지막 상에 위치시킨 후 노광한다. Referring to FIG. 7A, when a positive photosensitive resin film is formed, a
이때 상기 개구부의 가장자리 영역에 대응되는 감광성 수지막 부분은 이중 노광된다. 반사패턴(215', 215'')이 노광시 입사된 빛을 다시 상기 감광성 수지막쪽으로 반사시키기 때문이다. 따라서 개구부의 가장자리영역에서 노광량 부족으로 인한 미확인 잔막 발생을 억제할 수 있게 된다.
At this time, the photosensitive resin film portion corresponding to the edge region of the opening is double-exposed. And the reflection patterns 215 'and 215''reflect the incident light upon exposure to the photosensitive resin film again. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of an unidentified residual film due to the insufficient exposure amount in the edge region of the opening.
도 7b를 참조하면, 네가티브형의 감광성 수지막을 형성한 경우, 유기뱅크막(233) 영역에 대응되는 개구부를 갖는 마스크(260b)를 상기 감광성 수지막 상에 위치시킨 후 노광한다. 7B, when a negative type photosensitive resin film is formed, a
이때 상기 개구부의 가장자리 영역에 대응되는 감광성 수지막 부분은 배면 노광이 억제된다. 반사패턴(215', 215'')이 배면노광으로 인한 빛을 반사시키기 때문이다.
At this time, the portion of the photosensitive resin film corresponding to the edge region of the opening is suppressed in the back exposure. Since the
도 8을 참조하면, 유기 뱅크막(233)에 의해 구획된 영역별로 잉크가 공급된다. 이를 통해 유기발광층(234)이 형성된다. 상기 유기 뱅크막(233)은 적색, 녹색, 청색 화소 사이의 경계를 명확히 하여 화소 사이의 발광 경계 영역이 명확해지도록 한다. Referring to FIG. 8, ink is supplied to each of the regions partitioned by the
무기절연막(232)이 생략된 경우, 상기 유기 뱅크막(233)은 인접한 화소의 제1 전극(미도시)을 전기적으로 서로 분리시킨다. 이경우 유기 뱅크막(233)은 폴리이미드(polyimide) 등으로 형성할 수 있다.When the inorganic
무기절연막(232)이 형성된 경우, 상기 무기절연막(232)이 인접한 화소의 제1 전극(미도시)을 전기적으로 분리시킨다. 이때 상기 유기 뱅크막(233)은 잉크가 공급될 영역을 구획하는 역할을 한다.
When the inorganic
이후 도 9를 참조하면, 유기발광층(234) 및 유기 뱅크막(233) 전체를 덮는 제2 전극(235)이 형성된다. Referring to FIG. 9, a
한편, 상기 유기 발광층(234)은 전자와 정공이 만나 여기자(exciton)를 형성하여 발광하는 발광층(EMitting Layer, EML), 전자의 이동 속도를 적절히 조절하는전자 수송층(Electron Transport Layer, ETL), 정공의 이동 속도를 적절히 조절하는 정공 수송층(Hole Transport Layer, HTL)으로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 전자 수송층에는 전자의 주입 효율을 향상시키는 전자 주입층(Electron Injecting Layer, EIL)이 형성되고, 상기 정공 수송층에는 정공의 주입 효율을 향상시키는 정공 주입층(Hole Injecting Layer, HIL)이 더 형성될 수 있다. Meanwhile, the organic
상기 제2 전극(235)이 음극(cathode)일 경우, Al, MgAg 합금 및 MgCa 합금 등으로부터 선택할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. When the
이와 같이 제1 전극(231), 유기발광층(234) 및 제2 전극(235)이 순차적으로 형성되어 발광부(240)가 완성된다.
The
상기 제1 전극(231)과 제2 전극(235) 사이에 전압이 인가되면, 제2 전극(235)으로부터 발생된 전자와 제1 전극(231)으로부터 발생된 정공이 유기발광층(234) 쪽으로 이동된다 . 이에 따라, 상기 유기발광층(234)에서는 공급되어진 전자와 정공이 충돌하여 재결합함으로써 빛이 발생하게 된다. 일반적인 경우와 같이 상기 제1 전극(231)은 양극(anode)이며, 상기 제2 전극(235)은 음극(cathode)인 경우를 설명하였다.
When a voltage is applied between the
도 10을 참조하면, 발광부(240)가 형성된 제1 기판(201)상에 제2 기판(320)이 합착된다. 상기 제1 및 제2 기판(201, 320)은 실링재(310)를 통해 합착된다. 이로써 본 발명에 따른 유기전계 발광소자가 완성된다.
Referring to FIG. 10, a
상기 제1 기판(201)과 대향되는 상기 제2 기판(320)의 일측 부분은 절단 공정에 의해 제거된다. 상기 제1 기판(201)상의 상기 패드부(미도시)를 외부로 노출시키기 위함이다. 후속 공정을 통해 상기 패드부(미도시)에는 구동 집적회로(driver integrated circuit) 또는 연성회로기판(Flexible Printed Circuit; FPC)등이 전기적으로 연결된다
One side of the
101, 201 : 제1 기판 132, 232 : 무기절연막
131, 231 : 제1 전극 134, 234 : 유기발광층
133, 233 : 유기뱅크막 215', 215'' : 반사패턴
160a, 160b, 260a, 260b: 마스크 310 : 실링재
320 : 제2 기판 101, 201: a
131, 231:
133, 233:
160a, 160b, 260a, 260b: mask 310: sealing material
320: second substrate
Claims (6)
상기 게이트 전극 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계 ;
상기 드레인 전극과 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 전극 상에 감광성 수지막을 형성하는 단계;
상기 감광성 수지막 상에 마스크를 위치시키는 단계; 및
상기 감광성 수지막을 노광 및 현상하여 상기 제1 전극의 일부를 노출시키는 유기 뱅크막을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 게이트 전극을 형성하는 단계 또는 상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계에서 반사패턴이 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
Forming a gate electrode on the first substrate;
Forming source and drain electrodes on the gate electrode;
Forming a first electrode connected to the drain electrode;
Forming a photosensitive resin film on the first electrode;
Positioning a mask on the photosensitive resin film; And
And exposing and developing the photosensitive resin film to form an organic bank film exposing a part of the first electrode,
Wherein a reflective pattern is simultaneously formed in the step of forming the gate electrode or the step of forming the source and drain electrodes.
상기 반사패턴은 Mo/Al/Mo, Mo/Al, Al 및 Cu 중 적어도 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the reflective pattern comprises at least one of Mo / Al / Mo, Mo / Al, Al, and Cu.
상기 반사패턴은 상기 유기뱅크막의 가장자리로부터 상기 유기뱅크막의 개구부 내측으로 일정 폭을 가지며 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the reflection pattern is formed to have a constant width from the edge of the organic bank film to the inside of the opening of the organic bank film.
상기 게이트 전극 상에 형성되는 소스 및 드레인 전극;
상기 드레인 전극과 연결되는 제1 전극;
상기 제1 전극상에 형성된 유기뱅크막;
상기 유기뱅크막에 의해 구획된 영역에 형성된 유기발광층;
상기 유기발광층 상에 형성된 제2 전극을 포함하며,
상기 게이트 전극 또는 상기 소스 및 드레인 전극과 동일 층에 형성된 반사패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
A gate electrode;
Source and drain electrodes formed on the gate electrode;
A first electrode connected to the drain electrode;
An organic bank film formed on the first electrode;
An organic light emitting layer formed in a region partitioned by the organic bank film;
And a second electrode formed on the organic light emitting layer,
And a reflective pattern formed on the same layer as the gate electrode or the source and drain electrodes.
상기 반사패턴은 Mo/Al/Mo, Mo/Al, Al 및 Cu 중 적어도 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
5. The method of claim 4,
Wherein the reflection pattern comprises at least one of Mo / Al / Mo, Mo / Al, Al and Cu.
상기 반사패턴은 상기 유기뱅크막의 가장자리로부터 개구부 내측방향으로 일정 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
5. The method of claim 4,
Wherein the reflection pattern has a constant width from an edge of the organic bank film toward an inside of the opening.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130075358A KR102087649B1 (en) | 2013-06-28 | 2013-06-28 | Method for fabricating Organic Electroluminescence Device and the Organic Electroluminescence Device fabricated by the method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130075358A KR102087649B1 (en) | 2013-06-28 | 2013-06-28 | Method for fabricating Organic Electroluminescence Device and the Organic Electroluminescence Device fabricated by the method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150002996A true KR20150002996A (en) | 2015-01-08 |
KR102087649B1 KR102087649B1 (en) | 2020-03-12 |
Family
ID=52475975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130075358A KR102087649B1 (en) | 2013-06-28 | 2013-06-28 | Method for fabricating Organic Electroluminescence Device and the Organic Electroluminescence Device fabricated by the method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102087649B1 (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050075128A (en) * | 2004-01-15 | 2005-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic electro-luminescent display device |
KR20120119075A (en) * | 2011-04-20 | 2012-10-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | Thin film transistor substrate and method for fabricating the same |
-
2013
- 2013-06-28 KR KR1020130075358A patent/KR102087649B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050075128A (en) * | 2004-01-15 | 2005-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic electro-luminescent display device |
KR20120119075A (en) * | 2011-04-20 | 2012-10-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | Thin film transistor substrate and method for fabricating the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102087649B1 (en) | 2020-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108573993B (en) | Organic light emitting display device | |
KR102150011B1 (en) | Organic light emitting display device and method of manufacturing having the same | |
JP6685675B2 (en) | Organic EL device, organic EL display panel using the same, and method for manufacturing organic EL display panel | |
KR101920766B1 (en) | Method of fabricating the organic light emitting device | |
WO2020207124A1 (en) | Display substrate and manufacturing method therefor, and display device | |
KR101073552B1 (en) | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same | |
KR102652822B1 (en) | Electroluminescent display device | |
EP2744008A1 (en) | Array substrate, method for fabricating the same, and OLED display device | |
US20090153033A1 (en) | Organic light emitting diode device and method of manufacturing the same | |
US20140166999A1 (en) | Display device and method for fabricating the same | |
US9178180B2 (en) | Display device and electronic apparatus | |
KR20180075756A (en) | Electroluminescent display device | |
US20170294501A1 (en) | Organic light-emitting diode display device and method of manufacturing the same | |
JP2010050081A (en) | Organic light emitting display device and its manufacturing method | |
CN104253245A (en) | Organic light emitting diode device and fabrication method thereof | |
KR102280777B1 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
US9853250B2 (en) | Organic light-emitting display devices and methods of manufacturing organic light-emitting display devices | |
JP2012204077A (en) | Display device, manufacturing method of the same, and electronic equipment | |
JP2009070767A (en) | Method of manufacturing display device | |
KR20180118857A (en) | Organic light emitting diode display | |
US9035347B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
KR102315824B1 (en) | Organic light emitting display device and method of fabricating the same | |
KR20190027985A (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
US9917277B2 (en) | Display panel and production method therefor | |
US9299754B2 (en) | Organic light emitting display and manufacturing method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |