KR20150002996A - Method for fabricating Organic Electroluminescence Device and the Organic Electroluminescence Device fabricated by the method - Google Patents

Method for fabricating Organic Electroluminescence Device and the Organic Electroluminescence Device fabricated by the method Download PDF

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Abstract

Disclosed are a method for manufacturing an organic electroluminescence device and an organic electroluminescence device manufactured by the same. The method for manufacturing an organic electroluminescence device according to the present invention comprises the steps of: forming a gate electrode on a first substrate; forming source and drain electrodes on the gate electrode; forming a first electrode to be connected to the drain electrode; forming a photosensitive resin layer on the first electrode; positioning a mask on the photosensitive resin layer; and forming an organic bank layer to expose a part of the first electrode by exposing and developing the photosensitive resin layer. A reflective pattern is formed at the same time in the step of forming the gate electrode or in the step of forming the source and drain electrodes.

Description

유기전계 발광소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기전계 발광소자 {Method for fabricating Organic Electroluminescence Device and the Organic Electroluminescence Device fabricated by the method}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of fabricating an organic electroluminescent device and an organic electroluminescent device fabricated by the method.

본 발명은 유기전계 발광소자에 관한 것으로, 구체적으로는 휘도의 균일성 및 패널의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 유기전계 발광소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기전계 발광소자에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to a method of manufacturing an organic electroluminescent device capable of improving brightness uniformity and panel reliability and an organic electroluminescent device manufactured by the method.

유기전계 발광소자(Organic Electroluminescence Device: OLED)는 유기 발광층 내부로 주입된 전자와 정공의 결합으로 형성된 엑시톤이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다.
An organic electroluminescence device (OLED) is a device that emits light when an exciton formed by the combination of electrons injected into the organic light emitting layer and holes is dropped from the excited state to the ground state.

도 1은 일반적인 유기전계 발광소자의 발광원리를 설명하기 위한 밴드 다이어그램을 나타낸 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a diagram showing a band diagram for explaining the principle of light emission of a general organic electroluminescent device. FIG.

도 1을 참조하면, 일반적인 유기전계 발광소자는 양극(anode)(1)과 음극(cathode)(7) 및 그 사이에 위치된 정공수송층(3), 유기발광층(4), 및 전자수송층(5)을 포함한다. 1, a typical organic electroluminescent device includes an anode 1, a cathode 7, a hole transport layer 3, an organic light emitting layer 4, and an electron transport layer 5 ).

그리고, 정공과 전자를 좀 더 효율적으로 주입하기 위해 양극(1)과 정공수송층(3) 사이에 위치된 정공주입층(2) 및 전자수송층(5)과 음극(7) 사이에 위치된 전자주입층(6)을 더 포함할 수 있다.In order to more efficiently inject holes and electrons, a hole injection layer 2 positioned between the anode 1 and the hole transport layer 3, and an electron injection layer 3 located between the electron transport layer 5 and the cathode 7 Layer (6).

이때, 상기 양극(1)으로부터 정공주입층(2)과 정공수송층(3)을 통해 유기발광층(4)으로 주입된 정공과, 음극(7)으로부터 전자주입층(6) 및 전자수송층(5)을 통해 유기발광층(4)으로 주입된 전자는 엑시톤(8)을 형성한다. 이러한 엑시톤(8)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하게 된다.At this time, the holes injected from the anode 1 into the organic light emitting layer 4 through the hole injection layer 2 and the hole transport layer 3 and the holes injected from the cathode 7 into the electron injection layer 6 and the electron transport layer 5, The electrons injected into the organic light emitting layer 4 form an exciton 8. [ When the excitons 8 fall from the excited state to the ground state, they emit light.

이러한 원리로 유기전계 발광소자는 자발광 특성을 가지며, 따라서 액정 표시장치와 비교하여 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기전계 발광소자는 낮은 소비전력, 높은 휘도 및 높은 반응속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 모바일 전자 기기의 차세대 표시장치로 여겨지고 있다. 그리고 또한 유기전계 발광소자는 제조 공정이 단순하기 때문에 생산원가를 기존의 액정 표시장치보다 많이 줄일 수 있는 장점도 있다.
With this principle, the organic electroluminescent device has a self-luminescent characteristic, and thus can be reduced in thickness and weight as compared with a liquid crystal display device. In addition, organic electroluminescent devices are considered to be the next generation display devices for mobile electronic devices because they exhibit high-quality characteristics such as low power consumption, high luminance, and high reaction speed. Further, since the manufacturing process of the organic electroluminescent device is simple, the production cost can be further reduced as compared with the conventional liquid crystal display device.

이러한 유기전계 발광소자의 발광 영역 상에 유기발광층을 형성함에 있어서,최근에 공정이 간단하고 제조 비용이 저렴한 잉크젯 프린팅 방식이 이용되고 있다. 구체적으로는 잉크타입의 유기발광 용액이 발광 영역별로 직접 드롭핑(dropping)된다. In forming an organic light emitting layer on a light emitting region of such an organic electroluminescent device, an inkjet printing method having a simple process and low manufacturing cost has recently been used. Specifically, the organic light emitting solution of the ink type is directly dropped by the light emitting region.

도 2는 종래기술에 따른 유기전계 발광소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기전계 발광소자를 설명하기 위한 단면도이다. 구체적으로는 잉크젯 프린팅 방식을 이용한 유기전계 발광소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기전계 발광소자를 설명하기 위한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating an organic electroluminescent device manufactured by a conventional method and an organic electroluminescent device manufactured by the method. More particularly, the present invention relates to a method for manufacturing an organic electroluminescent device using an ink-jet printing method and a cross-sectional view for explaining an organic electroluminescent device manufactured by the method.

도 2를 참조하면, 종래기술에 따른 유기전계 발광소자(100)의 제조방법은 제1 기판(101)상에 박막트랜지스터(T)를 포함하는 어레이부를 형성하는 단계, 상기 어레이부를 덮는 평탄화막(121)을 형성하는 단계, 상기 평탄화막(121) 상에 화소별로 제1 전극(131)을 형성하는 단계, 상기 각 제1 전극(131)의 가장자리를 덮는 무기 절연막(132)을 형성하는 단계 및 상기 무기 절연막(132)상에 위치되는 유기 뱅크막(133)을 형성하는 단계를 포함한다. 이후 상기 유기뱅크막(133)에 의해 구획된 영역별로 잉크가 공급되어 유기발광층(134)이 형성된다. Referring to FIG. 2, a conventional method of fabricating an organic electroluminescent device 100 includes forming an array portion including a thin film transistor T on a first substrate 101, forming a planarization layer Forming an inorganic insulating layer 132 covering an edge of each of the first electrodes 131, and forming a second electrode 131 on the planarization layer 121, And forming an organic bank layer 133 located on the inorganic insulating layer 132. Then, ink is supplied to each of the regions partitioned by the organic bank layer 133 to form the organic light emitting layer 134. [

그런데 상기 유기 뱅크막(133)을 형성하는 단계에서 미확인 잔막(150)이 발생하는 경우가 많으며, 이로 인해 잉크의 미퍼짐 불량이 유발된다.
However, in the step of forming the organic bank layer 133, an unidentified residual film 150 often occurs, thereby causing defective spreading of the ink.

도 3a 및 도 3b는 종래기술에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법 중 유기뱅크층 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 구체적으로는 종래기술에 따른 유기뱅크막(133) 형성시 미확인 잔막(150)이 형성되는 원인을 설명하기 위한 단면도들이다.3A and 3B are cross-sectional views illustrating a method of forming an organic bank layer in a conventional method of manufacturing an organic electroluminescent device according to the related art. Sectional views for explaining the reason why an unconfirmed residual film 150 is formed in forming the organic bank film 133 according to the prior art.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 종래기술에 따른 유기뱅크막(133) 형성방법은 포지티브형 또는 네가티브형의 감광성 수지막을 제1 전극(131) 및 무기절연막(132)의 상부 전면에 형성하는 단계와 상기 감광성 수지막 중 소정의 부위를 노광 및 현상하는 단계를 포함한다. 3A and 3B, a conventional method of forming the organic bank film 133 includes forming a positive or negative photosensitive resin film on the upper surface of the first electrode 131 and the inorganic insulating film 132 And exposing and developing a predetermined portion of the photosensitive resin film.

도 3a를 참조하면, 포지티브형의 감광성 수지막을 형성한 경우, 제 1 전극(131)의 일부 영역에 대응되는 개구부를 갖는 마스크(160a)를 상기 감광성 수지막 상에 위치시킨 후 노광한다. 3A, when a positive photosensitive resin film is formed, a mask 160a having an opening corresponding to a partial area of the first electrode 131 is placed on the photosensitive resin film and then exposed.

그런데 상기 마스크(160a) 개구부의 가장자리영역은 중심 영역보다 상대적으로 노광량이 부족하다. 이에 따라 상기 개구부의 가장자리 영역에서는 미확인 잔막(150)이 발생하게 된다.
However, the edge region of the opening portion of the mask 160a is relatively less exposed than the central region. Accordingly, an unrecognized residual film 150 is generated in the edge region of the opening.

도 3b를 참조하면, 네가티브형의 감광성 수지막을 형성한 경우, 유기뱅크막(133) 영역에 대응되는 개구부를 갖는 마스크(160b)를 상기 감광성 수지막 상에 위치시킨 후 노광한다. 3B, when a negative type photosensitive resin film is formed, a mask 160b having an opening corresponding to the region of the organic bank film 133 is placed on the photosensitive resin film and exposed.

그런데 이때 상기 개구부의 가장자리영역은 노광기 스테이지(미도시)로부터 배면노광을 받는다. 따라서 중심 영역보다 상대적으로 노광량이 많게 된다. 그결과 상기 개구부의 가장자리 영역에서는 미확인 잔막(150)이 발생하게 된다.
At this time, the edge region of the opening receives back exposure from the exposure system stage (not shown). Therefore, the exposure amount is relatively larger than the central area. As a result, an undetermined residual film 150 is generated in the edge region of the opening.

이러한 미확인 잔막(150)들은 잉크재료의 미퍼짐 불량을 유발하여, 그에 따라 휘도의 균일성 저하 및 패널의 신뢰성 저하를 초래하게 된다.
These unidentified residual films 150 cause defective spreading of the ink material, resulting in lowering of uniformity of luminance and lowering of reliability of the panel.

본 발명의 하나의 과제는 휘도의 균일성 및 패널의 신뢰성이 개선된 유기전계 발광소자의 제조방법 및 그에 의해 제조된 유기전계 발광소자를 제공함에 있다.
A further object of the present invention is to provide a method of manufacturing an organic electroluminescent device with improved brightness uniformity and panel reliability, and an organic electroluminescent device manufactured by the method.

상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 유기전계 발광소자의 제조방법을 제공한다. 상기 유기전계 발광소자의 제조방법은 제1 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 드레인 전극과 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상에 감광성 수지막을 형성하는 단계, 상기 감광성 수지막 상에 마스크를 위치시키는 단계 및 상기 감광성 수지막을 노광 및 현상하여 상기 제1 전극의 일부를 노출시키는 유기 뱅크막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 게이트 전극을 형성하는 단계 또는 상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계에서 반사패턴이 동시에 형성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic electroluminescent device. The method of fabricating an organic electroluminescent device includes the steps of forming a gate electrode on a first substrate, forming source and drain electrodes on the gate electrode, forming a first electrode connected to the drain electrode, Forming a photosensitive resin film on the first electrode, positioning a mask on the photosensitive resin film, and exposing and developing the photosensitive resin film to form an organic bank film exposing a part of the first electrode, , A step of forming the gate electrode, or a step of forming the source and drain electrodes.

상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 일 측면은 유기전계 발광소자를 제공한다. 상기 유기전계 발광소자는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 형성되는 소스 및 드레인 전극, 상기 드레인 전극과 연결되는 제1 전극, 상기 제1 전극상에 형성된 유기뱅크막, 상기 유기뱅크막에 의해 구획된 영역에 형성된 유기발광층, 상기 유기발광층 상에 형성된 제2 전극을 포함하며, 상기 게이트 전극 또는 상기 소스 및 드레인 전극과 동일 층에 형성된 반사패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided an organic electroluminescent device. The organic electroluminescent device includes a gate electrode, a source and a drain electrode formed on the gate electrode, a first electrode connected to the drain electrode, an organic bank film formed on the first electrode, And a second electrode formed on the organic light emitting layer. The organic light emitting device further includes a reflection pattern formed on the same layer as the gate electrode or the source and drain electrodes.

본 발명은 잉크재료의 퍼짐성 개선을 통해 유기전계 발광소자의 휘도의 균일성 및 패널의 신뢰성을 확보할 수 있다.The present invention improves the spreadability of the ink material to ensure the uniformity of the brightness of the organic electroluminescent device and the reliability of the panel.

또한 본 발명은 기존 공정을 이용하여 유기전계 발광소자제조공정의 비용 효율성을 꾀할 수 있다.
In addition, the present invention can improve the cost efficiency of the organic electroluminescent device manufacturing process by using the existing process.

도 1은 일반적인 유기전계 발광소자의 발광원리를 설명하기 위한 밴드 다이어그램을 나타낸 도면이다.
도 2는 종래기술에 따른 유기전계 발광소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기전계 발광소자를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 종래기술에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법 중 유기뱅크층 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4 내지 도 10는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 방법을 단계적으로 설명하기 위한 단면도들이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법 중 유기뱅크막 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a diagram showing a band diagram for explaining the principle of light emission of a general organic electroluminescent device. FIG.
2 is a cross-sectional view illustrating an organic electroluminescent device manufactured by a conventional method and an organic electroluminescent device manufactured by the method.
3A and 3B are cross-sectional views illustrating a method of forming an organic bank layer in a conventional method of manufacturing an organic electroluminescent device according to the related art.
FIGS. 4 to 10 are cross-sectional views for explaining a method of fabricating an organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention.
7A and 7B are cross-sectional views illustrating a method of forming an organic bank film in a method of manufacturing an organic electroluminescent device according to the present invention.

이하, 본 발명의 실시예를 유기전계 발광소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기전계 발광소자를 도시한 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings showing a method of manufacturing an organic electroluminescent device and an organic electroluminescent device manufactured by the method. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the size and thickness of an apparatus may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 4 내지 도 10는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 방법을 단계적으로 설명하기 위한 단면도들이다.
FIGS. 4 to 10 are cross-sectional views for explaining a method of fabricating an organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 우선 제1 기판(201) 전면에 버퍼층(202)이 형성된다. 상기 제1 기판(201)은 통상의 글래스, 플라스틱, 폴리머 등으로부터 선택된 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 최근 주목받고 있는 플렉서블 기판인 경우, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌술폰(PES), 투명형 폴리이미드(PI), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리싸이클릭올레핀(PCO), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 가교형 에폭시(crosslinking type epoxy), 가교형 우레탄 필름(crosslinking type urethane)등으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 이용한다.
Referring to FIG. 4, a buffer layer 202 is formed on the entire surface of the first substrate 201. The first substrate 201 may be formed of any one selected from conventional glass, plastic, and polymer, but is not limited thereto. In the case of a flexible substrate that has recently been attracting attention, a transparent substrate made of a transparent material such as polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polyethylene sulfone (PES), transparent polyimide (PI), polyarylate (PCO), polymethyl methacrylate (PMMA), crosslinking type epoxy, crosslinking type urethane, and the like.

상기 버퍼층(202)은 이후 액티브층(210)이나 유기발광층(234, 도 8 참조) 형성시, 제1 기판(201)의 불순물들이 확산되는 것을 방지한다. 상기 버퍼층(202)의 일례로는 실리콘 질화물층 또는 실리콘 질화물과 실리콘 산화물이 적층된 층 등이 있다. 물론, 이러한 버퍼층(202)은 필요에 따라 생략될 수도 있다.
The buffer layer 202 prevents the impurities of the first substrate 201 from diffusing when the active layer 210 or the organic light emitting layer 234 (see FIG. 8) is formed. An example of the buffer layer 202 is a silicon nitride layer or a layer in which silicon nitride and silicon oxide are stacked. Of course, this buffer layer 202 may be omitted as needed.

상기 버퍼층(202) 상에는 박막 트랜지스터(T)가 형성된다. 상기 박막 트랜지스터(T)는 상기 버퍼층(202) 위에 형성된 액티브층(210), 게이트 전극(215) 및 소스/드레인 전극(217,218, 도 5참조)을 포함한다. A thin film transistor T is formed on the buffer layer 202. The thin film transistor T includes an active layer 210, a gate electrode 215 and source / drain electrodes 217 and 218 (see FIG. 5) formed on the buffer layer 202.

상기 액티브층(210)은 소스 영역(211) 및 드레인 영역(213)과 이들 사이를 연결하는 채널 영역(212)을 포함한다. 상기 액티브층(210)이 형성된 제1 기판(201) 상의 전면에 게이트 절연막(214)이 형성된다. 상기 게이트 절연막(214) 상에는 상기 액티브층(210)의 채널 영역(212)에 대응되는 위치에 게이트 전극(215)이 형성된다. The active layer 210 includes a source region 211 and a drain region 213 and a channel region 212 connecting them. A gate insulating layer 214 is formed on the entire surface of the first substrate 201 on which the active layer 210 is formed. A gate electrode 215 is formed on the gate insulating layer 214 at a position corresponding to the channel region 212 of the active layer 210.

본 발명의 경우, 상기 게이트 전극(215) 형성시 반사패턴(215', 215'')을 아울러 형성한다. 따라서 반사패턴(215', 215'')은 상기 게이트 전극(215)과 동일층에 동일 물질로 형성된다. 상기 게이트 전극(215)은 보통 금속, 예를 들면 MoW, Al, Cr 및 Al/Cr 등으로부터 선택된 금속이 이용된다. 그런데 본 발명의 경우, Mo/Al/Mo, Mo/Al, Al, 및 Cu 등의 반사 특성을 가지는 금속들을 이용함이 바람직하다.
In the case of the present invention, the reflection patterns 215 'and 215''are formed together when the gate electrode 215 is formed. Therefore, the reflection patterns 215 'and 215''are formed of the same material in the same layer as the gate electrode 215. The gate electrode 215 is made of metal, for example, a metal selected from MoW, Al, Cr, and Al / Cr. However, in the present invention, it is preferable to use metals having reflective properties such as Mo / Al / Mo, Mo / Al, Al, and Cu.

또한 상기 반사패턴(215', 215'')이 형성되는 위치는 추후 형성될 유기 뱅크막(233, 도 7a 및 도 7b 참조)막의 가장자리 영역에 대응되는 위치다. 구체적으로는 추후 형성될 유기 뱅크막(233, 도 7a 및 도 7b 참조)의 가장자리로부터 개구부 내측으로 5~10μm 정도의 폭으로 형성한다.The positions where the reflection patterns 215 'and 215' 'are formed correspond to the edge regions of the organic bank film 233 (see FIGS. 7A and 7B) to be formed later. Specifically, it is formed with a width of about 5 to 10 mu m inward from the edge of the organic bank film 233 (see Figs. 7A and 7B) to be formed later.

상기 반사패턴(215', 215'')은 유기 뱅크막(233, 도 7a 및 도 7b 참조) 형성 단계에서 빛을 반사 또는 차단시켜 노광량의 불균형으로 인한 미확인 잔막 발생을 방지한다.The reflective patterns 215 'and 215' 'reflect or block the light in the organic bank layer 233 (see FIGS. 7A and 7B) to prevent the occurrence of an unidentified residual film due to an unbalanced amount of exposure.

한편, 상기 반사패턴(215', 215'')은 게이트 전극(215) 형성단계가 아니라 추후 소스/드레인 전극(217,218, 도 5참조)형성단계에서 형성될 수도 있다. 이경우 반사패턴은 상기 소스/드레인 전극(217,218, 도 5참조)과 동일층에 동일 물질로 형성된다. 다만 앞서 설명하였듯이 Mo/Al/Mo, Mo/Al, Al, 및 Cu 등의 반사 특성을 가지는 금속들을 이용함이 바람직하다. The reflective patterns 215 'and 215' 'may be formed at the later step of forming the source / drain electrodes 217 and 218 (see FIG. 5) instead of forming the gate electrode 215. In this case, the reflection pattern is formed of the same material on the same layer as the source / drain electrodes 217 and 218 (see FIG. 5). However, as described above, it is preferable to use metals having reflective properties such as Mo / Al / Mo, Mo / Al, Al, and Cu.

본 발명은 이처럼 상기 반사패턴(215', 215'') 형성을 위한 추가적인 마스크 공정 없이 기존의 게이트 전극(215) 형성 공정 또는 소스/드레인 전극(217,218, 도 5참조) 형성공정을 이용한다.
The present invention utilizes the conventional gate electrode 215 formation process or the source / drain electrodes 217 and 218 (see FIG. 5) without additional mask process for forming the reflective patterns 215 'and 215''.

도 5를 참조하면, 게이트 절연막(214) 상에 게이트 전극(215) 및 반사패턴(215', 215'')을 형성한 후 층간 절연막(216)을 형성한다. 상기 층간 절연막(216)은 상기 게이트 전극(215) 및 반사패턴(215', 215'')을 덮으며 제1 기판(201) 상의 전면에 형성된다. Referring to FIG. 5, a gate electrode 215 and reflection patterns 215 'and 215' 'are formed on a gate insulating film 214, and then an interlayer insulating film 216 is formed. The interlayer insulating layer 216 is formed on the entire surface of the first substrate 201 so as to cover the gate electrode 215 and the reflective patterns 215 'and 215' '.

상기 게이트 절연막(214) 및 층간 절연막(216)에는 제1 콘택홀이 형성된다. 상기 제1 콘택홀을 통해 액티브층(210)의 소스 영역(211) 및 드레인 영역(213)이 노출된다. 노출된 소스 영역(211) 및 드레인 영역(213)에는 각각 소스 전극(217) 및 드레인 전극(218)이 전기적으로 연결된다. 상기 소스 전극(217) 및 드레인 전극(218)은 금속, 예를 들면 Ti/Al 또는 Ti/Al/Ti으로 이루어질 수 있다. 상기 소스 전극(217) 및 드레인 전극(218) 형성으로 박막트랜지스터(T)가 완성된다.A first contact hole is formed in the gate insulating film 214 and the interlayer insulating film 216. The source region 211 and the drain region 213 of the active layer 210 are exposed through the first contact hole. The source electrode 217 and the drain electrode 218 are electrically connected to the exposed source region 211 and the drain region 213, respectively. The source electrode 217 and the drain electrode 218 may be formed of a metal such as Ti / Al or Ti / Al / Ti. The thin film transistor T is completed by forming the source electrode 217 and the drain electrode 218.

이상 박막트랜지스터(T)의 경우로 코플레너(Coplanar)구조를 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니며, 지금까지 알려진 모든 박막 트랜지스터의 구조 예를 들면, 반전 동일 평면 구조(inverted coplanar structure), 지그재그형 구조(staggered structure), 반전 지그재그형 구조(inverted staggered structure) 및 그 등가 구조 등 어느 것이라도 가능하다. However, the present invention is not limited to this. The structure of all thin film transistors known so far, for example, an inverted coplanar structure, a zigzag structure (see, for example, a staggered structure, an inverted staggered structure, or an equivalent structure thereof.

박막 트랜지스터(T)가 완성된 후 , 제1 기판(201)상의 전면에 보호막(220) 및 평탄화막(221)이 순차적으로 형성된다.
After the thin film transistor T is completed, a protective film 220 and a planarization film 221 are sequentially formed on the entire surface of the first substrate 201.

도 6을 참조하면, 상기 제1 기판(201)상의 전면에 형성된 보호막(220) 및 평탄화막(221)에는 드레인 전극(218)의 일부를 노출시키는 제2 콘택홀(222)이 형성된다. Referring to FIG. 6, a second contact hole 222 exposing a portion of the drain electrode 218 is formed on the passivation layer 220 and the planarization layer 221 formed on the entire surface of the first substrate 201.

상기 평탄화막(221) 상에는 상기 제2 콘택홀(222)을 통해 상기 드레인 전극(218)과 연결되는 제1 전극(231)이 형성된다. A first electrode 231 connected to the drain electrode 218 through the second contact hole 222 is formed on the planarization layer 221.

상기 제1 전극(231)이 양극(anode)일 경우, ITO(Indium Tin Oxide), ITO(Indium Tin Oxide)/Ag, ITO(Indium Tin Oxide)/Ag/ITO, ITO(Indium Tin Oxide)/Ag/IZO(Indium Zinc Oxide) 등으로부터 선택된 어느 하나일 수 있다. 그러나 본 발명에서 상기 제1 전극(231)의 재질을 한정하는 것은 아니다. 상기 ITO(Indium Tin Oxide)는 유기 발광층(234, 도 8참조)에 정공 주입 장벽이 작은 투명 도전막이다.
When the first electrode 231 is an anode, ITO (indium tin oxide), ITO (indium tin oxide) / Ag, ITO (indium tin oxide) / Ag / ITO, ITO (indium tin oxide) / IZO (Indium Zinc Oxide), and the like. However, the material of the first electrode 231 is not limited in the present invention. ITO (Indium Tin Oxide) is a transparent conductive film having a small hole injection barrier in the organic light emitting layer 234 (see FIG. 8).

이후 상기 제1 전극(231)의 가장자리부를 덮는 무기 절연막(232)이 형성된다. 상기 무기 절연막(232)의 개구부를 통해 상기 제1 전극(231)의 일부가 노출된다. 상기 개구부의 형상은 평면에서 볼 때 직사각형, 타원형, 원형 및 타원형 등이 될 수 있다. 상기 무기절연막(232)은 상기 제1 전극(231)의 가장자리에 전계가 집중되는 것을 막는다. 이러한 무기 절연막(232)은 경우에 따라 생략이 가능하다.
Then, an inorganic insulating film 232 covering the edge of the first electrode 231 is formed. A part of the first electrode 231 is exposed through the opening of the inorganic insulating film 232. The shape of the opening may be a rectangle, an ellipse, a circle, an ellipse, or the like in plan view. The inorganic insulating film 232 prevents the electric field from concentrating on the edge of the first electrode 231. The inorganic insulating film 232 may be omitted in some cases.

도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법 중 유기뱅크막 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 7A and 7B are cross-sectional views illustrating a method of forming an organic bank film in a method of manufacturing an organic electroluminescent device according to the present invention.

도 7a 및 도 7b를 참조하면, 유기뱅크막(233) 형성방법은 포지티브형 또는 네가티브형의 감광성 수지막을 제1 전극(231) 및 무기절연막(232)의 상부 전면에 형성하는 단계와 상기 감광성 수지막 중 소정의 부위를 노광 및 현상하는 단계를 포함한다. 7A and 7B, the organic bank film 233 may be formed by forming a positive or negative photosensitive resin film on the upper surface of the first electrode 231 and the inorganic insulating film 232, And exposing and developing a predetermined portion of the film.

도 7a를 참조하면, 포지티브형의 감광성 수지막을 형성한 경우, 상기 제 1 전극(231)의 일부 영역에 대응되는 개구부를 갖는 마스크(260a)를 상기 감광성 수지막 상에 위치시킨 후 노광한다. Referring to FIG. 7A, when a positive photosensitive resin film is formed, a mask 260a having an opening corresponding to a partial area of the first electrode 231 is placed on the photosensitive resin film and exposed.

이때 상기 개구부의 가장자리 영역에 대응되는 감광성 수지막 부분은 이중 노광된다. 반사패턴(215', 215'')이 노광시 입사된 빛을 다시 상기 감광성 수지막쪽으로 반사시키기 때문이다. 따라서 개구부의 가장자리영역에서 노광량 부족으로 인한 미확인 잔막 발생을 억제할 수 있게 된다.
At this time, the photosensitive resin film portion corresponding to the edge region of the opening is double-exposed. And the reflection patterns 215 'and 215''reflect the incident light upon exposure to the photosensitive resin film again. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of an unidentified residual film due to the insufficient exposure amount in the edge region of the opening.

도 7b를 참조하면, 네가티브형의 감광성 수지막을 형성한 경우, 유기뱅크막(233) 영역에 대응되는 개구부를 갖는 마스크(260b)를 상기 감광성 수지막 상에 위치시킨 후 노광한다. 7B, when a negative type photosensitive resin film is formed, a mask 260b having an opening corresponding to the region of the organic bank film 233 is placed on the photosensitive resin film and exposed.

이때 상기 개구부의 가장자리 영역에 대응되는 감광성 수지막 부분은 배면 노광이 억제된다. 반사패턴(215', 215'')이 배면노광으로 인한 빛을 반사시키기 때문이다.
At this time, the portion of the photosensitive resin film corresponding to the edge region of the opening is suppressed in the back exposure. Since the reflective patterns 215 'and 215 " reflect light due to back exposure.

도 8을 참조하면, 유기 뱅크막(233)에 의해 구획된 영역별로 잉크가 공급된다. 이를 통해 유기발광층(234)이 형성된다. 상기 유기 뱅크막(233)은 적색, 녹색, 청색 화소 사이의 경계를 명확히 하여 화소 사이의 발광 경계 영역이 명확해지도록 한다. Referring to FIG. 8, ink is supplied to each of the regions partitioned by the organic bank film 233. An organic light emitting layer 234 is formed. The organic bank film 233 makes the boundary between the red, green and blue pixels clear so that the light emitting boundary region between the pixels becomes clear.

무기절연막(232)이 생략된 경우, 상기 유기 뱅크막(233)은 인접한 화소의 제1 전극(미도시)을 전기적으로 서로 분리시킨다. 이경우 유기 뱅크막(233)은 폴리이미드(polyimide) 등으로 형성할 수 있다.When the inorganic insulating film 232 is omitted, the organic bank film 233 electrically separates the first electrodes (not shown) of adjacent pixels from each other. In this case, the organic bank layer 233 may be formed of polyimide or the like.

무기절연막(232)이 형성된 경우, 상기 무기절연막(232)이 인접한 화소의 제1 전극(미도시)을 전기적으로 분리시킨다. 이때 상기 유기 뱅크막(233)은 잉크가 공급될 영역을 구획하는 역할을 한다.
When the inorganic insulating film 232 is formed, the inorganic insulating film 232 electrically separates the first electrode (not shown) of the adjacent pixel. At this time, the organic bank layer 233 serves to partition a region to be supplied with ink.

이후 도 9를 참조하면, 유기발광층(234) 및 유기 뱅크막(233) 전체를 덮는 제2 전극(235)이 형성된다. Referring to FIG. 9, a second electrode 235 covering the organic light emitting layer 234 and the organic bank layer 233 is formed.

한편, 상기 유기 발광층(234)은 전자와 정공이 만나 여기자(exciton)를 형성하여 발광하는 발광층(EMitting Layer, EML), 전자의 이동 속도를 적절히 조절하는전자 수송층(Electron Transport Layer, ETL), 정공의 이동 속도를 적절히 조절하는 정공 수송층(Hole Transport Layer, HTL)으로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 전자 수송층에는 전자의 주입 효율을 향상시키는 전자 주입층(Electron Injecting Layer, EIL)이 형성되고, 상기 정공 수송층에는 정공의 주입 효율을 향상시키는 정공 주입층(Hole Injecting Layer, HIL)이 더 형성될 수 있다. Meanwhile, the organic light emitting layer 234 includes an emission layer (EML) that emits electrons and holes when excited to form excitons, an electron transport layer (ETL) And a hole transport layer (HTL) for appropriately adjusting the moving speed of the HTL. In addition, an electron injection layer (EIL) for improving the injection efficiency of electrons is formed in the electron transport layer, and a hole injection layer (HIL) for improving the injection efficiency of holes is formed in the hole transport layer .

상기 제2 전극(235)이 음극(cathode)일 경우, Al, MgAg 합금 및 MgCa 합금 등으로부터 선택할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. When the second electrode 235 is a cathode, it may be selected from among Al, MgAg alloy, and MgCa alloy, but is not limited thereto.

이와 같이 제1 전극(231), 유기발광층(234) 및 제2 전극(235)이 순차적으로 형성되어 발광부(240)가 완성된다.
The first electrode 231, the organic light emitting layer 234, and the second electrode 235 are sequentially formed in this manner to complete the light emitting portion 240.

상기 제1 전극(231)과 제2 전극(235) 사이에 전압이 인가되면, 제2 전극(235)으로부터 발생된 전자와 제1 전극(231)으로부터 발생된 정공이 유기발광층(234) 쪽으로 이동된다 . 이에 따라, 상기 유기발광층(234)에서는 공급되어진 전자와 정공이 충돌하여 재결합함으로써 빛이 발생하게 된다. 일반적인 경우와 같이 상기 제1 전극(231)은 양극(anode)이며, 상기 제2 전극(235)은 음극(cathode)인 경우를 설명하였다.
When a voltage is applied between the first electrode 231 and the second electrode 235, electrons generated from the second electrode 235 and holes generated from the first electrode 231 move toward the organic light emitting layer 234 do . Accordingly, electrons and holes supplied to the organic light emitting layer 234 collide and recombine to generate light. The first electrode 231 is an anode and the second electrode 235 is a cathode as in a general case.

도 10을 참조하면, 발광부(240)가 형성된 제1 기판(201)상에 제2 기판(320)이 합착된다. 상기 제1 및 제2 기판(201, 320)은 실링재(310)를 통해 합착된다. 이로써 본 발명에 따른 유기전계 발광소자가 완성된다.
Referring to FIG. 10, a second substrate 320 is bonded to a first substrate 201 on which a light emitting unit 240 is formed. The first and second substrates 201 and 320 are bonded together through a sealing material 310. Thus, the organic electroluminescent device according to the present invention is completed.

상기 제1 기판(201)과 대향되는 상기 제2 기판(320)의 일측 부분은 절단 공정에 의해 제거된다. 상기 제1 기판(201)상의 상기 패드부(미도시)를 외부로 노출시키기 위함이다. 후속 공정을 통해 상기 패드부(미도시)에는 구동 집적회로(driver integrated circuit) 또는 연성회로기판(Flexible Printed Circuit; FPC)등이 전기적으로 연결된다
One side of the second substrate 320 facing the first substrate 201 is removed by a cutting process. (Not shown) on the first substrate 201 to the outside. A driver integrated circuit or a flexible printed circuit (FPC) is electrically connected to the pad portion (not shown) through a subsequent process

101, 201 : 제1 기판 132, 232 : 무기절연막
131, 231 : 제1 전극 134, 234 : 유기발광층
133, 233 : 유기뱅크막 215', 215'' : 반사패턴
160a, 160b, 260a, 260b: 마스크 310 : 실링재
320 : 제2 기판
101, 201: a first substrate 132, 232: an inorganic insulating film
131, 231: First electrode 134, 234: Organic light emitting layer
133, 233: organic bank film 215 ', 215 ": reflection pattern
160a, 160b, 260a, 260b: mask 310: sealing material
320: second substrate

Claims (6)

제1 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
상기 게이트 전극 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계 ;
상기 드레인 전극과 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 전극 상에 감광성 수지막을 형성하는 단계;
상기 감광성 수지막 상에 마스크를 위치시키는 단계; 및
상기 감광성 수지막을 노광 및 현상하여 상기 제1 전극의 일부를 노출시키는 유기 뱅크막을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 게이트 전극을 형성하는 단계 또는 상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계에서 반사패턴이 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
Forming a gate electrode on the first substrate;
Forming source and drain electrodes on the gate electrode;
Forming a first electrode connected to the drain electrode;
Forming a photosensitive resin film on the first electrode;
Positioning a mask on the photosensitive resin film; And
And exposing and developing the photosensitive resin film to form an organic bank film exposing a part of the first electrode,
Wherein a reflective pattern is simultaneously formed in the step of forming the gate electrode or the step of forming the source and drain electrodes.
제1항에 있어서,
상기 반사패턴은 Mo/Al/Mo, Mo/Al, Al 및 Cu 중 적어도 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the reflective pattern comprises at least one of Mo / Al / Mo, Mo / Al, Al, and Cu.
제1항에 있어서,
상기 반사패턴은 상기 유기뱅크막의 가장자리로부터 상기 유기뱅크막의 개구부 내측으로 일정 폭을 가지며 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the reflection pattern is formed to have a constant width from the edge of the organic bank film to the inside of the opening of the organic bank film.
게이트 전극;
상기 게이트 전극 상에 형성되는 소스 및 드레인 전극;
상기 드레인 전극과 연결되는 제1 전극;
상기 제1 전극상에 형성된 유기뱅크막;
상기 유기뱅크막에 의해 구획된 영역에 형성된 유기발광층;
상기 유기발광층 상에 형성된 제2 전극을 포함하며,
상기 게이트 전극 또는 상기 소스 및 드레인 전극과 동일 층에 형성된 반사패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
A gate electrode;
Source and drain electrodes formed on the gate electrode;
A first electrode connected to the drain electrode;
An organic bank film formed on the first electrode;
An organic light emitting layer formed in a region partitioned by the organic bank film;
And a second electrode formed on the organic light emitting layer,
And a reflective pattern formed on the same layer as the gate electrode or the source and drain electrodes.
제4항에 있어서,
상기 반사패턴은 Mo/Al/Mo, Mo/Al, Al 및 Cu 중 적어도 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
5. The method of claim 4,
Wherein the reflection pattern comprises at least one of Mo / Al / Mo, Mo / Al, Al and Cu.
제4항에 있어서,
상기 반사패턴은 상기 유기뱅크막의 가장자리로부터 개구부 내측방향으로 일정 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법.

5. The method of claim 4,
Wherein the reflection pattern has a constant width from an edge of the organic bank film toward an inside of the opening.

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