KR20150001068A

KR20150001068A - Organic Light Emitting Diod Display

Info

Publication number: KR20150001068A
Application number: KR1020130073697A
Authority: KR
Inventors: 신상일; 김상수; 성기영
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2013-06-26
Filing date: 2013-06-26
Publication date: 2015-01-06
Also published as: KR102043852B1

Abstract

The present invention relates to a large organic light emitting display device which ensures uniform luminance distribution over the entire display area. According to the present invention, the organic light emitting display device includes: a substrate including a display area which has a plurality of defined pixel areas arranged in a matrix, and a non-display area arranged around the display area; a first electrode formed in each of the pixel area shaped like an island; a secondary cathode electrode spaced apart from the first electrode, and arranged to occupy the entire part of the display area; an organic light emitting layer laminated on the first electrode; and a second electrode coated on the entire display area to face the first electrode on the organic light emitting layer and comes in contact with the secondary cathode electrode.

Description

[0001] The present invention relates to an organic light emitting diode display,

본 발명은 표시 영역 전체에 걸쳐 균일한 휘도 분포를 갖는 유기전계발광 표시장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 기판 전체 표면에 걸쳐 도포되는 캐소드 전극의 면 저항을 낮추어 표시 패널 전면에 걸쳐, 특히 대형 TV와 같은 대면적 표시 패널의 전면에 걸쳐, 일정한 휘도를 갖는 유기전계발광 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device having a uniform luminance distribution over the entire display area. Particularly, the present invention relates to an organic light emitting display device having a constant luminance over a whole surface of a display panel, in particular, over a whole surface of a large-area display panel such as a large TV, by lowering the surface resistance of the cathode electrode applied over the entire surface of the substrate will be.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계발광장치(Electro-Luminescence device, EL) 등이 있다.2. Description of the Related Art Recently, various flat panel display devices capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes (CRTs), have been developed. Such flat panel display devices include a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), a plasma display panel (PDP), and an electro-luminescence device (EL) .

도 1은 종래 기술에 의한 능동소자인 박막 트랜지스터를 이용한 유기전계발광 표시장치(Organic Light Emitting Diode Display: OLED)의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1에서 절취선 II-II'로 자른 단면으로 종래 기술에 의한 유기전계발광 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.1 is a plan view showing the structure of an organic light emitting diode display (OLED) using a thin film transistor which is an active device according to the related art. FIG. 2 is a cross-sectional view cut along the cutting line II-II 'in FIG. 1, showing a structure of a conventional organic light emitting display device.

도 1 및 2를 참조하면, 유기전계발광 표시장치는 박막트랜지스터(ST, DT) 및 박막트랜지스터(ST, DT)와 연결되어 구동되는 유기발광 다이오드(OLED)가 형성된 박막트랜지스터 기판, 박막트랜지스터 기판과 대향하여 유기 접합층(POLY)을 사이에 두고 접합하는 캡(ENC)을 포함한다. 박막 트랜지스터 기판은 스위칭 TFT(ST), 스위칭 TFT(ST)와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다.1 and 2, an organic light emitting display includes a thin film transistor (TFT) substrate having a thin film transistor (ST) and a thin film transistor (DT) and an organic light emitting diode (OLED) And a cap (ENC) which opposes and bonds the organic bonding layer (POLY) therebetween. The thin film transistor substrate includes a switching TFT ST, a driving TFT DT connected to the switching TFT ST, and an organic light emitting diode OLED connected to the driving TFT DT.

유리 기판(SUB) 위에 스위칭 TFT(ST)는 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 게이트 라인(GL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다. 그리고, 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 애노드 전극(ANO)을 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체층(DA), 구동 전류 전송 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다.On the glass substrate SUB, the switching TFT ST is formed at a position where the gate line GL and the data line DL cross each other. The switching TFT ST functions to select a pixel. The switching TFT ST includes a gate electrode SG, a semiconductor layer SA, a source electrode SS and a drain electrode SD which branch off from the gate line GL. The driving TFT DT serves to drive the anode electrode ANO of the pixel selected by the switching TFT ST. The driving TFT DT includes a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching TFT ST, a source electrode DS connected to the semiconductor layer DA, the driving current transfer wiring VDD, (DD). The drain electrode DD of the driving TFT DT is connected to the anode electrode ANO of the organic light emitting diode.

도 2에서는 일례로, 탑 게이트(Top Gate) 구조의 박막트랜지스터를 도시하였다. 이 경우, 스위칭 TFT(ST)의 반도체 층(SA) 및 구동 TFT(DT)의 반도체 층(DA)들이 기판(SUB) 위에 먼저 형성되고, 그 위를 덮는 게이트 절연막(GI) 위에 게이트 전극들(SG, DG)이 반도체 층들(SA, DA)의 중심부에 중첩되어 형성된다. 그리고, 반도체 층들(SA, DA)의 양 측면에는 콘택홀을 통해 소스 전극들(SS, DS) 및 드레인 전극들(SD, DD)이 연결된다. 소스 전극(SS, DS) 및 드레인 전극(SD, DD)들은 게이트 전극들(SG, DG)을 덮는 절연막(IN) 위에 형성된다.In FIG. 2, a thin film transistor having a top gate structure is shown as an example. In this case, the semiconductor layer DA of the switching TFT ST and the semiconductor layer DA of the driving TFT DT are formed first on the substrate SUB, and the gate electrodes G1 and G2 are formed on the gate insulating film GI, SG, and DG are formed overlapping the center portions of the semiconductor layers SA and DA. Source electrodes SS and DS and drain electrodes SD and DD are connected to both sides of the semiconductor layers SA and DA through a contact hole. The source electrodes SS and DS and the drain electrodes SD and DD are formed on the insulating film IN covering the gate electrodes SG and DG.

또한, 화소 영역이 배치되는 표시 영역의 외주부에는, 각 게이트 라인(GL)의 일측 단부에 형성된 게이트 패드(GP), 각 데이터 라인(DL)의 일측 단부에 형성된 데이터 패드(DP), 그리고 각 구동 전류 전송 배선(VDD)의 일측 단부에 형성된 구동 전류 패드(VDP)가 배치된다. 스위칭 TFT(ST)와 구동 TFT(DT)가 형성된 기판(SUB) 위에 보호막(PAS)이 전면 도포된다. 그리고, 게이트 패드(GP), 데이터 패드(DP), 구동 전류 패드(VDP), 그리고, 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)을 노출하는 콘택홀들이 형성된다. 그리고, 기판(SUB) 중에서 표시 영역 위에는 평탄화 막(PL)이 도포된다. 평탄화 막(PL)은 유기발광 다이오드를 구성하는 유기물질을 매끈한 평면 상태에서 도포하기 위해 기판 표면의 거칠기를 균일하게 하는 기능을 한다.A gate pad GP formed at one end of each gate line GL and a data pad DP formed at one end of each data line DL are formed in the outer periphery of the display region where the pixel region is disposed, A driving current pad VDP formed at one end of the current transfer wiring VDD is disposed. The protective film PAS is entirely coated on the substrate SUB on which the switching TFT ST and the driving TFT DT are formed. Contact holes exposing the gate pad GP, the data pad DP, the driving current pad VDP, and the drain electrode DD of the driving TFT DT are formed. Then, a flattening film PL is applied onto the display area of the substrate SUB. The planarization layer PL serves to uniformize the roughness of the substrate surface in order to apply the organic material constituting the organic light emitting diode in a smooth planar state.

평탄화 막(PL) 위에는 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 접촉하는 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 또한, 평탄화 막(PL)이 형성되지 않은 표시 영역의 외주부에서도, 보호막(PAS)에 형성된 콘택홀들을 통해 노출된 게이트 패드(GP), 데이터 패드(DP) 그리고 구동 전류 패드(VDP) 위에 형성된 게이트 패드 단자(GPT), 데이터 패드 단자(DPT) 그리고 구동 전류 패드 단자(VDPT)가 각각 형성된다. 표시 영역 내에서 특히 화소 영역을 제외한 기판(SUB) 위에 뱅크(BA)가 형성된다. 그리고, 뱅크(BA)의 일부 상부에는 스페이서(SP)를 더 형성한다.An anode electrode ANO is formed on the planarizing film PL in contact with the drain electrode DD of the driving TFT DT through the contact hole. The gate pad GP, the data pad DP, and the gate formed on the driving current pad VDP, which are exposed through the contact holes formed in the passivation film PAS, are formed on the outer peripheral portion of the display region where the planarization film PL is not formed. A pad terminal GPT, a data pad terminal DPT, and a driving current pad terminal VDPT, respectively. The bank BA is formed on the substrate SUB except for the pixel region in the display region. A spacer SP is further formed on a part of the bank BA.

상기와 같은 구조를 갖는 박막트랜지스터 기판 위에 스페이서(SP)를 사이에 두고 일정 간격을 유지하여 캡(ENC)이 합착된다. 이 경우, 박막트랜지스터 기판과 캡(ENC)은 그 사이에 유기 접합층(POLY)을 개재하여 완전 밀봉 합착하도록 하는 것이 바람직하다. 게이트 패드(GP) 및 게이트 패드 단자(GPT) 그리고 데이터 패드(DP) 및 데이터 패드 단자(DPT)는 캡(ENC) 외부에 노출되어 각종 연결 수단을 통해 외부에 설치되는 장치와 연결된다.The encapsulation (ENC) is attached on the thin film transistor substrate having the above-described structure while keeping the spacers SP therebetween at regular intervals. In this case, it is preferable that the thin film transistor substrate and the cap (ENC) are completely sealed together by interposing an organic bonding layer (POLY) therebetween. The gate pad GP and the gate pad terminal GPT and the data pad DP and the data pad terminal DPT are exposed to the outside of the cap ENC and connected to an external device through various connecting means.

이와 같은 구조를 갖는 유기전계발광 표시장치에서, 기본적인 전압을 갖는 캐소드 전극이 표시 패널의 기판 전체 표면에 걸쳐 도포되는 구조를 갖는다. 캐소드 전극을 비 저항 값이 낮은 금속 물질로 형성할 경우에는 큰 문제가 없지만, 투과도를 확보하기 위해 투명 도전물질로 형성하는 경우, 면 저항이 커져서 화질에 문제가 발생할 수 있다.In an organic light emitting display having such a structure, a cathode electrode having a basic voltage is applied over the entire surface of the substrate of the display panel. When the cathode electrode is formed of a metal material having a low specific resistance value, there is no serious problem. However, when the cathode electrode is formed of a transparent conductive material in order to secure the transmittance, the surface resistance may become large and the image quality may be deteriorated.

예를 들어, 캐소드 전극에 투명한 도전물질이나 금속보다 비 저항이 큰 물질인 인듐-주석 산화물 혹은 인듐-아연 산화물을 포함할 경우, 면 저항이 커진다. 그러면, 캐소드 전극이 표시 패널 전체 면적에 걸쳐 일정한 전압 값을 갖지 못하는 문제가 발생한다. 특히, 대면적 유기전계발광 표시장치로 개발할 경우, 전체 화면에 걸쳐서 표시장치의 휘도가 불균일 해지는 현상이 더욱 중요한 문제로 대두될 수 있다.For example, when the cathode electrode contains indium-tin oxide or indium-zinc oxide, which is a transparent conductive material or a material having a higher resistivity than metal, the surface resistance becomes large. Then, there arises a problem that the cathode electrode does not have a constant voltage value over the entire area of the display panel. In particular, when the organic electroluminescent display device is developed as a large area organic electroluminescent display device, the phenomenon that the brightness of the display device becomes uneven over the entire screen may become more important.

본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출 된 발명으로서, 표시 면적 전체에 걸쳐 기저 전압에 차이가 없이 균일한 값을 갖도록 분포한 유기전계발광 표시장치를 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은, 캐소드 전극 전체 면적에 걸쳐 면 저항을 낮게 유지하도록, 기판 면적에 대응하는 보조 캐소드 전극을 더 구비한 유기전계발광 표시장치를 제공하는 데 있다. 본 발명의 또 다른 목적은, 기판 전체 면적에 대응하여 배치되며, 캐소드 전극과 접촉 거리가 짧게 배치된 접촉점을 통해 전기적으로 연결된 보조 캐소드 전극을 더 구비한 유기전계발광 표시장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an organic electroluminescent display device which is distributed in such a manner as to have a uniform value across a display area without any difference in base voltage. Another object of the present invention is to provide an organic electroluminescent display device further comprising an auxiliary cathode electrode corresponding to a substrate area so as to maintain a low surface resistance over the entire area of the cathode electrode. It is still another object of the present invention to provide an organic light emitting display device including an auxiliary cathode electrode electrically connected to a cathode electrode through a contact point having a short contact distance with the cathode electrode.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 유기전계발광 표시장치는, 매트릭스 방식으로 배열된 복수 개의 화소 영역들이 정의된 표시 영역 및 상기 표시 영역 주변에 배치된 비 표시 영역을 구비하는 기판; 상기 각 화소 영역 내에서 섬 모양으로 형성된 제1 전극; 상기 제1 전극과 일정 거리 이격하여, 상기 표시 영역 전체에 걸쳐 배치된 보조 캐소드 전극; 상기 제1 전극 위에 적층된 유기발광층; 그리고 상기 유기발광층 위에서 상기 제1 전극과 대향하여 상기 표시 영역 전체를 덮도록 도포되고, 상기 보조 캐소드 전극과 접촉하는 제2 전극을 포함한다.In order to achieve the above object, an organic light emitting display according to the present invention includes: a substrate having a display region defined by a plurality of pixel regions arranged in a matrix manner; and a non-display region disposed around the display region; A first electrode formed in an island shape in each pixel region; An auxiliary cathode electrode spaced apart from the first electrode by a predetermined distance and disposed over the entire display region; An organic light emitting layer stacked on the first electrode; And a second electrode formed on the organic light emitting layer so as to cover the entire display area opposite to the first electrode and in contact with the auxiliary cathode electrode.

상기 기판 위에서 상기 각 화소 영역 내에 형성된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터를 덮으며, 상기 제1 전극 및 상기 보조 캐소드 전극이 그 상부 표면에 형성되는 평탄화 막; 상기 평탄화 막을 덮으며, 상기 제1 전극의 일부를 노출하는 발광 영역과 상기 보조 캐소드 전극의 일부를 노출하는 캐소드 콘택홀이 형성된 뱅크를 더 포함하고, 상기 유기발광층은 상기 발광 영역에 도포되며, 상기 제2 전극은 상기 뱅크 위에 도포되며, 상기 발광 영역에 형성된 상기 유기발광층과 접촉하고, 상기 캐소드 콘택홀을 통해 상기 제2 전극과 접촉하는 것을 특징으로 한다.A thin film transistor formed in each of the pixel regions on the substrate; A planarization layer covering the thin film transistor and having the first electrode and the auxiliary cathode electrode formed on an upper surface thereof; And a bank having a light emitting region for covering a part of the first electrode and a cathode contact hole for exposing a part of the auxiliary cathode electrode, the organic light emitting layer being applied to the light emitting region, A second electrode is applied on the bank and is in contact with the organic light emitting layer formed in the light emitting region and in contact with the second electrode through the cathode contact hole.

상기 비 표시 영역에서 상기 기판의 최 외곽부에 배치된 기저 배선을 더 포함하고, 상기 보조 캐소드 전극은 상기 비 표시 영역까지 연장되어 상기 기저 배선과 접촉하며, 상기 캐소드 콘택홀은 상기 비 표시 영역에 형성된 상기 보조 캐소드 전극의 일부를 노출하는 제1 캐소드 콘택홀을 포함하는 것을 특징으로 한다.The non-display region includes a base wiring disposed in an outermost portion of the substrate in the non-display region, the auxiliary cathode electrode extending to the non-display region and contacting the base wiring, And a first cathode contact hole exposing a part of the formed auxiliary cathode electrode.

상기 비 표시 영역에서 상기 기판의 최 외곽부에 배치된 기저 배선을 더 포함하고, 상기 보조 캐소드 전극은 상기 비 표시 영역까지 연장되어 상기 기저 배선과 접촉하며, 상기 캐소드 콘택홀은 상기 화소 영역 내에 형성된 상기 보조 캐소드 전극의 일부를 노출하는 제2 캐소드 콘택홀을 포함하는 것을 특징으로 한다.And a base line disposed at an outermost portion of the substrate in the non-display region, wherein the auxiliary cathode electrode extends to the non-display region and contacts the base line, and the cathode contact hole is formed in the pixel region And a second cathode contact hole exposing a part of the auxiliary cathode electrode.

상기 비 표시 영역에서 상기 기판의 최 외곽부에 배치된 기저 배선을 더 포함하고, 상기 보조 캐소드 전극은 상기 비 표시 영역까지 연장되어 상기 기저 배선과 접촉하며, 상기 캐소드 콘택홀은 상기 비 표시 영역에 형성된 상기 보조 캐소드 전극의 일부를 노출하는 제1 캐소드 콘택홀 및 상기 화소 영역 내에 형성된 상기 보조 캐소드 전극의 일부를 노출하는 제2 캐소드 콘택홀을 포함하는 것을 특징으로 한다.The non-display region includes a base wiring disposed in an outermost portion of the substrate in the non-display region, the auxiliary cathode electrode extending to the non-display region and contacting the base wiring, A first cathode contact hole exposing a part of the auxiliary cathode electrode and a second cathode contact hole exposing a part of the auxiliary cathode electrode formed in the pixel region.

또한, 본 발명에 의한 유기전계발광 표시장치는, 매트릭스 방식으로 배열된 다수 개의 화소 영역을 정의하는 기판; 상기 각 화소 영역 내에 형성된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 상기 화소 영역의 일부에 형성된 제1 전극; 상기 제1 전극과 일정 거리 이격하여 상기 제1 전극을 둘러싸는 상기 화소 영역의 나머지 영역에 형성된 보조 캐소드 전극; 상기 제1 전극의 일부를 노출하는 발광 영역과, 상기 보조 캐소드 전극의 일부를 노출하는 제1 캐소드 콘택홀을 구비한 뱅크; 상기 발광 영역에 형성된 유기발광층; 그리고 상기 뱅크 위에서 상기 화소 영역 전체에 걸쳐 도포되어, 상기 유기발광층과 접촉하며, 상기 제1 캐소드 콘택홀을 통해 상기 보조 캐소드 전극과 접촉하는 제2 전극을 포함한다.Also, an organic light emitting display device according to the present invention includes: a substrate defining a plurality of pixel regions arranged in a matrix manner; A thin film transistor formed in each pixel region; A first electrode connected to the thin film transistor and formed in a part of the pixel region; An auxiliary cathode electrode spaced apart from the first electrode and formed in a remaining region of the pixel region surrounding the first electrode; A bank having a light emitting region for exposing a part of the first electrode and a first cathode contact hole for exposing a part of the auxiliary cathode electrode; An organic light emitting layer formed in the light emitting region; And a second electrode which is applied over the entire pixel region on the bank, is in contact with the organic light emitting layer, and contacts the auxiliary cathode electrode through the first cathode contact hole.

상기 기판은 상기 화소 영역의 주변에 배치된 비 표시 영역; 그리고 상기 비 표시 영역에 배치된 기저 배선을 더 포함하고, 상기 보조 캐소드 전극은 상기 비 표시 영역까지 연장되어 상기 기저 배선과 접촉하는 것을 특징으로 한다.The substrate includes a non-display region disposed in the periphery of the pixel region; And a base wiring disposed in the non-display region, wherein the auxiliary cathode electrode extends to the non-display region and is in contact with the base wiring.

상기 뱅크는 상기 비 표시 영역까지 연장되어 도포되고, 상기 비 표시 영역에 형성된 상기 보조 캐소드 전극의 일부를 노출하는 제2 캐소드 콘택홀을 더 포함하며, 상기 제2 전극은 상기 제2 캐소드 콘택홀을 통해 상기 보조 캐소드 전극과 접촉하는 것을 특징으로 한다.The bank further includes a second cathode contact hole extended to the non-display region and exposed to a part of the auxiliary cathode electrode formed in the non-display region, and the second electrode includes the second cathode contact hole And the cathode electrode is in contact with the auxiliary cathode electrode.

본 발명에 의한 유기전계발광 표시장치는 비 저항값이 낮은 은 혹은 알루미늄과 같은 금속물질을 포함하는 애노드 전극을 형성할 때, 애노드 전극과 일정 거리 이격하되, 기판 전체에 걸쳐 배치되어 캐소드 전극과 접촉하는 보조 캐소드 전극을 더 형성한다. 이로써, 캐소드 전극의 면 저항을 더 낮출 수 있다. 따라서, 표시 패널 전체에 걸쳐 밝기 분포에 차이가 없이 균일한 휘도를 갖는 유기전계발광 표시장치를 얻을 수 있다. 특히, 유기전계발광 표시장치를 대면적으로 제조하더라도, 전체 면적에 걸쳐 기저 전압의 값을 편차 없이 균일하게 확보할 수 있다. The organic light emitting display device according to the present invention is characterized in that when forming the anode electrode including a metal material such as silver or aluminum having a low specific resistance value, the organic light emitting display device is disposed at a distance from the anode electrode, Is formed. Thereby, the surface resistance of the cathode electrode can be further lowered. Therefore, an organic light emitting display device having uniform brightness over the entire display panel without a difference in brightness distribution can be obtained. In particular, even if the organic electroluminescence display device is manufactured in a large area, the value of the base voltage can be uniformly ensured over the entire area without any deviation.

도 1은 종래 기술에 의한 능동소자인 박막 트랜지스터를 이용한 유기전계발광 표시장치의 구조를 나타내는 평면도.
도 2는 도 1에서 절취선 II-II'로 자른 단면으로 종래 기술에 의한 유기전계발광 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 의한 유기전계발광 표시장치의 개략적인 구조를 나타내는 평면 확대도.
도 4는 도 3에서 절취선 I-I'으로 자른 도면으로 본 발명의 제1 실시 예에 의한 유기전계발광 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기전계발광 표시장치의 개략적인 구조를 나타내는 평면 확대도.
도 6은 도 5에서 절취선 II-II'으로 자른 도면으로 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기전계발광 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.1 is a plan view showing a structure of an organic light emitting display device using a thin film transistor which is an active device according to the related art.
FIG. 2 is a sectional view cut along the cutting line II-II 'in FIG. 1, showing a structure of a conventional organic light emitting display device.
3 is a plan enlarged view showing a schematic structure of an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view of the organic light emitting display according to the first embodiment of the present invention, taken along the cutting line I-I 'in FIG. 3;
5 is a plan enlarged view showing a schematic structure of an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line II-II 'in FIG. 5, and is a cross-sectional view illustrating the structure of an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. Like reference numerals throughout the specification denote substantially identical components. In the following description, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. In addition, the component names used in the following description may be selected in consideration of easiness of specification, and may be different from the parts names of actual products.

도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 의한 유기전계발광 표시장치의 개략적인 구조를 나타내는 평면 확대도이다. 도 4는 도 3에서 절취선 I-I'으로 자른 도면으로 본 발명의 제1 실시 예에 의한 유기전계발광 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다. 도 3 및 4를 참조하여, 본 발명의 제1 실시 예에 대하여 설명한다.3 is an enlarged plan view showing a schematic structure of an organic light emitting display according to a first embodiment of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view of the organic light emitting display according to the first embodiment of the present invention, taken along the cutting line I-I 'in FIG. The first embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 3 and 4. Fig.

먼저, 도 3을 참조하여, 평면상에서의 구조에 대하여 설명한다. 본 발명의 제1 실시 예에 의한 유기전계발광 표시장치는 영상 정보를 표시하는 표시 영역(AA)과, 표시 영역(AA)을 구동하기 위한 여러 소자들이 배치되는 비 표시 영역(NA)으로 구분된 기판(SUB)을 포함한다. 표시 영역(AA)에는 매트릭스 방식으로 배열된 복수 개의 화소 영역(PA)들이 정의된다. 도 3에서는 점선으로 화소 영역(PA)들을 표시하였다.First, the structure on a plane will be described with reference to FIG. The organic light emitting display according to the first embodiment of the present invention includes a display area AA for displaying image information and a non-display area NA in which various elements for driving the display area AA are arranged. And a substrate SUB. A plurality of pixel areas PA arranged in a matrix manner are defined in the display area AA. In FIG. 3, the pixel regions PA are indicated by dotted lines.

예를 들어, NxM 방식의 장방형으로 화소 영역(PA)들이 정의될 수 있다. 하지만, 반드시 이러한 방식에만 국한되는 것이 아니고, 다양한 방식으로 배열될 수도 있다. 각 회소 영역들이 동일한 크기를 가질 수도 있고, 서로 다른 크기를 가질 수도 있다. 또한, RGB 색상을 나타내는 세 개의 서브 화소를 하나의 단위로 하여, 규칙적으로 배열될 수도 있다. 가장 단순한 구조로 설명하면, 화소 영역(PA)들은 가로 방향으로 진행하는 복수 개의 게이트 배선(GL)들과 세로 방향으로 진행하는 복수 개의 데이터 배선(DL)들 및 구동 전류 배선(VDD)들의 교차 구조로 정의할 수 있다.For example, pixel regions PA can be defined in a rectangle of the NxM system. However, it is not necessarily limited to this method, but may be arranged in various ways. Each of the area areas may have the same size or different sizes. In addition, three sub-pixels representing RGB colors may be regularly arranged as one unit. In the simplest structure, the pixel regions PA include a plurality of gate lines GL extending in the horizontal direction, a plurality of data lines DL and a plurality of driving current lines VDD extending in the vertical direction, .

화소 영역(PA)의 외주부에 정의된, 비 표시 영역(NA)에는 데이터 배선(DL)들에 화상 정보에 해당하는 신호를 공급하기 위한 데이터 구동부(혹은, Data Driving Integrated Circuit)(DIC)과, 게이트 배선(GL)들에 스캔 신호를 공급하기 위한 게이트 구동부(혹은, Gate Driving Integrated Circuit)(GIP)이 배치될 수 있다. 데이터 배선(DL)들 및 구동 전류 배선(VDD)들의 개수가 많아지는, VGA급보다 더 높은 고 해상도의 경우에는 데이터 구동부(DIC)는 기판(SUB)의 외부에 실장하고, 데이터 구동부(DIC) 대신에 데이터 접속 패드들이 배치될 수도 있다.A data driving unit (DIC) for supplying a signal corresponding to image information to the data lines DL is formed in the non-display area NA defined at the outer periphery of the pixel area PA, A gate driving unit (GIP) for supplying a scan signal to the gate lines GL may be disposed. The data driver DIC is mounted on the outside of the substrate SUB and the data driver DIC is mounted on the outside of the substrate SUB when the number of the data lines DL and the driving current lines VDD increases, Instead, data connection pads may be disposed.

표시장치의 구조를 단순하게 하기 위해, 게이트 구동부(GIP)는, 기판(SUB)의 일측 부에 직접 형성하는 것이 바람직하다. 그리고, 기판(SUB)의 최 외곽부에는 기저 전압을 공급하는 기저 배선(Vss)이 배치된다. 기저 배선(Vss)은 기판(SUB)의 외부에서 공급되는 기저 전압(Ground Voltage)을 인가받아, 데이터 구동부(DIC) 및 게이트 구동부(GIP)에 모두 기저 전압을 공급하도록 배치하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 기전 배선(Vss)은 기판(SUB)의 상부 측변에 배치된 데이터 구동부(DIC)에 연결되고, 기판(SUB)의 좌측 및/또는 우측 변에 배치된 게이트 구동부(GIP)의 외측에서 기판을 감싸듯이 배치될 수 있다.In order to simplify the structure of the display device, the gate driver GIP is preferably formed directly on one side of the substrate SUB. A base wire (Vss) for supplying a base voltage is disposed at the outermost portion of the substrate (SUB). It is preferable that the ground wiring Vss is arranged to receive a ground voltage supplied from the outside of the substrate SUB and to supply a base voltage to both the data driving unit DIC and the gate driving unit GIP. For example, the induced wiring Vss is connected to the data driver DIC disposed on the upper side of the substrate SUB, and the gate driver GIP disposed on the left and / or right side of the substrate SUB As shown in FIG.

각 화소 영역(PA)에는 유기전계발광 표시장치의 핵심 구성 요소들인 유기발광 다이오드와 유기발광 다이오드를 구동하기 위한 박막 트랜지스터들이 배치된다. 박막 트랜지스터들은 화소 영역(PA)의 일측 부에 정의된 박막 트랜지스터 영역(TA)에 형성될 수 있다. 유기발광 다이오드는 애노드 전극(ANO)과 캐소드 전극(CAT) 그리고, 두 전극들 사이에 개재된 유기발광층을 포함한다. 실제로 발광하는 영역은 애노드 전극(ANO)과 중첩하는 유기발광층의 면적에 의해 결정된다.In each pixel region PA, organic light emitting diodes (OLEDs), which are core components of the organic light emitting display, and thin film transistors for driving the organic light emitting diodes are disposed. The thin film transistors may be formed in the thin film transistor region TA defined at one side of the pixel region PA. The organic light emitting diode includes an anode electrode (ANO), a cathode electrode (CAT), and an organic light emitting layer interposed between the two electrodes. The region where light is actually emitted is determined by the area of the organic light emitting layer overlapping with the anode electrode ANO.

애노드 전극(ANO)은 화소 영역(PA) 중에서 일부 영역을 차지하도록 형성되며, 박막 트랜지스터 영역(TA)에 형성된 박막 트랜지스터와 연결된다. 애노드 전극(ANO) 위에 유기발광층을 도포하는데, 애노드 전극(ANO)과 유기발광층이 중첩된 영역이 실제 발광 영역으로 결정된다. 캐소드 전극(CAT)은 유기발광층 위에서 적어도 화소 영역(PA)들이 배치된 표시 영역(NA)의 면적을 모두 덮을 정도로 도포하여 형성한다. 캐소드 전극(CAT)은 기저 전압을 인가받고, 애노드 전극(ANO)은 화상 전압을 인가 받아, 그 사이의 전압차이에 의해 유기발광층에서 빛이 발광하여 화상 정보를 표시한다.The anode electrode ANO is formed to occupy a part of the pixel region PA and is connected to the thin film transistor formed in the thin film transistor region TA. The organic light emitting layer is applied on the anode electrode ANO, and the region where the anode electrode ANO and the organic light emitting layer overlap is determined as the actual light emitting region. The cathode electrode CAT is formed by coating on the organic light emitting layer so as to cover at least the area of the display area NA where at least the pixel areas PA are disposed. The cathode electrode CAT receives the base voltage, the anode electrode ANO receives the image voltage, and the organic light emitting layer emits light by the voltage difference therebetween to display the image information.

캐소드 전극(CAT)은 인듐-주석 산화물(Indium Tin Oxide) 혹은 인듐-아연 산화물(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 도전 물질로 형성한다. 이와 같은 투명 도전물질은 금속 물질보다는 비 저항 값이 높은 편이다. 따라서, 기판(SUB) 전체 면적에 대응하도록 도포할 경우, 면 저항이 커지는 문제가 발생할 수 있다. 특히, 대면적 유기발광 표시장치의 경우, 면 저항 값은 더욱 커진다. 이로 인해, 기저 전압이 기판(SUB) 전체 면에 걸쳐 일정하지 못할 수 있다. 예를 들어, 기판(SUB)으로 인가되는 기저 전압이 들어오는 쪽인 인입 측변에서의 기저 전압 값과 인입 측변에서 가장 멀리 떨어진 대향 측변에서의 기저 전압 값의 편차가 커져, 화면의 밝기가 일정하지 않을 수 있다.The cathode electrode (CAT) is formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (ITO). Such a transparent conductive material has a higher resistivity than a metal material. Therefore, when the coating is performed so as to correspond to the entire area of the substrate SUB, the problem of increased surface resistance may arise. Particularly, in the case of a large area organic light emitting display device, the surface resistance value becomes larger. As a result, the base voltage may not be constant over the entire surface of the substrate SUB. For example, if the deviation between the base voltage value at the incoming side side, which is the base voltage applied to the substrate SUB, and the base voltage value at the opposite side farthest from the incoming side, becomes large and the brightness of the screen is not constant have.

이를 방지하기 위해, 본 발명에서는, 은(Ag)과 같이 비 저항이 낮은 금속 물질을 포함하는 애노드 전극(ANO)을 형성할 때, 보조 캐소드 전극(AC)을 더 형성한다. 예를 들어, 애노드 전극(ANO)은 개별 화소 영역(PA) 내에서 섬 모양으로 형성한다. 한편, 애노드 전극(ANO)과 일정 거리 이격하되, 표시 영역(NA) 전체에 걸쳐서 연결된 보조 캐소드 전극(AC)을 형성한다. 특히, 보조 캐소드 전극(AC)은 게이트 구동부(GIP)를 넘어 기판(SUB)의 외측부에 배치된 기저 배선(Vss)와 접촉한다. 또한 보조 캐소드 전극(AC)은, 나중에 표시 영역 전체 면에 형성되는 캐소드 전극(CAT)과 접촉하여 전기적으로 연결한다.In order to prevent this, in the present invention, when forming the anode electrode ANO including a metal material having a low resistivity such as silver (Ag), the auxiliary cathode electrode AC is further formed. For example, the anode electrode ANO is formed in an island shape in the individual pixel region PA. On the other hand, an auxiliary cathode electrode AC is formed which is spaced apart from the anode electrode ANO by a predetermined distance and is connected to the entire display area NA. In particular, the auxiliary cathode electrode AC contacts the base wiring Vss disposed on the outer side of the substrate SUB beyond the gate driving portion GIP. Further, the auxiliary cathode electrode (AC) is electrically connected to the cathode electrode (CAT) formed later on the entire surface of the display area.

좀 더 구체적으로 설명하면, 은과 투명 도전 물질을 순차적으로 적층한 도전층을 기판(SUB) 전체에 도포하고 패턴하여, 화소 영역들(PA)을 모두 덮으며, 게이트 구동부(GIP)를 넘어 기저 배선(Vss)와 접촉하는 보조 캐소드 전극(AC)을 형성한다. 그리고 보조 캐소드 전극(AC) 중에서 각 화소 영역(PA)에 정의된 발광 영역에 대응하는 섬 모양을 갖고, 박막 트랜지스터와 연결된 애노드 전극(ANO)을 형성한다. 애노드 전극(ANO)은 보조 캐소드 전극(AC)와 일정 거리 이격하여 서로 전기적으로 단락되지 않도록 고립된 형상을 갖는다.More specifically, a conductive layer in which silver and a transparent conductive material are sequentially stacked is applied to the entire substrate SUB and patterned to cover all of the pixel areas PA, Thereby forming an auxiliary cathode electrode AC in contact with the wiring Vss. And an anode electrode ANO having an island shape corresponding to a light emitting region defined in each pixel region PA of the auxiliary cathode electrode AC and connected to the thin film transistor. The anode electrode ANO is isolated from the auxiliary cathode electrode AC by a predetermined distance so as not to be electrically short-circuited to each other.

도 4를 더 참조하여, 제1 실시 예에 의한 유기발광 표시장치의 단면 구조를 더 상세히 설명한다. 기판(SUB) 위에 게이트 구동부(GIP)와 기저 배선(Vss)이 배치되는 비 표시 영역(NA), 그리고 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 구동 박막 트랜지스터(DT) 및 유기발광 다이오드(OLE)가 형성되는 표시 영역(AA)이 정의된다.The cross-sectional structure of the OLED display according to the first embodiment will be described in further detail with reference to FIG. A non-display area NA where a gate driver GIP and a base wire Vss are disposed on a substrate SUB and a switching thin film transistor ST, a driving thin film transistor DT and an organic light emitting diode OLE are formed A display area AA is defined.

게이트 구동부(GIP)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST) 및 구동 박막 트랜지스터(DT)를 형성하는 과정에서 함께 형성한 박막 트랜지스터를 구비할 수 있다. 화소 영역(PA)에 형성된 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 게이트 전극(SG), 게이트 절연막(GI), 채널층(SA), 소스 전극(SS) 및 드레인 전극(SD)을 포함한다. 또한, 구동 박막 트랜지스터(DT)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG), 게이트 절연막(GI), 채널층(DA), 소스 전극(DS) 및 드레인 전극(DD)을 포함한다.The gate driver GIP may include a thin film transistor formed in the process of forming the switching thin film transistor ST and the driving thin film transistor DT. The switching thin film transistor ST formed in the pixel region PA includes a gate electrode SG, a gate insulating film GI, a channel layer SA, a source electrode SS and a drain electrode SD. The driving thin film transistor DT includes a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching thin film transistor ST, a gate insulating film GI, a channel layer DA, a source electrode DS and a drain electrode DD).

박막 트랜지스터들(ST, DT) 위에는 보호막(PAS)과 평탄화막(PL)이 연속으로 도포된다. 평탄화막(PL) 위에는 화소 영역(PA) 내의 일정 부분만을 차지하는 고립된 장방형의 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 애노드 전극(ANO)은 보호막(PAS) 및 평탄화막(PL)을 관통하는 콘택홀을 통해 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(DD)과 접촉한다.A protective film PAS and a planarizing film PL are continuously applied on the thin film transistors ST and DT. On the planarizing film PL, an isolated rectangular anode electrode ANO occupying only a certain portion in the pixel region PA is formed. The anode electrode ANO is in contact with the drain electrode DD of the driving thin film transistor DT through the contact hole passing through the protective film PAS and the flattening film PL.

또한, 애노드 전극(ANO)과 동일한 물질로, 애노드 전극(ANO)과는 일정거리 이격하는 보조 캐소드 전극(AC)을 형성한다. 보조 캐소드 전극(AC)은 평탄화 막(PL) 위에서 적어도 화소 영역(PA)을 모두 덮는 형상을 갖는다. 또한, 비 표시 영역(NA) 중에서 게이트 구동부(GIP)를 덮는 평탄화막(PL) 위에도 연장되어 기저 배선(Vss)과 접촉하도록 형성한다.Further, the auxiliary cathode electrode AC is formed with the same material as the anode electrode ANO and spaced apart from the anode electrode ANO by a certain distance. The auxiliary cathode electrode AC has a shape covering at least the pixel area PA on the planarizing film PL. Further, the non-display region NA is formed on the planarizing film PL covering the gate driver GIP so as to be in contact with the base wiring Vss.

기저 배선(Vss)은 게이트 전극(G)과 동일한 물질로 동일한 층에 형성할 수도 있다. 이 경우, 기저 배선(Vss)을 덮는 보호막(PAS)을 관통하는 콘택홀을 통해 보조 캐소드 전극(AC)과 접촉할 수 있다. 또 다른 방법으로, 기저 배선(Vss)은 소스-드레인(SS-SD, DS-DD) 전극과 동일한 물질로 동일한 층에 형성할 수도 있다. 이 경우, 기저 배선(Vss)은 보호막(PAS) 및 게이트 절연막(GI)을 관통하는 콘택홀을 통해 보조 캐소드 전극(AC)과 접촉할 수 있다.The base wiring Vss may be formed on the same layer with the same material as the gate electrode G. [ In this case, it is possible to contact the auxiliary cathode electrode AC through the contact hole penetrating the protective film PAS covering the base wiring Vss. Alternatively, the base wire Vss may be formed on the same layer with the same material as the source-drain (SS-SD, DS-DD) electrode. In this case, the base wiring Vss can contact the auxiliary cathode electrode AC through the contact hole penetrating the protective film PAS and the gate insulating film GI.

애노드 전극(ANO) 및 보조 캐소드 전극(AC) 위에는 뱅크(BA)가 도포된다. 뱅크(BA)를 패턴하여, 애노드 전극(ANO)의 대부분을 노출한다. 또한, 보조 캐소드 전극(AC)의 일부를 노출하는 캐소드 콘택홀(CHC)을 형성한다. 캐소드 콘택홀(CHC)은 비 표시 영역(NA)에 형성하는 것이 바람직하다. 뱅크(BA) 패턴에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에는 유기발광층(OL)을 도포한다. 뱅크(BA) 위에는 투명 도전 물질을 도포하여, 캐소드 전극(CAT)을 형성한다. 이로써, 애노드 전극(ANO), 유기발광층(OL) 및 캐소드 전극(CAT)을 포함하는 유기발광 다이오드(OLE)가 형성된다.A bank BA is applied on the anode electrode ANO and the auxiliary cathode electrode AC. The bank BA is patterned to expose most of the anode electrode ANO. Further, a cathode contact hole CHC exposing a part of the auxiliary cathode electrode AC is formed. The cathode contact hole CHC is preferably formed in the non-display area NA. The organic light emitting layer OL is coated on the anode electrode ANO exposed by the bank BA pattern. On the bank BA, a transparent conductive material is applied to form a cathode electrode (CAT). Thereby, an organic light emitting diode (OLE) including the anode electrode ANO, the organic light emitting layer OL, and the cathode electrode CAT is formed.

또한, 캐소드 전극(CAT)은 캐소드 콘택홀(CHC)을 통해, 보조 캐소드 전극(AC)와 접촉한다. 결국, 기저 전압은 기저 배선(Vss)을 통해 보조 캐소드 전극(AC)으로 전달되고, 다시 캐소드 전극(CAT)로 전달된다. 특히, 대면적 유기발광 표시장치를 구현하는 경우, 캐소드 전극(CAT)의 면적이 커지더라도, 은을 포함하며, 캐소드 전극(CAT)의 면적에 대응하는 면적을 갖는 보조 캐소드 전극(AC)에 의해 면 저항이 낮아지므로, 전체 면적에 걸쳐서, 기저 전압 값이 일정하게 유지될 수 있다.Further, the cathode electrode (CAT) is in contact with the auxiliary cathode electrode (AC) through the cathode contact hole (CHC). As a result, the base voltage is transmitted to the auxiliary cathode electrode AC through the base line Vss and then to the cathode electrode CAT. Particularly, in the case of implementing a large area organic light emitting display, even if the area of the cathode electrode (CAT) is increased, by the auxiliary cathode electrode AC having the area corresponding to the area of the cathode electrode (CAT) Since the surface resistance is lowered, the base voltage value can be kept constant over the entire area.

제1 실시 예에서는, 캐소드 콘택홀(CHC)이 비 표시 영역(NA)에 배치되도록 형성하였다. 보조 캐소드 전극(AC)의 낮은 비 저항성이 캐소드 전극(CAT)에 효과적으로 영향을 줄 수 있도록 하기 위해서는, 캐소드 전극(CAT)이 보조 캐소드 전극(AC)과 접촉하는 면적을 더 넓게 하거나, 더 많은 접촉점을 갖는 것이 필요할 수 있다. 제2 실시 예에서는 캐소드 콘택홀을 다양하게 배치하는 경우에 대하여 설명한다.In the first embodiment, the cathode contact holes CHC are formed so as to be disposed in the non-display area NA. In order to allow the low non-resistivity of the auxiliary cathode electrode AC to effectively affect the cathode electrode CAT, the area in which the cathode electrode CAT contacts the auxiliary cathode electrode AC is widened, Lt; / RTI > In the second embodiment, the case where the cathode contact holes are arranged in various ways will be described.

도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기전계발광 표시장치의 개략적인 구조를 나타내는 평면 확대도이다. 도 6은 도 5에서 절취선 II-II'으로 자른 도면으로 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기전계발광 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.5 is an enlarged plan view showing a schematic structure of an organic light emitting display according to a second embodiment of the present invention. FIG. 6 is a cross-sectional view of the organic light emitting display according to the second embodiment of the present invention, taken along the cutting line II-II 'in FIG.

도 5 및 6을 참조하면, 제2 실시 예는 기본적으로 거의 모든 구성 요소 및 그 구성 요소들의 상관 관계가 제1 실시 예와 동일하다. 차이가 있다면, 캐소드 전극(CAT)과 보조 캐소드 전극(AC)을 연결하는 캐소드 콘택홀의 배치에 차이가 있다.Referring to Figs. 5 and 6, the second embodiment is basically the same as the first embodiment in the correlation of almost all the components and their components. There is a difference in the arrangement of the cathode contact holes connecting the cathode electrode (CAT) and the auxiliary cathode electrode (AC).

제2 실시 예에서는, 보조 캐소드 전극(AC)을 통해 캐소드 전극(CAT)의 면 저항을 더욱 효과적으로 낮추기 위한 구조를 제시하고자 한다. 특히, 대면적 유기발광 표시장치를 제조하는 경우, 캐소드 전극(CAT)의 면적이 그만큼 더 넓어진다. 이에 따라, 캐소드 전극(CAT)의 면 저항이 더욱 커지기 때문에, 표시장치 전체 면적에 걸쳐 밝기 차이가 더욱 심하게 발생할 수 있다. 이를 방지하기 위해서는 캐소드 전극(CAT)과 보조 캐소드 전극(AC)이 접촉하는 접촉점에서의 접촉 저항을 낮추어야 할 필요가 있다. 또한, 다수 개의 접촉점을 갖는 경우, 캐소드 전극(CAT)의 어느 임의의 점에서 보조 캐소드 전극(AC)과의 각 접촉점들까지의 거리가 균일한 것이 바람직하다. 더구나, 캐소드 전극(CAT)과 보조 캐소드 전극(AC)의 연결 거리가 가급적 짧은 것이 바람직하다.In the second embodiment, a structure for more effectively lowering the surface resistance of the cathode electrode CAT through the auxiliary cathode electrode AC is proposed. Particularly, when a large area organic light emitting display is manufactured, the area of the cathode electrode (CAT) becomes much wider. Accordingly, since the surface resistance of the cathode electrode CAT is further increased, a difference in brightness can be more seriously generated over the entire area of the display device. In order to prevent this, it is necessary to lower the contact resistance at the contact point where the cathode electrode (CAT) and the auxiliary cathode electrode (AC) are in contact with each other. Further, in the case of having a plurality of contact points, it is preferable that the distance to each of the contact points with the auxiliary cathode electrode AC at any arbitrary point of the cathode electrode CAT is uniform. In addition, it is preferable that the connection distance between the cathode electrode CAT and the auxiliary cathode electrode AC is as short as possible.

이를 위해, 제2 실시 예에서는 각 화소 영역(PA)들 내에서 캐소드 전극(CAT)과 보조 캐소드 전극(AC)을 연결하는 제2 캐소드 콘택홀(CH2)을 더 구비하는 것을 특징으로 한다. 여기서는, 제1 실시 예와 차이가 있는 부분과 주요 구성 요소들에 대해 중점적으로 설명한다.To this end, the second embodiment further includes a second cathode contact hole (CH2) connecting the cathode electrode (CAT) and the auxiliary cathode electrode (AC) in each of the pixel regions (PA). Here, the difference between the first embodiment and the main components will be mainly described.

본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기전계발광 표시장치는 영상 정보를 표시하는 표시 영역(AA)과, 표시 영역(AA)을 구동하기 위한 여러 소자들이 배치되는 비 표시 영역(NA)으로 구분된 기판(SUB)을 포함한다. 표시 영역(AA)에는 매트릭스 방식으로 배열된 복수 개의 화소 영역(PA)들이 정의된다. 즉, 기판(SUB) 위에 게이트 구동부(GIP)와 기저 배선(Vss)이 배치되는 비 표시 영역(NA), 그리고 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 구동 박막 트랜지스터(DT) 및 유기발광 다이오드(OLE)가 형성되는 표시 영역(AA)이 정의된다.The organic light emitting display according to the second embodiment of the present invention includes a display area AA for displaying image information and a non-display area NA in which various elements for driving the display area AA are arranged. And a substrate SUB. A plurality of pixel areas PA arranged in a matrix manner are defined in the display area AA. That is, a non-display area NA where a gate driver GIP and a base wiring Vss are disposed on a substrate SUB, and a switching thin film transistor ST, a driving thin film transistor DT, and an organic light emitting diode OLE A display area AA to be formed is defined.

화소 영역(PA)의 외주부에 정의된, 비 표시 영역(NA)에는 데이터 배선(DL)들에 화상 정보에 해당하는 신호를 공급하기 위한 데이터 구동부(혹은, Data Driving Integrated Circuit)(DIC)과, 게이트 배선(GL)들에 스캔 신호를 공급하기 위한 게이트 구동부(혹은, Gate Driving Integrated Circuit)(GIP)이 배치될 수 있다.A data driving unit (DIC) for supplying a signal corresponding to image information to the data lines DL is formed in the non-display area NA defined at the outer periphery of the pixel area PA, A gate driving unit (GIP) for supplying a scan signal to the gate lines GL may be disposed.

표시장치의 구조를 단순하게 하기 위해, 게이트 구동부(GIP)는, 기판(SUB)의 일측 부에 직접 형성하는 것이 바람직하다. 그리고, 기판(SUB)의 최 외곽부에는 기저 전압을 공급하는 기저 배선(Vss)이 배치된다. 기전 배선(Vss)은 기판(SUB)의 상부 측변에 배치된 데이터 구동부(DIC)에 연결되고, 기판(SUB)의 좌측 및/또는 우측 변에 배치된 게이트 구동부(GIP)의 외측에서 기판을 감싸듯이 배치될 수 있다.In order to simplify the structure of the display device, the gate driver GIP is preferably formed directly on one side of the substrate SUB. A base wire (Vss) for supplying a base voltage is disposed at the outermost portion of the substrate (SUB). The evanescent wiring Vss is connected to the data driver DIC disposed on the upper side of the substrate SUB and surrounds the substrate outside the gate driver GIP disposed on the left and / Can be arranged.

각 화소 영역(PA)에는 유기전계발광 표시장치의 핵심 구성 요소들인 유기발광 다이오드와 유기발광 다이오드를 구동하기 위한 박막 트랜지스터들이 배치된다. 박막 트랜지스터들은 화소 영역(PA)의 일측 부에 정의된 박막 트랜지스터 영역(TA)에 형성될 수 있다.In each pixel region PA, organic light emitting diodes (OLEDs), which are core components of the organic light emitting display, and thin film transistors for driving the organic light emitting diodes are disposed. The thin film transistors may be formed in the thin film transistor region TA defined at one side of the pixel region PA.

박막 트랜지스터들(ST, DT) 위에는 보호막(PAS)과 평탄화 막(PL)이 연속으로 도포된다. 평탄화 막(PL) 위에는 화소 영역(PA) 내의 일정 부분만을 차지하는 고립된 장방형의 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 애노드 전극(ANO)은 보호막(PAS) 및 평탄화 막(PL)을 관통하는 콘택홀을 통해 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(DD)과 접촉한다.A protective film PAS and a planarizing film PL are continuously applied on the thin film transistors ST and DT. On the planarizing film PL, an isolated rectangular anode electrode ANO occupying only a certain portion in the pixel region PA is formed. The anode electrode ANO is in contact with the drain electrode DD of the driving thin film transistor DT through the contact hole passing through the protective film PAS and the flattening film PL.

또한, 애노드 전극(ANO)과 동일한 물질로, 애노드 전극(ANO)과는 일정거리 이격하는 보조 캐소드 전극(AC)을 형성한다. 보조 캐소드 전극(AC)은 평탄화 막(PL) 위에서 적어도 화소 영역(PA)을 모두 덮는 형상을 갖는다. 또한, 비 표시 영역(NA) 중에서 게이트 구동부(GIP)를 덮는 평탄화 막(PL) 상부를 가로지르도록 연장되어 기저 배선(Vss)와 접촉하도록 형성한다.Further, the auxiliary cathode electrode AC is formed with the same material as the anode electrode ANO and spaced apart from the anode electrode ANO by a certain distance. The auxiliary cathode electrode AC has a shape covering at least the pixel area PA on the planarizing film PL. Further, the non-display region NA is formed so as to extend across the upper portion of the planarization film PL covering the gate driver GIP and to be in contact with the base line Vss.

애노드 전극(ANO) 및 보조 캐소드 전극(AC) 위에는 뱅크(BA)가 도포된다. 뱅크(BA)를 패턴하여, 애노드 전극(ANO)의 대부분을 노출한다. 또한, 보조 캐소드 전극(AC)의 일부를 노출하는 제1 및 제2 캐소드 콘택홀들(CH1, CH2)을 형성한다. 제1 캐소드 콘택홀(CH1)은 제1 실시 예에서 설명한 캐소드 콘택홀(CHC)와 동일한 위치에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 캐소드 콘택홀(CH1)은 비 표시 영역(NA)에 형성되어, 보조 캐소드 전극(AC)의 일측 부를 노출 한다. 한편, 제2 캐소드 콘택홀(CH2)은 각 화소 영역(PA) 내부에서 보조 캐소드 전극(AC)의 일부를 노출하도록 형성할 수 있다. 제2 캐소드 콘택홀(CH2)은 각 화소 영역(PA) 내부 영역 중에서 특별히 정해진 곳은 없으며, 설계자가 적당한 위치를 선정할 수 있다. 가급적, 박막 트랜지스터와 같은 소자들이 없는 위치가 바람직하다.A bank BA is applied on the anode electrode ANO and the auxiliary cathode electrode AC. The bank BA is patterned to expose most of the anode electrode ANO. Further, first and second cathode contact holes CH1 and CH2 exposing a part of the auxiliary cathode electrode AC are formed. The first cathode contact hole CH1 may be formed at the same position as the cathode contact hole CHC described in the first embodiment. For example, the first cathode contact hole CH1 is formed in the non-display area NA to expose one side of the auxiliary cathode electrode AC. Meanwhile, the second cathode contact hole CH2 may be formed to expose a part of the auxiliary cathode electrode AC in each pixel region PA. The second cathode contact hole CH2 is not specifically defined in the area inside each pixel area PA, and the designer can select an appropriate position. Preferably, a position where there are no elements such as a thin film transistor is preferable.

뱅크(BA) 패턴에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에는 유기발광층(OL)을 도포한다. 뱅크(BA) 위에서 화소 영역(PA) 전체를 덮도록 투명 도전 물질을 도포하여, 캐소드 전극(CAT)을 형성한다. 이로써, 애노드 전극(ANO), 유기발광층(OL) 및 캐소드 전극(CAT)을 포함하는 유기발광 다이오드(OLE)가 형성된다.The organic light emitting layer OL is coated on the anode electrode ANO exposed by the bank BA pattern. A transparent conductive material is coated on the bank BA so as to cover the entire pixel area PA to form a cathode electrode CAT. Thereby, an organic light emitting diode (OLE) including the anode electrode ANO, the organic light emitting layer OL, and the cathode electrode CAT is formed.

또한, 캐소드 전극(CAT)은 제1 및 제2 캐소드 콘택홀들(CH1,CH2)을 통해, 보조 캐소드 전극(AC)과 접촉한다. 결국, 기저 전압은 기저 배선(Vss)을 통해 보조 캐소드 전극(AC)으로 전달되고, 다시 캐소드 전극(CAT)로 전달된다. 즉, 저 저항 물질을 포함하며 캐소드 전극(CAT)의 면적에 대응하는 면적을 갖는 보조 캐소드 전극(AC)에 의해 면 저항이 낮아지므로, 전체 면적에 걸쳐서, 기저 전압 값이 일정하게 유지될 수 있다.
Further, the cathode electrode CAT is in contact with the auxiliary cathode electrode AC through the first and second cathode contact holes CH1 and CH2. As a result, the base voltage is transmitted to the auxiliary cathode electrode AC through the base line Vss and then to the cathode electrode CAT. That is, since the surface resistance is lowered by the auxiliary cathode electrode AC including the low resistance material and having the area corresponding to the area of the cathode electrode (CAT), the base voltage value can be kept constant over the entire area .

본 발명에 대한 설명을 위한 도면에서는 특정한 박막 트랜지스터의 구조와 유기발광 표시장치의 구조를 이용하여 설명하였다. 하지만, 본 발명의 핵심적인 사상은, 애노드 전극을 형성하는 과정에서 애노드 전극에 이용하는 저 저항 금속물질을 이용하여, 애노드 전극과는 물리적, 전기적으로 분리되고, 기판 면적에 상응하는 대면적의 보조 캐소드 전극을 더 형성하였다. 그리고 보조 캐소드 전극을 캐소드 전극과 전기적으로 연결함으로써, 캐소드 전극의 면 저항을 효과적으로 낮출 수 있다. 특히, 대면적 유기발광 표시장치를 구현하는 경우, 캐소드 전극(CAT)의 면적이 커지더라도, 캐소드 전극(CAT)의 저항 값은 표시 영역 전체에 걸쳐서 고르게 유지할 수 있다.In the drawings for explaining the present invention, the structure of a specific thin film transistor and the structure of an organic light emitting display device have been described. However, a key idea of the present invention is that a low-resistance metal material used for the anode electrode in the process of forming the anode electrode is physically and electrically separated from the anode electrode, and the large-area auxiliary cathode And an electrode was further formed. By electrically connecting the auxiliary cathode electrode to the cathode electrode, the surface resistance of the cathode electrode can be effectively lowered. In particular, in the case of implementing a large area organic light emitting display device, the resistance value of the cathode electrode CAT can be uniformly maintained throughout the display region even if the area of the cathode electrode CAT increases.

따라서, 본 발명의 적용한 평판형 표시장치에는 특별한 구조적 제한이 없다. 예를 들어, 유기전계발광 표시장치 뿐 아니라, 전기 영동 표시장치와 같은 다른 평판 표시장치에도 응용할 수 있다. 또한, 표시장치 내에 형성된 박막 트랜지스터의 구조에도 제한을 받지 않는다. 즉, 바텀 게이트(Bottom Gate) 구조, 탑 게이트(Top Gate) 구조 또는 이중 게이트 (Double Gate) 구조 등에 제한 받지 않는다. 그리고, 유기발광 표시장치도 하부 발광 구조(Bottom Emission)나 상부 발광 구조(Top Emission) 어디에나 적용할 수도 있다.Therefore, the flat panel display device to which the present invention is applied has no particular structural limitations. For example, the present invention can be applied not only to organic electroluminescent display devices but also to other flat panel display devices such as electrophoretic display devices. In addition, the structure of the thin film transistor formed in the display device is not limited. That is, the structure is not limited to a bottom gate structure, a top gate structure, or a double gate structure. Also, the organic light emitting display device may be applied to both the bottom emission structure and the top emission structure.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the present invention should not be limited to the details described in the detailed description, but should be defined by the claims.

ST: 스위칭 TFT DT: 구동 TFT
SG: 스위칭 TFT 게이트 전극 DG: 구동 TFT 게이트 전극
SS: 스위칭 TFT 소스 전극 DS: 구동 TFT 소스 전극
SD: 스위칭 TFT 드레인 전극 DD: 구동 TFT 드레인 전극
SA: 스위칭 TFT 반도체 층 DA: 구동 TFT 반도체 층
GL: 게이트 배선 DL: 데이터 배선
VDD: 구동 전류 배선 GP: 게이트 패드
DP: 데이터 패드 GPT: 게이트 패드 단자
DPT: 데이터 패드 단자 VDP: 구동 전류 패드
VDPT: 구동 전류 패드 단자 GPH: 게이트 패드 콘택홀
DPH: 데이터 패드 콘택홀 VPH: 구동 전류 패드 콘택홀
GI: 게이트 절연막 IN: 절연막
PAS: 보호막 PL: 평탄화 막
OL: 유기발광층 OLED: 유기발광 다이오드
POLY: 유기 합착막 ENC: 캡
CHC: 캐소드 콘택홀 AC: 보조 캐소드 전극
CH1: 제1 캐소드 콘택홀 CH2: 제2 캐소드 콘택홀ST: switching TFT DT: driving TFT
SG: switching TFT gate electrode DG: driving TFT gate electrode
SS: switching TFT source electrode DS: driving TFT source electrode
SD: switching TFT drain electrode DD: driving TFT drain electrode
SA: switching TFT semiconductor layer DA: driving TFT semiconductor layer
GL: gate wiring DL: data wiring
VDD: Drive current wiring GP: Gate pad
DP: Data pad GPT: Gate pad terminal
DPT: Data pad terminal VDP: Drive current pad
VDPT: driving current pad terminal GPH: gate pad contact hole
DPH: Data pad contact hole VPH: Drive current pad contact hole
GI: Gate insulating film IN: Insulating film
PAS: protective film PL: planarization film
OL: organic light emitting layer OLED: organic light emitting diode
POLY: organic cohesive membrane ENC: cap
CHC: cathode contact hole AC: auxiliary cathode electrode
CH1: first cathode contact hole CH2: second cathode contact hole

Claims

A substrate having a display region in which a plurality of pixel regions arranged in a matrix manner are defined and a non-display region disposed around the display region;
A first electrode formed in an island shape in each pixel region;
An auxiliary cathode electrode spaced apart from the first electrode by a predetermined distance and disposed over the entire display region;
An organic light emitting layer stacked on the first electrode; And
And a second electrode formed on the organic light emitting layer so as to cover the entire display area opposite to the first electrode and in contact with the auxiliary cathode electrode.

The method according to claim 1,
A thin film transistor formed in each of the pixel regions on the substrate;
A planarization layer covering the thin film transistor and having the first electrode and the auxiliary cathode electrode formed on an upper surface thereof;
Further comprising a bank covering the planarization layer and having a light emitting region exposing a portion of the first electrode and a cathode contact hole exposing a part of the auxiliary cathode electrode,
The organic light emitting layer is applied to the light emitting region,
Wherein the second electrode is coated on the bank and is in contact with the organic light emitting layer formed in the light emitting region and in contact with the second electrode through the cathode contact hole.

3. The method of claim 2,
And a base wiring disposed in an outermost portion of the substrate in the non-display region,
Wherein the auxiliary cathode electrode extends to the non-display region and contacts the base wire,
And the cathode contact hole includes a first cathode contact hole exposing a part of the auxiliary cathode electrode formed in the non-display area.

3. The method of claim 2,
And a base wiring disposed in an outermost portion of the substrate in the non-display region,
Wherein the auxiliary cathode electrode extends to the non-display region and contacts the base wire,
Wherein the cathode contact hole includes a second cathode contact hole exposing a part of the auxiliary cathode electrode formed in the pixel region.

3. The method of claim 2,
And a base wiring disposed in an outermost portion of the substrate in the non-display region,
Wherein the auxiliary cathode electrode extends to the non-display region and contacts the base wire,
And the cathode contact hole includes a first cathode contact hole exposing a part of the auxiliary cathode electrode formed in the non-display area and a second cathode contact hole exposing a part of the auxiliary cathode electrode formed in the pixel area The organic electroluminescent display device comprising:

A substrate defining a plurality of pixel regions arranged in a matrix manner;
A thin film transistor formed in each pixel region;
A first electrode connected to the thin film transistor and formed in a part of the pixel region;
An auxiliary cathode electrode spaced apart from the first electrode and formed in a remaining region of the pixel region surrounding the first electrode;
A bank having a light emitting region for exposing a part of the first electrode and a first cathode contact hole for exposing a part of the auxiliary cathode electrode;
An organic light emitting layer formed in the light emitting region; And
And a second electrode which is applied over the entire pixel region on the bank and is in contact with the organic light emitting layer and is in contact with the auxiliary cathode electrode through the first cathode contact hole.

The method according to claim 6,
The substrate includes a non-display region disposed in the periphery of the pixel region; And
And a base wiring disposed in the non-display area,
And the auxiliary cathode electrode extends to the non-display region and is in contact with the base wiring.

8. The method of claim 7,
The bank further includes a second cathode contact hole extended to the non-display region and exposed to expose a part of the auxiliary cathode electrode formed in the non-display region,
And the second electrode is in contact with the auxiliary cathode electrode through the second cathode contact hole.