KR20140141691A - Light source-integrated optical sensor and method for manufacturing light source-integrated optical sensor - Google Patents

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Abstract

광원 일체형 광센서는 기판 위의 소정 영역에 설치된 수광부와, 기판 위의 수광부와 다른 영역에 설치된 발광부와, 수광부 위에 상기 수광부를 덮도록 설치된 제1 투광부재와, 제1 투광부재와 공간을 끼고 설치되고, 발광부 위에 상기 발광부를 덮도록 설치된 제2 투광부재와, 공간의 일부에 형성된 차광부재를 구비한다.The light source integrated type optical sensor includes a light receiving portion provided in a predetermined region on the substrate, a light emitting portion provided in a region different from the light receiving portion on the substrate, a first light transmitting member provided on the light receiving portion so as to cover the light receiving portion, A second translucent member provided on the light emitting portion so as to cover the light emitting portion, and a light shielding member formed in a part of the space.

Description

광원 일체형 광센서 및 광원 일체형 광센서의 제조방법{LIGHT SOURCE-INTEGRATED OPTICAL SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT SOURCE-INTEGRATED OPTICAL SENSOR}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light source-integrated optical sensor and a method of manufacturing a light source-

본 발명은 광원 일체형 광센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light source integrated type optical sensor and a manufacturing method thereof.

기판상에 불투명한 수지를 끼고 발광칩 및 수광칩을 설치하고, 이들 발광칩 및 수광칩을 투명수지로 덮은 광원 일체형 광센서가 알려져 있다(특허문헌 1 참조).There is known a light source integrated type optical sensor in which a light emitting chip and a light receiving chip are disposed on a substrate with an opaque resin and the light emitting chip and the light receiving chip are covered with a transparent resin (refer to Patent Document 1).

미국 특허출원공개 제2010/0258710호 명세서U.S. Patent Application Publication No. 2010/0258710

종래 기술에서는 발광칩에서 발생하는 열이 수광칩측으로 전달되어 수광칩 위의 투명수지의 표면의 평탄형상이 손상되어 변형되거나, 수광칩 위의 투명수지가 변질이나 변색될 우려가 있었다. 수광칩 위의 투명수지의 표면의 변형이나 변색은, 수광감도의 저하 등 수광특성의 열화로 이어진다.The heat generated in the light emitting chip is transferred to the light receiving chip side, and the flat shape of the transparent resin on the light receiving chip is damaged or deformed, and the transparent resin on the light receiving chip may be deteriorated or discolored. Deformation or discoloration of the surface of the transparent resin on the light receiving chip leads to deterioration of light receiving characteristics such as lowered light receiving sensitivity.

본 발명의 제1 형태에 따르면, 광원 일체형 광센서는 기판 위의 소정 영역에 설치된 수광부와, 기판 위의 수광부와 다른 영역에 설치된 발광부와, 수광부 위에 해당 수광부를 덮도록 설치된 제1 투광부재와, 제1 투광부재와 공간을 끼고 설치되고, 발광부 위에 해당 발광부를 덮도록 설치된 제2 투광부재와, 공간의 일부에 형성된 차광부재를 구비한다.According to the first aspect of the present invention, there is provided a light source integrated type optical sensor comprising a light receiving portion provided in a predetermined region on a substrate, a light emitting portion provided in a region different from the light receiving portion on the substrate, a first light transmitting member provided on the light receiving portion, A second translucent member provided so as to cover the first translucent member with a space therebetween, the second translucent member being provided on the light emitting portion so as to cover the corresponding light emitting portion, and a light shielding member formed in a part of the space.

본 발명의 제2 형태에 따르면, 제1 형태에 의한 광원 일체형 광센서에서 차광부재는 단열성 재료에 의해 구성되는 것이 바람직하다.According to the second aspect of the present invention, in the light source integrated type optical sensor according to the first aspect, it is preferable that the light shielding member is made of a heat insulating material.

본 발명의 제3 형태에 따르면, 제1 형태에 의한 광원 일체형 광센서에서 차광부재는 열전도성(導熱性) 재료에 의해 구성되는 것이 바람직하다.According to a third aspect of the present invention, in the light source integrated type optical sensor according to the first aspect, it is preferable that the light shielding member is made of a heat conductive (heat conductive) material.

본 발명의 제4 형태에 따르면, 제3 형태에 의한 광원 일체형 광센서에서 열전도성 재료는 기판에 설치되어 있는 관통구멍 위에 위치하는 것이 바람직하다.According to a fourth aspect of the present invention, in the light source integrated type optical sensor according to the third aspect, it is preferable that the thermally conductive material is located on the through hole provided in the substrate.

본 발명의 제5 형태에 따르면, 제1~제4 형태에 의한 광원 일체형 광센서에서 적어도 제1 투광부재는 수지에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다.According to a fifth aspect of the present invention, in the light source integrated type optical sensor according to any one of the first to fourth aspects, at least the first translucent member is preferably formed of resin.

본 발명의 제6 형태에 따르면, 광원 일체형 광센서의 제조방법은 기판 위의 소정 영역에 수광부 및 발광부를 각각 설치하는 공정과, 수광부와 발광부 사이에서 마스크 부재를 설치하는 공정과, 수광부 및 발광부 이외의 영역 위에 차광부재를 형성하는 공정과, 수광부, 발광부 및 차광부재의 영역 위에 각각 투광부재를 형성하는 공정과, 마스크 부재를 제거하는 공정을, 상기 공정순으로 실시한다.According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light source integrated type optical sensor, comprising the steps of providing a light receiving portion and a light emitting portion in a predetermined region on a substrate, providing a mask member between the light receiving portion and the light emitting portion, A step of forming a light shielding member on an area other than the light shielding part, a step of forming a light transmitting member on the area of the light receiving part, the light emitting part and the light shielding part, and a step of removing the mask member, respectively.

본 발명의 제7 형태에 따르면, 광원 일체형 센서의 제조방법은 기판 위의 소정 영역에 수광부 및 발광부를 각각 설치하는 공정과, 수광부 및 발광부의 영역 위에 각각 투광부재를 형성하는 공정과, 수광부 및 발광부 이외의 영역 위에, 차광부재를 투광부재보다 높게 형성하는 공정을, 상기 공정순으로 실시한다.According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light source integrated type sensor, comprising the steps of: providing a light receiving portion and a light emitting portion in a predetermined region on a substrate; forming a light transmitting member on each of the light receiving portion and the light emitting portion; A step of forming the light shielding member higher than the light transmitting member is performed in the order of the above steps.

본 발명의 제8 형태에 따르면, 광원 일체형 광센서의 제조방법은 기판 위의 소정 영역에 수광부 및 발광부를 각각 설치하는 공정과, 수광부 및 발광부 이외의 영역 위에 차광부재를 형성하는 공정과, 수광부 및 발광부의 영역 위에, 각각 투광부재를 차광부재보다 낮게 형성하는 공정을, 상기 공정순으로 실시한다.According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light source integrated-type optical sensor, comprising the steps of providing a light receiving portion and a light emitting portion in a predetermined region on a substrate, forming a light shielding member on a region other than the light receiving portion and the light emitting portion, And the step of forming the translucent member on the region of the light emitting portion lower than the light shielding member, respectively, in the order of the above steps.

본 발명의 제9 형태에 따르면, 광원 일체형 광센서의 제조방법은 기판 위의 소정 영역에 수광부 및 발광부를 각각 설치하는 공정과, 수광부 위에서 입사구를 둘러싸도록 차광부재를 형성하는 공정과, 차광부재의 내측 및 외측 각각의 영역 위에 투광부재를 형성하는 공정을, 상기 공정순으로 실시한다.According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light source integrated type optical sensor, comprising the steps of: providing a light receiving portion and a light emitting portion in a predetermined region on a substrate; forming a light shielding member so as to surround the incident opening on the light receiving portion; And the step of forming the translucent member on each of the inner and outer regions of the substrate.

본 발명의 제10 형태에 따르면, 광원 일체형 광센서의 제조방법은 기판 위의 소정 영역에 수광부 및 발광부를 각각 설치하는 공정과, 수광부의 영역 위에 유리부재를 설치하는 공정과, 유리부재 및 발광부 이외의 영역 위에, 차광부재를 발광부보다 높게 형성하는 공정과, 발광부 및 차광부재의 영역 위에 투광부재를 형성하는 공정을, 상기 공정순으로 실시한다.According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light source integrated type optical sensor, comprising the steps of: providing a light receiving portion and a light emitting portion in a predetermined region on a substrate; providing a glass member on a region of the light receiving portion; A step of forming the light shielding member higher than the light emitting portion and a step of forming the light transmitting member on the light emitting portion and the light shielding member are performed in the order of the above steps.

본 발명의 제11 형태에 따르면, 제6~제10 형태에 의한 광원 일체형 광센서의 제조방법에서 차광부재에는 단열성 재료를 사용하는 것이 바람직하다.According to the eleventh aspect of the present invention, in the manufacturing method of the light source integrated type optical sensor according to the sixth to tenth aspects, it is preferable to use a heat insulating material for the light shielding member.

본 발명에 의한 광원 일체형 광센서에서는 발광부로부터의 열에 의한 특성열화를 억제할 수 있다.In the light source integrated type optical sensor according to the present invention, deterioration of characteristics due to heat from the light emitting portion can be suppressed.

도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 의한 광원 일체형 광센서의 단면도이다.
도 2(a), 도 2(b), 도 2(c), 도 2(d)는 광원 일체형 광센서의 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 3은 변형예 1에 의한 광원 일체형 광센서의 단면도이다.
도 4는 변형예 2에 의한 광원 일체형 광센서의 단면도이다.
도 5는 변형예 3에 의한 광원 일체형 광센서의 단면도이다.
도 6은 변형예 4에 의한 광원 일체형 광센서의 단면도이다.
도 7은 변형예 8에 의한 광원 일체형 광센서의 단면도이다.
도 8(a), 도 8(b), 도 8(c)는 광원 일체형 광센서의 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 9는 제2 실시형태에 의한 광원 일체형 광센서의 단면도이다.
도 10(a), 도 10(b), 도 10(c)는 광원 일체형 광센서의 제조수순을 설명하는 도면이다.
도 11은 제3 실시형태에 의한 광원 일체형 광센서의 단면도이다.
도 12는 광원 일체형 광센서의 제조수순을 설명하는 도면이다.
도 13은 제4 실시형태에 의한 광원 일체형 광센서의 단면도이다.
도 14는 광원 일체형 광센서의 제조수순을 설명하는 도면이다.
도 15는 변형예 9의 광원 일체형 광센서의 제조수순을 설명하는 도면이다.
도 16은 제5 실시형태에 의한 광원 일체형 광센서의 단면도이다.
도 17은 광원 일체형 광센서의 제조수순을 설명하는 도면이다.
도 18은 광원 일체형 광센서의 제조수순을 설명하는 도면이다.
도 19는 제2 실시형태에 의한 광원 일체형 센서의 제조수순을 도시하는 플로우차트이다.
도 20은 제4 실시형태에 의한 광원 일체형 센서의 제조수순을 도시한 플로우차트이다.
도 21은 변형예 9에 의한 광원 일체형 센서의 제조수순을 도시한 플로우차트이다.
도 22는 제3 실시형태에 의한 광원 일체형 센서의 제조수순을 도시한 플로우차트이다.
도 23은 제5 실시형태에 의한 광원 일체형 센서의 제조수순을 도시한 플로우차트이다.1 is a cross-sectional view of a light source integrated type optical sensor according to a first embodiment of the present invention.
2 (a), 2 (b), 2 (c), and 2 (d) are diagrams for explaining a manufacturing method of a light source integrated type optical sensor.
3 is a cross-sectional view of a light source integrated type optical sensor according to a first modified example.
4 is a cross-sectional view of a light source integrated type optical sensor according to a second modification.
5 is a sectional view of a light source integrated type optical sensor according to a third modification.
6 is a cross-sectional view of a light source integrated type optical sensor according to a fourth modified example.
7 is a sectional view of the light source integrated type optical sensor according to the eighth modified example.
Figs. 8 (a), 8 (b) and 8 (c) are diagrams for explaining a manufacturing method of a light source integrated type optical sensor.
9 is a sectional view of the light source integrated type optical sensor according to the second embodiment.
Figs. 10 (a), 10 (b) and 10 (c) are diagrams for explaining the manufacturing procedure of the light source integrated type optical sensor.
11 is a sectional view of the light source integrated type optical sensor according to the third embodiment.
12 is a view for explaining the manufacturing procedure of the light source integrated type optical sensor.
13 is a sectional view of the light source integrated type optical sensor according to the fourth embodiment.
14 is a diagram for explaining the manufacturing procedure of the light source integrated type optical sensor.
15 is a diagram for explaining the manufacturing procedure of the light source integrated type optical sensor according to the ninth modification example.
16 is a sectional view of the light source integrated type optical sensor according to the fifth embodiment.
17 is a view for explaining the manufacturing procedure of the light source integrated type optical sensor.
18 is a view for explaining the manufacturing procedure of the light source integrated type optical sensor.
19 is a flowchart showing a manufacturing procedure of the light source integrated type sensor according to the second embodiment.
20 is a flowchart showing a manufacturing procedure of the light source integrated type sensor according to the fourth embodiment.
21 is a flowchart showing a manufacturing procedure of the light source integral type sensor according to the ninth modification example.
22 is a flowchart showing a manufacturing procedure of the light source integrated type sensor according to the third embodiment.
23 is a flowchart showing a manufacturing procedure of the light source integrated type sensor according to the fifth embodiment.

이하, 도면을 참조하여 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서 설명한다.Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.

<제1 실시형태>&Lt; First Embodiment >

도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 의한 광원 일체형 광센서(1)의 단면도이다. 광원 일체형 광센서(1)는 발광소자 및 수광소자를 일체로 구성한 것이고, 예를 들어 발광소자로부터 발한 광이 외부 대상물에서 반사되고, 그 반사광이 수광소자에서 수광되는지의 여부에 기초하여 외부 대상물의 존재 여부를 판정하는 용도 등에 사용된다.1 is a sectional view of a light source integrated type optical sensor 1 according to a first embodiment of the present invention. The light-source-integrated optical sensor 1 includes a light-emitting element and a light-receiving element integrally. For example, the light-source-integrated optical sensor 1 may include a light-emitting element and a light-receiving element on the basis of whether light reflected from an external object is received by the light- And is used for determining whether or not it exists.

도 1에서 유기재료, 세라믹, 리드프레임 등으로 구성되는 기판(10)의 상면에, 수광소자(포토다이오드) 및 주변회로를 갖는 수광칩(PDIC)(20)이 설치되어 있다. 수광칩(20)은 본딩와이어(21, 22)에 의해 기판(10) 위의 패턴(11, 12)과 접속되어 있다.1, a light receiving chip (PDIC) 20 having a light receiving element (photodiode) and a peripheral circuit is provided on the upper surface of a substrate 10 composed of an organic material, a ceramic, a lead frame and the like. The light receiving chip 20 is connected to the patterns 11 and 12 on the substrate 10 by the bonding wires 21 and 22.

기판(10)의 상면에는 또한, 발광소자로 구성되는 발광칩(30)이 설치되어 있다. 발광칩(30)은 예를 들어 발광 다이오드(LED)이고, 발광칩(30)의 애노드 전극 및 캐소드 전극 중 한쪽이, 금속으로 구성된 관통구멍(15)을 통하여, 기판(10)의 하면에 형성되어 있는 패턴(14)과 접속된다. 발광칩(30)의 다른쪽 전극은 본딩와이어(31)에 의해 기판(10) 위의 도시하지 않은 패턴과 접속되어 있다.On the upper surface of the substrate 10, a light emitting chip 30 composed of a light emitting element is further provided. The light emitting chip 30 is, for example, a light emitting diode (LED), and one of the anode electrode and the cathode electrode of the light emitting chip 30 is formed on the lower surface of the substrate 10 through the through hole 15 made of metal And is connected to the pattern 14 which is formed. The other electrode of the light emitting chip 30 is connected to a pattern (not shown) on the substrate 10 by a bonding wire 31.

상기 수광칩(20) 및 발광칩(30)의 사이에는 공간(60)이 설치되고, 공간(60)을 끼고 수광칩(20)측에 불투명 수지(51A)가, 발광칩(30)측에 불투명 수지(51B)가, 각각 설치되어 있다. 불투명 수지(51B)의 높이에 대해서는 적어도 발광칩(30)으로부터 수광칩(20)측으로 사출되는 광을 차폐하고, 수광칩(20)이 발광칩(30)으로부터의 직접광을 수광하지 않는 높이가 확보된다. 불투명 수지(51A)의 높이는 불투명 수지(51B)의 높이와 대략 동일하다. 불투명 수지(51A)는 공간(60)으로 입사된 외광을 수광칩(20)이 수광하지 않도록 설치된다.A space 60 is provided between the light-receiving chip 20 and the light-emitting chip 30 and an opaque resin 51A is provided on the light-receiving chip 20 side with the space 60 therebetween, And opaque resin 51B are provided, respectively. The light emitted from the light emitting chip 30 to the light receiving chip 20 side is shielded against the height of the opaque resin 51B so that the light receiving chip 20 does not receive the direct light from the light emitting chip 30 do. The height of the opaque resin 51A is approximately the same as the height of the opaque resin 51B. The opaque resin 51A is installed so that the light receiving chip 20 does not receive external light incident on the space 60. [

불투명 수지(51A)의 수광칩(20)측에는 수광칩(20) 및 본딩와이어(21, 22)를 덮도록 투명수지(41A)가 설치된다. 또한, 불투명 수지(51B)의 발광칩(30)측에는 발광칩(30) 및 본딩와이어(31)를 덮도록 투명수지(41B)가 설치된다.The transparent resin 41A is provided on the light receiving chip 20 side of the opaque resin 51A so as to cover the light receiving chip 20 and the bonding wires 21 and 22. A transparent resin 41B is provided on the side of the light emitting chip 30 of the opaque resin 51B to cover the light emitting chip 30 and the bonding wire 31. [

또한, 기판(10) 위의 패턴(11, 12)은 관통구멍(15)과 동일한 다른 관통구멍, 또는 도시하지 않은 관통비어를 통하여 기판(10)의 하면에 형성되어 있는 패턴(13) 등과 접속되어 있다.The patterns 11 and 12 on the substrate 10 are connected to the pattern 13 or the like formed on the lower surface of the substrate 10 through other through holes similar to the through holes 15 or through through vias .

전술한 광원 일체형 광센서(1)의 제조방법에 대해서, 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2(a)에서 패턴이 형성되어 있는 회로기판(10)의 상면의 소정 위치에 수광칩(20)을 다이마운트한다. 발광칩(30)을, 관통구멍(15)과 접속되어 있는 패턴 위에 다이마운트한다. 계속해서, 수광칩(20)의 복수의 전극과, 기판(10)의 패턴(11, 12) 및 다른 패턴과의 사이를 각각 본딩와이어(21, 22) 및 도시하지 않은 본딩와이어로 본딩 접속한다. 또한, 발광칩(30)의 상측의 전극과, 기판(10)의 소정 패턴과의 사이를 본딩와이어(31)에 의해 본딩 접속한다.A manufacturing method of the above-described light source integrated type optical sensor 1 will be described with reference to Fig. 2 (a), the light receiving chip 20 is mounted at a predetermined position on the upper surface of the circuit board 10 on which the pattern is formed. The light emitting chip 30 is die-mounted on a pattern connected to the through hole 15. [ Subsequently, the plurality of electrodes of the light-receiving chip 20 and the patterns 11 and 12 of the substrate 10 and the other patterns are bonded and bonded to the bonding wires 21 and 22 and bonding wires (not shown), respectively . Further, an upper electrode of the light emitting chip 30 and a predetermined pattern of the substrate 10 are bonded and bonded to each other by a bonding wire 31.

도 2(b)에서 수광칩(20) 및 본딩와이어(21, 22) 및 발광칩(30) 및 본딩와이어(31)를 각각 덮도록 투명수지(41)로 밀봉한다. 도 2(c)에서 수광칩(20) 및 발광칩(30)사이에서 투명수지(41)의 일부를 기판(10)의 표면에 도달할 때까지 절삭하는 다이싱 가공을 실시한다. 이에 의해, 투명수지(41)가 투명수지(41A)와 투명수지(41B)로 분리된다. 또한, 절삭의 깊이는 기판(10)의 표면보다 깊게 해도 좋다.The light receiving chip 20 and the bonding wires 21 and 22 and the light emitting chip 30 and the bonding wires 31 are sealed with a transparent resin 41 in Fig. A dicing process is performed in which a part of the transparent resin 41 is cut between the light-receiving chip 20 and the light-emitting chip 30 until reaching the surface of the substrate 10 in Fig. 2 (c). Thereby, the transparent resin 41 is separated into the transparent resin 41A and the transparent resin 41B. Further, the depth of cutting may be deeper than the surface of the substrate 10.

도 2(d)에서 투명수지(41A)와 투명수지(41B) 사이에 불투명 수지(51)를 충전한다. 불투명 수지(51)에는 열전도율이 낮은 단열성 재료를 사용한다. 그리고, 충전한 불투명 수지(51)의 일부를 기판(10)의 표면에 도달할 때까지 절삭하는 다이싱 가공을 실시한다. 이에 의해, 불투명 수지(51)가 불투명 수지 "51A"와 "51B"로 분리되고, 도 1에 예시한 광원 일체형 센서(1)가 얻어진다.2 (d), an opaque resin 51 is filled between the transparent resin 41A and the transparent resin 41B. As the opaque resin 51, a heat insulating material having a low thermal conductivity is used. Then, a dicing process is performed in which a part of the filled opaque resin 51 is cut to reach the surface of the substrate 10. Thereby, the opaque resin 51 is separated into opaque resin 51A and 51B, and the light source integrated sensor 1 shown in Fig. 1 is obtained.

이상 설명한 제1 실시형태에 따르면 다음 작용효과가 얻어진다.According to the first embodiment described above, the following operational effects are obtained.

(1) 광원 일체형 광센서(1)는 기판(1) 위의 소정 영역에 설치된 수광칩(20)과, 기판(10) 위의 수광칩(20)과 다른 영역에 설치된 발광칩(30)과, 수광칩(20) 위에 해당 수광칩(20)을 덮도록 설치된 투명수지(41A)와, 투명수지(41A)와 공간(60)을 두고 설치되고, 발광칩(30) 위에 해당 발광칩(30)을 덮도록 설치된 투명수지(41B)와, 공간(60)의 일부에 형성된 불투명 수지(51A, 51B)를 구비하도록 했으므로, 발광칩(30)으로부터의 열에 의한 영향을 억제할 수 있다. 구체적으로는 수광칩(20)을 덮는 투명수지(41A)의 표면이 열에 의해 변형되거나, 투명 수지(41A)가 변색되는 것을 방지하므로, 수광 특성의 열화가 억제된다. 또한, 수광칩(20)이 발광칩(30)으로부터의 직접광을 수광하지 않고, 또한 투명수지(41A)와 투명수지(41B) 사이의 공간(60)으로 입사된 외광도 수광칩(20)이 수광하지 않으므로, 불필요한 광의 수광을 배제할 수 있다.(1) The light source integrated type optical sensor 1 comprises a light receiving chip 20 provided in a predetermined region on the substrate 1, a light emitting chip 30 provided in a region different from the light receiving chip 20 on the substrate 10, A transparent resin 41A provided so as to cover the light receiving chip 20 on the light receiving chip 20 and a transparent resin 41A and a space 60. The light emitting chip 30 And the opaque resin 51A and 51B formed in a part of the space 60. This can suppress the influence of the heat from the light emitting chip 30. [ Specifically, the surface of the transparent resin 41A covering the light receiving chip 20 is prevented from being deformed by heat or the coloring of the transparent resin 41A is prevented, so that the deterioration of the light receiving characteristics is suppressed. The light receiving chip 20 does not receive the direct light from the light emitting chip 30 but also enters the space 60 between the transparent resin 41A and the transparent resin 41B. Light reception is not performed, so that unnecessary light reception can be eliminated.

(2) 상기 (1)의 광원 일체형 광센서(1)에서 불투명 수지(51A, 51B)를 단열성 재료로 구성했으므로, 발광칩(30)으로부터 수광칩(20)을 덮는 투명수지(41A)로의 열전도가 완화된다. 이에 의해, 발광칩(30)으로부터의 열에 의한 영향(수광특성의 열화)을 억제할 수 있다.(2) Since the opaque resin 51A, 51B is made of a heat insulating material in the light source integrated optical sensor 1 of the above (1), the thermal conductivity from the light emitting chip 30 to the transparent resin 41A covering the light receiving chip 20 . Thereby, it is possible to suppress the influence (deterioration of the light-receiving characteristic) caused by heat from the light-emitting chip 30.

(3) 상기 (1)의 광원 일체형 광센서(1)에서 수광칩(20)을 투명수지(41A)로 덮으므로, 유리재로 덮는 경우에 비하여 경량이고 비용이 낮게 억제된다.(3) Since the light-receiving chip 20 is covered with the transparent resin 41A in the light source integrated type optical sensor 1 of (1), it is light in weight and low in cost compared with the case of covering with the glass material.

(변형예 1)(Modified Example 1)

도 3은 변형예 1에 의한 광원 일체형 광센서(1B)의 단면도이다. 도 3에 의한 광원 일체형 광센서(1B)는 전술한 광원 일체형 광센서(1)와 비교하여 공간(60)의 수광칩(20)측에만, 불투명 수지(51)가 설치되어 있는 점에서 다르다.3 is a sectional view of the light source integrated type optical sensor 1B according to the first modified example. 3 differs from the light source integrated type optical sensor 1B in that the opaque resin 51 is provided only on the side of the light receiving chip 20 in the space 60 as compared with the light source integrated type optical sensor 1 described above.

변형예 1의 광원 일체형 광센서(1B)에 대해서는 도 2(d)에 예시한 불투명 수지(51)의 투명수지(41B)측에서, 불투명 수지(51)의 일부를 기판(10)의 표면에 도달할 때까지 절삭하는 다이싱 가공을 실시한다. 이 가공에 의해, 공간(60)의 수광칩(20)측에만 불투명 수지(51)가 남고, 공간(60)의 발광칩(30)측에는 불투명 수지가 남지 않는다. 불투명 수지(51)를 설치함으로써 공간(60)으로 외광이 입사되었다고 해도 수광칩(20)이 수광하지 않도록 외광을 차광할 수 있다. 또한, 상기 절삭깊이는 기판(10)의 표면보다 깊게 해도 좋다.A part of the opaque resin 51 on the side of the transparent resin 41B of the opaque resin 51 shown in Fig. 2 (d) is placed on the surface of the substrate 10 for the light source integrated optical sensor 1B of Modification 1 And dicing is performed until cutting is performed. By this processing, the opaque resin 51 remains only on the side of the light receiving chip 20 in the space 60, and no opaque resin remains on the side of the light emitting chip 30 in the space 60. The opaque resin 51 can shield external light so that the light receiving chip 20 does not receive light even when external light is incident on the space 60. [ The cutting depth may be deeper than the surface of the substrate 10.

변형예 1의 경우도, 공간(60)을 설치함으로써 발광칩(30)측으로부터 수광칩(20)측으로의 열전도가 완화되므로, 수광칩(20)을 덮는 투명수지(41A)의 표면이 열에 의해 변형되거나 투명수지(41A)가 변색되는 것을 방지할 수 있다.Also in the case of Modification 1, since the heat conduction from the light emitting chip 30 side to the light receiving chip 20 side is alleviated by providing the space 60, the surface of the transparent resin 41A covering the light receiving chip 20 is thermally It is possible to prevent the deformed or transparent resin 41A from being discolored.

(변형예 2)(Modified example 2)

도 4는 변형예 2에 의한 광원 일체형 광센서(1C)의 단면도이다. 도 4에 의한 광원 일체형 광센서(1C)는 전술한 광원 일체형 광센서(1)와 비교하여 투명수지(41A)의 공간(60)에 면하는 측면에, 차광막(51C)이 형성되어 있는 점에서 다르다.4 is a sectional view of the light source integrated type light sensor 1C according to the second modification. The light source integrated type optical sensor 1C according to Fig. 4 differs from the above-described light source integrated type optical sensor 1 in that the light shielding film 51C is formed on the side facing the space 60 of the transparent resin 41A different.

변형예 2의 광원 일체형 광센서(1C)에서는 도 2(c)에 예시한 투명수지(41A)의 우측면(공간측)에 대해서 소정의 금속재료를 스퍼터 증착하여 차광막(51C)을 형성한다. 이에 의해, 공간(60)을 끼고 투명수지(41A) 및 투명수지(41B)가 분리된 상태에서, 공간(60)으로 입사된 외광이 수광칩(20)에 의해 수광되지 않도록 차광할 수 있다.In the light source integrated type optical sensor 1C of Modification Example 2, a predetermined metallic material is sputter deposited on the right side (space side) of the transparent resin 41A shown in Fig. 2C to form a light shielding film 51C. This makes it possible to shield the external light incident on the space 60 from being received by the light receiving chip 20 in a state in which the transparent resin 41A and the transparent resin 41B are separated with the space 60 interposed therebetween.

변형예 2의 경우도 공간(60)을 설치함으로써 발광칩(30)측으로부터 수광칩(20)측으로의 열전도가 완화되므로, 수광칩(20)을 덮는 투명수지(41A)의 표면이 열에 의해 변형되거나, 투명수지(41A)가 변색되는 것을 방지할 수 있다.Also in the case of Modification 2, since the space 60 allows the heat conduction from the light emitting chip 30 side to the light receiving chip 20 side to be relaxed, the surface of the transparent resin 41A covering the light receiving chip 20 is deformed Or the transparent resin 41A can be prevented from being discolored.

(변형예 3)(Modification 3)

도 5는 변형예 3에 의한 광원 일체형 광센서(1D)의 단면도이다. 도 5에 의한 광원 일체형 광센서(1D)는 도 1의 광원 일체형 광센서(1)와 비교하여, 공간(60)내에 열전도율이 높은 재료, 예를 들어 금속판(70)을 설치하고 있는 점, 및 금속판(70)의 바로 아래가 되는 위치에 맞추어 관통구멍(16)이 형성되는 점에서 다르다.5 is a sectional view of the light source integrated type optical sensor 1D according to the third modification. The light source integrated type optical sensor 1D according to Fig. 5 is different from the light source integrated optical sensor 1 shown in Fig. 1 in that a material having a high thermal conductivity, for example, a metal plate 70 is provided in the space 60, And a through hole 16 is formed in correspondence to a position directly under the metal plate 70. [

변형예 3의 광원 일체형 센서(1D)에서는 기판(10)에 관통구멍(16)이 추가 형성된 기판(10B)에 대해서 광원 일체형 광센서(1)와 동일한 처리를 실시한 상태에서, 관통구멍(16)의 바로 위에 열전도성 재료인 금속판(70)을 설치한다. 발광칩(30)측으로부터 금속판(70)으로 전달된 열에 관해서는 관통구멍(16)을 통하여 기판(10B)의 하면측 패턴(17)으로부터 방열 가능하다.In the light source integrated type sensor 1D of Modification Example 3, the same processing as that of the light source integrated type optical sensor 1 is performed on the substrate 10B in which the through hole 16 is additionally formed in the substrate 10, A metal plate 70, which is a thermally conductive material, The heat transferred from the side of the light emitting chip 30 to the metal plate 70 can be radiated from the lower side pattern 17 of the substrate 10B through the through hole 16. [

또한, 금속판(70)과 불투명 수지(51B) 사이에는 발광칩(30)측의 열을 금속판(70)으로 흡수하기 쉽게 하기 위해 충전제를 도포하여 간극을 메우면 좋다. 또한, 금속판(70)과 불투명 수지(51A) 사이에는 양자간의 열전도를 피하기 위해 공극을 설치해 두면 좋다. 금속판(70)이 관통구멍(16) 위에 위치하므로, 발광칩(30)측의 열이 금속판(70)에 전달된 경우에는 관통구멍(16)을 통하여 기판(10) 하측으로 효율 좋게 그 열을 빠져나가게 한다.A filler may be applied between the metal plate 70 and the opaque resin 51B in order to easily absorb the heat of the light emitting chip 30 side by the metal plate 70 to fill the gap. A gap may be provided between the metal plate 70 and the opaque resin 51A to avoid heat conduction therebetween. Since the metal plate 70 is located on the through hole 16 when the heat of the light emitting chip 30 is transmitted to the metal plate 70, the heat is efficiently transmitted to the lower side of the substrate 10 through the through hole 16 Let it escape.

변형예 3의 경우는 불투명 수지(51A, 51B) 및 금속판(70)을 설치함으로써 발광칩(30)측으로부터 수광칩(20)측으로의 열전도가 완화되므로, 수광칩(20)을 덮는 투명수지(41A)의 표면이 열에 의해 변형되거나 투명수지(41A)가 변색되는 것을 방지할 수 있다.In the case of Modification 3, since the heat conduction from the light emitting chip 30 side to the light receiving chip 20 side is alleviated by providing the opaque resin 51A, 51B and the metal plate 70, It is possible to prevent the surface of the transparent resin 41A from being deformed by heat or the transparent resin 41A from being discolored.

(변형예 4)(Variation 4)

도 6은 변형예 4에 의한 광원 일체형 광센서(1E)의 단면도이다. 도 6에 의한 광원 일체형 광센서(1E)는 도 3의 광원 일체형 광센서(1B)와 비교하여, 공간(60)내에 열전도율이 높은 재료, 예를 들어 금속판(70)을 설치하고 있는 점, 및 금속판(70)의 바로 아래가 되는 위치에 맞추어 관통구멍(16)이 형성되는 점에서 다르다.6 is a sectional view of the light source integrated type optical sensor 1E according to the fourth modification. The light source integrated type optical sensor 1E according to Fig. 6 is different from the light source integrated type optical sensor 1B shown in Fig. 3 in that a material having a high thermal conductivity, for example, a metal plate 70 is provided in the space 60, And a through hole 16 is formed in correspondence to a position directly under the metal plate 70. [

변형예 4의 광원 일체형 광센서(1E)에서는 기판(10)에 관통구멍(16)이 추가 형성된 기판(10B)에 대하여 광원 일체형 광센서(1B)와 동일한 처리를 실시한 상태에서, 관통구멍(16)의 바로 위에 열전도성 재료인 금속판(70)을 설치한다. 발광칩(30)측으로부터 금속판(70)으로 전달된 열에 관해서는 관통구멍(16)을 통하여 기판(10B)의 하면측 패턴(17)으로부터 방열 가능하다.The light source integrated type optical sensor 1E of Modification Example 4 has the same processing as that of the light source integrated type optical sensor 1B with respect to the substrate 10B in which the through hole 16 is further formed in the substrate 10, A metal plate 70, which is a thermally conductive material, is provided. The heat transferred from the side of the light emitting chip 30 to the metal plate 70 can be radiated from the lower side pattern 17 of the substrate 10B through the through hole 16. [

변형예 4의 경우는 불투명 수지(51) 및 금속판(70)을 설치함으로써 발광칩(30)측으로부터 수광칩(20)측으로의 열전도가 완화되므로, 수광칩(20)을 덮는 투명수지(41A)의 표면이 열에 의해 변형되거나, 투명수지(41A)가 변색되는 것을 방지할 수 있다.The transparent resin 41A covering the light receiving chip 20 can be prevented from being damaged because the heat conduction from the light emitting chip 30 side to the light receiving chip 20 side is alleviated by providing the opaque resin 51 and the metal plate 70. [ It is possible to prevent the surface of the transparent resin 41A from being deformed by heat or the transparent resin 41A from being discolored.

(변형예 5)(Modified Example 5)

변형예 3 또는 변형예 4에서 금속판(70)을 설치하는 경우에는 불투명 수지(51A, 51B) 또는 불투명 수지(51)를 생략해도 좋다. 이 경우에는 발광칩(30)으로부터 수광칩(20)측으로 사출되는 직접광을 금속판(70)으로 차폐시킨다.The opaque resin 51A or 51B or the opaque resin 51 may be omitted when the metal plate 70 is provided in Modification 3 or Modification 4. [ In this case, direct light emitted from the light emitting chip 30 to the light receiving chip 20 side is shielded by the metal plate 70.

(변형예 6)(Modified Example 6)

전술한 설명에서는 공간(60)의 깊이를 기판(10)의 표면에 도달하는 깊이로 하는 예를 설명했다. 그 대신, 기판(10)의 표면에 달하는 깊이로 하지 않아도 열적인 영향을 완화시킬 수 있는 경우에는, 공간(60)의 깊이를 기판(10)까지 도달하지 않는 도중의 깊이에 그치게 한 구성으로 해도 좋다.In the above description, the depth of the space 60 is set to a depth reaching the surface of the substrate 10. Alternatively, in the case where the thermal influence can be alleviated even if the depth reaches the surface of the substrate 10, even if the depth of the space 60 is limited to the depth not reaching the substrate 10 good.

(변형예 7)(Modification 7)

수광칩(20), 발광칩(30)과 기판(10)의 패턴과의 사이를 본딩 접속하는 예를 설명했지만, 이 이외의 접속방법, 예를 들어 플립칩 접속이나 TAB 접속을 사용해도 좋다.The light receiving chip 20 and the pattern of the light emitting chip 30 and the substrate 10 are bonded and connected. However, other connection methods, for example flip chip bonding or TAB bonding, may be used.

(변형예 8)(Modification 8)

도 7은 변형예 8에 의한 광원 일체형 광센서(1P)의 단면도이다. 도 7에 의한 광원 일체형 광센서(1P)는 상기 실시형태에 의한 광원 일체형 광센서(1)와 비교하여 기판(10) 위에 불투명 수지의 층(18A, 18B, 18C, 18D)가 적층되어 있는 점에서 다르다.7 is a sectional view of the light source integrated type optical sensor 1P according to the eighth modified example. The light source integrated type optical sensor 1P according to Fig. 7 is different from the light source integrated optical sensor 1 according to the above embodiment in that opaque resin layers 18A, 18B, 18C and 18D are laminated on the substrate 10 .

변형예 8의 광원 일체형 광센서(1P)의 제조방법에 대해서 도 2(a) 및 도 8을 참조하여 설명한다. 도 2(a)에 예시한 회로기판(10) 위에 수광칩(20) 및 발광칩(30)의 외주면에 각각 접하도록 불투명 수지(18)를 도포하여 불투명 수지(18)로 이루어진 차광층을 설치한다. 도 8(a)에서 수광칩(20)의 좌측에 불투명 수지(18A)가 형성되고, 수광칩(20) 및 발광칩(30) 사이에 불투명 수지(18)가 형성되며, 발광칩(30)의 우측에 불투명 수지(18D)가 형성된다.A manufacturing method of the light source integrated type optical sensor 1P of Modified Example 8 will be described with reference to Fig. 2 (a) and Fig. The opaque resin 18 is applied on the circuit board 10 shown in Fig. 2A so as to be in contact with the outer peripheral surfaces of the light receiving chip 20 and the light emitting chip 30 to form a light shielding layer made of the opaque resin 18 do. An opaque resin 18A is formed on the left side of the light receiving chip 20 in Fig. 8A and an opaque resin 18 is formed between the light receiving chip 20 and the light emitting chip 30, Opaque resin 18D is formed on the right side of the opaque resin 18D.

다음에, 수광칩(20) 및 본딩와이어(21, 22)와, 발광칩(30) 및 본딩와이어(31)와, 상기 불투명 수지(18A, 18, 18D)를, 각각 투명 수지(41)로 밀봉한다. 도 8(b)에서 수광칩(20) 및 발광칩(30) 사이에서 투명수지(41) 및 불투명 수지(18)의 일부를 기판(10)의 표면보다 깊게 절삭하는 다이싱 가공을 실시한다. 이에 의해, 투명수지(41)가 투명수지(41A)와 투명수지(41B)로 분리되고, 불투명 수지(18)가 불투명 수지(18B)와 불투명 수지(18C)로 분리된다.Next, the light-receiving chip 20 and the bonding wires 21 and 22, the light-emitting chip 30 and the bonding wire 31, and the opaque resin 18A, 18 and 18D, Seal it. A dicing process is performed in which a part of the transparent resin 41 and the opaque resin 18 are cut deeper than the surface of the substrate 10 between the light receiving chip 20 and the light emitting chip 30 in Fig. Thereby, the transparent resin 41 is separated into the transparent resin 41A and the transparent resin 41B, and the opaque resin 18 is separated into the opaque resin 18B and the opaque resin 18C.

도 8(c)에서 절삭한 공간에 불투명 수지(51)를 충전한다. 불투명 수지(51)에는 열전도율이 낮은 단열성 재료를 사용한다. 그리고, 충전한 불투명 수지(51)의 일부를 상기 불투명 수지(51)가 충전되어 있는 공간의 바닥(즉 기판(10))에 도달할 때까지 절삭하는 다이싱 가공을 실시한다. 이에 의해, 불투명 수지(51)가 불투명 수지(51A)와 불투명 수지(51B)로 분리되고, 도 7에 예시한 광원 일체형 광센서(1P)가 얻어진다.8 (c), the opaque resin 51 is filled in the cut space. As the opaque resin 51, a heat insulating material having a low thermal conductivity is used. Then, a part of the charged opaque resin 51 is diced until it reaches the bottom of the space filled with the opaque resin 51 (that is, the substrate 10). Thereby, the opaque resin 51 is separated into the opaque resin 51A and the opaque resin 51B, and the light source integrated type optical sensor 1P exemplified in Fig. 7 is obtained.

변형예 8에 의한 광원 일체형 광센서(1P)는 광원 일체형 센서(1)와 동일한 작용 효과를 갖는다. 광원 일체형 광센서(1P)는 또한, 기판(10) 위에 불투명 수지의 층(18)을 적층하고, 불투명 수지의 층(18)에 의한 차광층보다 깊게 절삭한 공간(60)내에, 불투명 수지(51A, 51B)를 불투명 수지(18B, 18C)와 각각 접하도록 형성했으므로, 발광칩(30)으로부터의 광이 기판(10)내를 통하여 수광칩(20)으로 도달하는, 소위 광누출을 억지할 수 있다.The light source integrated type optical sensor 1P according to the modified example 8 has the same operational effect as the light source integrated type sensor 1. The light source integrated type optical sensor 1P is further provided with a layer 18 of opaque resin on the substrate 10 and an opaque resin layer (not shown) in a space 60 cut deeper than the light- The light from the light emitting chip 30 reaches the light receiving chip 20 through the inside of the substrate 10 so as to prevent the so-called light leakage .

<제2 실시형태>&Lt; Second Embodiment >

제1 실시형태의 광원 일체형 광센서(1)와 다른 광원 일체형 광센서(1F), 및 이의 제조방법에 대해서 설명한다. 도 9는 본 발명의 제2 실시형태에 의한 광원 일체형 광센서(1F)의 단면도이다. 제1 실시형태의 광원 일체형 광센서(1)(도 1)와 동일한 구성에는 도 1과 공통의 부호를 붙이고 설명을 생략한다.A light source integrated type optical sensor 1F different from the light source integrated type optical sensor 1 according to the first embodiment and a manufacturing method thereof will be described. 9 is a sectional view of the light source integrated type optical sensor 1F according to the second embodiment of the present invention. The same components as those of the light source integrated type optical sensor 1 (Fig. 1) of the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those in Fig. 1, and a description thereof will be omitted.

도 9에서 수광칩(20) 및 발광칩(30)의 사이에는 금속판(70)이 설치되고 금속판(70)을 끼고 수광칩(20)측에 불투명 수지(51K)가, 발광칩(30)측에 불투명 수지(51L)가, 각각 설치되어 있다. 수광칩(20)을 끼고 불투명 수지(51K)와 반대측에는, 불투명 수지(51J)가 설치되어 있다. 또한, 발광칩(30)을 끼고 불투명 수지(51L)와 반대측에는 불투명 수지(51M)가 설치되어 있다.9, a metal plate 70 is provided between the light-receiving chip 20 and the light-emitting chip 30, an opaque resin 51K is provided on the light-receiving chip 20 side with the metal plate 70 therebetween, And a opaque resin 51L is provided on the opaque resin layer 51L. An opaque resin 51J is provided on the opposite side of the opaque resin 51K with the light receiving chip 20 interposed therebetween. An opaque resin 51M is provided on the opposite side of the opaque resin 51L with the light emitting chip 30 interposed therebetween.

불투명 수지(51J), 수광칩(20), 및 불투명 수지(51K)의 위에는 이들과 본딩와이어(21, 22)의 접착부를 모두 덮도록, 투명수지(41A)가 설치된다. 또한, 불투명 수지(51L), 발광칩(30) 및 불투명 수지(51M) 위에는, 이들과 본딩와이어(31)의 접착부를 모두 덮도록 투명 수지(41B)가 설치된다.On the opaque resin 51J, the light receiving chip 20 and the opaque resin 51K, a transparent resin 41A is provided so as to cover both of these and the bonding portions of the bonding wires 21 and 22. On the opaque resin 51L, the light emitting chip 30 and the opaque resin 51M, a transparent resin 41B is provided so as to cover both of these and the bonding portion of the bonding wire 31. [

또한, 기판(10B) 위의 패턴(11, 12)은 관통구멍(15)과 동일한 다른 관통구멍, 또는 도시하지 않은 관통비어를 통하여 기판(10B)의 하면에 형성되어 있는 패턴(13) 등과 접속되어 있다.The patterns 11 and 12 on the substrate 10B are connected to the pattern 13 or the like formed on the lower surface of the substrate 10B through other through holes similar to the through holes 15 or via through- .

전술한 광원 일체형 광센서(1)의 제조수순에 대해서 도 10을 참조하여 설명한다. 도 10(a)에서 패턴이 형성되어 있는 회로기판(10B)의 상면의 소정위치에 수광칩(20)을 다이마운트한다. 발광칩(30)을, 관통구멍(15)과 접속되어 있는 패턴 위에 다이마운트한다. 계속해서, 수광칩(20)의 복수의 전극과, 기판(10B)의 패턴(11, 12) 및 다른 패턴과의 사이를 각각 본딩와이어(21, 22) 및 도시하지 않은 본딩와이어로 본딩 접속한다. 또한, 발광칩(30)의 상측의 전극과, 기판(10B)의 소정 패턴과의 사이를 본딩와이어(31)에 의해 본딩 접속한다. 또한, 관통구멍(16)의 바로 위에 댐재(65)를 접착한다. 댐재(65)는 후술하는 불투명 수지(51), 투명수지(41)를 형성할 때의 마스크로서 사용된다.The manufacturing procedure of the above-described light source integrated type optical sensor 1 will be described with reference to Fig. 10A, the light receiving chip 20 is mounted at a predetermined position on the upper surface of the circuit board 10B on which the pattern is formed. The light emitting chip 30 is die-mounted on a pattern connected to the through hole 15. [ Subsequently, a plurality of electrodes of the light-receiving chip 20 and the patterns 11 and 12 of the substrate 10B and other patterns are bonded and bonded to the bonding wires 21 and 22 and bonding wires (not shown), respectively . The upper electrode of the light emitting chip 30 and the predetermined pattern of the substrate 10B are bonded and bonded by a bonding wire 31. [ Further, the damper 65 is bonded directly to the through hole 16. The damper 65 is used as a mask for forming the opaque resin 51 and the transparent resin 41 which will be described later.

도 10(b)에서 기판(10B)의 표면을 덮도록 불투명 수지(51)를 도포한다. 이에 의해, 수광칩(20)의 좌측에 불투명 수지(51J)가, 수광칩(20) 및 댐재(65) 사이에 불투명 수지(51K)가, 댐재(65) 및 발광칩(30)사이에 불투명 수지(51L)가, 발광칩(30)의 우측에 불투명 수지(51M)가 각각 설치된다. 또한, 불투명 수지(51)에는 열전도율이 낮은 단열성 재료를 사용한다.In Fig. 10 (b), the opaque resin 51 is coated so as to cover the surface of the substrate 10B. This allows the opaque resin 51J to be disposed on the left side of the light receiving chip 20 and the opaque resin 51K between the light receiving chip 20 and the dam member 65 to be opaque between the damper 65 and the light emitting chip 30 The resin 51L and the opaque resin 51M are provided on the right side of the light emitting chip 30, respectively. A heat insulating material having a low thermal conductivity is used for the opaque resin (51).

다음에, 불투명 수지(51J, 51K, 51L, 51M), 수광칩(20), 댐재(65), 및 발광칩(30)의 위로부터 투명수지(41)를 도포한 후 댐재(65)를 벗겨 제거한다. 도 10(c)에서 댐재(65)가 있었던 위치에 홈(기판(10B)의 표면까지 도달하는 공간(60))이 생기므로, 투명수지(41)는 댐재(65)가 있던 위치의 좌측의 투명수지(41A)와, 댐재(65)가 있었던 위치의 우측의 투명수지(41B)로 분리된다.Next, after the opaque resin 51J, 51K, 51L, and 51M, the light receiving chip 20, the damper 65, and the transparent resin 41 are coated from above the light emitting chip 30, the dam member 65 is peeled off Remove. The transparent resin 41 is formed on the left side of the position where the dam member 65 was located since the groove (the space 60 reaching the surface of the substrate 10B) The transparent resin 41A and the transparent resin 41B on the right side of the position where the damper 65 is located.

도 10(c)의 상태에서 공간(60) 내에 금속판(70)을 설치함으로써 도 9에 예시한 광원 일체형 광센서(1F)가 얻어진다. 또한, 금속판(70)과 불투명 수지(51L)의 사이, 및 금속판(70)과 불투명 수지(51K) 사이에서, 열을 금속판(70)으로 흡수하기 쉽게 하기 위해 충전제를 도포하여 간극을 메울 수도 있다. 또한, 금속판(70)과 불투명 수지(51K) 사이에는 양자간의 열전도를 피하기 위해 공극을 설치해 두면 좋지만, 충전제로 간극을 메우는 것도 가능하다. 공간(60)을 관통구멍(16)의 바로 위에 설치해 둠으로써 열전도성 재료인 금속판(70)이 관통구멍(16) 위에 위치하므로 발광칩(30)측의 열이 금속판(70)에 전달된 경우에는 관통구멍(16)을 통하여 기판(10B) 하측으로 효율 좋게 그 열을 빼낸다.By providing the metal plate 70 in the space 60 in the state of Fig. 10 (c), the light source integrated type light sensor 1F exemplified in Fig. 9 is obtained. It is also possible to fill the gap between the metal plate 70 and the opaque resin 51L and between the metal plate 70 and the opaque resin 51K by applying a filler in order to make it easier to absorb heat by the metal plate 70 . A gap may be provided between the metal plate 70 and the opaque resin 51K to avoid thermal conduction therebetween, but it is also possible to fill the gap with a filler. Since the metal plate 70 which is a thermally conductive material is disposed on the through hole 16 by providing the space 60 directly above the through hole 16, when the heat on the side of the light emitting chip 30 is transmitted to the metal plate 70 The heat is efficiently extracted to the lower side of the substrate 10B through the through hole 16. [

이상 설명한 제2 실시형태에 의한 작용효과에 대해서 도 19를 참조하여 설명한다. 도 19는 제2 실시형태에 의한 광원 일체형 센서의 제조수순을 도시한 플로우차트이다.The operation and effect of the second embodiment described above will be described with reference to Fig. 19 is a flowchart showing a manufacturing procedure of the light source integrated type sensor according to the second embodiment.

(1) 광원 일체형 광센서(1F)의 제조방법은 기판(10B) 위의 소정 영역에 수광칩(20) 및 발광칩(30)을 각각 설치하는 공정(도 19의 S1)과, 수광칩(20)과 발광칩(30) 사이에서 댐재(65)를 설치하는 공정(도 19의 S2)와, 수광칩(20) 및 발광칩(30) 이외의 영역 위에 불투명 수지(51)를 형성하는 공정(도 19의 S3)과, 수광칩(20), 발광칩(30), 및 불투명 수지(51)의 영역 위에 각각 투명수지(41)를 형성하는 공정(도 19의 S4)과, 댐재(65)를 제거하는 공정(도 19의 S5)을 상기 공정순으로 실시하도록 했다. 이에 의해, 투명수지(41) 및 불투명 수지(51)를, 댐재(65)를 제거한 위치의 좌측의 투명수지(41A) 및 불투명 수지(51K)와, 댐재(65)를 제거한 위치의 우측의 투명수지(41B) 및 불투명 수지(51L)로 간단히 분리할 수 있다.(1) The manufacturing method of the light source integrated type optical sensor 1F includes the steps of setting the light receiving chip 20 and the light emitting chip 30 in a predetermined area on the substrate 10B (S1 in FIG. 19) 20) and the light emitting chip 30 and the step of forming the opaque resin 51 on the areas other than the light receiving chip 20 and the light emitting chip 30 (Step S3 in Fig. 19), a step of forming a transparent resin 41 on the areas of the light receiving chip 20, the light emitting chip 30 and the opaque resin 51 (step S4 in Fig. 19) (Step S5 in Fig. 19) are performed in the order of the above-mentioned steps. As a result, the transparent resin 41 and the opaque resin 51 are sandwiched between the transparent resin 41A and the opaque resin 51K on the left side where the damper 65 is removed and the transparent resin 41A and opaque resin 51K on the right side of the position where the damper 65 is removed It can be easily separated into the resin 41B and the opaque resin 51L.

(2) 댐재(65)를 제거하는 공정(도 19의 S5)의 후, 또한 도 10(c)의 공간(60) 중에 금속판(70)을 설치하여, 발광칩(30)측으로부터 금속판(70)으로 전달된 열에 관해서는 바로 아래의 관통구멍(16)을 통하여 기판(10B)의 하면측 패턴(17)(도 9)으로 방열하도록 했다. 금속판(70)을 설치하여 방열효과를 높임으로써, 발광칩(30)측으로부터 수광칩(20)측으로의 열전도가 완화된다. 이와 같이, 열에 의한 특성의 열화를 억제한 광원 일체형 광센서(1F)를 제공할 수 있다.(2) After the step of removing the dam member 65 (S5 of Fig. 19), a metal plate 70 is provided in the space 60 of Fig. 10 (c) The heat transferred to the lower side pattern 17 (Fig. 9) of the substrate 10B was immediately dissipated through the through hole 16 immediately below. The heat conduction from the light emitting chip 30 side to the light receiving chip 20 side is alleviated by increasing the heat radiating effect by providing the metal plate 70. Thus, it is possible to provide the light source integrated type optical sensor 1F in which deterioration of the characteristic due to heat is suppressed.

(3) 상기 광원 일체형 광센서(1F)의 제조방법에서 불투명 수지(51)에는 단열성 재료를 사용하도록 했으므로, 발광칩(30)으로부터 수광칩(20)을 덮는 투명수지(41A)로의 열전도를 효과적으로 완화하는 광원 일체형 광센서(1F)를 제공할 수 있다.(3) Since the heat insulating material is used for the opaque resin 51 in the manufacturing method of the light source integrated type optical sensor 1F, the thermal conductivity from the light emitting chip 30 to the transparent resin 41A covering the light receiving chip 20 can be effectively The light source integrated type light sensor 1F can be provided.

(변형예 9)(Modified Example 9)

도 10(c)의 공간(60) 내에 금속판(70)을 실장하지 않고 도 10(c)의 상태의 광원 일체형 광센서로 해도 좋다. 금속판(70)을 실장하지 않아도, 공간(60)을 설치함으로써 발광칩(30)측으로부터 수광칩(20)측으로의 열전도가 완화되므로, 수광칩(20)을 덮는 투명수지(41A)의 표면이 열에 의해 변형되거나 투명수지(41A)가 변색되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 변형예 9의 경우는 공간(60)내로 외광이 입사되었다고 해도, 불투명 수지(51K)에 의해 수광칩(20)이 수광하지 않도록 차광된다.The metal plate 70 may not be mounted in the space 60 shown in Fig. 10 (c), and the light source integrated optical sensor in the state shown in Fig. 10 (c) may be used. The heat conduction from the light emitting chip 30 side to the light receiving chip 20 side is alleviated by providing the space 60 without mounting the metal plate 70. The surface of the transparent resin 41A covering the light receiving chip 20 It is possible to prevent the transparent resin 41A from being deformed due to heat or discoloring. In the case of Modification 9, even if external light is incident into the space 60, the light-receiving chip 20 is shielded from light by the opaque resin 51K.

<제3 실시형태>&Lt; Third Embodiment >

도 11은 본 발명의 제3 실시형태에 의한 광원 일체형 광센서(1G)의 단면도이다. 도 11에 의한 광원 일체형 광센서(1G)는 전술한 광원 일체형 광센서(1F)와 비교하여 발광칩(30)과 수광칩(20) 사이에 금속판(70)(또는 공간(60))을 설치하지 않는 점, 기판(10)에 방열용 관통구멍(16)을 설치하고 있지 않은 점, 수광칩(20)의 개구부(수광부)의 주위를 불투명 수지(51J, 51K)로 둘러싸는 점에서 다르다. 불투명 수지(51J, 51K)는 후술하는 투명수지(41)를 형성할 때의 마스크로서 사용된다.11 is a sectional view of the light source integrated type optical sensor 1G according to the third embodiment of the present invention. Integrated light sensor 1G according to Fig. 11 has a structure in which a metal plate 70 (or a space 60) is provided between the light emitting chip 30 and the light receiving chip 20 as compared with the light source integrated type light sensor 1F described above And the surrounding of the opening (light-receiving portion) of the light-receiving chip 20 is surrounded by the opaque resin 51J and 51K in that the heat-dissipating through hole 16 is not provided in the substrate 10. The opaque resins 51J and 51K are used as a mask for forming a transparent resin 41 described later.

전술한 광원 일체형 광센서(1G)의 제조수순에 대해서 도 12를 참조하여 설명한다. 도 12에서 패턴이 형성되어 있는 회로기판(10)의 상면의 소정 위치에 수광칩(20)을 다이마운트한다. 발광칩(30)을, 관통구멍(15)과 접속되어 있는 패턴 위에 다이마운트한다. 계속해서, 수광칩(20)의 복수의 전극과, 기판(10)의 패턴(11, 12) 및 다른 패턴과의 사이를 각각 본딩와이어(21, 22), 및 도시하지 않은 본디와이어로 본딩 접속한다. 또한, 발광칩(30)의 상측의 전극과, 기판(10)의 소정 패턴과의 사이를 본딩와이어(31)에 의해 본딩 접속한다.The manufacturing procedure of the above-described light source integrated type optical sensor 1G will be described with reference to Fig. In Fig. 12, the light receiving chip 20 is mounted at a predetermined position on the upper surface of the circuit board 10 on which the pattern is formed. The light emitting chip 30 is die-mounted on a pattern connected to the through hole 15. [ Subsequently, a plurality of electrodes of the light-receiving chip 20 and the patterns 11 and 12 of the substrate 10 and another pattern are bonded and bonded to bonding wires 21 and 22, respectively, do. Further, an upper electrode of the light emitting chip 30 and a predetermined pattern of the substrate 10 are bonded and bonded to each other by a bonding wire 31.

또한, 수광칩(20)의 개구부(입사구)의 주위를 둘러싸도록 불투명 수지(51J 및 51K)를 사용하여 댐재를 형성한다. 불투명 수지(51J, 51K)에는 열전도율이 낮은 단열성 재료를 사용한다.Further, the damper is formed by using the opaque resin 51J and 51K so as to surround the periphery of the opening (incident opening) of the light receiving chip 20. [ For the opaque resins 51J and 51K, a heat insulating material having a low thermal conductivity is used.

도 12의 상태에서 기판(10) 및 수광칩(20), 발광칩(30)의 위로부터 투명수지(41)를 도포한다. 댐재로서 불투명 수지(51J 및 51K)를 설치해 둠으로써, 투명수지(41)는 도 11에 도시한 바와 같이 댐재의 내측에서 수광칩(20)의 개구부(수광부)를 덮는 영역(41A)과, 댐재의 외측의 영역(41B)으로 분리된다.The transparent resin 41 is applied from above the substrate 10, the light-receiving chip 20, and the light-emitting chip 30 in the state of Fig. The transparent resin 41 has a region 41A covering the opening (light-receiving portion) of the light-receiving chip 20 inside the dam member as shown in Fig. 11, And is separated into the region 41B outside the ash.

이상 설명한 제3 실시형태에 의한 작용효과에 대해서 도 22를 참조하여 설명한다. 도 22는 제3 실시형태에 의한 광원 일체형 센서의 제조수순을 도시한 플로우차트이다.The operation and effect of the third embodiment described above will be described with reference to Fig. 22 is a flowchart showing a manufacturing procedure of the light source integrated type sensor according to the third embodiment.

(1) 광원 일체형 광센서(1G)의 제조방법은 기판(10) 위의 소정 영역에 수광칩(20) 및 발광칩(30)을 각각 설치하는 공정(도 22의 S31)과, 수광칩(20) 위에서 입사 개구부를 둘러싸도록 불투명 수지(51J, 51K)를 형성하는 공정(도 22의 S32)과, 불투명 수지(51J, 51K)의 내측 및 외측 각각에 투명수지(41)를 형성하는 공정(도 22의 S33)을 상기 공정순으로 실시하도록 했다. 이에 의해, 투명수지(41)는 상기 불투명 수지(51J, 51K)의 내측의 투명수지(41A)와, 불투명 수지(51J, 51K)의 외측의 투명수지(41B)로 분리됨으로써, 발광칩(30)으로부터 수광칩(20)을 덮는 투명수지(41A)로의 열전도가 완화된다. 이 결과, 발광칩(30)으로부터의 열에 의한 특성의 열화를 억제한 광원 일체형 광센서(1G)를 제공할 수 있다.(1) The manufacturing method of the light source integrated type optical sensor 1G includes the steps of setting the light receiving chip 20 and the light emitting chip 30 in a predetermined area on the substrate 10 (S31 in FIG. 22) (Step S32 in FIG. 22) of forming the opaque resin 51J and 51K so as to surround the incident opening from above the opaque resin 51J and the opaque resin 51K and forming the transparent resin 41 on the inside and outside of the opaque resin 51J and 51K S33 in Fig. 22) are performed in the order of the above-mentioned steps. The transparent resin 41 is separated into the transparent resin 41A inside the opaque resin 51J and 51K and the transparent resin 41B outside the opaque resin 51J and 51K, ) To the transparent resin 41A covering the light-receiving chip 20 is relaxed. As a result, it is possible to provide the light source integrated type optical sensor 1G in which deterioration of the characteristic due to heat from the light emitting chip 30 is suppressed.

(2) 상기 광원 일체형 광센서(1G)의 제조방법에서 불투명 수지(51J, 51K)에는 단열성 재료를 사용하도록 했으므로, 발광칩(30)으로부터 수광칩(20)을 덮는 투명수지(41A)로의 열전도를 효과적으로 완화하는 광원 일체형 광센서(1G)를 제공할 수 있다.(2) Since the heat insulating material is used for the opaque resin 51J, 51K in the method of manufacturing the light source integrated type optical sensor 1G, the thermal conductivity from the light emitting chip 30 to the transparent resin 41A covering the light receiving chip 20 It is possible to provide the light source integrated type optical sensor 1G that effectively mitigates the influence of light.

<제4 실시형태>&Lt; Fourth Embodiment &

도 13은 본 발명의 제4 실시형태에 의한 광원 일체형 광센서(1H)의 단면도이다. 도 13에 의한 광원 일체형 광센서(1H)는 전술한 광원 일체형 광센서(1G)와 비교하여, 수광칩(20)의 개구부(수광부)를 투명수지(41C)로 렌즈 형상으로 밀봉한 점에서 다르다.13 is a sectional view of a light source integrated type optical sensor 1H according to a fourth embodiment of the present invention. The light source integrated type 1H sensor according to Fig. 13 differs from the above-described light source integrated type sensor 1G in that the opening portion (light receiving portion) of the light receiving chip 20 is sealed with a transparent resin 41C in the form of a lens .

전술한 광원 일체형 광센서(1H)의 제조수순에 대해서 도 14를 참조하여 설명한다. 도 14에서 패턴이 형성되어 있는 회로기판(10)의 상면의 소정위치에 수광칩(20)을 다이마운트한다. 발광칩(30)을, 관통구멍(15)과 접속되어 있는 패턴 위에 다이마운트한다. 계속해서, 수광칩(20)의 복수의 전극과, 기판(10)의 패턴(11, 12) 및 다른 패턴과의 사이를 각각 본딩와이어(21, 22) 및 도시하지 않은 본딩와이어로 본딩 접속한다. 또한, 발광칩(30)의 상측의 전극과, 기판(10)의 소정 패턴과의 사이를 본딩와이어(31)에 의해 본딩 접속한다.The manufacturing procedure of the above-described light source integrated type optical sensor 1H will be described with reference to Fig. 14, the light receiving chip 20 is mounted at a predetermined position on the upper surface of the circuit board 10 on which the pattern is formed. The light emitting chip 30 is die-mounted on a pattern connected to the through hole 15. [ Subsequently, the plurality of electrodes of the light-receiving chip 20 and the patterns 11 and 12 of the substrate 10 and the other patterns are bonded and bonded to the bonding wires 21 and 22 and bonding wires (not shown), respectively . Further, an upper electrode of the light emitting chip 30 and a predetermined pattern of the substrate 10 are bonded and bonded to each other by a bonding wire 31.

또한, 포팅에 의해 렌즈형상으로 볼록해진 투명수지(41C)로, 수광칩(20)의 개구부(수광부)를 밀봉한다. 또한, 포팅에 의해 렌즈 형상으로 볼록해진 투명수지(41D)로 발광칩(30)의 개구부(발광부)를 밀봉한다. 이들은 각각 렌즈 효과를 갖는다.Further, the opening (light-receiving portion) of the light-receiving chip 20 is sealed with the transparent resin 41C that is convexed into a lens shape by potting. Further, the opening (light emitting portion) of the light emitting chip 30 is sealed with the transparent resin 41D which is convexed in the lens shape by the potting. Each having a lens effect.

도 14의 상태에서 기판(10) 및 수광칩(20), 발광칩(30)의 위로부터 불투명 수지(51)를 도포한다. 앞서 포팅한 투명수지(41C 및 41D)를 각각 피하여 도포함으로써 투명수지(41C, 41D)와, 불투명 수지(51J, 51K, 51L)를 분리하여 형성한다. 이 때, 불투명 수지(51J, 51K, 51L)를 투명수지(41C, 41D)보다 높게 형성한다.The opaque resin 51 is applied from above the substrate 10, the light-receiving chip 20, and the light-emitting chip 30 in the state of Fig. The transparent resin 41C and 41D and the opaque resin 51J, 51K and 51L are separated and formed by applying the transparent resin 41C and the resin 41D which have been previously removed from each other. At this time, the opaque resin 51J, 51K, 51L is formed higher than the transparent resin 41C, 41D.

이상 설명한 제4 실시형태에 의한 작용효과에 대해서 도 20을 참조하여 설명한다. 도 20은 제4 실시형태에 의한 광원 일체형 센서의 제조수순을 도시한 플로우차트이다.The operation and effect of the fourth embodiment described above will be described with reference to Fig. 20 is a flowchart showing a manufacturing procedure of the light source integrated type sensor according to the fourth embodiment.

(1) 광원 일체형 광센서(1H)의 제조방법은 기판(10) 위의 소정 영역에 수광칩(20) 및 발광칩(30)을 각각 설치하는 공정(도 20의 S11)과, 수광칩(20) 및 발광칩(30)의 영역 위에 각각 투명수지(41C, 41D)를 형성하는 공정(도 20의 S12))과, 수광칩(20) 및 발광칩(30) 이외의 영역 위에 불투명 수지(51J, 51K, 51L)를 투명수지(41C, 41D)보다 높게 형성하는 공정(도 20의 S13)을 상기 공정순으로 실시하도록 했다. 이에 의해, 투명수지(41C)는 상기 불투명 수지(51J, 51K)로부터 분리되는 점에서, 발광칩(30)으로부터 수광칩(20)을 덮는 투명수지(41C)로의 열전도가 완화된다. 이 결과, 발광칩(30)으로부터의 열에 의한 특성의 열화를 억제한 광원 일체형 광센서(1H)를 제공할 수 있다. 수지는 열에 의한 변형이나 변색이 발생하기 쉬우므로, 발광칩(30)으로부터 수광칩(20)을 덮는 투명수지(41C)로의 열전도를 완화시킬 수 있는 것이 중요하다.(1) The manufacturing method of the light source integrated type optical sensor 1H includes the steps of setting the light receiving chip 20 and the light emitting chip 30 in a predetermined area on the substrate 10 (S11 in FIG. 20) 20) and the light-emitting chip 30, and the step of forming the transparent resin 41C and 41D on the areas of the light-receiving chip 20 and the light-emitting chip 30 51J, 51K, and 51L are formed to be higher than the transparent resin 41C and 41D (S13 in FIG. 20). The thermal conductivity of the transparent resin 41C from the light emitting chip 30 to the transparent resin 41C covering the light receiving chip 20 is relaxed in that the transparent resin 41C is separated from the opaque resin 51J and 51K. As a result, it is possible to provide a light source integrated type light sensor (1H) in which deterioration of characteristics due to heat from the light emitting chip (30) is suppressed. It is important that the thermal conductivity of the resin from the light emitting chip 30 to the transparent resin 41C covering the light receiving chip 20 can be mitigated.

(2) 상기 광원 일체형 광센서(1H)의 제조방법에서 투광부재에 수지(41C)를 사용했으므로, 유리재에 비하여 경량이고 저렴하게 제조할 수 있다.(2) Since the resin 41C is used for the translucent member in the method of manufacturing the light source integrated type optical sensor 1H, it can be manufactured at a lower cost and inexpensiveness than the glass material.

(변형예 10)(Modified Example 10)

전술한 도 13의 광원 일체형 광센서(1H)를, 변형예 10의 제조수순에 의해 제조할 수도 있다. 도 21은 변형예 10의 제조수순을 도시한 플로우차트이다. 변형예 10에서는 투명수지(41C 및 41D)를 포팅하기(도 21의 S23) 전에 불투명 수지(51)를 도포하는 점(도 21의 S22)이, 제4 실시형태의 수순과 다르다. 변형예 10의 제조수순을 도 15를 참조하여 설명한다.The above-described light source integrated type optical sensor 1H of Fig. 13 can also be manufactured by the manufacturing procedure of the modified example 10. Fig. 21 is a flowchart showing the manufacturing procedure of the modified example 10. Fig. In the modified example 10, the opaque resin 51 is applied (S22 in Fig. 21) before the transparent resin 41C and 41D are potted (S23 in Fig. 21) is different from the procedure in the fourth embodiment. The manufacturing procedure of the modified example 10 will be described with reference to Fig.

도 15에서 투명수지(41C)의 포팅예정위치, 및 투명수지(41D)의 포팅예정위치를 피하여, 기판(10) 및 수광칩(20), 발광칩(30)의 위로부터 불투명 수지(51)를 도포한다(S22). 다음에, 투명수지(41C 및 41D)를 각각 렌즈형상으로 포팅함으로써 수광칩(20)의 개구부(수광부) 및 발광칩(30)의 개구부(발광부)를 밀봉한다(S23). 이 때, 투명수지(41C, 41D)를 불투명 수지(51)보다 낮게 형성한다.The light receiving chip 20 and the opaque resin 51 from above the light emitting chip 30 are formed on the substrate 10 and the light receiving chip 20 in a manner that avoids the potting position of the transparent resin 41C and the potting position of the transparent resin 41D in Fig. (S22). Next, the openings (light-receiving portions) of the light-receiving chip 20 and the openings (light-emitting portions) of the light-emitting chip 30 are sealed by potting the transparent resin 41C and 41D respectively into a lens shape (S23). At this time, the transparent resin 41C or 41D is formed lower than the opaque resin 51.

변형예 10의 제조수순에서도 수광칩(20)의 수광부를 렌즈형상으로 밀봉한 투명수지(41C)를 다른 밀봉부재인 불투명 수지(51K)와 분리할 수 있으므로, 발광칩(30)측으로부터 투명수지(41C)로의 열전도가 완화된다. 그 때문에, 수광칩(20)의 수광부를 덮는 투명수지(41C)의 표면이 열에 의해 변형되거나 투명수지(41C)가 변색되는 것을 방지할 수 있다.The transparent resin 41C sealing the light receiving portion of the light receiving chip 20 in a lens shape can be separated from the opaque resin 51K which is another sealing member in the manufacturing procedure of Modification Example 10, The heat conduction to the heat sink 41C is alleviated. Therefore, it is possible to prevent the surface of the transparent resin 41C covering the light receiving portion of the light receiving chip 20 from being deformed by heat or the transparent resin 41C from being discolored.

<제5 실시형태>&Lt; Embodiment 5 >

도 16은 본 발명의 제5 실시형태에 의한 광원 일체형 광센서(1l)의 단면도이다. 도 16에 의한 광원 일체형 광센서(1l)는 전술한 광원 일체형 광센서(1H)와 비교하여 수광칩(20)의 개구부(수광부) 및 발광칩(30)의 개구부(발광부) 위에 투명수지(41)를 포팅하지 않는 점, 및 수광칩(20)의 개구부(수광부) 위에 유리재(80)를 설치하는 점에서 다르다.16 is a sectional view of the light source integrated type light sensor 11 according to the fifth embodiment of the present invention. The light source integrated type light sensor 11 according to Fig. 16 is different from the above-described light source integrated type light sensor 1H in that an opening (light receiving portion) of the light receiving chip 20 and an opening (light emitting portion) 41 in that the glass material 80 is provided on the opening (light-receiving portion) of the light-receiving chip 20.

전술한 광원 일체형 광센서(1l)의 제조수순에 대해서 도 16 및 도 17을 참조하여 설명한다. 도 17에서 패턴이 형성되어 있는 회로기판(10)의 상면의 소정 위치에 수광칩(20)을 다이마운트한다. 발광칩(30)을, 관통구멍(15)과 접속되어 있는 패턴 위에 다이마운트한다. 계속해서, 수광칩(20)의 복수의 전극과, 기판(10)의 패턴(11, 12) 및 다른 패턴과의 사이를 각각 본딩와이어(21, 22) 및 도시하지 않은 본딩와이어로 본딩 접속한다. 또한, 발광칩(30)의 상측의 전극과, 기판(10)의 소정패턴과의 사이를 본딩와이어(31)에 의해 본딩 접속한다. 또한, 수광칩(20)의 개구부(수광부) 위에 유리재(80)를 접착한다.The manufacturing procedure of the above-described light source integrated type optical sensor 11 will be described with reference to Figs. 16 and 17. Fig. 17, the light receiving chip 20 is mounted on a predetermined position on the upper surface of the circuit board 10 on which the pattern is formed. The light emitting chip 30 is die-mounted on a pattern connected to the through hole 15. [ Subsequently, the plurality of electrodes of the light-receiving chip 20 and the patterns 11 and 12 of the substrate 10 and the other patterns are bonded and bonded to the bonding wires 21 and 22 and bonding wires (not shown), respectively . Further, an upper electrode of the light emitting chip 30 and a predetermined pattern of the substrate 10 are bonded and bonded to each other by a bonding wire 31. Further, the glass material 80 is adhered to the opening (light-receiving portion) of the light-receiving chip 20.

도 18에서 유리재(80), 및 발광칩(30)의 개구부(발광부)를 피하여 기판(10) 및 수광칩(20), 발광칩(30)의 위로부터 불투명 수지(51J, 51K 및 51L)를 도포한다. 이 때, 불투명 수지(51J, 51K, 51L)을 발광칩(30)보다 높게 한다. 그리고, 마지막으로 투명수지(41)를 도포하여 코팅하고, 도 16에 예시한 바와 같이 발광칩(30)을 덮는 영역(41B)과, 좌측단의 영역(41A)을 형성한다.The substrate 10 and the light receiving chip 20 and the opaque resin 51J, 51K and 51L (light emitting chip) are formed from above the light emitting chip 30 by avoiding the glass material 80 and the opening ). At this time, the opaque resin 51J, 51K, 51L is made higher than the light emitting chip 30. Finally, a transparent resin 41 is applied and coated to form a region 41B covering the light emitting chip 30 and a region 41A at the left end as shown in Fig. 16.

이상 설명한 제5 실시형태에 의한 작용효과에 대해서 도 23을 참조하여 설명한다. 도 23은 제5 실시형태에 의한 광원 일체형 센서의 제조수순을 도시한 플로우차트이다. 이 제조방법에서는 기판(10) 위의 소정영역에 수광칩(20) 및 발광칩(30)을 각각 설치하는 공정(도 23의 S41)과, 수광칩(20)의 영역 위에 유리재(80)를 설치하는 공정(도 23의 S42)과, 유리재(80) 및 발광칩(30) 이외의 영역 위에, 불투명 수지(51J, 51K, 51L)을 발광칩(30)보다 높게 형성하는 공정(도 23의 S43)과, 발광칩(30) 및 불투명 수지(51J, 51K, 51L)의 영역 위에 투명수지(41A, 41B)를 형성하는 공정(도 23의 S44)을 상기 공정순으로 실시하므로, 발광칩(30)측으로부터 유리재(80)로 열이 전달되었다고 해도, 투명수지의 경우와 달리, 변형이나 변색이 발생하지 않는다. 그 때문에, 발광칩(30)으로부터의 열에 의한 특성의 열화를 억제한 광원 일체형 광센서(1l)를 제공할 수 있다.The operation and effect of the fifth embodiment described above will be described with reference to Fig. 23 is a flowchart showing a manufacturing procedure of the light source integrated type sensor according to the fifth embodiment. In this manufacturing method, a light receiving chip 20 and a light emitting chip 30 are provided in predetermined areas on the substrate 10 (S41 in FIG. 23), a glass material 80 is placed on the light receiving chip 20, (Step S42 in Fig. 23) of forming the opaque resin 51J, 51K, 51L on the area other than the glass material 80 and the light emitting chip 30 23) and the step of forming the transparent resin 41A, 41B (S44 in Fig. 23) on the regions of the light emitting chip 30 and the opaque resin 51J, 51K, 51L, Even if heat is transferred from the side of the glass substrate 30 to the glass material 80, deformation or discoloration does not occur unlike the case of the transparent resin. Therefore, it is possible to provide the light source integrated type light sensor 11 in which deterioration of the characteristic due to heat from the light emitting chip 30 is suppressed.

상기에서는 여러 실시형태 및 변형예를 설명했지만, 본 발명은 이들의 내용에 한정되는 것은 아니다. 각 실시형태 및 각 변형예의 구성은 적절하게 조합시켜도 상관없다. 본 발명의 기술적 사상의 범위내에서 생각되는 그 밖의 형태도 본 발명의 범위내에 포함된다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. The configurations of the respective embodiments and modified examples may be appropriately combined. And other forms contemplated within the scope of the present invention are also included within the scope of the present invention.

다음의 우선권 기초출원의 개시내용은 인용문으로서 여기에 편입된다.The contents of the following priority applications are incorporated herein by reference.

일본특허출원 2012년 105940호(2012년 5월 7일 출원)Japanese Patent Application 2012 105940 (filed on May 7, 2012)

일본특허출원 2012년 105941호(2012년 5월 7일 출원)Japanese Patent Application 2012 105941 (filed on May 7, 2012)

일본특허출원 2013년 564호(2013년 1월 7일 출원)Japanese Patent Application 2013, No. 564 (filed on January 7, 2013)

Claims (11)

기판 위의 소정 영역에 설치되고, 제1 투광부재로 밀봉된 수광소자,
상기 기판 위의 상기 수광소자와 다른 영역에 설치되고, 제2 투광부재로 밀봉된 발광소자,
상기 수광소자 및 상기 발광소자 사이에서 상기 제1 투광부재의 측면에 설치된 단열성의 제1 차광부재, 및
상기 제1 차광부재 및 상기 제2 투광부재 사이에 설치된 공간을 구비하는, 광원 일체형 광센서.A light receiving element provided in a predetermined region on the substrate and sealed with a first translucent member,
A light emitting element which is provided on an area of the substrate different from the light receiving element and which is sealed by a second light transmitting member,
A heat-insulating first light-shielding member provided between the light-receiving element and the light-emitting element on a side surface of the first translucent member,
And a space provided between the first light blocking member and the second light transmitting member. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 차광부재 및 상기 발광소자 사이에서 상기 제2 투광부재의 측면에 설치된 단열성의 제2 차광부재를 구비하고,
상기 공간은 상기 제1 차광부재 및 상기 제2 차광부재 사이에 설치되는, 광원 일체형 광센서.The method according to claim 1,
And a heat-insulating second light-shielding member provided between the first light-shielding member and the light-emitting element and provided on a side surface of the second translucent member,
And the space is provided between the first light blocking member and the second light blocking member. (삭제)(delete) (삭제)(delete) 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
적어도 상기 제1 투광부재는 수지에 의해 형성되는, 광원 일체형 광센서.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein at least the first translucent member is formed of resin. 기판 위의 소정 영역에 수광부 및 발광부를 각각 설치하고,
상기 수광부와 상기 발광부 사이에서 마스크 부재를 설치하고,
상기 수광부 및 상기 발광부 이외의 영역 위에 차광부재를 형성하고,
상기 수광부, 상기 발광부 및 상기 차광부재의 영역 위에 각각 투광부재를 형성하며,
상기 마스크 부재를 제거하는, 광원 일체형 광센서의 제조방법.A light receiving portion and a light emitting portion are respectively provided in a predetermined region on the substrate,
A mask member is provided between the light receiving unit and the light emitting unit,
A light shielding member is formed on an area other than the light receiving unit and the light emitting unit,
A light transmitting member is formed on each of the light receiving portion, the light emitting portion, and the light shielding member,
And removing the mask member. 기판 위의 소정 영역에 수광부 및 발광부를 각각 설치하고,
상기 수광부 및 상기 발광부의 영역 위에 각각 투광부재를 형성하고,
상기 수광부 및 상기 발광부 이외의 영역 위에, 차광부재를 상기 투광부재보다 높게 형성하는, 광원 일체형 광센서의 제조방법.A light receiving portion and a light emitting portion are respectively provided in a predetermined region on the substrate,
A light transmitting member is formed on each of the light receiving portion and the light emitting portion,
And the light shielding member is formed higher than the light transmitting member on the region other than the light receiving portion and the light emitting portion. 기판 위의 소정 영역에 수광부 및 발광부를 각각 설치하고,
상기 수광부 및 상기 발광부 이외의 영역 위에 차광부재를 형성하고,
상기 수광부 및 상기 발광부의 영역 위에, 각각 투광부재를 상기 차광부재보다 낮게 형성하는, 광원 일체형 광센서의 제조방법.A light receiving portion and a light emitting portion are respectively provided in a predetermined region on the substrate,
A light shielding member is formed on an area other than the light receiving unit and the light emitting unit,
And the light transmitting member is formed lower than the light shielding member on the region of the light receiving portion and the light emitting portion, respectively. 기판 위의 소정 영역에 수광부 및 발광부를 각각 설치하고,
상기 수광부 위에서 입사구를 둘러싸도록 차광부재를 형성하고,
상기 차광부재의 내측 및 외측 각각의 영역 위에 투광부재를 형성하는, 광원 일체형 광센서의 제조방법.A light receiving portion and a light emitting portion are respectively provided in a predetermined region on the substrate,
A light shielding member is formed on the light receiving unit so as to surround the incident aperture,
And the light transmitting member is formed on each of the inside and outside of the light shielding member. 기판 위의 소정 영역에 수광부 및 발광부를 각각 설치하고,
상기 수광부의 영역 위에 유리 부재를 설치하고,
상기 유리 부재 및 상기 발광부 이외의 영역 위에, 차광부재를 상기 발광부보다 높게 형성하고,
상기 발광부 및 상기 차광부재의 영역 위에 투광부재를 형성하는, 광원 일체형 광센서의 제조방법.A light receiving portion and a light emitting portion are respectively provided in a predetermined region on the substrate,
A glass member is provided on the region of the light receiving portion,
A light shielding member is formed on an area other than the glass member and the light emitting unit so as to be higher than the light emitting unit,
And forming a translucent member on a region of the light emitting portion and the light shielding member. 제 6 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 차광부재에는 단열성 재료를 사용하는, 광원 일체형 광센서의 제조방법.11. The method according to any one of claims 6 to 10,
Wherein a heat insulating material is used for the light shielding member.
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