KR20140141191A - Display device and method for driving the same - Google Patents

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KR20140141191A KR1020130062658A KR20130062658A KR20140141191A KR 20140141191 A KR20140141191 A KR 20140141191A KR 1020130062658 A KR1020130062658 A KR 1020130062658A KR 20130062658 A KR20130062658 A KR 20130062658A KR 20140141191 A KR20140141191 A KR 20140141191A
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Abstract

The present invention relates to a display device and a method for driving the same, and more particularly, to a display device, which is capable of detecting and blocking overcurrent, and a method for driving the same. According to an embodiment of the present invention, the display device comprises a power supply unit which supplies a first power to a first power supply line and supplies a second power to a second power supply line, and an overcurrent detection unit which samples a current flowing through the first power supply line at a shorter period than a non-emission period and detects an occurrence of the overcurrent in the first power supply line on the basis of sampled first current values.

Description

디스플레이 장치 및 이의 구동 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING THE SAME}DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING THE SAME

본 발명은 디스플레이 장치 및 이의 구동 방법에 관한 것으로, 특히 과전류를 감지하고 차단할 수 있는 디스플레이 장치 및 이의 구동 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a display device and a driving method thereof, and more particularly, to a display device capable of detecting and blocking an overcurrent and a driving method thereof.

최근, 음극선관(cathode ray tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 다양한 평판 표시 장치들이 개발되고 있다. 평판 표시 장치로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel), 및 유기 전계 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display) 등이 있다.2. Description of the Related Art Recently, various flat panel display devices capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of a cathode ray tube, have been developed. Examples of the flat panel display include a liquid crystal display, a field emission display, a plasma display panel, and an organic light emitting display.

평판 표시 장치는 일반적으로 다른 전자 장치보다 높은 전류를 사용하므로 패널의 크랙(crack)이나 비정상적으로 전원선이 단락되었을 때 과전류에 의한 소손 및 화재 발생 가능성이 높다.Since a flat panel display generally uses a higher current than other electronic devices, there is a high possibility that a panel is cracked or abnormally short-circuited when the power line is short-circuited and burned out or a fire occurs.

본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제는 과전류를 감지하고 차단할 수 있는 디스플레이 장치 및 이의 구동 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a display device capable of detecting and blocking an overcurrent and a driving method thereof.

본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 제1 전원 공급선으로 제1 전원을 공급하고 제2 전원 공급선으로 제2 전원을 공급하는 전원 공급부, 및 비발광 기간보다 짧은 시간의 주기로 상기 제1 전원 공급선을 통해 흐르는 전류를 샘플링하고 샘플링된 제1 전류값들에 기초하여 상기 제1 전원 공급선의 과전류 발생을 감지하는 과전류 감지부를 포함한다.A display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a power supply unit that supplies a first power to a first power supply line and a second power supply to a second power supply line and a power supply unit that supplies the first power supply line And an overcurrent sensing unit for sensing an overcurrent of the first power supply line based on the sampled first current values.

상기 과전류 감지부는, 상기 제1 전류값들 중에서 적어도 m 개(m은 자연수)의 전류값들이 제1 기준값보다 작을 때, 상기 제1 전원 공급선의 과전류 발생을 감지할 수 있다.The overcurrent sensing unit may sense the occurrence of an overcurrent of the first power supply line when at least m (m is a natural number) current values among the first current values are less than a first reference value.

상기 과전류 감지부는, 상기 제1 전류값들의 평균값이 제2 기준값보다 클 때, 상기 제1 전원 공급선의 과전류 발생을 감지할 수 있다.The overcurrent sensing unit may sense the occurrence of the overcurrent of the first power supply line when the average value of the first current values is larger than the second reference value.

상기 과전류 감지부는 상기 주기로 상기 제2 전원 공급선을 통해 흐르는 전류를 샘플링하고 샘플링된 제2 전류값들에 기초하여 상기 제2 전원 공급선의 과전류 발생을 감지할 수 있다.The overcurrent sensing unit may sample the current flowing through the second power supply line at the period and sense the occurrence of the overcurrent of the second power supply line based on the sampled second current values.

상기 과전류 감지부는 상기 제1 전원 공급선을 통해 흐르는 전류를 전압으로 변환하여 출력하는 제1 전류 감지 회로, 및 상기 제1 전류 감지 회로로부터 출력된 전압을 상기 주기로 샘플링하고 샘플링된 전압값들에 기초하여 상기 제1 전원 공급선의 과전류 발생을 감지하는 마이크로 프로세서를 포함할 수 있다.Wherein the overcurrent sensing unit includes a first current sensing circuit for converting a current flowing through the first power supply line to a voltage and outputting the voltage, and a second current sensing circuit for sampling the voltage output from the first current sensing circuit over the period and based on sampled voltage values And a microprocessor for sensing the occurrence of an overcurrent of the first power supply line.

상기 제1 전류 감지 회로는 상기 제1 전원 공급선에 배치된 센싱 저항, 상기 센싱 저항 양단의 제1 전압을 전류로 변환하여 출력하는 전압-전류 변환 회로, 및 상기 전압-전류 변환 회로로부터 출력된 전류를 제2 전압으로 변환하여 출력하는 전류-전압 변환 회로를 포함할 수 있다.Wherein the first current sensing circuit comprises: a sensing resistor disposed on the first power supply line; a voltage-to-current converter circuit for converting a first voltage across the sensing resistor into a current and outputting the current; And a current-voltage conversion circuit for converting the second voltage into a second voltage and outputting the second voltage.

상기 전압-전류 변환 회로는 제1 입력단이 상기 센싱 저항의 일단에 접속된 증폭기, 상기 센싱 저항의 타단과 상기 증폭기의 제2 입력단 사이에 접속된 제1 저항, 상기 센싱 저항의 상기 타단과 제1 노드 사이에 접속되는 제2 저항, 상기 증폭기의 상기 제2 입력단과 상기 제1 노드 사이에 접속되는 제3 저항, 및 에미터가 상기 제1 노드에 접속되고 베이스가 상기 증폭기의 출력단에 접속되고 콜렉터가 제2 노드에 접속되는 양극성 접합 트랜지스터를 포함할 수 있다.Wherein the voltage-current conversion circuit includes: an amplifier having a first input terminal connected to one end of the sensing resistor; a first resistor connected between the other end of the sensing resistor and a second input terminal of the amplifier; A third resistor connected between the second input of the amplifier and the first node, and a third resistor connected between the emitter and the first node, the base connected to the output of the amplifier, May be coupled to the second node.

상기 전류-전압 변환 회로는 상기 제2 노드와 접지 전압 사이에 접속된 제4 저항을 포함할 수 있다.The current-voltage conversion circuit may include a fourth resistor connected between the second node and a ground voltage.

상기 과전류 감지부는 상기 제2 전원 공급선을 통해 흐르는 전류를 전압으로 변환하여 출력하는 제2 전류 감지 회로를 더 포함하며, 상기 마이크로 프로세서는 상기 제2 전류 감지 회로로부터 출력된 전압을 상기 주기로 샘플링하고 샘플링된 전압값들에 기초하여 상기 제2 전원 공급선의 과전류 발생을 감지할 수 있다.Wherein the overcurrent sensing unit further includes a second current sensing circuit for converting a current flowing through the second power supply line into a voltage and outputting the voltage, wherein the microprocessor samples the voltage output from the second current sensing circuit at the above- Currents of the second power supply line based on the detected voltage values.

본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 구동 방법은 제1 전원 공급선으로 제1 전원을 공급하고 제2 전원 공급선으로 제2 전원을 공급하는 단계, 비발광 기간보다 짧은 시간의 주기로 상기 제1 전원 공급선을 통해 흐르는 전류를 샘플링하는 단계, 및 샘플링된 제1 전류값들에 기초하여 상기 제1 전원 공급선의 과전류 발생을 감지하는 단계를 포함한다.A method of driving a display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes supplying a first power to a first power source line and a second power source to a second power source line, Sampling the current flowing through the first power supply line, and sensing an overcurrent generation of the first power supply line based on the sampled first current values.

상기 감지하는 단계는 상기 제1 전류값들 중에서 적어도 m 개(m은 자연수)의 전류값들이 제1 기준값보다 작을 때 상기 제1 전원 공급선에 과전류가 발생한 것으로 판단하는 단계를 포함할 수 있다.The sensing may include determining that an overcurrent occurs in the first power supply line when at least m (m is a natural number) current values among the first current values are less than a first reference value.

상기 감지하는 단계는 상기 제1 전류값들의 평균값이 제2 기준값보다 클 때 상기 제1 전원 공급선에 과전류가 발생한 것으로 판단하는 단계를 포함할 수 있다.The sensing may include determining that an overcurrent occurs in the first power supply line when the average value of the first current values is greater than a second reference value.

상기 구동 방법은 상기 주기로 상기 제2 전원 공급선을 통해 흐르는 전류를 샘플링하는 단계, 및 샘플링된 제2 전류값들에 기초하여 상기 제2 전원 공급선의 과전류 발생을 감지하는 단계를 더 포함할 수 있다.The driving method may further include the steps of sampling a current flowing through the second power supply line at the period and detecting an overcurrent generation of the second power supply line based on the sampled second current values.

본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 제1 전원 공급선들로 제1 전원을 공급하고 제2 전원 공급선들로 제2 전원을 공급하는 전원 공급부, 및 비발광 기간보다 짧은 시간의 주기로 상기 제1 전원 공급선들 각각을 통해 흐르는 전류들을 샘플링하고 샘플링된 제1 전류값들에 기초하여 상기 제1 전원 공급선들 각각의 과전류 발생을 감지하는 과전류 감지부를 포함한다.A display device according to an embodiment of the present invention includes a power supply unit that supplies a first power to first power supply lines and a second power supply to second power supply lines, And an overcurrent sensing unit that samples currents flowing through each of the supply lines and senses generation of an overcurrent of each of the first power supply lines based on the sampled first current values.

상기 과전류 감지부는 상기 주기로 상기 제2 전원 공급선들 각각을 통해 흐르는 전류들을 샘플링하고 샘플링된 제2 전류값들에 기초하여 상기 제2 전원 공급선들 각각의 과전류 발생을 감지할 수 있다.The overcurrent sensing unit may sample the currents flowing through each of the second power supply lines at this period and sense the occurrence of the overcurrent of each of the second power supply lines based on the sampled second current values.

상기 과전류 감지부는 상기 제1 전원 공급선들 중에서 대응하는 하나를 통해 흐르는 전류를 전압으로 변환하여 출력하는 제1 전류 감지 회로들, 상기 제2 전원 공급선들 중에서 대응하는 하나를 통해 흐르는 전류를 전압으로 변환하여 출력하는 제2 전류 감지 회로들, 및 상기 제1 전류 감지 회로들과 상기 제2 전류 감지 회로들로부터 출력된 전압들을 상기 주기로 샘플링하고 샘플링된 전압값들에 기초하여 상기 제1 전원 공급선들과 상기 제2 전원 공급선들 각각의 과전류 발생을 감지하는 마이크로 프로세서를 포함할 수 있다.The overcurrent sensing unit may include first current sensing circuits for converting a current flowing through a corresponding one of the first power supply lines into a voltage and outputting the current, a current sensing circuit for converting a current flowing through the corresponding one of the second power supply lines to a voltage And a second current sense circuit that samples the voltages output from the first current sense circuits and the second current sense circuits in the period and outputs the sampled voltage values to the first power source lines And a microprocessor for sensing an overcurrent generation of each of the second power supply lines.

본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치 및 이의 구동 방법에 따르면 디스플레이 장치 내부의 과전류를 감지하고 차단하여 소손 및 화재를 방지할 수 있다.According to the display device and the driving method thereof according to the embodiment of the present invention, it is possible to prevent overheating and fire by sensing and blocking the overcurrent inside the display device.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 과전류 감지부가 전원 공급선을 통해 흐르는 전류를 샘플링하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 과전류 감지부를 보다 상세하게 나타내는 블록도이다.
도 4는 도 3에 도시된 제1 전류 감지 회로의 제1 실시 예를 나타내는 회로도이다.
도 5는 도 3에 도시된 제1 전류 감지 회로의 제2 실시 예를 나타내는 회로도이다.
도 6은 도 3에 도시된 제1 전류 감지 회로의 제3 실시 예를 나타내는 회로도이다.
도 7은 도 3에 도시된 제2 전류 감지 회로의 실시 예를 나타내는 회로도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타내는 블록도이다.
도 9는 도 8에 도시된 과전류 감지부를 보다 상세하게 나타내는 블록도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타내는 블록도이다.1 is a block diagram showing a display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a view for explaining a method of sampling a current flowing through a power supply line of the overcurrent sensing unit shown in FIG.
3 is a block diagram showing the overcurrent sensing unit shown in FIG. 1 in more detail.
4 is a circuit diagram showing a first embodiment of the first current sensing circuit shown in FIG.
5 is a circuit diagram showing a second embodiment of the first current sensing circuit shown in FIG.
6 is a circuit diagram showing a third embodiment of the first current sensing circuit shown in FIG.
7 is a circuit diagram showing an embodiment of the second current sensing circuit shown in Fig.
8 is a block diagram illustrating a display device according to another embodiment of the present invention.
9 is a block diagram showing the overcurrent sensing unit shown in FIG. 8 in more detail.
10 is a block diagram illustrating a display device according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 보다 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

평판 표시 장치들 중에서 유기 전계 발광 표시 장치가 일반적으로 가장 높은 전류를 사용하므로 이하 본 명세서에서는 유기 전계 발광 표시 장치를 기준으로 본 발명의 기술적 사상을 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 유기 전계 발광 표시 장치에 한정되지 않는다.Among the flat panel display devices, since the organic light emitting display generally uses the highest current, the technical idea of the present invention will be described herein based on the organic light emitting display. However, the technical idea of the present invention is not limited to the organic electroluminescence display device.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타내는 블록도이고, 도 2는 도 1에 도시된 과전류 감지부가 전원 공급선을 통해 흐르는 전류를 샘플링하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 1 is a block diagram showing a display device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a view for explaining a method of sampling a current flowing through a power supply line of the overcurrent sensing unit shown in FIG.

도 1과 도 2를 참조하면, 디스플레이 장치(100a)는 타이밍 제어부(110), 주사 구동부(120), 데이터 구동부(130), 화소부(140), 전원 공급부(160a), 및 과전류 감지부(170a)를 포함한다.1 and 2, a display device 100a includes a timing controller 110, a scan driver 120, a data driver 130, a pixel unit 140, a power supply unit 160a, and an overcurrent sensing unit 170a.

타이밍 제어부(110)는, 외부로부터 공급되는 동기 신호에 응답하여, 주사 구동부(120)와 데이터 구동부(130)의 동작을 제어한다. 구체적으로, 타이밍 제어부(110)는 주사 구동 제어 신호(미도시)를 생성하여 주사 구동부(120)로 공급한다. 또한, 타이밍 제어부(110)는 데이터 구동 제어 신호(미도시)를 생성하여 데이터 구동부(130)로 공급한다.The timing controller 110 controls operations of the scan driver 120 and the data driver 130 in response to a synchronization signal supplied from the outside. Specifically, the timing controller 110 generates a scan drive control signal (not shown) and supplies the scan drive control signal to the scan driver 120. The timing controller 110 generates a data driving control signal (not shown) and supplies the data driving control signal to the data driver 130.

또한, 타이밍 제어부(110)는 외부로부터 공급되는 데이터(미도시)를 데이터 구동부(130)로 출력한다.Also, the timing controller 110 outputs data (not shown) supplied from the outside to the data driver 130.

주사 구동부(120)는, 타이밍 제어부(110)로부터 출력된 주사 구동 제어 신호에 응답하여, 주사선들(S1 내지 Sn)로 주사 신호를 순차적으로 공급한다.The scan driver 120 sequentially supplies the scan signals to the scan lines S1 to Sn in response to the scan drive control signal output from the timing controller 110. [

데이터 구동부(130)는, 타이밍 제어부(110)로부터 출력된 데이터 구동 제어 신호에 응답하여, 타이밍 제어부(110)로부터 출력된 데이터를 재정렬하여 데이터선(D1 내지 Dm)으로 공급한다.In response to the data driving control signal output from the timing control unit 110, the data driving unit 130 rearranges the data output from the timing control unit 110 and supplies the data to the data lines D1 to Dm.

화소부(140)는 복수의 행들과 복수의 열들의 매트릭스 구조로 배열되는 화소들(150)을 포함한다. 화소들(150)은 데이터선들(D1 내지 Dm)과 주사선들(S1 내지 Sn)의 교차부들마다 배치된다. 화소들(150)은 제1 전원 공급선(ELVDD)을 통해 공급되는 제1 전원과 제2 전원 공급선(ELVSS)을 통해 공급되는 제2 전원을 이용해 발광한다.The pixel portion 140 includes pixels 150 arranged in a matrix structure of a plurality of rows and a plurality of columns. The pixels 150 are arranged at the intersections of the data lines D1 to Dm and the scan lines S1 to Sn. The pixels 150 emit light using a first power source supplied through the first power source line ELVDD and a second power source supplied through the second power source line ELVSS.

화소부(140)는 한 프레임 기간(1F)을 비발광 기간과 발광 기간으로 나누어 동작한다. 즉, 화소들(150)은 상기 비발광 기간 동안 발광하지 않고 데이터 신호에 대응하는 전압을 스토리지 커패시터(미도시)에 충전한다. 화소들(150)은 상기 발광 기간 동안 상기 스토리지 커패시터에 충전된 전압에 대응하는 휘도로 발광한다.The pixel unit 140 operates by dividing one frame period 1F into a non-emission period and a light emission period. That is, the pixels 150 do not emit light during the non-emission period and charge the storage capacitor (not shown) with a voltage corresponding to the data signal. The pixels 150 emit light at a luminance corresponding to the voltage charged in the storage capacitor during the light emission period.

이상적인 경우, 즉, 노이즈가 없는 경우, 비발광 기간 동안에는 전원 공급선들(ELVDD 및 ELVSS)을 통해 전류가 흐르지 않고 발광 기간 동안에만 전원 공급선들(ELVDD 및 ELVSS)을 통해 전류가 흐른다.In the ideal case, that is, in the absence of noise, no current flows through the power supply lines ELVDD and ELVSS during the non-emission period, and current flows through the power supply lines ELVDD and ELVSS only during the light emission period.

전원 공급부(160a)는 제1 전원 공급선(ELVDD)으로 제1 전원을 공급하고 제2 전원 공급선(ELVSS)으로 제2 전원을 공급한다. 전원 공급부(160a)는 과전류 감지부(170a)로부터 출력된 과전류 감지 신호(OCS)에 응답하여 상기 제1 전원과 상기 제2 전원의 공급을 중지함으로써 디스플레이 장치(100a)의 소손 및 화재를 방지할 수 있다.The power supply unit 160a supplies the first power to the first power supply line ELVDD and the second power supply to the second power supply line ELVSS. The power supply unit 160a stops supply of the first power source and the second power source in response to the overcurrent detection signal OCS output from the overcurrent sensing unit 170a, thereby preventing burnout and fire of the display device 100a .

과전류 감지부(170a)는 샘플링 기간 동안 비발광 기간보다 짧은 주기(SP)로 전원 공급선(ELVDD 및/또는 ELVSS)을 통해 흐르는 전류를 샘플링한다. 예를 들어, 비발광 기간이 10㎳인 경우 과전류 감지부(170a)는 10[㎳]보다 짧은 주기, 예를 들어, 2[㎳]로 전원 공급선(ELVDD 및/또는 ELVSS)을 통해 흐르는 전류를 샘플링한다.The overcurrent detecting unit 170a samples a current flowing through the power supply lines ELVDD and / or ELVSS in a period SP shorter than the non-emission period during the sampling period. For example, when the non-emission period is 10 ms, the overcurrent sensing unit 170a outputs the current flowing through the power supply lines ELVDD and / or ELVSS at a period shorter than 10 [ms], for example, 2 [ Sampling.

상기 샘플링 기간과 한 프레임 기간(1F)은 동일하지 않을 수 있지만, 상기 샘플링 기간의 길이와 한 프레임 기간(1F)의 길이는 동일하다.Although the sampling period and the one frame period 1F may not be the same, the length of the sampling period and the length of one frame period 1F are the same.

과전류 감지부(170a)는 샘플링된 전류값들에 기초하여 전원 공급선(ELVDD 및/또는 ELVSS)의 과전류 발생을 감지한다. 과전류 감지부(170a)는 전원 공급선(ELVDD 및/또는 ELVSS)에 과전류가 발생한 때 전원 공급부(160a)로 과전류 감지 신호(OCS)를 출력한다.The overcurrent detecting unit 170a detects the occurrence of the overcurrent of the power supply lines ELVDD and / or ELVSS based on the sampled current values. The overcurrent sensing unit 170a outputs the overcurrent sensing signal OCS to the power supply unit 160a when an overcurrent occurs in the power supply lines ELVDD and / or ELVSS.

실시 예에 따라, 과전류 감지부(170a)는, 샘플링된 전류값들 중에서 적어도 m개(m은 자연수)의 전류값들이 제1 기준값(RV1)보다 작을 때, 전원 공급선(ELVDD 및/또는 ELVSS)의 과전류 발생을 감지한다.According to an embodiment, the overcurrent sensing unit 170a may supply the power supply lines ELVDD and / or ELVSS when the current values of at least m (m is a natural number) among the sampled current values are less than the first reference value RV1. Of the overcurrent.

여기서 제1 기준값(RV1)은 비발광 기간 동안 전원 공급선(ELVDD 및/또는 ELVSS)을 통해 전류가 흐를 때 전원 공급선(ELVDD 및/또는 ELVSS)에 과전류가 발생한 것으로 감지할 수 있도록 설정된다. 예를 들어, 이상적인 경우 제1 기준값(RV1)은 0[A]로 설정되는 것이 바람직하지만, 설계에 따라 노이즈를 고려하여 다양하게 설정될 수 있다.Here, the first reference value RV1 is set to detect that an overcurrent occurs in the power supply lines ELVDD and / or ELVSS when a current flows through the power supply lines ELVDD and / or ELVSS during the non-emission period. For example, in an ideal case, it is preferable that the first reference value RV1 is set to 0 [A], but it can be variously set in consideration of noise according to design.

또한, m은 과전류 감지부(170a)의 민감도를 고려하여 설정될 수 있다. 예를 들어, m이 1로 설정된 경우 과전류 감지부(170a)는 단 하나의 전류값이 상기 제1 기준값(RV1)보다 작을 때에도 전원 공급선(ELVDD 및/또는 ELVSS)에 과전류가 발생한 것으로 감지하므로 과전류 감지부(170a)의 민감도가 높아진다. 반대로, m이 3으로 설정된 경우 과전류 감지부(170a)는 3개의 전류값이 상기 제1 기준값(RV1)보다 작을 때 전원 공급선(ELVDD 및/또는 ELVSS)에 과전류가 발생한 것으로 감지하므로 과전류 감지부(170a)의 민감도가 비교적 낮아진다.Also, m may be set in consideration of the sensitivity of the overcurrent sensing unit 170a. For example, when m is set to 1, the overcurrent sensing unit 170a detects that the overcurrent is generated in the power supply lines ELVDD and / or ELVSS even when only one current value is smaller than the first reference value RV1. The sensitivity of the sensing unit 170a is increased. Conversely, when m is set to 3, the overcurrent sensing unit 170a detects that the overcurrent is generated in the power supply lines ELVDD and / or ELVSS when the three current values are smaller than the first reference value RV1, 170a are relatively low.

다른 실시 예에 따라, 과전류 감지부(170a)는, 샘플링된 전류값의 평균값이 제2 기준값(RV2)보다 클 때, 전원 공급선(ELVDD 및/또는 ELVSS)의 과전류 발생을 감지한다.According to another embodiment, the overcurrent sensing unit 170a detects the occurrence of an overcurrent of the power supply lines ELVDD and / or ELVSS when the average value of the sampled current values is greater than the second reference value RV2.

여기서 제2 기준값(RV2)은 디스플레이 장치(100a)의 구성요소들의 소재를 고려하여 설정될 수 있다. 즉, 제2 기준값(RV2)은 디스플레이 장치(100a)의 구성요소들 중에서 어느 하나가 소손될 수 있는 한계 온도를 고려하여 전원 공급선(ELVDD 및/또는 ELVSS)를 통해 흐르는 전류의 평균값을 제한하도록 설정될 수 있다.Here, the second reference value RV2 may be set considering the material of the components of the display device 100a. That is, the second reference value RV2 is set to limit the average value of the current flowing through the power supply lines ELVDD and / or ELVSS in consideration of the limit temperature at which any one of the components of the display device 100a can be burned out .

실시 예에 따라, 과전류 감지부(170a)는 제1 전원 공급선(ELVDD)의 과전류 발생과 제2 전원 공급선(ELVSS)의 과전류 발생을 동시에 감지할 수 있다.According to the embodiment, the overcurrent sensing unit 170a can simultaneously detect the overcurrent generation of the first power supply line ELVDD and the overcurrent generation of the second power supply line ELVSS.

다른 실시 예에 따라, 과전류 감지부(170a)는 제1 전원 공급선(ELVDD)과 제2 전원 공급선(ELVSS) 중에서 어느 하나의 과전류 발생만을 감지할 수 있다.According to another embodiment, the overcurrent sensing unit 170a can sense only the occurrence of any one of the first power supply line ELVDD and the second power supply line ELVSS.

도 3은 도 1에 도시된 과전류 감지부를 보다 상세하게 나타내는 블록도이다. 도 3을 참조하면, 과전류 감지부(170a)는 제1 전류 감지 회로(171), 제2 전류 감지 회로(173), 및 마이크로 프로세서(175)를 포함한다.3 is a block diagram showing the overcurrent sensing unit shown in FIG. 1 in more detail. Referring to FIG. 3, the overcurrent sensing unit 170a includes a first current sensing circuit 171, a second current sensing circuit 173, and a microprocessor 175.

제1 단자(T1)와 제4 단자(T4)는 전원 공급부(160a)에 접속되고 제2 단자(T2)와 제 3단자(T3)는 화소부(140)에 접속된다.The first terminal T1 and the fourth terminal T4 are connected to the power supply unit 160a and the second terminal T2 and the third terminal T3 are connected to the pixel unit 140.

제1 전류 감지 회로(171)는 제1 전원 공급선(ELVDD)를 통해 흐르는 전류를 전압(V1)으로 변환하여 출력한다. 제1 전류 감지 회로(171)의 구체적인 구조 및 동작은 도 4 내지 도 6에서 보다 상세하게 설명될 것이다.The first current sensing circuit 171 converts a current flowing through the first power supply line ELVDD into a voltage V1 and outputs the voltage V1. The specific structure and operation of the first current sensing circuit 171 will be described in more detail in Figs.

제2 전류 감지 회로(173)는 제2 전원 공급선(ELVSS)를 통해 흐르는 전류를 전압(V2)으로 변환하여 출력한다. 제2 전류 감지 회로(173)의 구체적인 구조 및 동작을 도 7에서 보다 상세하게 설명될 것이다.The second current sensing circuit 173 converts the current flowing through the second power supply line ELVSS into the voltage V2 and outputs it. The specific structure and operation of the second current sensing circuit 173 will be described in more detail in Fig.

마이크로 프로세서(175)는 비발광 기간보다 짧은 주기(SP)로 제1 전류 감지 회로(171)로부터 출력된 전압(V1)과 제2 전류 감지 회로(173)로부터 출력된 전압(V2) 중에서 적어도 하나를 샘플링하여 저장한다.The microprocessor 175 outputs at least one of the voltage V1 output from the first current sensing circuit 171 and the voltage V2 output from the second current sensing circuit 173 at a period SP shorter than the non- And stores it.

마이크로 프로세서(175)는 샘플링 기간 동안 샘플링된 전압(V1)의 전압값들 및/또는 샘플링된 전압(V2)의 전압값들에 기초하여 전원 공급선(ELVDD 및/또는 ELVSS)의 과전류 발생을 감지한다.The microprocessor 175 detects the occurrence of the overcurrent of the power supply lines ELVDD and / or ELVSS based on the voltage values of the sampled voltage V1 and / or the sampled voltage V2 during the sampling period .

마이크로 프로세서(175)는 전원 공급선(ELVDD 및/또는 ELVSS)에 과전류가 발생한 때 과전류 감지 신호(OCS)를 전원 공급부(160a)로 출력한다.The microprocessor 175 outputs the overcurrent detection signal OCS to the power supply unit 160a when an overcurrent occurs in the power supply lines ELVDD and / or ELVSS.

실시 예에 따라, 제1 전류 감지부(171)와 마이크로 프로세서(175) 사이와 제2 전류 감지부(173)와 마이크로 프로세서(175) 사이에는 아날로그-디지털 컨버터가 구비될 수 있다.An analog-to-digital converter may be provided between the first current sensing unit 171 and the microprocessor 175 and between the second current sensing unit 173 and the microprocessor 175 according to the embodiment.

도 4는 도 3에 도시된 제1 전류 감지 회로의 제1 실시 예를 나타내는 회로도이다. 도 4를 참조하면, 제1 전류 감지 회로(171a)는 센싱 저항(Rs), 전압-전류 변환 회로(1711a), 및 전류-전압 변환 회로(1713)를 포함한다.4 is a circuit diagram showing a first embodiment of the first current sensing circuit shown in FIG. Referring to FIG. 4, the first current sensing circuit 171a includes a sensing resistor Rs, a voltage-current conversion circuit 1711a, and a current-voltage conversion circuit 1713.

제5 단자(T5)는 마이크로 프로세서(175)로 접속된다.The fifth terminal T5 is connected to the microprocessor 175.

센싱 저항(Rs)은 제1 전원 공급선(ELVDD)에 배치된다. 센싱 저항(Rs) 양단에는 제1 전원 공급선(ELVDD)를 통해 흐르는 전류에 대응하는 전압이 발생한다.The sensing resistor Rs is disposed in the first power supply line ELVDD. A voltage corresponding to the current flowing through the first power supply line ELVDD is generated across the sensing resistor Rs.

전압-전류 변환 회로(1711a)는 센싱 저항(Rs) 양단과 전류-전압 변환 회로(1713) 사이에 접속된다. 전압-전류 변환 회로(1711a)는 센싱 저항(Rs) 양단의 전압을 전류로 변환하여 전류-전압 변환 회로(1713)로 출력한다.The voltage-current conversion circuit 1711a is connected between both ends of the sensing resistor Rs and the current-voltage conversion circuit 1713. The voltage-current conversion circuit 1711a converts the voltage across the sensing resistor Rs into a current and outputs it to the current-voltage conversion circuit 1713. [

전압-전류 변환 회로(1711a)는 증폭기(AMP1), 저항들(R1 내지 R3), 및 양극성 접합 트랜지스터(BJT)를 포함한다.The voltage-current conversion circuit 1711a includes an amplifier AMP1, resistors R1 to R3, and a bipolar junction transistor (BJT).

증폭기(AMP1)는 제1 입력단이 센싱 저항(Rs)의 일단에 접속되고, 제2 입력단이 제1 저항(R1)에 접속되고, 출력단이 양극성 접합 트랜지스터(BJT)의 베이스에 접속된다. 증폭기(AMP1)의 양전원단은 센싱 저항(Rs)의 일단에 접속되고, 음전원단은 접지에 접속된다.The amplifier AMP1 has a first input terminal connected to one end of the sensing resistor Rs, a second input terminal connected to the first resistor R1 and an output terminal connected to the base of the bipolar junction transistor BJT. The positive output terminal of the amplifier AMP1 is connected to one end of the sensing resistor Rs, and the negative output terminal is connected to the ground.

제1 저항(R1)은 센싱 저항(Rs)의 타단과 증폭기(AMP1)의 제2 입력단 사이에 접속된다. 제2 저항(R2)은 센싱 저항(Rs)의 타단과 제1 노드(N1) 사이에 접속된다. 또한, 제3 저항(R3)은 증폭기(AMP1)의 제2 입력단과 제1 노드(N1) 사이에 접속된다.The first resistor R1 is connected between the other end of the sensing resistor Rs and the second input of the amplifier AMP1. The second resistor R2 is connected between the other end of the sensing resistor Rs and the first node N1. Further, the third resistor R3 is connected between the second input terminal of the amplifier AMP1 and the first node N1.

양극성 접합 트랜지스터(BJT)는 에미터가 제1 노드(N1)에 접속되고, 베이스가 증폭기(AMP1)의 출력단에 접속되고, 콜렉터가 제2 노드(N2)에 접속된다.In the bipolar junction transistor (BJT), the emitter is connected to the first node (N1), the base is connected to the output terminal of the amplifier (AMP1), and the collector is connected to the second node (N2).

제1 전류 감지 회로(171a)는 노이즈를 방지하기 위해 추가적으로 커패시터(C1)을 더 포함할 수 있다. 커패시터(C1)는 증폭기(AMP1)의 제2 입력단과 출력단 사이에 접속될 수 있다.The first current sensing circuit 171a may further include a capacitor C1 to prevent noise. The capacitor C1 may be connected between the second input terminal and the output terminal of the amplifier AMP1.

제1 전원 공급선(ELVDD)을 통해 전류가 공급될 때 센싱 저항(Rs)의 양단에는 다음의 수학식 1과 같은 전압이 발생한다.When a current is supplied through the first power supply line ELVDD, a voltage as shown in the following Equation 1 is generated at both ends of the sensing resistor Rs.

[수학식 1][Equation 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

여기서 Vs1은 센싱 저항(Rs) 양단의 전압값이고, IELVDD는 제1 전원 공급선(ELVDD)를 통해 흐르는 전류값이고, Rs는 센싱 저항(Rs)의 저항값이다.Here, Vs1 is a voltage value across the sensing resistor Rs, IELVDD is a current value flowing through the first power supply line ELVDD, and Rs is a resistance value of the sensing resistor Rs.

증폭기(AMP1)가 센싱 저항(Rs) 양단의 전압을 증폭함에 따라 제2 저항(R2) 양단의 전압은 다음의 수학식 2와 같은 전압이 발생하고, 제1 전원 공급선(ELVDD)을 통해 흐르는 전류에 대응하는 전류가 제2 저항(R2)을 통해 흐른다.As the amplifier AMP1 amplifies the voltage across the sensing resistor Rs, the voltage across the second resistor R2 is given by the following equation (2), and the current flowing through the first power supply line ELVDD A current corresponding to the current flows through the second resistor R2.

[수학식 2]&Quot; (2) "

Figure pat00002
Figure pat00002

여기서 VR2은 제2 저항(R2) 양단의 전압값이고, IELVDD는 제1 전원 공급선(ELVDD)를 통해 흐르는 전류값이고, Rs는 센싱 저항(Rs)의 저항값이고, R1은 제1 저항(R1)의 저항값이고, R3은 제3 저항(R3)의 저항값이다.Here, V R2 is the voltage value across the second resistor R2, I ELVDD is the current value flowing through the first power supply line ELVDD, Rs is the resistance value of the sensing resistor Rs, (R1), and R3 is the resistance value of the third resistor (R3).

양극성 접합 트랜지스터(BJT)는 제2 저항(R2)을 통해 흐르는 전류를 전류-전압 변환 회로(1713)으로 흐르게 한다. 즉, 양극성 접합 트랜지스터(BJT)는 제2 저항(R2)으로부터 증폭기(AMP1)의 출력단까지의 전류 패스(current path)를 차단한다.The bipolar junction transistor (BJT) causes a current flowing through the second resistor (R2) to flow to the current-voltage conversion circuit (1713). That is, the bipolar junction transistor (BJT) blocks the current path from the second resistor (R2) to the output terminal of the amplifier (AMP1).

이에 따라, 전압-전류 변환 회로(1711a)는 제1 전원 공급선(ELVDD)을 통해 흐르는 전류에 대응하는 전류를 전류-전압 변환 회로(1713)로 출력할 수 있다.Thus, the voltage-current conversion circuit 1711a can output a current corresponding to the current flowing through the first power supply line ELVDD to the current-voltage conversion circuit 1713. [

전류-전압 변환 회로(1713)는 전압-전류 변환 회로(1711a)로부터 출력된 전류를 전압(V1)으로 변환하여 마이크로 프로세서(175)로 출력한다.The current-to-voltage conversion circuit 1713 converts the current output from the voltage-current conversion circuit 1711a into the voltage V1 and outputs it to the microprocessor 175. [

전류-전압 변환 회로(1713)는 제4 저항(R4)을 포함한다. 제4 저항(R4)은 전류-전압 변환 회로(1713)과 접지 사이에 접속된다. 구체적으로 제4 저항(R4)은 제2 노드(N2)와 접지 사이에 접속된다.The current-voltage conversion circuit 1713 includes a fourth resistor R4. The fourth resistor R4 is connected between the current-voltage conversion circuit 1713 and the ground. Specifically, the fourth resistor R4 is connected between the second node N2 and the ground.

전압-전류 변환 회로(1711a)로부터 출력된 전류에 의해 제4 저항(R4) 양단에는 제1 전원 공급선(ELVDD)을 통해 흐르는 전류에 대응하는 전압이 형성된다.A voltage corresponding to the current flowing through the first power supply line ELVDD is formed at both ends of the fourth resistor R4 by the current outputted from the voltage-current conversion circuit 1711a.

도 5는 도 3에 도시된 제1 전류 감지 회로의 제2 실시 예를 나타내는 회로도이다. 도 5를 참조하면, 제1 전류 감지 회로(171b)는 센싱 저항(Rs), 전압-전류 변환 회로(1711b), 및 전류-전압 변환 회로(1713)를 포함한다.5 is a circuit diagram showing a second embodiment of the first current sensing circuit shown in FIG. Referring to FIG. 5, the first current sensing circuit 171b includes a sensing resistor Rs, a voltage-current conversion circuit 1711b, and a current-voltage conversion circuit 1713.

도 5에 도시된 제1 전류 감지 회로(171b)는 전압-전류 변환 회로(1711b)에서 양극성 접합 트랜지스터(BJT) 대신 MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transisotr; MF)이 사용되는 것을 제외하고는 도 4에 도시된 제2 전류 감지 회로(171a)와 실질적으로 동일하다. 따라서, 실질적으로 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다.The first current sensing circuit 171b shown in FIG. 5 is similar to the first current sensing circuit 171 of FIG. 4 except that a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) is used instead of the bipolar junction transistor BJT in the voltage- Is substantially the same as the second current sensing circuit 171a shown in FIG. Therefore, description of substantially the same portions will be omitted.

MOSFET(MF)는 제2 저항(R2)을 통해 흐르는 전류를 전류-전압 변환 회로(1713)으로 흐르게 한다. 즉, MOSFET(MF)는 제2 저항(R2)으로부터 증폭기(AMP1)의 출력단까지의 전류 패스를 차단한다.The MOSFET (MF) causes the current flowing through the second resistor (R2) to flow to the current-voltage conversion circuit (1713). That is, the MOSFET (MF) cuts off the current path from the second resistor (R2) to the output terminal of the amplifier (AMP1).

이에 따라, 전압-전류 변환 회로(1711b)는 제1 전원 공급선(ELVDD)을 통해 흐르는 전류에 대응하는 전류를 전류-전압 변환 회로(1713)로 출력할 수 있다.Accordingly, the voltage-current conversion circuit 1711b can output the current corresponding to the current flowing through the first power supply line ELVDD to the current-voltage conversion circuit 1713. [

도 6은 도 3에 도시된 제1 전류 감지 회로의 제3 실시 예를 나타내는 회로도이다. 도 6을 참조하면, 제1 전류 감지 회로(171c)는 센싱 저항(Rs)와 비교 증폭기(DAMP)를 포함한다.6 is a circuit diagram showing a third embodiment of the first current sensing circuit shown in FIG. Referring to FIG. 6, the first current sensing circuit 171c includes a sensing resistor Rs and a comparison amplifier DAMP.

센싱 저항(Rs)은 제1 전원 공급선(ELVDD)에 배치된다. 센싱 저항(Rs) 양단에는 제1 전원 공급선(ELVDD)를 통해 흐르는 전류에 대응하는 전압이 발생한다.The sensing resistor Rs is disposed in the first power supply line ELVDD. A voltage corresponding to the current flowing through the first power supply line ELVDD is generated across the sensing resistor Rs.

비교 증폭기(DAMP)는 제1 입력단이 센싱 저항(Rs)의 일단에 접속되고 제2 입력단이 센싱 저항(Rs)의 타단에 접속되고 출력단이 마이크로 프로세서(175)로 접속된다. 비교 증폭기(DAMP)의 양전원단은 센싱 저항(Rs)의 일단에 접속되고, 음전원단은 접지에 접속된다.The comparator DAMP has a first input terminal connected to one end of the sensing resistor Rs, a second input terminal connected to the other end of the sensing resistor Rs, and an output terminal connected to the microprocessor 175. The positive output terminal of the comparison amplifier DAMP is connected to one end of the sensing resistor Rs, and the negative output terminal is connected to the ground.

비교 증폭기(DAMP)는 센싱 저항(Rs) 양단의 전압을 비교 및 증폭하여 마이크로 프로세서(175)로 출력한다.The comparison amplifier DAMP compares and amplifies the voltage across the sensing resistor Rs and outputs it to the microprocessor 175.

도 7은 도 3에 도시된 제2 전류 감지 회로의 실시 예를 나타내는 회로도이다. 도 7을 참조하면, 제2 전류 감지 회로(173)는 센싱 저항(Rs2), 증폭기(AMP2), 및 저항들(R5 내지 R7)을 포함한다.7 is a circuit diagram showing an embodiment of the second current sensing circuit shown in Fig. Referring to FIG. 7, the second current sensing circuit 173 includes a sensing resistor Rs2, an amplifier AMP2, and resistors R5 through R7.

제6 단자(T6)는 마이크로 프로세서(175)로 접속된다.The sixth terminal T6 is connected to the microprocessor 175.

센싱 저항(Rs2)은 제2 전원 공급선(ELVSS)에 배치된다. 또한, 센싱 저항(Rs2)의 일단은 제6 저항(R6)에 접속되고 센싱 저항(Rs2)의 타단은 제5 저항(R5)에 접속된다.The sensing resistor Rs2 is arranged in the second power supply line ELVSS. One end of the sensing resistor Rs2 is connected to the sixth resistor R6 and the other end of the sensing resistor Rs2 is connected to the fifth resistor R5.

증폭기(AMP2)는 제1 입력단이 제6 저항(R6)에 접속되고, 제2 입력단이 제5 저항(R5)에 접속되고, 출력단이 마이크로 프로세서(175)로 접속된다. 또한, 증폭기(AMP2)의 전원(Vcc)에 접속되고, 음전원단은 접지에 접속된다.The amplifier AMP2 has a first input terminal connected to the sixth resistor R6, a second input terminal connected to the fifth resistor R5, and an output terminal connected to the microprocessor 175. [ It is connected to the power source Vcc of the amplifier AMP2, and the negative power source is connected to the ground.

제5 저항(R5)은 센싱 저항(Rs2)의 타단과 증폭기(AMP2)의 제2 입력단 사이에 접속된다. 제6 저항(R6)은 센싱 저항(Rs2)의 일단과 증폭기(AMP2)의 제1 입력단 사이에 접속된다. 또한, 제7 저항(R7)은 증폭기(AMP2)의 제2 입력단과 출력단 사이에 접속된다.The fifth resistor R5 is connected between the other end of the sensing resistor Rs2 and the second input end of the amplifier AMP2. The sixth resistor R6 is connected between one end of the sensing resistor Rs2 and the first input end of the amplifier AMP2. The seventh resistor R7 is connected between the second input terminal and the output terminal of the amplifier AMP2.

제2 전류 감지 회로(173)는 노이즈를 방지하기 위해 추가적으로 커패시터들(C2 및 C3)을 더 포함할 수 있다. 커패시터(C2)는 증폭기(AMP1)의 제1 입력단과 센싱 저항(Rs2)의 타단 사이에 접속되고, 커패시터(C3)는 제7 저항(R7) 양단에 접속될 수 있다.The second current sensing circuit 173 may further include capacitors C2 and C3 in order to prevent noise. The capacitor C2 may be connected between the first input of the amplifier AMP1 and the other end of the sensing resistor Rs2 and the capacitor C3 may be connected across the seventh resistor R7.

센싱 저항(Rs2) 양단에는 제2 전원 공급선(ELVSS)를 통해 흐르는 전류에 따라 다음의 수학식 3과 같은 전압이 형성된다.Voltages as shown in the following Equation 3 are formed at both ends of the sensing resistor Rs2 according to the current flowing through the second power supply line ELVSS.

[수학식 3]&Quot; (3) "

Figure pat00003
Figure pat00003

여기서 Vs2는 센싱 저항(Rs) 양단의 전압값이고, IELVSS는 제2 전원 공급선(ELVSS)를 통해 흐르는 전류값이고, Rs는 센싱 저항(Rs)의 저항값이다.Here, Vs2 is a voltage value across the sensing resistor Rs, IELVSS is a current value flowing through the second power supply line ELVSS, and Rs is a resistance value of the sensing resistor Rs.

증폭기(AMP2)가 센싱 저항(Rs2) 양단의 전압을 증폭함에 따라 증폭기(AMP2)의 출력단에는 다음의 수학식 4와 같은 전압이 형성된다.As the amplifier AMP2 amplifies the voltage across the sensing resistor Rs2, a voltage as shown in the following Equation 4 is formed at the output terminal of the amplifier AMP2.

[수학식 2]&Quot; (2) "

Figure pat00004
Figure pat00004

여기서 V2는 증폭기(AMP2)의 출력단의 전압값이고, IELVSS는 제2 전원 공급선(ELVSS)를 통해 흐르는 전류값이고, Rs는 센싱 저항(Rs)의 저항값이고, R7은 제7 저항(R7)의 저항값이고, R5은 제5 저항(R5)의 저항값이다.Here, V2 is the voltage value of the output terminal of the amplifier AMP2, IELVSS is the current value flowing through the second power supply line ELVSS, Rs is the resistance value of the sensing resistor Rs, and R7 is the seventh resistor R7 ), And R5 is the resistance value of the fifth resistor (R5).

본 명세서에서는 설명의 편의를 위해 도 4 내지 도 6에 도시된 회로는 제1 전류 감지 회로(171)에 적용되고 도 7에 도시된 회로는 제2 전류 감지 회로(173)에 적용되는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 실시 예는 이에 한정되지 않는다. 즉, 제1 전류 감지 회로(171)가 도 7에 도시된 회로로 구현될 수 있고 제2 전류 감지 회로(173)가 도 4 내지 도 6에 도시된 회로로 구현될 수 있다.4 to 6 are applied to the first current sensing circuit 171 and the circuit shown in FIG. 7 is applied to the second current sensing circuit 173 , The embodiment of the present invention is not limited thereto. That is, the first current sensing circuit 171 may be implemented with the circuit shown in FIG. 7 and the second current sensing circuit 173 may be implemented with the circuit shown in FIGS.

도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타내는 블록도이다. 도 8을 참조하면, 디스플레이 장치(100b)는 타이밍 제어부(110), 주사 구동부(120), 데이터 구동부(130), 화소부(140), 전원 공급부(160b), 및 과전류 감지부(170b)를 포함한다.8 is a block diagram illustrating a display device according to another embodiment of the present invention. 8, the display device 100b includes a timing controller 110, a scan driver 120, a data driver 130, a pixel unit 140, a power supply unit 160b, and an overcurrent sensing unit 170b. .

도 8에 도시된 디스플레이 장치(100b)는 복수의 제1 전원 공급선들(ELVDD1 내지 ELVDDi)과 복수의 제2 전원 공급선들(ELVSS1 내지 ELVSSi)을 포함하는 것을 제외하고는 도 1에 도시된 디스플레이 장치(100a)와 실질적으로 동일하다. 따라서, 실질적으로 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다.The display device 100b shown in FIG. 8 includes the display device 100b shown in FIG. 1, except that it includes a plurality of first power supply lines ELVDD1 through ELVDDi and a plurality of second power supply lines ELVSS1 through ELVSSi. (100a). Therefore, description of substantially the same portions will be omitted.

복수의 제1 전원 공급선들(ELVDD1 내지 ELVDDi) 각각은 화소부(140)의 전체 영역 중에서 대응하는 일부 영역으로 제1 전원을 공급한다. 또한, 복수의 제2 전원 공급선들(ELVSS1 내지 ELVSSi) 각각은 화소부(140)의 전체 영역 중에서 대응하는 일부 영역으로 제2 전원을 공급한다.Each of the plurality of first power supply lines ELVDD1 through ELVDDi supplies a first power to a corresponding partial area of the entire area of the pixel unit 140. [ Each of the plurality of second power supply lines ELVSS1 to ELVSSi supplies a second power to a corresponding partial area of the entire area of the pixel unit 140. [

전원 공급부(160b)는 복수의 제1 전원 공급선들(ELVDD1 내지 ELVDDi)로 제1 전원을 공급하고 복수의 제2 전원 공급선들(ELVSS1 내지 ELVSSi)로 제2 전원을 공급한다. 전원 공급부(160b)는 과전류 감지부(170b)로부터 출력된 과전류 감지 신호(OCS)에 응답하여 상기 제1 전원과 상기 제2 전원의 공급을 중지함으로써 디스플레이 장치(100b)의 소손 및 화재를 방지할 수 있다.The power supply unit 160b supplies the first power to the plurality of first power supply lines ELVDD1 to ELVDDi and the second power supply to the plurality of second power supply lines ELVSS1 to ELVSSi. The power supply unit 160b stops the supply of the first power source and the second power source in response to the overcurrent detection signal OCS output from the overcurrent sensing unit 170b to prevent burnout and fire of the display device 100b .

과전류 감지부(170b)는 샘플링 기간 동안 비발광 기간보다 짧은 주기(SP)로 전원 공급선들(ELVDD1 내지 ELVDDi 및/또는 ELVSS1 내지 ELVSSi)을 통해 흐르는 전류를 샘플링한다. 과전류 감지부(170a)는 샘플링된 전류값들에 기초하여 전원 공급선(ELVDD 및/또는 ELVSS)의 과전류 발생을 감지한다. 과전류 감지부(170a)는 전원 공급선(ELVDD 및/또는 ELVSS)에 과전류가 발생한 때 전원 공급부(160a)로 과전류 감지 신호(OCS)를 출력한다.The overcurrent sensing unit 170b samples the current flowing through the power supply lines (ELVDD1 to ELVDDi and / or ELVSS1 to ELVSSi) at a period (SP) shorter than the non-emission period during the sampling period. The overcurrent detecting unit 170a detects the occurrence of the overcurrent of the power supply lines ELVDD and / or ELVSS based on the sampled current values. The overcurrent sensing unit 170a outputs the overcurrent sensing signal OCS to the power supply unit 160a when an overcurrent occurs in the power supply lines ELVDD and / or ELVSS.

도 9는 도 8에 도시된 과전류 감지부를 보다 상세하게 나타내는 블록도이다. 도 9를 참조하면, 과전류 감지부(170b)는 복수의 제1 전류 감지 회로들(171-1 내지 171-i), 복수의 제2 전류 감지 회로들(173-1 내지 173-i), 및 마이크로 프로세서(175)를 포함한다.9 is a block diagram showing the overcurrent sensing unit shown in FIG. 8 in more detail. 9, the overcurrent sensing unit 170b includes a plurality of first current sensing circuits 171-1 through 171-i, a plurality of second current sensing circuits 173-1 through 173-i, And a microprocessor 175.

제1 단자들(T1-1 내지 T1-i)와 제4 단자들(T4-1 내지 T4-i)는 전원 공급부(160b)에 접속되고, 제2 단자들(T2-1 내지 T2-i)와 제3 단자들(T3-1 내지 T3-i)는 화소부(140)에 접속된다.The first terminals T1-1 to T1-i and the fourth terminals T4-1 to T4-i are connected to the power supply 160b and the second terminals T2-1 to T2- And the third terminals T3-1 to T3-i are connected to the pixel portion 140. [

복수의 제1 전류 감지 회로들(171-1 내지 171-i) 각각은 복수의 제1 전원 공급선들(ELVDD1 내지 ELVDDi) 중에서 대응하는 하나를 통해 흐르는 전류를 전압(V1-1 내지 V1-i)로 변환하여 마이크로 프로세서(175)로 출력한다. 복수의 제1 전류 감지 회로들(171-1 내지 171-i) 각각의 구조 및 동작은 도 3의 제1 전류 감지 회로(171)의 구조 및 동작과 실질적으로 동일하다.Each of the plurality of first current sensing circuits 171-1 to 171-i supplies a current flowing through the corresponding one of the plurality of first power supply lines ELVDD1 to ELVDDi to the voltages V1-1 to V1- And outputs it to the microprocessor 175. The structure and operation of each of the plurality of first current sensing circuits 171-1 to 171-i is substantially the same as the structure and operation of the first current sensing circuit 171 of Fig.

복수의 제2 전류 감지 회로들(173-1 내지 173-i) 각각은 복수의 제2 전원 공급선들(ELVSS1 내지 ELVSSi) 중에서 대응하는 하나를 통해 흐르는 전류를 전압(V2-1 내지 V2-i)로 변환하여 마이크로 프로세서(175)로 출력한다. 복수의 제2 전류 감지 회로들(173-1 내지 173-i) 각각의 구조 및 동작은 도 3의 제2 전류 감지 회로(173)의 구조 및 동작과 실질적으로 동일하다.Each of the plurality of second current sensing circuits 173-1 to 173-i supplies a current flowing through a corresponding one of the plurality of second power supply lines ELVSS1 to ELVSSi to the voltages V2-1 to V2- And outputs it to the microprocessor 175. The structure and operation of each of the plurality of second current sensing circuits 173-1 to 173-i is substantially the same as the structure and operation of the second current sensing circuit 173 of Fig.

마이크로 프로세서(175)는 복수의 제2 전류 감지 회로들(173-1 내지 173-i) 각각으로부터 출력된 전압(V1-1 내지 V1-i)과 복수의 제2 전류 감지 회로들(173-1 내지 173-i) 각각으로부터 출력된 전압(V2-1 내지 V2-i)에 기초하여 복수의 제1 전원 공급선들(ELVDD1 내지 ELVDDi)과 복수의 제2 전원 공급선들(ELVSS1 내지 ELVSSi) 각각의 과전류 발생을 감지한다.The microprocessor 175 compares the voltages V1-1 to V1-i output from the plurality of second current sensing circuits 173-1 to 173-i with the voltages of the plurality of second current sensing circuits 173-1 Based on the voltages V2-1 to V2-i output from each of the first to fourth power supply lines ELVSS1 to ELVSSi and the second power supply lines ELVSS1 to ELVSSi, Detection of occurrence.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타내는 블록도이다. 도 10을 참조하면, 디스플레이 장치(100c)는 타이밍 제어부(110), 주사 구동부(120), 데이터 구동부(130), 화소부(140), 전원 공급부(160b), 및 과전류 감지부(170b)를 포함한다.10 is a block diagram illustrating a display device according to another embodiment of the present invention. 10, a display device 100c includes a timing controller 110, a scan driver 120, a data driver 130, a pixel portion 140, a power supply portion 160b, and an overcurrent sensing portion 170b. .

도 10에 도시된 디스플레이 장치(100c)는 복수의 제1 전원 공급선들(ELVDD1 내지 ELVDDi)과 복수의 제2 전원 공급선들(ELVSS1 내지 ELVSSi) 각각이 화소부(140) 내부에서 접속되는 것을 제외하고는 도 8에 도시된 디스플레이 장치(100b)와 실질적으로 동일하다. 따라서, 실질적으로 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다.The display device 100c shown in FIG. 10 includes a plurality of first power supply lines ELVDD1 to ELVDDi and a plurality of second power supply lines ELVSS1 to ELVSSi, except that each of the plurality of first power supply lines ELVDD1 to ELVDDi and the plurality of second power supply lines ELVSS1 to ELVSSi are connected in the pixel portion 140 Is substantially the same as the display device 100b shown in Fig. Therefore, description of substantially the same portions will be omitted.

복수의 제1 전원 공급선들(ELVDD1 내지 ELVDDi)은 화소부(140) 내부에서 서로 접속되므로 화소부(140)의 전체 영역으로 제1 전원을 공급한다. 또한, 복수의 제2 전원 공급선들(ELVSS1 내지 ELVSSi)은 화소부(140) 내부에서 서로 접속되므로 화소부(140)의 전체 영역으로 제2 전원을 공급한다.The plurality of first power supply lines ELVDD1 to ELVDDi are connected to each other within the pixel portion 140, thereby supplying the first power to the entire region of the pixel portion 140. [ In addition, since the plurality of second power supply lines ELVSS1 to ELVSSi are connected to each other within the pixel portion 140, the second power is supplied to the entire region of the pixel portion 140. [

상기 발명의 상세한 설명과 도면은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 따라서, 이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.The foregoing description and drawings are merely illustrative of the present invention and are used for the purpose of illustrating the present invention only and not for limiting the scope of the present invention described in the claims or the claims. Accordingly, those skilled in the art will appreciate that various modifications and changes may be made without departing from the spirit of the invention. Therefore, the technical protection scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

100a, 100b, 100c; 디스플레이 장치 110; 타이밍 구동부
120; 주사 구동부 130; 데이터 구동부
140; 화소부 150; 화소
160; 전원 공급부 170; 과전류 감지부
171, 171-1 내지 171-i; 제1 전류 감지 회로
1711; 전압-전류 변환 회로
1713; 전류-전압 변환 회로
173, 173-1 내지 173-i; 제2 전류 감지 회로
175; 마이크로 프로세서100a, 100b, 100c; Display device 110; The timing driver
120; A scan driver 130; The data driver
140; A pixel unit 150; Pixel
160; Power supply 170; The over-
171, 171-1 to 171-i; The first current sensing circuit
1711; Voltage-current conversion circuit
1713; Current-voltage conversion circuit
173, 173-1 to 173-i; The second current sensing circuit
175; Microprocessor

Claims (16)

제1 전원 공급선으로 제1 전원을 공급하고 제2 전원 공급선으로 제2 전원을 공급하는 전원 공급부; 및
비발광 기간보다 짧은 시간의 주기로 상기 제1 전원 공급선을 통해 흐르는 전류를 샘플링하고 샘플링된 제1 전류값들에 기초하여 상기 제1 전원 공급선의 과전류 발생을 감지하는 과전류 감지부를 포함하는 디스플레이 장치.A power supply for supplying a first power to the first power supply line and a second power for the second power supply line; And
And an overcurrent sensing unit that samples the current flowing through the first power supply line at a period shorter than the non-emission period and detects the occurrence of an overcurrent of the first power supply line based on the sampled first current values. 제1항에 있어서,
상기 과전류 감지부는, 상기 제1 전류값들 중에서 적어도 m 개(m은 자연수)의 전류값들이 제1 기준값보다 작을 때, 상기 제1 전원 공급선의 과전류 발생을 감지하는 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
Wherein the overcurrent sensing unit senses an overcurrent of the first power supply line when at least m (m is a natural number) current values among the first current values are less than a first reference value. 제1항에 있어서,
상기 과전류 감지부는, 상기 제1 전류값들의 평균값이 제2 기준값보다 클 때, 상기 제1 전원 공급선의 과전류 발생을 감지하는 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
Wherein the overcurrent sensing unit senses an overcurrent of the first power supply line when an average value of the first current values is greater than a second reference value. 제1항에 있어서,
상기 과전류 감지부는 상기 주기로 상기 제2 전원 공급선을 통해 흐르는 전류를 샘플링하고 샘플링된 제2 전류값들에 기초하여 상기 제2 전원 공급선의 과전류 발생을 감지하는 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
Wherein the overcurrent sensing unit samples the current flowing through the second power supply line at the period and senses the occurrence of the overcurrent of the second power supply line based on the sampled second current values. 제1항에 있어서,
상기 과전류 감지부는,
상기 제1 전원 공급선을 통해 흐르는 전류를 전압으로 변환하여 출력하는 제1 전류 감지 회로; 및
상기 제1 전류 감지 회로로부터 출력된 전압을 상기 주기로 샘플링하고, 샘플링된 전압값들에 기초하여 상기 제1 전원 공급선의 과전류 발생을 감지하는 마이크로 프로세서를 포함하는 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
Wherein the overcurrent sensing unit comprises:
A first current sensing circuit for converting a current flowing through the first power supply line into a voltage and outputting the voltage; And
And a microprocessor for sampling the voltage output from the first current sensing circuit at the period and detecting the occurrence of an overcurrent of the first power supply line based on the sampled voltage values. 제5항에 있어서,
상기 제1 전류 감지 회로는,
상기 제1 전원 공급선에 배치된 센싱 저항;
상기 센싱 저항 양단의 제1 전압을 전류로 변환하여 출력하는 전압-전류 변환 회로; 및
상기 전압-전류 변환 회로로부터 출력된 전류를 제2 전압으로 변환하여 출력하는 전류-전압 변환 회로를 포함하는 디스플레이 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the first current sensing circuit comprises:
A sensing resistor disposed on the first power supply line;
A voltage-current conversion circuit for converting a first voltage across the sensing resistor into a current and outputting the current; And
And a current-voltage conversion circuit for converting the current output from the voltage-current conversion circuit into a second voltage and outputting the second voltage. 제6항에 있어서,
상기 전압-전류 변환 회로는,
제1 입력단이 상기 센싱 저항의 일단에 접속된 증폭기;
상기 센싱 저항의 타단과 상기 증폭기의 제2 입력단 사이에 접속된 제1 저항;
상기 센싱 저항의 상기 타단과 제1 노드 사이에 접속되는 제2 저항;
상기 증폭기의 상기 제2 입력단과 상기 제1 노드 사이에 접속되는 제3 저항; 및
에미터가 상기 제1 노드에 접속되고 베이스가 상기 증폭기의 출력단에 접속되고 콜렉터가 제2 노드에 접속되는 양극성 접합 트랜지스터를 포함하는 디스플레이 장치.The method according to claim 6,
Wherein the voltage-current conversion circuit comprises:
An amplifier having a first input connected to one end of the sensing resistor;
A first resistor connected between the other end of the sensing resistor and a second input of the amplifier;
A second resistor connected between the other end of the sensing resistor and the first node;
A third resistor connected between the second input of the amplifier and the first node; And
And a bipolar junction transistor in which an emitter is connected to the first node, a base is connected to an output terminal of the amplifier, and a collector is connected to the second node. 제7항에 있어서,
상기 전류-전압 변환 회로는,
상기 제2 노드와 접지 전압 사이에 접속된 제4 저항을 포함하는 디스플레이 장치.8. The method of claim 7,
The current-voltage conversion circuit includes:
And a fourth resistor connected between the second node and a ground voltage. 제5항에 있어서,
상기 과전류 감지부는,
상기 제2 전원 공급선을 통해 흐르는 전류를 전압으로 변환하여 출력하는 제2 전류 감지 회로를 더 포함하며,
상기 마이크로 프로세서는 상기 제2 전류 감지 회로로부터 출력된 전압을 상기 주기로 샘플링하고 샘플링된 전압값들에 기초하여 상기 제2 전원 공급선의 과전류 발생을 감지하는 디스플레이 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the overcurrent sensing unit comprises:
And a second current sensing circuit for converting a current flowing through the second power supply line into a voltage and outputting the voltage,
Wherein the microprocessor samples the voltage output from the second current sensing circuit at the period and senses occurrence of an overcurrent of the second power supply line based on the sampled voltage values. 제1 전원 공급선으로 제1 전원을 공급하고 제2 전원 공급선으로 제2 전원을 공급하는 단계;
비발광 기간보다 짧은 시간의 주기로 상기 제1 전원 공급선을 통해 흐르는 전류를 샘플링하는 단계; 및
샘플링된 제1 전류값들에 기초하여 상기 제1 전원 공급선의 과전류 발생을 감지하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 구동 방법.Supplying a first power to a first power supply line and a second power supply to a second power supply line;
Sampling the current flowing through the first power supply line at a period shorter than the non-emission period; And
And sensing an over-current generation of the first power supply line based on the sampled first current values. 제10항에 있어서,
상기 감지하는 단계는,
상기 제1 전류값들 중에서 적어도 m 개(m은 자연수)의 전류값들이 제1 기준값보다 작을 때 상기 제1 전원 공급선에 과전류가 발생한 것으로 판단하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 구동 방법.11. The method of claim 10,
Wherein the sensing comprises:
And determining that an overcurrent occurs in the first power supply line when at least m (m is a natural number) current values among the first current values are less than a first reference value. 제10항에 있어서,
상기 감지하는 단계는,
상기 제1 전류값들의 평균값이 제2 기준값보다 클 때 상기 제1 전원 공급선에 과전류가 발생한 것으로 판단하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 구동 방법.11. The method of claim 10,
Wherein the sensing comprises:
And determining that an overcurrent occurs in the first power supply line when the average value of the first current values is greater than a second reference value. 제10항에 있어서,
상기 주기로 상기 제2 전원 공급선을 통해 흐르는 전류를 샘플링하는 단계; 및
샘플링된 제2 전류값들에 기초하여 상기 제2 전원 공급선의 과전류 발생을 감지하는 단계를 더 포함하는 디스플레이 장치의 구동 방법.11. The method of claim 10,
Sampling the current flowing through the second power supply line in the period; And
And sensing an overcurrent generation of the second power supply line based on the sampled second current values. 제1 전원 공급선들로 제1 전원을 공급하고 제2 전원 공급선들로 제2 전원을 공급하는 전원 공급부; 및
비발광 기간보다 짧은 시간의 주기로 상기 제1 전원 공급선들 각각을 통해 흐르는 전류들을 샘플링하고 샘플링된 제1 전류값들에 기초하여 상기 제1 전원 공급선들 각각의 과전류 발생을 감지하는 과전류 감지부를 포함하는 디스플레이 장치.A power supply unit supplying a first power to the first power supply lines and a second power supply to the second power supply lines; And
And an overcurrent sensing unit that samples currents flowing through each of the first power supply lines at a period shorter than the non-emission period and senses generation of an overcurrent of each of the first power supply lines based on the sampled first current values Display device. 제14항에 있어서,
상기 과전류 감지부는 상기 주기로 상기 제2 전원 공급선들 각각을 통해 흐르는 전류들을 샘플링하고 샘플링된 제2 전류값들에 기초하여 상기 제2 전원 공급선들 각각의 과전류 발생을 감지하는 디스플레이 장치.15. The method of claim 14,
Wherein the overcurrent sensing unit samples currents flowing through each of the second power supply lines at the period and senses generation of an overcurrent of each of the second power supply lines based on the sampled second current values. 제15항에 있어서,
상기 과전류 감지부는,
상기 제1 전원 공급선들 중에서 대응하는 하나를 통해 흐르는 전류를 전압으로 변환하여 출력하는 제1 전류 감지 회로들;
상기 제2 전원 공급선들 중에서 대응하는 하나를 통해 흐르는 전류를 전압으로 변환하여 출력하는 제2 전류 감지 회로들; 및
상기 제1 전류 감지 회로들과 상기 제2 전류 감지 회로들로부터 출력된 전압들을 상기 주기로 샘플링하고 샘플링된 전압값들에 기초하여 상기 제1 전원 공급선들과 상기 제2 전원 공급선들 각각의 과전류 발생을 감지하는 마이크로 프로세서를 포함하는 디스플레이 장치.16. The method of claim 15,
Wherein the overcurrent sensing unit comprises:
First current sensing circuits for converting a current flowing through a corresponding one of the first power supply lines into a voltage and outputting the voltage;
Second current sensing circuits for converting a current flowing through a corresponding one of the second power supply lines into a voltage and outputting the voltage; And
Sampling the voltages output from the first current sensing circuits and the second current sensing circuits over the period and generating an overcurrent of each of the first power supply lines and the second power supply lines based on the sampled voltage values, And a microprocessor for detecting the microprocessor.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160090463A (en) * 2015-01-21 2016-08-01 엘지디스플레이 주식회사 Display device
US9558692B2 (en) 2013-10-28 2017-01-31 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and driving method thereof
US9722410B2 (en) 2014-02-13 2017-08-01 Samsung Display Co., Ltd. Burning protection circuit, display device and method of protecting a display device from burning

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230089617A (en) 2021-12-13 2023-06-21 삼성디스플레이 주식회사 Display device and method of driving display device

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060040431A (en) * 2004-11-05 2006-05-10 삼성에스디아이 주식회사 Organic electo luminescence device for preventing a current overflow
KR101015090B1 (en) * 2010-10-04 2011-02-16 주식회사 동운아나텍 Apparatus for driving of display panel
KR20120013777A (en) * 2010-08-06 2012-02-15 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting display apparatus and method of providing power thereof
KR20120114990A (en) * 2011-04-08 2012-10-17 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display having a short detection circuit and driving method thereof
KR20120128815A (en) * 2011-05-18 2012-11-28 삼성디스플레이 주식회사 Supply voltage converter, display device including the same and method of controlling driving voltage
KR20130003247A (en) * 2011-06-30 2013-01-09 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display and driving method thereof
KR101509013B1 (en) * 2013-10-17 2015-04-07 원성준 Recording Medium, Terminal Device and Method for Processing Application

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060040431A (en) * 2004-11-05 2006-05-10 삼성에스디아이 주식회사 Organic electo luminescence device for preventing a current overflow
KR20120013777A (en) * 2010-08-06 2012-02-15 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting display apparatus and method of providing power thereof
KR101015090B1 (en) * 2010-10-04 2011-02-16 주식회사 동운아나텍 Apparatus for driving of display panel
KR20120114990A (en) * 2011-04-08 2012-10-17 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display having a short detection circuit and driving method thereof
KR20120128815A (en) * 2011-05-18 2012-11-28 삼성디스플레이 주식회사 Supply voltage converter, display device including the same and method of controlling driving voltage
KR20130003247A (en) * 2011-06-30 2013-01-09 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display and driving method thereof
KR101509013B1 (en) * 2013-10-17 2015-04-07 원성준 Recording Medium, Terminal Device and Method for Processing Application

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9558692B2 (en) 2013-10-28 2017-01-31 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and driving method thereof
US9722410B2 (en) 2014-02-13 2017-08-01 Samsung Display Co., Ltd. Burning protection circuit, display device and method of protecting a display device from burning
KR20160090463A (en) * 2015-01-21 2016-08-01 엘지디스플레이 주식회사 Display device

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