KR20140137150A - 반도체 가스센서 - Google Patents

Abstract

반도체 가스센서가 개시된다. 이 반도체 가스센서는 기판 위에 형성되는 히터; 양 전원 전극 패턴과 음 전원 전극 패턴으로 이루어져 상기 히터에 전원을 공급하는 전원 전극 패턴; 일부분이 상기 히터의 인접한 위치에 위치하는 감지 전극 패턴; 및 상기 감지 전극 패턴의 일부와 상기 히터를 덮는 감지물을 포함하고, 상기 양 전원 전극 패턴, 상기 히터, 상기 감지물 및 상기 감지 전극 패턴은 전기적으로 직렬 연결된다.

Description

반도체 가스센서{Semiconductor gas sensor}

본 발명은 가스센서에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 가스센서에 관한 것이다.

가스센서는 메탄 또는 프로판 등의 가연성 가스, 이산화탄소 또는 수소 등과 같은 각종 가스의 농도를 검출하는 센서로서, 가스감지 방식에 따라 연소식 가스센서, 전기 화학식 가스센서, 열전도식 가스센서 및 반도체식 가스센서 등이 있다.

반도체식 가스센서는 산화주석 등의 세라믹 물질이 섭씨 200도 이상의 온도에서 특정 가스에 노출될 때 저항이 변하는 성질을 이용한다. 이러한 반도체 가스센서는 세라믹 물질로 형성된 감지물, 감지물을 가열하는 히터 및 감지물의 저항을 감지하는 감지 전극을 포함한다.

도 1은 종래의 반도체 가스센서를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 2는 종래의 반도체 가스센서를 개략적으로 나타낸 분해사시도이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 종래의 반도체 가스센서(1)는 기판(5), 기판(5) 위에 형성되는 히터(10), 히터(10)에 전원을 공급하기 위한 전원 전극 패턴(20), 히터(10)와 전원 전극 패턴(20)을 덮는 절연층(30), 감지물(70)의 저항을 측정하기 위한 감지 전극 패턴(50), 감지 전극 패턴(50)의 일부 위에 도포되는 감지물(70)을 포함한다. 그리고 감지물(70)과 절연층(30)은 접착층(60)에 의해 접착된다.

전원 전극 패턴(20)은 음 전원 전극 패턴(21)과 양 전원 전극 패턴(22)을 포함한다. 음 전원 전극 패턴(21)은 기판(5)의 가장자리에 형성되는 음 전원 전극 패드(21-1) 및 히터(10)와 음 전원 전극(21-1)을 연결하는 음 전원 전극 연결 패턴(21-2)을 포함한다. 양 전원 전극 패턴(22)는 기판(5)의 가장자리에 형성되는 양 전원 전극(22-1) 및 히터(10)와 양 전원 전극 패드(22-1)을 연결하는 양 전원 전극 연결 패턴(22-2)을 포함한다.

감지 전극 패턴(50)은 입력 전극 패턴(51)과 출력 전극 패턴(52)을 포함한다. 입력 전극 패턴(51)은 기판(5)의 가장자리에 형성되는 입력 전극 패드(51-1) 및 감지물(70)에 접촉하는 접촉부(51-2) 및 입력 전극(51-1)과 접촉부(51-2)를 연결하는 입력 전극 연결 패턴(51-3)을 포함한다. 출력 전극 패턴(52)은 기판(5)의 가장자리에 형성되는 출력 전극(52-1) 및 감지물(70)에 접촉하는 접촉부(52-2) 및 출력 전극(52-1)과 접촉부(52-2)를 연결하는 출력 전극 연결 패턴(52-3)을 포함한다.

그런데, 종래의 반도체 가스센서(1)에 있어서, 양 전극 패턴(22), 히터(10) 및 음 전극 패턴(21)이 연결되어 전원 회로가 구성되고, 입력 전극 패턴(51), 감지물(70) 및 출력 전극 패턴(52)이 연결되어 구성되는 감지 회로가 전원 회로로부터 독립되어 구성된다.

따라서, 종래의 반도체 가스센서(1)는 감지 회로와 전원 회로를 구성하는 데에 적어도 4개의 전극 패턴이 요구되고, 두번의 전극 증착 공정과 절연막 증착공정이 필요하기 때문에 이는 제조원가를 증가시키는 원인으로 작용한다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 감지 회로를 전원 회로에 종속시켜 전극 패턴의 수를 줄임으로써 제조원가가 감소되는 반도체 가스센서를 제공하는 데에 있다.

본 발명의 일실시예에 따르면, 기판 위에 형성되는 히터; 양 전원 전극 패턴과 음 전원 전극 패턴으로 이루어져 상기 히터에 전원을 공급하는 전원 전극 패턴; 일부분이 상기 히터의 인접한 위치에 위치하는 감지 전극 패턴; 및 상기 감지 전극 패턴의 일부와 상기 히터를 덮는 감지물을 포함하고, 상기 양 전원 전극 패턴, 상기 히터, 상기 감지물 및 상기 감지 전극 패턴은 전기적으로 직렬 연결되는 반도체 가스센서를 제공한다.

여기서, 상기 양 전원 전극 패턴, 상기 히터, 상기 감지물 및 상기 감지 전극 패턴이 연결된 회로의 저항은 상기 감지물에 접촉되는 가스의 농도에 따라 변할 수 있다.

또한, 상기 히터는 대략 원형이고, 상기 감지 전극 패턴은 상기 감지물과 전기적으로 연결되는 접촉부를 포함하고, 상기 접촉부는 상기 히터의 둘레를 감싸는 형상을 가질수 있다. 이때, 상기 접촉부는 상기 히터와 상기 양 전원 적극 패턴과 연결되는 부분의 인접한 위치에 위치할 수 있다.

또한, 상기 전원 전극 패턴과 상기 감지 전극 패턴은 동일한 평면에 형성될 수 있다.

또한, 상기 감지 전극 패턴은 상기 히터에 인접한 위치에 위치하는 접촉부와 상기 기판의 가장자리 부분에 위치하는 감지 전극을 포함하고, 상기 감지 전극에는 전압분배 회로 구성을 위한 고정 저항이 연결되고, 상기 감지물과 상기 고정 저항은 온도변화에 따른 저항 값 변화율이 유사할 수 있다. 이때, 상기 감지물은 온도가 증가할수록 저항 값이 감소하고, 상기 고정 저항은 엔티씨 서미스터(Negative Temperature Coefficient Thermistor)일 수 있다.

본 발명의 실시 예에 의하면, 감지 회로가 전원 회로에 종속되어 전극 패턴의 수가 감소됨으로써 제조원가가 감소되는 효과가 있다.

도 1은 종래의 반도체 가스센서를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 종래의 반도체 가스센서를 개략적으로 나타낸 분해 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 가스센서를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 가스센서를 개략적으로 나타낸 분해사시도이다.
도 5는 도 4의 A를 확대한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 가스센서의 등가 회로도이다.
도 7은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 반도체 가스센서를 나타낸 등가 회로도이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 가스센서의 출력값을 온도에 따라 측정한 실험 데이터이다.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

제2, 제1 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 또한, 이하에서 "상하", "좌우" 및 "전후" 등의 방향 또는 위치는 첨부되는 도면을 기준으로 사용되는 용어임을 밝혀둔다.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 가스센서를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 가스센서를 개략적으로 나타낸 분해 사시도이고, 도 5는 도 4의 A를 확대한 도면이다.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 가스센서(100)는 기판(110), 기판(110) 위에 형성되는 히터(120), 히터(120)에 전원을 공급하기 위한 음 전원 전극 패턴(131)과 양 전원 전극 패턴(132)으로 이루어진 전원 전극 패턴(130), 일부분이 히터(120)의 인접한 위치에 위치하는 감지 전극 패턴(140), 히터(120) 전부와 감지 전극 패턴(140)의 일부를 덮는 감지물(150) 및 기판(110)과 감지물(150)을 접착하는 접착층(160)을 포함할 수 있다. 그리고 감지 전극 패턴(140)의 감지 전극(142)과 직렬로 연결되어 감지물(150)의 저항을 측정하기 위한 고정 저항(170: 도 6 참조)을 더 포함할 수 있다.

기판(110)은 반도체 분야에서 일반적으로 알려진 웨이퍼로 구현될 수 있다.

히터(120)는 전원을 공급받아 발열하는 저항으로 구현될 수 있다. 그리고 히터(120)는 후술되는 감지물(150)이 원형에 가깝게 형성됨에 따라 평면이 원형에 가깝게 형성될 수 있다. 예를 들면, 히터(120)는 도 5에서 도시되는 바와 같이, 소용돌이 형태로 형성될 수 있다. 이에 따라, 히터(120)는 감지물(150)을 골고루 가열할 수 있게 돤다.

전원 전극 패턴(130)은 음 전원 전극 패턴(131)과 양 전원 전극 패턴(132)을 포함할 수 있다.

음 전원 전극 패턴(131)은 음 전원 전극(131-1)과 히터(120)와 음 전원 전극(131-1)을 연결하는 음 전원 전극 연결 패턴(131-2)을 포함할 수 있다. 양 전원 전극 패턴(132)는 양 전원 전극(132-1)과 히터(120)와 양 전원 전극(132-1)을 연결하는 양 전원 전극 연결 패턴(132-2)을 포함할 수 있다. 이러한 전원 전극 패턴(130)의 양 전원 전극(132-1)에 양전압이 걸리고, 음 전원 전극(131-1)에 음전압이 걸리어 히터(120)는 전원을 공급받는다. 이에 따라, 히터(120)는 발열하여 감지물(150)을 가열할 수 있게 된다.

감지 전극 패턴(140)은 히터(120)의 일측에 위치하는 접촉부(141), 기판(110)의 가장자리에 형성되는 감지 전극(142) 및 접촉부(141)와 감지 전극(142)를 연결하는 감지 전극 연결 패턴(143)으로 이루어질 수 있다. 이러한 감지 전극 패턴(140)은 양 전원 전극 패턴(132) 및 감지물(150)들과 함께 감지 회로를 구성할 수 있다. 감지 전극(142)에는 전압분배 회로 구성을 위해 일반적으로 고정 저항(170: 도 6참조)이 연결될 수 있다. 산화물 반도체식 감지물은 온도가 증가할수록 저항이 감소하는 특성을 갖는데 이러한 특성으로 인해 주위 온도에 영향을 받는다. 주위온도에 대한 보상을 위해 상기 고정 저항(170)은 엔티씨 서미스터(Negative Temperature Coefficient Thermistor)일 수 있다. 산화물 반도체식 감지물과 온도저항계수(온도에 다른 저항 변화율)가 유사한 엔티씨 서미스터를 사용하면 주위온도에 대한 출력변화를 효과적으로 감소시킬 수 있다.

그리고 접촉부(141)는 히터(120)와 양 전원 전극 패턴(132)이 연결되는 부분에 위치할 수 있다. 이에 따라, 접촉부(141)는 양 전원 전극 패턴(132)으로부터 직접 양전압을 인가받을 수 있어, 별도의 측정전원이 필요없다.

감지물(150)은 일정한 온도로 가열된 상태에서 특정의 가스에 노출되면 저항이 변하는 산화주석 등의 세라믹 물질로 형성된다. 여기서, 감지물(150)은 산화주석 등의 세라믹 물질이 제안되었으나, 이에 한정되지 않고 가열된 상태에서 특정의 가스에 노출되는 경우 전도성이 변하는 물질이면 모두 이용 가능하다.

이러한 감지물(150)은 히터(120)을 덮는다. 감지물(150)은 히터(120)와 감지 전극 패턴(140)의 접촉부(141)를 전기적으로 연결하며, 감지물(150)에 접촉하는 가스의 농도에 따라 저항 값이 변하는 가변 저항으로서 역할한다.

접착층(160)은 기판(110)과 감지물(150)을 접착하는 것으로서 주석(Sn) 재질로 형성될 수 있다. 이러한 접착층(160)은 기판(110)과 감지물(150)을 접착함과 동시에 감지물과 전극을 전기적으로 연결하는 역할을 한다.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 가스센서의 작용에 대해 설명하기로 한다.

도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 가스센서의 등가 회로도이다.

도 6에서 양 전원 전극(132-1)에 입력되는 전압을 Vin, 감지물(150)을 R1, 고정 저항(170)을 R2, R1과 R2에 흐르는 전류를 I 및 R2에 걸리는 전압을 Vout이라 하면, 이들의 관계는 식 1과 식 2와 같이 표현된다.

[식 1]

I=Vin/(R1+R2)

[식 2]

Vout=I*R2

식 2에 식 1을 대입하여 정리하면 식 3과 같이 된다.

[식 3]

Vout=Vin*R2/(R1+R2)

식 3에서와 같이 R2의 크기가 일정한 경우, Vout의 크기로 R1을 계산할 수 있게 된다. 따라서, 고정 저항(170)에 걸리는 저항값을 통하여 감지물(150)의 저항 값을 계산할 수 있으며, 계산된 감지물(150)의 저항값을 통하여 가스 농도를 계산할 수 있게 된다.

이상의 구성을 가지는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 가스센서는 전원 회로에 감지 회로가 종속됨으로써, 전극 패턴의 수가 감소된다.

다시 말하면, 도 6에서 도시되는 바와 같이, 감지 회로는 감지물(150)의 저항을 감지하기 위한 전원을 양 전원 전극 패턴(132)에 전기적으로 연결된 히터(120)를 입력 전원으로 사용함으로써, 전원 회로에 종속된다. 다시 말하면, 양 전원 전극 패턴(132), 히터(120) 및 음 전원 전극 패턴(131)이 전기적으로 연결되어 전원 회로를 구성하고, 양 전원 전극 패턴(132), 히터(120), 감지물(150) 및 감지 전극 패턴(140)이 전기적으로 연결되어 감지 회로를 구성한다.

따라서, 히터(120)에 흐르는 전원이 감지 회로의 입력 전원으로 이용됨으로써, 감지 회로에 별도의 전원을 입력하기 위한 전극 패턴이 필요 없게 된다.

또한, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 가스센서의 제조공정이 단순화 된다. 즉, 종래의 반도체 가스센서의 제조공정은 기판에 히터와 전원 전극을 증착하는 공정, 히터를 덮는 절연층을 증착하는 공정, 절연층에 감지 전극을 증착하는 공정, 감지물을 도포하는 공정 및 감지물을 열처리하는 공정이 요구되었으나, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 가스센서의 제조공정에서는 감지 전극을 개별적으로 증착하는 공정과 절연층을 증착하는 공정이 생략될 수 있다. 다시 말하면, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 가스센서의 제조공정에서는 히터, 전원 전극 및 감지 전극을 동시에 증착하는 공정, 감지물을 도포하는 공정 및 감지물을 열처리하는 공정만 요구된다.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 다른 일실시예에 따른 반도체 가스센서에 대해 설명하되, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 가스센서와 다른 부분에 대해서만 설명하기로 한다.

도 7은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 반도체 가스센서를 나타낸 등가 회로도이다.

도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 일실시예에 따른 반도체 가스센서는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 가스센서와 다르게 고정 저항(170)이 엔티씨 서미스터(Negative Temperature Coefficient Thermistor)로 구현된다.

이하에서는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 반도체 가스센서에서 고정 저항(170)이 엔티씨 서미스터(Negative Temperature Coefficient Thermistor)로 구현되는 이유에 대해 도면과 함께 설명하기로 한다.

도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 가스센서의 출력값을 온도에 따라 측정한 실험 데이터이다. 여기서, 감지물은 산화제이주석(SnO2)이 전자빔증착법에 의해 증착되었다. 그리고 음 전원 전극, 양 전원 전극 및 감지 전극은 백금(Pt)으로 구현되었다.

도 8을 참조하면, 감지물(150)의 온도가 증가함에 따라 고정 저항(170)에 걸리는 출력 전압(Vout)이 증가하였다. 이는 식 3을 근거할 때 감지물(150)은 온도가 증가함에 따라 저항 값의 크기가 작아짐을 의미한다. 따라서, 식 3의 저항 항에서 분모와 분자가 온도에 따라 동일한 비율로 작아져야 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 가스센서가 감지한 가스 농도의 신뢰성이 확보됨을 알 수 있다.

이런 결과에 의해, 본 발명의 다른 일실시예에 따른 반도체 가스센서는 고정 저항(170)도 온도가 증가함에 따라 저항 값이 작아지는 엔티씨 서미스터(Negative Temperature Coefficient Thermistor)로 구현된 것이다. 여기서, 본 발명의 다른 일실시예에 따른 반도체 가스센서의 감지물이 온도가 증가함에 따라 저항 값이 커지는 경우에는 고정 저항도 온도가 증가함에 따라 저항 값이 커지는 것으로 구현될 수 있다.

본 실시예에서 사용되는 '~부'라는 용어는 소프트웨어 또는 FPGA(field-programmable gate array) 또는 ASIC과 같은 하드웨어 구성요소를 의미하며, '~부'는 어떤 역할들을 수행한다. 그렇지만 '~부'는 소프트웨어 또는 하드웨어에 한정되는 의미는 아니다. '~부'는 어드레싱할 수 있는 저장 매체에 있도록 구성될 수도 있고 하나 또는 그 이상의 프로세서들을 재생시키도록 구성될 수도 있다. 따라서, 일 예로서 '~부'는 소프트웨어 구성요소들, 객체지향 소프트웨어 구성요소들, 클래스 구성요소들 및 태스크 구성요소들과 같은 구성요소들과, 프로세스들, 함수들, 속성들, 프로시저들, 서브루틴들, 프로그램 코드의 세그먼트들, 드라이버들, 펌웨어, 마이크로코드, 회로, 데이터, 데이터베이스, 데이터 구조들, 테이블들, 어레이들, 및 변수들을 포함한다. 구성요소들과 '~부'들 안에서 제공되는 기능은 더 작은 수의 구성요소들 및 '~부'들로 결합되거나 추가적인 구성요소들과 '~부'들로 더 분리될 수 있다. 뿐만 아니라, 구성요소들 및 '~부'들은 디바이스 또는 보안 멀티미디어카드 내의 하나 또는 그 이상의 CPU들을 재생시키도록 구현될 수도 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

1, 100: 반도체 가스센서 5, 110: 기판
10, 120: 히터 20, 130: 전원 전극 패턴
50, 140: 감지 전극 패턴 70, 150: 감지물
170: 고정 저항

Claims (6)

1. 기판 위에 형성되는 히터;
   양 전원 전극 패턴과 음 전원 전극 패턴으로 이루어져 상기 히터에 전원을 공급하는 전원 전극 패턴;
   일부분이 상기 히터의 인접한 위치에 위치하는 감지 전극 패턴; 및
   상기 감지 전극 패턴의 일부와 상기 히터를 덮는 감지물을 포함하고,
   상기 양 전원 전극 패턴, 상기 히터, 상기 감지물 및 상기 감지 전극 패턴은 전기적으로 직렬 연결되는 반도체 가스센서.
2. 제1항에 있어서,
   상기 히터는 대략 원형이고,
   상기 감지 전극 패턴은 상기 감지물과 전기적으로 연결되는 접촉부를 포함하고,
   상기 접촉부는 상기 히터의 둘레를 감싸는 형상을 가지는 반도체 가스센서.
3. 제2항에 있어서,
   상기 접촉부는 상기 히터와 상기 양 전원 적극 패턴과 연결되는 부분의 인접한 위치에 위치하는 반도체 가스센서.
4. 제1항에 있어서,
   상기 히터 패턴과 상기 감지 전극 패턴은 동일한 평면에 형성되는 반도체 가스센서.
5. 제1항에 있어서,
   상기 감지 전극 패턴은 상기 히터에 인접한 위치에 위치하는 접촉부와 상기 기판의 가장자리 부분에 위치하는 감지 전극을 포함하고,
   상기 감지 전극에는 전압분배 회로 구성을 위한 고정 저항이 연결되고,
   상기 감지물과 상기 고정 저항은 온도변화에 따른 저항 값 변화율이 유사한 반도체 가스센서.
6. 제5항에 있어서,
   상기 감지물은 온도가 증가할수록 저항 값이 감소하고,
   상기 고정 저항은 엔티씨 서미스터(Negative Temperature Coefficient Thermistor)인 반도체 가스센서.

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