KR20140134394A - 안테나 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 안테나 장치는 접지용 도체로 형성되어 접지기능을 수행하는 접지판 및 특정 폭과 길이로 형성되어 상기 접지판의 상부에 위치하는 슬롯을 포함하고, 상기 슬롯은 급전을 위한 신호가 인가되는 급전부 및 상기 급전부에서 소정 간격만큼 떨어져 상기 슬롯의 폭을 가로지는 방향으로 위치하는 복수의 칩저항들을 포함한다. 따라서, 본 발명은 레이더에 의해 방사된 전자기 신호 중 목표물 이외의 지점들로부터 반사되어 돌아온 반사 신호를 효과적으로 차단함으로써 레이더 시스템의 성능을 원활하게 할 수 있는 안테나 장치 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.

Description

안테나 장치 및 이의 제조 방법{ANTENNA APPARATUS AND IMPLEMENTING THE SAME}
본 발명의 실시예들은 안테나 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
레이더(radio detection and ranging: RADAR)는 전자기 신호를 방사하고 목표물에서 반사된 신호를 이용하여 목표물의 존재를 알아내는 것이다. 레이더에 사용되는 전파는 파장 30㎝ 이하의 마이크로파가 사용된다. 레이더에는 파장 30㎝ 이하의 마이크로파가 사용되는 이유는 파장이 짧을수록 직선성, 지향성, 감도 등이 좋아지기 때문이다.
이러한 레이더에 사용되는 안테나는 비발디 안테나, 대수주기 안테나, 임펄스 복사 안테나, TEM(Transverse Electro Magnetic) 혼(horn) 안테나, 저항성 다이폴 등이 있다. 레이더에 사용되는 안테나는 공통적인 특징을 가지고 있다. 레이더에 사용되는 안테나는 낮은 중심 주파수를 가져 매질에 대한 우수한 투과성능을 가질 수 있고, 넓은 대역폭에서 동작하여 고해상도의 영상을 얻을 수 있다.
이러한 안테나들 중에서 저항성 다이폴은 부피가 작아 고밀도 배열화가 가능한 장점을 가짐과 동시에 시간 영역에서 왜곡이 적은 초광대역 신호를 복사할 수 있는 장점을 가져 레이더에 활발하게 사용되어 왔으나, 후방복사 및 수신 가능성은 지속적으로 문제시되고 있다.
안테나 장치의 후방에는 흔히 시스템 하드웨어 또는 운용자 등이 존재하게 되는데, 레이더에 의해 방사된 전자기 신호 중, 이들에 의한 반사신호가 클러터로서 작용하여 레이더 시스템 성능을 제한하게 된다. 이러한 문제를 극복하기 위하여 안테나 장치의 후방에 금속 반사판 또는 마이크로웨이브 흡수체를 설치하였다.
하지만, 금속 반사판은 레이더에 의해 방사된 전자기 신호 중 목표물로부터 반사되어 돌아온 신호의 파형을 변화시키거나 안테나 특성을 변화시키며, 마이크로웨이브 흡수체는 부피가 커서 시스템 구현상의 문제로 작용할 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 레이더에 의해 방사된 전자기 신호 중 목표물 이외의 지점으로부터 반사되어 돌아온 반사 신호를 효과적으로 차단함으로써 시스템의 성능을 원활하게 할 수 있는 안테나 장치 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예는 슬롯에 있는 복수의 칩저항들에 의해 신호의 파워가 약해져 시간 경과에 따라 급전부를 제외한 안테나 내부에서의 반사 신호가 없어지기 때문에 센싱용으로 적합한 시간 영역 특성을 가지는 안테나 장치 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제(들)로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제(들)은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
실시예들 중에서, 안테나 장치는 접지용 도체로 형성되어 접지기능을 수행하는 접지판 및 특정 폭과 길이로 형성되어 상기 접지판의 상부에 위치하는 슬롯을 포함하고, 상기 슬롯은 급전을 위한 신호가 인가되는 급전부 및 상기 급전부에서 소정 간격만큼 떨어져 상기 슬롯의 폭을 가로지는 방향으로 위치하는 복수의 칩저항들을 포함한다.
일 실시예에서, 상기 복수의 칩저항들 각각은 상기 슬롯의 위치에 따라 결정된 저항 값, 기 설정된 저항 값 및 상기 안테나 장치의 배열구조에 따라 결정된 저항 값 중 어느 하나의 저항 값을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 소정 간격은 상기 안테나 장치의 사양에 따른 공진 주파수에 따라 결정될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 소정 간격은 상기 급전부와 상기 복수의 칩저항들 사이에서 발생되는 공진 주파수와 상기 안테나 장치의 사양에 따른 공진 주파수의 비교 결과에 따라 결정될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 소정 간격은 상기 급전부와 상기 복수의 칩저항들 사이에서 발생되는 공진 주파수와 상기 안테나 장치의 사양에 따른 공진 주파수를 비교하여 상기 공진 주파수보다 크도록 설정될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수의 칩저항들 각각은 상기 급전부에 급전을 위한 신호가 인가되면 상기 신호의 파워를 소모시킬 수 있다.
일 실시예에서, 상기 접지판은 상기 안테나 장치의 사양에 따른 흡수율 및 흡수 손실율을 가질 수 있다.
실시예들 중에서, 안테나 장치의 제조 방법은 접지용 도체로 형성되어 접지기능을 수행하는 접지판을 형성하는 단계 및 특정 폭과 길이로 형성된 슬롯을 상기 접지판의 상부에 형성하는 단계를 포함하고, 상기 슬롯은 급전을 위한 신호가 인가되는 급전부 및 상기 급전부에서 소정 간격만큼 떨어져 상기 슬롯의 폭을 가로지는 방향으로 위치하는 복수의 칩저항들을 포함한다.
일 실시예에서, 상기 복수의 칩저항들 각각은 상기 슬롯의 위치에 따라 결정된 저항 값, 기 설정된 저항 값 및 상기 안테나 장치의 배열구조에 따라 결정된 저항 값 중 어느 하나의 저항 값을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 안테나 장치의 제조 방법은 상기 안테나 장치의 사양에 따른 공진 주파수에 따라 소정 간격만큼 이격시켜 복수의 칩저항들을 각각 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 안테나 장치의 제조 방법은 상기 급전부와 상기 복수의 칩저항들 사이에서 발생되는 공진 주파수와 상기 안테나 장치의 사양에 따른 공진 주파수의 비교 결과에 따라 소정 간격만큼 이격시켜 복수의 칩저항들을 각각 형성할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 안테나 장치의 제조 방법은 상기 급전부와 상기 복수의 칩저항들 사이에서 발생되는 공진 주파수가 상기 안테나 장치의 사양에 따른 공진 주파수보다 크도록 소정 간격만큼 이격시켜 복수의 칩저항들을 각각 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수의 칩저항들 각각은 상기 급전부에 급전을 위한 신호가 인가되면 상기 신호의 파워를 소모시킬 수 있다.
일 실시예에서, 상기 접지판은 상기 안테나 장치의 사양에 따른 흡수율 및 흡수 손실율을 가질 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 첨부 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및/또는 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 레이더에 의해 방사된 전자기 신호 중 목표물 이외의 지점으로부터 반사되어 돌아온 반사 신호를 효과적으로 차단함으로써 레이더 시스템의 성능을 원활하게 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 슬롯에 있는 복수의 칩저항들에 의해 신호의 파워가 약해져 시간 경과에 따라 급전부에서의 반사 신호를 제외하고는 안테나 내부에서의 반사 신호가 존재하지 않아 센싱용으로 적합한 시간 영역 특성을 가지되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나 장치를 설명하는 도면이다.
도 2는 도 1에 있는 슬롯의 내부 구조를 설명하는 도면이다.
도 3은 도 1에 있는 안테나 장치와 다이폴 안테나의 상보적 관계를 나타내는 그래프이다.
도 4 및 도 5는 도 1에 있는 안테나 장치와 공진모드로 동작하는 일반적인 안테나 장치의 시간에 따른 복사량 변화를 나타내는 도면이다.
도 6 및 도 7은 도 1에 있는 안테나 장치의 시간 영역 복사신호를 나타내는 그래프이다.
도 8은 본 발명에 따른 안테나 장치의 제조 방법의 일 실시예를 설명하기 위한 흐름도이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나 장치를 설명하는 도면이고, 도 2는 도 1에 있는 슬롯의 내부 구조를 설명하는 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 안테나 장치(100)는 임의의 유전율(Dielectric Constant)과 두께를 갖는 접지판(101) 및 전자기장(Electric and Magnetic Field)의 방사(Radiation)를 위해 중심 주파수 파장(Wavelength, λ)의 1/2만큼의 길이를 갖는 슬롯(102)을 포함한다.
접지판(101)은 접지용 도체로 형성되어 접지기능을 수행한다. 이러한 접지판(101)은 안테나 장치(100)의 사양에 따른 흡수율 및 흡수 손실율을 가질 수 있다. 이에 따라, 접지판(101)은 레이더에 의해 방사된 전자기 신호 중 목표물 이외의 지점으로부터 반사되어 돌아온 반사 신호를 효과적으로 차단함으로써 시스템의 성능을 원활하게 할 수 있도록 한다.
접지판(101)은 슬롯(102)에 전자기장 에너지의 급전을 위한 급전선(미도시됨)을 포함할 수 있다.
슬롯(102)은 특정 폭과 길이로 형성되어 접지판(101)의 상부에 위치하며, 저항 성분에 의해 로드된다. 일 실시예에서, 슬롯(102)은 폭이 좁거나 넓은 사각형 형태이거나 원형 등으로 구현될 수 있다.
슬롯(102)은 복수의 칩저항들(122) 및 급전부(112)를 포함할 수 있다.
급전부(110)는 특정 펄스의 신호를 인가받을 수 있다. 일 실시예에서, 급전부(110)는 짧은 펄스의 신호를 인가받을 수 있다.
급전부(112)는 접지판(101)의 급전선을 통하여 슬롯(102)의 급전을 위한 신호가 인가되면 슬롯 암의 양 끝부분으로 이동하게 되고, 안테나 장치(100)는 신호를 목표물에 방사하고 목표물에서 반사된 신호를 이용하여 목표물의 존재를 알아낸다.
급전부(112)에 인가된 신호의 파워는 복수의 칩저항들(122)에 의해 소모되며, 시간의 경과에 따라 슬롯(102) 암의 양 끝부분에서 신호의 파워가 약해져 안테나 내부에서의 반사 신호가 없어지게 된다.
복수의 칩저항들(122) 각각은 급전부(112)에서 소정 간격만큼 떨어져 슬롯(102)의 폭을 가로지는 방향으로 위치할 수 있다.
일 실시예에서, 복수의 칩저항들(122) 각각은 급전부(112)와 복수의 칩저항들(122) 사이에서 발생되는 공진 주파수와 안테나 장치(100)의 사양에 따른 공진 주파수의 비교 결과에 따라 급전부(112)에서 소정 간격만큼 이격되어 위치할 수 있다. 일 실시예에서, 복수의 칩저항들(122) 각각은 급전부(112)와 복수의 칩저항들 사이에서 발생되는 공진 주파수가 안테나 장치(100)의 사양에 따른 공진 주파수보다 크도록 소정 간격만큼 이격되어 위치할 수 있다.
복수의 칩저항들(122) 각각은 서로 다른 저항 값을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 복수의 칩저항들(122) 각각은 슬롯의 위치에 따라 서로 다른 저항 값을 가질 수 있다. 다른 일 실시예에서, 복수의 칩저항들(122) 각각은 기 설정된 저항 값을 가질 수 있다. 또 다른 일 실시예에서, 복수의 칩저항들(122) 각각은 안테나 장치의 배열구조에 따라 서로 다른 저항 값을 가질 수 있다.
복수의 칩저항들(122) 각각은 급전부(112)에 인가된 신호의 파워를 소모시켜 신호의 파워를 약하게 한다.
도 3은 도 1에 있는 안테나 장치와 다이폴 안테나의 상보적 관계를 나타내는 그래프이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 안테나 장치(100)의 입력 임피던스와 일반적인 저항성 다이폴 안테나의 입력 임피던스의 연산이 상보적 관계를 가지는 것을 나타내는 그래프이다. 그래프의 X축은 주파수를 나타내고, Y축은 임피던스를 나타낸다.
참조번호(310)는 저항성 다이폴 안테나의 입력 임피던스를 나타내고, 참조번호(320)는 본 발명에 따른 안테나 장치(100)의 입력 임피던스를 나타내고, 참조번호(330)는 하기의 [수학식 1] 및 [수학식 2]에 의해 산출된 Booker's relation을 나타내고, 참조번호(340)는 하기의 [수학식 1] 및 [수학식 2]에 의해 산출된 저항성 다이폴 안테나의 입력 임피던스와 본 발명에 따른 안테나 장치(100)의 입력 임피던스의 관계를 나타낸다.
일반적으로, 다이폴과 슬롯은 주파수에서 Booker's relation을 만족한다. 도 3에서와 같이 본 발명에 따른 안테나 장치(100)와 저항성 다이폴 안테나는 광대역에 걸쳐 Booker's relation을 만족하기 때문에, 본 발명에 따른 안테나 장치(100)와 저항성 다이폴 안테나는 서로 상보적 구조임을 나타낸다.
Figure pat00001
Zdipole: 저항성 다이폴 안테나의 입력 임피던스
Zslot: 본 발명에 따른 안테나 장치의 입력 임피던스
Eta: 자유공간에서 전자파의 진행에 작용되는 임피던스
Figure pat00002
Zdipole: 저항성 다이폴 안테나의 입력 임피던스
Zslot: 본 발명에 따른 안테나 장치의 입력 임피던스
Eta: 자유공간에서 전자파의 진행에 작용되는 임피던스
[수학식 2]는 [수학식 1]을 기초로 산출될 수 있다.
도 4 및 도 5는 도 1에 있는 안테나 장치와 공진모드로 동작하는 일반적인 안테나 장치의 시간에 따른 복사량 변화를 나타내는 도면이고, 도 6 및 도 7은 도 1에 있는 안테나 장치와 공진모드로 동작하는 일반적인 안테나 장치의 시간 영역 복사신호를 나타내는 그래프이다.
도 4 내지 도 7을 참조하면, 도 4는 본 발명에 따른 안테나 장치(100)가 신호를 방사했을 때, 방사된 신호가 시간에 따라 진행하는 모습을 나타내고, 도 6은 본 발명에 따른 안테나 장치(100)가 신호를 방사했을 때, 방사된 신호의 시간영역 파형을 앙각의 변화에 따라 나타내는 그래프이다.
도 5는 공진모드로 동작하는 일반적인 안테나 장치(100)가 신호를 방사했을 때, 방사된 신호가 시간에 따라 진행하는 모습을 나타내고, 도 7은 공진모드로 동작하는 일반적인 안테나 장치(100)가 신호를 방사했을 때, 방사된 신호의 시간영역 파형을 앙각의 변화에 따라 나타내는 그래프이다.
본 발명에 따른 안테나 장치(100)는 앙각 0˚에서 360˚방향에 대해 신호를 방사하며, 각각의 앙각에서 방사된 신호의 시간영역 파형은 도 6에서 나타낸, 0˚에서 90˚방향에 대한 시간영역 파형과 대칭적으로 간주될 수 있다. 즉, 도 6에서 30˚방향의 시간영역 파형은 150˚, 210˚, 330˚방향의 시간영역 파형과 동일하다.
도 4에서, drive point 에서 처음 인가된 신호는 슬롯 암을 따라 원형 파면을 이루며 진행하게 된다(410). 시간이 지남에 따라 원형파면은 점점 더 크기가 커지게 되고, 슬롯에 로드된 저항에 의해 인가된 신호의 파워가 소모되어 신호의 세기는 점점 더 약해진다(420). 원형파면이 슬롯의 끝단에 이르렀을 때, 이와 같이 약해진 신호는 반사가 일어나지 않고 그대로 진행하게 된다(430).
즉, 안테나는 도 6에서와 같이 급전부에서만 방사(610)가 이루어지기 때문에, 추가적인 방사 신호가 존재하지 않아 센싱용으로 적합한 시간 영역 특성을 가지게 된다.
반면 공진모드로 동작하는 일반적인 슬롯안테나의 경우 도 5에서, drive point 에서 처음 인가된 신호는 슬롯 암을 따라 원형 파면을 이루며 진행하게 된다(510). 시간이 지남에 따라 원형파면은 점점 더 크기가 커지게 되고, 일반적인 슬롯 안테나의 경우 로드된 저항이 없으므로 신호는 저항에 의한 파워소모없이 본 신호의 세기를 유지하게 된다(520). 원형파면이 슬롯의 끝단에 이르렀을 때, 신호는 반사가 발생하여 2차 원형파면이 슬롯 끝단을 중심으로 형성되고, 이와 같이 슬롯 끝단에서 발생한 반사파가 drive point 로 돌아오게 된다(530).
즉, 안테나는 도 7에서와 같이 급전부에서 뿐만 아니라 전자파가 슬롯 암을 진행하는 데 걸리는 시간을 주기로 계속 방사(710)가 이루어진다. 일반적인 슬롯 안테나가 레이더로 사용되었을 경우, 방사된 전자파가 목표물을 맞고 돌아오는 신호인지 아니면 이와 같이 안테나 내부에서 반사되는 신호인지 구분하기 어려워 적합하게 사용될 수 없는 반면, 도 1의 슬롯 안테나 장치의 경우, 안테나 내부에서 발생한 반사신호를 효과적으로 제거할 수 있으므로 목표물을 맞고 돌아오는 신호를 정확하게 판별할 수 있어 센싱용으로 적합한 특성을 가지게 된다.
도 8은 본 발명에 따른 안테나 장치의 제조 방법의 일 실시예를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 8을 참조하면, 단계 S810은 접지용 도체로 형성되어 접지기능을 수행하는 접지판을 형성한다. 단계 S820은 특정 폭과 길이로 형성된 슬롯을 상기 접지판의 상부에 형성한다.
일 실시예에서, 단계 S820은 슬롯의 특정 부분에 급전을 위한 신호가 인가되는 급전부를 형성하고, 급전부에서 소정 간격만큼 떨어져 슬롯의 폭을 가로지는 방향으로 복수의 칩저항들을 형성한다. 여기에서, 복수의 칩저항들 각각은 상기 슬롯의 위치에 따라 결정된 저항 값, 기 설정된 저항 값 및 상기 안테나 장치의 배열구조에 따라 결정된 저항 값 중 어느 하나의 저항 값을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 단계 S820은 안테나 장치(100)의 사양에 따른 공진 주파수에 따라 소정 간격만큼 이격시켜 복수의 칩저항들을 각각 형성할 수 있다. 다른 일 실시예에서, 단계 S820은 급전부와 복수의 칩저항들 사이에서 발생되는 공진 주파수와 안테나 장치(100)의 사양에 따른 공진 주파수의 비교 결과에 따라 소정 간격만큼 이격시켜 복수의 칩저항들을 각각 형성할 수 있다. 예를 들어, 단계 S820은 급전부와 상기 복수의 칩저항들 사이에서 발생되는 공진 주파수가 상기 안테나 장치의 사양에 따른 공진 주파수보다 크도록 소정 간격만큼 이격시켜 복수의 칩저항들을 각각 형성할 수 있다.
지금까지 본 발명에 따른 구체적인 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 후술하는 특허 청구의 범위뿐 아니라 이 특허 청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 이는 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명 사상은 아래에 기재된 특허청구범위에 의해서만 파악되어야 하고, 이의 균등 또는 등가적 변형 모두는 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
101: 접지판
102: 슬롯
112: 급전부
122: 복수의 칩저항들

Claims (14)

  1. 접지용 도체로 형성되어 접지기능을 수행하는 접지판; 및
    특정 폭과 길이로 형성되어 상기 접지판의 상부에 위치하는 슬롯을 포함하고,
    상기 슬롯은
    급전을 위한 신호가 인가되는 급전부 및 상기 급전부에서 소정 간격만큼 떨어져 상기 슬롯의 폭을 가로지는 방향으로 위치하는 복수의 칩저항들을 포함하는 안테나 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 칩저항들 각각은
    상기 슬롯의 위치에 따라 결정된 저항 값, 기 설정된 저항 값 및 상기 안테나 장치의 배열구조에 따라 결정된 저항 값 중 어느 하나의 저항 값을 가지는 것을 특징으로 하는 안테나 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 소정 간격은
    상기 안테나 장치의 사양에 따른 공진 주파수에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 안테나 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 소정 간격은
    상기 급전부와 상기 복수의 칩저항들 사이에서 발생되는 공진 주파수와 상기 안테나 장치의 사양에 따른 공진 주파수의 비교 결과에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 안테나 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 소정 간격은
    상기 급전부와 상기 복수의 칩저항들 사이에서 발생되는 공진 주파수와 상기 안테나 장치의 사양에 따른 공진 주파수를 비교하여 상기 공진 주파수보다 크도록 설정되는 것을 특징으로 하는 안테나 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 칩저항들 각각은
    상기 급전부에 급전을 위한 신호가 인가되면 상기 신호의 파워를 소모시키는 것을 특징으로 하는 안테나 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 접지판은
    상기 안테나 장치의 사양에 따른 흡수율 및 흡수 손실율을 가지는 것을 특징으로 하는 안테나 장치.
  8. 접지용 도체로 형성되어 접지기능을 수행하는 접지판을 형성하는 단계; 및
    특정 폭과 길이로 형성된 슬롯을 상기 접지판의 상부에 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 슬롯은
    급전을 위한 신호가 인가되는 급전부 및 상기 급전부에서 소정 간격만큼 떨어져 상기 슬롯의 폭을 가로지는 방향으로 위치하는 복수의 칩저항들을 포함하는 안테나 장치의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 복수의 칩저항들 각각은
    상기 슬롯의 위치에 따라 결정된 저항 값, 기 설정된 저항 값 및 상기 안테나 장치의 배열구조에 따라 결정된 저항 값 중 어느 하나의 저항 값을 가지는 것을 특징으로 하는 안테나 장치의 제조 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 안테나 장치의 사양에 따른 공진 주파수에 따라 소정 간격만큼 이격시켜 복수의 칩저항들을 각각 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 안테나 장치의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 급전부와 상기 복수의 칩저항들 사이에서 발생되는 공진 주파수와 상기 안테나 장치의 사양에 따른 공진 주파수의 비교 결과에 따라 소정 간격만큼 이격시켜 복수의 칩저항들을 각각 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 안테나 장치의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 급전부와 상기 복수의 칩저항들 사이에서 발생되는 공진 주파수가 상기 안테나 장치의 사양에 따른 공진 주파수보다 크도록 소정 간격만큼 이격시켜 복수의 칩저항들을 각각 형성하는 단계를 것을 특징으로 하는 안테나 장치의 제조 방법.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 복수의 칩저항들 각각은
    상기 급전부에 급전을 위한 신호가 인가되면 상기 신호의 파워를 소모시키는 것을 특징으로 하는 안테나 장치의 제조 방법.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 접지판은
    상기 안테나 장치의 사양에 따른 흡수율 및 흡수 손실율을 가지는 것을 특징으로 하는 안테나 장치의 제조 방법.
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