KR20140134303A - Conductive paste and die bonding method - Google Patents

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히로히코 후루이
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    • H01L2924/201Temperature ranges
    • H01L2924/20107Temperature range 250 C=<T<300 C, 523.15K =<T< 573.15K
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Abstract

XRD 분석으로 규정되는 소정의 결정 변화 특성을 갖는 은 입자를 사용함에 의해, 도전성 페이스트 중에서의 은 입자의 소결성을 용이하게 제어할 수 있으며, 나아가서는 소결 처리 후에 있어서, 우수한 전기 전도성 및 열전도성을, 안정적으로 얻을 수 있는 도전성 페이스트 및 그것을 사용한 다이 본딩 방법을 제공한다. 소결성 도전재로서의 체적 평균 입자경이 0.1∼30㎛인 은 입자와, 페이스트상으로 하기 위한 분산매를 함유하는 도전성 페이스트 등으로서, 은 입자의 소결 전의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크 적분 강도를 S1로 하고, 은 입자의 소결 처리 후(250℃, 60분)의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 적분 강도를 S2로 했을 때에, S2/S1의 값을 0.2∼0.8의 범위 내의 값으로 한다.By using silver particles having a predetermined crystal change characteristic defined by XRD analysis, it is possible to easily control the sinterability of the silver particles in the conductive paste, and furthermore to provide excellent electrical conductivity and thermal conductivity after the sintering treatment, A conductive paste which can be stably obtained and a die bonding method using the same are provided. A silver paste having a volume average particle diameter of 0.1 to 30 占 퐉 as a sinterable conductive material and a conductive paste containing a dispersion medium for forming a paste, The peak integral intensity at 38 ° ± 0.2 ° is represented by S1 and the peak integral intensity at 2θ = 38 ° ± 0.2 ° in the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis after the sintering treatment (250 ° C., 60 minutes) When the integral intensity is S2, the value of S2 / S1 is set to a value within the range of 0.2 to 0.8.

Description

도전성 페이스트 및 다이 본딩 방법{CONDUCTIVE PASTE AND DIE BONDING METHOD}[0001] CONDUCTIVE PASTE AND DIE BONDING METHOD [0002]

본 발명은, 도전성 페이스트 및 다이 본딩 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive paste and a die bonding method.

특히, XRD 분석으로 규정되는 소정의 결정 변화 특성을 갖는 은 입자를 사용함에 의해, 은 입자의 소결성을 용이하게 제어할 수 있으며, 나아가서는 소결 처리 후에 있어서, 우수한 전기 전도성 및 열전도성을, 안정적으로 얻을 수 있는 도전성 페이스트 및 그것을 사용한 다이 본딩 방법에 관한 것이다.Particularly, by using silver particles having a predetermined crystal change characteristic defined by XRD analysis, it is possible to easily control the sinterability of the silver particles, and furthermore, after the sintering treatment, excellent electrical conductivity and thermal conductivity can be stably And a die bonding method using the conductive paste.

종래, 은 입자를 함유해서 이루어지는 다이 본딩용 도전 페이스트나, 그것을 사용한 반도체 소자의 다이 본딩법이 다양하게 제안되어 있다.BACKGROUND ART [0002] Various conductive paste for die bonding comprising silver particles and a die bonding method of a semiconductor element using such conductive paste have been proposed.

예를 들면, 가열에 의해 소결하여 우수한 강도와 전기 전도성과 열전도성을 갖는 고형상 은이 되는 금속계 피착체 접착용 페이스트상 은 조성물이 제안되어 있다(특허문헌 1 참조).For example, there has been proposed a paste composition for bonding a metal-based adherend which is sintered by heating to obtain a solid silver having excellent strength, electrical conductivity and thermal conductivity (see Patent Document 1).

보다 구체적으로는, (A)평균 입경이 0.1∼6㎛이며, 탄소 함유량이 0.50중량% 이하인 환원법으로 만들어진 구상 은 입자와, (B)비점이 70∼250℃이며, 물, 휘발성 1가 알코올, 휘발성 지방족 탄화수소, 휘발성 케톤, 휘발성 저급 지방족 카르복시산에스테르 및 휘발성 실리콘오일에서 선택되는 휘발성 분산매로 이루어지는 페이스트상물이며, 100℃ 이상 250℃ 이하에서의 가열에 의해, 당해 휘발성 분산매가 휘산하고 당해 구상 은 입자끼리가 소결되어 체적 저항율이 1×10-4Ω·㎝ 이하이며, 또한, 열전도도가 5W/m·K 이상인 고형상 은이 되는 것을 특징으로 하는, 금속계의 피착체끼리의 접합용 페이스트상 은 조성물이다.More specifically, (A) spherical particles made of a reducing method having an average particle diameter of 0.1 to 6 탆 and a carbon content of 0.50% by weight or less, (B) water having a boiling point of 70 to 250 캜, water, a volatile monohydric alcohol, Wherein the volatile dispersant is volatile by heating at a temperature of 100 ° C or more and 250 ° C or less, and the spherical silver particles are dispersed in the volatile silicone oil, Is sintered to have a volume resistivity of 1 x 10 &lt; -4 &gt; [Omega] -cm or less and a solid shape having a thermal conductivity of 5 W / mK or more, is a composition for bonding between adherends of metal .

또한, 은 입자의 소결성을 제어하여, 크랙이 적은 가열 소결물을 형성하고, 그에 따라, 금속계의 피착체끼리를 강고하게 접합하는 방법이 제안되어 있다(특허문헌 2 참조).Further, there has been proposed a method of controlling the sintering property of silver particles to form a sintered product with a small amount of cracks, thereby firmly adhering the adherends of the metal system (see Patent Document 2).

보다 구체적으로는, (A)평균 입경이 0.1㎛보다 크고 50㎛ 이하인 가열 소결성 금속 입자와, (B)휘발성 분산매로 이루어지는 페이스트상 금속 입자 조성물을, 복수의 금속제 부재간에 개재시키고, 불활성 가스 중에서 40℃ 이상 200℃ 이하에서의 가열에 의해, 당해 페이스트상 금속 입자 조성물 중의 휘발성 분산매(B)의 10중량% 이상 100중량% 미만의 양을 휘산시킨 후, 산화성 가스 중 또는 환원성 가스 중에서 70℃ 이상 400℃ 이하에서의 가열에 의해, 당해 페이스트상 금속 입자 조성물 중에 잔존하는 휘발성 분산매(B)를 휘산시키고, 가열 소결성 금속 입자(A)끼리를 소결하여, 복수의 당해 금속제 부재끼리를 접합시키는 것을 특징으로 하는, 금속제 부재의 접합 방법이다.More specifically, a paste-like metal particle composition comprising (A) heat-sinterable metal particles having an average particle diameter of more than 0.1 μm and not more than 50 μm and (B) a volatile dispersion medium is interposed between a plurality of metal members, (B) in an amount of not less than 10% by weight and not more than 100% by weight of the volatile dispersion medium (B) in the paste-like metal particle composition by heating at a temperature of not less than 200 占 폚 and not more than 200 占 폚, (B) remaining in the paste-like metal particle composition is sintered by heating at a temperature of not higher than 50 DEG C and sintering the heat-sinterable metal particles (A) to bond the plurality of metal members together To the metal member.

또한, 가열 소결성 금속 입자의 표면을 피복하는 고급 지방산 등의 영향을 배제하여, 가열하면 은 입자가 용이하게 소결하여 강도와 전기 전도성과 열전도성이 우수한 고형상 은이 되는 페이스트상 은 입자 조성물이 제안되어 있다(특허문헌 3 참조).In addition, a paste-form silver nanoparticle composition in which the effects of high-grade fatty acids or the like covering the surface of the heat-sinterable metal particles are eliminated and the silver particles are easily sintered by heating to form a solid silver having excellent strength, electrical conductivity and thermal conductivity (See Patent Document 3).

보다 구체적으로는, (A)표면이 고·중급 지방산(b1) 또는 고·중급 지방산(b1)의 유도체(b2)로 피복된 은 입자와, (B)휘발성 분산매로 이루어지며, 가열에 의해 당해 휘발성 분산매가 휘산하고 당해 은 입자끼리가 소결되는 페이스트상 은 입자 조성물에 있어서, 은 입자 표면을 피복하고 있는 고·중급 지방산(b1) 또는 고·중급 지방산(b1)의 유도체(b2)는, 은 입자 표면을 미리 피복하고 있던 고급 지방산(a1) 또는 고급 지방산(a1)의 유도체(a2)를, 당해 고급 지방산(a1)보다 저급의 고·중급 지방산(b1) 또는 고·중급 지방산(b1)의 유도체(b2)로 치환한 것임을 특징으로 하는 페이스트상 은 입자 조성물이다.More specifically, it comprises (A) a silver particle whose surface is coated with a high or intermediate fatty acid (b1) or a derivative (b2) of a high or intermediate fatty acid (b1) and (B) a volatile dispersion medium, In the paste composition in which the volatile dispersion medium is volatilized and the silver particles are sintered together, the high- or intermediate-level fatty acid (b1) covering the silver particle surface or the derivative (b2) of the high- (A1) or a derivative (a2) of a higher fatty acid (a1) which has been coated with the particle surface in advance is mixed with a higher or intermediate fatty acid (b1) lower in the higher fatty acid (a1) And the derivative (b2).

또한, 도체막을 형성한 경우에, 입자의 배향성이 높아져, 저저항(低抵抗)의 도체막을 얻을 수 있는 편평 은 입자가 제안되어 있다(특허문헌 4 참조).Further, flattened silver particles which can obtain a conductor film with a low resistance (low resistance) by increasing the orientation of particles when a conductor film is formed have been proposed (see Patent Document 4).

보다 구체적으로는, XRD 측정에 의하여 얻어지는 (111)면의 피크 P111에 대한, (200)면의 피크 P200의 비 P200/P111이 0.3 이하인 것을 특징으로 하는 편평 은 입자이다.More specifically, the flatness particle is characterized in that the ratio P 200 / P 111 of the peak P 200 of the (200) plane to the peak P 111 of the (111) plane obtained by XRD measurement is 0.3 or less.

일본국 특허 제4347381호(특허청구범위 등)Japanese Patent No. 4347381 (claims and the like) 일본국 특개2010-53377호(특허청구범위)Japanese Patent Application Publication No. 2010-53377 (claims) 일본국 특개2009-289745호(특허청구범위)Japanese Patent Application Publication No. 2009-289745 (claims) 일본국 특개2012-36481호(특허청구범위)Japanese Patent Application No. 2012-36481 (claims)

그러나, 특허문헌 1∼4에 개시된 페이스트상 은 조성물 등은, 소결성 도전재로서의 금속 입자의 소결 처리 전후에 있어서의 결정 변화 특성에 대하여 하등 고려하고 있지 않으므로, 페이스트상 은 조성물 등의 내부에서의 금속 입자의 소결성을 안정적으로 제어할 수 없다는 문제가 보였다.However, since the compositions and the like disclosed in Patent Documents 1 to 4 do not take into account the crystal change characteristics before and after the sintering treatment of the metal particles as the sinterable conductive material, the paste phase is a metal The sintering property of the particles can not be stably controlled.

즉, 금속 입자는, 그 제조 방법 등의 제반 요인에 기인하여, 소결 처리를 실시했을 경우에 있어서의 결정 변화 특성이 다양하므로, 비록 특허문헌 1∼4와 같이, 소결 처리 전의 금속 입자의 상태나 소결 처리 조건을 조절했다고 해도, 결국, 금속 입자의 종류에 따라서는, 그 소결성을 제어할 수 없어, 원하는 전기 전도성이나 열전도성을 안정적으로 얻을 수 없다는 문제가 보였다.Namely, due to various factors such as the production method and the like, the metal particles vary in crystal change characteristics when the sintering treatment is performed, and therefore, as in Patent Documents 1 to 4, the state of the metal particles before sintering Even if the sintering treatment conditions are controlled, the sintering property can not be controlled depending on the kind of the metal particles, and the desired electrical conductivity and thermal conductivity can not be stably obtained.

그뿐만 아니라, 특허문헌 1에 개시된 금속계 피착체 접착용 페이스트상 은 조성물에 있어서는, 구상 은 입자를 피복하는 피복재에 유래한 탄소 함유량을 0.50중량% 이하의 값으로 엄밀하게 제어하지 않으면 안 된다는 제조상의 문제가 보였다.In addition, in the paste composition for bonding a metallic adherend disclosed in Patent Document 1, it is required that the composition should strictly control the carbon content derived from the coating material covering the particles to 0.50 wt% or less I saw a problem.

또한, 이러한 탄소 함유량은, 구상 은 입자를 세정 처리함에 의하여 제어한다는 취지가 개시되어 있지만, 균일하게 피복재를 세정하는 것이 곤란하므로 정량적으로 관리할 수 없어, 결과적으로, 은 입자의 소결성을 안정적으로 제어할 수 없다는 문제가 보였다.Although it has been disclosed that such a carbon content is controlled by washing the particles in the spherical shape, it is difficult to uniformly control the coating material so that it can not be managed quantitatively. As a result, the sinterability of the silver particles can be stably controlled I could not do it.

또한, 특허문헌 2에 개시된 페이스트상 은 조성물 등에 있어서는, 사용하는 금속 입자(은 입자 또는 구리 입자 등)를 불활성 가스 중에 있어서, 소정 온도(40℃∼200℃)에서 가열 처리하여, 휘발성 분산매를 휘산시킨 후, 산화성 가스 중 또는 환원성 가스 중에 있어서, 소정 온도(70℃∼400℃)에서 가열 처리를 실시하지 않으면 안 된다는 제조상의 문제가 보였다.In the paste phase disclosed in Patent Document 2, metal particles (such as silver particles or copper particles) to be used in a composition or the like are heated in an inert gas at a predetermined temperature (40 to 200 캜) to form a volatile dispersion medium There is a manufacturing problem that a heat treatment must be performed at a predetermined temperature (70 to 400 占 폚) in an oxidizing gas or a reducing gas.

또한, 불활성 가스 중에 있어서, 휘발성 분산매를 균일하게 휘산시키는 것이 곤란하므로 정량적으로 관리할 수도 없어, 결과적으로, 금속 입자의 소결성을 아직 안정적으로 제어할 수 없다는 문제가 보였다.In addition, since it is difficult to uniformly volatilize the volatile dispersion medium in an inert gas, it can not be controlled quantitatively. As a result, there has been a problem that the sinterability of metal particles can not be stably controlled yet.

또한, 특허문헌 3에 개시된 페이스트상 은 조성물 등에 있어서는, 사용하는 은 입자 표면을 피복하고 있는 고·중급 지방산 등을, 그보다 저급의 고·중급 지방산에 의하여, 치환하지 않으면 안 된다는 제조상의 문제가 보였다.The paste phase disclosed in Patent Document 3 has a manufacturing problem in that it has to be replaced by a higher / intermediate fatty acid, which is lower in level than that of a higher / intermediate fatty acid covering the surface of silver particles to be used .

또한, 치환 방법으로서, 고·중급 지방산 등으로 피복된 은 입자를, 그보다 저급의 고·중급 지방산에 침지하는 것이 개시되어 있지만, 균일하게 치환하는 것이 곤란하므로 정량적으로 관리할 수도 없어, 결과적으로, 은 입자의 소결성을 아직 안정적으로 제어할 수 없다는 문제가 보였다.As a substitution method, it has been disclosed that silver particles coated with a high / medium fatty acid or the like are immersed in a lower / higher fatty acid having a lower degree. However, since it is difficult to uniformly substitute silver particles, they can not be managed quantitatively. There is a problem that the sinterability of the silver particles can not be stably controlled yet.

또한, 특허문헌 4에 개시된 편평 은 입자를 함유하는 페이스트상 은 조성물 등에 있어서는, 소정의 편평 은 입자를 제조할 때, 수용성 은 화합물을 함유하는 수용액 중에 카르복시산류, 아민류 또는 티올류가 공존하는 상태 하, 60℃ 이상으로 가열된 수용액에 환원제를 축차(逐次) 첨가하지 않으면 안 된다는 제조상의 문제가 보였다.In addition, in the case of a flat-particle-containing paste-like composition disclosed in Patent Document 4, in the case of a composition or the like, a predetermined flattened silver is produced in a state in which an aqueous solution containing a water-soluble silver compound coexists with carboxylic acids, amines or thiols , There has been a manufacturing problem that a reducing agent must be added sequentially to an aqueous solution heated to 60 ° C or higher.

그래서, 본 발명자들은 예의 검토한 결과, 소결성 도전재로서, XRD 분석으로 규정되는 소정의 결정 변화 특성을 갖는 소정 입경의 은 입자를 사용함과 함께, 페이스트상으로 하기 위한 분산매를 함유함에 의하여, 은 입자의 소결성의 제어가 용이해짐을 알아내어, 본 발명을 완성시킨 것이다.The present inventors have intensively studied and, as a result, have found that, by using silver particles of a predetermined particle size having a predetermined crystal change characteristic specified by XRD analysis as a sinterable conductive material and by containing a dispersion medium for forming a paste, The sinterability of the sintered body can be easily controlled, and the present invention has been completed.

즉, 본 발명은, 소결 처리 전의 은 입자의 결정성에 의하지 않고, 은 입자의 소결성을 용이하게 제어할 수 있으며, 나아가서는 소결 처리 후에 있어서, 우수한 전기 전도성 및 열전도성을, 안정적으로 얻을 수 있는 도전성 페이스트 및 그것을 사용한 다이 본딩 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.That is to say, the present invention provides a method for producing a sintered body, which can easily control the sinterability of silver particles without depending on the crystallinity of the silver particles before the sintering treatment, and furthermore, after the sintering treatment, Paste and a die bonding method using the same.

또, 상술한 「소결 처리 전의 은 입자의 결정성」이란, 소결 처리 전의 은 입자의 X선 회절 차트에 있어서의 각 피크의 적분 강도, 피크 높이, 반값폭 등을 의미한다.The above-mentioned "crystallinity of silver particles before sintering" means the integral strength, peak height, half width, etc. of each peak in the X-ray diffraction chart of silver particles before sintering treatment.

본 발명에 따르면, 소결성 도전재로서의 체적 평균 입경이 0.1∼30㎛인 은 입자와, 페이스트상으로 하기 위한 분산매를 함유하는 도전성 페이스트로서, 은 입자의 소결 처리 전의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 적분 강도를 S1로 하고, 은 입자의 소결 처리 후(250℃, 60분)의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 적분 강도를 S2로 했을 때에, S2/S1의 값을 0.2∼0.8의 범위 내의 값으로 하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트가 제공되어, 상술한 문제를 해결할 수 있다.According to the present invention, there is provided an electroconductive paste containing silver particles having a volume average particle diameter of 0.1 to 30 占 퐉 as a sinterable conductive material and a dispersion medium for forming a paste, and an X-ray diffraction chart Of the peak of 2? = 38 占 占 占 at 2? = 38 占 in the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis after sintering treatment of silver particles (250 占 폚, 60 minutes) And a value of S2 / S1 is set to a value within a range of 0.2 to 0.8 when the integral intensity of a peak of 占 0.2 占 is taken as S2. Thus, the above-described problem can be solved.

즉, 본 발명의 도전성 페이스트에 따르면, 소결성 도전재로서, XRD 분석으로 규정되는 소정의 결정 변화 특성을 갖는 소정 입경의 은 입자를 사용함에 의하여, 소결 처리 전의 은 입자의 결정성에 의하지 않고, 도전성 페이스트 중에서의 은 입자의 소결성을 용이하게 제어할 수 있으며, 나아가서는 소결 처리 후에 있어서, 우수한 전기 전도성 및 열전도성을, 안정적으로 얻을 수 있다.That is, according to the conductive paste of the present invention, as the sinterable conductive material, by using the silver particles having the predetermined crystal size and having the predetermined crystal change characteristics defined by the XRD analysis, the conductive paste The sinterability of the silver particles in the sintered body can be easily controlled and, furthermore, after the sintering treatment, excellent electrical conductivity and thermal conductivity can be stably obtained.

또한, 본 발명의 도전성 페이스트를 구성함에 있어서, 은 입자의 소결 처리 전의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 피크 높이를 L1로 하고, 은 입자의 소결 후(250℃, 60분)의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 피크 높이를 L2로 했을 때에, L2/L1의 값을 0.5∼1.5의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.In constructing the conductive paste of the present invention, the peak height of the peak at 2θ = 38 ° ± 0.2 ° in the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis before the sintering treatment of silver particles is defined as L1, When the peak height of the peak at 2? = 38 占 0.2 占 in the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis after sintering (250 占 폚 for 60 minutes) is L2, the value of L2 / L1 is set to 0.5 to 1.5 It is preferable to set the value within the range.

이렇게 구성함에 의해, 은 입자의 결정 변화 특성이 보다 호적(好適)해져, 도전성 페이스트 중에서의 은 입자의 소결성을, 보다 용이하게 제어할 수 있다.By such a constitution, the crystal change characteristics of the silver particles become more favorable, and the sinterability of the silver particles in the conductive paste can be more easily controlled.

또한, 본 발명의 도전성 페이스트를 구성함에 있어서, 은 입자의 소결 처리 전의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 반값폭을 W1로 하고, 은 입자의 소결 처리 후(250℃, 60분)의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 반값폭을 W2로 했을 때에, W2/W1의 값을 0.3∼0.9의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.In constructing the conductive paste of the present invention, the half width of the peak at 2? = 38 占 占 占 in the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis before the sintering treatment of the silver particles is W1, The value of W2 / W1 is set to 0.3 to 0.9 when the half-width of the peak at 2 [theta] = 38 [deg.] +/- 0.2 [deg.] In the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis after sintering (250 DEG C, Is preferably within a range of &quot;

이렇게 구성함에 의해, 은 입자의 결정 변화 특성이 더 호적해져, 도전성 페이스트 중에서의 은 입자의 소결성을, 더 용이하게 제어할 수 있다.By such a constitution, the crystal change characteristics of the silver particles become more favorable, and the sinterability of the silver particles in the conductive paste can be controlled more easily.

또한, 본 발명의 도전성 페이스트를 구성함에 있어서, 은 입자가, 중공 은 입자인 것이 바람직하다.In forming the conductive paste of the present invention, it is preferable that silver particles are hollow particles.

이렇게 구성함에 의해, 도전성 페이스트 중에서의 은 입자의 소결성을, 보다 용이하게 제어할 수 있음과 함께, 도전성 페이스트의 경량화 및 저코스트화에 이바지할 수 있다.By such a constitution, the sinterability of the silver particles in the conductive paste can be controlled more easily, and the weight of the conductive paste can be reduced and the cost can be reduced.

또한, 본 발명의 도전성 페이스트를 구성함에 있어서, 은 입자의 표면이, 유기산, 유기산염, 계면활성제 및 커플링제에서 선택되는 적어도 하나로 이루어지는 유기 표면 처리제에 의하여 피복되어 있음이 바람직하다.In forming the conductive paste of the present invention, it is preferable that the surface of silver particles is covered with an organic surface treatment agent comprising at least one selected from organic acids, organic acid salts, surfactants and coupling agents.

이렇게 구성함에 의해, 은 입자의 결정 변화 특성을 조절하고, 나아가서는, 도전성 페이스트 중에서의 은 입자의 소결성을, 더 용이하게 제어할 수 있다.By such a constitution, the crystal change characteristics of the silver particles can be controlled, and further, the sinterability of the silver particles in the conductive paste can be controlled more easily.

또한, 본 발명의 도전성 페이스트를 구성함에 있어서, 은 입자 100중량부에 대하여, 분산매의 배합량을 5∼30중량부의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.In forming the conductive paste of the present invention, it is preferable that the mixing amount of the dispersion medium is within a range of 5 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of silver particles.

이렇게 구성함에 의해, 도전성 페이스트 중에서의 은 입자의 소결성을 안정적으로 유지하면서도, 도전성 페이스트에 적당한 점도를 부여할 수 있다.By such a constitution, an appropriate viscosity can be given to the conductive paste while stably maintaining the sinterability of the silver particles in the conductive paste.

또한, 본 발명의 도전성 페이스트를 구성함에 있어서, 분산매가, 글리콜에테르계 화합물, 글리콜에스테르계 화합물, 탄화수소계 화합물 및 극성 용제로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 화합물인 것이 바람직하다.In forming the conductive paste of the present invention, it is preferable that the dispersion medium is at least one compound selected from the group consisting of a glycol ether compound, a glycol ester compound, a hydrocarbon compound and a polar solvent.

이렇게 구성함에 의해, 도전성 페이스트 중에서의 은 입자의 소결성을 보다 안정적으로 유지하면서도, 도전성 페이스트에 적당한 점도를 부여할 수 있다.By such a constitution, an appropriate viscosity can be given to the conductive paste while maintaining the sinterability of the silver particles in the conductive paste more stably.

또한, 본 발명의 도전성 페이스트를 구성함에 있어서, 추가로 유기 화합물을 함유함과 함께, 은 입자 100중량부에 대하여, 유기 화합물의 배합량을 0.5∼10중량부의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.Further, in forming the conductive paste of the present invention, it is preferable to further contain an organic compound and make the amount of the organic compound to fall within a range of 0.5 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the silver particles.

이렇게 구성함에 의해, 도전성 페이스트 중에서의 은 입자의 소결성을 안정적으로 유지하면서도, 소결한 은 입자의 경시(經時) 안정성을 향상시킬 수 있다.By such a constitution, it is possible to improve the stability over time of the sintered silver particles while stably maintaining the sinterability of the silver particles in the conductive paste.

또한, 본 발명의 도전성 페이스트를 구성함에 있어서, 유기 화합물이, 에폭시계 수지 및 페놀계 수지 중 적어도 하나를 함유하는 열경화성 수지인 것이 바람직하다.In forming the conductive paste of the present invention, it is preferable that the organic compound is a thermosetting resin containing at least one of an epoxy resin and a phenol resin.

이렇게 구성함에 의해, 도전성 페이스트 중에서의 은 입자의 소결성을 보다 안정적으로 유지하면서도, 소결한 은 입자의 경시 안정성을 향상시킬 수 있다.By such a constitution, the stability with time of the sintered silver particles can be improved while maintaining the sinterability of the silver particles in the conductive paste more stably.

또한, 본 발명의 다른 태양은, 소결성 도전재로서의 체적 평균 입경이 0.1∼30㎛인 은 입자와, 페이스트상으로 하기 위한 분산매를 함유하며, 또한, 은 입자의 소결 처리 전의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 적분 강도를 S1로 하고, 은 입자의 소결 처리 후(250℃, 60분)의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 적분 강도를 S2로 했을 때에, S2/S1의 값을 0.2∼0.8의 범위 내의 값으로 해서 이루어지는 도전성 페이스트를, 반도체 소자를 실장하기 위한 기판 위의 소정 개소에 도포하는 공정과, 200∼450℃의 온도 조건에서 가열하여, 은 입자를 소결시켜서, 반도체 소자를 기판 위에 실장하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법이다.In another aspect of the present invention, there is provided a sinterable electroconductive material comprising silver particles having a volume average particle diameter of 0.1 to 30 占 퐉 as a sinterable conductive material, a dispersion medium for forming a paste, and X Ray diffraction chart obtained by XRD analysis after sintering treatment of silver particles (250 占 폚, 60 minutes) with S1 as the integrated intensity of the peak at 2? = 38 占 占 占 in the X-ray diffraction chart = 38 deg. 0.2 deg. Is S2, the conductive paste having the value of S2 / S1 within the range of 0.2 to 0.8 is applied to a predetermined position on the substrate for mounting the semiconductor element And a step of sintering the silver particles by heating at a temperature of 200 to 450 占 폚 to mount the semiconductor element on the substrate.

즉, 본 발명의 다이 본딩 방법에 따르면, 소정의 도전성 페이스트를 사용하므로, 우수한 전기 전도성 및 열전도성을 발휘시킨 상태에서, 안정적으로 반도체 소자를 기판 위에 실장할 수 있다.That is, according to the die bonding method of the present invention, since a predetermined conductive paste is used, the semiconductor device can be stably mounted on a substrate in a state of exhibiting excellent electrical conductivity and thermal conductivity.

도 1의 (a)∼(b)는 실시예 1에 있어서의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트.
도 2는 소결 처리 전후에서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 적분 강도비와, 비저항과의 관계에 대해서 설명하기 위하여 제공하는 도면.
도 3은 소결 처리 전후에서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 피크 높이비와, 비저항과의 관계에 대해서 설명하기 위하여 제공하는 도면.
도 4는 소결 처리 전후에서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 반값폭비와, 비저항과의 관계에 대해서 설명하기 위하여 제공하는 도면.
도 5는 유기 화합물의 배합과, 내구열전도성과의 관계를 설명하기 위하여 제공하는 도면.
도 6은 유기 화합물의 배합과, 비저항의 관계를 설명하기 위하여 제공하는 도면.
도 7의 (a)∼(b)는 실시예 2에 있어서의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트.
도 8의 (a)∼(b)는 실시예 3에 있어서의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트.
도 9의 (a)∼(b)는 실시예 4에 있어서의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트.
도 10의 (a)∼(b)는 실시예 5에 있어서의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트.
도 11의 (a)∼(b)는 실시예 6에 있어서의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트.
도 12의 (a)∼(b)는 실시예 7에 있어서의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트.
도 13의 (a)∼(b)는 실시예 8에 있어서의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트.
도 14의 (a)∼(b)는 실시예 9에 있어서의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트.
도 15의 (a)∼(b)는 실시예 10에 있어서의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트.
도 16의 (a)∼(b)는 실시예 11에 있어서의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트.
도 17의 (a)∼(b)는 비교예 1에 있어서의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트.
도 18의 (a)∼(b)는 비교예 2에 있어서의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트.
도 19의 (a)∼(b)는 비교예 3에 있어서의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트.
도 20의 (a)∼(b)는 비교예 4에 있어서의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트.
1 (a) and 1 (b) are XRD spectrum charts of silver particles in Example 1. Fig.
Fig. 2 is a view for explaining the relationship between the integral intensity ratio of peaks at 2 &amp;thetas; = 38 DEG +/- 0.2 DEG before and after the sintering treatment and the resistivity. Fig.
Fig. 3 is a view for explaining the relationship between the peak height ratio of peaks at 2? = 38 占 짹 0.2 占 before and after the sintering treatment and the resistivity. Fig.
Fig. 4 is a view for explaining the relationship between the half-width ratio of the peak at 2? = 38 占 짹 0.2 占 before and after the sintering treatment and the resistivity. Fig.
Fig. 5 is a view for explaining the relationship between the compounding of an organic compound and the durability of heat conduction. Fig.
6 is a view for explaining the relationship between the compounding of the organic compound and the resistivity.
7 (a) to (b) are XRD spectrum charts of silver particles in Example 2. Fig.
8 (a) - (b) are XRD spectrum charts of silver particles in Example 3. Fig.
9 (a) and 9 (b) are XRD spectrum charts of silver particles in Example 4. Fig.
10 (a) to (b) are XRD spectrum charts of silver particles in Example 5. Fig.
11 (a) and (b) are XRD spectrum charts of silver particles in Example 6. Fig.
12 (a) to 12 (b) are XRD spectrum charts of silver particles in Example 7. Fig.
13 (a) and 13 (b) are XRD spectrum charts of silver particles in Example 8. Fig.
14 (a) and 14 (b) are XRD spectrum charts of silver particles in Example 9. Fig.
15 (a) to 15 (b) are XRD spectrum charts of silver particles in Example 10. Fig.
16 (a) and 16 (b) are XRD spectrum charts of silver particles in Example 11. Fig.
17 (a) to (b) are XRD spectrum charts of silver particles in Comparative Example 1. Fig.
18 (a) to 18 (b) are XRD spectrum charts of silver particles in Comparative Example 2. Fig.
19 (a) to (b) are XRD spectrum charts of silver particles in Comparative Example 3. Fig.
20 (a) to 20 (b) are XRD spectrum charts of silver particles in Comparative Example 4. Fig.

[제1 실시형태][First Embodiment]

제1 실시형태는, 소결성 도전재로서의 체적 평균 입경이 0.1∼30㎛인 은 입자와, 페이스트상으로 하기 위한 분산매를 함유하는 도전성 페이스트로서, 은 입자의 소결 처리 전의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 적분 강도를 S1로 하고, 은 입자의 소결 처리 후(250℃, 60분)의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 적분 강도를 S2로 했을 때에, S2/S1의 값을 0.2∼0.8의 범위 내의 값으로 하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트이다.The first embodiment is an electroconductive paste containing silver particles having a volume average particle diameter of 0.1 to 30 占 퐉 as a sinterable conductive material and a dispersion medium for forming a paste, The total intensity of 2? = 38 in the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis after the sintering treatment (250 占 폚, 60 minutes) of silver particles and the integral intensity of the peak at 2? = 38? And a value of S2 / S1 is set to a value within a range of 0.2 to 0.8 when the integral intensity of the peak of 占 0.2 占 is S2.

이하, 구성 요건마다로 나눠서, 제1 실시형태의 도전성 페이스트를 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the conductive paste of the first embodiment will be described specifically for each constituent requirement.

1. 은 입자1. Silver particles

(1) 체적 평균 입경(1) Volume average particle diameter

소결성 도전재로서의 은 입자의 체적 평균 입경을 0.1∼30㎛의 범위 내의 값으로 하는 것을 특징으로 한다.And the volume average particle diameter of the silver particles as the sinterable conductive material is set to a value within a range of 0.1 to 30 mu m.

그 이유는, 이러한 은 입자의 체적 평균 입경이 0.1㎛ 미만의 값으로 되면, 응집하기 쉬워져 취급성이 과도하게 저하하는 경우가 있기 때문이다. 한편, 이러한 은 입자의 체적 평균 입경이 30㎛를 초과한 값으로 되면, 소결성이 현저하게 저하하거나, 페이스트화가 곤란해지거나 하는 경우가 있기 때문이다.The reason for this is that when the volume average particle diameter of the silver particles is less than 0.1 탆, the silver particles tend to agglomerate and the handling property may be excessively lowered. On the other hand, when the volume average particle diameter of the silver particles exceeds 30 탆, the sinterability may remarkably decrease or the paste may become difficult to form.

따라서, 은 입자의 체적 평균 입경을 0.5∼15㎛의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하며, 1.5∼5㎛의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, the volume average particle diameter of the silver particles is more preferably in the range of 0.5 to 15 占 퐉, and more preferably in the range of 1.5 to 5 占 퐉.

또, 은 입자의 체적 평균 입경은, 레이저 회절·산란법 입도 분포 측정 장치에 의해 측정할 수 있으며, 또는 전자현미경 사진으로부터 실측할 수도 있고, 또한 당해 전자현미경 사진으로부터, 화상 처리 장치를 사용하여 산출할 수도 있다.The volume average particle diameter of the silver particles can be measured by a laser diffraction / scattering method particle size distribution measuring apparatus, or can be measured from an electron microscope photograph or from an electron microscope photograph using the image processing apparatus You may.

(2) 형태(2) Type

또한, 은 입자의 형태에 대해서는, 특히 한정되는 것은 아니며, 구상, 타원구상, 입방체상, 봉상, 밤송이상, 박편상, 이형상, 또는 이들의 조합이어도 된다.The shape of the silver particles is not particularly limited, and may be spherical, elliptic spherical, cubic, rod-like, chestnut-like, flaky, dissimilar, or a combination thereof.

또한, 은 입자의 형태에 관하여, 내부에 소정 공극을 갖는 중공 은 입자인 것이 보다 바람직하다.Further, with respect to the shape of the silver particles, it is more preferable that the hollow particles having a predetermined void space therein are particles.

그 이유는, 이러한 중공 은 입자를 사용함에 의해, 도전성 페이스트 중에서의 은 입자의 소결성을, 보다 용이하게 제어할 수 있음과 함께, 도전성 페이스트의 경량화 및 저코스트화에 이바지할 수 있기 때문이다.The reason for this is that by using such hollow particles, sintering of the silver particles in the conductive paste can be more easily controlled, and the weight of the conductive paste can be reduced and the cost can be reduced.

(3) 벌크 밀도(3) Bulk density

또한, 은 입자의 벌크 밀도를 0.5∼8g/㎤의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.It is also preferable that the bulk density of the silver particles be in the range of 0.5 to 8 g / cm 3.

그 이유는, 이러한 은 입자의 벌크 밀도가 0.5g/㎤ 미만의 값으로 되면, 도전성 페이스트 중에서 소결한 후에 있어서의 인장 강도가 저하하여, 크랙이 생기기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다. 한편, 이러한 은 입자의 벌크 밀도가 8g/㎤를 초과한 값으로 되면, 도전성 페이스트 중에서의 소결성을 안정적으로 제어하는 것이 곤란해지는 경우가 있기 때문이다.The reason is that when the bulk density of the silver particles is less than 0.5 g / cm 3, the tensile strength of the conductive paste after sintering lowers and cracks tend to occur. On the other hand, if the bulk density of the silver particles exceeds 8 g / cm 3, it may become difficult to stably control the sinterability in the conductive paste.

따라서, 은 입자의 벌크 밀도를 2∼7g/㎤의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하며, 4∼6g/㎤의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, the bulk density of the silver particles is more preferably in the range of 2 to 7 g / cm 3, more preferably in the range of 4 to 6 g / cm 3.

또, 이러한 은 입자의 벌크 밀도는, JIS K5101 탭법에 준거해서 측정할 수 있다.The bulk density of such silver particles can be measured in accordance with the JIS K5101 tap method.

(4) 표면 피복(4) Surface covering

또한, 은 입자의 표면이, 유기산, 유기산염, 계면활성제 및 커플링제에서 선택되는 적어도 하나로 이루어지는 유기 표면 처리제에 의하여 피복되어 있음이 바람직하다.It is also preferable that the surface of the silver particles is covered with an organic surface treatment agent comprising at least one selected from an organic acid, an organic acid salt, a surfactant and a coupling agent.

그 이유는, 이러한 유기 표면 처리제에 의하여 은 입자의 표면을 피복함에 의해, 은 입자의 결정 변화 특성을 조절하고, 나아가서는, 도전성 페이스트 중에서의 은 입자의 소결성을, 더 용이하게 제어할 수 있기 때문이다.The reason for this is that by coating the surface of the silver particles with such an organic surface treatment agent, the crystal change characteristics of the silver particles can be controlled, and furthermore, the sinterability of the silver particles in the conductive paste can be controlled more easily to be.

(4)-1 종류(4) -1 type

또한, 이러한 유기 표면 처리제의 종류로서는, 특히 제한되는 것은 아니지만, 통상, 헥산산, 2-에틸헥산산, 옥탄산, 데칸산, 라우르산, 미리스트산, 팔미트산, 스테아르산, 베헨산, 몬탄산, 올레산, 리놀산, 리놀렌산, 12-히드록시스테아르산, 벤조산, 글루콘산, 신남산, 살리실산, 갈산, 펜타데칸산, 헵타데칸산, 아라크산, 리그노세르산, 세로트산, 2-펜틸노난산, 2-헥실데칸산, 2-헵틸도데칸산, 이소스테아르산, 팔미톨레산, 이소올레산, 엘라이드산, 리시놀레산, 가돌레산, 에루크산, 셀라콜레산 등의 1염기산; 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 피멜산, 수베르산, 아젤라산, 말산, 프탈산, 푸마르산 등의 2염기산 등의 1종 단독 또는 2종 이상의 조합을 들 수 있다.Examples of the organic surface treatment agent include, but are not limited to, hexanoic acid, 2-ethylhexanoic acid, octanoic acid, decanoic acid, lauric acid, myristic acid, palmitic acid, Hydroxystearic acid, benzoic acid, gluconic acid, cinnamic acid, salicylic acid, gallic acid, pentadecanoic acid, heptadecanoic acid, arachic acid, lignoceric acid, heptanoic acid, 2- Specific examples include monobasic acids such as pentynonanoic acid, 2-hexyldecanoic acid, 2-heptyldodecanoic acid, isostearic acid, palmitoleic acid, isooleic acid, elaidic acid, ricinoleic acid, valoleic acid, erucic acid, mountain; And dibasic acids such as malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, malic acid, phthalic acid and fumaric acid may be used singly or in combination.

(4)-2 배합량(4) -2 Amount

또한, 유기 표면 처리제의 배합량을, 은 입자 100중량부에 대하여, 0.1∼3중량부의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.The blending amount of the organic surface treatment agent is preferably set to a value within a range of 0.1 to 3 parts by weight with respect to 100 parts by weight of silver particles.

그 이유는, 이렇게 유기 표면 처리제의 배합량을 조정함에 의해, 은 입자의 결정 변화 특성을 조절하고, 나아가서는, 도전성 페이스트 중에서의 은 입자의 소결성을, 더 용이하게 제어할 수 있기 때문이다.The reason for this is that by adjusting the compounding amount of the organic surface treatment agent, the crystal change characteristics of the silver particles can be controlled, and further, the sinterability of the silver particles in the conductive paste can be controlled more easily.

즉, 유기 표면 처리제의 배합량이 0.1중량부 미만의 값으로 되면, 은 입자끼리가 응집하기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다. 한편, 유기 표면 처리제의 배합량이 3중량부를 초과한 값으로 되면, 양호한 소결성을 얻을 수 없어지는 경우가 있기 때문이다.That is, when the blending amount of the organic surface treatment agent is less than 0.1 part by weight, the silver particles tend to agglomerate easily. On the other hand, when the blending amount of the organic surface treatment agent exceeds 3 parts by weight, good sinterability may not be obtained.

따라서, 유기 표면 처리제의 배합량을, 은 입자 100중량부에 대하여, 0.5∼2.5중량부의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하며, 1∼2중량부의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, the blending amount of the organic surface treating agent is more preferably in a range of 0.5 to 2.5 parts by weight, and more preferably in a range of 1 to 2 parts by weight, based on 100 parts by weight of silver particles.

(4)-3 탄소량(4) -3 carbon amount

또한, 은 입자 전체(100중량%)에 대한 탄소 함유량을 0.05∼3중량%의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.Further, it is preferable that the carbon content with respect to the whole silver particles (100% by weight) is within a range of 0.05 to 3% by weight.

그 이유는, 이러한 탄소 함유량이 0.05중량% 미만의 값으로 되면, 은 입자끼리가 응집하기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다. 한편, 이러한 탄소 함유량이 3중량%를 초과한 값으로 되면, 양호한 소결성을 얻을 수 없어지는 경우가 있기 때문이다.The reason for this is that when the carbon content is less than 0.05% by weight, the silver particles tend to agglomerate easily. On the other hand, if the carbon content exceeds 3% by weight, good sinterability may not be obtained.

따라서, 은 입자(100중량%)에 대한 탄소 함유량을 0.1∼2중량%의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하며, 0.55∼1중량%의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Accordingly, the carbon content with respect to the silver particles (100 wt%) is more preferably in the range of 0.1 to 2 wt%, and still more preferably in the range of 0.55 to 1 wt%.

(5) XRD 분석(5) XRD analysis

(5)-1 적분 강도비(5) -1 integral intensity ratio

또한, 은 입자의 소결 처리 전의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 적분 강도를 S1로 하고, 은 입자의 소결 처리 후(250℃, 60분)의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 적분 강도를 S2로 했을 때에, S2/S1의 값을 0.2∼0.8의 범위 내의 값으로 하는 것을 특징으로 한다.When the integrated intensity of the peak at 2? = 38 占 占 占 in the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis before the sintering treatment of the silver particles is represented by S1, the sintering treatment of silver particles (250 占 폚, 60 minutes) , The value of S2 / S1 is set to a value within the range of 0.2 to 0.8, where S2 is the integral intensity of the peak at 2? = 38 占 占 占 in the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis of .

그 이유는, 이러한 소정의 결정 변화 특성을 갖는 은 입자를 사용함에 의하여, 소결 처리 전의 은 입자의 결정성에 의하지 않고, 도전성 페이스트 중에서의 은 입자의 소결성을 용이하게 제어할 수 있으며, 나아가서는 소결 처리 후에 있어서, 우수한 전기 전도성 및 열전도성을, 안정적으로 얻을 수 있기 때문이다.The reason for this is that by using the silver particles having such predetermined crystal change characteristics, it is possible to easily control the sinterability of the silver particles in the conductive paste without depending on the crystallinity of the silver particles before the sintering treatment, and furthermore, This is because excellent electrical conductivity and thermal conductivity can be stably obtained later.

즉, 이러한 적분 강도비가 0.2 미만의 값으로 되면, 소결 처리 후의 내구열전도성이 과도하게 저하하는 경우가 있기 때문이다. 한편, 이러한 적분 강도비가 0.8을 초과한 값으로 되면, 소결 처리 후의 전기 전도성이 저하해서, 비저항이 과도하게 증가하는 경우가 있기 때문이다.That is, when the integral intensity ratio is less than 0.2, the durability thermal conductivity after the sintering treatment may be excessively lowered. On the other hand, when the integral intensity ratio exceeds 0.8, the electrical conductivity after the sintering treatment is lowered, and the specific resistance may excessively increase.

따라서, 은 입자의 소결 처리 전의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 적분 강도를 S1로 하고, 은 입자의 소결 처리 후(250℃, 60분)의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 적분 강도를 S2로 했을 때에, S2/S1의 값을 0.25∼0.75의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하며, 0.3∼0.7의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, after the sintering treatment (at 250 DEG C for 60 minutes) of the silver particles, the integrated intensity of the peak at 2? = 38 DEG +/- 0.2 DEG in the X-ray diffraction chart obtained by the XRD analysis before the sintering treatment of the silver particles was S1, , The value of S2 / S1 is preferably set to a value within a range of 0.25 to 0.75 when the integral intensity of a peak at 2? = 38 占 占 占 is 2 in the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis of , And more preferably in the range of 0.3 to 0.7.

또, 본 발명에 있어서 소결 처리 후의 은 입자의 XRD 분석을 행하기 위한 소결 처리란, 분산매 등의 첨가물을 함유하지 않는 상태의 은 입자를, 유리판면에 대하여, 은 입자끼리가 중첩하지 않도록 100메쉬로 체질하여 떨어뜨리고, 250℃ 조건 하의 순풍(循風) 건조기 중에서 60분간 가열해서 소결시키는 것을 의미하는 것으로 한다.In the present invention, the sintering treatment for performing the XRD analysis of the silver particles after the sintering treatment means that silver particles in a state of not containing an additive such as a dispersion medium are coated on a glass plate surface in a thickness of 100 mesh And sintered by heating in a circulating air dryer under the condition of 250 캜 for 60 minutes.

따라서, 소결 처리 후의 은 입자의 XRD 분석을 행하기 위한 소결 처리에서는, 소결 처리 후에 있어서도 각각의 은 입자가 입자상인 채이기 때문에, 셀에 수용해서 XRD 분석을 행할 수 있다.Therefore, in the sintering treatment for performing the XRD analysis of the silver particles after the sintering treatment, since each silver particle remains in a particulate state even after the sintering treatment, it can be accommodated in the cell and subjected to XRD analysis.

한편, 도전성 페이스트를 소결 처리한다고 했을 경우에는, 도전성 페이스트 내에 있어서의 은 입자끼리가 서로 녹아 부분적으로 이어진 상태로 하는 것을 의미한다.On the other hand, when the conductive paste is sintered, it means that the silver particles in the conductive paste are mutually melted and partially connected to each other.

여기에서, 은 입자의 소결 처리 전의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트와, 그 결정 특성과의 관계에 대한 개략을 설명한다.Here, the outline of the relationship between the X-ray diffraction chart obtained by the XRD analysis before the sintering treatment of silver particles and the crystal characteristics thereof will be described.

즉, 도 1의 (a)에는, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 은 입자의 소결 처리 전의 XRD 스펙트럼 차트가 나타나 있고, 도 1의 (b)에는, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 은 입자의 소결 처리 후의 XRD 스펙트럼 차트가 나타나 있다.That is, Fig. 1 (a) shows an XRD spectrum chart before sintering treatment of silver particles in Example 1 of the present invention, and Fig. 1 (b) An XRD spectrum chart after the sintering treatment of the particles is shown.

이러한 도 1의 (a)∼(b)의 XRD 스펙트럼 차트로부터 이해되는 바와 같이, 금속 은은, 통상, 2θ=38°±0.2°에 (111)면의 회절 피크를, 2θ=44°±0.2°에 (200)면의 회절 피크를, 2θ=64°±0.2°에 (220)면의 회절 피크를, 2θ=77°±0.2°에 (311)면의 회절 피크를, 2θ=81°±0.2°에 (222)면의 회절 피크를 각각 갖는 것이 알려져 있다.As can be understood from the XRD spectrum charts of Figs. 1 (a) to 1 (b), metal silver usually has a diffraction peak of 2θ = 38 ° ± 0.2 ° and a (111) The diffraction peaks of the (200) plane were measured at 2θ = 64 ° ± 0.2 ° and the diffraction peaks of the (220) plane were measured at 2θ = 77 ° ± 0.2 ° and the diffraction peaks of the (311) Deg.] And (222) planes, respectively.

그리고, 이들 피크는, 소결 처리에 의해 은 입자의 결정 특성이 변화하는 것에 수반하여, 다양하게 변화하는 것이, 본 발명자 등에 의해 확인되었다.It has been confirmed by the present inventors that these peaks vary in various ways as the crystal characteristics of the silver particles are changed by sintering treatment.

그뿐만 아니라, 소결 처리에 의한 결정 변화의 특성, 즉 결정 변화 특성은, 소결 처리 전의 은 입자의 XRD 스펙트럼 및 소결 처리 조건에 따라 일의적으로 결정되는 것은 아니며, 다양한 은 입자가 잠재적으로 갖고 있는 특성인 것이 확인되었다.In addition, the characteristic of the crystal change due to the sintering treatment, that is, the crystal change characteristic, is not determined uniquely according to the XRD spectrum of the silver particle before the sintering treatment and the sintering treatment conditions, .

보다 구체적으로는, 비록 소결 처리 전의 은 입자의 XRD 스펙트럼 및 소결 처리 조건이 같았다고 해도, 그 은 입자가 잠재적으로 갖고 있는 결정 변화 특성 여하에 따라서는, 소결 처리 후의 은 입자의 결정 특성이 크게 다른 것이 확인되었다.More specifically, even if the XRD spectrum of the silver particles before the sintering treatment and the sintering treatment conditions are the same, the crystal characteristics of the silver particles after the sintering treatment largely differ depending on the crystal change characteristics potentially possessed by the silver particles .

그리고, 다양한 결정 변화 특성 중에서도, 2θ=38°±0.2°의 피크의 적분 강도비 S2/S1이, 소결 처리 후의 도전성 페이스트에 있어서의 전기 전도율이나 열전도율 사이에 명확한 상관 관계를 갖고 있으며, 이러한 적분 강도비를 규정함으로써, 소결 처리 후의 도전성 페이스트의 전기 전도성이나 열전도성을 안정적으로 제어할 수 있음이 확인되어, 본 발명을 완성시킨 것이다.Among the various crystal change characteristics, the integral intensity ratio S2 / S1 of the peak at 2? = 38 占 占 占 has a clear correlation between the electric conductivity and the thermal conductivity in the conductive paste after the sintering treatment, It is confirmed that the electrical conductivity and thermal conductivity of the conductive paste after the sintering treatment can be stably controlled, thereby completing the present invention.

즉, 금속 은에 있어서 특징적으로 나타나는 2θ=38°±0.2°, 2θ=44°±0.2°, 2θ=64°±0.2°, 2θ=77°±0.2° 및 2θ=81°±0.2°의 피크의 적분 강도비(-)는, 모두 소결 처리 후의 도전성 페이스트에 있어서의 비저항(Ω·㎝)과의 사이에 강한 상관을 나타내지만, 그 중에서도, 2θ=38°±0.2°의 피크의 적분 강도비는, 가장 강한 상관을 나타내는 것이 확인되어 있다.That is, a peak of 2? = 38 ° ± 0.2 °, 2θ = 44 ° ± 0.2 °, 2θ = 64 ° ± 0.2 °, 2θ = 77 ° ± 0.2 ° and 2θ = 81 ° ± 0.2 ° (Ω · cm) in the conductive paste after the sintering treatment, but the integral intensity ratio (-) of the peak intensity of the peak of 2θ = 38 ° ± 0.2 ° Are correlated with each other.

보다 구체적으로는, 2θ=38°±0.2°의 경우에 있어서의 적분 강도비(-)와, 소결 처리 후의 도전성 페이스트에 있어서의 비저항(Ω·㎝)과의 사이의 결정 계수 R2은, 0.84로 매우 높은 값인 것이 확인되어 있다.More specifically, the coefficient of determination R 2 between the integral intensity ratio (-) in the case of 2? = 38 占 占 占 and the resistivity (? 占 에) in the conductive paste after the sintering treatment is 0.84 Which is a very high value.

한편, 2θ=44°±0.2°의 경우의 R2은 0.79, 2θ=64°±0.2°의 경우의 R2은 0.80, 2θ=77°±0.2°의 경우의 R2은 0.68, 2θ=81°±0.2°의 경우의 R2은 0.46이며, 2θ=38°±0.2°의 경우와 비교하면, 결정 계수의 값이 작은 것이 확인되어 있다.On the other hand, 2θ = 44 ° R 2 in the case of ± 0.2 ° is 0.79, 2θ = 64 ° ± R 2 in R 2 of 0.2 ° if in the case of 0.80, 2θ = 77 ° ± 0.2 ° is 0.68, 2θ = 81 R 2 in the case of ± 0.2 ° is 0.46, and it is confirmed that the value of the coefficient of determination is smaller than that in the case of 2θ = 38 ° ± 0.2 °.

또, 결정 계수 R2은, 상관 계수 R의 2승이며, 회귀식(근사식)의 들어맞음의 정도(精度)를 보는 척도로서 사용되는 계수이다.The coefficient of determination R 2 is a coefficient used as a scale for seeing the degree of accuracy (accuracy) of the regression equation (approximate expression), which is the square of the correlation coefficient R.

또한, 2θ=38°±0.2° 등의 피크의 적분 강도비가, 소결 처리 후의 도전성 페이스트에 있어서의 전기 전도율이나 열전도율과의 사이에 명확한 상관 관계를 갖는 이유는, 현시점에 있어서는 불명확하지만, 은 입자를 구성하는 결정자 사이즈나 결정상의 분포 등의, 소결 처리에 의한 변화의 경과 그 자체가, 소결 처리 후의 은 입자의 도전성에 큰 영향을 주고 있기 때문인 것으로 추측된다.The reason why the integrated intensity ratio of peaks such as 2? = 38 占 占 占 is a clear correlation between the electric conductivity and the thermal conductivity in the conductive paste after sintering is not clear at this point, It is presumed that the elapsed time of the change due to the sintering process, such as the crystallite size and the distribution of the crystalline phase, constituting the sintering process greatly affects the conductivity of the silver particles after the sintering process.

다음으로, 도 2를 사용하여, 소결 처리 전후에서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 적분 강도비와, 비저항과의 관계에 대하여 설명한다.Next, with reference to Fig. 2, the relationship between the integral intensity ratio of peak at 2θ = 38 ° ± 0.2 ° before and after the sintering treatment and the specific resistance will be described.

즉, 도 2에는, 횡축에 은 입자에 있어서의 소결 처리 전후에서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 적분 강도비 S2/S1(-)을 취하고, 종축에 소결 처리 후의 도전성 페이스트에 있어서의 비저항(Ω·㎝)을 취한 특성 곡선이 나타나 있다.That is, in Fig. 2, the integral intensity ratio S2 / S1 (-) of the peak at 2 [theta] = 38 [deg.] +/- 0.2 [deg.] Before and after the sintering treatment for the silver particles is taken on the abscissa, And a characteristic curve showing a specific resistance (? 占) m) is shown.

이러한 특성 곡선으로부터는, 적분 강도비가 증가하는 것에 수반하여 비저항이 증가한다는, 양 값 사이의 상관 관계를 읽어낼 수 있다.From this characteristic curve, it is possible to read the correlation between the positive values that the resistivity increases with the increase of the integral intensity ratio.

보다 구체적으로는, 적분 강도비가 0.2인 시점에서는, 비저항은 약 2×10-6Ω·㎝로 낮은 값이고, 적분 강도비가 0.8인 시점에서도, 비저항은 약 2×10-5Ω·㎝이며, 실용상 문제없는 레벨의 전기 전도성을 유지하고 있다.In a more specific, the integrated intensity ratio of 0.2 point, the specific resistance is about 2 × 10 -6 Ω · ㎝ a low value, the point in the integrated intensity ratio is 0.8, the resistivity of about 2 × 10 -5 Ω · ㎝, And maintains a level of electrical conductivity practically unproblematic.

한편, 적분 강도비가 0.8을 초과한 값으로 되면, 비저항은 그대로 증가하며, 예를 들면, 적분 강도비가 0.9인 시점에서는 약 1×10-4Ω·㎝라는 매우 큰 값으로 되어버려, 실용상 요구되는 레벨의 전기 전도성을 얻을 수 없어짐을 알 수 있다.On the other hand, when the integral intensity ratio exceeds 0.8, the resistivity increases as it is. For example, when the integral intensity ratio is 0.9, it becomes a very large value of about 1 x 10-4 ? It can be seen that the electric conductivity of the level can not be obtained.

따라서, 도 2에 나타내는 특성 곡선으로부터는, 소정의 적분 강도비를 0.2∼0.8의 범위 내의 값으로 함으로써, 소정의 전기 전도성을 안정적으로 얻을 수 있음이 이해된다.Therefore, it is understood from the characteristic curve shown in Fig. 2 that the predetermined electric conductivity can be stably obtained by setting the predetermined integral intensity ratio within the range of 0.2 to 0.8.

(5)-2 피크 높이비(5) -2 Peak height ratio

또한, 은 입자의 소결 처리 전의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 피크 높이를 L1로 하고, 은 입자의 소결 후(250℃, 60분)의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 피크 높이를 L2로 했을 때에, L2/L1의 값을 0.5∼1.5의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.The peak height of the peak at 2? = 38 占 占 占 in the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis before the sintering treatment of the silver particles is represented by L1, and the peak height after sintering (250 占 폚, 60 minutes) It is preferable that the value of L2 / L1 is set to a value within the range of 0.5 to 1.5 when the peak height of the peak at 2? = 38 占 占 占 in the X-ray diffraction chart obtained by the XRD analysis is L2.

그 이유는, 적분 강도비로 규정되는 결정 변화 특성을, 피크 높이비에 의하여 더 한정함에 의해, 은 입자의 결정 변화 특성이 보다 호적해져, 도전성 페이스트 중에서의 은 입자의 소결성을, 보다 용이하게 제어할 수 있기 때문이다.The reason for this is that by further limiting the crystal change characteristic defined by the integral intensity ratio by the peak height ratio, the crystal change characteristics of the silver particles become more favorable and the sinterability of the silver particles in the conductive paste can be controlled more easily It is because.

즉, 이러한 피크 높이비가 0.5 미만의 값으로 되면, 소결 처리 후의 내구열전도성이 과도하게 저하하는 경우가 있기 때문이다.That is, when the peak height ratio is less than 0.5, the durability thermal conductivity after the sintering treatment may be excessively lowered.

한편, 이러한 피크 높이비가 1.5를 초과한 값으로 되면, 소결 처리 후의 전기 전도성이 저하해서, 비저항이 과도하게 증가하는 경우가 있기 때문이다.On the other hand, when the peak height ratio exceeds 1.5, the electrical conductivity after the sintering treatment is lowered, and the specific resistance may excessively increase.

따라서, 은 입자의 소결 처리 전의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 피크 높이를 L1로 하고, 은 입자의 소결 후(250℃, 60분)의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크 높이를 L2로 했을 때에, L2/L1의 값을 0.6∼1.4의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하며, L2/L1의 값을 0.7∼1.2의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, when the peak height of the peak at 2? = 38 占 占 占 in the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis before the sintering treatment of the silver particles is represented by L1 and the peak height after the sintering (250 占 폚, 60 minutes) It is more preferable to set the value of L2 / L1 within the range of 0.6 to 1.4 when the peak height of 2? = 38 占 占 占 is L2 in the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis, It is more preferable to set the value of L1 to a value within the range of 0.7 to 1.2.

다음으로, 도 3을 사용하여, 소결 처리 전후에서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 피크 높이비와, 비저항과의 관계에 대하여 설명한다.Next, with reference to Fig. 3, the relationship between the peak height ratio of the peak at 2 [theta] = 38 [deg.] +/- 0.2 [deg.] Before and after the sintering treatment and the specific resistance will be described.

즉, 도 3에는, 횡축에 소결 처리 전후에서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 피크 높이비 L2/L1(-)를 취하고, 종축에 소결 처리 후의 도전성 페이스트의 비저항(Ω·㎝)을 취한 특성 곡선이 나타나 있다.3, the axis of abscissas represents the peak height ratio L2 / L1 (-) of the peak at 2θ = 38 ° ± 0.2 ° before and after the sintering treatment, and the ordinate represents the resistivity (Ω · cm) of the conductive paste after the sintering treatment The characteristic curve is shown.

이러한 특성 곡선으로부터는, 피크 높이비가 증가하는 것에 수반하여 비저항이 증가한다는, 양 값 사이의 상관 관계를 읽어낼 수 있다.From this characteristic curve, it is possible to read the correlation between the positive values that the resistivity increases as the peak height ratio increases.

보다 구체적으로는, 피크 높이비가 0.5인 시점에서는, 비저항은 약 4×10-6Ω·㎝로 낮은 값이고, 피크 높이비가 1.5인 시점에서도, 비저항은 약 1×10-5Ω·㎝로 실용상 문제없는 레벨의 전기 전도성을 유지하고 있다.More specifically, at a peak height ratio of 0.5, the resistivity is as low as about 4 × 10 -6 Ω · cm, and even when the peak height ratio is 1.5, the resistivity is about 1 × 10 -5 Ω · cm, And maintains a level of electrical conductivity of no problem.

한편, 피크 높이비가 1.5를 초과한 값으로 되면, 비저항은 그대로 증가하여, 실용상 요구되는 레벨의 전기 전도성을 안정적으로 얻는 것이 곤란해지는 경우가 있다.On the other hand, when the peak height ratio exceeds 1.5, the resistivity increases as it is, and it is sometimes difficult to stably obtain the electric conductivity of a practically required level.

따라서, 도 3에 나타내는 특성 곡선으로부터는, 소정의 피크 높이비를 0.5∼1.5의 범위 내의 값으로 함으로써, 소정의 전기 전도성을 안정적으로 얻을 수 있음이 이해된다.Therefore, it is understood from the characteristic curve shown in Fig. 3 that the prescribed electric conductivity can be stably obtained by setting the predetermined peak height ratio within the range of 0.5 to 1.5.

(5)-3 반값폭비(5) -3 half width ratio

또한, 은 입자의 소결 처리 전의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 반값폭을 W1로 하고, 은 입자의 소결 처리 후(250℃, 60분)의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 반값폭을 W2로 했을 때에, W2/W1의 값을 0.3∼0.9의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.Further, when the half-value width of the peak at 2? = 38 占 占 占 in the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis before the sintering treatment of the silver particles is W1, the sintering treatment (250 占 폚, 60 minutes) W2 is a value within a range of 0.3 to 0.9, where W2 is a half-value width of a peak at 2? = 38 占 占 占 in the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis of?

그 이유는, 적분 강도비로 규정되는 결정 변화 특성을, 반값폭비에 의하여 더 한정함에 의해, 은 입자의 결정 변화 특성이 더 호적해져, 도전성 페이스트 중에서의 은 입자의 소결성을, 더 용이하게 제어할 수 있기 때문이다.This is because the crystal change characteristics of the silver particles become more favorable by further limiting the crystal change characteristic defined by the integral intensity ratio by the half value ratio so that the sinterability of the silver particles in the conductive paste can be controlled more easily It is because.

즉, 이러한 반값폭비가 0.3 미만의 값으로 되면, 소결 처리 후의 전기 도전성이 저하해서, 비저항이 과도하게 증가하는 경우가 있기 때문이다. 한편, 이러한 반값폭비가 0.9를 초과한 값으로 되었을 경우에도, 소결 처리 후의 전기 도전성이 저하해서, 비저항이 과도하게 증가하는 경우가 있기 때문이다.That is, when the half-width ratio is less than 0.3, the electrical conductivity after sintering decreases and the specific resistance may increase excessively. On the other hand, even when the half width ratio becomes a value exceeding 0.9, the electrical conductivity after the sintering process deteriorates and the specific resistance may excessively increase.

따라서, 은 입자의 소결 전의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 반값폭을 W1로 하고, 은 입자의 소결 처리 후(250℃, 60분)의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 반값폭을 W2로 했을 때에, W2/W1의 값을 0.2∼0.8의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하며, 0.4∼0.7의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, assuming that the half-width of the peak at 2? = 38 占 占 占 in the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis before sintering the silver particles is W1, It is more preferable to set the value of W2 / W1 to a value within the range of 0.2 to 0.8, where W2 is the half width of the peak at 2? = 38 占 占 占 in the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis, And more preferably in the range of 0.4 to 0.7.

다음으로, 도 4를 사용하여, 소결 처리 전후에서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 반값폭비와, 비저항과의 관계에 대하여 설명한다.Next, with reference to Fig. 4, the relationship between the half width ratio of the peak at 2 &amp;thetas; = 38 DEG +/- 0.2 DEG before and after the sintering treatment and the resistivity will be described.

즉, 도 4에는, 횡축에 소결 처리 전후에서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 반값폭비 W2/W1(-)를 취하고, 종축에 소결 처리 후의 도전성 페이스트에 있어서의 비저항(Ω·㎝)을 취한 특성 곡선이 나타나 있다.That is, in FIG. 4, the abscissa represents the half-width ratio W2 / W1 (-) of the peak at 2? = 38 占 0.2 占 before and after the sintering treatment and the ordinate represents the resistivity (? The characteristic curve is shown.

이러한 특성 곡선으로부터는, 반값폭비가 증가하는 것에 수반하여 비저항이 한번 감소해서 극소값을 취한 후, 증가한다고 하는, 양 값 사이의 상관 관계를 읽어낼 수 있다.From this characteristic curve, it is possible to read the correlation between the positive values that the resistivity is decreased once by taking the minimum value, and then increased as the half width ratio is increased.

보다 구체적으로는, 예를 들면, 반값폭비가 0.2인 시점에서는, 비저항이 약 1×10-4Ω·㎝라는 매우 큰 값으로 되어버려, 실용상 요구되는 레벨의 전기 전도성을 얻을 수 없음을 알 수 있다.More specifically, for example, when the half width ratio is 0.2, the resistivity becomes a very large value of about 1 x 10 &lt; -4 &gt; [Omega] -cm and it can be seen that the electric conductivity of a practically required level can not be obtained .

한편, 반값폭비가 0.3 이상의 값으로 되면, 비저항은 약 1×10-5Ω·㎝로 실용상 문제없는 레벨의 전기 전도성을 나타내게 되어, 반값폭이 0.5∼0.6의 사이에서 비저항이 극소값(약 4×10-6Ω·㎝)을 취하고, 반값폭비가 0.9를 초과하면, 비저항은 약 1×10-5Ω·㎝를 초과한 값으로 다시 증가하여, 악화해 감을 알 수 있다.On the other hand, when the half width ratio is 0.3 or more, the resistivity shows a level of practically no problem at about 1 x 10 &lt; -5 &gt; × 10 -6 Ω · cm), and when the half width ratio exceeds 0.9, the specific resistance increases again to a value exceeding about 1 × 10 -5 Ω · cm, and it is understood that the resistivity deteriorates.

따라서, 도 4에 나타내는 특성 곡선으로부터는, 소정의 반값폭비를 0.3∼0.9의 범위 내의 값으로 함으로써, 소정의 전기 전도성을 안정적으로 얻을 수 있음이 이해된다.Therefore, it is understood from the characteristic curve shown in Fig. 4 that the predetermined electric conductivity can be stably obtained by setting the predetermined half width ratio to a value within the range of 0.3 to 0.9.

(5)-4 초기 결정 특성(5) -4 initial crystallization property

또한, 본 발명은, 소결 처리 전후의 은 입자에 있어서의 결정 변화 특성을 규정하는 것을 특징으로 하고 있지만, 소결 처리 전의 은 입자에 있어서의 결정 특성, 즉 초기 결정 특성으로서, 바람직한 것을 이하에 든다.Further, the present invention is characterized in that the crystal change characteristics in silver particles before and after the sintering treatment are defined, but preferable ones are shown below as the crystal characteristics in the silver particles before the sintering treatment, that is, the initial crystal properties.

즉, 소결 처리 전의 은 입자에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 적분 강도를 4500∼7500cps·°의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.That is, it is preferable that the integral intensity of the peak of 2? = 38 占 占 占 at the silver particle before the sintering treatment is within the range of 4500 to 7500 cps 占.

그 이유는, 이러한 적분 강도가 4500cps·° 미만의 값으로 되면, 소결 처리 후의 전기 전도성이 저하해서, 비저항이 과도하게 증가하는 경우가 있기 때문이다. 한편, 이러한 적분 강도가 7500cps·°를 초과한 값으로 되면, 소결 처리 후의 내구열전도성이 과도하게 저하하는 경우가 있기 때문이다.This is because if the integral strength is less than 4500 cps · °, the electrical conductivity after the sintering treatment is lowered and the specific resistance may excessively increase. On the other hand, if the integral strength is higher than 7500 cps · °, the durability of the durability thermal conductivity after sintering may be excessively lowered.

따라서, 소결 처리 전의 은 입자에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 적분 강도를 5000∼7000cps·°의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하며, 5500∼6500cps·°의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, it is more preferable to set the integrated intensity of the peak of 2? = 38 占 占 占 at the silver particle before the sintering treatment to a value within the range of 5,000 to 7,000 cps 占, and a value within the range of 5500 to 6500 cps 占Is more preferable.

또한, 소결 처리 전의 은 입자에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 피크 높이를 6000∼38000cps의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.Further, it is preferable that the peak height of the peak of 2? = 38 占 占 占 at the silver particle before the sintering treatment is within the range of 6000 to 38000 cps.

그 이유는, 이러한 피크 높이가 6000cps 미만의 값으로 되면, 소결 처리 후의 전기 도전성이 저하해서, 비저항이 과도하게 증가하는 경우가 있기 때문이다. 한편, 이러한 피크 높이가 38000cps를 초과한 값으로 되면, 소결 처리 후의 내구열전도성이 과도하게 저하하는 경우가 있기 때문이다.The reason for this is that when the peak height is less than 6000 cps, the electrical conductivity after the sintering treatment is lowered, and the specific resistance may excessively increase. On the other hand, if the peak height exceeds 38000 cps, the durability thermal conductivity after the sintering treatment may be excessively lowered.

따라서, 소결 처리 전의 은 입자에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 피크 높이를 8000∼35000cps의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하며, 10000∼32000cps의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, it is more preferable that the peak height of the peak of 2? = 38 占 占 占 at the silver particle before the sintering treatment is more preferably in the range of 8000 to 35000 cps, more preferably in the range of 10000 to 32000 cps .

또한, 소결 처리 전의 은 입자에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 피크 높이를 L138, 2θ=44°±0.2°의 피크의 피크 높이를 L144로 했을 때에, L144/L138의 값을, 0.2를 초과해서 0.5 이하의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.Further, when the sintering treatment before the 2θ = 38 ° ± 0.2 ° peak heights of the peaks for L1 38, 2θ = 44 ° ± peak height of the 0.2 ° peak in the particle to the L1 44, L1 44 / L1 38 Is preferably set to a value within a range of more than 0.2 and not more than 0.5.

그 이유는, 이러한 피크 높이비가 0.2 이하의 값으로 되면, 소결 처리 후의 전기 전도성이 저하해서, 비저항이 과도하게 증가하는 경우가 있기 때문이다. 한편, 이러한 피크 높이비가 0.5를 초과한 값으로 되었을 경우이어도, 소결 처리 후의 전기 전도성이 저하해서, 비저항이 과도하게 증가하는 경우가 있기 때문이다.This is because if the peak height ratio is less than 0.2, the electrical conductivity after the sintering treatment is lowered, and the specific resistance may excessively increase. On the other hand, even when the peak height ratio exceeds 0.5, the electrical conductivity after the sintering treatment is lowered, and the specific resistance may excessively increase.

따라서, 소결 처리 전의 은 입자에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 피크 높이를 L138, 2θ=44°±0.2°의 피크의 피크 높이를 L144로 했을 때에, L144/L138의 값을, 0.3을 초과해서 0.4 이하의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Thus, prior to the sintering process it is when the 2θ = 38 ° ± 0.2 ° peak heights of the peaks for L1 38, 2θ = 44 ° ± peak height of the 0.2 ° peak in the particle to the L1 44, L1 44 / L1 38 Is more preferably set in a range of more than 0.3 and not more than 0.4.

2. 분산매2. Distribution

(1) 종류(1) Type

또한, 페이스트화하기 위한 분산매의 종류에 대해서도 특히 제한되는 것은 아니지만, 글리콜에테르계 화합물, 글리콜에스테르계 화합물, 탄화수소계 화합물 및 극성 용제로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 화합물인 것이 바람직하다.The kind of the dispersion medium for forming the paste is not particularly limited, but is preferably at least one compound selected from the group consisting of glycol ether compounds, glycol ester compounds, hydrocarbon compounds and polar solvents.

그 이유는, 이러한 분산매이면, 도전성 페이스트 중에서의 은 입자의 소결성을 보다 안정적으로 유지하면서도, 도전성 페이스트에 적당한 점도를 부여할 수 있기 때문이다.This is because such a dispersion medium can impart an appropriate viscosity to the conductive paste while maintaining the sinterability of the silver particles in the conductive paste more stably.

우선, 글리콜에테르계 화합물로서는, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리프로필렌글리콜, 부탄디올, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노이소부틸에테르, 에틸렌글리콜모노헥실에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노이소부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노프로필에테르, 트리에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노이소부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노헥시에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노이소프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노이소부틸에테르, 프로필렌글리콜모노헥실에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노이소프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노이소부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노헥실에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노에틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노프로필에테르, 트리프로필렌글리콜모노이소프로필에테르, 트리프로필렌글리콜모노부틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노이소부틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노헥실에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노에틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노프로필에테르, 트리프로필렌글리콜모노이소프로필에테르, 트리프로필렌글리콜모노부틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노이소부틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노헥실에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 3-메톡시부탄올, 3-메톡시-3-메틸-1-부탄올 등의 1종 또는 2종 이상의 조합을 들 수 있다.First, as the glycol ether compound, ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol, tripropylene glycol, butanediol, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether , Ethylene glycol monoisobutyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monoisopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, Diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol monopropyl ether, triethylene glycol monoisopropyl ether, triethylene glycol monobutyl ether Propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monoisopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, Propylene glycol monohexyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monoisopropyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, Glycol monoisobutyl ether, dipropylene glycol monohexyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monoethyl ether, tripropylene glycol monopropyl ether, tripropylene glycol monoisopropyl ether, tri Propylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monoethyl ether, tripropylene glycol monopropyl ether, tripropylene glycol monoisopropyl ether, tripropylene glycol monoisopropyl ether, tripropylene glycol monoisopropyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, , Tripropylene glycol monobutyl ether, tripropylene glycol monoisobutyl ether, tripropylene glycol monohexyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol diethyl ether, propylene A combination of at least one of glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether, 3-methoxybutanol, 3-methoxy-3-methyl- .

또한, 글리콜에스테르계 화합물로서는, 메톡시부틸아세테이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 3-메톡시-3-메틸-1-부틸아세테이트, 3-메톡시부틸아세테이트 등의 1종 또는 2종 이상의 조합을 들 수 있다.Examples of the glycol ester compound include methoxybutyl acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate , Diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl Ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate, dipropylene glycol monobutyl ether acetate, 3-methoxy-3-methyl-1-butylacetate, 3-methoxybutyl acetate Of it can be given alone or in combination of two or more thereof.

또한, 탄화수소계 화합물로서는, 지방족계 탄화수소, 방향족계 탄화수소, 나프텐계 탄화수소 등의 1종 또는 2종 이상의 조합을 들 수 있다.Examples of the hydrocarbon-based compound include aliphatic hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, naphthenic hydrocarbons, and the like, or a combination of two or more thereof.

또한, 극성 용제로서는, N-메틸피롤리돈, γ-부티로락톤, 디메틸설폭시드, 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논 등의 1종 또는 2종 이상의 조합을 들 수 있다.As the polar solvent, there may be used one or a combination of two or more of N-methylpyrrolidone,? -Butyrolactone, dimethylsulfoxide, ethylene carbonate, propylene carbonate, and 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone .

(2) 배합량(2) Amount

또한, 분산매의 배합량을, 은 입자 100중량부에 대하여, 5∼30중량부의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.The blending amount of the dispersion medium is preferably in the range of 5 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of silver particles.

그 이유는, 이렇게 분산매의 배합량을 조정함에 의해, 도전성 페이스트 중에서의 은 입자의 소결성을 안정적으로 유지하면서도, 도전성 페이스트에 적당한 점도를 부여할 수 있기 때문이다.The reason for this is that by adjusting the compounding amount of the dispersion medium, an appropriate viscosity can be imparted to the conductive paste while stably maintaining the sinterability of the silver particles in the conductive paste.

즉, 분산매의 배합량이 5중량부 미만의 값으로 되면, 액체 성분이 적기 때문에, 페이스트화하는 것이 곤란해지는 경우가 있기 때문이다. 한편, 분산매의 배합량이 30중량부를 초과한 값으로 되면, 소결 처리 시에 분산매를 제거하는 것이 곤란해져, 비저항이 과도하게 증가하는 경우가 있기 때문이다.That is, when the blending amount of the dispersion medium is less than 5 parts by weight, it is difficult to make the paste since the liquid component is small. On the other hand, when the blending amount of the dispersion medium exceeds 30 parts by weight, it is difficult to remove the dispersion medium in the sintering treatment, and the specific resistance may excessively increase.

따라서, 분산매의 배합량을, 은 입자 100중량부에 대하여, 6∼20중량부의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하며, 7∼10중량부의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, the blending amount of the dispersion medium is more preferably in the range of 6 to 20 parts by weight, and more preferably in the range of 7 to 10 parts by weight, with respect to 100 parts by weight of silver particles.

3. 유기 화합물3. Organic compounds

본 발명의 도전성 페이스트를 구성함에 있어서, 유기 화합물을 배합하는 것도 바람직하다.In forming the conductive paste of the present invention, it is also preferable to blend an organic compound.

그 이유는, 유기 화합물을 배합함에 의해, 도전성 페이스트 중에서의 은 입자의 소결성을 안정적으로 유지하면서도, 소결한 은 입자의 경시 안정성을 향상시킬 수 있기 때문이다.This is because the stability with time of the sintered silver particles can be improved by stably maintaining the sinterability of the silver particles in the conductive paste by blending the organic compound.

(1) 종류(1) Type

은 입자의 소결성을 조절하기 위한 유기 화합물의 종류에 대해서는 특히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 에폭시계 수지, 페놀계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지, 불포화 폴리에스테르계 수지, 비닐에스테르계 수지, 멜라민계 수지, 우레아계 수지 등의 열경화성 수지, 폴리비닐피롤리돈, 트리에탄올아민, 콜린 등의 질소 함유 화합물, 아스코르브산, 미리스트산, 글루타르산 등의 유기산으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 단독 또는 2종 이상의 조합을 들 수 있다.The type of the organic compound for controlling the sintering property of the particles is not particularly limited, and examples thereof include epoxy resin, phenol resin, polyimide resin, acrylic resin, urethane resin, silicone resin and unsaturated polyester resin A thermosetting resin such as a resin, a vinyl ester resin, a melamine resin and a urea resin, a nitrogen-containing compound such as polyvinylpyrrolidone, triethanolamine and choline, and an organic acid such as ascorbic acid, myristic acid and glutaric acid Or a combination of two or more of them.

그리고, 이들 중, 열경화성의 에폭시계 수지 또는 페놀계 수지가 보다 바람직한 유기 화합물이다.Of these, thermosetting epoxy resins or phenolic resins are more preferable organic compounds.

그 이유는, 이러한 열경화성의 유기 화합물을 사용함에 의해, 도전성 페이스트 중에서의 은 입자의 소결성을 보다 안정적으로 유지하면서도, 소결한 은 입자의 경시 안정성을 보다 향상시킬 수 있기 때문이다.The reason for this is that the use of such thermosetting organic compounds can further improve the stability with time of the sintered silver particles while maintaining the sinterability of the silver particles in the conductive paste more stably.

(2) 배합량(2) Amount

또한, 유기 화합물의 배합량을, 은 입자 100중량부에 대하여, 0.5∼10중량부의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.The blending amount of the organic compound is preferably set to a value within a range of 0.5 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of silver particles.

그 이유는, 이렇게 유기 화합물의 배합량을 조정함에 의해, 도전성 페이스트 중에서의 은 입자의 소결성을 안정적으로 유지하면서도, 소결한 은 입자의 경시 안정성을 더 향상시킬 수 있기 때문이다.The reason for this is that by adjusting the compounding amount of the organic compound, the stability with time of the sintered silver particles can be further improved while maintaining the sinterability of the silver particles in the conductive paste stably.

즉, 유기 화합물의 배합량이 0.5중량부 미만의 값으로 되면, 소결 처리 후의 내구열전도성이 과도하게 저하하는 경우가 있기 때문이다. 한편, 유기 화합물의 배합량이 10중량부를 초과한 값으로 되면, 소결 처리 후의 전기 전도성이 저하해서, 비저항이 과도하게 증가하는 경우가 있기 때문이다.That is, when the blending amount of the organic compound is less than 0.5 part by weight, the durability of the durability thermal conductivity after the sintering treatment may be excessively lowered. On the other hand, when the blending amount of the organic compound exceeds 10 parts by weight, the electric conductivity after the sintering treatment is lowered, and the specific resistance may excessively increase.

따라서, 유기 화합물의 배합량을, 은 입자 100중량부에 대하여, 1∼8중량부의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하며, 2∼5중량부의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, the blending amount of the organic compound is more preferably in the range of 1 to 8 parts by weight, more preferably in the range of 2 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the silver particles.

여기에서, 도 5를 사용하여, 유기 화합물의 배합과, 내구열전도성과의 관계에 대하여 설명한다.Here, the relationship between the compounding of the organic compound and the durability of heat conduction will be described with reference to Fig.

즉, 도 5에는, 횡축에 소결 처리된 도전성 페이스트의 내구열전도성을 평가했을 때의 냉열 사이클수(회)를 취하고, 종축에 소결 처리된 도전성 페이스트를 함유하는 측정 시료를 끼운 열전쌍의 온도가 평형에 도달했을 때의 온도차(℃)를 취한 특성 곡선이 나타나 있다.That is, Fig. 5 shows the number of cooling / heating cycles (times) when the durability and thermal conductivity of the conductive paste sintered on the abscissa axis is evaluated, and the temperature of the thermocouple sandwiching the measurement sample containing the conductive paste sintered (° C) when the temperature reaches a predetermined temperature.

보다 구체적으로는, 은 입자 100중량부에 대하여, 유기 화합물을 배합하지 않은 경우(특성 곡선A), 에폭시 수지를 1중량부 배합한 경우(특성 곡선B), 에폭시 수지를 2중량부 배합한 경우(특성 곡선C), 페놀 수지를 2중량부 배합한 경우(특성 곡선D), 폴리이미드 수지를 2중량부 배합한 경우(특성 곡선E)의 특성 곡선이 각각 나타나 있다.More specifically, when 1 part by weight of an epoxy resin was blended (characteristic curve B), 2 parts by weight of an epoxy resin was blended with 100 parts by weight of silver particles (Characteristic curve C), 2 parts by weight of phenolic resin (characteristic curve D), and 2 parts by weight of polyimide resin (characteristic curve E), respectively.

또, 이러한 종축의 온도차는, 낮은 값일수록, 소결 처리된 도전성 페이스트의 내구열전도성이 우수한 것을 의미한다.The lower the temperature difference of the vertical axis, the better the durability and thermal conductivity of the sintered conductive paste.

또한, 이러한 내구열도전성의 구체적인 평가 방법은, 실시예에 있어서 기재한다.A specific evaluation method of such endurance thermal conductivity will be described in Examples.

우선, 유기 화합물을 배합하지 않은 경우(특성 곡선A), 냉열 사이클수가 200회인 시점까지는 소정의 열전도성을 유지할 수 있지만, 냉열 사이클수가 500회인 시점에서는, 소결 은 입자에 있어서의 크랙의 발생 등에 의해, 열전도성이 완전히 소실되어버려 있음이 이해된다.First, when the organic compound is not blended (characteristic curve A), the predetermined thermal conductivity can be maintained until the number of the cooling / heating cycles is 200, but at the time when the number of cooling / heating cycles is 500, sintering causes cracking , It is understood that the thermal conductivity is completely lost.

한편, 에폭시 수지를 1중량부 배합한 경우(특성 곡선B)에는, 냉열 사이클수가 500회인 시점까지 소정의 열전도성을 유지할 수 있어, 내구열전도성이 비약적으로 향상하는 것을 알 수 있다.On the other hand, when 1 part by weight of the epoxy resin is blended (characteristic curve B), it can be seen that the predetermined thermal conductivity can be maintained until the number of cycles of cooling and heating is 500 and the durability of thermal conductivity is drastically improved.

단, 이 경우, 열사이클수가 1000회인 시점에서, 열도전성이 완전히 소실되어버림을 알 수 있다.However, in this case, it can be seen that the thermal conductivity is completely lost when the number of thermal cycles is 1,000.

이 점에서, 에폭시 수지를 2중량부 배합한 경우(특성 곡선C), 및 페놀 수지를 2중량부 배합한 경우(특성 곡선D)에는, 냉열 사이클수가 1000회인 시점까지 소정의 열전도성을 유지할 수 있어, 내구열전도성이 비약적으로 향상하는 것을 알 수 있다.From this point, it is found that when the epoxy resin is blended in an amount of 2 parts by weight (characteristic curve C) and when the phenol resin is blended in 2 parts by weight (characteristic curve D), a predetermined thermal conductivity can be maintained And the durability thermal conductivity is remarkably improved.

또한, 폴리이미드 수지를 2중량부 배합한 경우(특성 곡선E)에는, 냉열 사이클수가 1000회의 시점까지 열전도성을 유지할 수 있지만, 소결 은 입자가 서서히 열화하는 것에 기인하여, 열전도성이 조금씩 저하되어버림을 알 수 있다.In the case of mixing 2 parts by weight of the polyimide resin (characteristic curve E), the thermal conductivity can be maintained until the number of cycles of cooling and heating is 1,000, but the thermal conductivity is slightly lowered due to the gradual deterioration of the particles The discard can be seen.

따라서, 도 5에 나타내는 특성 곡선으로부터는, 우수한 내구열전도성을 얻는데 있어서, 유기 화합물로서 에폭시 수지 및 페놀 수지를 사용하는 것이 바람직하고, 그 배합량으로서는, 은 입자 100중량부에 대하여, 0.5∼10중량부의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직한 것이 이해된다.Therefore, from the characteristic curve shown in Fig. 5, it is preferable to use an epoxy resin and a phenol resin as the organic compound in order to obtain excellent durability and thermal conductivity. The amount thereof is preferably 0.5 to 10 wt% It is understood that it is desirable to set the value within the negative range.

또한, 도 6을 사용하여, 유기 화합물의 배합과, 비저항의 관계에 대하여 설명한다.The relationship between the combination of the organic compound and the resistivity will be described with reference to Fig.

즉, 도 6에는, 횡축에 은 입자 100중량부에 대한 유기 화합물의 배합량(중량부)을 취하고, 종축에 소결 처리 후의 도전성 페이스트에 있어서의 비저항(Ω·㎝)을 취한 특성 곡선이 나타나 있다.That is, in FIG. 6, the abundance of the organic compound in 100 parts by weight of the silver particles is taken on the abscissa, and the ordinate of the abscissa shows the characteristic curve in which the resistivity (? 占 에) of the electroconductive paste after sintering is taken.

보다 구체적으로는, 유기 화합물로서, 에폭시 수지(특성 곡선A), 에폭시노볼락 수지(에폭시 수지의 일종)(특성 곡선B) 및 페놀 수지(특성 곡선C)를 사용한 경우의 특성 곡선이 나타나 있다.More specifically, a characteristic curve is shown as an organic compound when an epoxy resin (characteristic curve A), an epoxy novolak resin (a kind of epoxy resin) (characteristic curve B) and a phenol resin (characteristic curve C) are used.

이들 특성 곡선으로부터 이해되는 바와 같이, 에폭시 수지 및 페놀 수지이면, 은 입자 100중량부에 대하여 10중량부 배합한 경우이어도, 비저항의 증가를 2×10-5Ω·㎝ 정도 이하로 억제할 수 있고, 2중량부 배합한 경우이면, 배합하지 않는 경우와 비교해서, 거의 비저항의 증가에 기여하지 않는 것이 이해된다.As understood from these characteristic curves, the increase in specific resistance can be suppressed to about 2 x 10 &lt; -5 &gt; OMEGA. Cm or less even when the epoxy resin and the phenol resin are blended in an amount of 10 parts by weight per 100 parts by weight of the silver particles , And 2 parts by weight, it is understood that it does not contribute to the increase of the resistivity as compared with the case where the composition is not blended.

4. 첨가제4. Additives

도전성 페이스트 중에, 각종 첨가제, 예를 들면, 산화방지제, 자외선흡수제, 금속이온포획제, 점도조정제, 무기 필러, 유기 필러, 카본 섬유, 착색제 및 커플링제 등을 첨가하는 것도 바람직하다.It is also preferable to add various additives such as an antioxidant, an ultraviolet absorber, a metal ion capturing agent, a viscosity adjuster, an inorganic filler, an organic filler, a carbon fiber, a colorant and a coupling agent to the conductive paste.

특히, 통상, 도전성 페이스트는, 은 입자를 첨가하는 것에 기인하여 산화 열화가 가속되기 때문에, 산화방지제로서, 아민계 산화방지제, 페놀계 산화방지제, 또는 인산에스테르계 산화방지제 등을, 전체량에 대하여, 0.1∼10중량%의 범위 내에서 첨가하는 것이 바람직하다.Particularly, in general, the conductive paste accelerates the oxidative deterioration due to the addition of the silver particles, and therefore, the antioxidant such as an amine antioxidant, a phenol antioxidant, or a phosphoric acid ester antioxidant, By weight, preferably 0.1 to 10% by weight.

또한, 도전성 페이스트 중에, 실리카 입자를 첨가하는 것이 바람직하며, 소수성 실리카이어도, 친수성 실리카이어도 호적하게 배합할 수 있다.In addition, it is preferable to add silica particles to the conductive paste, and hydrophobic silica or hydrophilic silica can be suitably mixed.

그리고, 이러한 실리카 입자의 첨가량을, 전체량에 대하여, 0.1∼5중량%의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.The amount of the silica particles to be added is preferably in the range of 0.1 to 5 wt% with respect to the total amount.

그 이유는, 이러한 실리카 입자의 첨가량이, 0.1중량% 미만의 값으로 되면, 첨가 효과가 발현하지 않는 경우가 있기 때문이다. 한편, 이러한 실리카 입자의 첨가량이 5중량%를 초과한 값으로 되면, 전기 전도성 및 열전도성이 과도하게 저하하는 경우가 있기 때문이다.The reason is that if the amount of the silica particles added is less than 0.1% by weight, the effect of addition may not be exhibited. On the other hand, if the added amount of the silica particles exceeds 5% by weight, the electrical conductivity and the thermal conductivity may be excessively lowered.

따라서, 이러한 실리카 입자의 첨가량을, 전체량에 대하여, 0.2∼3중량%의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하며, 0.5∼2중량%의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, the amount of the silica particles to be added is more preferably in the range of 0.2 to 3 wt%, more preferably in the range of 0.5 to 2 wt% with respect to the total amount.

5. 점도5. Viscosity

또한, 도전성 페이스트의 점도(측정 온도 : 25℃)를 1,000∼300,000mPa·sec의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.The viscosity of the conductive paste (measurement temperature: 25 ° C) is preferably set to a value within a range of 1,000 to 300,000 mPa · sec.

그 이유는, 이러한 도전성 페이스트의 점도가, 1,000mPa·sec 미만의 값이 되면, 은 입자가 침강하기 쉬워지거나, 전기 전도성 및 열전도성이 현저하게 저하하거나 하는 경우가 있기 때문이다. 한편, 이러한 도전성 페이스트의 점도가, 300,000mPa·sec를 초과하면, 취급이 곤란해져, 균일하게 도포하거나 하는 것이 곤란해지는 경우가 있기 때문이다.The reason for this is that when the viscosity of such a conductive paste is less than 1,000 mPa · sec, silver particles tend to precipitate, and electrical conductivity and thermal conductivity may remarkably decrease. On the other hand, when the viscosity of such a conductive paste exceeds 300,000 mPa · sec, handling becomes difficult and it may become difficult to uniformly coat the conductive paste.

따라서, 도전성 페이스트의 점도(측정 온도 : 25℃)를 3,000∼100,000mPa·sec의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하며, 10,000∼80,000mPa·sec의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, the viscosity of the conductive paste (measurement temperature: 25 ° C) is more preferably in the range of 3,000 to 100,000 mPa · sec, and more preferably in the range of 10,000 to 80,000 mPa · sec.

6. 밀도6. Density

또한, 도전성 페이스트의 밀도를 1.4∼7g/㎤의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.It is also preferable to set the density of the conductive paste to a value within the range of 1.4 to 7 g / cm 3.

그 이유는, 이러한 도전성 페이스트의 밀도가, 1.4g/㎤ 미만의 값이 되면, 전기 전도성 및 열전도성이 현저하게 저하하는 경우가 있기 때문이다.The reason for this is that when the density of the conductive paste is less than 1.4 g / cm 3, the electrical conductivity and the thermal conductivity may remarkably decrease.

한편, 이러한 도전성 페이스트의 밀도가, 7g/㎤를 초과하면, 취급성이 저하하거나, 피착체로부터 박리되기 쉬워지거나 하는 경우가 있기 때문이다.On the other hand, when the density of the conductive paste is more than 7 g / cm 3, the handling property may be lowered, or the conductive paste tends to peel off from the adherend.

따라서, 도전성 페이스트의 밀도를, 3∼6.5g/㎤의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하며, 4∼6g/㎤의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, the density of the conductive paste is more preferably in the range of 3 to 6.5 g / cm 3, more preferably in the range of 4 to 6 g / cm 3.

7. 제조 방법7. Manufacturing Method

도전성 페이스트의 제조 방법은 특히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 프로펠러 믹서, 플래니터리 믹서, 3개롤, 니더, 스패툴라 등을 이용해서, 유기 화합물 및 분산매 중에, 소정량의 은 입자를 혼합 분산하여, 제조하는 것이 바람직하다.The conductive paste is produced by mixing and dispersing a predetermined amount of silver particles in an organic compound or a dispersion medium using, for example, a propeller mixer, a planetary mixer, three rolls, a kneader, And the like.

그리고, 이들을 균일하게 혼합한 후, 필터 등을 사용하여, 은 입자의 응집물이나 티끌 등을 여과 처리하여, 제거하는 것이 바람직하다.After uniformly mixing them, it is preferable to filter and remove agglomerates or dusts of silver particles using a filter or the like.

그 이유는, 은 입자의 응집물 등을 여과 처리함에 의하여, 디스펜서 등을 사용하여 도전성 페이스트를 도포하는 경우에, 눈막힘하는 것을 유효하게 방지할 수 있기 때문이다.This is because when the conductive paste is applied using a dispenser or the like by filtering the agglomerated particles of silver particles or the like, clogging can be effectively prevented.

또, 은 입자이면, 내부에 공동을 가짐과 함께, 소정의 표면 처리가 실시되어 있음에 의해, 응집물의 발생이 적어, 예를 들면, 오프닝 20∼200㎛의 메쉬 필터 등을 사용하여, 용이하게 여과 처리할 수 있다는 이점이 있다.When silver particles are used, the silver particles have a cavity therein and a predetermined surface treatment is carried out. As a result, aggregation is less likely to occur. For example, a mesh filter having an opening of 20 to 200 탆 can be easily used There is an advantage that the filtration can be performed.

[제2 실시형태][Second Embodiment]

제2 실시형태는, 소결성 도전재로서의 체적 평균 입경이 0.1∼30㎛인 은 입자와, 페이스트상으로 하기 위한 분산매를 함유하며, 또한, 은 입자의 소결 처리 전의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 적분 강도를 S1로 하고, 은 입자의 소결 처리 후(250℃, 60분)의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 적분 강도를 S2로 했을 때에, S2/S1의 값을 0.2∼0.8의 범위 내의 값으로 해서 이루어지는 도전성 페이스트를, 반도체 소자를 실장하기 위한 기판 위의 소정 개소에 도포하는 공정과, 200∼450℃의 온도 조건에서 가열하여, 은 입자를 소결시켜서, 반도체 소자를 기판 위에 실장하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법이다.The second embodiment is characterized in that the sinterable conductive material contains silver particles having a volume average particle diameter of 0.1 to 30 占 퐉 and a dispersion medium for forming a paste, Of the peak of 2? = 38 占 占 占 at 2? = 38 占 in the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis after sintering treatment of silver particles (250 占 폚, 60 minutes) A step of applying a conductive paste having a value of S2 / S1 within a range of 0.2 to 0.8 when a total intensity of a peak of 占 0.2 占 is S2 to a predetermined position on a substrate for mounting a semiconductor element; , And heating at a temperature of 200 to 450 캜 to sinter the silver particles, thereby mounting the semiconductor element on the substrate.

이하, 구성 요건마다 나눠서, 제2 실시형태의 도전성 페이스트를 사용한 다이 본딩 방법에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the die bonding method using the conductive paste according to the second embodiment will be described in detail for each constituent requirement.

1. 제1 공정1. First step

(1) 도전성 페이스트(1) Conductive paste

도전성 페이스트는, 제1 실시형태에서 설명한 것과 마찬가지의 내용으로 할 수 있기 때문에, 여기에서의 설명은 생략한다.Since the conductive paste can have the same contents as those described in the first embodiment, the description thereof is omitted here.

(2) 반도체 소자/기판(2) Semiconductor device / substrate

도전성 페이스트를 도포하는 피착체는, 반도체 소자를 실장하기 위한 회로가 형성된 기판이다.The adherend to which the conductive paste is applied is a substrate on which a circuit for mounting semiconductor elements is formed.

따라서, 보다 구체적으로, 회로가 형성된 세라믹 기판, 유리 기판, 에폭시 수지 기판, 종이/페놀 기판 등이 피착체로 된다.Therefore, more specifically, a ceramic substrate, a glass substrate, an epoxy resin substrate, a paper / phenol substrate or the like on which a circuit is formed becomes an adherend.

단, 용도에 따라서는, 반도체 소자측에, 도전성 페이스트를 도포하는 경우도 있다.However, in some applications, a conductive paste may be applied to the semiconductor element side.

(3) 도포 조건(3) Application conditions

또한, 도포 조건에 대해서도 특히 제한되는 것은 아니지만, 스크린 인쇄, 잉크젯 인쇄, 디스펜서 인쇄, 스핀 코팅 인쇄 등을 사용하여, 통상, 두께 1∼500㎛의 범위 내로 도포하는 것이 바람직하며, 두께 10∼300㎛의 범위 내로 도포하는 것이 보다 바람직하고, 두께 30∼200㎛의 범위 내로 도포하는 것이 더 바람직하다.The coating conditions are not particularly limited. However, it is preferable to apply the coating solution in a range of usually 1 to 500 mu m in thickness using screen printing, inkjet printing, dispenser printing, spin coating printing or the like, , More preferably within a range of 30 to 200 mu m in thickness.

2. 제2 공정2. Second Step

(1) 가열 온도(1) heating temperature

제2 공정에 있어서의 가열 온도를 200∼450℃의 범위 내의 값으로 하는 것을 특징으로 한다.And the heating temperature in the second step is set to a value within a range of 200 to 450 占 폚.

그 이유는, 이러한 가열 온도가 200℃ 미만의 값이 되면, 은 입자의 소결성이 현저하게 저하하기 때문이다.The reason is that if the heating temperature is less than 200 ° C, the sinterability of the silver particles is remarkably lowered.

한편, 이러한 가열 온도가 450℃를 초과하면, 은 입자가 과도하게 소결하여, 크랙이 생기기 쉬워지기 때문이다.On the other hand, if the heating temperature exceeds 450 ° C, the silver particles become excessively sintered and cracks tend to occur.

따라서, 제2 공정에 있어서의 가열 온도를 230∼430℃의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하며, 250∼400℃의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, the heating temperature in the second step is more preferably in the range of 230 to 430 占 폚, and more preferably in the range of 250 to 400 占 폚.

또, 이러한 가열 온도를 유지하기 위한 가열 장치에 대해서도 특히 제한되는 것은 아니지만, 열풍 순환식 오븐, 적외선 가열 장치, 불활성 가스 가열 장치, 리플로우 장치 등을 사용하는 것이 바람직하다.The heating apparatus for maintaining the heating temperature is not particularly limited, but a hot air circulating oven, an infrared heating apparatus, an inert gas heating apparatus, a reflow apparatus, or the like is preferably used.

(2) 가열 시간(2) Heating time

또한, 제2 공정에 있어서의 가열 시간은, 가열 온도에도 따르지만, 통상, 10∼180분의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.The heating time in the second step is preferably in the range of 10 to 180 minutes, though it depends on the heating temperature.

그 이유는, 이러한 가열 시간이 10분 미만의 값이 되면, 은 입자의 소결성이 현저하게 저하하는 경우가 있기 때문이다.The reason is that if the heating time is less than 10 minutes, the sinterability of the silver particles may remarkably decrease.

한편, 이러한 가열 시간이 180분을 초과하면, 제조 효율이 과도하게 저하하거나, 은 입자가 과도하게 소결하여, 크랙이 생기기 쉬워지거나 하는 경우가 있기 때문이다.On the other hand, if the heating time exceeds 180 minutes, the production efficiency may be excessively lowered, the silver particles may excessively sinter, and cracks tend to occur.

따라서, 제2 공정에 있어서의 가열 시간을 20∼120분의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하며, 30∼60분의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, the heating time in the second step is preferably within the range of 20 to 120 minutes, more preferably within the range of 30 to 60 minutes.

(3) 가압 조건(3) Pressurizing conditions

또한, 제2 공정의 실시에 있어서, 도전성 페이스트를 개재해서, 무가압 상태, 즉, 반도체 소자의 자중에 의하여, 기판과의 사이를 접속해도 되지만, 통상, 가압 조건을 5∼80kgf/㎠의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.In carrying out the second step, the substrate may be connected to the substrate by a non-pressurized state, that is, the self-weight of the semiconductor element, with the conductive paste interposed therebetween. Usually, the pressing condition is set in the range of 5 to 80 kgf / Is preferably set to a value within the range.

그 이유는, 이러한 가압 조건이 5kgf/㎠ 미만의 값이 되면, 은 입자의 소결성이 현저하게 저하하는 경우가 있기 때문이다. 한편, 이러한 가압 조건이 80kgf/㎠를 초과하면, 반도체 소자가 손상되거나, 은 입자가 과도하게 소결하여, 크랙이 생기기 쉬워지거나 하는 경우가 있기 때문이다.The reason is that when the pressing condition is less than 5 kgf / cm 2, the sinterability of the silver particles may remarkably decrease. On the other hand, if the pressing condition exceeds 80 kgf / cm 2, the semiconductor element may be damaged, the silver particles may be excessively sintered, and cracks may easily occur.

따라서, 제2 공정에 있어서의 가압 조건을 10∼50kgf/㎠의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하며, 20∼40kgf/㎠의 범위 내의 값으로 하는 것이 더 바람직하다.Therefore, it is preferable to set the pressing condition in the second step to a value within a range of 10 to 50 kgf / cm 2, more preferably to a value within a range of 20 to 40 kgf / cm 2.

[실시예][Example]

이하, 실시예를 참조하여, 본 발명의 도전성 페이스트 등을 더 상세히 설명한다.Hereinafter, the conductive paste and the like of the present invention will be described in more detail with reference to examples.

[실시예 1][Example 1]

1. 은 입자의 제조1. Preparation of silver particles

액상 환원법에 의해 은 입자를 제조했다.Silver particles were prepared by the liquid reduction method.

즉, 질산은 12g을 이온 교환수 1㎏에 용해시키고, 25% 암모니아수 40g을 첨가하여 은의 암민염 수용액을 얻었다.Namely, 12 g of silver nitrate was dissolved in 1 kg of ion-exchanged water and 40 g of 25% aqueous ammonia was added to obtain an aqueous solution of ammonium salt of silver.

다음으로, 얻어진 은의 암민염 수용액에, 수산화나트륨 1.7g을 첨가하여 용해시킨 후, 교반하면서 37% 포르말린 60g을 첨가하여, 은 입자를 석출시켰다.Next, 1.7 g of sodium hydroxide was added to and dissolved in the aqueous solution of ammonium salt of the obtained silver, and 60 g of 37% formalin was added thereto with stirring to precipitate silver particles.

다음으로, 얻어진 은 입자를 수세, 여과 후에 IPA 치환했다.Next, the obtained silver particles were washed with water, subjected to IPA after filtration.

다음으로, 스테아르산 0.3g을 IPA 10g에 용해시킨 표면 처리제를 첨가하여 은 입자의 표면 처리를 행한 후, 100℃에서 진공 건조를 행하여, 체적 평균 입경 1.9㎛의 구상의 중공 은 입자를 얻었다.Next, a surface treatment agent prepared by dissolving 0.3 g of stearic acid in 10 g of IPA was added to perform surface treatment of silver particles, followed by vacuum drying at 100 캜 to obtain spherical hollow particles having a volume average particle diameter of 1.9 탆.

또, 얻어진 중공 은 입자에 있어서의 탄소 함유량은, 얻어진 중공 은 입자 전체(100중량%)에 대하여, 0.79중량%였다.The carbon content in the obtained hollow particles was 0.79% by weight based on 100% by weight of the whole hollow particles obtained.

2. 은 입자의 평가2. Evaluation of silver particles

(1) XRD 분석(1) XRD analysis

(1)-1 소결 처리 전(1) -1 Before sintering treatment

소결 처리 전의 은 입자의 XRD 분석을 행했다.XRD analysis of the silver particles before the sintering treatment was carried out.

즉, 얻어진 은 입자를 X선 회절 장치(리가쿠덴키(주)제, RINT2500VHF)의 샘플 홀더에 충전하고, 하기 조건에 따라 2θ=38°±0.2°에 있어서의 피크 높이, 반값폭, 적분 강도 및 결정자 사이즈의 측정을 행했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타냄과 함께, 얻어진 XRD 스펙트럼 차트를 도 1의 (a)에 나타낸다.That is, the obtained silver particles were filled in a sample holder of an X-ray diffractometer (RINT2500VHF, manufactured by Rigaku Denki K.K.), and the peak height, half width, and integrated intensity at 2θ = 38 ° ± 0.2 ° And crystallite size were measured. The obtained results are shown in Table 1, and the obtained XRD spectrum chart is shown in Fig. 1 (a).

X선 : Cu/40㎸/50㎃X-ray: Cu / 40 kV / 50 mA

스캔 스피드 : 4deg/minScan speed: 4 deg / min

샘플링 폭 : 0.02degSampling width: 0.02 deg

주사 범위 : 20∼90degScanning range: 20 to 90 degrees

(1)-2 소결 처리 후(1) -2 After sintering treatment

소결 처리 후의 은 입자의 XRD 분석을 행했다.XRD analysis of silver particles after the sintering treatment was carried out.

또한, 얻어진 은 입자를, 유리판면에 대하여, 은 입자끼리가 중첩하지 않도록 100메쉬로 체질하여 떨어뜨리고, 250℃의 조건 하의 순풍 건조기 중에서 60분간 가열해서 소결시킨 후, 얻어진 소결 처리 후의 은 입자에 대하여, 소결 처리 전의 경우와 마찬가지의 조건에서 XRD 분석을 행했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타냄과 함께, 얻어진 XRD 스펙트럼 차트를 도 1의 (b)에 나타낸다.The silver particles thus obtained were sieved in a 100 mesh sieve so as not to overlap with each other on the glass plate surface and sintered by heating in a circulating air dryer at 250 캜 for 60 minutes to obtain silver particles after sintering , XRD analysis was carried out under the same conditions as before the sintering treatment. The obtained results are shown in Table 1, and the obtained XRD spectrum chart is shown in Fig. 1 (b).

또한, 소결 처리 전, 및 소결 처리 후의 XRD 분석 결과를 기초로, 피크 높이비(L2/L1), 반값폭비(W2/W1) 및 적분 강도비(S2/S1)를 산출했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.The peak height ratio (L2 / L1), the half width ratio (W2 / W1) and the integral intensity ratio (S2 / S1) were calculated based on the XRD analysis results before and after the sintering treatment. The obtained results are shown in Table 1.

3. 도전성 페이스트의 제조3. Preparation of conductive paste

교반 장치 부착 용기 내에, 얻어진 은 입자 100중량부, 분산매로서의 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(DPMA) 10중량부를 수용한 후, 교반 장치를 사용하여 균일하게 혼합했다.100 parts by weight of the obtained silver particles and 10 parts by weight of dipropylene glycol monomethyl ether acetate (DPMA) as a dispersion medium were accommodated in a container equipped with a stirrer, followed by uniform mixing using a stirring device.

다음으로, 오프닝 63㎛의 메쉬 필터를 구비한 여과 장치를 사용해서, 여과 처리를 행하여, 실시예 1의 도전성 페이스트로 했다.Next, a filtration process was performed using a filtration apparatus equipped with a mesh filter having an opening of 63 탆 to obtain the conductive paste of Example 1.

4. 도전성 페이스트의 평가4. Evaluation of conductive paste

(1) 소결성(1) Sinterability

얻어진 도전성 페이스트의 소결성을 평가했다.The sinterability of the obtained conductive paste was evaluated.

즉, 얻어진 도전성 페이스트를, 8㎜×12㎜×2㎜의 은 도금 구리 기판 위에, 두께 25㎛로 되도록 도포한 후, 그 위에 3㎜×4㎜×0.4㎜의 은 도금 실리콘 반도체 소자를 재치(載置)했다.That is, the obtained conductive paste was applied on a silver plated copper substrate of 8 mm x 12 mm x 2 mm so as to have a thickness of 25 m, and then a silver-plated silicon semiconductor device of 3 mm x 4 mm x 0.4 mm Respectively.

다음으로, 미풍 오븐 중에서, 무가압, 온도 250℃, 1시간의 조건에서 가열하여 도전성 페이스트를 소결한 후, 실온까지 냉각하여, 측정 샘플로 했다.Next, the conductive paste was sintered in a breeze oven under the conditions of no pressure, temperature of 250 DEG C for 1 hour, and then sintered to a room temperature to obtain a measurement sample.

다음으로, 얻어진 소결물의 커트 단면(斷面)을 현미경 관찰하여, 그 소결성을 하기 기준에 따라 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.Next, the cut section of the obtained sintered product was observed under a microscope, and the sinterability was evaluated according to the following criteria. The obtained results are shown in Table 1.

◎ : 은 입자끼리가 균일하게 소결해 있고, 불소결(不燒結) 부분은 전혀 보이지 않음⊚: silver particles are uniformly sintered, and no sintered portion is seen at all

○ : 은 입자끼리가 거의 균일하게 소결해 있고, 불소결 부분은 거의 보이지 않음○: The silver particles are almost uniformly sintered and the sintered portion is hardly visible

△ : 은 입자끼리가 일부 소결해 있지만, 불소결 부분이 눈에 띔DELTA: Silver particles were partially sintered, but the unsintered portion was not observed.

× : 은 입자끼리가 소결하지 않고, 불소결 부분이 대부분임X: silver particles do not sinter and most of the sintered portion is sintered

(2) 비저항(전기 전도성)(2) Resistivity (electrical conductivity)

얻어진 도전성 페이스트의 전기 전도성을 평가했다.The electrical conductivity of the obtained conductive paste was evaluated.

즉, 얻어진 도전성 페이스트를, 프레파라트 유리판 위에, 50㎜×1㎜×0.1㎜의 라인상으로 인쇄하고, 미풍 오븐 중에서, 무가압, 온도 250℃, 1시간의 조건에서 가열해서 도전성 페이스트를 소결하여, 측정 샘플로 했다.That is, the obtained conductive paste was printed on a prepalative glass plate in a line of 50 mm x 1 mm x 0.1 mm, and the conductive paste was sintered in a breeze oven by heating under the conditions of no pressurization and temperature of 250 DEG C for 1 hour, The measurement was made as a sample.

다음으로, 4단자용 테스터를 사용하여, 4단자법(측정 전류 : 0.1㎃)으로, 2점간(20㎜)의 저항값(측정수 : 3)을 측정하여, 그 평균값을 산출함과 함께, 하기 기준에 따라 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.Next, the resistance value (number of measurement: 3) between two points (20 mm) was measured by a four-terminal method (measuring current: 0.1 mA) using a four-terminal tester and the average value thereof was calculated, And evaluated according to the following criteria. The obtained results are shown in Table 1.

◎ : 비저항의 평균값이 5×10-6Ω·㎝ 미만의 값이다.?: The average value of the resistivity is a value less than 5 占10-6 ? 占. M.

○ : 비저항의 평균값이 5×10-6Ω·㎝ 이상, 5×10-5Ω·㎝ 미만의 값이다.?: The average value of the resistivity is a value of 5 占10-6 ? 占 ㎝ m and not more than 5 占10-5 ? 占. M.

△ : 비저항의 평균값이 5×10-5Ω·㎝ 이상, 5×10-3Ω·㎝ 미만의 값이다.?: Average value of resistivity is a value of 5 占10-5 ? 占 ㎝ m and less than 5 占10-3 ? 占 m.

× : 비저항의 평균값이 5×10-3Ω·㎝ 이상의 값이다.X: Average value of resistivity is 5 x 10 &lt; -3 &gt;

[실시예 2][Example 2]

실시예 2에서는, 액상 환원법으로 은 입자를 제조할 때의 조건을 조절하여, 체적 평균 입경이 2.3㎛인 구상의 중공 은 입자를 얻은 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 은 입자 및 도전성 페이스트를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타냄과 함께, 소결 처리 전 및 소결 처리 후의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트를 각각 도 7의 (a)∼(b)에 나타낸다.In Example 2, silver particles and an electroconductive paste were prepared in the same manner as in Example 1 except that spherical hollow silver particles having a volume average particle diameter of 2.3 占 퐉 were obtained by adjusting the conditions for preparing silver particles by the liquid phase reduction method, I appreciated. The obtained results are shown in Table 1, and XRD spectrum charts of silver particles before sintering treatment and after sintering treatment are shown in Figs. 7 (a) to 7 (b), respectively.

[실시예 3][Example 3]

실시예 3에서는, 액상 환원법으로 은 입자를 제조할 때의 조건을 조절하여, 체적 평균 입경이 1.6㎛인 구상의 중공 은 입자를 얻은 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 은 입자 및 도전성 페이스트를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타냄과 함께, 소결 처리 전 및 소결 처리 후의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트를 각각 도 8의 (a)∼(b)에 나타낸다.In Example 3, silver particles and a conductive paste were produced in the same manner as in Example 1, except that spherical hollow particles having a volume average particle diameter of 1.6 占 퐉 were obtained by controlling the conditions for preparing silver particles by the liquid phase reduction method, I appreciated. The obtained results are shown in Table 1, and XRD spectrum charts of silver particles before sintering treatment and after sintering treatment are shown in Figs. 8 (a) to 8 (b), respectively.

또, 얻어진 중공 은 입자에 있어서의 탄소 함유량은, 얻어진 중공 은 입자 전체(100중량%)에 대하여, 0.82중량%였다.The carbon content of the resultant hollow particles was 0.82% by weight based on 100% by weight of the whole hollow particles obtained.

[실시예 4][Example 4]

실시예 4에서는, 액상 환원법으로 은 입자를 제조할 때의 조건을 조절하여, 체적 평균 입경이 2.4㎛인 구상의 중공 은 입자를 얻은 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 은 입자 및 도전성 페이스트를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타냄과 함께, 소결 처리 전 및 소결 처리 후의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트를 각각 도 9의 (a)∼(b)에 나타낸다.In Example 4, silver particles and a conductive paste were prepared in the same manner as in Example 1 except that spherical hollow silver particles having a volume average particle diameter of 2.4 占 퐉 were obtained by adjusting the conditions for preparing silver particles by the liquid phase reduction method, I appreciated. The results obtained are shown in Table 1, and XRD spectrum charts of silver particles before sintering treatment and after sintering treatment are shown in Figs. 9 (a) to 9 (b), respectively.

[실시예 5][Example 5]

실시예 5에서는, 액상 환원법으로 은 입자를 제조할 때의 조건을 조절하여, 체적 평균 입경이 3.8㎛인 구상의 중공 은 입자를 얻은 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 은 입자 및 도전성 페이스트를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타냄과 함께, 소결 처리 전 및 소결 처리 후의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트를 각각 도 10의 (a)∼(b)에 나타낸다.In Example 5, silver particles and an electroconductive paste were prepared in the same manner as in Example 1, except that spherical hollow silver particles having a volume average particle diameter of 3.8 占 퐉 were obtained by adjusting the conditions for preparing silver particles by the liquid phase reduction method, I appreciated. The obtained results are shown in Table 1, and XRD spectrum charts of the silver particles before sintering treatment and after sintering treatment are shown in Figs. 10 (a) to 10 (b), respectively.

[실시예 6][Example 6]

실시예 6에서는, 액상 환원법으로 은 입자를 제조할 때의 조건을 조절하여, 체적 평균 입경이 5.4㎛인 구상의 중공 은 입자를 얻은 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 은 입자 및 도전성 페이스트를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타냄과 함께, 소결 처리 전 및 소결 처리 후의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트를 각각 도 11의 (a)∼(b)에 나타낸다.In Example 6, silver particles and an electroconductive paste were prepared in the same manner as in Example 1, except that spherical hollow silver particles having a volume average particle diameter of 5.4 占 퐉 were obtained by adjusting the conditions for preparing silver particles by the liquid phase reduction method, I appreciated. The obtained results are shown in Table 1, and XRD spectrum charts of the silver particles before and after the sintering treatment are shown in Figs. 11 (a) and 11 (b), respectively.

[실시예 7][Example 7]

실시예 7에서는, 액상 환원법으로 은 입자를 제조할 때의 조건을 조절하여, 체적 평균 입경이 3.0㎛인 구상의 중공 은 입자를 얻은 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 은 입자 및 도전성 페이스트를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타냄과 함께, 소결 처리 전 및 소결 처리 후의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트를 각각 도 12의 (a)∼(b)에 나타낸다.In Example 7, silver particles and an electroconductive paste were prepared in the same manner as in Example 1, except that spherical hollow silver particles having a volume average particle diameter of 3.0 占 퐉 were obtained by controlling the conditions for preparing silver particles by the liquid phase reduction method, I appreciated. The obtained results are shown in Table 1, and XRD spectrum charts of silver particles before sintering treatment and after sintering treatment are shown in Figs. 12 (a) to 12 (b), respectively.

[실시예 8][Example 8]

실시예 8에서는, 액상 환원법으로 은 입자를 제조할 때의 조건을 조절하여, 체적 평균 입경이 4.0㎛인 구상의 중공 은 입자를 얻은 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 은 입자 및 도전성 페이스트를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타냄과 함께, 소결 처리 전 및 소결 처리 후의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트를 각각 도 13의 (a)∼(b)에 나타낸다.In Example 8, silver particles and an electroconductive paste were prepared in the same manner as in Example 1, except that spherical hollow silver particles having a volume average particle diameter of 4.0 占 퐉 were obtained by adjusting the conditions for preparing silver particles by the liquid phase reduction method, I appreciated. The obtained results are shown in Table 1, and XRD spectrum charts of silver particles before sintering treatment and after sintering treatment are shown in Figs. 13 (a) to 13 (b), respectively.

[실시예 9][Example 9]

실시예 9에서는, 액상 환원법으로 은 입자를 제조할 때의 조건을 조절하여, 체적 평균 입경이 4.5㎛인 구상의 중공 은 입자를 얻은 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 은 입자 및 도전성 페이스트를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타냄과 함께, 소결 처리 전 및 소결 처리 후의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트를 각각 도 14의 (a)∼(b)에 나타낸다.In Example 9, silver particles and an electroconductive paste were prepared in the same manner as in Example 1 except that spherical hollow silver particles having a volume average particle diameter of 4.5 占 퐉 were obtained by adjusting the conditions for preparing silver particles by the liquid phase reduction method, I appreciated. The obtained results are shown in Table 1, and XRD spectrum charts of silver particles before sintering treatment and after sintering treatment are shown in Figs. 14 (a) to 14 (b), respectively.

[실시예 10][Example 10]

실시예 10에서는, 액상 환원법으로 은 입자를 제조할 때의 조건을 조절하여, 체적 평균 입경이 2.9㎛인 구상의 중공 은 입자를 얻은 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 은 입자 및 도전성 페이스트를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타냄과 함께, 소결 처리 전 및 소결 처리 후의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트를 각각 도 15의 (a)∼(b)에 나타낸다.In Example 10, silver particles and an electroconductive paste were prepared in the same manner as in Example 1 except that spherical hollow silver particles having a volume average particle diameter of 2.9 mu m were obtained by adjusting the conditions for preparing silver particles by the liquid phase reduction method, I appreciated. The results obtained are shown in Table 1, and XRD spectrum charts of silver particles before sintering treatment and after sintering treatment are shown in Figs. 15 (a) to 15 (b), respectively.

[실시예 11][Example 11]

실시예 11에서는, 액상 환원법으로 은 입자를 제조할 때의 조건을 조절하여, 체적 평균 입경이 3.8㎛인 박편상의 중실(中實) 은 입자를 얻은 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 은 입자 및 도전성 페이스트를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타냄과 함께, 소결 처리 전 및 소결 처리 후의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트를 각각 도 16의 (a)∼(b)에 나타낸다.In Example 11, silver particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the particles of the flaky solid particles having a volume average particle diameter of 3.8 mu m were controlled by controlling the conditions for preparing the silver particles by the liquid phase reduction method, Were prepared and evaluated. The obtained results are shown in Table 1, and XRD spectrum charts of the silver particles before sintering treatment and after sintering treatment are shown in Figs. 16 (a) to 16 (b), respectively.

[비교예 1][Comparative Example 1]

비교예 1에서는, 아토마이즈법으로 은 입자를 제조하여, 체적 평균 입경이 5.0㎛인 구상의 중실 은 입자를 얻은 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 은 입자 및 도전성 페이스트를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타냄과 함께, 소결 처리 전 및 소결 처리 후의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트를 각각 도 17의 (a)∼(b)에 나타낸다.In Comparative Example 1, silver particles were prepared by the atomization method, and silver particles and a conductive paste were produced and evaluated in the same manner as in Example 1, except that spherical solid silver particles having a volume average particle diameter of 5.0 占 퐉 were obtained. The obtained results are shown in Table 1, and XRD spectrum charts of silver particles before sintering treatment and after sintering treatment are shown in Figs. 17 (a) to (b), respectively.

또, 아토마이즈법으로서는, 고압수를 사용하여 용융 금속의 분쇄와 급랭 응고를 순식간에 행하여 은 입자를 제조하는 수(水)아토마이즈법(일본국 특개평11-106804호 참조)을 사용했다.As the atomization method, a water atomization method (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-106804) was used in which silver particles were produced by pulverizing molten metal and rapidly solidifying and solidifying rapidly by using high-pressure water.

[비교예 2][Comparative Example 2]

비교예 2에서는, 액상 환원법으로 은 입자를 제조할 때의 조건을 조절하여, 체적 평균 입경이 3.0㎛인 밤송이상의 중공 은 입자를 얻은 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 은 입자 및 도전성 페이스트를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타냄과 함께, 소결 처리 전 및 소결 처리 후의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트를 각각 도 18의 (a)∼(b)에 나타낸다.In Comparative Example 2, silver particles and an electroconductive paste were prepared in the same manner as in Example 1, except that hollow fine silver particles having a volume average particle size of 3.0 占 퐉 were obtained by controlling the conditions for preparing silver particles by the liquid phase reduction method, I appreciated. The obtained results are shown in Table 1, and XRD spectrum charts of the silver particles before and after the sintering treatment are shown in Figs. 18 (a) and (b), respectively.

[비교예 3][Comparative Example 3]

비교예 3에서는, 액상 환원법으로 은 입자를 제조할 때의 조건을 조절하여, 체적 평균 입경이 1.8㎛인 구상의 중실 은 입자를 얻은 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 은 입자 및 도전성 페이스트를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타냄과 함께, 소결 처리 전 및 소결 처리 후의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트를 각각 도 19의 (a)∼(b)에 나타낸다.In Comparative Example 3, silver particles and a conductive paste were produced in the same manner as in Example 1, except that spherical solid silver particles having a volume average particle diameter of 1.8 占 퐉 were obtained by controlling the conditions for preparing silver particles by the liquid phase reduction method, I appreciated. The obtained results are shown in Table 1, and XRD spectrum charts of the silver particles before sintering treatment and after sintering treatment are shown in Figs. 19 (a) and (b), respectively.

[비교예 4][Comparative Example 4]

비교예 4에서는, 아토마이즈법으로 은 입자를 제조하여, 체적 평균 입경이 7.7㎛인 구상의 중실 입자를 얻은 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 은 입자 및 도전성 페이스트를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타냄과 함께, 소결 처리 전 및 소결 처리 후의 은 입자의 XRD 스펙트럼 차트를 각각 도 20의 (a)∼(b)에 나타낸다.In Comparative Example 4, silver particles and a conductive paste were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1, except that spherical solid particles having a volume average particle diameter of 7.7 占 퐉 were obtained by preparing silver particles by atomization. The obtained results are shown in Table 1, and XRD spectrum charts of silver particles before sintering treatment and after sintering treatment are shown in Figs. 20 (a) to 20 (b), respectively.

[표 1] [Table 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

[실시예 12][Example 12]

1.도전성 페이스트의 제조1. Preparation of conductive paste

실시예 12에서는, 도전성 페이스트를 제조할 때에, 얻어진 은 입자 100중량부에 대하여, 분산매로서 DPMA 대신에 N-메틸피롤리돈(NMP) 10중량부를 배합한 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 은 입자 및 도전성 페이스트를 제조했다.In Example 12, silver paste was prepared in the same manner as in Example 1, except that 10 parts by weight of N-methylpyrrolidone (NMP) was added to 100 parts by weight of silver particles obtained at the time of producing the conductive paste instead of DPMA as a dispersion medium. To prepare a conductive paste.

2. 도전성 페이스트의 평가2. Evaluation of conductive paste

(1) 초기 열전도성(1) initial thermal conductivity

얻어진 도전성 페이스트의 초기 열전도성을 평가했다.The initial thermal conductivity of the obtained conductive paste was evaluated.

즉, 얻어진 도전성 페이스트를, 8㎜×12㎜×2㎜의 은 도금 구리 기판 위에, 두께 25㎛로 되도록 도포한 후, 그 위에 3㎜×4㎜×0.4㎜의 은 도금 실리콘 반도체 소자를 재치했다.That is, the obtained conductive paste was applied on a silver plated copper substrate of 8 mm x 12 mm x 2 mm so as to have a thickness of 25 m, and then a silver-plated silicon semiconductor element of 3 mm x 4 mm x 0.4 mm was placed thereon .

다음으로, 미풍 오븐 중에서, 무가압, 온도 250℃, 1시간의 조건에서 가열하여 도전성 페이스트를 소결한 후, 실온까지 냉각하여, 측정 샘플로 했다.Next, the conductive paste was sintered in a breeze oven under the conditions of no pressure, temperature of 250 DEG C for 1 hour, and then sintered to a room temperature to obtain a measurement sample.

다음으로, 얻어진 측정 샘플의 양면을 열전쌍 고정용의 구리 팁으로 끼운 후, 은 도금 구리 기판측의 구리 팁이 하측이 되도록 방열용 블록 위에 설치하고, 또한, 은 도금 실리콘 반도체 소자측의 구리 팁 위에 히터를 설치했다.Next, both surfaces of the measurement sample thus obtained were sandwiched by copper tips for fixing thermocouples, then the copper tips on the side of the silver plated copper substrate were placed on the heat dissipation block, and on the copper tips on the silver plated silicon semiconductor element side I installed a heater.

다음으로, 히터를 기동시켜서 측정 샘플을 가열하고, 상하의 열전쌍의 온도차가 평형에 도달했을 때의 온도차(측정수 : 3)를 측정하여, 그 평균값을 산출함과 함께, 하기 기준에 따라 평가했다. 얻어진 결과를 표 2에 나타낸다.Next, the heater was activated to heat the measurement sample, and the temperature difference (measured number: 3) when the temperature difference of the upper and lower thermocouples reached the equilibrium was measured, and the average value was calculated and evaluated according to the following criteria. The obtained results are shown in Table 2.

◎ : 열전쌍에 있어서의 평형 시의 온도차가 50℃ 미만의 값임&Amp; cir &amp;: The temperature difference in equilibrium in the thermocouple is less than 50 DEG C

○ : 열전쌍에 있어서의 평형 시의 온도차가 50℃ 이상, 55℃ 미만의 값임A: The temperature difference at the time of equilibrium in the thermocouple is not less than 50 캜 and less than 55 캜

△ : 열전쌍에 있어서의 평형 시의 온도차가 55℃ 이상, 60℃ 미만의 값임?: Temperature difference at equilibrium in a thermocouple is 55 占 폚 or more and less than 60 占 폚

× : 열전쌍에 있어서의 평형 시의 온도차가 60℃ 이상의 값임X: The temperature difference at the time of equilibrium in the thermocouple is 60 DEG C or more

(2) 내구열전도성(2) Durability thermal conductivity

얻어진 도전성 페이스트의 내구열전도성을 평가했다.The durability and thermal conductivity of the obtained conductive paste was evaluated.

즉, 초기 열전도성 평가 시와 마찬가지로 해서 얻은 측정 샘플을, 미풍 오븐 중에서, 무가압, 온도 -55℃, 15분의 조건에서 냉각한 후, 무가압, 온도 150℃, 15분의 조건에서 가열하는 냉열 사이클에 노출시키고, 200사이클, 500사이클 및 1000사이클마다 측정 샘플을 취출(取出)해서, 열전쌍에 있어서의 평형 시의 온도차를 측정하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 2에 나타낸다.That is, the measurement sample obtained in the same manner as in the evaluation of the initial thermal conductivity was cooled in a breeze oven under the conditions of no pressurization, temperature -55 DEG C, and 15 minutes, and then heated under no pressure and at a temperature of 150 DEG C for 15 minutes Exposed to a cooling / heating cycle, measurement samples were taken out every 200 cycles, 500 cycles, and 1000 cycles, and the temperature difference at the time of equilibrium in the thermocouple was measured and evaluated. The obtained results are shown in Table 2.

[실시예 13][Example 13]

실시예 13에서는, 도전성 페이스트를 제조할 때에, 얻어진 은 입자 100중량부에 대하여, 분산매로서 DPMA 9중량부, 유기 화합물로서 에폭시 수지(ADEKA(주)제, Ep 49-25) 1.0중량부 및 경화제(시코쿠가세이고교(주)제, C17Z) 0.1중량부를 배합한 외에는, 실시예 12와 마찬가지로 은 입자 및 도전성 페이스트를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 2에 나타낸다.In Example 13, 9 parts by weight of DPMA as a dispersion medium, 1.0 part by weight of an epoxy resin (Ep 49-25, manufactured by ADEKA Corporation) as an organic compound and 100 parts by weight of a curing agent (Manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd., C17Z) were added, and silver particles and a conductive paste were prepared and evaluated in the same manner as in Example 12. [ The obtained results are shown in Table 2.

[실시예 14][Example 14]

실시예 14에서는, 도전성 페이스트를 제조할 때에, 얻어진 은 입자 100중량부에 대하여, 분산매로서 DPMA 8중량부, 유기 화합물로서 에폭시 수지(ADEKA(주)제, Ep 49-25) 2.0중량부 및 경화제(시코쿠가세이고교(주)제, C17Z) 0.2중량부를 배합한 외에는, 실시예 12와 마찬가지로 은 입자 및 도전성 페이스트를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 2에 나타낸다.In Example 14, 8 parts by weight of DPMA was used as a dispersion medium, 2.0 parts by weight of an epoxy resin (Ep 49-25, manufactured by ADEKA Corporation) as an organic compound, 100 parts by weight of a curing agent (Manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd., C17Z) were added, and silver particles and a conductive paste were prepared and evaluated in the same manner as in Example 12. The obtained results are shown in Table 2.

[실시예 15][Example 15]

실시예 15에서는, 도전성 페이스트를 제조할 때에, 얻어진 은 입자 100중량부에 대하여, 분산매로서 DPMA 5.6중량부, 유기 화합물로서 페놀 수지(군에이가가쿠(주)제, 레지톱PL-5208) 2.0중량부를 배합한 외에는, 실시예 12와 마찬가지로 은 입자 및 도전성 페이스트를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 2에 나타낸다.In Example 15, 5.6 parts by weight of DPMA was used as a dispersion medium, 100 parts by weight of a phenolic resin (Regisol PL-5208, manufactured by Sigma-Aldrich Corp.) as an organic compound, Silver particles and a conductive paste were prepared and evaluated in the same manner as in Example 12, The obtained results are shown in Table 2.

[실시예 16][Example 16]

실시예 16에서는, 도전성 페이스트를 제조할 때에, 얻어진 은 입자 100중량부에 대하여, 분산매로서 NMP 8.1중량부, 유기 화합물로서 폴리이미드 수지(마루젠세키유가가쿠(주)제, BANI-X) 2.0중량부 및 첨가제로서 에폭시 수지(DIC(주)제, 에피클론7050) 0.1중량부를 배합한 외에는, 실시예 12와 마찬가지로 은 입자 및 도전성 페이스트를 제조하여, 평가했다. 얻어진 결과를 표 2에 나타낸다.In Example 16, 8.1 parts by weight of NMP as a dispersion medium, 2.0 parts by weight of a polyimide resin (BANI-X made by Maruzen Sekiyu Kagaku Co., Ltd.) 2.0 And 0.1 part by weight of an epoxy resin (Epiclon 7050, manufactured by DIC Corporation) as an additive were compounded, and silver particles and a conductive paste were prepared and evaluated in the same manner as in Example 12. [ The obtained results are shown in Table 2.

[표 2] [Table 2]

Figure pct00002
Figure pct00002

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 도전성 페이스트에 따르면, 소결성 도전재로서, XRD 분석으로 규정되는 소정의 결정 변화 특성을 갖는 소정 입경의 은 입자를 사용함과 함께, 페이스트상으로 하기 위한 분산매를 함유함에 의하여, 소결 처리 전의 은 입자의 결정성에 의하지 않고, 은 입자의 소결성을 용이하게 제어할 수 있으며, 나아가서는 소결 처리 후에 있어서, 우수한 전기 전도성 및 열전도성을, 안정적으로 얻을 수 있게 되었다.INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, according to the conductive paste of the present invention, as the sinterable conductive material, silver particles of a predetermined particle size having a predetermined crystal change characteristic specified by XRD analysis are used and a dispersion medium for paste- , The sinterability of the silver particles can be easily controlled without depending on the crystallinity of the silver particles before the sintering treatment, and further, the excellent electrical conductivity and thermal conductivity can be stably obtained after the sintering treatment.

따라서, 본 발명의 도전성 페이스트이면, 특히, 반도체 소자와, 기판과의 사이의 방열 접합에 사용하는 다이 본딩용 재료로서 호적하게 사용할 수 있으므로, 고온 솔더의 대체품으로서 폭넓게 사용되는 것이 기대된다.
Therefore, the conductive paste of the present invention is expected to be widely used as a substitute for high-temperature solder since it can be used as a die bonding material particularly for use in heat radiation bonding between a semiconductor element and a substrate.

Claims (10)

소결성 도전재로서의 체적 평균 입경이 0.1∼30㎛인 은 입자와, 페이스트상으로 하기 위한 분산매를 함유하는 도전성 페이스트로서,
상기 은 입자의 소결 처리 전의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 적분 강도를 S1로 하고,
상기 은 입자의 소결 처리 후(250℃, 60분)의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 적분 강도를 S2로 했을 때에,
S2/S1의 값을 0.2∼0.8의 범위 내의 값으로 하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
As a conductive paste containing silver particles having a volume average particle diameter of 0.1 to 30 占 퐉 as a sinterable conductive material and a dispersion medium for forming a paste,
The integral intensity of the peak at 2? = 38 占 占 占 in the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis before the sintering treatment of the silver particles is represented by S1,
When the integral intensity of the peak at 2? = 38 占 占 占 is 2 in the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis after sintering the silver particles (250 占 폚, 60 minutes)
And the value of S2 / S1 is set to a value within a range of 0.2 to 0.8.
제1항에 있어서,
상기 은 입자의 소결 처리 전의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 피크 높이를 L1로 하고,
상기 은 입자의 소결 처리 후(250℃, 60분)의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 피크 높이를 L2로 했을 때에,
L2/L1의 값을 0.5∼1.5의 범위 내의 값으로 하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
The method according to claim 1,
When the peak height of the peak at 2? = 38 占 占 占 in the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis before the sintering treatment of the silver particles is L1,
When the peak height of the peak at 2? = 38 占 0.2 占 in the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis after sintering the silver particles (250 占 폚, 60 minutes) is L2,
And the value of L2 / L1 is set to a value within a range of 0.5 to 1.5.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 은 입자의 소결 처리 전의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 반값폭을 W1로 하고,
상기 은 입자의 소결 처리 후(250℃, 60분)의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 반값폭을 W2로 했을 때에,
W2/W1의 값을 0.3∼0.9의 범위 내의 값으로 하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
3. The method according to claim 1 or 2,
The half width of the peak at 2? = 38 占 占 占 in the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis before the sintering treatment of the silver particles is defined as W1,
When the half-width of the peak at 2? = 38 占 占 占 in the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis after sintering the silver particles (250 占 폚, 60 minutes) is W2,
And the value of W2 / W1 is set to a value within the range of 0.3 to 0.9.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 은 입자가, 중공 은 입자인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the silver particles are hollow particles, and the hollow particles are particles.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 은 입자의 표면이, 유기산, 유기산염, 계면활성제 및 커플링제에서 선택되는 적어도 하나로 이루어지는 유기 표면 처리제에 의하여 피복되어 있음을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the surface of the silver particles is covered with an organic surface treatment agent comprising at least one selected from an organic acid, an organic acid salt, a surfactant and a coupling agent.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 은 입자 100중량부에 대하여, 상기 분산매의 배합량을 5∼30중량부의 범위 내의 값으로 하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the mixing amount of the dispersion medium is within a range of 5 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the silver particles.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 분산매가, 글리콜에테르계 화합물, 글리콜에스테르계 화합물, 탄화수소계 화합물 및 극성 용제로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the dispersion medium is at least one compound selected from the group consisting of a glycol ether compound, a glycol ester compound, a hydrocarbon compound and a polar solvent.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
추가로 유기 화합물을 함유함과 함께, 상기 은 입자 100중량부에 대하여, 유기 화합물의 배합량을 0.5∼10중량부의 범위 내의 값으로 하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Further comprising an organic compound and adjusting the amount of the organic compound to be in a range of 0.5 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the silver particles.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유기 화합물이, 에폭시계 수지 및 페놀계 수지 중 적어도 하나를 함유하는 열경화성 수지인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
9. The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein the organic compound is a thermosetting resin containing at least one of an epoxy resin and a phenol resin.
소결성 도전재로서의 체적 평균 입경이 0.1∼30㎛인 은 입자와, 페이스트상으로 하기 위한 분산매를 함유하며, 또한, 상기 은 입자의 소결 처리 전의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 적분 강도를 S1로 하고, 상기 은 입자의 소결 처리 후(250℃, 60분)의 XRD 분석에 의하여 얻어지는 X선 회절 차트에 있어서의 2θ=38°±0.2°의 피크의 적분 강도를 S2로 했을 때에, S2/S1의 값을 0.2∼0.8의 범위 내의 값으로 해서 이루어지는 도전성 페이스트를, 반도체 소자를 실장하기 위한 기판 위의 소정 개소에 도포하는 공정과,
200∼450℃의 온도 조건에서 가열하여, 상기 은 입자를 소결시켜서, 상기 반도체 소자를 상기 기판 위에 실장하는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
And a dispersion medium for forming a paste, wherein the silver particles having a volume average particle diameter of 0.1 to 30 占 퐉 as a sinterable conductive material and a dispersion medium for forming a paste, And the integral intensity of the peak at 38 占 占 占 is S1, and the integral intensity of the peak at 38 占 0.2 占 in the X-ray diffraction chart obtained by XRD analysis after the sintering treatment (250 占 폚, 60 minutes) Applying a conductive paste having a value of S2 / S1 within a range of 0.2 to 0.8 when the integrated intensity of the peak is S2, to a predetermined position on the substrate for mounting the semiconductor element;
Heating at a temperature of 200 to 450 캜 to sinter the silver particles to mount the semiconductor element on the substrate
The die bonding method comprising:
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