KR20140130356A

KR20140130356A - Supporting unit and apparatus for treating substrate

Info

Publication number: KR20140130356A
Application number: KR1020130123464A
Authority: KR
Inventors: 김형준; 김승규
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2013-04-30
Filing date: 2013-10-16
Publication date: 2014-11-10
Also published as: KR101502853B1

Abstract

Provided is a supporting unit supporting a substrate. The supporting unit includes a body including a plurality of heating regions and disposed with the substrate on a top surface thereof and a heating unit heating the body. Herein, the heating unit includes heating lines provided in the plurality of heating regions, respectively, to control temperatures of the plurality of heating regions independently from one another, terminals provided to the body and receiving power from the outside, and connecting lines connecting the heating lines to the terminals mutually corresponding to one another. Also, the terminals may be disposed in one of the plurality of heating regions.

Description

[0001] DESCRIPTION [0002] SUPPORTING UNIT AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE [0003]

본 발명은 지지 유닛 및 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용한 지지 유닛 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a support unit and a substrate processing apparatus, and more particularly, to a support unit using plasma and a substrate processing apparatus.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판을 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 그리고 세정 등 다양한 공정을 수행하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성한다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 막 중 선택된 가열 영역을 제거하는 공정으로 습식식각과 건식식각이 사용된다.In order to manufacture a semiconductor device, a substrate is subjected to various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning to form a desired pattern on the substrate. Among them, the wet etching and the dry etching are used for removing the selected heating region from the film formed on the substrate.

이 중 건식식각을 위해 플라즈마를 이용한 식각 장치가 사용된다. 일반적으로 플라즈마를 형성하기 위해서는 챔버의 내부공간에 전자기장을 형성하고, 전자기장은 챔버 내에 제공된 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다.Among them, an etching apparatus using a plasma is used for dry etching. Generally, in order to form a plasma, an electromagnetic field is formed in an inner space of a chamber, and an electromagnetic field excites the process gas provided in the chamber into a plasma state.

플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 사용하여 식각 공정을 수행한다. 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.Plasma refers to an ionized gas state composed of ions, electrons, radicals, and the like. Plasma is generated by very high temperatures, strong electric fields, or RF electromagnetic fields. The semiconductor device fabrication process employs a plasma to perform an etching process. The etching process is performed by colliding the ion particles contained in the plasma with the substrate.

일반적으로, 기판 처리 공정 중에 기판의 온도를 제어하기 위하여 지지 유닛 내부에 가열 유닛이 제공된다. 가열 유닛은 기판 지지 부재 내부에서 복수개의 가열 영역으로 분리되어 제공되어, 기판의 가열 영역별로 온도를 제어할 수 있다. 가열 유닛을 가열 영역별로 복수개 제공하는 경우 복수개의 가열 유닛에 각각 전력을 제공해야 하므로, 외부 전원이 연결되는 단자가 복수 개 제공된다. 이 때, 각각의 단자는 각각의 기판의 가열 영역에 대응되는 위치에 형성된다. 도 1은 이러한 일반적인 종래의 정전척(1250)을 보여준다. 도 1을 참조하면, 중앙부와 가장자리부는 각각 한쌍의 단자(1251a, 1252a)를 가진다. 단자(1251a, 1252s)가 제공되는 가열 영역(A)은 단자(1251a, 1252a)가 제공되지 않는 가열 영역(B)에 비해 온도가 높게 제공된다. 따라서, 가열 영역(A, B)간의 온도를 균일하게 제어하는 것이 힘들다. 이로 인하여, 기판의 온도를 기설정된 온도로 제어하지 못할 수 있다.Generally, a heating unit is provided inside the support unit to control the temperature of the substrate during the substrate processing process. The heating unit is provided separately from the substrate support member into a plurality of heating regions, so that the temperature can be controlled for each heating region of the substrate. When a plurality of heating units are provided for each heating area, electric power must be supplied to each of the plurality of heating units, so that a plurality of terminals to which an external power source is connected are provided. At this time, each terminal is formed at a position corresponding to the heating region of each substrate. FIG. 1 shows this general conventional electrostatic chuck 1250. Referring to FIG. 1, the central portion and the edge portion have a pair of terminals 1251a and 1252a, respectively. The heating region A in which the terminals 1251a and 1252s are provided is provided with a higher temperature than the heating region B in which the terminals 1251a and 1252a are not provided. Therefore, it is difficult to control the temperature between the heating regions A and B uniformly. As a result, the temperature of the substrate may not be controlled to a predetermined temperature.

본 발명은 플라즈마를 이용한 기판 처리 공정에서 기판의 온도를 정밀하게 제어할 수 있는 지지 유닛을 포함한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus including a support unit capable of precisely controlling the temperature of a substrate in a substrate processing process using plasma.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

본 발명은 지지 유닛을 제공한다.The present invention provides a support unit.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판을 지지하는 지지 유닛은, 복수 개의 가열 영역을 갖고, 상면에 기판이 놓이는 바디 및 상기 바디를 가열하는 가열 유닛을 포함하되, 상기 가열 유닛은, 상기 복수 개의 가열 영역들의 온도를 서로 독립적으로 조절하도록, 상기 복수 개의 가열 영역들에 각각 제공되는 가열 라인들, 상기 바디에 제공되고, 외부로부터 전력을 인가받는 단자들 그리고 서로 대응되는 상기 가열 라인과 상기 단자를 연결하는 연결 라인을 포함하되, 상기 단자들은 상기 복수 개의 가열 영역들 중 하나의 가열 영역에 배치될 수 있다.A support unit for supporting a substrate according to an embodiment of the present invention includes a body having a plurality of heating regions and a substrate on an upper surface thereof and a heating unit for heating the body, A plurality of heating lines provided respectively to the plurality of heating regions so as to control the temperatures of the regions independently of each other, terminals provided with power from the outside, provided to the body, And the terminals may be disposed in one of the plurality of heating regions.

상기 복수 개의 가열 영역들은 중앙부 및 상기 중앙부를 감싸는 복수 개의 가장자리부를 포함하고, 상기 단자들은 상기 중앙부에 배치될 수 있다.The plurality of heating regions include a central portion and a plurality of edge portions surrounding the central portion, and the terminals may be disposed at the central portion.

상기 복수 개의 가열 영역들은 중앙부 및 상기 중앙부를 감싸는 한 개의 가장자리부를 포함하고, 상기 단자들은 상기 중앙부에 배치될 수 있다.The plurality of heating regions include a central portion and an edge portion surrounding the central portion, and the terminals may be disposed at the central portion.

상기 복수 개의 가열 영역들은 중앙부 및 상기 중앙부를 감싸는 한 개 또는 복수 개의 가장자리부를 포함하고, 상기 단자들은 상기 중앙부에 배치될 수 있다.The plurality of heating regions may include a central portion and one or more edge portions surrounding the central portion, and the terminals may be disposed at the central portion.

상기 연결라인은 상기 바디에 제공될 수 있다.The connection line may be provided in the body.

상기 바디는, 상기 바디를 냉각시키는 냉각 유로를 더 포함할 수 있다.The body may further include a cooling channel for cooling the body.

상부에서 바라볼 때, 상기 복수 개의 단자들은 상기 냉각 유로와 중첩되게 제공될 수 있다. When viewed from the top, the plurality of terminals may be provided so as to overlap with the cooling channel.

또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention also provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 공간이 형성된 챔버, 상기 챔버 내에 위치되고, 기판을 지지하는 지지 유닛, 상기 챔버 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛 그리고 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스 유닛을 포함하되, 상기 지지 유닛은, 복수 개의 가열 영역을 갖고, 상면에 기판이 놓이는 바디 및 상기 바디를 가열하는 가열 유닛을 포함하되, 상기 가열 유닛은, 상기 복수 개의 가열 영역들의 온도를 서로 독립적으로 조절하도록, 상기 복수 개의 가열 영역들에 각각 제공되는 가열 라인들, 상기 바디에 제공되고, 외부로부터 전력을 인가받는 단자들, 그리고 서로 대응되는 상기 가열 라인과 상기 단자를 연결하는 연결 라인을 포함하되, 상기 단자들은 상기 복수 개의 가열 영역들 중 하나의 가열 영역에 배치될 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber having a space formed therein, a support unit disposed in the chamber and supporting the substrate, a gas supply unit for supplying the process gas into the chamber, And a heating unit for heating the body, wherein the heating unit has a plurality of heating regions, and the heating unit includes a plurality of heating regions, The heating lines provided to the plurality of heating regions, the terminals provided to the body, the terminals receiving power from the outside, and the heating lines corresponding to each other and the terminals are connected to each other Wherein the terminals are connected to one of the plurality of heating regions It can be disposed in reverse.

또한, 본 발명은 지지 유닛을 제공한다.The present invention also provides a support unit.

본 발명의 다른 실시예에 따른 지지 유닛은, 기판을 정전기력으로 고정하는 전극 및 상기 기판을 가열하는 가열 라인을 포함하는 세라믹 퍽, 상기 세라믹 퍽의 하부에 배치되고 상기 기판을 냉각시키는 냉각 유로를 가지는 냉각판, 그리고 상기 세라믹 퍽과 상기 냉각판 사이에 제공되어 상기 세라믹 퍽과 상기 냉각판을 접착시키는 접착층을 포함하되, 상기 세라믹 퍽은 복수 개의 가열 영역들을 갖고, 상기 가열 라인에 연결되고 외부로부터 전력을 인가받는 단자들이 상기 복수 개의 가열 영역들 중 하나의 가열 영역에 배치될 수 있다. According to another embodiment of the present invention, there is provided a supporting unit comprising: a ceramic puck including an electrode for fixing a substrate by an electrostatic force and a heating line for heating the substrate; a cooling channel disposed below the ceramic puck and cooling the substrate; A cooling plate, and an adhesive layer provided between the ceramic puck and the cooling plate to bond the ceramic puck and the cooling plate, wherein the ceramic puck has a plurality of heating areas and is connected to the heating line, May be disposed in one of the plurality of heating regions.

서로 대응되는 상기 가열 라인과 상기 단자를 연결하는 연결라인을 더 포함할 수 있다.And a connection line connecting the heating line and the terminal corresponding to each other.

상부에서 바라볼 때, 상기 복수 개의 단자들은 상기 냉각 유로와 중첩되게 제공될 수 있다.When viewed from the top, the plurality of terminals may be provided so as to overlap with the cooling channel.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 온도를 정밀하게 제어할 수 있는 지지 유닛을 포함한 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, it is possible to provide a substrate processing apparatus including a support unit capable of precisely controlling the temperature of the substrate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 종래의 일반적인 정전척을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 복수 개의 가열 영역으로 나뉘는 바디를 상부에서 바라본 도면이다.
도 4는 가열 유닛을 포함하는 도 3의 바디의 배면도이다.
도 5는 도 4의 바디를 측면에서 바라본 도면이다.
도 6은 세라믹 퍽의 내부를 보여주는 도면이다.
도 7 및 도 8은 다른 실시예의 지지 유닛을 보여주는 도면이다.
도 9은 냉각 유로를 보여주는 도면이다. FIG. 1 is a view showing a conventional electrostatic chuck.
2 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a top view of a body divided into a plurality of heating zones.
Figure 4 is a rear view of the body of Figure 3 including a heating unit.
FIG. 5 is a side view of the body of FIG. 4. FIG.
6 is a view showing the inside of the ceramic puck.
Figs. 7 and 8 are views showing a support unit of another embodiment. Fig.
9 is a view showing a cooling flow path.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

본 발명의 실시예에서는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 기판 처리 장치 에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 그 상부에 놓여진 기판을 가열하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다. In an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus for etching a substrate using plasma will be described. However, the present invention is not limited thereto, but is applicable to various kinds of apparatuses for heating a substrate placed thereon.

또한 본 발명의 실시예에서는 지지 유닛으로 정전 척을 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 지지 유닛은 기계적 클램핑에 의해 기판을 지지하거나, 진공에 의해 기판을 지지할 수 있다. In the embodiment of the present invention, an electrostatic chuck is described as an example of a supporting unit. However, the present invention is not limited to this, and the support unit can support the substrate by mechanical clamping or support the substrate by vacuum.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 2 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400) 그리고 배기 유닛(500)을 포함한다. Referring to Fig. 2, the substrate processing apparatus 10 processes the substrate W using plasma. For example, the substrate processing apparatus 10 may perform an etching process on the substrate W. [ The substrate processing apparatus 10 includes a chamber 100, a support unit 200, a gas supply unit 300, a plasma source 400, and an exhaust unit 500.

챔버(100)는 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 챔버(100)는 하우징(110), 커버(120), 그리고 라이너(130)를 포함한다. The chamber 100 provides a space in which the substrate processing process is performed. The chamber 100 includes a housing 110, a cover 120, and a liner 130.

하우징(110)은 내부에 상면이 개방된 공간을 가진다. 하우징(110)의 내부 공간은 기판 처리 공정이 수행되는 공간으로 제공된다. 하우징(110)은 금속 재질로 제공된다. 하우징(110)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 접지될 수 있다. 하우징(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(110) 내부는 소정 압력으로 감압된다. The housing 110 has a space in which an upper surface is opened. The inner space of the housing 110 is provided in a space where the substrate processing process is performed. The housing 110 is made of a metal material. The housing 110 may be made of aluminum. The housing 110 may be grounded. An exhaust hole 102 is formed in the bottom surface of the housing 110. The exhaust hole 102 is connected to the exhaust line 151. The reaction by-products generated in the process and the gas staying in the inner space of the housing can be discharged to the outside through the exhaust line 151. The inside of the housing 110 is decompressed to a predetermined pressure by the exhaust process.

커버(120)는 하우징(110)의 개방된 상면을 덮는다. 커버(120)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(110)의 내부공간을 밀폐시킨다. 커버(120)는 유전체(dielectric substance) 창을 포함할 수 있다.The cover 120 covers the open upper surface of the housing 110. The cover 120 is provided in a plate shape to seal the inner space of the housing 110. The cover 120 may include a dielectric substance window.

라이너(130)는 하우징(110) 내부에 제공된다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 내부 공간을 가진다. 라이너(130)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(130)의 상단에는 지지 링(131)이 형성된다. 지지 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(130)의 둘레를 따라 라이너(130)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(131)은 하우징(110)의 상단에 놓이며, 라이너(130)를 지지한다. 라이너(130)는 하우징(110)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110) 내측면을 보호한다. 공정 가스가 여기되는 과정에서 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 보호하여 하우징(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 하우징(110)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 라이너(130)는 하우징(110)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(130)가 손상될 경우, 작업자는 새로운 라이너(130)로 교체할 수 있다.The liner 130 is provided inside the housing 110. The liner 130 has an inner space with open top and bottom surfaces. The liner 130 may be provided in a cylindrical shape. The liner 130 may have a radius corresponding to the inner surface of the housing 110. The liner 130 is provided along the inner surface of the housing 110. At the upper end of the liner 130, a support ring 131 is formed. The support ring 131 is provided in the form of a ring and projects outwardly of the liner 130 along the periphery of the liner 130. The support ring 131 rests on the top of the housing 110 and supports the liner 130. The liner 130 may be provided in the same material as the housing 110. The liner 130 may be made of aluminum. The liner 130 protects the inside surface of the housing 110. An arc discharge may be generated in the chamber 100 during the process gas excitation. Arc discharge damages peripheral devices. The liner 130 protects the inner surface of the housing 110 to prevent the inner surface of the housing 110 from being damaged by the arc discharge. Also, impurities generated during the substrate processing process are prevented from being deposited on the inner wall of the housing 110. The liner 130 is less expensive than the housing 110 and is easier to replace. Thus, if the liner 130 is damaged by an arc discharge, the operator can replace the new liner 130.

하우징(110)의 내부에는 지지 유닛(200)이 위치한다. 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척(210)을 포함할 수 있다. 이하에서는 정전 척(210)을 포함하는 지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.The support unit 200 is located inside the housing 110. The support unit 200 supports the substrate W. [ The support unit 200 may include an electrostatic chuck 210 for attracting the substrate W using an electrostatic force. Hereinafter, the supporting unit 200 including the electrostatic chuck 210 will be described.

지지 유닛(200)은 정전 척(210) 및 하부 커버(270)를 포함한다. 지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부에서 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 제공될 수 있다.The support unit 200 includes an electrostatic chuck 210 and a lower cover 270. The support unit 200 may be provided to be spaced apart from the bottom surface of the housing 110 inside the chamber 100.

정전 척(210)은 바디(215) 및 절연 플레이트(250)를 가진다. 바디(215)는 세라믹 퍽(220), 전극(224), 가열 유닛(2250), 지지판(230), 그리고 접착층(236)을 포함한다. The electrostatic chuck 210 has a body 215 and an insulating plate 250. The body 215 includes a ceramic puck 220, an electrode 224, a heating unit 2250, a support plate 230, and an adhesive layer 236.

도 2를 참조하면, 세라믹 퍽(220)은 정전 척(210)의 상단부로 제공된다. 일 예에 의하면, 세라믹 퍽(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)를 포함할 수 있다. 세라믹 퍽(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 세라믹 퍽(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 때문에, 기판(W) 가장자리 가열 영역은 세라믹 퍽(220)의 외측에 위치한다. 세라믹 퍽(220)에는 제 1 공급 유로(221)가 형성된다. 제 1 공급 유로(221)는 서로 이격하여 복수개 형성되며, 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공된다. Referring to FIG. 2, the ceramic puck 220 is provided at the upper end of the electrostatic chuck 210. According to one example, the ceramic puck 220 may include a dielectric substance. A substrate W is placed on the upper surface of the ceramic puck 220. The upper surface of the ceramic puck 220 has a smaller radius than the substrate W. [ Therefore, the edge heating region of the substrate W is located outside the ceramic puck 220. A first supply passage 221 is formed in the ceramic puck 220. A plurality of first supply passages 221 are formed to be spaced from each other and are provided as passages through which the heat transfer medium is supplied to the bottom surface of the substrate W.

도 3은 복수 개의 가열 영역을 가지는 바디를 상부에서 바라본 도면이다. 세라믹 퍽(220)은 복수 개의 가열 영역을 갖도록 제공될 수 있다. 복수 개의 가열 영역들은 중앙부 및 가장자리부를 포함한다. 중앙부는 세라믹 퍽(220)의 중앙에 위치된다. 가장자리부는 중앙부를 감싸도록 제공된다. 가장자리부는 한 개 또는 복수 개로 제공될 수 있다. 도 3을 참조하면, 세라믹 퍽(220)이 6개의 가열 영역으로 구분되어, 1개의 중앙부와 5개의 가장자리부를 갖는다. 이와 달리, 가장자리부는 한 개 또는 다양한 수의 복수 개로 제공될 수 있다. 3 is a top view of a body having a plurality of heating zones. The ceramic puck 220 may be provided with a plurality of heating regions. The plurality of heating regions include a central portion and an edge portion. The center portion is located at the center of the ceramic puck 220. The edge portion is provided so as to surround the center portion. One or more edge portions may be provided. Referring to FIG. 3, the ceramic puck 220 is divided into six heating regions, and has one central portion and five edge portions. Alternatively, the edge portion may be provided in one or a plurality of different numbers.

전극(223)은 세라믹 퍽(220)의 내부에 매설된다. 전극(223)은 가열 유닛(2250)의 상부에 위치한다. 전극(223)은 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결된다. 제1 하부 전원(223a)은 직류 전원을 포함한다. 전극(223)과 제1 하부 전원(223a) 사이에는 스위치(223b)가 설치된다. 전극(223)은 스위치(223b)의 온/오프(ON/OFF)에 의해 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(223b)가 온(ON) 되면, 전극(223)에는 직류 전류가 인가된다. 전극(223)에 인가된 전류에 의해 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 세라믹 퍽(220)에 흡착된다.The electrodes 223 are embedded in the ceramic puck 220. Electrode 223 is located on top of heating unit 2250. The electrode 223 is electrically connected to the first lower power source 223a. The first lower power source 223a includes a DC power source. A switch 223b is provided between the electrode 223 and the first lower power source 223a. The electrode 223 may be electrically connected to the first lower power source 223a by turning on / off the switch 223b. When the switch 223b is turned on, a direct current is applied to the electrode 223. An electrostatic force is applied between the electrode 223 and the substrate W by the current applied to the electrode 223 and the substrate W is attracted to the ceramic puck 220 by the electrostatic force.

도 4는 가열 유닛을 포함하는 도 3의 바디의 배면도이다. 도 5는 도 4의 바디를 측면에서 바라본 도면이다. 도 6은 세라믹 퍽의 내부를 보여주는 도면이다. Figure 4 is a rear view of the body of Figure 3 including a heating unit. FIG. 5 is a side view of the body of FIG. 4. FIG. 6 is a view showing the inside of the ceramic puck.

가열 유닛(2250)은 바디(215)를 가열한다. 가열 유닛(2250)은 가열 라인(2251 내지 2256), 단자(2251a 내지 2256a), 그리고 연결 라인(2251b 내지 2256b), 전원 라인(2251c 내지 2256c), 그리고 제 2 하부 전원(225a)을 포함한다. The heating unit 2250 heats the body 215. The heating unit 2250 includes heating lines 2251 to 2256, terminals 2251a to 2256a and connection lines 2251b to 2256b, power lines 2251c to 2256c and a second lower power source 225a.

가열 라인(2251 내지 2256)은 복수개 제공될 수 있다. 가열 라인(2251 내지 2256)은 각각의 가열 영역에 대응되게 제공될 수 있다. 도 4를 참조하면, 가열 라인(2251 내지 2256)은 6개의 가열 영역에 제공된다. 가열 라인(2251 내지 2256)은 복수 개로 제공되어, 복수 개의 가열 영역들의 온도를 서로 독립적으로 조절할 수 있다. 가열 라인(2251 내지 2256)은 제2 하부 전원(225a)과 전기적으로 연결된다. 일 예로, 가열 라인(2251 내지 2256)은 열선으로 제공된다. 이와 달리, 가열 라인(2251 내지 2256)은 패터닝에 의해 형성될 수 있다. 가열 라인(2251 내지 2256)은 제2 하부 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 세라믹 퍽(220)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 가열 라인(2251 내지 2256)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 가열 라인(2251 내지 2256)은 나선 형상의 코일 또는 지그재그 형상의 코일로 제공될 수 있다. 각각의 가열 라인(2251 내지 2256)에 인가되는 전력의 크기는 상이할 수 있다.A plurality of heating lines 2251 to 2256 may be provided. The heating lines 2251 to 2256 may be provided corresponding to the respective heating regions. Referring to Fig. 4, heating lines 2251 to 2256 are provided in six heating zones. The plurality of heating lines 2251 to 2256 are provided so that the temperatures of the plurality of heating regions can be adjusted independently of each other. The heating lines 2251 to 2256 are electrically connected to the second lower power source 225a. In one example, the heating lines 2251 to 2256 are provided as hot lines. Alternatively, the heating lines 2251 to 2256 may be formed by patterning. The heating lines 2251 to 2256 generate heat by resisting the current applied from the second lower power source 225a. The generated heat is transferred to the substrate W through the ceramic puck 220. The substrate W is held at a predetermined temperature by the heat generated in the heating lines 2251 to 2256. The heating lines 2251 to 2256 may be provided as spiral coils or zigzag shaped coils. The magnitude of the power applied to each of the heating lines 2251 to 2256 may be different.

단자(2251a 내지 2256a)는 바디(215)에 제공된다. 일 예로, 도 6와 같이, 단자(2251a 내지 2256a)는 세라믹 퍽(220)과 지지판(230)의 경계부에 위치될 수 있다. 단자(2251a 내지 2256a)는 외부로부터 전력을 인가받는다. 다시 도 3에 의하면, 상부에서 바라볼 때, 단자(2251a 내지 2256a)는 세라믹 퍽(220)의 복수 개의 가열 영역 중에 하나의 가열 영역에만 제공될 수 있다. 단자(2251a 내지 2256a)가 하나의 가열 영역에만 제공되면, 단자(2251a 내지 2256a)에서 전력을 전달하는 과정에서 발생되는 발열이 하나의 가열 영역에만 집중된다. 이러한 경우에 단자(2251a 내지 2256a)로 인하여 발생되는 열을 고려하여 기판의 가열 영역별로 보다 정밀하게 온도를 제어할 수 있다. 단자(2251a 내지 2256a)들이 하나의 가열 영역에 제공됨으로써, 다른 영역에서 단자(2251a 내지 2256a)에 의한 온도 상승이 없고, 단자(2251a 내지 2256a)들이 제공된 영역은 복수 개의 단자(2251a 내지 2256a)을 가짐으로써 온도 제어가 용이하다. 이 때, 하나의 가열 영역에 단자(2251a 내지 2256a)들은 대칭되게 제공될 수 있다. 일 예로, 단자(2251a 내지 2256a)는 복수 개의 가열 영역 중 중앙부에만 제공될 수 있다. 다시 도 4를 참조하면, 단자(2251a 내지 2256a)는 6개의 가열 영역 중 중앙부에만 제공된다. 이와 달리, 단자(2251a 내지 2256a)는 세라믹 퍽(220)의 가장자리부 중 하나의 가열 영역에 제공될 수도 있다. 선택적으로, 단자(2251a 내지 2256a)는 중앙부 및 가장자리부 중 일부 가열 영역에 제공될 수 있다.Terminals 2251a through 2256a are provided in the body 215. Fig. For example, as shown in FIG. 6, the terminals 2251a to 2256a may be positioned at the boundary between the ceramic puck 220 and the support plate 230. The terminals 2251a to 2256a are supplied with power from the outside. Referring again to FIG. 3, terminals 2251a through 2256a may be provided only in one of the plurality of heating regions of the ceramic puck 220, as viewed from the top. If the terminals 2251a to 2256a are provided in only one heating region, the heat generated in the process of transmitting electric power at the terminals 2251a to 2256a is concentrated in only one heating region. In this case, the temperature can be more precisely controlled for each heating region of the substrate in consideration of the heat generated by the terminals 2251a to 2256a. The terminals 2251a to 2256a are provided in one heating region so that no temperature rise is caused by the terminals 2251a to 2256a in the other region and the region where the terminals 2251a to 2256a are provided has the plurality of terminals 2251a to 2256a Temperature control is easy. At this time, the terminals 2251a to 2256a may be provided symmetrically in one heating area. For example, the terminals 2251a to 2256a may be provided only at the center portion of the plurality of heating regions. Referring again to Fig. 4, the terminals 2251a to 2256a are provided only at the central portion of the six heating regions. Alternatively, the terminals 2251a to 2256a may be provided in one of the edge portions of the ceramic puck 220. Alternatively, the terminals 2251a to 2256a may be provided in some of the heating regions of the center portion and the edge portion.

연결 라인(2251b 내지 2256b)은 가열 라인(2251 내지 2256)과 단자(2251a 내지 2256a)를 연결한다. 연결 라인(2251b 내지 2256b)은 서로 대응되는 가열 라인(2251 내지 2256)과 단자(2251a 내지 2256a)를 연결한다. 연결 라인(2251b 내지 2256b)은 단자(2251a 내지 2256a)를 통해 전력을 전달받는다. 연결 라인(2251b 내지 2256b)은 전달된 전력을 가열 라인(2251 내지 2256)에 제공한다. The connection lines 2251b to 2256b connect the heating lines 2251 to 2256 to the terminals 2251a to 2256a. The connection lines 2251b to 2256b connect the heating lines 2251 to 2256 and the terminals 2251a to 2256a, which correspond to each other. The connection lines 2251b through 2256b receive power through the terminals 2251a through 2256a. The connection lines 2251b to 2256b provide the delivered power to the heating lines 2251 to 2256. [

전원 라인(2251c 내지 2256c)은 단자(2251a 내지 2256a)들과 제 2 하부 전원(225a)을 연결한다. 전원 라인(2251c 내지 2256c)을 통해, 제 2 하부 전원(225a)으로 인가된 전력이, 단자(2251a 내지 2256a)로 공급된다.The power supply lines 2251c to 2256c connect the terminals 2251a to 2256a and the second lower power supply 225a. The power applied to the second lower power supply 225a through the power supply lines 2251c to 2256c is supplied to the terminals 2251a to 2256a.

도 7 및 도 8은 다른 실시예의 지지 유닛을 보여주는 도면이다. 지지 유닛은 도 3의 지지 유닛(200)과 대체로 동일 또는 유사한 형상 및 기능을 갖는다. 다만, 세라믹 퍽(320)이 중앙부와 한 개의 가장자리부를 가진다. 따라서, 가열 유닛(3250)은 가열 라인(3251, 3252)은 중앙부와 가장자리부에 각각 제공된다. 도 8을 참조하면, 단자(3251a, 3252a)는 중앙부에만 제공된다. Figs. 7 and 8 are views showing a support unit of another embodiment. Fig. The support unit has substantially the same or similar shape and function as the support unit 200 of Fig. However, the ceramic puck 320 has a central portion and an edge portion. Accordingly, the heating unit 3250 is provided with the heating lines 3251 and 3252 at the center portion and the edge portion, respectively. Referring to Fig. 8, the terminals 3251a and 3252a are provided only at the central portion.

다시 도 2을 참조하면, 세라믹 퍽(220)의 하부에는 지지판(230)이 위치한다. 세라믹 퍽(220)의 저면과 지지판(230)의 상면은 접착층(236)에 의해 접착될 수 있다. 지지판(230)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 지지판(230)은 전극을 포함할 수 있다. 지지판(230)의 상면은 중심 가열 영역이 가장자리 가열 영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 지지판(230)의 상면 중심 가열 영역은 세라믹 퍽(220)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 세라믹 퍽(220)의 저면과 접착된다. 지지판(230)에는 순환 유로(231), 냉각 유로(232), 그리고 제2 공급 유로(233)가 형성된다.Referring again to FIG. 2, a support plate 230 is positioned below the ceramic puck 220. The bottom surface of the ceramic puck 220 and the top surface of the support plate 230 may be adhered by an adhesive layer 236. The support plate 230 may be made of aluminum. The support plate 230 may include an electrode. The upper surface of the support plate 230 may be stepped so that the central heating region is located higher than the edge heating region. The upper surface center heating region of the support plate 230 has an area corresponding to the bottom surface of the ceramic puck 220 and is bonded to the bottom surface of the ceramic puck 220. A circulation channel 231, a cooling channel 232, and a second supply channel 233 are formed in the support plate 230.

순환 유로(231)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공된다. 순환 유로(231)는 지지판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성된다.The circulating flow path 231 is provided as a path through which the heat transfer medium circulates. The circulation flow path 231 may be formed in a spiral shape inside the support plate 230. Alternatively, the circulation flow path 231 may be arranged such that ring-shaped flow paths having different radii have the same center. Each of the circulation flow paths 231 can communicate with each other. The circulation flow paths 231 are formed at the same height.

도 9는 냉각 유로(232)를 보여주는 도면이다. 냉각 유로(232)는 바디를 냉각시킨다. 냉각 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각 유로(232)는 지지판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 냉각 유로(232)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 냉각 유로(232)들은 서로 연통될 수 있다. 냉각 유로(232)는 순환 유로(231)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 냉각 유로(232)들은 동일한 높이에 형성된다. 냉각 유로(232)는 순환 유로(231)의 하부에 위치될 수 있다. 도 9를 참조하면, 상부에서 바라볼 때, 냉각 유로(232)는 단자(2251a 내지 2256a)들과 중첩되게 제공된다. 이로 인해, 냉각 유로(232)는 단자(2251a 내지 2256a)가 제공된 가열 영역들이 특히 온도가 상승하는 것을 방지할 수 있다. 9 is a view showing the cooling flow path 232. FIG. The cooling channel 232 cools the body. The cooling channel 232 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The cooling channel 232 may be formed in a spiral shape inside the support plate 230. Further, the cooling channels 232 may be arranged so that the ring-shaped channels having different radii have the same center. Each of the cooling flow paths 232 can communicate with each other. The cooling channel 232 may have a larger cross-sectional area than the circulation channel 231. The cooling channels 232 are formed at the same height. The cooling channel 232 may be positioned below the circulation channel 231. Referring to Fig. 9, as viewed from above, the cooling channel 232 is provided to overlap with the terminals 2251a to 2256a. As a result, the cooling channel 232 can prevent the heating regions provided with the terminals 2251a to 2256a from particularly rising in temperature.

제2 공급 유로(233)는 순환 유로(231)부터 상부로 연장되며, 지지판(230)의 상면으로 제공된다. 제2 공급 유로(243)는 제1 공급 유로(221)에 대응하는 개수로 제공되며, 순환 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 연결한다.The second supply passage 233 extends upward from the circulation passage 231 and is provided on the upper surface of the support plate 230. The second supply passage 243 is provided in a number corresponding to the first supply passage 221 and connects the circulation passage 231 to the first supply passage 221.

순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(210)으로 전달되는 매개체 역할을 한다.The circulation flow path 231 is connected to the heat transfer medium storage portion 231a through the heat transfer medium supply line 231b. The heat transfer medium is stored in the heat transfer medium storage unit 231a. The heat transfer medium includes an inert gas. According to an embodiment, the heat transfer medium comprises helium (He) gas. The helium gas is supplied to the circulation flow path 231 through the supply line 231b and is supplied to the bottom surface of the substrate W through the second supply path 233 and the first supply path 221 in sequence. The helium gas serves as a medium through which the heat transferred from the plasma to the substrate W is transferred to the electrostatic chuck 210.

냉각 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 냉각 유로(232)를 따라 순환하며 지지판(230)을 냉각한다. 지지판(230)은 냉각되면서 세라믹 퍽(220)와 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다. The cooling channel 232 is connected to the cooling fluid storage 232a through a cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid is stored in the cooling fluid storage part 232a. A cooler 232b may be provided in the cooling fluid storage portion 232a. The cooler 232b cools the cooling fluid to a predetermined temperature. Alternatively, the cooler 232b may be installed on the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid supplied to the cooling channel 232 through the cooling fluid supply line 232c is circulated along the cooling channel 232 to cool the support plate 230. The support plate 230 cools the ceramic puck 220 and the substrate W together while cooling the substrate W to maintain the substrate W at a predetermined temperature.

포커스 링(240)은 정전 척(210)의 가장자리 가열 영역에 배치된다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 세라믹 퍽(220)의 둘레를 따라 배치된다. 포커스 링(240)의 상면은 외측부(240a)가 내측부(240b)보다 높도록 단차질 수 있다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 세라믹 퍽(220)의 상면과 동일 높이에 위치된다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 세라믹 퍽(220)의 외측에 위치된 기판(W)의 가장자리 가열 영역을 지지한다. 포커스 링(240)의 외측부(240a)는 기판(W)의 가장자리 가열 영역을 둘러싸도록 제공된다. 포커스 링(240)은 챔버(100) 내에서 플라즈마가 기판(W)과 마주하는 가열 영역으로 집중되도록 한다.The focus ring 240 is disposed in the edge heating region of the electrostatic chuck 210. The focus ring 240 has a ring shape and is disposed along the periphery of the ceramic puck 220. The upper surface of the focus ring 240 may be stepped so that the outer portion 240a is higher than the inner portion 240b. The upper surface inner side portion 240b of the focus ring 240 is positioned at the same height as the upper surface of the ceramic puck 220. [ The upper surface inner side portion 240b of the focus ring 240 supports an edge heating region of the substrate W positioned outside the ceramic puck 220. [ The outer side portion 240a of the focus ring 240 is provided so as to surround the edge heating region of the substrate W. [ The focus ring 240 allows the plasma to be concentrated within the chamber 100 into the heating region facing the substrate W. [

지지판(230)의 하부에는 절연 플레이트(250)가 위치한다. 절연 플레이트(250)는 지지판(230)에 상응하는 단면적으로 제공된다. 절연 플레이트(250)는 지지판(230)과 하부 커버(270) 사이에 위치한다. 절연 플레이트(250)는 절연 재질로 제공되며, 지지판(230)과 하부 커버(270)를 전기적으로 절연시킨다.An insulating plate 250 is disposed under the support plate 230. The insulating plate 250 is provided in a cross-sectional area corresponding to the support plate 230. [ The insulating plate 250 is positioned between the support plate 230 and the lower cover 270. The insulating plate 250 is made of an insulating material and electrically insulates the supporting plate 230 and the lower cover 270.

하부 커버(270)는 지지 유닛(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(270)는 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. 하부 커버(270)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(270)의 상면은 절연 플레이트(250)에 의해 덮어진다. 따라서 하부 커버(270)의 단면의 외부 반경은 절연 플레이트(250)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(270)의 내부 공간에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 정전 척(210)으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다. The lower cover 270 is located at the lower end of the support unit 200. The lower cover 270 is spaced upwardly from the bottom surface of the housing 110. The lower cover 270 has a space in which an upper surface is opened. The upper surface of the lower cover 270 is covered with an insulating plate 250. The outer radius of the cross section of the lower cover 270 may be provided with a length equal to the outer radius of the insulating plate 250. [ A lift pin module (not shown) for moving the substrate W to be transferred from an external carrying member to the electrostatic chuck 210 may be positioned in the inner space of the lower cover 270.

하부 커버(270)는 연결 부재(273)를 갖는다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면과 하우징(110)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면에 일정한 간격으로 복수개 제공될 수 있다. 연결 부재(273)는 지지 유닛(200)를 챔버(100) 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(273)는 하우징(110)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(270)가 전기적으로 접지(grounding)되도록 한다. 제1 하부 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 하부 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c)등은 연결 부재(273)의 내부 공간을 통해 하부 커버(270) 내부로 연장된다.The lower cover 270 has a connecting member 273. The connecting member 273 connects the outer side surface of the lower cover 270 and the inner side wall of the housing 110. A plurality of connecting members 273 may be provided on the outer surface of the lower cover 270 at regular intervals. The connecting member 273 supports the supporting unit 200 inside the chamber 100. Further, the connecting member 273 is connected to the inner wall of the housing 110, so that the lower cover 270 is electrically grounded. A first power supply line 223c connected to the first lower power supply 223a, a second power supply line 225c connected to the second lower power supply 225a, a heat transfer medium supply line 233b connected to the heat transfer medium storage 231a And a cooling fluid supply line 232c connected to the cooling fluid reservoir 232a extend into the lower cover 270 through the inner space of the connection member 273. [

가스 공급 유닛(300)은 챔버(100) 내부에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 공급 노즐(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 저장부(330)를 포함한다. 가스 공급 노즐(310)은 커버(120)의 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(310)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 커버(120)의 하부에 위치하며, 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 공급 노즐(310)과 가스 저장부(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(330)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(310)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 밸브(321)가 설치된다. 밸브(321)는 가스 공급 라인(320)을 개폐하며, 가스 공급 라인(320)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.The gas supply unit 300 supplies the process gas into the chamber 100. The gas supply unit 300 includes a gas supply nozzle 310, a gas supply line 320, and a gas storage unit 330. The gas supply nozzle 310 is installed at the center of the cover 120. A jetting port is formed on the bottom surface of the gas supply nozzle 310. The injection port is located at the bottom of the cover 120 and supplies the process gas into the chamber 100. The gas supply line 320 connects the gas supply nozzle 310 and the gas storage unit 330. The gas supply line 320 supplies the process gas stored in the gas storage unit 330 to the gas supply nozzle 310. A valve 321 is installed in the gas supply line 320. The valve 321 opens and closes the gas supply line 320 and regulates the flow rate of the process gas supplied through the gas supply line 320.

플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나 실(410), 안테나(420), 그리고 플라즈마 전원(430)을 포함한다. 안테나 실(410)은 하부가 개방된 원통 형상으로 제공된다. 안테나 실(410)은 내부에 공간이 제공된다. 안테나 실(410)은 챔버(100)와 대응되는 직경을 가지도록 제공된다. 안테나 실(410)의 하단은 커버(120)에 탈착 가능하도록 제공된다. 안테나(420)는 안테나 실(410)의 내부에 배치된다. 안테나(420)는 복수 회 감기는 나선 형상의 코일로 제공되고, 플라즈마 전원(430)과 연결된다. 안테나(420)는 플라즈마 전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 플라즈마 전원(430)은 챔버(100) 외부에 위치할 수 있다. 전력이 인가된 안테나(420)는 챔버(100)의 처리공간에 전자기장을 형성할 수 있다. 공정가스는 전자기장에 의해 플라즈마 상태로 여기된다.The plasma source 400 excites the process gas into the plasma state within the chamber 100. As the plasma source 400, an inductively coupled plasma (ICP) source may be used. The plasma source 400 includes an antenna chamber 410, an antenna 420, and a plasma power source 430. The antenna chamber 410 is provided in a cylindrical shape with its bottom opened. The antenna chamber 410 is provided with a space therein. The antenna chamber 410 is provided so as to have a diameter corresponding to the chamber 100. The lower end of the antenna chamber 410 is detachably attached to the cover 120. The antenna 420 is disposed inside the antenna chamber 410. The antenna 420 is provided with a plurality of turns of helical coil, and is connected to the plasma power source 430. The antenna 420 receives power from the plasma power supply 430. The plasma power source 430 may be located outside the chamber 100. The powered antenna 420 may form an electromagnetic field in the processing space of the chamber 100. The process gas is excited into a plasma state by an electromagnetic field.

배기 유닛(500)은 하우징(110)의 내측벽과 지지부재(400)의 사이에 위치된다. 배기 유닛(500)은 관통홀(511)이 형성된 배기판(510)을 포함한다. 배기판(510)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배기판(510)에는 복수의 관통홀(511)들이 형성된다. 하우징(110) 내에 제공된 공정가스는 배기판(510)의 관통홀(511)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배기판(510)의 형상 및 관통홀(511)들의 형상에 따라 공정가스의 흐름이 제어될 수 있다. The exhaust unit 500 is positioned between the inner wall of the housing 110 and the support member 400. The exhaust unit 500 includes an exhaust plate 510 having a through-hole 511 formed therein. The exhaust plate 510 is provided in an annular ring shape. A plurality of through holes 511 are formed in the exhaust plate 510. The process gas provided in the housing 110 passes through the through holes 511 of the exhaust plate 510 and is exhausted to the exhaust hole 102. The flow of the process gas can be controlled according to the shape of the exhaust plate 510 and the shape of the through holes 511. [

이하, 상술한 도 2의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 설명하도록 한다. Hereinafter, the process of processing the substrate using the substrate processing apparatus of FIG. 2 will be described.

지지 유닛(200)에 기판(W)이 놓이면, 제1 하부 전원(223a)으로부터 전극(223)에 직류 전류가 인가된다. 전극(223)에 인가된 직류 전류에 의해 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 정전 척(210)에 흡착된다.When the substrate W is placed in the support unit 200, a direct current is applied to the electrode 223 from the first lower power source 223a. An electrostatic force is applied between the electrode 223 and the substrate W by the DC current applied to the electrode 223 and the substrate W is attracted to the electrostatic chuck 210 by the electrostatic force.

기판(W)이 정전 척(210)에 흡착되면, 가스 공급 노즐(310)을 통하여 하우징(110) 내부에 공정가스가 공급된다. 그리고, 플라즈마 전원(430)에서 생성된 고주파 전력이 안테나(420)를 통해 하우징(110) 내부에 인가된다. 인가된 고주파 전력은 하우징(110) 내부에 머무르는 공정 가스를 여기시킨다. 여기된 공정가스는 기판(W)으로 제공되어 기판(W)을 처리한다. 여기된 공정가스는 식각 공정을 수행할 수 있다.When the substrate W is attracted to the electrostatic chuck 210, the process gas is supplied into the housing 110 through the gas supply nozzle 310. Then, the high frequency power generated in the plasma power source 430 is applied to the inside of the housing 110 through the antenna 420. The applied high frequency power excites the process gas staying inside the housing 110. The excited process gas is supplied to the substrate W to process the substrate W. The excited process gas may be subjected to an etching process.

상술한 예에서는 가열 유닛(2250)은 세라믹 퍽(220) 내에 제공되는 것으로 설명하였다. 이와 달리, 가열 유닛(2250)은 지지판(230) 내에 제공될 수 있다. 또한, 상술한 예에서는 세라믹 퍽(220)과 지지판(230)이 접착층(236)에 의해서 결합되는 것으로 설명하였다. 이와 달리, 세라믹 퍽(220)과 지지판(230)은 다른 다양한 방식으로 결합될 수 있다. In the above-described example, the heating unit 2250 is described as being provided in the ceramic puck 220. Alternatively, the heating unit 2250 may be provided in the support plate 230. In the above-described example, the ceramic puck 220 and the support plate 230 are bonded by the adhesive layer 236. Alternatively, the ceramic puck 220 and the support plate 230 may be joined in a variety of different ways.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

10: 기판 처리 장치 100: 챔버
120: 밀폐 커버 200: 기판 지지 유닛
215: 바디 220: 세라믹 퍽
230: 지지판 2250: 가열 유닛
2251, 2252, 2253, 2254, 2255, 2256 : 가열 라인
2251a, 2252a, 2253a, 2254a, 2255a, 2256a : 단자
2251b, 2252b, 2253b, 2254b, 2255b, 2256b : 연결 라인
2251c, 2252c, 2253c, 2254c, 2255c, 2256c : 전원 라인
300: 가스 공급 유닛 400: 플라즈마 소스
500: 배기 유닛10: substrate processing apparatus 100: chamber
120: sealing cover 200: substrate supporting unit
215: Body 220: Ceramic puck
230: support plate 2250: heating unit
2251, 2252, 2253, 2254, 2255, 2256: Heating line
2251a, 2252a, 2253a, 2254a, 2255a, 2256a: terminal
2251b, 2252b, 2253b, 2254b, 2255b, 2256b: connection line
2251c, 2252c, 2253c, 2254c, 2255c, 2256c: power supply line
300: gas supply unit 400: plasma source
500: Exhaust unit

Claims

A support unit for supporting a substrate,
A body having a plurality of heating regions, the substrate being disposed on an upper surface thereof; And
And a heating unit for heating the body,
The heating unit includes:
Heating lines respectively provided in the plurality of heating regions to independently adjust the temperatures of the plurality of heating regions;
Terminals provided on the body and receiving external power; And
And a connection line connecting the heating line and the terminal corresponding to each other,
Wherein the terminals are disposed in one of the plurality of heating regions when viewed from above.

The method according to claim 1,
The plurality of heating regions may include a central portion; And a plurality of edge portions surrounding the central portion,
And the terminals are disposed at the central portion.

The method according to claim 1,
The plurality of heating regions may include a central portion; And an edge portion surrounding the central portion,
And the terminals are disposed at the central portion.

The method according to claim 1,
The plurality of heating regions may include a central portion; And one or a plurality of edge portions surrounding the central portion,
And the terminals are disposed at the central portion.

5. The method of claim 4,
Wherein the connection line is provided to the body.

5. The method of claim 4,
Wherein the body further comprises a cooling flow path for cooling the body.

The method according to claim 6,
Wherein the plurality of terminals are provided so as to overlap with the cooling channel.

A chamber having a space therein;
A support unit positioned in the chamber and supporting the substrate;
A gas supply unit for supplying a process gas into the chamber; And
And a plasma source unit for generating a plasma from the process gas,
The support unit includes:
A body having a plurality of heating regions, the substrate being disposed on an upper surface thereof; And
And a heating unit for heating the body,
The heating unit includes:
Heating lines respectively provided in the plurality of heating regions to independently adjust the temperatures of the plurality of heating regions;
Terminals provided on the body and receiving external power; And
And a connection line connecting the heating line and the terminal corresponding to each other,
Wherein the terminals are disposed in one of the plurality of heating regions.

9. The method of claim 8,
The plurality of heating regions may include a central portion; And a plurality of edge portions surrounding the central portion,
And the terminals are disposed at the central portion.

9. The method of claim 8,
The plurality of heating regions may include a central portion; And an edge portion surrounding the central portion,
And the terminals are disposed at the central portion.

9. The method of claim 8,
The plurality of heating regions may include a central portion; And one or a plurality of edge portions surrounding the central portion,
And the terminals are disposed at the central portion.

12. The method of claim 11,
Wherein the connection line is provided to the body.

12. The method of claim 11,
Wherein the body further comprises a cooling flow path for cooling the body.

14. The method of claim 13,
Wherein the plurality of terminals are provided so as to overlap with the cooling channel when viewed from above.

A ceramic puck including an electrode for fixing the substrate by electrostatic force and a heating line for heating the substrate;
A cooling plate disposed below the ceramic puck and having a cooling channel for cooling the substrate; And
And an adhesive layer provided between the ceramic puck and the cooling plate to bond the ceramic puck and the cooling plate,
Wherein the ceramic puck has a plurality of heating regions, and terminals connected to the heating line and receiving external power are disposed in one of the plurality of heating regions.

16. The method of claim 15,
The plurality of heating regions may include a central portion; And a plurality of edge portions surrounding the central portion,
And the terminals are disposed at the central portion.

16. The method of claim 15,
The plurality of heating regions may include a central portion; And an edge portion surrounding the central portion,
And the terminals are disposed at the central portion.

16. The method of claim 15,
The plurality of heating regions may include a central portion; And one or a plurality of edge portions surrounding the central portion,
And the terminals are disposed at the central portion.

19. The method of claim 18,
And a connection line connecting the heating line and the terminal corresponding to each other.

19. The method of claim 18,
Wherein the plurality of terminals are provided so as to overlap with the cooling channel.