KR20140126517A

KR20140126517A - Magnet unit and sputtering apparatus having the same

Info

Publication number: KR20140126517A
Application number: KR20130044770A
Authority: KR
Inventors: 오지영; 천용환; 황병수
Original assignee: 주식회사 아바코
Priority date: 2013-04-23
Filing date: 2013-04-23
Publication date: 2014-10-31
Also published as: CN104120393A

Abstract

Disclosed are a magnet unit and a sputtering apparatus having the same. According to the present invention, comprised are at least two magnet units respectively including a first magnet and a second magnet prepared in the outside of the first magnet at a distance away from the first magnet. The first magnet and the second magnet have different polarity. Moreover, the rate between the width of a race track of a magnet field generated between the first magnet and the second magnet and the interval of a race track of the adjacent magnet field is 1:0.5 to 1:2.

Description

[0001] Magnet unit and sputtering apparatus having same [0002]

본 발명은 스퍼터링 장치에 관한 것으로, 특히 공정 균일도를 향상시킬 수 있는 마그넷 유닛 및 이를 구비하는 스퍼터링 장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sputtering apparatus, and more particularly, to a magnet unit capable of improving process uniformity and a sputtering apparatus having the same.

스퍼터링 장치는 반도체, LCD 또는 태양 전지 제조 시 박막을 증착하는 장치이다. 예컨데, 마그네트론 스퍼터링(Magnetron sputtering) 장치는 진공 상태의 챔버(chamber) 내로 가스를 주입하여 플라즈마를 생성시키고, 이온화된 가스 입자를 증착하고자 하는 타겟(target) 물질과 충돌시킨 후 충돌에 의해 스퍼터된 입자를 기판에 증착시킨다. 이때, 타겟에 터널 형태의 자속을 형성하기 위해 마그넷 유닛이 타겟 후면에 배치된다. 이러한 마그네트론 스퍼터링 장치는 상대적으로 저온에서 박막을 제조할 수 있고, 전기장에 의해 가속된 이온들이 기판에 치밀하게 증착된다는 장점 때문에 널리 사용하고 있다.The sputtering apparatus is a device for depositing a thin film when manufacturing semiconductor, LCD, or solar cell. For example, a magnetron sputtering apparatus is a system in which a gas is injected into a chamber in a vacuum state to generate a plasma, collides ionized gas particles with a target material to be deposited, Is deposited on the substrate. At this time, the magnet unit is disposed on the rear surface of the target to form a tunnel-shaped magnetic flux on the target. Such a magnetron sputtering apparatus is widely used because it can produce a thin film at a relatively low temperature and ions accelerated by an electric field are densely deposited on a substrate.

한편, 대면적의 기판 상에 박막을 증착하기 위해 인라인 시스템을 이용한다. 인라인 시스템은 로드 챔버와 언로드 챔버 사이에 복수개의 처리 챔버가 마련되어 로드 챔버로 로딩된 기판이 복수개의 처리 챔버를 통과하면서 연속된 공정을 진행하게 된다. 이러한 인라인 시스템에서 스퍼터링 장치는 적어도 하나의 처리 챔버 내에 마련되며, 마그넷 유닛이 일정 간격을 두고 병렬로 설치된다. 또한, 마그넷 유닛은 내부 자석과 외부 자석을 포함하는데, 내부 자석이 직선 형상으로 마련되고, 외부 자석이 내부 자석과 소정 간격 이격되어 내부 자석 주변을 감싸도록 마련된다. 이때, 내부 자석과 외부 자석은 서로 다른 극성을 갖는다. 따라서, 마그넷 유닛은 N극-S극-N극 또는 S극-N극-S극의 극성으로 배치되고, 이에 따라 내부 자석 및 외부 자석은 타겟의 표면 전체에 터널형의 폐회로 자기장이 형성된다.On the other hand, an inline system is used to deposit a thin film on a large area substrate. In the inline system, a plurality of processing chambers are provided between the load chamber and the unloading chamber, and the substrate loaded with the load chamber is passed through the plurality of processing chambers to perform a continuous process. In such an inline system, the sputtering apparatus is provided in at least one processing chamber, and the magnet units are installed in parallel at regular intervals. The magnet unit includes an inner magnet and an outer magnet. The inner magnet is provided in a linear shape, and the outer magnet is spaced apart from the inner magnet by a predetermined distance so as to surround the inner magnet. At this time, the inner magnet and the outer magnet have different polarities. Accordingly, the magnet unit is arranged in the polarity of N pole-S pole-N pole or S pole-N pole-S pole, whereby the inner magnet and the outer magnet form a tunnel-like closed circuit magnetic field over the entire surface of the target.

그런데, 마그넷 유닛의 자석 사이의 거리가 마그넷 유닛과 마그넷 유닛 사이의 거리와 다르게 제작되었고, 그에 따라 자기장의 피크, 즉 자기장의 수직 성분이 "0"이 되는 지점을 연결한 레이스 트랙(race track)의 폭과 인접한 두 레이스 트랙 사이의 거리가 1:3으로 제작되었다. 즉, 종래에는 서로 다른 극성을 가진 두 자석 사이에 발생되는 자기장의 레이스 트랙의 폭과 인접한 두 레이스 트랙 사이의 거리가 1:3으로 마그넷 유닛이 제작되었다. 이렇게 레이스 트랙의 폭과 인접한 두 레이스 트랙 사이의 거리의 비가 크게 마그넷 유닛이 제작되므로 기판 표면에서의 증착률의 차이가 발생된다. 즉, 두 레이스 트랙의 사이에 대응되는 기판의 영역에는 레이스 트랙 내부에 대응되는 기판의 영역에 비해 박막이 얇게 증착된다. 따라서, 기판 상에 증착되는 박막의 두께가 불균일하고 그에 따라 소자의 신뢰성이 저하되는 문제가 발생될 수 있다.
However, the distance between the magnets of the magnet unit is made different from the distance between the magnet unit and the magnet unit, and accordingly, the peak of the magnetic field, that is, the race track connecting points where the vertical component of the magnetic field becomes & And the distance between two adjacent race tracks was 1: 3. In other words, conventionally, a magnet unit is manufactured with a width of a race track of a magnetic field generated between two magnets having different polarities and a distance between two adjacent race tracks of 1: 3. Thus, since the magnet unit is manufactured with a large ratio of the width of the race track to the distance between two adjacent race tracks, a difference in the deposition rate occurs on the surface of the substrate. That is, the thin film is thinly deposited in the region of the substrate corresponding to the space between the two race tracks, as compared with the region of the substrate corresponding to the inside of the race track. Therefore, the thickness of the thin film deposited on the substrate may be uneven and the reliability of the device may be deteriorated.

본 발명은 박막의 증착 균일성을 향상시킬 수 있는 마그넷 유닛 및 이를 구비하는 스퍼터링 장치를 제공한다.The present invention provides a magnet unit capable of improving the uniformity of deposition of a thin film and a sputtering apparatus having the magnet unit.

본 발명은 레이스 트랙 내부의 거리와 두 레이스 트랙 사이의 거리의 비를 줄여 기판 표면에서의 증착률을 종래보다 향상시킬 수 있는 스퍼터링 장치를 제공한다.
The present invention provides a sputtering apparatus capable of reducing the ratio of the distance between the inside of a race track and the distance between two racetracks to improve the deposition rate on the substrate surface.

본 발명의 일 양태에 따른 마그넷 유닛은 제 1 자석과, 상기 제 1 자석과 이격되어 상기 제 1 자석 외측에 마련된 제 2 자석을 각각 포함하는 적어도 둘 이상의 마그넷 유닛을 포함하고, 상기 제 1 자석과 상기 제 2 자석은 서로 다른 극성을 가지며, 상기 제 1 및 제 2 자석 사이에서 발생된 자기장의 레이스 트랙의 폭이 인접한 자기장의 레이스 트랙의 간격과 1:0.5 내지 1:2의 비율을 갖는다.The magnet unit according to an embodiment of the present invention includes at least two magnet units each including a first magnet and a second magnet apart from the first magnet and provided outside the first magnet, The second magnets have different polarities and the width of the race track of the magnetic field generated between the first and second magnets has a ratio of 1: 0.5 to 1: 2 with the interval of the race track of the adjacent magnetic field.

상기 제 1 자석은 직선 형상으로 마련되고, 상기 제 2 자석은 제 1 자석의 양측에 마련된다.The first magnet is provided in a linear shape, and the second magnet is provided on both sides of the first magnet.

상기 제 1 자석은 서로 이격된 제 1 및 제 2 장변부를 포함하고, 상기 제 2 자석은 서로 이격된 제 3 및 제 4 장변부를 포함하여 상기 제 1 자석 외측에 마련된다.The first magnet includes first and second long sides spaced apart from each other, and the second magnet includes third and fourth long sides spaced from each other, and is provided outside the first magnet.

상기 제 1 자석의 상기 제 1 장변부와 상기 제 2 장변부 사이의 제 1 거리와 서로 인접한 마그넷 유닛의 상기 제 3 장변부와 상기 제 4 장변부 사이의 제 2 거리가 1:0.5 내지 1:2의 비율을 갖는다.Wherein a first distance between the first long side portion and the second long side portion of the first magnet and a second distance between the third long side portion and the fourth long side portion of the adjacent magnet unit are in a range of 1: 0.5 to 1: 2 < / RTI >

상기 2 자석의 상기 제 3 장변부와 상기 제 1 자석의 상기 제 1 장변부 사이의 제 3 거리와 상기 제 2 장변부와 상기 제 4 장변부 사이의 제 4 거리가 동일하다.
The third distance between the third long side of the two magnets and the first long side of the first magnet and the fourth distance between the second long side and the fourth long side are the same.

본 발명의 다른 양태에 따른 스퍼터링 장치는 기판이 안착되는 기판 안착부; 상기 기판 안착부와 대향되어 마련되며, 소정 간격 이격되어 적어도 둘 이상 마련되는 마그넷 유닛; 및 상기 기판 안착부와 마그넷 유닛 사이에 마련된 적어도 둘 이상의 타겟을 포함하고, 상기 마그넷 유닛은 제 1 자석과, 상기 제 1 자석과 이격되어 상기 제 1 자석 외측에 마련된 제 2 자석을 각각 포함하고, 상기 제 1 자석과 상기 제 2 자석은 서로 다른 극성을 가지며, 상기 제 1 및 제 2 자석 사이에서 발생된 자기장의 레이스 트랙의 폭이 인접한 자기장의 레이스 트랙의 간격과 1:0.5 내지 1:2의 비율을 갖는다.According to another aspect of the present invention, there is provided a sputtering apparatus including: a substrate seating part on which a substrate is placed; A magnet unit provided opposite to the substrate seating unit and spaced apart from each other by a predetermined distance; And at least two targets provided between the substrate seating portion and the magnet unit, wherein the magnet unit includes a first magnet and a second magnet spaced apart from the first magnet and provided outside the first magnet, Wherein the first magnet and the second magnet have different polarities and the width of the race track of the magnetic field generated between the first magnet and the second magnet is in the range of 1: 0.5 to 1: 2 Ratio.

상기 마그넷 유닛은 수평 방향으로 왕복 이동한다.The magnet unit reciprocates in the horizontal direction.

상기 타겟과 마그넷 유닛 사이에 마련된 백킹 플레이트를 더 포함한다.
And a backing plate provided between the target and the magnet unit.

본 발명은 극성이 다른 두 자석 사이에서 발생된 자기장의 레이스 트랙의 폭과 인접한 두 레이스 트랙 사이의 거리의 비가 1:0.5 내지 1:2의 비율로 마그넷 유닛을 제작한다. 따라서, 일 레이스 트랙에 대응하여 발생되는 에로전의 폭과 레이스 트랙 사이에 대응하여 발생되는 에로전의 폭의 비가 종래보다 작아질 수 있다. 결국, 종래보다 박막의 증착 균일성을 향상시킬 수 있고, 그에 따라 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
The magnet unit is manufactured at a ratio of the ratio of the width of the race track of the magnetic field generated between two magnets of different polarities to the distance between two adjacent race tracks of 1: 0.5 to 1: 2. Therefore, the ratio of the width before erection generated corresponding to one race track to the width before erection generated corresponding to the distance between the race tracks can be made smaller than the conventional one. As a result, the uniformity of deposition of the thin film can be improved more than the conventional one, and the reliability of the device can be improved accordingly.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 스퍼터링 장치의 개략 단면도.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 실시 예들에 따른 마그넷 유닛의 개략 평면도.
도 5 및 도 6은 종래의 마그넷 유닛과 그에 따른 에로전 프로파일 및 박막 증착 균일도를 도시한 도면.
도 7 및 도 8은 본 발명에 따른 마그넷 유닛과 그에 따른 에로전 프로파일 및 박막 증착 균일도를 도시한 도면.
도 9 및 도 10은 본 발명 및 종래의 마그넷 유닛의 레이스 트랙의 폭과 레이스 트랙 사이의 거리에 따른 에로전 프로파일 및 박막 증착 균일도를 도시한 도면.1 is a schematic cross-sectional view of a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention;
2 to 4 are schematic plan views of a magnet unit according to embodiments of the present invention.
FIGS. 5 and 6 are diagrams showing a conventional magnet unit and thus an erosion profile and uniformity of thin film deposition. FIG.
FIGS. 7 and 8 are diagrams showing a magnet unit according to the present invention, and an erosion profile and a uniformity of thin film deposition according to the present invention.
9 and 10 are diagrams showing the erosion profile and the uniformity of thin film deposition according to the distance between the race track and the race track of the present invention and the conventional magnet unit.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한 다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but is capable of other various forms of implementation, and that these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know completely.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 다른 스퍼터링 장치의 개략 단면도이고, 도 2 내지 도 4는 본 발명의 실시 예들에 따른 마그넷 유닛의 개략 평면도이다.FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 4 are schematic plan views of a magnet unit according to embodiments of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 스퍼터링 장치는 마그넷 유닛(100)과, 백킹 플레이트(200), 타겟(300) 및 기판 안착부(400)를 포함할 수 있다. 또한, 마그넷 유닛(100)은 요크(110)와, 제 1 자석(120) 및 제 2 자석(130)을 포함할 수 있다. 여기서, 기판 안착부(400)는 장치 내에 상측 또는 하측에 마련될 수 있고, 마그넷 유닛(100)은 이와 대향되도록 마련될 수 있다. 즉, 기판 안착부(400)가 하측에 마련되면 마그넷 유닛(100)은 상측에 마련되고, 기판 안착부(400)가 상측에 마련되면 마그넷 유닛(100)은 하측에 마련될 수 있다. 본 실시 예에서는 기판 안착부(400)가 하측에 마련되고 마그넷 유닛(100)이 상측에 마련되는 경우를 도시하고 설명한다.Referring to FIG. 1, a sputtering apparatus according to the present invention may include a magnet unit 100, a backing plate 200, a target 300, and a substrate seating unit 400. In addition, the magnet unit 100 may include the yoke 110, the first magnet 120, and the second magnet 130. Here, the substrate seating part 400 may be provided on the upper side or the lower side of the device, and the magnet unit 100 may be provided so as to be opposed thereto. That is, the magnet unit 100 is provided on the upper side when the substrate seating part 400 is provided on the lower side, and the magnet unit 100 can be provided on the lower side when the substrate seating part 400 is provided on the upper side. In this embodiment, a case is described in which the substrate seating portion 400 is provided on the lower side and the magnet unit 100 is provided on the upper side.

기판 안착부(400)는 증착 물질이 기판(S)에 균일하게 증착될 수 있도록 기판(S)을 고정한다. 기판 안착부(400)는 기판(S)이 안착되면 고정 수단 등을 이용하여 기판(S)의 가장자리를 고정하거나, 기판(S)의 뒷면에서 기판(S)을 고정할 수 있다. 기판 안착부(400)는 인라인(Inline) 스퍼터링 장치일 경우에 기판(S)을 고정할 수 있는 고정 수단이 구비된 캐리어 장치일 수 있다. 또한, 기판 안착부(400)는 기판(S)이 안착된 상태에서 일 방향으로 이동할 수 있다. 따라서, 기판 안착부(400)의 하측에는 롤러(미도시) 등의 이동 수단이 마련될 수 있다. 물론, 기판 안착부(400)의 일부가 이동 수단으로 기능할 수도 있다. 또한, 정지형 스퍼터링 장치일 경우 고정 수단이 필요하지 않을 수 있다. 이때, 기판 안착부(400)는 기판(S)을 리프트 시키는 리프트 핀이 구비될 수도 있다. 그러나, 정지형 스퍼터링 장치에서 수직으로 스퍼터링할 경우 기판(S)을 기립시키고 고정하는 고정 수단이 구비될 수 있다. 한편, 기판(S)은 반도체, LCD, 태양 전지 등을 제조하기 위한 기판일 수 있으며, 실리콘 웨이퍼, 글래스 등일 수 있다. 본 실시 예에서 기판(S)은 글래스 등의 대면적 기판을 이용한다.The substrate seating part 400 fixes the substrate S so that the deposition material can be uniformly deposited on the substrate S. The substrate seating part 400 may fix the edge of the substrate S using fixing means or fix the substrate S on the back side of the substrate S when the substrate S is seated. The substrate seating part 400 may be a carrier device provided with fixing means capable of fixing the substrate S in the case of an in-line sputtering apparatus. In addition, the substrate seating part 400 can move in one direction with the substrate S placed thereon. Therefore, a moving means such as a roller (not shown) or the like may be provided below the substrate seating portion 400. Of course, a part of the substrate seating part 400 may function as a moving means. Also, in the case of a stationary sputtering apparatus, a fixing means may not be necessary. At this time, the substrate seating part 400 may be provided with a lift pin for lifting the substrate S. However, fixing means may be provided for standing up and fixing the substrate S when vertically sputtering in a stationary sputtering apparatus. Meanwhile, the substrate S may be a substrate for manufacturing a semiconductor, an LCD, a solar cell, or the like, and may be a silicon wafer, glass, or the like. In this embodiment, the substrate S uses a large area substrate such as glass.

백킹 플레이트(200)는 마그넷 유닛(100)과 기판 안착부(400) 사이에 마련된다. 또한, 백킹 플레이트(200)의 일면에는 타겟(300)이 고정된다. 즉, 타겟(300)은 기판(S)과 대면하는 백킹 플레이트(200)의 일면에 고정된다. 한편, 백킹 플레이트(200)를 마련하지 않고, 마그넷 유닛(100) 하측에 타겟(300)을 마련하는 것도 가능하다.The backing plate 200 is provided between the magnet unit 100 and the substrate seating portion 400. The target 300 is fixed to one surface of the backing plate 200. That is, the target 300 is fixed to one surface of the backing plate 200 facing the substrate S. It is also possible to provide the target 300 below the magnet unit 100 without providing the backing plate 200.

타겟(300)은 백킹 플레이트(200)에 고정되며, 기판(S)에 증착될 물질로 구성된다. 이러한 타겟(300)은 금속 물질 또는 금속 물질을 포함하는 합금일 수 있다. 또한, 타겟(300)은 금속 산화물, 금속 질화물 또는 유전체일 수도 있다. 예를 들어, 타겟(300)은 Mg, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Al, In, C, Si 및 Sn 등에서 선택되는 원소를 주성분으로 하는 재료가 이용될 수 있다. 한편, 백킹 플레이트(200)와 타겟(300)은 총두께가 15㎜∼35㎜ 정도로 마련될 수 있다. 예를 들어, 15㎜ 두께의 백킹 플레이트(200)를 이용했을 경우 타겟(300)의 두께는 20㎜ 이하이다. 또한, 백킹 플레이트(200)를 이용하지 않을 경우 35㎜ 이하의 타겟(300)을 이용할 수 있다.The target 300 is fixed to the backing plate 200 and is composed of a material to be deposited on the substrate S. The target 300 may be a metal material or an alloy including a metal material. In addition, the target 300 may be a metal oxide, a metal nitride, or a dielectric. For example, the target 300 may be selected from Mg, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Al, In, C, May be used as the main component. On the other hand, the backing plate 200 and the target 300 may have a total thickness of about 15 mm to 35 mm. For example, when the backing plate 200 having a thickness of 15 mm is used, the thickness of the target 300 is 20 mm or less. Further, when the backing plate 200 is not used, the target 300 of 35 mm or less can be used.

마그넷 유닛(100)은 기판(S)과 대향하도록 마련되며, 요크(110), 제 1 자석(120) 및 제 2 자석(130)을 포함할 수 있다. 또한, 마그넷 유닛(100; 100A, 100B, 100C)은 적어도 둘 이상 마련될 수 있고 수평 방향으로 왕복 이동할 수 있다. 즉, 마그넷 유닛(100)보다 큰 대면적 기판(S)에 박막을 증착하는 경우 마그넷 유닛(100)은 적어도 둘 이상 마련될 수 있다. 이때, 적어도 둘 이상의 마그넷 유닛(100)은 동일 크기 및 동일 구조로 마련되고 동일 간격으로 이격될 수 있다. 요크(110)은 평판 형상이고, 요크(110)의 일면에 제 1 자석(120) 및 제 2 자석(130)이 설치된다. 이러한 요크(110)는 예를 들면 페라이트계의 스테인레스 등을 이용할 수 있다. 제 1 자석(120)은 요크(110)의 중앙부에 고정되고, 제 2 자석(130)은 제 1 자석(120) 외측을 감싸도록 요크(110)의 주변에 고정된다. 여기서, 제 1 자석(120)은 요크(110)의 일면으로부터 소정 높이로 형성되며 직선 형태로 마련될 수도 있고, 폐루프(closed loop) 형상으로 마련될 수 있다. 예를 들어, 제 1 자석(120)은 도 2에 도시된 바와 같이 서로 소정 간격 이격되며 동일 길이의 제 1 및 제 2 장변부(122a, 122b)와 제 1 및 제 2 장변부(122a, 122b)의 가장자리에 제 1 및 제 2 장변부(122a, 122b)을 연결하도록 마련된 제 1 및 제 2 단변부(124a, 124b)를 포함할 수 있다. 여기서, 제 1 및 제 2 단변부(124a, 124b)는 직선 형태로 마련되어 제 1 및 제 2 장변부(122a, 122b)의 가장자리를 연결한다. 따라서, 제 1 자석(120)은 장변부(122a, 122b) 및 단변부(124a, 124b)가 직사각형의 형상을 이루도록 마련될 수 있다. 그러나, 제 1 자석(120)은 직사각형의 형상 뿐만 아니라 폐루프 형상을 갖는 다양한 형상으로 마련될 수 있다. 또한, 제 1 자석(120)의 장변부(122a, 122b)는 요크(110)의 중앙부로부터 소정 간격 이격되어 마련될 수 있다.The magnet unit 100 is provided to face the substrate S and may include the yoke 110, the first magnet 120, and the second magnet 130. In addition, at least two magnet units 100 (100A, 100B, 100C) may be provided and may reciprocate in the horizontal direction. That is, when depositing a thin film on the large-area substrate S which is larger than the magnet unit 100, at least two magnet units 100 may be provided. At this time, at least two or more magnet units 100 may have the same size and the same structure, and may be spaced at equal intervals. The yoke 110 has a flat plate shape and a first magnet 120 and a second magnet 130 are installed on one surface of the yoke 110. As the yoke 110, for example, ferritic stainless steel or the like can be used. The first magnet 120 is fixed to the center of the yoke 110 and the second magnet 130 is fixed to the periphery of the yoke 110 so as to surround the outside of the first magnet 120. Here, the first magnet 120 is formed at a predetermined height from one surface of the yoke 110 and may be provided in a linear shape or in a closed loop shape. For example, the first magnets 120 may have first and second long side portions 122a and 122b and first and second long side portions 122a and 122b And first and second short sides 124a and 124b provided to connect the first and second long sides 122a and 122b to the edges of the first and second long sides 122a and 122b. The first and second short sides 124a and 124b are provided in a straight line to connect the edges of the first and second long sides 122a and 122b. Accordingly, the first magnet 120 may be provided such that the long side portions 122a and 122b and the short side portions 124a and 124b have a rectangular shape. However, the first magnet 120 may be provided in various shapes having a closed loop shape as well as a rectangular shape. The long side portions 122a and 122b of the first magnet 120 may be spaced apart from the central portion of the yoke 110 by a predetermined distance.

제 2 자석(130)은 제 1 자석(120)과 소정 간격 이격되며, 제 1 자석(120) 외측에 마련된다. 즉, 제 2 자석(130)은 직선 형상 또는 폐루프 형상의 제 1 자석(120) 외측에 마련된다. 이러한 제 2 자석(130)은 제 1 자석(120)과 동일 형상으로 마련될 수 있는데, 직선 형상 또는 폐루프 형상으로 마련될 수 있다. 예를 들어, 제 2 자석(130)은 폐루프 형상으로 마련될 수 있는데, 도 2에 도시된 바와 같이 제 1 자석(120)의 제 1 및 제 2 장변부(122a, 122b)와 소정 간격 이격되고 이보다 길게 제 3 및 제 4 장변부(132a, 132b)가 마련될 수 있고, 제 3 및 제 4 장변부(132a, 132b)의 가장자리에서 제 3 및 제 4 장변부(132a, 132b)를 서로 연결하도록 제 3 및 제 4 단변부(134a, 134b)가 마련될 수 있다. 따라서, 제 2 자석(130)은 장변부(132a, 132b) 및 단변부(134a, 134b)가 직사각형의 형상을 이루면서 제 1 자석(120)을 둘러싸도록 마련될 수 있다. 그러나, 제 2 자석(130)은 직사각형의 형상 뿐만 아니라 폐루프 형상을 갖는 다양한 형상으로 마련될 수 있다. 본 발명에 따른 마그넷 유닛은 수평 자기장의 수직 성분이 "0"이 되는 지점이 이루는 선, 즉 레이스 트랙의 폭과 두 레이스 트랙 사이의 거리의 비가 1:0.5 내지 1:2의 비율로 마련된다. 즉, 마그넷 유닛(100)은 극성이 다른 두 자석 사이에서 자기장이 발생되며, 자기장은 마그넷 유닛(100)과 대향되는 기판(S) 방향으로 발생되는데, 자기장의 피크, 즉 자기장의 수직 성분이 "0"이 되는 지점이 되며, 이러한 자기장의 피크를 연결한 선이 레이스 트랙(도 2의 점선 부분)이 된다. 본 발명은 도 2에 도시된 바와 같이 극성이 다른 제 1 및 제 2 자석(120, 130)에서 발생된 자기장의 레이스 트랙의 폭(A)과 이와 인접하게 발생된 자기장의 레이스 트랙 사이의 거리(B)가 1:0.5 내지 1:2의 비율로 마련된다. 즉, 종래에는 레이스 트랙의 폭와 두 레이스 트랙 사이의 거리의 비가 1:3이 되도록 마그넷 유닛이 마련되었으나, 본 발명은 이보다 작은 1:0.5 내지 1:2의 비율로 마련된다. 이를 위해 본 발명에 따른 마그넷 유닛(100)은 예를 들어 제 2 자석(130)의 제 3 장변부(132a)와 제 1 자석(120)의 제 1 장변부(122a) 사이의 간격을 제 1 간격, 제 1 자석(120)의 제 1 및 제 2 장변부(122a, 122b) 사이의 간격을 제 2 간격, 제 1 자석(120)의 제 2 장변부(122b)와 제 2 자석(130)의 제 4 장변부(132b) 사이의 간격을 제 3 간격, 일 마그넷 유닛(100A)의 제 2 자석(130)의 제 4 장변부(132b)와 이와 인접한 타 마그넷 유닛(100B)의 제 2 자석(130)의 제 3 장변부(132a) 사이의 간격을 제 4 간격이라 할 경우 제 2 간격과 제 4 간격은 제 2 간격을 1로 할 경우 제 4 간격이 0.5∼2로 변화시킬 수 있다. 이때, 제 1 간격과 제 3 간격은 동일하게 마련될 수 있고, 제 2 간격과 제 4 간격이 동일하게 마련될 수 있다. 물론, 제 1 간격 내지 제 4 간격이 모두 동일할 수도 있다. 한편, 제 1 자석(120)과 제 2 자석(130)은 서로 다른 극성을 갖도록 마련된다. 즉, 제 1 자석(120)이 N극을 갖는다면 제 2 자석(130)은 S극을 갖고, 제 1 자석(120)이 S극을 갖는다면 제 2 자석(130)은 N극을 갖는다. 따라서, 마그넷 유닛(100)은 S-N-N-S의 자석 배열을 갖거나 N-S-S-N이 자석을 배열을 가질 수 있다. 이러한 제 1 자석(120) 및 제 2 자석(130)은 예를 들면 네오듐, 철 및 붕소를 주성분으로 하는 이방성 소결 자석, 사마륨 코발트 자석, 페라이트 자석 등을 이용할 수 있다. 그러나, 마그넷 유닛(100)은 제 1 자석(120)이 직선 형상으로 마련되고, 제 2 자석(130)이 이를 감싸도록 마련될 수도 있으므로 자석 배열은 N-S-N 또는 S-N-S를 가질 수도 있다. 또한, 본 발명은 극성이 다른 두 자석으로 이루어진 마그넷 유닛(100)이 복수 마련되는 경우 뿐만 아니라 복수의 자석이 극성이 다르게 배열되는 경우도 포함될 수 있으므로 N-S-…-N-S로 자석 배열이 이루어질 수도 있다.
The second magnet 130 is spaced a predetermined distance from the first magnet 120 and is provided outside the first magnet 120. That is, the second magnet 130 is provided outside the first magnet 120 in the form of a straight line or a closed loop. The second magnet 130 may be formed in the same shape as the first magnet 120, and may be formed in a linear shape or a closed loop shape. For example, the second magnet 130 may be provided in a closed loop shape. As shown in FIG. 2, the first and second long sides 122a and 122b of the first magnet 120 are spaced apart from each other by a predetermined distance The third and fourth long side portions 132a and 132b may be provided longer than the first and second long side portions 132a and 132b and the third and fourth long side portions 132a and 132b may be provided at the edges of the third and fourth long side portions 132a and 132b Third and fourth short sides 134a and 134b may be provided for connection. Accordingly, the second magnet 130 may be provided to surround the first magnet 120 while the long side portions 132a and 132b and the short side portions 134a and 134b have a rectangular shape. However, the second magnet 130 may be provided in various shapes having a closed loop shape as well as a rectangular shape. The magnet unit according to the present invention is provided at a ratio of a line formed by a point where the vertical component of the horizontal magnetic field becomes "0 ", that is, a ratio of the width of the race track to the distance between the two race tracks from 1: 0.5 to 1: 2. In other words, a magnetic field is generated between two magnets having different polarities, and a magnetic field is generated in the direction of the substrate S facing the magnet unit 100. The peak of the magnetic field, that is, 0 ", and the line connecting the peaks of these magnetic fields becomes a race track (dotted line portion in Fig. 2). 2, the width A of a race track of a magnetic field generated by the first and second magnets 120 and 130 having different polarities and the distance between the race track of a magnetic field generated adjacent thereto B) is in a ratio of 1: 0.5 to 1: 2. In other words, conventionally, the magnet unit is provided such that the ratio of the width of the race track to the distance between the two race tracks is 1: 3, but the present invention is provided at a ratio of 1: 0.5 to 1: 2, which is smaller. For this purpose, the magnet unit 100 according to the present invention is configured such that, for example, the gap between the third long side portion 132a of the second magnet 130 and the first long side portion 122a of the first magnet 120, The gap between the first long side 122b of the first magnet 120 and the second long side 122b of the first magnet 120 and the gap between the second long side 122b of the first magnet 120 and the second long side 122b of the first magnet 120, Of the second magnet 130 of the one magnet unit 100A and the fourth long side portion 132b of the other magnet unit 100B of the one magnet unit 100A are set to a third gap, The fourth interval may be changed from 0.5 to 2 when the second interval is 1 and the fourth interval is 1 when the interval between the third long side portions 132a of the first and second long sides 130 is a fourth interval. At this time, the first interval and the third interval may be the same, and the second interval and the fourth interval may be the same. Of course, the first interval to the fourth interval may all be the same. Meanwhile, the first magnet 120 and the second magnet 130 are provided to have different polarities. That is, if the first magnet 120 has the N pole, the second magnet 130 has the S pole, and if the first magnet 120 has the S pole, the second magnet 130 has the N pole. Thus, the magnet unit 100 may have a magnet array of SNNS or NSSN may have an array of magnets. The first magnet 120 and the second magnet 130 may be made of, for example, an anisotropic sintered magnet mainly composed of neodymium, iron and boron, a samarium cobalt magnet, a ferrite magnet, or the like. However, the magnet unit 100 may have the NSN or the SNS because the first magnet 120 may be provided in a linear shape and the second magnet 130 may be provided to surround the first magnet 120. In addition, since the present invention can include not only a case where a plurality of magnet units 100 made of two magnets having different polarities are provided but also a case where a plurality of magnets are arranged with different polarities, Magnets may be arranged in NS.

도 3 및 도 4는 본 발명의 다른 실시 예들에 따른 마그넷 유닛의 개략 평면도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 제 1 자석(120)의 제 1 및 제 2 장변부(122a, 122b)의 가장자리에 제 1 및 제 2 장변부(122a, 122b)을 연결하도록 곡선 형태의 단변부(126a, 126b)가 형성될 수 있다. 그리고, 제 2 자석(130)은 제 1 자석(120)의 단변부(126a, 126b)와 소정 간격 이격되며, 단변부(126a, 126b)와 동일 형상으로 단변부(136a, 136b)가 형성될 수 있다.3 and 4 are schematic plan views of a magnet unit according to another embodiment of the present invention. 3, the first and second long sides 122a and 122b of the first magnet 120 are connected to the edges of the first and second long sides 122a and 122b, (126a, 126b) may be formed. The second magnet 130 is separated from the short sides 126a and 126b of the first magnet 120 by a predetermined distance and short sides 136a and 136b are formed in the same shape as the short sides 126a and 126b .

또한, 도 4에 도시된 바와 같이 제 1 자석(120)은 두 장변부(122a, 122b)를 그 가장자리로부터 소정 거리 이격된 부분에서 연결되도록 직선 형태의 단변부(128a, 128b, 128c, 128d)가 형성될 수 있다. 즉, 두 장변부(122a, 122b) 각각의 가장자리로부터 소정 각도도 일 방향으로 연장되어 소정 영역에서 연결되도록 단변부(128a, 128b, 128c, 128d)가 형성될 수 있다. 또한, 제 2 자석(130)은 두 장변부(132a, 132b)의 가장자리로부터 제 1 자석(120)의 단변부(128a, 128b, 128c, 128d)와 동일 형태로 단변부(138a, 138b, 138c, 138d)가 마련되고, 두 단변부(138a 및 138b, 138c 및 138d)를 연결하도록 직선 형태의 직선부(138e, 138f)가 마련될 수 있다. 즉, 제 2 자석(130)의 장변부(132a, 132b)가 제 1 자석(120)의 장변부(122a, 122b)와 동일 길이로 형성되고, 장변부(122a 및 122b, 132a 및 132b) 사이의 간격과 동일 간격으로 단변부(138a, 138b, 138c, 138d)가 제 1 자석(120)의 단변부(128a, 128b, 128c, 128d)와 이격되어 형성된다. 그리고, 단변부(138a 및 138b, 138c 및 138d) 각각 연결하도록 직선부(138e, 138f)가 형성된다.As shown in FIG. 4, the first magnet 120 has straight side short sides 128a, 128b, 128c, and 128d so that the two long side portions 122a and 122b are connected to each other at a predetermined distance from the edge, Can be formed. That is, the short sides 128a, 128b, 128c, and 128d may be formed so as to extend in one direction from the edges of the two long side portions 122a and 122b and to connect in a predetermined region. The second magnet 130 is disposed at a position corresponding to the short sides 138a, 138b, and 138c of the first magnet 120 in the same shape as the short sides 128a, 128b, 128c, and 128d of the first magnet 120 from the edges of the two long side portions 132a and 132b. 138d are provided, and linear portions 138e, 138f may be provided to connect the two short side portions 138a, 138b, 138c, and 138d. That is, the long side portions 132a and 132b of the second magnet 130 are formed to have the same length as the long side portions 122a and 122b of the first magnet 120 and the long side portions 122a and 132b between the long side portions 122a and 122b and 132a and 132b The short sides 138a, 138b, 138c and 138d are formed at the same intervals as the intervals of the first magnet 120 and the short sides 128a, 128b, 128c and 128d of the first magnet 120. Then, straight portions 138e and 138f are formed to connect short side portions 138a and 138b, 138c and 138d, respectively.

그러나, 상기 실시 예들에 도시하여 설명된 구조 이외에 폐루프 형상의 제 1 자석(120)을 감싸도록 폐루프 형상의 제 2 자석(130)을 포함하는 마그넷 유닛(100)의 구조는 모두 가능하다.
However, the structure of the magnet unit 100 including the closed-loop second magnet 130 to enclose the closed-loop first magnet 120 is all possible in addition to the structure described in the above embodiments.

도 5는 종래의 복수의 마그넷 유닛을 이용한 스퍼터링 장치의 자기장 형상을 도시한 개략도이고, 도 6(a)는 종래의 에로전(erosion) 프로파일이며, 도 6(b)는 증착 균일도를 도시한 것이다. 또한, 도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 복수의 마그넷 유닛을 이용한 스퍼터링 장치의 자기장 형상을 도시한 개략도이고, 도 8(a)는 본 발명에 따른 에로전 프로파일이며, 도 8(b)는 증착 균일도를 도시한 것이다. 여기서, 종래의 경우 레이스 트랙의 폭과 레이스 트랙 사이의 거리가 1:3이고, 본 발명의 경우 레이스 트랙의 폭과 레이스 트랙 사이의 거리를 1:1로 하였다.FIG. 5 is a schematic view showing a magnetic field shape of a conventional sputtering apparatus using a magnet unit, FIG. 6 (a) is a conventional erosion profile, and FIG. 6 (b) . 8 is a schematic view showing a magnetic field shape of a sputtering apparatus using a plurality of magnet units according to an embodiment of the present invention. FIG. 8 (a) is an erroneous profile according to the present invention, and FIG. 8 (b) Shows the uniformity of deposition. Here, in the conventional case, the width of the racetrack and the distance between the racetracks are 1: 3. In the present invention, the width of the racetrack and the distance between the racetracks are 1: 1.

도 5에 도시된 바와 같이 종래에는 요크(11)의 일면 상에 직선 형상의 제 1 자석(12)을 감싸도록 제 2 자석(13)이 마련된 마그넷 유닛(10)은 자석 배열이 N-S-N 또는 S-N-S로 이루어지고, 각 마그넷 유닛(10)의 N극과 S극 사이에 자기장이 발생된다. 이때, 자석에서 발생된 자기장의 레이스 트랙의 폭(A1)보다 인접한 레이스 트랙의 거리(B1)가 1:3이다. 따라서, 도 6(a)에 도시된 바와 같이 에로전은 레이스 트랙의 폭(A1) 영역에는 폭이 좁고 레이스 트랙 사이의 거리(B1) 영역에는 폭이 넓게 된다. 결국, 인접한 레이스 트랙 사이의 거리(B1)에 해당되는 영역의 기판(S) 상에 다른 영역보다 적게 타겟(30)으로부터 증착 물질이 스퍼터링되고, 그에 따라 다른 영역보다 얇게 박막이 증착되는데, 도 6(b)에 도시된 바와 같이 약 9.3% 정도의 두께 차이를 갖게 된다.5, a magnet unit 10 having a second magnet 13 for covering a linear first magnet 12 on one surface of a yoke 11 has a magnet array of NSN or SNS And a magnetic field is generated between the N pole and the S pole of each magnet unit 10. At this time, the distance B1 of the race track adjacent to the width A1 of the race track of the magnetic field generated by the magnet is 1: 3. Therefore, as shown in Fig. 6 (a), erosion is narrow in the width A1 area of the race track and wider in the distance B1 area between the racetracks. As a result, the deposition material is sputtered from the target 30 on the substrate S in the region corresponding to the distance B1 between the adjacent race tracks, and the thin film is deposited thinner than the other regions, (b), a thickness difference of about 9.3% is obtained.

그러나, 도 7에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시 예에 따른 마그넷 유닛(100)은 요크(110)의 일면 상에 폐루프 형상의 제 1 자석(120)이 마련되고 이를 감싸도록 폐루프 형상의 제 2 자석(130)이 마련된다. 따라서, 자석 배열이 N-S-S-N 또는 S-N-N-S로 이루어지고, N극과 S극 사이에서 자기장이 발생된다. 이때, 자석 사이에서 발생된 자기장의 레이스 트랙의 폭(A10)이 인접한 레이스 트랙 사이의 거리(B10)와 1:1로 동일하다. 따라서, 도 8(a)에 도시된 바와 같이 레이스 트랙의 폭(A10) 영역에 대응되는 최대 에로전 사이의 간격이 인접한 레이스 트랙 사이의 거리(B10)에 대응되는 최대 에로전 사이의 간격과 동일하다. 결국, 마그넷 유닛(100) 사이의 영역의 중앙부에도 다른 영역과 거의 동일한 두께로 박막이 증착되는데, 도 8(b)에 도시된 바와 같이 약 3.2% 정도의 두께 차이를 갖게 된다.
7, a magnet unit 100 according to an embodiment of the present invention includes a first magnet 120 having a closed loop shape on one surface of a yoke 110, The second magnet 130 is provided. Therefore, the magnet array is made of NSSN or SNNS, and a magnetic field is generated between the N pole and the S pole. At this time, the width A10 of the race track of the magnetic field generated between the magnets is 1: 1, which is the same as the distance B10 between the adjacent race tracks. Therefore, as shown in Fig. 8 (a), the interval between the maximum erections corresponding to the width A10 of the race track is equal to the interval between the maximum erections corresponding to the distance B10 between adjacent racetracks Do. As a result, a thin film is deposited on the central portion of the region between the magnet units 100 to have a thickness substantially equal to that of the other region, which is about 3.2% in thickness as shown in FIG. 8 (b).

도 9 및 도 10은 본 발명 및 종래의 마그넷 유닛의 레이스 트랙의 폭과 레이스 트랙 사이의 거리에 따른 에로전 프로파일 및 박막 증착 균일도를 도시한 도면이다. 즉, 레이스 트랙의 폭과 레이스 트랙 사이의 거리가 1:3인 종래 예에 따른 에로전 프로파일과 박막 증착 균일도를 도 9(a) 및 도 10(a)에 도시하였고, 레이스 트랙의 폭과 거리의 비가 1:0.5 내지 1:2로 변화시킨 본 발명의 실시 예들에 따른 에로전 프로파일과 박막 증착 균일도를 도 9(b) 내지 도 9(e) 및 도 10(b) 내지 도 10(e)에 각각 도시하였다. 또한, 종래 예 및 본 발명의 실시 예들 각각에 따른 수치를 [표 1]에 표시하였다.9 and 10 are views showing the erosion profile and the uniformity of thin film deposition according to the distance between the race track and the race track of the present invention and the conventional magnet unit. 9 (a) and 10 (a) show the erosion profile according to the conventional example in which the width of the racetrack and the distance between the race track are 1: 3 and the uniformity of thin film deposition, 9 (b) to 9 (e) and 10 (b) to 10 (e) show the erosion profile and the thin film deposition uniformity according to the embodiments of the present invention, Respectively. Further, numerical values according to the conventional example and the embodiments of the present invention are shown in [Table 1].

구분division 종래 예Conventional example 실시 예Example A:BA: B 1:31: 3 1:0.51: 0.5 1:11: 1 1:1.51: 1.5 1:21: 2 A 간격A spacing 7070 186186 138138 112112 9292 B 간격B interval 208208 9292 140140 166166 186186 A+BA + B 278278 278278 278278 278278 278278 비율(B/A)Ratio (B / A) 3.03.0 0.50.5 1.01.0 1.51.5 2.02.0 균일도Uniformity 14%14% 10%10% 1%One% 6%6% 10%10% 향상율Improvement rate -- 28%28% 94%94% 57%57% 28%28%

종래 예의 경우 레이스 트랙의 폭과 레이스 트랙 사이의 거리의 비가 1:3이고, 그에 따라 에로전은 도 9(a)에 도시된 바와 같이 레이스 트랙의 폭 영역에는 폭이 좁고 레이스 트랙 사이의 거리 영역에는 폭이 넓게 되며, 도 10(a)에 도시된 바와 같이 박막의 증착 균일도는 14% 정도이다. 그러나, 본 발명의 실시 예들의 경우 레이스 트랙의 폭과 레이스 트랙 사이의 거리의 비가 1:0.5 내지 1:2이고, 에로전은 도 9(b) 내지 도 9(e)에 도시된 바와 같이 레이스 트랙의 폭 영역의 폭이 종래보다 넓어지게 되고, 도 10(b) 내지 도 10(e)에 도시된 바와 같이 박막의 증착 균일도는 종래보다 향상될 수 있다.
In the conventional example, the ratio of the width of the race track to the distance between the race tracks is 1: 3, and accordingly, the width of the erase track is narrow in the width region of the race track as shown in Fig. 9 (a) , And the uniformity of deposition of the thin film is about 14% as shown in Fig. 10 (a). However, in the case of the embodiments of the present invention, the ratio of the width of the race track to the distance between the race tracks is 1: 0.5 to 1: 2, and erosion occurs as shown in Figs. 9 (b) The width of the width region of the track becomes wider than in the prior art, and the uniformity of deposition of the thin film can be improved as compared with the conventional one, as shown in Figs. 10 (b) to 10 (e).

본 발명의 기술적 사상은 상기 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시 예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
Although the technical idea of the present invention has been specifically described according to the above embodiments, it should be noted that the above embodiments are for explanation purposes only and not for the purpose of limitation. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention.

100 : 마그넷 유닛 110 : 요크
120 : 제 1 자석 130 : 제 2 자석
200 : 백킹 플레이트 300 : 타겟
400 : 기판 안착부100: magnet unit 110: yoke
120: first magnet 130: second magnet
200: backing plate 300: target
400:

Claims

At least two magnet units each including a first magnet and a second magnet apart from the first magnet and provided outside the first magnet,
Wherein the first magnet and the second magnet have different polarities,
Wherein the width of the race track of the magnetic field generated between the first and second magnets has a ratio of 1: 0.5 to 1: 2 with the interval of the race track of the adjacent magnetic field.

The magnet unit according to claim 1, wherein the first magnet is provided in a linear shape, and the second magnet is provided on both sides of the first magnet.

The magnet unit according to claim 1, wherein the first magnet includes first and second long sides spaced apart from each other, and the second magnet includes third and fourth long sides spaced from each other, and is disposed outside the first magnet.

4. The magnet unit according to claim 3, wherein a first distance between the first long side portion and the second long side portion of the first magnet and a second distance between the third long side portion and the fourth long side portion of the adjacent magnet unit are 1 : 0.5 to 1: 2.

The magnet according to claim 4, wherein a third distance between the third long side of the two magnets and the first long side of the first magnet and a fourth distance between the second long side and the fourth long side are the same, unit.

A substrate mounting part on which the substrate is mounted;
A magnet unit provided opposite to the substrate seating unit and spaced apart from each other by a predetermined distance; And
And at least two targets provided between the substrate seating portion and the magnet unit,
Wherein the magnet unit includes a first magnet and a second magnet spaced apart from the first magnet and provided outside the first magnet, wherein the first magnet and the second magnet have polarities different from each other, And the width of the race track of the magnetic field generated between the first magnet and the second magnet has a ratio of 1: 0.5 to 1: 2 with the interval of the race track of the adjacent magnetic field.

The sputtering apparatus according to claim 6, wherein the magnet unit reciprocates in a horizontal direction.

The sputtering apparatus according to claim 7, further comprising a backing plate provided between the target and the magnet unit.