KR20140119762A - Replenishing compositions and methods of replenishing pretreatment compositions - Google Patents

Replenishing compositions and methods of replenishing pretreatment compositions Download PDF

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Abstract

보충제 조성물 및 전처리 조성물의 보충 방법이 개시된다. 상기 방법은, 보충제 조성물을 전처리 조성물에 가하는 단계를 포함하며, 이때 상기 보충제 조성물은 (a) 지르코늄 착체를 포함하며, 임의적으로, (b) IIIA족 금속, IVA족 금속, IVB족 금속 또는 이들의 조합물을 포함하는 용해된 착체 불화 금속 이온; (c) IIIA족 금속, IVA족 금속, IVB족 금속 또는 이들의 조합물의 옥사이드, 하이드록사이드 또는 카보네이트를 포함하는 성분; 및/또는 (d) IB족 금속, IIB족 금속, VIIB족 금속, VIII족 금속, 란탄족 금속 또는 이들의 조합물을 포함하는 용해된 금속 이온을 또한 포함한다. A supplemental method of supplemental composition and pretreatment composition is disclosed. The method comprises applying a supplement composition to a pretreatment composition, wherein the supplement composition comprises (a) a zirconium complex, and optionally (b) a Group IIIA metal, a Group IVA metal, a Group IVB metal, Dissolved complexed metal fluoride ions comprising a combination; (c) a component comprising an oxide, a hydroxide or a carbonate of a Group IIIA metal, a Group IVA metal, a Group IVB metal, or combinations thereof; And / or (d) a dissolved metal ion comprising a Group IB metal, a Group IIB metal, a Group VIIB metal, a Group VIII metal, a Lanthanide Group, or combinations thereof.

Description

보충 조성물 및 전처리 조성물 보충 방법{REPLENISHING COMPOSITIONS AND METHODS OF REPLENISHING PRETREATMENT COMPOSITIONS}REPLENISHING COMPOSITIONS AND METHODS OF REPLENISHING PRETREATMENT COMPOSITIONS [0001]

본 발명은 보충 조성물 및 전처리 조성물을 보충하는 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a supplemental composition and a method of replenishing the pretreatment composition.

관련 출원의 상호 참조Cross reference of related application

본원은, 2009년 10월 8일자로 출원된 미국 특허 출원 제 12/575,731 호(2011년 4월 14일자로 미국 특허 출원 공개 제 2011/0083580 A1 호로 공개됨)의 일부 계속 출원이다.
This application is a continuation-in-part of U.S. Patent Application No. 12 / 575,731, filed October 8, 2009 (published as U.S. Patent Application Publication No. 2011/0083580 A1, Apr. 14, 2011).

개선된 내식성 및 페인트 부착 특성을 위해 금속 표면 상에 보호 코팅을 사용하는 것은 금속 마감 처리 분야에서 널리 공지되어 있다. 통상적인 기술은 내식성을 촉진하기 위해 포스페이트 전처리 코팅 조성물 및 크롬-함유 세척액(rinse)으로 금속 기재를 전처리하는 것을 포함한다. 그러나, 이러한 포스페이트 및/또는 크로메이트-함유 조성물의 사용은 환경 및 건강 문제를 야기한다. 결과적으로, 무-크로메이트 및/또는 무-포스페이트 전처리 조성물이 개발되었다. 이러한 조성물은 일반적으로, 어떤 방식으로든 기재 표면과 반응하고 이에 결합하여 보호층을 형성하는 화학적 혼합물에 기초한다.The use of protective coatings on metal surfaces for improved corrosion resistance and paint adhesion properties is well known in the metal finishing art. Conventional techniques include pretreating a metal substrate with a phosphate pretreatment coating composition and a chromium-containing wash to promote corrosion resistance. However, the use of such phosphate and / or chromate-containing compositions causes environmental and health problems. As a result, a free-chromate and / or no-phosphate pretreatment composition has been developed. Such compositions are generally based on chemical mixtures that react with, and bind to, the substrate surface in any manner to form a protective layer.

전형적인 전처리 공정 동안, 전처리 조성물이 기재와 접촉하기 때문에, 전처리 조성물 중의 금속 이온과 같은 특정 성분이 기재의 표면에 결합하여 보호층을 형성하며, 결과적으로 조성물 중의 상기 이온의 농도가 공정 동안 감소할 수 있다. 따라서, 전처리 조성물 중의 목적 성분(예컨대, 금속)을 보충하는 보충제 조성물로 전처리 조성물을 보충하는 방법을 제공하는 것이 바람직할 것이다.
During a typical pretreatment process, certain components, such as metal ions in the pretreatment composition, bind to the surface of the substrate to form a protective layer because the pretreatment composition contacts the substrate, and consequently the concentration of the ions in the composition may decrease during the process have. Accordingly, it would be desirable to provide a method of replenishing the pretreatment composition with a supplemental composition that replenishes the objective component (e.g., metal) in the pretreatment composition.

특정 양태에서, 본 발명은, 지르코늄 착체를 포함하는 보충제 조성물을 전처리 조성물에 가하는 단계를 포함하는, 전처리 조성물 보충 방법에 관한 것이다.
In certain embodiments, the present invention is directed to a method of supplementing a pretreatment composition comprising the step of adding to the pretreatment composition a supplemental composition comprising a zirconium complex.

하기 상세한 설명의 목적에서, 달리 명백히 명시되지 않는 한, 본 발명은 다양한 다른 변형 및 단계 순서를 취할 수 있음을 이해해야 한다. 또한, 임의의 조작 실시예 이외에, 또는 다르게 지시되는 경우에, 예를 들어 명세서 및 첨부된 특허청구범위에서 사용되는 성분들의 양을 나타내는 모든 수치는 모든 경우 "약"이라는 용어로 변형될 수 있음을 이해해야 한다. 따라서, 달리 지시되지 않는 한, 하기 명세서 및 첨부된 특허청구범위에서 개시되는 수치 변수는, 본 발명에 의해 수득되는 목적하는 특성에 따라 변할 수 있는 근사값이다. 최소한, 첨부된 특허청구범위의 범주에 대한 균등론의 적용을 제한하고자 하지 않으면서, 각각의 수치 변수는 적어도, 보고된 유효 숫자의 수에 비추어 통상적인 어림잡기 기법을 적용함으로써 해석되어야 한다.It is to be understood that, for purposes of the following detailed description, unless otherwise stated explicitly, the present invention may assume various other modifications and steps. It is also to be understood that, in addition to any operational embodiment, or where otherwise indicated, all numbers expressing quantities of ingredients, for example, used in the specification and the appended claims, may in all instances be replaced by the term "about" I have to understand. Accordingly, unless otherwise indicated, numerical parameters set forth in the following specification and attached claims are approximations that may vary depending upon the desired properties sought to be obtained by the present invention. At the very least, without intending to limit the application of the doctrine of equivalents to the scope of the appended claims, each numerical parameter should at least be construed by applying conventional approximation techniques in light of the number of reported significant digits.

본 발명의 넓은 범주를 개시하는 수치 범위 및 변수가 근사값임에도 불구하고, 특정 실시예에 개시된 수치 값은 가능한 한 정확하게 보고된다. 그러나, 임의의 수치값은 본질적으로, 각각의 시험 측정에서 발견되는 표준 편차로부터 필연적으로 기인하는 특정 오차를 함유한다.Although the numerical ranges and variables disclosing the broad scope of the invention are approximations, the numerical values disclosed in the specific embodiments are reported as precisely as possible. Any numerical value, however, inherently contains certain errors that inevitably result from the standard deviation found in each test measurement.

또한, 본원에 인용된 임의의 수치 범위는 이에 포함된 모든 부범위를 포함하는 것으로 의도됨을 이해해야 한다. 예를 들어, "1 내지 10"이라는 범위는, 인용된 최소값 1과 인용된 최대값 10 사이의(끝값 포함) 모든 부범위를 포함하는 것으로 의도되며, 즉, 1 이상의 최소값 및 10 이하의 최대값을 갖는 것으로 의도된다.It is also to be understood that any numerical range recited herein is intended to include all sub-ranges subsumed therein. For example, a range of "1 to 10" is intended to include all sub-ranges between the recited minimum value of 1 and the recited maximum value of 10, inclusive, Respectively.

본원에서 특별히 달리 명시되지 않는 한, 단수의 사용은 복수를 포함하고 복수는 단수를 포괄한다. 또한, "및/또는"이 특정 경우에 명시적으로 사용될 수 있더라도, 본원에서 달리 구체적으로 명시되지 않는 한, "또는"의 사용은 "및/또는"을 의미한다. Unless specifically stated otherwise herein, the singular uses include the plural and the plural covers the singular. Also, the use of "or" means "and / or " unless expressly specified otherwise herein, although" and / or "

달리 지시되지 않는 한, 본원에서 "실질적으로 없다"란, 조성물이 특정 물질(예를 들어, 유기 용매, 충전제 등)을 조성물의 총 중량을 기준으로 1 중량% 이하, 예컨대 0.8 중량% 이하, 0.5 중량% 이하, 0.05 중량% 이하 또는 0.005 중량% 이하로 포함하는 것을 의미한다.Unless otherwise indicated, "substantially absent" as used herein means that the composition contains less than 1% by weight, such as less than or equal to 0.8% by weight, based on the total weight of the composition, of a specific material (e.g., organic solvent, filler, By weight or less, 0.05% by weight or less, or 0.005% by weight or less.

달리 지시되지 않는 한, 본원에서 "전혀 없다"란, 조성물이 특정 물질(예, 유기 용매, 충전제 등)을 전혀 포함하지 않는 것을 의미한다. 즉, 조성물이 상기 물질을 0 중량% 포함하는 것을 의미한다."Absent at all" as used herein, means that the composition does not contain any particular materials (e.g., organic solvents, fillers, etc.), unless otherwise indicated. That is, it means that the composition contains 0% by weight of the material.

본원에서 지칭되는 "금속 이온" 및 "금속"은, 예를 들어 문헌[Hawley's Condensed Chemical Dictionary, 15th Edition (2007)]에 제시된 바와 같이 원소의 CAS 주기율표에서 지정된 족에 포함되는 원소이다. "Metal ion" and "metal" as referred to herein are, for example, elements included in the specified group in the CAS Periodic Table of the Elements as set forth in the literature [Hawley's Condensed Chemical Dictionary, 15 th Edition (2007)].

전술된 바와 같이, 본 발명의 특정 실시양태는 보충제 조성물을 전처리 조성물에 가하는 단계를 포함하는 전처리 조성물 보충 방법에 관한 것이다. 본원에서 "보충제 조성물"이라는 용어는, 전처리 공정 동안 전처리 조성물에 첨가되는 물질을 지칭한다. 특정 실시양태에서, 제형의 특정 성분들이 동일할 수 있음에도 불구하고, 보충제 조성물은 전처리 조성물과 동일한 조성을 갖지 않는다. 예를 들어, 보충제 조성물 및 전처리 조성물은 둘 다 특정 성분에 대해 동일한 물질을 각각 포함할 수 있고, 보충제 조성물은 전처리 조성물에 없는 성분을 포함할 수 있다. 예로서, 본 발명의 전처리 조성물은 H2ZrF6를 포함할 수 있고, 본 발명의 보충제 조성물은, 전처리 조성물의 원래 조성에는 존재하지 않을 수 있는 지르코늄 착체뿐만 아니라, 임의적으로 H2ZrF6도 포함한다.As noted above, certain embodiments of the present invention are directed to a method of supplementing a pretreatment composition comprising the step of adding a supplemental composition to a pretreatment composition. The term "supplement composition" herein refers to a substance added to the pretreatment composition during the pretreatment process. In certain embodiments, the supplemental composition does not have the same composition as the pretreatment composition, although the specific ingredients of the formulation may be the same. For example, supplements compositions and pretreatment compositions may each contain the same material for a particular ingredient, and the supplement composition may include ingredients that are not present in the pretreatment composition. By way of example, the pretreatment composition of the present invention may comprise H 2 ZrF 6 , and the supplement composition of the present invention may optionally include H 2 ZrF 6 as well as a zirconium complex that may not be present in the original composition of the pretreatment composition do.

또한, 본 발명은 단순히 더 많은 양의 전처리 조성물을 전처리 배스(bath)에 첨가하는 것(배스를 보충하기 위해 전처리 조성물을 포함함)에 관한 것이 아니다. 본 발명은 오히려, 전처리 조성물과 상이한 조성을 갖는 보충제 조성물을 전처리 조성물에 첨가하는 것에 관한 것이다. 전술된 바와 같이, 특정 실시양태에서, 전처리 조성물은 전처리 배스의 하나 이상의 성분을 포함할 수 있다.Further, the present invention is not directed to simply adding a greater amount of pretreatment composition to the pretreatment bath (including the pretreatment composition to supplement the bath). Rather, the present invention relates to the addition of a supplemental composition having a different composition to the pretreatment composition to the pretreatment composition. As noted above, in certain embodiments, the pretreatment composition may comprise one or more components of the pretreatment bath.

특정 실시양태에서, 본 발명의 특정 방법의 보충제 조성물은 (a) 지르코늄 착체를 포함한다. 본 발명의 목적을 위해, 지르코늄 착체는, 지르코늄의 옥사이드, 하이드록사이드 또는 카보네이트가 아닌 지르코늄 화합물로서 정의된다. 적합한 지르코늄 착체 화합물은 설폰산의 지르코늄 화합물, 예컨대 지르코늄 메탄설폰산을 포함한다.In certain embodiments, the supplemental compositions of certain methods of the present invention comprise (a) a zirconium complex. For purposes of the present invention, zirconium complexes are defined as zirconium compounds that are not oxides, hydroxides or carbonates of zirconium. Suitable zirconium complex compounds include zirconium compounds of sulfonic acids, such as zirconium methanesulfonic acid.

특정 실시양태에서, 보충제 조성물은 임의적으로, (a) 지르코늄 착체에 더하여, (b) IIIA족 금속, IVA족 금속, IVB족 금속 또는 이들의 조합물을 포함하는 용해된 착체 불화 금속 이온을 포함한다. 당업자가 인식하는 바와 같이, 상기 금속은 적절한 pH에서 수성 조성물에 용이하게 용해될 수 있는 이온 형태로 제공될 수 있다. 상기 금속은 금속의 특정 화합물, 예컨대 금속의 가용성 산 및 염을 첨가함으로써 제공될 수 있다. 용해된 착체 불화 금속 이온의 금속 이온은 금속 기재에 적용시 금속 산화물로 전환될 수 있다. 특정 실시양태에서, 용해된 착체 불화 금속 이온의 금속 이온은 규소, 게르마늄, 주석, 붕소, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 탈륨, 티탄, 지르코늄, 하프늄 또는 이들의 조합물을 포함한다.In certain embodiments, the supplemental composition optionally comprises dissolved complexed fluoride metal ions, including (a) a zirconium complex, (b) a Group IIIA metal, a Group IVA metal, a Group IVB metal, or combinations thereof . As will be appreciated by those skilled in the art, the metal may be provided in the form of an ion that can be readily dissolved in an aqueous composition at a suitable pH. The metal may be provided by the addition of a soluble acid and a salt of a specific compound of the metal, such as a metal. The dissolved metal fluoride metal ion may be converted to a metal oxide upon application to a metal substrate. In certain embodiments, the metal ion of the complexed complex fluoride metal ion includes silicon, germanium, tin, boron, aluminum, gallium, indium, thallium, titanium, zirconium, hafnium or combinations thereof.

언급된 바와 같이, 용액 중의 금속 이온의 용해도를 유지하기 위해, 불소 이온의 공급원도 (b) 용해된 착체 불화 금속 이온에 포함된다. 불소는 산 또는 불소 염으로서 첨가될 수 있다. 적합한 예는, 비제한적으로 암모늄 플루오라이드, 암모늄 바이플루오라이드, 불화 수소산 등을 포함한다. 특정 실시양태에서, 상기 용해된 착체 불화 금속 이온은 금속의 불화 산(fluoride acid) 또는 염으로서 제공된다. 이러한 실시양태에서, (b) 용해된 착체 불화 금속 이온은 보충제 조성물에 금속뿐만 아니라 불소의 공급원도 제공한다. 적합한 예는, 비제한적으로 플루오로규산, 플루오로지르콘산, 플루오로티탄산, 암모늄 및 알칼리 금속 플루오로실리케이트, 플루오로지르코네이트, 플루오로티타네이트, 지르코늄 플루오라이드, 나트륨 플루오라이드, 나트륨 바이플루오라이드, 칼륨 플루오라이드, 칼륨 바이플루오라이드 등을 포함한다.As mentioned, in order to maintain the solubility of the metal ion in the solution, the source of the fluoride ion is also included in the dissolved complex fluoride metal ion (b). The fluorine may be added as an acid or a fluorine salt. Suitable examples include, but are not limited to, ammonium fluoride, ammonium bifluoride, hydrofluoric acid, and the like. In certain embodiments, the dissolved complexed metal fluoride ion is provided as a fluoride acid or salt of the metal. In such embodiments, (b) the dissolved complexed fluoride metal ion also provides a source of fluorine as well as metal in the supplement composition. Suitable examples include, but are not limited to, fluorosilicic acid, fluorozirconic acid, fluorotitanic acid, ammonium and alkali metal fluorosilicates, fluorozirconates, fluorotitanates, zirconium fluorides, sodium fluorides, Rid, potassium fluoride, potassium bifluoride, and the like.

특정 실시양태에서, 보충제 조성물의 용해된 착체 불화 금속 이온 성분 (b)는 H2TiF6, H2ZrF6, H2HfF6, H2SiF6, H2GeF6, H2SnF6 또는 이들의 조합물을 포함한다.In certain embodiments, the dissolved complex fluoride metal ion component (b) of the supplemental composition is selected from the group consisting of H 2 TiF 6 , H 2 ZrF 6 , H 2 HfF 6 , H 2 SiF 6 , H 2 GeF 6 , H 2 SnF 6 Or combinations thereof.

특정 실시양태에서, 보충제 조성물의 용해된 착체 불화 금속 이온 성분 (b)는 보충제 조성물의 총 금속 이온의 중량을 기준으로 1 내지 25 중량% 금속 이온 범위의 양으로 보충제 조성물 중에 존재한다. 다른 실시양태에서, 보충제 조성물의 용해된 착체 불화 금속 이온 성분 (b)는 보충제 조성물의 총 금속 이온의 중량을 기준으로 1 내지 15 중량% 금속 이온, 예컨대 2 내지 10 중량% 금속 이온 범위의 양으로 보충제 조성물 중에 존재한다. In certain embodiments, the dissolved complexed fluoride ion component (b) of the supplemental composition is present in the supplement composition in an amount ranging from 1 to 25 weight percent metal ion based on the total metal ion weight of the supplemental composition. In another embodiment, the dissolved complexed fluoride ion component (b) of the supplemental composition is present in an amount in the range of 1 to 15 weight percent metal ion, such as 2 to 10 weight percent metal ion, based on the total metal ion weight of the supplemental composition It is present in the supplement composition.

특정 실시양태에서, 상기 보충제 조성물은 임의적으로, (a) 지르코늄 착체에 더하여, 성분 (b)의 존재 또는 부재 하에, IIIA족, IVA족 또는 IVB족 금속 또는 이들의 조합물의 옥사이드, 하이드록사이드 또는 카보네이트를 포함하는 성분 (c)를 추가로 포함한다. 성분 (c)의 IIIA족, IVA족 또는 IVB족 금속의 적합한 예는, 비제한적으로 알루미늄, 갈륨, 인듐, 탈륨, 규소, 게르마늄, 주석, 납, 티탄, 지르코늄, 하프늄 등을 포함한다. 특정 실시양태에서, 성분 (c)의 금속 이온은 티탄, 지르코늄, 하프늄, 알루미늄, 규소, 게르마늄, 주석 또는 이들의 조합물을 포함한다. 다른 실시양태에서, 성분 (c)는 지르코늄 염기성 카보네이트, 알루미늄 하이드록사이드, 주석 옥사이드, 규소 하이드록사이드 또는 이들의 조합물을 포함한다. In certain embodiments, the supplemental composition optionally comprises (a) in addition to the zirconium complex, an oxide, hydroxide, or hydroxide of a Group IIIA, IVA, or IVB metal, or combination thereof, (C) comprising a carbonate. Suitable examples of Group IIIA, IVA or IVB metals of component (c) include, but are not limited to, aluminum, gallium, indium, thallium, silicon, germanium, tin, lead, titanium, zirconium, hafnium and the like. In certain embodiments, the metal ion of component (c) comprises titanium, zirconium, hafnium, aluminum, silicon, germanium, tin or combinations thereof. In another embodiment, component (c) comprises a zirconium basic carbonate, aluminum hydroxide, tin oxide, silicon hydroxide or a combination thereof.

또다른 실시양태에서, 성분 (c)는 지르코닐 화합물을 포함한다. 본원에서 정의된 바와 같은 지르코닐 화합물은, 지르코닐 기(ZrO)를 함유하는 화학적 화합물을 지칭한다. 특정 실시양태에서, 상기 전처리 조성물 중의 지르코닐 화합물은 지르코닐 나이트레이트(ZrO(NO3)2), 지르코닐 아세테이트(ZrO(C2H3O2)2, 지르코닐 카보네이트(ZrOCO3), 양성자화된 지르코늄 염기성 카보네이트(Zr2(OH)2CO3), 지르코닐 설페이트(ZrOSO4)2, 지르코닐 클로라이드(ZrO(Cl)2, 지르코닐 요오다이드(ZrO(I)2, 지르코닐 브로마이드(ZrO(Br)2, 또는 이들의 혼합물을 포함한다.In another embodiment, component (c) comprises a zirconyl compound. A zirconyl compound as defined herein refers to a chemical compound containing a zirconyl group (ZrO). In certain embodiments, zirconyl in the pretreatment composition the compound is zirconyl nitrate (ZrO (NO 3) 2) , zirconyl acetate (ZrO (C 2 H 3 O 2) 2, zirconyl carbonate (ZrOCO 3), the proton qualified basic zirconium carbonate (Zr 2 (OH) 2 CO 3), zirconyl sulfate (ZrOSO 4) 2, zirconyl chloride (ZrO (Cl) 2, iodide, zirconyl (ZrO (I) 2, zirconyl bromide (ZrO (Br) 2 , or mixtures thereof.

특정 실시양태에서, 본 발명의 보충제 조성물은, 전처리 조성물 중의 금속 이온 함량을 전처리 조성물 중의 10 ppm("part per million") 내지 250 ppm의 금속 이온(금속 원소로서 측정시), 예컨대 30 ppm 내지 200 ppm의 금속 이온, 예컨대 전처리 조성물 중의 150 ppm 내지 200 ppm의 금속 이온으로 유지하도록 전처리 조성물에 첨가된다. 본원에 정의된 바와 같은 "금속 이온 함량"은, 전처리 조성물 중의 상기 보충 조성물로부터 기인하지 않은 금속 이온에 더하여, 지르코늄 착체(a), 임의적 성분 (b) 및/또는 (c)(존재하는 경우)에 기인된 총 금속 이온이다.In certain embodiments, the supplemental compositions of the present invention comprise a metal ion content in the pretreatment composition ranging from 10 ppm ("part per million") to 250 ppm metal ion (measured as metal element) ppm of metal ions, such as from 150 ppm to 200 ppm of metal ions in the pretreatment composition. The "metal ion content" as defined herein means that the zirconium complex (a), optional component (b) and / or (c) (if present), in addition to the metal ion not originated from said supplementary composition in the pretreatment composition Lt; / RTI >

따라서, 예를 들어 보충제 조성물이 임의적 성분 (b) 또는 (c) 없이 지르코늄 착체(a)를 포함하는 경우, 전처리 조성물에 첨가되는 지르코늄 착체(a)를 포함하는 보충 조성물의 총량은, 지르코늄 착체(a) 및 전처리 조성물로부터의 나머지 금속 이온 둘 다에 기인된 보충된 배스 내 총 금속 이온 함량이 전처리 조성물 중의 10 ppm 내지 250 ppm의 금속 이온(금속 원소로서 측정시), 예컨대 30 ppm 내지 200 ppm의 금속 이온, 예컨대 150 ppm 내지 200 ppm의 금속 이온이 되도록 하는 것이다. 다르게는, (b) 및/또는 (c)가 존재하는 경우, 전처리 조성물에 첨가되는 보충 조성물의 총량은, (a) 지르코늄 착체, 성분 (b) 및/또는 (c), 및 전처리 조성물로부터의 나머지 금속 이온에 기인된 보충 배스 내 총 금속 이온 함량이 전처리 조성물 중의 10 ppm 내지 250 ppm의 금속 이온(금속 원소로서 측정시), 예컨대 30 ppm 내지 200 ppm의 금속 이온, 예컨대 150 ppm 내지 200 ppm의 금속 이온이 되도록 하는 것이다. Thus, for example, when the supplement composition comprises the zirconium complex (a) without optional components (b) or (c), the total amount of the supplemental composition comprising the zirconium complex (a) added to the pretreatment composition is the total metal ion content in the supplemented bath resulting from both a) and the remainder of the metal ions from the pretreatment composition is between 10 ppm and 250 ppm of the metal ion (measured as metal element) in the pretreatment composition, such as from 30 ppm to 200 ppm For example, 150 ppm to 200 ppm of metal ions. Alternatively, the total amount of supplemental composition added to the pretreatment composition, when (b) and / or (c) is present, can be selected from the group consisting of (a) zirconium complex, component (b) and / or (c) The total metal ion content in the supplemental bath originating from the remaining metal ions is between 10 ppm and 250 ppm of the metal ion (measured as metal element) in the pretreatment composition, such as from 30 ppm to 200 ppm of metal ions, Metal ions.

이러한 특정 실시양태에서, 상기 금속 이온은 지르코늄을 포함한다. 다른 실시양태에서, 상기 금속 이온은 보충제 조성물 중에 존재하는 다른 금속 이온(하기 논의됨)과 조합된 지르코늄을 포함한다. In this particular embodiment, the metal ion comprises zirconium. In another embodiment, the metal ion comprises zirconium in combination with other metal ions (discussed below) present in the supplement composition.

성분 (b) 및 (c)가 둘 다 존재하는 특정 실시양태에서, 성분 (b) 및 (c) 둘 다의 금속 이온 중 8 중량%가 성분 (c)의 금속 이온에 의해 제공된다. 다른 실시양태에서, 성분 (c)는 보충제 조성물의 성분 (b) 및 (c)의 총 금속 이온 중량을 기준으로 8 내지 90 중량%의 금속 이온 범위의 양으로 보충제 조성물 중에 존재한다. 또다른 실시양태에서, 성분 (c)는 보충제 조성물의 성분 (b) 및 (c)의 총 금속 이온 중량을 기준으로 10 내지 35 중량% 금속 이온 범위의 양으로 보충제 조성물 중에 존재한다. In certain embodiments where both components (b) and (c) are present, 8% by weight of the metal ions of both components (b) and (c) are provided by the metal ion of component (c). In another embodiment, component (c) is present in the supplement composition in an amount ranging from 8 to 90 weight percent of the metal ion range based on the total metal ion weight of components (b) and (c) of the supplement composition. In another embodiment, component (c) is present in the supplement composition in an amount ranging from 10 to 35 weight percent metal ion based on the total metal ion weight of components (b) and (c) of the supplement composition.

특정 실시양태에서, (a) 지르코늄 착체에 더하여, 성분 (b) 및/또는 (c)를 갖거나 갖지 않는 실시양태에서, 보충제 조성물은 임의적으로, IB족 금속, IIB족 금속, VIIB족 금속, VIII족 금속, 란탄족 금속 또는 이들의 조합물을 포함하는 (d) 용해된 금속 이온을 추가로 포함할 수 있다. In certain embodiments, (a) in an embodiment with or without component (b) and / or (c) in addition to the zirconium complex, the supplement composition optionally comprises a Group IB metal, a Group IIB metal, a Group VIIB metal, And (d) a dissolved metal ion comprising a Group VIII metal, a lanthanide metal, or a combination thereof.

특정 실시양태에서, 성분 (d)는 망간, 세륨, 코발트, 구리, 아연, 철 또는 이들의 조합물을 포함한다. 금속의 수용성 형태는, IB족 금속, IIB족 금속, VIIB족 금속, VIII족 금속, 및/또는 란탄족 금속을 포함하는 금속 이온의 공급원으로서 이용될 수 있다. 적합한 화합물은, 비제한적으로 철(II) 포스페이트, 철(II) 나이트레이트, 철(II) 설페이트, 구리 나이트레이트, 구리 설페이트, 구리 클로라이드, 구리 설파메이트, 아연 나이트레이트, 아연 설페이트, 아연 클로라이드, 아연 설파메이트 등을 포함한다. In certain embodiments, component (d) comprises manganese, cerium, cobalt, copper, zinc, iron, or combinations thereof. The water-soluble form of the metal may be used as a source of metal ions, including Group IB metals, Group IIB metals, Group VIIB metals, Group VIII metals, and / or lanthanide metals. Suitable compounds include, without limitation, iron (II) phosphate, iron (II) nitrate, iron (II) sulfate, copper nitrate, copper sulfate, copper chloride, copper sulfamate, zinc nitrate, zinc sulfate, zinc chloride, Zinc sulfamate, and the like.

특정 실시양태에서, 성분 (d)는, 지르코늄 착체(a)의 총 금속 이온의 중량 대 성분 (d)를 포함하는 총 금속 이온의 중량을 기준으로 1:10 내지 10:1의 중량 비로 보충제 조성물 중에 존재한다. 다른 실시양태에서, 상기 중량 비는 지르코늄 착체(a)의 총 금속 이온의 중량 대 성분 (d)를 포함하는 총 금속 이온의 중량을 기준으로 1:6 내지 6:1, 예컨대 1:4 내지 4:1이다.In a particular embodiment, component (d) is selected from the group consisting of zirconium complex (a), zirconium complex (a), zirconium complex Lt; / RTI > In another embodiment, the weight ratio is from 1: 6 to 6: 1, such as from 1: 4 to 4: 1, based on the weight of the total metal ions of the zirconium complex (a) : 1.

특정 실시양태에서, 본 발명의 방법의 보충제 조성물은 수용액 및/또는 분산액으로서 제공된다. 이러한 실시양태에서, 보충제 조성물은 추가로 물을 포함한다. 물은, 본 발명의 방법에서 사용되는 보충제 조성물을 희석하는데 사용될 수 있다. 다른 성분들의 목적하는 농도를 제공하기 위해, 임의의 적합한 양의 물이 보충제 조성물 중에 존재할 수 있다. In certain embodiments, the supplemental compositions of the methods of the present invention are provided as aqueous solutions and / or dispersions. In such embodiments, the supplement composition further comprises water. Water may be used to dilute the supplement composition used in the method of the present invention. Any suitable amount of water may be present in the supplement composition to provide the desired concentration of the other ingredients.

보충제 조성물의 pH는 임의의 바람직한 값으로 조절될 수 있다. 특정 실시양태에서, 보충제 조성물의 pH는, 상기 조성물 중에 존재하는 용해된 착체 불화 금속 이온의 양을 변화시킴으로써 조절할 수 있다. 다른 실시양태에서, 보충제 조성물의 pH는, 필요한 경우, 예를 들어 임의의 산 또는 염기를 사용하여 조절할 수 있다. 특정 실시양태에서, 보충제 조성물의 pH는 염기성 물질, 예를 들면 수용성 및/또는 수-분산성 염기, 예컨대 수산화 나트륨, 탄산 나트륨, 수산화 칼륨, 수산화 암모늄, 암모니아, 및/또는 아민, 예컨대 트라이에틸아민, 메틸에틸 아민 또는 이들의 조합물을 포함함으로써 유지된다. The pH of the supplement composition can be adjusted to any desired value. In certain embodiments, the pH of the supplemental composition can be adjusted by varying the amount of dissolved complexed fluoride metal present in the composition. In other embodiments, the pH of the supplement composition can be adjusted, if necessary, using, for example, any acid or base. In certain embodiments, the pH of the supplement composition is selected from the group consisting of basic substances such as water-soluble and / or water-dispersible bases such as sodium hydroxide, sodium carbonate, potassium hydroxide, ammonium hydroxide, ammonia, and / or amines such as triethylamine , Methylethylamine, or a combination thereof.

특정 실시양태에서, 보충제 조성물의 pH는 지르코늄 착체(a)를 가함으로써, 특히 지르코늄 메탄설폰산을 단독으로 또는 상기 단락에서 기술된 임의적 성분 (b), (c) 및/또는 (d)와의 조합으로 가함으로써 조절할 수 있다. In certain embodiments, the pH of the supplement composition can be adjusted by adding zirconium complex (a), especially zirconium methanesulfonic acid alone or in combination with optional components (b), (c) and / or (d) . ≪ / RTI >

특정 실시양태에서, 보충제 조성물(상기 개시된 임의의 조성물 포함)은, 전처리 조성물을 pH 6.0 이하로 유지하기에 충분한 양으로 전처리 조성물에 첨가될 수 있다. 또다른 실시양태에서는, 전처리 조성물의 pH를 4.0 내지 6.0, 예컨대 4.5 내지 5.5 수준으로 유지하도록 보충제 조성물을 가한다. In certain embodiments, the supplement composition (including any of the compositions disclosed above) may be added to the pretreatment composition in an amount sufficient to maintain the pretreatment composition at pH 6.0 or lower. In another embodiment, the supplement composition is added to maintain the pH of the pretreatment composition at a level of 4.0 to 6.0, such as 4.5 to 5.5.

특정 실시양태에서, 본 발명의 방법의 보충제 조성물은 지르코늄 착체(a)와 물을 합쳐 제 1 예비-블렌드를 형성함으로써 제조한다. 제 1 예비-블렌드의 성분들이 서로 합쳐지면, 이들을 가벼운 교반 하에 교반될 수 있다. 이어서, 성분 (b), (c) 및/또는 (d)가 존재하는 경우, 이들 성분 (b), (c) 및/또는 (d) 및 물을 합쳐 제 2, 제 3 및/또는 제 4 예비-블렌드를 각각 형성할 수 있다. 제 2, 제 3 및/또는 제 4 예비-블렌드의 성분들이 서로 합쳐지면, 이들은 가벼운 교반 하에 교반될 수 있다. 이어서, 제 1 예비-블렌드를 제 2, 제 3 및/또는 제 4 예비-블렌드에 가할 수 있다. 제 1 예비-블렌드들이 합쳐지면, 이들은 가벼운 교반 하에 교반될 수 있다. 보충제 조성물은 주위 조건, 예컨대 약 70℉ 내지 80℉(21 내지 26℃), 또는 주위 조건 약간 아래 및/또는 약간 위, 예컨대 약 50℉ 내지 140℉(10 내지 60℃)에서 제조할 수 있다. In certain embodiments, the supplemental compositions of the method of the present invention are prepared by combining a zirconium complex (a) with water to form a first pre-blend. Once the components of the first pre-blend are combined with each other, they can be stirred under mild stirring. If components (b), (c) and / or (d) are present then these components (b), (c) and / or A pre-blend can be formed. When the components of the second, third and / or fourth pre-blend are combined with each other, they can be stirred under mild stirring. The first pre-blend may then be applied to the second, third and / or fourth pre-blend. Once the first pre-blends are combined, they can be stirred under mild stirring. The supplement composition can be prepared at ambient conditions, such as about 70 내지 to 80 ((21 to 26 캜), or slightly below and / or slightly above ambient conditions, such as about 50 ℉ to 140 ((10 to 60 캜).

본 발명의 방법의 특정 실시양태에서, 보충제 조성물을 교반 하에 전처리 조성물에 가할 수 있다. 다른 실시양태에서, 보충제 조성물을 교반 없이 전처리 조성물에 가하고, 이어서 물질들을 교반할 수 있다. 전처리 조성물이 주위 온도, 예컨대 약 70℉ 내지 80℉(21 내지 26℃)인 경우뿐만 아니라, 전처리 조성물이 주위 온도 약간 아래 및/또는 약간 위, 예컨대 약 50℉ 내지 140℉(10 내지 60℃)인 경우에도, 보충제 조성물을 전처리 조성물에 가할 수 있다In certain embodiments of the methods of the invention, the supplement composition can be added to the pretreatment composition with agitation. In another embodiment, the supplement composition can be added to the pretreatment composition without agitation, followed by agitation of the materials. The pretreatment composition may be applied at a temperature slightly below and / or slightly above the ambient temperature, such as from about 50 ℉ to 140 ((10 to 60 캜), as well as when the pretreatment composition is at ambient temperature, such as about 70 ℉ to 80 ( , The supplement composition can be added to the pretreatment composition

언급된 바와 같이, 본 발명의 방법은 보충제 조성물을 전처리 조성물에 첨가함에 관한 것이다. 본원에서 "전처리 조성물"이라는 용어는, 기재와 접촉시 기재 표면과 반응하고, 이를 화학적으로 변화시키고, 이에 결합하여 보호층을 형성하는 조성물을 지칭한다. As mentioned, the method of the present invention relates to the addition of a supplemental composition to a pretreatment composition. The term "pretreatment composition" as used herein refers to a composition that reacts with a substrate surface upon contact with a substrate, chemically changes it, and binds to it to form a protective layer.

특정 실시양태에서, 본 발명의 방법의 전처리 조성물은 물 및 (i) 용해된 착체 불화 금속 이온을 포함하며, 이때 상기 금속 이온은 IIIA족 금속, IVA족 금속, IVB족 금속, VB족 금속 또는 이들의 조합물을 포함한다.In certain embodiments, the pretreatment composition of the present invention comprises water and (i) dissolved complexed fluoride metal ions, wherein the metal ion is selected from the group consisting of Group IIIA metals, Group IVA metals, Group IVB metals, Group VB metals, ≪ / RTI >

전처리 조성물의 용해된 착체 불화 금속 이온(i)은 보충제 조성물의 용해된 착체 불화 금속 이온(b)과 관련하여 전술된 임의의 화합물일 수 있다. 특정 실시양태에서, 전처리 조성물의 용해된 착체 불화 금속 이온(i)은 보충제 조성물의 용해된 착체 불화 금속 이온(b)과 상이하다. 다른 실시양태에서, 전처리 조성물의 용해된 착체 불화 금속 이온(i)은 보충제 조성물의 용해된 착체 불화 금속 이온 (b)과 동일하다.The dissolved complexed fluoride metal ion (i) of the pretreatment composition may be any of the compounds described above in connection with the dissolved complex fluoride metal ion (b) of the supplement composition. In certain embodiments, the dissolved complexed fluoride metal ion (i) of the pretreatment composition is different from the dissolved complex fluoride metal ion (b) of the supplement composition. In another embodiment, the dissolved complexed fluoride metal ion (i) of the pretreatment composition is the same as the dissolved complex fluoride metal ion (b) of the supplement composition.

특정 실시양태에서, 전처리 조성물의 임의의 용해된 착체 불화 금속 이온(i)의 금속 이온은 티탄, 지르코늄, 하프늄, 규소, 게르마늄, 주석 또는 이들의 조합물을 포함한다. 특정 실시양태에서, 전처리 조성물의 용해된 착체 불화 금속 이온 성분 (i)은 H2TiF6, H2ZrF6, H2HfF6, H2SiF6, H2GeF6, H2SnF6 또는 이들의 조합물을 포함한다.In certain embodiments, the metal ion of any dissolved complexed fluoride metal ion (i) of the pretreatment composition comprises titanium, zirconium, hafnium, silicon, germanium, tin or combinations thereof. In certain embodiments, the dissolved complex fluoride metal ion component (i) of the pretreatment composition is selected from the group consisting of H 2 TiF 6 , H 2 ZrF 6 , H 2 HfF 6 , H 2 SiF 6 , H 2 GeF 6 , H 2 SnF 6, ≪ / RTI >

특정 실시양태에서, 용해된 착체 불화 금속 이온(i)은 전처리 조성물 중에 10 ppm 내지 250 ppm의 금속 이온(금속 원소로서 측정시), 예컨대 30 ppm 내지 200 ppm의 금속 이온, 예컨대 150 ppm 내지 200 ppm의 금속 이온의 농도를 제공하는 양으로 존재한다. In certain embodiments, the dissolved complexed metal fluoride ion (i) is present in the pretreatment composition in an amount of from 10 ppm to 250 ppm of metal ions (measured as metal element), such as from 30 ppm to 200 ppm of metal ions, such as from 150 ppm to 200 ppm Lt; RTI ID = 0.0 > of < / RTI > metal ions.

특정 실시양태에서, 전처리 조성물은 임의적으로, (ii) IB족 금속, IIB족 금속, VIIB족 금속, VIII족 금속, 란탄족 금속 또는 이들의 조합물을 포함하는 용해된 금속 이온을 추가로 포함할 수 있다. 전처리 조성물의 용해된 금속 이온(ii)이 사용되는 경우, 이는 보충제 조성물의 임의적 용해된 금속 이온(d)과 관련하여 전술된 임의의 화합물일 수 있다. 특정 실시양태에서, 전처리 조성물의 용해된 금속 이온(ii)은 보충제 조성물의 용해된 금속 이온(d)과 상이하다. 다른 실시양태에서, 전처리 조성물의 용해된 금속 이온(ii)은 보충제 조성물의 용해된 금속 이온(d)과 동일하다.In certain embodiments, the pretreatment composition optionally further comprises (ii) a dissolved metal ion comprising a Group IB metal, a Group IIB metal, a Group VIIB metal, a Group VIII metal, a Lanthanide metal, or combinations thereof . When the dissolved metal ion (ii) of the pretreatment composition is used, it may be any of the compounds described above in connection with the optional dissolved metal ion (d) of the supplement composition. In certain embodiments, the dissolved metal ion (ii) of the pretreatment composition is different from the dissolved metal ion (d) of the supplemental composition. In another embodiment, the dissolved metal ion (ii) of the pretreatment composition is the same as the dissolved metal ion (d) of the supplement composition.

몇몇 실시양태에서, 전처리 조성물이, 용해된 금속 이온 성분 (ii)를 포함하는 경우, 보충제 조성물은, 용해된 금속 이온 성분 (d)를 포함할 것이다. 다르게는, 몇몇 실시양태에서, 전처리 조성물이 용해된 금속 이온 성분 (ii)를 포함하지 않는 경우, 보충제 조성물은 용해된 금속 이온 성분 (d)를 포함하거나 포함하지 않을 수 있다.In some embodiments, when the pretreatment composition comprises a dissolved metal ion component (ii), the supplemental composition will comprise a dissolved metal ion component (d). Alternatively, in some embodiments, when the pretreatment composition does not comprise dissolved metal ion component (ii), the supplemental composition may or may not include dissolved metal ion component (d).

특정 실시양태에서, 전처리 조성물의 용해된 금속 이온 (ii)는 망간, 세륨, 코발트, 구리, 아연 또는 이들의 조합물을 포함한다. 적합한 화합물은, 비제한적으로 철(II) 포스페이트, 철(II) 나이트레이트, 철(II) 설페이트, 구리 나이트레이트, 구리 설페이트, 구리 클로라이드, 구리 설파메이트, 아연 나이트레이트, 아연 설페이트, 아연 클로라이드, 아연 설파메이트 등을 포함한다. In certain embodiments, the dissolved metal ion (ii) of the pretreatment composition comprises manganese, cerium, cobalt, copper, zinc, or combinations thereof. Suitable compounds include, without limitation, iron (II) phosphate, iron (II) nitrate, iron (II) sulfate, copper nitrate, copper sulfate, copper chloride, copper sulfamate, zinc nitrate, zinc sulfate, zinc chloride, Zinc sulfamate, and the like.

특정 실시양태에서, 용해된 금속 이온(ii)은 전처리 조성물 중에 5 ppm 내지 200 ppm의 금속 이온(금속 원소로서 측정시), 예컨대 10 ppm 내지 100 ppm의 금속 이온의 농도를 제공하는 양으로 존재한다. In certain embodiments, the dissolved metal ion (ii) is present in the pretreatment composition in an amount that provides a concentration of metal ions ranging from 5 ppm to 200 ppm of metal ions (as measured as metal elements), such as from 10 ppm to 100 ppm .

언급된 바와 같이, 전처리 조성물은 또한 물을 포함한다. 물은 다른 성분의 목적 농도를 제공하는 임의의 적합한 양으로 전처리 조성물 중에 존재할 수 있다.As noted, the pretreatment composition also includes water. The water may be present in the pretreatment composition in any suitable amount to provide a desired concentration of the other component.

특정 실시양태에서, 전처리 조성물은 pH를 조정하기 위해 존재하는 물질을 포함한다. 특정 실시양태에서, 전처리 조성물의 pH는 2.0 내지 7.0, 예컨대 3.5 내지 6.0 범위이다. 본원에서 기술된 전처리 조성물의 pH는, 전처리 과정 동안 전처리 조성물을 기재와 접촉시키기 이전의 조성물의 pH에 관한 것이다. 필요한 경우, 전처리 조성물의 pH는, 예를 들어 임의의 산 또는 염기를 사용하여 조절할 수 있다. 특정 실시양태에서, 전처리 조성물의 pH는 염기성 물질, 예를 들어 수용성 및/또는 수-분산성 염기, 예컨대 수산화 나트륨, 탄산 나트륨, 수산화 칼륨, 수산화 암모늄, 암모니아, 및/또는 아민, 예컨대 트라이에틸아민, 메틸에틸 아민 또는 이들의 조합물을 포함함으로써 유지된다.In certain embodiments, the pretreatment composition comprises a material that is present to adjust the pH. In certain embodiments, the pH of the pretreatment composition ranges from 2.0 to 7.0, such as from 3.5 to 6.0. The pH of the pretreatment composition described herein relates to the pH of the composition prior to contacting the pretreatment composition with the substrate during the pretreatment process. If desired, the pH of the pretreatment composition can be adjusted, for example, using any acid or base. In certain embodiments, the pH of the pretreatment composition is selected from the group consisting of basic materials such as water-soluble and / or water-dispersible bases such as sodium hydroxide, sodium carbonate, potassium hydroxide, ammonium hydroxide, ammonia, and / or amines such as triethylamine , Methylethylamine, or a combination thereof.

전처리 조성물은 임의적으로 다른 물질, 예컨대 비제한적으로, 비이온 계면활성제, 수-분산성 유기 용매, 소포제, 습윤제, 충전제, 및 수지 결합제를 포함할 수 있다. The pretreatment composition may optionally comprise other materials such as, but not limited to, nonionic surfactants, water-dispersible organic solvents, defoamers, humectants, fillers, and resin binders.

적합한 수-분산성 유기 용매 및 이의 양은 미국 특허 출원 공개 제2009/0032144 A1 호의 단락 [0039]에 기술되어 있으며, 이 부분을 본원에 참고로 인용한다. 다른 실시양태에서, 전처리 조성물은 임의의 수-분산성 유기 용매가 실질적으로 없거나, 몇몇 경우 전혀 없다.Suitable water-dispersible organic solvents and their amounts are described in United States Patent Application Publication No. 2009/0032144 Al, paragraph [0039], which is incorporated herein by reference. In another embodiment, the pretreatment composition is substantially free of any water-dispersible organic solvent or, in some cases, none at all.

본원에 개시된 전처리 조성물과 관련하여 사용될 수 있는 적합한 수지 결합제 및 이의 중량%는 미국 특허 출원 공개 제 2009/0032144 A1 호의 단락 [0036] 내지 단락 [0038]에 기술되어 있으며, 이 부분을 본원에 참고로 인용한다.Suitable resin binders that can be used in connection with the pretreatment compositions disclosed herein and their weight percentages are described in paragraphs [0036] to [0038] of U.S. Patent Application Publication No. 2009/0032144 Al, I quote.

본원에 개시된 전처리 조성물과 관련하여 사용될 수 있는 적합한 충전제는 미국 특허 출원 공개 제 2009/0032144 A1 호의 단락 [0042]에 기술되어 있으며, 이 부분을 본원에 참고로 인용한다. 다른 실시양태에서, 전처리 조성물은 임의의 충전제가 실질적으로 없거나, 몇몇 경우 전혀 없다.Suitable fillers that may be used in connection with the pretreatment compositions disclosed herein are described in United States Patent Application Publication No. 2009/0032144 A1, paragraph [0042], which is incorporated herein by reference. In another embodiment, the pretreatment composition is substantially free of any filler or, in some cases, none at all.

특정 실시양태에서, 전처리 조성물은 또한 반응 촉진제, 예컨대 나이트라이트 이온, 나이트레이트 이온, 나이트로기-함유 화합물, 하이드록실아민 설페이트, 퍼설페이트 이온, 설파이트 이온, 하이포설파이트 이온, 퍼옥사이드, 철(III) 이온, 시트르산 철 화합물, 브로메이트 이온, 퍼클로레이트 이온, 클로레이트 이온, 클로라이트 이온뿐만 아니라 아스코르브산, 시트르산, 타르타르산, 말론산, 석신산 및 이들의 염도 포함한다. 전처리 조성물 중의 상기 물질의 특정 예 및 이의 양은 미국 특허 출원 공개 제 2009/0032144 A1 호의 단락 [0041] 및 미국 특허 출원 공개 제 2004/0163736 호의 단락 [0032] 내지 [0041]에 기술되어 있으며, 이 부분을 본원에 참고로 인용한다. 다른 실시양태에서, 전처리 조성물은 반응 촉진제가 실질적으로 없거나, 몇몇 경우 전혀 없다.In certain embodiments, the pretreatment composition may also contain a reaction promoter such as a nitrite ion, a nitrate ion, a nitro group-containing compound, a hydroxylamine sulfate, a persulfate ion, a sulfite ion, a hypofusite ion, a peroxide, But also ascorbic acid, citric acid, tartaric acid, malonic acid, succinic acid and salts thereof, as well as (III) ions, citric acid iron compounds, bromate ions, perchlorate ions, chlorate ions and chlorite ions. Specific examples of such materials in the pretreatment composition and their amounts are described in paragraphs [0032] to [0041] of U.S. Patent Application Publication No. 2009/0032144 Al and in paragraphs [0032] to [0041] of U.S. Patent Application Publication No. 2004/0163736, Quot; is hereby incorporated by reference. In another embodiment, the pretreatment composition is substantially free of, or in some cases no, reaction promoter.

특정 실시양태에서, 전처리 조성물은 또한 포스페이트 이온을 포함한다. 적합한 물질 및 이의 양은 미국 특허 출원 공개 제 2009/0032144 A1 호의 단락 [0043]에 기술되어 있으며, 이 부분을 본원에 참고로 인용한다. 그러나, 특정 실시양태에서, 전처리 조성물은 포스페이트 이온이 실질적으로 없거나, 몇몇 경우 전혀 없다. 본원에서 "실질적으로 없다"라는 용어는, 전처리 조성물 중의 포스페이트 이온의 부재와 관련하여 사용되는 경우 조성물 중에 포스페이트 이온이 10 ppm 미만의 양으로 존재하는 것을 의미한다. 본원에서 "전혀 없다"라는 용어는, 포스페이트 이온의 부재와 관련하여 사용되는 경우 조성물 중에 포스페이트 이온이 전혀 존재하지 않음을 의미한다. In certain embodiments, the pretreatment composition also comprises phosphate ions. Suitable materials and their quantities are described in United States Patent Application Publication No. 2009/0032144 Al, paragraph [0043], which is incorporated herein by reference. However, in certain embodiments, the pretreatment composition is substantially free of phosphate ions or, in some cases, none at all. The term " substantially absent " herein means that the phosphate ion is present in the composition in an amount of less than 10 ppm when used in connection with the absence of phosphate ion in the pretreatment composition. The term "at all" herein means that no phosphate ions are present in the composition when used in connection with the absence of phosphate ions.

특정 실시양태에서, 전처리 조성물은 크로메이트 및/또는 중금속 포스페이트, 예를 들어 아연 포스페이트가 실질적으로 없거나, 몇몇 경우 전혀 없다.In certain embodiments, the pretreatment composition is substantially free of chromate and / or heavy metal phosphate, such as zinc phosphate, or in some cases, none at all.

당분야에서 인식되는 바와 같이, 전술된 금속 이온의 농도 이외에 전처리 조성물의 변수, 예를 들어 반응 생성물의 pH 및 농도를 전처리 과정 동안 모니터링할 수 있다. 본원에서 "반응 생성물"이라는 용어는, 전처리 조성물의 침착 동안 배스 변수를 조절하기 위해 전처리 조성물에 첨가되는 물질(예컨대, 보충제 조성물)로부터 기재 상에 형성되는 가용성 및/또는 불용성 물질을 지칭하며, 기재상에 형성된 전처리 필름은 포함하지 않는다. 이들 중 임의의 변수가 목적 농도 범위 밖에 있는 경우, 기재 상에 금속 화합물이 침착되는 효과에 영향을 줄 수 있다. 예를 들어, 전처리 조성물의 pH는 시간에 따라 감소할 수 있으며(예컨대, 너무 산성이 되면), 이는 기재 상에 금속 화합물이 침착되는 효과에 영향을 줄 수 있다. As will be appreciated by those skilled in the art, the parameters of the pretreatment composition, such as the pH and concentration of the reaction product, can be monitored during the pretreatment process in addition to the concentration of the metal ions described above. The term "reaction product " herein refers to a soluble and / or insoluble material formed on a substrate from a substance (e.g., a supplemental composition) that is added to the pretreatment composition to control bath parameters during deposition of the pretreatment composition, But does not include the pretreatment film formed on the substrate. If any of these variables is outside the target concentration range, it may affect the deposition of the metal compound on the substrate. For example, the pH of the pretreatment composition can decrease over time (e.g., become too acidic), which can affect the effect of depositing the metal compound on the substrate.

유사하게, 전처리 조성물 중에 존재하는 반응 생성물의 증가된 농도는 또한 기재 상의 전처리 코팅의 적절한 형성을 방해할 수 있고, 이는 불량한 특성(예컨대, 내식성)을 제공할 수 있다. 예를 들어, 몇몇 경우, 금속 화합물이 기재의 표면 상에 침착되면, 금속 화합물에 결합된 불소 이온이 금속 화합물로부터 해리되어 자유 불소로서 전처리 조성물로 방출될 수 있으며, 그대로 두면, 이는 시간에 따라 증가할 것이다. 본원에서 "자유 불소"란, 더이상 착화되고/되거나 금속 이온 및/또는 수소 이온과 화학적으로 결합되지 않고, 오히려 배스 내에 독립적으로 존재하는 단리된 불소 이온을 지칭한다. 본원에서 "총 불소"란, 자유 불소 및 착화되고/되거나 금속 이온 및/또는 수소 이온과 화학적으로 결합된 불소(즉, 자유 불소가 아닌 불소)의 합친 양을 지칭한다. 당업자에 의해 인식되는 바와 같이, 자유 불소 및 총 불소의 농도를 결정하기 위해 임의의 적합한 방법, 예를 들어 이러한 측정을 할 수 있는 보정된(calibrated) 계량기(예컨대, 오리온 이온플러스 슈어-플로어 불소 조합 전극(Orion Ionplus Sure-Flow Fluoride Combination electrode)(피셔 사이언티픽(Fisher Scientific)으로부터 입수가능)을 갖는 아큐멧(Accumet) XR15 계량기)를 사용하는 이온 선택적 전극 분석(ISE)을 사용할 수 있다.Similarly, increased concentrations of reaction products present in the pretreatment composition may also interfere with proper formation of the pretreatment coating on the substrate, which may provide poor properties (e.g., corrosion resistance). For example, in some cases, when a metal compound is deposited on the surface of a substrate, fluorine ions bound to the metal compound may dissociate from the metal compound and be released as free fluorine into the pretreatment composition, something to do. As used herein, " free fluorine "refers to an isolated fluorine ion that is no longer chemically cleaved and / or chemically bonded to metal ions and / or hydrogen ions, but rather is independently present in the bath. As used herein, "total fluorine" refers to the combined amount of free fluorine and fluorine that is complexed and / or chemically bonded to metal ions and / or hydrogen ions (i.e., fluorine that is not free fluorine). As will be appreciated by those skilled in the art, any suitable method may be used to determine the concentration of free fluorine and total fluorine, for example, a calibrated meter capable of performing such measurements (e.g., an Orion Ion Plus Sure- Ion selective electrode assay (ISE) using an Accumet XR15 meter with an electrode (Orion Ionplus Sure-Flow Fluoride Combination electrode) (available from Fisher Scientific).

특정 실시양태에서, 전처리 조성물의 자유 불소의 초기 농도는 10 내지 200 ppm의 범위이다. 다른 실시양태에서, 전처리 조성물의 자유 불소의 초기 농도는 20 내지 150 ppm의 범위이다.In certain embodiments, the initial concentration of free fluorine in the pretreatment composition ranges from 10 to 200 ppm. In another embodiment, the initial concentration of free fluorine in the pretreatment composition ranges from 20 to 150 ppm.

특정 실시양태에서, 보충제 조성물에 더하여 pH 조절제를 전처리 조성물에 첨가하여 목적 pH를 달성할 수 있다. 필요한 경우, 당분야에 통상적으로 공지된 임의의 적합한 pH 조절제, 예를 들어 임의의 산 또는 염기를 사용할 수 있다. 적합한 산은, 비제한적으로 황산 및 질산을 포함한다. 적합한 수용성 및/또는 수-분산성 염기는, 비제한적으로 수산화 나트륨, 탄산 나트륨, 수산화 칼륨, 수산화 암모늄, 암모니아, 및/또는 아민, 예컨대, 트라이에틸아민, 메틸에틸 아민 또는 이들의 조합물을 포함한다. 특정 실시양태에서, pH 조절제를 전처리 과정 동안 전처리 조성물에 첨가하여 전처리 조성물의 pH를 6.0 이하, 예를 들면 pH 5.5 이하, 예컨대 pH 5.0 이하로 조절할 수 있다. 다른 실시양태에서, pH 조절제를 첨가하여 pH를 4.0 내지 5.0 수준, 예컨대 4.6 내지 4.8 수준으로 조절할 수 있다. In certain embodiments, in addition to the supplemental composition, a pH adjusting agent may be added to the pretreatment composition to achieve the desired pH. If necessary, any suitable pH adjusting agent commonly known in the art can be used, for example any acid or base. Suitable acids include, but are not limited to, sulfuric acid and nitric acid. Suitable water soluble and / or water-dispersible bases include, but are not limited to, sodium hydroxide, sodium carbonate, potassium hydroxide, ammonium hydroxide, ammonia, and / or amines such as triethylamine, methylethylamine or combinations thereof do. In certain embodiments, a pH modifier may be added to the pretreatment composition during the pretreatment process to adjust the pH of the pretreatment composition to below 6.0, such as below pH 5.5, such as below pH 5.0. In another embodiment, a pH adjusting agent may be added to adjust the pH to a level between 4.0 and 5.0, such as between 4.6 and 4.8.

특정 실시양태에서, 보충제 조성물의 첨가는 전처리 조성물의 pH를 유지시킬 수 있고, 이로써 전처리 과정 동안 첨가되는 pH 조절제의 양을 감소 및/또는 제거할 수 있다. 특정 실시양태에서, 보충제 조성물의 첨가는 전처리 과정 동안 pH 조절제가 더 적은 횟수로 첨가되게 한다. 즉, 본 발명 이외의 방법에 비해, pH 조절제가 더 적은 횟수로 전처리 조성물에 첨가되게 한다. 다른 실시양태에서, 보충제 조성물의 첨가는, 본 발명의 방법 이외의 방법에 따라 첨가되는 pH 조절제의 양에 비해, 전처리 과정 동안 더 적은 양의 pH 조절제가 전처리 조성물에 첨가되게 한다. In certain embodiments, the addition of a supplemental composition can maintain the pH of the pretreatment composition, thereby reducing and / or eliminating the amount of pH adjusting agent added during the pretreatment process. In certain embodiments, the addition of the supplemental composition causes the pH adjuster to be added less frequently during the pretreatment. That is, compared to methods other than the present invention, the pH adjuster is added to the pretreatment composition fewer times. In another embodiment, the addition of a supplemental composition causes a smaller amount of the pH control agent to be added to the pretreatment composition during the pretreatment, compared to the amount of the pH adjuster added according to methods other than the method of the present invention.

특정 실시양태에서, 당업자에 의해 인식되는 바와 같이, 보충제 조성물의 첨가에 더하여, 반응 생성물의 수준을 오버플로우(overflow) 방법을 통해 조절할 수 있다. 다른 실시양태에서, 보충제 조성물에 더하여, 반응 생성물 소거제가 전처리 조성물에 첨가될 수 있다. 본원에서 "반응 생성물 소거제"란, 전처리 과정 동안 전처리 조성물에 첨가되는 경우, 전처리 조성물 중에 존재하는 반응 생성물(예컨대, 자유 불소)과 착화되어 조성물로부터 반응 생성물을 제거하는 물질을 지칭한다. 당분야에 통상적으로 공지된 임의의 적합한 반응 생성물 소거제가 사용될 수 있다. 적합한 반응 생성물 소거제는, 비제한적으로 미국 특허 출원 공개 제 2009/0032144 A1 호의 단락 [0032] 내지 [0034]에 기술된 것을 포함하며, 상기 출원을 본원에 참고로 인용한다. In certain embodiments, as appreciated by those skilled in the art, in addition to the addition of a supplemental composition, the level of the reaction product can be controlled via an overflow method. In another embodiment, in addition to the supplement composition, a reaction product scavenger may be added to the pretreatment composition. As used herein, the term " reaction product abolisher " refers to a substance that, when added to a pretreatment composition during the pretreatment process, is complexed with the reaction product (e.g., free fluorine) present in the pretreatment composition to remove the reaction product from the composition. Any suitable reaction product scavengers commonly known in the art may be used. Suitable reaction product abatement agents include, but are not limited to, those described in paragraphs [0032] through [0034] of U.S. Patent Application Publication No. 2009/0032144 Al, the disclosure of which is incorporated herein by reference.

특정 실시양태에서, 보충제 조성물의 첨가는 전처리 과정 동안 더 낮은 농도의 반응 생성물을 제공하고, 이로써 전처리 과정 동안 전처리 조성물에 첨가되는 반응 생성물 소거제의 양이 감소 및/또는 제거될 수 있다. 몇몇 실시양태에서, 임의의 특정 이론에 구속되고자 하지 않으면서, 반응 생성물의 농도가 보충제 조성물의 첨가로 인해 더 낮아지기 때문에, 전처리 과정 동안 축적될 수 있는 슬러지의 수준이 감소 및/또는 제거되는 것으로 여겨진다. In certain embodiments, the addition of a supplemental composition provides a lower concentration of the reaction product during the pretreatment process, thereby reducing and / or eliminating the amount of reaction product abolition agent added to the pretreatment composition during the pretreatment process. In some embodiments, it is believed that the level of sludge that can accumulate during the pretreatment process is reduced and / or eliminated, since the concentration of the reaction product is lower due to the addition of the supplement composition, without being bound by any particular theory .

특정 실시양태에서, 보충제 조성물의 첨가는 전처리 과정 동안 반응 생성물 소거제가 더 적은 횟수로 첨가되게 한다. 즉, 본 발명의 방법 이외의 방법에 비해, 반응 생성물 소거제가 더 적은 횟수로 전처리 조성물에 첨가되게 한다. 다른 실시양태에서, 보충제 조성물의 첨가는, 본 발명의 방법 이외의 방법에 따라 첨가되는 반응 생성물 소거제의 양에 비해, 전처리 과정 동안 더 적은 양의 반응 생성물 소거제가 전처리 조성물에 첨가되게 한다. In certain embodiments, the addition of the supplement composition causes the reaction product scavenger to be added less frequently during the pretreatment process. That is, compared to methods other than the method of the present invention, the reaction product scavenger is added to the pretreatment composition fewer times. In other embodiments, the addition of a supplemental composition causes a smaller amount of reaction product scavenging agent to be added to the pretreatment composition during the pretreatment process, compared to the amount of reaction product scavenging agent added according to methods other than the method of the present invention.

특정 실시양태에서, 본 발명은, (I) 보충제 조성물을 전처리 조성물에 첨가하는 단계 및 (II) 보충제 조성물과 전처리 조성물의 블렌드를 교반하는 단계를 포함하는 전처리 조성물 보충 방법에 관한 것으로, 상기 보충제 조성물은 (a) 지르코늄 착체를 포함하고, 임의적으로, (b) 용해된 착체 불화 금속 이온(이때, 상기 금속 이온은 IIIA족 금속, IVA족 금속, IVB족 금속 또는 이들의 조합물을 포함함); (c) IIIA 족, IVA족 금속, IVB족 금속 또는 이들의 조합물의 옥사이드, 하이드록사이드 또는 카보네이트를 포함하는 성분; 및 (d) IB족 금속, IIB족 금속, VIIB족 금속, VIII족 금속, 란탄족 금속 또는 이들의 조합물을 포함하는 용해된 금속 이온 중 하나 이상을 추가로 포함하며, 상기 전처리 조성물은 (i) IB족 금속, IIB족 금속, VIIB족 금속, VIII족 금속, 란탄족 금속 또는 이들의 조합물을 포함하는 용해된 금속 이온; (ii) 용해된 착체 불화 금속 이온(이때, 상기 금속 이온은 IIIA족 금속, IVA족 금속, IVB족 금속, VB족 금속 또는 이들의 조합물을 포함함); 및 물을 포함한다. In certain embodiments, the present invention relates to a method of supplementing a pretreatment composition comprising: (I) adding a supplemental composition to a pretreatment composition; and (II) stirring the blend of the supplemental composition and the pretreatment composition, wherein the supplemental composition (A) a zirconium complex, and optionally (b) a dissolved complexed fluoride metal ion, wherein the metal ion comprises a Group IIIA metal, a Group IVA metal, a Group IVB metal, or combinations thereof; (c) a component comprising an oxide, hydroxide or carbonate of Group IIIA, Group IVA, Group IVB, or combinations thereof; And (d) dissolved metal ions comprising a Group IB metal, a Group IIB metal, a Group VIIB metal, a Group VIII metal, a lanthanide metal, or combinations thereof, wherein the pretreatment composition comprises (i ) A Group IB metal, a Group IIB metal, a Group VIIB metal, a Group VIII metal, a lanthanide metal, or combinations thereof; (ii) a dissolved complexed fluoride metal ion, wherein the metal ion comprises a Group IIIA metal, a Group IVA metal, a Group IVB metal, a Group VB metal, or combinations thereof; And water.

특정 실시양태에서, 본 발명은, (I) 보충제 조성물을 전처리 조성물에 첨가하는 단계 및 (II) 보충제 조성물과 전처리 조성물의 블렌드를 교반하는 단계를 포함하는 전처리 조성물 보충 방법에 관한 것으로, 상기 보충제 조성물은 (a) 지르코늄 착체를 포함하고, 임의적으로, (b) 용해된 착체 불화 금속 이온(이때, 상기 금속 이온은 IIIA족 금속, IVA족 금속, IVB족 금속 또는 이들의 조합물을 포함함); (c) IIIA 족, IVA족 금속, IVB족 금속 또는 이들의 조합물의 옥사이드, 하이드록사이드 또는 카보네이트를 포함하는 성분; 및 (d) IB족 금속, IIB족 금속, VIIB족 금속, VIII족 금속, 란탄족 금속 또는 이들의 조합물을 포함하는 용해된 금속 이온을 추가로 포함하며, 상기 전처리 조성물은 (i) IB족 금속, IIB족 금속, VIIB족 금속, VIII족 금속, 란탄족 금속 또는 이들의 조합물을 포함하는 용해된 금속 이온; 및 물을 포함한다. In certain embodiments, the present invention relates to a method of supplementing a pretreatment composition comprising: (I) adding a supplemental composition to a pretreatment composition; and (II) stirring the blend of the supplemental composition and the pretreatment composition, wherein the supplemental composition (A) a zirconium complex, and optionally (b) a dissolved complexed fluoride metal ion, wherein the metal ion comprises a Group IIIA metal, a Group IVA metal, a Group IVB metal, or combinations thereof; (c) a component comprising an oxide, hydroxide or carbonate of Group IIIA, Group IVA, Group IVB, or combinations thereof; And (d) a dissolved metal ion comprising a Group IB metal, a Group IIB metal, a Group VIIB metal, a Group VIII metal, a Lanthanide Group, or combinations thereof, wherein the pretreatment composition comprises: (i) A molten metal ion comprising a metal, a Group IIB metal, a Group VIIB metal, a Group VIII metal, a lanthanide metal, or combinations thereof; And water.

특정 실시양태에서, 본 발명의 방법에 따른 보충제 조성물로 보충된 전처리 조성물은 금속 기재에 적용될 수 있다. 본 발명에서 사용하기에 적합한 금속 기재는, 자동차 바디, 자동차 부품 및 기타 물품의 조립에 흔히 사용되는 것, 예를 들면 소형 금속 부품, 예컨대 잠금 장치, 즉, 볼트, 나사, 핀, 못, 클립, 버튼 등을 포함한다. 적합한 금속 기재의 특정 예는, 비제한적으로 냉간 압연 강(steel); 열간 압연 강; 아연 금속, 아연 화합물 또는 아연 합금으로 코팅된 강, 예컨대 전기 아연 도금된 강, 용융 아연 도금된 강, 합금화 용융 아연 도금된(galvannealed) 강, 및 아연 합금 도금된 강을 포함한다. 또한, 알루미늄 합금, 알루미늄 도금된 강 및 알루미늄 합금 도금된 강 기재가 사용될 수 있다. 다른 적합한 비철 금속은 구리 및 마그네슘뿐만 아니라 이들 물질의 합금도 포함한다. 또한, 금속 기재는, 기재의 나머지 표면이 달리 처리되고/되거나 코팅된 기재의 절단된 모서리일 수 있다. 금속 기재는, 예를 들어 금속 시트 또는 제작 부품의 형태일 수 있다.In certain embodiments, the pretreatment composition supplemented with the supplement composition according to the method of the present invention can be applied to a metal substrate. Metal substrates suitable for use in the present invention are those commonly used in the assembly of automobile bodies, automotive parts and other articles such as small metal parts such as bolts, screws, pins, nails, clips, Buttons, and the like. Specific examples of suitable metal substrates include, but are not limited to, cold rolled steel; Hot - rolled steel; Such as galvanized steel, galvanized steel, galvannealed steel, and zinc alloy plated steel, as well as steel coated with zinc metal, zinc compounds or zinc alloys. In addition, aluminum alloys, aluminum plated steel, and aluminum alloy plated steel substrates may be used. Other suitable non-ferrous metals include copper and magnesium as well as alloys of these materials. In addition, the metal substrate may be a cut edge of a substrate that is otherwise treated and / or coated with the remaining surface of the substrate. The metal substrate may be in the form of, for example, a metal sheet or a fabricated part.

먼저, 기재를 세척하여 기름, 먼지, 또는 다른 이물질을 제거할 수 있다. 이는 흔히, 시판되고 금속 전처리 공정에서 통상적으로 사용되는 약 알칼리성 또는 강 알칼리성 세척제를 이용하여 수행된다. 본 발명에 사용하기 적합한 알칼리성 세척제의 예는 켐클린(CHEMKLEEN) 163, 켐클린 177, 및 켐클린 490MX를 포함하며, 이의 각각은 피피지 인더스트리즈 인코포레이티드(PPG Industries, Inc.)에서 시판된다. 이러한 세척제는 흔히 세척수 이전 및/또는 이후에 사용된다.First, the substrate can be cleaned to remove oil, dust, or other foreign matter. This is often done using weakly alkaline or strongly alkaline cleaners that are commercially available and commonly used in metal pretreatment processes. Examples of suitable alkaline detergents for use in the present invention include CHEMKLEEN 163, Kemclin 177, and Kemclin 490MX, each of which is commercially available from PPG Industries, Inc. do. These detergents are often used before and / or after the wash water.

특정 실시양태에서, 본 발명의 방법에 따라 보충된 전처리 조성물을 임의의 공지된 기술, 예컨대 함침(dipping) 또는 침지(immersion), 분무, 간헐 분무, 함침 후 분무, 분무 후 함침, 솔질 또는 롤-코팅으로 기재와 접촉시킬 수 있다. 특정 실시양태에서, 금속 기재에 적용시 전처리 조성물은 50 내지 150℉(10 내지 65℃) 범위의 온도이다. 접촉 시간은 보통 10초 내지 5분, 예컨대 30초 내지 2분이다. In certain embodiments, the pretreatment composition supplemented in accordance with the methods of the present invention may be prepared by any of the known techniques, such as dipping or immersion, spraying, intermittent spraying, spraying after impregnation, impregnating after spraying, The coating may be contacted with the substrate. In certain embodiments, the pre-treatment composition when applied to a metal substrate is at a temperature in the range of 50 to 150 ° F (10 to 65 ° C). The contact time is usually 10 seconds to 5 minutes, for example 30 seconds to 2 minutes.

특정 실시양태에서, 전처리 코팅 조성물의 적용되는 금속 이온은 일반적으로 1 내지 1000 mg/m2, 예컨대 10 내지 400 mg/m2이다. 전처리 코팅의 두께는 다르지만, 일반적으로 매우 얇고, 흔히 1 μm 미만의 두께이며, 몇몇 경우 1 내지 500 nm, 다른 경우 10 내지 300 nm이다.In certain embodiments, the metal ion to which the pretreatment coating composition is applied is generally from 1 to 1000 mg / m 2 , such as from 10 to 400 mg / m 2 . Though the thickness of the pretreatment coating is different, it is generally very thin, often less than 1 μm thick, in some cases 1 to 500 nm, and in other cases 10 to 300 nm.

기재를 전처리 용액과 접촉시킨 후, 물로 세척하고, 건조할 수 있다.After contacting the substrate with the pretreatment solution, it may be washed with water and dried.

특정 실시양태에서, 기재를 본 발명의 방법에 따라 보충된 전처리 조성물과 접촉시킨 후, 이어서 필름-형성 수지를 포함하는 코팅 조성물과 접촉시킨다. 임의의 적합한 기술, 예를 들어 솔질, 함침, 흐름 코팅, 분무 등을 사용하여 기재를 상기 코팅 조성물과 접촉시킬 수 있다. 특정 실시양태에서, 이러한 접촉은, 전착성 조성물을 전착에 의해 금속 기재 상에 침착시키는 전기 코팅(electrocoating) 단계를 포함한다. In certain embodiments, the substrate is contacted with a pretreated composition that has been supplemented according to the method of the present invention, and then contacted with a coating composition comprising a film-forming resin. The substrate may be contacted with the coating composition using any suitable technique, such as brushing, impregnation, flow coating, spraying, and the like. In certain embodiments, such contact includes an electrocoating step of depositing the electrodepositable composition on the metal substrate by electrodeposition.

본원에서 "필름-형성 수지"라는 용어는, 조성물 중에 존재하는 임의의 희석제 또는 담체를 제거시 또는 주위 온도 또는 고온에서 경화시 적어도 기재의 수평 표면 상에 자가-지지형 연속 필름을 형성할 수 있는 수지를 지칭한다. 사용될 수 있는 통사적인 필름-형성 수지는, 비제한적으로, 특히 자동차 OEM 코팅 조성물, 자동차 리피니시(refinish) 코팅 조성물, 공업용 코팅 조성물, 건축용 코팅 조성물, 코일 코팅 조성물, 및 항공우주산업용 코팅 조성물에 전형적으로 사용되는 것을 포함한다.The term "film-forming resin" as used herein refers to a resin that is capable of forming a self-supporting continuous film upon removal of any diluent or carrier present in the composition, or at least upon curing at ambient or elevated temperatures, Resin. Synthetic film-forming resins that can be used include, but are not limited to, but not limited to, automotive OEM coating compositions, automotive refinish coating compositions, industrial coating compositions, architectural coating compositions, coil coating compositions, and coating compositions for the aerospace industry, . ≪ / RTI >

특정 실시양태에서, 코팅 조성물은 열경화성 필름-형성 수지를 포함한다. 본원에서 "열경화성"이라는 용어는, 경화 또는 가교결합(crosslinking)시 비가역적으로 경화되는 수지를 지칭하며, 이때 중합체 성분의 중합체 사슬은 공유 결합에 의해 함께 연결된다. 이러한 특성은 일반적으로, 예를 들어 열 또는 복사선에 의해 흔히 유도되는 조성물 성분의 가교결합 반응과 관련된다. 또한, 경화 또는 가교결합 반응은 주위 조건 하에 수행될 수 있다. 일단 경화 또는 가교결합되면, 열경화성 수지는 가열시 용융되지 않을 것이고, 용매에 불용성이다. 다른 실시양태에서, 코팅 조성물은 열가소성 필름-형성 수지를 포함한다. 본원에서 "열가소성"이라는 용어는, 공유 결합에 의해 연결되지 않음으로써 가열시 액체 유동할 수 있고 용매에 가용성인 중합체 성분을 포함하는 수지를 지칭한다. In certain embodiments, the coating composition comprises a thermosetting film-forming resin. The term "thermosetting" as used herein refers to a resin that is irreversibly cured upon curing or crosslinking, wherein the polymer chains of the polymer component are linked together by covalent bonds. Such properties generally relate to cross-linking reactions of the components of the composition commonly induced, for example, by heat or radiation. In addition, the curing or crosslinking reaction can be carried out under ambient conditions. Once cured or crosslinked, the thermosetting resin will not melt upon heating and is insoluble in the solvent. In another embodiment, the coating composition comprises a thermoplastic film-forming resin. The term "thermoplastic" as used herein refers to a resin that is not linked by a covalent bond, thereby allowing liquid flow upon heating and containing a polymer component soluble in the solvent.

전술된 바와 같이, 기재는 필름-형성 수지를 포함하는 코팅 조성물과 전기코팅 단계에 의해 접촉될 수 있으며, 전착성 코팅은 전착에 의해 금속 기재 상에 침착된다. 적합한 전착성 코팅 조성물은 미국 특허 출원 공개 제 2009/0032144 A1 호의 단락 [0051] 내지 [0082]에 기술된 것을 포함하며, 이 부분을 본원에 참고로 인용한다.As described above, the substrate may be contacted by an electrocoating step with a coating composition comprising a film-forming resin, and the electrodepositable coating is deposited on the metal substrate by electrodeposition. Suitable electrodepositable coating compositions include those described in paragraphs [0051] to [0082] of U.S. Patent Application Publication No. 2009/0032144 Al, the disclosures of which are incorporated herein by reference.

본 발명이 하기 실시예로 예시되지만, 이러한 세부사항으로 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 달리 지시되지 않는 한, 실시예 및 명세서 전반에 걸쳐 모든 부 및 퍼센트는 중량 기준이다.
The present invention is illustrated by the following examples, but the present invention is not limited to these details. Unless otherwise indicated, all parts and percentages throughout the examples and specification are by weight.

[실시예][Example]

실시예Example 1 One

보충제 조성물을 하기와 같이 제조하였다. 실시예 1의 보충제 조성물 중에 존재하는 각각의 성분의 양을 하기 표 1에 나타낸다. 각 퍼센트는 중량으로 표현된다.The supplement composition was prepared as follows. The amount of each component present in the supplement composition of Example 1 is shown in Table 1 below. Each percent is expressed in terms of weight.

헥사플루오로지르콘산, 45% (허니웰(Honeywell)로부터 입수가능)Hexafluorozirconic acid, 45% (available from Honeywell) 5.6%5.6% 지르코늄 염기성 카보네이트 (블루 라인 코포레이션(Blue Line Corporation)으로부터 입수가능)Zirconium basic carbonate (available from Blue Line Corporation) 1.3%1.3% 구리 나이트레이트 용액, 18% 구리 (셰퍼드 케미칼스(Shepherd Chemical)로부터 입수가능)Copper nitrate solution, 18% copper (available from Shepherd Chemical) 1.8%1.8% 탈이온수Deionized water 잔량Balance

하기 물질을 사용하였다:The following materials were used:

-켐필(CHEMFIL) 완충액: 피피지 인더스트리즈로 인코포레이티드로부터 시판되는 알칼리성 완충 용액;- CHEMFIL Buffer: alkaline buffer solution available from Pfizer Industries Incorporated;

-켐클린 166HP: 피피지 인더스트리즈로 인코포레이티드로부터 시판되는 알칼리성 세척 제품; Chemclin 166HP: alkaline cleaning products available from Pfizer Industries, Inc.;

-켐클린 171A: 피피지 인더스트리즈로 인코포레이티드로부터 시판되는 알칼리성 세척 제품; - Chem Clean 171A: alkaline cleaning products available from Pfizer Industries, Inc.;

-지르코본드 콘트롤(ZIRCOBOND CONTROL) #4: 피피지 인더스트리즈 인코포레이티드로부터 시판됨;ZIRCOBOND CONTROL # 4: commercially available from Pfizer Industries, Inc.;

-지르코본드(ZIRCOBOND) R1: 피피지 인더스트리즈로 인코포레이티드로부터 시판되는 보충제.ZIRCOBOND R1: a supplement commercially available from Pfizer Industries, Inc.

0.88 g/L의 헥사플루오로지르콘산(45 %) 및 1.08 g/L의 구리 나이트레이트 용액(구리 농도 2 중량%)을 사용하여 새로운 지르코늄 전처리 배스를 제조하였다. 배스의 나머지는 탈이온수였다. 배스의 pH는 켐필 완충액을 사용하여 약 4.5로 조절하였다. A fresh zirconium pretreatment bath was prepared using 0.88 g / L hexafluorozirconic acid (45%) and 1.08 g / L copper nitrate solution (copper concentration 2% by weight). The rest of the bath was deionized water. The pH of the bath was adjusted to about 4.5 using a Kemphil buffer.

상기 전처리 배스의 3.7 L 분취량 2개를, 하나는 지르코본드 R1과 함께, 다른 하나는 실시예 1의 보충제 조성물과 함께 실험하였다. 각각의 보충제를 실험하기 위해, 패널을 전술된 전처리 배스의 3.7 L 분취량 내에서 전처리하여 고갈시키고, 이어서 각각의 배스를 적절한 보충제를 사용하여 조절하였다.Two 3.7 L aliquots of the pretreatment bath were tested, one with zircon bond R1 and the other with the supplement composition of Example 1. To test each supplement, the panel was pretreated in a 3.7 L aliquot of the pretreatment bath described above to deplete, and then each bath adjusted with the appropriate supplement.

지르코늄과 자유 불소의 초기 수준을 각각의 배스에서 측정하였다. 지르코늄의 수준을 엑스-라이트(x-rite) 형광으로 측정하였다. 지르코본드 R1으로 보충될 배스의 초기 지르코늄 수준은 약 187 ppm이었다(금속 원소로서 측정시). 실시예 1의 보충제 조성물로 보충될 배스의 초기 지르코늄 수준은 약 183 ppm이었다(금속 원소로서 측정시).The initial levels of zirconium and free fluorine were measured in each bath. The level of zirconium was measured by x-rite fluorescence. The initial zirconium level of the bass to be supplemented with zirconium R1 was about 187 ppm (measured as metal element). The initial zirconium level of the bath to be supplemented with the supplement composition of Example 1 was about 183 ppm (measured as metal element).

각각의 배스의 초기 자유 불소를, 오리온 이온플러스 슈어-플로어 불소 조합 전극(모델 # 960900)을 갖는 보정된 아큐멧 XR15 계량기를 사용하는 이온 선택적 전극(ISE) 분석으로, 하기 방법을 사용하여 측정하였다. 10%의 삼나트륨 시트레이트 완충 용액 50 mL를 100 mg/L, 300 mg/L 및 1,000 mg/L 불소 표준물 각각의 2 mL 시료에 첨가하여 제조된 완충액과 혼합된 불소 보정 표준물을 사용하여 계량기를 보정하였다. 자유 불소를 측정하기 위해, 분석할 순수 시료(즉, 완충액 없음)를 깨끗한 비이커에 넣고, 아큐멧 XR15 계량기 탐침을 시료에 넣었다. 판독이 안정화되면, 수치를 기록하였다. 이 값을 26으로 나누어 자유 불소 농도를 얻었다. 배스의 초기 자유 불소는 약 21 내지 22 ppm이었다.The initial free fluorine of each bath was measured using an ion selective electrode (ISE) analysis using a calibrated Accumet XR15 meter with an Orion Ion plus Sure-Floor fluorine combination electrode (model # 960900) using the following method . 50 mL of 10% trisodium citrate buffer was added to a 2 mL sample of each of 100 mg / L, 300 mg / L and 1,000 mg / L fluoride standards using a fluoride calibration standard mixed with the buffer prepared The meter was calibrated. To measure free fluorine, a pure sample to be analyzed (ie no buffer) was placed in a clean beaker and the Accumeter XR15 meter probe was placed in the sample. When the readings stabilized, the values were recorded. This value was divided by 26 to obtain a free fluorine concentration. The initial free fluorine content of the bass was about 21 to 22 ppm.

배스를 통해 처리할 패널을 다음과 같이 제조하였다. 0.2% 켐클린 171A가 첨가된 켐클린 166HP의 2 부피% 용액으로 패널을 2분 동안 분무 도포함으로써 세척하였다. 패널을 약 10초 동안 탈이온수에 침지하여 세척하고, 이어서 약 10초 동안 탈이온수로 분무하였다.A panel to be treated through a bath was prepared as follows. The panel was washed by spray application for 2 minutes with a 2% by volume solution of Chemclin 166HP with 0.2% Chemclin 171A added. The panel was washed by immersion in deionized water for about 10 seconds, followed by spraying with deionized water for about 10 seconds.

4 x 6" 패널 20개의 그룹을 각각의 배스를 통해 처리하였으며, 패널들의 선택은 1개의 알루미늄 패널(6111 T43); 1개의 냉간 압연 강 패널; 2개의 용융 아연 도금된 강 패널; 및 16개의 전기 아연 도금된 강 패널로 이루어졌다. 패널을 가벼운 교반 하에 약 80℉(28℃)에서 전처리 배스에 2분 동안 침지하였다. 이어서, 패널을 탈이온수를 사용하여 약 10 내지 15초의 제 2 분무로 세척하고, 따뜻한 공기를 불어 넣으면서 건조하였다.20 groups of 4 x 6 "panels were processed through respective busses, and the selection of the panels was carried out using one aluminum panel (6111 T43), one cold rolled steel panel, two hot-dip galvanized steel panels, The panel was immersed in a pretreatment bath for 2 minutes at about 80 DEG F (28 DEG C) under mild agitation. The panel was then washed with a second spray of about 10 to 15 seconds using deionized water And dried with blowing warm air.

20개 패널의 제 1 그룹을 상기 배스를 통해 처리한 후, 각각의 전처리 배스를 전술된 방법을 사용하여 지르코늄 수준, pH, 및 불소 수준에 대하여 측정하였다. After the first group of 20 panels was treated through the bath, each pre-treatment bath was measured for zirconium level, pH, and fluoride levels using the methods described above.

이러한 측정에 기초하여, 지르코본드 R1 및 실시예 1의 보충제 조성물을 각각의 개별적 배스에 가하여, 상기 배스의 지르코늄 수준을 초기 값으로 다시 조절하였다. 또한, 임의의 조절이 필요한 경우, pH 값을 4.4 내지 4.8 범위 내로 조절하고, 또한 자유 불소 수준을 40 내지 70 ppm 내로 조절하였다. 각각의 배스에 켐필 완충액를 첨가함으로써 pH를 조정하였다(필요한 경우). 각각의 배스에 지르코본드 콘트롤 #4를 첨가함으로써 자유 불소를 조절하였다(필요한 경우).Based on these measurements, the zirconium levels of the baths were again adjusted to their initial values by adding the zircon bond R1 and the supplement composition of Example 1 to each individual bath. In addition, if any adjustment is required, the pH value is adjusted to within the range of 4.4 to 4.8, and the free fluorine level is also controlled to within 40 to 70 ppm. The pH was adjusted by adding a chemfil buffer to each bath (if necessary). The free fluorine was adjusted (if necessary) by adding Zircon Bond Control # 4 to each bath.

총 300개의 패널이 각각의 배스에서 처리될 때까지, 전술된 배스 고갈 및 보충 과정을 20개의 패널 그룹에서 계속하였다. 각각의 배스에 첨가되는, 지르코본드 R1, 실시예 1의 보충제 조성물, 켐필 완충액, 및 지르코본드 콘트롤 #4의 양을 기록하였다. 또한, 배스에서 형성된 임의의 슬러지를 수집하고 측정하였다. 하기 표 2에 결과를 제시한다. The bass depletion and replenishment procedure described above continued in the twenty panel groups until a total of 300 panels were processed in each bath. The amount of Zirco Bond R1, the supplements composition of Example 1, the Kemfil buffer, and the Zirco Bond Control # 4 added to each bath was recorded. In addition, any sludge formed in the bath was collected and measured. The results are shown in Table 2 below.

보충제 조성물Complement composition  배스의 화학적 사용 (g)Chemical use of bass (g) 생성된 슬러지
(g)
The generated sludge
(g)
보충제Supplements 켐필 완충액Chemfil buffer 지르코본드 콘트롤 #4Zircon Bond Control # 4 지르코본드 R1 Zircon bond R1 54.3 g54.3 g 7.4 g7.4 g 8.7 g8.7 g 1.6 g1.6 g 실시예 1 Example 1 48.9 g48.9 g 3.4 g3.4 g 3.1 g 3.1 g 0.9 g 0.9 g

실시예Example 2 2

보충제 조성물을 하기와 같이 제조하였다. 실시예 2의 보충제 조성물 중에 존재하는 성분들의 각각의 양은 하기 표 3에 기재되어 있다. 각각의 %는 중량으로 표현된다. 존재하는 메탄설폰산의 양은, 지르코늄 염기성 카보네이트에 의해 제공되는 지르코늄에 대해 4:1의 화학량론적 비율을 제공하기에 충분한 것이다.The supplement composition was prepared as follows. The amount of each component present in the supplement composition of Example 2 is set forth in Table 3 below. Each% is expressed in terms of weight. The amount of methane sulfonic acid present is sufficient to provide a stoichiometric ratio of 4: 1 to the zirconium provided by the zirconium basic carbonate.

헥사플루오로지르콘산, 45% (허니웰로부터 입수가능)Hexafluorozirconic acid, 45% (available from Honeywell) 17.58%17.58% 지르코늄 염기성 카보네이트 (블루 라인 코포레이션으로부터 입수가능)Zirconium basic carbonate (available from Blue Line Corporation) 5.86%5.86% 메탄설폰산(시그마-알드리치 캄파니(Sigma-Aldrich Company)로부터 입수가능)Methanesulfonic acid (available from Sigma-Aldrich Company) 7.42%7.42% 구리 나이트레이트 용액, 18% 구리 (셰퍼드 케미칼로부터 입수가능)Copper nitrate solution, 18% copper (available from Sheppard Chemical) 7.6%7.6% 탈이온수Deionized water 잔량Balance

실시예 1에 사용된 전술된 물질에 더하여, 하기 물질을 사용하였다:In addition to the above-mentioned materials used in Example 1, the following materials were used:

- 지르코본드 ZRF, 피피지 인더스트리즈로 인코포레이티드로부터 시판되는 지르코늄 전처리 구성(make-up) 생성물;Zirconium pre-make makeup products available from Zircobond ZRF, Pfizer Industries, Inc.;

- 켐클린 2010LP, 피피지 인더스트리즈로 인코포레이티드로부터 시판되는 알칼리성 세척 생성물;- alkaline cleaning products available from ChemLine 2010 LP, Pfizer Industries, Inc.;

- 켐클린 181ALP, 피피지 인더스트리즈로 인코포레이티드로부터 시판되는 알칼리성 세척 생성물.- an alkaline cleaning product available from Chemclin 181 ALP, Pfizer Industries, Inc.

탈이온수 중의 지르코본드 ZRF 10.04 g/L를 사용하여 새로운 지르코늄 전처리 배스를 제조하였다. 상기 배스의 pH를 켐필 완충액을 사용하여 약 4.5로 조절하였다.A new zirconium pretreatment bath was prepared using zircon bond ZRF 10.04 g / L in deionized water. The pH of the bath was adjusted to about 4.5 using a Kemphil buffer.

전처리 배스의 4 L 분취량을 다음과 같이 시험하였다. 패널을 전처리 배스 내에서 전처리하여, 실시예 1에서와 같이 고갈시키고, 이어서 이 배스를 상기 표 2에 기술된 보충제를 사용하여 조절하였다. A 4 L aliquot of the pretreatment bath was tested as follows. The panels were pretreated in a pretreatment bath, depleted as in Example 1, and then the bath was adjusted using the supplements described in Table 2 above.

지르코늄 및 자유 불소의 초기 수준을 실시예 1에 기술된 바와 같이 배스 내에서 측정하였다. 지르코늄의 수준은 186 ppm으로 측정되었다(금속 원소로서 측정시). 초기 자유 불소는 128 ppm으로 측정되었다. The initial levels of zirconium and free fluorine were measured in a bath as described in Example 1. [ The level of zirconium was measured at 186 ppm (measured as metal element). Initial free fluorine was measured at 128 ppm.

실시예 1과 유사한 방식으로, 배스를 통해 처리할 패널을 다음과 같이 제조하였다. 0.125% 켐클린 181ALP가 첨가된 1.25 부피%의 켐클린 2010LP 중에서 분무 적용함으로써, 패널을 2분 동안 세척하였다. 패널을 약 10초 동안 탈이온수에 침지하고, 이어서 약 10초 동안 탈이온수로 제 2 분무함으로써 세척하였다. In a manner similar to Example 1, panels to be treated through a bath were prepared as follows. The panel was rinsed for 2 minutes by spray application in a 1.25% by volume Chemclin 2010 LP with 0.125% Chemclin 181 ALP. The panel was immersed in deionized water for about 10 seconds, followed by a second spray with deionized water for about 10 seconds.

이어서, 패널들의 그룹을 배스를 통해 처리하였다. 이 그룹은, 8개의 4"x 12" 용융 아연 도금된 패널; 2개의 4"x 6" 용융 아연 도금된 패널; 1개의 4"x 6" 알루미늄 패널(6111 T43); 및 1개의 4"x 6" 냉간 압연 강 패널로 이루어졌다. 이러한 그룹의 표면적의 양은 실시예 1의 패널 그룹과 동일하였으며, 본 실시예에서 아연 도금된 금속은 용융 아연 도금된 패널로 완전히 이루어졌다는 점을 제외하고는, 아연-코팅된(아연 도금된) 강:냉간 압연 강:알루미늄의 비 역시 실시예 1과 동일하였다. 패널을 가벼운 교반 하에 약 73℉(23℃)에서 전처리 배스에 2분 동안 침지하였다. 이어서, 패널을 탈이온수를 사용하여 약 10 내지 15초의 제 2 분무로 세척하고, 따뜻한 공기를 불어 넣으면서 건조하였다. The group of panels was then processed through a bath. This group consists of eight 4 "x 12" hot dip galvanized panels; Two 4 "x 6" hot-dip galvanized panels; One 4 "x 6" aluminum panel (6111 T43); And one 4 "x 6" cold rolled steel panel. The amount of surface area of this group was the same as that of the panel group of Example 1, except that the zinc-plated metal in this example was completely composed of hot-dip galvanized panels, and the zinc-coated (galvanized) : The ratio of cold-rolled steel: aluminum was also the same as in Example 1. The panel was immersed in a pretreatment bath at about 73 ° F (23 ° C) for 2 minutes under mild agitation. The panels were then washed with a second spray of about 10-15 seconds using deionized water and dried with blowing warm air.

20개 패널의 제 1 그룹을 상기 배스를 통해 처리한 후, 각각의 전처리 배스를 전술된 방법을 사용하여 지르코늄 수준, pH, 및 불소 수준에 대해 측정하였다.After the first group of 20 panels was treated through the bath, each pre-treatment bath was measured for zirconium level, pH, and fluoride levels using the methods described above.

이러한 측정에 기초하여, 실시예 2의 보충제 조성물을 상기 배스에 가하여, 상기 배스의 지르코늄 수준을 초기 값으로 다시 조절하였다. 또한, 임의의 조절이 필요한 경우, pH를 4.5 내지 4.8 범위 내로 조절하고, 자유 불소 수준을 100 내지 160 ppm 범위 내로 조절하였다. 상기 배스에 켐필 완충액을 가하여 pH를 조절하였다(필요한 경우). 상기 배스에 지르코본드 콘트롤 #4를 가하여 자유 불소를 조절하였다(필요한 경우). Based on these measurements, the supplement composition of Example 2 was added to the bath to regain the zirconium level of the bath back to its initial value. Also, if any adjustment is required, the pH is adjusted to within the range of 4.5 to 4.8 and the free fluorine level is adjusted to within the range of 100 to 160 ppm. The pH of the bath was adjusted by adding a chemfil buffer (if necessary). Zircon Bond Control # 4 was added to the bath to adjust the free fluorine (if necessary).

배스 내에서 320개의 4"x 6"패널 또는 160개의 4"x 12"패널(즉, 패널들의 16개 그룹)과 동일한 표면적이 처리될 때까지, 전술된 배스 고갈 및 보충 과정을 상기 패널 그룹에서 계속하였다. 실시예 2의 보충제 조성물, 켐필 완충액, 및 배스에 첨가되는 지르코본드 콘트롤 #4의 양을 기록하였다. 결과를 하기 표 4에 제시한다. Until the same surface area as 320 4 "x 6" panels or 160 4 "x 12" panels (ie, 16 groups of panels) is processed in the bath, the bass depletion and replenishment process described above is performed in the panel group I continued. The amount of zircon bond control # 4 added to the supple- ment composition of Example 2, the Kemfil buffer, and the bath was reported. The results are shown in Table 4 below.

보충제 조성물Complement composition  배스의 화학적 사용 (g)Chemical use of bass (g) 보충제Supplements 켐필 완충액Chemfil buffer 지르코본드 콘트롤 #4Zircon Bond Control # 4 실시예 2 Example 2 17.92 g17.92 g 2.2 g2.2 g 4.81 g4.81 g

따라서, 처리할 금속의 양이 약간 더 많았음에도 불구하고, 과잉의 자유 불소를 제거하고 출발 수준의 자유 불소를 유지하기 위해 필요한 화합물의 양은, 실시예 1에 기술된 바와 같은 지르코본드 R1보다 상당히 적었다. Thus, although the amount of metal to be treated is slightly greater, the amount of compound needed to remove excess free fluorine and maintain the starting level of free fluorine is considerably greater than the zircon bond R1 as described in Example 1 .

본 발명의 특별한 실시양태가 예시의 목적으로 전술되었지만, 첨부된 특허청구범위에서 정의된 바와 같은 발명으로부터 벗어나지 않고 본 발명의 세부사항의 많은 변화가 존재할 수 있음이 당업자에게 자명할 것이다. Although specific embodiments of the invention have been described above for purposes of illustration, it will be apparent to those skilled in the art that many changes may be made in the details of the invention without departing from the invention as defined in the appended claims.

Claims (20)

지르코늄 착체를 포함하는 보충제 조성물을 전처리 조성물에 가하는 단계를 포함하는, 전처리 조성물 보충 방법. Lt; RTI ID = 0.0 > a < / RTI > zirconium complex to a pretreatment composition. 제 1 항에 있어서,
상기 지르코늄 착체가 지르코늄 메탄설폰산을 포함하는, 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the zirconium complex comprises zirconium methane sulfonic acid.
제 1 항에 있어서,
상기 보충제 조성물이, IIIA족 금속, IVA족 금속, IVB족 금속 또는 이들의 조합물을 포함하는 용해된 착체 불화 금속 이온을 추가로 포함하는, 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the supplemental composition further comprises a dissolved complexed fluoride metal ion comprising a Group IIIA metal, a Group IVA metal, a Group IVB metal, or combinations thereof.
제 3 항에 있어서,
상기 보충제 조성물의 용해된 착체 불화 금속 이온이 H2TiF6, H2ZrF6, H2HfF6, H2SiF6, H2GeF6, H2SnF6 또는 이들의 조합물을 포함하는, 방법.
The method of claim 3,
Wherein the solubilized complexed fluoride metal ion of the supplement composition comprises H 2 TiF 6 , H 2 ZrF 6 , H 2 HfF 6 , H 2 SiF 6 , H 2 GeF 6 , H 2 SnF 6 , .
제 3 항에 있어서,
상기 용해된 착체 불화 금속 이온의 금속이 티탄, 지르코늄, 하프늄, 알루미늄, 규소, 게르마늄, 주석 또는 이들의 조합물을 포함하는, 방법.
The method of claim 3,
Wherein the metal of the dissolved complexed metal fluoride comprises titanium, zirconium, hafnium, aluminum, silicon, germanium, tin or a combination thereof.
제 1 항에 있어서,
상기 보충제 조성물이, IIIA족 금속, IVA족 금속, IVB족 금속 또는 이들의 조합물의 옥사이드, 하이드록사이드 또는 카보네이트를 포함하는 성분을 추가로 포함하는, 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the supplemental composition further comprises a component comprising an oxide, a hydroxide or a carbonate of a Group IIIA metal, a Group IVA metal, a Group IVB metal, or combinations thereof.
제 6 항에 있어서,
상기 IIIA족 금속, IVA족 금속, IVB족 금속 또는 이들의 조합물의 옥사이드, 하이드록사이드 또는 카보네이트를 포함하는 성분이 지르코닐 화합물을 포함하는, 방법.
The method according to claim 6,
Wherein the component comprising an oxide, hydroxide, or carbonate of the Group IIIA, Group IVA, Group IVB, or combinations thereof comprises a zirconyl compound.
제 7 항에 있어서,
상기 지르코닐 화합물이 지르코닐 나이트레이트, 지르코닐 아세테이트, 지르코닐 카보네이트, 양성자화된 지르코늄 염기성 카보네이트, 지르코닐 설페이트, 지르코닐 클로라이드, 지르코닐 요오다이드, 지르코닐 브로마이드 또는 이들의 조합물을 포함하는, 방법.
8. The method of claim 7,
Wherein the zirconyl compound is selected from the group consisting of zirconyl nitrate, zirconyl acetate, zirconyl carbonate, protonated zirconium basic carbonate, zirconyl sulfate, zirconyl chloride, zirconyl iodide, zirconyl bromide, , Way.
제 1 항에 있어서,
상기 보충제 조성물이,
IIIA족 금속, IVA족 금속, IVB족 금속 또는 이들의 조합물을 포함하는 용해된 착체 불화 금속 이온; 및
IIIA족 금속, IVA족 금속, IVB족 금속 또는 이들의 조합물의 옥사이드, 하이드록사이드 또는 카보네이트를 포함하는 성분
을 추가로 포함하는, 방법.
The method according to claim 1,
The supplemental composition,
A dissolved complex fluorinated metal ion comprising a Group IIIA metal, a Group IVA metal, a Group IVB metal, or a combination thereof; And
A component comprising an oxide, a hydroxide or a carbonate of a Group IIIA metal, a Group IVA metal, a Group IVB metal, or combinations thereof
≪ / RTI >
제 1 항에 있어서,
상기 보충제 조성물이, IB족 금속, IIB족 금속, VIIB족 금속, VIII족 금속, 란탄족 금속 또는 이들의 조합물을 포함하는 용해된 금속 이온을 추가로 포함하는, 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the supplemental composition further comprises a dissolved metal ion comprising a Group IB metal, a Group IIB metal, a Group VIIB metal, a Group VIII metal, a Lanthanide Group, or combinations thereof.
제 10 항에 있어서,
상기 IB족 금속, IIB족 금속, VIIB족 금속, VIII족 금속, 란탄족 금속 또는 이들의 조합물을 포함하는 용해된 금속 이온이 망간, 세륨, 코발트, 구리, 아연 또는 이들의 조합물을 포함하는, 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the molten metal ion comprising a Group IB metal, a Group IIB metal, a Group VIIB metal, a Group VIII metal, a Lanthanide Group or combinations thereof comprises manganese, cerium, cobalt, copper, zinc, , Way.
제 6 항에 있어서,
상기 보충제 조성물이, IB족 금속, IIB족 금속, VIIB족 금속, VIII족 금속, 란탄족 금속 또는 이들의 조합물을 포함하는 용해된 금속 이온을 추가로 포함하는, 방법.
The method according to claim 6,
Wherein the supplemental composition further comprises a dissolved metal ion comprising a Group IB metal, a Group IIB metal, a Group VIIB metal, a Group VIII metal, a Lanthanide Group, or combinations thereof.
제 12 항에 있어서,
상기 IB족 금속, IIB족 금속, VIIB족 금속, VIII족 금속, 란탄족 금속 또는 이들의 조합물을 포함하는 용해된 금속 이온이 망간, 세륨, 코발트, 구리, 아연 또는 이들의 조합물을 포함하는, 방법.
13. The method of claim 12,
Wherein the molten metal ion comprising a Group IB metal, a Group IIB metal, a Group VIIB metal, a Group VIII metal, a Lanthanide Group or combinations thereof comprises manganese, cerium, cobalt, copper, zinc, , Way.
제 1 항에 있어서,
상기 보충제 조성물을, 전처리 조성물의 총 금속 이온 함량이 10 ppm 내지 250 ppm으로 유지되기에 충분한 양으로 상기 전처리 조성물에 가하는, 방법.
The method according to claim 1,
Wherein said supplemental composition is added to said pretreatment composition in an amount sufficient to maintain a total metal ion content of the pretreatment composition between 10 ppm and 250 ppm.
제 9 항에 있어서,
상기 보충제 조성물이, IB족 금속, IIB족 금속, VIIB족 금속, VIII족 금속, 란탄족 금속 또는 이들의 조합물을 포함하는 용해된 금속 이온을 추가로 포함하는, 방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the supplemental composition further comprises a dissolved metal ion comprising a Group IB metal, a Group IIB metal, a Group VIIB metal, a Group VIII metal, a Lanthanide Group, or combinations thereof.
제 15 항에 있어서,
상기 IB족 금속, IIB족 금속, VIIB족 금속, VIII족 금속, 란탄족 금속 또는 이들의 조합물을 포함하는 용해된 금속 이온이 망간, 세륨, 코발트, 구리, 아연 또는 이들의 조합물을 포함하는, 방법.
16. The method of claim 15,
Wherein the molten metal ion comprising a Group IB metal, a Group IIB metal, a Group VIIB metal, a Group VIII metal, a Lanthanide Group or combinations thereof comprises manganese, cerium, cobalt, copper, zinc, , Way.
제 1 항에 있어서,
상기 보충제 조성물 및 상기 전처리 조성물을 교반(agitating)하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
The method according to claim 1,
Further comprising agitating the supplement composition and the pretreatment composition.
제 1 항의 방법에 따라 보충된 전처리 조성물.A pretreatment composition supplemented according to the method of claim 1. 기재를 제 18 항의 보충된 전처리 조성물과 접촉시키는 것을 포함하는, 기재 처리 방법. Contacting the substrate with the supplemented pretreatment composition of claim 18. 제 19 항에 따른 방법에 따라 형성된 처리된 기재. 19. A treated substrate formed according to the method of claim 19.
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