KR20140117289A - Resist composition and method of forming resist - Google Patents

Resist composition and method of forming resist Download PDF

Info

Publication number
KR20140117289A
KR20140117289A KR1020140033594A KR20140033594A KR20140117289A KR 20140117289 A KR20140117289 A KR 20140117289A KR 1020140033594 A KR1020140033594 A KR 1020140033594A KR 20140033594 A KR20140033594 A KR 20140033594A KR 20140117289 A KR20140117289 A KR 20140117289A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
carbon atoms
substituent
atom
component
Prior art date
Application number
KR1020140033594A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102206690B1 (en
Inventor
츠요시 나카무라
가즈이시 단노
Original Assignee
도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 filed Critical 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
Publication of KR20140117289A publication Critical patent/KR20140117289A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102206690B1 publication Critical patent/KR102206690B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D498/00Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D498/02Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D498/04Ortho-condensed systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/26Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0382Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

Provided is a resist composition for forming a resist pattern having decreased roughness. For this, a resist composition is characterized by comprising a polymer compound having a constituting unit derived from an acrylic aid ester, in which a hydrogen atom combined with a carbon atom at an α position may be substituted with a substituent, the constituting unit having a lactone-containing cyclic group having an electron withdrawing group at the terminal of a side chain, and an acid generator composed of a compound represented by general formula (b1). In general formula (b1), R^101 is a cyclic group, an alkyl group of a chain type or an alkenyl group of a chain type that may have a substituent. q″ is an integer of 1-20. M^m^+ is an organic cation having m valency. [Chemical formula 1].

Description

레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법{RESIST COMPOSITION AND METHOD OF FORMING RESIST}RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING METHOD

본 발명은 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a resist composition and a method for forming a resist pattern.

리소그래피 기술에 있어서는, 예를 들어 기판 상에 레지스트 재료로 이루어지는 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 대해 선택적 노광을 실시하고, 현상 처리를 실시함으로써, 상기 레지스트막에 소정 형상의 레지스트 패턴을 형성하는 공정이 실시된다. 레지스트막의 노광부가 현상액에 용해되는 특성으로 변화하는 레지스트 재료를 포지티브형, 노광부가 현상액에 용해되지 않는 특성으로 변화하는 레지스트 재료를 네거티브형이라고 한다.In lithography, for example, a resist film made of a resist material is formed on a substrate, a selective exposure is performed on the resist film, and a development process is performed to form a resist pattern of a predetermined shape on the resist film . A resist material in which the exposure portion of the resist film changes in properties to be dissolved in the developing solution in a positive type and a resist portion in which the exposure portion is not dissolved in a developing solution is referred to as a negative type.

최근 반도체 소자나 액정 표시 소자의 제조에 있어서는, 리소그래피 기술의 진보에 의해 급속히 패턴의 미세화가 진행되고 있다. 미세화의 수법으로는, 일반적으로 노광 광원의 단파장화 (고에너지화) 가 실시되고 있다. 구체적으로는, 종래에는 g 선, i 선으로 대표되는 자외선이 사용되고 있었지만, 현재는 KrF 엑시머 레이저나, ArF 엑시머 레이저를 사용한 반도체 소자의 양산이 개시되고 있다. 또, 이들 엑시머 레이저보다 단파장 (고에너지) 의 EUV (극자외선) 나, EB (전자선), X 선 등에 대해서도 검토가 실시되고 있다.BACKGROUND ART [0002] In recent years, in the production of semiconductor devices and liquid crystal display devices, patterns are being rapidly miniaturized by advances in lithography techniques. As a method of refinement, generally, the exposure light source is shortened in wavelength (high energy). Specifically, conventionally, ultraviolet rays represented by g-line and i-line have been used, but now mass production of semiconductor devices using KrF excimer laser or ArF excimer laser has been started. EUV (extreme ultraviolet), EB (electron beam), X-ray and the like having a shorter wavelength (high energy) than these excimer lasers have also been studied.

레지스트 재료에는, 이들 노광 광원에 대한 감도, 미세한 치수의 패턴을 재현할 수 있는 해상성 등의 리소그래피 특성이 요구된다.Resist materials are required to have lithography properties such as sensitivity to resolution of these exposure light sources and resolving ability to reproduce patterns of fine dimensions.

이와 같은 요구를 만족하는 레지스트 재료로서, 종래, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분과, 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분을 함유하는 화학 증폭형 레지스트 조성물이 사용되고 있다.As a resist material satisfying such a demand, a chemically amplified resist composition containing a base component whose solubility in a developing solution changes by the action of an acid and an acid generator component which generates an acid by exposure is conventionally used .

예를 들어 상기 현상액이 알칼리 현상액 (알칼리 현상 프로세스) 인 경우, 포지티브형의 화학 증폭형 레지스트 조성물로는, 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대하는 수지 성분 (베이스 수지) 과, 산 발생제 성분을 함유하는 것이 일반적으로 사용되고 있다. 이러한 레지스트 조성물을 사용하여 형성되는 레지스트막은, 레지스트 패턴 형성시에 선택적 노광을 실시하면, 노광부에 있어서, 산 발생제 성분으로부터 산이 발생하고, 그 산의 작용에 의해 베이스 수지의 극성이 증대하여, 노광부가 알칼리 현상액에 대해 가용으로 된다. 그 때문에 알칼리 현상함으로써, 미노광부가 패턴으로서 남는 포지티브형 패턴이 형성된다.For example, when the developer is an alkali developing solution (alkali developing process), the positive chemical amplification type resist composition includes a resin component (base resin) that increases solubility in an alkali developing solution by the action of an acid, It is generally used to contain ingredients. When a resist film formed using such a resist composition is subjected to selective exposure at the time of forming a resist pattern, acid is generated from the acid generator component in the exposed portion, and the polarity of the base resin is increased by the action of the acid, The exposed portion becomes soluble in an alkali developing solution. For this reason, by the alkali development, a positive pattern in which the unexposed portion remains as a pattern is formed.

한편, 이와 같은 화학 증폭형 레지스트 조성물을, 유기 용제를 포함하는 현상액 (유기계 현상액) 을 사용한 용제 현상 프로세스에 적용한 경우, 베이스 수지의 극성이 증대하면, 상대적으로 유기계 현상액에 대한 용해성이 저하되기 때문에, 레지스트막의 미노광부가 유기계 현상액에 의해 용해, 제거되어, 노광부가 패턴으로서 남는 네거티브형의 레지스트 패턴이 형성된다. 이와 같이 네거티브형의 레지스트 패턴을 형성하는 용제 현상 프로세스를 네거티브형 현상 프로세스라고 하는 경우가 있다 (예를 들어 특허문헌 1 참조).On the other hand, when such a chemically amplified resist composition is applied to a solvent developing process using a developing solution (organic developing solution) containing an organic solvent, the solubility of the organic developing solution relatively decreases as the polarity of the base resin increases, A negative resist pattern is formed in which the unexposed portion of the resist film is dissolved and removed by an organic developer to leave an exposed portion as a pattern. The solvent developing process for forming a negative resist pattern is sometimes referred to as a negative developing process (see, for example, Patent Document 1).

화학 증폭형 레지스트 조성물에 있어서 사용되는 베이스 수지는, 일반적으로, 리소그래피 특성 등의 향상을 위해서 복수의 구성 단위를 갖고 있다.The base resin used in the chemically amplified resist composition generally has a plurality of constituent units for the purpose of improving the lithography characteristics and the like.

예를 들어, 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대하는 수지 성분의 경우, 산 발생제 등으로부터 발생한 산의 작용에 의해 분해되어 극성이 증대하는 산 분해성기를 포함하는 구성 단위가 이용되며, 그 외, 락톤 함유 고리형기를 포함하는 구성 단위, 수산기 등의 극성기를 포함하는 구성 단위 등이 병용되고 있다 (예를 들어 특허문헌 2 참조).For example, in the case of a resin component whose solubility in an alkali developing solution increases due to the action of an acid, a constitutional unit containing an acid-decomposable group decomposed by the action of an acid generated from an acid generator or the like and having an increased polarity is used, In addition, structural units containing a lactone-containing cyclic group, structural units containing a polar group such as a hydroxyl group, and the like are used in combination (see, for example, Patent Document 2).

최근에는, 패턴의 미세화가 더욱더 진행되는 것에 수반하여, 레지스트 조성물용 베이스 수지로서 유용한 고분자 화합물에 대한 요구가 높아지고 있다. In recent years, along with progressive miniaturization of patterns, there is an increasing demand for polymer compounds useful as a base resin for a resist composition.

그 중, 예를 들어, 전자 흡인성 치환기 및 락톤 골격을 포함하는 다고리형 에스테르를 모노머로서 사용한 고분자 화합물, 그리고, 이 고분자 화합물을 함유하는 레지스트 조성물이 제안되어 있다 (특허문헌 3 참조).Among them, a polymer compound using, for example, a polycyclic structure containing an electron-withdrawing substituent group and a lactone skeleton as a monomer, and a resist composition containing the polymer compound have been proposed (see Patent Document 3).

일본 공개특허공보 2009-025723호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2009-025723 일본 공개특허공보 2003-241385호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-241385 일본 공개특허공보 2008-231059호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2008-231059

리소그래피 기술의 더 나은 진보, 응용 분야의 확대 등이 진행되는 가운데, 레지스트 패턴의 형성에 있어서는, 고감도화나, 러프니스 개선 등의 각종 리소그래피 특성의 향상이 한층 요구되고 있다. 그러나, 예를 들어 상기 특허문헌 3 에 기재된 레지스트 조성물에 있어서는, 레지스트 패턴의 특히 러프니스의 추가적인 개선이 필요하다.In the progress of the lithography technique and the expansion of the application field, in the formation of the resist pattern, various kinds of lithography characteristics such as high sensitivity and roughness improvement are required more and more. However, for example, in the resist composition described in Patent Document 3, further improvement of the resist pattern, in particular the roughness, is required.

본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 러프니스가 저감된 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 레지스트 조성물을 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a resist composition capable of forming a resist pattern with reduced roughness.

상기 과제를 해결하는 본 발명의 제 1 양태는, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분 (A) 및 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분 (B) 를 함유하는 레지스트 조성물로서, 상기 기재 성분 (A) 는, 하기 일반식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위 (a0) 을 갖는 고분자 화합물 (A1) 을 포함하고, 상기 산 발생제 성분 (B) 는, 하기 일반식 (b1) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 산 발생제 (B1) 을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물이다.A first aspect of the present invention for solving the above problems is a resist composition comprising a base component (A) whose solubility in a developer is changed by the action of an acid and an acid generator component (B) Wherein the base component (A) comprises a polymeric compound (A1) having a structural unit (a0) represented by the following general formula (a0-1), wherein the acid generator component (B) and an acid generator (B1) comprising a compound represented by the following formula (b1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기이다. Va0 은 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이다. na0 은 0 ∼ 2 의 정수이다. Ra1 및 Ra2 는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 알콕시기, 혹은 알킬티오기이거나, 또는, Ra1 과 Ra2 가 서로 결합하여, 산소 원자 (-O-) 혹은 황 원자 (-S-) 를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기, 에테르 결합, 혹은 티오에테르 결합이 되어도 된다. Ra'01 은 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 하이드록시기 부분이 보호기로 보호되어 있어도 되고 또한 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기, 염을 형성하고 있는 카르복실기, 또는 치환 옥시카르보닐기이다. 2 개 이상의 Ra'01 이 존재하는 경우, 복수의 Ra'01 은 서로 동일하거나 상이하여도 된다. X 는 할로겐 원자, 카르복실기, 알콕시카르보닐기, 아실기, 니트로기 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택되는 치환기이다. 2 개 이상의 X 가 존재하는 경우, 복수의 X 는 서로 동일하거나 상이하여도 된다. p0 은 0 ∼ 8 의 정수이다. q0 은 1 ∼ 9 의 정수이다.]Wherein R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Va 0 is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent. n a0 is an integer of 0 to 2; Ra 1 and Ra 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group or an alkylthio group, or Ra 1 and Ra 2 are bonded to each other to form an oxygen atom (-O-) May be an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, an ether linkage, or a thioether linkage which may contain a linking group (-S-). Ra '01 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a hydroxy group protected by a protective group and may have a halogen atom, a carboxyl group , Or a substituted oxycarbonyl group. 'When 01 is present, a plurality of Ra' 2 or more Ra 01 is the same or different to each other. X is a substituent selected from the group consisting of a halogen atom, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, a nitro group and a cyano group. When two or more X's are present, the plurality of X's may be the same or different from each other. p 0 is an integer of 0 to 8; q 0 is an integer from 1 to 9.]

[화학식 2](2)

Figure pat00002
Figure pat00002

[식 중, R101 은 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다. q'' 는 1 ∼ 20 의 정수이다. m 은 1 이상의 정수로서, Mm 는 m 가의 유기 카티온이다.]Wherein R 101 is a cyclic group which may have a substituent, a chain-like alkyl group which may have a substituent, or a chain-like alkenyl group which may have a substituent. q " is an integer of 1 to 20; m is an integer of 1 or more, and M m + is an organic cation of m.

본 발명의 제 2 양태는, 상기 본 발명의 제 1 양태의 레지스트 조성물을 사용하여 지지체 상에 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 및 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성 방법이다.In a second aspect of the present invention, there is provided a process for producing a resist pattern, comprising the steps of: forming a resist film on a support using the resist composition of the first aspect of the invention; exposing the resist film; And a resist pattern forming method.

본 발명의 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법에 의하면, 러프니스가 저감된 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.According to the resist composition and the resist pattern forming method of the present invention, a resist pattern with reduced roughness can be formed.

본 명세서 및 본 특허 청구의 범위에 있어서, 「지방족」 이란, 방향족에 대한 상대적인 개념으로서, 방향족성을 갖지 않는 기, 화합물 등을 의미하는 것으로 정의한다.In the present specification and claims, the term " aliphatic " is defined as meaning a group, compound, or the like having no aromaticity as a relative concept to an aromatic.

「알킬기」 는, 특별히 언급이 없는 한, 직사슬형, 분기사슬형 및 고리형의 1 가의 포화 탄화 수소기를 포함하는 것으로 한다. 알콕시기 중의 알킬기도 동일하다.Unless otherwise specified, the term " alkyl group " includes straight-chain, branched-chain and cyclic monovalent saturated hydrocarbon groups. The alkyl group in the alkoxy group is also the same.

「알킬렌기」 는, 특별히 언급이 없는 한, 직사슬형, 분기사슬형 및 고리형의 2 가의 포화 탄화 수소기를 포함하는 것으로 한다.The "alkylene group" includes straight-chain, branched-chain and cyclic divalent saturated hydrocarbon groups unless otherwise specified.

「할로겐화 알킬기」 는, 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이며, 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.The "halogenated alkyl group" is a group in which a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with a halogen atom, and examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

「불소화알킬기」 또는 「불소화알킬렌기」 는, 알킬기 또는 알킬렌기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기를 말한다.The "fluorinated alkyl group" or "fluorinated alkylene group" refers to a group in which a part or all of hydrogen atoms of an alkyl group or an alkylene group are substituted with a fluorine atom.

「구성 단위」 란, 고분자 화합물 (수지, 중합체, 공중합체) 을 구성하는 모노머 단위 (단량체 단위) 를 의미한다."Constituent unit" means a monomer unit (monomer unit) constituting a polymer compound (resin, polymer, copolymer).

「치환기를 갖고 있어도 된다」 라고 기재하는 경우, 수소 원자 (-H) 를 1 가의 기로 치환하는 경우와, 메틸렌기 (-CH2-) 를 2 가의 기로 치환하는 경우 양방을 포함한다.Includes the case of substituting a hydrogen atom (-H) with a monovalent group and the case of substituting a methylene group (-CH 2 -) with a bivalent group when describing "may have a substituent".

「노광」 은, 방사선의 조사 전반을 포함하는 개념으로 한다.&Quot; Exposure " is a concept including the entire irradiation of radiation.

「아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위」 란, 아크릴산에스테르의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다.The term "structural unit derived from an acrylate ester" means a structural unit constituted by cleavage of an ethylenic double bond of an acrylate ester.

「아크릴산에스테르」 는, 아크릴산 (CH2=CH-COOH) 의 카르복실기 말단의 수소 원자가 유기기로 치환된 화합물이다."Acrylic acid ester" is a compound in which a hydrogen atom at the terminal of a carboxyl group of acrylic acid (CH 2 ═CH-COOH) is substituted with an organic group.

아크릴산에스테르는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자를 치환하는 치환기 (Rα0) 은, 수소 원자 이외의 원자 또는 기이며, 예를 들어 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기 등을 들 수 있다. 또, 치환기 (Rα0) 이 에스테르 결합을 포함하는 치환기로 치환된 이타콘산디에스테르나, 치환기 (Rα0) 가 하이드록시알킬기나 그 수산기를 수식한 기로 치환된 α하이드록시아크릴에스테르도 포함하는 것으로 한다. 또한, 아크릴산에스테르의 α 위치의 탄소 원자란, 특별히 언급이 없는 한, 아크릴산의 카르보닐기가 결합하고 있는 탄소 원자이다.The acrylate ester may have a hydrogen atom bonded to the carbon atom at the? -Position thereof substituted with a substituent. The substituent (R ? 0 ) for substituting a hydrogen atom bonded to the carbon atom at the ? -Position is an atom or a group other than a hydrogen atom, and examples thereof include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms have. Also, itaconic acid diesters in which a substituent (R ? 0 ) is substituted with a substituent containing an ester bond, or an? Hydroxyacrylic ester in which a substituent (R ? 0 ) is substituted with a hydroxyalkyl group or a group having a hydroxyl group- do. The carbon atom at the? -Position of the acrylate ester is a carbon atom to which a carbonyl group of acrylic acid is bonded, unless otherwise specified.

이하, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환된 아크릴산에스테르를 α 치환 아크릴산에스테르라고 하는 경우가 있다. 또, 아크릴산에스테르와 α 치환 아크릴산에스테르를 포괄하여 「(α 치환) 아크릴산에스테르」 라고 하는 경우가 있다.Hereinafter, an acrylic acid ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the? -Position is substituted with a substituent is sometimes referred to as an? -Substituted acrylate ester. In some cases, an acrylic acid ester and an alpha-substituted acrylic acid ester are collectively referred to as " (alpha-substituted) acrylic ester ".

「아크릴아미드로부터 유도되는 구성 단위」 란, 아크릴아미드의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다.The term " structural unit derived from acrylamide " means a constituent unit in which an ethylenic double bond of acrylamide is cleaved.

아크릴아미드는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되고, 아크릴아미드의 아미노기의 수소 원자의 일방 또는 양방이 치환기로 치환되어 있어도 된다. 또한, 아크릴아미드의 α 위치의 탄소 원자란, 특별히 언급이 없는 한, 아크릴아미드의 카르보닐기가 결합하고 있는 탄소 원자이다.The acrylamide may have a hydrogen atom bonded to the carbon atom at the? -Position thereof substituted with a substituent, and one or both of the hydrogen atoms of the amino group of the acrylamide may be substituted with a substituent. The carbon atom at the? -Position of acrylamide is a carbon atom to which a carbonyl group of acrylamide is bonded, unless otherwise specified.

아크릴아미드의 α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자를 치환하는 치환기로는, 상기 α 치환 아크릴산에스테르에 있어서, α 위치의 치환기로서 예시한 것 (치환기 (Rα0)) 과 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the substituent substituting the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the? -Position of the acrylamide include those exemplified as the substituent at the ? -Position (substituent (R ? 0 )) in the? -Substituted acrylate ester.

「하이드록시스티렌 혹은 하이드록시스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위」 란, 하이드록시스티렌 혹은 하이드록시스티렌 유도체의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다.The "structural unit derived from a hydroxystyrene or hydroxystyrene derivative" means a structural unit composed of an ethylene double bond of a hydroxystyrene or a hydroxystyrene derivative formed by cleavage.

「하이드록시스티렌 유도체」 란, 하이드록시스티렌의 α 위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화 알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것, 그리고 그들의 유도체를 포함하는 개념으로 한다. 그들의 유도체로는, α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 하이드록시스티렌의 수산기의 수소 원자를 유기기로 치환한 것;α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 하이드록시스티렌의 벤젠 고리에, 수산기 이외의 치환기가 결합한 것 등을 들 수 있다. 또한, α 위치 (α 위치의 탄소 원자) 란, 특별히 언급이 없는 한, 벤젠 고리가 결합하고 있는 탄소 원자를 말한다.The term " hydroxystyrene derivative " includes not only hydrogen atoms at the alpha -position of hydroxystyrene but also other substituents such as alkyl groups and halogenated alkyl groups, and derivatives thereof. Examples of the derivatives thereof include those obtained by substituting the hydrogen atom of the hydroxyl group of the hydroxystyrene which may be substituted with a hydrogen atom at the α-position with an organic group, a benzen ring of hydroxystyrene where the hydrogen atom at the α- And those having a substituent other than a hydroxyl group bonded thereto. The? Position (carbon atom at?) Refers to a carbon atom to which a benzene ring is bonded, unless otherwise specified.

하이드록시스티렌의 α 위치의 수소 원자를 치환하는 치환기로는, 상기 α 치환 아크릴산에스테르에 있어서, α 위치의 치환기로서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the substituent substituting the hydrogen atom at the? -Position of hydroxystyrene include the same ones exemplified as the substituent at the? -Position in the? -Substituted acrylate ester.

「비닐벤조산 혹은 비닐벤조산 유도체로부터 유도되는 구성 단위」 란, 비닐벤조산 혹은 비닐벤조산 유도체의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다.The term " structural unit derived from vinylbenzoic acid or vinylbenzoic acid derivative " means a structural unit formed by cleavage of the ethylenic double bond of vinylbenzoic acid or vinylbenzoic acid derivative.

「비닐벤조산 유도체」 란, 비닐벤조산의 α 위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화 알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것, 그리고 그들의 유도체를 포함하는 개념으로 한다. 그들의 유도체로는, α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 비닐벤조산의 카르복실기의 수소 원자를 유기기로 치환한 것;α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 비닐벤조산의 벤젠 고리에, 수산기 및 카르복실기 이외의 치환기가 결합한 것 등을 들 수 있다. 또한, α 위치 (α 위치의 탄소 원자) 란, 특별히 언급이 없는 한, 벤젠 고리가 결합하고 있는 탄소 원자를 말한다.The term " vinylbenzoic acid derivative " means a vinylbenzoic acid in which hydrogen atoms at the alpha -position of vinylbenzoic acid are substituted with other substituents such as an alkyl group and a halogenated alkyl group, and derivatives thereof. Examples of the derivatives thereof include those obtained by substituting hydrogen atoms of the carboxyl groups of vinylbenzoic acid in which the hydrogen atom at the α-position may be substituted with organic groups, benzene rings of vinylbenzoic acid in which the hydrogen atom at the α-position may be substituted with substituents, And those having a substituent other than a carboxyl group bonded thereto. The? Position (carbon atom at?) Refers to a carbon atom to which a benzene ring is bonded, unless otherwise specified.

「스티렌」 이란, 스티렌 및 스티렌의 α 위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화 알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것도 포함하는 개념으로 한다.The term " styrene " includes the concept that hydrogen atoms at the [alpha] -position of styrene and styrene are substituted with other substituents such as an alkyl group and a halogenated alkyl group.

「스티렌으로부터 유도되는 구성 단위」, 「스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위」 란, 스티렌 또는 스티렌 유도체의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다."Constituent unit derived from styrene" and "constituent unit derived from styrene derivative" means a constituent unit in which an ethylene double bond of styrene or a styrene derivative is cleaved.

상기 α 위치의 치환기로서의 알킬기는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기가 바람직하며, 구체적으로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 (메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기) 등을 들 수 있다.The alkyl group as the substituent at the? -Position is preferably a linear or branched alkyl group, and specifically includes an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, Butyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group).

또, α 위치의 치환기로서의 할로겐화 알킬기는, 구체적으로는, 상기 「α 위치의 치환기로서의 알킬기」 의 수소 원자의 일부 또는 전부를 할로겐 원자로 치환한 기를 들 수 있다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다.Specific examples of the halogenated alkyl group as the substituent at the? -Position include a group obtained by substituting a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group as the substituent at the? -Position with a halogen atom. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.

또, α 위치의 치환기로서의 하이드록시알킬기는, 구체적으로는, 상기 「α 위치의 치환기로서의 알킬기」 의 수소 원자의 일부 또는 전부를 수산기로 치환한 기를 들 수 있다. 그 하이드록시알킬기에 있어서의 수산기의 수는 1 ∼ 5 가 바람직하고, 1 이 가장 바람직하다.Specific examples of the hydroxyalkyl group as the substituent at the? -Position include a group in which a part or all of the hydrogen atoms of the "alkyl group as the substituent at the? -Position" are substituted with hydroxyl groups. The number of hydroxyl groups in the hydroxyalkyl group is preferably 1 to 5, and most preferably 1.

≪레지스트 조성물≫&Quot; Resist composition &

본 발명의 제 1 양태의 레지스트 조성물은, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분 (A) (이하, 「(A) 성분」 이라고도 한다) 및 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분 (B) (이하, 「(B) 성분」 이라고도 한다) 를 함유한다.The resist composition of the first embodiment of the present invention is a resist composition comprising a base component (A) (hereinafter also referred to as "component (A)") whose solubility in a developer changes by the action of an acid and an acid generator (B) (hereinafter also referred to as " component (B) ").

이러한 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 대해 선택적 노광을 실시하면, 노광부에서는 산이 발생하고, 그 산의 작용에 의해 (A) 성분의 현상액에 대한 용해성이 변화하는 한편, 미노광부에서는 (A) 성분의 현상액에 대한 용해성이 변화하지 않기 때문에, 노광부와 미노광부 사이에서 현상액에 대한 용해성의 차이가 생긴다. 그 때문에, 그 레지스트막을 현상하면, 당해 레지스트 조성물이 포지티브형인 경우에는 노광부가 용해 제거되어 포지티브형의 레지스트 패턴이 형성되고, 당해 레지스트 조성물이 네거티브형인 경우에는 미노광부가 용해 제거되어 네거티브형의 레지스트 패턴이 형성된다.When a resist film is formed using such a resist composition and selectively exposed to the resist film, an acid is generated in the exposed portion, and the solubility of the component (A) in the developer is changed by the action of the acid, In the light portion, since the solubility of the component (A) in the developer does not change, there is a difference in solubility in the developer between the exposed portion and the unexposed portion. Therefore, when the resist film is developed, when the resist composition is a positive type, the exposed portion is dissolved and removed to form a positive resist pattern. When the resist composition is negative, the unexposed portion is dissolved and removed to form a negative resist pattern .

본 명세서에 있어서는, 노광부가 용해 제거되어 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트 조성물을 포지티브형 레지스트 조성물이라고 하고, 미노광부가 용해 제거되어 네거티브형 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트 조성물을 네거티브형 레지스트 조성물이라고 한다.In the present specification, a resist composition that forms a positive resist pattern by dissolving and removing the exposed portions is referred to as a positive resist composition, and a negative resist composition that forms a negative resist pattern by dissolving and removing the unexposed portion is referred to as a negative resist composition.

본 태양의 레지스트 조성물은 포지티브형 레지스트 조성물이어도 되고, 네거티브형 레지스트 조성물이어도 된다.The resist composition of the present embodiment may be a positive resist composition or a negative resist composition.

또, 본 태양의 레지스트 조성물은, 레지스트 패턴 형성시의 현상 처리에 알칼리 현상액을 사용하는 알칼리 현상 프로세스용이어도 되고, 그 현상 처리에 유기 용제를 포함하는 현상액 (유기계 현상액) 을 사용하는 용제 현상 프로세스용이어도 된다.The resist composition of the present embodiment may be used for an alkali development process using an alkali developer for development processing at the time of forming a resist pattern, and may be used for a solvent development process using a developer (organic developer) containing an organic solvent .

<(A) 성분>≪ Component (A) >

본 발명에 있어서, 「기재 성분」 이란, 막 형성능을 갖는 유기 화합물이며, 바람직하게는 분자량이 500 이상인 유기 화합물이 사용된다. 그 유기 화합물의 분자량이 500 이상임으로써, 막 형성능이 향상되고, 게다가, 나노 레벨의 레지스트 패턴을 형성하기 쉽다.In the present invention, the " base component " is an organic compound having film-forming ability, preferably an organic compound having a molecular weight of 500 or more. When the molecular weight of the organic compound is 500 or more, the film forming ability is improved, and a nano-level resist pattern is easily formed.

기재 성분으로서 사용되는 유기 화합물은 비중합체와 중합체로 대별된다.Organic compounds used as a base component are roughly divided into non-polymeric and non-polymeric polymers.

비중합체로는, 통상적으로 분자량이 500 이상 4000 미만인 것이 사용된다. 이하, 「저분자 화합물」 이라고 하는 경우에는, 분자량이 500 이상 4000 미만인 비중합체를 나타낸다. As the non-polymeric polymer, those having a molecular weight of usually 500 or more and less than 4000 are used. Hereinafter, the term " low molecular weight compound " refers to a non-polymeric substance having a molecular weight of 500 or more and less than 4000.

중합체로는, 통상적으로 분자량이 1000 이상인 것이 사용된다. 이하, 「수지」 또는 「고분자 화합물」 이라고 하는 경우에는, 분자량이 1000 이상인 중합체를 나타낸다.As the polymer, those having a molecular weight of 1000 or more are usually used. Hereinafter, the term "resin" or "polymer compound" refers to a polymer having a molecular weight of 1000 or more.

중합체의 분자량으로는, GPC (겔 퍼미에이션 크로마토그래피) 에 의한 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량을 사용하는 것으로 한다.As the molecular weight of the polymer, a mass average molecular weight in terms of polystyrene by GPC (Gel Permeation Chromatography) is used.

본 태양의 레지스트 조성물이, 알칼리 현상 프로세스에 있어서 네거티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「알칼리 현상 프로세스용 네거티브형 레지스트 조성물」 인 경우, 또는, 용제 현상 프로세스에 있어서 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「용제 현상 프로세스용 포지티브형 레지스트 조성물」 인 경우, (A) 성분으로는, 바람직하게는 알칼리 현상액에 가용성의 기재 성분 (A-2) (이하, 「(A-2) 성분」 이라고 한다) 가 사용되고, 또한 가교제 성분이 배합된다. 이러한 레지스트 조성물은, 노광에 의해 (B) 성분으로부터 산이 발생하면, 당해 산이 작용하여 그 (A-2) 성분과 가교제 성분 사이에서 가교가 일어나고, 이 결과, 알칼리 현상액에 대한 용해성이 감소 (유기계 현상액에 대한 용해성이 증대) 한다. 그 때문에, 레지스트 패턴의 형성에 있어서, 당해 레지스트 조성물을 지지체 상에 도포하여 얻어지는 레지스트막을 선택적으로 노광하면, 노광부는 알칼리 현상액에 대해 난용성 (유기계 현상액에 대해 가용성) 으로 바뀌는 한편, 미노광부는 알칼리 현상액에 대해 가용성 (유기계 현상액에 대해 난용성) 인 채로 변화하지 않기 때문에, 알칼리 현상액으로 현상함으로써 네거티브형 레지스트 패턴이 형성된다. 또, 이 때 유기계 현상액으로 현상함으로써 포지티브형의 레지스트 패턴이 형성된다.In the case where the resist composition of the present embodiment is a "negative resist composition for alkali development process" in which a negative resist pattern is formed in an alkali developing process, or a "negative resist composition for alkali developing process" for forming a positive resist pattern in a solvent developing process (Hereinafter referred to as "component (A-2)") is preferably used as the component (A), and the crosslinking agent ≪ / RTI > When an acid is generated from the component (B) by exposure, the acid acts to cross-link the component (A-2) and the crosslinking agent component. As a result, the resist composition has reduced solubility in an alkali developing solution To increase the solubility in the solution. Therefore, in the formation of the resist pattern, when the resist film obtained by applying the resist composition onto a support is selectively exposed, the exposed portion is changed to an insoluble (soluble in an organic developer) to an alkaline developer, Since it does not change with solubility (insolubility with an organic developer) for a developer, a negative resist pattern is formed by development with an alkaline developer. At this time, a positive type resist pattern is formed by developing with an organic developing solution.

(A-2) 성분으로는, 알칼리 현상액에 대해 가용성의 수지 (이하, 「알칼리 가용성 수지」 라고 한다) 가 사용된다.As the component (A-2), a resin soluble in an alkali developer (hereinafter referred to as "alkali-soluble resin") is used.

알칼리 가용성 수지로는, 예를 들어 일본 공개특허공보 2000-206694호에 개시되어 있는, α-(하이드록시알킬)아크릴산, 또는 α-(하이드록시알킬)아크릴산의 알킬에스테르 (바람직하게는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬에스테르) 에서 선택되는 적어도 하나로부터 유도되는 단위를 갖는 수지;미국 특허공보 6949325호에 개시되어 있는, 술폰아미드기를 갖는 α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴 수지 또는 폴리시클로올레핀 수지;미국 특허공보 6949325호, 일본 공개특허공보 2005-336452호, 일본 공개특허공보 2006-317803호에 개시되어 있는, 불소화알코올을 함유하고, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴 수지;일본 공개특허공보 2006-259582호에 개시되어 있는, 불소화알코올을 갖는 폴리시클로올레핀 수지 등이, 팽윤이 적은 양호한 레지스트 패턴을 형성할 수 있으므로 바람직하다.As the alkali-soluble resin, for example, an alkylester of? - (hydroxyalkyl) acrylic acid or? - (hydroxyalkyl) acrylic acid (preferably an alkylester of 1 to 20 carbon atoms, 5, an acrylic resin which is disclosed in U.S. Patent No. 6949325, in which a hydrogen atom bonded to the carbon atom at the? -Position having a sulfonamide group may be substituted with a substituent, or a resin having a unit derived from at least one selected from the group consisting of Polycycloolefin resins, which are disclosed in U.S. Patent Nos. 6949325, 2005-336452, and 2006-317803, which contain a fluorinated alcohol and in which hydrogen atoms bonded to carbon atoms at the [alpha] An acrylic resin which may be substituted; an acrylic resin having a fluorinated alcohol, which is disclosed in JP-A-2006-259582 The Li cycloolefin resin or the like, it is preferable because the swelling to form a less good resist pattern.

또한, 상기 α-(하이드록시알킬)아크릴산은, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산 중, 카르복실기가 결합하는 α 위치의 탄소 원자에 수소 원자가 결합하고 있는 아크릴산과, 이 α 위치의 탄소 원자에 하이드록시알킬기 (바람직하게는 탄소수 1 ∼ 5 의 하이드록시알킬기) 가 결합하고 있는 α-하이드록시알킬아크릴산의 일방 또는 양방을 나타낸다.The above-mentioned? - (hydroxyalkyl) acrylic acid may be obtained by copolymerizing an acrylic acid in which a hydrogen atom is bonded to a carbon atom at the? -Position to which a carboxyl group is bonded, among the acrylic acid in which a hydrogen atom bonded to the carbon atom at? refers to one or both of? -hydroxyalkyl acrylic acid to which a hydroxyalkyl group (preferably a hydroxyalkyl group having 1 to 5 carbon atoms) is bonded to a carbon atom at? -position.

가교제 성분으로는, 예를 들어, 통상적으로는 메틸롤기 또는 알콕시메틸기를 갖는 글리콜우릴 등의 아미노계 가교제, 멜라민계 가교제 등을 사용하면, 팽윤이 적은 양호한 레지스트 패턴을 형성할 수 있어 바람직하다. 가교제 성분의 배합량은, 알칼리 가용성 수지 100 질량부에 대해 1 ∼ 50 질량부인 것이 바람직하다.As the crosslinking agent component, for example, an amino-based crosslinking agent such as glycoluril having a methylol group or an alkoxymethyl group, a melamine-based crosslinking agent or the like is preferably used because a good resist pattern with less swelling can be formed. The blending amount of the crosslinking agent component is preferably 1 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the alkali-soluble resin.

본 태양의 레지스트 조성물이, 알칼리 현상 프로세스에 있어서 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「알칼리 현상 프로세스용 포지티브형 레지스트 조성물」 인 경우, 또는, 용제 현상 프로세스에 있어서 네거티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「용제 현상 프로세스용 네거티브형 레지스트 조성물」 인 경우, (A) 성분으로는, 바람직하게는, 산의 작용에 의해 극성이 증대하는 기재 성분 (A-1) (이하, 「(A-1) 성분」 이라고 한다) 이 사용된다. (A-1) 성분을 사용함으로써, 노광 전후로 기재 성분의 극성이 변화하기 때문에, 알칼리 현상 프로세스뿐만 아니라, 용제 현상 프로세스에 있어서도 양호한 현상 콘트라스트를 얻을 수 있다.In the case where the resist composition of the present embodiment is a "positive resist composition for alkali development process" in which a positive resist pattern is formed in an alkali development process, or a "solvent development process" in which a negative resist pattern is formed in a solvent development process (Hereinafter referred to as the "(A-1) component") in which the polarity increases due to the action of an acid, is preferably used as the component (A) Is used. By using the component (A-1), since the polarity of the base component changes before and after the exposure, a good development contrast can be obtained not only in the alkali development process but also in the solvent development process.

알칼리 현상 프로세스를 적용하는 경우, 그 (A-1) 성분은, 노광 전은 알칼리 현상액에 대해 난용성이며, 노광에 의해 산이 발생하면, 그 산의 작용에 의해 극성이 증대하여 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대한다. 그 때문에, 레지스트 패턴의 형성에 있어서, 당해 레지스트 조성물을 지지체 상에 도포하여 얻어지는 레지스트막에 대해 선택적으로 노광하면, 노광부는 알칼리 현상액에 대해 난용성에서 가용성으로 변화하는 한편, 미노광부는 알칼리 난용성인 채로 변화하지 않기 때문에, 알칼리 현상함으로써 포지티브형 레지스트 패턴이 형성된다.In the case of applying the alkali development process, the component (A-1) is poorly soluble in an alkali developing solution before exposure, and when an acid is generated by exposure, the polarity increases due to the action of the acid, . Therefore, in the formation of a resist pattern, when the resist film obtained by applying the resist composition onto a support is selectively exposed, the exposed portion changes from being poorly soluble to soluble in an alkaline developer, while the unexposed portion is alkali- The positive resist pattern is formed by alkali development.

한편, 용제 현상 프로세스를 적용하는 경우에는, 그 (A-1) 성분은, 노광 전은 유기계 현상액에 대해 용해성이 높고, 노광에 의해 산이 발생하면, 그 산의 작용에 의해 극성이 높아져, 유기계 현상액에 대한 용해성이 감소한다. 그 때문에, 레지스트 패턴의 형성에 있어서, 당해 레지스트 조성물을 지지체 상에 도포하여 얻어지는 레지스트막에 대해 선택적으로 노광하면, 노광부는 유기계 현상액에 대해 가용성에서 난용성으로 변화하는 한편, 미노광부는 가용성인 채로 변화하지 않기 때문에, 유기계 현상액으로 현상함으로써, 노광부와 미노광부 사이에서 콘트라스트를 갖게 할 수 있어 네거티브형 레지스트 패턴이 형성된다.On the other hand, in the case of applying the solvent developing process, the component (A-1) has high solubility in an organic developing solution before exposure, and when acid is generated by exposure, the polarity is increased by the action of the acid, Lt; / RTI > Therefore, in forming a resist pattern, when the resist film obtained by applying the resist composition onto a support is selectively exposed, the exposed portion changes from soluble to poorly soluble in the organic developer, while the unexposed portion remains soluble It is possible to obtain contrast between the exposed portion and the unexposed portion to form a negative resist pattern.

본 태양의 레지스트 조성물에 사용되는 (A) 성분은, 일반식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위 (a0) 을 갖는 고분자 화합물 (A1) (이하, 「(A1) 성분」 이라고 한다) 을 포함하는 것이다.The component (A) used in the resist composition of the present embodiment contains the polymer compound (A1) having the structural unit (a0) represented by the general formula (a0-1) (hereinafter referred to as the component (A1) will be.

(A) 성분으로는, 적어도 (A1) 성분이 사용되고, 그 (A1) 성분과 함께 다른 고분자 화합물 및/또는 저분자 화합물을 병용해도 된다.As the component (A), at least the component (A1) is used, and the polymer compound and / or the low molecular compound other than the component (A1) may be used in combination.

본 태양의 레지스트 조성물에 있어서, (A) 성분은 상기 (A-1) 성분인 것이 바람직하다. 즉, 본 태양의 레지스트 조성물은, 알칼리 현상 프로세스에 있어서 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「알칼리 현상 프로세스용 포지티브형 레지스트 조성물」, 또는, 용제 현상 프로세스에 있어서 네거티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「용제 현상 프로세스용 네거티브형 레지스트 조성물」 인 것이 바람직하다. 게다가, 그 (A-1) 성분은 (A1) 성분을 포함하는 것인 것이 바람직하다.In the resist composition of the present embodiment, the component (A) is preferably the component (A-1). That is, the resist composition of the present embodiment can be used in a "positive resist composition for alkali development process" for forming a positive resist pattern in an alkali developing process, or a "positive resist composition for forming a negative resist pattern in a solvent developing process" Quot; negative resist composition " In addition, it is preferable that the component (A-1) includes the component (A1).

[(A1) 성분][Component (A1)] [

(A1) 성분은 일반식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위 (a0) 을 갖는 고분자 화합물이다.The component (A1) is a polymer compound having the structural unit (a0) represented by the general formula (a0-1).

(구성 단위 (a0)) (Constituent unit (a0))

구성 단위 (a0) 은 하기 일반식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위이다. 레지스트 패턴 형성에 있어서, 구성 단위 (a0) 을 갖는 고분자 화합물을 베이스 수지로서 사용하는 것은 고감도화에 유효하다.The structural unit (a0) is a structural unit represented by the following general formula (a0-1). In the resist pattern formation, the use of the polymer compound having the constituent unit (a0) as a base resin is effective for high sensitivity.

[화학식 3](3)

Figure pat00003
Figure pat00003

[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기이다. Va0 은 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이다. na0 은 0 ∼ 2 의 정수이다. Ra1 및 Ra2 는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 알콕시기, 혹은 알킬티오기이거나, 또는, Ra1 과 Ra2 가 서로 결합하여, 산소 원자 (-O-) 혹은 황 원자 (-S-) 를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기, 에테르 결합, 혹은 티오에테르 결합이 되어도 된다. Ra'01 은 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 하이드록시기 부분이 보호기로 보호되어 있어도 되고 또한 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기, 염을 형성하고 있는 카르복실기, 또는 치환 옥시카르보닐기이다. 2 개 이상의 Ra'01 이 존재하는 경우, 복수의 Ra'01 은 서로 동일하거나 상이하여도 된다. X 는 할로겐 원자, 카르복실기, 알콕시카르보닐기, 아실기, 니트로기 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택되는 치환기이다. 2 개 이상의 X 가 존재하는 경우, 복수의 X 는 서로 동일하거나 상이하여도 된다. p0 은 0 ∼ 8 의 정수이다. q0 은 1 ∼ 9 의 정수이다.]Wherein R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Va 0 is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent. n a0 is an integer of 0 to 2; Ra 1 and Ra 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group or an alkylthio group, or Ra 1 and Ra 2 are bonded to each other to form an oxygen atom (-O-) May be an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, an ether linkage, or a thioether linkage which may contain a linking group (-S-). Ra '01 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a hydroxy group protected by a protective group and may have a halogen atom, a carboxyl group , Or a substituted oxycarbonyl group. 'When 01 is present, a plurality of Ra' 2 or more Ra 01 is the same or different to each other. X is a substituent selected from the group consisting of a halogen atom, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, a nitro group and a cyano group. When two or more X's are present, the plurality of X's may be the same or different from each other. p 0 is an integer of 0 to 8; q 0 is an integer from 1 to 9.]

상기 식 (a0-1) 중, R 에 있어서의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기가 바람직하며, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다.In the formula (a0-1), the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms in R is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, An isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group and a neopentyl group.

탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기는, 상기 「R 에 있어서의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기」 의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다.The halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is a group in which a part or all of the hydrogen atoms of the "alkyl group having 1 to 5 carbon atoms in R" are substituted with a halogen atom. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.

R 로는, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기가 바람직하고, 공업상 입수의 용이함에서 수소 원자 또는 메틸기가 특히 바람직하다.As R, a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a hydrogen atom or a methyl group is particularly preferable for industrial availability.

상기 식 (a0-1) 중, Va0 은 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이다.In the formula (a0-1), Va 0 is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent.

Va0 의 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기이어도 되고, 방향족 탄화수소기이어도 된다. 지방족 탄화수소기는, 방향족성을 갖지 않는 탄화수소기를 의미한다. Va0 에 있어서의 2 가의 탄화수소기로서의 지방족 탄화수소기는 포화이어도 되고, 불포화이어도 되며, 통상적으로는 포화인 것이 바람직하다.The hydrocarbon group of Va 0 may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group in Va 0 may be saturated or unsaturated, and is preferably saturated.

Va0 에 있어서의 지방족 탄화수소기로서, 보다 구체적으로는, 직사슬형 혹은 분기사슬형의 지방족 탄화수소기, 또는 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기 등을 들 수 있다.More specifically, examples of the aliphatic hydrocarbon group in Va 0 include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure.

Va0 은 치환기를 갖고 있어도 된다. 예를 들어 Va0 의 탄화수소기에 있어서의 메틸렌기 (-CH2-) 가 2 가의 기로 치환되어 있는 경우로서, Va0 의 2 가의 탄화수소기의 탄소 원자간에 에테르 결합 (-O-) 을 갖는 것을 들 수 있다. 이 경우, Va0 중에 존재하는 에테르 결합은 1 개이어도 되고 2 개이어도 된다. 또, Va0 의 탄화수소기에 있어서의 수소 원자 (-H) 가 1 가의 기로 치환되어 있는 경우로서, Va0 의 탄화수소기에 있어서의 수소 원자 (-H) 가 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기로 치환되어 있는 것을 들 수 있다. 이 경우의 Va0 으로는, -CH2CHF-, -CH(CH2CH3)CF2-, -CH(CH2CH3)C(CF3)F-, -CH(CH3)CF2- 등이 바람직하다.Va 0 may have a substituent. Include those having a case which is substituted with a divalent, ether bond between the carbon atoms of the divalent hydrocarbon group of 0 Va group (-O-) - for example, a methylene group (-CH 2) in the hydrocarbon groups Va 0 . In this case, the number of ether bonds present in Va 0 may be one or two. In addition, a case where the hydrogen atom (-H) in the hydrocarbon groups are substituted with 0 Va monovalent, fluorinated alkyl group with a hydrogen atom (-H) in the hydrocarbon groups of Va 0 is a fluorine atom or having 1 to 5 carbon atoms And substituted ones. Va to 0 in this case, -CH 2 CHF-, -CH (CH 2 CH 3) CF 2 -, -CH (CH 2 CH 3) C (CF 3) F-, -CH (CH 3) CF 2 - is preferred.

상기 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하며, 1 ∼ 3 이 가장 바람직하다.The linear or branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, further preferably 1 to 4 carbon atoms, and most preferably 1 to 3 carbon atoms.

직사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하며, 구체적으로는, 메틸렌기 [-CH2-], 에틸렌기 [-(CH2)2-], 트리메틸렌기 [-(CH2)3-], 테트라메틸렌기 [-(CH2)4-], 펜타메틸렌기 [-(CH2)5-] 등을 들 수 있다.As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable, and specific examples thereof include a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [- (CH 2 ) 2 -], a trimethylene group [- CH 2 ) 3 -], tetramethylene group [- (CH 2 ) 4 -], pentamethylene group [- (CH 2 ) 5 -] and the like.

분기사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 분기사슬형의 알킬렌기가 바람직하며, 구체적으로는, -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기;-CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2-CH2- 등의 알킬에틸렌기;-CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기;-CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 등의 알킬알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬알킬렌기에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하다.Aliphatic hydrocarbon group of the branched, and preferably an alkylene group of branched, specifically, -CH (CH 3) -, -CH (CH 2 CH 3) -, -C (CH 3) 2 -, -C (CH 3) (CH 2 CH 3) -, -C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, -C (CH 2 CH 3) 2 - a methylene group, such as alkyl; -CH (CH 3) CH 2 -, -CH ( CH 3) CH (CH 3) -, -C (CH 3) 2 CH 2 -, -CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, -C (CH 2 CH 3) 2 -CH 2 -; alkyltrimethylene groups such as -CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 -, and the like; -CH (CH 3 ) CH 2 CH And alkyltetramethylene groups such as 2 CH 2 -, -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 -, and the like. The alkyl group in the alkyl alkylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

상기 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기로는, 지환식 탄화수소기 (지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기), 지환식 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 지환식 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기의 도중에 개재하는 기 등을 들 수 있다. 상기 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기로는 상기와 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure include alicyclic hydrocarbon groups (groups in which two hydrogen atoms have been removed from the aliphatic hydrocarbon ring), groups in which alicyclic hydrocarbon groups are bonded to the ends of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group , And groups in which an alicyclic hydrocarbon group is introduced in the midst of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group. Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group include the same ones as described above.

상기 지환식 탄화수소기는, 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다.The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 12 carbon atoms.

상기 지환식 탄화수소기는, 다고리형기이어도 되고, 단고리형기이어도 된다. 단고리형의 지환식 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다.The alicyclic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. As the monocyclic alicyclic hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a monocycloalkane is preferable. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane, cyclohexane, and the like.

다고리형의 지환식 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하며, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group in which two hydrogen atoms have been removed from the polycycloalkane. The polycycloalkane preferably has 7 to 12 carbon atoms, and specifically includes adamantane, norbornane, iso Borane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.

Va0 에 있어서의 방향족 탄화수소기는, 방향 고리를 적어도 1 개 갖는 탄화수소기이다. 이 방향 고리는, 4n +2 개의 π 전자를 갖는 고리형 공액계이면 특별히 한정되지 않으며, 단고리형이어도 되고 다고리형이어도 된다. 방향 고리의 탄소수는 5 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 20 이 보다 바람직하고, 6 ∼ 15 가 더욱 바람직하며, 6 ∼ 12 가 특히 바람직하다. 방향 고리로서, 구체적으로는 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리;상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리로서, 구체적으로는 피리딘 고리, 티오펜 고리 등을 들 수 있다.The aromatic hydrocarbon group in Va 0 is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring. This aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n + 2 p-electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The number of carbon atoms in the aromatic ring is preferably from 5 to 30, more preferably from 5 to 20, still more preferably from 6 to 15, and particularly preferably from 6 to 12. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; aromatic heterocyclic rings in which a part of carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a hetero atom. Examples of the heteroatom in the aromatic heterocyclic ring include an oxygen atom, a sulfur atom and a nitrogen atom. Specific examples of the aromatic heterocyclic ring include a pyridine ring and a thiophene ring.

방향족 탄화수소기로서, 구체적으로는 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기 (아릴렌기 또는 헤테로아릴렌기);2 이상의 방향 고리를 포함하는 방향족 화합물 (예를 들어 비페닐, 플루오렌 등) 로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기;상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 (아릴기 또는 헤테로아릴기) 의 수소 원자 중 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기에 있어서의 아릴기로부터 수소 원자를 추가로 1 개 제거한 기) 등을 들 수 있다. 상기 아릴기 또는 헤테로아릴기에 결합하는 알킬렌기의 탄소수는 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하며, 1 인 것이 특히 바람직하다.Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include groups in which two hydrogen atoms have been removed from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring (arylene group or heteroarylene group), aromatic compounds containing two or more aromatic rings (for example, A group in which one hydrogen atom of a group (aryl or heteroaryl group) in which one hydrogen atom has been removed from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring is substituted with an alkylene group For example, by further removing one hydrogen atom from an aryl group in an arylalkyl group such as a benzyl group, a phenethyl group, a 1-naphthylmethyl group, a 2-naphthylmethyl group, a 1-naphthylethyl group, And the like. The number of carbon atoms of the alkylene group bonded to the aryl group or the heteroaryl group is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.

상기 식 (a0-1) 중, na0 은 0 ∼ 2 의 정수이며, 0 또는 1 이 바람직하고, 0 이 보다 바람직하다.In the above formula (a0-1), n a0 is an integer of 0 to 2, preferably 0 or 1, and more preferably 0.

상기 식 (a0-1) 중, Ra1 및 Ra2 는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 알콕시기, 혹은 알킬티오기이거나, 또는, Ra1 과 Ra2 가 서로 결합하여, 산소 원자 (-O-) 혹은 황 원자 (-S-) 를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기, 에테르 결합, 혹은 티오에테르 결합이 되어도 된다.Ra 1 and Ra 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group, or an alkylthio group, or Ra 1 and Ra 2 are bonded to each other to form an oxygen An alkylene group having 1 to 6 carbon atoms which may contain an atom (-O-) or a sulfur atom (-S-), an ether bond, or a thioether bond.

Ra1 및 Ra2 에 있어서의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기가 바람직하며, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다.The alkyl group having 1 to 5 carbon atoms in Ra 1 and Ra 2 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n -Butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group and the like.

Ra1 및 Ra2 에 있어서의 알콕시기는, 직사슬형 또는 분기사슬형인 것이 바람직하며, 구체적으로는, 상기 Ra1 및 Ra2 에 있어서의 알킬기로서 예시한 알킬기와 산소 원자 (-O-) 가 연결된 기를 들 수 있다.The alkoxy group in Ra 1 and Ra 2 is preferably a linear or branched chain type. Concretely, the alkyl group exemplified as the alkyl group in Ra 1 and Ra 2 and the oxygen atom (-O-) are connected to each other .

Ra1 및 Ra2 에 있어서의 알킬티오기는 탄소수 1 ∼ 4 의 것이 바람직하며, 구체적으로는, 메틸티오기, 에틸티오기, n-프로필티오기, iso-프로필티오기, n-부틸티오기, tert-부틸티오기를 들 수 있다.The alkylthio group in Ra 1 and Ra 2 preferably has 1 to 4 carbon atoms, and specific examples thereof include methylthio group, ethylthio group, n-propylthio group, isopropylthio group, n-butylthio group, tert-butylthio group.

또, Ra1 및 Ra2 는, Ra1 과 Ra2 가 서로 결합하여, 산소 원자 (-O-) 혹은 황 원자 (-S-) 를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기, 에테르 결합 (-O-) 또는 티오에테르 결합 (-S-) 이 되어도 된다.Further, an alkylene group, an ether bond, Ra 1 and Ra 2 is, Ra 1 and Ra 2 is 1 to 6 carbon atoms bonded to each other, which may contain an oxygen atom (-O-) or a sulfur atom (-S-) ( -O-) or a thioether bond (-S-).

Ra1 과 Ra2 가 서로 결합하여 형성되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로필렌기, 이소프로필렌기 등을 들 수 있다. 그 알킬렌기가 산소 원자 또는 황 원자를 포함하는 경우, 그 구체예로는, 그 알킬렌기의 말단 또는 탄소 원자간에 -O- 혹은 -S- 가 개재하는 기를 들 수 있고, 예를 들어 -O-CH2-, -CH2-O-CH2-, -S-CH2-, -CH2-S-CH2- 등을 들 수 있다. Ra1 과 Ra2 가 서로 결합하여 형성되는 기로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기 또는 -O- 가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기가 더욱 바람직하며, 메틸렌기가 특히 바람직하다.The alkylene group having 1 to 6 carbon atoms formed by bonding of Ra 1 and Ra 2 is preferably a linear or branched alkylene group, more preferably a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, . When the alkylene group includes an oxygen atom or a sulfur atom, specific examples thereof include a group in which -O- or -S- is interposed between the terminal or carbon atom of the alkylene group, and for example, -O- CH 2 -, -CH 2 -O-CH 2 -, -S-CH 2 -, -CH 2 -S-CH 2 - and the like. The group formed by bonding Ra 1 and Ra 2 to each other is preferably an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms or -O-, more preferably an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, and an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms And a methylene group is particularly preferable.

상기 식 (a0-1) 중, Ra'01 은, 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 하이드록시기 부분이 보호기로 보호되어 있어도 되고 또한 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기, 염을 형성하고 있는 카르복실기, 또는 치환 옥시카르보닐기이다.Ra < 01 > represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a hydroxy group portion protected by a protecting group and may have a halogen atom A hydroxyalkyl group, a carboxyl group forming a salt, or a substituted oxycarbonyl group.

Ra'01 에 있어서의, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기로는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, s-부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있으며, 이들 중에서도 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기가 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기가 더욱 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 특히 바람직하며, 메틸기가 가장 바람직하다. Ra'01 의, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기가 갖고 있어도 되는 할로겐 원자로는, 예를 들어 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다. 할로겐 원자를 갖는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기로는, 예를 들어, 클로로메틸기 등의 클로로알킬기;트리플루오로메틸기, 2,2,2-트리플루오로에틸기, 펜타플루오로에틸기 등의 플루오로알킬기 (바람직하게는 탄소수 1 ∼ 3 의 플루오로알킬기) 등을 들 수 있다.Examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms in Ra '01 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, Of these, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is more preferable, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is more preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable. Particularly preferably a methyl group. Examples of the halogen atom which Ra < 01 > may have in the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. Examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms having a halogen atom include a chloroalkyl group such as a chloromethyl group, a fluoroalkyl group such as a trifluoromethyl group, a 2,2,2-trifluoroethyl group, and a pentafluoroethyl group Preferably a fluoroalkyl group having 1 to 3 carbon atoms), and the like.

Ra'01 에 있어서의, 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기로는, 예를 들어, 하이드록시메틸기, 2-하이드록시에틸기, 1-하이드록시에틸기, 3-하이드록시프로필기, 2-하이드록시프로필기, 4-하이드록시부틸기, 6-하이드록시헥실기 등을 들 수 있다. Ra'01 의, 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기가 갖고 있어도 되는 할로겐 원자로는, 예를 들어 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다. 할로겐 원자를 갖는 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기로는, 예를 들어, 디플루오로하이드록시메틸기, 1,1-디플루오로-2-하이드록시에틸기, 2,2-디플루오로-2-하이드록시에틸기, 1,1,2,2-테트라플루오로-2-하이드록시에틸기 등을 들 수 있다. 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기 중에서도, 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 3 의 하이드록시알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 혹은 2 (바람직하게는 탄소수 1) 의 하이드록시알킬기, 또는, 탄소수 1 혹은 2 (바람직하게는 탄소수 1) 의 할로겐 원자를 갖는 하이드록시알킬기가 보다 바람직하다.Examples of the hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms in Ra '01 include a hydroxymethyl group, a 2-hydroxyethyl group, a 1-hydroxyethyl group, a 3-hydroxypropyl group, a 2- Group, a 4-hydroxybutyl group, and a 6-hydroxyhexyl group. Examples of the halogen atom of Ra '01 which may have a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable. Examples of the C1-C6 hydroxyalkyl group having a halogen atom include a difluorohydroxymethyl group, a 1,1-difluoro-2-hydroxyethyl group, a 2,2-difluoro-2- Hydroxyethyl group, 1,1,2,2-tetrafluoro-2-hydroxyethyl group and the like. Of the hydroxyalkyl groups having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydroxyalkyl group having 1 to 3 carbon atoms which may have a halogen atom is preferable, and a hydroxyalkyl group having 1 or 2 carbon atoms (preferably 1 carbon atom) Or a hydroxyalkyl group having a halogen atom having 1 or 2 carbon atoms (preferably 1 carbon atom) is more preferable.

할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기의 하이드록시기 부분을 보호하는 보호기로는, 예를 들어, 메틸기, 메톡시메틸기 등의 하이드록시기를 구성하는 산소 원자와 함께 에테르 결합 또는 아세탈 결합을 형성하는 기;아세틸기, 벤조일기 등의 하이드록시기를 구성하는 산소 원자와 함께 에스테르 결합을 형성하는 기 등을 들 수 있다.Examples of the protecting group for protecting the hydroxyl group of the C1-C6 hydroxyalkyl group which may have a halogen atom include an ether bond or an acetal group together with an oxygen atom constituting a hydroxy group such as a methyl group or a methoxymethyl group, A group forming a bond, and a group forming an ester bond together with an oxygen atom constituting a hydroxy group such as an acetyl group or a benzoyl group.

Ra'01 에 있어서의, 염을 형성하고 있는 카르복실기 (카르복실기의 염) 로는, 알칼리 금속염, 알칼리 토금속염, 천이 금속염 등을 들 수 있다.Examples of the carboxyl group (salt of a carboxyl group) forming a salt in Ra '01 include an alkali metal salt, an alkaline earth metal salt and a transition metal salt.

Ra'01 에 있어서의, 치환 옥시카르보닐기로는, 예를 들어, 탄소수 1 ∼ 4 의 알콕시기와 카르보닐기가 결합한 알콕시카르보닐기 (구체적으로는, 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, 이소프로필옥시카르보닐기, n-프로폭시카르보닐기 등의 알킬옥시카르보닐기;비닐옥시카르보닐기, 알릴옥시카르보닐기 등의 알케닐옥시카르보닐기);시클로헥실옥시카르보닐기 등의 시클로알킬옥시카르보닐기, 페닐옥시카르보닐기 등의 아릴옥시카르보닐기 등을 들 수 있다.Examples of the substituted oxycarbonyl group in Ra '01 include an alkoxycarbonyl group (specifically, an alkoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an isopropyloxycarbonyl group, an n-propyloxycarbonyl group, An alkoxycarbonyl group such as a vinyloxycarbonyl group and an allyloxycarbonyl group), a cycloalkyloxycarbonyl group such as a cyclohexyloxycarbonyl group, and an aryloxycarbonyl group such as a phenyloxycarbonyl group.

상기 식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위에 있어서, 2 개 이상의 Ra'01 이 존재하는 경우, 복수의 Ra'01 은 서로 동일하거나 상이하여도 된다.'When 01 is present, a plurality of Ra' in the structural unit represented by the above formula (a0-1), 2 Ra 01 or more is also the same or different from each other.

Ra'01 은, 상기 중에서도, 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 하이드록시기 부분이 보호기로 보호되어 있어도 되고 또한 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기, 치환 옥시카르보닐기가 바람직하다.Ra < 01 > is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a hydroxy group protected by a protecting group and may have a halogen atom, A carbonyl group is preferred.

할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기 중에서도, 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기, 또는, 탄소수 1 ∼ 3 의 할로겐화 알킬기가 보다 바람직하고, 메틸기, 트리플루오로메틸기가 특히 바람직하다.Among the alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is more preferable, and a methyl group and a trifluoromethyl group are particularly preferable.

하이드록시기 부분이 보호기로 보호되어 있어도 되고 또한 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기 중에서도, 하이드록시기 부분이 보호기로 보호되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 3 의 하이드록시알킬기, 또는, 하이드록시기 부분이 보호기로 보호되어 있어도 되는 할로겐 원자를 갖는 하이드록시알킬기가 바람직하고, 하이드록시메틸기, 하이드록시기 부분이 아세톡시메틸기 등의 보호기로 보호되어 있어도 되는 하이드록시메틸기가 보다 바람직하다.Among the hydroxyalkyl groups having 1 to 6 carbon atoms which may have a hydroxy group protected by a protecting group and may also have a halogen atom, a hydroxyalkyl group having 1 to 3 carbon atoms, in which the hydroxy moiety may be protected by a protective group, A hydroxyalkyl group having a halogen atom whose hydroxyl group portion may be protected by a protecting group is preferable and a hydroxymethyl group in which a hydroxy group is protected by a protecting group such as an acetoxymethyl group is more preferable.

상기 식 (a0-1) 중, X 는, 할로겐 원자, 카르복실기, 알콕시카르보닐기, 아실기, 니트로기 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택되는 치환기이다.In the above formula (a0-1), X is a substituent selected from the group consisting of a halogen atom, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, a nitro group and a cyano group.

X 에 있어서의 할로겐 원자로는, 예를 들어 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom in X include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

X 에 있어서의 알콕시카르보닐기로는, 예를 들어 메톡시카르보닐기 등을 들 수 있다.Examples of the alkoxycarbonyl group in X include a methoxycarbonyl group and the like.

X 에 있어서의 아실기로는, 예를 들어 아세틸기 등을 들 수 있다.Examples of the acyl group in X include an acetyl group and the like.

상기 식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위에 있어서, 2 개 이상의 X 가 존재하는 경우, 복수의 X 는 서로 동일하거나 상이하여도 된다.When two or more X's are present in the structural unit represented by the above formula (a0-1), the plurality of X's may be mutually the same or different.

X 는, 상기 중에서도, 전자 흡인성의 높음의 점에서, 할로겐 원자 (바람직하게는 불소 원자), 카르복실기, 알콕시카르보닐기 (바람직하게는 메톡시카르보닐기), 아실기 (바람직하게는 아세틸기), 시아노기, 니트로기가 바람직하고, 시아노기가 특히 바람직하다.X is preferably a halogen atom (preferably a fluorine atom), a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group (preferably a methoxycarbonyl group), an acyl group (preferably an acetyl group), a cyano group, A nitro group is preferable, and a cyano group is particularly preferable.

상기 식 (a0-1) 중, p0 은 0 ∼ 8 의 정수이고, 바람직하게는 0 ∼ 6 의 정수이며, 더욱 바람직하게는 0 ∼ 3 의 정수이다.In the above formula (a0-1), p 0 is an integer of 0 to 8, preferably 0 to 6, and more preferably 0 to 3.

상기 식 (a0-1) 중, q0 은 1 ∼ 9 의 정수이고, 바람직하게는 1 ∼ 5 의 정수이며, 더욱 바람직하게는 1 또는 2 이다.In the above formula (a0-1), q 0 is an integer of 1 to 9, preferably an integer of 1 to 5, more preferably 1 or 2.

상기 식 (a0-1) 중, Ra1 과 Ra2 가 서로 결합하고 있지 않는 경우, X 는, 6-옥사비시클로[3.2.11,5]옥탄 고리의 1 위치, 2 위치, 3 위치, 4 위치, 5 위치 또는 8 위치 중 어느 위치에 결합하고 있어도 되고, 그 중에서도 1 위치 (락톤의 α 위치) 또는 2 위치의 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하며, 그 중에서도 1 위치 (락톤의 α 위치) 의 위치에 결합하고 있는 것이 특히 바람직하다.In the formula (a0-1), when Ra 1 and Ra 2 do not bond to each other, X represents a 1-position, a 2-position, a 3-position, or a 3-position of the 6-oxabicyclo [3.2.1 1,5 ] (The α position of the lactone) or the position of the 2-position, and among them, the 1-position (the α-position of the lactone) may be bonded at any position among the 4-position, Of the present invention.

또, Ra1 과 Ra2 가 서로 결합하고 있는 경우, X 는, 3-옥사트리시클로[4.2.1.04,8]노난 고리 등의 1 위치, 4 위치, 5 위치, 6 위치, 7 위치, 8 위치 또는 9 위치 등 중 어느 위치에 결합하고 있어도 되고, 그 중에서도 3-옥사트리시클로[4.2.1.04,8]노난 고리의 1 위치 혹은 9 위치 (또는 이들에 상당하는 위치) 의 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하며, 그 중에서도 1 위치 (또는 이것에 상당하는 위치;락톤의 α 위치) 의 위치에 결합하고 있는 것이 특히 바람직하다.When Ra 1 and Ra 2 are bonded to each other, X is preferably selected from the group consisting of 1-position, 4-position, 5-position, 6-position, 7-position, 8-oxatricyclo [4.2.1.0 4,8 ] Position or 9-position, and may be bonded at any position of the 3-oxatricyclo [4.2.1.0 4,8 ] nonane ring at the 1-position or 9-position (or a position equivalent thereto) , And it is particularly preferable that they are bonded at the position of 1 position (or a position corresponding thereto, position of alpha of the lactone).

이하에 구성 단위 (a0) 의 구체예를 나타낸다. 이하의 각 식 중, Rα 는 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다. X 는 상기 식 (a0-1) 중의 X 와 동일하다.Specific examples of the structural unit (a0) are shown below. In the following formulas, R ? Represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group. X is the same as X in the above formula (a0-1).

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure pat00004
Figure pat00004

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure pat00005
Figure pat00005

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a0) 은 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.The constituent unit (a0) of the component (A1) may be one type or two or more types.

(A1) 성분 중의 구성 단위 (a0) 의 비율은, (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대해 5 ∼ 70 몰% 인 것이 바람직하고, 10 ∼ 60 몰% 인 것이 보다 바람직하고, 10 ∼ 50 몰% 가 더욱 바람직하며, 10 ∼ 40 몰% 가 특히 바람직하다.The proportion of the structural unit (a0) in the component (A1) is preferably from 5 to 70% by mole, more preferably from 10 to 60% by mole, more preferably from 10 to 60% by mole based on the total of all the structural units constituting the component (A1) To 50 mol%, and particularly preferably 10 mol% to 40 mol%.

구성 단위 (a0) 의 비율을 바람직한 상한값 이하로 함으로써, 높은 감도를 유지하면서, 양호한 형상의 레지스트 패턴이 얻어지기 쉽다. 한편, 바람직한 하한값 이상으로 함으로써, 감도가 높아짐과 함께, 해상성, 노광 여유도 (EL 마진) 등의 리소그래피 특성도 향상된다.By setting the ratio of the constituent unit (a0) to a preferable upper limit value or less, a resist pattern of good shape is easily obtained while maintaining high sensitivity. On the other hand, when the value is set to a preferable lower limit value or more, the sensitivity is increased and lithography characteristics such as resolution and exposure margin (EL margin) are improved.

(그 밖의 구성 단위) (Other constituent units)

(A1) 성분은 구성 단위 (a0) 에 더하여, 추가로 다른 구성 단위를 가져도 된다.The component (A1) may further contain another structural unit in addition to the structural unit (a0).

그 다른 구성 단위로는, 상기 서술한 구성 단위 (a0) 으로 분류되지 않는 구성 단위이면 특별히 한정되는 것은 아니고, ArF 엑시머 레이저용, KrF 엑시머 레이저용 (바람직하게는 ArF 엑시머 레이저용) 등의 레지스트용 수지에 사용되는 것으로서 종래부터 알려져 있는 다수의 것이 사용 가능하며, 예를 들어, 이하에 나타내는 구성 단위 (a1) ∼ (a4), 노광에 의해 산을 발생하는 구성 단위 등을 들 수 있다.The other structural unit is not particularly limited as long as it is a structural unit that can not be classified as the above-mentioned structural unit (a0), and can be used for ArF excimer laser, KrF excimer laser (preferably ArF excimer laser) A large number of conventionally known ones can be used for the resin. Examples thereof include the following structural units (a1) to (a4) and structural units that generate an acid upon exposure.

구성 단위 (a1):Constitutional unit (a1):

본 태양의 레지스트 조성물에 있어서는, (A1) 성분이, 구성 단위 (a0) 에 더하여, 추가로 산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기를 포함하는 구성 단위 (a1) 을 갖는 것이 바람직하다.In the resist composition of the present embodiment, it is preferable that the component (A1) has a structural unit (a1) comprising an acid-decomposable group whose polarity is further increased by the action of an acid in addition to the structural unit (a0).

본 태양의 레지스트 조성물이 구성 단위 (a0) 과 구성 단위 (a1) 을 갖는 고분자 화합물을 함유하는 경우, 그 레지스트 조성물을 사용하여 형성된 레지스트막을 노광하면, 그 레지스트막 중에서, 구성 단위 (a1) 은, 산의 작용에 의해 그 구조 중의 적어도 일부의 결합이 개열하여, 극성이 증대한다. 이와 같이, (A1) 성분은 노광 전후로 극성이 변화하기 때문에, (A1) 성분을 사용함으로써, 알칼리 현상 프로세스뿐만 아니라, 용제 현상 프로세스에 있어서도 양호한 현상 콘트라스트를 얻을 수 있다. 그리고, 본 태양의 레지스트 조성물은, 알칼리 현상 프로세스에 있어서 포지티브형이 되고, 용제 현상 프로세스에 있어서 네거티브형이 된다.When the resist composition of the present embodiment contains a polymer compound having the constituent unit (a0) and the constituent unit (a1), when the resist film formed by using the resist composition is exposed, the constituent unit (a1) The action of the acid causes cleavage of at least part of the bonds in the structure, and the polarity is increased. As described above, since the polarity of the component (A1) changes before and after exposure, by using the component (A1), a satisfactory development contrast can be obtained not only in the alkali developing process but also in the solvent developing process. The resist composition of the present embodiment becomes a positive type in the alkali development process and becomes a negative type in the solvent development process.

「산 분해성기」 는, 산의 작용에 의해, 당해 산 분해성기의 구조 중의 적어도 일부의 결합이 개열할 수 있는 산 분해성을 갖는 기이다.The "acid-decomposable group" is an acid-decomposable group capable of cleaving at least a part of bonds in the structure of the acid decomposable group by the action of an acid.

산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기로는, 예를 들어, 산의 작용에 의해 분해되어 극성기를 발생시키는 기를 들 수 있다.Examples of the acid decomposable group whose polarity is increased by the action of an acid include a group which is decomposed by the action of an acid to generate a polar group.

극성기로는, 예를 들어 카르복실기, 수산기, 아미노기, 술포기 (-SO3H) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 구조 중에 -OH 를 함유하는 극성기 (이하, 「OH 함유 극성기」 라고 하는 경우가 있다) 가 바람직하고, 카르복실기 또는 수산기가 보다 바람직하며, 카르복실기가 특히 바람직하다.Examples of the polar group include a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, and a sulfo group (-SO 3 H). Among them, a polar group containing -OH in the structure (hereinafter sometimes referred to as "OH-containing polar group") is preferable, a carboxyl group or a hydroxyl group is more preferable, and a carboxyl group is particularly preferable.

산 분해성기로서, 보다 구체적으로는, 상기 극성기가 산 해리성기로 보호된 기 (예를 들어 OH 함유 극성기의 수소 원자를 산 해리성기로 보호한 기) 를 들 수 있다.As the acid decomposable group, more specifically, there can be mentioned a group in which the polar group is protected with an acid-dissociable group (for example, a group in which a hydrogen atom of an OH-containing polar group is protected with an acid dissociable group).

여기서 「산 해리성기」 란, (i) 산의 작용에 의해, 당해 산 해리성기와 그 산 해리성기에 인접하는 원자 사이의 결합이 개열할 수 있는 산 해리성을 갖는 기, 또는, (ii) 산의 작용에 의해 일부의 결합이 개열한 후, 추가로 탈탄산 반응이 발생함으로써, 당해 산 해리성기와 그 산 해리성기에 인접하는 원자 사이의 결합이 개열할 수 있는 기의 쌍방을 말한다.The term "acid dissociable group" as used herein refers to a group having acid dissociable property capable of cleaving a bond between the acid dissociable group and an atom adjacent to the acid dissociable group by the action of an acid, or (ii) Refers to both groups in which a bond between an acid dissociable group and an atom adjacent to the acid dissociable group is cleaved by the occurrence of a further decarboxylation reaction after cleavage of a part of bonds by the action of an acid.

산 분해성기를 구성하는 산 해리성기는, 당해 산 해리성기의 해리에 의해 생성되는 극성기보다 극성이 낮은 기인 것이 필요하고, 이에 따라, 산의 작용에 의해 그 산 해리성기가 해리했을 때에, 그 산 해리성기보다 극성이 높은 극성기가 발생하여 극성이 증대한다. 그 결과, (A1) 성분 전체의 극성이 증대한다. 극성이 증대함으로써, 상대적으로 현상액에 대한 용해성이 변화하여, 현상액이 알칼리 현상액인 경우에는 용해성이 증대하고, 현상액이 유기계 현상액인 경우에는 용해성이 감소한다.The acid dissociable group constituting the acid-decomposable group is required to be a group having a lower polarity than the polar group generated by dissociation of the acid dissociable group, and when the acid dissociable group is dissociated by the action of an acid, Polarity with higher polarity than genitalia is generated and polarity is increased. As a result, the polarity of the entire component (A1) increases. As the polarity increases, the solubility in the developer relatively changes. When the developer is an alkaline developer, the solubility increases. When the developer is an organic developer, the solubility decreases.

산 해리성기로는, 지금까지, 화학 증폭형 레지스트용의 베이스 수지의 산 해리성기로서 제안되어 있는 것을 들 수 있다.Examples of the acid dissociable group include those proposed as acid dissociable groups of base resins for chemically amplified resists.

화학 증폭형 레지스트용의 베이스 수지의 산 해리성기로서 제안되어 있는 것으로서, 구체적으로는, 이하에 설명하는 「아세탈형 산 해리성기」, 「제 3 급 알킬에스테르형 산 해리성기」, 「제 3 급 알킬옥시카르보닐 산 해리성기」 를 들 수 있다.Acid-dissociable group of a base resin for a chemically amplified resist, and specific examples thereof include "acetal type acid dissociable group", "tertiary alkyl ester acid dissociable group", "tertiary Alkyloxycarbonyl acid dissociable group ".

·아세탈형 산 해리성기:· Acetal type acid dissociation type:

상기 극성기 중 카르복실기 또는 수산기를 보호하는 산 해리성기로는, 예를 들어, 하기 일반식 (a1-r-1) 로 나타내는 산 해리성기 (이하, 「아세탈형 산 해리성기」 라고 하는 경우가 있다) 를 들 수 있다.Examples of the acid dissociable group for protecting the carboxyl group or the hydroxyl group in the polar group include an acid dissociable group represented by the following general formula (a1-r-1) (hereinafter may be referred to as "acetal type acid dissociable group" .

[화학식 6][Chemical Formula 6]

Figure pat00006
Figure pat00006

[식 중, Ra'1, Ra'2 는 수소 원자 또는 알킬기이고, Ra'3 은 탄화수소기로서, Ra'3 은 Ra'1, Ra'2 중 어느 것과 결합하여 고리를 형성해도 된다]Wherein Ra ' 1 and Ra' 2 are each a hydrogen atom or an alkyl group, and Ra ' 3 is a hydrocarbon group, and Ra' 3 may be bonded to any of Ra ' 1 and Ra' 2 to form a ring]

식 (a1-r-1) 중, Ra'1 및 Ra'2 중 적어도 일방이 수소 원자인 것이 바람직하고, 양방이 수소 원자인 것이 보다 바람직하다.In formula (a1-r-1), at least one of Ra ' 1 and Ra' 2 is preferably a hydrogen atom, and more preferably both hydrogen atoms.

Ra'1 또는 Ra'2 가 알킬기인 경우, 그 알킬기로는, 상기 α 치환 아크릴산에스테르에 대한 설명에서, α 위치의 탄소 원자에 결합해도 되는 치환기로서 예시한 알킬기와 동일한 것을 들 수 있고, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하다. 구체적으로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기를 바람직하게 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있으며, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.When Ra ' 1 or Ra' 2 is an alkyl group, examples of the alkyl group include the same alkyl groups exemplified as substituent groups which may be bonded to carbon atoms at the α-position in the description of the α-substituted acrylate ester. An alkyl group having a carbon number of 5 to 5 is preferable. Specifically, the alkyl group is preferably a linear or branched alkyl group. Specific examples include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, pentyl, isopentyl and neopentyl. More preferably a methyl group is particularly preferable.

식 (a1-r-1) 중, Ra'3 의 탄화수소기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기, 고리형의 탄화수소기를 들 수 있다.In the formula (a1-r-1), examples of the hydrocarbon group of Ra ' 3 include a linear or branched alkyl group and a cyclic hydrocarbon group.

그 직사슬형의 알킬기는, 탄소수가 1 ∼ 5 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 4 가 보다 바람직하며, 1 또는 2 가 더욱 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸기, 에틸기 또는 n-부틸기가 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하다.The linear alkyl group preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, and even more preferably 1 or 2 carbon atoms. Specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group and an n-pentyl group. Among them, a methyl group, an ethyl group or an n-butyl group is preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable.

그 분기사슬형의 알킬기는, 탄소수가 3 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 5 가 보다 바람직하다. 구체적으로는, 이소프로필기, 이소부틸기, tert-부틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 1,1-디에틸프로필기, 2,2-디메틸부틸기 등을 들 수 있고, 이소프로필기인 것이 바람직하다.The branched alkyl group preferably has 3 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 5 carbon atoms. Specific examples thereof include isopropyl, isobutyl, tert-butyl, isopentyl, neopentyl, 1,1-diethylpropyl and 2,2-dimethylbutyl. .

Ra'3 이 고리형의 탄화수소기가 되는 경우, 그 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기이어도 되고 방향족 탄화수소기이어도 되며, 또, 다고리형기이어도 되고 단고리형기이어도 된다. When Ra ' 3 is a cyclic hydrocarbon group, the hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, a polycyclic group or a monocyclic group.

단고리형기인 지방족 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는, 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다.The aliphatic hydrocarbon group which is a monocyclic group is preferably a group obtained by removing one hydrogen atom from a monocycloalkane. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane, cyclohexane, and the like.

다고리형기인 지방족 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는, 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하며, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.The aliphatic hydrocarbon group which is a polycyclic group is preferably a group in which one hydrogen atom has been removed from the polycycloalkane. The polycycloalkane preferably has 7 to 12 carbon atoms, and specifically includes adamantane, norbornane, iso Borane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.

Ra'3 의 고리형의 탄화수소기가 방향족 탄화수소기가 되는 경우, 그 방향족 탄화수소기는 방향 고리를 적어도 1 개 갖는 탄화수소기이다.When the cyclic hydrocarbon group of Ra ' 3 is an aromatic hydrocarbon group, the aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring.

이 방향 고리는 4n +2 개의 π 전자를 갖는 고리형 공액계이면 특별히 한정되지 않으며, 단고리형이어도 되고 다고리형이어도 된다. 방향 고리의 탄소수는 5 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 20 이 보다 바람직하고, 6 ∼ 15 가 더욱 바람직하며, 6 ∼ 12 가 특히 바람직하다. 방향 고리로서, 구체적으로는 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리;상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리로서, 구체적으로는 피리딘 고리, 티오펜 고리 등을 들 수 있다.This aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n + 2 < [pi] > electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The number of carbon atoms in the aromatic ring is preferably from 5 to 30, more preferably from 5 to 20, still more preferably from 6 to 15, and particularly preferably from 6 to 12. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; aromatic heterocyclic rings in which a part of carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a hetero atom. Examples of the heteroatom in the aromatic heterocyclic ring include an oxygen atom, a sulfur atom and a nitrogen atom. Specific examples of the aromatic heterocyclic ring include a pyridine ring and a thiophene ring.

Ra'3 에 있어서의 방향족 탄화수소기로서, 구체적으로는 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 (아릴기 또는 헤테로아릴기);2 이상의 방향 고리를 포함하는 방향족 화합물 (예를 들어 비페닐, 플루오렌 등) 로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기;상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리의 수소 원자 중 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기 등) 등을 들 수 있다. 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리에 결합하는 알킬렌기의 탄소수는 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하며, 1 인 것이 특히 바람직하다.Specific examples of the aromatic hydrocarbon group in Ra ' 3 include groups in which one hydrogen atom is removed from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring (an aryl group or a heteroaryl group); aromatic compounds containing two or more aromatic rings A group obtained by removing one hydrogen atom from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring, a group in which one hydrogen atom of the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring is substituted with an alkylene group (e.g., a benzyl group, a phenethyl group, a 1 Naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group and 2-naphthylethyl group), and the like. The number of carbon atoms of the alkylene group bonded to the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.

Ra'3 이 Ra'1, Ra'2 중 어느 것과 결합하여 고리를 형성하는 경우, 그 고리형기로는, 4 ∼ 7 원자 고리가 바람직하고, 4 ∼ 6 원자 고리가 보다 바람직하다. 그 고리형기의 구체예로는, 테트라하이드로피라닐기, 테트라하이드로푸라닐기 등을 들 수 있다.When Ra ' 3 is bonded to any of Ra' 1 and Ra ' 2 to form a ring, the cyclic group is preferably a 4- to 7-membered ring, more preferably a 4- to 6-membered ring. Specific examples of the cyclic group include a tetrahydropyranyl group, a tetrahydrofuranyl group, and the like.

·제 3 급 알킬에스테르형 산 해리성기:· Tertiary alkyl ester type acid dissociable group:

상기 극성기 중, 카르복실기를 보호하는 산 해리성기로는, 예를 들어, 하기 일반식 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기를 들 수 있다. 또한, 하기 식 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기 중 알킬기에 의해 구성되는 것을, 이하, 편의상 「제 3 급 알킬에스테르형 산 해리성기」 라고 하는 경우가 있다.Among the polar groups, examples of the acid dissociable groups for protecting the carboxyl group include acid dissociable groups represented by the following general formula (a1-r-2). Further, hereinafter, for the sake of convenience, what is constituted by an alkyl group in the acid dissociable group represented by the following formula (a1-r-2) may be referred to as " tertiary alkyl ester-type acid dissociable group ".

[화학식 7](7)

Figure pat00007
Figure pat00007

[식 중, Ra'4 ∼ Ra'6 은 각각 탄화수소기로서, Ra'5, Ra'6 은 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다.]Wherein Ra ' 4 to Ra' 6 each represent a hydrocarbon group, and Ra ' 5 and Ra' 6 may combine with each other to form a ring.

Ra'4 ∼ Ra'6 의 탄화수소기로는, 상기 Ra'3 과 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the hydrocarbon group of Ra ' 4 to Ra' 6 include the same groups as those of Ra ' 3 above.

Ra'4 는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기인 것이 바람직하다. Ra'5 와 Ra'6 이 서로 결합하여 고리를 형성하는 경우, 하기 일반식 (a1-r2-1) 로 나타내는 기를 들 수 있다. 한편, Ra'4 ∼ Ra'6 이 서로 결합하지 않고, 독립된 탄화수소기인 경우, 하기 일반식 (a1-r2-2) 로 나타내는 기를 들 수 있다.Ra ' 4 is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. When Ra ' 5 and Ra' 6 are bonded to each other to form a ring, there may be mentioned groups represented by the following general formula (a1-r2-1). On the other hand, when Ra ' 4 to Ra' 6 do not bond to each other and are independent hydrocarbon groups, there may be mentioned groups represented by the following general formula (a1-r2-2).

[화학식 8][Chemical Formula 8]

Figure pat00008
Figure pat00008

[식 중, Ra'10 은 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기, Ra'11 은 Ra'10 이 결합한 탄소 원자와 함께 지방족 고리형기를 형성하는 기, Ra'12 ∼ Ra'14 는 각각 독립적으로 탄화수소기를 나타낸다.][Wherein, Ra represents a hydrocarbon group, each is 12 ~ Ra '14' group, Ra to form an aliphatic cyclic group together with the carbon atom of 10 combines' 10 is an alkyl group, Ra of 1 to 10 carbon atoms, 11 is Ra independently .]

식 (a1-r2-1) 중, Ra'10 의 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기는, 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기로서 예시한 기가 바람직하다. 식 (a1-r2-1) 중, Ra'11 이 Ra'10 이 결합한 탄소 원자와 함께 형성하는 지방족 고리형기는, 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 단고리형기 또는 다고리형기인 지방족 탄화수소기로서 예시한 기가 바람직하다.Equation (a1-r2-1) of, groups exemplified as the "Ra in the alkyl group is formulas (a1-r-1) of 1 to 10 carbon atoms in the 10 '3 linear or branched alkyl group of Ra desirable. Equation (a1-r2-1) of, Ra 'is Ra 11' to 10 aliphatic cyclic group formed together with the carbon atoms bonded to the formula (a1-r-1) Ra '3 sentence of monocyclic or polycyclic in The group exemplified as a group-derived aliphatic hydrocarbon group is preferable.

식 (a1-r2-2) 중, Ra'12 및 Ra'14 는 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기인 것이 바람직하고, 그 알킬기는, 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기로서 예시한 기가 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 알킬기인 것이 더욱 바람직하며, 메틸기 또는 에틸기인 것이 특히 바람직하다.Equation (a1-r2-2) of, Ra ', and Ra 12' 14 Ra is 3 'of the each independently preferably an alkyl group of 1 to 10 carbon atoms, and the alkyl group has the formula (a1-r-1) More preferably a straight chain or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group.

식 (a1-r2-2) 중 Ra'13 은, 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 탄화수소기로서 예시된 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기, 단고리형기 또는 다고리형기인 지방족 탄화수소기인 것이 바람직하다. 이들 중에서도, Ra'3 의 단고리형기 또는 다고리형기인 지방족 탄화수소기로서 예시한 기인 것이 보다 바람직하다.Equation (a1-r2-2) of Ra 'is 13, formula (a1-r-1) Ra of the' 3 a linear or branched alkyl group, a monocyclic or polycyclic group of the sentence illustrated by way of a hydrocarbon group And is preferably an aliphatic hydrocarbon group. Among them, it is more preferable to be a group exemplified as a monocyclic group of Ra ' 3 or an aliphatic hydrocarbon group of a polycyclic group.

상기 식 (a1-r2-1) 로 나타내는 기의 구체예를 이하에 든다. * 는 결합손을 나타낸다 (이하, 본 명세서에 있어서 동일).Specific examples of the group represented by the formula (a1-r2-1) are shown below. * Indicates a combined hand (hereinafter, the same in this specification).

[화학식 9][Chemical Formula 9]

Figure pat00009
Figure pat00009

[화학식 10][Chemical formula 10]

Figure pat00010
Figure pat00010

상기 식 (a1-r2-2) 로 나타내는 기의 구체예를 이하에 든다.Specific examples of the groups represented by the above formula (a1-r2-2) are shown below.

[화학식 11](11)

Figure pat00011
Figure pat00011

·제 3 급 알킬옥시카르보닐 산 해리성기:· Tertiary alkyloxycarbonyl acid dissociable group:

상기 극성기 중 수산기를 보호하는 산 해리성기로는, 예를 들어, 하기 일반식 (a1-r-3) 으로 나타내는 산 해리성기 (이하, 편의상 「제 3 급 알킬옥시카르보닐 산 해리성기」 라고 하는 경우가 있다) 를 들 수 있다.Examples of the acid dissociable group for protecting the hydroxyl group in the polar group include an acid dissociable group represented by the following general formula (a1-r-3) (hereinafter referred to as " tertiary alkyloxycarbonyl acid dissociable group & There are cases).

[화학식 12][Chemical Formula 12]

Figure pat00012
Figure pat00012

[식 중, Ra'7 ∼ Ra'9 는 각각 알킬기이다.]Wherein Ra ' 7 to Ra' 9 each represent an alkyl group.

식 (a1-r-3) 중, Ra'7 ∼ Ra'9 는 각각 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 1 ∼ 3 이 보다 바람직하다. In the formula (a1-r-3), each of Ra ' 7 to Ra' 9 is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 3.

또, 각 알킬기의 합계 탄소수는 3 ∼ 7 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 5 인 것이 보다 바람직하며, 3 ∼ 4 인 것이 가장 바람직하다.The total carbon number of each alkyl group is preferably from 3 to 7, more preferably from 3 to 5, and most preferably from 3 to 4.

구성 단위 (a1) 로는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위, 아크릴아미드로부터 유도되는 구성 단위, 하이드록시스티렌 혹은 하이드록시스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위의 수산기에 있어서의 수소 원자의 적어도 일부가 상기 산 분해성기를 포함하는 치환기에 의해 보호된 구성 단위, 비닐벤조산 혹은 비닐벤조산 유도체로부터 유도되는 구성 단위의 -C(=O)-OH 에 있어서의 수소 원자의 적어도 일부가 상기 산 분해성기를 포함하는 치환기에 의해 보호된 구성 단위 등을 들 수 있다.Examples of the structural unit (a1) include a structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the? -Position may be substituted with a substituent, a structural unit derived from acrylamide, a structure derived from a hydroxystyrene or a hydroxystyrene derivative , At least a part of the hydrogen atoms in the hydroxyl group of the unit is protected by a substituent containing the acid-decomposable group, a hydrogen atom in the -C (= O) -OH of the constituent unit derived from vinylbenzoic acid or vinylbenzoic acid derivative And structural units in which at least a part of the atoms are protected by a substituent including the acid-decomposable group.

구성 단위 (a1) 로는, 상기 중에서도, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하다.As the structural unit (a1), a structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the? -Position may be substituted with a substituent is preferable.

이러한 구성 단위 (a1) 의 바람직한 구체예로는, 하기 일반식 (a1-1) 또는 (a1-2) 로 나타내는 구성 단위를 들 수 있다.Specific examples of such a structural unit (a1) include a structural unit represented by the following general formula (a1-1) or (a1-2).

[화학식 13][Chemical Formula 13]

Figure pat00013
Figure pat00013

[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기이다. Va1 은 에테르 결합을 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이고, na1 은 0 ∼ 2 이고, Ra1 은 상기 식 (a1-r-1) 또는 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기이다. Wa1 은 na2 +1 가의 탄화수소기이고, na2 는 1 ∼ 3 이고, Ra2 는 상기 식 (a1-r-1) 또는 (a1-r-3) 으로 나타내는 산 해리성기이다.]Wherein R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Va 1 is a divalent hydrocarbon group which may have an ether bond, n a1 is 0 to 2, and Ra 1 is an acid dissociable group represented by the formula (a1-r-1) or (a1-r-2). Ra 1 is an acid dissociable group represented by the above formula (a1-r-1) or (a1-r-3). Wa 1 is a hydrocarbon group of n a2 +1 valency, n a2 is 1 to 3,

상기 식 (a1-1) 중, R 의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기가 바람직하며, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기는, 상기 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다.In the formula (a1-1), the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms represented by R is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, An n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group and a neopentyl group. The halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is a group in which a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is substituted with a halogen atom. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.

R 로는, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기가 바람직하고, 공업상 입수의 용이함에서 수소 원자 또는 메틸기가 가장 바람직하다.As R, a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a hydrogen atom or a methyl group is most preferable for industrial availability.

상기 식 (a1-1) 중, Va1 의 에테르 결합을 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기는, 상기 식 (a0-1) 중의 Va0 이 치환기로서 에테르 결합을 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기가 되는 경우와 동일하다.In the formula (a1-1), the bivalent hydrocarbon group which may have an ether bond of Va 1 is the same as the case where Va 0 in the formula (a0-1) is a bivalent hydrocarbon group which may have an ether bond as a substituent Do.

상기 식 (a1-2) 중, Wa1 에 있어서의 na2 +1 가의 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기이어도 되고, 방향족 탄화수소기이어도 된다. 그 지방족 탄화수소기는, 방향족성을 갖지 않는 탄화수소기를 의미하며, 포화이어도 되고, 불포화이어도 되고, 통상적으로는 포화인 것이 바람직하다. 상기 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기, 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기, 혹은 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기와 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기를 조합한 기를 들 수 있다. In the formula (a1-2), the hydrocarbon group of n a2 +1 valency in Wa 1 may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity, and may be saturated or unsaturated, and is usually saturated. Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, or a combination of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group and a ring-containing aliphatic hydrocarbon group One can say.

상기 na2 +1 가는 2 ∼ 4 가가 바람직하고, 2 또는 3 가가 보다 바람직하다.The n a2 + 1 is preferably 2 to 4, more preferably 2 or 3.

이하에 상기 식 (a1-1) 로 나타내는 구성 단위의 구체예를 나타낸다. 이하의 각 식 중, Rα 는 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다.Specific examples of the structural unit represented by the formula (a1-1) are shown below. In the following formulas, R ? Represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

[화학식 14][Chemical Formula 14]

Figure pat00014
Figure pat00014

[화학식 15][Chemical Formula 15]

Figure pat00015
Figure pat00015

[화학식 16][Chemical Formula 16]

Figure pat00016
Figure pat00016

[화학식 17][Chemical Formula 17]

Figure pat00017
Figure pat00017

[화학식 18][Chemical Formula 18]

Figure pat00018
Figure pat00018

이하에 상기 식 (a1-2) 로 나타내는 구성 단위의 구체예를 나타낸다.Specific examples of the structural unit represented by the formula (a1-2) are shown below.

[화학식 19][Chemical Formula 19]

Figure pat00019
Figure pat00019

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a1) 은 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.The structural unit (a1) of the component (A1) may be one kind or two or more kinds.

(A1) 성분이 구성 단위 (a1) 을 갖는 경우, (A1) 성분 중의 구성 단위 (a1) 의 비율은, (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대해 1 ∼ 50 몰% 가 바람직하고, 5 ∼ 45 몰% 가 보다 바람직하며, 5 ∼ 40 몰% 가 더욱 바람직하다.When the component (A1) has the structural unit (a1), the proportion of the structural unit (a1) in the component (A1) is preferably from 1 to 50 mol% relative to the total of all the structural units constituting the component (A1) , More preferably 5 to 45 mol%, and still more preferably 5 to 40 mol%.

구성 단위 (a1) 의 비율을 하한값 이상으로 함으로써, 용이하게 레지스트 패턴을 얻을 수 있고, 감도, 해상성, 러프니스 개선 혹은 EL 마진 등의 리소그래피 특성도 향상된다. 또, 상한값 이하로 함으로써, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡을 수 있다.By setting the ratio of the constituent unit (a1) to the lower limit value or more, a resist pattern can be easily obtained, and lithography characteristics such as sensitivity, resolution, roughness improvement or EL margin can be improved. In addition, by keeping the value below the upper limit value, balance with other constituent units can be obtained.

구성 단위 (a2):The structural unit (a2):

본 태양의 레지스트 조성물에 있어서는, (A1) 성분이, 구성 단위 (a0) 및 구성 단위 (a1) 에 더하여, 추가로 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기 또는 카보네이트 함유 고리형기를 포함하는 구성 단위 (a2) (단, 상기 구성 단위 (a0) 을 제외한다) 를 갖는 것이 바람직하다.In the resist composition of the present embodiment, it is preferable that the component (A1) further contains, in addition to the structural unit (a0) and the structural unit (a1), a lactone-containing cyclic group, -SO 2 -containing cyclic group or a carbonate- It is preferable to have the structural unit (a2) (except for the structural unit (a0)).

구성 단위 (a2) 의 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기 또는 카보네이트 함유 고리형기는, (A1) 성분을 레지스트막의 형성에 사용한 경우에, 레지스트막의 기판에 대한 밀착성을 높이는 데에 있어서 유효한 것이다. 또, 구성 단위 (a2) 를 가짐으로써, 알칼리 현상 프로세스에 있어서는, 현상시에, 레지스트막의 알칼리 현상액에 대한 용해성이 높아진다.The lactone-containing cyclic group, -SO 2 -containing cyclic group or carbonate-containing cyclic group of the constituent unit (a2) is preferably a cyclic group which is effective in improving the adhesion of the resist film to the substrate will be. By having the structural unit (a2), the solubility of the resist film in an alkali developer becomes high during the alkali development process.

「락톤 함유 고리형기」 란, 그 고리 골격 중에 -O-C(=O)- 를 포함하는 고리 (락톤 고리) 를 함유하는 고리형기를 나타낸다. 락톤 고리를 첫 번째 고리로서 세어, 락톤 고리만인 경우에는 단고리형기, 추가로 다른 고리 구조를 갖는 경우에는, 그 구조에 상관없이 다고리형기라고 칭한다. 락톤 함유 고리형기는 단고리형기이어도 되고, 다고리형기이어도 된다.The "lactone-containing cyclic group" refers to a cyclic group containing a ring (lactone ring) containing -O-C (═O) - in the cyclic backbone. When a lactone ring is counted as the first ring, only a lactone ring is referred to as a monocyclic ring, and when it has another ring structure, it is referred to as a polycyclic ring regardless of its structure. The lactone-containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.

구성 단위 (a2) 에 있어서의 락톤 함유 고리형기로는, 특별히 한정되지 않고 임의의 것이 사용 가능하다. 구체적으로는, 하기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.The lactone-containing cyclic group in the structural unit (a2) is not particularly limited, and any cyclic group can be used. Specifically, the groups represented by the following general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7) are exemplified.

[화학식 20][Chemical Formula 20]

Figure pat00020
Figure pat00020

[식 중, Ra'21 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, -COOR'', -OC(=O)R'', 하이드록시알킬기 또는 시아노기이고;R'' 는 수소 원자, 알킬기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이고;A'' 는 산소 원자 (-O-) 혹은 황 원자 (-S-) 를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이고, n' 는 0 ∼ 2 의 정수이며, m' 는 0 또는 1 이다.][Wherein, Ra '21 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR'', -OC (= O) R'', hydroxy alkyl group or a cyano group; R "is a hydrogen atom, an alkyl group, a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group or a -SO 2 -containing cyclic group; A" includes an oxygen atom (-O-) or a sulfur atom (-S-) An oxygen atom or a sulfur atom, n 'is an integer of 0 to 2, and m' is 0 or 1.]

상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 중 Ra'21 에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기가 바람직하다. 그 알킬기는, 직사슬형 또는 분기사슬형인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.The alkyl group in the general formula (a2-r-1) ~ (a2-r-7) of the Ra '21 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms are preferred. The alkyl group is preferably a linear or branched chain. Specific examples include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, pentyl, isopentyl, neopentyl and hexyl. Among them, a methyl group or an ethyl group is preferable, and a methyl group is particularly preferable.

Ra'21 에 있어서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기가 바람직하다. 그 알콕시기는, 직사슬형 또는 분기사슬형인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 상기 Ra'21 에 있어서의 알킬기로서 예시한 알킬기와 산소 원자 (-O-) 가 연결된 기를 들 수 있다.Ra 'The alkoxy group in 21 is preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. The alkoxy group is preferably a linear or branched chain. Specifically, there is a group with an oxygen atom (-O-) exemplified as the alkyl group in the above-mentioned Ra '21 include groups attached.

Ra'21 에 있어서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.Ra 'is a halogen atom in the 21, and a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, a fluorine atom is preferable.

Ra'21 에 있어서의 할로겐화 알킬기로는, 상기 Ra'21 에 있어서의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 할로겐화 알킬기로는, 불소화알킬기가 바람직하고, 특히 퍼플루오로알킬기가 바람직하다.Ra 'with a halogenated alkyl group in the 21, wherein Ra' may be a group in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group in 21 with the halogen atoms. As the halogenated alkyl group, a fluorinated alkyl group is preferable, and a perfluoroalkyl group is particularly preferable.

Ra'21 에 있어서의 -COOR'', -OC(=O)R'' 에 있어서, R'' 는 모두 수소 원자, 알킬기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이다.'In, R, Ra, of 21 in -COOR'', -OC (= O) R'' is a hydrogen atom, an alkyl group, a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group, or -SO 2 - containing ring It is a penalty.

R'' 에 있어서의 알킬기로는, 직사슬형, 분기사슬형, 고리형 중 어느 것이어도 되고, 탄소수는 1 ∼ 15 가 바람직하다.The alkyl group in R " may be any of linear, branched, and cyclic, and preferably has 1 to 15 carbon atoms.

R'' 가 직사슬형 혹은 분기사슬형의 알킬기인 경우에는, 탄소수 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 인 것이 더욱 바람직하며, 메틸기 또는 에틸기인 것이 특히 바람직하다.When R "is a linear or branched alkyl group, it preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, particularly preferably a methyl group or an ethyl group.

R'' 가 고리형의 알킬기인 경우에는, 탄소수 3 ∼ 15 인 것이 바람직하고, 탄소수 4 ∼ 12 인 것이 더욱 바람직하며, 탄소수 5 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는, 불소 원자 또는 불소화알킬기로 치환되어 있어도 되고, 치환되어 있지 않아도 되는 모노시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기;비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 예시할 수 있다. 보다 구체적으로는, 시클로펜탄, 시클로헥산 등의 모노시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기;아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다.When R "is a cyclic alkyl group, it preferably has 3 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, there may be mentioned a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a monocycloalkane which may be substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group and which may not be substituted, a polycycloalkane such as a bicycloalkane, a tricycloalkane or a tetracycloalkane A group in which one or more hydrogen atoms have been removed, and the like. More specifically, there may be mentioned groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from a monocycloalkane such as cyclopentane, cyclohexane and the like; a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane and tetracyclododecane And a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from the hydrogen atom.

R'' 에 있어서의 락톤 함유 고리형기로는, 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 기와 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the lactone-containing cyclic group in R "include the same groups as those represented by the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7).

R'' 에 있어서의 카보네이트 함유 고리형기로는, 후술하는 카보네이트 함유 고리형기와 동일하고, 구체적으로는 일반식 (ax3-r-1) ∼ (ax3-r-3) 으로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.The carbonate-containing cyclic group in R "is the same as the carbonate-containing cyclic group described later, and concretely includes groups represented by the general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3) .

R'' 에 있어서의 -SO2- 함유 고리형기로는, 후술하는 -SO2- 함유 고리형기와 동일하고, 구체적으로는 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.-SO 2 of the R '' - containing a cyclic group, which will be described later -SO 2 - the same as that containing cyclic group, and specifically by the following formula (a5-r-1) ~ (a5-r-4) And the like.

Ra'21 에 있어서의 하이드록시알킬기로는, 탄소수가 1 ∼ 6 인 것이 바람직하며, 구체적으로는, 상기 Ra'21 에 있어서의 알킬기의 수소 원자의 적어도 1 개가 수산기로 치환된 기를 들 수 있다.Ra 'hydroxy group in 21 is preferably a carbon number of 1 to 6, specifically, the Ra' One or more of the hydrogen atoms of the alkyl group in 21 may be a substituted by a hydroxyl group.

상기 일반식 (a2-r-2), (a2-r-3), (a2-r-5) 중, A'' 에 있어서의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로필렌기, 이소프로필렌기 등을 들 수 있다. 그 알킬렌기가 산소 원자 또는 황 원자를 포함하는 경우, 그 구체예로는, 상기 알킬렌기의 말단 또는 탄소 원자간에 -O- 또는 -S- 가 개재하는 기를 들 수 있으며, 예를 들어 -O-CH2-, -CH2-O-CH2-, -S-CH2-, -CH2-S-CH2- 등을 들 수 있다. A'' 로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기 또는 -O- 가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기가 보다 바람직하며, 메틸렌기가 가장 바람직하다.Examples of the alkylene group having 1 to 5 carbon atoms in A "in the general formulas (a2-r-2), (a2-r-3) and (a2- Alkylene group is preferable, and a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, an isopropylene group and the like can be given. When the alkylene group includes an oxygen atom or a sulfur atom, specific examples thereof include a group in which -O- or -S- is interposed between the terminal or carbon atom of the alkylene group, for example, -O- CH 2 -, -CH 2 -O-CH 2 -, -S-CH 2 -, -CH 2 -S-CH 2 - and the like. A "is preferably an alkylene group of 1 to 5 carbon atoms or -O-, more preferably an alkylene group of 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methylene group.

하기에 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 기의 구체예를 든다.Specific examples of the groups represented by the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7) are described below.

[화학식 21][Chemical Formula 21]

Figure pat00021
Figure pat00021

[화학식 22][Chemical Formula 22]

Figure pat00022
Figure pat00022

「-SO2- 함유 고리형기」 란, 그 고리 골격 중에 -SO2- 를 포함하는 고리를 함유하는 고리형기를 나타내고, 구체적으로는, -SO2- 에 있어서의 황 원자 (S) 가 고리형기의 고리 골격의 일부를 형성하는 고리형기이다. 그 고리 골격 중에 -SO2- 를 포함하는 고리를 첫 번째 고리로서 세어, 그 고리만인 경우에는 단고리형기, 추가로 다른 고리 구조를 갖는 경우에는, 그 구조에 상관없이 다고리형기라고 칭한다. -SO2- 함유 고리형기는, 단고리형기이어도 되고, 다고리형기이이어도 된다.The "-SO 2 -containing cyclic group" refers to a cyclic group containing a ring containing -SO 2 - in the cyclic backbone, and specifically, the sulfur atom (S) in -SO 2 - Is a cyclic group that forms part of the ring skeleton of < RTI ID = 0.0 > A ring containing -SO 2 - in the ring skeleton is counted as the first ring, and when the ring is only a ring, it is called a monocyclic ring, and in the case of having another ring structure, it is called a ring ring regardless of its structure. The -SO 2 -containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.

-SO2- 함유 고리형기는, 특히, 그 고리 골격 중에 -O-SO2- 를 포함하는 고리형기, 즉 -O-SO2- 중의 -O-S- 가 고리 골격의 일부를 형성하는 술톤 (sultone) 고리를 함유하는 고리형기인 것이 바람직하다.-SO 2 - containing cyclic group are, in particular, those in the ring skeleton -O-SO 2 - sultone (sultone) of the -OS- of forms part of the ring backbone-cyclic group containing, i.e. -O-SO 2 And is preferably a cyclic group containing a ring.

-SO2- 함유 고리형기로서, 보다 구체적으로는, 하기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.Specific examples of the -SO 2 -containing cyclic group include the groups represented by the following general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4)

[화학식 23](23)

Figure pat00023
Figure pat00023

[식 중, Ra'51 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, -COOR'', -OC(=O)R'', 하이드록시알킬기 또는 시아노기이고;R'' 는 수소 원자, 알킬기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이고;A'' 는 산소 원자 혹은 황 원자를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이며, n' 는 0 ∼ 2 의 정수이다.]Wherein Ra '51 is independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR ", -OC (= O) R", a hydroxyalkyl group or a cyano group; R "is a hydrogen atom, an alkyl group, a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group or a -SO 2 -containing cyclic group; A" represents an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom , An oxygen atom or a sulfur atom, and n 'is an integer of 0 to 2.]

상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 중, A'' 는 상기 일반식 (a2-r-2), (a2-r-3), (a2-r-5) 중의 A'' 와 동일하다.(A2-r-2), (a2-r-3), (a2-r-5) Quot; A " in FIG.

Ra'51 에 있어서의 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, -COOR'', -OC(=O)R'', 하이드록시알킬기로는, 각각 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 중의 Ra'21 에 대한 설명에서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.Ra 'group at the 51, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, -COOR'', -OC (= O) R'', hydroxy alkyl, each of the above general formula (a2-r-1) ~ (a2-r-7) are the same as those exemplified in the description of the of the Ra '21.

하기에 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 기의 구체예를 든다. 식 중의 「Ac」 는 아세틸기를 나타낸다.Specific examples of the groups represented by the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4) are described below. "Ac" in the formula represents an acetyl group.

[화학식 24]≪ EMI ID =

Figure pat00024
Figure pat00024

[화학식 25](25)

Figure pat00025
Figure pat00025

[화학식 26](26)

Figure pat00026
Figure pat00026

「카보네이트 함유 고리형기」 란, 그 고리 골격 중에 -O-C(=O)-O- 를 포함하는 고리 (카보네이트 고리) 를 함유하는 고리형기를 나타낸다. 카보네이트 고리를 첫 번째 고리로서 세어, 카보네이트 고리만인 경우에는 단고리형기, 추가로 다른 고리 구조를 갖는 경우에는, 그 구조에 상관없이 다고리형기라고 칭한다. 카보네이트 함유 고리형기는, 단고리형기이어도 되고, 다고리형기이어도 된다. The "carbonate-containing cyclic group" means a cyclic group containing a ring (carbonate ring) containing -O-C (═O) -O- in the cyclic backbone. When the carbonate ring is counted as the first ring, only the carbon ring is monocyclic, and when it has another ring structure, it is called the polycyclic ring regardless of its structure. The carbonate-containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.

카보네이트 고리 함유 고리형기로는, 특별히 한정되지 않고 임의의 것이 사용 가능하다. 구체적으로는, 하기 일반식 (ax3-r-1) ∼ (ax3-r-3) 으로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.The cyclic group containing a carbonate ring is not particularly limited and any cyclic group can be used. Specific examples thereof include groups represented by the following general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3).

[화학식 27](27)

Figure pat00027
Figure pat00027

[식 중, Ra'x31 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, -COOR'', -OC(=O)R'', 하이드록시알킬기 또는 시아노기이고;R'' 는 수소 원자, 알킬기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이고;A'' 는 산소 원자 혹은 황 원자를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이고, p' 는 0 ∼ 3 의 정수이며, q' 는 0 또는 1 이다.] Wherein Ra ' x31 (= O) R ", a hydroxyalkyl group or a cyano group, R" is a hydrogen atom, an alkyl group, An alkyl group, a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group or a -SO 2 -containing cyclic group; A "is an alkylene group, an oxygen atom or a sulfur atom of 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom , p 'is an integer of 0 to 3, and q' is 0 or 1.]

상기 일반식 (ax3-r-1) ∼ (ax3-r-3) 중, A'' 는 상기 일반식 (a2-r-2), (a2-r-3), (a2-r-5) 중의 A'' 와 동일하다.Among the above-mentioned general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3), A '' is a general formula (a2- Quot; A " in FIG.

Ra'31 에 있어서의 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, -COOR'', -OC(=O)R'', 하이드록시알킬기로는, 각각 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 중의 Ra'21 에 대한 설명에서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.Ra 'group at the 31, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, -COOR'', -OC (= O) R'', hydroxy alkyl, each of the above general formula (a2-r-1) ~ (a2-r-7) are the same as those exemplified in the description of the of the Ra '21.

하기에 일반식 (ax3-r-1) ∼ (ax3-r-3) 으로 각각 나타내는 기의 구체예를 든다.Specific examples of the groups represented by the general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3) are described below.

[화학식 28](28)

Figure pat00028
Figure pat00028

구성 단위 (a2) 로는, 그 중에서도, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하다. As the structural unit (a2), a structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the? -Position may be substituted with a substituent is preferable.

이러한 구성 단위 (a2) 는, 하기 일반식 (a2-1) 로 나타내는 구성 단위인 것이 바람직하다.Such a structural unit (a2) is preferably a structural unit represented by the following general formula (a2-1).

[화학식 29][Chemical Formula 29]

Figure pat00029
Figure pat00029

[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기이다. Ya21 은 단결합 또는 2 가의 연결기이다. La21 은 -O-, -COO-, -CON(R')-, -OCO-, -CONHCO- 또는 -CONHCS- 이고, R' 는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. 단 La21 이 -O- 인 경우, Ya21 은 -CO- 는 되지 않는다. Ra21 은 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이다.]Wherein R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Ya 21 is a single bond or a divalent linking group. La 21 represents -O-, -COO-, -CON (R ') -, -OCO-, -CONHCO- or -CONHCS-, and R' represents a hydrogen atom or a methyl group. Provided that when La 21 is -O-, then Ya 21 is not -CO-. Ra 21 is a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group or a -SO 2 -containing cyclic group.]

식 (a2-1) 중, R 은 상기와 동일하다.In the formula (a2-1), R is the same as defined above.

Ya21 의 2 가의 연결기로는, 특별히 한정되지 않지만, 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기, 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.The divalent linking group of Ya 21 is not particularly limited, and preferred examples include a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, and a divalent linking group including a hetero atom.

·치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기:A bivalent hydrocarbon group which may have a substituent;

Ya21 이 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기인 경우, 그 탄화수소기는 지방족 탄화수소기이어도 되고, 방향족 탄화수소기이어도 된다.When Ya 21 is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, the hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.

··Ya21 에 있어서의 지방족 탄화수소기Aliphatic hydrocarbon groups in Ya 21

그 지방족 탄화수소기는, 방향족성을 갖지 않는 탄화수소기를 의미한다. 그 지방족 탄화수소기는 포화이어도 되고, 불포화이어도 되며, 통상적으로는 포화인 것이 바람직하다.The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and is usually saturated.

상기 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형 혹은 분기사슬형의 지방족 탄화수소기, 또는 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure.

···직사슬형 혹은 분기사슬형의 지방족 탄화수소기... .Lectric or branched aliphatic hydrocarbon groups

그 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하며, 1 ∼ 3 이 가장 바람직하다.The linear or branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, further preferably 1 to 4 carbon atoms, and most preferably 1 to 3 carbon atoms.

직사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하며, 구체적으로는, 메틸렌기 [-CH2-], 에틸렌기 [-(CH2)2-], 트리메틸렌기 [-(CH2)3-], 테트라메틸렌기 [-(CH2)4-], 펜타메틸렌기 [-(CH2)5-] 등을 들 수 있다.As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable, and specific examples thereof include a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [- (CH 2 ) 2 -], a trimethylene group [- CH 2 ) 3 -], tetramethylene group [- (CH 2 ) 4 -], pentamethylene group [- (CH 2 ) 5 -] and the like.

분기사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 분기사슬형의 알킬렌기가 바람직하며, 구체적으로는, -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기;-CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2-CH2- 등의 알킬에틸렌기;-CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기;-CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 등의 알킬알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬알킬렌기에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하다.Aliphatic hydrocarbon group of the branched, and preferably an alkylene group of branched, specifically, -CH (CH 3) -, -CH (CH 2 CH 3) -, -C (CH 3) 2 -, -C (CH 3) (CH 2 CH 3) -, -C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, -C (CH 2 CH 3) 2 - a methylene group, such as alkyl; -CH (CH 3) CH 2 -, -CH ( CH 3) CH (CH 3) -, -C (CH 3) 2 CH 2 -, -CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, -C (CH 2 CH 3) 2 -CH 2 -; alkyltrimethylene groups such as -CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 -, and the like; -CH (CH 3 ) CH 2 CH And alkyltetramethylene groups such as 2 CH 2 -, -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 -, and the like. The alkyl group in the alkyl alkylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

상기 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 갖고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 불소 원자, 불소 원자로 치환된 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기, 카르보닐기 등을 들 수 있다.The linear or branched aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and a carbonyl group.

···구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기... an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure

그 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기로는, 고리 구조 중에 헤테로 원자를 포함하는 치환기를 포함해도 되는 고리형의 지방족 탄화수소기 (지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기), 상기 고리형의 지방족 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 상기 고리형의 지방족 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기의 도중에 개재하는 기 등을 들 수 있다. 상기 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기로는 상기와 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure include a cyclic aliphatic hydrocarbon group (a group obtained by removing two hydrogen atoms from an aliphatic hydrocarbon ring) which may contain a substituent group containing a hetero atom in the ring structure, A group in which a hydrocarbon group is bonded to the end of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, and a group in which the cyclic aliphatic hydrocarbon group is introduced in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group. Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group include the same ones as described above.

고리형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 12 carbon atoms.

고리형의 지방족 탄화수소기는, 다고리형기이어도 되고, 단고리형기이어도 된다. 단고리형의 지환식 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 다고리형의 지환식 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하며, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. As the monocyclic alicyclic hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a monocycloalkane is preferable. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane, cyclohexane, and the like. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group in which two hydrogen atoms have been removed from the polycycloalkane. The polycycloalkane preferably has 7 to 12 carbon atoms, and specifically includes adamantane, norbornane, iso Borane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.

고리형의 지방족 탄화수소기는, 치환기를 갖고 있어도 되고, 갖고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 카르보닐기 등을 들 수 있다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and a carbonyl group.

상기 치환기로서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다.The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group or a tert-butyl group.

상기 치환기로서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso- propoxy group, a n-butoxy group or a tert- , Ethoxy group is most preferable.

상기 치환기로서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom as the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

상기 치환기로서의 할로겐화 알킬기로는, 상기 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다.Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include groups in which a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with the halogen atom.

고리형의 지방족 탄화수소기는, 그 고리 구조를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자를 포함하는 치환기로 치환되어도 된다. 그 헤테로 원자를 포함하는 치환기로는, -O-, -C(=O)-O-, -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O- 가 바람직하다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent group in which a part of carbon atoms constituting the cyclic structure includes a hetero atom. The substituent containing the heteroatom is preferably -O-, -C (= O) -O-, -S-, -S (= O) 2- or -S (= O) 2 -O- .

··Ya21 에 있어서의 방향족 탄화수소기The aromatic hydrocarbon group in Ya 21

그 방향족 탄화수소기는, 방향 고리를 적어도 1 개 갖는 탄화수소기이다. The aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring.

이 방향 고리는, 4n +2 개의 π 전자를 갖는 고리형 공액계이면 특별히 한정되지 않으며, 단고리형이어도 되고 다고리형이어도 된다. 방향 고리의 탄소수는 5 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 20 이 보다 바람직하고, 6 ∼ 15 가 더욱 바람직하며, 6 ∼ 12 가 특히 바람직하다. 단, 그 탄소수에는, 치환기에 있어서의 탄소수를 포함하지 않는 것으로 한다. 방향 고리로서, 구체적으로는 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리;상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리로서, 구체적으로는 피리딘 고리, 티오펜 고리 등을 들 수 있다. This aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n + 2 p-electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The number of carbon atoms in the aromatic ring is preferably from 5 to 30, more preferably from 5 to 20, still more preferably from 6 to 15, and particularly preferably from 6 to 12. Provided that the number of carbon atoms does not include the number of carbon atoms in the substituent. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; aromatic heterocyclic rings in which a part of carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a hetero atom. Examples of the heteroatom in the aromatic heterocyclic ring include an oxygen atom, a sulfur atom and a nitrogen atom. Specific examples of the aromatic heterocyclic ring include a pyridine ring and a thiophene ring.

방향족 탄화수소기로서, 구체적으로는 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기 (아릴렌기 또는 헤테로 아릴렌기);2 이상의 방향 고리를 포함하는 방향족 화합물 (예를 들어 비페닐, 플루오렌 등) 로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기;상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 (아릴기 또는 헤테로아릴기) 의 수소 원자 중 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기에 있어서의 아릴기로부터 수소 원자를 추가로 1 개 제거한 기) 등을 들 수 있다. 상기 아릴기 또는 헤테로아릴기에 결합하는 알킬렌기의 탄소수는 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하며, 1 인 것이 특히 바람직하다.Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include groups in which two hydrogen atoms have been removed from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring (arylene group or heteroarylene group), aromatic compounds containing two or more aromatic rings (for example, A group in which one hydrogen atom of a group (aryl or heteroaryl group) in which one hydrogen atom has been removed from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring is substituted with an alkylene group For example, by further removing one hydrogen atom from an aryl group in an arylalkyl group such as a benzyl group, a phenethyl group, a 1-naphthylmethyl group, a 2-naphthylmethyl group, a 1-naphthylethyl group, And the like. The number of carbon atoms of the alkylene group bonded to the aryl group or the heteroaryl group is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.

상기 방향족 탄화수소기는, 당해 방향족 탄화수소기가 갖는 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 예를 들어 당해 방향족 탄화수소기 중의 방향 고리에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 치환기로는, 예를 들어, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기 등을 들 수 있다.In the aromatic hydrocarbon group, the hydrogen atom contained in the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. For example, a hydrogen atom bonded to an aromatic ring in the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, and a hydroxyl group.

상기 치환기로서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다. The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group or a tert-butyl group.

상기 치환기로서의 알콕시기, 할로겐 원자 및 할로겐화 알킬기로는, 상기 고리형의 지방족 탄화수소기가 갖는 수소 원자를 치환하는 치환기로서 예시한 것을 들 수 있다.Examples of the alkoxy group, the halogen atom and the halogenated alkyl group as the substituent include those exemplified as the substituent for substituting the hydrogen atom of the cyclic aliphatic hydrocarbon group.

·헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기:A divalent linking group containing a hetero atom:

Ya21 이 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기인 경우, 그 연결기로서 바람직한 것으로서, -O-, -C(=O)-O-, -C(=O)-, -O-C(=O)-O-, -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(=NH)- (H 는 알킬기, 아실기 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다), -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O-, 일반식 -Y21-O-Y22-, -Y21-O-, -Y21-C(=O)-O-, -C(=O)-O-Y21-, -[Y21-C(=O)-O]m''-Y22-, -Y21-O-C(=O)-Y22- 또는 -Y21-S(=O)2-O-Y22- 로 나타내는 기 [식 중, Y21 및 Y22 는 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이고, O 는 산소 원자이며, m'' 는 0 ∼ 3 의 정수이다.] 등을 들 수 있다.When Y < a > is a divalent linking group containing a hetero atom, preferable examples of the linking group include -O-, -C (= O) -O-, -C (= O) -, -C (= O) -NH-, -NH-, -NH-C (= NH) - (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group) O) 2 -, -S (= O) 2 -O-, the formula -Y 21 -OY 22 -, -Y 21 -O-, -Y 21 -C (= O) -O-, -C (= O) -OY 21 -, - [ Y 21 -C (= O) -O] m '' -Y 22 -, -Y 21 -OC (= O) -Y 22 - or -Y 21 -S (= O ) 2 -OY 22 - [wherein Y 21 and Y 22 are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, O is an oxygen atom, and m "is an integer of 0 to 3). ] And the like.

상기 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기가 -C(=O)-NH-, -C(=O)-NH-C(=O)-, -NH-, -NH-C(=NH)- 인 경우, 그 H 는 알킬기, 아실기 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 치환기 (알킬기, 아실기 등) 는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 8 인 것이 더욱 바람직하며, 1 ∼ 5 인 것이 특히 바람직하다.The divalent linking group containing the hetero atom may be -C (= O) -NH-, -C (= O) -NH-C (= O) -, -NH-, -NH-C , The H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group. The substituent (alkyl group, acyl group, etc.) preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 5 carbon atoms.

일반식 -Y21-O-Y22-, -Y21-O-, -Y21-C(=O)-O-, -C(=O)-O-Y21-, -[Y21-C(=O)-O]m''-Y22-, -Y21-O-C(=O)-Y22- 또는 -Y21-S(=O)2-O-Y22- 중, Y21 및 Y22 는 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이다. 그 2 가의 탄화수소기로는, 상기 2 가의 연결기로서의 설명에서 예시한 (치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기) 와 동일한 것을 들 수 있다.Formula -Y 21 -OY 22 -, -Y 21 -O-, -Y 21 -C (= O) -O-, -C (= O) -OY 21 -, - [Y 21 -C (= O ) -O] m '' -Y 22 -, -Y 21 -OC (= O) -Y 22 - or -Y 21 -S (= O) 2 -OY 22 - of, Y 21 and Y 22 are each independently And is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent. The divalent hydrocarbon group may be the same as the divalent hydrocarbon group which may have a substituent (s) exemplified in the description of the divalent linking group.

Y21 로는, 직사슬형의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 직사슬형의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬렌기가 더욱 바람직하며, 메틸렌기 또는 에틸렌기가 특히 바람직하다.Y 21 is preferably a linear aliphatic hydrocarbon group, more preferably a linear alkylene group, still more preferably a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, particularly preferably a methylene group or an ethylene group.

Y22 로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기 또는 알킬메틸렌기가 보다 바람직하다. 그 알킬메틸렌기에 있어서의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 의 직사슬형의 알킬기가 보다 바람직하며, 메틸기가 가장 바람직하다.Y 22 is preferably a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, more preferably a methylene group, an ethylene group or an alkylmethylene group. The alkyl group in the alkylmethylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and most preferably a methyl group.

식 -[Y21-C(=O)-O]m''-Y22- 로 나타내는 기에 있어서, m'' 는 0 ∼ 3 의 정수이며, 0 ∼ 2 의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1 이 보다 바람직하고, 1 이 특히 바람직하다. 즉, 식 -[Y21-C(=O)-O]m''-Y22- 로 나타내는 기로는, 식 -Y21-C(=O)-O-Y22- 로 나타내는 기가 특히 바람직하다. 그 중에서도, 식 -(CH2)a'-C(=O)-O-(CH2)b'- 로 나타내는 기가 바람직하다. 그 식 중, a' 는 1 ∼ 10 의 정수이며, 1 ∼ 8 의 정수가 바람직하고, 1 ∼ 5 의 정수가 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 더욱 바람직하고, 1 이 가장 바람직하다. b' 는 1 ∼ 10 의 정수이며, 1 ∼ 8 의 정수가 바람직하고, 1 ∼ 5 의 정수가 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 더욱 바람직하고, 1 이 가장 바람직하다.In the group represented by the formula - [Y 21 -C (═O) -O] m " -Y 22 -, m" is an integer of 0 to 3, preferably an integer of 0 to 2, More preferably 1, and particularly preferably 1. That is, the group represented by the formula - [Y 21 -C (═O) -O] m " -Y 22 - is particularly preferably a group represented by the formula -Y 21 -C (═O) -OY 22 -. Among them, a group represented by the formula - (CH 2 ) a ' -C (═O) -O- (CH 2 ) b' - is preferable. In the formula, a 'is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, more preferably 1 or 2, and most preferably 1. b 'is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, more preferably 1 or 2, and most preferably 1.

Ya21 로는, 단결합, 에스테르 결합 [-C(=O)-O-], 에테르 결합 (-O-), 직사슬형 혹은 분기사슬형의 알킬렌기, 또는 이들의 조합인 것이 바람직하다.Ya 21 is preferably a single bond, an ester bond [-C (= O) -O-], an ether bond (-O-), a linear or branched alkylene group, or a combination thereof.

상기 식 (a2-1) 중, Ra21 은 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기 또는 카보네이트 함유 고리형기이다.In the formula (a2-1), Ra 21 is a lactone-containing cyclic group, -SO 2 - containing cyclic group or a carbonate-containing cyclic group.

Ra21 에 있어서의 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기로는, 각각, 전술한 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 기, 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 기, 일반식 (ax3-r-1) ∼ (ax3-r-3) 으로 각각 나타내는 기를 바람직하게 들 수 있다.The lactone-containing cyclic group, -SO 2 -containing cyclic group and carbonate cyclic cyclic group in Ra 21 are each a group represented by the general formula (a2-r-1) to (a2-r-7) , Groups represented by the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4), and groups represented by the general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3).

그 중에서도, 락톤 함유 고리형기 또는 -SO2- 함유 고리형기가 바람직하고, 상기 일반식 (a2-r-1), (a2-r-2) 또는 (a5-r-1) 로 각각 나타내는 기가 보다 바람직하다. 구체적으로는, 상기 화학식 (r-lc-1-1) ∼ (r-lc-1-7), (r-lc-2-1) ∼ (r-lc-2-18), (r-sl-1-1), (r-sl-1-18) 로 각각 나타내는, 어느 기가 보다 바람직하다.Among them, a lactone-containing cyclic group or -SO 2 -containing cyclic group is preferable, and a group represented by the general formula (a2-r-1), (a2-r-2) or (a5- desirable. (R-lc-2-1) to (r-lc-2-18), (r-lc-1-7) -1-1) and (r-sl-1-18), respectively.

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a2) 는 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.The constituent unit (a2) of the component (A1) may be one kind or two or more kinds.

(A1) 성분이 구성 단위 (a2) 를 갖는 경우, 구성 단위 (a2) 의 비율은, 당해 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대해 1 ∼ 80 몰% 인 것이 바람직하고, 10 ∼ 70 몰% 인 것이 보다 바람직하고, 10 ∼ 65 몰% 인 것이 더욱 바람직하며, 10 ∼ 60 몰% 가 특히 바람직하다.When the component (A1) has the structural unit (a2), the proportion of the structural unit (a2) is preferably 1 to 80 mol%, more preferably 10 to 20 mol%, based on the total of all structural units constituting the component (A1) , More preferably 70 mol%, still more preferably 10 mol% to 65 mol%, and particularly preferably 10 mol% to 60 mol%.

구성 단위 (a2) 의 비율을 바람직한 하한값 이상으로 함으로써, 구성 단위 (a2) 를 함유시키는 것에 의한 효과가 충분히 얻어지고, 한편, 바람직한 상한값 이하로 함으로써, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡을 수 있어, 각종 리소그래피 특성 및 패턴 형상이 양호해진다.When the ratio of the constituent unit (a2) is set to a preferable lower limit value or more, the effect of containing the constituent unit (a2) is sufficiently obtained. On the other hand, when it is not more than the preferable upper limit value, balance with other constituent units can be obtained, The lithography characteristics and the pattern shape are improved.

구성 단위 (a3):Constituent unit (a3):

구성 단위 (a3) 은, 극성기 함유 지방족 탄화수소기를 포함하는 구성 단위 (단, 상기 서술한 구성 단위 (a0), (a1) 또는 (a2) 중 어느 것에 해당하는 것을 제외한다) 이다.The structural unit (a3) is a structural unit containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group (except for the structural unit (a0), (a1) or (a2) described above).

(A1) 성분이 구성 단위 (a3) 을 가짐으로써, (A) 성분의 친수성이 높아져, 해상성의 향상에 기여한다.When the component (A1) has the structural unit (a3), the hydrophilicity of the component (A) increases, contributing to improvement of the resolution.

극성기로는, 수산기, 시아노기, 카르복실기, 알킬기의 수소 원자의 일부가 불소 원자로 치환된 하이드록시알킬기 등을 들 수 있으며, 특히 수산기가 바람직하다. Examples of the polar group include a hydroxyl group, a cyano group, a carboxyl group, a hydroxyalkyl group in which a part of the hydrogen atoms of the alkyl group is substituted with a fluorine atom, and a hydroxyl group is particularly preferable.

지방족 탄화수소기로는, 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 탄화수소기 (바람직하게는 알킬렌기) 나, 고리형의 지방족 탄화수소기 (고리형기) 를 들 수 있다. 그 고리형기로는, 단고리형기이어도 되고 다고리형기이어도 되며, 예를 들어 ArF 엑시머 레이저용 레지스트 조성물용 수지에 있어서, 다수 제안되어 있는 것 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 그 고리형기로는 다고리형기인 것이 바람직하고, 탄소수는 7 ∼ 30 인 것이 보다 바람직하다. Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms (preferably an alkylene group) or a cyclic aliphatic hydrocarbon group (cyclic group). The cyclic group may be either a monocyclic group or a polycyclic group. For example, in the resin for a resist composition for an ArF excimer laser, a large number of proposed ones can be appropriately selected and used. The cyclic group is preferably a polycyclic group and more preferably 7 to 30 carbon atoms.

그 중에서도, 수산기, 시아노기, 카르복실기, 또는 알킬기의 수소 원자의 일부가 불소 원자로 치환된 하이드록시알킬기를 함유하는 지방족 다고리형기를 포함하는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 보다 바람직하다. 그 다고리형기로는, 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 예시할 수 있다. 구체적으로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다. 이들 다고리형기 중에서도, 아다만탄으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기, 노르보르난으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기, 테트라시클로도데칸으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 공업상 바람직하다.Among them, a structural unit derived from an acrylate ester containing a hydroxyl group, a cyano group, a carboxyl group, or an aliphatic polycyclic group containing a hydroxyalkyl group in which a part of the hydrogen atoms of the alkyl group is substituted with a fluorine atom is more preferable. Examples of the polycyclic group include groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from a bicycloalkane, a tricycloalkane, a tetracycloalkane, and the like. Specific examples thereof include groups obtained by removing two or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isoborane, tricyclodecane and tetracyclododecane. Among these polycyclic groups, groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from adamantane, groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from norbornane, and groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from tetracyclododecane are industrially preferable.

구성 단위 (a3) 으로는, 극성기 함유 지방족 탄화수소기를 포함하는 것이면 특별히 한정되지 않고 임의의 것이 사용 가능하다.The constituent unit (a3) is not particularly limited as long as it contains a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group, and any arbitrary structure can be used.

구성 단위 (a3) 으로는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위로서 극성기 함유 지방족 탄화수소기를 포함하는 구성 단위가 바람직하다.As the structural unit (a3), a structural unit containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group as a structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the? -Position may be substituted with a substituent is preferable.

구성 단위 (a3) 으로는, 극성기 함유 지방족 탄화수소기에 있어서의 탄화수소기가 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 탄화수소기일 때에는, 아크릴산의 하이드록시에틸에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하고, 그 탄화수소기가 다고리형기일 때에는, 하기의 식 (a3-1) 로 나타내는 구성 단위, 식 (a3-2) 로 나타내는 구성 단위, 식 (a3-3) 으로 나타내는 구성 단위를 바람직한 것으로서 들 수 있다.When the hydrocarbon group in the polar group-containing aliphatic hydrocarbon group is a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, the structural unit (a3) is preferably a structural unit derived from a hydroxyethyl ester of acrylic acid, When the hydrocarbon group is a polycyclic group, preferred examples include the structural unit represented by the following formula (a3-1), the structural unit represented by the formula (a3-2), and the structural unit represented by the formula (a3-3)

[화학식 30](30)

Figure pat00030
Figure pat00030

[식 중, R 은 상기와 동일하고, j 는 1 ∼ 3 의 정수이고, k 는 1 ∼ 3 의 정수이고, t' 는 1 ∼ 3 의 정수이고, l 은 1 ∼ 5 의 정수이며, s 는 1 ∼ 3 의 정수이다.]Wherein R is as defined above, j is an integer of 1 to 3, k is an integer of 1 to 3, t 'is an integer of 1 to 3, 1 is an integer of 1 to 5, s is It is an integer from 1 to 3.]

식 (a3-1) 중, j 는 1 또는 2 인 것이 바람직하고, 1 인 것이 더욱 바람직하다. j 가 2 인 경우, 수산기가 아다만틸기의 3 위치와 5 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다. j 가 1 인 경우, 수산기가 아다만틸기의 3 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.In formula (a3-1), j is preferably 1 or 2, more preferably 1. When j is 2, it is preferable that the hydroxyl group is bonded to the 3-position and the 5-position of the adamantyl group. When j is 1, it is preferable that the hydroxyl group is bonded to the 3-position of the adamantyl group.

j 는 1 인 것이 바람직하고, 수산기가 아다만틸기의 3 위치에 결합하고 있는 것이 특히 바람직하다.j is preferably 1, and it is particularly preferable that the hydroxyl group is bonded to the 3-position of the adamantyl group.

식 (a3-2) 중, k 는 1 인 것이 바람직하다. 시아노기는 노르보르닐기의 5 위치 또는 6 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.In formula (a3-2), k is preferably 1. The cyano group is preferably bonded to the 5-position or the 6-position of the norbornyl group.

식 (a3-3) 중, t' 는 1 인 것이 바람직하다. l 은 1 인 것이 바람직하다. s 는 1 인 것이 바람직하다. 이들은, 아크릴산의 카르복실기의 말단에, 2-노르보르닐기 또는 3-노르보르닐기가 결합하고 있는 것이 바람직하다. 불소화알킬알코올은, 노르보르닐기의 5 또는 6 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.In formula (a3-3), t 'is preferably 1. l is preferably 1. s is preferably 1. These are preferably those in which a 2-norbornyl group or a 3-norbornyl group is bonded to the terminal of the carboxyl group of acrylic acid. It is preferable that the fluorinated alkyl alcohol is bonded to the 5th or 6th position of the norbornyl group.

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a3) 은 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.The constituent unit (a3) of the component (A1) may be one kind or two or more kinds.

(A1) 성분이 구성 단위 (a3) 을 갖는 경우, 당해 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대해 5 ∼ 50 몰% 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 40 몰% 가 보다 바람직하며, 5 ∼ 35 몰% 가 더욱 바람직하다.When the component (A1) has the structural unit (a3), it is preferably 5 to 50 mol%, more preferably 5 to 40 mol%, and most preferably 5 to 10 mol% based on the total amount of all the structural units constituting the component (A1) To 35 mol% is more preferable.

구성 단위 (a3) 의 비율을 바람직한 하한값 이상으로 함으로써, 구성 단위 (a3) 을 함유시키는 것에 의한 효과가 충분히 얻어지고, 한편, 바람직한 상한값 이하로 함으로써, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡기 쉬워진다.When the ratio of the constituent unit (a3) is set to a preferable lower limit value or more, the effect of containing the constituent unit (a3) is sufficiently obtained. On the other hand, when it is not more than the preferable upper limit value, balance with other constituent units becomes easy.

구성 단위 (a4):Constituent unit (a4):

구성 단위 (a4) 는 산 비해리성의 지방족 고리형기를 포함하는 구성 단위이다.The structural unit (a4) is a structural unit containing an acid-labile aliphatic cyclic group.

(A1) 성분이 구성 단위 (a4) 를 가짐으로써, 형성되는 레지스트 패턴의 드라이 에칭 내성이 향상된다. 또, (A) 성분의 소수성이 높아진다. 소수성의 향상은, 특히 용제 현상 프로세스의 경우에, 해상성, 레지스트 패턴 형상 등의 향상에 기여하는 것으로 생각된다.When the component (A1) has the structural unit (a4), dry etching resistance of the formed resist pattern is improved. Further, the hydrophobicity of the component (A) is increased. It is considered that the improvement of the hydrophobicity contributes to the improvement of the resolution and the shape of the resist pattern in the case of the solvent developing process in particular.

구성 단위 (a4) 에 있어서의 「산 비해리성 고리형기」 는, 노광에 의해 당해 레지스트 조성물 중에 산이 발생했을 때 (예를 들어, 후술하는 (B) 성분으로부터 산이 발생했을 때) 에, 그 산이 작용해도 해리하지 않고 그대로 당해 구성 단위 중에 남는 고리형기이다.The "acid-labile cyclic group" in the constituent unit (a4) is preferably an acid labile cyclic group when the acid is generated in the resist composition by exposure (for example, when an acid is generated from the component (B) Is a cyclic group remaining in the constituent unit as it is without dissociating.

구성 단위 (a4) 로는, 예를 들어 산 비해리성의 지방족 고리형기를 포함하는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위 등이 바람직하다. 그 고리형기는, ArF 엑시머 레이저용, KrF 엑시머 레이저용 (바람직하게는 ArF 엑시머 레이저용) 등의 레지스트 조성물의 수지 성분에 사용되는 것으로서 종래부터 알려져 있는 다수의 것이 사용 가능하다.As the constituent unit (a4), for example, a constituent unit derived from an acrylate ester containing an aliphatic cyclic group having acidity is preferable. The cyclic group is used for a resin component of a resist composition such as an ArF excimer laser or a KrF excimer laser (preferably for an ArF excimer laser), and many conventionally known ones can be used.

특히 트리시클로데실기, 아다만틸기, 테트라시클로도데실기, 이소보르닐기, 노르보르닐기에서 선택되는 적어도 1 종이면, 공업상 입수하기 쉬운 등의 점에서 바람직하다. 이들 다고리형기는 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기를 치환기로서 갖고 있어도 된다.Particularly, at least one member selected from a tricyclodecyl group, an adamantyl group, a tetracyclododecyl group, an isobornyl group and a norbornyl group is preferable from the viewpoint of industrial availability and the like. These polycyclic groups may have a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as a substituent.

구성 단위 (a4) 로서, 구체적으로는 하기 일반식 (a4-1) ∼ (a4-7) 로 각각 나타내는 구성 단위를 예시할 수 있다.Specific examples of the structural unit (a4) include structural units represented by the following general formulas (a4-1) to (a4-7).

[화학식 31](31)

Figure pat00031
Figure pat00031

[식 중, Rα 는 상기와 동일하다.][Wherein R ? Is as defined above].

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a4) 는 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.The constituent unit (a4) of the component (A1) may be one kind or two or more kinds.

(A1) 성분이 구성 단위 (a4) 를 갖는 경우, 구성 단위 (a4) 의 비율은, 그 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대해 1 ∼ 30 몰% 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 20 몰% 가 보다 바람직하다.When the component (A1) has the structural unit (a4), the proportion of the structural unit (a4) is preferably from 1 to 30 mol%, more preferably from 3 to 30 mol%, based on the total structural units constituting the component (A1) More preferably 20 mol%.

구성 단위 (a4) 의 비율을 바람직한 하한값 이상으로 함으로써, 구성 단위 (a4) 를 함유시키는 것에 의한 효과가 충분히 얻어지고, 한편, 바람직한 상한값 이하로 함으로써, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡기 쉬워진다.When the ratio of the constituent unit (a4) is set to a preferable lower limit value or more, the effect of containing the constituent unit (a4) is sufficiently obtained. On the other hand, when it is not more than the preferable upper limit value, balance with other constituent units becomes easy.

본 태양의 레지스트 조성물에 있어서, (A) 성분은, 구성 단위 (a0) 을 갖는 고분자 화합물 (A1) 을 포함하는 것이며, 그 (A1) 성분으로서, 구체적으로는 구성 단위 (a0) 과 구성 단위 (a1) 과 구성 단위 (a2) 의 반복 구조로 이루어지는 고분자 화합물 등을 예시할 수 있다.In the resist composition of the present embodiment, the component (A) includes the polymer compound (A1) having the constituent unit (a0), and specifically the constituent unit (a0) a1) and a repeating structure of the constituent unit (a2).

(A1) 성분의 질량 평균 분자량 (Mw) (겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의한 폴리스티렌 환산 기준) 은 특별히 한정되는 것은 아니고, 1000 ∼ 50000 이 바람직하고, 1500 ∼ 30000 이 보다 바람직하며, 2000 ∼ 20000 이 가장 바람직하다.The mass average molecular weight (Mw) (based on polystyrene conversion by gel permeation chromatography (GPC)) of the component (A1) is not particularly limited and is preferably from 1,000 to 50,000, more preferably from 1,500 to 30,000, 20000 is most preferable.

(A1) 성분의 Mw 가 이 범위의 바람직한 상한값 이하이면, 레지스트로서 사용하는 데에 충분한 레지스트 용제에 대한 용해성이 있고, 이 범위의 바람직한 하한값 이상이면, 내드라이 에칭성이나 레지스트 패턴 단면 형상이 양호하다.If the Mw of the component (A1) is not higher than the upper limit of the preferable range, there is sufficient solubility in a resist solvent for use as a resist, and if it is not lower than the lower limit of the above range, the dry etching resistance and the cross- .

(A1) 성분의 분산도 (Mw/Mn) 는, 특별히 한정되지 않고, 1.0 ∼ 5.0 이 바람직하고, 1.0 ∼ 4.0 이 보다 바람직하며, 1.0 ∼ 3.0 이 가장 바람직하다. 또한, Mn 은 수평균 분자량을 나타낸다.The dispersion degree (Mw / Mn) of the component (A1) is not particularly limited and is preferably 1.0 to 5.0, more preferably 1.0 to 4.0, and most preferably 1.0 to 3.0. Mn represents the number average molecular weight.

(A1) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The component (A1) may be used alone or in combination of two or more.

(A) 성분 중의 (A1) 성분의 비율은, (A) 성분의 총질량에 대해, 25 질량% 이상이 바람직하고, 50 질량% 이상이 보다 바람직하고, 75 질량% 이상이 더욱 바람직하며, 100 질량% 이어도 된다. 그 비율이 25 질량% 이상이면, 고감도화나, 러프니스 개선 등의 각종 리소그래피 특성이 우수한 레지스트 패턴이 형성되기 쉬워진다.The proportion of the component (A1) in the component (A) is preferably 25% by mass or more, more preferably 50% by mass or more, further preferably 75% by mass or more, Mass%. If the ratio is 25 mass% or more, a resist pattern having excellent lithography properties such as high sensitivity and roughness improvement is likely to be formed.

본 태양의 레지스트 조성물은, (A) 성분으로서, 상기 (A1) 성분에 해당하지 않는, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분 (이하, 「(A2) 성분」 이라고 한다) 을 병용해도 된다.The resist composition of the present embodiment comprises a base component (hereinafter referred to as "component (A2)") which does not correspond to the component (A1) and whose solubility in a developing solution changes by the action of an acid Or may be used in combination.

(A2) 성분으로는, 특별히 한정되지 않고, 화학 증폭형 레지스트 조성물용 기재 성분으로서 종래부터 알려져 있는 다수의 것 (예를 들어 ArF 엑시머 레이저용, KrF 엑시머 레이저용 (바람직하게는 ArF 엑시머 레이저용) 등의 베이스 수지) 에서 임의로 선택하여 사용하면 된다. (A2) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.(A2) is not particularly limited, and a large number of conventionally known base components for chemically amplified resist compositions (for example, for ArF excimer laser, KrF excimer laser (preferably for ArF excimer laser) And the like). The component (A2) may be used alone or in combination of two or more.

본 태양의 레지스트 조성물에 있어서, (A) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.In the resist composition of the present embodiment, the component (A) may be used alone or in combination of two or more.

본 태양의 레지스트 조성물 중 (A) 성분의 함유량은, 형성하고자 하는 레지스트막 두께 등에 따라 조정하면 된다.The content of the component (A) in the resist composition of the present embodiment may be adjusted depending on the thickness of the resist film to be formed.

<(B) 성분>≪ Component (B) >

(B) 성분은 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분이다.Component (B) is an acid generator component which generates an acid upon exposure.

[(B1) 성분][Component (B1)] [

본 태양의 레지스트 조성물에 사용되는 (B) 성분은, 일반식 (b1) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 산 발생제 (B1) (이하, 「(B1) 성분」 이라고 한다) 을 포함하는 것이다.The component (B) used in the resist composition of the present embodiment includes the acid generator (B1) (hereinafter referred to as "component (B1)") composed of the compound represented by the general formula (b1).

[화학식 32](32)

Figure pat00032
Figure pat00032

[식 중, R101 은 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다. q'' 는 1 ∼ 20 의 정수이다. m 은 1 이상의 정수로서, Mm 는 m 가의 유기 카티온이다.]Wherein R 101 is a cyclic group which may have a substituent, a chain-like alkyl group which may have a substituent, or a chain-like alkenyl group which may have a substituent. q " is an integer of 1 to 20; m is an integer of 1 or more, and M m + is an organic cation of m.

(B1) 성분의 아니온부:The anion portion of the component (B1)

상기 식 (b1) 중, R101 은 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다.In the formula (b1), R 101 is a cyclic group which may have a substituent, a chain-like alkyl group which may have a substituent, or a chain-like alkenyl group which may have a substituent.

치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기:A cyclic group which may have a substituent:

그 고리형기는, 고리형의 탄화수소기인 것이 바람직하고, 그 고리형의 탄화수소기는 방향족 탄화수소기이어도 되고, 지방족 탄화수소기이어도 된다. 지방족 탄화수소기는 방향족성을 갖지 않는 탄화수소기를 의미한다. 또, 지방족 탄화수소기는 포화이어도 되고, 불포화이어도 되며, 통상적으로는 포화인 것이 바람직하다.The cyclic group is preferably a cyclic hydrocarbon group, and the cyclic hydrocarbon group may be an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and is usually saturated.

R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기는 방향 고리를 갖는 탄화수소기이다. 그 방향족 탄화수소기의 탄소수는 3 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 30 인 것이 보다 바람직하고, 5 ∼ 20 이 더욱 바람직하고, 6 ∼ 15 가 특히 바람직하며, 6 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 단, 그 탄소수에는, 치환기에 있어서의 탄소수를 포함하지 않는 것으로 한다.The aromatic hydrocarbon group in R < 101 > is a hydrocarbon group having an aromatic ring. The number of carbon atoms of the aromatic hydrocarbon group is preferably from 3 to 30, more preferably from 5 to 30, still more preferably from 5 to 20, particularly preferably from 6 to 15, most preferably from 6 to 10. Provided that the number of carbon atoms does not include the number of carbon atoms in the substituent.

R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기가 갖는 방향 고리로서, 구체적으로는 벤젠, 플루오렌, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 비페닐, 또는 이들의 방향 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.Specific examples of the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group in R 101 include benzene, fluorene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, biphenyl, aromatic heterocyclic rings in which a part of carbon atoms constituting aromatic rings thereof are substituted with a hetero atom Rings and the like. Examples of the heteroatom in the aromatic heterocyclic ring include an oxygen atom, a sulfur atom and a nitrogen atom.

R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기로서, 구체적으로는 상기 방향 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 (아릴기:예를 들어, 페닐기, 나프틸기 등), 상기 방향 고리의 수소 원자 중 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기 등) 등을 들 수 있다. 상기 알킬렌기 (아릴알킬기 중의 알킬 사슬) 의 탄소수는 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하며, 1 인 것이 특히 바람직하다.Specific examples of the aromatic hydrocarbon group for R 101 include groups in which one hydrogen atom has been removed from the aromatic ring (aryl group: for example, phenyl group, naphthyl group, etc.) (For example, a benzyl group, a phenethyl group, a 1-naphthylmethyl group, a 2-naphthylmethyl group, a 1-naphthylethyl group, a 2-naphthylethyl group and the like) and the like. The number of carbon atoms of the alkylene group (alkyl chain in the arylalkyl group) is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.

R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기는, 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기를 들 수 있다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101 includes an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in its structure.

이 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기로는, 지환식 탄화수소기 (지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기), 지환식 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 지환식 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기의 도중에 개재하는 기 등을 들 수 있다.As the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in this structure, an alicyclic hydrocarbon group (a group obtained by removing one hydrogen atom from an aliphatic hydrocarbon ring), a group in which an alicyclic hydrocarbon group is bonded to the end of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group , And groups in which an alicyclic hydrocarbon group is introduced in the midst of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group.

상기 지환식 탄화수소기는, 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다.The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 12 carbon atoms.

상기 지환식 탄화수소기는, 다고리형기이어도 되고, 단고리형기이어도 된다. 단고리형의 지환식 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 다고리형의 지환식 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하며, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.The alicyclic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. The monocyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing at least one hydrogen atom from a monocycloalkane. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane, cyclohexane, and the like. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group in which at least one hydrogen atom is removed from the polycycloalkane. The polycycloalkane preferably has 7 to 12 carbon atoms, and specifically includes adamantane, norbornane, Isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, and the like.

그 중에서도, R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기로는, 모노시클로알칸 또는 폴리시클로알칸으로부터 수소 원자를 1 개 이상 제거한 기가 바람직하고, 폴리시클로알칸으로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기가 보다 바람직하고, 아다만틸기, 노르보르닐기가 특히 바람직하며, 아다만틸기가 가장 바람직하다.Among them, the cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101 is preferably a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a monocycloalkane or a polycycloalkane, more preferably a group obtained by removing one hydrogen atom from a polycycloalkane, An adamantyl group and a norbornyl group are particularly preferable, and an adamantyl group is most preferable.

지환식 탄화수소기에 결합해도 되는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기는 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하며, 1 ∼ 3 이 가장 바람직하다.The linear or branched aliphatic hydrocarbon group which may be bonded to the alicyclic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6, further preferably 1 to 4, and most preferably 1 to 3 desirable.

직사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하며, 구체적으로는, 메틸렌기 [-CH2-], 에틸렌기 [-(CH2)2-], 트리메틸렌기 [-(CH2)3-], 테트라메틸렌기 [-(CH2)4-], 펜타메틸렌기 [-(CH2)5-] 등을 들 수 있다.As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable, and specific examples thereof include a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [- (CH 2 ) 2 -], a trimethylene group [- CH 2 ) 3 -], tetramethylene group [- (CH 2 ) 4 -], pentamethylene group [- (CH 2 ) 5 -] and the like.

분기사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 분기사슬형의 알킬렌기가 바람직하며, 구체적으로는, -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기;-CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2-CH2- 등의 알킬에틸렌기;-CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기;-CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 등의 알킬알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬알킬렌기에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하다.Aliphatic hydrocarbon group of the branched, and preferably an alkylene group of branched, specifically, -CH (CH 3) -, -CH (CH 2 CH 3) -, -C (CH 3) 2 -, -C (CH 3) (CH 2 CH 3) -, -C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, -C (CH 2 CH 3) 2 - a methylene group, such as alkyl; -CH (CH 3) CH 2 -, -CH ( CH 3) CH (CH 3) -, -C (CH 3) 2 CH 2 -, -CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, -C (CH 2 CH 3) 2 -CH 2 -; alkyltrimethylene groups such as -CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 -, and the like; -CH (CH 3 ) CH 2 CH And alkyltetramethylene groups such as 2 CH 2 -, -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 -, and the like. The alkyl group in the alkyl alkylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

R101 의 고리형의 탄화수소기에 있어서의 치환기로는, 예를 들어, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 카르보닐기 (-C(=O)-), 에테르 결합 (-O-), 에스테르 결합 (-C(=O)-O-), 니트로기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent in the cyclic hydrocarbon group of R 101 include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group (-C (= O) -) An ester bond (-C (= O) -O-), and a nitro group.

치환기로서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기가 보다 바람직하다.As the alkyl group as a substituent, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group and a tert-butyl group are more preferable.

치환기로서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 보다 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.The alkoxy group as a substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, , Ethoxy group is most preferable.

치환기로서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom as a substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

치환기로서의 할로겐화 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기 등의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다.Examples of the halogenated alkyl group as a substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms such as a group in which a part or all of hydrogen atoms such as methyl, ethyl, propyl, n-butyl and tert- have.

치환기로서의 카르보닐기 (-C(=O)-), 에테르 결합 (-O-), 에스테르 결합 (-C(=O)-O-) 은, 고리형의 탄화수소기를 구성하는 메틸렌기 (-CH2-) 를 치환하는 기이다.The carbonyl group (-C (= O) -), the ether bond (-O-) and the ester bond (-C (= O) -O-) as a substituent may be a methylene group (-CH 2 - ).

R101 에 있어서의 고리형의 탄화수소기로는, 이하에 예시하는 「구조 중에 고리를 포함하는, 치환기를 갖는 지방족 탄화수소기」 도 들 수 있다.Examples of the cyclic hydrocarbon group for R < 101 > include the following "aliphatic hydrocarbon group having a substituent including a ring in the structure".

[화학식 33](33)

Figure pat00033
Figure pat00033

또, R101 에 있어서의 고리형의 탄화수소기는, 복소 고리 등과 같이 헤테로 원자를 포함해도 된다. 구체적으로는, 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기, 상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기, 그 외 이하에 예시하는 복소 고리형기를 들 수 있다.The cyclic hydrocarbon group in R 101 may include a hetero atom such as a heterocyclic ring. Specifically, a lactone-containing cyclic group represented by any one of the above-mentioned general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7) -SO 2 -containing cyclic group, and other heterocyclic groups exemplified below.

[화학식 34](34)

Figure pat00034
Figure pat00034

치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기:Chain alkyl group which may have a substituent:

R101 의 사슬형의 알킬기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형 중 어느 것이어도 된다.The chain alkyl group represented by R < 101 > may be either linear or branched.

직사슬형의 알킬기로는, 탄소수가 1 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 15 인 것이 보다 바람직하며, 1 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데카닐기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 이소트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 이소헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 노나데실기, 이코실기, 헨이코실기, 도코실기 등을 들 수 있다. The linear alkyl group preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and most preferably 1 to 10 carbon atoms. Specific examples thereof include alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, , A tetradecyl group, a pentadecyl group, a hexadecyl group, an isohexadecyl group, a heptadecyl group, an octadecyl group, a nonadecyl group, an eicosyl group, a heneicosyl group and a docosyl group.

분기사슬형의 알킬기로는, 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 15 인 것이 보다 바람직하며, 3 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 1-메틸에틸기, 1-메틸프로필기, 2-메틸프로필기, 1-메틸부틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 1-에틸부틸기, 2-에틸부틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기 등을 들 수 있다.The branched alkyl group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 15 carbon atoms, and most preferably 3 to 10 carbon atoms. Specific examples thereof include 1-methylethyl, 1-methylpropyl, 2-methylpropyl, 1-methylbutyl, 2-methylbutyl, 3-methylbutyl, -Ethylbutyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group and 4-methylpentyl group.

치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기:Chain alkenyl group which may have a substituent:

R101 의 사슬형의 알케닐기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형 중 어느 것이어도 되며, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 2 ∼ 5 가 보다 바람직하고, 2 ∼ 4 가 더욱 바람직하고, 3 이 특히 바람직하다. 직사슬형의 알케닐기로는, 예를 들어, 비닐기, 프로페닐기 (알릴기), 부티닐기 등을 들 수 있다. 분기사슬형의 알케닐기로는, 예를 들어, 1-메틸비닐기, 2-메틸비닐기, 1-메틸프로페닐기, 2-메틸프로페닐기 등을 들 수 있다.The chain-like alkenyl group of R < 101 > may be either linear or branched, preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 5, still more preferably 2 to 4, 3 is particularly preferable. Examples of the linear alkenyl group include a vinyl group, a propenyl group (allyl group), and a butyryl group. Examples of the branched-chain alkenyl group include a 1-methylvinyl group, a 2-methylvinyl group, a 1-methylpropenyl group and a 2-methylpropenyl group.

사슬형의 알케닐기로는, 상기 중에서도, 비닐기, 프로페닐기가 보다 바람직하고, 비닐기가 특히 바람직하다.As the chain-like alkenyl group, a vinyl group or a propenyl group is more preferable, and a vinyl group is particularly preferable.

R101 의 사슬형의 알킬기 또는 알케닐기에 있어서의 치환기로는, 예를 들어, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 카르보닐기 (-C(=O)-), 에테르 결합 (-O-), 에스테르 결합 (-C(=O)-O-), 니트로기, 아미노기, 상기 R101 에 있어서의 고리형기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent in the chain type alkyl group or alkenyl group of R 101 include an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group (-C (= O) -) , An ester bond (-C (= O) -O-), a nitro group, an amino group, and a cyclic group in the above R 101 .

치환기로서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 보다 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.The alkoxy group as a substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, , Ethoxy group is most preferable.

치환기로서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom as a substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

치환기로서의 할로겐화 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기 등의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다.Examples of the halogenated alkyl group as a substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms such as a group in which a part or all of hydrogen atoms such as methyl, ethyl, propyl, n-butyl and tert- have.

치환기로서의 카르보닐기 (-C(=O)-), 에테르 결합 (-O-), 에스테르 결합 (-C(=O)-O-) 은, 사슬형의 알킬기 또는 알케닐기를 구성하는 메틸렌기 (-CH2-) 를 치환하는 기이다.The carbonyl group (-C (= O) -), the ether bond (-O-) and the ester bond (-C (= O) -O-) as a substituent may be a methylene group (- CH 2 -).

그 중에서도, R101 은 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기가 바람직하고, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형의 탄화수소기인 것이 보다 바람직하다. 보다 구체적으로는, 치환기를 갖고 있어도 되는 페닐기, 치환기를 갖고 있어도 되는 나프틸기, 치환기를 갖고 있어도 되는 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기;상기 식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기, 상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기 등이 바람직하다.Among them, R 101 is preferably a cyclic group which may have a substituent, more preferably a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent. More specifically, groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from a phenyl group which may have a substituent, a naphthyl group which may have a substituent, or a polycycloalkane which may have a substituent; groups represented by the above formulas (a2-r-1) to lactone showing respectively -r-7) containing cyclic group, the formula (a5-r-1) ~ (-SO 2 represent respectively a5-r-4) - containing cyclic group and the like.

상기 식 (b1) 중, q'' 는 1 ∼ 20 의 정수이고, 바람직하게는 1 ∼ 10 의 정수이고, 보다 바람직하게는 1 ∼ 5 의 정수이고, 더욱 바람직하게는 1 ∼ 3 의 정수이며, 특히 바람직하게는 1 이다.In the formula (b1), q '' is an integer of 1 to 20, preferably an integer of 1 to 10, more preferably an integer of 1 to 5, still more preferably an integer of 1 to 3, Particularly preferably 1.

이하에 (B1) 성분의 아니온부의 바람직한 구체예를 나타낸다.Preferred examples of the anion of the component (B1) are shown below.

[화학식 35](35)

Figure pat00035
Figure pat00035

(B1) 성분의 카티온부:Cation part of the component (B1):

식 (b1) 중, Mm 는 m 가의 유기 카티온이고, 오늄 카티온인 것이 바람직하고, 구체적으로는 술포늄 카티온, 요오드늄 카티온 등을 바람직하게 들 수 있다.In the formula (b1), M m + is an organic cation of m valence, and is preferably an onium cation, and specifically, sulfonium cation, iodonium cation and the like are preferable.

(B1) 성분의 카티온부 [(Mm )1/m] 는, 하기의 일반식 (ca-1) ∼ (ca-4) 로 각각 나타내는 유기 카티온을 바람직한 것으로서 들 수 있다.The cation moiety [(M m + ) 1 / m ] of the component (B1) is preferably an organic cation represented by the following general formulas (ca-1) to (ca-4).

[화학식 36](36)

Figure pat00036
Figure pat00036

[식 중, R201 ∼ R207, 및 R211 ∼ R212 는 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 되는 아릴기, 알킬기 또는 알케닐기를 나타내고, R201 ∼ R203, R206 ∼ R207, R211 ∼ R212 는 상호 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성해도 된다. R208 ∼ R209 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타내고, R210 은 치환기를 갖고 있어도 되는 아릴기, 알킬기, 알케닐기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이고, L201 은 -C(=O)- 또는 -C(=O)-O- 를 나타내고, Y201 은 각각 독립적으로, 아릴렌기, 알킬렌기 또는 알케닐렌기를 나타내고, x 는 1 또는 2 이며, W201 은 (x+1) 가의 연결기를 나타낸다.][Wherein, R 201 ~ R 207, and R 211 ~ R 212 each independently represents an aryl group, an alkyl group or an alkenyl group which may have a substituent, R 201 ~ R 203, R 206 ~ R 207, R 211 ~ And R 212 may bond together to form a ring with the sulfur atom in the formula. R 208 ~ R 209 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having a carbon number of 1 ~ 5, R 210 is an aryl group, an alkyl group, an alkenyl group, or -SO 2 which may contain a substituent group-containing a cyclic group, L 201 is -C (= O) - or -C (= O) represents a -O-, Y 201 are each independently an arylene group, an alkylene group, or represents an alkenylene group, x is 1 or 2, W 201 is (x + 1 ) Represents a connecting group.

R201 ∼ R207 및 R211 ∼ R212 에 있어서의 아릴기로는, 탄소수 6 ∼ 20 의 비치환의 아릴기를 들 수 있고, 페닐기, 나프틸기가 바람직하다.As the aryl group for R 201 to R 207 and R 211 to R 212 , an unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms is exemplified, and a phenyl group or a naphthyl group is preferable.

R201 ∼ R207 및 R211 ∼ R212 에 있어서의 알킬기로는, 사슬형 또는 고리형의 알킬기로서, 탄소수 1 ∼ 30 의 것이 바람직하다.The alkyl group in R 201 ~ R 207 and R 211 ~ R 212 is a chain-like or cyclic alkyl group, preferably of 1 to 30 carbon atoms.

R201 ∼ R207 및 R211 ∼ R212 에 있어서의 알케닐기로는, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하다.The alkenyl group in R 201 to R 207 and R 211 to R 212 preferably has 2 to 10 carbon atoms.

R201 ∼ R207 및 R210 ∼ R212 가 갖고 있어도 되는 치환기로는, 예를 들어, 알킬기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 카르보닐기, 시아노기, 아미노기, 아릴기, 하기 식 (ca-r-1) ∼ (ca-r-7) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.Examples of the substituent which R 201 to R 207 and R 210 to R 212 may have include an alkyl group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a carbonyl group, a cyano group, an amino group, an aryl group, To (ca-r-7), respectively.

[화학식 37](37)

Figure pat00037
Figure pat00037

[식 중, R'201 은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 사슬형의 알킬기, 또는 사슬형의 알케닐기이다.]: Wherein R ' 201 each independently represents a hydrogen atom, a cyclic group which may have a substituent, a chain-like alkyl group or a chain-like alkenyl group.

R'201 의 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기는, 전술한 식 (b1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있는 것 외에, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기로는, 전술한 식 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기와 동일한 것도 들 수 있다.The cyclic group which may have a substituent of R ' 201 , the chain alkyl group which may have a substituent, or the chain-like alkenyl group which may have a substituent may be the same as R 101 in the above-mentioned formula (b1) In addition to the above, the cyclic group which may have a substituent or the chain-like alkyl group which may have a substituent may be the same as the acid dissociable group represented by the above-mentioned formula (a1-r-2).

R201 ∼ R203, R206 ∼ R207, R211 ∼ R212 는 상호 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하는 경우, 황 원자, 산소 원자, 질소 원자 등의 헤테로 원자나, 카르보닐기, -SO-, -SO2-, -SO3 -, -COO-, -CONH- 또는 -N(RN)- (그 RN 은 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기이다) 등의 관능기를 통해 결합해도 된다. 형성되는 고리로는, 식 중의 황 원자를 그 고리 골격에 포함하는 1 개의 고리가, 황 원자를 포함하여, 3 ∼ 10 원자 고리인 것이 바람직하고, 5 ∼ 7 원자 고리인 것이 특히 바람직하다. 형성되는 고리의 구체예로는, 예를 들어 티오펜 고리, 티아졸 고리, 벤조티오펜 고리, 티안트렌 고리, 벤조티오펜 고리, 디벤조티오펜 고리, 9H-티오잔텐 고리, 티오잔톤 고리, 티안트렌 고리, 페녹사티인 고리, 테트라하이드로티오페늄 고리, 테트라하이드로티오피라늄 고리 등을 들 수 있다.R 201 to R 203 , R 206 to R 207 and R 211 to R 212 may form a ring with the sulfur atom in the formula to form a ring, a hetero atom such as a sulfur atom, an oxygen atom or a nitrogen atom, May be bonded through functional groups such as SO-, -SO 2 -, -SO 3 - , -COO-, -CONH- or -N (R N ) - (R N is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms). As the ring to be formed, one ring containing a sulfur atom in the formula in its ring skeleton is preferably 3 to 10 atomic rings including a sulfur atom, and it is particularly preferable that it is a 5 to 7-membered ring. Specific examples of the ring to be formed include, for example, thiophene ring, thiazole ring, benzothiophene ring, thianthrene ring, benzothiophene ring, dibenzothiophene ring, 9H-thiosanthene ring, thiosantone ring, A thianthrene ring, a phenoxathiine ring, a tetrahydrothiophenium ring, a tetrahydrothiopyranium ring and the like.

R208 ∼ R209 는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타내고, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기가 바람직하고, 알킬기가 되는 경우, 상호 결합하여 고리를 형성해도 된다.Each of R 208 to R 209 independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. When the alkyl group is an alkyl group, they may be bonded to each other to form a ring.

R210 은, 치환기를 갖고 있어도 되는 아릴기, 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 알케닐기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 -SO2- 함유 고리형기이다.R 210 is an optionally substituted aryl group, optionally substituted alkyl, optionally substituted alkenyl, or optionally substituted -SO 2 - containing cyclic group.

R210 에 있어서의 아릴기로는, 탄소수 6 ∼ 20 의 비치환의 아릴기를 들 수 있고, 페닐기, 나프틸기가 바람직하다.As the aryl group in R 210 , an unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms can be mentioned, and a phenyl group and a naphthyl group are preferable.

R210 에 있어서의 알킬기로는, 사슬형 또는 고리형의 알킬기로서, 탄소수 1 ∼ 30 의 것이 바람직하다.The alkyl group in R 210 is preferably a chain or cyclic alkyl group having 1 to 30 carbon atoms.

R210 에 있어서의 알케닐기로는, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하다.The alkenyl group in R 210 preferably has 2 to 10 carbon atoms.

R210 에 있어서의, 치환기를 갖고 있어도 되는 -SO2- 함유 고리형기로는, 전술한 일반식 (a2-1) 중의 Ra21 의 「-SO2- 함유 고리형기」 와 동일한 것을 들 수 있고, 전술한 일반식 (a5-r-1) 로 나타내는 기가 바람직하다.The -SO 2 -containing cyclic group which may have a substituent in R 210 includes the same ones as the "-SO 2 -containing cyclic group" of Ra 21 in the above-mentioned general formula (a2-1) The group represented by the above-mentioned general formula (a5-r-1) is preferable.

Y201 은 각각 독립적으로 아릴렌기, 알킬렌기 또는 알케닐렌기를 나타낸다.Y 201 each independently represent an arylene group, an alkylene group or an alkenylene group.

Y201 에 있어서의 아릴렌기는, 전술한 식 (b1) 중의 R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 예시한 아릴기로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기를 들 수 있다.The arylene group for Y 201 includes a group obtained by removing one hydrogen atom from the aryl group exemplified as the aromatic hydrocarbon group in R 101 in the above-mentioned formula (b1).

Y201 에 있어서의 알킬렌기, 알케닐렌기는, 전술한 일반식 (a0-1) 중의 Va0 에 있어서의 2 가의 탄화수소기로서의 지방족 탄화수소기와 동일한 것을 들 수 있다.The alkylene group and alkenylene group in Y 201 are the same as the aliphatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group in Va 0 in the general formula (a0-1) described above.

상기 식 (ca-4) 중 x 는 1 또는 2 이다.In the formula (ca-4), x is 1 or 2.

W201 은 (x+1) 가, 즉 2 가 또는 3 가의 연결기이다.W 201 is (x + 1), that is, a divalent or trivalent linking group.

W201 에 있어서의 2 가의 연결기로는, 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기가 바람직하고, 전술한 일반식 (a2-1) 에 있어서의 Ya21 과 동일한 탄화수소기를 예시할 수 있다. W201 에 있어서의 2 가의 연결기는, 직사슬형, 분기사슬형, 고리형 중 어느 것이어도 되고, 고리형인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 아릴렌기의 양단에 2 개의 카르보닐기가 조합된 기가 바람직하다. 아릴렌기로는, 페닐렌기, 나프틸렌기 등을 들 수 있고, 페닐렌기가 특히 바람직하다.As the divalent linking group for W 201 , a divalent hydrocarbon group which may have a substituent is preferable, and the same hydrocarbon group as Ya 21 in the general formula (a2-1) described above can be exemplified. The bivalent linking group in W 201 may be any of linear, branched, and cyclic, and is preferably cyclic. Among them, a group in which two carbonyl groups are combined at both ends of an arylene group is preferable. Examples of the arylene group include a phenylene group and a naphthylene group, and a phenylene group is particularly preferable.

W201 에 있어서의 3 가의 연결기로는, 상기 W201 에 있어서의 2 가의 연결기로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기, 상기 2 가의 연결기에 추가로 상기 2 가의 연결기가 결합한 기 등을 들 수 있다. W201 에 있어서의 3 가의 연결기로는, 아릴렌기에 2 개의 카르보닐기가 결합한 기가 바람직하다.Connection of the trivalent group is 201 W, and 201 W the group 1 to remove the hydrogen atom from the divalent linking group in, in addition to the divalent linking group, and the like which combines the divalent connecting group. As the trivalent linking group in W 201 , a group in which two carbonyl groups are bonded to an arylene group is preferable.

식 (ca-1) 로 나타내는 바람직한 카티온으로서, 구체적으로는 하기 식 (ca-1-1) ∼ (ca-1-67) 로 각각 나타내는 카티온을 들 수 있다.Specific examples of preferred cation represented by the formula (ca-1) include the cations represented by the following formulas (ca-1-1) to (ca-1-67).

[화학식 38](38)

Figure pat00038
Figure pat00038

[화학식 39][Chemical Formula 39]

Figure pat00039
Figure pat00039

[화학식 40](40)

Figure pat00040
Figure pat00040

[식 중, g1, g2, g3 은 반복수를 나타내고, g1 은 1 ∼ 5 의 정수이고, g2 는 0 ∼ 20 의 정수이며, g3 은 0 ∼ 20 의 정수이다.]G1 is an integer of 1 to 5, g2 is an integer of 0 to 20, and g3 is an integer of 0 to 20.] [wherein g1, g2 and g3 are repeating numbers, g1 is an integer of 1 to 5, g2 is an integer of 0 to 20,

[화학식 41](41)

Figure pat00041
Figure pat00041

[식 중, R''201 은 수소 원자 또는 치환기로서, 치환기로는 상기 R201 ∼ R207, 및 R210 ∼ R212 가 갖고 있어도 되는 치환기로서 예시한 것과 동일하다.]Wherein R 201 is a hydrogen atom or a substituent and the substituents are the same as those exemplified as the substituent which R 201 to R 207 and R 210 to R 212 may have.

상기 식 (ca-2) 로 나타내는 바람직한 카티온으로서, 구체적으로는 디페닐요오드늄 카티온, 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄 카티온 등을 들 수 있다.Specific examples of preferable cation represented by the above formula (ca-2) include diphenyliodonium cationide and bis (4-tert-butylphenyl) iodonium cationide.

상기 식 (ca-3) 으로 나타내는 바람직한 카티온으로서, 구체적으로는 하기 식 (ca-3-1) ∼ (ca-3-6) 으로 각각 나타내는 카티온을 들 수 있다.Specific examples of the preferred cation represented by the above formula (ca-3) include the cations represented by the following formulas (ca-3-1) to (ca-3-6)

[화학식 42](42)

Figure pat00042
Figure pat00042

상기 식 (ca-4) 로 나타내는 바람직한 카티온으로서, 구체적으로는 하기 식 (ca-4-1) ∼ (ca-4-2) 로 각각 나타내는 카티온을 들 수 있다.Specific examples of the preferred cation represented by the above formula (ca-4) include the cation represented by the following formulas (ca-4-1) to (ca-4-2).

[화학식 43](43)

Figure pat00043
Figure pat00043

상기 중에서도, 카티온부 [(M'm )1/m] 는 일반식 (ca-1) 로 나타내는 유기 카티온이 바람직하고, 식 (ca-1-1) ∼ (ca-1-67) 로 각각 나타내는 카티온이 보다 바람직하다.Among the above, a cation moiety [(M 'm +) 1 / m] Is preferably an organic cation represented by the formula (ca-1), more preferably a cation represented by the formula (ca-1-1) to (ca-1-67).

(B1) 성분은, 상기 서술한 산 발생제를 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다. As the component (B1), the acid generators described above may be used singly or in combination of two or more.

본 태양의 레지스트 조성물 중, (B1) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대해 1 ∼ 30 질량부가 바람직하고, 2 ∼ 20 질량부가 보다 바람직하며, 2 ∼ 15 질량부가 더욱 바람직하다.In the resist composition of the present embodiment, the content of the component (B1) is preferably from 1 to 30 parts by mass, more preferably from 2 to 20 parts by mass, and still more preferably from 2 to 15 parts by mass, per 100 parts by mass of the component (A).

(B1) 성분의 함유량이 바람직한 하한값 이상이면, 레지스트 조성물로 했을 때, 러프니스 저감 등의 리소그래피 특성이 보다 향상된다. 또, 양호한 형상의 레지스트 패턴이 얻어지기 쉬워진다. (B1) 성분의 함유량이 바람직한 상한값 이하이면, 균일한 용액이 얻어지고, 보존 안정성이 양호해지기 때문에 바람직하다.When the content of the component (B1) is a preferable lower limit value or more, lithographic characteristics such as roughness reduction are further improved when the resist composition is used. In addition, a resist pattern of good shape can be easily obtained. If the content of the component (B1) is not more than the preferable upper limit value, a homogeneous solution can be obtained and storage stability is improved.

(B) 성분 중, (B1) 성분의 비율은, (B) 성분의 총질량에 대해 2 질량% 이상이 바람직하고, 10 질량% 이상이 보다 바람직하고, 20 질량% 이상이 더욱 바람직하고, 50 질량% 이상이 특히 바람직하며, 100 질량% 이어도 된다. 가장 바람직하게는 100 질량% 이다. (B) 성분에 차지하는 (B1) 성분의 비율이 바람직한 하한값 이상임으로써, 레지스트 조성물로 했을 때, 특히 러프니스 저감화가 도모되기 쉬워져, 리소그래피 특성의 보다 양호한 레지스트 패턴이 형성된다.The proportion of the component (B1) in the component (B) is preferably 2% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, further preferably 20% by mass or more, By mass or more, particularly preferably 100% by mass or more. Most preferably 100% by mass. When the ratio of the component (B1) in the component (B) is a preferable lower limit value or more, the resist composition is more likely to reduce roughness, and a resist pattern with better lithography characteristics is formed.

[(B2) 성분][Component (B2)] [

(B) 성분은, 상기 (B1) 성분 이외의, 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분 (이하, 「(B2) 성분」 이라고 한다) 을 포함하고 있어도 된다.The component (B) may contain an acid generator component (hereinafter referred to as "component (B2)") which generates an acid by exposure other than the component (B1).

이러한 (B2) 성분으로는, 특별히 한정되지 않고, 지금까지 화학 증폭형 레지스트용의 산 발생제로서 제안되어 있는 것을 사용할 수 있다.The component (B2) is not particularly limited, and those proposed as acid generators for chemically amplified resists can be used.

이와 같은 산 발생제로는, 요오드늄염이나 술포늄염 등의 오늄염계 산 발생제, 옥심술포네이트계 산 발생제, 비스알킬 또는 비스아릴술포닐디아조메탄류, 폴리(비스술포닐)디아조메탄류 등의 디아조메탄계 산 발생제, 니트로벤질술포네이트계 산 발생제, 이미노술포네이트계 산 발생제, 디술폰계 산 발생제 등 다종의 것을 들 수 있다. 그 중에서도, 오늄염계 산 발생제를 사용하는 것이 바람직하다.Examples of such acid generators include onium salt acid generators such as iodonium salts and sulfonium salts, oxime sulfonate acid generators, bisalkyl or bisaryl sulfonyl diazomethanes, poly (bis-sulfonyl) diazomethane Diazomethane-based acid generators such as diethyleneglycol-based diazomethane-based acid generators, nitrobenzylsulfonate-based acid generators, iminosulfonate-based acid generators, and disulfone-based acid generators. Among them, it is preferable to use an onium salt-based acid generator.

오늄염계 산 발생제로는, 예를 들어, 하기의 일반식 (b-1) 로 나타내는 화합물 (이하, 「(b-1) 성분」 이라고도 한다), 일반식 (b-2) 로 나타내는 화합물 (이하, 「(b-2) 성분」 이라고도 한다), 또는 일반식 (b-3) 으로 나타내는 화합물 (이하, 「(b-3) 성분」 이라고도 한다) 을 사용할 수 있다.Examples of the onium salt-based acid generators include compounds represented by the following general formula (b-1) (hereinafter also referred to as "component (b-1) (Hereinafter also referred to as "component (b-2)"), or a compound represented by general formula (b-3)

[화학식 44](44)

Figure pat00044
Figure pat00044

[식 중, R103, R104 ∼ R108 은 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다. R104, R105 는 상호 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다. R102 는 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기이다. Y101 은 단결합 또는 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기이다. V101 ∼ V103 은 각각 독립적으로 단결합, 알킬렌기, 또는 불소화알킬렌기이다. L101 ∼ L102 는 각각 독립적으로 단결합 또는 산소 원자이다. L103 ∼ L105 는 각각 독립적으로 단결합, -CO- 또는 -SO2- 이다. m 은 1 이상의 정수로서, M'm 는 m 가의 오늄 카티온이다.] Wherein R 103 and R 104 to R 108 are each independently a cyclic group which may have a substituent, a chain-like alkyl group which may have a substituent, or a chain-like alkenyl group which may have a substituent. R 104 and R 105 may combine with each other to form a ring. R 102 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Y 101 is a single bond or a divalent linking group containing an oxygen atom. V 101 to V 103 are each independently a single bond, an alkylene group or a fluorinated alkylene group. L 101 to L 102 each independently represent a single bond or an oxygen atom. L 103 to L 105 each independently represent a single bond, -CO- or -SO 2 -. m is an integer of 1 or more, and M ' m + is an m-valent onium cation.

{아니온부}{NO ONE}

·(b-1) 성분의 아니온부The anion of component (b-1)

식 (b-1) 중, R103 은, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다.In the formula (b-1), R 103 is a cyclic group which may have a substituent, a chain-like alkyl group which may have a substituent, or a chain-like alkenyl group which may have a substituent.

이러한 R103 으로는, 상기 식 (b1) 중의 R101 에 있어서의, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기와 각각 동일한 것을 들 수 있다.Examples of such R 103 include a cyclic group which may have a substituent, a chain-like alkyl group which may have a substituent, or a chain-like alkenyl group which may have a substituent, which are the same as R 101 in the formula (b1) ≪ / RTI >

그 중에서도, R103 은, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기가 바람직하고, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형의 탄화수소기인 것이 보다 바람직하다. 보다 구체적으로는, 페닐기, 나프틸기, 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기, 상기 식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기, 상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기 등이 바람직하다.Among them, R 103 is preferably a cyclic group which may have a substituent, more preferably a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent. (A2-r-1) to (a2-r-7), a cyclic group containing a lactone having the above general formula And -SO 2 -containing cyclic groups represented by formulas (a5-r-1) to (a5-r-4), respectively.

식 (b-1) 중, Y101 은 단결합 또는 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기이다.In the formula (b-1), Y 101 is a divalent linking group containing a single bond or an oxygen atom.

Y101 이 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기인 경우, 그 Y101 은 산소 원자 이외의 원자를 함유해도 된다. 산소 원자 이외의 원자로는, 예를 들어 탄소 원자, 수소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 101 If Y is a divalent connecting group containing an oxygen atom, and Y 101 is may contain atoms other than oxygen atoms. Examples of the atom other than the oxygen atom include a carbon atom, a hydrogen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom.

산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기로는, 예를 들어, 산소 원자 (에테르 결합:-O-), 에스테르 결합 (-C(=O)-O-), 옥시카르보닐기 (-O-C(=O)-), 아미드 결합 (-C(=O)-NH-), 카르보닐기 (-C(=O)-), 카보네이트 결합 (-O-C(=O)-O-) 등의 비탄화수소계의 산소 원자 함유 연결기;그 비탄화수소계의 산소 원자 함유 연결기와 알킬렌기의 조합 등을 들 수 있다. 당해 조합에, 추가로 술포닐기 (-SO2-) 가 연결되어 있어도 된다. 당해 조합으로는, 예를 들어 하기 식 (y-al-1) ∼ (y-al-7) 로 각각 나타내는 연결기를 들 수 있다.Examples of the divalent linking group containing an oxygen atom include an oxygen atom (ether bond: -O-), an ester bond (-C (= O) -O-), an oxycarbonyl group (-OC Hydrocarbon group-containing oxygen atom-containing linking groups such as an amide bond (-C (= O) -NH-), a carbonyl group (-C (= O) -) ; A combination of a non-hydrocarbon-based oxygen atom-containing linking group and an alkylene group; and the like. The combination may further include a sulfonyl group (-SO 2 -). Examples of such a combination include linking groups represented by the following formulas (y-al-1) to (y-al-7).

[화학식 45][Chemical Formula 45]

Figure pat00045
Figure pat00045

[식 중, V'101 은 단결합 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기이고, V'102 는 탄소수 1 ∼ 30 의 2 가의 포화 탄화 수소기이다.]Wherein V ' 101 is a single bond or an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and V' 102 is a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms.

V'102 에 있어서의 2 가의 포화 탄화 수소기는, 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬렌기인 것이 바람직하다.The divalent saturated hydrocarbon group in V ' 102 is preferably an alkylene group having 1 to 30 carbon atoms.

V'101 및 V'102 에 있어서의 알킬렌기로는, 직사슬형의 알킬렌기이어도 되고 분기사슬형의 알킬렌기이어도 되며, 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하다.The alkylene group in V ' 101 and V' 102 may be a linear alkylene group or a branched chain alkylene group, preferably a linear alkylene group.

V'101 및 V'102 에 있어서의 알킬렌기로서, 구체적으로는 메틸렌기 [-CH2-];-CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기;에틸렌기 [-CH2CH2-];-CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2- 등의 알킬에틸렌기;트리메틸렌기 (n-프로필렌기) [-CH2CH2CH2-];-CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기;테트라메틸렌기 [-CH2CH2CH2CH2-];-CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기;펜타메틸렌기 [-CH2CH2CH2CH2CH2-] 등을 들 수 있다.V as an alkylene group in the "101 and V" 102, specifically, a methylene group [-CH 2 -]; - CH (CH 3) -, -CH (CH 2 CH 3) -, -C (CH 3) 2 -, -C (CH 3) (CH 2 CH 3) -, -C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, -C (CH 2 CH 3) 2 - a methylene group of the alkyl and the like; ethylene group [-CH 2 CH 2 -]; - CH (CH 3) CH 2 -, -CH (CH 3) CH (CH 3) -, -C (CH 3) 2 CH 2 -, -CH (CH 2 CH 3) CH 2 - alkyl group such as ethylene; trimethylene group (n- propylene group) [-CH 2 CH 2 CH 2 -]; - CH (CH 3) CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 - alkyl trimethylene group and the like; a tetramethylene group [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -]; - CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 -, etc .; pentamethylene group [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -] and the like.

또, V'101 또는 V'102 에 있어서의 상기 알킬렌기에 있어서의 일부의 메틸렌기가 탄소수 5 ∼ 10 의 2 가의 지방족 고리형기로 치환되어 있어도 된다. 당해 지방족 고리형기는, 상기 식 (a1-r-1) 중의 Ra'3 에 있어서의, 단고리형기 또는 다고리형기인 지방족 탄화수소기로부터 수소 원자를 추가로 1 개 제거한 2 가의 기가 바람직하고, 시클로헥실렌기, 1,5-아다만틸렌기 또는 2,6-아다만틸렌기가 보다 바람직하다.In addition, some of the methylene groups in the alkylene group in V ' 101 or V' 102 may be substituted with a divalent aliphatic cyclic group having 5 to 10 carbon atoms. The aliphatic cyclic group is preferably a monovalent group or a bivalent group obtained by further removing one hydrogen atom from an aliphatic hydrocarbon group which is a polycyclic group in Ra ' 3 in the formula (a1-r-1), and cyclohexylene More preferably a 1,5-adamantylene group or a 2,6-adamantylene group.

Y101 로는, 에스테르 결합 또는 에테르 결합을 포함하는 2 가의 연결기가 바람직하고, 상기 식 (y-al-1) ∼ (y-al-5) 로 각각 나타내는 연결기가 바람직하다.As Y 101 , a divalent linking group including an ester bond or an ether bond is preferable, and a linking group represented by the above formulas (y-al-1) to (y-al-5) is preferable.

식 (b-1) 중, V101 은 단결합, 알킬렌기, 또는 불소화알킬렌기이다. V101 에 있어서의 알킬렌기, 불소화알킬렌기는, 탄소수 1 ∼ 4 인 것이 바람직하다. V101 에 있어서의 불소화알킬렌기로는, V101 에 있어서의 알킬렌기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 중에서도, V101 은 단결합, 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 불소화알킬렌기인 것이 바람직하다.In the formula (b-1), V 101 is a single bond, an alkylene group or a fluorinated alkylene group. The alkylene group and fluorinated alkylene group in V 101 preferably have 1 to 4 carbon atoms. A fluorinated alkylene group in the V 101 is, a part or all of the hydrogen atoms of the alkylene group of the 101 V may be substituted with a fluorine atom. Among them, V 101 is preferably a single bond or a fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms.

식 (b-1) 중 R102 는, 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기이다. R102 는, 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 퍼플루오로알킬기인 것이 바람직하고, 불소 원자인 것이 보다 바람직하다.In the formula (b-1), R 102 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. R 102 is preferably a fluorine atom or a perfluoroalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a fluorine atom.

(b-1) 성분의 아니온부의 구체예로는, 예를 들어, Y101 이 단결합이 되는 경우, 트리플루오로메탄술포네이트 아니온이나 퍼플루오로부탄술포네이트 아니온 등의 불소화알킬술포네이트 아니온을 들 수 있고;Y101 이 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기인 경우, 하기의 식 (an-1) 로 나타내는 아니온 (단, v''=0, n''=0, t''=1 이 되는 경우를 제외한다), 식 (an-2) 로 나타내는 아니온, 식 (an-3) 으로 나타내는 아니온을 들 수 있다.Specific examples of the anion moiety of component (b-1) include, for example, when Y 101 is a single bond, fluorinated alkylsulfone such as trifluoromethanesulfonate anion or perfluorobutanesulfonate anion When Y 101 is a divalent linking group containing an oxygen atom, an anion represented by the following formula (an-1) (provided that v "= 0, n" = 0, t (Except for the case where '' = 1), anion represented by the formula (an-2) and anion represented by the formula (an-3).

[화학식 46](46)

Figure pat00046
Figure pat00046

[식 중, R''101 은, 치환기를 갖고 있어도 되는 지방족 고리형기, 상기 식 (r-hr-1) ∼ (r-hr-6) 으로 각각 나타내는 기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기이고;R''102 는, 치환기를 갖고 있어도 되는 지방족 고리형기, 상기 식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기, 또는 상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기이고;R''103 은, 치환기를 갖고 있어도 되는 방향족 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 지방족 고리형기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이고;v'' 는 각각 독립적으로 0 ∼ 3 의 정수이고, q'' 는 각각 독립적으로 1 ∼ 20 의 정수이고, t'' 는 1 ∼ 3 의 정수이며, n'' 는 0 또는 1 이다.]: Wherein R 101 is an aliphatic cyclic group which may have a substituent, a group respectively represented by the above formulas (r-hr-1) to (r-hr-6) R 102 represents an aliphatic cyclic group which may have a substituent, a lactone-containing cyclic group represented by the above formulas (a2-r-1) to (a2-r-7) r-1) ~ (a5- r-4) -SO 2 represent respectively-containing cyclic group and; r '' 103 is an aromatic cyclic group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a substituent And q '' each independently represents an integer of 1 to 20, and t '' represents an integer of 1 to 3, n "is 0 or 1.]

R''101, R''102 및 R''103 의 치환기를 갖고 있어도 되는 지방족 고리형기는, 상기 식 (b1) 중의 R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. 상기 치환기로는, 상기 R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기를 치환해도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.The aliphatic cyclic group which may have a substituent group for R " 101 , R" 102 and R " 103 is preferably a group exemplified as the cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101 in the formula (b1). The substituent may be the same as the substituent which may be substituted with the cyclic aliphatic hydrocarbon group in R 101 .

R''103 에 있어서의 치환기를 갖고 있어도 되는 방향족 고리형기는, 상기 R101 에 있어서의 고리형의 탄화수소기에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. 상기 치환기로는, 상기 R101 에 있어서의 그 방향족 탄화수소기를 치환해도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.The aromatic cyclic group which may have a substituent in R " 103 is preferably a group exemplified as an aromatic hydrocarbon group in the cyclic hydrocarbon group for R 101 . Examples of the substituent include the same substituent as the substituent that the aromatic hydrocarbon group in R 101 may be substituted.

R''101 에 있어서의 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기는, 상기 R101 에 있어서의 사슬형의 알킬기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. R''103 에 있어서의 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기는, 상기 R101 에 있어서의 사슬형의 알케닐기로서 예시한 기인 것이 바람직하다.The chain-like alkyl group which may have a substituent in R " 101 is preferably a group exemplified as a chain-like alkyl group in R < 101 & gt ;. The chain type alkenyl group which may have a substituent in R " 103 is preferably a group exemplified as a chain type alkenyl group in R 101 .

·(b-2) 성분의 아니온부The anion of component (b-2)

식 (b-2) 중, R104, R105 는 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 각각, 식 (b1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다. 단, R104, R105 는 상호 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.In formula (b-2), R 104 and R 105 are each independently a cyclic group which may have a substituent, a chain-like alkyl group which may have a substituent, or a chain-like alkenyl group which may have a substituent, , And the same as R 101 in the formula (b1). However, R 104 and R 105 may be bonded to each other to form a ring.

R104, R105 는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기가 바람직하고, 직사슬형 혹은 분기사슬형의 알킬기, 또는 직사슬형 혹은 분기사슬형의 불소화알킬기인 것이 보다 바람직하다.R 104 and R 105 are preferably a chain-like alkyl group which may have a substituent, more preferably a linear or branched alkyl group, or a linear or branched alkyl group.

그 사슬형의 알킬기의 탄소수는 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 7, 더욱 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 3 이다. R104, R105 의 사슬형의 알킬기의 탄소수는, 상기 탄소수의 범위 내에 있어서, 레지스트 용매에 대한 용해성도 양호한 등의 이유에 의해, 작을수록 바람직하다. 또, R104, R105 의 사슬형의 알킬기에 있어어서는, 불소 원자로 치환되어 있는 수소 원자의 수가 많을수록 산의 강도가 강해지고, 또, 200 ㎚ 이하의 고에너지 광이나 전자선에 대한 투명성이 향상되기 때문에 바람직하다. 상기 사슬형의 알킬기 중의 불소 원자의 비율, 즉 불소화율은 바람직하게는 70 ∼ 100 %, 더욱 바람직하게는 90 ∼ 100 % 이며, 가장 바람직하게는 모든 수소 원자가 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬기이다.The chain alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 7 carbon atoms, and still more preferably 1 to 3 carbon atoms. The number of carbon atoms of the chain-like alkyl group represented by R 104 and R 105 is preferably as small as possible within the above range of the number of carbon atoms and solubility in a resist solvent. In the chain alkyl group of R 104 and R 105, the more the number of hydrogen atoms substituted with fluorine atoms is, the stronger the strength of the acid is, and the higher the transparency to the high energy light of 200 nm or less and the electron beam . The ratio of the fluorine atoms in the chain alkyl group, that is, the fluoride group is preferably 70 to 100%, more preferably 90 to 100%, and most preferably all the hydrogen atoms are fluorine-substituted perfluoroalkyl groups.

식 (b-2) 중, V102, V103 은 각각 독립적으로, 단결합, 알킬렌기, 또는 불소화알킬렌기이며, 각각 식 (b-1) 중의 V101 과 동일한 것을 들 수 있다.In the formula (b-2), V 102 and V 103 are each independently a single bond, an alkylene group or a fluorinated alkylene group, and the same groups as those of V 101 in the formula (b-1)

식 (b-2) 중, L101 ∼ L102 는 각각 독립적으로 단결합 또는 산소 원자이다.In the formula (b-2), L 101 to L 102 each independently represent a single bond or an oxygen atom.

·(b-3) 성분의 아니온부The anion of component (b-3)

식 (b-3) 중, R106 ∼ R108 은 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 각각, 식 (b1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다.In formula (b-3), each of R 106 to R 108 independently represents a cyclic group which may have a substituent, a chain-like alkyl group which may have a substituent, or a chain-like alkenyl group which may have a substituent, , And the same as R 101 in the formula (b1).

L103 ∼ L105 는 각각 독립적으로, 단결합, -CO- 또는 -SO2- 이다.L 103 to L 105 each independently represent a single bond, -CO- or -SO 2 -.

{카티온부}{Kationbu}

식 (b-1), (b-2) 및 (b-3) 중, M'm 는 m 가의 오늄 카티온이며, 술포늄 카티온, 요오드늄 카티온을 바람직하게 들 수 있다. (M'm )1/ m 으로서, 구체적으로는 상기의 일반식 (ca-1) ∼ (ca-4) 로 각각 나타내는 유기 카티온과 동일한 것을 바람직하게 들 수 있고, 상기 식 (ca-1-1) ∼ (ca-1-67) 로 각각 나타내는 카티온;디페닐요오드늄 카티온, 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄 카티온;상기 식 (ca-3-1) ∼ (ca-3-6) 으로 각각 나타내는 카티온, 상기 식 (ca-4-1) ∼ (ca-4-2) 로 각각 나타내는 카티온을 구체적인 것으로서 들 수 있다.Formula (b-1), (b -2) and (b-3) of the, M 'm + may be preferably an m-valent cation is an onium, sulfonium cation, iodonium cation. ( M'm + 1 ) / m , specifically, the same organic cations represented by the above general formulas (ca-1) to (ca-4) (Ca-3-1) to (ca-3-i) represented by the above formulas (ca- (Ca-4-1) to (Ca-4-2), respectively.

상기 중에서도, 카티온부 [(M'm )1/m] 은, 일반식 (ca-1) 로 나타내는 유기 카티온이 바람직하고, 식 (ca-1-1) ∼ (ca-1-67) 로 각각 나타내는 카티온이 보다 바람직하다.Among the above, a cation moiety [(M 'm +) 1 / m] is preferably the following general formula the organic cation represented by (ca-1) and formula (ca-1-1) ~ (ca -1-67) Are more preferable.

(B) 성분은, 상기 서술한 산 발생제를 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.As the component (B), the above-mentioned acid generators may be used singly or in combination of two or more.

본 태양의 레지스트 조성물이 (B2) 성분을 함유하는 경우, (B2) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대해 30 질량부 이하가 바람직하고, 0.5 ∼ 20 질량부가 보다 바람직하며, 0.5 ∼ 15 질량부가 더욱 바람직하다.When the resist composition of the present embodiment contains the component (B2), the content of the component (B2) is preferably 30 parts by mass or less, more preferably 0.5 to 20 parts by mass, and most preferably 0.5 To 15 parts by mass is more preferable.

(B2) 성분의 함유량을 상기의 바람직한 범위로 함으로써 패턴 형성이 충분히 실시된다. 또, 레지스트 조성물의 각 성분을 유기 용제에 용해시켰을 때, 균일한 용액이 얻어지고, 보존 안정성이 양호해지기 때문에 바람직하다.By setting the content of the component (B2) within the above-described preferable range, pattern formation is sufficiently performed. Further, when each component of the resist composition is dissolved in an organic solvent, a homogeneous solution can be obtained and storage stability is improved, which is preferable.

<그 밖의 성분>≪ Other components >

[(D) 성분][Component (D)] [

본 태양의 레지스트 조성물은, 상기의 (A) 성분 및 (B) 성분에 더하여, 추가로 산 확산 제어제 성분 (이하, 「(D) 성분」 이라고 한다) 을 함유해도 된다.The resist composition of the present embodiment may further contain an acid diffusion controller component (hereinafter referred to as "component (D)") in addition to the above components (A) and (B).

(D) 성분은, 상기 (B) 성분 등으로부터 노광에 의해 발생하는 산을 트랩하는 퀀처 (산 확산 제어제) 로서 작용하는 것이다.The component (D) acts as a quencher (acid diffusion control agent) for trapping an acid generated by exposure from the component (B) or the like.

(D) 성분으로는, 예를 들어, 노광에 의해 분해되어 산 확산 제어성을 잃는 광 붕괴성 염기 (D1) (이하, 「(D1) 성분」 이라고 한다), 또는, 그 (D1) 성분에 해당하지 않는 함질소 유기 화합물 (D2) (이하, 「(D2) 성분」 이라고 한다) 를 들 수 있다.Examples of the component (D) include a photo-degradable base (D1) (hereinafter, referred to as a "component (D1)") which is decomposed by exposure to lose acid diffusion controllability (Hereinafter referred to as " component (D2) ") which does not correspond to the nitrogen-containing organic compound (D2).

((D1) 성분에 대하여) (With respect to the component (D1)),

(D1) 성분을 함유하는 레지스트 조성물로 함으로써, 레지스트 패턴을 형성할 때에 노광부와 미노광부의 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.(D1), the contrast between the exposed portion and the unexposed portion can be improved when the resist pattern is formed.

(D1) 성분으로는, 노광에 의해 분해되어 산 확산 제어성을 잃는 것이면 특별히 한정되지 않고, 하기 일반식 (d1-1) 로 나타내는 화합물 (이하, 「(d1-1) 성분」 이라고 한다), 하기 일반식 (d1-2) 로 나타내는 화합물 (이하, 「(d1-2) 성분」 이라고 한다) 및 하기 일반식 (d1-3) 으로 나타내는 화합물 (이하, 「(d1-3) 성분」 이라고 한다) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물이 바람직하다.The component (D1) is not particularly limited as long as it is decomposed by exposure to lose acid diffusion controllability, and the compound represented by the following general formula (d1-1) (hereinafter referred to as the "component (d1-1) (Hereinafter referred to as " component (d1-3) ") and a compound represented by the following general formula (d1-3) ) Is preferable.

(d1-1) ∼ (d1-3) 성분은, 노광부에 있어서는 분해되어 산 확산 제어성 (염기성) 을 잃기 때문에 퀀처로서 작용하지 않고, 미노광부에 있어서 퀀처로서 작용한다.The components (d1-1) to (d1-3) do not act as a quencher because they dissolve in the exposed portion and lose acid diffusion controllability (basicity), and act as a quencher in the unexposed portion.

[화학식 47](47)

Figure pat00047
Figure pat00047

[식 중, Rd1 ∼ Rd4 는 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다. 단, 식 (d1-2) 중의 Rd2 에 있어서의, S 원자에 인접하는 탄소 원자에는 불소 원자는 결합하고 있지 않는 것으로 한다. Yd1 은 단결합 또는 2 가의 연결기이다. m 은 1 이상의 정수로서, Mm 는 각각 독립적으로 m 가의 유기 카티온이다.][Wherein, Rd Rd 1 ~ 4 is cyclic group which may have a substituent, an alkenyl group which may contain a chain-like alkyl group, or a substituent of the type chain which may have a substituent. It is to be noted that the fluorine atom is not bonded to the carbon atom adjacent to the S atom in Rd 2 in the formula (d1-2). Yd 1 is a single bond or a divalent linking group. m is an integer of 1 or more, and M < m + & gt ; are each independently an m-valent organic cation.

·(d1-1) 성분(D1-1) Component

(d1-1) 성분의 아니온부:(d1-1) Component of anion:

식 (d1-1) 중, Rd1 은 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 상기 식 (b1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다.Formula (d1-1) of, R 1 101 of Rd is an alkenyl group of chain which may contain a cyclic group, an alkyl group of chain which may have a substituent, or a substituent which may have a substituent, the formula (b1) And the like.

이들 중에서도, Rd1 로는, 치환기를 갖고 있어도 되는 방향족 탄화수소기, 치환기를 갖고 있어도 되는 지방족 고리형기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기가 바람직하다. 이들 기가 갖고 있어도 되는 치환기로는, 수산기, 불소 원자 또는 불소화알킬기가 바람직하다.Among them, Rd 1 is preferably an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a chain-like alkyl group which may have a substituent. As the substituent which these groups may have, a hydroxyl group, a fluorine atom or a fluorinated alkyl group is preferable.

상기 방향족 탄화수소기로는, 페닐기 혹은 나프틸기가 보다 바람직하다.As the aromatic hydrocarbon group, a phenyl group or a naphthyl group is more preferable.

상기 지방족 고리형기로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기인 것이 보다 바람직하다.The aliphatic cyclic group is more preferably a group obtained by removing at least one hydrogen atom from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isoborane, tricyclodecane, or tetracyclododecane.

상기 사슬형의 알킬기로는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하며, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등의 직사슬형의 알킬기;1-메틸에틸기, 1-메틸프로필기, 2-메틸프로필기, 1-메틸부틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 1-에틸부틸기, 2-에틸부틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기 등의 분기사슬형의 알킬기를 들 수 있다.The chain type alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, and specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, Methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2- Ethylhexyl group, ethylbutyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group and 4-methylpentyl group.

상기 사슬형의 알킬기가, 치환기로서 불소 원자를 갖는 불소화알킬기인 경우, 불소화알킬기의 탄소수는 1 ∼ 11 이 바람직하고, 1 ∼ 8 이 보다 바람직하며, 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하다. 그 불소화알킬기는, 불소 원자 이외의 원자를 함유해도 된다. 불소 원자 이외의 원자로는, 예를 들어 산소 원자, 탄소 원자, 수소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.When the above chain alkyl group is a fluorinated alkyl group having a fluorine atom as a substituent, the number of carbon atoms of the fluorinated alkyl group is preferably from 1 to 11, more preferably from 1 to 8, still more preferably from 1 to 4. The fluorinated alkyl group may contain an atom other than a fluorine atom. Examples of the atom other than the fluorine atom include an oxygen atom, a carbon atom, a hydrogen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom.

Rd1 로는, 직사슬형의 알킬기를 구성하는 일부 또는 전부의 수소 원자가 불소 원자에 의해 치환된 불소화알킬기인 것이 바람직하고, 직사슬형의 알킬기를 구성하는 수소 원자 전부가 불소 원자로 치환된 불소화알킬기 (직사슬형의 퍼플루오로알킬기) 인 것이 바람직하다.As Rd 1 , it is preferable that some or all of hydrogen atoms constituting the linear alkyl group are fluorinated alkyl groups substituted by fluorine atoms, and fluorinated alkyl groups in which all the hydrogen atoms constituting the linear alkyl group are substituted with fluorine atoms A linear perfluoroalkyl group).

이하에 (d1-1) 성분의 아니온부의 바람직한 구체예를 나타낸다.Preferred examples of the anion moiety of the component (d1-1) are shown below.

[화학식 48](48)

Figure pat00048
Figure pat00048

(d1-1) 성분의 카티온부:(d1-1) Cation part of the component:

식 (d1-1) 중, Mm 는 m 가의 유기 카티온이다.In the formula (d1-1), M m + is an organic cation of m.

Mm 의 유기 카티온으로는, 상기 일반식 (ca-1) ∼ (ca-4) 로 각각 나타내는 카티온과 동일한 것을 바람직하게 들 수 있고, 상기 일반식 (ca-1) 로 나타내는 카티온과 동일한 것이 보다 바람직하며, 상기 식 (ca-1-1) ∼ (ca-1-67) 로 각각 나타내는 카티온을 구체적인 것으로서 들 수 있다.The organic cation of M m + is preferably the same as the cation represented by the above general formulas (ca-1) to (ca-4), and the cation represented by the general formula (ca- And the cation represented by the above formulas (ca-1-1) to (ca-1-67) are more specific.

(d1-1) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다. The component (d1-1) may be used singly or in combination of two or more.

·(d1-2) 성분(D1-2) Component

(d1-2) 성분의 아니온부:(d1-2) Component of anion:

식 (d1-2) 중, Rd2 는, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 상기 식 (b1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다.Formula (d1-2) of from, Rd 2, the cyclic group which may have a substituent, an alkenyl group which may contain a chain-like alkyl chain which may have a substituent, or a substituent of Formula (b1) R 101 < / RTI >

단, Rd2 에 있어서의, S 원자에 인접하는 탄소 원자에는 불소 원자는 결합하고 있지 않는 (불소 치환되어 있지 않다) 것으로 한다. 이에 따라, (d1-2) 성분의 아니온이 적당한 약산 아니온이 되고, (D) 성분으로서의 퀀칭능이 향상된다.It is to be noted that the carbon atom adjacent to the S atom in Rd 2 is not bonded to the fluorine atom (it is not fluorine-substituted). As a result, the anion of the component (d1-2) becomes an appropriate weak acid anion, and the quenching ability as the component (D) improves.

Rd2 로는, 치환기를 갖고 있어도 되는 지방족 고리형기인 것이 바람직하고, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 (치환기를 갖고 있어도 된다);캠퍼 등으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기인 것이 보다 바람직하다.Rd 2 is preferably an aliphatic cyclic group which may have a substituent, and a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, etc. More preferably a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a camphor or the like.

Rd2 의 탄화수소기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 그 치환기로는, 상기 식 (d1-1) 의 Rd1 에 있어서의 탄화수소기 (방향족 탄화수소기, 지방족 탄화수소기) 가 갖고 있어도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.The hydrocarbon group of Rd 2 may have a substituent and the substituent is the same as the substituent which the hydrocarbon group (aromatic hydrocarbon group, aliphatic hydrocarbon group) in Rd 1 of the formula (d1-1) may have. have.

이하에 (d1-2) 성분의 아니온부의 바람직한 구체예를 나타낸다.Preferred examples of the anion moiety of the component (d1-2) are shown below.

[화학식 49](49)

Figure pat00049
Figure pat00049

(d1-2) 성분의 카티온부:(d1-2) Cation part of the component:

식 (d1-2) 중, Mm 는 m 가의 유기 카티온이고, 상기 식 (d1-1) 중의 Mm 와 동일하다.In the formula (d1-2), M m + is an organic cation of m and is the same as M m + in the formula (d1-1).

(d1-2) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.(d1-2) may be used singly or in combination of two or more.

·(d1-3) 성분(D1-3) Component

(d1-3) 성분의 아니온부:(d1-3) Component of anion:

식 (d1-3) 중, Rd3 은 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 상기 식 (b1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있고, 불소 원자를 포함하는 고리형기, 사슬형의 알킬기, 또는 사슬형의 알케닐기인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 불소화알킬기가 바람직하고, 상기 Rd1 의 불소화알킬기와 동일한 것이 보다 바람직하다.Formula (d1-3) of, Rd 3 is R 101 in the cyclic group which may have a substituent, an alkyl chain which may have a substituent, or an alkenyl group of chain which may have a substituent, the formula (b1) , And it is preferably a cyclic group containing a fluorine atom, a chain-like alkyl group, or a chain-like alkenyl group. Among them, a fluorinated alkyl group is preferable, and the same as the fluorinated alkyl group of Rd 1 is more preferable.

식 (d1-3) 중, Rd4 는, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 상기 식 (b1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다.Formula (d1-3) of, Rd 4 is cyclic group which may have a substituent, an alkyl chain which may have a substituent, or an alkenyl group of chain which may have a substituent, R in the formula (b1) 101 < / RTI >

그 중에서도, 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, 고리형기인 것이 바람직하다.Among them, an alkyl group, alkoxy group, alkenyl group and cyclic group which may have a substituent are preferable.

Rd4 에 있어서의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기가 바람직하며, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. Rd4 의 알킬기의 수소 원자의 일부가 수산기, 시아노기 등으로 치환되어 있어도 된다.The alkyl group in Rd 4 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and specifically includes a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, and a neopentyl group. Part of the hydrogen atoms of the alkyl group Rd is 4 may be substituted by a hydroxyl group, a cyano group or the like.

Rd4 에 있어서의 알콕시기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기로서, 구체적으로는 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기를 들 수 있다. 그 중에서도, 메톡시기, 에톡시기가 바람직하다.The alkoxy group in Rd 4 is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and specifically, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms such as methoxy, ethoxy, n-propoxy, iso- Butoxy group, and tert-butoxy group. Among them, a methoxy group and an ethoxy group are preferable.

Rd4 에 있어서의 알케닐기는, 상기 식 (b1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있으며, 비닐기, 프로페닐기 (알릴기), 1-메틸프로페닐기, 2-메틸프로페닐기가 바람직하다. 이들 기는 추가로 치환기로서, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기를 갖고 있어도 된다.The alkenyl group in Rd 4 may be the same as R 101 in the above formula (b1), preferably a vinyl group, a propenyl group (allyl group), a 1-methylpropenyl group or a 2-methylpropenyl group. These groups may further have, as a substituent, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

Rd4 에 있어서의 고리형기는, 상기 식 (b1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있으며, 시클로펜탄, 시클로헥산, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 지환식기, 또는, 페닐기, 나프틸기 등의 방향족기가 바람직하다. Rd4 가 지환식기인 경우, 레지스트 조성물이 유기 용제에 양호하게 용해됨으로써, 리소그래피 특성이 양호해진다. 또, Rd4 가 방향족기인 경우, EUV 등을 노광 광원으로 하는 리소그래피에 있어서, 그 레지스트 조성물이 광 흡수 효율이 우수하고, 감도나 리소그래피 특성이 양호해진다.The cyclic group in Rd 4 includes the same groups as R 101 in the above formula (b1), and examples thereof include cyclopentane, cyclohexane, adamantane, norbornane, isoborane, tricyclodecane, tetracyclododecane Or an aromatic group such as a phenyl group or a naphthyl group is preferable. When Rd 4 is an alicyclic group, the resist composition is well dissolved in the organic solvent, and the lithography characteristics are improved. When Rd 4 is an aromatic group, in the case of lithography using EUV as an exposure light source, the resist composition is excellent in light absorption efficiency, and has good sensitivity and lithography characteristics.

식 (d1-3) 중, Yd1 은 단결합 또는 2 가의 연결기이다.Formula (d1-3) of, Yd 1 is a single bond or a divalent connecting group.

Yd1 에 있어서의 2 가의 연결기로는, 특별히 한정되지 않지만, 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기 (지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기), 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기 등을 들 수 있다. 이들은 각각, 상기 식 (a2-1) 에 있어서의 Ya21 의 2 가의 연결기에 대한 설명 중에서 예시한, 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기, 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기와 동일한 것을 들 수 있다.The divalent linking group in Yd 1 includes, but is not limited to, a divalent hydrocarbon group (aliphatic hydrocarbon group or aromatic hydrocarbon group) which may have a substituent, and a divalent linking group containing a hetero atom. These may be the same as the divalent linking group containing a divalent hydrocarbon group or a hetero atom which may have a substituent, which is exemplified in the explanation of the divalent linking group of Ya 21 in the formula (a2-1) .

Yd1 로는, 카르보닐기, 에스테르 결합, 아미드 결합, 알킬렌기 또는 이들의 조합인 것이 바람직하다. 알킬렌기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬렌기인 것이 보다 바람직하고, 메틸렌기 또는 에틸렌기인 것이 더욱 바람직하다.Yd 1 is preferably a carbonyl group, an ester bond, an amide bond, an alkylene group or a combination thereof. The alkylene group is more preferably a linear or branched alkylene group, more preferably a methylene group or an ethylene group.

이하에 (d1-3) 성분의 아니온부의 바람직한 구체예를 나타낸다.Preferred examples of the anion moiety of the component (d1-3) are shown below.

[화학식 50](50)

Figure pat00050
Figure pat00050

[화학식 51](51)

Figure pat00051
Figure pat00051

(d1-3) 성분의 카티온부:(d1-3) Cation part of the component:

식 (d1-3) 중, Mm 는 m 가의 유기 카티온이고, 상기 식 (d1-1) 중의 Mm 와 동일하다.In the formula (d1-3), M m + is an organic cation of m and is the same as M m + in the formula (d1-1).

(d1-3) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.(d1-3) may be used singly or in combination of two or more.

(D1) 성분은 상기 (d1-1) ∼ (d1-3) 성분 중 어느 1 종만을 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.As the component (D1), any one of the components (d1-1) to (d1-3) may be used, or two or more components may be used in combination.

(D1) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대해 0.5 ∼ 10 질량부인 것이 바람직하고, 0.5 ∼ 8 질량부인 것이 보다 바람직하며, 1 ∼ 8 질량부인 것이 더욱 바람직하다.The content of the component (D1) is preferably 0.5 to 10 parts by mass, more preferably 0.5 to 8 parts by mass, and further preferably 1 to 8 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A).

(D1) 성분의 함유량이 바람직한 하한값 이상이면, 특히 양호한 리소그래피 특성 및 레지스트 패턴 형상이 얻어진다. 한편, 바람직한 상한값 이하이면, 감도를 양호하게 유지할 수 있고, 스루풋도 우수하다.When the content of the component (D1) is a preferable lower limit value or more, particularly good lithography characteristics and resist pattern shapes are obtained. On the other hand, if it is not more than the preferable upper limit value, the sensitivity can be kept good and the throughput is also excellent.

··(D1) 성분의 제조 방법Method for producing component (D1)

상기의 (d1-1) 성분, (d1-2) 성분의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다.The method for producing the above components (d1-1) and (d1-2) is not particularly limited and can be produced by a known method.

또, (d1-3) 성분의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, US2012-0149916호에 기재된 방법과 동일하게 하여 제조된다.The method for producing the component (d1-3) is not particularly limited, and is produced in the same manner as described in, for example, US2012-0149916.

((D2) 성분에 대하여) (With respect to the component (D2)),

산 확산 제어제 성분으로는, 상기 (D1) 성분에 해당하지 않는 함질소 유기 화합물 성분 (이하, 「(D2) 성분」 이라고 한다) 을 사용해도 된다.As the acid diffusion control agent component, a nitrogen-containing organic compound component (hereinafter referred to as "(D2) component") which does not correspond to the above-mentioned component (D1) may be used.

(D2) 성분으로는, 산 확산 제어제로서 작용하는 것이고, 또한, (D1) 성분에 해당하지 않는 것이면 특별히 한정되지 않고, 공지된 것으로부터 임의로 사용하면 된다. 그 중에서도, 지방족 아민, 이 중에서도 특히 제 2 급 지방족 아민이나 제 3 급 지방족 아민이 바람직하다.The component (D2) is not particularly limited as long as it functions as an acid diffusion control agent and does not correspond to the component (D1), and any known component may be used. Of these, aliphatic amines, especially secondary aliphatic amines and tertiary aliphatic amines, are preferred.

지방족 아민이란, 1 개 이상의 지방족기를 갖는 아민이며, 그 지방족기는 탄소수가 1 ∼ 12 인 것이 바람직하다.The aliphatic amine is an amine having at least one aliphatic group, and the aliphatic group preferably has 1 to 12 carbon atoms.

지방족 아민으로는, 암모니아 NH3 의 수소 원자의 적어도 1 개를, 탄소수 12 이하의 알킬기 혹은 하이드록시알킬기로 치환한 아민 (알킬아민 혹은 알킬알코올아민) 또는 고리형 아민을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amine include an amine (alkylamine or alkyl alcohol amine) in which at least one hydrogen atom of ammonia NH 3 is substituted with an alkyl group or a hydroxyalkyl group having 12 or less carbon atoms, or a cyclic amine.

알킬아민 및 알킬알코올아민의 구체예로는, n-헥실아민, n-헵틸아민, n-옥틸아민, n-노닐아민, n-데실아민 등의 모노알킬아민;디에틸아민, 디-n-프로필아민, 디-n-헵틸아민, 디-n-옥틸아민, 디시클로헥실아민 등의 디알킬아민;트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리-n-프로필아민, 트리-n-부틸아민, 트리-n-펜틸아민, 트리-n-헥실아민, 트리-n-헵틸아민, 트리-n-옥틸아민, 트리-n-노닐아민, 트리-n-데실아민, 트리-n-도데실아민 등의 트리알킬아민;디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디이소프로판올아민, 트리이소프로판올아민, 디-n-옥탄올아민, 트리-n-옥탄올아민 등의 알킬알코올아민을 들 수 있다. 이들 중에서도, 탄소수 5 ∼ 10 의 트리알킬아민이 더욱 바람직하고, 트리-n-펜틸아민 또는 트리-n-옥틸아민이 특히 바람직하다.Specific examples of alkylamines and alkylalcoholamines include monoalkylamines such as n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine and n-decylamine; Dialkylamines such as propylamine, di-n-heptylamine, di-n-octylamine and dicyclohexylamine; aliphatic amines such as trimethylamine, triethylamine, tri-n-hexylamine, tri-n-heptylamine, tri-n-octylamine, tri-n-nonylamine, tri-n-decylamine, Alkylamine, alkyl alcohol amine such as diethanolamine, triethanolamine, diisopropanolamine, triisopropanolamine, di-n-octanolamine, tri-n-octanolamine and the like. Of these, trialkylamines having 5 to 10 carbon atoms are more preferred, and tri-n-pentylamine or tri-n-octylamine is particularly preferred.

고리형 아민으로는, 예를 들어, 헤테로 원자로서 질소 원자를 포함하는 복소 고리 화합물을 들 수 있다. 그 복소 고리 화합물로는, 단고리형의 것 (지방족 단고리형 아민) 이어도 되고 다고리형의 것 (지방족 다고리형 아민) 이어도 된다.The cyclic amine includes, for example, a heterocyclic compound containing a nitrogen atom as a hetero atom. The heterocyclic compound may be a monocyclic (aliphatic monocyclic) amine or a polycyclic (aliphatic polycyclic) amine.

지방족 단고리형 아민으로서, 구체적으로는 피페리딘, 피페라진 등을 들 수 있다.Specific examples of the aliphatic monocyclic amine include piperidine and piperazine.

지방족 다고리형 아민으로는, 탄소수가 6 ∼ 10 인 것이 바람직하며, 구체적으로는, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센, 헥사메틸렌테트라민, 1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄 등을 들 수 있다.As the aliphatic polycyclic amines, the number of carbon atoms is preferably from 6 to 10. Specific examples thereof include 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene, hexamethylenetetramine, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane, and the like.

그 밖의 지방족 아민으로는, 트리스(2-메톡시메톡시에틸)아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시메톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시프로폭시)에틸}아민, 트리스[2-{2-(2-하이드록시에톡시)에톡시}에틸]아민, 트리에탄올아민트리아세테이트 등을 들 수 있고, 트리에탄올아민트리아세테이트가 바람직하다.Other aliphatic amines include tris (2-methoxymethoxyethyl) amine, tris {2- (2-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (2-methoxyethoxymethoxy) ethyl } Amine, tris {2- (1-ethoxypropoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxyethoxy) ethyl} , Tris [2- {2- (2-hydroxyethoxy) ethoxy} ethyl] amine, triethanolamine triacetate and the like, and triethanolamine triacetate is preferable.

또, (D2) 성분으로는, 방향족 아민을 사용해도 된다.As the component (D2), an aromatic amine may be used.

방향족 아민으로는, 4-디메틸아미노피리딘, 피롤, 인돌, 피라졸, 이미다졸 또는 이들의 유도체, 트리벤질아민, 2,6-디이소프로필아닐린, N-tert-부톡시카르보닐피롤리딘 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic amine include 4-dimethylaminopyridine, pyrrole, indole, pyrazole, imidazole or derivatives thereof, tribenzylamine, 2,6-diisopropylaniline, N-tert-butoxycarbonylpyrrolidine .

(D2) 성분은 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.(D2) may be used alone or in combination of two or more.

(D2) 성분은, (A) 성분 100 질량부에 대해 통상적으로 0.01 ∼ 5 질량부의 범위에서 사용된다. 상기 범위로 함으로써, 레지스트 패턴 형상, 노광 후 시간 경과적 안정성 등이 향상된다.(D2) is usually used in a range of 0.01 to 5 parts by mass based on 100 parts by mass of the component (A). By setting the resistivity to the above range, the resist pattern shape, time-course stability after exposure, and the like are improved.

본 태양의 레지스트 조성물이 (D) 성분을 함유하는 경우, 상기 중에서도, 노광에 의해 분해되어 산 확산 제어성을 잃는 광 붕괴성 염기 (D1) 을 함유하는 것이 바람직하고, (d1-2) 성분을 함유하는 것이 보다 바람직하다.When the resist composition of the present embodiment contains the component (D), it preferably contains the photodegradable base (D1) which is decomposed by exposure and loses acid diffusion controllability, and the component (d1-2) Or more.

[(E) 성분][Component (E)] [

본 태양의 레지스트 조성물에는, 감도 열화의 방지나, 레지스트 패턴 형상, 노광 후 시간 경과적 안정성 등의 향상의 목적으로, 임의의 성분으로서 유기 카르복실산, 그리고 인의 옥소산 및 그 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물 (E) (이하, 「(E) 성분」 이라고 한다) 를 함유시킬 수 있다. The resist composition of the present invention may contain, as an optional component, an organic carboxylic acid, and a group of phosphoric oxo acid and derivatives thereof for the purpose of preventing deterioration of sensitivity, improving the resist pattern shape and time- At least one selected compound (E) (hereinafter referred to as "component (E)") may be contained.

유기 카르복실산으로는, 예를 들어, 아세트산, 말론산, 시트르산, 말산, 숙신산, 벤조산, 살리실산 등이 바람직하다. As the organic carboxylic acid, for example, acetic acid, malonic acid, citric acid, malic acid, succinic acid, benzoic acid, salicylic acid and the like are preferable.

인의 옥소산으로는, 인산, 포스폰산, 포스핀산 등을 들 수 있고, 이들 중에서도 특히 포스폰산이 바람직하다.Examples of the phosphoric acid include phosphoric acid, phosphonic acid and phosphinic acid, and phosphonic acid is particularly preferable.

인의 옥소산의 유도체로는, 예를 들어, 상기 옥소산의 수소 원자를 탄화수소기로 치환한 에스테르 등을 들 수 있고, 상기 탄화수소기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 15 의 아릴기 등을 들 수 있다.Examples of the derivative of the phosphorous oxo acid include an ester in which the hydrogen atom of the oxo acid is substituted with a hydrocarbon group. Examples of the hydrocarbon group include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an aryl group having 6 to 15 carbon atoms .

인산의 유도체로는, 인산디-n-부틸에스테르, 인산디페닐에스테르 등의 인산에스테르 등을 들 수 있다.Examples of phosphoric acid derivatives include phosphoric acid esters such as di-n-butyl phosphate and diphenyl phosphate.

포스폰산의 유도체로는, 포스폰산디메틸에스테르, 포스폰산-디-n-부틸에스테르, 페닐포스폰산, 포스폰산디페닐에스테르, 포스폰산디벤질에스테르 등의 포스폰산에스테르 등을 들 수 있다.Examples of phosphonic acid derivatives include phosphonic acid esters such as phosphonic acid dimethyl ester, phosphonic acid-di-n-butyl ester, phenylphosphonic acid, phosphonic acid diphenyl ester and phosphonic acid dibenzyl ester.

포스핀산의 유도체로는, 포스핀산에스테르나 페닐포스핀산 등을 들 수 있다.Examples of derivatives of phosphinic acid include phosphinic acid esters and phenylphosphinic acid.

(E) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The component (E) may be used alone or in combination of two or more.

(E) 성분은, (A) 성분 100 질량부에 대해 통상적으로 0.01 ∼ 5 질량부의 범위에서 사용된다.The component (E) is usually used in a range of 0.01 to 5 parts by mass based on 100 parts by mass of the component (A).

[(F) 성분][Component (F)] [

본 태양의 레지스트 조성물은, 레지스트막에 발수성을 부여하기 위해서, 불소 첨가제 (이하, 「(F) 성분」 이라고 한다) 를 함유해도 된다.The resist composition of the present embodiment may contain a fluorine additive (hereinafter referred to as "component (F)") for imparting water repellency to the resist film.

(F) 성분으로는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2010-002870호, 일본 공개특허공보 2010-032994호, 일본 공개특허공보 2010-277043호, 일본 공개특허공보 2011-13569호, 일본 공개특허공보 2011-128226호에 기재된 함불소 고분자 화합물을 사용할 수 있다.Examples of the component (F) include, for example, those described in JP-A No. 2010-002870, JP-A No. 2010-032994, JP-A No. 2010-277043, JP-A No. 2011-13569, The fluorinated polymer compound described in the publication No. 2011-128226 can be used.

(F) 성분으로서 보다 구체적으로는, 하기 식 (f1-1) 로 나타내는 구성 단위 (f1) 을 갖는 중합체를 들 수 있다. 상기 중합체로는, 하기 식 (f1-1) 로 나타내는 구성 단위 (f1) 만으로 이루어지는 중합체 (호모폴리머);그 구성 단위 (f1) 과 상기 구성 단위 (a1) 의 공중합체;그 구성 단위 (f1) 와 아크릴산 또는 메타크릴산으로부터 유도되는 구성 단위와, 상기 구성 단위 (a1) 의 공중합체인 것이 바람직하다. 여기서, 그 구성 단위 (f1) 과 공중합되는 상기 구성 단위 (a1) 로는, 1-에틸-1-시클로옥틸(메트)아크릴레이트로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하다.More specifically, as the component (F), a polymer having a structural unit (f1) represented by the following formula (f1-1) may be mentioned. Examples of the polymer include a polymer (homopolymer) comprising only the constituent unit (f1) represented by the following formula (f1-1), a copolymer of the constituent unit (f1) and the constituent unit (a1) , A structural unit derived from acrylic acid or methacrylic acid, and a copolymer of the structural unit (a1). Here, as the structural unit (a1) copolymerized with the structural unit (f1), a structural unit derived from 1-ethyl-1-cyclooctyl (meth) acrylate is preferable.

[화학식 52](52)

Figure pat00052
Figure pat00052

[식 중, R 은 상기와 동일하고, Rf102 및 Rf103 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기를 나타내고, Rf102 및 Rf103 은 동일하거나 상이하여도 된다. nf1 은 1 ∼ 5 의 정수이며, Rf101 은 불소 원자를 포함하는 유기기이다.]Rf 102 and Rf 103 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and Rf 102 and Rf 103 may be the same or different, They may be the same or different. nf 1 is an integer of 1 to 5, and Rf 101 is an organic group containing a fluorine atom.]

식 (f1-1) 중, α 위치의 탄소 원자에 결합한 R 은 전술과 동일하다. R 로는, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.In formula (f1-1), R bonded to the carbon atom at the? -Position is the same as described above. As R, a hydrogen atom or a methyl group is preferable.

식 (f1-1) 중, Rf102 및 Rf103 의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다. Rf102 및 Rf103 의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기로는, 상기 R 의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있고, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다. Rf102 및 Rf103 의 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기로서, 구체적으로는 상기 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다. 그 중에서도 Rf102 및 Rf103 으로는, 수소 원자, 불소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 수소 원자, 불소 원자, 메틸기, 또는 에틸기가 바람직하다. In the formula (f1-1), examples of the halogen atom of Rf 102 and Rf 103 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable. Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms represented by Rf 102 and Rf 103 include the same alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms as R described above, and a methyl group or an ethyl group is preferable. Specific examples of the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms represented by Rf 102 and Rf 103 include groups in which a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is substituted with a halogen atom. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable. Among them, Rf 102 and Rf 103 are preferably a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and are preferably a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group, or an ethyl group.

식 (f1-1) 중, nf1 은 1 ∼ 5 의 정수로서, 1 ∼ 3 의 정수가 바람직하고, 1 또는 2 인 것이 보다 바람직하다.In the formula (f1-1), 1 nf is an integer from 1 to 5, more preferably an integer of 1 to 3 is preferable, 1 or 2;

식 (f1-1) 중, Rf101 은 불소 원자를 포함하는 유기기로서, 불소 원자를 포함하는 탄화수소기인 것이 바람직하다.In the formula (f1-1), Rf 101 is preferably an organic group containing fluorine atom, a hydrocarbon group containing a fluorine atom.

불소 원자를 포함하는 탄화수소기로는, 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형 중 어느 것이어도 되며, 탄소수는 1 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 15 인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 10 이 특히 바람직하다.The hydrocarbon group containing a fluorine atom may be any of linear, branched or cyclic, and preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms. Particularly preferred.

또, 불소 원자를 포함하는 탄화수소기는, 당해 탄화수소기에 있어서의 수소 원자의 25 % 이상이 불소화되어 있는 것이 바람직하고, 50 % 이상이 불소화되어 있는 것이 보다 바람직하며, 60 % 이상이 불소화되어 있는 것이 침지 노광시의 레지스트막의 소수성이 높아지므로, 특히 바람직하다.The hydrocarbon group containing a fluorine atom preferably has at least 25% of the hydrogen atoms in the hydrocarbon group fluorinated, more preferably at least 50% fluorinated, and more preferably at least 60% The hydrophobicity of the resist film at the time of exposure becomes high.

그 중에서도, Rf101 로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화 탄화수소기가 특히 바람직하고, 트리플루오로메틸기, -CH2-CF3, -CH2-CF2-CF3, -CH(CF3)2, -CH2-CH2-CF3, -CH2-CH2-CF2-CF2-CF2-CF3 이 가장 바람직하다.Among them, a fluorinated hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms is particularly preferable as Rf 101 , and a trifluoromethyl group, -CH 2 -CF 3 , -CH 2 -CF 2 -CF 3 , -CH (CF 3 ) 2 , - CH 2 -CH 2 -CF 3 , -CH 2 -CH 2 -CF 2 -CF 2 -CF 2 -CF 3 is most preferred.

(F) 성분의 질량 평균 분자량 (Mw) (겔 퍼미에이션 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산 기준) 은 1000 ∼ 50000 이 바람직하고, 5000 ∼ 40000 이 보다 바람직하며, 10000 ∼ 30000 이 가장 바람직하다. 이 범위의 상한값 이하이면, 레지스트로서 사용하는 데에 충분한 레지스트 용제에 대한 용해성이 있고, 이 범위의 하한값 이상이면, 내드라이 에칭성이나 레지스트 패턴 단면 형상이 양호하다.The mass average molecular weight (Mw) (based on polystyrene conversion by gel permeation chromatography) of the component (F) is preferably from 1,000 to 50,000, more preferably from 5,000 to 40,000, and most preferably from 10,000 to 30,000. When the upper limit of the above range is not exceeded, the solubility in a resist solvent is sufficient for use as a resist. If the lower limit of the above range is exceeded, the dry etching resistance and the cross-sectional shape of the resist pattern are favorable.

(F) 성분의 분산도 (Mw/Mn) 는 1.0 ∼ 5.0 이 바람직하고, 1.0 ∼ 3.0 이 보다 바람직하며, 1.2 ∼ 2.5 가 가장 바람직하다.The dispersion degree (Mw / Mn) of the component (F) is preferably 1.0 to 5.0, more preferably 1.0 to 3.0, and most preferably 1.2 to 2.5.

(F) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The component (F) may be used singly or in combination of two or more.

(F) 성분, (A) 성분 100 질량부에 대해, 바람직하게는 0.5 ∼ 10 질량부의 비율로 사용된다.Is preferably used in a proportion of 0.5 to 10 parts by mass based on 100 parts by mass of the component (F) and the component (A).

본 태양의 레지스트 조성물에는, 추가로 원하는 바에 따라 혼화성이 있는 첨가제, 예를 들어 레지스트막의 성능을 개량하기 위한 부가적 수지, 용해 억제제, 가소제, 안정제, 착색제, 할레이션 방지제, 염료 등을 적절히, 첨가 함유시킬 수 있다.The resist composition of the present invention may further contain miscible additives such as an additional resin for improving the performance of the resist film, a dissolution inhibitor, a plasticizer, a stabilizer, a colorant, a halation inhibitor, Can be added and contained.

[(S) 성분][Component (S)] [

본 태양의 레지스트 조성물은 레지스트 재료를 유기 용제 (이하, 「(S) 성분」 이라고 하는 경우가 있다) 에 용해시켜 제조할 수 있다.The resist composition of this embodiment can be prepared by dissolving the resist material in an organic solvent (hereinafter sometimes referred to as "(S) component").

(S) 성분으로는, 사용하는 각 성분을 용해하고, 균일한 용액으로 할 수 있는 것이면 되고, 종래, 화학 증폭형 레지스트의 용제로서 공지된 것 중에서 임의의 것을 1 종 또는 2 종 이상 적절히 선택하여 사용할 수 있다.The component (S) may be any one capable of dissolving each component to be used and forming a homogeneous solution. Conventionally, any one or two or more kinds of solvents known as solvents for chemically amplified resists Can be used.

예를 들어, γ-부티로락톤 등의 락톤류;아세톤, 메틸에틸케톤 (MEK), 시클로헥사논, 메틸-n-펜틸케톤, 메틸이소펜틸케톤, 2-헵타논 등의 케톤류;에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류;에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 또는 디프로필렌글리콜모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 갖는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 갖는 화합물의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 등의 모노알킬에테르 또는 모노페닐에테르 등의 에테르 결합을 갖는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체 [이들 중에서는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME) 가 바람직하다];디옥산과 같은 고리형 에테르류나, 락트산메틸, 락트산에틸 (EL), 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류;아니솔, 에틸벤질에테르, 크레질메틸에테르, 디페닐에테르, 디벤질에테르, 페네톨, 부틸페닐에테르, 에틸벤젠, 디에틸벤젠, 펜틸벤젠, 이소프로필벤젠, 톨루엔, 자일렌, 시멘, 메시틸렌 등의 방향족계 유기 용제, 디메틸술폭시드 (DMSO) 등을 들 수 있다. Examples of the solvent include lactones such as? -Butyrolactone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK), cyclohexanone, methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, Polyhydric alcohols such as diethylene glycol, propylene glycol and dipropylene glycol; compounds having an ester bond such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate or dipropylene glycol monoacetate; Or derivatives of polyhydric alcohols such as monomethyl ether, monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether, monobutyl ether and monophenyl ether compounds having an ether bond, among the above-mentioned compounds having an ester bond , Propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME) Preferred examples thereof include cyclic ethers such as dioxane, esters such as methyl lactate, ethyl lactate, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate and ethyl ethoxypropionate An anisole, an ethylbenzyl ether, a cresyl methyl ether, a diphenyl ether, a dibenzyl ether, a phenetole, a butyl phenyl ether, an ethylbenzene, a diethylbenzene, a pentylbenzene, an isopropylbenzene, a toluene, a xylene, Aromatic organic solvents such as tylene, dimethylsulfoxide (DMSO), and the like.

이들 유기 용제는 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상의 혼합 용제로서 사용해도 된다.These organic solvents may be used alone or in combination of two or more.

그 중에서도, PGMEA, PGME, γ-부티로락톤, EL, 시클로헥사논이 바람직하다.Among them, PGMEA, PGME,? -Butyrolactone, EL, and cyclohexanone are preferable.

또, PGMEA 와 극성 용제를 혼합한 혼합 용매도 바람직하다. 그 배합비 (질량비) 는, PGMEA 와 극성 용제의 상용성 등을 고려하여 적절히 결정하면 되지만, 바람직하게는 1:9 ∼ 9:1, 보다 바람직하게는 2:8 ∼ 8:2 의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.A mixed solvent in which PGMEA and a polar solvent are mixed is also preferable. The compounding ratio (mass ratio) may be suitably determined in consideration of the compatibility of the PGMEA and the polar solvent, but is preferably within the range of 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2 desirable.

보다 구체적으로는, 극성 용제로서 EL 또는 시클로헥사논을 배합하는 경우에는, PGMEA:EL 또는 시클로헥사논의 질량비는, 바람직하게는 1:9 ∼ 9:1, 보다 바람직하게는 2:8 ∼ 8:2 이다. 또, 극성 용제로서 PGME를 배합하는 경우에는, PGMEA:PGME의 질량비는, 바람직하게는 1:9 ∼ 9:1, 보다 바람직하게는 2:8 ∼ 8:2, 더욱 바람직하게는 3:7 ∼ 7:3 이다. 또한, PGMEA 와 PGME 와 시클로헥사논의 혼합 용제도 바람직하다.More specifically, when EL or cyclohexanone is blended as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA: EL or cyclohexanone is preferably 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2. When PGME is blended as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA: PGME is preferably 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2, still more preferably 3: 7: 3. Mixed solvents of PGMEA, PGME and cyclohexanone are also preferable.

또, (S) 성분으로서, 그 외에는, PGMEA 및 EL 중에서 선택되는 적어도 1 종과 γ-부티로락톤의 혼합 용제도 바람직하다. 이 경우, 혼합 비율로는, 전자와 후자의 질량비가 바람직하게는 70:30 ∼ 95:5 가 된다.Further, as the component (S), a mixed solvent of at least one selected from PGMEA and EL and? -Butyrolactone is also preferable. In this case, as the mixing ratio, the mass ratio of the former to the latter is preferably 70:30 to 95: 5.

(S) 성분의 사용량은 특별히 한정되지 않고, 기판 등에 도포 가능한 농도로, 도포 막두께에 따라 적절히 설정된다. 일반적으로는 레지스트 조성물의 고형분 농도가 1 ∼ 20 질량%, 바람직하게는 2 ∼ 15 질량% 의 범위 내가 되도록 사용된다.The amount of the component (S) to be used is not particularly limited and is appropriately set in accordance with the thickness of the coating film at a concentration applicable to a substrate or the like. In general, the solid content concentration of the resist composition is in the range of 1 to 20% by mass, preferably 2 to 15% by mass.

본 발명의 레지스트 조성물에 의하면, 러프니스가 저감된 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.According to the resist composition of the present invention, a resist pattern with reduced roughness can be formed.

본 발명의 레지스트 조성물은, 전자 흡인성의 치환기 (X) 를 갖는 락톤 함유 고리형기를 포함하는 구성 단위 (a0) 을 갖는 고분자 화합물 (A1) 을 함유한다. 그 (A1) 성분을 사용함으로써, 레지스트 패턴을 형성할 때, 감도의 저하가 억제되고, 양호한 감도가 유지된다. 게다가, 구성 단위 (a0) 을 가짐으로써, (A1) 성분의 유기 용제에 대한 용해성이 높아져, 레지스트용 용제에도 안정적으로 용해될 수 있다.The resist composition of the present invention contains a polymer (A1) having a structural unit (a0) containing a lactone-containing cyclic group having an electron-withdrawing substituent (X). By using the component (A1), deterioration of the sensitivity is suppressed when the resist pattern is formed, and good sensitivity is maintained. In addition, by having the constituent unit (a0), the solubility of the component (A1) in an organic solvent becomes high and can be stably dissolved in a resist solvent.

또, 본 발명의 레지스트 조성물은, 특정 아니온부를 갖는 화합물로 이루어지는 산 발생제 (B1) 을 함유한다. 그 (B1) 성분이 노광에 의해 발생하는 산은 단확산 (短擴散) 이기 때문에, 레지스트 패턴 측벽 등의 러프니스의 저감화가 도모된다. 게다가, 그 (B1) 성분의 사용에 의해, 베이스 수지로부터 산 해리성기를 용이하게 해리할 수 있다. 또한, 알칼리 현상 프로세스에 있어서는, 알칼리 현상액에 대해 용해 저해를 잘 발생시키지 않는다.The resist composition of the present invention contains an acid generator (B1) comprising a compound having a specific anion moiety. Since the acid generated by the exposure of the component (B1) is short-diffused, the roughness of the resist pattern side wall and the like can be reduced. In addition, by using the component (B1), the acid dissociable group can be easily dissociated from the base resin. In addition, in the alkali developing process, the alkali dissolution is hardly caused by inhibition of dissolution.

본 발명의 레지스트 조성물에 있어서는, 이러한 구성 단위 (a0) 을 갖는 (A1) 성분과, 특정 아니온부를 갖는 (B1) 성분의 조합에 의해, 레지스트 패턴을 형성할 때에 러프니스 저감의 현저한 효과가 얻어진다. In the resist composition of the present invention, the combination of the component (A1) having the constituent unit (a0) and the component (B1) having the specific anion moiety has a remarkable effect of reducing the roughness Loses.

게다가, 본 발명의 레지스트 조성물에 의하면, 보다 양호한 감도를 유지하면서, 러프니스가 저감된 레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 본 발명의 레지스트 조성물을 사용한 레지스트 패턴 형성에 있어서는, 러프니스 저감과의 양립이 곤란해지는, 노광량의 변동에 수반하는 패턴 사이즈의 변화량의 지표인 노광 여유도 (EL 마진) 도 양호하다.In addition, according to the resist composition of the present invention, it is possible to form a resist pattern with reduced roughness while maintaining better sensitivity. Further, in the resist pattern formation using the resist composition of the present invention, the exposure margin (EL margin), which is an index of the amount of change in the pattern size accompanying the fluctuation of the exposure amount, is difficult to be compatible with the roughness reduction.

≪레지스트 패턴 형성 방법≫≪ Method of forming resist pattern &

본 발명의 제 2 양태의 레지스트 패턴 형성 방법은, 상기 본 발명의 제 1 양태의 레지스트 조성물을 사용하여 지지체 상에 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 및 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함한다.The resist pattern forming method of the second aspect of the present invention comprises the steps of forming a resist film on a support using the resist composition of the first aspect of the present invention, exposing the resist film, and developing the exposed resist film And forming a resist pattern.

본 태양의 레지스트 패턴 형성 방법은, 예를 들어 이하와 같이 하여 실시할 수 있다.The resist pattern forming method of the present embodiment can be carried out, for example, as follows.

먼저, 지지체 상에, 상기 제 1 양태에 관련된 레지스트 조성물을 스피너 등으로 도포하고, 베이크 (포스트 어플라이 베이크 (PAB)) 처리를, 예를 들어 80 ∼ 150 ℃ 의 온도 조건에서 40 ∼ 120 초간, 바람직하게는 60 ∼ 90 초간 실시하여 레지스트막을 형성한다.First, a resist composition according to the first embodiment is coated on a support with a spinner or the like and baked (post-application baked (PAB)) treatment is performed for 40 to 120 seconds at a temperature of, for example, Preferably 60 to 90 seconds, to form a resist film.

다음으로, 그 레지스트막에 대해, 예를 들어 ArF 노광 장치, 전자선 묘화 장치, EUV 노광 장치 등의 노광 장치를 사용하여, 소정의 패턴이 형성된 마스크 (마스크 패턴) 를 개재한 노광 또는 마스크 패턴을 개재하지 않은 전자선의 직접 조사에 의한 묘화 등에 의한 선택적 노광을 실시한 후, 베이크 (포스트 익스포저 베이크 (PEB)) 처리를, 예를 들어 80 ∼ 150 ℃ 의 온도 조건에서 40 ∼ 120 초간, 바람직하게는 60 ∼ 90 초간 실시한다.Next, using the exposure apparatus such as an ArF exposure apparatus, an electron beam lithography apparatus, and an EUV exposure apparatus, an exposure or mask pattern interposed between a mask (mask pattern) having a predetermined pattern formed thereon is interposed (Post exposure bake (PEB)) treatment is performed at a temperature of, for example, 80 to 150 ° C for 40 to 120 seconds, preferably 60 to 120 seconds, after performing selective exposure by drawing by direct irradiation of an electron beam, 90 seconds.

다음으로, 상기 레지스트막을 현상 처리한다. 현상 처리는, 알칼리 현상 프로세스의 경우에는, 알칼리 현상액을 사용하고, 용제 현상 프로세스의 경우에는, 유기 용제를 함유하는 현상액 (유기계 현상액) 을 사용하여 실시한다.Next, the resist film is developed. The developing treatment is carried out using a developing solution (organic developing solution) containing an alkaline developing solution in the case of the alkali developing process and an organic solvent in the case of the solvent developing process.

현상 처리 후, 바람직하게는 린스 처리를 실시한다. 린스 처리는, 알칼리 현상 프로세스의 경우에는, 순수를 사용한 물 린스가 바람직하고, 용제 현상 프로세스의 경우에는, 유기 용제를 함유하는 린스액을 사용하는 것이 바람직하다.After the developing treatment, rinsing treatment is preferably carried out. In the case of the alkaline development process, rinsing is preferably performed using purified water, and in the case of the solvent development process, a rinsing solution containing an organic solvent is preferably used.

용제 현상 프로세스의 경우, 상기 현상 처리 또는 린스 처리 후에, 패턴 상에 부착되어 있는 현상액 또는 린스액을 초임계 유체에 의해 제거하는 처리를 실시해도 된다.In the case of the solvent developing process, a treatment for removing the developing solution or the rinsing liquid adhering to the pattern by the supercritical fluid may be performed after the developing treatment or the rinsing treatment.

현상 처리 후 또는 린스 처리 후, 건조를 실시한다. 또, 경우에 따라서는, 상기 현상 처리 후에 베이크 처리 (포스트 베이크) 를 실시해도 된다. 이와 같이 하여, 레지스트 패턴을 얻을 수 있다.After the development treatment or the rinsing treatment, drying is performed. In some cases, a baking process (post-baking) may be performed after the above developing process. In this manner, a resist pattern can be obtained.

지지체로는, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있으며, 예를 들어, 전자 부품용 기판이나, 이것에 소정의 배선 패턴이 형성된 것 등을 예시할 수 있다. 보다 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼, 구리, 크롬, 철, 알루미늄 등의 금속제 기판이나, 유리 기판 등을 들 수 있다. 배선 패턴의 재료로는, 예를 들어 구리, 알루미늄, 니켈, 금 등이 사용 가능하다.The support is not particularly limited and conventionally known ones can be used, and examples thereof include a substrate for an electronic component and a substrate having a predetermined wiring pattern formed thereon. More specifically, a metal substrate such as a silicon wafer, copper, chromium, iron or aluminum, or a glass substrate can be given. As the material of the wiring pattern, for example, copper, aluminum, nickel, gold and the like can be used.

또, 지지체로는, 상기 서술한 바와 같은 기판 상에, 무기계 및/또는 유기계의 막이 형성된 것이어도 된다. 무기계의 막으로는, 무기 반사 방지막 (무기 BARC) 을 들 수 있다. 유기계의 막으로는, 유기 반사 방지막 (유기 BARC) 이나 다층 레지스트법에 있어서의 하층 유기막 등의 유기막을 들 수 있다.As the support, an inorganic and / or organic film may be formed on the above-described substrate. As the inorganic film, an inorganic anti-reflection film (inorganic BARC) can be mentioned. Examples of the organic film include an organic antireflection film (organic BARC) and an organic film such as a lower organic film in the multilayer resist method.

여기서, 다층 레지스트법이란, 기판 상에, 적어도 1 층의 유기막 (하층 유기막) 과, 적어도 1 층의 레지스트막 (상층 레지스트막) 을 형성하고, 상층 레지스트막에 형성한 레지스트 패턴을 마스크로 하여 하층 유기막의 패터닝을 실시하는 방법이며, 고어스펙트비의 패턴을 형성할 수 있는 것으로 여겨지고 있다. 즉, 다층 레지스트법에 의하면, 하층 유기막에 의해 소요 두께를 확보할 수 있기 때문에, 레지스트막을 박막화할 수 있고, 고어스펙트비의 미세 패턴 형성이 가능해진다.Here, the multilayer resist method is a method in which at least one organic film (lower organic film) and at least one resist film (upper resist film) are formed on a substrate, and a resist pattern formed on the upper resist film is used as a mask And patterning of the underlying organic film is performed, and it is considered that a pattern of the Gauss spectrum ratio can be formed. That is, according to the multilayer resist method, since a required thickness can be ensured by the lower organic film, the resist film can be made thinner, and a fine pattern of a high aspect ratio can be formed.

다층 레지스트법에는, 기본적으로, 상층 레지스트막과 하층 유기막의 2 층 구조로 하는 방법 (2 층 레지스트법) 과, 상층 레지스트막과 하층 유기막 사이에 1 층 이상의 중간층 (금속 박막 등) 을 형성한 3 층 이상의 다층 구조로 하는 방법 (3 층 레지스트법) 으로 나뉜다.In the multilayer resist method, basically, a method of forming a two-layer structure of an upper resist film and a lower layer organic film (two-layer resist method), and a method of forming an intermediate layer (metal thin film or the like) And a method of forming a multilayer structure of three or more layers (a three-layer resist method).

노광에 사용하는 파장은, 특별히 한정되지 않고, ArF 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저, F2 엑시머 레이저, EUV (극자외선), VUV (진공 자외선), EB (전자선), X 선, 연 (軟) X 선 등의 방사선을 이용하여 실시할 수 있다. 상기 레지스트 조성물은, KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, EB 또는 EUV 용으로서의 유용성이 높고, ArF 엑시머 레이저, EB 또는 EUV 용으로서 특히 유용하다.The wavelength used for exposure is not particularly limited and may be selected from the group consisting of ArF excimer laser, KrF excimer laser, F 2 excimer laser, EUV (extreme ultraviolet), VUV (vacuum ultraviolet) Ray or the like. The resist composition has high usability for KrF excimer laser, ArF excimer laser, EB or EUV, and is particularly useful for ArF excimer laser, EB or EUV.

레지스트막의 노광 방법은, 공기나 질소 등의 불활성 가스 중에서 실시하는 통상적인 노광 (드라이 노광) 이어도 되고, 액침 노광 (Liquid Immersion Lithography) 이어도 된다.The exposure method of the resist film may be a conventional exposure (dry exposure) or an immersion exposure (liquid immersion lithography) in an inert gas such as air or nitrogen.

액침 노광은, 미리 레지스트막과 노광 장치의 최하 위치의 렌즈 사이를, 공기의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 용매 (액침 매체) 로 채우고, 그 상태로 노광 (침지 노광) 을 실시하는 노광 방법이다.The immersion exposure is an exposure method in which a space between a resist film and a lens in the lowermost position of the exposure apparatus is filled with a solvent (immersion medium) having a refractive index larger than that of air and exposure (immersion exposure) is performed in this state.

액침 매체로는, 공기의 굴절률보다 크고, 또한, 노광되는 레지스트막이 갖는 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 용매가 바람직하다. 이러한 용매의 굴절률로는, 상기 범위 내이면 특별히 제한되지 않는다.As the immersion medium, a solvent which is larger than the refractive index of air and has a refractive index smaller than the refractive index of the exposed resist film is preferable. The refractive index of such a solvent is not particularly limited as long as it is within the above range.

공기의 굴절률보다 크고, 또한, 상기 레지스트막의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 용매로는, 예를 들어, 물, 불소계 불활성 액체, 실리콘계 용제, 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다.Examples of the solvent that is larger than the refractive index of air and has a refractive index smaller than the refractive index of the resist film include water, a fluorine-based inert liquid, a silicone solvent, and a hydrocarbon solvent.

불소계 불활성 액체의 구체예로는, C3HCl2F5, C4F9OCH3, C4F9OC2H5, C5H3F7 등의 불소계 화합물을 주성분으로 하는 액체 등을 들 수 있으며, 비점이 70 ∼ 180 ℃ 인 것이 바람직하고, 80 ∼ 160 ℃ 인 것이 보다 바람직하다. 불소계 불활성 액체가 상기 범위의 비점을 갖는 것이면, 노광 종료 후에, 액침에 사용한 매체의 제거를 간편한 방법으로 실시할 수 있으므로 바람직하다.Specific examples of the fluorine-based inert liquid include liquids containing fluorine-based compounds such as C 3 HCl 2 F 5 , C 4 F 9 OCH 3 , C 4 F 9 OC 2 H 5 , C 5 H 3 F 7 , And preferably has a boiling point of 70 to 180 ° C, more preferably 80 to 160 ° C. If the fluorine-based inert liquid has a boiling point in the above-mentioned range, it is preferable that the medium used for liquid immersion can be removed by a simple method after the end of exposure.

불소계 불활성 액체로는, 특히, 알킬기의 수소 원자가 모두 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬 화합물이 바람직하다. 퍼플루오로알킬 화합물로는, 구체적으로는, 퍼플루오로알킬에테르 화합물이나 퍼플루오로알킬아민 화합물을 들 수 있다.As the fluorine-based inert liquid, a perfluoroalkyl compound in which the hydrogen atoms of the alkyl group are all substituted with fluorine atoms is particularly preferable. Specific examples of the perfluoroalkyl compound include a perfluoroalkyl ether compound and a perfluoroalkylamine compound.

또한, 구체적으로는, 상기 퍼플루오로알킬에테르 화합물로는, 퍼플루오로(2-부틸-테트라하이드로푸란) (비점 102 ℃) 을 들 수 있으며, 상기 퍼플루오로알킬아민 화합물로는, 퍼플루오로트리부틸아민 (비점 174 ℃) 을 들 수 있다.Specific examples of the perfluoroalkyl ether compound include perfluoro (2-butyl-tetrahydrofuran) (boiling point: 102 ° C), and perfluoroalkylamine compounds include perfluoro (Boiling point 174 占 폚).

액침 매체로는, 비용, 안전성, 환경 문제, 범용성 등의 관점에서 물이 바람직하게 사용된다.As the immersion medium, water is preferably used from the viewpoints of cost, safety, environmental problems, versatility and the like.

알칼리 현상 프로세스에서 현상 처리에 사용하는 알칼리 현상액으로는, 예를 들어 0.1 ∼ 10 질량% 테트라메틸암모늄하이드록시드 (TMAH) 수용액을 들 수 있다. Examples of the alkali developing solution used in the developing treatment in the alkali development process include an aqueous solution of 0.1 to 10 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH).

용제 현상 프로세스에서 현상 처리에 사용하는 유기계 현상액이 함유하는 유기 용제로는, (A) 성분 (노광 전의 (A) 성분) 을 용해할 수 있는 것이면 되고, 공지된 유기 용제 중에서 적절히 선택할 수 있다. 구체적으로는, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제, 니트릴계 용제, 아미드계 용제, 에테르계 용제 등의 극성 용제, 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다.The organic solvent contained in the organic developing solution used in the developing treatment in the solvent developing process may be any solvent that can dissolve the component (A) (component (A) before exposure) and may be appropriately selected from known organic solvents. Specific examples thereof include polar solvents such as ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, nitrile solvents, amide solvents and ether solvents, hydrocarbon solvents and the like.

케톤계 용제는, 구조 중에 C-C(=O)-C 를 포함하는 유기 용제이다. 에스테르계 용제는, 구조 중에 C-C(=O)-O-C 를 포함하는 유기 용제이다. 알코올계 용제는, 구조 중에 알코올성 수산기를 포함하는 유기 용제이며, 「알코올성 수산기」 는, 지방족 탄화수소기의 탄소 원자에 결합한 수산기를 의미한다. 니트릴계 용제는, 구조 중에 니트릴기를 포함하는 유기 용제이다. 아미드계 용제는 구조 중에 아미드기를 포함하는 유기 용제이다. 에테르계 용제는 구조 중에 C-O-C 를 포함하는 유기 용제이다.The ketone-based solvent is an organic solvent containing C-C (= O) -C in the structure. The ester solvent is an organic solvent containing C-C (= O) -O-C in the structure. The alcoholic solvent is an organic solvent containing an alcoholic hydroxyl group in its structure, and the " alcoholic hydroxyl group " means a hydroxyl group bonded to the carbon atom of the aliphatic hydrocarbon group. The nitrile-based solvent is an organic solvent containing a nitrile group in its structure. The amide-based solvent is an organic solvent containing an amide group in its structure. The ether solvent is an organic solvent containing C-O-C in the structure.

유기 용제 중에는, 구조 중에 상기 각 용제를 특징 짓는 관능기를 복수 종 포함하는 유기 용제도 존재하지만, 그 경우에는, 당해 유기 용제가 갖는 관능기를 포함하는 어느 용제 종에도 해당하는 것으로 한다. 예를 들어, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르는, 상기 분류 중의, 알코올계 용제, 에테르계 용제 중 어느 것에도 해당하는 것으로 한다.In the organic solvent, an organic solvent containing a plurality of functional groups characterizing each of the solvents is also present in the structure. In this case, it is assumed that any solvent type including the functional group of the organic solvent is included. For example, diethylene glycol monomethyl ether corresponds to any of alcohol-based solvents and ether-based solvents in the above-mentioned classification.

탄화수소계 용제는, 할로겐화 되어 있어도 되는 탄화수소로 이루어지고, 할로겐 원자 이외의 치환기를 갖지 않는 탄화수소 용제이다. 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.The hydrocarbon-based solvent is a hydrocarbon solvent which is made of a hydrocarbon which may be halogenated and has no substituent other than a halogen atom. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

유기계 현상액이 함유하는 유기 용제로는, 상기 중에서도, 극성 용제가 바람직하고, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 니트릴계 용제 등이 바람직하다.As the organic solvent contained in the organic developing solution, a polar solvent is preferable among them, and a ketone solvent, an ester solvent, a nitrile solvent and the like are preferable.

각 용제의 구체예로서, 케톤계 용제로는, 예를 들어, 1-옥타논, 2-옥타논, 1-노나논, 2-노나논, 아세톤, 4-헵타논, 1-헥사논, 2-헥사논, 디이소부틸케톤, 시클로헥사논, 메틸시클로헥사논, 페닐아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 아세틸아세톤, 아세트닐아세톤, 이오논, 디아세트닐알코올, 아세틸카르비놀, 아세토페논, 메틸나프틸케톤, 이소포론, 프로필렌카보네이트, γ-부티로락톤, 메틸아밀케톤(2-헵타논) 등을 들 수 있다.Specific examples of the solvent include ketone-based solvents such as 1-octanone, 2-octanone, 1-nonanone, 2-nonanone, acetone, 4-heptanone, 1- -Acetone acetone, acetone acetone, ionone, diacetyl alcohol, acetyl carbinol, acetone, acetone, acetone, acetone, Phenol, methylnaphthyl ketone, isophorone, propylene carbonate,? -Butyrolactone, and methyl amyl ketone (2-heptanone).

케톤계 용제로는 메틸아밀케톤(2-헵타논) 이 바람직하다.Methylamyl ketone (2-heptanone) is preferred as the ketone-based solvent.

에스테르계 용제로는, 예를 들어, 아세트산메틸, 아세트산부틸, 아세트산에틸, 아세트산이소프로필, 아세트산아밀, 아세트산이소아밀, 메톡시아세트산에틸, 에톡시아세트산에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 2-메톡시부틸아세테이트, 3-메톡시부틸아세테이트, 4-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-에틸-3-메톡시부틸아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 2-에톡시부틸아세테이트, 4-에톡시부틸아세테이트, 4-프로폭시부틸아세테이트, 2-메톡시펜틸아세테이트, 3-메톡시펜틸아세테이트, 4-메톡시펜틸아세테이트, 2-메틸-3-메톡시펜틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시펜틸아세테이트, 3-메틸-4-메톡시펜틸아세테이트, 4-메틸-4-메톡시펜틸아세테이트, 프로필렌글리콜디아세테이트, 포름산메틸, 포름산에틸, 포름산부틸, 포름산프로필, 락트산에틸, 락트산부틸, 락트산프로필, 탄산에틸, 탄산프로필, 탄산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 피루브산프로필, 피루브산부틸, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 프로피온산메틸, 프로피온산에틸, 프로피온산프로필, 프로피온산이소프로필, 2-하이드록시프로피온산메틸, 2-하이드록시프로피온산에틸, 메틸-3-메톡시프로피오네이트, 에틸-3-메톡시프로피오네이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 프로필-3-메톡시프로피오네이트 등을 들 수 있다.Examples of the ester-based solvent include methyl acetate, butyl acetate, ethyl acetate, isopropyl acetate, amyl acetate, isoamyl acetate, ethyl lactate, methoxyacetate, ethoxyacetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol Monoethyl ether acetate, ethylene glycol monopropyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, Diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, 2-methoxybutyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, 4-methoxybutyl acetate, - Methode Propyleneglycol monomethyl ether acetate, propyleneglycol monopropyl ether acetate, 2-ethoxybutyl acetate, 4-ethoxybutyl acetate, propyleneglycol monomethylether acetate, propyleneglycol monomethylether acetate, Propoxybutyl acetate, 2-methoxypentyl acetate, 3-methoxypentyl acetate, 4-methoxypentyl acetate, 2-methyl-3-methoxypentyl acetate, Propyleneglycol diacetate, methyl formate, ethyl formate, butyl formate, propyl formate, ethyl lactate, butyl lactate, ethyl lactate, ethyl lactate, ethyl lactate, , Propyl carbonate, butyl carbonate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, butyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, , Ethyl propionate, propyl propionate, isopropyl propionate, methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl-3-methoxypropionate, ethyl-3-methoxypropionate, Methoxypropionate, propyl-3-methoxypropionate, and the like.

에스테르계 용제로는, 아세트산부틸이 바람직하다.As the ester-based solvent, butyl acetate is preferable.

니트릴계 용제로는, 예를 들어, 아세토니트릴, 프로피오니트릴, 발레로니트릴, 부티로니트릴 등을 들 수 있다.The nitrile-based solvent includes, for example, acetonitrile, propionitrile, valeronitrile, butyronitrile, and the like.

유기계 현상액에는, 필요에 따라 공지된 첨가제를 배합할 수 있다. 그 첨가제로는 예를 들어 계면 활성제를 들 수 있다. 계면 활성제로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 이온성이나 비이온성의 불소계 및/또는 실리콘계 계면 활성제 등을 사용할 수 있다. 계면 활성제로는, 비이온성의 계면 활성제가 바람직하고, 불소계 계면 활성제 또는 실리콘계 계면 활성제가 보다 바람직하다.If necessary, known additives may be added to the organic developer. Examples of the additive include a surfactant. The surfactant is not particularly limited and, for example, ionic or nonionic fluorine-based and / or silicon-based surfactants can be used. As the surfactant, a nonionic surfactant is preferable, and a fluorinated surfactant or a silicon surfactant is more preferable.

계면 활성제를 배합하는 경우, 그 배합량은, 유기계 현상액의 전체량에 대해, 통상적으로 0.001 ∼ 5 질량% 이고, 0.005 ∼ 2 질량% 가 바람직하고, 0.01 ∼ 0.5 질량% 가 보다 바람직하다.When a surfactant is blended, the blending amount thereof is usually 0.001 to 5 mass%, preferably 0.005 to 2 mass%, and more preferably 0.01 to 0.5 mass%, based on the total amount of the organic developer.

현상 처리는, 공지된 현상 방법에 의해 실시하는 것이 가능하고, 예를 들어 현상액 중에 지지체를 일정 시간 침지하는 방법 (딥법), 지지체 표면에 현상액을 표면 장력에 의해 마운팅하여 일정 시간 정지하는 방법 (패들법), 지지체 표면에 현상액을 분무하는 방법 (스프레이법), 일정 속도로 회전하고 있는 지지체 상에 일정 속도로 현상액 도출 (塗出) 노즐을 스캔하면서 현상액을 계속해서 도출하는 방법 (다이나믹 투여법) 등을 들 수 있다.The developing treatment can be carried out by a known developing method. For example, a developing method (dip method) for immersing the support in a developing solution for a predetermined time, a method of mounting the developing solution on the surface of the support by surface tension, A method of spraying a developer to the surface of a support (spray method), a method of continuously extracting a developer while scanning a developing solution nozzle at a constant speed on a support rotating at a constant speed (dynamic administration method) And the like.

용제 현상 프로세스에서 현상 처리 후의 린스 처리에 사용하는 린스액이 함유하는 유기 용제로는, 예를 들어 상기 유기계 현상액에 사용하는 유기 용제로서 예시한 유기 용제 중, 레지스트 패턴을 잘 용해시키지 않는 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 통상적으로 탄화수소계 용제, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제, 아미드계 용제 및 에테르계 용제에서 선택되는 적어도 1 종류의 용제를 사용한다. 이들 중에서도, 탄화수소계 용제, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제 및 아미드계 용제에서 선택되는 적어도 1 종류가 바람직하고, 알코올계 용제 및 에스테르계 용제에서 선택되는 적어도 1 종류가 보다 바람직하며, 알코올계 용제가 특히 바람직하다.Examples of the organic solvent to be contained in the rinsing liquid used for the rinsing treatment after the developing treatment in the solvent developing process include those suitably selected from organic solvents exemplified as organic solvents for the organic developing solution, Can be used. Usually, at least one solvent selected from a hydrocarbon solvent, a ketone solvent, an ester solvent, an alcohol solvent, an amide solvent and an ether solvent is used. Among them, at least one selected from a hydrocarbon-based solvent, a ketone-based solvent, an ester-based solvent, an alcohol-based solvent and an amide-based solvent is preferable and at least one selected from an alcoholic solvent and an ester- Alcohol-based solvents are particularly preferred.

린스액에 사용하는 알코올계 용제는, 탄소수 6 ∼ 8 의 1 가 알코올이 바람직하고, 그 1 가 알코올은 직사슬형, 분기형, 고리형 중 어느 것이어도 된다. 구체적으로는, 1-헥산올, 1-헵탄올, 1-옥탄올, 2-헥산올, 2-헵탄올, 2-옥탄올, 3-헥산올, 3-헵탄올, 3-옥탄올, 4-옥탄올, 벤질알코올 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 1-헥산올, 2-헵탄올, 2-헥산올이 바람직하고, 1-헥산올 또는 2-헥산올이 보다 바람직하다.The alcoholic solvent used in the rinsing liquid is preferably a monohydric alcohol having 6 to 8 carbon atoms, and the monohydric alcohol may be any of linear, branched and cyclic. Specific examples thereof include 1-hexanol, 1-heptanol, 1-octanol, 2-hexanol, 2-heptanol, 2-octanol, - octanol, benzyl alcohol, and the like. Among them, 1-hexanol, 2-heptanol and 2-hexanol are preferable, and 1-hexanol or 2-hexanol is more preferable.

이들 유기 용제는, 어느 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 또, 상기 이외의 유기 용제나 물과 혼합하여 사용해도 된다. 단 현상 특성을 고려하면, 린스액 중의 물의 배합량은, 린스액의 전체량에 대해, 30 질량% 이하가 바람직하고, 10 질량% 이하가 보다 바람직하고, 5 질량% 이하 더욱 바람직하며, 3 질량% 이하가 특히 바람직하다.These organic solvents may be used singly or in combination of two or more kinds. It may be mixed with an organic solvent or water other than the above. The amount of water in the rinsing liquid is preferably 30 mass% or less, more preferably 10 mass% or less, even more preferably 5 mass% or less, more preferably 3 mass% or less, Or less is particularly preferable.

린스액에는, 필요에 따라 공지된 첨가제를 배합할 수 있다. 그 첨가제로는, 예를 들어 계면 활성제를 들 수 있다. 계면 활성제는, 상기와 동일한 것을 들 수 있으며, 비이온성의 계면 활성제가 바람직하고, 불소계 계면 활성제 또는 실리콘계 계면 활성제가 보다 바람직하다.A known additive may be added to the rinsing liquid if necessary. As the additive, for example, a surfactant can be mentioned. Examples of the surfactant include the same ones as described above. Nonionic surfactants are preferred, and fluorinated surfactants or silicone surfactants are more preferred.

계면 활성제를 배합하는 경우, 그 배합량은, 린스액의 전체량에 대해, 통상적으로 0.001 ∼ 5 질량% 이고, 0.005 ∼ 2 질량% 가 바람직하고, 0.01 ∼ 0.5 질량% 가 보다 바람직하다.When a surfactant is blended, the blending amount thereof is usually 0.001 to 5 mass%, preferably 0.005 to 2 mass%, and more preferably 0.01 to 0.5 mass%, based on the total amount of the rinse liquid.

린스액을 사용한 린스 처리 (세정 처리) 는, 공지된 린스 방법에 의해 실시할 수 있다. 그 방법으로는, 예를 들어 일정 속도로 회전하고 있는 지지체 상에 린스액을 계속해서 도출하는 방법 (회전 도포법), 린스액 중에 지지체를 일정 시간 침지하는 방법 (딥법), 지지체 표면에 린스액을 분무하는 방법 (스프레이법) 등을 들 수 있다.The rinsing treatment (rinsing treatment) using the rinsing liquid can be carried out by a known rinsing method. Examples of the method include a method (rotation coating method) of continuously extracting the rinsing liquid on a support rotating at a constant speed, a method (dip method) of immersing the support in a rinsing liquid for a predetermined time (Spray method), and the like.

실시예Example

이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이들 예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

본 실시예에서는, 화학식 (1) 로 나타내는 화합물을 「화합물 (1)」 이라고 표기하고, 다른 화학식으로 나타내는 화합물에 대해서도 동일하게 기재한다.In this embodiment, the compound represented by the formula (1) is referred to as "compound (1)" and the compound represented by the other formula is described in the same manner.

<고분자 화합물의 제조예>≪ Production Example of Polymer Compound &

본 실시예에서 기재 성분으로서 사용한 고분자 화합물은, 모노머로서 하기 화학식으로 나타내는 화합물을 소정의 몰비로 병용하고, 공지된 라디칼 중합 방법으로 공중합함으로써 얻었다.The polymer compound used as the base component in this Example was obtained by using a compound represented by the following formula as a monomer in a predetermined molar ratio and copolymerizing by a known radical polymerization method.

[화학식 53](53)

Figure pat00053
Figure pat00053

(고분자 화합물 1 ∼ 6) (Polymer compound 1 to 6)

얻어진 고분자 화합물 1 ∼ 6 에 대해, 13C-NMR 에 의해 구해진 그 고분자 화합물의 모노머 조성비 (구조 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)), GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량 (Mw) 및 분자량 분산도 (Mw/Mn) 를 표 1 에 병기하였다.The monomer composition ratio (ratio of each constitutional unit in the structure (molar ratio)) of the polymer compound obtained by 13 C-NMR to the obtained polymer compound 1 to 6, mass average molecular weight (Mw) in terms of standard polystyrene determined by GPC measurement, And the molecular weight dispersion (Mw / Mn) are shown in Table 1.

Figure pat00054
Figure pat00054

<레지스트 조성물의 조제>≪ Preparation of resist composition >

(실시예 1 ∼ 7, 비교예 1 ∼ 4) (Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 4)

표 2 에 나타내는 각 성분을 혼합하여 용해함으로써 각 예의 레지스트 조성물을 조제하였다.Each component shown in Table 2 was mixed and dissolved to prepare resist compositions for each example.

Figure pat00055
Figure pat00055

표 2 중, 각 약호는 각각 이하의 의미를 갖는다. [ ] 내의 수치는 배합량 (질량부) 이다.In Table 2, the respective abbreviations have the following meanings respectively. The values in [] are the compounding amount (parts by mass).

(A)-1 ∼ (A)-6:상기 고분자 화합물 1 ∼ 6.(A) -1 to (A) -6: said polymer compound 1 to 6;

(B1)-1 ∼ (B1)-4:하기 화학식 (B1)-1 ∼ (B1)-4 로 각각 나타내는 화합물로 이루어지는 산 발생제.(B1) -1 to (B1) -4: An acid generator comprising a compound represented by the following general formula (B1) -1 to (B1) -4.

(B2)-1:하기 화학식 (B2)-1 로 나타내는 화합물로 이루어지는 산 발생제.(B2) -1: An acid generator comprising a compound represented by the following formula (B2) -1.

(B2)-2:트리페닐술포늄노나플루오로-n-부탄술포네이트.(B2) -2: Triphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate.

(D)-1:하기 화학식 (D)-1 로 나타내는 화합물로 이루어지는 광 붕괴성 염기.(D) -1: A photodegradable base comprising a compound represented by the following formula (D) -1.

(F)-1:하기 화학식 (F)-1 로 나타내는 함불소 고분자 화합물. GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량 (Mw) 은 25000, 분자량 분산도 (Mw/Mn) 는 2.0. (F) -1: A fluorinated polymer compound represented by the following formula (F) -1. The mass average molecular weight (Mw) in terms of standard polystyrene determined by GPC measurement was 25000, and the molecular weight dispersion degree (Mw / Mn) was 2.0.

(S)-1:프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트/프로필렌글리콜모노메틸에테르/시클로헥사논 = 45/30/25 (질량비) 의 혼합 용제.(S) -1: Mixed solvent of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monomethyl ether / cyclohexanone = 45/30/25 (mass ratio).

[화학식 54](54)

Figure pat00056
Figure pat00056

얻어진 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트 패턴을 형성하고, 감도, 라인 위드스 러프니스 (LWR), 노광 여유도 (EL 마진) 의 각 평가를 각각 이하와 같이 하여 실시하였다.The obtained resist composition was used to form a resist pattern, and evaluation of sensitivity, line-through roughness (LWR), and exposure margin (EL margin) were carried out as follows.

<레지스트 패턴의 형성>≪ Formation of resist pattern &

12 인치의 실리콘 웨이퍼 상에, 유기계 반사 방지막 조성물 「ARC95」 (상품명, 브루어 사이언스사 제조) 를 스피너를 사용하여 도포하고, 핫 플레이트 상에서 205 ℃, 60 초간 소성하여 건조시킴으로써, 막두께 90 ㎚ 의 유기계 반사 방지막을 형성하였다.ARC95 " (trade name, manufactured by Brewer Science) was applied on a 12-inch silicon wafer using a spinner and baked on a hot plate at 205 DEG C for 60 seconds and dried to obtain an organic An antireflection film was formed.

이어서, 그 유기계 반사 방지막 상에, 각 예의 레지스트 조성물을 스피너를 사용하여 각각 도포하고, 핫 플레이트 상에서, 온도 110 ℃ 에서 60 초간의 프리베이크 (PAB) 처리를 실시하고, 건조시킴으로써, 막두께 90 ㎚ 의 레지스트막을 형성하였다.Subsequently, a resist composition of each example was coated on the organic antireflective film using a spinner, pre-baked (PAB) treatment was carried out on a hot plate at a temperature of 110 캜 for 60 seconds and dried to form a film having a thickness of 90 nm Of a resist film was formed.

다음으로, 그 레지스트막에 대해, 액침용 ArF 노광 장치 NSR-S609B [니콘사 제조;NA (개구 수) = 1.07, Dipole 0.97/0.78 with polano, 액침 매체:물] 에 의해, 바이너리 마스크를 통해 ArF 엑시머 레이저 (193 ㎚) 를 선택적으로 조사하였다.Next, ArF exposure was performed on the resist film by a Arithmetic ArF exposure apparatus NSR-S609B (manufactured by Nikon Corporation; NA (numerical aperture) = 1.07, Dipole 0.97 / 0.78 with polano, immersion medium: water) Excimer laser (193 nm) was selectively irradiated.

그 후, 온도 95 ℃ 에서 60 초간의 노광 후 가열 (PEB) 처리를 실시하였다.Thereafter, post-exposure baking (PEB) treatment was performed at a temperature of 95 캜 for 60 seconds.

이어서, 23 ℃ 에서 2.38 질량% 의 TMAH 수용액 (상품명:NMD-3, 도쿄 오카 공업 주식회사 제조) 으로 10 초간의 알칼리 현상을 실시하고, 그 후, 순수를 사용하여 30 초간의 물 린스를 실시하고, 털어내어 건조를 실시하였다.Subsequently, alkali development was performed for 10 seconds with a 2.38% by mass aqueous solution of TMAH (trade name: NMD-3, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at 23 占 폚 and then rinsed with pure water for 30 seconds, And was then shaken and dried.

그 결과, 어느 예에 있어서도, 라인 폭 50 ㎚, 피치 100 ㎚ 의 1:1 의 라인 앤드 스페이스 (LS) 패턴이 각각 형성되었다.As a result, a 1: 1 line-and-space (LS) pattern having a line width of 50 nm and a pitch of 100 nm was formed in each example.

각 예의 레지스트 패턴의 형성에 있어서, 그 LS 패턴이 각각 형성되는 최적 노광량 (감도) Eop (mJ/㎠) 를 구하였다. 그 결과를 표 3 에 나타낸다.In forming each example resist pattern, the optimum exposure amount (sensitivity) Eop (mJ / cm 2) at which the LS pattern was formed was obtained. The results are shown in Table 3.

[라인 위드스 러프니스 (LWR) 의 평가][Evaluation of line-through roughness (LWR)]

상기 <레지스트 패턴의 형성> 에 의해 형성된 LS 패턴에 있어서, 측장 SEM (주사형 전자 현미경, 가속 전압 300 V, 상품명:S-9380, 히타치 하이테크놀로지즈사 제조) 에 의해, 스페이스 폭을 스페이스의 길이 방향으로 400 군데 측정하고, 그 결과로부터 표준 편차 (s) 의 3 배값 (3s) 를 구하고, 400 군데의 3s 에 대해 평균화한 값 (㎚) 을 LWR 을 나타내는 척도로서 산출하였다. 그 결과를 표 3 에 나타낸다.The LS pattern formed by the above-mentioned < Formation of resist pattern > was subjected to measurement of the space width in the length direction of the space by SEM (scanning electron microscope, accelerating voltage 300 V, trade name: S-9380, Hitachi High Technologies) (3s) of the standard deviation (s) was obtained from the result, and a value (nm) averaged over 3s of 400 sites was calculated as a measure indicating the LWR. The results are shown in Table 3.

이 3s 의 값이 작을수록 그 선폭의 러프니스가 작고, 보다 균일폭의 LS 패턴이 얻어진 것을 의미한다.The smaller the value of 3s, the smaller the roughness of the line width and the more uniform LS pattern was obtained.

[노광 여유도 (EL 마진) 의 평가][Evaluation of exposure margin (EL margin)] [

상기 <레지스트 패턴의 형성> 에 의해 LS 패턴의 라인이 타겟 치수 (라인 폭 50 ㎚) 의 ±5 % (47.5 ㎚ ∼ 52.5 ㎚) 의 범위 내에서 형성될 때의 노광량을 구하고, 하기 식에 의해 EL 마진 (단위:%) 을 구하였다. 그 결과를 표 3 에 나타낸다.The exposure amount when the line of the LS pattern was formed within the range of ± 5% (47.5 nm to 52.5 nm) of the target dimension (line width of 50 nm) was found by the above <formation of the resist pattern> Margin (unit:%) was obtained. The results are shown in Table 3.

EL 마진 (%) = (|E1 - E2|/ Eop) × 100 EL margin (%) = (| E1 - E2 | / Eop) 100

E1:라인 폭 47.5 ㎚ 의 LS 패턴이 형성되었을 때의 노광량 (mJ/㎠) E1: exposure dose (mJ / cm &lt; 2 &gt;) when an LS pattern with a line width of 47.5 nm was formed

E2:라인 폭 52.5 ㎚ 의 LS 패턴이 형성되었을 때의 노광량 (mJ/㎠) E2: exposure dose (mJ / cm &lt; 2 &gt;) when an LS pattern having a line width of 52.5 nm was formed;

EL 마진은, 그 값이 클수록 노광량의 변동에 수반하는 패턴 사이즈의 변화량이 작은 것을 나타낸다.The larger the value of the EL margin, the smaller the amount of change in the pattern size accompanying the fluctuation of the exposure amount.

Figure pat00057
Figure pat00057

표 3 에 나타내는 결과로부터, 본 발명을 적용한 실시예 1 ∼ 7 의 레지스트 조성물은 러프니스가 저감된 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 것이 확인할 수 있다.
From the results shown in Table 3, it can be confirmed that the resist compositions of Examples 1 to 7 to which the present invention is applied can form a resist pattern with reduced roughness.

Claims (4)

산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분 (A) 및 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분 (B) 를 함유하는 레지스트 조성물로서,
상기 기재 성분 (A) 는 하기 일반식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위 (a0) 을 갖는 고분자 화합물 (A1) 을 포함하고,
상기 산 발생제 성분 (B) 는 하기 일반식 (b1) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 산 발생제 (B1) 을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물.
[화학식 1]
Figure pat00058

[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기이다. Va0 은 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이다. na0 은 0 ∼ 2 의 정수이다. Ra1 및 Ra2 는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 알콕시기, 혹은 알킬티오기이거나, 또는, Ra1 과 Ra2 가 서로 결합하여, 산소 원자 (-O-) 혹은 황 원자 (-S-) 를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기, 에테르 결합, 혹은 티오에테르 결합이 되어도 된다. Ra'01 은 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 하이드록시기 부분이 보호기로 보호되어 있어도 되고 또한 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기, 염을 형성하고 있는 카르복실기, 또는 치환 옥시카르보닐기이다. 2 개 이상의 Ra'01 이 존재하는 경우, 복수의 Ra'01 은 서로 동일하거나 상이하여도 된다. X 는 할로겐 원자, 카르복실기, 알콕시카르보닐기, 아실기, 니트로기 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택되는 치환기이다. 2 개 이상의 X 가 존재하는 경우, 복수의 X 는 서로 동일하거나 상이하여도 된다. p0 은 0 ∼ 8 의 정수이다. q0 은 1 ∼ 9 의 정수이다.]
[화학식 2]
Figure pat00059

[식 중, R101 은 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다. q'' 는 1 ∼ 20 의 정수이다. m 은 1 이상의 정수로서, Mm 는 m 가의 유기 카티온이다.]
1. A resist composition comprising a base component (A) whose solubility in a developer is changed by the action of an acid and an acid generator component (B) which generates an acid upon exposure,
(A) comprises the polymer (A1) having the structural unit (a0) represented by the following general formula (a0-1)
Wherein the acid generator component (B) comprises an acid generator (B1) comprising a compound represented by the following general formula (b1).
[Chemical Formula 1]
Figure pat00058

Wherein R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Va 0 is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent. n a0 is an integer of 0 to 2; Ra 1 and Ra 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group or an alkylthio group, or Ra 1 and Ra 2 are bonded to each other to form an oxygen atom (-O-) May be an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, an ether linkage, or a thioether linkage which may contain a linking group (-S-). Ra '01 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a hydroxy group protected by a protective group and may have a halogen atom, a carboxyl group , Or a substituted oxycarbonyl group. 'When 01 is present, a plurality of Ra' 2 or more Ra 01 is the same or different to each other. X is a substituent selected from the group consisting of a halogen atom, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, a nitro group and a cyano group. When two or more X's are present, the plurality of X's may be the same or different from each other. p 0 is an integer of 0 to 8; q 0 is an integer from 1 to 9.]
(2)
Figure pat00059

Wherein R 101 is a cyclic group which may have a substituent, a chain-like alkyl group which may have a substituent, or a chain-like alkenyl group which may have a substituent. q &quot; is an integer of 1 to 20; m is an integer of 1 or more, and M m + is an organic cation of m.
제 1 항에 있어서,
상기 고분자 화합물 (A1) 이 산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기를 포함하는 구성 단위 (a1) 을 갖는 레지스트 조성물.
The method according to claim 1,
(A1) in which the polymer compound (A1) has an acid-decomposable group whose polarity is increased by the action of an acid.
제 2 항에 있어서,
상기 고분자 화합물 (A1) 이 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기 또는 카보네이트 함유 고리형기를 포함하는 구성 단위 (a2) (단, 상기 구성 단위 (a0) 을 제외한다) 를 갖는 레지스트 조성물.
3. The method of claim 2,
Wherein the polymer compound (A1) comprises a structural unit (a2) (excluding the structural unit (a0)) comprising a lactone-containing cyclic group, -SO 2 -containing cyclic group or a carbonate-containing cyclic group.
제 1 항에 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 레지스트 조성물을 사용하여 지지체 상에 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 및 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법.

A process for producing a resist pattern, comprising the steps of: forming a resist film on a support using the resist composition according to any one of claims 1 to 3; exposing the resist film; and developing the resist film to form a resist pattern Wherein the resist pattern forming step comprises the steps of:

KR1020140033594A 2013-03-26 2014-03-21 Resist composition and method of forming resist pattern KR102206690B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2013-064407 2013-03-26
JP2013064407A JP6181955B2 (en) 2013-03-26 2013-03-26 Resist composition and resist pattern forming method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140117289A true KR20140117289A (en) 2014-10-07
KR102206690B1 KR102206690B1 (en) 2021-01-22

Family

ID=51837388

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140033594A KR102206690B1 (en) 2013-03-26 2014-03-21 Resist composition and method of forming resist pattern

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6181955B2 (en)
KR (1) KR102206690B1 (en)
TW (1) TWI599849B (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6518475B2 (en) * 2015-03-20 2019-05-22 東京応化工業株式会社 Resist composition, method of forming resist pattern, acid generator and compound

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003241385A (en) 2001-12-03 2003-08-27 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Positive resist composition and method of forming resist pattern using the same
JP2008231059A (en) 2007-03-22 2008-10-02 Daicel Chem Ind Ltd Polycyclic ester containing electron-withdrawing substituent and lactone skeleton, its polymer compound and photoresist composition
JP2009025723A (en) 2007-07-23 2009-02-05 Fujifilm Corp Resist composition for negative development and pattern forming method using same
KR20090079829A (en) * 2008-01-18 2009-07-22 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Positive resist compositions and patterning process
JP2010138330A (en) * 2008-12-12 2010-06-24 Fujifilm Corp Active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and method for forming pattern using the same
JP2012073508A (en) * 2010-09-29 2012-04-12 Fujifilm Corp Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, and pattern formation method
JP2012208432A (en) * 2011-03-30 2012-10-25 Fujifilm Corp Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, manufacturing method of electronic device and electronic device
KR20130000347A (en) * 2011-06-22 2013-01-02 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Patterning process and resist composition
KR20130009695A (en) * 2011-07-14 2013-01-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Patterning process and resist composition

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4513989B2 (en) * 2008-01-18 2010-07-28 信越化学工業株式会社 Positive resist material and pattern forming method
JP4771101B2 (en) * 2008-09-05 2011-09-14 信越化学工業株式会社 Positive resist material and pattern forming method
JP5499889B2 (en) * 2009-05-20 2014-05-21 信越化学工業株式会社 Acid-eliminating ester-type monomer having spiro ring structure, polymer compound, resist material, and pattern forming method
JP5206986B2 (en) * 2009-06-04 2013-06-12 信越化学工業株式会社 Positive resist material and pattern forming method
JP5666408B2 (en) * 2011-01-28 2015-02-12 信越化学工業株式会社 Resist composition and pattern forming method using the same
JP5776580B2 (en) * 2011-02-25 2015-09-09 信越化学工業株式会社 Positive resist material and pattern forming method using the same

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003241385A (en) 2001-12-03 2003-08-27 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Positive resist composition and method of forming resist pattern using the same
JP2008231059A (en) 2007-03-22 2008-10-02 Daicel Chem Ind Ltd Polycyclic ester containing electron-withdrawing substituent and lactone skeleton, its polymer compound and photoresist composition
JP2009025723A (en) 2007-07-23 2009-02-05 Fujifilm Corp Resist composition for negative development and pattern forming method using same
KR20090079829A (en) * 2008-01-18 2009-07-22 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Positive resist compositions and patterning process
JP2010138330A (en) * 2008-12-12 2010-06-24 Fujifilm Corp Active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and method for forming pattern using the same
JP2012073508A (en) * 2010-09-29 2012-04-12 Fujifilm Corp Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, and pattern formation method
JP2012208432A (en) * 2011-03-30 2012-10-25 Fujifilm Corp Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, manufacturing method of electronic device and electronic device
KR20130000347A (en) * 2011-06-22 2013-01-02 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Patterning process and resist composition
KR20130009695A (en) * 2011-07-14 2013-01-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Patterning process and resist composition

Also Published As

Publication number Publication date
KR102206690B1 (en) 2021-01-22
TWI599849B (en) 2017-09-21
JP6181955B2 (en) 2017-08-16
JP2014191060A (en) 2014-10-06
TW201447490A (en) 2014-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180061016A (en) Resist composition, method of forming resist pattern, compound, and acid generator
KR102153293B1 (en) Resist composition and method of forming resist pattern
KR20180002048A (en) Resist composition and method of forming resist pattern
KR20180031571A (en) Resisit composition and method of forming resist pattern
KR101581121B1 (en) Resist composition and method of forming resist pattern
KR20150015375A (en) Resist composition, acid generator, polymeric compound and method of forming resist pattern
KR102322181B1 (en) Resist composition and method for forming resist pattern
KR101547726B1 (en) Compound, resist composition and method of forming resist pattern
KR20170070843A (en) Resist composition, method of forming resist pattern, compound and acid generator
KR20190080768A (en) Resist composition and method of forming resist pattern
KR20180015577A (en) Resist composition and method for forming resist pattern
KR20190080767A (en) Resist composition, method of forming resist pattern, compound, and acid diffusion control agent
KR20140100413A (en) Resist composition, polymeric compound, compound and method of forming resist pattern
KR102158966B1 (en) Resist composition and method of forming resist pattern
KR20180090473A (en) Resist composition and method of forming resist pattern
KR20170074797A (en) Resist composition, method of forming resist pattern, acid generator component, and compound
KR20190077226A (en) Resist composition and method of forming resist pattern
KR20180031593A (en) Resist composition and method of forming resist pattern
KR20180026334A (en) Resist composition and method of forming resist pattern
KR20190080769A (en) Resist composition, method of forming resist pattern, and compound
KR20160024792A (en) Resist composition and method of forming resist pattern
KR20160040105A (en) Method of forming resist pattern
KR20180111633A (en) Resist composition and method of forming resist pattern
KR20180110608A (en) Resist composition, method of forming resist pattern, fluorine-containing compound, and compound
KR20170064477A (en) Resist composition, method of forming resist pattern and compound

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant