KR20170070843A - Resist composition, method of forming resist pattern, compound and acid generator - Google Patents
Resist composition, method of forming resist pattern, compound and acid generator Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170070843A KR20170070843A KR1020160170774A KR20160170774A KR20170070843A KR 20170070843 A KR20170070843 A KR 20170070843A KR 1020160170774 A KR1020160170774 A KR 1020160170774A KR 20160170774 A KR20160170774 A KR 20160170774A KR 20170070843 A KR20170070843 A KR 20170070843A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- atom
- carbon atoms
- compound
- formula
- Prior art date
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 187
- 239000002253 acid Substances 0.000 title claims abstract description 150
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 119
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 97
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 85
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims abstract description 82
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims abstract description 62
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims abstract description 54
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 claims abstract description 38
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims abstract description 38
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims abstract description 36
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims abstract description 28
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 27
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 claims abstract description 25
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims abstract description 22
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 254
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical group C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 32
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 25
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 18
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 229
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 180
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 158
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 150
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 113
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 96
- -1 oxime sulfonate Chemical class 0.000 description 89
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 69
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 68
- 239000010408 film Substances 0.000 description 67
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 62
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 53
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 53
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 42
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 41
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 38
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 37
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 36
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 36
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 33
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 description 32
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 31
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 31
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 30
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 26
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 26
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 25
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 23
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 23
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 23
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 21
- 238000011161 development Methods 0.000 description 21
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 21
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 21
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 19
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 18
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 17
- 239000002585 base Substances 0.000 description 17
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 17
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical group C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 16
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 16
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 15
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical group C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 14
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 14
- XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenol Chemical compound OC=CC1=CC=CC=C1 XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 13
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 13
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 12
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 12
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 12
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- XUDBVJCTLZTSDC-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylbenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C=C XUDBVJCTLZTSDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 11
- UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N norbornane Chemical compound C1C[C@H]2CC[C@@H]1C2 UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 11
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 10
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 10
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 9
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N mono-hydroxyphenyl-ethylene Natural products OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 9
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 9
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 9
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 8
- IAZDPXIOMUYVGZ-WFGJKAKNSA-N Dimethyl sulfoxide Chemical compound [2H]C([2H])([2H])S(=O)C([2H])([2H])[2H] IAZDPXIOMUYVGZ-WFGJKAKNSA-N 0.000 description 8
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 8
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 8
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 8
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 8
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 8
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 8
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 8
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 8
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 7
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 7
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 7
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 7
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 6
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 6
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QNVRIHYSUZMSGM-UHFFFAOYSA-N hexan-2-ol Chemical compound CCCCC(C)O QNVRIHYSUZMSGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 6
- 150000002892 organic cations Chemical class 0.000 description 6
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 6
- 125000003258 trimethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 6
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 5
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 5
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 5
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 5
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 5
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 5
- 125000004817 pentamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 5
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 5
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 5
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CETWDUZRCINIHU-UHFFFAOYSA-N 2-heptanol Chemical compound CCCCCC(C)O CETWDUZRCINIHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 4
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 4
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 4
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 4
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 4
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 4
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical group C1(=CCCCC1)* 0.000 description 4
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 4
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 238000004811 liquid chromatography Methods 0.000 description 4
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 4
- 125000002868 norbornyl group Chemical group C12(CCC(CC1)C2)* 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- FTVLMFQEYACZNP-UHFFFAOYSA-N trimethylsilyl trifluoromethanesulfonate Chemical compound C[Si](C)(C)OS(=O)(=O)C(F)(F)F FTVLMFQEYACZNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- JWZZKOKVBUJMES-UHFFFAOYSA-N (+-)-Isoprenaline Chemical compound CC(C)NCC(O)C1=CC=C(O)C(O)=C1 JWZZKOKVBUJMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QNVRIHYSUZMSGM-LURJTMIESA-N 2-Hexanol Natural products CCCC[C@H](C)O QNVRIHYSUZMSGM-LURJTMIESA-N 0.000 description 3
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001241 acetals Chemical class 0.000 description 3
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 3
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 3
- 125000004450 alkenylene group Chemical group 0.000 description 3
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 3
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 3
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 3
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 3
- CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N methyl pyruvate Chemical compound COC(=O)C(C)=O CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003506 n-propoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 3
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1CC KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical group C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 1-heptanol Chemical compound CCCCCCCO BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 2
- OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 2,5-hexanedione Chemical compound CC(=O)CCC(C)=O OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BJINVQNEBGOMCR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound COCCOCCOC(C)=O BJINVQNEBGOMCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DJYQGDNOPVHONN-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(2-acetyloxyethyl)amino]ethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCN(CCOC(C)=O)CCOC(C)=O DJYQGDNOPVHONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004493 2-methylbut-1-yl group Chemical group CC(C*)CC 0.000 description 2
- 125000005916 2-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004924 2-naphthylethyl group Chemical group C1=C(C=CC2=CC=CC=C12)CC* 0.000 description 2
- ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 2-octanone Chemical compound CCCCCCC(C)=O ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 125000005917 3-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 2
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-Dimethylaminopyridine Chemical compound CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 4-heptanone Chemical compound CCCC(=O)CCC HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FFWSICBKRCICMR-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-hexanone Chemical compound CC(C)CCC(C)=O FFWSICBKRCICMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWATWSYOIIXYMA-UHFFFAOYSA-N Pentylbenzene Chemical compound CCCCCC1=CC=CC=C1 PWATWSYOIIXYMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSWOKFODOPIESP-UHFFFAOYSA-M [Br-].FC(F)(F)C1=CC=CC([Mg+])=C1 Chemical compound [Br-].FC(F)(F)C1=CC=CC([Mg+])=C1 WSWOKFODOPIESP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NMJJFJNHVMGPGM-UHFFFAOYSA-N butyl formate Chemical compound CCCCOC=O NMJJFJNHVMGPGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005587 carbonate group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002433 cyclopentenyl group Chemical group C1(=CCCC1)* 0.000 description 2
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N dibenzothiophene Chemical group C1=CC=CC=2[34S]C3=C(C=21)C=CC=C3 IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N 0.000 description 2
- MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N dibenzyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1COCC1=CC=CC=C1 MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GIMBWMBFSHKEQU-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O.CCCCCC(C)=O GIMBWMBFSHKEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 2
- VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N hexamethylenetetramine Chemical compound C1N(C2)CN3CN1CN2C3 VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N isoamyl acetate Chemical compound CC(C)CCOC(C)=O MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004491 isohexyl group Chemical group C(CCC(C)C)* 0.000 description 2
- HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N isophorone Chemical compound CC1=CC(=O)CC(C)(C)C1 HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- XQNUHMQSOMLVGM-UHFFFAOYSA-M magnesium;1,3-difluorobenzene-5-ide;bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].FC1=C[C-]=CC(F)=C1 XQNUHMQSOMLVGM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- ZQMHJBXHRFJKOT-UHFFFAOYSA-N methyl 2-[(1-methoxy-2-methyl-1-oxopropan-2-yl)diazenyl]-2-methylpropanoate Chemical compound COC(=O)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(=O)OC ZQMHJBXHRFJKOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZIHFWKZFHZASV-UHFFFAOYSA-N methyl formate Chemical compound COC=O TZIHFWKZFHZASV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctyloctan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCCCCCCC)CCCCCCCC XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VKCYHJWLYTUGCC-UHFFFAOYSA-N nonan-2-one Chemical compound CCCCCCCC(C)=O VKCYHJWLYTUGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- SJWFXCIHNDVPSH-UHFFFAOYSA-N octan-2-ol Chemical compound CCCCCCC(C)O SJWFXCIHNDVPSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004010 onium ions Chemical class 0.000 description 2
- 125000004043 oxo group Chemical group O=* 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 2
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N propionitrile Chemical compound CCC#N FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003548 sec-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 2
- 125000005017 substituted alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 2
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- GVIJJXMXTUZIOD-UHFFFAOYSA-N thianthrene Chemical group C1=CC=C2SC3=CC=CC=C3SC2=C1 GVIJJXMXTUZIOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 1
- WCRJSEARWSNVQQ-UHFFFAOYSA-N (3-methoxy-2-methylpentyl) acetate Chemical compound CCC(OC)C(C)COC(C)=O WCRJSEARWSNVQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGUVLZREKBPKCE-UHFFFAOYSA-N 1,5-diazabicyclo[4.3.0]-non-5-ene Chemical compound C1CCN=C2CCCN21 SGUVLZREKBPKCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHLKSIOJYMGSMB-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-3,5-difluorobenzene Chemical compound FC1=CC(F)=CC(Br)=C1 JHLKSIOJYMGSMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNMBNYHMJRJUBC-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-3-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(Br)=C1 NNMBNYHMJRJUBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006218 1-ethylbutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 1-hexanamine Chemical compound CCCCCCN BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQLIGMASAVJVON-UHFFFAOYSA-N 1-naphthalen-1-ylethanone Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)C)=CC=CC2=C1 QQLIGMASAVJVON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCOCC(C)OC(C)=O DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004293 19F NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCCCN2CCCN=C21 GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBALTUBRZPIPZ-UHFFFAOYSA-N 2,6-di(propan-2-yl)aniline Chemical compound CC(C)C1=CC=CC(C(C)C)=C1N WKBALTUBRZPIPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXXFZKQPYACQLD-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCOCCO XXXFZKQPYACQLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGLVDUUYFKXKPL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)-n,n-bis[2-(2-methoxyethoxy)ethyl]ethanamine Chemical compound COCCOCCN(CCOCCOC)CCOCCOC XGLVDUUYFKXKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMRPQUDARIAGBM-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCOCCOC1=CC=CC=C1 FMRPQUDARIAGBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWQAFGZJIHVLGX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCOCCOCCOC(C)=O GWQAFGZJIHVLGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHOPWFKONJYLCF-UHFFFAOYSA-N 2-(2-sulfanylethyl)isoindole-1,3-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)N(CCS)C(=O)C2=C1 UHOPWFKONJYLCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTKFSQKHCMEMO-UHFFFAOYSA-N 2-(methoxymethoxy)-n,n-bis[2-(methoxymethoxy)ethyl]ethanamine Chemical compound COCOCCN(CCOCOC)CCOCOC NRTKFSQKHCMEMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IELTYWXGBMOKQF-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxybutyl acetate Chemical compound CCOC(CC)COC(C)=O IELTYWXGBMOKQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCO HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPPFYBPQAPISCT-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl acetate Chemical compound CC(O)COC(C)=O PPPFYBPQAPISCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWUWDFWEMWMTHX-UHFFFAOYSA-N 2-methoxybutyl acetate Chemical compound CCC(OC)COC(C)=O ZWUWDFWEMWMTHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUAXPJTWOJMABP-UHFFFAOYSA-N 2-methoxypentyl acetate Chemical compound CCCC(OC)COC(C)=O CUAXPJTWOJMABP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004135 2-norbornyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C2([H])C([H])([H])C1([H])C([H])([H])C2([H])* 0.000 description 1
- WHFKYDMBUMLWDA-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCOC1=CC=CC=C1 WHFKYDMBUMLWDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMAQLCVJIYANPZ-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethyl acetate Chemical compound CCCOCCOC(C)=O QMAQLCVJIYANPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATVJJNGVPSKBGO-UHFFFAOYSA-N 3,4-dihydro-2h-thiopyran Chemical group C1CSC=CC1 ATVJJNGVPSKBGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 3-methoxybutyl acetate Chemical compound COC(C)CCOC(C)=O QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMUMFCGQLRQGCR-UHFFFAOYSA-N 3-methoxypentyl acetate Chemical compound CCC(OC)CCOC(C)=O NMUMFCGQLRQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBWLLBDCDDWTBV-UHFFFAOYSA-N 4-ethoxybutyl acetate Chemical compound CCOCCCCOC(C)=O VBWLLBDCDDWTBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMLBDDCTBHGHEO-UHFFFAOYSA-N 4-methoxybutyl acetate Chemical compound COCCCCOC(C)=O LMLBDDCTBHGHEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQILQHFLUYJMSM-UHFFFAOYSA-N 4-methoxypentyl acetate Chemical compound COC(C)CCCOC(C)=O GQILQHFLUYJMSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGBAEJOFXMSUPI-UHFFFAOYSA-N 4-propoxybutyl acetate Chemical compound CCCOCCCCOC(C)=O XGBAEJOFXMSUPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- AXPZDYVDTMMLNB-UHFFFAOYSA-N Benzyl ethyl ether Chemical compound CCOCC1=CC=CC=C1 AXPZDYVDTMMLNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N Butyl lactate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)O MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-M Butyrate Chemical compound CCCC([O-])=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N Cyclobutane Chemical compound C1CCC1 PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N Decylamine Chemical compound CCCCCCCCCCN MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N Diazomethane Chemical compound C=[N+]=[N-] YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYFHYPJRHGVZDY-UHFFFAOYSA-N Dibutyl phosphate Chemical compound CCCCOP(O)(=O)OCCCC JYFHYPJRHGVZDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBPCUCUWBYBCDP-UHFFFAOYSA-N Dicyclohexylamine Chemical compound C1CCCCC1NC1CCCCC1 XBPCUCUWBYBCDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical group F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WJYIASZWHGOTOU-UHFFFAOYSA-N Heptylamine Chemical compound CCCCCCCN WJYIASZWHGOTOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- IJMWOMHMDSDKGK-UHFFFAOYSA-N Isopropyl propionate Chemical compound CCC(=O)OC(C)C IJMWOMHMDSDKGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N Methylacetoacetic acid Chemical compound COC(=O)CC(C)=O WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFFFKMOABOFIDF-UHFFFAOYSA-N Pentanenitrile Chemical compound CCCCC#N RFFFKMOABOFIDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLZHNIAADXEJJP-UHFFFAOYSA-N Phenylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)C1=CC=CC=C1 QLZHNIAADXEJJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N Triisopropanolamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CC(C)O SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007877 V-601 Substances 0.000 description 1
- XRLHGXGMYJNYCR-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-(2-hydroxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CC(O)=O.CC(O)COC(C)CO XRLHGXGMYJNYCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000004849 alkoxymethyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005233 alkylalcohol group Chemical group 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229940072049 amyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N anhydrous amyl acetate Natural products CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000001204 arachidyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002635 aromatic organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000002511 behenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940006460 bromide ion Drugs 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- YFNONBGXNFCTMM-UHFFFAOYSA-N butoxybenzene Chemical compound CCCCOC1=CC=CC=C1 YFNONBGXNFCTMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001191 butyl (2R)-2-hydroxypropanoate Substances 0.000 description 1
- ZAZUOXBHFXAWMD-UHFFFAOYSA-N butyl 2-oxopropanoate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=O ZAZUOXBHFXAWMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043232 butyl acetate Drugs 0.000 description 1
- DFFDSQBEGQFJJU-UHFFFAOYSA-M butyl carbonate Chemical compound CCCCOC([O-])=O DFFDSQBEGQFJJU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N butyronitrile Chemical compound CCCC#N KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004063 butyryl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012986 chain transfer agent Substances 0.000 description 1
- NFJPGAKRJKLOJK-UHFFFAOYSA-N chembl1901631 Chemical compound CCCCOP(=O)OCCCC NFJPGAKRJKLOJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 125000006841 cyclic skeleton Chemical group 0.000 description 1
- 150000001924 cycloalkanes Chemical group 0.000 description 1
- 125000004956 cyclohexylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 229930007927 cymene Natural products 0.000 description 1
- 238000006114 decarboxylation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005265 dialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- CSYSRRCOBYEGPI-UHFFFAOYSA-N diazo(sulfonyl)methane Chemical class [N-]=[N+]=C=S(=O)=O CSYSRRCOBYEGPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIKLBOVJFKIOTL-UHFFFAOYSA-N diazomethane Chemical compound C=[N+]=[N-].C=[N+]=[N-] HIKLBOVJFKIOTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- UYAAVKFHBMJOJZ-UHFFFAOYSA-N diimidazo[1,3-b:1',3'-e]pyrazine-5,10-dione Chemical compound O=C1C2=CN=CN2C(=O)C2=CN=CN12 UYAAVKFHBMJOJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N diisopropanolamine Chemical compound CC(O)CNCC(C)O LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043276 diisopropanolamine Drugs 0.000 description 1
- YLFBFPXKTIQSSY-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(oxo)phosphanium Chemical compound CO[P+](=O)OC YLFBFPXKTIQSSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LAWOZCWGWDVVSG-UHFFFAOYSA-N dioctylamine Chemical compound CCCCCCCCNCCCCCCCC LAWOZCWGWDVVSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASMQGLCHMVWBQR-UHFFFAOYSA-M diphenyl phosphate Chemical compound C=1C=CC=CC=1OP(=O)([O-])OC1=CC=CC=C1 ASMQGLCHMVWBQR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940042400 direct acting antivirals phosphonic acid derivative Drugs 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- IJUHLFUALMUWOM-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-methoxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)CCOC IJUHLFUALMUWOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093499 ethyl acetate Drugs 0.000 description 1
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNFXXAGQEUUZAZ-UHFFFAOYSA-N ethyl ethaneperoxoate Chemical compound CCOOC(C)=O KNFXXAGQEUUZAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N formic acid ethyl ester Natural products CCOC=O WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 description 1
- 210000004392 genitalia Anatomy 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- VPVSTMAPERLKKM-UHFFFAOYSA-N glycoluril Chemical compound N1C(=O)NC2NC(=O)NC21 VPVSTMAPERLKKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 125000000755 henicosyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M heptanoate Chemical compound CCCCCCC([O-])=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004312 hexamethylene tetramine Substances 0.000 description 1
- 235000010299 hexamethylene tetramine Nutrition 0.000 description 1
- JARKCYVAAOWBJS-UHFFFAOYSA-N hexanal Chemical compound CCCCCC=O JARKCYVAAOWBJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- XLSMFKSTNGKWQX-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetone Chemical compound CC(=O)CO XLSMFKSTNGKWQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M iodide Chemical compound [I-] XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940006461 iodide ion Drugs 0.000 description 1
- 229930002839 ionone Natural products 0.000 description 1
- 150000002499 ionone derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940117955 isoamyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 125000002510 isobutoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 description 1
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-M isovalerate Chemical compound CC(C)CC([O-])=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000004715 keto acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000002960 margaryl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- RMIODHQZRUFFFF-UHFFFAOYSA-M methoxyacetate Chemical compound COCC([O-])=O RMIODHQZRUFFFF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- YWTJTYXQYJSKNB-UHFFFAOYSA-N methyl propaneperoxoate Chemical compound CCC(=O)OOC YWTJTYXQYJSKNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001421 myristyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- ZQJAONQEOXOVNR-UHFFFAOYSA-N n,n-di(nonyl)nonan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCN(CCCCCCCCC)CCCCCCCCC ZQJAONQEOXOVNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXHTZQSKTCCMFG-UHFFFAOYSA-N n,n-dibenzyl-1-phenylmethanamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1CN(CC=1C=CC=CC=1)CC1=CC=CC=C1 MXHTZQSKTCCMFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COFKFSSWMQHKMD-UHFFFAOYSA-N n,n-didecyldecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCN(CCCCCCCCCC)CCCCCCCCCC COFKFSSWMQHKMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLZGJKHEVKJLLS-UHFFFAOYSA-N n,n-diheptylheptan-1-amine Chemical compound CCCCCCCN(CCCCCCC)CCCCCCC CLZGJKHEVKJLLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIAIBWNEUYXDNL-UHFFFAOYSA-N n,n-dihexylhexan-1-amine Chemical compound CCCCCCN(CCCCCC)CCCCCC DIAIBWNEUYXDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOHAUGDGCWURIT-UHFFFAOYSA-N n,n-dipentylpentan-1-amine Chemical compound CCCCCN(CCCCC)CCCCC OOHAUGDGCWURIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006606 n-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- NJWMENBYMFZACG-UHFFFAOYSA-N n-heptylheptan-1-amine Chemical compound CCCCCCCNCCCCCCC NJWMENBYMFZACG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004923 naphthylmethyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C* 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 description 1
- IZJVVXCHJIQVOL-UHFFFAOYSA-N nitro(phenyl)methanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C([N+]([O-])=O)C1=CC=CC=C1 IZJVVXCHJIQVOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001196 nonadecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006344 nonafluoro n-butyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- FJDUDHYHRVPMJZ-UHFFFAOYSA-N nonan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCN FJDUDHYHRVPMJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHFUZHODSMOHU-UHFFFAOYSA-N nonanal Chemical compound CCCCCCCCC=O GYHFUZHODSMOHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NUJGJRNETVAIRJ-UHFFFAOYSA-N octanal Chemical compound CCCCCCCC=O NUJGJRNETVAIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDXVUROVRIFQMV-UHFFFAOYSA-N oxo(diphenoxy)phosphanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[P+](=O)OC1=CC=CC=C1 CDXVUROVRIFQMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQKYHDHLEMEVDR-UHFFFAOYSA-N oxo-bis(phenylmethoxy)phosphanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1CO[P+](=O)OCC1=CC=CC=C1 RQKYHDHLEMEVDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005616 oxoacid group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005740 oxycarbonyl group Chemical group [*:1]OC([*:2])=O 0.000 description 1
- HFPZCAJZSCWRBC-UHFFFAOYSA-N p-cymene Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C)C=C1 HFPZCAJZSCWRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002958 pentadecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- FYJQJMIEZVMYSD-UHFFFAOYSA-N perfluoro-2-butyltetrahydrofuran Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)OC(F)(F)C(F)(F)C1(F)F FYJQJMIEZVMYSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N phenetole Chemical compound CCOC1=CC=CC=C1 DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJSGGHOYGKMUPT-UHFFFAOYSA-N phenoxathiine Chemical group C1=CC=C2OC3=CC=CC=C3SC2=C1 GJSGGHOYGKMUPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- QCCDLTOVEPVEJK-UHFFFAOYSA-N phenylacetone Chemical compound CC(=O)CC1=CC=CC=C1 QCCDLTOVEPVEJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MLCHBQKMVKNBOV-UHFFFAOYSA-N phenylphosphinic acid Chemical compound OP(=O)C1=CC=CC=C1 MLCHBQKMVKNBOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003007 phosphonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000003008 phosphonic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- ILPVOWZUBFRIAX-UHFFFAOYSA-N propyl 2-oxopropanoate Chemical compound CCCOC(=O)C(C)=O ILPVOWZUBFRIAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCMFJIHDWDKYIL-UHFFFAOYSA-N propyl 3-methoxypropanoate Chemical compound CCCOC(=O)CCOC JCMFJIHDWDKYIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOWDZVNRQHPXDO-UHFFFAOYSA-N propyl hydrogen carbonate Chemical compound CCCOC(O)=O FOWDZVNRQHPXDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004063 propylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 1
- 229940116423 propylene glycol diacetate Drugs 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000004007 reversed phase HPLC Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000005619 secondary aliphatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002345 steroid group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003011 styrenyl group Chemical group [H]\C(*)=C(/[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 1
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 description 1
- 125000000565 sulfonamide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003456 sulfonamides Chemical group 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 150000008053 sultones Chemical class 0.000 description 1
- 125000004213 tert-butoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(O*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- LPQZERIRKRYGGM-UHFFFAOYSA-N tert-butyl pyrrolidine-1-carboxylate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)N1CCCC1 LPQZERIRKRYGGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003510 tertiary aliphatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003718 tetrahydrofuranyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001412 tetrahydropyranyl group Chemical group 0.000 description 1
- RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-N tetrahydrothiophene Chemical group C1CCSC1 RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000005270 trialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012953 triphenylsulfonium Substances 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(과제) 레지스트 조성물용 산 발생제로서 유용한 신규 화합물, 당해 화합물을 사용한 산 발생제, 당해 산 발생제를 함유하는 레지스트 조성물 및 당해 레지스트 조성물을 사용한 레지스트 패턴 형성 방법의 제공.
(해결 수단) 일반식 (b1) 로 나타내는 화합물을 함유하는 레지스트 조성물. 식 (b1) 중, Rb1 은, 불소 원자, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 시아노기 및 -SO2Rb10 으로 이루어지는 군에서 선택되는 전자 흡인성기를 갖는 방향 고리를 나타낸다 (단, 상기 방향 고리가 벤젠 고리인 경우, 상기 전자 흡인성기는 벤젠 고리의 적어도 일방의 메타 위치에 결합하고 있다). Rb21 및 Rb22 는, 불소 원자, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 시아노기 및 -SO2Rb20 으로 이루어지는 군에서 선택되는 전자 흡인성기를 갖고 있어도 되는 방향 고리를 나타낸다. Z 는, 황 원자, 산소 원자, 카르보닐기 또는 단결합을 나타낸다. X- 는, 카운터 아니온 (단, BF4 - 를 제외한다) 을 나타낸다.
[화학식 1]
A novel compound useful as an acid generator for a resist composition, an acid generator using the compound, a resist composition containing the acid generator, and a method of forming a resist pattern using the resist composition.
(Solution) A resist composition containing a compound represented by the general formula (b1). In formula (b1), R b1 represents an aromatic ring having an electron-withdrawing group selected from the group consisting of a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a nitro group, a cyano group and -SO 2 R b10 Is a benzene ring, the electron-withdrawing group is bonded to the meta position of at least one of the benzene rings. R b21 and R b22 represent an aromatic ring which may have an electron-withdrawing group selected from the group consisting of a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a nitro group, a cyano group and -SO 2 R b20 . Z represents a sulfur atom, an oxygen atom, a carbonyl group or a single bond. X - represents the counter no (except BF 4 - ).
[Chemical Formula 1]
Description
본 발명은 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법, 그리고, 화합물 및 산 발생제에 관한 것이다.The present invention relates to a resist composition and a method for forming a resist pattern, and to a compound and an acid generator.
리소그래피 기술에 있어서는, 예를 들어 기판 상에 레지스트 재료로 이루어지는 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 대하여 선택적 노광을 실시하고, 현상 처리를 실시함으로써, 상기 레지스트막에 소정 형상의 레지스트 패턴을 형성하는 공정이 실시된다. 레지스트막의 노광부가 현상액에 용해되는 특성으로 변화하는 레지스트 재료를 포지티브형, 레지스트막의 노광부가 현상액에 용해되지 않는 특성으로 변화하는 레지스트 재료를 네거티브형이라고 한다.In lithography, for example, a resist film made of a resist material is formed on a substrate, a selective exposure is performed on the resist film, and a development process is performed to form a resist pattern of a predetermined shape on the resist film . A resist material in which the exposure part of the resist film changes in characteristics to be dissolved in the developing solution is referred to as a positive type and a resist material which changes to a property that the exposed part of the resist film does not dissolve in the developing solution is referred to as a negative type.
최근, 반도체 소자나 액정 표시 소자의 제조에 있어서는, 리소그래피 기술의 진보에 의해 급속히 패턴의 미세화가 진행되고 있다. 미세화의 수법으로는, 일반적으로, 노광 광원의 단파장화 (고에너지화) 가 실시되고 있다. 구체적으로는, 종래에는 g 선, i 선으로 대표되는 자외선이 사용되고 있었지만, 현재는 KrF 엑시머 레이저나, ArF 엑시머 레이저를 사용한 반도체 소자의 양산이 실시되고 있다. 또, 이들 엑시머 레이저보다 단파장 (고에너지) 의 EUV (극자외선) 나, EB (전자선), X 선 등에 대해서도 검토가 실시되고 있다.BACKGROUND ART [0002] In recent years, in the production of semiconductor devices and liquid crystal display devices, pattern miniaturization has progressed rapidly by the progress of lithography technology. In general, the exposure light source is shortened (made into a high energy) by the technique of micronization. Specifically, conventionally, ultraviolet rays represented by g-line and i-line have been used, but now, mass production of semiconductor devices using KrF excimer laser or ArF excimer laser has been carried out. EUV (extreme ultraviolet), EB (electron beam), X-ray and the like having a shorter wavelength (high energy) than these excimer lasers have also been studied.
레지스트 재료에는, 이들 노광 광원에 대한 감도, 미세한 치수의 패턴을 재현할 수 있는 해상성 등의 리소그래피 특성이 요구된다.Resist materials are required to have lithography properties such as sensitivity to resolution of these exposure light sources and resolving ability to reproduce patterns of fine dimensions.
이와 같은 요구를 만족시키는 레지스트 재료로서, 종래, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분과, 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분을 함유하는 화학 증폭형 레지스트 조성물이 사용되고 있다. As a resist material satisfying such a demand, a chemically amplified resist composition containing a base component whose solubility in a developing solution changes by the action of an acid and an acid generator component which generates an acid by exposure is conventionally used .
예를 들어 상기 현상액이 알칼리 현상액 (알칼리 현상 프로세스) 인 경우, 포지티브형의 화학 증폭형 레지스트 조성물로는, 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대하는 수지 성분 (베이스 수지) 과 산 발생제 성분을 함유하는 것이 일반적으로 사용되고 있다. 이러한 레지스트 조성물을 사용하여 형성되는 레지스트막은, 레지스트 패턴 형성시에 선택적 노광을 실시하면, 노광부에 있어서, 산 발생제 성분으로부터 산이 발생하고, 그 산의 작용에 의해 베이스 수지의 극성이 증대하여, 레지스트막의 노광부가 알칼리 현상액에 대하여 가용이 된다. 그 때문에 알칼리 현상함으로써, 레지스트막의 미노광부가 패턴으로서 남는 포지티브형 패턴이 형성된다.For example, when the developer is an alkali developing solution (alkali developing process), the positive chemical amplification type resist composition includes a resin component (base resin) that increases the solubility in an alkali developing solution by the action of an acid, Is generally used. When a resist film formed using such a resist composition is subjected to selective exposure at the time of forming a resist pattern, acid is generated from the acid generator component in the exposed portion, and the polarity of the base resin is increased by the action of the acid, The exposed portion of the resist film becomes soluble in the alkali developing solution. As a result, a positive pattern in which the unexposed portion of the resist film remains as a pattern is formed by alkali development.
한편, 이와 같은 화학 증폭형 레지스트 조성물을, 유기 용제를 포함하는 현상액 (유기계 현상액) 을 사용한 용제 현상 프로세스에 적용한 경우, 베이스 수지의 극성이 증대하면, 상대적으로 유기계 현상액에 대한 용해성이 저하되기 때문에, 레지스트막의 미노광부가 유기계 현상액에 의해 용해, 제거되어, 레지스트막의 노광부가 패턴으로서 남는 네거티브형 레지스트 패턴이 형성된다. 이와 같이 네거티브형 레지스트 패턴을 형성하는 용제 현상 프로세스를 네거티브형 현상 프로세스라고 하는 경우가 있다.On the other hand, when such a chemically amplified resist composition is applied to a solvent developing process using a developing solution (organic developing solution) containing an organic solvent, the solubility of the organic developing solution relatively decreases as the polarity of the base resin increases, A negative resist pattern is formed in which the unexposed portion of the resist film is dissolved or removed by the organic developer to leave as an exposed pattern portion of the resist film. As described above, the solvent developing process for forming the negative resist pattern is sometimes referred to as a negative developing process.
화학 증폭형 레지스트 조성물에 있어서 사용되는 베이스 수지는, 일반적으로, 리소그래피 특성 등의 향상을 위해서, 복수의 구성 단위를 갖고 있다.The base resin used in the chemically amplified resist composition generally has a plurality of constituent units for the purpose of improving lithography characteristics and the like.
예를 들어, 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대하는 수지 성분의 경우, 산 발생제 등으로부터 발생한 산의 작용에 의해 분해되어 극성이 증대하는 산 분해성기를 포함하는 구성 단위가 사용되며, 그 외, 락톤 함유 고리형기를 포함하는 구성 단위, 수산기 등의 극성기를 포함하는 구성 단위 등이 병용되고 있다.For example, in the case of a resin component whose solubility in an alkali developing solution is increased by the action of an acid, a constitutional unit containing an acid-decomposable group which is decomposed by the action of an acid generated from an acid generator or the like and increases in polarity is used, In addition, a constitutional unit containing a lactone-containing cyclic group, a constitutional unit containing a polar group such as a hydroxyl group, and the like are used in combination.
또, 레지스트 패턴의 형성에 있어서는, 노광에 의해 산 발생제 성분으로부터 발생하는 산의 거동이 리소그래피 특성에 큰 영향을 주는 하나의 요소가 된다. Further, in the formation of the resist pattern, the behavior of the acid generated from the acid generator component by exposure becomes a factor that greatly affects the lithography characteristics.
화학 증폭형 레지스트 조성물에 있어서 사용되는 산 발생제로는, 지금까지 다종 다양한 것이 제안되어 있다. 예를 들어, 요오드늄염이나 술포늄염 등의 오늄염계 산 발생제, 옥심술포네이트계 산 발생제, 디아조메탄계 산 발생제, 니트로벤질술포네이트계 산 발생제, 이미노술포네이트계 산 발생제, 디술폰계 산 발생제 등이 알려져 있다.As the acid generator used in the chemically amplified resist composition, various ones have been proposed so far. For example, onium salt acid generators such as iodonium salts and sulfonium salts, oxime sulfonate acid generators, diazomethane acid generators, nitrobenzyl sulfonate acid generators, iminosulfonate acid generators And a disulfone-based acid generator are known.
오늄염계 산 발생제로는, 주로, 카티온부에 트리페닐술포늄 등의 오늄 이온을 갖는 것이 사용되고 있다. 오늄염계 산 발생제의 아니온부에는, 일반적으로, 알킬술폰산 이온이나 그 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 불소화알킬술폰산 이온이 사용되고 있다.As the onium salt-based acid generator, those having an onium ion such as triphenylsulfonium are mainly used in the cation portion. In general, an alkylsulfonic acid ion or a fluorinated alkylsulfonic acid ion in which a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with a fluorine atom is used as the anion of the onium salt-based acid generator.
또, 레지스트 패턴의 형성에 있어서 리소그래피 특성의 향상을 도모하기 위해서, 오늄염계 산 발생제의 카티온부로서, 디벤조티오펜 구조를 갖는 오늄 이온을 갖는 오늄염계 산 발생제도 제안되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조). On the other hand, an onium salt-based acid generator system having an onium ion having a dibenzothiophene structure has been proposed as a cationization unit of an onium salt-based acid generator in order to improve lithography characteristics in the formation of a resist pattern (for example, , See Patent Document 1).
리소그래피 기술의 더 나은 진보, 레지스트 패턴의 미세화가 점점 진행되는 가운데, 예를 들어 전자선이나 EUV 에 의한 리소그래피에서는, 수 십 ㎚ 의 미세한 패턴 형성을 목표가 된다. 이와 같이 레지스트 패턴 치수가 작아질수록, 레지스트 조성물에는, 노광 광원에 대하여 고감도인 것이 요구된다.While advances in lithography technology and finer patterning of resist patterns are progressing, for example, in the case of electron beam or EUV lithography, it is aimed to form fine patterns of several ten nm. As the resist pattern dimension is reduced, the resist composition is required to have a high sensitivity to an exposure light source.
그러나, 상기 서술한 바와 같은 종래의 오늄염계 산 발생제를 함유하는 레지스트 조성물에 있어서는, EUV 등의 노광 광원에 대하여 고감도화를 도모하면, 원하는 레지스트 패턴 형상 등이 얻어지기 어려워져, 이들 특성을 모두 만족시키는 것이 곤란하였다.However, in a resist composition containing the conventional onium salt-based acid generators as described above, it is difficult to obtain a desired resist pattern shape and the like by increasing the sensitivity to an exposure light source such as EUV, It was difficult to satisfy.
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 레지스트 조성물용 산 발생제로서 유용한 신규 화합물, 당해 화합물을 사용한 산 발생제, 당해 산 발생제를 함유하는 레지스트 조성물 및 당해 레지스트 조성물을 사용한 레지스트 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.The present invention has been made in view of the above circumstances and provides a novel compound useful as an acid generator for a resist composition, an acid generator using the compound, a resist composition containing the acid generator, and a resist pattern forming method using the resist composition And to provide an image processing apparatus.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 이하의 구성을 채용하였다.In order to solve the above problems, the present invention employs the following configuration.
즉, 본 발명의 제 1 양태는, 노광에 의해 산을 발생하고, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 레지스트 조성물로서, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분 (A) 와, 하기 일반식 (b1) 로 나타내는 화합물 (B1) 을 함유하는 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물이다.That is, the first aspect of the present invention is a resist composition which generates an acid upon exposure to light and changes the solubility in a developer by the action of an acid, wherein a base component (A) whose solubility in a developer changes by the action of an acid ) And a compound (B1) represented by the following general formula (b1).
[화학식 1][Chemical Formula 1]
[식 중, Rb1 은, 불소 원자, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 시아노기 및 -SO2Rb10 으로 이루어지는 군에서 선택되는 전자 흡인성기를 갖는 방향 고리를 나타낸다 (단, 상기 방향 고리가 벤젠 고리인 경우, 상기 전자 흡인성기는 벤젠 고리의 적어도 일방의 메타 위치에 결합하고 있다). Rb10 은, 알킬기, 불소화알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. Rb21 및 Rb22 는, 각각 독립적으로, 불소 원자, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 시아노기 및 -SO2Rb20 으로 이루어지는 군에서 선택되는 전자 흡인성기를 갖고 있어도 되는 방향 고리를 나타낸다. Rb20 은, 알킬기, 불소화알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. Z 는, 황 원자, 산소 원자, 카르보닐기 또는 단결합을 나타낸다. Rb1 과 Rb21 은, 황 원자, 산소 원자, 카르보닐기 또는 단결합을 통해서 결합하고, 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 된다. Rb1 과 Rb22 는, 황 원자, 산소 원자, 카르보닐기 또는 단결합을 통해서 결합하고, 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 된다. X- 는, 카운터 아니온 (단, BF4 - 를 제외한다) 을 나타낸다.] Wherein R b1 represents an aromatic ring having an electron-withdrawing group selected from the group consisting of a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a nitro group, a cyano group and -SO 2 R b10 (provided that the aromatic ring is benzene Ring, the electron-withdrawing group is bonded to the meta position of at least one of the benzene rings). R b10 represents an alkyl group, a fluorinated alkyl group or an aryl group. R b21 and R b22 each independently represent an aromatic ring which may have an electron-withdrawing group selected from the group consisting of a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a nitro group, a cyano group and -SO 2 R b20 . R b20 represents an alkyl group, a fluorinated alkyl group or an aryl group. Z represents a sulfur atom, an oxygen atom, a carbonyl group or a single bond. R b1 and R b21 may be bonded to each other through a sulfur atom, an oxygen atom, a carbonyl group or a single bond to form a ring with the sulfur atom in the formula. R b1 and R b22 may be bonded to each other through a sulfur atom, an oxygen atom, a carbonyl group or a single bond to form a ring with the sulfur atom in the formula. X - represents counter no (except BF 4 - ).]
본 발명의 제 2 양태는, 지지체 상에, 상기 제 1 양태에 관련된 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 및 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성 방법이다.A second aspect of the present invention is a method for forming a resist pattern, comprising the steps of forming a resist film on a support using the resist composition according to the first aspect, exposing the resist film, and developing the resist film after exposure to form a resist pattern And a resist pattern forming method.
본 발명의 제 3 양태는, 하기 일반식 (b1) 로 나타내는 것을 특징으로 하는 화합물이다.A third aspect of the present invention is a compound represented by the following general formula (b1).
[화학식 2](2)
[식 중, Rb1 은, 불소 원자, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 시아노기 및 -SO2Rb10 으로 이루어지는 군에서 선택되는 전자 흡인성기를 갖는 방향 고리를 나타낸다 (단, 상기 방향 고리가 벤젠 고리인 경우, 상기 전자 흡인성기는 벤젠 고리의 적어도 일방의 메타 위치에 결합하고 있다). Rb10 은, 알킬기, 불소화알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. Rb21 및 Rb22 는, 각각 독립적으로, 불소 원자, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 시아노기 및 -SO2Rb20 으로 이루어지는 군에서 선택되는 전자 흡인성기를 갖고 있어도 되는 방향 고리를 나타낸다. Rb20 은, 알킬기, 불소화알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. Z 는, 황 원자, 산소 원자, 카르보닐기 또는 단결합을 나타낸다. Rb1 과 Rb21 은, 황 원자, 산소 원자, 카르보닐기 또는 단결합을 통해서 결합하고, 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 된다. Rb1 과 Rb22 는, 황 원자, 산소 원자, 카르보닐기 또는 단결합을 통해서 결합하고, 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 된다. X- 는, 카운터 아니온 (단, BF4 - 를 제외한다) 을 나타낸다.] Wherein R b1 represents an aromatic ring having an electron-withdrawing group selected from the group consisting of a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a nitro group, a cyano group and -SO 2 R b10 (provided that the aromatic ring is benzene Ring, the electron-withdrawing group is bonded to the meta position of at least one of the benzene rings). R b10 represents an alkyl group, a fluorinated alkyl group or an aryl group. R b21 and R b22 each independently represent an aromatic ring which may have an electron-withdrawing group selected from the group consisting of a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a nitro group, a cyano group and -SO 2 R b20 . R b20 represents an alkyl group, a fluorinated alkyl group or an aryl group. Z represents a sulfur atom, an oxygen atom, a carbonyl group or a single bond. R b1 and R b21 may be bonded to each other through a sulfur atom, an oxygen atom, a carbonyl group or a single bond to form a ring with the sulfur atom in the formula. R b1 and R b22 may be bonded to each other through a sulfur atom, an oxygen atom, a carbonyl group or a single bond to form a ring with the sulfur atom in the formula. X - represents counter no (except BF 4 - ).]
본 발명의 제 4 양태는, 상기 제 3 양태에 관련된 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 산 발생제이다.A fourth aspect of the present invention is the acid generator which is characterized by comprising the compound according to the third aspect.
본 발명에 의하면, 레지스트 조성물용 산 발생제로서 유용한 신규 화합물, 당해 화합물을 사용한 산 발생제, 당해 산 발생제를 함유하는 레지스트 조성물 및 당해 레지스트 조성물을 사용한 레지스트 패턴 형성 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a novel compound useful as an acid generator for a resist composition, an acid generator using the compound, a resist composition containing the acid generator, and a method of forming a resist pattern using the resist composition.
본 발명의 레지스트 조성물에 의하면, 레지스트 패턴의 형성에 있어서 고감도화가 도모되고, 또한, 양호한 형상의 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.According to the resist composition of the present invention, high sensitivity can be obtained in forming a resist pattern, and a resist pattern having a good shape can be formed.
본 명세서 및 본 특허 청구의 범위에 있어서, 「지방족」 이란, 방향족에 대한 상대적인 개념으로서, 방향족성을 갖지 않는 기, 화합물 등을 의미하는 것으로 정의한다.In the present specification and claims, the term " aliphatic " is defined as meaning a group, compound, or the like having no aromaticity as a relative concept to an aromatic.
「알킬기」 는, 특별히 언급이 없는 한, 직사슬형, 분기사슬형 및 고리형의 1 가의 포화 탄화수소기를 포함하는 것으로 한다. 알콕시기 중의 알킬기도 동일하다.The "alkyl group" is intended to include linear, branched, and cyclic monovalent saturated hydrocarbon groups, unless otherwise specified. The alkyl group in the alkoxy group is also the same.
「알킬렌기」 는, 특별히 언급이 없는 한, 직사슬형, 분기사슬형 및 고리형의 2 가의 포화 탄화수소기를 포함하는 것으로 한다.The " alkylene group " includes straight-chain, branched-chain and cyclic divalent saturated hydrocarbon groups, unless otherwise specified.
「할로겐화알킬기」 는, 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이며, 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.The "halogenated alkyl group" is a group in which a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with a halogen atom, and examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
「불소화알킬기」 또는 「불소화알킬렌기」 는, 알킬기 또는 알킬렌기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기를 말한다.The "fluorinated alkyl group" or "fluorinated alkylene group" refers to a group in which a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group or alkylene group are substituted with fluorine atoms.
「구성 단위」 란, 고분자 화합물 (수지, 중합체, 공중합체) 을 구성하는 모노머 단위 (단량체 단위) 를 의미한다."Constituent unit" means a monomer unit (monomer unit) constituting a polymer compound (resin, polymer, copolymer).
「치환기를 갖고 있어도 된다」 라고 기재하는 경우, 수소 원자 (-H) 를 1 가의 기로 치환하는 경우와, 메틸렌기 (-CH2-) 를 2 가의 기로 치환하는 경우의 양방을 포함한다.Includes the case of substituting a hydrogen atom (-H) with a monovalent group and the case of substituting a methylene group (-CH 2 -) with a divalent group when describing "may have a substituent".
「노광」 은, 방사선의 조사 전반을 포함하는 개념으로 한다.&Quot; Exposure " is a concept including the entire irradiation of radiation.
「아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위」 란, 아크릴산에스테르의 에틸렌성 이중 결합이 개열되어 구성되는 구성 단위를 의미한다.The term "structural unit derived from an acrylate ester" means a structural unit constituted by cleavage of an ethylenic double bond of an acrylate ester.
「아크릴산에스테르」 는, 아크릴산 (CH2=CH-COOH) 의 카르복실기 말단의 수소 원자가 유기기로 치환된 화합물이다."Acrylic acid ester" is a compound in which a hydrogen atom at the terminal of a carboxyl group of acrylic acid (CH 2 ═CH-COOH) is substituted with an organic group.
아크릴산에스테르는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자를 치환하는 치환기 (Rα0) 는, 수소 원자 이외의 원자 또는 기이며, 예를 들어 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기 등을 들 수 있다. 또, 치환기 (Rα0) 가 에스테르 결합을 포함하는 치환기로 치환된 이타콘산디에스테르나, 치환기 (Rα0) 가 하이드록시알킬기나 그 수산기를 수식한 기로 치환된 α 하이드록시아크릴에스테르도 포함하는 것으로 한다. 또한, 아크릴산에스테르의 α 위치의 탄소 원자란, 특별히 언급이 없는 한, 아크릴산의 카르보닐기가 결합하고 있는 탄소 원자를 말한다.The acrylate ester may have a hydrogen atom bonded to the carbon atom at the? -Position thereof substituted with a substituent. The substituent (R ? 0 ) for substituting a hydrogen atom bonded to the carbon atom at the ? -Position is an atom or a group other than a hydrogen atom, and examples thereof include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms have. Also, itaconic acid diesters in which a substituent (R ? 0 ) is substituted with a substituent containing an ester bond, or an ? -Hydroxyacrylic ester in which a substituent (R ? 0 ) is substituted with a hydroxyalkyl group or a group in which the hydroxyl group is substituted do. The carbon atom at the? -Position of the acrylic ester refers to a carbon atom to which a carbonyl group of acrylic acid is bonded, unless otherwise specified.
이하, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환된 아크릴산에스테르를 α 치환 아크릴산에스테르라고 하는 경우가 있다. 또, 아크릴산에스테르와 α 치환 아크릴산에스테르를 포괄하여 「(α 치환)아크릴산에스테르」 라고 하는 경우가 있다.Hereinafter, an acrylic acid ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the? -Position is substituted with a substituent is sometimes referred to as an? -Substituted acrylate ester. In some cases, an acrylic acid ester and an alpha-substituted acrylic acid ester are collectively referred to as " (alpha-substituted) acrylic ester ".
「아크릴아미드로부터 유도되는 구성 단위」 란, 아크릴아미드의 에틸렌성 이중 결합이 개열되어 구성되는 구성 단위를 의미한다.The term " structural unit derived from acrylamide " means a structural unit comprising an ethylene double bond of acrylamide cleaved.
아크릴아미드는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되고, 아크릴아미드의 아미노기의 수소 원자의 일방 또는 양방이 치환기로 치환되어 있어도 된다. 또한, 아크릴아미드의 α 위치의 탄소 원자란, 특별히 언급이 없는 한, 아크릴아미드의 카르보닐기가 결합하고 있는 탄소 원자를 말한다.The acrylamide may have a hydrogen atom bonded to the carbon atom at the? -Position thereof substituted with a substituent, and one or both of the hydrogen atoms of the amino group of the acrylamide may be substituted with a substituent. The carbon atom at the? -Position of acrylamide refers to a carbon atom to which a carbonyl group of acrylamide is bonded, unless otherwise specified.
아크릴아미드의 α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자를 치환하는 치환기로는, 상기 α 치환 아크릴산에스테르에 있어서, α 위치의 치환기로서 예시한 것 (치환기 (Rα0)) 과 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the substituent substituting the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the? -Position of the acrylamide include those exemplified as the substituent at the ? -Position (substituent (R ? 0 )) in the? -Substituted acrylate ester.
「하이드록시스티렌으로부터 유도되는 구성 단위」 란, 하이드록시스티렌의 에틸렌성 이중 결합이 개열되어 구성되는 구성 단위를 의미한다. 「하이드록시스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위」 란, 하이드록시스티렌 유도체의 에틸렌성 이중 결합이 개열되어 구성되는 구성 단위를 의미한다.The term "structural unit derived from hydroxystyrene" means a structural unit constituted by cleavage of an ethylenic double bond of hydroxystyrene. The term " structural unit derived from hydroxystyrene derivative " means a structural unit constituted by cleavage of an ethylenic double bond of a hydroxystyrene derivative.
「하이드록시스티렌 유도체」 란, 하이드록시스티렌의 α 위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것, 그리고 그들의 유도체를 포함하는 개념으로 한다. 그들의 유도체로는, α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 하이드록시스티렌의 수산기의 수소 원자를 유기기로 치환한 것;α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 하이드록시스티렌의 벤젠 고리에, 수산기 이외의 치환기가 결합한 것 등을 들 수 있다. 또한, α 위치 (α 위치의 탄소 원자) 란, 특별히 언급이 없는 한, 벤젠 고리가 결합하고 있는 탄소 원자를 말한다.The term " hydroxystyrene derivative " includes not only hydrogen atoms at the alpha -position of hydroxystyrene but also other substituents such as alkyl groups and halogenated alkyl groups, and derivatives thereof. Examples of the derivatives thereof include those obtained by substituting the hydrogen atom of the hydroxyl group of the hydroxystyrene which may be substituted with a hydrogen atom at the α-position with an organic group, a benzen ring of hydroxystyrene where the hydrogen atom at the α- And those having a substituent other than a hydroxyl group bonded thereto. The? Position (carbon atom at?) Refers to a carbon atom to which a benzene ring is bonded, unless otherwise specified.
하이드록시스티렌의 α 위치의 수소 원자를 치환하는 치환기로는, 상기 α 치환 아크릴산에스테르에 있어서, α 위치의 치환기로서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the substituent substituting the hydrogen atom at the? -Position of hydroxystyrene include the same ones exemplified as the substituent at the? -Position in the? -Substituted acrylate ester.
「비닐벤조산 혹은 비닐벤조산 유도체로부터 유도되는 구성 단위」 란, 비닐벤조산 혹은 비닐벤조산 유도체의 에틸렌성 이중 결합이 개열되어 구성되는 구성 단위를 의미한다.The term " structural unit derived from vinylbenzoic acid or vinylbenzoic acid derivative " means a structural unit constituted by cleavage of the ethylenic double bond of vinylbenzoic acid or vinylbenzoic acid derivative.
「비닐벤조산 유도체」 란, 비닐벤조산의 α 위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것, 그리고 그들의 유도체를 포함하는 개념으로 한다. 그들의 유도체로는, α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 비닐벤조산의 카르복실기의 수소 원자를 유기기로 치환한 것;α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 비닐벤조산의 벤젠 고리에, 수산기 및 카르복실기 이외의 치환기가 결합한 것 등을 들 수 있다. 또한, α 위치 (α 위치의 탄소 원자) 란, 특별히 언급이 없는 한, 벤젠 고리가 결합하고 있는 탄소 원자를 말한다.The term " vinylbenzoic acid derivative " means a vinylbenzoic acid in which hydrogen atoms at the alpha -position of vinylbenzoic acid are substituted with other substituents such as an alkyl group and a halogenated alkyl group, and derivatives thereof. Examples of the derivatives thereof include those obtained by substituting hydrogen atoms of the carboxyl groups of vinylbenzoic acid in which the hydrogen atom at the α-position may be substituted with organic groups, benzene rings of vinylbenzoic acid in which the hydrogen atom at the α-position may be substituted with substituents, And those having a substituent other than a carboxyl group bonded thereto. The? Position (carbon atom at?) Refers to a carbon atom to which a benzene ring is bonded, unless otherwise specified.
「스티렌」 이란, 스티렌 및 스티렌의 α 위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것도 포함하는 개념으로 한다.The term " styrene " includes the concept that hydrogen atoms at the [alpha] -position of styrene and styrene are substituted with other substituents such as an alkyl group and a halogenated alkyl group.
「스티렌 유도체」 란, 스티렌의 α 위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것, 그리고 그들의 유도체를 포함하는 개념으로 한다. 그들의 유도체로는, α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 하이드록시스티렌의 벤젠 고리에 치환기가 결합한 것 등을 들 수 있다. 또한, α 위치 (α 위치의 탄소 원자) 란, 특별히 언급이 없는 한, 벤젠 고리가 결합하고 있는 탄소 원자를 말한다.The term " styrene derivative " includes not only the hydrogen atoms at the [alpha] -position of styrene substituted with other substituents such as an alkyl group and a halogenated alkyl group, and derivatives thereof. Examples of the derivatives thereof include those in which a substituent is bonded to a benzene ring of hydroxystyrene in which a hydrogen atom at the? Position may be substituted with a substituent. The? Position (carbon atom at?) Refers to a carbon atom to which a benzene ring is bonded, unless otherwise specified.
「스티렌으로부터 유도되는 구성 단위」, 「스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위」 란, 스티렌 또는 스티렌 유도체의 에틸렌성 이중 결합이 개열되어 구성되는 구성 단위를 의미한다."Constituent unit derived from styrene" and "constituent unit derived from styrene derivative" refer to a constituent unit in which an ethylene double bond of styrene or styrene derivative is cleaved.
상기 α 위치의 치환기로서의 알킬기는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 (메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기) 등을 들 수 있다.The alkyl group as the substituent at the? -Position is preferably a linear or branched alkyl group, and more specifically, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, Butyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group).
또, α 위치의 치환기로서의 할로겐화알킬기는, 구체적으로는, 상기 「α 위치의 치환기로서의 알킬기」 의 수소 원자의 일부 또는 전부를 할로겐 원자로 치환한 기를 들 수 있다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있으며, 특히 불소 원자가 바람직하다. Specific examples of the halogenated alkyl group as the substituent at the? -Position include a group obtained by substituting a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group as the substituent at the? -Position with a halogen atom. The halogen atom includes a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.
또, α 위치의 치환기로서의 하이드록시알킬기는, 구체적으로는, 상기 「α 위치의 치환기로서의 알킬기」 의 수소 원자의 일부 또는 전부를 수산기로 치환한 기를 들 수 있다. 그 하이드록시알킬기에 있어서의 수산기의 수는, 1 ∼ 5 가 바람직하고, 1 이 가장 바람직하다. Specific examples of the hydroxyalkyl group as the substituent at the? -Position include a group in which a part or all of the hydrogen atoms of the "alkyl group as the substituent at the? -Position" are substituted with hydroxyl groups. The number of hydroxyl groups in the hydroxyalkyl group is preferably 1 to 5, and most preferably 1.
(레지스트 조성물) (Resist Composition)
본 발명의 제 1 양태에 관련된 레지스트 조성물은, 노광에 의해 산을 발생하고, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 것이다.The resist composition according to the first embodiment of the present invention generates an acid by exposure and changes the solubility in the developer by the action of an acid.
이러한 레지스트 조성물의 일 실시형태로는, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분 (A) (이하, 「(A) 성분」 이라고도 한다) 와, 일반식 (b1) 로 나타내는 화합물 (B1) (이하, 「(B1) 성분」 이라고도 한다) 을 함유하는 레지스트 조성물을 들 수 있다.In one embodiment of such a resist composition, a base component (A) (hereinafter also referred to as a "component (A)") in which the solubility in a developer varies by the action of an acid, and a compound represented by the general formula (b1) B1) (hereinafter, also referred to as " component (B1) ").
본 실시형태의 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 대하여 선택적 노광을 실시하면, 그 레지스트막의 노광부에서는 (B1) 성분으로부터 산이 발생하고, 그 산의 작용에 의해 (A) 성분의 현상액에 대한 용해성이 변화하는 한편, 그 레지스트막의 미노광부에서는 (A) 성분의 현상액에 대한 용해성이 변화하지 않기 때문에, 노광부와 미노광부의 사이에서 현상액에 대한 용해성의 차가 발생한다. 그 때문에, 그 레지스트막을 현상하면, 그 레지스트 조성물이 포지티브형인 경우에는, 레지스트막 노광부가 용해 제거되어 포지티브형 레지스트 패턴이 형성되고, 그 레지스트 조성물이 네거티브형인 경우에는, 레지스트막 미노광부가 용해 제거되어 네거티브형 레지스트 패턴이 형성된다.When a resist film is formed by using the resist composition of the present embodiment and selectively exposed to the resist film, an acid is generated from the component (B1) in the exposed portion of the resist film, and the component (A) The solubility of the component (A) in the unexposed portion of the resist film does not change, and the difference in solubility in the developer between the exposed portion and the unexposed portion occurs. Therefore, when the resist film is developed, if the resist composition is a positive type, the resist film exposure part is dissolved and removed to form a positive resist pattern. If the resist composition is negative, the resist film unexposed area is dissolved and removed A negative resist pattern is formed.
본 명세서에 있어서는, 레지스트막 노광부가 용해 제거되어 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트 조성물을 포지티브형 레지스트 조성물이라고 하고, 레지스트막 미노광부가 용해 제거되어 네거티브형 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트 조성물을 네거티브형 레지스트 조성물이라고 한다.In the present specification, a resist composition that forms a positive resist pattern by dissolving and removing the resist film exposure portion is referred to as a positive resist composition, and a resist composition that forms a negative resist pattern by dissolving and removing the resist film unexposed portion is referred to as a negative resist Composition.
본 실시형태의 레지스트 조성물은, 포지티브형 레지스트 조성물이어도 되고, 네거티브형 레지스트 조성물이어도 된다.The resist composition of the present embodiment may be a positive resist composition or a negative resist composition.
또, 본 실시형태의 레지스트 조성물은, 레지스트 패턴 형성시의 현상 처리에 알칼리 현상액을 사용하는 알칼리 현상 프로세스용이어도 되고, 그 현상 처리에 유기 용제를 포함하는 현상액 (유기계 현상액) 을 사용하는 용제 현상 프로세스용이어도 된다. The resist composition of the present embodiment may also be used for an alkali development process using an alkali developer for development processing at the time of forming a resist pattern and may be a solvent developing process using an organic solvent (organic developing solution) .
본 실시형태의 레지스트 조성물은, 노광에 의해 산을 발생하는 산발생능을 갖는 것이며, (B1) 성분에 더하여, (A) 성분이 노광에 의해 산을 발생해도 된다.The resist composition of the present embodiment has an acid-generating ability to generate an acid upon exposure. In addition to the component (B1), the component (A) may generate an acid by exposure.
(A) 성분이 노광에 의해 산을 발생하는 경우, 이 (A) 성분은, 「노광에 의해 산을 발생하고, 또한, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분」 이 된다. (A) 성분이 노광에 의해 산을 발생하고, 또한, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분인 경우, 후술하는 (A1) 성분이, 노광에 의해 산을 발생하고, 또한, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 고분자 화합물인 것이 바람직하다. 이와 같은 고분자 화합물로는, 노광에 의해 산을 발생하는 구성 단위를 갖는 수지를 사용할 수 있다. 노광에 의해 산을 발생하는 구성 단위로는, 공지된 것을 사용할 수 있다. When the component (A) generates an acid by exposure, the component (A) becomes a base component which generates an acid upon exposure and has a solubility in the developer changed by the action of an acid. When the component (A) generates an acid upon exposure and the solubility of the component in the developer changes due to the action of an acid, the component (A1) described later generates an acid by exposure, And is preferably a polymer compound whose solubility in a developer varies depending on the action of an acid. As such a polymer compound, a resin having a constituent unit capable of generating an acid upon exposure can be used. As the constituent unit for generating an acid upon exposure, known ones can be used.
<(A) 성분>≪ Component (A) >
(A) 성분은, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분이다.The component (A) is a base component in which the solubility in the developer is changed by the action of an acid.
본 발명에 있어서 「기재 성분」 이란, 막형성능을 갖는 유기 화합물이며, 바람직하게는 분자량이 500 이상인 유기 화합물이 사용된다. 그 유기 화합물의 분자량이 500 이상임으로써, 막형성능이 향상하고, 게다가, 나노 레벨의 레지스트 패턴을 형성하기 쉬워진다.In the present invention, the " base component " is an organic compound having film-forming ability, preferably an organic compound having a molecular weight of 500 or more. When the molecular weight of the organic compound is 500 or more, the film forming ability improves, and a nano-level resist pattern is easily formed.
기재 성분으로서 사용되는 유기 화합물은, 비중합체와 중합체로 대별된다.The organic compound used as the base component is roughly classified into a non-polymer and a non-polymer.
비중합체로는, 통상적으로, 분자량이 500 이상 4000 미만인 것이 사용된다. 이하, 「저분자 화합물」 이라고 하는 경우에는, 분자량이 500 이상 4000 미만인 비중합체를 나타낸다. As the non-polymeric polymer, those having a molecular weight of 500 or more and less than 4000 are usually used. Hereinafter, the term " low molecular weight compound " refers to a non-polymeric substance having a molecular weight of 500 or more and less than 4000.
중합체로는, 통상적으로, 분자량이 1000 이상인 것이 사용된다. 이하, 「수지」, 「고분자 화합물」 또는 「폴리머」 라고 하는 경우에는, 분자량이 1000 이상인 중합체를 나타낸다.As the polymer, usually those having a molecular weight of 1000 or more are used. Hereinafter, the term "resin", "polymer compound" or "polymer" refers to a polymer having a molecular weight of 1,000 or more.
중합체의 분자량으로는, GPC (겔 퍼미에이션 크로마토그래피) 에 의한 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량을 사용하는 것으로 한다.As the molecular weight of the polymer, a mass average molecular weight in terms of polystyrene by GPC (Gel Permeation Chromatography) is used.
본 실시형태의 레지스트 조성물이, 알칼리 현상 프로세스에 있어서 네거티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「알칼리 현상 프로세스용 네거티브형 레지스트 조성물」 인 경우, 또는, 용제 현상 프로세스에 있어서 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「용제 현상 프로세스용 포지티브형 레지스트 조성물」 인 경우, (A) 성분으로는, 바람직하게는, 알칼리 현상액에 가용성의 기재 성분 (A-2) (이하, 「(A-2) 성분」 이라고 한다) 가 사용되며, 또한, 가교제 성분이 배합된다. 이러한 레지스트 조성물은, 예를 들어, 노광에 의해 (B1) 성분으로부터 산이 발생하면, 그 산이 작용하여 그 (A-2) 성분과 가교제 성분 사이에서 가교가 일어나고, 이 결과, 알칼리 현상액에 대한 용해성이 감소 (유기계 현상액에 대한 용해성이 증대) 한다. 그 때문에, 레지스트 패턴의 형성에 있어서, 그 레지스트 조성물을 지지체 상에 도포하여 얻어지는 레지스트막을 선택적으로 노광하면, 레지스트막 노광부는 알칼리 현상액에 대하여 난용성 (유기계 현상액에 대하여 가용성) 으로 바뀌는 한편, 레지스트막 미노광부는 알칼리 현상액에 대하여 가용성 (유기계 현상액에 대하여 난용성) 인 채로 변화하지 않기 때문에, 알칼리 현상액으로 현상함으로써 네거티브형 레지스트 패턴이 형성된다. 또, 이 때 유기계 현상액으로 현상함으로써 포지티브형 레지스트 패턴이 형성된다.When the resist composition of the present embodiment is a "negative resist composition for alkali development process" in which a negative resist pattern is formed in an alkali developing process, or when a negative resist composition for forming a positive resist pattern in a solvent developing process (Hereinafter referred to as " component (A-2) ") is preferably used as the component (A) in the positive resist composition , And a crosslinking agent component is further blended. When such an acid is generated from the component (B1) by exposure, for example, such a resist composition causes crosslinking between the component (A-2) and the crosslinking agent component due to the action of the acid, and as a result, solubility in an alkali developer (Solubility in an organic developer is increased). Therefore, in the formation of a resist pattern, when the resist film obtained by applying the resist composition on a support is selectively exposed, the resist film exposed portion is changed to be poorly soluble (soluble in an organic developer) to an alkali developer, Since the unexposed portion does not remain soluble (insoluble in an organic developer) with respect to the alkali developer, a negative resist pattern is formed by developing with an alkaline developer. At this time, a positive resist pattern is formed by developing with an organic developer.
(A-2) 성분의 바람직한 것으로는, 알칼리 현상액에 대하여 가용성의 수지 (이하, 「알칼리 가용성 수지」 라고 한다.) 가 사용된다.As a preferable component of the component (A-2), a resin soluble in an alkali developer (hereinafter referred to as " alkali-soluble resin ") is used.
알칼리 가용성 수지로는, 예를 들어 일본 공개특허공보 2000-206694호에 개시되어 있는, α-(하이드록시알킬)아크릴산, 또는 α-(하이드록시알킬)아크릴산의 알킬에스테르 (바람직하게는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬에스테르) 에서 선택되는 적어도 하나로부터 유도되는 구성 단위를 갖는 수지;미국 특허공보 6949325호에 개시되어 있는, 술폰아미드기를 갖는 α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴 수지 또는 폴리시클로올레핀 수지;미국 특허공보 6949325호, 일본 공개특허공보 2005-336452호, 일본 공개특허공보 2006-317803호에 개시되어 있는, 불소화알코올을 함유하고, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴 수지;일본 공개특허공보 2006-259582호에 개시되어 있는, 불소화알코올을 갖는 폴리시클로올레핀 수지 등이, 팽윤이 적은 양호한 레지스트 패턴을 형성할 수 있다는 점에서 바람직하다.As the alkali-soluble resin, for example, an alkylester of? - (hydroxyalkyl) acrylic acid or? - (hydroxyalkyl) acrylic acid (preferably an alkylester of 1 to 20 carbon atoms, 5); a resin having a constituent unit derived from at least one selected from the group consisting of an acrylic resin having a sulfonamide group-substituted hydrogen atom bonded to the carbon atom at the? -Position having a sulfonamide group, Or a polycycloolefin resin, which is disclosed in U.S. Patent Nos. 6949325, 2005-336452, and 2006-317803, in which a hydrogen atom containing a fluorinated alcohol and bonded to a carbon atom at the [alpha] An acrylic resin which may be substituted with a fluorinated alcohol such as a fluorinated alcohol described in JP-A-2006-259582 It is preferable in that such a polycycloolefin resin, the swelling can be formed with less good resist pattern.
또한, 상기 α-(하이드록시알킬)아크릴산은, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산 중, 카르복실기가 결합하는 α 위치의 탄소 원자에 수소 원자가 결합하고 있는 아크릴산과, 이 α 위치의 탄소 원자에 하이드록시알킬기 (바람직하게는 탄소수 1 ∼ 5 의 하이드록시알킬기) 가 결합하고 있는 α-하이드록시알킬아크릴산의 일방 또는 양방을 나타낸다. The above-mentioned? - (hydroxyalkyl) acrylic acid may be obtained by copolymerizing an acrylic acid in which a hydrogen atom is bonded to a carbon atom at the? -Position to which a carboxyl group is bonded, among the acrylic acid in which a hydrogen atom bonded to the carbon atom at? refers to one or both of? -hydroxyalkyl acrylic acid to which a hydroxyalkyl group (preferably a hydroxyalkyl group having 1 to 5 carbon atoms) is bonded to a carbon atom at? -position.
가교제 성분으로는, 예를 들어, 팽윤이 적은 양호한 레지스트 패턴이 형성되기 쉽다는 점에서, 메틸올기 혹은 알콕시메틸기를 갖는 글리콜우릴 등의 아미노계 가교제, 또는 멜라민계 가교제 등을 사용하는 것이 바람직하다. 가교제 성분의 배합량은, 알칼리 가용성 수지 100 질량부에 대하여 1 ∼ 50 질량부인 것이 바람직하다.As the crosslinking agent component, it is preferable to use, for example, an amino-based crosslinking agent such as glycoluril having a methylol group or an alkoxymethyl group, or a melamine-based crosslinking agent in view of easy formation of a good resist pattern with less swelling. The blending amount of the crosslinking agent component is preferably 1 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the alkali-soluble resin.
본 실시형태의 레지스트 조성물이, 알칼리 현상 프로세스에 있어서 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「알칼리 현상 프로세스용 포지티브형 레지스트 조성물」 인 경우, 또는, 용제 현상 프로세스에 있어서 네거티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「용제 현상 프로세스용 네거티브형 레지스트 조성물」 인 경우, (A) 성분으로는, 바람직하게는, 산의 작용에 의해 극성이 증대하는 기재 성분 (A-1) (이하, 「(A-1) 성분」 이라고 한다) 이 사용된다. (A-1) 성분을 사용함으로써, 노광 전후에서 기재 성분의 극성이 변화하기 때문에, 알칼리 현상 프로세스 뿐만 아니라, 용제 현상 프로세스에 있어서도, 양호한 현상 콘트라스트를 얻을 수 있다.When the resist composition of the present embodiment is a "positive resist composition for alkali development process" in which a positive resist pattern is formed in an alkali developing process, or when a negative resist pattern is formed in a solvent development process (Hereinafter referred to as " component (A-1) ") in which the polarity increases due to the action of an acid is preferably used as the component (A) ) Is used. By using the component (A-1), since the polarity of the base component changes before and after the exposure, a good development contrast can be obtained not only in the alkali development process but also in the solvent development process.
알칼리 현상 프로세스를 적용하는 경우, 그 (A-1) 성분은, 노광 전에는 알칼리 현상액에 대하여 난용성이며, 예를 들어, 노광에 의해 (B1) 성분으로부터 산이 발생하면, 그 산의 작용에 의해 극성이 증대하여 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대한다. 그 때문에, 레지스트 패턴의 형성에 있어서, 그 레지스트 조성물을 지지체 상에 도포하여 얻어지는 레지스트막에 대하여 선택적으로 노광하면, 레지스트막 노광부는 알칼리 현상액에 대하여 난용성에서 가용성으로 변화하는 한편, 레지스트막 미노광부는 알칼리 난용성인 채로 변화하지 않기 때문에, 알칼리 현상함으로써 포지티브형 레지스트 패턴이 형성된다.In the case of applying the alkali developing process, the component (A-1) is poorly soluble in an alkali developing solution before exposure. For example, when an acid is generated from the component (B1) by exposure, And the solubility in an alkali developing solution is increased. Therefore, in the formation of the resist pattern, when the resist film is selectively exposed to a resist film obtained by applying the resist composition on a support, the resist film exposed portion changes from poorly soluble to soluble with respect to the alkali developer, Is not changed to remain alkali-resistant, so that a positive resist pattern is formed by alkali development.
한편, 용제 현상 프로세스를 적용하는 경우, 그 (A-1) 성분은, 노광 전에는 유기계 현상액에 대하여 용해성이 높고, 노광에 의해 (B1) 성분으로부터 산이 발생하면, 그 산의 작용에 의해 극성이 높아지고, 유기계 현상액에 대한 용해성이 감소한다. 그 때문에, 레지스트 패턴의 형성에 있어서, 당해 레지스트 조성물을 지지체 상에 도포하여 얻어지는 레지스트막에 대하여 선택적으로 노광하면, 레지스트막 노광부는 유기계 현상액에 대하여 가용성에서 난용성으로 변화하는 한편, 레지스트막 미노광부는 가용성인 채로 변화하지 않기 때문에, 유기계 현상액으로 현상함으로써, 노광부와 미노광부 사이에서 콘트라스트를 갖게 할 수 있어, 네거티브형 레지스트 패턴이 형성된다.On the other hand, when a solvent developing process is applied, the component (A-1) has high solubility in an organic developing solution before exposure, and when an acid is generated from the component (B1) by exposure, the polarity of the component , The solubility in an organic developer is decreased. Therefore, in the formation of the resist pattern, when the resist film obtained by applying the resist composition on a support is selectively exposed, the resist film exposed portion changes from soluble to poorly soluble in the organic developer, The resist pattern does not change to remain soluble. Therefore, by developing with an organic developing solution, a contrast can be obtained between the exposed portion and the unexposed portion, and a negative resist pattern is formed.
본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서, (A) 성분은, 상기 (A-1) 성분인 것이 바람직하다. 즉, 본 실시형태의 레지스트 조성물은, 알칼리 현상 프로세스에 있어서 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「알칼리 현상 프로세스용 포지티브형 레지스트 조성물」, 또는, 용제 현상 프로세스에 있어서 네거티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「용제 현상 프로세스용 네거티브형 레지스트 조성물」 인 것이 바람직하다.In the resist composition of the present embodiment, the component (A) is preferably the component (A-1). That is, the resist composition of the present embodiment can be applied to a "positive resist composition for alkali development process" for forming a positive resist pattern in an alkali developing process, or a "positive resist composition for forming a negative resist pattern" Negative resist composition for process "
(A) 성분에는, 고분자 화합물 및/또는 저분자 화합물이 사용된다. As the component (A), a polymer compound and / or a low-molecular compound is used.
(A) 성분이 (A-1) 성분인 경우, (A-1) 성분으로는, 고분자 화합물을 포함하는 것이 바람직하고, 산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기를 포함하는 구성 단위 (a1) 을 갖는 고분자 화합물 (A1) (이하, 「(A1) 성분」 이라고도 한다) 을 포함하는 것이 보다 바람직하다. When the component (A) is a component (A-1), the component (A-1) preferably contains a polymer compound and the constituent unit (a1 ) (Hereinafter also referred to as " component (A1) ").
· (A1) 성분에 대하여· For the component (A1)
(A1) 성분은, 구성 단위 (a1) 을 갖는 고분자 화합물이다.The component (A1) is a polymer compound having the structural unit (a1).
(A1) 성분으로는, 구성 단위 (a1) 에 더하여, 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기 또는 카보네이트 함유 고리형기를 포함하는 구성 단위 (a2) 를 갖는 고분자 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.As the component (A1), it is preferable to use, in addition to the structural unit (a1), a polymer compound having a structural unit (a2) containing a lactone-containing cyclic group, -SO 2 -containing cyclic group or a carbonate- .
또, (A1) 성분으로는, 구성 단위 (a1) 에 더하여, 또는, 구성 단위 (a1) 및 구성 단위 (a2) 에 더하여, 극성기 함유 지방족 탄화수소기를 포함하는 구성 단위 (a3) (단, 구성 단위 (a1) 또는 구성 단위 (a2) 에 해당하는 것을 제외한다) 을 갖는 고분자 화합물을 사용하는 것도 바람직하다. In addition to the structural unit (a1) or the structural unit (a1) and the structural unit (a2), a structural unit (a3) containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group (excluding those corresponding to the structural unit (a1) or the structural unit (a2)).
또, (A1) 성분은, 구성 단위 (a1) ∼ (a3) 이외에, 산 비해리성의 지방족 고리형기를 포함하는 구성 단위 (a4), 후술하는 일반식 (a9-1) 로 나타내는 구성 단위, 하이드록시스티렌 또는 스티렌으로부터 유도되는 구성 단위 (st), 노광에 의해 산을 발생하는 구성 단위 등을 가져도 된다. In addition to the constituent units (a1) to (a3), the constituent unit (A1) includes a constituent unit (a4) containing an aliphatic cyclic group of acid-labile properties, a constituent unit represented by the general formula (a9-1) (St) derived from styrenes such as styrenes, styrenes, and styrenes, constituent units generating an acid upon exposure, and the like.
≪구성 단위 (a1)≫&Quot; Construction unit (a1) "
구성 단위 (a1) 은, 산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기를 포함하는 구성 단위이다.The structural unit (a1) is a structural unit containing an acid-decomposable group whose polarity is increased by the action of an acid.
「산 분해성기」 는, 산의 작용에 의해, 당해 산 분해성기의 구조 중의 적어도 일부의 결합이 개열될 수 있는 산 분해성을 갖는 기이다.The "acid-decomposable group" is an acid-decomposable group capable of cleaving at least a part of bonds in the structure of the acid decomposable group by the action of an acid.
산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기로는, 예를 들어, 산의 작용에 의해 분해되어 극성기를 발생하는 기를 들 수 있다.Examples of the acid decomposable group whose polarity is increased by the action of an acid include groups which are decomposed by the action of an acid to generate a polar group.
극성기로는, 예를 들어 카르복실기, 수산기, 아미노기, 술포기 (-SO3H) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 구조 중에 -OH 를 함유하는 극성기 (이하, 「OH 함유 극성기」 라고 하는 경우가 있다.) 가 바람직하고, 카르복실기 또는 수산기가 보다 바람직하며, 카르복실기가 특히 바람직하다.Examples of the polar group include a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, and a sulfo group (-SO 3 H). Among them, a polar group containing -OH (hereinafter sometimes referred to as "OH-containing polar group") in the structure is preferable, a carboxyl group or a hydroxyl group is more preferable, and a carboxyl group is particularly preferable.
산 분해성기로서 보다 구체적으로는, 상기 극성기가 산 해리성기로 보호된 기 (예를 들어, OH 함유 극성기의 수소 원자를 산 해리성기로 보호한 기) 를 들 수 있다. More specific examples of the acid decomposable group include groups in which the polar group is protected with an acid dissociable group (for example, a group in which a hydrogen atom of an OH-containing polar group is protected with an acid dissociable group).
여기서 「산 해리성기」 란, (i) 산의 작용에 의해, 당해 산 해리성기와 그 산 해리성기에 인접하는 원자의 사이의 결합이 개열될 수 있는 산 해리성을 갖는 기, 또는, (ii) 산의 작용에 의해 일부의 결합이 개열된 후, 또한 탈탄산 반응이 발생함으로써, 당해 산 해리성기와 그 산 해리성기에 인접하는 원자의 사이의 결합이 개열될 수 있는 기의 쌍방을 말한다.Herein, "acid dissociable group" means (i) a group having acid dissociable property by which the bond between the acid dissociable group and the atom adjacent to the acid dissociable group can be cleaved by the action of an acid, or Refers to both groups in which a bond between an acid dissociable group and an atom adjacent to the acid dissociable group can be cleaved by the occurrence of a decarboxylation reaction after cleavage of a part of bonds by the action of an acid.
산 분해성기를 구성하는 산 해리성기는, 당해 산 해리성기의 해리에 의해 생성되는 극성기보다 극성이 낮은 기인 것이 필요하고, 이에 따라, 산의 작용에 의해 그 산 해리성기가 해리했을 때에, 그 산 해리성기보다 극성이 높은 극성기가 발생하여 극성이 증대한다. 그 결과, (A1) 성분 전체의 극성이 증대한다. 극성이 증대함으로써, 상대적으로, 현상액에 대한 용해성이 변화하고, 현상액이 알칼리 현상액인 경우에는 용해성이 증대하고, 현상액이 유기계 현상액인 경우에는 용해성이 감소한다.The acid dissociable group constituting the acid-decomposable group is required to be a group having a lower polarity than the polar group generated by dissociation of the acid dissociable group, and when the acid dissociable group is dissociated by the action of an acid, Polarity with higher polarity than genitalia is generated and polarity is increased. As a result, the polarity of the entire component (A1) increases. As the polarity increases, the solubility in the developing solution changes relatively. When the developing solution is an alkaline developing solution, the solubility increases. When the developing solution is an organic developing solution, the solubility decreases.
산 해리성기로는, 지금까지, 화학 증폭형 레지스트 조성물용의 베이스 수지의 산 해리성기로서 제안되어 있는 것을 들 수 있다.Examples of acid dissociable groups include those proposed so far as acid dissociable groups of a base resin for a chemically amplified resist composition.
화학 증폭형 레지스트 조성물용의 베이스 수지의 산 해리성기로서 제안되어 있는 것으로서 구체적으로는, 이하에 설명하는 「아세탈형 산 해리성기」, 「제 3 급 알킬에스테르형 산 해리성기」, 「제 3 급 알킬옥시카르보닐 산 해리성기」 를 들 수 있다.Acid-dissociable group of a base resin for a chemically amplified resist composition, and specifically, there are a "acetal type acid dissociable group", "a tertiary alkyl ester type acid dissociable group", a "tertiary Alkyloxycarbonyl acid dissociable group ".
· 아세탈형 산 해리성기:· Acetal type acid dissociation type:
상기 극성기 중 카르복실기 또는 수산기를 보호하는 산 해리성기로는, 예를 들어, 하기 일반식 (a1-r-1) 로 나타내는 산 해리성기 (이하, 「아세탈형 산 해리성기」 라고 하는 경우가 있다.) 를 들 수 있다.Examples of the acid dissociable group for protecting the carboxyl group or the hydroxyl group in the polar group include an acid dissociable group represented by the following general formula (a1-r-1) (hereinafter sometimes referred to as an "acetal type acid dissociable group" ).
[화학식 3](3)
[식 중, Ra'1, Ra'2 는 수소 원자 또는 알킬기이고, Ra'3 은 탄화수소기이며, Ra'3 은, Ra'1, Ra'2 중 어느 것과 결합하여 고리를 형성해도 된다.][And wherein, Ra '1, Ra' 2 is a hydrogen atom or an alkyl group, Ra '3 is a hydrocarbon group, Ra' 3 are combined as one of Ra '1, Ra' 2 may also form a ring.]
식 (a1-r-1) 중, Ra'1 및 Ra'2 중, 적어도 일방이 수소 원자인 것이 바람직하고, 양방이 수소 원자인 것이 보다 바람직하다.In the formula (a1-r-1), at least one of Ra ' 1 and Ra' 2 is preferably a hydrogen atom, and more preferably both hydrogen atoms.
Ra'1 또는 Ra'2 가 알킬기인 경우, 그 알킬기로는, 상기 α 치환 아크릴산에스테르에 대한 설명에서, α 위치의 탄소 원자에 결합해도 되는 치환기로서 예시한 알킬기와 동일한 것을 들 수 있으며, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하다. 구체적으로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기를 바람직하게 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.When Ra ' 1 or Ra' 2 is an alkyl group, the alkyl group may be the same as the alkyl group exemplified as a substituent which may be bonded to the carbon atom at the α-position in the explanation of the α-substituted acrylate ester. An alkyl group having a carbon number of 5 to 5 is preferable. Specifically, the alkyl group is preferably a linear or branched alkyl group. More specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group and a neopentyl group, More preferably a methyl group is particularly preferable.
식 (a1-r-1) 중, Ra'3 의 탄화수소기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기, 고리형의 탄화수소기를 들 수 있다.In the formula (a1-r-1), examples of the hydrocarbon group of Ra ' 3 include a linear or branched alkyl group and a cyclic hydrocarbon group.
그 직사슬형의 알킬기는, 탄소수가 1 ∼ 5 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 4 가 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 더욱 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸기, 에틸기 또는 n-부틸기가 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하다.The linear alkyl group preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, and even more preferably 1 or 2 carbon atoms. Specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group and an n-pentyl group. Among them, a methyl group, an ethyl group or an n-butyl group is preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable.
그 분기사슬형의 알킬기는, 탄소수가 3 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 5 가 보다 바람직하다. 구체적으로는, 이소프로필기, 이소부틸기, tert-부틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 1,1-디에틸프로필기, 2,2-디메틸부틸기 등을 들 수 있으며, 이소프로필기인 것이 바람직하다.The branched alkyl group preferably has 3 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 5 carbon atoms. Specific examples thereof include isopropyl, isobutyl, tert-butyl, isopentyl, neopentyl, 1,1-diethylpropyl and 2,2-dimethylbutyl. .
Ra'3 이 고리형의 탄화수소기가 되는 경우, 그 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기여도 되고 방향족 탄화수소기여도 되며, 또, 다고리형기여도 되고 단고리형기여도 된다.When Ra ' 3 is a cyclic hydrocarbon group, the hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, a polycyclic group, or a monocyclic group.
단고리형기인 지방족 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는, 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다.The aliphatic hydrocarbon group which is a monocyclic group is preferably a group obtained by removing one hydrogen atom from a monocycloalkane. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane, cyclohexane, and the like.
다고리형기인 지방족 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는, 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하며, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.The aliphatic hydrocarbon group which is a polycyclic group is preferably a group in which one hydrogen atom has been removed from the polycycloalkane. The polycycloalkane preferably has 7 to 12 carbon atoms, and specifically includes adamantane, norbornane, iso Borane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.
Ra'3 의 고리형의 탄화수소기가 방향족 탄화수소기가 되는 경우, 그 방향족 탄화수소기는, 방향 고리를 적어도 1 개 갖는 탄화수소기이다.When the cyclic hydrocarbon group of Ra ' 3 is an aromatic hydrocarbon group, the aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring.
이 방향 고리는, 4n+2 개의 π 전자를 갖는 고리형 공액계이면 특별히 한정되지 않고, 단고리형이어도 되고 다고리형이어도 된다. 방향 고리의 탄소수는 5 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 20 이 보다 바람직하고, 6 ∼ 15 가 더욱 바람직하고, 6 ∼ 12 가 특히 바람직하다.This aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n + 2 < [pi] > electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The number of carbon atoms in the aromatic ring is preferably from 5 to 30, more preferably from 5 to 20, still more preferably from 6 to 15, and particularly preferably from 6 to 12.
방향 고리로서 구체적으로는, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리;상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리로서 구체적으로는, 피리딘 고리, 티오펜 고리 등을 들 수 있다.Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; and aromatic heterocyclic rings in which a part of carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a hetero atom. Examples of the heteroatom in the aromatic heterocyclic ring include an oxygen atom, a sulfur atom and a nitrogen atom. Specific examples of the aromatic heterocyclic ring include a pyridine ring and a thiophene ring.
Ra'3 에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 구체적으로는, 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 (아릴기 또는 헤테로아릴기);2 이상의 방향 고리를 포함하는 방향족 화합물 (예를 들어, 비페닐, 플루오렌 등) 로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기;상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리의 수소 원자 중 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기 등) 등을 들 수 있다. 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리에 결합하는 알킬렌기의 탄소수는, 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하고, 1 인 것이 특히 바람직하다.Specific examples of the aromatic hydrocarbon group in Ra ' 3 include a group obtained by removing one hydrogen atom from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring (an aryl group or a heteroaryl group), an aromatic compound containing two or more aromatic rings A group in which one hydrogen atom of the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring is substituted with an alkylene group (e.g., a benzyl group, a phenethyl group, Naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthylethyl group, and other arylalkyl groups), and the like. The number of carbon atoms of the alkylene group bonded to the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.
Ra'3 에 있어서의 고리형의 탄화수소기는, 치환기를 갖고 있어도 된다. 이 치환기로는, 예를 들어, -RP1, -RP2-O-RP1, -RP2-CO-RP1, -RP2-CO-ORP1, -RP2-O-CO-RP1, -RP2-OH, -RP2-CN 또는 -RP2-COOH (이하, 이들 치환기를 정리하여 「Ra05」 라고도 한다.) 등을 들 수 있다.The cyclic hydrocarbon group in Ra ' 3 may have a substituent. As a substituent is, for example, P1 -R, -R -OR P2 P1, P2 -R -CO-R P1, P2 -R -CO-OR P1, P2 -R -O-CO-R P1, - R P2 -OH, -R P2- CN, or -R P2- COOH (hereinafter, these substituents are collectively referred to as " Ra 05 "
여기서, RP1 은, 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 사슬형 포화 탄화수소기, 탄소수 3 ∼ 20 의 1 가의 지방족 고리형 포화 탄화수소기 또는 탄소수 6 ∼ 30 의 1 가의 방향족 탄화수소기이다. 또, RP2 는, 단결합, 탄소수 1 ∼ 10 의 2 가의 사슬형 포화 탄화수소기, 탄소수 3 ∼ 20 의 2 가의 지방족 고리형 포화 탄화수소기 또는 탄소수 6 ∼ 30 의 2 가의 방향족 탄화수소기이다. 단, RP1 및 RP2 의 사슬형 포화 탄화수소기, 지방족 고리형 포화 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는 불소 원자로 치환되어 있어도 된다. 상기 지방족 고리형 탄화수소기는, 상기 치환기를 1 종 단독으로 1 개 이상 갖고 있어도 되고, 상기 치환기 중 복수 종을 각 1 개 이상 갖고 있어도 된다.Here, R P1 is a monovalent chain saturated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, a monovalent aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or a monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms. R P2 is a single bond, a divalent chain saturated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, a divalent aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or a divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms. However, some or all of the hydrogen atoms of the chain saturated hydrocarbon group, aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group and aromatic hydrocarbon group of R P1 and R P2 may be substituted with a fluorine atom. The aliphatic cyclic hydrocarbon group may have one or more of the above substituents singly or may have one or more of the above plurality of substituents.
탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 사슬형 포화 탄화수소기로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기 등을 들 수 있다.Examples of the monovalent chain saturated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group and a decyl group.
탄소수 3 ∼ 20 의 1 가의 지방족 고리형 포화 탄화수소기로는, 예를 들어, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로데실기, 시클로도데실기 등의 단고리형 지방족 포화 탄화수소기;비시클로[2.2.2]옥타닐기, 트리시클로[5.2.1.02,6]데카닐기, 트리시클로[3.3.1.13,7]데카닐기, 테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카닐기, 아다만틸기 등의 다고리형 지방족 포화 탄화수소기를 들 수 있다.Examples of the monovalent aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms include cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclodecyl group, cyclododecyl group Monocyclic aliphatic saturated hydrocarbon group such as bicyclo [2.2.2] octanyl, tricyclo [5.2.1.02,6] decanyl, tricyclo [3.3.1.13,7] decanyl, tetracyclo [6.2.1.13] 6.02,7] dodecanyl group, adamantyl group, and other polycyclic aliphatic saturated hydrocarbon groups.
탄소수 6 ∼ 30 의 1 가의 방향족 탄화수소기로는, 예를 들어, 벤젠, 비페닐, 플루오렌, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리로부터 수소 원자 1 개를 제거한 기를 들 수 있다.Examples of the monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms include groups obtained by removing one hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon ring such as benzene, biphenyl, fluorene, naphthalene, anthracene, phenanthrene and the like.
Ra'3 이, Ra'1, Ra'2 중 어느 것과 결합하여 고리를 형성하는 경우, 그 고리형기로는, 4 ∼ 7 원자 고리가 바람직하고, 4 ∼ 6 원자 고리가 보다 바람직하다. 그 고리형기의 구체예로는, 테트라하이드로피라닐기, 테트라하이드로푸라닐기 등을 들 수 있다.When Ra ' 3 is bonded to any of Ra' 1 and Ra ' 2 to form a ring, the cyclic group is preferably a 4- to 7-membered ring, more preferably a 4- to 6-membered ring. Specific examples of the cyclic group include a tetrahydropyranyl group, a tetrahydrofuranyl group, and the like.
· 제 3 급 알킬에스테르형 산 해리성기:· Tertiary alkyl ester type acid dissociable group:
상기 극성기 중, 카르복실기를 보호하는 산 해리성기로는, 예를 들어, 하기 일반식 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기를 들 수 있다.Among the polar groups, examples of the acid dissociable groups for protecting the carboxyl group include acid dissociable groups represented by the following general formula (a1-r-2).
또한, 하기 식 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기 중, 알킬기에 의해 구성되는 것을, 이하, 편의상 「제 3 급 알킬에스테르형 산 해리성기」 라고 하는 경우가 있다. Further, among the acid dissociable groups represented by the following formula (a1-r-2), those composed of an alkyl group are sometimes referred to as " tertiary alkyl ester-type acid dissociable groups " for convenience.
[화학식 4][Chemical Formula 4]
[식 중, Ra'4 ∼ Ra'6 은 각각 탄화수소기이며, Ra'5, Ra'6 은 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다.]Wherein Ra ' 4 to Ra' 6 are each a hydrocarbon group, and Ra ' 5 and Ra' 6 may combine with each other to form a ring.
Ra'4 의 탄화수소기로는, 직사슬형 혹은 분기사슬형의 알킬기, 사슬형 혹은 고리형의 알케닐기, 또는, 고리형의 탄화수소기를 들 수 있다.Examples of the hydrocarbon group of Ra ' 4 include a linear or branched alkyl group, a chain or cyclic alkenyl group, or a cyclic hydrocarbon group.
Ra'4 에 있어서의 직사슬형 혹은 분기사슬형의 알킬기, 고리형의 탄화수소기는, 상기 Ra'3 과 동일한 것을 들 수 있다.Ra '4 group is a linear or a hydrocarbon group, a cyclic branched in the Ra' are the same and 3.
Ra'4 에 있어서의 사슬형 혹은 고리형의 알케닐기는, 탄소수 2 ∼ 10 의 알케닐기가 바람직하다.The chain type or cyclic alkenyl group in Ra ' 4 is preferably an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms.
Ra'5, Ra'6 의 탄화수소기로는, 상기 Ra'3 과 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the hydrocarbon group for Ra ' 5 and Ra' 6 include the same groups as those for Ra ' 3 .
Ra'5 와 Ra'6 이 서로 결합하여 고리를 형성하는 경우, 하기 일반식 (a1-r2-1) 로 나타내는 기, 하기 일반식 (a1-r2-2) 로 나타내는 기, 하기 일반식 (a1-r2-3) 으로 나타내는 기를 들 수 있다.Ra '5 and Ra' 6 in this case to bond to one another to form a ring, to a group, represented by formula (a1-r2-1) a group, represented by formula (a1-r2-2) formula (a1 -R2-3).
한편, Ra'4 ∼ Ra'6 이 서로 결합하지 않고, 독립된 탄화수소기인 경우, 하기 일반식 (a1-r2-4) 로 나타내는 기를 들 수 있다.On the other hand, when Ra ' 4 to Ra' 6 are not bonded to each other and are independent hydrocarbon groups, there may be mentioned groups represented by the following general formula (a1-r2-4).
[화학식 5][Chemical Formula 5]
[식 중, Ra'10 은 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기, Ra'11 은 Ra'10 이 결합한 탄소 원자와 함께 지방족 고리형기를 형성하는 기를 나타낸다. Ya 는 탄소 원자, Xa 는 Ya 와 함께 2 가의 고리형의 탄화수소기를 형성하는 기이다. 이 고리형의 탄화수소기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는 치환되어 있어도 된다. Ra01 ∼ Ra03 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 사슬형 포화 탄화수소기 또는 탄소수 3 ∼ 20 의 1 가의 지방족 고리형 포화 탄화수소기이다. 이 사슬형 포화 탄화수소기 및 지방족 고리형 포화 탄화수소기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는 치환되어 있어도 된다. Ra01 ∼ Ra03 의 2 이상이 서로 결합하여 고리형 구조를 형성하고 있어도 된다. Yaa 는 탄소 원자, Xaa 는 Yaa 와 함께 지방족 고리형기를 형성하는 기이다. Ra04 는 치환기를 갖고 있어도 되는 방향족 탄화수소기이다. Ra'12 ∼ Ra'14 는, 각각 독립적으로 탄화수소기를 나타낸다. * 는 결합손을 나타낸다 (이하, 본 명세서에 있어서 동일).][Wherein, Ra '10 is an alkyl group, Ra of 1 to 10 carbon atoms, 11 represents a group forming an aliphatic cyclic group together with the carbon atom a 10 Ra' combined. Ya is a carbon atom, and Xa is a group forming a bivalent cyclic hydrocarbon group together with Ya. Some or all of the hydrogen atoms of the cyclic hydrocarbon group may be substituted. Ra 01 to Ra 03 each independently represent a hydrogen atom, a monovalent chain saturated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or a monovalent aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms. Some or all of the hydrogen atoms of the chain saturated hydrocarbon group and aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group may be substituted. Two or more of Ra 01 to Ra 03 may combine with each other to form a cyclic structure. Yaa is a carbon atom, and Xaa is a group forming an aliphatic cyclic group together with Yaa. Ra 04 is an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. Ra '12 to Ra' 14 each independently represent a hydrocarbon group. * Indicates a combined hand (hereinafter, the same in this specification).
식 (a1-r2-1) 중, Ra'10 의 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기는, 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기로서 예시한 기가 바람직하다. Ra'10 은, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기인 것이 바람직하다.Equation (a1-r2-1) of, groups exemplified as the "Ra in the alkyl group is formulas (a1-r-1) of 1 to 10 carbon atoms in the 10 '3 linear or branched alkyl group of Ra desirable. Ra '10 is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
식 (a1-r2-1) 중, Ra'11 이 Ra'10 이 결합한 탄소 원자와 함께 형성하는 지방족 고리형기는, 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 단고리형기 또는 다고리형기인 지방족 탄화수소기로서 예시한 기가 바람직하다.Equation (a1-r2-1) of, Ra 'is Ra 11' to 10 aliphatic cyclic group formed together with the carbon atoms bonded to the formula (a1-r-1) Ra '3 sentence of monocyclic or polycyclic in The group exemplified as a group-derived aliphatic hydrocarbon group is preferable.
식 (a1-r2-2) 중, Xa 가 Ya 와 함께 형성하는 2 가의 고리형의 탄화수소기로는, 상기 식 (a1-r-1) 중의 Ra'3 에 있어서의 고리형의 1 가의 탄화수소기 (지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기) 로부터 수소 원자 1 개 이상을 추가로 제거한 기를 들 수 있다.In the formula (a1-r2-2), the bivalent cyclic hydrocarbon group formed by Xa together with Ya is preferably a cyclic monovalent hydrocarbon group in Ra ' 3 in the formula (a1-r-1) An aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group) having one or more hydrogen atoms removed therefrom.
Xa 가 Ya 와 함께 형성하는 2 가의 고리형의 탄화수소기는, 치환기를 갖고 있어도 된다. 이 치환기로는, 상기 Ra'3 에 있어서의 고리형의 탄화수소기가 갖고 있어도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.The bivalent cyclic hydrocarbon group formed by Xa together with Ya may have a substituent. The substituent may be the same as the substituent which the cyclic hydrocarbon group of Ra < 3 > may have.
식 (a1-r2-2) 중, Ra01 ∼ Ra03 에 있어서의, 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 사슬형 포화 탄화수소기로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기 등을 들 수 있다.Examples of the monovalent chain saturated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms in Ra 01 to Ra 03 in the formula (a1-r2-2) include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, Hexyl group, heptyl group, octyl group, decyl group and the like.
Ra01 ∼ Ra03 에 있어서의, 탄소수 3 ∼ 20 의 1 가의 지방족 고리형 포화 탄화수소기로는, 예를 들어, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로데실기, 시클로도데실기 등의 단고리형 지방족 포화 탄화수소기;비시클로[2.2.2]옥타닐기, 트리시클로[5.2.1.02,6]데카닐기, 트리시클로[3.3.1.13,7]데카닐기, 테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카닐기, 아다만틸기 등의 다고리형 지방족 포화 탄화수소기 등을 들 수 있다.Examples of the monovalent aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms in Ra 01 to Ra 03 include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclohexyl group Monocyclic aliphatic saturated hydrocarbon group such as cyclopentyl, cyclopentyl, cyclopentyl, cyclopentyl, cyclopentyl, cyclopentyl, cyclopentyl, cyclopentyl, And polycyclic aliphatic saturated hydrocarbon groups such as methyl, ethyl, n-butyl, tetracyclo [6.2.1.13,6.02,7] dodecanyl and adamantyl groups.
Ra01 ∼ Ra03 은, 그 중에서도, 구조 단위 (a1) 을 유도하는 단량체 화합물의 합성 용이성의 관점에서, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 사슬형 포화 탄화수소기가 바람직하고, 그 중에서도, 수소 원자, 메틸기, 에틸기가 보다 바람직하고, 수소 원자가 특히 바람직하다.Ra 01 to Ra 03 are preferably a hydrogen atom or a monovalent chain saturated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms from the viewpoint of ease of synthesis of the monomer compound for deriving the structural unit (a1), among which hydrogen atoms , A methyl group and an ethyl group are more preferable, and a hydrogen atom is particularly preferable.
상기 Ra01 ∼ Ra03 으로 나타내는 사슬형 포화 탄화수소기, 또는 지방족 고리형 포화 탄화수소기가 갖는 치환기로는, 예를 들어, 상기 서술한 Ra05 와 동일한 기를 들 수 있다.Examples of the substituent of the chain saturated hydrocarbon group or aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group represented by Ra 01 to Ra 03 include the same groups as Ra 05 described above.
Ra01 ∼ Ra03 의 2 이상이 서로 결합하여 고리형 구조를 형성함으로써 발생하는 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기로는, 예를 들어, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 메틸시클로펜테닐기, 메틸시클로헥세닐기, 시클로펜틸리덴에테닐기, 시클로헥실리덴에테닐기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 구조 단위 (a1) 을 유도하는 단량체 화합물의 합성 용이성의 관점에서, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로펜틸리덴에테닐기가 바람직하다.Examples of the group containing a carbon-carbon double bond generated by bonding two or more of Ra 01 to Ra 03 together to form a cyclic structure include a cyclopentenyl group, a cyclohexenyl group, a methylcyclopentenyl group, a methyl A cyclohexenyl group, a cyclohexenyl group, a cyclopentylidenethenyl group, a cyclohexylidenethenyl group and the like. Among them, a cyclopentenyl group, a cyclohexenyl group, and a cyclopentylidenetrienyl group are preferable from the viewpoint of ease of synthesis of the monomer compound for deriving the structural unit (a1).
식 (a1-r2-3) 중, Xaa 가 Yaa 와 함께 형성하는 지방족 고리형기는, 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 단고리형기 또는 다고리형기인 지방족 탄화수소기로서 예시한 기가 바람직하다.In the formula (a1-r2-3), the aliphatic cyclic group formed by Xaa together with Yaa is preferably a monocyclic group of Ra ' 3 in the formula (a1-r-1) or a group exemplified as an aliphatic hydrocarbon group of a polycyclic group desirable.
식 (a1-r2-3) 중, Ra04 에 있어서의 방향족 탄화수소기로는, 탄소수 5 ∼ 30 의 방향족 탄화수소 고리로부터 수소 원자 1 개 이상을 제거한 기를 들 수 있다. 그 중에서도, Ra04 는, 탄소수 6 ∼ 15 의 방향족 탄화수소 고리로부터 수소 원자 1 개 이상을 제거한 기가 바람직하고, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센 또는 페난트렌으로부터 수소 원자 1 개 이상을 제거한 기가 보다 바람직하고, 벤젠, 나프탈렌 또는 안트라센으로부터 수소 원자 1 개 이상을 제거한 기가 더욱 바람직하고, 벤젠 또는 나프탈렌으로부터 수소 원자 1 개 이상을 제거한 기가 특히 바람직하고, 벤젠으로부터 수소 원자 1 개 이상을 제거한 기가 가장 바람직하다.In the formula (a1-r2-3), examples of the aromatic hydrocarbon group for Ra 04 include groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from an aromatic hydrocarbon ring having 5 to 30 carbon atoms. Among them, Ra 04 is preferably a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from an aromatic hydrocarbon ring having 6 to 15 carbon atoms, more preferably a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from benzene, naphthalene, anthracene or phenanthrene, A group obtained by removing one or more hydrogen atoms from naphthalene or anthracene is more preferable and a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from benzene or naphthalene is particularly preferable and a group in which one or more hydrogen atoms are removed from benzene is most preferable.
식 (a1-r2-3) 중의 Ra04 가 나프틸기인 경우, 상기 식 (a1-r2-3) 에 있어서의 Yaa 가 결합하는 결합 위치는, 나프틸기의 1 위치 또는 2 위치 중 어느 것이어도 된다.When Ra 04 in the formula (a1-r2-3) is a naphthyl group, the bonding position at which Yaa in the formula (a1-r2-3) is bonded may be either 1 position or 2 positions of the naphthyl group .
식 (a1-r2-3) 중의 Ra04 가 안트릴기인 경우, 상기 식 (a1-r2-3) 에 있어서의 Yaa 가 결합하는 결합 위치는, 안트릴기의 1 위치, 2 위치 또는 9 위치 중 어느 것이어도 된다.Wherein when Ra 04 is an anthryl group, the bonding position, which Yaa is bonded in the formula (a1-r2-3) is not 1-position of casting reel group, a 2-position or 9-position of the (a1-r2-3) Either way.
식 (a1-r2-3) 중의 Ra04 가 갖고 있어도 되는 치환기로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 하이드록실기, 카르복실기, 할로겐 원자 (불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 등), 알콕시기 (메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기 등), 알킬옥시카르보닐기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent which Ra 04 of formula (a1-r2-3) may have include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, a halogen atom (fluorine, chlorine, An alkoxy group (methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, etc.), and an alkyloxycarbonyl group.
식 (a1-r2-4) 중, Ra'12 및 Ra'14 는 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기인 것이 바람직하고, 그 알킬기는, 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기로서 예시한 기가 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 알킬기인 것이 더욱 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기인 것이 특히 바람직하다.Equation (a1-r2-4) of, Ra ', and Ra 12' 14 Ra is 3 'of the each independently preferably an alkyl group of 1 to 10 carbon atoms, and the alkyl group has the formula (a1-r-1) Is more preferably a straight chain or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group.
식 (a1-r2-4) 중, Ra'13 은, 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 탄화수소기로서 예시된 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기, 단고리형기 또는 다고리형기인 지방족 탄화수소기인 것이 바람직하다. 이들 중에서도, Ra'3 의 단고리형기 또는 다고리형기인 지방족 탄화수소기로서 예시한 기인 것이 보다 바람직하다.Equation (a1-r2-4) of, Ra 'is 13, formula (a1-r-1) of the Ra in the' a linear or branched alkyl group, a monocyclic or polycyclic sentence of the example as a hydrocarbon group of 3 Is preferably an aliphatic hydrocarbon group. Among them, it is more preferable to be a group exemplified as a monocyclic group of Ra ' 3 or an aliphatic hydrocarbon group of a polycyclic group.
상기 식 (a1-r2-1) 로 나타내는 기의 구체예를 이하에 든다.Specific examples of the group represented by the formula (a1-r2-1) are shown below.
[화학식 6][Chemical Formula 6]
[화학식 7](7)
상기 식 (a1-r2-2) 로 나타내는 기의 구체예를 이하에 든다.Specific examples of the groups represented by the above formula (a1-r2-2) are shown below.
[화학식 8][Chemical Formula 8]
[화학식 9][Chemical Formula 9]
[화학식 10][Chemical formula 10]
[화학식 11](11)
상기 식 (a1-r2-3) 으로 나타내는 기의 구체예를 이하에 든다.Specific examples of the groups represented by the above formula (a1-r2-3) are shown below.
[화학식 12][Chemical Formula 12]
상기 식 (a1-r2-4) 로 나타내는 기의 구체예를 이하에 든다.Specific examples of the group represented by the formula (a1-r2-4) are shown below.
[화학식 13][Chemical Formula 13]
· 제 3 급 알킬옥시카르보닐 산 해리성기:· Tertiary alkyloxycarbonyl acid dissociable group:
상기 극성기 중 수산기를 보호하는 산 해리성기로는, 예를 들어, 하기 일반식 (a1-r-3) 으로 나타내는 산 해리성기 (이하, 편의상 「제 3 급 알킬옥시카르보닐 산 해리성기」 라고 하는 경우가 있다) 를 들 수 있다.As the acid dissociable group for protecting the hydroxyl group in the polar group, for example, an acid dissociable group represented by the following general formula (a1-r-3) (hereinafter referred to as "tertiary alkyloxycarbonyl acid dissociable group" There are cases).
[화학식 14][Chemical Formula 14]
[식 중, Ra'7 ∼ Ra'9 는 각각 알킬기이다.]Wherein Ra ' 7 to Ra' 9 each represent an alkyl group.
식 (a1-r-3) 중, Ra'7 ∼ Ra'9 는, 각각 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 1 ∼ 3 이 보다 바람직하다.In the formula (a1-r-3), Ra ' 7 to Ra' 9 are each preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 3.
또, 각 알킬기의 합계의 탄소수는, 3 ∼ 7 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 5 인 것이 보다 바람직하고, 3 ∼ 4 인 것이 가장 바람직하다. The total number of carbon atoms in each alkyl group is preferably from 3 to 7, more preferably from 3 to 5, and most preferably from 3 to 4.
구성 단위 (a1) 로는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위, 아크릴아미드로부터 유도되는 구성 단위, 하이드록시스티렌 혹은 하이드록시스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위의 수산기에 있어서의 수소 원자의 적어도 일부가 상기 산 분해성기를 포함하는 치환기에 의해 보호된 구성 단위, 비닐벤조산 혹은 비닐벤조산 유도체로부터 유도되는 구성 단위의 -C(=O)-OH 에 있어서의 수소 원자의 적어도 일부가 상기 산 분해성기를 포함하는 치환기에 의해 보호된 구성 단위 등을 들 수 있다.Examples of the structural unit (a1) include a structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the? -Position may be substituted with a substituent, a structural unit derived from acrylamide, a structure derived from a hydroxystyrene or a hydroxystyrene derivative , At least a part of the hydrogen atoms in the hydroxyl group of the unit is protected by a substituent containing the acid-decomposable group, a hydrogen atom in the -C (= O) -OH of the constituent unit derived from vinylbenzoic acid or vinylbenzoic acid derivative And structural units in which at least a part of the atoms are protected by a substituent including the acid-decomposable group.
구성 단위 (a1) 로는, 상기 중에서도, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하다.As the structural unit (a1), a structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the? -Position may be substituted with a substituent is preferable.
이러한 구성 단위 (a1) 의 바람직한 구체예로는, 하기 일반식 (a1-1) 또는 (a1-2) 로 나타내는 구성 단위를 들 수 있다.Specific examples of such a structural unit (a1) include a structural unit represented by the following general formula (a1-1) or (a1-2).
[화학식 15][Chemical Formula 15]
[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기이다. Va1 은 에테르 결합을 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이고, na1 은 0 ∼ 2 이며, Ra1 은 상기 식 (a1-r-1) 또는 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기이다. Wa1 은 na2+1 가의 탄화수소기이고, na2 는 1 ∼ 3 이며, Ra2 는 상기 식 (a1-r-1) 또는 (a1-r-3) 으로 나타내는 산 해리성기이다.]Wherein R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Va 1 is a divalent hydrocarbon group which may have an ether bond, n a1 is 0 to 2, and Ra 1 is an acid dissociable group represented by the formula (a1-r-1) or (a1-r-2). Ra 1 is an acid dissociable group represented by the above formula (a1-r-1) or (a1-r-3). Wa 1 is an n a2 +1 valent hydrocarbon group, n a2 is 1 to 3,
상기 식 (a1-1) 중, R 의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기는, 상기 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있으며, 특히 불소 원자가 바람직하다.In the formula (a1-1), the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms for R is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, An n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group and a neopentyl group. The halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is a group in which a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is substituted with a halogen atom. The halogen atom includes a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.
R 로는, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기가 바람직하고, 공업상 입수의 용이함에서, 수소 원자 또는 메틸기가 가장 바람직하다.As R, a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a hydrogen atom or a methyl group is most preferable for industrial availability.
상기 식 (a1-1) 중, Va1 에 있어서의 2 가의 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기여도 되고, 방향족 탄화수소기여도 된다.In the formula (a1-1), the divalent hydrocarbon group in Va 1 may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.
Va1 에 있어서의 2 가의 탄화수소기로서의 지방족 탄화수소기는, 포화여도 되고, 불포화여도 되며, 통상적으로는 포화인 것이 바람직하다.The aliphatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group in Va 1 may be saturated or unsaturated, and is preferably saturated.
그 지방족 탄화수소기로서, 보다 구체적으로는, 직사슬형 혹은 분기사슬형의 지방족 탄화수소기, 또는, 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기 등을 들 수 있다.Specific examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure.
상기 직사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하고, 1 ∼ 3 이 가장 바람직하다.The linear aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, further preferably 1 to 4 carbon atoms, and most preferably 1 to 3 carbon atoms.
직사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸렌기 [-CH2-], 에틸렌기 [-(CH2)2-], 트리메틸렌기 [-(CH2)3-], 테트라메틸렌기 [-(CH2)4-], 펜타메틸렌기 [-(CH2)5-] 등을 들 수 있다.As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable, and specific examples thereof include a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [- (CH 2 ) 2 -] and a trimethylene group [- CH 2 ) 3 -], tetramethylene group [- (CH 2 ) 4 -], pentamethylene group [- (CH 2 ) 5 -] and the like.
상기 분기사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 3 또는 4 가 더욱 바람직하고, 3 이 가장 바람직하다.The branched-chain aliphatic hydrocarbon group preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 6 carbon atoms, further preferably 3 or 4 carbon atoms, and most preferably 3 carbon atoms.
분기사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 분기사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기;-CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2-CH2- 등의 알킬에틸렌기;-CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기;-CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 등의 알킬알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬알킬렌기에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하다.Aliphatic hydrocarbon group of the branched, with preferably an alkylene group of branched, and specifically, -CH (CH 3) -, -CH (CH 2 CH 3) -, -C (CH 3) 2 -, -C (CH 3) (CH 2 CH 3) -, -C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, -C (CH 2 CH 3) 2 - a methylene group, such as alkyl; -CH (CH 3) CH 2 -, -CH ( CH 3) CH (CH 3) -, -C (CH 3) 2 CH 2 -, -CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, -C (CH 2 CH 3) 2 -CH 2 -; alkyltrimethylene groups such as -CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 -, and the like; -CH (CH 3 ) CH 2 CH And alkyltetramethylene groups such as 2 CH 2 -, -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 -, and the like. The alkyl group in the alkyl alkylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
상기 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기로는, 지환식 탄화수소기 (지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기), 지환식 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 지환식 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기의 도중에 개재하는 기 등을 들 수 있다. 상기 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 상기 직사슬형의 지방족 탄화수소기 또는 상기 분기사슬형의 지방족 탄화수소기와 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure include alicyclic hydrocarbon groups (groups in which two hydrogen atoms have been removed from the aliphatic hydrocarbon ring), groups in which alicyclic hydrocarbon groups are bonded to the ends of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group , And groups in which an alicyclic hydrocarbon group is introduced in the midst of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group. The linear or branched aliphatic hydrocarbon group may be the same as the above-mentioned linear aliphatic hydrocarbon group or branched-chain aliphatic hydrocarbon group.
상기 지환식 탄화수소기는, 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다.The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 12 carbon atoms.
상기 지환식 탄화수소기는, 다고리형이어도 되고, 단고리형이어도 된다. 단고리형의 지환식 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 다고리형의 지환식 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하며, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.The alicyclic hydrocarbon group may be polycyclic or monocyclic. As the monocyclic alicyclic hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a monocycloalkane is preferable. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane, cyclohexane, and the like. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group in which two hydrogen atoms have been removed from the polycycloalkane. The polycycloalkane preferably has 7 to 12 carbon atoms, and specifically includes adamantane, norbornane, iso Borane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.
Va1 에 있어서의 2 가의 탄화수소기로서의 방향족 탄화수소기는, 방향 고리를 갖는 탄화수소기이다.The aromatic hydrocarbon group as a divalent hydrocarbon group in Va 1 is a hydrocarbon group having an aromatic ring.
이러한 방향족 탄화수소기는, 탄소수가 3 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 30 인 것이 보다 바람직하고, 5 ∼ 20 이 더욱 바람직하고, 6 ∼ 15 가 특히 바람직하고, 6 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 단, 그 탄소수에는, 치환기에 있어서의 탄소수를 포함하지 않는 것으로 한다.Such an aromatic hydrocarbon group preferably has 3 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 30 carbon atoms, still more preferably 5 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 15 carbon atoms, and most preferably 6 to 10 carbon atoms. Provided that the number of carbon atoms does not include the number of carbon atoms in the substituent.
방향족 탄화수소기가 갖는 방향 고리로서 구체적으로는, 벤젠, 비페닐, 플루오렌, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리;상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.Specific examples of the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, biphenyl, fluorene, naphthalene, anthracene and phenanthrene; aromatic heterocyclic rings in which a part of carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a hetero atom And the like. Examples of the heteroatom in the aromatic heterocyclic ring include an oxygen atom, a sulfur atom and a nitrogen atom.
그 방향족 탄화수소기로서 구체적으로는, 상기 방향족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기 (아릴렌기);상기 방향족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 (아릴기) 의 수소 원자 중 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기에 있어서의 아릴기로부터 수소 원자를 추가로 1 개 제거한 기) 등을 들 수 있다. 상기 알킬렌기 (아릴알킬기 중의 알킬 사슬) 의 탄소수는, 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하고, 1 인 것이 특히 바람직하다.Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include groups in which two hydrogen atoms have been removed from the aromatic hydrocarbon ring (arylene group), one of the hydrogen atoms of the group (aryl group) in which one hydrogen atom has been removed from the aromatic hydrocarbon ring, An aryl group in the aryl group of an arylalkyl group such as a benzyl group, a phenethyl group, a 1-naphthylmethyl group, a 2-naphthylmethyl group, a 1-naphthylethyl group, ), And the like. The number of carbon atoms of the alkylene group (alkyl chain in the arylalkyl group) is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.
상기 식 (a1-1) 중, Ra1 은, 상기 식 (a1-r-1) 또는 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기이다. 이들 중에서도, Ra1 로는, 전자선이나 EUV 에 의한 리소그래피에서의 특성 (감도, 형상 등) 을 보다 쉽게 높일 수 있다는 점에서, 상기 식 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기가 바람직하다.In the formula (a1-1), Ra 1 is an acid-dissociable group represented by the formula (a1-r-1) or (a1-r-2). Of these, Ra roneun 1, the acid-dissociable group shown in that it can more easily increase the characteristics (sensitivity, shape, etc.) in a lithographic by electron beam or EUV, by the formula (a1-r-2) are preferred.
상기 식 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기 중에서도, 상기 일반식 (a1-r2-1) 로 나타내는 기, 일반식 (a1-r2-2) 로 나타내는 기, 일반식 (a1-r2-3) 으로 나타내는 기, 일반식 (a1-r2-4) 로 나타내는 기가 바람직하고, 이들 중에서도, 일반식 (a1-r2-2) 로 나타내는 기, 일반식 (a1-r2-3) 으로 나타내는 기가 보다 바람직하다.Among the acid dissociable groups represented by the formula (a1-r-2), the group represented by the general formula (a1-r2-1), the group represented by the general formula (a1- (A1-r2-3) and a group represented by the general formula (a1-r2-3) are preferable, and a group represented by the general formula desirable.
상기 식 (a1-2) 중, Wa1 에 있어서의 na2+1 가의 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기여도 되고, 방향족 탄화수소기여도 된다. 그 지방족 탄화수소기는, 방향족성을 갖지 않는 탄화수소기를 의미하며, 포화여도 되고, 불포화여도 되며, 통상적으로는 포화인 것이 바람직하다. 상기 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기, 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기, 혹은 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기와 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기를 조합한 기를 들 수 있다. In the formula (a1-2), the hydrocarbon group of n a2 +1 valency in Wa 1 may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity, and it may be saturated or unsaturated, and usually it is preferably saturated. Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, or a combination of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group and a ring-containing aliphatic hydrocarbon group One can say.
상기 na2+1 가는, 2 ∼ 4 가가 바람직하고, 2 또는 3 가가 보다 바람직하다.The above-mentioned n a2 + 1 is preferably 2 to 4, more preferably 2 or 3.
이하에 상기 식 (a1-1) 로 나타내는 구성 단위의 구체예를 나타낸다. 이하의 각 식 중, Rα 는, 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다.Specific examples of the structural unit represented by the formula (a1-1) are shown below. In the following formulas, R ? Represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.
[화학식 16][Chemical Formula 16]
[화학식 17][Chemical Formula 17]
[화학식 18][Chemical Formula 18]
[화학식 19][Chemical Formula 19]
[화학식 20][Chemical Formula 20]
[화학식 21][Chemical Formula 21]
[화학식 22][Chemical Formula 22]
[화학식 23](23)
[화학식 24]≪ EMI ID =
[화학식 25](25)
[화학식 26](26)
이하에 상기 식 (a1-2) 로 나타내는 구성 단위의 구체예를 나타낸다.Specific examples of the structural unit represented by the formula (a1-2) are shown below.
[화학식 27](27)
(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a1) 은, 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.The constituent unit (a1) of the component (A1) may be one type or two or more types.
구성 단위 (a1) 로는, 전자선이나 EUV 에 의한 리소그래피에서의 특성 (감도, 형상 등) 을 보다 쉽게 높일 수 있다는 점에서, 상기 식 (a1-1) 로 나타내는 구성 단위가 보다 바람직하고, Ra1 이 상기 식 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기인 경우가 더욱 바람직하고, Ra1 이 상기 일반식 (a1-r2-2) 로 나타내는 기, 일반식 (a1-r2-3) 으로 나타내는 기인 경우가 특히 바람직하다.Roneun structural unit (a1), and in that it can more easily increase the characteristics (sensitivity, shape, etc.) in a lithographic by electron beam or EUV, than the structural unit represented by the above formula (a1-1) preferably, the Ra 1 a more preferred case of the formula (a1-r-2) and acid-dissociable group represented by, Ra 1 is a group represented by the group represented by general formula (a1-r2-3) represented by the above general formula (a1-r2-2) Is particularly preferable.
(A1) 성분 중의 구성 단위 (a1) 의 비율은, (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대하여 5 ∼ 60 몰% 가 바람직하고, 10 ∼ 55 몰% 가 보다 바람직하고, 20 ∼ 50 몰% 가 더욱 바람직하다.(A1) in the component (A1) is preferably from 5 to 60 mol%, more preferably from 10 to 55 mol%, and still more preferably from 20 to 50 mol% based on the total amount of all the constituent units constituting the component (A1) Mol% is more preferable.
구성 단위 (a1) 의 비율을 하한값 이상으로 함으로써, 용이하게 레지스트 패턴을 얻을 수 있으며, 감도, 해상성, 러프니스 개선 혹은 EL 마진 등의 리소그래피 특성도 향상된다. 또, 상한값 이하로 함으로써, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡을 수 있다.By setting the ratio of the constituent unit (a1) to the lower limit value or more, a resist pattern can be easily obtained, and lithography characteristics such as sensitivity, resolution, roughness improvement or EL margin can be improved. In addition, by keeping the value below the upper limit value, balance with other constituent units can be obtained.
≪구성 단위 (a2)≫&Quot; Structural unit (a2) "
구성 단위 (a2) 는, 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기 또는 카보네이트 함유 고리형기를 포함하는 구성 단위 (단, 구성 단위 (a1) 에 해당하는 것을 제외한다) 이다.The structural unit (a2) is a structural unit (excluding the structural unit (a1)) containing a lactone-containing cyclic group, -SO 2 -containing cyclic group or carbonate-containing cyclic group.
구성 단위 (a2) 의 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기 또는 카보네이트 함유 고리형기는, (A1) 성분을 레지스트막의 형성에 사용한 경우에, 레지스트막의 기판에 대한 밀착성을 높이는 데에 있어서 유효한 것이다. 또, 구성 단위 (a2) 를 가짐으로써, 알칼리 현상 프로세스에 있어서는, 현상시에, 레지스트막의 알칼리 현상액에 대한 용해성이 높아진다.The lactone-containing cyclic group, -SO 2 -containing cyclic group or carbonate-containing cyclic group of the constituent unit (a2) is preferably a cyclic group which is effective in improving the adhesion of the resist film to the substrate will be. By having the structural unit (a2), the solubility of the resist film in an alkali developer becomes high during the alkali development process.
「락톤 함유 고리형기」 란, 그 고리 골격 중에 -O-C(=O)- 를 포함하는 고리 (락톤 고리) 를 함유하는 고리형기를 나타낸다. 락톤 고리를 첫번째 고리로서 세어, 락톤 고리만인 경우에는 단고리형기, 또 다른 고리 구조를 갖는 경우에는, 그 구조에 상관없이 다고리형기라고 칭한다. 락톤 함유 고리형기는, 단고리형기여도 되고, 다고리형기여도 된다.The "lactone-containing cyclic group" refers to a cyclic group containing a ring (lactone ring) containing -O-C (═O) - in the cyclic backbone. When a lactone ring is counted as the first ring, only a lactone ring is referred to as a monocyclic ring, and when it has another ring structure, it is referred to as a polycyclic ring regardless of its structure. The lactone-containing cyclic group may be monocyclic or polycyclic.
구성 단위 (a2) 에 있어서의 락톤 함유 고리형기로는, 특별히 한정되는 일 없이 임의의 것이 사용 가능하다. 구체적으로는, 하기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.The lactone-containing cyclic group in the structural unit (a2) is not particularly limited, and any cyclic group can be used. Specifically, the groups represented by the following general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7) are exemplified.
[화학식 28](28)
[식 중, Ra'21 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기, -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기 또는 시아노기이고;R" 는 수소 원자, 알킬기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이고;A" 는 산소 원자 (-O-) 혹은 황 원자 (-S-) 를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이고, n' 는 0 ∼ 2 의 정수이고, m' 는 0 또는 1 이다.][Wherein, Ra '21 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR ", -OC (= O ) R", hydroxy group or cyano group; R " Is a hydrogen atom, an alkyl group, a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group, or a -SO 2 -containing cyclic group; An alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, an oxygen atom or a sulfur atom, n 'is an integer of 0 to 2, and m' is 0 or 1.
상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 중, Ra'21 에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기가 바람직하다. 그 알킬기는, 직사슬형 또는 분기사슬형인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.In the general formula (a2-r-1) ~ (a2-r-7), the alkyl group in Ra '21 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms are preferred. The alkyl group is preferably a linear or branched chain. Specific examples include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, pentyl, isopentyl, neopentyl and hexyl. Among them, a methyl group or an ethyl group is preferable, and a methyl group is particularly preferable.
Ra'21 에 있어서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기가 바람직하다. 그 알콕시기는, 직사슬형 또는 분기사슬형인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 상기 Ra'21 에 있어서의 알킬기로서 예시한 알킬기와 산소 원자 (-O-) 가 연결한 기를 들 수 있다.Ra 'The alkoxy group in 21 is preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. The alkoxy group is preferably a linear or branched chain. Specifically, there may be mentioned a group which is an alkyl group and an oxygen atom (-O-) exemplified as the alkyl group in the above-mentioned Ra '21 connection.
Ra'21 에 있어서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있으며, 불소 원자가 바람직하다.Ra 'is a halogen atom in the 21, and a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, a fluorine atom is preferable.
Ra'21 에 있어서의 할로겐화알킬기로는, 상기 Ra'21 에 있어서의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 할로겐화알킬기로는, 불소화알킬기가 바람직하고, 특히 퍼플루오로알킬기가 바람직하다.Ra 'with a halogenated alkyl group in the 21, wherein Ra' may be a group in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group in 21 with the halogen atoms. As the halogenated alkyl group, a fluorinated alkyl group is preferable, and a perfluoroalkyl group is particularly preferable.
Ra'21 에 있어서의 -COOR", -OC(=O)R" 에 있어서, R" 는 모두 수소 원자, 알킬기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이다.In R '''s,-COOR''and -OC (= O) R''inRa' 21 , R '' is a hydrogen atom, an alkyl group, a lactone containing cyclic group, a carbonate containing cyclic group or a -SO 2 -containing cyclic group.
R" 에 있어서의 알킬기로는, 직사슬형, 분기사슬형, 고리형 중 어느 것이어도 되며, 탄소수는 1 ∼ 15 가 바람직하다.The alkyl group in R "may be any of linear, branched, and cyclic, and preferably has 1 to 15 carbon atoms.
R" 가 직사슬형 혹은 분기사슬형의 알킬기인 경우에는, 탄소수 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 인 것이 더욱 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기인 것이 특히 바람직하다.When R "is a linear or branched alkyl group, it preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, particularly preferably a methyl group or an ethyl group.
R" 가 고리형의 알킬기인 경우에는, 탄소수 3 ∼ 15 인 것이 바람직하고, 탄소수 4 ∼ 12 인 것이 더욱 바람직하고, 탄소수 5 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는, 불소 원자 또는 불소화알킬기로 치환되어 있어도 되고, 치환되어 있지 않아도 되는 모노시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기;비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 예시할 수 있다. 보다 구체적으로는, 시클로펜탄, 시클로헥산 등의 모노시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기;아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다.When R "is a cyclic alkyl group, it preferably has 3 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, there may be mentioned a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a monocycloalkane which may be substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group and which may not be substituted, and a group derived from a polycycloalkane such as a bicycloalkane, tricycloalkane or tetracycloalkane A group in which one or more hydrogen atoms have been removed, and the like. More specifically, there may be mentioned groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from a monocycloalkane such as cyclopentane, cyclohexane and the like; a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane and tetracyclododecane And a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from the hydrogen atom.
R" 에 있어서의 락톤 함유 고리형기로는, 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 기와 동일한 것을 들 수 있다.The lactone-containing cyclic group in R "includes the same groups as those represented by the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7).
R" 에 있어서의 카보네이트 함유 고리형기로는, 후술하는 카보네이트 함유 고리형기와 동일하고, 구체적으로는 일반식 (ax3-r-1) ∼ (ax3-r-3) 으로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.The carbonate-containing cyclic group in R "is the same as the carbonate-containing cyclic group described later, and concretely includes the groups represented by the general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3).
R" 에 있어서의 -SO2- 함유 고리형기로는, 후술하는 -SO2- 함유 고리형기와 동일하고, 구체적으로는 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.R "-SO 2 of the-containing cyclic group, which will be described later -SO 2 - containing cyclic group with the same and, specifically, each by the formula (a5-r-1) ~ (a5-r-4) And the like.
Ra'21 에 있어서의 하이드록시알킬기로는, 탄소수가 1 ∼ 6 인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 상기 Ra'21 에 있어서의 알킬기의 수소 원자의 적어도 1 개가 수산기로 치환된 기를 들 수 있다.Ra 'hydroxy group in 21 is preferably a carbon number of 1 to 6, and specifically, the Ra' One or more of the hydrogen atoms of the alkyl group in 21 may be a substituted by a hydroxyl group.
상기 일반식 (a2-r-2), (a2-r-3), (a2-r-5) 중, A" 에 있어서의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로필렌기, 이소프로필렌기 등을 들 수 있다. 그 알킬렌기가 산소 원자 또는 황 원자를 포함하는 경우, 그 구체예로는, 상기 알킬렌기의 말단 또는 탄소 원자 사이에 -O- 또는 -S- 가 개재하는 기를 들 수 있으며, 예를 들어 -O-CH2-, -CH2-O-CH2-, -S-CH2-, -CH2-S-CH2- 등을 들 수 있다. A" 로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기 또는 -O- 가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 메틸렌기가 가장 바람직하다.Examples of the alkylene group having 1 to 5 carbon atoms in A "in the general formulas (a2-r-2), (a2-r-3) and (a2- , And preferred examples thereof include a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, and an isopropylene group. When the alkylene group contains an oxygen atom or a sulfur atom, specific examples thereof include a group in which -O- or -S- is interposed between the terminal or carbon atom of the alkylene group, and examples thereof include -O -CH 2 -, -CH 2 -O-CH 2 -, -S-CH 2 -, -CH 2 -S-CH 2 - and the like. A "is preferably an alkylene group of 1 to 5 carbon atoms or -O-, more preferably an alkylene group of 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methylene group.
하기에 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 기의 구체예를 든다.Specific examples of the groups represented by the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7) are described below.
[화학식 29][Chemical Formula 29]
[화학식 30](30)
「-SO2- 함유 고리형기」 란, 그 고리 골격 중에 -SO2- 를 포함하는 고리를 함유하는 고리형기를 나타내며, 구체적으로는, -SO2- 에 있어서의 황 원자 (S) 가 고리형기의 고리 골격의 일부를 형성하는 고리형기이다. 그 고리 골격 중에 -SO2- 를 포함하는 고리를 첫번째 고리로서 세어, 그 고리만인 경우에는 단고리형기, 또 다른 고리 구조를 갖는 경우에는, 그 구조에 상관없이 다고리형기라고 칭한다. -SO2- 함유 고리형기는, 단고리형기여도 되고 다고리형기여도 된다.The "-SO 2 -containing cyclic group" refers to a cyclic group containing a ring containing -SO 2 - in the cyclic skeleton, and specifically, the sulfur atom (S) in -SO 2 - Is a cyclic group that forms part of the ring skeleton of < RTI ID = 0.0 > A ring containing -SO 2 - in the ring skeleton is counted as the first ring, and when the ring is only a ring, it is called a monocyclic ring, and when it has another ring structure, it is called a ring ring regardless of its structure. The -SO 2 -containing cyclic group may be monocyclic or polycyclic.
-SO2- 함유 고리형기는, 특히, 그 고리 골격 중에 -O-SO2- 를 포함하는 고리형기, 즉 -O-SO2- 중의 -O-S- 가 고리 골격의 일부를 형성하는 술톤 (sultone) 고리를 함유하는 고리형기인 것이 바람직하다. -SO 2 - containing cyclic group are, in particular, those in the ring skeleton -O-SO 2 - sultone (sultone) of the -OS- of forms part of the ring backbone-cyclic group containing, i.e. -O-SO 2 And is preferably a cyclic group containing a ring.
-SO2- 함유 고리형기로서, 보다 구체적으로는, 하기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.Specific examples of the -SO 2 -containing cyclic group include the groups represented by the following general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4)
[화학식 31](31)
[식 중, Ra'51 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기, -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기 또는 시아노기이고;R" 는 수소 원자, 알킬기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이고;A" 는 산소 원자 혹은 황 원자를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이며, n' 는 0 ∼ 2 의 정수이다.]R < 51 > each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR ", -OC (= O) R ", a hydroxyalkyl group or a cyano group; Is a hydrogen atom, an alkyl group, a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group or a -SO 2 -containing cyclic group; A "is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom, Sulfur atom, and n 'is an integer of 0 to 2.]
상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-2) 중, A" 는, 상기 일반식 (a2-r-2), (a2-r-3), (a2-r-5) 중의 A" 와 동일하다.(A2-r-2), (a2-r-3), (a2-r-5) Quot; A "in FIG.
Ra'51 에 있어서의 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기로는, 각각 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 중의 Ra'21 에 대한 설명에서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.(A2-r-1) to (a2-r-1) in the above Ra '51 are each an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, -COOR " -r-7) it can be given in the same as those exemplified in the description of the Ra '21.
하기에 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 기의 구체예를 든다. 식 중의 「Ac」 는, 아세틸기를 나타낸다.Specific examples of the groups represented by the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4) are described below. "Ac" in the formula represents an acetyl group.
[화학식 32](32)
[화학식 33](33)
[화학식 34](34)
「카보네이트 함유 고리형기」 란, 그 고리 골격 중에 -O-C(=O)-O- 를 포함하는 고리 (카보네이트 고리) 를 함유하는 고리형기를 나타낸다. 카보네이트 고리를 첫번째 고리로서 세어, 카보네이트고리만인 경우에는 단고리형기, 또 다른 고리 구조를 갖는 경우에는, 그 구조에 상관없이 다고리형기라고 칭한다. 카보네이트 함유 고리형기는, 단고리형기여도 되고, 다고리형기여도 된다. The "carbonate-containing cyclic group" means a cyclic group containing a ring (carbonate ring) containing -O-C (═O) -O- in the cyclic backbone. When the carbonate ring is counted as the first ring, only the carbon ring is monocyclic, and when it has another ring structure, it is called the polycyclic ring regardless of its structure. The carbonate-containing cyclic group may be monocyclic or polycyclic.
카보네이트 고리 함유 고리형기로는, 특별히 한정되는 일 없이 임의의 것이 사용 가능하다. 구체적으로는, 하기 일반식 (ax3-r-1) ∼ (ax3-r-3) 으로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.The cyclic group containing a carbonate ring is not particularly limited and any cyclic group can be used. Specific examples thereof include groups represented by the following general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3).
[화학식 35](35)
[식 중, Ra'x31 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기, -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기 또는 시아노기이고;R" 는 수소 원자, 알킬기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이고;A" 는 산소 원자 혹은 황 원자를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이고, p' 는 0 ∼ 3 의 정수이고, q' 는 0 또는 1 이다.][Wherein, Ra 'x31 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR ", -OC (= O ) R", hydroxy group or cyano group; R " Is a hydrogen atom, an alkyl group, a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group or a -SO 2 -containing cyclic group; A "is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom, Sulfur atom, p 'is an integer of 0 to 3, and q' is 0 or 1.]
상기 일반식 (ax3-r-2) ∼ (ax3-r-3) 중, A" 는, 상기 일반식 (a2-r-2), (a2-r-3), (a2-r-5) 중의 A" 와 동일하다.Among the above-mentioned general formulas (ax3-r-2) to (ax3-r-3), A '' represents a group represented by the general formulas (a2- Quot; A "in FIG.
Ra'31 에 있어서의 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기로는, 각각 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 중의 Ra'21 에 대한 설명에서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.(A2-r-1) to (a2-r-1) in the above Ra '31 are each an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, -COOR " -r-7) it can be given in the same as those exemplified in the description of the Ra '21.
하기에 일반식 (ax3-r-1) ∼ (ax3-r-3) 으로 각각 나타내는 기의 구체예를 든다.Specific examples of the groups represented by the general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3) are described below.
[화학식 36](36)
구성 단위 (a2) 로는, 그 중에서도, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하다.As the structural unit (a2), a structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the? -Position may be substituted with a substituent is preferable.
이러한 구성 단위 (a2) 는, 하기 일반식 (a2-1) 로 나타내는 구성 단위인 것이 바람직하다.Such a structural unit (a2) is preferably a structural unit represented by the following general formula (a2-1).
[화학식 37](37)
[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기이다. Ya21 은 단결합 또는 2 가의 연결기이다. La21 은 -O-, -COO-, -CON(R')-, -OCO-, -CONHCO- 또는 -CONHCS- 이며, R' 는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. 단, La21 이 -O- 인 경우, Ya21 은 -CO- 로는 되지 않는다. Ra21 은 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이다.]Wherein R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Ya 21 is a single bond or a divalent linking group. La 21 represents -O-, -COO-, -CON (R ') -, -OCO-, -CONHCO- or -CONHCS-, and R' represents a hydrogen atom or a methyl group. However, when La 21 is -O-, Ya 21 is not -CO-. Ra 21 is a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group or a -SO 2 -containing cyclic group.]
상기 식 (a2-1) 중, R 은 상기와 동일하다.In the formula (a2-1), R is the same as described above.
Ya21 의 2 가의 연결기로는, 특별히 한정되지 않지만, 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기, 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기 등을 적합한 것으로서 들 수 있다.The divalent linking group of Ya 21 is not particularly limited, but a bivalent hydrocarbon group which may have a substituent, a divalent linking group containing a hetero atom, and the like are suitable.
· 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기:A bivalent hydrocarbon group which may have a substituent;
Ya21 이 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기인 경우, 그 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기여도 되고, 방향족 탄화수소기여도 된다.When Ya 21 is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, the hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.
·· Ya21 에 있어서의 지방족 탄화수소기Aliphatic hydrocarbon groups in Ya 21
그 지방족 탄화수소기는, 방향족성을 갖지 않는 탄화수소기를 의미한다. 그 지방족 탄화수소기는, 포화여도 되고, 불포화여도 되며, 통상적으로는 포화인 것이 바람직하다.The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and is preferably saturated.
상기 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형 혹은 분기사슬형의 지방족 탄화수소기, 또는 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure.
··· 직사슬형 혹은 분기사슬형의 지방족 탄화수소기... .Lectric or branched aliphatic hydrocarbon groups
그 직사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하고, 1 ∼ 3 이 가장 바람직하다.The linear aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, further preferably 1 to 4 carbon atoms, and most preferably 1 to 3 carbon atoms.
직사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸렌기 [-CH2-], 에틸렌기 [-(CH2)2-], 트리메틸렌기 [-(CH2)3-], 테트라메틸렌기 [-(CH2)4-], 펜타메틸렌기 [-(CH2)5-] 등을 들 수 있다.As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable, and specific examples thereof include a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [- (CH 2 ) 2 -] and a trimethylene group [- CH 2 ) 3 -], tetramethylene group [- (CH 2 ) 4 -], pentamethylene group [- (CH 2 ) 5 -] and the like.
그 분기사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 3 또는 4 가 더욱 바람직하고, 3 이 가장 바람직하다.The branch-chain aliphatic hydrocarbon group preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 6 carbon atoms, further preferably 3 or 4 carbon atoms, and most preferably 3 carbon atoms.
분기사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 분기사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기;-CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2-CH2- 등의 알킬에틸렌기;-CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기;-CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 등의 알킬알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬알킬렌기에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하다.Aliphatic hydrocarbon group of the branched, with preferably an alkylene group of branched, and specifically, -CH (CH 3) -, -CH (CH 2 CH 3) -, -C (CH 3) 2 -, -C (CH 3) (CH 2 CH 3) -, -C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, -C (CH 2 CH 3) 2 - a methylene group, such as alkyl; -CH (CH 3) CH 2 -, -CH ( CH 3) CH (CH 3) -, -C (CH 3) 2 CH 2 -, -CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, -C (CH 2 CH 3) 2 -CH 2 -; alkyltrimethylene groups such as -CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 -, and the like; -CH (CH 3 ) CH 2 CH And alkyltetramethylene groups such as 2 CH 2 -, -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 -, and the like. The alkyl group in the alkyl alkylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
상기 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기는, 치환기를 갖고 있어도 되고, 갖고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 불소 원자, 불소 원자로 치환된 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기, 카르보닐기 등을 들 수 있다.The linear or branched aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and a carbonyl group.
··· 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기... an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure
그 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기로는, 고리 구조 중에 헤테로 원자를 포함하는 치환기를 포함해도 되는 고리형의 지방족 탄화수소기 (지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기), 상기 고리형의 지방족 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 상기 고리형의 지방족 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기의 도중에 개재하는 기 등을 들 수 있다. 상기 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기로는 상기와 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure include a cyclic aliphatic hydrocarbon group (a group obtained by removing two hydrogen atoms from an aliphatic hydrocarbon ring) which may contain a substituent group containing a hetero atom in the ring structure, A group in which a hydrocarbon group is bonded to the end of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, and a group in which the cyclic aliphatic hydrocarbon group is introduced in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group. Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group include the same ones as described above.
고리형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 12 carbon atoms.
고리형의 지방족 탄화수소기는, 다고리형기여도 되고, 단고리형기여도 된다. 단고리형의 지환식 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 다고리형의 지환식 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group may be either a polycyclic group or a monocyclic group. As the monocyclic alicyclic hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a monocycloalkane is preferable. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane, cyclohexane, and the like. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing two hydrogen atoms from a polycycloalkane. The polycycloalkane preferably has 7 to 12 carbon atoms, and specifically includes adamantane, norbornane, iso Borane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.
고리형의 지방족 탄화수소기는, 치환기를 갖고 있어도 되고, 갖고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기, 카르보닐기 등을 들 수 있다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and a carbonyl group.
상기 치환기로서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다.The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group or a tert-butyl group.
상기 치환기로서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an isopropoxy group, a n-butoxy group or a tert- , Ethoxy group is most preferable.
상기 치환기로서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있으며, 불소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom as the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
상기 치환기로서의 할로겐화알킬기로는, 상기 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다.Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include groups in which a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with the halogen atom.
고리형의 지방족 탄화수소기는, 그 고리 구조를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자를 포함하는 치환기로 치환되어도 된다. 그 헤테로 원자를 포함하는 치환기로는, -O-, -C(=O)-O-, -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O- 가 바람직하다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent group in which a part of carbon atoms constituting the cyclic structure includes a hetero atom. The substituent containing the heteroatom is preferably -O-, -C (= O) -O-, -S-, -S (= O) 2- or -S (= O) 2 -O- .
·· Ya21 에 있어서의 방향족 탄화수소기The aromatic hydrocarbon group in Ya 21
그 방향족 탄화수소기는, 방향 고리를 적어도 1 개 갖는 탄화수소기이다.The aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring.
이 방향 고리는, 4n+2 개의 π 전자를 갖는 고리형 공액계이면 특별히 한정되지 않고, 단고리형이어도 되고 다고리형이어도 된다. 방향 고리의 탄소수는 5 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 20 이 보다 바람직하고, 6 ∼ 15 가 더욱 바람직하고, 6 ∼ 12 가 특히 바람직하다. 단, 그 탄소수에는, 치환기에 있어서의 탄소수를 포함하지 않는 것으로 한다. 방향 고리로서 구체적으로는, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리;상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리로서 구체적으로는, 피리딘 고리, 티오펜 고리 등을 들 수 있다. This aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n + 2 < [pi] > electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The number of carbon atoms in the aromatic ring is preferably from 5 to 30, more preferably from 5 to 20, still more preferably from 6 to 15, and particularly preferably from 6 to 12. Provided that the number of carbon atoms does not include the number of carbon atoms in the substituent. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; and aromatic heterocyclic rings in which a part of carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a hetero atom. Examples of the heteroatom in the aromatic heterocyclic ring include an oxygen atom, a sulfur atom and a nitrogen atom. Specific examples of the aromatic heterocyclic ring include a pyridine ring and a thiophene ring.
방향족 탄화수소기로서 구체적으로는, 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기 (아릴렌기 또는 헤테로아릴렌기);2 이상의 방향 고리를 포함하는 방향족 화합물 (예를 들어, 비페닐, 플루오렌 등) 로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기;상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 (아릴기 또는 헤테로아릴기) 의 수소 원자 중 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기에 있어서의 아릴기로부터 수소 원자를 추가로 1 개 제거한 기) 등을 들 수 있다. 상기 아릴기 또는 헤테로아릴기에 결합하는 알킬렌기의 탄소수는, 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하고, 1 인 것이 특히 바람직하다.Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include groups obtained by removing two hydrogen atoms from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring (arylene group or heteroarylene group), aromatic compounds containing two or more aromatic rings (for example, biphenyl, A group in which one hydrogen atom of a group (aryl group or heteroaryl group) in which one hydrogen atom has been removed from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring is substituted with an alkylene group ( For example, an aryl group in an arylalkyl group such as a benzyl group, a phenethyl group, a 1-naphthylmethyl group, a 2-naphthylmethyl group, a 1-naphthylethyl group, Removed), and the like. The number of carbon atoms of the alkylene group bonded to the aryl group or the heteroaryl group is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.
상기 방향족 탄화수소기는, 당해 방향족 탄화수소기가 갖는 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 예를 들어 당해 방향족 탄화수소기 중의 방향 고리에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 치환기로는, 예를 들어, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기 등을 들 수 있다.In the aromatic hydrocarbon group, the hydrogen atom contained in the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. For example, a hydrogen atom bonded to an aromatic ring in the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, and a hydroxyl group.
상기 치환기로서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다.The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group or a tert-butyl group.
상기 치환기로서의 알콕시기, 할로겐 원자 및 할로겐화알킬기로는, 상기 고리형의 지방족 탄화수소기가 갖는 수소 원자를 치환하는 치환기로서 예시한 것을 들 수 있다.Examples of the alkoxy group, the halogen atom and the halogenated alkyl group as the substituent include those exemplified as the substituent for substituting the hydrogen atom of the cyclic aliphatic hydrocarbon group.
· 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기:A divalent linking group containing a hetero atom:
Ya21 이 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기인 경우, 그 연결기로 바람직한 것으로서, -O-, -C(=O)-O-, -C(=O)-, -O-C(=O)-O-, -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(=NH)- (H 는 알킬기, 아실기 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다.), -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O-, 일반식 -Y21-O-Y22-, -Y21-O-, -Y21-C(=O)-O-, -C(=O)-O-Y21-, -[Y21-C(=O)-O]m"-Y22-, -Y21-O-C(=O)-Y22- 또는 -Y21-S(=O)2-O-Y22- 로 나타내는 기 [식 중, Y21 및 Y22 는 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이고, O 는 산소 원자이며, m" 는 0 ∼ 3 의 정수이다.] 등을 들 수 있다.When Y < a > is a divalent linking group containing a heteroatom, preferable examples of the linking group include -O-, -C (= O) -O-, -C (= O) -, -OC -, -C (= O) -NH-, -NH-, -NH-C (= NH) - (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group) = O) 2 -, -S (= O) 2 -O-, a group represented by the formula -Y 21 -OY 22 -, -Y 21 -O-, -Y 21 -C (= O) = O) -OY 21 -, - [Y 21 -C (= O) -O] m "-Y 22 -, -Y 21 -OC (= O) -Y 22 - or -Y 21 -S (= O ) 2 -OY 22 - [wherein Y 21 and Y 22 are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, O is an oxygen atom, and m "is an integer of 0 to 3] And the like.
상기 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기가 -C(=O)-NH-, -C(=O)-NH-C(=O)-, -NH-, -NH-C(=NH)- 인 경우, 그 H 는 알킬기, 아실기 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 치환기 (알킬기, 아실기 등) 는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 8 인 것이 더욱 바람직하고, 1 ∼ 5 인 것이 특히 바람직하다.The divalent linking group containing the hetero atom may be -C (= O) -NH-, -C (= O) -NH-C (= O) -, -NH-, -NH-C , The H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group. The substituent (alkyl group, acyl group, etc.) preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 5 carbon atoms.
일반식 -Y21-O-Y22-, -Y21-O-, -Y21-C(=O)-O-, -C(=O)-O-Y21-, -[Y21-C(=O)-O]m"-Y22-, -Y21-O-C(=O)-Y22- 또는 -Y21-S(=O)2-O-Y22- 중, Y21 및 Y22 는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이다. 그 2 가의 탄화수소기로는, 상기 2 가의 연결기로서의 설명에서 예시한 (치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기) 와 동일한 것을 들 수 있다.Formula -Y 21 -OY 22 -, -Y 21 -O-, -Y 21 -C (= O) -O-, -C (= O) -OY 21 -, - [Y 21 -C (= O -O] m " -Y 22 -, -Y 21 -OC (═O) -Y 22 - or -Y 21 -S (═O) 2 -OY 22 -, Y 21 and Y 22 are each independently And is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent. The divalent hydrocarbon group may be the same as the divalent hydrocarbon group which may have a substituent (s) exemplified in the description of the divalent linking group.
Y21 로는, 직사슬형의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 직사슬형의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬렌기가 더욱 바람직하고, 메틸렌기 또는 에틸렌기가 특히 바람직하다.As Y 21 , a linear aliphatic hydrocarbon group is preferable, a linear alkylene group is more preferable, a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable, and a methylene group or an ethylene group is particularly preferable.
Y22 로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기 또는 알킬메틸렌기가 보다 바람직하다. 그 알킬메틸렌기에 있어서의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 의 직사슬형의 알킬기가 보다 바람직하고, 메틸기가 가장 바람직하다.Y 22 is preferably a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, more preferably a methylene group, an ethylene group or an alkylmethylene group. The alkyl group in the alkylmethylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and most preferably a methyl group.
식 -[Y21-C(=O)-O]m"-Y22- 로 나타내는 기에 있어서, m" 는 0 ∼ 3 의 정수이고, 0 ∼ 2 의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1 이 보다 바람직하고, 1 이 특히 바람직하다. 즉, 식 -[Y21-C(=O)-O]m"-Y22- 로 나타내는 기로는, 식 -Y21-C(=O)-O-Y22- 로 나타내는 기가 특히 바람직하다. 그 중에서도, 식 -(CH2)a'-C(=O)-O-(CH2)b'- 로 나타내는 기가 바람직하다. 그 식 중, a' 는, 1 ∼ 10 의 정수이며, 1 ∼ 8 의 정수가 바람직하고, 1 ∼ 5 의 정수가 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 더욱 바람직하고, 1 이 가장 바람직하다. b' 는, 1 ∼ 10 의 정수이며, 1 ∼ 8 의 정수가 바람직하고, 1 ∼ 5 의 정수가 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 더욱 바람직하고, 1 이 가장 바람직하다.In the group represented by the formula - [Y 21 -C (═O) -O] m " -Y 22 -, m" is an integer of 0 to 3, preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1 , And 1 is particularly preferable. That is, the group represented by the formula - [Y 21 -C (═O) -O] m " -Y 22 - is particularly preferably a group represented by the formula -Y 21 -C (═O) -OY 22 -. Among them, a group represented by the formula - (CH 2 ) a ' -C (═O) -O- (CH 2 ) b' - is preferable. In the formula, a 'is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, more preferably 1 or 2, and most preferably 1. b 'is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, more preferably 1 or 2, and most preferably 1.
Ya21 로는, 단결합, 에스테르 결합 [-C(=O)-O-], 에테르 결합 (-O-), 직사슬형 혹은 분기사슬형의 알킬렌기, 또는 이들의 조합인 것이 바람직하다.Ya 21 is preferably a single bond, an ester bond [-C (= O) -O-], an ether bond (-O-), a linear or branched alkylene group, or a combination thereof.
상기 식 (a2-1) 중, Ra21 은 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기 또는 카보네이트 함유 고리형기이다.In the formula (a2-1), Ra 21 is a lactone-containing cyclic group, -SO 2 - containing cyclic group or a carbonate-containing cyclic group.
Ra21 에 있어서의 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기로는 각각, 전술한 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 기, 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 기, 일반식 (ax3-r-1) ∼ (ax3-r-3) 으로 각각 나타내는 기를 적합하게 들 수 있다.The lactone-containing cyclic group, -SO 2 -containing cyclic group and carbonate cyclic group in Ra 21 each represent a group represented by the aforementioned general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7) Groups represented by formulas (a5-r-1) to (a5-r-4) and groups represented by formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3), respectively.
그 중에서도, 락톤 함유 고리형기 또는 -SO2- 함유 고리형기가 바람직하고, 상기 일반식 (a2-r-1), (a2-r-2), (a2-r-6) 또는 (a5-r-1) 로 각각 나타내는 기가 보다 바람직하다. 구체적으로는, 상기 화학식 (r-lc-1-1) ∼ (r-lc-1-7), (r-lc-2-1) ∼ (r-lc-2-18), (r-lc-6-1), (r-sl-1-1), (r-sl-1-18) 로 각각 나타내는, 어느 것의 기가 보다 바람직하다.Among them, the lactone-containing cyclic group or -SO 2 - containing cyclic group is preferred, and the formula (a2-r-1), (a2-r-2), (a2-r-6) or (a5-r -1) is more preferable. (R-lc-2-1) to (r-lc-2-18), (r-lc-1-7) 6-1), (r-sl-1-1) and (r-sl-1-18), respectively.
(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a2) 는, 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.The constituent unit (a2) of the component (A1) may be one type or two or more kinds.
(A1) 성분이 구성 단위 (a2) 를 갖는 경우, 구성 단위 (a2) 의 비율은, 당해 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대하여 1 ∼ 80 몰% 인 것이 바람직하고, 10 ∼ 70 몰% 인 것이 보다 바람직하고, 10 ∼ 65 몰% 인 것이 더욱 바람직하고, 10 ∼ 60 몰% 가 특히 바람직하다.When the component (A1) has the structural unit (a2), the proportion of the structural unit (a2) is preferably 1 to 80 mol%, more preferably 10 to 20 mol%, based on the total of all structural units constituting the component (A1) , More preferably 70 mol%, still more preferably 10 mol% to 65 mol%, and particularly preferably 10 mol% to 60 mol%.
구성 단위 (a2) 의 비율을 바람직한 하한값 이상으로 함으로써, 구성 단위 (a2) 를 함유시키는 것에 의한 효과가 충분히 얻어지고, 한편, 바람직한 상한값 이하로 함으로써, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡을 수 있고, 각종 리소그래피 특성 및 패턴 형상이 양호해진다.When the ratio of the constituent unit (a2) is set to a preferable lower limit value or more, the effect of containing the constituent unit (a2) is sufficiently obtained. On the other hand, when it is not more than the preferable upper limit value, balance with other constituent units can be obtained, The lithography characteristics and the pattern shape are improved.
≪구성 단위 (a3)≫&Quot; Structural unit (a3) "
구성 단위 (a3) 은, 극성기 함유 지방족 탄화수소기를 포함하는 구성 단위 (단, 구성 단위 (a1) 또는 구성 단위 (a2) 에 해당하는 것을 제외한다) 이다.The structural unit (a3) is a structural unit (excluding the structural unit (a1) or structural unit (a2)) containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group.
(A1) 성분이 구성 단위 (a3) 을 가짐으로써, (A) 성분의 친수성이 높아지고, 해상성의 향상에 기여한다. The component (A1) has the structural unit (a3), so that the hydrophilicity of the component (A) is enhanced and contributes to improvement of the resolution.
극성기로는, 수산기, 시아노기, 카르복실기, 알킬기의 수소 원자의 일부가 불소 원자로 치환된 하이드록시알킬기 등을 들 수 있으며, 특히 수산기가 바람직하다.Examples of the polar group include a hydroxyl group, a cyano group, a carboxyl group, a hydroxyalkyl group in which a part of the hydrogen atoms of the alkyl group is substituted with a fluorine atom, and a hydroxyl group is particularly preferable.
지방족 탄화수소기로는, 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 탄화수소기 (바람직하게는 알킬렌기) 나, 고리형의 지방족 탄화수소기 (고리형기) 를 들 수 있다. 그 고리형기로는, 단고리형기여도 되고 다고리형기여도 되며, 예를 들어 ArF 엑시머 레이저용 레지스트 조성물용의 수지에 있어서, 다수 제안되어 있는 것 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 그 고리형기로는 다고리형기인 것이 바람직하고, 탄소수는 7 ∼ 30 인 것이 보다 바람직하다.Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms (preferably an alkylene group) or a cyclic aliphatic hydrocarbon group (cyclic group). The cyclic group may be monocyclic or polycyclic. For example, the resin for a resist composition for an ArF excimer laser may be appropriately selected from among many proposed ones. The cyclic group is preferably a polycyclic group and more preferably 7 to 30 carbon atoms.
그 중에서도, 수산기, 시아노기, 카르복실기, 또는 알킬기의 수소 원자의 일부가 불소 원자로 치환된 하이드록시알킬기를 함유하는 지방족 다고리형기를 포함하는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 보다 바람직하다. 그 다고리형기로는, 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등에서 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 예시할 수 있다. 구체적으로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다. 이들 다고리형기 중에서도, 아다만탄으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기, 노르보르난으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기, 테트라시클로도데칸으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 공업상 바람직하다.Among them, a structural unit derived from an acrylate ester containing a hydroxyl group, a cyano group, a carboxyl group, or an aliphatic polycyclic group containing a hydroxyalkyl group in which a part of the hydrogen atoms of the alkyl group is substituted with a fluorine atom is more preferable. Examples of the polycyclic group include groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from a bicycloalkane, a tricycloalkane, a tetracycloalkane or the like. Specific examples thereof include groups obtained by removing two or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isoborane, tricyclodecane and tetracyclododecane. Among these polycyclic groups, groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from adamantane, groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from norbornane, and groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from tetracyclododecane are industrially preferable.
구성 단위 (a3) 으로는, 극성기 함유 지방족 탄화수소기를 포함하는 것이면 특별히 한정되는 일 없이 임의의 것이 사용 가능하다.The constituent unit (a3) is not particularly limited as long as it contains a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group.
구성 단위 (a3) 으로는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위이고 극성기 함유 지방족 탄화수소기를 포함하는 구성 단위가 바람직하다.The constituent unit (a3) is preferably a constituent unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the? -Position may be substituted with a substituent, and a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group.
구성 단위 (a3) 으로는, 극성기 함유 지방족 탄화수소기에 있어서의 탄화수소기가 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 탄화수소기일 때는, 아크릴산의 하이드록시에틸에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하고, 그 탄화수소기가 다고리형기일 때는, 하기의 식 (a3-1) 로 나타내는 구성 단위, 식 (a3-2) 로 나타내는 구성 단위, 식 (a3-3) 으로 나타내는 구성 단위를 바람직한 것으로서 들 수 있다.When the hydrocarbon group in the polar group-containing aliphatic hydrocarbon group is a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, the structural unit (a3) is preferably a structural unit derived from a hydroxyethyl ester of acrylic acid, When the hydrocarbon group is a polycyclic group, preferred examples include a constituent unit represented by the following formula (a3-1), a constituent unit represented by the formula (a3-2), and a constituent unit represented by the formula (a3-3)
[화학식 38](38)
[식 중, R 은 상기와 동일하고, j 는 1 ∼ 3 의 정수이고, k 는 1 ∼ 3 의 정수이고, t' 는 1 ∼ 3 의 정수이고, l 은 1 ∼ 5 의 정수이고, s 는 1 ∼ 3 의 정수이다.]Wherein R is as defined above, j is an integer of 1 to 3, k is an integer of 1 to 3, t 'is an integer of 1 to 3, 1 is an integer of 1 to 5, s is It is an integer from 1 to 3.]
식 (a3-1) 중, j 는, 1 또는 2 인 것이 바람직하고, 1 인 것이 더욱 바람직하다. j 가 2 인 경우, 수산기가, 아다만틸기의 3 위치와 5 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다. j 가 1 인 경우, 수산기가, 아다만틸기의 3 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.In formula (a3-1), j is preferably 1 or 2, more preferably 1. When j is 2, it is preferable that the hydroxyl group is bonded to the 3-position and the 5-position of the adamantyl group. When j is 1, it is preferable that the hydroxyl group is bonded to the 3-position of the adamantyl group.
j 는 1 인 것이 바람직하고, 수산기가, 아다만틸기의 3 위치에 결합하고 있는 것이 특히 바람직하다.j is preferably 1, and it is particularly preferable that the hydroxyl group is bonded to the 3-position of the adamantyl group.
식 (a3-2) 중, k 는 1 인 것이 바람직하다. 시아노기는, 노르보르닐기의 5 위치 또는 6 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.In formula (a3-2), k is preferably 1. The cyano group is preferably bonded to the 5-position or the 6-position of the norbornyl group.
식 (a3-3) 중, t' 는 1 인 것이 바람직하다. l 은 1 인 것이 바람직하다. s 는 1 인 것이 바람직하다. 이들은, 아크릴산의 카르복실기의 말단에, 2-노르보르닐기 또는 3-노르보르닐기가 결합하고 있는 것이 바람직하다. 불소화알킬알코올은, 노르보르닐기의 5 또는 6 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.In formula (a3-3), t 'is preferably 1. l is preferably 1. s is preferably 1. These are preferably those in which a 2-norbornyl group or a 3-norbornyl group is bonded to the terminal of the carboxyl group of acrylic acid. It is preferable that the fluorinated alkyl alcohol is bonded to the 5th or 6th position of the norbornyl group.
(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a3) 은, 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.The constituent unit (a3) of the component (A1) may be one type or two or more types.
(A1) 성분이 구성 단위 (a3) 을 갖는 경우, 구성 단위 (a3) 의 비율은, 당해 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대하여 5 ∼ 50 몰% 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 40 몰% 가 보다 바람직하고, 5 ∼ 35 몰% 가 더욱 바람직하다.When the component (A1) has the structural unit (a3), the proportion of the structural unit (a3) is preferably from 5 to 50 mol%, more preferably from 5 to 50 mol% based on the total structural units constituting the component (A1) , More preferably 40 mol%, and still more preferably 5 mol% to 35 mol%.
구성 단위 (a3) 의 비율을 바람직한 하한값 이상으로 함으로써, 구성 단위 (a3) 을 함유시키는 것에 의한 효과가 충분히 얻어지고, 한편, 바람직한 상한값 이하로 함으로써, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡기 쉬워진다.When the ratio of the constituent unit (a3) is set to a preferable lower limit value or more, the effect of containing the constituent unit (a3) is sufficiently obtained. On the other hand, when it is not more than the preferable upper limit value, balance with other constituent units becomes easy.
≪구성 단위 (a4)≫&Quot; Structural unit (a4) "
구성 단위 (a4) 는, 산 비해리성의 지방족 고리형기를 포함하는 구성 단위이다.The structural unit (a4) is a structural unit containing an acid-labile aliphatic cyclic group.
(A1) 성분이 구성 단위 (a4) 를 가짐으로써, 형성되는 레지스트 패턴의 드라이 에칭 내성이 향상된다. 또, (A) 성분의 소수성이 높아진다. 소수성의 향상은, 특히 용제 현상 프로세스의 경우에, 해상성, 레지스트 패턴 형상 등의 향상에 기여하는 것으로 생각된다.When the component (A1) has the structural unit (a4), dry etching resistance of the formed resist pattern is improved. Further, the hydrophobicity of the component (A) is increased. It is considered that the improvement of the hydrophobicity contributes to the improvement of the resolution and the shape of the resist pattern in the case of the solvent developing process in particular.
구성 단위 (a4) 에 있어서의 「산 비해리성 고리형기」 는, 노광에 의해 당해 레지스트 조성물 중에 산이 발생했을 때 (예를 들어, 후술하는 (B1) 성분으로부터 산이 발생했을 때) 에, 그 산이 작용해도 해리하는 일 없이 그대로 당해 구성 단위 중에 남는 고리형기이다. The "acid-labile cyclic group" in the constituent unit (a4) is preferably an acid labile cyclic group when the acid is generated in the resist composition by exposure (for example, when acid is generated from the component (B1) Is a cyclic group remaining in the constituent unit as it is without dissociating.
구성 단위 (a4) 로는, 예를 들어 산 비해리성의 지방족 고리형기를 포함하는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위 등이 바람직하다. 그 고리형기는, ArF 엑시머 레이저용, KrF 엑시머 레이저용 (바람직하게는 ArF 엑시머 레이저용) 등의 레지스트 조성물의 수지 성분에 사용되는 것으로서 종래부터 알려져 있는 다수의 것이 사용 가능하다.As the constituent unit (a4), for example, a constituent unit derived from an acrylate ester containing an aliphatic cyclic group having acidity is preferable. The cyclic group is used for a resin component of a resist composition such as an ArF excimer laser or a KrF excimer laser (preferably for an ArF excimer laser), and many conventionally known ones can be used.
특히 트리시클로데실기, 아다만틸기, 테트라시클로도데실기, 이소보르닐기, 노르보르닐기에서 선택되는 적어도 1 종이면, 공업상 입수하기 쉬운 등의 점에서 바람직하다. 이들 다고리형기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기를 치환기로서 갖고 있어도 된다.Particularly, at least one member selected from a tricyclodecyl group, an adamantyl group, a tetracyclododecyl group, an isobornyl group and a norbornyl group is preferable from the viewpoint of industrial availability and the like. These polycyclic groups may have a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as a substituent.
구성 단위 (a4) 로서, 구체적으로는, 하기 일반식 (a4-1) ∼ (a4-7) 로 각각 나타내는 구성 단위를 예시할 수 있다.Specific examples of the structural unit (a4) include structural units represented by the following general formulas (a4-1) to (a4-7).
[화학식 39][Chemical Formula 39]
[식 중, Rα 는 상기와 동일하다.][Wherein R ? Is as defined above].
(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a4) 는, 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.The constituent unit (a4) of the component (A1) may be one type or two or more types.
(A1) 성분이 구성 단위 (a4) 를 갖는 경우, 구성 단위 (a4) 의 비율은, 그 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대하여 1 ∼ 30 몰% 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 20 몰% 가 보다 바람직하다.When the component (A1) has the structural unit (a4), the proportion of the structural unit (a4) is preferably from 1 to 30 mol%, more preferably from 3 to 30 mol%, based on the total of all structural units constituting the component (A1) More preferably 20 mol%.
구성 단위 (a4) 의 비율을 바람직한 하한값 이상으로 함으로써, 구성 단위 (a4) 를 함유시키는 것에 의한 효과가 충분히 얻어지고, 한편, 바람직한 상한값 이하로 함으로써, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡기 쉬워진다.When the ratio of the constituent unit (a4) is set to a preferable lower limit value or more, the effect of containing the constituent unit (a4) is sufficiently obtained. On the other hand, when it is not more than the preferable upper limit value, balance with other constituent units becomes easy.
≪구성 단위 (a9)≫&Quot; Structural unit (a9) "
구성 단위 (a9) 는, 하기 일반식 (a9-1) 로 나타내는 구성 단위이다.The structural unit (a9) is a structural unit represented by the following general formula (a9-1).
[화학식 40](40)
[식 중, R 은 상기와 동일하고, Ya91 은 단결합 또는 2 가의 연결기이고, R91 은 치환기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기이며, Ya92 는 2 가의 연결기이다.]Wherein R is as defined above, Ya 91 is a single bond or a divalent linking group, R 91 is a hydrocarbon group which may have a substituent, and Ya 92 is a divalent linking group.
상기 식 (a9-1) 중, R 은 상기와 동일하다.In the formula (a9-1), R is the same as described above.
R 로는, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기가 바람직하고, 공업상 입수의 용이함에서, 수소 원자 또는 메틸기가 특히 바람직하다.As R, a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a hydrogen atom or a methyl group is particularly preferable for industrial availability.
상기 식 (a9-1) 중, Ya91 에 있어서의 2 가의 연결기는, 상기 서술한 일반식 (a2-1) 중의 Ya21 의 2 가의 연결기와 동일한 것을 들 수 있다. Ya91 은, 단결합인 것이 바람직하다.In the formula (a9-1), the divalent linking group in Ya 91 may be the same as the divalent linking group of Ya 21 in the general formula (a2-1) described above. Ya 91 is preferably a single bond.
상기 식 (a9-1) 중, Ya92 에 있어서의 2 가의 연결기는, 상기 서술한 일반식 (a2-1) 중의 Ya21 의 2 가의 연결기와 동일한 것을 들 수 있다.In the formula (a9-1), the divalent linking group in Ya 92 may be the same as the divalent linking group of Ya 21 in the general formula (a2-1) described above.
Ya92 에 있어서의 2 가의 연결기에 있어서, 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기가 바람직하다.As the divalent hydrocarbon group which may have a substituent in the divalent linkage group of Ya 92 , a linear or branched aliphatic hydrocarbon group is preferable.
이러한 직사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하고, 1 ∼ 3 이 가장 바람직하다. 직사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸렌기 [-CH2-], 에틸렌기 [-(CH2)2-], 트리메틸렌기 [-(CH2)3-], 테트라메틸렌기 [-(CH2)4-], 펜타메틸렌기 [-(CH2)5-] 등을 들 수 있다.The linear aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, further preferably 1 to 4 carbon atoms, and most preferably 1 to 3 carbon atoms. As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable, and specific examples thereof include a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [- (CH 2 ) 2 -] and a trimethylene group [- CH 2 ) 3 -], tetramethylene group [- (CH 2 ) 4 -], pentamethylene group [- (CH 2 ) 5 -] and the like.
이러한 분기사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수 2 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 3 또는 4 가 더욱 바람직하고, 3 이 가장 바람직하다. 분기사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 분기사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기;-CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2-CH2- 등의 알킬에틸렌기;-CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기;-CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 등의 알킬알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬알킬렌기에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하다.The branched-chain aliphatic hydrocarbon group preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 6 carbon atoms, further preferably 3 or 4 carbon atoms, and most preferably 3 carbon atoms. Aliphatic hydrocarbon group of the branched, with preferably an alkylene group of branched, and specifically, -CH (CH 3) -, -CH (CH 2 CH 3) -, -C (CH 3) 2 -, -C (CH 3) (CH 2 CH 3) -, -C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, -C (CH 2 CH 3) 2 - a methylene group, such as alkyl; -CH (CH 3) CH 2 -, -CH ( CH 3) CH (CH 3) -, -C (CH 3) 2 CH 2 -, -CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, -C (CH 2 CH 3) 2 -CH 2 -; alkyltrimethylene groups such as -CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 -, and the like; -CH (CH 3 ) CH 2 CH And alkyltetramethylene groups such as 2 CH 2 -, -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 -, and the like. The alkyl group in the alkyl alkylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
또, Ya92 에 있어서의 2 가의 연결기에 있어서, 헤테로 원자를 갖고 있어도 되는 2 가의 연결기로는, -O-, -C(=O)-O-, -C(=O)-, -O-C(=O)-O-, -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(=NH)- (H 는 알킬기, 아실기 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다.), -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O-, -C(=S)-, 일반식 -Y21-O-Y22-, -Y21-O-, -Y21-C(=O)-O-, -C(=O)-O-Y21, [Y21-C(=O)-O]m'-Y22- 또는 -Y21-O-C(=O)-Y22- 로 나타내는 기 [식 중, Y21 및 Y22 는 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이고, O 는 산소 원자이며, m' 는 0 ∼ 3 의 정수이다.] 등을 들 수 있다. 그 중에서도, -C(=O)-, -C(=S)- 가 바람직하다.In the bivalent linking group in Ya 92 , examples of the divalent linking group which may have a hetero atom include -O-, -C (= O) -O-, -C (= O) -, -OC -O-, -C (= O) -NH-, -NH-, -NH-C (= NH) - (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group) -, -S (= O) 2 -, -S (= O) 2 -O-, -C (= S) -, the formula -Y 21 -OY 22 -, -Y 21 -O-, -Y 21 -C (= O) -O-, -C (= O) -OY 21, [Y 21 -C (= O) -O] m '-Y 22 - or -Y 21 -OC (= O) -Y 22 -, wherein Y 21 and Y 22 are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, O is an oxygen atom and m 'is an integer of 0 to 3, etc. have. Among them, -C (= O) - and -C (= S) - are preferable.
상기 식 (a9-1) 중, R91 에 있어서의 탄화수소기로는, 알킬기, 1 가의 지환식 탄화수소기, 아릴기, 아르알킬기 등을 들 수 있다.In the formula (a9-1), examples of the hydrocarbon group for R 91 include an alkyl group, a monovalent alicyclic hydrocarbon group, an aryl group, and an aralkyl group.
R91 에 있어서의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 8 이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하며, 직사슬형이어도 되고 분기사슬형이어도 된다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 헥실기, 옥틸기 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.The alkyl group for R 91 preferably has 1 to 8 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, further preferably 1 to 4 carbon atoms, and may be linear or branched. Specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, hexyl group, and octyl group are preferable.
R91 에 있어서의 1 가의 지환식 탄화수소기는, 탄소수 3 ∼ 20 이 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 12 가 보다 바람직하며, 다고리형이어도 되고, 단고리형이어도 된다. 단고리형의 지환식 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로부탄, 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 다고리형의 지환식 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하며, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.The monovalent alicyclic hydrocarbon group for R 91 preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 12 carbon atoms, and may be polycyclic or monocyclic. The monocyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing at least one hydrogen atom from a monocycloalkane. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclobutane, cyclopentane, and cyclohexane. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group in which at least one hydrogen atom is removed from the polycycloalkane. The polycycloalkane preferably has 7 to 12 carbon atoms, and specifically includes adamantane, norbornane, Isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, and the like.
R91 에 있어서의 아릴기는, 탄소수 6 ∼ 18 인 것이 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 10 인 것이 보다 바람직하며, 구체적으로는 페닐기가 특히 바람직하다.The aryl group in R 91 preferably has 6 to 18 carbon atoms, more preferably 6 to 10 carbon atoms, and particularly preferably a phenyl group.
R91 에 있어서의 아르알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬렌기와 상기 「R91 에 있어서의 아릴기」 가 결합한 아르알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기와 상기 「R91 에 있어서의 아릴기」 가 결합한 아르알킬기가 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬렌기와 상기 「R91 에 있어서의 아릴기」 가 결합한 아르알킬기가 특히 바람직하다.To an aralkyl group in R 91 is an "aryl group in R 91," an aralkyl group is bonded alkylene group and the group having 1 to 8 carbon atoms is preferable, according to an alkylene group wherein the "R 91 having 1 to 6 carbon atoms Is more preferably an aralkyl group bonded with an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms and the above-mentioned " aryl group in R 91 ".
R91 에 있어서의 탄화수소기는, 당해 탄화수소기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환되어 있는 것이 바람직하고, 당해 탄화수소기의 수소 원자의 30 ∼ 100 % 가 불소 원자로 치환되어 있는 것이 보다 바람직하다. 그 중에서도, 상기 서술한 알킬기의 수소 원자의 전부가 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬기인 것이 특히 바람직하다.As the hydrocarbon group for R 91 , a part or all of the hydrogen atoms of the hydrocarbon group is preferably substituted with a fluorine atom, and it is more preferable that 30 to 100% of the hydrogen atoms of the hydrocarbon group is substituted with a fluorine atom. Among them, it is particularly preferable that all the hydrogen atoms of the alkyl group described above are perfluoroalkyl groups substituted with fluorine atoms.
R91 에 있어서의 탄화수소기는, 치환기를 갖고 있어도 된다. 그 치환기로는, 할로겐 원자, 옥소기 (=O), 수산기 (-OH), 아미노기 (-NH2), -SO2-NH2 등을 들 수 있다. 또, 그 탄화수소기를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자를 포함하는 치환기로 치환되어도 된다. 그 헤테로 원자를 포함하는 치환기로는, -O-, -NH-, -N=, -C(=O)-O-, -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O- 를 들 수 있다.The hydrocarbon group for R 91 may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom, an oxo group (= O), a hydroxyl group (-OH), an amino group (-NH 2 ), -SO 2 -NH 2 , and the like. In addition, a part of carbon atoms constituting the hydrocarbon group may be substituted with a substituent containing a hetero atom. The substituent group containing the heteroatom includes -O-, -NH-, -N═, -C (═O) -O-, -S-, -S (═O) 2- , -S ) 2- O-.
R91 에 있어서, 치환기를 갖는 탄화수소기로는, 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기를 들 수 있다.Examples of the hydrocarbon group having a substituent in R 91 include a lactone-containing cyclic group represented by the above general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7).
또, R91 에 있어서, 치환기를 갖는 탄화수소기로는, 상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기;하기 화학식으로 나타내는 치환 아릴기, 1 가의 복소 고리형기 등도 들 수 있다.Examples of the hydrocarbon group having a substituent in R 91 include -SO 2 -containing cyclic groups represented by the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4), substituted aryl groups , A monovalent heterocyclic group, and the like.
[화학식 41](41)
구성 단위 (a9) 중에서도, 하기 일반식 (a9-1-1) 로 나타내는 구성 단위가 바람직하다.Among the structural units (a9), structural units represented by the following general formula (a9-1-1) are preferable.
[화학식 42](42)
[식 중, R 은 상기와 동일하고, Ya91 은 단결합 또는 2 가의 연결기이고, R91 은 치환기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기이며, R92 는 산소 원자 또는 황 원자이다.]Wherein R is as defined above, Ya 91 is a single bond or a divalent linking group, R 91 is a hydrocarbon group which may have a substituent, and R 92 is an oxygen atom or a sulfur atom.
일반식 (a9-1-1) 중, Ya91, R91, R 에 대한 설명은 상기와 동일하다. 또, R92 는 산소 원자 또는 황 원자이다.The description of Ya 91 , R 91 , and R in the general formula (a9-1-1) is the same as described above. R 92 is an oxygen atom or a sulfur atom.
이하에 상기 식 (a9-1) 또는 일반식 (a9-1-1) 로 나타내는 구성 단위의 구체예를 나타낸다. 하기 식 중, Rα 는, 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다.Specific examples of the structural unit represented by the formula (a9-1) or the general formula (a9-1-1) are shown below. In the formula, R ? Represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.
[화학식 43](43)
[화학식 44](44)
[화학식 45][Chemical Formula 45]
(A1) 성분이 함유하는 구성 단위 (a9) 는 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.The structural unit (a9) contained in the component (A1) may be one kind or two or more kinds.
(A1) 성분이 구성 단위 (a9) 를 갖는 경우, 구성 단위 (a9) 의 비율은, 그 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대하여 1 ∼ 40 몰% 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 30 몰% 가 보다 바람직하고, 10 ∼ 30 몰% 가 특히 바람직하다.When the component (A1) has the structural unit (a9), the proportion of the structural unit (a9) is preferably 1 to 40 mol%, more preferably 3 to 10 mol%, based on the total of all structural units constituting the component (A1) , More preferably 30 mol%, and particularly preferably 10 mol% to 30 mol%.
구성 단위 (a9) 의 비율을 하한값 이상으로 함으로써, 현상 특성이나 EL 마진 등의 리소그래피 특성이 향상되고, 상한값 이하로 함으로써, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡기 쉬워진다.When the ratio of the constituent unit (a9) is set to a lower limit value or more, lithographic characteristics such as development characteristics and EL margin are improved. When the proportion is less than the upper limit value, balance with other constituent units is easy.
≪구성 단위 (st)≫«Constituent unit (st)»
구성 단위 (st) 는, 하이드록시스티렌 또는 스티렌으로부터 유도되는 구성 단위이다.The structural unit (st) is a structural unit derived from hydroxystyrene or styrene.
바람직한 구성 단위 (st) 로는, 하기 일반식 (I) 로 나타내는 구성 단위 (st1), 하기 일반식 (II) 로 나타내는 구성 단위 (st2) 를 들 수 있다.Examples of the preferable structural unit (st) include a structural unit (st1) represented by the following general formula (I) and a structural unit (st2) represented by the following general formula (II).
[화학식 46](46)
[식 중, Rst 는, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. m01 은 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다. R01 은, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타낸다. m02 는 0 또는 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.]Wherein R st represents a hydrogen atom or a methyl group. m 01 represents an integer of 1 to 3; R 01 represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. m 02 represents 0 or an integer of 1 to 3.]
상기 식 (I) 중, Rst 는, 수소 원자 또는 메틸기이며, 수소 원자인 것이 바람직하다.In the formula (I), R st is preferably a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a hydrogen atom.
m01 은, 1 ∼ 3 의 정수이고, 1 인 것이 바람직하다.m 01 is an integer of 1 to 3, preferably 1.
벤젠 고리에 있어서의 수산기의 결합 위치는, o-위치, m-위치, p-위치 중 어느 것이어도 되지만, 용이하게 입수 가능하고 저가격이라는 점에서, m01 이 1 이고, 또한, p-위치에 수산기를 갖는 것이 바람직하다. m01 이 2 또는 3 인 경우에는, 임의의 치환 위치를 조합할 수 있다.The bonding position of the hydroxyl group in the benzene ring may be any of o-position, m-position and p-position, but m 01 is 1 in view of availability and low cost, It is preferable to have a hydroxyl group. When m 01 is 2 or 3, arbitrary substitution positions can be combined.
상기 식 (II) 중, Rst 는, 수소 원자 또는 메틸기이며, 수소 원자인 것이 바람직하다.In the formula (II), R st is preferably a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a hydrogen atom.
R01 은, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 공업적으로는 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다. R 01 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and is preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert- Isopentyl group, neopentyl group and the like. Industrially, a methyl group or an ethyl group is preferable.
m02 는, 0 또는 1 ∼ 3 의 정수이다. 이들 중, m02 는, 0 또는 1 인 것이 바람직하고, 공업상 0 인 것이 보다 바람직하다. 또한, m02 가 1 인 경우, 벤젠 고리에 있어서의 R01 의 치환 위치는, o-위치, m-위치, p-위치 중 어느 것이어도 되며, m02 가 2 또는 3 인 경우에는, 임의의 치환 위치를 조합할 수 있다.m 02 is 0 or an integer of 1 to 3; Of these, m 02 is preferably 0 or 1, and more preferably 0 for industrial use. When m 02 is 1, the substitution position of R 01 in the benzene ring may be any of o-, m- and p-, and when m 02 is 2 or 3, The substitution positions can be combined.
(A1) 성분이 함유하는 구성 단위 (st) 는 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.The constituent unit (st) contained in the component (A1) may be one kind or two or more kinds.
(A1) 성분이 구성 단위 (st) 를 갖는 경우, 구성 단위 (st) 의 비율은, 그 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대하여 1 ∼ 80 몰% 인 것이 바람직하고, 10 ∼ 75 몰% 가 보다 바람직하고, 20 ∼ 70 몰% 가 더욱 바람직하다.When the component (A1) has the structural unit (st), the proportion of the structural unit (st) is preferably from 1 to 80 mol%, more preferably from 10 to 80 mol%, based on the total of all structural units constituting the component (A1) , More preferably 75 mol%, and still more preferably 20 mol% to 70 mol%.
구성 단위 (st) 의 비율을 하한값 이상으로 함으로써, 현상 특성이나 EL 마진 등의 리소그래피 특성이 향상되고, 상한값 이하로 함으로써, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡기 쉬워진다.When the proportion of the constituent unit (st) is set to the lower limit value or more, lithographic characteristics such as development characteristics and EL margin are improved. When the proportion is less than the upper limit value, balance with other constituent units can be easily achieved.
본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서, (A) 성분은, 구성 단위 (a1) 을 갖는 고분자 화합물 (A1) 을 포함하는 것이 바람직하다.In the resist composition of the present embodiment, the component (A) preferably comprises the polymer (A1) having the structural unit (a1).
레지스트 조성물이 함유하는 (A1) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The component (A1) contained in the resist composition may be used singly or in combination of two or more.
바람직한 (A1) 성분으로는, 구성 단위 (a1) 과 구성 단위 (a2) 의 반복 구조를 갖는 고분자 화합물 (이하, 「(A1-1) 성분」 이라고도 한다), 구성 단위 (a1) 과 구성 단위 (st) 의 반복 구조를 갖는 고분자 화합물 (이하, 「(A1-2) 성분」 이라고도 한다) 을 들 수 있다.Preferred examples of the component (A1) include a polymer compound having a repeating structure of the structural unit (a1) and the structural unit (a2) (hereinafter also referred to as "component (A1-1)"), a structural unit (a1) st) (hereinafter also referred to as " component (A1-2) ").
그 (A1) 성분으로서 구체적으로는, 구성 단위 (a1) 과 구성 단위 (a2) 의 반복 구조로 이루어지는 고분자 화합물, 구성 단위 (a1) 과 구성 단위 (a2) 와 구성 단위 (a9) 의 반복 구조로 이루어지는 고분자 화합물, 구성 단위 (a1) 과 구성 단위 (st) 의 반복 구조로 이루어지는 고분자 화합물, 구성 단위 (a1) 과 구성 단위 (st) 와 구성 단위 (a9) 의 반복 구조로 이루어지는 고분자 화합물, 구성 단위 (a1) 과 구성 단위 (a2) 와 구성 단위 (st) 와 구성 단위 (a9) 의 반복 구조로 이루어지는 고분자 화합물 등을 예시할 수 있다.Specific examples of the component (A1) include a polymer compound comprising a repeating structure of the structural unit (a1) and the structural unit (a2), a repeating structure of the structural unit (a1), the structural unit (a2) (A1) and a structural unit (st), a polymer compound comprising a repeating structure of the structural unit (a1), the structural unit (st) and the structural unit (a9), the structural unit (a1), a structural unit (a2), a structural unit (st) and a structural unit (a9).
또, (A) 성분으로서, (A1-1) 성분과 (A1-2) 성분을 조합하여 사용하는 것도 바람직하다.As the component (A), it is also preferable to use a combination of the component (A1-1) and the component (A1-2).
(A1-1) 성분과 (A1-2) 성분의 비율 (질량비) 은, (A1-1) 성분/(A1-2) 성분 = 1/9 ∼ 9/1 이 바람직하고, 3/7 ∼ 7/3 이 보다 바람직하고, 5/5 가 더욱 바람직하다.The ratio (mass ratio) of the component (A1-1) to the component (A1-2) is preferably from 1/9 to 9/1, more preferably from 3/7 to 7/1 / 3 is more preferable, and 5/5 is more preferable.
(A1) 성분의 질량 평균 분자량 (Mw) (겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의한 폴리스티렌 환산 기준) 은, 특별히 한정되는 것이 아니라, 1000 ∼ 500000 정도가 바람직하고, 3000 ∼ 50000 정도가 보다 바람직하다.The mass average molecular weight (Mw) (based on polystyrene conversion by gel permeation chromatography (GPC)) of the component (A1) is not particularly limited, but is preferably about 1000 to 500000, more preferably about 3,000 to 50,000 .
(A1) 성분의 Mw 가 이 범위의 바람직한 상한값 이하이면, 레지스트로서 사용하는 데에 충분한 레지스트 용제에 대한 용해성이 있고, 이 범위의 바람직한 하한값 이상이면, 내드라이 에칭성이나 레지스트 패턴 단면 (斷面) 형상이 양호하다.If the Mw of the component (A1) is not more than the upper limit of the preferable range, there is sufficient solubility in a resist solvent for use as a resist. If the Mw is not less than the lower limit of the above range, The shape is good.
(A1) 성분의 분산도 (Mw/Mn) 는, 특별히 한정되지 않으며, 1.0 ∼ 4.0 정도가 바람직하고, 1.0 ∼ 3.0 정도가 보다 바람직하고, 1.5 ∼ 2.5 정도가 특히 바람직하다. 또한, Mn 은 수 평균 분자량을 나타낸다.The dispersion degree (Mw / Mn) of the component (A1) is not particularly limited, but is preferably about 1.0 to 4.0, more preferably about 1.0 to 3.0, and particularly preferably about 1.5 to 2.5. Mn represents the number average molecular weight.
(A) 성분 중의 (A1) 성분의 비율은, (A) 성분의 총질량에 대하여, 25 질량% 이상이 바람직하고, 50 질량% 이상이 보다 바람직하고, 75 질량% 이상이 더욱 바람직하고, 100 질량% 여도 된다. 그 비율이 25 질량% 이상이면, 고감도화나, 러프니스 개선 등의 각종 리소그래피 특성이 우수한 레지스트 패턴이 형성되기 쉬워진다. 이와 같은 효과는, 특히 전자선이나 EUV 에 의한 리소그래피에 있어서 현저하다.The proportion of the component (A1) in the component (A) is preferably 25% by mass or more, more preferably 50% by mass or more, further preferably 75% by mass or more, Mass%. If the ratio is 25 mass% or more, a resist pattern having excellent lithography properties such as high sensitivity and roughness improvement is likely to be formed. Such an effect is remarkable particularly in lithography by electron beam or EUV.
(A1) 성분의 제조 방법:(A1) Component:
(A1) 성분은, 각 구성 단위를 유도하는 모노머를 중합 용매에 용해하고, 여기에, 예를 들어 아조비스이소부티로니트릴 (AIBN), 디메틸2,2'-아조비스이소부티레이트 (예를 들어, V-601 등) 등의 라디칼 중합 개시제를 첨가하여 중합함으로써 제조할 수 있다. 또한, 중합시에, 예를 들어 HS-CH2-CH2-CH2-C(CF3)2-OH 와 같은 연쇄 이동제를 병용하여 사용함으로써, 말단에 -C(CF3)2-OH 기를 도입해도 된다. 이와 같이, 알킬기의 수소 원자의 일부가 불소 원자로 치환된 하이드록시알킬기가 도입된 공중합체는, 현상 결함의 저감이나 LER (라인 에지 러프니스:라인 측벽의 불균일한 요철) 의 저감에 유효하다.The component (A1) is obtained by dissolving a monomer for deriving each constituent unit in a polymerization solvent and adding thereto, for example, azobisisobutyronitrile (AIBN), dimethyl 2,2'-azobisisobutyrate , V-601, etc.) and then polymerizing them. In addition, when a chain transfer agent such as HS-CH 2 -CH 2 -CH 2 -C (CF 3 ) 2 -OH is used in combination during the polymerization, a -C (CF 3 ) 2 -OH group . As described above, a copolymer into which a hydroxyalkyl group in which a part of hydrogen atoms of an alkyl group is substituted with a fluorine atom is introduced is effective for reduction of development defects and reduction of LER (line edge roughness: uneven irregularity of line side wall).
본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서, (A) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.In the resist composition of the present embodiment, the component (A) may be used alone or in combination of two or more.
본 실시형태의 레지스트 조성물 중, (A) 성분의 함유량은, 형성하고자 하는 레지스트막 두께 등에 따라 조정하면 된다.The content of the component (A) in the resist composition of the present embodiment may be adjusted depending on the thickness of the resist film to be formed.
<(B1) 성분>≪ Component (B1) >
본 실시형태의 레지스트 조성물은, 하기 일반식 (b1) 로 나타내는 화합물 ((B1) 성분) 을 함유한다.The resist composition of the present embodiment contains a compound (component (B1)) represented by the following general formula (b1).
[화학식 47](47)
[식 중, Rb1 은, 불소 원자, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 시아노기 및 -SO2Rb10 으로 이루어지는 군에서 선택되는 전자 흡인성기를 갖는 방향 고리를 나타낸다 (단, 상기 방향 고리가 벤젠 고리인 경우, 상기 전자 흡인성기는 벤젠 고리의 적어도 일방의 메타 위치에 결합하고 있다). Rb10 은, 알킬기, 불소화알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. Rb21 및 Rb22 는, 각각 독립적으로, 불소 원자, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 시아노기 및 -SO2Rb20 으로 이루어지는 군에서 선택되는 전자 흡인성기를 갖고 있어도 되는 방향 고리를 나타낸다. Rb20 은, 알킬기, 불소화알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. Z 는, 황 원자, 산소 원자, 카르보닐기 또는 단결합을 나타낸다. Rb1 과 Rb21 은, 황 원자, 산소 원자, 카르보닐기 또는 단결합을 통해서 결합하고, 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 된다. Rb1 과 Rb22 는, 황 원자, 산소 원자, 카르보닐기 또는 단결합을 통해서 결합하고, 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 된다. X- 는, 카운터 아니온 (단, BF4 - 를 제외한다) 을 나타낸다.] Wherein R b1 represents an aromatic ring having an electron-withdrawing group selected from the group consisting of a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a nitro group, a cyano group and -SO 2 R b10 (provided that the aromatic ring is benzene Ring, the electron-withdrawing group is bonded to the meta position of at least one of the benzene rings). R b10 represents an alkyl group, a fluorinated alkyl group or an aryl group. R b21 and R b22 each independently represent an aromatic ring which may have an electron-withdrawing group selected from the group consisting of a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a nitro group, a cyano group and -SO 2 R b20 . R b20 represents an alkyl group, a fluorinated alkyl group or an aryl group. Z represents a sulfur atom, an oxygen atom, a carbonyl group or a single bond. R b1 and R b21 may be bonded to each other through a sulfur atom, an oxygen atom, a carbonyl group or a single bond to form a ring with the sulfur atom in the formula. R b1 and R b22 may be bonded to each other through a sulfur atom, an oxygen atom, a carbonyl group or a single bond to form a ring with the sulfur atom in the formula. X - represents counter no (except BF 4 - ).]
≪(B1) 성분의 카티온부≫&Quot; Catite part of component (B1) "
상기 식 (b1) 중, Rb1 은, 불소 원자, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 시아노기 및 -SO2Rb10 으로 이루어지는 군에서 선택되는 전자 흡인성기를 갖는 방향 고리를 나타낸다 (단, 상기 방향 고리가 벤젠 고리인 경우, 상기 전자 흡인성기는 벤젠 고리의 적어도 일방의 메타 위치에 결합하고 있다).In the formula (b1), R b1 represents an aromatic ring having an electron-withdrawing group selected from the group consisting of a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a nitro group, a cyano group and -SO 2 R b10 And when the ring is a benzene ring, the electron-withdrawing group is bonded to the meta position of at least one of the benzene rings.
Rb1 에 있어서의 방향 고리는, 4n+2 개의 π 전자를 갖는 고리형 공액계이면 특별히 한정되지 않고, 단고리형이어도 되고 다고리형이어도 된다. 방향 고리의 탄소수는 5 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 20 이 보다 바람직하고, 6 ∼ 15 가 더욱 바람직하고, 6 ∼ 12 가 특히 바람직하다.The aromatic ring in R b1 is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n + 2 π electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The number of carbon atoms in the aromatic ring is preferably from 5 to 30, more preferably from 5 to 20, still more preferably from 6 to 15, and particularly preferably from 6 to 12.
Rb1 로는, 예를 들어, 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 안트라센 고리, 페난트렌 고리 등의 방향족 탄화수소 고리로부터 수소 원자 1 개 이상을 제거한 기를 들 수 있으며, 벤젠 고리 또는 나프탈렌 고리로부터 수소 원자 1 개 이상을 제거한 기가 바람직하고, 벤젠 고리로부터 수소 원자 1 개 이상을 제거한 기가 보다 바람직하다.Examples of R b1 include groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from aromatic hydrocarbon rings such as a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, etc., and at least one hydrogen atom from a benzene ring or a naphthalene ring A group obtained by removing one or more hydrogen atoms from the benzene ring is more preferable.
Rb1 에 있어서의 -SO2Rb10 의 Rb10 은, 알킬기, 불소화알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.R b10 of -SO 2 R b10 is in the R b1 represents an alkyl group, a fluorinated alkyl group or an aryl group.
Rb10 에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기를 들 수 있으며, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하다.As the alkyl group for R b10 , an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is exemplified , and an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable.
Rb10 에 있어서의 불소화알킬기로는, 상기의 「Rb10 에 있어서의 알킬기」 의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기를 들 수 있다.A fluorinated alkyl group in the R b10 is, some or all of the hydrogen atoms of the "alkyl group in R b10" of the number of substituted groups with a fluorine atom.
Rb10 에 있어서의 아릴기로는, Rb1 과 동일한 것을 들 수 있다.The aryl group for R b10 includes the same groups as R b1 .
Rb1 에 있어서의 방향 고리가 갖는 전자 흡인성기는, 불소 원자, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 시아노기 및 -SO2Rb10 으로 이루어지는 군 중에서도, 불소 원자, 트리플루오로메틸기가 바람직하다.The electron attractive group possessed by the aromatic ring in R b1 is preferably a fluorine atom or a trifluoromethyl group among the group consisting of a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a nitro group, a cyano group and -SO 2 R b10 .
Rb1 에 있어서의 방향 고리는, 불소 원자, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 시아노기 및 -SO2Rb10 으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 전자 흡인성기를 갖지만, 상기 전자 흡인성기의 방향 고리에 대한 결합 위치는, Rb1 에 있어서의 방향 고리가 벤젠 고리인 경우를 제외하고, 한정되지 않는다.The aromatic ring in R b1 has at least one electron-withdrawing group selected from the group consisting of a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a nitro group, a cyano group and -SO 2 R b10 , but the aromatic ring of the electron- Is not limited unless the aromatic ring in R b1 is a benzene ring.
Rb1 에 있어서의 방향 고리에 결합하는 상기 전자 흡인성기의 수는, 1 개여도 되고, 2 개 이상이어도 된다. 방향 고리에 복수의 상기 전자 흡인성기가 결합하는 경우, 복수의 상기 전자 흡인성기는, 동일해도 되고 상이해도 된다.The number of the electron-withdrawing groups to be bonded to the aromatic rings in R b1 may be one or two or more. When a plurality of the above-mentioned electron-withdrawing groups are bonded to the aromatic ring, the plural electron-withdrawing groups may be the same or different.
단, Rb1 에 있어서의 방향 고리가 벤젠 고리인 경우, 상기 전자 흡인성기는 벤젠 고리의 적어도 일방의 메타 위치에 결합하고 있다. 상기 전자 흡인성기는 벤젠 고리에 있어서의 양방의 메타 위치에 결합하고 있어도 된다. 또한 벤젠 고리의 메타 위치에 더하여, 벤젠 고리의 오르토 위치 및 파라 위치의 일방 또는 양방에, 상기 전자 흡인성기가 결합하고 있어도 된다.However, when the aromatic ring in R b1 is a benzene ring, the electron-withdrawing group is bonded to at least one of the meta positions of the benzene ring. The electron-withdrawing group may be bonded to both meta positions in the benzene ring. In addition to the meta position of the benzene ring, the electron-withdrawing group may be bonded to one or both of the ortho and para positions of the benzene ring.
Rb1 에 있어서의 방향 고리가, 상기 전자 흡인성기가 메타 위치에 결합하고 있는 벤젠 고리인 경우, 상기 전자 흡인성기가 메타 위치에 결합하고 있지 않은 벤젠 고리인 경우에 비해, (B1) 성분은, 레지스트 조성물 중에서 분해를 잘 발생시키지 않고 시간 경과적 안정성이 우수하다.When the aromatic ring in R b1 is a benzene ring bonded to the meta position of the electron-withdrawing group, the component (B1) is a benzene ring in which the electron-withdrawing group is not bonded to the meta position, It does not decompose well in the resist composition and has excellent stability over time.
Rb1 이 벤젠 고리 이외의 방향 고리인 경우, 상기 전자 흡인성기의 방향 고리에 대한 결합 위치는, 식 (b1) 중의 황 원자 (S) 가 결합하고 있는 탄소 원자 (1 위치로 한다) 의 이웃의 탄소 원자 (2 위치) 가 아닌 것이, 리소그래피 특성의 점에서 바람직하다.When R b1 is an aromatic ring other than the benzene ring, the bonding position of the electron-withdrawing group to the aromatic ring may be a position adjacent to the carbon atom (1 position) to which the sulfur atom (S) in the formula (b1) It is preferable not to be a carbon atom (2 position) in view of lithography characteristics.
Rb1 에 있어서의 방향 고리는, 상기 전자 흡인성기 이외의 치환기를 갖고 있어도 된다. 상기 전자 흡인성기 이외의 치환기로는, 예를 들어 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬 등을 들 수 있다.The aromatic ring in R b1 may have a substituent other than the electron-withdrawing group. Substituents other than the electron-withdrawing group include, for example, alkyl having 1 to 5 carbon atoms.
상기 식 (b1) 중, Rb21 및 Rb22 는, 각각 독립적으로, 불소 원자, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 시아노기 및 -SO2Rb20 으로 이루어지는 군에서 선택되는 전자 흡인성기를 갖고 있어도 되는 방향 고리를 나타낸다.In the formula (b1), R b21 and R b22 each independently represent a group capable of having an electron-withdrawing group selected from the group consisting of a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a nitro group, a cyano group and -SO 2 R b20 Represents a directional ring.
Rb21 및 Rb22 에 있어서의 방향 고리로는, 각각, Rb21 과, Rb22 와, 식 (b1) 중의 황 원자 (S) 에 의해 복소 고리 구조를 형성할 수 있는 것을 들 수 있다.To aromatic ring in R b21 and R b22 it may be mentioned which can form a heterocyclic ring structure by, a sulfur atom (S) of each, and R b21, R b22 and the formula (b1).
Rb21 및 Rb22 에 있어서의 -SO2Rb20 의 Rb20 은, 알킬기, 불소화알킬기 또는 아릴기를 나타내며, 상기 Rb10 과 동일한 것을 들 수 있다.The -SO 2 R b20 and R b22 b21 in R R b20 are each represents an alkyl group, a fluorinated alkyl group or an aryl group, those similar to the R and b10.
상기 식 (b1) 중, Z 는, 황 원자, 산소 원자, 카르보닐기 또는 단결합을 나타낸다. 이들 중에서도, Z 로는, 단결합이 바람직하다.In the formula (b1), Z represents a sulfur atom, an oxygen atom, a carbonyl group or a single bond. Of these, Z is preferably a single bond.
상기 식 (b1) 중, Rb1 과 Rb21 은, 황 원자, 산소 원자, 카르보닐기 또는 단결합을 통해서 결합하고, 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 된다.In the formula (b1), R b1 and R b21 may be bonded to each other through a sulfur atom, an oxygen atom, a carbonyl group or a single bond to form a ring with the sulfur atom in the formula.
또, Rb1 과 Rb22 는, 황 원자, 산소 원자, 카르보닐기 또는 단결합을 통해서 결합하고, 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 된다.R b1 and R b22 may be bonded to each other through a sulfur atom, an oxygen atom, a carbonyl group or a single bond to form a ring with the sulfur atom in the formula.
(B1) 성분의 바람직한 카티온부로는, 하기 화학식 (b1-c) 로 나타내는 카티온을 들 수 있다.The preferred cation unit of the component (B1) is a cation represented by the following formula (b1-c).
[화학식 48](48)
[식 중, Z 는, 황 원자, 산소 원자, 카르보닐기 또는 단결합을 나타낸다. Rb01 은, 불소 원자, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 시아노기 및 -SO2Rb10 으로 이루어지는 군에서 선택되는 전자 흡인성기를 나타낸다. 식 (b1-c) 중에 복수의 Rb01 이 존재하는 경우, 그것들은 상호 동일해도 되고 상이해도 된다. Rb02 는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기이다. 식 (b1-c) 중에 복수의 Rb02 가 존재하는 경우, 그것들은 상호 동일해도 되고 상이해도 된다. nb1 은, 0 또는 1 ∼ 4 의 정수이다. nb3 및 nb5 는, 각각 독립적으로, 0 또는 1 ∼ 5 의 정수이다. nb2 는, 0 또는 1 ∼ 4 의 정수이다. nb4 및 nb6 은, 각각 독립적으로, 0 또는 1 ∼ 5 의 정수이다. 단, 0 ≤ nb1 + nb2 ≤ 4, 0 ≤ nb3 + nb4 ≤ 5, 0 ≤ nb5 + nb6 ≤ 5 이다.][Wherein Z represents a sulfur atom, an oxygen atom, a carbonyl group or a single bond]. R b01 represents an electron-withdrawing group selected from the group consisting of a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a nitro group, a cyano group and -SO 2 R b10 . When there are a plurality of R b01 in the formula (b1-c), they may be mutually the same or different. R b02 is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. When plural R b02 exist in the formula (b1-c), they may be mutually the same or different. n b1 is 0 or an integer of 1 to 4; n b3 and n b5 are each independently 0 or an integer of 1 to 5; n b2 is 0 or an integer of 1 to 4; n b4 and n b6 are each independently 0 or an integer of 1 to 5; Wherein 0? Nb1 + nb2 ? 4, 0? Nb3 + nb4 ? 5, 0? Nb5 + nb6 ? 5.
상기 식 (b1-c) 중, Z 는, 황 원자, 산소 원자, 카르보닐기 또는 단결합 중에서도, 단결합이 바람직하다.In the formula (b1-c), Z is preferably a single bond among a sulfur atom, an oxygen atom, a carbonyl group or a single bond.
Rb01 에 있어서의 전자 흡인성기는, 불소 원자, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 시아노기 및 -SO2Rb10 으로 이루어지는 군 중에서도, 불소 원자, 트리플루오로메틸기가 바람직하다.The electron attractive group in R b01 is preferably a fluorine atom or a trifluoromethyl group among the group consisting of a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a nitro group, a cyano group and -SO 2 R b10 .
Rb02 는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 중에서도, 메틸기, 에틸기가 바람직하다.Of the alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms, R b02 is preferably a methyl group or an ethyl group.
nb1 은, 바람직하게는 0 또는 1 이다.n b1 is preferably 0 or 1.
nb3 및 nb5 는, 각각, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이며, 보다 바람직하게는 0 이다.n b3 and n b5 are each preferably 0, 1 or 2, and more preferably 0.
nb2 는, 바람직하게는 0 또는 1 이며, 보다 바람직하게는 0 이다.n b2 is preferably 0 or 1, more preferably 0.
nb4 및 nb6 은, 각각, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이며, 보다 바람직하게는 0 이다.n b4 and n b6 are each preferably 0, 1 or 2, and more preferably 0.
이하에, 일반식 (b1-c) 로 나타내는 카티온부의 구체예를 기재한다.Specific examples of the cation portion represented by the general formula (b1-c) are described below.
[화학식 49](49)
≪(B1) 성분의 아니온부≫&Quot; Anion of component (B1) "
상기 식 (b1) 중, X- 는, 카운터 아니온 (단, BF4 - 를 제외한다) 을 나타낸다.In the above formula (b1), X - represents a counter anion (excluding BF 4 - ).
X- 로는, 특별히 제한되지 않고, 레지스트 조성물용 산 발생제 성분의 아니온부로서 알려져 있는 아니온을 적절히 사용할 수 있다.X - roneun, may not be appropriate in the whole not particularly limited, and known as the no moiety of the component acid generator for a resist composition.
예를 들어, X- 로는, 하기의 일반식 (b1-a1) 로 나타내는 아니온, 일반식 (b1-a2) 로 나타내는 아니온 또는 일반식 (b1-a3) 으로 나타내는 아니온을 들 수 있다.For example, X - can be an anion represented by the following general formula (b1-a1), an anion represented by the general formula (b1-a2) or an anion represented by the general formula (b1-a3)
[화학식 50](50)
[식 중, R101, R104 ∼ R108 은 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다. R104, R105 는, 상호 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다. R102 는 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기이다. Y101 은 단결합 또는 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기이다. V101 ∼ V103 은 각각 독립적으로 단결합, 알킬렌기 또는 불소화알킬렌기이다. L101 ∼ L102 는 각각 독립적으로 단결합 또는 산소 원자이다. L103 ∼ L105 는 각각 독립적으로 단결합, -CO- 또는 -SO2- 이다.]Wherein R 101 and R 104 to R 108 each independently represent a cyclic group which may have a substituent, a chain-like alkyl group which may have a substituent, or a chain-like alkenyl group which may have a substituent. R 104 and R 105 may be bonded to each other to form a ring. R 102 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Y 101 is a single bond or a divalent linking group containing an oxygen atom. V 101 to V 103 are each independently a single bond, an alkylene group or a fluorinated alkylene group. L 101 to L 102 each independently represent a single bond or an oxygen atom. L 103 to L 105 each independently represents a single bond, -CO- or -SO 2 -.
· 일반식 (b1-a1) 로 나타내는 아니온Anion represented by the general formula (b1-a1)
식 (b1-a1) 중, R101 은, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다.In the formula (b1-a1), R 101 is a cyclic group which may have a substituent, a chain-like alkyl group which may have a substituent, or a chain-like alkenyl group which may have a substituent.
치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기:A cyclic group which may have a substituent:
그 고리형기는, 고리형의 탄화수소기인 것이 바람직하고, 그 고리형의 탄화수소기는, 방향족 탄화수소기여도 되고, 지방족 탄화수소기여도 된다. 지방족 탄화수소기는, 방향족성을 갖지 않는 탄화수소기를 의미한다. 또, 지방족 탄화수소기는, 포화여도 되고, 불포화여도 되며, 통상적으로는 포화인 것이 바람직하다.The cyclic group is preferably a cyclic hydrocarbon group, and the cyclic hydrocarbon group may be an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and is usually saturated.
R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기는, 방향 고리를 갖는 탄화수소기이다. 그 방향족 탄화수소기의 탄소수는 3 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 30 인 것이 보다 바람직하고, 5 ∼ 20 이 더욱 바람직하고, 6 ∼ 15 가 특히 바람직하고, 6 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 단, 그 탄소수에는, 치환기에 있어서의 탄소수를 포함하지 않는 것으로 한다.The aromatic hydrocarbon group in R < 101 > is a hydrocarbon group having an aromatic ring. The number of carbon atoms of the aromatic hydrocarbon group is preferably from 3 to 30, more preferably from 5 to 30, still more preferably from 5 to 20, particularly preferably from 6 to 15, most preferably from 6 to 10. Provided that the number of carbon atoms does not include the number of carbon atoms in the substituent.
R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기가 갖는 방향 고리로서 구체적으로는, 벤젠, 플루오렌, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 비페닐, 또는 이들의 방향 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.Specific examples of the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group in R 101 include benzene, fluorene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, biphenyl, aromatic heterocyclic rings in which a part of carbon atoms constituting aromatic rings thereof are substituted with a hetero atom Rings and the like. Examples of the heteroatom in the aromatic heterocyclic ring include an oxygen atom, a sulfur atom and a nitrogen atom.
R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 구체적으로는, 상기 방향 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 (아릴기:예를 들어, 페닐기, 나프틸기 등), 상기 방향 고리의 수소 원자 중 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기 등) 등을 들 수 있다. 상기 알킬렌기 (아릴알킬기 중의 알킬 사슬) 의 탄소수는, 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하고, 1 인 것이 특히 바람직하다.Specific examples of the aromatic hydrocarbon group for R 101 include a group in which one hydrogen atom is removed from the aromatic ring (aryl group: e.g., phenyl group, naphthyl group, etc.), one of the hydrogen atoms in the aromatic ring is alkylene (For example, a benzyl group, a phenethyl group, a 1-naphthylmethyl group, a 2-naphthylmethyl group, a 1-naphthylethyl group, a 2-naphthylethyl group and the like) and the like. The number of carbon atoms of the alkylene group (alkyl chain in the arylalkyl group) is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.
R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기는, 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기를 들 수 있다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101 includes an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in its structure.
이 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기로는, 지환식 탄화수소기 (지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기), 지환식 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 지환식 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기의 도중에 개재하는 기 등을 들 수 있다.As the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in this structure, an alicyclic hydrocarbon group (a group obtained by removing one hydrogen atom from an aliphatic hydrocarbon ring), a group in which an alicyclic hydrocarbon group is bonded to the end of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group , And groups in which an alicyclic hydrocarbon group is introduced in the midst of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group.
상기 지환식 탄화수소기는, 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다.The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 12 carbon atoms.
상기 지환식 탄화수소기는, 다고리형기여도 되고, 단고리형기여도 된다. 단고리형의 지환식 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는, 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 다고리형의 지환식 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는, 탄소수 7 ∼ 30 의 것이 바람직하다. 그 중에서도, 그 폴리시클로알칸으로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 가교 고리계의 다고리형 골격을 갖는 폴리시클로알칸;스테로이드 골격을 갖는 고리형기 등의 축합 고리계의 다고리형 골격을 갖는 폴리시클로알칸이 보다 바람직하다.The alicyclic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. The monocyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing at least one hydrogen atom from a monocycloalkane. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane, cyclohexane, and the like. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing at least one hydrogen atom from the polycycloalkane, and the polycycloalkane preferably has 7 to 30 carbon atoms. Among them, the polycycloalkane is preferably a polycycloalkane having a polycyclic structure of a bridge ring system such as adamantane, norbornane, isoborane, tricyclodecane, tetracyclododecane, etc., a ring having a steroid skeleton And a polycycloalkane having a polycyclic structure of a condensed ring system such as a formyl group is more preferable.
그 중에서도, R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기로는, 모노시클로알칸 또는 폴리시클로알칸으로부터 수소 원자를 1 개 이상 제거한 기가 바람직하고, 폴리시클로알칸으로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기가 보다 바람직하고, 아다만틸기, 노르보르닐기가 특히 바람직하고, 아다만틸기가 가장 바람직하다.Among them, the cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101 is preferably a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a monocycloalkane or a polycycloalkane, more preferably a group obtained by removing one hydrogen atom from a polycycloalkane, An adamantyl group and a norbornyl group are particularly preferable, and an adamantyl group is most preferable.
지환식 탄화수소기에 결합해도 된다, 직사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하고, 1 ∼ 3 이 가장 바람직하다. 직사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸렌기 [-CH2-], 에틸렌기 [-(CH2)2-], 트리메틸렌기 [-(CH2)3-], 테트라메틸렌기 [-(CH2)4-], 펜타메틸렌기 [-(CH2)5-] 등을 들 수 있다.The number of carbon atoms of the linear aliphatic hydrocarbon group which may be bonded to the alicyclic hydrocarbon group is preferably from 1 to 10, more preferably from 1 to 6, still more preferably from 1 to 4, and most preferably from 1 to 3. As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable, and specific examples thereof include a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [- (CH 2 ) 2 -] and a trimethylene group [- CH 2 ) 3 -], tetramethylene group [- (CH 2 ) 4 -], pentamethylene group [- (CH 2 ) 5 -] and the like.
지환식 탄화수소기에 결합해도 된다, 분기사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 3 또는 4 가 더욱 바람직하고, 3 이 가장 바람직하다. 분기사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 분기사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기;-CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2-CH2- 등의 알킬에틸렌기;-CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기;-CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 등의 알킬알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬알킬렌기에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하다.The branched-chain aliphatic hydrocarbon group preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 6 carbon atoms, still more preferably 3 or 4 carbon atoms, and most preferably 3 carbon atoms. Aliphatic hydrocarbon group of the branched, with preferably an alkylene group of branched, and specifically, -CH (CH 3) -, -CH (CH 2 CH 3) -, -C (CH 3) 2 -, -C (CH 3) (CH 2 CH 3) -, -C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, -C (CH 2 CH 3) 2 - a methylene group, such as alkyl; -CH (CH 3) CH 2 -, -CH ( CH 3) CH (CH 3) -, -C (CH 3) 2 CH 2 -, -CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, -C (CH 2 CH 3) 2 -CH 2 -; alkyltrimethylene groups such as -CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 -, and the like; -CH (CH 3 ) CH 2 CH And alkyltetramethylene groups such as 2 CH 2 -, -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 -, and the like. The alkyl group in the alkyl alkylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
또, R101 에 있어서의 고리형의 탄화수소기는, 복소 고리 등과 같이 헤테로 원자를 포함해도 된다. 구체적으로는, 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기, 상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기, 그 외 상기의 화학식 (r-hr-1) ∼ (r-hr-16) 으로 각각 나타내는 복소 고리형기를 들 수 있다.The cyclic hydrocarbon group in R 101 may include a hetero atom such as a heterocyclic ring. Specifically, a lactone-containing cyclic group represented by any one of the above-mentioned general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7) (R-hr-1) to (r-hr-16), which are represented by the above-mentioned -SO 2 -containing cyclic groups.
R101 의 고리형기에 있어서의 치환기로는, 예를 들어, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기, 카르보닐기, 니트로기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent in the cyclic group of R < 101 > include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group and a nitro group.
치환기로서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기가 가장 바람직하다.The alkyl group as a substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group and a tert-butyl group.
치환기로서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 보다 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.The alkoxy group as a substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, , Ethoxy group is most preferable.
치환기로서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있으며, 불소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom as a substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
치환기로서의 할로겐화알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기 등의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다.Examples of the halogenated alkyl group as a substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms such as a group in which a part or all of hydrogen atoms such as methyl, ethyl, propyl, n-butyl and tert- have.
치환기로서의 카르보닐기는, 고리형의 탄화수소기를 구성하는 메틸렌기 (-CH2-) 를 치환하는 기이다.The carbonyl group as a substituent is a group substituting the methylene group (-CH 2 -) constituting the cyclic hydrocarbon group.
치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기:Chain alkyl group which may have a substituent:
R101 의 사슬형의 알킬기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형 중 어느 것이어도 된다.The chain alkyl group represented by R < 101 > may be either linear or branched.
직사슬형의 알킬기로는, 탄소수가 1 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 15 인 것이 보다 바람직하고, 1 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데카닐기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 이소트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 이소헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 노나데실기, 이코실기, 헨이코실기, 도코실기 등을 들 수 있다.The linear alkyl group preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and most preferably 1 to 10 carbon atoms. Specific examples thereof include alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, , A tetradecyl group, a pentadecyl group, a hexadecyl group, an isohexadecyl group, a heptadecyl group, an octadecyl group, a nonadecyl group, an eicosyl group, a heneicosyl group and a docosyl group.
분기사슬형의 알킬기로는, 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 15 인 것이 보다 바람직하고, 3 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 1-메틸에틸기, 1-메틸프로필기, 2-메틸프로필기, 1-메틸부틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 1-에틸부틸기, 2-에틸부틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기 등을 들 수 있다.The branched alkyl group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 15 carbon atoms, and most preferably 3 to 10 carbon atoms. Specific examples thereof include 1-methylethyl, 1-methylpropyl, 2-methylpropyl, 1-methylbutyl, 2-methylbutyl, 3-methylbutyl, -Ethylbutyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group and 4-methylpentyl group.
치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기:Chain alkenyl group which may have a substituent:
R101 의 사슬형의 알케닐기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형 중 어느 것이어도 되며, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 2 ∼ 5 가 보다 바람직하고, 2 ∼ 4 가 더욱 바람직하고, 3 이 특히 바람직하다. 직사슬형의 알케닐기로는, 예를 들어, 비닐기, 프로페닐기 (알릴기), 부티닐기 등을 들 수 있다. 분기사슬형의 알케닐기로는, 예를 들어, 1-메틸비닐기, 2-메틸비닐기, 1-메틸프로페닐기, 2-메틸프로페닐기 등을 들 수 있다.The chain-like alkenyl group of R < 101 > may be either linear or branched, preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 5, still more preferably 2 to 4, 3 is particularly preferable. Examples of the linear alkenyl group include a vinyl group, a propenyl group (allyl group), and a butyryl group. Examples of the branched-chain alkenyl group include a 1-methylvinyl group, a 2-methylvinyl group, a 1-methylpropenyl group and a 2-methylpropenyl group.
사슬형의 알케닐기로는, 상기 중에서도, 직사슬형의 알케닐기가 바람직하고, 비닐기, 프로페닐기가 보다 바람직하고, 비닐기가 특히 바람직하다.As the chain-like alkenyl group, among these, a linear-chain alkenyl group is preferable, a vinyl group and a propenyl group are more preferable, and a vinyl group is particularly preferable.
R101 의 사슬형의 알킬기 또는 알케닐기에 있어서의 치환기로는, 예를 들어, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기, 카르보닐기, 니트로기, 아미노기, 상기 R101 에 있어서의 고리형기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent in the chain type alkyl group or alkenyl group of R 101 include an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, a nitro group, an amino group, a cyclic group in the R 101 , .
상기 중에서도, R101 은, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기가 바람직하고, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형의 탄화수소기인 것이 보다 바람직하다. 보다 구체적으로는, 페닐기, 나프틸기, 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기;상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기;상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기 등이 바람직하다.Among them, R 101 is preferably a cyclic group which may have a substituent, more preferably a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent. (A2-r-1) to (a2-r-7), a cyclic group containing a lactone represented by the general formula And -SO 2 -containing cyclic groups represented by the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4) are preferable.
식 (b1-a1) 중, Y101 은, 단결합 또는 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기이다.In the formula (b1-a1), Y 101 is a divalent linking group containing a single bond or an oxygen atom.
Y101 이 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기인 경우, 그 Y101 은, 산소 원자 이외의 원자를 함유해도 된다. 산소 원자 이외의 원자로는, 예를 들어 탄소 원자, 수소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.If the Y 101 2-valent connecting group containing an oxygen atom, and Y is 101, it may contain an atom other than an oxygen atom. Examples of the atom other than the oxygen atom include a carbon atom, a hydrogen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom.
산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기로는, 예를 들어, 산소 원자 (에테르 결합:-O-), 에스테르 결합 (-C(=O)-O-), 옥시카르보닐기 (-O-C(=O)-), 아미드 결합 (-C(=O)-NH-), 카르보닐기 (-C(=O)-), 카보네이트 결합 (-O-C(=O)-O-) 등의 비탄화수소계의 산소 원자 함유 연결기;그 비탄화수소계의 산소 원자 함유 연결기와 알킬렌기의 조합 등을 들 수 있다. 이 조합에, 또한 술포닐기 (-SO2-) 가 연결되어 있어도 된다. 이러한 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기로는, 예를 들어 하기 일반식 (y-al-1) ∼ (y-al-7) 로 각각 나타내는 연결기를 들 수 있다.Examples of the divalent linking group containing an oxygen atom include an oxygen atom (ether bond: -O-), an ester bond (-C (= O) -O-), an oxycarbonyl group (-OC Hydrocarbon group-containing oxygen atom-containing linking groups such as an amide bond (-C (= O) -NH-), a carbonyl group (-C (= O) -) ; A combination of a non-hydrocarbon-based oxygen atom-containing linking group and an alkylene group; and the like. This combination may also be connected with a sulfonyl group (-SO 2 -). Examples of the divalent linking group containing such an oxygen atom include linking groups represented by the following general formulas (y-al-1) to (y-al-7), respectively.
[화학식 51](51)
[식 중, V'101 은 단결합 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기이며, V'102 는 탄소수 1 ∼ 30 의 2 가의 포화 탄화수소기이다.]Wherein V ' 101 is a single bond or an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and V' 102 is a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms.
V'102 에 있어서의 2 가의 포화 탄화수소기는, 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬렌기인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬렌기인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기인 것이 더욱 바람직하다.The divalent saturated hydrocarbon group in V ' 102 is preferably an alkylene group having 1 to 30 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and still more preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms.
V'101 및 V'102 에 있어서의 알킬렌기로는, 직사슬형의 알킬렌기여도 되고 분기사슬형의 알킬렌기여도 되며, 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하다.The alkylene group in V ' 101 and V' 102 may be a linear alkylene group or a branched chain alkylene group, preferably a linear alkylene group.
V'101 및 V'102 에 있어서의 알킬렌기로서, 구체적으로는, 메틸렌기 [-CH2-];-CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기;에틸렌기 [-CH2CH2-];-CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2- 등의 알킬에틸렌기;트리메틸렌기 (n-프로필렌기) [-CH2CH2CH2-];-CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기;테트라메틸렌기 [-CH2CH2CH2CH2-];-CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기;펜타메틸렌기 [-CH2CH2CH2CH2CH2-] 등을 들 수 있다.V as an alkylene group in the "101 and V" 102, specifically, a methylene group [-CH 2 -]; - CH (CH 3) -, -CH (CH 2 CH 3) -, -C (CH 3 ) 2 -, -C (CH 3 ) (CH 2 CH 3 ) -, -C (CH 3 ) (CH 2 CH 2 CH 3 ) -, and -C (CH 2 CH 3 ) 2 -; an ethylene group [-CH 2 CH 2 -]; - CH (CH 3) CH 2 -, -CH (CH 3) CH (CH 3) -, -C (CH 3) 2 CH 2 -, -CH (CH 2 CH 3) CH 2 - alkyl group such as ethylene; trimethylene group (n- propylene group) [-CH 2 CH 2 CH 2 -]; - CH (CH 3) CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH (CH 3) CH 2 - alkyl trimethylene group and the like; a tetramethylene group [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -]; - CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH (CH 3) An alkyltetramethylene group such as CH 2 CH 2 -, a pentamethylene group [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -] and the like.
또, V'101 또는 V'102 에 있어서의 상기 알킬렌기에 있어서의 일부의 메틸렌기가, 탄소수 5 ∼ 10 의 2 가의 지방족 고리형기로 치환되어 있어도 된다. 당해 지방족 고리형기는, 상기 식 (a1-r-1) 중의 Ra'3 의 고리형의 지방족 탄화수소기 (단고리형의 지방족 탄화수소기, 다고리형의 지방족 탄화수소기) 로부터 수소 원자를 추가로 1 개 제거한 2 가의 기가 바람직하고, 시클로헥실렌기, 1,5-아다만틸렌기 또는 2,6-아다만틸렌기가 보다 바람직하다.A part of the methylene groups in the alkylene group in V ' 101 or V' 102 may be substituted with a divalent aliphatic cyclic group having 5 to 10 carbon atoms. The aliphatic cyclic group is obtained by further removing one hydrogen atom from a cyclic aliphatic hydrocarbon group (monocyclic aliphatic hydrocarbon group, polycyclic aliphatic hydrocarbon group) of Ra ' 3 in the formula (a1-r-1) A divalent group is preferable, and a cyclohexylene group, a 1,5-adamantylene group or a 2,6-adamantylene group is more preferable.
Y101 로는, 에스테르 결합을 포함하는 2 가의 연결기, 또는 에테르 결합을 포함하는 2 가의 연결기가 바람직하고, 상기 식 (y-al-1) ∼ (y-al-5) 로 각각 나타내는 연결기가 보다 바람직하다.Y 101 is preferably a divalent linking group containing an ester linkage or a divalent linking group containing an ether linkage, more preferably a linking group represented by the above formulas (y-al-1) to (y-al-5) Do.
식 (b1-a1) 중, V101 은, 단결합, 알킬렌기 또는 불소화알킬렌기이다. V101 에 있어서의 알킬렌기, 불소화알킬렌기는, 탄소수 1 ∼ 4 인 것이 바람직하다. V101 에 있어서의 불소화알킬렌기로는, V101 에 있어서의 알킬렌기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 중에서도, V101 은, 단결합, 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 불소화알킬렌기인 것이 바람직하다.In the formula (b1-a1), V 101 is a single bond, an alkylene group or a fluorinated alkylene group. The alkylene group and fluorinated alkylene group in V 101 preferably have 1 to 4 carbon atoms. A fluorinated alkylene group in the V 101 is, a part or all of the hydrogen atoms of the alkylene group of the 101 V may be substituted with a fluorine atom. Among them, V 101 is preferably a single bond or a fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms.
식 (b1-a1) 중, R102 는, 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기이다. R102 는, 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 퍼플루오로알킬기인 것이 바람직하고, 불소 원자인 것이 보다 바람직하다.In the formula (b1-a1), R 102 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. R 102 is preferably a fluorine atom or a perfluoroalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a fluorine atom.
상기 식 (b1-a1) 로 나타내는 아니온부의 구체예로는, 예를 들어, Y101 이 단결합이 되는 경우, 트리플루오로메탄술포네이트 아니온이나 퍼플루오로부탄술포네이트 아니온 등의 불소화알킬술포네이트 아니온을 들 수 있으며;Y101 이 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기인 경우, 하기 식 (an-1) ∼ (an-3) 중 어느 것으로 나타내는 아니온을 들 수 있다.Specific examples of the anion moiety represented by the formula (b1-a1) include, for example, when Y 101 is a single bond, a fluorinated Alkyl sulfonate anion, and when Y 101 is a divalent linking group containing an oxygen atom, an anion represented by any one of the following formulas (an-1) to (an-3) is exemplified.
[화학식 52](52)
[식 중, R"101 은, 치환기를 갖고 있어도 되는 지방족 고리형기, 상기 식 (r-hr-1) ∼ (r-hr-6) 으로 각각 나타내는 기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기이고;R"102 는, 치환기를 갖고 있어도 되는 지방족 고리형기, 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기, 또는 상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기이고;R"103 은, 치환기를 갖고 있어도 되는 방향족 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 지방족 고리형기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이고;v" 는 각각 독립적으로 0 ∼ 3 의 정수이고, q" 는 각각 독립적으로 1 ∼ 20 의 정수이고, t" 는 1 ∼ 3 의 정수이고, n" 는 0 또는 1 이다.]Wherein R " 101 represents an aliphatic cyclic group which may have a substituent, a group respectively represented by the above formulas (r-hr-1) to (r-hr-6), or a chain alkyl group and; r "102 is an aliphatic cyclic group which may have a substituent, the formula (a2-r-1) ~ lactone-containing cyclic group represents respectively (a2-r-7), or the formula (a5-r -SO 2 -containing cyclic group represented by the formula (a-1) to (a5-r-4), R " 103 represents an aromatic cyclic group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, Is independently an integer of 0 to 3, q "is independently an integer of 1 to 20, t" is an integer of 1 to 3, and n " 1.]
R"101, R"1 02 및 R"103 의 치환기를 갖고 있어도 되는 지방족 고리형기는, 상기 R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. 상기 치환기로는, R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기를 치환해도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.R "101, R" 1 and R 02 "aliphatic cyclic group which may have a substituent group 103 is preferably a group exemplified as the aliphatic hydrocarbon group in the above R of the annular 101. Examples of the substituent include the same substituent as the substituent which may be substituted with the cyclic aliphatic hydrocarbon group in R 101 .
R"103 에 있어서의 치환기를 갖고 있어도 되는 방향족 고리형기는, 상기 R101 에 있어서의 고리형의 탄화수소기에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. 상기 치환기로는, R101 에 있어서의 그 방향족 탄화수소기를 치환해도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.The aromatic cyclic group which may have a substituent in R " 103 is preferably a group exemplified as an aromatic hydrocarbon group in the cyclic hydrocarbon group for R < 101 & gt ;. Examples of the substituent include the same substituent as the substituent that the aromatic hydrocarbon group in R 101 may be substituted.
R"101 에 있어서의 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기는, 상기 R101 에 있어서의 사슬형의 알킬기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. R"103 에 있어서의 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기는, 상기 R101 에 있어서의 사슬형의 알케닐기로서 예시한 기인 것이 바람직하다.The chain alkyl group which may have a substituent in R " 101 is preferably a group exemplified as a chain alkyl group in R < 101 & gt ;. The chain type alkenyl group which may have a substituent in R " 103 is preferably a group exemplified as a chain type alkenyl group in R < 101 & gt ;.
· 일반식 (b1-a2) 로 나타내는 아니온Anion represented by the general formula (b1-a2)
식 (b1-a2) 중, R104, R105 는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 각각, 식 (b1-a1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다. 단, R104, R105 는, 상호 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.In formula (b1-a2), R 104 and R 105 are each independently a cyclic group which may have a substituent, a chain-like alkyl group which may have a substituent, or a chain-like alkenyl group which may have a substituent, Include the same ones as R 101 in the formula (b1-a1), respectively. However, R 104 and R 105 may be bonded to each other to form a ring.
R104, R105 는, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기가 바람직하고, 직사슬형 혹은 분기사슬형의 알킬기, 또는 직사슬형 혹은 분기사슬형의 불소화알킬기인 것이 보다 바람직하다. R 104 and R 105 are preferably a chain-like alkyl group which may have a substituent, more preferably a linear or branched alkyl group, or a linear or branched chain fluorinated alkyl group.
그 사슬형의 알킬기의 탄소수는, 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 7, 더욱 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 3 이다. R104, R105 의 사슬형의 알킬기의 탄소수는, 상기 탄소수의 범위 내에 있어서, 레지스트용 용제에 대한 용해성도 양호한 등의 이유에 의해, 작을수록 바람직하다. 또, R104, R105 의 사슬형의 알킬기에 있어서는, 불소 원자로 치환되어 있는 수소 원자의 수가 많을수록 산의 강도가 강해지고, 또, 200 ㎚ 이하의 고에너지 광이나 전자선에 대한 투명성이 향상되기 때문에 바람직하다. 상기 사슬형의 알킬기 중의 불소 원자의 비율, 즉 불소화율은, 바람직하게는 70 ∼ 100 %, 더욱 바람직하게는 90 ∼ 100 % 이며, 가장 바람직하게는, 모든 수소 원자가 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬기이다.The number of carbon atoms of the chain-like alkyl group is preferably from 1 to 10, more preferably from 1 to 7, and still more preferably from 1 to 3, carbon atoms. The number of carbon atoms of the chain-like alkyl group represented by R 104 and R 105 is preferably as small as possible within the above range of the number of carbon atoms and solubility in a resist solvent. In the chain type alkyl groups represented by R 104 and R 105, the higher the number of hydrogen atoms substituted with fluorine atoms is, the stronger the strength of the acid, and the higher the transparency to the high energy light of 200 nm or less and the electron beam is improved desirable. The ratio of the fluorine atoms in the chain alkyl group, that is, the fluoride group is preferably 70 to 100%, more preferably 90 to 100%, and most preferably, the perfluoroalkyl group in which all hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms to be.
식 (b1-a2) 중, V102, V103 은, 각각 독립적으로, 단결합, 알킬렌기, 또는 불소화알킬렌기이며, 각각, 식 (b1-a1) 중의 V101 과 동일한 것을 들 수 있다.In the formula (b1-a2), V 102 and V 103 are each independently a single bond, an alkylene group or a fluorinated alkylene group, and the same groups as those of V 101 in the formula (b1-a1) may be mentioned.
식 (b1-a2) 중, L101, L102 는, 각각 독립적으로 단결합 또는 산소 원자이다.In the formula (b1-a2), L 101 and L 102 each independently represent a single bond or an oxygen atom.
· 일반식 (b1-a3) 으로 나타내는 아니온Anion represented by the general formula (b1-a3)
식 (b1-a3) 중, R106 ∼ R108 은, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 각각, 식 (b1-a1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다.In the formula (b1-a3), each of R 106 to R 108 independently represents a cyclic group which may have a substituent, a chain-like alkyl group which may have a substituent or a chain-like alkenyl group which may have a substituent, Include the same ones as R 101 in the formula (b1-a1), respectively.
식 (b1-a3) 중, L103 ∼ L105 는, 각각 독립적으로, 단결합, -CO- 또는 -SO2- 이다.In the formula (b1-a3), L 103 to L 105 each independently represent a single bond, -CO- or -SO 2 -.
상기 식 (b1) 중, X- 는, 할로겐 아니온이어도 된다. 여기서, 할로겐 아니온으로는, 불화물 이온, 염화물 이온, 브롬화물 이온, 요오드화물 이온 등을 들 수 있다.In the above formula (b1), X < - > may be halogen anion. Examples of the halogen anion include a fluoride ion, a chloride ion, a bromide ion, and an iodide ion.
상기 중에서도, (B1) 성분의 아니온부로는, 일반식 (b1-a1) 로 나타내는 아니온이 바람직하다. 이 중에서도, 상기 일반식 (an-1) ∼ (an-3) 중 어느 것으로 나타내는 아니온이 보다 바람직하고, 일반식 (an-1) 또는 (an-2) 중 어느 것으로 나타내는 아니온이 더욱 바람직하다.Among them, the anion represented by the general formula (b1-a1) is preferable as the anion portion of the component (B1). Among them, anions represented by any of the formulas (an-1) to (an-3) are more preferable, and anions represented by any of formulas (an-1) Do.
이하에 적합한 (B1) 성분의 구체예를 든다.Specific examples of the component (B1) suitable for the following are given.
[화학식 53](53)
본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서, (B1) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.In the resist composition of the present embodiment, the component (B1) may be used alone or in combination of two or more.
본 실시형태의 레지스트 조성물 중, (B1) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대하여 1 ∼ 80 질량부인 것이 바람직하고, 1 ∼ 50 질량부인 것이 보다 바람직하고, 1 ∼ 30 질량부인 것이 더욱 바람직하다.The content of the component (B1) in the resist composition of the present embodiment is preferably 1 to 80 parts by mass, more preferably 1 to 50 parts by mass, and more preferably 1 to 30 parts by mass based on 100 parts by mass of the component (A) More preferable.
(B1) 성분의 함유량이 상기의 바람직한 하한값 이상이면, 레지스트 패턴 형성에 있어서, 감도, CDU, 패턴 붕괴, 해상 성능, LWR (라인 위드스 러프니스), 형상 등의 리소그래피 특성이 보다 향상된다. 한편, 바람직한 상한값 이하이면, 레지스트 조성물의 각 성분을 유기 용제에 용해했을 때, 균일한 용액이 얻어지기 쉽고, 레지스트 조성물로서의 보존 안정성이 보다 높아진다.When the content of the component (B1) is not lower than the above preferable lower limit value, the lithography characteristics such as sensitivity, CDU, pattern collapse, resolution performance, LWR (line width roughness) On the other hand, when the content is lower than the upper limit, a uniform solution tends to be obtained when each component of the resist composition is dissolved in an organic solvent, and storage stability as a resist composition is further enhanced.
<임의 성분><Optional ingredients>
본 실시형태의 레지스트 조성물은, 상기 서술한 (A) 성분 및 (B1) 성분 이외의 성분 (임의 성분) 을 추가로 함유해도 된다. The resist composition of the present embodiment may further contain components (optional components) other than the components (A) and (B1) described above.
이러한 임의 성분으로는, 예를 들어, 이하에 나타내는 (B2) 성분, (D) 성분, (E) 성분, (F) 성분, (S) 성분 등을 들 수 있다.Examples of such arbitrary components include (B2), (D), (E), (F) and (S)
≪(B2) 성분:산 발생제 성분≫≪ Component (B2): acid generator component >
본 실시형태의 레지스트 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서 (B1) 성분 이외의 산 발생제 성분 (이하, 「(B2) 성분」 이라고 한다) 을 함유해도 된다.The resist composition of the present embodiment may contain an acid generator component (hereinafter referred to as "component (B2)") other than the component (B1) within the range that does not impair the effect of the present invention.
(B2) 성분으로는, 특별히 한정되지 않고, 지금까지 화학 증폭형 레지스트 조성물용 산 발생제로서 제안되어 있는 것을 사용할 수 있다.The component (B2) is not particularly limited, and any of those proposed as acid generators for chemically amplified resist compositions can be used.
이와 같은 산 발생제로는, 요오드늄염이나 술포늄염 등의 오늄염계 산 발생제, 옥심술포네이트계 산 발생제;비스알킬 또는 비스아릴술포닐디아조메탄류, 폴리(비스술포닐)디아조메탄류 등의 디아조메탄계 산 발생제;니트로벤질술포네이트계 산 발생제, 이미노술포네이트계 산 발생제, 디술폰계 산 발생제 등 다종의 것을 들 수 있다.Examples of such acid generators include onium salt acid generators such as iodonium salts and sulfonium salts, oxime sulfonate acid generators, bisalkyl or bisaryl sulfonyl diazomethanes, poly (bis-sulfonyl) diazomethane Diazomethane-based acid generators such as N-benzylsulfonate-based acid generators, iminosulfonate-based acid generators, and disulfone-based acid generators.
오늄염계 산 발생제로는, 예를 들어, 하기의 일반식 (b-1) 로 나타내는 화합물 (이하, 「(b-1) 성분」 이라고도 한다), 일반식 (b-2) 로 나타내는 화합물 (이하, 「(b-2) 성분」 이라고도 한다) 또는 일반식 (b-3) 으로 나타내는 화합물 (이하, 「(b-3) 성분」 이라고도 한다) 을 들 수 있다.Examples of the onium salt-based acid generators include compounds represented by the following general formula (b-1) (hereinafter also referred to as "component (b-1) (Hereinafter also referred to as " component (b-2) ") or a compound represented by general formula (b-3)
[화학식 54](54)
[식 중, R101, R104 ∼ R108 은 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다. R104, R105 는, 상호 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다. R102 는 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기이다. Y101 은 단결합 또는 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기이다. V101 ∼ V103 은 각각 독립적으로 단결합, 알킬렌기 또는 불소화알킬렌기이다. L101 ∼ L102 는 각각 독립적으로 단결합 또는 산소 원자이다. L103 ∼ L105 는 각각 독립적으로 단결합, -CO- 또는 -SO2- 이다. m 은 1 이상의 정수이고, M'm+ 는 m 가의 오늄 카티온이다.]Wherein R 101 and R 104 to R 108 each independently represent a cyclic group which may have a substituent, a chain-like alkyl group which may have a substituent, or a chain-like alkenyl group which may have a substituent. R 104 and R 105 may be bonded to each other to form a ring. R 102 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Y 101 is a single bond or a divalent linking group containing an oxygen atom. V 101 to V 103 are each independently a single bond, an alkylene group or a fluorinated alkylene group. L 101 to L 102 each independently represent a single bond or an oxygen atom. L 103 to L 105 each independently represent a single bond, -CO- or -SO 2 -. m is an integer of 1 or more, and M ' m + is m-valent onium cation.
{아니온부}{NO ONE}
(b-1) 성분의 아니온부는, 상기 서술한 일반식 (b1-a1) 로 나타내는 아니온과 동일하다.The anion moiety of the component (b-1) is the same as the anion represented by the above-mentioned general formula (b1-a1).
(b-2) 성분의 아니온부는, 상기 서술한 일반식 (b1-a2) 로 나타내는 아니온과 동일하다.The anion moiety of the component (b-2) is the same as the anion represented by the aforementioned general formula (b1-a2).
(b-3) 성분의 아니온부는, 상기 서술한 일반식 (b1-a3) 으로 나타내는 아니온과 동일하다.The anion moiety of the component (b-3) is the same as the anion represented by the aforementioned general formula (b1-a3).
{카티온부}{Kationbu}
상기의 식 (b-1), 식 (b-2), 식 (b-3) 중, M'm+ 는, m 가의 오늄 카티온을 나타내며, 술포늄 카티온, 요오드늄 카티온이 바람직하다.In the above formulas (b-1), (b-2) and (b-3), M'm + represents m-valent onium cation and is preferably sulfonium cation or iodonium cation.
m 은, 1 이상의 정수이다.m is an integer of 1 or more.
바람직한 카티온부 ((M'm+)1/m) 로는, 하기의 일반식 (ca-1) ∼ (ca-4) 로 각각 나타내는 유기 카티온을 들 수 있다.Examples of preferred cation moieties ((M'm + ) 1 / m ) include organic cations represented by the following general formulas (ca-1) to (ca-4).
[화학식 55](55)
[식 중, R201 ∼ R207 및 R211 ∼ R212 는, 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 되는 아릴기, 알킬기 또는 알케닐기를 나타낸다. R201 ∼ R203, R206 ∼ R207, R211 ∼ R212 는, 상호 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성해도 된다. R208 ∼ R209 는, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타낸다. R210 은, 치환기를 갖고 있어도 되는 아릴기, 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 알케닐기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 -SO2- 함유 고리형기이다. L201 은, -C(=O)- 또는 -C(=O)-O- 를 나타낸다. Y201 은, 각각 독립적으로, 아릴렌기, 알킬렌기 또는 알케닐렌기를 나타낸다. x 는 1 또는 2 이다. W201 은 (x + 1) 가의 연결기를 나타낸다.][Wherein R 201 to R 207 and R 211 to R 212 each independently represents an aryl group, an alkyl group or an alkenyl group which may have a substituent. R 201 to R 203 , R 206 to R 207 , and R 211 to R 212 may bond together to form a ring with the sulfur atom in the formula. Each of R 208 to R 209 independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. R 210 is an optionally substituted aryl group, optionally substituted alkyl, optionally substituted alkenyl, or optionally substituted -SO 2 - containing cyclic group. L 201 represents -C (= O) - or -C (= O) -O-. Y 201 each independently represent an arylene group, an alkylene group or an alkenylene group. x is 1 or 2; W 201 represents a (x + 1) linking group.
R201 ∼ R207 및 R211 ∼ R212 에 있어서의 아릴기로는, 탄소수 6 ∼ 20 의 무치환의 아릴기를 들 수 있으며, 페닐기, 나프틸기가 바람직하다.The aryl group for R 201 to R 207 and R 211 to R 212 includes an unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, preferably a phenyl group or a naphthyl group.
R201 ∼ R207 및 R211 ∼ R212 에 있어서의 알킬기로는, 사슬형 또는 고리형의 알킬기이며, 탄소수 1 ∼ 30 의 것이 바람직하다.The alkyl group in R 201 to R 207 and R 211 to R 212 is a chain or cyclic alkyl group and preferably has 1 to 30 carbon atoms.
R201 ∼ R207 및 R211 ∼ R212 에 있어서의 알케닐기로는, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하다.The alkenyl group in R 201 to R 207 and R 211 to R 212 preferably has 2 to 10 carbon atoms.
R201 ∼ R207 및 R210 ∼ R212 가 갖고 있어도 되는 치환기로는, 예를 들어, 알킬기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 카르보닐기, 시아노기, 아미노기, 아릴기, 하기의 일반식 (ca-r-1) ∼ (ca-r-7) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.Examples of the substituent which R 201 to R 207 and R 210 to R 212 may have include an alkyl group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a carbonyl group, a cyano group, an amino group, an aryl group, 1) to (ca-r-7), respectively.
[화학식 56](56)
[식 중, R'201 은 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다.]: Wherein each R ' 201 independently represents a hydrogen atom, a cyclic group which may have a substituent, a chain-like alkyl group which may have a substituent, or a chain-like alkenyl group which may have a substituent.
R'201 의 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기는, 상기 서술한 식 (b1-a1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있는 것 외에, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기로서, 상기 서술한 식 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기와 동일한 것도 들 수 있다.The cyclic group which may have a substituent of R ' 201 , the chain alkyl group which may have a substituent, or the chain-like alkenyl group which may have a substituent is the same as R 101 in the above-mentioned formula (b1-a1) , A chain type alkyl group which may have a substituent or a chain type alkyl group which may have a substituent and which is the same as the acid dissociable group represented by the above-mentioned formula (a1-r-2).
R201 ∼ R203, R206 ∼ R207, R211 ∼ R212 는, 상호 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하는 경우, 황 원자, 산소 원자, 질소 원자 등의 헤테로 원자나, 카르보닐기, -SO-, -SO2-, -SO3-, -COO-, -CONH- 또는 -N(RN)- (그 RN 은 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기이다.) 등의 관능기를 통해서 결합해도 된다. 형성되는 고리로는, 식 중의 황 원자를 그 고리 골격에 포함하는 1 개의 고리가, 황 원자를 포함하여, 3 ∼ 10 원자 고리인 것이 바람직하고, 5 ∼ 7 원자 고리인 것이 특히 바람직하다. 형성되는 고리의 구체예로는, 예를 들어 티오펜 고리, 티아졸 고리, 벤조티오펜 고리, 티안트렌 고리, 벤조티오펜 고리, 디벤조티오펜 고리, 9H-티오잔텐 고리, 티오잔톤 고리, 티안트렌 고리, 페녹사티인 고리, 테트라하이드로티오페늄 고리, 테트라하이드로티오피라늄 고리 등을 들 수 있다.R 201 to R 203 , R 206 to R 207 , and R 211 to R 212 , when mutually bonded to form a ring together with the sulfur atom in the formula, may be a hetero atom such as a sulfur atom, an oxygen atom or a nitrogen atom, May be bonded through a functional group such as -SO-, -SO 2 -, -SO 3 -, -COO-, -CONH- or -N (R N ) - (R N is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms) do. As the ring to be formed, one ring containing a sulfur atom in the formula in its ring skeleton is preferably 3 to 10 atomic rings including a sulfur atom, and it is particularly preferable that it is a 5 to 7-membered ring. Specific examples of the ring to be formed include, for example, thiophene ring, thiazole ring, benzothiophene ring, thianthrene ring, benzothiophene ring, dibenzothiophene ring, 9H-thiosanthene ring, A thianthrene ring, a phenoxathiine ring, a tetrahydrothiophenium ring, a tetrahydrothiopyranium ring and the like.
R208 ∼ R209 는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타내며, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기가 바람직하고, 알킬기가 되는 경우, 상호 결합하여 고리를 형성해도 된다.Each of R 208 to R 209 independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. When the alkyl group is an alkyl group, they may be bonded to each other to form a ring.
R210 은, 치환기를 갖고 있어도 되는 아릴기, 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 알케닐기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 -SO2- 함유 고리형기이다.R 210 is an optionally substituted aryl group, optionally substituted alkyl, optionally substituted alkenyl, or optionally substituted -SO 2 - containing cyclic group.
R210 에 있어서의 아릴기로는, 탄소수 6 ∼ 20 의 무치환의 아릴기를 들 수 있으며, 페닐기, 나프틸기가 바람직하다.As the aryl group in R 210 , an unsubstituted aryl group having from 6 to 20 carbon atoms is exemplified, and a phenyl group or a naphthyl group is preferable.
R210 에 있어서의 알킬기로는, 사슬형 또는 고리형의 알킬기이고, 탄소수 1 ∼ 30 의 것이 바람직하다.The alkyl group in R 210 is a chain or cyclic alkyl group, preferably having 1 to 30 carbon atoms.
R210 에 있어서의 알케닐기로는, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하다.The alkenyl group in R 210 preferably has 2 to 10 carbon atoms.
R210 에 있어서의, 치환기를 갖고 있어도 되는 -SO2- 함유 고리형기로는, 「-SO2- 함유 다고리형기」 가 바람직하고, 상기 일반식 (a5-r-1) 로 나타내는 기가 보다 바람직하다.As the -SO 2 -containing cyclic group which may have a substituent in R 210 , "-SO 2 -containing cyclic group" is preferable, and the group represented by the general formula (a5-r-1) is more preferable Do.
Y201 은, 각각 독립적으로, 아릴렌기, 알킬렌기 또는 알케닐렌기를 나타낸다.Y 201 each independently represent an arylene group, an alkylene group or an alkenylene group.
Y201 에 있어서의 아릴렌기는, 상기 서술한 식 (b1-a1) 중의 R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 예시한 아릴기로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기를 들 수 있다.The arylene group for Y 201 includes a group obtained by removing one hydrogen atom from an aryl group exemplified as an aromatic hydrocarbon group for R 101 in the above-mentioned formula (b1-a1).
Y201 에 있어서의 알킬렌기, 알케닐렌기는, 상기 서술한 식 (b1-a1) 중의 R101 에 있어서의 사슬형의 알킬기, 사슬형의 알케닐기로서 예시한 기로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기를 들 수 있다.The alkylene group and alkenylene group in Y 201 are groups in which one hydrogen atom has been removed from the groups exemplified as the chain alkyl group and the chain alkenyl group in R 101 in the above-mentioned formula (b1-a1) .
상기 식 (ca-4) 중, x 는, 1 또는 2 이다.In the above formula (ca-4), x is 1 or 2.
W201 은, (x+1) 가, 즉 2 가 또는 3 가의 연결기이다.W 201 is (x + 1), that is, a divalent or trivalent linking group.
W201 에 있어서의 2 가의 연결기로는, 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기가 바람직하고, 상기 서술한 일반식 (a2-1) 중의 Ya21 과 동일한, 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기를 예시할 수 있다. W201 에 있어서의 2 가의 연결기는, 직사슬형, 분기사슬형, 고리형 중 어느 것이어도 되고, 고리형인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 아릴렌기의 양단에 2 개의 카르보닐기가 조합된 기가 바람직하다. 아릴렌기로는, 페닐렌기, 나프틸렌기 등을 들 수 있으며, 페닐렌기가 특히 바람직하다.The divalent linking group in W 201 is preferably a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, and examples of the divalent hydrocarbon group which may have a substituent, the same as Y a 21 in the general formula (a2-1) . The bivalent linking group in W 201 may be any of linear, branched, and cyclic, and is preferably cyclic. Among them, a group in which two carbonyl groups are combined at both ends of an arylene group is preferable. Examples of the arylene group include a phenylene group and a naphthylene group, and a phenylene group is particularly preferable.
W201 에 있어서의 3 가의 연결기로는, 상기 W201 에 있어서의 2 가의 연결기로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기, 상기 2 가의 연결기에 추가로 상기 2 가의 연결기가 결합한 기 등을 들 수 있다. W201 에 있어서의 3 가의 연결기로는, 아릴렌기에 2 개의 카르보닐기가 결합한 기가 바람직하다.Connection of the trivalent group is 201 W, and 201 W the group 1 to remove the hydrogen atom from the divalent linking group in, in addition to the divalent linking group, and the like which combines the divalent connecting group. As the trivalent linking group in W 201 , a group in which two carbonyl groups are bonded to an arylene group is preferable.
상기 식 (ca-1) 로 나타내는 적합한 카티온으로서 구체적으로는, 하기 식 (ca-1-1) ∼ (ca-1-71) 로 각각 나타내는 카티온을 들 수 있다.Specific examples of the suitable cation represented by the above formula (ca-1) include the cation represented by the following formulas (ca-1-1) to (ca-1-71)
[화학식 57](57)
[화학식 58](58)
[화학식 59][Chemical Formula 59]
[식 중, g1, g2, g3 은 반복수를 나타내며, g1 은 1 ∼ 5 의 정수이고, g2 는 0 ∼ 20 의 정수이고, g3 은 0 ∼ 20 의 정수이다.]G1 represents an integer of 1 to 5, g2 represents an integer of 0 to 20, and g3 represents an integer of 0 to 20.] [wherein, g1, g2 and g3 represent repeating numbers,
[화학식 60](60)
[화학식 61](61)
[식 중, R"201 은 수소 원자 또는 치환기이며, 그 치환기로는 상기 R201 ∼ R207 및 R210 ∼ R212 가 갖고 있어도 되는 치환기로서 예시한 것과 동일하다.]Wherein R " 201 is a hydrogen atom or a substituent, and the substituent is the same as those exemplified as the substituent which R 201 to R 207 and R 210 to R 212 may have.]
상기 식 (ca-2) 로 나타내는 적합한 카티온으로서 구체적으로는, 디페닐요오드늄 카티온, 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄 카티온 등을 들 수 있다.Specific examples of suitable cation represented by the above formula (ca-2) include diphenyliodonium cation, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium cation and the like.
상기 식 (ca-3) 으로 나타내는 적합한 카티온으로서 구체적으로는, 하기 식 (ca-3-1) ∼ (ca-3-6) 으로 각각 나타내는 카티온을 들 수 있다.Specific examples of the suitable cation represented by the above formula (ca-3) include the cation represented by the following formulas (ca-3-1) to (ca-3-6)
[화학식 62](62)
상기 식 (ca-4) 로 나타내는 적합한 카티온으로서 구체적으로는, 하기 식 (ca-4-1) ∼ (ca-4-2) 로 각각 나타내는 카티온을 들 수 있다.Specific examples of the suitable cation represented by the above formula (ca-4) include cation represented by the following formulas (ca-4-1) to (ca-4-2)
[화학식 63](63)
상기 중에서도, 카티온부 ((M'm+)1/m) 는, 일반식 (ca-1) 로 나타내는 카티온이 바람직하고, 식 (ca-1-1) ∼ (ca-1-71) 로 각각 나타내는 카티온이 보다 바람직하다.Among them, the cationic moiety ((M'm + ) 1 / m ) is preferably a cation represented by the general formula (ca-1) Is more preferable.
본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서, (B2) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.In the resist composition of the present embodiment, the component (B2) may be used singly or in combination of two or more.
레지스트 조성물이 (B2) 성분을 함유하는 경우, 레지스트 조성물 중, (B2) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대하여 80 질량부 이하가 바람직하고, 1 ∼ 50 질량부가 보다 바람직하고, 1 ∼ 30 질량부가 더욱 바람직하다.When the resist composition contains the component (B2), the content of the component (B2) in the resist composition is preferably 80 parts by mass or less, more preferably 1 to 50 parts by mass, per 100 parts by mass of the component (A) More preferably 1 to 30 parts by mass.
(B2) 성분의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 패턴 형성이 충분히 실시된다. 또, 레지스트 조성물의 각 성분을 유기 용제에 용해했을 때, 균일한 용액이 얻어지기 쉽고, 레지스트 조성물로서의 보존 안정성이 양호해지기 때문에 바람직하다.By setting the content of the component (B2) within the above range, pattern formation is sufficiently performed. Further, when each component of the resist composition is dissolved in an organic solvent, a homogeneous solution is easily obtained and storage stability as a resist composition is improved, which is preferable.
≪(D) 성분:산확산 제어제 성분≫≪ Component (D): acid diffusion controller component >
본 실시형태의 레지스트 조성물은, (A) 성분 및 (B1) 성분에 더하여, 또한, 산확산 제어제 성분 (이하, 「(D) 성분」 이라고 한다.) 을 함유해도 된다. (D) 성분은, 레지스트 조성물에 있어서 노광에 의해 발생하는 산을 트랩하는 퀀처 (산확산 제어제) 로서 작용하는 것이다.The resist composition of the present embodiment may contain, in addition to the component (A) and the component (B1), an acid diffusion controller component (hereinafter, referred to as "component (D)"). The component (D) acts as a quencher (acid diffusion control agent) for trapping an acid generated by exposure in a resist composition.
(D) 성분으로는, 예를 들어, 노광에 의해 분해되어 산 확산 제어성을 잃는 광 붕괴성 염기 (D1) (이하, 「(D1) 성분」 이라고 한다.), 그 (D1) 성분에 해당하지 않는 함질소 유기 화합물 (D2) (이하, 「(D2) 성분」 이라고 한다.) 등을 들 수 있다.The component (D) includes, for example, a photo-degradable base (D1) (hereinafter, referred to as "component (D1)") decomposed by exposure to lose acid diffusion controllability (Hereinafter referred to as " component (D2) ").
· (D1) 성분에 대하여· For component (D1)
(D1) 성분을 함유하는 레지스트 조성물로 함으로써, 레지스트 패턴을 형성할 때에, 레지스트막의 노광부와 미노광부의 콘트라스트를 보다 향상시킬 수 있다.(D1), the contrast between the exposed portion and the unexposed portion of the resist film can be further improved when the resist pattern is formed.
(D1) 성분으로는, 노광에 의해 분해되어 산 확산 제어성을 잃는 것이면 특별히 한정되지 않고, 하기 일반식 (d1-1) 로 나타내는 화합물 (이하, 「(d1-1) 성분」 이라고 한다.), 하기 일반식 (d1-2) 로 나타내는 화합물 (이하, 「(d1-2) 성분」 이라고 한다.) 및 하기 일반식 (d1-3) 으로 나타내는 화합물 (이하, 「(d1-3) 성분」 이라고 한다.) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물이 바람직하다.The component (D1) is not particularly limited as long as it is decomposed by exposure to lose acid diffusion controllability, and the compound represented by the following general formula (d1-1) (hereinafter referred to as the "component (d1-1) , A compound represented by the following general formula (d1-2) (hereinafter referred to as a "component (d1-2)") and a compound represented by the following general formula (d1-3) Quot;) is preferable.
(d1-1) ∼ (d1-3) 성분은, 레지스트막의 노광부에 있어서는 분해되어 산 확산 제어성 (염기성) 을 잃기 때문에 퀀처로서 작용하지 않고, 레지스트막의 미노광부에 있어서 퀀처로서 작용한다.(d1-1) to (d1-3) are decomposed in the exposed portion of the resist film to lose acid diffusion controllability (basicity), so that they do not act as a quencher and act as a quencher in the unexposed portion of the resist film.
[화학식 64]≪ EMI ID =
[식 중, Rd1 ∼ Rd4 는 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다. 단, 식 (d1-2) 중의 Rd2 에 있어서의, S 원자에 인접하는 탄소 원자에는 불소 원자는 결합하고 있지 않은 것으로 한다. Yd1 은 단결합 또는 2 가의 연결기이다. m 은 1 이상의 정수이고, Mm+ 는 각각 독립적으로 m 가의 유기 카티온이다.][Wherein, Rd Rd 1 ~ 4 is cyclic group which may have a substituent, an alkenyl group which may contain a chain-like alkyl group, or a substituent of the type chain which may have a substituent. It is to be noted that the fluorine atom is not bonded to the carbon atom adjacent to the S atom in Rd 2 in the formula (d1-2). Yd 1 is a single bond or a divalent linking group. m is an integer of 1 or more, and M < m + > are each independently an m-valent organic cation.
{(d1-1) 성분}{(d1-1) component}
·· 아니온부· · Anion
식 (d1-1) 중, Rd1 은 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 각각 상기 식 (b1-a1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다.Formula (d1-1) of, Rd 1 is a cyclic group which may have a substituent, an alkenyl group which may contain a chain-like alkyl group, or a substituent of the chain which may have a substituent, the formula (b1-a1), respectively May be the same as those of R < 101 >
이들 중에서도, Rd1 로는, 치환기를 갖고 있어도 되는 방향족 탄화수소기, 치환기를 갖고 있어도 되는 지방족 고리형기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기가 바람직하다. 이들 기가 갖고 있어도 되는 치환기로는, 수산기, 옥소기, 알킬기, 아릴기, 불소 원자, 불소화알킬기, 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기, 에테르 결합, 에스테르 결합, 또는 이들의 조합을 들 수 있다. 에테르 결합이나 에스테르 결합을 치환기로서 포함하는 경우, 알킬렌기를 개재하고 있어도 되고, 이 경우의 치환기로는, 상기 식 (y-al-1) ∼ (y-al-5) 로 각각 나타내는 연결기가 바람직하다.Among them, Rd 1 is preferably an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a chain-like alkyl group which may have a substituent. Examples of the substituent which these groups may have include a lactone-containing cyclic group represented by the above-mentioned general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7), a hydroxyl group, an oxo group, an alkyl group, an aryl group, a fluorine atom, , An ether bond, an ester bond, or a combination thereof. When an ether bond or an ester bond is contained as a substituent, an alkylene group may be interposed. As the substituent in this case, a linking group represented by the above formulas (y-al-1) to (y-al-5) Do.
상기 방향족 탄화수소기로는, 페닐기 혹은 나프틸기가 보다 바람직하다.As the aromatic hydrocarbon group, a phenyl group or a naphthyl group is more preferable.
상기 지방족 고리형기로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기인 것이 보다 바람직하다.The aliphatic cyclic group is more preferably a group obtained by removing at least one hydrogen atom from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isoborane, tricyclodecane, or tetracyclododecane.
상기 사슬형의 알킬기로는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등의 직사슬형의 알킬기;1-메틸에틸기, 1-메틸프로필기, 2-메틸프로필기, 1-메틸부틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 1-에틸부틸기, 2-에틸부틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기 등의 분기사슬형의 알킬기를 들 수 있다.The chain-like alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, and specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, Methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2- Ethylhexyl group, ethylbutyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group and 4-methylpentyl group.
상기 사슬형의 알킬기가 치환기로서 불소 원자 또는 불소화알킬기를 갖는 불소화알킬기인 경우, 불소화알킬기의 탄소수는, 1 ∼ 11 이 바람직하고, 1 ∼ 8 이 보다 바람직하고, 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하다. 그 불소화알킬기는, 불소 원자 이외의 원자를 함유해도 된다. 불소 원자 이외의 원자로는, 예를 들어 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.When the above chain alkyl group is a fluorinated alkyl group having a fluorine atom or a fluorinated alkyl group as a substituent, the number of carbon atoms of the fluorinated alkyl group is preferably from 1 to 11, more preferably from 1 to 8, still more preferably from 1 to 4. The fluorinated alkyl group may contain an atom other than a fluorine atom. Examples of the atom other than the fluorine atom include an oxygen atom, a sulfur atom and a nitrogen atom.
Rd1 로는, 직사슬형의 알킬기를 구성하는 일부 또는 전부의 수소 원자가 불소 원자에 의해 치환된 불소화알킬기인 것이 바람직하고, 직사슬형의 알킬기를 구성하는 수소 원자 전부가 불소 원자로 치환된 불소화알킬기 (직사슬형의 퍼플루오로알킬기) 인 것이 특히 바람직하다.As Rd 1 , it is preferable that some or all of hydrogen atoms constituting the linear alkyl group are fluorinated alkyl groups substituted by fluorine atoms, and fluorinated alkyl groups in which all the hydrogen atoms constituting the linear alkyl group are substituted with fluorine atoms A linear perfluoroalkyl group) is particularly preferable.
이하에 (d1-1) 성분의 아니온부의 바람직한 구체예를 나타낸다.Preferred examples of the anion moiety of the component (d1-1) are shown below.
[화학식 65](65)
·· 카티온부..Cartion
식 (d1-1) 중, Mm+ 는, m 가의 유기 카티온이다.In the formula (d1-1), M m + is an organic cation of m.
Mm+ 의 유기 카티온으로는, 상기 일반식 (ca-1) ∼ (ca-4) 로 각각 나타내는 카티온과 동일한 것을 적합하게 들 수 있으며, 상기 일반식 (ca-1) 로 나타내는 카티온이 보다 바람직하고, 상기 식 (ca-1-1) ∼ (ca-1-71) 로 각각 나타내는 카티온이 더욱 바람직하다.Examples of the organic cation of M m + are the same as the cation represented by the above general formulas (ca-1) to (ca-4), and the cation represented by the general formula (ca- , More preferably a cation represented by the above formulas (ca-1-1) to (ca-1-71) is more preferable.
(d1-1) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The component (d1-1) may be used singly or in combination of two or more.
{(d1-2) 성분}{(d1-2) component}
·· 아니온부· · Anion
식 (d1-2) 중, Rd2 는, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 상기 식 (b1-a1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다. Formula (d1-2) of, Rd 2, the cyclic group which may have a substituent, an alkenyl group which may contain a chain-like alkyl chain which may have a substituent, or a substituent group, the formula (b1-a1) May be the same as those of R < 101 >
단, Rd2 에 있어서의, S 원자에 인접하는 탄소 원자에는 불소 원자는 결합하고 있지 않는 (불소 치환되어 있지 않는) 것으로 한다. 이에 따라, (d1-2) 성분의 아니온이 적당한 약산 아니온이 되고, (D) 성분으로서의 퀀칭능이 향상된다.Provided that the fluorine atom is not bonded to the carbon atom adjacent to the S atom in Rd 2 (not substituted with fluorine). As a result, the anion of the component (d1-2) becomes an appropriate weak acid anion, and the quenching ability as the component (D) improves.
Rd2 로는, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 지방족 고리형기인 것이 바람직하다. 사슬형의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 10 인 것이 보다 바람직하다. 지방족 고리형기로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 (치환기를 갖고 있어도 된다);캠퍼 등으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기인 것이 보다 바람직하다.Rd 2 is preferably a chain-like alkyl group which may have a substituent or an aliphatic cyclic group which may have a substituent. The chain-like alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 10 carbon atoms. Examples of the aliphatic cyclic group include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, etc. (which may have a substituent) It is more preferable that the hydrogen atom is removed.
Rd2 의 탄화수소기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 그 치환기로는, 상기 식 (d1-1) 의 Rd1 에 있어서의 탄화수소기 (방향족 탄화수소기, 지방족 고리형기, 사슬형의 알킬기) 가 갖고 있어도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다. The hydrocarbon group of Rd 2 may have a substituent and examples of the substituent include a substituent which may be possessed by the hydrocarbon group (aromatic hydrocarbon group, aliphatic cyclic group, or chained alkyl group) in Rd 1 of the formula (d1-1) And the like.
이하에 (d1-2) 성분의 아니온부의 바람직한 구체예를 나타낸다.Preferred examples of the anion moiety of the component (d1-2) are shown below.
[화학식 66](66)
·· 카티온부..Cartion
식 (d1-2) 중, Mm+ 는, m 가의 유기 카티온이고, 상기 식 (d1-1) 중의 Mm+ 와 동일하다.In the formula (d1-2), M m + is an organic cation of m, and is the same as M m + in the formula (d1-1).
(d1-2) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The component (d1-2) may be used singly or in combination of two or more.
{(d1-3) 성분}{(d1-3) component}
·· 아니온부· · Anion
식 (d1-3) 중, Rd3 은 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이고, 상기 식 (b1-a1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있으며, 불소 원자를 포함하는 고리형기, 사슬형의 알킬기, 또는 사슬형의 알케닐기인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 불소화알킬기가 바람직하고, 상기 Rd1 의 불소화알킬기와 동일한 것이 보다 바람직하다.In the formula (d1-3) of, Rd 3 is an alkenyl group of chain which may contain a cyclic group, an alkyl group of chain which may have a substituent, or a substituent which may have a substituent, the formula (b1-a1) R 101, and is preferably a cyclic group, a chain-like alkyl group, or a chain-like alkenyl group containing a fluorine atom. Among them, a fluorinated alkyl group is preferable, and the same as the fluorinated alkyl group of Rd 1 is more preferable.
식 (d1-3) 중, Rd4 는, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 상기 식 (b1-a1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다.Formula (d1-3) of, Rd 4 is cyclic group which may have a substituent, an alkenyl group which may contain a chain-like alkyl chain which may have a substituent, or a substituent group, the formula (b1-a1) May be the same as those of R < 101 >
그 중에서도, 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, 고리형기인 것이 바람직하다.Among them, an alkyl group, alkoxy group, alkenyl group and cyclic group which may have a substituent are preferable.
Rd4 에 있어서의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. Rd4 의 알킬기의 수소 원자의 일부가 수산기, 시아노기 등으로 치환되어 있어도 된다.The alkyl group in Rd 4 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and specifically includes a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, and a neopentyl group. Part of the hydrogen atoms of the alkyl group Rd is 4 may be substituted by a hydroxyl group, a cyano group or the like.
Rd4 에 있어서의 알콕시기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기로서 구체적으로는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기를 들 수 있다. 그 중에서도, 메톡시기, 에톡시기가 바람직하다.The alkoxy group in Rd 4 is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and specific examples of the alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso- Butoxy group, and tert-butoxy group. Among them, a methoxy group and an ethoxy group are preferable.
Rd4 에 있어서의 알케닐기는, 상기 식 (b1-a1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있으며, 비닐기, 프로페닐기 (알릴기), 1-메틸프로페닐기, 2-메틸프로페닐기가 바람직하다. 이들 기는 또한 치환기로서, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기를 갖고 있어도 된다.The alkenyl group in Rd 4 may be the same as R 101 in the above formula (b1-a1), preferably a vinyl group, a propenyl group (allyl group), a 1-methylpropenyl group or a 2-methylpropenyl group . These groups may also have, as a substituent, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
Rd4 에 있어서의 고리형기는, 상기 식 (b1-a1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있으며, 시클로펜탄, 시클로헥산, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 지환식기, 또는, 페닐기, 나프틸기 등의 방향족기가 바람직하다. Rd4 가 지환식기인 경우, 레지스트 조성물이 유기 용제에 양호하게 용해함으로써, 리소그래피 특성이 양호해진다. 또, Rd4 가 방향족기인 경우, EUV 등을 노광 광원으로 하는 리소그래피에 있어서, 그 레지스트 조성물이 광 흡수 효율이 우수하고, 감도나 리소그래피 특성이 양호해진다.The cyclic group in Rd 4 may be the same as R 101 in the above formula (b1-a1), and cyclopentane, cyclohexane, adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclo An alicyclic group in which at least one hydrogen atom is removed from a cycloalkane such as dodecane, or an aromatic group such as a phenyl group or a naphthyl group is preferable. When Rd 4 is an alicyclic group, the resist composition is well dissolved in an organic solvent, whereby lithography characteristics are improved. When Rd 4 is an aromatic group, in the case of lithography using EUV as an exposure light source, the resist composition is excellent in light absorption efficiency, and has good sensitivity and lithography characteristics.
식 (d1-3) 중, Yd1 은, 단결합 또는 2 가의 연결기이다.Formula (d1-3) of, Yd 1 is a single bond or a divalent connecting group.
Yd1 에 있어서의 2 가의 연결기로는, 특별히 한정되지 않지만, 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기 (지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기), 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기 등을 들 수 있다. 이들은 각각, 상기 식 (a2-1) 중의 Ya21 에 있어서의 2 가의 연결기에 대한 설명 중에서 예시한, 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기, 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기와 동일한 것을 들 수 있다.The divalent linking group in Yd 1 includes, but is not limited to, a divalent hydrocarbon group (aliphatic hydrocarbon group or aromatic hydrocarbon group) which may have a substituent, and a divalent linking group containing a hetero atom. These are the same as the divalent linking group including a divalent hydrocarbon group or a heteroatom which may have a substituent, which is exemplified in the description of the divalent linking group in Ya 21 in the formula (a2-1) .
Yd1 로는, 카르보닐기, 에스테르 결합, 아미드 결합, 알킬렌기 또는 이들의 조합인 것이 바람직하다. 알킬렌기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬렌기인 것이 보다 바람직하고, 메틸렌기 또는 에틸렌기인 것이 더욱 바람직하다.Yd 1 is preferably a carbonyl group, an ester bond, an amide bond, an alkylene group or a combination thereof. The alkylene group is more preferably a linear or branched alkylene group, more preferably a methylene group or an ethylene group.
이하에 (d1-3) 성분의 아니온부의 바람직한 구체예를 나타낸다.Preferred examples of the anion moiety of the component (d1-3) are shown below.
[화학식 67](67)
[화학식 68](68)
·· 카티온부..Cartion
식 (d1-3) 중, Mm+ 는, m 가의 유기 카티온이고, 상기 식 (d1-1) 중의 Mm+ 와 동일하다.In the formula (d1-3), M m + is an organic cation of m, and is the same as M m + in the formula (d1-1).
(d1-3) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The component (d1-3) may be used singly or in combination of two or more.
(D1) 성분은, 상기 (d1-1) ∼ (d1-3) 성분 중 어느 1 종만을 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.As the component (D1), any one of the components (d1-1) to (d1-3) may be used, or two or more components may be used in combination.
레지스트 조성물이 (D1) 성분을 함유하는 경우, 레지스트 조성물 중, (D1) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대하여, 0.5 ∼ 10 질량부가 바람직하고, 0.5 ∼ 8 질량부가 보다 바람직하고, 1 ∼ 8 질량부가 더욱 바람직하다.When the resist composition contains the component (D1), the content of the component (D1) in the resist composition is preferably 0.5 to 10 parts by mass, more preferably 0.5 to 8 parts by mass, per 100 parts by mass of the component (A) , More preferably 1 to 8 parts by mass.
(D1) 성분의 함유량이 바람직한 하한값 이상이면, 특히 양호한 리소그래피 특성 및 레지스트 패턴 형상이 얻어지기 쉽다. 한편, 상한값 이하이면, 감도를 양호하게 유지할 수 있고, 스루풋도 우수하다.When the content of the component (D1) is lower than the preferable lower limit value, particularly good lithography characteristics and resist pattern shape are easily obtained. On the other hand, if it is less than the upper limit value, the sensitivity can be kept good and the throughput is also excellent.
(D1) 성분의 제조 방법:(D1) Component:
상기의 (d1-1) 성분, (d1-2) 성분의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다.The method for producing the above components (d1-1) and (d1-2) is not particularly limited and can be produced by a known method.
또, (d1-3) 성분의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, US2012-0149916호에 기재된 방법과 동일하게 하여 제조된다.The method for producing the component (d1-3) is not particularly limited, and is produced in the same manner as described in, for example, US2012-0149916.
· (D2) 성분에 대하여· For component (D2)
산확산 제어제 성분으로는, 상기의 (D1) 성분에 해당하지 않는 함질소 유기 화합물 성분 (이하, 「(D2) 성분」 이라고 한다.) 을 함유해도 된다.The acid diffusion controller component may contain a nitrogen-containing organic compound component (hereinafter referred to as "component (D2)") which does not correspond to the above-mentioned component (D1).
(D2) 성분으로는, 산확산 제어제로서 작용하는 것이고, 또한, (D1) 성분에 해당하지 않는 것이면 특별히 한정되지 않으며, 공지된 것으로부터 임의로 사용하면 된다. 그 중에서도, 지방족 아민이 바람직하고, 이 중에서도 특히 제 2 급 지방족 아민이나 제 3 급 지방족 아민이 보다 바람직하다.The component (D2) is not particularly limited as long as it functions as an acid diffusion control agent and does not correspond to the component (D1), and any known component may be used. Among them, an aliphatic amine is preferable, and a secondary aliphatic amine or a tertiary aliphatic amine is particularly preferable.
지방족 아민이란, 1 개 이상의 지방족기를 갖는 아민이며, 그 지방족기는 탄소수가 1 ∼ 12 인 것이 바람직하다.The aliphatic amine is an amine having at least one aliphatic group, and the aliphatic group preferably has 1 to 12 carbon atoms.
지방족 아민으로는, 암모니아 NH3 의 수소 원자의 적어도 1 개를, 탄소수 12 이하의 알킬기 혹은 하이드록시알킬기로 치환한 아민 (알킬아민 혹은 알킬알코올아민) 또는 고리형 아민을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amine include an amine (alkylamine or alkyl alcohol amine) in which at least one hydrogen atom of ammonia NH 3 is substituted with an alkyl group or a hydroxyalkyl group having 12 or less carbon atoms, or a cyclic amine.
알킬아민 및 알킬알코올아민의 구체예로는, n-헥실아민, n-헵틸아민, n-옥틸아민, n-노닐아민, n-데실아민 등의 모노알킬아민;디에틸아민, 디-n-프로필아민, 디-n-헵틸아민, 디-n-옥틸아민, 디시클로헥실아민 등의 디알킬아민;트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리-n-프로필아민, 트리-n-부틸아민, 트리-n-펜틸아민, 트리-n-헥실아민, 트리-n-헵틸아민, 트리-n-옥틸아민, 트리-n-노닐아민, 트리-n-데실아민, 트리-n-도데실아민 등의 트리알킬아민;디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디이소프로판올아민, 트리이소프로판올아민, 디-n-옥탄올아민, 트리-n-옥탄올아민 등의 알킬알코올아민을 들 수 있다. 이들 중에서도, 탄소수 5 ∼ 10 의 트리알킬아민이 더욱 바람직하고, 트리-n-펜틸아민 또는 트리-n-옥틸아민이 특히 바람직하다.Specific examples of alkylamines and alkylalcoholamines include monoalkylamines such as n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine and n-decylamine; Dialkylamines such as propylamine, di-n-heptylamine, di-n-octylamine and dicyclohexylamine; aliphatic amines such as trimethylamine, triethylamine, tri-n-hexylamine, tri-n-heptylamine, tri-n-octylamine, tri-n-nonylamine, tri-n-decylamine, Alkylamine, alkyl alcohol amine such as diethanolamine, triethanolamine, diisopropanolamine, triisopropanolamine, di-n-octanolamine, tri-n-octanolamine and the like. Of these, trialkylamines having 5 to 10 carbon atoms are more preferred, and tri-n-pentylamine or tri-n-octylamine is particularly preferred.
고리형 아민으로는, 예를 들어, 헤테로 원자로서 질소 원자를 포함하는 복소 고리 화합물을 들 수 있다. 그 복소 고리 화합물로는, 단고리형의 것 (지방족 단고리형 아민) 이어도 되고 다고리형의 것 (지방족 다고리형 아민) 이어도 된다.The cyclic amine includes, for example, a heterocyclic compound containing a nitrogen atom as a hetero atom. The heterocyclic compound may be a monocyclic (aliphatic monocyclic) amine or a polycyclic (aliphatic polycyclic) amine.
지방족 단고리형 아민으로서, 구체적으로는, 피페리딘, 피페라진 등을 들 수 있다.Specific examples of the aliphatic monocyclic amine include piperidine, piperazine and the like.
지방족 다고리형 아민으로는, 탄소수가 6 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센, 헥사메틸렌테트라민, 1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄 등을 들 수 있다.As the aliphatic polycyclic amines, the number of carbon atoms is preferably from 6 to 10. Specific examples thereof include 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene, hexamethylenetetramine, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane, and the like.
그 밖의 지방족 아민으로는, 트리스(2-메톡시메톡시에틸)아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시메톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시프로폭시)에틸}아민, 트리스[2-{2-(2-하이드록시에톡시)에톡시}에틸]아민, 트리에탄올아민트리아세테이트 등을 들 수 있으며, 트리에탄올아민트리아세테이트가 바람직하다.Other aliphatic amines include tris (2-methoxymethoxyethyl) amine, tris {2- (2-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (2-methoxyethoxymethoxy) ethyl } Amine, tris {2- (1-ethoxypropoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxyethoxy) ethyl} , Tris [2- {2- (2-hydroxyethoxy) ethoxy} ethyl] amine, triethanolamine triacetate and the like, and triethanolamine triacetate is preferable.
또, (D2) 성분으로는, 방향족 아민을 사용해도 된다. As the component (D2), an aromatic amine may be used.
방향족 아민으로는, 4-디메틸아미노피리딘, 피롤, 인돌, 피라졸, 이미다졸 또는 이들의 유도체, 트리벤질아민, 2,6-디이소프로필아닐린, N-tert-부톡시카르보닐피롤리딘 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic amine include 4-dimethylaminopyridine, pyrrole, indole, pyrazole, imidazole or derivatives thereof, tribenzylamine, 2,6-diisopropylaniline, N-tert-butoxycarbonylpyrrolidine .
(D2) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.(D2) may be used singly or in combination of two or more kinds.
레지스트 조성물이 (D2) 성분을 함유하는 경우, 레지스트 조성물 중, (D2) 성분은, (A) 성분 100 질량부에 대하여, 통상적으로 0.01 ∼ 5 질량부의 범위에서 사용된다. 상기 범위로 함으로써, 레지스트 패턴 형상, 노광 후 시간 경과적 안정성 등이 향상된다.When the resist composition contains the component (D2), the component (D2) in the resist composition is usually used in a range of 0.01 to 5 parts by mass based on 100 parts by mass of the component (A). By setting the resistivity to the above range, the resist pattern shape, time-course stability after exposure, and the like are improved.
≪(E) 성분:유기 카르복실산 그리고 인의 옥소산 및 그 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물≫Component (E): at least one compound selected from the group consisting of an organic carboxylic acid and an oxo acid of phosphorus and a derivative thereof
본 실시형태의 레지스트 조성물에는, 감도 열화의 방지나, 레지스트 패턴 형상, 노광 후 시간 경과적 안정성 등의 향상의 목적으로, 임의의 성분으로서, 유기 카르복실산 그리고 인의 옥소산 및 그 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물 (E) (이하, 「(E) 성분」 이라고 한다) 를 함유시킬 수 있다.The resist composition of the present embodiment may contain, as optional components, an organic carboxylic acid and a group consisting of phosphorous oxo acid and derivatives thereof for the purpose of prevention of deterioration of sensitivity, shape of resist pattern, stability over time after exposure, (Hereinafter referred to as " component (E) ") selected from the group consisting of
유기 카르복실산으로는, 예를 들어, 아세트산, 말론산, 시트르산, 말산, 숙신산, 벤조산, 살리실산 등이 적합하다.As the organic carboxylic acid, for example, acetic acid, malonic acid, citric acid, malic acid, succinic acid, benzoic acid, salicylic acid and the like are suitable.
인의 옥소산으로는, 인산, 포스폰산, 포스핀산 등을 들 수 있으며, 이들 중에서도 특히 포스폰산이 바람직하다.Examples of the phosphoric acid include phosphoric acid, phosphonic acid and phosphinic acid. Of these, phosphonic acid is particularly preferable.
인의 옥소산의 유도체로는, 예를 들어, 상기 옥소산의 수소 원자를 탄화수소기로 치환한 에스테르 등을 들 수 있으며, 상기 탄화수소기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 15 의 아릴기 등을 들 수 있다.Examples of the derivative of the phosphorous oxo acid include an ester in which the hydrogen atom of the oxo acid is substituted with a hydrocarbon group. Examples of the hydrocarbon group include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an aryl group having 6 to 15 carbon atoms .
인산의 유도체로는, 인산디-n-부틸에스테르, 인산디페닐에스테르 등의 인산에스테르 등을 들 수 있다.Examples of phosphoric acid derivatives include phosphoric acid esters such as di-n-butyl phosphate and diphenyl phosphate.
포스폰산의 유도체로는, 포스폰산디메틸에스테르, 포스폰산-디-n-부틸에스테르, 페닐포스폰산, 포스폰산디페닐에스테르, 포스폰산디벤질에스테르 등의 포스폰산에스테르 등을 들 수 있다.Examples of phosphonic acid derivatives include phosphonic acid esters such as phosphonic acid dimethyl ester, phosphonic acid-di-n-butyl ester, phenylphosphonic acid, phosphonic acid diphenyl ester and phosphonic acid dibenzyl ester.
포스핀산의 유도체로는, 포스핀산에스테르나 페닐포스핀산 등을 들 수 있다.Examples of derivatives of phosphinic acid include phosphinic acid esters and phenylphosphinic acid.
본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서, (E) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.In the resist composition of the present embodiment, the component (E) may be used singly or in combination of two or more.
레지스트 조성물이 (E) 성분을 함유하는 경우, (E) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대하여, 통상적으로 0.01 ∼ 5 질량부의 범위에서 사용된다.When the resist composition contains the component (E), the content of the component (E) is usually in the range of 0.01 to 5 parts by mass based on 100 parts by mass of the component (A).
≪(F) 성분:불소 첨가제 성분≫≪ Component (F): Component of fluorine additive >
본 실시형태의 레지스트 조성물은, 레지스트막에 발수성을 부여하기 위해서, 불소 첨가제 성분 (이하, 「(F) 성분」 이라고 한다) 을 함유해도 된다.The resist composition of this embodiment may contain a fluorine additive component (hereinafter referred to as "component (F)") in order to impart water repellency to the resist film.
(F) 성분으로는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2010-002870호, 일본 공개특허공보 2010-032994호, 일본 공개특허공보 2010-277043호, 일본 공개특허공보 2011-13569호, 일본 공개특허공보 2011-128226호에 기재된 함불소 고분자 화합물을 사용할 수 있다.Examples of the component (F) include, for example, those described in JP-A No. 2010-002870, JP-A No. 2010-032994, JP-A No. 2010-277043, JP-A No. 2011-13569, The fluorinated polymer compound described in the publication No. 2011-128226 can be used.
(F) 성분으로서 보다 구체적으로는, 하기 식 (f1-1) 로 나타내는 구성 단위 (f1) 을 갖는 중합체를 들 수 있다. 상기 중합체로는, 하기 식 (f1-1) 로 나타내는 구성 단위 (f1) 만으로 이루어지는 중합체 (호모폴리머);그 구성 단위 (f1) 과 상기 구성 단위 (a1) 의 공중합체;그 구성 단위 (f1) 과 아크릴산 또는 메타크릴산으로부터 유도되는 구성 단위와 상기 구성 단위 (a1) 의 공중합체인 것이 바람직하다. 여기서, 그 구성 단위 (f1) 과 공중합되는 상기 구성 단위 (a1) 로는, 1-에틸-1-시클로옥틸(메트)아크릴레이트로부터 유도되는 구성 단위, 1-메틸-1-아다만틸(메트)아크릴레이트로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하다.More specifically, as the component (F), a polymer having a structural unit (f1) represented by the following formula (f1-1) may be mentioned. Examples of the polymer include a polymer (homopolymer) comprising only the constituent unit (f1) represented by the following formula (f1-1), a copolymer of the constituent unit (f1) and the constituent unit (a1) And a structural unit derived from acrylic acid or methacrylic acid and a copolymer of the structural unit (a1). Examples of the structural unit (a1) copolymerized with the structural unit (f1) include structural units derived from 1-ethyl-1-cyclooctyl (meth) acrylate, structural units derived from 1-methyl- Acrylate is preferable.
[화학식 69](69)
[식 중, R 은 상기와 동일하고, Rf102 및 Rf103 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기를 나타내며, Rf102 및 Rf103 은 동일해도 되고 상이해도 된다. nf1 은 1 ∼ 5 의 정수이고, Rf101 은 불소 원자를 포함하는 유기기이다.][Wherein, R is as defined above and, Rf 102 and Rf 103 each independently represents an alkyl group or halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of hydrogen atom, a halogen atom, a 1 to 5 carbon atoms, Rf 102 and Rf 103 is the same May be different or different. nf 1 is an integer of 1 to 5, and Rf 101 is an organic group containing a fluorine atom.]
식 (f1-1) 중, α 위치의 탄소 원자에 결합한 R 은, 상기와 동일하다. R 로는, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다. In formula (f1-1), R bonded to the carbon atom at the? -Position is the same as described above. As R, a hydrogen atom or a methyl group is preferable.
식 (f1-1) 중, Rf102 및 Rf103 의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있으며, 특히 불소 원자가 바람직하다. Rf102 및 Rf103 의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기로는, 상기 R 의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있으며, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다. Rf102 및 Rf103 의 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기로서, 구체적으로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가, 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있으며, 특히 불소 원자가 바람직하다. 그 중에서도 Rf102 및 Rf103 으로는, 수소 원자, 불소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 수소 원자, 불소 원자, 메틸기, 또는 에틸기가 바람직하다.In the formula (f1-1), examples of the halogen atom of Rf 102 and Rf 103 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable. Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms represented by Rf 102 and Rf 103 include the same alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms as R described above, and a methyl group or an ethyl group is preferable. Specific examples of the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms represented by Rf 102 and Rf 103 include a group in which a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is substituted with a halogen atom. The halogen atom includes a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable. Among them, Rf 102 and Rf 103 are preferably a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and are preferably a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group, or an ethyl group.
식 (f1-1) 중, nf1 은 1 ∼ 5 의 정수이고, 1 ∼ 3 의 정수가 바람직하고, 1 또는 2 인 것이 보다 바람직하다.Formula (f1-1) of, 1 nf is an integer from 1-5, an integer of 1-3, and more preferably 1 or 2.
식 (f1-1) 중, Rf101 은, 불소 원자를 포함하는 유기기이며, 불소 원자를 포함하는 탄화수소기인 것이 바람직하다.In the formula (f1-1), Rf 101 is an organic group containing a fluorine atom, and is preferably a hydrocarbon group containing a fluorine atom.
불소 원자를 포함하는 탄화수소기로는, 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형 중 어느 것이어도 되며, 탄소수는 1 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 15 인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 10 이 특히 바람직하다.The hydrocarbon group containing a fluorine atom may be any of linear, branched or cyclic, and preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms. Particularly preferred.
또, 불소 원자를 포함하는 탄화수소기는, 당해 탄화수소기에 있어서의 수소 원자의 25 % 이상이 불소화되어 있는 것이 바람직하고, 50 % 이상이 불소화되어 있는 것이 보다 바람직하고, 60 % 이상이 불소화되어 있는 것이, 침지 노광시의 레지스트막의 소수성이 높아지기 때문에 특히 바람직하다.The hydrocarbon group containing a fluorine atom preferably has at least 25% of the hydrogen atoms in the hydrocarbon group fluorinated, more preferably at least 50% fluorinated, and more preferably at least 60% Since the hydrophobicity of the resist film at the time of immersion exposure is increased.
그 중에서도, Rf101 로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화 탄화수소기가 보다 바람직하고, 트리플루오로메틸기, -CH2-CF3, -CH2-CF2-CF3, -CH(CF3)2, -CH2-CH2-CF3, -CH2-CH2-CF2-CF2-CF2-CF3 이 특히 바람직하다.Of these, Rf roneun 101, more preferably a fluorinated hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms, and a trifluoromethyl group, -CH 2 -CF 3, -CH 2 -CF 2 -CF 3, -CH (CF 3) 2, - CH 2 -CH 2 -CF 3 , -CH 2 -CH 2 -CF 2 -CF 2 -CF 2 -CF 3 are particularly preferred.
(F) 성분의 질량 평균 분자량 (Mw) (겔 퍼미에이션 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산 기준) 은, 1000 ∼ 50000 이 바람직하고, 5000 ∼ 40000 이 보다 바람직하고, 10000 ∼ 30000 이 가장 바람직하다. 이 범위의 상한값 이하이면, 레지스트로서 사용하는 데에 레지스트용 용제에 대한 충분한 용해성이 있고, 이 범위의 하한값 이상이면, 내드라이 에칭성이나 레지스트 패턴 단면 형상이 양호하다.The mass average molecular weight (Mw) (based on polystyrene conversion by gel permeation chromatography) of the component (F) is preferably from 1,000 to 50,000, more preferably from 5,000 to 40,000, and most preferably from 10,000 to 30,000. If it is not more than the upper limit of the above range, sufficient solubility for a resist solvent is required for use as a resist, and if it is not lower than the lower limit of this range, dry etching resistance and cross-sectional shape of the resist pattern are good.
(F) 성분의 분산도 (Mw/Mn) 는, 1.0 ∼ 5.0 이 바람직하고, 1.0 ∼ 3.0 이 보다 바람직하고, 1.2 ∼ 2.5 가 가장 바람직하다.The dispersion degree (Mw / Mn) of the component (F) is preferably 1.0 to 5.0, more preferably 1.0 to 3.0, and most preferably 1.2 to 2.5.
본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서, (F) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.In the resist composition of the present embodiment, the component (F) may be used alone or in combination of two or more.
레지스트 조성물이 (F) 성분을 함유하는 경우, (F) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대하여, 통상적으로 0.5 ∼ 10 질량부의 비율로 사용된다.When the resist composition contains the component (F), the content of the component (F) is usually 0.5 to 10 parts by mass based on 100 parts by mass of the component (A).
≪(S) 성분:유기 용제 성분≫≪ Component (S): organic solvent component >
실시형태의 레지스트 조성물은, 레지스트 재료를 유기 용제 성분 (이하, 「(S) 성분」 이라고 한다) 에 용해시켜 제조할 수 있다.The resist composition of the embodiment can be produced by dissolving a resist material in an organic solvent component (hereinafter referred to as "component (S)").
(S) 성분으로는, 사용하는 각 성분을 용해하고, 균일한 용액으로 할 수 있는 것이면 되고, 종래, 화학 증폭형 레지스트 조성물의 용제로서 공지된 것 중에서 임의의 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있다.As the component (S), any one that can dissolve each component to be used and can form a homogeneous solution can be used, and any of conventionally known solvents for chemically amplified resist compositions can be appropriately selected and used.
(S) 성분으로는, 예를 들어, γ-부티로락톤 등의 락톤류;아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 메틸-n-펜틸케톤, 메틸이소펜틸케톤, 2-헵타논 등의 케톤류;에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류;에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 또는 디프로필렌글리콜모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 갖는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 갖는 화합물의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 등의 모노알킬에테르 또는 모노페닐에테르 등의 에테르 결합을 갖는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체 [이들 중에서는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME) 가 바람직하다];디옥산과 같은 고리형 에테르류나, 락트산메틸, 락트산에틸 (EL), 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류;아니솔, 에틸벤질에테르, 크레질메틸에테르, 디페닐에테르, 디벤질에테르, 페네톨, 부틸페닐에테르, 에틸벤젠, 디에틸벤젠, 펜틸벤젠, 이소프로필벤젠, 톨루엔, 자일렌, 시멘, 메시틸렌 등의 방향족계 유기 용제, 디메틸술폭시드 (DMSO) 등을 들 수 있다.Examples of the component (S) include lactones such as? -Butyrolactone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, Polyhydric alcohols such as ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol and dipropylene glycol; compounds having ester bonds such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, and dipropylene glycol monoacetate; Derivatives of polyhydric alcohols such as monohydric alcohols or compounds having an ether bond such as monomethyl ether, monoethyl ether, monopropyl ether, and monobutyl ether of monobutyl ether or monophenyl ether of the compound having ester bond [Among these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether Cyclic ethers such as dioxane, methyl lactate, ethyl lactate, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, methyl pyruvate, methyl methoxypropionate, ethoxypropionate Ethyl, and the like; anhydrides such as anisole, ethylbenzyl ether, cresyl methyl ether, diphenyl ether, dibenzyl ether, phenetole, butylphenyl ether, ethylbenzene, diethylbenzene, pentylbenzene, isopropylbenzene, toluene, Aromatic organic solvents such as rhenium, cymene and mesitylene, dimethylsulfoxide (DMSO) and the like.
본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서, (S) 성분은, 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상의 혼합 용제로서 사용해도 된다.In the resist composition of the present embodiment, the component (S) may be used singly or as a mixed solvent of two or more kinds.
그 중에서도, PGMEA, PGME, γ-부티로락톤, EL, 시클로헥사논이 바람직하다.Among them, PGMEA, PGME,? -Butyrolactone, EL, and cyclohexanone are preferable.
또, PGMEA 와 극성 용제를 혼합한 혼합 용제도 바람직하다. 그 배합비 (질량비) 는, PGMEA 와 극성 용제의 상용성 등을 고려하여 적절히 결정하면 되지만, 바람직하게는 1:9 ∼ 9:1, 보다 바람직하게는 2:8 ∼ 8:2 의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.A mixed solvent in which PGMEA and a polar solvent are mixed is also preferable. The compounding ratio (mass ratio) may be suitably determined in consideration of the compatibility of the PGMEA and the polar solvent, and is preferably within the range of 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2 desirable.
보다 구체적으로는, 극성 용제로서 EL 또는 시클로헥사논을 배합하는 경우에는, PGMEA:EL 또는 시클로헥사논의 질량비는, 바람직하게는 1:9 ∼ 9:1, 보다 바람직하게는 2:8 ∼ 8:2 이다. 또, 극성 용제로서 PGME 를 배합하는 경우에는, PGMEA:PGME 의 질량비는, 바람직하게는 1:9 ∼ 9:1, 보다 바람직하게는 2:8 ∼ 8:2, 더욱 바람직하게는 3:7 ∼ 7:3 이다. 또한 PGMEA 와 PGME 와 시클로헥사논의 혼합 용제도 바람직하다.More specifically, when EL or cyclohexanone is blended as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA: EL or cyclohexanone is preferably 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2. When PGME is blended as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA: PGME is preferably 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2, still more preferably 3: 7: 3. Mixed solvents of PGMEA, PGME and cyclohexanone are also preferred.
또, (S) 성분으로서, 그 외에는, PGMEA 및 EL 중에서 선택되는 적어도 1 종과 γ-부티로락톤의 혼합 용제도 바람직하다. 이 경우, 혼합 비율로는, 전자와 후자의 질량비가, 바람직하게는 70:30 ∼ 95:5 가 된다.Further, as the component (S), a mixed solvent of at least one selected from PGMEA and EL and? -Butyrolactone is also preferable. In this case, as the mixing ratio, the mass ratio of the former and the latter is preferably 70:30 to 95: 5.
(S) 성분의 사용량은, 특별히 한정되지 않고, 기판 등에 도포 가능한 농도로, 도포 막두께에 따라 적절히 설정된다. 일반적으로는 레지스트 조성물의 고형분 농도가 1 ∼ 20 질량%, 바람직하게는 2 ∼ 15 질량% 의 범위 내가 되도록 (S) 성분은 사용된다.The amount of the component (S) to be used is not particularly limited and is appropriately set in accordance with the coating film thickness at a concentration applicable to a substrate or the like. In general, the component (S) is used so that the solid concentration of the resist composition is in the range of 1 to 20 mass%, preferably 2 to 15 mass%.
본 실시형태의 레지스트 조성물에는, 또한 원하는 바에 따라 혼화성이 있는 첨가제, 예를 들어 레지스트막의 성능을 개량하기 위한 부가적 수지, 용해 억제제, 가소제, 안정제, 착색제, 할레이션 방지제, 염료 등을 적절히 첨가 함유시킬 수 있다.The resist composition of the present embodiment may be further added with a miscible additive, for example, an additive resin for improving the performance of a resist film, a dissolution inhibitor, a plasticizer, a stabilizer, a colorant, a halation inhibitor, .
(레지스트 패턴 형성 방법) (Resist Pattern Forming Method)
본 발명의 제 2 양태에 관련된 레지스트 패턴 형성 방법은, 지지체 상에, 상기 서술한 제 1 양태에 관련된 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 및 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 갖는다.The resist pattern forming method according to the second aspect of the present invention is a resist pattern forming method comprising the steps of forming a resist film on a support using the resist composition according to the first aspect, exposing the resist film, And developing the resist pattern to form a resist pattern.
이러한 레지스트 패턴 형성 방법의 일 실시형태로는, 예를 들어 이하와 같이 하여 실시하는 레지스트 패턴 형성 방법을 들 수 있다.As one embodiment of such a resist pattern forming method, for example, there can be mentioned a resist pattern forming method which is carried out as follows.
먼저, 지지체 상에 상기 서술한 실시형태의 레지스트 조성물을 스피너 등으로 도포하고, 베이크 (포스트 어플라이 베이크 (PAB)) 처리를, 예를 들어 80 ∼ 150 ℃ 의 온도 조건으로 40 ∼ 120 초간, 바람직하게는 60 ∼ 90 초간 실시하여 레지스트막을 형성한다.First, the resist composition of the above-described embodiment is coated on a support by a spinner or the like, and baking (post-apply baking (PAB)) treatment is performed at a temperature of 80 to 150 캜 for 40 to 120 seconds, , The resist film is formed for 60 to 90 seconds.
다음으로, 그 레지스트막에 대하여, 예를 들어 ArF 노광 장치, 전자선 묘화 장치, EUV 노광 장치 등의 노광 장치를 사용하여, 소정의 패턴이 형성된 마스크 (마스크 패턴) 를 개재한 노광 또는 마스크 패턴을 개재하지 않은 전자선의 직접 조사에 의한 묘화 등에 의한 선택적 노광을 실시한 후, 베이크 (포스트 익스포저 베이크 (PEB)) 처리를, 예를 들어 80 ∼ 150 ℃ 의 온도 조건으로 40 ∼ 120 초간, 바람직하게는 60 ∼ 90 초간 실시한다.Next, using the exposure apparatus such as an ArF exposure apparatus, an electron beam lithography apparatus, and an EUV exposure apparatus, an exposure or mask pattern interposed between a mask (mask pattern) having a predetermined pattern formed thereon is interposed (Post exposure bake (PEB)) treatment is carried out at a temperature of 80 to 150 ° C for 40 to 120 seconds, preferably 60 to 120 seconds, for example, after performing selective exposure by drawing by direct irradiation of an electron beam 90 seconds.
다음으로, 상기 레지스트막을 현상 처리한다. 현상 처리는, 알칼리 현상 프로세스의 경우에는, 알칼리 현상액을 사용하고, 용제 현상 프로세스의 경우에는, 유기 용제를 함유하는 현상액 (유기계 현상액) 을 사용하여 실시한다.Next, the resist film is developed. The developing treatment is carried out using a developing solution (organic developing solution) containing an alkaline developing solution in the case of the alkali developing process and an organic solvent in the case of the solvent developing process.
현상 처리 후, 바람직하게는 린스 처리를 실시한다. 린스 처리는, 알칼리 현상 프로세스의 경우에는, 순수를 사용한 물 린스가 바람직하고, 용제 현상 프로세스의 경우에는, 유기 용제를 함유하는 린스액을 사용하는 것이 바람직하다.After the developing treatment, rinsing treatment is preferably carried out. In the case of the alkaline development process, rinsing is preferably performed using purified water, and in the case of the solvent development process, a rinsing solution containing an organic solvent is preferably used.
용제 현상 프로세스의 경우, 상기 현상 처리 또는 린스 처리 후에, 패턴 상에 부착되어 있는 현상액 또는 린스액을 초임계 유체에 의해 제거하는 처리를 실시해도 된다.In the case of the solvent developing process, a treatment for removing the developing solution or the rinsing liquid adhering to the pattern by the supercritical fluid may be performed after the developing treatment or the rinsing treatment.
현상 처리 후 또는 린스 처리 후, 건조를 실시한다. 또, 경우에 따라서는, 상기 현상 처리 후에 베이크 처리 (포스트 베이크) 를 실시해도 된다.After the development treatment or the rinsing treatment, drying is performed. In some cases, a baking process (post-baking) may be performed after the above developing process.
이와 같이 하여, 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.In this manner, a resist pattern can be formed.
지지체로는, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있으며, 예를 들어, 전자 부품용 기판이나, 이것에 소정의 배선 패턴이 형성된 것 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼, 구리, 크롬, 철, 알루미늄 등의 금속제 기판이나, 유리 기판 등을 들 수 있다. 배선 패턴의 재료로는, 예를 들어 구리, 알루미늄, 니켈, 금 등이 사용 가능하다.The support is not particularly limited and conventionally known ones can be used, and examples thereof include a substrate for electronic components and a substrate having a predetermined wiring pattern formed thereon. More specifically, a metal substrate such as a silicon wafer, copper, chromium, iron or aluminum, or a glass substrate can be given. As the material of the wiring pattern, for example, copper, aluminum, nickel, gold and the like can be used.
또, 지지체로는, 상기 서술한 바와 같은 기판 상에, 무기계 및/또는 유기계의 막이 형성된 것이어도 된다. 무기계의 막으로는, 무기 반사 방지막 (무기 BARC) 을 들 수 있다. 유기계의 막으로는, 유기 반사 방지막 (유기 BARC) 이나, 다층 레지스트법에 있어서의 하층 유기막 등의 유기막을 들 수 있다.As the support, an inorganic and / or organic film may be formed on the above-described substrate. As the inorganic film, an inorganic anti-reflection film (inorganic BARC) can be mentioned. Examples of the organic film include an organic antireflection film (organic BARC) and an organic film such as a lower organic film in the multilayer resist method.
여기서, 다층 레지스트법이란, 기판 상에, 적어도 1 층의 유기막 (하층 유기막) 과, 적어도 1 층의 레지스트막 (상층 레지스트막) 을 형성하고, 상층 레지스트막에 형성한 레지스트 패턴을 마스크로 하여 하층 유기막의 패터닝을 실시하는 방법으로, 고애스펙트비의 패턴을 형성할 수 있다고 되어 있다. 즉, 다층 레지스트법에 의하면, 하층 유기막에 의해 소요되는 두께를 확보할 수 있기 때문에, 레지스트막을 박막화할 수 있고, 고애스펙트비의 미세 패턴 형성이 가능해진다.Here, the multilayer resist method is a method in which at least one organic film (lower organic film) and at least one resist film (upper resist film) are formed on a substrate, and a resist pattern formed on the upper resist film is used as a mask And patterning the underlying organic film to form a pattern with a high aspect ratio. That is, according to the multilayer resist method, since the required thickness can be ensured by the lower organic film, the resist film can be made thinner and a fine pattern with a high aspect ratio can be formed.
다층 레지스트법에는, 기본적으로, 상층 레지스트막과 하층 유기막의 2 층 구조로 하는 방법 (2 층 레지스트법) 과, 상층 레지스트막과 하층 유기막 사이에 1 층 이상의 중간층 (금속 박막 등) 을 형성한 3 층 이상의 다층 구조로 하는 방법 (3 층 레지스트법) 으로 나누어진다.In the multilayer resist method, basically, a method of forming a two-layer structure of an upper resist film and a lower layer organic film (two-layer resist method), and a method of forming an intermediate layer (metal thin film or the like) And a method of forming a multilayer structure of three or more layers (three-layer resist method).
노광에 사용하는 파장은, 특별히 한정되지 않고, ArF 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저, F2 엑시머 레이저, EUV (극자외선), VUV (진공 자외선), EB (전자선), X 선, 연질 X 선 등의 방사선을 사용하여 실시할 수 있다. 상기 레지스트 조성물은, KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, EB 또는 EUV 용으로서의 유용성이 높고, ArF 엑시머 레이저, EB 또는 EUV 용으로서의 유용성이 보다 높고, EB 또는 EUV 용으로서의 유용성이 특히 높다.The wavelength to be used for exposure is not particularly limited and may be selected from the group consisting of ArF excimer laser, KrF excimer laser, F 2 excimer laser, EUV (extreme ultraviolet), VUV (vacuum ultraviolet), EB (electron beam) It can be carried out using radiation. The resist composition has high availability as a KrF excimer laser, an ArF excimer laser, EB or EUV and is more useful as an ArF excimer laser, EB or EUV, and particularly useful as EB or EUV.
레지스트막의 노광 방법은, 공기나 질소 등의 불활성 가스 중에서 실시하는 통상적인 노광 (드라이 노광) 이어도 되고, 액침 노광 (Liquid Immersion Lithography) 이어도 된다.The exposure method of the resist film may be a conventional exposure (dry exposure) or an immersion exposure (liquid immersion lithography) in an inert gas such as air or nitrogen.
액침 노광은, 미리 레지스트막과 노광 장치의 최하 위치의 렌즈 사이를, 공기의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 용매 (액침 매체) 로 채우고, 그 상태에서 노광 (침지 노광) 을 실시하는 노광 방법이다.The liquid immersion exposure is an exposure method in which the space between the resist film and the lens in the lowermost position of the exposure apparatus is previously filled with a solvent (immersion medium) having a refractive index larger than that of air and exposure (immersion exposure) is performed in this state.
액침 매체로는, 공기의 굴절률보다 크고, 또한, 노광되는 레지스트막의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 용매가 바람직하다. 이러한 용매의 굴절률로는, 상기 범위 내이면 특별히 제한되지 않는다. As the immersion medium, a solvent which is larger than the refractive index of air and has a refractive index smaller than the refractive index of the exposed resist film is preferable. The refractive index of such a solvent is not particularly limited as long as it is within the above range.
공기의 굴절률보다 크고, 또한, 상기 레지스트막의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 용매로는, 예를 들어, 물, 불소계 불활성 액체, 실리콘계 용제, 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다.Examples of the solvent that is larger than the refractive index of air and has a refractive index smaller than the refractive index of the resist film include water, a fluorine-based inert liquid, a silicone solvent, and a hydrocarbon solvent.
불소계 불활성 액체의 구체예로는, C3HCl2F5, C4F9OCH3, C4F9OC2H5, C5H3F7 등의 불소계 화합물을 주성분으로 하는 액체 등을 들 수 있으며, 비점이 70 ∼ 180 ℃ 인 것이 바람직하고, 80 ∼ 160 ℃ 인 것이 보다 바람직하다. 불소계 불활성 액체가 상기 범위의 비점을 갖는 것이면, 노광 종료 후에, 액침에 사용한 매체의 제거를, 간편한 방법으로 실시할 수 있기 때문에 바람직하다.Specific examples of the fluorine-based inert liquid include liquids containing fluorine-based compounds such as C 3 HCl 2 F 5 , C 4 F 9 OCH 3 , C 4 F 9 OC 2 H 5 , C 5 H 3 F 7 , And preferably has a boiling point of 70 to 180 ° C, more preferably 80 to 160 ° C. If the fluorine-based inert liquid has a boiling point in the above-mentioned range, it is preferable that the medium used for liquid immersion can be removed by a simple method after the end of exposure.
불소계 불활성 액체로는, 특히, 알킬기의 수소 원자가 모두 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬 화합물이 바람직하다. 퍼플루오로알킬 화합물로는, 구체적으로는, 퍼플루오로알킬에테르 화합물, 퍼플루오로알킬아민 화합물을 들 수 있다.As the fluorine-based inert liquid, a perfluoroalkyl compound in which the hydrogen atoms of the alkyl group are all substituted with fluorine atoms is particularly preferable. Specific examples of the perfluoroalkyl compound include a perfluoroalkyl ether compound and a perfluoroalkylamine compound.
또한, 구체적으로는, 상기 퍼플루오로알킬에테르 화합물로는, 퍼플루오로(2-부틸-테트라하이드로푸란) (비점 102 ℃) 을 들 수 있으며, 상기 퍼플루오로알킬아민 화합물로는, 퍼플루오로트리부틸아민 (비점 174 ℃) 을 들 수 있다.Specific examples of the perfluoroalkyl ether compound include perfluoro (2-butyl-tetrahydrofuran) (boiling point: 102 ° C), and perfluoroalkylamine compounds include perfluoro (Boiling point 174 占 폚).
액침 매체로는, 비용, 안전성, 환경 문제, 범용성 등의 관점에서, 물이 바람직하게 사용된다.As the immersion medium, water is preferably used from the viewpoints of cost, safety, environmental problems, versatility and the like.
알칼리 현상 프로세스에서 현상 처리에 사용하는 알칼리 현상액으로는, 예를 들어 0.1 ∼ 10 질량% 테트라메틸암모늄하이드록시드 (TMAH) 수용액을 들 수 있다.Examples of the alkali developing solution used in the developing treatment in the alkali development process include an aqueous solution of 0.1 to 10 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH).
용제 현상 프로세스에서 현상 처리에 사용하는 유기계 현상액이 함유하는 유기 용제로는, (A) 성분 (노광 전의 (A) 성분) 을 용해할 수 있는 것이면 되고, 공지된 유기 용제 중에서 적절히 선택할 수 있다. 구체적으로는, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제, 니트릴계 용제, 아미드계 용제, 에테르계 용제 등의 극성 용제, 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다.The organic solvent contained in the organic developing solution used in the developing treatment in the solvent developing process may be any solvent that can dissolve the component (A) (component (A) before exposure) and may be appropriately selected from known organic solvents. Specific examples thereof include polar solvents such as ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, nitrile solvents, amide solvents and ether solvents, hydrocarbon solvents and the like.
케톤계 용제는, 구조 중에 C-C(=O)-C 를 포함하는 유기 용제이다. 에스테르계 용제는, 구조 중에 C-C(=O)-O-C 를 포함하는 유기 용제이다. 알코올계 용제는, 구조 중에 알코올성 수산기를 포함하는 유기 용제이다. 「알코올성 수산기」 는, 지방족 탄화수소기의 탄소 원자에 결합한 수산기를 의미한다. 니트릴계 용제는, 구조 중에 니트릴기를 포함하는 유기 용제이다. 아미드계 용제는, 구조 중에 아미드기를 포함하는 유기 용제이다. 에테르계 용제는, 구조 중에 C-O-C 를 포함하는 유기 용제이다.The ketone-based solvent is an organic solvent containing C-C (= O) -C in the structure. The ester solvent is an organic solvent containing C-C (= O) -O-C in the structure. The alcohol-based solvent is an organic solvent containing an alcoholic hydroxyl group in its structure. The "alcoholic hydroxyl group" means a hydroxyl group bonded to the carbon atom of the aliphatic hydrocarbon group. The nitrile-based solvent is an organic solvent containing a nitrile group in its structure. The amide-based solvent is an organic solvent containing an amide group in the structure. The ether-based solvent is an organic solvent containing C-O-C in its structure.
유기 용제 중에는, 구조 중에 상기 각 용제를 특징짓는 관능기를 복수 종 포함하는 유기 용제도 존재하지만, 그 경우는, 당해 유기 용제가 갖는 관능기를 포함하는 어느 용제종에도 해당하는 것으로 한다. 예를 들어, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르는, 상기 분류 중의 알코올계 용제, 에테르계 용제 중 어느 것에도 해당하는 것으로 한다.In the organic solvent, an organic solvent containing a plurality of functional groups characterizing each of the above-mentioned solvents is also present in the structure. In this case, it is assumed that the solvent corresponds to any solvent species including the functional group of the organic solvent. For example, diethylene glycol monomethyl ether corresponds to any of alcohol-based solvents and ether-based solvents in the above-mentioned classifications.
탄화수소계 용제는, 할로겐화되어 있어도 되는 탄화수소로 이루어지고, 할로겐 원자 이외의 치환기를 갖지 않는 탄화수소 용제이다. 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있으며, 불소 원자가 바람직하다.The hydrocarbon-based solvent is a hydrocarbon solvent which is made of a hydrocarbon which may be halogenated and has no substituent other than a halogen atom. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
유기계 현상액이 함유하는 유기 용제로는, 상기 중에서도, 극성 용제가 바람직하고, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 니트릴계 용제 등이 바람직하다.As the organic solvent contained in the organic developing solution, a polar solvent is preferable among them, and a ketone solvent, an ester solvent, a nitrile solvent and the like are preferable.
케톤계 용제로는, 예를 들어, 1-옥타논, 2-옥타논, 1-노나논, 2-노나논, 아세톤, 4-헵타논, 1-헥사논, 2-헥사논, 디이소부틸케톤, 시클로헥사논, 메틸시클로헥사논, 페닐아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 아세틸아세톤, 아세토닐아세톤, 이오논, 디아세토닐알코올, 아세틸카비놀, 아세토페논, 메틸나프틸케톤, 이소포론, 프로필렌카보네이트, γ-부티로락톤, 메틸아밀케톤(2-헵타논) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 케톤계 용제로는, 메틸아밀케톤(2-헵타논) 이 바람직하다.Examples of the ketone-based solvent include 1-octanone, 2-octanone, 1-nonanone, 2-nonanone, acetone, 4-heptanone, 1-hexanone, 2-hexanone, diisobutyl Ketone, cyclohexanone, methylcyclohexanone, phenylacetone, methylethylketone, methylisobutylketone, acetylacetone, acetonyl acetone, ionone, diacetonyl alcohol, acetylcarbinol, acetophenone, methylnaphthyl ketone, Isophorone, propylene carbonate,? -Butyrolactone, and methyl amyl ketone (2-heptanone). Of these, methylamyl ketone (2-heptanone) is preferable as the ketone-based solvent.
에스테르계 용제로는, 예를 들어, 아세트산메틸, 아세트산부틸, 아세트산에틸, 아세트산이소프로필, 아세트산아밀, 아세트산이소아밀, 메톡시아세트산에틸, 에톡시아세트산에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 2-메톡시부틸아세테이트, 3-메톡시부틸아세테이트, 4-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-에틸-3-메톡시부틸아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 2-에톡시부틸아세테이트, 4-에톡시부틸아세테이트, 4-프로폭시부틸아세테이트, 2-메톡시펜틸아세테이트, 3-메톡시펜틸아세테이트, 4-메톡시펜틸아세테이트, 2-메틸-3-메톡시펜틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시펜틸아세테이트, 3-메틸-4-메톡시펜틸아세테이트, 4-메틸-4-메톡시펜틸아세테이트, 프로필렌글리콜디아세테이트, 포름산메틸, 포름산에틸, 포름산부틸, 포름산프로필, 락트산에틸, 락트산부틸, 락트산프로필, 탄산에틸, 탄산프로필, 탄산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 피루브산프로필, 피루브산부틸, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 프로피온산메틸, 프로피온산에틸, 프로피온산프로필, 프로피온산이소프로필, 2-하이드록시프로피온산메틸, 2-하이드록시프로피온산에틸, 메틸-3-메톡시프로피오네이트, 에틸-3-메톡시프로피오네이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 프로필-3-메톡시프로피오네이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 에스테르계 용제로는, 아세트산부틸이 바람직하다.Examples of the ester-based solvent include methyl acetate, butyl acetate, ethyl acetate, isopropyl acetate, amyl acetate, isoamyl acetate, ethyl lactate, methoxyacetate, ethoxyacetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol Monoethyl ether acetate, ethylene glycol monopropyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, Diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, 2-methoxybutyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, 4-methoxybutyl acetate, - Methode Propyleneglycol monomethyl ether acetate, propyleneglycol monopropyl ether acetate, 2-ethoxybutyl acetate, 4-ethoxybutyl acetate, propyleneglycol monomethylether acetate, propyleneglycol monomethylether acetate, Propoxybutyl acetate, 2-methoxypentyl acetate, 3-methoxypentyl acetate, 4-methoxypentyl acetate, 2-methyl-3-methoxypentyl acetate, Propyleneglycol diacetate, methyl formate, ethyl formate, butyl formate, propyl formate, ethyl lactate, butyl lactate, ethyl lactate, ethyl lactate, ethyl lactate, , Propyl carbonate, butyl carbonate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, butyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, , Ethyl propionate, propyl propionate, isopropyl propionate, methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl-3-methoxypropionate, ethyl-3-methoxypropionate, Methoxypropionate, propyl-3-methoxypropionate, and the like. Of these, butyl acetate is preferable as the ester-based solvent.
니트릴계 용제로는, 예를 들어, 아세토니트릴, 프로피오니트릴, 발레로니트릴, 부티로니트릴 등을 들 수 있다.The nitrile-based solvent includes, for example, acetonitrile, propionitrile, valeronitrile, butyronitrile, and the like.
유기계 현상액에는, 필요에 따라 공지된 첨가제를 배합할 수 있다. 그 첨가제로는, 예를 들어 계면 활성제를 들 수 있다. 계면 활성제로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 이온성이나 비이온성의 불소계 및/또는 실리콘계 계면 활성제 등을 사용할 수 있다. 계면 활성제로는, 비이온성의 계면 활성제가 바람직하고, 비이온성의 불소계 계면 활성제, 또는 비이온성의 실리콘계 계면 활성제가 보다 바람직하다.If necessary, known additives may be added to the organic developer. As the additive, for example, a surfactant can be mentioned. The surfactant is not particularly limited and, for example, ionic or nonionic fluorine-based and / or silicon-based surfactants can be used. The surfactant is preferably a nonionic surfactant, more preferably a nonionic fluorine surfactant or a nonionic silicone surfactant.
계면 활성제를 배합하는 경우, 그 배합량은, 유기계 현상액의 전체량에 대하여, 통상적으로 0.001 ∼ 5 질량% 이며, 0.005 ∼ 2 질량% 가 바람직하고, 0.01 ∼ 0.5 질량% 가 보다 바람직하다.When a surfactant is blended, the blending amount thereof is usually 0.001 to 5 mass%, preferably 0.005 to 2 mass%, more preferably 0.01 to 0.5 mass%, based on the total amount of the organic developer.
현상 처리는, 공지된 현상 방법에 의해 실시하는 것이 가능하고, 예를 들어 현상액 중에 지지체를 일정 시간 침지하는 방법 (딥법), 지지체 표면에 현상액을 표면 장력에 의해 마운팅하여 일정 시간 정지 (靜止) 시키는 방법 (패들법), 지지체 표면에 현상액을 분무하는 방법 (스프레이법), 일정 속도로 회전하고 있는 지지체 상에 일정 속도로 현상액 도출 (塗出) 노즐을 스캔하면서 현상액을 계속해서 도출하는 방법 (다이나믹 디스펜스법) 등을 들 수 있다.The developing treatment can be carried out by a known developing method. For example, a developing solution is dipped in a developing solution for a predetermined time (dip method), a developing solution is mounted on the surface of the support by surface tension, A method of spraying a developing solution onto the surface of a support (spraying method), a method of continuously developing a developing solution while scanning a developing solution nozzle at a constant speed on a support rotating at a constant speed Dispensing method) and the like.
용제 현상 프로세스에서 현상 처리 후의 린스 처리에 사용하는 린스액이 함유하는 유기 용제로는, 예를 들어 상기 유기계 현상액에 사용하는 유기 용제로서 예시한 유기 용제 중, 레지스트 패턴을 잘 용해하지 않는 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 통상적으로, 탄화수소계 용제, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제, 아미드계 용제 및 에테르계 용제에서 선택되는 적어도 1 종류의 용제를 사용한다. 이들 중에서도, 탄화수소계 용제, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제 및 아미드계 용제에서 선택되는 적어도 1 종류가 바람직하고, 알코올계 용제 및 에스테르계 용제에서 선택되는 적어도 1 종류가 보다 바람직하고, 알코올계 용제가 특히 바람직하다.Examples of the organic solvent to be contained in the rinsing liquid used for the rinsing treatment after the developing treatment in the solvent developing process include those suitably selected from the organic solvents exemplified as the organic solvents used for the organic developing solution, Can be used. Typically, at least one solvent selected from a hydrocarbon solvent, a ketone solvent, an ester solvent, an alcohol solvent, an amide solvent and an ether solvent is used. Among them, at least one selected from a hydrocarbon-based solvent, a ketone-based solvent, an ester-based solvent, an alcohol-based solvent and an amide-based solvent is preferable, and at least one selected from an alcoholic solvent and an ester- Alcohol-based solvents are particularly preferred.
린스액에 사용하는 알코올계 용제는, 탄소수 6 ∼ 8 의 1 가 알코올이 바람직하고, 그 1 가 알코올은 직사슬형, 분기형 또는 고리형 중 어느 것이어도 된다. 구체적으로는, 1-헥산올, 1-헵탄올, 1-옥탄올, 2-헥산올, 2-헵탄올, 2-옥탄올, 3-헥산올, 3-헵탄올, 3-옥탄올, 4-옥탄올, 벤질알코올 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 1-헥산올, 2-헵탄올, 2-헥산올이 바람직하고, 1-헥산올, 2-헥산올이 보다 바람직하다.The alcoholic solvent used in the rinsing liquid is preferably a monohydric alcohol having 6 to 8 carbon atoms, and the monohydric alcohol may be any of linear, branched or cyclic. Specific examples thereof include 1-hexanol, 1-heptanol, 1-octanol, 2-hexanol, 2-heptanol, 2-octanol, - octanol, benzyl alcohol, and the like. Among them, 1-hexanol, 2-heptanol and 2-hexanol are preferable, and 1-hexanol and 2-hexanol are more preferable.
이들 유기 용제는, 어느 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 또, 상기 이외의 유기 용제나 물과 혼합하여 사용해도 된다. 단, 현상 특성을 고려하면, 린스액 중의 물의 배합량은, 린스액의 전체량에 대하여, 30 질량% 이하가 바람직하고, 10 질량% 이하가 보다 바람직하고, 5 질량% 이하 더욱 바람직하고, 3 질량% 이하가 특히 바람직하다. Any one of these organic solvents may be used alone, or two or more of them may be used in combination. It may be mixed with an organic solvent or water other than the above. However, considering the developing characteristics, the blending amount of water in the rinsing liquid is preferably 30 mass% or less, more preferably 10 mass% or less, still more preferably 5 mass% or less, and most preferably 3 mass% % Or less is particularly preferable.
린스액에는, 필요에 따라 공지된 첨가제를 배합할 수 있다. 그 첨가제로는, 예를 들어 계면 활성제를 들 수 있다. 계면 활성제는, 상기와 동일한 것을 들 수 있으며, 비이온성의 계면 활성제가 바람직하고, 비이온성의 불소계 계면 활성제, 또는 비이온성의 실리콘계 계면 활성제가 보다 바람직하다.A known additive may be added to the rinsing liquid if necessary. As the additive, for example, a surfactant can be mentioned. Examples of the surfactant include the same ones as described above. Nonionic surfactants are preferable, and nonionic fluorine surfactants or nonionic silicone surfactants are more preferable.
계면 활성제를 배합하는 경우, 그 배합량은, 린스액의 전체량에 대하여, 통상적으로 0.001 ∼ 5 질량% 이며, 0.005 ∼ 2 질량% 가 바람직하고, 0.01 ∼ 0.5 질량% 가 보다 바람직하다.When a surfactant is blended, the blending amount thereof is usually 0.001 to 5 mass%, preferably 0.005 to 2 mass%, more preferably 0.01 to 0.5 mass%, based on the total amount of the rinse liquid.
린스액을 사용한 린스 처리 (세정 처리) 는, 공지된 린스 방법에 의해 실시할 수 있다. 그 린스 처리의 방법으로는, 예를 들어 일정 속도로 회전하고 있는 지지체 상에 린스액을 계속 도출하는 방법 (회전 도포법), 린스액 중에 지지체를 일정 시간 침지하는 방법 (딥법), 지지체 표면에 린스액을 분무하는 방법 (스프레이법) 등을 들 수 있다.The rinsing treatment (rinsing treatment) using the rinsing liquid can be carried out by a known rinsing method. Examples of the rinsing method include a method (rotation coating method) of continuously extracting the rinsing liquid on a support rotating at a constant speed, a method (dip method) of immersing the support in a rinsing liquid for a predetermined time And a method of spraying the rinsing liquid (spray method).
이상 설명한 본 실시형태의 레지스트 조성물은, 산 발생제 성분으로서, 일반식 (b1) 로 나타내는 화합물 (B1) 을 함유한다. 이 때문에, 상기 서술한 실시형태의 레지스트 패턴 형성 방법에 있어서는, 해상 성능, 러프니스 개선, 형상 등의 리소그래피 특성을 양호하게 유지한 채로, 고감도화가 도모된다.The resist composition of the present embodiment described above contains the compound (B1) represented by the general formula (b1) as the acid generator component. Therefore, in the resist pattern forming method of the above-described embodiment, high sensitivity can be achieved while satisfactorily maintaining the lithography characteristics such as resolution performance, roughness improvement, and shape.
(B1) 성분은, 특정한 전자 흡인성기를 갖는 방향 고리 (Rb1) 를 갖는다. 게다가, (B1) 성분은, 방향 고리 (Rb1) 이외에, 2 개의 방향 고리 (Rb21, Rb22) 와, 이들 사이에 위치하고, 각 방향 고리를 구성하는 결합을 공유하는 티오펜 고리로 이루어지는 다고리형기를 갖는다. 이러한 구조를 갖는 (B1) 성분은, 노광에 의한 산의 발생 효율이 높아져 있다.The component (B1) has a directional ring (R b1 ) having a specific electron-withdrawing group. In addition, the component (B1) comprises, in addition to the aromatic ring (R b1 ), two aromatic rings (R b21 and R b22 ) and a thiophene ring located therebetween and sharing a bond constituting each aromatic ring And has a cyclic group. The component (B1) having such a structure has an increased efficiency of generating an acid by exposure.
그리고, 이 (B1) 성분과 기재 성분 (A) 를 함유하는 레지스트 조성물은, 노광 광원에 대하여 높은 감도가 얻어지기 쉽고, 특히 EB 또는 EUV 광원에 대하여 높은 감도가 얻어지기 쉽다. 따라서, 본 실시형태의 레지스트 조성물은, EB 또는 EUV 용 리소그래피의 감광 재료로서 특히 적합한 것이다.The resist composition containing the component (B1) and the base component (A) tends to have a high sensitivity to an exposure light source, and a high sensitivity to an EB or EUV light source is likely to be obtained in particular. Therefore, the resist composition of the present embodiment is particularly suitable as a photosensitive material for lithography for EB or EUV.
(화합물) (compound)
본 발명의 제 3 양태에 관련된 화합물은, 하기 일반식 (b1) 로 나타내는 것이다.The compound related to the third embodiment of the present invention is represented by the following general formula (b1).
[화학식 70](70)
[식 중, Rb1 은, 불소 원자, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 시아노기 및 -SO2Rb10 으로 이루어지는 군에서 선택되는 전자 흡인성기를 갖는 방향 고리를 나타낸다 (단, 상기 방향 고리가 벤젠 고리인 경우, 상기 전자 흡인성기는 벤젠 고리의 적어도 일방의 메타 위치에 결합하고 있다). Rb10 은, 알킬기, 불소화알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. Rb21 및 Rb22 는, 각각 독립적으로, 불소 원자, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 시아노기 및 -SO2Rb20 으로 이루어지는 군에서 선택되는 전자 흡인성기를 갖고 있어도 되는 방향 고리를 나타낸다. Rb20 은, 알킬기, 불소화알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. Z 는, 황 원자, 산소 원자, 카르보닐기 또는 단결합을 나타낸다. Rb1 과 Rb21 은, 황 원자, 산소 원자, 카르보닐기 또는 단결합을 통해서 결합하고, 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 된다. Rb1 과 Rb22 는, 황 원자, 산소 원자, 카르보닐기 또는 단결합을 통해서 결합하고, 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 된다. X- 는, 카운터 아니온 (단, BF4 - 를 제외한다) 을 나타낸다.] Wherein R b1 represents an aromatic ring having an electron-withdrawing group selected from the group consisting of a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a nitro group, a cyano group and -SO 2 R b10 (provided that the aromatic ring is benzene Ring, the electron-withdrawing group is bonded to the meta position of at least one of the benzene rings). R b10 represents an alkyl group, a fluorinated alkyl group or an aryl group. R b21 and R b22 each independently represent an aromatic ring which may have an electron-withdrawing group selected from the group consisting of a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a nitro group, a cyano group and -SO 2 R b20 . R b20 represents an alkyl group, a fluorinated alkyl group or an aryl group. Z represents a sulfur atom, an oxygen atom, a carbonyl group or a single bond. R b1 and R b21 may be bonded to each other through a sulfur atom, an oxygen atom, a carbonyl group or a single bond to form a ring with the sulfur atom in the formula. R b1 and R b22 may be bonded to each other through a sulfur atom, an oxygen atom, a carbonyl group or a single bond to form a ring with the sulfur atom in the formula. X - represents counter no (except BF 4 - ).]
이 제 3 양태에 관련된 화합물은, 상기 서술한 제 1 양태에 관련된 레지스트 조성물에 대한 설명에 있어서의 (B1) 성분과 동일한 화합물이다.The compound relating to this third embodiment is the same compound as the (B1) component in the description of the resist composition related to the above-mentioned first embodiment.
[화합물 ((B1) 성분) 의 제조 방법][Method for producing compound (component (B1)]]
(B1) 성분은, 공지된 방법을 이용하여 제조할 수 있다.The component (B1) can be produced by a known method.
(B1) 성분의 제조 방법으로는, 예를 들어, 이하에 나타내는 제 1 ∼ 2 공정을 포함하는 제조 방법을 들 수 있다.As the production method of the component (B1), for example, there can be mentioned a production method comprising the first and second steps shown below.
각 공정에서 사용되는 화합물은, 시판되는 것을 사용해도 되고, 합성한 것을 사용해도 된다.The compound used in each step may be a commercially available compound or a synthesized compound.
제 1 ∼ 2 공정의 각 반응에 있어서의 용매로는, 각 공정에서 사용되는 화합물이 용해 가능하고, 또한, 그 화합물과 반응하지 않는 것이면 되며, 예를 들어, 디클로로메탄, 디클로로에탄, 클로로포름, 테트라하이드로푸란, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드, 아세토니트릴, 프로피오니트릴 등을 들 수 있다.The solvent in each of the reactions in the first and second steps may be any solvent which can dissolve the compound used in the respective steps and does not react with the compound. Examples of the solvent include dichloromethane, dichloroethane, chloroform, tetra N, N-dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, acetonitrile, propionitrile and the like.
· 제 1 공정First step
제 1 공정에서는, 용매 중에서, 화합물 (I) 과 화합물 (II) 와 TMS-X" 를 혼합하여 반응을 실시함으로써, 전구체인 화합물 (III) 을 포함하는 반응액을 얻는다.In the first step, a reaction solution containing the compound (III) which is a precursor is obtained by mixing the compound (I), the compound (II) and the TMS-X "in a solvent and conducting a reaction.
이 혼합을 실시할 때의 혼합 시간은, 화합물끼리의 반응성이나 반응 온도 등에 따라 적절히 설정된다.The mixing time for carrying out this mixing is suitably set according to the reactivity of the compounds, the reaction temperature, and the like.
반응액을 얻은 후, 얻어진 반응액에 물을 첨가하고, 수상으로부터 용매 추출, 농축 건고 (乾固) 를 실시함으로써, 화합물 (IV) 를 얻는다.After obtaining a reaction mixture, water is added to the reaction solution obtained, and the mixture is subjected to solvent extraction from the water phase and concentrated to dryness (dry solid) to obtain the compound (IV).
[화학식 71](71)
[식 중, Rb1, Rb21, Rb22 및 Z 는, 일반식 (b1) 중의 Rb1, Rb21, Rb22 및 Z 와 동일하다. Xh 는 할로겐 원자를 나타낸다. TMS 는 트리메틸실릴기를 의미한다. X" 는 카운터 아니온을 나타낸다.][ Wherein R b1 , R b21 , R b22 and Z are the same as R b1 , R b21 , R b22 and Z in the general formula (b1). X h represents a halogen atom. TMS means trimethylsilyl group. X "indicates counter no.]
상기의 식 중, Xh 에 있어서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.Examples of the halogen atom in X h include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
X" 에 있어서의 카운터 아니온으로는, Br-, Cl-, CF3SO3 - 등을 들 수 있다.The counter anion in X "includes Br - , Cl - , CF 3 SO 3 - and the like.
· 제 2 공정· Second step
제 2 공정에서는, 용매 중에서, 화합물 (III) 과 염 교환용 화합물 (IV) 를 혼합함 (염 교환 반응) 으로써, 목적으로 하는 화합물 (b1-1) ((B1) 성분) 을 얻는다.In the second step, the aimed compound (b1-1) ((B1)) is obtained by mixing the compound (III) and the salt exchange compound (IV) in a solvent (salt exchange reaction).
이 혼합을 실시할 때의 온도 (반응 온도) 는, 0 ∼ 100 ℃ 정도가 바람직하고, 0 ∼ 50 ℃ 정도가 보다 바람직하다.The temperature (reaction temperature) in carrying out the mixing is preferably about 0 to 100 캜, more preferably about 0 to 50 캜.
혼합 시간은, 화합물끼리의 반응성이나 반응 온도 등에 따라 적절히 설정되며, 예를 들어, 10 분간 이상 24 시간 이하가 바람직하고, 10 분간 이상 12 시간 이하가 보다 바람직하다.The mixing time is appropriately set depending on the reactivity of the compounds, the reaction temperature, etc. For example, the mixing time is preferably from 10 minutes to 24 hours, more preferably from 10 minutes to 12 hours.
[화학식 72](72)
[식 중, Rb1, Rb21, Rb22, Z 및 X- 는, 일반식 (b1) 중의 Rb1, Rb21, Rb22, Z 및 X- 와 동일하다. X" 는 카운터 아니온을 나타낸다. M'+ 는 암모늄 카티온이다.][Wherein, R b1, R b21, b22 R, Z and X - is the same as-is, R b1, R b21, b22 R, Z and X in the general formula (b1). X "indicates counter no. M ' + is ammonium cation.]
염 교환 반응이 종료한 후, 반응액 중의 화합물을 단리, 정제해도 된다. 단리, 정제에는, 종래 공지된 방법을 이용할 수 있으며, 예를 들어, 농축, 용매 추출, 증류, 결정화, 재결정, 크로마토그래피 등을 적절히 조합하여 이용할 수 있다.After completion of the salt exchange reaction, the compound in the reaction liquid may be isolated and purified. For the isolation and purification, conventionally known methods can be used. For example, concentration, solvent extraction, distillation, crystallization, recrystallization, chromatography and the like can be appropriately used in combination.
상기와 같이 하여 얻어지는 화합물의 구조는, 1H-핵 자기 공명 (NMR) 스펙트럼법, 13C-NMR 스펙트럼법, 19F-NMR 스펙트럼법, 적외선 흡수 (IR) 스펙트럼법, 질량 분석 (MS) 법, 원소 분석법, X 선 결정 회절법 등의 일반적인 유기 분석법에 의해 동정 (同定) 할 수 있다.The structure of the compound thus obtained can be measured by 1 H-nuclear magnetic resonance (NMR) spectroscopy, 13 C-NMR spectroscopy, 19 F-NMR spectroscopy, infrared absorption spectroscopy, mass spectrometry , An elemental analysis method, an X-ray crystal diffraction method, and the like.
(산 발생제) (Acid generator)
본 발명의 제 4 양태에 관련된 산 발생제는, 상기 서술한 제 3 양태에 관련된 화합물로 이루어지는 것이다.The acid generator according to the fourth aspect of the present invention comprises the compound according to the third aspect described above.
이러한 산 발생제는, 화학 증폭형 레지스트 조성물용 산 발생제 성분으로서 유용하다. 이러한 산 발생제 성분을 화학 증폭형 레지스트 조성물에 사용함으로써, 레지스트 패턴 형성에 있어서, 노광 여유도, CDU, 해상 성능, LWR 등의 리소그래피 특성이 양호하게 유지되며, 또한, 고감도화가 도모된다. 특히, EB 또는 EUV 광원에 대하여 높은 감도가 얻어지기 쉬워진다.Such an acid generator is useful as an acid generator component for a chemically amplified resist composition. By using such an acid generator component in a chemically amplified resist composition, lithography characteristics such as exposure allowance, CDU, resolution performance and LWR are favorably maintained in the formation of a resist pattern, and high sensitivity is achieved. In particular, high sensitivity is easily obtained for an EB or EUV light source.
실시예Example
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이들 예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
본 실시예에서는, 화학식 (1) 로 나타내는 화합물을 「화합물 (1)」 이라고 표기하고, 다른 화학식으로 나타내는 화합물에 대해서도 동일하게 표기한다.In the present embodiment, the compound represented by the formula (1) is referred to as "compound (1)" and the compound represented by the other formula is represented in the same manner.
<화합물의 제조예><Production Example of Compound>
(실시예 1) (Example 1)
1000 ㎖ 3 구 플라스크에, 금속 마그네슘 (13.75 g) 과 테트라하이드로푸란 (THF) 을 첨가하고, 50 ℃ 에서 교반하여 용액을 얻었다. 이 용액에, 3,5-디플루오로브로모벤젠 (108.08 g) 의 테트라하이드로푸란 용액 (236.16 g) 을 적하하고, 가열 교반 1 시간을 실시함으로써, 3,5-디플루오로페닐마그네슘브로마이드 용액을 조제하였다.Magnesium metal (13.75 g) and tetrahydrofuran (THF) were added to a 1000 ml three-necked flask and stirred at 50 占 폚 to obtain a solution. To this solution, a tetrahydrofuran solution (236.16 g) of 3,5-difluorobromobenzene (108.08 g) was added dropwise and the mixture was heated and stirred for 1 hour to obtain a 3,5-difluorophenylmagnesium bromide solution Lt; / RTI >
2000 ㎖ 3 구 플라스크 내에서, 술폭시드 A (37.38 g) 의 테트라하이드로푸란 용액 (323.61 g) 에, 트리메틸실릴트리플루오로메탄술포네이트 (TMSTF) (248.93 g) 를 첨가하고, 빙욕에서 교반하여 반응 용액을 얻었다. 이 반응 용액에, 상기의 3,5-디플루오로페닐마그네슘브로마이드 용액을 첨가하고, 숙성 1 시간을 실시하였다.Trimethylsilyltrifluoromethanesulfonate (TMSTF) (248.93 g) was added to a tetrahydrofuran solution (323.61 g) of sulfoxide A (37.38 g) in a 2000 ml three-necked flask, Solution. To the reaction solution, the above-mentioned 3,5-difluorophenyl magnesium bromide solution was added and aging was performed for 1 hour.
그리고, 액체 크로마토그래피 (LC) 로 반응 추적을 실시하고, 순수를 첨가하여 반응을 정지시켰다. 수상으로부터, 디클로로메탄으로 추출하고, 농축 건고를 실시함으로써, 목적으로 하는 전구체 (1) 50 g 을 얻었다.The reaction was followed by liquid chromatography (LC), and pure water was added to stop the reaction. From the aqueous phase, the mixture was extracted with dichloromethane and concentrated to obtain 50 g of the desired precursor (1).
[화학식 73](73)
얻어진 전구체 (1) 에 대해 NMR 측정을 실시하고, 이하의 측정 결과로부터 그 구조를 동정하였다.The obtained precursor (1) was subjected to NMR measurement, and the structure thereof was identified from the following measurement results.
전구체 (1) (5.00 g) 의 디클로로메탄 용액에, 염 교환용 화합물 (1) (4.34 g) 을 첨가하고, 실온에서 교반 (염 교환 반응) 30 분간을 실시하고, 반응 혼합 용액을 얻었다.The salt exchange compound (1) (4.34 g) was added to a dichloromethane solution of the precursor (1) (5.00 g) and stirred at room temperature (salt exchange reaction) for 30 minutes to obtain a reaction mixture solution.
교반 후, 반응 혼합 용액에, 순수 (78.9 g) 를 첨가하여 반응을 정지시켰다. 수상을 제거하고, 유기상에 대하여 순수에 의한 세정 4 회를 실시하였다.After stirring, pure water (78.9 g) was added to the reaction mixture to stop the reaction. The water phase was removed, and the organic phase was washed four times with pure water.
세정 후, 유기상에 대하여 농축 건고를 실시하고, 목적으로 하는 화합물 (B1-4) 5.75 g 을 고체로 얻었다.After washing, the organic phase was concentrated to obtain 5.75 g of the desired compound (B1-4) as a solid.
또한, 이하의 반응 식 중, 「-OTf」 는 트리플레이트 아니온을 의미한다.In the following reaction formulas, " - OTf" means triflate anion.
[화학식 74]≪ EMI ID =
(실시예 2) (Example 2)
염 교환용 화합물을 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 염 교환 반응 등을 실시하고, 목적으로 하는 화합물 (B1-7) 을 얻었다.A salt exchange reaction or the like was carried out in the same manner as in Example 1 except that the salt-exchange compound was changed to obtain the desired compound (B1-7).
즉, 전구체 (1) (5.00 g) 의 디클로로메탄 용액에, 염 교환용 화합물 (2) (4.50 g) 를 첨가하고, 실온에서 교반 (염 교환 반응) 30 분간을 실시하고, 반응 혼합 용액을 얻었다.That is, the salt exchange compound (2) (4.50 g) was added to a dichloromethane solution of precursor (1) (5.00 g) and stirred at room temperature (salt exchange reaction) for 30 minutes to obtain a reaction mixture solution .
교반 후, 반응 혼합 용액에, 순수 (65.9 g) 를 첨가하여 반응을 정지시켰다. 수상을 제거하고, 유기상에 대하여 순수에 의한 세정 4 회를 실시하였다.After stirring, pure water (65.9 g) was added to the reaction mixture to stop the reaction. The water phase was removed, and the organic phase was washed four times with pure water.
세정 후, 유기상에 대하여 농축 건고를 실시하고, 목적으로 하는 화합물 (B1-7) 5.49 g 을 고체로 얻었다.After washing, the organic phase was concentrated to dryness to obtain 5.49 g of the aimed compound (B1-7) as a solid.
[화학식 75](75)
(실시예 3 ∼ 38) (Examples 3 to 38)
염 교환용 화합물을 각각 변경한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여 염 교환 반응 등을 실시하고, 목적으로 하는 화합물 (B1-1) ∼ 화합물 (B1-3), 화합물 (B1-5), 화합물 (B1-6), 화합물 (B1-8) ∼ 화합물 (B1-38) 을 얻었다.(B1-1) to (B1-3), (B1-5), (B1-3), and (B1-3) were carried out in the same manner as in Example 2, Compound (B1-6), compounds (B1-8) to (B1-38) were obtained.
(실시예 39) (Example 39)
1000 ㎖ 3 구 플라스크에, 금속 마그네슘 (12.83 g) 과 테트라하이드로푸란 (THF) 을 첨가하고, 50 ℃ 에서 교반하여 용액을 얻었다. 이 용액에, 3-트리플루오로메틸브로모벤젠 (117.58 g) 의 테트라하이드로푸란 용액 (235.15 g) 을 적하하고, 가열 교반 1 시간을 실시함으로써, 3-트리플루오로메틸페닐마그네슘브로마이드 용액을 조제하였다.Magnesium metal (12.83 g) and tetrahydrofuran (THF) were added to a 1000 ml three-necked flask and stirred at 50 占 폚 to obtain a solution. To this solution, a tetrahydrofuran solution (235.15 g) of 3-trifluoromethylbromobenzene (117.58 g) was added dropwise and the mixture was heated and stirred for 1 hour to prepare a 3-trifluoromethylphenylmagnesium bromide solution .
2000 ㎖ 3 구 플라스크 내에서, 술폭시드 A (34.88 g) 의 테트라하이드로푸란 용액 (301.95 g) 에, 트리메틸실릴트리플루오로메탄술포네이트 (TMSTF) (232.27 g) 를 첨가하고, 빙욕에서 교반하여 반응 용액을 얻었다. 이 반응 용액에, 상기의 3-트리플루오로메틸페닐마그네슘브로마이드 용액을 첨가하고, 숙성 1 시간을 실시하였다.Trimethylsilyltrifluoromethanesulfonate (TMSTF) (232.27 g) was added to a tetrahydrofuran solution (301.95 g) of sulfoxide A (34.88 g) in a 2000 ml three-necked flask, Solution. To the reaction solution was added the above-mentioned 3-trifluoromethylphenyl magnesium bromide solution, and aging was performed for 1 hour.
그리고, 액체 크로마토그래피 (LC) 로 반응 추적을 실시하고, 순수를 첨가하여 반응을 정지시켰다. 수상으로부터, 디클로로메탄으로 추출하고, 농축 건고를 실시함으로써, 목적으로 하는 전구체 (2) 50 g 을 얻었다.The reaction was followed by liquid chromatography (LC), and pure water was added to stop the reaction. From the aqueous phase, the mixture was extracted with dichloromethane and concentrated to obtain 50 g of a target precursor (2).
[화학식 76][Formula 76]
얻어진 전구체 (2) 에 대해 NMR 측정을 실시하고, 이하의 측정 결과로부터 그 구조를 동정하였다.The obtained precursor (2) was subjected to NMR measurement, and the structure thereof was identified from the following measurement results.
전구체 (2) (5.00 g) 의 디클로로메탄 용액에, 염 교환용 화합물 (1) (5.33 g) 을 첨가하고, 실온에서 교반 (염 교환 반응) 30 분간을 실시하고, 반응 혼합 용액을 얻었다.The salt exchange compound (1) (5.33 g) was added to a dichloromethane solution of the precursor (2) (5.00 g) and stirred at room temperature (salt exchange reaction) for 30 minutes to obtain a reaction mixture solution.
교반 후, 반응 혼합 용액에, 순수 (92.7 g) 를 첨가하여 반응을 정지시켰다. 수상을 제거하고, 유기상에 대하여 순수에 의한 세정 4 회를 실시하였다.After stirring, pure water (92.7 g) was added to the reaction mixture to stop the reaction. The water phase was removed, and the organic phase was washed four times with pure water.
세정 후, 유기상에 대하여 농축 건고를 실시하고, 목적으로 하는 화합물 (B1-42) 7.42 g 을 고체로 얻었다.After washing, the organic phase was concentrated to dryness to obtain 7.42 g of the aimed compound (B1-42) as a solid.
또한, 이하의 반응 식 중, 「-OTf」 는 트리플레이트 아니온을 의미한다.In the following reaction formulas, " - OTf" means triflate anion.
[화학식 77][Formula 77]
(실시예 40) (Example 40)
염 교환용 화합물을 변경한 것 이외에는, 실시예 39 와 동일하게 하여 염 교환 반응 등을 실시하고, 목적으로 하는 화합물 (B1-45) 를 얻었다.A salt exchange reaction or the like was carried out in the same manner as in Example 39 except that the salt-exchange compound was changed to obtain the intended compound (B1-45).
즉, 전구체 (2) (5.00 g) 의 디클로로메탄 용액에, 염 교환용 화합물 (2) (4.20 g) 를 첨가하고, 실온에서 교반 (염 교환 반응) 30 분간을 실시하고, 반응 혼합 용액을 얻었다.That is, the salt-exchanging compound (2) (4.20 g) was added to a dichloromethane solution of the precursor (2) (5.00 g) and stirred at room temperature (salt exchange reaction) for 30 minutes to obtain a reaction mixture solution .
교반 후, 반응 혼합 용액에, 순수 (66.5 g) 를 첨가하여 반응을 정지시켰다. 수상을 제거하고, 유기상에 대하여 순수에 의한 세정 4 회를 실시하였다.After stirring, pure water (66.5 g) was added to the reaction mixture to stop the reaction. The water phase was removed, and the organic phase was washed four times with pure water.
세정 후, 유기상에 대하여 농축 건고를 실시하고, 목적으로 하는 화합물 (B1-45) 5.74 g 을 고체로 얻었다.After washing, the organic phase was concentrated to obtain 5.74 g of a desired compound (B1-45) as a solid.
[화학식 78](78)
(실시예 41 ∼ 76) (Examples 41 to 76)
염 교환용 화합물을 각각 변경한 것 이외에는, 실시예 40 과 동일하게 하여 염 교환 반응 등을 실시하고, 목적으로 하는 화합물 (B1-39) ∼ 화합물 (B1-41), 화합물 (B1-43), 화합물 (B1-44), 화합물 (B1-46) ∼ 화합물 (B1-76) 을 얻었다.(B1-39) to a compound (B1-41), a compound (B1-43), and a compound (B1-43) were subjected to salt exchange reaction and the like in the same manner as in Example 40, (B1-44), and compounds (B1-46) to (B1-76).
얻어진 화합물 (B1-1) ∼ 화합물 (B1-76) 의 카티온부 및 아니온부의 구조, 그리고, NMR 측정의 결과를 이하에 나타내었다.Structures of the cations and anions of the obtained compounds (B1-1) to (B1-76) and the results of NMR measurement are shown below.
[화학식 79](79)
화합물 (B1-1) ∼ 화합물 (B1-38) 의 카티온부The cations of the compounds (B1-1) to (B1-38)
화합물 (B1-39) ∼ 화합물 (B1-76) 의 카티온부The cations of the compounds (B1-39) to (B1-76)
[화학식 80](80)
화합물 (B1-1) 및 화합물 (B1-39) 의 아니온부The anion of the compound (B1-1) and the compound (B1-39)
화합물 (B1-2) 및 화합물 (B1-40) 의 아니온부The anion of the compound (B1-2) and the compound (B1-40)
[화학식 81][Formula 81]
화합물 (B1-3) 및 화합물 (B1-41) 의 아니온부The anion of the compound (B1-3) and the compound (B1-41)
화합물 (B1-4) 및 화합물 (B1-42) 의 아니온부The anion of the compound (B1-4) and the compound (B1-42)
[화학식 82](82)
화합물 (B1-5) 및 화합물 (B1-43) 의 아니온부The anion of the compound (B1-5) and the compound (B1-43)
화합물 (B1-6) 및 화합물 (B1-44) 의 아니온부The anion of the compound (B1-6) and the compound (B1-44)
[화학식 83](83)
화합물 (B1-7) 및 화합물 (B1-45) 의 아니온부The anion of the compound (B1-7) and the compound (B1-45)
화합물 (B1-8) 및 화합물 (B1-46) 의 아니온부The anion of the compound (B1-8) and the compound (B1-46)
[화학식 84](84)
화합물 (B1-9) 및 화합물 (B1-47) 의 아니온부The anion of the compound (B1-9) and the compound (B1-47)
화합물 (B1-10) 및 화합물 (B1-48) 의 아니온부The anion of the compound (B1-10) and the compound (B1-48)
[화학식 85](85)
화합물 (B1-11) 및 화합물 (B1-49) 의 아니온부The anion of the compound (B1-11) and the compound (B1-49)
화합물 (B1-12) 및 화합물 (B1-50) 의 아니온부The anion of the compound (B1-12) and the compound (B1-50)
[화학식 86]≪ EMI ID =
화합물 (B1-13) 및 화합물 (B1-51) 의 아니온부The anion of the compound (B1-13) and the compound (B1-51)
화합물 (B1-14) 및 화합물 (B1-52) 의 아니온부The anion of the compound (B1-14) and the compound (B1-52)
[화학식 87][Chemical Formula 87]
화합물 (B1-15) 및 화합물 (B1-53) 의 아니온부The anion of the compound (B1-15) and the compound (B1-53)
19F-NMR (376 MHz, DMSO-d6)δ (ppm) = ―73.7 19 F-NMR (376 MHz, DMSO-d 6)? (Ppm) = -73.7
화합물 (B1-16) 및 화합물 (B1-54) 의 아니온부The anion of the compound (B1-16) and the compound (B1-54)
19F-NMR (376 MHz, DMSO-d6)δ (ppm) = ―161.1, ―149.7, ―131.6, ―76.2 19 F-NMR (376 MHz, DMSO-d6)? (Ppm) = -161.1, -149.7, -131.6, -76.2
화합물 (B1-17) 및 화합물 (B1-55) 의 아니온부The anion of the compound (B1-17) and the compound (B1-55)
[화학식 88][Formula 88]
화합물 (B1-18) 및 화합물 (B1-56) 의 아니온부The anion of the compound (B1-18) and the compound (B1-56)
19F-NMR (376 MHz, DMSO-d6)δ (ppm) = ―77.3, ―111.5, ―118.1, ―122.4 19 F-NMR (376 MHz, DMSO-d6)? (Ppm) = -77.3, -111.5, -118.1,
화합물 (B1-19) 및 화합물 (B1-57) 의 아니온부The anion of the compound (B1-19) and the compound (B1-57)
19F-NMR (376 MHz, DMSO-d6)δ (ppm) = ―75.0 19 F-NMR (376 MHz, DMSO-d 6)? (Ppm) = -75.0
화합물 (B1-20) 및 화합물 (B1-58) 의 아니온부The anion of the compound (B1-20) and the compound (B1-58)
19F-NMR (376 MHz, DMSO-d6)δ (ppm) = ―77.3, ―112.5, ―121.7 19 F-NMR (376 MHz, DMSO-d6)? (Ppm) = -77.3, -112.5, -121.7
[화학식 89](89)
화합물 (B1-21) 및 화합물 (B1-59) 의 아니온부The anion of the compound (B1-21) and the compound (B1-59)
19F-NMR (376 MHz, DMSO-d6)δ (ppm) = ―116.9, ―123.0 19 F-NMR (376 MHz, DMSO-d 6)? (Ppm) = -116.9, -123.0
화합물 (B1-22) 및 화합물 (B1-60) 의 아니온부The anion of the compound (B1-22) and the compound (B1-60)
19F-NMR (376 MHz, DMSO-d6)δ (ppm) = ―75.9, ―76.0, ―114.7 19 F-NMR (376 MHz, DMSO-d6)? (Ppm) = -75.9, -76.0, -114.7
화합물 (B1-23) 및 화합물 (B1-61) 의 아니온부The anion of the compound (B1-23) and the compound (B1-61)
[화학식 90](90)
화합물 (B1-24) 및 화합물 (B1-62) 의 아니온부The anion of the compound (B1-24) and the compound (B1-62)
화합물 (B1-25) 및 화합물 (B1-63) 의 아니온부The anion of the compound (B1-25) and the compound (B1-63)
화합물 (B1-26) 및 화합물 (B1-64) 의 아니온부The anion of the compound (B1-26) and the compound (B1-64)
[화학식 91][Formula 91]
화합물 (B1-27) 및 화합물 (B1-65) 의 아니온부The anion of the compound (B1-27) and the compound (B1-65)
화합물 (B1-28) 및 화합물 (B1-66) 의 아니온부The anion of the compound (B1-28) and the compound (B1-66)
[화학식 92]≪ EMI ID =
화합물 (B1-29) 및 화합물 (B1-67) 의 아니온부The anion of the compound (B1-29) and the compound (B1-67)
화합물 (B1-30) 및 화합물 (B1-68) 의 아니온부The anion of the compound (B1-30) and the compound (B1-68)
[화학식 93]≪ EMI ID =
화합물 (B1-31) 및 화합물 (B1-69) 의 아니온부The anion of the compound (B1-31) and the compound (B1-69)
화합물 (B1-32) 및 화합물 (B1-70) 의 아니온부The anion of the compound (B1-32) and the compound (B1-70)
[화학식 94](94)
화합물 (B1-33) 및 화합물 (B1-71) 의 아니온부The anion of the compound (B1-33) and the compound (B1-71)
화합물 (B1-34) 및 화합물 (B1-72) 의 아니온부The anion of the compound (B1-34) and the compound (B1-72)
[화학식 95]≪ EMI ID =
화합물 (B1-35) 및 화합물 (B1-73) 의 아니온부The anion of the compound (B1-35) and the compound (B1-73)
화합물 (B1-36) 및 화합물 (B1-74) 의 아니온부The anion of the compound (B1-36) and the compound (B1-74)
[화학식 96]≪ EMI ID =
화합물 (B1-37) 및 화합물 (B1-75) 의 아니온부The anion of the compound (B1-37) and the compound (B1-75)
화합물 (B1-38) 및 화합물 (B1-76) 의 아니온부The anion of the compound (B1-38) and the compound (B1-76)
19F-NMR (376 MHz, DMSO-d6)δ (ppm) = ―129.6, ―158.7, ―163.2 19 F-NMR (376 MHz, DMSO-d 6)? (Ppm) = -129.6, -158.7, -163.2
<기재 성분 (폴리머) 의 제조예>≪ Production Example of Base Component (Polymer) >
본 실시예에 사용한 폴리머 A-1 ∼ A-18 은, 각각, 각 폴리머를 구성하는 구성 단위를 제공하는 하기 모노머를, 소정의 몰비로 사용하여 라디칼 중합시킴으로써 얻었다.Polymers A-1 to A-18 used in this example were obtained by radical polymerization using the following monomers, each providing a constituent unit constituting each polymer, at a predetermined molar ratio.
[화학식 97][Formula 97]
폴리머 A-1 ∼ A-18 에 대해, 13C-NMR 에 의해 구해진 그 폴리머의 공중합 조성비 (폴리머 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)), GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량 (Mw) 및 분자량 분산도 (Mw/Mn) 를 표 1 에 병기하였다.The copolymer composition ratio (ratio (molar ratio) of each constitutional unit in the polymer) of the polymer obtained by 13 C-NMR to polymer A-1 to A-18, mass average molecular weight in terms of standard polystyrene (Mw ) And a molecular weight dispersion (Mw / Mn) are shown in Table 1.
<레지스트 조성물의 조제>≪ Preparation of resist composition >
(실시예 77 ∼ 110, 비교예 1 ∼ 15) (Examples 77 to 110 and Comparative Examples 1 to 15)
표 2 ∼ 5 에 나타내는 각 성분을 혼합하여 용해하고, 각 예의 레지스트 조성물을 각각 조제하였다.The components shown in Tables 2 to 5 were mixed and dissolved to prepare resist compositions for each example.
표 2 ∼ 5 중, 각 약호는 각각 이하의 의미를 갖는다. [ ] 내의 수치는 배합량 (질량부) 이다.In Tables 2 to 5, the respective abbreviations have the following meanings respectively. The values in [] are the compounding amount (parts by mass).
(A)-1 ∼ (A)-18:상기의 폴리머 A-1 ∼ A-18.(A) -1 to (A) -18: Polymers A-1 to A-18 as described above.
(B1)-1:상기 화합물 (B1-4) 로 이루어지는 산 발생제.(B1) -1: An acid generator comprising the above compound (B1-4).
(B1)-2:상기 화합물 (B1-7) 로 이루어지는 산 발생제.(B1) -2: An acid generator comprising the above compound (B1-7).
(B1)-3:상기 화합물 (B1-42) 로 이루어지는 산 발생제.(B1) -3: An acid generator comprising the above compound (B1-42).
(B1)-4:상기 화합물 (B1-45) 로 이루어지는 산 발생제.(B1) -4: An acid generator comprising the above compound (B1-45).
(B2)-1 ∼ (B2)-5:하기 화학식 (B2-1) ∼ (B2-5) 로 각각 나타내는 화합물 (B2-1) ∼ (B2-5) 로 이루어지는 산 발생제.(B2) -1 to (B2) -5: An acid generator comprising compounds (B2-1) to (B2-5) represented by the following formulas (B2-1) to (B2-5), respectively.
[화학식 98](98)
(D)-1 ∼ (D)-10:하기 화학식 (D-1) ∼ (D-10) 으로 각각 나타내는 화합물 (D-1) ∼ (D-10) 으로 이루어지는 산확산 제어제.(D-1) to (D-10) represented by the following formulas (D-1) to (D-10).
[화학식 99][Formula 99]
[화학식 100](100)
(S)-1:프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트/프로필렌글리콜모노메틸에테르 = 20/80 (질량비) 의 혼합 용제.(S) -1: mixed solvent of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monomethyl ether = 20/80 (by mass).
<레지스트 패턴의 형성>≪ Formation of resist pattern &
헥사메틸디실라잔 (HMDS) 처리를 실시한 8 인치 실리콘 기판 상에, 각 예의 레지스트 조성물을 각각, 스피너를 사용하여 도포하고, 핫 플레이트 상에서, 온도 100 ℃ 에서 60 초간 프리베이크 (PAB) 처리를 실시하고, 건조시킴으로써, 막두께 30 ㎚ 의 레지스트막을 형성하였다.On each of the 8-inch silicon substrates subjected to hexamethyldisilazane (HMDS) treatment, the resist compositions of the respective examples were applied using a spinner, and subjected to a prebake (PAB) treatment on a hot plate at a temperature of 100 DEG C for 60 seconds And dried to form a resist film having a film thickness of 30 nm.
다음으로, 상기 레지스트막에 대하여, 전자선 묘화 장치 JEOL-JBX-9300FS (닛폰 전자 주식회사 제조) 를 사용하고, 가속 전압 100 ㎸ 로, 타겟 사이즈를 라인 폭 50 ∼ 26 ㎚ 의 1:1 라인 앤드 스페이스 패턴 (이하, 「LS 패턴」) 으로 하는 묘화 (노광) 를 실시하였다.Next, using a 1: 1 line-and-space pattern having a line width of 50 to 26 nm and a target size at an acceleration voltage of 100 kV using an electron beam drawing apparatus JEOL-JBX-9300FS (manufactured by Nippon Electronics Co., Ltd.) (Hereinafter referred to as " LS pattern ").
이어서, 23 ℃ 에서, 2.38 질량% 테트라메틸암모늄하이드록시드 (TMAH) 수용액 「NMD-3」 (상품명, 토쿄 오카 공업 주식회사 제조) 을 사용하여, 60 초간 알칼리 현상을 실시하였다.Subsequently, alkali development was carried out at 23 占 폚 for 60 seconds using a 2.38% by mass aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) "NMD-3" (trade name, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.).
그 후, 순수를 사용하여 60 초간 물 린스하고, 110 ℃ 에서 60 초간 노광 후 가열 (PEB) 처리를 실시하였다.Thereafter, water was rinsed with pure water for 60 seconds, and post-exposure baking (PEB) treatment was performed at 110 캜 for 60 seconds.
그 결과, 라인 폭 50 ∼ 26 ㎚ 의 1:1 의 LS 패턴이 형성되었다.As a result, a 1: 1 LS pattern having a line width of 50 to 26 nm was formed.
[최적 노광량 (Eop) 의 평가][Evaluation of optimum exposure dose (Eop)] [
상기 레지스트 패턴의 형성 방법에 의해 타겟 사이즈의 LS 패턴이 형성되는 최적 노광량 Eop (μC/㎠) 를 구하였다. 이것을 「Eop (μC/㎠)」 로서 표에 나타내었다.The optimum exposure dose Eop (μC / cm 2) at which the LS pattern of the target size was formed was determined by the above-described method of forming a resist pattern. This is shown in the table as "Eop (μC / cm 2)".
[해상성의 평가][Evaluation of resolution]
상기 Eop 에 있어서의 한계 해상도, 구체적으로는, 최적 노광량 Eop 로부터 노광량을 조금씩 증대시켜 LS 패턴을 형성해 나갈 때에, 붕괴되지 않고 해상하는 패턴의 최소 치수를, 주사형 전자 현미경 S-9380 (히타치 하이테크놀로지사 제조) 을 사용하여 구하였다. 이것을 「해상 성능 (㎚)」 으로서 표에 나타내었다.The minimum dimension of the pattern to be resolved without collapsing when the LS pattern is formed by slightly increasing the exposure amount from the optimum exposure amount Eop in the Eop, specifically, by the scanning electron microscope S-9380 (manufactured by Hitachi High- Ltd.). This is shown in the table as " resolution performance (nm) ".
[LWR (라인 위드스 러프니스) 의 평가][Evaluation of LWR (line with roughness)] [
상기 <레지스트 패턴의 형성> 에서 형성한 LS 패턴에 대해, LWR 을 나타내는 척도인 3σ 를 구하였다. 이것을 「LWR (㎚)」 로서 표에 나타내었다.With respect to the LS pattern formed in the < formation of a resist pattern >, 3σ, which is a scale representing LWR, was obtained. This is shown in the table as " LWR (nm) ".
「3σ」 는, 주사형 전자 현미경 (가속 전압 800 V, 상품명:S-9380, 히타치 하이테크놀로지즈사 제조) 에 의해, 라인의 길이 방향으로 라인 포지션을 400 개 지점 측정하고, 그 측정 결과로부터 구한 표준 편차 (σ) 의 3 배값 (3σ) (단위:㎚) 을 나타낸다. &Quot; 3 sigma " was measured by measuring the line position at 400 points in the longitudinal direction of the line by using a scanning electron microscope (accelerating voltage 800 V, trade name: S-9380, Hitachi High-Technologies Corporation) (Unit: nm) of 3 times the deviation (sigma).
그 3σ 의 값이 작을수록 라인 측벽의 러프니스가 작고, 보다 균일한 폭의 LS 패턴이 얻어진 것을 의미한다.The smaller the value of 3?, The smaller the roughness of the line sidewalls and the more uniform LS pattern was obtained.
[LS 패턴 형상의 평가][Evaluation of LS pattern shape]
상기 <레지스트 패턴의 형성> 에 의해 형성된 LS 패턴의 형상을, 측장 SEM (주사형 전자 현미경, 가속 전압 800 V, 상품명:S-9220, 히타치 제작소사 제조) 에 의해 관찰하고, 그 결과를 「형상」 으로서 표에 나타내었다.The shape of the LS pattern formed by the above <formation of resist pattern> was observed by a measurement SEM (scanning electron microscope, acceleration voltage 800 V, trade name: S-9220, manufactured by Hitachi, Ltd.) &Quot;
표 6 ∼ 9 에 나타내는 결과로부터, 본 발명을 적용한 실시예의 레지스트 조성물에 의하면, 해상 성능, 러프니스 개선, 형상 등의 리소그래피 특성을 양호하게 유지한 채로, 고감도화를 도모할 수 있는 것을 확인할 수 있다.From the results shown in Tables 6 to 9, it can be confirmed that the resist composition according to the embodiment to which the present invention is applied can achieve high sensitivity while satisfactorily maintaining the lithographic characteristics such as resolution performance, roughness improvement and shape .
<화합물의 시간 경과적 안정성>≪ Time-course stability of the compound &
(실시예 111, 비교예 16) (Example 111, Comparative Example 16)
표 10 에 나타내는 각 성분을 혼합하여 용해하고, 평가용 시험액 (고형분 농도 10 질량%) 을 조제하였다.Each component shown in Table 10 was mixed and dissolved to prepare a test liquid for evaluation (solid concentration of 10% by mass).
표 10 중, 각 약호는 각각 이하의 의미를 갖는다.In Table 10, the respective abbreviations have the following meanings respectively.
(B1)-5:하기 화학식 (B1-77) 로 나타내는 화합물 (B1-77) (상기의 전구체 (1)).(B1) -5: a compound (B1-77) represented by the following formula (B1-77) (the precursor (1) described above).
(B2)-6:하기 화학식 (B2-6) 으로 나타내는 화합물 (B2-6).(B2) -6: a compound (B2-6) represented by the following formula (B2-6).
(D)-1:하기 화학식 (D-1) 로 나타내는 화합물 (D-1).(D) -1: A compound (D-1) represented by the following formula (D-1).
(S)-2:프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA).(S) -2: Propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA).
[화학식 101](101)
[시간 경과적 안정성의 평가][Evaluation of Time Stability]
각 예의 시험액을 실온하 (23 ℃) 에서 30 일간 정치하여 보존하였다.Test solutions of each example were left at room temperature (23 ° C) for 30 days and stored.
이러한 보존 후, 시험액에 포함되는 (B1) 성분 및 (B2) 성분의 각 분해율을 측정하고, 화합물의 시간 경과적 안정성에 대해 평가하였다. 이 결과를 「분해율 (%)」 로서 표 10 에 병기하였다.After such storage, the decomposition ratios of the components (B1) and (B2) contained in the test solution were measured, and the time-course stability of the compounds was evaluated. These results are shown in Table 10 as " decomposition ratio (%) ".
(B1) 성분 및 (B2) 성분의 각 분해율은 이하와 같이 하여 측정하였다.The decomposition ratios of the components (B1) and (B2) were measured as follows.
이러한 보존의 전후에 있어서의 각 예의 시험액 0.1 g 을, 아세토니트릴 1 g 으로 정확하게 희석한 희석액을 시료로 하고, 역상 고속 액체 크로마토그래피 (HPLC) 측정을 실시하였다.The reversed-phase high-performance liquid chromatography (HPLC) measurement was carried out using a diluted solution accurately diluted with 1 g of acetonitrile as a test sample (0.1 g) before and after the preservation.
이 측정으로 얻어진 크로마토그램 중의 (B1) 성분에서 유래하는 피크 면적, 및 (B2) 성분에서 유래하는 피크 면적의, 보존 전후의 변화의 비율을 분해율 (%) 로 하였다.The percentage of the change in the peak area derived from the component (B1) and the peak area derived from the component (B2) before and after storage in the chromatogram obtained by this measurement was regarded as the decomposition rate (%).
표 10 에 나타내는 결과로부터, 메타 위치에 불소 원자가 결합하고 있는 화합물 (B1-77) 은, 파라 위치에 불소 원자가 결합하고 있는 화합물 (B2-6) 에 비해, 분해율이 현격히 낮고, 시간 경과적 안정성이 우수한 것을 확인할 수 있다.From the results shown in Table 10, the compound (B1-77) in which the fluorine atom is bonded to the meta position has a significantly lower decomposition rate than the compound (B2-6) in which the fluorine atom is bonded to the para position and the time- I can confirm that it is excellent.
또, 화합물 (B1-77) 은, 화합물 (D-1) 과 병용되고 있어도 안정적이기 때문에, 레지스트 조성물의 산 발생제로서 유용하다.The compound (B1-77) is stable even when used in combination with the compound (D-1), and thus is useful as an acid generator of a resist composition.
Claims (7)
산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분 (A) 와,
하기 일반식 (b1) 로 나타내는 화합물 (B1) 을 함유하는 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물.
[화학식 1]
[식 중, Rb1 은 불소 원자, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 시아노기 및 -SO2Rb10 으로 이루어지는 군에서 선택되는 전자 흡인성기를 갖는 방향 고리를 나타낸다 (단, 상기 방향 고리가 벤젠 고리인 경우, 상기 전자 흡인성기는 벤젠 고리의 적어도 일방의 메타 위치에 결합하고 있다). Rb10 은 알킬기, 불소화알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. Rb21 및 Rb22 는 각각 독립적으로, 불소 원자, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 시아노기 및 -SO2Rb20 으로 이루어지는 군에서 선택되는 전자 흡인성기를 갖고 있어도 되는 방향 고리를 나타낸다. Rb20 은 알킬기, 불소화알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. Z 는 황 원자, 산소 원자, 카르보닐기 또는 단결합을 나타낸다. Rb1 과 Rb21 은 황 원자, 산소 원자, 카르보닐기 또는 단결합을 통해서 결합하고, 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 된다. Rb1 과 Rb22 는 황 원자, 산소 원자, 카르보닐기 또는 단결합을 통해서 결합하고, 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 된다. X- 는 카운터 아니온 (단, BF4 - 를 제외한다) 을 나타낸다.]As a resist composition which generates an acid upon exposure and changes solubility in a developer by the action of an acid,
A base component (A) in which solubility in a developing solution is changed by the action of an acid,
A resist composition comprising a compound (B1) represented by the following general formula (b1).
[Chemical Formula 1]
[ Wherein R b1 represents an aromatic ring having an electron-withdrawing group selected from the group consisting of a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a nitro group, a cyano group and -SO 2 R b10 , provided that the aromatic ring is a benzene ring , The electron-withdrawing group is bonded to the meta position of at least one of the benzene rings). R b10 represents an alkyl group, a fluorinated alkyl group or an aryl group. R b21 and R b22 each independently represent an aromatic ring which may have an electron-withdrawing group selected from the group consisting of a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a nitro group, a cyano group and -SO 2 R b20 . R b20 represents an alkyl group, a fluorinated alkyl group or an aryl group. Z represents a sulfur atom, an oxygen atom, a carbonyl group or a single bond. R b1 and R b21 may be bonded through a sulfur atom, an oxygen atom, a carbonyl group or a single bond, and form a ring with the sulfur atom in the formula. R b1 and R b22 may be bonded to each other through a sulfur atom, an oxygen atom, a carbonyl group or a single bond, and form a ring together with the sulfur atom in the formula. X - represents counter no (except BF 4 - ).]
상기 화합물 (B1) 의 함유량은, 상기 기재 성분 (A) 100 질량부에 대하여 1 ∼ 50 질량부인 레지스트 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the content of the compound (B1) is 1 to 50 parts by mass relative to 100 parts by mass of the base component (A).
상기 기재 성분 (A) 는 고분자 화합물 (A1) 을 포함하고,
그 고분자 화합물 (A1) 은, 산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기를 포함하는 구성 단위 (a1) 을 갖는 레지스트 조성물.3. The method according to claim 1 or 2,
The base component (A) comprises the polymer compound (A1)
The polymer compound (A1) has the structural unit (a1) containing an acid-decomposable group whose polarity is increased by the action of an acid.
상기 레지스트막을 노광하는 공정에 있어서, 상기 레지스트막에, EUV (극자외선) 또는 EB (전자선) 를 노광하는 레지스트 패턴 형성 방법.5. The method of claim 4,
And exposing the resist film to EUV (Extreme Ultraviolet) or EB (electron beam) in the step of exposing the resist film.
[화학식 2]
[식 중, Rb1 은 불소 원자, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 시아노기 및 -SO2Rb10 으로 이루어지는 군에서 선택되는 전자 흡인성기를 갖는 방향 고리를 나타낸다 (단, 상기 방향 고리가 벤젠 고리인 경우, 상기 전자 흡인성기는 벤젠 고리의 적어도 일방의 메타 위치에 결합하고 있다). Rb10 은 알킬기, 불소화알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. Rb21 및 Rb22 는 각각 독립적으로, 불소 원자, 트리플루오로메틸기, 니트로기, 시아노기 및 -SO2Rb20 으로 이루어지는 군에서 선택되는 전자 흡인성기를 갖고 있어도 되는 방향 고리를 나타낸다. Rb20 은 알킬기, 불소화알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. Z 는 황 원자, 산소 원자, 카르보닐기 또는 단결합을 나타낸다. Rb1 과 Rb21 은 황 원자, 산소 원자, 카르보닐기 또는 단결합을 통해서 결합하고, 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 된다. Rb1 과 Rb22 는 황 원자, 산소 원자, 카르보닐기 또는 단결합을 통해서 결합하고, 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 된다. X- 는 카운터 아니온 (단, BF4 - 를 제외한다) 을 나타낸다.]A compound represented by the following general formula (b1).
(2)
[ Wherein R b1 represents an aromatic ring having an electron-withdrawing group selected from the group consisting of a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a nitro group, a cyano group and -SO 2 R b10 , provided that the aromatic ring is a benzene ring , The electron-withdrawing group is bonded to the meta position of at least one of the benzene rings). R b10 represents an alkyl group, a fluorinated alkyl group or an aryl group. R b21 and R b22 each independently represent an aromatic ring which may have an electron-withdrawing group selected from the group consisting of a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a nitro group, a cyano group and -SO 2 R b20 . R b20 represents an alkyl group, a fluorinated alkyl group or an aryl group. Z represents a sulfur atom, an oxygen atom, a carbonyl group or a single bond. R b1 and R b21 may be bonded through a sulfur atom, an oxygen atom, a carbonyl group or a single bond, and form a ring with the sulfur atom in the formula. R b1 and R b22 may be bonded to each other through a sulfur atom, an oxygen atom, a carbonyl group or a single bond, and form a ring together with the sulfur atom in the formula. X - represents counter no (except BF 4 - ).]
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015243533A JP6675192B2 (en) | 2015-12-14 | 2015-12-14 | Resist composition and method for forming resist pattern, compound and acid generator |
JPJP-P-2015-243533 | 2015-12-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170070843A true KR20170070843A (en) | 2017-06-22 |
KR102662010B1 KR102662010B1 (en) | 2024-04-29 |
Family
ID=59079488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160170774A KR102662010B1 (en) | 2015-12-14 | 2016-12-14 | Resist composition, method of forming resist pattern, compound and acid generator |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6675192B2 (en) |
KR (1) | KR102662010B1 (en) |
TW (1) | TWI747851B (en) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7139190B2 (en) * | 2017-09-15 | 2022-09-20 | 住友化学株式会社 | RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN MANUFACTURING METHOD |
JP7283883B2 (en) * | 2017-11-09 | 2023-05-30 | 住友化学株式会社 | Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern |
US10831100B2 (en) | 2017-11-20 | 2020-11-10 | Rohm And Haas Electronic Materials, Llc | Iodine-containing photoacid generators and compositions comprising the same |
JP7181096B2 (en) * | 2018-01-12 | 2022-11-30 | 住友化学株式会社 | Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern |
JP7283955B2 (en) * | 2018-04-12 | 2023-05-30 | 住友化学株式会社 | RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN MANUFACTURING METHOD |
JP7199291B2 (en) * | 2018-04-12 | 2023-01-05 | 住友化学株式会社 | Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern |
JP7166149B2 (en) * | 2018-11-15 | 2022-11-07 | 東京応化工業株式会社 | Resist composition and resist pattern forming method |
JP7166151B2 (en) * | 2018-11-22 | 2022-11-07 | 東京応化工業株式会社 | Resist composition and resist pattern forming method |
JP7186592B2 (en) * | 2018-12-04 | 2022-12-09 | 東京応化工業株式会社 | Resist composition, resist pattern forming method, and compound |
JP7292150B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-06-16 | 東京応化工業株式会社 | RESIST COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMATION METHOD, POLYMER AND COMPOUND |
JP2021033071A (en) * | 2019-08-26 | 2021-03-01 | 東京応化工業株式会社 | Resist composition and resist pattern forming method |
JP7394591B2 (en) | 2019-11-14 | 2023-12-08 | 東京応化工業株式会社 | Resist composition and resist pattern forming method |
JP7407576B2 (en) * | 2019-12-03 | 2024-01-04 | 東京応化工業株式会社 | Resist composition and resist pattern forming method |
CN113912520A (en) * | 2021-10-15 | 2022-01-11 | 江苏汉拓光学材料有限公司 | Photoacid generators and process for producing the same |
JP2024089124A (en) * | 2022-12-21 | 2024-07-03 | 東京応化工業株式会社 | Resist composition, resist pattern formation method, and compound |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008273912A (en) | 2007-05-07 | 2008-11-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Compound, acid-generating agent, resist composition and method for forming resist pattern |
JP2010164963A (en) * | 2008-12-18 | 2010-07-29 | Fujifilm Corp | Active ray sensitive or radiation sensitive resin composition, resist film, pattern forming process using the same, and resin |
JP2014002359A (en) * | 2012-05-21 | 2014-01-09 | Fujifilm Corp | Chemical amplification resist composition, negative type chemical amplification resist composition, resist film using the same, resist-coated mask blank, photomask and pattern forming method, and method for manufacturing electronic device and electronic device |
JP2014067029A (en) * | 2012-09-15 | 2014-04-17 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | Acid generator compounds and photoresists comprising the same |
JP2014114239A (en) * | 2012-12-10 | 2014-06-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Sulfonium salt and polymeric compound, resist material and pattern forming method, and production method of the polymeric compound |
JP2014235248A (en) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 東京応化工業株式会社 | Resist composition, compound, polymer compound, and resist pattern forming method |
JP2015197482A (en) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | 富士フイルム株式会社 | Manufacturing method of active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, the active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, active light-sensitive or radiation-sensitive film, mask blank including the active light-sensitive or radiation-sensitive film, photomask, pattern formation method, manufacturing method of electronic device, and the electronic device |
-
2015
- 2015-12-14 JP JP2015243533A patent/JP6675192B2/en active Active
-
2016
- 2016-11-08 TW TW105136286A patent/TWI747851B/en active
- 2016-12-14 KR KR1020160170774A patent/KR102662010B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008273912A (en) | 2007-05-07 | 2008-11-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Compound, acid-generating agent, resist composition and method for forming resist pattern |
JP2010164963A (en) * | 2008-12-18 | 2010-07-29 | Fujifilm Corp | Active ray sensitive or radiation sensitive resin composition, resist film, pattern forming process using the same, and resin |
JP2014002359A (en) * | 2012-05-21 | 2014-01-09 | Fujifilm Corp | Chemical amplification resist composition, negative type chemical amplification resist composition, resist film using the same, resist-coated mask blank, photomask and pattern forming method, and method for manufacturing electronic device and electronic device |
JP2014067029A (en) * | 2012-09-15 | 2014-04-17 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | Acid generator compounds and photoresists comprising the same |
JP2014114239A (en) * | 2012-12-10 | 2014-06-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Sulfonium salt and polymeric compound, resist material and pattern forming method, and production method of the polymeric compound |
JP2014235248A (en) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 東京応化工業株式会社 | Resist composition, compound, polymer compound, and resist pattern forming method |
JP2015197482A (en) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | 富士フイルム株式会社 | Manufacturing method of active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, the active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, active light-sensitive or radiation-sensitive film, mask blank including the active light-sensitive or radiation-sensitive film, photomask, pattern formation method, manufacturing method of electronic device, and the electronic device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017111206A (en) | 2017-06-22 |
KR102662010B1 (en) | 2024-04-29 |
TWI747851B (en) | 2021-12-01 |
JP6675192B2 (en) | 2020-04-01 |
TW201731833A (en) | 2017-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102662010B1 (en) | Resist composition, method of forming resist pattern, compound and acid generator | |
JP6902832B2 (en) | Resist composition and resist pattern forming method, as well as compounds and acid generators | |
KR20180061016A (en) | Resist composition, method of forming resist pattern, compound, and acid generator | |
JP6663677B2 (en) | Resist composition and method for forming resist pattern, compound and acid diffusion controlling agent | |
KR101582002B1 (en) | Method of producing ammonium salt compound, method of producing compound, and compound, polymeric compound, acid generator, resist composition and method of forming resist pattern | |
KR20180002048A (en) | Resist composition and method of forming resist pattern | |
KR20190039649A (en) | Resist composition, method of forming resist pattern, polymeric compound, and compound | |
KR101581121B1 (en) | Resist composition and method of forming resist pattern | |
KR20180031571A (en) | Resisit composition and method of forming resist pattern | |
KR20190080767A (en) | Resist composition, method of forming resist pattern, compound, and acid diffusion control agent | |
KR20190080768A (en) | Resist composition and method of forming resist pattern | |
KR20180015577A (en) | Resist composition and method for forming resist pattern | |
KR20180011017A (en) | Resist composition, method for forming resist pattern, and polymer compound | |
KR20200068588A (en) | Resist composition, method of forming resist pattern, and compound | |
KR20180031593A (en) | Resist composition and method of forming resist pattern | |
KR20180026334A (en) | Resist composition and method of forming resist pattern | |
KR20180002050A (en) | Resist composition and method for forming resist pattern | |
KR20170074797A (en) | Resist composition, method of forming resist pattern, acid generator component, and compound | |
KR20190077226A (en) | Resist composition and method of forming resist pattern | |
JP2022075817A (en) | Compound | |
KR20180111633A (en) | Resist composition and method of forming resist pattern | |
KR20190063411A (en) | Resist composition, method of forming resist pattern, polymeric compound, and compound | |
KR20160024792A (en) | Resist composition and method of forming resist pattern | |
KR20150085792A (en) | Resist composition, method of forming resist pattern, compound, and polymeric compound | |
KR20180030438A (en) | Resist composition and method of forming resist pattern |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |