KR102206690B1 - Resist composition and method of forming resist pattern - Google Patents

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Abstract

(과제)
러프니스가 저감된 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 레지스트 조성물의 제공.
(해결 수단) α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위로서, 전자 흡인성기를 포함하는 락톤 함유 고리형기를 측사슬 말단에 갖는 구성 단위를 갖는 고분자 화합물과, 일반식 (b1) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 산 발생제를 함유하는 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물. 식 (b1) 중, R101 은 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 사슬형의 알킬기 또는 사슬형의 알케닐기이다. q'' 는 1 ∼ 20 의 정수이다. Mm 는 m 가의 유기 카티온이다.
[화학식 1]

Figure 112014027517001-pat00060
(assignment)
Provision of a resist composition capable of forming a resist pattern with reduced roughness.
(Solution) A polymer compound having a structural unit derived from an acrylic acid ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and having a lactone-containing cyclic group including an electron withdrawing group at the side chain terminal And an acid generator comprising a compound represented by general formula (b1). In formula (b1), R 101 is a cyclic group, a chain alkyl group, or a chain alkenyl group which may have a substituent. q'' is an integer of 1-20. M m + is an m-valent organic cation.
[Formula 1]
Figure 112014027517001-pat00060

Description

레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법{RESIST COMPOSITION AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN}Resist composition and resist pattern formation method TECHNICAL FIELD [RESIST COMPOSITION AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN}

본 발명은 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a resist composition and a method of forming a resist pattern.

리소그래피 기술에 있어서는, 예를 들어 기판 상에 레지스트 재료로 이루어지는 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 대해 선택적 노광을 실시하고, 현상 처리를 실시함으로써, 상기 레지스트막에 소정 형상의 레지스트 패턴을 형성하는 공정이 실시된다. 레지스트막의 노광부가 현상액에 용해되는 특성으로 변화하는 레지스트 재료를 포지티브형, 노광부가 현상액에 용해되지 않는 특성으로 변화하는 레지스트 재료를 네거티브형이라고 한다.In the lithography technique, for example, a process of forming a resist pattern of a predetermined shape on the resist film by forming a resist film made of a resist material on a substrate, selectively exposing the resist film, and performing a development treatment. This is carried out. A resist material in which the exposed portion of the resist film changes to a property that dissolves in the developer is called a positive type, and a resist material in which the exposed portion changes to a property that does not dissolve in the developer is called a negative type.

최근 반도체 소자나 액정 표시 소자의 제조에 있어서는, 리소그래피 기술의 진보에 의해 급속히 패턴의 미세화가 진행되고 있다. 미세화의 수법으로는, 일반적으로 노광 광원의 단파장화 (고에너지화) 가 실시되고 있다. 구체적으로는, 종래에는 g 선, i 선으로 대표되는 자외선이 사용되고 있었지만, 현재는 KrF 엑시머 레이저나, ArF 엑시머 레이저를 사용한 반도체 소자의 양산이 개시되고 있다. 또, 이들 엑시머 레이저보다 단파장 (고에너지) 의 EUV (극자외선) 나, EB (전자선), X 선 등에 대해서도 검토가 실시되고 있다.BACKGROUND ART In the manufacture of semiconductor devices and liquid crystal display devices in recent years, pattern miniaturization is rapidly progressing due to advances in lithography technology. As a method of miniaturization, a shorter wavelength (higher energy) of an exposure light source is generally performed. Specifically, conventionally, ultraviolet rays typified by g-rays and i-rays have been used, but mass production of semiconductor devices using a KrF excimer laser or an ArF excimer laser has been started. Moreover, EUV (extreme ultraviolet rays), EB (electron rays), X-rays, etc. of shorter wavelength (higher energy) than these excimer lasers are also being examined.

레지스트 재료에는, 이들 노광 광원에 대한 감도, 미세한 치수의 패턴을 재현할 수 있는 해상성 등의 리소그래피 특성이 요구된다.Resist materials are required to have lithographic properties such as sensitivity to these exposure light sources and resolution capable of reproducing patterns of fine dimensions.

이와 같은 요구를 만족하는 레지스트 재료로서, 종래, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분과, 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분을 함유하는 화학 증폭형 레지스트 조성물이 사용되고 있다.As a resist material that satisfies such requirements, conventionally, a chemically amplified resist composition containing a base component whose solubility in a developer is changed by the action of an acid and an acid generator component that generates an acid by exposure has been used. .

예를 들어 상기 현상액이 알칼리 현상액 (알칼리 현상 프로세스) 인 경우, 포지티브형의 화학 증폭형 레지스트 조성물로는, 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대하는 수지 성분 (베이스 수지) 과, 산 발생제 성분을 함유하는 것이 일반적으로 사용되고 있다. 이러한 레지스트 조성물을 사용하여 형성되는 레지스트막은, 레지스트 패턴 형성시에 선택적 노광을 실시하면, 노광부에 있어서, 산 발생제 성분으로부터 산이 발생하고, 그 산의 작용에 의해 베이스 수지의 극성이 증대하여, 노광부가 알칼리 현상액에 대해 가용으로 된다. 그 때문에 알칼리 현상함으로써, 미노광부가 패턴으로서 남는 포지티브형 패턴이 형성된다.For example, when the developer is an alkali developer (alkaline developing process), a positive chemically amplified resist composition includes a resin component (base resin) whose solubility in an alkaline developer increases by the action of an acid, and acid generation. Those containing the first component are generally used. When a resist film formed using such a resist composition is subjected to selective exposure during formation of a resist pattern, an acid is generated from the acid generator component in the exposed portion, and the polarity of the base resin increases due to the action of the acid. The exposed portion becomes soluble in the alkaline developer. Therefore, by alkali development, a positive pattern in which an unexposed portion remains as a pattern is formed.

한편, 이와 같은 화학 증폭형 레지스트 조성물을, 유기 용제를 포함하는 현상액 (유기계 현상액) 을 사용한 용제 현상 프로세스에 적용한 경우, 베이스 수지의 극성이 증대하면, 상대적으로 유기계 현상액에 대한 용해성이 저하되기 때문에, 레지스트막의 미노광부가 유기계 현상액에 의해 용해, 제거되어, 노광부가 패턴으로서 남는 네거티브형의 레지스트 패턴이 형성된다. 이와 같이 네거티브형의 레지스트 패턴을 형성하는 용제 현상 프로세스를 네거티브형 현상 프로세스라고 하는 경우가 있다 (예를 들어 특허문헌 1 참조).On the other hand, when such a chemically amplified resist composition is applied to a solvent development process using a developer containing an organic solvent (organic developer), when the polarity of the base resin increases, solubility in an organic developer decreases. The unexposed portion of the resist film is dissolved and removed with an organic developer, thereby forming a negative resist pattern in which the exposed portion remains as a pattern. The solvent developing process for forming a negative resist pattern in this way is sometimes referred to as a negative developing process (see, for example, Patent Document 1).

화학 증폭형 레지스트 조성물에 있어서 사용되는 베이스 수지는, 일반적으로, 리소그래피 특성 등의 향상을 위해서 복수의 구성 단위를 갖고 있다.The base resin used in the chemically amplified resist composition generally has a plurality of structural units in order to improve lithography properties and the like.

예를 들어, 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대하는 수지 성분의 경우, 산 발생제 등으로부터 발생한 산의 작용에 의해 분해되어 극성이 증대하는 산 분해성기를 포함하는 구성 단위가 이용되며, 그 외, 락톤 함유 고리형기를 포함하는 구성 단위, 수산기 등의 극성기를 포함하는 구성 단위 등이 병용되고 있다 (예를 들어 특허문헌 2 참조).For example, in the case of a resin component whose solubility in an alkali developer is increased by the action of an acid, a constituent unit containing an acid-decomposable group that is decomposed by the action of an acid generated from an acid generator or the like to increase polarity is used, In addition, a structural unit containing a lactone-containing cyclic group, a structural unit containing a polar group such as a hydroxyl group, and the like are used in combination (see, for example, Patent Document 2).

최근에는, 패턴의 미세화가 더욱더 진행되는 것에 수반하여, 레지스트 조성물용 베이스 수지로서 유용한 고분자 화합물에 대한 요구가 높아지고 있다. In recent years, with the progress of further miniaturization of patterns, the demand for a polymer compound useful as a base resin for a resist composition is increasing.

그 중, 예를 들어, 전자 흡인성 치환기 및 락톤 골격을 포함하는 다고리형 에스테르를 모노머로서 사용한 고분자 화합물, 그리고, 이 고분자 화합물을 함유하는 레지스트 조성물이 제안되어 있다 (특허문헌 3 참조).Among them, for example, a polymer compound using a polycyclic ester containing an electron withdrawing substituent and a lactone skeleton as a monomer, and a resist composition containing the polymer compound have been proposed (see Patent Document 3).

일본 공개특허공보 2009-025723호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-025723 일본 공개특허공보 2003-241385호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-241385 일본 공개특허공보 2008-231059호Japanese Patent Application Publication No. 2008-231059

리소그래피 기술의 더 나은 진보, 응용 분야의 확대 등이 진행되는 가운데, 레지스트 패턴의 형성에 있어서는, 고감도화나, 러프니스 개선 등의 각종 리소그래피 특성의 향상이 한층 요구되고 있다. 그러나, 예를 들어 상기 특허문헌 3 에 기재된 레지스트 조성물에 있어서는, 레지스트 패턴의 특히 러프니스의 추가적인 개선이 필요하다.As the lithography technology is further advanced and the application field is being expanded, there is a further demand for improvement in various lithographic properties such as higher sensitivity and improved roughness in forming a resist pattern. However, in the resist composition described in Patent Document 3, for example, further improvement of the roughness in particular of the resist pattern is required.

본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 러프니스가 저감된 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 레지스트 조성물을 과제로 한다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as a subject a resist composition capable of forming a resist pattern with reduced roughness.

상기 과제를 해결하는 본 발명의 제 1 양태는, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분 (A) 및 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분 (B) 를 함유하는 레지스트 조성물로서, 상기 기재 성분 (A) 는, 하기 일반식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위 (a0) 을 갖는 고분자 화합물 (A1) 을 포함하고, 상기 산 발생제 성분 (B) 는, 하기 일반식 (b1) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 산 발생제 (B1) 을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물이다.A first aspect of the present invention for solving the above problems is a resist composition comprising a base component (A) whose solubility in a developer is changed by the action of an acid and an acid generator component (B) that generates an acid by exposure As, the base component (A) contains a polymer compound (A1) having a structural unit (a0) represented by the following general formula (a0-1), and the acid generator component (B) is represented by the following general formula ( It is a resist composition comprising an acid generator (B1) comprising a compound represented by b1).

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112014027517001-pat00001
Figure 112014027517001-pat00001

[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기이다. Va0 은 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이다. na0 은 0 ∼ 2 의 정수이다. Ra1 및 Ra2 는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 알콕시기, 혹은 알킬티오기이거나, 또는, Ra1 과 Ra2 가 서로 결합하여, 산소 원자 (-O-) 혹은 황 원자 (-S-) 를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기, 에테르 결합, 혹은 티오에테르 결합이 되어도 된다. Ra'01 은 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 하이드록시기 부분이 보호기로 보호되어 있어도 되고 또한 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기, 염을 형성하고 있는 카르복실기, 또는 치환 옥시카르보닐기이다. 2 개 이상의 Ra'01 이 존재하는 경우, 복수의 Ra'01 은 서로 동일하거나 상이하여도 된다. X 는 할로겐 원자, 카르복실기, 알콕시카르보닐기, 아실기, 니트로기 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택되는 치환기이다. 2 개 이상의 X 가 존재하는 경우, 복수의 X 는 서로 동일하거나 상이하여도 된다. p0 은 0 ∼ 8 의 정수이다. q0 은 1 ∼ 9 의 정수이다.][In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Va 0 is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent. n a0 is an integer of 0-2. Ra 1 and Ra 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group, or an alkylthio group, or Ra 1 and Ra 2 are bonded to each other to form an oxygen atom (-O-) or a sulfur atom It may be a C1-C6 alkylene group, an ether bond, or a thioether bond which may contain (-S-). Ra' 01 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms that may have a halogen atom protected by a protecting group or may have a halogen atom, and a carboxyl group forming a salt Or a substituted oxycarbonyl group. When two or more Ra' 01 are present, a plurality of Ra' 01 may be the same as or different from each other. X is a substituent selected from the group consisting of a halogen atom, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, a nitro group, and a cyano group. When two or more Xs are present, a plurality of Xs may be the same or different from each other. p 0 is an integer of 0-8. q 0 is an integer of 1 to 9.]

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112014027517001-pat00002
Figure 112014027517001-pat00002

[식 중, R101 은 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다. q'' 는 1 ∼ 20 의 정수이다. m 은 1 이상의 정수로서, Mm 는 m 가의 유기 카티온이다.][In the formula, R 101 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent. q'' is an integer of 1-20. m is an integer of 1 or more, and M m + is an m-valent organic cation.]

본 발명의 제 2 양태는, 상기 본 발명의 제 1 양태의 레지스트 조성물을 사용하여 지지체 상에 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 및 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성 방법이다.The second aspect of the present invention provides a step of forming a resist film on a support using the resist composition of the first aspect of the present invention, a step of exposing the resist film, and developing the resist film after the exposure to form a resist pattern. It is a method of forming a resist pattern comprising a step.

본 발명의 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법에 의하면, 러프니스가 저감된 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.According to the resist composition and the resist pattern forming method of the present invention, a resist pattern with reduced roughness can be formed.

본 명세서 및 본 특허 청구의 범위에 있어서, 「지방족」 이란, 방향족에 대한 상대적인 개념으로서, 방향족성을 갖지 않는 기, 화합물 등을 의미하는 것으로 정의한다.In the present specification and claims, the term "aliphatic" is a relative concept with respect to aromatics, and is defined to mean a group, compound, etc. that do not have aromaticity.

「알킬기」 는, 특별히 언급이 없는 한, 직사슬형, 분기사슬형 및 고리형의 1 가의 포화 탄화 수소기를 포함하는 것으로 한다. 알콕시기 중의 알킬기도 동일하다.Unless otherwise specified, the "alkyl group" shall include a linear, branched, and cyclic monovalent saturated hydrocarbon group. The alkyl group in the alkoxy group is also the same.

「알킬렌기」 는, 특별히 언급이 없는 한, 직사슬형, 분기사슬형 및 고리형의 2 가의 포화 탄화 수소기를 포함하는 것으로 한다.The "alkylene group" shall include a linear, branched and cyclic divalent saturated hydrocarbon group unless otherwise specified.

「할로겐화 알킬기」 는, 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이며, 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.The "halogenated alkyl group" is a group in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with halogen atoms, and examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.

「불소화알킬기」 또는 「불소화알킬렌기」 는, 알킬기 또는 알킬렌기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기를 말한다.The "fluorinated alkyl group" or the "fluorinated alkylene group" refers to a group in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group or the alkylene group are substituted with fluorine atoms.

「구성 단위」 란, 고분자 화합물 (수지, 중합체, 공중합체) 을 구성하는 모노머 단위 (단량체 단위) 를 의미한다.The "constituent unit" means a monomer unit (monomer unit) constituting a high molecular compound (resin, polymer, copolymer).

「치환기를 갖고 있어도 된다」 라고 기재하는 경우, 수소 원자 (-H) 를 1 가의 기로 치환하는 경우와, 메틸렌기 (-CH2-) 를 2 가의 기로 치환하는 경우 양방을 포함한다.In the case of describing as "you may have a substituent", both a case where a hydrogen atom (-H) is substituted with a monovalent group and a case where a methylene group (-CH 2 -) is substituted with a divalent group are included.

「노광」 은, 방사선의 조사 전반을 포함하는 개념으로 한다."Exposure" is a concept including the whole irradiation of radiation.

「아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위」 란, 아크릴산에스테르의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다.The "constituent unit derived from an acrylic acid ester" means a structural unit formed by cleaving an ethylenic double bond of an acrylic acid ester.

「아크릴산에스테르」 는, 아크릴산 (CH2=CH-COOH) 의 카르복실기 말단의 수소 원자가 유기기로 치환된 화합물이다."Acrylic acid ester" is a compound in which the hydrogen atom at the terminal of the carboxyl group of acrylic acid (CH 2 =CH-COOH) is substituted with an organic group.

아크릴산에스테르는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자를 치환하는 치환기 (Rα0) 은, 수소 원자 이외의 원자 또는 기이며, 예를 들어 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기 등을 들 수 있다. 또, 치환기 (Rα0) 이 에스테르 결합을 포함하는 치환기로 치환된 이타콘산디에스테르나, 치환기 (Rα0) 가 하이드록시알킬기나 그 수산기를 수식한 기로 치환된 α하이드록시아크릴에스테르도 포함하는 것으로 한다. 또한, 아크릴산에스테르의 α 위치의 탄소 원자란, 특별히 언급이 없는 한, 아크릴산의 카르보닐기가 결합하고 있는 탄소 원자이다.In the acrylic acid ester, a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent. The substituent (R α0 ) that replaces the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position is an atom or group other than a hydrogen atom, and examples thereof include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, etc. have. Further, the substituent (R α0) is an itaconic diester substituted with a substituent containing an ester bond or a substituent (R α0) a hydroxy group or by including an α-hydroxy acrylic ester is substituted with the formula the hydroxyl group do. In addition, the carbon atom at the α-position of the acrylic acid ester is a carbon atom to which the carbonyl group of acrylic acid is bonded, unless otherwise noted.

이하, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환된 아크릴산에스테르를 α 치환 아크릴산에스테르라고 하는 경우가 있다. 또, 아크릴산에스테르와 α 치환 아크릴산에스테르를 포괄하여 「(α 치환) 아크릴산에스테르」 라고 하는 경우가 있다.Hereinafter, an acrylic acid ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position is substituted with a substituent may be referred to as an α-substituted acrylic acid ester. Moreover, an acrylic acid ester and an α-substituted acrylic acid ester are encompassed and referred to as "(α-substituted) acrylic acid ester" in some cases.

「아크릴아미드로부터 유도되는 구성 단위」 란, 아크릴아미드의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다.The "constituent unit derived from acrylamide" means a structural unit constituted by cleavage of an ethylenic double bond of acrylamide.

아크릴아미드는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되고, 아크릴아미드의 아미노기의 수소 원자의 일방 또는 양방이 치환기로 치환되어 있어도 된다. 또한, 아크릴아미드의 α 위치의 탄소 원자란, 특별히 언급이 없는 한, 아크릴아미드의 카르보닐기가 결합하고 있는 탄소 원자이다.In acrylamide, the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, or one or both of the hydrogen atoms of the amino group of the acrylamide may be substituted with a substituent. In addition, the carbon atom at the α-position of the acrylamide is a carbon atom to which the carbonyl group of the acrylamide is bonded, unless otherwise noted.

아크릴아미드의 α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자를 치환하는 치환기로는, 상기 α 치환 아크릴산에스테르에 있어서, α 위치의 치환기로서 예시한 것 (치환기 (Rα0)) 과 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the substituent for substituting the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position of the acrylamide include those exemplified as the substituent at the α-position in the α-substituted acrylic acid ester (substituent group (R α0 )).

「하이드록시스티렌 혹은 하이드록시스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위」 란, 하이드록시스티렌 혹은 하이드록시스티렌 유도체의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다.The "constituent unit derived from a hydroxystyrene or a hydroxystyrene derivative" means a structural unit formed by cleaving an ethylenic double bond of a hydroxystyrene or a hydroxystyrene derivative.

「하이드록시스티렌 유도체」 란, 하이드록시스티렌의 α 위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화 알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것, 그리고 그들의 유도체를 포함하는 개념으로 한다. 그들의 유도체로는, α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 하이드록시스티렌의 수산기의 수소 원자를 유기기로 치환한 것;α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 하이드록시스티렌의 벤젠 고리에, 수산기 이외의 치환기가 결합한 것 등을 들 수 있다. 또한, α 위치 (α 위치의 탄소 원자) 란, 특별히 언급이 없는 한, 벤젠 고리가 결합하고 있는 탄소 원자를 말한다.The term "hydroxystyrene derivative" is a concept including those in which the hydrogen atom at the α-position of hydroxystyrene is substituted with another substituent such as an alkyl group or a halogenated alkyl group, and derivatives thereof. As their derivatives, the hydrogen atom of the hydroxyl group of hydroxystyrene in which the hydrogen atom at the α-position may be substituted with a substituent is substituted with an organic group; in the benzene ring of hydroxystyrene in which the hydrogen atom at the α-position may be substituted with a substituent, And those in which a substituent other than a hydroxyl group is bonded. In addition, the α-position (carbon atom in the α-position) refers to a carbon atom to which a benzene ring is bonded, unless otherwise noted.

하이드록시스티렌의 α 위치의 수소 원자를 치환하는 치환기로는, 상기 α 치환 아크릴산에스테르에 있어서, α 위치의 치환기로서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the substituent for substituting the hydrogen atom at the α-position of hydroxystyrene include the same as those exemplified as the substituent at the α-position in the α-substituted acrylate ester.

「비닐벤조산 혹은 비닐벤조산 유도체로부터 유도되는 구성 단위」 란, 비닐벤조산 혹은 비닐벤조산 유도체의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다.The "constituent unit derived from a vinylbenzoic acid or a vinylbenzoic acid derivative" means a structural unit constituted by cleavage of an ethylenic double bond of a vinylbenzoic acid or a vinylbenzoic acid derivative.

「비닐벤조산 유도체」 란, 비닐벤조산의 α 위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화 알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것, 그리고 그들의 유도체를 포함하는 개념으로 한다. 그들의 유도체로는, α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 비닐벤조산의 카르복실기의 수소 원자를 유기기로 치환한 것;α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 비닐벤조산의 벤젠 고리에, 수산기 및 카르복실기 이외의 치환기가 결합한 것 등을 들 수 있다. 또한, α 위치 (α 위치의 탄소 원자) 란, 특별히 언급이 없는 한, 벤젠 고리가 결합하고 있는 탄소 원자를 말한다.The term "vinylbenzoic acid derivative" is a concept in which a hydrogen atom at the α-position of vinylbenzoic acid is substituted with another substituent such as an alkyl group or a halogenated alkyl group, and derivatives thereof. As their derivatives, the hydrogen atom of the carboxyl group of vinylbenzoic acid in which the hydrogen atom at the α-position may be substituted with an organic group is substituted with an organic group; in the benzene ring of the vinylbenzoic acid in which the hydrogen atom at the α-position may be substituted with a substituent, a hydroxyl group and And those in which a substituent other than a carboxyl group is bonded. In addition, the α-position (carbon atom in the α-position) refers to a carbon atom to which a benzene ring is bonded, unless otherwise noted.

「스티렌」 이란, 스티렌 및 스티렌의 α 위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화 알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것도 포함하는 개념으로 한다.The term "styrene" is a concept including styrene and those in which the hydrogen atom at the α-position of styrene is substituted with another substituent such as an alkyl group or a halogenated alkyl group.

「스티렌으로부터 유도되는 구성 단위」, 「스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위」 란, 스티렌 또는 스티렌 유도체의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다.The "constituent units derived from styrene" and "constituent units derived from a styrene derivative" mean a structural unit constituted by cleavage of an ethylenic double bond of styrene or a styrene derivative.

상기 α 위치의 치환기로서의 알킬기는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기가 바람직하며, 구체적으로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 (메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기) 등을 들 수 있다.The alkyl group as the substituent at the α-position is preferably a linear or branched alkyl group, and specifically, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms (methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, iso Butyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group), and the like.

또, α 위치의 치환기로서의 할로겐화 알킬기는, 구체적으로는, 상기 「α 위치의 치환기로서의 알킬기」 의 수소 원자의 일부 또는 전부를 할로겐 원자로 치환한 기를 들 수 있다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다.Further, specific examples of the halogenated alkyl group as the substituent at the α-position include a group in which some or all of the hydrogen atoms of the “alkyl group as the substituent at the α-position” are substituted with a halogen atom. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.

또, α 위치의 치환기로서의 하이드록시알킬기는, 구체적으로는, 상기 「α 위치의 치환기로서의 알킬기」 의 수소 원자의 일부 또는 전부를 수산기로 치환한 기를 들 수 있다. 그 하이드록시알킬기에 있어서의 수산기의 수는 1 ∼ 5 가 바람직하고, 1 이 가장 바람직하다.Further, the hydroxyalkyl group as the substituent at the α-position is specifically, a group in which a part or all of the hydrogen atoms of the “alkyl group as the substituent at the α-position” is substituted with a hydroxyl group. The number of hydroxyl groups in the hydroxyalkyl group is preferably 1 to 5, and most preferably 1.

≪레지스트 조성물≫≪Resist composition≫

본 발명의 제 1 양태의 레지스트 조성물은, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분 (A) (이하, 「(A) 성분」 이라고도 한다) 및 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분 (B) (이하, 「(B) 성분」 이라고도 한다) 를 함유한다.The resist composition of the first aspect of the present invention includes a base component (A) whose solubility in a developer is changed by the action of an acid (hereinafter, also referred to as ``component (A)'') and acid generation that generates an acid by exposure. It contains the first component (B) (hereinafter also referred to as "component (B)").

이러한 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 대해 선택적 노광을 실시하면, 노광부에서는 산이 발생하고, 그 산의 작용에 의해 (A) 성분의 현상액에 대한 용해성이 변화하는 한편, 미노광부에서는 (A) 성분의 현상액에 대한 용해성이 변화하지 않기 때문에, 노광부와 미노광부 사이에서 현상액에 대한 용해성의 차이가 생긴다. 그 때문에, 그 레지스트막을 현상하면, 당해 레지스트 조성물이 포지티브형인 경우에는 노광부가 용해 제거되어 포지티브형의 레지스트 패턴이 형성되고, 당해 레지스트 조성물이 네거티브형인 경우에는 미노광부가 용해 제거되어 네거티브형의 레지스트 패턴이 형성된다.When a resist film is formed using such a resist composition and selective exposure is performed on the resist film, an acid is generated in the exposed portion, and the solubility of the component (A) in the developer is changed by the action of the acid. In the miner part, the solubility of the component (A) in the developer does not change, so that a difference in solubility in the developer solution occurs between the exposed part and the unexposed part. Therefore, when the resist film is developed, when the resist composition is positive, the exposed portion is dissolved and removed to form a positive resist pattern, and when the resist composition is negative, the unexposed portion is dissolved and removed to form a negative resist pattern. Is formed.

본 명세서에 있어서는, 노광부가 용해 제거되어 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트 조성물을 포지티브형 레지스트 조성물이라고 하고, 미노광부가 용해 제거되어 네거티브형 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트 조성물을 네거티브형 레지스트 조성물이라고 한다.In the present specification, the resist composition in which the exposed portion is dissolved and removed to form a positive resist pattern is referred to as a positive resist composition, and the resist composition in which the unexposed portion is dissolved and removed to form a negative resist pattern is referred to as a negative resist composition.

본 태양의 레지스트 조성물은 포지티브형 레지스트 조성물이어도 되고, 네거티브형 레지스트 조성물이어도 된다.The resist composition of this embodiment may be a positive resist composition or a negative resist composition.

또, 본 태양의 레지스트 조성물은, 레지스트 패턴 형성시의 현상 처리에 알칼리 현상액을 사용하는 알칼리 현상 프로세스용이어도 되고, 그 현상 처리에 유기 용제를 포함하는 현상액 (유기계 현상액) 을 사용하는 용제 현상 프로세스용이어도 된다.In addition, the resist composition of the present embodiment may be for an alkali developing process using an alkali developer for developing treatment at the time of forming a resist pattern, and for a solvent developing process using a developer (organic developer) containing an organic solvent for the developing treatment. May be.

<(A) 성분><(A) component>

본 발명에 있어서, 「기재 성분」 이란, 막 형성능을 갖는 유기 화합물이며, 바람직하게는 분자량이 500 이상인 유기 화합물이 사용된다. 그 유기 화합물의 분자량이 500 이상임으로써, 막 형성능이 향상되고, 게다가, 나노 레벨의 레지스트 패턴을 형성하기 쉽다.In the present invention, the "substrate component" is an organic compound having a film-forming ability, and preferably an organic compound having a molecular weight of 500 or more is used. When the molecular weight of the organic compound is 500 or more, the film-forming ability is improved, and it is easy to form a nano-level resist pattern.

기재 성분으로서 사용되는 유기 화합물은 비중합체와 중합체로 대별된다.Organic compounds used as the base component are roughly classified into non-polymers and polymers.

비중합체로는, 통상적으로 분자량이 500 이상 4000 미만인 것이 사용된다. 이하, 「저분자 화합물」 이라고 하는 경우에는, 분자량이 500 이상 4000 미만인 비중합체를 나타낸다. As the non-polymer, those having a molecular weight of 500 or more and less than 4000 are usually used. Hereinafter, in the case of a "low molecular weight compound", a non-polymer having a molecular weight of 500 or more and less than 4000 is indicated.

중합체로는, 통상적으로 분자량이 1000 이상인 것이 사용된다. 이하, 「수지」 또는 「고분자 화합물」 이라고 하는 경우에는, 분자량이 1000 이상인 중합체를 나타낸다.As the polymer, one having a molecular weight of 1000 or more is usually used. Hereinafter, in the case of "resin" or "polymer compound", a polymer having a molecular weight of 1000 or more is indicated.

중합체의 분자량으로는, GPC (겔 퍼미에이션 크로마토그래피) 에 의한 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량을 사용하는 것으로 한다.As the molecular weight of the polymer, the mass average molecular weight in terms of polystyrene by GPC (gel permeation chromatography) is used.

본 태양의 레지스트 조성물이, 알칼리 현상 프로세스에 있어서 네거티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「알칼리 현상 프로세스용 네거티브형 레지스트 조성물」 인 경우, 또는, 용제 현상 프로세스에 있어서 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「용제 현상 프로세스용 포지티브형 레지스트 조성물」 인 경우, (A) 성분으로는, 바람직하게는 알칼리 현상액에 가용성의 기재 성분 (A-2) (이하, 「(A-2) 성분」 이라고 한다) 가 사용되고, 또한 가교제 성분이 배합된다. 이러한 레지스트 조성물은, 노광에 의해 (B) 성분으로부터 산이 발생하면, 당해 산이 작용하여 그 (A-2) 성분과 가교제 성분 사이에서 가교가 일어나고, 이 결과, 알칼리 현상액에 대한 용해성이 감소 (유기계 현상액에 대한 용해성이 증대) 한다. 그 때문에, 레지스트 패턴의 형성에 있어서, 당해 레지스트 조성물을 지지체 상에 도포하여 얻어지는 레지스트막을 선택적으로 노광하면, 노광부는 알칼리 현상액에 대해 난용성 (유기계 현상액에 대해 가용성) 으로 바뀌는 한편, 미노광부는 알칼리 현상액에 대해 가용성 (유기계 현상액에 대해 난용성) 인 채로 변화하지 않기 때문에, 알칼리 현상액으로 현상함으로써 네거티브형 레지스트 패턴이 형성된다. 또, 이 때 유기계 현상액으로 현상함으로써 포지티브형의 레지스트 패턴이 형성된다.When the resist composition of the present embodiment is a ``negative resist composition for an alkali developing process'' that forms a negative resist pattern in an alkali developing process, or a ``solvent development process that forms a positive resist pattern in a solvent developing process'' For positive resist composition”, as the component (A), a base component (A-2) soluble in an alkali developer (hereinafter, referred to as “component (A-2)”) is preferably used, and a crosslinking agent The ingredients are blended. In such a resist composition, when an acid is generated from the component (B) by exposure, the acid acts and crosslinking occurs between the component (A-2) and the crosslinking agent component, and as a result, the solubility in an alkali developer decreases (organic developer Solubility to increase). Therefore, in the formation of a resist pattern, when the resist film obtained by applying the resist composition on a support is selectively exposed, the exposed portion is changed to poorly soluble in an alkaline developer (soluble in an organic developer), while the unexposed portion is changed to alkali. Since it does not change while being soluble in a developer (slightly soluble in an organic developer), a negative resist pattern is formed by developing with an alkaline developer. Further, by developing with an organic developer at this time, a positive resist pattern is formed.

(A-2) 성분으로는, 알칼리 현상액에 대해 가용성의 수지 (이하, 「알칼리 가용성 수지」 라고 한다) 가 사용된다.As the component (A-2), a resin that is soluble in an alkali developer (hereinafter, referred to as "alkali-soluble resin") is used.

알칼리 가용성 수지로는, 예를 들어 일본 공개특허공보 2000-206694호에 개시되어 있는, α-(하이드록시알킬)아크릴산, 또는 α-(하이드록시알킬)아크릴산의 알킬에스테르 (바람직하게는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬에스테르) 에서 선택되는 적어도 하나로부터 유도되는 단위를 갖는 수지;미국 특허공보 6949325호에 개시되어 있는, 술폰아미드기를 갖는 α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴 수지 또는 폴리시클로올레핀 수지;미국 특허공보 6949325호, 일본 공개특허공보 2005-336452호, 일본 공개특허공보 2006-317803호에 개시되어 있는, 불소화알코올을 함유하고, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴 수지;일본 공개특허공보 2006-259582호에 개시되어 있는, 불소화알코올을 갖는 폴리시클로올레핀 수지 등이, 팽윤이 적은 양호한 레지스트 패턴을 형성할 수 있으므로 바람직하다.As the alkali-soluble resin, for example, an alkyl ester of α-(hydroxyalkyl)acrylic acid or α-(hydroxyalkyl)acrylic acid disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2000-206694 (preferably, having 1 to A resin having a unit derived from at least one selected from the alkyl ester of 5); As disclosed in U.S. Patent No. 6949325, an acrylic resin in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position having a sulfonamide group may be substituted with a substituent; or Polycycloolefin resin; As disclosed in U.S. Patent Publication No. 6949325, JP 2005-336452 A, and JP 2006-317803, a fluorinated alcohol is contained, and the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position is a substituent. Acrylic resins which may be substituted; polycycloolefin resins having fluorinated alcohols disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-259582, etc., are preferable because they can form a good resist pattern with little swelling.

또한, 상기 α-(하이드록시알킬)아크릴산은, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산 중, 카르복실기가 결합하는 α 위치의 탄소 원자에 수소 원자가 결합하고 있는 아크릴산과, 이 α 위치의 탄소 원자에 하이드록시알킬기 (바람직하게는 탄소수 1 ∼ 5 의 하이드록시알킬기) 가 결합하고 있는 α-하이드록시알킬아크릴산의 일방 또는 양방을 나타낸다.In addition, the α-(hydroxyalkyl) acrylic acid is an acrylic acid in which a hydrogen atom is bonded to a carbon atom at the α-position to which a carboxyl group is bonded among acrylic acids in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, One or both of the α-hydroxyalkylacrylic acids to which a hydroxyalkyl group (preferably a C1-C5 hydroxyalkyl group) is bonded to the carbon atom at the α-position is shown.

가교제 성분으로는, 예를 들어, 통상적으로는 메틸롤기 또는 알콕시메틸기를 갖는 글리콜우릴 등의 아미노계 가교제, 멜라민계 가교제 등을 사용하면, 팽윤이 적은 양호한 레지스트 패턴을 형성할 수 있어 바람직하다. 가교제 성분의 배합량은, 알칼리 가용성 수지 100 질량부에 대해 1 ∼ 50 질량부인 것이 바람직하다.As the crosslinking agent component, for example, if an amino-based crosslinking agent such as glycoluril having a methylol group or an alkoxymethyl group, a melamine-based crosslinking agent, or the like is used, a good resist pattern with little swelling can be formed. The blending amount of the crosslinking agent component is preferably 1 to 50 parts by mass per 100 parts by mass of the alkali-soluble resin.

본 태양의 레지스트 조성물이, 알칼리 현상 프로세스에 있어서 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「알칼리 현상 프로세스용 포지티브형 레지스트 조성물」 인 경우, 또는, 용제 현상 프로세스에 있어서 네거티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「용제 현상 프로세스용 네거티브형 레지스트 조성물」 인 경우, (A) 성분으로는, 바람직하게는, 산의 작용에 의해 극성이 증대하는 기재 성분 (A-1) (이하, 「(A-1) 성분」 이라고 한다) 이 사용된다. (A-1) 성분을 사용함으로써, 노광 전후로 기재 성분의 극성이 변화하기 때문에, 알칼리 현상 프로세스뿐만 아니라, 용제 현상 프로세스에 있어서도 양호한 현상 콘트라스트를 얻을 수 있다.When the resist composition of the present embodiment is a ``positive resist composition for an alkali developing process'' that forms a positive resist pattern in an alkali developing process, or a ``solvent development process that forms a negative resist pattern in a solvent developing process'' For negative resist composition”, as the component (A), preferably, the base component (A-1) whose polarity increases due to the action of an acid (hereinafter referred to as “component (A-1)”) Is used. By using the component (A-1), since the polarity of the base component changes before and after exposure, good development contrast can be obtained not only in the alkali developing process but also in the solvent developing process.

알칼리 현상 프로세스를 적용하는 경우, 그 (A-1) 성분은, 노광 전은 알칼리 현상액에 대해 난용성이며, 노광에 의해 산이 발생하면, 그 산의 작용에 의해 극성이 증대하여 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대한다. 그 때문에, 레지스트 패턴의 형성에 있어서, 당해 레지스트 조성물을 지지체 상에 도포하여 얻어지는 레지스트막에 대해 선택적으로 노광하면, 노광부는 알칼리 현상액에 대해 난용성에서 가용성으로 변화하는 한편, 미노광부는 알칼리 난용성인 채로 변화하지 않기 때문에, 알칼리 현상함으로써 포지티브형 레지스트 패턴이 형성된다.In the case of applying an alkali developing process, the component (A-1) is poorly soluble in an alkali developer before exposure, and when an acid is generated by exposure, the polarity increases due to the action of the acid and solubility in an alkali developer. This increases. Therefore, in the formation of a resist pattern, when the resist composition is selectively exposed to a resist film obtained by applying the resist composition on a support, the exposed portion changes from poorly soluble to soluble in an alkaline developer, while the unexposed portion is poorly soluble in alkali. Since it does not change, a positive resist pattern is formed by alkali development.

한편, 용제 현상 프로세스를 적용하는 경우에는, 그 (A-1) 성분은, 노광 전은 유기계 현상액에 대해 용해성이 높고, 노광에 의해 산이 발생하면, 그 산의 작용에 의해 극성이 높아져, 유기계 현상액에 대한 용해성이 감소한다. 그 때문에, 레지스트 패턴의 형성에 있어서, 당해 레지스트 조성물을 지지체 상에 도포하여 얻어지는 레지스트막에 대해 선택적으로 노광하면, 노광부는 유기계 현상액에 대해 가용성에서 난용성으로 변화하는 한편, 미노광부는 가용성인 채로 변화하지 않기 때문에, 유기계 현상액으로 현상함으로써, 노광부와 미노광부 사이에서 콘트라스트를 갖게 할 수 있어 네거티브형 레지스트 패턴이 형성된다.On the other hand, in the case of applying a solvent development process, the component (A-1) has high solubility in an organic developer before exposure, and when an acid is generated by exposure, the polarity increases due to the action of the acid, and the organic developer Solubility to is reduced. Therefore, in the formation of a resist pattern, when selectively exposing the resist film obtained by coating the resist composition on a support, the exposed portion changes from soluble to poorly soluble in an organic developer, while the unexposed portion remains soluble. Since it does not change, by developing with an organic developer, a contrast can be provided between the exposed portion and the unexposed portion, thereby forming a negative resist pattern.

본 태양의 레지스트 조성물에 사용되는 (A) 성분은, 일반식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위 (a0) 을 갖는 고분자 화합물 (A1) (이하, 「(A1) 성분」 이라고 한다) 을 포함하는 것이다.The component (A) used in the resist composition of the present embodiment contains a polymer compound (A1) having a structural unit (a0) represented by the general formula (a0-1) (hereinafter referred to as ``component (A1)''). will be.

(A) 성분으로는, 적어도 (A1) 성분이 사용되고, 그 (A1) 성분과 함께 다른 고분자 화합물 및/또는 저분자 화합물을 병용해도 된다.As the component (A), at least the component (A1) is used, and other high molecular compounds and/or low molecular compounds may be used together with the component (A1).

본 태양의 레지스트 조성물에 있어서, (A) 성분은 상기 (A-1) 성분인 것이 바람직하다. 즉, 본 태양의 레지스트 조성물은, 알칼리 현상 프로세스에 있어서 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「알칼리 현상 프로세스용 포지티브형 레지스트 조성물」, 또는, 용제 현상 프로세스에 있어서 네거티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「용제 현상 프로세스용 네거티브형 레지스트 조성물」 인 것이 바람직하다. 게다가, 그 (A-1) 성분은 (A1) 성분을 포함하는 것인 것이 바람직하다.In the resist composition of this aspect, it is preferable that the component (A) is the component (A-1). That is, the resist composition of the present embodiment is a ``positive resist composition for an alkali developing process'' that forms a positive resist pattern in an alkali developing process, or a ``solvent development process that forms a negative resist pattern in a solvent development process'' It is preferably a negative resist composition”. Moreover, it is preferable that the component (A-1) contains the component (A1).

[(A1) 성분][(A1) component]

(A1) 성분은 일반식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위 (a0) 을 갖는 고분자 화합물이다.The component (A1) is a polymer compound having a structural unit (a0) represented by General Formula (a0-1).

(구성 단위 (a0)) (Constituent unit (a0))

구성 단위 (a0) 은 하기 일반식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위이다. 레지스트 패턴 형성에 있어서, 구성 단위 (a0) 을 갖는 고분자 화합물을 베이스 수지로서 사용하는 것은 고감도화에 유효하다.The structural unit (a0) is a structural unit represented by the following general formula (a0-1). In forming a resist pattern, the use of a polymer compound having a structural unit (a0) as a base resin is effective for high sensitivity.

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112014027517001-pat00003
Figure 112014027517001-pat00003

[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기이다. Va0 은 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이다. na0 은 0 ∼ 2 의 정수이다. Ra1 및 Ra2 는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 알콕시기, 혹은 알킬티오기이거나, 또는, Ra1 과 Ra2 가 서로 결합하여, 산소 원자 (-O-) 혹은 황 원자 (-S-) 를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기, 에테르 결합, 혹은 티오에테르 결합이 되어도 된다. Ra'01 은 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 하이드록시기 부분이 보호기로 보호되어 있어도 되고 또한 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기, 염을 형성하고 있는 카르복실기, 또는 치환 옥시카르보닐기이다. 2 개 이상의 Ra'01 이 존재하는 경우, 복수의 Ra'01 은 서로 동일하거나 상이하여도 된다. X 는 할로겐 원자, 카르복실기, 알콕시카르보닐기, 아실기, 니트로기 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택되는 치환기이다. 2 개 이상의 X 가 존재하는 경우, 복수의 X 는 서로 동일하거나 상이하여도 된다. p0 은 0 ∼ 8 의 정수이다. q0 은 1 ∼ 9 의 정수이다.][In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Va 0 is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent. n a0 is an integer of 0-2. Ra 1 and Ra 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group, or an alkylthio group, or Ra 1 and Ra 2 are bonded to each other to form an oxygen atom (-O-) or a sulfur atom It may be a C1-C6 alkylene group, an ether bond, or a thioether bond which may contain (-S-). Ra' 01 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms that may have a halogen atom protected by a protecting group or may have a halogen atom, and a carboxyl group forming a salt Or a substituted oxycarbonyl group. When two or more Ra' 01 are present, a plurality of Ra' 01 may be the same as or different from each other. X is a substituent selected from the group consisting of a halogen atom, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, a nitro group, and a cyano group. When two or more Xs are present, a plurality of Xs may be the same or different from each other. p 0 is an integer of 0-8. q 0 is an integer of 1 to 9.]

상기 식 (a0-1) 중, R 에 있어서의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기가 바람직하며, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다.In the formula (a0-1), the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms in R is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, Isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, and the like.

탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기는, 상기 「R 에 있어서의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기」 의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다.The halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is a group in which some or all of the hydrogen atoms of the "alkyl group having 1 to 5 carbon atoms in R" are substituted with halogen atoms. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.

R 로는, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기가 바람직하고, 공업상 입수의 용이함에서 수소 원자 또는 메틸기가 특히 바람직하다.As R, a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a hydrogen atom or a methyl group is particularly preferable from the ease of industrial availability.

상기 식 (a0-1) 중, Va0 은 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이다.In the formula (a0-1), Va 0 is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent.

Va0 의 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기이어도 되고, 방향족 탄화수소기이어도 된다. 지방족 탄화수소기는, 방향족성을 갖지 않는 탄화수소기를 의미한다. Va0 에 있어서의 2 가의 탄화수소기로서의 지방족 탄화수소기는 포화이어도 되고, 불포화이어도 되며, 통상적으로는 포화인 것이 바람직하다.The hydrocarbon group of Va 0 may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group for Va 0 may be saturated or unsaturated, and is preferably saturated.

Va0 에 있어서의 지방족 탄화수소기로서, 보다 구체적으로는, 직사슬형 혹은 분기사슬형의 지방족 탄화수소기, 또는 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기 등을 들 수 있다.As the aliphatic hydrocarbon group for Va 0 , more specifically, a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, or an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, and the like can be mentioned.

Va0 은 치환기를 갖고 있어도 된다. 예를 들어 Va0 의 탄화수소기에 있어서의 메틸렌기 (-CH2-) 가 2 가의 기로 치환되어 있는 경우로서, Va0 의 2 가의 탄화수소기의 탄소 원자간에 에테르 결합 (-O-) 을 갖는 것을 들 수 있다. 이 경우, Va0 중에 존재하는 에테르 결합은 1 개이어도 되고 2 개이어도 된다. 또, Va0 의 탄화수소기에 있어서의 수소 원자 (-H) 가 1 가의 기로 치환되어 있는 경우로서, Va0 의 탄화수소기에 있어서의 수소 원자 (-H) 가 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기로 치환되어 있는 것을 들 수 있다. 이 경우의 Va0 으로는, -CH2CHF-, -CH(CH2CH3)CF2-, -CH(CH2CH3)C(CF3)F-, -CH(CH3)CF2- 등이 바람직하다.Va 0 may have a substituent. Include those having a case which is substituted with a divalent, ether bond between the carbon atoms of the divalent hydrocarbon group of 0 Va group (-O-) - for example, a methylene group (-CH 2) in the hydrocarbon groups Va 0 I can. In this case, the number of ether bonds present in Va 0 may be one or two. In addition, a case where the hydrogen atom (-H) in the hydrocarbon groups are substituted with 0 Va monovalent, fluorinated alkyl group with a hydrogen atom (-H) in the hydrocarbon groups of Va 0 is a fluorine atom or having 1 to 5 carbon atoms What has been substituted is mentioned. In this case, Va 0 is -CH 2 CHF-, -CH(CH 2 CH 3 )CF 2 -, -CH(CH 2 CH 3 )C(CF 3 )F-, -CH(CH 3 )CF 2 -Etc. are preferable.

상기 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하며, 1 ∼ 3 이 가장 바람직하다.The linear or branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6, still more preferably 1 to 4, and most preferably 1 to 3.

직사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하며, 구체적으로는, 메틸렌기 [-CH2-], 에틸렌기 [-(CH2)2-], 트리메틸렌기 [-(CH2)3-], 테트라메틸렌기 [-(CH2)4-], 펜타메틸렌기 [-(CH2)5-] 등을 들 수 있다.As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable, and specifically, a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [-(CH 2 ) 2 -], and a trimethylene group [-( CH 2 ) 3 -], tetramethylene group [-(CH 2 ) 4 -], pentamethylene group [-(CH 2 ) 5 -], and the like.

분기사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 분기사슬형의 알킬렌기가 바람직하며, 구체적으로는, -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기;-CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2-CH2- 등의 알킬에틸렌기;-CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기;-CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 등의 알킬알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬알킬렌기에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하다.The branched-chain aliphatic hydrocarbon group is preferably a branched-chain alkylene group, specifically, -CH(CH 3 )-, -CH(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, Alkyl methylene groups, such as -C(CH 3 )(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 )(CH 2 CH 2 CH 3 )-, -C(CH 2 CH 3 ) 2 -; -CH(CH 3 )CH 2 -, -CH(CH 3 )CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 CH 2 -, -CH(CH 2 CH 3 )CH 2 -, -C(CH 2 CH 3 ) Alkyl ethylene group, such as 2 -CH 2 -; Alkyl trimethylene group such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 -; -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 CH 2 - and the like can be mentioned alkyl groups such as alkyl groups, such as tetramethylene -, -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 CH 2. As the alkyl group in the alkylalkylene group, a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable.

상기 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기로는, 지환식 탄화수소기 (지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기), 지환식 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 지환식 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기의 도중에 개재하는 기 등을 들 수 있다. 상기 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기로는 상기와 동일한 것을 들 수 있다.As the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the above structure, an alicyclic hydrocarbon group (a group in which two hydrogen atoms have been removed from an aliphatic hydrocarbon ring), a group in which an alicyclic hydrocarbon group is bonded to the terminal of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group And groups in which the alicyclic hydrocarbon group is interposed in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group. Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group include those similar to those described above.

상기 지환식 탄화수소기는, 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다.The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.

상기 지환식 탄화수소기는, 다고리형기이어도 되고, 단고리형기이어도 된다. 단고리형의 지환식 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다.The alicyclic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. As the monocyclic alicyclic hydrocarbon group, a group in which two hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane is preferable. As the monocycloalkane, those having 3 to 6 carbon atoms are preferable, and specifically, cyclopentane, cyclohexane, etc. are mentioned.

다고리형의 지환식 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하며, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.As the polycyclic alicyclic hydrocarbon group, a group in which two hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane is preferable, and the polycycloalkane is preferably a C7 to C12 group. Specifically, adamantane, norbornane, iso Bornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, etc. are mentioned.

Va0 에 있어서의 방향족 탄화수소기는, 방향 고리를 적어도 1 개 갖는 탄화수소기이다. 이 방향 고리는, 4n +2 개의 π 전자를 갖는 고리형 공액계이면 특별히 한정되지 않으며, 단고리형이어도 되고 다고리형이어도 된다. 방향 고리의 탄소수는 5 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 20 이 보다 바람직하고, 6 ∼ 15 가 더욱 바람직하며, 6 ∼ 12 가 특히 바람직하다. 방향 고리로서, 구체적으로는 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리;상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리로서, 구체적으로는 피리딘 고리, 티오펜 고리 등을 들 수 있다.The aromatic hydrocarbon group for Va 0 is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring. This aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n + 2 π electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The number of carbon atoms in the aromatic ring is preferably 5 to 30, more preferably 5 to 20, still more preferably 6 to 15, and particularly preferably 6 to 12. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene and phenanthrene; aromatic heterocycles in which a part of carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a hetero atom. Examples of the hetero atom in the aromatic heterocycle include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. Specific examples of the aromatic heterocycle include a pyridine ring and a thiophene ring.

방향족 탄화수소기로서, 구체적으로는 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기 (아릴렌기 또는 헤테로아릴렌기);2 이상의 방향 고리를 포함하는 방향족 화합물 (예를 들어 비페닐, 플루오렌 등) 로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기;상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 (아릴기 또는 헤테로아릴기) 의 수소 원자 중 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기에 있어서의 아릴기로부터 수소 원자를 추가로 1 개 제거한 기) 등을 들 수 있다. 상기 아릴기 또는 헤테로아릴기에 결합하는 알킬렌기의 탄소수는 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하며, 1 인 것이 특히 바람직하다.As an aromatic hydrocarbon group, specifically, a group in which two hydrogen atoms have been removed from the aromatic hydrocarbon ring or the aromatic heterocyclic ring (arylene group or heteroarylene group); an aromatic compound containing two or more aromatic rings (for example, biphenyl, flue A group in which two hydrogen atoms have been removed from an orene, etc.); a group in which one of the hydrogen atoms of the group in which one hydrogen atom has been removed from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle (aryl group or heteroaryl group) is substituted with an alkylene group (example For example, one additional hydrogen atom was removed from the aryl group in the arylalkyl group such as benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, and 2-naphthylethyl group. Group) and the like. The number of carbon atoms of the alkylene group bonded to the aryl group or heteroaryl group is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.

상기 식 (a0-1) 중, na0 은 0 ∼ 2 의 정수이며, 0 또는 1 이 바람직하고, 0 이 보다 바람직하다.In said formula (a0-1), n a0 is an integer of 0-2, 0 or 1 is preferable, and 0 is more preferable.

상기 식 (a0-1) 중, Ra1 및 Ra2 는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 알콕시기, 혹은 알킬티오기이거나, 또는, Ra1 과 Ra2 가 서로 결합하여, 산소 원자 (-O-) 혹은 황 원자 (-S-) 를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기, 에테르 결합, 혹은 티오에테르 결합이 되어도 된다.In the formula (a0-1), Ra 1 and Ra 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group, or an alkylthio group, or Ra 1 and Ra 2 are bonded to each other to form oxygen It may be a C1-C6 alkylene group, an ether bond, or a thioether bond which may contain an atom (-O-) or a sulfur atom (-S-).

Ra1 및 Ra2 에 있어서의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기가 바람직하며, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다.The alkyl group having 1 to 5 carbon atoms for Ra 1 and Ra 2 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, and n -Butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, etc. are mentioned.

Ra1 및 Ra2 에 있어서의 알콕시기는, 직사슬형 또는 분기사슬형인 것이 바람직하며, 구체적으로는, 상기 Ra1 및 Ra2 에 있어서의 알킬기로서 예시한 알킬기와 산소 원자 (-O-) 가 연결된 기를 들 수 있다.The alkoxy group for Ra 1 and Ra 2 is preferably a linear or branched chain, and specifically, the alkyl group exemplified as the alkyl group for Ra 1 and Ra 2 is connected to an oxygen atom (-O-). Can be raised.

Ra1 및 Ra2 에 있어서의 알킬티오기는 탄소수 1 ∼ 4 의 것이 바람직하며, 구체적으로는, 메틸티오기, 에틸티오기, n-프로필티오기, iso-프로필티오기, n-부틸티오기, tert-부틸티오기를 들 수 있다.The alkylthio group in Ra 1 and Ra 2 preferably has 1 to 4 carbon atoms, and specifically, a methylthio group, an ethylthio group, an n-propylthio group, an iso-propylthio group, an n-butylthio group, tert-butylthio group is mentioned.

또, Ra1 및 Ra2 는, Ra1 과 Ra2 가 서로 결합하여, 산소 원자 (-O-) 혹은 황 원자 (-S-) 를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기, 에테르 결합 (-O-) 또는 티오에테르 결합 (-S-) 이 되어도 된다.In addition, in Ra 1 and Ra 2 , Ra 1 and Ra 2 are bonded to each other to include an oxygen atom (-O-) or a sulfur atom (-S-), an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, an ether bond ( -O-) or a thioether bond (-S-) may be used.

Ra1 과 Ra2 가 서로 결합하여 형성되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로필렌기, 이소프로필렌기 등을 들 수 있다. 그 알킬렌기가 산소 원자 또는 황 원자를 포함하는 경우, 그 구체예로는, 그 알킬렌기의 말단 또는 탄소 원자간에 -O- 혹은 -S- 가 개재하는 기를 들 수 있고, 예를 들어 -O-CH2-, -CH2-O-CH2-, -S-CH2-, -CH2-S-CH2- 등을 들 수 있다. Ra1 과 Ra2 가 서로 결합하여 형성되는 기로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기 또는 -O- 가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기가 더욱 바람직하며, 메틸렌기가 특히 바람직하다.As an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms formed by bonding of Ra 1 and Ra 2 to each other, a linear or branched alkylene group is preferable, and a methylene group, ethylene group, n-propylene group, isopropylene group, etc. Can be mentioned. When the alkylene group contains an oxygen atom or a sulfur atom, specific examples thereof include a group in which -O- or -S- is interposed between the terminal of the alkylene group or between carbon atoms, for example -O- CH 2 -, -CH 2 -O-CH 2 -, -S-CH 2 -, -CH 2 -S-CH 2 -, etc. are mentioned. The group formed by bonding of Ra 1 and Ra 2 to each other is preferably an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms or -O-, more preferably an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, furthermore an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms It is preferred, and a methylene group is particularly preferred.

상기 식 (a0-1) 중, Ra'01 은, 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 하이드록시기 부분이 보호기로 보호되어 있어도 되고 또한 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기, 염을 형성하고 있는 카르복실기, 또는 치환 옥시카르보닐기이다.In the above formula (a0-1), Ra' 01 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, and a hydroxy group moiety may be protected with a protecting group or having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom. It is a hydroxyalkyl group, a carboxyl group forming a salt, or a substituted oxycarbonyl group.

Ra'01 에 있어서의, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기로는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, s-부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있으며, 이들 중에서도 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기가 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기가 더욱 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 특히 바람직하며, 메틸기가 가장 바람직하다. Ra'01 의, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기가 갖고 있어도 되는 할로겐 원자로는, 예를 들어 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다. 할로겐 원자를 갖는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기로는, 예를 들어, 클로로메틸기 등의 클로로알킬기;트리플루오로메틸기, 2,2,2-트리플루오로에틸기, 펜타플루오로에틸기 등의 플루오로알킬기 (바람직하게는 탄소수 1 ∼ 3 의 플루오로알킬기) 등을 들 수 있다.Examples of the C1-C6 alkyl group for Ra' 01 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, s-butyl group, t-butyl group , A pentyl group, a hexyl group, and the like. Among these, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is more preferable, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is still more preferable, and a methyl group or an ethyl group It is particularly preferred, and a methyl group is most preferred. Examples of the halogen atom that may have an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms for Ra′ 01 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms having a halogen atom include a chloroalkyl group such as a chloromethyl group; a fluoroalkyl group such as a trifluoromethyl group, a 2,2,2-trifluoroethyl group, or a pentafluoroethyl group ( Preferably, a C1-C3 fluoroalkyl group) etc. are mentioned.

Ra'01 에 있어서의, 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기로는, 예를 들어, 하이드록시메틸기, 2-하이드록시에틸기, 1-하이드록시에틸기, 3-하이드록시프로필기, 2-하이드록시프로필기, 4-하이드록시부틸기, 6-하이드록시헥실기 등을 들 수 있다. Ra'01 의, 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기가 갖고 있어도 되는 할로겐 원자로는, 예를 들어 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다. 할로겐 원자를 갖는 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기로는, 예를 들어, 디플루오로하이드록시메틸기, 1,1-디플루오로-2-하이드록시에틸기, 2,2-디플루오로-2-하이드록시에틸기, 1,1,2,2-테트라플루오로-2-하이드록시에틸기 등을 들 수 있다. 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기 중에서도, 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 3 의 하이드록시알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 혹은 2 (바람직하게는 탄소수 1) 의 하이드록시알킬기, 또는, 탄소수 1 혹은 2 (바람직하게는 탄소수 1) 의 할로겐 원자를 갖는 하이드록시알킬기가 보다 바람직하다.Examples of the hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms in Ra′ 01 include hydroxymethyl group, 2-hydroxyethyl group, 1-hydroxyethyl group, 3-hydroxypropyl group, and 2-hydroxypropyl. Group, 4-hydroxybutyl group, 6-hydroxyhexyl group, etc. are mentioned. Examples of the halogen atom that may have a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms for Ra′ 01 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable. Examples of the hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms having a halogen atom include difluorohydroxymethyl group, 1,1-difluoro-2-hydroxyethyl group, and 2,2-difluoro-2- Hydroxyethyl group, 1,1,2,2-tetrafluoro-2-hydroxyethyl group, etc. are mentioned. Among the hydroxyalkyl groups having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydroxyalkyl group having 1 to 3 carbon atoms which may have a halogen atom is preferred, and a hydroxyalkyl group having 1 or 2 (preferably 1) carbon atoms, Alternatively, a hydroxyalkyl group having a halogen atom having 1 or 2 carbon atoms (preferably 1 carbon atom) is more preferable.

할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기의 하이드록시기 부분을 보호하는 보호기로는, 예를 들어, 메틸기, 메톡시메틸기 등의 하이드록시기를 구성하는 산소 원자와 함께 에테르 결합 또는 아세탈 결합을 형성하는 기;아세틸기, 벤조일기 등의 하이드록시기를 구성하는 산소 원자와 함께 에스테르 결합을 형성하는 기 등을 들 수 있다.As a protecting group that protects the hydroxy group portion of a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, for example, an ether bond or acetal together with an oxygen atom constituting a hydroxy group such as a methyl group or a methoxymethyl group Groups that form bonds; groups that form ester bonds together with oxygen atoms constituting hydroxy groups such as an acetyl group and a benzoyl group, etc. are mentioned.

Ra'01 에 있어서의, 염을 형성하고 있는 카르복실기 (카르복실기의 염) 로는, 알칼리 금속염, 알칼리 토금속염, 천이 금속염 등을 들 수 있다.Examples of the carboxyl group (salt of a carboxyl group) forming a salt in Ra′ 01 include alkali metal salts, alkaline earth metal salts, and transition metal salts.

Ra'01 에 있어서의, 치환 옥시카르보닐기로는, 예를 들어, 탄소수 1 ∼ 4 의 알콕시기와 카르보닐기가 결합한 알콕시카르보닐기 (구체적으로는, 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, 이소프로필옥시카르보닐기, n-프로폭시카르보닐기 등의 알킬옥시카르보닐기;비닐옥시카르보닐기, 알릴옥시카르보닐기 등의 알케닐옥시카르보닐기);시클로헥실옥시카르보닐기 등의 시클로알킬옥시카르보닐기, 페닐옥시카르보닐기 등의 아릴옥시카르보닐기 등을 들 수 있다.Examples of the substituted oxycarbonyl group for Ra′ 01 include an alkoxycarbonyl group in which an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms and a carbonyl group are bonded (specifically, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an isopropyloxycarbonyl group, n-pro Alkyloxycarbonyl groups, such as a foxycarbonyl group; Alkenyloxycarbonyl groups, such as a vinyloxycarbonyl group and an allyloxycarbonyl group); Cycloalkyloxycarbonyl groups, such as a cyclohexyloxycarbonyl group, Aryloxycarbonyl groups, such as a phenyloxycarbonyl group, etc. are mentioned.

상기 식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위에 있어서, 2 개 이상의 Ra'01 이 존재하는 경우, 복수의 Ra'01 은 서로 동일하거나 상이하여도 된다.In the structural unit represented by the above formula (a0-1), when two or more Ra' 01 are present, a plurality of Ra' 01 may be the same or different from each other.

Ra'01 은, 상기 중에서도, 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 하이드록시기 부분이 보호기로 보호되어 있어도 되고 또한 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기, 치환 옥시카르보닐기가 바람직하다.Ra' 01 is, among the above, a C1-C6 alkyl group which may have a halogen atom, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom protected by a protecting group, or substituted oxy. A carbonyl group is preferred.

할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기 중에서도, 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기, 또는, 탄소수 1 ∼ 3 의 할로겐화 알킬기가 보다 바람직하고, 메틸기, 트리플루오로메틸기가 특히 바람직하다.Among the alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is more preferable, and a methyl group and a trifluoromethyl group are particularly preferable.

하이드록시기 부분이 보호기로 보호되어 있어도 되고 또한 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기 중에서도, 하이드록시기 부분이 보호기로 보호되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 3 의 하이드록시알킬기, 또는, 하이드록시기 부분이 보호기로 보호되어 있어도 되는 할로겐 원자를 갖는 하이드록시알킬기가 바람직하고, 하이드록시메틸기, 하이드록시기 부분이 아세톡시메틸기 등의 보호기로 보호되어 있어도 되는 하이드록시메틸기가 보다 바람직하다.Among the hydroxyalkyl groups having 1 to 6 carbon atoms in which the hydroxy group moiety may be protected with a protecting group and may have a halogen atom, a hydroxyalkyl group having 1 to 3 carbon atoms in which the hydroxy group moiety may be protected with a protecting group, or, A hydroxyalkyl group having a halogen atom in which the hydroxy group portion may be protected by a protecting group is preferable, and a hydroxymethyl group in which the hydroxymethyl group and the hydroxy group portion may be protected by a protecting group such as an acetoxymethyl group is more preferable.

상기 식 (a0-1) 중, X 는, 할로겐 원자, 카르복실기, 알콕시카르보닐기, 아실기, 니트로기 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택되는 치환기이다.In the formula (a0-1), X is a substituent selected from the group consisting of a halogen atom, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, a nitro group, and a cyano group.

X 에 있어서의 할로겐 원자로는, 예를 들어 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom for X include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

X 에 있어서의 알콕시카르보닐기로는, 예를 들어 메톡시카르보닐기 등을 들 수 있다.Examples of the alkoxycarbonyl group for X include a methoxycarbonyl group.

X 에 있어서의 아실기로는, 예를 들어 아세틸기 등을 들 수 있다.As an acyl group for X, an acetyl group etc. are mentioned, for example.

상기 식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위에 있어서, 2 개 이상의 X 가 존재하는 경우, 복수의 X 는 서로 동일하거나 상이하여도 된다.In the structural unit represented by the above formula (a0-1), when two or more Xs are present, a plurality of Xs may be the same or different from each other.

X 는, 상기 중에서도, 전자 흡인성의 높음의 점에서, 할로겐 원자 (바람직하게는 불소 원자), 카르복실기, 알콕시카르보닐기 (바람직하게는 메톡시카르보닐기), 아실기 (바람직하게는 아세틸기), 시아노기, 니트로기가 바람직하고, 시아노기가 특히 바람직하다.Among the above, X is a halogen atom (preferably a fluorine atom), a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group (preferably a methoxycarbonyl group), an acyl group (preferably an acetyl group), a cyano group, from the viewpoint of a high electron withdrawing property. A nitro group is preferred, and a cyano group is particularly preferred.

상기 식 (a0-1) 중, p0 은 0 ∼ 8 의 정수이고, 바람직하게는 0 ∼ 6 의 정수이며, 더욱 바람직하게는 0 ∼ 3 의 정수이다.In said formula (a0-1), p 0 is an integer of 0-8, Preferably it is an integer of 0-6, More preferably, it is an integer of 0-3.

상기 식 (a0-1) 중, q0 은 1 ∼ 9 의 정수이고, 바람직하게는 1 ∼ 5 의 정수이며, 더욱 바람직하게는 1 또는 2 이다.In said formula (a0-1), q 0 is an integer of 1-9, Preferably it is an integer of 1-5, More preferably, it is 1 or 2.

상기 식 (a0-1) 중, Ra1 과 Ra2 가 서로 결합하고 있지 않는 경우, X 는, 6-옥사비시클로[3.2.11,5]옥탄 고리의 1 위치, 2 위치, 3 위치, 4 위치, 5 위치 또는 8 위치 중 어느 위치에 결합하고 있어도 되고, 그 중에서도 1 위치 (락톤의 α 위치) 또는 2 위치의 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하며, 그 중에서도 1 위치 (락톤의 α 위치) 의 위치에 결합하고 있는 것이 특히 바람직하다.In the above formula (a0-1), when Ra 1 and Ra 2 are not bonded to each other, X is at the 1 position, the 2 position and the 3 position of the 6-oxabicyclo[3.2.1 1,5 ]octane ring, It may be bonded to any of the 4, 5, or 8 positions, and among them, it is preferably bonded to the 1 position (the α position of the lactone) or the 2 position, and among them, the 1 position (the α position of the lactone) It is particularly preferable to bind to the position of.

또, Ra1 과 Ra2 가 서로 결합하고 있는 경우, X 는, 3-옥사트리시클로[4.2.1.04,8]노난 고리 등의 1 위치, 4 위치, 5 위치, 6 위치, 7 위치, 8 위치 또는 9 위치 등 중 어느 위치에 결합하고 있어도 되고, 그 중에서도 3-옥사트리시클로[4.2.1.04,8]노난 고리의 1 위치 혹은 9 위치 (또는 이들에 상당하는 위치) 의 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하며, 그 중에서도 1 위치 (또는 이것에 상당하는 위치;락톤의 α 위치) 의 위치에 결합하고 있는 것이 특히 바람직하다.In addition, when Ra 1 and Ra 2 are bonded to each other, X is a 3-oxatricyclo[4.2.1.0 4,8 ]nonane ring at 1 position, 4 position, 5 position, 6 position, 7 position, 8 It may be bonded to any position such as the position or the 9 position, among which 3-oxatricyclo[4.2.1.0 4,8 ] is bonded to the position 1 or 9 (or a position corresponding to these) of the nonane ring It is preferable that it exists, and it is especially preferable that it couple|bonds with the position of 1 position (or the position corresponding to this; α position of a lactone) among them.

이하에 구성 단위 (a0) 의 구체예를 나타낸다. 이하의 각 식 중, Rα 는 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다. X 는 상기 식 (a0-1) 중의 X 와 동일하다.The specific example of the structural unit (a0) is shown below. In each of the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group. X is the same as X in the above formula (a0-1).

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112014027517001-pat00004
Figure 112014027517001-pat00004

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112014027517001-pat00005
Figure 112014027517001-pat00005

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a0) 은 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.The structural unit (a0) of the component (A1) may be one or two or more.

(A1) 성분 중의 구성 단위 (a0) 의 비율은, (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대해 5 ∼ 70 몰% 인 것이 바람직하고, 10 ∼ 60 몰% 인 것이 보다 바람직하고, 10 ∼ 50 몰% 가 더욱 바람직하며, 10 ∼ 40 몰% 가 특히 바람직하다.The proportion of the structural unit (a0) in the component (A1) is preferably 5 to 70 mol%, more preferably 10 to 60 mol%, and 10 to the total of all structural units constituting the component (A1). -50 mol% is more preferable, and 10-40 mol% is particularly preferable.

구성 단위 (a0) 의 비율을 바람직한 상한값 이하로 함으로써, 높은 감도를 유지하면서, 양호한 형상의 레지스트 패턴이 얻어지기 쉽다. 한편, 바람직한 하한값 이상으로 함으로써, 감도가 높아짐과 함께, 해상성, 노광 여유도 (EL 마진) 등의 리소그래피 특성도 향상된다.By making the ratio of the structural unit (a0) less than or equal to a preferred upper limit, it is easy to obtain a resist pattern having a good shape while maintaining high sensitivity. On the other hand, by setting it as more than a preferable lower limit, while the sensitivity is raised, lithography characteristics, such as resolution and exposure margin (EL margin), are also improved.

(그 밖의 구성 단위) (Other constituent units)

(A1) 성분은 구성 단위 (a0) 에 더하여, 추가로 다른 구성 단위를 가져도 된다.In addition to the structural unit (a0), the component (A1) may further have other structural units.

그 다른 구성 단위로는, 상기 서술한 구성 단위 (a0) 으로 분류되지 않는 구성 단위이면 특별히 한정되는 것은 아니고, ArF 엑시머 레이저용, KrF 엑시머 레이저용 (바람직하게는 ArF 엑시머 레이저용) 등의 레지스트용 수지에 사용되는 것으로서 종래부터 알려져 있는 다수의 것이 사용 가능하며, 예를 들어, 이하에 나타내는 구성 단위 (a1) ∼ (a4), 노광에 의해 산을 발생하는 구성 단위 등을 들 수 있다.The other structural unit is not particularly limited as long as it is a structural unit that is not classified into the structural unit (a0) described above, and is for resists such as for ArF excimer lasers and KrF excimer lasers (preferably for ArF excimer lasers). A large number of conventionally known ones used for resins can be used, and examples thereof include structural units (a1) to (a4) shown below, structural units that generate an acid by exposure, and the like.

구성 단위 (a1):Constituent unit (a1):

본 태양의 레지스트 조성물에 있어서는, (A1) 성분이, 구성 단위 (a0) 에 더하여, 추가로 산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기를 포함하는 구성 단위 (a1) 을 갖는 것이 바람직하다.In the resist composition of the present embodiment, it is preferable that the component (A1) has a structural unit (a1) containing an acid-decomposable group whose polarity increases by the action of an acid in addition to the structural unit (a0).

본 태양의 레지스트 조성물이 구성 단위 (a0) 과 구성 단위 (a1) 을 갖는 고분자 화합물을 함유하는 경우, 그 레지스트 조성물을 사용하여 형성된 레지스트막을 노광하면, 그 레지스트막 중에서, 구성 단위 (a1) 은, 산의 작용에 의해 그 구조 중의 적어도 일부의 결합이 개열하여, 극성이 증대한다. 이와 같이, (A1) 성분은 노광 전후로 극성이 변화하기 때문에, (A1) 성분을 사용함으로써, 알칼리 현상 프로세스뿐만 아니라, 용제 현상 프로세스에 있어서도 양호한 현상 콘트라스트를 얻을 수 있다. 그리고, 본 태양의 레지스트 조성물은, 알칼리 현상 프로세스에 있어서 포지티브형이 되고, 용제 현상 프로세스에 있어서 네거티브형이 된다.When the resist composition of the present embodiment contains a polymer compound having a structural unit (a0) and a structural unit (a1), when the resist film formed using the resist composition is exposed, in the resist film, the structural unit (a1) is At least part of the bonds in the structure are cleaved by the action of the acid, and the polarity increases. In this way, since the polarity of the component (A1) changes before and after exposure, by using the component (A1), a good development contrast can be obtained not only in the alkali developing process but also in the solvent developing process. And the resist composition of this aspect becomes a positive type in an alkali developing process, and becomes a negative type in a solvent developing process.

「산 분해성기」 는, 산의 작용에 의해, 당해 산 분해성기의 구조 중의 적어도 일부의 결합이 개열할 수 있는 산 분해성을 갖는 기이다.The "acid decomposable group" is a group having acid decomposability in which at least a part of the bonds in the structure of the acid decomposable group can be cleaved by the action of an acid.

산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기로는, 예를 들어, 산의 작용에 의해 분해되어 극성기를 발생시키는 기를 들 수 있다.As an acid-decomposable group whose polarity increases by the action of an acid, for example, a group which is decomposed by the action of an acid to generate a polar group is mentioned.

극성기로는, 예를 들어 카르복실기, 수산기, 아미노기, 술포기 (-SO3H) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 구조 중에 -OH 를 함유하는 극성기 (이하, 「OH 함유 극성기」 라고 하는 경우가 있다) 가 바람직하고, 카르복실기 또는 수산기가 보다 바람직하며, 카르복실기가 특히 바람직하다.As a polar group, a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a sulfo group (-SO 3 H), etc. are mentioned, for example. Among these, a polar group containing -OH in the structure (hereinafter, sometimes referred to as "OH-containing polar group") is preferable, a carboxyl group or a hydroxyl group is more preferable, and a carboxyl group is particularly preferable.

산 분해성기로서, 보다 구체적으로는, 상기 극성기가 산 해리성기로 보호된 기 (예를 들어 OH 함유 극성기의 수소 원자를 산 해리성기로 보호한 기) 를 들 수 있다.As the acid-decomposable group, more specifically, a group in which the polar group is protected by an acid dissociable group (for example, a group in which the hydrogen atom of the OH-containing polar group is protected by an acid dissociable group) is mentioned.

여기서 「산 해리성기」 란, (i) 산의 작용에 의해, 당해 산 해리성기와 그 산 해리성기에 인접하는 원자 사이의 결합이 개열할 수 있는 산 해리성을 갖는 기, 또는, (ii) 산의 작용에 의해 일부의 결합이 개열한 후, 추가로 탈탄산 반응이 발생함으로써, 당해 산 해리성기와 그 산 해리성기에 인접하는 원자 사이의 결합이 개열할 수 있는 기의 쌍방을 말한다.Here, the term "acid dissociable group" means (i) a group having an acid dissociable property capable of cleaving a bond between the acid dissociable group and an atom adjacent to the acid dissociable group by the action of an acid, or (ii) It refers to both groups of groups capable of cleaving a bond between the acid dissociable group and an atom adjacent to the acid dissociable group by causing a decarboxylation reaction after cleavage of some of the bonds due to the action of an acid.

산 분해성기를 구성하는 산 해리성기는, 당해 산 해리성기의 해리에 의해 생성되는 극성기보다 극성이 낮은 기인 것이 필요하고, 이에 따라, 산의 작용에 의해 그 산 해리성기가 해리했을 때에, 그 산 해리성기보다 극성이 높은 극성기가 발생하여 극성이 증대한다. 그 결과, (A1) 성분 전체의 극성이 증대한다. 극성이 증대함으로써, 상대적으로 현상액에 대한 용해성이 변화하여, 현상액이 알칼리 현상액인 경우에는 용해성이 증대하고, 현상액이 유기계 현상액인 경우에는 용해성이 감소한다.The acid dissociable group constituting the acid decomposable group needs to be a group having a lower polarity than the polar group generated by dissociation of the acid dissociable group. Accordingly, when the acid dissociable group is dissociated by the action of an acid, the acid dissociation Polar groups with higher polarity than genitals occur, increasing the polarity. As a result, the polarity of the entire component (A1) increases. As the polarity increases, the solubility in the developer is relatively changed, so that the solubility increases when the developer is an alkaline developer, and the solubility decreases when the developer is an organic developer.

산 해리성기로는, 지금까지, 화학 증폭형 레지스트용의 베이스 수지의 산 해리성기로서 제안되어 있는 것을 들 수 있다.Examples of the acid dissociable group include those that have been proposed as acid dissociable groups of base resins for chemically amplified resists so far.

화학 증폭형 레지스트용의 베이스 수지의 산 해리성기로서 제안되어 있는 것으로서, 구체적으로는, 이하에 설명하는 「아세탈형 산 해리성기」, 「제 3 급 알킬에스테르형 산 해리성기」, 「제 3 급 알킬옥시카르보닐 산 해리성기」 를 들 수 있다.It is proposed as an acid dissociable group of a base resin for a chemically amplified resist, specifically, ``acetal type acid dissociable group'', ``tertiary alkyl ester type acid dissociable group'', and ``tertiary Alkyloxycarbonyl acid dissociable group" is mentioned.

·아세탈형 산 해리성기:·Acetal type acid dissociation:

상기 극성기 중 카르복실기 또는 수산기를 보호하는 산 해리성기로는, 예를 들어, 하기 일반식 (a1-r-1) 로 나타내는 산 해리성기 (이하, 「아세탈형 산 해리성기」 라고 하는 경우가 있다) 를 들 수 있다.Among the polar groups, an acid dissociable group that protects a carboxyl group or a hydroxyl group is, for example, an acid dissociable group represented by the following general formula (a1-r-1) (hereinafter sometimes referred to as an ``acetal acid dissociable group'') Can be mentioned.

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112014027517001-pat00006
Figure 112014027517001-pat00006

[식 중, Ra'1, Ra'2 는 수소 원자 또는 알킬기이고, Ra'3 은 탄화수소기로서, Ra'3 은 Ra'1, Ra'2 중 어느 것과 결합하여 고리를 형성해도 된다][In the formula, Ra' 1 and Ra' 2 are a hydrogen atom or an alkyl group, Ra' 3 is a hydrocarbon group, and Ra' 3 may be bonded to any of Ra' 1 and Ra' 2 to form a ring.]

식 (a1-r-1) 중, Ra'1 및 Ra'2 중 적어도 일방이 수소 원자인 것이 바람직하고, 양방이 수소 원자인 것이 보다 바람직하다.In formula (a1-r-1), it is preferable that at least one of Ra′ 1 and Ra′ 2 is a hydrogen atom, and more preferably both are hydrogen atoms.

Ra'1 또는 Ra'2 가 알킬기인 경우, 그 알킬기로는, 상기 α 치환 아크릴산에스테르에 대한 설명에서, α 위치의 탄소 원자에 결합해도 되는 치환기로서 예시한 알킬기와 동일한 것을 들 수 있고, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하다. 구체적으로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기를 바람직하게 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있으며, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.When Ra' 1 or Ra' 2 is an alkyl group, examples of the alkyl group include the same alkyl groups exemplified as substituents which may be bonded to the carbon atom at the α-position in the description of the α-substituted acrylate ester, and the number of carbon atoms is 1 The alkyl group of -5 is preferable. Specifically, a linear or branched alkyl group is preferably mentioned. More specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, etc. may be mentioned, and a methyl group or an ethyl group It is more preferable and a methyl group is especially preferable.

식 (a1-r-1) 중, Ra'3 의 탄화수소기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기, 고리형의 탄화수소기를 들 수 있다.In formula (a1-r-1), examples of the hydrocarbon group for Ra' 3 include a linear or branched alkyl group and a cyclic hydrocarbon group.

그 직사슬형의 알킬기는, 탄소수가 1 ∼ 5 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 4 가 보다 바람직하며, 1 또는 2 가 더욱 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸기, 에틸기 또는 n-부틸기가 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하다.The linear alkyl group preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 4, and even more preferably 1 or 2. Specifically, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n-pentyl group, etc. are mentioned. Among these, a methyl group, an ethyl group, or an n-butyl group is preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable.

그 분기사슬형의 알킬기는, 탄소수가 3 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 5 가 보다 바람직하다. 구체적으로는, 이소프로필기, 이소부틸기, tert-부틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 1,1-디에틸프로필기, 2,2-디메틸부틸기 등을 들 수 있고, 이소프로필기인 것이 바람직하다.The branched chain type alkyl group preferably has 3 to 10 carbon atoms, and more preferably 3 to 5 carbon atoms. Specifically, isopropyl group, isobutyl group, tert-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, 1,1-diethylpropyl group, 2,2-dimethylbutyl group, etc. are mentioned, and isopropyl group It is desirable.

Ra'3 이 고리형의 탄화수소기가 되는 경우, 그 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기이어도 되고 방향족 탄화수소기이어도 되며, 또, 다고리형기이어도 되고 단고리형기이어도 된다. When Ra' 3 becomes a cyclic hydrocarbon group, the hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group, and may be a polycyclic group or a monocyclic group.

단고리형기인 지방족 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는, 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다.As the aliphatic hydrocarbon group which is a monocyclic group, a group in which one hydrogen atom has been removed from a monocycloalkane is preferable. As the monocycloalkane, one having 3 to 6 carbon atoms is preferable, and specific examples thereof include cyclopentane and cyclohexane.

다고리형기인 지방족 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는, 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하며, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.As the aliphatic hydrocarbon group which is a polycyclic group, a group in which one hydrogen atom has been removed from a polycycloalkane is preferable, and as the polycycloalkane, a one having 7 to 12 carbon atoms is preferable. Specifically, adamantane, norbornane, iso Bornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, etc. are mentioned.

Ra'3 의 고리형의 탄화수소기가 방향족 탄화수소기가 되는 경우, 그 방향족 탄화수소기는 방향 고리를 적어도 1 개 갖는 탄화수소기이다.When the cyclic hydrocarbon group of Ra' 3 becomes an aromatic hydrocarbon group, the aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring.

이 방향 고리는 4n +2 개의 π 전자를 갖는 고리형 공액계이면 특별히 한정되지 않으며, 단고리형이어도 되고 다고리형이어도 된다. 방향 고리의 탄소수는 5 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 20 이 보다 바람직하고, 6 ∼ 15 가 더욱 바람직하며, 6 ∼ 12 가 특히 바람직하다. 방향 고리로서, 구체적으로는 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리;상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리로서, 구체적으로는 피리딘 고리, 티오펜 고리 등을 들 수 있다.This aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n + 2 π electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The number of carbon atoms in the aromatic ring is preferably 5 to 30, more preferably 5 to 20, still more preferably 6 to 15, and particularly preferably 6 to 12. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene and phenanthrene; aromatic heterocycles in which a part of carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a hetero atom. Examples of the hetero atom in the aromatic heterocycle include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. Specific examples of the aromatic heterocycle include a pyridine ring and a thiophene ring.

Ra'3 에 있어서의 방향족 탄화수소기로서, 구체적으로는 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 (아릴기 또는 헤테로아릴기);2 이상의 방향 고리를 포함하는 방향족 화합물 (예를 들어 비페닐, 플루오렌 등) 로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기;상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리의 수소 원자 중 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기 등) 등을 들 수 있다. 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리에 결합하는 알킬렌기의 탄소수는 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하며, 1 인 것이 특히 바람직하다.As the aromatic hydrocarbon group for Ra' 3 , specifically, a group in which one hydrogen atom has been removed from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle (aryl group or heteroaryl group); an aromatic compound containing two or more aromatic rings (Example For example, a group in which one hydrogen atom has been removed from biphenyl, fluorene, etc.); a group in which one of the hydrogen atoms of the aromatic hydrocarbon ring or the aromatic heterocycle is substituted with an alkylene group (eg, benzyl group, phenethyl group, 1 -Arylalkyl groups, such as a naphthyl methyl group, a 2-naphthyl methyl group, a 1-naphthyl ethyl group, and a 2-naphthyl ethyl group), etc. are mentioned. The number of carbon atoms of the alkylene group bonded to the aromatic hydrocarbon ring or the aromatic heterocycle is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.

Ra'3 이 Ra'1, Ra'2 중 어느 것과 결합하여 고리를 형성하는 경우, 그 고리형기로는, 4 ∼ 7 원자 고리가 바람직하고, 4 ∼ 6 원자 고리가 보다 바람직하다. 그 고리형기의 구체예로는, 테트라하이드로피라닐기, 테트라하이드로푸라닐기 등을 들 수 있다.When Ra' 3 is bonded to any of Ra' 1 and Ra' 2 to form a ring, as the cyclic group, a 4 to 7 membered ring is preferable, and a 4 to 6 membered ring is more preferable. Specific examples of the cyclic group include a tetrahydropyranyl group and a tetrahydrofuranyl group.

·제 3 급 알킬에스테르형 산 해리성기:-Tertiary alkyl ester type acid dissociable group:

상기 극성기 중, 카르복실기를 보호하는 산 해리성기로는, 예를 들어, 하기 일반식 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기를 들 수 있다. 또한, 하기 식 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기 중 알킬기에 의해 구성되는 것을, 이하, 편의상 「제 3 급 알킬에스테르형 산 해리성기」 라고 하는 경우가 있다.Among the polar groups, examples of the acid-dissociable group protecting the carboxyl group include an acid-dissociable group represented by the following general formula (a1-r-2). In addition, what is constituted by an alkyl group among the acid dissociable groups represented by the following formula (a1-r-2) is hereinafter sometimes referred to as a "tertiary alkyl ester type acid dissociable group" for convenience.

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112014027517001-pat00007
Figure 112014027517001-pat00007

[식 중, Ra'4 ∼ Ra'6 은 각각 탄화수소기로서, Ra'5, Ra'6 은 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다.][In the formula, Ra' 4 to Ra' 6 are each a hydrocarbon group, and Ra' 5 and Ra' 6 may be bonded to each other to form a ring.]

Ra'4 ∼ Ra'6 의 탄화수소기로는, 상기 Ra'3 과 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the hydrocarbon group for Ra' 4 to Ra' 6 include those similar to those of Ra' 3 .

Ra'4 는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기인 것이 바람직하다. Ra'5 와 Ra'6 이 서로 결합하여 고리를 형성하는 경우, 하기 일반식 (a1-r2-1) 로 나타내는 기를 들 수 있다. 한편, Ra'4 ∼ Ra'6 이 서로 결합하지 않고, 독립된 탄화수소기인 경우, 하기 일반식 (a1-r2-2) 로 나타내는 기를 들 수 있다.It is preferable that Ra' 4 is a C1-C5 alkyl group. When Ra' 5 and Ra' 6 are bonded to each other to form a ring, a group represented by the following general formula (a1-r2-1) is mentioned. On the other hand, when Ra' 4 to Ra' 6 are not bonded to each other and are independent hydrocarbon groups, a group represented by the following general formula (a1-r2-2) is mentioned.

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112014027517001-pat00008
Figure 112014027517001-pat00008

[식 중, Ra'10 은 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기, Ra'11 은 Ra'10 이 결합한 탄소 원자와 함께 지방족 고리형기를 형성하는 기, Ra'12 ∼ Ra'14 는 각각 독립적으로 탄화수소기를 나타낸다.][In the formula, Ra' 10 represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, Ra' 11 represents a group forming an aliphatic cyclic group together with the carbon atom to which Ra' 10 is bonded, and Ra' 12 to Ra' 14 each independently represent a hydrocarbon group. .]

식 (a1-r2-1) 중, Ra'10 의 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기는, 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기로서 예시한 기가 바람직하다. 식 (a1-r2-1) 중, Ra'11 이 Ra'10 이 결합한 탄소 원자와 함께 형성하는 지방족 고리형기는, 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 단고리형기 또는 다고리형기인 지방족 탄화수소기로서 예시한 기가 바람직하다.In the formula (a1-r2-1), the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms of Ra′ 10 is a group exemplified as a linear or branched alkyl group of Ra′ 3 in the formula (a1-r-1). desirable. In formula (a1-r2-1), the aliphatic cyclic group formed by Ra' 11 with the carbon atom to which Ra' 10 is bonded is a monocyclic group or polycyclic group of Ra' 3 in formula (a1-r-1) The group exemplified as the group aliphatic hydrocarbon group is preferable.

식 (a1-r2-2) 중, Ra'12 및 Ra'14 는 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기인 것이 바람직하고, 그 알킬기는, 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기로서 예시한 기가 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 알킬기인 것이 더욱 바람직하며, 메틸기 또는 에틸기인 것이 특히 바람직하다.In formula (a1-r2-2), Ra' 12 and Ra' 14 are each independently preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and the alkyl group is Ra' 3 in the formula (a1-r-1) The group exemplified as a linear or branched alkyl group of is more preferable, a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is still more preferable, and a methyl group or an ethyl group is particularly preferable.

식 (a1-r2-2) 중 Ra'13 은, 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 탄화수소기로서 예시된 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기, 단고리형기 또는 다고리형기인 지방족 탄화수소기인 것이 바람직하다. 이들 중에서도, Ra'3 의 단고리형기 또는 다고리형기인 지방족 탄화수소기로서 예시한 기인 것이 보다 바람직하다.Ra' 13 in formula (a1-r2-2) is a linear or branched alkyl group, monocyclic group or polycyclic group exemplified as the hydrocarbon group of Ra' 3 in formula (a1-r-1) It is preferably an aliphatic hydrocarbon group. Among these, the group exemplified as an aliphatic hydrocarbon group which is a monocyclic group or a polycyclic group of Ra′ 3 is more preferable.

상기 식 (a1-r2-1) 로 나타내는 기의 구체예를 이하에 든다. * 는 결합손을 나타낸다 (이하, 본 명세서에 있어서 동일).Specific examples of the group represented by the above formula (a1-r2-1) are given below. * Represents a bonding hand (hereinafter, the same in this specification).

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112014027517001-pat00009
Figure 112014027517001-pat00009

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112014027517001-pat00010
Figure 112014027517001-pat00010

상기 식 (a1-r2-2) 로 나타내는 기의 구체예를 이하에 든다.Specific examples of the group represented by the above formula (a1-r2-2) are given below.

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112014027517001-pat00011
Figure 112014027517001-pat00011

·제 3 급 알킬옥시카르보닐 산 해리성기:-Tertiary alkyloxycarbonyl acid dissociable group:

상기 극성기 중 수산기를 보호하는 산 해리성기로는, 예를 들어, 하기 일반식 (a1-r-3) 으로 나타내는 산 해리성기 (이하, 편의상 「제 3 급 알킬옥시카르보닐 산 해리성기」 라고 하는 경우가 있다) 를 들 수 있다.Among the polar groups, the acid dissociable group protecting the hydroxyl group is, for example, an acid dissociable group represented by the following general formula (a1-r-3) (hereinafter, referred to as ``tertiary alkyloxycarbonyl acid dissociable group'' for convenience). There are cases).

[화학식 12][Formula 12]

Figure 112014027517001-pat00012
Figure 112014027517001-pat00012

[식 중, Ra'7 ∼ Ra'9 는 각각 알킬기이다.][In the formula, Ra' 7 to Ra' 9 are each an alkyl group.]

식 (a1-r-3) 중, Ra'7 ∼ Ra'9 는 각각 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 1 ∼ 3 이 보다 바람직하다. In formula (a1-r-3), Ra' 7 to Ra' 9 are each preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and more preferably 1 to 3.

또, 각 알킬기의 합계 탄소수는 3 ∼ 7 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 5 인 것이 보다 바람직하며, 3 ∼ 4 인 것이 가장 바람직하다.Moreover, it is preferable that it is 3-7, and, as for the total carbon number of each alkyl group, it is more preferable that it is 3-5, and it is most preferable that it is 3-4.

구성 단위 (a1) 로는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위, 아크릴아미드로부터 유도되는 구성 단위, 하이드록시스티렌 혹은 하이드록시스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위의 수산기에 있어서의 수소 원자의 적어도 일부가 상기 산 분해성기를 포함하는 치환기에 의해 보호된 구성 단위, 비닐벤조산 혹은 비닐벤조산 유도체로부터 유도되는 구성 단위의 -C(=O)-OH 에 있어서의 수소 원자의 적어도 일부가 상기 산 분해성기를 포함하는 치환기에 의해 보호된 구성 단위 등을 들 수 있다.As the structural unit (a1), a structural unit derived from an acrylic acid ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, a structural unit derived from acrylamide, a structural unit derived from a hydroxystyrene or a hydroxystyrene derivative Hydrogen in -C(=O)-OH of a structural unit in which at least part of the hydrogen atoms in the hydroxyl group of the unit is protected by a substituent containing the acid decomposable group, a structural unit derived from a vinylbenzoic acid or a vinylbenzoic acid derivative And structural units in which at least part of the atoms are protected by a substituent containing the acid-decomposable group.

구성 단위 (a1) 로는, 상기 중에서도, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하다.As the structural unit (a1), among the above, a structural unit derived from an acrylic acid ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent is preferable.

이러한 구성 단위 (a1) 의 바람직한 구체예로는, 하기 일반식 (a1-1) 또는 (a1-2) 로 나타내는 구성 단위를 들 수 있다.As a preferable specific example of such a structural unit (a1), the structural unit represented by the following general formula (a1-1) or (a1-2) is mentioned.

[화학식 13][Formula 13]

Figure 112014027517001-pat00013
Figure 112014027517001-pat00013

[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기이다. Va1 은 에테르 결합을 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이고, na1 은 0 ∼ 2 이고, Ra1 은 상기 식 (a1-r-1) 또는 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기이다. Wa1 은 na2 +1 가의 탄화수소기이고, na2 는 1 ∼ 3 이고, Ra2 는 상기 식 (a1-r-1) 또는 (a1-r-3) 으로 나타내는 산 해리성기이다.][In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Va 1 is a divalent hydrocarbon group which may have an ether bond, n a1 is 0 to 2, and Ra 1 is an acid dissociable group represented by the above formula (a1-r-1) or (a1-r-2). Wa 1 is an n a2 +1 valent hydrocarbon group, n a2 is 1 to 3, and Ra 2 is an acid dissociable group represented by the above formula (a1-r-1) or (a1-r-3).]

상기 식 (a1-1) 중, R 의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기가 바람직하며, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기는, 상기 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다.In the formula (a1-1), the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of R is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl Group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, and the like. The halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is a group in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms are substituted with halogen atoms. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.

R 로는, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기가 바람직하고, 공업상 입수의 용이함에서 수소 원자 또는 메틸기가 가장 바람직하다.As R, a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a hydrogen atom or a methyl group is most preferable from the ease of industrial availability.

상기 식 (a1-1) 중, Va1 의 에테르 결합을 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기는, 상기 식 (a0-1) 중의 Va0 이 치환기로서 에테르 결합을 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기가 되는 경우와 동일하다.In the formula (a1-1), the divalent hydrocarbon group which may have an ether bond of Va 1 is the same as the case where Va 0 in the formula (a0-1) becomes a divalent hydrocarbon group that may have an ether bond as a substituent. Do.

상기 식 (a1-2) 중, Wa1 에 있어서의 na2 +1 가의 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기이어도 되고, 방향족 탄화수소기이어도 된다. 그 지방족 탄화수소기는, 방향족성을 갖지 않는 탄화수소기를 의미하며, 포화이어도 되고, 불포화이어도 되고, 통상적으로는 포화인 것이 바람직하다. 상기 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기, 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기, 혹은 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기와 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기를 조합한 기를 들 수 있다. In the formula (a1-2), the n a2 +1 valent hydrocarbon group in Wa 1 may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group that does not have aromaticity, and may be saturated or unsaturated, and is preferably saturated. As the aliphatic hydrocarbon group, a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, or a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, and an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure are combined There is one qi.

상기 na2 +1 가는 2 ∼ 4 가가 바람직하고, 2 또는 3 가가 보다 바람직하다.The n a2 +1 value is preferably 2 to 4, and more preferably 2 or 3.

이하에 상기 식 (a1-1) 로 나타내는 구성 단위의 구체예를 나타낸다. 이하의 각 식 중, Rα 는 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다.Specific examples of the structural unit represented by the formula (a1-1) are shown below. In each of the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

[화학식 14][Formula 14]

Figure 112014027517001-pat00014
Figure 112014027517001-pat00014

[화학식 15][Formula 15]

Figure 112014027517001-pat00015
Figure 112014027517001-pat00015

[화학식 16][Formula 16]

Figure 112014027517001-pat00016
Figure 112014027517001-pat00016

[화학식 17][Formula 17]

Figure 112014027517001-pat00017
Figure 112014027517001-pat00017

[화학식 18][Formula 18]

Figure 112014027517001-pat00018
Figure 112014027517001-pat00018

이하에 상기 식 (a1-2) 로 나타내는 구성 단위의 구체예를 나타낸다.Specific examples of the structural unit represented by the formula (a1-2) are shown below.

[화학식 19][Formula 19]

Figure 112014027517001-pat00019
Figure 112014027517001-pat00019

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a1) 은 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.The structural unit (a1) of the component (A1) may be one or two or more.

(A1) 성분이 구성 단위 (a1) 을 갖는 경우, (A1) 성분 중의 구성 단위 (a1) 의 비율은, (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대해 1 ∼ 50 몰% 가 바람직하고, 5 ∼ 45 몰% 가 보다 바람직하며, 5 ∼ 40 몰% 가 더욱 바람직하다.When the component (A1) has a structural unit (a1), the ratio of the structural unit (a1) in the component (A1) is preferably 1 to 50 mol% with respect to the total of all structural units constituting the component (A1), , 5 to 45 mol% is more preferable, and 5 to 40 mol% is still more preferable.

구성 단위 (a1) 의 비율을 하한값 이상으로 함으로써, 용이하게 레지스트 패턴을 얻을 수 있고, 감도, 해상성, 러프니스 개선 혹은 EL 마진 등의 리소그래피 특성도 향상된다. 또, 상한값 이하로 함으로써, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡을 수 있다.By making the ratio of the structural unit (a1) more than the lower limit, a resist pattern can be easily obtained, and lithography properties such as sensitivity, resolution, roughness improvement, or EL margin are also improved. Moreover, by setting it as below an upper limit, balance with other structural units can be achieved.

구성 단위 (a2):Constituent unit (a2):

본 태양의 레지스트 조성물에 있어서는, (A1) 성분이, 구성 단위 (a0) 및 구성 단위 (a1) 에 더하여, 추가로 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기 또는 카보네이트 함유 고리형기를 포함하는 구성 단위 (a2) (단, 상기 구성 단위 (a0) 을 제외한다) 를 갖는 것이 바람직하다.In the resist composition of the present embodiment, the component (A1) further contains a lactone-containing cyclic group, -SO 2 -containing cyclic group, or carbonate-containing cyclic group in addition to the structural unit (a0) and the structural unit (a1). It is preferable to have a structural unit (a2) (however, excluding the structural unit (a0)).

구성 단위 (a2) 의 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기 또는 카보네이트 함유 고리형기는, (A1) 성분을 레지스트막의 형성에 사용한 경우에, 레지스트막의 기판에 대한 밀착성을 높이는 데에 있어서 유효한 것이다. 또, 구성 단위 (a2) 를 가짐으로써, 알칼리 현상 프로세스에 있어서는, 현상시에, 레지스트막의 알칼리 현상액에 대한 용해성이 높아진다.The lactone-containing cyclic group, -SO 2 -containing cyclic group, or carbonate-containing cyclic group of the structural unit (a2) is effective in enhancing the adhesion of the resist film to the substrate when the component (A1) is used for formation of the resist film. will be. In addition, by having the structural unit (a2), in an alkali developing process, the solubility of the resist film in an alkali developing solution increases during development.

「락톤 함유 고리형기」 란, 그 고리 골격 중에 -O-C(=O)- 를 포함하는 고리 (락톤 고리) 를 함유하는 고리형기를 나타낸다. 락톤 고리를 첫 번째 고리로서 세어, 락톤 고리만인 경우에는 단고리형기, 추가로 다른 고리 구조를 갖는 경우에는, 그 구조에 상관없이 다고리형기라고 칭한다. 락톤 함유 고리형기는 단고리형기이어도 되고, 다고리형기이어도 된다.The "lactone-containing cyclic group" refers to a cyclic group containing a ring (lactone ring) containing -O-C(=O)- in the cyclic skeleton. The lactone ring is counted as the first ring, and when only the lactone ring is a monocyclic group, when it has a further other ring structure, it is called a polycyclic group regardless of its structure. The lactone-containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.

구성 단위 (a2) 에 있어서의 락톤 함유 고리형기로는, 특별히 한정되지 않고 임의의 것이 사용 가능하다. 구체적으로는, 하기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.The lactone-containing cyclic group in the structural unit (a2) is not particularly limited, and any one can be used. Specifically, groups represented by the following general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7) are mentioned.

[화학식 20][Formula 20]

Figure 112014027517001-pat00020
Figure 112014027517001-pat00020

[식 중, Ra'21 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, -COOR'', -OC(=O)R'', 하이드록시알킬기 또는 시아노기이고;R'' 는 수소 원자, 알킬기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이고;A'' 는 산소 원자 (-O-) 혹은 황 원자 (-S-) 를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이고, n' 는 0 ∼ 2 의 정수이며, m' 는 0 또는 1 이다.][In the formula, Ra' 21 is each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR'', -OC(=O)R'', a hydroxyalkyl group or a cyano group; R'' is a hydrogen atom, an alkyl group, a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group, or an -SO 2 -containing cyclic group; A'' is an oxygen atom (-O-) or a sulfur atom (-S-) It is an optionally C1-C5 alkylene group, an oxygen atom, or a sulfur atom, n'is an integer of 0-2, and m'is 0 or 1.]

상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 중 Ra'21 에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기가 바람직하다. 그 알킬기는, 직사슬형 또는 분기사슬형인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.In the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7), the alkyl group for Ra' 21 is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. It is preferable that the alkyl group is linear or branched. Specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, a hexyl group, and the like are mentioned. Among these, a methyl group or an ethyl group is preferable, and a methyl group is particularly preferable.

Ra'21 에 있어서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기가 바람직하다. 그 알콕시기는, 직사슬형 또는 분기사슬형인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 상기 Ra'21 에 있어서의 알킬기로서 예시한 알킬기와 산소 원자 (-O-) 가 연결된 기를 들 수 있다.The alkoxy group for Ra' 21 is preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. It is preferable that the alkoxy group is linear or branched. Specifically, a group in which an alkyl group and an oxygen atom (-O-) exemplified as the alkyl group in the above Ra′ 21 are connected is mentioned.

Ra'21 에 있어서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom for Ra' 21 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

Ra'21 에 있어서의 할로겐화 알킬기로는, 상기 Ra'21 에 있어서의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 할로겐화 알킬기로는, 불소화알킬기가 바람직하고, 특히 퍼플루오로알킬기가 바람직하다.Ra 'with a halogenated alkyl group in the 21, wherein Ra' may be a group in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group in 21 with the halogen atoms. As the halogenated alkyl group, a fluorinated alkyl group is preferable, and a perfluoroalkyl group is particularly preferable.

Ra'21 에 있어서의 -COOR'', -OC(=O)R'' 에 있어서, R'' 는 모두 수소 원자, 알킬기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이다.In -COOR'' and -OC(=O)R'' in Ra′ 21 , R'' are all hydrogen atoms, alkyl groups, lactone-containing cyclic groups, carbonate-containing cyclic groups, or -SO 2 -containing rings It's a sentence.

R'' 에 있어서의 알킬기로는, 직사슬형, 분기사슬형, 고리형 중 어느 것이어도 되고, 탄소수는 1 ∼ 15 가 바람직하다.As the alkyl group for R'', any of linear, branched and cyclic may be used, and the number of carbon atoms is preferably 1 to 15.

R'' 가 직사슬형 혹은 분기사슬형의 알킬기인 경우에는, 탄소수 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 인 것이 더욱 바람직하며, 메틸기 또는 에틸기인 것이 특히 바람직하다.When R'' is a linear or branched alkyl group, it is preferably 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, and particularly preferably a methyl group or an ethyl group.

R'' 가 고리형의 알킬기인 경우에는, 탄소수 3 ∼ 15 인 것이 바람직하고, 탄소수 4 ∼ 12 인 것이 더욱 바람직하며, 탄소수 5 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는, 불소 원자 또는 불소화알킬기로 치환되어 있어도 되고, 치환되어 있지 않아도 되는 모노시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기;비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 예시할 수 있다. 보다 구체적으로는, 시클로펜탄, 시클로헥산 등의 모노시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기;아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다.When R″ is a cyclic alkyl group, it is preferably 3 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane which may or may not be substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group; from a polycycloalkane such as a bicycloalkane, a tricycloalkane, or a tetracycloalkane. A group from which one or more hydrogen atoms have been removed can be exemplified. More specifically, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane such as cyclopentane and cyclohexane; a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane And groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from.

R'' 에 있어서의 락톤 함유 고리형기로는, 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 기와 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the lactone-containing cyclic group for R'' include the same groups as those represented by the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7).

R'' 에 있어서의 카보네이트 함유 고리형기로는, 후술하는 카보네이트 함유 고리형기와 동일하고, 구체적으로는 일반식 (ax3-r-1) ∼ (ax3-r-3) 으로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.The carbonate-containing cyclic group for R'' is the same as the carbonate-containing cyclic group described later, and specifically, groups represented by general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3) are exemplified. .

R'' 에 있어서의 -SO2- 함유 고리형기로는, 후술하는 -SO2- 함유 고리형기와 동일하고, 구체적으로는 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.-SO 2 of the R '' - containing a cyclic group, which will be described later -SO 2 - the same as that containing cyclic group, and specifically by the following formula (a5-r-1) ~ (a5-r-4) The groups represented respectively are mentioned.

Ra'21 에 있어서의 하이드록시알킬기로는, 탄소수가 1 ∼ 6 인 것이 바람직하며, 구체적으로는, 상기 Ra'21 에 있어서의 알킬기의 수소 원자의 적어도 1 개가 수산기로 치환된 기를 들 수 있다.The hydroxyalkyl group for Ra' 21 preferably has 1 to 6 carbon atoms, and specifically, a group in which at least one hydrogen atom of the alkyl group for Ra' 21 is substituted with a hydroxyl group is exemplified.

상기 일반식 (a2-r-2), (a2-r-3), (a2-r-5) 중, A'' 에 있어서의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로필렌기, 이소프로필렌기 등을 들 수 있다. 그 알킬렌기가 산소 원자 또는 황 원자를 포함하는 경우, 그 구체예로는, 상기 알킬렌기의 말단 또는 탄소 원자간에 -O- 또는 -S- 가 개재하는 기를 들 수 있으며, 예를 들어 -O-CH2-, -CH2-O-CH2-, -S-CH2-, -CH2-S-CH2- 등을 들 수 있다. A'' 로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기 또는 -O- 가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기가 보다 바람직하며, 메틸렌기가 가장 바람직하다.In the general formulas (a2-r-2), (a2-r-3) and (a2-r-5), the alkylene group having 1 to 5 carbon atoms in A'' is a linear or branched chain A type alkylene group is preferable, and a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, an isopropylene group, etc. are mentioned. When the alkylene group contains an oxygen atom or a sulfur atom, specific examples thereof include a group in which -O- or -S- is interposed between the end of the alkylene group or between carbon atoms, for example -O- CH 2 -, -CH 2 -O-CH 2 -, -S-CH 2 -, -CH 2 -S-CH 2 -, etc. are mentioned. As A", a C1-C5 alkylene group or -O- is preferable, a C1-C5 alkylene group is more preferable, and a methylene group is most preferable.

하기에 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 기의 구체예를 든다.Specific examples of the groups each represented by general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7) are given below.

[화학식 21][Formula 21]

Figure 112014027517001-pat00021
Figure 112014027517001-pat00021

[화학식 22][Formula 22]

Figure 112014027517001-pat00022
Figure 112014027517001-pat00022

「-SO2- 함유 고리형기」 란, 그 고리 골격 중에 -SO2- 를 포함하는 고리를 함유하는 고리형기를 나타내고, 구체적으로는, -SO2- 에 있어서의 황 원자 (S) 가 고리형기의 고리 골격의 일부를 형성하는 고리형기이다. 그 고리 골격 중에 -SO2- 를 포함하는 고리를 첫 번째 고리로서 세어, 그 고리만인 경우에는 단고리형기, 추가로 다른 고리 구조를 갖는 경우에는, 그 구조에 상관없이 다고리형기라고 칭한다. -SO2- 함유 고리형기는, 단고리형기이어도 되고, 다고리형기이이어도 된다."-SO 2 -containing cyclic group" refers to a cyclic group containing a ring containing -SO 2 -in the ring skeleton, and specifically, the sulfur atom (S) in -SO 2 -is a cyclic group It is a cyclic group forming part of the cyclic skeleton of. The ring containing -SO 2 -in the ring skeleton is counted as the first ring, and in the case of only the ring, it is called a monocyclic group, and in the case of having another ring structure further, it is called a polycyclic group regardless of its structure. The -SO 2 -containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.

-SO2- 함유 고리형기는, 특히, 그 고리 골격 중에 -O-SO2- 를 포함하는 고리형기, 즉 -O-SO2- 중의 -O-S- 가 고리 골격의 일부를 형성하는 술톤 (sultone) 고리를 함유하는 고리형기인 것이 바람직하다.-SO 2 -containing cyclic group is, in particular, a cyclic group containing -O-SO 2 -in its cyclic skeleton, that is, -OS- in -O-SO 2 -is a sultone forming part of the cyclic skeleton It is preferably a cyclic group containing a ring.

-SO2- 함유 고리형기로서, 보다 구체적으로는, 하기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.As the -SO 2 -containing cyclic group, more specifically, groups represented by the following general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4) are exemplified.

[화학식 23][Formula 23]

Figure 112014027517001-pat00023
Figure 112014027517001-pat00023

[식 중, Ra'51 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, -COOR'', -OC(=O)R'', 하이드록시알킬기 또는 시아노기이고;R'' 는 수소 원자, 알킬기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이고;A'' 는 산소 원자 혹은 황 원자를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이며, n' 는 0 ∼ 2 의 정수이다.][In the formula, Ra' 51 is each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR'', -OC(=O)R'', a hydroxyalkyl group or a cyano group; R'' is a hydrogen atom, an alkyl group, a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group, or an -SO 2 -containing cyclic group; A'' is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom. , An oxygen atom or a sulfur atom, and n'is an integer of 0-2.]

상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 중, A'' 는 상기 일반식 (a2-r-2), (a2-r-3), (a2-r-5) 중의 A'' 와 동일하다.In the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4), A'' is the general formula (a2-r-2), (a2-r-3), (a2-r-5) It is the same as in A''.

Ra'51 에 있어서의 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, -COOR'', -OC(=O)R'', 하이드록시알킬기로는, 각각 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 중의 Ra'21 에 대한 설명에서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.The alkyl group, alkoxy group, halogen atom, halogenated alkyl group, -COOR'', -OC(=O)R'' and hydroxyalkyl group for Ra′ 51 are each of the general formulas (a2-r-1) to The same thing as those exemplified in the description of Ra' 21 in (a2-r-7) can be mentioned.

하기에 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 기의 구체예를 든다. 식 중의 「Ac」 는 아세틸기를 나타낸다.Specific examples of the groups each represented by the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4) are given below. "Ac" in the formula represents an acetyl group.

[화학식 24][Formula 24]

Figure 112014027517001-pat00024
Figure 112014027517001-pat00024

[화학식 25][Formula 25]

Figure 112014027517001-pat00025
Figure 112014027517001-pat00025

[화학식 26][Formula 26]

Figure 112014027517001-pat00026
Figure 112014027517001-pat00026

「카보네이트 함유 고리형기」 란, 그 고리 골격 중에 -O-C(=O)-O- 를 포함하는 고리 (카보네이트 고리) 를 함유하는 고리형기를 나타낸다. 카보네이트 고리를 첫 번째 고리로서 세어, 카보네이트 고리만인 경우에는 단고리형기, 추가로 다른 고리 구조를 갖는 경우에는, 그 구조에 상관없이 다고리형기라고 칭한다. 카보네이트 함유 고리형기는, 단고리형기이어도 되고, 다고리형기이어도 된다. The "carbonate-containing cyclic group" refers to a cyclic group containing a ring (carbonate ring) containing -O-C(=O)-O- in the cyclic skeleton. The carbonate ring is counted as the first ring, and in the case of only the carbonate ring, it is referred to as a monocyclic group, and when it has a further other ring structure, it is referred to as a polycyclic group regardless of its structure. The carbonate-containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.

카보네이트 고리 함유 고리형기로는, 특별히 한정되지 않고 임의의 것이 사용 가능하다. 구체적으로는, 하기 일반식 (ax3-r-1) ∼ (ax3-r-3) 으로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.The carbonate ring-containing cyclic group is not particularly limited, and any one can be used. Specifically, groups represented by the following general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3) are exemplified.

[화학식 27][Formula 27]

Figure 112014027517001-pat00027
Figure 112014027517001-pat00027

[식 중, Ra'x31 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, -COOR'', -OC(=O)R'', 하이드록시알킬기 또는 시아노기이고;R'' 는 수소 원자, 알킬기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이고;A'' 는 산소 원자 혹은 황 원자를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이고, p' 는 0 ∼ 3 의 정수이며, q' 는 0 또는 1 이다.][In the formula, Ra' x31 Are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR``, -OC(=O)R'', a hydroxyalkyl group or a cyano group; R'' is a hydrogen atom, An alkyl group, a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group, or an -SO 2 -containing cyclic group; A'' is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, which may contain an oxygen atom or a sulfur atom, an oxygen atom or a sulfur atom , p'is an integer of 0 to 3, and q'is 0 or 1.]

상기 일반식 (ax3-r-1) ∼ (ax3-r-3) 중, A'' 는 상기 일반식 (a2-r-2), (a2-r-3), (a2-r-5) 중의 A'' 와 동일하다.In the general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3), A'' is the general formula (a2-r-2), (a2-r-3), (a2-r-5) It is the same as in A''.

Ra'31 에 있어서의 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, -COOR'', -OC(=O)R'', 하이드록시알킬기로는, 각각 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 중의 Ra'21 에 대한 설명에서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.The alkyl group, alkoxy group, halogen atom, halogenated alkyl group, -COOR'', -OC(=O)R'' and hydroxyalkyl group for Ra′ 31 are each of the general formulas (a2-r-1) to The same thing as those exemplified in the description of Ra' 21 in (a2-r-7) can be mentioned.

하기에 일반식 (ax3-r-1) ∼ (ax3-r-3) 으로 각각 나타내는 기의 구체예를 든다.Specific examples of the groups each represented by general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3) are given below.

[화학식 28][Formula 28]

Figure 112014027517001-pat00028
Figure 112014027517001-pat00028

구성 단위 (a2) 로는, 그 중에서도, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하다. As the structural unit (a2), a structural unit derived from an acrylic acid ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent is preferable.

이러한 구성 단위 (a2) 는, 하기 일반식 (a2-1) 로 나타내는 구성 단위인 것이 바람직하다.It is preferable that such a structural unit (a2) is a structural unit represented by the following general formula (a2-1).

[화학식 29][Chemical Formula 29]

Figure 112014027517001-pat00029
Figure 112014027517001-pat00029

[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기이다. Ya21 은 단결합 또는 2 가의 연결기이다. La21 은 -O-, -COO-, -CON(R')-, -OCO-, -CONHCO- 또는 -CONHCS- 이고, R' 는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. 단 La21 이 -O- 인 경우, Ya21 은 -CO- 는 되지 않는다. Ra21 은 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이다.][In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Ya 21 is a single bond or a divalent linking group. La 21 is -O-, -COO-, -CON(R')-, -OCO-, -CONHCO- or -CONHCS-, and R'represents a hydrogen atom or a methyl group. However, when La 21 is -O-, Ya 21 does not become -CO-. Ra 21 is a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group, or -SO 2 -containing cyclic group.]

식 (a2-1) 중, R 은 상기와 동일하다.In formula (a2-1), R is the same as above.

Ya21 의 2 가의 연결기로는, 특별히 한정되지 않지만, 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기, 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a divalent linking group of Ya 21 , A divalent hydrocarbon group which may have a substituent, a divalent linking group containing a hetero atom, etc. are mentioned as a preferable thing.

·치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기:・Divalent hydrocarbon group which may have a substituent:

Ya21 이 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기인 경우, 그 탄화수소기는 지방족 탄화수소기이어도 되고, 방향족 탄화수소기이어도 된다.When Ya 21 is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, the hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.

··Ya21 에 있어서의 지방족 탄화수소기-Aliphatic hydrocarbon group in Ya 21

그 지방족 탄화수소기는, 방향족성을 갖지 않는 탄화수소기를 의미한다. 그 지방족 탄화수소기는 포화이어도 되고, 불포화이어도 되며, 통상적으로는 포화인 것이 바람직하다.The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and usually saturated is preferable.

상기 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형 혹은 분기사슬형의 지방족 탄화수소기, 또는 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, or an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure.

···직사슬형 혹은 분기사슬형의 지방족 탄화수소기···Linear or branched aliphatic hydrocarbon group

그 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하며, 1 ∼ 3 이 가장 바람직하다.The linear or branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6, still more preferably 1 to 4, and most preferably 1 to 3.

직사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하며, 구체적으로는, 메틸렌기 [-CH2-], 에틸렌기 [-(CH2)2-], 트리메틸렌기 [-(CH2)3-], 테트라메틸렌기 [-(CH2)4-], 펜타메틸렌기 [-(CH2)5-] 등을 들 수 있다.As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable, and specifically, a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [-(CH 2 ) 2 -], and a trimethylene group [-( CH 2 ) 3 -], tetramethylene group [-(CH 2 ) 4 -], pentamethylene group [-(CH 2 ) 5 -], and the like.

분기사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 분기사슬형의 알킬렌기가 바람직하며, 구체적으로는, -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기;-CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2-CH2- 등의 알킬에틸렌기;-CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기;-CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 등의 알킬알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬알킬렌기에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하다.The branched-chain aliphatic hydrocarbon group is preferably a branched-chain alkylene group, specifically, -CH(CH 3 )-, -CH(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, Alkyl methylene groups, such as -C(CH 3 )(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 )(CH 2 CH 2 CH 3 )-, -C(CH 2 CH 3 ) 2 -; -CH(CH 3 )CH 2 -, -CH(CH 3 )CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 CH 2 -, -CH(CH 2 CH 3 )CH 2 -, -C(CH 2 CH 3 ) Alkyl ethylene group, such as 2 -CH 2 -; Alkyl trimethylene group such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 -; -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 CH 2 - and the like can be mentioned alkyl groups such as alkyl groups, such as tetramethylene -, -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 CH 2. As the alkyl group in the alkylalkylene group, a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable.

상기 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 갖고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 불소 원자, 불소 원자로 치환된 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기, 카르보닐기 등을 들 수 있다.The linear or branched aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and a carbonyl group substituted with a fluorine atom.

···구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기Aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure

그 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기로는, 고리 구조 중에 헤테로 원자를 포함하는 치환기를 포함해도 되는 고리형의 지방족 탄화수소기 (지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기), 상기 고리형의 지방족 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 상기 고리형의 지방족 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기의 도중에 개재하는 기 등을 들 수 있다. 상기 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기로는 상기와 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in its structure include a cyclic aliphatic hydrocarbon group (a group from which two hydrogen atoms have been removed from the aliphatic hydrocarbon ring), which may contain a substituent containing a hetero atom in the ring structure, and the cyclic aliphatic A group in which a hydrocarbon group is bonded to the terminal of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, and a group in which the cyclic aliphatic hydrocarbon group is interposed in the middle of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group may be mentioned. Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group include those similar to those described above.

고리형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.

고리형의 지방족 탄화수소기는, 다고리형기이어도 되고, 단고리형기이어도 된다. 단고리형의 지환식 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 다고리형의 지환식 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하며, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. As the monocyclic alicyclic hydrocarbon group, a group in which two hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane is preferable. As the monocycloalkane, those having 3 to 6 carbon atoms are preferable, and specifically, cyclopentane, cyclohexane, etc. are mentioned. As the polycyclic alicyclic hydrocarbon group, a group in which two hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane is preferable, and the polycycloalkane is preferably a C7 to C12 group. Specifically, adamantane, norbornane, iso Bornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, etc. are mentioned.

고리형의 지방족 탄화수소기는, 치환기를 갖고 있어도 되고, 갖고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 카르보닐기 등을 들 수 있다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and a carbonyl group.

상기 치환기로서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다.The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group.

상기 치환기로서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.As the alkoxy group as the substituent, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, tert-butoxy group is preferable, and a methoxy group And an ethoxy group are most preferable.

상기 치환기로서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom as the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

상기 치환기로서의 할로겐화 알킬기로는, 상기 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다.Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include a group in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with the halogen atoms.

고리형의 지방족 탄화수소기는, 그 고리 구조를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자를 포함하는 치환기로 치환되어도 된다. 그 헤테로 원자를 포함하는 치환기로는, -O-, -C(=O)-O-, -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O- 가 바람직하다.In the cyclic aliphatic hydrocarbon group, some of the carbon atoms constituting the ring structure may be substituted with a substituent containing a hetero atom. As the substituent containing the hetero atom, -O-, -C(=O)-O-, -S-, -S(=O) 2 -, -S(=O) 2 -O- are preferable. .

··Ya21 에 있어서의 방향족 탄화수소기· · Aromatic hydrocarbon group in Ya 21

그 방향족 탄화수소기는, 방향 고리를 적어도 1 개 갖는 탄화수소기이다. The aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring.

이 방향 고리는, 4n +2 개의 π 전자를 갖는 고리형 공액계이면 특별히 한정되지 않으며, 단고리형이어도 되고 다고리형이어도 된다. 방향 고리의 탄소수는 5 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 20 이 보다 바람직하고, 6 ∼ 15 가 더욱 바람직하며, 6 ∼ 12 가 특히 바람직하다. 단, 그 탄소수에는, 치환기에 있어서의 탄소수를 포함하지 않는 것으로 한다. 방향 고리로서, 구체적으로는 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리;상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리로서, 구체적으로는 피리딘 고리, 티오펜 고리 등을 들 수 있다. This aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n + 2 π electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The number of carbon atoms in the aromatic ring is preferably 5 to 30, more preferably 5 to 20, still more preferably 6 to 15, and particularly preferably 6 to 12. However, the carbon number does not include the number of carbon atoms in the substituent. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene and phenanthrene; aromatic heterocycles in which a part of carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a hetero atom. Examples of the hetero atom in the aromatic heterocycle include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. Specific examples of the aromatic heterocycle include a pyridine ring and a thiophene ring.

방향족 탄화수소기로서, 구체적으로는 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기 (아릴렌기 또는 헤테로 아릴렌기);2 이상의 방향 고리를 포함하는 방향족 화합물 (예를 들어 비페닐, 플루오렌 등) 로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기;상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 (아릴기 또는 헤테로아릴기) 의 수소 원자 중 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기에 있어서의 아릴기로부터 수소 원자를 추가로 1 개 제거한 기) 등을 들 수 있다. 상기 아릴기 또는 헤테로아릴기에 결합하는 알킬렌기의 탄소수는 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하며, 1 인 것이 특히 바람직하다.As an aromatic hydrocarbon group, specifically, a group in which two hydrogen atoms have been removed from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring (arylene group or heteroarylene group); an aromatic compound containing two or more aromatic rings (for example, biphenyl, flue A group in which two hydrogen atoms have been removed from an orene, etc.); a group in which one of the hydrogen atoms of the group in which one hydrogen atom has been removed from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle (aryl group or heteroaryl group) is substituted with an alkylene group For example, one additional hydrogen atom was removed from the aryl group in the arylalkyl group such as benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, and 2-naphthylethyl group. Group) and the like. The number of carbon atoms of the alkylene group bonded to the aryl group or heteroaryl group is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.

상기 방향족 탄화수소기는, 당해 방향족 탄화수소기가 갖는 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 예를 들어 당해 방향족 탄화수소기 중의 방향 고리에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 치환기로는, 예를 들어, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기 등을 들 수 있다.In the aromatic hydrocarbon group, the hydrogen atom of the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. For example, the hydrogen atom bonded to the aromatic ring in the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, and a hydroxyl group.

상기 치환기로서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다. The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group.

상기 치환기로서의 알콕시기, 할로겐 원자 및 할로겐화 알킬기로는, 상기 고리형의 지방족 탄화수소기가 갖는 수소 원자를 치환하는 치환기로서 예시한 것을 들 수 있다.Examples of the alkoxy group, halogen atom, and halogenated alkyl group as the substituent include those exemplified as a substituent for substituting a hydrogen atom possessed by the cyclic aliphatic hydrocarbon group.

·헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기:-Divalent linking group containing hetero atom:

Ya21 이 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기인 경우, 그 연결기로서 바람직한 것으로서, -O-, -C(=O)-O-, -C(=O)-, -O-C(=O)-O-, -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(=NH)- (H 는 알킬기, 아실기 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다), -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O-, 일반식 -Y21-O-Y22-, -Y21-O-, -Y21-C(=O)-O-, -C(=O)-O-Y21-, -[Y21-C(=O)-O]m''-Y22-, -Y21-O-C(=O)-Y22- 또는 -Y21-S(=O)2-O-Y22- 로 나타내는 기 [식 중, Y21 및 Y22 는 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이고, O 는 산소 원자이며, m'' 는 0 ∼ 3 의 정수이다.] 등을 들 수 있다.When Ya 21 is a divalent linking group containing a hetero atom, preferred as the linking group, -O-, -C(=O)-O-, -C(=O)-, -OC(=O)-O -, -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(=NH)- (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group), -S-, -S(= O) 2 -, -S(=O) 2 -O-, general formula -Y 21 -OY 22 -, -Y 21 -O-, -Y 21 -C(=O)-O-, -C(= O)-OY 21 -, -[Y 21 -C(=O)-O] m'' -Y 22 -, -Y 21 -OC(=O)-Y 22 -or -Y 21 -S(=O ) Group represented by 2 -OY 22- [In the formula, Y 21 and Y 22 are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, O is an oxygen atom, and m'' is an integer of 0 to 3. ] And the like.

상기 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기가 -C(=O)-NH-, -C(=O)-NH-C(=O)-, -NH-, -NH-C(=NH)- 인 경우, 그 H 는 알킬기, 아실기 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 치환기 (알킬기, 아실기 등) 는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 8 인 것이 더욱 바람직하며, 1 ∼ 5 인 것이 특히 바람직하다.The divalent linking group containing the hetero atom is -C(=O)-NH-, -C(=O)-NH-C(=O)-, -NH-, -NH-C(=NH)- In the case, the H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group. The substituent (alkyl group, acyl group, etc.) preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8, and particularly preferably 1 to 5.

일반식 -Y21-O-Y22-, -Y21-O-, -Y21-C(=O)-O-, -C(=O)-O-Y21-, -[Y21-C(=O)-O]m''-Y22-, -Y21-O-C(=O)-Y22- 또는 -Y21-S(=O)2-O-Y22- 중, Y21 및 Y22 는 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이다. 그 2 가의 탄화수소기로는, 상기 2 가의 연결기로서의 설명에서 예시한 (치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기) 와 동일한 것을 들 수 있다.General formula -Y 21 -OY 22 -, -Y 21 -O-, -Y 21 -C(=O)-O-, -C(=O)-OY 21 -, -[Y 21 -C(=O )-O] m'' -Y 22 -, -Y 21 -OC(=O)-Y 22 -or -Y 21 -S(=O) 2 -OY 22 -, Y 21 and Y 22 are each independently It is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent. Examples of the divalent hydrocarbon group include those similar to the (divalent hydrocarbon group which may have a substituent) exemplified in the description as the above divalent linking group.

Y21 로는, 직사슬형의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 직사슬형의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬렌기가 더욱 바람직하며, 메틸렌기 또는 에틸렌기가 특히 바람직하다.As Y 21 , a linear aliphatic hydrocarbon group is preferable, a linear alkylene group is more preferable, a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is still more preferable, and a methylene group or an ethylene group is particularly preferable.

Y22 로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기 또는 알킬메틸렌기가 보다 바람직하다. 그 알킬메틸렌기에 있어서의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 의 직사슬형의 알킬기가 보다 바람직하며, 메틸기가 가장 바람직하다.As Y 22 , a linear or branched aliphatic hydrocarbon group is preferable, and a methylene group, an ethylene group, or an alkylmethylene group is more preferable. The alkyl group in the alkylmethylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and most preferably a methyl group.

식 -[Y21-C(=O)-O]m''-Y22- 로 나타내는 기에 있어서, m'' 는 0 ∼ 3 의 정수이며, 0 ∼ 2 의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1 이 보다 바람직하고, 1 이 특히 바람직하다. 즉, 식 -[Y21-C(=O)-O]m''-Y22- 로 나타내는 기로는, 식 -Y21-C(=O)-O-Y22- 로 나타내는 기가 특히 바람직하다. 그 중에서도, 식 -(CH2)a'-C(=O)-O-(CH2)b'- 로 나타내는 기가 바람직하다. 그 식 중, a' 는 1 ∼ 10 의 정수이며, 1 ∼ 8 의 정수가 바람직하고, 1 ∼ 5 의 정수가 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 더욱 바람직하고, 1 이 가장 바람직하다. b' 는 1 ∼ 10 의 정수이며, 1 ∼ 8 의 정수가 바람직하고, 1 ∼ 5 의 정수가 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 더욱 바람직하고, 1 이 가장 바람직하다.In the group represented by the formula -[Y 21 -C(=O)-O] m'' -Y 22 -, m'' is an integer of 0 to 3, preferably an integer of 0 to 2, and 0 or 1 is It is more preferable and 1 is especially preferable. That is, as a group represented by the formula -[Y 21 -C(=O)-O] m" -Y 22 -, a group represented by the formula -Y 21 -C(=O)-OY 22 -is particularly preferable. Among them, a group represented by the formula -(CH 2 ) a'- C(=O)-O-(CH 2 ) b' -is preferable. In the formula, a'is an integer of 1 to 10, an integer of 1 to 8 is preferable, an integer of 1 to 5 is more preferable, 1 or 2 is still more preferable, and 1 is most preferable. b'is an integer of 1-10, the integer of 1-8 is preferable, the integer of 1-5 is more preferable, 1 or 2 is still more preferable, and 1 is the most preferable.

Ya21 로는, 단결합, 에스테르 결합 [-C(=O)-O-], 에테르 결합 (-O-), 직사슬형 혹은 분기사슬형의 알킬렌기, 또는 이들의 조합인 것이 바람직하다.Ya 21 is preferably a single bond, an ester bond [-C(=O)-O-], an ether bond (-O-), a linear or branched alkylene group, or a combination thereof.

상기 식 (a2-1) 중, Ra21 은 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기 또는 카보네이트 함유 고리형기이다.In the formula (a2-1), Ra 21 is a lactone-containing cyclic group, an -SO 2 -containing cyclic group, or a carbonate-containing cyclic group.

Ra21 에 있어서의 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기로는, 각각, 전술한 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 기, 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 기, 일반식 (ax3-r-1) ∼ (ax3-r-3) 으로 각각 나타내는 기를 바람직하게 들 수 있다.As the lactone-containing cyclic group, -SO 2 -containing cyclic group, and carbonate-containing cyclic group in Ra 21 , respectively, groups represented by the aforementioned general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7) , Groups each represented by general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4), and groups each represented by general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3) are preferably mentioned.

그 중에서도, 락톤 함유 고리형기 또는 -SO2- 함유 고리형기가 바람직하고, 상기 일반식 (a2-r-1), (a2-r-2) 또는 (a5-r-1) 로 각각 나타내는 기가 보다 바람직하다. 구체적으로는, 상기 화학식 (r-lc-1-1) ∼ (r-lc-1-7), (r-lc-2-1) ∼ (r-lc-2-18), (r-sl-1-1), (r-sl-1-18) 로 각각 나타내는, 어느 기가 보다 바람직하다.Among them, a lactone-containing cyclic group or an -SO 2 -containing cyclic group is preferable, and a group represented by the general formula (a2-r-1), (a2-r-2) or (a5-r-1) is more desirable. Specifically, the above formulas (r-lc-1-1) to (r-lc-1-7), (r-lc-2-1) to (r-lc-2-18), (r-sl Any group represented by -1-1) and (r-sl-1-18) is more preferable.

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a2) 는 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.The structural unit (a2) of the component (A1) may be one or two or more.

(A1) 성분이 구성 단위 (a2) 를 갖는 경우, 구성 단위 (a2) 의 비율은, 당해 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대해 1 ∼ 80 몰% 인 것이 바람직하고, 10 ∼ 70 몰% 인 것이 보다 바람직하고, 10 ∼ 65 몰% 인 것이 더욱 바람직하며, 10 ∼ 60 몰% 가 특히 바람직하다.When the component (A1) has a structural unit (a2), the proportion of the structural unit (a2) is preferably 1 to 80 mol% with respect to the total of all the structural units constituting the component (A1), and 10 to It is more preferable that it is 70 mol%, it is more preferable that it is 10 to 65 mol%, and 10-60 mol% is especially preferable.

구성 단위 (a2) 의 비율을 바람직한 하한값 이상으로 함으로써, 구성 단위 (a2) 를 함유시키는 것에 의한 효과가 충분히 얻어지고, 한편, 바람직한 상한값 이하로 함으로써, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡을 수 있어, 각종 리소그래피 특성 및 패턴 형상이 양호해진다.By making the ratio of the structural unit (a2) more than a preferable lower limit, the effect of containing the constitutional unit (a2) is sufficiently obtained. On the other hand, by making the ratio of the constitutional unit (a2) or less, the balance with other constitutional units can be achieved, and various The lithography characteristics and pattern shape become good.

구성 단위 (a3):Constituent unit (a3):

구성 단위 (a3) 은, 극성기 함유 지방족 탄화수소기를 포함하는 구성 단위 (단, 상기 서술한 구성 단위 (a0), (a1) 또는 (a2) 중 어느 것에 해당하는 것을 제외한다) 이다.The structural unit (a3) is a structural unit containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group (however, except for those corresponding to any of the structural units (a0), (a1) or (a2) described above).

(A1) 성분이 구성 단위 (a3) 을 가짐으로써, (A) 성분의 친수성이 높아져, 해상성의 향상에 기여한다.When the component (A1) has the structural unit (a3), the hydrophilicity of the component (A) increases, and it contributes to the improvement of resolution.

극성기로는, 수산기, 시아노기, 카르복실기, 알킬기의 수소 원자의 일부가 불소 원자로 치환된 하이드록시알킬기 등을 들 수 있으며, 특히 수산기가 바람직하다. Examples of the polar group include a hydroxyl group, a cyano group, a carboxyl group, and a hydroxyalkyl group in which a part of the hydrogen atom of the alkyl group is substituted with a fluorine atom, and a hydroxyl group is particularly preferable.

지방족 탄화수소기로는, 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 탄화수소기 (바람직하게는 알킬렌기) 나, 고리형의 지방족 탄화수소기 (고리형기) 를 들 수 있다. 그 고리형기로는, 단고리형기이어도 되고 다고리형기이어도 되며, 예를 들어 ArF 엑시머 레이저용 레지스트 조성물용 수지에 있어서, 다수 제안되어 있는 것 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 그 고리형기로는 다고리형기인 것이 바람직하고, 탄소수는 7 ∼ 30 인 것이 보다 바람직하다. Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a C 1 to C 10 linear or branched hydrocarbon group (preferably an alkylene group) or a cyclic aliphatic hydrocarbon group (cyclic group). The cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group, and for example, in resins for resist compositions for ArF excimer lasers, it can be appropriately selected and used from among many proposed ones. The cyclic group is preferably a polycyclic group, and more preferably 7 to 30 carbon atoms.

그 중에서도, 수산기, 시아노기, 카르복실기, 또는 알킬기의 수소 원자의 일부가 불소 원자로 치환된 하이드록시알킬기를 함유하는 지방족 다고리형기를 포함하는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 보다 바람직하다. 그 다고리형기로는, 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 예시할 수 있다. 구체적으로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다. 이들 다고리형기 중에서도, 아다만탄으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기, 노르보르난으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기, 테트라시클로도데칸으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 공업상 바람직하다.Among them, a structural unit derived from an acrylic acid ester containing an aliphatic polycyclic group containing a hydroxyalkyl group in which a hydroxyl group, a cyano group, a carboxyl group, or a part of the hydrogen atom of the alkyl group is substituted with a fluorine atom is more preferable. Examples of the polycyclic group include a group in which two or more hydrogen atoms have been removed from a bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, or the like. Specifically, a group in which two or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane may be mentioned. Among these polycyclic groups, a group in which two or more hydrogen atoms have been removed from adamantane, a group in which two or more hydrogen atoms have been removed from norbornane, and a group in which two or more hydrogen atoms have been removed from tetracyclododecane are industrially preferable.

구성 단위 (a3) 으로는, 극성기 함유 지방족 탄화수소기를 포함하는 것이면 특별히 한정되지 않고 임의의 것이 사용 가능하다.The structural unit (a3) is not particularly limited as long as it contains a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group, and any one can be used.

구성 단위 (a3) 으로는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위로서 극성기 함유 지방족 탄화수소기를 포함하는 구성 단위가 바람직하다.As the structural unit (a3), a structural unit derived from an acrylic acid ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent is preferably a structural unit containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group.

구성 단위 (a3) 으로는, 극성기 함유 지방족 탄화수소기에 있어서의 탄화수소기가 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 탄화수소기일 때에는, 아크릴산의 하이드록시에틸에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하고, 그 탄화수소기가 다고리형기일 때에는, 하기의 식 (a3-1) 로 나타내는 구성 단위, 식 (a3-2) 로 나타내는 구성 단위, 식 (a3-3) 으로 나타내는 구성 단위를 바람직한 것으로서 들 수 있다.As the structural unit (a3), when the hydrocarbon group in the polar group-containing aliphatic hydrocarbon group is a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, a structural unit derived from hydroxyethyl ester of acrylic acid is preferable, and When the hydrocarbon group is a polycyclic group, the structural unit represented by the following formula (a3-1), the structural unit represented by the formula (a3-2), and the structural unit represented by the formula (a3-3) are mentioned as preferable examples.

[화학식 30][Formula 30]

Figure 112014027517001-pat00030
Figure 112014027517001-pat00030

[식 중, R 은 상기와 동일하고, j 는 1 ∼ 3 의 정수이고, k 는 1 ∼ 3 의 정수이고, t' 는 1 ∼ 3 의 정수이고, l 은 1 ∼ 5 의 정수이며, s 는 1 ∼ 3 의 정수이다.][In the formula, R is the same as above, j is an integer of 1 to 3, k is an integer of 1 to 3, t'is an integer of 1 to 3, l is an integer of 1 to 5, and s is It is an integer of 1-3.]

식 (a3-1) 중, j 는 1 또는 2 인 것이 바람직하고, 1 인 것이 더욱 바람직하다. j 가 2 인 경우, 수산기가 아다만틸기의 3 위치와 5 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다. j 가 1 인 경우, 수산기가 아다만틸기의 3 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.In formula (a3-1), it is preferable that j is 1 or 2, and it is more preferable that it is 1. When j is 2, it is preferable that the hydroxyl group is bonded to the 3rd and 5th positions of the adamantyl group. When j is 1, it is preferable that the hydroxyl group is bonded to the 3-position of the adamantyl group.

j 는 1 인 것이 바람직하고, 수산기가 아다만틸기의 3 위치에 결합하고 있는 것이 특히 바람직하다.It is preferable that j is 1, and it is particularly preferable that the hydroxyl group is bonded to the 3-position of the adamantyl group.

식 (a3-2) 중, k 는 1 인 것이 바람직하다. 시아노기는 노르보르닐기의 5 위치 또는 6 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.In formula (a3-2), it is preferable that k is 1. It is preferable that the cyano group is bonded to the 5 or 6 position of the norbornyl group.

식 (a3-3) 중, t' 는 1 인 것이 바람직하다. l 은 1 인 것이 바람직하다. s 는 1 인 것이 바람직하다. 이들은, 아크릴산의 카르복실기의 말단에, 2-노르보르닐기 또는 3-노르보르닐기가 결합하고 있는 것이 바람직하다. 불소화알킬알코올은, 노르보르닐기의 5 또는 6 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.In formula (a3-3), it is preferable that t'is 1. It is preferable that l is 1. It is preferable that s is 1. It is preferable that a 2-norbornyl group or a 3-norbornyl group is bonded to the terminal of these carboxyl groups of acrylic acid. It is preferable that the fluorinated alkyl alcohol is bonded to the 5 or 6 position of the norbornyl group.

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a3) 은 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.The structural unit (a3) of the component (A1) may be one or two or more.

(A1) 성분이 구성 단위 (a3) 을 갖는 경우, 당해 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대해 5 ∼ 50 몰% 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 40 몰% 가 보다 바람직하며, 5 ∼ 35 몰% 가 더욱 바람직하다.When the component (A1) has a structural unit (a3), it is preferably 5 to 50 mol%, more preferably 5 to 40 mol%, and 5 to the total of all the structural units constituting the component (A1). -35 mol% is more preferable.

구성 단위 (a3) 의 비율을 바람직한 하한값 이상으로 함으로써, 구성 단위 (a3) 을 함유시키는 것에 의한 효과가 충분히 얻어지고, 한편, 바람직한 상한값 이하로 함으로써, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡기 쉬워진다.By making the ratio of the structural unit (a3) more than a preferable lower limit, the effect of containing the constitutional unit (a3) is sufficiently obtained, and on the other hand, by making it less than or equal to a preferable upper limit, it becomes easy to balance with other constitutional units.

구성 단위 (a4):Constituent unit (a4):

구성 단위 (a4) 는 산 비해리성의 지방족 고리형기를 포함하는 구성 단위이다.The structural unit (a4) is a structural unit containing an acid non-dissociable aliphatic cyclic group.

(A1) 성분이 구성 단위 (a4) 를 가짐으로써, 형성되는 레지스트 패턴의 드라이 에칭 내성이 향상된다. 또, (A) 성분의 소수성이 높아진다. 소수성의 향상은, 특히 용제 현상 프로세스의 경우에, 해상성, 레지스트 패턴 형상 등의 향상에 기여하는 것으로 생각된다.When the component (A1) has the structural unit (a4), the dry etching resistance of the formed resist pattern is improved. Moreover, the hydrophobicity of the component (A) increases. It is considered that the improvement of hydrophobicity contributes to improvement of resolution, resist pattern shape, etc., especially in the case of a solvent developing process.

구성 단위 (a4) 에 있어서의 「산 비해리성 고리형기」 는, 노광에 의해 당해 레지스트 조성물 중에 산이 발생했을 때 (예를 들어, 후술하는 (B) 성분으로부터 산이 발생했을 때) 에, 그 산이 작용해도 해리하지 않고 그대로 당해 구성 단위 중에 남는 고리형기이다.The "acid non-dissociable cyclic group" in the structural unit (a4) is when an acid is generated in the resist composition by exposure (for example, when an acid is generated from the component (B) described below), the acid acts. Even if it does not dissociate, it is a cyclic group which remains in the said structural unit as it is.

구성 단위 (a4) 로는, 예를 들어 산 비해리성의 지방족 고리형기를 포함하는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위 등이 바람직하다. 그 고리형기는, ArF 엑시머 레이저용, KrF 엑시머 레이저용 (바람직하게는 ArF 엑시머 레이저용) 등의 레지스트 조성물의 수지 성분에 사용되는 것으로서 종래부터 알려져 있는 다수의 것이 사용 가능하다.As the structural unit (a4), for example, a structural unit derived from an acrylic acid ester containing an acid non-dissociable aliphatic cyclic group, etc. are preferable. The cyclic group is used for a resin component of a resist composition such as an ArF excimer laser or a KrF excimer laser (preferably for an ArF excimer laser), and many conventionally known ones can be used.

특히 트리시클로데실기, 아다만틸기, 테트라시클로도데실기, 이소보르닐기, 노르보르닐기에서 선택되는 적어도 1 종이면, 공업상 입수하기 쉬운 등의 점에서 바람직하다. 이들 다고리형기는 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기를 치환기로서 갖고 있어도 된다.Particularly, if at least one species selected from tricyclodecyl group, adamantyl group, tetracyclododecyl group, isobornyl group, and norbornyl group is preferred, it is easy to obtain industrially. These polycyclic groups may have a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as a substituent.

구성 단위 (a4) 로서, 구체적으로는 하기 일반식 (a4-1) ∼ (a4-7) 로 각각 나타내는 구성 단위를 예시할 수 있다.As the structural unit (a4), the structural units respectively represented by the following general formulas (a4-1) to (a4-7) can be illustrated.

[화학식 31][Formula 31]

Figure 112014027517001-pat00031
Figure 112014027517001-pat00031

[식 중, Rα 는 상기와 동일하다.][In the formula, R α is the same as above.]

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a4) 는 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.The structural unit (a4) of the component (A1) may be one or two or more.

(A1) 성분이 구성 단위 (a4) 를 갖는 경우, 구성 단위 (a4) 의 비율은, 그 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대해 1 ∼ 30 몰% 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 20 몰% 가 보다 바람직하다.When the component (A1) has a structural unit (a4), the proportion of the structural unit (a4) is preferably 1 to 30 mol% with respect to the total of all structural units constituting the component (A1), and 3 to 20 mol% is more preferable.

구성 단위 (a4) 의 비율을 바람직한 하한값 이상으로 함으로써, 구성 단위 (a4) 를 함유시키는 것에 의한 효과가 충분히 얻어지고, 한편, 바람직한 상한값 이하로 함으로써, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡기 쉬워진다.By making the ratio of the structural unit (a4) more than a preferable lower limit, the effect of containing the constitutional unit (a4) is sufficiently obtained, and on the other hand, by making it less than or equal to a preferable upper limit, it becomes easy to balance with other constitutional units.

본 태양의 레지스트 조성물에 있어서, (A) 성분은, 구성 단위 (a0) 을 갖는 고분자 화합물 (A1) 을 포함하는 것이며, 그 (A1) 성분으로서, 구체적으로는 구성 단위 (a0) 과 구성 단위 (a1) 과 구성 단위 (a2) 의 반복 구조로 이루어지는 고분자 화합물 등을 예시할 수 있다.In the resist composition of the present embodiment, the component (A) contains a polymer compound (A1) having a structural unit (a0), and as the component (A1), specifically, the structural unit (a0) and the structural unit ( A polymer compound etc. which consist of a repeating structure of a1) and a structural unit (a2) can be illustrated.

(A1) 성분의 질량 평균 분자량 (Mw) (겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의한 폴리스티렌 환산 기준) 은 특별히 한정되는 것은 아니고, 1000 ∼ 50000 이 바람직하고, 1500 ∼ 30000 이 보다 바람직하며, 2000 ∼ 20000 이 가장 바람직하다.The mass average molecular weight (Mw) (based on polystyrene conversion by gel permeation chromatography (GPC)) of the component (A1) is not particularly limited, and is preferably 1000 to 50000, more preferably 1500 to 30000, and 2000 to 20000 is most preferred.

(A1) 성분의 Mw 가 이 범위의 바람직한 상한값 이하이면, 레지스트로서 사용하는 데에 충분한 레지스트 용제에 대한 용해성이 있고, 이 범위의 바람직한 하한값 이상이면, 내드라이 에칭성이나 레지스트 패턴 단면 형상이 양호하다.If the Mw of the component (A1) is less than or equal to the preferred upper limit of this range, there is sufficient solubility in a resist solvent for use as a resist, and if it is greater than or equal to the preferred lower limit of this range, the dry etching resistance and resist pattern cross-sectional shape are good. .

(A1) 성분의 분산도 (Mw/Mn) 는, 특별히 한정되지 않고, 1.0 ∼ 5.0 이 바람직하고, 1.0 ∼ 4.0 이 보다 바람직하며, 1.0 ∼ 3.0 이 가장 바람직하다. 또한, Mn 은 수평균 분자량을 나타낸다.The dispersion degree (Mw/Mn) of the component (A1) is not particularly limited, and is preferably 1.0 to 5.0, more preferably 1.0 to 4.0, and most preferably 1.0 to 3.0. In addition, Mn represents a number average molecular weight.

(A1) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.(A1) component may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

(A) 성분 중의 (A1) 성분의 비율은, (A) 성분의 총질량에 대해, 25 질량% 이상이 바람직하고, 50 질량% 이상이 보다 바람직하고, 75 질량% 이상이 더욱 바람직하며, 100 질량% 이어도 된다. 그 비율이 25 질량% 이상이면, 고감도화나, 러프니스 개선 등의 각종 리소그래피 특성이 우수한 레지스트 패턴이 형성되기 쉬워진다.The ratio of the component (A1) in the component (A) is preferably 25% by mass or more, more preferably 50% by mass or more, even more preferably 75% by mass or more, and 100 with respect to the total mass of the component (A). It may be mass%. When the ratio is 25% by mass or more, it becomes easy to form a resist pattern excellent in various lithographic properties such as high sensitivity and improved roughness.

본 태양의 레지스트 조성물은, (A) 성분으로서, 상기 (A1) 성분에 해당하지 않는, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분 (이하, 「(A2) 성분」 이라고 한다) 을 병용해도 된다.In the resist composition of the present embodiment, as a component (A), a base component that does not correspond to the component (A1) and whose solubility in a developer is changed by the action of an acid (hereinafter referred to as "component (A2)") is used. You may use it together.

(A2) 성분으로는, 특별히 한정되지 않고, 화학 증폭형 레지스트 조성물용 기재 성분으로서 종래부터 알려져 있는 다수의 것 (예를 들어 ArF 엑시머 레이저용, KrF 엑시머 레이저용 (바람직하게는 ArF 엑시머 레이저용) 등의 베이스 수지) 에서 임의로 선택하여 사용하면 된다. (A2) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The component (A2) is not particularly limited, and a number of those conventionally known as substrate components for chemically amplified resist compositions (e.g., for ArF excimer lasers and KrF excimer lasers (preferably for ArF excimer lasers) And the like base resin). Component (A2) may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

본 태양의 레지스트 조성물에 있어서, (A) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.In the resist composition of the present embodiment, the component (A) may be used alone or in combination of two or more.

본 태양의 레지스트 조성물 중 (A) 성분의 함유량은, 형성하고자 하는 레지스트막 두께 등에 따라 조정하면 된다.The content of the component (A) in the resist composition of the present embodiment may be adjusted according to the thickness of the resist film to be formed.

<(B) 성분><(B) component>

(B) 성분은 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분이다.The component (B) is an acid generator component that generates an acid by exposure.

[(B1) 성분][(B1) component]

본 태양의 레지스트 조성물에 사용되는 (B) 성분은, 일반식 (b1) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 산 발생제 (B1) (이하, 「(B1) 성분」 이라고 한다) 을 포함하는 것이다.The component (B) used in the resist composition of the present embodiment includes an acid generator (B1) composed of a compound represented by the general formula (b1) (hereinafter referred to as "component (B1)").

[화학식 32][Formula 32]

Figure 112014027517001-pat00032
Figure 112014027517001-pat00032

[식 중, R101 은 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다. q'' 는 1 ∼ 20 의 정수이다. m 은 1 이상의 정수로서, Mm 는 m 가의 유기 카티온이다.][In the formula, R 101 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent. q'' is an integer of 1-20. m is an integer of 1 or more, and M m + is an m-valent organic cation.]

(B1) 성분의 아니온부:Anion part of component (B1):

상기 식 (b1) 중, R101 은 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다.In the above formula (b1), R 101 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent.

치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기:Cyclic group which may have a substituent:

그 고리형기는, 고리형의 탄화수소기인 것이 바람직하고, 그 고리형의 탄화수소기는 방향족 탄화수소기이어도 되고, 지방족 탄화수소기이어도 된다. 지방족 탄화수소기는 방향족성을 갖지 않는 탄화수소기를 의미한다. 또, 지방족 탄화수소기는 포화이어도 되고, 불포화이어도 되며, 통상적으로는 포화인 것이 바람직하다.The cyclic group is preferably a cyclic hydrocarbon group, and the cyclic hydrocarbon group may be an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity. Moreover, the aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and it is preferable that it is usually saturated.

R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기는 방향 고리를 갖는 탄화수소기이다. 그 방향족 탄화수소기의 탄소수는 3 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 30 인 것이 보다 바람직하고, 5 ∼ 20 이 더욱 바람직하고, 6 ∼ 15 가 특히 바람직하며, 6 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 단, 그 탄소수에는, 치환기에 있어서의 탄소수를 포함하지 않는 것으로 한다.The aromatic hydrocarbon group for R 101 is a hydrocarbon group having an aromatic ring. The number of carbon atoms in the aromatic hydrocarbon group is preferably 3 to 30, more preferably 5 to 30, still more preferably 5 to 20, particularly preferably 6 to 15, and most preferably 6 to 10. However, the carbon number does not include the number of carbon atoms in the substituent.

R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기가 갖는 방향 고리로서, 구체적으로는 벤젠, 플루오렌, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 비페닐, 또는 이들의 방향 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.As the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group for R 101 , specifically, benzene, fluorene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, biphenyl, or aromatic heteroatoms in which some of the carbon atoms constituting these aromatic rings are substituted with hetero atoms. Rings, etc. are mentioned. Examples of the hetero atom in the aromatic heterocycle include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom.

R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기로서, 구체적으로는 상기 방향 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 (아릴기:예를 들어, 페닐기, 나프틸기 등), 상기 방향 고리의 수소 원자 중 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기 등) 등을 들 수 있다. 상기 알킬렌기 (아릴알킬기 중의 알킬 사슬) 의 탄소수는 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하며, 1 인 것이 특히 바람직하다.As the aromatic hydrocarbon group for R 101 , specifically, a group in which one hydrogen atom has been removed from the aromatic ring (aryl group: for example, a phenyl group, a naphthyl group, etc.), and one of the hydrogen atoms of the aromatic ring is alkylene. A group substituted with a group (for example, an arylalkyl group such as a benzyl group, a phenethyl group, a 1-naphthylmethyl group, a 2-naphthylmethyl group, a 1-naphthylethyl group, and a 2-naphthylethyl group, etc.) etc. are mentioned. The number of carbon atoms in the alkylene group (alkyl chain in the arylalkyl group) is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.

R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기는, 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기를 들 수 있다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101 includes an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure.

이 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기로는, 지환식 탄화수소기 (지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기), 지환식 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 지환식 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기의 도중에 개재하는 기 등을 들 수 있다.As the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in this structure, an alicyclic hydrocarbon group (a group in which one hydrogen atom has been removed from an aliphatic hydrocarbon ring), a group in which an alicyclic hydrocarbon group is bonded to the terminal of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group And groups in which the alicyclic hydrocarbon group is interposed in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group.

상기 지환식 탄화수소기는, 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다.The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.

상기 지환식 탄화수소기는, 다고리형기이어도 되고, 단고리형기이어도 된다. 단고리형의 지환식 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 다고리형의 지환식 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하며, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.The alicyclic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. As the monocyclic alicyclic hydrocarbon group, a group in which at least one hydrogen atom has been removed from a monocycloalkane is preferable. As the monocycloalkane, those having 3 to 6 carbon atoms are preferable, and specifically, cyclopentane, cyclohexane, etc. are mentioned. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane, and the polycycloalkane is preferably a C7 to C12 group, specifically adamantane, norbornane, Isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, etc. are mentioned.

그 중에서도, R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기로는, 모노시클로알칸 또는 폴리시클로알칸으로부터 수소 원자를 1 개 이상 제거한 기가 바람직하고, 폴리시클로알칸으로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기가 보다 바람직하고, 아다만틸기, 노르보르닐기가 특히 바람직하며, 아다만틸기가 가장 바람직하다.Among them, the cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101 is preferably a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane or a polycycloalkane, and a group in which one hydrogen atom has been removed from a polycycloalkane is more preferable. An adamantyl group and a norbornyl group are particularly preferred, and an adamantyl group is most preferred.

지환식 탄화수소기에 결합해도 되는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기는 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하며, 1 ∼ 3 이 가장 바람직하다.The linear or branched aliphatic hydrocarbon group which may be bonded to the alicyclic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6, even more preferably 1 to 4, and 1 to 3 most desirable.

직사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하며, 구체적으로는, 메틸렌기 [-CH2-], 에틸렌기 [-(CH2)2-], 트리메틸렌기 [-(CH2)3-], 테트라메틸렌기 [-(CH2)4-], 펜타메틸렌기 [-(CH2)5-] 등을 들 수 있다.As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable, and specifically, a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [-(CH 2 ) 2 -], and a trimethylene group [-( CH 2 ) 3 -], tetramethylene group [-(CH 2 ) 4 -], pentamethylene group [-(CH 2 ) 5 -], and the like.

분기사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 분기사슬형의 알킬렌기가 바람직하며, 구체적으로는, -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기;-CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2-CH2- 등의 알킬에틸렌기;-CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기;-CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 등의 알킬알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬알킬렌기에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하다.The branched-chain aliphatic hydrocarbon group is preferably a branched-chain alkylene group, specifically, -CH(CH 3 )-, -CH(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, Alkyl methylene groups, such as -C(CH 3 )(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 )(CH 2 CH 2 CH 3 )-, -C(CH 2 CH 3 ) 2 -; -CH(CH 3 )CH 2 -, -CH(CH 3 )CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 CH 2 -, -CH(CH 2 CH 3 )CH 2 -, -C(CH 2 CH 3 ) Alkyl ethylene group, such as 2 -CH 2 -; Alkyl trimethylene group such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 -; -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 CH 2 - and the like can be mentioned alkyl groups such as alkyl groups, such as tetramethylene -, -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 CH 2. As the alkyl group in the alkylalkylene group, a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable.

R101 의 고리형의 탄화수소기에 있어서의 치환기로는, 예를 들어, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 카르보닐기 (-C(=O)-), 에테르 결합 (-O-), 에스테르 결합 (-C(=O)-O-), 니트로기 등을 들 수 있다.As a substituent in the cyclic hydrocarbon group of R 101 , for example, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group (-C(=O)-), an ether bond (-O-), Ester bond (-C(=O)-O-), a nitro group, etc. are mentioned.

치환기로서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기가 보다 바람직하다.As the alkyl group as a substituent, a C1-C5 alkyl group is preferable, and a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, and a tert-butyl group are more preferable.

치환기로서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 보다 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.As the alkoxy group as a substituent, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, a tert-butoxy group is more preferable, and a methoxy group And an ethoxy group are most preferable.

치환기로서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom as a substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

치환기로서의 할로겐화 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기 등의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다.Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, for example, a group in which some or all of the hydrogen atoms such as methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, and tert-butyl group are substituted with the above halogen atoms. have.

치환기로서의 카르보닐기 (-C(=O)-), 에테르 결합 (-O-), 에스테르 결합 (-C(=O)-O-) 은, 고리형의 탄화수소기를 구성하는 메틸렌기 (-CH2-) 를 치환하는 기이다.As a substituent, a carbonyl group (-C(=O)-), an ether bond (-O-), and an ester bond (-C(=O)-O-) are methylene groups constituting a cyclic hydrocarbon group (-CH 2- ) Is a group that replaces.

R101 에 있어서의 고리형의 탄화수소기로는, 이하에 예시하는 「구조 중에 고리를 포함하는, 치환기를 갖는 지방족 탄화수소기」 도 들 수 있다.Examples of the cyclic hydrocarbon group for R 101 include "an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure and having a substituent" exemplified below.

[화학식 33][Formula 33]

Figure 112014027517001-pat00033
Figure 112014027517001-pat00033

또, R101 에 있어서의 고리형의 탄화수소기는, 복소 고리 등과 같이 헤테로 원자를 포함해도 된다. 구체적으로는, 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기, 상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기, 그 외 이하에 예시하는 복소 고리형기를 들 수 있다.Moreover, the cyclic hydrocarbon group for R 101 may contain a hetero atom like a hetero ring or the like. Specifically, lactone-containing cyclic groups each represented by the above general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7), respectively, by the above general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4) The represented -SO 2 -containing cyclic group and other heterocyclic groups exemplified below are mentioned.

[화학식 34][Formula 34]

Figure 112014027517001-pat00034
Figure 112014027517001-pat00034

치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기:Chain-type alkyl group which may have a substituent:

R101 의 사슬형의 알킬기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형 중 어느 것이어도 된다.The linear alkyl group for R 101 may be either linear or branched.

직사슬형의 알킬기로는, 탄소수가 1 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 15 인 것이 보다 바람직하며, 1 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데카닐기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 이소트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 이소헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 노나데실기, 이코실기, 헨이코실기, 도코실기 등을 들 수 있다. As a linear alkyl group, it is preferable that it is C1-C20, it is more preferable that it is 1-15, and 1-10 are most preferable. Specifically, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decanyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, isotridecyl group , Tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, isohexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, icosyl group, henicosyl group, docosyl group, and the like.

분기사슬형의 알킬기로는, 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 15 인 것이 보다 바람직하며, 3 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 1-메틸에틸기, 1-메틸프로필기, 2-메틸프로필기, 1-메틸부틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 1-에틸부틸기, 2-에틸부틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기 등을 들 수 있다.As a branched chain alkyl group, it is preferable that it has 3-20 carbon atoms, it is more preferable that it is 3-15, and 3-10 are most preferable. Specifically, for example, 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2 -Ethylbutyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group, etc. are mentioned.

치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기:Chain alkenyl group which may have a substituent:

R101 의 사슬형의 알케닐기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형 중 어느 것이어도 되며, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 2 ∼ 5 가 보다 바람직하고, 2 ∼ 4 가 더욱 바람직하고, 3 이 특히 바람직하다. 직사슬형의 알케닐기로는, 예를 들어, 비닐기, 프로페닐기 (알릴기), 부티닐기 등을 들 수 있다. 분기사슬형의 알케닐기로는, 예를 들어, 1-메틸비닐기, 2-메틸비닐기, 1-메틸프로페닐기, 2-메틸프로페닐기 등을 들 수 있다.The chain alkenyl group of R 101 may be linear or branched, preferably having 2 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 5, and still more preferably 2 to 4, 3 is particularly preferred. As a linear alkenyl group, a vinyl group, a propenyl group (allyl group), a butynyl group, etc. are mentioned, for example. Examples of the branched chain alkenyl group include 1-methylvinyl group, 2-methylvinyl group, 1-methylpropenyl group, and 2-methylpropenyl group.

사슬형의 알케닐기로는, 상기 중에서도, 비닐기, 프로페닐기가 보다 바람직하고, 비닐기가 특히 바람직하다.As the chain alkenyl group, among the above, a vinyl group and a propenyl group are more preferable, and a vinyl group is particularly preferable.

R101 의 사슬형의 알킬기 또는 알케닐기에 있어서의 치환기로는, 예를 들어, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 카르보닐기 (-C(=O)-), 에테르 결합 (-O-), 에스테르 결합 (-C(=O)-O-), 니트로기, 아미노기, 상기 R101 에 있어서의 고리형기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent in the chain alkyl group or alkenyl group of R 101 include an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group (-C(=O)-), and an ether bond (-O-). , An ester bond (-C(=O)-O-), a nitro group, an amino group, and the cyclic group in R 101 can be mentioned.

치환기로서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 보다 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.As the alkoxy group as a substituent, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, a tert-butoxy group is more preferable, and a methoxy group And an ethoxy group are most preferable.

치환기로서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom as a substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

치환기로서의 할로겐화 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기 등의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다.Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, for example, a group in which some or all of the hydrogen atoms such as methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, and tert-butyl group are substituted with the above halogen atoms. have.

치환기로서의 카르보닐기 (-C(=O)-), 에테르 결합 (-O-), 에스테르 결합 (-C(=O)-O-) 은, 사슬형의 알킬기 또는 알케닐기를 구성하는 메틸렌기 (-CH2-) 를 치환하는 기이다.As a substituent, a carbonyl group (-C(=O)-), an ether bond (-O-), and an ester bond (-C(=O)-O-) are a methylene group constituting a chain alkyl group or an alkenyl group (- It is a group which substitutes for CH 2 -).

그 중에서도, R101 은 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기가 바람직하고, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형의 탄화수소기인 것이 보다 바람직하다. 보다 구체적으로는, 치환기를 갖고 있어도 되는 페닐기, 치환기를 갖고 있어도 되는 나프틸기, 치환기를 갖고 있어도 되는 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기;상기 식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기, 상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기 등이 바람직하다.Among these, R 101 is preferably a cyclic group which may have a substituent, and more preferably a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent. More specifically, a group in which at least one hydrogen atom has been removed from a phenyl group which may have a substituent, a naphthyl group which may have a substituent, and a polycycloalkane which may have a substituent; the formulas (a2-r-1) to (a2) The lactone-containing cyclic groups each represented by -r-7), the -SO 2 -containing cyclic groups each represented by the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4) are preferable.

상기 식 (b1) 중, q'' 는 1 ∼ 20 의 정수이고, 바람직하게는 1 ∼ 10 의 정수이고, 보다 바람직하게는 1 ∼ 5 의 정수이고, 더욱 바람직하게는 1 ∼ 3 의 정수이며, 특히 바람직하게는 1 이다.In the formula (b1), q'' is an integer of 1 to 20, preferably an integer of 1 to 10, more preferably an integer of 1 to 5, still more preferably an integer of 1 to 3, It is particularly preferably 1.

이하에 (B1) 성분의 아니온부의 바람직한 구체예를 나타낸다.A preferred specific example of the anionic moiety of the component (B1) is shown below.

[화학식 35][Formula 35]

Figure 112014027517001-pat00035
Figure 112014027517001-pat00035

(B1) 성분의 카티온부:Cation part of component (B1):

식 (b1) 중, Mm 는 m 가의 유기 카티온이고, 오늄 카티온인 것이 바람직하고, 구체적으로는 술포늄 카티온, 요오드늄 카티온 등을 바람직하게 들 수 있다.In formula (b1), M m + is an m-valent organic cation, preferably an onium cation, and specifically, preferably a sulfonium cation, an iodonium cation, and the like.

(B1) 성분의 카티온부 [(Mm )1/m] 는, 하기의 일반식 (ca-1) ∼ (ca-4) 로 각각 나타내는 유기 카티온을 바람직한 것으로서 들 수 있다.The cation moiety [(M m + ) 1/m ] of the component (B1) is preferably an organic cation represented by the following general formulas (ca-1) to (ca-4).

[화학식 36][Formula 36]

Figure 112014027517001-pat00036
Figure 112014027517001-pat00036

[식 중, R201 ∼ R207, 및 R211 ∼ R212 는 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 되는 아릴기, 알킬기 또는 알케닐기를 나타내고, R201 ∼ R203, R206 ∼ R207, R211 ∼ R212 는 상호 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성해도 된다. R208 ∼ R209 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타내고, R210 은 치환기를 갖고 있어도 되는 아릴기, 알킬기, 알케닐기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이고, L201 은 -C(=O)- 또는 -C(=O)-O- 를 나타내고, Y201 은 각각 독립적으로, 아릴렌기, 알킬렌기 또는 알케닐렌기를 나타내고, x 는 1 또는 2 이며, W201 은 (x+1) 가의 연결기를 나타낸다.][In the formula, R 201 to R 207 , and R 211 to R 212 each independently represent an aryl group, alkyl group or alkenyl group which may have a substituent, and R 201 to R 203 , R 206 to R 207 , R 211 to R 212 may be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula. R 208 to R 209 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, R 210 is an aryl group, an alkyl group, an alkenyl group, or an -SO 2 -containing cyclic group which may have a substituent, and L 201 is Represents -C(=O)- or -C(=O)-O-, Y 201 each independently represents an arylene group, an alkylene group or an alkenylene group, x is 1 or 2, and W 201 is (x+1 ) Represents a linking group.]

R201 ∼ R207 및 R211 ∼ R212 에 있어서의 아릴기로는, 탄소수 6 ∼ 20 의 비치환의 아릴기를 들 수 있고, 페닐기, 나프틸기가 바람직하다.Examples of the aryl group for R 201 to R 207 and R 211 to R 212 include an unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and a phenyl group and a naphthyl group are preferable.

R201 ∼ R207 및 R211 ∼ R212 에 있어서의 알킬기로는, 사슬형 또는 고리형의 알킬기로서, 탄소수 1 ∼ 30 의 것이 바람직하다.The alkyl group for R 201 to R 207 and R 211 to R 212 is a chain or cyclic alkyl group, preferably having 1 to 30 carbon atoms.

R201 ∼ R207 및 R211 ∼ R212 에 있어서의 알케닐기로는, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하다.The alkenyl group for R 201 to R 207 and R 211 to R 212 is preferably 2 to 10 carbon atoms.

R201 ∼ R207 및 R210 ∼ R212 가 갖고 있어도 되는 치환기로는, 예를 들어, 알킬기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 카르보닐기, 시아노기, 아미노기, 아릴기, 하기 식 (ca-r-1) ∼ (ca-r-7) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.Examples of the substituents R 201 to R 207 and R 210 to R 212 may have include, for example, an alkyl group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a carbonyl group, a cyano group, an amino group, an aryl group, the following formula (ca-r-1) The groups each represented by-(ca-r-7) are mentioned.

[화학식 37][Formula 37]

Figure 112014027517001-pat00037
Figure 112014027517001-pat00037

[식 중, R'201 은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 사슬형의 알킬기, 또는 사슬형의 알케닐기이다.][In the formula, R'201 is each independently a hydrogen atom, a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group, or a chain alkenyl group.]

R'201 의 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기는, 전술한 식 (b1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있는 것 외에, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기로는, 전술한 식 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기와 동일한 것도 들 수 있다.The cyclic group which may have a substituent of R′ 201 , a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent is the same as R 101 in the above formula (b1). In addition, examples of the cyclic group which may have a substituent or the chain alkyl group which may have a substituent include those similar to the acid dissociable group represented by the above-described formula (a1-r-2).

R201 ∼ R203, R206 ∼ R207, R211 ∼ R212 는 상호 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하는 경우, 황 원자, 산소 원자, 질소 원자 등의 헤테로 원자나, 카르보닐기, -SO-, -SO2-, -SO3 -, -COO-, -CONH- 또는 -N(RN)- (그 RN 은 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기이다) 등의 관능기를 통해 결합해도 된다. 형성되는 고리로는, 식 중의 황 원자를 그 고리 골격에 포함하는 1 개의 고리가, 황 원자를 포함하여, 3 ∼ 10 원자 고리인 것이 바람직하고, 5 ∼ 7 원자 고리인 것이 특히 바람직하다. 형성되는 고리의 구체예로는, 예를 들어 티오펜 고리, 티아졸 고리, 벤조티오펜 고리, 티안트렌 고리, 벤조티오펜 고리, 디벤조티오펜 고리, 9H-티오잔텐 고리, 티오잔톤 고리, 티안트렌 고리, 페녹사티인 고리, 테트라하이드로티오페늄 고리, 테트라하이드로티오피라늄 고리 등을 들 수 있다.When R 201 to R 203 , R 206 to R 207 and R 211 to R 212 are bonded to each other to form a ring with a sulfur atom in the formula, a hetero atom such as a sulfur atom, an oxygen atom, or a nitrogen atom, a carbonyl group,- You may bond through a functional group, such as SO-, -SO 2 -, -SO 3 - , -COO-, -CONH-, or -N(R N )- (the R N is a C1-C5 alkyl group). As the ring to be formed, it is preferable that one ring containing a sulfur atom in the formula in its ring skeleton is a 3 to 10 membered ring including a sulfur atom, and particularly preferably a 5 to 7 membered ring. Specific examples of the ring to be formed include, for example, thiophene ring, thiazole ring, benzothiophene ring, thianthrene ring, benzothiophene ring, dibenzothiophene ring, 9H-thioxanthene ring, thioxanthene ring, A thianthrene ring, a phenoxatiin ring, a tetrahydrothiophenium ring, a tetrahydrothiopyranium ring, etc. are mentioned.

R208 ∼ R209 는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타내고, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기가 바람직하고, 알킬기가 되는 경우, 상호 결합하여 고리를 형성해도 된다.Each of R 208 to R 209 independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and may be bonded to each other to form a ring.

R210 은, 치환기를 갖고 있어도 되는 아릴기, 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 알케닐기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 -SO2- 함유 고리형기이다.R 210 is an aryl group which may have a substituent, an alkyl group which may have a substituent, an alkenyl group which may have a substituent, or an -SO 2 -containing cyclic group which may have a substituent.

R210 에 있어서의 아릴기로는, 탄소수 6 ∼ 20 의 비치환의 아릴기를 들 수 있고, 페닐기, 나프틸기가 바람직하다.Examples of the aryl group for R 210 include an unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and a phenyl group and a naphthyl group are preferable.

R210 에 있어서의 알킬기로는, 사슬형 또는 고리형의 알킬기로서, 탄소수 1 ∼ 30 의 것이 바람직하다.The alkyl group for R 210 is a chain or cyclic alkyl group, preferably having 1 to 30 carbon atoms.

R210 에 있어서의 알케닐기로는, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하다.The alkenyl group for R 210 preferably has 2 to 10 carbon atoms.

R210 에 있어서의, 치환기를 갖고 있어도 되는 -SO2- 함유 고리형기로는, 전술한 일반식 (a2-1) 중의 Ra21 의 「-SO2- 함유 고리형기」 와 동일한 것을 들 수 있고, 전술한 일반식 (a5-r-1) 로 나타내는 기가 바람직하다.Examples of the -SO 2 -containing cyclic group for R 210 which may have a substituent include those similar to the "-SO 2 -containing cyclic group" of Ra 21 in the aforementioned general formula (a2-1), A group represented by the aforementioned general formula (a5-r-1) is preferable.

Y201 은 각각 독립적으로 아릴렌기, 알킬렌기 또는 알케닐렌기를 나타낸다.Y 201 each independently represents an arylene group, an alkylene group, or an alkenylene group.

Y201 에 있어서의 아릴렌기는, 전술한 식 (b1) 중의 R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 예시한 아릴기로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기를 들 수 있다.The arylene group for Y 201 includes a group in which one hydrogen atom has been removed from the aryl group exemplified as the aromatic hydrocarbon group for R 101 in the aforementioned formula (b1).

Y201 에 있어서의 알킬렌기, 알케닐렌기는, 전술한 일반식 (a0-1) 중의 Va0 에 있어서의 2 가의 탄화수소기로서의 지방족 탄화수소기와 동일한 것을 들 수 있다. Examples of the alkylene group and alkenylene group for Y 201 include the same aliphatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group for Va 0 in the aforementioned general formula (a0-1).

상기 식 (ca-4) 중 x 는 1 또는 2 이다.In the above formula (ca-4), x is 1 or 2.

W201 은 (x+1) 가, 즉 2 가 또는 3 가의 연결기이다.W 201 is a (x+1) valent, that is, a divalent or trivalent connecting group.

W201 에 있어서의 2 가의 연결기로는, 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기가 바람직하고, 전술한 일반식 (a2-1) 에 있어서의 Ya21 과 동일한 탄화수소기를 예시할 수 있다. W201 에 있어서의 2 가의 연결기는, 직사슬형, 분기사슬형, 고리형 중 어느 것이어도 되고, 고리형인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 아릴렌기의 양단에 2 개의 카르보닐기가 조합된 기가 바람직하다. 아릴렌기로는, 페닐렌기, 나프틸렌기 등을 들 수 있고, 페닐렌기가 특히 바람직하다.As the divalent linking group in W 201 , a divalent hydrocarbon group which may have a substituent is preferable, and the same hydrocarbon group as Ya 21 in the aforementioned general formula (a2-1) can be illustrated. The divalent linking group in W 201 may be linear, branched, or cyclic, and is preferably cyclic. Among them, a group in which two carbonyl groups are combined at both ends of the arylene group is preferable. Examples of the arylene group include a phenylene group and a naphthylene group, and a phenylene group is particularly preferable.

W201 에 있어서의 3 가의 연결기로는, 상기 W201 에 있어서의 2 가의 연결기로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기, 상기 2 가의 연결기에 추가로 상기 2 가의 연결기가 결합한 기 등을 들 수 있다. W201 에 있어서의 3 가의 연결기로는, 아릴렌기에 2 개의 카르보닐기가 결합한 기가 바람직하다.Connection of the trivalent group is 201 W, and 201 W the group 1 to remove the hydrogen atom from the divalent linking group in, in addition to the divalent linking group, and the like which combines the divalent connecting group. The trivalent linking group for W 201 is preferably a group in which two carbonyl groups are bonded to an arylene group.

식 (ca-1) 로 나타내는 바람직한 카티온으로서, 구체적으로는 하기 식 (ca-1-1) ∼ (ca-1-67) 로 각각 나타내는 카티온을 들 수 있다.As a preferable cation represented by formula (ca-1), specifically, the cation represented by following formula (ca-1-1)-(ca-1-67) is mentioned, respectively.

[화학식 38][Formula 38]

Figure 112014027517001-pat00038
Figure 112014027517001-pat00038

[화학식 39][Formula 39]

Figure 112014027517001-pat00039
Figure 112014027517001-pat00039

[화학식 40][Formula 40]

Figure 112014027517001-pat00040
Figure 112014027517001-pat00040

[식 중, g1, g2, g3 은 반복수를 나타내고, g1 은 1 ∼ 5 의 정수이고, g2 는 0 ∼ 20 의 정수이며, g3 은 0 ∼ 20 의 정수이다.][In the formula, g1, g2, g3 represents the number of repetitions, g1 is an integer of 1 to 5, g2 is an integer of 0 to 20, and g3 is an integer of 0 to 20.]

[화학식 41][Formula 41]

Figure 112014027517001-pat00041
Figure 112014027517001-pat00041

[식 중, R''201 은 수소 원자 또는 치환기로서, 치환기로는 상기 R201 ∼ R207, 및 R210 ∼ R212 가 갖고 있어도 되는 치환기로서 예시한 것과 동일하다.][In the formula, R″ 201 is a hydrogen atom or a substituent, and the substituent is the same as exemplified as the substituent which R 201 to R 207 and R 210 to R 212 may have.]

상기 식 (ca-2) 로 나타내는 바람직한 카티온으로서, 구체적으로는 디페닐요오드늄 카티온, 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄 카티온 등을 들 수 있다.As a preferable cation represented by the above formula (ca-2), specifically, diphenyliodonium cation, bis(4-tert-butylphenyl)iodonium cation, etc. are mentioned.

상기 식 (ca-3) 으로 나타내는 바람직한 카티온으로서, 구체적으로는 하기 식 (ca-3-1) ∼ (ca-3-6) 으로 각각 나타내는 카티온을 들 수 있다.As a preferable cation represented by the above formula (ca-3), specifically, a cation represented by the following formulas (ca-3-1) to (ca-3-6) may be mentioned.

[화학식 42][Formula 42]

Figure 112014027517001-pat00042
Figure 112014027517001-pat00042

상기 식 (ca-4) 로 나타내는 바람직한 카티온으로서, 구체적으로는 하기 식 (ca-4-1) ∼ (ca-4-2) 로 각각 나타내는 카티온을 들 수 있다.As a preferred cation represented by the above formula (ca-4), specifically, a cation represented by the following formulas (ca-4-1) to (ca-4-2) may be mentioned.

[화학식 43][Formula 43]

Figure 112014027517001-pat00043
Figure 112014027517001-pat00043

상기 중에서도, 카티온부 [(M'm )1/m] 는 일반식 (ca-1) 로 나타내는 유기 카티온이 바람직하고, 식 (ca-1-1) ∼ (ca-1-67) 로 각각 나타내는 카티온이 보다 바람직하다.Among the above, the cation part [(M' m + ) 1/m ] Is preferably an organic cation represented by the general formula (ca-1), and more preferably a cation represented by each of the formulas (ca-1-1) to (ca-1-67).

(B1) 성분은, 상기 서술한 산 발생제를 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다. As for the component (B1), one type of acid generator described above may be used alone, or two or more types may be used in combination.

본 태양의 레지스트 조성물 중, (B1) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대해 1 ∼ 30 질량부가 바람직하고, 2 ∼ 20 질량부가 보다 바람직하며, 2 ∼ 15 질량부가 더욱 바람직하다.In the resist composition of the present embodiment, the content of the component (B1) is preferably 1 to 30 parts by mass, more preferably 2 to 20 parts by mass, and still more preferably 2 to 15 parts by mass per 100 parts by mass of the component (A).

(B1) 성분의 함유량이 바람직한 하한값 이상이면, 레지스트 조성물로 했을 때, 러프니스 저감 등의 리소그래피 특성이 보다 향상된다. 또, 양호한 형상의 레지스트 패턴이 얻어지기 쉬워진다. (B1) 성분의 함유량이 바람직한 상한값 이하이면, 균일한 용액이 얻어지고, 보존 안정성이 양호해지기 때문에 바람직하다.When the content of the component (B1) is more than a preferable lower limit, lithography properties such as reduction in roughness are further improved when a resist composition is formed. Moreover, it becomes easy to obtain a resist pattern of a good shape. When the content of the component (B1) is less than or equal to a preferred upper limit, a uniform solution is obtained and storage stability becomes good, which is preferable.

(B) 성분 중, (B1) 성분의 비율은, (B) 성분의 총질량에 대해 2 질량% 이상이 바람직하고, 10 질량% 이상이 보다 바람직하고, 20 질량% 이상이 더욱 바람직하고, 50 질량% 이상이 특히 바람직하며, 100 질량% 이어도 된다. 가장 바람직하게는 100 질량% 이다. (B) 성분에 차지하는 (B1) 성분의 비율이 바람직한 하한값 이상임으로써, 레지스트 조성물로 했을 때, 특히 러프니스 저감화가 도모되기 쉬워져, 리소그래피 특성의 보다 양호한 레지스트 패턴이 형성된다.In the component (B), the proportion of the component (B1) is preferably 2% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, even more preferably 20% by mass or more, and 50 with respect to the total mass of the component (B). Particularly preferred is mass% or more, and may be 100 mass%. Most preferably, it is 100 mass%. When the ratio of the component (B1) to the component (B) is not less than the preferred lower limit, when a resist composition is used, it is easy to achieve a particularly low roughness, and a better resist pattern with lithography characteristics is formed.

[(B2) 성분][Component (B2)]

(B) 성분은, 상기 (B1) 성분 이외의, 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분 (이하, 「(B2) 성분」 이라고 한다) 을 포함하고 있어도 된다.The component (B) may contain, other than the component (B1), an acid generator component that generates an acid by exposure (hereinafter, referred to as "component (B2)").

이러한 (B2) 성분으로는, 특별히 한정되지 않고, 지금까지 화학 증폭형 레지스트용의 산 발생제로서 제안되어 있는 것을 사용할 수 있다.The component (B2) is not particularly limited, and one proposed so far as an acid generator for chemically amplified resists can be used.

이와 같은 산 발생제로는, 요오드늄염이나 술포늄염 등의 오늄염계 산 발생제, 옥심술포네이트계 산 발생제, 비스알킬 또는 비스아릴술포닐디아조메탄류, 폴리(비스술포닐)디아조메탄류 등의 디아조메탄계 산 발생제, 니트로벤질술포네이트계 산 발생제, 이미노술포네이트계 산 발생제, 디술폰계 산 발생제 등 다종의 것을 들 수 있다. 그 중에서도, 오늄염계 산 발생제를 사용하는 것이 바람직하다.Examples of such acid generators include onium salt acid generators such as iodonium salts and sulfonium salts, oxime sulfonate acid generators, bisalkyl or bisarylsulfonyldiazomethanes, poly(bissulfonyl)diazomethane Diazomethane-based acid generators such as Ryu, nitrobenzylsulfonate-based acid generators, iminosulfonate-based acid generators, and disulfone-based acid generators, etc. are mentioned. Among them, it is preferable to use an onium salt-based acid generator.

오늄염계 산 발생제로는, 예를 들어, 하기의 일반식 (b-1) 로 나타내는 화합물 (이하, 「(b-1) 성분」 이라고도 한다), 일반식 (b-2) 로 나타내는 화합물 (이하, 「(b-2) 성분」 이라고도 한다), 또는 일반식 (b-3) 으로 나타내는 화합물 (이하, 「(b-3) 성분」 이라고도 한다) 을 사용할 수 있다.As an onium salt-based acid generator, for example, a compound represented by the following general formula (b-1) (hereinafter, also referred to as a "component (b-1)"), a compound represented by the general formula (b-2) (hereinafter , "(B-2) component"), or a compound represented by general formula (b-3) (hereinafter, also referred to as "(b-3) component") can be used.

[화학식 44][Formula 44]

Figure 112014027517001-pat00044
Figure 112014027517001-pat00044

[식 중, R103, R104 ∼ R108 은 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다. R104, R105 는 상호 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다. R102 는 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기이다. Y101 은 단결합 또는 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기이다. V101 ∼ V103 은 각각 독립적으로 단결합, 알킬렌기, 또는 불소화알킬렌기이다. L101 ∼ L102 는 각각 독립적으로 단결합 또는 산소 원자이다. L103 ∼ L105 는 각각 독립적으로 단결합, -CO- 또는 -SO2- 이다. m 은 1 이상의 정수로서, M'm 는 m 가의 오늄 카티온이다.][In the formula, R 103 , R 104 to R 108 are each independently a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent. R 104 and R 105 may be bonded to each other to form a ring. R 102 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Y 101 is a single bond or a divalent linking group containing an oxygen atom. Each of V 101 to V 103 is independently a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group. L 101 to L 102 are each independently a single bond or an oxygen atom. L 103 to L 105 are each independently a single bond, -CO-, or -SO 2 -. m is an integer equal to or greater than 1, M 'm + m is a monovalent onium cation.]

{아니온부}{Noon part}

·(b-1) 성분의 아니온부·(B-1) Anion part of component

식 (b-1) 중, R103 은, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다.In formula (b-1), R 103 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent.

이러한 R103 으로는, 상기 식 (b1) 중의 R101 에 있어서의, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기와 각각 동일한 것을 들 수 있다.As such R 103 , the cyclic group which may have a substituent, the chain alkyl group which may have a substituent, or the chain alkenyl group which may have a substituent in R 101 in the above formula (b1) are the same. Can be mentioned.

그 중에서도, R103 은, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기가 바람직하고, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형의 탄화수소기인 것이 보다 바람직하다. 보다 구체적으로는, 페닐기, 나프틸기, 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기, 상기 식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기, 상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기 등이 바람직하다.Among these, R 103 is preferably a cyclic group which may have a substituent, and more preferably a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent. More specifically, a group in which at least one hydrogen atom has been removed from a phenyl group, a naphthyl group, or a polycycloalkane, a lactone-containing cyclic group represented by the formulas (a2-r-1) to (a2-r-7), and the general -SO 2 -containing cyclic groups each represented by formulas (a5-r-1) to (a5-r-4) are preferable.

식 (b-1) 중, Y101 은 단결합 또는 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기이다.In formula (b-1), Y 101 is a single bond or a divalent linking group containing an oxygen atom.

Y101 이 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기인 경우, 그 Y101 은 산소 원자 이외의 원자를 함유해도 된다. 산소 원자 이외의 원자로는, 예를 들어 탄소 원자, 수소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.When Y 101 is a divalent linking group containing an oxygen atom, the Y 101 may contain atoms other than an oxygen atom. As an atom other than an oxygen atom, a carbon atom, a hydrogen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, etc. are mentioned, for example.

산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기로는, 예를 들어, 산소 원자 (에테르 결합:-O-), 에스테르 결합 (-C(=O)-O-), 옥시카르보닐기 (-O-C(=O)-), 아미드 결합 (-C(=O)-NH-), 카르보닐기 (-C(=O)-), 카보네이트 결합 (-O-C(=O)-O-) 등의 비탄화수소계의 산소 원자 함유 연결기;그 비탄화수소계의 산소 원자 함유 연결기와 알킬렌기의 조합 등을 들 수 있다. 당해 조합에, 추가로 술포닐기 (-SO2-) 가 연결되어 있어도 된다. 당해 조합으로는, 예를 들어 하기 식 (y-al-1) ∼ (y-al-7) 로 각각 나타내는 연결기를 들 수 있다.As a divalent linking group containing an oxygen atom, for example, an oxygen atom (ether bond: -O-), an ester bond (-C(=O)-O-), an oxycarbonyl group (-OC(=O)-) ), amide bond (-C(=O)-NH-), carbonyl group (-C(=O)-), carbonate bond (-OC(=O)-O-), etc. The combination of the non-hydrogen-based oxygen atom-containing linking group and an alkylene group, etc. are mentioned. A sulfonyl group (-SO 2 -) may be further linked to the combination. As the said combination, the linking groups each represented by following formula (y-al-1)-(y-al-7) are mentioned, for example.

[화학식 45][Formula 45]

Figure 112014027517001-pat00045
Figure 112014027517001-pat00045

[식 중, V'101 은 단결합 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기이고, V'102 는 탄소수 1 ∼ 30 의 2 가의 포화 탄화 수소기이다.][In the formula, V'101 is a single bond or an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and V'102 is a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms.]

V'102 에 있어서의 2 가의 포화 탄화 수소기는, 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬렌기인 것이 바람직하다.V 'group is a divalent saturated hydrocarbon in the 102, is preferably an alkylene group of 1 to 30 carbon atoms.

V'101 및 V'102 에 있어서의 알킬렌기로는, 직사슬형의 알킬렌기이어도 되고 분기사슬형의 알킬렌기이어도 되며, 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하다.V '101 and V' alkylene group in 102, may be either a linear alkylene group and the alkylene group may be a branched, is preferably an alkylene group of a linear.

V'101 및 V'102 에 있어서의 알킬렌기로서, 구체적으로는 메틸렌기 [-CH2-];-CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기;에틸렌기 [-CH2CH2-];-CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2- 등의 알킬에틸렌기;트리메틸렌기 (n-프로필렌기) [-CH2CH2CH2-];-CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기;테트라메틸렌기 [-CH2CH2CH2CH2-];-CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기;펜타메틸렌기 [-CH2CH2CH2CH2CH2-] 등을 들 수 있다.V as an alkylene group in the "101 and V" 102, specifically, a methylene group [-CH 2 -]; - CH (CH 3) -, -CH (CH 2 CH 3) -, -C (CH 3) Alkyl methylene groups such as 2 -, -C(CH 3 )(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 )(CH 2 CH 2 CH 3 )-, -C(CH 2 CH 3 ) 2 -; ethylene Group [-CH 2 CH 2 -]; -CH(CH 3 )CH 2 -, -CH(CH 3 )CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 CH 2 -, -CH(CH 2 CH 3 ) Alkylethylene group such as CH 2 -; trimethylene group (n-propylene group) [-CH 2 CH 2 CH 2 -]; -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 ) Alkyltrimethylene group such as CH 2 -; Tetramethylene group [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -]; -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 )CH Alkyl tetramethylene groups, such as 2 CH 2 -; pentamethylene group [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -], etc. are mentioned.

또, V'101 또는 V'102 에 있어서의 상기 알킬렌기에 있어서의 일부의 메틸렌기가 탄소수 5 ∼ 10 의 2 가의 지방족 고리형기로 치환되어 있어도 된다. 당해 지방족 고리형기는, 상기 식 (a1-r-1) 중의 Ra'3 에 있어서의, 단고리형기 또는 다고리형기인 지방족 탄화수소기로부터 수소 원자를 추가로 1 개 제거한 2 가의 기가 바람직하고, 시클로헥실렌기, 1,5-아다만틸렌기 또는 2,6-아다만틸렌기가 보다 바람직하다.In addition, or may V 'or 101 V' 102 portion of the methylene groups in the alkylene in the group is substituted by a divalent aliphatic cyclic group with a carbon number of 5-10. The aliphatic cyclic group is preferably a divalent group in which one further hydrogen atom has been removed from the aliphatic hydrocarbon group which is a monocyclic group or a polycyclic group in Ra′ 3 in the formula (a1-r-1), and cyclohexylene A group, a 1,5-adamantylene group, or a 2,6-adamantylene group is more preferable.

Y101 로는, 에스테르 결합 또는 에테르 결합을 포함하는 2 가의 연결기가 바람직하고, 상기 식 (y-al-1) ∼ (y-al-5) 로 각각 나타내는 연결기가 바람직하다.Y 101 is preferably a divalent linking group containing an ester bond or an ether bond, and a linking group represented by the formulas (y-al-1) to (y-al-5), respectively, is preferable.

식 (b-1) 중, V101 은 단결합, 알킬렌기, 또는 불소화알킬렌기이다. V101 에 있어서의 알킬렌기, 불소화알킬렌기는, 탄소수 1 ∼ 4 인 것이 바람직하다. V101 에 있어서의 불소화알킬렌기로는, V101 에 있어서의 알킬렌기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 중에서도, V101 은 단결합, 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 불소화알킬렌기인 것이 바람직하다.In formula (b-1), V 101 is a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group. It is preferable that the alkylene group and the fluorinated alkylene group for V 101 have 1 to 4 carbon atoms. A fluorinated alkylene group in the V 101 is, a part or all of the hydrogen atoms of the alkylene group of the 101 V may be substituted with a fluorine atom. Among them, V 101 is preferably a single bond or a fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms.

식 (b-1) 중 R102 는, 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기이다. R102 는, 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 퍼플루오로알킬기인 것이 바람직하고, 불소 원자인 것이 보다 바람직하다.In formula (b-1), R 102 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. It is preferable that R 102 is a fluorine atom or a C1-C5 perfluoroalkyl group, and it is more preferable that it is a fluorine atom.

(b-1) 성분의 아니온부의 구체예로는, 예를 들어, Y101 이 단결합이 되는 경우, 트리플루오로메탄술포네이트 아니온이나 퍼플루오로부탄술포네이트 아니온 등의 불소화알킬술포네이트 아니온을 들 수 있고;Y101 이 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기인 경우, 하기의 식 (an-1) 로 나타내는 아니온 (단, v''=0, n''=0, t''=1 이 되는 경우를 제외한다), 식 (an-2) 로 나타내는 아니온, 식 (an-3) 으로 나타내는 아니온을 들 수 있다.As a specific example of the anion moiety of the component (b-1), for example, when Y 101 becomes a single bond, a fluorinated alkyl sulfo such as trifluoromethanesulfonate anion or perfluorobutanesulfonate anion. Nate anion is mentioned; When Y 101 is a divalent linking group containing an oxygen atom, an anion represented by the following formula (an-1) (however, v''=0, n''=0, t The case where''=1 is excluded), the anion represented by Formula (an-2), and the anion represented by Formula (an-3) are mentioned.

[화학식 46][Chemical Formula 46]

Figure 112014027517001-pat00046
Figure 112014027517001-pat00046

[식 중, R''101 은, 치환기를 갖고 있어도 되는 지방족 고리형기, 상기 식 (r-hr-1) ∼ (r-hr-6) 으로 각각 나타내는 기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기이고;R''102 는, 치환기를 갖고 있어도 되는 지방족 고리형기, 상기 식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기, 또는 상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기이고;R''103 은, 치환기를 갖고 있어도 되는 방향족 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 지방족 고리형기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이고;v'' 는 각각 독립적으로 0 ∼ 3 의 정수이고, q'' 는 각각 독립적으로 1 ∼ 20 의 정수이고, t'' 는 1 ∼ 3 의 정수이며, n'' 는 0 또는 1 이다.][In the formula, R'' 101 represents an aliphatic cyclic group which may have a substituent, a group represented by the above formulas (r-hr-1) to (r-hr-6), or a chain type which may have a substituent It is an alkyl group; R'' 102 is an aliphatic cyclic group which may have a substituent, a lactone-containing cyclic group each represented by the formulas (a2-r-1) to (a2-r-7), or the general formula (a5- r-1) to (a5-r-4) is an -SO 2 -containing cyclic group, respectively; R'' 103 is an aromatic cyclic group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a substituent It is a chain alkenyl group which may have; v'' is each independently an integer of 0 to 3, q'' is each independently an integer of 1 to 20, and t'' is an integer of 1 to 3, n'' is 0 or 1.]

R''101, R''102 및 R''103 의 치환기를 갖고 있어도 되는 지방족 고리형기는, 상기 식 (b1) 중의 R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. 상기 치환기로는, 상기 R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기를 치환해도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.The aliphatic cyclic group which may have a substituent of R'' 101 , R'' 102 and R'' 103 is preferably a group exemplified as the cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101 in the above formula (b1). Examples of the substituent include the same substituents which may be substituted for the cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101 .

R''103 에 있어서의 치환기를 갖고 있어도 되는 방향족 고리형기는, 상기 R101 에 있어서의 고리형의 탄화수소기에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. 상기 치환기로는, 상기 R101 에 있어서의 그 방향족 탄화수소기를 치환해도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.The aromatic cyclic group which may have a substituent for R'' 103 is preferably a group exemplified as the aromatic hydrocarbon group in the cyclic hydrocarbon group for R 101 . Examples of the substituent include the same substituents which may be substituted for the aromatic hydrocarbon group in R 101 .

R''101 에 있어서의 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기는, 상기 R101 에 있어서의 사슬형의 알킬기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. R''103 에 있어서의 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기는, 상기 R101 에 있어서의 사슬형의 알케닐기로서 예시한 기인 것이 바람직하다.The chain alkyl group which may have a substituent for R'' 101 is preferably a group exemplified as the chain alkyl group for R 101 . The chain alkenyl group which may have a substituent for R'' 103 is preferably a group exemplified as the chain alkenyl group for R 101 .

·(b-2) 성분의 아니온부·(B-2) Anion part of component

식 (b-2) 중, R104, R105 는 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 각각, 식 (b1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다. 단, R104, R105 는 상호 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.In formula (b-2), R 104 and R 105 are each independently a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, each And the same as R 101 in formula (b1). However, R 104 and R 105 may be bonded to each other to form a ring.

R104, R105 는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기가 바람직하고, 직사슬형 혹은 분기사슬형의 알킬기, 또는 직사슬형 혹은 분기사슬형의 불소화알킬기인 것이 보다 바람직하다.R 104 and R 105 are preferably a chain-type alkyl group which may have a substituent, and more preferably a linear or branched alkyl group, or a linear or branched fluorinated alkyl group.

그 사슬형의 알킬기의 탄소수는 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 7, 더욱 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 3 이다. R104, R105 의 사슬형의 알킬기의 탄소수는, 상기 탄소수의 범위 내에 있어서, 레지스트 용매에 대한 용해성도 양호한 등의 이유에 의해, 작을수록 바람직하다. 또, R104, R105 의 사슬형의 알킬기에 있어어서는, 불소 원자로 치환되어 있는 수소 원자의 수가 많을수록 산의 강도가 강해지고, 또, 200 ㎚ 이하의 고에너지 광이나 전자선에 대한 투명성이 향상되기 때문에 바람직하다. 상기 사슬형의 알킬기 중의 불소 원자의 비율, 즉 불소화율은 바람직하게는 70 ∼ 100 %, 더욱 바람직하게는 90 ∼ 100 % 이며, 가장 바람직하게는 모든 수소 원자가 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬기이다.The number of carbon atoms of the chain alkyl group is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 7, more preferably 1 to 3 carbon atoms. The number of carbon atoms in the chain alkyl group of R 104 and R 105 is preferably smaller for reasons such as good solubility in a resist solvent within the above carbon number range. In addition, in the chain alkyl group of R 104 and R 105, the greater the number of hydrogen atoms substituted with fluorine atoms, the stronger the acid strength, and the higher the transparency to high-energy light or electron beams of 200 nm or less. It is preferable because it becomes. The proportion of fluorine atoms in the chain alkyl group, that is, the fluorination rate, is preferably 70 to 100%, more preferably 90 to 100%, and most preferably a perfluoroalkyl group in which all hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms.

식 (b-2) 중, V102, V103 은 각각 독립적으로, 단결합, 알킬렌기, 또는 불소화알킬렌기이며, 각각 식 (b-1) 중의 V101 과 동일한 것을 들 수 있다.In formula (b-2), V 102 and V 103 are each independently a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group, and the same as those of V 101 in the formula (b-1) can be exemplified.

식 (b-2) 중, L101 ∼ L102 는 각각 독립적으로 단결합 또는 산소 원자이다.In formula (b-2), L 101 to L 102 are each independently a single bond or an oxygen atom.

·(b-3) 성분의 아니온부·(B-3) Anion part of component

식 (b-3) 중, R106 ∼ R108 은 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 각각, 식 (b1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다.In formula (b-3), R 106 to R 108 are each independently a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, each And the same as R 101 in formula (b1).

L103 ∼ L105 는 각각 독립적으로, 단결합, -CO- 또는 -SO2- 이다.L 103 to L 105 are each independently a single bond, -CO-, or -SO 2 -.

{카티온부}{Cation Department}

식 (b-1), (b-2) 및 (b-3) 중, M'm 는 m 가의 오늄 카티온이며, 술포늄 카티온, 요오드늄 카티온을 바람직하게 들 수 있다. (M'm )1/ m 으로서, 구체적으로는 상기의 일반식 (ca-1) ∼ (ca-4) 로 각각 나타내는 유기 카티온과 동일한 것을 바람직하게 들 수 있고, 상기 식 (ca-1-1) ∼ (ca-1-67) 로 각각 나타내는 카티온;디페닐요오드늄 카티온, 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄 카티온;상기 식 (ca-3-1) ∼ (ca-3-6) 으로 각각 나타내는 카티온, 상기 식 (ca-4-1) ∼ (ca-4-2) 로 각각 나타내는 카티온을 구체적인 것으로서 들 수 있다.Formula (b-1), (b -2) and (b-3) of the, M 'm + may be preferably an m-valent cation is an onium, sulfonium cation, iodonium cation. As (M' m + ) 1/ m , specifically, the same organic cation as each represented by the general formulas (ca-1) to (ca-4) is preferably mentioned, and the formula (ca-1 -1)-(ca-1-67) cation; diphenyliodonium cation, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium cation; formula (ca-3-1)-(ca Specific examples include cation represented by -3-6) and cation represented by formulas (ca-4-1) to (ca-4-2), respectively.

상기 중에서도, 카티온부 [(M'm )1/m] 은, 일반식 (ca-1) 로 나타내는 유기 카티온이 바람직하고, 식 (ca-1-1) ∼ (ca-1-67) 로 각각 나타내는 카티온이 보다 바람직하다.Among the above, a cation moiety [(M 'm +) 1 / m] is preferably the following general formula the organic cation represented by (ca-1) and formula (ca-1-1) ~ (ca -1-67) The cation represented by each is more preferable.

(B) 성분은, 상기 서술한 산 발생제를 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.As for the component (B), the above-described acid generator may be used singly or in combination of two or more.

본 태양의 레지스트 조성물이 (B2) 성분을 함유하는 경우, (B2) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대해 30 질량부 이하가 바람직하고, 0.5 ∼ 20 질량부가 보다 바람직하며, 0.5 ∼ 15 질량부가 더욱 바람직하다.When the resist composition of the present embodiment contains the component (B2), the content of the component (B2) is preferably 30 parts by mass or less, more preferably 0.5 to 20 parts by mass, and 0.5 to 100 parts by mass of the component (A). More preferably-15 parts by mass.

(B2) 성분의 함유량을 상기의 바람직한 범위로 함으로써 패턴 형성이 충분히 실시된다. 또, 레지스트 조성물의 각 성분을 유기 용제에 용해시켰을 때, 균일한 용액이 얻어지고, 보존 안정성이 양호해지기 때문에 바람직하다.Pattern formation is sufficiently performed by setting the content of the component (B2) in the above preferable range. Moreover, when each component of a resist composition is dissolved in an organic solvent, since a uniform solution is obtained and storage stability becomes favorable, it is preferable.

<그 밖의 성분><Other ingredients>

[(D) 성분][(D) component]

본 태양의 레지스트 조성물은, 상기의 (A) 성분 및 (B) 성분에 더하여, 추가로 산 확산 제어제 성분 (이하, 「(D) 성분」 이라고 한다) 을 함유해도 된다.In addition to the components (A) and (B), the resist composition of the present embodiment may further contain an acid diffusion control agent component (hereinafter, referred to as "component (D)").

(D) 성분은, 상기 (B) 성분 등으로부터 노광에 의해 발생하는 산을 트랩하는 퀀처 (산 확산 제어제) 로서 작용하는 것이다.The component (D) acts as a quencher (acid diffusion control agent) that traps acid generated by exposure from the component (B) or the like.

(D) 성분으로는, 예를 들어, 노광에 의해 분해되어 산 확산 제어성을 잃는 광 붕괴성 염기 (D1) (이하, 「(D1) 성분」 이라고 한다), 또는, 그 (D1) 성분에 해당하지 않는 함질소 유기 화합물 (D2) (이하, 「(D2) 성분」 이라고 한다) 를 들 수 있다.As the component (D), for example, a photodegradable base (D1) that is decomposed by exposure to lose controllability of acid diffusion (hereinafter referred to as "component (D1)"), or the component (D1) Nitrogen-containing organic compounds (D2) (hereinafter referred to as "component (D2)") are mentioned.

((D1) 성분에 대하여) (About the (D1) component)

(D1) 성분을 함유하는 레지스트 조성물로 함으로써, 레지스트 패턴을 형성할 때에 노광부와 미노광부의 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.By setting it as a resist composition containing the component (D1), when forming a resist pattern, the contrast of an exposed part and an unexposed part can be improved.

(D1) 성분으로는, 노광에 의해 분해되어 산 확산 제어성을 잃는 것이면 특별히 한정되지 않고, 하기 일반식 (d1-1) 로 나타내는 화합물 (이하, 「(d1-1) 성분」 이라고 한다), 하기 일반식 (d1-2) 로 나타내는 화합물 (이하, 「(d1-2) 성분」 이라고 한다) 및 하기 일반식 (d1-3) 으로 나타내는 화합물 (이하, 「(d1-3) 성분」 이라고 한다) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물이 바람직하다.The component (D1) is not particularly limited as long as it is decomposed by exposure to lose controllability of acid diffusion, and a compound represented by the following general formula (d1-1) (hereinafter referred to as "component (d1-1)"), A compound represented by the following general formula (d1-2) (hereinafter referred to as a "component (d1-2)") and a compound represented by the following general formula (d1-3) (hereinafter referred to as a "component (d1-3)" At least one compound selected from the group consisting of) is preferred.

(d1-1) ∼ (d1-3) 성분은, 노광부에 있어서는 분해되어 산 확산 제어성 (염기성) 을 잃기 때문에 퀀처로서 작용하지 않고, 미노광부에 있어서 퀀처로서 작용한다.The components (d1-1) to (d1-3) do not act as a quencher because they are decomposed in the exposed portion to lose acid diffusion controllability (basicity), but act as a quencher in the unexposed portion.

[화학식 47][Chemical Formula 47]

Figure 112014027517001-pat00047
Figure 112014027517001-pat00047

[식 중, Rd1 ∼ Rd4 는 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다. 단, 식 (d1-2) 중의 Rd2 에 있어서의, S 원자에 인접하는 탄소 원자에는 불소 원자는 결합하고 있지 않는 것으로 한다. Yd1 은 단결합 또는 2 가의 연결기이다. m 은 1 이상의 정수로서, Mm 는 각각 독립적으로 m 가의 유기 카티온이다.][In the formula, Rd 1 to Rd 4 are a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent. However, it is assumed that no fluorine atom is bonded to the carbon atom adjacent to the S atom in Rd 2 in the formula (d1-2). Yd 1 is a single bond or a divalent linking group. m is an integer greater than or equal to 1, and M m + is each independently an m-valent organic cation.]

·(d1-1) 성분・(D1-1) component

(d1-1) 성분의 아니온부:(d1-1) Anion part of component:

식 (d1-1) 중, Rd1 은 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 상기 식 (b1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다.In formula (d1-1), Rd 1 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, and R 101 in the above formula (b1) The same can be mentioned.

이들 중에서도, Rd1 로는, 치환기를 갖고 있어도 되는 방향족 탄화수소기, 치환기를 갖고 있어도 되는 지방족 고리형기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기가 바람직하다. 이들 기가 갖고 있어도 되는 치환기로는, 수산기, 불소 원자 또는 불소화알킬기가 바람직하다.Among these, Rd 1 is preferably an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a chain alkyl group which may have a substituent. As the substituent which these groups may have, a hydroxyl group, a fluorine atom, or a fluorinated alkyl group is preferable.

상기 방향족 탄화수소기로는, 페닐기 혹은 나프틸기가 보다 바람직하다.As the aromatic hydrocarbon group, a phenyl group or a naphthyl group is more preferable.

상기 지방족 고리형기로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기인 것이 보다 바람직하다.The aliphatic cyclic group is more preferably a group in which at least one hydrogen atom has been removed from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane.

상기 사슬형의 알킬기로는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하며, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등의 직사슬형의 알킬기;1-메틸에틸기, 1-메틸프로필기, 2-메틸프로필기, 1-메틸부틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 1-에틸부틸기, 2-에틸부틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기 등의 분기사슬형의 알킬기를 들 수 있다.The chain alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, and specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, etc. Of a linear alkyl group; 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2- Branched-chain alkyl groups, such as ethylbutyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, and 4-methylpentyl group, are mentioned.

상기 사슬형의 알킬기가, 치환기로서 불소 원자를 갖는 불소화알킬기인 경우, 불소화알킬기의 탄소수는 1 ∼ 11 이 바람직하고, 1 ∼ 8 이 보다 바람직하며, 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하다. 그 불소화알킬기는, 불소 원자 이외의 원자를 함유해도 된다. 불소 원자 이외의 원자로는, 예를 들어 산소 원자, 탄소 원자, 수소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.When the chain alkyl group is a fluorinated alkyl group having a fluorine atom as a substituent, the number of carbon atoms of the fluorinated alkyl group is preferably 1 to 11, more preferably 1 to 8, and still more preferably 1 to 4. The fluorinated alkyl group may contain atoms other than a fluorine atom. As an atom other than a fluorine atom, an oxygen atom, a carbon atom, a hydrogen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, etc. are mentioned, for example.

Rd1 로는, 직사슬형의 알킬기를 구성하는 일부 또는 전부의 수소 원자가 불소 원자에 의해 치환된 불소화알킬기인 것이 바람직하고, 직사슬형의 알킬기를 구성하는 수소 원자 전부가 불소 원자로 치환된 불소화알킬기 (직사슬형의 퍼플루오로알킬기) 인 것이 바람직하다.Rd 1 is preferably a fluorinated alkyl group in which some or all of the hydrogen atoms constituting a linear alkyl group are substituted with fluorine atoms, and a fluorinated alkyl group in which all hydrogen atoms constituting the linear alkyl group are substituted with fluorine atoms ( It is preferably a linear perfluoroalkyl group).

이하에 (d1-1) 성분의 아니온부의 바람직한 구체예를 나타낸다.The preferred specific examples of the anionic moiety of the component (d1-1) are shown below.

[화학식 48][Formula 48]

Figure 112014027517001-pat00048
Figure 112014027517001-pat00048

(d1-1) 성분의 카티온부:(d1-1) Cation part of component:

식 (d1-1) 중, Mm 는 m 가의 유기 카티온이다.In formula (d1-1), M m + is an m-valent organic cation.

Mm 의 유기 카티온으로는, 상기 일반식 (ca-1) ∼ (ca-4) 로 각각 나타내는 카티온과 동일한 것을 바람직하게 들 수 있고, 상기 일반식 (ca-1) 로 나타내는 카티온과 동일한 것이 보다 바람직하며, 상기 식 (ca-1-1) ∼ (ca-1-67) 로 각각 나타내는 카티온을 구체적인 것으로서 들 수 있다.As the organic cation of M m + , the same cation represented by the general formulas (ca-1) to (ca-4) is preferably mentioned, and the cation represented by the general formula (ca-1) It is more preferable that it is the same as the above, and the cation represented by the above formulas (ca-1-1) to (ca-1-67) is mentioned as a specific one.

(d1-1) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다. The component (d1-1) may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more types.

·(d1-2) 성분・(D1-2) component

(d1-2) 성분의 아니온부:(d1-2) Anion part of component:

식 (d1-2) 중, Rd2 는, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 상기 식 (b1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다.In formula (d1-2), Rd 2 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, and R in the formula (b1) The same thing as 101 can be mentioned.

단, Rd2 에 있어서의, S 원자에 인접하는 탄소 원자에는 불소 원자는 결합하고 있지 않는 (불소 치환되어 있지 않다) 것으로 한다. 이에 따라, (d1-2) 성분의 아니온이 적당한 약산 아니온이 되고, (D) 성분으로서의 퀀칭능이 향상된다.However, it is assumed that the fluorine atom is not bonded to the carbon atom adjacent to the S atom in Rd 2 (the fluorine atom is not substituted). Accordingly, the anion of the component (d1-2) becomes an appropriate weak acid anion, and the quenching ability as the component (D) is improved.

Rd2 로는, 치환기를 갖고 있어도 되는 지방족 고리형기인 것이 바람직하고, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 (치환기를 갖고 있어도 된다);캠퍼 등으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기인 것이 보다 바람직하다.Rd 2 is preferably an aliphatic cyclic group which may have a substituent, and a group in which at least one hydrogen atom has been removed from adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, etc. (substituent group You may have); It is more preferable that it is a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a camper or the like.

Rd2 의 탄화수소기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 그 치환기로는, 상기 식 (d1-1) 의 Rd1 에 있어서의 탄화수소기 (방향족 탄화수소기, 지방족 탄화수소기) 가 갖고 있어도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.The hydrocarbon group of Rd 2 may have a substituent, and examples of the substituent include the same substituents that the hydrocarbon group (aromatic hydrocarbon group, aliphatic hydrocarbon group) in Rd 1 of the formula (d1-1) may have. have.

이하에 (d1-2) 성분의 아니온부의 바람직한 구체예를 나타낸다.The preferred specific examples of the anion moiety of the component (d1-2) are shown below.

[화학식 49][Chemical Formula 49]

Figure 112014027517001-pat00049
Figure 112014027517001-pat00049

(d1-2) 성분의 카티온부:(d1-2) Cation part of component:

식 (d1-2) 중, Mm 는 m 가의 유기 카티온이고, 상기 식 (d1-1) 중의 Mm 와 동일하다.In formula (d1-2), M m + is an m-valent organic cation, and it is the same as M m + in said formula (d1-1).

(d1-2) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The component (d1-2) may be used singly or in combination of two or more.

·(d1-3) 성분・(D1-3) component

(d1-3) 성분의 아니온부:(d1-3) Anion part of component:

식 (d1-3) 중, Rd3 은 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 상기 식 (b1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있고, 불소 원자를 포함하는 고리형기, 사슬형의 알킬기, 또는 사슬형의 알케닐기인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 불소화알킬기가 바람직하고, 상기 Rd1 의 불소화알킬기와 동일한 것이 보다 바람직하다.In formula (d1-3), Rd 3 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, and R 101 in the above formula (b1) The same can be mentioned, and a cyclic group containing a fluorine atom, a chain alkyl group, or a chain alkenyl group is preferable. Among them, a fluorinated alkyl group is preferable, and the same is more preferable as the fluorinated alkyl group of Rd 1 .

식 (d1-3) 중, Rd4 는, 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이며, 상기 식 (b1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다.In formula (d1-3), Rd 4 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, and R in the above formula (b1) The same thing as 101 can be mentioned.

그 중에서도, 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, 고리형기인 것이 바람직하다.Especially, it is preferable that they are an alkyl group, an alkoxy group, an alkenyl group, and a cyclic group which may have a substituent.

Rd4 에 있어서의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기가 바람직하며, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. Rd4 의 알킬기의 수소 원자의 일부가 수산기, 시아노기 등으로 치환되어 있어도 된다.The alkyl group for Rd 4 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, etc. are mentioned. Some of the hydrogen atoms of the alkyl group of Rd 4 may be substituted with a hydroxyl group or a cyano group.

Rd4 에 있어서의 알콕시기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기로서, 구체적으로는 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기를 들 수 있다. 그 중에서도, 메톡시기, 에톡시기가 바람직하다.The alkoxy group for Rd 4 is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and as an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, specifically, a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, or n- Butoxy group and tert-butoxy group. Among them, a methoxy group and an ethoxy group are preferable.

Rd4 에 있어서의 알케닐기는, 상기 식 (b1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있으며, 비닐기, 프로페닐기 (알릴기), 1-메틸프로페닐기, 2-메틸프로페닐기가 바람직하다. 이들 기는 추가로 치환기로서, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기를 갖고 있어도 된다.Examples of the alkenyl group for Rd 4 include the same as R 101 in the formula (b1), and a vinyl group, a propenyl group (allyl group), 1-methylpropenyl group, and 2-methylpropenyl group are preferable. These groups may further have an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as a substituent.

Rd4 에 있어서의 고리형기는, 상기 식 (b1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있으며, 시클로펜탄, 시클로헥산, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 지환식기, 또는, 페닐기, 나프틸기 등의 방향족기가 바람직하다. Rd4 가 지환식기인 경우, 레지스트 조성물이 유기 용제에 양호하게 용해됨으로써, 리소그래피 특성이 양호해진다. 또, Rd4 가 방향족기인 경우, EUV 등을 노광 광원으로 하는 리소그래피에 있어서, 그 레지스트 조성물이 광 흡수 효율이 우수하고, 감도나 리소그래피 특성이 양호해진다.The cyclic group for Rd 4 is the same as R 101 in the above formula (b1), and includes cyclopentane, cyclohexane, adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane. An alicyclic group in which at least one hydrogen atom has been removed from a cycloalkane such as a cycloalkane, or an aromatic group such as a phenyl group or a naphthyl group is preferable. When Rd 4 is an alicyclic group, the resist composition is satisfactorily dissolved in an organic solvent, thereby improving lithography characteristics. Further, when Rd 4 is an aromatic group, in lithography using EUV or the like as an exposure light source, the resist composition has excellent light absorption efficiency and good sensitivity and lithography characteristics.

식 (d1-3) 중, Yd1 은 단결합 또는 2 가의 연결기이다.In formula (d1-3), Yd 1 is a single bond or a divalent connecting group.

Yd1 에 있어서의 2 가의 연결기로는, 특별히 한정되지 않지만, 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기 (지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기), 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기 등을 들 수 있다. 이들은 각각, 상기 식 (a2-1) 에 있어서의 Ya21 의 2 가의 연결기에 대한 설명 중에서 예시한, 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기, 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기와 동일한 것을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a divalent linking group for Yd 1 , The divalent hydrocarbon group (aliphatic hydrocarbon group, aromatic hydrocarbon group) which may have a substituent, a divalent linking group containing a hetero atom, etc. are mentioned. These are the same as the divalent hydrocarbon group which may have a substituent and the divalent linking group containing a hetero atom as exemplified in the description of the divalent linking group of Ya 21 in the formula (a2-1), respectively. .

Yd1 로는, 카르보닐기, 에스테르 결합, 아미드 결합, 알킬렌기 또는 이들의 조합인 것이 바람직하다. 알킬렌기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬렌기인 것이 보다 바람직하고, 메틸렌기 또는 에틸렌기인 것이 더욱 바람직하다.Yd 1 is preferably a carbonyl group, an ester bond, an amide bond, an alkylene group, or a combination thereof. As the alkylene group, it is more preferable that it is a linear or branched alkylene group, and it is still more preferable that it is a methylene group or an ethylene group.

이하에 (d1-3) 성분의 아니온부의 바람직한 구체예를 나타낸다.A preferred specific example of the anionic moiety of the component (d1-3) is shown below.

[화학식 50][Formula 50]

Figure 112014027517001-pat00050
Figure 112014027517001-pat00050

[화학식 51][Formula 51]

Figure 112014027517001-pat00051
Figure 112014027517001-pat00051

(d1-3) 성분의 카티온부:(d1-3) Cation part of component:

식 (d1-3) 중, Mm 는 m 가의 유기 카티온이고, 상기 식 (d1-1) 중의 Mm 와 동일하다.In formula (d1-3), M m + is an m-valent organic cation, and it is the same as M m + in said formula (d1-1).

(d1-3) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Component (d1-3) may be used singly or in combination of two or more.

(D1) 성분은 상기 (d1-1) ∼ (d1-3) 성분 중 어느 1 종만을 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.As the component (D1), only one of the components (d1-1) to (d1-3) may be used, or a combination of two or more may be used.

(D1) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대해 0.5 ∼ 10 질량부인 것이 바람직하고, 0.5 ∼ 8 질량부인 것이 보다 바람직하며, 1 ∼ 8 질량부인 것이 더욱 바람직하다.The content of the component (D1) is preferably 0.5 to 10 parts by mass, more preferably 0.5 to 8 parts by mass, and still more preferably 1 to 8 parts by mass based on 100 parts by mass of the component (A).

(D1) 성분의 함유량이 바람직한 하한값 이상이면, 특히 양호한 리소그래피 특성 및 레지스트 패턴 형상이 얻어진다. 한편, 바람직한 상한값 이하이면, 감도를 양호하게 유지할 수 있고, 스루풋도 우수하다.When the content of the component (D1) is more than a preferable lower limit, particularly favorable lithography properties and resist pattern shape are obtained. On the other hand, if it is less than or equal to a preferable upper limit, the sensitivity can be maintained satisfactorily, and the throughput is also excellent.

··(D1) 성분의 제조 방법··(D1) method of manufacturing component

상기의 (d1-1) 성분, (d1-2) 성분의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다.The method for producing the component (d1-1) and the component (d1-2) is not particularly limited, and can be produced by a known method.

또, (d1-3) 성분의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, US2012-0149916호에 기재된 방법과 동일하게 하여 제조된다.In addition, the manufacturing method of the component (d1-3) is not particularly limited, and is manufactured, for example, in the same manner as the method described in US2012-0149916.

((D2) 성분에 대하여) (About component (D2))

산 확산 제어제 성분으로는, 상기 (D1) 성분에 해당하지 않는 함질소 유기 화합물 성분 (이하, 「(D2) 성분」 이라고 한다) 을 사용해도 된다.As the acid diffusion control agent component, a nitrogen-containing organic compound component (hereinafter referred to as "component (D2)") not corresponding to the component (D1) may be used.

(D2) 성분으로는, 산 확산 제어제로서 작용하는 것이고, 또한, (D1) 성분에 해당하지 않는 것이면 특별히 한정되지 않고, 공지된 것으로부터 임의로 사용하면 된다. 그 중에서도, 지방족 아민, 이 중에서도 특히 제 2 급 지방족 아민이나 제 3 급 지방족 아민이 바람직하다.The component (D2) is not particularly limited as long as it acts as an acid diffusion control agent and does not correspond to the component (D1), and any known component may be used arbitrarily. Among them, aliphatic amines are preferred, particularly secondary aliphatic amines and tertiary aliphatic amines.

지방족 아민이란, 1 개 이상의 지방족기를 갖는 아민이며, 그 지방족기는 탄소수가 1 ∼ 12 인 것이 바람직하다.The aliphatic amine is an amine having one or more aliphatic groups, and the aliphatic group preferably has 1 to 12 carbon atoms.

지방족 아민으로는, 암모니아 NH3 의 수소 원자의 적어도 1 개를, 탄소수 12 이하의 알킬기 혹은 하이드록시알킬기로 치환한 아민 (알킬아민 혹은 알킬알코올아민) 또는 고리형 아민을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amine include amines (alkylamines or alkyl alcoholamines) or cyclic amines in which at least one hydrogen atom of ammonia NH 3 has been substituted with an alkyl group having 12 or less carbon atoms or a hydroxyalkyl group.

알킬아민 및 알킬알코올아민의 구체예로는, n-헥실아민, n-헵틸아민, n-옥틸아민, n-노닐아민, n-데실아민 등의 모노알킬아민;디에틸아민, 디-n-프로필아민, 디-n-헵틸아민, 디-n-옥틸아민, 디시클로헥실아민 등의 디알킬아민;트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리-n-프로필아민, 트리-n-부틸아민, 트리-n-펜틸아민, 트리-n-헥실아민, 트리-n-헵틸아민, 트리-n-옥틸아민, 트리-n-노닐아민, 트리-n-데실아민, 트리-n-도데실아민 등의 트리알킬아민;디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디이소프로판올아민, 트리이소프로판올아민, 디-n-옥탄올아민, 트리-n-옥탄올아민 등의 알킬알코올아민을 들 수 있다. 이들 중에서도, 탄소수 5 ∼ 10 의 트리알킬아민이 더욱 바람직하고, 트리-n-펜틸아민 또는 트리-n-옥틸아민이 특히 바람직하다.Specific examples of the alkylamine and the alkyl alcohol amine include monoalkylamines such as n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, and n-decylamine; diethylamine, di-n- Dialkylamines such as propylamine, di-n-heptylamine, di-n-octylamine, and dicyclohexylamine; trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri- Trees such as n-pentylamine, tri-n-hexylamine, tri-n-heptylamine, tri-n-octylamine, tri-n-nonylamine, tri-n-decylamine, tri-n-dodecylamine, etc. Alkyl amine; Alkyl alcohol amines, such as diethanolamine, triethanolamine, diisopropanolamine, triisopropanolamine, di-n-octanolamine, and tri-n-octanolamine, are mentioned. Among these, trialkylamines having 5 to 10 carbon atoms are more preferable, and tri-n-pentylamine or tri-n-octylamine is particularly preferable.

고리형 아민으로는, 예를 들어, 헤테로 원자로서 질소 원자를 포함하는 복소 고리 화합물을 들 수 있다. 그 복소 고리 화합물로는, 단고리형의 것 (지방족 단고리형 아민) 이어도 되고 다고리형의 것 (지방족 다고리형 아민) 이어도 된다.As a cyclic amine, a heterocyclic compound containing a nitrogen atom as a hetero atom is mentioned, for example. The heterocyclic compound may be monocyclic (aliphatic monocyclic amine) or polycyclic (aliphatic polycyclic amine).

지방족 단고리형 아민으로서, 구체적으로는 피페리딘, 피페라진 등을 들 수 있다.Specific examples of the aliphatic monocyclic amine include piperidine and piperazine.

지방족 다고리형 아민으로는, 탄소수가 6 ∼ 10 인 것이 바람직하며, 구체적으로는, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센, 헥사메틸렌테트라민, 1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄 등을 들 수 있다.The aliphatic polycyclic amine is preferably having 6 to 10 carbon atoms, and specifically, 1,5-diazabicyclo[4.3.0]-5-nonene, 1,8-diazabicyclo[5.4.0] -7-undecene, hexamethylenetetramine, 1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane, etc. are mentioned.

그 밖의 지방족 아민으로는, 트리스(2-메톡시메톡시에틸)아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시메톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시프로폭시)에틸}아민, 트리스[2-{2-(2-하이드록시에톡시)에톡시}에틸]아민, 트리에탄올아민트리아세테이트 등을 들 수 있고, 트리에탄올아민트리아세테이트가 바람직하다.Other aliphatic amines include tris(2-methoxymethoxyethyl)amine, tris{2-(2-methoxyethoxy)ethyl}amine, and tris{2-(2-methoxyethoxymethoxy)ethyl. }Amine, tris{2-(1-methoxyethoxy)ethyl}amine, tris{2-(1-ethoxyethoxy)ethyl}amine, tris{2-(1-ethoxypropoxy)ethyl}amine , Tris[2-{2-(2-hydroxyethoxy)ethoxy}ethyl]amine, triethanolamine triacetate, and the like, and triethanolamine triacetate is preferable.

또, (D2) 성분으로는, 방향족 아민을 사용해도 된다.Moreover, you may use an aromatic amine as a component (D2).

방향족 아민으로는, 4-디메틸아미노피리딘, 피롤, 인돌, 피라졸, 이미다졸 또는 이들의 유도체, 트리벤질아민, 2,6-디이소프로필아닐린, N-tert-부톡시카르보닐피롤리딘 등을 들 수 있다.As aromatic amines, 4-dimethylaminopyridine, pyrrole, indole, pyrazole, imidazole or derivatives thereof, tribenzylamine, 2,6-diisopropylaniline, N-tert-butoxycarbonylpyrrolidine, etc. Can be mentioned.

(D2) 성분은 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The component (D2) may be used alone or in combination of two or more.

(D2) 성분은, (A) 성분 100 질량부에 대해 통상적으로 0.01 ∼ 5 질량부의 범위에서 사용된다. 상기 범위로 함으로써, 레지스트 패턴 형상, 노광 후 시간 경과적 안정성 등이 향상된다.The component (D2) is usually used in the range of 0.01 to 5 parts by mass per 100 parts by mass of the component (A). By setting it as the said range, the shape of a resist pattern, stability over time after exposure, etc. are improved.

본 태양의 레지스트 조성물이 (D) 성분을 함유하는 경우, 상기 중에서도, 노광에 의해 분해되어 산 확산 제어성을 잃는 광 붕괴성 염기 (D1) 을 함유하는 것이 바람직하고, (d1-2) 성분을 함유하는 것이 보다 바람직하다.When the resist composition of the present embodiment contains the component (D), among the above, it is preferable to contain a photodegradable base (D1) that is decomposed by exposure to lose controllability of acid diffusion, and the component (d1-2) is It is more preferable to contain.

[(E) 성분][(E) component]

본 태양의 레지스트 조성물에는, 감도 열화의 방지나, 레지스트 패턴 형상, 노광 후 시간 경과적 안정성 등의 향상의 목적으로, 임의의 성분으로서 유기 카르복실산, 그리고 인의 옥소산 및 그 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물 (E) (이하, 「(E) 성분」 이라고 한다) 를 함유시킬 수 있다. In the resist composition of the present embodiment, for the purpose of preventing deterioration in sensitivity, improving the shape of the resist pattern, and stability over time after exposure, as an optional component, from the group consisting of an organic carboxylic acid and phosphorus oxoic acid and derivatives thereof. At least one selected compound (E) (hereinafter referred to as "component (E)") can be contained.

유기 카르복실산으로는, 예를 들어, 아세트산, 말론산, 시트르산, 말산, 숙신산, 벤조산, 살리실산 등이 바람직하다. As an organic carboxylic acid, acetic acid, malonic acid, citric acid, malic acid, succinic acid, benzoic acid, salicylic acid, etc. are preferable, for example.

인의 옥소산으로는, 인산, 포스폰산, 포스핀산 등을 들 수 있고, 이들 중에서도 특히 포스폰산이 바람직하다.Phosphoric acid, phosphonic acid, phosphinic acid, etc. are mentioned as oxo acid of phosphorus, Among these, phosphonic acid is especially preferable.

인의 옥소산의 유도체로는, 예를 들어, 상기 옥소산의 수소 원자를 탄화수소기로 치환한 에스테르 등을 들 수 있고, 상기 탄화수소기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 15 의 아릴기 등을 들 수 있다.Examples of phosphorus oxo acid derivatives include esters in which a hydrogen atom of the oxo acid is substituted with a hydrocarbon group, and examples of the hydrocarbon group include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an aryl group having 6 to 15 carbon atoms, and the like. Can be mentioned.

인산의 유도체로는, 인산디-n-부틸에스테르, 인산디페닐에스테르 등의 인산에스테르 등을 들 수 있다.Examples of phosphoric acid derivatives include phosphoric acid esters such as di-n-butyl phosphate and diphenyl phosphate.

포스폰산의 유도체로는, 포스폰산디메틸에스테르, 포스폰산-디-n-부틸에스테르, 페닐포스폰산, 포스폰산디페닐에스테르, 포스폰산디벤질에스테르 등의 포스폰산에스테르 등을 들 수 있다.Phosphonic acid esters, such as a phosphonic acid dimethyl ester, a phosphonic acid-di-n-butyl ester, a phenylphosphonic acid, a phosphonic acid diphenyl ester, and a phosphonic acid dibenzyl ester, etc. are mentioned as a phosphonic acid derivative.

포스핀산의 유도체로는, 포스핀산에스테르나 페닐포스핀산 등을 들 수 있다.As a derivative of phosphinic acid, phosphinic acid ester, phenylphosphinic acid, etc. are mentioned.

(E) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.(E) component may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

(E) 성분은, (A) 성분 100 질량부에 대해 통상적으로 0.01 ∼ 5 질량부의 범위에서 사용된다.The component (E) is usually used in the range of 0.01 to 5 parts by mass per 100 parts by mass of the component (A).

[(F) 성분][(F) component]

본 태양의 레지스트 조성물은, 레지스트막에 발수성을 부여하기 위해서, 불소 첨가제 (이하, 「(F) 성분」 이라고 한다) 를 함유해도 된다.The resist composition of the present embodiment may contain a fluorine additive (hereinafter referred to as "component (F)") in order to impart water repellency to the resist film.

(F) 성분으로는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2010-002870호, 일본 공개특허공보 2010-032994호, 일본 공개특허공보 2010-277043호, 일본 공개특허공보 2011-13569호, 일본 공개특허공보 2011-128226호에 기재된 함불소 고분자 화합물을 사용할 수 있다.(F) As a component, for example, JP 2010-002870 A, JP 2010-032994 A, JP 2010-277043 A, JP 2011-13569 A, JP The fluorinated polymer compound described in Publication No. 2011-128226 can be used.

(F) 성분으로서 보다 구체적으로는, 하기 식 (f1-1) 로 나타내는 구성 단위 (f1) 을 갖는 중합체를 들 수 있다. 상기 중합체로는, 하기 식 (f1-1) 로 나타내는 구성 단위 (f1) 만으로 이루어지는 중합체 (호모폴리머);그 구성 단위 (f1) 과 상기 구성 단위 (a1) 의 공중합체;그 구성 단위 (f1) 와 아크릴산 또는 메타크릴산으로부터 유도되는 구성 단위와, 상기 구성 단위 (a1) 의 공중합체인 것이 바람직하다. 여기서, 그 구성 단위 (f1) 과 공중합되는 상기 구성 단위 (a1) 로는, 1-에틸-1-시클로옥틸(메트)아크릴레이트로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하다.More specifically, as the component (F), a polymer having a structural unit (f1) represented by the following formula (f1-1) is exemplified. As the polymer, a polymer (homopolymer) consisting only of the structural unit (f1) represented by the following formula (f1-1); a copolymer of the structural unit (f1) and the structural unit (a1); the structural unit (f1) And a structural unit derived from acrylic acid or methacrylic acid, and a copolymer of the structural unit (a1). Here, as the structural unit (a1) copolymerized with the structural unit (f1), a structural unit derived from 1-ethyl-1-cyclooctyl (meth)acrylate is preferable.

[화학식 52][Formula 52]

Figure 112014027517001-pat00052
Figure 112014027517001-pat00052

[식 중, R 은 상기와 동일하고, Rf102 및 Rf103 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기를 나타내고, Rf102 및 Rf103 은 동일하거나 상이하여도 된다. nf1 은 1 ∼ 5 의 정수이며, Rf101 은 불소 원자를 포함하는 유기기이다.][In the formula, R is the same as above, Rf 102 and Rf 103 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and Rf 102 and Rf 103 are They may be the same or different. nf 1 is an integer of 1 to 5, and Rf 101 is an organic group containing a fluorine atom.]

식 (f1-1) 중, α 위치의 탄소 원자에 결합한 R 은 전술과 동일하다. R 로는, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.In formula (f1-1), R bonded to the carbon atom at the α-position is the same as described above. As R, a hydrogen atom or a methyl group is preferable.

식 (f1-1) 중, Rf102 및 Rf103 의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다. Rf102 및 Rf103 의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기로는, 상기 R 의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있고, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다. Rf102 및 Rf103 의 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기로서, 구체적으로는 상기 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다. 그 중에서도 Rf102 및 Rf103 으로는, 수소 원자, 불소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 수소 원자, 불소 원자, 메틸기, 또는 에틸기가 바람직하다. In formula (f1-1), examples of the halogen atom for Rf 102 and Rf 103 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable. Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms for Rf 102 and Rf 103 include the same alkyl group having 1 to 5 carbon atoms for R, and a methyl group or an ethyl group is preferable. Specific examples of the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms for Rf 102 and Rf 103 include a group in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms are substituted with halogen atoms. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable. Among these, as Rf 102 and Rf 103 , a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group, or an ethyl group is preferable.

식 (f1-1) 중, nf1 은 1 ∼ 5 의 정수로서, 1 ∼ 3 의 정수가 바람직하고, 1 또는 2 인 것이 보다 바람직하다.In formula (f1-1), nf 1 is an integer of 1 to 5, preferably an integer of 1 to 3, and more preferably 1 or 2.

식 (f1-1) 중, Rf101 은 불소 원자를 포함하는 유기기로서, 불소 원자를 포함하는 탄화수소기인 것이 바람직하다.In formula (f1-1), Rf 101 is an organic group containing a fluorine atom, and is preferably a hydrocarbon group containing a fluorine atom.

불소 원자를 포함하는 탄화수소기로는, 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형 중 어느 것이어도 되며, 탄소수는 1 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 15 인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 10 이 특히 바람직하다.The hydrocarbon group containing a fluorine atom may be linear, branched, or cyclic, preferably having 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and having 1 to 10 carbon atoms. It is particularly preferred.

또, 불소 원자를 포함하는 탄화수소기는, 당해 탄화수소기에 있어서의 수소 원자의 25 % 이상이 불소화되어 있는 것이 바람직하고, 50 % 이상이 불소화되어 있는 것이 보다 바람직하며, 60 % 이상이 불소화되어 있는 것이 침지 노광시의 레지스트막의 소수성이 높아지므로, 특히 바람직하다.In addition, the hydrocarbon group containing a fluorine atom is preferably 25% or more of the hydrogen atoms in the hydrocarbon group fluorinated, more preferably 50% or more is fluorinated, and 60% or more is fluorinated. Since the hydrophobicity of the resist film during exposure increases, it is particularly preferable.

그 중에서도, Rf101 로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화 탄화수소기가 특히 바람직하고, 트리플루오로메틸기, -CH2-CF3, -CH2-CF2-CF3, -CH(CF3)2, -CH2-CH2-CF3, -CH2-CH2-CF2-CF2-CF2-CF3 이 가장 바람직하다.Among them, Rf 101 is particularly preferably a fluorinated hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms, and a trifluoromethyl group, -CH 2 -CF 3 , -CH 2 -CF 2 -CF 3 , -CH(CF 3 ) 2 ,- Most preferred are CH 2 -CH 2 -CF 3 , -CH 2 -CH 2 -CF 2 -CF 2 -CF 2 -CF 3 .

(F) 성분의 질량 평균 분자량 (Mw) (겔 퍼미에이션 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산 기준) 은 1000 ∼ 50000 이 바람직하고, 5000 ∼ 40000 이 보다 바람직하며, 10000 ∼ 30000 이 가장 바람직하다. 이 범위의 상한값 이하이면, 레지스트로서 사용하는 데에 충분한 레지스트 용제에 대한 용해성이 있고, 이 범위의 하한값 이상이면, 내드라이 에칭성이나 레지스트 패턴 단면 형상이 양호하다.The mass average molecular weight (Mw) (based on polystyrene conversion by gel permeation chromatography) of the component (F) is preferably from 1000 to 50000, more preferably from 5000 to 40000, and most preferably from 10000 to 30000. If it is less than the upper limit of this range, there is sufficient solubility in a resist solvent for use as a resist, and if it is more than the lower limit of this range, dry etching resistance and a resist pattern cross-sectional shape are good.

(F) 성분의 분산도 (Mw/Mn) 는 1.0 ∼ 5.0 이 바람직하고, 1.0 ∼ 3.0 이 보다 바람직하며, 1.2 ∼ 2.5 가 가장 바람직하다.The dispersion degree (Mw/Mn) of the component (F) is preferably 1.0 to 5.0, more preferably 1.0 to 3.0, and most preferably 1.2 to 2.5.

(F) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The component (F) may be used alone or in combination of two or more.

(F) 성분, (A) 성분 100 질량부에 대해, 바람직하게는 0.5 ∼ 10 질량부의 비율로 사용된다.It is used in a ratio of preferably 0.5 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (F) and the component (A).

본 태양의 레지스트 조성물에는, 추가로 원하는 바에 따라 혼화성이 있는 첨가제, 예를 들어 레지스트막의 성능을 개량하기 위한 부가적 수지, 용해 억제제, 가소제, 안정제, 착색제, 할레이션 방지제, 염료 등을 적절히, 첨가 함유시킬 수 있다.In the resist composition of the present embodiment, as desired, additives that are miscible, for example, additional resins for improving the performance of the resist film, dissolution inhibitors, plasticizers, stabilizers, colorants, antihalation agents, dyes, etc. are suitably added, It can be added and contained.

[(S) 성분][(S) component]

본 태양의 레지스트 조성물은 레지스트 재료를 유기 용제 (이하, 「(S) 성분」 이라고 하는 경우가 있다) 에 용해시켜 제조할 수 있다.The resist composition of the present embodiment can be produced by dissolving a resist material in an organic solvent (hereinafter, sometimes referred to as "(S) component").

(S) 성분으로는, 사용하는 각 성분을 용해하고, 균일한 용액으로 할 수 있는 것이면 되고, 종래, 화학 증폭형 레지스트의 용제로서 공지된 것 중에서 임의의 것을 1 종 또는 2 종 이상 적절히 선택하여 사용할 수 있다.As the (S) component, any component that can be used as a solvent by dissolving each component to be used and forming a uniform solution is appropriately selected from one or two or more solvents known conventionally as solvents for chemically amplified resists. Can be used.

예를 들어, γ-부티로락톤 등의 락톤류;아세톤, 메틸에틸케톤 (MEK), 시클로헥사논, 메틸-n-펜틸케톤, 메틸이소펜틸케톤, 2-헵타논 등의 케톤류;에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류;에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 또는 디프로필렌글리콜모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 갖는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 갖는 화합물의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 등의 모노알킬에테르 또는 모노페닐에테르 등의 에테르 결합을 갖는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체 [이들 중에서는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME) 가 바람직하다];디옥산과 같은 고리형 에테르류나, 락트산메틸, 락트산에틸 (EL), 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류;아니솔, 에틸벤질에테르, 크레질메틸에테르, 디페닐에테르, 디벤질에테르, 페네톨, 부틸페닐에테르, 에틸벤젠, 디에틸벤젠, 펜틸벤젠, 이소프로필벤젠, 톨루엔, 자일렌, 시멘, 메시틸렌 등의 방향족계 유기 용제, 디메틸술폭시드 (DMSO) 등을 들 수 있다. For example, lactones such as γ-butyrolactone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK), cyclohexanone, methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, and 2-heptanone; ethylene glycol, Polyhydric alcohols such as diethylene glycol, propylene glycol and dipropylene glycol; compounds having an ester bond such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, or dipropylene glycol monoacetate, the polyhydric alcohols Or derivatives of polyhydric alcohols such as monoalkyl ethers such as monomethyl ether, monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether of the compound having an ester bond, or compounds having an ether bond such as monophenyl ether. , Propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) are preferred]; Cyclic ethers such as dioxane, methyl lactate, ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, and butyl acetate , Methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, and other esters; anisole, ethylbenzyl ether, cresylmethyl ether, diphenyl ether, dibenzyl ether, phenetol, butylphenyl ether, ethylbenzene , Aromatic organic solvents such as diethylbenzene, pentylbenzene, isopropylbenzene, toluene, xylene, cymene, and mesitylene, and dimethyl sulfoxide (DMSO).

이들 유기 용제는 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상의 혼합 용제로서 사용해도 된다.These organic solvents may be used alone or as a mixed solvent of two or more.

그 중에서도, PGMEA, PGME, γ-부티로락톤, EL, 시클로헥사논이 바람직하다.Among them, PGMEA, PGME, γ-butyrolactone, EL, and cyclohexanone are preferable.

또, PGMEA 와 극성 용제를 혼합한 혼합 용매도 바람직하다. 그 배합비 (질량비) 는, PGMEA 와 극성 용제의 상용성 등을 고려하여 적절히 결정하면 되지만, 바람직하게는 1:9 ∼ 9:1, 보다 바람직하게는 2:8 ∼ 8:2 의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.Moreover, a mixed solvent in which PGMEA and a polar solvent were mixed is also preferable. The blending ratio (mass ratio) may be appropriately determined in consideration of the compatibility of PGMEA and the polar solvent, but it is preferably in the range of 1:9 to 9:1, more preferably 2:8 to 8:2. desirable.

보다 구체적으로는, 극성 용제로서 EL 또는 시클로헥사논을 배합하는 경우에는, PGMEA:EL 또는 시클로헥사논의 질량비는, 바람직하게는 1:9 ∼ 9:1, 보다 바람직하게는 2:8 ∼ 8:2 이다. 또, 극성 용제로서 PGME를 배합하는 경우에는, PGMEA:PGME의 질량비는, 바람직하게는 1:9 ∼ 9:1, 보다 바람직하게는 2:8 ∼ 8:2, 더욱 바람직하게는 3:7 ∼ 7:3 이다. 또한, PGMEA 와 PGME 와 시클로헥사논의 혼합 용제도 바람직하다.More specifically, in the case of blending EL or cyclohexanone as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA:EL or cyclohexanone is preferably 1:9 to 9:1, more preferably 2:8 to 8: It is 2. In addition, in the case of blending PGME as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA:PGME is preferably 1:9 to 9:1, more preferably 2:8 to 8:2, still more preferably 3:7 to It is 7:3. Further, a mixed solvent of PGMEA, PGME, and cyclohexanone is also preferable.

또, (S) 성분으로서, 그 외에는, PGMEA 및 EL 중에서 선택되는 적어도 1 종과 γ-부티로락톤의 혼합 용제도 바람직하다. 이 경우, 혼합 비율로는, 전자와 후자의 질량비가 바람직하게는 70:30 ∼ 95:5 가 된다.In addition, as the component (S), a mixed solvent of at least one selected from PGMEA and EL and γ-butyrolactone is also preferable. In this case, as the mixing ratio, the mass ratio of the former and the latter is preferably 70:30 to 95:5.

(S) 성분의 사용량은 특별히 한정되지 않고, 기판 등에 도포 가능한 농도로, 도포 막두께에 따라 적절히 설정된다. 일반적으로는 레지스트 조성물의 고형분 농도가 1 ∼ 20 질량%, 바람직하게는 2 ∼ 15 질량% 의 범위 내가 되도록 사용된다.The used amount of the component (S) is not particularly limited, and is a concentration applicable to a substrate or the like, and is appropriately set according to the coating film thickness. In general, it is used so that the solid content concentration of the resist composition is in the range of 1 to 20% by mass, preferably 2 to 15% by mass.

본 발명의 레지스트 조성물에 의하면, 러프니스가 저감된 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.According to the resist composition of the present invention, a resist pattern with reduced roughness can be formed.

본 발명의 레지스트 조성물은, 전자 흡인성의 치환기 (X) 를 갖는 락톤 함유 고리형기를 포함하는 구성 단위 (a0) 을 갖는 고분자 화합물 (A1) 을 함유한다. 그 (A1) 성분을 사용함으로써, 레지스트 패턴을 형성할 때, 감도의 저하가 억제되고, 양호한 감도가 유지된다. 게다가, 구성 단위 (a0) 을 가짐으로써, (A1) 성분의 유기 용제에 대한 용해성이 높아져, 레지스트용 용제에도 안정적으로 용해될 수 있다.The resist composition of the present invention contains a polymer compound (A1) having a structural unit (a0) containing a lactone-containing cyclic group having an electron-attracting substituent (X). By using the component (A1), when forming a resist pattern, a decrease in sensitivity is suppressed, and good sensitivity is maintained. In addition, by having the structural unit (a0), the solubility of the component (A1) in the organic solvent is increased, and it can be stably dissolved in the solvent for resist.

또, 본 발명의 레지스트 조성물은, 특정 아니온부를 갖는 화합물로 이루어지는 산 발생제 (B1) 을 함유한다. 그 (B1) 성분이 노광에 의해 발생하는 산은 단확산 (短擴散) 이기 때문에, 레지스트 패턴 측벽 등의 러프니스의 저감화가 도모된다. 게다가, 그 (B1) 성분의 사용에 의해, 베이스 수지로부터 산 해리성기를 용이하게 해리할 수 있다. 또한, 알칼리 현상 프로세스에 있어서는, 알칼리 현상액에 대해 용해 저해를 잘 발생시키지 않는다.Further, the resist composition of the present invention contains an acid generator (B1) composed of a compound having a specific anionic moiety. Since the component (B1) of the acid generated by exposure is mono-diffuse, the roughness of the sidewalls of the resist pattern and the like can be reduced. In addition, the acid dissociable group can be easily dissociated from the base resin by using the component (B1). In addition, in the alkali developing process, dissolution inhibition is hardly caused by the alkali developing solution.

본 발명의 레지스트 조성물에 있어서는, 이러한 구성 단위 (a0) 을 갖는 (A1) 성분과, 특정 아니온부를 갖는 (B1) 성분의 조합에 의해, 레지스트 패턴을 형성할 때에 러프니스 저감의 현저한 효과가 얻어진다. In the resist composition of the present invention, by combining the component (A1) having the structural unit (a0) and the component (B1) having a specific anion moiety, a remarkable effect of reducing roughness is obtained when forming a resist pattern. Lose.

게다가, 본 발명의 레지스트 조성물에 의하면, 보다 양호한 감도를 유지하면서, 러프니스가 저감된 레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 본 발명의 레지스트 조성물을 사용한 레지스트 패턴 형성에 있어서는, 러프니스 저감과의 양립이 곤란해지는, 노광량의 변동에 수반하는 패턴 사이즈의 변화량의 지표인 노광 여유도 (EL 마진) 도 양호하다.Further, according to the resist composition of the present invention, a resist pattern with reduced roughness can be formed while maintaining better sensitivity. In addition, in forming a resist pattern using the resist composition of the present invention, the exposure margin (EL margin), which is an index of the amount of change in the pattern size accompanying the fluctuation of the exposure amount, is also good, which makes it difficult to achieve coexistence with reduction of roughness.

≪레지스트 패턴 형성 방법≫≪Method of forming a resist pattern≫

본 발명의 제 2 양태의 레지스트 패턴 형성 방법은, 상기 본 발명의 제 1 양태의 레지스트 조성물을 사용하여 지지체 상에 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 및 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함한다.The method of forming a resist pattern of the second aspect of the present invention comprises a step of forming a resist film on a support using the resist composition of the first aspect of the present invention, a step of exposing the resist film, and developing the resist film after the exposure. And a process of forming a resist pattern.

본 태양의 레지스트 패턴 형성 방법은, 예를 들어 이하와 같이 하여 실시할 수 있다.The resist pattern formation method of this embodiment can be implemented as follows, for example.

먼저, 지지체 상에, 상기 제 1 양태에 관련된 레지스트 조성물을 스피너 등으로 도포하고, 베이크 (포스트 어플라이 베이크 (PAB)) 처리를, 예를 들어 80 ∼ 150 ℃ 의 온도 조건에서 40 ∼ 120 초간, 바람직하게는 60 ∼ 90 초간 실시하여 레지스트막을 형성한다.First, on a support, the resist composition according to the first aspect is applied with a spinner or the like, and a bake (post-applied bake (PAB)) treatment is performed, for example, under a temperature condition of 80 to 150°C for 40 to 120 seconds, Preferably, it is carried out for 60 to 90 seconds to form a resist film.

다음으로, 그 레지스트막에 대해, 예를 들어 ArF 노광 장치, 전자선 묘화 장치, EUV 노광 장치 등의 노광 장치를 사용하여, 소정의 패턴이 형성된 마스크 (마스크 패턴) 를 개재한 노광 또는 마스크 패턴을 개재하지 않은 전자선의 직접 조사에 의한 묘화 등에 의한 선택적 노광을 실시한 후, 베이크 (포스트 익스포저 베이크 (PEB)) 처리를, 예를 들어 80 ∼ 150 ℃ 의 온도 조건에서 40 ∼ 120 초간, 바람직하게는 60 ∼ 90 초간 실시한다.Next, for the resist film, an exposure device such as an ArF exposure device, an electron beam drawing device, or an EUV exposure device is used, and an exposure or a mask pattern is interposed with a mask (mask pattern) in which a predetermined pattern is formed. After selective exposure by drawing or the like by direct irradiation of an electron beam that is not applied, a bake (post exposure bake (PEB)) treatment is performed, for example, at a temperature of 80 to 150°C for 40 to 120 seconds, preferably 60 to Conduct for 90 seconds.

다음으로, 상기 레지스트막을 현상 처리한다. 현상 처리는, 알칼리 현상 프로세스의 경우에는, 알칼리 현상액을 사용하고, 용제 현상 프로세스의 경우에는, 유기 용제를 함유하는 현상액 (유기계 현상액) 을 사용하여 실시한다.Next, the resist film is developed. In the case of an alkali developing process, the developing treatment is performed using an alkali developer, and in the case of a solvent developing process, a developing solution containing an organic solvent (organic developer) is used.

현상 처리 후, 바람직하게는 린스 처리를 실시한다. 린스 처리는, 알칼리 현상 프로세스의 경우에는, 순수를 사용한 물 린스가 바람직하고, 용제 현상 프로세스의 경우에는, 유기 용제를 함유하는 린스액을 사용하는 것이 바람직하다.After the development treatment, preferably, a rinse treatment is performed. In the case of an alkali developing process, water rinse using pure water is preferable for the rinse treatment, and in the case of a solvent developing process, it is preferable to use a rinse liquid containing an organic solvent.

용제 현상 프로세스의 경우, 상기 현상 처리 또는 린스 처리 후에, 패턴 상에 부착되어 있는 현상액 또는 린스액을 초임계 유체에 의해 제거하는 처리를 실시해도 된다.In the case of the solvent developing process, after the above developing treatment or rinsing treatment, a treatment in which the developer or rinsing liquid adhered on the pattern is removed with a supercritical fluid may be performed.

현상 처리 후 또는 린스 처리 후, 건조를 실시한다. 또, 경우에 따라서는, 상기 현상 처리 후에 베이크 처리 (포스트 베이크) 를 실시해도 된다. 이와 같이 하여, 레지스트 패턴을 얻을 수 있다.Drying is performed after developing treatment or after rinsing treatment. Moreover, in some cases, a baking treatment (post baking) may be performed after the development treatment. In this way, a resist pattern can be obtained.

지지체로는, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있으며, 예를 들어, 전자 부품용 기판이나, 이것에 소정의 배선 패턴이 형성된 것 등을 예시할 수 있다. 보다 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼, 구리, 크롬, 철, 알루미늄 등의 금속제 기판이나, 유리 기판 등을 들 수 있다. 배선 패턴의 재료로는, 예를 들어 구리, 알루미늄, 니켈, 금 등이 사용 가능하다.It does not specifically limit as a support body, A conventionally well-known thing can be used, For example, the board|substrate for electronic components, the thing with a predetermined wiring pattern formed on it, etc. can be illustrated. More specifically, a silicon wafer, a metal substrate such as copper, chromium, iron, aluminum, or a glass substrate may be mentioned. As the material of the wiring pattern, for example, copper, aluminum, nickel, gold, or the like can be used.

또, 지지체로는, 상기 서술한 바와 같은 기판 상에, 무기계 및/또는 유기계의 막이 형성된 것이어도 된다. 무기계의 막으로는, 무기 반사 방지막 (무기 BARC) 을 들 수 있다. 유기계의 막으로는, 유기 반사 방지막 (유기 BARC) 이나 다층 레지스트법에 있어서의 하층 유기막 등의 유기막을 들 수 있다.In addition, as a support, an inorganic and/or organic film may be formed on a substrate as described above. Examples of the inorganic film include an inorganic antireflection film (inorganic BARC). Examples of the organic film include organic films such as an organic antireflection film (organic BARC) and an underlayer organic film in a multilayer resist method.

여기서, 다층 레지스트법이란, 기판 상에, 적어도 1 층의 유기막 (하층 유기막) 과, 적어도 1 층의 레지스트막 (상층 레지스트막) 을 형성하고, 상층 레지스트막에 형성한 레지스트 패턴을 마스크로 하여 하층 유기막의 패터닝을 실시하는 방법이며, 고어스펙트비의 패턴을 형성할 수 있는 것으로 여겨지고 있다. 즉, 다층 레지스트법에 의하면, 하층 유기막에 의해 소요 두께를 확보할 수 있기 때문에, 레지스트막을 박막화할 수 있고, 고어스펙트비의 미세 패턴 형성이 가능해진다.Here, the multilayer resist method means forming at least one layer of an organic film (lower layer organic film) and at least one layer of a resist film (upper layer resist film) on a substrate, and using a resist pattern formed on the upper resist film as a mask. Thus, it is a method of performing patterning of the lower organic film, and is believed to be capable of forming a high aspect ratio pattern. That is, according to the multilayer resist method, since the required thickness can be secured by the lower organic film, the resist film can be made thin, and fine patterns with a high aspect ratio can be formed.

다층 레지스트법에는, 기본적으로, 상층 레지스트막과 하층 유기막의 2 층 구조로 하는 방법 (2 층 레지스트법) 과, 상층 레지스트막과 하층 유기막 사이에 1 층 이상의 중간층 (금속 박막 등) 을 형성한 3 층 이상의 다층 구조로 하는 방법 (3 층 레지스트법) 으로 나뉜다.In the multilayer resist method, basically, a two-layer structure of an upper resist film and a lower organic film (two-layer resist method), and one or more intermediate layers (metal thin film, etc.) are formed between the upper resist film and the lower organic film. It is divided into a method of forming a multilayer structure of three or more layers (three-layer resist method).

노광에 사용하는 파장은, 특별히 한정되지 않고, ArF 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저, F2 엑시머 레이저, EUV (극자외선), VUV (진공 자외선), EB (전자선), X 선, 연 (軟) X 선 등의 방사선을 이용하여 실시할 수 있다. 상기 레지스트 조성물은, KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, EB 또는 EUV 용으로서의 유용성이 높고, ArF 엑시머 레이저, EB 또는 EUV 용으로서 특히 유용하다.The wavelength used for exposure is not particularly limited, and ArF excimer laser, KrF excimer laser, F 2 excimer laser, EUV (extreme ultraviolet), VUV (vacuum ultraviolet light), EB (electron ray), X-ray, and lead X It can be carried out using radiation such as lines. The above resist composition is highly useful for KrF excimer laser, ArF excimer laser, EB or EUV, and is particularly useful for ArF excimer laser, EB or EUV.

레지스트막의 노광 방법은, 공기나 질소 등의 불활성 가스 중에서 실시하는 통상적인 노광 (드라이 노광) 이어도 되고, 액침 노광 (Liquid Immersion Lithography) 이어도 된다.The exposure method of the resist film may be conventional exposure (dry exposure) performed in an inert gas such as air or nitrogen, or liquid immersion exposure (Liquid Immersion Lithography).

액침 노광은, 미리 레지스트막과 노광 장치의 최하 위치의 렌즈 사이를, 공기의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 용매 (액침 매체) 로 채우고, 그 상태로 노광 (침지 노광) 을 실시하는 노광 방법이다.Liquid immersion exposure is an exposure method in which a resist film and a lens at the lowest position of the exposure apparatus are previously filled with a solvent (liquid immersion medium) having a refractive index greater than the refractive index of air, and exposure (immersion exposure) is performed in that state.

액침 매체로는, 공기의 굴절률보다 크고, 또한, 노광되는 레지스트막이 갖는 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 용매가 바람직하다. 이러한 용매의 굴절률로는, 상기 범위 내이면 특별히 제한되지 않는다.As the liquid immersion medium, a solvent having a refractive index greater than the refractive index of air and less than the refractive index of the exposed resist film is preferable. The refractive index of such a solvent is not particularly limited as long as it is within the above range.

공기의 굴절률보다 크고, 또한, 상기 레지스트막의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 용매로는, 예를 들어, 물, 불소계 불활성 액체, 실리콘계 용제, 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다.Examples of the solvent having a refractive index larger than the refractive index of air and smaller than the refractive index of the resist film include water, a fluorine-based inert liquid, a silicone-based solvent, and a hydrocarbon-based solvent.

불소계 불활성 액체의 구체예로는, C3HCl2F5, C4F9OCH3, C4F9OC2H5, C5H3F7 등의 불소계 화합물을 주성분으로 하는 액체 등을 들 수 있으며, 비점이 70 ∼ 180 ℃ 인 것이 바람직하고, 80 ∼ 160 ℃ 인 것이 보다 바람직하다. 불소계 불활성 액체가 상기 범위의 비점을 갖는 것이면, 노광 종료 후에, 액침에 사용한 매체의 제거를 간편한 방법으로 실시할 수 있으므로 바람직하다.Specific examples of the fluorine-based inert liquid include liquids mainly containing fluorine-based compounds such as C 3 HCl 2 F 5 , C 4 F 9 OCH 3 , C 4 F 9 OC 2 H 5 , and C 5 H 3 F 7 . It is possible, and the boiling point is preferably 70 to 180°C, more preferably 80 to 160°C. If the fluorine-based inert liquid has a boiling point in the above range, it is preferable since the medium used for immersion can be removed by a simple method after the exposure is completed.

불소계 불활성 액체로는, 특히, 알킬기의 수소 원자가 모두 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬 화합물이 바람직하다. 퍼플루오로알킬 화합물로는, 구체적으로는, 퍼플루오로알킬에테르 화합물이나 퍼플루오로알킬아민 화합물을 들 수 있다.The fluorine-based inert liquid is particularly preferably a perfluoroalkyl compound in which all of the hydrogen atoms of the alkyl group are replaced with fluorine atoms. As a perfluoroalkyl compound, a perfluoroalkyl ether compound and a perfluoroalkylamine compound are mentioned specifically.

또한, 구체적으로는, 상기 퍼플루오로알킬에테르 화합물로는, 퍼플루오로(2-부틸-테트라하이드로푸란) (비점 102 ℃) 을 들 수 있으며, 상기 퍼플루오로알킬아민 화합물로는, 퍼플루오로트리부틸아민 (비점 174 ℃) 을 들 수 있다.Further, specifically, examples of the perfluoroalkyl ether compound include perfluoro(2-butyl-tetrahydrofuran) (boiling point 102°C), and examples of the perfluoroalkylamine compound include perfluoro. Lotributylamine (boiling point 174°C) is mentioned.

액침 매체로는, 비용, 안전성, 환경 문제, 범용성 등의 관점에서 물이 바람직하게 사용된다.As the immersion medium, water is preferably used from the viewpoints of cost, safety, environmental issues, and versatility.

알칼리 현상 프로세스에서 현상 처리에 사용하는 알칼리 현상액으로는, 예를 들어 0.1 ∼ 10 질량% 테트라메틸암모늄하이드록시드 (TMAH) 수용액을 들 수 있다. As an alkali developing solution used for the developing treatment in the alkali developing process, an aqueous solution of 0.1 to 10% by mass of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) is exemplified.

용제 현상 프로세스에서 현상 처리에 사용하는 유기계 현상액이 함유하는 유기 용제로는, (A) 성분 (노광 전의 (A) 성분) 을 용해할 수 있는 것이면 되고, 공지된 유기 용제 중에서 적절히 선택할 수 있다. 구체적으로는, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제, 니트릴계 용제, 아미드계 용제, 에테르계 용제 등의 극성 용제, 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다.As the organic solvent contained in the organic developer used for the developing treatment in the solvent developing process, any one capable of dissolving the component (A) (the component (A) before exposure) can be appropriately selected from known organic solvents. Specifically, polar solvents such as ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, nitrile solvents, amide solvents and ether solvents, and hydrocarbon solvents may be mentioned.

케톤계 용제는, 구조 중에 C-C(=O)-C 를 포함하는 유기 용제이다. 에스테르계 용제는, 구조 중에 C-C(=O)-O-C 를 포함하는 유기 용제이다. 알코올계 용제는, 구조 중에 알코올성 수산기를 포함하는 유기 용제이며, 「알코올성 수산기」 는, 지방족 탄화수소기의 탄소 원자에 결합한 수산기를 의미한다. 니트릴계 용제는, 구조 중에 니트릴기를 포함하는 유기 용제이다. 아미드계 용제는 구조 중에 아미드기를 포함하는 유기 용제이다. 에테르계 용제는 구조 중에 C-O-C 를 포함하는 유기 용제이다.The ketone solvent is an organic solvent containing C-C(=O)-C in the structure. The ester solvent is an organic solvent containing C-C(=O)-O-C in the structure. The alcohol-based solvent is an organic solvent containing an alcoholic hydroxyl group in its structure, and the "alcoholic hydroxyl group" means a hydroxyl group bonded to a carbon atom of an aliphatic hydrocarbon group. The nitrile-based solvent is an organic solvent containing a nitrile group in the structure. An amide solvent is an organic solvent containing an amide group in the structure. Ether-based solvents are organic solvents containing C-O-C in the structure.

유기 용제 중에는, 구조 중에 상기 각 용제를 특징 짓는 관능기를 복수 종 포함하는 유기 용제도 존재하지만, 그 경우에는, 당해 유기 용제가 갖는 관능기를 포함하는 어느 용제 종에도 해당하는 것으로 한다. 예를 들어, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르는, 상기 분류 중의, 알코올계 용제, 에테르계 용제 중 어느 것에도 해당하는 것으로 한다.Among the organic solvents, there is also an organic solvent including a plurality of types of functional groups that characterize each of the above-described solvents in the structure, but in that case, it is assumed to correspond to any solvent species including the functional groups that the organic solvent has. For example, diethylene glycol monomethyl ether shall correspond to any of alcohol-based solvents and ether-based solvents in the above classification.

탄화수소계 용제는, 할로겐화 되어 있어도 되는 탄화수소로 이루어지고, 할로겐 원자 이외의 치환기를 갖지 않는 탄화수소 용제이다. 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.The hydrocarbon-based solvent is a hydrocarbon solvent composed of a hydrocarbon which may be halogenated and does not have a substituent other than a halogen atom. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

유기계 현상액이 함유하는 유기 용제로는, 상기 중에서도, 극성 용제가 바람직하고, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 니트릴계 용제 등이 바람직하다.As the organic solvent contained in the organic developer, among the above, polar solvents are preferred, and ketone solvents, ester solvents, nitrile solvents and the like are preferred.

각 용제의 구체예로서, 케톤계 용제로는, 예를 들어, 1-옥타논, 2-옥타논, 1-노나논, 2-노나논, 아세톤, 4-헵타논, 1-헥사논, 2-헥사논, 디이소부틸케톤, 시클로헥사논, 메틸시클로헥사논, 페닐아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 아세틸아세톤, 아세트닐아세톤, 이오논, 디아세트닐알코올, 아세틸카르비놀, 아세토페논, 메틸나프틸케톤, 이소포론, 프로필렌카보네이트, γ-부티로락톤, 메틸아밀케톤(2-헵타논) 등을 들 수 있다.As a specific example of each solvent, as a ketone solvent, for example, 1-octanone, 2-octanone, 1-nonanone, 2-nonanone, acetone, 4-heptanone, 1-hexanone, 2 -Hexanone, diisobutyl ketone, cyclohexanone, methylcyclohexanone, phenylacetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, acetylacetone, acenylacetone, ionone, diacetyl alcohol, acetylcarbinol, aceto Phenone, methyl naphthyl ketone, isophorone, propylene carbonate, γ-butyrolactone, methyl amyl ketone (2-heptanone), and the like.

케톤계 용제로는 메틸아밀케톤(2-헵타논) 이 바람직하다.As the ketone solvent, methyl amyl ketone (2-heptanone) is preferable.

에스테르계 용제로는, 예를 들어, 아세트산메틸, 아세트산부틸, 아세트산에틸, 아세트산이소프로필, 아세트산아밀, 아세트산이소아밀, 메톡시아세트산에틸, 에톡시아세트산에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 2-메톡시부틸아세테이트, 3-메톡시부틸아세테이트, 4-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-에틸-3-메톡시부틸아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 2-에톡시부틸아세테이트, 4-에톡시부틸아세테이트, 4-프로폭시부틸아세테이트, 2-메톡시펜틸아세테이트, 3-메톡시펜틸아세테이트, 4-메톡시펜틸아세테이트, 2-메틸-3-메톡시펜틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시펜틸아세테이트, 3-메틸-4-메톡시펜틸아세테이트, 4-메틸-4-메톡시펜틸아세테이트, 프로필렌글리콜디아세테이트, 포름산메틸, 포름산에틸, 포름산부틸, 포름산프로필, 락트산에틸, 락트산부틸, 락트산프로필, 탄산에틸, 탄산프로필, 탄산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 피루브산프로필, 피루브산부틸, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 프로피온산메틸, 프로피온산에틸, 프로피온산프로필, 프로피온산이소프로필, 2-하이드록시프로피온산메틸, 2-하이드록시프로피온산에틸, 메틸-3-메톡시프로피오네이트, 에틸-3-메톡시프로피오네이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 프로필-3-메톡시프로피오네이트 등을 들 수 있다.As an ester solvent, for example, methyl acetate, butyl acetate, ethyl acetate, isopropyl acetate, amyl acetate, isoamyl acetate, ethyl methoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol Monoethyl ether acetate, ethylene glycol monopropyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, Diethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, 2-methoxybutyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, 4-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3 -Methoxybutyl acetate, 3-ethyl-3-methoxybutyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, 2-ethoxybutyl acetate, 4-ethoxybutyl Acetate, 4-propoxybutyl acetate, 2-methoxypentyl acetate, 3-methoxypentyl acetate, 4-methoxypentyl acetate, 2-methyl-3-methoxypentyl acetate, 3-methyl-3-methoxypentyl Acetate, 3-methyl-4-methoxypentyl acetate, 4-methyl-4-methoxypentyl acetate, propylene glycol diacetate, methyl formate, ethyl formate, butyl formate, propyl formate, ethyl lactate, butyl lactate, propyl lactate, Ethyl carbonate, propyl carbonate, butyl carbonate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, butyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl propionate, ethyl propionate, propyl propionate, isopropyl propionate, 2-hydroxy methylpropionate, 2 -Ethyl hydroxypropionate, methyl-3-methoxypropionate, ethyl-3-methoxypropionate, ethyl-3-ethoxypropionate, propyl-3-methoxypropionate, and the like. .

에스테르계 용제로는, 아세트산부틸이 바람직하다.As the ester solvent, butyl acetate is preferable.

니트릴계 용제로는, 예를 들어, 아세토니트릴, 프로피오니트릴, 발레로니트릴, 부티로니트릴 등을 들 수 있다.As a nitrile solvent, acetonitrile, propionitrile, valeronitrile, butyronitrile, etc. are mentioned, for example.

유기계 현상액에는, 필요에 따라 공지된 첨가제를 배합할 수 있다. 그 첨가제로는 예를 들어 계면 활성제를 들 수 있다. 계면 활성제로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 이온성이나 비이온성의 불소계 및/또는 실리콘계 계면 활성제 등을 사용할 수 있다. 계면 활성제로는, 비이온성의 계면 활성제가 바람직하고, 불소계 계면 활성제 또는 실리콘계 계면 활성제가 보다 바람직하다.In the organic developer, a known additive may be blended as needed. Surfactants are mentioned as the additive, for example. Although it does not specifically limit as surfactant, For example, an ionic or nonionic fluorine-type and/or silicone-type surfactant, etc. can be used. As the surfactant, a nonionic surfactant is preferable, and a fluorine type surfactant or a silicone type surfactant is more preferable.

계면 활성제를 배합하는 경우, 그 배합량은, 유기계 현상액의 전체량에 대해, 통상적으로 0.001 ∼ 5 질량% 이고, 0.005 ∼ 2 질량% 가 바람직하고, 0.01 ∼ 0.5 질량% 가 보다 바람직하다.In the case of blending a surfactant, the blending amount is usually 0.001 to 5 mass%, preferably 0.005 to 2 mass%, and more preferably 0.01 to 0.5 mass% with respect to the total amount of the organic developer.

현상 처리는, 공지된 현상 방법에 의해 실시하는 것이 가능하고, 예를 들어 현상액 중에 지지체를 일정 시간 침지하는 방법 (딥법), 지지체 표면에 현상액을 표면 장력에 의해 마운팅하여 일정 시간 정지하는 방법 (패들법), 지지체 표면에 현상액을 분무하는 방법 (스프레이법), 일정 속도로 회전하고 있는 지지체 상에 일정 속도로 현상액 도출 (塗出) 노즐을 스캔하면서 현상액을 계속해서 도출하는 방법 (다이나믹 투여법) 등을 들 수 있다.The developing treatment can be performed by a known developing method, for example, a method of immersing the support in a developer for a certain period of time (dip method), a method of stopping the support for a certain period of time by mounting the developer on the surface of the support by surface tension (paddle Method), a method of spraying a developer solution on the surface of the support (spray method), a method of continuously drawing a developer solution while scanning the nozzle at a constant speed on a support rotating at a constant speed (dynamic dosing method) And the like.

용제 현상 프로세스에서 현상 처리 후의 린스 처리에 사용하는 린스액이 함유하는 유기 용제로는, 예를 들어 상기 유기계 현상액에 사용하는 유기 용제로서 예시한 유기 용제 중, 레지스트 패턴을 잘 용해시키지 않는 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 통상적으로 탄화수소계 용제, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제, 아미드계 용제 및 에테르계 용제에서 선택되는 적어도 1 종류의 용제를 사용한다. 이들 중에서도, 탄화수소계 용제, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제 및 아미드계 용제에서 선택되는 적어도 1 종류가 바람직하고, 알코올계 용제 및 에스테르계 용제에서 선택되는 적어도 1 종류가 보다 바람직하며, 알코올계 용제가 특히 바람직하다.As the organic solvent contained in the rinse liquid used for the rinse treatment after development in the solvent development process, for example, among the organic solvents exemplified as organic solvents used in the organic developer, those that do not dissolve the resist pattern are appropriately selected. Can be used. Typically, at least one type of solvent selected from hydrocarbon-based solvents, ketone-based solvents, ester-based solvents, alcohol-based solvents, amide-based solvents, and ether-based solvents is used. Among these, at least one type selected from hydrocarbon-based solvents, ketone-based solvents, ester-based solvents, alcohol-based solvents and amide-based solvents is preferable, and at least one type selected from alcohol-based solvents and ester-based solvents is more preferable, Alcohol solvents are particularly preferred.

린스액에 사용하는 알코올계 용제는, 탄소수 6 ∼ 8 의 1 가 알코올이 바람직하고, 그 1 가 알코올은 직사슬형, 분기형, 고리형 중 어느 것이어도 된다. 구체적으로는, 1-헥산올, 1-헵탄올, 1-옥탄올, 2-헥산올, 2-헵탄올, 2-옥탄올, 3-헥산올, 3-헵탄올, 3-옥탄올, 4-옥탄올, 벤질알코올 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 1-헥산올, 2-헵탄올, 2-헥산올이 바람직하고, 1-헥산올 또는 2-헥산올이 보다 바람직하다.The alcohol solvent used for the rinse liquid is preferably a monohydric alcohol having 6 to 8 carbon atoms, and the monohydric alcohol may be linear, branched or cyclic. Specifically, 1-hexanol, 1-heptanol, 1-octanol, 2-hexanol, 2-heptanol, 2-octanol, 3-hexanol, 3-heptanol, 3-octanol, 4 -Octanol, benzyl alcohol, etc. are mentioned. Among these, 1-hexanol, 2-heptanol, and 2-hexanol are preferable, and 1-hexanol or 2-hexanol is more preferable.

이들 유기 용제는, 어느 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 또, 상기 이외의 유기 용제나 물과 혼합하여 사용해도 된다. 단 현상 특성을 고려하면, 린스액 중의 물의 배합량은, 린스액의 전체량에 대해, 30 질량% 이하가 바람직하고, 10 질량% 이하가 보다 바람직하고, 5 질량% 이하 더욱 바람직하며, 3 질량% 이하가 특히 바람직하다.Any one of these organic solvents may be used alone, or two or more of these organic solvents may be used in combination. Moreover, you may use it, mixing with an organic solvent other than the above or water. However, in consideration of the developing characteristics, the amount of water in the rinse liquid is preferably 30 mass% or less, more preferably 10 mass% or less, even more preferably 5 mass% or less, and 3 mass% with respect to the total amount of the rinse liquid. The following are particularly preferred.

린스액에는, 필요에 따라 공지된 첨가제를 배합할 수 있다. 그 첨가제로는, 예를 들어 계면 활성제를 들 수 있다. 계면 활성제는, 상기와 동일한 것을 들 수 있으며, 비이온성의 계면 활성제가 바람직하고, 불소계 계면 활성제 또는 실리콘계 계면 활성제가 보다 바람직하다.In the rinse liquid, a known additive can be blended if necessary. As the additive, a surfactant is mentioned, for example. Examples of the surfactant include those similar to those described above, and a nonionic surfactant is preferable, and a fluorine surfactant or a silicone surfactant is more preferable.

계면 활성제를 배합하는 경우, 그 배합량은, 린스액의 전체량에 대해, 통상적으로 0.001 ∼ 5 질량% 이고, 0.005 ∼ 2 질량% 가 바람직하고, 0.01 ∼ 0.5 질량% 가 보다 바람직하다.In the case of blending a surfactant, the blending amount is usually 0.001 to 5 mass%, preferably 0.005 to 2 mass%, and more preferably 0.01 to 0.5 mass% with respect to the total amount of the rinse liquid.

린스액을 사용한 린스 처리 (세정 처리) 는, 공지된 린스 방법에 의해 실시할 수 있다. 그 방법으로는, 예를 들어 일정 속도로 회전하고 있는 지지체 상에 린스액을 계속해서 도출하는 방법 (회전 도포법), 린스액 중에 지지체를 일정 시간 침지하는 방법 (딥법), 지지체 표면에 린스액을 분무하는 방법 (스프레이법) 등을 들 수 있다.The rinse treatment (washing treatment) using the rinse liquid can be carried out by a known rinse method. As a method, for example, a method of continuously drawing out a rinse liquid on a support rotating at a constant speed (rotation coating method), a method of immersing the support in the rinse liquid for a certain period of time (dip method), and a rinse liquid on the surface of the support. The method of spraying (spraying method) etc. are mentioned.

실시예Example

이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이들 예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by examples, but the present invention is not limited by these examples.

본 실시예에서는, 화학식 (1) 로 나타내는 화합물을 「화합물 (1)」 이라고 표기하고, 다른 화학식으로 나타내는 화합물에 대해서도 동일하게 기재한다.In this example, the compound represented by the general formula (1) is referred to as "compound (1)", and the compound represented by the other general formula is also described in the same manner.

<고분자 화합물의 제조예><Preparation example of a polymer compound>

본 실시예에서 기재 성분으로서 사용한 고분자 화합물은, 모노머로서 하기 화학식으로 나타내는 화합물을 소정의 몰비로 병용하고, 공지된 라디칼 중합 방법으로 공중합함으로써 얻었다.The polymer compound used as the base component in the present example was obtained by copolymerizing a compound represented by the following formula as a monomer in a predetermined molar ratio and copolymerized by a known radical polymerization method.

[화학식 53][Formula 53]

Figure 112014027517001-pat00053
Figure 112014027517001-pat00053

(고분자 화합물 1 ∼ 6) (Polymer compounds 1 to 6)

얻어진 고분자 화합물 1 ∼ 6 에 대해, 13C-NMR 에 의해 구해진 그 고분자 화합물의 모노머 조성비 (구조 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)), GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량 (Mw) 및 분자량 분산도 (Mw/Mn) 를 표 1 에 병기하였다.For the obtained polymer compounds 1 to 6, the monomer composition ratio of the polymer compound (ratio (molar ratio) of each structural unit in the structure) determined by 13 C-NMR, the mass average molecular weight (Mw) in terms of standard polystyrene determined by GPC measurement And molecular weight dispersion degree (Mw/Mn) are also listed in Table 1.

Figure 112014027517001-pat00054
Figure 112014027517001-pat00054

<레지스트 조성물의 조제><Preparation of resist composition>

(실시예 1 ∼ 7, 비교예 1 ∼ 4) (Examples 1 to 7, Comparative Examples 1 to 4)

표 2 에 나타내는 각 성분을 혼합하여 용해함으로써 각 예의 레지스트 조성물을 조제하였다.Each component shown in Table 2 was mixed and dissolved to prepare a resist composition of each example.

Figure 112014027517001-pat00055
Figure 112014027517001-pat00055

표 2 중, 각 약호는 각각 이하의 의미를 갖는다. [ ] 내의 수치는 배합량 (질량부) 이다.In Table 2, each abbreviation has the following meaning, respectively. The value in [] is the blending amount (parts by mass).

(A)-1 ∼ (A)-6:상기 고분자 화합물 1 ∼ 6.(A)-1 to (A)-6: Polymer compounds 1 to 6.

(B1)-1 ∼ (B1)-4:하기 화학식 (B1)-1 ∼ (B1)-4 로 각각 나타내는 화합물로 이루어지는 산 발생제.(B1)-1 to (B1)-4: An acid generator comprising a compound each represented by the following formulas (B1)-1 to (B1)-4.

(B2)-1:하기 화학식 (B2)-1 로 나타내는 화합물로 이루어지는 산 발생제.(B2)-1: An acid generator comprising a compound represented by the following general formula (B2)-1.

(B2)-2:트리페닐술포늄노나플루오로-n-부탄술포네이트.(B2)-2: Triphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate.

(D)-1:하기 화학식 (D)-1 로 나타내는 화합물로 이루어지는 광 붕괴성 염기.(D)-1: A photodegradable base composed of a compound represented by the following general formula (D)-1.

(F)-1:하기 화학식 (F)-1 로 나타내는 함불소 고분자 화합물. GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량 (Mw) 은 25000, 분자량 분산도 (Mw/Mn) 는 2.0. (F)-1: The fluorinated polymer compound represented by the following general formula (F)-1. The mass average molecular weight (Mw) in terms of standard polystyrene determined by GPC measurement was 25000, and the molecular weight dispersion degree (Mw/Mn) was 2.0.

(S)-1:프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트/프로필렌글리콜모노메틸에테르/시클로헥사논 = 45/30/25 (질량비) 의 혼합 용제.(S)-1: A mixed solvent of propylene glycol monomethyl ether acetate/propylene glycol monomethyl ether/cyclohexanone = 45/30/25 (mass ratio).

[화학식 54][Chemical Formula 54]

Figure 112014027517001-pat00056
Figure 112014027517001-pat00056

얻어진 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트 패턴을 형성하고, 감도, 라인 위드스 러프니스 (LWR), 노광 여유도 (EL 마진) 의 각 평가를 각각 이하와 같이 하여 실시하였다.A resist pattern was formed using the obtained resist composition, and each evaluation of sensitivity, line with roughness (LWR), and exposure margin (EL margin) was performed as follows.

<레지스트 패턴의 형성><Formation of resist pattern>

12 인치의 실리콘 웨이퍼 상에, 유기계 반사 방지막 조성물 「ARC95」 (상품명, 브루어 사이언스사 제조) 를 스피너를 사용하여 도포하고, 핫 플레이트 상에서 205 ℃, 60 초간 소성하여 건조시킴으로써, 막두께 90 ㎚ 의 유기계 반사 방지막을 형성하였다.On a 12-inch silicon wafer, an organic antireflection film composition "ARC95" (trade name, manufactured by Brewer Science) was applied using a spinner, and fired on a hot plate at 205°C for 60 seconds, followed by drying to obtain an organic system having a film thickness of 90 nm. An antireflection film was formed.

이어서, 그 유기계 반사 방지막 상에, 각 예의 레지스트 조성물을 스피너를 사용하여 각각 도포하고, 핫 플레이트 상에서, 온도 110 ℃ 에서 60 초간의 프리베이크 (PAB) 처리를 실시하고, 건조시킴으로써, 막두께 90 ㎚ 의 레지스트막을 형성하였다.Subsequently, the resist composition of each example was applied on the organic antireflection film using a spinner, respectively, and prebaked (PAB) treatment for 60 seconds at a temperature of 110°C on a hot plate, followed by drying, to a film thickness of 90 nm. A resist film of was formed.

다음으로, 그 레지스트막에 대해, 액침용 ArF 노광 장치 NSR-S609B [니콘사 제조;NA (개구 수) = 1.07, Dipole 0.97/0.78 with polano, 액침 매체:물] 에 의해, 바이너리 마스크를 통해 ArF 엑시머 레이저 (193 ㎚) 를 선택적으로 조사하였다.Next, with respect to the resist film, ArF exposure apparatus for immersion NSR-S609B [manufactured by Nikon Corporation; NA (number of openings) = 1.07, Dipole 0.97/0.78 with polano, immersion medium: water] through a binary mask. An excimer laser (193 nm) was selectively irradiated.

그 후, 온도 95 ℃ 에서 60 초간의 노광 후 가열 (PEB) 처리를 실시하였다.Then, heating (PEB) treatment was performed after exposure for 60 seconds at a temperature of 95°C.

이어서, 23 ℃ 에서 2.38 질량% 의 TMAH 수용액 (상품명:NMD-3, 도쿄 오카 공업 주식회사 제조) 으로 10 초간의 알칼리 현상을 실시하고, 그 후, 순수를 사용하여 30 초간의 물 린스를 실시하고, 털어내어 건조를 실시하였다.Next, alkali development was performed for 10 seconds with a 2.38 mass% TMAH aqueous solution (trade name: NMD-3, manufactured by Tokyo Oka Industrial Co., Ltd.) at 23°C, and then water rinsed for 30 seconds using pure water, It was shaken off and dried.

그 결과, 어느 예에 있어서도, 라인 폭 50 ㎚, 피치 100 ㎚ 의 1:1 의 라인 앤드 스페이스 (LS) 패턴이 각각 형성되었다.As a result, in any example, a 1:1 line and space (LS) pattern having a line width of 50 nm and a pitch of 100 nm was formed, respectively.

각 예의 레지스트 패턴의 형성에 있어서, 그 LS 패턴이 각각 형성되는 최적 노광량 (감도) Eop (mJ/㎠) 를 구하였다. 그 결과를 표 3 에 나타낸다.In the formation of the resist patterns of each example, the optimum exposure amount (sensitivity) Eop (mJ/cm 2) at which the LS patterns are respectively formed was calculated. The results are shown in Table 3.

[라인 위드스 러프니스 (LWR) 의 평가][Evaluation of Line with Roughness (LWR)]

상기 <레지스트 패턴의 형성> 에 의해 형성된 LS 패턴에 있어서, 측장 SEM (주사형 전자 현미경, 가속 전압 300 V, 상품명:S-9380, 히타치 하이테크놀로지즈사 제조) 에 의해, 스페이스 폭을 스페이스의 길이 방향으로 400 군데 측정하고, 그 결과로부터 표준 편차 (s) 의 3 배값 (3s) 를 구하고, 400 군데의 3s 에 대해 평균화한 값 (㎚) 을 LWR 을 나타내는 척도로서 산출하였다. 그 결과를 표 3 에 나타낸다.In the LS pattern formed by the above <formation of a resist pattern>, the space width was determined in the length direction of the space by measuring SEM (scanning electron microscope, acceleration voltage 300 V, brand name: S-9380, manufactured by Hitachi High Technologies). The measurement was carried out at 400 locations, and from the result, a three-fold value (3s) of the standard deviation (s) was obtained, and a value (nm) averaged over 3s at 400 locations was calculated as a measure representing LWR. The results are shown in Table 3.

이 3s 의 값이 작을수록 그 선폭의 러프니스가 작고, 보다 균일폭의 LS 패턴이 얻어진 것을 의미한다.The smaller the value of 3s, the smaller the roughness of the line width, which means that an LS pattern with a more uniform width is obtained.

[노광 여유도 (EL 마진) 의 평가][Evaluation of exposure margin (EL margin)]

상기 <레지스트 패턴의 형성> 에 의해 LS 패턴의 라인이 타겟 치수 (라인 폭 50 ㎚) 의 ±5 % (47.5 ㎚ ∼ 52.5 ㎚) 의 범위 내에서 형성될 때의 노광량을 구하고, 하기 식에 의해 EL 마진 (단위:%) 을 구하였다. 그 결과를 표 3 에 나타낸다.The exposure amount when the line of the LS pattern is formed within the range of ±5% (47.5 nm to 52.5 nm) of the target dimension (line width 50 nm) by the above <formation of the resist pattern> is obtained, and EL by the following equation The margin (unit: %) was calculated|required. The results are shown in Table 3.

EL 마진 (%) = (|E1 - E2|/ Eop) × 100 EL margin (%) = (|E1 - E2|/ Eop) × 100

E1:라인 폭 47.5 ㎚ 의 LS 패턴이 형성되었을 때의 노광량 (mJ/㎠) E1: Exposure amount when LS pattern with a line width of 47.5 nm is formed (mJ/cm2)

E2:라인 폭 52.5 ㎚ 의 LS 패턴이 형성되었을 때의 노광량 (mJ/㎠) E2: Exposure amount when LS pattern with a line width of 52.5 nm is formed (mJ/cm2)

EL 마진은, 그 값이 클수록 노광량의 변동에 수반하는 패턴 사이즈의 변화량이 작은 것을 나타낸다.The EL margin indicates that the larger the value, the smaller the amount of change in the pattern size accompanying the change in the exposure amount.

Figure 112014027517001-pat00057
Figure 112014027517001-pat00057

표 3 에 나타내는 결과로부터, 본 발명을 적용한 실시예 1 ∼ 7 의 레지스트 조성물은 러프니스가 저감된 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 것이 확인할 수 있다.
From the results shown in Table 3, it can be confirmed that the resist compositions of Examples 1 to 7 to which the present invention is applied can form a resist pattern with reduced roughness.

Claims (4)

산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분 (A), 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분 (B) 및 노광에 의해 분해되어 산 확산 제어성을 잃는 광 붕괴성 염기 (D1) 을 함유하는 레지스트 조성물로서,
상기 기재 성분 (A) 는 하기 일반식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위 (a0) 을 갖는 고분자 화합물 (A1) 을 포함하고,
상기 산 발생제 성분 (B) 는 하기 일반식 (b1) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 산 발생제 (B1) 을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물.
[화학식 1]
Figure 112020116148120-pat00058

[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기이다. Va0 은 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이다. na0 은 0 이다. Ra1 및 Ra2 는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 알콕시기, 혹은 알킬티오기이거나, 또는, Ra1 과 Ra2 가 서로 결합하여, 산소 원자 (-O-) 혹은 황 원자 (-S-) 를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기, 에테르 결합, 혹은 티오에테르 결합이 되어도 된다. Ra'01 은 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 하이드록시기 부분이 보호기로 보호되어 있어도 되고 또한 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기, 염을 형성하고 있는 카르복실기, 또는 치환 옥시카르보닐기이다. 2 개 이상의 Ra'01 이 존재하는 경우, 복수의 Ra'01 은 서로 동일하거나 상이하여도 된다. X 는 할로겐 원자, 카르복실기, 아실기, 니트로기 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택되는 치환기이다. 2 개 이상의 X 가 존재하는 경우, 복수의 X 는 서로 동일하거나 상이하여도 된다. p0 은 0 ∼ 8 의 정수이다. q0 은 1 ∼ 9 의 정수이다.]
[화학식 2]
Figure 112020116148120-pat00059

[식 중, R101 은 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다. q'' 는 1 ∼ 20 의 정수이다. m 은 1 이상의 정수로서, Mm+ 는 m 가의 유기 카티온이다.]
A base component (A) whose solubility in a developer is changed by the action of an acid, an acid generator component (B) that generates an acid by exposure, and a photodisintegrating base that loses controllability of acid diffusion by decomposition by exposure (D1) ) As a resist composition containing,
The substrate component (A) contains a polymer compound (A1) having a structural unit (a0) represented by the following general formula (a0-1),
The acid generator component (B) comprises an acid generator (B1) comprising a compound represented by the following general formula (b1).
[Formula 1]
Figure 112020116148120-pat00058

[In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Va 0 is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent. n a0 is 0. Ra 1 and Ra 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group, or an alkylthio group, or Ra 1 and Ra 2 are bonded to each other to form an oxygen atom (-O-) or a sulfur atom It may be a C1-C6 alkylene group, an ether bond, or a thioether bond which may contain (-S-). Ra' 01 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms that may have a halogen atom protected by a protecting group or may have a halogen atom, and a carboxyl group forming a salt Or a substituted oxycarbonyl group. When two or more Ra' 01 are present, a plurality of Ra' 01 may be the same as or different from each other. X is a substituent selected from the group consisting of a halogen atom, a carboxyl group, an acyl group, a nitro group and a cyano group. When two or more Xs are present, a plurality of Xs may be the same or different from each other. p 0 is an integer of 0-8. q 0 is an integer of 1 to 9.]
[Formula 2]
Figure 112020116148120-pat00059

[In the formula, R 101 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent. q'' is an integer of 1-20. m is an integer greater than or equal to 1, and M m+ is an m-valent organic cation.]
제 1 항에 있어서,
상기 고분자 화합물 (A1) 이 산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기를 포함하는 구성 단위 (a1) 을 갖는 레지스트 조성물.
The method of claim 1,
A resist composition having a structural unit (a1) in which the polymer compound (A1) contains an acid-decomposable group whose polarity increases due to the action of an acid.
산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분 (A), 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분 (B) 및 노광에 의해 분해되어 산 확산 제어성을 잃는 광 붕괴성 염기 (D1) 을 함유하는 레지스트 조성물로서,
상기 기재 성분 (A) 는 하기 일반식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위 (a0) 과, 산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기를 포함하는 구성 단위 (a1) 과, 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기 또는 카보네이트 함유 고리형기를 포함하는 구성 단위 (a2) (단, 상기 구성 단위 (a0) 을 제외한다) 를 갖는 고분자 화합물 (A1) 을 포함하고,
상기 산 발생제 성분 (B) 는 하기 일반식 (b1) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 산 발생제 (B1) 을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물.
[화학식 3]
Figure 112020116148120-pat00061

[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기이다. Va0 은 치환기를 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이다. na0 은 0 ~ 2 의 정수이다. Ra1 및 Ra2 는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 알콕시기, 혹은 알킬티오기이거나, 또는, Ra1 과 Ra2 가 서로 결합하여, 산소 원자 (-O-) 혹은 황 원자 (-S-) 를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기, 에테르 결합, 혹은 티오에테르 결합이 되어도 된다. Ra'01 은 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 하이드록시기 부분이 보호기로 보호되어 있어도 되고 또한 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기, 염을 형성하고 있는 카르복실기, 또는 치환 옥시카르보닐기이다. 2 개 이상의 Ra'01 이 존재하는 경우, 복수의 Ra'01 은 서로 동일하거나 상이하여도 된다. X 는 할로겐 원자, 카르복실기, 아실기, 니트로기 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택되는 치환기이다. 2 개 이상의 X 가 존재하는 경우, 복수의 X 는 서로 동일하거나 상이하여도 된다. p0 은 0 ∼ 8 의 정수이다. q0 은 1 ∼ 9 의 정수이다.]
[화학식 4]
Figure 112020116148120-pat00062

[식 중, R101 은 치환기를 갖고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다. q'' 는 1 ∼ 20 의 정수이다. m 은 1 이상의 정수로서, Mm+ 는 m 가의 유기 카티온이다.]
A base component (A) whose solubility in a developer is changed by the action of an acid, an acid generator component (B) that generates an acid by exposure, and a photodisintegrating base that loses controllability of acid diffusion by decomposition by exposure (D1) ) As a resist composition containing,
The base component (A) is a structural unit (a0) represented by the following general formula (a0-1), a structural unit (a1) containing an acid-decomposable group whose polarity increases due to the action of an acid, and a lactone-containing cyclic group, -SO 2 -containing a polymer compound (A1) having a structural unit (a2) containing a containing cyclic group or a carbonate containing cyclic group (excluding the structural unit (a0)),
The acid generator component (B) comprises an acid generator (B1) comprising a compound represented by the following general formula (b1).
[Formula 3]
Figure 112020116148120-pat00061

[In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Va 0 is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent. n a0 is an integer from 0 to 2. Ra 1 and Ra 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group, or an alkylthio group, or Ra 1 and Ra 2 are bonded to each other to form an oxygen atom (-O-) or a sulfur atom It may be a C1-C6 alkylene group, an ether bond, or a thioether bond which may contain (-S-). Ra' 01 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms that may have a halogen atom protected by a protecting group or may have a halogen atom, and a carboxyl group forming a salt Or a substituted oxycarbonyl group. When two or more Ra' 01 are present, a plurality of Ra' 01 may be the same as or different from each other. X is a substituent selected from the group consisting of a halogen atom, a carboxyl group, an acyl group, a nitro group and a cyano group. When two or more Xs are present, a plurality of Xs may be the same or different from each other. p 0 is an integer of 0-8. q 0 is an integer of 1 to 9.]
[Formula 4]
Figure 112020116148120-pat00062

[In the formula, R 101 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent. q'' is an integer of 1-20. m is an integer greater than or equal to 1, and M m+ is an m-valent organic cation.]
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 레지스트 조성물을 사용하여 지지체 상에 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 및 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법.A step of forming a resist film on a support using the resist composition according to any one of claims 1 to 3, a step of exposing the resist film, and a step of developing the resist film after exposure to form a resist pattern. How to form a resist pattern.
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